WO2023223833A1 - ブラックマトリクス基板及び表示装置 - Google Patents

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WO2023223833A1
WO2023223833A1 PCT/JP2023/017116 JP2023017116W WO2023223833A1 WO 2023223833 A1 WO2023223833 A1 WO 2023223833A1 JP 2023017116 W JP2023017116 W JP 2023017116W WO 2023223833 A1 WO2023223833 A1 WO 2023223833A1
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WO
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black matrix
layer
holes
matrix substrate
light
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Application number
PCT/JP2023/017116
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English (en)
French (fr)
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京慧 川田
孝二 今吉
一彦 塩満
圭佑 後藤
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凸版印刷株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Definitions

  • the present invention relates to a black matrix substrate and a display device.
  • a light emitting element such as a light emitting diode is used, for example, as a light source of a backlight unit or as a component of a pixel or subpixel.
  • partition walls may be provided to separate light emitting elements or pixels or subpixels from each other (see Patent Documents 1 to 4).
  • the partition wall is used, for example, to efficiently utilize light emitted by a light emitting element, or to prevent light emitted by another light emitting element from entering a region where light emitted by a certain light emitting element should be incident. make it possible.
  • An object of the present invention is to provide a technique that can make it difficult for image quality to deteriorate due to stray light in a display device including a light emitting element.
  • a transparent substrate having a first main surface and a second main surface; a black matrix provided on the first main surface and having a plurality of first through holes; , a resin layer provided on the black matrix and having a plurality of second through holes at the positions of the plurality of first through holes, and a side wall of each of the plurality of second through holes at least partially.
  • a black matrix substrate is provided, which includes a reflective layer coated with a resin layer and a reflective layer that is at least partially open at a position on the upper surface of the resin layer.
  • the black matrix substrate according to the above aspect, wherein the coverage rate of the upper surface with the reflective layer is 85% or less.
  • a black matrix substrate according to any of the above aspects, in which the reflective layer is made of metal or an alloy.
  • a black matrix substrate according to any of the above aspects, wherein the resin layer is transparent.
  • each of the plurality of second through-holes has an outline of an orthogonal projection of the opening on the transparent substrate side onto the first main surface.
  • a black matrix substrate according to any of the above-mentioned side surfaces is provided so as to surround the outline of the orthogonal projection onto the first main surface.
  • the plurality of first through holes are arranged in a first direction and a second direction that intersect with each other, and the reflective layer is configured to
  • a black matrix substrate is provided in which the side surface is opened at a position between adjacent ones in the second direction, and at a position between the first through holes adjacent in the second direction among the plurality of first through holes.
  • the reflective layer has a slit-shaped opening extending in the second direction at a position between adjacent first through holes among the plurality of first through holes, and There is provided a black matrix substrate according to the side surface having a slit-shaped opening extending in the first direction at a position between the first through holes adjacent in the second direction among the plurality of first through holes.
  • the plurality of second through-holes is a plurality of second through-holes each consisting of three or more of the plurality of second through-holes and arranged in a first direction and a second direction that intersect with each other.
  • through-hole groups, and the reflective layer is located between adjacent through-hole groups in the first direction among the plurality of through-hole groups, and between adjacent through-hole groups in the second direction among the plurality of through-hole groups.
  • a black matrix substrate according to any of the above-mentioned side surfaces having an opening at a position between the mating parts is provided.
  • the reflective layer has a slit-shaped opening extending in the second direction at a position between adjacent through-holes in the first direction among the plurality of through-hole groups
  • a black matrix substrate is provided in which the side surface has a slit-shaped opening extending in the first direction at a position between adjacent through-hole groups in the second direction among the plurality of through-hole groups.
  • the black matrix substrate according to the above-mentioned side surface in which the three or more second through-holes are arranged in the first direction in each of the plurality of through-hole groups.
  • the black matrix substrate according to the above aspect wherein the plurality of second through holes have a shape extending in the second direction.
  • the above aspect further includes an overcoat layer interposed between the black matrix and the resin layer and containing a transparent resin, an ultraviolet absorber, and one or more transparent particles.
  • an overcoat layer interposed between the black matrix and the resin layer and containing a transparent resin, an ultraviolet absorber, and one or more transparent particles.
  • the overcoat layer includes a transparent resin and one or more of an ultraviolet absorber, a yellow pigment, and transparent particles.
  • the black matrix according to any one of the above aspects further includes a color filter including a plurality of colored layers, each of which is disposed at a position of at least a part of the plurality of first through holes.
  • a substrate is provided.
  • a black matrix substrate according to any one of the above aspects, further comprising a plurality of wavelength conversion layers respectively provided in at least some of the plurality of second through holes. Ru.
  • a display device including the black matrix substrate according to any of the above aspects and a light control device installed to face the first main surface.
  • the light control device includes a display according to the aspect described above, including a substrate and a plurality of light emitting diodes arranged on the substrate corresponding to the plurality of first through holes. Equipment is provided.
  • a technique is provided that can make it difficult for image quality to deteriorate due to stray light in a display device including a light emitting element.
  • FIG. 1 is a plan view showing a part of a display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the display device shown in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 1 taken along line III-III.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 1 taken along line IV-IV.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 1 taken along line VV.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 1 taken along line VI-VI.
  • FIG. 7 is a plan view showing a part of the black matrix substrate included in the display device of FIG. 1.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing how stray light affects display in a display device according to a comparative example.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing how stray light is absorbed by a black matrix in the display device of FIG. 1.
  • FIG. 10 is a plan view showing a part of a black matrix substrate included in a display device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing a part of a display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the display device shown in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 1 taken along line III-III.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 1 taken along line IV-IV.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 1 taken along line VV.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 1 taken along line VI-VI.
  • FIG. 7 is a plan view showing a part of the black matrix substrate included in the display device of FIG. 1.
  • the area surrounded by the broken line represents the opening on the transparent substrate 31 side of the first through hole that the black matrix 32 has, as will be described later.
  • the display device 1A shown in FIGS. 1 to 6 is a micro LED display capable of color display using an active matrix driving method, and each sub-pixel includes a light emitting diode (LED).
  • LED light emitting diode
  • the X direction and the Y direction are directions that are parallel to the display surface of the display device 1A and intersect with each other. According to one example, the X direction and the Y direction are perpendicular to each other. Further, the Z direction is a direction perpendicular to the X direction and the Y direction. That is, the Z direction is the thickness direction of the display device 1A.
  • the display device 1A includes a video signal line VSL, a power supply line PSL, a scanning signal line SSL, a pixel PX, a video signal line driver VDR, and a scanning signal line driver SDR. .
  • the video signal line VSL and the power supply line PSL each extend in the Y direction and are arranged alternately in the X direction.
  • the scanning signal lines SSL each extend in the X direction and are arranged in the Y direction.
  • the pixels PX are arranged in the X direction and the Y direction.
  • Each pixel PX includes a first sub-pixel PXR, a second sub-pixel PXG, and a third sub-pixel PXB.
  • the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB are arranged corresponding to the intersection of the video signal line VSL and the scanning signal line SSL.
  • the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB emit light of different colors.
  • the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB emit red light, green light, and blue light, respectively.
  • the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB are arranged in this order in the X direction.
  • the arrangement order of the first sub-pixel PXR, second sub-pixel PXG, and third sub-pixel PXB in each pixel PX can be changed.
  • first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB form a stripe arrangement.
  • the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB may form other arrangements such as a delta arrangement and a mosaic arrangement.
  • Each of the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB includes a light emitting element D, a drive control element DR, a switch SW, and a capacitor C.
  • the light emitting element D is a light emitting diode.
  • the light emitting diode is, for example, a light emitting diode made of an inorganic substance.
  • a light emitting diode made of an inorganic substance can be obtained, for example, by dividing a laminate having a layer structure similar to these into a plurality of parts.
  • the light emitting element D may be an electroluminescent element which is a light emitting diode made of an organic material.
  • the cathode of the light emitting element D is connected to a ground electrode.
  • the light emitting element D is a blue light emitting diode that is made of an inorganic substance and emits blue light.
  • the drive control element DR and switch SW are field effect transistors.
  • the drive control element DR is a p-channel thin film transistor
  • the switch SW is an n-channel thin film transistor.
  • the drive control element DR has a gate connected to the drain of the switch SW, a source connected to the power supply line PSL, and a drain connected to the anode of the light emitting element D.
  • the switch SW has a gate connected to the scanning signal line SSL, and a source connected to the video signal line VSL.
  • the capacitor C is, for example, a thin film capacitor.
  • the capacitor C has one electrode connected to the gate of the drive control element DR, and the other electrode connected to the power supply line PSL.
  • the first sub-pixel PXR further includes a first wavelength conversion layer 36R and a first colored layer 33R shown in FIGS. 3 to 6.
  • the first wavelength conversion layer 36R is installed to face the light emitting element D of the first sub-pixel PXR.
  • the first wavelength conversion layer 36R converts the light emitted by the light emitting element D of the first sub-pixel PXR into first light of a specific color.
  • the first wavelength conversion layer 36R converts, for example, blue light emitted by the light emitting element D of the first sub-pixel PXR into red light.
  • the first colored layer 33R is installed to face the light emitting element D of the first sub-pixel PXR with the first wavelength conversion layer 36R in between.
  • the first colored layer 33R transmits the light whose wavelength has been converted by the first wavelength conversion layer 36R, and absorbs the light whose wavelength has not been converted by the first wavelength conversion layer 36R.
  • the first colored layer 33R is, for example, a red colored layer that transmits red light after wavelength conversion by the first wavelength conversion layer 36R and absorbs blue light etc. whose wavelength has not been converted by the first wavelength conversion layer 36R. .
  • the second sub-pixel PXG further includes a second wavelength conversion layer 36G and a second colored layer 33G shown in FIG.
  • the second wavelength conversion layer 36G is installed to face the light emitting element D of the second sub-pixel PXG.
  • the second wavelength conversion layer 36G converts the light emitted by the light emitting element D of the second sub-pixel PXG into second light having a different color from the first light.
  • the second wavelength conversion layer 36G converts, for example, blue light emitted by the light emitting element D of the second sub-pixel PXG into green light.
  • the second colored layer 33G is installed to face the light emitting element D of the second sub-pixel PXG with the second wavelength conversion layer 36G in between.
  • the second colored layer 33G transmits the light whose wavelength has been converted by the second wavelength conversion layer 36G, and absorbs the light whose wavelength has not been converted by the second wavelength conversion layer 36G.
  • the second colored layer 33G is, for example, a green colored layer that transmits green light after wavelength conversion by the second wavelength conversion layer 36G and absorbs blue light, etc. whose wavelength has not been converted by the second wavelength conversion layer 36G. .
  • the third sub-pixel PXB further includes a base layer 33B and a filling layer 36B shown in FIGS. 3 and 4.
  • the filling layer 36B is installed to face the light emitting element D of the third sub-pixel PXB.
  • the filling layer 36B is, for example, a colorless and transparent layer.
  • the filling layer 36B can be omitted.
  • the base layer 33B is installed to face the light emitting element D of the third sub-pixel PXB with the filling layer 36B in between.
  • the base layer 33B transmits the light emitted by the light emitting element D of the third sub-pixel PXB as third light.
  • the base layer 33B is, for example, a colorless light transmitting layer or a blue colored layer that transmits blue light emitted from the light emitting element D of the third subpixel PXB.
  • the video signal line driver VDR and the scanning signal line driver SDR are mounted on the display panel using COG (chip on glass), as shown in FIG.
  • the video signal line driver VDR and the scanning signal line driver SDR may be implemented using TCP (tape carrier package) instead of COG implementation.
  • a video signal line VSL and a power supply line PSL are connected to the video signal line driver VDR.
  • the video signal line driver VDR outputs a voltage signal as a video signal to the video signal line VSL.
  • a scanning signal line SSL is connected to the scanning signal line driver SDR.
  • the scanning signal line driver SDR outputs a voltage signal as a scanning signal to the scanning signal line SSL.
  • the power supply line PSL may be connected to the scanning signal line driver SDR instead of being connected to the video signal line driver VDR.
  • the display device 1A will be explained in more detail.
  • the display device 1A includes a light control substrate 2, a black matrix substrate 3A, and an adhesive layer 4, as shown in FIGS. 3 to 6.
  • the light control substrate is a substrate that emits light toward the black matrix substrate, and at least one of the intensity of this light and the time for emitting this light can be adjusted for each pixel or each subpixel.
  • the substrate 21 includes, for example, an insulating substrate such as a glass substrate.
  • the substrate 21 may further include an undercoat layer provided on the main surface of the insulating substrate facing the black matrix substrate 3A.
  • the undercoat layer is, for example, a laminate of a silicon nitride layer and a silicon oxide layer that are sequentially stacked on an insulating substrate.
  • the substrate 21 may be a semiconductor substrate such as a silicon substrate.
  • the substrate 21 may be rigid or flexible.
  • the semiconductor layers 22 are arranged on the main surface of the substrate 21 facing the black matrix substrate 3A.
  • the semiconductor layer 22 is, for example, a polysilicon layer.
  • the semiconductor layer 22 is a semiconductor layer of a thin film transistor that constitutes the drive control element DR or the switch SW.
  • Each semiconductor layer 22 includes a source and a drain, and a channel region interposed therebetween.
  • the conductor layer 23A is a conductor pattern provided on the main surface of the substrate 21.
  • the conductor layer 23A constitutes the video signal line VSL, the power supply line PSL, the source electrode SE, the drain electrode DE, and the lower electrode (not shown) of the capacitor C.
  • the source electrode SE and the drain electrode DE are connected to the source and drain of the semiconductor layer 22, respectively.
  • the conductor layer 23A is made of metal or an alloy.
  • the conductor layer 23A may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the insulating layer 24A covers the conductor layer 23A and the main surface of the substrate 21.
  • the insulating layer 24A can be formed using, for example, TEOS (tetraethyl orthosilicate).
  • TEOS tetraethyl orthosilicate
  • the gate insulating film of each thin film transistor constituting the drive control element DR or switch SW is a part of the insulating layer 24A. Further, the dielectric layer of each capacitor C is another part of the insulating layer 24A.
  • the conductor layer 23B is a conductor pattern provided on the insulating layer 24A.
  • the gate electrode GE of each thin film transistor constituting the drive control element DR or switch SW is a part of the conductor layer 23B.
  • Each gate electrode GE faces the channel region of the semiconductor layer 22 with the insulating layer 24A in between.
  • the upper electrode (not shown) of each capacitor C is another part of the conductor layer 23B.
  • Each upper electrode faces the lower electrode of the capacitor C including the upper electrode, with the insulating layer 24A interposed therebetween.
  • the conductor layer 23B is made of metal or an alloy.
  • the conductor layer 23B may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the insulating layer 24B covers the conductor layer 23B and the insulating layer 24A.
  • the insulating layer 24B is an interlayer insulating film.
  • the insulating layer 24B is made of, for example, an inorganic insulator such as silicon oxide.
  • the insulating layer made of an inorganic insulator can be formed by, for example, a plasma CVD (chemical vapor deposition) method.
  • the conductor layer 23C is a conductor pattern provided on the insulating layer 24B, as shown in FIGS. 5 and 6.
  • the conductor layer 23C constitutes a scanning signal line SSL.
  • the source electrode SE and the drain electrode DE may be provided on the insulating layer 24B instead of being provided on the insulating layer 24A. That is, the conductor layer 23C may constitute the scanning signal line SSL, the source electrode SE, and the drain electrode DE.
  • the insulating layer 24C covers the conductor layer 23C and the insulating layer 24B.
  • the insulating layer 24C is a passivation film.
  • the insulating layer 24C is made of an inorganic insulator such as silicon nitride, for example.
  • the conductor layer 23D is a conductor pattern provided on the insulating layer 24C.
  • the conductor layer 23D constitutes electrode pads arranged in the X direction and the Y direction corresponding to the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB.
  • a through hole is provided in the stacked body consisting of the insulating layers 24A, 24B, and 24C at the position of the drain electrode DE connected to the drain of the drive control element DR. Each electrode pad is connected to the drain electrode DE through this through hole.
  • the conductor layer 23D is made of metal or an alloy, for example.
  • the conductor layer 23D may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the contour of the orthogonal projection of each electrode pad onto a plane perpendicular to the Z direction is spaced apart from the orthogonal projection of the light emitting element 25 installed on this electrode pad onto the plane above, and surrounds this orthogonal projection.
  • the electrode pad has a larger dimension in the direction perpendicular to the Z direction than the light emitting element 25. Therefore, the electrode pad also serves as a reflective layer that reflects light traveling toward the substrate 21.
  • the electrode pad does not have to play the role of this reflective layer. In this case, the reflective layer that plays this role may be provided separately from the electrode pad, or may not be provided.
  • the light emitting element 25 shown in FIGS. 3 to 5 is the light emitting element D shown in FIG. 2.
  • the light emitting element 25 is arranged on the electrode pad.
  • the light emitting element 25 is a light emitting diode made of an inorganic material.
  • a substrate including a light emitting diode as the light emitting element 25 is sometimes referred to as an "LED substrate.”
  • the light emitting element 25 has a multilayer structure including a plurality of layers, for example, a first layer 251, a second layer 252, and a third layer 253.
  • the stacking direction of the layers included in the light emitting element 25 is the Z direction. This stacking direction may be perpendicular to the Z direction.
  • Each light emitting element 25 includes an anode and a cathode.
  • the light emitting element 25 has an anode and a cathode on one surface.
  • the anode of the light emitting element 25 is connected to an electrode pad via a bonding wire (not shown).
  • the bonding of the light emitting element 25 to the electrode pad and the connection of the anode to the electrode pad are performed using a conductive paste such as a conductive paste.
  • the bonding may also be performed by die bonding using the material as a bonding material.
  • the conductor layer 28 is omitted, and an electrode pad for connecting to the cathode of the light emitting element 25 is further provided on the insulating layer 24C, and these electrodes are Wiring connected to the pads may be further provided between the insulating layers, and the connection of the light emitting element 25 to the electrode pad and the conductor layer 28 and the connection of the anode and cathode to the electrode pads may be performed by flip chip bonding.
  • the dimensions of the light emitting element 25 in the X and Y directions are preferably in the range of 1 to 100 ⁇ m, more preferably in the range of 5 to 80 ⁇ m, and still more preferably in the range of 10 to 60 ⁇ m.
  • the dimension of the light emitting element 25 in the Z direction is preferably in the range of 1 to 20 ⁇ m, more preferably in the range of 1 to 15 ⁇ m, and still more preferably in the range of 1 to 10 ⁇ m.
  • the partition layer 26 is provided on the insulating layer 24C.
  • the partition layer 26 has through holes at the positions of the electrode pads.
  • the light emitting elements 25 are located within these through holes, respectively.
  • the partition layer 26 is made of resin, for example.
  • Such a partition layer 26 can be formed by photolithography using a photosensitive resin.
  • the partition layer 26 may include a resin layer having through holes, and a reflective layer covering the side walls of the through holes and optionally the upper surface of the resin layer.
  • the reflective layer may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the reflective layer includes, for example, a metal, an alloy, or a transparent dielectric.
  • the partition layer 26 can be omitted.
  • the filling layer 27 fills the gap between the light emitting element 25 and the partition layer 26.
  • the filling layer 27 is a light transmitting layer that transmits the light emitted from the light emitting element 25. Furthermore, the filling layer 27 also serves as a protective layer that protects the light emitting element 25 and the joints between it and the electrodes.
  • the filling layer 27 is made of resin, for example.
  • the refractive index of the filling layer 27 is preferably different from the refractive index of the material forming the surface of the partition layer 26.
  • the conductor layer 28 is provided on the partition layer 26 and the filling layer 27.
  • the cathode of the light emitting element 25 is connected to the conductor layer 28.
  • the conductor layer 28 is made of a conductive transparent oxide, it can be provided so as to cover the entire cathode of the light emitting element 25 .
  • the conductor layer 28 is made of metal or an alloy, it is preferable to provide the conductor layer 28 so as to partially cover the cathode of the light emitting element 25 .
  • the black matrix substrate 3A faces the light control substrate 2. Specifically, the black matrix substrate 3A faces the substrate 21 with the light emitting element 25 and the like interposed therebetween.
  • the black matrix substrate 3A includes a transparent substrate 31, a black matrix 32, a resin layer 34, a reflective layer 35, a color filter including a first colored layer 33R and a second colored layer 33G, a base layer 33B, and a color filter including a first colored layer 33R and a second colored layer 33G. It includes a first wavelength conversion layer 36R, a second wavelength conversion layer 36G, and a filling layer 36B.
  • the transparent substrate 31 has visible light transmittance.
  • the transparent substrate 31 is, for example, a colorless substrate.
  • the transparent substrate 31 may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the transparent substrate 31 is made of, for example, glass, transparent resin, or a combination thereof.
  • the transparent substrate 31 may be hard or flexible.
  • the transparent substrate 31 has a first main surface facing the light control substrate 2 and a second main surface that is the back surface thereof.
  • the black matrix 32 is provided on the first main surface of the transparent substrate 31.
  • the black matrix 32 is a black layer that blocks visible light.
  • the black matrix 32 is made of, for example, a mixture containing a binder resin and a colorant.
  • the coloring agent is, for example, a black pigment or a mixture of pigments that produces a black color by subtractive color mixing, for example a mixture containing a blue pigment, a green pigment and a red pigment.
  • the black matrix 32 has a first through hole at the position of the light emitting element 25.
  • the opening of each first through hole on the transparent substrate 31 side has a larger dimension in the direction perpendicular to the Z direction than the light emitting element 25 .
  • each portion of the black matrix 32 corresponding to the pixel PX includes a first through hole provided at the position of the first sub pixel PXR, a first through hole provided at the position of the second sub pixel PXG, and a third through hole provided at the position of the second sub pixel PXG. and a first through hole provided at the position of the sub-pixel PXB, and these three first through holes are arranged in the X direction.
  • a plurality of first through-hole groups each consisting of these three first through-holes are arranged in the X direction and the Y direction.
  • the distance between adjacent first through-hole groups in the X direction is larger than the distance between first through-holes included in the same through-hole group.
  • the distance between adjacent first through-hole groups in the Y direction is also larger than the distance between first through-holes included in the same through-hole group.
  • the aperture ratio of the black matrix 32 is preferably within the range of 5 to 66%, more preferably within the range of 5 to 40%, and still more preferably within the range of 5 to 20%.
  • a light emitting diode made of an inorganic material can emit bright light even if the light exit surface is small, and has a long life. Therefore, when the light emitting element 25 is a light emitting diode made of an inorganic material, bright display is possible even if the aperture ratio of the black matrix 32 is made small.
  • the aperture ratio of the black matrix 32 is reduced, reflection of external light can be suppressed, black color with greater depth can be displayed, and a higher contrast ratio can therefore be achieved.
  • the thickness of the black matrix 32 is preferably in the range of 1 to 30 ⁇ m, more preferably in the range of 1 to 15 ⁇ m, and still more preferably in the range of 1 to 5 ⁇ m.
  • a thick black matrix 32 is advantageous in achieving high light-shielding properties.
  • the black matrix 32 is made thicker, during pattern exposure of a coating film made of a photosensitive black composition, light may not be able to reach deep parts of the coating film with sufficient intensity, and high shape accuracy may not be achieved. .
  • the resin layer 34 is provided on the black matrix 32, as shown in FIGS. 3 to 6.
  • resin layer 34 is transparent.
  • the resin layer 34 may be colored or colorless.
  • the resin layer 34 may have light scattering properties. For example, assuming that the film thickness is 5 ⁇ m, the transparent resin layer 34 has a maximum transmittance of 20% or more for light in the wavelength range of 350 to 480 nm that is incident in the thickness direction. It is desirable that
  • the resin layer 34 has second through holes at the positions of the first through holes. These second through holes constitute a second through hole group corresponding to the first through hole group described above.
  • Each of the second through-hole groups here includes three second through-holes arranged in the X direction.
  • the second through-hole group is arranged in a first direction and a second direction that intersect with each other, here, in the X direction and the Y direction.
  • the distance W x 1 between second through-hole groups adjacent to each other in the X direction is larger than the distance W1 between second through-holes included in the same through-hole group.
  • the distance W y 1 between the second through-hole groups adjacent to each other in the Y direction is also larger than the distance W 1 between the second through-holes included in the same through-hole group.
  • the distance W1 is preferably in the range of 5 to 80 ⁇ m, more preferably in the range of 5 to 40 ⁇ m, and still more preferably in the range of 5 to 20 ⁇ m.
  • the distance W x 1 is preferably in the range of 5 to 250 ⁇ m, more preferably in the range of 50 to 250 m, even more preferably in the range of 100 to 250 ⁇ m.
  • the distance W y 1 is preferably in the range of 5 to 250 ⁇ m, more preferably in the range of 5 to 100 ⁇ m, and still more preferably in the range of 5 to 50 ⁇ m.
  • the ratio W x 1/W1 between the distance W x 1 and the distance W1 is preferably in the range of 0.1 to 50, more preferably in the range of 2 to 20, and still more preferably in the range of 5 to 15. It's within.
  • the distance W x 1 may be equal to the distance W1 or may be smaller than the distance W1.
  • the ratio W y 1/W1 between the distance W y 1 and the distance W1 is preferably in the range of 0.1 to 50, more preferably in the range of 0.1 to 10, and even more preferably 0.1. It is within the range of 5 to 5.
  • the distance W y 1 may be equal to the distance W1 or may be smaller than the distance W1.
  • the contour of the orthogonal projection of the opening on the transparent substrate 31 side onto the first principal surface of the second through hole is the contour of the orthogonal projection of the opening on the transparent substrate 31 side onto the first principal surface. It is provided so as to surround the projection contour (hereinafter referred to as the first contour).
  • the second contour does not have to surround the first contour. In a structure in which the second contour surrounds the first contour, stray light has less influence on the display than in a structure in which the second contour does not surround the first contour.
  • a portion of the resin layer 34 sandwiched between adjacent second through holes has a forward tapered cross-sectional shape.
  • This portion may have a rectangular cross-sectional shape, a reverse tapered cross-sectional shape, or another cross-sectional shape.
  • the thickness of the resin layer 34 is preferably in the range of 5 to 50 ⁇ m, more preferably in the range of 5 to 40 ⁇ m, and still more preferably in the range of 10 to 25 ⁇ m.
  • the thickness of the resin layer 34 is small, it is difficult to increase the total thickness of the layers formed in the second through hole.
  • the resin layer 34 is made thicker, the shape accuracy of the partition wall portion sandwiched between adjacent second through holes is reduced.
  • the reflective layer 35 at least partially covers the side wall of each second through hole.
  • the reflective layer 35 covers the entire side wall of each second through hole, as shown in FIGS. 3 to 6.
  • the reflective layer 35 does not need to cover a part of the side wall of the second through hole.
  • the reflective layer 35 covers at least one of a portion of at least one side wall of the second through hole near the black matrix 32 and a portion of at least one side wall of the second through hole near the top surface of the resin layer 34. It does not need to be covered.
  • the area S2 of the opening on the transparent substrate 31 side is preferably larger than the area S1 of the opening of the first through hole.
  • the ratio S2/S1 between area S2 and area S1 is preferably in the range of 1 to 100, more preferably in the range of 1 to 30, and still more preferably in the range of 1 to 2.
  • the reflective layer 35 further covers the upper surface of the resin layer 34.
  • the reflective layer 35 is at least partially open at the top surface of the resin layer 34 .
  • the reflective layer 35 opens in the shape of a slit extending in the Y direction at a position between adjacent first through holes in the X direction, and It opens in the shape of a slit extending in the X direction at a position between adjacent ones in the Y direction.
  • the reflective layer 35 has openings in the shape of slits extending in the Y direction at positions between the second through holes adjacent in the X direction, and these openings include first slits SL1. . Further, the reflective layer 35 has openings in the shape of slits extending in the X direction at positions between adjacent ones in the Y direction among the second through holes group, and has second slits SL2 as these openings. . The reflective layer 35 has openings in the shape of slits extending in the Y direction at positions between two adjacent second through holes included in each second through hole group, and these openings are It has 3 slits SL3.
  • the ratio W x 2/W x 1 of the width W x 2 of the first slit SL1 to the distance W x 1 is preferably in the range of 0.06 to 0.88, more preferably 0.2 to 0.88. It is within the range of 88, more preferably within the range of 0.5 to 0.88.
  • the ratio W y 2/W y 1 between the width W y 2 and the distance W y 1 of the second slit SL2 is preferably in the range of 0.06 to 0.88, more preferably 0.06 to 0.88. 5, more preferably 0.06 to 0.2.
  • the ratio W2/W1 between the width W2 and the distance W1 of the third slit SL3 is preferably in the range of 0.33 to 1, more preferably in the range of 0.5 to 0.9, and even more preferably It is within the range of 0.6 to 0.8.
  • the shape of the opening of the reflective layer 35 at the position of the upper surface of the resin layer 34 does not have to be a slit shape.
  • rows of through holes may be provided.
  • the coverage rate of the upper surface of the resin layer 34 by the reflective layer 35 is preferably 85% or less, more preferably 75% or less, and even more preferably 65% or less. When this coverage rate is reduced, the influence of stray light on display is reduced.
  • this coverage may be zero, it is preferably 1% or more, more preferably 10% or more, and even more preferably 30% or more. When this coverage ratio is increased, the influence of positional errors of the openings provided in the reflective layer 35 on the display becomes smaller.
  • the reflective layer 35 may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the layer included in the reflective layer 35 is, for example, a metal, an alloy, or a transparent dielectric.
  • the reflective layer 35 consists of aluminum or an aluminum alloy.
  • the reflective layer 35 can be formed by, for example, forming a film by a vapor deposition method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method, forming an etching mask, and etching such as wet etching in this order.
  • the etching mask can be formed by photolithography using a photosensitive resin.
  • the transparent resin layer used as this etching mask may or may not be removed after the above etching.
  • the first colored layer 33R fills the first through hole at the position of the first sub-pixel PXR, as shown in FIGS. 3 to 6. As mentioned above, the first colored layer 33R is a red colored layer here.
  • the second colored layer 33G fills the first through hole at the position of the second sub-pixel PXG.
  • the second colored layer 33G is a green colored layer here.
  • the base layer 33B embeds the first through hole at the position of the third sub-pixel PXB.
  • the base layer 33B is a colorless light-transmitting layer or a blue-colored layer.
  • the first wavelength conversion layer 36R is provided on the first colored layer 33R, and buries at least the bottom of the second recess.
  • the first wavelength conversion layer 36R is a layer containing a phosphor such as a quantum dot phosphor and a transparent resin. As described above, here, the first wavelength conversion layer 36R converts the blue light emitted by the light emitting element D of the first sub-pixel PXR into red light.
  • the second wavelength conversion layer 36G is provided on the second colored layer 33G, and buries at least the bottom of the second recess.
  • the second wavelength conversion layer 36G is a layer containing a phosphor such as a quantum dot phosphor and a transparent resin. As described above, here, the second wavelength conversion layer 36G converts the blue light emitted by the light emitting element D of the second sub-pixel PXG into red light.
  • the filling layer 36B is provided on the base layer 33B and fills at least the bottom of the second recess.
  • the filling layer 36B is a colorless and transparent layer here.
  • the filling layer 36B is made of transparent resin, for example.
  • the adhesive layer 4 is interposed between the light control substrate 2 and the black matrix substrate 3A, and adheres them to each other.
  • the adhesive layer 4 transmits the light emitted by the light emitting element 25.
  • the adhesive layer 4 is, for example, a colorless and transparent layer.
  • the adhesive layer 4 is made of adhesive or adhesive.
  • this display device 1A By adopting the above-described structure for this display device 1A, it is possible to prevent image quality from deteriorating due to stray light. This will be explained below.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing how stray light affects the display in a display device according to a comparative example.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing how stray light is absorbed by a black matrix in the display device of FIG. 1.
  • the display device 1X shown in FIG. 8 is the same as the display device 1A except that it includes a black matrix substrate 3X instead of the black matrix substrate 3A.
  • the black matrix substrate 3X is the same as the black matrix substrate 3A except that the reflective layer 35 is not open at the upper surface of the resin layer 34.
  • the light emitting element 25 emits light in various directions.
  • light L emitted by the light emitting element 25 of the first sub-pixel PXR toward the wide-angle side is reflected by a portion of the reflective layer 35 that covers the upper surface of the resin layer 34.
  • the light is further reflected by the conductor layer 23D and the like, and enters the second wavelength conversion layer 36G of the second sub-pixel PXG. Therefore, the brightness of the second sub-pixel PXG deviates from the original brightness. That is, in the display device 1X, image quality may be degraded due to stray light, for example, color reproducibility or contrast ratio may be degraded.
  • the display device 1A As shown in FIG.
  • the light enters the resin layer 34 through an opening provided in the area where the light is located.
  • the resin layer 34 exhibits a small absorption rate and a low scattering property for the light L
  • the light incident on the resin layer 34 is hardly absorbed by the resin layer 34 and is reflected by the reflective layer 35; It is eventually absorbed by the black matrix 32.
  • the resin layer 34 exhibits a high absorption rate for the light L, at least a portion of the light incident on the resin layer 34 is absorbed by the resin layer 34, and the rest is absorbed by the black matrix 32.
  • the resin layer 34 exhibits a high scattering property for the light L
  • some of the light incident on the resin layer 34 changes its traveling direction due to scattering and returns to the first sub-pixel PXR, and some of the light enters the resin layer 34 and returns to the first sub-pixel PXR.
  • a portion is attenuated by scattering and reflection by the reflective layer 35, and another portion is absorbed by the black matrix 32. Therefore, the deviation of the luminance of the second sub-pixel PXG from the original luminance is small. That is, in the display device 1A, deterioration in image quality due to stray light, such as deterioration in color reproducibility or contrast ratio, is unlikely to occur.
  • FIG. 10 is a plan view showing a part of a black matrix substrate included in a display device according to a second embodiment of the present invention.
  • the display device according to the second embodiment is the same as the display device 1A except that it includes a black matrix substrate 3B shown in FIG. 10 instead of the black matrix substrate 3A.
  • the black matrix substrate 3B is the same as the black matrix substrate 3A except that the third slit SL3 is omitted.
  • the first slit SL1 is configured such that, for example, light emitted by the light emitting element 25 of the first sub-pixel PXR included in a certain pixel PX is adjacent to that pixel PX in the X direction. The light is prevented from entering the filling layer 36B of the third sub-pixel PXB included in other pixels PX.
  • the second slit SL2 is configured such that, for example, light emitted by the light emitting element 25 of the first sub-pixel PXR included in a certain pixel PX is transmitted to a first sub-pixel included in another pixel PX adjacent to that pixel PX in the Y direction.
  • the third slit SL3 allows the light emitted by the light emitting element 25 of the first sub-pixel PXR included in a certain pixel PX to pass through the second wavelength conversion layer 36G of the second sub-pixel PXG included in that pixel PX. to prevent it from entering. Therefore, as shown in FIG. 7, when all of the first slit SL1, second slit SL2, and third slit SL3 are provided, it is highly effective to prevent image quality from deteriorating due to stray light.
  • the distance W2 is smaller than the distance W x 1 and the distance W y 1. Therefore, the influence that the position error of the third slit SL3 in the X direction has on the display is the same as the influence that the position error of the first slit SL1 in the X direction has on the display, and the influence that the position error of the second slit SL2 in the Y direction has on the display. larger compared to the impact it has. Therefore, high positional accuracy is required for forming the third slit SL3.
  • the third slit SL3 is omitted, so the influence of the positional error of the slit on the display is small. Further, although the third slit SL3 is omitted in the black matrix substrate 3B, the first slit SL1 and the second slit SL2 can contribute to the effect of making it difficult for image quality to deteriorate due to stray light. Therefore, by adopting the structure shown in FIG. 10, it is possible to make it difficult for the image quality to deteriorate due to stray light, and to reduce the influence that the positional error of the slit has on the display.
  • the video signal line driver VDR may supply a current signal as a video signal to the video signal line VSL.
  • the gate-source voltage of the drive control element DR is equal to this current signal. It may be set to a corresponding value, and a drive current having a magnitude corresponding to the gate-source voltage may be caused to flow through the light emitting element D during the light emitting period.
  • a circuit for displaying an image using a passive matrix drive method may be used.
  • the filling layer 36B is a wavelength conversion layer that converts the light emitted by the light emitting element 25 of the third sub-pixel PXB into third light having a different color from the first light and the second light.
  • the first wavelength conversion layer 36R, the second wavelength conversion layer 36G, and the filling layer 36B convert the ultraviolet light emitted by the light emitting element 25 into red light, green light, and blue light, respectively.
  • multiple types of light emitting diodes may be used, for example, in the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB. , a red light emitting diode, a green light emitting diode and a blue light emitting diode, respectively.
  • a layer similar to that described above for the base layer 33B is provided instead of the first colored layer 33R and the second colored layer 33G, and a filling layer is provided instead of the first wavelength conversion layer 36R and the second wavelength conversion layer 36G. Layers similar to those described above for layer 36B may be provided.
  • the display device may also display a monochrome image.
  • the first sub-pixel PXR and the second sub-pixel PXG are omitted, a blue light emitting diode is used as the light emitting element 25, and the filling layer 36B is a wavelength conversion layer that converts blue light into yellow light. do.
  • the filling layer 36B converts a portion of the blue light incident thereon into yellow light and transmits the rest, it is possible to display white by additive color mixing of blue and yellow.
  • the black matrix substrate may further include an overcoat layer interposed between the black matrix 32 and the resin layer 34.
  • the overcoat layer can include a transparent resin and one or more of a UV absorber, a yellow pigment, and transparent particles.
  • the overcoat layer containing an ultraviolet absorber can absorb ultraviolet light when the stray light incident on the resin layer 34 is ultraviolet light.
  • the display device may be a liquid crystal display device.
  • a display device includes, for example, a liquid crystal display panel including a black matrix substrate, a dimming substrate, and a liquid crystal layer interposed therebetween.
  • This display device can further include a backlight unit that illuminates the liquid crystal display panel from the light control board side.

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Abstract

発光素子を含んだ表示装置において迷光に起因した画質の低下を生じ難くし得る技術を提供する。ブラックマトリクス基板（３Ａ）は、第１主面及び第２主面を有している透明基板（３１）と、前記第１主面上に設けられ、複数の第１貫通孔を有しているブラックマトリクス（３２）と、前記ブラックマトリクス（３２）上に設けられ、前記複数の第１貫通孔の位置に複数の第２貫通孔をそれぞれ有している樹脂層（３４）と、前記複数の第２貫通孔の各々の側壁を少なくとも部分的に被覆するとともに、前記樹脂層（３４）の上面の位置で少なくとも部分的に開口した反射層（３５）とを含んでいる。

Description

ブラックマトリクス基板及び表示装置
　本発明は、ブラックマトリクス基板及び表示装置に関する。
　表示装置において、発光ダイオードなどの発光素子は、例えば、バックライトユニットの光源として、又は、画素若しくはサブ画素の構成要素として利用されている。そのような表示装置では、発光素子又は画素若しくはサブ画素を互いから区画する隔壁を設けることがある（特許文献１乃至４を参照）。隔壁は、例えば、発光素子が射出する光を効率的に利用すること、又は、或る発光素子が射出した光を入射させるべき領域へ他の発光素子が射出した光が入射するのを防止することを可能とする。
国際公開第２０１７／１９１７１４号 日本国特開２０１８－１８９９２０号公報 日本国特開２０１５－０６４３９１号公報 国際公開第２０１９／０２６８２６号
　本発明は、発光素子を含んだ表示装置において迷光に起因した画質の低下を生じ難くし得る技術を提供することを目的とする。
　本発明の一側面によると、第１主面及び第２主面を有している透明基板と、前記第１主面上に設けられ、複数の第１貫通孔を有しているブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクス上に設けられ、前記複数の第１貫通孔の位置に複数の第２貫通孔をそれぞれ有している樹脂層と、前記複数の第２貫通孔の各々の側壁を少なくとも部分的に被覆するとともに、前記樹脂層の上面の位置で少なくとも部分的に開口した反射層とを備えたブラックマトリクス基板が提供される。
　本発明の他の側面によると、前記上面の前記反射層による被覆率は８５％以下である上記側面に係るブラックマトリクス基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、前記反射層は金属又は合金からなる上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、前記樹脂層は透明である上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、前記複数の第２貫通孔は、前記透明基板側の開口の前記第１主面への正射影の輪郭が、それぞれ、前記複数の第１貫通孔の前記第１主面への正射影の輪郭を取り囲むように設けられている上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、前記複数の第１貫通孔は、互いに交差する第１方向及び第２方向へ配列し、前記反射層は、前記複数の第１貫通孔のうち前記第１方向へ隣り合ったものの間の位置、及び、前記複数の第１貫通孔のうち前記第２方向へ隣り合ったものの間の位置で開口した上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板が提供される。本発明の更に他の側面によると、前記反射層は、前記複数の第１貫通孔のうち前記第１方向へ隣り合ったものの間の位置で前記第２方向へ伸びたスリット形状に開口するとともに、前記複数の第１貫通孔のうち前記第２方向へ隣り合ったものの間の位置で前記第１方向へ伸びたスリット形状に開口した上記側面に係るブラックマトリクス基板が提供される。
　或いは、本発明の更に他の側面によると、前記複数の第２貫通孔は、前記複数の第２貫通孔の３以上から各々がなり、互いに交差する第１方向及び第２方向へ配列した複数の貫通孔群を構成し、前記反射層は、前記複数の貫通孔群のうち前記第１方向へ隣り合ったものの間の位置、及び、前記複数の貫通孔群のうち前記第２方向へ隣り合ったものの間の位置で開口した上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板が提供される。本発明の更に他の側面によると、前記反射層は、前記複数の貫通孔群のうち前記第１方向へ隣り合ったものの間の位置で前記第２方向へ伸びたスリット形状に開口するとともに、前記複数の貫通孔群のうち前記第２方向へ隣り合ったものの間の位置で前記第１方向へ伸びたスリット形状に開口した上記側面に係るブラックマトリクス基板が提供される。或いは、本発明の更に他の側面によると、前記複数の貫通孔群の各々において、前記３以上の第２貫通孔は前記第１方向へ配列した上記側面に係るブラックマトリクス基板が提供される。本発明の更に他の側面によると、前記複数の第２貫通孔は前記第２方向へ伸びた形状を有している上記側面に係るブラックマトリクス基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、前記ブラックマトリクスと前記樹脂層との間に介在し、透明樹脂と、紫外線吸収剤及び透明粒子の１以上とを含んだオーバーコート層を更に備えた上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、前記オーバーコート層は、透明樹脂と、紫外線吸収剤、イエロー顔料及び透明粒子の１以上とを含んだ上記側面に係るブラックマトリクス基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、前記複数の第１貫通孔の少なくとも一部の位置にそれぞれ配置された複数の着色層を含んだカラーフィルタを更に備えた上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、前記複数の第２貫通孔の少なくとも一部の中にそれぞれ設けられた複数の波長変換層を更に備えた上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板と、前記第１主面と向き合うように設置された調光装置とを備えた表示装置が提供される。
　本発明の更に他の側面によると、前記調光装置は、基板と、前記複数の第１貫通孔に対応して前記基板上に配置された複数の発光ダイオードとを備えた上記側面に係る表示装置が提供される。
　本発明によれば、発光素子を含んだ表示装置において迷光に起因した画質の低下を生じ難くし得る技術が提供される。
図１は、本発明の第１実施形態に係る表示装置の一部を示す平面図である。 図２は、図１に示す表示装置の等価回路図である。 図３は、図１に示す表示装置のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。 図４は、図１に示す表示装置のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図である。 図５は、図１に示す表示装置のＶ－Ｖ線に沿った断面図である。 図６は、図１に示す表示装置のＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。 図７は、図１の表示装置が含んでいるブラックマトリクス基板の一部を示す平面図である。 図８は、比較例に係る表示装置において迷光が表示へ影響を及ぼす様子を示す断面図である。 図９は、図１の表示装置において迷光がブラックマトリクスによって吸収される様子を示す断面図である。 図１０は、本発明の第２実施形態に係る表示装置が含んでいるブラックマトリクス基板の一部を示す平面図である。
　以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施形態は、上記側面の何れかをより具体化したものである。以下に記載する事項は、単独で又は複数を組み合わせて、上記側面の各々に組み入れることができる。
　また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明の技術的思想は、下記の構成部材の材質、形状、及び構造等によって限定されるものではない。本発明の技術的思想には、請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
　なお、同様又は類似した機能を有する要素については、以下で参照する図面において同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面は模式的なものであり、或る方向の寸法と別の方向の寸法との関係、及び、或る部材の寸法と他の部材の寸法との関係等は、現実のものとは異なり得る。
　＜１＞第１実施形態
　図１は、本発明の第１実施形態に係る表示装置の一部を示す平面図である。図２は、図１に示す表示装置の等価回路図である。図３は、図１に示す表示装置のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図１に示す表示装置のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図である。図５は、図１に示す表示装置のＶ－Ｖ線に沿った断面図である。図６は、図１に示す表示装置のＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。図７は、図１の表示装置が含んでいるブラックマトリクス基板の一部を示す平面図である。なお、図１において、破線で囲まれた領域は、後述するように、ブラックマトリクス３２が有している第１貫通孔の透明基板３１側の開口を表している。
　図１乃至図６に示す表示装置１Ａは、アクティブマトリクス駆動方式によるカラー表示が可能であり、各サブ画素が発光ダイオード（ＬＥＤ）を含んだマイクロＬＥＤディスプレイである。
　なお、各図において、Ｘ方向及びＹ方向は、表示装置１Ａの表示面に対して平行であり且つ互いに交差する方向である。一例によれば、Ｘ方向及びＹ方向は、互いに対して垂直である。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向に対して垂直な方向である。即ち、Ｚ方向は、表示装置１Ａの厚さ方向である。
　表示装置１Ａは、図２に示すように、映像信号線ＶＳＬと、電源線ＰＳＬと、走査信号線ＳＳＬと、画素ＰＸと、映像信号線ドライバＶＤＲと、走査信号線ドライバＳＤＲとを含んでいる。
　映像信号線ＶＳＬ及び電源線ＰＳＬは、Ｙ方向へ各々が伸びており、Ｘ方向へ交互に配列している。走査信号線ＳＳＬは、Ｘ方向へ各々が伸びており、Ｙ方向へ配列している。
　画素ＰＸは、Ｘ方向及びＹ方向へ配列している。各画素ＰＸは、第１サブ画素ＰＸＲと、第２サブ画素ＰＸＧと、第３サブ画素ＰＸＢとを含んでいる。第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢは、映像信号線ＶＳＬと走査信号線ＳＳＬとの交差部に対応して配列している。
　第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢは、異なる色の光を射出する。ここでは、一例として、第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢは、それぞれ、赤色光、緑色光及び青色光を射出することとする。
　各画素ＰＸにおいて、第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢは、Ｘ方向へこの順に配列している。各画素ＰＸにおける、第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢの配列順序は変更可能である。
　また、ここでは、第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢは、ストライプ配列を形成している。第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢは、デルタ配列及びモザイク配列などの他の配列を形成していてもよい。
　第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢの各々は、発光素子Ｄと、駆動制御素子ＤＲと、スイッチＳＷと、キャパシタＣとを含んでいる。
　発光素子Ｄは、発光ダイオードである。発光ダイオードは、例えば、無機物からなる発光ダイオードである。無機物からなる発光ダイオードは、例えば、これらと同様の層構造を有している積層体を、複数の部分へと個片化することにより得られる。発光素子Ｄは、有機物からなる発光ダイオードであるエレクトロルミネッセンス素子であってもよい。発光素子Ｄの陰極は、接地電極へ接続されている。ここでは、一例として、発光素子Ｄは、無機物からなり、青色光を射出する青色発光ダイオードであるとする。
　駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷは、電界効果トランジスタである。ここでは、駆動制御素子ＤＲはｐチャネル薄膜トランジスタであり、スイッチＳＷはｎチャネル薄膜トランジスタである。駆動制御素子ＤＲは、ゲートがスイッチＳＷのドレインへ接続され、ソースが電源線ＰＳＬへ接続され、ドレインが発光素子Ｄの陽極へ接続されている。スイッチＳＷは、ゲートが走査信号線ＳＳＬへ接続され、ソースが映像信号線ＶＳＬへ接続されている。
　キャパシタＣは、例えば、薄膜キャパシタである。キャパシタＣは、一方の電極が駆動制御素子ＤＲのゲートへ接続されており、他方の電極が電源線ＰＳＬへ接続されている。
　第１サブ画素ＰＸＲは、図３乃至図６に示す第１波長変換層３６Ｒ及び第１着色層３３Ｒを更に含んでいる。
　第１波長変換層３６Ｒは、第１サブ画素ＰＸＲの発光素子Ｄと向き合うように設置されている。第１波長変換層３６Ｒは、第１サブ画素ＰＸＲの発光素子Ｄが射出した光を特定の色の第１光へと変換する。第１波長変換層３６Ｒは、例えば、第１サブ画素ＰＸＲの発光素子Ｄが射出した青色光を赤色光へと変換する。
　第１着色層３３Ｒは、第１波長変換層３６Ｒを間に挟んで第１サブ画素ＰＸＲの発光素子Ｄと向き合うように設置されている。第１着色層３３Ｒは、第１波長変換層３６Ｒによる波長変換後の光を透過させるとともに、第１波長変換層３６Ｒによって波長変換されなかった光を吸収する。第１着色層３３Ｒは、例えば、第１波長変換層３６Ｒによる波長変換後の赤色光を透過させるとともに、第１波長変換層３６Ｒによって波長変換されなかった青色光等を吸収する赤色着色層である。
　第２サブ画素ＰＸＧは、図３に示す第２波長変換層３６Ｇ及び第２着色層３３Ｇを更に含んでいる。
　第２波長変換層３６Ｇは、第２サブ画素ＰＸＧの発光素子Ｄと向き合うように設置されている。第２波長変換層３６Ｇは、第２サブ画素ＰＸＧの発光素子Ｄが射出した光を、第１光とは色が異なる第２光へと変換する。第２波長変換層３６Ｇは、例えば、第２サブ画素ＰＸＧの発光素子Ｄが射出した青色光を緑色光へと変換する。
　第２着色層３３Ｇは、第２波長変換層３６Ｇを間に挟んで第２サブ画素ＰＸＧの発光素子Ｄと向き合うように設置されている。第２着色層３３Ｇは、第２波長変換層３６Ｇによる波長変換後の光を透過させるとともに、第２波長変換層３６Ｇによって波長変換されなかった光を吸収する。第２着色層３３Ｇは、例えば、第２波長変換層３６Ｇによる波長変換後の緑色光を透過させるとともに、第２波長変換層３６Ｇによって波長変換されなかった青色光等を吸収する緑色着色層である。
　第３サブ画素ＰＸＢは、図３及び図４に示す下地層３３Ｂ及び充填層３６Ｂを更に含んでいる。
　充填層３６Ｂは、第３サブ画素ＰＸＢの発光素子Ｄと向き合うように設置されている。充填層３６Ｂは、例えば、無色透明な層である。充填層３６Ｂは省略することができる。
　下地層３３Ｂは、充填層３６Ｂを間に挟んで第３サブ画素ＰＸＢの発光素子Ｄと向き合うように設置されている。下地層３３Ｂは、第３サブ画素ＰＸＢの発光素子Ｄが射出した光を第３光として透過させる。下地層３３Ｂは、例えば、第３サブ画素ＰＸＢの発光素子Ｄが射出した青色光を透過させる無色の光透過層又は青色着色層である。
　映像信号線ドライバＶＤＲ及び走査信号線ドライバＳＤＲは、図２に示すように、表示パネルにＣＯＧ（chip on glass）実装されている。映像信号線ドライバＶＤＲ及び走査信号線ドライバＳＤＲは、ＣＯＧ実装の代わりに、ＴＣＰ（tape carrier package）実装されてもよい。
　映像信号線ドライバＶＤＲには、映像信号線ＶＳＬと電源線ＰＳＬとが接続されている。映像信号線ドライバＶＤＲは、映像信号線ＶＳＬに、映像信号として電圧信号を出力する。
　走査信号線ドライバＳＤＲには、走査信号線ＳＳＬが接続されている。走査信号線ドライバＳＤＲは、走査信号線ＳＳＬに走査信号として電圧信号を出力する。電源線ＰＳＬは、映像信号線ドライバＶＤＲに接続する代わりに、走査信号線ドライバＳＤＲに接続してもよい。
　表示装置１Ａについて、更に詳しく説明する。　
　表示装置１Ａは、図３乃至図６に示すように、調光基板２と、ブラックマトリクス基板３Ａと、接着層４とを含んでいる。
　調光基板は、ブラックマトリクス基板へ向けて光を射出するとともに、この光の強さ及びこの光を射出する時間の少なくとも一方を、画素毎に又はサブ画素毎に調節可能な基板である。図３乃至図６に示す調光基板２は、基板２１と、半導体層２２と、導体層２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ及び２３Ｄと、絶縁層２４Ａ、２４Ｂ及び２４Ｃと、発光素子２５と、隔壁層２６と、充填層２７と、導体層２８とを含んでいる。
　基板２１は、例えば、ガラス基板などの絶縁基板を含んでいる。基板２１は、絶縁基板のブラックマトリクス基板３Ａと向き合った主面に設けられたアンダーコート層を更に含んでいてもよい。アンダーコート層は、例えば、絶縁基板上に順次積層されたシリコン窒化物層とシリコン酸化物層との積層体である。基板２１は、シリコン基板などの半導体基板であってもよい。基板２１は、硬質であってもよく、可撓性であってもよい。
　半導体層２２は、基板２１のブラックマトリクス基板３Ａと向き合った主面上で配列している。半導体層２２は、例えば、ポリシリコン層である。半導体層２２は、駆動制御素子ＤＲ又はスイッチＳＷを構成している薄膜トランジスタの半導体層である。各半導体層２２は、ソース及びドレインと、それらの間に介在したチャネル領域とを含んでいる。
　導体層２３Ａは、基板２１の上記主面上に設けられた導体パターンである。導体層２３Ａは、映像信号線ＶＳＬ、電源線ＰＳＬ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及びキャパシタＣの下部電極（図示せず）を構成している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、それぞれ、半導体層２２のソース及びドレインへ接続されている。導体層２３Ａは、金属又は合金からなる。導体層２３Ａは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。
　絶縁層２４Ａは、導体層２３Ａと基板２１の上記主面とを被覆している。絶縁層２４Ａは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）を用いて形成することができる。駆動制御素子ＤＲ又はスイッチＳＷを構成している各薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は、絶縁層２４Ａの一部である。また、各キャパシタＣの誘電体層は、絶縁層２４Ａの他の一部である。
　導体層２３Ｂは、絶縁層２４Ａ上に設けられた導体パターンである。駆動制御素子ＤＲ又はスイッチＳＷを構成している各薄膜トランジスタのゲート電極ＧＥは、導体層２３Ｂの一部である。各ゲート電極ＧＥは、絶縁層２４Ａを間に挟んで半導体層２２のチャネル領域と向き合っている。また、各キャパシタＣの上部電極（図示せず）は、導体層２３Ｂの他の一部である。各上部電極は、絶縁層２４Ａを間に挟んで、この上部電極を含んだキャパシタＣの下部電極と向き合っている。導体層２３Ｂは、金属又は合金からなる。導体層２３Ｂは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。
　絶縁層２４Ｂは、導体層２３Ｂと絶縁層２４Ａとを被覆している。絶縁層２４Ｂは、層間絶縁膜である。絶縁層２４Ｂは、例えば、シリコン酸化物などの無機絶縁体からなる。無機絶縁体からなる絶縁層は、例えば、プラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜することができる。
　導体層２３Ｃは、図５及び図６に示すように、絶縁層２４Ｂ上に設けられた導体パターンである。導体層２３Ｃは、走査信号線ＳＳＬを構成している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、絶縁層２４Ａ上に設ける代わりに、絶縁層２４Ｂ上に設けてもよい。即ち、導体層２３Ｃで、走査信号線ＳＳＬとソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥとを構成してもよい。
　絶縁層２４Ｃは、導体層２３Ｃと絶縁層２４Ｂとを被覆している。絶縁層２４Ｃは、パッシベーション膜である。絶縁層２４Ｃは、例えば、シリコン窒化物などの無機絶縁体からなる。
　導体層２３Ｄは、絶縁層２４Ｃ上に設けられた導体パターンである。導体層２３Ｄは、第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢに対応してＸ方向及びＹ方向へ配列した電極パッドを構成している。絶縁層２４Ａ、２４Ｂ及び２４Ｃからなる積層体には、駆動制御素子ＤＲのドレインへ接続されたドレイン電極ＤＥの位置に貫通孔が設けられている。各電極パッドは、この貫通孔を介してドレイン電極ＤＥへ接続されている。導体層２３Ｄは、例えば、金属又は合金からなる。導体層２３Ｄは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。
　各電極パッドのＺ方向に対して垂直な平面への正射影の輪郭は、この電極パッド上に設置された発光素子２５の先の平面への正射影から離間するとともに、この正射影を取り囲んでいる。即ち、電極パッドは、発光素子２５と比較して、Ｚ方向に対して垂直な方向の寸法がより大きい。それ故、電極パッドは、基板２１へ向けて進行する光を反射する反射層としての役割も果たす。電極パッドには、この反射層としての役割を担わせなくてもよい。この場合、この役割を果たす反射層は、電極パッドとは別に設けてもよく、設けなくてもよい。
　図３乃至図５に示す発光素子２５は、図２に示す発光素子Ｄである。発光素子２５は、電極パッド上に配置されている。
　発光素子２５は、ここでは、無機物からなる発光ダイオードである。なお、発光素子２５として発光ダイオードを含んだ基板は、「ＬＥＤ基板」と呼ぶこともある。
　発光素子２５は、複数の層、例えば、第１層２５１、第２層２５２及び第３層２５３を含んだ多層構造を有している。ここでは、発光素子２５が含んでいる層の積層方向はＺ方向である。この積層方向は、Ｚ方向に対して垂直であってもよい。
　各発光素子２５は、陽極及び陰極を含んでいる。発光素子２５は、一方の面に陽極と陰極とを有している。発光素子２５の陽極は、図示しないボンディングワイヤを介して電極パッドへ接続されている。発光素子２５が一方の面に陽極を有し、他方の面に陰極を有している場合、発光素子２５の電極パッドへの接合と陽極の電極パッドへの接続とを、導電ペーストなどの導電材料を接合材として用いたダイボンディングによって行ってもよい。発光素子２５が一方の面に陽極と陰極とを有している場合、導体層２８を省略するとともに、発光素子２５の陰極と接続するための電極パッドを絶縁層２４Ｃ上に更に設け、これら電極パッドと接続された配線を絶縁層間に更に設け、発光素子２５の電極パッド及び導体層２８への接合と、陽極及び陰極の電極パッドへの接続とを、フリップチップボンディングによって行ってもよい。
　発光素子２５のＸ方向及びＹ方向における寸法は、好ましくは１乃至１００μｍの範囲内にあり、より好ましくは５乃至８０μｍの範囲内にあり、更に好ましくは１０乃至６０μｍの範囲内にある。発光素子２５のＺ方向における寸法は、好ましくは１乃至２０μｍの範囲内にあり、より好ましくは１乃至１５μｍの範囲内にあり、更に好ましくは１乃至１０μｍの範囲内にある。
　隔壁層２６は、絶縁層２４Ｃ上に設けられている。隔壁層２６は、電極パッドの位置に貫通孔を有している。発光素子２５は、それぞれ、これら貫通孔内に位置している。隔壁層２６は、例えば、樹脂からなる。そのような隔壁層２６は、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィによって形成することができる。隔壁層２６は、貫通孔を有する樹脂層と、それら貫通孔の側壁と任意に樹脂層の上面とを被覆した反射層とを含んでいてもよい。反射層は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。反射層が含む層は、例えば、金属、合金又は透明誘電体である。隔壁層２６は省略することができる。
　充填層２７は、発光素子２５と隔壁層２６との間の隙間を埋め込んでいる。充填層２７は、発光素子２５が射出した光を透過させる光透過層である。また、充填層２７は、発光素子２５及びこれと電極との接合部等を保護する保護層としての役割も果たす。充填層２７は、例えば、樹脂からなる。充填層２７の屈折率は、隔壁層２６の表面を構成している材料の屈折率とは異なることが好ましい。
　導体層２８は、隔壁層２６及び充填層２７上に設けられている。発光素子２５の陰極は、導体層２８へ接続されている。導体層２８は、導電性透明酸化物からなる場合、発光素子２５の陰極全体を覆うように設けることができる。導体層２８は、金属又は合金からなる場合、発光素子２５の陰極を部分的に覆うように設けることが好ましい。
　ブラックマトリクス基板３Ａは、調光基板２と向き合っている。具体的には、ブラックマトリクス基板３Ａは、発光素子２５等を間に挟んで基板２１と向き合っている。
　ブラックマトリクス基板３Ａは、透明基板３１と、ブラックマトリクス３２と、樹脂層３４と、反射層３５と、第１着色層３３Ｒ及び第２着色層３３Ｇを含んだカラーフィルタと、下地層３３Ｂと、第１波長変換層３６Ｒと、第２波長変換層３６Ｇと、充填層３６Ｂとを含んでいる。
　透明基板３１は、可視光透過性を有している。透明基板３１は、例えば、無色の基板である。透明基板３１は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。透明基板３１は、例えば、ガラス、透明樹脂又はそれらの組み合わせからなる。透明基板３１は、硬質であってもよく、可撓性であってもよい。透明基板３１は、調光基板２と向き合った第１主面と、その裏面である第２主面とを有している。
　ブラックマトリクス３２は、透明基板３１の第１主面上に設けられている。ブラックマトリクス３２は、可視光を遮る黒色層である。ブラックマトリクス３２は、例えば、バインダ樹脂と着色剤とを含んだ混合物からなる。着色剤は、例えば、黒色顔料であるか、又は、減法混色によって黒色を呈する顔料の混合物、例えば、青色顔料、緑色顔料及び赤色顔料を含んだ混合物である。
　ブラックマトリクス３２は、発光素子２５の位置に第１貫通孔を有している。各第１貫通孔の透明基板３１側の開口は、発光素子２５と比較して、Ｚ方向に垂直な方向の寸法がより大きい。
　ここでは、第１貫通孔の透明基板３１側の開口は、図１に破線で示すように、Ｙ方向へ伸びた形状を有している。ブラックマトリクス３２のうち画素ＰＸに対応した各部分は、第１サブ画素ＰＸＲの位置に設けられた第１貫通孔と、第２サブ画素ＰＸＧの位置に設けられた第１貫通孔と、第３サブ画素ＰＸＢの位置に設けられた第１貫通孔とを含んでおり、これら３つの第１貫通孔はＸ方向へ配列している。これら３つの第１貫通孔から各々がなる複数の第１貫通孔群は、Ｘ方向及びＹ方向へ配列している。Ｘ方向へ隣り合った第１貫通孔群間の距離は、同一の貫通孔群が含んでいる第１貫通孔間の距離と比較してより大きい。Ｙ方向へ隣り合った第１貫通孔群間の距離も、同一の貫通孔群が含んでいる第１貫通孔間の距離と比較してより大きい。
　ブラックマトリクス３２の開口率は、好ましくは５乃至６６％の範囲内にあり、より好ましくは５乃至４０％の範囲内にあり、更に好ましくは５乃至２０％の範囲内にある。無機物からなる発光ダイオードは、光射出面が小さい場合であっても明るく発光させることができ、また、長寿命である。それ故、発光素子２５が無機物からなる発光ダイオードである場合、ブラックマトリクス３２の開口率を小さくしても、明るい表示が可能である。そして、ブラックマトリクス３２の開口率を小さくすると、外光の反射を抑制でき、深みがより強い黒色を表示することができ、従って、より高いコントラスト比を実現することができる。
　ブラックマトリクス３２の厚さは、好ましくは１乃至３０μｍの範囲内にあり、より好ましくは１乃至１５μｍの範囲内にあり、更に好ましくは１乃至５μｍの範囲内にある。厚いブラックマトリクス３２は、高い遮光性を達成するうえで有利である。但し、ブラックマトリクス３２を厚くすると、感光性黒色組成物からなる塗膜へのパターン露光において、塗膜の深部へ光が十分な強さで到達できず、高い形状精度を達成できない可能性がある。
　樹脂層３４は、図３乃至図６に示すように、ブラックマトリクス３２上に設けられている。一例によれば、樹脂層３４は透明である。この場合、樹脂層３４は、着色していてもよく、無色であってもよい。樹脂層３４は、光散乱性を有していてもよい。透明な樹脂層３４は、例えば、膜厚が５μｍであると仮定した場合に、その厚さ方向へ入射させた、波長が３５０乃至４８０ｎｍの範囲内の光の透過率の最大値が２０％以上であることが望ましい。
　樹脂層３４は、第１貫通孔の位置に第２貫通孔をそれぞれ有している。これら第２貫通孔は、上記の第１貫通孔群に対応した第２貫通孔群を構成している。第２貫通孔群の各々は、ここでは、Ｘ方向へ配列した３つの第２貫通孔からなる。第２貫通孔群は、互いに交差する第１方向及び第２方向、ここでは、Ｘ方向及びＹ方向へ配列している。
　図７に示すように、Ｘ方向へ隣り合った第２貫通孔群間の距離Ｗｘ１は、同一の貫通孔群が含んでいる第２貫通孔間の距離Ｗ１と比較してより大きい。Ｙ方向へ隣り合った第２貫通孔群間の距離Ｗｙ１も、同一の貫通孔群が含んでいる第２貫通孔間の距離Ｗ１と比較してより大きい。
　距離Ｗ１は、好ましくは５乃至８０μｍの範囲内にあり、より好ましくは５乃至４０μｍの範囲内にあり、更に好ましくは５乃至２０μｍの範囲内にある。
　距離Ｗｘ１は、好ましくは５乃至２５０μｍの範囲内にあり、より好ましくは５０乃至２５０ｍの範囲内にあり、更に好ましくは１００乃至２５０μｍの範囲内にある。
　距離Ｗｙ１は、好ましくは５乃至２５０μｍの範囲内にあり、より好ましくは５乃至１００μｍの範囲内にあり、更に好ましくは５乃至５０μｍの範囲内にある。
　距離Ｗｘ１と距離Ｗ１との比Ｗｘ１／Ｗ１は、好ましくは０．１乃至５０の範囲内にあり、より好ましくは２乃至２０の範囲内にあり、更に好ましくは５乃至１５の範囲内にある。距離Ｗｘ１は、距離Ｗ１と等しくてもよく、距離Ｗ１よりも小さくてもよい。
　距離Ｗｙ１と距離Ｗ１との比Ｗｙ１／Ｗ１は、好ましくは０．１乃至５０の範囲内にあり、より好ましくは０．１乃至１０の範囲内にあり、更に好ましくは０．１至５の範囲内にある。距離Ｗｙ１は、距離Ｗ１と等しくてもよく、距離Ｗ１よりも小さくてもよい。
　第２貫通孔は、ここでは、透明基板３１側の開口の第１主面への正射影の輪郭（以下、第２輪郭という）が、それぞれ、第１貫通孔の第１主面への正射影の輪郭（以下、第１輪郭という）を取り囲むように設けられている。第２輪郭は、第１輪郭を取り囲んでいなくてもよい。第２輪郭が第１輪郭を取り囲んだ構造では、第２輪郭が第１輪郭を取り囲んでいない構造と比較して、迷光が表示へ及ぼす影響が小さい。
　樹脂層３４のうち隣り合った第２貫通孔によって挟まれた部分は、順テーパ状の断面形状を有している。この部分は、矩形状の断面形状を有していてもよく、逆テーパ状の断面形状を有していてもよく、他の断面形状を有していてもよい。
　樹脂層３４の厚さは、好ましくは５乃至５０μｍの範囲内にあり、より好ましくは５乃至４０μｍの範囲内にあり、更に好ましくは１０乃至２５μｍの範囲内にある。樹脂層３４の厚さが小さい場合、第２貫通孔内に形成する層の合計厚さを大きくすることが難しい。樹脂層３４を厚くすると、隣り合った第２貫通孔間に挟まれた隔壁部の形状精度が低下する。
　反射層３５は、第２貫通孔の各々の側壁を少なくとも部分的に被覆している。ここでは、反射層３５は、図３乃至図６に示すように、第２貫通孔の各々の側壁全体を被覆している。反射層３５は、第２貫通孔の側壁の一部を被覆していなくてもよい。例えば、反射層３５は、第２貫通孔の少なくとも１つの側壁のうちブラックマトリクス３２近傍の部分、及び、第２貫通孔の少なくとも１つの側壁のうち樹脂層３４の上面近傍の部分の少なくとも一方を被覆していなくてもよい。
　反射層３５のうち第２貫通孔の側壁を被覆している部分は、透明基板３１側の開口の面積Ｓ２が、好ましくは、第１貫通孔の開口の面積Ｓ１と比較してより大きい。面積Ｓ２と面積Ｓ１との比Ｓ２／Ｓ１は、好ましくは１乃至１００の範囲内にあり、より好ましくは１乃至３０の範囲内にあり、更に好ましくは１乃至２の範囲内にある。
　反射層３５は、樹脂層３４の上面を更に被覆している。反射層３５は、樹脂層３４の上面の位置で少なくとも部分的に開口している。ここでは、反射層３５は、図７に示すように、第１貫通孔のうちＸ方向へ隣り合ったものの間の位置でＹ方向へ伸びたスリット形状に開口するとともに、第１貫通孔のうちＹ方向へ隣り合ったものの間の位置でＸ方向へ伸びたスリット形状に開口している。
　即ち、反射層３５は、第２貫通孔群のうちＸ方向へ隣り合ったものの間の位置でＹ方向へ伸びたスリット形状に開口しており、これら開口として第１スリットＳＬ１を有している。また、反射層３５は、第２貫通孔群のうちＹ方向へ隣り合ったものの間の位置でＸ方向へ伸びたスリット形状に開口しており、これら開口として第２スリットＳＬ２を有している。そして、反射層３５は、各第２貫通孔群が含んでいる第２貫通孔のうち隣り合った各２つの間の位置でＹ方向へ伸びたスリット形状に開口しており、これら開口として第３スリットＳＬ３を有している。
　第１スリットＳＬ１の幅Ｗｘ２と距離Ｗｘ１との比Ｗｘ２／Ｗｘ１は、好ましくは０．０６乃至０．８８の範囲内にあり、より好ましくは０．２乃至０．８８の範囲内にあり、更に好ましくは０．５乃至０．８８範囲内にある。
　第２スリットＳＬ２の幅Ｗｙ２と距離Ｗｙ１との比Ｗｙ２／Ｗｙ１は、好ましくは０．０６乃至０．８８の範囲内にあり、より好ましくは０．０６乃至０．５の範囲内にあり、更に好ましくは０．０６乃至０．２の範囲内にある。
　第３スリットＳＬ３の幅Ｗ２と距離Ｗ１との比Ｗ２／Ｗ１は、好ましくは０．３３乃至１の範囲内にあり、より好ましくは０．５乃至０．９の範囲内にあり、更に好ましくは０．６乃至０．８の範囲内にある。
　これら比を大きくすると、迷光が表示へ及ぼす影響が小さくなる。これら比を小さくすると、反射層３５に設ける開口の位置誤差が表示へ及ぼす影響が小さくなる。
　樹脂層３４の上面の位置における反射層３５の開口の形状は、スリット形状でなくてもよい。例えば、スリットの代わりに、貫通孔の列を設けてもよい。
　樹脂層３４の上面の反射層３５による被覆率は、８５％以下であることが好ましく、７５％以下であることがより好ましく、６５％以下であることが更に好ましい。この被覆率を小さくすると、迷光が表示へ及ぼす影響が小さくなる。
　この被覆率はゼロでもよいが、１％以上であることが好ましく、１０％以上であることがより好ましく、３０％以上であることが更に好ましい。この被覆率を大きくすると、反射層３５に設ける開口の位置誤差が表示へ及ぼす影響が小さくなる。
　反射層３５は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。反射層３５が含む層は、例えば、金属、合金又は透明誘電体である。一例によれば、反射層３５は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる。反射層３５は、例えば、スパッタリング法及び真空蒸着法などの気相堆積法による成膜と、エッチングマスクの形成と、ウェットエッチングなどのエッチングとをこの順に行うことにより形成することができる。エッチングマスクは、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィにより形成することができる。このエッチングマスクとして利用した透明樹脂層は、上記のエッチング後に除去してもよく、除去しなくてもよい。
　第１着色層３３Ｒは、図３乃至図６に示すように、第１サブ画素ＰＸＲの位置で第１貫通孔を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、第１着色層３３Ｒは赤色着色層である。
　第２着色層３３Ｇは、図３に示すように、第２サブ画素ＰＸＧの位置で第１貫通孔を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、第２着色層３３Ｇは緑色着色層である。
　下地層３３Ｂは、図３及び図４に示すように、第３サブ画素ＰＸＢの位置で第１貫通孔を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、無色の光透過層又は青色着色層である。
　第１波長変換層３６Ｒは、第１着色層３３Ｒ上に設けられており、第２凹部の少なくとも底部を埋め込んでいる。第１波長変換層３６Ｒは、量子ドット蛍光体などの蛍光体と透明樹脂とを含んだ層である。上記の通り、ここでは、第１波長変換層３６Ｒは、第１サブ画素ＰＸＲの発光素子Ｄが射出した青色光を赤色光へと変換する。
　第２波長変換層３６Ｇは、第２着色層３３Ｇ上に設けられており、第２凹部の少なくとも底部を埋め込んでいる。第２波長変換層３６Ｇは、量子ドット蛍光体などの蛍光体と透明樹脂とを含んだ層である。上記の通り、ここでは、第２波長変換層３６Ｇは、第２サブ画素ＰＸＧの発光素子Ｄが射出した青色光を赤色光へと変換する。
　充填層３６Ｂは、下地層３３Ｂ上に設けられており、第２凹部の少なくとも底部を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、充填層３６Ｂは無色透明な層である。この場合、充填層３６Ｂは、例えば、透明樹脂からなる。
　接着層４は、調光基板２とブラックマトリクス基板３Ａとの間に介在しており、それらを互いに対して貼り合わせている。接着層４は、発光素子２５が射出した光を透過させる。接着層４は、例えば、無色透明な層である。接着層４は、接着剤又は粘着剤からなる。
　この表示装置１Ａについて上述した構造を採用すると、迷光に起因した画質の低下を生じ難くすることができる。これについて、以下に説明する。
　図８は、比較例に係る表示装置において迷光が表示へ影響を及ぼす様子を示す断面図である。図９は、図１の表示装置において迷光がブラックマトリクスによって吸収される様子を示す断面図である。
　図８に示す表示装置１Ｘは、ブラックマトリクス基板３Ａの代わりに、ブラックマトリクス基板３Ｘを含んでいること以外は、表示装置１Ａと同様である。ブラックマトリクス基板３Ｘは、樹脂層３４の上面の位置で反射層３５が開口していないこと以外は、ブラックマトリクス基板３Ａと同様である。
　発光素子２５は、様々な方向へ光を射出する。表示装置１Ｘでは、図８に示すように、例えば、第１サブ画素ＰＸＲの発光素子２５が広角側へ射出した光Ｌは、反射層３５のうち樹脂層３４の上面を覆っている部分によって反射され、その後、導体層２３Ｄ等によって更に反射されて、第２サブ画素ＰＸＧの第２波長変換層３６Ｇへ入射する。それ故、第２サブ画素ＰＸＧの輝度が、本来の輝度から逸脱する。即ち、表示装置１Ｘでは、迷光に起因した画質の低下、例えば、色再現性やコントラスト比の低下を生じ得る。
　これに対し、表示装置１Ａでは、図９に示すように、例えば、第１サブ画素ＰＸＲの発光素子２５が広角側へ射出した光Ｌは、反射層３５のうち樹脂層３４の上面を覆っている部分に設けられた開口を経由して樹脂層３４へ入射する。樹脂層３４が光Ｌに対して小さな吸収率及び低い散乱性を示す場合、樹脂層３４へ入射した光は、樹脂層３４によって殆ど吸収されることなしに、反射層３５によって反射されるが、最終的にはブラックマトリクス３２によって吸収される。樹脂層３４が光Ｌに対して高い吸収率を示す場合、樹脂層３４へ入射した光は、少なくとも一部が樹脂層３４によって吸収され、残りはブラックマトリクス３２によって吸収される。樹脂層３４が光Ｌに対して高い散乱性を示す場合、樹脂層３４へ入射した光は、一部は散乱に伴って進行方向が変化することにより第１サブ画素ＰＸＲへ戻り、他の一部は散乱及び反射層３５による反射によって減衰し、更に他の一部はブラックマトリクス３２によって吸収される。それ故、第２サブ画素ＰＸＧの輝度の、本来の輝度からの逸脱は小さい。即ち、表示装置１Ａでは、迷光に起因した画質の低下、例えば、色再現性やコントラスト比の低下を生じ難い。
　＜２＞第２実施形態
　図１０は、本発明の第２実施形態に係る表示装置が含んでいるブラックマトリクス基板の一部を示す平面図である。
　第２実施形態に係る表示装置は、ブラックマトリクス基板３Ａの代わりに、図１０に示すブラックマトリクス基板３Ｂを含んでいること以外は、表示装置１Ａと同様である。ブラックマトリクス基板３Ｂは、第３スリットＳＬ３を省略したこと以外は、ブラックマトリクス基板３Ａと同様である。
　第１実施形態に係る表示装置１Ａでは、第１スリットＳＬ１は、例えば、或る画素ＰＸに含まれる第１サブ画素ＰＸＲの発光素子２５が射出した光が、その画素ＰＸとＸ方向へ隣り合う他の画素ＰＸに含まれる第３サブ画素ＰＸＢの充填層３６Ｂへ入射するのを抑制する。また、第２スリットＳＬ２は、例えば、或る画素ＰＸに含まれる第１サブ画素ＰＸＲの発光素子２５が射出した光が、その画素ＰＸとＹ方向へ隣り合う他の画素ＰＸに含まれる第１サブ画素ＰＸＲの第１波長変換層３６Ｒへ入射するのを抑制する。そして、第３スリットＳＬ３は、例えば、或る画素ＰＸに含まれる第１サブ画素ＰＸＲの発光素子２５が射出した光が、その画素ＰＸに含まれる第２サブ画素ＰＸＧの第２波長変換層３６Ｇへ入射するのを抑制する。それ故、図７に示すように、第１スリットＳＬ１、第２スリットＳＬ２及び第３スリットＳＬ３の全てを設けた場合、迷光に起因した画質の低下を生じ難くする効果が大きい。
　但し、距離Ｗ２は、距離Ｗｘ１及び距離Ｗｙ１と比較して小さい。それ故、第３スリットＳＬ３のＸ方向における位置誤差が表示へ及ぼす影響は、第１スリットＳＬ１のＸ方向における位置誤差が表示へ及ぼす影響や、第２スリットＳＬ２のＹ方向における位置誤差が表示へ及ぼす影響と比較してより大きい。従って、第３スリットＳＬ３の形成には、高い位置精度が要求される。
　図１０のブラックマトリクス基板３Ｂでは、第３スリットＳＬ３を省略しているので、スリットの位置誤差が表示へ及ぼす影響が小さい。また、ブラックマトリクス基板３Ｂでは、第３スリットＳＬ３を省略しているものの、第１スリットＳＬ１及び第２スリットＳＬ２は、迷光に起因した画質の低下を生じ難くする効果へ寄与し得る。従って、図１０の構造を採用すると、迷光に起因した画質の低下を生じ難くすることができ、また、スリットの位置誤差が表示へ及ぼす影響を小さくすることができる。
　＜３＞変形例
　上述した表示装置及びブラックマトリクス基板には、以下に例示するように、様々な変形が可能である。
　調光基板２等に設ける回路には、図２とは異なる構成を採用することができる。　
　例えば、映像信号線ドライバＶＤＲは、映像信号線ＶＳＬへ映像信号として電流信号を供給するものであってもよい。この場合、第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢの各々は、映像信号を書き込む書込期間においては、駆動制御素子ＤＲのゲート－ソース間電圧がこの電流信号に対応した値に設定され、発光期間においては、上記ゲート－ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流を発光素子Ｄへ流すように構成してもよい。また、調光基板２には、アクティブマトリクス駆動方式により画像を表示するための回路を採用する代わりに、パッシブマトリクス駆動方式により画像を表示するための回路を採用してもよい。
　発光素子２５として、青色発光ダイオードを使用する代わりに、紫外発光ダイオードを使用してもよい。この場合、充填層３６Ｂは、第３サブ画素ＰＸＢの発光素子２５が射出した光を、第１光及び第２光とは色が異なる第３光へと変換する波長変換層である。例えば、第１波長変換層３６Ｒ、第２波長変換層３６Ｇ、及び充填層３６Ｂは、発光素子２５が射出した紫外光を、それぞれ、赤色光、緑色光及び青色光へと変換する。
　発光素子２５として、単一種類の発光ダイオードを使用する代わりに、複数種類の発光ダイオードを使用してもよい、例えば、第１サブ画素ＰＸＲ、第２サブ画素ＰＸＧ、及び第３サブ画素ＰＸＢにおいて、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード及び青色発光ダイオードをそれぞれ使用してもよい。この場合、第１着色層３３Ｒ及び第２着色層３３Ｇの代わりに、下地層３３Ｂについて上述したのと同様の層を設け、第１波長変換層３６Ｒ及び第２波長変換層３６Ｇの代わりに、充填層３６Ｂについて上述したのと同様の層を設けてもよい。
　上記の表示装置はカラー画像の表示が可能であるが、表示装置は、モノクローム画像を表示するものであってもよい。例えば、表示装置１Ａにおいて、第１サブ画素ＰＸＲ及び第２サブ画素ＰＸＧを省略し、発光素子２５として青色発光ダイオードを使用し、充填層３６Ｂを、青色光を黄色光へ変換する波長変換層とする。充填層３６Ｂが、これに入射した青色光の一部を黄色光へ変換し、残りを透過させる場合、青色と黄色との加法混色による白色の表示が可能である。
　ブラックマトリクス基板は、ブラックマトリクス３２と樹脂層３４との間に介在したオーバーコート層を更に含んでいてもよい。オーバーコート層は、透明樹脂と、紫外線吸収剤、イエロー顔料及び透明粒子の１以上とを含むことができる。紫外線吸収剤を含んだオーバーコート層は、樹脂層３４へ入射した迷光が紫外光である場合に、これを吸収し得る。
　表示装置は、液晶表示装置であってもよい。そのような表示装置は、例えば、ブラックマトリクス基板と、調光基板と、それらの間に介在した液晶層とを備えた液晶表示パネルを含む。この表示装置は、液晶表示パネルを調光基板側から照明するバックライトユニットを更に含むことができる。
　１Ａ…表示装置、１Ｘ…表示装置、２…調光基板、３Ａ…ブラックマトリクス基板、３Ｂ…ブラックマトリクス基板、３Ｘ…ブラックマトリクス基板、４…接着層、２１…基板、２２…半導体層、２３Ａ…導体層、２３Ｂ…導体層、２３Ｃ…導体層、２３Ｄ…導体層、２４Ａ…絶縁層、２４Ｂ…絶縁層、２４Ｃ…絶縁層、２５…発光素子、２６…隔壁層、２７…充填層、２８…導体層、３１…透明基板、３２…ブラックマトリクス、３３Ｂ…下地層、３３Ｇ…第２着色層、３３Ｒ…第１着色層、３４…樹脂層、３５…反射層、３６Ｂ…充填層、３６Ｇ…第２波長変換層、３６Ｒ…第１波長変換層、２５１…第１層、２５２…第２層、２５３…第３層、Ｃ…キャパシタ、Ｄ…発光素子、ＤＲ…駆動制御素子、Ｌ…光、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＰＸＢ…第３サブ画素、ＰＸＧ…第２サブ画素、ＰＸＲ…第１サブ画素、ＳＤＲ…走査信号線ドライバ、ＳＬ１…第１スリット、ＳＬ２…第２スリット、ＳＬ３…第３スリット、ＳＳＬ…走査信号線、ＳＷ…スイッチ、ＶＤＲ…映像信号線ドライバ、ＶＳＬ…映像信号線、Ｗ１…距離、Ｗ２…幅、Ｗｘ１…距離、Ｗｘ２…幅、Ｗｙ１…距離、Ｗｙ２…幅。

Claims (17)

  1. 　第１主面及び第２主面を有している透明基板と、
    　前記第１主面上に設けられ、複数の第１貫通孔を有しているブラックマトリクスと、
    　前記ブラックマトリクス上に設けられ、前記複数の第１貫通孔の位置に複数の第２貫通孔をそれぞれ有している樹脂層と、
    　前記複数の第２貫通孔の各々の側壁を少なくとも部分的に被覆するとともに、前記樹脂層の上面の位置で少なくとも部分的に開口した反射層と
    を備えたブラックマトリクス基板。
  2. 　前記上面の前記反射層による被覆率は８５％以下である請求項１に記載のブラックマトリクス基板。
  3. 　前記反射層は金属又は合金からなる請求項１又は２に記載のブラックマトリクス基板。
  4. 　前記樹脂層は透明である請求項１乃至３の何れか１項に記載のブラックマトリクス基板。
  5. 　前記複数の第２貫通孔は、前記透明基板側の開口の前記第１主面への正射影の輪郭が、それぞれ、前記複数の第１貫通孔の前記第１主面への正射影の輪郭を取り囲むように設けられている請求項１乃至４の何れか１項に記載のブラックマトリクス基板。
  6. 　前記複数の第１貫通孔は、互いに交差する第１方向及び第２方向へ配列し、前記反射層は、前記複数の第１貫通孔のうち前記第１方向へ隣り合ったものの間の位置、及び、前記複数の第１貫通孔のうち前記第２方向へ隣り合ったものの間の位置で開口した請求項１乃至５の何れか１項に記載のブラックマトリクス基板。
  7. 　前記反射層は、前記複数の第１貫通孔のうち前記第１方向へ隣り合ったものの間の位置で前記第２方向へ伸びたスリット形状に開口するとともに、前記複数の第１貫通孔のうち前記第２方向へ隣り合ったものの間の位置で前記第１方向へ伸びたスリット形状に開口した請求項６に記載のブラックマトリクス基板。
  8. 　前記複数の第２貫通孔は、前記複数の第２貫通孔の３以上から各々がなり、互いに交差する第１方向及び第２方向へ配列した複数の貫通孔群を構成し、前記反射層は、前記複数の貫通孔群のうち前記第１方向へ隣り合ったものの間の位置、及び、前記複数の貫通孔群のうち前記第２方向へ隣り合ったものの間の位置で開口した請求項１乃至７の何れか１項に記載のブラックマトリクス基板。
  9. 　前記反射層は、前記複数の貫通孔群のうち前記第１方向へ隣り合ったものの間の位置で前記第２方向へ伸びたスリット形状に開口するとともに、前記複数の貫通孔群のうち前記第２方向へ隣り合ったものの間の位置で前記第１方向へ伸びたスリット形状に開口した請求項８に記載のブラックマトリクス基板。
  10. 　前記複数の貫通孔群の各々において、前記３以上の第２貫通孔は前記第１方向へ配列した請求項８に記載のブラックマトリクス基板。
  11. 　前記複数の第２貫通孔は前記第２方向へ伸びた形状を有している請求項１０に記載のブラックマトリクス基板。
  12. 　前記ブラックマトリクスと前記樹脂層との間に介在し、透明樹脂と、紫外線吸収剤及び透明粒子の１以上とを含んだオーバーコート層を更に備えた請求項１乃至１１の何れか１項に記載のブラックマトリクス基板。
  13. 　前記オーバーコート層は、透明樹脂と、紫外線吸収剤、イエロー顔料及び透明粒子の１以上とを含んだ請求項１２に記載のブラックマトリクス基板。
  14. 　前記複数の第１貫通孔の少なくとも一部の位置にそれぞれ配置された複数の着色層を含んだカラーフィルタを更に備えた請求項１乃至１３の何れか１項に記載のブラックマトリクス基板。
  15. 　前記複数の第２貫通孔の少なくとも一部の中にそれぞれ設けられた複数の波長変換層を更に備えた請求項１乃至１４の何れか１項に記載のブラックマトリクス基板。
  16. 　請求項１乃至１５の何れか１項に記載のブラックマトリクス基板と、
    　前記第１主面と向き合うように設置された調光装置と
    を備えた表示装置。
  17. 　前記調光装置は、基板と、前記複数の第１貫通孔に対応して前記基板上に配置された複数の発光ダイオードとを備えた請求項１６に記載の表示装置。
     
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003005165A (ja) * 2001-06-21 2003-01-08 Seiko Epson Corp 液晶表示装置および電子機器
US20140204320A1 (en) * 2013-01-18 2014-07-24 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Color filter substrate and a liquid crystal panel
WO2020008969A1 (ja) * 2018-07-05 2020-01-09 東レ株式会社 樹脂組成物、遮光膜、遮光膜の製造方法および隔壁付き基板
US20200388663A1 (en) * 2019-06-07 2020-12-10 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same
US20210193968A1 (en) * 2019-12-19 2021-06-24 Lg Display Co., Ltd. Display Device
JP2021173926A (ja) * 2020-04-28 2021-11-01 凸版印刷株式会社 ブラックマトリクス基板及びこれを備えた表示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003005165A (ja) * 2001-06-21 2003-01-08 Seiko Epson Corp 液晶表示装置および電子機器
US20140204320A1 (en) * 2013-01-18 2014-07-24 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Color filter substrate and a liquid crystal panel
WO2020008969A1 (ja) * 2018-07-05 2020-01-09 東レ株式会社 樹脂組成物、遮光膜、遮光膜の製造方法および隔壁付き基板
US20200388663A1 (en) * 2019-06-07 2020-12-10 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same
US20210193968A1 (en) * 2019-12-19 2021-06-24 Lg Display Co., Ltd. Display Device
JP2021173926A (ja) * 2020-04-28 2021-11-01 凸版印刷株式会社 ブラックマトリクス基板及びこれを備えた表示装置

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