WO2024070531A1 - コンデンサ素子 - Google Patents

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WO2024070531A1
WO2024070531A1 PCT/JP2023/032360 JP2023032360W WO2024070531A1 WO 2024070531 A1 WO2024070531 A1 WO 2024070531A1 JP 2023032360 W JP2023032360 W JP 2023032360W WO 2024070531 A1 WO2024070531 A1 WO 2024070531A1
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WO
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layer
external electrode
electrode layer
capacitor element
capacitor
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PCT/JP2023/032360
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Inventor
幸子 吉野
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H—ELECTRICITY
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    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/08—Housing; Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
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    • H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits

Definitions

  • the present invention relates to a capacitor element.
  • Patent Document 1 discloses a capacitor array including a plurality of solid electrolytic capacitor elements formed by dividing a single solid electrolytic capacitor sheet, a sheet-like first sealing layer, and a sheet-like second sealing layer.
  • the solid electrolytic capacitor sheet includes an anode plate made of a valve metal, a porous layer provided on at least one main surface of the anode plate, a dielectric layer provided on the surface of the porous layer, and a cathode layer including a solid electrolyte layer provided on the surface of the dielectric layer, and has a first main surface and a second main surface opposed in the thickness direction.
  • the first main surface side of each of the plurality of solid electrolytic capacitor elements is disposed on the first sealing layer.
  • the second sealing layer is disposed so as to cover the plurality of solid electrolytic capacitor elements on the first sealing layer from the second main surface side.
  • the solid electrolytic capacitor elements are divided by a slit-shaped sheet removal portion.
  • Patent Document 1 states that a stress relaxation layer may be provided between the solid electrolytic capacitor element and the first sealing layer or the second sealing layer. According to Patent Document 1, by providing a stress relaxation layer in the above-mentioned location, it is possible to relieve the stress generated between the inside and outside of the capacitor array without impairing the capabilities (resistance, blocking performance, etc.) required for the conductor and insulating parts arranged at the outermost part of the solid electrolytic capacitor element or the capabilities required for the sealing layer (easy adhesion with wiring, easy to form smoothly, etc.).
  • Figures 25, 27, and 29 of Patent Document 1 each show a cross section of a capacitor array equipped with a stress relaxation layer. However, simply providing stress relaxation layers at the locations shown in Figures 25, 27, and 29 of Patent Document 1 may cause peeling at the effective capacitance portion of the solid electrolytic capacitor element, for example, peeling of the cathode layer from the anode plate.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and aims to provide a capacitor element that can suppress peeling in the capacitive area.
  • the capacitor element of the present invention comprises a capacitor section including an anode plate having a porous portion on at least one main surface of a core, a dielectric layer provided on the surface of the porous portion, and a cathode layer provided on the surface of the dielectric layer, and a sealing layer that seals the capacitor section, and a slit is provided on the surface of the sealing layer.
  • the present invention provides a capacitor element that can suppress peeling in the effective capacitance area.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a capacitor element of the present invention.
  • FIG. 2A is a plan view taken along line A of the capacitor element shown in FIG.
  • FIG. 2B is a plan view taken along line B of the capacitor element shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view that illustrates a first modified example of a capacitor element according to the present invention.
  • FIG. 4 is an enlarged view of a portion indicated by a in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view that illustrates a second modified example of a capacitor element according to the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view illustrating a schematic example of a capacitor element assembly.
  • the capacitor element of the present invention is described below. Note that the present invention is not limited to the following configuration, and may be modified as appropriate without changing the gist of the present invention. In addition, a combination of multiple individual preferred configurations described below also constitutes the present invention.
  • terms indicating the relationship between elements e.g., "perpendicular,” “parallel,” “orthogonal,” etc.
  • terms indicating the shapes of elements are not expressions that express only a strict meaning, but are expressions that include a range of substantial equivalence, for example, differences of about a few percent.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic example of a capacitor element of the present invention.
  • FIG. 2A is a plan view taken along line A of the capacitor element shown in FIG. 1.
  • FIG. 2B is a plan view taken along line B of the capacitor element shown in FIG. 1.
  • the capacitor element 1 shown in Figures 1, 2A, and 2B includes a capacitor portion 10 and a sealing layer 30 that seals the capacitor portion 10.
  • capacitor sections 10 are arranged inside the sealing layer 30.
  • the number of capacitor sections 10 arranged inside the sealing layer 30 is not particularly limited, and may be one or more.
  • the capacitor section 10 includes an anode plate 11 having a porous section 11B on at least one main surface of a core section 11A, a dielectric layer 13 provided on the surface of the porous section 11B, and a cathode layer 12 provided on the surface of the dielectric layer 13.
  • the anode plate 11 has a porous section 11B on both main surfaces of the core section 11A, but it may have a porous section 11B on only one of the main surfaces of the core section 11A.
  • the cathode layer 12 includes, for example, a solid electrolyte layer 12A provided on the surface of the dielectric layer 13. It is preferable that the cathode layer 12 further includes a conductor layer 12B provided on the surface of the solid electrolyte layer 12A.
  • the capacitor section 10 constitutes a solid electrolytic capacitor.
  • the sealing layer 30 is provided on both opposing main surfaces of the capacitor section 10 in the thickness direction.
  • the capacitor section 10 is protected by the sealing layer 30.
  • the sealing layer 30 may be composed of only one layer, or may be composed of two or more layers. When the sealing layer 30 is composed of two or more layers, the materials constituting each layer may be the same or different.
  • the sealing layer 30 is formed to seal the capacitor section 10, for example, by a method of thermocompressing an insulating resin sheet, or by applying an insulating resin paste and then thermally curing it.
  • the surface of the sealing layer 30 has slits 40. As shown in Figures 1 and 2B, it is preferable that the surface of the sealing layer 30 has a plurality of slits 40.
  • slits 40 may be provided only on the surface of the sealing layer 30 provided on one of the main surfaces, but it is preferable that slits 40 are provided on the surfaces of the sealing layers 30 provided on both main surfaces.
  • the position, cross-sectional shape, planar shape, depth, etc. of the slits 40 may be the same on one main surface side and the other main surface side of the capacitor section 10, or may be partially or completely different.
  • the slits 40 are preferably provided at a position that does not contact the cathode layer 12.
  • the slits 40 are preferably provided at a position that does not contact the cathode layer 12.
  • the slit 40 is preferably provided at a position that does not contact the conductor layer 12B.
  • the slit 40 is provided at a position that does not contact the conductor layer 12B.
  • the capacitor element 1 may further include an external electrode layer 50 provided on the surface of the sealing layer 30.
  • the external electrode layer 50 includes, for example, a first external electrode layer 51 electrically connected to the anode plate 11 and a second external electrode layer 52 electrically connected to the cathode layer 12.
  • the capacitor element 1 may further include an extraction conductor that is provided inside the sealing layer 30 and is extended to the surface of the sealing layer 30.
  • Examples of the lead-out conductor include a through-hole conductor 70 and a via conductor 90.
  • the extraction conductor includes, for example, a first extraction conductor electrically connected to the anode plate 11 and a second extraction conductor electrically connected to the cathode layer 12.
  • the first lead-out conductor may be, for example, a first through-hole conductor 71.
  • One first through-hole conductor 71 may be provided inside the cathode layer 12, or two or more first through-hole conductors 71 may be provided.
  • Examples of the second lead-out conductor include a second through-hole conductor 72 and a via conductor 90.
  • One second through-hole conductor 72 may be provided inside the cathode layer 12, or two or more second through-hole conductors 72 may be provided.
  • one via conductor 90 may be provided inside the cathode layer 12, or two or more via conductors 90 may be provided.
  • the capacitor element 1 has a first through-hole conductor 71 as the first lead conductor.
  • the slit 40 is preferably provided at a position that does not contact the cathode layer 12 and the first through-hole conductor 71.
  • the capacitor element 1 includes a first external electrode layer 51.
  • the slit 40 is preferably provided at a position that does not contact the cathode layer 12, the first through-hole conductor 71, and the first external electrode layer 51.
  • the capacitor element 1 has a second through-hole conductor 72 and a via conductor 90 as the second extraction conductor.
  • the slit 40 is preferably provided at a position that does not contact the cathode layer 12, the second through-hole conductor 72, and the via conductor 90.
  • the capacitor element 1 includes a second external electrode layer 52.
  • the slit 40 is provided at a position that does not contact the cathode layer 12, the second through-hole conductor 72, the via conductor 90, and the second external electrode layer 52.
  • the slit 40 When the slit 40 is provided at a position that does not contact the second lead-out conductor, the slit 40 may be provided at a position that does not contact both the second through-hole conductor 72 and the via conductor 90, or may be provided at a position that does not contact only one of the second through-hole conductor 72 and the via conductor 90.
  • the method for forming the slits 40 on the surface of the sealing layer 30 is not particularly limited, but examples include laser processing, etching, and other methods.
  • the slits 40 may be formed after the capacitor elements 1 have been divided (i.e., in an individualized state), or the slits 40 may be formed before the capacitor elements 1 have been divided (i.e., in the form of a large sheet). In the latter case, the slits 40 can be formed according to the shape of the capacitor elements 1, which are the product, as well as the tendency for warping, stress, and the like to occur.
  • the slits 40 may be provided perpendicular to the surface of the sealing layer 30, may be provided at an angle to the surface of the sealing layer 30, or may be curved inside the sealing layer 30. A mixture of such slits 40 may also be provided.
  • the slits 40 When viewed from above in the thickness direction of the cathode layer 12, the slits 40 may be provided at a position overlapping the cathode layer 12, or at a position not overlapping the cathode layer 12. When multiple slits 40 are provided on the surface of the sealing layer 30, the slits 40 may be provided both at a position overlapping the cathode layer 12 and at a position not overlapping the cathode layer 12.
  • the slits 40 that overlap with the cathode layer 12 in a planar view from the thickness direction of the cathode layer 12 are provided in a position that does not overlap with the external electrode layer 50, for example.
  • the external electrode layer 50 includes a first external electrode layer 51 and a second external electrode layer 52
  • the slits 40 that overlap with the cathode layer 12 in a planar view from the thickness direction of the cathode layer 12 may be provided in a position that does not overlap with both the first external electrode layer 51 and the second external electrode layer 52.
  • the slit 40 that overlaps with the cathode layer 12 in a plan view from the thickness direction of the cathode layer 12 may be provided at a position that overlaps with the external electrode layer 50.
  • the external electrode layer 50 includes a first external electrode layer 51 and a second external electrode layer 52
  • the slit 40 that overlaps with the cathode layer 12 in a plan view from the thickness direction of the cathode layer 12 may be provided at a position that overlaps with both the first external electrode layer 51 and the second external electrode layer 52, or may be provided at a position that overlaps with one of the first external electrode layer 51 and the second external electrode layer 52.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic diagram of a first modified example of a capacitor element according to the present invention.
  • the slit 40 that overlaps with the cathode layer 12 is provided at a position that overlaps with the external electrode layer 50 (here, the second external electrode layer 52).
  • Figure 4 is an enlarged view of the part indicated by a in Figure 3.
  • the external electrode layer 50 (here, the second external electrode layer 52) at a position overlapping the slit 40 may have a step. Specifically, the external electrode layer 50 (here, the second external electrode layer 52) at a position overlapping the slit 40 may be recessed. There are no particular limitations on the cross-sectional shape, planar shape, depth, etc. of the recess in the external electrode layer 50.
  • the slits 40 do not have to be arranged on the same line on the front and back of the capacitor section 10.
  • the slits 40 at the portion indicated by a that overlaps with the cathode layer 12 and the slits 40 at the portion indicated by b that overlap with the cathode layer 12 are not arranged on the same line, but the slits 40 at other positions do not have to be arranged on the same line on the front and back of the capacitor section 10.
  • the depths of the slits 40 may be the same, or some or all of them may be different.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a schematic diagram of a second modified example of a capacitor element according to the present invention.
  • the depth of the slits 40 is different. In the example shown in FIG. 5, the depth of the slits 40 is different on both main surface sides of the capacitor section 10, but the depth of the slits 40 may be different only on one of the main surface sides.
  • Figure 6 is a plan view showing a schematic example of a capacitor element assembly.
  • the capacitor element assembly 100 shown in FIG. 6 is a large sheet including a plurality of capacitor elements. As shown in FIG. 6, slits 40A, 40B, and 40C can be formed at any desired location in the capacitor element assembly 100. Note that the slits 40A, 40B, and 40C do not have to be formed continuously, and may be formed discontinuously at required locations, for example.
  • the capacitor element assembly 100 tends to be easily subjected to stress at the corners, so deformation is more likely to occur at the outer edge than at the center of the anode plate 11. For this reason, it is preferable to form many slits 40A at the outer edge of the anode plate 11.
  • a slit 40B may be formed in the lower part of the external electrode layer 50.
  • the slit 40B formed in the lower part of the external electrode layer 50 is shown by a dashed line.
  • the capacitor element assembly 100 includes external electrode layers 50 with different areas, it is preferable that many slits 40C are formed in the external electrode layer 50 with a larger area. In that case, many slits 40C may be formed in an area within the surface of the effective capacitance portion that is susceptible to the effects of stress.
  • the slit may be provided at a position closer to the outer edge of the anode plate than the center.
  • multiple slits are provided on the surface of the sealing layer, it is sufficient that at least one slit is provided at a position closer to the outer edge of the anode plate than the center.
  • the slit is provided at a position closer to the outer edge of the anode plate than the center.
  • the slits may be provided at a position closer to the relatively large-area external electrode layer than the relatively small-area external electrode layer.
  • the slits may be provided at a position closer to the relatively large-area external electrode layer than the relatively small-area external electrode layer.
  • the external electrode layer having a relatively large area may be a first external electrode layer electrically connected to the anode plate, or a second external electrode layer electrically connected to the cathode layer.
  • the external electrode layer having a relatively small area may be a first external electrode layer electrically connected to the anode plate, or a second external electrode layer electrically connected to the cathode layer.
  • the combination of the external electrode layer having a relatively large area and the external electrode layer having a relatively small area is a combination of the first external electrode layer and the first external electrode layer, a combination of the first external electrode layer and the second external electrode layer, a combination of the second external electrode layer and the first external electrode layer, or a combination of the second external electrode layer and the second external electrode layer.
  • capacitor elements 1, 1A, and 1B are described below.
  • the planar shape of the capacitor section 10 when viewed from the thickness direction may be, for example, a rectangle (square or oblong), a quadrangle other than a rectangle, a polygon such as a triangle, a pentagon, or a hexagon, a circle, an ellipse, or a combination of these.
  • the planar shape of the capacitor section 10 may also be an L-shape, a C-shape, a stepped shape, or the like.
  • the anode plate 11 is preferably made of a valve metal that exhibits so-called valve action.
  • valve metals include simple metals such as aluminum, tantalum, niobium, titanium, and zirconium, or alloys containing at least one of these metals. Of these, aluminum or an aluminum alloy is preferred.
  • the shape of the anode plate 11 is preferably flat, and more preferably foil-like.
  • plate-like includes “foil-like”.
  • the anode plate 11 may have a porous portion 11B on at least one main surface of the core portion 11A.
  • the anode plate 11 may have a porous portion 11B on only one main surface of the core portion 11A, or may have a porous portion 11B on both main surfaces of the core portion 11A.
  • the porous portion 11B is preferably a porous layer formed on the surface of the core portion 11A, and is more preferably an etched layer.
  • the thickness of the anode plate 11 before the etching process is preferably 60 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the thickness of the unetched core portion 11A after the etching process is preferably 15 ⁇ m or more and 70 ⁇ m or less.
  • the thickness of the porous portion 11B is designed according to the required withstand voltage and electrostatic capacitance, but it is preferable that the combined thickness of the porous portions 11B on both sides of the core portion 11A is 10 ⁇ m or more and 180 ⁇ m or less.
  • the pore diameter of the porous portion 11B is preferably 10 nm or more and 600 nm or less.
  • the pore diameter of the porous portion 11B means the median diameter D50 measured by a mercury porosimeter.
  • the pore diameter of the porous portion 11B can be controlled, for example, by adjusting various etching conditions.
  • the dielectric layer 13 provided on the surface of the porous portion 11B is porous, reflecting the surface condition of the porous portion 11B, and has a finely uneven surface shape.
  • the dielectric layer 13 is preferably made of an oxide film of the valve metal.
  • the dielectric layer 13 made of an oxide film can be formed by anodizing the surface of the aluminum foil in an aqueous solution containing ammonium adipate or the like (also called chemical conversion treatment).
  • the thickness of the dielectric layer 13 is designed according to the required withstand voltage and capacitance, but is preferably 10 nm or more and 100 nm or less.
  • the cathode layer 12 includes a solid electrolyte layer 12A
  • examples of materials constituting the solid electrolyte layer 12A include conductive polymers such as polypyrroles, polythiophenes, and polyanilines. Among these, polythiophenes are preferred, and poly(3,4-ethylenedioxythiophene), also known as PEDOT, is particularly preferred.
  • the conductive polymer may also include a dopant such as polystyrene sulfonate (PSS).
  • PSS polystyrene sulfonate
  • the solid electrolyte layer 12A preferably includes an inner layer that fills the pores (recesses) of the dielectric layer 13, and an outer layer that covers the dielectric layer 13.
  • the thickness of the solid electrolyte layer 12A from the surface of the porous portion 11B is preferably 2 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the solid electrolyte layer 12A is formed, for example, by a method of forming a polymerized film of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) or the like on the surface of the dielectric layer 13 using a treatment liquid containing a monomer such as 3,4-ethylenedioxythiophene, or by applying a dispersion of a polymer such as poly(3,4-ethylenedioxythiophene) to the surface of the dielectric layer 13 and drying it.
  • the solid electrolyte layer 12A can be formed in a predetermined area by applying the above-mentioned treatment liquid or dispersion liquid to the surface of the dielectric layer 13 by a method such as sponge transfer, screen printing, dispenser application, or inkjet printing.
  • the conductor layer 12B includes at least one of a conductive resin layer and a metal layer.
  • the conductor layer 12B may be only a conductive resin layer or only a metal layer. It is preferable that the conductor layer 12B covers the entire surface of the solid electrolyte layer 12A.
  • the conductive resin layer may be, for example, a conductive adhesive layer containing at least one conductive filler selected from the group consisting of silver filler, copper filler, nickel filler, and carbon filler.
  • the metal layer examples include metal plating films and metal foils.
  • the metal layer is preferably made of at least one metal selected from the group consisting of nickel, copper, silver, and alloys containing these metals as the main components.
  • the term "main component" refers to the elemental component with the largest weight ratio.
  • the conductive layer 12B includes, for example, a carbon layer provided on the surface of the solid electrolyte layer 12A and a copper layer provided on the surface of the carbon layer.
  • the carbon layer is provided to electrically and mechanically connect the solid electrolyte layer 12A and the copper layer.
  • the carbon layer can be formed in a predetermined area by applying carbon paste to the surface of the solid electrolyte layer 12A by sponge transfer, screen printing, dispenser application, inkjet printing, or other methods. It is preferable to laminate the copper layer in the next process to the carbon layer while it is still viscous before drying.
  • the thickness of the carbon layer is preferably 2 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the copper layer can be formed in a predetermined area by applying copper paste to the surface of the carbon layer by sponge transfer, screen printing, spray application, dispenser application, inkjet printing, or other methods.
  • the thickness of the copper layer is preferably 2 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the sealing layer 30 is made of an insulating material. In this case, it is preferable that the sealing layer 30 is made of an insulating resin.
  • Examples of the insulating resin that constitutes the sealing layer 30 include epoxy resin, phenolic resin, etc.
  • the sealing layer 30 further contains a filler.
  • the filler contained in the sealing layer 30 may be, for example, inorganic fillers such as silica particles and alumina particles.
  • a layer such as a stress relief layer or a moisture-proof film may be provided between the capacitor section 10 and the sealing layer 30.
  • the through-hole conductor 70 includes at least one of a first through-hole conductor 71 electrically connected to the anode plate 11 and a second through-hole conductor 72 electrically connected to the cathode layer 12.
  • the first through-hole conductor 71 penetrates the capacitor section 10 and the sealing layer 30 in the thickness direction.
  • the first through-hole conductor 71 only needs to be provided on at least the inner wall surface of the first through hole 81 that penetrates the capacitor section 10 and the sealing layer 30 in the thickness direction.
  • the first through-hole conductor 71 may be provided only on the inner wall surface of the first through hole 81, or may be provided throughout the entire interior of the first through hole 81.
  • the first through-hole conductor 71 is preferably electrically connected to the anode plate 11 on the inner wall surface of the first through hole 81. More specifically, the first through-hole conductor 71 is preferably electrically connected to the end surface of the anode plate 11 that faces the inner wall surface of the first through hole 81 in the planar direction. In this way, the anode plate 11 is electrically led out to the outside via the first through-hole conductor 71.
  • the core portion 11A and the porous portion 11B are exposed on the end face of the anode plate 11 that is electrically connected to the first through-hole conductor 71.
  • the porous portion 11B as well as the core portion 11A are electrically connected to the first through-hole conductor 71.
  • the first through-hole conductor 71 is electrically connected to the anode plate 11 around the entire circumference of the first through hole 81.
  • the connection resistance between the anode plate 11 and the first through-hole conductor 71 tends to decrease, and therefore the ESR tends to decrease.
  • the first through-hole conductor 71 is formed, for example, as follows. First, a first through hole 81 penetrating the capacitor section 10 and the sealing layer 30 in the thickness direction is formed by drilling, laser processing, or the like. Then, the inner wall surface of the first through hole 81 is metallized with a metal material containing a low-resistance metal such as copper, gold, or silver to form the first through-hole conductor 71. When forming the first through-hole conductor 71, for example, the inner wall surface of the first through hole 81 is metallized with an electroless copper plating process, an electrolytic copper plating process, or the like to facilitate processing.
  • the method of forming the first through-hole conductor 71 may be a method of filling the first through hole 81 with a metal material, a composite material of metal and resin, or the like, in addition to a method of metallizing the inner wall surface of the first through hole 81.
  • An anode connection layer may be provided between the anode plate 11 and the first through-hole conductor 71 in the planar direction.
  • the anode plate 11 and the first through-hole conductor 71 may be electrically connected via the anode connection layer.
  • the anode connection layer is provided between the anode plate 11 and the first through-hole conductor 71 in the surface direction, so that the anode connection layer functions as a barrier layer for the anode plate 11, more specifically, as a barrier layer for the core portion 11A and the porous portion 11B.
  • the anode connection layer functions as a barrier layer for the anode plate 11
  • dissolution of the anode plate 11 that occurs during chemical treatment to form the external electrode layer 50 e.g., the first external electrode layer 51
  • the infiltration of the chemical solution into the capacitor portion 10 is suppressed, which tends to improve reliability.
  • the anode connection layer preferably includes a layer mainly composed of nickel. In this case, damage to the metal (e.g., aluminum) constituting the anode plate 11 is reduced, and the barrier properties of the anode connection layer against the anode plate 11 are easily improved.
  • the metal e.g., aluminum
  • an anode connection layer does not have to be provided between the anode plate 11 and the first through-hole conductor 71 in the surface direction.
  • the first through-hole conductor 71 may be directly connected to the end surface of the anode plate 11.
  • the first through hole 81 may be provided with a resin-filled portion filled with a resin material.
  • the resin-filled portion is provided in the space surrounded by the first through-hole conductor 71 in the first through hole 81.
  • the first external electrode layer 51 is electrically connected to the anode plate 11.
  • the first external electrode layer 51 is provided on the surface of the first through-hole conductor 71, and functions as a connection terminal for the capacitor section 10.
  • the first external electrode layer 51 is electrically connected to the anode plate 11 via the first through-hole conductor 71, and functions as a connection terminal for the anode plate 11.
  • the constituent material of the first external electrode layer 51 may be, for example, a metal material containing a low-resistance metal such as silver, gold, or copper.
  • the first external electrode layer 51 is formed, for example, by plating the surface of the first through-hole conductor 71.
  • a mixed material of at least one conductive filler selected from the group consisting of silver filler, copper filler, nickel filler, and carbon filler, and resin may be used as the constituent material of the first external electrode layer 51.
  • the second through-hole conductor 72 penetrates the capacitor section 10 and the sealing layer 30 in the thickness direction.
  • the second through-hole conductor 72 may be provided at least on the inner wall surface of the second through hole 82 that penetrates the capacitor section 10 and the sealing layer 30 in the thickness direction.
  • the second through-hole conductor 72 may be provided only on the inner wall surface of the second through hole 82, or may be provided throughout the entire interior of the second through hole 82.
  • the second through-hole conductor 72 is formed, for example, as follows. First, a through hole penetrating the capacitor section 10 in the thickness direction is formed by drilling, laser processing, etc. Next, the above-mentioned through hole is filled with an insulating material. The part filled with the insulating material is drilled, laser processing, etc. to form the second through hole 82. At this time, the diameter of the second through hole 82 is made smaller than the diameter of the through hole filled with the insulating material, so that the insulating material is present between the inner wall surface of the previously formed through hole and the inner wall surface of the second through hole 82 in the surface direction.
  • the inner wall surface of the second through hole 82 is metallized with a metal material containing a low-resistance metal such as copper, gold, or silver, thereby forming the second through-hole conductor 72.
  • a metal material containing a low-resistance metal such as copper, gold, or silver
  • the inner wall surface of the second through hole 82 is metallized with electroless copper plating, electrolytic copper plating, etc., to facilitate processing.
  • the method of forming the second through-hole conductor 72 may be a method of filling the second through-hole 82 with a metal material, a composite material of metal and resin, or the like, in addition to a method of metallizing the inner wall surface of the second through-hole 82.
  • the second through hole 82 may be provided with a resin-filled portion filled with a resin material.
  • the resin-filled portion is provided in the space surrounded by the second through-hole conductor 72 in the second through hole 82.
  • the second external electrode layer 52 is electrically connected to the cathode layer 12.
  • the second external electrode layer 52 is provided on the surface of the second through-hole conductor 72 and functions as a connection terminal of the capacitor section 10.
  • the second external electrode layer 52 may be made of a metal material containing a low-resistance metal such as silver, gold, or copper.
  • the second external electrode layer 52 is formed by, for example, plating the surface of the second through-hole conductor 72.
  • a mixed material of at least one conductive filler selected from the group consisting of silver filler, copper filler, nickel filler, and carbon filler, and resin may be used as the constituent material of the second external electrode layer 52.
  • the constituent materials of the first external electrode layer 51 and the second external electrode layer 52 are preferably the same as each other at least in terms of type, but may be different from each other.
  • each of the multiple capacitor sections 10 is provided with a first external electrode layer 51 electrically connected to the anode plate 11 and a second external electrode layer 52 electrically connected to the cathode layer 12, but at least one of the first external electrode layer 51 and the second external electrode layer 52 may be provided in common among the multiple capacitor sections 10.
  • the first external electrode layer 51 and the second external electrode layer 52 are provided on both main surfaces of the sealing layer 30, but they may be provided on only one main surface of the sealing layer 30.
  • the through-hole conductor 70 may include a third through-hole conductor that is not electrically connected to the anode plate 11 and the cathode layer 12.
  • the via conductor 90 penetrates the sealing layer 30 in the thickness direction and is connected to the cathode layer 12 and the second external electrode layer 52.
  • Examples of materials that can be used to form the via conductors 90 include metal materials that contain low-resistance metals such as silver, gold, and copper.
  • the via conductors 90 are formed, for example, by plating the inner wall surface of a through hole that penetrates the sealing layer 30 in the thickness direction with the metal material described above, or by filling the hole with a conductive paste and then performing a heat treatment.
  • the second through-hole conductor 72 is electrically connected to the cathode layer 12 via the second external electrode layer 52 and the via conductor 90.
  • the second external electrode layer 52 is electrically connected to the cathode layer 12 through a via conductor 90 and functions as a connection terminal for the cathode layer 12.
  • the capacitor section 10 further includes a mask layer 35 provided around the through-hole conductor 70 on at least one of the main surfaces of the anode plate 11.
  • a mask layer 35 is provided between the first through-hole conductor 71 and the cathode layer 12. Also, in the example shown in Figures 1 and 2A, an insulating material such as a sealing layer 30 is filled between the second through-hole conductor 72 and the capacitor section 10, and a mask layer 35 is provided between this insulating material and the cathode layer 12.
  • the capacitor section 10 may further include a mask layer provided on at least one of the main surfaces of the anode plate 11 so as to surround the periphery of the cathode layer 12.
  • a mask layer provided on at least one of the main surfaces of the anode plate 11 so as to surround the periphery of the cathode layer 12.
  • the mask layers are made of an insulating material. In this case, it is preferable that the mask layers are made of an insulating resin.
  • Examples of insulating resins constituting mask layers such as mask layer 35 include polyphenylsulfone resin, polyethersulfone resin, cyanate ester resin, fluororesin (tetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylether copolymer, etc.), polyimide resin, polyamideimide resin, epoxy resin, and derivatives or precursors thereof.
  • the mask layers such as mask layer 35 may be made of the same resin as sealing layer 30. Unlike sealing layer 30, if the mask layer contains inorganic filler, this may adversely affect the effective capacitance portion of capacitor section 10, so it is preferable that the mask layer is made of a resin alone.
  • Mask layers such as mask layer 35 can be formed in a predetermined area by applying a mask material such as a composition containing an insulating resin to the surface of porous portion 11B by a method such as sponge transfer, screen printing, dispenser application, or inkjet printing.
  • a mask material such as a composition containing an insulating resin
  • Mask layers such as mask layer 35 may be formed on porous portion 11B either before dielectric layer 13 is formed or after dielectric layer 13 is formed.
  • one capacitor section may be disposed inside the sealing layer, or multiple capacitor sections may be disposed inside the sealing layer.
  • adjacent capacitor parts when multiple capacitor parts are arranged inside the sealing layer, adjacent capacitor parts only need to be physically separated from each other. Therefore, adjacent capacitor parts may be electrically separated from each other or electrically connected to each other. It is preferable that the part where adjacent capacitor parts are separated from each other is filled with an insulating material such as a sealing layer. The distance between adjacent capacitor parts may be constant in the thickness direction or may become smaller in the thickness direction.
  • the multiple capacitor parts when multiple capacitor parts are arranged inside the sealing layer, the multiple capacitor parts may be arranged so as to be lined up in the planar direction, or so as to be stacked in the thickness direction, or a combination of both.
  • the multiple capacitor parts may be arranged regularly or irregularly.
  • the size and shape, etc. of the capacitor elements may be the same, or may be partially or entirely different. It is preferable that the configuration of each capacitor element is the same, but capacitor elements with different configurations may be included.
  • the capacitor element of the present invention can be suitably used as a constituent material of a composite electronic component.
  • a composite electronic component includes, for example, the capacitor element of the present invention, an external electrode layer provided on the surface of the sealing layer of the capacitor element and electrically connected to each of the anode plate and cathode layer of the capacitor element, and an electronic component connected to the external electrode layer.
  • the electronic component connected to the external electrode layer may be a passive element or an active element. Both the passive element and the active element may be connected to the external electrode layer, or either the passive element or the active element may be connected to the external electrode layer. Also, a composite of a passive element and an active element may be connected to the external electrode layer.
  • Passive elements include, for example, inductors. Active elements include memory, GPUs (Graphical Processing Units), CPUs (Central Processing Units), MPUs (Micro Processing Units), PMICs (Power Management ICs), etc.
  • the capacitor element of the present invention has a sheet-like shape overall. Therefore, in a composite electronic component, the capacitor element can be treated like a mounting board, and electronic components can be mounted on the capacitor element. Furthermore, by making the electronic components to be mounted on the capacitor element into a sheet-like shape, it is also possible to connect the capacitor element and the electronic components in the thickness direction via through-hole conductors that penetrate each electronic component in the thickness direction. As a result, the active elements and passive elements can be configured like a single module.
  • a switching regulator can be formed by electrically connecting the capacitor element of the present invention between a voltage regulator including a semiconductor active element and a load to which the converted DC voltage is supplied.
  • a circuit layer may be formed on one side of a capacitor matrix sheet on which a plurality of capacitor elements of the present invention are laid out, and the capacitor elements may then be connected to passive or active elements.
  • the capacitor element of the present invention may be placed in a cavity portion previously provided in a substrate, embedded in resin, and then a circuit layer may be formed on the resin.
  • Another electronic component passive element or active element
  • the capacitor element of the present invention may be mounted on a smooth carrier such as a wafer or glass, an outer layer made of resin may be formed, a circuit layer may be formed, and then the capacitor element may be connected to a passive or active element.
  • a capacitor section including an anode plate having a porous portion on at least one main surface of a core portion, a dielectric layer provided on a surface of the porous portion, and a cathode layer provided on a surface of the dielectric layer; a sealing layer that seals the capacitor portion, The capacitor element, wherein a slit is provided on the surface of the sealing layer.
  • ⁇ 3> a first lead conductor provided inside the sealing layer so as to be electrically connected to the anode plate and led out to a surface of the sealing layer;
  • ⁇ 4> a first external electrode layer provided on a surface of the sealing layer so as to be electrically connected to the anode plate via the first lead conductor;
  • ⁇ 5> a second lead conductor provided inside the sealing layer so as to be electrically connected to the cathode layer and led out to a surface of the sealing layer;
  • ⁇ 6> a second external electrode layer provided on a surface of the sealing layer so as to be electrically connected to the cathode layer via the second lead conductor;
  • ⁇ 7> The capacitor element according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, wherein the slit is provided at a position closer to an outer edge of the anode plate than to a center of the anode plate.
  • an external electrode layer provided on a surface of the sealing layer so as to be electrically connected to the anode plate or the cathode layer;
  • the external electrode layers include an external electrode layer having a relatively large area and an external electrode layer having a relatively small area in a plan view in a thickness direction of the cathode layer,
  • the capacitor element according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 7>, wherein the slit is provided at a position closer to the external electrode layer having a relatively large area than to the external electrode layer having a relatively small area.
  • ⁇ 9> The capacitor element according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8>, wherein the cathode layer includes a solid electrolyte layer provided on a surface of the dielectric layer.

Landscapes

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Abstract

コンデンサ素子１は、芯部１１Ａの少なくとも一方の主面に多孔質部１１Ｂを有する陽極板１１と、多孔質部１１Ｂの表面に設けられた誘電体層１３と、誘電体層１３の表面に設けられた陰極層１２と、を含むコンデンサ部１０と、コンデンサ部１０を封止する封止層３０と、を備え、封止層３０の表面には、スリット４０が設けられている。

Description

コンデンサ素子
　本発明は、コンデンサ素子に関する。
　特許文献１には、１枚の固体電解コンデンサシートが分割されてなる複数の固体電解コンデンサ素子と、シート状の第１封止層と、シート状の第２封止層とを備えるコンデンサアレイが開示されている。上記固体電解コンデンサシートは、弁作用金属からなる陽極板と、上記陽極板の少なくとも一方の主面に設けられた多孔質層と、上記多孔質層の表面に設けられた誘電体層と、上記誘電体層の表面に設けられた固体電解質層を含む陰極層とを備え、厚み方向に相対する第１主面及び第２主面を有する。上記複数の固体電解コンデンサ素子は、それぞれの上記第１主面側が上記第１封止層上に配置されている。上記第２封止層は、上記第１封止層上の上記複数の固体電解コンデンサ素子を上記第２主面側から覆うように配置されている。上記固体電解コンデンサ素子間はスリット状のシート除去部によって分割されている。
特開２０２０－１６７３６１号公報
　特許文献１には、固体電解コンデンサ素子と第１封止層又は第２封止層との間に応力緩和層が設けられていてもよいことが記載されている。特許文献１によれば、上記の箇所に応力緩和層を設けることにより、固体電解コンデンサ素子の最外部に配置される導体部及び絶縁部の各々に必要な能力（抵抗、ブロック性能等）や封止層に必要な能力（配線と密着しやすい、平滑に形成されやすい等）を損なうことなく、コンデンサアレイの内部と外部との間に発生する応力を緩和することができる、とされている。
　特許文献１の図２５、図２７及び図２９には、各々、応力緩和層を備えるコンデンサアレイの断面が示されている。しかしながら、特許文献１の図２５、図２７及び図２９に示す箇所に応力緩和層が設けられているだけでは、固体電解コンデンサ素子の容量有効部での剥離、例えば、陽極板から陰極層が剥離すること等が発生してしまうおそれがある。
　なお、上記の問題は、複数個のコンデンサ部が封止層の内部に配置されている構造に限らず、１個のコンデンサ部が封止層の内部に配置されている構造にも生じる問題である。
　本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、容量有効部での剥離を抑制することが可能なコンデンサ素子を提供することを目的とする。
　本発明のコンデンサ素子は、芯部の少なくとも一方の主面に多孔質部を有する陽極板と、上記多孔質部の表面に設けられた誘電体層と、上記誘電体層の表面に設けられた陰極層と、を含むコンデンサ部と、上記コンデンサ部を封止する封止層と、を備え、上記封止層の表面には、スリットが設けられている。
　本発明によれば、容量有効部での剥離を抑制することが可能なコンデンサ素子を提供することができる。
図１は、本発明のコンデンサ素子の一例を模式的に示す断面図である。 図２Ａは、図１に示すコンデンサ素子のＡ線に沿った平面図である。 図２Ｂは、図１に示すコンデンサ素子のＢ線に沿った平面図である。 図３は、本発明のコンデンサ素子の第１変形例を模式的に示す断面図である。 図４は、図３においてａで示す部分の拡大図である。 図５は、本発明のコンデンサ素子の第２変形例を模式的に示す断面図である。 図６は、コンデンサ素子集合体の一例を模式的に示す平面図である。
　以下、本発明のコンデンサ素子について説明する。なお、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更されてもよい。また、以下において記載する個々の好ましい構成を複数組み合わせたものもまた本発明である。
　本明細書において、要素間の関係性を示す用語（例えば「垂直」、「平行」、「直交」等）及び要素の形状を示す用語は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。
　以下に示す図面は模式図であり、その寸法、縦横比の縮尺等は実際の製品と異なる場合がある。図中、同一又は相当部分には同一符号を用いることとする。また、各図において、同一要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。
　図１は、本発明のコンデンサ素子の一例を模式的に示す断面図である。図２Ａは、図１に示すコンデンサ素子のＡ線に沿った平面図である。図２Ｂは、図１に示すコンデンサ素子のＢ線に沿った平面図である。
　図１、図２Ａ及び図２Ｂに示すコンデンサ素子１は、コンデンサ部１０と、コンデンサ部１０を封止する封止層３０と、を備える。
　図１、図２Ａ及び図２Ｂに示す例では、封止層３０の内部に２個のコンデンサ部１０が配置されている。封止層３０の内部に配置されるコンデンサ部１０の数は特に限定されず、１個でもよく、複数個でもよい。
　コンデンサ部１０は、芯部１１Ａの少なくとも一方の主面に多孔質部１１Ｂを有する陽極板１１と、多孔質部１１Ｂの表面に設けられた誘電体層１３と、誘電体層１３の表面に設けられた陰極層１２と、を含む。これにより、コンデンサ部１０は、電解コンデンサを構成する。図１に示す例では、陽極板１１は、芯部１１Ａの両方の主面に多孔質部１１Ｂを有するが、芯部１１Ａのいずれか一方の主面のみに多孔質部１１Ｂを有してもよい。
　陰極層１２は、例えば、誘電体層１３の表面に設けられた固体電解質層１２Ａを含む。陰極層１２は、さらに、固体電解質層１２Ａの表面に設けられた導電体層１２Ｂを含むことが好ましい。陰極層１２が固体電解質層１２Ａを含む場合、コンデンサ部１０は、固体電解コンデンサを構成する。
　封止層３０は、図１に示すように、コンデンサ部１０の厚さ方向の相対する両方の主面に設けられていることが好ましい。封止層３０によってコンデンサ部１０が保護される。
　封止層３０は、１層のみから構成されてもよく、２層以上から構成されてもよい。封止層３０が２層以上から構成される場合、各層を構成する材料は、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
　封止層３０は、例えば、絶縁性樹脂シートを熱圧着する方法、絶縁性樹脂ペーストを塗工した後で熱硬化させる方法等により、コンデンサ部１０を封止するように形成される。
　封止層３０の表面には、スリット４０が設けられている。図１及び図２Ｂに示すように、封止層３０の表面には、複数のスリット４０が設けられていることが好ましい。
　封止層３０の表面にスリット４０を設けることで、反り等によって生じる応力を緩和することができる。したがって、容量有効部での剥離を抑制することができる。その結果、等価直列抵抗（ＥＳＲ）の劣化を低減することができる。
　コンデンサ部１０の両方の主面に封止層３０が設けられている場合、いずれか一方の主面に設けられた封止層３０の表面のみにスリット４０が設けられていてもよいが、両方の主面に設けられた封止層３０の表面にスリット４０が設けられていることが好ましい。コンデンサ部１０の両方の主面に設けられた封止層３０の表面にスリット４０が設けられている場合、スリット４０の位置、断面形状、平面形状、深さ等は、コンデンサ部１０の一方の主面側と他方の主面側とで同じであってもよく、一部又は全部が異なっていてもよい。
　スリット４０は、陰極層１２に接しない位置に設けられていることが好ましい。陰極層１２に接しない位置にスリット４０を設けることで、デラミネーションが発生した場合であっても、陰極層１２の近傍ではなくスリット４０の近傍で優先的にデラミネーションを発生させることができる。したがって、容量有効部での剥離を抑制することができる。その結果、ＥＳＲの劣化を低減することができる。
　陰極層１２が、固体電解質層１２Ａ及び導電体層１２Ｂを含む場合、スリット４０は、導電体層１２Ｂに接しない位置に設けられていることが好ましい。封止層３０の表面に複数のスリット４０が設けられている場合、少なくとも１つのスリット４０が導電体層１２Ｂに接しない位置に設けられていることが好ましい。
　コンデンサ素子１は、封止層３０の表面に設けられた外部電極層５０をさらに備えてもよい。
　外部電極層５０は、例えば、陽極板１１に電気的に接続される第１外部電極層５１と、陰極層１２に電気的に接続される第２外部電極層５２と、を含む。
　コンデンサ素子１は、封止層３０の内部に設けられ、かつ、封止層３０の表面に引き出された引き出し導体をさらに備えてもよい。
　引き出し導体としては、例えば、スルーホール導体７０、ビア導体９０等が挙げられる。
　引き出し導体は、例えば、陽極板１１に電気的に接続される第１引き出し導体と、陰極層１２に電気的に接続される第２引き出し導体と、を含む。
　第１引き出し導体としては、例えば、第１スルーホール導体７１等が挙げられる。陰極層１２の内部には、１個の第１スルーホール導体７１が設けられていてもよく、２個以上の第１スルーホール導体７１が設けられていてもよい。
　第２引き出し導体としては、例えば、第２スルーホール導体７２、ビア導体９０等が挙げられる。陰極層１２の内部には、１個の第２スルーホール導体７２が設けられていてもよく、２個以上の第２スルーホール導体７２が設けられていてもよい。また、陰極層１２の内部には、１個のビア導体９０が設けられていてもよく、２個以上のビア導体９０が設けられていてもよい。
　図１に示す例では、コンデンサ素子１は、第１引き出し導体として第１スルーホール導体７１を備えている。その場合、スリット４０は、陰極層１２及び第１スルーホール導体７１に接しない位置に設けられていることが好ましい。第１スルーホール導体７１等の第１引き出し導体に接しない位置にスリット４０を設けることで、第１引き出し導体での剥離を抑制することができる。その結果、ＥＳＲの劣化を低減することができる。
　さらに、図１に示す例では、コンデンサ素子１は、第１外部電極層５１を備えている。その場合、スリット４０は、陰極層１２、第１スルーホール導体７１及び第１外部電極層５１に接しない位置に設けられていることが好ましい。第１外部電極層５１に接しない位置にスリット４０を設けることで、第１外部電極層５１での剥離を抑制することができる。その結果、ＥＳＲの劣化を低減することができる。
　また、図１に示す例では、コンデンサ素子１は、第２引き出し導体として第２スルーホール導体７２及びビア導体９０を備えている。その場合、スリット４０は、陰極層１２、第２スルーホール導体７２及びビア導体９０に接しない位置に設けられていることが好ましい。第２スルーホール導体７２、ビア導体９０等の第２引き出し導体に接しない位置にスリット４０を設けることで、第２引き出し導体での剥離を抑制することができる。その結果、ＥＳＲの劣化を低減することができる。
　さらに、図１に示す例では、コンデンサ素子１は、第２外部電極層５２を備えている。その場合、スリット４０は、陰極層１２、第２スルーホール導体７２、ビア導体９０及び第２外部電極層５２に接しない位置に設けられていることが好ましい。第２外部電極層５２に接しない位置にスリット４０を設けることで、第２外部電極層５２での剥離を抑制することができる。その結果、ＥＳＲの劣化を低減することができる。
　なお、スリット４０が第２引き出し導体に接しない位置に設けられている場合、スリット４０は、第２スルーホール導体７２及びビア導体９０の両方に接しない位置に設けられていてもよく、第２スルーホール導体７２及びビア導体９０の一方のみに接しない位置に設けられていてもよい。
　封止層３０の表面にスリット４０を形成する方法は特に限定されないが、例えば、レーザー加工、エッチング加工等の方法が挙げられる。複数のコンデンサ素子１を含む大判のシートを用いて複数のコンデンサ素子１を同時に製造する場合、複数のコンデンサ素子１に分割した後の状態（すなわち、個片化された状態）でスリット４０を形成してもよく、複数のコンデンサ素子１に分割する前の状態（すなわち、大判のシートの状態）でスリット４０を形成してもよい。後者の場合、製品であるコンデンサ素子１の形態のほか、反り、応力等の発生の傾向に応じてスリット４０を形成することが可能となる。
　スリット４０は、封止層３０の表面に対して垂直に設けられていてもよく、封止層３０の表面に対して斜めに設けられていてもよく、封止層３０の内部で曲がって設けられていてもよい。このようなスリット４０が混在して設けられていてもよい。
　陰極層１２の厚さ方向からの平面視で、スリット４０は、陰極層１２と重なる位置に設けられていてもよく、陰極層１２と重ならない位置に設けられていてもよい。封止層３０の表面に複数のスリット４０が設けられている場合、陰極層１２と重なる位置及び陰極層１２と重ならない位置の両方にスリット４０が設けられていてもよい。
　陰極層１２の厚さ方向からの平面視で、陰極層１２と重なる位置にあるスリット４０は、例えば、外部電極層５０と重ならない位置に設けられている。例えば、外部電極層５０が第１外部電極層５１及び第２外部電極層５２を含む場合、陰極層１２の厚さ方向からの平面視で、陰極層１２と重なる位置にあるスリット４０は、第１外部電極層５１及び第２外部電極層５２の両方と重ならない位置に設けられていてもよい。
　あるいは、陰極層１２の厚さ方向からの平面視で、陰極層１２と重なる位置にあるスリット４０は、外部電極層５０と重なる位置に設けられていてもよい。例えば、外部電極層５０が第１外部電極層５１及び第２外部電極層５２を含む場合、陰極層１２の厚さ方向からの平面視で、陰極層１２と重なる位置にあるスリット４０は、第１外部電極層５１及び第２外部電極層５２の両方と重なる位置に設けられていてもよく、第１外部電極層５１及び第２外部電極層５２の一方と重なる位置に設けられていてもよい。
　図３は、本発明のコンデンサ素子の第１変形例を模式的に示す断面図である。
　図３に示すコンデンサ素子１Ａでは、ａで示す部分において、陰極層１２と重なる位置にあるスリット４０は、外部電極層５０（ここでは第２外部電極層５２）と重なる位置に設けられている。
　図４は、図３においてａで示す部分の拡大図である。
　図４に示すように、スリット４０と重なる位置にある外部電極層５０（ここでは第２外部電極層５２）は、段差を有してもよい。具体的には、スリット４０と重なる位置にある外部電極層５０（ここでは第２外部電極層５２）が凹んでいてもよい。外部電極層５０の凹みの断面形状、平面形状、深さ等は、特に限定されない。
　図３においてａ及びｂで示す部分のように、コンデンサ部１０の表裏でスリット４０が同一直線上に設けられていなくてもよい。図３に示す例では、ａで示す部分において陰極層１２と重なる位置にあるスリット４０と、ｂで示す部分において陰極層１２と重なる位置にあるスリット４０とが同一直線上に設けられていないが、他の位置にあるスリット４０がコンデンサ部１０の表裏で同一直線上に設けられていなくてもよい。
　封止層３０の表面に複数のスリット４０が設けられている場合、スリット４０の深さは、それぞれ同じであってもよく、一部又は全部が異なっていてもよい。
　図５は、本発明のコンデンサ素子の第２変形例を模式的に示す断面図である。
　図５に示すコンデンサ素子１Ｂでは、スリット４０の深さが異なっている。図５に示す例では、コンデンサ部１０の両方の主面側でスリット４０の深さが異なっているが、いずれか一方の主面側でのみスリット４０の深さが異なっていてもよい。
　図６は、コンデンサ素子集合体の一例を模式的に示す平面図である。
　図６に示すコンデンサ素子集合体１００は、複数のコンデンサ素子を含む大判のシートである。図６に示すように、コンデンサ素子集合体１００の任意の箇所にスリット４０Ａ、４０Ｂ及び４０Ｃを形成することができる。なお、スリット４０Ａ、４０Ｂ及び４０Ｃは、各々、連続して形成されなくてもよく、例えば、必要な箇所に不連続に形成されてもよい。
　コンデンサ素子集合体１００は、コーナー部に応力を受けやすい傾向があるため、陽極板１１の中央部に比べて外縁部で変形が生じやすい。そのため、陽極板１１の外縁部に多くのスリット４０Ａが形成されることが好ましい。
　また、外部電極層５０の下部にスリット４０Ｂが形成されてもよい。図６では、外部電極層５０の下部に形成されるスリット４０Ｂを破線で示している。
　コンデンサ素子集合体１００が面積の異なる外部電極層５０を備える場合、面積の大きい外部電極層５０に多くのスリット４０Ｃが形成されることが好ましい。その場合、容量有効部の面内で応力の影響を受けやすい領域に多くのスリット４０Ｃが形成されてもよい。
　このようなコンデンサ素子集合体１００を切断することで、スリットを有するコンデンサ素子が得られる。
　以上より、本発明のコンデンサ素子では、スリットは、陽極板の中央部よりも外縁部に近い位置に設けられていてもよい。封止層の表面に複数のスリットが設けられている場合、少なくとも１つのスリットが、陽極板の中央部よりも外縁部に近い位置に設けられていればよい。一方、封止層の表面に１つのスリットが設けられている場合、当該スリットが、陽極板の中央部よりも外縁部に近い位置に設けられていればよい。
　本発明のコンデンサ素子では、スリットは、相対的に面積の小さい外部電極層よりも相対的に面積の大きい外部電極層に近い位置に設けられていてもよい。封止層の表面に複数のスリットが設けられている場合、少なくとも１つのスリットが、相対的に面積の小さい外部電極層よりも相対的に面積の大きい外部電極層に近い位置に設けられていればよい。一方、封止層の表面に１つのスリットが設けられている場合、当該スリットが、相対的に面積の小さい外部電極層よりも相対的に面積の大きい外部電極層に近い位置に設けられていればよい。
　例えば、相対的に面積の大きい外部電極層は、陽極板に電気的に接続される第１外部電極層であってもよく、陰極層に電気的に接続される第２外部電極層であってもよい。同様に、相対的に面積の小さい外部電極層は、陽極板に電気的に接続される第１外部電極層であってもよく、陰極層に電気的に接続される第２外部電極層であってもよい。この場合、相対的に面積の大きい外部電極層及び相対的に面積の小さい外部電極層の組み合わせは、第１外部電極層及び第１外部電極層の組み合わせ、第１外部電極層及び第２外部電極層の組み合わせ、第２外部電極層及び第１外部電極層の組み合わせ、又は、第２外部電極層及び第２外部電極層の組み合わせである。
　以下では、コンデンサ素子１、１Ａ及び１Ｂの詳細な構成について説明する。
　厚さ方向から見たときのコンデンサ部１０の平面形状としては、例えば、矩形（正方形又は長方形）、矩形以外の四角形、三角形、五角形、六角形等の多角形、円形、楕円形、これらを組み合わせた形状等が挙げられる。また、コンデンサ部１０の平面形状は、Ｌ字型、Ｃ字型（コの字型）、階段型等であってもよい。
　陽極板１１は、いわゆる弁作用を示す弁作用金属からなることが好ましい。弁作用金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム等の金属単体、又は、これらの金属を少なくとも１種含む合金等が挙げられる。これらの中では、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。
　陽極板１１の形状は、平板状であることが好ましく、箔状であることがより好ましい。このように、本明細書中では、「板状」に「箔状」も含まれる。
　陽極板１１は、芯部１１Ａの少なくとも一方の主面に多孔質部１１Ｂを有していればよい。つまり、陽極板１１は、芯部１１Ａの一方の主面のみに多孔質部１１Ｂを有していてもよく、芯部１１Ａの両方の主面に多孔質部１１Ｂを有していてもよい。多孔質部１１Ｂは、芯部１１Ａの表面に形成された多孔質層であることが好ましく、エッチング層であることがより好ましい。
　エッチング処理前の陽極板１１の厚さは、６０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい。エッチング処理後にエッチングされていない芯部１１Ａの厚さは、１５μｍ以上、７０μｍ以下であることが好ましい。多孔質部１１Ｂの厚さは要求される耐電圧、静電容量に合わせて設計されるが、芯部１１Ａの両側の多孔質部１１Ｂを合わせて１０μｍ以上、１８０μｍ以下であることが好ましい。
　多孔質部１１Ｂの孔径は、１０ｎｍ以上、６００ｎｍ以下であることが好ましい。なお、多孔質部１１Ｂの孔径とは、水銀ポロシメータにより測定されるメジアン径Ｄ５０を意味する。多孔質部１１Ｂの孔径は、例えばエッチングにおける各種条件を調整することにより制御することができる。
　多孔質部１１Ｂの表面に設けられる誘電体層１３は、多孔質部１１Ｂの表面状態を反映して多孔質になっており、微細な凹凸状の表面形状を有している。誘電体層１３は、上記弁作用金属の酸化皮膜からなることが好ましい。例えば、陽極板１１としてアルミニウム箔が用いられる場合、アジピン酸アンモニウム等を含む水溶液中でアルミニウム箔の表面に対して陽極酸化処理（化成処理ともいう）を行うことにより、酸化皮膜からなる誘電体層１３を形成することができる。
　誘電体層１３の厚さは要求される耐電圧、静電容量に合わせて設計されるが、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることが好ましい。
　陰極層１２が固体電解質層１２Ａを含む場合、固体電解質層１２Ａを構成する材料としては、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類等の導電性高分子等が挙げられる。これらの中では、ポリチオフェン類が好ましく、ＰＥＤＯＴと呼ばれるポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。また、上記導電性高分子は、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等のドーパントを含んでいてもよい。なお、固体電解質層１２Ａは、誘電体層１３の細孔（凹部）を充填する内層と、誘電体層１３を被覆する外層とを含むことが好ましい。
　多孔質部１１Ｂの表面からの固体電解質層１２Ａの厚さは、２μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。
　固体電解質層１２Ａは、例えば、３，４－エチレンジオキシチオフェン等のモノマーを含む処理液を用いて、誘電体層１３の表面にポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）等の重合膜を形成する方法や、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）等のポリマーの分散液を誘電体層１３の表面に塗布して乾燥させる方法等によって形成される。
　固体電解質層１２Ａは、上記の処理液又は分散液を、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によって誘電体層１３の表面に塗布することにより、所定の領域に形成することができる。
　陰極層１２が導電体層１２Ｂを含む場合、導電体層１２Ｂは、導電性樹脂層及び金属層のうち、少なくとも１層を含む。導電体層１２Ｂは、導電性樹脂層のみでもよく、金属層のみでもよい。導電体層１２Ｂは、固体電解質層１２Ａの全面を被覆することが好ましい。
　導電性樹脂層としては、例えば、銀フィラー、銅フィラー、ニッケルフィラー及びカーボンフィラーからなる群より選択される少なくとも１種の導電性フィラーを含む導電性接着剤層等が挙げられる。
　金属層としては、例えば、金属めっき膜、金属箔等が挙げられる。金属層は、ニッケル、銅、銀及びこれらの金属を主成分とする合金からなる群より選択される少なくとも一種の金属からなることが好ましい。なお、「主成分」とは、重量割合が最も大きい元素成分をいう。
　導電体層１２Ｂは、例えば、固体電解質層１２Ａの表面に設けられたカーボン層と、カーボン層の表面に設けられた銅層と、を含む。
　カーボン層は、固体電解質層１２Ａと銅層とを電気的に及び機械的に接続させるために設けられている。カーボン層は、カーボンペーストをスポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によって固体電解質層１２Ａの表面に塗布することにより、所定の領域に形成することができる。なお、カーボン層は、乾燥前の粘性のある状態で、次工程の銅層を積層することが好ましい。カーボン層の厚さは、２μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。
　銅層は、銅ペーストをスポンジ転写、スクリーン印刷、スプレー塗布、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によってカーボン層の表面に塗布することにより、所定の領域に形成することができる。銅層の厚さは、２μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。
　封止層３０は、絶縁性材料から構成される。この場合、封止層３０は、絶縁性樹脂から構成されることが好ましい。
　封止層３０を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
　封止層３０は、フィラーをさらに含むことが好ましい。
　封止層３０に含まれるフィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子等の無機フィラーが挙げられる。
　コンデンサ部１０と封止層３０との間には、例えば、応力緩和層、防湿膜等の層が設けられていてもよい。
　スルーホール導体７０は、陽極板１１に電気的に接続される第１スルーホール導体７１、及び、陰極層１２に電気的に接続される第２スルーホール導体７２のうち、少なくとも一方を含むことが好ましい。
　第１スルーホール導体７１は、コンデンサ部１０及び封止層３０を厚さ方向に貫通している。
　第１スルーホール導体７１は、コンデンサ部１０及び封止層３０を厚さ方向に貫通する第１貫通孔８１の少なくとも内壁面に設けられていればよい。第１スルーホール導体７１は、第１貫通孔８１の内壁面のみに設けられていてもよく、第１貫通孔８１の内部全体に設けられていてもよい。
　第１スルーホール導体７１は、第１貫通孔８１の内壁面で陽極板１１に電気的に接続されていることが好ましい。より具体的には、第１スルーホール導体７１は、面方向において第１貫通孔８１の内壁面に対向する陽極板１１の端面に電気的に接続されていることが好ましい。これにより、陽極板１１は、第１スルーホール導体７１を介して外部に電気的に導出される。
　第１スルーホール導体７１に電気的に接続される陽極板１１の端面には、芯部１１Ａ及び多孔質部１１Ｂが露出していることが好ましい。この場合、芯部１１Ａに加えて多孔質部１１Ｂでも、第１スルーホール導体７１との電気的な接続がなされる。
　厚さ方向から見たとき、第１スルーホール導体７１は、第１貫通孔８１の全周にわたって陽極板１１に電気的に接続されていることが好ましい。この場合、陽極板１１と第１スルーホール導体７１との接続抵抗が低下しやすくなるため、ＥＳＲが低下しやすくなる。
　第１スルーホール導体７１は、例えば、以下のようにして形成される。まず、ドリル加工、レーザー加工等を行うことにより、コンデンサ部１０及び封止層３０を厚さ方向に貫通する第１貫通孔８１を形成する。そして、第１貫通孔８１の内壁面を、銅、金、銀等の低抵抗の金属を含有する金属材料でメタライズすることにより、第１スルーホール導体７１を形成する。第１スルーホール導体７１を形成する際、例えば、第１貫通孔８１の内壁面を、無電解銅めっき処理、電解銅めっき処理等でメタライズすることにより、加工が容易になる。なお、第１スルーホール導体７１を形成する方法については、第１貫通孔８１の内壁面をメタライズする方法以外に、金属材料、金属と樹脂との複合材料等を第１貫通孔８１に充填する方法であってもよい。
　面方向において陽極板１１と第１スルーホール導体７１との間には、陽極接続層が設けられていてもよい。すなわち、陽極板１１と第１スルーホール導体７１とは、陽極接続層を介して電気的に接続されていてもよい。
　陽極接続層が面方向において陽極板１１と第１スルーホール導体７１との間に設けられていることにより、陽極接続層が、陽極板１１に対するバリア層、より具体的には、芯部１１Ａ及び多孔質部１１Ｂに対するバリア層として機能する。陽極接続層が陽極板１１に対するバリア層として機能すると、外部電極層５０（例えば第１外部電極層５１）を形成するための薬液処理時に生じる陽極板１１の溶解が抑制され、ひいては、コンデンサ部１０への薬液の浸入が抑制されるため、信頼性が向上しやすくなる。
　陽極接続層は、ニッケルを主成分とする層を含むことが好ましい。この場合、陽極板１１を構成する金属（例えば、アルミニウム）等へのダメージが低減されるため、陽極板１１に対する陽極接続層のバリア性が向上しやすくなる。
　なお、面方向において、陽極板１１と第１スルーホール導体７１との間には、陽極接続層が設けられていなくてもよい。この場合、第１スルーホール導体７１は、陽極板１１の端面に直に接続されていてもよい。
　第１スルーホール導体７１が第１貫通孔８１の内壁面のみに設けられている場合、第１貫通孔８１には、樹脂材料が充填されてなる樹脂充填部が設けられていてもよい。その場合、樹脂充填部は、第１貫通孔８１内の第１スルーホール導体７１で囲まれた空間に設けられる。樹脂充填部が設けられることで第１貫通孔８１内の空間が解消されると、第１スルーホール導体７１のデラミネーションの発生が抑制される。
　第１外部電極層５１は、陽極板１１と電気的に接続されている。図１に示す例において、第１外部電極層５１は、第１スルーホール導体７１の表面に設けられており、コンデンサ部１０の接続端子として機能する。図１に示す例において、第１外部電極層５１は、第１スルーホール導体７１を介して陽極板１１に電気的に接続されており、陽極板１１用の接続端子として機能する。
　第１外部電極層５１の構成材料としては、例えば、銀、金、銅等の低抵抗の金属を含有する金属材料等が挙げられる。この場合、第１外部電極層５１は、例えば、第１スルーホール導体７１の表面にめっき処理を行うことにより形成される。
　第１外部電極層５１と他の部材との間の密着性、ここでは、第１外部電極層５１と第１スルーホール導体７１との間の密着性を向上させるために、第１外部電極層５１の構成材料として、銀フィラー、銅フィラー、ニッケルフィラー、及び、カーボンフィラーからなる群より選択される少なくとも１種の導電性フィラーと樹脂との混合材料が用いられてもよい。
　第２スルーホール導体７２は、コンデンサ部１０及び封止層３０を厚さ方向に貫通している。
　第２スルーホール導体７２は、コンデンサ部１０及び封止層３０を厚さ方向に貫通する第２貫通孔８２の少なくとも内壁面に設けられていればよい。第２スルーホール導体７２は、第２貫通孔８２の内壁面のみに設けられていてもよく、第２貫通孔８２の内部全体に設けられていてもよい。
　第２スルーホール導体７２は、例えば、以下のようにして形成される。まず、ドリル加工、レーザー加工等を行うことにより、コンデンサ部１０を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する。次に、上述した貫通孔に絶縁性材料を充填する。絶縁性材料が充填された部分に対して、ドリル加工、レーザー加工等を行うことにより、第２貫通孔８２を形成する。この際、絶縁性材料を充填した貫通孔の直径よりも第２貫通孔８２の直径を小さくすることにより、面方向において、先に形成された貫通孔の内壁面と第２貫通孔８２の内壁面との間に絶縁性材料が存在する状態にする。その後、第２貫通孔８２の内壁面を、銅、金、銀等の低抵抗の金属を含有する金属材料でメタライズすることにより、第２スルーホール導体７２を形成する。第２スルーホール導体７２を形成する際、例えば、第２貫通孔８２の内壁面を、無電解銅めっき処理、電解銅めっき処理等でメタライズすることにより、加工が容易になる。なお、第２スルーホール導体７２を形成する方法については、第２貫通孔８２の内壁面をメタライズする方法以外に、金属材料、金属と樹脂との複合材料等を第２貫通孔８２に充填する方法であってもよい。
　第２スルーホール導体７２が第２貫通孔８２の内壁面のみに設けられている場合、第２貫通孔８２には、樹脂材料が充填されてなる樹脂充填部が設けられていてもよい。その場合、樹脂充填部は、第２貫通孔８２内の第２スルーホール導体７２で囲まれた空間に設けられる。樹脂充填部が設けられることで第２貫通孔８２内の空間が解消されると、第２スルーホール導体７２のデラミネーションの発生が抑制される。
　第２外部電極層５２は、陰極層１２と電気的に接続されている。図１に示す例において、第２外部電極層５２は、第２スルーホール導体７２の表面に設けられており、コンデンサ部１０の接続端子として機能する。
　第２外部電極層５２の構成材料としては、例えば、銀、金、銅等の低抵抗の金属を含有する金属材料等が挙げられる。この場合、第２外部電極層５２は、例えば、第２スルーホール導体７２の表面にめっき処理を行うことにより形成される。
　第２外部電極層５２と他の部材との間の密着性、ここでは、第２外部電極層５２と第２スルーホール導体７２との間の密着性を向上させるために、第２外部電極層５２の構成材料として、銀フィラー、銅フィラー、ニッケルフィラー、及び、カーボンフィラーからなる群より選択される少なくとも１種の導電性フィラーと樹脂との混合材料が用いられてもよい。
　第１外部電極層５１及び第２外部電極層５２の構成材料は、少なくとも種類の点で、互いに同じであることが好ましいが、互いに異なっていてもよい。
　図１に示す例では、複数のコンデンサ部１０の各々において、陽極板１１に電気的に接続された第１外部電極層５１と、陰極層１２に電気的に接続された第２外部電極層５２とが設けられているが、複数のコンデンサ部１０で第１外部電極層５１及び第２外部電極層５２の少なくとも一方が共通するように設けられていてもよい。
　図１に示す例では、第１外部電極層５１及び第２外部電極層５２が、封止層３０の両方の主面に設けられているが、封止層３０の一方の主面のみに設けられていてもよい。
　図１には示されていないが、スルーホール導体７０は、陽極板１１及び陰極層１２に電気的に接続されない第３スルーホール導体を含んでもよい。
　ビア導体９０は、封止層３０を厚さ方向に貫通して、陰極層１２及び第２外部電極層５２に接続されている。
　ビア導体９０の構成材料としては、例えば、銀、金、銅等の低抵抗の金属を含有する金属材料等が挙げられる。
　ビア導体９０は、例えば、封止層３０を厚さ方向に貫通する貫通孔に対して、上述した金属材料で内壁面にめっき処理を行ったり、導電性ペーストを充填した後に熱処理を行ったりすることにより形成される。
　図１に示す例において、第２スルーホール導体７２は、第２外部電極層５２及びビア導体９０を介して、陰極層１２に電気的に接続されている。
　図１に示す例において、第２外部電極層５２は、ビア導体９０を介して陰極層１２に電気的に接続されており、陰極層１２用の接続端子として機能する。
　封止層３０の内部にスルーホール導体７０が設けられる場合、コンデンサ部１０は、陽極板１１の少なくとも一方の主面において、スルーホール導体７０の周囲に設けられたマスク層３５をさらに含むことが好ましい。
　図１及び図２Ａに示す例では、第１スルーホール導体７１と陰極層１２との間にマスク層３５が設けられている。また、図１及び図２Ａに示す例では、第２スルーホール導体７２とコンデンサ部１０との間に封止層３０等の絶縁性材料が充填されており、この絶縁性材料と陰極層１２との間にマスク層３５が設けられている。
　図１及び図２Ａには示されていないが、コンデンサ部１０は、陽極板１１の少なくとも一方の主面において、陰極層１２の周囲を囲むように設けられたマスク層をさらに含んでもよい。陰極層１２の周囲をマスク層で囲むことによって、陽極板１１と陰極層１２との間の絶縁性が確保され、両者間の短絡が防止される。マスク層は、陰極層１２の周囲の一部を囲むように設けられていてもよいが、陰極層１２の周囲の全体を囲むように設けられていることが好ましい。
　マスク層３５等のマスク層は、絶縁性材料から構成される。この場合、マスク層は、絶縁性樹脂から構成されることが好ましい。
　マスク層３５等のマスク層を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、ポリフェニルスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等）、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂、及び、それらの誘導体又は前駆体等が挙げられる。
　マスク層３５等のマスク層は、封止層３０と同じ樹脂で構成されていてもよい。封止層３０と異なり、マスク層に無機フィラーが含有されるとコンデンサ部１０の容量有効部に悪影響を及ぼすおそれがあるため、マスク層は樹脂単独の系からなることが好ましい。
　マスク層３５等のマスク層は、例えば、絶縁性樹脂を含む組成物等のマスク材を、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によって多孔質部１１Ｂの表面に塗布することにより、所定の領域に形成することができる。
　マスク層３５等のマスク層は、多孔質部１１Ｂに対して、誘電体層１３よりも前のタイミングで形成されてもよいし、誘電体層１３よりも後のタイミングで形成されてもよい。
　本発明のコンデンサ素子は、上記実施形態に限定されるものではなく、コンデンサ素子の構成、製造条件等に関し、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
　本発明のコンデンサ素子では、封止層の内部に、１個のコンデンサ部が配置されていてもよく、複数個のコンデンサ部が配置されていてもよい。
　本発明のコンデンサ素子において、封止層の内部に複数個のコンデンサ部が配置されている場合、隣り合うコンデンサ部同士は、物理的に分断されていればよい。したがって、隣り合うコンデンサ部同士は、電気的に分断されていてもよく、電気的に接続されていてもよい。隣り合うコンデンサ部同士が分断された部分には、封止層等の絶縁性材料が充填されていることが好ましい。隣り合うコンデンサ部同士の間隔は、厚さ方向に一定でもよく、厚さ方向に小さくなってもよい。
　本発明のコンデンサ素子において、封止層の内部に複数個のコンデンサ部が配置されている場合、複数個のコンデンサ部は、面方向に並ぶように配置されていてもよく、厚さ方向に積層するように配置されていてもよく、両者を組み合わせて配置されていてもよい。複数個のコンデンサ部は、規則的に配置されていてもよく、不規則に配置されていてもよい。コンデンサ素子の大きさ及び形状等は、それぞれ同じでもよく、一部又は全部が異なってもよい。コンデンサ素子の構成は、それぞれ同じであることが好ましいが、構成の異なるコンデンサ素子が含まれていてもよい。
　本発明のコンデンサ素子は、複合電子部品の構成材料として好適に使用することができる。このような複合電子部品は、例えば、本発明のコンデンサ素子と、上記コンデンサ素子の封止層の表面に設けられ、上記コンデンサ素子の陽極板及び陰極層のそれぞれに電気的に接続された外部電極層と、上記外部電極層に接続された電子部品と、を備える。
　複合電子部品において、外部電極層に接続される電子部品は、受動素子でもよく、能動素子でもよい。受動素子及び能動素子の両方が外部電極層に接続されてもよく、受動素子及び能動素子のいずれか一方が外部電極層に接続されてもよい。また、受動素子及び能動素子の複合体が外部電極層に接続されてもよい。
　受動素子としては、例えば、インダクタ等が挙げられる。能動素子としては、メモリ、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、ＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ　Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ　ＩＣ）等が挙げられる。
　本発明のコンデンサ素子は、全体としてシート状の形状を有している。したがって、複合電子部品においては、コンデンサ素子を実装基板のように扱うことができ、コンデンサ素子上に電子部品を実装することができる。さらに、コンデンサ素子に実装する電子部品の形状をシート状にすることにより、各電子部品を厚さ方向に貫通するスルーホール導体を介して、コンデンサ素子と電子部品とを厚さ方向に接続することも可能である。その結果、能動素子及び受動素子を一括のモジュールのように構成することができる。
　例えば、半導体アクティブ素子を含むボルテージレギュレータと、変換された直流電圧が供給される負荷との間に本発明のコンデンサ素子を電気的に接続し、スイッチングレギュレータを形成することができる。
　複合電子部品においては、本発明のコンデンサ素子がさらに複数個レイアウトされたコンデンサマトリクスシートのいずれかの一方の面に回路層を形成した上で、受動素子又は能動素子に接続されていてもよい。
　また、予め基板に設けたキャビティ部に本発明のコンデンサ素子を配置し、樹脂で埋め込んだ後、その樹脂上に回路層を形成してもよい。同基板の別のキャビティ部には、別の電子部品（受動素子又は能動素子）が搭載されていてもよい。
　あるいは、本発明のコンデンサ素子をウエハ又はガラス等の平滑なキャリアの上に実装し、樹脂による外層部を形成した後、回路層を形成した上で、受動素子又は能動素子に接続されていてもよい。
　本明細書には、以下の内容が開示されている。
＜１＞
　芯部の少なくとも一方の主面に多孔質部を有する陽極板と、上記多孔質部の表面に設けられた誘電体層と、上記誘電体層の表面に設けられた陰極層と、を含むコンデンサ部と、
　上記コンデンサ部を封止する封止層と、を備え、
　上記封止層の表面には、スリットが設けられている、コンデンサ素子。
＜２＞
　上記スリットは、上記陰極層に接しない位置に設けられている、＜１＞に記載のコンデンサ素子。
＜３＞
　上記陽極板に電気的に接続されるように上記封止層の内部に設けられ、かつ、上記封止層の表面に引き出された第１引き出し導体をさらに備え、
　上記スリットは、上記陰極層及び上記第１引き出し導体に接しない位置に設けられている、＜２＞に記載のコンデンサ素子。
＜４＞
　上記第１引き出し導体を介して上記陽極板に電気的に接続されるように上記封止層の表面に設けられた第１外部電極層をさらに備え、
　上記スリットは、上記陰極層、上記第１引き出し導体及び上記第１外部電極層に接しない位置に設けられている、＜３＞に記載のコンデンサ素子。
＜５＞
　上記陰極層に電気的に接続されるように上記封止層の内部に設けられ、かつ、上記封止層の表面に引き出された第２引き出し導体をさらに備え、
　上記スリットは、上記陰極層及び上記第２引き出し導体に接しない位置に設けられている、＜２＞～＜４＞のいずれか１つに記載のコンデンサ素子。
＜６＞
　上記第２引き出し導体を介して上記陰極層に電気的に接続されるように上記封止層の表面に設けられた第２外部電極層をさらに備え、
　上記スリットは、上記陰極層、上記第２引き出し導体及び上記第２外部電極層に接しない位置に設けられている、＜５＞に記載のコンデンサ素子。
＜７＞
　上記スリットは、上記陽極板の中央部よりも外縁部に近い位置に設けられている、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載のコンデンサ素子。
＜８＞
　上記陽極板又は上記陰極層に電気的に接続されるように上記封止層の表面に設けられた外部電極層をさらに備え、
　上記外部電極層は、上記陰極層の厚さ方向からの平面視で、相対的に面積の大きい外部電極層と、相対的に面積の小さい外部電極層とを含み、
　上記スリットは、上記相対的に面積の小さい外部電極層よりも上記相対的に面積の大きい外部電極層に近い位置に設けられている、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載のコンデンサ素子。
＜９＞
　上記陰極層は、上記誘電体層の表面に設けられた固体電解質層を含む、＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載のコンデンサ素子。
　１、１Ａ、１Ｂ　コンデンサ素子
　１０　コンデンサ部
　１１　陽極板
　１１Ａ　芯部
　１１Ｂ　多孔質部
　１２　陰極層
　１２Ａ　固体電解質層
　１２Ｂ　導電体層
　１３　誘電体層
　３０　封止層
　３５　マスク層
　４０、４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ　スリット
　５０　外部電極層
　５１　第１外部電極層
　５２　第２外部電極層
　７０　スルーホール導体
　７１　第１スルーホール導体
　７２　第２スルーホール導体
　８１　第１貫通孔
　８２　第２貫通孔
　９０　ビア導体
　１００　コンデンサ素子集合体

Claims (9)

  1. 　芯部の少なくとも一方の主面に多孔質部を有する陽極板と、前記多孔質部の表面に設けられた誘電体層と、前記誘電体層の表面に設けられた陰極層と、を含むコンデンサ部と、
    　前記コンデンサ部を封止する封止層と、を備え、
    　前記封止層の表面には、スリットが設けられている、コンデンサ素子。
  2. 　前記スリットは、前記陰極層に接しない位置に設けられている、請求項１に記載のコンデンサ素子。
  3. 　前記陽極板に電気的に接続されるように前記封止層の内部に設けられ、かつ、前記封止層の表面に引き出された第１引き出し導体をさらに備え、
    　前記スリットは、前記陰極層及び前記第１引き出し導体に接しない位置に設けられている、請求項２に記載のコンデンサ素子。
  4. 　前記第１引き出し導体を介して前記陽極板に電気的に接続されるように前記封止層の表面に設けられた第１外部電極層をさらに備え、
    　前記スリットは、前記陰極層、前記第１引き出し導体及び前記第１外部電極層に接しない位置に設けられている、請求項３に記載のコンデンサ素子。
  5. 　前記陰極層に電気的に接続されるように前記封止層の内部に設けられ、かつ、前記封止層の表面に引き出された第２引き出し導体をさらに備え、
    　前記スリットは、前記陰極層及び前記第２引き出し導体に接しない位置に設けられている、請求項２～４のいずれか１項に記載のコンデンサ素子。
  6. 　前記第２引き出し導体を介して前記陰極層に電気的に接続されるように前記封止層の表面に設けられた第２外部電極層をさらに備え、
    　前記スリットは、前記陰極層、前記第２引き出し導体及び前記第２外部電極層に接しない位置に設けられている、請求項５に記載のコンデンサ素子。
  7. 　前記スリットは、前記陽極板の中央部よりも外縁部に近い位置に設けられている、請求項１～６のいずれか１項に記載のコンデンサ素子。
  8. 　前記陽極板又は前記陰極層に電気的に接続されるように前記封止層の表面に設けられた外部電極層をさらに備え、
    　前記外部電極層は、前記陰極層の厚さ方向からの平面視で、相対的に面積の大きい外部電極層と、相対的に面積の小さい外部電極層とを含み、
    　前記スリットは、前記相対的に面積の小さい外部電極層よりも前記相対的に面積の大きい外部電極層に近い位置に設けられている、請求項１～７のいずれか１項に記載のコンデンサ素子。
  9. 　前記陰極層は、前記誘電体層の表面に設けられた固体電解質層を含む、請求項１～８のいずれか１項に記載のコンデンサ素子。
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