WO2024101353A1 - 波長変換基板及び表示装置 - Google Patents

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WO2024101353A1
WO2024101353A1 PCT/JP2023/040043 JP2023040043W WO2024101353A1 WO 2024101353 A1 WO2024101353 A1 WO 2024101353A1 JP 2023040043 W JP2023040043 W JP 2023040043W WO 2024101353 A1 WO2024101353 A1 WO 2024101353A1
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wavelength conversion
layer
line
holes
opposite side
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PCT/JP2023/040043
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English (en)
French (fr)
Inventor
圭佑 後藤
涼輔 横田
Original Assignee
Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a wavelength conversion substrate and a display device.
  • light-emitting elements such as light-emitting diodes are used, for example, as light sources for backlight units or as components of pixels or subpixels.
  • partitions may be provided to separate the light-emitting elements or the pixels or subpixels from one another. The partitions make it possible, for example, to efficiently use the light emitted by the light-emitting elements or to prevent light emitted by one light-emitting element from entering an area where light emitted by another light-emitting element should be incident.
  • Patent documents 1 and 2 propose a display device equipped with a wavelength conversion layer that contains a color conversion phosphor that converts the wavelength of blue light into red light and green light. Such a display device is capable of displaying color images even when using a monochromatic light source.
  • Two or more wavelength conversion layers that convert light from a light source into light of different colors can be formed in two or more recesses separated from each other by partitions.
  • partitions for example, it is possible to form thick wavelength conversion layers with high positional accuracy. Therefore, it is possible to achieve high wavelength conversion efficiency and make it difficult for color mixing to occur.
  • Methods for forming the wavelength conversion layer in the recess include a method in which a photosensitive material is used as a coating liquid and the coating film is patterned by photolithography, and a nozzle coating method in which the coating liquid is selectively supplied to a specific position. Either method is prone to air bubbles forming between the inner surface of the recess and the coating film or within the coating film. Air bubbles that form in the wavelength conversion layer can cause problems such as reduced brightness and color loss in display devices.
  • the present invention aims to provide a technology that can reduce the occurrence of brightness reduction and color loss caused by the generation of bubbles in the wavelength conversion layer in a display device equipped with a wavelength conversion substrate with a partition wall.
  • a wavelength conversion substrate comprising: a transparent substrate having a first main surface and a second main surface; a resin layer provided on the first main surface and having a plurality of first through holes; an inorganic coating layer including a plurality of first portions at least partially covering the side walls of the first through holes; and a wavelength conversion layer including a plurality of wavelength conversion parts provided in at least some of the first through holes, each of the first through holes having a first opening on the transparent substrate side and a second opening on the opposite side, the contour of the second opening extending in a second direction parallel to the first main surface, and including first and second opposite sides arranged in a first direction parallel to the first main surface and perpendicular to the second direction, a first line connecting one end of the first opposite side and one end of the second opposite side, and a second line connecting the other end of the first opposite side and the other end of the second opposite side, the first line having a middle portion protruding outward from the contour.
  • a wavelength conversion substrate in which the first line in each of the plurality of first through holes is located on the upstream side of the second line with respect to the coating direction of the plurality of wavelength conversion sections.
  • a wavelength conversion substrate in which the first line in each of the plurality of first through holes is located downstream of the second line with respect to the coating direction of the plurality of wavelength conversion sections.
  • a wavelength conversion substrate is provided relating to any of the above aspects, in which the first line includes a first portion extending from one end of the first opposite side and a second portion extending from one end of the second opposite side, and each of the first portion and the second portion is a line segment.
  • a wavelength conversion substrate relating to any of the side surfaces, in which the first line includes a first portion extending from one end of the first opposite side and a second portion extending from one end of the second opposite side, and each of the first portion and the second portion is a convex curve protruding toward the outside of the contour.
  • a wavelength conversion substrate relating to any of the side surfaces, in which the first line includes a first portion extending from one end of the first opposite side and a second portion extending from one end of the second opposite side, and each of the first portion and the second portion is a concave curve recessed toward the inside of the contour.
  • a wavelength conversion substrate in which the first line is related to any of the above-mentioned sides, with the intermediate portion protruding toward the outside of the contour so as to have a rounded apex.
  • a wavelength conversion substrate relating to any of the above aspects is provided in which, in each of the plurality of first through holes, the length L1 of each of the first opposite side and the second opposite side is greater than the distance D1 from the first opposite side to the second opposite side.
  • a wavelength conversion substrate according to any of the above aspects, in which the ratio L1/D1 of the length L1 to the distance D1 is within the range of 1.1 to 25.
  • a wavelength conversion substrate according to any of the above aspects, in which the ratio L2/D1 of the difference L2 between the distance L from the middle part of the first line to the second line and the length L1 of each of the first and second opposite sides and the distance D1 from the first opposite side to the second opposite side is within the range of 0.083 to 25.
  • each of the plurality of first through holes has a depth within a range of 10 to 40 ⁇ m.
  • each of the plurality of wavelength conversion sections has a distance D2 from the second opening of the first through hole in which it is located within a range of 1 to 99 ⁇ m.
  • each of the multiple wavelength conversion sections has a thickness in the range of 1 to 99 ⁇ m.
  • a wavelength conversion substrate according to any of the above aspects, further comprising a black matrix interposed between the transparent substrate and the resin layer, the black matrix having a plurality of third through holes at the positions of the plurality of first through holes.
  • a wavelength conversion substrate according to the above aspect, further comprising a color filter including a plurality of colored layers each disposed at at least some of the positions of the third through holes.
  • the inorganic coating layer further includes second portions that cover the portions of the black matrix that respectively surround the third through holes, and the second portions have second through holes at the positions of the third through holes.
  • the inorganic coating layer is made of a metal or an alloy.
  • a display device comprising a wavelength conversion substrate according to any of the above aspects and a dimming device arranged to face the first main surface.
  • the above-mentioned dimming device is a display device according to the above-mentioned aspect, which includes a substrate and a plurality of light-emitting diodes arranged on the substrate in correspondence with the plurality of first through holes.
  • the present invention provides a technology that can reduce the occurrence of brightness reduction and color loss caused by the generation of bubbles in the wavelength conversion layer in a display device equipped with a wavelength conversion substrate with a partition wall.
  • FIG. 1 is a plan view showing a part of a display device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the display device shown in FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III of the display device shown in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of the display device shown in FIG.
  • FIG. 5 is a plan view showing a part of a wavelength conversion substrate included in the display device of FIG.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of the outline of a second opening of a first through hole.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing still another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing still another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing still another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing still another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • FIG. 12 is a schematic diagram showing still another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing still another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • FIG. 14 is a schematic diagram showing a state in which no air bubbles were generated in the coating film when it was applied to the surface of the structure before the wavelength conversion layer was formed in Example 1.
  • FIG. 14 is a schematic diagram showing a state in which no air bubbles were generated in the coating film when it was applied to the surface of the structure before the wavelength conversion layer was formed in Example 1.
  • FIG. 15 is a schematic diagram showing air bubbles generated in the coating film during coating on the surface of the structure before the wavelength conversion layer is formed in Example 2.
  • FIG. 16 is a schematic diagram showing air bubbles generated in the coating film during coating on the surface of the structure before the wavelength conversion layer is formed in Example 3.
  • FIG. 17 is a schematic diagram showing air bubbles generated in the coating film during coating on the surface of the structure before the wavelength conversion layer is formed in Example 4.
  • FIG. 18 is a schematic diagram showing air bubbles generated in the coating film during coating on the surface of the structure before the wavelength conversion layer is formed in Example 6.
  • FIG. 19 is a schematic diagram showing air bubbles generated in the coating film during coating on the surface of the structure before the wavelength conversion layer is formed in Example 7.
  • FIG. 16 is a schematic diagram showing air bubbles generated in the coating film during coating on the surface of the structure before the wavelength conversion layer is formed in Example 3.
  • FIG. 17 is a schematic diagram showing air bubbles generated in the coating film during coating on the surface of the structure before the wavelength conversion layer is formed
  • FIG. 20 is a schematic diagram showing air bubbles generated in the coating film during coating on the surface of the structure before the wavelength conversion layer is formed in Example 8.
  • FIG. 21 is a schematic diagram showing air bubbles generated in a coating film during coating on the surface of a structure before the wavelength conversion layer is formed in Example 9.
  • FIG. 22 is a schematic diagram showing air bubbles generated in a coating film during coating on the surface of the structure before the wavelength conversion layer is formed in Reference Example 1.
  • FIG. 23 is a schematic diagram showing air bubbles generated in a coating film during coating on the surface of the structure before the wavelength conversion layer is formed in Comparative Example 1.
  • FIG. 1 is a plan view showing a part of a display device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the display device shown in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III of the display device shown in FIG. 1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of the display device shown in FIG. 1.
  • FIG. 5 is a plan view showing a part of a wavelength conversion substrate included in the display device of FIG. 1.
  • FIGS. 6 to 9 are schematic diagrams showing specific examples of the contour of the second opening of the first through hole.
  • the area surrounded by a dashed line represents the opening of the third through hole on the transparent substrate 31 side of the black matrix 32, as described later.
  • the display device 1 shown in Figures 1 to 4 is capable of color display using an active matrix driving method, and is a micro LED display in which each sub-pixel includes a light-emitting diode (LED).
  • LED light-emitting diode
  • the X direction and the Y direction are parallel to the display surface of the display device 1 and intersect with each other. According to one example, the X direction and the Y direction are perpendicular to each other.
  • the Z direction is perpendicular to the X direction and the Y direction. In other words, the Z direction is the thickness direction of the display device 1.
  • the display device 1 includes a video signal line VSL, a power supply line PSL, a scanning signal line SSL, pixels PX, a video signal line driver VDR, and a scanning signal line driver SDR.
  • the video signal lines VSL and power supply lines PSL each extend in the Y direction and are arranged alternately in the X direction.
  • the scanning signal lines SSL each extend in the X direction and are arranged in the Y direction.
  • Each pixel PX includes a first sub-pixel PXR, a second sub-pixel PXG, and a third sub-pixel PXB.
  • the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB are arranged corresponding to the intersections of the video signal lines VSL and the scanning signal lines SSL.
  • the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB emit light of different colors.
  • the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB emit red light, green light, and blue light, respectively.
  • the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB are arranged in this order in the X direction.
  • the arrangement order of the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB in each pixel PX can be changed.
  • first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB form a stripe arrangement.
  • the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB may form other arrangements, such as a delta arrangement and a mosaic arrangement.
  • Each of the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB includes a light-emitting element D, a drive control element DR, a switch SW, and a capacitor C.
  • the light-emitting element D is a light-emitting diode.
  • the light-emitting diode is, for example, a light-emitting diode made of an inorganic material.
  • a light-emitting diode made of an inorganic material can be obtained, for example, by singulating a laminate having a similar layer structure into a plurality of parts.
  • the light-emitting element D may be an electroluminescence element, which is a light-emitting diode made of an organic material.
  • the cathode of the light-emitting element D is connected to the ground electrode.
  • the light-emitting element D is a blue light-emitting diode made of an inorganic material that emits blue light.
  • the drive control element DR and the switch SW are field effect transistors.
  • the drive control element DR is a p-channel thin-film transistor
  • the switch SW is an n-channel thin-film transistor.
  • the drive control element DR has a gate connected to the drain of the switch SW, a source connected to the power supply line PSL, and a drain connected to the anode of the light-emitting element D.
  • the switch SW has a gate connected to the scanning signal line SSL, and a source connected to the video signal line VSL.
  • the capacitor C is, for example, a thin-film capacitor.
  • One electrode of the capacitor C is connected to the gate of the drive control element DR, and the other electrode is connected to the power supply line PSL.
  • the first subpixel PXR further includes a first wavelength conversion layer 36R and a first colored layer 33R shown in Figures 3 and 4.
  • the first wavelength conversion layer 36R is disposed to face the light-emitting element D of the first subpixel PXR.
  • the first wavelength conversion layer 36R converts the light emitted by the light-emitting element D of the first subpixel PXR into a first light of a specific color.
  • the first wavelength conversion layer 36R converts the blue light emitted by the light-emitting element D of the first subpixel PXR into red light.
  • the first colored layer 33R is disposed so as to face the light-emitting element D of the first subpixel PXR with the first wavelength conversion layer 36R sandwiched therebetween.
  • the first colored layer 33R transmits light after wavelength conversion by the first wavelength conversion layer 36R and absorbs light that has not been wavelength-converted by the first wavelength conversion layer 36R.
  • the first colored layer 33R is, for example, a red colored layer that transmits red light after wavelength conversion by the first wavelength conversion layer 36R and absorbs blue light and the like that has not been wavelength-converted by the first wavelength conversion layer 36R.
  • the second subpixel PXG further includes a second wavelength conversion layer 36G and a second colored layer 33G shown in FIG. 3.
  • the second wavelength conversion layer 36G is disposed to face the light-emitting element D of the second subpixel PXG.
  • the second wavelength conversion layer 36G converts the light emitted by the light-emitting element D of the second subpixel PXG into a second light having a different color from the first light.
  • the second wavelength conversion layer 36G converts the blue light emitted by the light-emitting element D of the second subpixel PXG into green light.
  • the second colored layer 33G is disposed so as to face the light-emitting element D of the second subpixel PXG with the second wavelength conversion layer 36G sandwiched therebetween.
  • the second colored layer 33G transmits light after wavelength conversion by the second wavelength conversion layer 36G and absorbs light that has not been wavelength-converted by the second wavelength conversion layer 36G.
  • the second colored layer 33G is, for example, a green colored layer that transmits green light after wavelength conversion by the second wavelength conversion layer 36G and absorbs blue light and the like that has not been wavelength-converted by the second wavelength conversion layer 36G.
  • the third subpixel PXB further includes a base layer 33B and a filling layer 36B as shown in FIG. 3.
  • the filling layer 36B is disposed so as to face the light-emitting element D of the third subpixel PXB.
  • the filling layer 36B is, for example, a colorless and transparent layer.
  • the filling layer 36B may be omitted.
  • the base layer 33B is disposed so as to face the light-emitting element D of the third subpixel PXB with the filling layer 36B sandwiched therebetween.
  • the base layer 33B transmits the light emitted by the light-emitting element D of the third subpixel PXB as third light.
  • the base layer 33B is, for example, a colorless light-transmitting layer or a blue-colored layer that transmits the blue light emitted by the light-emitting element D of the third subpixel PXB.
  • the video signal line driver VDR and the scan signal line driver SDR are mounted on the display panel using a COG (chip on glass) mounting method, as shown in FIG. 2.
  • the video signal line driver VDR and the scan signal line driver SDR may be mounted using a TCP (tape carrier package) mounting method, instead of a COG mounting method.
  • the video signal line driver VDR is connected to the video signal line VSL and the power supply line PSL.
  • the video signal line driver VDR outputs a voltage signal as a video signal to the video signal line VSL.
  • the scanning signal line driver SDR is connected to the scanning signal line SSL.
  • the scanning signal line driver SDR outputs a voltage signal as a scanning signal to the scanning signal line SSL.
  • the power supply line PSL may be connected to the scanning signal line driver SDR instead of being connected to the video signal line driver VDR.
  • the display device 1 includes a light control substrate 2, a wavelength conversion substrate 3, and an adhesive layer 4.
  • the dimming substrate 2 is a substrate that emits light toward the wavelength conversion substrate and is capable of adjusting at least one of the intensity of the light and the time for emitting the light for each pixel or for each subpixel.
  • the dimming substrate 2 shown in Figures 3 and 4 includes a substrate 21, a semiconductor layer 22, conductor layers 23A, 23B, 23C, and 23D, insulating layers 24A, 24B, and 24C, a light-emitting element 25, a partition layer 26, a filling layer 27, and a conductor layer 28.
  • the substrate 21 includes, for example, an insulating substrate such as a glass substrate.
  • the substrate 21 may further include an undercoat layer provided on the main surface of the insulating substrate facing the wavelength conversion substrate 3.
  • the undercoat layer is, for example, a laminate of a silicon nitride layer and a silicon oxide layer sequentially stacked on the insulating substrate.
  • the substrate 21 may be a semiconductor substrate such as a silicon substrate.
  • the substrate 21 may be either rigid or flexible.
  • the semiconductor layers 22 are arranged on the main surface of the substrate 21 facing the wavelength conversion substrate 3.
  • the semiconductor layers 22 are, for example, polysilicon layers.
  • the semiconductor layers 22 are semiconductor layers of thin-film transistors constituting the drive control elements DR or the switches SW.
  • Each semiconductor layer 22 includes a source and a drain, and a channel region interposed between them.
  • the conductor layer 23A is a conductor pattern provided on the main surface of the substrate 21.
  • the conductor layer 23A constitutes the video signal line VSL, the power supply line PSL, the source electrode SE, the drain electrode DE, and the lower electrode (not shown) of the capacitor C.
  • the source electrode SE and the drain electrode DE are connected to the source and drain of the semiconductor layer 22, respectively.
  • the conductor layer 23A is made of a metal or an alloy.
  • the conductor layer 23A may have a single-layer structure or a multi-layer structure.
  • the insulating layer 24A covers the conductor layer 23A and the above-mentioned main surface of the substrate 21.
  • the insulating layer 24A can be formed using, for example, TEOS (tetraethyl orthosilicate).
  • TEOS tetraethyl orthosilicate
  • the gate insulating film of each thin-film transistor constituting the drive control element DR or switch SW is part of the insulating layer 24A.
  • the dielectric layer of each capacitor C is another part of the insulating layer 24A.
  • the conductor layer 23B is a conductor pattern provided on the insulating layer 24A.
  • the gate electrode GE of each thin film transistor constituting the drive control element DR or switch SW is part of the conductor layer 23B.
  • Each gate electrode GE faces the channel region of the semiconductor layer 22 with the insulating layer 24A sandwiched therebetween.
  • the upper electrode (not shown) of each capacitor C is another part of the conductor layer 23B.
  • Each upper electrode faces the lower electrode of the capacitor C including this upper electrode with the insulating layer 24A sandwiched therebetween.
  • the conductor layer 23B is made of a metal or an alloy.
  • the conductor layer 23B may have a single-layer structure or a multi-layer structure.
  • Insulating layer 24B covers conductor layer 23B and insulating layer 24A.
  • Insulating layer 24B is an interlayer insulating film.
  • Insulating layer 24B is made of an inorganic insulator such as silicon oxide.
  • An insulating layer made of an inorganic insulator can be formed by, for example, plasma CVD (chemical vapor deposition).
  • the conductor layer 23C is a conductor pattern provided on the insulating layer 24B.
  • the conductor layer 23C constitutes the scanning signal line SSL.
  • the source electrode SE and the drain electrode DE may be provided on the insulating layer 24B instead of on the insulating layer 24A.
  • the scanning signal line SSL and the source electrode SE and the drain electrode DE may be formed by the conductor layer 23C.
  • Insulating layer 24C covers conductor layer 23C and insulating layer 24B. Insulating layer 24C is a passivation film. Insulating layer 24C is made of an inorganic insulator such as silicon nitride.
  • the conductor layer 23D is a conductor pattern provided on the insulating layer 24C.
  • the conductor layer 23D constitutes electrode pads arranged in the X direction and the Y direction corresponding to the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB.
  • the laminate consisting of the insulating layers 24A, 24B, and 24C has through holes at the position of the drain electrode DE connected to the drain of the drive control element DR. Each electrode pad is connected to the drain electrode DE via this through hole.
  • the conductor layer 23D is made of, for example, a metal or an alloy.
  • the conductor layer 23D may have a single-layer structure or a multi-layer structure.
  • the contour of the orthogonal projection of each electrode pad onto a plane perpendicular to the Z direction is spaced apart from and surrounds the orthogonal projection onto the plane ahead of the light-emitting element 25 placed on the electrode pad. That is, the electrode pad has a larger dimension in the direction perpendicular to the Z direction compared to the light-emitting element 25. Therefore, the electrode pad also serves as a reflective layer that reflects light traveling toward the substrate 21. The electrode pad does not have to fulfill this role as a reflective layer. In this case, the reflective layer that fulfills this role may or may not be provided separately from the electrode pad.
  • the light-emitting element 25 shown in Figures 3 and 4 is the light-emitting element D shown in Figure 2.
  • the light-emitting element 25 is disposed on an electrode pad.
  • the light-emitting element 25 is a light-emitting diode made of an inorganic material.
  • a substrate including a light-emitting diode as the light-emitting element 25 is sometimes called an "LED substrate.”
  • the light-emitting element 25 has a multi-layer structure including multiple layers, for example, a first layer 251, a second layer 252, and a third layer 253.
  • the stacking direction of the layers included in the light-emitting element 25 is the Z direction. This stacking direction may be perpendicular to the Z direction.
  • Each light-emitting element 25 includes an anode and a cathode.
  • the light-emitting element 25 has an anode and a cathode on one side.
  • the anode of the light-emitting element 25 is connected to an electrode pad via a bonding wire (not shown).
  • the light-emitting element 25 may be bonded to the electrode pad and the anode may be connected to the electrode pad by die bonding using a conductive material such as a conductive paste as a bonding material.
  • the conductor layer 28 may be omitted, and electrode pads for connecting to the cathode of the light-emitting element 25 may be further provided on the insulating layer 24C, and wiring connected to these electrode pads may be further provided between the insulating layers, and the light-emitting element 25 may be bonded to the electrode pad and the conductor layer 28 and the anode and cathode may be connected to the electrode pads by flip-chip bonding.
  • the dimensions of the light-emitting element 25 in the X and Y directions are preferably in the range of 1 to 100 ⁇ m, more preferably in the range of 5 to 80 ⁇ m, and even more preferably in the range of 10 to 60 ⁇ m.
  • the dimensions of the light-emitting element 25 in the Z direction are preferably in the range of 1 to 20 ⁇ m, more preferably in the range of 1 to 15 ⁇ m, and even more preferably in the range of 1 to 10 ⁇ m.
  • the partition layer 26 is provided on the insulating layer 24C.
  • the partition layer 26 has through holes at the positions of the electrode pads.
  • the light-emitting elements 25 are respectively located in these through holes.
  • the partition layer 26 is made of, for example, a resin.
  • Such a partition layer 26 can be formed by photolithography using a photosensitive resin.
  • the partition layer 26 may include a resin layer having through holes and a reflective layer that covers the side walls of the through holes and, optionally, the upper surface of the resin layer.
  • the reflective layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure.
  • the layers included in the reflective layer are, for example, metals, alloys, or transparent dielectrics.
  • the partition layer 26 may be omitted.
  • the filling layer 27 fills the gap between the light emitting element 25 and the partition layer 26.
  • the filling layer 27 is a light transmitting layer that transmits the light emitted by the light emitting element 25.
  • the filling layer 27 also serves as a protective layer that protects the light emitting element 25 and the joint between the light emitting element 25 and the electrode.
  • the filling layer 27 is made of, for example, a resin. It is preferable that the refractive index of the filling layer 27 is different from the refractive index of the material that constitutes the surface of the partition layer 26.
  • the conductor layer 28 is provided on the partition layer 26 and the filling layer 27.
  • the cathode of the light-emitting element 25 is connected to the conductor layer 28.
  • the conductor layer 28 is made of a conductive transparent oxide, it can be provided so as to cover the entire cathode of the light-emitting element 25.
  • the conductor layer 28 is made of a metal or an alloy, it is preferable that the conductor layer 28 is provided so as to partially cover the cathode of the light-emitting element 25.
  • the wavelength conversion board 3 faces the dimming board 2. Specifically, the wavelength conversion board 3 faces the board 21 with the light emitting element 25 and the like sandwiched between them.
  • the wavelength conversion substrate 3 includes a transparent substrate 31, a black matrix 32, a resin layer 34, an inorganic coating layer 35, a color filter including a first colored layer 33R and a second colored layer 33G, a base layer 33B, a first wavelength conversion layer 36R, a second wavelength conversion layer 36G, and a filling layer 36B.
  • the transparent substrate 31 is transparent to visible light.
  • the transparent substrate 31 is, for example, a colorless substrate.
  • the transparent substrate 31 may have a single-layer structure or a multi-layer structure.
  • the transparent substrate 31 is made of, for example, glass, a transparent resin, or a combination thereof.
  • the transparent substrate 31 may be hard or flexible.
  • the transparent substrate 31 has a first main surface facing the dimming substrate 2 and a second main surface which is the rear surface of the first main surface.
  • the black matrix 32 is provided on the first main surface of the transparent substrate 31.
  • the black matrix 32 is a black layer that blocks visible light.
  • the black matrix 32 is made of, for example, a mixture containing a binder resin and a colorant.
  • the colorant is, for example, a black pigment, or a mixture of pigments that exhibit black color through subtractive color mixing, for example, a mixture containing a blue pigment, a green pigment, and a red pigment.
  • the black matrix 32 has third through holes at the positions of the light-emitting elements 25.
  • the opening of each third through hole on the transparent substrate 31 side has a larger dimension in the direction perpendicular to the Z direction than the light-emitting elements 25.
  • the opening of the third through hole on the transparent substrate 31 side has a shape extending in the Y direction, as shown by the dashed line in FIG. 1.
  • Each portion of the black matrix 32 corresponding to the pixel PX includes a third through hole provided at the position of the first sub-pixel PXR, a third through hole provided at the position of the second sub-pixel PXG, and a third through hole provided at the position of the third sub-pixel PXB, and these three third through holes are arranged in the X direction.
  • a plurality of third through hole groups each consisting of these three third through holes are arranged in the X direction and the Y direction.
  • the distance between adjacent third through hole groups in the X direction is greater than the distance between third through holes included in the same through hole group.
  • the distance between adjacent third through hole groups in the Y direction is also greater than the distance between third through holes included in the same through hole group.
  • the aperture ratio of the black matrix 32 is preferably in the range of 5 to 66%, more preferably in the range of 5 to 40%, and even more preferably in the range of 5 to 20%.
  • Light-emitting diodes made of inorganic materials can emit light brightly even when the light-emitting surface is small, and also have a long life. Therefore, when the light-emitting element 25 is a light-emitting diode made of inorganic materials, a bright display is possible even if the aperture ratio of the black matrix 32 is reduced. Furthermore, by reducing the aperture ratio of the black matrix 32, reflection of external light can be suppressed, and a deeper black color can be displayed, thereby achieving a higher contrast ratio.
  • the thickness of the black matrix 32 is preferably in the range of 1 to 30 ⁇ m, more preferably in the range of 1 to 15 ⁇ m, and even more preferably in the range of 1 to 5 ⁇ m.
  • a thick black matrix 32 is advantageous in achieving high light blocking properties. However, if the black matrix 32 is made thick, the light may not reach the depths of the coating film made of a photosensitive black composition with sufficient intensity during pattern exposure, making it difficult to achieve high shape precision.
  • the resin layer 34 is provided on the black matrix 32 as shown in Figs. 3 and 4.
  • the resin layer 34 is transparent.
  • the resin layer 34 may be colored or colorless.
  • the resin layer 34 may have light scattering properties. Assuming that the transparent resin layer 34 has a thickness of, for example, 5 ⁇ m, it is desirable that the maximum transmittance of light having a wavelength in the range of 350 to 480 nm incident in the thickness direction is 20% or more.
  • the wavelength conversion substrate 3 may further include an overcoat layer interposed between the black matrix 32 and the resin layer 34.
  • the overcoat layer may include a transparent resin and one or more of an ultraviolet absorbing agent, a yellow pigment, and transparent particles.
  • the overcoat layer including an ultraviolet absorbing agent can absorb stray light that is incident on the resin layer 34 when the stray light is ultraviolet light.
  • the resin layer 34 has first through holes at the positions of the third through holes. These first through holes form a first through hole group corresponding to the above-mentioned third through hole group.
  • Each of the first through hole groups consists of three first through holes arranged in the X direction here.
  • the first through hole groups are arranged in a first direction and a second direction that intersect with each other, here the X direction and Y direction.
  • FIG. 5 is a plan view showing a part of the wavelength conversion substrate included in the display device 3 of FIG. 1.
  • FIG. 5 is a plan view of the display device 3 seen from the side opposite the transparent substrate 31, and shows an example of the contour OL of the second opening of the first through hole.
  • the "second opening” refers to the latter opening on the opposite side of the opening on the transparent substrate 31 side of the first through hole and the opening on the opposite side.
  • the former opening on the transparent substrate 31 side of the first through hole is referred to as the "first opening.”
  • the contour OL of the second opening of the first through hole is made up of a first pair of sides 37a and a second pair of sides 37b, each of which extends in a second direction (here, the Y direction) parallel to the first main surface of the transparent substrate 31 and is arranged in a first direction (here, the X direction) parallel to the first main surface and perpendicular to the second direction, a first line 38a connecting one end of the first pair of sides 37a to one end of the second pair of sides 37b, and a second line 38b connecting the other end of the first pair of sides 37a to the other end of the second pair of sides 37b.
  • the first line 38a at the contour OL of the first through-hole has a shape in which its middle portion protrudes outward from the contour OL.
  • the middle portion of the first line 38a protrude outward from the contour OL it is possible to make it difficult for air bubbles to form when the coating liquid is filled into the first through-hole. Therefore, it is possible to suppress the decrease in brightness and color loss of the display device caused by air bubbles.
  • the first line 38a whose middle portion protrudes outward from the contour OL, may be located upstream or downstream of the second line 38b based on the coating direction of the coating liquid.
  • the first line 38a is located upstream of the second line 38b based on the coating direction of the coating liquid.
  • the first line 38a is located downstream of the second line 38b based on the coating direction of the coating liquid.
  • the form in which the first line 38a, whose middle portion protrudes outward from the contour OL, is located on the upstream side as described above is referred to as the first form
  • the form in which the first line 38a is located on the downstream side as described above is referred to as the second form.
  • the protruding shape of the first line 38a of the contour OL shown in FIG. 5 is one example.
  • the contour OL of the second opening of the first through hole will be described in more detail with specific examples with reference to FIG. 6 to FIG. 13.
  • the symbol TH indicates the first through hole
  • the symbol OL indicates the contour of the second opening of the first through hole
  • the symbol A indicates the application direction of the coating liquid into the first through hole TH.
  • FIG. 6 to FIG. 9 show a first form in which the first line 38a is located upstream of the second line 38b based on the application direction of the coating liquid
  • FIG. 10 to FIG. 13 show a second form in which the first line 38a is located downstream.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • the first line 38a is located upstream of the second line 38b in the coating direction of the coating liquid.
  • the shape of the middle part of the first line 38a protruding outward from the contour OL is composed of a first part 38a1 extending from one end of the first opposite side 37a and a second part 38a2 extending from one end of the second opposite side 37b.
  • each of the first part 38a1 and the second part 38a2 is a line segment.
  • the protruding shape is not limited to the structure shown in FIG. 6 in which the ends of the first part 38a1 and the second part 38a2 are directly connected to each other. That is, the ends of the first part 38a1 and the second part 38a2 may be connected via other line segments.
  • the first part 38a1 and the second part 38a2 constituting the first line 38a are each a line segment, there is an outline (not shown) in which the top part formed by the first part 38a1 and the second part 38a2 is cut off, which is a substantially trapezoidal outline with the outline OL shown in FIG. 6.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • the first line 38a is located upstream of the second line 38b in the coating direction of the coating liquid.
  • the shape of the middle part of the first line 38a protruding outward from the contour OL is composed of a first part 38a1 extending from one end of the first opposite side 37a and a second part 38a2 extending from one end of the second opposite side 37b.
  • each of the first part 38a1 and the second part 38a2 is a convex curve protruding outward from the contour OL.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing yet another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • the first line 38a is located upstream of the second line 38b in the coating direction of the coating liquid.
  • the shape of the middle part of the first line 38a protruding outward from the contour OL is composed of a first part 38a1 extending from one end of the first opposite side 37a and a second part 38a2 extending from one end of the second opposite side 37b.
  • each of the first part 38a1 and the second part 38a2 is a concave curve recessed toward the inside of the contour OL.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing yet another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • the first line 38a is located upstream of the second line 38b in the coating direction of the coating liquid.
  • the shape of the middle part of the first line 38a protruding outward from the contour OL is formed by the middle part of the first line 38a protruding outward from the contour OL so as to have a rounded apex.
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • the first line 38a is located downstream of the second line 38b in the coating direction of the coating liquid.
  • the shape of the middle part of the first line 38a protruding outward from the contour OL is composed of a first part 38a1 extending from one end of the first opposite side 37a and a second part 38a2 extending from one end of the second opposite side 37b.
  • each of the first part 38a1 and the second part 38a2 is a line segment.
  • the protruding shape is not limited to the structure shown in FIG. 10 in which the ends of the first part 38a1 and the second part 38a2 are directly connected to each other. That is, the ends of the first part 38a1 and the second part 38a2 may be connected via another line segment.
  • the first part 38a1 and the second part 38a2 constituting the first line 38a are each a line segment, there is an outline (not shown) in which the top part formed by the first part 38a1 and the second part 38a2 is cut off, which is a substantially trapezoidal outline with the outline OL shown in FIG. 10.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • the first line 38a is located downstream of the second line 38b in the coating direction of the coating liquid.
  • the shape of the middle part of the first line 38a protruding outward from the contour OL is composed of a first part 38a1 extending from one end of the first opposite side 37a and a second part 38a2 extending from one end of the second opposite side 37b.
  • each of the first part 38a1 and the second part 38a2 is a convex curve protruding outward from the contour OL.
  • FIG. 12 is a schematic diagram showing yet another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • the first line 38a is located downstream of the second line 38b in the coating direction of the coating liquid.
  • the shape of the middle part of the first line 38a protruding outward from the contour OL is composed of a first part 38a1 extending from one end of the first opposite side 37a and a second part 38a2 extending from one end of the second opposite side 37b.
  • each of the first part 38a1 and the second part 38a2 is a concave curve recessed toward the inside of the contour OL.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing yet another example of the contour of the second opening of the first through hole.
  • the first line 38a is located downstream in the coating direction of the coating liquid.
  • the shape of the middle part of the first line 38a protruding outward from the contour OL is formed by the middle part of the first line 38a protruding outward from the contour OL so as to have a rounded top.
  • L indicates the distance from the middle of the first line 38a to the second line 38b.
  • the distance L is preferably in the range of 90 to 1000 ⁇ m, and more preferably in the range of 100 to 500 ⁇ m.
  • L1 indicates the length of each of the first opposite side 37a and the second opposite side 37b, and L2 indicates the difference (L-L1) between the distance L and the length L1.
  • the ratio L2/D1 of the difference L2 to the distance D1 is preferably in the range of 0.083 to 25, and more preferably in the range of 0.5 to 10.
  • the difference L2 is preferably in the range of 10 to 500 ⁇ m, and more preferably in the range of 30 to 200 ⁇ m.
  • the distance D1 is preferably in the range of 20 to 120 ⁇ m, and more preferably in the range of 50 to 100 ⁇ m.
  • the ratio L2/L1 of the length L1 to the difference L2 is preferably within the range of 0.02 to 6.25, and more preferably within the range of 0.12 to 1.5.
  • the length L1 is preferably within the range of 80 to 500 ⁇ m, and more preferably within the range of 100 to 300 ⁇ m.
  • the length L1 of each of the first opposite side 37a and the second opposite side 37b is greater than the distance D1 from the first opposite side 37a to the second opposite side 37b, that is, L1/D1>1. It is more preferable that this ratio L1/D1 is within the range of 1.1 to 25.
  • the coating liquid When the coating liquid is applied to the first through-holes at high speed, air bubbles may be more likely to occur between the inner surface of the recess formed by the partition (the portion of the resin layer 34 sandwiched between adjacent first through-holes) and the coating film or in the coating film, and the size of the air bubbles may increase. Since the outline OL of the second opening of the first through-hole has a shape extending in the Y direction with the above-mentioned dimensions, the position of the air bubbles generated when coating is performed at high speed can be limited to one end in the length direction of the recess.
  • the position of the air bubbles can be limited to one end, the third through-hole of the black matrix can be separated from the position where the air bubbles are generated, thereby reducing the effect of the generation of air bubbles on the display. Therefore, even when the coating liquid is applied to the first through-holes at high speed, it is possible to suppress the decrease in brightness and color loss of the display device caused by the air bubbles.
  • the depth of the first through hole is preferably in the range of 5 to 100 ⁇ m, and more preferably in the range of 10 to 40 ⁇ m.
  • the depth of the first through hole corresponds to the thickness of the resin layer 34 described later.
  • the first through hole group consisting of three first through holes arranged in the X direction shown in Fig. 5 is arranged in the first and second directions (X direction and Y direction) that intersect with each other.
  • the distance W x 1 between the first through hole groups adjacent to each other in the X direction is larger than the distance W x 2 between the first through holes included in the same through hole group.
  • the distance W y 1 between the first through hole groups adjacent to each other in the Y direction is also larger than the distance W x 2 between the first through holes included in the same through hole group.
  • the distance W y 1 indicates the distance between two first opposite sides 37a adjacent to each other in the Y direction (or the distance between two second opposite sides 37b).
  • the distance W x 2 is preferably in the range of 5 to 80 ⁇ m, more preferably in the range of 5 to 40 ⁇ m, and even more preferably in the range of 5 to 20 ⁇ m.
  • the distance W x 1 is preferably in the range of 5 to 250 ⁇ m, more preferably in the range of 50 to 214.5 ⁇ m, and even more preferably in the range of 100 to 214.5 ⁇ m.
  • the distance W y 1 is preferably in the range of 5 to 250 ⁇ m, more preferably in the range of 5 to 100 ⁇ m, and even more preferably in the range of 5 to 50 ⁇ m.
  • the ratio W x 1/W x 2 of the distance W x 1 to the distance W x 2 is preferably in the range of 0.5 to 20, more preferably in the range of 2 to 20, and further preferably in the range of 10 to 20.
  • the distance W x 1 may be equal to the distance W x 2 or may be smaller than the distance W x 2.
  • the ratio W y 1/W x 2 of the distance W y 1 to the distance W x 2 is preferably in the range of 0.5 to 40, more preferably in the range of 1 to 10, and even more preferably in the range of 1.1 to 5.
  • the distance W y 1 may be equal to the distance W x 2 or may be smaller than the distance W x 2.
  • the portions of the resin layer 34 that are sandwiched between adjacent first through holes are partitions. These partitions have a rectangular cross-sectional shape. These partitions may have a forward tapered cross-sectional shape or a reverse tapered cross-sectional shape. Furthermore, these partitions form recesses (first through holes) at the positions of the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB. Here, these recesses (first through holes) have a groove shape that extends in the Y direction.
  • the thickness of the resin layer 34 is preferably in the range of 5 to 100 ⁇ m, more preferably in the range of 5 to 50 ⁇ m, and even more preferably in the range of 10 to 40 ⁇ m. If the thickness of the resin layer 34 is small, it is difficult to increase the thickness of the layer formed in the first through hole. If the thickness of the resin layer 34 is increased, the shape accuracy of the partition portion sandwiched between adjacent first through holes decreases.
  • the inorganic coating layer 35 includes a plurality of first portions that at least partially cover the side walls of the plurality of first through holes.
  • the inorganic coating layer 35 covers the entire side walls of each of the first through holes, as shown in Figures 3 and 4.
  • the inorganic coating layer 35 may not cover a portion of the side walls of the first through holes.
  • the inorganic coating layer 35 may not cover at least one of a portion of at least one side wall of the first through holes that is near the black matrix 32 and a portion of at least one side wall of the first through holes that is near the top surface of the resin layer 34.
  • the coverage of the sidewall of the first through hole by the first portion contained in the inorganic coating layer 35 is preferably 60% or more. If the coverage of the sidewall by the first portion is 60% or more, it is possible to effectively prevent air bubbles from being generated between the inner surface of the recess and the coating or in the coating when a coating is formed in the recess (first through hole) formed by the partition wall by, for example, a die coating method or a nozzle coating method.
  • the coverage of the sidewall of the first through hole by the first portion contained in the inorganic coating layer 35 is more preferably 80% or more.
  • the inorganic coating layer 35 further includes a plurality of second portions each having a second through hole that extends at the position of the first opening on the transparent substrate 31 side of the plurality of first through holes and has a smaller dimension than the first opening. That is, the inorganic coating layer 35 further includes a second portion that covers the black matrix 32 within the first through hole. The second portion has a second through hole that is smaller in dimension than the first opening on the transparent substrate 31 side of the first through hole.
  • the inorganic coating layer 35 has a second through hole at the position of the third through hole in the black matrix 32, as shown in FIG. 4. The second portion can be omitted.
  • the inorganic coating layer 35 further includes a plurality of third portions that at least partially cover the upper surface of the resin layer 34.
  • the third portions cover the entire upper surface of the resin layer 34. It is preferable that the third portions include a portion adjacent to the first portion.
  • the inorganic coating layer 35 may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the layers contained in the inorganic coating layer 35 are, for example, metals, alloys, or transparent dielectrics.
  • the inorganic coating layer 35 is made of aluminum or an aluminum alloy.
  • the inorganic coating layer 35 has a surface contact angle with respect to the coating liquid that is preferably in the range of 1 to 30 degrees, and more preferably in the range of 5 to 10 degrees.
  • the first colored layer 33R fills the third through-hole at the position of the first sub-pixel PXR. As described above, here, the first colored layer 33R is a red colored layer.
  • the second colored layer 33G fills the third through-hole at the position of the second subpixel PXG, as shown in FIG. 3. As described above, here, the second colored layer 33G is a green colored layer.
  • the base layer 33B fills the third through-hole at the position of the third subpixel PXB. As described above, in this case, it is a colorless light-transmitting layer or a blue-colored layer.
  • the first wavelength conversion layer 36R, the second wavelength conversion layer 36G, and the filling layer 36B are each a filling portion provided in the first through hole.
  • the first wavelength conversion layer 36R fills the first through-hole at the position of the first sub-pixel PXR.
  • the first wavelength conversion layer 36R is a layer containing a phosphor such as a quantum dot phosphor and a transparent resin. As described above, here, the first wavelength conversion layer 36R converts the blue light emitted by the light-emitting element D of the first sub-pixel PXR into red light.
  • the second wavelength conversion layer 36G fills the first through-hole at the position of the second subpixel PXG.
  • the second wavelength conversion layer 36G is a layer containing a phosphor such as a quantum dot phosphor and a transparent resin. As described above, here, the second wavelength conversion layer 36G converts the blue light emitted by the light-emitting element D of the second subpixel PXG into green light.
  • the distance D2 of each of the multiple wavelength conversion sections constituting the first wavelength conversion layer 36R and the second wavelength conversion layer 36G to the second opening of the first through hole in which it is located is preferably within the range of 1 to 99 ⁇ m, and more preferably within the range of 3 to 50 ⁇ m.
  • each of the multiple wavelength conversion sections constituting the first wavelength conversion layer 36R and the second wavelength conversion layer 36G preferably has a thickness in the range of 1 to 99 ⁇ m, and more preferably in the range of 4 to 50 ⁇ m.
  • the filling layer 36B fills the first through-hole at the position of the third subpixel PXB.
  • the filling layer 36B is a colorless and transparent layer.
  • the filling layer 36B is made of, for example, a transparent resin.
  • the adhesive layer 4 is interposed between the dimming substrate 2 and the wavelength conversion substrate 3, and bonds them to each other.
  • the adhesive layer 4 transmits the light emitted by the light emitting element 25.
  • the adhesive layer 4 is, for example, a colorless and transparent layer.
  • the adhesive layer 4 is made of an adhesive or a pressure sensitive adhesive.
  • the display device 1 can be manufactured, for example, by the following method. In manufacturing the display device 1, first, the wavelength conversion substrate 3 is prepared.
  • a structure including a transparent substrate 31, a black matrix 32, a color filter including a first colored layer 33R and a second colored layer 33G, a base layer 33B, and a resin layer 34 is obtained on the wavelength conversion substrate 3 before the inorganic coating layer 35, the first wavelength conversion layer 36R, the second wavelength conversion layer 36G, and the filling layer 36B are formed.
  • the black matrix 32 can be formed, for example, by photolithography using a negative photosensitive black composition.
  • the first colored layer 33R, the second colored layer 33G, and the underlayer 33B can be formed, for example, by sequentially coating a resin and curing the coating.
  • the resin layer 34 can be obtained, for example, by photolithography using a negative photosensitive composition. By appropriately setting the exposure conditions, development conditions, etc., a structure having the first through-holes described above can be formed.
  • the inorganic coating layer 35 is formed. Specifically, the material of the inorganic coating layer 35 is deposited by a vapor phase deposition method such as sputtering or vacuum deposition. In this way, in addition to the third portion covering the top surface of the resin layer 34 and the first portion covering the side surface of the first through hole, the inorganic coating layer 35 is obtained, which further includes a portion covering the black matrix 32, the first colored layer 33R, the second colored layer 33G, and the base layer 33B.
  • a vapor phase deposition method such as sputtering or vacuum deposition.
  • an etching mask is formed.
  • the etching mask is formed so that the portion of the inorganic coating layer 35 where the second through hole is to be formed is exposed and the other portion is covered by the etching mask.
  • the etching mask can be formed by photolithography using a photosensitive resin.
  • etching such as wet etching is performed to form fourth through holes in the portions covered with the black matrix 32, the first colored layer 33R, the second colored layer 33G and the underlayer 33B.
  • the etching mask is removed, and then the first wavelength conversion layer 36R, the second wavelength conversion layer 36G, and the filling layer 36B are formed.
  • Each of the first wavelength conversion layer 36R, the second wavelength conversion layer 36G, and the filling layer 36B can be formed, for example, by photolithography using a negative type photosensitive composition.
  • a negative photosensitive material as the material of the first wavelength conversion layer 36R is applied to the surface of the structure obtained by the above etching, for example, by die coating.
  • the structure and the slot die are arranged so that the length direction of the slot is parallel to the X direction, and a coating liquid is ejected from the slot die while they are moved relatively in the Y direction.
  • a coating film is formed on the surface of the structure.
  • the coating film is pattern-exposed to harden the photosensitive material that has filled the first through-hole at the position of the first sub-pixel PXR. After that, the unexposed parts of the coating film are removed by development. In this way, the first wavelength conversion layer 36R is obtained.
  • a negative photosensitive material as the material for the second wavelength conversion layer 36G is applied to the surface of the structure after the formation of the first wavelength conversion layer 36R, for example by die coating in the same manner as described above.
  • this coating is pattern-exposed to harden the photosensitive material that has filled the first through-hole at the position of the second sub-pixel PXG. After that, the unexposed parts of the coating are removed by development. This results in the second wavelength conversion layer 36G.
  • a negative photosensitive material as the material for the filling layer 36B is applied to the surface of the structure after the formation of the first conversion layer 36R and the second conversion layer 36G, for example by die coating in the same manner as described above.
  • this coating is pattern-exposed to harden the photosensitive material that has filled the first through-hole at the position of the third sub-pixel PXB. After that, the unexposed parts of the coating are removed by development. This results in the filling layer 36B.
  • each of the first wavelength conversion layer 36R, the second wavelength conversion layer 36G, and the filling layer 36B can be formed by a nozzle coating method.
  • a nozzle head is used that has a plurality of nozzles arranged in the X direction at a pitch equal to that of the pixels PX. Then, while moving this nozzle head in the Y direction relative to the post-etching structure obtained by the method described above, a resin composition as the material of the first wavelength conversion layer 36R is ejected from each nozzle into the recess formed by the partition at the position of the first sub-pixel PXR. The coating film thus formed in the recess is cured to obtain the first wavelength conversion layer 36R.
  • the second wavelength conversion layer 36G and the filling layer 36B are also formed by the same method.
  • the first wavelength conversion layer 36R, the second wavelength conversion layer 36G, and the filling layer 36B may be formed in any order.
  • the wavelength conversion substrate 3 obtained in the above manner is bonded to a separately prepared light control substrate 2 via an adhesive layer 4. This results in a display device 1.
  • Example 1 Regarding the wavelength conversion layer forming process in the manufacturing of the wavelength conversion substrate 3 included in the display device 1 shown in Fig. 1, a simulation was performed using the finite volume analysis software Fluent to examine the bubble generation state in the coating film 50 ms after the coating liquid was applied.
  • the VOF Volume of Fluid
  • the contour OL of the second opening of the first through hole of the resin layer 34 was shaped as shown in Fig. 14 (see Fig. 6).
  • the length L1 of each of the first opposite side 37a and the second opposite side 37b in the contour OL was 110 ⁇ m
  • the difference L2 between the distance L from the middle of the first line 38a to the second line 38b and the length L1 was 45 ⁇ m
  • the distance D1 of the first opposite side 37a and the second opposite side 37b was 90 ⁇ m
  • the depth was 30 ⁇ m (see Table 1).
  • the distance W x 2 between adjacent first through holes in the first through hole group consisting of three first through holes was 20 ⁇ m.
  • the contact angle of the coating liquid with respect to the surface made of resin was 40 degrees, and the contact angle of the coating liquid with respect to the inorganic coating layer 35 was 20 degrees.
  • the coating liquid had a viscosity of 0.0416 kg/m ⁇ s, a density of 998 kg/m 3 , and a surface tension of 0.027 N/m.
  • the coating liquid was applied to the first through hole in the direction indicated by the symbol A in FIG. 14, and the flow rate was 0.01 m/sec. This flow rate corresponds to the relative movement speed in the Y direction between the structure and the slot die when the coating liquid is applied to the surface of the structure before the wavelength conversion layer is formed on the wavelength conversion substrate 3.
  • Example 2 A simulation was performed under the same conditions as in Example 1, except that the contour OL of the second opening of the first through hole in the resin layer 34 was changed to the contour shown in Table 1 and FIG. 15 (see FIG. 7).
  • Example 3 A simulation was performed under the same conditions as in Example 1, except that the contour OL of the second opening of the first through hole in the resin layer 34 was changed to the contour shown in Table 1 and FIG. 16 (see FIG. 8).
  • Example 4 A simulation was performed under the same conditions as in Example 1, except that the contour OL of the second opening of the first through hole in the resin layer 34 was changed to the contour shown in Table 1 and FIG. 17 (see FIG. 7).
  • Example 5 A simulation was performed under the same conditions as in Example 1, except that the contour OL of the second opening of the first through hole of the resin layer 34 was changed to the contour shown below. That is, the contour OL shown in FIG. 6 was changed to a contour (not shown) that is approximately trapezoidal in shape with the apex formed by the first portion 38a1 and the second portion 38a2 cut off.
  • the length L1 of each of the first opposite side 37a and the second opposite side 37b in this contour OL is 500 ⁇ m
  • the difference L2 between the distance L from the middle portion of the first line 38a to the second line 38b and the length L1 is 480 ⁇ m
  • the distance D1 between the first opposite side 37a and the second opposite side 37b is 25 ⁇ m (see Table 1).
  • Example 6 A simulation was performed under the same conditions as in Example 1 (see Table 1), except that the contour OL of the second opening of the first through hole in the resin layer 34 was changed so that the protruding shape of the first line 38a was located downstream of the second line 38b, based on the coating direction of the coating liquid, as shown in Figure 18 (see Figure 10).
  • Example 7 A simulation was performed under the same conditions as in Example 3 (see Table 1), except that the contour OL of the second opening of the first through hole in the resin layer 34 was changed so that the protruding shape of the first line 38a was located downstream of the second line 38b based on the coating direction of the coating liquid, as shown in Figure 19 (see Figure 12).
  • Example 8 A simulation was performed under the same conditions as in Example 2 (see Table 1), except that the contour OL of the second opening of the first through hole in the resin layer 34 was changed so that the protruding shape of the first line 38a was located downstream of the second line 38b, based on the coating direction of the coating liquid, as shown in Figure 20 (see Figure 11).
  • Example 9 A simulation was performed under the same conditions as in Example 4 (see Table 1), except that the contour OL of the second opening of the first through hole in the resin layer 34 was changed so that the protruding shape of the first line 38a was downstream of the second line 38b, based on the coating direction of the coating liquid, as shown in Figure 21 (see Figure 11).
  • Example 10 A simulation was performed under the same conditions as in Example 5, except that the contour OL of the second opening of the first through hole in the resin layer 34 was changed so that the protruding shape of the first line 38a was downstream of the second line 38b based on the coating direction of the coating liquid (see Table 1).
  • the ratio L1/D1 at the contour OL is 0.5 in Comparative Example 1, it is greater than 1 in Examples 1 to 10 and Reference Example 1, and has a shape that is elongated in the direction in which the coating liquid flows (Y direction). For this reason, of Examples 2 to 10, Reference Example 1, and Comparative Example 1 in which the generation of air bubbles was confirmed, the position at which the air bubbles occurred was restricted to one end of the groove (downstream of the flow of the coating liquid) except for Comparative Example 1. Therefore, in Reference Example 1, in which the size of the generated air bubbles is larger than that of Examples 2 to 10, it is clear that it is possible to reduce the impact of the generation of air bubbles on the display by separating the third through-hole of the black matrix from the position at which the air bubbles occurred.
  • 1...display device 2...light control substrate, 3...wavelength conversion substrate, 4...adhesive layer, 21...substrate, 22...semiconductor layer, 23A...conductor layer, 23B...conductor layer, 23C...conductor layer, 23D...conductor layer, 24A...insulating layer, 24B...insulating layer, 24C...insulating layer, 25...light emitting element, 26...partition layer, 27...filling layer, 28...conductor layer, 31...transparent substrate, 32...black matrix, 33G...second colored layer, 33R...first colored layer, 33B...underlayer, 34...resin layer, 35...inorganic coating layer, 36B...filling layer, 36G...second wavelength conversion layer, 36R...first wavelength conversion layer , 37a...first opposite side, 37b...second opposite side, 38a...first line, 38b...second line, 38a1...first portion, 38a2...second portion, 251...first layer, 252...second layer, 253...third layer, C...cap

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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

隔壁を設けた波長変換基板を備えた表示装置において、波長変換層における気泡の発生に起因した輝度の低下や色抜けを生じ難くし得る技術を提供する。波長変換基板３は、第１主面及び第２主面を有している透明基板３１と、上記第１主面上に設けられ、複数の第１貫通孔が設けられた樹脂層３４とを含む。複数の第１貫通孔の各々は、上記透明基板３１側の第１開口と、これとは反対側の第２開口とを有し、上記第２開口の輪郭ＯＬは、上記第１主面に対して平行な第２方向へ各々が伸び、上記第１主面に対して平行であり且つ上記第２方向に対して垂直な第１方向へ配列した第１及び第２対辺３７ａ、３７ｂと、上記第１対辺３７ａの一端と上記第２対辺３７ｂの一端とを接続する第１線３８ａと、上記第１対辺３７ａの他端と上記第２対辺３７ｂの他端とを接続する第２線３８ｂとからなり、上記第１線３８ａは、中間部が上記輪郭のＯＬ外側へ向けて突き出ている。

Description

波長変換基板及び表示装置
　本発明は、波長変換基板及び表示装置に関する。
　表示装置において、発光ダイオードなどの発光素子は、例えば、バックライトユニットの光源として、又は、画素若しくはサブ画素の構成要素として利用されている。そのような表示装置では、発光素子又は画素若しくはサブ画素を互いから区画する隔壁を設けることがある。隔壁は、例えば、発光素子が射出する光を効率的に利用すること、又は、或る発光素子が射出した光を入射させるべき領域へ他の発光素子が射出した光が入射するのを防止することを可能とする。
　特許文献１及び２には、青色光を赤色光及び緑色光へと波長変換する色変換蛍光体を含む波長変換層を備えた表示装置が提案されている。このような表示装置は、単色の光源を使用しながらも、カラー画像の表示が可能である。
特開２０００－１３１６８３号公報 特開２００９－２４４３８３号公報
　光源からの光を互いに異なる色の光へと変換する２以上の波長変換層は、隔壁によって互いから仕切られた２以上の凹部内へ形成することができる。隔壁を設けると、例えば、厚い波長変換層を高い位置精度で形成することができる。それ故、高い波長変換効率を達成することができ、混色を生じ難くすることもできる。
　波長変換層を上記の凹部内へ形成する方法としては、感光性材料を塗工液として使用して、フォトリソグラフィによって塗膜をパターニングする方法と、塗工液を特定の位置へ選択的に供給するノズル塗布法とがある。何れの方法においても、凹部の内面と塗膜との間や塗膜中に気泡を生じ易い。波長変換層に発生した気泡は、表示装置における輝度の低下や色抜けなどの問題を生じ得る。
　本発明は、隔壁を設けた波長変換基板を備えた表示装置において、波長変換層における気泡の発生に起因した輝度の低下や色抜けを生じ難くし得る技術を提供することを目的とする。
　本発明の一側面によると、第１主面及び第２主面を有している透明基板と、上記第１主面上に設けられ、複数の第１貫通孔が設けられた樹脂層と、上記複数の第１貫通孔の側壁をそれぞれ少なくとも部分的に被覆した複数の第１部分を含んだ無機被覆層と、上記複数の第１貫通孔の少なくとも一部の中にそれぞれ設けられた複数の波長変換部を含んだ波長変換層とを備え、上記複数の第１貫通孔の各々は、上記透明基板側の第１開口と、これとは反対側の第２開口とを有し、上記第２開口の輪郭は、上記第１主面に対して平行な第２方向へ各々が伸び、上記第１主面に対して平行であり且つ上記第２方向に対して垂直な第１方向へ配列した第１及び第２対辺と、上記第１対辺の一端と上記第２対辺の一端とを接続する第１線と、上記第１対辺の他端と上記第２対辺の他端とを接続する第２線とからなり、上記第１線は、中間部が上記輪郭の外側へ向けて突き出た波長変換基板が提供される。
　本発明の他の一側面によると、上記複数の第１貫通孔の各々において、上記第１線は、上記複数の波長変換部の塗工方向を基準として、上記第２線に対して上流側に位置した上記側面に係る波長変換基板が提供される。
　本発明の他の一側面によると、上記複数の第１貫通孔の各々において、上記第１線は、上記複数の波長変換部の塗工方向を基準として、上記第２線に対して下流側に位置した上記側面に係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記第１線は、上記第１対辺の上記一端から伸びた第１部と、上記第２対辺の上記一端から伸びた第２部とを含み、上記第１部及び上記第２部の各々は線分である上記側面の何れかに係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記第１線は、上記第１対辺の上記一端から伸びた第１部と、上記第２対辺の上記一端から伸びた第２部とを含み、上記第１部及び上記第２部の各々は、上記輪郭の上記外側へ向けて突き出た凸曲線である上記側面の何れかに係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記第１線は、上記第１対辺の上記一端から伸びた第１部と、上記第２対辺の上記一端から伸びた第２部とを含み、上記第１部及び上記第２部の各々は、上記輪郭の内側へ向けて凹んだ凹曲線である上記側面の何れかに係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記第１線は、丸まった頂部を有するように、上記中間部が上記輪郭の上記外側へ向けて突き出た上記側面の何れかに係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記複数の第１貫通孔の各々において、上記第１対辺及び上記第２対辺の各々の長さＬ１は、上記第１対辺から上記第２対辺までの距離Ｄ１と比較してより大きい上記側面の何れかに係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記長さＬ１と上記距離Ｄ１との比Ｌ１／Ｄ１は、１．１乃至２５の範囲内にある上記側面の何れかに係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記第１線の上記中間部から上記第２線までの距離Ｌと上記第１対辺及び上記第２対辺の各々の長さＬ１との差Ｌ２と、上記第１対辺から上記第２対辺までの距離Ｄ１との比Ｌ２／Ｄ１は、０．０８３乃至２５の範囲内にある上記側面の何れかに係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記複数の第１貫通孔の各々は、深さが１０乃至４０μｍの範囲内にある上記側面の何れかに係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、複数の波長変換部の各々は、これが位置した上記第１貫通孔の上記第２開口までの距離Ｄ２が１乃至９９μｍの範囲内にある上記側面の何れかに係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、複数の波長変換部の各々は、厚さが１乃至９９μｍ,の範囲内にある上記側面の何れかに係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記透明基板と上記樹脂層との間に介在し、上記複数の第１貫通孔の位置に複数の第３貫通孔をそれぞれ有するブラックマトリクスを更に備えた上記側面の何れかに係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記複数の第３貫通孔の少なくとも一部の位置にそれぞれ配置された複数の着色層を含んだカラーフィルタを更に備えた上記側面に係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記複数の第１貫通孔は、上記ブラックマトリクスのうち上記複数の第３貫通孔をそれぞれ取り囲んだ部分を露出させるように設けられており、上記無機被覆層は、上記ブラックマトリクスのうち上記複数の第３貫通孔をそれぞれ取り囲んだ上記部分の各々を被覆した第２部分を更に含み、上記第２部分は、上記第３貫通孔の位置に第２貫通孔を有している上記側面の何れかに係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記無機被覆層は金属又は合金からなる上記側面の何れかに係る波長変換基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記側面の何れかに係る波長変換基板と、上記第１主面と向き合うように設置された調光装置とを備えた表示装置が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記調光装置は、基板と、上記複数の第１貫通孔に対応して上記基板上に配置された複数の発光ダイオードとを備えた上記側面に係る表示装置が提供される。
　本発明によれば、隔壁を設けた波長変換基板を備えた表示装置において、波長変換層における気泡の発生に起因した輝度の低下や色抜けを生じ難くし得る技術が提供される。
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置の一部を示す平面図である。 図２は、図１に示す表示装置の等価回路図である。 図３は、図１に示す表示装置のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。 図４は、図１に示す表示装置のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図である。 図５は、図１の表示装置が含んでいる波長変換基板の一部を示す平面図である。 図６は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の一例を示す模式図である。 図７は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の他の例を示す模式図である。 図８は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の更に他の例を示す模式図である。 図９は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の更に他の例を示す模式図である。 図１０は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の更に他の例を示す模式図である。 図１１は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の更に他の例を示す模式図である。 図１２は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の更に他の例を示す模式図である。 図１３は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の更に他の例を示す模式図である。 図１４は、例１において、波長変換層が形成される前の構造体表面への塗工時に塗膜に気泡が生じなかった状態を示す模式図である。 図１５は、例２において、波長変換層が形成される前の構造体表面への塗工時に塗膜に発生した気泡を示す模式図である。 図１６は、例３において、波長変換層が形成される前の構造体表面への塗工時に塗膜に発生した気泡を示す模式図である。 図１７は、例４において、波長変換層が形成される前の構造体表面への塗工時に塗膜に発生した気泡を示す模式図である。 図１８は、例６において、波長変換層が形成される前の構造体表面への塗工時に塗膜に発生した気泡を示す模式図である。 図１９は、例７において、波長変換層が形成される前の構造体表面への塗工時に塗膜に発生した気泡を示す模式図である。 図２０は、例８において、波長変換層が形成される前の構造体表面への塗工時に塗膜に発生した気泡を示す模式図である。 図２１は、例９において、波長変換層が形成される前の構造体表面への塗工時に塗膜に発生した気泡を示す模式図である。 図２２は、参考例１において、波長変換層が形成される前の構造体表面への塗工時に塗膜に発生した気泡を示す模式図である。 図２３は、比較例１において、波長変換層が形成される前の構造体表面への塗工時に塗膜に発生した気泡を示す模式図である。
　以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施形態は、上記側面の何れかをより具体化したものである。以下に記載する事項は、単独で又は複数を組み合わせて、上記側面の各々に組み入れることができる。
　また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明の技術的思想は、下記の構成部材の材質、形状、及び構造等によって限定されるものではない。本発明の技術的思想には、請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
　なお、同様又は類似した機能を有する要素については、以下で参照する図面において同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面は模式的なものであり、或る方向の寸法と別の方向の寸法との関係、及び、或る部材の寸法と他の部材の寸法との関係等は、現実のものとは異なり得る。
　図１は、本発明の実施形態に係る表示装置の一部を示す平面図である。図２は、図１に示す表示装置の等価回路図である。図３は、図１に示す表示装置のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図１に示す表示装置のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図である。図５は、図１の表示装置が含んでいる波長変換基板の一部を示す平面図である。図６乃至９は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の具体例を示す模式図である。なお、図１において、破線で囲まれた領域は、後述するように、ブラックマトリクス３２が有している第３貫通孔の透明基板３１側の開口を表している。
　図１乃至図４に示す表示装置１は、アクティブマトリクス駆動方式によるカラー表示が可能であり、各サブ画素が発光ダイオード（ＬＥＤ）を含んだマイクロＬＥＤディスプレイである。
　なお、各図において、Ｘ方向及びＹ方向は、表示装置１の表示面に対して平行であり且つ互いに交差する方向である。一例によれば、Ｘ方向及びＹ方向は、互いに対して垂直である。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向に対して垂直な方向である。即ち、Ｚ方向は、表示装置１の厚さ方向である。
　表示装置１は、図２に示すように、映像信号線ＶＳＬと、電源線ＰＳＬと、走査信号線ＳＳＬと、画素ＰＸと、映像信号線ドライバＶＤＲと、走査信号線ドライバＳＤＲとを含んでいる。
　映像信号線ＶＳＬ及び電源線ＰＳＬは、Ｙ方向へ各々が伸びており、Ｘ方向へ交互に配列している。走査信号線ＳＳＬは、Ｘ方向へ各々が伸びており、Ｙ方向へ配列している。
　画素ＰＸは、Ｘ方向及びＹ方向へ配列している。各画素ＰＸは、第１サブ画素ＰＸＲと、第２サブ画素ＰＸＧと、第３サブ画素ＰＸＢとを含んでいる。第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢは、映像信号線ＶＳＬと走査信号線ＳＳＬとの交差部に対応して配列している。
　第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢは、異なる色の光を射出する。ここでは、一例として、第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢは、それぞれ、赤色光、緑色光及び青色光を射出することとする。
　各画素ＰＸにおいて、第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢは、Ｘ方向へこの順に配列している。各画素ＰＸにおける、第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢの配列順序は変更可能である。
　また、ここでは、第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢは、ストライプ配列を形成している。第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢは、デルタ配列及びモザイク配列などの他の配列を形成していてもよい。
　第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢの各々は、発光素子Ｄと、駆動制御素子ＤＲと、スイッチＳＷと、キャパシタＣとを含んでいる。
　発光素子Ｄは、発光ダイオードである。発光ダイオードは、例えば、無機物からなる発光ダイオードである。無機物からなる発光ダイオードは、例えば、これらと同様の層構造を有している積層体を、複数の部分へと個片化することにより得られる。発光素子Ｄは、有機物からなる発光ダイオードであるエレクトロルミネッセンス素子であってもよい。発光素子Ｄの陰極は、接地電極へ接続されている。ここでは、一例として、発光素子Ｄは、無機物からなり、青色光を射出する青色発光ダイオードであるとする。
　駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷは、電界効果トランジスタである。ここでは、駆動制御素子ＤＲはｐチャネル薄膜トランジスタであり、スイッチＳＷはｎチャネル薄膜トランジスタである。駆動制御素子ＤＲは、ゲートがスイッチＳＷのドレインへ接続され、ソースが電源線ＰＳＬへ接続され、ドレインが発光素子Ｄの陽極へ接続されている。スイッチＳＷは、ゲートが走査信号線ＳＳＬへ接続され、ソースが映像信号線ＶＳＬへ接続されている。
　キャパシタＣは、例えば、薄膜キャパシタである。キャパシタＣは、一方の電極が駆動制御素子ＤＲのゲートへ接続されており、他方の電極が電源線ＰＳＬへ接続されている。
　第１サブ画素ＰＸＲは、図３及び図４に示す第１波長変換層３６Ｒ及び第１着色層３３Ｒを更に含んでいる。
　第１波長変換層３６Ｒは、第１サブ画素ＰＸＲの発光素子Ｄと向き合うように設置されている。第１波長変換層３６Ｒは、第１サブ画素ＰＸＲの発光素子Ｄが射出した光を特定の色の第１光へと変換する。第１波長変換層３６Ｒは、例えば、第１サブ画素ＰＸＲの発光素子Ｄが射出した青色光を赤色光へと変換する。
　第１着色層３３Ｒは、第１波長変換層３６Ｒを間に挟んで第１サブ画素ＰＸＲの発光素子Ｄと向き合うように設置されている。第１着色層３３Ｒは、第１波長変換層３６Ｒによる波長変換後の光を透過させるとともに、第１波長変換層３６Ｒによって波長変換されなかった光を吸収する。第１着色層３３Ｒは、例えば、第１波長変換層３６Ｒによる波長変換後の赤色光を透過させるとともに、第１波長変換層３６Ｒによって波長変換されなかった青色光等を吸収する赤色着色層である。
　第２サブ画素ＰＸＧは、図３に示す第２波長変換層３６Ｇ及び第２着色層３３Ｇを更に含んでいる。
　第２波長変換層３６Ｇは、第２サブ画素ＰＸＧの発光素子Ｄと向き合うように設置されている。第２波長変換層３６Ｇは、第２サブ画素ＰＸＧの発光素子Ｄが射出した光を、第１光とは色が異なる第２光へと変換する。第２波長変換層３６Ｇは、例えば、第２サブ画素ＰＸＧの発光素子Ｄが射出した青色光を緑色光へと変換する。
　第２着色層３３Ｇは、第２波長変換層３６Ｇを間に挟んで第２サブ画素ＰＸＧの発光素子Ｄと向き合うように設置されている。第２着色層３３Ｇは、第２波長変換層３６Ｇによる波長変換後の光を透過させるとともに、第２波長変換層３６Ｇによって波長変換されなかった光を吸収する。第２着色層３３Ｇは、例えば、第２波長変換層３６Ｇによる波長変換後の緑色光を透過させるとともに、第２波長変換層３６Ｇによって波長変換されなかった青色光等を吸収する緑色着色層である。
　第３サブ画素ＰＸＢは、図３に示す下地層３３Ｂ及び充填層３６Ｂを更に含んでいる。
　充填層３６Ｂは、第３サブ画素ＰＸＢの発光素子Ｄと向き合うように設置されている。充填層３６Ｂは、例えば、無色透明な層である。充填層３６Ｂは省略することができる。
　下地層３３Ｂは、充填層３６Ｂを間に挟んで第３サブ画素ＰＸＢの発光素子Ｄと向き合うように設置されている。下地層３３Ｂは、第３サブ画素ＰＸＢの発光素子Ｄが射出した光を第３光として透過させる。下地層３３Ｂは、例えば、第３サブ画素ＰＸＢの発光素子Ｄが射出した青色光を透過させる無色の光透過層又は青色着色層である。
　映像信号線ドライバＶＤＲ及び走査信号線ドライバＳＤＲは、図２に示すように、表示パネルにＣＯＧ（chip on glass）実装されている。映像信号線ドライバＶＤＲ及び走査信号線ドライバＳＤＲは、ＣＯＧ実装の代わりに、ＴＣＰ（tape carrier package）実装されてもよい。
　映像信号線ドライバＶＤＲには、映像信号線ＶＳＬと電源線ＰＳＬとが接続されている。映像信号線ドライバＶＤＲは、映像信号線ＶＳＬに、映像信号として電圧信号を出力する。
　走査信号線ドライバＳＤＲには、走査信号線ＳＳＬが接続されている。走査信号線ドライバＳＤＲは、走査信号線ＳＳＬに走査信号として電圧信号を出力する。電源線ＰＳＬは、映像信号線ドライバＶＤＲに接続する代わりに、走査信号線ドライバＳＤＲに接続してもよい。
　表示装置１について、更に詳しく説明する。
　表示装置１は、図３及び図４に示すように、調光基板２と、波長変換基板３と、接着層４とを含んでいる。
　調光基板２は、波長変換基板へ向けて光を射出するとともに、この光の強さ及びこの光を射出する時間の少なくとも一方を、画素毎に又はサブ画素毎に調節可能な基板である。図３及び図４に示す調光基板２は、基板２１と、半導体層２２と、導体層２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ及び２３Ｄと、絶縁層２４Ａ、２４Ｂ及び２４Ｃと、発光素子２５と、隔壁層２６と、充填層２７と、導体層２８とを含んでいる。
　基板２１は、例えば、ガラス基板などの絶縁基板を含んでいる。基板２１は、絶縁基板の波長変換基板３と向き合った主面に設けられたアンダーコート層を更に含んでいてもよい。アンダーコート層は、例えば、絶縁基板上に順次積層されたシリコン窒化物層とシリコン酸化物層との積層体である。基板２１は、シリコン基板などの半導体基板であってもよい。基板２１は、硬質であってもよく、可撓性であってもよい。
　半導体層２２は、基板２１の波長変換基板３と向き合った主面上で配列している。半導体層２２は、例えば、ポリシリコン層である。半導体層２２は、駆動制御素子ＤＲ又はスイッチＳＷを構成している薄膜トランジスタの半導体層である。各半導体層２２は、ソース及びドレインと、それらの間に介在したチャネル領域とを含んでいる。
　導体層２３Ａは、基板２１の上記主面上に設けられた導体パターンである。導体層２３Ａは、映像信号線ＶＳＬ、電源線ＰＳＬ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及びキャパシタＣの下部電極（図示せず）を構成している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、それぞれ、半導体層２２のソース及びドレインへ接続されている。導体層２３Ａは、金属又は合金からなる。導体層２３Ａは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。
　絶縁層２４Ａは、導体層２３Ａと基板２１の上記主面とを被覆している。絶縁層２４Ａは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）を用いて形成することができる。駆動制御素子ＤＲ又はスイッチＳＷを構成している各薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は、絶縁層２４Ａの一部である。また、各キャパシタＣの誘電体層は、絶縁層２４Ａの他の一部である。
　導体層２３Ｂは、絶縁層２４Ａ上に設けられた導体パターンである。駆動制御素子ＤＲ又はスイッチＳＷを構成している各薄膜トランジスタのゲート電極ＧＥは、導体層２３Ｂの一部である。各ゲート電極ＧＥは、絶縁層２４Ａを間に挟んで半導体層２２のチャネル領域と向き合っている。また、各キャパシタＣの上部電極（図示せず）は、導体層２３Ｂの他の一部である。各上部電極は、絶縁層２４Ａを間に挟んで、この上部電極を含んだキャパシタＣの下部電極と向き合っている。導体層２３Ｂは、金属又は合金からなる。導体層２３Ｂは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。
　絶縁層２４Ｂは、導体層２３Ｂと絶縁層２４Ａとを被覆している。絶縁層２４Ｂは、層間絶縁膜である。絶縁層２４Ｂは、例えば、シリコン酸化物などの無機絶縁体からなる。無機絶縁体からなる絶縁層は、例えば、プラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜することができる。
　導体層２３Ｃは、図４に示すように、絶縁層２４Ｂ上に設けられた導体パターンである。導体層２３Ｃは、走査信号線ＳＳＬを構成している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、絶縁層２４Ａ上に設ける代わりに、絶縁層２４Ｂ上に設けてもよい。即ち、導体層２３Ｃで、走査信号線ＳＳＬとソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥとを構成してもよい。
　絶縁層２４Ｃは、導体層２３Ｃと絶縁層２４Ｂとを被覆している。絶縁層２４Ｃは、パッシベーション膜である。絶縁層２４Ｃは、例えば、シリコン窒化物などの無機絶縁体からなる。
　導体層２３Ｄは、絶縁層２４Ｃ上に設けられた導体パターンである。導体層２３Ｄは、第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢに対応してＸ方向及びＹ方向へ配列した電極パッドを構成している。絶縁層２４Ａ、２４Ｂ及び２４Ｃからなる積層体には、駆動制御素子ＤＲのドレインへ接続されたドレイン電極ＤＥの位置に貫通孔が設けられている。各電極パッドは、この貫通孔を介してドレイン電極ＤＥへ接続されている。導体層２３Ｄは、例えば、金属又は合金からなる。導体層２３Ｄは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。
　各電極パッドのＺ方向に対して垂直な平面への正射影の輪郭は、この電極パッド上に設置された発光素子２５の先の平面への正射影から離間するとともに、この正射影を取り囲んでいる。即ち、電極パッドは、発光素子２５と比較して、Ｚ方向に対して垂直な方向の寸法がより大きい。それ故、電極パッドは、基板２１へ向けて進行する光を反射する反射層としての役割も果たす。電極パッドには、この反射層としての役割を担わせなくてもよい。この場合、この役割を果たす反射層は、電極パッドとは別に設けてもよく、設けなくてもよい。
　図３及び図４に示す発光素子２５は、図２に示す発光素子Ｄである。発光素子２５は、電極パッド上に配置されている。
　発光素子２５は、ここでは、無機物からなる発光ダイオードである。なお、発光素子２５として発光ダイオードを含んだ基板は、「ＬＥＤ基板」と呼ぶこともある。
　発光素子２５は、複数の層、例えば、第１層２５１、第２層２５２及び第３層２５３を含んだ多層構造を有している。ここでは、発光素子２５が含んでいる層の積層方向はＺ方向である。この積層方向は、Ｚ方向に対して垂直であってもよい。
　各発光素子２５は、陽極及び陰極を含んでいる。発光素子２５は、一方の面に陽極と陰極とを有している。発光素子２５の陽極は、図示しないボンディングワイヤを介して電極パッドへ接続されている。発光素子２５が一方の面に陽極を有し、他方の面に陰極を有している場合、発光素子２５の電極パッドへの接合と陽極の電極パッドへの接続とを、導電ペーストなどの導電材料を接合材として用いたダイボンディングによって行ってもよい。発光素子２５が一方の面に陽極と陰極とを有している場合、導体層２８を省略するとともに、発光素子２５の陰極と接続するための電極パッドを絶縁層２４Ｃ上に更に設け、これら電極パッドと接続された配線を絶縁層間に更に設け、発光素子２５の電極パッド及び導体層２８への接合と、陽極及び陰極の電極パッドへの接続とを、フリップチップボンディングによって行ってもよい。
　発光素子２５のＸ方向及びＹ方向における寸法は、好ましくは１乃至１００μｍの範囲内にあり、より好ましくは５乃至８０μｍの範囲内にあり、更に好ましくは１０乃至６０μｍの範囲内にある。発光素子２５のＺ方向における寸法は、好ましくは１乃至２０μｍの範囲内にあり、より好ましくは１乃至１５μｍの範囲内にあり、更に好ましくは１乃至１０μｍの範囲内にある。
　隔壁層２６は、絶縁層２４Ｃ上に設けられている。隔壁層２６は、電極パッドの位置に貫通孔を有している。発光素子２５は、それぞれ、これら貫通孔内に位置している。隔壁層２６は、例えば、樹脂からなる。そのような隔壁層２６は、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィによって形成することができる。隔壁層２６は、貫通孔を有する樹脂層と、それら貫通孔の側壁と任意に樹脂層の上面とを被覆した反射層とを含んでいてもよい。反射層は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。反射層が含む層は、例えば、金属、合金又は透明誘電体である。隔壁層２６は省略することができる。
　充填層２７は、発光素子２５と隔壁層２６との間の隙間を埋め込んでいる。充填層２７は、発光素子２５が射出した光を透過させる光透過層である。また、充填層２７は、発光素子２５及びこれと電極との接合部等を保護する保護層としての役割も果たす。充填層２７は、例えば、樹脂からなる。充填層２７の屈折率は、隔壁層２６の表面を構成している材料の屈折率とは異なることが好ましい。
　導体層２８は、隔壁層２６及び充填層２７上に設けられている。発光素子２５の陰極は、導体層２８へ接続されている。導体層２８は、導電性透明酸化物からなる場合、発光素子２５の陰極全体を覆うように設けることができる。導体層２８は、金属又は合金からなる場合、発光素子２５の陰極を部分的に覆うように設けることが好ましい。
　波長変換基板３は、調光基板２と向き合っている。具体的には、波長変換基板３は、発光素子２５等を間に挟んで基板２１と向き合っている。
　波長変換基板３は、透明基板３１と、ブラックマトリクス３２と、樹脂層３４と、無機被覆層３５と、第１着色層３３Ｒ及び第２着色層３３Ｇを含んだカラーフィルタと、下地層３３Ｂと、第１波長変換層３６Ｒと、第２波長変換層３６Ｇと、充填層３６Ｂとを含んでいる。
　透明基板３１は、可視光透過性を有している。透明基板３１は、例えば、無色の基板である。透明基板３１は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。透明基板３１は、例えば、ガラス、透明樹脂又はそれらの組み合わせからなる。透明基板３１は、硬質であってもよく、可撓性であってもよい。透明基板３１は、調光基板２と向き合った第１主面と、その裏面である第２主面とを有している。
　ブラックマトリクス３２は、透明基板３１の第１主面上に設けられている。ブラックマトリクス３２は、可視光を遮る黒色層である。ブラックマトリクス３２は、例えば、バインダ樹脂と着色剤とを含んだ混合物からなる。着色剤は、例えば、黒色顔料であるか、又は、減法混色によって黒色を呈する顔料の混合物、例えば、青色顔料、緑色顔料及び赤色顔料を含んだ混合物である。
　ブラックマトリクス３２は、発光素子２５の位置に第３貫通孔を有している。各第３貫通孔の透明基板３１側の開口は、発光素子２５と比較して、Ｚ方向に垂直な方向の寸法がより大きい。
　ここでは、第３貫通孔の透明基板３１側の開口は、図１に破線で示すように、Ｙ方向へ伸びた形状を有している。ブラックマトリクス３２のうち画素ＰＸに対応した各部分は、第１サブ画素ＰＸＲの位置に設けられた第３貫通孔と、第２サブ画素ＰＸＧの位置に設けられた第３貫通孔と、第３サブ画素ＰＸＢの位置に設けられた第３貫通孔とを含んでおり、これら３つの第３貫通孔はＸ方向へ配列している。これら３つの第３貫通孔から各々がなる複数の第３貫通孔群は、Ｘ方向及びＹ方向へ配列している。Ｘ方向へ隣り合った第３貫通孔群間の距離は、同一の貫通孔群が含んでいる第３貫通孔間の距離と比較してより大きい。Ｙ方向へ隣り合った第３貫通孔群間の距離も、同一の貫通孔群が含んでいる第３貫通孔間の距離と比較してより大きい。
　ブラックマトリクス３２の開口率は、好ましくは５乃至６６％の範囲内にあり、より好ましくは５乃至４０％の範囲内にあり、更に好ましくは５乃至２０％の範囲内にある。無機物からなる発光ダイオードは、光射出面が小さい場合であっても明るく発光させることができ、また、長寿命である。それ故、発光素子２５が無機物からなる発光ダイオードである場合、ブラックマトリクス３２の開口率を小さくしても、明るい表示が可能である。そして、ブラックマトリクス３２の開口率を小さくすると、外光の反射を抑制でき、深みがより強い黒色を表示することができ、従って、より高いコントラスト比を実現することができる。
　ブラックマトリクス３２の厚さは、好ましくは１乃至３０μｍの範囲内にあり、より好ましくは１乃至１５μｍの範囲内にあり、更に好ましくは１乃至５μｍの範囲内にある。厚いブラックマトリクス３２は、高い遮光性を達成するうえで有利である。但し、ブラックマトリクス３２を厚くすると、感光性黒色組成物からなる塗膜へのパターン露光において、塗膜の深部へ光が十分な強さで到達できず、高い形状精度を達成できない可能性がある。
　樹脂層３４は、図３及び図４に示すように、ブラックマトリクス３２上に設けられている。一例によれば、樹脂層３４は透明である。この場合、樹脂層３４は、着色していてもよく、無色であってもよい。樹脂層３４は、光散乱性を有していてもよい。透明な樹脂層３４は、例えば、膜厚が５μｍであると仮定した場合に、その厚さ方向へ入射させた、波長が３５０乃至４８０ｎｍの範囲内の光の透過率の最大値が２０％以上であることが望ましい。
　波長変換基板３は、ブラックマトリクス３２と樹脂層３４との間に介在したオーバーコート層を更に含んでいてもよい。オーバーコート層は、透明樹脂と、紫外線吸収剤、イエロー顔料及び透明粒子の１以上とを含むことができる。紫外線吸収剤を含んだオーバーコート層は、樹脂層３４へ入射した迷光が紫外光である場合に、これを吸収し得る。
　樹脂層３４は、第３貫通孔の位置に第１貫通孔をそれぞれ有している。これら第１貫通孔は、上記の第３貫通孔群に対応した第１貫通孔群を構成している。第１貫通孔群の各々は、ここでは、Ｘ方向へ配列した３つの第１貫通孔からなる。第１貫通孔群は、互いに交差する第１方向及び第２方向、ここでは、Ｘ方向及びＹ方向へ配列している。
　図５は、上記のとおり、図１の表示装置３が含んでいる波長変換基板の一部を示す平面図である。具体的には、図５は、表示装置３を透明基板３１側とは反対側から見た平面図であり、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬの一例が示されている。ここで「第２開口」とは、第１貫通孔が有する透明基板３１側の開口と、これとは反対側の開口のうち、後者である反対側の開口を意味する。なお、前者である第１貫通孔が有する透明基板３１側の開口は「第１開口」という。
　図５において、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬは、透明基板３１の第１主面に対して平行な第２方向（ここではＹ方向）へ各々が伸び、第１主面に対して平行であり且つ第２方向に対して垂直な第１方向（ここではＸ方向）へ配列した第１対辺３７ａ及び第２対辺３７ｂと、第１対辺３７ａの一端と第２対辺３７ｂの一端とを接続する第１線３８ａと、第１対辺３７ａの他端と第２対辺３７ｂの他端とを接続する第２線３８ｂとからなる。
　図５からわかるように、第１貫通孔の輪郭ＯＬにおいて第１線３８ａは、その中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た形状を有している。第１線３８ａの中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た形状を有することにより、第１貫通孔内への塗工液の充填時に気泡を生じ難くすることができる。それ故、気泡に起因した表示装置の輝度の低下や色抜けを抑制することが可能となる。
　ここで、中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た形状を有している第１線３８ａは、塗工液の塗工方向を基準として、第２線３８ｂに対し上流側に位置していてもよいし、下流側に位置していてもよい。一例によれば、第１線３８ａは、塗工液の塗工方向を基準として、第２線３８ｂに対し上流側に位置している。他の例によれば、第１線３８ａは、塗工液の塗工方向を基準として、第２線３８ｂに対し下流側に位置している。以下において、中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た形状を有している第１線３８ａが、上述した上流側に位置している形態を第１形態と言い、第１線３８ａが上述した下流側に位置している形態を第２形態と言う。
　図５に示される輪郭ＯＬが有する第１線３８ａの突き出た形状は一例である。以下に、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬについて、図６乃至図１３を参照しながら具体例を挙げて更に詳細に説明する。なお、図６乃至図１３において、符号ＴＨは第１貫通孔を示し、符号ＯＬは第１貫通孔が有する第２開口の輪郭を示し、符号Ａは、第１貫通孔ＴＨ内への塗工液の塗布方向を示す。図６乃至図９は、第１線３８ａが塗工液の塗工方向を基準として、第２線３８ｂに対し上流側に位置している第１形態を示し、図１０乃至図１３は、第１線３８ａが下流側に位置している第２形態を示す。
　図６は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の一例を示す模式図である。図６に示される輪郭ＯＬにおいて、第１線３８ａは、第２線３８ｂに対し、塗工液の塗工方向の上流側に位置している。第１線３８ａの中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た形状は、第１対辺３７ａの一端から伸びた第１部３８ａ１と、第２対辺３７ｂの一端から伸びた第２部３８ａ２とにより構成されている。図６において、第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の各々は線分である。
　なお、第１線３８ａが含む第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の各々が線分である場合の突き出た形状は、図６に示すような、第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の端部同士が直接連結した構造に限られない。すなわち、第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の各々の端部が他の線分を介して連結されていてもよい。第１線３８ａを構成する第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の各々が線分である場合の変形例として、図６に示す輪郭ＯＬに対し、第１部３８ａ１と第２部３８ａ２とにより形成される頂部が切り取られた略台形状とした輪郭（図示せず）が挙げられる。
　図７は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の他の例を示す模式図である。図７に示される輪郭ＯＬにおいて、第１線３８ａは、第２線３８ｂに対し、塗工液の塗工方向の上流側に位置している。第１線３８ａの中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た形状は、第１対辺３７ａの一端から伸びた第１部３８ａ１と、第２対辺３７ｂの一端から伸びた第２部３８ａ２とにより構成されている。図７において、第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の各々は、輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た凸曲線である。
　図８は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の更に他の例を示す模式図である。図８に示される輪郭ＯＬにおいて、第１線３８ａは、第２線３８ｂに対し、塗工液の塗工方向の上流側に位置している。第１線３８ａの中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た形状は、第１対辺３７ａの一端から伸びた第１部３８ａ１と、第２対辺３７ｂの一端から伸びた第２部３８ａ２とにより構成されている。図８において、第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の各々は、輪郭ＯＬの内側へ向けて凹んだ凹曲線である。
　図９は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の更に他の例を示す模式図である。図９に示される輪郭ＯＬにおいて、第１線３８ａは、第２線３８ｂに対し、塗工液の塗工方向の上流側に位置している。第１線３８ａの中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た形状は、丸まった頂部を有するように第１線３８ａの中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出ることにより構成されている。
　図１０は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の他の例を示す模式図である。図１０に示される輪郭ＯＬにおいて、第１線３８ａは、第２線３８ｂに対し、塗工液の塗工方向の下流側に位置している。第１線３８ａの中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た形状は、第１対辺３７ａの一端から伸びた第１部３８ａ１と、第２対辺３７ｂの一端から伸びた第２部３８ａ２とにより構成されている。図１０において、第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の各々は線分である。
　なお、第１線３８ａが含む第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の各々が線分である場合の突き出た形状は、図１０に示すような、第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の端部同士が直接連結した構造に限られない。すなわち、第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の各々の端部が他の線分を介して連結されていてもよい。第１線３８ａを構成する第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の各々が線分である場合の変形例として、図１０に示す輪郭ＯＬに対し、第１部３８ａ１と第２部３８ａ２とにより形成される頂部が切り取られた略台形状とした輪郭（図示せず）が挙げられる。
　図１１は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の他の例を示す模式図である。図１１に示される輪郭ＯＬにおいて、第１線３８ａは、第２線３８ｂに対し、塗工液の塗工方向の下流側に位置している。第１線３８ａの中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た形状は、第１対辺３７ａの一端から伸びた第１部３８ａ１と、第２対辺３７ｂの一端から伸びた第２部３８ａ２とにより構成されている。図１１において、第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の各々は、輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た凸曲線である。
　図１２は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の更に他の例を示す模式図である。図１２に示される輪郭ＯＬにおいて、第１線３８ａは、第２線３８ｂに対し、塗工液の塗工方向の下流側に位置している。第１線３８ａの中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た形状は、第１対辺３７ａの一端から伸びた第１部３８ａ１と、第２対辺３７ｂの一端から伸びた第２部３８ａ２とにより構成されている。図１２において、第１部３８ａ１及び第２部３８ａ２の各々は、輪郭ＯＬの内側へ向けて凹んだ凹曲線である。
　図１３は、第１貫通孔が有する第２開口の輪郭の更に他の例を示す模式図である。図１３に示される輪郭ＯＬにおいて、第１線３８ａは塗工液の塗工方向の下流側に位置している。第１線３８ａの中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た形状は、丸まった頂部を有するように第１線３８ａの中間部が輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出ることにより構成されている。
　図６乃至図１３に示される第１貫通孔ＴＨの輪郭ＯＬにおいて、Ｌは、第１線３８ａの中間部から第２線３８ｂまでの距離を示している。距離Ｌは、９０乃至１０００μｍの範囲内にあることが好ましく、１００乃至５００μｍの範囲内にあることがより好ましい。Ｌ１は、第１対辺３７ａ及び第２対辺３７ｂの各々の長さを示し、Ｌ２は、上記距離Ｌと上記長さＬ１との差（Ｌ－Ｌ１）を示している。第１貫通孔内への塗工液の充填時における気泡の発生をより効果的に抑制する観点から、上記差Ｌ２と上記距離Ｄ１との比Ｌ２／Ｄ１は、０．０８３乃至２５の範囲内にあることが好ましく、０．５乃至１０の範囲内にあることがより好ましい。このとき、上記差Ｌ２は、１０乃至５００μｍの範囲内にあることが好ましく、３０乃至２００μｍの範囲内にあることがより好ましい。また、距離Ｄ１は、２０乃至１２０μｍの範囲内にあることが好ましく、５０乃至１００μｍの範囲内にあることがより好ましい。
　同様の理由から、上記長さＬ１と上記差Ｌ２との比Ｌ２／Ｌ１は、０．０２乃至６．２５の範囲内にあることが好ましく、０．１２乃至１．５の範囲内にあることがより好ましい。このとき、上記長さＬ１は、８０乃至５００μｍの範囲内にあることが好ましく、１００乃至３００μｍの範囲内にあることがより好ましい。
　図６乃至図１３に示される第１貫通孔ＴＨの輪郭ＯＬにおいて、第１対辺３７ａ及び第２対辺３７ｂの各々の長さＬ１は、第１対辺３７ａから第２対辺３７ｂまでの距離Ｄ１と比較してより大きいこと、すなわち、Ｌ１／Ｄ１＞１であることが好ましい。この比Ｌ１／Ｄ１は、１．１乃至２５の範囲内にあることがより好ましい。
　第１貫通孔内への塗工液の塗工を高速で行うと、隔壁部（樹脂層３４のうち隣り合った第１貫通孔によって挟まれた部分）が形成する凹部の内面と塗膜との間又は塗膜中に、気泡がより生じやすくなる可能性や、生じる気泡のサイズが大きくなる可能性がある。第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬが、上述した寸法でＹ方向に伸びた形状を有することにより、塗工を高速で行った場合に生じる気泡の位置を、凹部の長さ方向における一端に制限することができる。気泡の位置を一端に制限することができる場合、ブラックマトリックスの第３貫通孔を、気泡の発生位置から離間させることにより、気泡の発生が表示へ及ぼす影響を小さくすることができる。それ故、第１貫通孔内への塗工液の塗工を高速で行う場合にも、気泡に起因した表示装置の輝度の低下や色抜けを抑制することが可能となる。
　同様の理由から、第１貫通孔の深さは、５乃至１００μｍの範囲内にあることが好ましく、１０乃至４０μｍの範囲内にあることがより好ましい。ここで、第１貫通孔の深さは、後述する樹脂層３４の厚さに該当する。
　上述したとおり、図５に示されるＸ方向へ配列した３つの第１貫通孔からなる第１貫通孔群は、互いに交差する第１方向及び第２方向（Ｘ方向及びＹ方向）へ配列している。図５に示すように、Ｘ方向へ隣り合った第１貫通孔群間の距離Ｗｘ１は、同一の貫通孔群が含んでいる第１貫通孔間の距離Ｗｘ２と比較してより大きい。Ｙ方向へ隣り合った第１貫通孔群間の距離Ｗｙ１も、同一の貫通孔群が含んでいる第１貫通孔間の距離Ｗｘ２と比較してより大きい。ここで上記距離Ｗｙ１は、Ｙ方向へ隣り合った２つの第１対辺３７ａ間の距離（又は２つの第２対辺３７ｂ間の距離）を示す。
　距離Ｗｘ２は、好ましくは５乃至８０μｍの範囲内にあり、より好ましくは５乃至４０μｍの範囲内にあり、更に好ましくは５乃至２０μｍの範囲内にある。
　距離Ｗｘ１は、好ましくは５乃至２５０μｍの範囲内にあり、より好ましくは５０乃至２１４．５μｍの範囲内にあり、更に好ましくは１００乃至２１４．５μｍの範囲内にある。
　距離Ｗｙ１は、好ましくは５乃至２５０μｍの範囲内にあり、より好ましくは５乃至１００μｍの範囲内にあり、更に好ましくは５乃至５０μｍの範囲内にある。
　距離Ｗｘ１と距離Ｗｘ２との比Ｗｘ１／Ｗｘ２は、好ましくは０．５乃至２０の範囲内にあり、より好ましくは２乃至２０の範囲内にあり、更に好ましくは１０乃至２０の範囲内にある。距離Ｗｘ１は、距離Ｗｘ２と等しくてもよく、距離Ｗｘ２よりも小さくてもよい。
　距離Ｗｙ１と距離Ｗｘ２との比Ｗｙ１／Ｗｘ２は、好ましくは０．５乃至４０の範囲内にあり、より好ましくは１乃至１０の範囲内にあり、更に好ましくは１．１乃至５の範囲内にある。距離Ｗｙ１は、距離Ｗｘ２と等しくてもよく、距離Ｗｘ２よりも小さくてもよい。
　樹脂層３４のうち隣り合った第１貫通孔によって挟まれた部分は、隔壁部である。これら隔壁部は、矩形状の断面形状を有している。これら隔壁部は、順テーパー状の断面形状を有していてもよく、逆テーパー状の断面形状を有していてもよい。また、これら隔壁部は、第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ及び第３サブ画素ＰＸＢの位置に、凹部（第１貫通孔）を形成している。ここでは、これら凹部（第１貫通孔）は、Ｙ方向へ伸びた溝形状を有している。
　樹脂層３４の厚さは、好ましくは５乃至１００μｍの範囲内にあり、より好ましくは５乃至５０μｍの範囲内にあり、更に好ましくは１０乃至４０μｍの範囲内にある。樹脂層３４の厚さが小さい場合、第１貫通孔内に形成する層の厚さを大きくすることが難しい。樹脂層３４の厚さを大きくすると、隣り合った第１貫通孔間に挟まれた隔壁部の形状精度が低下する。
　無機被覆層３５は、複数の第１貫通孔の側壁をそれぞれ少なくとも部分的に被覆した複数の第１部分を含んでいる。ここでは、無機被覆層３５は、図３及び図４に示すように、第１貫通孔の各々の側壁全体を被覆している。無機被覆層３５は、第１貫通孔の側壁の一部を被覆していなくてもよい。例えば、無機被覆層３５は、第１貫通孔の少なくとも１つの側壁のうちブラックマトリクス３２近傍の部分、及び、第１貫通孔の少なくとも１つの側壁のうち樹脂層３４の上面近傍の部分の少なくとも一方を被覆していなくてもよい。
　無機被覆層３５が含む第１部分による第１貫通孔の側壁の被覆率は、６０％以上であることが好ましい。側壁の第１部分による被覆率が６０％以上であると、隔壁が形成している凹部（第１貫通孔）に例えばダイコート法又はノズル塗布法により塗膜を形成する際に、凹部の内面と塗膜との間や塗膜中に気泡を生じることを効果的に抑制することができる。無機被覆層３５が含む第１部分による第１貫通孔の側面の被覆率は、より好ましくは８０％以上である。
　無機被覆層３５は、複数の第１貫通孔の透明基板３１側の第１開口の位置でそれぞれ広がり且つ上記第１開口と比較して寸法がより小さい第２貫通孔を各々が有している複数の第２部分を更に含んでいる。即ち、無機被覆層３５は、第１貫通孔内でブラックマトリクス３２を被覆した第２部分を更に含んでいる。第２部分は、第１貫通孔の透明基板３１側の第１開口よりも寸法が小さな第２貫通孔を有している。ここでは、無機被覆層３５は、図４に示すように、ブラックマトリクス３２が有する第３貫通孔の位置に第２貫通孔を有している。第２部分は省略することができる。
　無機被覆層３５は、樹脂層３４の上面を少なくとも部分的に被覆した複数の第３部分を更に含んでいる。ここでは、第３部分は、樹脂層３４の上面全体を被覆している。第３部分は、第１部分と隣接した部分を含むことが好ましい。
　無機被覆層３５は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。無機被覆層３５が含む層は、例えば、金属、合金又は透明誘電体である。一例によれば、無機被覆層３５は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる。無機被覆層３５は、塗工液に対する表面の接触角が好ましくは１乃至３０度の範囲内にあり、より好ましくは５乃至１０度の範囲内にある。
　第１着色層３３Ｒは、図３及び図４に示すように、第１サブ画素ＰＸＲの位置で第３貫通孔を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、第１着色層３３Ｒは赤色着色層である。
　第２着色層３３Ｇは、図３に示すように、第２サブ画素ＰＸＧの位置で第３貫通孔を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、第２着色層３３Ｇは緑色着色層である。
　下地層３３Ｂは、図３に示すように、第３サブ画素ＰＸＢの位置で第３貫通孔を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、無色の光透過層又は青色着色層である。
　第１波長変換層３６Ｒ、第２波長変換層３６Ｇ及び充填層３６Ｂは、各々、第１貫通孔の中に設けられた充填部である。
　第１波長変換層３６Ｒは、第１サブ画素ＰＸＲの位置で第１貫通孔を埋め込んでいる。第１波長変換層３６Ｒは、量子ドット蛍光体などの蛍光体と透明樹脂とを含んだ層である。上記の通り、ここでは、第１波長変換層３６Ｒは、第１サブ画素ＰＸＲの発光素子Ｄが射出した青色光を赤色光へと変換する。
　第２波長変換層３６Ｇは、第２サブ画素ＰＸＧの位置で第１貫通孔を埋め込んでいる。第２波長変換層３６Ｇは、量子ドット蛍光体などの蛍光体と透明樹脂とを含んだ層である。上記の通り、ここでは、第２波長変換層３６Ｇは、第２サブ画素ＰＸＧの発光素子Ｄが射出した青色光を緑色光へと変換する。
　第１波長変換層３６Ｒ及び第２波長変換層３６Ｇを構成する複数の波長変換部の各々は、これが位置した第１貫通孔の第２開口までの距離Ｄ２が１乃至９９μｍの範囲内にあることが好ましく、３乃至５０μｍの範囲内にあることがより好ましい。
　また、第１波長変換層３６Ｒ及び第２波長変換層３６Ｇを構成する複数の波長変換部の各々は、厚さが１乃至９９μｍの範囲内にあることが好ましく、４乃至５０μｍの範囲内にあることがより好ましい。
　充填層３６Ｂは、第３サブ画素ＰＸＢの位置で第１貫通孔を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、充填層３６Ｂは無色透明な層である。この場合、充填層３６Ｂは、例えば、透明樹脂からなる。
　接着層４は、調光基板２と波長変換基板３との間に介在しており、それらを互いに対して貼り合わせている。接着層４は、発光素子２５が射出した光を透過させる。接着層４は、例えば、無色透明な層である。接着層４は、接着剤又は粘着剤からなる。
　この表示装置１は、例えば、以下の方法により製造することができる。
　表示装置１の製造においては、先ず、波長変換基板３を準備する。
　即ち、先ず、波長変換基板３に対し、無機被覆層３５、第１波長変換層３６Ｒ、第２波長変換層３６Ｇ及び充填層３６Ｂを形成する前の、透明基板３１と、ブラックマトリクス３２と、第１着色層３３Ｒ及び第２着色層３３Ｇを含んだカラーフィルタと、下地層３３Ｂと、樹脂層３４とを含んでいる構造体を得る。
　ブラックマトリクス３２は、例えば、ネガ型の感光性黒色組成物を使用したフォトリソグラフィにより形成することができる。第１着色層３３Ｒ、第２着色層３３Ｇ及び下地層３３Ｂは、例えば、樹脂の塗工及び塗膜の硬化を順次行うことにより形成することができる。
　樹脂層３４は、例えば、ネガ型の感光性組成物を使用したフォトリソグラフィにより得ることができる。露光条件及び現像条件等を適宜設定することにより、上述した第１貫通孔を有する構造を形成することができる。
　次に、無機被覆層３５を形成する。具体的には、スパッタリング法及び真空蒸着法などの気相堆積法により、無機被覆層３５の材料を堆積させる。このようにして、樹脂層３４の上面を被覆した第３部分と、第１貫通孔の側面を被覆した第１部分とに加え、ブラックマトリクス３２と、第１着色層３３Ｒ、第２着色層３３Ｇ及び下地層３３Ｂとを被覆した部分を更に含んだ無機被覆層３５を得る。
　次に、エッチングマスクを形成する。エッチングマスクは、無機被覆層３５のうち、第２貫通孔が形成される部分が露出し、他の部分がエッチングマスクによって覆われるように形成する。エッチングマスクは、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィにより形成することができる。
　次いで、ウェットエッチングなどのエッチングを行うことにより、ブラックマトリクス３２と、第１着色層３３Ｒ、第２着色層３３Ｇ及び下地層３３Ｂの被覆部分に第４貫通孔を形成する。
　次に、エッチングマスクを除去する。その後、第１波長変換層３６Ｒ、第２波長変換層３６Ｇ及び充填層３６Ｂを形成する。
　第１波長変換層３６Ｒ、第２波長変換層３６Ｇ及び充填層３６Ｂの各々は、例えば、ネガ型の感光性組成物を使用したフォトリソグラフィにより形成することができる。
　具体的には、上記エッチングにより得られた構造体の表面へ、第１波長変換層３６Ｒの材料としてのネガ型の感光性材料を、例えば、ダイコートによって塗工する。このダイコートでは、例えば、上記の構造体とスロットダイとを、スロットの長さ方向がＸ方向に対して平行となるように配置し、それらをＹ方向へ相対的に移動させながら、スロットダイから塗工液を吐出させる。このようにして、上記構造体の表面へ塗膜を形成する。次に、この塗膜をパターン露光して、第１サブ画素ＰＸＲの位置で第１貫通孔を埋め込んだ感光性材料を硬化させる。その後、現像によって、塗膜の未露光部を除去する。これにより、第１波長変換層３６Ｒを得る。
　次に、第１波長変換層３６Ｒ形成後の構造体の表面へ、第２波長変換層３６Ｇの材料としてのネガ型の感光性材料を、例えば、上記と同様のダイコートによって塗工する。次に、この塗膜をパターン露光して、第２サブ画素ＰＸＧの位置で第１貫通孔を埋め込んだ感光性材料を硬化させる。その後、現像によって、塗膜の未露光部を除去する。これにより、第２波長変換層３６Ｇを得る。
　最後に、第１変換層３６Ｒ及び第２変換層３６Ｇ形成後の構造の表面へ、充填層３６Ｂの材料としてのネガ型の感光性材料を、例えば、上記と同様のダイコートによって塗工する。次に、この塗膜をパターン露光して、第３サブ画素ＰＸＢの位置で第１貫通孔を埋め込んだ感光性材料を硬化させる。その後、現像によって、塗膜の未露光部を除去する。これにより、充填層３６Ｂを得る。
　或いは、第１波長変換層３６Ｒ、第２波長変換層３６Ｇ及び充填層３６Ｂの各々は、ノズル塗布法によって形成することもできる。ノズル塗布法ではＸ方向へ画素ＰＸと等しいピッチで配列した複数のノズルが設けられたノズルヘッドを使用する。そして、このノズルヘッドを、上掲で説明した方法により得られたエッチング後の構造体に対してＹ方向へ相対的に移動させながら、各ノズルから、第１波長変換層３６Ｒの材料としての樹脂組成物を、第１サブ画素ＰＸＲの位置で隔壁部が形成している凹部内へ吐出させる。このようにして凹部内に形成した塗膜を硬化させることにより、第１波長変換層３６Ｒを得る。そして、第２波長変換層３６Ｇ及び充填層３６Ｂも、これと同様の方法により形成する。
　なお、第１波長変換層３６Ｒ、第２波長変換層３６Ｇ及び充填層３６Ｂの形成順は任意である。
　以上のようにして得られた波長変換基板３と、別途用意した調光基板２とを、接着層４を介して貼り合わせる。これにより、表示装置１を得る。
　この表示装置１の波長変換基板３について上述した構造を採用すると、波長変換層における気泡の発生に起因した輝度の低下や色抜けを生じ難くすることが可能となる。
　以下に、本発明に関連して行ったシミュレーションについて記載する。
　（例１）
　図１に示す表示装置１が含んでいる波長変換基板３の製造における波長変換層形成工程に関して、有限体積法解析ソフトウェアＦｌｕｅｎｔを使用したシミュレーションを行って、塗工液を塗布して５０ｍｓ後の塗膜における気泡の発生状況を調べた。ここでは、自由界面の計算に、ＶＯＦ（Volume of Fluid）法を使用した。また、このシミュレーションは、以下の条件を仮定して行った。
　即ち、樹脂層３４の第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬを図１４（図６参照）に示す形状とした。そして、輪郭ＯＬにおける第１対辺３７ａ及び第２対辺３７ｂの各々の長さＬ１は１１０μｍであり、第１線３８ａの中間部から第２線３８ｂまでの距離Ｌと長さＬ１との差Ｌ２は４５μｍであり、第１対辺３７ａ及び第２対辺３７ｂの距離Ｄ１は９０μｍであり、深さは３０μｍであるとした（表１参照）。また、３つの第１貫通孔からなる第１貫通孔群における隣り合った第１貫通孔間の距離Ｗｘ２は２０μｍとした。
　更に、樹脂からなる表面に対する塗工液の接触角は４０度とし、無機被覆層３５に対する塗工液の接触角は２０度とした。塗工液は、粘度が０．０４１６ｋｇ／ｍ・ｓであり、密度が９９８ｋｇ／ｍ３であり、表面張力が０．０２７Ｎ／ｍであるとした。塗工液の第１貫通孔内への塗布方向は、図１４の符号Ａが示す方向とし、流速は０．０１ｍ／秒であるとした。なお、この流速は、波長変換基板３において波長変換層が形成される前の構造体表面へ塗工液を塗布する際の、上記構造体とスロットダイとのＹ方向への相対的な移動の速度に相当している。
　（例２）
　樹脂層３４の第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬを、表１及び図１５（図７参照）に示す輪郭に変更したこと以外は、例１と同様の条件でシミュレーションを行った。
　（例３）
　樹脂層３４の第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬを、表１及び図１６（図８参照）に示す輪郭に変更したこと以外は、例１と同様の条件でシミュレーションを行った。
　（例４）
　樹脂層３４の第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬを、表１及び図１７（図７参照）に示す輪郭に変更したこと以外は、例１と同様の条件でシミュレーションを行った。
　（例５）
　樹脂層３４の第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬを以下に示す輪郭に変更したこと以外は、例１と同様の条件でシミュレーションを行った。すなわち、図６に示す輪郭ＯＬに対し、第１部３８ａ１と第２部３８ａ２とにより形成される頂部が切り取られた略台形状とした輪郭（図示せず）に変更した。この輪郭ＯＬにおける第１対辺３７ａ及び第２対辺３７ｂの各々の長さＬ１は５００μｍであり、第１線３８ａの中間部から第２線３８ｂまでの距離Ｌと長さＬ１との差Ｌ２は４８０μｍであり、第１対辺３７ａ及び第２対辺３７ｂの距離Ｄ１は２５μｍである（表１参照）。
　（例６）
　樹脂層３４の第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬを、図１８（図１０参照）に示すように、第１線３８ａの突き出た形状が、塗工液の塗工方向を基準として、第２線３８ｂに対し下流側に位置するよう変更したこと以外は、例１と同様の条件でシミュレーションを行った（表1参照）。
　（例７）
　樹脂層３４の第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬを、図１９（図１２参照）に示すように、第１線３８ａの突き出た形状が、塗工液の塗工方向を基準として、第２線３８ｂに対し下流側に位置するよう変更したこと以外は、例３と同様の条件でシミュレーションを行った（表1参照）。
　（例８）
　樹脂層３４の第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬを、図２０（図１１参照）に示すように、第１線３８ａの突き出た形状が、塗工液の塗工方向を基準として、第２線３８ｂに対し下流側に位置するよう変更したこと以外は、例２と同様の条件でシミュレーションを行った（表1参照）。
　（例９）
　樹脂層３４の第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬを、図２１（図１１参照）に示すように、第１線３８ａの突き出た形状が、塗工液の塗工方向を基準として、第２線３８ｂに対し下流側になるよう変更したこと以外は、例４と同様の条件でシミュレーションを行った（表１参照）。
　（例１０）
　樹脂層３４の第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬを、第１線３８ａの突き出た形状が、塗工液の塗工方向を基準として、第２線３８ｂに対し下流側になるよう変更したこと以外は、例５と同様の条件でシミュレーションを行った（表１参照）。
　（参考例１）
　樹脂層３４の第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬを、表１及び図２２に示す輪郭に変更したこと以外は、例１と同様の条件でシミュレーションを行った。
　（比較例１）
　樹脂層３４の第１貫通孔が有する第２開口の輪郭ＯＬを、表１及び図２３に示す輪郭に変更したこと以外は、例１と同様の条件でシミュレーションを行った。
　＜評価＞
　以上のシミュレーションの結果を下記表１及び図１４乃至図２３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　例１乃至例１０、参考例１及び比較例１から以下のことがわかる。
　まず、例１乃至例１０と参考例１及び比較例１との対比から、輪郭ＯＬにおいて、第１線３８ａの中間部を輪郭ＯＬの外側へ向けて突き出た形状とすることにより、第１貫通孔への塗工液の充填時に気泡を生じ難くすることができ、気泡が生じたとしてもその大きさを有意に小さくできることがわかる。
　また、輪郭ＯＬにおける比Ｌ１／Ｄ１が比較例１は０．５であるのに対し、例１乃至例１０及び参考例１は１より大きく、塗工液の流れる方向（Ｙ方向）に伸びた形状を有している。このため気泡の発生が確認された例２乃至例１０、参考例１及び比較例１のうち、比較例１以外は気泡の発生位置が溝の一端（塗工液の流れの下流側）に制限できている。したがって、生じた気泡の大きさが例２乃至例１０より大きい参考例１において、ブラックマトリックスの第３貫通孔を気泡の発生位置から離間させることにより、気泡の発生が表示へ及ぼす影響を小さくすることが可能であることがわかる。
　以上を踏まえ、例１乃至例１０、参考例１及び比較例１を下記基準に基づき評価した。結果を表１に示す。
［評価ＡＡ］
　気泡に起因した表示装置の輝度の低下や色抜けを抑制することが可能である。
［評価Ａ］
　気泡に起因した表示装置の輝度の低下や色抜けを抑制することが可能であるが、ブラックマトリックスの第３貫通孔の位置を調整するなどの工夫が必要な場合がある。
［評価Ｂ］
　気泡に起因した表示装置の輝度の低下や色抜けを生じ得る。
　１…表示装置、２…調光基板、３…波長変換基板、４…接着層、２１…基板、２２…半導体層、２３Ａ…導体層、２３Ｂ…導体層、２３Ｃ…導体層、２３Ｄ…導体層、２４Ａ…絶縁層、２４Ｂ…絶縁層、２４Ｃ…絶縁層、２５…発光素子、２６…隔壁層、２７…充填層、２８…導体層、３１…透明基板、３２…ブラックマトリクス、３３Ｇ…第２着色層、３３Ｒ…第１着色層、３３Ｂ…下地層、３４…樹脂層、３５…無機被覆層、３６Ｂ…充填層、３６Ｇ…第２波長変換層、３６Ｒ…第１波長変換層、３７ａ…第１対辺、３７ｂ…第２対辺、３８ａ…第１線、３８ｂ…第２線、３８ａ１…第１部、３８ａ２…第２部、２５１…第１層、２５２…第２層、２５３…第３層、Ｃ…キャパシタ、Ｄ…発光素子、ＤＲ…駆動制御素子、Ｌ…光、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＰＸＢ…第３サブ画素、ＰＸＧ…第２サブ画素、ＰＸＲ…第１サブ画素、ＳＤＲ…走査信号線ドライバ、ＳＳＬ…走査信号線、ＳＷ…スイッチ、ＶＤＲ…映像信号線ドライバ、ＶＳＬ…映像信号線、ＯＬ…輪郭、ＴＨ…第１貫通孔、Ｗｘ１…距離、Ｗｘ２…距離、Ｗｙ１…距離、Ｌ…距離、Ｌ１…長さ、Ｌ２…差、Ｄ１…距離、Ｄ２…距離。

Claims (19)

  1. 　第１主面及び第２主面を有している透明基板と、
    　前記第１主面上に設けられ、複数の第１貫通孔が設けられた樹脂層と、
    　前記複数の第１貫通孔の側壁をそれぞれ少なくとも部分的に被覆した複数の第１部分を含んだ無機被覆層と、
    　前記複数の第１貫通孔の少なくとも一部の中にそれぞれ設けられた複数の波長変換部を含んだ波長変換層と
    を備え、
    　前記複数の第１貫通孔の各々は、前記透明基板側の第１開口と、これとは反対側の第２開口とを有し、前記第２開口の輪郭は、
    　　前記第１主面に対して平行な第２方向へ各々が伸び、前記第１主面に対して平行であり且つ前記第２方向に対して垂直な第１方向へ配列した第１及び第２対辺と、
    　　前記第１対辺の一端と前記第２対辺の一端とを接続する第１線と、
    　　前記第１対辺の他端と前記第２対辺の他端とを接続する第２線と
    からなり、
    　前記第１線は、中間部が前記輪郭の外側へ向けて突き出た波長変換基板。
  2. 　前記複数の第１貫通孔の各々において、前記第１線は、前記複数の波長変換部の塗工方向を基準として、前記第２線に対して上流側に位置した請求項１に記載の波長変換基板。
  3. 　前記複数の第１貫通孔の各々において、前記第１線は、前記複数の波長変換部の塗工方向を基準として、前記第２線に対して下流側に位置した請求項１に記載の波長変換基板。
  4. 　前記第１線は、
    　　前記第１対辺の前記一端から伸びた第１部と、
    　　前記第２対辺の前記一端から伸びた第２部と
    を含み、
    　前記第１部及び前記第２部の各々は線分である請求項１乃至３の何れか１項に記載の波長変換基板。
  5. 　前記第１線は、
    　　前記第１対辺の前記一端から伸びた第１部と、
    　　前記第２対辺の前記一端から伸びた第２部と
    を含み、
    　前記第１部及び前記第２部の各々は、前記輪郭の前記外側へ向けて突き出た凸曲線である請求項１乃至３の何れか１項に記載の波長変換基板。
  6. 　前記第１線は、
    　　前記第１対辺の前記一端から伸びた第１部と、
    　　前記第２対辺の前記一端から伸びた第２部と
    を含み、
    　前記第１部及び前記第２部の各々は、前記輪郭の内側へ向けて凹んだ凹曲線である請求項１乃至３の何れか１項に記載の波長変換基板。
  7. 　前記第１線は、丸まった頂部を有するように、前記中間部が前記輪郭の前記外側へ向けて突き出た請求項１乃至３の何れか１項に記載の波長変換基板。
  8. 　前記複数の第１貫通孔の各々において、前記第１対辺及び前記第２対辺の各々の長さＬ１は、前記第１対辺から前記第２対辺までの距離Ｄ１と比較してより大きい請求項１乃至７の何れか１項に記載の波長変換基板。
  9. 　前記長さＬ１と前記距離Ｄ１との比Ｌ１／Ｄ１は、１．１乃至２５の範囲内にある請求項８に記載の波長変換基板。
  10. 　前記第１線の前記中間部から前記第２線までの距離Ｌと前記第１対辺及び前記第２対辺の各々の長さＬ１との差Ｌ２と、前記第１対辺から前記第２対辺までの距離Ｄ１との比Ｌ２／Ｄ１は、０．０８３乃至２５の範囲内にある請求項１乃至９の何れか１項に記載の波長変換基板。
  11. 　前記複数の第１貫通孔の各々は、深さが１０乃至４０μｍの範囲内にある請求項１乃至１０の何れか１項に記載の波長変換基板。
  12. 　複数の波長変換部の各々は、これが位置した前記第１貫通孔の前記第２開口までの距離Ｄ２が１乃至９９μｍの範囲内にある請求項１乃至１１の何れか１項に記載の波長変換基板。
  13. 　複数の波長変換部の各々は、厚さが１乃至９９μｍの範囲内にある請求項１乃至１２の何れか１項に記載の波長変換基板。
  14. 　前記透明基板と前記樹脂層との間に介在し、前記複数の第１貫通孔の位置に複数の第３貫通孔をそれぞれ有するブラックマトリクスを更に備えた請求項１乃至１３の何れか１項に記載の波長変換基板。
  15. 　前記複数の第３貫通孔の少なくとも一部の位置にそれぞれ配置された複数の着色層を含んだカラーフィルタを更に備えた請求項１４に記載の波長変換基板。
  16. 　前記複数の第１貫通孔は、前記ブラックマトリクスのうち前記複数の第３貫通孔をそれぞれ取り囲んだ部分を露出させるように設けられており、
    　前記無機被覆層は、前記ブラックマトリクスのうち前記複数の第３貫通孔をそれぞれ取り囲んだ前記部分の各々を被覆した第２部分を更に含み、
    　前記第２部分は、前記第３貫通孔の位置に第２貫通孔を有している請求項１４又は１５に記載の波長変換基板。
  17. 　前記無機被覆層は金属又は合金からなる請求項１乃至１６の何れか１項に記載の波長変換基板。
  18. 　請求項１乃至１７の何れか１項に記載の波長変換基板と、
    　前記第１主面と向き合うように設置された調光装置と
    を備えた表示装置。
  19. 　前記調光装置は、基板と、前記複数の第１貫通孔に対応して前記基板上に配置された複数の発光ダイオードとを備えた請求項１８に記載の表示装置。
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