WO2024063439A1 - 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2024063439A1
WO2024063439A1 PCT/KR2023/013796 KR2023013796W WO2024063439A1 WO 2024063439 A1 WO2024063439 A1 WO 2024063439A1 KR 2023013796 W KR2023013796 W KR 2023013796W WO 2024063439 A1 WO2024063439 A1 WO 2024063439A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gas
substrate
processing method
hard mask
substrate processing
Prior art date
Application number
PCT/KR2023/013796
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
이윤영
손진철
Original Assignee
피에스케이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피에스케이 주식회사 filed Critical 피에스케이 주식회사
Publication of WO2024063439A1 publication Critical patent/WO2024063439A1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H01L21/31122—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching of layers not containing Si, e.g. PZT, Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing method for removing a hard mask film formed on a substrate.
  • semiconductor devices can be manufactured by unit processes of a photolithography process, an etching process, a deposition process, and/or an ion implantation process.
  • the photolithography process is a process of forming a photoresist film on a substrate.
  • the photoresist film can function as a mask pattern that selectively exposes the substrate.
  • a hard mask film may be formed below the photoresist film.
  • the hard mask film can perform functions such as preventing the collapse of the circuit pattern formed on the substrate.
  • the photoresist film and the hard mask film can be sequentially removed from the substrate using a strip method after performing an ion implantation process or an etching process.
  • the resistance of hard mask films to etching is increasing.
  • various impurities eg, carbon
  • the line roughness of the profile of the hard mask film can be improved, and at the same time, resistance to etching can be improved.
  • impurities added to the hard mask film may be oxidized during the process of removing the hard mask film. Oxidized impurities have a very high boiling point and are therefore very difficult to remove in subsequent treatment processes.
  • One object of the present invention is to provide a substrate processing method that can efficiently process a substrate.
  • Another object of the present invention is to provide a substrate processing method capable of efficiently removing a hard mask film formed on a substrate.
  • Another object of the present invention is to provide a substrate processing method that can efficiently remove a hard mask film to which a specific material has been added while minimizing damage to the insulating film formed on the substrate.
  • a substrate processing method includes a first step of supplying a process gas to a chamber, the process gas is excited and reacts with a specific film formed on the substrate to generate a reactant, supplying a dissociation gas to the chamber, A second step may be included in which the dissociation gas is excited to remove the reactant from the substrate.
  • the process gas is a first gas that reacts with the specific film formed on the substrate, and reacts with the surface of the film formed on the substrate to form a protective film on the surface or to etch the specific film. It may contain a second gas.
  • the dissociation gas may further remove the protective film from the substrate.
  • the first step and the second step are performed sequentially in one cycle and may be repeated multiple times.
  • the first gas may include CF 4 , SF 6 , Cl 2 , or HBr
  • the second gas may include O 2
  • the dissociation gas may include an inert gas
  • the reactant may be volatilized at a set temperature in the range of 100 to 150 degrees Celsius.
  • the chuck that supports the substrate in the chamber is maintained at the set temperature, and in the second step, bias power may be applied to the chuck.
  • the second step may be performed prior to the first step.
  • the specific film may be a hard mask film.
  • the hard mask layer may include an additive containing tungsten and a carbon layer.
  • a substrate processing method includes supplying a first gas to a chamber, exciting the first gas and reacting with the hard mask film formed on the substrate to generate a reactant, and supplying the first gas and the first gas to the chamber.
  • a different second gas is supplied, and the second gas is excited to etch the hard mask film or react with an insulating film formed on the substrate to create a protective film on the surface of the insulating film, and the first gas and the second gas are simultaneously It may be supplied to the chamber.
  • the reactant may be volatilized and removed from the substrate at a set temperature in the range of 100 to 150 degrees Celsius.
  • the temperature within the chamber may be maintained at the set temperature
  • a dissociation gas different from the first gas and the second gas is supplied to the chamber, and the dissociation gas is excited to produce the The reactant and the protective film can be removed from the substrate.
  • the method is performed in one cycle of supplying the dissociation gas after supplying the first gas and the second gas, and the cycle may be repeated a plurality of times.
  • a dissociation gas different from the first gas and the second gas may be supplied to the chamber.
  • the first gas may include CF 4 , SF 6 , Cl 2 , or HBr
  • the second gas may include O 2
  • the dissociation gas may include an inert gas
  • the hard mask layer may include an additive containing tungsten and a carbon layer.
  • the present invention provides a method for processing a substrate including an insulating film in which nitride films and oxide films are alternately stacked, and a hard mask film stacked on top of the insulating film.
  • a first gas containing CF 4 , SF 6 , Cl 2 , or HBr is excited in a chamber and reacts with the hard mask film formed on the substrate to generate a reactant, and O 2
  • a main strip step in which a second gas containing is excited in the chamber to etch the hard mask layer or react with the surface of the insulating layer to create a protective layer;
  • an over strip step of removing the reactant and the protective film from the substrate by supplying a dissociation gas containing an inert gas to the chamber while applying bias power to a chuck that supports the substrate within the chamber.
  • the hard mask film may include a carbon layer to which additives and tungsten are added.
  • the reactant may be volatilized at a set temperature in the range of 100 to 150 degrees Celsius.
  • a substrate can be processed efficiently.
  • the hard mask film formed on the substrate can be efficiently removed.
  • the hard mask film to which a specific material has been added can be efficiently removed while minimizing damage to the insulating film formed on the substrate.
  • a substrate is processed to satisfy high selectivity characteristics using a hard mask film to which a specific material has been added, and the hard mask film to which a specific material has been added can be easily removed from the substrate. .
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus in which a substrate processing method according to an embodiment of the present invention is performed.
  • Figure 2 is a diagram schematically showing a substrate being processed in a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 3 is a flow chart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a substrate processed in the main strip step according to an embodiment of FIG. 3.
  • Figure 5 is an enlarged view of part A of Figure 4.
  • FIG. 6 is a table showing the characteristics of reactants produced in the main strip step according to an embodiment of FIG. 3.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing a substrate processed in the over stripping step according to the embodiment of FIG. 3.
  • Figure 8 is an enlarged view of part B of Figure 7.
  • FIG. 9 is a flow chart of a substrate processing method according to another embodiment of FIG. 3.
  • first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another component.
  • a first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component without departing from the scope of the present invention.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus in which a substrate processing method according to an embodiment of the present invention is performed.
  • a substrate processing method according to an embodiment of the present invention may be performed in the substrate processing apparatus 1.
  • the substrate processing apparatus 1 may perform a predetermined process on the substrate W using plasma.
  • the substrate W processed in the substrate processing apparatus 1 according to one embodiment may have the photoresist film removed.
  • the substrate processing apparatus 1 can strip a thin film on the substrate W.
  • the thin film may be of various types, such as an oxide film, a nitride film, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a polysilicon film, and a hard mask film.
  • the thin film may be a natural oxide film or a chemically created oxide film.
  • the substrate processing apparatus 1 may strip the hard mask film formed on the substrate W. A detailed description of the substrate W processed in the substrate processing apparatus 1 will be described later.
  • the substrate processing apparatus 1 may include a processing unit 10 and a plasma generating unit 20.
  • the processing unit 10 the substrate W is processed. Additionally, plasma is generated in the plasma generator 20.
  • the processing unit 10 may include a housing 100 and a chuck 120.
  • Housing 100 has a processing space 101 .
  • the processing space 101 functions as a space for processing the substrate W.
  • a substrate W may be located in the processing space 101 .
  • the housing 100 may be connected to a plasma chamber 200, which will be described later.
  • the upper part of the housing 100 may be open. Accordingly, the processing space 101 is connected to the plasma generation space 201, which will be described later.
  • an exhaust unit (not shown) may be connected to the housing 100.
  • the atmosphere within the processing space 101 may be exhausted to the outside of the processing space 101 by an exhaust unit (not shown).
  • Chuck 120 is located within processing space 101.
  • Chuck 120 supports the substrate (W).
  • the chuck 120 may be an ESC that supports the substrate W using electrostatic force.
  • a heater, not shown may be placed inside the chuck 120.
  • a heater (not shown) may heat the chuck 120.
  • a heater (not shown) may heat the chuck 120 and increase the temperature of the substrate W supported on the chuck 120.
  • the chuck 120 may receive voltage from a power application module (not shown). According to one embodiment, a bias voltage may be applied from a power application module (not shown).
  • Plasma is generated in the plasma generator 20.
  • the plasma generator 20 may include a plasma chamber 200, a gas supply unit 220, and a plasma source (not shown).
  • the plasma chamber 200 has an internal space.
  • the internal space may function as a plasma generation space 201 where plasma is generated.
  • the plasma chamber 200 may have an open top and bottom surface.
  • the open lower surface of the plasma chamber 200 is connected to the processing space 101 described above.
  • the open upper surface of the plasma chamber 200 may be sealed by the gas supply port 210.
  • the gas supply unit 220 may be connected to the gas supply port 210. Accordingly, the gas supply unit 220 may supply gas to the plasma generation space 201.
  • the gas supplied to the plasma generation space 201 may be excited by a plasma source (not shown), which will be described later.
  • the gas supply unit 220 may supply process gas and dissociation gas.
  • the process gas may include a first gas and a second gas.
  • the first gas may be a gas that chemically reacts with a specific film formed on the substrate W.
  • the specific film formed on the substrate W may be a hard mask film.
  • the first gas may include CF 4 , SF 6 , Cl 2 , or HBr. That is, the first gas may include a halogen-based gas.
  • the second gas may be a gas that etches a specific film (eg, a hard mask film) formed on the substrate W. Additionally, the second gas may be a gas that chemically reacts with thin films formed on the substrate W. For example, the second gas may be a gas that reacts with the insulating film formed on the substrate W. According to one embodiment, the second gas may include O 2 .
  • the dissociation gas may be a gas that physically reacts with thin films (hard mask film, oxide film, nitride film, etc.) formed on the substrate W.
  • the dissociation gas may physically react with the hard mask film formed on the substrate W.
  • the dissociation gas may physically react with the reactants and protective films described in detail below. That is, the dissociation gas according to one embodiment may be a gas that breaks the bond formed by the compound.
  • the dissociation gas may include an inert gas.
  • the dissociation gas may include hydrogen (H 2 ), deuterium, or tritium, argon (Ar), Xe, Xr, etc.
  • a plasma source (not shown) generates plasma.
  • the plasma source may be an inductively coupled plasma (ICP) consisting of an antenna.
  • ICP inductively coupled plasma
  • CCP capacitively coupled plasma
  • microwave plasma microwave plasma
  • a plasma source may apply high-frequency power to the plasma generation space 201.
  • High frequency power applied to the plasma generation space 201 generates an electric field in the plasma generation space 201.
  • the gas supplied to the plasma generation space 201 may be excited into a plasma state by obtaining energy required for ionization from the electric field generated in the plasma generation space 201.
  • Figure 2 is a diagram schematically showing a substrate being processed in a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
  • the substrate W according to an embodiment of the present invention may be a substrate W on which all processes have been completed.
  • the substrate W according to one embodiment may have the photoresist film removed.
  • thin films may be formed in a multilayer structure on the substrate W.
  • An insulating film 300 and a hard mask film 400, which are interlayer insulating films, may be formed on the substrate W according to one embodiment.
  • An insulating film 300 and a hard mask film 400 may be sequentially stacked on the substrate W according to an embodiment of the present invention.
  • the insulating film 300 may include a silicon oxide film and a silicon nitride film.
  • the insulating film 300 may be stacked on the upper side of the substrate (W).
  • the insulating film 300 may be formed by alternately stacking silicon oxide films and silicon nitride films from bottom to top.
  • it is not limited to this, and may further include a natural oxide film, a chemically generated oxide film, or a polysilicon film.
  • a plurality of pores may be formed in the insulating film 300 to reduce the dielectric constant.
  • the hard mask layer 400 may be positioned on the insulating layer 300 .
  • the hard mask film 400 may include an additive and a carbon layer.
  • tungsten (Wolfram) may be added to the hard mask layer 400 as an additive.
  • boron may be added to the hard mask layer 400 as an additive.
  • the hard mask film 400 according to one embodiment may be boron doped silicon, tungsten ACL, AIOC (ceramic carbon), WBC, etc.
  • Figure 3 is a flow chart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
  • the substrate processing method according to an embodiment described below may be performed in the substrate processing apparatus 1 described with reference to FIG. 1 . Accordingly, hereinafter, the same reference numerals as in FIGS. 1 and 2 are used.
  • the substrate processing method may include a substrate loading step (S10), a stripping step (S30), and a substrate unloading step (S50).
  • the substrate W is loaded into the substrate processing apparatus 1. Specifically, in the substrate loading step (S10), a transfer robot (not shown) brings the substrate W into the processing space 101 and places the substrate W on the upper surface of the chuck 120.
  • the stripping step (S30) may strip a specific film formed on the substrate (W). That is, in the stripping step (S30), the hard mask film 400 formed on the substrate W can be removed.
  • the stripping step (S30) may include a main stripping step (S320) and an over stripping step (S340).
  • the main stripping step (S320) may be referred to as the first step
  • the over stripping step (S340) may be referred to as the second step.
  • the main strip step (S320) and the over strip step (S340) may be performed sequentially. That is, in the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, the over stripping step (S340) can be performed after performing the main stripping step (S320).
  • the main strip step (S320) and the over strip step (S340) can be performed in one cycle.
  • the main strip step (S320) and the over strip step (S340) can be sequentially and repeatedly performed as one cycle.
  • the atmosphere of the processing space 101 may be exhausted. Additionally, the atmosphere of the processing space 101 may be exhausted even after the over-stripping step (S340) is completed.
  • a step (S40) of inspecting whether the processed substrate (W) satisfies the process requirements may be performed. For example, after the main strip step (S320) and the over strip step (S340) are performed sequentially and one cycle is completed, the thickness of the hard mask film formed on the substrate (W) can be inspected. If the thickness of the tested hard mask film does not meet the process requirements, the stripping step (S30) is performed again. Alternatively, if the thickness of the tested hard mask film meets the process requirements, a substrate unloading step (S50) described later is performed.
  • the stripping step (S30) is completed and the substrate unloading step (S50) is performed.
  • the main strip step (S320) and the over strip step (S340) will be described later.
  • the substrate W is unloaded from the processing space 101.
  • a transfer robot (not shown) takes over the substrate W from the chuck 120 and transports the substrate W out of the processing space 101.
  • a subsequent process may be performed on the substrate W taken out from the substrate processing apparatus 1.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a substrate processed in the main strip step according to an embodiment of FIG. 3.
  • Figure 5 is an enlarged view of portion A of Figure 4.
  • FIG. 6 is a table showing the characteristics of reactants produced in the main strip step according to an embodiment of FIG. 3.
  • Process gas is supplied in the main strip step (S320).
  • the first gas (G1) and the second gas (G2) may be excited into a plasma state and supplied to the processing space 101.
  • the temperature of the chuck 120 may be maintained at the set temperature.
  • a heater (not shown) disposed inside the chuck 120 may generate heat to maintain the temperature of the chuck 120 within the range of 100 degrees Celsius to 150 degrees Celsius. More preferably, the temperature of the chuck 120 can be maintained within the range of 100 degrees Celsius to 130 degrees Celsius.
  • the set temperature may be a temperature at which the reactant can be easily volatilized, as will be described in detail below. A detailed description of this will be provided later.
  • the temperature of the processing space 101 may be maintained at the set temperature.
  • the temperature of the processing space 101 may be maintained within the range of 100 degrees Celsius to 150 degrees Celsius. More preferably, the temperature of the processing space 101 can be maintained within the range of 100 degrees Celsius to 130 degrees Celsius.
  • the excited first gas (G1) may be supplied to the processing space (101).
  • the first gas (G1) may include CF 4 , SF 6 , Cl 2 , or HBr. That is, the first gas (G1) may include a halogen-based gas.
  • the first gas G1 supplied to the processing space 101 may react with a specific film formed on the substrate W.
  • the first gas G1 may chemically react with the hard mask film 400 formed on the substrate W.
  • the first gas (G1) and the hard mask layer 400 may react with each other to generate a reactant.
  • the first gas G1 may react with an additive (eg, tungsten) added to the hard mask layer 400.
  • CF 4 gas when CF 4 gas is supplied to the processing space 101, CF 4 gas may react with tungsten added to the hard mask film 400. As a result, reactants such as WF 6 can be produced.
  • the boiling point of WF 6 is 17 degrees Celsius.
  • the temperature of the processing space 101 or the temperature of the chuck 120 is maintained in the range of 100 to 150 degrees Celsius, so the reactant volatilizes after being generated. and can be easily removed from the substrate (W). Accordingly, the additive added to the hard mask film 400 can be easily removed from the substrate (W).
  • the second gas (G2) excited in a plasma state may be supplied to the processing space 101.
  • the second gas (G2) may include O 2 .
  • the first gas (G1) and the second gas (G2) supplied in the main strip step (S320) may be supplied to the processing space 101 at the same time.
  • the second gas G2 supplied to the processing space 101 may etch a specific film formed on the substrate W. According to one embodiment, some of the second gas G2 supplied to the processing space 101 may etch the hard mask layer 400 formed on the substrate W.
  • the hard mask layer 400 may be etched while performing the main strip step (S320). For example, as shown in FIG. 5, the R1 portion of the hard mask layer 400 may be etched while performing the main strip step (S320). Specifically, a portion of the hard mask film 400 formed on the substrate W reacts with the first gas G1 to generate a reactant and is then volatilized and removed from the substrate W. Another part of the formed hard mask layer 400 may be removed from the substrate W by being etched by the excited second gas G2.
  • another portion of the second gas G2 supplied to the processing space 101 in the main stripping step S320 may react with the thin films formed on the substrate W.
  • some of the second gases G2 may chemically react with the surfaces of thin films formed on the substrate W.
  • another part of the second gas G2 may react with the surface of the insulating film 300 formed on the substrate W to generate the protective film 500.
  • O 2 gas which is an example of the second gas G2
  • Si present on the surface of the insulating film 300 may react to generate SiO 2 , which is the protective film 500.
  • the first gas (G1) and the second gas (G2) may be supplied to the processing space 101 at the same time. Accordingly, when CF 4 gas, which is an example of the first gas G1, is supplied to the processing space 101, Si present on the surface of the thin films formed on the substrate W reacts with CF 4 gas, as shown in FIG. 6 SiF 4 or SiCl 2 may be generated. As shown in FIG. 6, such compounds have a very low boiling point and are easily volatilized.
  • the first gas (G1) supplied to the processing space 101 in the main strip step (S320) contributes to easy removal of additives added to the hard mask film 400, but the surface of the insulating film 300 The reaction may cause damage to the insulating film 300.
  • the second gas (G2) is supplied to the processing space 101 to etch and strip the hard mask film 400 and at the same time form a protective film 500 on the surface of the insulating film 300. As a result, damage to the insulating film 300 caused by the first gas G1 can be minimized.
  • a mechanism in which the first gas (G1) and the hard mask film 400 chemically react with each other to generate a reactant, and the second gas (G2) reacts with the hard mask film 400 The etching mechanism and the mechanism in which the second gas G2 chemically reacts with the thin films formed on the substrate W to create the protective film 500 on the surface of the thin films are performed simultaneously without time intervals.
  • the hard mask film 400 is etched by supplying only the second gas (G2) to the processing space 101 without supplying the first gas (G1) to the processing space 101, as shown in FIG. 6
  • compounds with very high melting and boiling points eg, WO 2 , WO 3 , SiO 2 , etc.
  • the produced compound is difficult to remove in subsequent processes due to its high melting and boiling points.
  • a reactant e.g., WF 6
  • the hard mask film 400 can be etched using the second gas (G2), and at the same time, the insulating film 300 and the hard mask film 400 can be etched using the second gas (G2). Excessive etching can be prevented by (G1).
  • the second gas G2 reacts with the surface of the insulating film 300 to generate the protective film 500 on the surface of the insulating film 300 as an example, but the present invention is not limited thereto.
  • the second gas G2 may react with the surface of the hard mask film 400 to create a protective film on the surface of the hard mask film 400.
  • the protective film formed on the surface of the hard mask film 400 can prevent the hard mask film 400 from being excessively etched by the first gas (G1) and/or the second gas (G2).
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing a substrate processed in the over stripping step according to the embodiment of FIG. 3.
  • Figure 8 is an enlarged view of part B of Figure 7.
  • dissociation gas (G3) is supplied.
  • the dissociation gas (G3) excited in a plasma state may be supplied to the processing space 101.
  • the dissociation gas G3 may be a gas that physically reacts with thin films formed on the substrate W.
  • the dissociation gas according to one embodiment may be a gas that breaks bonds formed by compounds.
  • the dissociation gas may include an inert gas.
  • the dissociation gas may include hydrogen (H 2 ), deuterium, or tritium, argon (Ar), Xe, Xr, etc.
  • the dissociation gas may physically react with the hard mask film 400 formed on the substrate W. Additionally, the dissociation gas (G3) may physically react with reactants that have not been volatilized among the reactants generated in the main stripping step (S320). Accordingly, in the over-strip step (S340), the remaining reactants that were not volatilized and removed in the main strip step (S320) can be physically removed. For example, as shown in FIG. 8, the R2 portion of the hard mask layer 400 may be further etched by physical action with the dissociation gas G3 during the over stripping step S340.
  • the dissociation gas G3 may weaken the bonding force between the additives and the carbon layer included in the hard mask film 400 on the substrate W. Additionally, the dissociation gas (G3) may physically react with the protective film 500 created on the surface of the thin films in the main stripping step (S320).
  • a bias voltage may be applied to the chuck 120 (see FIG. 1). Accordingly, the straightness of the dissociation gas (G3) supplied to the processing space 101 in the over-strip step (S340) can be improved. That is, the penetration of the dissociation gas G3 supplied into the processing space 101 in the over-strip step S340 into the substrate W can be improved. Accordingly, physical reactivity between the dissociation gas G3 and thin films (eg, insulating film 300, hard mask film 400, protective film 500, or reactant) formed on the substrate W may be improved. Accordingly, the dissociation gas G3 weakens the bonding force of the thin films formed on the substrate W, so that the thin films can be easily removed.
  • thin films eg, insulating film 300, hard mask film 400, protective film 500, or reactant
  • the above-described main strip step (S320) and over strip step (S340) may each be performed for a short time to minimize damage to the insulating film 300 formed on the substrate (W). Additionally, the main strip step (S320) and the over strip step (S340) may be performed for a short time to prevent the hard mask film 400 formed on the substrate W from being excessively etched. That is, the main strip step (S320) and the over strip step (S340) can each be performed within a few seconds, and one cycle of the main strip step (S320) and the over strip step (S340) can be repeated multiple times. there is.
  • the bonding force between compounds can be weakened and reactants not removed in the main strip step (S320) can be removed, so that the substrate (W )
  • the hard mask film 400 formed on the surface can be efficiently removed.
  • the bonding force of the thin films formed on the substrate (W) can be weakened by using the dissociation gas (G3). Accordingly, when the process requirements are not satisfied after the over-strip step (S340) and the main strip step (S320) is performed again after the over-strip step (S340), the first gas (G1) in the main strip step (S320) And/or a chemical reaction between the second gas G2 and the thin films formed on the substrate W may occur more easily. That is, the over-strip step (S340) can improve the process efficiency in the main strip step (S320), and at the same time, thin films that were not removed in the main strip step (S320) can be reliably removed.
  • CF 4 is used as the first gas (G1) and O 2 is used as the second gas (G2), but the present invention is not limited thereto.
  • the types of the first gas (G1) and the second gas (G2) may vary depending on the type of additive included in the hard mask film 400.
  • FIG. 9 is a flow chart of a substrate processing method according to another embodiment of FIG. 3.
  • the substrate processing method may include a substrate loading step (S10), a pre-processing step (S20), a stripping step (S30), and a substrate unloading step (S50).
  • the substrate loading step (S10), the stripping step (S30), and the substrate unloading step (S50) are the substrate loading step (S10) and the stripping step (S50) according to an embodiment described with reference to FIGS. 3 to 8. Since it is the same or similar to S30) and the substrate unloading step (S50), description of overlapping content will be omitted below.
  • the pre-processing step (S20) may be performed after the substrate loading step (S10). Additionally, the pre-processing step (S20) may be performed before performing the stripping step (S30).
  • the pre-processing step (S20) may supply dissociation gas to the processing space.
  • the dissociation gas according to one embodiment is the same as the dissociation gas supplied to the processing space in the above-described over-strip step (S340). That is, in the pre-processing step (S30), a dissociation gas is supplied to cause a physical action on the thin films formed on the substrate (W). For example, the dissociation gas may physically react with the hard mask film 400 formed on the substrate W.
  • a bias voltage may be applied to the chuck 120.
  • the penetration of the dissociation gas into the substrate W can be improved.
  • penetration into the hard mask film 400 among the thin films formed on the substrate W can be improved. That is, in the pre-processing step (S20), the bonding force of the hard mask film 400 can be preemptively weakened. Accordingly, the hard mask film 400 can be removed more efficiently in the subsequent stripping step (S30).

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은 챔버에 공정 가스를 공급하고, 상기 공정 가스가 여기되어 기판 상에 형성된 특정 막과 반응하여 반응물을 생성하는 제1단계와, 상기 챔버에 해리 가스를 공급하고, 상기 해리 가스가 여기되어 상기 기판으로부터 상기 반응물을 제거하는 제2단계를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 방법
본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 상에 형성된 하드 마스크 막을 제거하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 포토리소그래피 공정, 에칭 공정, 증착 공정 및/또는 이온주입 공정의 단위 공정에 의해 제조될 수 있다. 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하는 공정이다. 포토레지스트 막은 기판을 선택적으로 노출시키는 마스크 패턴으로 기능할 수 있다. 또한, 포토레지스트 막의 하측에는 하드 마스크 막이 형성될 수 있다. 하드 마스크 막은 기판에 형성된 회로 패턴의 붕괴를 막는 등의 기능을 수행할 수 있다. 포토레지스트 막과 하드 마스크 막은 이온주입 공정 또는 에칭 공정을 수행한 이후에 스트립(Strip)과 같은 방법으로 기판으로부터 순차적으로 제거될 수 있다.
에칭 타겟의 증가와 고 선택비를 가지는 미세한 패턴을 요하는 최근의 트랜드에 따라, 하드 마스크 막의 에칭에 대한 내성을 증가시키고 있다. 예컨대, 하드 마스크 막에 다양한 불순물(예컨대, 카본) 등을 첨가하여 하드 마스크 막의 프로파일의 라인 거칠기(Line roughness)를 개선하고, 동시에 에칭에 대한 내성을 향상시킬 수 있다. 다만, 이와 같이 하드 마스크 막에 불순물을 첨가하는 경우, 에칭 공정 등이 완료된 이후에 기판 상에서 하드 마스크 막을 용이하게 제거하기 어렵다. 구체적으로, 하드 마스크 막에 첨가된 불순물은 하드 마스크 막을 제거하는 공정 중 산화될 수 있다. 산화된 불순물은 끓는점이 매우 높게 형성되어 후속 처리 공정에서도 제거하기 매우 어렵다.
또한, 기판 상에서 불순물이 첨가된 하드 마스크 막을 제거하기 위해 더 높은 온도를 형성하고 더 강한 밀도의 플라즈마를 발생시키는 경우, 하드 마스크 막 뿐만 아니라 기판 상에 형성된 절연막도 손상될 가능성이 크다. 기판 상에 고 선택비를 가지도록 형성된 절연막이 손상되는 경우, 기판의 수율이 저하되는 결과로 귀결된다. 또한, 기판 상에 강한 플라즈마를 작용시키더라도, 불순물이 첨가된 하드 마스크 막은 기판으로부터 제거되기 힘들다. 기판에 하드 마스크 막이 잔류하는 경우, 후속 공정을 수행할 때 기판 처리의 효율성이 떨어지는 결과를 야기한다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 형성된 하드 마스크 막을 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 형성된 절연막을 손상시키는 것을 최소화하면서, 특정 물질이 첨가된 하드 마스크 막을 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은 챔버에 공정 가스를 공급하고, 상기 공정 가스가 여기되어 기판 상에 형성된 특정 막과 반응하여 반응물을 생성하는 제1단계와, 상기 챔버에 해리 가스를 공급하고, 상기 해리 가스가 여기되어 상기 기판으로부터 상기 반응물을 제거하는 제2단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 공정 가스는, 상기 기판 상에 형성된 상기 특정 막과 반응하는 제1가스와, 상기 기판 상에 형성된 막의 표면과 반응하여 상기 표면에 보호막을 형성하거나, 상기 특정 막을 식각하는 제2가스를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 해리 가스는 상기 보호막을 상기 기판으로부터 더 제거할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1단계와 상기 제2단계는 하나의 사이클로 순차적으로 수행되고, 복수 회 반복될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1가스는 CF4, SF6, Cl2, 또는 HBr를 포함하고, 상기 제2가스는 O2를 포함하고, 상기 해리 가스는 비활성 가스를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 반응물은 섭씨 100도 내지 150도 범위의 설정 온도에서 휘발될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1단계에서 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 척은 상기 설정 온도로 유지되고, 상기 제2단계에서 상기 척에 바이어스 전력을 인가할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2단계는 상기 제1단계보다 선행하여 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 특정 막은 하드 마스크 막일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 하드 마스크 막은 텅스텐을 포함하는 첨가물과 카본 층을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 형성된 하드 마스크 막을 제거하는 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 챔버에 제1가스를 공급하고, 상기 제1가스가 여기되어 기판 상에 형성된 상기 하드 마스크 막과 반응하여 반응물을 생성하고, 상기 챔버에 상기 제1가스와 상이한 제2가스를 공급하고, 상기 제2가스가 여기되어 상기 하드 마스크 막을 식각하거나 기판 상에 형성된 절연막과 반응하여 상기 절연막의 표면에 보호막을 생성하되, 상기 제1가스와 상기 제2가스는 동시에 상기 챔버로 공급될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 반응물은 섭씨 100도 내지 150도 범위의 설정 온도에서 휘발되어 기판으로부터 제거될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1가스가 상기 챔버로 공급될 때 상기 챔버 내의 온도는 상기 설정 온도로 유지될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 챔버로 상기 제1가스와 상기 제2가스를 공급한 이후, 상기 챔버에 상기 제1가스 및 상기 제2가스와 상이한 해리 가스를 공급하고, 상기 해리 가스가 여기되어 상기 기판으로부터 상기 반응물 및 상기 보호막을 제거할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 방법은, 상기 제1가스 및 상기 제2가스를 공급한 이후, 상기 해리 가스를 공급하는 일 사이클로 수행되고, 상기 사이클은 복수 회로 반복될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 챔버로 상기 제1가스와 상기 제2가스를 공급하기 이전에, 상기 챔버에 상기 제1가스 및 상기 제2가스와 상이한 해리 가스를 공급할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1가스는 CF4, SF6, Cl2, 또는 HBr를 포함하고, 상기 제2가스는 O2를 포함하고, 상기 해리 가스는 비활성 가스를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 하드 마스크 막은 텅스텐을 포함하는 첨가물과 카본 층을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 질화막과 산화막이 교대로 적층된 절연막과, 상기 절연막의 상측에 적층된 하드 마스크 막을 포함하는 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, CF4, SF6, Cl2, 또는 HBr를 포함하는 제1가스가 챔버에서 여기되어 기판 상에 형성된 상기 하드 마스크 막과 반응하여 반응물을 생성하고, O2를 포함하는 제2가스가 상기 챔버에서 여기되어 상기 하드 마스크 막을 식각하거나 상기 절연막의 표면과 반응하여 보호막을 생성하는 메인 스트립 단계; 및 상기 메인 스트립 단계 이후, 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 척에 바이어스 전력을 인가하면서 비활성 가스를 포함하는 해리 가스를 상기 챔버에 공급하여 상기 기판으로부터 상기 반응물 및 상기 보호막을 제거하는 오버 스트립 단계를 포함하되, 상기 하드 마스크 막은 첨가물과 텅스텐이 첨가된 카본 층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 반응물은 섭씨 100도 내지 150도 범위의 설정 온도에서 휘발될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 상에 형성된 하드 마스크 막을 효율적으로 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 상에 형성된 절연막을 손상시키는 것을 최소화하면서, 특정 물질이 첨가된 하드 마스크 막을 효율적으로 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 특정 물질이 첨가된 하드 마스크 막을 이용하여 고 선택비의 특성을 만족하도록 기판을 처리하되, 특정 물질이 첨가된 하드 마스크 막을 기판으로부터 용이하게 제거할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법이 수행되는 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에서 처리되는 기판의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트이다.
도 4는 도 3의 일 실시예에 따른 메인 스트립 단계에서 처리되는 기판의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 A 부분에 대한 확대도이다.
도 6은 도 3의 일 실시예에 따른 메인 스트립 단계에서 생성되는 반응물의 특성을 보여주는 표이다.
도 7은 도 3의 일 실시예에 따른 오버 스트립 단계에서 처리되는 기판의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 B 부분에 대한 확대도이다.
도 9는 도 3의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법이 수행되는 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)에서는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법이 수행될 수 있다.
일 실시예에 의한 기판 처리 장치(1)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행할 수 있다. 일 실시예에 의한 기판 처리 장치(1)에서 처리되는 기판(W)은 포토레지스트 막이 제거된 상태일 수 있다.
일 실시예에 의한 기판 처리 장치(1)는 기판(W) 상의 박막을 스트립(Strip)할 수 있다. 박막은 산화막, 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 폴리 실리콘막, 그리고 하드 마스크 막 등 다양한 종류의 막일 수 있다. 선택적으로, 박막은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(1)는 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크 막을 스트립 할 수 있다. 기판 처리 장치(1)에서 처리되는 기판(W)에 대한 상세한 설명은 후술한다.
기판 처리 장치(1)는 처리부(10)와 플라즈마 발생부(20)를 포함할 수 있다. 처리부(10)에서는 기판(W)이 처리된다. 또한, 플라즈마 발생부(20)에서는 플라즈마가 발생한다.
처리부(10)는 하우징(100)과 척(120)을 포함할 수 있다. 하우징(100)은 처리 공간(101)을 가진다. 처리 공간(101)은 기판(W)을 처리하는 공간으로 기능한다. 처리 공간(101)에는 기판(W)이 위치할 수 있다. 하우징(100)은 후술하는 플라즈마 챔버(200)와 연결될 수 있다. 하우징(100)의 상부는 개방될 수 있다. 이에, 처리 공간(101)은 후술하는 플라즈마 발생 공간(201)과 연결된다. 또한, 하우징(100)에는 도시되지 않은 배기 유닛이 연결될 수 있다. 처리 공간(101) 내의 분위기는 배기 유닛(미도시)에 의해 처리 공간(101)의 외부로 배기될 수 있다.
척(120)은 처리 공간(101) 내에 위치한다. 척(120)은 기판(W)을 지지한다. 척(120)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 ESC일 수 있다. 척(120)의 내부에는 도시되지 않은 히터가 배치될 수 있다. 히터(미도시)는 척(120)을 가열시킬 수 있다. 히터(미도시)는 척(120)을 가열하고, 척(120)에 지지된 기판(W)의 온도를 승온시킬 수 있다. 또한, 척(120)은 도시되지 않은 전원 인가 모듈로부터 전압을 인가받을 수 있다. 일 실시예에 의하면, 전원 인가 모듈(미도시)로부터 바이어스(bias) 전압을 인가받을 수 있다.
플라즈마 발생부(20)에서는 플라즈마가 발생한다. 플라즈마 발생부(20)는 플라즈마 챔버(200), 가스 공급 유닛(220), 그리고 플라즈마 소스(미도시)를 포함할 수 있다.
플라즈마 챔버(200)는 내부 공간을 가진다. 내부 공간은 플라즈마가 발생하는 플라즈마 발생 공간(201)으로 기능할 수 있다. 플라즈마 챔버(200)는 상면과 하면이 개방된 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(200)의 개방된 하면은 전술한 처리 공간(101)과 연결된다. 플라즈마 챔버(200)의 개방된 상면은 가스 공급 포트(210)에 의해 밀폐될 수 있다.
가스 공급 유닛(220)은 가스 공급 포트(210)와 연결될 수 있다. 이에, 가스 공급 유닛(220)은 플라즈마 발생 공간(201)으로 가스를 공급할 수 있다. 플라즈마 발생 공간(201)으로 공급된 가스는 후술하는 플라즈마 소스(미도시)에 의해 여기될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 가스 공급 유닛(220)은 공정 가스와 해리 가스를 공급할 수 있다. 공정 가스는 제1가스와 제2가스를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제1가스는 기판(W) 상에 형성된 특정 막과 화학적으로 반응하는 가스일 수 있다. 예컨대, 기판(W) 상에 형성된 특정 막이란, 하드 마스크 막일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1가스는 CF4, SF6, Cl2, 또는 HBr을 포함할 수 있다. 즉, 제1가스는 할로겐(Halogen) 계열의 가스를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제2가스는 기판(W) 상에 형성된 특정 막(예컨대, 하드 마스크 막)을 식각하는 가스일 수 있다. 또한, 제2가스는 기판(W) 상에 형성된 박막들과 화학적으로 반응하는 가스일 수 있다. 예컨대, 제2가스는 기판(W) 상에 형성된 절연막과 반응하는 가스일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제2가스는 O2를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 해리 가스는 기판(W) 상에 형성된 박막들(하드 마스크 막, 산화막, 질화막 등)과 물리적으로 반응하는 가스일 수 있다. 예컨대, 해리 가스는 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크 막과 물리적으로 반응할 수 있다. 또한, 해리 가스는 이하에서 상술하는 반응물 및 보호막과 물리적으로 반응할 수 있다. 즉, 일 실시예에 의한 해리 가스는 화합물이 이루는 결속을 끊는 가스일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 해리 가스는 비활성 가스를 포함할 수 있다. 예컨대, 해리 가스는 수소(H2), 듀테륨(Deuterium), 또는 삼중 수소(Tritium), 아르곤(Ar), Xe, Xr 등을 포함할 수 있다.
플라즈마 소스(미도시)는 플라즈마를 발생시킨다. 일 실시예에 의하면, 플라즈마 소스(미도시)는 안테나로 구성된 유도 결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP)일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고 용량 결합형 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma, CCP), 마이크로파 플라즈마(Microwave Plasma) 등 플라즈마를 발생시킬 수 있는 다양한 장치로 변형될 수 있다.
플라즈마 소스(미도시)는 플라즈마 발생 공간(201)에 고주파 전력을 인가할 수 있다. 플라즈마 발생 공간(201)에 인가된 고주파 전력은 플라즈마 발생 공간(201)에 전계(Electronic Field)를 발생시킨다. 플라즈마 발생 공간(201)에 공급된 가스는 플라즈마 발생 공간(201)에 발생한 전계로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에서 처리되는 기판의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판(W)은 전 공정의 수행이 완료된 기판(W)일 수 있다. 전술한 바와 같이, 일 실시예에 의한 기판(W)은 포토레지스트 막이 제거된 상태일 수 있다. 일 실시예에 의한, 기판(W) 상에는 박막들이 다층 구조로 형성될 수 있다. 일 실시예에 의한 기판(W) 상에는 층간 절연막인 절연막(300)과 하드 마스크 막(400)이 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 의한 기판(W) 상에는 절연막(300)과 하드 마스크 막(400)이 순차적으로 적층될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 절연막(300)은 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 포함할 수 있다. 절연막(300)은 기판(W)의 상측에 적층될 수 있다. 예컨대, 절연막(300)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막이 아래에서 위를 향하는 방향으로 교대로 적층될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막, 폴리 실리콘 막 등을 더 포함할 수 있다. 또한, 절연막(300) 내에는 유전율을 감소시키기 위한 복수 개의 Pore 들이 형성될 수 있다.
하드 마스크 막(400)은 절연막(300)의 상측에 위치할 수 있다. 일 실시예에 의한 하드 마스크 막(400)은 첨가물과 카본 층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 하드 마스크 막(400)에는 텅스텐(Wolfram)이 첨가물로서 첨가될 수 있다. 또한, 하드 마스크 막(400)에는 붕소(Boron)가 첨가물로써 첨가될 수 있다. 일 실시예에 의한 하드 마스크 막(400)은 Boron doped silicon, Tungsten ACL, AIOC(Ceramic carbon), WBC 등일 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트이다.
이하에서 설명하는 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은 도 1을 참조하여 설명한 기판 처리 장치(1)에서 수행될 수 있다. 이에, 이하에서는, 도 1 내지 도 2에서 참조한 도면 부호를 동일하게 인용한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은 기판 반입 단계(S10), 스트립 단계(S30), 그리고 기판 반출 단계(S50)를 포함할 수 있다.
기판 반입 단계(S10)에서는 기판 처리 장치(1)에 기판(W)이 반입된다. 구체적으로, 기판 반입 단계(S10)에서는 도시되지 않은 반송 로봇이 처리 공간(101)으로 기판(W)을 반입하고, 척(120)의 상면에 기판(W)을 안착시킨다.
스트립 단계(S30)는 기판(W) 상에 형성된 특정 막을 스트립 할 수 있다. 즉, 스트립 단계(S30)에서는 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크 막(400)을 제거할 수 있다. 스트립 단계(S30)는 메인 스트립 단계(S320)와 오버 스트립 단계(S340)를 포함할 수 있다. 메인 스트립 단계(S320)는 편의상 제1단계로 호칭될 수 있고, 오버 스트립 단계(S340)는 제2단계로 호칭될 수 있다.
메인 스트립 단계(S320)와 오버 스트립 단계(S340)는 순차적으로 수행될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은 메인 스트립 단계(S320)를 수행한 이후 오버 스트립 단계(S340)를 수행할 수 있다. 메인 스트립 단계(S320)와 오버 스트립 단계(S340)는 하나의 사이클로 수행될 수 있다. 예컨대, 메인 스트립 단계(S320)와 오버 스트립 단계(S340)는 일 사이클로써, 순차적으로 반복 수행될 수 있다. 메인 스트립 단계(S320)가 완료된 이후에 처리 공간(101)의 분위기는 배기될 수 있다. 또한, 오버 스트립 단계(S340)가 완료된 이후에도 처리 공간(101)의 분위기는 배기될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법에서는 스트립 단계(S30)를 수행한 이후 처리된 기판(W)이 공정 요구 조건을 만족하는지 여부를 검사하는 단계(S40)를 수행할 수 있다. 예컨대, 메인 스트립 단계(S320)와 오버 스트립 단계(S340)가 순차적으로 수행되어 일 사이클이 완료된 이후, 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크 막의 두께를 검사할 수 있다. 검사된 하드 마스크 막의 두께가 공정 요구 조건에 부합하지 않는 경우 스트립 단계(S30)를 다시 수행한다. 이와 달리, 검사된 하드 마스크 막의 두께가 공정 요구 조건에 부합하는 경우, 후술하는 기판 반출 단계(S50)를 수행한다. 즉, 검사된 하드 마스크 막이 기판(W)으로부터 완연히 제거된 경우, 스트립 단계(S30)를 종료하고 기판 반출 단계(S50)를 수행한다. 메인 스트립 단계(S320)와 오버 스트립 단계(S340)에 대한 상세한 설명은 후술한다.
기판 반출 단계(S50)는 처리 공간(101)으로부터 기판(W)을 반출한다. 구체적으로, 기판 반출 단계(S50)는 반송 로봇(미도시)이 척(120)으로부터 기판(W)을 인수하여 처리 공간(101)의 외부로 기판(W)을 반출한다. 기판 처리 장치(1)로부터 반출된 기판(W)에 대해 후속 공정이 수행될 수 있다.
도 4는 도 3의 일 실시예에 따른 메인 스트립 단계에서 처리되는 기판의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5는 도 4의 A 부분에 대한 확대도이다. 도 6은 도 3의 일 실시예에 따른 메인 스트립 단계에서 생성되는 반응물의 특성을 보여주는 표이다.
메인 스트립 단계(S320)에서는 공정 가스가 공급된다. 일 실시예에 의하면, 메인 스트립 단계(S320)에서는 제1가스(G1)와 제2가스(G2)를 플라즈마 상태로 여기시켜 처리 공간(101)으로 공급할 수 있다.
메인 스트립 단계(S320)를 수행하는 동안에는 척(120)의 온도를 설정 온도로 유지할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 척(120)의 내부에 배치된 히터(미도시)를 발열시켜 척(120)의 온도를 섭씨 100도 내지 섭씨 150도 범위 내로 유지할 수 있다. 보다 바람직하게는, 척(120)의 온도를 섭씨 100도 내지 섭씨 130도 범위 내로 유지시킬 수 있다. 일 실시예에 의한 설정 온도란, 이하에서 상술하는 바와 같이, 반응물이 용이하게 휘발될 수 있는 온도일 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.
메인 스트립 단계(S320)를 수행하는 동안에, 척(120)의 온도를 설정 온도로 유지하는 것에 더하여, 처리 공간(101)의 온도를 설정 온도로 유지시킬 수 있다. 예컨대, 메인 스트립 단계(S320)를 수행하는 동안에, 처리 공간(101)의 온도를 섭씨 100도 내지 섭씨 150도 범위 내로 유지할 수 있다. 보다 바람직하게는, 처리 공간(101)의 온도를 섭씨 100도 내지 섭씨 130도 범위 내로 유지시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 메인 스트립 단계(S320)에서는 여기된 제1가스(G1)를 처리 공간(101)으로 공급할 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1가스(G1)는 CF4, SF6, Cl2, 또는 HBr을 포함할 수 있다. 즉, 제1가스(G1)는 할로겐(Halogen) 계열의 가스를 포함할 수 있다.
처리 공간(101)으로 공급된 제1가스(G1)는 기판(W) 상에 형성된 특정 막과 반응할 수 있다. 예컨대, 제1가스(G1)는 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크 막(400)과 화학적으로 반응할 수 있다. 제1가스(G1)와 하드 마스크 막(400)이 서로 반응하여 반응물을 생성할 수 있다. 예컨대, 제1가스(G1)는 하드 마스크 막(400)에 첨가된 첨가물(예컨대, 텅스텐)과 반응할 수 있다. 예컨대, 처리 공간(101)에 CF4 가스가 공급되는 경우, CF4 가스는 하드 마스크 막(400)에 첨가된 텅스텐과 반응할 수 있다. 그 결과 WF6 등의 반응물을 생성할 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 생성된 반응물인 WF6의 끓는점은 섭씨 17도이다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 의한 메인 스트립 단계(S320)에서는 처리 공간(101)의 온도 또는 척(120)의 온도가 섭씨 100도 내지 150도 범위로 유지되므로, 반응물은 생성된 이후에 휘발되어 기판(W)으로부터 용이하게 제거될 수 있다. 이에, 하드 마스크 막(400)에 첨가된 첨가물은 기판(W)으로부터 용이하게 제거될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 메인 스트립 단계(S320)에서는 플라즈마 상태로 여기된 제2가스(G2)를 처리 공간(101)으로 공급할 수 있다. 일 실시예에 의한 제2가스(G2)는 O2를 포함할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 메인 스트립 단계(S320)에서 공급되는 제1가스(G1)와 제2가스(G2)는 동시에 처리 공간(101)으로 공급될 수 있다.
처리 공간(101)으로 공급된 제2가스(G2)는 기판(W) 상에 형성된 특정 막을 식각할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 처리 공간(101)으로 공급된 제2가스(G2) 중 어느 일부는 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크 막(400)을 식각할 수 있다. 하드 마스크 막(400)은 메인 스트립 단계(S320)를 수행하는 동안 식각될 수 있다. 예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이, 하드 마스크 막(400)의 R1 부분이 메인 스트립 단계(S320)를 수행하는 동안 식각될 수 있다. 구체적으로, 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크 막(400)의 어느 일부는 제1가스(G1)와 반응하여 반응물을 생성한 이후 휘발되어 기판(W)으로부터 제거되고, 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크 막(400)의 다른 일부는 여기된 제2가스(G2)에 의해 식각되어 기판(W)으로부터 제거될 수 있다.
또한, 메인 스트립 단계(S320)에서 처리 공간(101)으로 공급된 제2가스(G2) 중 다른 일부는 기판(W) 상에 형성된 박막들과 반응할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제2가스(G2)들 중 다른 일부는 기판(W) 상에 형성된 박막들의 표면과 화학적으로 반응할 수 있다. 예컨대, 제2가스(G2) 중 다른 일부는 기판(W) 상에 형성된 절연막(300)의 표면과 반응하여 보호막(500)을 생성할 수 있다. 예컨대, 제2가스(G2)의 일 예인 O2 가스와 절연막(300)의 표면에 존재하는 Si가 반응하여 보호막(500)인 SiO2를 생성할 수 있다.
상술한 바와 같이, 메인 스트립 단계(S320)를 수행할 때에는, 제1가스(G1)와 제2가스(G2)가 처리 공간(101)으로 동시에 공급될 수 있다. 이에, 처리 공간(101)에 제1가스(G1)의 일 예인 CF4 가스를 공급할 때 기판(W) 상에 형성된 박막들의 표면에 존재하는 Si와 CF4 가스가 반응하는 경우, 도 6에 도시된 SiF4 또는 SiCl2가 생성될 수 있다. 이와 같은 화합물은 도 6에 도시된 바와 같이, 끓는점이 매우 낮으므로 쉽게 휘발된다.
절연막(300)의 표면에 SiF4 또는 SiCl2가 생성되면, 이는 쉽게 휘발되어 절연막(300)에 손상을 야기할 수 있다. 즉, 메인 스트립 단계(S320)에서 처리 공간(101)으로 공급되는 제1가스(G1)는 하드 마스크 막(400)에 첨가된 첨가물을 용이하게 제거할 수 있도록 기여하나, 절연막(300)의 표면과 반응하여 절연막(300)에 손상을 야기할 수 있다. 이에, 일 실시예에 따르면, 제2가스(G2)를 처리 공간(101)에 공급하여, 하드 마스크 막(400)을 식각하여 스트립하는 동시에, 절연막(300)의 표면에 보호막(500)을 형성하여 제1가스(G1)에 의해 절연막(300)이 손상되는 것을 최소화할 수 있다.
상술한 본 발명의 일 실시예에 의한, 제1가스(G1)와 하드 마스크 막(400)이 서로 화학적으로 반응하여 반응물을 생성하는 메커니즘, 제2가스(G2)가 하드 마스크 막(400)을 식각하는 메커니즘, 그리고 제2가스(G2)가 기판(W) 상에 형성된 박막들과 화학적으로 반응하여 박막들의 표면에 보호막(500)을 생성하는 메커니즘은 시간의 간격 없이 동시 다발적으로 이루어진다.
예컨대, 제1가스(G1)를 처리 공간(101)으로 공급하지 않고, 제2가스(G2)만을 처리 공간(101)으로 공급하여 하드 마스크 막(400)을 식각하는 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 녹는점 및 끓는점이 매우 높은 화합물(예컨대, WO2, WO3, SiO2 등)이 생성될 수 있다. 이 경우, 생성된 화합물은 높은 녹는점과 끓는점에 의해 후속 공정에서도 쉽게 제거되기 어렵다.
이에, 상술한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 제1가스(G1)를 이용하여 하드 마스크 막(400)에 첨가된 첨가물을 용이하게 휘발시켜 제거할 수 있는 반응물(예컨대, WF6)을 생성할 수 있고, 제2가스(G2)를 이용하여 하드 마스크 막(400)을 식각할 수 있으며, 동시에 제2가스(G2)를 이용하여 절연막(300)과 하드 마스크 막(400)이 제1가스(G1)에 의해 과도하게 식각되는 것을 방지할 수 있다.
상술한 실시예에서는 제2가스(G2)가 절연막(300)의 표면과 반응하여 절연막(300)의 표면에 보호막(500)을 생성하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제2가스(G2)는 하드 마스크 막(400)의 표면과 반응하여 하드 마스크 막(400)의 표면에 보호막을 생성할 수 있다. 하드 마스크 막(400)의 표면에 생성된 보호막은 하드 마스크 막(400)이 제1가스(G1) 및/또는 제2가스(G2)에 의해 과도하게 식각되는 것을 방지할 수 있다.
도 7은 도 3의 일 실시예에 따른 오버 스트립 단계에서 처리되는 기판의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 8은 도 7의 B 부분에 대한 확대도이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 오버 스트립 단계(S340)에서는 해리 가스(G3)가 공급된다. 일 실시예에 의하면, 오버 스트립 단계(S340)에서는 플라즈마 상태로 여기된 해리 가스(G3)를 처리 공간(101)으로 공급할 수 있다.
전술한 바와 같이, 해리 가스(G3)는 기판(W) 상에 형성된 박막들과 물리적으로 반응하는 가스일 수 있다. 일 실시예에 의한 해리 가스는 화합물이 이루는 결속을 끊는 가스일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 해리 가스는 비활성 가스를 포함할 수 있다. 예컨대, 해리 가스는 수소(H2), 듀테륨(Deuterium), 또는 삼중 수소(Tritium), 아르곤(Ar), Xe, Xr 등을 포함할 수 있다.
해리 가스는 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크 막(400)과 물리적으로 반응할 수 있다. 또한, 해리 가스(G3)는 메인 스트립 단계(S320)에서 생성된 반응물 중 휘발되지 않은 반응물과 물리적으로 반응할 수 있다. 이에, 오버 스트립 단계(S340)에서는 메인 스트립 단계(S320)에서 휘발되어 제거되지 않고 잔존하는 반응물을 물리적으로 제거할 수 있다. 예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이, 하드 마스크 막(400)의 R2 부분이 오버 스트립 단계(S340)를 수행하는 동안 해리 가스(G3)와의 물리적 작용에 의해 더 식각될 수 있다.
또한, 해리 가스(G3)는 기판(W) 상의 하드 마스크 막(400)에 포함되는 카본층과 첨가물들 간의 결합력을 약하게 할 수 있다. 또한, 해리 가스(G3)는 메인 스트립 단계(S320)에서 박막들의 표면에 생성된 보호막(500)과 물리적으로 반응할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 오버 스트립 단계(S340)에서는 척(120, 도 1 참조)에 바이어스(bias) 전압을 인가할 수 있다. 이에, 오버 스트립 단계(S340)에서 처리 공간(101)으로 공급되는 해리 가스(G3)의 직진성이 향상될 수 있다. 즉, 오버 스트립 단계(S340)에서 처리 공간(101)으로 공급되는 해리 가스(G3)의 기판(W)에 대한 인입(引入)성이 향상될 수 있다. 이에, 해리 가스(G3)와 기판(W) 상에 형성된 박막들(예컨대, 절연막(300), 하드 마스크 막(400), 보호막(500), 또는 반응물) 간의 물리적 반응성이 향상될 수 있다. 이에, 해리 가스(G3)가 기판(W) 상에 형성된 박막들의 결합력을 약화시켜 박막들을 용이하게 제거할 수 있다.
상술한 메인 스트립 단계(S320)와 오버 스트립 단계(S340)는 기판(W) 상에 형성된 절연막(300)에 손상을 최소화하기 위해 각각 짧은 시간 동안 수행될 수 있다. 또한, 메인 스트립 단계(S320)와 오버 스트립 단계(S340)는 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크 막(400)이 과도하게 식각되는 것을 방지하기 위해 짧은 시간 동안 수행될 수 있다. 즉, 메인 스트립 단계(S320)와 오버 스트립 단계(S340)는 각각 수 초 범위 내에서 수행될 수 있고, 메인 스트립 단계(S320)와 오버 스트립 단계(S340)의 일 사이클이 복수 회로 반복 수행될 수 있다.
이에, 상술한 본 발명의 일 실시예에 의한, 오버 스트립 단계(S340)를 수행하는 경우 화합물 간의 결합력을 약화시키고, 메인 스트립 단계(S320)에서 제거되지 않은 반응물을 제거할 수 있으므로, 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크 막(400)을 효율적으로 제거할 수 있다.
또한, 오버 스트립 단계(S340)에서 해리 가스(G3)를 이용하여 기판(W) 상에 형성된 박막들의 결합력을 약화시킬 수 있다. 이에, 오버 스트립 단계(S340) 이후에 공정 요구 조건에 만족하지 않아 오버 스트립 단계(S340) 이후에 재차 메인 스트립 단계(S320)를 수행할 때, 메인 스트립 단계(S320)에서 제1가스(G1) 및/또는 제2가스(G2)와 기판(W) 상에 형성된 박막들 간의 화학적 반응이 보다 수월하게 일어날 수 있다. 즉, 오버 스트립 단계(S340)는 메인 스트립 단계(S320)에서의 공정 효율성을 향상시킬 수 있고, 동시에 메인 스트립 단계(S320)에서 제거되지 않은 박막들을 확실하게 제거할 수 있다.
상술한 실시예에서는 제1가스(G1)로 CF4가 사용되고, 제2가스(G2)로 O2가 사용되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1가스(G1)와 제2가스(G2)의 종류는 하드 마스크 막(400)에 포함되는 첨가물의 종류에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
도 9는 도 3의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트이다.
이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 도 9를 참조하면, 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은 기판 반입 단계(S10), 전 처리 단계(S20), 스트립 단계(S30), 그리고 기판 반출 단계(S50)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의한 기판 반입 단계(S10), 스트립 단계(S30), 그리고 기판 반출 단계(S50)는 도 3 내지 도 8을 참조하여 설명한 일 실시예에 따른 기판 반입 단계(S10), 스트립 단계(S30), 그리고 기판 반출 단계(S50)와 동일 또는 유사하므로, 이하에서는 중복되는 내용에 대한 설명은 생략한다.
일 실시예에 의한 전 처리 단계(S20)는 기판 반입 단계(S10) 이후에 수행될 수 있다. 또한, 전 처리 단계(S20)는 스트립 단계(S30)를 수행하기 이전에 수행될 수 있다.
전 처리 단계(S20)는 처리 공간에 해리 가스를 공급할 수 있다. 일 실시예에 의한 해리 가스는 상술한 오버 스트립 단계(S340)에서 처리 공간으로 공급한 해리 가스와 동일하다. 즉, 전 처리 단계(S30)에서는 해리 가스를 공급하여 기판(W) 상에 형성된 박막들에 대해 물리적 작용을 일으킨다. 예컨대, 해리 가스는 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크 막(400)과 물리적으로 반응할 수 있다.
또한, 전 처리 단계(S20)에서는 척(120)에 바이어스 전압을 인가할 수 있다. 척(120)에 바이어스 전압을 인가하여 해리 가스의 기판(W)에 대한 인입성을 향상시킬 수 있다. 예컨대, 기판(W) 상에 형성된 박막들 중 하드 마스크 막(400)에 대한 인입성을 향상시킬 수 있다. 즉, 전 처리 단계(S20)에서는 하드 마스크 막(400)의 결합력을 선제적으로 약화시킬 수 있다. 이에, 후속하는 스트립 단계(S30)에서 하드 마스크 막(400)을 보다 효율적으로 제거할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    챔버에 공정 가스를 공급하고, 상기 공정 가스가 여기되어 기판 상에 형성된 특정 막과 반응하여 반응물을 생성하는 제1단계와,
    상기 챔버에 해리 가스를 공급하고, 상기 해리 가스가 여기되어 상기 기판으로부터 상기 반응물을 제거하는 제2단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공정 가스는,
    상기 기판 상에 형성된 상기 특정 막과 반응하는 제1가스와,
    상기 기판 상에 형성된 막의 표면과 반응하여 상기 표면에 보호막을 형성하거나, 상기 특정 막을 식각하는 제2가스를 포함하는 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 해리 가스는 상기 보호막을 상기 기판으로부터 더 제거하는 기판 처리 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1단계와 상기 제2단계는 하나의 사이클로 순차적으로 수행되고, 복수 회 반복되는 기판 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1가스는 CF4, SF6, Cl2, 또는 HBr를 포함하고,
    상기 제2가스는 O2를 포함하고,
    상기 해리 가스는 비활성 가스를 포함하는 기판 처리 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반응물은 섭씨 100도 내지 150도 범위의 설정 온도에서 휘발되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1단계에서 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 척은 상기 설정 온도로 유지되고,
    상기 제2단계에서 상기 척에 바이어스 전력을 인가하는 기판 처리 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2단계는 상기 제1단계보다 선행하여 수행되는 기판 처리 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 특정 막은 하드 마스크 막인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 하드 마스크 막은 텅스텐을 포함하는 첨가물과 카본 층을 포함하는 기판 처리 방법.
  11. 기판 상에 형성된 하드 마스크 막을 제거하는 기판 처리 방법에 있어서,
    챔버에 제1가스를 공급하고, 상기 제1가스가 여기되어 기판 상에 형성된 상기 하드 마스크 막과 반응하여 반응물을 생성하고,
    상기 챔버에 상기 제1가스와 상이한 제2가스를 공급하고, 상기 제2가스가 여기되어 상기 하드 마스크 막을 식각하거나 기판 상에 형성된 절연막과 반응하여 상기 절연막의 표면에 보호막을 생성하되,
    상기 제1가스와 상기 제2가스는 동시에 상기 챔버로 공급되는 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 반응물은 섭씨 100도 내지 150도 범위의 설정 온도에서 휘발되어 기판으로부터 제거되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1가스가 상기 챔버로 공급될 때 상기 챔버 내의 온도는 상기 설정 온도로 유지되는 기판 처리 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 챔버로 상기 제1가스와 상기 제2가스를 공급한 이후, 상기 챔버에 상기 제1가스 및 상기 제2가스와 상이한 해리 가스를 공급하고, 상기 해리 가스가 여기되어 상기 기판으로부터 상기 반응물 및 상기 보호막을 제거하는 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 제1가스 및 상기 제2가스를 공급한 이후, 상기 해리 가스를 공급하는 일 사이클로 수행되고, 상기 사이클은 복수 회로 반복되는 기판 처리 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 챔버로 상기 제1가스와 상기 제2가스를 공급하기 이전에, 상기 챔버에 상기 제1가스 및 상기 제2가스와 상이한 해리 가스를 공급하는 기판 처리 방법.
  17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1가스는 CF4, SF6, Cl2, 또는 HBr를 포함하고,
    상기 제2가스는 O2를 포함하고,
    상기 해리 가스는 비활성 가스를 포함하는 기판 처리 방법.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 하드 마스크 막은 텅스텐을 포함하는 첨가물과 카본 층을 포함하는 기판 처리 방법.
  19. 질화막과 산화막이 교대로 적층된 절연막과, 상기 절연막의 상측에 적층된 하드 마스크 막을 포함하는 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    CF4, SF6, Cl2, 또는 HBr를 포함하는 제1가스가 챔버에서 여기되어 기판 상에 형성된 상기 하드 마스크 막과 반응하여 반응물을 생성하고, O2를 포함하는 제2가스가 상기 챔버에서 여기되어 상기 하드 마스크 막을 식각하거나 상기 절연막의 표면과 반응하여 보호막을 생성하는 메인 스트립 단계; 및
    상기 메인 스트립 단계 이후, 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 척에 바이어스 전력을 인가하면서 비활성 가스를 포함하는 해리 가스를 상기 챔버에 공급하여 상기 기판으로부터 상기 반응물 및 상기 보호막을 제거하는 오버 스트립 단계를 포함하되,
    상기 하드 마스크 막은 첨가물과 텅스텐이 첨가된 카본 층을 포함하는 기판 처리 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 반응물은 섭씨 100도 내지 150도 범위의 설정 온도에서 휘발되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
PCT/KR2023/013796 2022-09-21 2023-09-14 기판 처리 방법 WO2024063439A1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2022-0119576 2022-09-21
KR1020220119576A KR20240040525A (ko) 2022-09-21 2022-09-21 기판 처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024063439A1 true WO2024063439A1 (ko) 2024-03-28

Family

ID=90454858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2023/013796 WO2024063439A1 (ko) 2022-09-21 2023-09-14 기판 처리 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20240040525A (ko)
WO (1) WO2024063439A1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068462A (ja) * 1999-07-20 2001-03-16 Samsung Electronics Co Ltd 選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法及びこれを用いたコンタクトホール形成方法
KR20070032967A (ko) * 2004-06-03 2007-03-23 램 리써치 코포레이션 가스 화학물 및 탄화 수소 첨가의 주기적 변조를 이용하는플라즈마 스트리핑 방법
KR20120060832A (ko) * 2009-08-25 2012-06-12 실버브룩 리서치 피티와이 리미티드 Ｖｉａｓ로부터 포토레지스트 및 에칭 잔류물 제거방법
US20120276724A1 (en) * 2009-12-21 2012-11-01 International Business Machines Corporation Spin-on formulation and method for stripping an ion implanted photoresist
KR20210148674A (ko) * 2020-06-01 2021-12-08 에스케이하이닉스 주식회사 하드마스크를 이용한 반도체 장치 및 그의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068462A (ja) * 1999-07-20 2001-03-16 Samsung Electronics Co Ltd 選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法及びこれを用いたコンタクトホール形成方法
KR20070032967A (ko) * 2004-06-03 2007-03-23 램 리써치 코포레이션 가스 화학물 및 탄화 수소 첨가의 주기적 변조를 이용하는플라즈마 스트리핑 방법
KR20120060832A (ko) * 2009-08-25 2012-06-12 실버브룩 리서치 피티와이 리미티드 Ｖｉａｓ로부터 포토레지스트 및 에칭 잔류물 제거방법
US20120276724A1 (en) * 2009-12-21 2012-11-01 International Business Machines Corporation Spin-on formulation and method for stripping an ion implanted photoresist
KR20210148674A (ko) * 2020-06-01 2021-12-08 에스케이하이닉스 주식회사 하드마스크를 이용한 반도체 장치 및 그의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240040525A (ko) 2024-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7276447B1 (en) Plasma dielectric etch process including ex-situ backside polymer removal for low-dielectric constant material
KR100238623B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
WO2003075333A1 (en) Electrode for dry etching a wafer
WO2019059620A1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
WO2019107729A1 (ko) 폴리 실리콘을 선택적으로 제거하는 건식 세정 장치 및 방법
WO2024063439A1 (ko) 기판 처리 방법
WO2019107728A1 (ko) 고 선택적 실리콘 산화물 제거를 위한 건식 세정 장치 및 방법
WO2023085662A1 (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
WO2019124736A1 (ko) 반도체 기판의 건식 세정을 위한 플라즈마 장치
WO2019156489A1 (ko) 챔버 세정 장치 및 챔버 세정 방법
KR20010043300A (ko) 플라즈마 에칭 방법
US20120234491A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
WO2023128325A1 (ko) 기판 처리 장치
WO2024014784A1 (ko) 웨이퍼 본딩 방법 및 웨이퍼 본딩 시스템
WO2024128593A1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2023167464A1 (ko) 붕소 화합물을 이용한 기판 처리 방법
KR20200094664A (ko) 에칭 방법, 플라즈마 처리 장치, 및 처리 시스템
WO2023075004A1 (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
WO2024172417A1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
WO2023068466A1 (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
WO2024085563A1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP3967556B2 (ja) ドライエッチング装置
WO2024172416A1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2023080324A1 (ko) 상부 전극 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치
WO2021054670A1 (ko) 플라즈마에칭공정상의 l-fc 제거 방법 및 그 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23868493

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1