WO2024018827A1 - 半導体装置および半導体装置アッセンブリ - Google Patents

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WO2024018827A1
WO2024018827A1 PCT/JP2023/023347 JP2023023347W WO2024018827A1 WO 2024018827 A1 WO2024018827 A1 WO 2024018827A1 JP 2023023347 W JP2023023347 W JP 2023023347W WO 2024018827 A1 WO2024018827 A1 WO 2024018827A1
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WO
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lead
semiconductor device
semiconductor
conductive
insulating substrate
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Application number
PCT/JP2023/023347
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English (en)
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昌明 松尾
美久 塚本
Original Assignee
ローム株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N

Definitions

  • the present disclosure relates to a semiconductor device and a semiconductor device assembly.
  • Patent Document 1 discloses a conventional semiconductor device.
  • a metal layer made of a metal thin film such as copper foil is arranged on a substrate (insulating substrate) made of an electrically insulating member.
  • the substrate and the metal layer disposed on the substrate are composed of a DBC (Direct Bonded Copper) substrate.
  • DBC Direct Bonded Copper
  • the plurality of switching elements are conductively bonded to the metal layer via a conductive bonding layer such as solder.
  • a thermistor is mounted on the metal layer. The thermistor is placed near the corner of the substrate. In order to prevent the temperature from rising too much due to heat generation of the switching elements, the temperature of the semiconductor device is detected by the thermistor.
  • the metal layer made of copper that constitutes the DBC substrate has a relatively large thickness.
  • a thermistor is mounted on this metal layer, there is a concern that large stress may be generated in the thermistor due to thermal expansion when the switching element generates heat.
  • the thickness of the metal layer is relatively large, so that the sensitivity of temperature detection on the substrate side of the metal layer tends to decrease.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that is improved over the conventional semiconductor device. Particularly, in view of the above-mentioned circumstances, one object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that can appropriately detect the temperature on the substrate side.
  • a semiconductor device provided by a first aspect of the present disclosure includes a support body having a main surface facing one side in the thickness direction and a back surface facing the opposite side to the main surface, and a support body disposed on the main surface.
  • a conductive part made of a conductive material formed on the main surface; a temperature detection element disposed on the conductive part; at least a part of the support;
  • the device includes a semiconductor element, a sealing resin that covers the temperature detection element, and the conductive part.
  • the support body includes an insulating substrate having the main surface.
  • the temperature detection element is bonded to the conductive portion via a first conductive bonding material.
  • the back surface is exposed from the sealing resin.
  • a semiconductor device assembly provided by a second aspect of the present disclosure includes the semiconductor device according to the first aspect of the present disclosure, a cooler having a portion that contacts the back surface, and a cooling means for cooling the cooler. and a control means for controlling the cooling means based on the temperature detected by the temperature detection element.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a plan view showing a semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a plan view showing a semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a bottom view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. 3.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG.
  • FIG. 7 is a sectional view taken along line VII-VII in FIG. 3.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. 3.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. 3.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG.
  • FIG. 7 is a sectional view taken along line VII-VII in FIG. 3.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of a main part showing a semiconductor device assembly including a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 10 is a block diagram showing the configuration of the semiconductor device assembly shown in FIG. 9.
  • FIG. 11 is a plan view showing a semiconductor device according to a first modification of the first embodiment.
  • FIG. 12 is a plan view showing a semiconductor device according to a second modification of the first embodiment.
  • FIG. 13 is a sectional view taken along line XIII-XIII in FIG. 12.
  • FIG. 14 is a sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 12.
  • FIG. 15 is a sectional view taken along line XV-XV in FIG. 12.
  • FIG. 16 is a perspective view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 17 is a plan view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 18 is a bottom view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 19 is a plan view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 20 is a plan view showing an insulating substrate of a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view taken along line XXI-XXI in FIG. 19.
  • FIG. 22 is a sectional view of a main part taken along line XXII-XXII in FIG. 19.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view taken along line XXIII-XXIII in FIG. 19.
  • a thing A is formed on a thing B and "a thing A is formed on a thing B” mean “a thing A is formed on a thing B” unless otherwise specified.
  • "something A is placed on something B” and “something A is placed on something B” mean "something A is placed on something B” unless otherwise specified.
  • a certain surface A faces (one side or the other side of) the direction B is not limited to the case where the angle of the surface A with respect to the direction B is 90 degrees; Including cases where it is tilted to the opposite direction.
  • First embodiment: 1 to 8 show a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A1 of this embodiment includes a plurality of leads 1, a plurality of leads 2, a support body 3, a plurality of semiconductor elements 4, a conductive part 5, a thermistor 6, a plurality of wires 71, 72, 73, 74, and a seal.
  • a stopper resin 8 is provided.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device A1.
  • FIG. 2 is a plan view showing the semiconductor device A1.
  • FIG. 3 is a plan view showing the semiconductor device A1, and is a view through the sealing resin 8.
  • FIG. 4 is a bottom view showing the semiconductor device A1.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. 3.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG.
  • FIG. 7 is a sectional view taken along line VII-VII in FIG. 3.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. 3.
  • the outer shape of the sealing resin 8 is shown by an imaginary line (two-dot chain line).
  • the wire 71 is omitted.
  • the thickness direction (planar view direction) of the support 3 is an example of the "thickness direction” of the present disclosure, and will be referred to as the "thickness direction z.”
  • the direction perpendicular to the thickness direction z is an example of the "first direction” of the present disclosure, and will be referred to as the "first direction x.”
  • a direction perpendicular to the thickness direction z and the first direction x is an example of the "second direction” of the present disclosure, and will be referred to as the "second direction y.”
  • the upper side in the figures is an example of "one side in the second direction" of the present disclosure, and is referred to as the "y1 side of the second direction y”
  • the lower side in the figures is an example of "one side in the second direction” of the present disclosure
  • the lower side in the figures is an example of "one side in the second direction” of the present disclosure, and is referred to as "the y1 side of the second direction y”
  • the lower side in the figures is an example of "one side in the second direction” of the present disclosure, and is referred to as "the y1 side of the second direction y”
  • the upper side of the drawings is an example of “one side in the thickness direction” of the present disclosure, which is referred to as the "z1 side of the thickness direction z", and the lower side of the drawings is an example of "one side in the thickness direction” of the present disclosure. This is an example of "the other side of the z2 side in the thickness direction z".
  • the support body 3 supports a plurality of semiconductor elements 4.
  • the specific structure of the support body 3 is not limited at all, and is formed of, for example, a DBC (Direct Bonded Copper) substrate or an AMB (Active Metal Brazing) substrate.
  • the support body 3 is defined as consisting of an insulating substrate 31 and a metal layer 33.
  • the support 3 has a main surface 3a and a back surface 3b.
  • the main surface 3a faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the back surface 3b faces the opposite side to the main surface 3a (the z2 side in the thickness direction z).
  • the DBC substrate or AMB substrate that constitutes the support body 3 includes an insulating substrate 31, a support conductor 32, and a metal layer 33.
  • the thicknesses (dimensions in the thickness direction z) of the insulating substrate 31 including the support body 3, the support conductor 32, and the metal layer 33 are not particularly limited, and are, for example, about 0.4 mm to 3.0 mm.
  • the insulating substrate 31 is made of, for example, ceramic with excellent thermal conductivity. Examples of such ceramics include silicon nitride (SiN) and alumina (Al 2 O 3 ).
  • the insulating substrate 31 is not limited to ceramics, and may be an insulating resin sheet or the like.
  • the shape of the insulating substrate 31 is not particularly limited, and is, for example, rectangular in plan view. In this embodiment, the insulating substrate 31 has an elongated rectangular shape whose longitudinal direction is the first direction x when viewed in the thickness direction z. Insulating substrate 31 has main surface 3a. The main surface 3a is a plane facing the z1 side in the thickness direction z.
  • the thickness of the insulating substrate 31 is not particularly limited, and is, for example, about 0.05 mm to 1.0 mm.
  • the support conductor 32 is formed on the main surface 3a of the insulating substrate 31.
  • the constituent material of the support conductor 32 includes, for example, copper (Cu).
  • the constituent material may include aluminum (Al) other than copper, for example.
  • the support conductor 32 includes a first part 321, a second part 322, a third part 323, a fourth part 324, a fifth part 325, a sixth part 326, a seventh part 327, an eighth part 328, and a ninth part 329.
  • the surfaces of these first portions 321 to ninth portions 329 may be plated with silver (Ag), for example.
  • the first portion 321 is arranged on the main surface 3a of the insulating substrate 31 closer to the x2 side in the first direction x.
  • the first portion 321 supports any one of the plurality of semiconductor elements 4.
  • the second portion 322 is disposed on the x1 side in the first direction x with respect to the first portion 321 and is adjacent to the first portion 321 .
  • the second portion 322 supports any one of the plurality of semiconductor elements 4.
  • the third portion 323 is disposed on the x1 side in the first direction x with respect to the second portion 322 and is adjacent to the second portion 322 .
  • the third portion 323 supports any one of the plurality of semiconductor elements 4.
  • the fourth portion 324 is arranged on the x1 side in the first direction x with respect to the third portion 323 and is adjacent to the third portion 323 .
  • the fourth portion 324 supports any one of the plurality of semiconductor elements 4.
  • the fifth part 325 and the sixth part 326 are arranged near the corner of the insulating substrate 31 on the x2 side in the first direction x and on the y1 side in the second direction y.
  • a wire 73 is bonded to the fifth portion 325 .
  • a wire 72 is bonded to the sixth portion 326 .
  • the seventh portion 327 and the eighth portion 328 are arranged near the corner of the insulating substrate 31 on the x1 side in the first direction x and on the y1 side in the second direction y.
  • the seventh portion 327 and the eighth portion 328 are located on the x1 side in the first direction x with respect to the third portion 323, and are located on the y1 side in the second direction y with respect to the fourth portion 324.
  • a wire 73 is bonded to the seventh portion 327 .
  • the wire 72 is bonded to the eighth portion 328 .
  • the ninth portion 329 is disposed on the insulating substrate 31 closer to the x1 side in the first direction x and closer to the y2 side in the second direction y.
  • a wire 71 is bonded to the ninth portion 329 .
  • the metal layer 33 is bonded to the lower surface of the insulating substrate 31 (the surface facing the z2 side in the thickness direction z).
  • the constituent material of the metal layer 33 is the same as that of the supporting conductor 32.
  • Metal layer 33 has a back surface 3b.
  • the back surface 3b is a plane facing toward the z2 side in the thickness direction z. In this embodiment, the back surface 3b is exposed from the sealing resin 8.
  • a heat dissipating member for example, a heat sink, etc. (not shown) can be attached to the back surface 3b.
  • the conductive part 5 is formed on the main surface 3a of the insulating substrate 31.
  • the conductive part 5 is made of a conductive material.
  • the conductive material constituting the conductive part 5 is not particularly limited. Examples of the conductive material of the conductive portion 5 include materials containing silver (Ag), copper (Cu), gold (Au), and the like. In the following description, a case where the conductive portion 5 contains silver will be described as an example. Note that the conductive portion 5 may contain copper instead of silver, or may contain gold instead of silver or copper. Alternatively, the conductive portion 5 may contain Ag--Pt or Ag--Pd.
  • the method of forming the conductive portion 5 is not limited, and may be formed, for example, by firing a paste containing these metals.
  • the thickness of the conductive portion 5 is not particularly limited, and is, for example, about 5 ⁇ m to 30 ⁇ m. The thickness of the conductive portion 5 is smaller than the thickness of the supporting conductor 32 described above.
  • the conductive part 5 includes two wiring parts 501, as shown in FIG. 3, for example.
  • the two wiring sections 501 are arranged near the corners of the insulating substrate 31 on the x1 side in the first direction x and on the y1 side in the second direction y.
  • the two wiring sections 501 are spaced apart from each other and arranged side by side in the second direction y.
  • Each wiring section 501 has a pad section 502.
  • the pad section 502 is located at the end of the wiring section 501 on the x2 side in the first direction x.
  • Each terminal of the thermistor 6 is connected to the two pad portions 502, respectively.
  • the plurality of leads 1 are configured to include metal, and have higher thermal conductivity than, for example, the insulating substrate 31.
  • the metal forming the lead 1 is not particularly limited, and may be copper, aluminum, iron (Fe), oxygen-free copper, or an alloy thereof (for example, Cu-Sn alloy, Cu-Zr alloy, Cu-Fe alloy, etc.). be.
  • the plurality of leads 1 may be plated with nickel (Ni).
  • Ni nickel
  • the plurality of leads 1 may be formed, for example, by pressing a metal mold against a metal plate, or by patterning a metal plate by etching. Note that the method for forming the plurality of leads 1 is not limited.
  • the thickness of each lead 1 is not particularly limited, and is, for example, about 0.4 mm to 0.8 mm. Each lead 1 is spaced apart from each other.
  • the plurality of leads 1 include leads 11, leads 12, leads 13, leads 14, and leads 15.
  • the leads 11, 12, 13, 14, and 15 constitute a conduction path to the semiconductor element 4, and are located on the y2 side of the sealing resin 8 in the second direction y (the lower side in FIG. 2). ) (resin side surface 86 to be described later).
  • the lead 11 is arranged on the support conductor 32, and in this embodiment, it is arranged on the first part 321. As shown in FIG. 7, the lead 11 is bonded to the first portion 321 via the conductive bonding material 19.
  • the conductive bonding material 19 may be any material that can bond the lead 11 to the first portion 321 and electrically connect the lead 11 and the first portion 321.
  • the structure of the lead 11 is not particularly limited. In this embodiment, as shown in FIGS. 3 and 7, the lead 11 will be explained by dividing it into a connecting end portion 111, a protruding portion 112, an inclined portion 113, and a parallel portion 114.
  • the connecting end portion 111 has a rectangular shape in plan view, and is a portion joined to the first portion 321.
  • the connecting end portion 111 is electrically connected to the end portion of the first portion 321 on the y2 side in the second direction y via the conductive bonding material 19.
  • the inclined portion 113 and the parallel portion 114 are covered with the sealing resin 8.
  • the inclined portion 113 is connected to the connecting end portion 111 and the parallel portion 114, and is inclined with respect to the connecting end portion 111 and the parallel portion 114.
  • the parallel portion 114 is connected to the inclined portion 113 and the protruding portion 112, and is parallel (or approximately parallel) to the connecting end portion 111.
  • the wire 71 is bonded to the parallel portion 144 .
  • the protruding portion 112 is connected to the end of the parallel portion 114 and is a portion of the lead 11 that protrudes from the sealing resin 8 .
  • two protrusions 112 are provided at intervals in the first direction x.
  • Each protrusion 112 protrudes on the side opposite to the connection end 111 in the second direction y.
  • the protrusion 112 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the protrusion 112 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 31 in the thickness direction z.
  • the lead 12 is arranged on the support conductor 32, and in this embodiment, it is arranged on the second part 322.
  • the lead 12 is bonded to the second portion 322 via a conductive bonding material.
  • the structure of the lead 12 is not particularly limited. In this embodiment, as shown in FIG. 3, the lead 12 will be explained by dividing it into a connecting end portion 121, a protruding portion 122, an inclined portion 123, and a parallel portion 124.
  • the connecting end portion 121 has a rectangular shape in plan view, and is a portion joined to the second portion 322.
  • the connecting end portion 121 is conductively bonded to the end portion of the second portion 322 on the y2 side in the second direction y via a conductive bonding material.
  • the inclined portion 123 and the parallel portion 124 are covered with the sealing resin 8.
  • the inclined portion 123 is connected to the connecting end portion 121 and the parallel portion 124, and is inclined with respect to the connecting end portion 121 and the parallel portion 124.
  • the parallel portion 124 is connected to the inclined portion 123 and the protruding portion 122, and is parallel (or approximately parallel) to the connecting end portion 121.
  • the wire 71 is joined to the parallel portion 124 .
  • the protruding portion 122 is connected to the end of the parallel portion 124 and is a portion of the lead 12 that protrudes from the sealing resin 8 .
  • the protrusion 122 protrudes in the second direction y on the side opposite to the connection end 121.
  • the protrusion 122 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the protrusion 122 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 31 in the thickness direction z.
  • the lead 13 is arranged on the support conductor 32, and in this embodiment, it is arranged on the third part 323. As shown in FIG. 6, the lead 13 is bonded to the third portion 323 via the conductive bonding material 19.
  • the structure of the lead 13 is not particularly limited. In this embodiment, as shown in FIGS. 3 and 6, the lead 13 will be described by dividing it into a connecting end portion 131, a protruding portion 132, an inclined portion 133, and a parallel portion 134.
  • the connecting end portion 131 has a rectangular shape in plan view, and is a portion joined to the third portion 323.
  • the connecting end portion 131 is electrically connected to the end portion of the third portion 323 on the y2 side in the second direction y via the conductive bonding material 19.
  • the inclined portion 133 and the parallel portion 134 are covered with the sealing resin 8.
  • the inclined portion 133 is connected to the connecting end portion 131 and the parallel portion 134, and is inclined with respect to the connecting end portion 131 and the parallel portion 134.
  • the parallel portion 134 is connected to the inclined portion 133 and the protruding portion 132, and is parallel (or approximately parallel) to the connecting end portion 131.
  • the wire 71 is joined to the parallel portion 134 .
  • the protruding portion 132 is connected to the end of the parallel portion 124 and is a portion of the lead 13 that protrudes from the sealing resin 8 .
  • the protrusion 132 protrudes in the second direction y on the side opposite to the connection end 131.
  • the protrusion 132 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the protrusion 132 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 31 in the thickness direction z.
  • the lead 14 is arranged on the support conductor 32, and in this embodiment, it is arranged on the fourth part 324.
  • the lead 14 is bonded to the fourth portion 324 via a conductive bonding material.
  • the structure of the lead 14 is not particularly limited. In this embodiment, as shown in FIG. 3, the lead 14 will be explained by dividing it into a connecting end portion 141, a protruding portion 142, an inclined portion 143, and a parallel portion 144.
  • the connecting end portion 141 has a rectangular shape in plan view, and is a portion joined to the fourth portion 324.
  • the connection end portion 141 is conductively bonded to the end portion of the fourth portion 324 on the y2 side in the second direction y via a conductive bonding material.
  • the inclined portion 143 and the parallel portion 144 are covered with the sealing resin 8.
  • the inclined portion 143 is connected to the connecting end portion 141 and the parallel portion 144 and is inclined with respect to the connecting end portion 141 and the parallel portion 144 .
  • the parallel portion 144 is connected to the inclined portion 133 and the protruding portion 142 and is parallel (or approximately parallel) to the connecting end portion 141 .
  • the wire 71 is bonded to the parallel portion 144 .
  • the protruding portion 142 is connected to the end of the parallel portion 144 and is a portion of the lead 14 that protrudes from the sealing resin 8 .
  • the protrusion 142 protrudes in the second direction y on the side opposite to the connection end 141.
  • the protrusion 142 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the protrusion 142 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 31 in the thickness direction z.
  • the leads 15 are not placed on the support conductor 32 but are supported by the sealing resin 8.
  • the lead 15 does not include a portion corresponding to the connecting end portion 131 and the inclined portion 133 of the lead 13. Note that the configuration of the lead 15 is not limited to this. In this embodiment, as shown in FIG. 3, the lead 13 will be explained by dividing it into a protruding part 132 and a parallel part 154.
  • the parallel portion 154 is covered with the sealing resin 8.
  • the parallel portion 154 is parallel (or substantially parallel) to the support conductor 32 .
  • the wire 71 is bonded to the parallel portion 154 .
  • the protruding portion 152 is connected to the end of the parallel portion 154 and is a portion of the lead 15 that protrudes from the sealing resin 8 .
  • the protruding portion 152 protrudes from the sealing resin 8 toward the y2 side in the second direction y.
  • the protrusion 152 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit. In the illustrated example, the protrusion 152 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 31 in the thickness direction z.
  • the plurality of leads 2 are configured to include metal, and have higher thermal conductivity than, for example, the insulating substrate 31.
  • the metal forming the lead 2 is not particularly limited, and may be copper, aluminum, iron (Fe), oxygen-free copper, or an alloy thereof (for example, Cu-Sn alloy, Cu-Zr alloy, Cu-Fe alloy, etc.). be.
  • the plurality of leads 2 may be plated with nickel (Ni).
  • the plurality of leads 2 may be formed, for example, by pressing a metal mold against a metal plate, or by patterning a metal plate by etching. Note that the method for forming the plurality of leads 2 is not limited.
  • the thickness of each lead 2 is not particularly limited, and is, for example, about 0.4 mm to 0.8 mm. Each lead 2 is spaced apart from each other.
  • the multiple leads 2 include multiple leads 21, multiple leads 22, and two leads 23.
  • the leads 21 and 22 constitute a conduction path to a source electrode 43 and a gate electrode 44, which will be described later, of the semiconductor element 4, and are connected to the y1 side of the sealing resin 8 in the second direction y (the upper side in FIG. 2). ) (resin side surface 85 to be described later).
  • the two leads 23 constitute a conductive path to the thermistor 6, and protrude from the side surface of the sealing resin 8 facing the y1 side in the second direction y.
  • the plurality of leads 21 are not arranged on the support conductor 32, but are supported by the sealing resin 8.
  • the plurality of leads 21 are arranged at intervals in the first direction x.
  • the structure of the lead 21 is not particularly limited. In this embodiment, as shown in FIGS. 3 and 6, the lead 21 will be divided into a protruding portion 212 and a parallel portion 214.
  • the parallel portion 214 is covered with the sealing resin 8.
  • the parallel portion 214 is parallel (or substantially parallel) to the support conductor 32 .
  • a wire 73 is bonded to the parallel portion 214 .
  • the protruding portion 212 is connected to the end of the parallel portion 214 and is a portion of the lead 21 that protrudes from the sealing resin 8 .
  • the protruding portion 212 protrudes from the sealing resin 8 toward the y1 side in the second direction y.
  • the protrusion 212 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit. In the illustrated example, the protrusion 212 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 31 in the thickness direction z.
  • the plurality of leads 22 are not arranged on the support conductor 32, but are supported by the sealing resin 8.
  • the plurality of leads 22 are arranged at intervals in the first direction x.
  • Each of the plurality of leads 22 is arranged in close proximity to form a pair with one of the plurality of leads 21.
  • the structure of the lead 22 is not particularly limited. In this embodiment, as shown in FIGS. 3 and 6, the lead 22 will be explained by dividing it into a protruding portion 222 and a parallel portion 224.
  • the parallel portion 224 is covered with the sealing resin 8.
  • the parallel portion 224 is parallel (or substantially parallel) to the support conductor 32 .
  • a wire 72 is bonded to the parallel portion 224 .
  • the protruding portion 222 is connected to the end of the parallel portion 224 and is a portion of the lead 22 that protrudes from the sealing resin 8 .
  • the protrusion 222 protrudes from the sealing resin 8 toward the y1 side in the second direction y.
  • the protrusion 222 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit. In the illustrated example, the protrusion 222 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 31 in the thickness direction z.
  • the two leads 23 are not placed on the supporting conductor 32, but are supported by the sealing resin 8.
  • the two leads 23 are arranged side by side in the first direction x.
  • the structure of the lead 23 is not particularly limited. In this embodiment, as shown in FIGS. 3 and 5, the lead 23 will be explained by dividing it into a protruding part 232 and a parallel part 234.
  • the parallel portion 234 is covered with the sealing resin 8.
  • the parallel portion 234 is parallel (or substantially parallel) to the support conductor 32 .
  • a wire 74 is bonded to the parallel portion 234 .
  • the protruding portion 232 is connected to the end of the parallel portion 234 and is a portion of the lead 23 that protrudes from the sealing resin 8 .
  • the protruding portion 232 protrudes from the sealing resin 8 toward the y1 side in the second direction y.
  • the protrusion 232 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit. In the illustrated example, the protrusion 232 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 31 in the thickness direction z.
  • Each of the plurality of semiconductor elements 4 is an electronic component that becomes the functional center of the semiconductor device A1, and in this embodiment, is a switching element.
  • the plurality of semiconductor elements 4 are arranged on the main surface 3a of the insulating substrate 31.
  • Each of the plurality of semiconductor elements 4 is supported by one of the first to fourth parts 321 to 324 of the support conductor 32.
  • the plurality of semiconductor elements 4 include semiconductor elements 40A to 40F. Further, in the illustrated example, six semiconductor elements 40A to 40F are provided, but this is just an example, and the number of semiconductor elements 4 is not limited at all.
  • the semiconductor element 4 (each of the semiconductor elements 40A to 40F) is, for example, a MOSFET (SiC MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)) made of a SiC (silicon carbide) substrate.
  • MOSFET SiC MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)
  • SiC silicon carbide
  • the semiconductor element 4 may be a MOSFET made of a Si (silicon) substrate instead of the SiC substrate, and may include, for example, an IGBT element.
  • a MOSFET containing GaN gallium nitride
  • the semiconductor element 4 has a rectangular plate shape in plan view, and includes an element main surface 41, an element rear surface 42, a source electrode 43, a gate electrode 44, and a drain electrode 45.
  • the element main surface 41 and the element back surface 42 face opposite sides in the thickness direction z.
  • the element main surface 41 is a surface facing the z1 side in the thickness direction z.
  • the element back surface 42 is a surface facing the z2 side in the thickness direction z.
  • a source electrode 43 and a gate electrode 44 are arranged on the main surface 41 of the element.
  • a drain electrode 45 is arranged on the back surface 42 of the element, as shown in FIGS. 5 to 7.
  • the shapes and arrangement of the source electrode 43, gate electrode 44, and drain electrode 45 are not limited.
  • the source electrode 43 is larger than the gate electrode 44 when viewed in the thickness direction z.
  • the source electrode 43 is composed of two separate regions when viewed in the thickness direction z.
  • the semiconductor elements 40A, 40B, and 40C are arranged on the first part 321, as shown in FIGS. 3, 7, and 8. As shown in FIGS. 7 and 8, the semiconductor elements 40A, 40B, and 40C are bonded to the first part 321 using a conductive bonding material 47, with the back surface 42 of the semiconductor elements facing the first part 321. Thereby, the drain electrodes 45 of each of the semiconductor elements 40A, 40B, and 40C are electrically connected to the first portion 321 by the conductive bonding material 47.
  • the conductive bonding material 47 for example, silver paste, copper paste, solder, or the like is used.
  • the source electrode 43 of the semiconductor element 40A is electrically connected to the lead 12 by a wire 71.
  • the source electrode 43 of the semiconductor element 40B is conductively connected to the lead 13 by a wire 71.
  • the source electrode 43 of the semiconductor element 40C is conductively connected to the lead 14 by a wire 71.
  • the wire 71 is made of aluminum (Al) or copper (Cu), for example. Note that the material, wire diameter, and number of wires 71 are not limited.
  • the semiconductor element 40D is arranged on the second part 322, as shown in FIG.
  • the semiconductor element 40E is bonded to the second part 322 with a conductive bonding material (not shown) with the back surface 42 of the element facing the second part 322.
  • the drain electrode 45 of the semiconductor element 40D is electrically connected to the second portion 322 by the conductive bonding material.
  • the source electrode 43 of the semiconductor element 40D is conductively connected to the lead 15 by a wire 71.
  • the wire 71 has one end joined to the source electrode 43 of the semiconductor element 40D, an intermediate part joined to the ninth part 329, and the other end joined to the lead 15.
  • the semiconductor element 40E is arranged on the third portion 323, as shown in FIGS. 3, 6, and 8. As shown in FIGS. 6 and 8, the semiconductor element 40E is bonded to the third part 323 with the conductive bonding material 47 with the back surface 42 of the element facing the third part 323. Thereby, the drain electrode 45 of the semiconductor element 40E is electrically connected to the third portion 323 by the conductive bonding material 47. As shown in FIG. 3, the source electrode 43 of the semiconductor element 40E is electrically connected to the lead 15 by a wire 71. As shown in FIG.
  • the semiconductor element 40F is arranged on the fourth part 324, as shown in FIGS. 3 and 5. As shown in FIG. 5, the semiconductor element 40F is bonded to the fourth part 324 with a conductive bonding material 47 with the back surface 42 of the element facing the fourth part 324. Thereby, the drain electrode 45 of the semiconductor element 40F is electrically connected to the fourth portion 324 by the conductive bonding material 47. As shown in FIG. 3, the source electrode 43 of the semiconductor element 40F is electrically connected to the lead 15 by a wire 71. As shown in FIG.
  • the gate electrode 44 of the semiconductor element 40A is connected to the sixth part 326 by the wire 72, and the sixth part 326 is connected to the lead 22 by the wire 72.
  • the gate electrode 44 of the semiconductor element 40A is conductively connected to the lead 22 by the wire 72 and the sixth portion 326.
  • the lead 22 electrically connected to the gate electrode 44 of the semiconductor element 40A is a terminal (gate terminal) for inputting a drive signal to the semiconductor element 40A.
  • the source electrode 43 of the semiconductor element 40A is connected to the fifth part 325 by the wire 73, and the fifth part 325 is connected to the lead 21 by the wire 73.
  • the source electrode 43 of the semiconductor element 40A is conductively connected to the lead 21 by the wire 73 and the fifth portion 325.
  • the lead 22 electrically connected to the source electrode 43 of the semiconductor element 40A is a source signal detection terminal (source sense terminal) of the semiconductor element 40A.
  • the wires 72 and 73 are made of, for example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), or the like. Note that the material, wire diameter, and number of wires 72 and 73 are not limited.
  • the gate electrode 44 of the semiconductor element 40B is conductively connected to the lead 22 by a wire 72.
  • the lead 22 electrically connected to the gate electrode 44 of the semiconductor element 40B is the gate terminal of the semiconductor element 40B.
  • the source electrode 43 of the semiconductor element 40B is conductively connected to the lead 21 by a wire 73.
  • the lead 21 electrically connected to the source electrode 43 of the semiconductor element 40B is a source sense terminal of the semiconductor element 40B.
  • the gate electrode 44 of the semiconductor element 40C is conductively connected to the lead 22 by a wire 72.
  • the lead 22 electrically connected to the gate electrode 44 of the semiconductor element 40C is the gate terminal of the semiconductor element 40C.
  • the source electrode 43 of the semiconductor element 40C is conductively connected to the lead 21 by a wire 73.
  • the lead 21 electrically connected to the source electrode 43 of the semiconductor element 40C is a source sense terminal of the semiconductor element 40C.
  • the gate electrode 44 of the semiconductor element 40D is conductively connected to the lead 22 by a wire 72.
  • the lead 22 electrically connected to the gate electrode 44 of the semiconductor element 40D is a gate terminal of the semiconductor element 40D.
  • the source electrode 43 of the semiconductor element 40D is conductively connected to the lead 21 by a wire 73.
  • the lead 21 electrically connected to the source electrode 43 of the semiconductor element 40D is a source sense terminal of the semiconductor element 40D.
  • the gate electrode 44 of the semiconductor element 40E is conductively connected to the lead 22 by a wire 72.
  • the lead 22 electrically connected to the gate electrode 44 of the semiconductor element 40E is a gate terminal of the semiconductor element 40E.
  • the source electrode 43 of the semiconductor element 40E is conductively connected to the lead 21 by a wire 73.
  • the lead 21 electrically connected to the source electrode 43 of the semiconductor element 40E is a source sense terminal of the semiconductor element 40E.
  • the gate electrode 44 of the semiconductor element 40F is conductively connected to the lead 22 by a wire 72.
  • one end of the wire 72 is joined to the gate electrode 44 of the semiconductor element 40F
  • the middle part is joined to the eighth part 328, and the other end is joined to the lead 22.
  • the lead 22 electrically connected to the gate electrode 44 of the semiconductor element 40F is a gate terminal of the semiconductor element 40F.
  • the source electrode 43 of the semiconductor element 40F is conductively connected to the lead 21 by a wire 73.
  • one end of the wire 73 is joined to the source electrode 43 of the semiconductor element 40F, the middle part is joined to the seventh part 327, and the other end is joined to the lead 21.
  • the lead 21 electrically connected to the source electrode 43 of the semiconductor element 40F is a source sense terminal of the semiconductor element 40F.
  • the semiconductor device A1 is configured, for example, as a half-bridge switching circuit.
  • leads 12, 13, and 14 are electrically connected externally
  • semiconductor elements 40A, 40B, and 40C constitute an upper arm circuit of semiconductor device A1
  • semiconductor elements 40D, 40E, and 40F constitute an upper arm circuit of semiconductor device A1.
  • semiconductor elements 40A, 40B, and 40C are connected in parallel with each other, and in the lower arm circuit, semiconductor elements 40D, 40E, and 40F are connected in parallel with each other.
  • Each semiconductor element 40A, 40B, 40C and each semiconductor element 40D, 40E, 40F are connected in series and constitute a bridge layer.
  • a DC voltage to be subjected to power conversion is input to the lead 11 and the lead 15.
  • Lead 11 is a positive electrode (P terminal)
  • lead 15 is a negative electrode (N terminal).
  • the leads 12, 13, and 14 output AC voltages that have been converted into power by the semiconductor elements 40A to 40F.
  • the plurality of semiconductor elements 4 are arranged side by side in the first direction x.
  • the semiconductor element 40A is located at the end on the x2 side in the first direction x
  • the semiconductor element 40F is located at the end on the x1 side in the first direction x
  • the semiconductor elements 40A to 40F are located at the end on the x2 side in the first direction They are arranged in this order toward the x1 side in one direction x.
  • the semiconductor elements 40A to 40F are arranged at regular intervals in the first direction x.
  • the semiconductor elements 40A to 40F include semiconductor elements that are not arranged along the first direction x but are located at different positions in the second direction y.
  • the semiconductor element 40B is located on the y1 side of the second direction y with respect to the semiconductor element 40A in the second direction y.
  • the semiconductor element 40C is located on the y1 side in the second direction y with respect to the semiconductor element 40B.
  • the semiconductor element 40D is at the same (or substantially the same) position as the semiconductor element 40C in the second direction y.
  • the semiconductor element 40E is located on the y2 side of the second direction y with respect to the semiconductor element 40D.
  • the semiconductor element 40F is located on the y2 side in the second direction y with respect to the semiconductor element 40E.
  • the thermistor 6 is a temperature detection element and is mounted on the main surface 3a of the insulating substrate 31.
  • the thermistor 6 is a resistor whose electrical resistance changes largely with respect to temperature changes, and the voltage between the terminals changes as the resistance value changes depending on the ambient temperature. Based on the voltage between the terminals of the thermistor 6, the temperature around the thermistor 6 is detected. Note that the characteristics of the thermistor 6 are not limited.
  • the thermistor 6 may be an NTC (negative temperature coefficient) thermistor, a PTC (positive temperature coefficient) thermistor, or a thermistor having other characteristics.
  • the thermistor 6 is for detecting the temperature of the semiconductor device A1. As shown in FIGS. 3 and 5, the thermistor 6 is arranged across two pad sections 502 of the conductive section 5 (wiring section 501). The thermistor 6 is bonded to the pad portion 502 via a conductive bonding material 63.
  • the conductive bonding material 63 may be any material that can bond the thermistor 6 to the pad portion 502 and electrically connect the thermistor 6 and the pad portion 502. As the conductive bonding material 63, for example, silver paste, copper paste, solder, or the like is used.
  • the conductive bonding material 63 is an example of the "first conductive bonding material" of the present disclosure.
  • Each of the two pad sections 502 (wiring section 501) is electrically connected to the lead 23 via a wire 74.
  • the pad portion 502 (wiring portion 501) and the wire 74 are a conduction path that connects the thermistor 6 and the lead 23.
  • the two leads 23 serve as terminals for detecting the temperature of the semiconductor device A1, and output the voltage between the terminals of the thermistor 6.
  • the semiconductor device A1 includes an insulating member 62.
  • the insulating member 62 is interposed between the main surface 3a of the insulating substrate 31 and the thermistor 6, and has electrical insulation properties.
  • the insulating member 62 is an underfill filled between the main surface 3a and the thermistor 6 in the thickness direction z.
  • the constituent material of the insulating member 62 is not particularly limited, and is, for example, a synthetic resin whose main ingredient is black epoxy resin.
  • the thermistor 6 is placed close to any one of the plurality of semiconductor elements 4 (semiconductor elements 40A to 40F). As shown in FIG. 3, the thermistor 6 is arranged near a corner of the insulating substrate 31 on the x1 side in the first direction x and on the y1 side in the second direction y. In the illustrated example, the thermistor 6 is closest to the semiconductor element 40F located at the end on the x1 side in the first direction x among the semiconductor elements 40A to 40F.
  • the semiconductor device A1 may include another temperature detection element instead of the thermistor 6.
  • Other possible temperature detection elements include semiconductor temperature sensors.
  • the semiconductor temperature sensor is a Si diode or the like whose forward voltage changes greatly with respect to temperature changes, and the ambient temperature is detected based on the voltage between terminals when a predetermined current is passed through the semiconductor temperature sensor.
  • the sealing resin 8 covers at least the semiconductor elements 40A to 40F, the conductive portion 5, the thermistor 6, the wires 71 to 74, a portion of each of the plurality of leads 1 and the plurality of leads 2, and a portion of the support 3. ing.
  • the constituent material of the sealing resin 8 is not particularly limited, and insulating materials such as epoxy resin and silicone gel may be used as appropriate.
  • the sealing resin 8 has a resin main surface 81, a resin back surface 82, and a plurality of resin side surfaces 83 to 86.
  • the resin main surface 81 and the resin back surface 82 are surfaces facing opposite to each other in the thickness direction z, and are both flat surfaces perpendicular to the thickness direction z.
  • the main resin surface 81 faces the z1 side in the thickness direction z
  • the resin back surface 82 faces the z2 side in the thickness direction z.
  • the resin back surface 82 has a frame shape that surrounds the back surface 3b of the support 3 (metal layer 33) in plan view.
  • the back surface 3b of the support body 3 is exposed from the resin back surface 82 of the sealing resin 8, and is flush with the resin back surface 82, for example. Note that the back surface 3b of the support body 3 may protrude further toward the z2 side in the thickness direction z than the resin back surface 82 of the sealing resin 8.
  • Each of the plurality of resin side surfaces 83 to 86 is connected to both the resin main surface 81 and the resin rear surface 82, and is sandwiched between them in the thickness direction z.
  • the resin side surface 83 and the resin side surface 84 are separated from each other in the first direction x.
  • the resin side surface 83 faces the x1 side in the first direction x
  • the resin side surface 84 faces the x2 side in the first direction x.
  • the resin side surface 85 and the resin side surface 86 are separated from each other in the second direction y.
  • the resin side surface 85 faces the y1 side in the second direction y
  • the resin side surface 86 faces the y2 side in the second direction y.
  • each of the plurality of leads 2 protrudes from the resin side surface 85.
  • a portion of each of the plurality of leads 1 protrudes from the resin side surface 86.
  • the sealing resin 8 has a recessed portion recessed from each of the resin side surfaces 83 to 86.
  • the semiconductor device A1 includes a support 3, a semiconductor element 4 (semiconductor elements 40A to 40F), a conductive part 5 made of a conductive material, a thermistor 6, and a sealing resin 8.
  • the support body 3 includes an insulating substrate 31 having a main surface 3a, and the conductive part 5 is formed on the main surface 3a.
  • the thermistor 6 is bonded to the conductive portion 5 (pad portion 502 of the wiring portion 501) via a conductive bonding material 63. According to such a configuration, the thermistor 6 is mounted on the main surface 3a of the support 3 via the conductive portion 5 (pad portion 502 of the wiring portion 501).
  • the conductive portion 5 can be made thinner than the support conductor 32 on which the semiconductor element 4 is mounted, and thereby the stress generated in the thermistor 6 when the semiconductor element 4 generates heat can be reduced. As a result, it is possible to improve the durability of the thermistor 6 and to appropriately detect the temperature of the semiconductor device A1. Further, in the configuration in which the thermistor 6 is mounted on the conductive part 5, the sensitivity of temperature detection on the insulating substrate 31 side can be improved compared to, for example, a case in which the thermistor 6 is disposed on the support conductor 32 having a large thickness. Can be done. Further, the back surface 3b of the support body 3 (metal layer 33) is exposed from the sealing resin 8. According to such a configuration, the heat transmitted from the semiconductor element 4 to the support body 3 (insulating substrate 31) can be efficiently released to the outside from the back surface 3b, and the heat dissipation performance of the semiconductor device A1 is improved.
  • the thermistor 6 is placed close to any one of the plurality of semiconductor elements 4 (semiconductor elements 40A to 40F). According to such a configuration, the temperature of the semiconductor device A1 (insulating substrate 31 side) due to the influence of heat generation of the plurality of semiconductor elements 4 as a whole can be appropriately detected.
  • the thermistor 6 is disposed near the corner of the insulating substrate 31 on the x1 side in the first direction x and on the y1 side in the second direction y, and is located near the corner of the insulating substrate 31 on the x1 side in the first direction x. It is closest to the semiconductor element 40F located at . According to such a configuration, the thermistor 6 can be efficiently arranged on the insulating substrate 31.
  • the semiconductor device A1 of this embodiment includes an insulating member 62.
  • the insulating member 62 is filled between the main surface 3a of the insulating substrate 31 and the thermistor 6. According to such a configuration, after the sealing resin 8 is formed, it is possible to prevent the inconvenience that a gap is generated in a relatively narrow gap between the main surface 3a and the thermistor 6. Thereby, the temperature of the semiconductor device A1 (insulating substrate 31 side) can be detected stably and accurately by the thermistor 6.
  • FIG. 9 and 10 show a semiconductor device assembly B1 including a semiconductor device A1.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the main parts of the semiconductor device assembly B1.
  • FIG. 10 is a block diagram showing the configuration of semiconductor device assembly B1.
  • the semiconductor device assembly B1 includes a semiconductor device A1, a cooler 91, a mounting member 92, a control means 94, a cooling means 95, and a heating means 96.
  • the cooler 91 is a heat radiating member for cooling the semiconductor device A1.
  • the cooler 91 is made of a metal material with excellent thermal conductivity.
  • the constituent material of the cooler 91 is not particularly limited, and is, for example, aluminum (Al), copper (Cu), or an alloy thereof.
  • Cooler 91 has a mounting surface 911 and a flow path 912.
  • the attachment surface 911 is a flat surface facing the z1 side in the thickness direction z.
  • the flow path 912 is a hollow portion formed inside the cooler 91. For example, cooling water as a refrigerant flows through this flow path 912 .
  • the semiconductor device A1 is placed on a mounting surface 911 of the cooler 91, and the mounting surface 911 is in surface contact with the back surface 3b of the support body 3 of the semiconductor device A1 and the resin back surface 82 of the sealing resin 8.
  • the mounting member 92 is for holding the semiconductor device A1 on the cooler 91.
  • the attachment member 92 is arranged across the semiconductor device A1 in the second direction y.
  • the attachment member 92 is, for example, a leaf spring. Attachment member 92 is located.
  • the attachment member 92 is attached to the cooler 91 by inserting two fastening members 93 into two attachment holes 913 located on both sides of the semiconductor device A1 in the second direction y.
  • the two fastening members 93 are, for example, bolts.
  • the semiconductor device A1 In the state where the semiconductor device A1 is mounted in pressure contact, the semiconductor device A1 is pressed against the cooler 91 by the spring elastic force of the mounting member 92, and the mounting surface 911 of the cooler 91 and the back surface 3b of the support body 3 of the semiconductor device A1 are It's in close contact.
  • the cooling means 95 cools the cooler 91.
  • the cooling means 95 includes, for example, a cooling water supply source (not shown) and a valve that can be switched on and off. For example, when the cooler 91 is cooled by the cooling means 95, the valve is opened and the cooling water sent from the cooling water supply source flows through the flow path 912. Furthermore, when stopping the cooling of the cooler 91, the valve is closed, and the flow of cooling water in the flow path 912 is stopped. Note that the cooling means 95 only needs to be capable of cooling the cooler 91, and the specific configuration of the cooling means 95 is not limited at all.
  • the heating means 96 heats the cooler 91.
  • the heating means 96 includes, for example, a heater (not shown) attached to the cooler 91. For example, when heating the cooler 91 by the heating means 96, the heater is activated. Note that the heating means 96 only needs to be capable of heating the cooler 91, and the specific configuration of the heating means 96 is not limited at all.
  • the control means 94 controls the cooling means 95 and the heating means 96 based on the temperature detected by the thermistor 6 of the semiconductor device A1. For example, when the temperature detected by the thermistor 6 exceeds a predetermined first temperature, the control means 94 operates the cooling means 95 to cool the cooler 91 . Further, when the temperature detected by the thermistor 6 is lower than a predetermined second temperature (a temperature lower than the first temperature), the heating means 96 is activated to heat the cooler 91. Note that the specific method of controlling the cooling means 95 and the heating means 96 by the control means 94 is not limited at all.
  • the semiconductor device assembly B1 of this embodiment includes a semiconductor device A1, a cooler 91, a cooling means 95 for cooling the cooler 91, and a control means 94.
  • the cooler 91 has a portion (mounting surface 911) that contacts the back surface 3b of the support 3 of the semiconductor device A1, and the control means 94 controls the cooling means 95 based on the temperature detected by the thermistor 6. . According to such a configuration, it is possible to prevent an excessive temperature rise of the semiconductor device A1 while monitoring the temperature of the semiconductor device A1, and it is possible to appropriately drive the semiconductor device A1.
  • the semiconductor device assembly B1 includes a heating means 96 that heats the cooler 91, and the control means 94 controls the heating means 96 based on the temperature detected by the thermistor 6.
  • the semiconductor device A1 when the semiconductor device A1 is installed in, for example, automobile equipment, the temperature of the semiconductor device A1 can be monitored and an excessive drop in temperature of the semiconductor device A1 can be prevented when the semiconductor device A1 is used in a cold region or the like. Therefore, the semiconductor device A1 can be appropriately driven.
  • FIG. 11 shows a semiconductor device according to a first modification of the first embodiment.
  • FIG. 11 is a plan view showing the semiconductor device A11 of this modification, and shows the sealing resin 8 with imaginary lines.
  • the same or similar elements as in the semiconductor device A1 of the above embodiment are given the same reference numerals as in the above embodiment, and the description thereof will be omitted as appropriate.
  • the configurations of the respective parts in the modifications shown in FIG. 11 and subsequent examples can be appropriately combined with each other within a range that does not cause technical contradiction.
  • the semiconductor device A11 of this modification differs from the semiconductor device A1 of the above embodiment mainly in the arrangement of the plurality of semiconductor elements 4.
  • the size of the support 3, the arrangement of the plurality of leads, and the arrangement of the plurality of leads 2 are the same (or substantially the same) as in the semiconductor device A1 of the above embodiment.
  • the size of the semiconductor element 4 is larger than that of the semiconductor device A1 described above. Accordingly, the arrangement of the supporting conductor 32 (first part 321 to ninth part 329) on the insulating substrate 31 and the arrangement of the plurality of semiconductor elements 4 (semiconductor elements 40A to 40F) are different from the above embodiment. .
  • the plurality of semiconductor elements 4 are arranged side by side in the first direction x.
  • the semiconductor element 40B is located on the y1 side of the second direction y with respect to the semiconductor element 40A in the second direction y.
  • the semiconductor element 40B overlaps the semiconductor element 40A when viewed in the second direction y.
  • the four semiconductor elements 40B to 40E are arranged at regular intervals along the first direction x.
  • the semiconductor element 40F is located on the y2 side of the second direction y with respect to the semiconductor element 40E.
  • the semiconductor element 40F overlaps the semiconductor element 40E when viewed in the second direction y.
  • the thermistor 6 is arranged near the corner of the insulating substrate 31 on the x1 side in the first direction x and on the y1 side in the second direction y, similarly to the semiconductor device A1 of the above embodiment.
  • the thermistor 6 includes a semiconductor element 40F located at the end on the x1 side in the first direction x, and a semiconductor element 40E located closest to the semiconductor element 40F on the x2 side in the first direction x. are arranged correspondingly.
  • the thermistor 6 is closest to the semiconductor element 40E among the semiconductor elements 40A to 40F.
  • the thermistor 6 is arranged in a region R1 that overlaps the semiconductor element 40F when viewed in the second direction y and overlaps the semiconductor element 40E when viewed in the first direction x.
  • the semiconductor element 40F is an example of the "first semiconductor element” of the present disclosure
  • the semiconductor element 40E is an example of the "second semiconductor element” of the present disclosure.
  • the semiconductor device A11 of this modification includes a support 3, a semiconductor element 4 (semiconductor elements 40A to 40F), a conductive part 5 made of a conductive material, a thermistor 6, and a sealing resin 8.
  • the support body 3 includes an insulating substrate 31 having a main surface 3a, and the conductive part 5 is formed on the main surface 3a.
  • the thermistor 6 is bonded to the conductive portion 5 (pad portion 502 of the wiring portion 501) via a conductive bonding material 63. According to such a configuration, the thermistor 6 is mounted on the main surface 3a of the support 3 via the conductive portion 5 (pad portion 502 of the wiring portion 501).
  • the conductive portion 5 can be made thinner than the support conductor 32 on which the semiconductor element 4 is mounted, and thereby the stress generated in the thermistor 6 when the semiconductor element 4 generates heat can be reduced. As a result, it is possible to improve the durability of the thermistor 6 and to appropriately detect the temperature of the semiconductor device A11. Further, in the configuration in which the thermistor 6 is mounted on the conductive part 5, the sensitivity of temperature detection on the insulating substrate 31 side can be improved compared to, for example, a case in which the thermistor 6 is disposed on the support conductor 32 having a large thickness. Can be done. Further, the back surface 3b of the support body 3 (metal layer 33) is exposed from the sealing resin 8. According to such a configuration, the heat transmitted from the semiconductor element 4 to the support body 3 (insulating substrate 31) can be efficiently released to the outside from the back surface 3b, and the heat dissipation performance of the semiconductor device A11 is improved.
  • the thermistor 6 is placed close to any one of the plurality of semiconductor elements 4 (semiconductor elements 40A to 40F). According to such a configuration, the temperature of the semiconductor device A11 (insulating substrate 31 side) due to the influence of heat generation of the plurality of semiconductor elements 4 as a whole can be appropriately detected.
  • the thermistor 6 is disposed near a corner of the insulating substrate 31 on the x1 side in the first direction x and on the y1 side in the second direction y, and includes a semiconductor element 40F located at an end on the x1 side in the first direction x;
  • the semiconductor element 40E is arranged to correspond to the semiconductor element 40E located closest to the semiconductor element 40F on the x2 side in the first direction x.
  • the thermistor 6 is arranged in a region R1 that overlaps the semiconductor element 40F when viewed in the second direction y and overlaps the semiconductor element 40E when viewed in the first direction x. According to such a configuration, the thermistor 6 can be efficiently arranged in the limited space on the insulating substrate 30.
  • the semiconductor device A11 has the same effects as the semiconductor device A1 of the above embodiment.
  • a cooler 91, a mounting member 92, a control means 94, a cooling means 95, a heating means 96, etc. are further provided. It is possible to employ a configuration of a semiconductor device assembly including the following. In this case, the same effects as described above regarding the semiconductor device assembly B1 are achieved.
  • Second modification of the first embodiment 12 to 15 show a semiconductor device according to a second modification of the first embodiment.
  • the semiconductor device A12 of this modification includes a plurality of leads 1 (leads 11 to 15), a plurality of leads 2 (a plurality of leads 21, a plurality of leads 22, and two leads 23), an insulating substrate 30, and a plurality of semiconductor elements. 4 (semiconductor elements 40A to 40F), a conductive part 5, a plurality of bonding parts 511 to 514, a thermistor 6, a plurality of wires 71 and 72, and a sealing resin 8.
  • FIG. 12 is a plan view showing the semiconductor device A12 of this modification, and is a view through the sealing resin 8. As shown in FIG. FIG.
  • FIG. 13 is a sectional view taken along line XIII-XIII in FIG. 12.
  • FIG. 14 is a sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 12.
  • FIG. 15 is a sectional view taken along line XV-XV in FIG. 12.
  • the outer shape of the sealing resin 8 is shown by an imaginary line (two-dot chain line).
  • the wire 71 is omitted.
  • the wires 72 and 73 are omitted.
  • the semiconductor device A12 of this modification mainly includes an insulating substrate 30 instead of the support 3 of the above embodiment, a plurality of leads 1 (leads 11 to 15), a plurality of leads 2 (a plurality of leads 21, The structure of each part of the plurality of leads 22 and two leads 23), the arrangement of the plurality of semiconductor elements 4 (semiconductor elements 40A to 40F), and the structure of the conductive part 5 are different from the above embodiment.
  • Insulating substrate 30 supports a plurality of semiconductor elements 40A to 40F.
  • the material of the insulating substrate 30 is not particularly limited.
  • Examples of the material of the insulating substrate 30 include ceramics such as alumina (Al 2 O 3 ), silicon nitride (SiN), aluminum nitride (AlN), and alumina containing zirconia.
  • the thickness of the insulating substrate 30 is not particularly limited, and is, for example, about 0.1 mm to 1.0 mm.
  • the shape of the insulating substrate 30 is not particularly limited. As shown in FIGS. 12 to 15, in this modification, the insulating substrate 30 has a main surface 3a and a back surface 3b.
  • the main surface 3a faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the back surface 3b faces the opposite side to the main surface 3a (the z2 side in the thickness direction z). In this modification, the back surface 3b is exposed from the sealing resin 8.
  • a heat dissipating member for example, a heat sink, etc. (not shown) can be attached to the back surface 3b.
  • the insulating substrate 30 has a rectangular shape in plan view.
  • the insulating substrate 30 has an elongated rectangular shape whose longitudinal direction is the first direction x when viewed in the thickness direction z.
  • the insulating substrate 30 is an example of a "support body" of the present disclosure, and the support body is made of the insulating substrate 30.
  • the conductive part 5 is formed on the insulating substrate 30. In this modification, the conductive portion 5 is formed on the main surface 3a of the insulating substrate 30.
  • the conductive part 5 is made of a conductive material.
  • the conductive material constituting the conductive part 5 is not particularly limited. Examples of the conductive material of the conductive portion 5 include materials containing silver (Ag), copper (Cu), gold (Au), and the like. In the following description, a case where the conductive portion 5 contains silver will be described as an example. Note that the conductive portion 5 may contain copper instead of silver, or may contain gold instead of silver or copper. Alternatively, the conductive portion 5 may contain Ag--Pt or Ag--Pd.
  • the method of forming the conductive portion 5 is not limited, and may be formed, for example, by firing a paste containing these metals.
  • the thickness of the conductive portion 5 is not particularly limited, and is, for example, about 5 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the conductive part 5 includes two wiring parts 501, a connecting part 515, and a connecting part 521, as shown in FIGS. 12, 13, and 14, for example.
  • the two wiring sections 501 are arranged near the corners of the insulating substrate 30 on the x1 side in the first direction x and on the y1 side in the second direction y.
  • the two wiring sections 501 are spaced apart from each other and arranged side by side in the second direction y.
  • Each wiring section 501 has a pad section 502.
  • the pad section 502 is located at the end of the wiring section 501 on the x2 side in the first direction x.
  • Each terminal of the thermistor 6 is connected to the two pad portions 502, respectively.
  • the connecting portion 515 is interposed between the insulating substrate 30 and the lead 15 in the thickness direction z.
  • the connecting portion 521 is interposed between the insulating substrate 30 and the leads 21 and 22 in the thickness direction z.
  • a plurality of bonding parts 511 to 514 are formed on the insulating substrate 30.
  • the plurality of joints 511 to 514 are formed on the main surface 3a of the insulating substrate 30.
  • the material of the bonding parts 511 to 514 is not particularly limited, and is made of, for example, a material that can bond the insulating substrate 30 and the lead 1.
  • the joints 511 to 514 are made of, for example, a conductive material.
  • the conductive material forming the joints 511 to 514 is not particularly limited. Examples of the conductive material constituting the joints 511 to 514 include materials containing silver (Ag), copper (Cu), gold (Au), and the like.
  • the bonding portions 511 to 514 contain silver.
  • the bonding parts 511 to 514 in this example include the same conductive material that constitutes the conductive part 5.
  • the joint portions 511 to 514 may contain copper instead of silver, or may contain gold instead of silver or copper.
  • the joints 511 to 514 may contain Ag-Pt or Ag-Pd.
  • the method of forming the contact portions 511 to 514 is not limited, and for example, similarly to the conductive portion 5, they are formed by firing a paste containing these metals.
  • the thickness of the bonding portions 511 to 514 is not particularly limited, and is, for example, about 5 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the plurality of leads 1 are configured to include metal, and have better heat dissipation characteristics than, for example, the insulating substrate 30.
  • the metal constituting the lead 1 is not particularly limited, and includes, for example, copper (Cu), aluminum, iron (Fe), oxygen-free copper, or alloys thereof (for example, Cu-Sn alloy, Cu-Zr alloy, Cu-Fe alloy). etc.).
  • the plurality of leads 1 may be plated with nickel (Ni).
  • the plurality of leads 1 may be formed, for example, by pressing a metal mold against a metal plate, or may be formed by patterning a metal plate by etching, but is not limited thereto.
  • the thickness of each lead 1 is not particularly limited, and is, for example, about 0.4 mm to 0.8 mm. Each lead 1 is spaced apart from each other.
  • the plurality of leads 1 include a lead 11, a lead 12, a lead 13, a lead 14, and a lead 15.
  • Lead 11, lead 12, lead 13, lead 14, and lead 15 constitute a conductive path to semiconductor element 4, for example.
  • the lead 11 is arranged on the insulating substrate 30, and in this modification, is arranged on the main surface 3a.
  • Lead 11 is an example of the "first lead” of the present disclosure.
  • the lead 11 is bonded to the bonding portion 511 via the bonding material 18.
  • the bonding material 18 may be any material that can bond the lead 11 to the bonding portion 511. From the viewpoint of more efficiently transmitting heat from the leads 11 to the insulating substrate 30, the bonding material 18 preferably has a higher thermal conductivity, such as silver paste, copper paste, solder, or the like.
  • the bonding material 18 may be an insulating material such as epoxy resin or silicone resin.
  • the leads 11 may be bonded to the insulating substrate 30.
  • the structure of the lead 11 is not particularly limited, and in this modification, the lead 11 will be explained by dividing it into a mounting part 110, a protruding part 112, and an inclined part 113, as shown in FIGS. 12 and 15.
  • the mounting portion 110 is arranged on the main surface 3a of the insulating substrate 30 closer to the x2 side in the first direction x.
  • Semiconductor elements 40A, 40B, and 40C are arranged on the upper surface of the mounting portion 110 (the surface facing the z1 side in the thickness direction z).
  • the mounting portion 110 has a plurality of recesses 110a.
  • the plurality of recesses 110a are recessed from the upper surface of the mounting portion 110 toward the z2 side in the thickness direction z.
  • the shape of the recess 110a in plan view is not particularly limited, and may be, for example, circular, oval, rectangular, triangular, or the like. Further, in the illustrated example, the plurality of recesses 110a are arranged in a matrix.
  • the lower surface of the mounting portion 110 (the surface facing the z2 side in the thickness direction z) is bonded to the bonding portion 511 with the bonding material 18 .
  • the inclined part 113 is connected to the mounting part 110 and is inclined with respect to the mounting part 110.
  • the protruding portion 112 is connected to the inclined portion 113, and most of the protruding portion 112 protrudes from the sealing resin 8.
  • two protrusions 112 are provided at intervals in the first direction x. Each protrusion 112 protrudes in the second direction y to the side opposite to the mounting part 110.
  • the protrusion 112 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A12 to an external circuit.
  • the protrusion 112 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 30 in the thickness direction z.
  • the leads 12 are arranged on the insulating substrate 30, and in this modification, are arranged on the main surface 3a.
  • Lead 12 is an example of the "first lead” of the present disclosure. Further, the lead 12 is bonded to a bonding portion 512 via a bonding material 18.
  • the structure of the lead 12 is not particularly limited, and in this modification, the lead 12 will be explained by dividing it into a mounting part 120, a protruding part 122, and an inclined part 123, as shown in FIGS. 12 and 15.
  • the mounting section 120 is arranged on the x1 side of the first direction x with respect to the mounting section 110 and is adjacent to the mounting section 110.
  • a semiconductor element 40D is arranged on the upper surface of the mounting portion 120 (the surface facing the z1 side in the thickness direction z).
  • the mounting portion 120 has a plurality of recesses 120a.
  • the plurality of recesses 120a are recessed from the upper surface of the mounting portion 120 toward the z2 side in the thickness direction z.
  • the shape of the recess 120a in plan view is not particularly limited, and may be, for example, circular, oval, rectangular, triangular, or the like.
  • the plurality of recesses 120a are arranged in a matrix.
  • the lower surface of the mounting portion 120 (the surface facing the z2 side in the thickness direction z) is bonded to the bonding portion 512 by the bonding material 18 .
  • the inclined part 123 is connected to the mounting part 120 and is inclined with respect to the mounting part 120.
  • the protruding portion 122 is connected to the inclined portion 123, and most of the protruding portion 122 protrudes from the sealing resin 8.
  • the protruding portion 122 protrudes in the second direction y on the opposite side from the mounting portion 120.
  • the protruding portion 122 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A12 to an external circuit.
  • the protrusion 122 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 30 in the thickness direction z.
  • the lead 13 is arranged on the insulating substrate 30, and in this modification, is arranged on the main surface 3a.
  • Lead 13 is an example of the "first lead” of the present disclosure. Further, the lead 13 is bonded to a bonding portion 513 via a bonding material 18.
  • the structure of the lead 13 is not particularly limited, and in this modification, the lead 13 will be explained by dividing it into a mounting part 130, a protruding part 132, and an inclined part 133, as shown in FIGS. 12, 14, and 15. .
  • the mounting section 130 is arranged on the x1 side of the first direction x with respect to the mounting section 120 and is adjacent to the mounting section 120.
  • the semiconductor element 40E is arranged on the upper surface of the mounting portion 130 (the surface facing the z1 side in the thickness direction z).
  • the mounting portion 130 has a plurality of recesses 130a.
  • the plurality of recesses 130a are recessed from the upper surface of the mounting portion 130 toward the z2 side in the thickness direction z.
  • the shape of the recess 130a in plan view is not particularly limited, and may be, for example, circular, oval, rectangular, triangular, or the like. Further, in the illustrated example, the plurality of recesses 130a are arranged in a matrix.
  • the lower surface of the mounting portion 130 (the surface facing the z2 side in the thickness direction z) is bonded to the bonding portion 513 by the bonding material 18 .
  • the inclined part 133 is connected to the mounting part 130 and is inclined with respect to the mounting part 130.
  • the protruding portion 132 is connected to the inclined portion 133, and most of the protruding portion 132 protrudes from the sealing resin 8.
  • the protruding portion 132 protrudes in the second direction y to the side opposite to the mounting portion 130.
  • the protrusion 132 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A12 to an external circuit. In the illustrated example, the protrusion 132 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 30 in the thickness direction z.
  • the lead 14 is arranged on the insulating substrate 30, and in this modification, is arranged on the main surface 3a.
  • Lead 14 is an example of the "first lead” of the present disclosure. Further, the lead 14 is bonded to the bonding portion 512 via the bonding material 18.
  • the configuration of the lead 12 is not particularly limited, and in this modification, the lead 14 will be explained by dividing it into a mounting part 140, a protruding part 142, and an inclined part 143, as shown in FIGS. 12, 13, and 15. .
  • the mounting section 140 is arranged on the x1 side of the first direction x with respect to the mounting section 130 and is adjacent to the mounting section 130.
  • the semiconductor element 40F is arranged on the upper surface of the mounting portion 140 (the surface facing the z1 side in the thickness direction z).
  • the mounting portion 140 has a plurality of recesses 140a.
  • the plurality of recesses 140a are recessed from the upper surface of the mounting portion 140 toward the z2 side in the thickness direction z.
  • the shape of the recess 140a in plan view is not particularly limited, and may be, for example, circular, oval, rectangular, triangular, or the like.
  • the plurality of recesses 140a are arranged in a matrix.
  • the lower surface of the mounting portion 140 (the surface facing the z2 side in the thickness direction z) is bonded to the bonding portion 514 by the bonding material 18 .
  • the inclined part 143 is connected to the mounting part 140 and is inclined with respect to the mounting part 140.
  • the protruding portion 142 is connected to the inclined portion 143, and most of the protruding portion 142 protrudes from the sealing resin 8.
  • the protruding portion 142 protrudes in the second direction y on the opposite side from the mounting portion 140.
  • the protrusion 142 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A12 to an external circuit. In the illustrated example, the protrusion 142 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 30 in the thickness direction z.
  • the leads 15 are arranged on the insulating substrate 30, and in this modification, are arranged on the main surface 3a. As shown in FIGS. 12 and 13, the lead 15 is bonded to the connecting portion 515 via the bonding material 18.
  • the structure of the lead 15 is not particularly limited, and in this modification, the lead 15 will be explained by dividing it into a pad part 151, a protrusion part 152, and an inclined part 153, as shown in FIGS. 12 and 13.
  • the pad portion 151 is covered with the sealing resin 8.
  • the pad portion 151 is parallel (or substantially parallel) to the insulating substrate 30.
  • a wire 71 is bonded to the upper surface of the pad portion 151 (the surface facing the z1 side in the thickness direction z).
  • the lower surface of the pad portion 151 (the surface facing the z2 side in the thickness direction z) is bonded to the connecting portion 515 by the bonding material 18.
  • the inclined portion 153 is connected to the pad portion 151 and is inclined with respect to the pad portion 151.
  • the protruding portion 152 is connected to the inclined portion 153, and most of the protruding portion 152 protrudes from the sealing resin 8.
  • the protrusion 152 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A12 to an external circuit. In the illustrated example, the protrusion 152 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 30 in the thickness direction z.
  • the plurality of leads 2 are configured to include metal, and have higher thermal conductivity than, for example, the insulating substrate 31.
  • the metal forming the lead 2 is not particularly limited, and may be copper, aluminum, iron (Fe), oxygen-free copper, or an alloy thereof (for example, Cu-Sn alloy, Cu-Zr alloy, Cu-Fe alloy, etc.). be.
  • the plurality of leads 2 may be plated with nickel (Ni).
  • the plurality of leads 2 may be formed, for example, by pressing a metal mold against a metal plate, or by patterning a metal plate by etching. Note that the method for forming the plurality of leads 2 is not limited.
  • the thickness of each lead 2 is not particularly limited, and is, for example, about 0.4 mm to 0.8 mm. Each lead 2 is spaced apart from each other.
  • the plurality of leads 2 are configured to include metal, and have higher thermal conductivity than, for example, the insulating substrate 30.
  • the metal forming the lead 2 is not particularly limited, and may be copper, aluminum, iron (Fe), oxygen-free copper, or an alloy thereof (for example, Cu-Sn alloy, Cu-Zr alloy, Cu-Fe alloy, etc.). be.
  • the plurality of leads 2 may be plated with nickel (Ni).
  • Ni nickel
  • the plurality of leads 2 may be formed, for example, by pressing a metal mold against a metal plate, or by patterning a metal plate by etching. Note that the method for forming the plurality of leads 2 is not limited.
  • the thickness of each lead 2 is not particularly limited, and is, for example, about 0.4 mm to 0.8 mm. Each lead 2 is spaced apart from each other.
  • the multiple leads 2 include multiple leads 21, multiple leads 22, and two leads 23.
  • Lead 21 and lead 22 constitute a conduction path to source electrode 43 and gate electrode 44 of semiconductor element 4 (semiconductor elements 40A to 40F).
  • the two leads 23 constitute a conduction path to the thermistor 6.
  • the plurality of leads 21 are each arranged on the insulating substrate 30, and in this modification, are arranged on the main surface 3a.
  • the plurality of leads 21 are arranged at intervals in the first direction x.
  • the structure of the lead 21 is not particularly limited. In this embodiment, as shown in FIGS. 12 and 14, the lead 21 will be explained by dividing it into a protruding portion 212, an inclined portion 213, and a parallel portion 214.
  • the parallel portion 214 is covered with the sealing resin 8.
  • the parallel portion 214 is parallel (or substantially parallel) to the insulating substrate 30.
  • the lower surface of the parallel portion 214 (the surface facing the z2 side in the thickness direction z) is bonded to the connecting portion 521 by the conductive bonding material 28.
  • the inclined portion 213 is connected to the end of the parallel portion 214 and is inclined with respect to the parallel portion 214 .
  • the protruding portion 212 is connected to the end of the inclined portion 213 and is a portion of the lead 21 that protrudes from the sealing resin 8 .
  • the protruding portion 212 protrudes from the sealing resin 8 toward the y1 side in the second direction y.
  • the protrusion 212 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A12 to an external circuit. In the illustrated example, the protrusion 212 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 30 in the thickness direction z.
  • the plurality of leads 22 are each arranged on the insulating substrate 30, and in this modification, are arranged on the main surface 3a.
  • the plurality of leads 22 are arranged at intervals in the first direction x.
  • Each of the plurality of leads 22 is arranged in close proximity to form a pair with one of the plurality of leads 21.
  • the structure of the lead 22 is not particularly limited. In this embodiment, as shown in FIG. 12, the lead 22 will be explained by dividing it into a protruding part 222, an inclined part 223, and a parallel part 224.
  • the parallel portion 224 is covered with the sealing resin 8.
  • the parallel portion 224 is parallel (or substantially parallel) to the insulating substrate 30.
  • the lower surface of the parallel portion 224 (the surface facing the z2 side in the thickness direction z) is bonded to the connecting portion 521 by the conductive bonding material 28.
  • the inclined portion 223 is connected to an end of the parallel portion 224 and is inclined with respect to the parallel portion 224 .
  • the protruding portion 222 is connected to the end of the inclined portion 223 and is a portion of the lead 22 that protrudes from the sealing resin 8 .
  • the protrusion 222 protrudes from the sealing resin 8 toward the y1 side in the second direction y.
  • the protrusion 222 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A12 to an external circuit. In the illustrated example, the protrusion 222 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 30 in the thickness direction z.
  • the two leads 23 are each arranged on the insulating substrate 30, and in this modification, are arranged on the main surface 3a.
  • the two leads 23 are arranged side by side in the first direction x.
  • the structure of the lead 23 is not particularly limited. In this embodiment, as shown in FIGS. 12 and 13, the lead 23 will be explained by dividing it into a protruding portion 232, an inclined portion 233, and a parallel portion 234.
  • the parallel portion 234 is covered with the sealing resin 8.
  • the parallel portion 234 is parallel (or substantially parallel) to the insulating substrate 30.
  • the lower surface of the parallel portion 234 (the surface facing the z2 side in the thickness direction z) is bonded to the wiring portion 501 by the conductive bonding material 28.
  • the inclined part 233 is connected to the end of the parallel part 234 and is inclined with respect to the parallel part 234.
  • the protruding portion 232 is connected to the end of the inclined portion 233 and is a portion of the lead 23 that protrudes from the sealing resin 8 .
  • the protruding portion 232 protrudes from the sealing resin 8 toward the y1 side in the second direction y.
  • the protrusion 232 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A12 to an external circuit. In the illustrated example, the protrusion 232 is bent toward the side facing the main surface 3a of the insulating substrate 30 in the thickness direction z.
  • each semiconductor element 4 is conductively connected to one of the plurality of leads 21 by a wire 72.
  • the lead 21 is a gate terminal of each semiconductor element 4.
  • the source electrode 43 of each semiconductor element 4 is conductively connected to a wire 73 and one of the plurality of leads 22.
  • the lead 22 is a source sense terminal of each semiconductor element 4.
  • the plurality of semiconductor elements 4 are arranged side by side in the first direction x.
  • the semiconductor element 40B is located on the y1 side of the second direction y with respect to the semiconductor element 40A in the second direction y.
  • the semiconductor element 40C is located on the y1 side in the second direction y with respect to the semiconductor element 40B.
  • the four semiconductor elements 40C to 40F are arranged at regular intervals along the first direction x.
  • the thermistor 6 is placed close to one of the plurality of semiconductor elements 40A to 40F. As shown in FIG. 12, the thermistor 6 is arranged near a corner of the insulating substrate 30 on the x1 side in the first direction x and on the y1 side in the second direction y. In the illustrated example, the thermistor 6 is closest to the semiconductor element 40F located at the end on the x1 side in the first direction x among the semiconductor elements 40A to 40F.
  • the semiconductor device A12 of this modification includes an insulating substrate 30, semiconductor elements 40A to 40F, a conductive portion 5 made of a conductive material, a thermistor 6, and a sealing resin 8.
  • the insulating substrate 30 has a main surface 3a and a back surface 3b, and the conductive part 5 is formed on the main surface 3a.
  • the thermistor 6 is bonded to the conductive portion 5 (pad portion 502 of the wiring portion 501) via a conductive bonding material 63. According to such a configuration, the thermistor 6 is mounted on the main surface 3a of the insulating substrate 30 via the conductive part 5 (the pad part 502 of the wiring part 501).
  • the conductive part 5 can be made thinner than the lead 1 (leads 11 to 14) on which the semiconductor elements 40A to 40F are mounted, thereby reducing the stress generated in the thermistor 6 when the semiconductor elements 40A to 40F generate heat. can be reduced. As a result, it is possible to improve the durability of the thermistor 6 and to appropriately detect the temperature of the semiconductor device A12. Furthermore, in the configuration in which the thermistor 6 is mounted on the conductive part 5, the sensitivity of temperature detection on the insulating substrate 30 side can be improved compared to, for example, a case in which the thermistor 6 is disposed on the thick lead 1. can. Further, the back surface 3b of the insulating substrate 30 is exposed from the sealing resin 8. According to such a configuration, the heat transmitted from the semiconductor elements 40A to 40F to the insulating substrate 30 can be efficiently released to the outside from the back surface 3b, and the heat dissipation performance of the semiconductor device A12 is improved.
  • the thermistor 6 is placed close to one of the plurality of semiconductor elements 40A to 40F. According to such a configuration, the temperature of the semiconductor device A12 (on the insulating substrate 30 side) due to the influence of heat generation of the plurality of semiconductor elements 40A to 40F can be appropriately detected.
  • the thermistor 6 is disposed near the corner of the insulating substrate 30 on the x1 side in the first direction x and on the y1 side in the second direction y, and is located near the corner of the insulating substrate 30 on the x1 side in the first direction x. It is closest to the semiconductor element 40F located at . According to such a configuration, the thermistor 6 can be efficiently arranged on the insulating substrate 30.
  • the leads 11 to 14 are bonded to the bonding portions 511 to 514 via the bonding material 18.
  • Joint parts 511 to 514 include the same conductive material as conductive part 5. According to such a configuration, the conductive portion 5 and the bonding portions 511 to 514 can be formed on the insulating substrate 30 all at once. This is preferable for improving the manufacturing efficiency of the semiconductor device A12.
  • the semiconductor device A12 of this modification includes an insulating member 62.
  • the insulating member 62 is filled between the main surface 3a of the insulating substrate 30 and the thermistor 6. According to such a configuration, after the sealing resin 8 is formed, it is possible to prevent the inconvenience that a gap is generated in a relatively narrow gap between the main surface 3a and the thermistor 6. Thereby, the temperature of the semiconductor device A12 (insulating substrate 30 side) can be detected stably and accurately by the thermistor 6.
  • the cooler 91, the mounting member 92, the control means 94, the cooling means 95, the heating means 96, etc. are further provided, similarly to the semiconductor device assembly B1 including the semiconductor device A1 described above. It is possible to employ a configuration of a semiconductor device assembly including the following. In this case, the same effects as described above regarding the semiconductor device assembly B1 are achieved.
  • the semiconductor device A2 of this embodiment includes a plurality of leads 1, a plurality of leads 2, an insulating substrate 30, a plurality of semiconductor elements 4A to 4F, a plurality of control elements 4G, 4H, a plurality of electronic components 49U, 49V, 49W, a conductive 5, a plurality of joints 58, a thermistor 6, a plurality of wires 75A to 75F, a plurality of wires 76, and a sealing resin 8.
  • the semiconductor device A2 converts input DC power into AC power using a plurality of semiconductor elements 4A to 4F (switching elements).
  • the converted AC power is output as three phases (U phase, V phase, W phase) each having a different phase.
  • the application of the semiconductor device A2 is not particularly limited, it is configured as an IPM used for drive control of a motor, for example.
  • FIG. 16 is a perspective view showing the semiconductor device A2 of this embodiment.
  • FIG. 17 is a plan view showing the semiconductor device A2.
  • FIG. 18 is a bottom view showing the semiconductor device A2.
  • FIG. 19 is a plan view showing the semiconductor device A2, and is a view through the sealing resin 8.
  • FIG. 20 is a plan view showing the insulating substrate of the semiconductor device A2.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view taken along line XXI-XXI in FIG. 19.
  • FIG. 22 is a sectional view of a main part taken along line XXII-XXII in FIG. 19.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view taken along line XXIII-XXIII in FIG. 19.
  • the outer shape of the sealing resin 8 is shown by an imaginary line (two-dot chain line).
  • the insulating substrate 30 supports a plurality of semiconductor elements 4A to 4F.
  • the material of the insulating substrate 30 is not particularly limited.
  • Examples of the material of the insulating substrate 30 include ceramics such as alumina (Al 2 O 3 ), silicon nitride (SiN), aluminum nitride (AlN), and alumina containing zirconia.
  • the thickness of the insulating substrate 30 is not particularly limited, and is, for example, about 0.1 mm to 1.0 mm.
  • the shape of the insulating substrate 30 is not particularly limited. As shown in FIGS. 19 to 23, in this embodiment, the insulating substrate 30 has a main surface 3a and a back surface 3b.
  • the main surface 3a faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the back surface 3b faces the opposite side to the main surface 3a (the z2 side in the thickness direction z). In this embodiment, the back surface 3b is exposed from the sealing resin 8.
  • a heat dissipating member for example, a heat sink, etc. (not shown) can be attached to the back surface 3b.
  • the insulating substrate 30 has a rectangular shape in plan view.
  • the insulating substrate 30 has an elongated rectangular shape whose longitudinal direction is the first direction x when viewed in the thickness direction z.
  • the insulating substrate 30 is an example of a "support body" of the present disclosure, and the support body is made of the insulating substrate 30.
  • the conductive part 5 is formed on the insulating substrate 30. In this embodiment, the conductive part 5 is formed on the main surface 3a of the insulating substrate 30.
  • the conductive part 5 is made of a conductive material.
  • the conductive material constituting the conductive part 5 is not particularly limited. Examples of the conductive material of the conductive portion 5 include materials containing silver (Ag), copper (Cu), gold (Au), and the like. In the following description, a case where the conductive portion 5 contains silver will be described as an example. Note that the conductive portion 5 may contain copper instead of silver, or may contain gold instead of silver or copper. Alternatively, the conductive portion 5 may include Ag--Pt or Ag--Pd.
  • the method of forming the conductive portion 5 is not limited, and may be formed, for example, by firing a paste containing these metals.
  • the thickness of the conductive portion 5 is not particularly limited, and is, for example, about 5 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the shape etc. of the conductive part 5 are not particularly limited. For example, as shown in FIG. The explanation will be divided into a base portion 56 and a connecting portion 57.
  • the shape of the first base portion 55 is not particularly limited, and a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, etc. are appropriately selected.
  • the first base 55 has a rectangular shape.
  • the first base portion 55 has an elongated rectangular shape whose longitudinal direction is the first direction x.
  • the shape of the second base portion 56 is not particularly limited, and a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, etc. are appropriately selected.
  • the second base 56 has a rectangular shape.
  • the second base portion 56 has an elongated rectangular shape whose longitudinal direction is the first direction x.
  • the connecting portion 57 is interposed between the first base portion 55 and the second base portion 56, and connects the first base portion 55 and the second base portion 56 in the illustrated example.
  • the connecting portion 57 is located between the first base portion 55 and the second base portion 56 when viewed in the second direction y.
  • the shape of the connecting portion 57 is not particularly limited.
  • the sides of the first base portion 55, the second base portion 56, and the connecting portion 57 on the y2 side in the second direction y are at the same (or substantially the same) position in the second direction y.
  • the wiring section 50A will be explained by being divided into a first section 51A, a second section 52A, and a third section 53A.
  • the shape of the first portion 51A is not particularly limited, and a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, etc. are appropriately selected.
  • the first portion 51A has a rectangular shape that extends in the first direction x.
  • the first portion 51A is spaced apart from the first base portion 55 on the x2 side in the first direction x. Further, in the illustrated example, the first portion 51A partially overlaps the first base portion 55 when viewed in the first direction x.
  • the second portion 52A is arranged closer to the y1 side in the second direction y than the first portion 51A.
  • the shape of the second portion 52A is not particularly limited, and a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, etc. are appropriately selected. In the illustrated example, the second portion 52A has a rectangular shape.
  • the third part 53A is interposed between the first part 51A and the second part 52A, and in the illustrated example, is connected to the first part 51A and the second part 52A.
  • the shape of the third portion 53A is not particularly limited, and in the illustrated example, it has a rectangular shape that extends long in the second direction y.
  • the wiring section 50B will be explained by being divided into a first section 51B and a second section 52B.
  • the shape of the first portion 51B is not particularly limited, and a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, etc. are appropriately selected.
  • the first portion 51B has a rectangular shape that extends in the second direction y.
  • the first portion 51B is arranged at a distance from the first base portion 55 toward the y1 side in the second direction y. Further, the first portion 51B is arranged further away from the first portion 51A on the x1 side in the first direction x than the first portion 51A.
  • the second portion 52B is arranged closer to the y1 side in the second direction y than the first portion 51B. Further, the second portion 52B is disposed further away from the second portion 52A on the x1 side in the first direction x than the second portion 52A.
  • the shape of the second portion 52B is not particularly limited, and a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, etc. are appropriately selected. In the illustrated example, the second portion 52B has a rectangular shape. In the illustrated example, the first part 51B and the second part 52B are connected to each other.
  • the wiring section 50C will be explained by being divided into a first section 51C and a second section 52C.
  • the shape of the first portion 51C is not particularly limited, and a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, etc. are appropriately selected.
  • the first portion 51C has a rectangular shape that extends in the second direction y.
  • the first portion 51C is spaced apart from the first base portion 55 in the second direction y on the y1 side in the second direction y.
  • the first portion 51C is disposed further away from the first portion 51B on the x1 side in the first direction x than the first portion 51B.
  • the first portion 51C coincides with the first portion 51B when viewed in the first direction x.
  • the second portion 52C is arranged closer to the y1 side in the second direction y than the first portion 51C. Further, the second portion 52C is disposed further away from the second portion 52B on the x1 side in the first direction x than the second portion 52B.
  • the shape of the second portion 52C is not particularly limited, and a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, etc. are appropriately selected. In the illustrated example, the first part 51C and the second part 52C are connected to each other.
  • the wiring section 50U is spaced apart from the wiring section 50A, and is arranged adjacent to the wiring section 50A.
  • the shape of the wiring portion 50U is not particularly limited, and a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, etc. are appropriately selected. In the illustrated example, the wiring section 50U has a rectangular shape.
  • the wiring part 50U is arranged on the y1 side in the second direction y with respect to the first part 51A of the wiring part 50A.
  • the wiring portion 50V is spaced apart from the wiring portion 50B and is arranged adjacent to the wiring portion 50B.
  • the shape of the wiring portion 50V is not particularly limited, and a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, etc. are appropriately selected. In the illustrated example, the wiring portion 50V has a rectangular shape. Further, the wiring portion 50V is arranged on the x2 side in the first direction x with respect to the first portion 51B of the wiring portion 50B. Further, the wiring portion 50V is arranged apart from the wiring portion 50U on the x1 side in the first direction x.
  • the wiring portion 50W is spaced apart from the wiring portion 50C and is arranged adjacent to the wiring portion 50C.
  • the shape of the wiring portion 50W is not particularly limited, and a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, etc. are appropriately selected. In the illustrated example, the wiring portion 50W has a rectangular shape.
  • the wiring part 50W is arranged on the x1 side in the first direction x with respect to the first part 51C of the wiring part 50C.
  • the wiring part 50W is spaced apart from the wiring part 50V on the x1 side in the first direction x with the first part 51B and the first part 51C interposed therebetween.
  • the wiring parts 50D to 50G are arranged on the x1 side in the first direction x with respect to the wiring part 50W.
  • the wiring portions 50D to 50G are arranged in this order.
  • the wiring portions 50D to 50G have two rectangular pad-shaped portions located at both ends and a bent band-shaped portion connecting these pad-shaped portions.
  • the wiring portion 50H is connected to the second base 56 and extends from the second base 56 toward the y1 side in the second direction y.
  • the wiring portion 50H has a pad-shaped portion.
  • the wiring portions 50I to 50M are arranged in this order on the x1 side of the first direction x with respect to the wiring portion 50H in the first direction x.
  • the wiring portions 50I to 50M each include a pad-like portion located on the second base 56 side, a pad-like portion located on the y1 side in the second direction y, and a band-like portion connecting these pad-like portions. has.
  • the wiring portion 50N is connected to the second base 56 and extends from the second base 56 in a direction inclined with respect to the first direction x.
  • the wiring portion 50N includes a pad-shaped portion located on the x1 side in the first direction x, and a band-shaped portion connecting the pad-shaped portion and the second base portion 56.
  • the wiring portion 50O is located on the x1 side in the first direction x with respect to the second base portion 56.
  • the wiring portion 50O includes a pad-like portion located on the x1 side in the first direction x, a pad-like portion 502O located on the second base 56 side, and a band-like portion connecting these pad-like portions.
  • the wiring portion 50P is located on the y2 side in the second direction y with respect to the wiring portion 50O, and is located on the x1 side in the first direction x with respect to the second base portion 56.
  • the wiring portion 50P includes a pad-like portion located on the x1 side in the first direction x, a pad-like portion 502P located on the second base 56 side, and a band-like portion connecting these pad-like portions.
  • the wiring portions 50A to 50P and 50U to 50W are formed in the region 30B of the insulating substrate 30 on the y1 side in the second direction y.
  • the plurality of joints 58 are formed on the insulating substrate 30.
  • the plurality of joints 58 are formed on the main surface 3a of the insulating substrate 30.
  • the material of the bonding portion 58 is not particularly limited, and is made of, for example, a material capable of bonding the insulating substrate 30 and the lead 1.
  • the joint portion 58 is made of, for example, a conductive material.
  • the conductive material constituting the joint portion 58 is not particularly limited. Examples of the conductive material of the joint portion 58 include those containing silver (Ag), copper (Cu), gold (Au), and the like. In the following description, a case where the bonding portion 58 contains silver will be described as an example.
  • the joint portion 58 in this example includes the same conductive material that constitutes the conductive portion 5.
  • the joint portion 58 may contain copper instead of silver, or may contain gold instead of silver or copper.
  • the joint portion 58 may contain Ag--Pt or Ag--Pd.
  • the method of forming the bonding portion 58 is not limited, and for example, similarly to the conductive portion 5, the bonding portion 58 is formed by firing a paste containing these metals.
  • the thickness of the joint portion 58 is not particularly limited, and is, for example, about 5 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the plurality of joints 58 include joints 58A to 58D.
  • the joint portion 58A is arranged on the y2 side of the second direction y with respect to the conductive portion 5 in the second direction y.
  • the joint portion 58A overlaps all of the first base portion 55 when viewed in the second direction y.
  • the shape of the joint portion 58A is not particularly limited.
  • the joint portion 58B is arranged on the y2 side of the second direction y with respect to the conductive portion 5 in the second direction y.
  • the joint portion 58B is arranged closer to the x1 side in the first direction x than the joint portion 58A.
  • the joint portion 58B overlaps the connecting portion 57 and the second base portion 56 when viewed in the second direction y.
  • the shape of the joint portion 58B is not particularly limited.
  • the joint portion 58C is arranged on the y2 side of the second direction y with respect to the conductive portion 5.
  • the joint portion 58C is arranged closer to the x1 side in the first direction x than the joint portion 58B. In the illustrated example, all of the joint portions 58C overlap the second base portion 56 when viewed in the second direction y.
  • the shape of the joint portion 58C is not particularly limited.
  • the joint portion 58D is disposed closer to the y2 side of the second direction y than the conductive portion 5 in the second direction y.
  • the joint portion 58D is arranged closer to the x1 side in the first direction x than the joint portion 58C.
  • the joint portion 58D overlaps with the second base portion 56, the wiring portion 50O, and the wiring portion 50P when viewed in the second direction y.
  • the shape of the joint portion 58D is not particularly limited.
  • the bonding parts 58A to 58D are formed in a region 30A of the insulating substrate 30 on the y2 side in the second direction y relative to the conductive part 5.
  • the plurality of leads 1 are configured to include metal, and have better heat dissipation characteristics than, for example, the insulating substrate 30.
  • the metal constituting the lead 1 is not particularly limited, and includes, for example, copper (Cu), aluminum, iron (Fe), oxygen-free copper, or alloys thereof (for example, Cu-Sn alloy, Cu-Zr alloy, Cu-Fe alloy). etc.).
  • the plurality of leads 1 may be plated with nickel (Ni).
  • the plurality of leads 1 may be formed, for example, by pressing a metal mold against a metal plate, or may be formed by patterning a metal plate by etching, but is not limited thereto.
  • the thickness of the lead 1 is not particularly limited, and is, for example, about 0.4 mm to 0.8 mm. Each lead 1 is spaced apart from each other.
  • the plurality of leads 1 include a plurality of leads 1A to 1G and 1Z, as shown in FIGS. 16 to 19.
  • the plurality of leads 1A to 1G constitute conduction paths to, for example, semiconductor elements 4A to 4F.
  • the lead 1A is arranged on the insulating substrate 30, and in this embodiment, it is arranged on the main surface 3a.
  • Lead 1A is an example of the "first lead” of the present disclosure.
  • the lead 1A is bonded to the bonding portion 58A via the bonding material 17.
  • the bonding material 17 may be any material that can bond the lead 1A to the bonding portion 58A. From the viewpoint of more efficiently transmitting heat from the leads 1A to the insulating substrate 30, the bonding material 17 preferably has a higher thermal conductivity, such as silver paste, copper paste, solder, or the like.
  • the bonding material 17 may be an insulating material such as epoxy resin or silicone resin.
  • the bonding portion 58A is not formed on the insulating substrate 30, the lead 1A may be bonded to the insulating substrate 30.
  • the structure of the lead 1A is not particularly limited, and in this embodiment, as shown in FIG. 19, the lead 1A is divided into a first part 11A, a second part 12A, a third part 13A, and a fourth part 14A. explain.
  • the first portion 11A has a first surface 111A, a second surface 112A, and a plurality of recesses 1111A.
  • the first surface 111A is a surface facing the same side as the main surface 3a in the thickness direction z.
  • the second surface 112A is a surface facing opposite to the main surface 3a in the thickness direction z, and is a flat surface in the illustrated example.
  • the second surface 112A is bonded to the bonding portion 58A by a bonding material 17, as shown in FIGS. 21 and 23.
  • the plurality of recesses 1111A are recessed in the thickness direction z from the first surface 111A.
  • the shape of the recessed portion 1111A in plan view is not particularly limited, and may be, for example, circular, oval, rectangular, triangular, or the like. Further, in the illustrated example, the plurality of recesses 1111A are arranged in a matrix.
  • the third part 13A and the fourth part 14A are covered with sealing resin 8.
  • the third section 13A is connected to the first section 11A and the fourth section 14A.
  • the fourth portion 14A is located shifted toward the side facing the first surface 111A from the first portion 11A in the thickness direction z.
  • the second portion 12A is connected to the end of the fourth portion 14A, and is a portion of the lead 1A that protrudes from the sealing resin 8.
  • the second portion 12A protrudes on the opposite side from the first portion 11A in the second direction y.
  • the second portion 12A is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 12A is bent toward the side facing the first surface 111A in the thickness direction z.
  • the lead 1B is arranged on the insulating substrate 30, and in this embodiment, it is arranged on the main surface 3a.
  • Lead 1B is an example of the "first lead” of the present disclosure. Further, the lead 1B is bonded to the bonding portion 58B via the bonding material 17 described above. Further, if the bonding portion 58B is not formed on the insulating substrate 30, the lead 1B may be bonded to the insulating substrate 30.
  • the structure of the lead 1B is not particularly limited, and in this embodiment, as shown in FIG. 19, the lead 1B is divided into a first part 11B, a second part 12B, a third part 13B, and a fourth part 14B. explain.
  • the first part 11B has a first surface 111B, a second surface 112B, and a plurality of recesses 1111B.
  • the first surface 111B is a surface facing the same side as the main surface 3a in the thickness direction z.
  • the second surface 112B is a surface facing opposite to the first surface 111B in the thickness direction z, and is a flat surface in the illustrated example.
  • the second surface 112B is bonded to the bonding portion 58B by a bonding material 17, as shown in FIG.
  • the plurality of recesses 1111B are recessed in the thickness direction z from the first surface 111B.
  • the shape of the recessed portion 1111B in plan view is not particularly limited, and may be, for example, circular, oval, rectangular, triangular, or the like. Furthermore, in the illustrated example, the plurality of recesses 1111B are arranged in a matrix.
  • the third part 13B and the fourth part 14B are covered with sealing resin 8.
  • the third section 13B is connected to the first section 11B and the fourth section 14B. Similar to the fourth portion 14A of the lead 1A, the fourth portion 14B is located shifted toward the side facing the first surface 111B from the first portion 11B in the thickness direction z.
  • the second portion 12B is connected to the end of the fourth portion 14B, and is a portion of the lead 1B that protrudes from the sealing resin 8.
  • the second portion 12B protrudes on the opposite side from the first portion 11B in the second direction y.
  • the second portion 12B is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 12B is bent toward the side facing the first surface 111B in the thickness direction z.
  • the lead 1C is arranged on the insulating substrate 30, and in this embodiment, it is arranged on the main surface 3a.
  • Lead 1C is an example of the "first lead” of the present disclosure. Further, the lead 1C is bonded to the bonding portion 58C via the bonding material 17 described above. Further, if the bonding portion 58C is not formed on the insulating substrate 30, the lead 1C may be bonded to the insulating substrate 30.
  • the structure of the lead 1C is not particularly limited, and in this embodiment, as shown in FIG. 19, the lead 1C is divided into a first part 11C, a second part 12C, a third part 13C, and a fourth part 14C. explain.
  • the first portion 11C has a first surface 111C, a second surface 112C, and a plurality of recesses 1111C.
  • the first surface 111C is a surface facing the same side as the main surface 3a in the thickness direction z.
  • the second surface 112C is a surface facing opposite to the first surface 111C in the thickness direction z, and is a flat surface in the illustrated example.
  • the second surface 112C is bonded to the bonding portion 58C by a bonding material 17, as shown in FIG.
  • the plurality of recesses 1111C are recessed in the z direction from the first surface 111C.
  • the shape of the recessed portion 1111C as viewed in the z direction is not particularly limited, and may be, for example, circular, oval, rectangular, triangular, or the like. Further, in the illustrated example, the plurality of recesses 1111C are arranged in a matrix.
  • the third part 13C and the fourth part 14C are covered with sealing resin 8.
  • the third section 13C is connected to the first section 11C and the fourth section 14C. Similar to the fourth portion 14A of the lead 1A, the fourth portion 14C is located shifted from the first portion 11C toward the side facing the first surface 111C in the thickness direction z.
  • the second portion 12C is a connection between the ends of the fourth portion 14C, and is a portion of the lead 1C that protrudes from the sealing resin 8.
  • the second portion 12C protrudes on the opposite side from the first portion 11C in the second direction y.
  • the second portion 12C is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 12C is bent toward the side facing the first surface 111C in the thickness direction z.
  • the lead 1D is arranged on the insulating substrate 30, and in this embodiment, it is arranged on the main surface 3a.
  • Lead 1D is an example of the "first lead” of the present disclosure. Further, the lead 1D is bonded to the bonding portion 58D via the bonding material 17 described above. Further, if the bonding portion 58D is not formed on the insulating substrate 30, the lead 1D may be bonded to the insulating substrate 30.
  • the structure of the lead 1D is not particularly limited, and in this embodiment, as shown in FIG. 19, the lead 1D is divided into a first part 11D, a second part 12D, a third part 13D, and a fourth part 14D. explain.
  • the first portion 11D has a first surface 111D, a second surface 112D, and a plurality of recesses 1111D.
  • the first surface 111D is a surface facing the same side as the main surface 3a in the thickness direction z.
  • the second surface 112D is a surface facing opposite to the first surface 111D in the thickness direction z, and is a flat surface in the illustrated example.
  • the second surface 112D is bonded to the bonding portion 58D by a bonding material 17, as shown in FIG.
  • the plurality of recesses 1111D are recessed in the thickness direction z from the first surface 111D.
  • the shape of the recessed portion 1111D in plan view is not particularly limited, and may be, for example, circular, oval, rectangular, triangular, or the like. Furthermore, in the illustrated example, the plurality of recesses 1111D are arranged in a matrix.
  • the third part 13D and the fourth part 14D are covered with sealing resin 8.
  • the third section 13D is connected to the first section 11D and the fourth section 14D. Similar to the fourth portion 14A of the lead 1A, the fourth portion 14D is located shifted toward the side facing the first surface 111D from the first portion 11D in the thickness direction z.
  • the second portion 12D is connected to the end of the fourth portion 14D, and is a portion of the lead 1D that protrudes from the sealing resin 8.
  • the second portion 12D protrudes on the opposite side from the first portion 11D in the second direction y.
  • the second portion 12D is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 12D is bent toward the side facing the first surface 111D in the thickness direction z.
  • the lead 1E is spaced apart from the insulating substrate 30 in plan view.
  • the lead 1E is arranged on the y2 side of the second direction y with respect to the insulating substrate 30 in the second direction y.
  • the configuration of the lead 1E is not particularly limited, and in the present embodiment, the lead 1E will be described as being divided into a second portion 12E and a fourth portion 14E, as shown in FIG.
  • the fourth portion 14E is covered with sealing resin 8. Similar to the fourth portion 14D in the lead 1D, the fourth portion 14E is located shifted toward the side facing the first surface 111D from the first portion 11D in the thickness direction z. The fourth portion 14E overlaps the first portion 11D when viewed in the second direction y.
  • the second portion 12E is connected to the end of the fourth portion 14E, and is a portion of the lead 1E that protrudes from the sealing resin 8.
  • the second portion 12E protrudes on the opposite side from the fourth portion 14E in the second direction y.
  • the second portion 12E is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 12E is bent toward the side toward which the main surface 3a faces in the thickness direction z.
  • the lead 1F is spaced apart from the insulating substrate 30 in plan view.
  • the lead 1F is arranged on the y2 side of the second direction y with respect to the insulating substrate 30. Furthermore, the lead 1F is disposed on the opposite side of the fourth portion 14D from the lead 1E in the first direction x.
  • the structure of the lead 1F is not particularly limited, and in the present embodiment, the lead 1F will be described as being divided into a second part 12F and a fourth part 14F, as shown in FIG.
  • the fourth portion 14F is covered with sealing resin 8. Similar to the fourth portion 14D in the lead 1D, the fourth portion 14F is located shifted toward the side facing the first surface 111D from the first portion 11D in the thickness direction z. The fourth portion 14F overlaps with the first portion 11D when viewed in the second direction y.
  • the second portion 12F is connected to the end of the fourth portion 14F and is a portion of the lead 1F that protrudes from the sealing resin 8.
  • the second portion 12F protrudes on the opposite side from the fourth portion 14F in the second direction y.
  • the second portion 12F is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 12F is bent toward the side facing the main surface 3a in the thickness direction z.
  • the lead 1G is spaced apart from the insulating substrate 30 in plan view.
  • the lead 1G is arranged on the x1 side of the first direction x with respect to the insulating substrate 30 in the first direction x. Further, the lead 1G is disposed on the opposite side of the fourth portion 14D from the lead 1E in the first direction x.
  • the structure of the lead 1G is not particularly limited, and in the present embodiment, the lead 1G will be described as being divided into a second part 12G and a fourth part 14G, as shown in FIG.
  • the fourth portion 14G is covered with sealing resin 8. Similar to the fourth portion 14D in the lead 1D, the fourth portion 14G is located shifted toward the side facing the first surface 111D from the first portion 11D in the thickness direction z. The fourth portion 14G overlaps the fourth portion 14F when viewed in the second direction y.
  • the second portion 12G is connected to the end of the fourth portion 14G and is a portion of the lead 1G that protrudes from the sealing resin 8.
  • the second portion 12G protrudes on the opposite side from the fourth portion 14G in the second direction y.
  • the second portion 12G is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 12G is bent toward the side toward which the main surface 3a faces in the thickness direction z.
  • the lead 1Z is spaced apart from the insulating substrate 30 in plan view.
  • the lead 1Z is arranged on the x2 side of the first direction x with respect to the insulating substrate 30 in the first direction x. Further, the lead 1Z is disposed on the opposite side of the lead 1B from the lead 1A in the first direction x.
  • the structure of the lead 1Z is not particularly limited, and in the present embodiment, the lead 1Z will be described as being divided into a second part 12Z and a fourth part 14Z, as shown in FIG. Note that in this embodiment, the lead 1Z is insulated from the circuit of the semiconductor device A2.
  • the fourth portion 14Z is covered with sealing resin 8. Similar to the fourth portion 14D in the lead 1D, the fourth portion 14Z is located shifted from the first portion 11D toward the side facing the first surface 111D in the thickness direction z.
  • the shape of the fourth portion 14Z is not particularly limited, and in the illustrated example, it has a band shape extending in the second direction y.
  • the second portion 12Z is connected to the end of the fourth portion 14Z and is a portion of the lead 1Z that protrudes from the sealing resin 8.
  • the second portion 12Z protrudes on the opposite side from the fourth portion 14Z in the second direction y.
  • the second portion 12Z is used, for example, when mounting the semiconductor device A2 on an external circuit board.
  • the second portion 12Z is bent in the thickness direction z toward the side toward which the main surface 3a faces.
  • the plurality of leads 2 are configured to include metal, and have better heat dissipation characteristics than, for example, the insulating substrate 30.
  • the metal constituting the lead 2 is not particularly limited, and includes, for example, copper (Cu), aluminum, iron (Fe), oxygen-free copper, or alloys thereof (for example, Cu-Sn alloy, Cu-Zr alloy, Cu-Fe alloy). etc.).
  • the plurality of leads 2 may be plated with nickel (Ni).
  • the plurality of leads 2 may be formed, for example, by pressing a metal mold against a metal plate, or may be formed by patterning a metal plate by etching, but is not limited to this.
  • the thickness of the lead 2 is not particularly limited, and is, for example, about 0.4 mm to 0.8 mm.
  • the plurality of leads 2 are arranged so as to overlap the region 30B of the insulating substrate 30 in plan view.
  • the plurality of leads 2 include a plurality of leads 2A to 2P and 2Z, as shown in FIGS. 16 to 19.
  • the plurality of leads 2A to 2N constitute a conductive path to, for example, control elements 4G and 4H.
  • the two leads 2O and 2P constitute a conduction path to the thermistor 6.
  • the specific configuration of the leads 2A to 2P, 2Z is not particularly limited.
  • the configuration of the lead 2C, which will be described later with reference to FIG. 19, can be appropriately applied to the leads 2A to 2P.
  • the lead 2C is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2C is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2C is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2C is bonded to the second portion 52C of the wiring portion 50C of the conductive portion 5 via a conductive bonding material 29.
  • the structure of the lead 2C is not particularly limited, and in this embodiment, as shown in FIGS. 19 and 21, the lead 2C has a first part 21C, a second part 22C, a third part 23C, and a fourth part 24C. Let's categorize and explain. This specific configuration can be appropriately adopted for the leads 2A, 2B, 2D to 2P.
  • the first portion 21C is a portion joined to the wiring portion 50C.
  • the shape of the first portion 21C is not particularly limited, and a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, etc. are appropriately selected.
  • the first portion 21C has a rectangular shape, and is a long rectangular shape whose longitudinal direction is in the y direction.
  • the first portion 21C overlaps the wiring portion 50C when viewed in the thickness direction z.
  • the first portion 21C has a through hole 211C.
  • the through hole 211C penetrates the first portion 21C in the thickness direction z.
  • the inside of the through hole 211C is filled with a conductive bonding material 29.
  • the conductive bonding material 29 is formed over the surface of the lead 2C.
  • the conductive bonding material 29 may be configured to remain within the through hole 211C and not reach the surface of the lead 2C.
  • the third part 23C and the fourth part 24C are covered with sealing resin 8.
  • the third section 23C is connected to the first section 21C and the fourth section 24C.
  • the fourth portion 24C is positioned to be shifted from the first portion 21C toward the side toward which the main surface 3a faces in the thickness direction z.
  • the first portion 21C, the third portion 23C, and the fourth portion 24C substantially match when viewed in the second direction y.
  • the second portion 22C is connected to the end of the fourth portion 24C, and is a portion of the lead 2C that protrudes from the sealing resin 8 on the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22C protrudes on the opposite side from the first portion 21C in the second direction y.
  • the second portion 22C is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22C is bent toward the side facing the main surface 3a in the thickness direction z.
  • the lead 2A is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2A is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2A is electrically connected to the conductive part 5.
  • the lead 2A is bonded to the wiring portion 50A of the conductive portion 5 via a conductive bonding material 29.
  • the conductive bonding material 29 may be any material that can bond and electrically connect the lead 2A to the wiring portion 50A.
  • the configuration of the lead 2A is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and includes a second portion 22A.
  • the second portion 22A is a portion of the lead 2A that protrudes from the sealing resin 8 on the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22A is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22A is bent toward the side facing the main surface 3a in the thickness direction z.
  • the lead 2B is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2B is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2B is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2B is bonded to the wiring portion 50B of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2B is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and includes a second portion 22B.
  • the second portion 22B is a portion of the lead 2B that protrudes from the sealing resin 8 toward the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22B is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22B is bent toward the side toward which the main surface 3a faces in the thickness direction z.
  • the lead 2D is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2D is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2D is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2D is bonded to the wiring portion 50D of the conductive portion 5 via the above-described conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2D is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and has a second portion 22D.
  • the second portion 22D is a portion of the lead 2D that protrudes from the sealing resin 8 toward the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22D is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22D is bent toward the side facing the main surface 3a in the thickness direction z.
  • the lead 2E is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2E is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2E is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2E is bonded to the wiring portion 50E of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2E is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and includes a second portion 22E.
  • the second portion 22E is a portion of the lead 2E that protrudes from the sealing resin 8 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22E is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22E is bent toward the side facing the main surface 3a in the thickness direction z.
  • the lead 2F is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2F is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2F is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2F is bonded to the wiring portion 50F of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2F is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and has a second portion 22F.
  • the second portion 22F is a portion of the lead 2F that protrudes from the sealing resin 8 toward the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22F is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22F is bent toward the side facing the main surface 3a in the thickness direction z.
  • the lead 2G is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2G is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2G is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2G is bonded to the wiring portion 50G of the conductive portion 5 via the above-described conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2G is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and includes a second portion 22G.
  • the second portion 22G is a portion of the lead 2G that protrudes from the sealing resin 8 on the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22G is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22G is bent toward the side toward which the main surface 3a faces in the thickness direction z.
  • the lead 2H is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2H is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2H is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2H is bonded to the wiring portion 50H of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2H is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and has a second portion 22H.
  • the second portion 22H is a portion of the lead 2H that protrudes from the sealing resin 8 toward the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22H is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22H is bent toward the side toward which the main surface 3a faces in the thickness direction z.
  • the lead 2I is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2I is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2I is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2I is bonded to the wiring portion 50I of the conductive portion 5 via the above-described conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2I is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and has a second portion 22I.
  • the second portion 22I is a portion of the lead 2I that protrudes from the sealing resin 8 toward the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22I is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22I is bent toward the side facing the main surface 3a in the thickness direction z.
  • the lead 2J is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2J is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2J is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2J is bonded to the wiring portion 50J of the conductive portion 5 via the above-described conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2J is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and has a second portion 22J.
  • the second portion 22J is a portion of the lead 2J that protrudes from the sealing resin 8 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22J is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22J is bent toward the side toward which the main surface 3a faces in the thickness direction z.
  • the lead 2K is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2K is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2K is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2K is bonded to the wiring portion 50K of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2K is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and has a second portion 22K.
  • the second portion 22K is a portion of the lead 2K that protrudes from the sealing resin 8 toward the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22K is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22K is bent toward the side toward which the main surface 3a faces in the thickness direction z.
  • the lead 2L is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2L is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2L is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2L is bonded to the wiring portion 50L of the conductive portion 5 via the above-described conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2L is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and has a second portion 22L.
  • the second portion 22L is a portion of the lead 2L that protrudes from the sealing resin 8 toward the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22L is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22L is bent toward the side toward which the main surface 3a faces in the thickness direction z.
  • the lead 2M is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2M is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2M is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2M is bonded to the wiring portion 50M of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2M is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and has a second portion 22M.
  • the second portion 22M is a portion of the lead 2M that protrudes from the sealing resin 8 toward the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22M is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22M is bent toward the side toward which the main surface 3a faces in the thickness direction z.
  • the lead 2N is separated from the plurality of leads 1.
  • the lead 2N is arranged on the conductive part 5.
  • the lead 2N is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2N is bonded to the wiring portion 50N of the conductive portion 5 via the above-described conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2N is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and has a second portion 22N.
  • the second portion 22N is a portion of the lead 2N that protrudes from the sealing resin 8 toward the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22N is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22N is bent toward the side facing the main surface 3a in the thickness direction z.
  • the lead 2O is separated from the plurality of leads 1. As shown in FIG. 19, the lead 2O is arranged on the conductive part 5. The lead 2O is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2O is bonded to the wiring portion 50O of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2O is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and includes a second portion 22O.
  • the second portion 22O is a portion of the lead 2O that protrudes from the sealing resin 8 on the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22O is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A2 to an external circuit.
  • the second portion 22O is bent toward the side toward which the main surface 3a faces in the thickness direction z.
  • the lead 2P is separated from the plurality of leads 1. As shown in FIG. 19, the lead 2P is arranged on the conductive part 5. The lead 2P is electrically connected to the conductive part 5. Further, the lead 2P is bonded to the wiring portion 50P of the conductive portion 5 via the above-described conductive bonding material 29.
  • the configuration of the lead 2P is not particularly limited, and in this embodiment, it has the same configuration as the lead 2C and has a second portion 22P.
  • the second portion 22P is a portion of the lead 2P that protrudes from the sealing resin 8 toward the opposite side from the plurality of leads 1 in the second direction y.
  • the second portion 22P is bent toward the side toward which the main surface 3a faces in the thickness direction z.
  • the leads 2Z are spaced apart from the insulating substrate 30 in plan view.
  • the leads 2Z are arranged on the x2 side of the first direction x with respect to the insulating substrate 30 in the first direction x. Further, the lead 2Z is disposed on the opposite side of the lead 2B from the lead 2A in the first direction x.
  • the structure of the lead 2Z is not particularly limited, and in the present embodiment, the lead 2Z will be described as being divided into a second part 22Z and a fourth part 24Z, as shown in FIG. Note that in this embodiment, the lead 2Z is insulated from the circuit of the semiconductor device A2.
  • the fourth part 24Z is connected to the second part 22Z and covered with the sealing resin 8. Similar to the fourth portion 24C of the lead 2C, the fourth portion 24Z is positioned to be shifted toward the side facing the main surface 3a from the first portion 21A in the thickness direction z.
  • the shape of the fourth portion 24Z is not particularly limited, and in the illustrated example, it has a band shape extending in the second direction y.
  • the second portion 22Z is connected to the end of the fourth portion 24Z and is a portion of the lead 2Z that protrudes from the sealing resin 8.
  • the second portion 22Z protrudes on the opposite side from the fourth portion 24Z in the y direction.
  • the second portion 22Z is used, for example, when mounting the semiconductor device A2 on an external circuit board.
  • the second portion 22Z is bent toward the side toward which the main surface 3a faces in the thickness direction z.
  • the plurality of semiconductor elements 4A to 4F are arranged on the plurality of leads 1 and are switching elements. Each of the plurality of semiconductor elements 4A to 4F is supported by one of the first portions 11A, 11B, 11C, and 11D of the plurality of leads 1. In the illustrated example, six semiconductor elements 4A to 4F are provided, but this is just an example, and the number of semiconductor elements is not limited at all.
  • the semiconductor elements 4A to 4F are, for example, MOSFETs (SiC MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors)) made of a SiC (silicon carbide) substrate.
  • MOSFETs SiC MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors)
  • SiC silicon carbide
  • the semiconductor elements 4A to 4F may be MOSFETs using a Si (silicon) substrate instead of the SiC substrate, and may include, for example, IGBT elements.
  • a MOSFET containing GaN may be used.
  • N-type MOSFETs are used for each of the semiconductor elements 4A to 4F.
  • the same MOSFET is used in each of the semiconductor elements 4A to 4F of this embodiment.
  • the semiconductor element 4A will be explained as an example, and the explanation of the other semiconductor elements 4B to 4F will be omitted.
  • the semiconductor element 4A is placed on the first portion 11A of the lead 1A.
  • the semiconductor element 4A has a gate electrode GP, a source electrode SP, and a drain electrode DP.
  • the source electrode SP and the gate electrode GP are arranged on a surface of the semiconductor element 4A that faces the same side as the first surface 111A (element main surface).
  • the drain electrode DP is formed on the surface of the semiconductor element 4A that faces the first surface 111A (the back surface of the element).
  • the gate electrode GP and the source electrode SP are made of, for example, Al or an Al alloy (Al-Si, Al-Cu, Al-Si-Cu, etc.).
  • the drain electrode DP is made of, for example, Al or an Al alloy (Al--Si, Al--Cu, Al--Si--Cu, etc.).
  • the shapes and sizes of the gate electrode GP, source electrode SP, and drain electrode DP are not particularly limited.
  • the source electrode SP is larger than the gate electrode GP in plan view.
  • the gate electrode GP is arranged on the y1 side in the second direction y from the center of the semiconductor element 4A in the second direction y in plan view.
  • the source electrode SP has a portion located on one side of the gate electrode GP in the second direction y and on both sides of the first direction x. Note that the position of the gate electrode GP with respect to the source electrode SP is not particularly limited. Further, the gate electrode GP may be formed in a square shape.
  • the source electrode SP has a recessed portion on the side on the y1 side in the second direction y when viewed from above, and the gate electrode GP is disposed within the recessed portion.
  • three semiconductor elements 4A, 4B, and 4C are arranged on the first surface 111A of the first portion 11A of the lead 1A.
  • the three semiconductor elements 4A, 4B, and 4C are spaced apart from each other in the first direction x, and overlap each other when viewed in the first direction x.
  • the drain electrodes DP of the semiconductor elements 4A, 4B, and 4C are bonded to the first surface 111A by a conductive bonding material 481.
  • the conductive bonding material 481 may be any material that can bond and electrically connect the drain electrodes DP of the semiconductor elements 4A, 4B, and 4C to the first surface 111A.
  • the semiconductor element 4D is arranged on the first surface 111B of the first portion 11B of the lead 1B.
  • the drain electrode DP of the semiconductor element 4D is bonded to the first surface 111B by the conductive bonding material 481 described above.
  • the semiconductor element 4E is arranged on the first surface 111C of the first portion 11C of the lead 1C.
  • the drain electrode DP of the semiconductor element 4E is bonded to the first surface 111C using the conductive bonding material 481 described above.
  • the semiconductor element 4F is arranged on the first surface 111D of the first portion 11D of the lead 1D.
  • the drain electrode DP of the semiconductor element 4F is bonded to the first surface 111D using the conductive bonding material 481 described above.
  • the control elements 4G and 4H are for controlling the driving of at least one of the semiconductor elements 4A to 4F. As shown in FIG. 19, the control elements 4G and 4H are electrically connected to the conductive portion 5 and at least one of the semiconductor elements 4A to 4F, and are arranged on the insulating substrate 30. In this embodiment, the control element 4G controls the driving of three semiconductor elements 4A, 4B, and 4C. The control element 4H controls the driving of the three semiconductor elements 4D, 4E, and 4F.
  • the shapes and sizes of the control elements 4G and 4H are not particularly limited. In the illustrated example, the control elements 4G and 4H have a rectangular shape in plan view, and are elongated rectangular shapes whose longitudinal direction is the first direction x.
  • control element 4G is mounted on the first base portion 55 of the conductive portion 5. Further, the control element 4H is arranged on the second base portion 56 of the conductive portion 5. In this embodiment, the control element 4G is bonded to the first base portion 55 by a conductive bonding material 482. The control element 4H is bonded to the second base 56 by a conductive bonding material 482.
  • the conductive bonding material 482 may be any material that can bond the control element 4G to the first base 55 and bond and electrically connect the control element 4H to the second base 56.
  • As the conductive bonding material 482 for example, silver paste, copper paste, solder, or the like is used.
  • the specific shape of the conductive bonding material 482 is not limited at all. Note that the control element 4G and the control element 4H may be joined to the first base 55 and the second base 56 by an insulating joint material instead of the conductive joint material 482.
  • the control element 4G is located between the leads 2B to 2N and the leads 1A to 1G when viewed in the first direction x. Further, the control element 4H is located between the leads 2B to 2N and the leads 1A to 1G when viewed in the first direction x.
  • the control element 4G overlaps the semiconductor element 4B when viewed in the second direction y. Furthermore, in the illustrated example, the control element 4G overlaps the semiconductor element 4A when viewed in the second direction y.
  • the control element 4H overlaps the semiconductor element 4E when viewed in the second direction y.
  • the control element 4G may overlap the semiconductor element 4C when viewed in the second direction y.
  • the control element 4H may overlap one or both of the semiconductor elements 4D and 4F when viewed in the second direction y.
  • the control element 4G overlaps the wiring portion 50B, the wiring portion 50C, the wiring portion 50V, and the wiring portion 50W when viewed in the second direction y. Moreover, the control element 4G overlaps with the second base 56 and the control element 4H when viewed in the first direction x. The control element 4H overlaps with the wiring section 50I, the wiring section 50J, the wiring section 50K, and the wiring section 50L when viewed in the second direction y. Furthermore, the control element 4H overlaps the wiring portion 50O and the wiring portion 50P when viewed in the first direction x.
  • the electronic components 49U, 49V, and 49W are electrically connected to the control element 4G.
  • the electronic components 49U, 49V, and 49W are, for example, diodes, and function as so-called boot diodes for applying a higher voltage to the control element 4G.
  • the electronic component 49U is bonded to the wiring portion 50U of the conductive portion 5 via a conductive bonding material 483.
  • the conductive bonding material 483 is made of, for example, the same material as the conductive bonding material 482 described above.
  • the electronic component 49V is bonded to the wiring portion 50V of the conductive portion 5 via the conductive bonding material 483 described above.
  • the electronic component 49W is bonded to the wiring portion 50W of the conductive portion 5 via the conductive bonding material 483 described above.
  • the specific arrangement of the electronic components 49U, 49V, and 49W is not particularly limited. As shown in FIGS. 19 and 20, in the illustrated example, the center of the electronic component 49U in the second direction y is shifted toward the y1 side in the second direction y from the center of the wiring section 50U in the second direction y. There is. Further, the center of the electronic component 49V in the first direction x is shifted toward the wiring portion 50W from the center of the wiring portion 50V in the first direction x. Further, the center of the electronic component 49W in the first direction x is shifted toward the wiring portion 50D from the center of the wiring portion 50W in the first direction x.
  • the plurality of wires 75A to 75F are connected to one of the semiconductor elements 4A to 4F and one of the plurality of leads 1.
  • the material of the wires 75A to 75F is not particularly limited, and may be made of aluminum (Al) or copper (Cu), for example.
  • the wire diameters of the wires 75A to 75F are not particularly limited, and are, for example, about 250 to 500 ⁇ m. Note that instead of the wires 75A to 75F, leads made of Cu, for example, may be used.
  • one end of the wire 75A is connected to the source electrode SP of the semiconductor element 4A, and the other end is connected to the fourth portion 14B of the lead 1B.
  • the position where the wire 75A is joined is not particularly limited.
  • one end of the wire 75B is connected to the source electrode SP of the semiconductor element 4B, and the other end is connected to the fourth portion 14C of the lead 1C.
  • the position where the wire 75B is joined is not particularly limited.
  • one end of the wire 75C is connected to the source electrode SP of the semiconductor element 4C, and the other end is connected to the fourth portion 14D of the lead 1D.
  • the position where the wire 75C is joined is not particularly limited.
  • one end of the wire 75D is connected to the source electrode SP of the semiconductor element 4D, and the other end is connected to the fourth portion 14E of the lead 1E.
  • the position where the wire 75D is joined is not particularly limited.
  • one end of the wire 75E is connected to the source electrode SP of the semiconductor element 4E, and the other end is connected to the fourth portion 14F of the lead 1F.
  • the position where the wire 75E is bonded is not particularly limited.
  • one end of the wire 75F is connected to the source electrode SP of the semiconductor element 4F, and the other end is connected to the fourth portion 14G of the lead 1G.
  • the position where the wire 75F is joined is not particularly limited.
  • the plurality of wires 76 are connected to either the control element 4G or the control element 4H.
  • the material of the wire 76 is not particularly limited, and is made of, for example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), or the like.
  • the wire diameter of the wire 76 is not particularly limited, and in this embodiment, it is thinner than the wire diameters of the wires 75A to 75F.
  • the wire diameter of the wire 76 is, for example, about 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the wire 76 connected to the control element 4G will be referred to as a wire 76G
  • the wire 76 connected to the control element 4H will be referred to as a wire 76H.
  • a wire 76G is connected to the gate electrode GP of the semiconductor element 4A and a portion of the control element 4G closer to the first portion 11A than the center in the second direction y. Further, a wire 76G is connected to the source electrode SP of the semiconductor element 4A and a portion of the control element 4G closer to the first portion 11A than the center in the second direction y.
  • a wire 76G is connected to the gate electrode GP of the semiconductor element 4B and a portion of the control element 4G closer to the first portion 11A than the center in the second direction y. Further, a wire 76G is connected to the source electrode SP of the semiconductor element 4B and a portion of the control element 4G closer to the first portion 11A than the center in the second direction y.
  • a wire 76G is connected to the gate electrode GP of the semiconductor element 4C and a portion of the control element 4G closer to the first portion 11A than the center in the second direction y. Further, a wire 76G is connected to the source electrode SP of the semiconductor element 4C and a portion of the control element 4G closer to the first portion 11A than the center in the second direction y.
  • a wire 76H is connected to the gate electrode GP of the semiconductor element 4D and a portion of the control element 4H closer to the first portion 11A than the center in the second direction y.
  • a wire 76H is connected to the gate electrode GP of the semiconductor element 4E and a portion of the control element 4H closer to the first portion 11A than the center in the second direction y.
  • a wire 76H is connected to the gate electrode GP of the semiconductor element 4F and a portion of the control element 4H closer to the first portion 11A than the center in the second direction y.
  • one end of the two wires 76G is connected to the wiring section 50A, and the other end is connected to the control element 4G. Further, one end of the wire 76G is connected to the electronic component 49U, and the other end is connected to the control element 4G. Further, one end of the wire 76G is connected to the wiring section 50U, and the other end is connected to the control element 4G.
  • one end of the two wires 76G is connected to the wiring section 50B, and the other end is connected to the control element 4G. Further, one end of the wire 76G is connected to the electronic component 49V, and the other end is connected to the control element 4G. Further, one end of the wire 76G is connected to the wiring section 50V, and the other end is connected to the control element 4G.
  • one end of the two wires 76G is connected to the wiring section 50C, and the other end is connected to the control element 4G. Further, one end of the wire 76G is connected to the electronic component 49W, and the other end is connected to the control element 4G. Further, one end of the wire 76G is connected to the wiring section 50W, and the other end is connected to the control element 4G.
  • one end of the wire 76G is connected to the wiring section 50D, and the other end is connected to the control element 4G. Further, one end of the wire 76G is connected to the wiring section 50E, and the other end is connected to the control element 4G. Further, one end of the wire 76G is connected to the wiring section 50F, and the other end is connected to the control element 4G. Further, one end of the three wires 76G is connected to the wiring section 50G, and the other end is connected to the control element 4G. Further, one end of the two wires 76G is connected to the connecting portion 57, and the other end is connected to the control element 4G.
  • one end of the wire 76H is connected to the wiring section 50I, and the other end is connected to the control element 4H. Further, one end of the wire 76H is connected to the wiring section 50J, and the other end is connected to the control element 4H. Further, one end of the wire 76H is connected to the wiring section 50K, and the other end is connected to the control element 4H. Further, one end of the two wires 76H is connected to the wiring portion 50L, and the other end is connected to the control element 4H. Further, one end of the wire 76H is connected to the wiring section 50M, and the other end is connected to the control element 4H. Further, one end of the two wires 76H is connected to the wiring section 50N, and the other end is connected to the control element 4H.
  • the thermistor 6 is a temperature detection element, and is mounted on the main surface 3a of the insulating substrate 30.
  • the thermistor 6 is a resistor whose electrical resistance changes largely with respect to temperature changes, and the voltage between the terminals changes as the resistance value changes depending on the ambient temperature. Based on the voltage between the terminals of the thermistor 6, the temperature around the thermistor 6 is detected. Note that the characteristics of the thermistor 6 are not limited.
  • the thermistor 6 may be an NTC (negative temperature coefficient) thermistor, a PTC (positive temperature coefficient) thermistor, or a thermistor having other characteristics.
  • the thermistor 6 is for detecting the temperature of the semiconductor device A2. As shown in FIGS. 19 and 22, the thermistor 6 is arranged across two pad-like portions 502O and 502P of the conductive portion 5 (wiring portion 50O and wiring portion 50P). The thermistor 6 is bonded to the pad portion 502 via a conductive bonding material 63.
  • the conductive bonding material 63 may be any material that can bond the thermistor 6 to the pad-shaped portions 502O, 502P and electrically connect the thermistor 6 and the pad-shaped portions 502O, 502P.
  • As the conductive bonding material 63 for example, silver paste, copper paste, solder, or the like is used.
  • the conductive bonding material 63 is an example of the "first conductive bonding material" of the present disclosure.
  • the two pad-shaped portions 502O and 502P (wiring portion 50O and wiring portion 50P) are electrically connected to the two leads 2O and 2P.
  • the pad-like portions 502O and 502P (wiring portion 50O and wiring portion 50P) are conduction paths that connect the thermistor 6 and the leads 2O and 2P.
  • the two leads 2O and 2P serve as terminals for detecting the temperature of the semiconductor device A2, and output the voltage between the terminals of the thermistor 6.
  • the semiconductor device A2 includes an insulating member 62.
  • the insulating member 62 is interposed between the main surface 3a of the insulating substrate 30 and the thermistor 6, and has electrical insulation properties.
  • the insulating member 62 is an underfill filled between the main surface 3a and the thermistor 6 in the thickness direction z.
  • the constituent material of the insulating member 62 is not particularly limited, and is, for example, a synthetic resin whose main ingredient is black epoxy resin.
  • the thermistor 6 is placed close to any one of the plurality of semiconductor elements 4A to 4F. As shown in FIG. 19, the thermistor 6 is arranged on the insulating substrate 30 on the x1 side in the first direction x and on the y1 side in the second direction y. In the first direction x, the thermistor 6 is arranged at a distance from the control element 4H on the x1 side in the first direction x. In the illustrated example, the thermistor 6 is closest to the semiconductor element 4F located at the end on the x1 side in the first direction x among the semiconductor elements 4A to 4F.
  • the semiconductor device A2 may include another temperature detection element instead of the thermistor 6.
  • Other possible temperature detection elements include semiconductor temperature sensors.
  • the semiconductor temperature sensor is a Si diode or the like whose forward voltage changes greatly with respect to temperature changes, and the ambient temperature is detected based on the voltage between terminals when a predetermined current is passed through the semiconductor temperature sensor.
  • the sealing resin 8 seals the semiconductor elements 4A to 4F, the control elements 4G and 4H, the conductive part 5, the thermistor 6, a portion of each of the plurality of leads 1, a portion of each of the plurality of leads 2, and a portion of the insulating substrate 30. covering at least the area. Further, in this embodiment, the sealing resin 8 covers the electronic components 49U, 49V, 49W, the plurality of wires 75A to 75F, and the plurality of wires 76.
  • the constituent material of the sealing resin 8 is not particularly limited, and insulating materials such as epoxy resin and silicone gel may be used as appropriate.
  • it has a resin main surface 81, a resin back surface 82, a plurality of resin side surfaces 83 to 86, a recess 810, a recess 820, a recess 831, a recess 832, a recess 833, and a recess 834.
  • the main resin surface 81 is a plane that intersects with the thickness direction z, and in the illustrated example, is a plane that is perpendicular to the thickness direction z.
  • the main resin surface 81 faces the same side as the main surface 3a of the insulating substrate 30.
  • the resin back surface 82 is a surface that intersects with the thickness direction z, and in the illustrated example, is a plane that is perpendicular to the thickness direction z.
  • the resin back surface 82 faces the opposite side to the resin main surface 81 and faces the same side as the back surface 3b of the insulating substrate 30.
  • the resin side surface 83 is located between the resin main surface 81 and the resin back surface 82 in the thickness direction z, and is connected to the resin main surface 81 and the resin back surface 82 in the illustrated example.
  • the resin back surface 82 is a surface that intersects the first direction x, and faces the x1 side of the first direction x.
  • the resin side surface 84 is located between the resin main surface 81 and the resin back surface 82 in the thickness direction z, and is connected to the resin main surface 81 and the resin back surface 82 in the illustrated example.
  • the resin side surface 84 is a surface that intersects the first direction x, faces opposite to the resin side surface 83, and faces the x2 side of the first direction x.
  • the resin side surface 85 is located between the resin main surface 81 and the resin back surface 82 in the thickness direction z, and is connected to the resin main surface 81 and the resin back surface 82 in the illustrated example.
  • the resin side surface 85 is a surface that intersects the second direction y, and faces the y1 side of the second direction y.
  • the resin side surface 86 is located between the resin main surface 81 and the resin back surface 82 in the thickness direction z, and is connected to the resin main surface 81 and the resin back surface 82 in the illustrated example.
  • the resin side surface 86 is a surface that intersects the second direction y, faces opposite to the resin side surface 85, and faces the y2 side of the second direction y.
  • the recessed portion 810 is a portion recessed from the resin side surface 83 toward the x2 side in the first direction x.
  • the recess 810 reaches the resin main surface 81 and the resin back surface 82.
  • the recessed portion 820 is a portion recessed from the resin side surface 84 toward the x1 side in the first direction x.
  • the recess 820 reaches the resin main surface 81 and the resin back surface 82.
  • the recesses 831, 832, 833, and 834 are recessed portions from the resin side surface 85 toward the y2 side in the second direction y.
  • the recess 831 is located between the second portion 22Z of the lead 2Z and the second portion 22A of the lead 2A when viewed in the second direction y.
  • the recess 832 is located between the second portion 22A of the lead 2A and the second portion 22B of the lead 2B when viewed in the second direction y.
  • the recess 833 is located between the second portion 22B of the lead 2B and the second portion 22C of the lead 2C when viewed in the second direction y.
  • the recess 834 is located between the second portion 22C of the lead 2C and the second portion 22D of the lead 2D when viewed in the second direction y.
  • each semiconductor element 4A to 4C are connected to each other and to a P terminal (lead 1A).
  • the source of the semiconductor element 4A is connected to the drain of the semiconductor element 4D
  • the source of the semiconductor element 4B is connected to the drain of the semiconductor element 4E
  • the source of the semiconductor element 4C is connected to the drain of the semiconductor element 4F.
  • a connection point between the source of the semiconductor element 4A and the drain of the semiconductor element 4D is connected to the U terminal (lead 1B).
  • a connection point between the source of the semiconductor element 4B and the drain of the semiconductor element 4E is connected to the V terminal (lead 1C).
  • a connection point between the source of the semiconductor element 4C and the drain of the semiconductor element 4F is connected to the W terminal (lead 1D).
  • the source of the semiconductor element 4D is connected to the NU terminal (lead 1E)
  • the source of the semiconductor element 4E is connected to the NV terminal (lead 1F)
  • the source of the semiconductor element 4F is connected to the NW terminal (lead 1G). ing.
  • the voltage levels applied to the U terminal (lead 1B), the V terminal (lead 1C), and the W terminal (lead 1D) are, for example, about 0V to 650V.
  • the voltage level applied to the NU terminal (lead 1E), NV terminal (lead 1F) and NW terminal (lead 1G) is, for example, about 0V
  • Semiconductor elements 4A to 4C constitute transistors on the high potential side of a three-phase inverter circuit
  • semiconductor elements 4D to 4F constitute transistors on the low potential side of the three-phase inverter circuit.
  • the gates of the semiconductor elements 4A to 4C are each connected to the control element 4G, and the sources of the semiconductor elements 4A to 4C are each connected to the control element 4G.
  • the gates of semiconductor elements 4D to 4F are each connected to control element 4H.
  • the control element 4G is electrically connected to the leads 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F, 2G, and 2H.
  • Lead 2D is a terminal for supplying power supply voltage VCC to control element 4G.
  • a gate signal voltage is applied to the leads 2E, 2F, and 2G from an external gate drive circuit (not shown).
  • the control element 4G is a circuit for applying these gate signal voltages to the gates of the semiconductor elements 4A to 4C.
  • the leads 2H and 2N are connected to each other inside the semiconductor device A2, more specifically at the conductive portion 5 on the insulating substrate 30.
  • the control element 4H is electrically connected to the lead 2I, lead 2J, lead 2K, lead 2L, lead 2M, and lead 2N.
  • Lead 2L is a terminal for supplying power supply voltage VCC to control element 4H.
  • a gate signal voltage is applied to lead 2I, lead 2J, and lead 2K from an external gate drive circuit.
  • the control element 4H is a circuit for applying these gate signal voltages to the gates of the semiconductor elements 4D to 4F.
  • the first voltage of the electrical signal applied to lead 2E, lead 2F, and lead 2G is lower than the second voltage (power supply voltage VCC) applied from lead 2D to drive control element 4G. Furthermore, the first voltage of the electrical signal applied to lead 2I, lead 2J, and lead 2K is lower than the second voltage (power supply voltage VCC) applied from lead 2L to drive control element 4H.
  • the semiconductor device A2 includes an insulating substrate 30, semiconductor elements 4A to 4F, a conductive portion 5 made of a conductive material, a thermistor 6, and a sealing resin 8.
  • the insulating substrate 30 has a main surface 3a and a back surface 3b, and the conductive part 5 is formed on the main surface 3a.
  • the thermistor 6 is bonded to the conductive portion 5 (pad-shaped portions 502O, 502P of the wiring portions 50O, 50P) via a conductive bonding material 63. According to such a configuration, the thermistor 6 is mounted on the main surface 3a of the insulating substrate 30 via the conductive portion 5 (pad-like portions 502O, 502P of the wiring portions 50O, 50P).
  • the conductive part 5 can be made thinner than the leads 1 (leads 1A to 1D) on which the semiconductor elements 4A to 4F are mounted, thereby reducing the stress generated in the thermistor 6 when the semiconductor elements 4A to 4F generate heat. can be reduced. As a result, it is possible to improve the durability of the thermistor 6 and to appropriately detect the temperature of the semiconductor device A2. Furthermore, in the configuration in which the thermistor 6 is mounted on the conductive part 5, the sensitivity of temperature detection on the insulating substrate 30 side can be improved compared to, for example, a case in which the thermistor 6 is disposed on the thick lead 1. can. Further, the back surface 3b of the insulating substrate 30 is exposed from the sealing resin 8. According to such a configuration, the heat transmitted from the semiconductor elements 4A to 4F to the insulating substrate 30 can be efficiently released to the outside from the back surface 3b, and the heat dissipation performance of the semiconductor device A2 is improved.
  • the thermistor 6 is placed close to any one of the plurality of semiconductor elements 4A to 4F. According to such a configuration, the temperature of the semiconductor device A2 (on the insulating substrate 30 side) due to the influence of heat generation of the entire plurality of semiconductor elements 4A to 4F can be appropriately detected.
  • the thermistor 6 is closest to the semiconductor element 4F located at the end on the x1 side in the first direction x among the semiconductor elements 4A to 4F. According to such a configuration, the thermistor 6 can be efficiently arranged on the insulating substrate 30.
  • the leads 1A to 1D are bonded to a bonding portion 58 (bonding portions 58A to 58D) via a bonding material 17.
  • Joint portion 58 includes the same conductive material as conductive portion 5 . According to such a configuration, it is possible to form the conductive portion 5 and the bonding portion 58 on the insulating substrate 30 all at once. This is preferable for improving the manufacturing efficiency of the semiconductor device A2.
  • the semiconductor device A2 of this embodiment includes an insulating member 62.
  • the insulating member 62 is filled between the main surface 3a of the insulating substrate 30 and the thermistor 6. According to such a configuration, after the sealing resin 8 is formed, it is possible to prevent the inconvenience that a gap is generated in a relatively narrow gap between the main surface 3a and the thermistor 6. Thereby, the temperature of the semiconductor device A2 (insulating substrate 30 side) can be detected stably and accurately by the thermistor 6.
  • a cooler 91, a mounting member 92, a control means 94, a cooling means 95, a heating means 96, etc. are further provided. It is possible to employ a configuration of a semiconductor device assembly including the following. In this case, the same effects as described above regarding the semiconductor device assembly B1 are achieved.
  • the semiconductor device according to the present disclosure is not limited to the embodiments described above.
  • the specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present disclosure can be changed in design in various ways.
  • the present disclosure includes configurations related to the following additional notes.
  • a support having a main surface facing one side in the thickness direction and a back surface facing the opposite side to the main surface; at least one semiconductor element disposed on the main surface; a conductive part made of a conductive material formed on the main surface; a temperature detection element disposed on the conductive part; A sealing resin that covers at least a portion of the support, the at least one semiconductor element, the temperature detection element, and the conductive part,
  • the support body includes an insulating substrate having the main surface, The temperature detection element is bonded to the conductive part via a first conductive bonding material, The semiconductor device, wherein the back surface is exposed from the sealing resin.
  • the semiconductor device comprising a plurality of the semiconductor elements, The semiconductor device according to supplementary note 1, wherein the temperature detection element is arranged close to any one of the plurality of semiconductor elements.
  • Appendix 3 The plurality of semiconductor elements are arranged side by side in a first direction perpendicular to the thickness direction, The semiconductor device according to supplementary note 2, wherein the temperature detection element is arranged corresponding to the semiconductor element located at the end in the first direction among the plurality of semiconductor elements.
  • the plurality of semiconductor elements include a first semiconductor element located at one side end in the first direction, and a position closest to the first semiconductor element on the other side in the first direction with respect to the first semiconductor element.
  • a second semiconductor element arranged;
  • the second semiconductor element is located on one side of the first semiconductor element in a second direction perpendicular to the thickness direction and the first direction,
  • the semiconductor device according to appendix 3 wherein the temperature detection element is arranged in a region overlapping the first semiconductor element when viewed in the second direction and overlapping the second semiconductor element when viewed in the second direction.
  • Appendix 5 The plurality of semiconductor elements are arranged side by side in a first direction perpendicular to the thickness direction,
  • the semiconductor device according to appendix 2 wherein the temperature detection element is closest to the semiconductor element located at the end in the first direction among the plurality of semiconductor elements.
  • Appendix 6. Also equipped with multiple leads, the support body is made of the insulating substrate, the plurality of leads include at least one first lead, 6.
  • Appendix 11. The semiconductor device according to any one of appendices 1 to 10, wherein the insulating substrate is made of ceramics.
  • Appendix 12. The semiconductor device according to any one of appendices 1 to 11, wherein the temperature detection element is a thermistor.
  • Appendix 13. The semiconductor device according to any one of appendices 1 to 12, wherein the at least one semiconductor element is a switching element. Appendix 14.
  • Each of the at least one semiconductor element has an element main surface facing one side in the thickness direction, an element back surface facing the other side in the thickness direction, and a source electrode and a gate electrode disposed on the element main surface. and a drain electrode disposed on the back surface of the element.
  • Appendix 15. A semiconductor device according to any one of Supplementary Notes 1 to 14; a cooler having a portion that contacts the back surface; cooling means for cooling the cooler; A semiconductor device assembly comprising: control means for controlling the cooling means based on the temperature detected by the temperature detection element. Appendix 16. Further comprising heating means for heating the cooler, 16. The semiconductor device assembly according to appendix 15, wherein the control means controls the heating means based on the temperature detected by the temperature detection element.
  • A1, A11, A12, A2 Semiconductor device B1: Semiconductor device assembly 1, 11 to 15, 1A to 1G, 1Z: Leads 17, 18: Bonding material 19: Conductive bonding material 2, 21 to 23, 2A to 2P, 2Z: Leads 28, 29: Conductive bonding material 3: Support body 3a: Main surface 3b: Back surface 30, 31: Insulating substrate 30A, 30B: Region 32: Support conductor 33: Metal layer 4, 4A to 4F, 40A to 40F : Semiconductor elements 4G, 4H: Control element 41: Element main surface 42: Element back surface 43: Source electrode 44: Gate electrode 45: Drain electrode 47, 481 to 483: Conductive bonding material 49U, 49V, 49W: Electronic component 5: Conductive parts 501, 50A to 50P, 50U to 50W: Wiring part 502: Pad part 502O, 502P: Pad-shaped parts 511 to 514: Joint part 55: First base part 56: Second base part 57: Connection part 58, 58

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Abstract

半導体装置は、厚さ方向の一方側を向く主面、および前記主面とは反対側を向く裏面を有する支持体と、前記主面に配置された少なくとも１つの半導体素子と、前記主面上に形成された導電性材料からなる導電部と、前記導電部上に配置されたサーミスタと、前記支持体の少なくとも一部、前記半導体素子、前記サーミスタおよび前記導電部を覆う封止樹脂と、を備え、前記支持体は、前記主面を有する絶縁基板を含み、前記サーミスタは、導電性接合材を介して前記導電部に接合されており、前記裏面は、前記封止樹脂から露出している。

Description

半導体装置および半導体装置アッセンブリ
　本開示は、半導体装置および半導体装置アッセンブリに関する。
　従来、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）やＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの複数の電力用スイッチング素子を備える半導体装置が知られている。このような半導体装置は、産業機器から家電や情報端末、自動車用機器まであらゆる電子機器に搭載される。特許文献１には、従来の半導体装置が開示されている。特許文献１に記載の半導体装置では、電気絶縁部材からなる基板（絶縁基板）の上に、銅箔などの金属薄膜から構成された金属層が配置されている。当該基板および基板上に配置された金属層は、ＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板により構成される。複数のスイッチング素子は、当該金属層に、はんだなどの導電性の接合層を介して導通接合されている。特許文献１に記載された半導体装置においては、上記金属層にサーミスタが搭載されている。サーミスタは、基板の隅の近傍に配置されている。スイッチング素子の発熱によって温度が上昇しすぎることを防止するために、上記サーミスタにより半導体装置の温度を検出する。
　ＤＢＣ基板を構成する銅からなる金属層は、厚さが比較的大きい。この金属層にサーミスタが搭載された構成においては、スイッチング素子の発熱時の熱膨張に起因してサーミスタに大きな応力が生じる懸念があった。また、基板上の金属層を介してサーミスタが搭載された構成では、金属層の厚さが比較的大きいために、当該金属層の基板側の温度検出の感度が低下する傾向にあった。
特開２０１８－１８２３３０号公報
　本開示は、従来より改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、基板側の温度を適切に検出することが可能な半導体装置を提供することをその一の課題とする。
　本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、厚さ方向の一方側を向く主面、および前記主面とは反対側を向く裏面を有する支持体と、前記主面上に配置された少なくとも１つの半導体素子と、前記主面上に形成された導電性材料からなる導電部と、前記導電部上に配置された温度検出素子と、前記支持体の少なくとも一部、前記少なくとも１つの半導体素子、前記温度検出素子および前記導電部を覆う封止樹脂と、を備える。前記支持体は、前記主面を有する絶縁基板を含む。前記温度検出素子は、第１導電性接合材を介して前記導電部に接合されている。前記裏面は、前記封止樹脂から露出している。
　本開示の第２の側面によって提供される半導体装置アッセンブリは、本開示の第１の側面に係る半導体装置と、前記裏面に接触する部位を有する冷却器と、前記冷却器を冷却する冷却手段と、前記温度検出素子により検出された温度に基づいて前記冷却手段の制御を行う制御手段と、を備える。
　上記構成によれば、絶縁基板側の温度を適切に検出することが可能である。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図５は、図３のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。 図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。 図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図９は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を備えた半導体装置アッセンブリを示す要部断面図である。 図１０は、図９に示す半導体装置アッセンブリの構成を示すブロック図である。 図１１は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示す平面図である。 図１２は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示す平面図である。 図１３は、図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１４は、図１２のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。 図１５は、図１２のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。 図１６は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図１７は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図１８は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図１９は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図２０は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置の絶縁基板を示す平面図である。 図２１は、図１９のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。 図２２は、図１９のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う要部断面図である。 図２３は、図１９のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。
　以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に識別のために用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、本開示において「ある面Ａが方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。
　第１実施形態：
　図１～図８は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１は、複数のリード１、複数のリード２、支持体３、複数の半導体素子４、導電部５、サーミスタ６、複数ずつのワイヤ７１，７２，７３，７４、および封止樹脂８を備えている。
　図１は、半導体装置Ａ１を示す斜視図である。図２、半導体装置Ａ１を示す平面図である。図３は、半導体装置Ａ１を示す平面図であり、封止樹脂８を透過した図である。図４は、半導体装置Ａ１を示す底面図である。図５は、図３のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。なお、図３においては、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図５～図８においては、ワイヤ７１を省略している。
　半導体装置Ａ１の説明においては、支持体３の厚さ方向（平面視方向）は、本開示の「厚さ方向」の一例であり、「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する方向は、本開示の「第１方向」の一例であり、「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘに対して直交する方向は、本開示の「第２方向」の一例であり、「第２方向ｙ」と呼ぶ。また、図２、図３において図中左側は本開示の「第１方向の一方側」の一例であり、「第１方向ｘのｘ１側」と呼び、図中右側は本開示の「第１方向の他方側」の一例であり、「第１方向ｘのｘ２側」と呼ぶ。図２、図３において図中上側は本開示の「第２方向の一方側」の一例であり、「第２方向ｙのｙ１側」と呼び、図中下側は本開示の「第２方向の他方側」の一例であり、「第２方向ｙのｙ２側」と呼ぶ。図５～図８において図中上側は本開示の「厚さ方向の一方側」の一例であり、「厚さ方向ｚのｚ１側」と呼び、図中下側は本開示の「厚さ方向の他方側」の一例であり、「厚さ方向ｚのｚ２側」と呼ぶ。
　図３、図５～図８に示すように、支持体３は、複数の半導体素子４を支持する。支持体３の具体的構成は何ら限定されず、たとえばＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板またはＡＭＢ（Active Metal Brazing）基板により構成される。本実施形態において、支持体３は、絶縁基板３１および金属層３３からなるものと定義する。支持体３は、主面３ａおよび裏面３ｂを有する。主面３ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。裏面３ｂは、主面３ａとは反対側（厚さ方向ｚのｚ２側）を向く。支持体３を構成するＤＢＣ基板やＡＭＢ基板は、絶縁基板３１、支持導体３２および金属層３３を含む。支持体３を含む絶縁基板３１、支持導体３２および金属層３３の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ～３．０ｍｍ程度である。
　絶縁基板３１は、たとえば熱伝導性の優れたセラミックスである。このようなセラミックスとしては、たとえば窒化ケイ素（ＳｉＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）が挙げられる。絶縁基板３１は、セラミックスに限定されず、絶縁樹脂シートなどであってもよい。絶縁基板３１の形状は特に限定されず、たとえば平面視矩形状である。本実施形態において、絶縁基板３１は、厚さ方向ｚに見て第１方向ｘを長手方向とする長矩形状である。絶縁基板３１は、主面３ａを有する。主面３ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く平面である。絶縁基板３１の厚さは特に限定されず、たとえば０．０５ｍｍ～１．０ｍｍ程度である。
　支持導体３２は、絶縁基板３１の主面３ａ上に形成されている。支持導体３２の構成材料は、たとえば銅（Ｃｕ）を含む。当該構成材料は銅以外のたとえばアルミニウム（Ａｌ）を含んでいてもよい。上記ＤＢＣ基板等を用いることで、たとえば主面３ａに接合された銅箔をパターニングすることにより、後述の第１部３２１～第９部３２９を含む支持導体３２を容易に形成することができる。支持導体３２の厚さは特に限定されず、たとえば０．１ｍｍ～１．５ｍｍ程度である。
　支持導体３２は、第１部３２１、第２部３２２、第３部３２３、第４部３２４、第５部３２５、第６部３２６、第７部３２７、第８部３２８および第９部３２９を含む。これら第１部３２１～第９部３２９の表面には、たとえば銀（Ａｇ）めっきを施してもよい。
　第１部３２１は、絶縁基板３１の主面３ａ上において第１方向ｘのｘ２側寄りに配置されている。第１部３２１は、複数の半導体素子４のいずれかを支持している。第２部３２２は、第１部３２１に対して第１方向ｘのｘ１側に配置され、当該第１部３２１に隣接している。第２部３２２は、複数の半導体素子４のいずれかを支持している。第３部３２３は、第２部３２２に対して第１方向ｘのｘ１側に配置され、当該第２部３２２に隣接している。第３部３２３は、複数の半導体素子４のいずれかを支持している。第４部３２４は、第３部３２３に対して第１方向ｘのｘ１側に配置され、当該第３部３２３に隣接している。第４部３２４は、複数の半導体素子４のいずれかを支持している。
　第５部３２５および第６部３２６は、絶縁基板３１の第１方向ｘのｘ２側、且つ第２方向ｙのｙ１側の角部付近に配置されている。第５部３２５には、ワイヤ７３が接合されている。第６部３２６には、ワイヤ７２が接合されている。第７部３２７および第８部３２８は、絶縁基板３１の第１方向ｘのｘ１側、且つ第２方向ｙのｙ１側の角部付近に配置されている。第７部３２７および第８部３２８は、第３部３２３に対して第１方向ｘのｘ１側に位置し、第４部３２４に対して第２方向ｙのｙ１側に位置する。第７部３２７には、ワイヤ７３が接合されている。第８部３２８には、ワイヤ７２が接合されている。第９部３２９は、絶縁基板３１の第１方向ｘのｘ１側寄り、且つ第２方向ｙのｙ２側寄りに配置されている。第９部３２９には、ワイヤ７１が接合されている。
　金属層３３は、絶縁基板３１の下面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）に接合されている。金属層３３の構成材料は、支持導体３２の構成材料と同じである。金属層３３は、裏面３ｂを有する。裏面３ｂは、厚さ方向ｚのｚ２側を向く平面である。本実施形態において、裏面３ｂは、封止樹脂８から露出する。裏面３ｂには、図示しない放熱部材（たとえばヒートシンク）などが取り付け可能である。
　導電部５は、絶縁基板３１の主面３ａ上に形成されている。導電部５は、導電性材料からなる。導電部５を構成する導電性材料は特に限定されない。導電部５の導電性材料としては、たとえば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を含むものが挙げられる。以降の説明においては、導電部５が銀を含む場合を例に説明する。なお、導電部５は、銀に代えて銅を含んでいてもよいし、銀または銅に代えて金を含んでいてもよい。あるいは、導電部５は、Ａｇ－ＰｔやＡｇ－Ｐｄを含んでいてもよい。導電部５の形成手法は限定されず、たとえばこれらの金属を含むペーストを焼成することによって形成される。導電部５の厚さは特に限定されず、たとえば５μｍ～３０μｍ程度である。導電部５の厚さは、上記した支持導体３２の厚さよりも小である。
　導電部５の形状等は特に限定されない。本実施形態では、導電部５は、たとえば図３に示すように、２つの配線部５０１を含んでいる。２つの配線部５０１は、絶縁基板３１の第１方向ｘのｘ１側、且つ第２方向ｙのｙ１側の角部付近に配置されている。２つの配線部５０１は、互いに離れており、第２方向ｙに並んで配置されている。各配線部５０１は、パッド部５０２を有する。パッド部５０２は、配線部５０１において第１方向ｘのｘ２側の端に位置する。２つのパッド部５０２には、サーミスタ６の各端子がそれぞれ接合される。
　複数のリード１は、金属を含んで構成されており、たとえば絶縁基板３１よりも熱伝導率が高い。リード１を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ－Ｓｎ合金、Ｃｕ－Ｚｒ合金、Ｃｕ－Ｆｅ合金等）である。また、複数のリード１には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数のリード１は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されてもよい。なお、複数のリード１の形成方法は限定されない。各リード１の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ～０．８ｍｍ程度である。各リード１は、互いに離隔している。
　本実施形態においては、複数のリード１は、リード１１、リード１２、リード１３、リード１４およびリード１５を含んでいる。リード１１、リード１２、リード１３、リード１４およびリード１５は、半導体素子４への導通経路を構成しており、封止樹脂８の第２方向ｙのｙ２側（図２においては図中下側）を向く側面（後述する樹脂側面８６）から突出している。
　リード１１は、支持導体３２上に配置されており、本実施形態においては、第１部３２１上に配置されている。図７に示すように、リード１１は、導電性接合材１９を介して第１部３２１に接合されている。導電性接合材１９は、リード１１を第１部３２１に接合し、かつ、リード１１と第１部３２１とを電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材１９は、たとえば銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。
　リード１１の構成は特に限定されない。本実施形態においては、図３、図７に示すように、リード１１を、接続端部１１１、突出部１１２、傾斜部１１３および平行部１１４に区分けして説明する。
　接続端部１１１は、平面視矩形状であり、第１部３２１に接合される部分である。接続端部１１１は、導電性接合材１９を介して第１部３２１の第２方向ｙのｙ２側の端部に導通接合されている。傾斜部１１３および平行部１１４、封止樹脂８によって覆われている。傾斜部１１３は、接続端部１１１および平行部１１４につながっており、接続端部１１１および平行部１１４に対して傾斜している。平行部１１４は、傾斜部１１３および突出部１１２につながっており、接続端部１１１に対して平行（あるいは略平行）である。平行部１４４には、ワイヤ７１が接合されている。突出部１１２は、平行部１１４の端部につながり、リード１１のうち封止樹脂８から突出する部分である。図示した例では、２つの突出部１１２が第１方向ｘに間隔を隔てて設けられている。各突出部１１２は、第２方向ｙにおいて接続端部１１１とは反対側に突出している。突出部１１２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部１１２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３１の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード１２は、支持導体３２上に配置されており、本実施形態においては、第２部３２２上に配置されている。リード１２は、導電性接合材を介して第２部３２２に接合されている。リード１２の構成は特に限定されない。本実施形態においては、図３に示すように、リード１２を、接続端部１２１、突出部１２２、傾斜部１２３および平行部１２４に区分けして説明する。
　接続端部１２１は、平面視矩形状であり、第２部３２２に接合される部分である。接続端部１２１は、導電性接合材を介して第２部３２２の第２方向ｙのｙ２側の端部に導通接合されている。傾斜部１２３および平行部１２４は、封止樹脂８によって覆われている。傾斜部１２３は、接続端部１２１および平行部１２４につながっており、接続端部１２１および平行部１２４に対して傾斜している。平行部１２４は、傾斜部１２３および突出部１２２につながっており、接続端部１２１に対して平行（あるいは略平行）である。平行部１２４には、ワイヤ７１が接合されている。突出部１２２は、平行部１２４の端部につながり、リード１２のうち封止樹脂８から突出する部分である。突出部１２２は、第２方向ｙにおいて接続端部１２１とは反対側に突出している。突出部１２２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部１２２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３１の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード１３は、支持導体３２上に配置されており、本実施形態においては、第３部３２３上に配置されている。図６に示すように、リード１３は、導電性接合材１９を介して第３部３２３に接合されている。リード１３の構成は特に限定されない。本実施形態においては、図３、図６に示すように、リード１３を、接続端部１３１、突出部１３２、傾斜部１３３および平行部１３４に区分けして説明する。
　接続端部１３１は、平面視矩形状であり、第３部３２３に接合される部分である。接続端部１３１は、導電性接合材１９を介して第３部３２３の第２方向ｙのｙ２側の端部に導通接合されている。傾斜部１３３および平行部１３４は、封止樹脂８によって覆われている。傾斜部１３３は、接続端部１３１および平行部１３４につながっており、接続端部１３１および平行部１３４に対して傾斜している。平行部１３４は、傾斜部１３３および突出部１３２につながっており、接続端部１３１に対して平行（あるいは略平行）である。平行部１３４には、ワイヤ７１が接合されている。突出部１３２は、平行部１２４の端部につながり、リード１３のうち封止樹脂８から突出する部分である。突出部１３２は、第２方向ｙにおいて接続端部１３１とは反対側に突出している。突出部１３２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部１３２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３１の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード１４は、支持導体３２上に配置されており、本実施形態においては、第４部３２４上に配置されている。リード１４は、導電性接合材を介して第４部３２４に接合されている。リード１４の構成は特に限定されない。本実施形態においては、図３に示すように、リード１４を、接続端部１４１、突出部１４２、傾斜部１４３および平行部１４４に区分けして説明する。
　接続端部１４１は、平面視矩形状であり、第４部３２４に接合される部分である。接続端部１４１は、導電性接合材を介して第４部３２４の第２方向ｙのｙ２側の端部に導通接合されている。傾斜部１４３および平行部１４４は、封止樹脂８によって覆われている。傾斜部１４３は、接続端部１４１および平行部１４４につながっており、接続端部１４１および平行部１４４に対して傾斜している。平行部１４４は、傾斜部１３３および突出部１４２につながっており、接続端部１４１に対して平行（あるいは略平行）である。平行部１４４には、ワイヤ７１が接合されている。突出部１４２は、平行部１４４の端部につながり、リード１４のうち封止樹脂８から突出する部分である。突出部１４２は、第２方向ｙにおいて接続端部１４１とは反対側に突出している。突出部１４２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部１４２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３１の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード１５は、本実施形態では、支持導体３２上に配置されておらず、封止樹脂８によって支持されている。リード１５は、リード１３の接続端部１３１および傾斜部１３３に相当する部位を含んでいない。なお、リード１５の構成はこれに限定されない。本実施形態においては、図３に示すように、リード１３を、突出部１３２および平行部１５４に区分けして説明する。
　平行部１５４は、封止樹脂８によって覆われている。平行部１５４は、支持導体３２に対して平行（あるいは略平行）である。平行部１５４には、ワイヤ７１が接合されている。突出部１５２は、平行部１５４の端部につながり、リード１５のうち封止樹脂８から突出する部分である。突出部１５２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ２側に突出している。突出部１５２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部１５２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３１の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　複数のリード２は、金属を含んで構成されており、たとえば絶縁基板３１よりも熱伝導率が高い。リード２を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ－Ｓｎ合金、Ｃｕ－Ｚｒ合金、Ｃｕ－Ｆｅ合金等）である。また、複数のリード２には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数のリード２は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されてもよい。なお、複数のリード２の形成方法は限定されない。各リード２の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ～０．８ｍｍ程度である。各リード２は、互いに離隔している。
　本実施形態においては、複数のリード２は、複数のリード２１、複数のリード２２、および２つのリード２３を含んでいる。リード２１およびリード２２は、半導体素子４の後述するソース電極４３およびゲート電極４４への導通経路を構成しており、封止樹脂８の第２方向ｙのｙ１側（図２においては図中上側）を向く側面（後述する樹脂側面８５）から突出している。２つのリード２３は、サーミスタ６への導通経路を構成しており、封止樹脂８の第２方向ｙのｙ１側を向く側面から突出している。
　複数のリード２１は、それぞれ、支持導体３２上に配置されておらず、封止樹脂８によって支持されている。複数のリード２１は、第１方向ｘにおいて間隔を隔てて配置されている。リード２１の構成は特に限定されない。本実施形態においては、図３、図６に示すように、リード２１を、突出部２１２および平行部２１４に区分けして説明する。
　平行部２１４は、封止樹脂８によって覆われている。平行部２１４は、支持導体３２に対して平行（あるいは略平行）である。平行部２１４には、ワイヤ７３が接合されている。突出部２１２は、平行部２１４の端部につながり、リード２１のうち封止樹脂８から突出する部分である。突出部２１２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出している。突出部２１２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部２１２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３１の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　複数のリード２２は、それぞれ、支持導体３２上に配置されておらず、封止樹脂８によって支持されている。複数のリード２２は、第１方向ｘにおいて間隔を隔てて配置されている。複数のリード２２の各々は、複数のリード２１のいずれかと対をなすように近接し配置されている。リード２２の構成は特に限定されない。本実施形態においては、図３、図６に示すように、リード２２を、突出部２２２および平行部２２４に区分けして説明する。
　平行部２２４は、封止樹脂８によって覆われている。平行部２２４は、支持導体３２に対して平行（あるいは略平行）である。平行部２２４には、ワイヤ７２が接合されている。突出部２２２は、平行部２２４の端部につながり、リード２２のうち封止樹脂８から突出する部分である。突出部２２２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出している。突出部２２２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部２２２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３１の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　２つのリード２３は、それぞれ、支持導体３２上に配置されておらず、封止樹脂８によって支持されている。２つのリード２３は、第１方向ｘに並んで配置されている。リード２３の構成は特に限定されない。本実施形態においては、図３、図５に示すように、リード２３を、突出部２３２および平行部２３４に区分けして説明する。
　平行部２３４は、封止樹脂８によって覆われている。平行部２３４は、支持導体３２に対して平行（あるいは略平行）である。平行部２３４には、ワイヤ７４が接合されている。突出部２３２は、平行部２３４の端部につながり、リード２３のうち封止樹脂８から突出する部分である。突出部２３２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出している。突出部２３２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部２３２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３１の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　複数の半導体素子４はそれぞれ、半導体装置Ａ１の機能中枢となる電子部品であり、本実施形態では、スイッチング素子である。複数の半導体素子４は、絶縁基板３１の主面３ａ上に配置されている。複数の半導体素子４は、それぞれ、支持導体３２の第１部３２１～第４部３２４のいずれかに支持されている。本実施形態においては、複数の半導体素子４は、半導体素子４０Ａ～４０Ｆを含む。また、図示された例においては、６つの半導体素子４０Ａ～４０Ｆを備えているがこれは一例であり、半導体素子４の個数は何ら限定されない。
　半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆの各々）は、たとえばＳｉＣ（炭化シリコン）基板からなるＭＯＳＦＥＴ（ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor））である。なお、半導体素子４は、ＳｉＣ基板に変えてＳｉ（シリコン）基板からなるＭＯＳＦＥＴであってもよく、たとえばＩＧＢＴ素子を含んでいてもよい。また、ＧａＮ（窒化ガリウム）を含むＭＯＳＦＥＴであってもよい。
　図３、図５～図８に示すように、半導体素子４は、平面視矩形状の板状であり、素子主面４１、素子裏面４２、ソース電極４３、ゲート電極４４、およびドレイン電極４５を備えている。素子主面４１および素子裏面４２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向いている。素子主面４１は、厚さ方向ｚのｚ１側向く面である。素子裏面４２は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く面である。素子主面４１には、図３に示すように、ソース電極４３およびゲート電極４４が配置されている。ソース電極４３は、また、素子裏面４２には、図５～図７に示すように、ドレイン電極４５が配置されている。なお、ソース電極４３、ゲート電極４４、およびドレイン電極４５の形状および配置は限定されない。図示した例では、厚さ方向ｚに見て、ゲート電極４４よりもソース電極４３が大きい。また、ソース電極４３は、厚さ方向ｚに見て、分離した２つの領域により構成される。
　半導体素子４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃは、図３、図７、図８に示すように、第１部３２１上に配置されている。半導体素子４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃは、図７、図８に示すように、素子裏面４２を第１部３２１に向けて、導電性接合材４７によって第１部３２１に接合されている。これにより、半導体素子４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃの各々のドレイン電極４５は、導電性接合材４７によって、第１部３２１に導通接続される。導電性接合材４７は、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。また、図３に示すように、半導体素子４０Ａのソース電極４３は、ワイヤ７１によって、リード１２に導通接続される。半導体素子４０Ｂのソース電極４３は、ワイヤ７１によって、リード１３に導通接続される。半導体素子４０Ｃのソース電極４３は、ワイヤ７１によって、リード１４に導通接続される。ワイヤ７１は、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）からなる。なお、ワイヤ７１の材料、線径、および本数は限定されない。
　半導体素子４０Ｄは、図３に示すように、第２部３２２上に配置されている。半導体素子４０Ｅは、素子裏面４２を第２部３２２に向けて、図示しない導電性接合材によって第２部３２２に接合されている。これにより、半導体素子４０Ｄのドレイン電極４５は、導電性接合材によって、第２部３２２に導通接続される。半導体素子４０Ｄのソース電極４３は、ワイヤ７１によって、リード１５に導通接続される。本実施形態では、ワイヤ７１は、一方の端部が半導体素子４０Ｄのソース電極４３に接合され、中間部分が第９部３２９に接合され、他方の端部がリード１５に接合される。
　半導体素子４０Ｅは、図３、図６、図８に示すように、第３部３２３上に配置されている。半導体素子４０Ｅは、図６、図８に示すように、素子裏面４２を第３部３２３に向けて、導電性接合材４７によって第３部３２３に接合されている。これにより、半導体素子４０Ｅのドレイン電極４５は、導電性接合材４７によって、第３部３２３に導通接続される。図３に示すように、半導体素子４０Ｅのソース電極４３は、ワイヤ７１によって、リード１５に導通接続される。
　半導体素子４０Ｆは、図３、図５に示すように、第４部３２４上に配置されている。半導体素子４０Ｆは、図５に示すように、素子裏面４２を第４部３２４に向けて、導電性接合材４７によって第４部３２４に接合されている。これにより、半導体素子４０Ｆのドレイン電極４５は、導電性接合材４７によって、第４部３２４に導通接続される。図３に示すように、半導体素子４０Ｆのソース電極４３は、ワイヤ７１によって、リード１５に導通接続される。
　半導体素子４０Ａのゲート電極４４は、ワイヤ７２によって第６部３２６に接続され、この第６部３２６は、ワイヤ７２によってリード２２に接続される。半導体素子４０Ａのゲート電極４４は、ワイヤ７２および第６部３２６によって、リード２２に導通接続される。半導体素子４０Ａのゲート電極４４に導通接続されたリード２２は、半導体素子４０Ａの駆動信号入力用の端子（ゲート端子）である。半導体素子４０Ａのソース電極４３は、ワイヤ７３によって第５部３２５に接続され、この第５部３２５は、ワイヤ７３によってリード２１に接続される。半導体素子４０Ａのソース電極４３は、ワイヤ７３および第５部３２５によって、リード２１に導通接続される。半導体素子４０Ａのソース電極４３に導通接続されたリード２２は、半導体素子４０Ａのソース信号検出用の端子（ソースセンス端子）である。ワイヤ７２，７３は、たとえば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等からなる。なお、ワイヤ７２，７３の材料、線径、および本数は限定されない。
　半導体素子４０Ｂのゲート電極４４は、ワイヤ７２によってリード２２に導通接続される。半導体素子４０Ｂのゲート電極４４に導通接続されたリード２２は、半導体素子４０Ｂのゲート端子である。半導体素子４０Ｂのソース電極４３は、ワイヤ７３によってリード２１に導通接続される。半導体素子４０Ｂのソース電極４３に導通接続されたリード２１は、半導体素子４０Ｂのソースセンス端子である。
　半導体素子４０Ｃのゲート電極４４は、ワイヤ７２によってリード２２に導通接続される。半導体素子４０Ｃのゲート電極４４に導通接続されたリード２２は、半導体素子４０Ｃのゲート端子である。半導体素子４０Ｃのソース電極４３は、ワイヤ７３によってリード２１に導通接続される。半導体素子４０Ｃのソース電極４３に導通接続されたリード２１は、半導体素子４０Ｃのソースセンス端子である。
　半導体素子４０Ｄのゲート電極４４は、ワイヤ７２によってリード２２に導通接続される。半導体素子４０Ｄのゲート電極４４に導通接続されたリード２２は、半導体素子４０Ｄのゲート端子である。半導体素子４０Ｄのソース電極４３は、ワイヤ７３によってリード２１に導通接続される。半導体素子４０Ｄのソース電極４３に導通接続されたリード２１は、半導体素子４０Ｄのソースセンス端子である。
　半導体素子４０Ｅのゲート電極４４は、ワイヤ７２によってリード２２に導通接続される。半導体素子４０Ｅのゲート電極４４に導通接続されたリード２２は、半導体素子４０Ｅのゲート端子である。半導体素子４０Ｅのソース電極４３は、ワイヤ７３によってリード２１に導通接続される。半導体素子４０Ｅのソース電極４３に導通接続されたリード２１は、半導体素子４０Ｅのソースセンス端子である。
　半導体素子４０Ｆのゲート電極４４は、ワイヤ７２によってリード２２に導通接続される。本実施形態では、ワイヤ７２は、一方の端部が半導体素子４０Ｆのゲート電極４４に接合され、中間部分が第８部３２８に接合され、他方の端部がリード２２に接合される。半導体素子４０Ｆのゲート電極４４に導通接続されたリード２２は、半導体素子４０Ｆのゲート端子である。半導体素子４０Ｆのソース電極４３は、ワイヤ７３によってリード２１に導通接続される。本実施形態では、ワイヤ７３は、一方の端部が半導体素子４０Ｆのソース電極４３に接合され、中間部分が第７部３２７に接合され、他方の端部がリード２１に接合される。半導体素子４０Ｆのソース電極４３に導通接続されたリード２１は、半導体素子４０Ｆのソースセンス端子である。
　半導体装置Ａ１は、たとえばハーフブリッジ型のスイッチング回路として構成される。この場合、外部でリード１２、リード１３およびリード１４が導通接続されて、半導体素子４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃは、半導体装置Ａ１の上アーム回路を構成し、半導体素子４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆは、下アーム回路を構成する。上アーム回路において、半導体素子４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃは互いに並列に接続され、下アーム回路において、半導体素子４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆは互いに並列に接続される。各半導体素子４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃと各半導体素子４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆとは、直列に接続され、ブリッジ層を構成する。半導体装置Ａ１において、リード１１およびリード１５には、電力変換対象となる直流電圧が入力される。リード１１は正極（Ｐ端子）であり、リード１５は負極（Ｎ端子）である。リード１２、リード１３およびリード１４から、半導体素子４０Ａ～４０Ｆにより電力変換された交流電圧が出力される。
　本実施形態において、複数の半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）は、第１方向ｘにおいて並んで配置されている。半導体素子４０Ａは第１方向ｘのｘ２側の端に位置し、半導体素子４０Ｆは第１方向ｘのｘ１側の端に位置し、半導体素子４０Ａ～４０Ｆは、第１方向ｘのｘ２側から第１方向ｘのｘ１側に向けてこの順に配置されている。図示した例では、半導体素子４０Ａ～４０Ｆは、第１方向ｘにおいて一定間隔を隔てて配置されている。その一方、半導体素子４０Ａ～４０Ｆは、第１方向ｘに沿って配列はされておらず、第２方向ｙにおける位置が異なるものを含む。半導体素子４０Ｂは、第２方向ｙにおいて、半導体素子４０Ａに対して第２方向ｙのｙ１側に位置する。半導体素子４０Ｃは、第２方向ｙにおいて、半導体素子４０Ｂに対して第２方向ｙのｙ１側に位置する。半導体素子４０Ｄは、第２方向ｙにおいて半導体素子４０Ｃと同じ（あるいは略同じ）位置にある。半導体素子４０Ｅは、第２方向ｙにおいて、半導体素子４０Ｄに対して第２方向ｙのｙ２側に位置する。半導体素子４０Ｆは、第２方向ｙにおいて、半導体素子４０Ｅに対して第２方向ｙのｙ２側に位置する。
　サーミスタ６は、温度検出素子であり、絶縁基板３１の主面３ａ上に実装されている。サーミスタ６は、温度変化に対して電気抵抗の変化の大きい抵抗体であり、周囲の温度に応じて抵抗値が変化することで、端子間電圧が変化する。サーミスタ６の端子間電圧に基づいて、サーミスタ６の周囲の温度が検出される。なお、サーミスタ６の特性は限定されない。サーミスタ６は、ＮＴＣ（negative temperature coefficient）サーミスタであってもよいし、ＰＴＣ（Positive temperature coefficient）サーミスタであってもよいし、その他の特性を有するサーミスタであってもよい。
　サーミスタ６は、半導体装置Ａ１の温度を検出するためのものである。図３、図５に示すように、サーミスタ６は、導電部５（配線部５０１）の２つのパッド部５０２にまたがって配置されている。サーミスタ６は、導電性接合材６３を介してパッド部５０２に接合されている。導電性接合材６３は、サーミスタ６をパッド部５０２に接合し、かつ、サーミスタ６とパッド部５０２とを電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材６３は、たとえば銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。サーミスタ６の一方の端子は、導電性接合材６３を介して一方のパッド部５０２に導通接合され、サーミスタ６の他方の端子は、導電性接合材６３を介して他方のパッド部５０２に導通接合されている。導電性接合材６３は、本開示の「第１導電性接合材」の一例である。
　２つのパッド部５０２（配線部５０１）の各々は、ワイヤ７４を介してリード２３に導通接続されている。パッド部５０２（配線部５０１）およびワイヤ７４は、サーミスタ６とリード２３とを導通させる導通経路である。２つのリード２３は、半導体装置Ａ１の温度検出のための端子になり、サーミスタ６の端子間電圧を出力する。
　本実施形態において、図５に示すように、半導体装置Ａ１は、絶縁部材６２を備える。絶縁部材６２は、絶縁基板３１の主面３ａと、サーミスタ６との間に介在しており、電気絶縁性を有する。絶縁部材６２は、厚さ方向ｚにおいて主面３ａとサーミスタ６との間に充填されたアンダーフィルである。絶縁部材６２の構成材料は特に限定されず、たとえば黒色のエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂である。
　サーミスタ６は、複数の半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）のいずれかに近接して配置される。図３に示すように、サーミスタ６は、絶縁基板３１の第１方向ｘのｘ１側、且つ第２方向ｙのｙ１側の角部付近に配置されている。図示した例では、サーミスタ６は、半導体素子４０Ａ～４０Ｆのうち第１方向ｘのｘ１側の端に位置する半導体素子４０Ｆに最も近接する。
　なお、半導体装置Ａ１は、サーミスタ６に代えて、他の温度検出素子を備えてもよい。他の温度検出素子としては、半導体温度センサなどが考えられる。半導体温度センサは、温度変化に対して順方向電圧の変化の大きいＳｉダイオードなどであり、所定の電流を流したときの端子間電圧に基づいて、周囲の温度が検出される。
　封止樹脂８は、半導体素子４０Ａ～４０Ｆ、導電部５、サーミスタ６およびワイヤ７１～７４と、複数のリード１および複数のリード２の一部ずつと、支持体３の一部とを少なくとも覆っている。封止樹脂８の構成材料は特に限定されず、たとえばエポキシ樹脂、シリコーンゲル等の絶縁材料が適宜用いられる。
　封止樹脂８は、樹脂主面８１、樹脂裏面８２、および複数の樹脂側面８３～８６を有する。図５～図８に示すように、樹脂主面８１および樹脂裏面８２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く面であり、ともに厚さ方向ｚに対して直交する平坦面である。樹脂主面８１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向き、樹脂裏面８２は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く。樹脂裏面８２は、図４に示すように、平面視において支持体３（金属層３３）の裏面３ｂを囲む枠状である。支持体３の裏面３ｂは、封止樹脂８の樹脂裏面８２から露出し、たとえば樹脂裏面８２と面一である。なお、支持体３の裏面３ｂは、封止樹脂８の樹脂裏面８２よりも厚さ方向ｚのｚ２側に突出していてもよい。
　複数の樹脂側面８３～８６はそれぞれ、樹脂主面８１および樹脂裏面８２の双方につながり、かつ、厚さ方向ｚにおいてこれらに挟まれている。図２などに示すように、樹脂側面８３と樹脂側面８４とは第１方向ｘに離隔する。樹脂側面８３は第１方向ｘのｘ１側を向き、樹脂側面８４は、第１方向ｘのｘ２側を向く。図２などに示すように、樹脂側面８５と樹脂側面８６とは第２方向ｙに離隔する。樹脂側面８５は第２方向ｙのｙ１側を向き、樹脂側面８６は、第２方向ｙのｙ２側を向く。樹脂側面８５から複数のリード２それぞれの一部が突き出ている。樹脂側面８６から複数のリード１それぞれの一部が突き出ている。詳細な説明は省略するが、封止樹脂８は、樹脂側面８３～８６それぞれから凹んだ凹部を有する。
　次に、本実施形態の作用について説明する。
　半導体装置Ａ１は、支持体３、半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）、導電性材料からなる導電部５、サーミスタ６および封止樹脂８を備える。支持体３は、主面３ａを有する絶縁基板３１を含み、導電部５は主面３ａ上に形成されている。サーミスタ６は、導電性接合材６３を介して導電部５（配線部５０１のパッド部５０２）に接合されている。このような構成によれば、サーミスタ６は、支持体３の主面３ａ上に導電部５（配線部５０１のパッド部５０２）を介して搭載される。導電部５は、半導体素子４が搭載される支持導体３２よりも厚さを小さくすることができ、これにより、半導体素子４の発熱時にサーミスタ６に生じる応力を低減することができる。その結果、サーミスタ６の耐久性向上を図るとともに、半導体装置Ａ１の温度を適切に検出することができる。また、サーミスタ６が導電部５上に搭載された構成では、たとえば厚さが大きい支持導体３２上にサーミスタ６が配置される場合と比べて、絶縁基板３１側の温度検出の感度を向上させることができる。また、支持体３（金属層３３）の裏面３ｂは、封止樹脂８から露出している。このような構成によれば、半導体素子４から支持体３（絶縁基板３１）に伝わった熱を裏面３ｂから効率よく外部に逃がすことができ、半導体装置Ａ１の放熱性が高められる。
　サーミスタ６は、複数の半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）のいずれかに近接して配置される。このような構成によれば、複数の半導体素子４全体の発熱の影響による半導体装置Ａ１（絶縁基板３１側）の温度を、適切に検出することができる。サーミスタ６は、絶縁基板３１の第１方向ｘのｘ１側、且つ第２方向ｙのｙ１側の角部付近に配置されており、半導体素子４０Ａ～４０Ｆのうち第１方向ｘのｘ１側の端に位置する半導体素子４０Ｆに最も近接する。このような構成によれば、絶縁基板３１上にサーミスタ６を効率よく配置することできる。
　本実施形態の半導体装置Ａ１は、絶縁部材６２を備える。絶縁部材６２は、絶縁基板３１の主面３ａとサーミスタ６との間に充填されている。このような構成によれば、封止樹脂８の形成後において、主面３ａとサーミスタ６との間の比較的狭い隙間に空隙が生じるといった不都合を防止することができる。これにより、サーミスタ６によって半導体装置Ａ１（絶縁基板３１側）の温度を、安定して精度よく検出することができる。
　第１実施形態の半導体装置を備えた半導体装置アッセンブリ：
　図９、図１０は、半導体装置Ａ１を備えて構成された半導体装置アッセンブリＢ１を示している。図９は、半導体装置アッセンブリＢ１を示す要部断面図である。図１０は、半導体装置アッセンブリＢ１の構成を示すブロック図である。半導体装置アッセンブリＢ１は、半導体装置Ａ１、冷却器９１、取付け部材９２、制御手段９４、冷却手段９５および加熱手段９６を備えている。
　冷却器９１は、半導体装置Ａ１を冷却するための放熱部材である。冷却器９１は、熱伝導性に優れた金属材料からなる。冷却器９１の構成材料は特に限定されず、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、あるいはこれらの合金である。冷却器９１は、取付け面９１１および流路９１２を有する。取付け面９１１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く平坦面である。流路９１２は、冷却器９１の内部に形成された中空部分である。この流路９１２には、たとえば冷媒としての冷却水が通流させられる。半導体装置Ａ１は冷却器９１の取付け面９１１上に配置されており、当該取付け面９１１は、半導体装置Ａ１の支持体３の裏面３ｂおよび封止樹脂８の樹脂裏面８２に面接触している。
　取付け部材９２は、半導体装置Ａ１を冷却器９１に保持するためのものである。取付け部材９２は、半導体装置Ａ１を第２方向ｙに横切って配置される。取付け部材９２は、たとえば板バネである。取付け部材９２は、位置する。取付け部材９２は、半導体装置Ａ１の第２方向ｙの両側に位置する２つの取付け穴９１３に２つの締結部材９３を挿通させることによって冷却器９１に取り付けられる。２つの締結部材９３は、たとえばボルトである。圧接して取付けた状態においては、取付け部材９２のバネ弾性力によって半導体装置Ａ１が冷却器９１に押圧されており、冷却器９１の取付け面９１１と半導体装置Ａ１の支持体３の裏面３ｂとが密着している。
　冷却手段９５は、冷却器９１を冷却するものである。冷却手段９５は、たとえば図示しない冷却水供給源および開閉切り換え可能なバルブを含んで構成される。たとえば冷却手段９５により冷却器９１を冷却する際、上記バルブが開状態となり、上記冷却水供給源から送られる冷却水が流路９１２を通流する。また、冷却器９１の冷却を停止する際、上記バルブが閉状態となり、流路９１２における冷却水の通流が停止される。なお、冷却手段９５は冷却器９１を冷却可能であればよく、冷却手段９５の具体的構成は何ら限定されない。
　加熱手段９６は、冷却器９１を加熱するものである。加熱手段９６は、たとえば冷却器９１に取付けられた図示しないヒータを含んで構成される。たとえば加熱手段９６により冷却器９１を加熱する際、ヒータが作動する。なお、加熱手段９６は冷却器９１を加熱可能であればよく、加熱手段９６の具体的構成は何ら限定されない。
　制御手段９４は、半導体装置Ａ１のサーミスタ６により検出された温度に基づいて冷却手段９５および加熱手段９６の制御を行う。たとえばサーミスタ６による検出温度が所定の第１温度を超えた場合、制御手段９４は、冷却手段９５を作動させて冷却器９１を冷却する。また、サーミスタ６による検出温度が所定の第２温度（第１温度よりも低い温度）を下回った場合、加熱手段９６を作動させて冷却器９１を加熱する。なお、制御手段９４による冷却手段９５および加熱手段９６の具体的な制御方法は、何ら限定されない。
　本実施形態の半導体装置アッセンブリＢ１は、半導体装置Ａ１、冷却器９１、冷却器９１を冷却する冷却手段９５、および制御手段９４を備える。冷却器９１は、半導体装置Ａ１の支持体３の裏面３ｂに接触する部位（取付け面９１１）を有し、制御手段９４は、サーミスタ６により検出された温度に基づいて冷却手段９５の制御を行う。このような構成によれば、半導体装置Ａ１の温度を監視しながら当該半導体装置Ａ１の過度な温度上昇を防止することができ、半導体装置Ａ１を適切に駆動させることができる。
　半導体装置アッセンブリＢ１は、冷却器９１を加熱する加熱手段９６を備え、制御手段９４は、サーミスタ６により検出された温度に基づいて加熱手段９６の制御を行う。このような構成によれば、半導体装置Ａ１がたとえば自動車用機器に搭載された場合、寒冷地等での使用において、半導体装置Ａ１の温度を監視しながら当該半導体装置Ａ１の過度な温度低下を防止することができ、半導体装置Ａ１を適切に駆動させることができる。
　第１実施形態の第１変形例：
　図１１は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示している。図１１は、本変形例の半導体装置Ａ１１を示す平面図であり、封止樹脂８を想像線で示した図である。なお、図１１以降の図面において、上記実施形態の半導体装置Ａ１と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。また、図１１以降の各変形例等における各部の構成は、技術的な矛盾を生じない範囲において相互に適宜組み合わせ可能である。
　本変形例の半導体装置Ａ１１において、主に複数の半導体素子４の配置が、上記実施形態の半導体装置Ａ１と異なる。本変形例において、支持体３のサイズ、複数のリードの配置、および複数のリード２の配置は、上記実施形態の半導体装置Ａ１と同一（あるいは略同一）である。その一方、半導体素子４のサイズが上記した半導体装置Ａ１よりも大である。これに伴い、絶縁基板３１上の支持導体３２（第１部３２１～第９部３２９）の配置、および複数の半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）の配置が、上記実施形態と異なっている。
　複数の半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）は、第１方向ｘにおいて並んで配置されている。半導体素子４０Ｂは、第２方向ｙにおいて、半導体素子４０Ａに対して第２方向ｙのｙ１側に位置する。半導体素子４０Ｂは、第２方向ｙに見て、半導体素子４０Ａに重なる。４つの半導体素子４０Ｂ～４０Ｅは、第１方向ｘに沿って一定間隔で配列されている。半導体素子４０Ｆは、第２方向ｙにおいて、半導体素子４０Ｅに対して第２方向ｙのｙ２側に位置する。半導体素子４０Ｆは、第２方向ｙに見て、半導体素子４０Ｅに重なる。
　サーミスタ６は、上記実施形態の半導体装置Ａ１と同様に、絶縁基板３１の第１方向ｘのｘ１側、且つ第２方向ｙのｙ１側の角部付近に配置されている。本変形例では、サーミスタ６は、第１方向ｘのｘ１側端に位置する半導体素子４０Ｆと、この半導体素子４０Ｆに対して第１方向ｘのｘ２側で最も近い位置にある半導体素子４０Ｅと、に対応して配置される。図示した例では、サーミスタ６は、半導体素子４０Ａ～４０Ｆのうち半導体素子４０Ｅに最も近接する。また、サーミスタ６は、第２方向ｙに見て半導体素子４０Ｆに重なり、第１方向ｘに見て半導体素子４０Ｅに重なる領域Ｒ１に配置される。本実施形態において、半導体素子４０Ｆは、本開示の「第１半導体素子」の一例であり、半導体素子４０Ｅは、本開示の「第２半導体素子」の一例である。
　本変形例の半導体装置Ａ１１は、支持体３、半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）、導電性材料からなる導電部５、サーミスタ６および封止樹脂８を備える。支持体３は、主面３ａを有する絶縁基板３１を含み、導電部５は主面３ａ上に形成されている。サーミスタ６は、導電性接合材６３を介して導電部５（配線部５０１のパッド部５０２）に接合されている。このような構成によれば、サーミスタ６は、支持体３の主面３ａ上に導電部５（配線部５０１のパッド部５０２）を介して搭載される。導電部５は、半導体素子４が搭載される支持導体３２よりも厚さを小さくすることができ、これにより、半導体素子４の発熱時にサーミスタ６に生じる応力を低減することができる。その結果、サーミスタ６の耐久性向上を図るとともに、半導体装置Ａ１１の温度を適切に検出することができる。また、サーミスタ６が導電部５上に搭載された構成では、たとえば厚さが大きい支持導体３２上にサーミスタ６が配置される場合と比べて、絶縁基板３１側の温度検出の感度を向上させることができる。また、支持体３（金属層３３）の裏面３ｂは、封止樹脂８から露出している。このような構成によれば、半導体素子４から支持体３（絶縁基板３１）に伝わった熱を裏面３ｂから効率よく外部に逃がすことができ、半導体装置Ａ１１の放熱性が高められる。
　サーミスタ６は、複数の半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）のいずれかに近接して配置される。このような構成によれば、複数の半導体素子４全体の発熱の影響による半導体装置Ａ１１（絶縁基板３１側）の温度を、適切に検出することができる。サーミスタ６は、絶縁基板３１の第１方向ｘのｘ１側、且つ第２方向ｙのｙ１側の角部付近に配置されており、第１方向ｘのｘ１側端に位置する半導体素子４０Ｆと、この半導体素子４０Ｆに対して第１方向ｘのｘ２側で最も近い位置にある半導体素子４０Ｅと、に対応して配置される。また、サーミスタ６は、第２方向ｙに見て半導体素子４０Ｆに重なり、第１方向ｘに見て半導体素子４０Ｅに重なる領域Ｒ１に配置される。このような構成によれば、制約がある絶縁基板３０上のスペースに、サーミスタ６を効率よく配置することができる。その他にも、半導体装置Ａ１１は、上記実施形態の半導体装置Ａ１と同様の作用効果を奏する。
　なお、本変形例の半導体装置Ａ１１においても、上記の半導体装置Ａ１を備えた半導体装置アッセンブリＢ１と同様に、冷却器９１、取付け部材９２、制御手段９４、冷却手段９５および加熱手段９６等をさらに備えた半導体装置アッセンブリの構成を採用することができる。この場合、半導体装置アッセンブリＢ１に関して上述したのと同様の作用効果を奏する。
　第１実施形態の第２変形例：
　図１２～図１５は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示している。本変形例の半導体装置Ａ１２は、複数のリード１（リード１１～１５）、複数のリード２（複数のリード２１、複数のリード２２、および２つのリード２３）、絶縁基板３０、複数の半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）、導電部５、複数の接合部５１１～５１４、サーミスタ６、複数ずつのワイヤ７１，７２、および封止樹脂８を備えている。図１２は、本変形例の半導体装置Ａ１２を示す平面図であり、封止樹脂８を透過した図である。図１３は、図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。図１４は、図１２のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。図１５は、図１２のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。なお、図１２においては、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図１３～図１５おいては、ワイヤ７１を省略している。図１３においては、ワイヤ７２，７３を省略している。
　本変形例の半導体装置Ａ１２において、主に、上記実施形態の支持体３に代えて絶縁基板３０を備える点、複数のリード１（リード１１～１５）、複数のリード２（複数のリード２１、複数のリード２２、および２つのリード２３）の各部の構成、複数の半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）の配置、導電部５の構成が、上記実施形態と異なっている。
　絶縁基板３０は、複数の半導体素子４０Ａ～４０Ｆを支持する。絶縁基板３０の材質は特に限定されない。絶縁基板３０の材質としては、たとえば、封止樹脂８の材質よりも熱伝導率が高い材質が好ましい。絶縁基板３０の材質としては、たとえばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、ジルコニア入りアルミナ等のセラミックスが例示される。絶縁基板３０の厚さは特に限定されず、たとえば０．１ｍｍ～１．０ｍｍ程度である。
　絶縁基板３０の形状は特に限定されない。図１２～図１５に示すように、本変形例においては、絶縁基板３０は、主面３ａおよび裏面３ｂを有する。主面３ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。裏面３ｂは、主面３ａとは反対側（厚さ方向ｚのｚ２側）を向く。本変形例において、裏面３ｂは、封止樹脂８から露出する。裏面３ｂには、図示しない放熱部材（たとえばヒートシンク）などが取り付け可能である。図示された例においては、絶縁基板３０は、平面視矩形状である。また、絶縁基板３０は、厚さ方向ｚに見て第１方向ｘを長手方向とする長矩形状である。絶縁基板３０は、本開示の「支持体」の一例であり、当該支持体は、絶縁基板３０からなる。
　導電部５は、絶縁基板３０上に形成されている。本変形例においては、導電部５は、絶縁基板３０の主面３ａ上に形成されている。導電部５は、導電性材料からなる。導電部５を構成する導電性材料は特に限定されない。導電部５の導電性材料としては、たとえば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を含むものが挙げられる。以降の説明においては、導電部５が銀を含む場合を例に説明する。なお、導電部５は、銀に代えて銅を含んでいてもよいし、銀または銅に代えて金を含んでいてもよい。あるいは、導電部５は、Ａｇ－ＰｔやＡｇ－Ｐｄを含んでいてもよい。また、導電部５の形成手法は限定されず、たとえばこれらの金属を含むペーストを焼成することによって形成される。導電部５の厚さは特に限定されず、たとえば５μｍ～３０μｍ程度である。
　導電部５の形状等は特に限定されない。本変形例では、導電部５は、たとえば図１２、図１３、図１４に示すように、２つの配線部５０１、接続部５１５および接続部５２１を含んでいる。２つの配線部５０１は、絶縁基板３０の第１方向ｘのｘ１側、且つ第２方向ｙのｙ１側の角部付近に配置されている。２つの配線部５０１は、互いに離れており、第２方向ｙに並んで配置されている。各配線部５０１は、パッド部５０２を有する。パッド部５０２は、配線部５０１において第１方向ｘのｘ２側の端に位置する。２つのパッド部５０２には、サーミスタ６の各端子がそれぞれ接合される。接続部５１５は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３０とリード１５との間に介在している。接続部５２１は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３０とリード２１，２２との間に介在している。
　図１５に示すように、複数の接合部５１１～５１４は、絶縁基板３０上に形成されている。本変形例においては、複数の接合部５１１～５１４は、絶縁基板３０の主面３ａ上に形成されている。接合部５１１～５１４の材質は特に限定されず、たとえば、絶縁基板３０とリード１とを接合可能な材料で構成されている。接合部５１１～５１４は、たとえば導電性材料からなる。接合部５１１～５１４を構成する導電性材料は特に限定されない。接合部５１１～５１４を構成する導電性材料としては、たとえば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を含むものが挙げられる。以降の説明においては、接合部５１１～５１４が銀を含む場合を例に説明する。この例における接合部５１１～５１４は、導電部５を構成する導電性材料と同じものを含む。なお、接合部５１１～５１４は、銀に代えて銅を含んでいてもよいし、銀または銅に代えて金を含んでいてもよい。あるいは、接合部５１１～５１４は、Ａｇ－ＰｔやＡｇ－Ｐｄを含んでいてもよい。また接接合部５１１～５１４の形成手法は限定されず、たとえば導電部５と同様に、これらの金属を含むペーストを焼成することによって形成される。接合部５１１～５１４の厚さは特に限定されず、たとえば５μｍ～３０μｍ程度である。
　複数のリード１は、金属を含んで構成されており、たとえば絶縁基板３０よりも放熱特性に優れている。リード１を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ－Ｓｎ合金、Ｃｕ－Ｚｒ合金、Ｃｕ－Ｆｅ合金等）である。また、複数のリード１には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数のリード１は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されていてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されていても良いし、これに限られない。各リード１の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ～０．８ｍｍ程度である。各リード１は、互いに離隔している。
　本変形例においては、複数のリード１は、リード１１、リード１２、リード１３、リード１４およびリード１５を含んでいる。リード１１、リード１２、リード１３、リード１４およびリード１５は、たとえば半導体素子４への導通経路を構成している。
　リード１１は、絶縁基板３０上に配置されており、本変形例においては、主面３ａ上に配置されている。リード１１は、本開示の「第１リード」の一例である。また、リード１１は、接合材１８を介して接合部５１１に接合されている。接合材１８は、リード１１を接合部５１１に接合しうるものであればよい。リード１１からの熱を絶縁基板３０により効率よく伝達する観点から、接合材１８は、熱伝導率がより高いものがこのましく、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。ただし、接合材１８は、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂等の絶縁性材料であってもよい。また、絶縁基板３０に接合部５１１が形成されていない場合、リード１１は、絶縁基板３０に接合されていてもよい。
　リード１１の構成は特に限定されず、本変形例においては、図１２、図１５に示すように、リード１１を、搭載部１１０、突出部１１２および傾斜部１１３に区分けして説明する。
　搭載部１１０は、絶縁基板３０の主面３ａ上において第１方向ｘのｘ２側寄りに配置されている。搭載部１１０の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）には、半導体素子４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃが配置されている。搭載部１１０は、複数の凹部１１０ａを有する。複数の凹部１１０ａは、搭載部１１０の上面から厚さ方向ｚのｚ２側に凹んでいる。凹部１１０ａの平面視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１１０ａは、マトリクス状に配置されている。搭載部１１０の下面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）は、接合材１８によって接合部５１１に接合されている。傾斜部１１３は、搭載部１１０につながっており、搭載部１１０に対して傾斜している。突出部１１２は、傾斜部１１３につながっており、その大部分が封止樹脂８から突出している。図示した例では、２つの突出部１１２が第１方向ｘに間隔を隔てて設けられている。各突出部１１２は、第２方向ｙにおいて搭載部１１０とは反対側に突出している。突出部１１２は、たとえば半導体装置Ａ１２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部１１２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３０の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード１２は、絶縁基板３０上に配置されており、本変形例においては、主面３ａ上に配置されている。リード１２は、本開示の「第１リード」の一例である。また、リード１２は、接合材１８を介して接合部５１２に接合されている。リード１２の構成は特に限定されず、本変形例においては、図１２、図１５に示すように、リード１２を、搭載部１２０、突出部１２２および傾斜部１２３に区分けして説明する。
　搭載部１２０は、搭載部１１０に対して第１方向ｘのｘ１側に配置され、当該搭載部１１０に隣接している。搭載部１２０の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）には、半導体素子４０Ｄが配置されている。搭載部１２０は、複数の凹部１２０ａを有する。複数の凹部１２０ａは、搭載部１２０の上面から厚さ方向ｚのｚ２側に凹んでいる。凹部１２０ａの平面視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１２０ａは、マトリクス状に配置されている。搭載部１２０の下面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）は、接合材１８によって接合部５１２に接合されている。傾斜部１２３は、搭載部１２０につながっており、搭載部１２０に対して傾斜している。突出部１２２は、傾斜部１２３につながっており、その大部分が封止樹脂８から突出している。突出部１２２は、第２方向ｙにおいて搭載部１２０とは反対側に突出している。突出部１２２は、たとえば半導体装置Ａ１２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部１２２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３０の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード１３は、絶縁基板３０上に配置されており、本変形例においては、主面３ａ上に配置されている。リード１３は、本開示の「第１リード」の一例である。また、リード１３は、接合材１８を介して接合部５１３に接合されている。リード１３の構成は特に限定されず、本変形例においては、図１２、図１４、図１５に示すように、リード１３を、搭載部１３０、突出部１３２および傾斜部１３３に区分けして説明する。
　搭載部１３０は、搭載部１２０に対して第１方向ｘのｘ１側に配置され、当該搭載部１２０に隣接している。搭載部１３０の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）には、半導体素子４０Ｅが配置されている。搭載部１３０は、複数の凹部１３０ａを有する。複数の凹部１３０ａは、搭載部１３０の上面から厚さ方向ｚのｚ２側に凹んでいる。凹部１３０ａの平面視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１３０ａは、マトリクス状に配置されている。搭載部１３０の下面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）は、接合材１８によって接合部５１３に接合されている。傾斜部１３３は、搭載部１３０につながっており、搭載部１３０に対して傾斜している。突出部１３２は、傾斜部１３３につながっており、その大部分が封止樹脂８から突出している。突出部１３２は、第２方向ｙにおいて搭載部１３０とは反対側に突出している。突出部１３２は、たとえば半導体装置Ａ１２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部１３２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３０の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード１４は、絶縁基板３０上に配置されており、本変形例においては、主面３ａ上に配置されている。リード１４は、本開示の「第１リード」の一例である。また、リード１４は、接合材１８を介して接合部５１２に接合されている。リード１２の構成は特に限定されず、本変形例においては、図１２、図１３、図１５に示すように、リード１４を、搭載部１４０、突出部１４２および傾斜部１４３に区分けして説明する。
　搭載部１４０は、搭載部１３０に対して第１方向ｘのｘ１側に配置され、当該搭載部１３０に隣接している。搭載部１４０の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）には、半導体素子４０Ｆが配置されている。搭載部１４０は、複数の凹部１４０ａを有する。複数の凹部１４０ａは、搭載部１４０の上面から厚さ方向ｚのｚ２側に凹んでいる。凹部１４０ａの平面視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１４０ａは、マトリクス状に配置されている。搭載部１４０の下面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）は、接合材１８によって接合部５１４に接合されている。傾斜部１４３は、搭載部１４０につながっており、搭載部１４０に対して傾斜している。突出部１４２は、傾斜部１４３につながっており、その大部分が封止樹脂８から突出している。突出部１４２は、第２方向ｙにおいて搭載部１４０とは反対側に突出している。突出部１４２は、たとえば半導体装置Ａ１２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部１４２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３０の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード１５は、絶縁基板３０上に配置されており、本変形例においては、主面３ａ上に配置されている。図１２、図１３に示すように、リード１５は、接合材１８を介して接続部５１５に接合されている。リード１５の構成は特に限定されず、本変形例においては、図１２、図１３に示すように、リード１５を、パッド部１５１、突出部１５２および傾斜部１５３に区分けして説明する。
　パッド部１５１は、封止樹脂８によって覆われている。パッド部１５１は、絶縁基板３０に対して平行（あるいは略平行）である。パッド部１５１の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）には、ワイヤ７１が接合されている。パッド部１５１の下面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）は、接合材１８によって接続部５１５に接合されている。傾斜部１５３は、パッド部１５１につながっており、パッド部１５１に対して傾斜している。突出部１５２は、傾斜部１５３につながっており、その大部分が封止樹脂８から突出している。突出部１５２は、たとえば半導体装置Ａ１２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部１５２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３０の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　複数のリード２は、金属を含んで構成されており、たとえば絶縁基板３１よりも熱伝導率が高い。リード２を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ－Ｓｎ合金、Ｃｕ－Ｚｒ合金、Ｃｕ－Ｆｅ合金等）である。また、複数のリード２には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数のリード２は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されてもよい。なお、複数のリード２の形成方法は限定されない。各リード２の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ～０．８ｍｍ程度である。各リード２は、互いに離隔している。
　複数のリード２は、金属を含んで構成されており、たとえば絶縁基板３０よりも熱伝導率が高い。リード２を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ－Ｓｎ合金、Ｃｕ－Ｚｒ合金、Ｃｕ－Ｆｅ合金等）である。また、複数のリード２には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数のリード２は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されてもよい。なお、複数のリード２の形成方法は限定されない。各リード２の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ～０．８ｍｍ程度である。各リード２は、互いに離隔している。
　本実施形態においては、複数のリード２は、複数のリード２１、複数のリード２２、および２つのリード２３を含んでいる。リード２１およびリード２２は、半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）のソース電極４３およびゲート電極４４への導通経路を構成している。２つのリード２３は、サーミスタ６への導通経路を構成している。
　複数のリード２１は、それぞれ、絶縁基板３０上に配置されており、本変形例においては、主面３ａ上に配置されている。複数のリード２１は、第１方向ｘにおいて間隔を隔てて配置されている。リード２１の構成は特に限定されない。本実施形態においては、図１２、図１４に示すように、リード２１を、突出部２１２、傾斜部２１３および平行部２１４に区分けして説明する。
　平行部２１４は、封止樹脂８によって覆われている。平行部２１４は、絶縁基板３０に対して平行（あるいは略平行）である。平行部２１４の下面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）は、導電性接合材２８によって接続部５２１に接合されている。傾斜部２１３は、平行部２１４の端部につながり、平行部２１４に対して傾斜している。突出部２１２は、傾斜部２１３の端部につながり、リード２１のうち封止樹脂８から突出する部分である。突出部２１２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出している。突出部２１２は、たとえば半導体装置Ａ１２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部２１２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３０の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　複数のリード２２は、それぞれ、絶縁基板３０上に配置されており、本変形例においては、主面３ａ上に配置されている。複数のリード２２は、第１方向ｘにおいて間隔を隔てて配置されている。複数のリード２２の各々は、複数のリード２１のいずれかと対をなすように近接し配置されている。リード２２の構成は特に限定されない。本実施形態においては、図１２に示すように、リード２２を、突出部２２２、傾斜部２２３および平行部２２４に区分けして説明する。
　平行部２２４は、封止樹脂８によって覆われている。平行部２２４は、絶縁基板３０に対して平行（あるいは略平行）である。平行部２２４の下面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）は、導電性接合材２８によって接続部５２１に接合されている。傾斜部２２３は、平行部２２４の端部につながり、平行部２２４に対して傾斜している。突出部２２２は、傾斜部２２３の端部につながり、リード２２のうち封止樹脂８から突出する部分である。突出部２２２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出している。突出部２２２は、たとえば半導体装置Ａ１２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部２２２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３０の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　２つのリード２３は、それぞれ、絶縁基板３０上に配置されており、本変形例においては、主面３ａ上に配置されている。２つのリード２３は、第１方向ｘに並んで配置されている。リード２３の構成は特に限定されない。本実施形態においては、図１２、図１３に示すように、リード２３を、突出部２３２、傾斜部２３３および平行部２３４に区分けして説明する。
　平行部２３４は、封止樹脂８によって覆われている。平行部２３４は、絶縁基板３０に対して平行（あるいは略平行）である。平行部２３４の下面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）は、導電性接合材２８によって配線部５０１に接合されている。傾斜部２３３は、平行部２３４の端部につながり、平行部２３４に対して傾斜している。突出部２３２は、傾斜部２３３の端部につながり、リード２３のうち封止樹脂８から突出する部分である。突出部２３２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出している。突出部２３２は、たとえば半導体装置Ａ１２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、突出部２３２は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板３０の主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　図１２に示すように、本変形例において、各半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）のゲート電極４４は、ワイヤ７２によって複数のリード２１いずれかに導通接続される。リード２１は、各半導体素子４のゲート端子である。各半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）のソース電極４３は、ワイヤ７３に複数のリード２２のいずれかに導通接続される。リード２２は、各半導体素子４のソースセンス端子である。
　複数の半導体素子４（半導体素子４０Ａ～４０Ｆ）は、第１方向ｘにおいて並んで配置されている。半導体素子４０Ｂは、第２方向ｙにおいて、半導体素子４０Ａに対して第２方向ｙのｙ１側に位置する。半導体素子４０Ｃは、第２方向ｙにおいて、半導体素子４０Ｂに対して第２方向ｙのｙ１側に位置する。４つの半導体素子４０Ｃ～４０Ｆは、第１方向ｘに沿って一定間隔で配列されている。
　サーミスタ６は、複数の半導体素子４０Ａ～４０Ｆのいずれかに近接して配置される。図１２に示すように、サーミスタ６は、絶縁基板３０の第１方向ｘのｘ１側、且つ第２方向ｙのｙ１側の角部付近に配置されている。図示した例では、サーミスタ６は、半導体素子４０Ａ～４０Ｆのうち第１方向ｘのｘ１側の端に位置する半導体素子４０Ｆに最も近接する。
　本変形例の半導体装置Ａ１２は、絶縁基板３０、半導体素子４０Ａ～４０Ｆ、導電性材料からなる導電部５、サーミスタ６および封止樹脂８を備える。絶縁基板３０は、主面３ａおよび裏面３ｂを有し、導電部５は主面３ａ上に形成されている。サーミスタ６は、導電性接合材６３を介して導電部５（配線部５０１のパッド部５０２）に接合されている。このような構成によれば、サーミスタ６は、絶縁基板３０の主面３ａ上に導電部５（配線部５０１のパッド部５０２）を介して搭載される。導電部５は、半導体素子４０Ａ～４０Ｆが搭載されるリード１（リード１１～１４）よりも厚さを小さくすることができ、これにより、半導体素子４０Ａ～４０Ｆの発熱時にサーミスタ６に生じる応力を低減することができる。その結果、サーミスタ６の耐久性向上を図るとともに、半導体装置Ａ１２の温度を適切に検出することができる。また、サーミスタ６が導電部５上に搭載された構成では、たとえば厚さが大きいリード１上にサーミスタ６が配置される場合と比べて、絶縁基板３０側の温度検出の感度を向上させることができる。また、絶縁基板３０の裏面３ｂは、封止樹脂８から露出している。このような構成によれば、半導体素子４０Ａ～４０Ｆから絶縁基板３０に伝わった熱を裏面３ｂから効率よく外部に逃がすことができ、半導体装置Ａ１２の放熱性が高められる。
　サーミスタ６は、複数の半導体素子４０Ａ～４０Ｆのいずれかに近接して配置される。このような構成によれば、複数の半導体素子４０Ａ～４０Ｆ全体の発熱の影響による半導体装置Ａ１２（絶縁基板３０側）の温度を、適切に検出することができる。サーミスタ６は、絶縁基板３０の第１方向ｘのｘ１側、且つ第２方向ｙのｙ１側の角部付近に配置されており、半導体素子４０Ａ～４０Ｆのうち第１方向ｘのｘ１側の端に位置する半導体素子４０Ｆに最も近接する。このような構成によれば、絶縁基板３０上にサーミスタ６を効率よく配置することできる。
　本変形例において、リード１１～１４は、接合材１８を介して接合部５１１～５１４に接合されている。接合部５１１～５１４は、導電部５と同じ導電性材料を含む。このような構成によれば、導電部５と接合部５１１～５１４とを絶縁基板３０上に一括して形成することが可能である。このことは、半導体装置Ａ１２の製造効率の向上に好ましい。
　本変形例の半導体装置Ａ１２は、絶縁部材６２を備える。絶縁部材６２は、絶縁基板３０の主面３ａとサーミスタ６との間に充填されている。このような構成によれば、封止樹脂８の形成後において、主面３ａとサーミスタ６との間の比較的狭い隙間に空隙が生じるといった不都合を防止することができる。これにより、サーミスタ６によって半導体装置Ａ１２（絶縁基板３０側）の温度を、安定して精度よく検出することができる。
　なお、本変形例の半導体装置Ａ１２においても、上記の半導体装置Ａ１を備えた半導体装置アッセンブリＢ１と同様に、冷却器９１、取付け部材９２、制御手段９４、冷却手段９５および加熱手段９６等をさらに備えた半導体装置アッセンブリの構成を採用することができる。この場合、半導体装置アッセンブリＢ１に関して上述したのと同様の作用効果を奏する。
　第２実施形態：
　図１６～図２３は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ２は、複数のリード１、複数のリード２、絶縁基板３０、複数の半導体素子４Ａ～４Ｆ、複数の制御素子４Ｇ，４Ｈ、複数の電子部品４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗ、導電部５、複数の接合部５８、サーミスタ６、複数のワイヤ７５Ａ～７５Ｆ、複数のワイヤ７６、および封止樹脂８を備えている。半導体装置Ａ２は、入力された直流電力を、複数の半導体素子４Ａ～４Ｆ（スイッチング素子）により交流電力に変換する。変換された交流電力は、各々の位相が異なる三相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）として出力される。半導体装置Ａ２の用途は、特に限定されないが、たとえばモータの駆動制御などに用いられるＩＰＭとして構成される。
　図１６は、本実施形態の半導体装置Ａ２を示す斜視図である。図１７は、半導体装置Ａ２を示す平面図である。図１８は、半導体装置Ａ２を示す底面図である。図１９は、半導体装置Ａ２を示す平面図であり、封止樹脂８を透過した図である。図２０は、半導体装置Ａ２の絶縁基板を示す平面図である。図２１は、図１９のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。図２２は、図１９のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う要部断面図である。図２３は、図１９のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。なお、図１９においては、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。
　絶縁基板３０は、複数の半導体素子４Ａ～４Ｆを支持する。絶縁基板３０の材質は特に限定されない。絶縁基板３０の材質としては、たとえば、封止樹脂８の材質よりも熱伝導率が高い材質が好ましい。絶縁基板３０の材質としては、たとえばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、ジルコニア入りアルミナ等のセラミックスが例示される。絶縁基板３０の厚さは特に限定されず、たとえば０．１ｍｍ～１．０ｍｍ程度である。
　絶縁基板３０の形状は特に限定されない。図１９～図２３に示すように、本実施形態においては、絶縁基板３０は、主面３ａおよび裏面３ｂを有する。主面３ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。裏面３ｂは、主面３ａとは反対側（厚さ方向ｚのｚ２側）を向く。本実施形態において、裏面３ｂは、封止樹脂８から露出する。裏面３ｂには、図示しない放熱部材（たとえばヒートシンク）などが取り付け可能である。図示された例においては、絶縁基板３０は、平面視矩形状である。また、絶縁基板３０は、厚さ方向ｚに見て第１方向ｘを長手方向とする長矩形状である。絶縁基板３０は、本開示の「支持体」の一例であり、当該支持体は、絶縁基板３０からなる。
　導電部５は、絶縁基板３０上に形成されている。本実施形態においては、導電部５は、絶縁基板３０の主面３ａ上に形成されている。導電部５は、導電性材料からなる。導電部５を構成する導電性材料は特に限定されない。導電部５の導電性材料としては、たとえば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を含むものが挙げられる。以降の説明においては、導電部５が銀を含む場合を例に説明する。なお、導電部５は、銀に代えて銅を含んでいてもよいし、銀または銅に代えて金を含んでいてもよい。あるいは、導電部５は、Ａｇ－ＰｔやＡｇ－Ｐｄを含んでいてもよい。また、導電部５の形成手法は限定されず、たとえばこれらの金属を含むペーストを焼成することによって形成される。導電部５の厚さは特に限定されず、たとえば５μｍ～３０μｍ程度である。
　導電部５の形状等は特に限定されず、たとえば図２０に示すように、本実施形態においては、導電部５は、配線部５０Ａ～５０Ｐ、配線部５０Ｕ～５０Ｗ、第１基部５５、第２基部５６および接続部５７に区分けして説明する。
　第１基部５５の形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、第１基部５５は、矩形状である。また、図示された例においては、第１基部５５は、第１方向ｘを長手方向とする長矩形状である。
　第２基部５６の形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、第２基部５６は、矩形状である。また、図示された例においては、第２基部５６は、第１方向ｘを長手方向とする長矩形状である。
　接続部５７は、第１基部５５と第２基部５６との間に介在しており、図示された例においては、第１基部５５と第２基部５６とを繋いでいる。図示された例においては、接続部５７は、第２方向ｙに見て第１基部５５と第２基部５６との間に位置している。接続部５７の形状は特に限定されない。
　図示された例においては、第１基部５５、第２基部５６および接続部５７の第２方向ｙのｙ２側の辺は、第２方向ｙにおいて同じ（あるいは略同じ）位置にある。
　配線部５０Ａは、第１部５１Ａ、第２部５２Ａおよび第３部５３Ａに区分けして説明する。
　第１部５１Ａの形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、第１部５１Ａは、第１方向ｘに長く延びる矩形状である。本実施形態においては、第１部５１Ａは、第１基部５５よりも第１方向ｘのｘ２側に離隔して配置されている。また、図示された例においては、第１部５１Ａは、第１方向ｘに見て第１基部５５と一部が重なっている。
　第２部５２Ａは、第１部５１Ａよりも第２方向ｙのｙ１側に配置されている。第２部５２Ａの形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、第２部５２Ａは、矩形状である。
　第３部５３Ａは、第１部５１Ａと第２部５２Ａとの間に介在しており、図示された例においては、第１部５１Ａと第２部５２Ａとにつながっている。第３部５３Ａの形状は特に限定されず、図示された例においては、第２方向ｙに長く延びる矩形状である。
　配線部５０Ｂは、第１部５１Ｂおよび第２部５２Ｂに区分けして説明する。
　第１部５１Ｂの形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、第１部５１Ｂは、第２方向ｙに長く延びる矩形状である。本実施形態においては、第１部５１Ｂは、第２方向ｙにおいて第１基部５５よりも第２方向ｙのｙ１側に離隔して配置されている。また、第１部５１Ｂは、第１方向ｘにおいて第１部５１Ａよりも第１方向ｘのｘ１側に離隔して配置されている。
　第２部５２Ｂは、第２方向ｙにおいて第１部５１Ｂよりも第２方向ｙのｙ１側に配置されている。また、第２部５２Ｂは第１方向ｘにおいて第２部５２Ａよりも第１方向ｘのｘ１側に離隔して配置されている。第２部５２Ｂの形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、第２部５２Ｂは、矩形状である。図示された例においては、第１部５１Ｂと第２部５２Ｂとは、互いにつながっている。
　配線部５０Ｃは、第１部５１Ｃおよび第２部５２Ｃに区分けして説明する。
　第１部５１Ｃの形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、第１部５１Ｃは、第２方向ｙに長く延びる矩形状である。本実施形態においては、第１部５１Ｃは、第２方向ｙにおいて第１基部５５よりも第２方向ｙのｙ１側に離隔して配置されている。また、第１部５１Ｃは、第１方向ｘにおいて第１部５１Ｂよりも第１方向ｘのｘ１側に離隔して配置されている。図示された例においては、第１部５１Ｃは、第１方向ｘに見て第１部５１Ｂと一致している。
　第２部５２Ｃは、第２方向ｙにおいて第１部５１Ｃよりも第２方向ｙのｙ１側に配置されている。また、第２部５２Ｃは、第１方向ｘにおいて第２部５２Ｂよりも第１方向ｘのｘ１側に離隔して配置されている。第２部５２Ｃの形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、第１部５１Ｃと第２部５２Ｃとは、互いにつながっている。
　配線部５０Ｕは、配線部５０Ａと離隔しており、かつ配線部５０Ａに隣り合って配置されている。配線部５０Ｕの形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、配線部５０Ｕは、矩形状である。また、配線部５０Ｕは、配線部５０Ａの第１部５１Ａに対して第２方向ｙのｙ１側に配置されている。
　配線部５０Ｖは、配線部５０Ｂと離隔しており、かつ配線部５０Ｂに隣り合って配置されている。配線部５０Ｖの形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、配線部５０Ｖは、矩形状である。また、配線部５０Ｖは、配線部５０Ｂの第１部５１Ｂに対して第１方向ｘのｘ２側に配置されている。また、配線部５０Ｖは、配線部５０Ｕに対して第１方向ｘのｘ１側に離隔して配置されている。
　配線部５０Ｗは、配線部５０Ｃと離隔しており、かつ配線部５０Ｃに隣り合って配置されている。配線部５０Ｗの形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、配線部５０Ｗは、矩形状である。また、配線部５０Ｗは、配線部５０Ｃの第１部５１Ｃに対して第１方向ｘのｘ１側に配置されている。また、配線部５０Ｗは、配線部５０Ｖに対して第１方向ｘにおいて第１部５１Ｂおよび第１部５１Ｃを挟んで第１方向ｘのｘ１側に離隔して配置されている。
　配線部５０Ｄ～５０Ｇは、配線部５０Ｗに対して第１方向ｘのｘ１側に配置されている。配線部５０Ｄ～５０Ｇは、この順に並んで配置されている。配線部５０Ｄ～５０Ｇは、両端に位置する２つの矩形状のパッド状部分と、これらのパッド状部分をつなぐ屈曲形状の帯状部分とを有する。
　配線部５０Ｈは、第２基部５６につながっており、第２基部５６から第２方向ｙのｙ１側に向かって延びている。配線部５０Ｈは、パッド状部分を有する。
　配線部５０Ｉ～配線部５０Ｍは、第１方向ｘにおいて配線部５０Ｈに対して第１方向ｘのｘ１側にこの順で並んで配置されている。配線部５０Ｉ～配線部５０Ｍは、第２基部５６側に位置するパッド状部分と、第２方向ｙのｙ１側に位置するパッド状部分と、これらのパッド状部分をつなぐ帯状部分と、をそれぞれが有する。
　配線部５０Ｎは、第２基部５６につながっており、第２基部５６から第１方向ｘに対して傾斜した方向に延びている。配線部５０Ｎは、第１方向ｘのｘ１側に位置するパッド状部分と、このパッド状部分と第２基部５６とをつなぐ帯状部分とを有する。
　配線部５０Ｏは、第２基部５６に対して第１方向ｘのｘ１側に位置している。配線部５０Ｏは、第１方向ｘのｘ１側に位置するパッド状部分と、第２基部５６側に位置するパッド状部分５０２Ｏと、これらのパッド状部分をつなぐ帯状部分と、を有する。
　配線部５０Ｐは、配線部５０Ｏに対して第２方向ｙのｙ２側に位置しており、第２基部５６に対して第１方向ｘのｘ１側に位置している。配線部５０Ｐは、第１方向ｘのｘ１側に位置するパッド状部分と、第２基部５６側に位置するパッド状部分５０２Ｐと、これらのパッド状部分をつなぐ帯状部分と、を有する。
　配線部５０Ａ～５０Ｐ，５０Ｕ～５０Ｗは、絶縁基板３０の第２方向ｙのｙ１側の領域３０Ｂに形成されている。
　図２０～図２３に示すように、複数の接合部５８は、絶縁基板３０上に形成されている。本実施形態においては、複数の接合部５８は、絶縁基板３０の主面３ａ上に形成されている。接合部５８の材質は特に限定されず、たとえば、絶縁基板３０とリード１とを接合可能な材料で構成されている。接合部５８は、たとえば導電性材料からなる。接合部５８を構成する導電性材料は特に限定されない。接合部５８の導電性材料としては、たとえば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を含むものが挙げられる。以降の説明においては、接合部５８が銀を含む場合を例に説明する。この例における接合部５８は、導電部５を構成する導電性材料と同じものを含む。なお、接合部５８は、銀に代えて銅を含んでいてもよいし、銀または銅に代えて金を含んでいてもよい。あるいは、接合部５８は、Ａｇ－ＰｔやＡｇ－Ｐｄを含んでいてもよい。また接合部５８の形成手法は限定されず、たとえば導電部５と同様に、これらの金属を含むペーストを焼成することによって形成される。接合部５８の厚さは特に限定されず、たとえば５μｍ～３０μｍ程度である。
　本実施形態においては、複数の接合部５８は、接合部５８Ａ～５８Ｄを含む。
　接合部５８Ａは、第２方向ｙにおいて導電部５よりも第２方向ｙのｙ２側に配置されている。接合部５８Ａは、第２方向ｙに見て第１基部５５のすべてと重なる。接合部５８Ａの形状は特に限定されない。
　接合部５８Ｂは、第２方向ｙにおいて導電部５よりも第２方向ｙのｙ２側に配置されている。接合部５８Ｂは、接合部５８Ａよりも第１方向ｘのｘ１側に配置されている。図示された例においては、接合部５８Ｂは、第２方向ｙに見て接続部５７および第２基部５６と重なる。接合部５８Ｂの形状は特に限定されない。
　接合部５８Ｃは、第２方向ｙにおいて導電部５よりも第２方向ｙのｙ２側に配置されている。接合部５８Ｃは、接合部５８Ｂよりも第１方向ｘのｘ１側に配置されている。図示された例においては、接合部５８Ｃは、そのすべてが第２方向ｙに見て第２基部５６と重なる。接合部５８Ｃの形状は特に限定されない。
　接合部５８Ｄは、第２方向ｙにおいて導電部５よりも第２方向ｙのｙ２側に配置されている。接合部５８Ｄは、接合部５８Ｃよりも第１方向ｘのｘ１側に配置されている。図示された例においては、接合部５８Ｄは、第２方向ｙに見て第２基部５６、配線部５０Ｏおよび配線部５０Ｐと重なる。接合部５８Ｄの形状は特に限定されない。
　接合部５８Ａ～５８Ｄは、絶縁基板３０のうち第２方向ｙにおいて導電部５よりも第２方向ｙのｙ２側の領域３０Ａに形成されている。
　複数のリード１は、金属を含んで構成されており、たとえば絶縁基板３０よりも放熱特性に優れている。リード１を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ－Ｓｎ合金、Ｃｕ－Ｚｒ合金、Ｃｕ－Ｆｅ合金等）である。また、複数のリード１には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数のリード１は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されていてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されていても良いし、これに限られない。リード１の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ～０．８ｍｍ程度である。各リード１は、互いに離隔している。
　本実施形態においては、複数のリード１は、図１６～図１９に示すように、複数のリード１Ａ～１Ｇ，１Ｚを含む。複数のリード１Ａ～１Ｇは、たとえば半導体素子４Ａ～４Ｆへの導通経路を構成している。
　リード１Ａは、絶縁基板３０上に配置されており、本実施形態においては、主面３ａ上に配置されている。リード１Ａは、本開示の「第１リード」の一例である。また、リード１Ａは、接合材１７を介して接合部５８Ａに接合されている。接合材１７は、リード１Ａを接合部５８Ａに接合しうるものであればよい。リード１Ａからの熱を絶縁基板３０により効率よく伝達する観点から、接合材１７は、熱伝導率がより高いものがこのましく、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。ただし、接合材１７は、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂等の絶縁性材料であってもよい。また、絶縁基板３０に接合部５８Ａが形成されていない場合、リード１Ａは、絶縁基板３０に接合されていてもよい。
　リード１Ａの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図１９に示すように、リード１Ａは、第１部１１Ａ、第２部１２Ａ、第３部１３Ａおよび第４部１４Ａに区分けして説明する。
　図２１および図２３に示すように、第１部１１Ａは、第１面１１１Ａおよび第２面１１２Ａと、複数の凹部１１１１Ａとを有する。
　第１面１１１Ａは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａと同じ側を向く面である。
　第２面１１２Ａは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａとは反対側を向く面であり、図示された例においては、平坦な面である。第２面１１２Ａは、図２１および図２３に示すように、接合材１７によって接合部５８Ａに接合されている。
　複数の凹部１１１１Ａは、第１面１１１Ａから厚さ方向ｚに凹んでいる。凹部１１１１Ａの平面視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１１１１Ａは、マトリクス状に配置されている。
　第３部１３Ａおよび第４部１４Ａは、封止樹脂８によって覆われている。第３部１３Ａは、第１部１１Ａと第４部１４Ａとにつながっている。図２１に示すように、第４部１４Ａは、厚さ方向ｚにおいて第１部１１Ａよりも第１面１１１Ａが向く側にずれて位置している。
　第２部１２Ａは、第４部１４Ａの端部につながり、リード１Ａのうち封止樹脂８から突出する部分である。第２部１２Ａは、第２方向ｙにおいて第１部１１Ａとは反対側に突出している。第２部１２Ａは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ａは、厚さ方向ｚにおいて第１面１１１Ａが向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｂは、絶縁基板３０上に配置されており、本実施形態においては、主面３ａ上に配置されている。リード１Ｂは、本開示の「第１リード」の一例である。また、リード１Ｂは、上述の接合材１７を介して接合部５８Ｂに接合されている。また、絶縁基板３０に接合部５８Ｂが形成されていない場合、リード１Ｂは、絶縁基板３０に接合されていてもよい。
　リード１Ｂの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図１９に示すように、リード１Ｂは、第１部１１Ｂ、第２部１２Ｂ、第３部１３Ｂおよび第４部１４Ｂに区分けして説明する。
　図２３に示すように、第１部１１Ｂは、第１面１１１Ｂおよび第２面１１２Ｂと、複数の凹部１１１１Ｂとを有する。
　第１面１１１Ｂは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａと同じ側を向く面である。
　第２面１１２Ｂは、厚さ方向ｚにおいて第１面１１１Ｂとは反対側を向く面であり、図示された例においては、平坦な面である。第２面１１２Ｂは、図２３に示すように、接合材１７によって接合部５８Ｂに接合されている。
　複数の凹部１１１１Ｂは、第１面１１１Ｂから厚さ方向ｚに凹んでいる。凹部１１１１Ｂの平面視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１１１１Ｂは、マトリクス状に配置されている。
　第３部１３Ｂおよび第４部１４Ｂは、封止樹脂８によって覆われている。第３部１３Ｂは、第１部１１Ｂと第４部１４Ｂとにつながっている。リード１Ａにおける第４部１４Ａと同様に、第４部１４Ｂは、厚さ方向ｚにおいて第１部１１Ｂよりも第１面１１１Ｂが向く側にずれて位置している。
　第２部１２Ｂは、第４部１４Ｂの端部につながり、リード１Ｂのうち封止樹脂８から突出する部分である。第２部１２Ｂは、第２方向ｙにおいて第１部１１Ｂとは反対側に突出している。第２部１２Ｂは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｂは、厚さ方向ｚにおいて第１面１１１Ｂが向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｃは、絶縁基板３０上に配置されており、本実施形態においては、主面３ａ上に配置されている。リード１Ｃは、本開示の「第１リード」の一例である。また、リード１Ｃは、上述の接合材１７を介して接合部５８Ｃに接合されている。また、絶縁基板３０に接合部５８Ｃが形成されていない場合、リード１Ｃは、絶縁基板３０に接合されていてもよい。
　リード１Ｃの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図１９に示すように、リード１Ｃは、第１部１１Ｃ、第２部１２Ｃ、第３部１３Ｃおよび第４部１４Ｃに区分けして説明する。
　図２３に示すように、第１部１１Ｃは、第１面１１１Ｃおよび第２面１１２Ｃと、複数の凹部１１１１Ｃとを有する。
　第１面１１１Ｃは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａと同じ側を向く面である。
　第２面１１２Ｃは、厚さ方向ｚにおいて第１面１１１Ｃとは反対側を向く面であり、図示された例においては、平坦な面である。第２面１１２Ｃは、図２３に示すように、接合材１７によって接合部５８Ｃに接合されている。
　複数の凹部１１１１Ｃは、第１面１１１Ｃからｚ方向に凹んでいる。凹部１１１１Ｃのｚ方向視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１１１１Ｃは、マトリクス状に配置されている。
　第３部１３Ｃおよび第４部１４Ｃは、封止樹脂８によって覆われている。第３部１３Ｃは、第１部１１Ｃと第４部１４Ｃとにつながっている。リード１Ａにおける第４部１４Ａと同様に、第４部１４Ｃは、厚さ方向ｚにおいて第１部１１Ｃよりも第１面１１１Ｃが向く側にずれて位置している。
　第２部１２Ｃは、第４部１４Ｃの端部のつながり、リード１Ｃのうち封止樹脂８から突出する部分である。第２部１２Ｃは、第２方向ｙにおいて第１部１１Ｃとは反対側に突出している。第２部１２Ｃは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｃは、厚さ方向ｚにおいて第１面１１１Ｃが向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｄは、絶縁基板３０上に配置されており、本実施形態においては、主面３ａ上に配置されている。リード１Ｄは、本開示の「第１リード」の一例である。また、リード１Ｄは、上述の接合材１７を介して接合部５８Ｄに接合されている。また、絶縁基板３０に接合部５８Ｄが形成されていない場合、リード１Ｄは、絶縁基板３０に接合されていてもよい。
　リード１Ｄの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図１９に示すように、リード１Ｄは、第１部１１Ｄ、第２部１２Ｄ、第３部１３Ｄおよび第４部１４Ｄに区分けして説明する。
　図２３に示すように、第１部１１Ｄは、第１面１１１Ｄおよび第２面１１２Ｄと、複数の凹部１１１１Ｄとを有する。
　第１面１１１Ｄは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａと同じ側を向く面である。
　第２面１１２Ｄは、厚さ方向ｚにおいて第１面１１１Ｄとは反対側を向く面であり、図示された例においては、平坦な面である。第２面１１２Ｄは、図２３に示すように、接合材１７によって接合部５８Ｄに接合されている。
　複数の凹部１１１１Ｄは、第１面１１１Ｄから厚さ方向ｚに凹んでいる。凹部１１１１Ｄの平面視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１１１１Ｄは、マトリクス状に配置されている。
　第３部１３Ｄおよび第４部１４Ｄは、封止樹脂８によって覆われている。第３部１３Ｄは、第１部１１Ｄと第４部１４Ｄとにつながっている。リード１Ａにおける第４部１４Ａと同様に、第４部１４Ｄは、厚さ方向ｚにおいて第１部１１Ｄよりも第１面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。
　第２部１２Ｄは、第４部１４Ｄの端部につながり、リード１Ｄのうち封止樹脂８から突出する部分である。第２部１２Ｄは、第２方向ｙにおいて第１部１１Ｄとは反対側に突出している。第２部１２Ｄは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｄは、厚さ方向ｚにおいて第１面１１１Ｄが向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｅは、平面視において絶縁基板３０から離間している。本実施形態においては、リード１Ｅは、第２方向ｙにおいて絶縁基板３０よりも第２方向ｙのｙ２側に配置されている。
　リード１Ｅの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図１９に示すように、リード１Ｅは、第２部１２Ｅおよび第４部１４Ｅに区分けして説明する。
　第４部１４Ｅは、封止樹脂８によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｅは、厚さ方向ｚにおいて第１部１１Ｄよりも第１面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｅは、第２方向ｙに見て第１部１１Ｄと重なっている。
　第２部１２Ｅは、第４部１４Ｅの端部につながり、リード１Ｅのうち封止樹脂８から突出する部分である。第２部１２Ｅは、第２方向ｙにおいて第４部１４Ｅとは反対側に突出している。第２部１２Ｅは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｅは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｆは、平面視において絶縁基板３０から離間している。本実施形態においては、リード１Ｆは、第２方向ｙにおいて絶縁基板３０よりも第２方向ｙのｙ２側に配置されている。また、リード１Ｆは、第１方向ｘにおいてリード１Ｅよりも第４部１４Ｄとは反対側に配置されている。
　リード１Ｆの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図１９に示すように、リード１Ｆは、第２部１２Ｆおよび第４部１４Ｆに区分けして説明する。
　第４部１４Ｆは、封止樹脂８によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｆは、厚さ方向ｚにおいて第１部１１Ｄよりも第１面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｆは、第２方向ｙに見て第１部１１Ｄと重なっている。
　第２部１２Ｆは、第４部１４Ｆの端部につながり、リード１Ｆのうち封止樹脂８から突出する部分である。第２部１２Ｆは、第２方向ｙにおいて第４部１４Ｆとは反対側に突出している。第２部１２Ｆは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｆは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｇは、平面視において絶縁基板３０から離間している。本実施形態においては、リード１Ｇは、第１方向ｘにおいて絶縁基板３０よりも第１方向ｘのｘ１側に配置されている。また、リード１Ｇは、第１方向ｘにおいてリード１Ｅよりも第４部１４Ｄとは反対側に配置されている。
　リード１Ｇの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図１９に示すように、リード１Ｇは、第２部１２Ｇおよび第４部１４Ｇに区分けして説明する。
　第４部１４Ｇは、封止樹脂８によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｇは、厚さ方向ｚにおいて第１部１１Ｄよりも第１面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｇは、第２方向ｙに見て第４部１４Ｆと重なっている。
　第２部１２Ｇは、第４部１４Ｇの端部につながり、リード１Ｇのうち封止樹脂８から突出する部分である。第２部１２Ｇは、第２方向ｙにおいて第４部１４Ｇとは反対側に突出している。第２部１２Ｇは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｇは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｚは、平面視において絶縁基板３０から離間している。本実施形態においては、リード１Ｚは、第１方向ｘにおいて絶縁基板３０よりも第１方向ｘのｘ２側に配置されている。また、リード１Ｚは、第１方向ｘにおいてリード１Ａよりもリード１Ｂとは反対側に配置されている。
　リード１Ｚの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図１９に示すように、リード１Ｚは、第２部１２Ｚおよび第４部１４Ｚに区分けして説明する。なお、本実施形態においては、リード１Ｚは、半導体装置Ａ２の回路から絶縁されている。
　第４部１４Ｚは、封止樹脂８によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｚは、厚さ方向ｚにおいて第１部１１Ｄよりも第１面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｚの形状は特に限定されず、図示された例においては、第２方向ｙに延びる帯状である。
　第２部１２Ｚは、第４部１４Ｚの端部につながり、リード１Ｚのうち封止樹脂８から突出する部分である。第２部１２Ｚは、第２方向ｙにおいて第４部１４Ｚとは反対側に突出している。第２部１２Ｚは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路基板に実装する際に用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｚは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　複数のリード２は、金属を含んで構成されており、たとえば絶縁基板３０よりも放熱特性に優れている。リード２を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ－Ｓｎ合金、Ｃｕ－Ｚｒ合金、Ｃｕ－Ｆｅ合金等）である。また、複数のリード２には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数のリード２は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されていてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されていても良いし、これに限られない。リード２の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ～０．８ｍｍ程度である。複数のリード２は、平面視において絶縁基板３０の領域３０Ｂと重なるように配置されている。
　本実施形態においては、複数のリード２は、図１６～図１９に示すように、複数のリード２Ａ～２Ｐ，２Ｚを含む。複数のリード２Ａ～２Ｎは、たとえば制御素子４Ｇ，４Ｈへの導通経路を構成している。２つのリード２Ｏおよびリード２Ｐは、サーミスタ６への導通経路を構成している。
　リード２Ａ～２Ｐ，２Ｚの具体的構成は特に限定されない。リード２Ｃについて、図１９を参照して後述する構成は、適宜リード２Ａ～２Ｐに採用可能である。
　リード２Ｃは、複数のリード１と離隔している。リード２Ｃは、導電部５上に配置されている。リード２Ｃは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｃは、導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｃの第２部５２Ｃに接合されている。
　リード２Ｃの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図１９および図２１に示すように、リード２Ｃは、第１部２１Ｃ、第２部２２Ｃ、第３部２３Ｃおよび第４部２４Ｃに区分けして説明する。この具体的構成は、リード２Ａ，２Ｂ，２Ｄ～２Ｐに適宜採用可能である。
　第１部２１Ｃは、配線部５０Ｃに接合された部位である。第１部２１Ｃの形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、第１部２１Ｃは、矩形状であり、ｙ方向を長手方向とする長矩形状である。図示された例においては、第１部２１Ｃは、配線部５０Ｃと厚さ方向ｚに見て重なっている。また、第１部２１Ｃは、貫通孔２１１Ｃを有する。貫通孔２１１Ｃは、第１部２１Ｃを厚さ方向ｚに貫通している。図２１に示すように、貫通孔２１１Ｃ内は、導電性接合材２９によって充填されている。また、導電性接合材２９は、リード２Ｃの表面に亘って形成されている。ただし、導電性接合材２９は、貫通孔２１１Ｃ内に留まり、リード２Ｃの表面に至らない構成であってもよい。
　第３部２３Ｃおよび第４部２４Ｃは、封止樹脂８によって覆われている。第３部２３Ｃは、第１部２１Ｃと第４部２４Ｃとにつながっている。図２１に示すように、第４部２４Ｃは、厚さ方向ｚにおいて第１部２１Ｃよりも主面３ａが向く側にずれて位置している。図示された例においては、第１部２１Ｃ、第３部２３Ｃおよび第４部２４Ｃは、第２方向ｙに見て略一致している。
　第２部２２Ｃは、第４部２４Ｃの端部につながり、リード２Ｃのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｃは、第２方向ｙにおいて第１部２１Ｃとは反対側に突出している。第２部２２Ｃは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｃは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ａは、複数のリード１と離隔している。リード２Ａは、導電部５上に配置されている。リード２Ａは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ａは、導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ａに接合されている。導電性接合材２９は、リード２Ａを配線部５０Ａに接合し且つ電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材２９は、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。
　リード２Ａの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ａを有する。
　第２部２２Ａは、リード２Ａのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ａは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ａは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｂは、複数のリード１と離隔している。リード２Ｂは、導電部５上に配置されている。リード２Ｂは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｂは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｂに接合されている。
　リード２Ｂの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｂを有する。
　第２部２２Ｂは、リード２Ｂのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｂは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｂは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｄは、複数のリード１と離隔している。リード２Ｄは、導電部５上に配置されている。リード２Ｄは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｄは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｄに接合されている。
　リード２Ｄの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｄを有する。
　第２部２２Ｄは、リード２Ｄのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｄは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｄは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｅは、複数のリード１と離隔している。リード２Ｅは、導電部５上に配置されている。リード２Ｅは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｅは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｅに接合されている。
　リード２Ｅの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｅを有する。
　第２部２２Ｅは、リード２Ｅのうち封止樹脂８からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｅは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｅは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｆは、複数のリード１と離隔している。リード２Ｆは、導電部５上に配置されている。リード２Ｆは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｆは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｆに接合されている。
　リード２Ｆの構成は特に限定されず、本実施形態においてはリード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｆを有する。
　第２部２２Ｆは、リード２Ｆのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｆは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｆは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｇは、複数のリード１と離隔している。リード２Ｇは、導電部５上に配置されている。リード２Ｇは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｇは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｇに接合されている。
　リード２Ｇの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｇを有する。
　第２部２２Ｇは、リード２Ｇのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｇは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｇは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｈは、複数のリード１と離隔している。リード２Ｈは、導電部５上に配置されている。リード２Ｈは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｈは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｈに接合されている。
　リード２Ｈの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｈを有する。
　第２部２２Ｈは、リード２Ｈのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｈは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｈは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｉは、複数のリード１と離隔している。リード２Ｉは、導電部５上に配置されている。リード２Ｉは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｉは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｉに接合されている。
　リード２Ｉの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｉを有する。
　第２部２２Ｉは、リード２Ｉのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｉは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｉは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｊは、複数のリード１と離隔している。リード２Ｊは、導電部５上に配置されている。リード２Ｊは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｊは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｊに接合されている。
　リード２Ｊの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｊを有する。
　第２部２２Ｊは、リード２Ｊのうち封止樹脂８からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｊは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｊは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｋは、複数のリード１と離隔している。リード２Ｋは、導電部５上に配置されている。リード２Ｋは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｋは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｋに接合されている。
　リード２Ｋの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｋを有する。
　第２部２２Ｋは、リード２Ｋのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｋは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｋは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｌは、複数のリード１と離隔している。リード２Ｌは、導電部５上に配置されている。リード２Ｌは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｌは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｌに接合されている。
　リード２Ｌの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｌを有する。
　第２部２２Ｌは、リード２Ｌのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｌは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｌは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｍは、複数のリード１と離隔している。リード２Ｍは、導電部５上に配置されている。リード２Ｍは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｍは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｍに接合されている。
　リード２Ｍの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｍを有する。
　第２部２２Ｍは、リード２Ｍのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｍは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｍは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｎは、複数のリード１と離隔している。リード２Ｎは、導電部５上に配置されている。リード２Ｎは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｎは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｎに接合されている。
　リード２Ｎの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｎを有する。
　第２部２２Ｎは、リード２Ｎのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｎは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｎは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｏは、複数のリード１と離隔している。図１９に示すように、リード２Ｏは、導電部５上に配置されている。リード２Ｏは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｏは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｏに接合されている。
　リード２Ｏの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｏを有する。
　第２部２２Ｏは、リード２Ｏのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｏは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｏは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｐは、複数のリード１と離隔している。図１９に示すように、リード２Ｐは、導電部５上に配置されている。リード２Ｐは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｐは、上述の導電性接合材２９を介して導電部５の配線部５０Ｐに接合されている。
　リード２Ｐの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｐを有する。
　第２部２２Ｐは、リード２Ｐのうち封止樹脂８から第２方向ｙにおいて複数のリード１とは反対側に突出する部分である。図示された例においては、第２部２２Ｐは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｚは、平面視において絶縁基板３０から離間している。本実施形態においては、リード２Ｚは、第１方向ｘにおいて絶縁基板３０よりも第１方向ｘのｘ２側に配置されている。また、リード２Ｚは、第１方向ｘにおいてリード２Ａよりもリード２Ｂとは反対側に配置されている。
　リード２Ｚの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図１９に示すように、リード２Ｚは、第２部２２Ｚおよび第４部２４Ｚに区分けして説明する。なお、本実施形態においては、リード２Ｚは、半導体装置Ａ２の回路から絶縁されている。
　第４部２４Ｚは、第２部２２Ｚにつながっており、封止樹脂８によって覆われている。リード２Ｃにおける第４部２４Ｃと同様に、第４部２４Ｚは、厚さ方向ｚにおいて第１部２１Ａよりも主面３ａが向く側にずれて位置している。第４部２４Ｚの形状は特に限定されず、図示された例においては、第２方向ｙに延びる帯状である。
　第２部２２Ｚは、第４部２４Ｚの端部につながり、リード２Ｚのうち封止樹脂８から突出する部分である。第２部２２Ｚは、ｙ方向において第４部２４Ｚとは反対側に突出している。第２部２２Ｚは、たとえば半導体装置Ａ２を外部の回路基板に実装する際に用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｚは、厚さ方向ｚにおいて主面３ａが向く側に折り曲げられている。
　複数の半導体素子４Ａ～４Ｆは、複数のリード１上に配置されており、スイッチング素子である。複数の半導体素子４Ａ～４Ｆは、それぞれ、複数のリード１の第１部１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄのいずれかに支持されている。図示された例においては、６つの半導体素子４Ａ～４Ｆを備えているがこれは一例であり、半導体素子の個数は、何ら限定されない。
　半導体素子４Ａ～４Ｆは、図示された例においては、たとえばＳｉＣ（炭化シリコン）基板からなるＭＯＳＦＥＴ（ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor））である。なお、半導体素子４Ａ～４Ｆは、ＳｉＣ基板に変えてＳｉ（シリコン）基板によるＭＯＳＦＥＴであってもよく、たとえばＩＧＢＴ素子を含んでいてもよい。また、ＧａＮを含むＭＯＳＦＥＴであってもよい。本実施形態では、半導体素子４Ａ～４Ｆはそれぞれ、Ｎ型のＭＯＳＦＥＴが用いられている。本実施形態の半導体素子４Ａ～４Ｆはそれぞれ、同じＭＯＳＦＥＴが用いられている。ここでは、一例として半導体素子４Ａについて説明し、他の半導体素子４Ｂ～４Ｆの説明を省略する。
　図１９、図２１および図２３に示すように、半導体素子４Ａは、リード１Ａの第１部１１Ａ上に配置されている。半導体素子４Ａは、ゲート電極ＧＰ、ソース電極ＳＰおよびドレイン電極ＤＰを有する。図示された例においては、ソース電極ＳＰおよびゲート電極ＧＰは、半導体素子４Ａのうち第１面１１１Ａと同じ側を向く面（素子主面）に配置されている。ドレイン電極ＤＰは、半導体素子４Ａのうち第１面１１１Ａと対向する面（素子裏面）に形成されている。ゲート電極ＧＰおよびソース電極ＳＰは、たとえばＡｌやＡｌ合金（Ａｌ－Ｓｉ、Ａｌ－Ｃｕ、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ等）からなる。ドレイン電極ＤＰは、たとえばＡｌやＡｌ合金（Ａｌ－Ｓｉ、Ａｌ－Ｃｕ、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ等）からなる。ゲート電極ＧＰ、ソース電極ＳＰおよびドレイン電極ＤＰの形状や大きさは特に限定されない。図示された例においては、平面視において、ゲート電極ＧＰよりもソース電極ＳＰが大きい。ゲート電極ＧＰは、平面視において半導体素子４Ａの第２方向ｙ中心よりも第２方向ｙのｙ１側に配置されている。ソース電極ＳＰは、ゲート電極ＧＰの第２方向ｙの片側および第１方向ｘ両側に位置する部分を有する。なお、ゲート電極ＧＰのソース電極ＳＰに対する位置は、特に限定されない。またゲート電極ＧＰは、正方形に形成されてもよい。ソース電極ＳＰは、平面視において第２方向ｙのｙ１側の辺に凹部を有し、当該凹部内にゲート電極ＧＰが配置されている。
　本実施形態においては、図１９、図２１および図２３に示すように、３つの半導体素子４Ａ，４Ｂ，４Ｃが、リード１Ａの第１部１１Ａの第１面１１１Ａ上に配置されている。３つの半導体素子４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、第１方向ｘにおいて互いに離隔し、且つ第１方向ｘに見て互いに重なっている。図示された例においては、半導体素子４Ａ，４Ｂ，４Ｃのドレイン電極ＤＰが、導電性接合材４８１によって第１面１１１Ａに接合されている。
　導電性接合材４８１は、半導体素子４Ａ，４Ｂ，４Ｃのドレイン電極ＤＰを第１面１１１Ａに接合し且つ電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材４８１は、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。
　本実施形態においては、図１９、図２１および図２３に示すように、半導体素子４Ｄが、リード１Ｂの第１部１１Ｂの第１面１１１Ｂ上に配置されている。図示された例においては、半導体素子４Ｄのドレイン電極ＤＰが、上述した導電性接合材４８１によって第１面１１１Ｂに接合されている。
　本実施形態においては、図１９、図２１および図２３に示すように、半導体素子４Ｅが、リード１Ｃの第１部１１Ｃの第１面１１１Ｃ上に配置されている。図示された例においては、半導体素子４Ｅのドレイン電極ＤＰが、上述した導電性接合材４８１によって第１面１１１Ｃに接合されている。
　本実施形態においては、図１９、図２１および図２３に示すように、半導体素子４Ｆが、リード１Ｄの第１部１１Ｄの第１面１１１Ｄ上に配置されている。図示された例においては、半導体素子４Ｆのドレイン電極ＤＰが、上述した導電性接合材４８１によって第１面１１１Ｄに接合されている。
　制御素子４Ｇ，４Ｈは、半導体素子４Ａ～４Ｆのうち少なくともいずれかの駆動を制御するためのものである。図１９に示すように、制御素子４Ｇ，４Ｈは、導電部５と半導体素子４Ａ～４Ｆのうち少なくともいずれかとに電気的に接続されており、絶縁基板３０上に配置されている。本実施形態においては、制御素子４Ｇは、３つの半導体素子４Ａ，４Ｂ，４Ｃの駆動を制御する。制御素子４Ｈは、３つの半導体素子４Ｄ，４Ｅ，４Ｆの駆動を制御する。制御素子４Ｇ，４Ｈの形状やサイズは特に限定されない。図示された例においては、制御素子４Ｇ，４Ｈは、平面視において矩形状であり、第１方向ｘを長手方向とする長矩形状である。
　本実施形態においては、制御素子４Ｇが、導電部５の第１基部５５に搭載されている。また、制御素子４Ｈが、導電部５の第２基部５６上に配置されている。本実施形態においては、制御素子４Ｇは、導電性接合材４８２によって第１基部５５に接合されている。制御素子４Ｈは、導電性接合材４８２によって第２基部５６に接合されている。
　導電性接合材４８２は、制御素子４Ｇを第１基部５５に接合するとともに、制御素子４Ｈを第２基部５６に接合し且つ電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材４８２は、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。導電性接合材４８２の具体的形状は、何ら限定されない。なお、制御素子４Ｇおよび制御素子４Ｈは、導電性接合材４８２に代えて、絶縁性接合材によって第１基部５５および第２基部５６に接合されていてもよい。
　図１９に示すように、制御素子４Ｇは、第１方向ｘに見て、リード２Ｂ～２Ｎとリード１Ａ～１Ｇとの間に位置している。また、制御素子４Ｈは、第１方向ｘに見て、リード２Ｂ～２Ｎとリード１Ａ～１Ｇとの間に位置している。制御素子４Ｇは、第２方向ｙに見て半導体素子４Ｂと重なる。また、図示された例においては、制御素子４Ｇは、第２方向ｙに見て、半導体素子４Ａと重なる。制御素子４Ｈは、第２方向ｙに見て、半導体素子４Ｅと重なる。制御素子４Ｇは、第２方向ｙに見て半導体素子４Ｃと重なっていてもよい。制御素子４Ｈは、第２方向ｙに見て半導体素子４Ｄ，４Ｆのいずれか一方または両方と重なっていてもよい。
　図１９および図２０に示すように、図示された例においては、制御素子４Ｇは、第２方向ｙに見て配線部５０Ｂ、配線部５０Ｃ、配線部５０Ｖおよび配線部５０Ｗと重なる。また、制御素子４Ｇは、第１方向ｘに見て、第２基部５６および制御素子４Ｈと重なる。制御素子４Ｈは、第２方向ｙに見て、配線部５０Ｉ、配線部５０Ｊ、配線部５０Ｋおよび配線部５０Ｌと重なる。また、制御素子４Ｈは、第１方向ｘに見て、配線部５０Ｏおよび配線部５０Ｐと重なる。
　電子部品４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗは、制御素子４Ｇと電気的に接続されている。本実施形態においては、電子部品４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗは、たとえばダイオードであり、制御素子４Ｇにより高い電圧を印加するための、いわゆるブートダイオードとして機能する。図１９に示すように、電子部品４９Ｕは、導電部５の配線部５０Ｕに導電性接合材４８３を介して接合されている。導電性接合材４８３は、たとえば上述した導電性接合材４８２と同様の材質からなる。
　図１９に示すように、電子部品４９Ｖは、導電部５の配線部５０Ｖに上述した導電性接合材４８３を介して接合されている。図１９、図２１に示すように、電子部品４９Ｗは、導電部５の配線部５０Ｗに上述した導電性接合材４８３を介して接合されている。
　電子部品４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗの具体的な配置形態は特に限定されない。図１９および図２０に示すように、図示された例においては、電子部品４９Ｕの第２方向ｙにおける中心は配線部５０Ｕの第２方向ｙにおける中心よりも第２方向ｙのｙ１側にずれている。また、電子部品４９Ｖの第１方向ｘにおける中心は、配線部５０Ｖの第１方向ｘにおける中心よりも配線部５０Ｗ側にずれている。また、電子部品４９Ｗの第１方向ｘにおける中心は、配線部５０Ｗの第１方向ｘにおける中心よりも配線部５０Ｄ側にずれている。
　複数のワイヤ７５Ａ～７５Ｆは、半導体素子４Ａ～４Ｆのいずれかと、複数のリード１のいずれかとに接続されている。ワイヤ７５Ａ～７５Ｆの材質は特に限定されず、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）からなる。また、ワイヤ７５Ａ～７５Ｆの線径は特に限定されず、たとえば２５０～５００μｍ程度である。なお、ワイヤ７５Ａ～７５Ｆに代えて、たとえばＣｕからなるリードを用いてもよい。
　図１９に示すように、ワイヤ７５Ａ、一端が半導体素子４Ａのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｂの第４部１４Ｂに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｂにおいて、ワイヤ７５Ａが接合される位置は特に限定されない。
　図１９に示すように、ワイヤ７５Ｂは、一端が半導体素子４Ｂのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｃの第４部１４Ｃに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｃにおいて、ワイヤ７５Ｂが接合される位置は特に限定されない。
　図１９に示すように、ワイヤ７５Ｃは、一端が半導体素子４Ｃのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｄの第４部１４Ｄに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｄにおいて、ワイヤ７５Ｃが接合される位置は特に限定されない。
　図１９に示すように、ワイヤ７５Ｄは、一端が半導体素子４Ｄのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｅの第４部１４Ｅに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｅにおいて、ワイヤ７５Ｄが接合される位置は特に限定されない。
　図１９に示すように、ワイヤ７５Ｅは、一端が半導体素子４Ｅのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｆの第４部１４Ｆに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｆにおいて、ワイヤ７５Ｅが接合される位置は特に限定されない。
　図１９に示すように、ワイヤ７５Ｆは、一端が半導体素子４Ｆのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｇの第４部１４Ｇに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｇにおいて、ワイヤ７５Ｆが接合される位置は特に限定されない。
　複数のワイヤ７６は、図１９に示すように、制御素子４Ｇおよび制御素子４Ｈのいずれかに接続されている。ワイヤ７６の材質は特に限定されず、たとえば金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミ（Ａｌ）等からなる。ワイヤ７６の線径は特に限定されず、本実施形態においては、ワイヤ７５Ａ～７５Ｆの線径よりも細い。ワイヤ７６の線径は、たとえば１０μｍ～５０μｍ程度である。以降においては、制御素子４Ｇに接続されたワイヤ７６をワイヤ７６Ｇとし、制御素子４Ｈに接続されたワイヤ７６をワイヤ７６Ｈとして説明する。
　図１９に示すように、半導体素子４Ａのゲート電極ＧＰと制御素子４Ｇの第２方向ｙの中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、ワイヤ７６Ｇが接続されている。また、半導体素子４Ａのソース電極ＳＰと制御素子４Ｇの第２方向ｙの中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、ワイヤ７６Ｇが接続されている。
　図１９に示すように、半導体素子４Ｂのゲート電極ＧＰと制御素子４Ｇの第２方向ｙの中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、ワイヤ７６Ｇが接続されている。また、半導体素子４Ｂのソース電極ＳＰと制御素子４Ｇの第２方向ｙの中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、ワイヤ７６Ｇが接続されている。
　図１９に示すように、半導体素子４Ｃのゲート電極ＧＰと制御素子４Ｇの第２方向ｙの中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、ワイヤ７６Ｇが接続されている。また、半導体素子４Ｃのソース電極ＳＰと制御素子４Ｇの第２方向ｙの中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、ワイヤ７６Ｇが接続されている。
　図１９に示すように、半導体素子４Ｄのゲート電極ＧＰと制御素子４Ｈの第２方向ｙの中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、ワイヤ７６Ｈが接続されている。半導体素子４Ｅのゲート電極ＧＰと制御素子４Ｈの第２方向ｙの中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、ワイヤ７６Ｈが接続されている。半導体素子４Ｆのゲート電極ＧＰと制御素子４Ｈの第２方向ｙの中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、ワイヤ７６Ｈが接続されている。
　図１９に示すように、２つのワイヤ７６Ｇの一端が配線部５０Ａに接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。また、ワイヤ７６Ｇの一端が電子部品４９Ｕに接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。また、ワイヤ７６Ｇの一端が配線部 ５０Ｕに接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。
　図１９に示すように、２つのワイヤ７６Ｇの一端が配線部５０Ｂに接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。また、ワイヤ７６Ｇの一端が電子部品４９Ｖに接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。また、ワイヤ７６Ｇの一端が配線部５０Ｖに接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。
　図１９に示すように、２つのワイヤ７６Ｇの一端が配線部５０Ｃに接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。また、ワイヤ７６Ｇの一端が電子部品４９Ｗに接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。また、ワイヤ７６Ｇの一端が配線部５０Ｗに接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。
　図１９に示すように、ワイヤ７６Ｇの一端が配線部５０Ｄに接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。また、ワイヤ７６Ｇの一端が配線部５０Ｅに接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。また、ワイヤ７６Ｇの一端が配線部５０Ｆに接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。また、３本のワイヤ７６Ｇの一端が配線部５０Ｇに接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。また、２本のワイヤ７６Ｇの一端が接続部５７に接続されており、他端が制御素子４Ｇに接続されている。
　図１９に示すように、ワイヤ７６Ｈの一端が配線部５０Ｉに接続されており、他端が制御素子４Ｈに接続されている。また、ワイヤ７６Ｈの一端が配線部５０Ｊに接続されており、他端が制御素子４Ｈに接続されている。また、ワイヤ７６Ｈの一端が配線部５０Ｋに接続されており、他端が制御素子４Ｈに接続されている。また、２つのワイヤ７６Ｈの一端が配線部５０Ｌに接続されており、他端が制御素子４Ｈに接続されている。また、ワイヤ７６Ｈの一端が配線部５０Ｍに接続されており、他端が制御素子４Ｈに接続されている。また、２つのワイヤ７６Ｈの一端が配線部５０Ｎに接続されており、他端が制御素子４Ｈに接続されている。
　サーミスタ６は、温度検出素子であり、絶縁基板３０の主面３ａ上に実装されている。サーミスタ６は、温度変化に対して電気抵抗の変化の大きい抵抗体であり、周囲の温度に応じて抵抗値が変化することで、端子間電圧が変化する。サーミスタ６の端子間電圧に基づいて、サーミスタ６の周囲の温度が検出される。なお、サーミスタ６の特性は限定されない。サーミスタ６は、ＮＴＣ（negative temperature coefficient）サーミスタであってもよいし、ＰＴＣ（Positive temperature coefficient）サーミスタであってもよいし、その他の特性を有するサーミスタであってもよい。
　サーミスタ６は、半導体装置Ａ２の温度を検出するためのものである。図１９、図２２に示すように、サーミスタ６は、導電部５（配線部５０Ｏおよび配線部５０Ｐ）の２つのパッド状部分５０２Ｏ，５０２Ｐにまたがって配置されている。サーミスタ６は、導電性接合材６３を介してパッド部５０２に接合されている。導電性接合材６３は、サーミスタ６をパッド状部分５０２Ｏ，５０２Ｐに接合し、かつ、サーミスタ６とパッド状部分５０２Ｏ，５０２Ｐとを電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材６３は、たとえば銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。サーミスタ６の一方の端子は、導電性接合材６３を介してパッド状部分５０２Ｏに導通接合され、サーミスタ６の他方の端子は、導電性接合材６３を介してパッド状部分５０２Ｐに導通接合されている。導電性接合材６３は、本開示の「第１導電性接合材」の一例である。
　２つのパッド状部分５０２Ｏ，５０２Ｐ（配線部５０Ｏおよび配線部５０Ｐ）は、２つのリード２Ｏおよびリード２Ｐに導通接続されている。パッド状部分５０２Ｏ，５０２Ｐ（配線部５０Ｏおよび配線部５０Ｐ）は、サーミスタ６とリード２Ｏ，２Ｐとを導通させる導通経路である。２つのリード２Ｏ，２Ｐは、半導体装置Ａ２の温度検出のための端子になり、サーミスタ６の端子間電圧を出力する。
　本実施形態において、図２２に示すように、半導体装置Ａ２は、絶縁部材６２を備える。絶縁部材６２は、絶縁基板３０の主面３ａと、サーミスタ６との間に介在しており、電気絶縁性を有する。絶縁部材６２は、厚さ方向ｚにおいて主面３ａとサーミスタ６との間に充填されたアンダーフィルである。絶縁部材６２の構成材料は特に限定されず、たとえば黒色のエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂である。
　サーミスタ６は、複数の半導体素子４Ａ～４Ｆのいずれかに近接して配置される。図１９に示すように、サーミスタ６は、絶縁基板３０上において、第１方向ｘのｘ１側寄り、且つ第２方向ｙのｙ１側寄りに配置されている。サーミスタ６は、第１方向ｘにおいて、制御素子４Ｈよりも第１方向ｘのｘ１側に離隔して配置される。図示した例では、サーミスタ６は、半導体素子４Ａ～４Ｆのうち第１方向ｘのｘ１側の端に位置する半導体素子４Ｆに最も近接する。
　なお、半導体装置Ａ２は、サーミスタ６に代えて、他の温度検出素子を備えてもよい。他の温度検出素子としては、半導体温度センサなどが考えられる。半導体温度センサは、温度変化に対して順方向電圧の変化の大きいＳｉダイオードなどであり、所定の電流を流したときの端子間電圧に基づいて、周囲の温度が検出される。
　封止樹脂８は、半導体素子４Ａ～４Ｆ、制御素子４Ｇ，４Ｈ、導電部５およびサーミスタ６と、複数のリード１の一部ずつおよび複数のリード２の一部ずつと、絶縁基板３０の一部とを少なくとも覆っている。また、本実施形態においては、封止樹脂８は、電子部品４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗ、複数のワイヤ７５Ａ～７５Ｆおよび複数のワイヤ７６を覆っている。封止樹脂８の構成材料は特にされず、たとえばエポキシ樹脂、シリコーンゲル等の絶縁材料が適宜用いられる。
　本実施形態においては、樹脂主面８１、樹脂裏面８２、および複数の樹脂側面８３～８６、凹部８１０、凹部８２０、凹部８３１、凹部８３２、凹部８３３および凹部８３４を有する。
　樹脂主面８１は、厚さ方向ｚと交差する面であり、図示された例においては、厚さ方向ｚに対して直角な平面である。樹脂主面８１は、絶縁基板３０の主面３ａと同じ側を向いている。樹脂裏面８２は、厚さ方向ｚと交差する面であり、図示された例においては、厚さ方向ｚに対して直角な平面である。樹脂裏面８２は、樹脂主面８１とは反対側を向いており、絶縁基板３０の裏面３ｂと同じ側を向いている。
　樹脂側面８３は、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面８１と樹脂裏面８２との間に位置しており、図示された例においては、樹脂主面８１および樹脂裏面８２につながっている。樹脂裏面８２は、第１方向ｘと交差する面であり、第１方向ｘのｘ１側を向いている。樹脂側面８４は、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面８１と樹脂裏面８２との間に位置しており、図示された例においては、樹脂主面８１および樹脂裏面８２につながっている。樹脂側面８４は、第１方向ｘと交差する面であり、樹脂側面８３とは反対側を向いており、第１方向ｘのｘ２側を向いている。
　樹脂側面８５は、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面８１と樹脂裏面８２との間に位置しており、図示された例においては、樹脂主面８１および樹脂裏面８２につながっている。樹脂側面８５は、第２方向ｙと交差する面であり、第２方向ｙのｙ１側を向いている。樹脂側面８６は、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面８１と樹脂裏面８２との間に位置しており、図示された例においては、樹脂主面８１および樹脂裏面８２につながっている。樹脂側面８６は、第２方向ｙと交差する面であり、樹脂側面８５とは反対側を向いており、第２方向ｙのｙ２側を向いている。
　凹部８１０は、樹脂側面８３から第１方向ｘのｘ２側に凹んだ部位である。凹部８１０は、樹脂主面８１と樹脂裏面８２に到達している。凹部８２０は、樹脂側面８４から第１方向ｘのｘ１側に凹んだ部位である。凹部８２０は、樹脂主面８１と樹脂裏面８２に到達している。
　図１９に示すように、凹部８３１、凹部８３２、凹部８３３および凹部８３４は、樹脂側面８５から第２方向ｙのｙ２側に凹んだ部位である。凹部８３１は、第２方向ｙに見てリード２Ｚの第２部２２Ｚとリード２Ａの第２部２２Ａとの間に位置している。凹部８３２は、第２方向ｙに見てリード２Ａの第２部２２Ａとリード２Ｂの第２部２２Ｂとの間に位置している。凹部８３３は、第２方向ｙに見てリード２Ｂの第２部２２Ｂとリード２Ｃの第２部２２Ｃとの間に位置している。凹部８３４は、第２方向ｙに見てリード２Ｃの第２部２２Ｃとリード２Ｄの第２部２２Ｄとの間に位置している。
　図１９に示すように、各半導体素子４Ａ～４Ｃのドレインは互いに接続され、Ｐ端子（リード１Ａ）に接続されている。半導体素子４Ａのソースは半導体素子４Ｄのドレインに接続され、半導体素子４Ｂのソースは半導体素子４Ｅのドレインに接続され、半導体素子４Ｃのソースは半導体素子４Ｆのドレインに接続されている。半導体素子４Ａのソースと半導体素子４Ｄのドレインとの接続点は、Ｕ端子（リード１Ｂ）に接続されている。半導体素子４Ｂのソースと半導体素子４Ｅのドレインとの接続点は、Ｖ端子（リード１Ｃ）に接続されている。半導体素子４Ｃのソースと半導体素子４Ｆのドレインとの接続点は、Ｗ端子（リード１Ｄ）に接続されている。半導体素子４Ｄのソースは、ＮＵ端子（リード１Ｅ）に接続され、半導体素子４Ｅのソースは、ＮＶ端子（リード１Ｆ）に接続され、半導体素子４Ｆのソースは、ＮＷ端子（リード１Ｇ）に接続されている。
　Ｕ端子（リード１Ｂ）、Ｖ端子（リード１Ｃ）およびＷ端子（リード１Ｄ）に印加される電圧レベルは、たとえば０Ｖ～６５０Ｖ程度である。一方、ＮＵ端子（リード１Ｅ）、ＮＶ端子（リード１Ｆ）およびＮＷ端子（リード１Ｇ）に印加される電圧レベルは、たとえば、０Ｖ程度であり、端子（リード１Ｂ）、Ｖ端子（リード１Ｃ）およびＷ端子（リード１Ｄ）に印加される電圧レベルよりも低い。半導体素子４Ａ～４Ｃは、３相のインバータ回路の高電位側のトランジスタを構成し、半導体素子４Ｄ～４Ｆは、３相のインバータ回路の低電位側のトランジスタを構成している。
　半導体素子４Ａ～４Ｃのゲートはそれぞれ、制御素子４Ｇに接続され、半導体素子４Ａ～４Ｃのソースはそれぞれ、制御素子４Ｇに接続されている。半導体素子４Ｄ～４Ｆのゲートはそれぞれ、制御素子４Ｈに接続されている。
　制御素子４Ｇは、リード２Ａ、リード２Ｂ、リード２Ｃ、リード２Ｄ、リード２Ｅ、リード２Ｆ、リード２Ｇ、およびリード２Ｈと電気的に接続されている。リード２Ｄは、制御素子４Ｇに電源電圧ＶＣＣを供給する端子である。リード２Ｅ、リード２Ｆ、およびリード２Ｇには、外部のゲート駆動回路（図示略）からゲート信号電圧が印加される。制御素子４Ｇは、これらゲート信号電圧を半導体素子４Ａ～４Ｃのゲートに印加するための回路である。リード２Ｈとリード２Ｎは、半導体装置Ａ２の内部、より詳細には絶縁基板３０上の導電部５で互いに接続されている。
　制御素子４Ｈは、リード２Ｉ、リード２Ｊ、リード２Ｋ、リード２Ｌ、リード２Ｍ、およびリード２Ｎと電気的に接続されている。リード２Ｌは、制御素子４Ｈに電源電圧ＶＣＣを供給する端子である。リード２Ｉ、リード２Ｊ、およびリード２Ｋには、外部のゲート駆動回路からゲート信号電圧が印加される。制御素子４Ｈは、これらゲート信号電圧を半導体素子４Ｄ～４Ｆのゲートに印加するための回路である。
　リード２Ｅ、リード２Ｆおよびリード２Ｇに与えられる電気信号の第１電圧は、制御素子４Ｇを駆動するためにリード２Ｄから印加される第２電圧（電源電圧ＶＣＣ）よりも低い。また、リード２Ｉ、リード２Ｊおよびリード２Ｋに与えられる電気信号の第１電圧は、制御素子４Ｈを駆動するためにリード２Ｌから印加される第２電圧（電源電圧ＶＣＣ）よりも低い。
　次に、本実施形態の作用について説明する。
　半導体装置Ａ２は、絶縁基板３０、半導体素子４Ａ～４Ｆ、導電性材料からなる導電部５、サーミスタ６および封止樹脂８を備える。絶縁基板３０は主面３ａおよび裏面３ｂを有し、導電部５は主面３ａ上に形成されている。サーミスタ６は、導電性接合材６３を介して導電部５（配線部５０Ｏ，５０Ｐのパッド状部分５０２Ｏ，５０２Ｐ）に接合されている。このような構成によれば、サーミスタ６は、絶縁基板３０の主面３ａ上に導電部５（配線部５０Ｏ，５０Ｐのパッド状部分５０２Ｏ，５０２Ｐ）を介して搭載される。導電部５は、半導体素子４Ａ～４Ｆが搭載されるリード１（リード１Ａ～１Ｄ）よりも厚さを小さくすることができ、これにより、半導体素子４Ａ～４Ｆの発熱時にサーミスタ６に生じる応力を低減することができる。その結果、サーミスタ６の耐久性向上を図るとともに、半導体装置Ａ２の温度を適切に検出することができる。また、サーミスタ６が導電部５上に搭載された構成では、たとえば厚さが大きいリード１上にサーミスタ６が配置される場合と比べて、絶縁基板３０側の温度検出の感度を向上させることができる。また、絶縁基板３０の裏面３ｂは、封止樹脂８から露出している。このような構成によれば、半導体素子４Ａ～４Ｆから絶縁基板３０に伝わった熱を裏面３ｂから効率よく外部に逃がすことができ、半導体装置Ａ２の放熱性が高められる。
　サーミスタ６は、複数の半導体素子４Ａ～４Ｆのいずれかに近接して配置される。このような構成によれば、複数の半導体素子４Ａ～４Ｆ全体の発熱の影響による半導体装置Ａ２（絶縁基板３０側）の温度を、適切に検出することができる。サーミスタ６は、半導体素子４Ａ～４Ｆのうち第１方向ｘのｘ１側の端に位置する半導体素子４Ｆに最も近接する。このような構成によれば、絶縁基板３０上にサーミスタ６を効率よく配置することできる。
　本実施形態において、リード１Ａ～１Ｄは、接合材１７を介して接合部５８（接合部５８Ａ～５８Ｄ）に接合されている。接合部５８は、導電部５と同じ導電性材料を含む。このような構成によれば、導電部５と接合部５８とを絶縁基板３０上に一括して形成することが可能である。このことは、半導体装置Ａ２の製造効率の向上に好ましい。
　本実施形態の半導体装置Ａ２は、絶縁部材６２を備える。絶縁部材６２は、絶縁基板３０の主面３ａとサーミスタ６との間に充填されている。このような構成によれば、封止樹脂８の形成後において、主面３ａとサーミスタ６との間の比較的狭い隙間に空隙が生じるといった不都合を防止することができる。これにより、サーミスタ６によって半導体装置Ａ２（絶縁基板３０側）の温度を、安定して精度よく検出することができる。
　なお、本実施形態の半導体装置Ａ２においても、上記の半導体装置Ａ１を備えた半導体装置アッセンブリＢ１と同様に、冷却器９１、取付け部材９２、制御手段９４、冷却手段９５および加熱手段９６等をさらに備えた半導体装置アッセンブリの構成を採用することができる。この場合、半導体装置アッセンブリＢ１に関して上述したのと同様の作用効果を奏する。
　本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
　本開示は、以下の付記に関する構成を含む。
　　付記１．
　厚さ方向の一方側を向く主面、および前記主面とは反対側を向く裏面を有する支持体と、
　前記主面上に配置された少なくとも１つの半導体素子と、
　前記主面上に形成された導電性材料からなる導電部と、
　前記導電部上に配置された温度検出素子と、
　前記支持体の少なくとも一部、前記少なくとも１つの半導体素子、前記温度検出素子および前記導電部を覆う封止樹脂と、を備え、
　前記支持体は、前記主面を有する絶縁基板を含み、
　前記温度検出素子は、第１導電性接合材を介して前記導電部に接合されており、
　前記裏面は、前記封止樹脂から露出している、半導体装置。
　　付記２．
　複数の前記半導体素子を備え、
　前記温度検出素子は、複数の前記半導体素子のいずれかに近接して配置される、付記１に記載の半導体装置。
　　付記３．
　複数の前記半導体素子は、前記厚さ方向に直交する第１方向において並んで配置されており、
　前記温度検出素子は、複数の前記半導体素子のうち前記第１方向の端に位置する前記半導体素子に対応して配置される、付記２に記載の半導体装置。
　　付記４．
　複数の前記半導体素子は、前記第１方向の一方側端に位置する第１半導体素子と、前記第１半導体素子に対して前記第１方向の他方側で当該第１半導体素子に最も近い位置に配置された第２半導体素子と、を含み、
　前記第２半導体素子は、前記第１半導体素子に対して、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向の一方側に位置し、
　前記温度検出素子は、前記第２方向に見て前記第１半導体素子に重なり、且つ前記第２方向に見て前記第２半導体素子に重なる領域に配置される、付記３に記載の半導体装置。
　　付記５．
　複数の前記半導体素子は、前記厚さ方向に直交する第１方向において並んで配置されており、
　前記温度検出素子は、複数の前記半導体素子のうち前記第１方向の端に位置する前記半導体素子に最も近接する、付記２に記載の半導体装置。
　　付記６．
　複数のリードをさらに備え、
　前記支持体は、前記絶縁基板からなり、　前記複数のリードは、少なくとも１つの第１リードを含み、
　前記少なくとも１つの半導体素子の各々は、前記少なくとも１つの第１リードのいずれかに支持されている、付記１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
　　付記７．
　前記主面上に形成された接合部をさらに備え、
　前記少なくとも１つの第１リードの各々は、接合材を介して前記接合部に接合されてい る、付記６に記載の半導体装置。
　　付記８．
　前記接合部は、前記導電部を構成する導電性材料を含む、付記７に記載の半導体装置。
　　付記９．
　前記支持体は、前記絶縁基板と、前記絶縁基板の前記主面とは他方側の面に接合され、且つ前記裏面を有する金属層と、からなる、付記１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
　　付記１０．
　前記厚さ方向において前記主面と前記温度検出素子との間に充填された絶縁部材をさらに備える、付記１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
　　付記１１．
　前記絶縁基板は、セラミックスからなる、付記１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
　　付記１２．
　前記温度検出素子は、サーミスタである、付記１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
　　付記１３．
　前記少なくとも１つの半導体素子は、スイッチング素子である、付記１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
　　付記１４．
　前記少なくとも１つの半導体素子の各々は、前記厚さ方向の一方側を向く素子主面と、前記厚さ方向の他方側を向く素子裏面と、前記素子主面に配置されたソース電極およびゲート電極と、前記素子裏面に配置されたドレイン電極と、を有する、付記１３に記載の半導体装置。
　　付記１５．
　付記１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置と、
　前記裏面に接触する部位を有する冷却器と、
　前記冷却器を冷却する冷却手段と、
　前記温度検出素子により検出された温度に基づいて前記冷却手段の制御を行う制御手段と、を備える、半導体装置アッセンブリ。
　　付記１６．
　前記冷却器を加熱する加熱手段をさらに備え、
　前記制御手段は、前記温度検出素子により検出された温度に基づいて前記加熱手段の制御を行う、付記１５に記載の半導体装置アッセンブリ。
Ａ１，Ａ１１，Ａ１２，Ａ２：半導体装置
Ｂ１：半導体装置アッセンブリ
１，１１～１５，１Ａ～１Ｇ，１Ｚ：リード
１７，１８：接合材　　　１９：導電性接合材
２，２１～２３，２Ａ～２Ｐ，２Ｚ：リード
２８，２９：導電性接合材　　　３：支持体
３ａ：主面　　　３ｂ：裏面
３０，３１：絶縁基板　　　３０Ａ，３０Ｂ：領域
３２：支持導体
３３：金属層４，４Ａ～４Ｆ，４０Ａ～４０Ｆ：半導体素子
４Ｇ，４Ｈ：制御素子　　　４１：素子主面
４２：素子裏面　　　４３：ソース電極
４４：ゲート電極　　　４５：ドレイン電極
４７，４８１～４８３：導電性接合材
４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗ：電子部品
５：導電部
５０１，５０Ａ～５０Ｐ，５０Ｕ～５０Ｗ：配線部
５０２：パッド部　　　５０２Ｏ，５０２Ｐ：パッド状部分
５１１～５１４：接合部　　　５５：第１基部
５６：第２基部　　　５７：接続部
５８，５８Ａ～５８Ｄ：接合部　　　６：サーミスタ
６２：絶縁部材　　　６３：導電性接合材
７１～７４，７５Ａ～７５Ｆ，７６，７６Ｇ，７６Ｈ：ワイヤ
８：封止樹脂　　　８１：樹脂主面
８２：樹脂裏面　　　８３～８６：樹脂側面
８１０，８２０，８３１～８３４：凹部
９１：冷却器　　　９１１：取付け面
９１２：流路　　　９１３：取付け穴
９２：取付け部材　　　９３：締結部材
９４：制御手段　　　９５：冷却手段
９６：加熱手段　　　ＧＰ：ゲート電極
ＳＰ：ソース電極　　　ＤＰ：ドレイン電極
Ｒ１：領域

Claims (16)

  1. 　厚さ方向の一方側を向く主面、および前記主面とは反対側を向く裏面を有する支持体と、
    　前記主面上に配置された少なくとも１つの半導体素子と、
    　前記主面上に形成された導電性材料からなる導電部と、
    　前記導電部上に配置された温度検出素子と、
    　前記支持体の少なくとも一部、前記少なくとも１つの半導体素子、前記温度検出素子および前記導電部を覆う封止樹脂と、を備え、
    　前記支持体は、前記主面を有する絶縁基板を含み、
    　前記温度検出素子は、第１導電性接合材を介して前記導電部に接合されており、
    　前記裏面は、前記封止樹脂から露出している、半導体装置。
  2. 　複数の前記半導体素子を備え、
    　前記温度検出素子は、複数の前記半導体素子のいずれかに近接して配置される、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　複数の前記半導体素子は、前記厚さ方向に直交する第１方向において並んで配置されており、
    　前記温度検出素子は、複数の前記半導体素子のうち前記第１方向の端に位置する前記半導体素子に対応して配置される、請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　複数の前記半導体素子は、前記第１方向の一方側端に位置する第１半導体素子と、前記第１半導体素子に対して前記第１方向の他方側で当該第１半導体素子に最も近い位置に配置された第２半導体素子と、を含み、
    　前記第２半導体素子は、前記第１半導体素子に対して、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向の一方側に位置し、
    　前記温度検出素子は、前記第２方向に見て前記第１半導体素子に重なり、且つ前記第２方向に見て前記第２半導体素子に重なる領域に配置される、請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　複数の前記半導体素子は、前記厚さ方向に直交する第１方向において並んで配置されており、
    　前記温度検出素子は、複数の前記半導体素子のうち前記第１方向の端に位置する前記半導体素子に最も近接する、請求項２に記載の半導体装置。
  6. 　複数のリードをさらに備え、
    　前記支持体は、前記絶縁基板からなり、　前記複数のリードは、少なくとも１つの第１リードを含み、
    　前記少なくとも１つの半導体素子の各々は、前記少なくとも１つの第１リードのいずれかに支持されている、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 　前記主面上に形成された接合部をさらに備え、
    　前記少なくとも１つの第１リードの各々は、接合材を介して前記接合部に接合されている、請求項６に記載の半導体装置。
  8. 　前記接合部は、前記導電部を構成する導電性材料を含む、請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記支持体は、前記絶縁基板と、前記絶縁基板の前記主面とは他方側の面に接合され、且つ前記裏面を有する金属層と、からなる、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 　前記厚さ方向において前記主面と前記温度検出素子との間に充填された絶縁部材をさらに備える、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
  11. 　前記絶縁基板は、セラミックスからなる、請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
  12. 　前記温度検出素子は、サーミスタである、請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
  13. 　前記少なくとも１つの半導体素子は、スイッチング素子である、請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
  14. 　前記少なくとも１つの半導体素子の各々は、前記厚さ方向の一方側を向く素子主面と、前記厚さ方向の他方側を向く素子裏面と、前記素子主面に配置されたソース電極およびゲート電極と、前記素子裏面に配置されたドレイン電極と、を有する、請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 　請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置と、
    　前記裏面に接触する部位を有する冷却器と、
    　前記冷却器を冷却する冷却手段と、
    　前記温度検出素子により検出された温度に基づいて前記冷却手段の制御を行う制御手段と、を備える、半導体装置アッセンブリ。
  16. 　前記冷却器を加熱する加熱手段をさらに備え、
    　前記制御手段は、前記温度検出素子により検出された温度に基づいて前記加熱手段の制御を行う、請求項１５に記載の半導体装置アッセンブリ。
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