WO2024080270A1 - 電子機器 - Google Patents

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WO2024080270A1
WO2024080270A1 PCT/JP2023/036686 JP2023036686W WO2024080270A1 WO 2024080270 A1 WO2024080270 A1 WO 2024080270A1 JP 2023036686 W JP2023036686 W JP 2023036686W WO 2024080270 A1 WO2024080270 A1 WO 2024080270A1
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WO
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diffusion plate
heat
layer
electronic component
conductor
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/036686
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English (en)
French (fr)
Inventor
朗人 内藤
▲高▼志 姫田
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details

Definitions

  • the present invention relates to electronic devices.
  • Patent Document 1 discloses a semiconductor device comprising a printed wiring board, a first semiconductor module, a first heat dissipation device, a second semiconductor module, and a second heat dissipation device, the first semiconductor module and the second semiconductor module being arranged to overlap in a planar view, and the second semiconductor module being connected in parallel to the first semiconductor module.
  • the first semiconductor module includes a first package body containing a first semiconductor element, and a first heat dissipation surface provided on one side of the first package body for dissipating heat generated by the first semiconductor element, and another side of the first package body facing the first heat dissipation surface is arranged facing one side of the printed wiring board.
  • the first heat dissipation device is provided on the first heat dissipation surface of the first semiconductor module.
  • the second semiconductor module includes a second package body containing a second semiconductor element and a second heat dissipation surface provided on one side of the second package body to dissipate heat generated by the second semiconductor element, and another side of the second package body facing the second heat dissipation surface is disposed facing the other side of the printed wiring board.
  • the second heat dissipation device is provided on the second heat dissipation surface of the second semiconductor module.
  • Patent Document 1 describes a heat sink as an example of the first heat dissipation device and the second heat dissipation device. According to Patent Document 1, it is possible to provide a low-cost semiconductor device that has a small footprint and improved heat dissipation.
  • the above problem is not limited to semiconductor devices, but is a common problem with electronic devices that have electronic components mounted on both the front and back of a wiring board.
  • the present invention was made to solve the above problems, and aims to provide an electronic device that has excellent thermal conductivity and can be made compact and low-profile.
  • the electronic device of the present invention comprises a wiring board having a first main surface and a second main surface facing each other in a thickness direction, a first electronic component mounted on the first main surface of the wiring board, a second electronic component mounted on the second main surface of the wiring board, a first heat diffusion plate thermally connected to the first electronic component, a second heat diffusion plate thermally connected to the second electronic component, and a thermal conductor disposed to penetrate the wiring board in the thickness direction and thermally connected to the first heat diffusion plate and the second heat diffusion plate.
  • the present invention provides electronic devices that have excellent thermal conductivity and can be made compact and low-profile.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an electronic device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view taken along line A of the electronic device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a perspective view illustrating an example of the first heat diffusion plate, the second heat diffusion plate, and the heat conductor.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a connection portion between the second thermal diffusion plate and the thermal conductor.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a schematic example of a connection portion between the first thermal diffusion plate and the thermal conductor.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an example of an electronic device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an electronic device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view taken along line A of the electronic device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a perspective view illustrating an example of
  • FIG. 7 is a plan view taken along line B of the electronic device shown in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a schematic example of a capacitor element disposed inside a wiring board.
  • FIG. 9 is a plan view taken along line C of the capacitor element shown in FIG.
  • terms indicating the relationship between elements e.g., "perpendicular,” “parallel,” “orthogonal,” etc.
  • terms indicating the shapes of elements are not expressions that express only a strict meaning, but are expressions that include a range of substantial equivalence, for example, differences of about a few percent.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an electronic device according to a first embodiment of the present invention
  • Fig. 2 is a plan view taken along line A of the electronic device shown in Fig. 1.
  • the electronic device 1 shown in FIG. 1 includes a wiring board 10, a first electronic component 20, a second electronic component 30, a first heat diffusion plate 40, a second heat diffusion plate 50, and a heat conductor 60. As shown in FIG. 1, the electronic device 1 preferably further includes a heat dissipation fin 70.
  • the wiring board 10 has a first main surface 11 and a second main surface 12 that face each other in the thickness direction (the vertical direction in FIG. 1).
  • the wiring board 10 may be a multilayer board or a single layer board.
  • the wiring board 10 may be a ceramic board or a resin board.
  • the ceramic material constituting the ceramic board may be a low-temperature sintered ceramic material or a high-temperature sintered ceramic material.
  • the resin material constituting the resin board may be a thermosetting resin or a thermoplastic resin, such as glass epoxy resin or liquid crystal polymer.
  • the wiring board 10 is a multilayer board including multiple insulating layers.
  • the wiring board 10 has wiring conductors such as an internal conductor provided between the insulating layers, an external conductor provided on the first main surface 11, an external conductor provided on the second main surface 12, and a via conductor penetrating the insulating layers in the thickness direction, and a specific wiring conductor is electrically connected to the first electronic component 20 or the second electronic component 30.
  • the first electronic component 20 is mounted on the first main surface 11 of the wiring board 10.
  • the first electronic component 20 may be connected to an external conductor provided on the first main surface 11 of the wiring board 10, or may be connected to a via conductor exposed on the first main surface 11 of the wiring board 10.
  • the second electronic component 30 is mounted on the second main surface 12 of the wiring board 10.
  • the second electronic component 30 may be connected to an external conductor provided on the second main surface 12 of the wiring board 10, or may be connected to a via conductor exposed on the second main surface 12 of the wiring board 10.
  • the first electronic component 20 and the second electronic component 30 each have a load that generates heat when a current flows through them.
  • the first electronic component 20 includes a semiconductor element for performing logical operations
  • the second electronic component 30 includes a voltage regulation circuit for supplying power to the semiconductor element of the first electronic component 20.
  • the first heat diffusion plate 40 is thermally connected to the first electronic component 20.
  • the first heat diffusion plate 40 is disposed in a direction along the first main surface 11 of the wiring board 10.
  • the first heat diffusion plate 40 is directly or indirectly connected to the first electronic component 20.
  • the first heat diffusion plate 40 may be connected to the first electronic component 20 via a grease-like or sheet-like TIM (Thermal Interface Material).
  • the surface of the first electronic component 20 that is thermally connected to the first heat diffusion plate 40 is the surface opposite in the thickness direction to the surface where the first electronic component 20 is electrically connected to the wiring board 10.
  • the surface of the first electronic component 20 that is thermally connected to the first heat diffusion plate 40 is the top surface, and the surface where the first electronic component 20 is electrically connected to the wiring board 10 is the bottom surface.
  • the second heat diffusion plate 50 is thermally connected to the second electronic component 30.
  • the second heat diffusion plate 50 is disposed in a direction along the second main surface 12 of the wiring board 10.
  • the second heat diffusion plate 50 is directly or indirectly connected to the second electronic component 30.
  • the second heat diffusion plate 50 may be connected to the second electronic component 30 via a grease-like or sheet-like TIM.
  • the surface of the second electronic component 30 that is thermally connected to the second heat diffusion plate 50 is the surface opposite in the thickness direction to the surface where the second electronic component 30 is electrically connected to the wiring board 10.
  • the surface of the second electronic component 30 that is thermally connected to the second heat diffusion plate 50 is the bottom surface, and the surface where the second electronic component 30 is electrically connected to the wiring board 10 is the top surface.
  • the thermal conductor 60 is provided so as to penetrate the wiring board 10 in the thickness direction, and is thermally connected to the first heat diffusion plate 40 and the second heat diffusion plate 50.
  • the thermal conductor 60 is arranged so as to be inclined with respect to the first main surface 11 and the second main surface 12 of the wiring board 10, and is preferably arranged perpendicular to the first main surface 11 and the second main surface 12 of the wiring board 10.
  • heat conductor 60 Although only one heat conductor 60 may be provided, it is preferable that two or more heat conductors 60 are provided. Three or more heat conductors 60 may be provided, or four or more heat conductors 60 may be provided. When two or more heat conductors 60 are provided, the first heat diffusion plate 40 and the second heat diffusion plate 50 can be arranged flatly. Furthermore, when two or more heat conductors 60 are provided, heat circulation is excellent. In the example shown in FIG. 2, four heat conductors 60 are provided.
  • the heat conductor 60 can thermally couple the heat dissipation structures on both sides of the wiring board 10. Therefore, for example, by concentrating heat on the second main surface 12 side of the wiring board 10 on the first main surface 11 side and dissipating the heat on the first main surface 11 side, the heat dissipation structure on the second main surface 12 side can be made smaller and thinner.
  • At least one of the first heat diffusion plate 40, the second heat diffusion plate 50, and the heat conductor 60 may have a gas-liquid exchange mechanism in the internal space, and all of the first heat diffusion plate 40, the second heat diffusion plate 50, and the heat conductor 60 may have a gas-liquid exchange mechanism in the internal space.
  • the first heat diffusion plate 40 When the first heat diffusion plate 40 has a gas-liquid exchange mechanism in the internal space, it is preferable that the first heat diffusion plate 40 is a vapor chamber. In that case, although not shown in FIG. 1, it is preferable that the first heat diffusion plate 40 includes a capillary structure (wick) disposed in the internal space and a working liquid sealed in the internal space.
  • wick capillary structure
  • the second heat diffusion plate 50 When the second heat diffusion plate 50 has a gas-liquid exchange mechanism in the internal space, it is preferable that the second heat diffusion plate 50 is a vapor chamber. In that case, although not shown in FIG. 1, it is preferable that the second heat diffusion plate 50 includes a capillary structure (wick) disposed in the internal space and a working liquid sealed in the internal space.
  • wick capillary structure
  • the thermal conductor 60 When the thermal conductor 60 has a gas-liquid exchange mechanism in the internal space, the thermal conductor 60 is preferably a heat pipe. In that case, although not shown in FIG. 1, the thermal conductor 60 preferably includes a capillary structure (wick) disposed in the internal space and a working liquid sealed in the internal space.
  • wick capillary structure
  • the internal space of the heat conductor 60 may be connected to the internal space of the first heat diffusion plate 40 or the second heat diffusion plate 50.
  • the internal space of the heat conductor 60 is connected to the internal space of the second heat diffusion plate 50.
  • first heat diffusion plate 40, the second heat diffusion plate 50, and the heat conductor 60 are electrically grounded to the housing (not shown) of the electronic device 1 or the wiring board 10.
  • the electronic device 1 may further include a heat dissipation fin 70 thermally connected to the first heat diffusion plate 40.
  • the heat on the second main surface 12 side of the wiring board 10 can be concentrated on the first main surface 11 side and dissipated on the first main surface 11 side, eliminating the need to place the heat dissipation fin 70 on the second main surface 12 side.
  • the surface of the first heat diffusion plate 40 that is thermally connected to the heat dissipation fins 70 is the surface opposite in the thickness direction to the surface where the first heat diffusion plate 40 is thermally connected to the first electronic component 20.
  • the surface of the first heat diffusion plate 40 that is thermally connected to the heat dissipation fins 70 is the upper surface, and the surface where the first heat diffusion plate 40 is thermally connected to the first electronic component 20 is the lower surface.
  • the heat dissipation path on the first electronic component 20 side is shorter than the heat dissipation path on the second electronic component 30 side. Therefore, it is preferable that the power consumed by passing a current through the load of the first electronic component 20 is greater than the power consumed by passing a current through the load of the second electronic component 30.
  • the internal space of the heat conductor 60 communicates with the internal space of the second heat diffusion plate 50, from the viewpoint of making the heat dissipation path on the first electronic component 20 side shorter than the heat dissipation path on the second electronic component 30 side.
  • FIG. 3 is a perspective view showing an example of a first heat diffusion plate, a second heat diffusion plate, and a heat conductor.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a connection portion between the second heat diffusion plate and the heat conductor.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a connection portion between the first heat diffusion plate and the heat conductor.
  • the first heat diffusion plate 40, the second heat diffusion plate 50 and the heat conductor 60 all have a gas-liquid exchange mechanism in their internal spaces.
  • the first heat diffusion plate 40 and the second heat diffusion plate 50 are vapor chambers
  • the heat conductor 60 is a heat pipe. Note that the capillary structure (wick) and the working fluid are not shown in Figures 4 and 5.
  • the materials constituting the first heat diffusion plate 40, the second heat diffusion plate 50, and the heat conductor 60 are not particularly limited, but are preferably metals, such as copper, nickel, aluminum, magnesium, titanium, iron, or alloys containing these as main components, and are particularly preferably copper.
  • the materials constituting the first heat diffusion plate 40, the second heat diffusion plate 50, and the heat conductor 60 may be the same or may be partially or entirely different, but are preferably the same.
  • the internal space of the heat conductor 60 is connected to the internal space of the second heat diffusion plate 50.
  • one end of the heat conductor 60 having a hollow structure is inserted into an opening provided in the second heat diffusion plate 50.
  • the second heat diffusion plate 50 and the heat conductor 60 may be connected via solder or the like.
  • a support ring 51 that covers the outer circumferential surface of the heat conductor 60 may be provided at the connection between the second heat diffusion plate 50 and the heat conductor 60.
  • the material that constitutes the support ring 51 may be, for example, a metal or a heat-resistant non-metal.
  • the second heat diffusion plate 50 may have a rim portion 52 on the periphery of the opening.
  • the inner surface of the rim portion 52 contacts the outer peripheral surface of the heat conductor 60.
  • the outer surface of the rim portion 52 contacts the inner surface of the support ring 51.
  • the internal space of the heat conductor 60 is not connected to the internal space of the first heat diffusion plate 40.
  • the thermal conductor 41 is, for example, a heat pipe.
  • the material constituting the thermal conductor 41 may be the same as the material constituting the thermal conductor 60, or may be different.
  • the length of the thermal conductor 41 is shorter than the length of the thermal conductor 60.
  • the diameter of the thermal conductor 41 is larger than the diameter of the thermal conductor 60.
  • the thermal conductor 60 is preferably inserted into the hollow portion of the thermal conductor 41 that is integrated with the first thermal diffusion plate 40. By providing the thermal conductor 41 on the first thermal diffusion plate 40, the thermal contact between the first thermal diffusion plate 40 and the thermal conductor 60 can be improved.
  • a TIM 61 such as thermally conductive grease between the thermal conductor 60 and the thermal conductor 41. This can further improve the thermal contact between the first heat diffusion plate 40 and the thermal conductor 60.
  • the heat conductor 60 may have a screw thread 62 on its outer circumferential surface.
  • the heat conductor 60 can be firmly fixed to the first heat diffusion plate 40 by tightening and pressing a fastener 63 such as a nut onto the screw thread 62.
  • the wiring board 10 is fixed between the first heat diffusion plate 40 and the second heat diffusion plate 50 as shown in FIG. 1.
  • the wiring board 10 can be fixed together with the first electronic component 20 and the second electronic component 30 by the first heat diffusion plate 40 and the second heat diffusion plate 50 by tightening with a fastener 63 such as a nut.
  • the first heat diffusion plate 40 or the second heat diffusion plate 50 may be fixed to the wiring board 10 using a metal screw or the like that is not a thermal conductor 60. Note that in FIG. 1, a part of the thermal conductor 41 (see FIG. 3 and FIG. 5) may be inserted between the wiring board 10 and the thermal conductor 60.
  • the electronic device according to the second embodiment of the present invention further includes a capacitor element disposed inside the wiring board.
  • the thermal conductor is provided so as to penetrate the capacitor element in a thickness direction and is in contact with the capacitor element.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a schematic example of an electronic device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view taken along line B of the electronic device shown in FIG. 6.
  • the electronic device 2 shown in FIG. 6 includes a wiring board 10, a first electronic component 20, a second electronic component 30, a first heat diffusion plate 40, a second heat diffusion plate 50, and a heat conductor 60, similar to the electronic device 1 shown in FIG. 1. As shown in FIG. 6, the electronic device 2 preferably further includes a heat dissipation fin 70.
  • the electronic device 2 further includes a capacitor element 80 disposed inside the wiring board 10.
  • the capacitor element 80 includes a first electrode layer, a second electrode layer, and a dielectric layer, and the first electrode layer and the second electrode layer face each other in the thickness direction via the dielectric layer.
  • the arrangement of the capacitor elements 80 inside the wiring board 10 is not particularly limited, but for example, the capacitor elements 80 are arranged in a direction along the first main surface 11 and the second main surface 12 of the wiring board 10.
  • One capacitor element 80 may be arranged inside the wiring board 10, or two or more capacitor elements 80 may be arranged.
  • two or more capacitor elements 80 may be arranged in the thickness direction, or two or more capacitor elements 80 may be arranged in the surface direction.
  • the thermal conductor 60 is arranged to penetrate the capacitor element 80 in the thickness direction and is in contact with the capacitor element 80.
  • thermal conductors 60 When two or more thermal conductors 60 are provided, at least one thermal conductor 60 needs to penetrate the capacitor element 80 in the thickness direction. In the example shown in FIG. 7, four thermal conductors 60 penetrate the capacitor element 80 in the thickness direction.
  • the number of thermal conductors 60 penetrating the capacitor elements 80 may be the same, or some or all of them may be different. In addition, there may be capacitor elements 80 that are not penetrated by thermal conductors 60.
  • thermal conductor 60 by passing thermal conductor 60 through capacitor element 80 arranged inside wiring board 10, there is no interference with the heat dissipation structure on both sides of wiring board 10. Furthermore, heat generated from capacitor element 80 can also be dissipated by thermal conductor 60.
  • the capacitor element 80 by arranging the capacitor element 80 inside the wiring board 10, the number of capacitor elements arranged on the second main surface 12 of the wiring board 10 can be reduced. This makes it possible to further reduce the size and height of the heat dissipation structure on the second main surface 12 side of the wiring board 10.
  • the electronic device 2 may further include a capacitor element 85 disposed inside the first electronic component 20 or the second electronic component 30.
  • the capacitor element 85 may be disposed inside either the first electronic component 20 or the second electronic component 30, or may be disposed inside both.
  • capacitor element 85 includes a first electrode layer, a second electrode layer, and a dielectric layer, and the first electrode layer and the second electrode layer face each other in the thickness direction via the dielectric layer.
  • the configuration of capacitor element 85 may be the same as the configuration of capacitor element 80, or may be different.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a schematic example of a capacitor element disposed inside a wiring board.
  • FIG. 9 is a plan view taken along line C of the capacitor element shown in FIG. 8.
  • the capacitor element 80 shown in FIG. 8 includes a capacitor portion 110 and a sealing layer 120 that seals the capacitor portion 110.
  • the capacitor section 110 includes a first electrode layer and a second electrode layer that face each other in the thickness direction via a dielectric layer.
  • the first electrode layer is an anode plate 111
  • the second electrode layer is a cathode layer 112. This makes the capacitor section 110 an electrolytic capacitor.
  • the anode plate 111 has, for example, a core 111A made of metal and a porous portion 111B provided on at least one of the main surfaces of the core 111A.
  • a dielectric layer 113 is provided on the surface of the porous portion 111B, and a cathode layer 112 is provided on the surface of the dielectric layer 113.
  • the cathode layer 112 includes, for example, a solid electrolyte layer 112A provided on the surface of the dielectric layer 113.
  • the cathode layer 112 preferably further includes a conductor layer 112B provided on the surface of the solid electrolyte layer 112A.
  • the conductor layer 112B includes, for example, a carbon layer 112Ba provided on the surface of the solid electrolyte layer 112A, and a copper layer 112Bb provided on the surface of the carbon layer 112Ba.
  • capacitor section 110 is not limited to an electrolytic capacitor such as a solid electrolytic capacitor, and may be, for example, a ceramic capacitor using barium titanate or the like, or a thin film capacitor using silicon nitride (SiN), silicon dioxide (SiO 2 ), hydrogen fluoride (HF), etc.
  • capacitor section 110 be a capacitor using a metal such as aluminum as a base material, and it is more preferable to use an electrolytic capacitor using a metal such as aluminum as a base material.
  • the capacitor element 80 preferably includes a first through-hole conductor 131 that is electrically connected to the first electrode layer (anode plate 111 in the example shown in Figure 8).
  • the capacitor element 80 preferably includes a second through-hole conductor 132 electrically connected to the second electrode layer (cathode layer 112 in the example shown in FIG. 8).
  • the first through-hole conductor 131 is electrically connected at its sidewall to the end face of the first electrode layer (e.g., anode plate 111).
  • the space between the second through-hole conductor 132 and the capacitor section 110 is filled with insulating material 122.
  • a resin-filled portion 124 may be provided on the inside of the first through-hole conductor 131. Similarly, a resin-filled portion 124 may be provided on the inside of the second through-hole conductor 132. Note that the resin-filled portion 124 may be a conductor or an insulator.
  • an insulating layer 126 is preferably provided around the first through-hole conductor 131.
  • an insulating layer 126 is preferably provided around the second through-hole conductor 132.
  • the insulating layer 126 is provided between the first through-hole conductor 131 and the cathode layer 112, or between the second through-hole conductor 132 and the cathode layer 112.
  • the first through-hole conductor 131 is formed, for example, as follows. First, a first through-hole penetrating the capacitor section 110 and the sealing layer 120 in the thickness direction is formed by drilling, laser processing, or the like. Then, the inner wall surface of the first through-hole is metallized with a metal material containing a low-resistance metal such as copper, gold, or silver to form the first through-hole conductor 131. When forming the first through-hole conductor 131, for example, the inner wall surface of the first through-hole is metallized with electroless copper plating, electrolytic copper plating, or the like to facilitate processing.
  • the method of forming the first through-hole conductor 131 may be a method of filling the first through-hole with a metal material, a composite material of metal and resin, or the like, in addition to a method of metallizing the inner wall surface of the first through-hole.
  • the second through-hole conductor 132 is formed, for example, as follows. First, a first through hole penetrating the capacitor section 110 in the thickness direction is formed by drilling, laser processing, etc. Next, the first through hole described above is filled with insulating material 122. A second through hole is formed by drilling, laser processing, etc. on the portion filled with insulating material 122. At this time, the diameter of the second through hole is made smaller than the diameter of the first through hole filled with insulating material 122, so that the insulating material 122 is present between the inner wall surface of the first through hole formed previously and the inner wall surface of the second through hole in the surface direction.
  • the inner wall surface of the second through hole is metallized with a metal material containing a low-resistance metal such as copper, gold, or silver, to form the second through-hole conductor 132.
  • a metal material containing a low-resistance metal such as copper, gold, or silver
  • the inner wall surface of the second through hole is metallized with electroless copper plating, electrolytic copper plating, etc., to facilitate processing.
  • the method of forming the second through-hole conductor 132 may be a method of filling the second through-hole with a metal material, a composite material of metal and resin, or the like, in addition to a method of metallizing the inner wall surface of the second through-hole.
  • the capacitor element 80 may further include a through-hole conductor other than the first through-hole conductor 131 and the second through-hole conductor 132.
  • the capacitor element 80 may further include a through-hole conductor that is not electrically connected to either the first electrode layer or the second electrode layer of the capacitor section 110.
  • the capacitor element 80 preferably further includes external wiring layers 151 and 152 provided on the surface of the sealing layer 120.
  • the external wiring layers 151 and 152 are preferably provided along a principal surface direction perpendicular to the thickness direction of the capacitor section 110. In the example shown in FIG. 8, the external wiring layers 151 and 152 are provided on both principal surfaces of the capacitor section 110, but may be provided on only one of the principal surfaces.
  • the capacitor element 80 preferably further includes a via conductor 160 provided inside the sealing layer 120.
  • the via conductor 160 is preferably provided along the thickness direction of the capacitor section 110.
  • One end of the via conductor 160 is connected to the second electrode layer (e.g., the cathode layer 112) of the capacitor section 110, and the other end is connected to the external wiring layer 152.
  • the first electrode layer (e.g., anode plate 111) of the capacitor section 110 is electrically connected to the external wiring layer 151 via the first through-hole conductor 131. In this manner, it is preferable that the first electrode layer is electrically drawn out to the surface of the sealing layer 120 via the first through-hole conductor 131.
  • the external wiring layer 151 can function as a connection terminal for the capacitor section 110.
  • the second through-hole conductor 132 is electrically connected to the second electrode layer (e.g., the cathode layer 112) of the capacitor section 110 via the external wiring layer 152 and the via conductor 160.
  • the second through-hole conductor 132 is preferably provided so as to penetrate both the capacitor section 110 and the sealing layer 120 in the thickness direction of the capacitor section 110.
  • the external wiring layer 152 can function as a connection terminal for the capacitor section 110.
  • the anode plate 111 is preferably made of a valve metal that exhibits so-called valve action.
  • valve metals include simple metals such as aluminum, tantalum, niobium, titanium, and zirconium, or alloys containing at least one of these metals. Of these, aluminum or an aluminum alloy is preferred.
  • the anode plate 111 is preferably flat, and more preferably foil-shaped.
  • the anode plate 111 may have a porous portion 111B on at least one main surface of the core portion 111A, and may have a porous portion 111B on both main surfaces of the core portion 111A.
  • the porous portion 111B is preferably a porous layer formed on the surface of the core portion 111A, and more preferably an etched layer.
  • the thickness of the anode plate 111 before the etching process is preferably 60 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the thickness of the unetched core portion 111A after the etching process is preferably 15 ⁇ m or more and 70 ⁇ m or less.
  • the thickness of the porous portion 111B is designed according to the required withstand voltage and electrostatic capacitance, but it is preferably 10 ⁇ m or more and 180 ⁇ m or less, including the porous portions 111B on both sides of the core portion 111A.
  • the pore diameter of the porous portion 111B is preferably 10 nm or more and 600 nm or less.
  • the pore diameter of the porous portion 111B means the median diameter D50 measured by a mercury porosimeter.
  • the pore diameter of the porous portion 111B can be controlled, for example, by adjusting various etching conditions.
  • the dielectric layer 113 provided on the surface of the porous portion 111B is porous, reflecting the surface condition of the porous portion 111B, and has a finely uneven surface shape.
  • the dielectric layer 113 is preferably made of an oxide film of the valve metal.
  • the dielectric layer 113 made of an oxide film can be formed by anodizing the surface of the aluminum foil in an aqueous solution containing ammonium adipate or the like (also called chemical conversion treatment).
  • the thickness of the dielectric layer 113 is designed according to the required withstand voltage and capacitance, but is preferably 10 nm or more and 100 nm or less.
  • examples of materials constituting the solid electrolyte layer 112A include conductive polymers such as polypyrroles, polythiophenes, and polyanilines. Among these, polythiophenes are preferred, and poly(3,4-ethylenedioxythiophene), also known as PEDOT, is particularly preferred.
  • the conductive polymer may also include a dopant such as polystyrene sulfonate (PSS).
  • PSS polystyrene sulfonate
  • the solid electrolyte layer 112A preferably includes an inner layer that fills the pores (recesses) of the dielectric layer 113, and an outer layer that covers the dielectric layer 113.
  • the thickness of the solid electrolyte layer 112A from the surface of the porous portion 111B is preferably 2 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the solid electrolyte layer 112A is formed, for example, by a method of forming a polymerized film of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) or the like on the surface of the dielectric layer 113 using a treatment liquid containing a monomer such as 3,4-ethylenedioxythiophene, or by applying a dispersion of a polymer such as poly(3,4-ethylenedioxythiophene) to the surface of the dielectric layer 113 and drying it.
  • the solid electrolyte layer 112A can be formed in a predetermined area by applying the above-mentioned treatment liquid or dispersion liquid to the surface of the dielectric layer 113 by a method such as sponge transfer, screen printing, dispenser application, or inkjet printing.
  • the conductor layer 112B includes at least one of a conductive resin layer and a metal layer.
  • the conductor layer 112B may be only a conductive resin layer or only a metal layer. It is preferable that the conductor layer 112B covers the entire surface of the solid electrolyte layer 112A.
  • the conductive resin layer may be, for example, a conductive adhesive layer containing at least one conductive filler selected from the group consisting of silver filler, copper filler, nickel filler, and carbon filler.
  • the metal layer examples include metal plating films and metal foils.
  • the metal layer is preferably made of at least one metal selected from the group consisting of nickel, copper, silver, and alloys containing these metals as the main components.
  • the term "main component" refers to the elemental component with the largest weight ratio.
  • the carbon layer 112Ba is provided to electrically and mechanically connect the solid electrolyte layer 112A and the copper layer 112Bb.
  • the carbon layer 112Ba can be formed in a predetermined area by applying carbon paste onto the solid electrolyte layer 112A by sponge transfer, screen printing, dispenser application, inkjet printing, or other methods. Note that it is preferable to laminate the copper layer 112Bb in the next process to the carbon layer 112Ba while it is in a viscous state before drying.
  • the thickness of the carbon layer 112Ba is preferably 2 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the copper layer 112Bb can be formed by applying copper paste onto the carbon layer 112Ba by sponge transfer, screen printing, spray application, dispenser application, inkjet printing, or other methods.
  • the thickness of the copper layer 112Bb is preferably 2 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the sealing layer 120 is made of an insulating material. It is preferable that the sealing layer 120 is made of an insulating resin. Examples of the insulating resin that constitutes the sealing layer 120 include epoxy resin and phenol resin. Furthermore, it is preferable that the sealing layer 120 contains a filler. Examples of the filler contained in the sealing layer 120 include inorganic fillers such as silica particles, alumina particles, and metal particles.
  • the sealing layer 120 is provided on both main surfaces of the capacitor section 110, but it may be provided on only one of the main surfaces.
  • the sealing layer 120 provided on one main surface of the capacitor section 110 may be composed of only one layer, or may be composed of two or more layers.
  • the materials constituting each layer may be the same or different.
  • a layer such as a stress relief layer or a moisture-proof film may be provided between the capacitor section 110 and the sealing layer 120.
  • the stress relaxation layer is preferably made of an insulating resin.
  • the insulating resin constituting the stress relaxation layer include epoxy resin, phenolic resin, and silicone resin.
  • the stress relaxation layer preferably contains a filler.
  • the filler contained in the stress relaxation layer include inorganic fillers such as silica particles, alumina particles, and metal particles.
  • the insulating resin constituting the stress relaxation layer is preferably different from the insulating resin constituting the sealing layer 120.
  • the sealing layer 120 is required to have properties such as adhesion to the external electrodes (e.g., external wiring layers 151 and 152) as an exterior body, it is difficult to simply match the linear expansion coefficient with that of the capacitor section 110 or select a resin with an arbitrary elastic modulus. In contrast, by providing a stress relaxation layer, it is possible to adjust the thermal stress design without losing the respective functions of the capacitor section 110 and the sealing layer 120.
  • the stress relaxation layer preferably has lower moisture permeability than the sealing layer 120. In this case, in addition to adjusting the stress, it is possible to reduce the intrusion of moisture into the capacitor section 110.
  • the moisture permeability of the stress relaxation layer can be adjusted by the type of insulating resin that constitutes the stress relaxation layer, the amount of filler contained in the stress relaxation layer, etc.
  • the insulating material 122 filled between the second through-hole conductor 132 and the capacitor section 110 is preferably composed of an insulating resin.
  • the insulating resin constituting the insulating material 122 include epoxy resin and phenolic resin.
  • the insulating material 122 preferably contains a filler.
  • the filler contained in the insulating material 122 include inorganic fillers such as silica particles, alumina particles, and metal particles.
  • the insulating material 122 may be made of the same material as the sealing layer 120.
  • the sealing layer 120 may be filled between the second through-hole conductor 132 and the capacitor section 110.
  • the insulating material 122 may be made of the same material as the stress relief layer described above.
  • the stress relief layer may be filled between the second through-hole conductor 132 and the capacitor portion 110.
  • the insulating material 122 may have a thermal expansion coefficient greater than, less than, or the same as that of the material (e.g., copper) constituting the first through-hole conductor 131 or the second through-hole conductor 132.
  • the material constituting the resin-filled portion 124 may have a thermal expansion coefficient greater than, smaller than, or the same as the material (e.g., copper) constituting the first through-hole conductor 131 or the second through-hole conductor 132.
  • the insulating layer 126 is preferably made of an insulating resin.
  • the insulating resin that constitutes the insulating layer 126 include polyphenylsulfone resin, polyethersulfone resin, cyanate ester resin, fluororesin (tetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylether copolymer, etc.), polyimide resin, polyamideimide resin, epoxy resin, and derivatives or precursors thereof.
  • the insulating layer 126 may be made of the same resin as the sealing layer 120. Unlike the sealing layer 120, if the insulating layer 126 contains inorganic filler, this may adversely affect the effective capacitance portion of the capacitor section 110, so it is preferable that the insulating layer 126 is made of a resin alone.
  • the insulating layer 126 can be formed, for example, by applying a mask material, such as a composition containing an insulating resin, to the surface of the porous portion 111B by a method such as sponge transfer, screen printing, dispenser application, or inkjet printing.
  • a mask material such as a composition containing an insulating resin
  • the thickness of the insulating layer 126 from the surface of the porous portion 111B is preferably 20 ⁇ m or less.
  • the thickness of the insulating layer 126 from the surface of the porous portion 111B may be 0 ⁇ m, but is preferably 2 ⁇ m or more.
  • the insulating layer 126 may be filled inside the porous portion 111B and provided on the surface of the porous portion 111B above the filled portion. That is, the thickness of the insulating layer 126 may be greater than the thickness of the porous portion 111B.
  • An anode connection layer may be provided between the first through-hole conductor 131 and the end face of the anode plate 111. That is, the first through-hole conductor 131 may be electrically connected to the end face of the anode plate 111 via the anode connection layer.
  • the anode connection layer functions as a barrier layer for the anode plate 111.
  • the anode connection layer includes, for example, a first anode connection layer mainly made of zinc and a second anode connection layer mainly made of nickel or copper, in that order from the anode plate 111.
  • the second anode connection layer is formed on the first anode connection layer by electroless nickel plating or electroless copper plating. Note that the first anode connection layer may disappear, in which case the anode connection layer may include only the second anode connection layer.
  • an anode connection layer does not have to be provided between the first through-hole conductor 131 and the end surface of the anode plate 111.
  • the first through-hole conductor 131 may be directly connected to the end surface of the anode plate 111.
  • the first through-hole conductor 131 is electrically connected to the end face of the first electrode layer (e.g., anode plate 111) around the entire circumference.
  • the contact area between the first through-hole conductor 131 and the first electrode layer is increased, thereby reducing the connection resistance with the first through-hole conductor 131, and therefore the equivalent series resistance (ESR) of the capacitor element 80 can be lowered.
  • ESR equivalent series resistance
  • the adhesion between the first through-hole conductor 131 and the first electrode layer is increased, making it less likely that problems such as peeling at the connection surface due to thermal stress will occur.
  • the constituent material of the external wiring layers 151 and 152 may be, for example, a low-resistance metal such as silver, gold, or copper.
  • the constituent material of the external wiring layer 151 may be the same as or different from the constituent material of the external wiring layer 152.
  • the external wiring layers 151 and 152 are formed, for example, by a method such as plating.
  • a mixed material of at least one conductive filler selected from the group consisting of silver filler, copper filler, nickel filler, and carbon filler and resin may be provided as a constituent material of the external wiring layers 151 and 152.
  • the via conductor 160 may be made of low-resistance metals such as silver, gold, and copper.
  • the via conductor 160 may be formed by plating, heat treatment of a conductive paste, or other methods.
  • one capacitor section 110 may be arranged inside the sealing layer 120, or multiple capacitor sections 110 may be arranged.
  • adjacent capacitor sections 110 When multiple capacitor sections 110 are arranged inside the sealing layer 120, adjacent capacitor sections 110 only need to be physically separated from each other. Therefore, adjacent capacitor sections 110 may be electrically separated from each other or may be electrically connected to each other. It is preferable that the portion where adjacent capacitor sections 110 are separated from each other is filled with an insulating material such as the sealing layer 120. The distance between adjacent capacitor sections 110 may be constant in the thickness direction or may become smaller in the thickness direction.
  • the multiple capacitor sections 110 When multiple capacitor sections 110 are arranged inside the sealing layer 120, the multiple capacitor sections 110 may be arranged side by side in the planar direction, may be arranged so as to be stacked in the thickness direction, or may be arranged in a combination of both.
  • the multiple capacitor sections 110 may be arranged regularly or irregularly.
  • the size and shape, etc. of the capacitor sections 110 may be the same, or some or all of them may be different. It is preferable that the configuration of each capacitor section 110 is the same, but capacitor sections 110 with different configurations may be included.
  • the capacitor element 80 can be suitably used as a constituent material of a composite electronic component.
  • a composite electronic component includes, for example, the capacitor element 80, external electrodes (e.g., external wiring layers) provided on the outside of the capacitor element 80 (e.g., outside the sealing layer) and electrically connected to the first electrode layer and the second electrode layer of the capacitor element 80, and an electronic component connected to the external electrodes.
  • the electronic component connected to the external electrode may be a passive element or an active element. Both the passive element and the active element may be connected to the external electrode, or either the passive element or the active element may be connected to the external electrode. Also, a composite of a passive element and an active element may be connected to the external electrode.
  • Passive elements include, for example, inductors. Active elements include memory, GPUs (Graphical Processing Units), CPUs (Central Processing Units), MPUs (Micro Processing Units), PMICs (Power Management ICs), etc.
  • the capacitor element 80 has a sheet-like shape overall. Therefore, in a composite electronic component, the capacitor element 80 can be treated like a mounting board, and electronic components can be mounted on the capacitor element 80. Furthermore, by making the electronic components mounted on the capacitor element 80 into a sheet-like shape, it is also possible to connect the capacitor element 80 and the electronic components in the thickness direction via through-hole conductors that penetrate each electronic component in the thickness direction. As a result, the active elements and passive elements can be configured like a single module.
  • a switching regulator can be formed by electrically connecting a capacitor element 80 between a voltage regulator including a semiconductor active element and a load to which the converted DC voltage is supplied.
  • a circuit layer may be formed on one side of a capacitor matrix sheet on which multiple capacitor elements 80 are laid out, and the capacitor elements may then be connected to passive or active elements.
  • the capacitor element 80 may be placed in a cavity provided in advance in the substrate, embedded in resin, and then a circuit layer may be formed on the resin.
  • Another electronic component passive element or active element
  • the capacitor element 80 may be mounted on a smooth carrier such as a wafer or glass, an outer layer made of resin may be formed, a circuit layer may be formed, and the capacitor element 80 may then be connected to a passive or active element.
  • a smooth carrier such as a wafer or glass
  • an outer layer made of resin may be formed
  • a circuit layer may be formed, and the capacitor element 80 may then be connected to a passive or active element.
  • the electronic device of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various applications and modifications can be made within the scope of the present invention with respect to the configuration of the electronic device, manufacturing conditions, and the like.
  • a wiring substrate having a first main surface and a second main surface opposed to each other in a thickness direction; a first electronic component mounted on the first main surface of the wiring board; a second electronic component mounted on the second main surface of the wiring board; a first heat diffusion plate thermally connected to the first electronic component; a second heat spreader plate thermally connected to the second electronic component; a heat conductor provided to penetrate the wiring board in the thickness direction and thermally connected to the first heat diffusion plate and the second heat diffusion plate.
  • ⁇ 2> The electronic device according to ⁇ 1>, wherein at least one of the first heat diffusion plate, the second heat diffusion plate, and the heat conductor has an air-liquid exchange mechanism in an internal space.
  • ⁇ 4> The electronic device according to ⁇ 3>, wherein the internal space of the thermal conductor is in communication with the internal space of the first thermal diffusion plate or the second thermal diffusion plate.
  • ⁇ 5> The electronic device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, further comprising a heat dissipation fin thermally connected to the first heat diffusion plate.
  • ⁇ 6> The electronic device according to ⁇ 5>, wherein power consumed by passing a current through a load of the first electronic component is greater than power consumed by passing a current through a load of the second electronic component.
  • the first heat diffusion plate, the second heat diffusion plate and the heat conductor all have a gas-liquid exchange mechanism in their internal spaces;
  • a surface of the first electronic component that is thermally connected to the first heat diffusion plate is a surface opposite to a surface of the first electronic component that is electrically connected to the wiring board in the thickness direction;
  • ⁇ 9> The electronic device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8>, wherein two or more thermal conductors are provided.
  • thermo conductor has a screw thread on an outer peripheral surface.
  • ⁇ 11> The electronic device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 10>, wherein the first heat diffusion plate, the second heat diffusion plate, and the heat conductor are electrically grounded to a housing of the electronic device or the wiring board.
  • the first electronic component includes a semiconductor element for performing a logical operation
  • the second electronic component includes a voltage regulation circuit for supplying power to the semiconductor element of the first electronic component.
  • a capacitor element is further provided inside the wiring board.
  • the capacitor element includes a first electrode layer, a second electrode layer, and a dielectric layer, the first electrode layer and the second electrode layer facing each other in the thickness direction via the dielectric layer,
  • the electronic device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 12>, wherein the thermal conductor is provided so as to penetrate the capacitor element in the thickness direction and is in contact with the capacitor element.
  • the first electrode layer is an anode plate having a core portion made of a metal and a porous portion provided on at least one main surface of the core portion, the dielectric layer is provided on a surface of the porous portion,

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Abstract

電子機器１は、厚さ方向に相対する第１の主面１１及び第２の主面１２を有する配線基板１０と、配線基板１０の第１の主面１１に実装された第１の電子部品２０と、配線基板１０の第２の主面１２に実装された第２の電子部品３０と、第１の電子部品２０に熱的に接続された第１の熱拡散板４０と、第２の電子部品３０に熱的に接続された第２の熱拡散板５０と、配線基板１０を厚さ方向に貫通するように設けられ、第１の熱拡散板４０及び第２の熱拡散板５０に熱的に接続された熱伝導体６０と、を備える。

Description

電子機器
　本発明は、電子機器に関する。
　特許文献１には、プリント配線基板と、第１半導体モジュールと、第１放熱装置と、第２半導体モジュールと、第２放熱装置と、を備え、上記第１半導体モジュールと上記第２半導体モジュールとは、平面視において重なって配置され、上記第２半導体モジュールは、上記第１半導体モジュールに並列接続される半導体装置が開示されている。上記第１半導体モジュールは、第１半導体素子を内包する第１パッケージ本体と、上記第１パッケージ本体の一面に設けられ上記第１半導体素子にて発生する熱を放熱する第１放熱面とを含み、上記第１放熱面に対面する上記第１パッケージ本体の別の一面が上記プリント配線基板の一方面に対面して配置される。上記第１放熱装置は、上記第１半導体モジュールの上記第１放熱面に設けられる。上記第２半導体モジュールは、第２半導体素子を内包する第２パッケージ本体と、上記第２パッケージ本体の一面に設けられ上記第２半導体素子にて発生する熱を放熱する第２放熱面とを含み、上記第２放熱面に対面する上記第２パッケージ本体の別の一面が上記プリント配線基板の他方面に対面して配置される。上記第２放熱装置は、上記第２半導体モジュールの上記第２放熱面に設けられる。
米国特許出願公開第２０１９／０１５７１７７号明細書
　特許文献１には、第１放熱装置及び第２放熱装置の例として、ヒートシンクが記載されえている。特許文献１によれば、占有面積が小型化し、かつ、放熱性が向上した低コストな半導体装置の提供が可能であるとされている。
　しかしながら、特許文献１に記載の半導体装置のように、プリント配線基板の表裏両側にそれぞれ設けられた半導体モジュールに対して放熱装置が別個に設けられている場合、熱伝導という観点から改善の余地がある。また、プリント配線基板の両側に放熱装置が設けられていることで、半導体装置全体が大型化及び高背化してしまう。さらに、近年、半導体装置を含むデバイスに対して小型化及び軽量化が要求されており、例えば、プリント配線基板の片側に十分なスペースがない場合、プリント配線基板の両側に放熱装置を配置することが困難である。
　なお、上記の問題は、半導体装置に限らず、配線基板の表裏両側に電子部品が実装された電子機器に共通する問題である。
　本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、熱伝導に優れ、かつ、小型化及び低背化が可能な電子機器を提供することを目的とする。
　本発明の電子機器は、厚さ方向に相対する第１の主面及び第２の主面を有する配線基板と、上記配線基板の上記第１の主面に実装された第１の電子部品と、上記配線基板の上記第２の主面に実装された第２の電子部品と、上記第１の電子部品に熱的に接続された第１の熱拡散板と、上記第２の電子部品に熱的に接続された第２の熱拡散板と、上記配線基板を上記厚さ方向に貫通するように設けられ、上記第１の熱拡散板及び上記第２の熱拡散板に熱的に接続された熱伝導体と、を備える。
　本発明によれば、熱伝導に優れ、かつ、小型化及び低背化が可能な電子機器を提供することができる。
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子機器の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、図１に示す電子機器のＡ線に沿った平面図である。 図３は、第１の熱拡散板、第２の熱拡散板及び熱伝導体の一例を模式的に示す斜視図である。 図４は、第２の熱拡散板と熱伝導体との接続部分の一例を模式的に示す断面図である。 図５は、第１の熱拡散板と熱伝導体との接続部分の一例を模式的に示す断面図である。 図６は、本発明の第２実施形態に係る電子機器の一例を模式的に示す断面図である。 図７は、図６に示す電子機器のＢ線に沿った平面図である。 図８は、配線基板の内部に配置されるコンデンサ素子の一例を模式的に示す断面図である。 図９は、図８に示すコンデンサ素子のＣ線に沿った平面図である。
　以下、本発明の電子機器について説明する。なお、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更されてもよい。また、以下において記載する個々の好ましい構成を複数組み合わせたものもまた本発明である。
　以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第２実施形態以降では、第１実施形態と共通の事項についての記述は省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎には逐次言及しない。
　以下の説明において、各実施形態を特に区別しない場合、単に「本発明の電子機器」という。
　本明細書において、要素間の関係性を示す用語（例えば「垂直」、「平行」、「直交」等）及び要素の形状を示す用語は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。
　以下に示す図面は模式図であり、その寸法、縦横比の縮尺等は実際の製品と異なる場合がある。図中、同一又は相当部分には同一符号を用いることとする。また、各図において、同一要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。
［第１実施形態］
　図１は、本発明の第１実施形態に係る電子機器の一例を模式的に示す断面図である。図２は、図１に示す電子機器のＡ線に沿った平面図である。
　図１に示す電子機器１は、配線基板１０と、第１の電子部品２０と、第２の電子部品３０と、第１の熱拡散板４０と、第２の熱拡散板５０と、熱伝導体６０と、を備える。図１に示すように、電子機器１は、放熱フィン７０をさらに備えることが好ましい。
　配線基板１０は、厚さ方向（図１では上下方向）に相対する第１の主面１１及び第２の主面１２を有する。
　配線基板１０は、多層基板でもよいし、単層基板でもよい。また、配線基板１０は、セラミック基板でもよいし、樹脂基板でもよい。セラミック基板を構成するセラミック材料は、低温焼結セラミック材料でも高温焼結セラミック材料でもよい。樹脂基板を構成する樹脂材料は、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもよく、例えば、ガラスエポキシ樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。
　図１に示す例では、配線基板１０は、複数の絶縁層を含む多層基板である。配線基板１０は、絶縁層の間に設けられた内部導体、第１の主面１１に設けられた外部導体、第２の主面１２に設けられた外部導体、絶縁層を厚さ方向に貫通するビア導体等の配線導体を有しており、特定の配線導体が第１の電子部品２０又は第２の電子部品３０と電気的に接続されている。
　第１の電子部品２０は、配線基板１０の第１の主面１１に実装されている。例えば、第１の電子部品２０は、配線基板１０の第１の主面１１に設けられた外部導体と接続されていてもよいし、配線基板１０の第１の主面１１に露出するビア導体と接続されていてもよい。
　第２の電子部品３０は、配線基板１０の第２の主面１２に実装されている。例えば、第２の電子部品３０は、配線基板１０の第２の主面１２に設けられた外部導体と接続されていてもよいし、配線基板１０の第２の主面１２に露出するビア導体と接続されていてもよい。
　第１の電子部品２０及び第２の電子部品３０は、各々、電流を流すことによって発熱する負荷を有する。
　例えば、第１の電子部品２０は、論理演算を実行するための半導体素子を含み、第２の電子部品３０は、第１の電子部品２０の半導体素子に電力を供給するための電圧レギュレーション回路を含む。
　第１の熱拡散板４０は、第１の電子部品２０に熱的に接続されている。例えば、第１の熱拡散板４０は、配線基板１０の第１の主面１１に沿った方向に配置されている。
　第１の熱拡散板４０は、第１の電子部品２０と直接的又は間接的に接続されている。例えば、第１の熱拡散板４０は、グリース状又はシート状のＴＩＭ（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　Ｍａｔｅｒｉａｌ）を介して第１の電子部品２０と接続されていてもよい。
　図１に示すように、第１の熱拡散板４０に熱的に接続されている第１の電子部品２０の面は、第１の電子部品２０が配線基板１０に電気的に接続されている面とは厚さ方向において反対側の面であることが好ましい。図１に示す例では、第１の熱拡散板４０に熱的に接続されている第１の電子部品２０の面は上面であり、第１の電子部品２０が配線基板１０に電気的に接続されている面は下面である。
　第２の熱拡散板５０は、第２の電子部品３０に熱的に接続されている。例えば、第２の熱拡散板５０は、配線基板１０の第２の主面１２に沿った方向に配置されている。
　第２の熱拡散板５０は、第２の電子部品３０と直接的又は間接的に接続されている。例えば、第２の熱拡散板５０は、グリース状又はシート状のＴＩＭを介して第２の電子部品３０と接続されていてもよい。
　図１に示すように、第２の熱拡散板５０に熱的に接続されている第２の電子部品３０の面は、第２の電子部品３０が配線基板１０に電気的に接続されている面とは厚さ方向において反対側の面であることが好ましい。図１に示す例では、第２の熱拡散板５０に熱的に接続されている第２の電子部品３０の面は下面であり、第２の電子部品３０が配線基板１０に電気的に接続されている面は上面である。
　熱伝導体６０は、配線基板１０を厚さ方向に貫通するように設けられ、第１の熱拡散板４０及び第２の熱拡散板５０に熱的に接続されている。熱伝導体６０は、配線基板１０の第１の主面１１及び第２の主面１２に対して傾きを持つように、好ましくは、配線基板１０の第１の主面１１及び第２の主面１２に対して垂直に配置されている。
　熱伝導体６０は、１本のみ設けられていてもよいが、２本以上設けられていることが好ましい。熱伝導体６０は、３本以上設けられていてもよく、４本以上設けられていてもよい。熱伝導体６０が２本以上設けられていると、第１の熱拡散板４０及び第２の熱拡散板５０を平坦に配置することができる。また、熱伝導体６０が２本以上設けられていると、熱循環に優れる。図２に示す例では、４本の熱伝導体６０が設けられている。
　電子機器１では、熱伝導体６０によって、配線基板１０の両側の放熱構造を熱結合させることができる。そのため、例えば、配線基板１０の第２の主面１２側の熱を第１の主面１１側に集約させて第１の主面１１側で放熱することで、第２の主面１２側の放熱構造を小型化及び低背化することができる。
　例えば、第１の熱拡散板４０、第２の熱拡散板５０及び熱伝導体６０の少なくとも１つは、内部空間に気液交換機構を有してもよく、第１の熱拡散板４０、第２の熱拡散板５０及び熱伝導体６０の全ては、内部空間に気液交換機構を有してもよい。
　第１の熱拡散板４０が内部空間に気液交換機構を有する場合、第１の熱拡散板４０は、ベーパーチャンバーであることが好ましい。その場合、図１には示されていないが、第１の熱拡散板４０は、内部空間に配置される毛細管構造体（ウィック）と、内部空間に封入される作動液と、を含むことが好ましい。
　第２の熱拡散板５０が内部空間に気液交換機構を有する場合、第２の熱拡散板５０は、ベーパーチャンバーであることが好ましい。その場合、図１には示されていないが、第２の熱拡散板５０は、内部空間に配置される毛細管構造体（ウィック）と、内部空間に封入される作動液と、を含むことが好ましい。
　熱伝導体６０が内部空間に気液交換機構を有する場合、熱伝導体６０は、ヒートパイプであることが好ましい。その場合、図１には示されていないが、熱伝導体６０は、内部空間に配置される毛細管構造体（ウィック）と、内部空間に封入される作動液と、を含むことが好ましい。
　第１の熱拡散板４０、第２の熱拡散板５０及び熱伝導体６０の全てが内部空間に気液交換機構を有する場合、熱伝導体６０の内部空間は、第１の熱拡散板４０又は第２の熱拡散板５０の内部空間と連通していてもよい。図１に示す例では、熱伝導体６０の内部空間は、第２の熱拡散板５０の内部空間と連通している。
　図１には示されていないが、第１の熱拡散板４０、第２の熱拡散板５０及び熱伝導体６０は、電子機器１の筐体（図示せず）又は配線基板１０に電気的に接地されていることが好ましい。
　電子機器１は、図１に示すように、第１の熱拡散板４０に熱的に接続された放熱フィン７０をさらに備えてもよい。この場合、配線基板１０の第２の主面１２側の熱を第１の主面１１側に集約させて第１の主面１１側で放熱することができるため、第２の主面１２側に放熱フィン７０を配置する必要がなくなる。
　図１に示すように、放熱フィン７０に熱的に接続されている第１の熱拡散板４０の面は、第１の熱拡散板４０が第１の電子部品２０に熱的に接続されている面とは厚さ方向において反対側の面であることが好ましい。図１に示す例では、放熱フィン７０に熱的に接続されている第１の熱拡散板４０の面は上面であり、第１の熱拡散板４０が第１の電子部品２０に熱的に接続されている面は下面である。
　放熱フィン７０が第１の熱拡散板４０に熱的に接続されている場合、第１の電子部品２０側の放熱経路は、第２の電子部品３０側の放熱経路よりも短くなる。そのため、第１の電子部品２０が有する負荷に電流を流すことにより消費される電力は、第２の電子部品３０が有する負荷に電流を流すことにより消費される電力よりも大きいことが好ましい。
　特に、第１の熱拡散板４０、第２の熱拡散板５０及び熱伝導体６０の全てが内部空間に気液交換機構を有する場合には、第１の電子部品２０側の放熱経路を第２の電子部品３０側の放熱経路よりも短くする観点から、熱伝導体６０の内部空間が第２の熱拡散板５０の内部空間と連通していることが好ましい。
　図３は、第１の熱拡散板、第２の熱拡散板及び熱伝導体の一例を模式的に示す斜視図である。図４は、第２の熱拡散板と熱伝導体との接続部分の一例を模式的に示す断面図である。図５は、第１の熱拡散板と熱伝導体との接続部分の一例を模式的に示す断面図である。
　図３、図４及び図５に示す例では、第１の熱拡散板４０、第２の熱拡散板５０及び熱伝導体６０の全ては、内部空間に気液交換機構を有している。具体的には、第１の熱拡散板４０及び第２の熱拡散板５０はベーパーチャンバーであり、熱伝導体６０はヒートパイプである。なお、図４及び図５には、毛細管構造体（ウィック）及び作動液は示されていない。
　第１の熱拡散板４０、第２の熱拡散板５０及び熱伝導体６０を構成する材料は特に限定されないが、好ましくは金属であり、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、マグネシウム、チタン、鉄、又は、それらを主成分とする合金等であり、特に好ましくは銅である。第１の熱拡散板４０、第２の熱拡散板５０及び熱伝導体６０を構成する材料は、それぞれ同じであってもよく、一部又は全部が異なっていてもよいが、好ましくは同じである。
　図３、図４及び図５に示す例では、熱伝導体６０の内部空間は、第２の熱拡散板５０の内部空間と連通している。例えば、第２の熱拡散板５０に設けられた開口に、中空構造を有する熱伝導体６０の一方の端部が挿入されている。第２の熱拡散板５０と熱伝導体６０との接続部分では、第２の熱拡散板５０と熱伝導体６０とが半田等を介して接続されていてもよい。
　図３及び図４に示すように、第２の熱拡散板５０と熱伝導体６０との接続部分には、熱伝導体６０の外周面を覆う支持リング５１が設けられていてもよい。その場合、支持リング５１を構成する材料は、例えば、金属であってもよく、耐熱性を有する非金属であってもよい。
　図３及び図４に示すように、第２の熱拡散板５０は、開口の周縁にリム部５２を有してもよい。その場合、リム部５２の内面は、熱伝導体６０の外周面に接する。また、支持リング５１が設けられている場合、リム部５２の外面は、支持リング５１の内面に接する。
　図３、図４及び図５に示す例では、熱伝導体６０の内部空間は、第１の熱拡散板４０の内部空間と連通していない。例えば、第１の熱拡散板４０に設けられた開口には、中空構造を有する熱伝導体４１の一方の端部が挿入されていることが好ましい。
　熱伝導体４１は、例えば、ヒートパイプである。熱伝導体４１を構成する材料は、熱伝導体６０を構成する材料と同じであってもよく、異なっていてもよい。
　熱伝導体４１の長さは、熱伝導体６０の長さよりも短い。一方、熱伝導体４１の径は、熱伝導体６０の径よりも大きい。
　熱伝導体６０は、第１の熱拡散板４０と一体化された熱伝導体４１の中空部分に挿入されることが好ましい。第１の熱拡散板４０に熱伝導体４１を設けることで、第１の熱拡散板４０と熱伝導体６０との間の熱接触を向上させることができる。
　図５に示すように、熱伝導体６０と熱伝導体４１との間には、熱伝導グリース等のＴＩＭ６１が設けられていることが好ましい。これにより、第１の熱拡散板４０と熱伝導体６０との間の熱接触をさらに向上させることができる。
　図３及び図５に示すように、熱伝導体６０は、ねじ山６２を外周面に有してもよい。その場合、ナット等の固定具６３をねじ山６２へ締めて押圧することで、熱伝導体６０を第１の熱拡散板４０に強固に固定することができる。
　以上により、図１に示すように、第１の熱拡散板４０と第２の熱拡散板５０との間で配線基板１０が固定される。例えば、ナット等の固定具６３で締め上げることにより、第１の熱拡散板４０及び第２の熱拡散板５０で配線基板１０を第１の電子部品２０及び第２の電子部品３０ごと固定することができる。あるいは、熱伝導体６０ではない金属ねじ等を用いて、第１の熱拡散板４０又は第２の熱拡散板５０を配線基板１０に固定してもよい。なお、図１においては、熱伝導体４１（図３及び図５参照）の一部が配線基板１０と熱伝導体６０との間に入り込んでいてもよい。
［第２実施形態］
　本発明の第２実施形態に係る電子機器は、配線基板の内部に配置されたコンデンサ素子をさらに備える。本発明の第２実施形態に係る電子機器では、熱伝導体は、コンデンサ素子を厚さ方向に貫通するように設けられ、かつ、コンデンサ素子と接している。
　図６は、本発明の第２実施形態に係る電子機器の一例を模式的に示す断面図である。図７は、図６に示す電子機器のＢ線に沿った平面図である。
　図６に示す電子機器２は、図１に示す電子機器１と同様、配線基板１０と、第１の電子部品２０と、第２の電子部品３０と、第１の熱拡散板４０と、第２の熱拡散板５０と、熱伝導体６０と、を備える。図６に示すように、電子機器２は、放熱フィン７０をさらに備えることが好ましい。
　電子機器２は、配線基板１０の内部に配置されたコンデンサ素子８０をさらに備える。後述するように、コンデンサ素子８０は、第１電極層と第２電極層と誘電体層とを含み、第１電極層及び第２電極層が誘電体層を介して厚さ方向に対向している。
　配線基板１０の内部におけるコンデンサ素子８０の配置は特に限定されないが、例えば、コンデンサ素子８０は、配線基板１０の第１の主面１１及び第２の主面１２に沿った方向に配置されている。配線基板１０の内部には、１個のコンデンサ素子８０が配置されていてもよく、２個以上のコンデンサ素子８０が配置されていてもよい。例えば、厚さ方向に２個以上のコンデンサ素子８０が配置されていてもよく、面方向に２個以上のコンデンサ素子８０が配置されていてもよい。
　熱伝導体６０は、コンデンサ素子８０を厚さ方向に貫通するように設けられ、かつ、コンデンサ素子８０と接している。
　熱伝導体６０が２本以上設けられている場合、少なくとも１本の熱伝導体６０がコンデンサ素子８０を厚さ方向に貫通していればよい。図７に示す例では、４本の熱伝導体６０がコンデンサ素子８０を厚さ方向に貫通している。
　２個以上のコンデンサ素子８０が配線基板１０の内部に配置されている場合、コンデンサ素子８０を貫通する熱伝導体６０の本数は、同じであってもよく、一部又は全部が異なっていてもよい。また、熱伝導体６０が貫通しないコンデンサ素子８０が含まれていてもよい。
　電子機器２では、配線基板１０の内部に配置されたコンデンサ素子８０に熱伝導体６０を貫通させることで、配線基板１０の両側の放熱構造に干渉することがない。さらに、熱伝導体６０によって、コンデンサ素子８０から発生する熱を放熱することもできる。
　また、配線基板１０の内部にコンデンサ素子８０を配置することで、配線基板１０の第２の主面１２に配置されるコンデンサ素子を削減できる。そのため、配線基板１０の第２の主面１２側において、放熱構造の更なる小型化及び低背化が可能になる。
　図６に示すように、電子機器２は、第１の電子部品２０又は第２の電子部品３０の内部に配置されたコンデンサ素子８５をさらに備えてもよい。コンデンサ素子８５は、第１の電子部品２０及び第２の電子部品３０のいずれか一方の内部に配置されていてもよく、両方の内部に配置されていてもよい。
　コンデンサ素子８０と同様、コンデンサ素子８５は、第１電極層と第２電極層と誘電体層とを含み、第１電極層及び第２電極層が誘電体層を介して厚さ方向に対向している。コンデンサ素子８５の構成は、コンデンサ素子８０の構成と同じであってもよく、異なっていてもよい。
　図８は、配線基板の内部に配置されるコンデンサ素子の一例を模式的に示す断面図である。図９は、図８に示すコンデンサ素子のＣ線に沿った平面図である。
　図８に示すコンデンサ素子８０は、コンデンサ部１１０と、コンデンサ部１１０を封止する封止層１２０と、を備える。
　コンデンサ部１１０は、誘電体層を介して厚さ方向に対向する第１の電極層及び第２の電極層を含む。
　図８に示す例では、第１の電極層は陽極板１１１であり、第２の電極層は陰極層１１２である。これにより、コンデンサ部１１０は、電解コンデンサを構成する。
　陽極板１１１は、例えば、金属からなる芯部１１１Ａと、芯部１１１Ａの少なくとも一方の主面に設けられた多孔質部１１１Ｂと、を有する。多孔質部１１１Ｂの表面には誘電体層１１３が設けられており、誘電体層１１３の表面には陰極層１１２が設けられている。
　陰極層１１２は、例えば、誘電体層１１３の表面に設けられた固体電解質層１１２Ａを含む。陰極層１１２は、さらに、固体電解質層１１２Ａの表面に設けられた導電体層１１２Ｂを含むことが好ましい。導電体層１１２Ｂは、例えば、固体電解質層１１２Ａの表面に設けられたカーボン層１１２Ｂａと、カーボン層１１２Ｂａの表面に設けられた銅層１１２Ｂｂとを含む。
　なお、コンデンサ部１１０は、固体電解コンデンサ等の電解コンデンサに限らず、例えば、チタン酸バリウム等を用いたセラミックコンデンサ、あるいは、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、フッ化水素（ＨＦ）等を用いた薄膜コンデンサ等のコンデンサを構成してもよい。しかしながら、より薄型で比較的大きな面積のコンデンサ部１１０を形成できること、及び、コンデンサ素子８０の剛性及び柔軟性のような機械特性の観点から、コンデンサ部１１０は、アルミニウム等の金属を基材とするコンデンサを構成することが好ましく、アルミニウム等の金属を基材とする電解コンデンサを構成することがより好ましい。
　図８及び図９に示すように、コンデンサ素子８０は、第１の電極層（図８に示す例では陽極板１１１）と電気的に接続される第１のスルーホール導体１３１を備えることが好ましい。
　また、コンデンサ素子８０は、第２の電極層（図８に示す例では陰極層１１２）と電気的に接続される第２のスルーホール導体１３２を備えることが好ましい。
　図８及び図９に示す例では、第１のスルーホール導体１３１は、その側壁で第１の電極層（例えば陽極板１１１）の端面と電気的に接続されている。第２のスルーホール導体１３２とコンデンサ部１１０との間は絶縁材料１２２で充填されている。
　第１のスルーホール導体１３１の内側には、樹脂充填部１２４が設けられていてもよい。同様に、第２のスルーホール導体１３２の内側には、樹脂充填部１２４が設けられていてもよい。なお、樹脂充填部１２４は、導体であってもよく、絶縁体であってもよい。
　図８及び図９に示すように、第１のスルーホール導体１３１の周囲には、絶縁層１２６が設けられていることが好ましい。同様に、第２のスルーホール導体１３２の周囲には、絶縁層１２６が設けられていることが好ましい。図８及び図９に示す例では、絶縁層１２６は、第１のスルーホール導体１３１と陰極層１１２との間、又は、第２のスルーホール導体１３２と陰極層１１２との間に設けられている。
　第１のスルーホール導体１３１は、例えば、以下のようにして形成される。まず、ドリル加工、レーザー加工等を行うことにより、コンデンサ部１１０及び封止層１２０を厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する。そして、第１貫通孔の内壁面を、銅、金、銀等の低抵抗の金属を含有する金属材料でメタライズすることにより、第１のスルーホール導体１３１を形成する。第１のスルーホール導体１３１を形成する際、例えば、第１貫通孔の内壁面を、無電解銅めっき処理、電解銅めっき処理等でメタライズすることにより、加工が容易になる。なお、第１のスルーホール導体１３１を形成する方法については、第１貫通孔の内壁面をメタライズする方法以外に、金属材料、金属と樹脂との複合材料等を第１貫通孔に充填する方法であってもよい。
　第２のスルーホール導体１３２は、例えば、以下のようにして形成される。まず、ドリル加工、レーザー加工等を行うことにより、コンデンサ部１１０を厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する。次に、上述した第１貫通孔に絶縁材料１２２を充填する。絶縁材料１２２が充填された部分に対して、ドリル加工、レーザー加工等を行うことにより、第２貫通孔を形成する。この際、絶縁材料１２２を充填した第１貫通孔の直径よりも第２貫通孔の直径を小さくすることにより、面方向において、先に形成された第１貫通孔の内壁面と第２貫通孔の内壁面との間に絶縁材料１２２が存在する状態にする。その後、第２貫通孔の内壁面を、銅、金、銀等の低抵抗の金属を含有する金属材料でメタライズすることにより、第２のスルーホール導体１３２を形成する。第２のスルーホール導体１３２を形成する際、例えば、第２貫通孔の内壁面を、無電解銅めっき処理、電解銅めっき処理等でメタライズすることにより、加工が容易になる。なお、第２のスルーホール導体１３２を形成する方法については、第２貫通孔の内壁面をメタライズする方法以外に、金属材料、金属と樹脂との複合材料等を第２貫通孔に充填する方法であってもよい。
　図８には示されていないが、コンデンサ素子８０は、第１のスルーホール導体１３１及び第２のスルーホール導体１３２以外のスルーホール導体をさらに備えてもよい。例えば、コンデンサ素子８０は、コンデンサ部１１０の第１の電極層及び第２の電極層のいずれにも電気的に接続されていないスルーホール導体をさらに備えてもよい。
　コンデンサ素子８０は、封止層１２０の表面に設けられた外部配線層１５１及び１５２をさらに備えることが好ましい。外部配線層１５１及び１５２は、コンデンサ部１１０の厚さ方向に直交する主面方向に沿って設けられていることが好ましい。図８に示す例では、外部配線層１５１及び１５２は、コンデンサ部１１０の両方の主面側に設けられているが、いずれか一方の主面側にのみ設けられていてもよい。
　コンデンサ素子８０は、封止層１２０の内部に設けられたビア導体１６０をさらに備えることが好ましい。ビア導体１６０は、コンデンサ部１１０の厚さ方向に沿って設けられていることが好ましい。ビア導体１６０の一端はコンデンサ部１１０の第２の電極層（例えば陰極層１１２）に接続され、他端は外部配線層１５２に接続されている。
　図８に示す例では、コンデンサ部１１０の第１の電極層（例えば陽極板１１１）は、第１のスルーホール導体１３１を介して、外部配線層１５１と電気的に接続されている。このように、第１のスルーホール導体１３１を介して、第１の電極層が封止層１２０の表面に電気的に引き出されていることが好ましい。外部配線層１５１は、コンデンサ部１１０の接続端子として機能できる。
　図８に示す例では、第２のスルーホール導体１３２は、外部配線層１５２及びビア導体１６０を介して、コンデンサ部１１０の第２の電極層（例えば陰極層１１２）と電気的に接続されている。このように、第２のスルーホール導体１３２は、コンデンサ部１１０の厚さ方向に、コンデンサ部１１０及び封止層１２０の両方を貫通するように設けられていることが好ましい。外部配線層１５２は、コンデンサ部１１０の接続端子として機能できる。
　コンデンサ部１１０が陽極板１１１及び陰極層１１２を含む場合、陽極板１１１は、いわゆる弁作用を示す弁作用金属からなることが好ましい。弁作用金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム等の金属単体、又は、これらの金属を少なくとも１種含む合金等が挙げられる。これらの中では、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。
　陽極板１１１の形状は、平板状であることが好ましく、箔状であることがより好ましい。陽極板１１１は、芯部１１１Ａの少なくとも一方の主面に多孔質部１１１Ｂを有していればよく、芯部１１１Ａの両方の主面に多孔質部１１１Ｂを有していてもよい。多孔質部１１１Ｂは、芯部１１１Ａの表面に形成された多孔質層であることが好ましく、エッチング層であることがより好ましい。
　エッチング処理前の陽極板１１１の厚さは、６０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい。エッチング処理後にエッチングされていない芯部１１１Ａの厚さは、１５μｍ以上、７０μｍ以下であることが好ましい。多孔質部１１１Ｂの厚さは要求される耐電圧、静電容量に合わせて設計されるが、芯部１１１Ａの両側の多孔質部１１１Ｂを合わせて１０μｍ以上、１８０μｍ以下であることが好ましい。
　多孔質部１１１Ｂの孔径は、１０ｎｍ以上、６００ｎｍ以下であることが好ましい。なお、多孔質部１１１Ｂの孔径とは、水銀ポロシメータにより測定されるメジアン径Ｄ５０を意味する。多孔質部１１１Ｂの孔径は、例えばエッチングにおける各種条件を調整することにより制御することができる。
　多孔質部１１１Ｂの表面に設けられる誘電体層１１３は、多孔質部１１１Ｂの表面状態を反映して多孔質になっており、微細な凹凸状の表面形状を有している。誘電体層１１３は、上記弁作用金属の酸化皮膜からなることが好ましい。例えば、陽極板１１１としてアルミニウム箔が用いられる場合、アジピン酸アンモニウム等を含む水溶液中でアルミニウム箔の表面に対して陽極酸化処理（化成処理ともいう）を行うことにより、酸化皮膜からなる誘電体層１１３を形成することができる。
　誘電体層１１３の厚さは要求される耐電圧、静電容量に合わせて設計されるが、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることが好ましい。
　陰極層１１２が固体電解質層１１２Ａを含む場合、固体電解質層１１２Ａを構成する材料としては、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類等の導電性高分子等が挙げられる。これらの中では、ポリチオフェン類が好ましく、ＰＥＤＯＴと呼ばれるポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。また、上記導電性高分子は、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等のドーパントを含んでいてもよい。なお、固体電解質層１１２Ａは、誘電体層１１３の細孔（凹部）を充填する内層と、誘電体層１１３を被覆する外層とを含むことが好ましい。
　多孔質部１１１Ｂの表面からの固体電解質層１１２Ａの厚さは、２μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。
　固体電解質層１１２Ａは、例えば、３，４－エチレンジオキシチオフェン等のモノマーを含む処理液を用いて、誘電体層１１３の表面にポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）等の重合膜を形成する方法や、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）等のポリマーの分散液を誘電体層１１３の表面に塗布して乾燥させる方法等によって形成される。
　固体電解質層１１２Ａは、上記の処理液又は分散液を、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によって誘電体層１１３の表面に塗布することにより、所定の領域に形成することができる。
　陰極層１１２が導電体層１１２Ｂを含む場合、導電体層１１２Ｂは、導電性樹脂層及び金属層のうち、少なくとも１層を含む。導電体層１１２Ｂは、導電性樹脂層のみでもよく、金属層のみでもよい。導電体層１１２Ｂは、固体電解質層１１２Ａの全面を被覆することが好ましい。
　導電性樹脂層としては、例えば、銀フィラー、銅フィラー、ニッケルフィラー及びカーボンフィラーからなる群より選択される少なくとも１種の導電性フィラーを含む導電性接着剤層等が挙げられる。
　金属層としては、例えば、金属めっき膜、金属箔等が挙げられる。金属層は、ニッケル、銅、銀及びこれらの金属を主成分とする合金からなる群より選択される少なくとも一種の金属からなることが好ましい。なお、「主成分」とは、重量割合が最も大きい元素成分をいう。
　導電体層１１２Ｂがカーボン層１１２Ｂａ及び銅層１１２Ｂｂを含む場合、カーボン層１１２Ｂａは、固体電解質層１１２Ａと銅層１１２Ｂｂとを電気的に及び機械的に接続させるために設けられている。カーボン層１１２Ｂａは、カーボンペーストをスポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によって固体電解質層１１２Ａ上に塗布することにより、所定の領域に形成することができる。なお、カーボン層１１２Ｂａは、乾燥前の粘性のある状態で、次工程の銅層１１２Ｂｂを積層することが好ましい。カーボン層１１２Ｂａの厚さは、２μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。
　導電体層１１２Ｂがカーボン層１１２Ｂａ及び銅層１１２Ｂｂを含む場合、銅層１１２Ｂｂは、銅ペーストをスポンジ転写、スクリーン印刷、スプレー塗布、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によってカーボン層１１２Ｂａ上に塗布することにより形成することができる。銅層１１２Ｂｂの厚さは、２μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。
　封止層１２０は、絶縁材料から構成される。封止層１２０は、絶縁性樹脂から構成されることが好ましい。封止層１２０を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。さらに、封止層１２０は、フィラーを含むことが好ましい。封止層１２０に含まれるフィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、金属粒子等の無機フィラーが挙げられる。
　図８に示す例では、封止層１２０は、コンデンサ部１１０の両方の主面側に設けられているが、いずれか一方の主面側にのみ設けられていてもよい。コンデンサ部１１０の一方の主面側に設けられる封止層１２０は、１層のみから構成されてもよいし、２層以上から構成されてもよい。封止層１２０が２層以上から構成される場合、各層を構成する材料は、それぞれ同じでもよく、異なっていてもよい。
　コンデンサ部１１０と封止層１２０との間には、例えば、応力緩和層、防湿膜等の層が設けられていてもよい。
　応力緩和層は、絶縁性樹脂から構成されることが好ましい。応力緩和層を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。さらに、応力緩和層は、フィラーを含むことが好ましい。応力緩和層に含まれるフィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、金属粒子等の無機フィラーが挙げられる。応力緩和層を構成する絶縁性樹脂は、封止層１２０を構成する絶縁性樹脂と異なることが好ましい。
　封止層１２０には、外装体として外部電極（例えば、外部配線層１５１及び１５２）との密着性等の特性が要求されるため、一概にコンデンサ部１１０と線膨張係数を合わせたり任意の弾性率の樹脂を選択したりすることは難しい。これに対し、応力緩和層を設けることにより、コンデンサ部１１０及び封止層１２０のそれぞれの機能を失うことなく熱応力設計の調整を行うことができる。
　応力緩和層は、封止層１２０よりも透湿性が低いことが好ましい。この場合、応力の調整に加えて、コンデンサ部１１０への水分の浸入を低減することができる。応力緩和層の透湿性は、応力緩和層を構成する絶縁性樹脂の種類、応力緩和層に含まれるフィラーの量等によって調整することができる。
　第２のスルーホール導体１３２とコンデンサ部１１０との間に充填される絶縁材料１２２は、絶縁性樹脂から構成されることが好ましい。絶縁材料１２２を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。さらに、絶縁材料１２２は、フィラーを含むことが好ましい。絶縁材料１２２に含まれるフィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、金属粒子等の無機フィラーが挙げられる。
　絶縁材料１２２は、封止層１２０と同じ材料から構成されてもよい。例えば、図８に示すように、第２のスルーホール導体１３２とコンデンサ部１１０との間に封止層１２０が充填されていてもよい。
　あるいは、絶縁材料１２２は、上述の応力緩和層と同じ材料から構成されてもよい。例えば、コンデンサ素子８０が応力緩和層を備える場合、第２のスルーホール導体１３２とコンデンサ部１１０との間に応力緩和層が充填されていてもよい。
　絶縁材料１２２は、第１のスルーホール導体１３１又は第２のスルーホール導体１３２を構成する材料（例えば銅）よりも熱膨張率が大きくてもよく、小さくてもよく、同じでもよい。
　第１のスルーホール導体１３１又は第２のスルーホール導体１３２の内側に樹脂充填部１２４が設けられる場合、樹脂充填部１２４を構成する材料は、第１のスルーホール導体１３１又は第２のスルーホール導体１３２を構成する材料（例えば銅）よりも熱膨張率が大きくてもよく、小さくてもよく、同じでもよい。
　第１のスルーホール導体１３１又は第２のスルーホール導体１３２の周囲に絶縁層１２６が設けられる場合、絶縁層１２６は、絶縁性樹脂から構成されることが好ましい。絶縁層１２６を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、ポリフェニルスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等）、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂、及び、それらの誘導体又は前駆体等が挙げられる。
　絶縁層１２６は、封止層１２０と同じ樹脂で構成されていてもよい。封止層１２０と異なり、絶縁層１２６に無機フィラーが含まれるとコンデンサ部１１０の容量有効部に悪影響を及ぼすおそれがあるため、絶縁層１２６は樹脂単独の系からなることが好ましい。
　絶縁層１２６は、例えば、絶縁性樹脂を含む組成物等のマスク材を、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によって多孔質部１１１Ｂの表面に塗布することにより形成することができる。
　多孔質部１１１Ｂの表面からの絶縁層１２６の厚みは、２０μｍ以下であることが好ましい。多孔質部１１１Ｂの表面からの絶縁層１２６の厚みは、０μｍでもよいが、２μｍ以上であることが好ましい。
　絶縁層１２６は、多孔質部１１１Ｂの内部に充填され、かつ、充填部分の上の多孔質部１１１Ｂの表面に設けられていてもよい。すなわち、絶縁層１２６の厚さは、多孔質部１１１Ｂの厚さよりも大きくてもよい。
　第１のスルーホール導体１３１と陽極板１１１の端面との間には陽極接続層が設けられていてもよい。すなわち、陽極接続層を介して第１のスルーホール導体１３１が陽極板１１１の端面と電気的に接続されていてもよい。第１のスルーホール導体１３１と陽極板１１１の端面との間に陽極接続層が設けられている場合、陽極接続層が陽極板１１１に対するバリア層として機能する。その結果、外部配線層１５１等の配線層を形成するための薬液処理時に生じる陽極板１１１の溶解を抑制することで、コンデンサ部１１０への薬液の浸入を防止できるため、コンデンサ素子８０の信頼性が向上する。
　第１のスルーホール導体１３１と陽極板１１１の端面との間に陽極接続層が設けられている場合、陽極接続層は、例えば、陽極板１１１から順に、亜鉛を主たる材料とする第１陽極接続層と、ニッケル又は銅を主たる材料とする第２陽極接続層と、を含む。例えば、ジンケート処理により亜鉛を置換析出させて陽極板１１１の端面に第１陽極接続層を形成した後、無電解ニッケルめっき処理又は無電解銅めっき処理により、第１陽極接続層上に第２陽極接続層を形成する。なお、第１陽極接続層は消失する場合もあり、この場合、陽極接続層は、第２陽極接続層のみを含んでもよい。
　なお、第１のスルーホール導体１３１と陽極板１１１の端面との間には陽極接続層が設けられていなくてもよい。この場合、第１のスルーホール導体１３１は、陽極板１１１の端面と直に接続されてもよい。
　図９に示すように、第１のスルーホール導体１３１は、全周にわたって第１の電極層（例えば陽極板１１１）の端面と電気的に接続されていることが好ましい。この場合、第１のスルーホール導体１３１と第１の電極層との接触面積が大きくなることにより、第１のスルーホール導体１３１との接続抵抗が低減するため、コンデンサ素子８０の等価直列抵抗（ＥＳＲ）を低くすることができる。さらに、第１のスルーホール導体１３１と第１の電極層との密着性が高くなるため、熱応力による接続面での剥がれ等の不具合が生じにくくなる。
　外部配線層１５１及び１５２の構成材料としては、例えば、銀、金、銅等の低抵抗の金属が挙げられる。外部配線層１５１の構成材料は、外部配線層１５２の構成材料と同じでもよく、異なってもよい。外部配線層１５１及び１５２は、例えば、めっき処理等の方法により形成される。
　外部配線層１５１又は１５２と他の部材との間の密着性、例えば、外部配線層１５１と第１のスルーホール導体１３１との間の密着性又は外部配線層１５２と第２のスルーホール導体１３２との間の密着性を向上させるために、外部配線層１５１及び１５２の構成材料として、銀フィラー、銅フィラー、ニッケルフィラー及びカーボンフィラーからなる群より選択される少なくとも１種の導電性フィラーと樹脂との混合材料が設けられてもよい。
　ビア導体１６０の構成材料としては、例えば、銀、金、銅等の低抵抗の金属が挙げられる。ビア導体１６０は、例えば、めっき処理、導電性ペーストの熱処理等の方法により形成される。
　コンデンサ素子８０では、封止層１２０の内部に、１個のコンデンサ部１１０が配置されていてもよく、複数個のコンデンサ部１１０が配置されていてもよい。
　封止層１２０の内部に複数個のコンデンサ部１１０が配置されている場合、隣り合うコンデンサ部１１０同士は、物理的に分断されていればよい。したがって、隣り合うコンデンサ部１１０同士は、電気的に分断されていてもよく、電気的に接続されていてもよい。隣り合うコンデンサ部１１０同士が分断された部分には、封止層１２０等の絶縁性材料が充填されていることが好ましい。隣り合うコンデンサ部１１０同士の間隔は、厚さ方向に一定でもよく、厚さ方向に小さくなってもよい。
　封止層１２０の内部に複数個のコンデンサ部１１０が配置されている場合、複数個のコンデンサ部１１０は、面方向に並ぶように配置されていてもよく、厚さ方向に積層するように配置されていてもよく、両者を組み合わせて配置されていてもよい。複数個のコンデンサ部１１０は、規則的に配置されていてもよく、不規則に配置されていてもよい。コンデンサ部１１０の大きさ及び形状等は、それぞれ同じでもよく、一部又は全部が異なってもよい。コンデンサ部１１０の構成は、それぞれ同じであることが好ましいが、構成の異なるコンデンサ部１１０が含まれていてもよい。
　コンデンサ素子８０は、複合電子部品の構成材料として好適に使用することができる。このような複合電子部品は、例えば、コンデンサ素子８０と、コンデンサ素子８０の外側（例えば、封止層の外側）に設けられ、コンデンサ素子８０の第１の電極層及び第２の電極層のそれぞれに電気的に接続された外部電極（例えば、外部配線層）と、上記外部電極に接続された電子部品とを備える。
　複合電子部品において、外部電極に接続される電子部品としては、受動素子でもよく、能動素子でもよい。受動素子及び能動素子の両方が外部電極に接続されてもよく、受動素子及び能動素子のいずれか一方が外部電極に接続されてもよい。また、受動素子及び能動素子の複合体が外部電極に接続されてもよい。
　受動素子としては、例えば、インダクタ等が挙げられる。能動素子としては、メモリ、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、ＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ　Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ　ＩＣ）等が挙げられる。
　コンデンサ素子８０は、全体としてシート状の形状を有している。したがって、複合電子部品においては、コンデンサ素子８０を実装基板のように扱うことができ、コンデンサ素子８０上に電子部品を実装することができる。さらに、コンデンサ素子８０に実装する電子部品の形状をシート状にすることにより、各電子部品を厚さ方向に貫通するスルーホール導体を介して、コンデンサ素子８０と電子部品とを厚さ方向に接続することも可能である。その結果、能動素子及び受動素子を一括のモジュールのように構成することができる。
　例えば、半導体アクティブ素子を含むボルテージレギュレータと、変換された直流電圧が供給される負荷との間にコンデンサ素子８０を電気的に接続し、スイッチングレギュレータを形成することができる。
　複合電子部品においては、コンデンサ素子８０がさらに複数個レイアウトされたコンデンサマトリクスシートのいずれかの一方の面に回路層を形成した上で、受動素子又は能動素子に接続されていてもよい。
　また、予め基板に設けたキャビティ部にコンデンサ素子８０を配置し、樹脂で埋め込んだ後、その樹脂上に回路層を形成してもよい。同基板の別のキャビティ部には、別の電子部品（受動素子又は能動素子）が搭載されていてもよい。
　あるいは、コンデンサ素子８０をウエハ又はガラス等の平滑なキャリアの上に実装し、樹脂による外層部を形成した後、回路層を形成した上で、受動素子又は能動素子に接続されていてもよい。
［その他の実施形態］
　本発明の電子機器は、上記実施形態に限定されるものではなく、電子機器の構成、製造条件等に関し、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
　本明細書には、以下の内容が開示されている。
＜１＞
　厚さ方向に相対する第１の主面及び第２の主面を有する配線基板と、
　上記配線基板の上記第１の主面に実装された第１の電子部品と、
　上記配線基板の上記第２の主面に実装された第２の電子部品と、
　上記第１の電子部品に熱的に接続された第１の熱拡散板と、
　上記第２の電子部品に熱的に接続された第２の熱拡散板と、
　上記配線基板を上記厚さ方向に貫通するように設けられ、上記第１の熱拡散板及び上記第２の熱拡散板に熱的に接続された熱伝導体と、を備える、電子機器。
＜２＞
　上記第１の熱拡散板、上記第２の熱拡散板及び上記熱伝導体の少なくとも１つは、内部空間に気液交換機構を有する、＜１＞に記載の電子機器。
＜３＞
　上記第１の熱拡散板、上記第２の熱拡散板及び上記熱伝導体の全ては、内部空間に気液交換機構を有する、＜１＞又は＜２＞に記載の電子機器。
＜４＞
　上記熱伝導体の上記内部空間は、上記第１の熱拡散板又は上記第２の熱拡散板の上記内部空間と連通している、＜３＞に記載の電子機器。
＜５＞
　上記第１の熱拡散板に熱的に接続された放熱フィンをさらに備える、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の電子機器。
＜６＞
　上記第１の電子部品が有する負荷に電流を流すことにより消費される電力は、上記第２の電子部品が有する負荷に電流を流すことにより消費される電力よりも大きい、＜５＞に記載の電子機器。
＜７＞
　上記第１の熱拡散板、上記第２の熱拡散板及び上記熱伝導体の全ては、内部空間に気液交換機構を有し、
　上記熱伝導体の上記内部空間は、上記第２の熱拡散板の上記内部空間と連通している、＜５＞又は＜６＞に記載の電子機器。
＜８＞
　上記第１の熱拡散板に熱的に接続されている上記第１の電子部品の面は、上記第１の電子部品が上記配線基板に電気的に接続されている面とは上記厚さ方向において反対側の面であり、
　上記第２の熱拡散板に熱的に接続されている上記第２の電子部品の面は、上記第２の電子部品が上記配線基板に電気的に接続されている面とは上記厚さ方向において反対側の面である、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の電子機器。
＜９＞
　上記熱伝導体は、２本以上設けられている、＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の電子機器。
＜１０＞
　上記熱伝導体は、ねじ山を外周面に有する、＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の電子機器。
＜１１＞
　上記第１の熱拡散板、上記第２の熱拡散板及び上記熱伝導体は、上記電子機器の筐体又は上記配線基板に電気的に接地されている、＜１＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の電子機器。
＜１２＞
　上記第１の電子部品は、論理演算を実行するための半導体素子を含み、
　上記第２の電子部品は、上記第１の電子部品の上記半導体素子に電力を供給するための電圧レギュレーション回路を含む、＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の電子機器。
＜１３＞
　上記配線基板の内部に配置されたコンデンサ素子をさらに備え、
　上記コンデンサ素子は、第１電極層と第２電極層と誘電体層とを含み、上記第１電極層及び上記第２電極層が上記誘電体層を介して上記厚さ方向に対向しており、
　上記熱伝導体は、上記コンデンサ素子を上記厚さ方向に貫通するように設けられ、かつ、上記コンデンサ素子と接している、＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の電子機器。
＜１４＞
　上記第１電極層は、金属からなる芯部と、上記芯部の少なくとも一方の主面に設けられた多孔質部と、を有する陽極板であり、
　上記誘電体層は、上記多孔質部の表面に設けられ、
　上記第２電極層は、上記誘電体層の表面に設けられた陰極層である、＜１３＞に記載の電子機器。
　１、２　電子機器
　１０　配線基板
　１１　第１の主面
　１２　第２の主面
　２０　第１の電子部品
　３０　第２の電子部品
　４０　第１の熱拡散板
　４１　熱伝導体
　５０　第２の熱拡散板
　５１　支持リング
　５２　リム部
　６０　熱伝導体
　６１　ＴＩＭ
　６２　ねじ山
　６３　固定具
　７０　放熱フィン
　８０、８５　コンデンサ素子
　１１０　コンデンサ部
　１１１　陽極板
　１１１Ａ　芯部
　１１１Ｂ　多孔質部
　１１２　陰極層
　１１２Ａ　固体電解質層
　１１２Ｂ　導電体層
　１１２Ｂａ　カーボン層
　１１２Ｂｂ　銅層
　１１３　誘電体層
　１２０　封止層
　１２２　絶縁材料
　１２４　樹脂充填部
　１２６　絶縁層
　１３１　第１のスルーホール導体
　１３２　第２のスルーホール導体
　１５１、１５２　外部配線層
　１６０　ビア導体

Claims (14)

  1. 　厚さ方向に相対する第１の主面及び第２の主面を有する配線基板と、
    　前記配線基板の前記第１の主面に実装された第１の電子部品と、
    　前記配線基板の前記第２の主面に実装された第２の電子部品と、
    　前記第１の電子部品に熱的に接続された第１の熱拡散板と、
    　前記第２の電子部品に熱的に接続された第２の熱拡散板と、
    　前記配線基板を前記厚さ方向に貫通するように設けられ、前記第１の熱拡散板及び前記第２の熱拡散板に熱的に接続された熱伝導体と、を備える、電子機器。
  2. 　前記第１の熱拡散板、前記第２の熱拡散板及び前記熱伝導体の少なくとも１つは、内部空間に気液交換機構を有する、請求項１に記載の電子機器。
  3. 　前記第１の熱拡散板、前記第２の熱拡散板及び前記熱伝導体の全ては、内部空間に気液交換機構を有する、請求項１又は２に記載の電子機器。
  4. 　前記熱伝導体の前記内部空間は、前記第１の熱拡散板又は前記第２の熱拡散板の前記内部空間と連通している、請求項３に記載の電子機器。
  5. 　前記第１の熱拡散板に熱的に接続された放熱フィンをさらに備える、請求項１～４のいずれか１項に記載の電子機器。
  6. 　前記第１の電子部品が有する負荷に電流を流すことにより消費される電力は、前記第２の電子部品が有する負荷に電流を流すことにより消費される電力よりも大きい、請求項５に記載の電子機器。
  7. 　前記第１の熱拡散板、前記第２の熱拡散板及び前記熱伝導体の全ては、内部空間に気液交換機構を有し、
    　前記熱伝導体の前記内部空間は、前記第２の熱拡散板の前記内部空間と連通している、請求項５又は６に記載の電子機器。
  8. 　前記第１の熱拡散板に熱的に接続されている前記第１の電子部品の面は、前記第１の電子部品が前記配線基板に電気的に接続されている面とは前記厚さ方向において反対側の面であり、
    　前記第２の熱拡散板に熱的に接続されている前記第２の電子部品の面は、前記第２の電子部品が前記配線基板に電気的に接続されている面とは前記厚さ方向において反対側の面である、請求項１～７のいずれか１項に記載の電子機器。
  9. 　前記熱伝導体は、２本以上設けられている、請求項１～８のいずれか１項に記載の電子機器。
  10. 　前記熱伝導体は、ねじ山を外周面に有する、請求項１～９のいずれか１項に記載の電子機器。
  11. 　前記第１の熱拡散板、前記第２の熱拡散板及び前記熱伝導体は、前記電子機器の筐体又は前記配線基板に電気的に接地されている、請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子機器。
  12. 　前記第１の電子部品は、論理演算を実行するための半導体素子を含み、
    　前記第２の電子部品は、前記第１の電子部品の前記半導体素子に電力を供給するための電圧レギュレーション回路を含む、請求項１～１１のいずれか１項に記載の電子機器。
  13. 　前記配線基板の内部に配置されたコンデンサ素子をさらに備え、
    　前記コンデンサ素子は、第１電極層と第２電極層と誘電体層とを含み、前記第１電極層及び前記第２電極層が前記誘電体層を介して前記厚さ方向に対向しており、
    　前記熱伝導体は、前記コンデンサ素子を前記厚さ方向に貫通するように設けられ、かつ、前記コンデンサ素子と接している、請求項１～１２のいずれか１項に記載の電子機器。
  14. 　前記第１電極層は、金属からなる芯部と、前記芯部の少なくとも一方の主面に設けられた多孔質部と、を有する陽極板であり、
    　前記誘電体層は、前記多孔質部の表面に設けられ、
    　前記第２電極層は、前記誘電体層の表面に設けられた陰極層である、請求項１３に記載の電子機器。
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