WO2024034035A1 - レーザ加工方法、レーザ加工装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

レーザ加工方法、レーザ加工装置、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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WO2024034035A1
WO2024034035A1 PCT/JP2022/030505 JP2022030505W WO2024034035A1 WO 2024034035 A1 WO2024034035 A1 WO 2024034035A1 JP 2022030505 W JP2022030505 W JP 2022030505W WO 2024034035 A1 WO2024034035 A1 WO 2024034035A1
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WO
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laser
glass substrate
laser beam
processing
laser processing
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Application number
PCT/JP2022/030505
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French (fr)
Inventor
康文 川筋
理 若林
Original Assignee
ギガフォトン株式会社
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece

Definitions

  • the present disclosure relates to a laser processing method, a laser processing apparatus, and an electronic device manufacturing method.
  • a KrF excimer laser device that outputs a laser beam with a wavelength of about 248.0 nm and an ArF excimer laser device that outputs a laser beam with a wavelength of about 193.4 nm are used.
  • the excimer laser beam has a pulse width of about several tens of ns and a short wavelength of 248.4 nm and 193.4 nm, respectively, it is sometimes used for direct processing of polymeric materials, glass materials, etc.
  • the spectral line width of the spontaneous oscillation light of the KrF excimer laser device and the ArF excimer laser device is as wide as 350 pm to 400 pm. Therefore, if the projection lens is made of a material that transmits ultraviolet light such as KrF and ArF laser light, chromatic aberration may occur. As a result, resolution may be reduced. Therefore, it is necessary to narrow the spectral linewidth of the laser beam output from the gas laser device until the chromatic aberration becomes negligible. Therefore, in order to narrow the spectral line width, a line narrowing module (LNM: Line Narrowing Module) including a narrowing element (etalon, grating, etc.) is installed in the laser resonator of a gas laser device. There is.
  • a gas laser device whose spectral linewidth is narrowed will be referred to as a narrowband gas laser device.
  • a laser processing method includes applying a product generated from a first glass substrate to a second glass substrate by irradiating the first glass substrate with a first ultraviolet pulsed laser beam under a first irradiation condition. and forming a hole by irradiating the processing position where the product is deposited with a second ultraviolet pulsed laser beam under a second irradiation condition different from the first irradiation condition.
  • a laser processing device includes an optical device that irradiates a first glass substrate and a second glass substrate with ultraviolet pulsed laser light output from the laser device, and a laser processing device that controls the laser device and the optical device.
  • a laser processing apparatus comprising: a processor; the laser processing processor irradiates the first glass substrate with an ultraviolet pulsed laser beam under a first irradiation condition to transfer a product generated from the first glass substrate to a second glass substrate; The product is deposited at a processing position on the substrate, and the processing position where the product is deposited is irradiated with ultraviolet pulsed laser light under a second irradiation condition different from the first irradiation condition.
  • a method for manufacturing an electronic device includes irradiating a first glass substrate with a first ultraviolet pulsed laser beam under a first irradiation condition to transfer a product generated from a first glass substrate to a second glass substrate. forming a through hole by irradiating the processing position where the product is deposited with a second ultraviolet pulse laser beam under a second irradiation condition different from the first irradiation condition; and forming a through hole in the processing position of the substrate. and an interposer having a conductor provided in a through hole, and an integrated circuit chip to be electrically connected to each other, and combining an interposer and a circuit board to electrically connect to each other. .
  • FIG. 1 is a SEM image showing a porous product deposited on an alkali-free glass substrate by irradiating it with ultraviolet pulsed laser light.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the configuration of a laser processing system according to a comparative example.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing the configuration of the laser device.
  • FIG. 4 is a flowchart schematically showing the operation flow of the laser processing system according to the comparative example.
  • FIG. 5 is a flowchart showing the flow of operations during laser drilling.
  • FIG. 6 is a cross-sectional SEM image after one pulse irradiation.
  • FIG. 1 is a SEM image showing a porous product deposited on an alkali-free glass substrate by irradiating it with ultraviolet pulsed laser light.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the configuration of a laser processing system according to a comparative example.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing the configuration of the laser device.
  • FIG. 4
  • FIG. 7 is a cross-sectional SEM image after 5-pulse irradiation.
  • FIG. 8 is a cross-sectional SEM image after irradiation with 10 pulses.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating how laser drilling progresses while maintaining a high aspect ratio.
  • FIG. 10 is a cross-sectional SEM image after irradiation of 500 pulses or more.
  • FIG. 11 is a diagram schematically showing the first to fourth phases of laser drilling.
  • FIG. 12 is a microscope image taken from the side of a workpiece formed by a laser processing method according to a comparative example.
  • FIG. 13 is a SEM image showing the surface of the workpiece after 3-pulse irradiation.
  • FIG. 14 is a SEM image showing that the product deposited on the glass surface absorbs laser light.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating the first step of depositing laser ablation products in the processing area.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating a second step in which laser hole drilling is performed on the processing area where the product is deposited.
  • FIG. 17 is a diagram showing irradiation conditions for laser ablation and irradiation conditions for laser hole processing.
  • FIG. 18 is a diagram schematically showing the configuration of a laser processing system according to the second embodiment.
  • FIG. 19 is a flowchart schematically showing the operation flow of the laser processing system according to the second embodiment.
  • FIG. 20 is a flowchart showing the flow of operations during laser ablation.
  • FIG. 20 is a flowchart showing the flow of operations during laser ablation.
  • FIG. 21 is a diagram schematically showing the configuration of a laser processing system according to the third embodiment.
  • FIG. 22 is a diagram showing an example of a laser ablation area set on the surface of a workpiece.
  • FIG. 23 is a diagram showing how products generated from the laser ablation region are deposited in the processing region.
  • FIG. 24 is a flowchart schematically showing the operation flow of the laser processing system according to the third embodiment.
  • FIG. 25 is a flowchart showing the flow of operations during laser ablation.
  • FIG. 26 is a diagram showing a modification of the laser ablation area.
  • FIG. 27 is a diagram schematically showing the configuration of a laser processing system according to the fourth embodiment.
  • FIG. 28 is a diagram illustrating the flow of operations during laser hole machining.
  • FIG. 29 is a diagram illustrating the flow of operations during laser hole machining according to a modification of the fourth embodiment.
  • FIG. 30 is a diagram schematically showing the configuration of a laser processing system according to the fifth embodiment.
  • FIG. 31 is a diagram showing the relationship between the fluence of a pulse for laser ablation and the fluence of a pulse for laser drilling.
  • FIG. 32 is a flowchart schematically showing the operation flow of the laser processing system according to the fifth embodiment.
  • FIG. 33 is a flowchart showing the flow of operations related to setting irradiation conditions.
  • FIG. 34 is a flowchart showing the flow of operations during ablation and laser drilling.
  • FIG. 35 is a diagram schematically showing the configuration of an electronic device.
  • FIG. 36 is a flowchart showing a method for manufacturing an electronic device.
  • Substances such as molecules, atoms, ions, clusters, electrons, and photons sublimated by irradiation with ultraviolet pulsed laser light head toward a substrate such as a workpiece while colliding with the atmosphere in a plasma state called a plume.
  • the material in the plume that reaches the substrate is deposited on the substrate in a porous state.
  • materials produced by laser ablation are referred to as laser ablation products.
  • FIG. 1 shows a porous product deposited by irradiating an alkali-free glass substrate with ultraviolet pulsed laser light.
  • Alkali-free glass substrate is a substrate made of glass that does not contain alkaline components such as sodium and potassium. Generally, alkali-free glass has silicon dioxide, aluminum oxide, boron oxide, or alkaline earth metal oxides such as calcium oxide and barium oxide as main components.
  • the alkali-free glass substrate is used, for example, as an insulating glass substrate for an interposer that relays electrical connections between an integrated circuit chip and a circuit board.
  • fluence refers to the energy density of one pulse of ultraviolet pulsed laser light.
  • the unit of fluence is J/ cm2 .
  • FIG. 2 schematically shows the configuration of a laser processing system 1 according to a comparative example.
  • the comparative example is a form that the applicant recognizes as being known only by the applicant, and is not a publicly known example that the applicant admits.
  • the laser processing system 1 includes a laser device 2 and a laser processing device 4 as main components.
  • the laser processing system 1 is used for laser hole processing to form holes such as via holes in a glass substrate for an interposer.
  • the laser device 2 is a laser device that outputs ultraviolet pulsed laser light.
  • the laser device 2 is a discharge-excited laser device that outputs ultraviolet pulsed laser light using F 2 , ArF, KrF, XeCl, XeF, or the like as a laser medium.
  • the laser device 2 is a KrF excimer laser device that outputs ultraviolet pulsed laser light with a center wavelength of 248.4 nm.
  • the ultraviolet pulsed laser light outputted by the laser device 2 will be simply referred to as laser light L.
  • the laser device 2 and the laser processing device 4 are connected by an optical path tube 5.
  • the optical path tube 5 is arranged on the optical path of the laser beam L between the exit of the laser device 2 and the entrance of the laser processing device 4.
  • the laser processing device 4 includes a laser processing processor 40, an optical device 41, a frame 42, a moving stage 43, and a table 44.
  • An optical device 41 and a moving stage 43 are fixed to the frame 42 .
  • the table 44 supports the workpiece 45.
  • the workpiece 45 is a processing target to which the laser beam L is irradiated and laser hole processing is performed.
  • the workpiece 45 is a glass substrate for an interposer, and is, for example, an alkali-free glass substrate transparent to the laser beam L.
  • the moving stage 43 supports a table 44.
  • a workpiece 45 is fixed on the table 44 .
  • the moving stage 43 is movable in the X, Y, and Z directions, and by adjusting the position of the table 44, the position of the workpiece 45 can be adjusted.
  • the X direction, Y direction, and Z direction are orthogonal to each other.
  • the X direction and the Y direction are parallel to the surface 45a of the workpiece 45 on which the laser beam L is incident.
  • the Z direction is perpendicular to the surface 45a.
  • the moving stage 43 adjusts the position of the workpiece 45 under the control of the laser processing processor 40 so that the laser beam L output from the optical device 41 is irradiated to a desired processing position within the processing area.
  • a processing area refers to an area including one or more processing positions.
  • the optical device 41 includes a housing 41a, high reflection mirrors 47a and 47b, an attenuator 49, an introduction optical system 50, a mask 52, and a projection optical system 53. An image having the shape of the hole to be machined is transferred to the hole.
  • the high-reflection mirror 47a is arranged so that it reflects the laser light L that has passed through the optical path tube 5, and the reflected laser light L passes through the attenuator 49 and enters the high-reflection mirror 47b.
  • the optical path tube 5 and the housing 41a are purged with, for example, nitrogen gas.
  • the attenuator 49 is arranged on the optical path between the high reflection mirror 47a and the high reflection mirror 47b within the housing 41a.
  • the attenuator 49 includes, for example, two partially reflecting mirrors 49a and 49b, and rotation stages 49c and 49d for these partially reflecting mirrors.
  • the partial reflection mirrors 49a and 49b are optical elements whose transmittance changes depending on the incident angle of the laser beam L. The angle of incidence of the laser beam L on the partial reflection mirrors 49a, 49b is adjusted by the rotation stages 49c, 49d so that the fluence of the laser beam L irradiated onto the surface 45a of the workpiece 45 becomes a target value.
  • the high reflection mirror 47b is arranged so as to reflect the laser light L that has passed through the attenuator 49 and to make the reflected laser light L enter the introduction optical system 50.
  • the introduction optical system 50 includes a high reflection mirror 51, and is arranged so that, for example, the mask 52 is illuminated with a rectangular beam and the light intensity of the laser beam L on the mask 52 is uniform. Note that the light intensity on the mask 52 may be made uniform through an illumination system including a fly's eye lens and a condenser lens (not shown).
  • the mask 52 is constructed, for example, by forming a pattern of a metal or dielectric multilayer film on a synthetic quartz substrate that transmits ultraviolet light.
  • the mask 52 has a pattern formed thereon to form a hole having a diameter of 5 ⁇ m to 30 ⁇ m in the workpiece 45. Note that, assuming that the projection magnification of the projection optical system 53 is M, a pattern whose size is 1/M times the processing dimension is formed on the mask 52.
  • the projection optical system 53 is a reduction projection optical system that reduces and projects the image of the mask 52.
  • the mask 52 is arranged so that the image of the mask 52 is formed on the surface 45a of the workpiece 45.
  • the projection optical system 53 may be a single lens or a set of lenses corrected for aberrations.
  • the laser processing processor 40 transmits the target pulse energy Et and the light emission trigger Tr to the laser device 2.
  • the target pulse energy Et is a target value of the pulse energy of the laser beam L.
  • the light emission trigger Tr is a trigger signal for causing the laser device 2 to output one pulse of laser light L.
  • FIG. 3 schematically shows the configuration of the laser device 2.
  • Laser device 2 includes an oscillator 20, a monitor module 30, a shutter 35, and a laser processor 38.
  • the oscillator 20 includes a chamber 21, an optical resonator including a rear mirror 25a and an output coupler (OC) 25b, a charger 23, and a pulsed power module (PPM) 22.
  • OC output coupler
  • PPM pulsed power module
  • the chamber 21 is provided with windows 21a and 21b.
  • a laser gas serving as a laser medium is sealed in the chamber 21 .
  • an opening is formed in the chamber 21, and an electrically insulating plate 26 in which a plurality of feed throughs 26a are embedded is provided so as to close this opening.
  • PPM 22 is arranged on electrically insulating plate 26 .
  • a pair of discharge electrodes 27a and 27b as main electrodes and a ground plate 28 are arranged inside the chamber 21, .
  • the shape of the discharge surface of the discharge electrodes 27a, 27b is rectangular.
  • the discharge electrodes 27a and 27b are arranged so that their discharge surfaces face each other in order to excite the laser medium by discharge.
  • the surface of the discharge electrode 27a opposite to the discharge surface is supported by the electrically insulating plate 26.
  • Discharge electrode 27a is connected to feedthrough 26a.
  • the surface of the discharge electrode 27b opposite to the discharge surface is supported by the ground plate 28.
  • the PPM 22 includes a switch 22a, a charging capacitor (not shown), a pulse transformer, a magnetic compression circuit, and a peaking capacitor.
  • the peaking capacitor is connected to the feedthrough 26a via a connection portion (not shown).
  • Charger 23 charges the charging capacitor based on control from laser processor 38 .
  • the on/off of the switch 22a is controlled by the laser processor 38.
  • the laser processor 38 turns on the switch 22a in response to the light emission trigger Tr transmitted from the laser processing processor 40.
  • the rear mirror 25a is formed by coating a flat substrate with a highly reflective film.
  • the output coupling mirror 25b is formed by coating a flat substrate with a partially reflective film.
  • the chamber 21 is arranged between the rear mirror 25a and the output coupling mirror 25b. The laser beam generated in the chamber 21 is amplified by the optical resonator and output from the output coupling mirror 25b.
  • the monitor module 30 includes a beam splitter 31 and an optical sensor 32.
  • the beam splitter 31 is placed on the optical path of the laser beam L output from the output coupling mirror 25b, and reflects a portion of the laser beam L.
  • the optical sensor 32 is arranged at a position where the laser beam L reflected by the beam splitter 31 is incident. The optical sensor 32 measures the pulse energy of the laser beam L and transmits the measured value to the laser processor 38.
  • the laser processor 38 changes the charging voltage of the charger 23 based on the pulse energy measurement value by the optical sensor 32 so that the pulse energy of the laser beam L output from the laser device 2 becomes the target pulse energy Et. control.
  • the shutter 35 is placed on the optical path of the laser beam L that passes through the beam splitter 31.
  • the shutter 35 opens and closes in response to commands from the laser processor 38.
  • the laser processor 38 controls the output of the laser beam L from the laser device 2 by controlling the shutter 35 .
  • FIG. 4 schematically shows the flow of operation of the laser processing system 1 according to the comparative example.
  • the laser processing processor 40 controls each part of the laser processing system 1 to perform laser hole processing on the workpiece 45 using the laser beam L (step S10).
  • Figure 5 shows the flow of operations during laser hole machining.
  • the laser machining processor 40 transmits data on the target pulse energy Et required for laser hole machining to the laser device 2 (step S100).
  • the laser device 2 controls the chamber 21 and transmits a preparation completion signal to the laser processing processor 40 when the laser beam L of the target pulse energy Et can be output.
  • the laser processing processor 40 determines whether a preparation completion signal has been received from the laser device 2 (step S101). When the laser machining processor 40 determines that the preparation completion signal has been received (step S101: YES), it reads the irradiation conditions for laser hole machining (step S102).
  • the irradiation conditions include a target fluence Fm, a pulse repetition frequency fm of the laser beam L, and a number Nm of irradiation pulses.
  • the irradiation conditions may be read from an external device (not shown), via a network, or from an input device operated by an operator.
  • the laser processing processor 40 sets the transmittance of the attenuator 49 to a transmittance Tm that makes the fluence of the laser beam L on the surface 45a of the workpiece 45 the target fluence Fm (step S103).
  • T' is the transmittance of the optical device 41 when the transmittance of the attenuator 49 is 100%.
  • Sm is the area of the transferred image of the mask 52 on the surface 45a of the workpiece 45.
  • the laser processing processor 40 controls the incident angles of the partial reflection mirrors 49a and 49b using the rotation stages 49c and 49d so that the transmittance of the attenuator 49 becomes Tm.
  • the laser processing processor 40 sets data indicating the initial processing position in the processing area of the workpiece 45 (step S104).
  • the laser processing processor 40 positions the workpiece 45 in the XY directions by controlling the movement stage 43 based on the set data (step S105). Further, the laser processing processor 40 controls the moving stage 43 in the Z direction so that the position of the transferred image of the mask 52 substantially coincides with the surface 45a of the workpiece 45 (step S106).
  • the laser processing processor 40 transmits the light emission trigger Tr to the laser device 2 based on the repetition frequency fm and the number of irradiation pulses Nm (step S107).
  • laser light L is output from the laser device 2 in synchronization with the light emission trigger Tr, and enters the laser processing device 4 via the optical path tube 5.
  • This laser beam L is reflected by the high reflection mirror 47a, attenuated by the attenuator 49, and then reflected by the high reflection mirror 47b.
  • the laser beam L reflected by the high reflection mirror 47b is reflected by the high reflection mirror 51 of the introducing optical system 50 and enters the mask 52.
  • the laser beam L transmitted through the mask 52 enters the projection optical system 53.
  • the laser beam L output from the projection optical system 53 is focused on the surface 45a of the workpiece 45 as an image of the mask 52. Holes are then formed by laser ablation.
  • the laser machining processor 40 determines whether the laser hole machining in the machining area is completed (step S108).
  • the term "laser hole machining completed” means that laser hole machining has been completed at all machining positions within the machining area.
  • the laser machining processor 40 determines that the laser hole machining has not been completed (step S108: NO)
  • it sets data indicating the next machining position (step S109), and returns the process to step S105.
  • the laser machining processor 40 repeatedly executes steps S105 to S107 until the laser hole machining is completed.
  • step S108 determines that the laser hole machining has been completed (step S108: YES), the process ends.
  • FIG. 6 to 8 are cross-sectional SEM (Scanning Electron Microscope) images of the workpiece 45 after being irradiated with one or more pulses of laser light L using a laser processing method according to a comparative example.
  • FIG. 6 is a cross-sectional SEM image after one pulse irradiation.
  • FIG. 7 is a cross-sectional SEM image after 5-pulse irradiation.
  • FIG. 8 is a cross-sectional SEM image after irradiation with 10 pulses.
  • the phase in which the laser hole machining hardly progresses even if the laser beam L is irradiated will be referred to as the first phase.
  • FIG. 9 explains how laser drilling progresses while maintaining a high aspect ratio.
  • the laser beam L that is not absorbed by the product self-converges inside the hole. It is presumed that the occurrence of self-focusing is caused by a waveguide effect caused by the inner wall of the hole being melted by the laser hole machining and reflecting the laser beam L from the inner wall. This tapered inner wall causes the laser beam L to self-focus on the tip of the hole due to the waveguide effect, so that the laser hole machining progresses while maintaining a high aspect ratio.
  • the inner wall of the hole reflects the laser beam L, and the tip portion maintains a state of high absorption of the laser beam L, so that the laser hole machining progresses while maintaining a high aspect ratio.
  • the products of laser ablation are also released from the entrance of the hole.
  • the phase in which laser drilling progresses while maintaining a high aspect ratio will be referred to as the third phase.
  • FIG. 10 is a cross-sectional SEM image after irradiation with 500 pulses or more.
  • the hole passes through the workpiece 45.
  • the inner diameter of the hole remains small regardless of the number of irradiation pulses of the laser beam L irradiated to the hole. This is because the hole penetrates the workpiece 45 and most of the products produced by laser ablation are discharged to the outside from the tip of the hole. This suppresses absorption of the laser beam L inside the hole, so that the inner diameter of the hole remains small regardless of the number of irradiation pulses.
  • the phase after the hole penetrates the workpiece 45 will be referred to as the fourth phase.
  • FIG. 11 schematically shows the first to fourth phases of laser drilling.
  • the first phase there is almost no change in the surface 45a of the workpiece 45, and the laser drilling hardly progresses.
  • laser drilling progresses with the products of laser ablation.
  • the laser beam L is self-focused, and the laser drilling progresses while maintaining a high aspect ratio.
  • the fourth phase after penetrating the workpiece 45, the inner diameter of the hole remains small.
  • FIG. 12 is an optical microscope image of a plurality of holes formed by the laser processing method according to the comparative example taken from the side of the workpiece 45. As shown in FIG. 12, according to the laser processing method according to the comparative example, a hole with a high aspect ratio that penetrates the workpiece 45 can be formed.
  • a hole with a high aspect ratio is formed by continuously irradiating the workpiece 45 with pulses of laser light L.
  • the pulses irradiated in the first phase change the quality of the surface 45a of the workpiece 45, they hardly contribute to laser drilling, so the cumulative number of irradiation pulses increases.
  • FIG. 13 is a SEM image showing the surface 45a of the workpiece 45 after three pulses of irradiation. As shown in FIG. 13, it can be seen that although the pulse irradiated in the first phase changes the quality of the surface 45a of the workpiece 45, it hardly contributes to laser drilling.
  • the present disclosure provides a laser processing method, a laser processing apparatus, and an electronic device manufacturing method that make it possible to reduce the cumulative number of irradiation pulses by contributing to laser hole processing from the first pulse of the laser beam L. do.
  • the present applicant has discovered that by depositing the product of laser ablation in the processing area and then performing laser hole processing, the first pulse of laser light L contributes to laser hole processing.
  • a laser ablation product was deposited on the surface of the glass substrate by forming holes in the glass substrate by laser hole machining, as shown in FIG. Then, one pulse of laser light L was irradiated to four locations around the hole where the product was deposited. It was confirmed that the product deposited on the surface of the glass substrate absorbs the laser beam L, thereby contributing to laser hole processing from the first pulse.
  • FIGS. 15 and 16 conceptually show the laser processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 15 shows the first step of depositing laser ablation products in the processing area.
  • FIG. 16 shows a second step in which laser drilling is performed on the processing area where the product is deposited.
  • a target substrate 60 made of the same material as the workpiece 45 is arranged so that its surface 61 faces the surface 45a of the workpiece 45 at a constant angle.
  • the target substrate 60 is an alkali-free glass substrate.
  • the surface 61 of the target substrate 60 is irradiated with a laser beam La capable of laser ablation.
  • a plume PL is generated from the surface 61 of the target substrate 60, and a product 62 due to laser ablation is deposited on the surface 45a of the workpiece 45.
  • the surface 45a of the workpiece 45 on which the product 62 has been deposited is irradiated with laser light L, which can perform laser hole machining. Since the product 62 is porous and has a high absorption rate of the laser beam L, it contributes to the laser hole machining and progresses from the first pulse.
  • the laser beam La used for laser ablation and the laser beam L used for laser hole processing may be the same laser beam.
  • the laser beam La and the laser beam L are, for example, ultraviolet pulsed laser beams having the same center wavelength.
  • the center wavelength is 248.4 nm.
  • the laser beam La is an example of the "first ultraviolet pulsed laser beam” according to the technology of the present disclosure.
  • the laser beam L is an example of the "second ultraviolet pulsed laser beam” according to the technology of the present disclosure.
  • the target substrate 60 is an example of a "first glass substrate” according to the technology of the present disclosure.
  • the workpiece 45 is an example of a "second glass substrate” according to the technology of the present disclosure. In this embodiment, the first glass substrate and the second glass substrate are different substrates.
  • FIG. 17 shows irradiation conditions for laser ablation and irradiation conditions for laser hole processing.
  • first irradiation conditions the irradiation conditions for laser ablation
  • second irradiation conditions the irradiation conditions for laser hole processing
  • the first irradiation condition and the second irradiation condition include at least one of fluence, repetition frequency, number of irradiation pulses, and pulse width.
  • the fluence, repetition frequency, and pulse width may have similar values in the first irradiation condition and the second irradiation condition. Note that the number of irradiation pulses is different between the first irradiation condition and the second irradiation condition. The number of irradiation pulses under the second irradiation condition is a value that depends on the thickness of the workpiece 45.
  • the first irradiation condition and the second irradiation condition include the irradiation positions of the first ultraviolet pulsed laser beam and the second ultraviolet pulsed laser beam.
  • the target substrate 60 is irradiated with laser light La during laser ablation
  • the workpiece 45 is irradiated with laser light L during laser hole processing. Therefore, in this embodiment, the irradiation position is different between the first irradiation condition and the second irradiation condition.
  • a product generated from the first glass substrate is transferred to the second glass substrate by irradiating the first glass substrate with the first ultraviolet pulse laser beam under the first irradiation condition. and forming a hole by irradiating the processing position where the product is deposited with a second ultraviolet pulsed laser beam under a second irradiation condition different from the first irradiation condition.
  • laser hole machining is performed by depositing the product 62 of laser ablation on the surface 45a of the workpiece 45 and then irradiating the laser beam L.
  • the first pulse of light L contributes to laser hole machining. This makes it possible to reduce the cumulative number of irradiation pulses.
  • FIG. 18 schematically shows the configuration of a laser processing system 1a according to the second embodiment.
  • the laser processing system 1a differs from the laser processing system 1 according to the comparative example in the configuration of a laser processing device 4a.
  • the laser processing apparatus 4a includes a target substrate 60, a high reflection mirror 64, and a linear stage 66 in addition to the configuration of the laser processing apparatus 4 according to the comparative example.
  • the target substrate 60 is made of the same material as the workpiece 45 as in the first embodiment, and is, for example, an alkali-free glass substrate.
  • the target substrate 60 is fixed by a holder 63 so that its surface 61 faces the surface 45a of the workpiece 45 at a constant angle.
  • the high reflection mirror 64 is connected to a linear stage 66 via a holder 65.
  • the linear stage 66 moves the high reflection mirror 64 based on control from the laser processing processor 40.
  • the linear stage 66 is a moving mechanism that moves the high reflection mirror 64 between a position where it is inserted into the optical path of the laser beam L between the projection optical system 53 and the workpiece 45 and a position where it is withdrawn from the optical path. be.
  • the high reflection mirror 64 When the high reflection mirror 64 is inserted into the optical path of the laser beam L, it reflects the laser beam L and makes it incident on the surface 61 of the target substrate 60, and when it is withdrawn from the optical path of the laser beam L, it is exposed to the laser beam L. The light is made incident on the surface 45a of the workpiece 45.
  • the laser beam L is used for laser ablation and laser hole processing. Therefore, in this embodiment, the first ultraviolet pulsed laser beam and the second ultraviolet pulsed laser beam are ultraviolet pulsed laser beams output from the same laser device 2. Moreover, in this embodiment, the first ultraviolet pulsed laser beam and the second ultraviolet pulsed laser beam are selectively irradiated onto the first glass substrate and the second glass substrate.
  • FIG. 19 schematically shows the flow of operation of the laser processing system 1a according to the second embodiment.
  • the operation of the laser processing system 1a according to the present embodiment is that, before step S10 in which laser hole processing is performed on the workpiece 45, a step S20 is performed in which a product 62 is deposited on the surface 45a of the workpiece 45 by laser ablation.
  • This example differs from the comparative example in that it performs the following steps.
  • FIG. 20 shows the flow of operations during laser ablation.
  • the laser processing processor 40 controls the linear stage 66 to insert the high reflection mirror 64 into the optical path of the laser beam L (step S200).
  • the laser processing processor 40 transmits data on the target pulse energy Et required for laser ablation to the laser device 2 (step S201).
  • the laser device 2 controls the chamber 21 and transmits a preparation completion signal to the laser processing processor 40 when the laser beam L of the target pulse energy Et can be output.
  • the laser processing processor 40 determines whether a ready signal has been received from the laser device 2 (step S202). When the laser processing processor 40 determines that the preparation completion signal has been received (step S202: YES), it reads the irradiation conditions for laser ablation (step S203).
  • the irradiation conditions include the target fluence Fa, the pulse repetition frequency fa of the laser beam L, and the number Na of irradiation pulses.
  • the irradiation conditions may be read from an external device (not shown), via a network, or from an input device operated by an operator.
  • the laser processing processor 40 sets the transmittance of the attenuator 49 to a transmittance Ta that makes the fluence of the laser beam L on the surface 61 of the target substrate 60 the target fluence Fa (step S204).
  • step S204 the laser processing processor 40 controls the incident angles of the partial reflection mirrors 49a and 49b using the rotation stages 49c and 49d so that the transmittance of the attenuator 49 becomes Ta.
  • the laser processing processor 40 sets data indicating the initial processing position in the processing area of the workpiece 45 (step S205).
  • the laser processing processor 40 positions the workpiece 45 in the XY directions by controlling the movement stage 43 based on the set data (step S206). Further, the laser processing processor 40 controls the moving stage 43 in the Z direction so that the product 62 due to laser ablation is deposited on the surface 45a of the workpiece 45 (step S207).
  • the laser processing processor 40 transmits the light emission trigger Tr to the laser device 2 based on the repetition frequency fa and the number of irradiation pulses Na (step S208).
  • laser light L is output from the laser device 2 in synchronization with the light emission trigger Tr, and enters the laser processing device 4 via the optical path tube 5.
  • This laser beam L is reflected by the high reflection mirror 47a, attenuated by the attenuator 49, and then reflected by the high reflection mirror 47b.
  • the laser beam L reflected by the high reflection mirror 47b is reflected by the high reflection mirror 51 of the introducing optical system 50 and enters the mask 52.
  • the laser beam L transmitted through the mask 52 enters the projection optical system 53.
  • Laser light L output from projection optical system 53 is reflected by high reflection mirror 64 and thereby enters surface 61 of target substrate 60 .
  • ablation products 62 are deposited at the processing position on the surface 45a of the workpiece 45.
  • the laser processing processor 40 determines whether the deposition of the product 62 has been completed (step S209).
  • the term "the deposition of the product 62 has been completed” means that the deposition of the product 62 at all processing positions within the processing area has been completed. If the laser processing processor 40 determines that the deposition of the product 62 has not been completed (step S209: NO), it sets data indicating the next processing position (step S210), and returns the process to step S206. .
  • the laser processing processor 40 repeatedly executes steps S206 to S208 until the deposition of the product 62 is completed. Note that during laser ablation, high accuracy is not required for positioning the workpiece 45 in the Z direction, so step S207 does not need to be performed in the second and subsequent repeat loops.
  • step S209 YES
  • the high reflection mirror 64 is retracted from the optical path of the laser beam L by controlling the linear stage 66 (step S211). ), the process ends.
  • step S10 shown in FIG. 19 laser hole machining is performed on each machining position where the product 62 is deposited.
  • the processing of the laser processing processor 40 in step S10 is the same as that of the comparative example.
  • the laser processing device 4a uses the laser beam L output from the laser device 2 to deposit the product 62 by laser ablation and to transfer the product 62 to the processing position where the product 62 is deposited.
  • Laser hole processing can be performed.
  • the single laser processing system 1a can efficiently perform the deposition of the product 62 and the laser hole processing.
  • the first pulse of the laser beam L contributes to laser hole machining, it is possible to reduce the cumulative number of irradiation pulses.
  • the target substrate 60 is irradiated with the laser light L that has passed through the mask 52 during laser ablation, but the mask 52 may be withdrawn from the optical path of the laser light L during laser ablation.
  • the laser device 2 is an excimer laser device, but the laser device 2 is not limited to an excimer laser device.
  • the laser device 2 may be a YAG laser device that outputs laser light with a wavelength of about 1.03 ⁇ m to 1.06 ⁇ m or a solid state laser including a nonlinear crystal that outputs the fourth harmonic (wavelength of 257.5 nm to 266 nm) of a fiber laser. It may be a device or the like.
  • FIG. 21 schematically shows the configuration of a laser processing system 1b according to the third embodiment.
  • the laser processing system 1b differs from the laser processing system 1a according to the second embodiment in the configuration of a laser processing device 4b.
  • the laser processing apparatus 4b is obtained by removing the target substrate 60, the high reflection mirror 64, and the linear stage 66 from the laser processing apparatus 4a according to the second embodiment. That is, the laser processing device 4b has the same configuration as the laser processing device 4 according to the comparative example.
  • the laser processing processor 40 sets a part of the surface 45a of the workpiece 45 as a laser ablation area, and generates a product 62 by irradiating the laser beam L to the laser ablation area. Deposit on the processing area. Therefore, in this embodiment, both the first glass substrate and the second glass substrate according to the technology of the present disclosure are the workpiece 45 and are the same substrate.
  • FIG. 22 shows an example of the laser ablation area Ra set on the surface 45a of the workpiece 45.
  • the laser processing processor 40 sets, for example, the peripheral portion of the processing region Rp on the surface 45a of the workpiece 45 as the laser ablation region Ra.
  • the laser processing processor 40 deposits a product 62 generated by irradiating the laser ablation region Ra with the laser beam L in the processing region Rp.
  • the position where the laser beam L is irradiated to cause ablation in the laser ablation region Ra will be referred to as the laser ablation position.
  • the laser processing processor 40 deposits the product 62 over the entire processing region Rp by sequentially changing the laser ablation position within the laser ablation region Ra.
  • the above-mentioned first irradiation conditions and second irradiation conditions are different.
  • FIG. 24 schematically shows the flow of operation of the laser processing system 1b according to the third embodiment.
  • the operation of the laser processing system 1b according to the present embodiment is different from step S20 of the second embodiment in step S30 in which the product 62 is deposited by laser ablation.
  • step S20 of the second embodiment in which the product 62 is deposited by laser ablation.
  • FIG. 25 shows the flow of operations during laser ablation.
  • the laser processing processor 40 transmits data on the target pulse energy Et required for laser ablation to the laser device 2 (step S300).
  • the laser processing processor 40 determines whether a preparation completion signal has been received from the laser device 2 (step S301). When the laser processing processor 40 determines that the preparation completion signal has been received (step S301: YES), it reads the irradiation conditions for laser ablation (step S302).
  • the laser processing processor 40 sets the transmittance of the attenuator 49 to a transmittance Ta that makes the fluence of the laser beam L on the surface 45a of the workpiece 45 the target fluence Fa (step S303).
  • the laser processing processor 40 sets data indicating the initial laser ablation position in the laser ablation area Ra (step S304).
  • the laser processing processor 40 positions the workpiece 45 in the XY directions by controlling the movement stage 43 based on the set data (step S305). Further, the laser processing processor 40 controls the moving stage 43 in the Z direction so that the product 62 due to laser ablation is deposited on the surface 45a of the workpiece 45 (step S306).
  • the laser processing processor 40 transmits the light emission trigger Tr to the laser device 2 based on the repetition frequency fa and the number of irradiation pulses Na (step S307). Thereby, the laser beam L output from the projection optical system 53 is irradiated onto the laser ablation position within the laser ablation area Ra. As a result, ablation products 62 are deposited in a part of the processing region Rp adjacent to the laser ablation position.
  • the laser processing processor 40 determines whether the deposition of the product 62 has been completed (step S308).
  • the term "the deposition of the product 62 has been completed” means that the deposition of the product 62 in the processing region Rp has been completed. If the laser processing processor 40 determines that the deposition of the product 62 has not been completed (step S308: NO), it sets data indicating the next laser ablation position (step S309), and returns the process to step S305. return.
  • the laser processing processor 40 repeatedly executes steps S305 to S307 until the deposition of the product 62 is completed. Note that during laser ablation, high accuracy is not required for positioning the workpiece 45 in the Z direction, so step S306 does not need to be performed in the second and subsequent repeat loops.
  • step S308 YES
  • step S10 shown in FIG. 24 laser hole processing is performed on the processing region Rp in which the product 62 is deposited.
  • the processing of the laser processing processor 40 in step S10 is the same as that of the comparative example.
  • the laser beam L transmitted through the mask 52 is irradiated onto the laser ablation region Ra during laser ablation, but the mask 52 may be withdrawn from the optical path of the laser beam L during laser ablation.
  • the peripheral part of one processing region Rp on the surface 45a of the workpiece 45 is set as the laser ablation region Ra, but the laser ablation region Ra is not limited to this and can be changed as appropriate. be.
  • FIG. 26 shows a modification of the laser ablation region Ra.
  • laser ablation areas Ra are set on the surface 45a of the workpiece 45 in a grid pattern.
  • the area defined by the grid-shaped laser ablation area Ra becomes the processing area Rp.
  • the product 62 can be uniformly deposited in the processing region Rp.
  • the processing area Rp is set to approximately the same size as the interposer chip.
  • the laser ablation region Ra is a region to be cut in order to separate the processing region Rp into pieces, so there is no waste, and the entire workpiece 45 can be used to create interposer chips.
  • FIG. 27 schematically shows the configuration of a laser processing system 1c according to the fourth embodiment.
  • the laser processing system 1c differs from the laser processing system 1b according to the third embodiment in the configuration of a laser processing device 4c.
  • the laser processing device 4c includes a nozzle 70 and a rotation stage 71 in addition to the configuration of the laser processing device 4b according to the third embodiment.
  • a gas supply source 72 is connected to the nozzle 70 via a pipe 73.
  • a gas flow control valve 74 is provided in the middle of the pipe 73.
  • the nozzle 70 ejects the gas supplied from the gas supply source 72 toward a processing position on the surface 45a of the workpiece 45 that is irradiated with the laser beam L.
  • the gas ejected from the nozzle 70 is a purge gas such as dry air.
  • the nozzle 70 is held on a rotation stage 71.
  • the rotation stage 71 rotates the nozzle 70 around a rotation axis parallel to the Z direction. By rotating the nozzle 70, the direction in which gas is ejected relative to the processing position changes.
  • the rotation stage 71 and the gas flow control valve 74 are controlled by the laser processing processor 40.
  • a laser ablation area is not set as in the third embodiment.
  • laser ablation as an operation separate from laser hole machining is not performed, but the product 62 is deposited in the processing area using laser ablation that occurs during laser hole machining.
  • the laser ablation product 62 generated during laser hole machining is deposited at the next machining position by gas ejected from the nozzle 70. Since the product 62 is deposited at the next processing position, it contributes to the laser hole processing from the first pulse of the laser beam L.
  • both the first glass substrate and the second glass substrate according to the technology of the present disclosure are the workpiece 45 and are the same substrate. Furthermore, in this embodiment, the product 62 deposited at the laser drilling position is generated by ablation at another processing position. Therefore, in this embodiment as well, the irradiation position of the laser beam L is different during laser ablation and during laser drilling, and the above-mentioned first irradiation conditions and second irradiation conditions are different.
  • FIG. 28 explains the flow of operations during laser hole machining.
  • the laser processing processor 40 controls the direction of gas ejection from the nozzle 70 by controlling the rotation stage 71.
  • the symbol P1 indicates the processing position during laser hole processing.
  • Symbol P2 indicates the next processing position.
  • Arrow D indicates the direction in which the workpiece 45 is moved by the moving stage 43 in order to set the target position for laser drilling to the next processing position P2.
  • the laser processing processor 40 sets the direction in which the gas is ejected from the nozzle 70 to be opposite to the moving direction D of the workpiece 45 .
  • the laser ablation products 62 generated at the processing position P1 during laser hole processing are deposited at the next processing position P2.
  • the laser machining processor 40 When the laser machining processor 40 completes the laser hole machining for the machining position P1, the laser machining processor 40 moves the workpiece 45 and then performs the laser hole machining for the machining position P2 where the product 62 is deposited. The product 62 generated by this laser hole machining is further deposited at the next machining position P2.
  • the laser processing processor 40 sets the gas ejection direction to the +Y direction.
  • the laser processing processor 40 sets the gas ejection direction to the ⁇ X direction.
  • the laser processing processor 40 sets the gas ejection direction to the ⁇ Y direction.
  • FIG. 29 explains the flow of operations during laser hole machining according to a modification of the fourth embodiment.
  • FIG. 29 shows an example in which laser hole machining is performed simultaneously on a plurality of machining positions lined up in the X direction.
  • a multi-point mask 52 in which a plurality of holes are formed is used.
  • the nozzle 70 is a multi-nozzle, and the nozzle 70 simultaneously jets gas to a plurality of processing positions P1 during laser hole processing.
  • the direction in which the gas is ejected is opposite to the moving direction D of the workpiece 45.
  • the products 62 due to laser ablation generated at the plurality of processing positions P1 during laser hole processing are deposited at the next plurality of processing positions P2.
  • the laser processing processor 40 sets the gas ejection direction to the +Y direction.
  • the plurality of machining positions P1 shown in FIG. 29(C) are the final machining positions.
  • laser hole drilling is performed simultaneously on processing positions arranged in a line, but the invention is not limited to this, and for example, on processing positions arranged two-dimensionally such as 2 x 5. It is also possible to perform laser drilling at the same time. Further, in order to improve throughput, it is also preferable that the number of processing positions in the moving direction D of the workpiece 45 is smaller than the number of processing positions in the direction perpendicular to the moving direction D.
  • FIG. 30 schematically shows the configuration of a laser processing system 1d according to the fifth embodiment.
  • the laser processing system 1d differs from the laser processing system 1b according to the third embodiment in the configuration of a laser processing device 4d.
  • the laser processing device 4d has a target pulse energy Et(k) of each of a plurality of pulses irradiated to one processing position during laser hole processing. It has a signal line that enables transmission to the laser device 2.
  • k is a parameter that identifies a plurality of pulses irradiated to one processing position.
  • a laser ablation area is not set as in the third embodiment. Further, in this embodiment, laser ablation is not performed as an operation separate from laser hole machining.
  • a product 62 generated by laser ablation generated by an initial plurality of pulses during laser drilling is deposited at a processing position during processing, and laser drilling is performed using a plurality of subsequent pulses.
  • FIG. 31 shows the relationship between the fluence Fa of the pulse for laser ablation and the fluence Fm of the pulse for laser drilling.
  • the number of pulses for laser ablation is Na
  • the number of pulses for laser drilling is Nm.
  • the laser processing processor 40 sets a fluence Fa sufficient to generate laser ablation with an initial number of Na pulses, and irradiates the processing position with the laser light L. For this reason, it is preferable to make the fluence Fa larger than the fluence Fm.
  • both the first glass substrate and the second glass substrate according to the technology of the present disclosure are the workpiece 45 and are the same substrate.
  • the fluence of the laser beam L is different during laser ablation and during laser drilling, so the first irradiation conditions and the second irradiation conditions described above are different.
  • the pulse for laser ablation corresponds to the "first ultraviolet pulse laser beam” according to the technology of the present disclosure.
  • the pulse for laser hole machining corresponds to the "second ultraviolet pulse laser beam” according to the technology of the present disclosure.
  • FIG. 32 schematically shows the operation flow of the laser processing system 1d according to the fifth embodiment.
  • the laser processing processor 40 sets the irradiation conditions in step S40, and then performs laser ablation and laser hole processing on each processing position in step S50.
  • FIG. 33 shows the flow of operations related to setting irradiation conditions.
  • the laser processing processor 40 determines the target pulse energy Ea during laser ablation (step S400).
  • the laser processing processor 40 reads irradiation conditions for laser ablation (step S401). This target fluence Fa, the pulse repetition frequency fa of the laser light L, and the number Na of irradiation pulses are included.
  • the laser machining processor 40 also reads irradiation conditions for laser hole machining (step S402). This target fluence Fm, the pulse repetition frequency fm of the laser beam L, and the number of irradiation pulses Nm are included.
  • the laser processing processor 40 calculates the transmittance Ta of the attenuator 49 that makes the fluence of the laser beam L on the surface 45a of the workpiece 45 the target fluence Fa (step S403).
  • the laser processing processor 40 calculates the transmittance Ta using the above equation (2), for example.
  • the laser machining processor 40 calculates the pulse energy Em of a pulse for laser hole machining, where Fm is the fluence of the laser beam L on the surface 45a of the workpiece 45 (step S404).
  • the laser processing processor 40 sets the target pulse energies Et(1) to Et(Na) of the pulses for laser ablation to the target pulse energy Ea determined in step S400 (steps S405 to S408). Then, the laser machining processor 40 sets the target pulse energies Et(Na+1) to Et(Na+Nm) of pulses for laser hole machining to the pulse energy Em calculated in step S404 (steps S409 to S411).
  • the transmittance of the attenuator 49 is fixed to the transmittance Ta calculated based on the fluence Fa for laser ablation, and the fluence Fm for laser drilling is controlled by the pulse energy Em.
  • FIG. 34 shows the flow of operations during ablation and laser hole processing.
  • the laser machining processor 40 transmits data on the target pulse energy Et necessary for laser hole machining to the laser device 2 (step S500).
  • the laser device 2 controls the chamber 21 and transmits a ready signal to the laser processing processor 40 when the laser beams L having the target pulse energies Ea and Em can be output.
  • the laser processing processor 40 determines whether a preparation completion signal has been received from the laser device 2 (step S501). When the laser processing processor 40 determines that the preparation completion signal has been received (step S501: YES), the laser processing processor 40 sets the transmittance of the attenuator 49 to the transmittance Ta calculated in step S40 (step S502).
  • the laser processing processor 40 sets data indicating the initial processing position in the processing area of the workpiece 45 (step S503).
  • the laser processing processor 40 positions the workpiece 45 in the XY directions by controlling the movement stage 43 based on the set data (step S504). Further, the laser processing processor 40 controls the moving stage 43 in the Z direction so that the position of the transferred image of the mask 52 substantially coincides with the surface 45a of the workpiece 45 (step S505).
  • the laser processing processor 40 transmits the data of the target pulse energies Et(1) to Et(Na+Nm) set in step S40 to the laser device 2 (step S506). Then, the laser processing processor 40 transmits the light emission trigger Tr to the laser device 2 based on the repetition frequency fa and the number of irradiation pulses Na+Nm (step S507). As a result, laser ablation is performed with Na pulses having pulse energy Ea with respect to the processing position. As a result, after the product 62 of laser ablation is deposited at the processing position, laser hole processing is performed with Nm pulses having pulse energy Em.
  • the laser machining processor 40 determines whether the laser hole machining in the machining area is completed (step S508).
  • the term "laser hole machining completed” means that laser hole machining has been completed at all machining positions within the machining area. If the laser machining processor 40 determines that the laser hole machining has not been completed (step S508: NO), it sets data indicating the next machining position (step S509), and returns the process to step S504.
  • the laser machining processor 40 repeatedly executes steps S504 to S507 until the laser hole machining is completed.
  • step S508 determines that the laser hole machining has been completed (step S508: YES), the process ends.
  • the fluence is changed between the pulse for laser ablation and the pulse for laser hole processing.
  • the laser beam L can be irradiated under appropriate irradiation conditions for depositing the products 62 by laser ablation at the processing position, and the laser beam L can be irradiated under appropriate irradiation conditions that are optimal for laser hole machining. be able to.
  • the cumulative number of irradiation pulses and the cumulative energy of the laser beam L can be reduced compared to the case of the comparative example. Thereby, the life of the consumables of the laser processing system 1d can be extended.
  • FIG. 35 schematically shows the configuration of the electronic device 500.
  • An electronic device 500 shown in FIG. 35 includes an integrated circuit chip 501, an interposer 502, and a circuit board 503.
  • the integrated circuit chip 501 is, for example, a chip-shaped integrated circuit board in which an integrated circuit is formed on a silicon substrate.
  • the integrated circuit chip 501 is provided with a plurality of bumps 501b electrically connected to the integrated circuit.
  • the interposer 502 includes an insulating glass substrate in which a plurality of through holes are formed, and a conductor is provided in each through hole to electrically connect the front and back sides of the glass substrate.
  • a plurality of lands connected to bumps 501b provided on the integrated circuit chip 501 are formed on one surface of the interposer 502, and each land is electrically connected to one of the conductors in the through hole.
  • a plurality of bumps 502b are provided on the other surface of the interposer 502, and each bump 502b is electrically connected to one of the conductors in the through hole.
  • a plurality of lands are formed on one surface of the circuit board 503 to connect to each bump 502b. Further, the circuit board 503 includes a plurality of terminals electrically connected to these lands.
  • FIG. 36 shows a method for manufacturing the electronic device 500.
  • the method for manufacturing an electronic device 500 in this description includes a first bonding step SP1 and a second bonding step SP2.
  • the integrated circuit chip 501 and the interposer 502 are bonded.
  • each bump 501b of the integrated circuit chip 501 is placed on each land of the interposer 502, and the bumps 501b and the lands are electrically connected.
  • integrated circuit chip 501 and interposer 502 are electrically connected.
  • the interposer 502 and the circuit board 503 are bonded. Specifically, each bump 502b of the interposer 502 is placed on each land of the circuit board 503, and the bumps 502b and the lands are electrically connected. In this way, integrated circuit chip 501 is electrically connected to circuit board 503 via interposer 502. Through the above steps, the electronic device 500 is manufactured.

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Abstract

本開示の１つの観点に係るレーザ加工方法は、第１照射条件で第１紫外パルスレーザ光を第１ガラス基板に照射することにより第１ガラス基板から生成される生成物を第２ガラス基板の加工位置に堆積させること、生成物が堆積した加工位置に第１照射条件と異なる第２照射条件で第２紫外パルスレーザ光を照射することにより穴を形成すること、を含む。

Description

レーザ加工方法、レーザ加工装置、及び電子デバイスの製造方法
　本開示は、レーザ加工方法、レーザ加工装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
　近年、半導体露光装置においては、半導体集積回路の微細化及び高集積化につれて、解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められている。例えば、露光用のガスレーザ装置としては、波長約２４８．０ｎｍのレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置、ならびに波長約１９３．４ｎｍのレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。
　また、エキシマレーザ光はパルス幅が約数１０ｎｓであって、波長はそれぞれ、２４８．４ｎｍと１９３．４ｎｍと短いことから、高分子材料やガラス材料等の直接加工に用いられることがある。
　高分子材料における化学結合は、結合エネルギよりも高いフォトンエネルギーをもつエキシマレーザ光によって切断することができる。そのため、エキシマレーザ光によって高分子材料の非加熱加工が可能となり、加工形状が綺麗になることが知られている。
　また、ガラスやセラミックス等はエキシマレーザ光に対する吸収率が高いので、可視及び赤外線レーザ光では加工することが難しい材料であっても、エキシマレーザ光により加工できることが知られている。
　ＫｒＦエキシマレーザ装置及びＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振光のスペクトル線幅は、３５０ｐｍ～４００ｐｍと広い。そのため、ＫｒＦ及びＡｒＦレーザ光のような紫外線を透過する材料で投影レンズを構成すると、色収差が発生してしまう場合がある。その結果、解像力が低下し得る。そこで、ガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を、色収差が無視できる程度となるまで狭帯域化する必要がある。そのため、ガスレーザ装置のレーザ共振器内には、スペクトル線幅を狭帯域化するために、狭帯域化素子（エタロンやグレーティング等）を含む狭帯域化モジュール（ＬＮＭ：Line Narrowing Module）が設けられる場合がある。以下では、スペクトル線幅が狭帯域化されるガスレーザ装置を狭帯域化ガスレーザ装置という。
米国特許出願公開第２０２０／０２０９７６０号明細書 米国特許出願公開第２０２２／００５０３８２号明細書 米国特許出願公開第２０１７／００９６３６１号明細書 米国特許出願公開第２０１９／０３５９５１５号明細書 米国特許出願公開第２００４/００１３９５１号明細書 国際公開第２０２２／０７９７９８号
概要
　本開示の１つの観点に係るレーザ加工方法は、第１照射条件で第１紫外パルスレーザ光を第１ガラス基板に照射することにより第１ガラス基板から生成される生成物を第２ガラス基板の加工位置に堆積させること、生成物が堆積した加工位置に第１照射条件と異なる第２照射条件で第２紫外パルスレーザ光を照射することにより穴を形成すること、を含む。
　本開示の１つの観点に係るレーザ加工装置は、レーザ装置から出力された紫外パルスレーザ光を第１ガラス基板及び第２ガラス基板に照射させる光学装置と、レーザ装置及び光学装置を制御するレーザ加工プロセッサと、を備えるレーザ加工装置であって、レーザ加工プロセッサは、第１照射条件で紫外パルスレーザ光を第１ガラス基板に照射することにより第１ガラス基板から生成される生成物を第２ガラス基板の加工位置に堆積させ、生成物が堆積した加工位置に第１照射条件と異なる第２照射条件で紫外パルスレーザ光を照射させる。
　本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、第１照射条件で第１紫外パルスレーザ光を第１ガラス基板に照射することにより第１ガラス基板から生成される生成物を第２ガラス基板の加工位置に堆積させること、生成物が堆積した加工位置に第１照射条件と異なる第２照射条件で第２紫外パルスレーザ光を照射することにより貫通穴を形成すること、第２ガラス基板と貫通穴内に設けられた導電体とを有するインターポーザと、集積回路チップとを結合させて互いに電気的に接続すること、インターポーザと回路基板とを結合させて互いに電気的に接続すること、を含む。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、無アルカリガラス基板に、紫外パルスレーザ光を照射することにより堆積された多孔質の生成物を示すＳＥＭ像である。 図２は、比較例に係るレーザ加工システムの構成を概略的に示す図である。 図３は、レーザ装置の構成を概略的に示す図である。 図４は、比較例に係るレーザ加工システムの動作の流れを概略的に示すフローチャートである。 図５は、レーザ穴加工時の動作の流れを示すフローチャートである。 図６は、１パルス照射後の断面ＳＥＭ像である。 図７は、５パルス照射後の断面ＳＥＭ像である。 図８は、１０パルス照射後の断面ＳＥＭ像である。 図９は、レーザ穴加工が高アスペクト比を保ったまま進行する様子を説明する図である。 図１０は、５００パルス以上照射した後の断面ＳＥＭ像である。 図１１は、レーザ穴加工の第１フェーズから第４フェーズを概略的に示す図である。 図１２は、比較例に係るレーザ加工方法により形成された複数の穴を被加工物の側面から撮影した顕微鏡画像である。 図１３は、３パルス照射後の被加工物の表面を示すＳＥＭ像である。 図１４は、ガラスの表面に堆積された生成物がレーザ光を吸収することを示すＳＥＭ像である。 図１５は、レーザアブレーションによる生成物を加工領域に堆積させる第１ステップを示す図である。 図１６は、生成物が堆積した加工領域に対してレーザ穴加工を行う第２ステップを示す図である。 図１７は、レーザアブレーション用の照射条件と、レーザ穴加工用の照射条件とを示す図である。 図１８は、第２実施形態に係るレーザ加工システムの構成を概略的に示す図である。 図１９は、第２実施形態に係るレーザ加工システムの動作の流れを概略的に示すフローチャートである。 図２０は、レーザアブレーション時の動作の流れを示すフローチャートである。 図２１は、第３実施形態に係るレーザ加工システムの構成を概略的に示す図である。 図２２は、被加工物の表面に設定されるレーザアブレーション領域の一例を示す図である。 図２３は、レーザアブレーション領域から生成された生成物が加工領域に堆積する様子を示す図である。 図２４は、第３実施形態に係るレーザ加工システムの動作の流れを概略的に示すフローチャートである。 図２５は、レーザアブレーション時の動作の流れを示すフローチャートである。 図２６は、レーザアブレーション領域の変形例を示す図である。 図２７は、第４実施形態に係るレーザ加工システムの構成を概略的に示す図である。 図２８は、レーザ穴加工時の動作の流れを説明する図である。 図２９は、第４実施形態の変形例に係るレーザ穴加工時の動作の流れを説明する図である。 図３０は、第５実施形態に係るレーザ加工システムの構成を概略的に示す図である。 図３１は、レーザアブレーション用のパルスのフルエンスと、レーザ穴加工用のパルスのフルエンスとの関係を示す図である。 図３２は、第５実施形態に係るレーザ加工システムの動作の流れを概略的に示すフローチャートである。 図３３は、照射条件の設定に係る動作の流れを示すフローチャートである。 図３４は、アブレーション及びレーザ穴加工時の動作の流れを示すフローチャートである。 図３５は、電子デバイスの構成を示す模式的に示す図である。 図３６は、電子デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
実施形態
　＜内容＞
　１．用語の説明
　　１．１　レーザアブレーションによる生成物の堆積
　　１．２　無アルカリガラス基板
　　１．３　フルエンス
　２．比較例
　　２．１　構成
　　２．２　動作
　　２．３　課題
　３．第１実施形態
　　３．１　レーザ加工方法
　　３．２　効果
　４．第２実施形態
　　４．１　構成
　　４．２　動作
　　４．３　効果
　５．第３実施形態
　　５．１　構成
　　５．２　動作
　　５．３　効果
　６．第４実施形態
　　６．１　構成
　　６．２　動作
　　６．３　効果
　７．第５実施形態
　　７．１　構成
　　７．２　動作
　８．電子デバイスの製造方法
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作のすべてが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
　１．用語の説明
　　１．１　レーザアブレーションによる生成物の堆積
　本開示では、無アルカリガラス基板等のガラス基板に、エキシマレーザのようなエネルギの強い紫外パルスレーザ光を照射することにより、照射箇所が瞬間的に昇華する現象をレーザアブレーションという。
　紫外パルスレーザ光の照射により昇華された分子、原子、イオン、クラスタ、電子、光子等の物質は、プルームというプラズマ状態で大気と衝突しながら被加工物等の基板へ向かう。プルームのうち、基板まで到達した物質は、基板上に多孔質の状態で堆積する。本開示では、レーザアブレーションにより生成された物質を、レーザアブレーションによる生成物という。
　図１は、無アルカリガラス基板に紫外パルスレーザ光を照射することにより堆積された多孔質の生成物を示す。
　　１．２　無アルカリガラス基板
　無アルカリガラス基板とは、ナトリウム、カリウム等のアルカリ成分を含まないガラスで形成された基板をいう。一般に、無アルカリガラスは、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、若しくは酸化ホウ素、又は、酸化カルシウム、酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物を主成分とする。無アルカリガラス基板は、例えば、集積回路チップと回路基板との間で、電気的な接続を中継するインターポーザ用の絶縁性のガラス基板として使用される。
　　１．３　フルエンス
　本開示では、フルエンスは、紫外パルスレーザ光の１パルスのエネルギ密度を表す。フルエンスの単位は、Ｊ／ｃｍ２である。
　２．比較例
　　２．１　構成
　図２は、比較例に係るレーザ加工システム１の構成を概略的に示す。なお、比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。
　レーザ加工システム１は、レーザ装置２と、レーザ加工装置４と、を主な構成として含む。レーザ加工システム１は、インターポーザ用のガラス基板にビアホール等の穴を形成するレーザ穴加工に用いられる。
　レーザ装置２は、紫外パルスレーザ光を出力するレーザ装置である。例えば、レーザ装置２は、Ｆ２、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＦ等をレーザ媒質として紫外パルスレーザ光を出力する放電励起式レーザ装置である。本開示では、レーザ装置２を、中心波長が２４８．４ｎｍの紫外パルスレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置とする。以下、レーザ装置２が出力する紫外パルスレーザ光を、単にレーザ光Ｌという。
　レーザ装置２とレーザ加工装置４とは、光路管５によって接続されている。光路管５は、レーザ装置２の出射口とレーザ加工装置４の入射口との間におけるレーザ光Ｌの光路上に配置されている。
　レーザ加工装置４は、レーザ加工プロセッサ４０と、光学装置４１と、フレーム４２と、移動ステージ４３と、テーブル４４と、を含む。フレーム４２には、光学装置４１と移動ステージ４３とが固定されている。
　テーブル４４は、被加工物４５を支持する。被加工物４５は、レーザ光Ｌが照射されてレーザ穴加工が行われる加工対象である。被加工物４５は、インターポーザ用のガラス基板であって、例えば、レーザ光Ｌに対して透明な無アルカリガラス基板である。
　移動ステージ４３は、テーブル４４を支持している。テーブル４４上には、被加工物４５が固定される。移動ステージ４３は、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に移動可能であり、テーブル４４の位置を調整することにより、被加工物４５の位置が調整可能である。Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向は、互いに直交している。Ｘ方向及びＹ方向は、被加工物４５のレーザ光Ｌが入射する表面４５ａに平行である。Ｚ方向は、表面４５ａに直交する。
　移動ステージ４３は、レーザ加工プロセッサ４０の制御の下、光学装置４１から出力されるレーザ光Ｌが、加工領域内の所望の加工位置に照射されるように被加工物４５の位置を調整する。本開示において、加工領域とは、１以上の加工位置を含む領域をいう。
　光学装置４１は、筐体４１ａと、高反射ミラー４７ａ，４７ｂと、アッテネータ４９と、導入光学系５０と、マスク５２と、投影光学系５３と、を備えており、被加工物４５の表面４５ａに、加工する穴の形状を有する像を転写する。
　高反射ミラー４７ａは、光路管５を通過したレーザ光Ｌを反射し、反射したレーザ光Ｌがアッテネータ４９を通過して高反射ミラー４７ｂに入射するように配置されている。光路管５及び筐体４１ａは、例えば、窒素ガスでパージされている。
　アッテネータ４９は、筐体４１ａ内において、高反射ミラー４７ａと高反射ミラー４７ｂの間の光路上に配置されている。アッテネータ４９は、例えば、２枚の部分反射ミラー４９ａ，４９ｂと、これらの部分反射ミラーの回転ステージ４９ｃ，４９ｄと、を含む。部分反射ミラー４９ａ，４９ｂは、レーザ光Ｌの入射角度によって透過率が変化する光学素子である。部分反射ミラー４９ａ，４９ｂは、被加工物４５の表面４５ａに照射されるレーザ光Ｌのフルエンスが目標値になるように、回転ステージ４９ｃ，４９ｄによってレーザ光Ｌの入射角度が調整される。
　高反射ミラー４７ｂは、アッテネータ４９を通過したレーザ光Ｌを反射し、反射したレーザ光Ｌが導入光学系５０に入射するように配置されている。
　導入光学系５０は、高反射ミラー５１を含み、例えば、マスク５２を矩形状のビームでケーラ照明し、かつマスク５２上のレーザ光Ｌの光強度が均一になるように配置されている。なお、図示しないフライアイレンズ及びコンデンサレンズを含む照明系を介してマスク５２上の光強度を均一化してもよい。
　マスク５２は、例えば、紫外光が透過する合成石英基板に、金属又は誘電体多層膜のパターンを形成することにより構成されている。例えば、マスク５２には、被加工物４５に５μｍ～３０μｍの径を有する穴を加工するためのパターンが形成されている。なお、投影光学系５３の投影倍率をＭとすると、マスク５２には、加工寸法の１／Ｍ倍の大きさのパターンが形成されている。
　投影光学系５３は、マスク５２の像を縮小して投影する縮小投影光学系である。マスク５２の像が被加工物４５の表面４５ａで結像するように配置されている。投影光学系５３は、単レンズ、又は、収差補正を行った組レンズであってもよい。
　レーザ加工プロセッサ４０は、目標パルスエネルギＥｔ及び発光トリガＴｒをレーザ装置２に送信する。目標パルスエネルギＥｔは、レーザ光Ｌのパルスエネルギの目標値である。発光トリガＴｒは、レーザ装置２に１パルス分のレーザ光Ｌを出力させるためのトリガ信号である。
　図３は、レーザ装置２の構成を概略的に示す。レーザ装置２は、発振器２０と、モニタモジュール３０と、シャッタ３５と、レーザプロセッサ３８とを含む。発振器２０は、チャンバ２１と、リアミラー２５ａと出力結合ミラー（ＯＣ：Output Coupler）２５ｂとからなる光共振器と、充電器２３と、電源部（ＰＰＭ：Pulsed Power Module）２２と、を含む。
　チャンバ２１には、ウインドウ２１ａ，２１ｂが設けられている。チャンバ２１内には、レーザ媒質としてのレーザガスが封入されている。
　また、チャンバ２１には開口が形成されており、この開口を塞ぐように、複数のフィードスルー２６ａが埋め込まれた電気絶縁プレート２６が設けられている。電気絶縁プレート２６上には、ＰＰＭ２２が配置されている。チャンバ２１内には、主電極としての一対の放電電極２７ａ，２７ｂと、グランドプレート２８と、が配置されている。放電電極２７ａ，２７ｂの放電面の形状は長方形である。
　放電電極２７ａ，２７ｂは、レーザ媒質を放電により励起するために、互いの放電面が対向するように配置されている。放電電極２７ａは、放電面とは反対側の面が、電気絶縁プレート２６に支持されている。放電電極２７ａは、フィードスルー２６ａに接続されている。放電電極２７ｂは、放電面とは反対側の面が、グランドプレート２８に支持されている。
　ＰＰＭ２２は、スイッチ２２ａと、図示しない充電コンデンサと、パルストランスと、磁気圧縮回路と、ピーキングコンデンサと、を含む。ピーキングコンデンサは、図示しない接続部を介してフィードスルー２６ａに接続されている。充電器２３は、レーザプロセッサ３８からの制御に基づいて充電コンデンサを充電する。
　スイッチ２２ａは、レーザプロセッサ３８によりオン／オフが制御される。レーザプロセッサ３８は、レーザ加工プロセッサ４０から送信される発光トリガＴｒに応じてスイッチ２２ａをオンとする。
　スイッチ２２ａがオンとなると、充電コンデンサからパルストランスの一次側に電流が流れ、電磁誘導によってパルストランスの二次側に逆方向の電流が流れる。磁気圧縮回路は、パルストランスの二次側に接続されており、電流パルスのパルス幅を圧縮する。ピーキングコンデンサは、この電流パルスにより充電される。ピーキングコンデンサの電圧がレーザガスのブレークダウン電圧に達したときに、放電電極２７ａ，２７ｂの間のレーザガスに絶縁破壊が生じて放電が生じる。この放電により１パルス分のレーザ光Ｌが生成される。
　リアミラー２５ａは、平面基板に高反射膜をコートすることにより形成されている。出力結合ミラー２５ｂは、平面基板に部分反射膜をコートすることにより形成されている。チャンバ２１は、リアミラー２５ａと出力結合ミラー２５ｂとの間に配置されている。チャンバ２１で生成されたレーザ光は、光共振器により増幅されて出力結合ミラー２５ｂから出力される。
　モニタモジュール３０は、ビームスプリッタ３１と、光センサ３２と、を含む。ビームスプリッタ３１は、出力結合ミラー２５ｂから出力されるレーザ光Ｌの光路上に配置されており、レーザ光Ｌの一部を反射させる。光センサ３２は、ビームスプリッタ３１で反射したレーザ光Ｌが入射する位置に配置されている。光センサ３２は、レーザ光Ｌのパルスエネルギを計測して、計測値をレーザプロセッサ３８に送信する。
　レーザプロセッサ３８は、光センサ３２によるパルスエネルギの計測値に基づいて充電器２３の充電電圧を変更することで、レーザ装置２から出力されるレーザ光Ｌのパルスエネルギが目標パルスエネルギＥｔとなるように制御する。
　シャッタ３５は、ビームスプリッタ３１を透過するレーザ光Ｌの光路上に配置されている。シャッタ３５は、レーザプロセッサ３８からの指令に応じて開閉する。レーザプロセッサ３８は、シャッタ３５を制御することにより、レーザ装置２からのレーザ光Ｌの出力を制御する。
　　２．２　動作
　次に、比較例に係るレーザ加工システム１の動作を説明する。図４は、比較例に係るレーザ加工システム１の動作の流れを概略的に示す。レーザ穴加工を行う場合には、被加工物４５が移動ステージ４３のテーブル４４にセットされる。レーザ加工プロセッサ４０は、被加工物４５に対してレーザ光Ｌによりレーザ穴加工を行うようにレーザ加工システム１の各部を制御する（ステップＳ１０）。
　図５は、レーザ穴加工時の動作の流れを示す。まず、レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ穴加工に必要な目標パルスエネルギＥｔのデータをレーザ装置２に送信する（ステップＳ１００）。ここで、レーザ加工プロセッサ４０は、Ｅｔ＝Ｅｍとする。レーザ装置２は、データを受信した後、チャンバ２１を制御し、目標パルスエネルギＥｔのレーザ光Ｌが出力可能となった場合に、準備完了信号をレーザ加工プロセッサ４０に送信する。
　レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ装置２から準備完了信号を受信したか否かを判定する（ステップＳ１０１）。レーザ加工プロセッサ４０は、準備完了信号を受信したと判定すると（ステップＳ１０１：ＹＥＳ）、レーザ穴加工用の照射条件を読み込む（ステップＳ１０２）。この照射条件には、目標のフルエンスＦｍと、レーザ光Ｌのパルスの繰り返し周波数ｆｍと、照射パルス数Ｎｍと、が含まれる。この照射条件は、図示しない外部装置、ネットワーク経由、又は、オペレータにより操作される入力装置から読み込んでもよい。
　レーザ加工プロセッサ４０は、被加工物４５の表面４５ａにおけるレーザ光Ｌのフルエンスを目標のフルエンスＦｍとする透過率Ｔｍに、アッテネータ４９の透過率を設定する（ステップＳ１０３）。ここで、レーザ加工プロセッサ４０は、例えば、下式（１）を用いて算出した透過率Ｔｍを用いる。
　Ｔｍ＝（１／Ｔ’）×Ｓｍ×（Ｆｍ／Ｅｍ）　　・・・（１）
　Ｔ’は、アッテネータ４９の透過率が１００％の場合における光学装置４１の透過率である。Ｓｍは、被加工物４５の表面４５ａにおけるマスク５２の転写像の面積である。ステップＳ１０３において、レーザ加工プロセッサ４０は、アッテネータ４９の透過率がＴｍとなるように、部分反射ミラー４９ａ，４９ｂの入射角度を回転ステージ４９ｃ，４９ｄによって制御する。
　レーザ加工プロセッサ４０は、被加工物４５の加工領域における初期の加工位置を示すデータをセットする（ステップＳ１０４）。レーザ加工プロセッサ４０は、セットしたデータに基づいて移動ステージ４３を制御することにより、被加工物４５をＸＹ方向に位置決めする（ステップＳ１０５）。また、レーザ加工プロセッサ４０は、マスク５２の転写像の位置が被加工物４５の表面４５ａと略一致するように移動ステージ４３をＺ方向に制御する（ステップＳ１０６）。
　レーザ加工プロセッサ４０は、繰り返し周波数ｆｍ及び照射パルス数Ｎｍに基づき発光トリガＴｒをレーザ装置２に送信する（ステップＳ１０７）。その結果、発光トリガＴｒに同期してレーザ装置２からレーザ光Ｌが出力され、光路管５を介してレーザ加工装置４に入射する。このレーザ光Ｌは、高反射ミラー４７ａで反射され、アッテネータ４９で減光された後、高反射ミラー４７ｂで反射される。高反射ミラー４７ｂを反射したレーザ光Ｌは、導入光学系５０の高反射ミラー５１で反射されてマスク５２に入射する。マスク５２を透過したレーザ光Ｌは、投影光学系５３に入射する。投影光学系５３から出力されたレーザ光Ｌは、マスク５２の像として被加工物４５の表面４５ａに結像される。そして、レーザアブレーションによって穴が形成される。
　レーザ加工プロセッサ４０は、加工領域へのレーザ穴加工が終了したか否かを判定する（ステップＳ１０８）。レーザ穴加工が終了したとは、加工領域内のすべての加工位置でレーザ穴加工が終了したことをいう。レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ穴加工が終了していないと判定した場合には（ステップＳ１０８：ＮＯ）、次の加工位置を示すデータをセットし（ステップＳ１０９）、処理をステップＳ１０５に戻す。
　レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ穴加工が終了するまで、ステップＳ１０５からステップＳ１０７を繰り返し実行する。レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ穴加工が終了したと判定した場合には（ステップＳ１０８：ＹＥＳ）、処理を終了する。
　　２．３　課題
　次に、比較例に係るレーザ加工方法の課題について説明する。図６～図８は、比較例に係るレーザ加工方法で、レーザ光Ｌを１パルス以上照射した後における被加工物４５の断面ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）像である。図６は、１パルス照射後の断面ＳＥＭ像である。図７は、５パルス照射後の断面ＳＥＭ像である。図８は、１０パルス照射後の断面ＳＥＭ像である。
　図６に示すように、１パルス照射後では、被加工物４５の表面４５ａには変化が発生しない。１～３パルスの照射では、表面４５ａを変質させるものの、レーザ穴加工は殆ど進行しない。以下、レーザ光Ｌを照射してもレーザ穴加工が殆ど進行しないフェーズを、第１フェーズという。
　図７に示すように、５パルス照射後では、レーザアブレーションによる多孔質の生成物が噴出し、表面４５ａ及び加工された穴付近に堆積する。この多孔質の生成物は、レーザ光Ｌの吸収率が高いため、レーザ穴加工を進行させる働きを有する。照射パルス数が増加するにつれて生成物の量が増えるので、レーザ光Ｌの吸収量がさらに増加し、図８に示すように、レーザ穴加工が深さ方向に進行する。このように、４～１０パルスの照射では、レーザアブレーションでの生成物によりレーザ穴加工が進行する。以下、レーザアブレーションでの生成物によりレーザ穴加工が進行するフェーズを、第２フェーズという。
　図９は、レーザ穴加工が高アスペクト比を保ったまま進行する様子を説明する。１０～４９９パルスの照射では、レーザ穴加工が進行しながら、生成物により吸収されなかったレーザ光Ｌが穴の内部で自己収束する。この自己収束の発生は、レーザ穴加工により穴の内壁が溶融することで、内壁がレーザ光Ｌを反射させることによる導波路効果が起因していると推定される。このテーパー状の内壁が導波路効果により、穴の先端部にレーザ光Ｌを自己収束させることで、レーザ穴加工が高アスペクト比を保ったまま進行する。
　また、図９に示す断面ＳＥＭ像によれば、多孔質の生成物が穴の先端部でも発生することがわかる。したがって、穴の内壁はレーザ光Ｌを反射し、先端部ではレーザ光Ｌの高吸収状態が維持されるので、レーザ穴加工が高アスペクト比を保ったまま進行する。なお、レーザアブレーションによる生成物は、穴の入り口からも放出される。以下、レーザ穴加工が高アスペクト比を保ったまま進行するフェーズを、第３フェーズという。
　図１０は、５００パルス以上照射した後の断面ＳＥＭ像である。図１０では、穴が被加工物４５を貫通している。穴が被加工物４５を貫通した後は、穴に照射されるレーザ光Ｌの照射パルス数によらず、穴の内径は小さいまま維持される。これは、穴が被加工物４５を貫通することにより、レーザアブレーションによる生成物の殆どが穴の先端部から外部に排出されるためである。これにより、穴の内部では、レーザ光Ｌの吸収が抑制されるので、照射パルス数によらず穴の内径は小さいまま維持される。以下、穴が被加工物４５を貫通した後のフェーズを、第４フェーズという。
　図１１は、レーザ穴加工の第１フェーズから第４フェーズを概略的に示す。第１フェーズでは、被加工物４５の表面４５ａに殆ど変化が生じず、レーザ穴加工が殆ど進行しない。第２フェーズでは、レーザアブレーションでの生成物によりレーザ穴加工が進行する。第３フェーズでは、レーザ光Ｌの自己収束により、レーザ穴加工が高アスペクト比を保ったまま進行する。第４フェーズでは、被加工物４５を貫通した後、穴の内径が小さいまま維持される。
　図１２は、比較例に係るレーザ加工方法により形成された複数の穴を被加工物４５の側面から撮影した光学顕微鏡画像である。図１２に示すように、比較例に係るレーザ加工方法によれば、被加工物４５を貫通する高アスペクト比の穴を形成することができる。
　比較例に係るレーザ加工方法によれば、被加工物４５に対してレーザ光Ｌを連続的にパルス照射することで高アスペクト比の穴が形成される。しかしながらが、第１フェーズで照射されるパルスは、被加工物４５の表面４５ａを変質させるものの、レーザ穴加工には殆ど寄与しないので、積算照射パルス数が多くなる。
　図１３は、３パルス照射後の被加工物４５の表面４５ａを示すＳＥＭ像である。図１３に示すように、第１フェーズで照射されるパルスは、被加工物４５の表面４５ａを変質させるものの、レーザ穴加工には殆ど寄与しないことがわかる。
　そこで、本開示では、レーザ光Ｌの１パルス目からレーザ穴加工に寄与させることにより、積算照射パルス数を減らすことを可能とするレーザ加工方法、レーザ加工装置、及び電子デバイスの製造方法を提供する。
　３．第１実施形態
　本開示の第１実施形態に係るレーザ加工方法について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　本出願人は、レーザアブレーションによる生成物を加工領域に堆積させたうえでレーザ穴加工を行うことにより、レーザ光Ｌの１パルス目からレーザ穴加工に寄与することを見出した。この効果を検証するための、図１４に示すように、レーザ穴加工によりガラス基板に穴を形成することにより、ガラス基板の表面にレーザアブレーションによる生成物を堆積させた。そして、生成物が堆積した穴の周囲４箇所に、レーザ光Ｌを１パルス照射した。ガラス基板の表面に堆積された生成物がレーザ光Ｌを吸収することにより、１パルス目からレーザ穴加工に寄与することが確認された。
　　３．１　レーザ加工方法
　図１５及び図１６は、第１実施形態に係るレーザ加工方法を概念的に示す。図１５は、レーザアブレーションによる生成物を加工領域に堆積させる第１ステップを示す。図１６は、生成物が堆積した加工領域に対してレーザ穴加工を行う第２ステップを示す。
　第１ステップでは、被加工物４５と同じ材質のターゲット基板６０を、その表面６１が被加工物４５の表面４５ａに対して一定の角度をなして対向するように配置する。例えば、ターゲット基板６０は、無アルカリガラス基板である。そして、大気中において、ターゲット基板６０の表面６１に対して、レーザアブレーションが可能なレーザ光Ｌａを照射する。その結果、ターゲット基板６０の表面６１からプルームＰＬが発生し、被加工物４５の表面４５ａにレーザアブレーションによる生成物６２が堆積する。
　第２ステップでは、生成物６２が堆積した被加工物４５の表面４５ａに対して、レーザ穴加工が可能なでレーザ光Ｌを照射する。生成物６２は、多孔質であり、レーザ光Ｌの吸収率が高いので、１パルス目からレーザ穴加工に寄与してレーザ穴加工が進行する。
　レーザアブレーションに用いるレーザ光Ｌａと、レーザ穴加工に用いるレーザ光Ｌとは、同一のレーザ光であってもよい。レーザ光Ｌａとレーザ光Ｌとは、例えば、中心波長が同一の紫外パルスレーザ光である。例えば、中心波長は２４８．４ｎｍである。
　なお、レーザ光Ｌａは、本開示の技術に係る「第１紫外パルスレーザ光」の一例である。レーザ光Ｌは、本開示の技術に係る「第２紫外パルスレーザ光」の一例である。また、ターゲット基板６０は、本開示の技術に係る「第１ガラス基板」の一例である。被加工物４５は、本開示の技術に係る「第２ガラス基板」の一例である。本実施形態では、第１ガラス基板と第２ガラス基板とは、異なる基板である。
　図１７は、レーザアブレーション用の照射条件と、レーザ穴加工用の照射条件とを示す。以下、レーザアブレーション用の照射条件を「第１照射条件」といい、レーザ穴加工用の照射条件を「第２照射条件」という。第１照射条件と第２照射条件とには、フルエンス、繰り返し周波数、照射パルス数、及びパルス幅のうちの少なくとも１つが含まれる。
　図１７に示すように、フルエンス、繰り返し周波数、及びパルス幅については、第１照射条件と第２照射条件とで同様の値であってよい。なお、照射パルス数は、第１照射条件と第２照射条件とで異なる。第２照射条件の照射パルス数は、被加工物４５の厚みに依存する値である。
　また、第１照射条件と第２照射条件とには、第１紫外パルスレーザ光及び第２紫外パルスレーザ光の照射位置が含まれる。本実施形態では、レーザアブレーション時にはレーザ光Ｌａをターゲット基板６０に照射し、レーザ穴加工時にはレーザ光Ｌを被加工物４５に照射する。このため、本実施形態では、照射位置が第１照射条件と第２照射条件とで異なる。
　したがって、第１実施形態に係るレーザ加工方法は、第１照射条件で第１紫外パルスレーザ光を第１ガラス基板に照射することにより第１ガラス基板から生成される生成物を第２ガラス基板の加工位置に堆積させること、生成物が堆積した前記加工位置に第１照射条件と異なる第２照射条件で第２紫外パルスレーザ光を照射することにより穴を形成すること、を含む。
　　３．２　効果
　本実施形態に係るレーザ加工方法では、レーザアブレーションによる生成物６２を被加工物４５の表面４５ａに堆積させたうえでレーザ光Ｌを照射することによりレーザ穴加工を行うので、レーザ光Ｌの１パルス目からレーザ穴加工に寄与する。これにより、積算照射パルス数を減らすことが可能となる。
　４．第２実施形態
　次に、第２実施形態として、第１実施形態に係るレーザ加工方法を適用したレーザ加工システム１ａについて説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　　４．１　構成
　図１８は、第２実施形態に係るレーザ加工システム１ａの構成を概略的に示す。レーザ加工システム１ａは、レーザ加工装置４ａの構成が比較例に係るレーザ加工システム１と異なる。レーザ加工装置４ａは、比較例に係るレーザ加工装置４の構成に加えて、ターゲット基板６０、高反射ミラー６４、及びリニアステージ６６を含む。
　ターゲット基板６０は、第１実施形態と同様に被加工物４５と同じ材質であって、例えば、無アルカリガラス基板である。ターゲット基板６０は、ホルダ６３によって、その表面６１が被加工物４５の表面４５ａに対して一定の角度をなして対向するように固定されている。
　高反射ミラー６４は、ホルダ６５を介してリニアステージ６６に接続されている。リニアステージ６６は、レーザ加工プロセッサ４０からの制御に基づいて、高反射ミラー６４を移動させる。リニアステージ６６は、投影光学系５３と被加工物４５との間におけるレーザ光Ｌの光路に挿入された位置と、光路から退避された位置との間で高反射ミラー６４を移動させる移動機構である。
　高反射ミラー６４は、レーザ光Ｌの光路に挿入されると、レーザ光Ｌを反射してターゲット基板６０の表面６１に入射させ、レーザ光Ｌの光路から退避されると、レーザ光Ｌを被加工物４５の表面４５ａに入射させる。このように、本実施形態では、レーザ光Ｌは、レーザアブレーション及びレーザ穴加工に用いられる。したがって、本実施形態では、第１紫外パルスレーザ光及び第２紫外パルスレーザ光は、同一のレーザ装置２から出力された紫外パルスレーザ光である。また、本実施形態では、第１紫外パルスレーザ光と第２紫外パルスレーザ光とを、選択的に第１ガラス基板と第２ガラス基板とに照射する。
　　４．２　動作
　次に、第２実施形態に係るレーザ加工システム１ａの動作を説明する。図１９は、第２実施形態に係るレーザ加工システム１ａの動作の流れを概略的に示す。本実施形態に係るレーザ加工システム１ａの動作は、被加工物４５に対してレーザ穴加工を行うステップＳ１０の前に、レーザアブレーションにより被加工物４５の表面４５ａに生成物６２を堆積させるステップＳ２０を行う点が比較例と異なる。
　図２０は、レーザアブレーション時の動作の流れを示す。まず、レーザ加工プロセッサ４０は、リニアステージ６６を制御してレーザ光Ｌの光路に高反射ミラー６４を挿入する（ステップＳ２００）。
　レーザ加工プロセッサ４０は、レーザアブレーションに必要な目標パルスエネルギＥｔのデータをレーザ装置２に送信する（ステップＳ２０１）。ここで、レーザ加工プロセッサ４０は、Ｅｔ＝Ｅａとする。レーザ装置２は、データを受信した後、チャンバ２１を制御し、目標パルスエネルギＥｔのレーザ光Ｌが出力可能となった場合に、準備完了信号をレーザ加工プロセッサ４０に送信する。
　レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ装置２から準備完了信号を受信したか否かを判定する（ステップＳ２０２）。レーザ加工プロセッサ４０は、準備完了信号を受信したと判定すると（ステップＳ２０２：ＹＥＳ）、レーザアブレーション用の照射条件を読み込む（ステップＳ２０３）。この照射条件には、目標のフルエンスＦａと、レーザ光Ｌのパルスの繰り返し周波数ｆａと、照射パルス数Ｎａと、が含まれる。この照射条件は、図示しない外部装置、ネットワーク経由、又は、オペレータにより操作される入力装置から読み込んでもよい。
　レーザ加工プロセッサ４０は、ターゲット基板６０の表面６１におけるレーザ光Ｌのフルエンスを目標のフルエンスＦａとする透過率Ｔａに、アッテネータ４９の透過率を設定する（ステップＳ２０４）。ここで、レーザ加工プロセッサ４０は、例えば、下式（２）を用いて算出した透過率Ｔａを用いる。
　Ｔａ＝（１／Ｔ’）×Ｓａ×（Ｆａ／Ｅａ）　　・・・（２）
　Ｓａは、ターゲット基板６０の表面６１におけるレーザ光Ｌの照射面積である。ステップＳ２０４において、レーザ加工プロセッサ４０は、アッテネータ４９の透過率がＴａとなるように、部分反射ミラー４９ａ，４９ｂの入射角度を回転ステージ４９ｃ，４９ｄによって制御する。
　レーザ加工プロセッサ４０は、被加工物４５の加工領域における初期の加工位置を示すデータをセットする（ステップＳ２０５）。レーザ加工プロセッサ４０は、セットしたデータに基づいて移動ステージ４３を制御することにより、被加工物４５をＸＹ方向に位置決めする（ステップＳ２０６）。また、レーザ加工プロセッサ４０は、レーザアブレーションによる生成物６２が被加工物４５の表面４５ａに堆積するように移動ステージ４３をＺ方向に制御する（ステップＳ２０７）。
　レーザ加工プロセッサ４０は、繰り返し周波数ｆａ及び照射パルス数Ｎａに基づき発光トリガＴｒをレーザ装置２に送信する（ステップＳ２０８）。その結果、発光トリガＴｒに同期してレーザ装置２からレーザ光Ｌが出力され、光路管５を介してレーザ加工装置４に入射する。このレーザ光Ｌは、高反射ミラー４７ａで反射され、アッテネータ４９で減光された後、高反射ミラー４７ｂで反射される。高反射ミラー４７ｂを反射したレーザ光Ｌは、導入光学系５０の高反射ミラー５１で反射されてマスク５２に入射する。マスク５２を透過したレーザ光Ｌは、投影光学系５３に入射する。投影光学系５３から出力されたレーザ光Ｌは、高反射ミラー６４で反射されることによりターゲット基板６０の表面６１に入射する。これにより、アブレーションによる生成物６２が被加工物４５の表面４５ａにおける加工位置に堆積する。
　レーザ加工プロセッサ４０は、生成物６２の堆積が終了したか否かを判定する（ステップＳ２０９）。生成物６２の堆積が終了したとは、加工領域内のすべての加工位置への生成物６２の堆積が終了したことをいう。レーザ加工プロセッサ４０は、生成物６２の堆積が終了していないと判定した場合には（ステップＳ２０９：ＮＯ）、次の加工位置を示すデータをセットし（ステップＳ２１０）、処理をステップＳ２０６に戻す。
　レーザ加工プロセッサ４０は、生成物６２の堆積が終了するまで、ステップＳ２０６からステップＳ２０８を繰り返し実行する。なお、レーザアブレーション時には、被加工物４５のＺ方向への位置決めについては高い精度が要求されないため、２回目以降の繰り返しループでは、ステップＳ２０７を行わなくてもよい。
　レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ穴加工が終了したと判定した場合には（ステップＳ２０９：ＹＥＳ）、リニアステージ６６を制御することによりレーザ光Ｌの光路から高反射ミラー６４を退避させて（ステップＳ２１１）、処理を終了する。
　この後、図１９に示すステップＳ１０において、生成物６２が堆積された各加工位置に対してレーザ穴加工が行われる。ステップＳ１０におけるレーザ加工プロセッサ４０の処理は、比較例と同様である。
　　４．３　効果
　本実施形態に係るレーザ加工装置４ａは、レーザ装置２から出力されるレーザ光Ｌを用いて、レーザアブレーションによる生成物６２の堆積と、生成物６２が堆積された加工位置へのレーザ穴加工とを行うことができる。このように、本実施形態によれば、１つのレーザ加工システム１ａにより、効率よく生成物６２の堆積とレーザ穴加工とを行うことができる。本実施形態では、第１実施形態と同様に、レーザ光Ｌの１パルス目からレーザ穴加工に寄与するので、積算照射パルス数を減らすことが可能となる。
　なお、本実施形態では、レーザアブレーション時にマスク５２を透過したレーザ光Ｌをターゲット基板６０に照射しているが、レーザアブレーション時にマスク５２レーザ光Ｌの光路から退避させてもよい。この場合、投影光学系５３の焦点位置にターゲット基板６０を配置することを可能とするようにレーザ加工装置４ａを構成することが好ましい。これにより、レーザ装置２から出力されるレーザ光Ｌのパルスエネルギが同じであっても、レーザアブレーション時のフルエンスをレーザ穴加工時のフルエンスより高くすることができ、生成物６２の堆積量を増加させることが可能となる。
　本実施形態では、レーザ装置２をエキシマレーザ装置としているが、レーザ装置２はエキシマレーザ装置に限定されない。例えば、レーザ装置２は、波長約１．０３μｍ～１．０６μｍのレーザ光を出力するＹＡＧレーザ装置又はファイバーレーザの第４高調波（波長２５７．５ｎｍ～２６６ｎｍ）を出力する非線形結晶を含む固体レーザ装置等であってもよい。
　５．第３実施形態
　次に、第３実施形態に係るレーザ加工システム１ｂについて説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　　５．１　構成
　図２１は、第３実施形態に係るレーザ加工システム１ｂの構成を概略的に示す。レーザ加工システム１ｂは、レーザ加工装置４ｂの構成が第２実施形態に係るレーザ加工システム１ａと異なる。レーザ加工装置４ｂは、第２実施形態に係るレーザ加工装置４ａから、ターゲット基板６０、高反射ミラー６４、及びリニアステージ６６を削除したものである。すなわち、レーザ加工装置４ｂは、比較例に係るレーザ加工装置４と同様の構成である。
　　５．２　動作
　本実施形態では、レーザ加工プロセッサ４０は、被加工物４５の表面４５ａの一部をレーザアブレーション領域とし、レーザアブレーション領域にレーザ光Ｌを照射することにより生成された生成物６２を加工領域に堆積させる。したがって、本実施形態では、本開示の技術に係る第１ガラス基板と第２ガラス基板とは、ともに被加工物４５であり、同一の基板である。
　図２２は、被加工物４５の表面４５ａに設定されるレーザアブレーション領域Ｒａの一例を示す。図２２に示すように、レーザ加工プロセッサ４０は、例えば、被加工物４５の表面４５ａにおける加工領域Ｒｐの周辺部をレーザアブレーション領域Ｒａとして設定する。
　図２３に示すように、レーザ加工プロセッサ４０は、レーザアブレーション領域Ｒａにレーザ光Ｌを照射することにより生成された生成物６２を加工領域Ｒｐに堆積させる。以下、レーザアブレーション領域Ｒａにおいてレーザ光Ｌを照射してアブレーションを生じさせる位置を、レーザアブレーション位置という。レーザ加工プロセッサ４０は、レーザアブレーション領域Ｒａ内でレーザアブレーション位置を順に変更することにより、加工領域Ｒｐの全体に生成物６２を堆積させる。
　本実施形態では、レーザアブレーション時とレーザ穴加工時とでレーザ光Ｌの照射位置が異なるので、上述の第１照射条件と第２照射条件とは異なっている。
　図２４は、第３実施形態に係るレーザ加工システム１ｂの動作の流れを概略的に示す。本実施形態に係るレーザ加工システム１ｂの動作は、レーザアブレーションにより生成物６２を堆積させるステップＳ３０が、第２実施形態のステップＳ２０と異なる。以下、第２実施形態のステップＳ２０と重複する説明は適宜省略する。
　図２５は、レーザアブレーション時の動作の流れを示す。まず、レーザ加工プロセッサ４０は、レーザアブレーションに必要な目標パルスエネルギＥｔのデータをレーザ装置２に送信する（ステップＳ３００）。ここで、レーザ加工プロセッサ４０は、Ｅｔ＝Ｅａとする。
　レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ装置２から準備完了信号を受信したか否かを判定する（ステップＳ３０１）。レーザ加工プロセッサ４０は、準備完了信号を受信したと判定すると（ステップＳ３０１：ＹＥＳ）、レーザアブレーション用の照射条件を読み込む（ステップＳ３０２）。
　レーザ加工プロセッサ４０は、被加工物４５の表面４５ａにおけるレーザ光Ｌのフルエンスを目標のフルエンスＦａとする透過率Ｔａに、アッテネータ４９の透過率を設定する（ステップＳ３０３）。
　レーザ加工プロセッサ４０は、レーザアブレーション領域Ｒａにおける初期のレーザアブレーション位置を示すデータをセットする（ステップＳ３０４）。レーザ加工プロセッサ４０は、セットしたデータに基づいて移動ステージ４３を制御することにより、被加工物４５をＸＹ方向に位置決めする（ステップＳ３０５）。また、レーザ加工プロセッサ４０は、レーザアブレーションによる生成物６２が被加工物４５の表面４５ａに堆積するように移動ステージ４３をＺ方向に制御する（ステップＳ３０６）。
　レーザ加工プロセッサ４０は、繰り返し周波数ｆａ及び照射パルス数Ｎａに基づき発光トリガＴｒをレーザ装置２に送信する（ステップＳ３０７）。これにより、投影光学系５３から出力されたレーザ光Ｌがレーザアブレーション領域Ｒａ内のレーザアブレーション位置に照射される。その結果、アブレーションによる生成物６２がレーザアブレーション位置に隣接する加工領域Ｒｐの一部に堆積する。
　レーザ加工プロセッサ４０は、生成物６２の堆積が終了したか否かを判定する（ステップＳ３０８）。生成物６２の堆積が終了したとは、加工領域Ｒｐ内への生成物６２の堆積が終了したことをいう。レーザ加工プロセッサ４０は、生成物６２の堆積が終了していないと判定した場合には（ステップＳ３０８：ＮＯ）、次のレーザアブレーション位置を示すデータをセットし（ステップＳ３０９）、処理をステップＳ３０５に戻す。
　レーザ加工プロセッサ４０は、生成物６２の堆積が終了するまで、ステップＳ３０５からステップＳ３０７を繰り返し実行する。なお、レーザアブレーション時には、被加工物４５のＺ方向への位置決めについては高い精度が要求されないため、２回目以降の繰り返しループでは、ステップＳ３０６を行わなくてもよい。
　レーザ加工プロセッサ４０は、生成物６２の堆積が終了したと判定した場合には（ステップＳ３０８：ＹＥＳ）、処理を終了する。
　この後、図２４に示すステップＳ１０において、生成物６２が堆積された加工領域Ｒｐに対してレーザ穴加工が行われる。ステップＳ１０におけるレーザ加工プロセッサ４０の処理は、比較例と同様である。
　　５．３　効果
　本実施形態によれば、第２実施形態と同様な効果が得られるとともに、ターゲット基板６０を用いずにアブレーションによる生成物６２を加工領域Ｒｐに堆積させることができる。
　なお、本実施形態では、レーザアブレーション時にマスク５２を透過したレーザ光Ｌをレーザアブレーション領域Ｒａに照射しているが、レーザアブレーション時にマスク５２レーザ光Ｌの光路から退避させてもよい。この場合、投影光学系５３の焦点位置にレーザアブレーション領域Ｒａを配置することを可能とするようにレーザ加工装置４ａを構成することが好ましい。これにより、レーザ装置２から出力されるレーザ光Ｌのパルスエネルギが同じであっても、レーザアブレーション時のフルエンスをレーザ穴加工時のフルエンスより高くすることができ、生成物６２の堆積量を増加させることが可能となる。
　また、本実施形態では、被加工物４５の表面４５ａにおける１つの加工領域Ｒｐの周辺部をレーザアブレーション領域Ｒａとして設定しているが、これに限定されず、レーザアブレーション領域Ｒａは適宜変更可能である。
　図２６は、レーザアブレーション領域Ｒａの変形例を示す。図２６では、被加工物４５の表面４５ａに格子状にレーザアブレーション領域Ｒａを設定している。本変形例では、格子状のレーザアブレーション領域Ｒａにより区画された領域が加工領域Ｒｐとなる。このように、レーザアブレーション領域Ｒａを格子状にすると、加工領域Ｒｐに生成物６２を均一に堆積させることができる。
　また、加工領域Ｒｐをインターポーザのチップと略同じ大きさに設定することが好ましい。この場合、レーザアブレーション領域Ｒａは、加工領域Ｒｐを個片化するために切断する領域となるので、無駄が生じず、被加工物４５のすべてをインターポーザのチップの作成に用いることができる。
　６．第４実施形態
　次に、第４実施形態に係るレーザ加工システム１ｃについて説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　　６．１　構成
　図２７は、第４実施形態に係るレーザ加工システム１ｃの構成を概略的に示す。レーザ加工システム１ｃは、レーザ加工装置４ｃの構成が第３実施形態に係るレーザ加工システム１ｂと異なる。レーザ加工装置４ｃは、第３実施形態に係るレーザ加工装置４ｂの構成に加えて、ノズル７０及び回転ステージ７１を含む。
　ノズル７０には、配管７３を介してガス供給源７２が接続されている。配管７３の途中には、ガス流量制御弁７４が設けられている。ノズル７０は、ガス供給源７２から供給されるガスを、被加工物４５の表面４５ａにおいてレーザ光Ｌの照射が照射される加工位置に向けてガスを噴出する。例えば、ノズル７０が噴出するガスは、ドライエア等のパージガスである。
　また、ノズル７０は、回転ステージ７１に保持されている。回転ステージ７１は、Ｚ方向に平行な回転軸を中心にノズル７０を回転させる。ノズル７０が回転することにより、加工位置に対してガスを噴出する方向が変化する。回転ステージ７１とガス流量制御弁７４とは、レーザ加工プロセッサ４０によって制御される。
　　６．２　動作
　次に、第４実施形態に係るレーザ加工システム１ｃの動作を説明する。本実施形態では、第３実施形態のようなレーザアブレーション領域の設定は行わない。また、本実施形態では、レーザ穴加工とは別の動作としてのレーザアブレーションは行わず、レーザ穴加工時に生じるレーザアブレーションを利用して、生成物６２を加工領域に堆積させる。具体的には、本実施形態では、レーザ穴加工時に生じるレーザアブレーションによる生成物６２を、ノズル７０から噴出されるガスによって次の加工位置に堆積させる。次の加工位置では、生成物６２が堆積されているので、レーザ光Ｌの１パルス目からレーザ穴加工に寄与する。
　本実施形態では、本開示の技術に係る第１ガラス基板と第２ガラス基板とは、ともに被加工物４５であり、同一の基板である。また、本実施形態では、レーザ穴加工の加工位置に堆積される生成物６２は別の加工位置におけるアブレーションにより生成されたものである。このため、本実施形態においても、レーザアブレーション時とレーザ穴加工時とでレーザ光Ｌの照射位置が異なり、上述の第１照射条件と第２照射条件とは異なっている。
　図２８は、レーザ穴加工時の動作の流れを説明する。レーザ加工プロセッサ４０は、比較例で説明した各部の制御に加えて、回転ステージ７１を制御することにより、ノズル７０からのガスの噴出方向を制御する。
　図２８において、符号Ｐ１は、レーザ穴加工中の加工位置を示している。符号Ｐ２は、次の加工位置を示している。矢印Ｄは、レーザ穴加工の対象位を次の加工位置Ｐ２とするための移動ステージ４３による被加工物４５の移動方向を示している。レーザ加工プロセッサ４０は、ノズル７０からのガスの噴出方向を、被加工物４５の移動方向Ｄとは逆方向とする。これにより、レーザ穴加工中の加工位置Ｐ１で生じたレーザアブレーションによる生成物６２が、次の加工位置Ｐ２に堆積する。
　レーザ加工プロセッサ４０は、加工位置Ｐ１に対するレーザ穴加工が終了すると、被加工物４５を移動させた後、生成物６２が堆積した加工位置Ｐ２に対してレーザ穴加工を行う。このレーザ穴加工で発生した生成物６２がさらに次の加工位置Ｐ２に堆積する。
　図２８（Ａ）及び（Ｂ）では、レーザ加工プロセッサ４０は、被加工物４５の移動方向Ｄが－Ｙ方向であるので、ガスの噴出方向を＋Ｙ方向としている。図２８（Ｃ）では、レーザ加工プロセッサ４０は、被加工物４５の移動方向Ｄが＋Ｘ方向であるので、ガスの噴出方向を－Ｘ方向としている。図２８（Ｄ）では、レーザ加工プロセッサ４０は、被加工物４５の移動方向Ｄが＋Ｙ方向であるので、ガスの噴出方向を－Ｙ方向としている。
　　６．３　効果
　本実施形態では、レーザ穴加工時に生じるレーザアブレーションによる生成物６２をガスによって次の加工位置に堆積させるので、第３実施形態のようなレーザアブレーション領域の設定は不要となる。また、レーザ穴加工とは別の動作としてのレーザアブレーションを行う必要がないので、レーザアブレーションとレーザ穴加工とを併せた積算照射パルス数を減らすことができる。
　図２９は、第４実施形態の変形例に係るレーザ穴加工時の動作の流れを説明する。図２９は、Ｘ方向に並んだ複数の加工位置に対して同時にレーザ穴加工を行う例を示している。本変形例では、複数の穴が形成された多点のマスク５２を用いる。
　本変形例では、ノズル７０をマルチノズルとしており、ノズル７０は、レーザ穴加工中の複数の加工位置Ｐ１に対して同時にガスを噴出する。ガスの噴出方向は、被加工物４５の移動方向Ｄとは逆方向である。これにより、レーザ穴加工中の複数の加工位置Ｐ１で生じたレーザアブレーションによる生成物６２が、次の複数の加工位置Ｐ２に堆積する。
　図２９（Ａ）及び（Ｂ）では、レーザ加工プロセッサ４０は、被加工物４５の移動方向Ｄが－Ｙ方向であるので、ガスの噴出方向を＋Ｙ方向としている。図２９（Ｃ）に示す複数の加工位置Ｐ１は、最終の加工位置である。
　このように、複数の加工位置に対して同時にレーザ穴加工を行うことにより、レーザ穴加工のスループットが向上する。
　本変形例では、一列に配列された加工位置に対して同時にレーザ穴加工を行っているが、これに限定されず、例えば、２×５個のような２次元配列された加工位置に対して同時にレーザ穴加工を行うことも可能である。また、スループットを向上させるために、被加工物４５の移動方向Ｄへの加工位置の数を、移動方向Ｄと直交する方向への加工位置の数よりも小さくすることも好ましい。
　７．第５実施形態
　次に、第５実施形態に係るレーザ加工システム１ｄについて説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　　７．１　構成
　図３０は、第５実施形態に係るレーザ加工システム１ｄの構成を概略的に示す。レーザ加工システム１ｄは、レーザ加工装置４ｄの構成が第３実施形態に係るレーザ加工システム１ｂと異なる。レーザ加工装置４ｄは、第３実施形態に係るレーザ加工装置４ｂの構成に加えて、レーザ穴加工時に１つの加工位置に対して照射される複数のパルスの各々の目標パルスエネルギＥｔ（ｋ）をレーザ装置２に送信可能とする信号線を有する。ここで、ｋは、１つの加工位置に対して照射される複数のパルスを識別するパラメータである。
　　７．２　動作
　次に、第５実施形態に係るレーザ加工システム１ｄの動作を説明する。本実施形態では、第３実施形態のようなレーザアブレーション領域の設定は行わない。また、本実施形態では、レーザ穴加工とは別の動作としてのレーザアブレーションは行わない。本実施形態では、レーザ穴加工時に初期の複数のパルスで生じるレーザアブレーションにより生成される生成物６２を加工中の加工位置に堆積させ、その後の複数のパルスでレーザ穴加工を行う。
　図３１は、レーザアブレーション用のパルスのフルエンスＦａと、レーザ穴加工用のパルスのフルエンスＦｍとの関係を示す。レーザアブレーション用のパルスの数をＮａ個とし、レーザ穴加工用のパルスの数をＮｍ個としている。レーザ加工プロセッサ４０は、初期のＮａ個のパルスでレーザアブレーションを発生させるために十分なフルエンスＦａを設定して、加工位置にレーザ光Ｌを照射させる。このために、フルエンスＦａをフルエンスＦｍより大きくすることが好ましい。
　本実施形態では、本開示の技術に係る第１ガラス基板と第２ガラス基板とは、ともに被加工物４５であり、同一の基板である。また、本実施形態では、レーザアブレーション時とレーザ穴加工時とでレーザ光Ｌのフルエンスが異なるので、上述の第１照射条件と第２照射条件とは異なっている。レーザアブレーション用のパルスは、本開示の技術に係る「第１紫外線パルスレーザ光」に対応する。レーザ穴加工用のパルスは、本開示の技術に係る「第２紫外線パルスレーザ光」に対応する。
　図３２は、第５実施形態に係るレーザ加工システム１ｄの動作の流れを概略的に示す。本実施形態では、レーザ加工プロセッサ４０は、ステップＳ４０で照射条件の設定を行った後、ステップＳ５０で各加工位置に対してレーザアブレーション及びレーザ穴加工を行う。
　図３３は、照射条件の設定に係る動作の流れを示す。まず、レーザ加工プロセッサ４０は、レーザアブレーション時の目標パルスエネルギＥａを決定する（ステップＳ４００）。
　レーザ加工プロセッサ４０は、レーザアブレーション用の照射条件を読み込む（ステップＳ４０１）。この目標のフルエンスＦａと、レーザ光Ｌのパルスの繰り返し周波数ｆａと、照射パルス数Ｎａと、が含まれる。また、レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ穴加工用の照射条件を読み込む（ステップＳ４０２）。この目標のフルエンスＦｍと、レーザ光Ｌのパルスの繰り返し周波数ｆｍと、照射パルス数Ｎｍと、が含まれる。ここで、ｆａ＝ｆｍ、Ｆａ＞Ｆｍ、及びＮａ＜Ｎｍの関係を満たす。
　レーザ加工プロセッサ４０は、被加工物４５の表面４５ａにおけるレーザ光Ｌのフルエンスを目標のフルエンスＦａとするアッテネータ４９の透過率Ｔａを算出する（ステップＳ４０３）。ここで、レーザ加工プロセッサ４０は、例えば、上式（２）を用いて透過率Ｔａを算出する。
　レーザ加工プロセッサ４０は、被加工物４５の表面４５ａにおけるレーザ光ＬのフルエンスをＦｍとするレーザ穴加工用のパルスのパルスエネルギＥｍを算出する（ステップＳ４０４）。ここで、レーザ加工プロセッサ４０は、例えば、下式（３）を用いてパルスエネルギＥｍを算出する。
　Ｅｍ＝（１／Ｔ’）×Ｓｍ×（Ｆｍ／Ｔａ）　　・・・（３）
　次に、レーザ加工プロセッサ４０は、レーザアブレーション用のパルスの目標パルスエネルギＥｔ（１）～Ｅｔ（Ｎａ）を、ステップＳ４００で決定した目標パルスエネルギＥａに設定する（ステップＳ４０５～Ｓ４０８）。そして、レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ穴加工用のパルスの目標パルスエネルギＥｔ（Ｎａ＋１）～Ｅｔ（Ｎａ＋Ｎｍ）を、ステップＳ４０４で算出したパルスエネルギＥｍに設定する（ステップＳ４０９～Ｓ４１１）。
　アッテネータ４９は透過率の変更に対する応答性が低いので、レーザアブレーション用のパルスの照射が終了した後、レーザ穴加工用のパルスの照射を開始する際に透過率を変更することは難しい。このため、本実施形態では、アッテネータ４９の透過率をレーザアブレーション用のフルエンスＦａに基づいて算出した透過率Ｔａに固定し、パルスエネルギＥｍによりレーザ穴加工用のフルエンスＦｍを制御する。
　図３４は、アブレーション及びレーザ穴加工時の動作の流れを示す。まず、レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ穴加工に必要な目標パルスエネルギＥｔのデータをレーザ装置２に送信する（ステップＳ５００）。ここで、レーザ加工プロセッサ４０は、Ｅｔ＝Ｅａ，Ｅｔ＝Ｅｍとして、Ｅａ及びＥｍのデータをレーザ装置２に送信する。レーザ装置２は、データを受信した後、チャンバ２１を制御し、目標パルスエネルギＥａ及びＥｍのレーザ光Ｌが出力可能となった場合に、準備完了信号をレーザ加工プロセッサ４０に送信する。
　レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ装置２から準備完了信号を受信したか否かを判定する（ステップＳ５０１）。レーザ加工プロセッサ４０は、準備完了信号を受信したと判定すると（ステップＳ５０１：ＹＥＳ）、アッテネータ４９の透過率を、ステップＳ４０で算出した透過率Ｔａに設定する（ステップＳ５０２）。
　レーザ加工プロセッサ４０は、被加工物４５の加工領域における初期の加工位置を示すデータをセットする（ステップＳ５０３）。レーザ加工プロセッサ４０は、セットしたデータに基づいて移動ステージ４３を制御することにより、被加工物４５をＸＹ方向に位置決めする（ステップＳ５０４）。また、レーザ加工プロセッサ４０は、マスク５２の転写像の位置が被加工物４５の表面４５ａと略一致するように移動ステージ４３をＺ方向に制御する（ステップＳ５０５）。
　レーザ加工プロセッサ４０は、ステップＳ４０で設定した目標パルスエネルギＥｔ（１）～Ｅｔ（Ｎａ＋Ｎｍ）のデータをレーザ装置２に送信する（ステップＳ５０６）。そして、レーザ加工プロセッサ４０は、繰り返し周波数ｆａ及び照射パルス数Ｎａ＋Ｎｍに基づき発光トリガＴｒをレーザ装置２に送信する（ステップＳ５０７）。その結果、加工位置に対してパルスエネルギＥａを有するＮａ個のパルスでレーザアブレーションが行われる。これにより、レーザアブレーションによる生成物６２が当該加工位置に堆積した後、パルスエネルギＥｍを有するＮｍ個のパルスでレーザ穴加工が行われる。
　レーザ加工プロセッサ４０は、加工領域へのレーザ穴加工が終了したか否かを判定する（ステップＳ５０８）。レーザ穴加工が終了したとは、加工領域内のすべての加工位置でレーザ穴加工が終了したことをいう。レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ穴加工が終了していないと判定した場合には（ステップＳ５０８：ＮＯ）、次の加工位置を示すデータをセットし（ステップＳ５０９）、処理をステップＳ５０４に戻す。
　レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ穴加工が終了するまで、ステップＳ５０４からステップＳ５０７を繰り返し実行する。レーザ加工プロセッサ４０は、レーザ穴加工が終了したと判定した場合には（ステップＳ５０８：ＹＥＳ）、処理を終了する。
　本実施形態では、レーザアブレーション用のパルスとレーザ穴加工用のパルスとでフルエンスを変更している。これにより、レーザアブレーションによる生成物６２が加工位置に堆積するのに適切な照射条件でレーザ光Ｌを照射することができ、かつレーザ穴加工に最適な適切な照射条件でレーザ光Ｌを照射することができる。
　その結果、比較例の場合と比べて、積算照射パルス数、及びレーザ光Ｌの積算エネルギを低減することができる。これにより、レーザ加工システム１ｄの消耗品の寿命を延ばすことができる。
　８．電子デバイスの製造方法
　上記各実施形態に係るレーザ加工方法は、下記の電子デバイス５００の製造において、インターポーザ５０２が備えるガラス基板に対する貫通穴の形成に適用することができる。
　図３５は、電子デバイス５００の構成を示す模式的に示す。図３５に示す電子デバイス５００は、集積回路チップ５０１と、インターポーザ５０２と、回路基板５０３と、を備える。集積回路チップ５０１は、例えばシリコン基板に集積回路が形成されているチップ状の集積回路基板である。集積回路チップ５０１には、集積回路に電気的に接続される複数のバンプ５０１ｂが設けられている。
　インターポーザ５０２は、複数の貫通穴が形成された絶縁性のガラス基板を備え、それぞれの貫通穴内には当該ガラス基板の表裏を電気的に接続する導電体が設けられている。インターポーザ５０２の一方の面には集積回路チップ５０１に設けられるバンプ５０１ｂに接続される複数のランドが形成されており、それぞれのランドは貫通穴内の導電体のいずれかと電気的に接続されている。インターポーザ５０２の他方の面上には、複数のバンプ５０２ｂが設けられており、それぞれのバンプ５０２ｂは、貫通穴内の導電体のいずれかと電気的に接続されている。
　回路基板５０３の一方の面には、それぞれのバンプ５０２ｂと接続する複数のランドが形成されている。また、回路基板５０３は、これらランドと電気的に接続される複数の端子を備える。
　図３６は、電子デバイス５００の製造方法を示す。図３６に示すように、本説明における電子デバイス５００の製造方法は、第１結合工程ＳＰ１と第２結合工程ＳＰ２と、を含む。第１結合工程ＳＰ１では、集積回路チップ５０１とインターポーザ５０２とを結合させる。具体的には、集積回路チップ５０１のそれぞれのバンプ５０１ｂをインターポーザ５０２のそれぞれのランド上に配置して、バンプ５０１ｂとランドとを電気的に接続する。こうして、集積回路チップ５０１とインターポーザ５０２とが電気的に接続される。
　第２結合工程ＳＰ２では、インターポーザ５０２と回路基板５０３とを結合させる。具体的には、インターポーザ５０２のそれぞれのバンプ５０２ｂを回路基板５０３のそれぞれのランド上に配置して、バンプ５０２ｂとランドとを電気的に接続する。こうして、集積回路チップ５０１は、インターポーザ５０２を介して回路基板５０３に電気的に接続される。以上の工程を経て、電子デバイス５００が製造される。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の各実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (19)

  1. 　第１照射条件で第１紫外パルスレーザ光を第１ガラス基板に照射することにより前記第１ガラス基板から生成される生成物を第２ガラス基板の加工位置に堆積させること、
    　前記生成物が堆積した前記加工位置に前記第１照射条件と異なる第２照射条件で第２紫外パルスレーザ光を照射することにより穴を形成すること、
    　を含むレーザ加工方法。
  2. 　請求項１に記載のレーザ加工方法であって、
    　前記第１照射条件と前記第２照射条件とには、前記第１紫外パルスレーザ光及び前記第２紫外パルスレーザ光の照射位置が含まれ、
    　前記第１紫外パルスレーザ光の照射位置と、前記第２紫外パルスレーザ光の照射位置とは異なる。
  3. 　請求項２に記載のレーザ加工方法であって、
    　前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板とは、異なる基板である。
  4. 　請求項３に記載のレーザ加工方法であって、
    　前記第１紫外パルスレーザ光と前記第２紫外パルスレーザ光とは、同一のレーザ装置から出力された紫外パルスレーザ光であり、
    　前記第１紫外パルスレーザ光と前記第２紫外パルスレーザ光とを、選択的に前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板とに照射する。
  5. 　請求項２に記載のレーザ加工方法であって、
    　前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板とは、同一の基板である。
  6. 　請求項５に記載のレーザ加工方法であって、
    　前記加工位置を含む加工領域の周辺部に前記第１紫外パルスレーザ光を照射することにより前記生成物を前記加工位置に堆積させる。
  7. 　請求項５に記載のレーザ加工方法であって、
    　前記加工位置に向けてガスを噴出させることにより、前記加工位置で生成される前記生成物を次の加工位置に堆積させる。
  8. 　請求項１に記載のレーザ加工方法であって、
    　前記第１照射条件と前記第２照射条件とには、フルエンス、繰り返し周波数、照射パルス数、及びパルス幅のうちの少なくとも１つが含まれる。
  9. 　請求項８に記載のレーザ加工方法であって、
    　前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板とは、同一の基板であり、
    　前記第１紫外パルスレーザ光の照射位置と、前記第２紫外パルスレーザ光の照射位置とは同じ位置であり、
    　前記第１紫外パルスレーザ光のフルエンスは、前記第２紫外パルスレーザ光のフルエンスよりも大きい。
  10. 　請求項１に記載のレーザ加工方法であって、
    　前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板とは、無アルカリガラス基板である。
  11. 　請求項１に記載のレーザ加工方法であって、
    　前記生成物は、レーザアブレーションにより生成された物質である。
  12. 　請求項１に記載のレーザ加工方法であって、
    　前記第１紫外パルスレーザ光と前記第２紫外パルスレーザ光とは、中心波長が同一である。
  13. 　レーザ装置から出力された紫外パルスレーザ光を第１ガラス基板及び第２ガラス基板に照射させる光学装置と、
    　前記レーザ装置及び前記光学装置を制御するレーザ加工プロセッサと、
    　を備えるレーザ加工装置であって、
    　前記レーザ加工プロセッサは、
    　第１照射条件で前記紫外パルスレーザ光を前記第１ガラス基板に照射することにより前記第１ガラス基板から生成される生成物を前記第２ガラス基板の加工位置に堆積させ、
    　前記生成物が堆積した前記加工位置に前記第１照射条件と異なる第２照射条件で前記紫外パルスレーザ光を照射させる、
    　レーザ加工装置。
  14. 　請求項１３に記載のレーザ加工装置であって、
    　前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板とは、異なる基板である。
  15. 　請求項１４に記載のレーザ加工装置であって、
    　高反射ミラーと、
    　前記紫外パルスレーザ光の光路に挿入された位置と、前記光路から退避された位置との間で前記高反射ミラーを移動させる移動機構と、を備える。
  16. 　請求項１５に記載のレーザ加工装置であって、
    　前記レーザ加工プロセッサは、
    　前記光路に前記高反射ミラーを挿入することにより、前記高反射ミラーで反射された前記紫外パルスレーザ光を前記第１ガラス基板に照射させ、
    　前記光路から前記高反射ミラーを退避させることにより、前記紫外パルスレーザ光を前記第２ガラス基板に照射させる。
  17. 　請求項１３に記載のレーザ加工装置であって、
    　前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板とは、同一の基板である。
  18. 　請求項１７に記載のレーザ加工装置であって、
    　ガスを噴出するノズルを備え、
    　前記レーザ加工プロセッサは、
    　前記ノズルから前記加工位置に向けてガスを噴出させることにより、前記加工位置で生成される前記生成物を次の加工位置に堆積させる。
  19. 　第１照射条件で第１紫外パルスレーザ光を第１ガラス基板に照射することにより前記第１ガラス基板から生成される生成物を第２ガラス基板の加工位置に堆積させること、
    　前記生成物が堆積した前記加工位置に前記第１照射条件と異なる第２照射条件で第２紫外パルスレーザ光を照射することにより貫通穴を形成すること、
    　前記第２ガラス基板と前記貫通穴内に設けられた導電体とを有するインターポーザと、集積回路チップとを結合させて互いに電気的に接続すること、
    　前記インターポーザと回路基板とを結合させて互いに電気的に接続すること、
    　を含む電子デバイスの製造方法。
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