WO2024019144A1 - コンデンサ素子 - Google Patents

コンデンサ素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2024019144A1
WO2024019144A1 PCT/JP2023/026760 JP2023026760W WO2024019144A1 WO 2024019144 A1 WO2024019144 A1 WO 2024019144A1 JP 2023026760 W JP2023026760 W JP 2023026760W WO 2024019144 A1 WO2024019144 A1 WO 2024019144A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conductor
anode
cathode
center
penetration
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/026760
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
章友 ▲高▼橋
剛史 古川
▲高▼志 姫田
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Publication of WO2024019144A1 publication Critical patent/WO2024019144A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/008—Terminals
    • H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/14—Structural combinations or circuits for modifying, or compensating for, electric characteristics of electrolytic capacitors

Definitions

  • the present invention relates to a capacitor element.
  • Patent Document 1 discloses a capacitor array including a plurality of solid electrolytic capacitor elements formed by dividing one solid electrolytic capacitor sheet, a sheet-shaped first sealing layer, and a sheet-shaped second sealing layer.
  • the solid electrolytic capacitor sheet includes: an anode plate made of a valve metal; a porous layer provided on at least one main surface of the anode plate; a dielectric layer provided on the surface of the porous layer; and a cathode layer including a solid electrolyte layer provided on the surface of a dielectric layer, and has a first main surface and a second main surface facing each other in the thickness direction.
  • the first main surface side of each of the plurality of solid electrolytic capacitor elements is arranged on the first sealing layer.
  • the second sealing layer is arranged to cover the plurality of solid electrolytic capacitor elements on the first sealing layer from the second main surface side.
  • the solid electrolytic capacitor elements are divided by a slit-shaped sheet removal section.
  • Patent Document 1 it is preferable that a through electrode is provided that penetrates the first sealing layer or the second sealing layer in the thickness direction, and that the anode plate or the cathode layer and the external electrode are connected via the through electrode. It is stated that.
  • FIGS. 22A and 22B of Patent Document 1 describe a structure in which an anode and a cathode are arranged in a staggered pattern, and the anode plate is directly connected to the wall surface of the anode through electrode.
  • the capacitor array described in Patent Document 1 has room for improvement in terms of reducing the equivalent series resistance (ESR) and equivalent series inductance (ESL) of individual capacitor elements included in the capacitor array.
  • ESR equivalent series resistance
  • ESL equivalent series inductance
  • An object of the present invention is to provide a capacitor element that can reduce equivalent series resistance and equivalent series inductance.
  • the capacitor element of the present invention includes: an anode plate having a porous portion on at least one main surface of the core; a dielectric layer provided on the surface of the porous portion; and a dielectric layer provided on the surface of the dielectric layer.
  • a capacitor section including a cathode layer, a through conductor penetrating the dielectric layer and the anode plate in the thickness direction, a sealing layer provided to cover the capacitor section, and a surface of the sealing layer. and an outer insulating layer provided to cover the sealing layer and the conductor wiring layer.
  • the through conductor includes a cathode through conductor electrically connected to the cathode layer, and an anode through conductor electrically connected to the anode plate.
  • the conductor wiring layer is electrically connected to either the cathode through conductor or the anode through conductor.
  • the cathode through conductor includes a first cathode through conductor and a second cathode through conductor.
  • the anode through conductor includes a first anode through conductor. In plan view from the thickness direction of the anode plate, the distance between the centers of the first anode through conductor and the first cathode through conductor is the distance between the centers of the first anode through conductor and the second cathode through conductor. It is equivalent to distance.
  • the first cathode penetrating conductor, the second cathode penetrating conductor, and the first anode penetrating conductor each penetrate the sealing layer and the capacitor section in the thickness direction and are connected to the conductor wiring layer at their ends. It is a direct through conductor.
  • the cathode through conductor further includes at least one fifth cathode through conductor.
  • the fifth cathode through conductor is an indirect through conductor that penetrates the outer insulating layer, the sealing layer, and the capacitor portion in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer on the side surface.
  • the distance between the centers of the fifth cathode through conductor and the first cathode through conductor is the center distance between the fifth cathode through conductor and the second cathode through conductor. It is equivalent to distance.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a capacitor element according to a first embodiment of the present invention.
  • 2A is a plan view taken along lines A and A' in FIG. 1.
  • FIG. 2B is a plan view taken along lines B and B' in FIG. 1.
  • FIG. 2C is a plan view taken along lines C and C' in FIG. 1.
  • FIG. 2D is a plan view taken along lines D and D' in FIG. 1.
  • FIG. 2E is a plan view taken along line E in FIG. 1.
  • FIG. FIG. 3 is a plan view schematically showing an example of the arrangement of through conductors forming the capacitor element according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view schematically showing an example of the arrangement of through conductors forming the capacitor element according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view for explaining the arrangement of cathode through conductors in the arrangement shown in FIG. 3.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing another example of the arrangement of through conductors constituting the capacitor element according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view for explaining the arrangement of the anode through conductor in the arrangement shown in FIG. 3.
  • FIG. 7 is a plan view for explaining the arrangement of the anode through conductor in the arrangement shown in FIG.
  • FIG. 8 is a plan view for explaining the anode through conductor existing inside a circle centered on the center of the cathode through conductor in the arrangement shown in FIG. FIG.
  • FIG. 9 is a plan view for explaining the cathode through conductor existing inside a circle centered on the center of the anode through conductor in the arrangement shown in FIG.
  • FIG. 10 is a plan view schematically showing still another example of the arrangement of the through conductors forming the capacitor element according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a plan view for explaining the arrangement of the anode penetrating conductor in the arrangement shown in FIG. 10.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing an example of a capacitor element according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view at a different position from FIG. 12.
  • FIG. 14A is a plan view taken along lines A and A' in FIG. 12.
  • FIG. 14B is a plan view taken along lines B and B' in FIG. 12.
  • FIG. 14C is a plan view taken along lines C and C' in FIG. 12.
  • FIG. 14D is a plan view taken along lines D and D' in FIG. 12.
  • FIG. 14E is a plan view taken along lines E and E' in FIG. 12.
  • FIG. 14F is a plan view taken along lines F and F' in FIG. 12.
  • FIG. 14G is a plan view taken along line G in FIG. 12.
  • FIG. 15A is a plan view schematically showing an example of the arrangement of through conductors that constitute a capacitor element according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 15B is a plan view showing a state in which the indirect through conductor is removed from FIG. 15A.
  • FIG. 16A is a plan view schematically showing another example of the arrangement of through conductors forming the capacitor element according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 16B is a plan view showing a state in which the indirect through conductor is removed from FIG. 16A.
  • FIG. 17 is a plan view schematically showing still another example of the arrangement of the through conductors that constitute the capacitor element according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 18A is a plan view for explaining the arrangement of the anode through conductor in the arrangement shown in FIG. 15A.
  • FIG. 18B is a plan view showing a state in which the indirect through conductor is removed from FIG. 18A.
  • FIG. 19A is a plan view for explaining the arrangement of the anode through conductor in the arrangement shown in FIG. 16A.
  • FIG. 19B is a plan view showing a state in which the indirect through conductor is removed from FIG. 19A.
  • FIG. 20 is a plan view for explaining the arrangement of the anode penetrating conductor in the arrangement shown in FIG. 17.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view schematically showing a modification of the outer insulating layer.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view schematically showing an example of the position of a capacitor element including a plurality of capacitor parts.
  • the capacitor element of the present invention will be explained. Note that the present invention is not limited to the following configuration, and may be modified as appropriate without changing the gist of the present invention. Furthermore, the present invention also includes a combination of a plurality of individual preferred configurations described below.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a capacitor element according to a first embodiment of the present invention.
  • 2A is a plan view taken along lines A and A' in FIG. 1.
  • FIG. 2B is a plan view taken along lines B and B' in FIG. 1.
  • FIG. 2C is a plan view taken along lines C and C' in FIG. 1.
  • FIG. 2D is a plan view taken along lines D and D' in FIG. 1.
  • FIG. 2E is a plan view taken along line E in FIG. 1.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line II in FIG. 2A.
  • the capacitor element 1 shown in FIG. 1 includes a capacitor section 10 and a through conductor 20.
  • the capacitor element 1 further includes a sealing layer 30 and conductor wiring layers 40A and 40B.
  • the capacitor section 10 includes an anode plate 11 having a porous section 11B on at least one main surface of a core section 11A, a dielectric layer 13 provided on the surface of the porous section 11B, and a dielectric layer 13 provided on the surface of the dielectric layer 13. and a cathode layer 12.
  • the capacitor section 10 constitutes an electrolytic capacitor.
  • the anode plate 11 has the porous portions 11B on both main surfaces of the core portion 11A, but the anode plate 11 may have the porous portions 11B on only one of the main surfaces of the core portion 11A. good.
  • the cathode layer 12 includes, for example, a solid electrolyte layer provided on the surface of the dielectric layer 13.
  • the cathode layer 12 further includes a conductor layer provided on the surface of the solid electrolyte layer.
  • the capacitor section 10 constitutes a solid electrolytic capacitor.
  • the through conductor 20 penetrates the dielectric layer 13 and the anode plate 11 in the thickness direction (vertical direction in FIG. 1).
  • the through conductor 20 includes a cathode through conductor 20A electrically connected to the cathode layer 12 and an anode through conductor 20B electrically connected to the anode plate 11.
  • a plurality of cathode penetrating conductors 20A are provided so as to penetrate the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction.
  • Each cathode penetrating conductor 20A is connected at its end to a conductor wiring layer 40A provided on the surface of the sealing layer 30.
  • the cathode penetrating conductor 20A is preferably present in the cathode layer 12 when viewed from above in the thickness direction of the anode plate 11.
  • the cathode through conductor 20A may be provided at least on the inner wall surface of the through hole that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction. That is, the cathode through-hole conductor 20A may be provided only on the inner wall surface of the through-hole, or may be provided throughout the inside of the through-hole.
  • the cathode through conductor 20A is provided only on the inner wall surface of the through hole, the space surrounded by the cathode through conductor 20A in the through hole may be filled with a material containing resin. That is, a resin filling portion 25A may be provided inside the cathode penetrating conductor 20A.
  • an insulating material such as the sealing layer 30 is filled between the through hole passing through the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction and the cathode through conductor 20A.
  • a plurality of anode through conductors 20B are provided so as to penetrate the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction.
  • Each anode penetrating conductor 20B is connected at its end to a conductor wiring layer 40B provided on the surface of the sealing layer 30.
  • the anode penetrating conductor 20B is preferably present in the cathode layer 12 when viewed from above in the thickness direction of the anode plate 11, as shown in FIG. 2C.
  • the anode through conductor 20B may be provided at least on the inner wall surface of the through hole that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction. That is, the anode through-hole conductor 20B may be provided only on the inner wall surface of the through-hole, or may be provided throughout the inside of the through-hole.
  • the space surrounded by the anode through conductor 20B in the through hole may be filled with a material containing resin. That is, a resin filling portion 25B may be provided inside the anode penetrating conductor 20B.
  • a through conductor among the through conductors 20 that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40A or 40B at its end is referred to as a "direct through conductor”. call. Therefore, the cathode through conductor 20A and the anode through conductor 20B are each direct through conductors.
  • the anode through conductor 20B is preferably electrically connected to the anode plate 11 at the inner wall surface of a through hole that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction. More specifically, it is preferable that the anode through conductor 20B is electrically connected to the end surface of the anode plate 11 that faces the inner wall surface of the through hole in the planar direction. In this case, an insulating material such as the sealing layer 30 is not filled between the through hole passing through the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction and the anode through conductor 20B.
  • the core portion 11A and the porous portion 11B are exposed on the end face of the anode plate 11 that is electrically connected to the anode through conductor 20B.
  • the porous portion 11B is also electrically connected to the anode penetrating conductor 20B.
  • the anode through conductor 20B When viewed from the thickness direction of the anode plate 11, the anode through conductor 20B has an anode over the entire circumference of the through hole that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction, as shown in FIGS. 2D and 2E. Preferably, it is electrically connected to the plate 11.
  • the anode penetrating conductor 20B may be electrically connected via the anode connection layer, or may be directly connected to the end surface of the anode plate 11.
  • the sealing layer 30 is provided to cover the capacitor section 10.
  • the capacitor section 10 is protected by the sealing layer 30 .
  • the sealing layer 30 is preferably provided on both main surfaces of the capacitor section 10 facing each other in the thickness direction.
  • the conductor wiring layers 40A and 40B are provided on the surface of the sealing layer 30 and are electrically connected to either the cathode through conductor 20A or the anode through conductor 20B.
  • the conductor wiring layer 40A is electrically connected to the cathode penetrating conductor 20A.
  • the conductor wiring layer 40A is provided on the surface of the cathode penetrating conductor 20A, and functions as a connection terminal of the capacitor element 1.
  • the conductor wiring layer 40A is electrically connected to the cathode layer 12 via a via conductor 45 penetrating the sealing layer 30, and is connected to a connection terminal for the cathode layer 12. functions as
  • the conductor wiring layer 40B is electrically connected to the anode penetrating conductor 20B.
  • the conductor wiring layer 40B is provided on the surface of the anode penetrating conductor 20B and functions as a connection terminal of the capacitor element 1.
  • the conductor wiring layer 40B is electrically connected to the anode plate 11 via the anode penetrating conductor 20B, and functions as a connection terminal for the anode plate 11.
  • FIG. 3 is a plan view schematically showing an example of the arrangement of through conductors that constitute the capacitor element according to the first embodiment of the present invention.
  • the plan view shown in FIG. 3 is the same as the plan view shown in FIG. 2E.
  • the through conductors are arranged squarely. In the square arrangement, a through conductor is arranged at each vertex of the square shape. In FIG. 3, cathode through conductors and anode through conductors are alternately arranged from top to bottom, and cathode through conductors and anode through conductors are alternately arranged from left to right.
  • the cathode penetrating conductor includes a first cathode penetrating conductor 20A1 and a second cathode penetrating conductor 20A2, and the anode penetrating conductor includes a first anode penetrating conductor 20B1.
  • the distance between the centers of the first anode through conductor 20B1 and the first cathode through conductor 20A1 is the center distance between the first anode through conductor 20B1 and the second cathode through conductor 20A2. It is equivalent to distance.
  • a plurality of cathode through conductors are electrically connected to one cathode layer, so that a current path is formed in parallel to one capacitor element.
  • the equivalent series resistance and equivalent series inductance can be reduced. Furthermore, by equalizing the distance between the centers of the anode through conductor and the cathode through conductor, it is possible to reduce the impedance difference between the respective current paths. Furthermore, it is also possible to disperse the heat generated by the capacitor element and increase the current capacity.
  • the center of the through conductor means the center of the smallest circle that includes the through conductor when viewed from above in the thickness direction of the anode plate. Therefore, the distance between the centers of the anode through conductor and the cathode through conductor means the length of the line segment connecting the center of the anode through conductor and the center of the cathode through conductor, which is determined by the above method. The same applies to the center-to-center distance between the cathode through-conductor and the cathode through-conductor, and the center-to-center distance between the anode through-conductor and the anode through-conductor.
  • the distances between centers are equivalent does not mean only when the distances between centers are completely equivalent, but when the distances between centers are substantially equivalent, e.g. , is an expression that means that even a difference of several percent is included.
  • the first cathode penetrating conductor 20A1, the second cathode penetrating conductor 20A2, and the first anode penetrating conductor 20B1 each penetrate the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction and end with the conductor wiring layer 40A or 40B. This is a direct through conductor connected at the
  • FIG. 4 is a plan view for explaining the arrangement of cathode through conductors in the arrangement shown in FIG. 3.
  • the cathode through conductor further includes at least one third cathode through conductor 20A3.
  • the distance between the centers of the first cathode penetration conductor 20A1 and the second cathode penetration conductor 20A2 is the center distance between the first cathode penetration conductor 20A1 and the third cathode penetration conductor 20A3. It is equivalent to distance.
  • the cathode penetrating conductor includes the third cathode penetrating conductor 20A3, as shown in FIG. It is preferable that the third cathode penetrating conductor 20A3 exists on a straight line obtained by rotating the line segment connecting the center at an angle of 90 degrees or 180 degrees with respect to the center of the first cathode penetrating conductor 20A1. In this case, the line segment connecting the center of the first cathode penetrating conductor 20A1 and the center of the second cathode penetrating conductor 20A2 is rotated by an angle of 90 degrees or 180 degrees with respect to the center of the first cathode penetrating conductor 20A1. It is sufficient that a minimum circle that includes the third cathode penetrating conductor 20A3 in a plan view from the thickness direction of the anode plate 11 exists on the straight line.
  • the third cathode through conductor 20A3 is a direct through conductor that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor portion 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40A at the end.
  • the cathode penetrating conductor further includes at least one fourth cathode penetrating conductor 20A4.
  • the distance between the centers of the second cathode penetration conductor 20A2 and the first cathode penetration conductor 20A1 is the center distance between the second cathode penetration conductor 20A2 and the fourth cathode penetration conductor 20A4. It is equivalent to distance.
  • the cathode penetrating conductor includes the fourth cathode penetrating conductor 20A4, a line segment connecting the center of the first cathode penetrating conductor 20A1 and the center of the second cathode penetrating conductor 20A2 in plan view from the thickness direction of the anode plate 11 is It is preferable that the fourth cathode penetrating conductor 20A4 exists on a straight line rotated at an angle of 90 degrees or 180 degrees with respect to the center of the second cathode penetrating conductor 20A2.
  • the line segment connecting the center of the first cathode penetration conductor 20A1 and the center of the second cathode penetration conductor 20A2 is rotated at an angle of 90 degrees or 180 degrees with respect to the center of the second cathode penetration conductor 20A2. It is sufficient that a minimum circle that includes the fourth cathode penetrating conductor 20A4 in a plan view from the thickness direction of the anode plate 11 exists on the straight line.
  • the fourth cathode through conductor 20A4 is a direct through conductor that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor portion 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40A at the end.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing another example of the arrangement of through conductors that constitute the capacitor element according to the first embodiment of the present invention.
  • the through conductors are arranged hexagonally. In the hexagonal arrangement, through conductors are arranged at each vertex of a regular hexagon and at the center of the regular hexagon. In FIG. 5, cathode through conductors and anode through conductors are alternately arranged from the top to the bottom.
  • the cathode penetrating conductor includes a first cathode penetrating conductor 20A1 and a second cathode penetrating conductor 20A2, and the anode penetrating conductor includes a first anode penetrating conductor 20B1.
  • the distance between the centers of the first anode through conductor 20B1 and the first cathode through conductor 20A1 is the center distance between the first anode through conductor 20B1 and the second cathode through conductor 20A2. It is equivalent to distance.
  • the cathode penetrating conductor includes the third cathode penetrating conductor 20A3, as shown in FIG. It is preferable that the third cathode penetrating conductor 20A3 exists on a straight line obtained by rotating the line segment connecting the first cathode penetrating conductor 20A1 at an angle of 60 degrees or 120 degrees with respect to the center of the first cathode penetrating conductor 20A1. In this case, a line segment connecting the center of the first cathode penetration conductor 20A1 and the center of the second cathode penetration conductor 20A2 is rotated by an angle of 60 degrees or 120 degrees with respect to the center of the first cathode penetration conductor 20A1. It is sufficient that a minimum circle that includes the third cathode penetrating conductor 20A3 in a plan view from the thickness direction of the anode plate 11 exists on the straight line.
  • the cathode penetrating conductor includes the fourth cathode penetrating conductor 20A4, a line segment connecting the center of the first cathode penetrating conductor 20A1 and the center of the second cathode penetrating conductor 20A2 in plan view from the thickness direction of the anode plate 11 is It is preferable that the fourth cathode penetrating conductor 20A4 exists on a straight line rotated at an angle of 60 degrees or 120 degrees with respect to the center of the second cathode penetrating conductor 20A2.
  • a line segment connecting the center of the first cathode penetration conductor 20A1 and the center of the second cathode penetration conductor 20A2 is rotated by an angle of 60 degrees or 120 degrees with respect to the center of the second cathode penetration conductor 20A2. It is sufficient that a minimum circle that includes the fourth cathode penetrating conductor 20A4 in a plan view from the thickness direction of the anode plate 11 exists on the straight line.
  • the cathode penetrating conductor includes the third cathode penetrating conductor 20A3, the center of the first cathode penetrating conductor 20A1 and the second cathode penetrating conductor in plan view from the thickness direction of the anode plate 11.
  • the third cathode penetrating conductor 20A3 is placed on a straight line obtained by rotating the line segment connecting the center of the conductor 20A2 at an angle of 60 degrees, 90 degrees, 120 degrees, or 180 degrees with respect to the center of the first cathode penetrating conductor 20A1.
  • the cathode through conductor includes the fourth cathode through conductor 20A4, a line connecting the center of the first cathode through conductor 20A1 and the center of the second cathode through conductor 20A2 in plan view from the thickness direction of the anode plate 11. It is preferable that the fourth cathode penetrating conductor 20A4 exists on a straight line rotated by 60 degrees, 90 degrees, 120 degrees, or 180 degrees with respect to the center of the second cathode penetrating conductor 20A2.
  • FIG. 6 is a plan view for explaining the arrangement of the anode penetrating conductor in the arrangement shown in FIG. 3.
  • the anode through conductor further includes a second anode through conductor 20B2.
  • the distance between the centers of the first cathode penetration conductor 20A1 and the first anode penetration conductor 20B1 is the center distance between the first cathode penetration conductor 20A1 and the second anode penetration conductor 20B2. It is equivalent to distance.
  • the second anode through conductor 20B2 is a direct through conductor that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor portion 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40B at the end.
  • the anode through conductor further includes at least one third anode through conductor 20B3.
  • the distance between the centers of the first anode penetration conductor 20B1 and the second anode penetration conductor 20B2 is the center distance between the first anode penetration conductor 20B1 and the third anode penetration conductor 20B3. It is equivalent to distance.
  • the anode penetration conductor includes the third anode penetration conductor 20B3, as shown in FIG. It is preferable that the third anode penetration conductor 20B3 exists on a straight line obtained by rotating the line segment connecting the center at an angle of 90 degrees or 180 degrees with respect to the center of the first anode penetration conductor 20B1. In this case, the line segment connecting the center of the first anode penetration conductor 20B1 and the center of the second anode penetration conductor 20B2 is rotated by an angle of 90 degrees or 180 degrees with respect to the center of the first anode penetration conductor 20B1. It is sufficient that a minimum circle that includes the third anode penetrating conductor 20B3 in a plan view from the thickness direction of the anode plate 11 exists on the straight line.
  • the third anode through conductor 20B3 is a direct through conductor that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor portion 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40B at the end.
  • the anode through conductor further includes at least one fourth anode through conductor 20B4.
  • the distance between the centers of the second anode penetration conductor 20B2 and the first anode penetration conductor 20B1 is the center distance between the second anode penetration conductor 20B2 and the fourth anode penetration conductor 20B4. It is equivalent to distance.
  • the anode through conductor includes the fourth anode through conductor 20B4
  • a line segment connecting the center of the first anode through conductor 20B1 and the center of the second anode through conductor 20B2 in plan view from the thickness direction of the anode plate 11 is It is preferable that the fourth anode through conductor 20B4 exists on a straight line rotated at an angle of 90 degrees or 180 degrees with respect to the center of the second anode through conductor 20B2.
  • the line segment connecting the center of the first anode penetration conductor 20B1 and the center of the second anode penetration conductor 20B2 is rotated at an angle of 90 degrees or 180 degrees with respect to the center of the second anode penetration conductor 20B2. It is sufficient that the minimum circle that includes the fourth anode through conductor 20B4 in a plan view from the thickness direction of the anode plate 11 exists on the straight line.
  • the fourth anode through conductor 20B4 is a direct through conductor that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor portion 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40B at the end.
  • FIG. 7 is a plan view for explaining the arrangement of the anode penetrating conductor in the arrangement shown in FIG. 5.
  • the anode through conductor further includes a second anode through conductor 20B2.
  • the anode penetration conductor includes the third anode penetration conductor 20B3, as shown in FIG. It is preferable that the third anode through conductor 20B3 exists on a straight line obtained by rotating the line segment connecting the center at an angle of 60 degrees or 120 degrees with respect to the center of the first anode through conductor 20B1. In this case, the line segment connecting the center of the first anode penetration conductor 20B1 and the center of the second anode penetration conductor 20B2 is rotated by an angle of 60 degrees or 120 degrees with respect to the center of the first anode penetration conductor 20B1. It is sufficient that a minimum circle that includes the third anode penetrating conductor 20B3 in a plan view from the thickness direction of the anode plate 11 exists on the straight line.
  • the anode through conductor includes the fourth anode through conductor 20B4, a line segment connecting the center of the first anode through conductor 20B1 and the center of the second anode through conductor 20B2 in plan view from the thickness direction of the anode plate 11 is It is preferable that the fourth anode through conductor 20B4 exists on a straight line rotated at an angle of 60 degrees or 120 degrees with respect to the center of the second anode through conductor 20B2. In this case, the line segment connecting the center of the first anode penetration conductor 20B1 and the center of the second anode penetration conductor 20B2 is rotated at an angle of 60 degrees or 120 degrees with respect to the center of the second anode penetration conductor 20B2. It is sufficient that the minimum circle that includes the fourth anode through conductor 20B4 in a plan view from the thickness direction of the anode plate 11 exists on the straight line.
  • the anode penetration conductor includes the third anode penetration conductor 20B3, in a plan view from the thickness direction of the anode plate 11, the center of the first anode penetration conductor 20B1 and the second anode penetration conductor
  • the third anode penetration conductor 20B3 is on a straight line obtained by rotating the line segment connecting the center of the conductor 20B2 at an angle of 60 degrees, 90 degrees, 120 degrees, or 180 degrees with respect to the center of the first anode penetration conductor 20B1.
  • the anode through conductor includes the fourth anode through conductor 20B4, a line connecting the center of the first anode through conductor 20B1 and the center of the second anode through conductor 20B2 in plan view from the thickness direction of the anode plate 11. It is preferable that the fourth anode through conductor 20B4 exists on a straight line rotated by 60 degrees, 90 degrees, 120 degrees, or 180 degrees with respect to the center of the second anode through conductor 20B2.
  • FIG. 8 is a plan view for explaining the anode through conductor existing inside a circle centered on the center of the cathode through conductor in the arrangement shown in FIG. 4.
  • the distance between the centers of the first cathode penetrating conductor 20A1 and the second cathode penetrating conductor 20A2 is the radius
  • the center of the first cathode penetrating conductor 20A1 is the radius.
  • the radius is the number of anode through conductors 20B existing inside the center circle and the distance between the centers of the first cathode through conductor 20A1 and the second cathode through conductor 20A2, and the center is the center of the second cathode through conductor 20A2. It is preferable that the number of anode penetrating conductors 20B existing inside the circle is the same. In the example shown in FIG. 8, there are four anode through conductors 20B inside each circle.
  • the noise removal effect can be enhanced by arranging capacitors evenly and in parallel on the evenly arranged current paths.
  • a circle whose radius is the distance between the centers of the first cathode through conductor 20A1 and the second cathode through conductor 20A2 and whose center is the center of the first cathode through conductor 20A1. It exists inside a circle centered on the center of the second cathode penetration conductor 20A2, with the radius being the total area of the overlapping anode penetration conductors 20B and the center-to-center distance between the first cathode penetration conductor 20A1 and the second cathode penetration conductor 20A2. It is preferable that the difference from the total area of the anode through conductor 20B is within ⁇ 5%.
  • FIG. 9 is a plan view for explaining the cathode through conductor that exists inside a circle centered on the center of the anode through conductor in the arrangement shown in FIG. 6.
  • the distance between the centers of the first anode penetration conductor 20B1 and the second anode penetration conductor 20B2 is defined as the radius
  • the center of the first anode penetration conductor 20B1 is defined as the radius.
  • the radius is the number of cathode penetrating conductors 20A existing inside the center circle and the distance between the centers of the first anode penetrating conductor 20B1 and the second anode penetrating conductor 20B2, and the center of the second anode penetrating conductor 20B2 is the center. It is preferable that the number of cathode through conductors 20A existing inside the circle is the same. In the example shown in FIG. 9, there are four cathode through conductors 20A inside each circle.
  • a circle whose radius is the distance between the centers of the first anode penetration conductor 20B1 and the second anode penetration conductor 20B2 and whose center is the center of the first anode penetration conductor 20B1. It exists inside a circle centered on the center of the second anode penetration conductor 20B2, with the radius being the total area of the overlapping cathode penetration conductors 20A and the center-to-center distance between the first anode penetration conductor 20B1 and the second anode penetration conductor 20B2. It is preferable that the difference from the total area of the cathode through conductor 20A is within ⁇ 5%.
  • FIG. 10 is a plan view schematically showing still another example of the arrangement of the through conductors that constitute the capacitor element according to the first embodiment of the present invention.
  • the through conductors are arranged hexagonally.
  • two cathode through conductors and two anode through conductors are alternately arranged from the top to the bottom.
  • the cathode penetrating conductor includes a third cathode penetrating conductor 20A3 and a fourth cathode penetrating conductor 20A4, there are two third cathode penetrating conductors 20A3 and two fourth cathode penetrating conductors 20A4, respectively. It is preferable that there be at least one of them. In this case, the effect of reducing the equivalent series resistance and equivalent series inductance, and the effect of reducing the impedance difference between the current paths can be enhanced. Furthermore, the effect of increasing current capacity by dispersing the heat generated by the capacitor element can be enhanced.
  • FIG. 11 is a plan view for explaining the arrangement of the anode through conductor in the arrangement shown in FIG. 10.
  • each of the third anode penetration conductor 20B3 and the fourth anode penetration conductor 20B4 is It is preferable that there be at least one of them.
  • the planar shape of the capacitor element 1 when viewed from the thickness direction includes, for example, a rectangle (square or rectangle), a square other than a rectangle, a polygon such as a triangle, a pentagon, a hexagon, a circle, an ellipse, or a combination thereof. Examples include shapes such as Further, the planar shape of the capacitor element 1 may be an L-shape, a C-shape (U-shape), a step-shape, or the like.
  • the anode plate 11 is preferably made of a valve metal that exhibits a so-called valve action.
  • valve metals include simple metals such as aluminum, tantalum, niobium, titanium, and zirconium, and alloys containing at least one of these metals. Among these, aluminum or aluminum alloy is preferred.
  • the shape of the anode plate 11 is preferably flat, and more preferably foil-like.
  • plate-like also includes “foil-like”.
  • the anode plate 11 only needs to have a porous portion 11B on at least one main surface of the core portion 11A. That is, the anode plate 11 may have the porous portion 11B only on one main surface of the core portion 11A, or may have the porous portion 11B on both main surfaces of the core portion 11A.
  • the porous portion 11B is preferably a porous layer formed on the surface of the core portion 11A, and more preferably an etching layer.
  • the thickness of the anode plate 11 before etching treatment is preferably 60 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the thickness of the core portion 11A that is not etched after the etching process is preferably 15 ⁇ m or more and 70 ⁇ m or less.
  • the thickness of the porous portion 11B is designed according to the required withstand voltage and capacitance, but it is preferable that the total thickness of the porous portions 11B on both sides of the core portion 11A is 10 ⁇ m or more and 180 ⁇ m or less.
  • the pore diameter of the porous portion 11B is preferably 10 nm or more and 600 nm or less. Note that the pore diameter of the porous portion 11B means the median diameter D50 measured by a mercury porosimeter. The pore diameter of the porous portion 11B can be controlled, for example, by adjusting various etching conditions.
  • the dielectric layer 13 provided on the surface of the porous portion 11B is porous reflecting the surface condition of the porous portion 11B, and has a finely uneven surface shape.
  • the dielectric layer 13 is preferably made of an oxide film of the valve metal.
  • the surface of the aluminum foil is anodized (also referred to as chemical conversion treatment) in an aqueous solution containing ammonium adipate, etc. to form a dielectric layer made of an oxide film. 13 can be formed.
  • the thickness of the dielectric layer 13 is designed according to the required withstand voltage and capacitance, but is preferably 10 nm or more and 100 nm or less.
  • the cathode layer 12 includes a solid electrolyte layer
  • examples of the material constituting the solid electrolyte layer include conductive polymers such as polypyrroles, polythiophenes, and polyanilines. Among these, polythiophenes are preferred, and poly(3,4-ethylenedioxythiophene) called PEDOT is particularly preferred.
  • the conductive polymer may contain a dopant such as polystyrene sulfonic acid (PSS).
  • PSS polystyrene sulfonic acid
  • the solid electrolyte layer preferably includes an inner layer that fills the pores (recesses) of the dielectric layer 13 and an outer layer that covers the dielectric layer 13.
  • the thickness of the solid electrolyte layer from the surface of the porous portion 11B is preferably 2 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the solid electrolyte layer is formed by forming a polymer film such as poly(3,4-ethylenedioxythiophene) on the surface of the dielectric layer 13 using a treatment liquid containing a monomer such as 3,4-ethylenedioxythiophene.
  • the dielectric layer 13 is formed by applying a dispersion of a polymer such as poly(3,4-ethylenedioxythiophene) to the surface of the dielectric layer 13 and drying it.
  • the solid electrolyte layer can be formed in a predetermined area by applying the above treatment liquid or dispersion liquid to the surface of the dielectric layer 13 by a method such as sponge transfer, screen printing, dispenser coating, or inkjet printing. .
  • the conductor layer 12 includes at least one of a conductive resin layer and a metal layer.
  • the conductor layer may be only a conductive resin layer or only a metal layer.
  • the conductor layer preferably covers the entire surface of the solid electrolyte layer.
  • the conductive resin layer examples include a conductive adhesive layer containing at least one conductive filler selected from the group consisting of silver filler, copper filler, nickel filler, and carbon filler.
  • the metal layer examples include metal plating films, metal foils, and the like.
  • the metal layer is preferably made of at least one metal selected from the group consisting of nickel, copper, silver, and alloys containing these metals as main components. Note that the "main component" refers to the elemental component having the largest weight ratio.
  • the conductor layer includes, for example, a carbon layer provided on the surface of the solid electrolyte layer and a copper layer provided on the surface of the carbon layer.
  • the carbon layer is provided to electrically and mechanically connect the solid electrolyte layer and the copper layer.
  • the carbon layer can be formed in a predetermined area by applying carbon paste to the surface of the solid electrolyte layer by a method such as sponge transfer, screen printing, dispenser coating, or inkjet printing. Note that it is preferable to laminate the copper layer in the next step on the carbon layer in a viscous state before drying.
  • the thickness of the carbon layer is preferably 2 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the copper layer can be formed in a predetermined area by applying a copper paste to the surface of the carbon layer by a method such as sponge transfer, screen printing, spray coating, dispenser coating, or inkjet printing.
  • the thickness of the copper layer is preferably 2 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the cathode through conductor 20A which is a direct through conductor, is formed, for example, as follows. First, by performing processing such as drilling or laser processing, a first through hole passing through the capacitor portion 10 in the thickness direction is formed. Next, the first through hole is filled with an insulating material such as the sealing layer 30. A second through hole is formed by performing processing such as drilling or laser processing on the portion filled with the insulating material. At this time, by making the diameter of the second through hole smaller than the diameter of the first through hole filled with an insulating material, the inner wall surface of the first through hole and the inner wall surface of the second through hole are An insulating material exists between the two.
  • the inner wall surface of the second through hole is metalized with a metal material containing a low resistance metal such as copper, gold, silver, etc., thereby forming the cathode through conductor 20A, which is a direct through conductor.
  • a metal material containing a low resistance metal such as copper, gold, silver, etc.
  • processing is facilitated by, for example, metalizing the inner wall surface of the second through hole by electroless copper plating, electrolytic copper plating, or the like.
  • the method of forming the cathode through-hole conductor 20A other than the method of metalizing the inner wall surface of the second through-hole, there is a method of filling the second through-hole with a metal material, a composite material of metal and resin, etc. Good too.
  • the anode through conductor 20B which is a direct through conductor, is formed, for example, as follows. First, a third through hole that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction is formed by performing processing such as drilling or laser processing. Then, by metallizing the inner wall surface of the third through hole with a metal material containing a low resistance metal such as copper, gold, silver, etc., an anode through conductor 20B, which is a direct through conductor, is formed. When forming the anode penetrating conductor 20B, processing is facilitated by, for example, metalizing the inner wall surface of the third through hole by electroless copper plating, electrolytic copper plating, or the like.
  • the method of forming the anode through-hole conductor 20B other than the method of metalizing the inner wall surface of the third through-hole, there is a method of filling the third through-hole with a metal material, a composite material of metal and resin, etc. Good too.
  • the material making up the resin filling part 25A may have a larger coefficient of thermal expansion than the material making up the cathode penetrating conductor 20A (for example, copper), or may have a smaller coefficient of thermal expansion. It may be the same, or it may be the same.
  • the material making up the resin filling part 25B may have a larger or smaller coefficient of thermal expansion than the material (e.g. copper) making up the anode through conductor 20B. It may be the same, or it may be the same.
  • the sealing layer 30 is made of an insulating material.
  • the sealing layer 30 is preferably made of insulating resin.
  • Examples of the insulating resin constituting the sealing layer 30 include epoxy resin, phenol resin, and the like.
  • the sealing layer 30 further contains a filler.
  • Examples of the filler included in the sealing layer 30 include inorganic fillers such as silica particles and alumina particles.
  • the sealing layer 30 may be composed of only one layer, or may be composed of two or more layers. When the sealing layer 30 is composed of two or more layers, the materials constituting each layer may be the same or different.
  • the sealing layer 30 is formed to seal the capacitor portion 10 by, for example, a method of thermocompression bonding an insulating resin sheet, a method of applying an insulating resin paste and then thermosetting it, or the like.
  • a layer such as a stress relaxation layer or a moisture-proof film may be provided between the capacitor section 10 and the sealing layer 30.
  • Examples of the constituent material of the conductor wiring layer 40A include metal materials containing low resistance metals such as silver, gold, and copper.
  • the conductor wiring layer 40A is formed, for example, by plating the surface of the cathode penetrating conductor 20A.
  • silver filler is used as a constituent material of the conductor wiring layer 40A.
  • a mixed material of a resin and at least one conductive filler selected from the group consisting of , copper filler, nickel filler, and carbon filler may be used.
  • Examples of the constituent material of the conductor wiring layer 40B include metal materials containing low-resistance metals such as silver, gold, and copper.
  • the conductor wiring layer 40B is formed, for example, by plating the surface of the anode penetrating conductor 20B.
  • silver filler is used as a constituent material of the conductor wiring layer 40B.
  • a mixed material of a resin and at least one conductive filler selected from the group consisting of , copper filler, nickel filler, and carbon filler may be used.
  • the constituent materials of the conductor wiring layers 40A and 40B are preferably the same, at least in terms of type, but may be different from each other.
  • Examples of the constituent material of the via conductor 45 include metal materials containing low-resistance metals such as silver, gold, and copper.
  • the via conductor 45 is formed by, for example, plating the inner wall surface of a through hole that penetrates the sealing layer 30 in the thickness direction with the above-mentioned metal material, or performing heat treatment after filling with a conductive paste. It is formed by
  • the capacitor section 10 may further include an insulating layer provided around the through conductor 20 on at least one main surface of the anode plate 11.
  • the capacitor section 10 may further include an insulating layer provided to surround the cathode layer 12 on at least one main surface of the anode plate 11. By surrounding the cathode layer 12 with an insulating layer, insulation between the anode plate 11 and the cathode layer 12 is ensured, and short circuits between the two are prevented.
  • the insulating layer is made of an insulating material.
  • the insulating layer is preferably made of insulating resin.
  • Examples of the insulating resin constituting the insulating layer include polyphenylsulfone resin, polyethersulfone resin, cyanate ester resin, fluororesin (tetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene/perfluoroalkyl vinyl ether copolymer, etc.), and polyimide.
  • Examples include resins, polyamideimide resins, epoxy resins, and derivatives or precursors thereof.
  • the insulating layer may be made of the same resin as the sealing layer 30. Unlike the sealing layer 30, if the insulating layer contains an inorganic filler, it may have an adverse effect on the capacitance effective portion of the capacitor section 10, so it is preferable that the insulating layer is made of a resin alone.
  • the insulating layer is formed in a predetermined area by applying a masking material such as a composition containing an insulating resin to the surface of the porous portion 11B by a method such as sponge transfer, screen printing, dispenser coating, or inkjet printing. can be formed.
  • a masking material such as a composition containing an insulating resin
  • the insulating layer may be formed on the porous portion 11B at a timing before the dielectric layer 13, or may be formed at a timing after the dielectric layer 13.
  • the through conductor further includes an indirect through conductor.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing an example of a capacitor element according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view at a different position from FIG. 12.
  • FIG. 14A is a plan view taken along lines A and A' in FIG. 12.
  • FIG. 14B is a plan view taken along lines B and B' in FIG. 12.
  • FIG. 14C is a plan view taken along lines C and C' in FIG. 12.
  • FIG. 14D is a plan view taken along lines D and D' in FIG. 12.
  • FIG. 14E is a plan view taken along lines E and E' in FIG. 12.
  • FIG. 14F is a plan view taken along lines F and F' in FIG. 12.
  • FIG. 14G is a plan view taken along line G in FIG. 12. Note that FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line II in FIG. 14A, and FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 14A.
  • the capacitor element 2 shown in FIGS. 12 and 13 includes a capacitor section 10, a through conductor 20, a sealing layer 30, conductor wiring layers 40A and 40B, and an outer insulating layer 50.
  • the capacitor element 2 further includes conductor wiring layers 40C and 40D.
  • the capacitor section 10 includes an anode plate 11 having a porous section 11B on at least one main surface of a core section 11A, a dielectric layer 13 provided on the surface of the porous section 11B, and a dielectric layer 13 provided on the surface of the dielectric layer 13. and a cathode layer 12.
  • the capacitor section 10 constitutes an electrolytic capacitor.
  • the anode plate 11 has the porous portion 11B on both main surfaces of the core portion 11A, but has the porous portion 11B on only one of the main surfaces of the core portion 11A. You may.
  • the cathode layer 12 includes, for example, a solid electrolyte layer provided on the surface of the dielectric layer 13.
  • the cathode layer 12 further includes a conductor layer provided on the surface of the solid electrolyte layer.
  • the capacitor section 10 constitutes a solid electrolytic capacitor.
  • the through conductor 20 penetrates the dielectric layer 13 and the anode plate 11 in the thickness direction (vertical direction in FIGS. 12 and 13).
  • the through conductor 20 includes cathode through conductors 20A and 20C that are electrically connected to the cathode layer 12 and anode through conductors 20B and 20D that are electrically connected to the anode plate 11.
  • a plurality of cathode through conductors 20A are provided so as to penetrate the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction.
  • Each cathode penetrating conductor 20A is connected at its end to a conductor wiring layer 40A provided on the surface of the sealing layer 30.
  • the cathode penetrating conductor 20A is preferably present in the cathode layer 12 when viewed from above in the thickness direction of the anode plate 11.
  • a plurality of anode through conductors 20B are provided so as to penetrate the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction.
  • Each anode penetrating conductor 20B is connected at its end to a conductor wiring layer 40B provided on the surface of the sealing layer 30.
  • anode penetrating conductor 20B exists in the cathode layer 12 when viewed from above in the thickness direction of the anode plate 11, as shown in FIG. 14E.
  • the cathode through conductor 20A and the anode through conductor 20B are each direct through conductors.
  • a plurality of cathode through conductors 20C are provided so as to penetrate the outer insulating layer 50, the sealing layer 30, and the capacitor section 10 in the thickness direction.
  • Each cathode penetrating conductor 20C is connected to a conductor wiring layer 40A provided on the surface of the sealing layer 30 at a side surface.
  • each cathode through conductor 20C is connected at its end to a conductor wiring layer 40C provided on the surface of the outer insulating layer 50.
  • the cathode penetrating conductor 20C is preferably present in the cathode layer 12 when viewed from above in the thickness direction of the anode plate 11, as shown in FIG. 14E.
  • the cathode through conductor 20C may be provided at least on the inner wall surface of the through hole that penetrates the outer insulating layer 50, the sealing layer 30, and the capacitor section 10 in the thickness direction. That is, the cathode through-hole conductor 20C may be provided only on the inner wall surface of the through-hole, or may be provided throughout the inside of the through-hole.
  • the cathode through conductor 20C is provided only on the inner wall surface of the through hole, the space surrounded by the cathode through conductor 20C in the through hole may be filled with a material containing resin. That is, a resin filling portion 25C may be provided inside the cathode penetrating conductor 20C.
  • an insulating material such as the sealing layer 30 is filled between the through hole passing through the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction and the cathode through conductor 20C.
  • a plurality of anode through conductors 20D are provided so as to penetrate the outer insulating layer 50, the sealing layer 30, and the capacitor section 10 in the thickness direction.
  • Each anode penetrating conductor 20D is connected to a conductor wiring layer 40B provided on the surface of the sealing layer 30 at a side surface. Further, each anode through conductor 20D is connected at its end to a conductor wiring layer 40D provided on the surface of the outer insulating layer 50.
  • anode penetrating conductor 20D exists in the cathode layer 12 when viewed from above in the thickness direction of the anode plate 11, as shown in FIG. 14E.
  • the anode through conductor 20D may be provided at least on the inner wall surface of the through hole that penetrates the outer insulating layer 50, the sealing layer 30, and the capacitor section 10 in the thickness direction. That is, the anode penetrating conductor 20D may be provided only on the inner wall surface of the through hole, or may be provided throughout the inside of the through hole.
  • the space surrounded by the anode through conductor 20D in the through hole may be filled with a material containing resin. That is, a resin filling portion 25D may be provided inside the anode penetrating conductor 20D.
  • an insulating material such as the sealing layer 30 may be filled between the through hole passing through the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction and the anode through conductor 20D. preferable.
  • a through conductor of the through conductor 20 that penetrates the outer insulating layer 50, the sealing layer 30, and the capacitor part 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40A or 40B on the side is referred to as "indirect”. It is called "through conductor”. Therefore, the cathode through conductor 20C and the anode through conductor 20D are each indirect through conductors. Further, here, the indirect through conductor is not directly connected to the anode plate 11.
  • the sealing layer 30 is provided to cover the capacitor section 10.
  • the capacitor section 10 is protected by the sealing layer 30 .
  • the sealing layer 30 is preferably provided on both main surfaces of the capacitor section 10 facing each other in the thickness direction.
  • the conductor wiring layers 40A and 40B are provided on the surface of the sealing layer 30 and are electrically connected to either the cathode through conductor 20A or the anode through conductor 20B.
  • the conductor wiring layer 40A is electrically connected to the cathode penetrating conductor 20A.
  • the conductor wiring layer 40A is provided on the surface of the cathode penetrating conductor 20A.
  • the conductor wiring layer 40A is electrically connected to the cathode layer 12 via a via conductor 45 that penetrates the sealing layer 30.
  • the conductor wiring layer 40B is electrically connected to the anode penetrating conductor 20B.
  • the conductor wiring layer 40B is provided on the surface of the anode penetrating conductor 20B.
  • the conductor wiring layer 40B is electrically connected to the anode plate 11 via the anode penetrating conductor 20B.
  • the conductor wiring layers 40C and 40D are provided on the surface of the outer insulating layer 50 and are electrically connected to either the cathode through conductor 20C or the anode through conductor 20D.
  • the conductor wiring layer 40C is electrically connected to the cathode penetrating conductor 20C.
  • the conductor wiring layer 40C is provided on the surface of the cathode penetrating conductor 20C.
  • the conductor wiring layer 40C is electrically connected to the cathode layer 12 via the cathode through conductor 20C, the conductor wiring layer 40A, and the via conductor 45.
  • the conductor wiring layer 40D is electrically connected to the anode penetrating conductor 20D.
  • the conductor wiring layer 40D is provided on the surface of the anode penetrating conductor 20D.
  • the conductor wiring layer 40D is electrically connected to the anode plate 11 via the anode through conductor 20D, the conductor wiring layer 40B, and the anode through conductor 20B.
  • FIG. 15A is a plan view schematically showing an example of the arrangement of through conductors forming the capacitor element according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 15B is a plan view showing a state in which the indirect through conductor is removed from FIG. 15A.
  • the through conductors are arranged squarely.
  • cathode through conductors, which are direct through conductors, and anode through conductors, which are direct through conductors are alternately arranged from the upper side to the lower side.
  • direct through conductors and indirect through conductors are arranged alternately from left to right, cathode through conductors and anode through conductors are alternately arranged, and indirect through conductors are arranged alternately.
  • the cathode through conductors, which are the through conductors, and the anode through conductors, which are the indirect through conductors are arranged alternately from the upper side to the lower side.
  • the cathode penetrating conductor includes a first cathode penetrating conductor 20A1 and a second cathode penetrating conductor 20A2, and the anode penetrating conductor includes a first anode penetrating conductor 20B1.
  • the first cathode penetration conductor 20A1, the second cathode penetration conductor 20A2, and the first anode penetration conductor 20B1 each penetrate the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction and connect to the conductor wiring layer 40A or 40B at the end. It is a direct through conductor that is connected.
  • the cathode penetrating conductor may further include at least one third cathode penetrating conductor 20A3.
  • the third cathode through conductor 20A3 is a direct through conductor that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40A at an end.
  • the cathode penetrating conductor may further include at least one fourth cathode penetrating conductor 20A4.
  • the fourth cathode through conductor 20A4 is a direct through conductor that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40A at an end.
  • the cathode through conductor further includes at least one fifth cathode through conductor 20C5.
  • the fifth cathode through conductor 20C5 is an indirect through conductor that penetrates the outer insulating layer 50, the sealing layer 30, and the capacitor section 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40A on the side surface.
  • the distance between the centers of the fifth cathode penetration conductor 20C5 and the first cathode penetration conductor 20A1 is the center distance between the fifth cathode penetration conductor 20C5 and the second cathode penetration conductor 20A2. It is equivalent to distance.
  • the effect described in the first embodiment of the present invention can be further enhanced by increasing the number of current paths due to the indirect through conductor.
  • the metal material of the anode plate and the metal material of the conductor wiring layer are different, it may be difficult to perform plating treatment on both the anode plate and the conductor wiring layer, and it may be difficult to form a through conductor.
  • indirect through conductors that are not directly connected to the anode plate can be formed without plating the anode plate, and are therefore less subject to such restrictions on the formation method. Therefore, by adopting a configuration including an indirect through conductor as in the capacitor element according to the second embodiment of the present invention, it is possible to improve the reliability of conductor connection and the degree of freedom in design.
  • the cathode through conductor preferably further includes at least one sixth cathode through conductor 20C6.
  • the sixth cathode through conductor 20C6 is an indirect through conductor that penetrates the outer insulating layer 50, the sealing layer 30, and the capacitor section 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40A on the side surface.
  • the distance between the centers of the first cathode penetration conductor 20A1 and the fifth cathode penetration conductor 20C5 is the center distance between the first cathode penetration conductor 20A1 and the sixth cathode penetration conductor 20C6. It is equivalent to distance.
  • the distance between the centers of the first cathode penetration conductor 20A1 and the second cathode penetration conductor 20A2 is equivalent to the center distance between the fifth cathode penetration conductor 20C5 and the sixth cathode penetration conductor 20C6. be.
  • FIG. 16A is a plan view schematically showing another example of the arrangement of through conductors forming the capacitor element according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 16B is a plan view showing a state in which the indirect through conductor is removed from FIG. 16A.
  • the through conductors are arranged hexagonally.
  • the cathode feedthrough conductor which is an indirect feedthrough conductor
  • the cathode feedthrough conductor which is an indirect feedthrough conductor
  • the cathode feedthrough conductor which is an indirect feedthrough conductor
  • the cathode feedthrough conductor which is an indirect feedthrough conductor
  • the cathode penetrating conductor is arranged above the anode penetrating conductor
  • an anode penetrating conductor, which is an indirect penetrating conductor is arranged below.
  • FIG. 17 is a plan view schematically showing yet another example of the arrangement of the through conductors that constitute the capacitor element according to the second embodiment of the present invention.
  • the center-to-center distance between the first cathode through conductor 20A1 and the fifth cathode through conductor 20C5 is The center-to-center distance between the first cathode through-conductor 20A1 and the second cathode through-conductor 20A2 is the same as that between the fifth cathode through-conductor 20C5 and the sixth cathode through-conductor 20C6. Different from center distance.
  • FIG. 18A is a plan view for explaining the arrangement of the anode through conductor in the arrangement shown in FIG. 15A.
  • FIG. 18B is a plan view showing a state in which the indirect through conductor is removed from FIG. 18A.
  • the cathode penetration conductor includes a first cathode penetration conductor 20A1 and a second cathode penetration conductor 20A2, and the anode penetration conductor includes a first anode penetration conductor 20B1 and a second anode penetration conductor 20B2.
  • the first cathode penetration conductor 20A1, the second cathode penetration conductor 20A2, the first anode penetration conductor 20B1, and the second anode penetration conductor 20B2 each penetrate the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction to form a conductor wiring layer. It is a direct through conductor connected at the end to 40A or 40B.
  • the anode through conductor may further include at least one third anode through conductor 20B3.
  • the third anode through conductor 20B3 is a direct through conductor that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40A at an end.
  • the anode penetrating conductor may further include at least one fourth anode penetrating conductor 20B4.
  • the fourth anode through conductor 20B4 is a direct through conductor that penetrates the sealing layer 30 and the capacitor section 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40A at an end.
  • the anode through conductor further includes at least one fifth anode through conductor 20D5.
  • the fifth anode through conductor 20D5 is an indirect through conductor that penetrates the outer insulating layer 50, the sealing layer 30, and the capacitor portion 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40A on the side surface.
  • the distance between the centers of the fifth anode penetration conductor 20D5 and the first anode penetration conductor 20B1 is the center distance between the fifth anode penetration conductor 20D5 and the second anode penetration conductor 20B2. It is equivalent to distance.
  • the anode through conductor preferably further includes at least one sixth anode through conductor 20D6.
  • the sixth anode through conductor 20D6 is an indirect through conductor that penetrates the outer insulating layer 50, the sealing layer 30, and the capacitor portion 10 in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer 40A on the side surface.
  • the distance between the centers of the first anode penetration conductor 20B1 and the fifth anode penetration conductor 20D5 is equal to the distance between the centers of the first anode penetration conductor 20B1 and the sixth anode penetration conductor 20D6. It is equivalent to distance.
  • the distance between the centers of the first anode penetration conductor 20B1 and the second anode penetration conductor 20B2 is equivalent to the center-to-center distance between the fifth anode penetration conductor 20D5 and the sixth anode penetration conductor 20D6.
  • FIG. 19A is a plan view for explaining the arrangement of the anode through conductor in the arrangement shown in FIG. 16A.
  • FIG. 19B is a plan view showing a state in which the indirect through conductor is removed from FIG. 19A.
  • FIG. 20 is a plan view for explaining the arrangement of the anode through conductor in the arrangement shown in FIG. 17.
  • the center-to-center distance between the first anode penetration conductor 20B1 and the fifth anode penetration conductor 20D5 is as follows:
  • the center-to-center distance between the first anode penetration conductor 20B1 and the second anode penetration conductor 20B2 is the same as the center-to-center distance between the fifth anode penetration conductor 20D5 and the sixth anode penetration conductor 20D6. Different from center distance.
  • the cathode through conductor 20C and the anode through conductor 20D are formed as follows, for example. First, by performing processing such as drilling or laser processing, a fourth through hole that penetrates the outer insulating layer 50, the sealing layer 30, and the capacitor portion 10 in the thickness direction is formed. Then, by metallizing the inner wall surface of the fourth through hole with a metal material containing a low resistance metal such as copper, gold, silver, etc., a cathode through conductor 20C and an anode through conductor 20D, which are indirect through conductors, are formed. .
  • the inner wall surface of the fourth through hole can be metalized by electroless copper plating, electrolytic copper plating, or the like to facilitate processing.
  • the fourth through-hole may be filled with a metal material, a composite material of metal and resin, etc. It may be a method to do so.
  • the material making up the resin filling portion 25C may have a higher or smaller coefficient of thermal expansion than the material (e.g. copper) making up the cathode through conductor 20C. It may be the same, or it may be the same.
  • the material making up the resin filling portion 25D may have a higher coefficient of thermal expansion than the material (e.g. copper) making up the anode through conductor 20D, or may have a smaller coefficient of thermal expansion. It may be the same, or it may be the same.
  • Examples of the constituent material of the conductor wiring layer 40C include metal materials containing low resistance metals such as silver, gold, and copper.
  • the conductor wiring layer 40C is formed, for example, by plating the surface of the cathode penetrating conductor 20C.
  • silver filler is used as a constituent material of the conductor wiring layer 40C.
  • a mixed material of resin and at least one conductive filler selected from the group consisting of , copper filler, nickel filler, and carbon filler may be used.
  • Examples of the constituent material of the conductor wiring layer 40D include metal materials containing low-resistance metals such as silver, gold, and copper.
  • the conductor wiring layer 40D is formed, for example, by plating the surface of the anode penetrating conductor 20D.
  • silver filler is used as a constituent material of the conductor wiring layer 40D.
  • a mixed material of a resin and at least one conductive filler selected from the group consisting of , copper filler, nickel filler, and carbon filler may be used.
  • the constituent materials of the conductor wiring layers 40C and 40D are preferably the same, at least in terms of type, but may be different from each other.
  • the outer insulating layer 50 is made of an insulating material.
  • the outer insulating layer 50 is formed, for example, by arranging the capacitor element 1 shown in FIG. 1 in a cavity provided in advance on the substrate and embedding it with an insulating resin.
  • the outer insulating layer 50 may be formed, for example, by attaching a cured prepreg to the capacitor element 1 shown in FIG. 1 via an adhesive layer.
  • the outer insulating layer 50 may be composed of only one layer, or may be composed of two or more layers. When the outer insulating layer 50 is composed of two or more layers, the materials constituting each layer may be the same or different.
  • the outer insulating layer 50 may be provided only on one side in the thickness direction, or may be provided on both sides.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view schematically showing a modification of the outer insulating layer.
  • the thickness of the outer insulating layer 50 provided on each surface may be different.
  • the capacitor element of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various applications and modifications can be made within the scope of the present invention regarding the structure of the capacitor element, the manufacturing conditions of the capacitor element, etc. .
  • the capacitor element of the present invention may include a plurality of capacitor parts.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view schematically showing an example of the position of a capacitor element including a plurality of capacitor parts.
  • a plurality of capacitor parts 10 may be stacked in the thickness direction with the outer insulating layer 50 interposed therebetween.
  • the capacitor element of the present invention includes a plurality of capacitor parts
  • the plurality of capacitor parts may be arranged so as to be stacked in the thickness direction, or may be arranged so as to be lined up on a plane, or both may be arranged so as to be stacked in the thickness direction. They may be arranged in combination.
  • the number of capacitor sections is not particularly limited as long as it is two or more.
  • the size, shape, etc. of the capacitor parts may be the same, or may be partially or completely different.
  • the configurations of the capacitor sections are preferably the same, but capacitor sections with different configurations may be included.
  • the capacitor element of the present invention can be suitably used as a constituent material of composite electronic components.
  • a composite electronic component includes, for example, a capacitor element of the present invention and an external electrode provided outside the sealing layer of the capacitor element and electrically connected to each of the anode plate and cathode layer of the capacitor element. (for example, a conductive wiring layer) and an electronic component connected to the external electrode.
  • the electronic component connected to the external electrode may be a passive element or an active element. Both the passive element and the active element may be connected to the external electrode, or either the passive element or the active element may be connected to the external electrode. Also, a composite of a passive element and an active element may be connected to an external electrode.
  • passive elements include inductors and the like.
  • Active elements include memory, GPU (Graphical Processing Unit), CPU (Central Processing Unit), MPU (Micro Processing Unit), and PMIC (Power Matrix). nagement IC), etc.
  • the capacitor element of the present invention has a sheet-like shape as a whole. Therefore, in the composite electronic component, the capacitor element can be treated like a mounting board, and the electronic component can be mounted on the capacitor element. Furthermore, by making the electronic components mounted on the capacitor element sheet-like, the capacitor element and the electronic components can be connected in the thickness direction via through-hole conductors that penetrate each electronic component in the thickness direction. is also possible. As a result, the active element and the passive element can be configured as a single module.
  • a switching regulator can be formed by electrically connecting the capacitor element of the present invention between a voltage regulator including a semiconductor active element and a load to which the converted DC voltage is supplied.
  • a circuit layer may be formed on one side of a capacitor matrix sheet in which a plurality of capacitor elements of the present invention are further laid out, and then connected to a passive element or an active element.
  • the capacitor element of the present invention may be placed in a cavity provided in advance on a substrate, filled with resin, and then a circuit layer may be formed on the resin.
  • Another electronic component passive element or active element
  • the capacitor element of the present invention may be mounted on a smooth carrier such as a wafer or glass, an outer layer made of resin may be formed, a circuit layer may be formed, and the capacitor element may be connected to a passive element or an active element. good.
  • a capacitor comprising: an anode plate having a porous portion on at least one main surface of a core; a dielectric layer provided on the surface of the porous portion; and a cathode layer provided on the surface of the dielectric layer.
  • the through conductor includes a cathode through conductor electrically connected to the cathode layer and an anode through conductor electrically connected to the anode plate
  • the cathode through conductor includes a first cathode through conductor and a second cathode through conductor
  • the anode through conductor includes a first anode through conductor
  • the distance between the centers of the first anode through conductor and the first cathode through conductor is the distance between the centers of the first anode through conductor and the second cathode through conductor.
  • Capacitor element which is equivalent to distance.
  • the cathode penetrating conductor further includes at least one third cathode penetrating conductor, In plan view from the thickness direction of the anode plate, the distance between the centers of the first cathode through conductor and the second cathode through conductor is the center distance between the first cathode through conductor and the third cathode through conductor.
  • the capacitor element according to ⁇ 1> which is equivalent to the distance.
  • ⁇ 3> In a plan view from the thickness direction of the anode plate, a line segment connecting the center of the first cathode through conductor and the center of the second cathode through conductor is 60 mm with respect to the center of the first cathode through conductor.
  • ⁇ 4> In plan view from the thickness direction of the anode plate, a line segment connecting the center of the first cathode through conductor and the center of the second cathode through conductor is 90 mm with respect to the center of the first cathode through conductor.
  • ⁇ 5> In a plan view from the thickness direction of the anode plate, a line segment connecting the center of the first cathode through conductor and the center of the second cathode through conductor is 60 mm with respect to the center of the first cathode through conductor.
  • the anode penetration conductor further includes a second anode penetration conductor, In plan view from the thickness direction of the anode plate, the center-to-center distance between the first cathode through-conductor and the first anode through-conductor is the center-to-center distance between the first cathode through-conductor and the second anode through-conductor.
  • the capacitor element according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5>, which is equivalent to the distance.
  • the anode penetration conductor further includes at least one third anode penetration conductor, In plan view from the thickness direction of the anode plate, the center-to-center distance between the first anode through-conductor and the second anode through-conductor is the center-to-center distance between the first anode through-conductor and the third anode through-conductor.
  • the capacitor element according to ⁇ 6> which is equivalent to the distance.
  • a line segment connecting the center of the first anode penetration conductor and the center of the second anode penetration conductor is 60 mm with respect to the center of the first anode penetration conductor.
  • a line segment connecting the center of the first anode penetration conductor and the center of the second anode penetration conductor is 90 mm with respect to the center of the first anode penetration conductor.
  • a line segment connecting the center of the first anode penetration conductor and the center of the second anode penetration conductor is 60 mm with respect to the center of the first anode penetration conductor.
  • the cathode penetrating conductor further includes at least one fourth cathode penetrating conductor, In plan view from the thickness direction of the anode plate, the center-to-center distance between the second cathode-through conductor and the first cathode-through conductor is the center-to-center distance between the second cathode through-conductor and the fourth cathode through-conductor.
  • the capacitor element according to any one of ⁇ 2> to ⁇ 5>, which is equivalent to the distance.
  • ⁇ 12> In a plan view from the thickness direction of the anode plate, the inside of a circle whose radius is the distance between the centers of the first cathode through conductor and the second cathode through conductor and whose center is the center of the first cathode through conductor. Exists within a circle centered on the center of the second cathode penetrating conductor, whose radius is the number of the anode penetrating conductors present in the area and the center-to-center distance between the first cathode penetrating conductor and the second cathode penetrating conductor.
  • the distance between the centers of the first cathode penetrating conductor and the second cathode penetrating conductor is the radius, and the radius overlaps with a circle centered on the center of the first cathode penetrating conductor.
  • the radius of the anode through-conductor is the total area of the anode through-conductor and the distance between the centers of the first cathode through-conductor and the second cathode through-conductor, and the radius is the center of the second cathode through-conductor.
  • the anode penetration conductor further includes at least one fourth anode penetration conductor, In a plan view from the thickness direction of the anode plate, the center-to-center distance between the second anode penetration conductor and the first anode penetration conductor is the center-to-center distance between the second anode penetration conductor and the fourth anode penetration conductor.
  • the capacitor element according to any one of ⁇ 7> to ⁇ 10>, which is equivalent to the distance.
  • ⁇ 16> In a plan view from the thickness direction of the anode plate, the inside of a circle whose radius is the center-to-center distance between the first anode penetration conductor and the second anode penetration conductor and whose center is the center of the first anode penetration conductor. Exists within a circle centered on the center of the second anode penetration conductor, with the radius being the number of the cathode penetration conductors present in the area and the center-to-center distance between the first anode penetration conductor and the second anode penetration conductor.
  • the distance between the centers of the first anode penetration conductor and the second anode penetration conductor is the radius, and the radius overlaps with a circle centered on the center of the first anode penetration conductor.
  • the radius of the total area of the cathode through-conductor and the center-to-center distance between the first anode through-conductor and the second anode through-conductor exists within a circle centered on the center of the second anode through-conductor.
  • the capacitor element according to ⁇ 16>, wherein the difference from the total area of the cathode through conductors is within ⁇ 5%.
  • a sealing layer provided to cover the capacitor section; further comprising a conductor wiring layer provided on the surface of the sealing layer and electrically connected to either the cathode through conductor or the anode through conductor,
  • the first cathode penetrating conductor, the second cathode penetrating conductor, and the first anode penetrating conductor each penetrate the sealing layer and the capacitor section in the thickness direction and are connected to the conductor wiring layer at their ends.
  • the capacitor element according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 18>, which is a direct through conductor.
  • a sealing layer provided to cover the capacitor section; a conductor wiring layer provided on the surface of the sealing layer and electrically connected to either the cathode through conductor or the anode through conductor; further comprising an outer insulating layer provided to cover the sealing layer and the conductor wiring layer,
  • the first cathode penetrating conductor, the second cathode penetrating conductor, and the first anode penetrating conductor each penetrate the sealing layer and the capacitor section in the thickness direction and are connected to the conductor wiring layer at their ends.
  • the cathode penetrating conductor further includes at least one fifth cathode penetrating conductor
  • the fifth cathode feedthrough conductor is an indirect feedthrough conductor that penetrates the outer insulating layer, the sealing layer, and the capacitor portion in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer on the side surface,
  • the distance between the centers of the fifth cathode through conductor and the first cathode through conductor is the center distance between the fifth cathode through conductor and the second cathode through conductor.
  • the capacitor element according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 18>, which is equivalent to the distance.
  • the cathode penetrating conductor further includes at least one sixth cathode penetrating conductor,
  • the sixth cathode through conductor is the indirect through conductor, In plan view from the thickness direction of the anode plate, the distance between the centers of the first cathode through conductor and the fifth cathode through conductor is the center distance between the first cathode through conductor and the sixth cathode through conductor. and the center-to-center distance between the first cathode-through conductor and the second cathode-through conductor is different from the center-to-center distance between the fifth cathode through-conductor and the sixth cathode through-conductor, ⁇ 20>.
  • a sealing layer provided to cover the capacitor section; a conductor wiring layer provided on the surface of the sealing layer and electrically connected to either the cathode through conductor or the anode through conductor; further comprising an outer insulating layer provided to cover the sealing layer and the conductor wiring layer,
  • the first cathode penetrating conductor, the second cathode penetrating conductor, the first anode penetrating conductor, and the second anode penetrating conductor each penetrate the sealing layer and the capacitor section in the thickness direction, and the conductor passes through the sealing layer and the capacitor section in the thickness direction.
  • the anode penetration conductor further includes at least one fifth anode penetration conductor,
  • the fifth anode through conductor is an indirect through conductor that penetrates the outer insulating layer, the sealing layer, and the capacitor portion in the thickness direction and is connected to the conductor wiring layer on the side surface,
  • the center-to-center distance between the fifth anode through-conductor and the first anode through-conductor is the center-to-center distance between the fifth anode through-conductor and the second anode through-conductor.
  • the capacitor element according to any one of ⁇ 6> to ⁇ 10> and ⁇ 15> to ⁇ 18>, which is equivalent to the distance.
  • the anode penetration conductor further includes at least one sixth anode penetration conductor,
  • the sixth anode through conductor is the indirect through conductor,
  • the distance between the centers of the first anode penetration conductor and the fifth anode penetration conductor is the center distance between the first anode penetration conductor and the sixth anode penetration conductor.
  • the center-to-center distance between the first anode-through conductor and the second anode-through conductor is different from the center-to-center distance between the fifth anode through-conductor and the sixth anode through-conductor, ⁇ 22>.
  • capacitor element 10 capacitor part 11 anode plate 11A core part 11B porous part 12 cathode layer 13 dielectric layer 20 through conductor 20A, 20C cathode through conductor 20A1 first cathode through conductor 20A2 second cathode through conductor 20A3 Third cathode penetration conductor 20A4 Fourth cathode penetration conductor 20C5 Fifth cathode penetration conductor 20C6 Sixth cathode penetration conductor 20B, 20D Anode penetration conductor 20B1 First anode penetration conductor 20B2 Second anode penetration conductor 20B3 Third anode penetration conductor 20B4 4 Anode penetration conductor 20D5 5th Anode penetration conductor 20D6 6th Anode penetration conductor 25A, 25B, 25C, 25D Resin filling part 30 Sealing layer 40A, 40B, 40C, 40D Conductor wiring layer 45 Via conductor 50 Outer insulation layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

コンデンサ素子２は、芯部１１Ａの少なくとも一方の主面に多孔質部１１Ｂを有する陽極板１１と、多孔質部１１Ｂの表面に設けられた誘電体層１３と、誘電体層１３の表面に設けられた陰極層１２と、を含むコンデンサ部１０と、誘電体層１３及び陽極板１１を厚さ方向に貫通する貫通導体２０と、コンデンサ部１０を覆うように設けられた封止層３０と、封止層３０の表面に設けられた導体配線層４０Ａ及び４０Ｂと、封止層３０及び導体配線層４０Ａ及び４０Ｂを覆うように設けられた外側絶縁層５０と、を備える。貫通導体２０は、陰極層１２に電気的に接続されている陰極貫通導体２０Ａ及び２０Ｃと、陽極板１１に電気的に接続されている陽極貫通導体２０Ｂ及び２０Ｄと、を含む。導体配線層４０Ａ及び４０Ｂは、陰極貫通導体２０Ａ及び陽極貫通導体２０Ｂのいずれか一方に電気的に接続されている。陰極貫通導体２０Ａは、第１陰極貫通導体２０Ａ１及び第２陰極貫通導体２０Ａ２を含む。陽極貫通導体２０Ｂは、第１陽極貫通導体２０Ｂ１を含む。陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第１陰極貫通導体２０Ａ１との中心間距離は、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第２陰極貫通導体２０Ａ２との中心間距離と同等である。第１陰極貫通導体２０Ａ１、第２陰極貫通導体２０Ａ２及び第１陽極貫通導体２０Ｂ１は、各々、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａ又は４０Ｂと端部で接続されている直接貫通導体である。陰極貫通導体２０Ｃは、少なくとも１本の第５陰極貫通導体２０Ｃ５をさらに含む。第５陰極貫通導体２０Ｃ５は、外側絶縁層５０、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａと側面で接続されている間接貫通導体である。陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第５陰極貫通導体２０Ｃ５と第１陰極貫通導体２０Ａ１との中心間距離は、第５陰極貫通導体２０Ｃ５と第２陰極貫通導体２０Ａ２との中心間距離と同等である。

Description

コンデンサ素子
　本発明は、コンデンサ素子に関する。
　特許文献１には、１枚の固体電解コンデンサシートが分割されてなる複数の固体電解コンデンサ素子と、シート状の第１封止層と、シート状の第２封止層とを備えるコンデンサアレイが開示されている。上記固体電解コンデンサシートは、弁作用金属からなる陽極板と、上記陽極板の少なくとも一方の主面に設けられた多孔質層と、上記多孔質層の表面に設けられた誘電体層と、上記誘電体層の表面に設けられた固体電解質層を含む陰極層とを備え、厚み方向に相対する第１主面及び第２主面を有する。上記複数の固体電解コンデンサ素子は、それぞれの上記第１主面側が上記第１封止層上に配置されている。上記第２封止層は、上記第１封止層上の上記複数の固体電解コンデンサ素子を上記第２主面側から覆うように配置されている。上記固体電解コンデンサ素子間がスリット状のシート除去部によって分割されている。
特開２０２０－１６７３６１号公報
　特許文献１には、第１封止層又は第２封止層を厚み方向に貫通する貫通電極が設けられ、貫通電極を介して陽極板又は陰極層と外部電極とが接続されることが好ましい旨が記載されている。例えば、特許文献１の図２２Ａ及び図２２Ｂには、陽極と陰極とが千鳥格子状に配置され、陽極板が陽極貫通電極の壁面で直接接続された構造が記載されている。
　しかしながら、特許文献１に記載のコンデンサアレイでは、コンデンサアレイに含まれる個別のコンデンサ素子における等価直列抵抗（ＥＳＲ）及び等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低減する点で改善の余地がある。
　なお、複数のコンデンサ素子を含むコンデンサアレイに限らず、単独のコンデンサ素子においても等価直列抵抗及び等価直列インダクタンスを低減する点で改善の余地がある。
　本発明は、等価直列抵抗及び等価直列インダクタンスを低減することが可能なコンデンサ素子を提供することを目的とする。
　本発明のコンデンサ素子は、芯部の少なくとも一方の主面に多孔質部を有する陽極板と、上記多孔質部の表面に設けられた誘電体層と、上記誘電体層の表面に設けられた陰極層と、を含むコンデンサ部と、上記誘電体層及び上記陽極板を厚さ方向に貫通する貫通導体と、上記コンデンサ部を覆うように設けられた封止層と、上記封止層の表面に設けられた導体配線層と、上記封止層及び上記導体配線層を覆うように設けられた外側絶縁層と、を備える。上記貫通導体は、上記陰極層に電気的に接続されている陰極貫通導体と、上記陽極板に電気的に接続されている陽極貫通導体と、を含む。上記導体配線層は、上記陰極貫通導体及び上記陽極貫通導体のいずれか一方に電気的に接続されている。上記陰極貫通導体は、第１陰極貫通導体及び第２陰極貫通導体を含む。上記陽極貫通導体は、第１陽極貫通導体を含む。上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陽極貫通導体と上記第１陰極貫通導体との中心間距離は、上記第１陽極貫通導体と上記第２陰極貫通導体との中心間距離と同等である。上記第１陰極貫通導体、上記第２陰極貫通導体及び上記第１陽極貫通導体は、各々、上記封止層及び上記コンデンサ部を上記厚さ方向に貫通して上記導体配線層と端部で接続されている直接貫通導体である。上記陰極貫通導体は、少なくとも１本の第５陰極貫通導体をさらに含む。上記第５陰極貫通導体は、上記外側絶縁層、上記封止層及び上記コンデンサ部を上記厚さ方向に貫通して上記導体配線層と側面で接続されている間接貫通導体である。上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第５陰極貫通導体と上記第１陰極貫通導体との中心間距離は、上記第５陰極貫通導体と上記第２陰極貫通導体との中心間距離と同等である。
　本発明によれば、等価直列抵抗及び等価直列インダクタンスを低減することが可能なコンデンサ素子を提供することができる。
図１は、本発明の第１実施形態に係るコンデンサ素子の一例を模式的に示す断面図である。 図２Ａは、図１のＡ線及びＡ’線に沿った平面図である。 図２Ｂは、図１のＢ線及びＢ’線に沿った平面図である。 図２Ｃは、図１のＣ線及びＣ’線に沿った平面図である。 図２Ｄは、図１のＤ線及びＤ’線に沿った平面図である。 図２Ｅは、図１のＥ線に沿った平面図である。 図３は、本発明の第１実施形態に係るコンデンサ素子を構成する貫通導体の配置の一例を模式的に示す平面図である。 図４は、図３に示す配置において、陰極貫通導体の配置を説明するための平面図である。 図５は、本発明の第１実施形態に係るコンデンサ素子を構成する貫通導体の配置の別の一例を模式的に示す平面図である。 図６は、図３に示す配置において、陽極貫通導体の配置を説明するための平面図である。 図７は、図５に示す配置において、陽極貫通導体の配置を説明するための平面図である。 図８は、図４に示す配置において、陰極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する陽極貫通導体を説明するための平面図である。 図９は、図６に示す配置において、陽極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する陰極貫通導体を説明するための平面図である。 図１０は、本発明の第１実施形態に係るコンデンサ素子を構成する貫通導体の配置のさらに別の一例を模式的に示す平面図である。 図１１は、図１０に示す配置において、陽極貫通導体の配置を説明するための平面図である。 図１２は、本発明の第２実施形態に係るコンデンサ素子の一例を模式的に示す断面図である。 図１３は、図１２とは異なる位置での断面図である。 図１４Ａは、図１２のＡ線及びＡ’線に沿った平面図である。 図１４Ｂは、図１２のＢ線及びＢ’線に沿った平面図である。 図１４Ｃは、図１２のＣ線及びＣ’線に沿った平面図である。 図１４Ｄは、図１２のＤ線及びＤ’線に沿った平面図である。 図１４Ｅは、図１２のＥ線及びＥ’線に沿った平面図である。 図１４Ｆは、図１２のＦ線及びＦ’線に沿った平面図である。 図１４Ｇは、図１２のＧ線に沿った平面図である。 図１５Ａは、本発明の第２実施形態に係るコンデンサ素子を構成する貫通導体の配置の一例を模式的に示す平面図である。 図１５Ｂは、図１５Ａから間接貫通導体を除いた状態を示す平面図である。 図１６Ａは、本発明の第２実施形態に係るコンデンサ素子を構成する貫通導体の配置の別の一例を模式的に示す平面図である。 図１６Ｂは、図１６Ａから間接貫通導体を除いた状態を示す平面図である。 図１７は、本発明の第２実施形態に係るコンデンサ素子を構成する貫通導体の配置のさらに別の一例を模式的に示す平面図である。 図１８Ａは、図１５Ａに示す配置において、陽極貫通導体の配置を説明するための平面図である。 図１８Ｂは、図１８Ａから間接貫通導体を除いた状態を示す平面図である。 図１９Ａは、図１６Ａに示す配置において、陽極貫通導体の配置を説明するための平面図である。 図１９Ｂは、図１９Ａから間接貫通導体を除いた状態を示す平面図である。 図２０は、図１７に示す配置において、陽極貫通導体の配置を説明するための平面図である。 図２１は、外側絶縁層の変形例を模式的に示す断面図である。 図２２は、複数のコンデンサ部を備えるコンデンサ素子の位置例を模式的に示す断面図である。
　以下、本発明のコンデンサ素子について説明する。なお、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更されてもよい。また、以下において記載する個々の好ましい構成を複数組み合わせたものもまた本発明である。
　以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第２実施形態以降では、第１実施形態と共通の事項についての記述は省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎には逐次言及しない。
　以下の説明において、各実施形態を特に区別しない場合、単に「本発明のコンデンサ素子」という。
　本明細書において、要素間の関係性を示す用語（例えば「垂直」、「平行」、「直交」等）及び要素の形状を示す用語は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。
　以下に示す図面は模式図であり、その寸法、縦横比の縮尺等は実際の製品と異なる場合がある。
［第１実施形態］
　図１は、本発明の第１実施形態に係るコンデンサ素子の一例を模式的に示す断面図である。図２Ａは、図１のＡ線及びＡ’線に沿った平面図である。図２Ｂは、図１のＢ線及びＢ’線に沿った平面図である。図２Ｃは、図１のＣ線及びＣ’線に沿った平面図である。図２Ｄは、図１のＤ線及びＤ’線に沿った平面図である。図２Ｅは、図１のＥ線に沿った平面図である。なお、図１は、図２ＡのＩ－Ｉ線に沿った断面図である。
　図１に示すコンデンサ素子１は、コンデンサ部１０と、貫通導体２０と、を備える。図１に示す例では、コンデンサ素子１は、封止層３０と、導体配線層４０Ａ及び４０Ｂと、をさらに備える。
　コンデンサ部１０は、芯部１１Ａの少なくとも一方の主面に多孔質部１１Ｂを有する陽極板１１と、多孔質部１１Ｂの表面に設けられた誘電体層１３と、誘電体層１３の表面に設けられた陰極層１２と、を含む。これにより、コンデンサ部１０は、電解コンデンサを構成する。図１に示す例では、陽極板１１は、芯部１１Ａの両方の主面に多孔質部１１Ｂを有するが、芯部１１Ａのいずれか一方の主面のみに多孔質部１１Ｂを有してもよい。
　陰極層１２は、例えば、誘電体層１３の表面に設けられた固体電解質層を含む。陰極層１２は、固体電解質層の表面に設けられた導電体層をさらに含むことが好ましい。陰極層１２が固体電解質層を含む場合、コンデンサ部１０は、固体電解コンデンサを構成する。
　貫通導体２０は、誘電体層１３及び陽極板１１を厚さ方向（図１では上下方向）に貫通する。
　貫通導体２０は、陰極層１２に電気的に接続されている陰極貫通導体２０Ａと、陽極板１１に電気的に接続されている陽極貫通導体２０Ｂと、を含む。
　図１に示す例では、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通するように複数の陰極貫通導体２０Ａが設けられている。各々の陰極貫通導体２０Ａは、封止層３０の表面に設けられた導体配線層４０Ａと端部で接続されている。
　陰極貫通導体２０Ａは、図２Ｃに示すように、陽極板１１の厚さ方向の平面視で、陰極層１２内に存在することが好ましい。
　陰極貫通導体２０Ａは、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する貫通孔の少なくとも内壁面に設けられていればよい。すなわち、陰極貫通導体２０Ａは、上記貫通孔の内壁面のみに設けられていてもよく、上記貫通孔の内部全体に設けられていてもよい。陰極貫通導体２０Ａが上記貫通孔の内壁面のみに設けられている場合、上記貫通孔内の陰極貫通導体２０Ａで囲まれた空間は、樹脂を含有する材料で充填されていてもよい。すなわち、陰極貫通導体２０Ａの内側には、樹脂充填部２５Ａが設けられていてもよい。
　図１に示すように、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する貫通孔と陰極貫通導体２０Ａとの間には、封止層３０等の絶縁性材料が充填される。
　図１に示す例では、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通するように複数の陽極貫通導体２０Ｂが設けられている。各々の陽極貫通導体２０Ｂは、封止層３０の表面に設けられた導体配線層４０Ｂと端部で接続されている。
　陽極貫通導体２０Ｂは、図２Ｃに示すように、陽極板１１の厚さ方向の平面視で、陰極層１２内に存在することが好ましい。
　陽極貫通導体２０Ｂは、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する貫通孔の少なくとも内壁面に設けられていればよい。すなわち、陽極貫通導体２０Ｂは、上記貫通孔の内壁面のみに設けられていてもよく、上記貫通孔の内部全体に設けられていてもよい。陽極貫通導体２０Ｂが上記貫通孔の内壁面のみに設けられている場合、上記貫通孔内の陽極貫通導体２０Ｂで囲まれた空間は、樹脂を含有する材料で充填されていてもよい。すなわち、陽極貫通導体２０Ｂの内側には、樹脂充填部２５Ｂが設けられていてもよい。
　本明細書では、貫通導体２０のうち、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａ又は４０Ｂと端部で接続されている貫通導体を「直接貫通導体」と呼ぶ。したがって、陰極貫通導体２０Ａ及び陽極貫通導体２０Ｂは、各々、直接貫通導体である。
　図１に示すように、陽極貫通導体２０Ｂは、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する貫通孔の内壁面で陽極板１１に電気的に接続されていることが好ましい。より具体的には、陽極貫通導体２０Ｂは、面方向において上記貫通孔の内壁面に対向する陽極板１１の端面に電気的に接続されていることが好ましい。この場合、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する貫通孔と陽極貫通導体２０Ｂとの間には、封止層３０等の絶縁性材料が充填されない。
　陽極貫通導体２０Ｂに電気的に接続される陽極板１１の端面には、図１に示すように、芯部１１Ａ及び多孔質部１１Ｂが露出していることが好ましい。この場合、芯部１１Ａに加えて多孔質部１１Ｂでも、陽極貫通導体２０Ｂとの電気的な接続がなされる。
　陽極板１１の厚さ方向から見たとき、陽極貫通導体２０Ｂは、図２Ｄ及び図２Ｅに示すように、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する貫通孔の全周にわたって陽極板１１に電気的に接続されていることが好ましい。
　陽極貫通導体２０Ｂは、陽極接続層を介して電気的に接続されていてもよく、陽極板１１の端面に直に接続されていてもよい。
　封止層３０は、コンデンサ部１０を覆うように設けられている。封止層３０によって、コンデンサ部１０が封止層３０で保護される。
　封止層３０は、図１に示すように、コンデンサ部１０の厚さ方向に相対する両方の主面に設けられていることが好ましい。
　導体配線層４０Ａ及び４０Ｂは、封止層３０の表面に設けられ、陰極貫通導体２０Ａ及び陽極貫通導体２０Ｂのいずれか一方に電気的に接続されている。
　導体配線層４０Ａは、陰極貫通導体２０Ａに電気的に接続されている。図１に示す例において、導体配線層４０Ａは、陰極貫通導体２０Ａの表面に設けられており、コンデンサ素子１の接続端子として機能する。
　具体的には、図１に示す例において、導体配線層４０Ａは、封止層３０を貫通するビア導体４５を介して陰極層１２に電気的に接続されており、陰極層１２用の接続端子として機能する。
　導体配線層４０Ｂは、陽極貫通導体２０Ｂに電気的に接続されている。図１に示す例において、導体配線層４０Ｂは、陽極貫通導体２０Ｂの表面に設けられており、コンデンサ素子１の接続端子として機能する。
　具体的には、図１に示す例において、導体配線層４０Ｂは、陽極貫通導体２０Ｂを介して陽極板１１に電気的に接続されており、陽極板１１用の接続端子として機能する。
　図３は、本発明の第１実施形態に係るコンデンサ素子を構成する貫通導体の配置の一例を模式的に示す平面図である。図３に示す平面図は、図２Ｅに示す平面図と同一である。
　図３に示す例では、貫通導体が正方配置されている。正方配置においては、正方形状の各頂点に貫通導体が配置されている。図３では、上側から下側に向かって陰極貫通導体と陽極貫通導体とが交互に配置されているとともに、左側から右側に向かって陰極貫通導体と陽極貫通導体とが交互に配置されている。
　図３においては、陰極貫通導体は、第１陰極貫通導体２０Ａ１及び第２陰極貫通導体２０Ａ２を含み、陽極貫通導体は、第１陽極貫通導体２０Ｂ１を含む。陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第１陰極貫通導体２０Ａ１との中心間距離は、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第２陰極貫通導体２０Ａ２との中心間距離と同等である。
　本発明の第１実施形態に係るコンデンサ素子では、１つの陰極層に複数の陰極貫通導体が電気的に接続されることで、１つのコンデンサ素子に対して電流経路が並列に形成されるため、等価直列抵抗及び等価直列インダクタンスを低減することができる。さらに、陽極貫通導体と陰極貫通導体との中心間距離が均一化されることで、各電流経路間のインピーダンス差を低減することができる。また、コンデンサ素子の発熱を分散させ、電流容量を増加させることもできる。
　本明細書において、貫通導体の中心とは、陽極板の厚さ方向からの平面視で貫通導体を内包する最小円の中心を意味する。したがって、陽極貫通導体と陰極貫通導体との中心間距離とは、上記の方法により求められる陽極貫通導体の中心と陰極貫通導体の中心とを結ぶ線分の長さを意味する。陰極貫通導体と陰極貫通導体との中心間距離、及び、陽極貫通導体と陽極貫通導体との中心間距離についても同様である。
　また、本明細書において、「中心間距離が同等である」とは、中心間距離が完全に同等である場合のみを意味する表現ではなく、中心間距離が実質的に同等である場合、例えば、数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。
　なお、第１陰極貫通導体２０Ａ１、第２陰極貫通導体２０Ａ２及び第１陽極貫通導体２０Ｂ１は、各々、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａ又は４０Ｂと端部で接続されている直接貫通導体である。
　図４は、図３に示す配置において、陰極貫通導体の配置を説明するための平面図である。
　図４に示すように、陰極貫通導体は、少なくとも１本の第３陰極貫通導体２０Ａ３をさらに含むことが好ましい。陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第２陰極貫通導体２０Ａ２との中心間距離は、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第３陰極貫通導体２０Ａ３との中心間距離と同等である。図４に示す例では、３本の第３陰極貫通導体２０Ａ３が存在する。
　陰極貫通導体が第３陰極貫通導体２０Ａ３を含む場合、図４に示すように、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心と第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心とを結ぶ線分を、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心を基準にして９０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に第３陰極貫通導体２０Ａ３が存在することが好ましい。この場合、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心と第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心とを結ぶ線分を、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心を基準にして９０度又は１８０度の角度で回転させた直線上には、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で第３陰極貫通導体２０Ａ３を内包する最小円が存在すればよい。
　なお、第３陰極貫通導体２０Ａ３は、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａと端部で接続されている直接貫通導体である。
　さらに、図４に示すように、陰極貫通導体は、少なくとも１本の第４陰極貫通導体２０Ａ４をさらに含むことが好ましい。陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第２陰極貫通導体２０Ａ２と第１陰極貫通導体２０Ａ１との中心間距離は、第２陰極貫通導体２０Ａ２と第４陰極貫通導体２０Ａ４との中心間距離と同等である。図４に示す例では、３本の第４陰極貫通導体２０Ａ４が存在する。
　陰極貫通導体が第４陰極貫通導体２０Ａ４を含む場合、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心と第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心とを結ぶ線分を、第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心を基準にして９０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に第４陰極貫通導体２０Ａ４が存在することが好ましい。この場合、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心と第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心とを結ぶ線分を、第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心を基準にして９０度又は１８０度の角度で回転させた直線上には、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で第４陰極貫通導体２０Ａ４を内包する最小円が存在すればよい。
　なお、第４陰極貫通導体２０Ａ４は、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａと端部で接続されている直接貫通導体である。
　図５は、本発明の第１実施形態に係るコンデンサ素子を構成する貫通導体の配置の別の一例を模式的に示す平面図である。
　図５に示す例では、貫通導体が六方配置されている。六方配置においては、正六角形状の各頂点及び該正六角形状の中心に貫通導体が配置されている。図５では、上側から下側に向かって陰極貫通導体と陽極貫通導体とが交互に配置されている。
　図５においても、陰極貫通導体は、第１陰極貫通導体２０Ａ１及び第２陰極貫通導体２０Ａ２を含み、陽極貫通導体は、第１陽極貫通導体２０Ｂ１を含む。陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第１陰極貫通導体２０Ａ１との中心間距離は、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第２陰極貫通導体２０Ａ２との中心間距離と同等である。
　図５に示す例では、１本の第３陰極貫通導体２０Ａ３が存在する。
　陰極貫通導体が第３陰極貫通導体２０Ａ３を含む場合、図５に示すように、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心と第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心とを結ぶ線分を、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心を基準にして６０度又は１２０度の角度で回転させた直線上に第３陰極貫通導体２０Ａ３が存在することが好ましい。この場合、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心と第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心とを結ぶ線分を、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心を基準にして６０度又は１２０度の角度で回転させた直線上には、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で第３陰極貫通導体２０Ａ３を内包する最小円が存在すればよい。
　さらに、図５に示す例では、１本の第４陰極貫通導体２０Ａ４が存在する。
　陰極貫通導体が第４陰極貫通導体２０Ａ４を含む場合、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心と第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心とを結ぶ線分を、第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心を基準にして６０度又は１２０度の角度で回転させた直線上に第４陰極貫通導体２０Ａ４が存在することが好ましい。この場合、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心と第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心とを結ぶ線分を、第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心を基準にして６０度又は１２０度の角度で回転させた直線上には、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で第４陰極貫通導体２０Ａ４を内包する最小円が存在すればよい。
　図４又は図５に示すように、陰極貫通導体が第３陰極貫通導体２０Ａ３を含む場合、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心と第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心とを結ぶ線分を、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心を基準にして６０度、９０度、１２０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に第３陰極貫通導体２０Ａ３が存在することが好ましい。
　また、陰極貫通導体が第４陰極貫通導体２０Ａ４を含む場合、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心と第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心とを結ぶ線分を、第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心を基準にして６０度、９０度、１２０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に第４陰極貫通導体２０Ａ４が存在することが好ましい。
　図６は、図３に示す配置において、陽極貫通導体の配置を説明するための平面図である。
　図６に示すように、陽極貫通導体は、第２陽極貫通導体２０Ｂ２をさらに含むことが好ましい。陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第１陽極貫通導体２０Ｂ１との中心間距離は、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第２陽極貫通導体２０Ｂ２との中心間距離と同等である。
　なお、第２陽極貫通導体２０Ｂ２は、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ｂと端部で接続されている直接貫通導体である。
　図６に示すように、陽極貫通導体は、少なくとも１本の第３陽極貫通導体２０Ｂ３をさらに含むことが好ましい。陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第２陽極貫通導体２０Ｂ２との中心間距離は、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第３陽極貫通導体２０Ｂ３との中心間距離と同等である。図６に示す例では、３本の第３陽極貫通導体２０Ｂ３が存在する。
　陽極貫通導体が第３陽極貫通導体２０Ｂ３を含む場合、図６に示すように、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心と第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心とを結ぶ線分を、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心を基準にして９０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に第３陽極貫通導体２０Ｂ３が存在することが好ましい。この場合、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心と第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心とを結ぶ線分を、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心を基準にして９０度又は１８０度の角度で回転させた直線上には、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で第３陽極貫通導体２０Ｂ３を内包する最小円が存在すればよい。
　なお、第３陽極貫通導体２０Ｂ３は、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ｂと端部で接続されている直接貫通導体である。
　さらに、図６に示すように、陽極貫通導体は、少なくとも１本の第４陽極貫通導体２０Ｂ４をさらに含むことが好ましい。陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第２陽極貫通導体２０Ｂ２と第１陽極貫通導体２０Ｂ１との中心間距離は、第２陽極貫通導体２０Ｂ２と第４陽極貫通導体２０Ｂ４との中心間距離と同等である。図６に示す例では、３本の第４陽極貫通導体２０Ｂ４が存在する。
　陽極貫通導体が第４陽極貫通導体２０Ｂ４を含む場合、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心と第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心とを結ぶ線分を、第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心を基準にして９０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に第４陽極貫通導体２０Ｂ４が存在することが好ましい。この場合、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心と第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心とを結ぶ線分を、第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心を基準にして９０度又は１８０度の角度で回転させた直線上には、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で第４陽極貫通導体２０Ｂ４を内包する最小円が存在すればよい。
　なお、第４陽極貫通導体２０Ｂ４は、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ｂと端部で接続されている直接貫通導体である。
　図７は、図５に示す配置において、陽極貫通導体の配置を説明するための平面図である。
　図７においても、陽極貫通導体は、第２陽極貫通導体２０Ｂ２をさらに含むことが好ましい。
　図７に示す例では、１本の第３陽極貫通導体２０Ｂ３が存在する。
　陽極貫通導体が第３陽極貫通導体２０Ｂ３を含む場合、図７に示すように、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心と第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心とを結ぶ線分を、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心を基準にして６０度又は１２０度の角度で回転させた直線上に第３陽極貫通導体２０Ｂ３が存在することが好ましい。この場合、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心と第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心とを結ぶ線分を、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心を基準にして６０度又は１２０度の角度で回転させた直線上には、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で第３陽極貫通導体２０Ｂ３を内包する最小円が存在すればよい。
　さらに、図７に示す例では、１本の第４陽極貫通導体２０Ｂ４が存在する。
　陽極貫通導体が第４陽極貫通導体２０Ｂ４を含む場合、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心と第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心とを結ぶ線分を、第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心を基準にして６０度又は１２０度の角度で回転させた直線上に第４陽極貫通導体２０Ｂ４が存在することが好ましい。この場合、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心と第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心とを結ぶ線分を、第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心を基準にして６０度又は１２０度の角度で回転させた直線上には、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で第４陽極貫通導体２０Ｂ４を内包する最小円が存在すればよい。
　図６又は図７に示すように、陽極貫通導体が第３陽極貫通導体２０Ｂ３を含む場合、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心と第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心とを結ぶ線分を、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心を基準にして６０度、９０度、１２０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に第３陽極貫通導体２０Ｂ３が存在することが好ましい。
　また、陽極貫通導体が第４陽極貫通導体２０Ｂ４を含む場合、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心と第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心とを結ぶ線分を、第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心を基準にして６０度、９０度、１２０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に第４陽極貫通導体２０Ｂ４が存在することが好ましい。
　図８は、図４に示す配置において、陰極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する陽極貫通導体を説明するための平面図である。
　図８に示すように、陽極板の厚さ方向からの平面視で、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第２陰極貫通導体２０Ａ２との中心間距離を半径とし、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心を中心とする円の内部に存在する陽極貫通導体２０Ｂの本数と、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第２陰極貫通導体２０Ａ２との中心間距離を半径とし、第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心を中心とする円の内部に存在する陽極貫通導体２０Ｂの本数とが同数であることが好ましい。図８に示す例では、各円の内部に４本の陽極貫通導体２０Ｂが存在する。
　図８に示すように、均等に配置された電流経路に、均等かつ並列にコンデンサを配置することで、ノイズ除去効果を高めることができる。
　特に、陽極板の厚さ方向からの平面視で、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第２陰極貫通導体２０Ａ２との中心間距離を半径とし、第１陰極貫通導体２０Ａ１の中心を中心とする円と重なる陽極貫通導体２０Ｂの合計面積と、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第２陰極貫通導体２０Ａ２との中心間距離を半径とし、第２陰極貫通導体２０Ａ２の中心を中心とする円の内部に存在する陽極貫通導体２０Ｂの合計面積との差が±５％以内であることが好ましい。
　図９は、図６に示す配置において、陽極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する陰極貫通導体を説明するための平面図である。
　図９に示すように、陽極板の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第２陽極貫通導体２０Ｂ２との中心間距離を半径とし、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心を中心とする円の内部に存在する陰極貫通導体２０Ａの本数と、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第２陽極貫通導体２０Ｂ２との中心間距離を半径とし、第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心を中心とする円の内部に存在する陰極貫通導体２０Ａの本数とが同数であることが好ましい。図９に示す例では、各円の内部に４本の陰極貫通導体２０Ａが存在する。
　特に、陽極板の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第２陽極貫通導体２０Ｂ２との中心間距離を半径とし、第１陽極貫通導体２０Ｂ１の中心を中心とする円と重なる陰極貫通導体２０Ａの合計面積と、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第２陽極貫通導体２０Ｂ２との中心間距離を半径とし、第２陽極貫通導体２０Ｂ２の中心を中心とする円の内部に存在する陰極貫通導体２０Ａの合計面積との差が±５％以内であることが好ましい。
　図１０は、本発明の第１実施形態に係るコンデンサ素子を構成する貫通導体の配置のさらに別の一例を模式的に示す平面図である。
　図１０に示す例では、貫通導体が六方配置されている。図１０では、上側から下側に向かって陰極貫通導体と陽極貫通導体とが２本ずつ交互に配置されている。
　図１０に示す例では、図５に示す例と異なり、２本の第３陰極貫通導体２０Ａ３及び２本の第４陰極貫通導体２０Ａ４が存在する。
　図４又は図１０に示すように、陰極貫通導体が第３陰極貫通導体２０Ａ３及び第４陰極貫通導体２０Ａ４を含む場合、第３陰極貫通導体２０Ａ３及び第４陰極貫通導体２０Ａ４が、各々、２本以上存在することが好ましい。この場合、等価直列抵抗及び等価直列インダクタンスを低減する効果、及び、各電流経路間のインピーダンス差を低減する効果を高めることができる。また、コンデンサ素子の発熱を分散させ、電流容量を増加させる効果を高めることもできる。
　図１１は、図１０に示す配置において、陽極貫通導体の配置を説明するための平面図である。
　図１１に示す例では、図７に示す例と異なり、２本の第３陽極貫通導体２０Ｂ３及び２本の第４陽極貫通導体２０Ｂ４が存在する。
　図６又は図１１に示すように、陽極貫通導体が第３陽極貫通導体２０Ｂ３及び第４陽極貫通導体２０Ｂ４を含む場合、第３陽極貫通導体２０Ｂ３及び第４陽極貫通導体２０Ｂ４が、各々、２本以上存在することが好ましい。
　以下では、コンデンサ素子１の詳細な構成について説明する。
　厚さ方向から見たときのコンデンサ素子１の平面形状としては、例えば、矩形（正方形又は長方形）、矩形以外の四角形、三角形、五角形、六角形等の多角形、円形、楕円形、これらを組み合わせた形状等が挙げられる。また、コンデンサ素子１の平面形状は、Ｌ字型、Ｃ字型（コの字型）、階段型等であってもよい。
　陽極板１１は、いわゆる弁作用を示す弁作用金属からなることが好ましい。弁作用金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム等の金属単体、又は、これらの金属を少なくとも１種含む合金等が挙げられる。これらの中では、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。
　陽極板１１の形状は、平板状であることが好ましく、箔状であることがより好ましい。このように、本明細書中では、「板状」に「箔状」も含まれる。
　陽極板１１は、芯部１１Ａの少なくとも一方の主面に多孔質部１１Ｂを有していればよい。つまり、陽極板１１は、芯部１１Ａの一方の主面のみに多孔質部１１Ｂを有していてもよく、芯部１１Ａの両方の主面に多孔質部１１Ｂを有していてもよい。多孔質部１１Ｂは、芯部１１Ａの表面に形成された多孔質層であることが好ましく、エッチング層であることがより好ましい。
　エッチング処理前の陽極板１１の厚さは、６０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい。エッチング処理後にエッチングされていない芯部１１Ａの厚さは、１５μｍ以上、７０μｍ以下であることが好ましい。多孔質部１１Ｂの厚さは要求される耐電圧、静電容量に合わせて設計されるが、芯部１１Ａの両側の多孔質部１１Ｂを合わせて１０μｍ以上、１８０μｍ以下であることが好ましい。
　多孔質部１１Ｂの孔径は、１０ｎｍ以上、６００ｎｍ以下であることが好ましい。なお、多孔質部１１Ｂの孔径とは、水銀ポロシメータにより測定されるメジアン径Ｄ５０を意味する。多孔質部１１Ｂの孔径は、例えばエッチングにおける各種条件を調整することにより制御することができる。
　多孔質部１１Ｂの表面に設けられる誘電体層１３は、多孔質部１１Ｂの表面状態を反映して多孔質になっており、微細な凹凸状の表面形状を有している。誘電体層１３は、上記弁作用金属の酸化皮膜からなることが好ましい。例えば、陽極板１１としてアルミニウム箔が用いられる場合、アジピン酸アンモニウム等を含む水溶液中でアルミニウム箔の表面に対して陽極酸化処理（化成処理ともいう）を行うことにより、酸化皮膜からなる誘電体層１３を形成することができる。
　誘電体層１３の厚さは要求される耐電圧、静電容量に合わせて設計されるが、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることが好ましい。
　陰極層１２が固体電解質層を含む場合、固体電解質層を構成する材料としては、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類等の導電性高分子等が挙げられる。これらの中では、ポリチオフェン類が好ましく、ＰＥＤＯＴと呼ばれるポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。また、上記導電性高分子は、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等のドーパントを含んでいてもよい。なお、固体電解質層は、誘電体層１３の細孔（凹部）を充填する内層と、誘電体層１３を被覆する外層とを含むことが好ましい。
　多孔質部１１Ｂの表面からの固体電解質層の厚さは、２μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。
　固体電解質層は、例えば、３，４－エチレンジオキシチオフェン等のモノマーを含む処理液を用いて、誘電体層１３の表面にポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）等の重合膜を形成する方法や、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）等のポリマーの分散液を誘電体層１３の表面に塗布して乾燥させる方法等によって形成される。
　固体電解質層は、上記の処理液又は分散液を、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によって誘電体層１３の表面に塗布することにより、所定の領域に形成することができる。
　陰極層１２が導電体層を含む場合、導電体層は、導電性樹脂層及び金属層のうち、少なくとも１層を含む。導電体層は、導電性樹脂層のみでもよく、金属層のみでもよい。導電体層は、固体電解質層の全面を被覆することが好ましい。
　導電性樹脂層としては、例えば、銀フィラー、銅フィラー、ニッケルフィラー及びカーボンフィラーからなる群より選択される少なくとも１種の導電性フィラーを含む導電性接着剤層等が挙げられる。
　金属層としては、例えば、金属めっき膜、金属箔等が挙げられる。金属層は、ニッケル、銅、銀及びこれらの金属を主成分とする合金からなる群より選択される少なくとも一種の金属からなることが好ましい。なお、「主成分」とは、重量割合が最も大きい元素成分をいう。
　導電体層は、例えば、固体電解質層の表面に設けられたカーボン層と、カーボン層の表面に設けられた銅層と、を含む。
　カーボン層は、固体電解質層と銅層とを電気的に及び機械的に接続させるために設けられている。カーボン層は、カーボンペーストをスポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によって固体電解質層の表面に塗布することにより、所定の領域に形成することができる。なお、カーボン層は、乾燥前の粘性のある状態で、次工程の銅層を積層することが好ましい。カーボン層の厚さは、２μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。
　銅層は、銅ペーストをスポンジ転写、スクリーン印刷、スプレー塗布、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によってカーボン層の表面に塗布することにより、所定の領域に形成することができる。銅層の厚さは、２μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。
　貫通導体２０のうち、直接貫通導体である陰極貫通導体２０Ａは、例えば、以下のようにして形成される。まず、ドリル加工、レーザー加工等の加工を行うことにより、コンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する。次に、封止層３０等の絶縁性材料を第１貫通孔に充填する。絶縁性材料が充填された部分に対して、ドリル加工、レーザー加工等の加工を行うことにより、第２貫通孔を形成する。この際、絶縁性材料を充填した第１貫通孔の直径よりも第２貫通孔の直径を小さくすることにより、面方向において、第１貫通孔の内壁面と第２貫通孔の内壁面との間に絶縁性材料が存在する状態にする。その後、第２貫通孔の内壁面を、銅、金、銀等の低抵抗の金属を含有する金属材料でメタライズすることにより、直接貫通導体である陰極貫通導体２０Ａを形成する。陰極貫通導体２０Ａを形成する際、例えば、第２貫通孔の内壁面を、無電解銅めっき処理、電解銅めっき処理等の処理でメタライズすることにより、加工が容易になる。なお、陰極貫通導体２０Ａを形成する方法については、第２貫通孔の内壁面をメタライズする方法以外に、金属材料、金属と樹脂との複合材料等を第２貫通孔に充填する方法であってもよい。
　貫通導体２０のうち、直接貫通導体である陽極貫通導体２０Ｂは、例えば、以下のようにして形成される。まず、ドリル加工、レーザー加工等の加工を行うことにより、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する第３貫通孔を形成する。そして、第３貫通孔の内壁面を、銅、金、銀等の低抵抗の金属を含有する金属材料でメタライズすることにより、直接貫通導体である陽極貫通導体２０Ｂを形成する。陽極貫通導体２０Ｂを形成する際、例えば、第３貫通孔の内壁面を、無電解銅めっき処理、電解銅めっき処理等の処理でメタライズすることにより、加工が容易になる。なお、陽極貫通導体２０Ｂを形成する方法については、第３貫通孔の内壁面をメタライズする方法以外に、金属材料、金属と樹脂との複合材料等を第３貫通孔に充填する方法であってもよい。
　陰極貫通導体２０Ａの内側に樹脂充填部２５Ａが設けられる場合、樹脂充填部２５Ａを構成する材料は、陰極貫通導体２０Ａを構成する材料（例えば銅）よりも熱膨張率が大きくてもよく、小さくてもよく、同じでもよい。
　陽極貫通導体２０Ｂの内側に樹脂充填部２５Ｂが設けられる場合、樹脂充填部２５Ｂを構成する材料は、陽極貫通導体２０Ｂを構成する材料（例えば銅）よりも熱膨張率が大きくてもよく、小さくてもよく、同じでもよい。
　封止層３０は、絶縁性材料から構成される。この場合、封止層３０は、絶縁性樹脂から構成されることが好ましい。
　封止層３０を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
　封止層３０は、フィラーをさらに含むことが好ましい。
　封止層３０に含まれるフィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子等の無機フィラーが挙げられる。
　封止層３０は、１層のみから構成されてもよく、２層以上から構成されてもよい。封止層３０が２層以上から構成される場合、各層を構成する材料は、それぞれ同じでもよく、異なっていてもよい。
　封止層３０は、例えば、絶縁性樹脂シートを熱圧着する方法、絶縁性樹脂ペーストを塗工した後で熱硬化させる方法等により、コンデンサ部１０を封止するように形成される。
　コンデンサ部１０と封止層３０との間には、例えば、応力緩和層、防湿膜等の層が設けられていてもよい。
　導体配線層４０Ａの構成材料としては、例えば、銀、金、銅等の低抵抗の金属を含有する金属材料等が挙げられる。この場合、導体配線層４０Ａは、例えば、陰極貫通導体２０Ａの表面にめっき処理を行うことにより形成される。
　導体配線層４０Ａと他の部材との間の密着性、ここでは、導体配線層４０Ａと陰極貫通導体２０Ａとの間の密着性を向上させるために、導体配線層４０Ａの構成材料として、銀フィラー、銅フィラー、ニッケルフィラー、及び、カーボンフィラーからなる群より選択される少なくとも１種の導電性フィラーと樹脂との混合材料が用いられてもよい。
　導体配線層４０Ｂの構成材料としては、例えば、銀、金、銅等の低抵抗の金属を含有する金属材料等が挙げられる。この場合、導体配線層４０Ｂは、例えば、陽極貫通導体２０Ｂの表面にめっき処理を行うことにより形成される。
　導体配線層４０Ｂと他の部材との間の密着性、ここでは、導体配線層４０Ｂと陽極貫通導体２０Ｂとの間の密着性を向上させるために、導体配線層４０Ｂの構成材料として、銀フィラー、銅フィラー、ニッケルフィラー、及び、カーボンフィラーからなる群より選択される少なくとも１種の導電性フィラーと樹脂との混合材料が用いられてもよい。
　導体配線層４０Ａ及び４０Ｂの構成材料は、少なくとも種類の点で、互いに同じであることが好ましいが、互いに異なっていてもよい。
　ビア導体４５の構成材料としては、例えば、銀、金、銅等の低抵抗の金属を含有する金属材料等が挙げられる。
　ビア導体４５は、例えば、封止層３０を厚さ方向に貫通する貫通孔に対して、上述した金属材料で内壁面にめっき処理を行ったり、導電性ペーストを充填した後に熱処理を行ったりすることにより形成される。
　図１には示されていないが、コンデンサ部１０は、陽極板１１の少なくとも一方の主面において、貫通導体２０の周囲に設けられた絶縁層をさらに含んでもよい。
　また、図１には示されていないが、コンデンサ部１０は、陽極板１１の少なくとも一方の主面において、陰極層１２の周囲を囲むように設けられた絶縁層をさらに含んでもよい。陰極層１２の周囲を絶縁層で囲むことによって、陽極板１１と陰極層１２との間の絶縁性が確保され、両者間の短絡が防止される。
　絶縁層は、絶縁性材料から構成される。この場合、絶縁層は、絶縁性樹脂から構成されることが好ましい。
　絶縁層を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、ポリフェニルスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等）、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂、及び、それらの誘導体又は前駆体等が挙げられる。
　絶縁層は、封止層３０と同じ樹脂で構成されていてもよい。封止層３０と異なり、絶縁層に無機フィラーが含有されるとコンデンサ部１０の容量有効部に悪影響を及ぼすおそれがあるため、絶縁層は樹脂単独の系からなることが好ましい。
　絶縁層は、例えば、絶縁性樹脂を含む組成物等のマスク材を、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によって多孔質部１１Ｂの表面に塗布することにより、所定の領域に形成することができる。
　絶縁層は、多孔質部１１Ｂに対して、誘電体層１３よりも前のタイミングで形成されてもよいし、誘電体層１３よりも後のタイミングで形成されてもよい。
［第２実施形態］
　本発明の第２実施形態に係るコンデンサ素子では、貫通導体は、間接貫通導体をさらに含む。
　図１２は、本発明の第２実施形態に係るコンデンサ素子の一例を模式的に示す断面図である。図１３は、図１２とは異なる位置での断面図である。図１４Ａは、図１２のＡ線及びＡ’線に沿った平面図である。図１４Ｂは、図１２のＢ線及びＢ’線に沿った平面図である。図１４Ｃは、図１２のＣ線及びＣ’線に沿った平面図である。図１４Ｄは、図１２のＤ線及びＤ’線に沿った平面図である。図１４Ｅは、図１２のＥ線及びＥ’線に沿った平面図である。図１４Ｆは、図１２のＦ線及びＦ’線に沿った平面図である。図１４Ｇは、図１２のＧ線に沿った平面図である。なお、図１２は、図１４ＡのＩ－Ｉ線に沿った断面図であり、図１３は、図１４ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。
　図１２及び図１３に示すコンデンサ素子２は、コンデンサ部１０と、貫通導体２０と、封止層３０と、導体配線層４０Ａ及び４０Ｂと、外側絶縁層５０と、を備える。図１２及び図１３に示す例では、コンデンサ素子２は、導体配線層４０Ｃ及び４０Ｄをさらに備える。
　コンデンサ部１０は、芯部１１Ａの少なくとも一方の主面に多孔質部１１Ｂを有する陽極板１１と、多孔質部１１Ｂの表面に設けられた誘電体層１３と、誘電体層１３の表面に設けられた陰極層１２と、を含む。これにより、コンデンサ部１０は、電解コンデンサを構成する。図１２及び図１３に示す例では、陽極板１１は、芯部１１Ａの両方の主面に多孔質部１１Ｂを有するが、芯部１１Ａのいずれか一方の主面のみに多孔質部１１Ｂを有してもよい。
　陰極層１２は、例えば、誘電体層１３の表面に設けられた固体電解質層を含む。陰極層１２は、固体電解質層の表面に設けられた導電体層をさらに含むことが好ましい。陰極層１２が固体電解質層を含む場合、コンデンサ部１０は、固体電解コンデンサを構成する。
　貫通導体２０は、誘電体層１３及び陽極板１１を厚さ方向（図１２及び図１３では上下方向）に貫通する。
　貫通導体２０は、陰極層１２に電気的に接続されている陰極貫通導体２０Ａ及び２０Ｃと、陽極板１１に電気的に接続されている陽極貫通導体２０Ｂ及び２０Ｄと、を含む。
　図１３に示す例では、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通するように複数の陰極貫通導体２０Ａが設けられている。各々の陰極貫通導体２０Ａは、封止層３０の表面に設けられた導体配線層４０Ａと端部で接続されている。
　陰極貫通導体２０Ａは、図１４Ｅに示すように、陽極板１１の厚さ方向の平面視で、陰極層１２内に存在することが好ましい。
　図１２に示す例では、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通するように複数の陽極貫通導体２０Ｂが設けられている。各々の陽極貫通導体２０Ｂは、封止層３０の表面に設けられた導体配線層４０Ｂと端部で接続されている。
　陽極貫通導体２０Ｂは、図１４Ｅに示すように、陽極板１１の厚さ方向の平面視で、陰極層１２内に存在することが好ましい。
　第１実施形態と同様、陰極貫通導体２０Ａ及び陽極貫通導体２０Ｂは、各々、直接貫通導体である。
　図１３に示す例では、外側絶縁層５０、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通するように複数の陰極貫通導体２０Ｃが設けられている。各々の陰極貫通導体２０Ｃは、封止層３０の表面に設けられた導体配線層４０Ａと側面で接続されている。さらに、各々の陰極貫通導体２０Ｃは、外側絶縁層５０の表面に設けられた導体配線層４０Ｃと端部で接続されている。
　陰極貫通導体２０Ｃは、図１４Ｅに示すように、陽極板１１の厚さ方向の平面視で、陰極層１２内に存在することが好ましい。
　陰極貫通導体２０Ｃは、外側絶縁層５０、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する貫通孔の少なくとも内壁面に設けられていればよい。すなわち、陰極貫通導体２０Ｃは、上記貫通孔の内壁面のみに設けられていてもよく、上記貫通孔の内部全体に設けられていてもよい。陰極貫通導体２０Ｃが上記貫通孔の内壁面のみに設けられている場合、上記貫通孔内の陰極貫通導体２０Ｃで囲まれた空間は、樹脂を含有する材料で充填されていてもよい。すなわち、陰極貫通導体２０Ｃの内側には、樹脂充填部２５Ｃが設けられていてもよい。
　図１３に示すように、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する貫通孔と陰極貫通導体２０Ｃとの間には、封止層３０等の絶縁性材料が充填される。
　図１２に示す例では、外側絶縁層５０、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通するように複数の陽極貫通導体２０Ｄが設けられている。各々の陽極貫通導体２０Ｄは、封止層３０の表面に設けられた導体配線層４０Ｂと側面で接続されている。さらに、各々の陽極貫通導体２０Ｄは、外側絶縁層５０の表面に設けられた導体配線層４０Ｄと端部で接続されている。
　陽極貫通導体２０Ｄは、図１４Ｅに示すように、陽極板１１の厚さ方向の平面視で、陰極層１２内に存在することが好ましい。
　陽極貫通導体２０Ｄは、外側絶縁層５０、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する貫通孔の少なくとも内壁面に設けられていればよい。すなわち、陽極貫通導体２０Ｄは、上記貫通孔の内壁面のみに設けられていてもよく、上記貫通孔の内部全体に設けられていてもよい。陽極貫通導体２０Ｄが上記貫通孔の内壁面のみに設けられている場合、上記貫通孔内の陽極貫通導体２０Ｄで囲まれた空間は、樹脂を含有する材料で充填されていてもよい。すなわち、陽極貫通導体２０Ｄの内側には、樹脂充填部２５Ｄが設けられていてもよい。
　図１２に示すように、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する貫通孔と陽極貫通導体２０Ｄとの間には、封止層３０等の絶縁性材料が充填されることが好ましい。
　本明細書では、貫通導体２０のうち、外側絶縁層５０、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａ又は４０Ｂと側面で接続されている貫通導体を「間接貫通導体」と呼ぶ。したがって、陰極貫通導体２０Ｃ及び陽極貫通導体２０Ｄは、各々、間接貫通導体である。また、ここで間接貫通導体は、陽極板１１とは直接接続されていない。
　封止層３０は、コンデンサ部１０を覆うように設けられている。封止層３０によって、コンデンサ部１０が封止層３０で保護される。
　封止層３０は、コンデンサ部１０の厚さ方向に相対する両方の主面に設けられていることが好ましい。
　導体配線層４０Ａ及び４０Ｂは、封止層３０の表面に設けられ、陰極貫通導体２０Ａ及び陽極貫通導体２０Ｂのいずれか一方に電気的に接続されている。
　導体配線層４０Ａは、陰極貫通導体２０Ａに電気的に接続されている。図１３に示す例において、導体配線層４０Ａは、陰極貫通導体２０Ａの表面に設けられている。
　具体的には、図１３に示す例において、導体配線層４０Ａは、封止層３０を貫通するビア導体４５を介して陰極層１２に電気的に接続されている。
　導体配線層４０Ｂは、陽極貫通導体２０Ｂに電気的に接続されている。図１２に示す例において、導体配線層４０Ｂは、陽極貫通導体２０Ｂの表面に設けられている。
　具体的には、図１２に示す例において、導体配線層４０Ｂは、陽極貫通導体２０Ｂを介して陽極板１１に電気的に接続されている。
　導体配線層４０Ｃ及び４０Ｄは、外側絶縁層５０の表面に設けられ、陰極貫通導体２０Ｃ及び陽極貫通導体２０Ｄのいずれか一方に電気的に接続されている。
　導体配線層４０Ｃは、陰極貫通導体２０Ｃに電気的に接続されている。図１３に示す例において、導体配線層４０Ｃは、陰極貫通導体２０Ｃの表面に設けられている。
　具体的には、図１３に示す例において、導体配線層４０Ｃは、陰極貫通導体２０Ｃ、導体配線層４０Ａ及びビア導体４５を介して陰極層１２に電気的に接続されている。
　導体配線層４０Ｄは、陽極貫通導体２０Ｄに電気的に接続されている。図１２に示す例において、導体配線層４０Ｄは、陽極貫通導体２０Ｄの表面に設けられている。
　具体的には、図１２に示す例において、導体配線層４０Ｄは、陽極貫通導体２０Ｄ、導体配線層４０Ｂ及び陽極貫通導体２０Ｂを介して陽極板１１に電気的に接続されている。
　図１５Ａは、本発明の第２実施形態に係るコンデンサ素子を構成する貫通導体の配置の一例を模式的に示す平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａから間接貫通導体を除いた状態を示す平面図である。
　図１５Ａに示す例では、貫通導体が正方配置されている。図１５Ｂに示すように、直接貫通導体である陰極貫通導体と直接貫通導体である陽極貫通導体とが上側から下側に向かって交互に配置されている。その上で、図１５Ａでは、左側から右側に向かって直接貫通導体と間接貫通導体とが交互に配置され、かつ、陰極貫通導体と陽極貫通導体とが交互に配置されているとともに、間接貫通導体である陰極貫通導体と間接貫通導体である陽極貫通導体とが上側から下側に向かって交互に配置されている。
　図１５Ｂにおいては、陰極貫通導体は、第１陰極貫通導体２０Ａ１及び第２陰極貫通導体２０Ａ２を含み、陽極貫通導体は、第１陽極貫通導体２０Ｂ１を含む。第１陰極貫通導体２０Ａ１、第２陰極貫通導体２０Ａ２及び第１陽極貫通導体２０Ｂ１は、各々、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａ又は４０Ｂと端部で接続されている直接貫通導体である。
　図１５Ｂに示すように、陰極貫通導体は、少なくとも１本の第３陰極貫通導体２０Ａ３をさらに含んでもよい。第３陰極貫通導体２０Ａ３は、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａと端部で接続されている直接貫通導体である。
　さらに、図１５Ｂに示すように、陰極貫通導体は、少なくとも１本の第４陰極貫通導体２０Ａ４をさらに含んでもよい。第４陰極貫通導体２０Ａ４は、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａと端部で接続されている直接貫通導体である。
　図１５Ａに示すように、陰極貫通導体は、少なくとも１本の第５陰極貫通導体２０Ｃ５をさらに含む。第５陰極貫通導体２０Ｃ５は、外側絶縁層５０、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａと側面で接続されている間接貫通導体である。
　陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第５陰極貫通導体２０Ｃ５と第１陰極貫通導体２０Ａ１との中心間距離は、第５陰極貫通導体２０Ｃ５と第２陰極貫通導体２０Ａ２との中心間距離と同等である。
　本発明の第２実施形態に係るコンデンサ素子では、間接貫通導体によって電流経路が増えることで、本発明の第１実施形態で説明した効果をさらに高めることができる。また、陽極板の金属材料と導体配線層の金属材料が異なる場合には、陽極板及び導体配線層の双方にめっき処理を施すことが難しく、貫通導体を形成することが困難な場合がある。一方、陽極板とは直接接続されない間接貫通導体については、陽極板に対してめっき処理を施さなくても形成できるため、このような形成方法の制約を受けにくい。したがって、本発明の第２実施形態に係るコンデンサ素子のように、間接貫通導体を含めた構成とすることで、導体接続の信頼性向上及び設計自由度の向上を図ることができる。
　図１５Ａに示すように、陰極貫通導体は、少なくとも１本の第６陰極貫通導体２０Ｃ６をさらに含むことが好ましい。第６陰極貫通導体２０Ｃ６は、外側絶縁層５０、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａと側面で接続されている間接貫通導体である。
　陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第５陰極貫通導体２０Ｃ５との中心間距離は、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第６陰極貫通導体２０Ｃ６との中心間距離と同等である。なお、図１５Ａに示す例では、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第２陰極貫通導体２０Ａ２との中心間距離は、第５陰極貫通導体２０Ｃ５と第６陰極貫通導体２０Ｃ６との中心間距離と同等である。
　図１６Ａは、本発明の第２実施形態に係るコンデンサ素子を構成する貫通導体の配置の別の一例を模式的に示す平面図である。図１６Ｂは、図１６Ａから間接貫通導体を除いた状態を示す平面図である。
　図１６Ａに示す例では、貫通導体が六方配置されている。図１６Ｂに示すように、直接貫通導体である陰極貫通導体が左側から右側に向かって並ぶ列と、直接貫通導体である陽極貫通導体が左側から右側に向かって並ぶ列とが、上側から下側に向かって交互に配置されている。その上で、図１６Ａでは、直接貫通導体である陰極貫通導体の上側に間接貫通導体である陰極貫通導体が、下側に間接貫通導体である陽極貫通導体が配置されているとともに、直接貫通導体である陽極貫通導体の上側に間接貫通導体である陰極貫通導体が、下側に間接貫通導体である陽極貫通導体が配置されている。
　図１６Ａ及び図１６Ｂに示す例では、貫通導体の配置が異なるものの、図１５Ａ及び図１５Ｂと同様の効果が得られる。
　図１７は、本発明の第２実施形態に係るコンデンサ素子を構成する貫通導体の配置のさらに別の一例を模式的に示す平面図である。
　図１７に示す例では、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第５陰極貫通導体２０Ｃ５との中心間距離は、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第６陰極貫通導体２０Ｃ６との中心間距離と同等であり、かつ、第１陰極貫通導体２０Ａ１と第２陰極貫通導体２０Ａ２との中心間距離は、第５陰極貫通導体２０Ｃ５と第６陰極貫通導体２０Ｃ６との中心間距離と異なる。
　図１８Ａは、図１５Ａに示す配置において、陽極貫通導体の配置を説明するための平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａから間接貫通導体を除いた状態を示す平面図である。
　図１８Ｂにおいては、陰極貫通導体は、第１陰極貫通導体２０Ａ１及び第２陰極貫通導体２０Ａ２を含み、陽極貫通導体は、第１陽極貫通導体２０Ｂ１及び第２陽極貫通導体２０Ｂ２を含む。第１陰極貫通導体２０Ａ１、第２陰極貫通導体２０Ａ２、第１陽極貫通導体２０Ｂ１及び第２陽極貫通導体２０Ｂ２は、各々、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａ又は４０Ｂと端部で接続されている直接貫通導体である。
　図１８Ｂに示すように、陽極貫通導体は、少なくとも１本の第３陽極貫通導体２０Ｂ３をさらに含んでもよい。第３陽極貫通導体２０Ｂ３は、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａと端部で接続されている直接貫通導体である。
　さらに、図１８Ｂに示すように、陽極貫通導体は、少なくとも１本の第４陽極貫通導体２０Ｂ４をさらに含んでもよい。第４陽極貫通導体２０Ｂ４は、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａと端部で接続されている直接貫通導体である。
　図１８Ａに示すように、陽極貫通導体は、少なくとも１本の第５陽極貫通導体２０Ｄ５をさらに含む。第５陽極貫通導体２０Ｄ５は、外側絶縁層５０、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａと側面で接続されている間接貫通導体である。
　陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第５陽極貫通導体２０Ｄ５と第１陽極貫通導体２０Ｂ１との中心間距離は、第５陽極貫通導体２０Ｄ５と第２陽極貫通導体２０Ｂ２との中心間距離と同等である。
　図１８Ａに示すように、陽極貫通導体は、少なくとも１本の第６陽極貫通導体２０Ｄ６をさらに含むことが好ましい。第６陽極貫通導体２０Ｄ６は、外側絶縁層５０、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通して導体配線層４０Ａと側面で接続されている間接貫通導体である。
　陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第５陽極貫通導体２０Ｄ５との中心間距離は、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第６陽極貫通導体２０Ｄ６との中心間距離と同等である。図１８Ａに示す例では、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第２陽極貫通導体２０Ｂ２との中心間距離は、第５陽極貫通導体２０Ｄ５と第６陽極貫通導体２０Ｄ６との中心間距離と同等である。
　図１９Ａは、図１６Ａに示す配置において、陽極貫通導体の配置を説明するための平面図である。図１９Ｂは、図１９Ａから間接貫通導体を除いた状態を示す平面図である。
　図１９Ａ及び図１９Ｂに示す例では、貫通導体の配置が異なるものの、図１８Ａ及び図１８Ｂと同様の効果が得られる。
　図２０は、図１７に示す配置において、陽極貫通導体の配置を説明するための平面図である。
　図２０に示す例では、陽極板１１の厚さ方向からの平面視で、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第５陽極貫通導体２０Ｄ５との中心間距離は、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第６陽極貫通導体２０Ｄ６との中心間距離と同等であり、かつ、第１陽極貫通導体２０Ｂ１と第２陽極貫通導体２０Ｂ２との中心間距離は、第５陽極貫通導体２０Ｄ５と第６陽極貫通導体２０Ｄ６との中心間距離と異なる。
　以下では、コンデンサ素子２の詳細な構成について説明する。なお、コンデンサ素子１と共通する構成についての説明は省略する。
　貫通導体２０のうち、間接貫通導体である陰極貫通導体２０Ｃ及び陽極貫通導体２０Ｄは、例えば、以下のようにして形成される。まず、ドリル加工、レーザー加工等の加工を行うことにより、外側絶縁層５０、封止層３０及びコンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する第４貫通孔を形成する。そして、第４貫通孔の内壁面を、銅、金、銀等の低抵抗の金属を含有する金属材料でメタライズすることにより、間接貫通導体である陰極貫通導体２０Ｃ及び陽極貫通導体２０Ｄを形成する。陰極貫通導体２０Ｃ及び陽極貫通導体２０Ｄを形成する際、例えば、第４貫通孔の内壁面を、無電解銅めっき処理、電解銅めっき処理等の処理でメタライズすることにより、加工が容易になる。なお、陰極貫通導体２０Ｃ及び陽極貫通導体２０Ｄを形成する方法については、第４貫通孔の内壁面をメタライズする方法以外に、金属材料、金属と樹脂との複合材料等を第４貫通孔に充填する方法であってもよい。
　陰極貫通導体２０Ｃの内側に樹脂充填部２５Ｃが設けられる場合、樹脂充填部２５Ｃを構成する材料は、陰極貫通導体２０Ｃを構成する材料（例えば銅）よりも熱膨張率が大きくてもよく、小さくてもよく、同じでもよい。
　陽極貫通導体２０Ｄの内側に樹脂充填部２５Ｄが設けられる場合、樹脂充填部２５Ｄを構成する材料は、陽極貫通導体２０Ｄを構成する材料（例えば銅）よりも熱膨張率が大きくてもよく、小さくてもよく、同じでもよい。
　導体配線層４０Ｃの構成材料としては、例えば、銀、金、銅等の低抵抗の金属を含有する金属材料等が挙げられる。この場合、導体配線層４０Ｃは、例えば、陰極貫通導体２０Ｃの表面にめっき処理を行うことにより形成される。
　導体配線層４０Ｃと他の部材との間の密着性、ここでは、導体配線層４０Ｃと陰極貫通導体２０Ｃとの間の密着性を向上させるために、導体配線層４０Ｃの構成材料として、銀フィラー、銅フィラー、ニッケルフィラー、及び、カーボンフィラーからなる群より選択される少なくとも１種の導電性フィラーと樹脂との混合材料が用いられてもよい。
　導体配線層４０Ｄの構成材料としては、例えば、銀、金、銅等の低抵抗の金属を含有する金属材料等が挙げられる。この場合、導体配線層４０Ｄは、例えば、陽極貫通導体２０Ｄの表面にめっき処理を行うことにより形成される。
　導体配線層４０Ｄと他の部材との間の密着性、ここでは、導体配線層４０Ｄと陽極貫通導体２０Ｄとの間の密着性を向上させるために、導体配線層４０Ｄの構成材料として、銀フィラー、銅フィラー、ニッケルフィラー、及び、カーボンフィラーからなる群より選択される少なくとも１種の導電性フィラーと樹脂との混合材料が用いられてもよい。
　導体配線層４０Ｃ及び４０Ｄの構成材料は、少なくとも種類の点で、互いに同じであることが好ましいが、互いに異なっていてもよい。
　外側絶縁層５０は、絶縁性材料から構成される。
　外側絶縁層５０は、例えば、基板に予め設けられたキャビティ部に、図１に示すコンデンサ素子１を配置し、絶縁性樹脂で埋め込むことにより形成される。
　あるいは、外側絶縁層５０は、例えば、図１に示すコンデンサ素子１に対して、接着層を介して硬化済みのプリプレグを貼り付けることにより形成されてもよい。
　外側絶縁層５０は、１層のみから構成されてもよく、２層以上から構成されてもよい。外側絶縁層５０が２層以上から構成される場合、各層を構成する材料は、それぞれ同じでもよく、異なっていてもよい。
　外側絶縁層５０は、厚さ方向の片面にのみ設けられていてもよく、両面に設けられていてもよい。
　図２１は、外側絶縁層の変形例を模式的に示す断面図である。
　図２１に示すコンデンサ素子３のように、外側絶縁層５０が厚さ方向の両面に設けられる場合、それぞれの面に設けられる外側絶縁層５０の厚さが異なっていてもよい。
　本発明のコンデンサ素子は、上記実施形態に限定されるものではなく、コンデンサ素子の構成、コンデンサ素子の製造条件等に関し、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
　例えば、本発明のコンデンサ素子は、複数のコンデンサ部を備えてもよい。
　図２２は、複数のコンデンサ部を備えるコンデンサ素子の位置例を模式的に示す断面図である。
　図２２に示すコンデンサ素子４のように、複数のコンデンサ部１０が外側絶縁層５０を介して厚さ方向に積層されていてもよい。
　本発明のコンデンサ素子が複数のコンデンサ部を備える場合、複数のコンデンサ部は、厚さ方向に積層するように配置されていてもよく、平面上に並ぶように配置されていてもよく、両者を組み合わせて配置されていてもよい。
　本発明のコンデンサ素子が複数のコンデンサ部を備える場合、コンデンサ部の個数は、２個以上であれば特に限定されない。コンデンサ部の大きさ及び形状等は、それぞれ同じでもよく、一部又は全部が異なってもよい。
　本発明のコンデンサ素子が複数のコンデンサ部を備える場合、コンデンサ部の構成は、それぞれ同じであることが好ましいが、構成の異なるコンデンサ部が含まれていてもよい。
　本発明のコンデンサ素子は、複合電子部品の構成材料として好適に使用することができる。このような複合電子部品は、例えば、本発明のコンデンサ素子と、上記コンデンサ素子の封止層の外側に設けられ、上記コンデンサ素子の陽極板及び陰極層のそれぞれに電気的に接続された外部電極（例えば、導体配線層）と、上記外部電極に接続された電子部品とを備える。
　複合電子部品において、外部電極に接続される電子部品としては、受動素子でもよく、能動素子でもよい。受動素子及び能動素子の両方が外部電極に接続されてもよく、受動素子及び能動素子のいずれか一方が外部電極に接続されてもよい。また、受動素子及び能動素子の複合体が外部電極に接続されてもよい。
　受動素子としては、例えば、インダクタ等が挙げられる。能動素子としては、メモリ、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、ＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ　Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ　ＩＣ）等が挙げられる。
　本発明のコンデンサ素子は、全体としてシート状の形状を有している。したがって、複合電子部品においては、コンデンサ素子を実装基板のように扱うことができ、コンデンサ素子上に電子部品を実装することができる。さらに、コンデンサ素子に実装する電子部品の形状をシート状にすることにより、各電子部品を厚さ方向に貫通するスルーホール導体を介して、コンデンサ素子と電子部品とを厚さ方向に接続することも可能である。その結果、能動素子及び受動素子を一括のモジュールのように構成することができる。
　例えば、半導体アクティブ素子を含むボルテージレギュレータと、変換された直流電圧が供給される負荷との間に本発明のコンデンサ素子を電気的に接続し、スイッチングレギュレータを形成することができる。
　複合電子部品においては、本発明のコンデンサ素子がさらに複数個レイアウトされたコンデンサマトリクスシートのいずれかの一方の面に回路層を形成した上で、受動素子又は能動素子に接続されていてもよい。
　また、予め基板に設けたキャビティ部に本発明のコンデンサ素子を配置し、樹脂で埋め込んだ後、その樹脂上に回路層を形成してもよい。同基板の別のキャビティ部には、別の電子部品（受動素子又は能動素子）が搭載されていてもよい。
　あるいは、本発明のコンデンサ素子をウエハ又はガラス等の平滑なキャリアの上に実装し、樹脂による外層部を形成した後、回路層を形成した上で、受動素子又は能動素子に接続されていてもよい。
　本明細書には、以下の内容が開示されている。
＜１＞
　芯部の少なくとも一方の主面に多孔質部を有する陽極板と、上記多孔質部の表面に設けられた誘電体層と、上記誘電体層の表面に設けられた陰極層と、を含むコンデンサ部と、
　上記誘電体層及び上記陽極板を厚さ方向に貫通する貫通導体と、を備え、
　上記貫通導体は、上記陰極層に電気的に接続されている陰極貫通導体と、上記陽極板に電気的に接続されている陽極貫通導体と、を含み、
　上記陰極貫通導体は、第１陰極貫通導体及び第２陰極貫通導体を含み、
　上記陽極貫通導体は、第１陽極貫通導体を含み、
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陽極貫通導体と上記第１陰極貫通導体との中心間距離は、上記第１陽極貫通導体と上記第２陰極貫通導体との中心間距離と同等である、コンデンサ素子。
＜２＞
　上記陰極貫通導体は、少なくとも１本の第３陰極貫通導体をさらに含み、
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陰極貫通導体と上記第２陰極貫通導体との中心間距離は、上記第１陰極貫通導体と上記第３陰極貫通導体との中心間距離と同等である、＜１＞に記載のコンデンサ素子。
＜３＞
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陰極貫通導体の中心と上記第２陰極貫通導体の中心とを結ぶ線分を、上記第１陰極貫通導体の中心を基準にして６０度、９０度、１２０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に上記第３陰極貫通導体が存在する、＜２＞に記載のコンデンサ素子。
＜４＞
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陰極貫通導体の中心と上記第２陰極貫通導体の中心とを結ぶ線分を、上記第１陰極貫通導体の中心を基準にして９０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に上記第３陰極貫通導体が存在する、＜２＞に記載のコンデンサ素子。
＜５＞
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陰極貫通導体の中心と上記第２陰極貫通導体の中心とを結ぶ線分を、上記第１陰極貫通導体の中心を基準にして６０度又は１２０度の角度で回転させた直線上に上記第３陰極貫通導体が存在する、＜２＞に記載のコンデンサ素子。
＜６＞
　上記陽極貫通導体は、第２陽極貫通導体をさらに含み、
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陰極貫通導体と上記第１陽極貫通導体との中心間距離は、上記第１陰極貫通導体と上記第２陽極貫通導体との中心間距離と同等である、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載のコンデンサ素子。
＜７＞
　上記陽極貫通導体は、少なくとも１本の第３陽極貫通導体をさらに含み、
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陽極貫通導体と上記第２陽極貫通導体との中心間距離は、上記第１陽極貫通導体と上記第３陽極貫通導体との中心間距離と同等である、＜６＞に記載のコンデンサ素子。
＜８＞
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陽極貫通導体の中心と上記第２陽極貫通導体の中心とを結ぶ線分を、上記第１陽極貫通導体の中心を基準にして６０度、９０度、１２０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に上記第３陽極貫通導体が存在する、＜７＞に記載のコンデンサ素子。
＜９＞
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陽極貫通導体の中心と上記第２陽極貫通導体の中心とを結ぶ線分を、上記第１陽極貫通導体の中心を基準にして９０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に上記第３陽極貫通導体が存在する、＜７＞に記載のコンデンサ素子。
＜１０＞
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陽極貫通導体の中心と上記第２陽極貫通導体の中心とを結ぶ線分を、上記第１陽極貫通導体の中心を基準にして６０度又は１２０度の角度で回転させた直線上に上記第３陽極貫通導体が存在する、＜７＞に記載のコンデンサ素子。
＜１１＞
　上記陰極貫通導体は、少なくとも１本の第４陰極貫通導体をさらに含み、
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第２陰極貫通導体と上記第１陰極貫通導体との中心間距離は、上記第２陰極貫通導体と上記第４陰極貫通導体との中心間距離と同等である、＜２＞～＜５＞のいずれか１つに記載のコンデンサ素子。
＜１２＞
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陰極貫通導体と上記第２陰極貫通導体との中心間距離を半径とし、上記第１陰極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する上記陽極貫通導体の本数と、上記第１陰極貫通導体と上記第２陰極貫通導体との中心間距離を半径とし、上記第２陰極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する上記陽極貫通導体の本数とが同数である、＜１１＞に記載のコンデンサ素子。
＜１３＞
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陰極貫通導体と上記第２陰極貫通導体との中心間距離を半径とし、上記第１陰極貫通導体の中心を中心とする円と重なる上記陽極貫通導体の合計面積と、上記第１陰極貫通導体と上記第２陰極貫通導体との中心間距離を半径とし、上記第２陰極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する上記陽極貫通導体の合計面積との差が±５％以内である、＜１２＞に記載のコンデンサ素子。
＜１４＞
　上記第３陰極貫通導体及び上記第４陰極貫通導体が、各々、２本以上存在する、＜１２＞又は＜１３＞に記載のコンデンサ素子。
＜１５＞
　上記陽極貫通導体は、少なくとも１本の第４陽極貫通導体をさらに含み、
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第２陽極貫通導体と上記第１陽極貫通導体との中心間距離は、上記第２陽極貫通導体と上記第４陽極貫通導体との中心間距離と同等である、＜７＞～＜１０＞のいずれか１つに記載のコンデンサ素子。
＜１６＞
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陽極貫通導体と上記第２陽極貫通導体との中心間距離を半径とし、上記第１陽極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する上記陰極貫通導体の本数と、上記第１陽極貫通導体と上記第２陽極貫通導体との中心間距離を半径とし、上記第２陽極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する上記陰極貫通導体の本数とが同数である、＜１５＞に記載のコンデンサ素子。
＜１７＞
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陽極貫通導体と上記第２陽極貫通導体との中心間距離を半径とし、上記第１陽極貫通導体の中心を中心とする円と重なる上記陰極貫通導体の合計面積と、上記第１陽極貫通導体と上記第２陽極貫通導体との中心間距離を半径とし、上記第２陽極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する上記陰極貫通導体の合計面積との差が±５％以内である、＜１６＞に記載のコンデンサ素子。
＜１８＞
　上記第３陽極貫通導体及び上記第４陽極貫通導体が、各々、２本以上存在する、＜１６＞又は＜１７＞に記載のコンデンサ素子。
＜１９＞
　上記コンデンサ部を覆うように設けられた封止層と、
　上記封止層の表面に設けられ、上記陰極貫通導体及び上記陽極貫通導体のいずれか一方に電気的に接続されている導体配線層と、をさらに備え、
　上記第１陰極貫通導体、上記第２陰極貫通導体及び上記第１陽極貫通導体は、各々、上記封止層及び上記コンデンサ部を上記厚さ方向に貫通して上記導体配線層と端部で接続されている直接貫通導体である、＜１＞～＜１８＞のいずれか１つに記載のコンデンサ素子。
＜２０＞
　上記コンデンサ部を覆うように設けられた封止層と、
　上記封止層の表面に設けられ、上記陰極貫通導体及び上記陽極貫通導体のいずれか一方に電気的に接続されている導体配線層と、
　上記封止層及び上記導体配線層を覆うように設けられた外側絶縁層と、をさらに備え、
　上記第１陰極貫通導体、上記第２陰極貫通導体及び上記第１陽極貫通導体は、各々、上記封止層及び上記コンデンサ部を上記厚さ方向に貫通して上記導体配線層と端部で接続されている直接貫通導体であり、
　上記陰極貫通導体は、少なくとも１本の第５陰極貫通導体をさらに含み、
　上記第５陰極貫通導体は、上記外側絶縁層、上記封止層及び上記コンデンサ部を上記厚さ方向に貫通して上記導体配線層と側面で接続されている間接貫通導体であり、
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第５陰極貫通導体と上記第１陰極貫通導体との中心間距離は、上記第５陰極貫通導体と上記第２陰極貫通導体との中心間距離と同等である、＜１＞～＜１８＞のいずれか１つに記載のコンデンサ素子。
＜２１＞
　上記陰極貫通導体は、少なくとも１本の第６陰極貫通導体をさらに含み、
　上記第６陰極貫通導体は、上記間接貫通導体であり、
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陰極貫通導体と上記第５陰極貫通導体との中心間距離は、上記第１陰極貫通導体と上記第６陰極貫通導体との中心間距離と同等であり、かつ、上記第１陰極貫通導体と上記第２陰極貫通導体との中心間距離は、上記第５陰極貫通導体と上記第６陰極貫通導体との中心間距離と異なる、＜２０＞に記載のコンデンサ素子。
＜２２＞
　上記コンデンサ部を覆うように設けられた封止層と、
　上記封止層の表面に設けられ、上記陰極貫通導体及び上記陽極貫通導体のいずれか一方に電気的に接続されている導体配線層と、
　上記封止層及び上記導体配線層を覆うように設けられた外側絶縁層と、をさらに備え、
　上記第１陰極貫通導体、上記第２陰極貫通導体、上記第１陽極貫通導体及び上記第２陽極貫通導体は、各々、上記封止層及び上記コンデンサ部を上記厚さ方向に貫通して上記導体配線層と端部で接続されている直接貫通導体であり、
　上記陽極貫通導体は、少なくとも１本の第５陽極貫通導体をさらに含み、
　上記第５陽極貫通導体は、上記外側絶縁層、上記封止層及び上記コンデンサ部を上記厚さ方向に貫通して上記導体配線層と側面で接続されている間接貫通導体であり、
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第５陽極貫通導体と上記第１陽極貫通導体との中心間距離は、上記第５陽極貫通導体と上記第２陽極貫通導体との中心間距離と同等である、＜６＞～＜１０＞及び＜１５＞～＜１８＞のいずれか１つに記載のコンデンサ素子。
＜２３＞
　上記陽極貫通導体は、少なくとも１本の第６陽極貫通導体をさらに含み、
　上記第６陽極貫通導体は、上記間接貫通導体であり、
　上記陽極板の厚さ方向からの平面視で、上記第１陽極貫通導体と上記第５陽極貫通導体との中心間距離は、上記第１陽極貫通導体と上記第６陽極貫通導体との中心間距離と同等であり、かつ、上記第１陽極貫通導体と上記第２陽極貫通導体との中心間距離は、上記第５陽極貫通導体と上記第６陽極貫通導体との中心間距離と異なる、＜２２＞に記載のコンデンサ素子。
　１、２、３、４　コンデンサ素子
　１０　コンデンサ部
　１１　陽極板
　１１Ａ　芯部
　１１Ｂ　多孔質部
　１２　陰極層
　１３　誘電体層
　２０　貫通導体
　２０Ａ、２０Ｃ　陰極貫通導体
　２０Ａ１　第１陰極貫通導体
　２０Ａ２　第２陰極貫通導体
　２０Ａ３　第３陰極貫通導体
　２０Ａ４　第４陰極貫通導体
　２０Ｃ５　第５陰極貫通導体
　２０Ｃ６　第６陰極貫通導体
　２０Ｂ、２０Ｄ　陽極貫通導体
　２０Ｂ１　第１陽極貫通導体
　２０Ｂ２　第２陽極貫通導体
　２０Ｂ３　第３陽極貫通導体
　２０Ｂ４　第４陽極貫通導体
　２０Ｄ５　第５陽極貫通導体
　２０Ｄ６　第６陽極貫通導体
　２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｄ　樹脂充填部
　３０　封止層
　４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ｄ　導体配線層
　４５　ビア導体
　５０　外側絶縁層

Claims (25)

  1. 　芯部の少なくとも一方の主面に多孔質部を有する陽極板と、前記多孔質部の表面に設けられた誘電体層と、前記誘電体層の表面に設けられた陰極層と、を含むコンデンサ部と、
    　前記誘電体層及び前記陽極板を厚さ方向に貫通する貫通導体と、
    　前記コンデンサ部を覆うように設けられた封止層と、
    　前記封止層の表面に設けられた導体配線層と、
    　前記封止層及び前記導体配線層を覆うように設けられた外側絶縁層と、を備え、
    　前記貫通導体は、前記陰極層に電気的に接続されている陰極貫通導体と、前記陽極板に電気的に接続されている陽極貫通導体と、を含み、
    　前記導体配線層は、前記陰極貫通導体及び前記陽極貫通導体のいずれか一方に電気的に接続されており、
    　前記陰極貫通導体は、第１陰極貫通導体及び第２陰極貫通導体を含み、
    　前記陽極貫通導体は、第１陽極貫通導体を含み、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陽極貫通導体と前記第１陰極貫通導体との中心間距離は、前記第１陽極貫通導体と前記第２陰極貫通導体との中心間距離と同等であり、
    　前記第１陰極貫通導体、前記第２陰極貫通導体及び前記第１陽極貫通導体は、各々、前記封止層及び前記コンデンサ部を前記厚さ方向に貫通して前記導体配線層と端部で接続されている直接貫通導体であり、
    　前記陰極貫通導体は、少なくとも１本の第５陰極貫通導体をさらに含み、
    　前記第５陰極貫通導体は、前記外側絶縁層、前記封止層及び前記コンデンサ部を前記厚さ方向に貫通して前記導体配線層と側面で接続されている間接貫通導体であり、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第５陰極貫通導体と前記第１陰極貫通導体との中心間距離は、前記第５陰極貫通導体と前記第２陰極貫通導体との中心間距離と同等である、コンデンサ素子。
  2. 　前記陰極貫通導体は、少なくとも１本の第３陰極貫通導体をさらに含み、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陰極貫通導体と前記第２陰極貫通導体との中心間距離は、前記第１陰極貫通導体と前記第３陰極貫通導体との中心間距離と同等である、請求項１に記載のコンデンサ素子。
  3. 　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陰極貫通導体の中心と前記第２陰極貫通導体の中心とを結ぶ線分を、前記第１陰極貫通導体の中心を基準にして６０度、９０度、１２０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に前記第３陰極貫通導体が存在する、請求項２に記載のコンデンサ素子。
  4. 　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陰極貫通導体の中心と前記第２陰極貫通導体の中心とを結ぶ線分を、前記第１陰極貫通導体の中心を基準にして９０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に前記第３陰極貫通導体が存在する、請求項２に記載のコンデンサ素子。
  5. 　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陰極貫通導体の中心と前記第２陰極貫通導体の中心とを結ぶ線分を、前記第１陰極貫通導体の中心を基準にして６０度又は１２０度の角度で回転させた直線上に前記第３陰極貫通導体が存在する、請求項２に記載のコンデンサ素子。
  6. 　前記陽極貫通導体は、第２陽極貫通導体をさらに含み、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陰極貫通導体と前記第１陽極貫通導体との中心間距離は、前記第１陰極貫通導体と前記第２陽極貫通導体との中心間距離と同等である、請求項１～５のいずれか１項に記載のコンデンサ素子。
  7. 　前記陽極貫通導体は、少なくとも１本の第３陽極貫通導体をさらに含み、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陽極貫通導体と前記第２陽極貫通導体との中心間距離は、前記第１陽極貫通導体と前記第３陽極貫通導体との中心間距離と同等である、請求項６に記載のコンデンサ素子。
  8. 　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陽極貫通導体の中心と前記第２陽極貫通導体の中心とを結ぶ線分を、前記第１陽極貫通導体の中心を基準にして６０度、９０度、１２０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に前記第３陽極貫通導体が存在する、請求項７に記載のコンデンサ素子。
  9. 　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陽極貫通導体の中心と前記第２陽極貫通導体の中心とを結ぶ線分を、前記第１陽極貫通導体の中心を基準にして９０度又は１８０度の角度で回転させた直線上に前記第３陽極貫通導体が存在する、請求項７に記載のコンデンサ素子。
  10. 　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陽極貫通導体の中心と前記第２陽極貫通導体の中心とを結ぶ線分を、前記第１陽極貫通導体の中心を基準にして６０度又は１２０度の角度で回転させた直線上に前記第３陽極貫通導体が存在する、請求項７に記載のコンデンサ素子。
  11. 　前記陰極貫通導体は、少なくとも１本の第４陰極貫通導体をさらに含み、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第２陰極貫通導体と前記第１陰極貫通導体との中心間距離は、前記第２陰極貫通導体と前記第４陰極貫通導体との中心間距離と同等である、請求項２～５のいずれか１項に記載のコンデンサ素子。
  12. 　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陰極貫通導体と前記第２陰極貫通導体との中心間距離を半径とし、前記第１陰極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する前記陽極貫通導体の本数と、前記第１陰極貫通導体と前記第２陰極貫通導体との中心間距離を半径とし、前記第２陰極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する前記陽極貫通導体の本数とが同数である、請求項１１に記載のコンデンサ素子。
  13. 　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陰極貫通導体と前記第２陰極貫通導体との中心間距離を半径とし、前記第１陰極貫通導体の中心を中心とする円と重なる前記陽極貫通導体の合計面積と、前記第１陰極貫通導体と前記第２陰極貫通導体との中心間距離を半径とし、前記第２陰極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する前記陽極貫通導体の合計面積との差が±５％以内である、請求項１２に記載のコンデンサ素子。
  14. 　前記第３陰極貫通導体及び前記第４陰極貫通導体が、各々、２本以上存在する、請求項１２又は１３に記載のコンデンサ素子。
  15. 　前記陽極貫通導体は、少なくとも１本の第４陽極貫通導体をさらに含み、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第２陽極貫通導体と前記第１陽極貫通導体との中心間距離は、前記第２陽極貫通導体と前記第４陽極貫通導体との中心間距離と同等である、請求項７～１０のいずれか１項に記載のコンデンサ素子。
  16. 　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陽極貫通導体と前記第２陽極貫通導体との中心間距離を半径とし、前記第１陽極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する前記陰極貫通導体の本数と、前記第１陽極貫通導体と前記第２陽極貫通導体との中心間距離を半径とし、前記第２陽極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する前記陰極貫通導体の本数とが同数である、請求項１５に記載のコンデンサ素子。
  17. 　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陽極貫通導体と前記第２陽極貫通導体との中心間距離を半径とし、前記第１陽極貫通導体の中心を中心とする円と重なる前記陰極貫通導体の合計面積と、前記第１陽極貫通導体と前記第２陽極貫通導体との中心間距離を半径とし、前記第２陽極貫通導体の中心を中心とする円の内部に存在する前記陰極貫通導体の合計面積との差が±５％以内である、請求項１６に記載のコンデンサ素子。
  18. 　前記第３陽極貫通導体及び前記第４陽極貫通導体が、各々、２本以上存在する、請求項１６又は１７に記載のコンデンサ素子。
  19. 　前記陰極貫通導体は、少なくとも１本の第６陰極貫通導体をさらに含み、
    　前記第６陰極貫通導体は、前記間接貫通導体であり、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陰極貫通導体と前記第５陰極貫通導体との中心間距離は、前記第１陰極貫通導体と前記第６陰極貫通導体との中心間距離と同等であり、かつ、前記第１陰極貫通導体と前記第２陰極貫通導体との中心間距離は、前記第５陰極貫通導体と前記第６陰極貫通導体との中心間距離と異なる、請求項１～１８のいずれか１項に記載のコンデンサ素子。
  20. 　前記第２陽極貫通導体は、前記直接貫通導体であり、
    　前記陽極貫通導体は、少なくとも１本の第５陽極貫通導体をさらに含み、
    　前記第５陽極貫通導体は、前記間接貫通導体であり、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第５陽極貫通導体と前記第１陽極貫通導体との中心間距離は、前記第５陽極貫通導体と前記第２陽極貫通導体との中心間距離と同等である、請求項６～１０及び１５～１８のいずれか１項に記載のコンデンサ素子。
  21. 　前記陽極貫通導体は、少なくとも１本の第６陽極貫通導体をさらに含み、
    　前記第６陽極貫通導体は、前記間接貫通導体であり、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陽極貫通導体と前記第５陽極貫通導体との中心間距離は、前記第１陽極貫通導体と前記第６陽極貫通導体との中心間距離と同等であり、かつ、前記第１陽極貫通導体と前記第２陽極貫通導体との中心間距離は、前記第５陽極貫通導体と前記第６陽極貫通導体との中心間距離と異なる、請求項２０に記載のコンデンサ素子。
  22. 　芯部の少なくとも一方の主面に多孔質部を有する陽極板と、前記多孔質部の表面に設けられた誘電体層と、前記誘電体層の表面に設けられた陰極層と、を含むコンデンサ部と、
    　前記誘電体層及び前記陽極板を厚さ方向に貫通する貫通導体と、
    　前記コンデンサ部を覆うように設けられた封止層と、
    　前記封止層の表面に設けられた導体配線層と、
    　前記封止層及び前記導体配線層を覆うように設けられた外側絶縁層と、を備え、
    　前記貫通導体は、前記陰極層に電気的に接続されている陰極貫通導体と、前記陽極板に電気的に接続されている陽極貫通導体と、を含み、
    　前記導体配線層は、前記陰極貫通導体及び前記陽極貫通導体のいずれか一方に電気的に接続されており、
    　前記陰極貫通導体は、第１陰極貫通導体及び第２陰極貫通導体を含み、
    　前記陽極貫通導体は、第１陽極貫通導体を含み、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陽極貫通導体と前記第１陰極貫通導体との中心間距離は、前記第１陽極貫通導体と前記第２陰極貫通導体との中心間距離と同等であり、
    　前記陽極貫通導体は、第２陽極貫通導体をさらに含み、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陰極貫通導体と前記第１陽極貫通導体との中心間距離は、前記第１陰極貫通導体と前記第２陽極貫通導体との中心間距離と同等であり、
    　前記第１陰極貫通導体、前記第２陰極貫通導体、前記第１陽極貫通導体及び前記第２陽極貫通導体は、各々、前記封止層及び前記コンデンサ部を前記厚さ方向に貫通して前記導体配線層と端部で接続されている直接貫通導体であり、
    　前記陽極貫通導体は、少なくとも１本の第５陽極貫通導体をさらに含み、
    　前記第５陽極貫通導体は、前記外側絶縁層、前記封止層及び前記コンデンサ部を前記厚さ方向に貫通して前記導体配線層と側面で接続されている間接貫通導体であり、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第５陽極貫通導体と前記第１陽極貫通導体との中心間距離は、前記第５陽極貫通導体と前記第２陽極貫通導体との中心間距離と同等である、コンデンサ素子。
  23. 　前記陽極貫通導体は、少なくとも１本の第６陽極貫通導体をさらに含み、
    　前記第６陽極貫通導体は、前記間接貫通導体であり、
    　前記陽極板の厚さ方向からの平面視で、前記第１陽極貫通導体と前記第５陽極貫通導体との中心間距離は、前記第１陽極貫通導体と前記第６陽極貫通導体との中心間距離と同等であり、かつ、前記第１陽極貫通導体と前記第２陽極貫通導体との中心間距離は、前記第５陽極貫通導体と前記第６陽極貫通導体との中心間距離と異なる、請求項２２に記載のコンデンサ素子。
  24. 　芯部の少なくとも一方の主面に多孔質部を有する陽極板と、前記多孔質部の表面に設けられた誘電体層と、前記誘電体層の表面に設けられた陰極層と、を含むコンデンサ部と、
    　前記誘電体層及び前記陽極板を厚さ方向に貫通する貫通導体と、
    　前記コンデンサ部を覆うように設けられた封止層と、
    　前記封止層の表面に設けられた導体配線層と、
    　前記封止層及び前記導体配線層を覆うように設けられた外側絶縁層と、を備え、
    　前記貫通導体は、前記陰極層に電気的に接続されている陰極貫通導体と、前記陽極板に電気的に接続されている陽極貫通導体と、を含み、
    　前記導体配線層は、前記陰極貫通導体及び前記陽極貫通導体のいずれか一方に電気的に接続されており、
    　前記陰極貫通導体は、第１陰極貫通導体を含み、
    　前記陽極貫通導体は、第１陽極貫通導体を含み、
    　前記第１陰極貫通導体及び前記第１陽極貫通導体は、各々、前記封止層及び前記コンデンサ部を前記厚さ方向に貫通して前記導体配線層と端部で接続されている直接貫通導体であり、
    　前記陰極貫通導体は、少なくとも１本の第５陰極貫通導体をさらに含み、
    　前記第５陰極貫通導体は、前記外側絶縁層、前記封止層及び前記コンデンサ部を前記厚さ方向に貫通して前記導体配線層と側面で接続されている間接貫通導体である、コンデンサ素子。
  25. 　芯部の少なくとも一方の主面に多孔質部を有する陽極板と、前記多孔質部の表面に設けられた誘電体層と、前記誘電体層の表面に設けられた陰極層と、を含むコンデンサ部と、
    　前記誘電体層及び前記陽極板を厚さ方向に貫通する貫通導体と、
    　前記コンデンサ部を覆うように設けられた封止層と、
    　前記封止層の表面に設けられた導体配線層と、
    　前記封止層及び前記導体配線層を覆うように設けられた外側絶縁層と、を備え、
    　前記貫通導体は、前記陰極層に電気的に接続されている陰極貫通導体と、前記陽極板に電気的に接続されている陽極貫通導体と、を含み、
    　前記導体配線層は、前記陰極貫通導体及び前記陽極貫通導体のいずれか一方に電気的に接続されており、
    　前記陰極貫通導体は、第１陰極貫通導体を含み、
    　前記陽極貫通導体は、第１陽極貫通導体を含み、
    　前記第１陰極貫通導体及び前記第１陽極貫通導体は、各々、前記封止層及び前記コンデンサ部を前記厚さ方向に貫通して前記導体配線層と端部で接続されている直接貫通導体であり、
    　前記陽極貫通導体は、少なくとも１本の第５陽極貫通導体をさらに含み、
    　前記第５陽極貫通導体は、前記外側絶縁層、前記封止層及び前記コンデンサ部を前記厚さ方向に貫通して前記導体配線層と側面で接続されている間接貫通導体である、コンデンサ素子。
PCT/JP2023/026760 2022-07-22 2023-07-21 コンデンサ素子 WO2024019144A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-117376 2022-07-22
JP2022117376 2022-07-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024019144A1 true WO2024019144A1 (ja) 2024-01-25

Family

ID=89617970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/026760 WO2024019144A1 (ja) 2022-07-22 2023-07-21 コンデンサ素子

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN118043919A (ja)
WO (1) WO2024019144A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004055794A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2006165152A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサ内蔵基板と、それらの製造方法
JP2008098487A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサ内蔵基板と、それらの製造方法
JP2020167361A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 株式会社村田製作所 コンデンサアレイ、及び、複合電子部品

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004055794A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2006165152A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサ内蔵基板と、それらの製造方法
JP2008098487A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサ内蔵基板と、それらの製造方法
JP2020167361A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 株式会社村田製作所 コンデンサアレイ、及び、複合電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
CN118043919A (zh) 2024-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI711062B (zh) 電容器陣列及複合電子零件
CN109804445B (zh) 固体电解电容器
US11670462B2 (en) Capacitor array and composite electronic component
WO2024019144A1 (ja) コンデンサ素子
WO2023054059A1 (ja) コンデンサ素子、モジュール及び半導体複合装置
WO2023218801A1 (ja) コンデンサ
WO2023021881A1 (ja) コンデンサ素子
JP7294563B1 (ja) コンデンサアレイ及びコンデンサアレイ集合体
WO2023228872A1 (ja) 固体電解コンデンサ及びコンデンサアレイ
WO2024106239A1 (ja) コンデンサ素子
WO2024070531A1 (ja) コンデンサ素子
WO2023238681A1 (ja) コンデンサアレイ
WO2024070529A1 (ja) コンデンサ素子
WO2023234172A1 (ja) コンデンサアレイ
WO2023238527A1 (ja) コンデンサアレイ
WO2024009824A1 (ja) 固体電解コンデンサ及びコンデンサアレイ
WO2023238528A1 (ja) コンデンサアレイ
TWI831226B (zh) 電容器
WO2023095654A1 (ja) モジュール及び半導体複合装置
WO2023100630A1 (ja) モジュール及び半導体複合装置
WO2024009637A1 (ja) 固体電解コンデンサ
WO2023157705A1 (ja) 固体電解コンデンサ及びコンデンサアレイ
WO2022264575A1 (ja) コンデンサアレイ
WO2024080270A1 (ja) 電子機器
JP2023122337A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法、コンデンサアレイの製造方法、固体電解コンデンサ及びコンデンサアレイ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23843067

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1