TWI841362B - 電容器陣列 - Google Patents

Abstract

本發明提供可使整體的厚度接近均勻之電容器陣列。 電容器陣列1，具備：電容器部20，包含平面配置於與厚度方向正交之面方向之複數個電容器元件10，相鄰之電容器元件10彼此被分隔；密封層30，將電容器部20密封；以及內設構件40，與電容器部20一起配置於密封層30之內部。電容器元件10，個別包含第1電極層(例如陽極板11)、第2電極層(例如陰極層12)、及介電層13，上述第1電極層及上述第2電極層隔著介電層13而於厚度方向對向；內設構件40，具有高於密封層30之熔融溫度，且配置於電容器部20之面方向之外周部。

Description

電容器陣列

本發明係關於電容器陣列。

電容器之一種亦即電解電容器，例如藉由將具備陽極體、設於陽極體表面之介電層、及設於介電層表面之陰極部之電容器元件，以樹脂加以密封來製作。

於專利文獻1中，揭示有一種電解電容器，其具備：電容器元件，上述電容器元件具備陽極體、形成於上述陽極體之介電層、及形成於上述介電層之陰極部；陽極端子，與上述陽極體電氣連接；陰極端子，與上述陰極部電氣連接；及樹脂密封材，覆蓋上述電容器元件，且分別使上述陽極端子及上述陰極端子之至少一部分露出；上述陽極體含有包含閥作用金屬之箔，於上述陰極部之表面具備絕緣性之間隔件。

於專利文獻2中，揭示有一種電子零件內設配線基板，內設至少2個以上之固體電解電容器，且於表面形成有連接端子部及電感器，其特徵在於：上述固體電解電容器，至少於閥金屬片體(陽極部)之單面設置集電體層而構成；上述連接端子部係由陽極連接端子部及陰極連接端子部所構成，上述陽極連接端子部經由配線圖案及電感器及/或通孔電極及/或貫通電極而與上述固體電解電容器之閥金屬片體至少兩個部位以上電氣連接，上述陰極連接端子部經由上述配線圖案及/或電感器及/或通孔電極及/或貫通電極而與上述固體電解電容器之集電體層(陰極部)電氣連接；上述電感器係以導體圖案形狀而形成。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2017-17122號公報 專利文獻2：日本特開2009-252764號公報

[發明所欲解決之問題]

於藉由以樹脂密封平面配置之複數個電容器元件(以下，記載為電容器部)來製作電容器陣列時，在電容器部之外周部不存在電容器元件。因此，當樹脂流經電容器部之外周部時，所獲得之電容器陣列之厚度，會越朝向外周部越薄。

如此，對厚度非一定之電容器陣列，於作為後步驟而進行埋入加工之情形時，當要使埋入後之製品之厚度一定時，覆蓋電容器陣列之外周部之埋入樹脂層會變厚，另一方面，覆蓋電容器陣列之中央部之埋入樹脂層會變薄。因此，當將用來與電容器元件之電極部連接之通孔導體形成於埋入樹脂層時，會有在埋入樹脂層之較厚部分無法將通孔導體用之孔形成至電容器元件之電極部為止，或者在埋入樹脂層之較薄部分將通孔導體用之孔形成至到達電容器元件之電極部為止等加工不良發生之虞。因此，係被要求將電容器陣列整體之厚度均勻化。

本發明之目的，在於提供可使整體的厚度接近均勻之電容器陣列。 [解決問題之手段]

本發明之電容器陣列，具備： 電容器部，包含平面配置於與厚度方向正交之面方向之複數個電容器元件，相鄰之上述電容器元件彼此被分隔；密封層，將上述電容器部密封；以及內設構件，與上述電容器部一起配置於上述密封層之內部。上述電容器元件，個別包含第1電極層、第2電極層、及介電層，上述第1電極層及上述第2電極層隔著上述介電層而於上述厚度方向對向。上述內設構件，具有高於上述密封層之熔融溫度，且配置於上述電容器部之上述面方向之外周部。 [發明效果]

根據本發明，可提供可使整體的厚度接近均勻之電容器陣列。

以下，對本發明之電容器陣列進行說明。此外，本發明並不限定於以下之構成，亦可於不變更本發明主旨之範圍內適當變更。又，將以下記載之各個較佳構成組合複數個者亦為本發明。

於本說明書中，表示要素間的關係之用語(例如「垂直」、「平行」、「正交」等及表示要素形狀之用語，並非僅表示嚴格意義的表現，其亦包含實質上相等的範圍，例如數%左右的差異之表現。

以下所示之各實施形態為例示，當然可進行以不同的實施形態所示構成之局部的置換或組合。於第2實施形態以後，關於與第1實施形態之共通事項的記述加以省略，僅說明不同之點。尤其，關於藉由同樣的構成所產生之同樣的作用效果，並不於每個實施形態逐次言及。

以下說明中，在對各實施形態不特別區別之情形，僅稱之為「本發明之電容器陣列」。

以下所示之圖式為示意圖，其尺寸、縱橫比之縮尺等亦有與實際製品不同之情形。

[第1實施形態] 於本發明之第1實施形態之電容器陣列中，內設構件包含與電容器元件不同之構成。

圖1係示意性地表示本發明之第1實施形態之電容器陣列之一例的剖面圖。圖2係圖1中所示之電容器陣列之P1面之俯視圖。

圖1及圖2所示之電容器陣列1，具備：電容器部20，包含複數個電容器元件10；密封層30，將電容器部20密封；及內設構件40，與電容器部20一起配置於密封層30之內部。

電容器陣列1，亦可進一步具備設於密封層30之表面之外部電極層50。於此情形，外部電極層50，例如包含第1外部電極層51、及第2外部電極層52。

包含於電容器部20之電容器元件10之數量，只要2個以上並不特別限定。

於電容器部20中，複數個電容器元件10平面配置於與厚度方向(圖1中為上下方向)正交之面方向。

於電容器部20中，複數個電容器元件10，亦可沿著直線狀亦即單一方向(例如圖2中之左右方向)配置，或者亦可沿著平面狀亦即複數個方向(例如圖2中之左右方向及上下方向)配置。又，複數個電容器元件10可規則地配置，亦可不規則地配置。

於電容器部20中，相鄰之電容器元件10彼此被分隔。相鄰之電容器元件10彼此亦可被物理分隔。因此，相鄰之電容器元件10彼此亦可被電氣分隔，亦可被電氣連接。例如，於電容器部20包含3個以上之電容器元件10之情形，被電氣分隔之電容器元件10之群組與被電氣連接之電容器元件10之群組，亦可混合存在。

於相鄰之電容器元件10彼此被分隔之部分，較佳為充填有密封層30等之絕緣性材料。

相鄰之電容器元件10彼此之間隔雖無特別限定，但較佳為15μm以上，更佳為30μm以上，尤佳為50μm以上。另一方面，相鄰之電容器元件10彼此之間隔，較佳為500μm以下，更佳為200μm以下，尤佳為150μm以下。

相鄰之電容器元件10彼此之間隔，可於厚度方向一定，亦可於厚度方向變小。例如，藉由相鄰之電容器元件10彼此之間隔於厚度方向變小，於相鄰之電容器元件10彼此被分隔之部分帶有錐狀，則密封層30等之絕緣性材料變得容易充填。

電容器元件10，個別包含第1電極層、第2電極層、及介電層，第1電極層及第2電極層隔著介電層而於厚度方向對向。

於圖1所示之例中，第1電極層為陽極板11，第2電極層為陰極層12。藉此，電容器元件10構成電解電容器。

陽極板11，例如具有由金屬構成之芯部11A、及設於芯部11A之至少一個主面之多孔質部11B。於多孔質部11B之表面設有介電層13，於介電層13之表面設有陰極層12。

陰極層12，例如包含設於介電層13之表面之固體電解質層12A。陰極層12，較佳為進一步包含設於固體電解質層12A之表面之導電體層12B。於陰極層12包含固體電解質層12A之情形，電容器元件10構成固體電解電容器。

密封層30，較佳為設於在電容器部20之厚度方向相對之兩個主面。藉由密封層30，複數個電容器元件10以密封層30來加以保護。

密封層30，可僅由1層來構成，亦可由2層以上來構成。當密封層30由2層以上來構成之情形時，構成各層之材料可分別相同，亦可不同。

密封層30，例如，以藉由將絕緣性樹脂片熱壓接之方法、於塗布絕緣性樹脂膏之後使其熱硬化之方法等，將電容器部20密封之方式來形成。

內設構件40，如圖1及圖2所示，配置於電容器部20之面方向之外周部。如圖1所示，內設構件40，較佳為與電容器部20一起，從於厚度方向相對之兩面以密封層30加以密封。

於圖1及圖2所示之例中，內設構件40包含與電容器元件10不同之構成，且與電容器部20電氣絕緣。

內設構件40，可與電容器部20接觸，亦可與電容器部20分離。於內設構件40從電容器部20分離之情形，較佳為在內設構件40與電容器部20之間，充填有密封層30等之絕緣性材料。

內設構件40，於面方向，可自密封層30露出，亦可不露出。另一方面，內設構件40，於厚度方向，較佳為不自密封層30露出。

圖3係示意性地表示對具有內設構件之電容器陣列施以埋入加工後之狀態之一例的剖面圖。圖4係示意性地表示對不具有內設構件之電容器陣列施以埋入加工後之狀態之一例的剖面圖。

如圖3所示之電容器陣列1，藉由在電容器部20之面方向之外周部配置內設構件40，與電容器部20一起將內設構件40以密封層30加以密封，可使電容器陣列1整體之厚度接近均勻。

另一方面，如圖4所示之電容器陣列1a，於僅將電容器部20以密封層30加以密封之情形，由於在電容器部20之外周部不存在電容器元件10，因此，越朝向外周部則電容器陣列1a整體之厚度容易變越薄。

因此，於圖4所示之電容器陣列1a中，於以將密封層30及外部電極層50覆蓋之方式形成埋入樹脂層60之情形，欲使埋入後之製品之厚度一定時，位於外周部之埋入樹脂層60變厚，另一方面，位於中央部之埋入樹脂層60變薄。其結果，於將用以與外部電極層50連接之通孔導體形成於埋入樹脂層60時，會有在埋入樹脂層60較厚之部分無法將通孔導體用之孔形成至外部電極層50為止、或者在埋入樹脂層60較薄之部分將通孔導體用之孔形成至到達外部電極層50為止等加工不良發生之虞。

相對於此，於圖3所示之電容器陣列1中，於以將密封層30及外部電極層50覆蓋之方式形成埋入樹脂層60之情形，能使埋入樹脂層60之厚度接近均勻。其結果，於將用以與外部電極層50連接之通孔導體形成於埋入樹脂層60時，變得容易加工。又，亦可降低位於外周部之變形。

從防止因熱所產生之變形之觀點，內設構件40具有高於密封層30之熔融溫度。

關於密封層30及內設構件40之熔融溫度，可將各個的一部分切出的小測試片升溫，藉由測量該小測試片熔融之溫度來確認。或者，亦可使用差示掃描量熱儀(Differential Scanning Calorimeter，DSC)所測量之熔點峰值作為熔融溫度。

內設構件40，例如由絕緣性材料構成。於此情形，內設構件40，較佳為由絕緣性樹脂構成。進而，內設構件40，亦可含有無機填料等填料。

內設構件40之高度(厚度方向之尺寸)雖無特別限定，但於藉由後述之方法來製作電容器陣列1之情形時，內設構件40的高度，較佳為與陽極板11的厚度相等。此處所謂的「相等」，並非嚴格地相同，只要在實質上相等的範圍，例如在數%以內的範圍即可。又，內設構件40的高度，亦可與陽極板11的厚度不同。即使於內設構件40的高度相對於陽極板11的厚度較薄之情形或者較厚之情形，相較於內設構件40不存在之情形，可提供整體的厚度接近均勻之電容器陣列。

內設構件40的寬度(面方向之尺寸)雖無特別限定，但較佳為15μm以上，更佳為30μm以上，尤佳為50μm以上。另一方面，內設構件40的寬度，較佳為500μm以下，更佳為200μm以下，尤佳為150μm以下。內設構件40的寬度，可與相鄰之電容器元件10彼此之間隔相同，亦可小於相鄰之電容器元件10彼此之間隔，亦可大於相鄰之電容器元件10彼此之間隔。

內設構件40的寬度，可於厚度方向一定，亦可於厚度方向變小。

從使電容器陣列1整體的厚度接近均勻之觀點，雖較佳為內設構件40所佔的比例較大，但另一方面，若內設構件40所佔的比例過大，則電容器元件10所佔的比例會變小。由以上所述，從厚度方向俯視時，相對於電容器陣列1整體面積之內設構件40的面積之比例，較佳為0.1%以上、10%以下。

以下，對電容器陣列1之詳細構成進行說明。

作為從厚度方向觀察時之電容器元件10之平面形狀，可舉例如矩形(正方形或長方形)、矩形以外之四角形、三角形、五角形、六角形等之多角形、圓形、橢圓形、將此等組合而成之形狀等。又，電容器元件10之平面形狀，可為L字形、C字形(ㄈ字形)、階梯形等。

從厚度方向觀察時之電容器元件10之平面形狀，可彼此相同，亦可彼此不同，亦可一部分不同。

從厚度方向觀察時之電容器元件10的面積，可彼此相同，亦可彼此不同，亦可一部分不同。

於電容器元件10包含陽極板11及陰極層12之情形，陽極板11較佳為由顯示所謂的閥作用之閥作用金屬構成。作為閥作用金屬，可舉例如鋁、鉭、鈮、鈦、鋯等金屬單體、或者含有此等金屬之至少1種的合金等。其中，較佳為鋁或鋁合金。

陽極板11之形狀，較佳為平板狀，更佳為箔狀。如此，於本說明書中，「板狀」亦包含「箔狀」。

陽極板11，只要在芯部11A之至少一個主面具有多孔質部11B即可。亦即，陽極板11，可僅於芯部11A之一個主面具有多孔質部11B，亦可於芯部11A之兩個主面具有多孔質部11B。多孔質部11B，較佳為形成於芯部11A之表面之多孔質層，更佳為蝕刻層。

蝕刻前之陽極板11的厚度，較佳為60μm以上、200μm以下。於蝕刻處理後未被蝕刻之芯部11A的厚度，較佳為15μm以上、70μm以下。多孔質部11B的厚度雖配合所要求之耐電壓、靜電容量而設計，但較佳為配合芯部11A兩側之多孔質部11B為10μm以上、180μm以下。

多孔質部11B的孔徑，較佳為10nm以上、600nm以下。此外，多孔質部11B的孔徑，係指以水銀測孔所測量之中徑D50。多孔質部11B的孔徑，例如可藉由調整蝕刻中之各種條件來控制。

設於多孔質部11B之表面之介電層13，係反映多孔質部11B之表面狀態而成為多孔質，具有微細的凹凸狀之表面形狀。介電層13較佳為由上述閥作用金屬之氧化皮膜所構成。例如，於使用鋁箔作為陽極板11之情形時，可藉由於包含己二酸銨等之水溶液中對鋁箔之表面進行陽極氧化處理（亦稱為化成處理），而形成由氧化皮膜構成之介電層13。

介電層13的厚度，雖配合所要求之耐電壓、靜電容量而設計，但較佳為10nm以上、100nm以下。

於陰極層12包含固體電解質層12A之情形時，作為構成固體電解質層12A之材料可舉例如聚吡咯類、聚噻吩類、聚苯胺類等導電性高分子等。其中，較佳為聚噻吩類，特佳為稱為PEDOT之聚(3,4-乙烯二氧噻吩)（poly(3,4-ethylene dioxythiophene)，）。又，上述導電性高分子亦可包含聚苯乙烯磺酸（polystyrene sulfonic acid，PSS）等摻雜劑。此外，固體電解質層12A，較佳為包含充填介電層13之細孔(凹部)之內層、及被覆介電層13之外層。

由多孔質部11B之表面起之固體電解質層12A的厚度，較佳為2μm以上、20μm以下。

固體電解質層12A，例如，藉由使用含3,4-乙烯二氧噻吩等單體之處理液於介電層13之表面形成聚(3,4-乙烯二氧噻吩)等聚合膜之方法、或將聚(3,4-乙烯二氧噻吩)等聚合物之分散液塗布於介電層13之表面並使其乾燥之方法等來形成。

固體電解質層12A，可藉由將上述之處理液或分散液利用海綿轉印、網版印刷、分配器塗布、噴墨印刷等方法塗布於介電層13之表面，而形成於既定區域。

於陰極層12包含導電體層12B之情形時，導電體層12B包含導電性樹脂層及金屬層中至少1層。導電體層12B，可僅為導電性樹脂層，亦可僅為金屬層。導電體層12B，較佳為被覆固體電解質層12A之整面。

作為導電性樹脂層，可舉例如含有選自由銀填料、銅填料、鎳填料及碳填料所構成之群組中之至少1種導電性填料的導電性黏接劑層等。

作為金屬層，可舉例如金屬鍍膜、金屬箔等。金屬層，較佳為由選自由鎳、銅、銀、及以此等金屬作為主成分之合金所構成之群組中的至少1種金屬所構成。此外，「主成分」意指重量比例最大之元素成分。

導電體層12B，例如包含設於固體電解質層12A之表面之碳層、及設於碳層之表面之銅層。

碳層係用以使固體電解質層12A與銅層電氣及機械連接而設置。碳層可藉由將碳膏利用海綿轉印、網版印刷、分配器塗布、噴墨印刷等方法塗布於固體電解質層12A之表面，而形成於既定之區域。此外，碳層，較佳為在乾燥前之具有黏性之狀態下，積層下一步驟之銅層。碳層的厚度，較佳為2μm以上、20μm以下。

銅層，可藉由將銅膏利用海綿轉印、網版印刷、噴射塗布、分配器塗布、噴墨印刷等方法塗布於碳層之表面，而形成於既定區域。銅層的厚度，較佳為2μm以上、20μm以下。

密封層30由絕緣性材料所構成。於此情形，密封層30，較佳為由絕緣性樹脂所構成。

作為構成密封層30之絕緣性樹脂，可舉例如環氧樹脂、酚醛樹脂等。

密封層30，較佳為進一步含有填料。

作為包含於密封層30之填料，可舉例如二氧化矽粒子、氧化鋁粒子等無機填料。

亦可於電容器部20與密封層30之間，例如設置應力緩和層、防濕膜等層。

電容器陣列1，如圖1所示，較佳為進一步具備貫通孔導體70。

貫通孔導體70，較佳為包含：電氣連接於電容器元件10之第1電極層(例如陽極板11)之第1貫通孔導體71、及電氣連接於電容器元件10之第2電極層(例如陰極層12)之第2貫通孔導體72之中至少一者。

第1貫通孔導體71，將電容器部20及密封層30貫通於厚度方向。

第1貫通孔導體71，只要設於將電容器部20及密封層30貫通於厚度方向之第1貫通孔81之至少內壁面即可。第1貫通孔導體71，可僅設於第1貫通孔81之內壁面，亦可設於第1貫通孔81之內部整體。

第1貫通孔導體71，較佳為在第1貫通孔81之內壁面電氣連接於陽極板11。更具體而言，第1貫通孔導體71，較佳為在面方向電氣連接於與第1貫通孔81之內壁面對向之陽極板11之端面。藉此，陽極板11經由第1貫通孔導體71而電氣導出至外部。

在電氣連接於第1貫通孔導體71之陽極板11之端面，較佳為芯部11A及多孔質部11B露出。於此情形，除了芯部11A之外在多孔質部11B，亦構成與第1貫通孔導體71之電氣連接。

當從厚度方向觀察時，第1貫通孔導體71，較佳為擴及第1貫通孔81之全周而電氣連接於陽極板11。於此情形，由於陽極板11與第1貫通孔導體71之連接電阻容易降低，因此，電容器元件10之等效串聯電阻(ESR)容易降低。

第1貫通孔導體71，例如以下述般之方式形成。首先，藉由進行鑽孔加工、雷射加工等，形成將電容器部20及密封層30貫通於厚度方向之第1貫通孔81。接著，藉由將第1貫通孔81之內壁面以含有銅、金、銀等低電阻之金屬之金屬材料金屬化，而形成第1貫通孔導體71。於形成第1貫通孔導體71時，例如藉由將第1貫通孔81之內壁面以無電解鍍銅處理、電解鍍銅處理等進行金屬化，使得加工變得容易。此外，關於形成第1貫通孔導體71之方法，除了將第1貫通孔81之內壁面金屬化之方法以外，亦可為使用將金屬材料、金屬與樹脂之複合材料等充填於第1貫通孔81之方法。

於面方向，在陽極板11與第1貫通孔導體71之間，亦可設置陽極連接層。亦即，陽極板11與第1貫通孔導體71，亦可經由陽極連接層而電氣連接。

藉由陽極連接層於面方向設於陽極板11與第1貫通孔導體71之間，陽極連接層作為相對陽極板11之障壁層，更具體而言，作為相對芯部11A及多孔質部11B之障壁層而發揮功能。當陽極連接層作為相對陽極板11之障壁層而發揮功能時，可抑制在用以形成外部電極層50(例如第1外部電極層51)之藥液處理時所產生之陽極板11之熔解，進而抑制藥液對電容器部20之滲入，從而容易提升電容器陣列1之可靠性。

陽極連接層，較佳為包含以鎳為主成分之層。於此情形，由於降低對構成陽極板11之金屬(例如鋁)等之損害，因此，容易提升陽極連接層相對陽極板11之障壁性。

此外，於面方向，在陽極板11與第1貫通孔導體71之間，亦可不設置陽極連接層。於此情形，第1貫通孔導體71可直接連接於陽極板11之端面。

於第1貫通孔導體71僅設於第1貫通孔81之內壁面之情形，於第1貫通孔81，亦可設置充填樹脂材料而成之樹脂充填部。於此情形，樹脂充填部，設於被第1貫通孔81內之第1貫通孔導體71包圍之空間。當藉由設置樹脂充填部而消除第1貫通孔81內之空間時，可抑制第1貫通孔導體71之剝離之發生。

第1外部電極層51，與電容器元件10之第1電極層(例如陽極板11)電氣連接。於圖1所示之例中，第1外部電極層51，設於第1貫通孔導體71之表面，作為電容器陣列1(電容器元件10)之連接端子而發揮功能。於圖1所示之例中，第1外部電極層51，經由第1貫通孔導體71而電氣連接於陽極板11，作為陽極板11用之連接端子而發揮功能。

作為第1外部電極層51之構成材料，可舉例如含有銀、金、銅等低電阻之金屬之金屬材料等。於此情形，第1外部電極層51，例如可藉由在第1貫通孔導體71之表面進行鍍敷處理來形成。

為了提升第1外部電極層51與其他構件之間之密合性，此處，為了提升第1外部電極層51與第1貫通孔導體71之間之密合性，作為第1外部電極層51之構成材料，亦可使用選自由銀填料、銅填料、鎳填料及碳填料所構成之群組中之至少1種導電性填料與樹脂之混合材料。

第2貫通孔導體72，將電容器部20及密封層30貫通於厚度方向。

第2貫通孔導體72，只要設於將電容器部20及密封層30貫通於厚度方向之第2貫通孔82之至少內壁面即可。第2貫通孔導體72，可僅設於第2貫通孔82之內壁面，亦可設於第2貫通孔82之內部整體。

第2貫通孔導體72，例如以下述般之方式形成。首先，藉由進行鑽孔加工、雷射加工等，形成將電容器部20貫通於厚度方向之貫通孔。其次，於上述之貫通孔充填絕緣性材料。藉由對充填有絕緣性材料之部分，進行鑽孔加工、雷射加工等，形成第2貫通孔82。此時，藉由將第2貫通孔82之直徑設為小於充填有絕緣性材料之貫通孔之直徑，於面方向，設為在先形成之貫通孔之內壁面與第2貫通孔82之內壁面之間有絕緣性材料存在之狀態。其後，藉由將第2貫通孔82之內壁面以含有銅、金、銀等低電阻之金屬之金屬材料加以金屬化，而形成第2貫通孔導體72。於形成第2貫通孔導體72時，例如藉由將第2貫通孔82之內壁面以無電解鍍銅處理、電解鍍銅處理等進行金屬化，使得加工變得容易。此外，關於形成第2貫通孔導體72之方法，除了將第2貫通孔82之內壁面金屬化之方法以外，亦可使用將金屬材料、金屬與樹脂之複合材料等充填於第2貫通孔82之方法。

於第2貫通孔導體72僅設於第2貫通孔82之內壁面之情形，於第2貫通孔82，亦可設置充填樹脂材料而成之樹脂充填部。於此情形，樹脂充填部，設於被第2貫通孔82內之第2貫通孔導體72包圍之空間。當藉由設置樹脂充填部而消除第2貫通孔82內之空間時，可抑制第2貫通孔導體72之剝離之發生。

第2外部電極層52，與電容器元件10之第2電極層(例如陰極層12)電氣連接。於圖1所示之例中，第2外部電極層52，設於第2貫通孔導體72之表面，作為電容器陣列1(電容器元件10)之連接端子而發揮功能。

作為第2外部電極層52之構成材料，可舉例如含有銀、金、銅等低電阻之金屬之金屬材料等。於此情形，第2外部電極層52，例如可藉由在第2貫通孔導體72之表面進行鍍敷處理來形成。

為了提升第2外部電極層52與其他構件之間之密合性，此處為第2外部電極層52與第2貫通孔導體72之間之密合性，作為第2外部電極層52之構成材料，亦可使用選自由銀填料、銅填料、鎳填料及碳填料所構成之群組中之至少1種導電性填料與樹脂之混合材料。

第1外部電極層51及第2外部電極層52之構成材料，雖較佳為至少在種類方面彼此相同，但亦可彼此不同。

於圖1所示之例中，於複數個電容器元件10之各個，雖設有電氣連接於陽極板11之第1外部電極層51、及電氣連接於陰極層12之第2外部電極層52，但亦可於複數個電容器元件10中以第1外部電極層51及第2外部電極層52之至少一者共通之方式來設置。

於圖1所示之例中，第1外部電極層51及第2外部電極層52，雖設於密封層30之兩個主面，但亦可僅設於密封層30之一個主面。

於圖1中雖未圖示，但貫通孔導體70，亦可包含不與電容器元件10之第1電極層(例如陽極板11)及第2電極層(例如陰極層12)電氣連接之第3貫通孔導體。

電容器陣列1，如圖1所示，較佳為進一步具備通孔導體90。

通孔導體90，將密封層30貫通於厚度方向，且連接於陰極層12及第2外部電極層52。

作為通孔導體90之構成材料，可舉例如含有銀、金、銅等低電阻之金屬之金屬材料等。

通孔導體90，例如藉由對將密封層30貫通於厚度方向之貫通孔，以上述之金屬材料於內壁面進行鍍敷處理、或者在充填導電性膏之後進行熱處理來形成。

於圖1所示之例中，第2貫通孔導體72，經由第2外部電極層52及通孔導體90而電氣連接於陰極層12。

於圖1所示之例中，第2外部電極層52，經由貫通導體90而電氣連接於陰極層12，作為陰極層12用之連接端子而發揮功能。

於電容器陣列1具備貫通孔導體70之情形，電容器元件10，較佳為在陽極板11之至少一個主面，進一步包含設於貫通孔導體70周圍之絕緣層35。

於圖1及圖2所示之例中，在第1貫通孔導體71與陰極層12之間設有絕緣層35。又，於圖1及圖2所示之例中，在第2貫通孔導體72與電容器元件10之間充填有密封層30等之絕緣性材料，於此絕緣性材料與陰極層12之間設有絕緣層35。

於圖1及圖2中雖未圖示，但電容器元件10，亦可在陽極板11之至少一個主面，進一步包含以包圍陰極層12周圍之方式設置之絕緣層。藉由以絕緣層包圍陰極層12周圍，可確保陽極板11與陰極層12之間之絕緣性，可防止兩者間之短路。

絕緣層，雖可設置成包圍陰極層12之一部分，但較佳為設置成包圍陰極層12周圍整體。

絕緣層35等之絕緣層，由絕緣性材料構成。於此情形，絕緣層較佳為由絕緣性樹脂構成。

作為構成絕緣層35等之絕緣層之絕緣性樹脂，可舉例如聚苯碸樹脂、聚醚碸樹脂、氰酸酯樹脂、氟樹脂（四氟乙烯、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物等）、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、環氧樹脂、及此等之衍生物或前驅物等。

絕緣層35等之絕緣層，亦可以與密封層30相同之樹脂構成。與密封層30不同，當於絕緣層含有無機填料時，由於會有對電容器元件10之電容有效部產生不良影響之虞，因此，絕緣層較佳為由樹脂單獨之系來構成。

絕緣層35等之絕緣層，例如，可藉由將包含絕緣性樹脂之組成物等之遮罩材，利用海綿轉印、網版印刷、分配器塗布、噴墨印刷等方法塗布於多孔質部11B之表面，而形成於既定區域。

絕緣層35等之絕緣層，相對多孔質部11B，可在較介電層13更前之時點來形成，亦可在較介電層13更後之時點來形成。

於圖1及圖2所示之電容器陣列1，例如能以如下述之方法來製造。

圖5係示意性地表示準備電容器陣列片之步驟之一例的俯視圖。圖6係示意性地表示準備電容器陣列片之步驟之一例的剖面圖。

於圖5及圖6所示之步驟中，準備於陽極板11之既定區域設有陰極層12之電容器陣列片100。

首先，準備由閥作用金屬構成之陽極板11。如圖6所示，於陽極板11之至少一個主面設有介電層13。

例如，藉由對在芯部11A之至少一個主面設有多孔質部11B之陽極板11進行陽極氧化處理，而於多孔質部11B之表面形成介電層13。

或者，亦可準備化成箔作為於多孔質部11B之表面設有介電層13之陽極板11。

於圖5及圖6中雖未圖示，但為了將每個電容器元件10(參照圖1及圖2)之區域進行劃分，例如，藉由將絕緣性樹脂利用網版印刷、分配器塗布等方法塗布於介電層13之表面，而將絕緣層形成於既定區域。

視需要，亦可於形成貫通孔導體70(參照圖1及圖2)之區域形成絕緣層35(參照圖1及圖2)。

其次，於介電層13之表面，例如形成固體電解質層12A，其後，於固體電解質層12A之表面形成導電體層12B。藉此，形成陰極層12。

圖7係示意性地表示切斷電容器陣列片之步驟之一例的俯視圖。圖8係示意性地表示切斷電容器陣列片之步驟之一例的剖面圖。

於圖7及圖8所示之步驟中，藉由切斷電容器陣列片100而形成貫通槽110，以分隔成各個電容器元件10。進而，將成為製品之部分(參照圖13及圖14)之外周部去除而形成狹縫120。

作為形成貫通槽110及狹縫120之方法，可舉例如雷射加工、切割加工等方法。形成貫通槽110之方法，可與形成狹縫120之方法相同，亦可不同。此外，形成貫通槽110及狹縫120之順序並無特別限定。

圖9係示意性地表示配置內設構件之步驟之一例的俯視圖。圖10係示意性地表示配置內設構件之步驟之一例的剖面圖。

於圖9及圖10所示之步驟中，於狹縫120之內部配置內設構件40。例如，將具有高於構成密封層30之絕緣性材料之熔融溫度之絕緣性材料流入狹縫120。

圖11係示意性地表示熱壓接絕緣性樹脂片之步驟之一例的俯視圖。圖12係示意性地表示熱壓接絕緣性樹脂片之步驟之一例的剖面圖。

於圖11及圖12所示之步驟中，例如，從電容器陣列片100之兩個主面熱壓接絕緣性樹脂片130。此時，於貫通槽110之內部充填絕緣性樹脂。

圖13係示意性地表示於電容器陣列進行單片化之步驟之一例的俯視圖。圖14係示意性地表示於電容器陣列進行單片化之步驟之一例的剖面圖。

於圖13及圖14所示之步驟中，藉由沿著圖11及圖12所示之切斷線CL，切斷電容器陣列片100及絕緣性樹脂片130，而將電容器陣列1單片化。此時，於面方向，可以將內設構件40自密封層30露出之方式切斷，亦可以不露出之方式切斷。又，於內設構件40自密封層30露出之情形，亦可於內設構件40上切斷。

其後，視需要，可藉由形成外部電極層50、貫通孔導體70及通孔導體90，來製造圖1及圖2所示之電容器陣列1。

圖15係示意性地表示外部電極層之配置之變形例的剖面圖。

如圖15所示之電容器陣列1A，外部電極層50亦可於厚度方向設於內設構件40之正上方。

圖16係示意性地表示內設構件之配置之第1變形例的俯視圖。

於圖16所示之例中，內設構件40A擴及製品部分之最外周整體而連續配置。

圖17係示意性地表示內設構件之配置之第2變形例的俯視圖。

於圖17所示之例中，內設構件40B未配置於製品部分最外周之一部分。於圖17中，雖於4個角部不配置內設構件40B，但亦可於至少一個角部不配置內設構件40B。

圖18係示意性地表示內設構件之配置之第3變形例的俯視圖。

於圖18所示之例中，內設構件40C於製品部分之最外周隔著間隔配置。內設構件40C彼此之間隔可彼此相同，亦可彼此不同，亦可一部分不同。

圖19係示意性地表示內設構件之配置之第4變形例的俯視圖。

於圖19所示之例中，內設構件40D沿著製品部分之最外周，配置於較製品部分之最外周更內側。於此情形，內設構件40D，可連續配置，亦可一部分不配置，亦可隔著間隔配置。

圖20係示意性地表示內設構件之配置之第5變形例的俯視圖。

於圖20所示之例中，內設構件40E沿著製品部分之外形而配置。於此情形，內設構件40E，可連續配置，亦可一部分不配置，亦可隔著間隔配置。又，內設構件40E亦可沿著製品部分之外形，配置於較製品部分之最外周更內側。

[第2實施形態] 於本發明之第2實施形態之電容器陣列中，內設構件包含與電容器元件相同之構成。

圖21係示意性地表示本發明之第2實施形態之電容器陣列之一例的剖面圖。

於圖21所示之電容器陣列2中，內設構件41包含與電容器元件10相同之構成，且在從電容器部20分離之位置與電容器部20電氣絕緣。於圖21所示之電容器陣列2，除了取代內設構件40而具備內設構件41之點以外，具有與圖1所示之電容器陣列1共通之構成。

於電容器陣列2中，由於內設構件41包含與電容器元件10相同之構成，因此，不必如包含與電容器元件10不同構成之內設構件40那樣準備別的材料。因此，可容易地製造電容器陣列2。

於圖21所示之例中，內設構件41，包含與陽極板11相同之構成，且在從電容器部20分離之位置與電容器部20電氣絕緣。因此，內設構件41具有高於密封層30之熔融溫度。

內設構件41，較佳為與陽極板11同樣地具有由金屬構成之芯部11A、及設於芯部11A之至少一個主面之多孔質部11B。亦可於多孔質部11B之表面設置介電層13。

內設構件41，如圖21所示，配置於電容器部20之面方向之外周部。如圖21所示，內設構件41，較佳為與電容器部20一起，從於厚度方向相對之兩面藉由密封層30加以密封。

內設構件41，自電容器部20分離。在內設構件41與電容器部20之間，較佳為充填有密封層30等之絕緣性材料。

內設構件41與電容器部20之間之寬度雖無特別限定，但較佳為15μm以上，更佳為30μm以上，尤佳為50μm以上。另一方面，內設構件41與電容器部20之間之寬度，較佳為500μm以下，更佳為200μm以下，尤佳為150μm以下。內設構件41與電容器部20之間之寬度，可與相鄰之電容器元件10彼此之間隔相同，亦可小於相鄰之電容器元件10彼此之間隔，亦可大於相鄰之電容器元件10彼此之間隔。

內設構件41，可於面方向自密封層30露出，亦可不露出。另一方面，內設構件41，較佳為於厚度方向不自密封層30露出。

內設構件41的高度(厚度方向之尺寸)雖無特別限定，但於藉由後述之方法由電容器陣列片100製作陽極板11及內設構件41之情形，較佳為內設構件41的高度與陽極板11的厚度相等。此處所謂的「相等」，並非嚴格地相同，只要在實質上相等的範圍，例如在數%以內的範圍即可。

內設構件41的寬度(面方向之尺寸)雖無特別限定，但較佳為15μm以上，更佳為30μm以上，尤佳為50μm以上。另一方面，內設構件41的寬度，較佳為500μm以下，更佳為200μm以下，尤佳為150μm以下。內設構件41的寬度，可與相鄰之電容器元件10彼此之間隔相同，亦可小於相鄰之電容器元件10彼此之間隔，亦可大於相鄰之電容器元件10彼此之間隔。又，內設構件41的寬度，可與內設構件41與電容器部20之間之寬度相同，亦可小於內設構件41與電容器部20之間之寬度，亦可大於內設構件41與電容器部20之間之寬度。

從使電容器陣列2整體的厚度接近均勻之觀點，雖較佳為內設構件41所佔的比例較大，但另一方面，若內設構件41所佔的比例過大，則電容器元件10所佔的比例會變小。由以上所述，從厚度方向俯視時，相對於電容器陣列2整體面積之內設構件41的面積之比例，較佳為0.1%以上、10%以下。

圖21所示之電容器陣列2，例如可藉由以下的方法來製造。

圖22係示意性地表示準備電容器陣列片之步驟之一例的俯視圖。圖23係示意性地表示準備電容器陣列片之步驟之一例的剖面圖。

於圖22及圖23所示之步驟中，與圖5及圖6所示之步驟同樣地，準備在陽極板11之既定區域設有陰極層12之電容器陣列片100。

圖24係示意性地表示切斷電容器陣列片之步驟之一例的俯視圖。圖25係示意性地表示切斷電容器陣列片之步驟之一例的剖面圖。

於圖24及圖25所示之步驟中，藉由將電容器陣列片100切斷而形成貫通槽110，而分隔為各個電容器元件10。進而，自成為製品之部分(參照圖28及圖29)之外周部去除內側而形成狹縫120。

作為形成貫通槽110及狹縫120之方法，可舉例如雷射加工、切割加工等方法。形成貫通槽110之方法，可與形成狹縫120之方法相同，亦可不同。此外，形成貫通槽110及狹縫120之順序並無特別限定。

圖26係示意性地表示熱壓接絕緣性樹脂片之步驟之一例的俯視圖。圖27係示意性地表示熱壓接絕緣性樹脂片之步驟之一例的剖面圖。

於圖26及圖27所示之步驟中，例如，從電容器陣列片100之兩個主面側熱壓接絕緣性樹脂片130。此時，於貫通槽110及狹縫120之內部充填絕緣性樹脂。

圖28係示意性地表示於電容器陣列進行單片化之步驟之一例的俯視圖。圖29係示意性地表示於電容器陣列進行單片化之步驟之一例的剖面圖。

於圖28及圖29所示之步驟中，藉由沿著圖26及圖27所示之切斷線CL，切斷電容器陣列片100及絕緣性樹脂片130，而將電容器陣列2單片化。藉此，於製品部分之外周部，陽極板11之一部分作為內設構件41而殘留。內設構件41，較佳為於面方向自密封層30露出。

圖30係示意性地表示於電容器陣列進行單片化之步驟之另一例的俯視圖。

亦可於由圖30所示之狀態之電容器陣列片100之兩個主面側熱壓接絕緣性樹脂片130(未圖示)之後，沿著圖30所示之切斷線CL，切斷電容器陣列片100及絕緣性樹脂片130。於此情形，由於在相鄰之電容器陣列2之間共有內設構件41(參照圖28)，因此，能以一次切斷來製造複數個電容器陣列2。

其後，視需要，可藉由形成外部電極層50、貫通孔導體70及通孔導體90，來製造圖21所示之電容器陣列2。

於圖21所示之電容器陣列2中，如圖15所示之電容器陣列1A，可將外部電極層50於厚度方向而設於內設構件41之正上方。

於圖21所示之例中，於複數個電容器元件10之各個，雖設有電氣連接於陽極板11之第1外部電極層51、及電氣接於陰極層12之第2外部電極層52，但亦可於複數個電容器元件10中以第1外部電極層51及第2外部電極層52之至少一者共通之方式來設置。

圖31係示意性地表示本發明之第2實施形態之電容器陣列之另一例的剖面圖。

於圖31所示之電容器陣列2A中，內設構件41與電容器部20之間之寬度，於厚度方向變小。其他之構成，與圖21所示之電容器陣列2共通。

內設構件41與電容器部20之間之寬度，如圖21所示，可於厚度方向一定，亦可如圖31所示，於厚度方向變小。如圖31所示，當藉由內設構件41與電容器部20之間之寬度於厚度方向變小，於內設構件41與電容器部20之間之部分帶有錐狀，則密封層30等之絕緣性材料變得容易充填。

[其他實施形態] 本發明之電容器陣列，只要具有高於密封層之熔融溫度之內設構件配置於電容器部之面方向之外周部，則並不限定於上述實施形態。因此，關於電容器陣列之構成、製造條件等，於本發明之範圍內，可加上各種應用、變形。

於本發明之電容器陣列中，電容器元件並不限定於固體電解電容器之電解電容器。於本發明之電容器陣列中，電容器元件，例如可構成使用鈦酸鋇之陶瓷電容器、使用氮化矽(SiN)、二氧化矽(SiO ₂)、氟化氫(HF)等之薄膜電容器、具有MIM（Metal Insulator Metal，金屬-絕緣層-金屬）構造之溝槽型電容器等。

於本發明之電容器陣列中，從電容器部之薄型化及大面積化、以及電容器部之剛性、柔軟性等機械特性之提升之觀點，電容器元件，較佳為構成以鋁等金屬作為基材之電容器，更佳為構成以鋁等金屬作為基材之電解電容器。

本發明之電容器陣列，例如用於複合電子零件。此種複合電子零件，例如具有本發明之電容器陣列、電氣連接於本發明之電容器陣列之外部電極層之電子零件。

複合電子零件中，電氣連接於外部電極層之電子零件可為被動元件，亦可為主動元件，亦可為被動元件及主動元件兩者，亦可為被動元件及主動元件之複合體。

作為被動元件可舉例如電感器等。

作為主動元件，可列舉記憶體、GPU（Graphical Processing Unit，圖形處理器）、CPU（Central Processing Unit，中央處理器）、MPU（Micro Processing Unit，微處理器）、PMIC（Power Management IC，電源管理積體電路）等。

於本發明之電容器陣列用於複合電子零件之情形時，本發明之電容器陣列，例如，作為用以構裝電子零件之基板來處理。因此，藉由將本發明之電容器陣列整體設為片狀，進而，將構裝於本發明之電容器陣列之電子零件設為片狀，可經由將電子零件貫通於厚度方向之貫通孔導體，而將本發明之電容器陣列與電子零件於厚度方向電氣連接。其結果，可將作為電子零件之被動元件及主動元件構成為總括之模組。

例如，藉由在包括半導體主動元件之電壓調節器、與供給經轉換之直流電壓之負載之間電氣連接本發明之電容器陣列，可形成切換調節器。

複合電子零件中，亦可於布置有複數個本發明之電容器陣列之電容器矩陣片之一個主面上形成電路層後，將該電路層電氣連接於作為電子零件之被動元件或主動元件。

又，亦可於預先設於基板之空腔部配置本發明之電容器陣列，以樹脂埋入後，於該樹脂上形成電路層。亦可於該基板之其他空腔部中，搭載作為其他電子零件之被動元件或主動元件。

或者，亦可在將本發明之電容器陣列構裝於晶圓、玻璃等平滑之載體，形成樹脂之外層部後，形成電路層，其後，將該電路層電氣連接於作為電子零件之被動元件或主動元件。

於本說明書中，揭示有以下之內容。

＜1＞ 一種電容器陣列，具備： 電容器部，包含平面配置於與厚度方向正交之面方向之複數個電容器元件，相鄰之上述電容器元件彼此被分隔； 密封層，將上述電容器部密封；以及 內設構件，與上述電容器部一起配置於上述密封層之內部； 上述電容器元件，個別包含第1電極層、第2電極層、及介電層，上述第1電極層及上述第2電極層隔著上述介電層而於上述厚度方向對向； 上述內設構件，具有高於上述密封層之熔融溫度，且配置於上述電容器部之上述面方向之外周部。

＜2＞ 如＜1＞所記載之電容器陣列，其中， 上述內設構件，包含與上述電容器元件相同之構成，且在自上述電容器部分離之位置與上述電容器部電氣絕緣。

＜3＞ 如＜1＞或＜2＞所記載之電容器陣列，其中， 上述內設構件與上述電容器部之間之寬度於上述厚度方向變小。

＜4＞ 如＜1＞至＜3＞中任一者所記載之電容器陣列，其中， 上述內設構件，於上述面方向，自上述密封層露出。

＜5＞ 如＜1＞至＜4＞中任一者所記載之電容器陣列，其中， 上述第1電極層，係具有由金屬構成之芯部、及設於上述芯部之至少一個主面之多孔質部之陽極板； 上述介電層設於上述多孔質部之表面； 上述第2電極層，係設於上述介電層之表面之陰極層。

＜6＞ 如＜5＞所記載之電容器陣列，其中， 上述陰極層，包含設於上述介電層之表面之固體電解質層。

＜7＞ 如＜5＞或＜6＞所記載之電容器陣列，其中， 上述內設構件的高度係與上述陽極板的厚度相等。

＜8＞ 如＜5＞至＜7＞中任一者所記載之電容器陣列，其中， 上述內設構件，包含與上述陽極板相同之構成，且在自上述電容器部分離之位置與上述電容器部電氣絕緣。

＜9＞ 如＜5＞至＜8＞中任一者所記載之電容器陣列，其中， 上述內設構件與上述電容器部之間之寬度於上述厚度方向變小。

＜10＞ 如＜5＞至＜9＞中任一者所記載之電容器陣列，其中， 上述內設構件，於上述面方向，自上述密封層露出。

1、1a、1A、2、2A:電容器陣列 10:電容器元件 11:陽極板(第1電極層) 11A:芯部 11B:多孔質部 12:陰極板(第2電極層) 12A:固體電解質層 12B:導電體層 13:介電層 20:電容器部 30:密封層 35:絕緣層 40、40A、40B、40C、40D、40E、41:內設構件 50:外部電極層 51:第1外部電極層 52:第2外部電極層 60:埋入樹脂層 70:貫通孔導體 71:第1貫通孔導體 72:第2貫通孔導體 81:第1貫通孔 82:第2貫通孔 90:通孔導體 100:電容器陣列片 110:貫通槽 120:狹縫 130:絕緣性樹脂片 CL:切斷線 P1:面

[圖1]係示意性地表示本發明之第1實施形態之電容器陣列之一例的剖面圖。 [圖2]係圖1所示之電容器陣列之P1面之俯視圖。 [圖3]係示意性地表示對具有內設構件之電容器陣列施以埋入加工後之狀態之一例的剖面圖。 [圖4]係示意性地表示對不具有內設構件之電容器陣列施以埋入加工後之狀態之一例的剖面圖。 [圖5]係示意性地表示準備電容器陣列片之步驟之一例的俯視圖。 [圖6]係示意性地表示準備電容器陣列片之步驟之一例的剖面圖。 [圖7]係示意性地表示切斷電容器陣列片之步驟之一例的俯視圖。 [圖8]係示意性地表示切斷電容器陣列片之步驟之一例的剖面圖。 [圖9]係示意性地表示配置內設構件之步驟之一例的俯視圖。 圖10]係示意性地表示配置內設構件之步驟之一例的剖面圖。 [圖11]係示意性地表示熱壓接絕緣性樹脂片之步驟之一例的俯視圖。 [圖12]係示意性地表示熱壓接絕緣性樹脂片之步驟之一例的剖面圖。 [圖13]係示意性地表示於電容器陣列進行單片化之步驟之一例的俯視圖。 [圖14]係示意性地表示於電容器陣列進行單片化之步驟之一例的剖面圖。 [圖15]係示意性地表示外部電極層之配置之變形例的剖面圖。 [圖16]係示意性地表示內設構件之配置之第1變形例的俯視圖。 [圖17]係示意性地表示內設構件之配置之第2變形例的俯視圖。 [圖18]係示意性地表示內設構件之配置之第3變形例的俯視圖。 [圖19]係示意性地表示內設構件之配置之第4變形例的俯視圖。 [圖20]係示意性地表示內設構件之配置之第5變形例的俯視圖。 [圖21]係示意性地表示本發明之第2實施形態之電容器陣列之一例的剖面圖。 [圖22]係示意性地表示準備電容器陣列片之步驟之一例的俯視圖。 [圖23]係示意性地表示準備電容器陣列片之步驟之一例的剖面圖。 [圖24]係示意性地表示切斷電容器陣列片之步驟之一例的俯視圖。 [圖25]係示意性地表示切斷電容器陣列片之步驟之一例的剖面圖。 [圖26]係示意性地表示熱壓接絕緣性樹脂片之步驟之一例的俯視圖。 [圖27]係示意性地表示熱壓接絕緣性樹脂片之步驟之一例的剖面圖。 [圖28]係示意性地表示於電容器陣列進行單片化之步驟之一例的俯視圖。 [圖29]係示意性地表示於電容器陣列進行單片化之步驟之一例的剖面圖。 [圖30]係示意性地表示於電容器陣列進行單片化之步驟之另一例的俯視圖。 [圖31]係示意性地表示本發明之第2實施形態之電容器陣列之另一例的剖面圖。

1:電容器陣列 10:電容器元件 11:陽極板(第1電極層) 11A:芯部 11B:多孔質部 12:陰極板(第2電極層) 12A:固體電解質層 12B:導電體層 13:介電層 20:電容器部 30:密封層 35:絕緣層 40:內設構件 50:外部電極層 51:第1外部電極層 52:第2外部電極層 70:貫通孔導體 71:第1貫通孔導體 72:第2貫通孔導體 81:第1貫通孔 82:第2貫通孔 90:通孔導體 P1:面

Claims (10)

1. 一種電容器陣列，具備： 電容器部，包含平面配置於與厚度方向正交之面方向之複數個電容器元件，相鄰之上述電容器元件彼此被分隔； 密封層，將上述電容器部密封；以及 內設構件，與上述電容器部一起配置於上述密封層之內部； 上述電容器元件，個別包含第1電極層、第2電極層、及介電層，上述第1電極層及上述第2電極層隔著上述介電層而於上述厚度方向對向； 上述內設構件，具有高於上述密封層之熔融溫度，且配置於上述電容器部之上述面方向之外周部。
2. 如請求項1之電容器陣列，其中， 上述內設構件，包含與上述電容器元件相同之構成，且在自上述電容器部分離之位置與上述電容器部電氣絕緣。
3. 如請求項2之電容器陣列，其中， 上述內設構件與上述電容器部之間之寬度於上述厚度方向變小。
4. 如請求項1至3中任一項之電容器陣列，其中， 上述內設構件，於上述面方向，自上述密封層露出。
5. 如請求項1之電容器陣列，其中， 上述第1電極層，係具有由金屬構成之芯部、及設於上述芯部之至少一個主面之多孔質部之陽極板； 上述介電層設於上述多孔質部之表面； 上述第2電極層，係設於上述介電層之表面之陰極層。
6. 如請求項5之電容器陣列，其中， 上述陰極層，包含設於上述介電層之表面之固體電解質層。
7. 如請求項5之電容器陣列，其中， 上述內設構件的高度係與上述陽極板的厚度相等。
8. 如請求項5至7中任一項之電容器陣列，其中， 上述內設構件，包含與上述陽極板相同之構成，且在自上述電容器部分離之位置與上述電容器部電氣絕緣。
9. 如請求項8之電容器陣列，其中， 上述內設構件與上述電容器部之間之寬度於上述厚度方向變小。
10. 如請求項8之電容器陣列，其中， 上述內設構件，於上述面方向，自上述密封層露出。