WO2024080200A1

WO2024080200A1 - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

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Publication number: WO2024080200A1
Application number: PCT/JP2023/036196
Authority: WO
Inventors: 孝太郎高橋; 悠花上農
Original assignee: 富士フイルム株式会社
Priority date: 2022-10-14
Filing date: 2023-10-04
Publication date: 2024-04-18

Abstract

酸分解性基及びフェノール性水酸基を含む樹脂（Ａ）、酸分解性基を含まない樹脂（Ｂ）、酸発生剤（Ｃ）及び酸拡散制御剤（Ｄ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、樹脂（Ｂ）は、親水基及びフッ素原子を有する繰り返し単位（ｂ１）を含み、繰り返し単位（ｂ１）中の親水基及びフッ素原子は、樹脂（Ｂ）の主鎖に共有結合で結合しているか、又は樹脂（Ｂ）の主鎖に共有結合で結合している側鎖に共有結合で結合しており、樹脂（Ｂ）は、アンモニウム塩構造を含まない、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法。

Description

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

　本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法に関する。より詳細には、本発明は、超ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ　Ｓｃａｌｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）及び高容量マイクロチップの製造プロセス、ナノインプリント用モールド作成プロセス並びに高密度情報記録媒体の製造プロセス等に適用可能な超マイクロリソグラフィプロセス、並びにその他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いることができる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法に関する。

　従来、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ　Ｓｃａｌｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）などの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、レジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロン領域又はクオーターミクロン領域の超微細パターン形成が要求されるようになってきている。それに伴い、露光波長もｇ線からｉ線に、更にＫｒＦエキシマレーザー光に、というように短波長化の傾向が見られ、現在では１９３ｎｍ波長を有するＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光機が開発されている。また、更に解像力を高める技術として、従来から投影レンズと試料の間に高屈折率の液体（以下、「液浸液」ともいう）で満たす、所謂、液浸法の開発が進んでいる。

　また、現在では、エキシマレーザー光以外にも、電子線（ＥＢ）、Ｘ線及び極紫外線（ＥＵＶ）等を用いたリソグラフィーも開発が進んでいる。これに伴い、各種の活性光線又は放射線に有効に感応するレジスト組成物が開発されている。

　例えば、特許文献１～３には、酸分解性樹脂、酸発生剤、酸拡散制御剤、添加ポリマー等を含有するレジスト組成物が記載されている。

日本国特開２０２２－１９５８４号公報日本国特開２０１８－４５１５２号公報日本国特開２０１４－３４６３８号公報

　昨今、レジスト組成物に求められる性能はますます高くなっている。特に、極微細なパターン（例えば、幅１５ｎｍ以下のトレンチパターンなど）を形成する際の解像性を高めることが求められている。

　そこで、本発明は、解像性に優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成される感活性光線性又は感放射線性膜、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。

　本発明者らは、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。

［１］
　酸分解性基及びフェノール性水酸基を含む樹脂（Ａ）、酸分解性基を含まない樹脂（Ｂ）、酸発生剤（Ｃ）及び酸拡散制御剤（Ｄ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
　上記樹脂（Ｂ）は、親水基及びフッ素原子を有する繰り返し単位（ｂ１）を含み、
　上記繰り返し単位（ｂ１）中の上記親水基及び上記フッ素原子は、上記樹脂（Ｂ）の主鎖に共有結合で結合しているか、又は上記樹脂（Ｂ）の主鎖に共有結合で結合している側鎖に共有結合で結合しており、
　上記樹脂（Ｂ）は、アンモニウム塩構造を含まない、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［２］
　上記酸発生剤（Ｃ）の総量が、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対して０．４０ｍｍｏｌ／ｇ以上１．５０ｍｍｏｌ／ｇ以下である、［１］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［３］
　上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれる上記酸拡散制御剤（Ｄ）の総物質量を、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれるカチオンの総物質量で割った値であるＱｐが、０．４０以上１．００以下である、［１］又は［２］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［４］
　上記樹脂（Ｂ）に含まれる各繰り返し単位のＣｌｏｇＰに各繰り返し単位のモル分率を乗じた値の総和が、０以下である、［１］～［３］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［５］
　上記樹脂（Ｂ）のハンセン溶解度パラメーターと空気のハンセン溶解度パラメーターの間の距離Ｒａが、３５ＭＰａ^０．５以下である、［１］～［４］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［６］
　上記樹脂（Ｂ）に含まれる各繰り返し単位中のフッ素原子の数を全ての原子の数で割った値に各繰り返し単位のモル分率を乗じた値の総和が、１０モル％以上である、［１］～［５］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［７］
　上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれる上記樹脂（Ｂ）の質量基準の含有量比率Ｗ_Ｂを、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれる上記酸拡散制御剤（Ｄ）の総物質量を上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれるカチオンの総物質量で割った値であるＱｐで割った値であるＷ_Ｂ／Ｑｐが２０質量％未満である、［１］～［６］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［８］
　上記繰り返し単位（ｂ１）が、下記式（Ｔ１）で表される繰り返し単位である、［１］～［７］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　式（Ｔ１）中、Ｒｐ_１～Ｒｐ_３は各々独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ｌｐ_１は連結基を表す。Ｒｈ_１は親水基を表す。ｎ１及びｎ２は各々独立に１以上の整数を表す。Ｒｈ_１が複数存在する場合、複数のＲｈ_１は同一でも異なっていてもよい。Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、及びＬｐ_１のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。
［９］
　上記式（Ｔ１）で表される繰り返し単位が、下記式（Ｔ２）～（Ｔ４）のいずれかで表される繰り返し単位である、［８］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　式（Ｔ２）中、Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１は、それぞれ上記式（Ｔ１）中のＲｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１と同じ意味を表す。Ｌｐ_２はアルキレン基、シクロアルキレン基及びアリーレン基からなる群より選ばれる少なくとも１つからなる連結基を表す。Ｒｆ_１及びＲｆ_２は各々独立にフッ素原子又はフッ化アルキル基を表す。ｎ３は１以上の整数を表す。Ｒｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２が複数存在する場合、複数のＲｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒｐ_１～Ｒｐ_３のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。

　式（Ｔ３）中、Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１は、それぞれ上記式（Ｔ１）中のＲｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１と同じ意味を表す。Ａｒｐはアリーレン基を表す。Ｌｐ_３はアルキレン基、シクロアルキレン基、－Ｏ－及び－ＣＯ－からなる群より選ばれる少なくとも１つからなる連結基又は単結合を表す。Ｒｆ_１及びＲｆ_２は各々独立にフッ素原子又はフッ化アルキル基を表す。ｎ３は１以上の整数を表す。Ｒｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２が複数存在する場合、複数のＲｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、Ａｒｐ及びＬｐ_３のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。

　式（Ｔ４）中、Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１は、それぞれ上記式（Ｔ１）中のＲｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１と同じ意味を表す。ＡＬｐはアルキレン基及びシクロアルキレン基からなる群より選ばれる少なくとも１つからなる連結基を表す。Ｌｐ_４はアリーレン基、－Ｏ－及び－ＣＯ－からなる群より選ばれる少なくとも１つからなる連結基又は単結合を表す。Ｒｆ_１及びＲｆ_２は各々独立にフッ素原子又はフッ化アルキル基を表す。ｎ３は１以上の整数を表す。Ｒｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２が複数存在する場合、複数のＲｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、ＡＬｐ及びＬｐ_４のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。
［１０］
　上記樹脂（Ａ）が、下記式（Ｓ１）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｓ２）で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１つの繰り返し単位を含む、［１］～［９］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　式（Ｓ１）中、Ｒａ_１～Ｒａ_３は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ｌａ_１は単結合又は２価の連結基を表す。Ｒａ_４～Ｒａ_６は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族複素環式基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒａ_４～Ｒａ_６のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。Ｒａ_０は置換基を表す。Ｒａ_０が複数存在する場合、複数のＲａ_０は同一でも異なっていてもよい。Ｒａ_１～Ｒａ_３、Ｌａ_１及びＲａ_０のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。ｎａは０～４の整数を表す。ｍａは０～２の整数を表す。
　式（Ｓ２）中、Ｒａ_７～Ｒａ_９は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ｌａ_２は単結合又は２価の連結基を表す。Ａｒａは芳香環基を表す。Ｒａ_１０～Ｒａ_１２は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族複素環式基、アラルキル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基又はアルケニル基を表す。Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のうち少なくとも２つが互いに結合して環を形成してもよい。Ｒａ_９～Ｒａ_１２のうち少なくとも１つがＡｒａと結合してもよい。
［１１］
　上記樹脂（Ａ）が、下記式（Ｓ３）で表される繰り返し単位を含む、［１］～［１０］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　式（Ｓ３）中、Ｒ_１０１、Ｒ_１０２及びＲ_１０３は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ_１０２はＡｒ^Ａと結合して環を形成してもよく、その場合のＲ_１０２は単結合又はアルキレン基を表す。Ｌ_Ａは単結合又は２価の連結基を表す。Ａｒ_Ａは芳香環基を表す。ｋは、１～５の整数を表す。
［１２］
　［１］～［１１］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
［１３］
　［１］～［１１］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
　上記レジスト膜を露光する露光工程と、
　露光された上記レジスト膜を現像液を用いて現像する現像工程とを含むパターン形成方法。
［１４］
　［１３］に記載のパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法。

　本発明により、解像性に優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成される感活性光線性又は感放射線性膜、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することができる。

　以下、本発明について詳細に説明する。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されない。

　本明細書において、「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、Ｘ線、軟Ｘ線、及び電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）等を意味する。
　本明細書において、「光」とは、活性光線又は放射線を意味する。
　本明細書において、「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、Ｘ線、及びＥＵＶ等による露光のみならず、電子線、及びイオンビーム等の粒子線による描画も含む。
　本明細書において、「～」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。

　本明細書において、（メタ）アクリレートはアクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種を表す。また（メタ）アクリル酸はアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種を表す。

　本明細書において、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び分散度（分子量分布ともいう）（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）装置（東ソー株式会社製ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ）によるＧＰＣ測定（溶剤：テトラヒドロフラン、流量（サンプル注入量）：１０μＬ、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫ　ｇｅｌ　Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ　ＨＸＬ－Ｍ、カラム温度：４０℃、流速：１．０ｍＬ／分、検出器：示差屈折率検出器（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ　Ｉｎｄｅｘ　Ｄｅｔｅｃｔｏｒ））によるポリスチレン換算値として定義される。

　本明細書中における基（原子団）の表記について、本発明の趣旨に反しない限り、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さない基と共に置換基を含む基をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。また、本明細書中における「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。
　置換基としては、特に断らない限り、１価の置換基が好ましい。置換基の例としては水素原子を除く１価の非金属原子団を挙げることができ、例えば、以下の置換基Ｔから選択できる。

（置換基Ｔ）
　置換基Ｔとしては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ－ブトキシ基等のアルコキシ基；シクロアルキルオキシ基；フェノキシ基及びｐ－トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メトキシカルボニル基及びブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；シクロアルキルオキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基；アセトキシ基、プロピオニルオキシ基及びベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ基；アセチル基、ベンゾイル基、イソブチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基及びメトキサリル基等のアシル基；スルファニル基；メチルスルファニル基及びｔｅｒｔ－ブチルスルファニル基等のアルキルスルファニル基；フェニルスルファニル基及びｐ－トリルスルファニル基等のアリールスルファニル基；アルキル基；アルケニル基；シクロアルキル基；アリール基；芳香族複素環式基；ヒドロキシ基；カルボキシル基；ホルミル基；スルホ基；シアノ基；アルキルアミノカルボニル基；アリールアミノカルボニル基；スルホンアミド基；シリル基；アミノ基；カルバモイル基；等が挙げられる。また、これらの置換基が更に１個以上の置換基を有することができる場合は、その更なる置換基として上記した置換基から選択した置換基を１個以上有する基（例えば、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、トリフルオロメチル基など）も置換基Ｔの例に含まれる。

　本明細書において、表記される２価の基の結合方向は、特に断らない限り制限されない。例えば、「Ｘ－Ｙ－Ｚ」なる式で表される化合物中の、Ｙが－ＣＯＯ－である場合、Ｙは、－ＣＯ－Ｏ－であってもよく、－Ｏ－ＣＯ－であってもよい。上記化合物は「Ｘ－ＣＯ－Ｏ－Ｚ」であってもよく、「Ｘ－Ｏ－ＣＯ－Ｚ」であってもよい。

　本明細書において、酸解離定数（ｐＫａ）とは、水溶液中でのｐＫａを表し、具体的には、下記ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求められる値である。本明細書中に記載したｐＫａの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示す。
　ソフトウェアパッケージ１：　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　（ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）　Ｓｏｆｔｗａｒｅ　Ｖ８．１４　ｆｏｒ　Ｓｏｌａｒｉｓ　（１９９４－２００７　ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）。

　また、ｐＫａは、分子軌道計算法によっても求められる。この具体的な方法としては、熱力学サイクルに基づいて、水溶液中におけるＨ^＋解離自由エネルギーを計算することで算出する手法が挙げられる。Ｈ^＋解離自由エネルギーの計算方法については、例えばＤＦＴ（密度汎関数法）により計算することができるが、他にも様々な手法が文献等で報告されており、これに制限されるものではない。なお、ＤＦＴを実施できるソフトウェアは複数存在するが、例えば、Ｇａｕｓｓｉａｎ１６が挙げられる。

　本明細書において、ｐＫａとは、上述した通り、ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を計算により求められる値を指すが、この手法によりｐＫａが算出できない場合には、ＤＦＴ（密度汎関数法）に基づいてＧａｕｓｓｉａｎ１６により得られる値を採用するものとする。
　本明細書において、ｐＫａは、上述した通り「水溶液中でのｐＫａ」を指すが、水溶液中でのｐＫａが算出できない場合には、「ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）溶液中でのｐＫａ」を採用するものとする。

　本明細書において、「固形分」とは、感活性光線性又は感放射線性膜を形成する成分を意味し、溶剤は含まれない。また、感活性光線性又は感放射線性膜を形成する成分であれば、その性状が液体状であっても、固形分とみなす。

＜感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物＞
　本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（「本発明の組成物」ともいう。）は、酸分解性基及びフェノール性水酸基を含む樹脂（Ａ）、酸分解性基を含まない樹脂（Ｂ）、酸発生剤（Ｃ）及び酸拡散制御剤（Ｄ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、樹脂（Ｂ）は、親水基及びフッ素原子を有する繰り返し単位（ｂ１）を含み、繰り返し単位（ｂ１）中の親水基及びフッ素原子は、樹脂（Ｂ）の主鎖に共有結合で結合しているか、又は樹脂（Ｂ）の主鎖に共有結合で結合している側鎖に共有結合で結合しており、樹脂（Ｂ）は、アンモニウム塩構造を含まない、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物である。

　本発明の組成物は、典型的にはレジスト組成物であり、ポジ型のレジスト組成物であっても、ネガ型のレジスト組成物であってもよい。本発明の組成物は、アルカリ現像用のレジスト組成物であっても、有機溶剤現像用のレジスト組成物であってもよい。
　本発明の組成物は、化学増幅型のレジスト組成物であっても、非化学増幅型のレジスト組成物であってもよい。本発明の組成物は、典型的には、化学増幅型のレジスト組成物である。
　本発明の組成物を用いて感活性光線性又は感放射線性膜を形成することができる。本発明の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜は、典型的にはレジスト膜である。
　以下、まず、本発明の組成物の各成分について詳述する。

［樹脂（Ａ）］
　本発明の組成物に含まれる樹脂（Ａ）は、酸分解性基及びフェノール性水酸基を含む樹脂である。
　樹脂（Ａ）は、酸分解性樹脂であり、本発明の組成物を用いたパターン形成方法において、典型的には、現像液としてアルカリ現像液を採用した場合には、ポジ型パターンが好適に形成され、現像液として有機系現像液を採用した場合には、ネガ型パターンが好適に形成される。
　樹脂（Ａ）は、酸分解性基を有する繰り返し単位と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位とを含むことが好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位とは互いに異なる繰り返し単位であることが好ましい。

　酸分解性基は、酸の作用により分解し極性が増大する基であり、典型的には、酸の作用により分解して極性基を生じる基である。酸分解性基は、酸の作用により脱離する基（脱離基）で極性基が保護された構造を有することが好ましい。典型的には、樹脂（Ａ）は、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤に対する溶解度が減少する。

　酸分解性基は、酸の作用により分解して極性基を生じる基であることが好ましい。
　上記極性基としては、アルカリ可溶性基が好ましく、例えば、カルボキシ基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、リン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基等の酸性基、並びにアルコール性水酸基等が挙げられる。

　酸の作用により脱離する脱離基としては、例えば、式（Ｙ１）～（Ｙ４）で表される基が挙げられる。
　式（Ｙ１）：－Ｃ（Ｒｘ_１）（Ｒｘ_２）（Ｒｘ_３）
　式（Ｙ２）：－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（Ｒｘ_１）（Ｒｘ_２）（Ｒｘ_３）
　式（Ｙ３）：－Ｃ（Ｒ_３６）（Ｒ_３７）（ＯＲ_３８）
　式（Ｙ４）：－Ｃ（Ｒｎ）（Ｈ）（Ａｒ）

　式（Ｙ１）及び式（Ｙ２）中、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、アルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）、シクロアルキル基（単環若しくは多環）、アリール基（単環若しくは多環）、アラルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）、又はアルケニル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）を表す。なお、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の全てがアルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）である場合、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のうち少なくとも２つはメチル基であることが好ましい。
　なかでも、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表すことが好ましく、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、直鎖状のアルキル基を表すことがより好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが互いに結合して環（単環及び多環のいずれであってもよい）を形成してもよい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及びｔ－ブチル基等の炭素数１～５のアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びにノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアリール基としては、炭素数６～１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等が挙げられる。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアラルキル基としては、上述したＲｘ_１～Ｒｘ_３のアルキル基中の１個の水素原子を炭素数６～１０のアリール基（好ましくはフェニル基）で置換した基が好ましく、例えば、ベンジル基等が挙げられる。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成される環としては、シクロアルキル基が好ましい。Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくは、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくは、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基、又はビニリデン基で置き換わっていてもよい。また、これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。
　式（Ｙ１）又は式（Ｙ２）で表される基は、例えば、Ｒｘ_１がメチル基又はエチル基であり、Ｒｘ_２とＲｘ_３とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。

　式（Ｙ３）中、Ｒ_３６～Ｒ_３８は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。Ｒ_３７とＲ_３８とは、互いに結合して環を形成してもよい。１価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基等が挙げられる。Ｒ_３６は水素原子であることも好ましい。
　なお、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基には、酸素原子等のヘテロ原子及び／又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基が含まれていてもよい。例えば、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、例えば、メチレン基の１つ以上が、酸素原子等のヘテロ原子及び／又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
　また、Ｒ_３８は、繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基と互いに結合して、環を形成してもよい。Ｒ_３８と繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基とが互いに結合して形成する基は、メチレン基等のアルキレン基が好ましい。

　式（Ｙ４）中、Ａｒは、芳香環基を表す。Ｒｎは、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。ＲｎとＡｒとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。Ａｒはより好ましくはアリール基である。

　樹脂（Ａ）は、下記式（Ｓ１）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｓ２）で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１つの繰り返し単位を含むことが好ましい。下記式（Ｓ１）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｓ２）で表される繰り返し単位は、酸分解性基を有する繰り返し単位であることが好ましい。

　式（Ｓ１）中、Ｒａ_１～Ｒａ_３は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ｌａ_１は単結合又は２価の連結基を表す。Ｒａ_４～Ｒａ_６は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族複素環式基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒａ_４～Ｒａ_６のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。Ｒａ_０は置換基を表す。Ｒａ_０が複数存在する場合、複数のＲａ_０は同一でも異なっていてもよい。Ｒａ_１～Ｒａ_３、Ｌａ_１及びＲａ_０のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。ｎａは０～４の整数を表す。ｍａは０～２の整数を表す。
　式（Ｓ２）中、Ｒａ_７～Ｒａ_９は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ｌａ_２は単結合又は２価の連結基を表す。Ａｒａは芳香環基を表す。Ｒａ_１０～Ｒａ_１２は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族複素環式基、アラルキル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基又はアルケニル基を表す。Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のうち少なくとも２つが互いに結合して環を形成してもよい。Ｒａ_９～Ｒａ_１２のうち少なくとも１つがＡｒａと結合してもよい。

（式（Ｓ１）で表される繰り返し単位）
　式（Ｓ１）中のＲａ_１～Ｒａ_３は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又は、アルコキシカルボニル基を表す。
　Ｒａ_１～Ｒａ_３のアルキル基は、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｒａ_１～Ｒａ_３のシクロアルキル基の炭素数は特に制限されないが、３～２０が好ましく、５～１５がより好ましい。Ｒａ_１～Ｒａ_３のシクロアルキル基は、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びにノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒａ_１～Ｒａ_３のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子又はヨウ素原子が好ましい。
　Ｒａ_１～Ｒａ_３のアルコキシカルボニル基中に含まれるアルキル基は直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルコキシカルボニル基中に含まれるアルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。

　式（Ｓ１）中のＬａ_１は、単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、カルボニル基（－ＣＯ－）、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、アミド基（－ＣＯＮＲ－）、スルホンアミド基（－ＳＯ_２ＮＲ－）、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、及びこれらの複数が連結した連結基等が挙げられる。上記Ｒはそれぞれ水素原子又は有機基を表し、有機基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びこれらの組み合わせが好ましい。
　Ｌａ_１は、単結合又は－ＣＯＯ－であることが好ましく、単結合であることがより好ましい。

　式（Ｓ１）中のＲａ_４～Ｒａ_６は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族複素環式基、アラルキル基、又は、アルケニル基を表す。

　Ｒａ_４～Ｒａ_６のアルキル基は、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～６がより好ましい。Ｒａ_４～Ｒａ_６のアルキル基に含まれるメチレン基は、－ＣＯ－及び－Ｏ－の少なくとも１つで置き換わっていてもよい。
　Ｒａ_４～Ｒａ_６のシクロアルキル基の炭素数は特に制限されないが、３～２０が好ましく、５～１５がより好ましい。Ｒａ_４～Ｒａ_６のシクロアルキル基は、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びにノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒａ_４～Ｒａ_６のアリール基の炭素数は特に制限されないが、６～２０が好ましく、６～１０がより好ましい。Ｒａ_４～Ｒａ_６のアリール基としては、フェニル基が最も好ましい。
　Ｒａ_４～Ｒａ_６のアラルキル基としては、上述したＲａ_４～Ｒａ_６のアルキル基中の１個の水素原子を炭素数６～１０のアリール基（好ましくはフェニル基）で置換した基が好ましく、例えば、ベンジル基等が挙げられる。
　Ｒａ_４～Ｒａ_６のアルケニル基の炭素数は特に制限されないが、２～５が好ましく、２～４がより好ましい。Ｒａ_４～Ｒａ_６のアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。
　Ｒａ_４～Ｒａ_６の芳香族複素環式基は、硫黄原子、窒素原子及び酸素原子からなる群より選ばれる少なくとも１つのヘテロ原子を含むことが好ましい。芳香族複素環式基に含まれるヘテロ原子の数は１～５個が好ましく、１～３個がより好ましい。芳香族複素環式基の炭素数は特に制限されないが、２～２０が好ましく、３～１５がより好ましい。芳香族複素環式基は単環でも多環でもよい。Ｒａ_４～Ｒａ_６の芳香族複素環式基としては、例えば、チエニル基、フラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、ベンゾフラニル基、ピロール基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピリジル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基等が挙げられる。

　Ｒａ_４～Ｒａ_６のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。Ｒａ_４～Ｒａ_６のうち２つが結合して環を形成してなる基としては、シクロアルキル基が好ましい。上記シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくは、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくは、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。上記シクロアルキル基は、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を含む基、又は、ビニリデン基で置き換わっていてもよい。これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。

　式（Ｓ１）中の－Ｃ（Ｒａ_４）（Ｒａ_５）（Ｒａ_６）は脱離基であることが好ましく、－ＣＯＯ－Ｃ（Ｒａ_４）（Ｒａ_５）（Ｒａ_６）は、酸の作用により－Ｃ（Ｒａ_４）（Ｒａ_５）（Ｒａ_６）が脱離して、カルボキシル基を生じることが好ましい。

　式（Ｓ１）中のＲａ_０は置換基を表す。Ｒａ_０は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族複素環式基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基又はシアノ基を表すことが好ましい。
　Ｒａ_０のアルキル基は、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｒａ_０のシクロアルキル基の炭素数は特に制限されないが、３～２０が好ましく、５～１５がより好ましい。Ｒａ_１～Ｒａ_３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びにノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒａ_０のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子又はヨウ素原子が好ましい。
　Ｒａ_０のアルコキシ基中に含まれるアルキル基は直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルコキシ基中に含まれるアルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｒａ_０のアシルオキシ基中に含まれ得るアルキル基は直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。Ｒａ_０のアシルオキシ基中に含まれ得るアルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｒａ_０のアシルオキシ基中に含まれ得るアリール基の炭素数は特に制限されないが、６～２０が好ましく、６～１０がより好ましい。Ｒａ_０のアシルオキシ基中に含まれ得るアリール基としては、フェニル基が最も好ましい。
　Ｒａ_０のアルコキシカルボニル基中に含まれるアルキル基は直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルコキシカルボニル基中に含まれるアルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｒａ_０のアリール基の炭素数は特に制限されないが、６～２０が好ましく、６～１０がより好ましい。Ｒａ_０のアリール基としては、フェニル基が最も好ましい。
　Ｒａ_０のアラルキル基としては、上述したＲａ_０のアルキル基中の１個の水素原子を炭素数６～１０のアリール基（好ましくはフェニル基）で置換した基が好ましく、例えば、ベンジル基等が挙げられる。
　Ｒａ_０のアルケニル基の炭素数は特に制限されないが、２～５が好ましく、２～４がより好ましい。Ｒａ_０のアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。
　Ｒａ_０の芳香族複素環式基は、硫黄原子、窒素原子及び酸素原子からなる群より選ばれる少なくとも１つのヘテロ原子を含むことが好ましい。芳香族複素環式基に含まれるヘテロ原子の数は１～５個が好ましく、１～３個がより好ましい。芳香族複素環式基の炭素数は特に制限されないが、２～２０が好ましく、３～１５がより好ましい。芳香族複素環式基は単環でも多環でもよい。Ｒａ_０の芳香族複素環式基としては、例えば、チエニル基、フラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、ベンゾフラニル基、ピロール基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピリジル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基等が挙げられる。

　式（Ｓ１）中のｎａは０～４の整数を表し、０～２の整数を表すことが好ましく、０又は１を表すことがより好ましく、０を表すことが更に好ましい。

　式（Ｓ１）中のｍａは０～２の整数を表し、０又は１を表すことが好ましく、０を表すことがより好ましい。式（Ｓ１）中の芳香環は、ｍａが０を表す場合はベンゼンになり、１を表す場合はナフタレンになり、２を表す場合はアントラセンになる。

　式（Ｓ１）で表される繰り返し単位の具体例を以下に示すが、これらに限定されない。

（式（Ｓ２）で表される繰り返し単位）
　式（Ｓ２）中のＲａ_７～Ｒａ_９は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又は、アルコキシカルボニル基を表す。Ｒａ_７～Ｒａ_９についての説明、具体例及び好ましい範囲は、前述した式（Ｓ１）中のＲａ_１～Ｒａ_３についての説明、具体例及び好ましい範囲と同じである。

　式（Ｓ２）中のＬａ_２は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌａ_２についての説明、具体例及び好ましい範囲は、前述した式（Ｓ１）中のＬａ_１についての説明、具体例及び好ましい範囲と同じである。

　式（Ｓ２）中のＡｒａは、芳香環基を表す。Ａｒａの芳香環基は、アリーレン基であることが好ましく、炭素数６～２０のアリーレン基であることがより好ましく、炭素数６～１０のアリーレン基であることが更に好ましく、フェニレン基又はナフチレン基であることが特に好ましく、フェニレン基であることが最も好ましい。

　式（Ｓ２）中のＲａ_１０～Ｒａ_１２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族複素環式基、アラルキル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、又は、アルケニル基を表す。
　Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のアルキル基としては、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のシクロアルキル基の炭素数は特に制限されないが、３～２０が好ましく、５～１５がより好ましい。Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びにノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のアルコキシ基中に含まれるアルキル基としては直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルコキシ基中に含まれるアルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のシクロアルキルオキシ基中に含まれるシクロアルキル基の炭素数は特に制限されないが、３～２０が好ましく、５～１５がより好ましい。Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のシクロアルキルオキシ基中に含まれるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びにノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。としては直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルコキシ基中に含まれるアルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のアリール基の炭素数は特に制限されないが、６～２０が好ましく、６～１０がより好ましい。Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のアリール基としては、フェニル基が最も好ましい。
　Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のアラルキル基としては、上述したＲａ_１０～Ｒａ_１２のアルキル基中の１個の水素原子を炭素数６～１０のアリール基（好ましくはフェニル基）で置換した基が好ましく、例えば、ベンジル基等が挙げられる。
　Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のアルケニル基の炭素数は特に制限されないが、２～５が好ましく、２～４がより好ましい。Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。
　Ｒａ_１０～Ｒａ_１２の芳香族複素環式基は、硫黄原子、窒素原子及び酸素原子からなる群より選ばれる少なくとも１つのヘテロ原子を含むことが好ましい。芳香族複素環式基に含まれるヘテロ原子の数は１～５個が好ましく、１～３個がより好ましい。芳香族複素環式基の炭素数は特に制限されないが、２～２０が好ましく、３～１５がより好ましい。芳香族複素環式基は単環でも多環でもよい。Ｒａ_１０～Ｒａ_１２の芳香族複素環式基としては、例えば、チエニル基、フラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、ベンゾフラニル基、ピロール基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピリジル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基等が挙げられる。

　Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のうち少なくとも２つが互いに結合して環を形成してもよい。Ｒａ_１０～Ｒａ_１２が結合して環を形成してなる基としては、シクロアルキル基が好ましい。上記シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくは、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくは、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。上記シクロアルキル基は、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を含む基、又は、ビニリデン基で置き換わっていてもよい。これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。

　Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のうち少なくとも１つがアルコキシ基であることが好ましく、Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のうち１つがアルコキシ基であり、かつ他の２つが水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基であることがより好ましい。

　式（Ｓ２）中の－Ｃ（Ｒａ_１０）（Ｒａ_１１）（Ｒａ_１２）は脱離基であることが好ましく、－Ｏ－Ｃ（Ｒａ_１０）（Ｒａ_１１）（Ｒａ_１２）は、酸の作用により－Ｃ（Ｒａ_１０）（Ｒａ_１１）（Ｒａ_１２）が脱離して、ヒドロキシ基（このヒドロキシ基はＡｒａに結合しているためフェノール性水酸基である）を生じることが好ましい。

　式（Ｓ２）で表される繰り返し単位の具体例を以下に示すが、これらに限定されない。

　樹脂（Ａ）中の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、特に限定されないが、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、５モル％以上が好ましく、１０モル％以上がより好ましく、１５モル％以上が更に好ましい。また、酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、７０モル％以下が好ましく、６０モル％以下がより好ましく、５０モル％以下が更に好ましい。

　樹脂（Ａ）が含む酸分解性基を有する繰り返し単位は、１種でもよいし、２種以上でもよい。樹脂（Ａ）が酸分解性基を有する繰り返し単位を２種以上含む場合は、それらの合計含有量が、上記好適含有量の範囲内であるのが好ましい。

（式（Ｓ３）で表される繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。フェノール性水酸基を有する繰り返し単位としては、下記式（Ｓ３）で表される繰り返し単位が好ましい。

　式（Ｓ３）中、Ｒ_１０１、Ｒ_１０２及びＲ_１０３は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ_１０２はＡｒ^Ａと結合して環を形成してもよく、その場合のＲ_１０２は単結合又はアルキレン基を表す。Ｌ_Ａは単結合又は２価の連結基を表す。Ａｒ_Ａは芳香環基を表す。ｋは、１～５の整数を表す。

　式（Ｓ３）中のＲ_１０１、Ｒ_１０２及びＲ_１０３は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又は、アルコキシカルボニル基を表す。Ｒ_１０１、Ｒ_１０２及びＲ_１０３についての説明、具体例及び好ましい範囲は、前述した式（Ｓ１）中のＲａ_１～Ｒａ_３についての説明、具体例及び好ましい範囲と同じである。

　式（Ｓ３）中のＡｒ_Ａは芳香環基を表し、より具体的には（ｋ＋１）価の芳香環基を表す。ｋが１である場合における２価の芳香環基は、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基等の炭素数６～１８のアリーレン基、又は、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環等のヘテロ環を含む２価の芳香環基が好ましい。上記芳香環基は、置換基を有していてもよい。
　ｋが２以上の整数である場合における（ｋ＋１）価の芳香環基の具体例としては、２価の芳香環基の上記した具体例から、（ｋ－１）個の任意の水素原子を除してなる基が挙げられる。
　（ｋ＋１）価の芳香環基は、更に置換基を有していてもよい。
　（ｋ＋１）価の芳香環基が有し得る置換基としては、特に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基；フェニル基等のアリール基；等が挙げられる。
　Ａｒ_Ａは炭素数６～１８の芳香環基を表すことが好ましく、ベンゼン環基、ナフタレン環基又はビフェニレン環基を表すことがより好ましい。

　式（Ｓ３）中のＬ_Ａは単結合又は２価の連結基を表す。
　Ｌ_Ａが表す２価の連結基としては、特に限定されないが、例えば、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＲ_１０４－、アルキレン基、又はこれらの基の２種以上を組み合わせてなる基が挙げられる。上記Ｒ_１０４は水素原子又はアルキル基を表す。
　上記アルキレン基としては、特に限定されないが、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、及びオクチレン基等の炭素数１～８のアルキレン基が好ましい。
　Ｒ_１０４がアルキル基を表す場合のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基等の炭素数２０以下のアルキル基が挙げられ、炭素数８以下のアルキル基が好ましい。

　式（Ｓ３）で表される繰り返し単位は、ヒドロキシスチレン構造を備えていることが好ましい。すなわち、Ａｒ_Ａはベンゼン環基を表すことが好ましい。
　ｋは１～３の整数を表すことが好ましく、１又は２を表すことがより好ましく、１を表すことが更に好ましい。
　Ａｒ_Ａがベンゼン環基であり、ｋが１であり、ＯＨがＬ_Ａのパラ位にあることが特に好ましい。

　樹脂（Ａ）中のフェノール性水酸基を有する繰り返し単位の含有量は、特に限定されないが、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して２０モル％以上であることが好ましく、３０モル％以上であることがより好ましく、４０モル％以上であることが更に好ましい。また、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して９０モル％以下であることが好ましく、８５モル％以下であることがより好ましく、８０モル％以下であることが更に好ましい。

　樹脂（Ａ）が含むフェノール性水酸基を有する繰り返し単位は、１種でもよいし、２種以上でもよい。樹脂（Ａ）がフェノール性水酸基を有する繰り返し単位を２種以上含む場合は、それらの合計含有量が、上記好適含有量の範囲内であるのが好ましい。

　樹脂（Ａ）は、酸分解性基を有する繰り返し単位及びフェノール性水酸基を有する繰り返し単位に加えて、その他の繰り返し単位を含んでいてもよい。

（光酸発生基を有する繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、上記以外の繰り返し単位として、活性光線又は放射線（好ましくは電子線又は極紫外線）の照射により酸を発生する基（以下、「光酸発生基」ともいう）を有する繰り返し単位を有していてもよい。
　光酸発生基を有する繰り返し単位としては、下記式（Ｓ４）で表される繰り返し単位が挙げられる。

　式（Ｓ４）中、Ｒ^４１は水素原子又はメチル基を表す。Ｌ^４１は単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ^４２は２価の連結基を表す。Ｒ^４０は活性光線又は放射線の照射により分解して側鎖に酸を発生させる構造部位を表す。

　Ｌ^４１は単結合又は２価の連結基を表し、単結合又はエステル結合（－ＣＯＯ－）を表すことが好ましい。

　Ｌ^４２は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、及び－ＮＲ－からなる群より選ばれる少なくとも１つからなる連結基であることが好ましい。Ｒは水素原子又は有機基（好ましくは炭素数１～１０の有機基であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基等）を表す。
　アルキレン基は、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルキレン基の炭素数は特に制限されないが、１～１０が好ましい。
　シクロアルキレン基は単環のシクロアルキレン基でも多環のシクロアルキレン基でもよい。シクロアルキレン基の炭素数は特に制限されないが、３～２０が好ましく、５～１５がより好ましい。
　アリーレン基の炭素数は特に制限されないが、６～２０が好ましく、６～１０がより好ましい。
　アルキレン基、シクロアルキレン基及びアリーレン基は置換基を有していてもよく、置換基としては上記置換基Ｔが挙げられる。

　Ｒ^４０は下記式（Ｓ４－１）で表される基であることが好ましい。

　式（Ｓ４－１）中、Ｑ^－は酸の残基を表し、Ｍ^＋はカチオンを表す。＊はＬ^４１との結合位置を表す。
　酸の残基とは、酸からプロトンが解離してなる基である。
　Ｑ^－は、カルボキシレートアニオン基（ＣＯＯ^－）、スルホネートアニオン基（ＳＯ_３ ^－）、又はスルホンアミド基（Ｎ^－－ＳＯ_２Ｒ^Ｎ１で表される。Ｒ^Ｎ１は有機基を表し、炭素数１～１０の有機基が挙げられ、アルキル基、フルオロアルキル基又はアリール基が好ましい。）が好ましく、スルホネートアニオン基がより好ましい。
　Ｍ^＋についての説明、具体例及び好ましい範囲は、後述する酸発生剤（Ｃ）におけるＭ^＋と同じである。

　光酸発生基を有する繰り返し単位としては、例えば、特開２０１４－０４１３２７号公報の段落［００９４］～［０１０５］に記載された繰り返し単位、及び国際公開第２０１８／１９３９５４号の段落［００９４］に記載された繰り返し単位が挙げられる。

　樹脂（Ａ）が光酸発生基を有する繰り返し単位を含む場合、光酸発生基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、１モル％以上が好ましく、５モル％以上がより好ましい。また、光酸発生基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、４０モル％以下が好ましく、３５モル％以下がより好ましく、３０モル％以下が更に好ましい。

　樹脂（Ａ）が光酸発生基を有する繰り返し単位を含む場合、光酸発生基を有する繰り返し単位は、１種でもよいし、２種以上でもよい。樹脂（Ａ）が光酸発生基を有する繰り返し単位を２種以上含む場合は、それらの合計含有量が、上記好適含有量の範囲内であるのが好ましい。

（式（Ｖ－１）又は下記式（Ｖ－２）で表される繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、下記式（Ｖ－１）又は下記式（Ｖ－２）で表される繰り返し単位を含んでいてもよい。
　下記式（Ｖ－１）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｖ－２）で表される繰り返し単位は、前述した酸分解性基を有する繰り返し単位及びフェノール性水酸基を有するくりかえし単位とは異なる繰り返し単位であることが好ましい。

　式中、Ｒ_６及びＲ_７はそれぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基（－ＯＣＯＲ又は－ＣＯＯＲ：Ｒは炭素数１～６のアルキル基又はフッ素化アルキル基）、又はカルボキシ基を表す。アルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基が好ましい。ｎ_３は０～６の整数を表す。ｎ_４は０～４の整数を表す。Ｘ_４はメチレン基、酸素原子又は硫黄原子である。
　式（Ｖ－１）又は（Ｖ－２）で表される繰り返し単位としては、例えば、国際公開第２０１８／１９３９５４号の段落［０１００］に記載された繰り返し単位が挙げられる。

　樹脂（Ａ）が式（Ｖ－１）又は（Ｖ－２）で表される繰り返し単位を含む場合、式（Ｖ－１）又は（Ｖ－２）で表される繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、１モル％以上が好ましく、５モル％以上がより好ましい。また、式（Ｖ－１）又は（Ｖ－２）で表される繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、４０モル％以下が好ましく、３５モル％以下がより好ましく、３０モル％以下が更に好ましい。

　樹脂（Ａ）が式（Ｖ－１）又は（Ｖ－２）で表される繰り返し単位を含む場合、式（Ｖ－１）又は（Ｖ－２）で表される繰り返し単位は、１種でもよいし、２種以上でもよい。樹脂（Ａ）が式（Ｖ－１）又は（Ｖ－２）で表される繰り返し単位を２種以上含む場合は、それらの合計含有量が、上記好適含有量の範囲内であるのが好ましい。

　樹脂（Ａ）は、上記した繰り返し単位以外のその他の繰り返し単位を含んでいてもよい。
　その他の繰り返し単位については、国際公開第２０２２／０２４９２８号の［０１１２］～［０１３４］、［０１４４］～［０１７２］の内容を援用する。

　樹脂（Ａ）は、常法に従って（例えばラジカル重合）合成できる。
　ＧＰＣ法によるポリスチレン換算値として、樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、３００００以下が好ましく、１０００～３００００がより好ましく、３０００～３００００が更に好ましく、５０００～１５０００が特に好ましい。
　樹脂（Ａ）の分散度（分子量分布、Ｍｗ／Ｍｎ）は、１～５が好ましく、１～３がより好ましく、１．２～３．０が更に好ましく、１．２～２．０が特に好ましい。分散度が小さいものほど、解像度、及びレジスト形状がより優れ、更に、レジストパターンの側壁がよりスムーズであり、ラフネス性にもより優れる。

　本発明の組成物中の樹脂（Ａ）の含有量は、本発明の組成物の全固形分に対して、４０．０～９９．９質量％が好ましく、６０．０～９０．０質量％がより好ましい。
　樹脂（Ａ）は、１種で使用してもよいし、２種以上使用してもよい。樹脂（Ａ）を２種以上使用する場合は、それらの合計含有量が、上記好適含有量の範囲内であるのが好ましい。

［樹脂（Ｂ）］
　本発明の組成物に含まれる樹脂（Ｂ）について説明する。
　樹脂（Ｂ）は、酸分解性基を含まない樹脂である。酸分解性基については、前述したとおりである。

　樹脂（Ｂ）は、アンモニウム塩構造を含まない。アンモニウム塩構造とは、アンモニウムカチオンとアニオンとを含む構造であり、典型的には、下記式（Ａｍ１）で表される基である。樹脂（Ｂ）は下記式（Ａｍ１）で表される基を含まない。

　式（Ａｍ１）中、Ｒ^１～Ｒ^３は各々独立に水素原子又は有機基を表す。Ａｎ_１はアニオンを表す。＊は結合位置を表す。

　樹脂（Ｂ）は、親水基及びフッ素原子を有する繰り返し単位（ｂ１）を含む。繰り返し単位（ｂ１）中の親水基及びフッ素原子は、樹脂（Ｂ）の主鎖に共有結合で結合しているか、又は樹脂（Ｂ）の主鎖に共有結合で結合している側鎖に共有結合で結合している。「主鎖」とは、樹脂分子中で相対的に最も長い結合鎖を表し、「側鎖」とはそれ以外の結合鎖をいう。

　親水基は、解離性プロトンを有する基であることが好ましい。
　親水基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基、スルホンイミド基、リン酸基、芳香族チオール基、硝酸エステル基、スルホンアミド基、アルキルスルホニルメチレン基、アルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルイミド基、アルキルカルボニルイミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基、ポリオキシエチレン基等が挙げられ、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基、スルホンイミド基、リン酸基、芳香族チオール基、硝酸エステル基又はスルホンアミド基が好ましく、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基、スルホンイミド基又はリン酸基がより好ましく、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が更に好ましい。ヒドロキシ基としては、フェノール性水酸基（芳香環に結合したヒドロキシ基）が特に好ましい。

　樹脂（Ｂ）の繰り返し単位（ｂ１）は、下記式（Ｔ１）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

　式（Ｔ１）中、Ｒｐ_１～Ｒｐ_３は各々独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ｌｐ_１は連結基を表す。Ｒｈ_１は親水基を表す。ｎ１及びｎ２は各々独立に１以上の整数を表す。Ｒｈ_１が複数存在する場合、複数のＲｈ_１は同一でも異なっていてもよい。Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、及びＬｐ_１のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。

　式（Ｔ１）中のＲｐ_１～Ｒｐ_３についての説明、具体例及び好ましい範囲は、上記式（Ｓ１）中のＲａ_１～Ｒａ_３についてものと同じである。

　式（Ｔ１）中のＬｐ_１が表す連結基は特に限定されないが、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、及び－ＮＲ－からなる群より選ばれる少なくとも１つからなる連結基であることが好ましい。Ｒは水素原子又は有機基（好ましくは炭素数１～１０の有機基であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基等）を表す。
　アルキレン基は、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルキレン基の炭素数は特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
　シクロアルキレン基は単環のシクロアルキレン基でも多環のシクロアルキレン基でもよい。シクロアルキレン基の炭素数は特に制限されないが、３～２０が好ましく、５～１５がより好ましい。
　アリーレン基の炭素数は特に制限されないが、６～２０が好ましく、６～１０がより好ましい。アリーレン基はフェニレン基又はナフチレン基が好ましく、フェニレン基がより好ましい。
　アルキレン基、シクロアルキレン基及びアリーレン基は親水基及びフッ素原子以外の置換基を更に有していてもよい。

　式（Ｔ１）中のＲｈ_１が表す親水基の具体例及び好ましい範囲は上記したものと同じである。
　式（Ｔ１）中のｎ１は１以上の整数を表し、１～５の整数であることが好ましく、１～３の整数であることがより好ましい。
　式（Ｔ１）中のｎ２は１以上の整数を表し、１～３０の整数であることが好ましく、３～２０の整数であることがより好ましい。

　式（Ｔ１）で表される繰り返し単位は、下記式（Ｔ２）～（Ｔ４）のいずれかで表される繰り返し単位であることが好ましい。

　式（Ｔ４）中、Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１は、それぞれ上記式（Ｔ１）中のＲｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１と同じ意味を表す。ＡＬｐはアルキレン基及びシクロアルキレン基からなる群より選ばれる少なくとも１つからなる連結基を表す。Ｌｐ_４はアリーレン基、－Ｏ－及び－ＣＯ－からなる群より選ばれる少なくとも１つからなる連結基又は単結合を表す。Ｒｆ_１及びＲｆ_２は各々独立にフッ素原子又はフッ化アルキル基を表す。ｎ３は１以上の整数を表す。Ｒｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２が複数存在する場合、複数のＲｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、ＡＬｐ及びＬｐ_４のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。

　式（Ｔ２）～（Ｔ４）中、Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１についての説明、具体例及び好ましい範囲は、それぞれ上記式（Ｔ１）中のＲｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１についてのものと同じである。
　式（Ｔ２）～（Ｔ４）中、Ｒｆ_１及びＲｆ_２は各々独立にフッ素原子又はフッ化アルキル基を表す。フッ化アルキル基は、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。フッ化アルキル基の炭素数は特に限定されないが、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。フッ化アルキル基は、トリフルオロメチル基などのパーフルオロアルキル基であることが好ましい。
　式（Ｔ２）～（Ｔ４）中、ｎ３は１以上の整数を表し、１～１０の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１～３の整数が更に好ましい。

　式（Ｔ２）中のＬｐ_２のアルキレン基、シクロアルキレン基及びアリーレン基についての説明、具体例及び好ましい範囲は、それぞれ上記式（Ｔ１）中のＬｐ_１がアルキレン基、シクロアルキレン基及びアリーレン基である場合に記載したものと同じである。

　式（Ｔ３）中のＡｒｐが表すアリーレン基についての説明、具体例及び好ましい範囲は、上記式（Ｔ１）中のＬｐ_１がアリーレン基である場合に記載したものと同じである。
　式（Ｔ３）中のＬｐ_３のアルキレン基及びシクロアルキレン基についての説明、具体例及び好ましい範囲は、それぞれ上記式（Ｔ１）中のＬｐ_１がアルキレン基及びシクロアルキレン基である場合に記載したものと同じである。

　式（Ｔ４）中のＡＬｐが表すアルキレン基及びシクロアルキレン基についての説明、具体例及び好ましい範囲は、それぞれ上記式（Ｔ１）中のＬｐ_１がアルキレン基及びシクロアルキレン基である場合に記載したものと同じである。
　式（Ｔ４）中のＬｐ_４が表すアリーレン基についての説明、具体例及び好ましい範囲は、上記式（Ｔ１）中のＬｐ_１がアリーレン基である場合に記載したものと同じである。

　樹脂（Ｂ）中の繰り返し単位（ｂ１）の含有量は、特に限定されないが、樹脂（Ｂ）中の全繰り返し単位に対して１０モル％以上であることが好ましく、２０モル％以上であることがより好ましく、３０モル％以上であることが更に好ましい。また、繰り返し単位（ｂ１）の含有量は、樹脂（Ｂ）中の全繰り返し単位に対して９０モル％以下であることが好ましく、８５モル％以下であることがより好ましく、８０モル％以下であることが更に好ましい。

　樹脂（Ｂ）が含む繰り返し単位（ｂ１）は、１種でもよいし、２種以上でもよい。樹脂（Ｂ）が繰り返し単位（ｂ１）を２種以上含む場合は、それらの合計含有量が、上記好適含有量の範囲内であるのが好ましい。

　樹脂（Ｂ）は、繰り返し単位（ｂ１）に加えて、繰り返し単位（ｂ１）以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。
　繰り返し単位（ｂ１）以外の繰り返し単位としては、フッ素原子、珪素原子及び炭素数５以上の炭化水素基のいずれか１つ以上を有する繰り返し単位が好ましい。炭素数５以上の炭化水素基としては、アルキル基又はシクロアルキル基が好ましく、分岐鎖状アルキル基又はシクロアルキル基がより好ましい。

　繰り返し単位（ｂ１）以外の繰り返し単位は、下記式（Ｔ５）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

　式（Ｔ５）中、Ｒｐ_１～Ｒｐ_３は、それぞれ上記式（Ｔ１）中のＲｐ_１～Ｒｐ_３と同じ意味を表す。Ｌｐ_５は単結合又は２価の連結基を表す。Ｒｋ_１～Ｒｋ_３は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基又はケイ素原子を含む基を表す。Ｒｋ_１～Ｒｋ_３のうち少なくとも２つが互いに結合して環を形成してもよい。

　Ｒｐ_１～Ｒｐ_３についての説明、具体例及び好ましい範囲は、それぞれ上記式（Ｔ１）中のＲｐ_１～Ｒｐ_３についてのものと同じである。

　Ｌｐ_５は単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、カルボニル基（－ＣＯ－）、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、アミノ基（－ＮＲ－）、アミド基（－ＣＯＮＲ－）、スルホンアミド基（－ＳＯ_２ＮＲ－）、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、及びこれらの複数が連結した連結基等が挙げられる。上記Ｒはそれぞれ水素原子又は有機基を表し、有機基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びこれらの組み合わせが好ましい。
　Ｌｐ_５は単結合であることが好ましい。

　Ｒｋ_１～Ｒｋ_３がアルキル基を表す場合、炭素数１～２０のアルキル基が好ましく、炭素数１～１０のアルキル基がより好ましい。アルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としてはフッ素原子が好ましい。アルキル基は直鎖状でも分岐鎖状でもよいが、置換基を有しないアルキル基である場合は、炭素数３以上のアルキル基であることが好ましく、炭素数３以上の分岐鎖状アルキル基であることがより好ましい。アルキル基がフッ化アルキル基である場合は炭素数１～８のフッ化アルキル基であることが好ましい。
　Ｒｋ_１～Ｒｋ_３がシクロアルキル基を表す場合、シクロアルキル基の炭素数は特に制限されないが、３～２０が好ましく、５～１５がより好ましい。シクロアルキル基は、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基でもよいし、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基でもよい。
　Ｒｋ_１～Ｒｋ_３がアルケニル基を表す場合、炭素数２～２０のアルケニル基が好ましく、炭素数２～１０のアルケニル基がより好ましい。
　Ｒｋ_１～Ｒｋ_３がアリール基を表す場合、炭素数６～２０のアリール基が好ましく、炭素数６～１０のアリール基がより好ましい。
　Ｒｋ_１～Ｒｋ_３のうち少なくとも２つが互いに結合して環を形成してもよい。形成される環としては、シクロアルカン構造（例えば、アダマンタン構造）、ラクトン構造などが挙げられる。
　ただし、樹脂（Ｂ）は酸分解性基を含まないため、Ｒｋ_１～Ｒｋ_３の全てがアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基又はアリール基を表すことはない。また、Ｒｋ_１～Ｒｋ_３のうち２つが互いに結合して環を形成する場合、残りの１つはアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基又はアリール基を表すことはない。

　樹脂（Ｂ）が繰り返し単位（ｂ１）以外の繰り返し単位を含む場合、繰り返し単位（ｂ１）以外の繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ｂ）中の全繰り返し単位に対して、１モル％以上が好ましく、５モル％以上がより好ましい。また、繰り返し単位（ｂ１）以外の繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ｂ）中の全繰り返し単位に対して、４０モル％以下が好ましく、３５モル％以下がより好ましく、３０モル％以下が更に好ましい。

　樹脂（Ｂ）が繰り返し単位（ｂ１）以外の繰り返し単位を含む場合、繰り返し単位（ｂ１）以外の繰り返し単位は、１種でもよいし、２種以上でもよい。樹脂（Ｂ）が繰り返し単位（ｂ１）以外の繰り返し単位を２種以上含む場合は、それらの合計含有量が、上記好適含有量の範囲内であるのが好ましい。

　樹脂（Ｂ）はアルカリ分解基を有しないことが好ましい。
　アルカリ分解基は、アルカリ現像液の作用により分解しアルカリ現像液中での溶解度が増大する基である。アルカリ分解基は、典型的には、下記式（ＫＡ－１）又は（ＫＢ－１）で表される部分構造におけるＸで表される基である。

　式（ＫＡ－１）又は（ＫＢ－１）におけるＸは、カルボン酸エステル基：－ＣＯＯ－、酸無水物基：－Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）－、酸イミド基：－ＮＨＣＯＮＨ－、カルボン酸チオエステル基：－ＣＯＳ－、炭酸エステル基：－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、硫酸エステル基：－ＯＳＯ_２Ｏ－、スルホン酸エステル基：－ＳＯ_２Ｏ－を表す。
　Ｙ^１及びＹ^２は、それぞれ独立に電子求引性基を表す。

　式（ＫＡ－１）で表される部分構造は、Ｘとしての基とともに環構造を形成する構造である。

　式（ＫＡ－１）で表される部分構造の例としてラクトン環構造が挙げられる。ラクトン環構造の具体例を以下に示す。

　式（ＫＢ－１）におけるＹ^１及びＹ^２は、それぞれ独立に電子求引性基を表す。
　電子求引性基としては、下記式（ＥＷ）で表される基が挙げられる。式（ＥＷ）における＊はＸとの結合位置を表す。

　式（ＥＷ）中、ｎ_ｅｗは－Ｃ（Ｒ_ｅｗ１）（Ｒ_ｅｗ２）－で表される連結基の繰り返し数であり、０又は１を表す。ｎ_ｅｗが０の場合は単結合を表し、直接Ｙ_ｅｗ１が結合していることを示す。Ｙ_ｅｗ１は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、－Ｃ（Ｒ_ｆ１）（Ｒ_ｆ２）－Ｒ_ｆ３で表されるハロ（シクロ）アルキル基又はハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせを表す。「ハロ（シクロ）アルキル基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表し、「ハロアリール基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアリール基を表す。Ｒ_ｆ１はハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表す。Ｒ_ｆ２及びＲ_ｆ３は各々独立して水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Ｒ_ｆ２とＲ_ｆ３とが連結して環を形成してもよい。Ｒ_ｅｗ１及びＲ_ｅｗ２は、各々独立に水素原子又は任意の置換基を表し、例えば水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Ｒ_ｅｗ１、Ｒ_ｅｗ２及びＹ_ｅｗ１の少なくとも２つが互いに連結して環を形成してもよい。

　樹脂（Ｂ）に含まれる各繰り返し単位のＣｌｏｇＰに各繰り返し単位のモル分率を乗じた値の総和（「Ｐ_Ｂ」ともいう。）が、０以下であることが好ましい。
　樹脂（Ｂ）がｎ種の繰り返し単位を含む場合、Ｐ_Ｂは下記式（１）で求められる。ｎは１以上の整数を表す。
式（１）：

　式（１）中、ｐ_ｉは樹脂（Ｂ）に含まれる各繰り返し単位のＣｌｏｇＰを表し、ｍ_ｉは各繰り返し単位のモル分率（樹脂（Ｂ）中の全繰り返し単位に対する各繰り返し単位のモル基準の比率であり、単位はモル％である。）を表す。

　ＣｌｏｇＰとは、１－オクタノールと水への分配係数Ｐの常用対数ｌｏｇＰを計算によって求めた値である。ＣｌｏｇＰの計算に用いる方法及びソフトウェアについては公知のものを使用できるが、特に断らない限り、本発明ではＣａｍｂｒｉｄｇｅ　ｓｏｆｔ社のＣｈｅｍＢｉｏＤｒａｗ　Ｕｌｔｒａ　１２．０に組み込まれたＣｌｏｇＰプログラムを用いる。
　各繰り返し単位のＣｌｏｇＰは、各繰り返し単位に対応するモノマーのＣｌｏｇＰであり、解離性プロトンを有するモノマーはプロトンが解離した構造にてＣｌｏｇＰを算出する。

　Ｐ_Ｂが０以下であると、樹脂（Ｂ）が溶解しやすく、残渣の発生が抑制され、また、パターンの形状が矩形化しやすいため好ましい。Ｐ_Ｂは－１以下がより好ましく、－２以下が更に好ましい。

　樹脂（Ｂ）のハンセン溶解度パラメーターと空気のハンセン溶解度パラメーターの間の距離Ｒａが、３５ＭＰａ^０．５以下であることが好ましい。
　ハンセン溶解度パラメーター（Ｈａｎｓｅｎ　ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ　ｐａｒａｍｅｔｅｒ；ＨＳＰ）は、分散力項δｄ、双極子間力項δｐ、水素結合力項δｈの３成分から構成される。
　樹脂（Ｂ）のハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ_１）（すなわち、δｄ_１、δｐ_１、δｈ_１の各値）は、化合物の化学構造式からＨＳＰ値を計算することができるソフトウェアであるＨＳＰｉＰ（４ｔｈ　ｅｄｉｔｉｏｎ　４．１．０７）を用い、Ｙ－ＭＢ法により算出する。
　また、空気のハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ_２）（すなわち、δｄ_２、δｐ_２、δｈ_２の各値）は、ＨＳＰｉＰの説明書（ｖｅｒ．４　ｅ－Ｂｏｏｋ　Ｃｈａｐｔｅｒ１９）に記載の窒素及び酸素のＨＳＰを加重平均することにより算出する。
　ＨＳＰ_１とＨＳＰ_２の間の距離Ｒａは、下記式（２）によって計算される。
式（２）：

　δｄ_１は樹脂（Ｂ）の分散力項δｄを表し、δｄ_２は空気の分散力項δｄを表し、δｐ_１は樹脂（Ｂ）の双極子間力項δｐを表し、δｐ_２は空気の双極子間力項δｐを表し、δｈ_１は樹脂（Ｂ）の水素結合力項δｈを表し、δｈ_２は空気の水素結合力項δｈを表す。

　δｄ_１、δｐ_１及びδｈ_１は、それぞれ樹脂（Ｂ）に含まれる各繰り返し単位の分散力項δｄ、双極子間力項δｐ及び水素結合力項δｈに、各繰り返し単位のモル分率を乗じた値の総和である。各繰り返し単位のδｄ、δｐ及びδｈは、各繰り返し単位に対応するモノマーのδｄ、δｐ及びδｈであり、解離性プロトンを有するモノマーの場合は、プロトンが解離していない構造にてδｄ、δｐ及びδｈを算出する。

　Ｒａが３５ＭＰａ^０．５以下であると、樹脂（Ａ）との親和性が下がるため、解像性が更に向上する。Ｒａは３３ＭＰａ^０．５以下がより好ましく、３０ＭＰａ^０．５以下が更に好ましい。

　樹脂（Ｂ）に含まれる各繰り返し単位中のフッ素原子の数を全ての原子の数で割った値に各繰り返し単位のモル分率を乗じた値の総和（「Ｆ_Ｂ」ともいう。）が、１０モル％以上であることが好ましい。
　Ｆ_Ｂは、各繰り返し単位に対応するモノマーについて算出する。解離性プロトンを有するモノマーの場合は、プロトンが解離していない構造にてＦ_Ｂを算出する。
　樹脂（Ｂ）がｎ種の繰り返し単位を含む場合、Ｆ_Ｂは下記式（３）で求められる。ｎは１以上の整数を表す。
式（３）：

　式（３）中、ｆ_ｉは樹脂（Ｂ）に含まれる各繰り返し単位中のフッ素原子の数を全ての原子の数で割った値を表し、ｍ_ｉは各繰り返し単位のモル分率（樹脂（Ｂ）中の全繰り返し単位に対する各繰り返し単位のモル基準の比率であり、単位はモル％である。）を表す。

　Ｆ_Ｂが１０モル％以上であると、樹脂（Ｂ）が溶解しやすく、残渣の発生が抑制され、また、パターンの形状が矩形化しやすいため好ましい。また、樹脂（Ａ）との親和性が下がるため、解像性が更に向上するため好ましい。Ｆ_Ｂは１５モル％以上がより好ましく、２５モル％以上が更に好ましい。

　上記Ｐ_Ｂ、Ｒａ及びＦ_Ｂは、繰り返し単位（ｂ１）及び繰り返し単位（ｂ１）以外の繰り返し単位の種類、並びにこれらの含有量を変更することなどにより調整することができる。

　樹脂（Ｂ）は、常法に従って（例えばラジカル重合）合成できる。
　ＧＰＣ法によるポリスチレン換算値として、樹脂（Ｂ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、３００００以下が好ましく、１０００～３００００がより好ましく、３０００～３００００が更に好ましく、５０００～１５０００が特に好ましい。
　樹脂（Ｂ）の分散度（分子量分布、Ｍｗ／Ｍｎ）は、１～５が好ましく、１～３がより好ましく、１．２～３．０が更に好ましく、１．２～２．０が特に好ましい。
　樹脂（Ｂ）の含有量は、本発明の組成物の全固形分に対して、０．０１～３０．０質量％が好ましく、０．１～２０．０質量％がより好ましい。
　樹脂（Ｂ）は、１種のみ使用してもよいし、２種以上使用してもよい。樹脂（Ｂ）を２種以上使用する場合は、それらの合計含有量が、上記好適含有量の範囲内であるのが好ましい。

［酸発生剤（Ｃ）］
　本発明の組成物に含まれる酸発生剤（Ｃ）について説明する。
　酸発生剤（Ｃ）は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（光酸発生剤）であることが好ましい。
　酸発生剤（Ｃ）から発生する酸（発生酸）のｐＫａは１．０以下であり、－５．０以上１．０以下であることが好ましく、－３．０以上１．０以下であることがより好ましい。
　酸発生剤（Ｃ）は、低分子化合物の形態であってもよく、重合体（例えば、樹脂（Ａ））の一部に組み込まれた形態であってもよい。また、低分子化合物の形態と重合体（例えば、樹脂（Ａ））の一部に組み込まれた形態とを併用してもよい。
　酸発生剤（Ｃ）が、低分子化合物の形態である場合、酸発生剤（Ｃ）の分子量は３０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましく、１０００以下が更に好ましい。酸発生剤（Ｃ）の分子量の下限は特に制限されないが、１００以上が好ましい。
　酸発生剤（Ｃ）が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、樹脂（Ａ）の一部に組み込まれてもよく、樹脂（Ａ）とは異なる樹脂に組み込まれてもよい。

　酸発生剤（Ｃ）としては、例えば、「Ｍ^＋Ｘ^－」で表される化合物（オニウム塩）が挙げられ、露光により有機酸を発生する化合物が好ましい。有機酸としては、例えば、スルホン酸（脂肪族スルホン酸、芳香族スルホン酸、及びカンファースルホン酸等）、カルボン酸（脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸、及びアラルキルカルボン酸等）、カルボニルスルホニルイミド酸、ビス（アルキルスルホニル）イミド酸、及びトリス（アルキルスルホニル）メチド酸が挙げられる。

　「Ｍ^＋Ｘ^－」で表される化合物において、Ｍ^＋はカチオンを表す。カチオンは１種でもよいし、２種以上でもよい。Ｍ^＋は有機カチオンを表すことが好ましく、有機カチオンとしては特に制限されない。有機カチオンとしては、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、又はアンモニウムカチオンが好ましい。有機カチオンとしては、式（ＺａＩ）で表されるカチオン、又は式（ＺａＩＩ）で表されるカチオンがより好ましい。

　上記式（ＺａＩ）において、Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、及びＲ^２０３は、それぞれ独立に、有機基を表す。
　Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、及びＲ^２０３としての有機基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ^２０１～Ｒ^２０３の内の２つが結合して形成する基としては、例えば、アルキレン基（例えば、ブチレン基及びペンチレン基）、及び－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が挙げられる。

　Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、及びＲ^２０３の有機基は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基が好ましい。
　アルキル基としては、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。
　シクロアルキル基の炭素数は特に制限されないが、３～２０が好ましく、５～１５がより好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びにノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　アリール基は、炭素数６～２０のアリール基であることが好ましく、炭素数６～１５のアリール基であることがより好ましく、フェニル基又はナフチル基であることが更に好ましく、フェニル基であることが特に好ましい。
　ヘテロアリール基は、炭素数３～２０のヘテロアリール基であることが好ましい。ヘテロアリール基は、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１つのヘテロ原子を含むことが好ましい。ヘテロアリール基としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等から任意の水素原子を１つ取り除いてなる基が挙げられる。

　式（ＺａＩＩ）中、Ｒ^２０４及びＲ^２０５は、それぞれ独立に、アリール基、ヘテロアリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
　Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基としては、炭素数６～２０のアリール基が好ましく、フェニル基又はナフチル基がより好ましく、フェニル基が更に好ましい。
　Ｒ^２０４及びＲ^２０５のヘテロアリール基は、炭素数３～２０のヘテロアリール基であることが好ましい。ヘテロアリール基は、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１つのヘテロ原子を含むことが好ましい。ヘテロアリール基としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等から任意の水素原子を１つ取り除いてなる基が挙げられる。
　Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、又はペンチル基）、又は炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はノルボルニル基）が好ましい。

　Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基、ヘテロアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい。Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基、ヘテロアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば、炭素数３～１５）、アリール基（例えば、炭素数６～１５）、アルコキシ基（例えば、炭素数１～１５）、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、及びフェニルチオ基が挙げられる。また、Ｒ^２０４及びＲ^２０５の置換基は、それぞれ独立に、置換基の任意の組み合わせにより、酸分解性基を形成することも好ましい。

　Ｍ^＋のカチオンについては、国際公開第２０２２／１７２７１５号の［０１８１］～［０２０５］の内容を援用することができる。

　「Ｍ^＋Ｘ^－」で表される化合物において、Ｘ^－はアニオンを表す。アニオンは１種でもよいし、２種以上でもよい。Ｘ^－は有機アニオンであることが好ましい。有機アニオンとしては、特に制限されず、１又は２価以上の有機アニオンが挙げられる。有機アニオンとしては、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンが好ましく、非求核性アニオンがより好ましい。非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン（脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、及びカンファースルホン酸アニオン等）、カルボン酸アニオン（脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、及びアラルキルカルボン酸アニオン等）、スルホニルイミドアニオン、ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、及びトリス（アルキルスルホニル）メチドアニオンが挙げられる。

　脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であっても、シクロアルキル基であってもよく、炭素数１～３０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、又は、炭素数３～３０のシクロアルキル基が好ましい。
　上記アルキル基は、例えば、フルオロアルキル基（フッ素原子以外の置換基を有していてもよい。パーフルオロアルキル基であってもよい）であってもよい。

　芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおけるアリール基としては、炭素数６～１４のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、及び、ナフチル基が挙げられる。

　上記で挙げたアルキル基、シクロアルキル基、及び、アリール基は、置換基を有していてもよい。置換基としては特に制限されないが、例えば、ニトロ基、フッ素原子及び塩素原子等のハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（炭素数１～１５が好ましい）、アルキル基（炭素数１～１０が好ましい）、シクロアルキル基（炭素数３～１５が好ましい）、アリール基（炭素数６～１４が好ましい）、アルコキシカルボニル基（炭素数２～７が好ましい）、アシル基（炭素数２～１２が好ましい）、アルコキシカルボニルオキシ基（炭素数２～７が好ましい）、アルキルチオ基（炭素数１～１５が好ましい）、アルキルスルホニル基（炭素数１～１５が好ましい）、アルキルイミノスルホニル基（炭素数１～１５が好ましい）、及び、アリールオキシスルホニル基（炭素数６～２０が好ましい）が挙げられる。

　アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、炭素数７～１４のアラルキル基が好ましい。
　炭素数７～１４のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、及び、ナフチルブチル基が挙げられる。

　スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンが挙げられる。

　ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、及び、トリス（アルキルスルホニル）メチドアニオンにおけるアルキル基としては、炭素数１～５のアルキル基が好ましい。これらのアルキル基の置換基としては、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、及び、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基が挙げられ、フッ素原子又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。
　また、ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオンにおけるアルキル基は、互いに結合して環構造を形成してもよい。これにより、酸強度が増加する。

　その他の非求核性アニオンとしては、例えば、フッ素化燐（例えば、ＰＦ_６ ^－）、フッ素化ホウ素（例えば、ＢＦ_４ ^－）、及び、フッ素化アンチモン（例えば、ＳｂＦ_６ ^－）が挙げられる。

　非求核性アニオンとしては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子若しくはフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、又は、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス（アルキルスルホニル）メチドアニオンが好ましい。なかでも、パーフルオロ脂肪族スルホン酸アニオン（炭素数４～８が好ましい）、又は、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオンがより好ましく、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、パーフルオロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、又は、３，５－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホン酸アニオンが更に好ましい。

　非求核性アニオンとしては、下記式（ＡＮ１）で表されるアニオンも好ましい。

　式（ＡＮ１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を表す。
　置換基は特に制限されないが、電子求引性基ではない基が好ましい。電子求引性基ではない基としては、例えば、炭化水素基、水酸基、オキシ炭化水素基、オキシカルボニル炭化水素基、アミノ基、炭化水素置換アミノ基、及び、炭化水素置換アミド基が挙げられる。
　電子求引性基ではない基としては、それぞれ独立に、－Ｒ’、－ＯＨ、－ＯＲ’、－ＯＣＯＲ’、－ＮＨ_２、－ＮＲ’_２、－ＮＨＲ’、又は、－ＮＨＣＯＲ’が好ましい。Ｒ’は、１価の炭化水素基である。

　Ｌは、２価の連結基を表す。
　Ｌが複数存在する場合、Ｌは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
　２価の連結基としては、例えば、－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、アルキレン基（炭素数１～６が好ましい）、シクロアルキレン基（炭素数３～１５が好ましい）、アルケニレン基（炭素数２～６が好ましい）、及び、これらの複数を組み合わせた２価の連結基が挙げられる。なかでも、２価の連結基としては、－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＳＯ_２－、－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－アルキレン基－、－ＣＯＯ－アルキレン基－、又は、－ＣＯＮＨ－アルキレン基－が好ましく、－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－アルキレン基－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＳＯ_２－、又は、－ＣＯＯ－アルキレン基－がより好ましい。

　式（ＡＮ１）中、Ｒ^３は、有機基を表す。
　上記有機基は、炭素原子を１以上有していれば特に制限はなく、直鎖状の基（例えば、直鎖状のアルキル基）でも、分岐鎖状の基（例えば、ｔ－ブチル基等の分岐鎖状のアルキル基）でもよく、環状の基であってもよい。上記有機基は、置換基を有していても、有していなくてもよい。上記有機基は、ヘテロ原子（酸素原子、硫黄原子、及び／又は、窒素原子等）を有していても、有してなくてもよい。

　なかでも、Ｒ^３は、環状構造を有する有機基であることが好ましい。上記環状構造は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。環状構造を含む有機基における環は、式（ＡＮ１）中のＬと直接結合していることが好ましい。
　上記環状構造を有する有機基は、例えば、ヘテロ原子（酸素原子、硫黄原子、及び／又は、窒素原子等）を有していても、有してなくてもよい。ヘテロ原子は、環状構造を形成する炭素原子の１つ以上と置換していてもよい。
　上記環状構造を有する有機基は、例えば、環状構造の炭化水素基、ラクトン環基、及び、スルトン環基が好ましい。なかでも、上記環状構造を有する有機基は、環状構造の炭化水素基が好ましい。
　上記環状構造の炭化水素基は、単環又は多環のシクロアルキル基が好ましい。これらの基は、置換基を有していてもよい。
　上記シクロアルキル基は、単環（シクロヘキシル基等）でも多環（アダマンチル基等）でもよく、炭素数は５～１２が好ましい。

　非求核性アニオンとしては、ベンゼンスルホン酸アニオンであってもよく、分岐鎖状のアルキル基又はシクロアルキル基によって置換されたベンゼンスルホン酸アニオンであることが好ましい。

　非求核性アニオンとしては、下記式（ＡＮ２）で表されるアニオンも好ましい。

　式（ＡＮ２）中、ｏは、１～３の整数を表す。ｐは、０～１０の整数を表す。ｑは、０～１０の整数を表す。

　Ｘｆは、水素原子、フッ素原子、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基、又はフッ素原子を有さない有機基を表す。このアルキル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～４がより好ましい。少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基としては、パーフルオロアルキル基が好ましい。
　Ｘｆは、フッ素原子又は炭素数１～４のパーフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子又はＣＦ_３であることがより好ましく、双方のＸｆがフッ素原子であることが更に好ましい。

　Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。Ｒ^４及びＲ^５が複数存在する場合、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
　Ｒ^４及びＲ^５で表されるアルキル基は、炭素数１～４が好ましい。上記アルキル基は置換基を有していてもよい。Ｒ_４及びＲ_５としては、水素原子が好ましい。

　Ｌは、２価の連結基を表す。Ｌの説明、具体例及び好ましい範囲は、式（ＡＮ１）中のＬと同じである。

　Ｗは、有機基を表し、環状構造を含む有機基を表すことが好ましく、環状の有機基であることがより好ましい。
　環状の有機基としては、例えば、脂環基、アリール基、及び、複素環基が挙げられる。
　脂環基は、単環であってもよく、多環であってもよい。単環の脂環基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及び、シクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基が挙げられる。多環の脂環基としては、例えば、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が挙げられる。なかでも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の炭素数７以上の嵩高い構造を有する脂環基が好ましい。

　アリール基は、単環又は多環であってもよい。上記アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、及び、アントリル基が挙げられる。
　複素環基は、単環又は多環であってもよい。なかでも、多環の複素環基である場合、より酸の拡散を抑制できる。複素環基は、芳香族性を有していてもよいし、芳香族性を有していなくてもよい。芳香族性を有している複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及び、ピリジン環が挙げられる。芳香族性を有していない複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、スルトン環、及び、デカヒドロイソキノリン環が挙げられる。複素環基における複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、又は、デカヒドロイソキノリン環が好ましい。

　上記環状の有機基は、置換基を有していてもよい。上記置換基としては、例えば、アルキル基（直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよく、炭素数１～１２が好ましい）、シクロアルキル基（単環、多環、及び、スピロ環のいずれであってもよく、炭素数３～２０が好ましい）、アリール基（炭素数６～１４が好ましい）、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、及び、スルホン酸エステル基が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素（環形成に寄与する炭素）はカルボニル炭素であってもよい。

　非求核性アニオンとしては、下記式（ＡＮ３）で表される芳香族スルホン酸アニオンも好ましい。

　式（ＡＮ３）中、Ａｒは、アリール基（フェニル基等）を表し、スルホン酸アニオン、及び、－（Ｄ－Ｂ）基以外の置換基を更に有していてもよい。更に有してもよい置換基としては、例えば、フッ素原子及び水酸基が挙げられる。
　ｎは、０以上の整数を表す。ｎとしては、１～４が好ましく、２～３がより好ましく、３が更に好ましい。

　Ｄは、単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、スルホキシド基、スルホン基、スルホン酸エステル基、エステル基、及び、これらの２種以上の組み合わせからなる基が挙げられる。

　Ｂは、炭化水素基を表す。
　Ｂとしては、脂肪族炭化水素基が好ましく、イソプロピル基、シクロヘキシル基、又は更に置換基を有してもよいアリール基（トリシクロヘキシルフェニル基等）がより好ましい。

　非求核性アニオンとしては、ジスルホンアミドアニオンも好ましい。
　ジスルホンアミドアニオンは、例えば、Ｎ^－（ＳＯ_２－Ｒ^ｑ）_２で表されるアニオンである。
　ここで、Ｒ^ｑは置換基を有していてもよいアルキル基を表し、フルオロアルキル基が好ましく、パーフルオロアルキル基がより好ましい。２個のＲ^ｑは互いに結合して環を形成してもよい。２個のＲ^ｑが互いに結合して形成される基は、置換基を有していてもよいアルキレン基が好ましく、フルオロアルキレン基が好ましく、パーフルオロアルキレン基が更に好ましい。上記アルキレン基の炭素数は２～４が好ましい。

　酸発生剤（Ｃ）は、化合物（Ｉ）～（ＩＩ）からなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。

（化合物（Ｉ））
　化合物（Ｉ）は、１つ以上の下記構造部位Ｘ及び１つ以上の下記構造部位Ｙを有する化合物であって、活性光線又は放射線の照射によって、下記構造部位Ｘに由来する下記第１の酸性部位と下記構造部位Ｙに由来する下記第２の酸性部位とを含む酸を発生する化合物である。
　　構造部位Ｘ：アニオン部位Ａ_１ ^－とカチオン部位Ｍ_１ ^＋とからなり、且つ活性光線又は放射線の照射によって、ＨＡ_１で表される第１の酸性部位を形成する構造部位
　　構造部位Ｙ：アニオン部位Ａ_２ ^－とカチオン部位Ｍ_２ ^＋とからなり、且つ活性光線又は放射線の照射によって、ＨＡ_２で表される第２の酸性部位を形成する構造部位
　上記化合物（Ｉ）は、下記条件Ｉを満たす。

　条件Ｉ：上記化合物（Ｉ）において上記構造部位Ｘ中の上記カチオン部位Ｍ_１ ^＋及び上記構造部位Ｙ中の上記カチオン部位Ｍ_２ ^＋をＨ^＋に置き換えてなる化合物ＰＩが、上記構造部位Ｘ中の上記カチオン部位Ｍ_１ ^＋をＨ^＋に置き換えてなるＨＡ_１で表される酸性部位に由来する酸解離定数ａ１と、上記構造部位Ｙ中の上記カチオン部位Ｍ_２ ^＋をＨ^＋に置き換えてなるＨＡ_２で表される酸性部位に由来する酸解離定数ａ２とを有し、且つ、上記酸解離定数ａ１よりも上記酸解離定数ａ２の方が大きい。
　少なくとも１つの酸解離定数ａ１は１．０以下である。酸解離定数ａ２は１．０以下であってもよいし、１．０より大きくてもよい。

　以下において、条件Ｉをより具体的に説明する。
　化合物（Ｉ）が、例えば、上記構造部位Ｘに由来する上記第１の酸性部位を１つと、上記構造部位Ｙに由来する上記第２の酸性部位を１つ有する酸を発生する化合物である場合、化合物ＰＩは「ＨＡ_１とＨＡ_２とを有する化合物」に該当する。
　化合物ＰＩの酸解離定数ａ１及び酸解離定数ａ２とは、より具体的に説明すると、化合物ＰＩの酸解離定数を求めた場合において、化合物ＰＩが「Ａ_１ ^－とＨＡ_２とを有する化合物」となる際のｐＫａが酸解離定数ａ１であり、上記「Ａ_１ ^－とＨＡ_２とを有する化合物」が「Ａ_１ ^－とＡ_２ ^－とを有する化合物」となる際のｐＫａが酸解離定数ａ２である。

　化合物（Ｉ）が、例えば、上記構造部位Ｘに由来する上記第１の酸性部位を２つと、上記構造部位Ｙに由来する上記第２の酸性部位を１つと有する酸を発生する化合物である場合、化合物ＰＩは「２つのＨＡ_１と１つのＨＡ_２とを有する化合物」に該当する。
　化合物ＰＩの酸解離定数を求めた場合、化合物ＰＩが「１つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_１と１つのＨＡ_２とを有する化合物」となる際の酸解離定数、及び「１つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_１と１つのＨＡ_２とを有する化合物」が「２つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_２とを有する化合物」となる際の酸解離定数が、上述の酸解離定数ａ１に該当する。「２つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_２とを有する化合物」が「２つのＡ_１ ^－とＡ_２ ^－を有する化合物」となる際の酸解離定数が酸解離定数ａ２に該当する。つまり、化合物ＰＩの場合、上記構造部位Ｘ中の上記カチオン部位Ｍ_１ ^＋をＨ^＋に置き換えてなるＨＡ_１で表される酸性部位に由来する酸解離定数を複数有する場合、複数の酸解離定数ａ１のうち最も大きい値よりも、酸解離定数ａ２の値の方が大きい。なお、化合物ＰＩが「１つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_１と１つのＨＡ_２とを有する化合物」となる際の酸解離定数をａａとし、「１つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_１と１つのＨＡ_２とを有する化合物」が「２つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_２とを有する化合物」となる際の酸解離定数をａｂとしたとき、ａａ及びａｂの関係は、ａａ＜ａｂを満たす。

　酸解離定数ａ１及び酸解離定数ａ２は、上述した酸解離定数の測定方法により求められる。
　上記化合物ＰＩとは、化合物（Ｉ）に活性光線又は放射線を照射した場合に、発生する酸に該当する。
　化合物（Ｉ）が２つ以上の構造部位Ｘを有する場合、構造部位Ｘは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。また、２つ以上の上記Ａ_１ ^－、及び２つ以上の上記Ｍ_１ ^＋は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
　化合物（Ｉ）中、上記Ａ_１ ^－及び上記Ａ_２ ^－、並びに、上記Ｍ_１ ^＋及び上記Ｍ_２ ^＋は、それぞれ同一であっても異なっていてもよいが、上記Ａ_１ ^－及び上記Ａ_２ ^－は、それぞれ異なっていることが好ましい。

　上記化合物ＰＩにおいて、酸解離定数ａ１（酸解離定数ａ１が複数存在する場合はその最大値）と酸解離定数ａ２との差（絶対値）は、０．１以上が好ましく、０．５以上がより好ましく、１．０以上が更に好ましい。なお、酸解離定数ａ１（酸解離定数ａ１が複数存在する場合はその最大値）と酸解離定数ａ２との差（絶対値）の上限値は特に制限されないが、例えば、１６以下である。

　上記化合物ＰＩにおいて、酸解離定数ａ２は、２０以下が好ましく、１５以下がより好ましい。酸解離定数ａ２の下限値としては、－４以上が好ましい。

　カチオン部位Ｍ_１ ^＋及びカチオン部位Ｍ_２ ^＋は、正電荷を帯びた原子又は原子団を含む構造部位であり、例えば、電荷が１価のカチオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、前述したＭ^＋で表されるカチオンが挙げられる。

（化合物（ＩＩ））
　化合物（ＩＩ）は、２つ以上の上記構造部位Ｘ及び１つ以上の下記構造部位Ｚを有する化合物であって、活性光線又は放射線の照射によって、上記構造部位Ｘに由来する上記第１の酸性部位を２つ以上と上記構造部位Ｚとを含む酸を発生する化合物である。
　構造部位Ｚ：酸を中和可能な非イオン性の部位

　化合物（ＩＩ）中、構造部位Ｘの定義、並びに、Ａ_１ ^－及びＭ_１ ^＋の定義は、上述した化合物（Ｉ）中の構造部位Ｘの定義、並びに、Ａ_１ ^－及びＭ_１ ^＋の定義と同義であり、好適態様も同じである。

　上記化合物（ＩＩ）において上記構造部位Ｘ中の上記カチオン部位Ｍ_１ ^＋をＨ^＋に置き換えてなる化合物ＰＩＩにおいて、上記構造部位Ｘ中の上記カチオン部位Ｍ_１ ^＋をＨ^＋に置き換えてなるＨＡ_１で表される酸性部位に由来する酸解離定数ａ１の好適範囲については、上記化合物ＰＩにおける酸解離定数ａ１と同じである。
　少なくとも１つの酸解離定数ａ１は１．０以下である。
　なお、化合物（ＩＩ）が、例えば、上記構造部位Ｘに由来する上記第１の酸性部位を２つと上記構造部位Ｚとを有する酸を発生する化合物である場合、化合物ＰＩＩは「２つのＨＡ_１を有する化合物」に該当する。この化合物ＰＩＩの酸解離定数を求めた場合、化合物ＰＩＩが「１つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_１とを有する化合物」となる際の酸解離定数、及び「１つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_１とを有する化合物」が「２つのＡ_１ ^－を有する化合物」となる際の酸解離定数が、酸解離定数ａ１に該当する。

　酸解離定数ａ１は、上述した酸解離定数の測定方法により求められる。
　上記化合物ＰＩＩとは、化合物（ＩＩ）に活性光線又は放射線を照射した場合に、発生する酸に該当する。
　なお、上記２つ以上の構造部位Ｘは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。２つ以上の上記Ａ_１ ^－、及び２つ以上の上記Ｍ_１ ^＋は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

　構造部位Ｚ中の酸を中和可能な非イオン性の部位としては特に制限されず、例えば、プロトンと静電的に相互作用し得る基、又は、電子を有する官能基を含む部位であることが好ましい。
　プロトンと静電的に相互作用し得る基、又は、電子を有する官能基としては、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基、又は、π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基が挙げられる。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記式に示す部分構造を有する窒素原子である。

　プロトンと静電的に相互作用し得る基又は電子を有する官能基の部分構造としては、例えば、クラウンエーテル構造、アザクラウンエーテル構造、１～３級アミン構造、ピリジン構造、イミダゾール構造、及びピラジン構造が挙げられ、なかでも、１～３級アミン構造が好ましい。

　化合物（Ｉ）及び化合物（ＩＩ）については、国際公開第２０２２／０２４９２８号の［０１７５］～［０２８０］の記載を援用することができる。

　本発明の組成物中の酸発生剤（Ｃ）の含有量は、本発明の組成物の全固形分に対して、０．５質量％以上が好ましく、１．０質量％以上がより好ましい。酸発生剤（Ｃ）の含有量は、本発明の組成物の全固形分に対して、５０．０質量％以下が好ましく、３０．０質量％以下がより好ましく、２５．０質量％以下が更に好ましい。
　酸発生剤（Ｃ）は、１種で使用してもよいし、２種以上使用してもよい。酸発生剤（Ｃ）を２種以上使用する場合は、それらの合計含有量が、上記好適含有量の範囲内であるのが好ましい。
　また、酸発生剤（Ｃ）の総量（Ｔ_Ｃ）が、本発明の組成物の全固形分に対して０．４０ｍｍｏｌ／ｇ以上１．５０ｍｍｏｌ／ｇ以下であることが好ましく、０．４０ｍｍｏｌ／ｇ以上１．５０ｍｍｏｌ／ｇ以下であることが好ましく、０．５０ｍｍｏｌ／ｇ以上１．５０ｍｍｏｌ／ｇ以下であることがより好ましく、０．６０ｍｍｏｌ／ｇ以上１．５０ｍｍｏｌ／ｇ以下であることが更に好ましい。Ｔ_Ｃ（ｍｍｏｌ／ｇ）は、本発明の組成物の全固形分の１ｇ中に含まれる酸発生剤（Ｃ）の総物質量（ｍｍｏｌ）である。
　樹脂（Ａ）などの樹脂が光酸発生基を有する繰り返し単位を含む場合のＴ_Ｃの算出においては、その樹脂の物質量に光酸発生基を有する繰り返し単位のモル分率を乗じた値を酸発生剤（Ｃ）の物質量に含めるものとする。

［酸拡散制御剤（Ｄ）］
　本発明の組成物に含まれる酸拡散制御剤（Ｄ）について説明する。
　酸拡散制御剤（Ｄ）は、露光時に光酸発生剤（例えば、酸発生剤（Ｃ）など）等から発生する酸をトラップし、余分な発生酸による、未露光部における酸分解性樹脂の反応を抑制するクエンチャーとして作用することができる。
　酸拡散制御剤（Ｄ）の種類は特に制限されず、例えば、塩基性化合物（ＤＡ）、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＤＢ）、及び、活性光線又は放射線の照射により酸拡散制御能が低下又は消失する化合物（ＤＣ）が挙げられる。
　化合物（ＤＣ）としては、光酸発生剤（例えば、酸発生剤（Ｃ）など）から発生する酸に対して相対的に弱酸となる酸のオニウム塩化合物（ＤＤ）、及び、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＥ）が挙げられる。
　塩基性化合物（ＤＡ）の具体例としては、例えば、国際公開第２０２０／０６６８２４号の段落［０１３２］～［０１３６］に記載のものが挙げられ、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＥ）の具体例としては、国際公開第２０２０／０６６８２４号の段落［０１３７］～［０１５５］に記載のもの、及び国際公開第２０２０／０６６８２４号の段落［０１６４］に記載のものが挙げられ、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＤＢ）の具体例としては、国際公開第２０２０／０６６８２４号の段落［０１５６］～［０１６３］に記載のものが挙げられる。
　光酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩化合物（ＤＤ）の具体例としては、例えば、国際公開第２０２０／１５８３３７号の段落［０３０５］～［０３１４］に記載のものが挙げられる。

　上記以外にも、例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号の段落［０６２７］～［０６６４］、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号の段落［００９５］～［０１８７］、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号の段落［０４０３］～［０４２３］、及び米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号の段落［０２５９］～［０３２８］に開示された公知の化合物を酸拡散制御剤として好適に使用できる。

　酸拡散制御剤（Ｄ）が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である場合、酸拡散制御剤（Ｄ）から発生する酸（発生酸）のｐＫａは１．０より大きいことが好ましい。
　酸拡散制御剤（Ｄ）からの発生酸のｐＫａをｐＫａ（Ｄ）とし、酸発生剤（Ｃ）からの発生酸のｐＫａをｐＫａ（Ｃ）とした場合、ｐＫａ（Ｄ）－ｐＫａ（Ｃ）は１．０以上であることが好ましく、２．０以上であることがより好ましく、３．０以上であることが更に好ましい。

　酸拡散制御剤（Ｄ）は、アニオンとカチオンとからなるイオン性化合物であることが好ましい。カチオンとしては、前述のＭ^＋と同様のカチオンが挙げられる。アニオンは、下記式（Ｄｎ－１）で表されるアニオン、下記式（Ｄｎ－２）で表される基を有するアニオン、下記式（Ｄｎ－３）で表される基を有するアニオン、下記式（Ｄｎ－４）で表される基を有するアニオン及び下記式（Ｄｎ－５）で表される基を有するアニオンからなる群より選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。

　式（Ｄｎ－２）、（Ｄｎ－３）、（Ｄｎ－４）及び（Ｄｎ－５）中、＊はそれぞれ結合位置を表す。式（Ｄｎ－１）中、Ａｒ^ｄ１は芳香族基を表す。式（Ｄｎ－５）中、Ｒ^ｄ１は水素原子又は１価の有機基を表す。
　Ａｒ^ｄ１は好ましくはアリール基であり、より好ましくは炭素数６～２０のアリール基であり、最も好ましくはフェニル基である。
　Ｒ^ｄ１の１価の有機基は、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０のアルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～２０のシクロアルキル基）、アリール基（好ましくは炭素数６～２０のアリール基）等である。

　酸拡散制御剤（Ｄ）は、π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基を含む化合物であることも好ましい。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子は前述したとおりである。π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基としては、１～３級アミン構造、ピリジン構造、イミダゾール構造、ピラジン構造等が挙げられる。

　本発明の組成物中の酸拡散制御剤（Ｄ）の含有量は、本発明の組成物の全固形分に対して、０．１～３０．０質量％が好ましく、１．０～２５．０質量％がより好ましい。
　酸拡散制御剤（Ｄ）は、１種で使用してもよいし、２種以上使用してもよい。酸拡散制御剤（Ｄ）を２種以上使用する場合は、それらの合計含有量が、上記好適含有量の範囲内であるのが好ましい。

　本発明の組成物に含まれる酸拡散制御剤（Ｄ）の総物質量を、本発明の組成物に含まれるカチオンの総物質量で割った値であるＱｐが、０．４０以上１．００以下であることが好ましい。
　本発明の組成物に含まれる酸拡散制御剤（Ｄ）の総物質量（モル）をＭ_Ｄとし、本発明の組成物に含まれるカチオンの総物質量（モル）をＭ_ＣＡとすると、Ｑｐは下記式（４）で表される。Ｍ_ＣＡは、本発明の組成物中のカチオンを含む全成分についてのものである。
式（４）：

　酸発生剤（Ｃ）の総量が、本発明の組成物の全固形分に対して０．４０ｍｍｏｌ／ｇ以上１．５０ｍｍｏｌ／ｇ以下であり、かつＱｐが、０．４０以上１．００以下であることが特に好ましい。

　Ｑｐは、０．４５以上０．９０以下であることがより好ましく、０．５０以上０．８０以下であることが更に好ましい。

　本発明の組成物に含まれる樹脂（Ｂ）の質量基準の含有比率Ｗ_Ｂ（質量％）を、Ｑｐで割った値であるＷ_Ｂ／Ｑｐは２０質量％未満であることが好ましく、１５質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることが特に好ましい。

［疎水性樹脂］
　本発明の組成物は、さらに、疎水性樹脂を含むことができる。疎水性樹脂は、樹脂（Ａ）及び樹脂（Ｂ）とは異なる樹脂である。
　疎水性樹脂はレジスト膜の表面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性物質及び非極性物質の均一な混合に寄与しなくてもよい。
　疎水性樹脂の添加による効果として、水に対するレジスト膜表面の静的及び動的な接触角の制御、並びに、アウトガスの抑制が挙げられる。

　疎水性樹脂は、膜表層への偏在化の点から、フッ素原子、珪素原子、及び、樹脂の側鎖部分に含まれたＣＨ_３部分構造のいずれか１種以上を有するのが好ましく、２種以上を有することがより好ましい。上記疎水性樹脂は、炭素数５以上の炭化水素基を有することが好ましい。これらの基は樹脂の主鎖中に有していても、側鎖に置換していてもよい。
　疎水性樹脂としては、国際公開第２０２０／００４３０６号の段落［０２７５］～［０２７９］に記載される化合物が挙げられる。

　本発明の組成物が疎水性樹脂を含む場合、疎水性樹脂の含有量は、本発明の組成物の全固形分に対して、０．０１～２０．０質量％が好ましく、０．１～１５．０質量％がより好ましい。
　疎水性樹脂は、１種で使用してもよいし、２種以上使用してもよい。疎水性樹脂を２種以上使用する場合は、それらの合計含有量が、上記好適含有量の範囲内であるのが好ましい。

［界面活性剤］
　本発明の組成物は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤を含むと、密着性により優れ、現像欠陥のより少ないパターンを形成することができる。
　界面活性剤は、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
　フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤としては、国際公開第２０１８／１９３９５４号の段落［０２１８］及び［０２１９］に開示された界面活性剤が挙げられる。

　本発明の組成物が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、本発明の組成物の全固形分に対して、０．０００１～２．０質量％が好ましく、０．０００５～１．０質量％がより好ましく、０．１～１．０質量％が更に好ましい。
　界面活性剤は、１種で使用してもよいし、２種以上使用してもよい。界面活性剤を２種以上使用する場合は、それらの合計含有量が、上記好適含有量の範囲内であるのが好ましい。

［溶剤］
　本発明の組成物は、溶剤を含むことが好ましい。
　溶剤は、（Ｍ１）プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、並びに、（Ｍ２）プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、及びアルキレンカーボネートからなる群より選択される少なくとも１つの少なくとも一方を含んでいることが好ましい。なお、上記溶剤は、成分（Ｍ１）及び（Ｍ２）以外の成分を更に含んでいてもよい。

　上述した溶剤と上述した樹脂とを組み合わせると、本発明の組成物の塗布性の向上、及び、パターンの現像欠陥数の低減の観点で好ましい。上述した溶剤は、上述した樹脂の溶解性、沸点及び粘度のバランスが良いため、レジスト膜の膜厚のムラ及びスピンコート中の析出物の発生等を抑制することができる。
　成分（Ｍ１）及び成分（Ｍ２）の詳細は、国際公開第２０２０／００４３０６号の段落［０２１８］～［０２２６］に記載され、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

　溶剤が成分（Ｍ１）及び（Ｍ２）以外の成分を更に含む場合、成分（Ｍ１）及び（Ｍ２）以外の成分の含有量は、溶剤の全量に対して、５～３０質量％が好ましい。

　本発明の組成物中の溶剤の含有量は、固形分濃度が０．５～３０質量％となるように定めるのが好ましく、１～２０質量％となるように定めることがより好ましい。こうすると、本発明の組成物の塗布性を更に向上させられる。

［その他の添加剤］
　本発明の組成物は、溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び／又は、現像液に対する溶解性を促進させる化合物（例えば、分子量１０００以下のフェノール化合物、又は、カルボキシ基を含む脂環族若しくは脂肪族化合物）を更に含んでいてもよい。

　上記「溶解阻止化合物」とは、酸の作用により分解して有機系現像液中での溶解度が減少する、分子量３０００以下の化合物である。

　本発明の組成物は、特に、ＥＢ露光用又はＥＵＶ露光用感光性組成物として好適に用いられる。

＜感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法＞
　本発明は、本発明の組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性膜にも関する。本発明の感活性光線性又は感放射線性膜はレジスト膜であることが好ましい。
　本発明の組成物を用いたパターン形成方法の手順は特に制限されないが、本発明の組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程（工程１）と、レジスト膜を露光する露光工程（工程２）と、露光されたレジスト膜を現像液を用いて現像する現像工程（工程３）とを含むことが好ましい。
　以下、それぞれの工程の手順について詳述する。

（工程１：レジスト膜形成工程）
　工程１は、本発明の組成物を用いてレジスト膜を形成する工程である。基板上に本発明の組成物を用いてレジスト膜を形成することが好ましい。
　本発明の組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する方法としては、例えば、本発明の組成物を基板上に塗布する方法が挙げられる。
　なお、塗布前に本発明の組成物を必要に応じてフィルター濾過することが好ましい。フィルターのポアサイズは、０．１μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以下がより好ましく、０．０３μｍ以下が更に好ましい。フィルターは、ポリテトラフルオロエチレン製、ポリエチレン製、又は、ナイロン製が好ましい。

　本発明の組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン、二酸化シリコン被覆）上に、スピナー又はコーター等の適当な塗布方法により塗布できる。塗布方法は、スピナーを用いたスピン塗布が好ましい。スピナーを用いたスピン塗布をする際の回転数は、１０００～３０００ｒｐｍ（ｒｏｔａｔｉｏｎｓ　ｐｅｒ　ｍｉｎｕｔｅ）が好ましい。
　本発明の組成物の塗布後、基板を乾燥し、レジスト膜を形成してもよい。なお、必要により、レジスト膜の下層に、各種下地膜（無機膜、有機膜、反射防止膜）を形成してもよい。

　乾燥方法としては、例えば、加熱して乾燥する方法が挙げられる。加熱は通常の露光機、及び／又は、現像機に備わっている手段で実施でき、ホットプレート等を用いて実施してもよい。加熱温度は８０～１５０℃が好ましく、８０～１４０℃がより好ましく、８０～１３０℃が更に好ましい。加熱時間は３０～１０００秒が好ましく、６０～８００秒がより好ましく、６０～６００秒が更に好ましい。

　レジスト膜の膜厚は特に制限されないが、より高精度な微細パターンを形成できる点から、１０～１２０ｎｍが好ましい。なかでも、ＥＢ露光又はＥＵＶ露光とする場合、レジスト膜の膜厚としては、１０～６５ｎｍがより好ましく、１５～５０ｎｍが更に好ましい。ＡｒＦ液浸露光とする場合、レジスト膜の膜厚としては、１０～１２０ｎｍがより好ましく、１５～９０ｎｍが更に好ましい。

　なお、レジスト膜の上層にトップコート組成物を用いてトップコートを形成してもよい。
　トップコート組成物は、レジスト膜と混合せず、更にレジスト膜上層に均一に塗布できることが好ましい。トップコートは、特に限定されず、従来公知のトップコートを、従来公知の方法によって形成でき、例えば、特開２０１４－０５９５４３号公報の段落［００７２］～［００８２］の記載に基づいてトップコートを形成できる。
　例えば、特開２０１３－６１６４８号公報に記載されたような塩基性化合物を含むトップコートを、レジスト膜上に形成することが好ましい。トップコートが含み得る塩基性化合物の具体的な例は、本発明の組成物が含んでいてもよい塩基性化合物が挙げられる。
　トップコートは、エーテル結合、チオエーテル結合、水酸基、チオール基、カルボニル結合、及びエステル結合からなる群より選択される基又は結合を少なくとも１つ含む化合物を含むことも好ましい。

（工程２：露光工程）
　工程２は、レジスト膜を露光する工程である。
　露光の方法としては、形成したレジスト膜に所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射する方法が挙げられる。
　活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、Ｘ線、及び電子線が挙げられ、２５０ｎｍ以下が好ましく、２２０ｎｍ以下がより好ましく、１～２００ｎｍの波長の遠紫外光、具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、ＥＵＶ（１３．５ｎｍ）、Ｘ線、及び電子線が特に好ましい。

　露光後、現像を行う前にベーク（加熱）を行うことが好ましい。ベークにより露光部の反応が促進され、感度及びパターン形状がより良好となる。
　加熱温度は８０～１５０℃が好ましく、８０～１４０℃がより好ましく、８０～１３０℃が更に好ましい。
　加熱時間は１０～１０００秒が好ましく、１０～１８０秒がより好ましく、３０～１２０秒が更に好ましい。
　加熱は通常の露光機及び／又は現像機に備わっている手段で実施でき、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
　この工程は露光後ベークともいう。

（工程３：現像工程）
　工程３は、現像液を用いて、露光されたレジスト膜を現像し、パターンを形成する工程である。
　現像液は、アルカリ現像液であっても、有機溶剤を含有する現像液（以下、有機系現像液ともいう）であってもよい。

　現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静置して現像する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、及び一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）が挙げられる。
　また、現像を行う工程の後に、他の溶剤に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
　現像時間は未露光部の樹脂が十分に溶解する時間であれば特に制限はなく、１０～３００秒が好ましく、２０～１２０秒がより好ましい。
　現像液の温度は０～５０℃が好ましく、１５～３５℃がより好ましい。

　アルカリ現像液は、アルカリを含むアルカリ水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の種類は特に制限されないが、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される４級アンモニウム塩、無機アルカリ、１級アミン、２級アミン、３級アミン、アルコールアミン、又は、環状アミン等を含むアルカリ水溶液が挙げられる。中でも、アルカリ現像液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）に代表される４級アンモニウム塩の水溶液であることが好ましい。アルカリ現像液には、アルコール類、界面活性剤等を適当量添加してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常、０．１～２０質量％であることが好ましい。アルカリ現像液のｐＨは、通常、１０．０～１５．０であることが好ましい。

　有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含有する現像液であることが好ましい。

　上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤又は水と混合してもよい。現像液全体としての含水率は、５０質量％未満が好ましく、２０質量％未満がより好ましく、１０質量％未満が更に好ましく、実質的に水分を含有しないのが特に好ましい。
　有機系現像液に対する有機溶剤の含有量は、現像液の全量に対して、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、８０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、９０質量％以上１００質量％以下が更に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下が特に好ましい。

（他の工程）
　上記パターン形成方法は、工程３の後に、リンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。

　アルカリ現像液を用いて現像する工程の後のリンス工程に用いるリンス液としては、例えば、純水が挙げられる。なお、純水には、界面活性剤を適当量添加してもよい。
　リンス液には、界面活性剤を適当量添加してもよい。

　有機系現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液は、パターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用できる。リンス液は、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。

　リンス工程の方法は特に限定されず、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、及び基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）が挙げられる。
　また、パターン形成方法は、リンス工程の後に加熱工程（Ｐｏｓｔ　Ｂａｋｅ）を含んでいてもよい。本工程により、ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。また、本工程により、レジストパターンがなまされ、パターンの表面荒れが改善される効果もある。リンス工程の後の加熱工程は、通常４０～２５０℃（好ましくは９０～２００℃）で、通常１０秒間～３分間（好ましくは３０秒間～１２０秒間）行う。

　また、形成されたパターンをマスクとして、基板のエッチング処理を実施してもよい。つまり、工程３にて形成されたパターンをマスクとして、基板（又は、下層膜及び基板）を加工して、基板にパターンを形成してもよい。
　基板（又は、下層膜及び基板）の加工方法は特に限定されないが、工程３で形成されたパターンをマスクとして、基板（又は、下層膜及び基板）に対してドライエッチングを行うことにより、基板にパターンを形成する方法が好ましい。ドライエッチングは、酸素プラズマエッチングが好ましい。

　本発明の組成物、及びパターン形成方法において使用される各種材料（例えば、溶剤、現像液、リンス液、反射防止膜形成用組成物、トップコート形成用組成物等）は、金属等の不純物を含まないことが好ましい。これら材料に含まれる不純物の含有量は、１質量ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｍｉｌｌｉｏｎ）以下が好ましく、１０質量ｐｐｂ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｂｉｌｌｉｏｎ）以下がより好ましく、１００質量ｐｐｔ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｔｒｉｌｌｉｏｎ）以下が更に好ましく、１０質量ｐｐｔ以下が特に好ましく、１質量ｐｐｔ以下が最も好ましい。下限は特に制限させず、０質量ｐｐｔ以上が好ましい。ここで、金属不純物としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、及びＺｎが挙げられる。

　各種材料から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルターを用いた濾過が挙げられる。フィルターを用いた濾過の詳細は、国際公開第２０２０／００４３０６号の段落［０３２１］に記載される。

　各種材料に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、例えば、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する方法、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う方法、及び装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う方法が挙げられる。

　フィルター濾過の他、吸着材による不純物の除去を行ってもよく、フィルター濾過と吸着材とを組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を使用でき、例えば、シリカゲル及びゼオライト等の無機系吸着材、並びに、活性炭等の有機系吸着材を使用できる。上記各種材料に含まれる金属等の不純物を低減するためには、製造工程における金属不純物の混入を防止する必要がある。製造装置から金属不純物が十分に除去されたかどうかは、製造装置の洗浄に使用された洗浄液中に含まれる金属成分の含有量を測定して確認できる。使用後の洗浄液に含まれる金属成分の含有量は、１００質量ｐｐｔ以下が好ましく、１０質量ｐｐｔ以下がより好ましく、１質量ｐｐｔ以下が更に好ましい。下限は特に制限させず、０質量ｐｐｔ以上が好ましい。

　リンス液等の有機系処理液には、静電気の帯電、引き続き生じる静電気放電に伴う、薬液配管及び各種パーツ（フィルター、Ｏ－リング、及び、チューブ等）の故障を防止するため、導電性の化合物を添加してもよい。導電性の化合物は特に制限されないが、例えば、メタノールが挙げられる。添加量は特に制限されないが、好ましい現像特性又はリンス特性を維持する点で、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。下限は特に制限させず、０．０１質量％以上が好ましい。
　薬液配管としては、例えば、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、又は、帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、若しくは、フッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、又は、パーフルオロアルコキシ樹脂等）で被膜された各種配管を使用できる。フィルター及びＯ－リングに関しても同様に、帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、又は、フッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、又は、パーフルオロアルコキシ樹脂等）を使用できる。

＜電子デバイスの製造方法＞
　本明細書は、上記したパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及びこの製造方法により製造された電子デバイスにも関する。
　本明細書の電子デバイスの好適態様としては、電気電子機器（家電、ＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ　Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）、メディア関連機器、光学用機器及び通信機器等）に搭載される態様が挙げられる。

　以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び、処理手順は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

　実施例及び比較例のレジスト組成物に用いた各種成分について以下に示す。

＜樹脂（Ａ）＞
　樹脂（Ａ）として、Ａ－１～Ａ－６を用いた。Ａ－１～Ａ－６の構造式、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を以下に示す。下記繰り返し単位の含有比率（樹脂中の全繰り返し単位に対する含有量）はモル比率である。Ｍｗ及びＭｗ／ＭｎはＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））により測定した（ポリスチレン換算量である）。また、繰り返し単位の含有量は、^１３Ｃ－ＮＭＲ（ｎｕｃｌｅａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）により測定した。
　Ａ－６は光酸発生基を有する繰り返し単位を含むため、酸発生剤（Ｃ）にも該当するが、下記表１では、Ａ－６を樹脂（Ａ）の欄にのみ記載し、酸発生剤（Ｃ）の欄には記載していない。

＜樹脂（Ｂ）＞
　樹脂（Ｂ）として、Ｂ－１～Ｂ－１５を用いた。また、樹脂（Ｂ）ではない樹脂として、ＢＸ－１～Ｂ－Ｘ４を用いた。便宜的に、下記表１ではＢＸ－１～Ｂ－Ｘ４も樹脂（Ｂ）の欄に記載する。Ｂ－１～Ｂ－１５、及びＢＸ－１～Ｂ－Ｘ４の構造式、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を以下に示す。下記繰り返し単位の含有比率（樹脂中の全繰り返し単位に対する含有量）はモル比率である。Ｍｗ及びＭｗ／ＭｎはＧＰＣ（キャリア：ＴＨＦ）により測定した（ポリスチレン換算量である）。また、繰り返し単位の含有量は、^１３Ｃ－ＮＭＲにより測定した。

［樹脂Ｂ－１の合成］

　まず、８．９８ｇの化合物（Ｂｉｓ－Ｃｍ）と、２．８３ｇの化合物（ＨＦＩ－ＭＡ）と、０．６９ｇの重合開始剤Ｖ－６０１（富士フイルム和光純薬（株）製）とを、１９．９４ｇのシクロヘキサノンに溶解させた。反応容器中に８．２９ｇのシクロヘキサノンを入れ、窒素ガス雰囲気下、８０℃の系中に６時間かけて滴下した。反応溶液を２時間に亘って加熱撹拌した後、これを室温まで放冷した。
　上記反応溶液を、２７６ｇのメタノール／水＝５／５（質量比）中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。４０ｇのメタノール／水＝５／５（質量比）を用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。その後、洗浄後の固体を減圧乾燥に供して、６．４０ｇの樹脂Ｂ－１を得た。
　得られた樹脂Ｂ－１の重量平均分子量は６３００、組成比はＢｉｓ－Ｃｍ由来の繰り返し単位／ＨＦＩ－ＭＡ由来の繰り返し単位＝７０／３０（モル比率）であった。

＜酸発生剤（Ｃ）＞
　酸発生剤（Ｃ）として、下記構造式で表されるＣ－１～Ｃ－３を用いた。Ｃ－１～Ｃ－３は光酸発生剤である。活性光線又は放射線の照射によりＣ－１～Ｃ－３から発生する酸（発生酸）のｐＫａを以下に示す。
　Ｃ－１からの発生酸のｐＫａ＝－０．２０
　Ｃ－２からの発生酸のｐＫａ＝－０．２０
　Ｃ－３からの発生酸のｐＫａ＝－３．３

＜酸拡散制御剤（Ｄ）＞
　酸拡散制御剤（Ｄ）として、下記構造式で表されるＤ－１～Ｄ－４を用いた。Ｄ－１～Ｄ－３は、活性光線又は放射線の照射により酸発生剤（Ｃ）からの発生酸よりも弱い酸を発生する化合物である。Ｄ－１～Ｄ－３から発生する酸（発生酸）、及びＤ－４の共役酸のｐＫａを以下に示す。
　Ｄ－１からの発生酸のｐＫａ＝４．７９
　Ｄ－２からの発生酸のｐＫａ＝１．３０
　Ｄ－３からの発生酸のｐＫａ＝３．０１
　Ｄ－４の共役酸のｐＫａ＝５．４０

＜溶剤＞
　使用した溶剤を以下に示す。
　ＨＢＭ：２－ヒドロキシイソ酪酸メチル
　ＤＡＡ：ジアセトンアルコール
　ＥＬ：乳酸エチル
　ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
　ＰＧＭＥ：プロピレングリコールモノメチルエーテル
　ｒＢＬ：γ－ブチロラクトン

＜レジスト組成物の調製＞
　表１に示す溶剤以外の各成分（固形分）を、表１に示す含有量（質量％）で使用し、表１に示す溶剤と混合して溶液を得た。各成分の含有量は、レジスト組成物の全固形分に対する質量比率（質量％）である。得られた溶液を０．０２μｍのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、レジスト組成物Ｒ－１～Ｒ－１６、ＲＸ－１～ＲＸ－４を得た。全てのレジスト組成物の固形分濃度は３．０質量％に調整した。固形分とは、溶剤以外の全ての成分を意味する。表１には、使用した溶剤の種類とその質量比を記載した。
　レジスト組成物Ｒ－１４では、酸発生剤（Ｃ）として、Ｃ－１及びＣ－２の２種の化合物を、Ｃ－２／Ｃ－１＝１／１（質量比）で合計１５．０質量％使用した。

　下記表２に、Ｑｐ、Ｔ_Ｃ、Ｗ_Ｂ／Ｑｐ、Ｒａ、Ｐ_Ｂ、及びＦ_Ｂを記載した。
　Ｑｐは、前述のとおり、レジスト組成物に含まれる酸拡散制御剤（Ｄ）の総物質量を、レジスト組成物に含まれるカチオンの総物質量で割った値である。
　Ｔ_Ｃは、前述のとおり、レジスト組成物の全固形分の１ｇ当たりの酸発生剤（Ｃ）の総物質量（ｍｍｏｌ）である。表２中のＴ_Ｃの単位は「ｍｍｏｌ／ｇ」である。
　Ｗ_Ｂ／Ｑｐは、前述のとおり、レジスト組成物に含まれる樹脂（Ｂ）の質量基準の含有比率Ｗ_Ｂ（質量％）を、Ｑｐで割った値である。表２中のＷ_Ｂ／Ｑｐの単位は「質量％」である。
　Ｒａは、前述のとおり、樹脂（Ｂ）のハンセン溶解度パラメーターと空気のハンセン溶解度パラメーターの間の距離である。Ｒａは、ＨＳＰ値の計算ソフトウェアであるＨＳＰｉＰ（４ｔｈ　ｅｄｉｔｉｏｎ　４．１．０７）を用い、Ｙ－ＭＢ法により算出した樹脂（Ｂ）のハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ_１）と、ＨＳＰｉＰの説明書（ｖｅｒ．４　ｅ－Ｂｏｏｋ　Ｃｈａｐｔｅｒ１９）内に記載の窒素及び酸素のＨＳＰを加重平均することにより算出した空気のハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ_２）（１２．４６、０、０）を用い、前述の式（２）により算出した値である。表２中のＲａの単位は「ＭＰａ^０．５」である。
　Ｐ_Ｂは、前述のとおり、樹脂（Ｂ）に含まれる各繰り返し単位のＣｌｏｇＰに各繰り返し単位のモル分率を乗じた値の総和であり、前述の方法で求めたものである。
　Ｆ_Ｂは、前述のとおり、樹脂（Ｂ）に含まれる各繰り返し単位中のフッ素原子の数を全ての原子の数で割った値に各繰り返し単位のモル分率を乗じた値の総和である。表２中のＦ_Ｂの単位は「モル％」である。
　ただし、樹脂ＢＸ－４についてはＲａ、Ｐ_Ｂ、及びＦ_Ｂを算出していない。

＜レジスト組成物の塗設＞
　調製したレジスト組成物を、予めヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理を施した６インチＳｉ（シリコン）ウェハ上に東京エレクトロン製スピンコーターＭａｒｋ８を用いて塗布し、１３０℃、３００秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚１００ｎｍのレジスト膜を得た。
　なお、上記Ｓｉウェハをクロム基板に変更しても、同様の結果が得られるものである。

＜パターン形成方法（１）：ＥＢ露光、アルカリ現像（ポジ）＞
　上記で得られたレジスト膜が塗布されたウェハを、電子線描画装置（（株）アドバンテスト製；Ｆ７０００Ｓ、加速電圧５０ｋｅＶ）を用いて、パターン照射を行った。電子線描画後、１００℃、６０秒ホットプレート上で加熱し、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて６０秒間浸漬した後、３０秒間、水でリンスして乾燥した。その後、４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間ウェハを回転させた後、９５℃で６０秒間ベークを行い乾燥した。

［評価］
〔解像性〕
　得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡（日立製作所製Ｓ－９３８０ＩＩ）を用いて観察した。幅５０ｎｍの溝を有するピッチ３００ｎｍのトレンチパターン（孤立スペース）のレジストパターンを解像するときの露光量（電子線照射量）を感度（Ｅｏｐ）とした。
　上記の感度を示す露光量における限界解像力（解像する最小の溝の幅）を解像性（ｎｍ）とした。この値が小さいほど、解像性が高い。

　下記表２に、各実施例及び比較例で使用したレジスト組成物と、各実施例及び比較例の結果を示す。

　表２の結果から、実施例で用いたレジスト組成物は解像性に優れることが分かった。
　ＥＢ露光としてマルチビームを用いた場合でも上記と同様の結果が得られた。

　本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
　本出願は、２０２２年１０月１４日出願の日本特許出願（特願２０２２－１６５３７３）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

Claims

　酸分解性基及びフェノール性水酸基を含む樹脂（Ａ）、酸分解性基を含まない樹脂（Ｂ）、酸発生剤（Ｃ）及び酸拡散制御剤（Ｄ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
　前記樹脂（Ｂ）は、親水基及びフッ素原子を有する繰り返し単位（ｂ１）を含み、
　前記繰り返し単位（ｂ１）中の前記親水基及び前記フッ素原子は、前記樹脂（Ｂ）の主鎖に共有結合で結合しているか、又は前記樹脂（Ｂ）の主鎖に共有結合で結合している側鎖に共有結合で結合しており、
　前記樹脂（Ｂ）は、アンモニウム塩構造を含まない、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　前記酸発生剤（Ｃ）の総量が、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対して０．４０ｍｍｏｌ／ｇ以上１．５０ｍｍｏｌ／ｇ以下である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれる前記酸拡散制御剤（Ｄ）の総物質量を、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれるカチオンの総物質量で割った値であるＱｐが、０．４０以上１．００以下である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　前記樹脂（Ｂ）に含まれる各繰り返し単位のＣｌｏｇＰに各繰り返し単位のモル分率を乗じた値の総和が、０以下である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　前記樹脂（Ｂ）のハンセン溶解度パラメーターと空気のハンセン溶解度パラメーターの間の距離Ｒａが、３５ＭＰａ^０．５以下である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　前記樹脂（Ｂ）に含まれる各繰り返し単位中のフッ素原子の数を全ての原子の数で割った値に各繰り返し単位のモル分率を乗じた値の総和が、１０モル％以上である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれる前記樹脂（Ｂ）の質量基準の含有量比率Ｗ_Ｂを、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれる前記酸拡散制御剤（Ｄ）の総物質量を前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれるカチオンの総物質量で割った値であるＱｐで割った値であるＷ_Ｂ／Ｑｐが２０質量％未満である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　前記繰り返し単位（ｂ１）が、下記式（Ｔ１）で表される繰り返し単位である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　式（Ｔ１）中、Ｒｐ_１～Ｒｐ_３は各々独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ｌｐ_１は連結基を表す。Ｒｈ_１は親水基を表す。ｎ１及びｎ２は各々独立に１以上の整数を表す。Ｒｈ_１が複数存在する場合、複数のＲｈ_１は同一でも異なっていてもよい。Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、及びＬｐ_１のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。
　前記式（Ｔ１）で表される繰り返し単位が、下記式（Ｔ２）～（Ｔ４）のいずれかで表される繰り返し単位である、請求項８に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　式（Ｔ２）中、Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１は、それぞれ上記式（Ｔ１）中のＲｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１と同じ意味を表す。Ｌｐ_２はアルキレン基、シクロアルキレン基及びアリーレン基からなる群より選ばれる少なくとも１つからなる連結基を表す。Ｒｆ_１及びＲｆ_２は各々独立にフッ素原子又はフッ化アルキル基を表す。ｎ３は１以上の整数を表す。Ｒｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２が複数存在する場合、複数のＲｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒｐ_１～Ｒｐ_３のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。

　式（Ｔ３）中、Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１は、それぞれ上記式（Ｔ１）中のＲｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１と同じ意味を表す。Ａｒｐはアリーレン基を表す。Ｌｐ_３はアルキレン基、シクロアルキレン基、－Ｏ－及び－ＣＯ－からなる群より選ばれる少なくとも１つからなる連結基又は単結合を表す。Ｒｆ_１及びＲｆ_２は各々独立にフッ素原子又はフッ化アルキル基を表す。ｎ３は１以上の整数を表す。Ｒｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２が複数存在する場合、複数のＲｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、Ａｒｐ及びＬｐ_３のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。

　式（Ｔ４）中、Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１は、それぞれ上記式（Ｔ１）中のＲｐ_１～Ｒｐ_３、及びＲｈ_１と同じ意味を表す。ＡＬｐはアルキレン基及びシクロアルキレン基からなる群より選ばれる少なくとも１つからなる連結基を表す。Ｌｐ_４はアリーレン基、－Ｏ－及び－ＣＯ－からなる群より選ばれる少なくとも１つからなる連結基又は単結合を表す。Ｒｆ_１及びＲｆ_２は各々独立にフッ素原子又はフッ化アルキル基を表す。ｎ３は１以上の整数を表す。Ｒｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２が複数存在する場合、複数のＲｈ_１、Ｒｆ_１及びＲｆ_２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒｐ_１～Ｒｐ_３、ＡＬｐ及びＬｐ_４のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。
　前記樹脂（Ａ）が、下記式（Ｓ１）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｓ２）で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１つの繰り返し単位を含む、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　式（Ｓ１）中、Ｒａ_１～Ｒａ_３は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ｌａ_１は単結合又は２価の連結基を表す。Ｒａ_４～Ｒａ_６は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族複素環式基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒａ_４～Ｒａ_６のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。Ｒａ_０は置換基を表す。Ｒａ_０が複数存在する場合、複数のＲａ_０は同一でも異なっていてもよい。Ｒａ_１～Ｒａ_３、Ｌａ_１及びＲａ_０のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。ｎａは０～４の整数を表す。ｍａは０～２の整数を表す。
　式（Ｓ２）中、Ｒａ_７～Ｒａ_９は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ｌａ_２は単結合又は２価の連結基を表す。Ａｒａは芳香環基を表す。Ｒａ_１０～Ｒａ_１２は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族複素環式基、アラルキル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基又はアルケニル基を表す。Ｒａ_１０～Ｒａ_１２のうち少なくとも２つが互いに結合して環を形成してもよい。Ｒａ_９～Ｒａ_１２のうち少なくとも１つがＡｒａと結合してもよい。
　前記樹脂（Ａ）が、下記式（Ｓ３）で表される繰り返し単位を含む、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　式（Ｓ３）中、Ｒ_１０１、Ｒ_１０２及びＲ_１０３は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ_１０２はＡｒ^Ａと結合して環を形成してもよく、その場合のＲ_１０２は単結合又はアルキレン基を表す。Ｌ_Ａは単結合又は２価の連結基を表す。Ａｒ_Ａは芳香環基を表す。ｋは、１～５の整数を表す。
　請求項１～１１のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
　請求項１～１１のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
　前記レジスト膜を露光する露光工程と、
　露光された前記レジスト膜を現像液を用いて現像する現像工程とを含むパターン形成方法。
　請求項１３に記載のパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法。