WO2024080331A1 - Ｒｆｉｄモジュール - Google Patents

Abstract

ＲＦＩＤモジュールは、互いに対向する第１主面と第２主面とを有する基板と、基板の第１主面側に配置されるＲＦＩＣチップと、導線が複数回巻かれたコイル素子と、を備える。ＲＦＩＣチップの一端は、コイル素子の一端に電気的に接続され、ＲＦＩＣチップの他端は、コイル素子の他端と電気的に接続される。コイル素子は少なくとも１つの疎巻部を有し、コイル素子の両端部は疎巻部に比べて導線間ピッチが狭く巻かれている第１密巻部である。

Description

ＲＦＩＤモジュール

　本発明は、コイル導体が実装された基板を有するＲＦＩＤモジュールに関する。

　従来、無線通信デバイスであるＲＦＩＤ(Radio-Frequency Identification)モジュールを商品に付して、商品の管理が行われている。ＲＦＩＤモジュールの一つの形態として、ＲＦＩＣチップ(Radio-Frequency Integrated Circuit)と共に、アンテナとして機能するコイル導体が絶縁基板上に配置されているものがある。

　例えば、特許文献１には、実装のための脚のあるコイル素体を一列に並べたコイル導体を備えるＲＦＩＤモジュールが提案されている。

国際公開第２０１８－２３５７１４号

　特許文献１に開示されたＲＦＩＤモジュールにおけるコイル導体は、実装のための脚があるので実装スペースの分だけコイル開口径が小さくなる。アンテナ特性を確保しようとすると、ＲＦＩＤモジュールが大型化する。

　本発明は、アンテナ特性を維持しつつ小型化可能なＲＦＩＤモジュールの提供を目的とする。

　本発明の一態様のＲＦＩＤモジュールは、互いに対向する第１主面と第２主面とを有する基板と、基板の第１主面側に配置されるＲＦＩＣチップと、導線が複数回巻かれたコイル素子と、を備える。ＲＦＩＣチップの一端は、コイル素子の一端に電気的に接続され、ＲＦＩＣチップの他端は、コイル素子の他端と電気的に接続される。コイル素子は少なくとも１つの疎巻部を有し、コイル素子の両端部は疎巻部に比べて導線間ピッチが狭く巻かれている第１密巻部である。

　本発明によれば、アンテナ特性を維持しつつ小型化可能なＲＦＩＤモジュールを提供することができる。

実施形態１のＲＦＩＤモジュールの概略を示す縦断面図 コイル素子の斜視図 コイル素子の導体の横断面図 実施形態１の基板上の配線電極を示す平面図 ＲＦＩＤモジュールを金属板に置いた際に金属板に流れる電流を説明する平面図 ＲＦＩＤモジュールを金属板に置いた際に金属板に流れる電流を説明する縦断面図 実施形態２のＲＦＩＤモジュールの概略を示す縦断面図 積層基板の各基材層を示す平面図 変形例におけるＲＦＩＤモジュールの概略を示す縦断面図

　以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものであり、本発明がこの構成に限定されるものではない。また、以下の実施の形態において具体的に示される数値、形状、構成、ステップ、ステップの順序などは、一例を示すものであり、本発明を限定するものではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、全ての実施の形態において、各変形例における構成も同様であり、各変形例に記載した構成をそれぞれ組み合わせてもよい。

（実施形態１）
　次に、本発明に係る実施形態１のＲＦＩＤモジュール１の概略構成について説明する。図１は、実施形態１のＲＦＩＤモジュール１の縦断面図である。図２は、コイル素子の斜視図である。図中において、Ｘ－Ｙ－Ｚ座標系は、発明の理解を容易にするものであって、発明を限定するものではない。Ｘ軸方向はＲＦＩＤモジュール１の長手方向を示し、Ｙ軸方向は奥行き（幅）方向を示し、Ｚ軸方向は厚さ方向を示している。Ｘ、Ｙ、Ｚ方向は互いに直交する。また、実施形態において、Ｚ軸のプラス方向を上方向、Ｚ軸のマイナス方向を下方向として説明する。

　実施形態のＲＦＩＤモジュール１は、基板３と、基板３の上面である第１主面６１に配置されたコイル素子５及びＲＦＩＣチップ７と、コイル素子５及びＲＦＩＣチップ７とを封止する樹脂層９とを備える。ＲＦＩＣチップ７は、入出力端子である第１端子７ａ及び第２端子７ｂを有する。実施形態１における基板３は両面基板であり、基板３の下面である第２主面６２と第１主面６１とは互いに対向している。基板３は、絶縁性であり、例えば、ガラスエポキシ基板やセラミック基板などである。

　基板３の第１主面６１上に第１レジスト層１６が積層され、基板３の第２主面６２の面上に第２レジスト層１７が積層されている。第１レジスト層１６は、第１基材層１１上に配置された電極や配線のショートを防止し、第２レジスト層１７は、後で説明する第１層間接続導体５５及び第２層間接続導体５７の下端を覆って保護する。第１レジスト層１６及び第２レジスト層は、例えば、絶縁性の樹脂層である。

　図１及び図２に示すように、コイル素子５は、導線３１が複数回巻かれて構成され、コイル素子５がアンテナとして機能する。実施形態のＲＦＩＤモジュール１における通信周波数帯域は、例えば、８６０MHzから９６０MHzのＵＨＦ帯である。コイル素子５の巻き数や寸法は通信特性に合わせて変更してもよい。

　コイル素子５は、第１密巻部５ａと、第２密巻部５ｂと、疎巻部５ｃとを有する。コイル素子５は、巻回軸に沿って空洞または磁性体コア材を有しない空芯コイルである。第１密巻部５ａはコイル素子５の両端部に形成され、第２密巻部５ｂは、両端部の第１密巻部５ａの間に、例えば、コイル素子５の中央部に形成される。疎巻部５ｃは、第１密巻部５ａと第２密巻部５ｂとの間に形成されている。ここで、「密巻」とは、疎巻部５ｃよりも第１密巻部５ａ及び第２密巻部５ｂの方が導線３１の巻ピッチが狭いことを意味し、例えば、導線３１の線径と巻きピッチとが同じであってもよい。この場合、第１密巻部５ａ及び第２密巻部５ｂにおいて、導線３１が互いに接触している。

　疎巻部５ｃの巻数の総数は、第１密巻部５ａ及び第２密巻部５ｂの巻数の総数以上であり、例えば、２倍以上である。第１密巻部５ａにおいて、導線３１の巻数は、例えば、２回以上である。

　それぞれの第１密巻部５ａは基板３の第１主面上に配置された第１ランド１９及び第１電極２７とハンダ２３を介して接続される。このように、第１密巻部５ａはハンダ接合部として機能する。第２密巻部５ｂは、部品実装機に吸着される際の被吸着部として機能するが、基板３の第１主面上に配置された補助電極２９とハンダ２３を介して接続してもよい。これにより、樹脂層９をモールドする際に、コイル素子５がたわむのを防止することができる。第２密巻部５ｂのＸ軸方向の長さは、部品実装機の吸着ノズルの孔径よりも大きい。

　図３を参照する。図３は、コイル素子５の導線３１の横断面図である。コイル素子５の導線３１は絶縁膜３３に覆われている。なお、コイル素子５のハンダ２３との接合部分は、絶縁膜３３が剥がされて、導線３１とハンダ２３とが接合される。コイル素子５は、絶縁膜３３に覆われていない導線３１だけで構成してもよい。

　図１に示すように、樹脂層９は、コイル素子５及びＲＦＩＣチップ７を封止するものであり、第１基材層１１の第３主面１１ａ及び第１レジスト層１６に積層される。樹脂層９は、例えば、エポキシ樹脂などの一般的な封止用樹脂で形成されている。

　次に、図４を参照して基板３について説明する。図４は基板３上の配線電極を示す平面図である。図４（ａ）は、基板３の第１主面６１上の配線電極を示す平面図である。図４（ｂ）は、基板３を透視した透視平面図であり、第２主面６２上の配線電極を示す。図４における一点鎖線はスルーホール接続を示している。

　図４（ａ）に示すように、基板３の上面である第１主面６１には、ＲＦＩＣチップ７の第１端子７ａ及びＲＦＩＣチップ７から近い側の第１密巻部５ａとハンダ２３を介して接続される第１ランド１９と、ＲＦＩＣチップ７の第２端子７ｂとハンダ２３を介して接続される第２ランド２１が配置されている。基板３の第１主面６１には、他にも、ハンダ２３を介して第２密巻部５ｂと接続される補助電極２９と、ハンダ２３を介してＲＦＩＣチップ７から遠い側の第１密巻部５ａと接続される第１電極とが配置されている。

　基板３の内部を貫通する第１層間接続導体５５及び第２層間接続導体５７が形成されている。第１層間接続導体５５は、第２ランド２１と導体パターン５３とを接続する導電ビアである。第２層間接続導体５７は、第１電極２７と導体パターン５３とを接続する導電ビアである。

　第１及び第２層間接続導体５５、５７は、例えば、絶縁性の基板３に設けられた孔に充填された導電性ペーストが固化（金属化）した導体であるが、メッキスルーホールでもよい。第１及び第２層間接続導体５５、５７は、それぞれ、第３基板のそれぞれの長手方向において対向して配置されている。

　基板３の第２主面６２上に、第１層間接続導体５５と第２層間接続導体５７とを接続する導体パターン５３が配置されている、導体パターン５３は、例えば、基板３の長手方向に延びる直線形状である。導体パターン５３が長手方向において第１及び第２層間接続導体５５、５７よりも外側に配置されていないので、製造工程もしくは製造後のハンドリング等において、ＲＦＩＤモジュールと他の物品との接触等が発生する場合に、導体パターン５３が削られるのを防止することができる。

　第１ランド１９、第２ランド２１、第１電極２７、補助電極２９、及び導体パターン５３は、それぞれ導体であり、例えば、銅箔をフォトリソグラフィによってパターニングしたものである。

　ＲＦＩＤモジュール１内においてＬＣ並列共振回路が構成されており、通信周波数の電波に対してマッチングしているので、通信周波数の電波をコイル素子５が受信するとＲＦＩＣチップ７に電流が流れる。

　図１及び図２に示すように、コイル素子５は、両端部に第１密巻部５ａを有するので、基板３とハンダ付けすることができ、コイル素子５の固着強度を上げることができる。また、コイル素子５は、両端部以外の箇所に第１密巻部５ａよりも導線３１が疎に巻かれている疎巻部５ｃを有する。第１密巻部５ａ及び第２密巻部５ｂの結合係数Ｋａは疎巻部５ｃの結合係数Ｋｂよりも大きいので、第１密巻部５ａ及び第２密巻部５ｂよりも疎巻部５ｃから磁界をコイル素子５の外部に放出しやすくなる。このように、疎巻部５ｃから磁界が多く放出されるので、コイル素子５のアンテナとしての性能を向上することができる。また、コイル素子５の巻回軸方向において、第１密巻部５ａの長さよりも疎巻部５ｃの長さの方の割合が大きい。また、コイル素子５の巻回軸方向において、第１密巻部５ａの長さと第２密巻部５ｂの長さとの合計よりも疎巻部５ｃの長さの割合が大きい。このように、疎巻部５ｃの長さの割合が大きいので、磁界をより多く放出することができる。

　ＲＦＩＤモジュール１を金属板１０１に配置した際の金属板１０１に流れる電流について、図５及び図６を参照して説明する。図５は、ＲＦＩＤモジュール１を金属板１０１に置いた際に金属板１０１に流れる電流Ｉａ、Ｉｂを説明する平面図である。図６は、ＲＦＩＤモジュール１を金属板１０１に置いた際に金属板１０１に流れる電流を説明する縦断面図である。なお、図５において電流の流れを理解しやすくするために、基板３を省略している。

　金属板１０１を放射素子として用いる場合、ＲＦＩＤモジュール１のコイル素子５は、金属板１０１上を流れる電流により発生する磁界と結合する。金属板１０１上を流れる電流ＩａとＩｂとは、ＲＦＩＤモジュール１のコイル素子５の中心部を境に逆方向に流れる。金属板１０１上の電流密度は金属板１０１の端部が高くなるので、金属板１０１の端部の磁界が強くなり、金属板１０１の中心部は磁界が弱くなる。コイル素子５の中心部に第２密巻部５ｂがあっても金属板１０１との磁界結合には大きく影響しない。

　以上のように、実施形態のＲＦＩＤモジュール１は、互いに対向する第１主面６１と第２主面６２とを有する基板３と、基板３の第１主面６１側に配置されるＲＦＩＣチップ７と、導線３１が複数回巻かれたコイル素子５と、を備える。ＲＦＩＣチップ７の第１端子７ａは、コイル素子５の一端に電気的に接続され、ＲＦＩＣチップ７の第２端子７ｂは、コイル素子５の他端と電気的に接続される。コイル素子５は少なくとも１つの疎巻部５ｃを有し、コイル素子５の両端部は疎巻部５ｃに比べて導線３１間ピッチが狭く巻かれている第１密巻部５ａである。

　この構成のＲＦＩＤモジュール１によれば、導線３１が複数回巻かれたコイル素子５を採用しているので、脚のあるコイル素体を用いるよりもコイル開口径を大きくすることができるので、アンテナ特性を維持しつつ小型化することができる。また、コイル素子５の両端部は疎巻部５ｃよりも導線３１のピッチが狭く巻かれており、疎巻部５ｃは両端部よりも導線３１のピッチが広く巻かれている。したがって、疎に巻かれている部分では磁界がコイル素子５の外部に放出しやすいのでアンテナとして機能し、密に巻かれている両端部は基板３の接続部分として固着強度を上げることができる。

　また、コイル素子５の巻回軸方向において、第１密巻部５ａの長さよりも疎巻部５ｃの長さの方の割合が大きい。疎巻部５ｃの長さが第１密巻部５ａの長さよりも割合が大きいので、ＲＦＩＤモジュール１のアンテナ特性を向上することができる。

　また、疎巻部５ｃに比べて導線３１間ピッチが狭く巻かれている第２密巻部５ｂを有する。コイル素子５が第２密巻部５ｂを有することで、第２密巻部５ｂは部品実装機に吸着される被吸着部として機能することができる。

　また、コイル素子５の導線３１は絶縁膜３３により被覆されていてもよい。この場合、コイル素子５のインダクタンス成分を上げることができるので、コイル素子５の長さを短くすることができ、ＲＦＩＤモジュール１を小型化することができる。

　また、コイル素子５の導線３１は絶縁膜３３により被覆されていなくてもよい。この場合、基板３にハンダを介して装着する際に、接合部分の絶縁膜３３を剥がす工程を省くことができる。

（実施形態２）
　次に、図７及び図８を参照して実施形態２のＲＦＩＤモジュール１Ａを説明する。図７は、実施形態２のＲＦＩＤモジュール１Ａの概略を示す縦断面図である。図８は、基板３Ａの各基材層を示す平面図である。図８（ａ）は、基板３Ａの第１主面６１上の配線電極を示す平面図である。図８（ｂ）は、第２基材層１３の第５主面上の配線電極を示す平面図である。図８（ｃ）は、第２基材層１３を透視した透視平面図であり、第６主面１３ｂ上の配線電極を示す。図８（ｄ）は、第３基材層１５を透視した透視平面図であり、第８主面１５ｂ上の電極を示す。図８における一点鎖線はスルーホール接続を示している。

　実施形態２における基板３Ａは積層基板であり、第１ランド１９が実施形態１よりも基板３の長手方向中央側に延びており、基板３内に第１ランド１９と容量結合する第２電極４７を備える。この点及び以下に説明する点以外の構成については、実施形態２のＲＦＩＤモジュール１Ａと実施形態１のＲＦＩＤモジュール１とは同じであり、共通の構成についての説明は省略する。

　基板３Ａは、第１基材層１１、第２基材層１３、及び第３基材層１５を有し、第３基材層１５を底の基材として、コイル素子５に向けて第２基材層１３が第３基材層１５の上に積層され、第１基材層１１が第２基材層１３の上にさらに積層されている。第１基材層１１～第３基材層１５は、それぞれ絶縁性であり、例えば、ガラスエポキシ基材やセラミック基材などである。

　第１基材層１１の第３主面１１ａは、基板３の第１主面６１に相当する。第１基材層１１の第２主面６２側の第４主面１１ｂと、第２基材層１３の第１主面６１側の第５主面１３ａとが接している。第２基材層１３の第２主面６２側の第６主面１３ｂと、第３基材層１５の第１主面６１側の第７主面１５ａとが接している。第３基材層１５の下面である第８主面１５ｂは、第７主面１５ａと対向しており、基板３の第２主面６２に相当する。

　図８（ｂ）に示すように、第２基材層１３の上面である第５主面１３ａには、第１ランド１９及び第２ランド２１の下方に第２電極４７が配置されている。第２電極４７は第１ランド１９及び第２ランド２１と対向しており、第１ランド１９及び第２ランド２１と第２電極４７とで容量Ｃ１を発生する。

　図７及び図８（ｃ）に示すように、第２基材層１３の下面である第６主面１３ｂには、導体パターン５３が配置されている。図８（ｃ）は、第５主面１３ａを上方から透視した図である。

　基板３において、第１基材層１１及び第２基材層１３をそれぞれ貫通する第１層間接続導体５５Ａ及び第２層間接続導体５７Ａが形成されている。第１層間接続導体５５は、第１ランド１９から、第２電極４７、導体パターン５３まで接続する導電ビアである。第２層間接続導体５７は、第１電極２７と導体パターン５３とを接続する導電ビアである。

　第１及び第２層間接続導体５５Ａ、５７Ａは、例えば、絶縁性の第１基材層１１及び第２基材層１３に設けられた孔に充填された導電性ペーストが固化（金属化）した導体であるが、メッキスルーホールでもよい。第１及び第２層間接続導体５５Ａ、５７Ａは、それぞれ、第１基材層１１及び第２基材層１３のそれぞれの長手方向において対向して配置されている。

　コイル素子５はインダクタンスＬ１を有し、導体パターン５３はインダクタンスＬ２を有する。容量Ｃ１は、第１ランド１９、第２ランド２１、第１基材層１１、及び、第２電極４７で構成される。また、ＲＦＩＣチップ７は、内部に抵抗Ｒと容量Ｃ２とを有する。容量Ｃ１が大きくなるほど、合成容量Ｃも大きくなって、共振周波数ｆが小さくなる。通信周波数との共振周波数を小さくしなければいけない場合、第２電極４７の面積を大きくすることで対応することができる。

　実施形態２のＲＦＩＤモジュール１Ａによれば、基板３Ａは、第１主面３ａ側に配置された第１基材層１１と第２主面３ｂ側に配置された第２基材層１３とを有する。ＲＦＩＤモジュール１Ａは、第１基材層１１の第１主面３ａ側に配置され、ＲＦＩＣチップ７の第１端子７ａが接続される第１ランド１９と、第１基材層１１の第１主面３ａ側に配置され、ＲＦＩＣチップ７の第２端子７ｂが接続される第２ランド２１と、第１ランド１９及び第２ランド２１と対向し、第２基材層１３の第１主面３ａ側に配置される第２電極４７と、第１基材層１１及び第２基材層１３をそれぞれ貫通する第１層間接続導体５５Ａ及び第２層間接続導体５７Ａと、第２基材層１３の第２主面３ｂ側に配置され、第１層間接続導体５５Ａと第２層間接続導体５７Ａとを接続する導体パターン５３と、を備える。第２ランド２１と、第２電極４７と、導体パターン５３の一端とが第１層間接続導体５５Ａを介して接続される。導体パターン５３の他端とコイル素子５の他端とが第２層間接続導体５７Ａを介して接続される。第１ランド１９とコイル素子５の一端とが接続される。

　第１ランド１９、第２ランド２１、第１基材層１１、及び、第２電極４７で構成される容量Ｃ１が発生するので、ＲＦＩＤモジュール１Ａの共振周波数を小さくすることができる。

　本発明は、上記各実施形態のものに限らず、次のように変形実施することができる。

　上記各実施形態において、コイル素子５は第２密巻部５ｂを有していたがこれに限らない。図９に示すように、第２密巻部５ｂを有さないコイル素子５Ｄであってもよい。

　本発明をある程度の詳細さをもって各実施の形態において説明したが、これらの実施の形態の開示内容は構成の細部において変化してしかるべきものであり、各実施の形態における要素の組合せや順序の変化は請求された本発明の範囲および思想を逸脱することなく実現し得るものである。

（実施形態の概要）
　本発明に係る第１の態様のＲＦＩＤモジュールは、互いに対向する第１主面と第２主面とを有する基板と、基板の第１主面側に配置されるＲＦＩＣチップと、導線が複数回巻かれたコイル素子と、を備える。ＲＦＩＣチップの一端は、コイル素子の一端に電気的に接続され、ＲＦＩＣチップの他端は、コイル素子の他端と電気的に接続される。コイル素子は少なくとも１つの疎巻部を有し、コイル素子の両端部は疎巻部に比べて導線間ピッチが狭く巻かれている第１密巻部である。

　この態様のＲＦＩＤモジュールにおいて、導線が複数回巻かれたコイル素子を採用しているので、脚のあるコイル素体を用いるよりもコイル開口径を大きくすることができる。これにより、アンテナ特性を維持しつつＲＦＩＤモジュールを小型化することができる。コイル素子の両端部は疎巻部よりも導線間ピッチが狭く巻かれている第１密巻部である。疎巻部は第１密巻部よりも導線間ピッチが広く巻かれている。したがって、疎巻部において磁界がコイル素子の外部に放出しやすいのでアンテナとして機能し、第１密巻部である両端部は基板の接続部分として固着強度を上げることができる。

　第２の態様によれば、第１の態様のＲＦＩＤモジュールにおいて、コイル素子の巻回軸方向において、第１密巻部の長さよりも疎巻部の長さの方の割合が大きい。コイル素子において疎巻部が第１密巻部よりも長さの割合が大きいので、ＲＦＩＤモジュールのアンテナ特性を向上することができる。

　第３の態様によれば、第１の態様のＲＦＩＤモジュールにおいて、疎巻部に比べて導線間ピッチが狭く巻かれている第２密巻部を有する。これにより、第２密巻部は部品実装機に吸着される被吸着部として機能することができる。

　第４の態様によれば、第３の態様のＲＦＩＤモジュールにおいて、コイル素子の巻回軸方向において、第１密巻部の長さと第２密巻部の長さとの合計よりも疎巻部の長さの割合が大きい。コイル素子において疎巻部の長さが第１密巻部及び第２密巻部のそれぞれの長さの合計よりも割合が大きいので、ＲＦＩＤモジュールのアンテナ特性を向上することができる。

　第５の態様によれば、第１の態様から第４の態様のいずれか１つのＲＦＩＤモジュールにおいて、コイル素子の導線は絶縁膜により被覆されている。これにより、コイル素子のインダクタンス成分を上げることができるので、コイル素子の長さを短くすることができ、ＲＦＩＤモジュールを小型化することができる。

　第６の態様によれば、第１の態様から第４の態様のいずれか１つのＲＦＩＤモジュールにおいて、コイル素子の導線は絶縁膜により被覆されていない。これにより、基板にハンダを介して装着する場合、接合部分の絶縁膜を剥がす工程を省くことができる。

　第７の態様によれば、第３の態様または第４の態様のＲＦＩＤモジュールにおいて、基板の第１主面側に配置された補助電極を備え、補助電極にハンダを介して第２密巻部が接続される。これにより、コイル素子がたわむのを防止することができる。

　第８の態様によれば、第１の態様から第７の態様のいずれか１つのＲＦＩＤモジュールにおいて、基板は、第１主面側に配置された第１基材層と第２主面側に配置された第２基材層を有する。ＲＦＩＤモジュールは、第１基材層の第１主面側に配置され、ＲＦＩＣチップの一端が接続される第１ランドと、第１基材層の第１主面側に配置され、ＲＦＩＣチップの他端が接続される第２ランドと、第１ランド及び第２ランドと対向し、第２基材層の第１主面側に配置される第２電極と、第１基材層及び第２基材層をそれぞれ貫通する第１及び第２層間接続導体と、第２基材層の第２主面側に配置され、第１層間接続導体と第２層間接続導体とを接続する導体パターンと、を備える。第２ランドと、第２電極と、導体パターンの一端とが第１層間接続導体を介して接続される。導体パターンの他端とコイル素子の他端とが第２層間接続導体を介して接続され、第１ランドとコイル素子の一端とが接続される。第１ランド及び第２ランドと、第２電極との間で容量が発生するので、ＲＦＩＤモジュールの共振周波数を低くすることができる。

　第９の態様によれば、第８の態様のＲＦＩＤモジュールにおいて、基板は、第２基材層の第２主面側が積層される第３基材層をさらに備える。第３基材層によって、第２基材層の第２主面側に配置された導体パターンを保護することができる。

　　１、１Ａ　ＲＦＩＤモジュール
　　３、３Ａ　基板
　　５　　コイル素子
　　５ａ　第１密巻部
　　５ｂ　第２密巻部
　　５ｃ　疎巻部
　　７　　ＲＦＩＣチップ
　　７ａ　第１端子
　　７ｂ　第２端子
　　９　　樹脂層
　１１　　第１基材層
　１１ａ　第３主面
　１１ｂ　第４主面
　１３　　第２基材層
　１３ａ　第５主面
　１３ｂ　第６主面
　１５　　第３基材層
　１５ａ　第７主面
　１５ｂ　第８主面
　１６　　第１レジスト層
　１７　　第２レジスト層
　１９　　第１ランド
　２１　　第２ランド
　２３　　ハンダ
　２７　　第１電極
　２９　　補助電極
　３１　　導線
　３３　　絶縁膜
　４７　　第２電極
　５３　　導体パターン
　５５　　第１層間接続導体
　５７　　第２層間接続導体
　　６１　第１主面
　　６２　第２主面
１０１　　金属板
　Ｉａ、Ｉｂ　電流

Claims (9)

1. 　互いに対向する第１主面と第２主面とを有する基板と、
   　前記基板の前記第１主面側に配置されるＲＦＩＣチップと、
   　導線が複数回巻かれたコイル素子と、を備え、
   　前記ＲＦＩＣチップの一端は、前記コイル素子の一端に電気的に接続され、
   　前記ＲＦＩＣチップの他端は、前記コイル素子の他端と電気的に接続され、
   　前記コイル素子は少なくとも１つの疎巻部を有し、
   　前記コイル素子の両端部は前記疎巻部に比べて導線間ピッチが狭く巻かれている第１密巻部である、
   　ＲＦＩＤモジュール。
2. 　前記コイル素子の巻回軸方向において、前記第１密巻部の長さよりも前記疎巻部の長さの方の割合が大きい、
   　請求項１に記載のＲＦＩＤモジュール。
3. 　前記疎巻部に比べて前記導線間ピッチが狭く巻かれている第２密巻部を有する、
   　請求項１に記載のＲＦＩＤモジュール。
4. 　前記コイル素子の巻回軸方向において、前記第１密巻部の長さと前記第２密巻部の長さとの合計よりも前記疎巻部の長さの割合が大きい、
   　請求項３に記載のＲＦＩＤモジュール。
5. 　前記コイル素子の前記導線は絶縁膜により被覆されている、
   　請求項１から４のいずれか１つに記載のＲＦＩＤモジュール。
6. 　前記コイル素子の前記導線は絶縁膜により被覆されていない、
   　請求項１から４のいずれか１つに記載のＲＦＩＤモジュール。
7. 　前記基板の第１主面側に配置された補助電極を備え、
   　前記補助電極にハンダを介して前記第２密巻部が接続される、
   　請求項３または４に記載のＲＦＩＤモジュール。
8. 　前記基板は、前記第１主面側に配置された第１基材層と前記第２主面側に配置された第２基材層を有し、
   　前記ＲＦＩＤモジュールは、
   　前記第１基材層の第１主面側に配置され、前記ＲＦＩＣチップの一端が接続される第１ランドと、
   　前記第１基材層の第１主面側に配置され、前記ＲＦＩＣチップの他端が接続される第２ランドと、
   　前記第１ランド及び前記第２ランドと対向し、前記第２基材層の第１主面側に配置される第２電極と、
   　前記第１基材層及び前記第２基材層をそれぞれ貫通する第１及び第２層間接続導体と、
   　前記第２基材層の第２主面側に配置され、前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体とを接続する導体パターンと、を備え、
   　前記第２ランドと、前記第２電極と、前記導体パターンの一端とが前記第１層間接続導体を介して接続され、
   　前記導体パターンの他端と前記コイル素子の他端とが前記第２層間接続導体を介して接続され、
   　前記第１ランドと前記コイル素子の一端とが接続される、
   　請求項１から７のいずれか１つに記載のＲＦＩＤモジュール。
9. 　前記基板は、前記第２基材層の第２主面側が積層される第３基材層をさらに備える、
   　請求項８に記載のＲＦＩＤモジュール。

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