CN115458547A - 显示设备 - Google Patents

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CN115458547A CN202210565354.5A CN202210565354A CN115458547A CN 115458547 A CN115458547 A CN 115458547A CN 202210565354 A CN202210565354 A CN 202210565354A CN 115458547 A CN115458547 A CN 115458547A
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金寿桢
金旲原
孙廷昊
李进炯
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本申请涉及显示设备。显示设备包括：第一电极和第二电极，设置在基础衬底上并且彼此间隔开，第二电极面对第一电极；发光元件，设置在第一电极与第二电极之间；以及光结构，设置在发光元件上。光结构包括：透光部，设置在发光元件上；以及遮光部，包括至少一个开口图案。遮光部设置在透光部上。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年6月8日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0074260号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及显示设备。
背景技术
随着信息时代的发展，对用于显示图像的显示设备的需求已经以许多方式增加。例如，显示设备已经应用于诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航仪和智能电视的各种电子设备。显示设备可以是诸如液晶显示设备、场发射显示设备或有机发光显示设备的平板显示设备。在平板显示设备之中，发光显示设备包括发光元件，其中显示面板的像素中的每个可以是自发光的，并且因此即使没有向显示面板提供光的背光单元也显示图像。
发明内容
本公开的目的是提供其中外部光反射改善并且发光效率改善的显示设备。
本公开的目的不限于以上提及的目的，并且本领域技术人员将通过本公开的以下描述清楚地理解本文中未提及的本公开的其它目的。
根据实施方式的显示设备可以包括：第一电极和第二电极，设置在基础衬底上并且彼此间隔开，第二电极面对第一电极；发光元件，设置在第一电极与第二电极之间；以及光结构，设置在发光元件上。光结构可以包括：透光部，设置在发光元件上；以及遮光部，设置有在透光部上的至少一个开口图案。
在实施方式中，透光部可以包括：基础树脂；以及散射体，分散在基础树脂中。散射体可以具有与基础树脂的折射率不同的折射率。
在实施方式中，散射体可以包括光散射颗粒。
在实施方式中，光散射颗粒在透光部中的含量可以在约2％至约3％的范围内。
在实施方式中，光散射颗粒可以包括氧化钛(TiO2)或氧化硅(SiO2)。
在实施方式中，透光部可以设置在发光元件中的每个上。
在实施方式中，显示设备还可以包括：堤，彼此间隔开并且设置在基础衬底上。第一电极和第二电极可以设置在堤上并且可以彼此间隔开。
在实施方式中，显示设备还可以包括：第一绝缘层，在堤之间设置在第一电极与第二电极上。发光元件可以设置在第一绝缘层上。
在实施方式中，显示设备还可以包括：接触电极，设置在第一绝缘层上，并且电接触发光元件。接触电极可以包括：第一接触电极，电接触第一电极和发光元件中的至少一个的一端；以及第二接触电极，电接触第二电极和发光元件中的至少一个的另一端。
在实施方式中，透光部可以直接接触接触电极。
在实施方式中，光结构还可以包括：反射部，设置在遮光部与透光部之间。
在实施方式中，反射部可以包括至少一个开口图案。
在实施方式中，反射部的至少一个开口图案和遮光部的至少一个开口图案可以同时形成。
在实施方式中，反射部、第一电极和第二电极可以包括反射电极。
在实施方式中，遮光部的至少一个开口图案和反射部的至少一个开口图案可以在显示设备的厚度方向上与透光部重叠。
在实施方式中，发光元件中的至少一个可以在显示设备的厚度方向上与遮光部的至少一个开口图案重叠。
在实施方式中，遮光部可以包括氧化铬(CrOx)、铬-氧化铬(Cr/CrOx)化合物、氧化钼(MoOx)、碳颜料和红-绿-蓝(RGB)原色颜料中的至少一种。
根据实施方式的显示设备可以包括：第一电极和第二电极，设置在基础衬底上并且彼此间隔开，第二电极面对第一电极；发光元件，设置在第一电极与第二电极之间并且发射光；透光部，设置在发光元件上；遮光部，设置在透光部上；以及反射部，设置在透光部与遮光部之间。透光部可以包括：基础树脂；以及散射体，分散在基础树脂中。散射体可以包括光散射颗粒。至少一个开口图案可以穿过遮光部和反射部，并且形成在遮光部和反射部中。发光元件可以通过至少一个开口图案发射光。在平面图中的光从其发射的区域的尺寸小于透光部的在平面图中的区域的尺寸。
在实施方式中，反射部、第一电极和第二电极可以包括反射电极。反射部、第一电极和第二电极可以反射从发光元件发射的光。
在实施方式中，光散射颗粒散射从发光元件发射的光。
其它实施方式的细节包括在详细描述和附图中。
在根据实施方式的显示设备中，可以改善外部光反射和发光效率。
根据本公开的实施方式的效果不限于以上提及的效果，并且更多的各种效果包括在本公开的以下描述中。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它方面及特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是示出根据本公开的一个实施方式的显示设备的示意性平面图；
图2是示出图1的一个子像素的放大的示意性平面图；
图3是沿着图2的线I-I'截取的示意性剖视图；
图4是示出根据本公开的一个实施方式的显示设备的一个像素的示意性平面图；
图5是示出图3的光结构的示意性详细剖视图；
图6是示出图5的区域A的放大的示意性剖视图；
图7是示出根据本公开的一个实施方式的发光元件的示意图；
图8是示出根据本公开的一个实施方式的显示设备的开口图案、遮光部、发光元件和接触电极的示意性平面图；
图9是示出外部光反射和发光效率通过图5的光结构而改善的示意图；
图10至图12是示出形成根据一个实施方式的光结构的示意性剖视图；
图13是示出根据本公开的另一个实施方式的显示设备的示意性剖视图；
图14是示出根据本公开的其它实施方式的显示设备的示意性剖视图；
图15是示出根据本公开的另一个实施方式的显示设备的开口图案、遮光部、发光元件和接触电极的示意性平面图；
图16是示出根据本公开的又一个实施方式的显示设备的开口图案、遮光部、发光元件和接触电极的示意性平面图；以及
图17是示出根据本公开的又一个实施方式的显示设备的开口图案、遮光部、发光元件和接触电极的示意性平面图。
具体实施方式
本文中公开的实施方式的具体结构和功能描述仅用于说明实施方式的目的。在不背离实施方式的精神和显著特征的情况下，本公开可以以许多不同的形式来实施。因此，实施方式仅出于说明的目的而被公开，而不应被解释为限制实施方式。实施方式仅由权利要求的范围限定。
将理解，当元件被称为与另一元件相关时，诸如“联接到”、“接触”或“连接到”另一元件时，它可以直接联接到、接触或连接到另一元件，或者在它们之间可以存在居间的元件。相反，应当理解，当元件被称为与另一元件相关时，诸如“直接联接到”、“直接接触”或“直接连接到”另一元件时，不存在居间的元件。解释元件之间的关系的其它表述，诸如“设置在……上”、“直接设置在……上”、“在……之间”、“直接在……之间”、“与……相邻”或“直接与……相邻”，应该以相同的方式解释。
在整个说明书中，相同的附图标记指代相同或相似的部件。
应当理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不背离本文中的教导的情况下，下面讨论的第一“元件”、第一“组件”、第一“区域”、第一“层”或第一“部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
本文中所使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而不是旨在进行限制。如本文中所使用的，“一个”、“一种”、“该”和“至少一个”不表示数量的限制，并且除非上下文另外清楚地指示，否则旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外清楚地指示，否则“一个元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个”不应被解释为限制“一个”或“一种”。“或”意指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。还将理解，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”、或者“包括(includes)”和/或“包括(including)”，当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个”旨在包括“选自……组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指“A、B、或A和B”。
此外，在本文中可以使用诸如“下部”、“底部”以及“上部”、“顶部”的相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解，除了在附图中描绘的取向之外，相对术语旨在包括设备的不同取向。例如，如果其中一个附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件的“下部”的元件将随之被取向为在其它元件的“上部”。因此，术语“下部”可以包括“下部”和“上部”两种取向，这取决于附图的特定取向。类似地，如果其中一个附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件的“下方”或“下面”的元件将随之被取向为在其它元件的“上方”。因此，术语“下方”或“下面”可以包括上方和下方两种取向。
本文中所使用的“约”或“近似”包括所述值和在由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
除非另有定义，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，术语，诸如在常用词典中定义的术语，应当被解释为具有与它们在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中清楚地如此定义，否则不应当被解释为理想的或过于形式化的含义。
术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者在第二对象的一侧，并且反之亦然。另外，术语“重叠”可以包括层、叠层、面对或面向、在……之上延伸、覆盖或部分地覆盖、或本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
本文中参照作为理想的实施方式的示意性说明的剖视图来描述实施方式。这样，作为例如制造技术和/或公差的结果，可以预期图示形状的变化。因此，本文中描述的实施方式不应被解释为限于本文中所示的区域的特定形状，而应包括例如由制造导致的形状偏差。例如，被示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，所示的锐角可以是圆化的。因此，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不是为了示出区域的精确形状，并且不是为了限制本权利要求的范围。
在下文中，将参照附图描述实施方式。
图1是示出根据本公开的一个实施方式的显示设备的示意性平面图。
参照图1，显示设备1可以具有矩形平面形状，但不限于此。显示设备1的平面形状可以是正方形形状、圆形形状、椭圆形形状或其它多边形形状。在下文中，描述将基于矩形形状应用于显示设备1的平面形状。具有矩形平面形状的显示设备1可以包括沿着第一方向DR1延伸的长边和沿着第二方向DR2延伸的短边。显示设备1的长边和短边彼此相遇的拐角可以如图1中所示成角，但也可以是圆化的，而不限于此。
显示设备1可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括像素PX以显示图像。像素PX可以布置成矩阵方式。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA附近以围绕显示区域DA，并且可以不显示图像。非显示区域NDA可以在平面上完全围绕显示区域DA。
图2是示出图1的子像素的放大的示意性平面图。
参照图2，显示设备1的像素PX中的每个可以包括由像素限定层限定的发光区域LA1、LA2和LA3，并且可以通过发光区域LA1、LA2和LA3发射具有所选定的峰值波长的光。例如，显示设备1的显示区域DA可以包括第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每个可以是这样的区域，通过该区域从显示设备1的发光元件生成的光发射到显示设备1的外部。
第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以向显示设备1的外部发射具有所选定的峰值波长的光。第一发光区域LA1可以发射第一颜色的光，第二发光区域LA2可以发射第二颜色的光，以及第三发光区域LA3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色的光可以是具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的红光，第二颜色的光可以是具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光，以及第三颜色的光可以是具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的蓝光，但实施方式不限于此。
显示设备1的显示区域DA可以包括位于相邻的发光区域LA1、LA2和LA3之间的遮光区域BA。例如，遮光区域BA可以围绕第一发光区域LA1至第三发光区域LA3。
图3是沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
参照图1至图3，显示设备1可以包括衬底100、缓冲层BF、薄膜晶体管层TFTL和发光元件层EML。
衬底100可以是基础衬底或基础构件，并且可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。例如，衬底100可以是刚性衬底。例如，衬底100可以包括玻璃、石英等。
缓冲层BF可以设置在衬底100上。缓冲层BF可以由能够防止空气或湿气的渗透的无机层制成。
薄膜晶体管层TFTL可以包括薄膜晶体管TFT、栅极绝缘层GI、层间介电层ILD、第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1。
薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层BF上，并且可以构成像素PX中的每个的像素电路。
半导体层ACT可以形成在缓冲层BF上。半导体层ACT可以与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE重叠。半导体层ACT可以直接与源电极SE和漏电极DE接触，并且可以面对栅电极GE且栅极绝缘层GI插置于半导体层ACT与栅电极GE之间。
栅电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE可以与半导体层ACT重叠并且栅极绝缘层GI插置于栅电极GE与半导体层ACT之间。
源电极SE和漏电极DE可以设置成在层间介电层ILD上彼此间隔开。源电极SE可以通过设置在栅极绝缘层GI和层间介电层ILD中的接触孔与半导体层ACT的一端接触。漏电极DE可以通过设置在栅极绝缘层GI和层间介电层ILD中的接触孔与半导体层ACT的另一端接触。源电极SE可以通过设置在第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1中的接触孔与发光构件EL的第一电极AE连接。
栅极绝缘层GI可以形成在半导体层ACT上。例如，栅极绝缘层GI可以设置在半导体层ACT和缓冲层BF上，并且可以使半导体层ACT与栅电极GE绝缘。栅极绝缘层GI可以包括源电极SE穿过的接触孔和漏电极DE穿过的接触孔。
层间介电层ILD可以设置在栅电极GE上。例如，层间介电层ILD可以包括源电极SE穿过的接触孔和漏电极DE穿过的接触孔。
第一钝化层PAS1可以设置在薄膜晶体管TFT上以保护薄膜晶体管TFT。例如，第一钝化层PAS1可以包括第一电极AE穿过的接触孔。
第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PAS1的上部分上以使薄膜晶体管TFT的上端平坦化。例如，第一平坦化层OC1可以包括发光构件EL的第一电极AE穿过的接触孔。
发光元件层EML可以包括发光构件EL、第一堤BNK1、第二堤BNK2和第二钝化层。
发光构件EL可以设置在薄膜晶体管TFT上。发光构件EL可以包括第一电极AE、第二电极CE和发光元件ED。
第一电极AE可以设置在第一平坦化层OC1的上部分上。例如，第一电极AE可以设置在设置于第一平坦化层OC1上的第一堤BNK1上以覆盖第一堤BNK1。第一电极AE可以设置成与由第二堤BNK2限定的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的一个重叠。第一电极AE可以连接到薄膜晶体管TFT的源电极SE。
第二电极CE可以形成在第一平坦化层OC1的上部分上。例如，第二电极CE可以设置在设置于第一平坦化层OC1上的第一堤BNK1上以覆盖第一堤BNK1。第二电极CE可以设置成与由第二堤BNK2限定的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的一个重叠。例如，第二电极CE可以接收供应到所有像素的公共电压。
在实施方式中，第一电极AE和第二电极CE可以包括反射电极。反射电极可以包括具有高反射率的导电材料。具有高反射率的导电材料可以包括但不限于铝(Al)或银(Ag)。
第一绝缘层IL1可以覆盖彼此相邻的第一电极AE的一部分和第二电极CE的一部分，并且可以使第一电极AE与第二电极CE绝缘。
发光元件ED可以设置在第一平坦化层OC1的上部分处的第一电极AE与第二电极CE之间。发光元件ED可以设置在第一绝缘层IL1上。发光元件ED的一端可以连接到第一电极AE，且发光元件ED的另一端可以连接到第二电极CE。
例如，发光元件ED可以包括具有相同材料的有源层以发射相同波长带的光或相同颜色的光。从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每个发射的光可以具有相同的颜色。例如，发光元件ED可以发射蓝光或具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的第三颜色的光。
第二堤BNK2可以设置在第一平坦化层OC1上以限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。例如，第二堤BNK2可以围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每个，但不限于此。第二堤BNK2可以设置在遮光区域BA中。
显示设备1还可以包括光结构ISP、上部平坦化层OC2和窗WD。
光结构ISP可以设置在第一电极AE、第二电极CE、发光元件ED和第二堤BNK2上。
光结构ISP可以包括透光部、反射部和遮光部。稍后将描述光结构ISP的详细结构。
上部平坦化层OC2可以设置在光结构ISP上。
上部平坦化层OC2可以设置在光结构ISP的上部分上以使光结构ISP的上端平坦化。不限于本示例，上部平坦化层OC2可以用于将设置在光结构ISP上方的窗WD附接到光结构ISP。
窗WD可以设置在上部平坦化层OC2上。窗WD可以设置成薄玻璃或薄膜的形式。由于从发光元件层EML生成的光通过窗WD发射到外部，所以窗WD的透光率可以非常高。因此，窗WD可以设置为透明窗。
图4是示出根据本公开的实施方式的显示设备的像素的示意性平面图。图5是示出图3的光结构的详细的示意性剖视图。图6是示出图5的区域A的放大剖视图。
与图3一起参照图4至图6，像素PX中的每个可以包括第一子像素至第三子像素。第一子像素至第三子像素可以分别对应于第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。第一子像素至第三子像素的发光元件ED可以通过第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3发射光。
第一子像素至第三子像素可以分别发射相同颜色的光。例如，第一子像素至第三子像素可以分别包括相同类型的发光元件ED，并且可以发射第三颜色的光或蓝光。例如，第一子像素可以发射第一颜色的光或红光，第二子像素可以发射第二颜色的光或绿光，以及第三子像素可以发射第三颜色的光或蓝光。
第一子像素至第三子像素中的每个可以包括第一电极AE和第二电极CE、发光元件ED、接触电极CTE、以及第二堤BNK2。
第一电极AE和第二电极CE可以与发光元件ED电连接以接收所选定的电压，且发光元件ED可以发射特定波长带的光。第一电极AE和第二电极CE的至少一部分可以在像素PX中形成电场，并且发光元件ED可以通过电场对准。
例如，第一电极AE可以是针对第一子像素至第三子像素中的每个分离的像素电极，且第二电极CE可以是公共地连接到第一子像素至第三子像素的公共电极。第一电极AE和第二电极CE中的一个可以是发光元件ED的阳极电极，且另一个电极可以是发光元件ED的阴极电极。
第一电极AE可以包括在第一方向DR1上延伸的第一电极杆部AE1和从第一电极杆部AE1分叉并在第二方向DR2上延伸的至少一个第一电极分支部AE2。
第一子像素至第三子像素中的每个的第一电极杆部AE1可以与另一个相邻子像素的第一电极杆部AE1间隔开，并且第一电极杆部AE1可以与在第一方向DR1上与其相邻的另一子像素的第一电极杆部AE1设置在虚拟的延长线上。第一子像素至第三子像素的第一电极杆部AE1可以接收它们各自彼此不同的信号，并且可以独立地被驱动。
第一电极分支部AE2可以从第一电极杆部AE1分叉并在第二方向DR2上延伸。第一电极分支部AE2的一端可以连接到第一电极杆部AE1，且第一电极分支部AE2的另一端可以与第二电极杆部CE1间隔开，第二电极杆部CE1与第一电极杆部AE1相对。
第二电极CE可以包括在第一方向DR1上延伸的第二电极杆部CE1和从第二电极杆部CE1分叉并在第二方向DR2上延伸的第二电极分支部CE2。第一子像素至第三子像素中的每个的第二电极杆部CE1可以连接到另一个相邻子像素的第二电极杆部CE1。第二电极杆部CE1可以在第一方向DR1上延伸以与多个像素交叉。第二电极杆部CE1可以连接到显示区域DA的外部分，或者连接到在一个方向上从非显示区域NDA延伸的部分。
第二电极分支部CE2可以与第一电极分支部AE2间隔开以面对第一电极分支部AE2。第二电极分支部CE2的一端可以连接到第二电极杆部CE1，且第二电极分支部CE2的另一端可以与第一电极杆部AE1间隔开。
第一电极AE可以通过第一接触孔CNT1与显示设备1的薄膜晶体管层TFTL电连接，且第二电极CE可以通过第二接触孔CNT2与显示设备1的薄膜晶体管层TFTL电连接。例如，第一接触孔CNT1可以设置在第一电极杆部AE1中的每个上，且第二接触孔CNT2可以设置在第二电极杆部CE1上，但实施方式不限于此。
第二堤BNK2可以设置在像素PX之间的边界处。第一电极杆部AE1可以基于第二堤BNK2彼此间隔开。第二堤BNK2可以在第二方向DR2上延伸，并且可以设置于在第一方向DR1上布置的像素PX的边界处。第二堤BNK2可以设置于在第二方向DR2上布置的像素PX的边界处。第二堤BNK2可以限定像素PX的边界。
当在显示设备1的制造工艺期间喷射其中分散有发光元件ED的墨水时，第二堤BNK2可以防止墨水溢出像素PX的边界。第二堤BNK2可以使不同的发光元件ED彼此分离，使得被喷射的墨水可以不彼此混合。
发光元件ED可以设置在第一电极AE与第二电极CE之间。发光元件ED的一端可以连接到第一电极AE，且其另一端可以连接到第二电极CE。
发光元件ED可以设置成彼此间隔开，并且可以基本上对准成彼此平行。对发光元件ED之间的间隔没有特别限制。
发光元件ED可以包括具有相同材料的有源层，并且可以发射相同波长带的光或相同颜色的光。第一子像素至第三子像素发射相同颜色的光。例如，发光元件ED可以发射蓝光或具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的第三颜色的光。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支部AE2和发光元件ED的一部分，并且可以将第一电极分支部AE2与发光元件ED电连接。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支部CE2和发光元件ED的另一部分，并且可以将第二电极分支部CE2与发光元件ED电连接。
第一接触电极CTE1可以设置在第一电极分支部AE2上并且在第二方向DR2上延伸。第一接触电极CTE1可以与发光元件ED的一端接触。发光元件ED可以通过第一接触电极CTE1与第一电极AE电连接。
第二接触电极CTE2可以设置在第二电极分支部CE2上并且在第二方向DR2上延伸。第二接触电极CTE2可以在第一方向DR1上与第一接触电极CTE1间隔开。第二接触电极CTE2可以与发光元件ED的另一端接触。发光元件ED可以通过第二接触电极CTE2与第二电极CE电连接。
显示设备1的发光元件层EML可以设置在薄膜晶体管层TFTL上，并且可以包括第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3。
第一堤BNK1可以分别设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中。第一堤BNK1中的每个可以与第一电极AE或第二电极CE对应。第一电极AE和第二电极CE中的每个可以设置在与其对应的第一堤BNK1上。
第一堤BNK1可以设置在第一平坦化层OC1上，并且第一堤BNK1中的每个的侧面可以从第一平坦化层OC1倾斜。第一堤BNK1的倾斜表面可以反射从发光元件ED发射的光。
第一电极杆部AE1可以包括穿过第一平坦化层OC1的第一接触孔CNT1。第一电极杆部AE1可以经由第一接触孔CNT1与薄膜晶体管TFT电连接。
第二电极杆部CE1可以在第一方向DR1上延伸，并且也可以设置在其中未设置发光元件ED的非发光区域中。第二电极杆部CE1可以包括穿过第一平坦化层OC1的第二接触孔CNT2。第二电极杆部CE1可以通过第二接触孔CNT2与电源电极电连接。第二电极CE可以从电源电极接收所选定的电信号。
第一电极AE和第二电极CE可以包括透明导电材料。第一电极AE和第二电极CE可以包括具有高反射率的导电材料。第一电极AE和第二电极CE中的每个可以具有这样的结构，该结构包括沉积为形成多于一个层的透明导电材料和具有高反射率的金属，或者第一电极AE和第二电极CE中的每个可以形成为包括透明导电材料和具有高反射率的金属的单层。
第一绝缘层IL1可以设置在第一平坦化层OC1、第一电极AE和第二电极CE上。第一绝缘层IL1可以覆盖第一电极AE和第二电极CE中的每个的一部分。
第一绝缘层IL1可以保护第一电极AE和第二电极CE，并且可以使第一电极AE和第二电极CE彼此绝缘。第一绝缘层IL1可以防止发光元件ED由于与其它构件的直接接触而损坏。
发光元件ED可以在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2上设置在第一电极AE与第二电极CE之间。发光元件ED的一端可以连接到第一电极AE，且发光元件ED的另一端可以连接到第二电极CE。
第三绝缘层IL3可以部分地设置在设置于第一电极AE与第二电极CE之间的发光元件ED上。第三绝缘层IL3可以部分地围绕发光元件ED的外表面。第三绝缘层IL3可以保护发光元件ED。第三绝缘层IL3可以围绕发光元件ED的外表面。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支部AE2和发光元件ED的一部分，并且可以将第一电极分支部AE2与发光元件ED电连接。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支部CE2和发光元件ED的另一部分，并且可以将第二电极分支部CE2与发光元件ED电连接。
第一接触电极CTE1可以设置在第一电极分支部AE2上并且在第二方向DR2上延伸。第一接触电极CTE1可以接触发光元件ED的一端。发光元件ED可以通过第一接触电极CTE1与第一电极AE电连接。
第二接触电极CTE2可以设置在第二电极分支部CE2上并且在第二方向DR2上延伸。第二接触电极CTE2可以在第一方向DR1上与第一接触电极CTE1间隔开。第二接触电极CTE2可以接触发光元件ED的另一端。发光元件ED可以通过第二接触电极CTE2与第二电极CE电连接。
接触电极CTE1和CTE2可以包括导电材料。光结构ISP可以包括透光部LTU和遮光部BM，其中，透光部LTU设置在发光元件ED上，遮光部BM包括设置在透光部LTU上的至少一个开口图案OP。
透光部LTU可以包括基础树脂BS和散射体SCT。基础树脂BS可以包括具有相对高的透光率的材料。基础树脂BS可以由透明有机材料制成。例如，基础树脂BS可以包括诸如环氧基树脂、丙烯酸树脂、卡多基树脂和酰亚胺基树脂的有机材料中的至少一种。散射体SCT的折射率可以不同于基础树脂BS的折射率，并且可以与基础树脂BS形成光学界面。例如，散射体SCT可以包括散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。光散射颗粒或光散射材料可以散射所发射的光。光散射颗粒在透光部LTU中的含量可以在约2％至约3％的范围内。
当光散射颗粒在透光部LTU中的含量为约2％或更多时，透光部LTU中的所发射的光(从发光元件ED发射的光)可以被显著地散射(具有显著的散射率)。即使光散射颗粒在透光部LTU中的含量为约3％或更多时，散射率可以不大幅度增加。如上所述，当光散射颗粒在透光部LTU中的含量为约3％或更少时，可以在具有足够的散射率的同时降低成本。光散射颗粒可以包括但不限于氧化钛(TiO2)或氧化硅(SiO2)。
包括基础树脂BS和散射体SCT的透光部LTU可以设置在发光元件ED上。在实施方式中，如图5中所示，透光部LTU可以接触(例如，直接接触)接触电极CTE1和CTE2。透光部LTU可以接触(例如，直接接触)发光元件ED的由接触电极CTE1和CTE2暴露的上表面。
光结构ISP还可以包括设置在遮光部BM与透光部LTU之间的反射部URL。以与第一电极AE和第二电极CE相同的方式，反射部URL可以包括反射电极。例如，反射部URL可以包括但不限于铝(Al)或银(Ag)。
遮光部BM可以包括氧化铬(CrOx)、铬-氧化铬(Cr/CrOx)混合物(或化合物)、氧化钼(MoOx)、碳颜料和红-绿-蓝(RGB)原色颜料中的至少一种。
反射部URL可以包括至少一个开口图案OP。如图5中所示，遮光部BM的开口图案和反射部URL的开口图案可以在厚度方向上彼此重叠。遮光部BM的开口图案和反射部URL的开口图案可以同时形成。在下文中，为了便于描述，遮光部BM的开口图案和反射部URL的开口图案中的每个将被称为光结构ISP的开口图案OP。可以有多个光结构ISP的开口图案OP。开口图案OP可以在厚度方向上与透光部LTU重叠。此外，发光元件ED中的至少一个可以设置成与开口图案OP重叠。
根据实施方式的光结构ISP可以基本上具有积分球的形状。在本公开中，积分球意指在内部完全涂布有具有高反射率的材料的球体。根据实施方式的光结构ISP基本上具有积分球形状，因为反射部URL完全覆盖透光部LTU的表面并且至少一个开口图案OP形成在反射部URL中。由透光部LTU形成的形状可以基本上类似于球体，尽管它不是完全的球体。功能地，设置在透光部LTU的表面上的反射部URL可以以类似于积分球的方式反射第一光L1(参见图9)的一部分和/或第一光L1中的被散射体SCT散射的第二光L2(参见图9)的一部分。
图10至图12是示出如何形成根据实施方式的光结构的剖视图。
如图10中所示，可以通过光刻工艺对发光元件ED上的透光部LTU进行图案化。可以针对发光元件ED中的每个设置图案化的透光部LTU。
随后，如图11中所示，在图案化的透光部LTU上完全形成反射部材料URL'，并且然后在反射部材料URL'上完全形成遮光部材料BM'。反射部材料URL'包括反射电极材料，并且反射电极材料可以包括但不限于铝(Al)或银(Ag)。遮光部材料BM'可以包括氧化铬(CrOx)、铬-氧化铬(Cr/CrOx)混合物(或化合物)、氧化钼(MoOx)、碳颜料和红-绿-蓝(RGB)原色颜料中的至少一种。
如图12中所示，在形成遮光部材料BM'之后，在遮光部材料BM'上设置掩模MK。在设置掩模MK的步骤中，掩模MK设置在遮光部材料BM'上，并且设置成不与图5中所示的开口图案OP重叠。掩模MK设置成使得掩模MK的敞开部与图5中所示的开口图案OP重叠。通过掩模MK的敞开部照射光(曝光)。在曝光步骤中，通过掩模MK的敞开部将光照射到遮光部材料BM'和反射部材料URL'中的每个的一部分(与图5的开口图案OP对应)上。随后，对遮光部材料BM'和反射部材料URL'中的每个的光照射到其上的部分(与图5的开口图案OP对应)进行显影。结果，图5中所示的光结构ISP(包括遮光部BM和反射部URL的开口图案OP)形成。
图8是示出根据本公开的实施方式的显示设备的开口图案、遮光部、发光元件和接触电极的示意性平面图。
参照图5和图8，开口图案OP可以布置成矩阵排列。开口图案OP可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2布置。开口图案OP沿着第二方向DR2构成列C。在第二方向DR2上延伸的开口图案OP的列C可以沿着第一方向DR1重复设置。每个开口图案OP的平面形状可以是圆形形状。
如图8中所示，开口图案OP的第一列C1可以设置在第一接触电极CTE1(在左侧上的第一接触电极)上，并且可以与第一接触电极CTE1重叠。开口图案OP的第二列C2可以设置在第二接触电极CTE2上，并且可以与第二接触电极CTE2重叠。开口图案OP的第三列C3可以设置在第一接触电极CTE1(在右侧上的第一接触电极)上，并且可以与第一接触电极CTE1重叠。开口图案OP的第四列C4可以设置在第一接触电极CTE1(在左侧上的第一接触电极)与第二接触电极CTE2之间。开口图案OP的第五列C5可以设置在第一接触电极CTE1(在右侧上的第一接触电极)与第二接触电极CTE2之间。
开口图案OP的第四列C4和开口图案OP的第五列C5中的每个可以与发光元件ED重叠。
从发光元件ED发射的光可以通过至少一个开口图案OP发射，并且光通过其发射的区域(在平面图中)的平面尺寸可以小于透光部LTU(在平面图中)的平面尺寸。
如图8中所示，开口图案OP的平面形状可以是圆形形状，但实施方式不限于此。开口图案OP的平面形状可以是椭圆形形状、正方形形状、三角形形状或其它多边形形状。
图9是示出图5的光结构的改善的外部光反射和发光效率的示意图。
如图9中所示，由外部光提供的光的一部分可以被遮光部BM吸收(L3)，改善外部光反射。
此外，第一光L1可以从发光元件ED发射。如图9中所示，从发光元件ED发射的第一光L1可以被第一电极AE反射(尽管未示出，但第一光L1也可以被第二电极CE反射)，或者可以被散射体SCT散射。尽管未示出，但第一光L1的一部分可以通过发光区域(在透光部LTU的上表面上的开口图案OP区域)直接发射。作为来自第一光L1的被散射体SCT散射的光的第二光L2可以通过发光区域发射或者被提供到反射部URL(或者被反射部URL反射)(L21)，或者可以被在下部分处的第一电极AE反射(L22)。
根据实施方式，从外部光提供的光的一部分被遮光部BM吸收(L3)，由此可以改善外部光反射。由于光从其发射的区域(在平面图中)的平面尺寸可以小于透光部LTU(在平面图中)的平面尺寸，所以发光区域可能减小。然而，散射率可以通过透光部LTU的散射体SCT来增强，并且被散射的第二光L2可以通过反射部URL以及电极AE和CE被再次反射并通过发光区域发射，或者被诱导成通过散射体SCT散射，由此可以改善发光效率。
图7是示出根据本公开的一个实施方式的发光元件的视图。
参照图7，发光元件ED可以是发光二极管。例如，发光元件ED可以具有在微米或纳米范围内的尺寸，并且可以是包括无机材料的无机发光二极管。通过在两个电极之间在所选定的方向上形成电场，无机发光二极管可以在制造工艺期间在彼此面对的两个电极之间对准。
发光元件ED可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件ED可以成形为棒、线或管。发光元件ED可以包括第一半导体层111、第二半导体层113、有源层115、电极层117和绝缘层118。
第一半导体层111可以是n型半导体。第二半导体层113可以设置在有源层115上。第一半导体层111和第二半导体层113中的每个可以由单层构成，但不限于此。
有源层115可以设置在第一半导体层111与第二半导体层113之间。有源层115可以包括单量子阱结构材料或多量子阱结构材料。当有源层115包括具有多量子阱结构的材料时，多个量子层和多个阱层可以交替地沉积。
从有源层115发射的光可以在发光元件ED的长度方向上发射，并且可以从两侧发射。从有源层115发射的光在其方向性上可以不受限制。
电极层117可以是欧姆接触电极。在其它示例中，电极层117可以是肖特基接触电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层117。
绝缘层118可以围绕多个半导体层111和113的外表面和电极层117的外表面。绝缘层118可以围绕有源层115的外表面，并且可以沿着发光元件ED延伸。绝缘层118可以保护发光元件ED。
绝缘层118可以包括具有绝缘特性的材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)等。
绝缘层118的外表面可以进行表面处理。发光元件ED可以通过分散在当制造显示设备1时喷射在电极上的墨水中而设置在显示设备1上。
在下文中，将描述根据本公开的实施方式的显示设备。在以下实施方式中，相同的元件将由与以上使用的附图标记相同的附图标记来指代。将不再重复对前面提及的元件的描述。
图13是示出根据本公开的实施方式的显示设备的剖视图。
参照图13，根据本公开的另一个实施方式的显示设备2与图3中所示的显示设备1的不同之处在于，可以省略窗WD，并且抗指纹层AR设置在上部平坦化层OC2上。
在根据实施方式的显示设备2中，可以省略窗WD，并且抗指纹层AR可以设置在上部平坦化层OC2上。抗指纹层AR可以防止用户的指纹残留在显示设备2的表面上。抗指纹层AR可以以涂布方式直接形成在上部平坦化层OC2上。
图14是示出根据本公开的实施方式的显示设备的剖视图。
参照图14，根据本公开的其它实施方式的显示设备3与图3中所示的显示设备1的不同之处在于，抗指纹层AR可以设置在窗WD上。
在根据实施方式的显示设备3中，抗指纹层AR可以设置在窗WD上。抗指纹层AR可以直接形成在窗WD上。
图15是示出根据本公开的实施方式的显示设备的开口图案、遮光部、发光元件和接触电极的示意性平面图。图16是示出根据本公开实施方式的显示设备的开口图案、遮光部、发光元件和接触电极的另一示例的示意性平面图。图17是示出显示设备的开口图案、遮光部、发光元件和接触电极的又一示例的示意性平面图。
参照图15，根据实施方式的开口图案OP_1的椭圆形形状不同于图8的开口图案OP的形状。开口图案OP_1(在平面图中)的椭圆形平面形状可以具有沿着第二方向DR2延伸的长轴和沿着第一方向DR1延伸的短轴，但不限于此。椭圆形形状可以具有沿着第一方向DR1延伸的长轴和沿着第二方向DR2延伸的短轴。
参照图16，根据实施方式的开口图案OP_2的线形状不同于图8的开口图案OP的形状。开口图案OP_2(在平面图中)的平面形状可以是沿着第二方向DR2延伸的线。具有沿着第二方向DR2延伸的线的平面形状的开口图案OP_2可以沿着第一方向DR1重复设置。
参照图17，根据实施方式的开口图案OP_3的四边形形状不同于图8的开口图案OP的形状。开口图案OP_3(在平面图中)的四边形平面形状可以是矩形形状或正方形形状。例如，开口图案OP_3的形状在平面图中可以是矩形形状。矩形形状可以具有沿着第二方向DR2延伸的长边和沿着第一方向DR1延伸的短边，但不限于此。矩形形状的长边可以沿着第一方向DR1延伸并且短边可以沿着第二方向DR2延伸。
本文中已经公开了实施方式，且尽管使用了术语，但它们仅以概述性和描述性的意义使用和解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如本领域的普通技术人员将清楚的，除非另有明确指示，结合实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域的普通技术人员将理解，在不背离如所附权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上做出各种改变。

Claims (10)

1.显示设备，包括：
第一电极和第二电极，设置在基础衬底上并且彼此间隔开，所述第二电极面对所述第一电极；
发光元件，设置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及
光结构，设置在所述发光元件上，其中，
所述光结构包括：
透光部，设置在所述发光元件上；以及
遮光部，包括至少一个开口图案，以及
所述遮光部设置在所述透光部上。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述透光部包括：
基础树脂；以及
散射体，分散在所述基础树脂中，以及
所述散射体具有与所述基础树脂的折射率不同的折射率。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述散射体包括光散射颗粒。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述光散射颗粒在所述透光部中的含量在2％至3％的范围内。
5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述光散射颗粒包括氧化钛或氧化硅。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述透光部设置在所述发光元件中的每个上。
7.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
堤，彼此间隔开并且设置在所述基础衬底上，
其中，所述第一电极和所述第二电极设置在所述堤上并且彼此间隔开。
8.根据权利要求7所述的显示设备，还包括：
第一绝缘层，在所述堤之间设置在所述第一电极和所述第二电极上，
其中，所述发光元件设置在所述第一绝缘层上。
9.显示设备，包括：
第一电极和第二电极，设置在基础衬底上并且彼此间隔开，所述第二电极面对所述第一电极；
发光元件，设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且发射光；
透光部，设置在所述发光元件上；
遮光部，设置在所述透光部上；以及
反射部，设置在所述透光部与所述遮光部之间，其中，
所述透光部包括：
基础树脂；以及
散射体，分散在所述基础树脂中，
所述散射体包括光散射颗粒，
至少一个开口图案穿过所述遮光部和所述反射部，并且形成在所述遮光部和所述反射部中，
所述发光元件通过所述至少一个开口图案发射光，以及
在平面图中的从其发射所述光的区域的尺寸小于所述透光部的在所述平面图中的区域的尺寸。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，
所述反射部、所述第一电极和所述第二电极包括反射电极，以及
所述反射部，所述第一电极和所述第二电极反射从所述发光元件发射的所述光。
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