WO2024038873A1 - 化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、物品、及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

耐摩擦性や指紋汚れ除去性を維持しながら、滑落が抑制できる表面層を形成可能な化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、当該化合物等から形成された表面層を備え、耐摩擦性、指紋汚れ除去性及び滑落抑制効果に優れた物品、及び当該物品の製造方法を提供する。　置換基を有していてもよいフルオロエーテル環を含む基（Ｒ^ｆ）と、反応性基（Ｔ^１）とを有する化合物である。

Description

化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、物品、及び物品の製造方法

　本発明は、化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、物品、及び物品の製造方法に関する。

　フルオロアルキル基、フルオロポリエーテル鎖等の含フッ素有機基と、加水分解性シリル基とを有する含フッ素化合物は、高い潤滑性、撥水撥油性等を示す表面層を基材の表面に形成できるため、表面処理剤に好適に用いられる。含フッ素化合物を含む表面処理剤は、例えば表面層が指で繰り返し摩擦されても撥水撥油性が低下しにくい性能（耐摩擦性）及び拭き取りによって表面層に付着した指紋を容易に除去できる性能（指紋汚れ除去性）が長期間維持されることが求められる。
　例えば特許文献１には、特定のフルオロポリエーテル鎖と特定の加水分解性シリル基とを有するペルフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物が開示されている。

国際公開第２０１８／１４３４３３号

　近年、スマートフォン、タブレット端末等の携帯デバイスは、ガラスコーティングされた筐体が用いられることがあり、上記表面処理剤は筐体側に用いられることがある。現行の表面処理剤により形成された表面層は滑りやすい場合があり、携帯デバイスを操作する際や、机上に置いている際に滑落する恐れがあった。

　本発明は、耐摩擦性や指紋汚れ除去性を維持しながら、滑落が抑制できる表面層を形成可能な化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、当該化合物等から形成された表面層を備え、耐摩擦性、指紋汚れ除去性及び滑落抑制効果に優れた物品、及び当該物品の製造方法の提供を目的とする。

　本発明は、下記［１］～［１３］の構成を有する化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、物品、及び物品の製造方法を提供する。
［１］　置換基を有していてもよいフルオロエーテル環を含む基（Ｒ^ｆ）と、反応性基（Ｔ^１）とを有する、化合物。
［２］　前記フルオロエーテル環が、下記式（１）で表される、前記［１］の化合物。
　＊－（ＯＲ^ｆ１）_ｍ１－＊＊　　・・・（１）
　ただし、
　結合手＊と結合手＊＊とが連結して環構造を形成し、
　Ｒ^ｆ１は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基、置換基を有していてもよく炭素－炭素結合間に－ＮＲ^１－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１－、又は－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－を有していてもよい炭素数２～１２のフルオロアルキレン基、又は、炭素原子の少なくとも一部が環を構成し、置換基を有していてもよい炭素数２～１２のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^１は、水素原子、又はフルオロアルキル基であり、
　式（１）中の少なくとも一つの炭素原子が、前記反応性基（Ｔ^１）と直接、又は他の基を介して結合する結合手を有し、
　ｍ１は１以上の整数である。
［３］　前記Ｒ^ｆが、下記式（２）で表される基を含む、前記［１］又は［２］の化合物。
　＊－（Ｒ^ｆ２）_ｍ２－（ＯＲ^ｆ３）_ｍ３－＊＊　　・・・（２）
　ただし、
　Ｒ^ｆ２は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^ｆ３は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
　ｍ２は０又は１であり、
　ｍ３は１以上の整数であり、
　結合手＊は、前記式（１）中の結合手を有する炭素原子と結合し、
　結合手＊＊は前記反応性基（Ｔ^１）と直接、又は連結基を介して結合し、
　Ｒ^ｆ３が複数ある場合、当該複数あるＲ^ｆ３は互いに同一であっても異なっていてもよい。
［４］　前記反応性基（Ｔ^１）が、－Ａｒ、－ＳＲ^１０、－ＮＯＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｎ（Ｒ^１０）_２、－Ｎ^＋（Ｒ^１０）_３Ｘ^３、－Ｃ≡Ｎ、－Ｃ（＝ＮＲ^１０）－Ｒ^１０、－Ｎ^＋≡Ｎ、－Ｎ＝ＮＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ^２、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ^４、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－ＳＯ_２Ｒ^１０、－ＳＯ_３Ｈ、－ＳＯ_３Ｘ^２、－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－ＯＲ^１０）_２、－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－ＯＲ^１０）（－ＯＸ^２）、－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、－ＳｉＲ^ａ１ _ｚ１Ｒ^ａ１１ _３－ｚ１、－Ｃ（Ｒ^１０）＝Ｃ（Ｒ^１０）_２、－Ｃ≡Ｃ（Ｒ^１０）、－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ^１０）_２、－Ｎ（Ｒ^１０）Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｓｉ（Ｒ^１０）_２－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ^１０）_３、－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＲ^１０、－Ｉ、

　のいずれかである、［１］～［３］のいずれかの化合物。
　ただし、
　Ｒ^ｆ６は、炭素数１～６のフルオロアルキル基であり、
　Ｒ^１０は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基又はフルオロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基であり、
　Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基であり、
　Ｘ^２は、アルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンであり、
　Ｘ^３は、ハロゲン化物イオンであり、
　Ｘ^４は、ハロゲン原子であり、
　Ｒ^ａ１は、加水分解性基、加水分解性基を有する基又は水酸基であり、
　Ｒ^ａ１１は、炭化水素基であり、
　ｚ１は、１～３の整数であり、
　Ｒ^１０、Ｒ^ａ１又はＲ^ａ１１が複数ある場合、当該複数あるＲ^１０、Ｒ^ａ１又はＲ^ａ１１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
［５］　下記式（３）で表される、前記［１］～［４］のいずれかの化合物。
　Ｒ^ｆ［－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｘ１］_ｙ１　　・・・（３）
　ただし、
　Ｒ^ｆは、置換基を有していてもよいフルオロエーテル環を含む基であり、
　Ｑ^１は、１＋ｘ１価の連結基であり、
　Ｔ^１は、反応性基であり、
　ｘ１は１～１０の整数であり、
　ｙ１は１～６の整数であり、
　Ｑ^１、Ｔ^１、又はｘ１が複数ある場合、当該複数あるＱ^１、Ｔ^１、又はｘ１は互いに同一であっても異なっていてもよい。
［６］　前記－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｘ１が、下記式（４）で表される、前記［５］の化合物。
　＊－Ｒ^２－Ｌ^１（－Ｒ^３－Ｔ^１）_ｘ１　　・・・（４）
　ただし、
　Ｒ^２は、単結合、炭素数１～２０のフルオロアルキレン基、アルキレン基、又は炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含むアルキレン基であり、
　Ｌ^１は、単結合又は、１＋ｘ１価の基であり、
　Ｒ^３は、アルキレン基、又はエーテル性酸素原子を有するアルキレン基であり、
　ｘ１は１～１０の整数であり、
　結合手＊はＲ^ｆと連結し、
　Ｒ^３又はＴ^１が複数ある場合、当該複数あるＲ^３又はＴ^１は互いに同一であっても異なっていてもよい。
［７］　前記反応性基が、下記式（５）で表される基である、前記［１］～［６］のいずれかの化合物。
　－ＳｉＲ^ａ１ _ｚ１Ｒ^ａ１１ _３－ｚ１　　・・・（５）
　ただし、
　Ｒ^ａ１は、加水分解性基、加水分解性基を有する基又は水酸基であり、
　Ｒ^ａ１１は、炭化水素基であり、
　ｚ１は、１～３の整数であり、
　Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ１１、及びｚ１が複数ある場合、当該複数あるＲ^ａ１、Ｒ^ａ１１、及びｚ１は各々同一であっても異なっていてもよい。
［８］　前記［１］～［７］のいずれかの化合物と、他の含フッ素エーテル化合物とを含有する組成物。
［９］　前記［１］～［７］のいずれかの化合物、又は［８］の組成物を含む、表面処理剤。
［１０］　前記［１］～［７］のいずれかの化合物、又は［８］の組成物と、液状媒体とを含む、コーティング液。
［１１］　前記［１］～［７］のいずれかの化合物、又は［８］の組成物から形成された表面層を基材の表面に有する、物品。
［１２］　前記［９］の表面処理剤を用いて、ドライコーティング法により表面層を形成する、物品の製造方法。
［１３］　前記［１０］のコーティング液を用いて、ウェットコーティング法により表面層を形成する、物品の製造方法。

　本発明により、耐摩擦性や指紋汚れ除去性を維持しながら、滑落が抑制できる表面層を形成可能な化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、当該化合物等から形成された表面層を備え、耐摩擦性、指紋汚れ除去性及び滑落抑制効果に優れた物品、及び当該物品の製造方法が提供できる。

本発明の物品の一例を示す模式断面図である。

　本明細書において、式（３）で表される化合物を、化合物（３）と記すことがある。他の式で表される化合物、基等もこれらに準ずる。
　（フルオロ）アルキル基とは、アルキル基とフルオロアルキル基との総称である。（フルオロ）アルキレン基等もこれに準ずる。
　フルオロアルキル基とは、ペルフルオロアルキル基とパーシャルフルオロアルキル基とを合わせた総称である。ペルフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換された基を意味する。またパーシャルフルオロアルキル基とは、水素原子の１個以上がフッ素原子で置換され、かつ、水素原子を１個以上有するアルキル基である。すなわちフルオロアルキル基は１個以上のフッ素原子を有するアルキル基である。
　「反応性シリル基」とは、加水分解性シリル基及びシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）の総称であり、「加水分解性シリル基」とは、加水分解反応してシラノール基を形成し得る基を意味する。
　「有機基」とは、置換基を有していてもよく、炭素鎖中にヘテロ原子又は他の結合を有してもよい炭化水素基を意味する。
　「炭化水素基」とは、炭素原子と水素原子からなる基であり、脂肪族炭化水素基（直鎖アルキレン基、分岐を有するアルキレン基、シクロアルキレン基等）、芳香族炭化水素基（フェニレン基等）及びこれらの組み合わせからなる基である。
　「表面層」とは、基材の表面に形成される層を意味する。
　ポリフルオロエーテル鎖の「分子量」は、^１Ｈ－ＮＭＲ及び^１９Ｆ－ＮＭＲによって、末端基を基準にしてオキシフルオロアルキレン単位の数（平均値）を求めて算出される数平均分子量である。
　数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。

［化合物］
　本発明に係る化合物（以下、本化合物とも記す。）は、置換基を有していてもよいフルオロエーテル環を含む基（Ｒ^ｆ）と、反応性基（Ｔ^１）とを有することを特徴とする。

　本化合物は反応性基（Ｔ^１）を有する。反応性基（Ｔ^１）を有する本化合物は、反応性基（Ｔ^１）と基材とが強固に結合するため、表面層の耐摩擦性に優れる。また本化合物はフルオロエーテル環を含む基（Ｒ^ｆ）を有する。フルオロエーテル環は、オキシフルオロアルキレン単位を構成単位として含むため、撥水撥油性を有し、指紋汚れ除去性に優れている。一方、フルオロエーテル環は、鎖状のポリフルオロエーテルと比較して、表面層中での動きが抑制されていると推定される。そのため、本化合物により形成された表面層は、摩擦係数が大きいものと推定される。その結果、本化合物により形成された表面層を備える携帯デバイス等の物品は滑落が抑制される（以下、滑落防止性ともいう）。

＜フルオロエーテル環を含む基（Ｒ^ｆ）＞
　基（Ｒ^ｆ）は、少なくともフルオロエーテル環を有する。当該フルオロエーテル環は、ポリフルオロエーテル環を含むものとし、１個以上のオキシフルオロアルキレン単位を構成単位として含む環を表す。当該フルオロエーテル環は、本化合物から形成された表面層に撥水撥油性、及び、滑落防止性を付与する。なおフルオロエーテル環は、反応性基（Ｔ^１）と直接、又は他の基を介して結合する結合手を有する残基である。当該撥水撥油性及び滑落防止性の観点から、フルオロエーテル環は、下記式（１）で表される環が好ましい。
　＊－（ＯＲ^ｆ１）_ｍ１－＊＊　　・・・（１）
　ただし、
　結合手＊と結合手＊＊とが連結して環構造を形成し、
　Ｒ^ｆ１は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基、置換基を有していてもよく炭素－炭素結合間に－ＮＲ^１－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１－、又は－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－を有していてもよい炭素数２～１２のフルオロアルキレン基、又は、炭素原子の少なくとも一部が環を構成し、置換基を有していてもよい炭素数２～１２のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^１は、水素原子、又はフルオロアルキル基であり、
　式（１）中の少なくとも一つの炭素原子が、前記反応性基（Ｔ^１）と直接、又は他の基を介して結合する結合手を有し、
　ｍ１は１以上の整数である。なお、Ｒ^ｆ１が複数ある場合、当該複数のＲ^ｆ１は互いに同一であっても異なっていてもよい。

　Ｒ^ｆ１における炭素数１～６のフルオロアルキレン基は、直鎖フルオロアルキレン基であっても、分岐を有するフルオロアルキレン基であってもよい。フルオロアルキレン基の具体例としては、－ＣＦ_２－、－ＣＨＦ－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦ－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２－ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－等が挙げられる。撥水撥油性、指紋汚れ除去性及び滑落防止性の点から、フルオロアルキレン基はペルフルオロアルキレン基が好ましい。また耐摩耗性の点から直鎖フルオロアルキレン基が好ましい。

　Ｒ^ｆ１における、置換基を有していてもよく、炭素－炭素結合間に－ＮＲ^１－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１－、又は－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－を有していてもよい炭素数２～１２のフルオロアルキレン基としては、－Ｒ^１１－ＮＲ^１－Ｒ^１２－、－Ｒ^１１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１２－、－Ｒ^１１－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１－Ｒ^１２－、－Ｒ^１１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｒ^１２－が挙げられる。ここで、Ｒ^１１及びＲ^１２は炭素数１～１１の置換基を有してもよいフルオロアルキレン基であって、Ｒ^１１とＲ^１２の合計炭素数は２～１２である。
　Ｒ^１１、Ｒ^１２におけるフルオロアルキレン基は、直鎖であってもよく分岐を有していてもよく、耐摩耗性の点から直鎖フルオロアルキレン基が好ましい。また、Ｒ^１におけるフルオロアルキル基は、直鎖であってもよく分岐を有していてもよく、耐摩耗性の点から直鎖フルオロアルキル基が好ましい。また、撥水撥油性、耐摩耗性の点から、Ｒ^１、Ｒ^１１及びＲ^１２の炭素数は、各々独立に１～６が好ましく、１～３がより好ましい。
　炭素－炭素結合間に上記特定の結合を有するフルオロアルキレン基の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＮＨＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｎ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｃ（＝Ｏ）－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２－等が挙げられる。

　Ｒ^ｆ１における、炭素原子の少なくとも一部が環を構成し、置換基を有していてもよい炭素数２～１２のフルオロアルキレン基としては、例えば、フルオロシクロブタンジイル基、フルオロシクロヘキサンジイル基、フルオロシクロペンタンジイル基、フルオロフェニレン基等が挙げられ、置換基としてフッ素原子、炭素数１～６のフルオロアルキル基等を有していてもよい。

　製造の容易性、耐摩耗性、撥水撥油性、及び、滑落防止性の点からは、Ｒ^ｆ１は、上記特定の結合、及び環構造を有しない、直鎖又は分岐を有する炭素数１～６のフルオロアルキレン基が好ましく、直鎖フルオロアルキレン基がより好ましい。

　式（１）で表されるフルオロエーテル環は、下記式（Ｇ１）で表される環が好ましい。
　＊－［（ＯＧ^ｆ１）_ｍ１１（ＯＧ^ｆ２）_ｍ１２（ＯＧ^ｆ３）_ｍ１３（ＯＧ^ｆ４）_ｍ１４（ＯＧ^ｆ５）_ｍ１５（ＯＧ^ｆ６）_ｍ１６（ＯＧ^ｆ７）_ｍ１７］－＊＊　　　式（Ｇ１）
　ただし、
　Ｇ^ｆ１は、炭素数１のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ２は、炭素数２のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ３は、炭素数３のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ４は、炭素数４のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ５は、炭素数５のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ６は、炭素数６のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ７は、置換基を有していてもよく、炭素－炭素結合間に－ＮＲ^１－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１－、又は－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－を有していてもよい炭素数２～１２のフルオロアルキレン基、又は、炭素原子の少なくとも一部が環を構成し、置換基を有していてもよい炭素数２～１２のフルオロアルキレン基であり、
　ｍ１１、ｍ１２、ｍ１３、ｍ１４、ｍ１５、ｍ１６、ｍ１７は、それぞれ独立に０又は１以上の整数を表し、ｍ１１＋ｍ１２＋ｍ１３＋ｍ１４＋ｍ１５＋ｍ１６＋ｍ１７（式（１）におけるｍ１）は１～２００の整数が好ましい。またｍ１７は０～２の整数が好ましい。
　なお、式（Ｇ１）における（ＯＧ^ｆ１）～（ＯＧ^ｆ７）の結合順序は任意である。式（Ｇ１１）のｍ１１～ｍ１７は、それぞれ、（ＯＧ^ｆ１）～（ＯＧ^ｆ７）の個数を表すものであり、配置を表すものではない。例えば、（ＯＧ^ｆ５）_ｍ５は、（ＯＧ^ｆ５）の数がｍ１５個であることを表し、（ＯＧ^ｆ５）_ｍ１５のブロック配置構造を表すものではない。同様に、（ＯＧ^ｆ１）～（ＯＧ^ｆ７）の記載順は、それぞれの単位の結合順序を表すものではない。
　また上記炭素数３～６のフルオロアルキレン基は、直鎖フルオロアルキレン基であってもよく、分岐を有するフルオロアルキレン基であってもよい。

　Ｇ^ｆ１の具体例としては、－ＣＦ_２－、－ＣＨＦ－が挙げられる。
　Ｇ^ｆ２の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦ－等が挙げられる。
　Ｇ^ｆ３の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＨＦ－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＦ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＨＦ_２）－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＨ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＦ_３）－ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＨＦ_２）－ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＨ_３）－ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＦ_３）－ＣＨ_２－、－ＣＦ（ＣＨＦ_２）－ＣＨ_２－、－ＣＦ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＨ_２－、－ＣＦ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＦ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＨ（ＣＨＦ_２）－ＣＦ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＦ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＨ（ＣＦ_３）－ＣＨＦ－、－ＣＨ（ＣＨＦ_２）－ＣＨＦ－、－ＣＨ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＨＦ－、－ＣＨ（ＣＨ_３）－ＣＨＦ－、－ＣＨ（ＣＦ_３）－ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨＦ_２）－ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＨ_２－等が挙げられる。
　Ｇ^ｆ４の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨＦ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨＦ－、－ＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）ＦＣＦ_２－等が挙げられる。
　Ｇ^ｆ５の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２－、－ＣＦ_２Ｃ（Ｃ_２Ｆ_５）ＦＣＦ_２－等が挙げられる。
　Ｇ^ｆ６の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＨＦＣＨＦＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２－等が挙げられる。
　Ｇ^ｆ７の具体例としては、ペルフルオロシクロブタンジイル基（ペルフルオロシクロブタン－１，２－ジイル基等）、ペルフルオロシクロペンタンジイル基（ペルフルオロシクロペンタン－１，２－ジイル基、ペルフルオロシクロペンタン－１，３－ジイル基等）、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基（ペルフルオロシクロヘキサン－１，２－ジイル基、ペルフルオロシクロヘキサン－１，４－ジイル基等）、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＮＨＣＦ_２ＣＦ_２－等が挙げられる。

　式（１）で表される環は、撥水撥油性、指紋汚れ除去性及び滑落防止性により優れる点から、中でも、下記式（Ｇ２）～下記式（Ｇ５）で表される構造を有することが好ましい。
　＊－（ＯＧ^ｆ１）_ｍ１１－（ＯＧ^ｆ２）_ｍ１２－＊＊　・・・式（Ｇ２）
　＊－（ＯＧ^ｆ２）_ｍ１２－（ＯＧ^ｆ４）_ｍ１４－＊＊　・・・式（Ｇ３）
　＊－（ＯＧ^ｆ３）_ｍ１３－＊＊　・・・式（Ｇ４）
　＊－（ＯＧ^ｆ２）_ｍ１２－＊＊　・・・式（Ｇ５）
　ただし、式（Ｇ２）～式（Ｇ５）の各符号は、前記式（Ｇ１）と同様である。

　式（Ｇ２）及び式（Ｇ３）において、（ＯＧ^ｆ１）と（ＯＧ^ｆ２）、（ＯＧ^ｆ２）と（ＯＧ^ｆ４）の結合順序は各々任意である。例えば（ＯＧ^ｆ１）と（ＯＧ^ｆ２）が交互に配置されてもよく、（ＯＧ^ｆ１）と（ＯＧ^ｆ２）が各々ブロックに配置されてもよく、またランダムであってもよい。式（Ｇ３）においても同様である。
　式（Ｇ２）において、ｍ１１は１～５０が好ましく、２～３０がより好ましい。またｍ１２は１～５０が好ましく、２～３０がより好ましい。
　式（Ｇ３）において、ｍ１２は１～５０が好ましく、２～３０がより好ましい。またｍ１４は１～５０が好ましく、２～３０がより好ましい。
　式（Ｇ４）において、ｍ１３は１～５０が好ましく、２～３０がより好ましい。
　式（Ｇ５）はクラウンエーテル類を表す。式（Ｇ５）におけるｍ１２は合成の容易性等の点から、２～１２が好ましく、４～８がより好ましい。

　フルオロエーテル環を含む基（Ｒ^ｆ）は、耐摩耗性、撥水撥油性、及び指紋汚れ除去性の点から、更に下記式（２）で表される基を含むことが好ましい。
　＊－（Ｒ^ｆ２）_ｍ２－（ＯＲ^ｆ３）_ｍ３－＊＊　　・・・（２）
　ただし、
　Ｒ^ｆ２は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^ｆ３は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
　ｍ２は０又は１であり、
　ｍ３は１以上の整数であり、
　結合手＊は、前記式（１）中の結合手を有する炭素原子と結合し、
　結合手＊＊は前記反応性基（Ｔ^１）と直接、又は連結基を介して結合し、
　Ｒ^ｆ３が複数ある場合、当該複数あるＲ^ｆ３は互いに同一であっても異なっていてもよい。

　Ｒ^ｆ２及びＲ^ｆ３における炭素数１～６のフルオロアルキレン基は、直鎖であってもよく分岐を有していてもよい。炭素数１～６のフルオロアルキレン基の具体例としては、前記Ｇ^ｆ１～Ｇ^ｆ６で挙げたものと同様のものが挙げられる。

　ｍ２は０又は１である。ｍ２が０の場合、式（１）のフルオロエーテル環の炭素原子と、（ＯＲ^ｆ３）_ｍ３の末端の酸素原子が結合する。ｍ２が１の場合、式（１）のフルオロエーテル環の炭素原子と、Ｒ^ｆ２の炭素原子が結合する。合成の容易性及び耐摩耗性の点から、ｍ２は１が好ましい。

　（ＯＲ^ｆ３）_ｍ３は、下記式（Ｇ１１）で表される構造を有することが好ましい。
　［（ＯＧ^ｆ１１）_ｍ２１（ＯＧ^ｆ１２）_ｍ２２（ＯＧ^ｆ１３）_ｍ２３（ＯＧ^ｆ１４）_ｍ２４（ＯＧ^ｆ１５）_ｍ２５（ＯＧ^ｆ１６）_ｍ２６］　　　式（Ｇ１１）
　ただし、
　Ｇ^ｆ１１は、炭素数１のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ１２は、炭素数２のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ１３は、炭素数３のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ１４は、炭素数４のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ１５は、炭素数５のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ１６は、炭素数６のフルオロアルキレン基であり、
　ｍ２１、ｍ２２、ｍ２３、ｍ２４、ｍ２５、ｍ２６は、それぞれ独立に０又は１以上の整数を表し、ｍ２１＋ｍ２２＋ｍ２３＋ｍ２４＋ｍ２５＋ｍ２６（式（２）におけるｍ３）は１～２００の整数が好ましい。
　なお、式（Ｇ１１）における（ＯＧ^ｆ１１）～（ＯＧ^ｆ１６）の結合順序は任意である。Ｇ^ｆ１１～Ｇ^ｆ１６の具体例は、順に前記Ｇ^ｆ１～Ｇ^ｆ６と同様のものが挙げられる。

　（ＯＲ^ｆ３）_ｍ３は、撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性により優れる点から、中でも、下式（Ｇ１２）～下式（Ｇ１４）で表される構造を有することが好ましい。
　　（ＯＧ^ｆ１１）_ｍ２１－（ＯＧ^ｆ１２）_ｍ２２　　　　　　　　　式（Ｇ１２）
　　（ＯＧ^ｆ１２）_ｍ２２－（ＯＧ^ｆ１４）_ｍ２４　　　　　　　　　式（Ｇ１３）
　　（ＯＧ^ｆ１３）_ｍ２３　　　　　　　　　　　　　　　　　式（Ｇ１４）
　ただし、式（Ｇ１２）～式（Ｇ１４）の各符号は、前記式（Ｇ１１）と同様である。

　式（Ｇ１２）及び式（Ｇ１３）において、（ＯＧ^ｆ１１）と（ＯＧ^ｆ１２）、（ＯＧ^ｆ１２）と（ＯＧ^ｆ１４）の結合順序は各々任意である。例えば式（Ｇ１２）において（ＯＧ^ｆ１）と（ＯＧ^ｆ２）が交互に配置されてもよく、（ＯＧ^ｆ１１）と（ＯＧ^ｆ１２）が各々ブロックに配置されてもよく、またランダムであってもよい。式（Ｇ１３）においても同様である。
　式（Ｇ１２）において、ｍ２１は１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。またｍ２２は１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。
　式（Ｇ１３）において、ｍ２２は１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。またｍ２４は１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。
　式（Ｇ１４）において、ｍ２３は１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。

　フルオロエーテル環を含む基（Ｒ^ｆ）は、撥水撥油性、指紋汚れ除去性、耐摩耗性及び滑落防止性に優れる点から下記式（１１）で表される基が好ましい。
　Ｒ^ｒ１－［（Ｒ^ｆ２）_ｍ２－（ＯＲ^ｆ３）_ｍ３－＊＊］_ｙ１　　・・・（１１）
　但し、Ｒ^ｒ１は前記式（１）で表されるフルオロエーテル環のｙ１価の残基であり、
　ｙ１は１～６の整数であり、
　Ｒ^ｆ２、Ｒ^ｆ３、ｍ２及びｍ３は、前記式（２）におけるものと同様であり、
　結合手＊＊は反応性基（Ｔ^１）と直接、又は連結基を介して結合する結合手である。

　ｙ１は、指紋汚れ除去性及び滑落抑制効果に優れ、本化合物の製造容易性の点から、１～６の整数であればよく、１～３が好ましく、１～２がより好ましい。

　フルオロエーテル環を含む基（Ｒ^ｆ）は水素原子を有していてもよい。表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性により優れる点からは、Ｒ^ｆ中の下記数式（Ｉ）で表されるフッ素原子の割合は６０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、実質的に１００％、すなわちペルフルオロポリエーテル鎖であることが更に好ましい。フッ素原子が６０％以上であれば、フルオロポリエーテル鎖のフッ素量が増大して、滑り性や指紋除去性がより向上する。
　数式（Ｉ）：フッ素原子の割合の割合（％）＝（フッ素原子の数）／｛（フッ素原子の数）＋（水素原子の数）｝×１００

　基（Ｒ^ｆ）の分子量は、表面層の指紋汚れ除去性及び耐滑り性を両立する点から、２，０００～２０，０００が好ましく、２，５００～１５，０００がより好ましく、３，０００～１０，０００が更に好ましい。Ｒ^ｆの分子量が２，０００以上であれば、フルオロポリエーテル鎖の柔軟性が向上するとともに、分子中のフッ素量が増加して、指滑り性や指紋除去性がより向上する。一方、フルオロポリエーテル鎖の分子量が２０，０００以下であれば、表面層の耐摩擦性により優れる。

　Ｒ^ｆの具体例としては、以下のような構造が挙げられる。下式中のｎは各々独立に１～２００の整数である。また、環中のＦは、環が１個以上のＦ原子を有することを示す。なおＲ^ｆはこれらに限定されるものではない。

＜反応性基（Ｔ^１）＞
　Ｔ^１は反応性基であり、Ｔ^１が有する反応性に起因して、本化合物は種々の機能を発現する。当該機能としては、例えば、基材表面との密着性を向上する機能、本化合物に光硬化性や熱硬化性を付与する機能、本化合物に酸性アルカリ性等を付与する機能、本化合物の特定の溶媒に対する溶解性を調整する機能、更に、他の化合物を合成する際の前駆体しての機能等が挙げられる。
　前記反応性基の具体的な例としては、例えば、－Ａｒ、－ＳＲ^１０、－ＮＯＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｎ（Ｒ^１０）_２、－Ｎ^＋（Ｒ^１０）_３Ｘ^３、－Ｃ≡Ｎ、－Ｃ（＝ＮＲ^１０）－Ｒ^１０、－Ｎ^＋≡Ｎ、－Ｎ＝ＮＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ^２、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ^４、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－ＳＯ_２Ｒ^１０、－ＳＯ_３Ｈ、－ＳＯ_３Ｘ^２、－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－ＯＲ^１０）_２、－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－ＯＲ^１０）（－ＯＸ^２）、－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、－ＳｉＲ^ａ１ _ｚ１Ｒ^ａ１１ _３－ｚ１、－Ｃ（Ｒ^１０）＝Ｃ（Ｒ^１０）_２、－Ｃ≡Ｃ（Ｒ^１０）、－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ^１０）_２、－Ｎ（Ｒ^１０）Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｓｉ（Ｒ^１０）_２－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ^１０）_３、－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＲ^１０、－Ｉ、

等の基が挙げられる。
　ただし、
　Ｒ^１０は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基又はフルオロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基であり、
　Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基であり、
　Ｘ^２は、アルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンであり、
　Ｘ^３は、ハロゲン化物イオンであり、
　Ｘ^４は、ハロゲン原子であり、
　Ｒ^ａ１は、加水分解性基、加水分解性基を有する基又は水酸基であり、
　Ｒ^ａ１１は、炭化水素基であり、
　ｚ１は、１～３の整数であり、
　Ｒ^１０、Ｒ^ａ１又はＲ^ａ１１が複数ある場合において、当該複数あるＲ^１０、Ｒ^ａ１又はＲ^ａ１１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。

　Ｒ^１０におけるフルオロアルキル基は、炭素数１～６が好ましい。当該フルオロアルキル基は他の置換基を有していてもよい。Ｔ^１としてフルオロアルキル基を有する本化合物は、フッ素含有割合の高い化合物となり、低屈折率、低誘電率、撥水・撥油性、耐熱性、耐薬品性、化学的安定性、透明性等の諸特性に優れている。フルオロアルキル基が有していてもよい置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、及び、反応性基Ｔ^１として例示されているものと同様のものが挙げられる。
　Ａｒ及びＲ^１０におけるアリール基は、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、更に置換基を有していてもよい。アリール基が有していてもよい置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、及び、反応性基Ｔ^１として例示されているものと同様のものが挙げられる。
　Ｒ^１０におけるアルキル基は、炭素数１～６が好ましい。当該アルキル基は他の置換基を有していてもよい。アルキル基が有していてもよい置換基としては、塩素原子等のハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、及び、反応性基Ｔ^１として例示されているものと同様のものが挙げられる。

　Ｔ^１としてヒドロキシ基、Ｎ－ヒドロキシ基、アルデヒド基、ケトン基、アミノ基、４級アンモニウム基、ニトリル基、イミノ基、ジアゾ基、カルボキシ基、カルボン酸塩、酸無水物基、スルホ基、スルホン酸塩、リン酸基、リン酸塩を有する本化合物は、当該反応性基Ｔ^１により、酸性、アルカリ性、親水性等の各種特性が付与されており、例えば、特定の溶媒に対する溶解性が向上したり、特定の基材に対する密着性が向上する等の機能を付与する。４級アンモニウム塩の対イオンとしては、ハロゲン化物イオン等が挙げられる。カルボン酸塩、スルホン酸塩、リン酸塩の対イオンとしては、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン等が挙げられる。
　炭素－炭素二重結合を有する基としては、ビニル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、オレフィン等が挙げられる。炭素－炭素二重結合を有する本化合物は、光開始剤等と組み合わせることにより、光硬化性組成物を調製でき、当該組成物により得られる硬化塗膜は、撥水撥油性とハードコート性とを兼ね備える。
　また、イソシアネート基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、メルカプト基を有する本化合物は、エポキシ硬化剤と組み合わせることにより熱硬化性又は光硬化性組成物を調製でき、当該組成物により得られる硬化塗膜は、撥水撥油性とハードコート性とを兼ね備える。
　Ｔ^１におけるアミド結合、エステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、シロキサン結合、ウレア結合は、Ｔ^１に含まれる、アルキル基、フルオロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基等を連結する結合である。これらの結合を介して更に他の機能性付与基を有していてもよい。

　本化合物の反応性基Ｔ^１としては、合成や化学的安定性、基材との密着性等の点から、ヒドロキシル基、アミノ基、又は炭素－炭素二重結合を有する基が好ましい。また、炭素－炭素二重結合を有する基の中でも、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、アリル基、又はオレフィンが好ましい。

　また、本化合物を耐摩擦性等の耐久性に優れた表面層を形成するための表面処理剤として用いる場合、Ｔ^１は反応性シリル基を有する基であることが好ましい。反応性シリル基を有する基としては、下記式（５）で表される基が好ましい。
　－ＳｉＲ^ａ１ _ｚ１Ｒ^ａ１１ _３－ｚ１　　・・・式（５）
　ただし、
　Ｒ^ａ１は、加水分解性基、加水分解性基を有する基又は水酸基であり、
　Ｒ^ａ１１は、炭化水素基であり、
　ｚ１は、１～３の整数であり、
　Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ１１、及びｚ１が複数ある場合、当該複数あるＲ^ａ１、Ｒ^ａ１１、及びｚ１は各々同一であっても異なっていてもよい。

　Ｒ^ａ１が水酸基の場合は、Ｓｉ原子と共にシラノール（Ｓｉ－ＯＨ）基を構成する。また、加水分解性基は加水分解反応によって水酸基となる基である。シラノール基は、更に分子間で反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面の水酸基（基材－ＯＨ）と脱水縮合反応して、化学結合（基材－Ｏ－Ｓｉ）を形成する。化合物１は、Ｔ^１を１以上有することにより、表面層形成後の耐摩耗性に優れる。

　Ｒ^ａ１の加水分解性基としては、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イソシアナート基（－ＮＣＯ）等が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。アシル基としては、炭素数１～６のアシル基が好ましい。アシルオキシ基としては、炭素数１～６のアシルオキシ基が好ましい。

　Ｒ^ａ１の加水分解性基を有する基としては、例えば、上記で例示される加水分解性基を有する基であればよい。加水分解性基を有する基は、－Ｏ－Ｌ^Ａ－Ｌ^Ｂが好ましい。Ｌ^Ａはエーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基であり、Ｌ^Ｂは加水分解性基である。
　アルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましい。
　Ｌ^Ａで表される上記アルキレン基は、炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子を有していてもよい。上記エーテル性酸素原子の数は、１又は２以上であってもよい。Ｌ^Ａがエーテル性酸素原子を有するアルキレン基である場合、－Ｏ－Ｌ^Ａ－Ｌ^Ｂ中の－Ｏ－側に結合する原子は、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基を構成する炭素原子であることが好ましい。
　Ｌ^Ｂで表される加水分解性基は、Ｒ^ａ１で表される加水分解性基と同義であり、好適態様も同じである。

　Ｒ^ａ１は、合成の容易性の点から、炭素数１～４のアルコキシ基又はハロゲン原子が特に好ましい。Ｒ^ａ１におけるアルコキシ基は、化合物１の保存安定性に優れ、反応時のアウトガスが抑制される点から、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、長期の保存安定性の点からはエトキシ基が特に好ましく、加水分解反応時間を短時間にする点からはメトキシ基が特に好ましい。また、ハロゲン原子としては、塩素原子が特に好ましい。

　Ｒ^ａ１１は、炭化水素基である。炭化水素基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基等が挙げられ、合成の容易性等の点から、アルキル基が好ましい。また、合成の容易性等の点から、炭化水素基の炭素数は、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。

　１つのＴ^１内における、Ｒ^ａ１の数ｚ１は、１～３であればよく、基材との密着性の点からは、２又は３が好ましく、３がより好ましい。
　Ｔ^１の具体例としては、－Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、－ＳｉＣＨ_３（ＯＣＨ_３）_２、－Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、－ＳｉＣｌ_３、－Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ_３）_３、－Ｓｉ（ＮＣＯ）_３等が挙げられる。製造における取扱いやすさの点から、－Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３が特に好ましい。

　本化合物の１分子中のＴ^１の数は、１～２０であればよく、合成の容易性や、本化合物の取り扱いの容易性等の点から、１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。本化合物の１分子中に２個以上のＴ^１がある場合において、当該Ｔ^１は、互いに同一の構造であってもよく、異なる構造であってもよい。

　Ｔ^１が反応性シリル基を有さない場合の具体例としては、以下の構造が挙げられる。ただし、式中のＲ^ａは、置換基を有していてもよいアルキル基、フルオロアルキル基、又はアリール基を示し、Ｒ^ｂは置換基を有していてもよいフルオロアルキル基、又はアリール基を示し、＊は結合手を示す。

　フルオロエーテル環を含む基（Ｒ^ｆ）と、反応性基（Ｔ^１）とを有する本化合物は、得られる表面層の耐摩擦性、指紋汚れ除去性、滑落防止性に優れ、且つ、本化合物の合成の容易性の点から、下記式（３）で表される化合物が好ましい。
　Ｒ^ｆ［－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｘ１］_ｙ１　　・・・（３）
　ただし、
　Ｒ^ｆは、置換基を有していてもよいフルオロエーテル環を含む基であり、
　Ｑ^１は、１＋ｘ１価の連結基であり、
　Ｔ^１は、反応性基であり、
　ｘ１は１～１０の整数であり、
　ｙ１は１～６の整数であり、
　Ｑ^１、Ｔ^１、又はｘ１が複数ある場合、当該複数あるＱ^１、Ｔ^１、又はｘ１は互いに同一であっても異なっていてもよい。
　なお、式（３）におけるＲ^ｆ、Ｔ^１及びｙ１は前述の通りであるためここでの説明は省略する。

　Ｑ^１は、フルオロエーテル環を含む基（Ｒ^ｆ）と反応性基（Ｔ^１）とを連結する１＋ｘ１価の連結基である。Ｑ^１の構造は特に限定されるものではないが、本化合物の化学的安定性や合成の容易性の点から、－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｘ１として、下記式（４）で表される構造を備えることが好ましい。
　＊－Ｒ^２－Ｌ^１（－Ｒ^３－Ｔ^１）_ｘ１　　・・・（４）
　ただし、
　Ｒ^２は、単結合、炭素数１～２０のフルオロアルキレン基、アルキレン基、又は炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含むアルキレン基であり、
　Ｌ^１は、単結合又は、１＋ｘ１価の基であり、
　Ｒ^３は、アルキレン基、又はエーテル性酸素原子を有するアルキレン基であり、
　ｘ１は１～１０の整数であり、
　結合手＊はＲ^ｆと連結し、
　Ｒ^３又はＴ^１が複数ある場合、当該複数あるＲ^３又はＴ^１は互いに同一であっても異なっていてもよい。

　Ｒ^２は、単結合、炭素数１～２０のフルオロアルキレン基、アルキレン基、又は炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含むアルキレン基である。Ｒ^２が単結合である場合、Ｒ^ｆ中の（ＯＲ^ｆ３）_ｍ３の末端に位置するＲ^ｆ３が、Ｌ^１と直接結合する構造を有する。

　Ｒ^２がアルキレン基である場合、当該アルキレン基は、直鎖であってもよく、分岐を有してもよく、環構造を有してもよく、炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を有してもよい。Ｒ^２は、耐摩耗性の点から直鎖アルキレン基が好ましい。また、合成容易性等の観点から、アルキレン基の炭素数は１～６が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｒ^２がフルオロアルキレン基である場合、当該アルキレン基は、直鎖であってもよく、分岐を有してもよく、環構造を有してもよい。

　Ｌ^１は、単結合又は、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ等のヘテロ原子を有してもよく、分岐点を有していてもよい１＋ｘ１価の基である。Ｌ^１中のＲ^２及びＲ^３に結合する原子は、各々独立に、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ原子、分岐点を構成する炭素原子である。
　Ｌ^１が単結合の場合、式（４）のＲ^２とＲ^３は直接結合する。また、Ｌ^１が単結合であり、かつＲ^２が単結合である場合、本化合物は（ＯＲ^ｆ３）_ｍ３とＲ^３が直接結合する構造を有する。

　Ｌ^１が３価以上の基の場合、Ｌ^１はＣ、Ｎ、Ｓｉ、環構造及び（１＋ｘ１）価のオルガノポリシロキサン残基からなる群から選ばれる少なくとも１種の分岐点（以下、「分岐点Ｐ^１」と記す。）を有する。

　Ｎが分岐点Ｐ^１となる場合、分岐点Ｐ^１は、例えば＊－Ｎ（－＊＊）_２で表される。ただし、＊はＲ^２側の結合手であり、＊＊はＲ^３側の結合手である。
　Ｃが分岐点Ｐ^１となる場合、分岐点Ｐ^１は、例えば＊－Ｃ（－＊＊）_３又は＊－ＣＲ^２９（－＊＊）_２で表される。ただし、＊はＲ^２側の結合手であり、＊＊はＲ^３側の結合手であり、Ｒ^２９は１価の基であり、水素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基等が挙げられる。
　Ｓｉが分岐点Ｐ^１となる場合、分岐点Ｐ^１は、例えば＊－Ｓｉ（－＊＊）_３又は＊－ＳｉＲ^２９（－＊＊）_２で表される。ただし、＊はＲ^２側の結合手であり、＊＊はＲ^３側の結合手であり、Ｒ^２９は１価の基であり、水素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基等が挙げられる。

　分岐点Ｐ^１を構成する環構造としては、本化合物を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、３～８員環の脂肪族環、３～８員環の芳香族環、３～８員環のヘテロ環、及びこれらの環のうちの２つ以上からなる縮合環からなる群から選ばれる１種が好ましく、下式に挙げられる環構造が特に好ましい。環構造は、ハロゲン原子、アルキル基（炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含んでいてもよい。）、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基、アルコキシ基、オキソ基（＝Ｏ）等の置換基を有してもよい。

　分岐点Ｐ^１を構成するオルガノポリシロキサン残基としては、例えば、下記の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲ^２５は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はフェニル基である。Ｒ^２５のアルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、１～１０が好ましく、１がより好ましい。

　２価以上のＬ^１は、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^２６）－、－Ｎ（Ｒ^２６）Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｏ－、－Ｎ（Ｒ^２６）－、－Ｓ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＨＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）ＮＨ－、－ＮＨＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^２６）－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^２６）－、－Ｎ（Ｒ^２６）ＳＯ_２－、－Ｓｉ（Ｒ^２６）_２－、－ＯＳｉ（Ｒ^２６）_２－、－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－Ｐｈ－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－及び２価のオルガノポリシロキサン残基からなる群から選ばれる少なくとも１種の結合（以下、「結合Ｂ^４」と記す。）を有していてもよい。
　ただし、Ｒ^２６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基であり、Ｐｈは、フェニレン基である。Ｒ^２６のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。

　２価のオルガノポリシロキサン残基としては、例えば、下式の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲ^２７は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はフェニル基である。Ｒ^２７のアルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、１～１０が好ましく、１がより好ましい。

　結合Ｂ^４としては、本化合物を製造しやすい点から、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｎ（Ｒ^２６）Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、及び－ＮＲ^２６－からなる群から選ばれる少なくとも１種の結合が好ましく、表面層の耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｎ（Ｒ^２６）Ｃ（Ｏ）－又は－Ｃ（Ｏ）－がより好ましい。

　３価以上のＬ^１は、Ｒ^２及びＲ^３に結合する原子が、各々独立に、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ原子、分岐点を構成する炭素原子、又はオキソ基（＝Ｏ）を有する炭素原子である。すなわち、Ｒ^２及びＲ^３に隣接する原子が各々結合Ｂ^４又は分岐点Ｐ^１の構成元素である。３価以上のＬ^１の具体例としては、１個以上の分岐点Ｐ^１（例えば｛＊－Ｐ^１（－＊＊）_ｘ１｝）、１個以上の分岐点Ｐ^１と１個以上の結合Ｂ^４との組み合わせ（例えば、｛＊－Ｂ^４－Ｒ^２８－Ｐ^１（－＊＊）_ｘ１｝、｛＊－Ｂ^４－Ｒ^２８－Ｐ^１（－Ｒ^２８－Ｂ^４－＊＊）_ｘ１｝）等が挙げられる。ただし、Ｒ^２８は単結合又は２価の有機基であり、＊はＲ^２側の結合手であり、＊＊はＲ^３側の結合手である。

　また、２価のＬ^１としては、Ｒ^２及びＲ^３に結合する原子が、各々独立に、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ原子又はオキソ基（＝Ｏ）を有する炭素原子である。すなわち、Ｒ^２及びＲ^３に隣接する原子が各々結合Ｂ^４の構成元素である。２価のＬ^１の具体例としては、単結合、１個以上の結合Ｂ^４（例えば、＊－Ｂ^４－＊＊、＊－Ｂ^４－Ｒ^２８－Ｂ^４－＊＊）等が挙げられる。ただし、Ｒ^２８は単結合又は２価の有機基であり、＊はＲ^２側の結合手であり、＊＊はＲ^３側の結合手である。

　上記Ｒ^２８における２価の有機基としては、例えば、２価の脂肪族炭化水素基（アルキレン基、シクロアルキレン基等）、２価の芳香族炭化水素基（フェニレン基等）が挙げられ、炭素数２以上の炭化水素基の炭素－炭素原子間に結合Ｂ^４を有していてもよい。２価の有機基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が更に好ましい。

　前記Ｌ^１としては、本化合物を製造しやすい点から、下式（Ｅ１）～（Ｅ７）のいずれかで表される基が好ましい。

　－Ｅ^１－Ｃ（Ｒ^Ｅ２）_３－ｅ３（－Ｅ^２２－）_ｅ３　・・・式（Ｅ２）
　－Ｅ^２－Ｎ（－Ｅ^２３－）_２　・・・式（Ｅ３）
　－Ｅ^３－Ｚ^１（－Ｅ^２４－）_ｅ４　・・・式（Ｅ４）
　－Ｅ^２－Ｓｉ（Ｒ^Ｅ３）_３－ｅ３（－Ｅ^２５－）_ｅ３　・・・式（Ｅ５）
　－Ｅ^１－Ｅ^２６－　・・・式（Ｅ６）
　－Ｅ^１－ＣＨ（－Ｅ^２２－）－Ｓｉ（Ｒ^Ｅ３）_３－ｅ５（－Ｅ^２５－）_ｅ５　・・・式（Ｅ７）
　ただし、式（Ｅ１）～式（Ｅ７）においては、Ｅ^１、Ｅ^２又はＥ^３側が式（４）のＲ^２と接続し、Ｅ^２２、Ｅ^２３、Ｅ^２４、Ｅ^２５又はＥ^２６側がＲ^３に接続する。
　ここで、Ｅ^１は、単結合、－Ｂ^５－、－Ｂ^６－Ｒ^４０－、又は－Ｂ^６－Ｒ^４０－Ｂ^５－であって、Ｒ^４０はアルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^Ｅ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^Ｅ６－又は－Ｏ－を有する基であり、Ｂ^５は、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^Ｅ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^Ｅ６－又は－Ｏ－であり、Ｂ^６は－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^Ｅ６－、－Ｃ（Ｏ）－、又は－ＮＲ^Ｅ６－であり、
　Ｅ^２は、単結合又は－Ｂ^６－Ｒ^４０－であり、
　Ｅ^３は、Ｅ^３が結合するＺ^１における原子が炭素原子の場合、Ｅ^１であり、Ｅ^３が結合するＺ^１における原子が窒素原子の場合、Ｅ^２であり、
　Ｅ^１１は、単結合、－Ｏ－、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^Ｅ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^Ｅ６－又は－Ｏ－を有する基であり、
　Ｅ^２２は、単結合、－Ｂ^５－、－Ｒ^４０－Ｂ^６－又は－Ｂ^５－Ｒ^４０－Ｂ^６－であり、Ｅ^２２を２以上有する場合、２以上のＥ^２２は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｅ^２３は、単結合又は－Ｒ^４０－Ｂ^６－であり、２個のＥ^２３は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｅ^２４は、Ｅ^２４が結合するＺ^１における原子が炭素原子の場合、Ｅ^２２であり、Ｅ^２４が結合するＺ^１における原子が窒素原子の場合、Ｅ^２３であり、Ｅ^２４を２以上有する場合、２以上のＥ^２４は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｅ^２５は、単結合、又は－Ｒ^４０－Ｂ^６－であり、Ｅ^２５を２以上有する場合、２以上のＥ^２５は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｅ^２６は、単結合又は－Ｒ^４０－Ｂ^６－であり、
　Ｚ^１は、Ｅ^３が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＥ^２４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有する（ｅ４＋１）価の環構造を有する基であり、
　Ｒ^Ｅ１は、水素原子又はアルキル基であり、Ｒ^Ｅ１を２以上有する場合、２以上のＲ^Ｅ１は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^Ｅ２は、水素原子、水酸基、アルキル基又はアシルオキシ基であり、
　Ｒ^Ｅ３は、アルキル基であり、
　Ｒ^Ｅ６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基であり、
　　ｅ１は０～３の整数であり、ｅ２は０～３の整数であって、ｅ１＋ｅ２は１～６の整数であり、
　　ｅ３は、１～３の整数であり、
　　ｅ４は、１以上の整数であり、
　　ｅ５は、１～３の整数である。
　なお、ｅ１＋ｅ２＝ｘ１、ｅ３＝ｘ１、ｅ４＝ｘ１、ｅ５＋１＝ｘ１である。

　Ｒ^４０のアルキレン基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が更に好ましい。ただし、炭素－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。

　Ｚ^１における環構造としては、上述した環構造が挙げられ、好ましい形態も同様である。なお、Ｚ^１における環構造にはＥ^２４が直接結合するため、環構造に例えばアルキレン基が連結して、そのアルキレン基にＥ^２４が連結することはない。

　Ｒ^Ｅ１、Ｒ^Ｅ２又はＲ^Ｅ３のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。
　Ｒ^Ｅ２のアシルオキシ基のアルキル基部分の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。
　ｇ４は、本化合物を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性が更に優れる点から、２～６が好ましく、２～４がより好ましく、２又は３が更に好ましい。

　前記Ｌ^１の他の形態としては、下式（Ｅ１１）～（Ｅ１７）のいずれかで表される基が挙げられる。

　－Ｅ^１－Ｃ（Ｒ^Ｅ２）_３－ｅ３（－Ｅ^２２－Ｅ^Ｇ）_ｅ３　式（Ｅ１２）
　－Ｅ^２－Ｎ（－Ｅ^２３－Ｅ^Ｇ）_２　式（Ｅ１３）
　－Ｅ^３－Ｚ^１（－Ｅ^２４－Ｅ^Ｇ）_ｅ４　式（Ｅ１４）
　－Ｅ^２－Ｓｉ（Ｒ^Ｅ３）_３－ｅ３（－Ｅ^２５－Ｅ^Ｇ）_ｅ３　式（Ｅ１５）
　－Ｅ^１－Ｅ^２６－Ｅ^Ｇ　式（Ｅ１６）
　－Ｅ^１－ＣＨ（－Ｅ^２２－）－Ｓｉ（Ｒ^Ｅ３）_３－ｅ５（－Ｅ^２５－Ｅ^Ｇ）_ｅ５　式（Ｅ１７）

　ただし、式（Ｅ１１）～式（Ｅ１７）においては、Ｅ^１、Ｅ^２又はＥ^３側が式（４）のＲ^２と接続し、Ｅ^２２、Ｅ^２３、Ｅ^２４、Ｅ^２５又はＥ^２６側がＲ^３に接続する。Ｅ^Ｇは、下記式（Ｅ^Ｇ）で表される基であり、Ｌ^１が有する２以上のＥ^Ｇは同一であっても異なっていてもよい。Ｅ^Ｇ以外の符号は、式（Ｅ１）～式（Ｅ７）における符号と同じである。
　－Ｓｉ（Ｒ^２３）_３－ｋ（－Ｅ^３－）_ｋ　式（Ｅ^Ｇ）
　ただし、式（Ｅ^Ｇ）において、Ｓｉ側がＥ^２２、Ｅ^２３、Ｅ^２４、Ｅ^２５又はＥ^２６に接続し、Ｅ^３側がＲ^３に接続する。Ｒ^２３は、アルキル基である。Ｅ^３は、単結合、又は－Ｒ^４５－Ｂ^６－であって、Ｒ^４５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^４６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^４６－又は－Ｏ－を有する基、又は－（ＯＳｉ（Ｒ^２４）_２）_ｐ－Ｏ－であり、２以上のＥ^３は同一であっても異なっていてもよい。ｋは、２又は３である。Ｒ^４６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基である。Ｒ^２４は、アルキル基、フェニル基又はアルコキシ基であり、２個のＲ^２４は同一であっても異なっていてもよい。ｐは、０～５の整数であり、ｐが２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ^２４）_２）は同一であっても異なっていてもよい。

　Ｅ^３のアルキレン基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が更に好ましい。ただし、炭素－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。
　Ｒ^２３のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。
　Ｒ^２４のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。
　Ｒ^２４のアルコキシ基の炭素数は、本化合物の保存安定性に優れる点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。
　ｐは、０又は１が好ましい。

　Ｒ^３は、単結合、アルキレン基、又はエーテル性酸素原子を有するアルキレン基である。Ｒ^３がエーテル性酸素原子を有するアルキレン基である場合、Ｌ^１に結合する原子がエーテル性酸素原子でもよく、炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を有してもよい。
Ｒ^３が複数ある場合、複数あるＲ^３は互いに同一であっても異なっていてもよい。当該Ｒ^３としては、下式（６）で表わす基であることが好ましい。
　＊－（Ｏ）_ａ６－（Ｒ^４１Ｏ）_ａ７－Ｒ^４２－＊＊　・・・（６）
　ただし、
　Ｒ^４１は、炭素数１～１２のアルキレン基であり、複数あるＲ^４１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^４２は、炭素数１～３０のアルキレン基であり、
　ａ６は０又は１であり、
　ａ７は０以上の整数であり、
　＊はＬ^１に結合する結合手であり、
　＊＊はＴ^１に結合する結合手である。

　ａ６が０の場合において、結合手＊を有する原子は、炭素原子であり、ａ６が１の場合において、結合手＊を有する原子は、酸素原子である。化合物１において、ａ６は、０又は１のいずれでもよく、合成の容易性等の点から適宜選択すればよい。
　ａ７はＲ^４１Ｏの繰り返し数であり、表面層としての耐久性等の点から、０～６が好ましく、０～３がより好ましく、０～１が更に好ましい。
　Ｒ^４１のアルキレン基は、炭素数１～１２の直鎖又は分岐を有するアルキレン基であればよく、炭素数１～６のアルキレン基が好ましく、炭素数１～３のアルキレン基がより好ましい。また、当該アルキレン基は直鎖アルキレン基が好ましい。
　Ｒ^４２のアルキレン基は、炭素数１～３０の直鎖又は分岐を有するアルキレン基であればよく、炭素数１～２０のアルキレン基が好ましく、炭素数２～２０のアルキレン基がより好ましい。Ｒ^４２のアルキレン基の炭素数は１～１２であってもよく、１～１０であってもよく、２～６であってもよく２～３であってもよい。また、当該アルキレン基は直鎖アルキレン基が好ましい。

　－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｘ１の具体例としては、以下のような構造が挙げられる。なお－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｘ１はこれらに限定されるものではない。

　上記（ＣＨ_２）_αにおけるαはメチレン基の数を表す整数であり、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０が更に好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば、２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。同一化合物中に含まれる複数のαは同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。例えば、同一化合物中に含まれる複数のαが全て２、３、８、９、１１である。

　化合物３の具体例としては、例えば下記が挙げられる。なお、下記式中のｎ及びｍは各々独立に１～２００の整数を表す。

＜本化合物の製造方法＞
　本化合物の製造方法としては、例えば、（Ｉ）直鎖状のポリフルオロエーテル鎖にフルオロエーテル環を付加してフルオロエーテル環を含む基（Ｒ^ｆ）を合成し、当該Ｒ^ｆに反応性基Ｔ^１を付加する方法；（ＩＩ）分岐を有するポリフルオロエーテル鎖を環化してフルオロエーテル環を含む基（Ｒ^ｆ）を合成し、当該Ｒ^ｆに反応性基Ｔ^１を付加する方法；等が挙げられる。上記（Ｉ）（ＩＩ）の方法を具体的に説明するが、本化合物の製造方法はこれらに限定されるものではない。

（製造方法（Ｉ））
　上記（Ｉ）の方法において、Ｒ^ｆを合成する方法としては、例えば、下記式（２１）で表される化合物と、下記式（２２）で表される化合物とを反応させる方法が挙げられる。
　Ｒ^ｒ２－（Ｄ^１）_ｙ１　　　　式（２１）
　Ｄ^２－（ＯＲ^ｆ３）_ｍ３－Ｄ^３　　　式（２２）
　但し、
　Ｒ^ｒ２は（フルオロ）エーテル環のｙ１価の残基であり、
　Ｄ^１はＤ^２と反応しうる基を含む基であり、
　Ｄ^２はＤ^１と反応しうる基を含む基であり、
　Ｄ^３は、－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｘ１であるか、又はその後の操作により－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｘ１が導入可能な基であり、
　Ｄ^１とＤ^２は反応後に式（１１）におけるＲ^ｆ２となる基である。

　上記式（２１）で表される化合物は、例えば、置換基を有するクラウンエーテルの市販品等を用いることができる。式（２１）で表される化合物はフッ素化されたものであってもよく、上記反応後にフッ素化してもよい。
　また、上記式（２２）で表される化合物は、市販品を用いてもよく、合成してもよい。

　上記反応の反応条件は、Ｄ^１とＤ^２の組み合わせに応じて適宜調整すればよい。また、Ｄ^３に－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｘ１を導入する方法は、例えば後述する含フッ素エーテル化合物が記載された文献の方法を適宜参照することができる。

（製造方法（ＩＩ））
　上記方法（ＩＩ）において、分岐を有するポリフルオロエーテル鎖の合成方法としては、例えば、下記式（３１）で表される化合物と、下記式（３２）で表される化合物とを反応させて下記式（３３）で表される化合物を得る方法が挙げられる。
　（Ｄ^１１－）_２ＣＲ^３１－Ｄ^１３　　　　式（３１）
　Ｄ^１２－（ＯＲ^ｆ４）_ｍ４　　　　　　式（３２）
　［（Ｒ^ｆ４Ｏ）_ｍ４－］_２ＣＲ^３１－Ｄ^１３　　　式（３３）
　但し、
　Ｒ^３１は水素原子、フッ素原子、又は炭素数１～６の（フルオロ）アルキレン基であり、
　Ｄ^１１はＤ^１２と反応しうる基を含む基であり、
　Ｄ^１３は、－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｘ１であるか、又はその後の操作により－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｘ１が導入可能な基であり、
　Ｒ^ｆ４は炭素数１～６の（フルオロ）アルキレン基であり、
　ｍ４は１以上の整数である。

　次に、分岐を有するポリフルオロエーテル鎖を環化する方法としては、前記式（３３）で表される化合物の末端に互いに反応しうる基Ｄ^１４を導入して下記式（３４）で表される化合物とした後、当該Ｄ^１４同士を反応させる方法が挙げられる。
　［Ｄ^１４－（Ｒ^ｆ４Ｏ）_ｍ４－］_２ＣＲ^３１－Ｄ^１３　　　式（３４）
　Ｄ^１４としては、例えば炭素－炭素二重結合を含む基等が挙げられる。

　製造方法（ＩＩ）において、上記式（３１）で表される化合物、及び上記式（３２）で表される化合物は、市販品等を用いることができる。
　上記各反応の反応条件は、Ｄ^１１とＤ^１２の組み合わせ、Ｄ^１４の種類に応じて適宜調整すればよく、例えば後述する含フッ素エーテル化合物が記載された文献の方法を適宜参照することができる。

［組成物］
　本発明の組成物（以下、「本組成物」とも記す。）は、本化合物である含フッ素エーテル化合物の１種以上と、本化合物以外の他の含フッ素エーテル化合物とを含む。なお、本組成物は、後述する液状媒体を含まない。

　他の含フッ素エーテル化合物としては、不可避的に含まれる化合物、用途等に応じて組み合わせて用いる化合物の両方が挙げられる。

　本化合物と組み合わせて用いる化合物としては、公知の含フッ素エーテル化合物、含フッ素オイルが挙げられる。

　含フッ素オイルとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、エチレン－クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）が挙げられる。

　また、公知の含フッ素エーテル化合物としては、例えば、表面処理剤として市販されている含フッ素エーテル化合物が挙げられる。本組成物が公知の含フッ素エーテル化合物を含む場合、本化合物の特性を補う等の新たな作用効果が発揮される場合がある。
　公知の含フッ素エーテル化合物としては、例えば、下記の文献に記載のものが挙げられる。
　日本特開平１１－０２９５８５号公報に記載のペルフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
　日本特許第２８７４７１５号公報に記載のケイ素含有有機含フッ素ポリマー、
　日本特開２０００－１４４０９７号公報に記載の有機ケイ素化合物、
　日本特開２０００－３２７７７２号公報に記載のペルフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
　日本特表２００２－５０６８８７号公報に記載のフッ素化シロキサン、
　日本特表２００８－５３４６９６号公報に記載の有機シリコーン化合物、
　日本特許第４１３８９３６号公報に記載のフッ素化変性水素含有重合体、
　米国特許出願公開第２０１０／０１２９６７２号明細書、国際公開第２０１４／１２６０６４号、日本特開２０１４－０７０１６３号公報に記載の化合物、
　国際公開第２０１１／０６００４７号、国際公開第２０１１／０５９４３０号に記載のオルガノシリコン化合物、
　国際公開第２０１２／０６４６４９号に記載の含フッ素オルガノシラン化合物、
　日本特開２０１２－７２２７２号公報に記載のフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー、
　国際公開第２０１３／０４２７３２号、国際公開第２０１３／１２１９８４号、国際公開第２０１３／１２１９８５号、国際公開第２０１３／１２１９８６号、国際公開第２０１４／１６３００４号、日本特開２０１４－０８０４７３号公報、国際公開第２０１５／０８７９０２号、国際公開第２０１７／０３８８３０号、国際公開第２０１７／０３８８３２号、国際公開第２０１７／１８７７７５号に記載の含フッ素エーテル化合物、
　日本特開２０１４－２１８６３９号公報、国際公開第２０１７／０２２４３７号、国際公開第２０１８／０７９７４３号、国際公開第２０１８／１４３４３３号に記載のペルフルオロ（ポリ）エーテル含有シラン化合物、
　日本特開２０１５－１９９９０６号公報、日本特開２０１６－２０４６５６号公報、日本特開２０１６－２１０８５４号公報、日本特開２０１６－２２２８５９号公報に記載のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン
　国際公開第２０１８／２１６６３０号、国際公開第２０１９／０３９２２６号、国際公開第２０１９／０３９３４１号、国際公開第２０１９／０３９１８６号、国際公開第２０１９／０４４４７９号、日本特開２０１９－４４１５８号公報、国際公開第２０１９／１６３２８２号に記載の含フッ素エーテル化合物。
　国際公開第２０１９／１５１４４２号、国際公開第２０１９／１５１４４５号、国際公開第２０２０／０６６５３４号、国際公開第２０２０／０６６５３３号、国際公開第２０２０／１１１１３８号、国際公開第２０２１／０２９１８７号、国際公開第２０２１／１１１９９２号、特開２０２２－１９５７７号公報に記載の含フッ素エーテル化合物。
　また、含フッ素エーテル化合物の市販品としては、信越化学工業社製のＫＹ－１００シリーズ（ＫＹ－１７８、ＫＹ－１８５、ＫＹ－１９５等）、ＡＧＣ社製のＳＵＲＥＣＯ（登録商標）　２１０１Ｓ等のＳＵＲＥＣＯ　ＡＦシリーズ、ダイキン工業社製のオプツール（登録商標）ＤＳＸ、オプツール（登録商標）ＡＥＳ、オプツール（登録商標）ＵＦ５０３、オプツール（登録商標）ＵＤ５０９、オプツール（登録商標）ＵＤ１２０等が挙げられる。

　本組成物において、本化合物に公知の含フッ素エーテル化合物を組み合わせる場合、含有比率は用途等に応じて、適宜調整すればよい。本組成物中の本化合物の含有割合は、中でも、１０～９０質量％が好ましく、２０～８０質量％がより好ましく、２５～７５質量％が更に好ましい。上記範囲とすることで、本化合物の特性を十分に発揮するとともに、組み合わせて用いる含フッ素エーテル化合物の特性も十分に得られる。

　不可避的に含まれる化合物としては、本化合物の製造工程で副生する含フッ素エーテル化合物（以下、「副生含フッ素エーテル化合物」とも記す。）が挙げられる。
　副生含フッ素エーテル化合物としては、例えば、未反応の含フッ素エーテル化合物、本化合物の製造におけるヒドロシリル化の際にアリル基の一部がインナーオレフィンに異性化した含フッ素エーテル化合物が挙げられる。

　本組成物が副生含フッ素エーテル化合物を含む場合、当該副生含フッ素エーテル化合物は精製により除去することも可能であるが、本化合物の特性を十分に発揮できる範囲で、本組成物中に含有していてもよい。これにより、副生含フッ素エーテル化合物の精製工程を簡略化することができる。
　公知の含フッ素エーテル化合物を組み合わせない場合、
　本組成物中の本化合物の含有量は、本組成物のうち、６０質量％以上１００質量％未満が好ましく、７０質量％以上１００質量％未満がより好ましく、８０質量％以上１００質量％未満が特に好ましい。
　副生含フッ素エーテル化合物の含有量は、本組成物のうち、０質量％超４０質量％以下が好ましく、０質量％超３０質量％以下がより好ましく、０質量％超２０質量％以下が特に好ましい。
　本化合物の含有量及び副生含フッ素エーテル化合物の含有量が前記範囲内であれば、表面層の初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる。

　また、不可避的に含まれる化合物として、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の添加剤が挙げられる。酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、燐酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸が挙げられる。塩基性触媒としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアが挙げられる。
　これらの含有量は、本組成物のうち、０～９．９９９質量％が好ましく、０～０．９９質量％が特に好ましい。

［表面処理剤］
　本化合物を含む表面処理剤（以下、本表面処理剤ともいう。）は、表面層が指で繰り返し摩擦されても撥水撥油性が低下しにくい性能（耐摩擦性）及び拭き取りによって表面層に付着した指紋を容易に除去できる性能（指紋汚れ除去性）が長期間維持されることが求められる用途、例えば、タッチパネルの指で触れる面を構成する部材、メガネレンズ、ウェアラブル端末のディスプレイの表面処理剤として好適に用いられる。また本化合物により得られる表面層は滑落防止性に優れているため、電子機器等の筐体側の表面処理剤としても好適に用いることができる。

［コーティング液］
　本発明のコーティング液（以下、本コーティング液ともいう。）は、本化合物と液状媒体とを含む。本コーティング液は、液状であればよく、溶液であってもよく、分散液であってもよい。
　本コーティング液は、本含フッ素エーテル化合物を含んでいればよく、本含フッ素エーテル化合物の製造工程で生成した副生物等の不純物を含んでもよい。
　本含フッ素エーテル化合物の濃度は、本コーティング液中、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％が好ましく、０．１～１０質量％がより好ましい。

　液状媒体としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒は、含フッ素系有機溶媒であってもよく、非フッ素系有機溶媒であってもよく、両溶媒を含んでもよい。
　含フッ素系有機溶媒としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
　フッ素化アルカンとしては、炭素数４～８の化合物が好ましい。市販品としては、例えばＣ_６Ｆ_１３Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－２０００）、Ｃ_６Ｆ_１３Ｃ_２Ｈ_５（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－６０００）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＨＦＣＨＦＣＦ_３（ケマーズ社製、バートレル（登録商標）ＸＦ）等が挙げられる。
　フッ素化芳香族化合物としては、例えばヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。
　フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４～１２の化合物が好ましい。市販品としては、例えばＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＥ－３０００）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７１００）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＦ（ＯＣＨ_３）Ｃ_３Ｆ_７（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７３００）等が挙げられる。
　フッ素化アルキルアミンとしては、例えばペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等が挙げられる。
　フルオロアルコールとしては、例えば２，２，３，３－テトラフルオロプロパノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。
　非フッ素系有機溶媒としては、水素原子及び炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子及び酸素原子のみからなる化合物が好ましく、炭化水素系有機溶媒、アルコール系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒が挙げられる。
　本コーティング液は、液状媒体を７５～９９．９９９質量％含むことが好ましく、８５～９９．９９質量％含むことが好ましく、９０～９９．９質量％含むことが特に好ましい。

　本コーティング液は、本化合物と液状媒体の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、それら以外の他の成分を含んでいてもよい。
　他の成分としては、例えば、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の公知の添加剤が挙げられる。
　本コーティング液における、他の成分の含有量は、１０質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。

　本コーティング液の本化合物と他の成分の合計の濃度（以下、固形分濃度ともいう。）は、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％がより好ましく、０．０１～１０質量％が更に好ましく、０．０１～１質量％が特に好ましい。コーティング液の固形分濃度は、加熱前のコーティング液の質量と、１２０℃の対流式乾燥機にて４時間加熱した後の質量とから算出する値である。

［物品］
　図１は本発明の物品の一例を示す模式断面図である。本発明の第１の物品は、基材１２と、下地層１４と、表面層２２とをこの順で有する物品２０であって、下地層１４がケイ素を含む酸化物を含有し、表面層２２が、前記本組成物の縮合体を含有する。

　上記第１の物品における基材１２の材質及び形状は、本物品２０の用途等に応じて適宜選択すればよい。基材１２の材質としては、ガラス、樹脂、サファイア、金属、セラミック、石、これらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。特に、撥水撥油性が求められる基材１２として、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材、電子機器の筐体を構成する基材等が挙げられる。タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材は、透光性を有する。「透光性を有する」とは、ＪＩＳ　Ｒ３１０６：１９９８（ＩＳＯ　９０５０：１９９０）に準じた垂直入射型可視光透過率が２５％以上であることを意味する。タッチパネル用基材の材料としては、ガラス又は透明樹脂が好ましい。

　基材１２は、下地層１４が設けられる面に、コロナ放電処理、プラズマ処理、プラズマグラフト重合処理等の表面処理を施したものであってもよい。表面処理を施した表面は、基材１２と下地層１４の接着性が更に優れ、その結果、表面層２２の耐摩耗性が更に向上する。表面処理としては、表面層２２の耐摩耗性が更に優れる点から、コロナ放電処理又はプラズマ処理が好ましい。

　下地層１４は少なくともケイ素を含む酸化物を含有する層であり、更に他の元素を有していてもよい。下地層１４が酸化ケイ素を含有することで、前記本組成物のＴ^１が脱水縮合し、下地層１４との間でＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合が形成され摩耗耐久性に優れた表面層２２が形成される。

　下地層１４中の酸化ケイ素の含有量は、６５質量％以上であればよく、８０質量％以上が好ましく、８５質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましい。酸化ケイ素の含有量が前記範囲の下限値以上であれば、下地層１４においてＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合が充分に形成され、下地層１４の機械特性が充分に確保される。酸化ケイ素の含有量は、他の元素の合計の含有量（酸化物の場合は酸化物換算した量）の合計を下地層１４の質量から除いた残部である。

　表面層２２の耐久性の点から、下地層１４中の酸化物は、更に、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、白金族元素、ホウ素、アルミニウム、リン、チタン、ジルコニウム、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、及びタングステンより選択される１種以上の元素を含有することが好ましい。これらの元素を含有することで、下地層１４と前記本組成物との結合が強くなり耐摩耗性が向上する。

　下地層１４が、鉄、ニッケル及びクロムより選択される１種以上を含む場合、これらの合計の含有量は、酸化ケイ素に対する割合で１０～１，１００質量ｐｐｍが好ましく、５０～１，１００質量ｐｐｍがより好ましく、５０～５００質量ｐｐｍが更に好ましく、５０～２５０質量ｐｐｍが特に好ましい。
　下地層１４が、アルミニウム及びジルコニウムより選択される１種以上を含む場合、これらの合計の含有量は、１０～２，５００質量ｐｐｍが好ましく、１５～２，０００質量ｐｐｍがより好ましく、２０～１，０００質量ｐｐｍが更に好ましい。
　下地層１４が、アルカリ金属元素を含む場合、これらの合計の含有量は、０．０５～１５質量％が好ましく、０．１～１３質量％がより好ましく、１．０～１０質量％が更に好ましい。なお、アルカリ金属元素としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムが挙げられる。
　下地層１４が、白金族元素を含む場合、これらの合計の含有量は、０．０２～８００質量ｐｐｍが好ましく、０．０４～６００質量ｐｐｍがより好ましく、０．７～２００質量ｐｐｍが更に好ましい。なお白金族元素としては、白金、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムが挙げられる。
　下地層１４が、ホウ素及びリンより選択される１種以上を含む場合、これらの合計の含有量は、表面層２２の耐摩耗性の点から、ケイ素のモル濃度に対する、ホウ素及びリンの合計のモル濃度の比として０．００３～９が好ましく、０．００３～２が好ましく、０．００３～０．５が更に好ましい。
　下地層１４が、アルカリ土類金属元素を含む場合、これらの合計の含有量は、表面層２２の耐摩耗性の点から、ケイ素のモル濃度に対する、アルカリ土類金属元素の合計のモル濃度の比として０．００５～５が好ましく、０．００５～２が好ましく、０．００７～２が更に好ましい。なお、アルカリ土類金属元素としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムが挙げられる。

　本組成物の接着性を向上し、物品２０の撥水撥油性及び耐摩耗性の向上の点から、下地層１４は、アルカリ金属原子を含む酸化ケイ素層であることが好ましい。中でも当該酸化ケイ素層において、表面層２２と接する面からの深さが０．１～０．３ｎｍの領域におけるアルカリ金属原子の濃度の平均値が、２．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であることが好ましい。一方、酸化ケイ素層の機械特性を充分に確保する点から、前記アルカリ金属原子の濃度の平均値は、４．０×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であることが好ましい。

　下地層１４の厚さは、１～２００ｎｍが好ましく、２～２０ｎｍが特に好ましい。下地層１４の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、下地層１４による接着性の向上効果が充分に得られやすい。下地層１４の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、下地層１４自体の耐摩耗性が高くなる。下地層１４の厚さを測定する方法としては、電子顕微鏡（ＳＥＭ、ＴＥＭ等）による下地層１４の断面観察による方法や、光干渉膜厚計、分光エリプソメータ、段差計等を用いる方法が挙げられる。

　下地層１４の形成方法は、例えば、基材１２の表面に、所望の下地層１４の組成を有する蒸着材料を蒸着する方法等が挙げられる。
　蒸着法は一例として、真空蒸着法が挙げられる。真空蒸着法は、蒸着材料を真空槽内で蒸発させ、基材１２の表面に付着させる方法である。
　蒸着時の温度（例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を設置するボートの温度）は、１００～３，０００℃が好ましく、５００～３，０００℃が特に好ましい。
　蒸着時の圧力（例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を設置する槽内の絶対圧）は、１Ｐａ以下が好ましく、０．１Ｐａ以下が特に好ましい。
　蒸着材料を用いて下地層１４を形成する場合、１つの蒸着材料を用いてもよいし、異なる元素を含む２つ以上の蒸着材料を用いてもよい。
　蒸着材料の蒸発方法としては、高融点金属製の抵抗加熱用ボート上で蒸着材料を溶融し、蒸発させる抵抗加熱法、電子ビームを蒸着材料に照射し、蒸着材料を直接加熱して表面を溶融し、蒸発させる電子銃法等が挙げられる。蒸着材料の蒸発方法としては、局所的に加熱できるため高融点物質も蒸発できる点、電子ビームが当たっていないところは低温であるため容器との反応や不純物の混入のおそれがない点から、電子銃法が好ましい。電子銃法に用いる蒸着材料としては、気流が生じても飛散しにくい点から、溶融粒状体又は焼結体が好ましい。

　下地層１４上の表面層２２は、本組成物に含まれる化合物の縮合体を含有する。本化合物の縮合体は、本組成物に含まれる化合物中の加水分解性シリル基が加水分解反応することによってシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）が形成され、シラノール基が分子間で縮合反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合が形成されたもの、及び、本化合物中のシラノール基が下地層１４の表面のシラノール基又はＳｉ－ＯＭ基（ただし、Ｍはアルカリ金属元素である。）と縮合反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合が形成されたものを含む。また、表面層２２は本組成物に含まれる化合物以外の含フッ素エーテル化合物の縮合体を含んでいてもよい。すなわち、表面層２２は、反応性シリル基を有する含フッ素エーテル化合物を、含フッ素エーテル化合物の反応性シリル基の一部又は全部が縮合反応した状態で含む。

　表面層２２の厚さは、１～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍが特に好ましい。表面層２２の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、表面層２２による効果が充分に得られる。表面層２２の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、利用効率が高い。
　表面層２２の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計で得られた厚さである。表面層２２の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、干渉パターンの振動周期から算出できる。

　本発明の第２の物品は、下地層付き基材１０と、表面層２２とをこの順で有する物品２０であって、下地層付き基材１０がケイ素を含む酸化物を含有し、表面層２２が、前記本組成物の縮合体を含有する。

　第２の物品は、下地層付き基材１０が前記第１の物品における下地層１４の組成を有するため、下地層付き基材１０に直接表面層２２を形成しても表面層２２の摩耗耐久性に優れている。
　第２の物品における下地層付き基材１０の材質は、下地層１４の組成を有するものであればよく、例えば、ガラス基材等であってもよい。下地層付き基材１０の材質の詳細は、基材１２及び下地層１４の材質と同様であるため、ここでの説明は省略する。また、表面層２２の構成も前記第１の物品と同様であるため、ここでの説明は省略する。

［物品の製造方法］
　本発明にかかる物品の製造方法は、前記含フッ素エーテル化合物、前記表面処理剤、又は前記コーティング液を用いて、ドライコーティング法又はウェットコーティング法により、表面層を形成する方法である。

　本含フッ素エーテル化合物及び本表面処理剤は、ドライコーティング法にそのまま用いることができる。また、本組成物及び本表面処理剤は、ドライコーティング法によって密着性に優れた表面層を形成するのに好適である。ドライコーティング法としては、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング等の手法が挙げられる。本組成物の分解を抑える点、及び装置の簡便さの点から、真空蒸着法が好適に利用できる。
　真空蒸着には、鉄や鋼等の金属材料からなる金属多孔体に本組成物を担持させたペレット状物質を使用してもよい。本組成物を担持させたペレット状物質は、金属多孔体に本組成物の溶液を含浸し、乾燥して液状媒体を除去することにより製造できる。本組成物の溶液としては、本コーティング液を用いることができる。

　本コーティング液は、ウェットコーティング法に好適に用いることができる。ウェットコーティング法としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法等が挙げられる。

　表面層の耐摩擦性を向上させるために、必要に応じて、本組成物と基材との反応を促進するための操作を行ってもよい。該操作としては、加熱、加湿、光照射等が挙げられる。
例えば、水分を有する大気中で表面層が形成された基材を加熱して、加水分解性基の加水分解反応、基材の表面の水酸基等とシラノール基との反応、シラノール基の縮合反応によるシロキサン結合の生成、等の反応を促進できる。
　表面処理後、表面層中の化合物であって他の化合物や基材と化学結合していない化合物は、必要に応じて除去してもよい。具体的な方法としては、例えば、表面層に溶媒をかけ流す方法、溶媒をしみ込ませた布でふき取る方法等が挙げられる。

　以下に実施例を用いて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。以下において「％」は特に断りのない限り「質量％」である。なお、例１～８が実施例であり、例９が比較例である。

［例１］
（合成例１－１）
　攪拌子を備えた１，０００ｍＬ三ツ口フラスコに、トリメチロールプロパンの９１ｇ、Ｎ，Ｎージメチルホルムアミドの５００ｍＬ、炭酸カリウムの１０４ｇ、及びベンジルー４－ブロモブチルエーテルの３４ｇを加え、８０℃で攪拌した。室温（２５℃）に戻し、２Ｎ塩酸水溶液の１，０００ｍＬを加えた。酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターで濃縮した。得られた粗液をカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（１－１）の７．８ｇ得た。

化合物（１－１）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：７．４（５Ｈ）、４．５（２Ｈ）、３．６（４Ｈ）、３．５（６Ｈ）、１．７（４Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）。なお、ＴＭＳはテトラメチルシランである。

（合成例１－２）
　攪拌子を備えた５００ｍＬフラスコに、化合物（１－１）の７．０ｇ、及び炭酸カリウムの７．２ｇを加え、１２０℃で攪拌した。次いで、２，２，３，３，４，４－ヘキサフルオロ－４－［（トリフルオロビニル）オキシ］ブタン－１－オールの６７ｇを加えた。１２０℃で攪拌を続けた後、ナスフラスコ内を室温（２５℃）にした。ＡＣ－２０００及び塩酸水溶液をそれぞれ１００ｇ加えて分液し、有機層をエバポレーターで濃縮した。得られた粗液をカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（１－２）の３０ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（１－２）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：７．４（５Ｈ）、６．０（９Ｈ）、４．５（２Ｈ）、４．４（１４Ｈ）、４．０（４Ｈ）、３．９（４Ｈ）、３．５（６Ｈ）、３．３（２Ｈ）、１．７（４Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－８４－－８８（１８Ｆ）、－９２（１８Ｆ）、－１２１（１４Ｆ）、－１２３（４Ｆ）、－１２８（１８Ｆ）、－１４５（９Ｆ）。

（合成例１－３）
　攪拌子を備えた５００ｍLフラスコに、化合物（１－２）の３０ｇ、４８％水酸化カリウム水溶液の１１ｇ、アリルブロミドの１０ｇ、及び１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンの１００ｇを加え、８０℃で攪拌した。フラスコ内を室温（２５℃）にした後、塩酸水溶液を１００ｇ加えて分液し、有機層をエバポレーターで濃縮した。得られた粗液をカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（１－３）の２２ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（１－３）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：７．４（５Ｈ）、６．０（１１Ｈ）、５．３（４Ｈ）、４．５（２Ｈ）、４．４（１８Ｈ）、４．１（４Ｈ）、３．９（８Ｈ）、３．５（６Ｈ）、３．３（２Ｈ）、１．７（４Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－８４－－８８（１８Ｆ）、－９２（１８Ｆ）、－１２１（１８Ｆ）、－１２８（１８Ｆ）、－１４５（９Ｆ）。

（合成例１－４）
　攪拌子とジムロートを備えた５Ｌフラスコに、化合物（１－３）の１６ｇ、１，４－ベンゾキノンの５．９ｇ、及び１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンの５．５Ｌを加えた。還流条件下、攪拌しながら第二世代グラブス触媒の１．０ｇを加え、攪拌を続けた後、フラスコ内を室温（２５℃）に戻した。エチルビニルエーテルの１４ｇを加え、更に攪拌を続けた後、反応粗液をエバポレーターで濃縮した。得られた粗液をカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（１－４）の８．８ｇ得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（１－４）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：７．４（５Ｈ）、６．０（１１Ｈ）、４．５（２Ｈ）、４．４（１８Ｈ）、４．１（４Ｈ）、３．９（８Ｈ）、３．５（６Ｈ）、３．３（２Ｈ）、１．７（４Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－８４－－８８（１８Ｆ）、－９２（１８Ｆ）、－１２１（１８Ｆ）、－１２８（１８Ｆ）、－１４５（９Ｆ）。

（合成例１－５）
　攪拌子を備えた３００ｍＬフラスコに、化合物（１－４）の８．８ｇ、１０％パラジウム－活性炭素の１．５ｇ、及びメタノールの２７ｇを加えた。水素で満たした風船を取り付け、密閉し、激しく攪拌した。セライトにて濾過し、濾液をエバポレーターで濃縮し、化合物（１－５）の８．３ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（１－５）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．０（９Ｈ）、４．４（１８Ｈ）、３．９（８Ｈ）、３．６（２Ｈ）、３．５（４Ｈ）、３．４（２Ｈ）、３．３（２Ｈ）、１．７（８Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－８４－－８８（１８Ｆ）、－９２（１８Ｆ）、－１２１（１８Ｆ）、－１２８（１８Ｆ）、－１４５（９Ｆ）。

（合成例１－６）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（１－５）の８．３ｇ、フッ化ナトリウムの粉末の１．５ｇ、及びＡＣ－２０００の９．１ｇを加えた。攪拌しながらペルフルオロ（２－メチル－３－オキサヘキサノイル）フルオリドの６．７ｇを加え、攪拌を続けた。反応粗液を濾過し、濾液をエバポレーターで濃縮して、化合物（１－６）の８．７ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（１－６）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．０（９Ｈ）、４．４（２０Ｈ）、３．９（８Ｈ）、３．６（２Ｈ）、３．５（４Ｈ）、３．３（２Ｈ）、１．７（８Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－８０（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８３（３Ｆ）、－８４－－８８（１９Ｆ）、－９２（１８Ｆ）、－１２１（１８Ｆ）、－１２８（１８Ｆ）、－１３０（２Ｆ）、－１３２（１Ｆ）、－１４５（９Ｆ）。

（合成例１－７）
　５００ｍＬの金属製反応器に、ＣＦＥ－４１９の２５０ｇを加え、窒素ガスをバブリングし、次いで、窒素ガスで２０ｖｏｌ％に希釈されたフッ素ガスをバブリングした。フッ素ガスをバブリングしながら、化合物（１－６）の８．７ｇをＣＦＥ－４１９の９０ｇで希釈した溶液を導入した。ベンゼンの０．１質量部のＣＦＥ－４１９溶液を導入しながら、窒素ガスで希釈されたフッ素ガスをバブリングした。得られた粗液をエバポレーターで濃縮し、化合物（１－７）の１１ｇを得た。
　なお、ＣＦＥ－４１９は溶媒ＣＣｌＦ_２ＣＣｌＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＣｌＦ_２である。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（１－７）のＮＭＲスペクトル：
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８０（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８３（３Ｆ）、－８４（３６Ｆ）、－９０（４４Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２７（４４Ｆ）、－１３０（２Ｆ）、－１３２（１Ｆ）。

（合成例１－８）
　攪拌子を備えた１００ｍLナスフラスコに、化合物（１－７）の１１ｇ、及びメタノールを２０ｇ加え、攪拌した。反応粗液をエバポレーターで濃縮し、化合物（１－８）の１０ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（１－８）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：４．２（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４０Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）。

（合成例１－９）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（１－８）の５．０ｇ、２，２－ジ－２－アリル－４－ペンテン－１－アミンの０．６９ｇ、及びＡＣ－６０００の５．０ｇを加え、４０℃で攪拌した。反応粗液をカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（１－９）の３．４ｇ得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（１－９）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．１（３Ｈ）、５．２（６Ｈ）、３．４（２Ｈ）、２．１（６Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４０Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）。

（合成例１－１０）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（１－９）の１．０ｇを加えた。次いで、トリメトキシシランの０．１０ｇ、アニリンの０．００１０ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、及び白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．００３３ｇを加え、４０℃で攪拌した。反応租液を、０ｈＰａ、６０℃で減圧留去し、化合物（１－１０）の１．１ｇ得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（１－１０）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：３．６（２７Ｈ）、３．４（２Ｈ）、１．３（１２Ｈ）、０．９（６Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４０Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）。

［例２］
（合成例２－１）
　攪拌子を備えた５００ｍＬフラスコに、２－（ヒドロキシメチル）－１８－クラウン６－エーテルの１．０ｇ、及び炭酸カリウムの０．５２ｇを加え、１２０℃で攪拌し、更に、２，２，３，３，４，４－ヘキサフルオロ－４－［（トリフルオロビニル）オキシ］ブタン－１－オールの１４ｇを加え、１２０℃で攪拌を続けた後、ナスフラスコ内を室温（２５℃）にした。
　ＡＣ－２０００及び塩酸水溶液をそれぞれ１５ｇ加えて分液し、有機層をエバポレーターで濃縮した。得られた粗液をカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（２－１）の１０ｇを得た。

　ただし、ｎ２の平均値は８である。

化合物（２－１）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．０（９Ｈ）、４．６（１６Ｈ）、４．０（２Ｈ）、３．８（２Ｈ）、３．５（２３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－８４－－８８（１８Ｆ）、－９２（１８Ｆ）、－１２１（１６Ｆ）、－１２３（２Ｆ）、－１２８（１８Ｆ）、－１４５（９Ｆ）。

（合成例２－２）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（２－１）の１０ｇ、フッ化ナトリウムの粉末の１．５ｇ、及びＡＣ－２０００の１２ｇを加えた。次いで、攪拌しながらペルフルオロ（２－メチル－３－オキサヘキサノイル）フルオリドの３．２ｇを加え、攪拌を続けた。反応粗液を濾過し、濾液をエバポレーターで濃縮して、化合物（２－２）の１１ｇを得た。

化合物（２－２）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．０（９Ｈ）、４．８（２Ｈ）、４．６（１６Ｈ）、３．８（２Ｈ）、３．５（２３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－８０（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８３（３Ｆ）、－８４－－８８（１９Ｆ）、－９２（１８Ｆ）、－１２１（１６Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２８（１８Ｆ）、－１３０（２Ｆ）、－１３２（１Ｆ）、－１４５（９Ｆ）。

（合成例２－３）
　５００ｍＬの金属製反応器に、ＣＦＥ－４１９の２５０ｇを加え、窒素ガスをバブリングし、次いで、窒素ガスで２０体積％に希釈されたフッ素ガスをバブリングした。フッ素ガスのバブリングを続けながら、化合物（２－２）の１０ｇをＣＦＥ－４１９の９０ｇで希釈した溶液を導入した。ベンゼンの０．１質量部のＣＦＥ－４１９溶液を導入しながら、窒素ガスで希釈されたフッ素ガスをバブリングし、次いで、窒素ガスをバブリングした。反応粗液をエバポレーターで濃縮し、化合物（２－３）の８．２ｇを得た。

化合物（２－３）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：４．２（３Ｈ）。
^１９ＦーＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－７２（２Ｆ）、－８０（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８３（３Ｆ）、－８４（３６Ｆ）、－９０（５８Ｆ）、－１２７（３６Ｆ）、－１３０（２Ｆ）、－１３２（１Ｆ）、－１４０（１Ｆ）。

　なお、例２において環中にＦを付したものは、下記の構造を有することを示す。

（合成例２－４）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（２－３）の８．２ｇ、及びメタノールの１０ｇ加え、攪拌した。反応粗液をエバポレーターで濃縮し、化合物（２－４）の７．５ｇを得た。

　ただし、ｎ２の平均値は８である。

化合物（２－４）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：４．２（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－７２（２Ｆ）、－８４（３４Ｆ）、－９０（５８Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２７（３４Ｆ）、－１４０（１Ｆ）。

（合成例２－５）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（２－４）の８．２ｇ、２，２－ジ－２－アリル－４－ペンテン－１－アミンの１．２ｇ、及びＡＣ－６０００の９．３ｇを加え、４０℃で攪拌した。反応粗液をカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（２－５）の１．７ｇ得た。

　ただし、ｎ２の平均値は８である。

化合物（２－５）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．１（３Ｈ）、５．２（６Ｈ）、３．４（２Ｈ）、２．１（６Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－７２（２Ｆ）、－８４（３４Ｆ）、－９０（５８Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２７（３４Ｆ）、－１４０（１Ｆ）。

（合成例２－６）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（３－５）の１．０ｇ、トリメトキシシランの０．１１ｇ、アニリンの０．００１０ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、及び白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．００３３ｇを加え、４０℃で攪拌した。反応終了後、０ｈＰａ、６０℃で２４時間減圧留去して、化合物（２－６）の１．１ｇ得た。

　ただし、ｎ２の平均値は８である。

化合物（２－６）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：３．６（２７Ｈ）、３．４（２Ｈ）、１．３（１２Ｈ）、０．９（６Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＤＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－７２（２Ｆ）、－８４（３４Ｆ）、－９０（５８Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２７（３４Ｆ）、－１４０（１Ｆ）。

［例３］
　化合物（１－１０）と、ＫＹ－１８５（信越化学工業社製の含フッ素エーテル化合物）とを、化合物（１－１０）：ＫＹ－１８５＝７０：３０（質量比）で混合し、組成物を調製した。

［例４］
（合成例４－１）
　攪拌子を備えた３００ｍＬナスフラスコにピリチオンナトリウムの１．９ｇ、及び１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（ＳＲソルベント）の３０ｍＬを入れ、氷冷下で撹拌した。次いで、化合物（１－７）の１０ｇを入れ、氷冷のまま２時間撹拌した。次いで、ヨウ素の３．９ｇ、及び２，２－アゾビス（２－メチルプチロニトリル）の０．５９ｇを加え、遮光していたアルミホイルを取り除き、８５℃で２４時間撹拌した。温度を２５℃に戻し、メタノールを入れて撹拌した後、ＡＣ－６０００を加え、下層を回収して溶媒を留去した。得られた租液をカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（４－１）の７．７ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（４－１）のＮＭＲスペクトル：
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－５９（２Ｆ）、－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８１（２Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４０Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１１７（２Ｆ）、－１２７（４０Ｆ）。

（合成例４－２）
　攪拌子を備えた２００ｍＬナスフラスコに、化合物（４－１）の７．５ｇ、及びＳＲソルベントの１２ｇを加えた。２５℃で撹拌しながら、アリルトリブチルスズの５．０ｇ、及びアゾビスイソプチロニトリルの０．０５０ｇを加え、９０℃で２４時間撹拌した。２５℃に戻し、水で洗浄した後、ヘキサンで再沈殿した。得られた固体をＡＣ―２０００に溶解し、硫酸マグネシウムで脱水した後、固体を濾過で取り除き、液体を濃縮した。得られた租液をカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（４－２）の６．３ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（４－２）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．０（１Ｈ）、５．５（２Ｈ）、３．０（２Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４２Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１１４（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）。

（合成例４－３）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（４－２）の６．０ｇ、トリクロロシランの０．３３ｇ、ＳＲソルベントの５．０ｇ、及び白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．０００８３ｇを加え、４０℃で８時間攪拌した。反応終了後、０ｈＰａ、６０℃で減圧留去し、化合物（４－３）の６．０ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（４－３）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：１．６－１．５（４Ｈ）、１．３（２Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４２Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１１４（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）。

（合成例４－４）
　５００ｍＬナスフラスコに、化合物（４－３）の５．５ｇ、及びテトラヒドロフランの１２ｇを加え、０℃に冷却した。攪拌しながら０．１ｍｏＬ／Ｌのアリルマグネシウムクロリドの１０ｍＬを滴下し、更に２時間撹拌した。ナスフラスコ内の混合物を２５℃に戻し、更に８時間撹拌した後、１ｍｏＬ／Ｌの塩酸水溶液の１０ｍＬを加えて反応を停止させた。ＡＣ－６０００の１０ｇを加えて、下相を抽出した。得られた粗液をカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（４－４）の５．０ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（４－４）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．０（３Ｈ）、５．１（６Ｈ）、２．４－２．２（２Ｈ）、２．０（２Ｈ）、１．８（６Ｈ）、０．９（２Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４２Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１１４（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）。

（合成例４－５）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（４－４）の１．０ｇ、トリメトキシシランの０．２４ｇ、アニリンの０．０００４２ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、及び白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．０００１７ｇを加え、６０℃で攪拌した。反応終了後、０ｈＰａ、６０℃で減圧留去し、化合物（４－５）１．１ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（４－５）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：３．６（２７Ｈ）、２．４－２．２（２Ｈ）、２．０（２Ｈ）、１．５（６Ｈ）、０．９－０．８（８Ｈ）、０．７（６Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４２Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１１４（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）。

［例５］
（合成例５－１）
　攪拌子を備えた２００ｍＬナスフラスコに、テトラヒドロフランの５．０ｇ、及びＡＥ－３０００の１０ｇを入れ、０．７ｍｏｌ／Ｌのアリルマグネシウムブロミドの６．０ｍＬを滴下した。更に化合物（１－８）の５．１ｇを滴下し、５５℃で１２時間撹拌した。２５℃まで冷却し、１Ｎ塩酸水溶液の１２ｍＬを入れて反応を停止させた。得られた下相をカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（５－１）の３．７ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（５－１）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．０（２Ｈ）、５．２（４Ｈ）、２．６－２．４（４Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４２Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１１６（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）。

（合成例５－２）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（５－１）の１．０ｇ、トリメトキシシランの０．１３ｇ、アニリンの０．０００３４ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、及び白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．０００１３ｇを加え、６０℃で攪拌した。その後、０ｈＰａ、６０℃で減圧留去し、化合物（５－１）の１．１ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（５－２）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：３．６（１８Ｈ）、３．３（２Ｈ）、１．４－１．２（８Ｈ）、０．８－０．６（４Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４２Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１１６（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）。

［例６］
（合成例６－１）
　攪拌子を備えた１００ｍＬナスフラスコに、化合物（５－１）の２．５ｇ、臭化アリルの０．７ｇ、テトラブチルアンモニウムヨージドの０．０１４ｇ、及び水酸化カリウムの０．３５ｇを加え、８０℃で５時間撹拌した。２５℃まで冷却し、ＡＥ－３０００の１０ｇを加え、水洗した。得られた粗液をクロマトグラフィーで精製し、化合物（６－１）の２．０ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（６－１）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：５．９（３Ｈ）、５．３－５．０（６Ｈ）、４．１（２Ｈ）、２．７－２．６（４Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４２Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１１６（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）。

（合成例６－２）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（６－１）の１．０ｇ、トリメトキシシランの０．１９ｇ、アニリンの０．０００３２ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、及び白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．０００１３ｇを加え、６０℃で攪拌した。その後、０ｈＰａ、６０℃で減圧留去し、化合物（６－２）の１．０ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（６－２）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：３．６（２７Ｈ）、２．０－１，９（４Ｈ）、１．８－１．６（６Ｈ）、０．８－０．６（６Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４２Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１１６（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）。

［例７］
（合成例７－１）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（１－８）の５．０ｇ、２－（ウンデカ－１０－エン－１－イル）トリデカ－１２－エン－１－アミンの０．６９ｇ、及びＡＣ－６０００の５．０ｇを加え、４０℃で攪拌した。反応粗液をカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（７－１）の３．４ｇ得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（７－１）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．６（１Ｈ）、６．０（２Ｈ）５．１（４Ｈ）、３．３（２Ｈ）、２．１（４Ｈ）、１．５－１．１（３３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４０Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）。

（合成例７－２）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（７－１）の１．０ｇ、トリメトキシシランの０．１５ｇ、アニリンの０．００１２ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、及び白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．０００２９ｇを加え、６０℃で攪拌した。その後、０ｈＰａ、６０℃で減圧留去し、化合物（７－２）の１．１ｇを得た。

　ただし、ｎ１＋ｍ１の平均値は９である。

化合物（７－２）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．６（１Ｈ）、３．６（１８Ｈ）、３．３（２Ｈ）、１．５－１．１（４１Ｈ）、０．９（４Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８４（３８Ｆ）、－９０（４０Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）。

［例８］
（合成例８－１）
　撹拌子を備えた５００ｍＬナスフラスコに、化合物（１－１）の６．０ｇ、ジクロロメタンの２００ｍＬ、及び２，６－ルチジンの５．２ｇ加え、氷浴下で攪拌した。攪拌を続けながらトリフルオロメタンスルホン酸無水物の１２．５ｇをゆっくりと液相へ加えた。１時間攪拌した後、水２００ｍＬを加え分液した。有機層を飽和重曹水、塩化アンモニウム水溶液、ブラインで洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターで濃縮した。得られた粗液をカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（８－１）の３．２ｇを得た。

化合物（８－１）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：７．４（５Ｈ）、４．５（２Ｈ）、４．４（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、３．５（６Ｈ）、１．７（４Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－７５（３Ｆ）。

（合成例８－２）
　撹拌子とジムロートを備えた５００ｍＬナスフラスコに、化合物（８－１）の２．０ｇ、ＳＲソルベントの３５０ｇ、フォンブリンＤ２の３６ｇ、及び炭酸セシウムの１２ｇを加え、８０℃で２４時間攪拌した。室温（２５℃）へ戻し、１Ｎ塩酸水溶液の１００ｍＬを加え分液した。有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターで濃縮した。得られた粗液をカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（８－２）を３．１ｇ得た。

　ただし、ｎ及びｍの平均値はそれぞれ１１である。

化合物（８－２）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：７．４（５Ｈ）、４．５（２Ｈ）、４．２（４Ｈ）、４．１（４Ｈ）、３．６（４Ｈ）、３．５（６Ｈ）、１．７（４Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－５６（４４Ｆ）、－７８～－８１（４Ｆ）、－８２～－８５（４Ｆ）、－９０（８８Ｆ）。

（合成例８－３）
　撹拌子とジムロートを備えた１００ｍＬナスフラスコに、化合物（８－２）の３．０ｇ、ＳＲソルベントの３．０ｇ、臭化アリルの０．３６ｇ、及び４８％水酸化カリウム水溶液の０．４８ｇを加え、８０℃で２４時間攪拌した。室温（２５℃）へ戻し、１Ｎ塩酸水溶液の１０ｍＬを加え分液した。有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターで濃縮した。得られた粗液をカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（８－３）の２．８ｇを得た。

　ただし、ｎ及びｍの平均値はそれぞれ１１である。

化合物（８－３）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：７．４（５Ｈ）、６．０（２Ｈ）、５．２（４Ｈ）、４．５（２Ｈ）、４．２（８Ｈ）、３．９（４Ｈ）、３．６（４Ｈ）、３．５（６Ｈ）、１．７（４Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－５６（４４Ｆ）、－７８～－８１（８Ｆ）、－９０（８８Ｆ）。

（合成例８－４）
　攪拌子とジムロートを備えた３Ｌフラスコに、化合物（８－３）の２．５ｇ、１，４－ベンゾキノンの０．９２ｇ、及び１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンの１．０Ｌを加えた。還流条件下、攪拌しながら第二世代グラブス触媒の０．１６ｇを加え、攪拌を続けた後、フラスコ内を室温（２５℃）に戻した。エチルビニルエーテルの２．０ｇを加え、更に攪拌を続けた後、反応粗液をエバポレーターで濃縮した。得られた粗液をカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（８－４）の２．２ｇを得た。

　ただし、ｎ及びｍの平均値はそれぞれ１１である。

化合物（８－４）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：７．４（５Ｈ）、６．０（２Ｈ）、４．５（２Ｈ）、４．２（８Ｈ）、３．９（４Ｈ）、３．６（４Ｈ）、３．５（６Ｈ）、１．７（４Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－５６（４４Ｆ）、－７８～－８１（８Ｆ）、－９０（８８Ｆ）。

（合成例８－５）
　攪拌子を備えた１００ｍＬフラスコに、化合物（８－４）の２．２ｇ、１０％パラジウム－活性炭素の０．３９ｇ、及びメタノールの２７ｇを加えた。水素で満たした風船を取り付け、密閉し、激しく攪拌した。セライトにて濾過し、得られた濾液をエバポレーターで濃縮し、化合物（８－５）の２．１ｇを得た。

　ただし、ｎ及びｍの平均値はそれぞれ１１である。

化合物（８－５）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：４．２（８Ｈ）、３．６（６Ｈ）、３．５（８Ｈ）、１．７（８Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－５６（４４Ｆ）、－７８～－８１（８Ｆ）、－９０（８８Ｆ）。

（合成例８－６）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（８－５）の２．１ｇ、フッ化ナトリウムの粉末の０．５１ｇ、及びＡＣ－２０００の２．４ｇを加えた。攪拌しながらペルフルオロ（２－メチル－３－オキサヘキサノイル）フルオリドの０．２７ｇを加え、攪拌を続けた後、反応粗液を濾過し、濾液をエバポレーターで濃縮して、化合物（８－６）の２．２ｇを得た。

　ただし、ｎ及びｍの平均値はそれぞれ１１である。

化合物（８－６）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：４．４（２Ｈ）、４．２（８Ｈ）、３．６（４Ｈ）、３．５（８Ｈ）、１．７（８Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－５６（４４Ｆ）、－７８～－８１（１０Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８３（３Ｆ）、－９０（８８Ｆ）、－１３０（２Ｆ）、－１３２（１Ｆ）。

（合成例８－７）
　５００ｍＬの金属製反応器に、ＣＦＥ－４１９の２５０ｇを加え、窒素ガスをバブリングし、次いで、窒素ガスで２０ｖｏｌ％に希釈されたフッ素ガスをバブリングした。フッ素ガスをバブリングしながら、化合物（８－６）の２．２ｇをＣＦＥ－４１９の１８ｇで希釈した溶液を導入した。ベンゼンの０．１質量部を含むＣＦＥ－４１９溶液を導入しながら、窒素ガスで希釈されたフッ素ガスをバブリングした。反応租液をエバポレーターで濃縮し、化合物（８－７）の２．５ｇを得た。

　ただし、ｎ及びｍの平均値はそれぞれ１１である。

化合物（８－７）のＮＭＲスペクトル：
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－５６（４４Ｆ）、－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８０（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８３（３Ｆ）、－９０（１０４Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２７（８Ｆ）、－１３０（２Ｆ）、－１３２（１Ｆ）。

（合成例８－８）
　攪拌子を備えた１００ｍＬナスフラスコに、化合物（８－７）の２．５ｇ、及びメタノールの１０ｇを加え、攪拌した。反応粗液をエバポレーターで濃縮し、化合物（８－８）の１０ｇを得た。

　ただし、ｎ及びｍの平均値はそれぞれ１１である。

化合物（８－８）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：４．２（３Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－５６（４４Ｆ）、－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（１０２Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２７（６Ｆ）。

（合成例８－９）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（８－８）の２．０ｇ、２，２－ジ－２－アリル－４－ペンテン－１－アミンの０．５１ｇ、及びＡＣ－６０００の２．３ｇを加え、４０℃で攪拌した。反応粗液をカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（８－９）の１．３ｇ得た。

　ただし、ｎ及びｍの平均値はそれぞれ１１である。

化合物（８－９）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．１（３Ｈ）、５．２（６Ｈ）、３．４（２Ｈ）、２．１（６Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－５６（４４Ｆ）、－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（１０２Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２７（６Ｆ）。

（合成例８－１０）
　攪拌子を備えた５０ｍＬナスフラスコに、化合物（８－９）の１．０ｇ、トリメトキシシランの０．１０ｇ、アニリンの０．００１０ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、及び白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．００３３ｇを加え、４０℃で攪拌した後、０ｈＰａ、６０℃で減圧留去し、化合物（８－１０）の１．１ｇ得た。

　ただし、ｎ及びｍの平均値はそれぞれ１１である。

化合物（８－１０）のＮＭＲスペクトル：
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：３．６（２７Ｈ）、３．４（２Ｈ）、１．３（１２Ｈ）、０．９（６Ｈ）。
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－５６（４４Ｆ）、－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（１０２Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２７（６Ｆ）。

［例９］
　国際公開第２０１８／１４３４３３号の合成例２に従って、ペルフルオロポリエーテル基含有シラン化合物（９－１）を得た。
　ＣＦ_３Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_２０（ＣＦ_２Ｏ）_１６ＣＦ_２ＣＯＮＨＣＨ_２Ｃ［ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３］_３　・・・（９－１）

［物品の製造及び評価］
　上記各例にて得られた化合物及び組成物を用いて基材を表面処理し物品を得た。表面処理方法として、各例について下記のドライコーティング法及びウェットコーティング法をそれぞれ用いた。基材としては化学強化ガラスを用いた。得られた物品について、下記の方法で評価した。結果を表に示す。

［ドライコーティング法］
　ドライコーティングは、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ３５０Ｍ）を用いて行った（真空蒸着法）。各化合物の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０^－３Ｐａ以下に排気した。化合物又は組成物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への製膜を開始させた。
　膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材の表面への製膜を終了させた。化合物又は組成物が堆積された基材を、２００℃で３０分間加熱処理し、Ｃ_６Ｆ_１３Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－２０００）にて洗浄して、基材の表面に表面層を有する物品を得た。

［ウェットコーティング法］
　各化合物又は組成物と、媒体としてのＣ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）とを混合して、固形分濃度０．０５％のコーティング液を調製した。コーティング液に基材をディッピングし、３０分間静置後、基材を引き上げた（ディップコート法）。
　塗膜を２００℃で３０分間乾燥させ、ＡＣ－２０００にて洗浄して、基材の表面に表面層を有する物品を得た。

（評価方法）
＜接触角の測定方法＞
　表面層の表面に置いた約２μＬの蒸留水又はｎ－ヘキサデカンの接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、ＤＭ－５００）を用いて測定した。表面層の表面における異なる５箇所で測定し、その平均値を算出した。接触角の算出には２θ法を用いた。

＜初期接触角＞
　表面層について、初期水接触角及び初期ｎ－ヘキサデカン接触角を前記測定方法で測定した。評価基準は下記のとおりである。
　初期水接触角：
　Ａ（優）　：１１５度以上。
　Ｂ（良）　：１１０度以上１１５度未満。
　Ｃ（可）　：１００度以上１１０度未満。
　Ｄ（不可）：１００度未満。
　初期ｎ－ヘキサデカン接触角：
　Ａ（優）　：６６度以上。
　Ｂ（良）　：６５度以上６６度未満。
　Ｃ（可）　：６３度以上６５度未満。
　Ｄ（不可）：６３度未満。

＜耐摩擦性（スチールウール）＞
　表面層について、表面層について、ＪＩＳ　Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ　１０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、スチールウールボンスター（＃００００）を圧力：９８．０７ｋＰａ、速度：３２０ｃｍ／分で１．５万回往復させた後、前記の方法で水の接触角を測定した。摩擦後における水の接触角の低下が小さいほど、摩擦による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。
　Ａ（優）　：１．５万回往復後の水接触角度の変化が２度以下。
　Ｂ（良）　：１．５万回往復後の水接触角度の変化が２度超５度以下。
　Ｃ（可）　：１．５万回往復後の水接触角度の変化が５度超１０度以下。
　Ｄ（不可）：１．５万回往復後の水接触角度の変化が１０度超。

＜耐滑り性＞
　人工皮膚（出光テクノファイン社製、ＰＢＺ１３００１）に対する表面層の動摩擦係数を、荷重変動型摩耗試験システム（新東科学社製、ＨＨＳ２０００）を用い、接触面積：３ｃｍ×３ｃｍ、荷重０．９８Ｎの条件で測定した。動摩擦係数が大きいほど耐滑り性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
　Ａ（優）　：動摩擦係数が０．６以上。
　Ｂ（良）　：動摩擦係数が０．５以上０．６未満。
　Ｃ（可）　：動摩擦係数が０．４以上０．５未満。
　Ｄ（不可）：動摩擦係数が０．４未満。

＜指紋汚れ除去性＞
　人口指紋液（オレイン酸とスクアレンとからなる液）を、シリコンゴム栓の平坦面に付着させた後、余分な油分を不織布（旭化成社製、ベンコット（登録商標）Ｍ－３）にて拭き取って、指紋のスタンプを準備した。指紋スタンプを表面層状上に乗せ、荷重９．８Ｎにて１０秒間押し付けた。指紋が付着した箇所のヘーズをヘーズメータにて測定し、初期値とした。指紋が付着した箇所について、ティッシュペーパーを取り付けた往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、荷重４．９Ｎにて拭き取った。拭き取り一往復ごとにヘーズの値を測定し、ヘーズが初期値から１０％以下になる拭き取り回数を測定した。拭き取り回数が少ないほど指紋汚れを容易に除去でき、指紋汚れ除去性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
　Ａ（優）　：拭き取り回数が３回以下。
　Ｂ（良）　：拭き取り回数が４～５回。
　Ｃ（可）　：拭き取り回数が６～８回。
　Ｄ（不可）：拭き取り回数が９回以上。

＜滑落角測定＞
　各物品の表面層を水平に保持し、水２０ｍＬを滴下した。次いで、表面層を徐々に傾けていき、水が転落した時の角度を測定した。測定は、ＫＹＯＷＡ製接触角計（ＤＭｏ－５０１　１００９１）を用いて行った。転落角が小さいほど優れている。
　Ａ（優）　：転落角が３０°以下。
　Ｂ（良）　：転落角が３０°超過３５°以下。
　Ｃ（可）　：転落角が３５°超過４０°以下。
　Ｄ（不可）：転落角が４０°を超過。

＜滑落速度測定＞
　各物品の表面層を５０°に傾けた状態で、水２０ｍＬを滴下し、水の滑落速度を測定した。測定は、ＫＹＯＷＡ製接触角計（ＤＭｏ－５０１　１００９１）を用いて行った。速度が速いほど優れている。
　Ａ（優）　：０．１ｍ／ｓ以上。
　Ｂ（良）　：０．０６ｍ／ｓ以上０．１ｍ／ｓ以下。
　Ｃ（可）　：０．０３ｍ／ｓ以上０．６ｍ／ｓ以下。
　Ｄ（不可）：０．０３ｍ／ｓ未満。

　表１に示される通り、本化合物又は組成物を用いて形成された表面層は、耐摩擦性を維持しつつ、耐滑り性に優れていることが明らかとなった。

　本化合物を含む表面層を備えた物品は、一例として、下記の製品の部品の一部として使用される光学物品、タッチパネル、反射防止フィルム、反射防止ガラス、ＳｉＯ_２処理ガラス、強化ガラス、サファイアガラス、石英基板、金型金属等として有用である。
　製品：カーナビゲーション、携帯電話、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ポータブルオーディオプレーヤー、カーオーディオ、ゲーム機器、眼鏡レンズ、カメラレンズ、レンズフィルター、サングラス、医療用器機（胃カメラ等）、複写機、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネルディスプレイ、保護フィルム、反射防止フィルム、反射防止ガラス、ナノインプリントのテンプレート、金型等。

　この出願は、２０２２年８月１８日に出願された日本出願特願２０２２－１３０６４６を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

　１０：下地層付き基材、　　　１２：基材、　　　１４：下地層、
　２０：物品、　　　２２：表面層

Claims (13)

1. 　置換基を有していてもよいフルオロエーテル環を含む基（Ｒ^ｆ）と、反応性基（Ｔ^１）とを有する、化合物。
2. 　前記フルオロエーテル環が、下記式（１）で表される、請求項１に記載の化合物。
   　＊－（ＯＲ^ｆ１）_ｍ１－＊＊　　・・・（１）
   　ただし、
   　結合手＊と結合手＊＊とが連結して環構造を形成し、
   　Ｒ^ｆ１は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基、置換基を有していてもよく炭素－炭素結合間に－ＮＲ^１－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１－、又は－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－を有していてもよい炭素数２～１２のフルオロアルキレン基、又は、炭素原子の少なくとも一部が環を構成し、置換基を有していてもよい炭素数２～１２のフルオロアルキレン基であり、
   　Ｒ^１は、水素原子、又はフルオロアルキル基であり、
   　式（１）中の少なくとも一つの炭素原子が、前記反応性基（Ｔ^１）と直接、又は他の基を介して結合する結合手を有し、
   　ｍ１は１以上の整数である。
3. 　前記Ｒ^ｆが、下記式（２）で表される基を含む、請求項２に記載の化合物。
   　＊－（Ｒ^ｆ２）_ｍ２－（ＯＲ^ｆ３）_ｍ３－＊＊　　・・・（２）
   　ただし、
   　Ｒ^ｆ２は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
   　Ｒ^ｆ３は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
   　ｍ２は０又は１であり、
   　ｍ３は１以上の整数であり、
   　結合手＊は、前記式（１）中の結合手を有する炭素原子と結合し、
   　結合手＊＊は前記反応性基（Ｔ^１）と直接、又は連結基を介して結合し、
   　Ｒ^ｆ３が複数ある場合、当該複数あるＲ^ｆ３は互いに同一であっても異なっていてもよい。
4. 　前記反応性基（Ｔ^１）が、－Ａｒ、－ＳＲ^１０、－ＮＯＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｎ（Ｒ^１０）_２、－Ｎ^＋（Ｒ^１０）_３Ｘ^３、－Ｃ≡Ｎ、－Ｃ（＝ＮＲ^１０）－Ｒ^１０、－Ｎ^＋≡Ｎ、－Ｎ＝ＮＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ^２、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ^４、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－ＳＯ_２Ｒ^１０、－ＳＯ_３Ｈ、－ＳＯ_３Ｘ^２、－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－ＯＲ^１０）_２、－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－ＯＲ^１０）（－ＯＸ^２）、－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、－ＳｉＲ^ａ１ _ｚ１Ｒ^ａ１１ _３－ｚ１、－Ｃ（Ｒ^１０）＝Ｃ（Ｒ^１０）_２、－Ｃ≡Ｃ（Ｒ^１０）、－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ^１０）_２、－Ｎ（Ｒ^１０）Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｓｉ（Ｒ^１０）_２－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ^１０）_３、－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＲ^１０、－Ｉ、
   

   

   　のいずれかである、請求項１に記載の化合物。
   　ただし、
   　Ｒ^１０は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基又はフルオロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基であり、
   　Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基であり、
   　Ｘ^２は、アルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンであり、
   　Ｘ^３は、ハロゲン化物イオンであり、
   　Ｘ^４は、ハロゲン原子であり、
   　Ｒ^ａ１は、加水分解性基、加水分解性基を有する基又は水酸基であり、
   　Ｒ^ａ１１は、炭化水素基であり、
   　ｚ１は、１～３の整数であり、
   　Ｒ^１０、Ｒ^ａ１又はＲ^ａ１１が複数ある場合、当該複数あるＲ^１０、Ｒ^ａ１又はＲ^ａ１１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
5. 　下記式（３）で表される、請求項１～４のいずれか一項に記載の化合物。
   　Ｒ^ｆ［－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｘ１］_ｙ１　　・・・（３）
   　ただし、
   　Ｒ^ｆは、置換基を有していてもよいフルオロエーテル環を含む基であり、
   　Ｑ^１は、１＋ｘ１価の連結基であり、
   　Ｔ^１は、反応性基であり、
   　ｘ１は１～１０の整数であり、
   　ｙ１は１～６の整数であり、
   　Ｑ^１、Ｔ^１、又はｘ１が複数ある場合、当該複数あるＱ^１、Ｔ^１、又はｘ１は互いに同一であっても異なっていてもよい。
6. 　前記－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｘ１が、下記式（４）で表される、請求項５に記載の化合物。
   　＊－Ｒ^２－Ｌ^１（－Ｒ^３－Ｔ^１）_ｘ１　　・・・（４）
   　ただし、
   　Ｒ^２は、単結合、炭素数１～２０のフルオロアルキレン基、アルキレン基、又は炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含むアルキレン基であり、
   　Ｌ^１は、単結合又は、１＋ｘ１価の基であり、
   　Ｒ^３は、アルキレン基、又はエーテル性酸素原子を有するアルキレン基であり、
   　ｘ１は１～１０の整数であり、
   　結合手＊はＲ^ｆと連結し、
   　Ｒ^３又はＴ^１が複数ある場合、当該複数あるＲ^３又はＴ^１は互いに同一であっても異なっていてもよい。
7. 　前記反応性基が、下記式（５）で表される基である、請求項５に記載の化合物。
   　－ＳｉＲ^ａ１ _ｚ１Ｒ^ａ１１ _３－ｚ１　　・・・（５）
   　ただし、
   　Ｒ^ａ１は、加水分解性基、加水分解性基を有する基又は水酸基であり、
   　Ｒ^ａ１１は、炭化水素基であり、
   　ｚ１は、１～３の整数であり、
   　Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ１１、及びｚ１が複数ある場合、当該複数あるＲ^ａ１、Ｒ^ａ１１、及びｚ１は各々同一であっても異なっていてもよい。
8. 　請求項１に記載の化合物と、他の含フッ素エーテル化合物とを含有する組成物。
9. 　請求項１に記載の化合物、又は請求項８に記載の組成物を含む、表面処理剤。
10. 　請求項１に記載の化合物、又は請求項８に記載の組成物と、液状媒体とを含む、コーティング液。
11. 　請求項１の化合物、又は請求項８に記載の組成物から形成された表面層を基材の表面に有する、物品。
12. 　請求項９に記載の表面処理剤を用いて、ドライコーティング法により表面層を形成する、物品の製造方法。
13. 　請求項１０に記載のコーティング液を用いて、ウェットコーティング法により表面層を形成する、物品の製造方法。

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