WO2024013866A1 - 発光素子の製造方法および発光素子 - Google Patents

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WO2024013866A1
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貴洋 土江
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シャープディスプレイテクノロジー株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source

Definitions

  • the present disclosure relates to a method for manufacturing a light emitting device and a light emitting device.
  • a ligand (modifying group) is provided on the surface of a quantum dot for the purpose of protecting the quantum dot and improving its dispersibility in a solvent.
  • an organic ligand is generally used because the quantum dots have excellent dispersibility in the quantum dot dispersion liquid.
  • an organic ligand using an insulating organic material can become a factor that inhibits carrier injection in a charge (carrier) injection type light emitting element that includes quantum dots in the light emitting layer.
  • Patent Document 1 discloses a stable method comprising a quantum dot and a fluoride-containing ligand such as ZnF 2 bonded to the surface of the quantum dot by substituting an organic ligand on the surface of the quantum dot. Quantum dot compositions are disclosed.
  • a layer containing the above carrier transporting material used to form the carrier transporting layer When laminating an electron transporting layer containing ZnO nanoparticles as a carrier transporting material as a carrier transporting layer on a light emitting layer containing quantum dots, a layer containing the above carrier transporting material used to form the carrier transporting layer. Alcohol is used as a solvent in the carrier-transporting material dispersion liquid, which is a coating liquid.
  • some metal halides such as ZnF 2 have very low solubility in solvents such as alcohols used to form such carrier transport layers.
  • a quantum dot has a Zn-F bond on its surface, such as when a ZnF 2 ligand is used as an inorganic ligand, the surface tension of the surface of a light-emitting layer containing the quantum dots affects carrier transport layered on the light-emitting layer. It is smaller than the surface tension of the solvent used to form the layer.
  • a light-emitting layer containing quantum dots substituted with a fluorine ligand such as ZnF 2 has poor wettability with a carrier-transporting material dispersion used to form a carrier-transporting layer laminated on the light-emitting layer.
  • the layer thickness of the carrier transport layer formed on the light emitting layer becomes non-uniform, and the device characteristics or reliability of the light emitting device deteriorates.
  • the wettability of the carrier-transporting material dispersion further decreases due to the metal halide layer consisting of excess fluorine ligands (in other words, excess metal halide).
  • the layer thickness of the carrier transport layer formed on the light emitting layer becomes even more non-uniform, and the device characteristics or reliability of the light emitting device further deteriorates.
  • organic ligands can be a factor inhibiting carrier injection, so if only ligand removal is performed instead of ligand replacement to facilitate carrier injection, the physical properties of the bulk of the quantum dots will become apparent. . If the surface of the ligand-less quantum dot comes into direct contact with the carrier-transporting material dispersion in this manner, there is a possibility that a problem may occur regarding the wettability of the carrier-transporting material dispersion with respect to the light-emitting layer. Furthermore, if the surface of the ligand-less quantum dot is exposed, the luminous efficiency may decrease. For this reason, it is desirable that a ligand be present on the surface of the quantum dots, but when a carrier transport layer is laminated on a light emitting layer containing quantum dots, there are the above-mentioned problems.
  • One embodiment of the present disclosure has been made in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to improve the wettability of a carrier transporting material dispersion liquid with respect to a light emitting layer, to improve the uniformity of the layer thickness, and to achieve light emission.
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a light emitting element that can manufacture a light emitting element with excellent characteristics and reliability, and such a light emitting element.
  • a method for manufacturing a light emitting element includes a step of forming a light emitting layer, and a step of forming an intermediate layer containing a first metal halide on the light emitting layer. and a step of forming a carrier transporting layer on the intermediate layer, and the step of forming the carrier transporting layer includes forming a carrier transporting material containing a carrier transporting material and a first solvent on the intermediate layer.
  • the first metal halide has a solubility in water of 2.5 mg/100 g or more at 25° C.
  • the light emitting layer includes (1) quantum dots and a second metal halogen having a solubility in water at 25° C. of less than 2.5 mg/100 g. or (2) forming a light-emitting layer containing the above quantum dots and free of organic ligands.
  • a method for manufacturing a light emitting element includes the steps of forming a light emitting layer, and forming a carrier transport layer on the light emitting layer,
  • the step of forming the transport layer includes applying a carrier transporting material dispersion containing a carrier transporting material, a first solvent, and a first metal halide onto the light emitting layer, and removing the first solvent.
  • a metal halide having a solubility in water at 25° C.
  • a layer as the light emitting layer, (1) a light emitting layer containing quantum dots and a second metal halide having a solubility in water at 25° C. of less than 2.5 mg/100 g is formed, or ( 2) Forming a light-emitting layer containing the quantum dots and free of organic ligands.
  • a light emitting element includes a light emitting layer containing quantum dots and a first metal halide, and (1) an intermediate layer containing the first metal halide. and a carrier transporting layer containing a carrier transporting material are provided adjacent to each other in this order from the light emitting layer side, or (2) a carrier is provided on the light emitting layer and adjacent to the light emitting layer.
  • a carrier transport layer containing a transport material and the first metal halide is provided, and the first metal halide has a solubility in water of 2.5 mg/100 g or more at 25°C.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a light emitting element according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of quantum dots in the light emitting element shown in FIG. 2.
  • FIG. 3 is another cross-sectional view showing a schematic configuration of quantum dots in the light emitting element shown in FIG. 2.
  • FIG. 2 is a flowchart showing an example of the light emitting layer forming process shown in FIG. 1.
  • FIG. 2 is a flowchart showing another example of the light emitting layer forming process shown in FIG. 1.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a light emitting element according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of quantum dots in the light emitting element shown in FIG. 2.
  • FIG. 2 is
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of main parts in an intermediate layer forming step and an electron transport layer forming step shown in FIG. 1.
  • FIG. FIG. 2 is an energy band diagram for explaining an electron injection barrier when no metal halide is present between the quantum dot shell and the electron transport layer.
  • FIG. 2 is an energy band diagram for explaining an electron injection barrier when a metal halide is present between a quantum dot shell and an electron transport layer.
  • 1 is a table showing the band gaps and water solubility of main metal halides at 25°C.
  • FIG. 2 is a diagram showing the energy levels of each layer of a light emitting device using blue quantum dots and having a band gap of metal halide of about 4.4 eV.
  • FIG. 2 is a diagram showing the energy levels of each layer of a light emitting device using red quantum dots and having a band gap of metal halide of about 5.2 eV.
  • 2 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of a light emitting element according to Modification 1 of Embodiment 1.
  • FIG. 7 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Modification 1 of Embodiment 1.
  • FIG. 7 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Modification 2 of Embodiment 1.
  • FIG. 7 is a flowchart showing another example of the light emitting layer forming process according to Modification 2 of Embodiment 1.
  • FIG. 7 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Embodiment 2.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a light emitting element according to a second embodiment.
  • 7 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Modification 1 of Embodiment 2.
  • FIG. 7 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Modification 2 of Embodiment 2.
  • a layer formed in a process earlier than the layer to be compared will be referred to as a "lower layer,” and a layer formed in a process later than the layer to be compared will be referred to as an "upper layer.”
  • a to B for two numbers A and B means “more than A and less than B" unless otherwise specified.
  • an embodiment of the present disclosure will be described below based on FIGS. 1 to 16.
  • an intermediate layer containing a metal halide (first metal halide) and a carrier transport layer containing a carrier transporting material are placed on the light emitting layer side (that is, on the lower layer side).
  • a method of manufacturing light emitting elements provided adjacent to each other in this order will be described.
  • a light emitting element according to the present disclosure is a quantum dot light emitting diode (QLED) using a quantum dot as a light emitting material in a light emitting layer.
  • QLED quantum dot light emitting diode
  • the layer between the light emitting layer and the carrier transport layer is referred to as an intermediate layer.
  • the method for manufacturing a light emitting device includes a step of forming a light emitting layer, a step of forming an intermediate layer containing a first metal halide on the light emitting layer, and a step of forming a carrier transport layer on the intermediate layer.
  • the step of forming the carrier transporting layer includes the step of applying a carrier transporting material dispersion containing a carrier transporting material and a first solvent onto the intermediate layer, and the step of forming the carrier transporting layer. and a step of removing the solvent.
  • solubility refers to the saturated dissolved weight of a single metal halide at 25°C.
  • the light emitting element has a conventional structure in which the anode is the lower electrode and the cathode is the upper electrode, and between the anode and the cathode, a hole injection layer, a hole transport layer, a hole transport layer, An example will be described in which a light-emitting layer, an intermediate layer, and an electron transport layer are provided. Note that in this disclosure, the layers between the anode and the cathode are collectively referred to as a functional layer.
  • the light emitting element according to the present embodiment is not limited to this, and may have an inverted structure in which the cathode is the lower electrode and the anode is the upper electrode, for example.
  • the carrier transport layer formed on the intermediate layer is an electron transport layer
  • the intermediate layer and the electron transport layer are formed on the light emitting layer.
  • the light emitting element may have a configuration in which at least one of the hole injection layer and the hole transport layer is not provided, and a functional layer other than the above functional layer is provided between the anode and the cathode. It may have a configuration provided.
  • the light emitting layer will be referred to as "EML”, the carrier transport layer as “CTL”, the electron transport layer as “ETL”, the hole transport layer as “HTL”, and the hole injection layer as “HIL”.
  • the intermediate layer is sometimes referred to as “IL”.
  • quantum dots are sometimes referred to as "QDs”.
  • FIG. 1 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device 1 according to this embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the light emitting element 1 according to this embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the QD 21 in the light emitting element 1 shown in FIG. 2.
  • FIG. 4 is another cross-sectional view showing a schematic configuration of the QD 21 in the light emitting element 1 shown in FIG. 2.
  • the anode 2, HIL 11, HTL 12, EML 13, IL 14, ETL 15, and cathode 3 are arranged on the lower layer side (for example, on the side of a support (not shown) such as a substrate). ) in this order.
  • a support such as a substrate
  • Each layer from the anode 2 to the cathode 3 is generally supported by a substrate as a support.
  • the light emitting element 1 may include a functional layer (not shown) between the anode 2 and the cathode 3 other than the HIL 11, HTL 12, EML 13, IL 14, and ETL 15.
  • the anode 2 is formed as a lower layer electrode on a substrate (not shown) (step S1, lower layer electrode formation step, anode formation step). process).
  • HIL 11 is formed (step S2, hole injection layer forming step).
  • HTL 12 is formed (step S3, hole transport layer forming step).
  • EML 13 containing the QD 21 and a metal halide 22 (second metal halide, inorganic ligand) having a solubility in water at 25° C. of less than 2.5 mg/100 g is formed (step S4, light emitting layer forming step).
  • step S5 an IL 14 containing a metal halide 31 (first metal halide) having a solubility in water at 25° C. of 2.5 mg/100 g or more is formed on the EML 13 (step S5, intermediate layer forming step).
  • step S6 carrier transport layer forming step, electron transport layer forming step.
  • step S6 as shown in FIG. 1, first, a carrier transporting material dispersion containing the carrier transporting material 41 and a solvent (first solvent) is applied onto the IL 14, thereby dispersing the carrier transporting material.
  • a liquid coating film is formed (step S6a, carrier transporting material dispersion coating step).
  • step S6b first solvent removal step
  • the ETL 15 containing the carrier transporting material 41 is formed on the IL 14.
  • the cathode 3 is formed as an upper layer electrode on the ETL 15 (step S7, upper layer electrode formation step, cathode formation step).
  • step S7 upper layer electrode formation step, cathode formation step
  • the anode 2 is an electrode that includes a conductive material and supplies holes to the EML 13 when a voltage is applied.
  • the cathode 3 is an electrode that includes a conductive material and supplies electrons to the EML 13 when a voltage is applied.
  • At least one of the anode 2 and the cathode 3 is a translucent electrode. Note that either the anode 2 or the cathode 3 may be a so-called reflective electrode having light reflectivity.
  • the light emitting element 1 can extract light from the transparent electrode side.
  • the light emitting element 1 is a top emission type light emitting element that emits light from the upper layer electrode side
  • a translucent electrode is used for the upper layer electrode
  • a reflective electrode is used for the lower layer electrode.
  • a transparent electrode is used as the lower layer electrode
  • a reflective electrode is used as the lower layer electrode.
  • the light-transmitting electrode is a conductive light-transmitting material such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), AgNW (silver nanowire), MgAg (magnesium-silver) alloy thin film, Ag thin film, etc. formed of material.
  • the reflective electrode is formed of a conductive light-reflective material, such as a metal such as Ag, Al, or Cu, or an alloy containing these metals.
  • a reflective electrode may be formed by laminating a layer made of the light-transmitting material and a layer made of the light-reflecting material.
  • a vapor deposition method, a sputtering method, etc. are used to form the anode 2 in step S1 and the cathode 3 in step S5.
  • the anode 2 can be formed, for example, by depositing the above-mentioned conductive material on a substrate (not shown) using a vapor deposition method, a sputtering method, or the like.
  • the cathode 3 can be formed by depositing the above conductive material on the ETL 15 by vapor deposition, sputtering, or the like.
  • the HIL 11 is a layer that has hole transport properties and promotes injection of holes from the anode 2 to the HTL 12.
  • a hole transporting material such as a composite of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS) (PEDOT:PSS) is used.
  • PEDOT poly(3,4-ethylenedioxythiophene)
  • PSS polystyrene sulfonic acid
  • any method such as a spin coating method or an inkjet method may be appropriately selected.
  • the HTL 12 is a layer that has hole transport properties and transports holes from the HIL 11 to the EML 13.
  • the material of HTL12 includes, for example, TFB (poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-4-sec-butylphenyl))diphenylamine). ), p-TPD (poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine]), PVK (polyvinylcarbazole), NiO, WO 3 , MoO 3 etc.
  • a hole-transporting material is used.
  • any method such as a spin coating method or an inkjet method may be selected as appropriate.
  • the light emitting element 1 is a QLED
  • the EML 13 is a QD light emitting layer containing QD21 as a light emitting material.
  • EML13 consists of QD21, a metal halide 22 (second metal halide) whose solubility in water at 25°C is less than 2.5mg/100g, and a metal halide whose solubility in water at 25°C is 2.5mg/100g or more. 31 (first metal halide).
  • the EML 13 contains nano-sized QDs 21 as a luminescent material depending on the color of the luminescent light.
  • the holes transported from the anode 2 and the electrons transported from the cathode 3 recombine, and in the process in which the excitons generated thereby transition from the conduction band level to the valence band level of QD21, emit light.
  • QD21 is a dot with a particle maximum width of 100 nm or less.
  • QD21 is generally referred to as a semiconductor nanoparticle because its composition is derived from a semiconductor material.
  • QD21 is generally referred to as an inorganic nanoparticle because its composition is derived from an inorganic material.
  • QD21 is sometimes referred to as a nanocrystal because its structure has, for example, a specific crystal structure.
  • the shape of the QD 21 is not particularly limited as long as it satisfies the above maximum width, and is not limited to a spherical three-dimensional shape (circular cross-sectional shape).
  • it may have a polygonal cross-sectional shape, a rod-like three-dimensional shape, a branch-like three-dimensional shape, a three-dimensional shape with an uneven surface, or a combination thereof.
  • QD21 may contain at least one metal element.
  • the metal elements contained in the QDs 21 include Cd, Zn, In, Sb, Al, Si, Ga, Pb, Ge, and Mg.
  • the QD 21 may be a semiconductor material that is a combination of at least one metal element and a non-metal element such as S, Te, Se, N, P, and As.
  • the QD 21 may be formed of only a core, or may be of a two-component core type, a three-component core type, or a four-component core type. Further, as shown in FIG. 3, the QD 21 may have a core-shell structure including a core 21a and a shell 21b, and may be of a core-shell type or a core-multishell type.
  • the QD 21 when the QD 21 includes a shell 21b, it is sufficient that the core 21a is in the center and the shell 21b is provided on the surface of the core 21a. Although it is desirable that the shell 21b covers the entire core 21a, it is not necessary that the shell 21b completely cover the core 21a.
  • the shell 21b may be formed on a part of the surface of the core 21a.
  • the QD 21 can be used if, by observing a cross section of the QD 21, it is found that a shell 21b is formed on a part of the surface of the core 21a, or if it is found that the shell 21b surrounds the core 21a. It can be said that it has a core-shell structure.
  • the shell 21b covers the entire core 21a by observing a cross section of the QD 21.
  • the above cross-sectional observation can be performed using, for example, a scanning transmission electron microscope (STEM) or a transmission electron microscope (TEM).
  • the QDs 21 may include doped nanoparticles or may have a compositionally graded structure.
  • the shell 21b may be formed as a solid solution on the surface of the core 21a. In FIG. 3, the boundary between the core 21a and the shell 21b is shown by a dotted line, but this indicates that the boundary between the core 21a and the shell 21b may or may not be confirmed by analysis.
  • the shell 21b may be formed of multiple layers.
  • the core 21a can be made of, for example, Si, Ge, CdSe, CdS, CdTe, InP, GaP, InN, ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSeTe, GaInP, ZnSeTe, or the like.
  • the shell 21b can be made of, for example, CdS, ZnS, CdSSe, CdTeSe, CdSTe, ZnSSe, ZnSTe, ZnTeSe, AIP, or the like.
  • examples of the material of the QD 21 include ZnSe/ZnS, InP/ZnS, CdSe/CdS, and the like.
  • the emission wavelength of QD21 can be changed in various ways depending on the particle size, composition, etc. of the particles.
  • QD21 is a QD that emits visible light, and by appropriately adjusting the particle size and composition of QD21, it is possible to control the emission wavelength from a blue wavelength range to a red wavelength range.
  • the metal halide 22 (second metal halide) is a metal halide whose solubility in water at 25° C. is less than 2.5 mg/100 g. Note that the metal halide 22 will be explained later together with the metal halide 31 (first metal halide).
  • the physical properties of the bulk of QD21 become apparent. If the surface of the ligand-less QD 21 (the surface of the core 21a or the shell 21b) comes into direct contact with the carrier transporting material dispersion, there is a possibility that a problem may occur regarding the wettability of the carrier transporting material dispersion with respect to the EML 13. Further, for example, in the QD 21 having only the core 21a or a core-shell structure in which Zn atoms are present on the surface of the QD 21, the Zn atoms exposed on the surface can become a factor for deactivating excitons. Therefore, it is desirable that a ligand is coordinated on the surface of QD21.
  • coordination indicates that the ligand and the surface of QD21 interact, for example, the ligand is adsorbed on the surface of QD21 (in other words, the ligand is attached to the surface of QD21). (qualified).
  • adsorption indicates that the concentration of the ligand is increased on the surface of QD21 compared to the surrounding area. The above adsorption may be chemical adsorption in which a chemical bond exists between QD21 and the ligand, physical adsorption, or electrostatic adsorption.
  • the ligand can interact with the surface of QD21, it may be bonded with a coordinate bond, a covalent bond, an ionic bond, a hydrogen bond, etc., or it does not necessarily need to be bonded.
  • the interaction may be, for example, a coordinate bond, a covalent bond, an ionic bond, a hydrogen bond, a van der Waals interaction, or another molecular interaction.
  • ligand refers to a molecule or ion that can interact with the surface of QD21.
  • ligand includes not only molecules or ions that are coordinated to the surface of the QD 21 but also molecules or ions that are capable of coordination but are not coordinated.
  • a metal halide is used as a ligand (inorganic ligand).
  • Metal halides have shorter ligand lengths than organic ligands commonly used for stable dispersion, and can bring QDs 21 close to each other. Therefore, metal halides can improve carrier injection properties as compared to organic ligands, and can suppress reduction in luminous efficiency due to defects on the surface of the QDs 21.
  • the metal halide 22 exists as an anion 22a and a cation 22b.
  • the halogen that is the anion 22a is negatively charged and is therefore attracted to the positively charged surface of the QD 21 as a halogen ligand.
  • the metal halide 31 exists as an anion 31a and a cation 31b.
  • the halogen that is the anion 31a is negatively charged and is therefore attracted to the positively charged surface of the QD 21 as a halogen ligand.
  • EML 13 includes QD 21, metal halide 22 in a state before or in a state coordinated to QD 21, and metal halide in a state before or in a state coordinated to QD 21.
  • Compound 31 may also be included.
  • the "state before coordination" refers to a state in which an anion and a cation serving as a counter ion are bonded. For example, it shows a state in which an anion 22a and a cation 22b are combined, or a state in which an anion 31a and a cation 31b are combined.
  • the term "coordinated state” refers to a state in which the halogen that is the anion 22a or the anion 31a interacts with the surface of the QD 21 (for example, a state in which the halogen is bound to the surface of the QD 21 as a halogen ligand).
  • Examples of the anion 22a or the anion 31a include F ⁇ , Cl ⁇ , Br ⁇ , I ⁇ and the like.
  • Examples of the cation 22b or the cation 31b include Li + , Na + , K + , Rb + , Cs + , Be 2+ , Mg 2+ , Ca 2+ , Sr 2+ , Ba 2+ , Zn 2+ , Al 3+ , Ga 3+ , In Examples include metal ions such as 3+ , Sn 2+ , and Pb 2+ . Note that the specific metal halide 22 and metal halide 31 will be explained later.
  • the EML 13 may include an organic ligand 23 in addition to the QD 21, the metal halide 22, and the metal halide 31, and the organic ligand 23 is on the surface of the QD 21. It may be coordinated.
  • the organic ligand 23 is an organic compound containing at least one coordinating functional group that can coordinate to the QD 21.
  • the coordinating functional group typically includes at least one functional group selected from the group consisting of an amino group, a phosphonic group, a phosphine group, a phosphine oxide group, a carboxyl group, and a thiol group.
  • the EML 13 may include, as the organic ligand 23, an organic compound in a state before or in a state coordinated to the QD 21.
  • the organic ligand 23 has, for example, a thiol (-SH) group as a coordinating functional group
  • the organic ligand 23 has a hydrogen atom of the thiol group removed and coordinates to the QD 21 with a sulfide (-S-) bond.
  • the organic compound "in a state before coordination” refers to an organic compound in a state in which, for example, a hydrogen atom that is removed by coordination is bonded.
  • Examples of the organic ligand 23 include amine compounds such as oleylamine and dodecylamine; phosphonic compounds such as (12-phosphonododecyl)phosphonic acid and 11-mercaptoundecylphosphonic acid; trioctylphosphine, tributylphosphine, etc. Phosphine compounds; phosphine oxide compounds such as trioctylphosphine oxide and tributylphosphine oxide; aliphatic compounds such as oleic acid and octanoic acid; thiol compounds such as dodecanethiol and octanethiol; and the like.
  • the proportion of the organic ligand 23 in the total amount of ligands is small, or that the EML 13 is organic ligand-free, containing no or substantially no organic ligand 23.
  • the weight ratio of organic ligand 23 to QD 21 in EML 13 depends on the type and size of QD 21 and the molecular weight of organic ligand 23; It is preferably 30% or less, more preferably 20% or less, and particularly preferably 10% or less.
  • the weight ratio of organic ligand 23 to QD21 in EML13 can be evaluated by differential thermal analysis (TG-DTA).
  • the weight ratio of organic ligand 23 to QD21 in EML13 measured by TG-DTA is about 30% when EML13 contains only organic ligand 23 as a ligand.
  • the weight ratio of the organic ligand 23 measured by TG-DTA can be reduced to, for example, 20% or less.
  • the weight ratio of the organic ligand 23 measured by TG-DTA can be reduced to 10% or less.
  • the absorption spectrum derived from the organic ligand is confirmed using Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), and it is stated that "the absorption spectrum derived from the organic ligand cannot be detected by the FT-IR method, that is, the measured intensity is below noise. If it can be confirmed that there is “organic ligand-free”, it can be said to be “organic ligand-free”.
  • FT-IR Fourier transform infrared spectroscopy
  • the number of molecules of the organic ligand 23 relative to the number of metal atoms can be calculated by measuring the amount of the component released from the organic ligand 23 during heating using TG-DTA.
  • the number of molecules of the organic ligand 23 relative to the number of metal atoms calculated from the size of the QD 21 is usually about 38%, and in a solution state it is approximately 100%. % or more.
  • QD dispersions quantum dot dispersions
  • Organic ligands are used as dispersants to improve the dispersibility of QDs in QD dispersions, and are also used to improve surface stability and storage stability of QDs.
  • a wet method is used to synthesize QDs, and the particle size of QDs is controlled by coordinating an organic ligand to the surface of QDs. Therefore, the QD dispersion liquid synthesized by the wet method contains the organic ligand used for QD synthesis.
  • step S3 in the light emitting layer forming step (step S3), first, the EML 13 containing the QDs 21 and the metal halide 22 is formed.
  • the organic ligand contained in the synthesized or commercially obtained QD dispersion is It is necessary to substitute compound 22.
  • an unsubstituted organic ligand contained in the QD dispersion synthesized or commercially obtained as described above may be coordinated as the organic ligand 23, for example.
  • an organic ligand different from that contained in a synthesized or commercially obtained QD dispersion may be used as the ligand. Therefore, the organic ligand 23 may be an organic compound different from the organic ligand contained in the synthesized or commercially obtained QD dispersion.
  • the light-emitting layer forming step includes a step of preparing a QD dispersion containing QDs 21 and organic ligands 23, and a step of preparing a QD dispersion containing QDs 21 and an organic ligand 23, and before or after applying the QDs dispersion.
  • the method may also include a step of substituting the organic ligand 23 with a metal halide 22. By substituting the organic ligand 23 with the metal halide 22 in this way, an EML containing the QD 21 and the metal halide 22 can be formed as the EML 13.
  • the types of ligands contained in EML13 include, for example, MALDI (matrix-assisted laser desorption ionization) method, TOF-MS (time-of-flight mass spectrometry) method, and LC-MS/MS (liquid chromatography mass spectrometry) method. , TOF-SIMS (time-of-flight secondary ion mass spectrometry), ICP-AES (inductively coupled plasma atomic emission spectrometry), NMR (nuclear magnetic resonance), etc. I can do it.
  • MALDI matrix-assisted laser desorption ionization
  • TOF-MS time-of-flight mass spectrometry
  • LC-MS/MS liquid chromatography mass spectrometry
  • TOF-SIMS time-of-flight secondary ion mass spectrometry
  • ICP-AES inductively coupled plasma atomic emission spectrometry
  • NMR nuclear magnetic resonance
  • step S4 The light emitting layer forming step (step S4) will be described in more detail below with reference to FIGS. 5 and 6.
  • FIG. 5 is a flowchart showing an example of the light emitting layer forming process.
  • the light emitting layer forming step includes a step of preparing a QD dispersion containing QDs 21 and an organic ligand 23, and replacing the organic ligand 23 with a metal halide 22 before applying the QD dispersion. A case including a process will be described.
  • the first QD dispersion preparation step may be a step of redispersing the QD synthesis step or the QDs obtained in the QD synthesis step in a solvent.
  • QD21 and organic ligand 23 contained in a synthesized or commercially obtained QD dispersion containing QD21 and organic ligand 23 (hereinafter referred to as "initial QD dispersion") will be used to obtain the first QD.
  • the case where a dispersion liquid is prepared will be explained as an example.
  • the first QD dispersion preparation step for example, QDs 21 having organic ligands 23 coordinated on their surfaces are first separated from the initial QD dispersion.
  • the QD21 separation step for example, first, an initial QD dispersion is collected into a reaction vessel such as a centrifuge tube.
  • the initial QD dispersion includes QDs 21, organic ligands 23, and a solvent.
  • a nonpolar solvent is used as the solvent. Examples of the nonpolar solvent include cyclohexane, toluene, hexane, octane, and chlorobenzene.
  • an excessive amount of poor solvent is dropped into the initial QD dispersion in the reaction vessel to precipitate the QDs 21 coordinated with the organic ligands 23 contained in the initial QD dispersion.
  • a solvent in which QD21 is not dispersed such as ethanol, is used.
  • the precipitated QD21 is washed, and the precipitated QD21 (that is, the QD21 coordinated with the organic ligand 23) is separated.
  • the above-mentioned washing of QD21 is performed by adding a non-polar solvent as a solvent to the precipitated 21 again to re-disperse the QD21, then adding a poor solvent again, performing centrifugation, and removing the supernatant liquid. This is done by repeating the operation multiple times. This makes it possible to remove at least a portion of the excess organic ligands 23 that are not coordinated to the QDs 21 and are contained in the initial QD dispersion.
  • a non-polar solvent is added again as a solvent (second solvent) to the separated QDs 21 in the reaction vessel, and the QDs 21 are redispersed in the non-polar solvent.
  • a first QD dispersion containing QD 21, organic ligand 23 coordinated to QD 21, and the non-polar solvent as the second solvent is prepared.
  • a ligand solution containing the metal halide 22 and a trace amount of a polar solvent as a solvent is added to the first QD dispersion in the reaction vessel and stirred.
  • a polar solvent in which the metal halide 22 is easily dissolved was used as a solvent for the ligand solution.
  • a nonpolar solvent in which QD21 is dispersed (as described above, for example, cyclohexane, toluene, etc.) and a polar solvent in which metal halide 22 is dissolved are miscible within an appropriate range.
  • the reaction solution in the reaction container is allowed to stand still for a predetermined period of time. As a result, at least a portion of the organic ligand 23 contained in the first QD dispersion liquid is replaced with the metal halide 22 (step S12, ligand replacement step).
  • the conditions used for the ligand substitution are not particularly limited. These conditions may be appropriately set, for example, depending on the materials used, etc., so that the ratio of each ligand in the EML 13 that is finally formed is a desired ratio.
  • a non-polar solvent is added as a solvent (a solvent for a second QD dispersion described later) into the reaction vessel, and the QD composition is dispersed in the non-polar solvent.
  • a QD dispersion liquid (hereinafter referred to as "second QD dispersion liquid") containing at least QDs 21, metal halide 22, and the above-mentioned nonpolar solvent is prepared (step S14, second QD dispersion liquid preparation). process).
  • the solvent of the first QD dispersion needs to be miscible with the polar solvent in which the metal halide 22 is dissolved (QDs 21 are dispersed without precipitating even if a small amount of polar solvent is dropped), but the solvent of the second QD dispersion The solvent used for this is not necessary.
  • the second QD dispersion is applied onto the HTL 12 to form a coating film of the second QD dispersion (step S15, second QD dispersion application step).
  • any method such as a bar coating method, a spin coating method, an inkjet method, etc. can be selected as appropriate.
  • the coating film is heated and dried to remove the solvent contained in the applied second QD dispersion (step S16, solvent removal step).
  • the EML 13 shown in FIG. 2 including the QD 21 and the metal halide 22 present on the surface of the QD 21 can be formed.
  • the EML 13 may further include an organic ligand 23.
  • the proportion of organic ligand 23 in the total amount of ligands must be small, or the EML 13 must contain no or substantially no organic ligand 23. It is desirable that Therefore, when the second QD dispersion liquid contains the organic ligand 23, additional ligand substitution may be performed after removing the solvent in step S15 and forming a thin film containing the QD composition.
  • FIG. 6 is a flowchart showing another example of the light emitting layer forming step (step S4).
  • the light emitting layer forming step includes a step of preparing a QD dispersion containing QDs 21 and an organic ligand 23, and a step of replacing the organic ligand 23 with a metal halide 22 after applying the QD dispersion.
  • the following is included.
  • step S11 similar to step S11 shown in FIG. 5 is performed.
  • step S11 a first QD dispersion containing the QD 21, the organic ligand 23 coordinated to the QD 21, and the non-polar solvent as the second solvent is prepared (step S11, first QD dispersion preparation step).
  • a coating film of the first QD dispersion is formed by applying the first QD dispersion onto the HTL 12 (step S21, first QD dispersion coating step). Any method such as a bar coating method, a spin coating method, an inkjet method, etc. can be appropriately selected for applying the first QD dispersion.
  • the coating film is heated and dried to remove the solvent contained in the applied first QD dispersion (step S22, solvent removal step). As a result, EML 13 containing QD 21 and organic ligand 23 coordinated to QD 21 is formed.
  • a ligand solution containing a metal halide 22 and a polar solvent as a solvent is supplied onto the EML 13 containing the QD 21 and the organic ligand 23, so that the ligand solution and the EML 13 are combined. bring into contact.
  • a ligand solution containing a metal halide 22 and a polar solvent as a solvent solvent of the ligand solution
  • an inkjet method or a mist spraying device may be used to supply the ligand solution.
  • the ligand solution is supplied by dropping onto the above-mentioned EML 13, and after leaving it to stand for a predetermined period of time, the ligand solution is applied, for example, by spin coating. It may be applied onto the EML 13 by, for example, the above EML 13.
  • the polar solvent include alcohols such as ethanol.
  • step S23 ligand substitution step
  • the conditions used for the ligand substitution such as the concentration of the metal halide 22 in the ligand solution, the amount of the ligand solution added, and the time required for the ligand substitution, are not particularly limited. . In this case as well, these conditions may be appropriately set, for example, depending on the materials used, etc., so that the ratio of each ligand in the EML 13 that is finally formed becomes a desired ratio.
  • the above-mentioned ligand solution can be supplied to the above-mentioned EML 13 by immersing the substrate on which the EML 13 containing the QD 21 and the organic ligand 23 is formed in the above-mentioned ligand solution. Good too.
  • step S24 solvent removal step
  • step S25 cleaning step
  • the solvent contained in the EML 13, that is, the cleaning liquid is removed by heating and drying the EML 13 (step S26, cleaning liquid removal step).
  • a polar solvent such as ethanol is used as the cleaning liquid.
  • the EML 13 may further include the organic ligand 23, as described above.
  • the proportion of the organic ligand 23 in the total amount of ligands is small, or the EML 13 does not contain or substantially contains no organic ligand 23. It is desirable to be free of organic ligands.
  • steps similar to steps S23 to S26 may be performed after step S15.
  • steps similar to steps S23 to S26 may be performed after step S15.
  • the amount of ligand substitution can be increased and the organic ligand 23 can be removed.
  • the above example is just an example, and by appropriately adjusting the ligand replacement conditions in step S12 (ligand replacement step), an organic ligand-free EML 13 that does not contain or substantially contains no organic ligand 23 is formed. You can also do that.
  • a metal halide having a solubility in water at 25° C. of less than 2.5 mg/100 g is used, as described above.
  • Examples of the metal halide 22 having a water solubility at 25° C. of less than 2.5 mg/100 g include at least one selected from the group consisting of CaF 2 , ZnF 2 , and GaF 3 .
  • ZnF 2 which is composed of F, which is a halogen with a small ionic radius, and a cation of the same type as Zn on the surface of the QD 21, for example, the surface of the shell 21b , is suitable for surface modification of the QD 21. There is.
  • metal halides such as ZnF 2 , specifically metal halides 22 whose solubility in water at 25° C. is less than 2.5 mg/100 g, can be used to form CTLs such as ETL15, alcohols, etc. has very low solubility in polar solvents.
  • CTLs such as ETL15, alcohols, etc. has very low solubility in polar solvents.
  • QD21 has, for example, a Zn-F bond on its surface, as in the case of using ZnF2 as a ligand, the surface tension of the EML13 surface containing this QD21 will affect the solvent used to form the CTL stacked on the EML13. (the first solvent).
  • the EML 13 containing QD 21 which is ligand-substituted with a metal halide 22 such as ZnF 2 has poor wettability with the carrier transporting material dispersion used to form the CTL layered on the EML 13. .
  • the metal halide 22 repels the carrier transporting material dispersion liquid used to form the CTL layered on the EML 13. As a result, it becomes difficult to uniformly stack the carrier transporting material 41 on the EML 13, and the layer thickness of the CTL stacked on the EML 13 becomes non-uniform. Such a decrease in the uniformity of the CTL layer thickness leads to uneven light emission and deterioration of the light emission characteristics of the light emitting device 1 obtained. As a result, the device characteristics and reliability of the obtained light emitting device 1 are deteriorated.
  • a metal halide 31 (a first metal halide) having a solubility in water at 25° C. of 2.5 mg/100 g or more is added to the EML 13. ) to form IL14.
  • the electron transport layer forming step (step S6) for example, the ETL 15 is formed as the CTL on the IL 14 as described above. This improves the wettability of the carrier-transporting material dispersion to the substrate.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of essential parts in the intermediate layer forming step (step S5) and the electron transport layer forming step (step S6) shown in FIG.
  • IL 14 is a layer that includes metal halide 31 and is located between EML 13 and CTL (in the example shown in FIGS. 2 and 7, between EML 13 and ETL 15).
  • the ETL 15 is a CTL that includes an electron transport material and has an electron transport function that increases electron transport efficiency to the EML 13.
  • the electron transporting material include metal oxides such as ZnO, SnO, and TiO 2 .
  • the carrier transporting material dispersion liquid 43 used to form the ETL 15 includes a carrier transporting material 41 and a solvent 42 (first solvent).
  • the solvent 42 used in the carrier-transporting material dispersion 43 is, for example, a protic polar solvent such as alcohol.
  • the metal halide 31 having a solubility in water of 2.5 mg/100 g or more at 25° C. is thus dissolved in the protic polar solvent such as alcohol used in the carrier transporting material dispersion 43.
  • metal halides have a solubility in water, which is the most common polar solvent, has a higher solubility than alcohol, and has a solubility tendency similar to protic polar solvents. defines the solubility of water, which is the most common polar solvent, has a higher solubility than alcohol, and has a solubility tendency similar to protic polar solvents. defines the solubility of water, which is the most common polar solvent, has a higher solubility than alcohol, and has a solubility tendency similar to protic polar solvents. defines the solubility of
  • a metal halide 31 and a solvent 32 (solvent for forming an intermediate layer, third solvent) are placed on the EML 13 containing the metal halide 22 substituted through the above-described ligand substitution step.
  • a coating film containing the metal halide 31 is formed by applying a metal halide-containing liquid 33 containing a polar solvent as a metal halide. Thereafter, the solvent 32 contained in the applied metal halide-containing liquid 33 is removed by heating and drying the coating film.
  • the metal halide-containing liquid 33 may be applied by immersing the substrate on which the EML 13 is formed in the metal halide-containing liquid 33, and the metal halide-containing liquid 33 is applied onto the EML 13 by spin coating.
  • the coating may be performed by coating by an inkjet method or the like.
  • a sufficient amount of the metal halide-containing liquid 33 is supplied by dropping it onto the EML 13, and after being allowed to stand still for a predetermined period of time,
  • the metal halide-containing liquid 33 may be applied onto the EML 13 by, for example, spin coating.
  • examples of the polar solvent include alcohols such as ethanol.
  • Examples of the metal halide 31 include LiF, NaF, KF, RbF, CsF, BeF 2 , MgF 2 , SrF 2 , BaF 2 , AlF 3 , InF 3 , PbF 2 , LiCl, NaCl, KCl, RbCl, and CsCl.
  • the metal halide 31 (BaF 2 or ZnCl 2 ) ETL15 is formed while partially melting. This improves the wettability of the carrier-transporting material dispersion liquid 43 to the base.
  • Physical properties such as solid-liquid interfacial tension, solubility, and solid surface potential are involved in phenomena such as application of the carrier-transporting material dispersion 43 onto the substrate, drying, and surface aggregation of nanoparticles. Therefore, improving the wettability of the carrier-transporting material dispersion 43 with respect to the substrate is achieved by improving the wettability of the carrier-transporting material dispersion 43 with the ligand present on the surface of the QD 21 based on these physical properties. This is done by
  • the metal halide 31 having a solubility in water at 25° C. of 2.5 mg/100 g or more has good wettability with the carrier transporting material dispersion liquid 43.
  • a metal halide for example, ZnCl 2 to form an EML 13
  • ZnCl 2 for example, ZnCl 2
  • an alcoholic solution of ZnCl 2 is applied to the EML 13. and repeated washes to make additional ligand substitutions.
  • the surface of the QD 21 is made of ZnCl 2 , the wettability of the carrier transport material dispersion 43 with respect to the EML 13 does not deteriorate.
  • a part of the halogen ligand on the surface of QD21 with a halogen ligand suitable for, for example, alcohol coating without forming IL14 between EML13 and CTL.
  • a halogen ligand suitable for, for example, alcohol coating without forming IL14 between EML13 and CTL.
  • an ethanol solution of a highly soluble metal halide is applied to a QD thin film in which the organic ligand 23 is substituted with a fluoride ligand.
  • the substrate on which the QD thin film is formed is immersed in an ethanol solution of such a metal halide to perform cleaning.
  • a part of the fluoride ligand on the surface of QD21 can be replaced with a halogen ligand suitable for alcohol coating, such as a chloride ligand.
  • the metal halide 31 such as ZnCl 2 is dissolved in the carrier transporting material dispersion liquid 43.
  • the IL 14 is formed on the EML 13. According to the present embodiment, by forming the IL 14 that can improve the wettability of the carrier transporting material dispersion 43 on the EML 13 in this way, it is possible to further improve the wettability of the carrier transporting material dispersion 43. At the same time, it is possible to provide a light-emitting element 1 with good layer thickness uniformity, excellent light-emitting characteristics, and reliability.
  • the IL 14 is particularly effective when providing a CTL such as the ETL 15 on the EML 13 due to the process.
  • a metal halide 31 corresponding to the metal halide 22 on the surface of the QD 21 in the EML 13 serving as the base it is necessary to select a metal halide 31 corresponding to the metal halide 22 on the surface of the QD 21 in the EML 13 serving as the base.
  • ZnF 2 is used as the metal halide 22
  • ZnCl 2 may be used as the metal halide 31, as described above.
  • metal halides having the same halogen as metal halide 22 and metal halide 31 it is desirable to use metal halides having the same halogen as metal halide 22 and metal halide 31.
  • the metal halide 31 includes an anion 31a and a cation 31b.
  • a metal halide containing a fluoride ligand as the anion 31a such as CsF or BaF 2 , is preferably selected as the metal halide 31.
  • the metal halide has a size that allows it to pass through the gap between the QDs 21 in the EML 13. Therefore, as shown in FIG. 7, when the carrier transporting material dispersion 43 is applied onto the IL 14, part of the IL 14 is dissolved by the solvent 42 contained in the carrier transporting material dispersion 43, as described above. , the metal halide 31 contained in the IL 14 invades into the EML 13.
  • the EML 13 when forming the EML 13 containing the metal halide 22, the EML 13 further contains the metal halide 31 in addition to the metal halide 22. Therefore, in this case, both anion 22a and anion 31a exist as ligands on the surface of QD21. Therefore, when the metal halide 22 is ZnF 2 and ZnCl 2 is used as the metal halide 31, two types of halogens, F and Cl, are present in the EML 13 after applying the carrier transport material dispersion. become.
  • the metal halide contained in the metal halide-containing liquid 33 used for forming the IL 14 can be Even if the compound 31 enters the EML 13, the types of halide ions contained in the EML 13 do not increase. Therefore, by using metal halides with the same halogen species for the EML 13 and the IL 14, there is less influence on the QD 21, and deterioration of the light emission characteristics can be suppressed.
  • the IL 14 formed by drying the solution in which the metal halide 31 is dissolved becomes a crystalline thin film. Therefore, the gap that exists in the IL 14 is only in the grain boundary region, and is 1 nm or less. Therefore, there is almost no gap in the IL 14. Therefore, the carrier transporting material 41 does not pass through the IL 14.
  • IL14 In order to improve the wettability of the carrier transporting material dispersion, it is preferable to dissolve IL14 to a thickness of 2 nm or more.
  • the metal halide 31 having a solubility in water of 2.5 mg/100 g or more at 25° C. has a high solubility in polar solvents including water, and is dissolved to a thickness of 2 nm or more by applying the carrier transporting material dispersion. Therefore, in this embodiment, if the layer thickness of the IL 14 dissolved by the solvent 42 contained in the carrier transporting material dispersion liquid 43 is Tnm, in the intermediate layer forming step, as shown in FIG. It is preferable to form the IL 14 having a thickness D.
  • the ETL 15 is formed while part of the IL 14 is dissolved by the solvent 42 contained in the carrier transporting material dispersion 43.
  • the IL 14 is dissolved to a thickness of 2 nm or more by the solvent 42.
  • the layer thickness F of the IL 14 is preferably 2 nm or more from the viewpoint of suppressing tunneling. Therefore, in the carrier transporting material dispersion coating step, the solvent 42 dissolves the IL 14 to a thickness of 2 nm or more, and in the intermediate layer forming step, the IL 14 having a layer thickness of 2+T nm (T ⁇ 2) or more is formed. , the wettability of the carrier-transporting material dispersion 43 can be sufficiently improved, and carrier injection due to tunneling can be suppressed.
  • the metal halide 22 only needs to have a solubility in water at 25° C. of 2.5 mg/100 g or more.
  • the solubility of the metal halide 31 is too high, the IL 14 will be completely dissolved when the carrier transport material dispersion 43 is applied, and the metal halide 22 with low solubility in the EML 13 will be dissolved in the carrier transport material dispersion 43.
  • Direct contact with the carrier transporting material dispersion liquid 43 may cause a problem with the wettability of the carrier transporting material dispersion liquid 43.
  • the IL 14 in order to prevent the above problem from occurring, in the intermediate layer forming step, the IL 14 must be coated with the carrier transporting material dispersion liquid 43 to a thickness that does not completely dissolve the IL 14 (preferably, F ⁇ 2 nm as described above). It is desirable to form it to a thickness of For this reason, it is desirable to form the IL 14 thicker as the solubility of the metal halide 31 becomes higher.
  • a metal halide having the above-mentioned solubility that is, solubility in water at 25° C.
  • the present embodiment by selecting the material of the metal halide 31 and adjusting the thickness of the IL 14, electron excess can be suppressed, carrier balance can be improved, and the luminous efficiency of the light emitting element 1 can be improved. I can do it.
  • this embodiment is not limited to this.
  • the dropping time (supply time) of the carrier transporting material dispersion liquid 43 during spin in the spin coating method may be shortened.
  • the dissolution of the IL 14 may be controlled by reducing the contact time between the IL 14 and the carrier transporting material dispersion liquid 43.
  • the carrier transporting material dispersion 43 includes the carrier transporting material 41 and the solvent 42.
  • the carrier transport material 41 is preferably a metal oxide as described above, and the isoelectric point of the carrier transport material dispersion 43 is preferably pH 7 or higher. Note that the metal oxide described above is used as metal oxide nanoparticles.
  • the isoelectric point indicates the pH of a solution where the zeta potential (charge) on the particle surface is 0.
  • zeta potential charge
  • light scattering during electrophoresis laser Doppler method
  • An electric field is applied to nanoparticles such as QD or ETL particles dispersed in a solution, and the Calculate the zeta potential from the electrophoretic velocity.
  • the isoelectric point is measured by changing the pH of the solution at this time.
  • metal oxide nanoparticles in the carrier-transporting material dispersion 43 containing alcohol as a main solvent have a positively charged surface potential due to their surface terminal groups.
  • the surface of metal oxide nanoparticles is covered with hydroxyl groups (-OH).
  • hydroxyl groups present on the surface of the metal oxide nanoparticles are M + or It becomes M-OH 2 + , and the particle surface is charged + (plus). Therefore, the isoelectric point of most metal oxides except for SiO 2 is higher than pH 7, and the surface of metal oxides tends to be positively charged.
  • the surface of the QD 21 has positive polarity because, for example, Zn atoms are exposed and S atoms are insufficient.
  • both QD21 and metal oxide nanoparticles have positively charged surfaces, they electrostatically repel each other in most combinations. Therefore, it is difficult to orderly arrange metal oxide nanoparticles on the QDs 21.
  • the metal halide 22 and the metal halide 31 are inserted between the QDs 21 and the metal oxide nanoparticles, and the QDs 21 and the metal oxide nanoparticles are spaced apart.
  • the influence of surface potential can be reduced.
  • electrostatic repulsion between the QDs 21 and the metal oxide nanoparticles can be suppressed, and the metal oxide nanoparticles can be arranged in an orderly manner. Therefore, the uniformity of the layer thickness of the ETL 15 can be improved.
  • the electron transporting material has a higher mobility than the hole transporting material. For this reason, QLEDs often have too many electrons in EML. Therefore, when forming the IL 14 between the EML 13 and the ETL 15 as described above, it is preferable that the IL 14 has a wide bandgap.
  • the band gap of the metal halide 22 and the band gap of the metal halide 31 are each larger than the band gap of the shell 21b.
  • the band gaps of the metal halide 22 and the metal halide 31 are each larger than the band gap of the shell 21b.
  • FIG. 8 is an energy band diagram for explaining the electron injection barrier when no metal halide exists between the shell 21b of the QD 21 and the ETL 15.
  • FIG. 9 is an energy band diagram for explaining the electron injection barrier when a metal halide exists between the shell 21b of the QD 21 and the ETL 15.
  • the height of the electron injection barrier when injecting electrons from the ETL 15 to the QD 21 is as shown in FIG. , is represented by the absolute value ⁇ E1 of the difference in energy level between the lower end of the conduction band (CBM) of the ETL 15 and the lower end of the conduction band (CBM) of the shell 21b.
  • the height of the electron injection barrier when injecting electrons from the metal halide to the QD 21 is ⁇ E2, which is larger than ⁇ E1, as shown in FIG.
  • the metal halide between the shell 21b of the QD 21 and the ETL 15 is the metal halide 22 and the metal halide 31. Therefore, according to the present embodiment, electron injection from the ETL 15 to the EML 13 can be suppressed by making the band gaps of the metal halide 22 and the metal halide 31 larger than the band gap of the shell 21b. As a result, the carrier balance can be improved and the luminous efficiency of the light emitting element 1 can be improved.
  • the band gaps of the metal halide 22 and the metal halide 31 only need to be larger than the band gap of the shell 21b, and their specific values are not particularly limited.
  • a preferable value for the band gap of the metal halide 22 and the metal halide 31 is, for example, a gap wider than 3.4 eV, which is the band gap value of ZnS used for the shell 21b. preferred for.
  • FIG. 10 summarizes the band gap and water solubility of the main metal halides at 25°C.
  • FIG. 11 shows, as an example, the energy levels of each layer of a light emitting element in which a blue QD that emits blue light is used as the QD 21, and the band gap of the metal halide is approximately 4.4 eV (strictly speaking, 4.4 eV or more).
  • FIG. FIG. 12 is a diagram showing the energy levels of each layer of a light-emitting element in which a red QD that emits red light is used as the QD 21 and the band gap of metal halide is approximately 5.2 eV (strictly speaking, 5.2 eV or more). .
  • the VBM of the ETL is deeper than the VBM of the metal halide in order to prevent carrier leakage from the QD layer (EML 13).
  • the band gap of the metal halide is preferably larger than the band gap of the shell 21b, for example, the band gap of ZnS as described above.
  • the band gap of the metal halide is preferably less than 5.2 eV, for example. .
  • the light emitting device 1 manufactured by the method for manufacturing a light emitting device according to the present embodiment includes the QD 21, the metal halide 22 (second metal halide), and the metal halide 31 (first metal halide). ), and an IL 14 containing the metal halide 31 and an ETL 15 containing a carrier transporting material 41 as a CTL containing a carrier transporting material are adjacent to each other in this order from the EML 13 side. It has a set configuration.
  • the IL 14 containing the metal halide 31 and the ETL 15 containing the carrier transporting material 41 are provided adjacent to each other in this order from the EML 13 side, thereby forming the ETL 15.
  • the wettability of the coating liquid containing the carrier transporting material 41 (that is, the carrier transporting material dispersion liquid 43) with respect to the EML 13 can be improved.
  • Modification 1 In this embodiment, as shown in FIG. 1, the case where the light emitting element 1 has a conventional structure in which the anode 2 is the lower electrode has been described as an example. However, as described above, the light emitting element 1 may have an inverted structure in which the cathode 3 is the lower electrode. Furthermore, the CTL formed on the IL 14 is not limited to ETL, but may be HTL.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of a light emitting element 1 according to this modification.
  • the light emitting element 1 shown in FIG. 13 has an inverted structure in which the cathode 3 is the lower layer electrode and the anode 2 is the upper layer electrode. For example, it has a configuration in which they are provided in this order from the side of a support (not shown, such as a substrate). Note that although illustration and description are omitted, in this modification as well, the light emitting element 1 may include a functional layer (not shown) between the anode 2 and the cathode 3.
  • FIG. 14 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting element 1 according to this modification.
  • the cathode 3 is formed as a lower layer electrode on a substrate (not shown) (step S31, lower layer electrode formation step, cathode formation step).
  • ETL 15 is formed (step S32, electron transport layer forming step).
  • an EML 13 containing the QD 21 and a metal halide 22 (second metal halide, inorganic ligand) having a solubility in water at 25° C. of less than 2.5 mg/100 g is formed (step S4, light emitting layer forming step).
  • step S33 as shown in FIG. 14, first, a carrier transporting material dispersion containing a carrier transporting material 41' and a solvent (first solvent) is applied onto the IL 14. A coating film of the dispersion liquid is formed (step S33a, carrier transporting material dispersion coating step). Next, the coating film is heated or the like to remove the solvent contained in the coating film, that is, the solvent (first solvent) contained in the applied carrier transporting material dispersion (step S33b, first solvent removal step).
  • the HTL 12 containing the carrier transporting material 41' as the carrier transporting material is formed on the IL 14.
  • the anode 2 is formed as an upper layer electrode on the HTL 12 (step S34, upper layer electrode formation step, anode formation step).
  • the cathode 3 can be formed, for example, by depositing the conductive material on a substrate (not shown) using a vapor deposition method, a sputtering method, or the like.
  • the anode 2 can be formed by depositing the conductive material on the HTL 12 by vapor deposition, sputtering, or the like.
  • Step S31 can be performed in the same manner as step S6, and step S33 can be performed in the same manner as step S1, except that the underlying layer is different.
  • step S32 can be performed in the same manner as step S7, and step S33 can be performed in the same manner as step S3, except that the underlying layer is different.
  • an HTL 12 containing a carrier transporting material 41' is formed on the IL 14 instead of the ETL 15 containing the carrier transporting material 41.
  • a carrier transporting material 41' for example, a hole transporting material such as NiO, WO 3 , MoO 3 or the like is used.
  • the carrier transporting material 41' is a metal oxide
  • the isoelectric point of the carrier transporting material dispersion containing the carrier transporting material 41' is pH 7 or higher. preferable.
  • the metal oxide is used as metal oxide nanoparticles.
  • the HTL 12 is formed while part of the IL 14 is dissolved by the solvent contained in the carrier transporting material dispersion.
  • IL14 is dissolved to a thickness of 2 nm or more using the above solvent.
  • a polar solvent similar to the solvent 42 can be used as the solvent.
  • the carrier transporting material dispersion containing the carrier transporting material 41' was used instead of the carrier transporting material dispersion 43 containing the carrier transporting material 41.
  • the HTL 12 is formed in the same manner as step S6.
  • the CTL formed on the IL 14 may be HTL, and except for the specific material as described above, ETL can be read as HTL in step S6.
  • the EML 13 may be formed by the method shown in FIG. 5 or may be formed by the method shown in FIG. 6.
  • the light emitting device 1 manufactured by the method for manufacturing a light emitting device according to this modification includes the QD 21, the metal halide 22 (second metal halide), and the metal halide 31 (first metal halide). ), and the IL 14 containing the metal halide 31 and the HTL 12 containing a carrier transporting material 41' as a CTL containing a carrier transporting material are adjacent to each other in this order from the EML 13 side. It has a configuration that is provided as follows.
  • the IL 14 containing the metal halide 31 and the HTL 12 containing the carrier transporting material 41' are provided adjacent to each other in this order from the EML 13 side.
  • the HTL 12 it is possible to improve the wettability of the carrier transporting material dispersion, which is a coating liquid containing the carrier transporting material 41', on the EML 13.
  • the carrier transporting material dispersion which is a coating liquid containing the carrier transporting material 41'
  • hole injection from the HTL 12 to the EML 13 can be suppressed by making the band gaps of the metal halide 22 and the metal halide 31 larger than the band gap of the shell 21b.
  • FIG. 15 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device 1 according to this modification.
  • the method for manufacturing the light emitting element 1 according to this modification example is a method for manufacturing the light emitting element 1 shown in FIG. 1, except that step S4' is performed instead of step S4 shown in FIG. is the same as
  • step S4' an EML containing QDs 21 and metal halide 22 is formed as the EML 13. Therefore, in this modification, as shown in FIGS. 15 and 2, steps S1 to S3 are first performed in the same manner as in FIG. Next, an organic ligand-free EML 13 containing QDs 21 is formed (step S4', light emitting layer forming step). Next, steps S5 to S7 similar to steps S5 to S7 shown in FIG. 1 are performed.
  • step S4' for example, as described above, an organic ligand-free EML 13 can be formed by appropriately adjusting the ligand substitution conditions in step S12 (ligand substitution process) in the light emitting layer forming process shown in FIG. can.
  • additional ligand substitution may be performed by performing steps similar to steps S23 to S26 shown in FIG. 6 after step S15 shown in FIG. Thereby, it is also possible to increase the amount of ligand substitution, remove the organic ligand 23, and form an organic ligand-free EML 13.
  • FIG. 16 is a flowchart showing another example of the light emitting layer forming process according to this modification.
  • steps S11 to S22 are performed in the same manner as in FIG. That is, in the light emitting layer forming step, first, as shown in FIG. 16, by performing step S11 similar to step S11 shown in FIGS. 5 and 6, the QD 21 and the organic ligand 23 coordinated to the QD 21 are , a first QD dispersion containing the non-polar solvent as the second solvent is prepared (step S11, first QD dispersion preparation step). Next, the first QD dispersion is applied onto the HTL 12 to form a coating film of the first QD dispersion (step S21, first QD dispersion application step).
  • step S22 solvent removal step
  • step S22 solvent removal step
  • step S41 organic ligand removal step, cleaning step
  • the removal rate of the organic ligand 23 can be adjusted by, for example, the washing time and the amount of washing liquid supplied.
  • the absorption spectrum derived from the organic ligand is confirmed by the FT-IR method, and "the absorption spectrum derived from the organic ligand cannot be detected by the FT-IR method, that is, the measured intensity is low.
  • the EML 13 is cleaned until it is confirmed that the noise is below noise.
  • the cleaning liquid may be any solvent as long as it can remove the organic ligand 23 contained in the EML 13. More specifically, the cleaning liquid may be any solvent that can dissolve the organic ligand 23 coordinated to the QD 21 and the excess organic ligand 23 not coordinated to the QD 21. Examples of the cleaning liquid include alcohols such as methanol and ethanol.
  • step S42 cleaning liquid removal step
  • a ligand solution containing the metal halide 22 and a polar solvent as a solvent is supplied onto the EML 13 from which the organic ligand 23 has been removed, and the ligand solution and the EML 13 are brought into contact with each other.
  • the above-described ligand solution can be supplied in the same manner as in step S23, for example.
  • the organic ligand 23 is removed in advance as described above. Therefore, in step S42, ligand addition is performed instead of ligand substitution.
  • steps S24 to S26 similar to steps S24 to S26 shown in FIG. 6 are performed. Thereby, an organic ligand-free EML 13 containing the QD 21 and the metal halide 22 present on the surface of the QD 21 can be formed.
  • the light emitting layer forming step includes a first QD dispersion preparation step (step S11) of preparing a QD dispersion (first QD dispersion) containing QDs 21, organic ligands 23, and a solvent (second solvent). and a step of removing the organic ligand 23 before or after applying the first QD dispersion.
  • a QD dispersion preparation step step S11
  • a QD dispersion containing QDs 21, organic ligands 23, and a solvent (second solvent).
  • step S42 steps S43 to S26 are successively performed to form an organic ligand-free EML 13 containing the metal halide 22.
  • steps S43 to S26 are successively performed to form an organic ligand-free EML 13 containing the metal halide 22.
  • this modification is not limited to this, and by performing step S6 shown in FIG. 15 after step S42, IL14 is formed on the organic ligand-free EML13 obtained in step S42. You can. In this case, it is possible to finally manufacture the light emitting element 1 having the EML 13 containing only the metal halide 31 as the metal halide.
  • the organic ligand-less EML 13 containing the QD 21 and the metal halide 31 (first metal halide) is provided, and the IL 14 containing the metal halide 31 and the carrier transport It is possible to provide a light-emitting element 1 in which an ETL 15 containing a carrier-transporting material 41 and an ETL 15 containing a carrier-transporting material 41 are provided adjacent to each other in this order from the EML 13 side.
  • the IL 14 containing the metal halide 31 and the ETL 15 containing the carrier transporting material 41 are provided adjacent to each other in this order from the EML 13 side, so that the ETL 15 It is possible to improve the wettability of the carrier transporting material dispersion liquid 43 when forming the carrier transporting material dispersion liquid 43. As a result, it is possible to provide a light-emitting element 1 with good layer thickness uniformity and excellent light-emitting characteristics and reliability.
  • the EML 13 may further include a metal halide 22 (second metal halide) in addition to the QDs 21 and the metal halide 31.
  • the HTL 12 containing the carrier transporting material 41' may be formed on the IL 14 as the CTL containing the carrier transporting material.
  • Embodiment 2 In this embodiment, differences from Embodiment 1 will be explained.
  • the method for manufacturing a light emitting device includes a step of forming an EML and a step of forming a CTL on the EML. and a step of applying a carrier transporting material dispersion containing a first solvent and a first metal halide, and a step of removing the first solvent.
  • a metal halide having a solubility in water at 25° C. of 2.5 mg/100 g or more is used as the first metal halide
  • the above EML is formed by forming an EML containing (1) QDs and a second metal halide whose solubility in water at 25° C. is less than 2.5 mg/100 g, or (2) containing the above QDs and an organic Forms ligand-less EML.
  • the light emitting element has a conventional structure in which the anode is the lower electrode and the cathode is the upper electrode, and HIL, HTL, EML, and ETL are provided between the anode and the cathode as functional layers. Let's take an example to explain the case.
  • FIG. 17 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device 1 according to this embodiment.
  • FIG. 18 is a sectional view showing a schematic configuration of the light emitting element 1 according to this embodiment.
  • members having the same functions as those described in Embodiment 1 will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.
  • the anode 2, HIL 11, HTL 12, EML 13, ETL 15, and cathode 3 are arranged from the lower layer side (for example, from the support side (not shown) such as a substrate). It has a configuration provided in this order.
  • the ETL 15 according to the present embodiment is laminated on the EML 13 adjacent to the EML 13, and includes a carrier transporting material 41 and a metal halide 31 (first metal halide). .
  • the light emitting element 1 may include a functional layer (not shown) between the anode 2 and the cathode 3 other than the HIL 11, HTL 12, EML 13, and ETL 15. good.
  • steps S1 to S4 are first performed in the same manner as in FIG.
  • the EML 13 may be formed by the method shown in FIG. 5 or may be formed by the method shown in FIG. 6.
  • step S51 carrier transport layer forming step, electron transport layer forming step.
  • step S51 as shown in FIG. 17, first, a carrier transporting material dispersion containing a carrier transporting material 41, a solvent (first solvent), and a metal halide 31 is applied onto the EML 13. , forming a coating film of the carrier transporting material dispersion (step S51a, carrier transporting material dispersion coating step).
  • step S51a carrier transporting material dispersion coating step.
  • step S51b first solvent removal step.
  • step S7 similar to step S7 shown in FIG. 1 is performed to form the cathode 3 as an upper layer electrode on the ETL 15. As a result, the light emitting element 1 shown in FIG. 18 is formed.
  • the carrier transporting material dispersion containing the carrier transporting material 41, the solvent (first solvent), and the metal halide 31 is applied onto the EML 13, thereby increasing the carrier transporting property.
  • ETL 15 containing material 41 and metal halide 31 is formed.
  • the metal halide has a size that allows it to pass through the gaps between the QDs 21 in the EML 13.
  • the metal halide 31 contained in the carrier transporting material dispersion liquid invades into the EML 13, as described above.
  • a part of the ligand (the metal halide 22 and, if the organic ligand 23 is included, the organic ligand 23) on the surface of the QD 21 in the EML 13 is substituted with the metal halide 31.
  • a coating film of the carrier transporting material dispersion is formed on the EML 13.
  • the carrier transporting material dispersion containing the carrier transporting material 41, the solvent (first solvent), and the metal halide 31 onto the EML 13 as described above the wettability of the carrier transporting material dispersion liquid to EML13 can be improved.
  • ETL 15 can be formed directly on EML 13. Therefore, the number of steps can be reduced compared to Embodiment 1, the manufacturing process can be simplified, and the time and cost required for manufacturing can be reduced.
  • the carrier transporting material dispersion liquid can be applied to the carrier transporting material 41 modified with the metal halide 31. Therefore, the dispersibility of the carrier transporting material 41 can be improved.
  • This embodiment is particularly effective when providing a CTL such as the ETL 15 on the EML 13 as described above in terms of the process.
  • the formation of the ETL 15 requires selection of the metal halide 31 corresponding to the metal halide 22 on the surface of the QD 21 in the EML 13 serving as the base.
  • the metal halide 31 contained in the metal halide-containing liquid used to form the ETL 15 is Even if the halide ions enter the EML 13, the types of halide ions contained in the EML 13 do not increase. Therefore, by using metal halides with the same halogen species for the EML 13 and the ETL 15, there is less influence on the QD 21, and deterioration of the light emission characteristics can be suppressed.
  • the light emitting device 1 manufactured by the method for manufacturing a light emitting device according to the present embodiment includes the QD 21, the metal halide 22 (second metal halide), and the metal halide 31 (first metal halide).
  • a carrier transporting material is provided as a CTL containing a carrier transporting material and a metal halide 31 (first metal halide) on the EML 13, adjacent to the EML 13. 41 and a metal halide 31.
  • the ETL 15 containing the carrier transporting material 41 and the metal halide 31 is provided adjacent to the EML 13, so that the The wettability of the coating liquid (carrier transporting material dispersion liquid) containing the carrier transporting material 41 to the EML 13 can be improved. As a result, it is possible to provide a light-emitting element 1 with good layer thickness uniformity and excellent light-emitting characteristics and reliability.
  • the EML 13 when forming the EML 13 containing the metal halide 22, the EML 13 further contains the metal halide 31 in addition to the metal halide 22, as shown in FIG. Therefore, in this embodiment as well, both the anion 22a and the anion 31a exist as ligands on the surface of the QD 21.
  • the metal halide 31 contained in the carrier transporting material dispersion liquid used for forming the ETL 15 is Even if ions enter the EML 13, the types of halide ions contained in the EML 13 do not increase. Therefore, by using metal halides with the same halogen species for the EML 13 and the ETL 15, there is less influence on the QD 21, and deterioration of the light emission characteristics can be suppressed.
  • the layer thickness of each layer of the light emitting element 1 may be set in the same manner as in the conventional case.
  • a wide gap metal halide is used as the metal halide 31
  • carrier injection from the ETL 15 is suppressed. Therefore, it is desirable to adjust the layer thickness of the ETL 15 as necessary.
  • the carrier transporting material dispersion liquid contains the carrier transporting material 41, the solvent (first solvent), and the metal halide 31,
  • the carrier transport material 41 is preferably a metal oxide, and the isoelectric point of the carrier transport material dispersion is preferably pH 7 or higher.
  • the light emitting element 1 has a conventional structure in which the anode 2 is the lower electrode has been described as an example.
  • the light emitting element 1 may have an inverted structure in which the cathode 3 is the lower electrode.
  • the CTL formed on the EML 13 is not limited to ETL, but may be HTL.
  • the light emitting device 1 has an inverted structure in which the cathode 3 is the lower electrode and the anode 2 is the upper electrode.
  • the anode 2 may have a configuration in which the anode 2 is provided in this order from the lower layer side (for example, from the side of a support (not shown) such as a substrate).
  • the light emitting element 1 may include a functional layer (not shown) between the anode 2 and the cathode 3.
  • FIG. 19 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting element 1 according to this modification.
  • step S31, step S32, and step S4 are performed in this order in the same manner as in FIG.
  • the EML 13 may be formed by the method shown in FIG. 5 or may be formed by the method shown in FIG. 6.
  • step S51' carrier transport layer forming step, hole transport layer forming step.
  • step S51' as shown in FIG. 19, first, a carrier transporting material dispersion containing the carrier transporting material 41', a solvent (first solvent), and a metal halide 31 is applied onto the EML 13.
  • step S51a' carrier transporting material dispersion coating step
  • step S51b' first solvent removal step
  • step S34 similar to step S34 shown in FIG. 14 is performed to form an anode 2 as an upper layer electrode on the HTL 12.
  • carrier transport is achieved by applying a carrier transport material dispersion containing the carrier transport material 41', the solvent (first solvent), and the metal halide 31 onto the EML 13.
  • An HTL 12 is formed that includes a chemical material 41' and a metal halide 31.
  • the metal halide has a size that allows it to pass through the gaps between the QDs 21 in the EML 13.
  • the carrier transporting material dispersion containing the carrier transporting material 41', the solvent (first solvent), and the metal halide 31 is applied onto the EML 13 as described above. Therefore, the wettability of the carrier transporting material dispersion liquid with respect to EML 13 can be improved. As a result, it is possible to manufacture a light-emitting element 1 with good layer thickness uniformity, excellent light-emitting characteristics, and reliability.
  • the carrier transporting material dispersion containing the carrier transporting material 41', the solvent (first solvent), and the metal halide 31 is applied onto the EML 13 as described above. Then, the HTL 12 can be formed directly on the EML 13. Therefore, the number of steps can be reduced compared to Modification 1 of Embodiment 1, the manufacturing process can be simplified, and the time and cost required for manufacturing can be reduced.
  • the carrier transporting material dispersion can be applied to the carrier transporting material 41' modified with the metal halide 31. Therefore, the dispersibility of the carrier transporting material 41' can be improved.
  • the carrier transporting material 41' is a metal oxide
  • the isoelectric point of the carrier transporting material dispersion containing the carrier transporting material is is preferably pH 7 or higher.
  • the metal oxide is used as metal oxide nanoparticles.
  • the HTL 12 is formed on the EML 13 in the same manner as in step S51, except that the carrier transporting material 41' is used as the carrier transporting material in step S51'.
  • the CTL formed on the EML 13 may be HTL, and except for the specific material as described above, ETL can be read as HTL in step S51.
  • the light emitting device 1 manufactured by the method for manufacturing a light emitting device according to this modification includes the QD 21, the metal halide 22 (second metal halide), and the metal halide 31 (first metal halide). ), and on the EML 13, adjacent to the EML 13, a carrier transporting material 41' as a CTL containing a carrier transporting material and a metal halide 31 (first metal halide).
  • the HTL 12 includes a metal halide 31 and a metal halide 31.
  • a light emitting element that can improve the wettability of the coating liquid (carrier transport material dispersion) containing the carrier transport material 41' to the EML 13, has good layer thickness uniformity, and has excellent light emitting characteristics and reliability. 1 can be provided.
  • hole injection from the HTL 12 to the EML 13 can be suppressed by making the band gaps of the metal halide 22 and the metal halide 31 larger than the band gap of the shell 21b.
  • FIG. 20 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device 1 according to this modification.
  • the method for manufacturing the light emitting element 1 according to this modification includes the following steps, except that step S4', which is similar to step S4' shown in FIG. 15, is performed instead of step S4 shown in FIG. 17.
  • step S4' for example, an organic ligand-free EML 13 may be formed by appropriately adjusting the ligand substitution conditions in step S12 (ligand substitution step) in the light emitting layer forming step shown in FIG. .
  • an organic ligand-free EML 13 may be formed by performing additional ligand substitution, such as performing steps similar to steps S23 to S26 shown in FIG.
  • an organic ligand-free EML 13 may be formed using the method shown in FIG.
  • the light-emitting layer forming step includes preparing a first QD dispersion liquid (first QD dispersion liquid) containing QDs 21, organic ligands 23, and a solvent (second solvent). (Step S11), and a step of removing the organic ligand 23 before or after applying the first QD dispersion.
  • first QD dispersion liquid first QD dispersion liquid
  • second solvent second solvent
  • an organic ligand-free EML 13 containing QDs 21 and a metal halide 31 (first metal halide) is provided, and on the EML 13, adjacent to the EML 13, A light emitting element 1 can be provided in which an ETL 15 including a carrier transporting material 41 and a metal halide 31 is provided as a CTL including a carrier transporting material and a metal halide 31 (first metal halide).
  • the ETL 15 including the carrier transporting material 41 and the metal halide 31 is provided adjacent to the EML 13, so that when forming the ETL 15, the EML 13 is The wettability of the coating liquid (carrier transporting material dispersion liquid) containing the carrier transporting material 41 can be improved. As a result, it is possible to provide a light-emitting element 1 with good layer thickness uniformity and excellent light-emitting characteristics and reliability.
  • the EML 13 may further include a metal halide 22 (second metal halide) in addition to the QDs 21 and the metal halide 31.
  • the HTL 12 containing the carrier transporting material 41' and the metal halide 31 may be formed as a CTL on the EML 13.

Landscapes

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Abstract

発光素子の製造方法は、量子ドットを含む発光層を形成する工程と、発光層上に、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物を含む中間層を形成する工程と、中間層上にキャリア輸送層を形成する工程と、を含む。キャリア輸送層を形成する工程は、中間層上に、キャリア輸送性材料と第1溶媒とを含むキャリア輸送性材料分散液を塗布する工程と、第1溶媒を除去する工程と、を含む。

Description

発光素子の製造方法および発光素子
 本開示は、発光素子の製造方法および発光素子に関する。
 量子ドットの表面には、該量子ドットの保護並びに溶媒への分散性の向上等を目的として、一般的に、リガンド(修飾基)が設けられている。上記リガンドとしては、量子ドット分散液内での量子ドットの分散性に優れることから、一般的には有機リガンドが用いられている。しかしながら、絶縁性の有機材料を用いた有機リガンドは、発光層に量子ドットを含む電荷(キャリア)注入型の発光素子においては、キャリア注入の阻害要因となり得る。
 このため、近年、有機リガンドに代わるリガンドとして、無機リガンドが注目されている。無機リガンドは、有機リガンドに比べて安定性が高く、また、キャリア注入性に優れている。例えば、特許文献1には、量子ドットと、該量子ドット表面の有機リガンドをリガンド置換することで該量子ドットの表面に結合された、ZnF等のフッ化物含有リガンドと、を含む、安定な量子ドット組成物が開示されている。
日本国特開2020-180278号
 量子ドットを含む発光層上に、キャリア輸送層として、例えばZnOナノ粒子をキャリア輸送性材料として含む電子輸送層を積層する場合、該キャリア輸送層の形成に用いられる、上記キャリア輸送性材料を含む塗布液であるキャリア輸送性材料分散液には、溶媒としてアルコールが用いられる。
 しかしながら、ZnF等の一部の金属ハロゲン化物は、このようなキャリア輸送層の形成に用いられる、アルコール等の溶媒への溶解度が非常に低い。無機リガンドとしてZnFリガンドを用いた場合のように、量子ドットが、表面にZn-F結合を有する場合、該量子ドットを含む発光層表面の表面張力が、該発光層上に積層するキャリア輸送層の形成に用いられる溶媒の表面張力よりも小さくなる。このため、ZnF等のフッ素リガンドにリガンド置換された量子ドットを含む発光層は、該発光層上に積層するキャリア輸送層の形成に用いられるキャリア輸送性材料分散液の濡れ性が悪い。この結果、発光層上に形成されるキャリア輸送層の層厚が不均一となり、発光素子の素子特性あるいは信頼性が低下する。
 特に、十分なフッ素置換量を得ようとすると、余剰のフッ素リガンド(言い換えれば、余剰の金属ハロゲン化物)からなる金属ハロゲン化物層によって、キャリア輸送性材料分散液の濡れ性がさらに低下する。この場合、発光層上に形成されるキャリア輸送層の層厚がさらに不均一となり、発光素子の素子特性あるいは信頼性がさらに低下する。
 一方、上述したように有機リガンドはキャリア注入の阻害要因となり得ることから、キャリア注入を容易にするために、リガンド置換に代えてリガンド除去のみを行うと、量子ドットのバルクの物性が顕在化する。このようにリガンドレスの量子ドットの表面がキャリア輸送性材料分散液と直接接触すると、発光層に対するキャリア輸送性材料分散液の濡れ性の課題が発生するおそれがある。また、リガンドレスの量子ドットの表面が露出していると、発光効率が低下するおそれがある。このため、量子ドットの表面にはリガンドが存在していることが望ましいが、量子ドットを含む発光層上にキャリア輸送層を積層する場合、上述した問題点がある。
 本開示の一態様は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、発光層に対するキャリア輸送性材料分散液の濡れ性を改善することができ、層厚の均一性が良く、発光特性および信頼性に優れた発光素子を製造することができる発光素子の製造方法およびそのような発光素子を提供することにある。
 上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る発光素子の製造方法は、発光層を形成する工程と、上記発光層上に、第1金属ハロゲン化物を含む中間層を形成する工程と、上記中間層上にキャリア輸送層を形成する工程と、を含み、上記キャリア輸送層を形成する工程は、上記中間層上に、キャリア輸送性材料と第1溶媒とを含むキャリア輸送性材料分散液を塗布する工程と、上記第1溶媒を除去する工程と、を含み、上記中間層を形成する工程では、上記第1金属ハロゲン化物として25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物を含む中間層を形成し、上記発光層を形成する工程では、上記発光層として、(1)量子ドットと25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の第2金属ハロゲン化物とを含む発光層を形成するか、または、(2)上記量子ドットを含み、かつ、有機リガンドレスの発光層を形成する。
 上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る発光素子の製造方法は、発光層を形成する工程と、上記発光層上にキャリア輸送層を形成する工程と、を含み、上記キャリア輸送層を形成する工程は、上記発光層上に、キャリア輸送性材料と第1溶媒と第1金属ハロゲン化物とを含むキャリア輸送性材料分散液を塗布する工程と、上記第1溶媒を除去する工程と、を含み、上記キャリア輸送性材料分散液を塗布する工程では、上記第1金属ハロゲン化物として、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物を使用し、上記発光層を形成する工程では、上記発光層として、(1)量子ドットと25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の第2金属ハロゲン化物とを含む発光層を形成するか、または、(2)上記量子ドットを含み、かつ、有機リガンドレスの発光層を形成する。
 上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る発光素子は、量子ドットと第1金属ハロゲン化物とを含む発光層を備えるとともに、(1)上記第1金属ハロゲン化物を含む中間層と、キャリア輸送性材料を含むキャリア輸送層とが、上記発光層側からこの順に互いに隣接して設けられているか、または、(2)上記発光層上に、該発光層に隣接して、キャリア輸送性材料と上記第1金属ハロゲン化物とを含むキャリア輸送層が設けられており、上記第1金属ハロゲン化物の25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上である。
 本開示の一態様によれば、発光層に対するキャリア輸送性材料分散液の濡れ性を改善することができ、層厚の均一性が良く、発光特性および信頼性に優れた発光素子を製造することができる発光素子の製造方法およびそのような発光素子を提供することができる。
実施形態1に係る発光素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。 実施形態1に係る発光素子の概略構成を示す断面図である。 図2に示す発光素子における量子ドットの概略構成を示す断面図である。 図2に示す発光素子における量子ドットの概略構成を示す他の断面図である。 図1に示す発光層形成工程の一例を示すフローチャートである。 図1に示す発光層形成工程の他の一例を示すフローチャートである。 図1に示す中間層形成工程および電子輸送層形成工程における要部の概略構成を示す断面図である。 量子ドットのシェルと電子輸送層との間に金属ハロゲン化物が存在しない場合における電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。 量子ドットのシェルと電子輸送層との間に金属ハロゲン化物が存在する場合における電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。 主な金属ハロゲン化物のバンドギャップおよび25℃における水に対する溶解度を示す表である。 青色量子ドットを使用し、金属ハロゲン化物のバンドギャップが約4.4eVの発光素子の各層のエネルギー準位を示す図である。 赤色量子ドットを使用し、金属ハロゲン化物のバンドギャップが約5.2eVの発光素子の各層のエネルギー準位を示す図である。 実施形態1の変形例1に係る発光素子の概略構成の一例を示す断面図である。 実施形態1の変形例1に係る発光素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。 実施形態1の変形例2に係る発光素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。 実施形態1の変形例2に係る発光層形成工程の他の一例を示すフローチャートである。 実施形態2に係る発光素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。 実施形態2に係る発光素子の概略構成を示す断面図である。 実施形態2の変形例1に係る発光素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。 実施形態2の変形例2に係る発光素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。
 以下、本開示の一実施形態について、詳細に説明する。以下では、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されている層を「下層」と称し、比較対象の層よりも後のプロセスで形成されている層を「上層」と称する。以下の説明において、2つの数AおよびBについての「A~B」という記載は、特に明示されない限り、「A以上かつB以下」を意味する。
 〔実施形態1〕
 本開示の一実施形態について、図1~図16に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、発光層上に、金属ハロゲン化物(第1金属ハロゲン化物)を含む中間層と、キャリア輸送性材料を含むキャリア輸送層とが、上記発光層側(つまり、下層側)からこの順に互いに隣接して設けられた発光素子を製造する方法について説明する。本開示に係る発光素子は、発光層に、発光材料として量子ドットを用いた量子ドット発光ダイオード(QLED)である。本開示では、発光層とキャリア輸送層との間の層を中間層と称する。
 本実施形態に係る発光素子の製造方法は、発光層を形成する工程と、上記発光層上に、第1金属ハロゲン化物を含む中間層を形成する工程と、上記中間層上にキャリア輸送層を形成する工程と、を含み、上記キャリア輸送層を形成する工程は、上記中間層上に、キャリア輸送性材料と第1溶媒とを含むキャリア輸送性材料分散液を塗布する工程と、上記第1溶媒を除去する工程と、を含んでいる。上記中間層を形成する工程では、上記第1金属ハロゲン化物として25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物を含む中間層を形成し、上記発光層を形成する工程では、上記発光層として、(1)量子ドットと25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の第2金属ハロゲン化物とを含む発光層を形成するか、または、(2)上記量子ドットを含み、かつ、有機リガンドレスの発光層を形成する。なお、本開示において、溶解度とは、金属ハロゲン化物単体の25℃における飽和溶解重量を示す。
 以下では、上記発光層を形成する工程で、上記発光層として、量子ドットと上記第2金属ハロゲン化物とを含む発光層を形成する場合を例に挙げて説明する。また、以下では、上記中間層上に形成されるキャリア輸送層が電子輸送層である場合を例に挙げて説明する。また、以下では、上記発光素子が、陽極を下層電極とし、陰極を上層電極とするコンベンショナル構造を有し、陽極と陰極との間に、機能層として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、中間層、および電子輸送層を備えている場合を例に挙げて説明する。なお、本開示では、陽極と陰極との間の層を総称して機能層と称する。
 しかしながら、本実施形態に係る発光素子は、これに限定されるものではなく、例えば、陰極を下層電極とし、陽極を上層電極とするインバーテッド構造を有していてもよい。また、上述したように、本実施形態に係る発光素子は、上記中間層上に形成されるキャリア輸送層が電子輸送層である場合、発光層上に、上記中間層と上記電子輸送層とが、上記発光層側からこの順に互いに隣接して設けられていればよい。したがって、上記中間層上に形成されるキャリア輸送層が電子輸送層である場合、正孔注入層および正孔輸送層は、設けられていてもよいし、設けられていなくてもよい。したがって、上記発光素子は、正孔注入層および正孔輸送層のうち少なくとも一方が設けられていない構成を有していてもよく、陽極と陰極との間に、上記機能層以外の機能層が設けられている構成を有していてもよい。
 以下、発光層を「EML」と称し、キャリア輸送層を「CTL」と称し、電子輸送層を「ETL」と称し、正孔輸送層を「HTL」と称し、正孔注入層を「HIL」と称し、中間層を「IL」と称する場合がある。また、量子ドットを「QD」と称する場合がある。
 図1は、本実施形態に係る発光素子1の製造方法の一例を示すフローチャートである。図2は、本実施形態に係る発光素子1の概略構成を示す断面図である。図3は、図2に示す発光素子1におけるQD21の概略構成を示す断面図である。図4は、図2に示す発光素子1におけるQD21の概略構成を示す他の断面図である。
 図2に示すように、本実施形態に係る発光素子1は、一例として、陽極2、HIL11、HTL12、EML13、IL14、ETL15、および陰極3が、下層側(例えば、基板等の図示しない支持体側)からこの順に設けられた構成を有している。陽極2から陰極3までの各層は、一般的に、支持体としての基板によって支持されている。なお、図示および説明は省略するが、発光素子1は、陽極2と陰極3との間に、HIL11、HTL12、EML13、IL14、およびETL15以外の、図示しない機能層を備えていてもよい。
 本実施形態に係る発光素子1の製造方法では、図1および図2に示すように、まず、図示しない基板上に、下層電極として陽極2を形成する(ステップS1、下層電極形成工程、陽極形成工程)。次いで、HIL11を形成する(ステップS2、正孔注入層形成工程)。次いで、HTL12を形成する(ステップS3、正孔輸送層形成工程)。次いで、QD21と、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の金属ハロゲン化物22(第2金属ハロゲン化物、無機リガンド)とを含むEML13を形成する(ステップS4、発光層形成工程)。次いで、EML13上に、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)を含むIL14を形成する(ステップS5、中間層形成工程)。次いで、IL14上に、ETL15を形成する(ステップS6、キャリア輸送層形成工程、電子輸送層形成工程)。ステップS6では、図1に示すように、まず、IL14上に、キャリア輸送性材料41と溶媒(第1溶媒)とを含むキャリア輸送性材料分散液を塗布することで、該キャリア輸送性材料分散液の塗膜を形成する(ステップS6a、キャリア輸送性材料分散液塗布工程)。次いで、上記塗膜を加熱する等して、該塗膜に含まれる溶媒、つまり、塗布したキャリア輸送性材料分散液中に含まれていた上記溶媒(第1溶媒)を除去する(ステップS6b、第1溶媒除去工程)。これにより、IL14上に、キャリア輸送性材料41を含むETL15が形成される。次いで、ETL15上に、上層電極として陰極3を形成する(ステップS7、上層電極形成工程、陰極形成工程)。これにより、図2に示す発光素子1が形成される。以下に、より詳細に説明する。
 陽極2は、導電性材料を含み、電圧が印加されることにより、正孔(ホール)をEML13に供給する電極である。陰極3は、導電性材料を含み、電圧が印加されることにより、電子をEML13に供給する電極である。陽極2および陰極3の少なくとも一方は透光性電極である。なお、陽極2および陰極3の何れか一方は、光反射性を有する、いわゆる反射電極であってもよい。発光素子1は、透光性電極側から光を取り出すことが可能である。
 例えば、発光素子1が、上層電極側から光を放射するトップエミッション型の発光素子である場合、上層電極に透光性電極が使用され、下層電極に反射電極が使用される。一方、発光素子1が、下層電極側から光を放射するボトムエミッション型の発光素子である場合、下層電極に透光性電極が使用され、下層電極に反射電極が使用される。
 透光性電極は、例えば、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)、AgNW(銀ナノワイヤ)、MgAg(マグネシウム-銀)合金の薄膜、Agの薄膜等の、導電性の透光性材料で形成される。
 一方、反射電極は、例えば、Ag、Al、Cu等の金属、それら金属を含む合金等の、導電性の光反射性材料で形成される。なお、上記透光性材料からなる層と上記光反射性材料からなる層とを積層することで反射電極としてもよい。
 ステップS1における陽極2の形成並びにステップS5における陰極3の形成には、例えば、蒸着法、スパッタリング法等が用いられる。陽極2は、例えば、図示しない基板上に、蒸着法またはスパッタリング法等で、上記導電性材料を成膜することで形成することができる。同様に、陰極3は、ETL15上に、蒸着法またはスパッタリング等で、上記導電性材料を成膜することで形成することができる。
 HIL11は、正孔輸送性を有し、陽極2からHTL12への正孔の注入を促進する層である。HIL11の材料には、例えば、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)とポリスチレンスルホン酸(PSS)との複合物(PEDOT:PSS)等の正孔輸送性材料が用いられる。HIL11の形成には、例えば、スピンコート法、インクジェット法等、任意の方法を適宜選択し得る。
 HTL12は、正孔輸送性を有し、HIL11からEML13に正孔を輸送する層である。HTL12の材料には、例えば、TFB(ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル)-co-(4,4’-(N-4-sec-ブチルフェニル))ジフェニルアミン)])、p-TPD(ポリ[N,N’-ビス(4-ブチルフェニル)-N,N’-ビス(フェニル)-ベンジジン])、PVK(ポリビニルカルバゾール)、NiO、WO、MoO等の正孔輸送性材料が用いられる。HTL12の形成には、例えば、スピンコート法、インクジェット法等、任意の方法を適宜選択し得る。
 前述したように、発光素子1はQLEDであり、EML13は、発光材料としてQD21を含むQD発光層である。EML13は、QD21と、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の金属ハロゲン化物22(第2金属ハロゲン化物)と、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)を含んでいる。EML13は、発光材料として、発光色に応じたナノサイズのQD21を含んでいる。
 EML13では、陽極2から輸送された正孔と陰極3から輸送された電子とが再結合し、これによって生じた励起子がQD21の伝導帯準位から価電子帯準位に遷移する過程で、光を発する。
 QD21は、粒子の最大幅が100nm以下のドットである。QD21は、一般的に、その組成が半導体材料由来であることから、半導体ナノ粒子と称される場合がある。また、QD21は、一般的に、その組成が無機材料由来であることから、無機ナノ粒子と称される場合がある。また、QD21は、その構造が例えば特定の結晶構造を有することから、ナノクリスタルと称される場合もある。
 QD21の形状は、上記最大幅を満たす範囲であればよく、特に制約されず、球状の立体形状(円状の断面形状)に限定されるものではない。例えば、多角形状の断面形状、棒状の立体形状、枝状の立体形状、表面に凹凸を有す立体形状でもよく、または、それらの組合せでもよい。
 QD21は、金属元素を少なくとも1つ含んでいてもよい。QD21に含まれる金属元素としては、例えば、Cd、Zn、In、Sb、Al、Si、Ga、Pb、Ge、Mg等が挙げられる。また、QD21は、少なくとも1つの金属元素と、S、Te、Se、N、P、As等の非金属元素とを組み合わせた半導体材料であってもよい。
 QD21は、コアのみで形成されていてもよく、二成分コア型、三成分コア型、四成分コア型であってもよい。また、QD21は、図3に示すように、コア21aとシェル21bとを含むコアシェル構造を有していてもよく、コアシェル型またはコアマルチシェル型であってもよい。
 図3に示すように、QD21がシェル21bを含む場合、中心部にコア21aがあり、シェル21bは、コア21aの表面に設けられていればよい。シェル21bは、コア21aの全体を覆っていることが望ましいが、シェル21bがコア21aを完全に覆っている必要はない。シェル21bは、コア21aの表面の一部に形成されていてもよい。QD21は、該QD21の一断面における観察にて、コア21aの表面の一部にシェル21bが形成されていることが判るか、または、コア21aをシェル21bが包んでいることが判れば、それでコアシェル構造を有していると言うことができる。したがって、シェル21bがコア21aの全体を覆うことは、QD21の一断面の観察で判断できれば足る。なお、上記断面観察は、例えば、走査透過電子顕微鏡(STEM)、あるいは透過型電子顕微鏡(TEM)にて行うことができる。
 また、QD21は、ドープされたナノ粒子を含んでいてもよく、または、組成傾斜した構造を備えていてもよい。また、シェル21bは、コア21aの表面に固溶化した状態で形成されていても構わない。図3では、コア21aとシェル21bとの境界を点線で示したが、これは、コア21aとシェル21bとの境界を分析により確認できてもできなくてもどちらでもよいことを示す。シェル21bは、複数層形成されていてもよい。
 コア21aは、例えば、Si、Ge、CdSe、CdS、CdTe、InP、GaP、InN、ZnSe、ZnS、ZnTe、CdSeTe、GaInP、ZnSeTe等で構成することができる。シェル21bは、例えば、CdS、ZnS、CdSSe、CdTeSe、CdSTe、ZnSSe、ZnSTe、ZnTeSe、AIP等で構成することができる。QD21がコアシェル構造を有する場合、QD21の材料(コア21a/シェル21bの材料の組み合わせ)の一例としては、例えば、ZnSe/ZnS、InP/ZnS、CdSe/CdS等が挙げられる。
 QD21は、粒子の粒径、組成等によって、発光波長を種々変更することができる。QD21は、可視光を発光するQDであり、QD21の粒径および組成を適宜調整することによって、発光波長を、青色波長域~赤色波長域まで制御することが可能である。
 金属ハロゲン化物22(第2金属ハロゲン化物)は、前述したように、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の金属ハロゲン化物である。なお、金属ハロゲン化物22については、後で、金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)と併せて説明する。
 前述したようにリガンド除去を行う等してQD21の表面にリガンドが存在していない場合、QD21のバルクの物性が顕在化する。このようにリガンドレスのQD21の表面(コア21aまたはシェル21bの表面)がキャリア輸送性材料分散液と直接接触すると、EML13に対するキャリア輸送性材料分散液の濡れ性の課題が発生するおそれがある。また、例えばQD21の表面にZn原子が存在する、コア21aのみまたはコアシェル構造を有するQD21は、表面に露出したZn原子が励起子の失活要因となり得る。このため、QD21の表面には、リガンドが配位していることが望ましい。
 なお、本開示において、「配位」とは、リガンドとQD21の表面とが相互作用していることを示し、例えば、QD21の表面にリガンドが吸着している(言い換えれば、リガンドがQD21表面を修飾している)ことを示す。なお、ここで、「吸着」とは、QD21の表面において、リガンドの濃度が周囲よりも増加していることを示す。上記吸着は、QD21とリガンドとの間に化学結合がある化学吸着であってもよいし、物理吸着あるいは静電吸着であってもよい。
 したがって、リガンドは、QD21の表面との相互作用が可能であれば、配位結合、共有結合、イオン結合、水素結合等で結合していてもよいし、必ずしも結合していなくてもよい。上記相互作用は、例えば、配位結合性、共有結合性、イオン結合性、水素結合性の相互作用であってもよく、ファンデルワールス相互作用または他の分子相互作用であってもよい。このように、本開示において、「リガンド」とは、QD21の表面と相互作用可能な分子またはイオンを示す。本開示では、EML13において、QD21およびQD21の表面と相互作用可能な分子もしくはイオンが存在することが確認できれば、その分子もしくはイオンは「リガンド」ということができる。なお、本開示では、QD21の表面に配位している分子またはイオンだけでなく、配位可能だが配位していない分子またはイオンも含めて「リガンド」と称する。
 キャリア注入型の発光素子において、リガンドの長さは、短ければ短いほど良い。そこで、本実施形態では、金属ハロゲン化物を、リガンド(無機リガンド)として使用する。金属ハロゲン化物は、安定分散のために一般的に用いられる有機リガンドと比較して、リガンドの長さが短く、QD21同士を近接させることができる。このため、金属ハロゲン化物は、有機リガンドと比較して、キャリア注入性を向上させることができるとともに、QD21の表面の欠陥による発光効率の低下を抑制することができる。
 金属ハロゲン化物22は、アニオン22aとカチオン22bとして存在している。これらアニオン22aおよびカチオン22bのうち、アニオン22aであるハロゲンは、負に帯電していることから、ハロゲンリガンドとして、QD21の正に帯電した表面に引き付けられる。
 同様に、金属ハロゲン化物31は、アニオン31aとカチオン31bとして存在している。これらアニオン31aおよびカチオン31bのうち、アニオン31aであるハロゲンは、負に帯電していることから、ハロゲンリガンドとして、QD21の正に帯電した表面に引き付けられる。
 EML13は、例えば図2に示すように、QD21と、QD21に配位する前の状態または配位した状態の金属ハロゲン化物22と、QD21に配位する前の状態または配位した状態の金属ハロゲン化物31と、を含んでいてもよい。ここで、「配位する前の状態」とは、アニオンと、対イオンとなるカチオンとが結合した状態を示す。例えば、アニオン22aとカチオン22bとが結合した状態、あるいは、アニオン31aとカチオン31bとが結合した状態を示す。また、「配位した状態」とは、アニオン22aあるいはアニオン31aであるハロゲンとQD21の表面とが相互作用している状態(例えばハロゲンがハロゲンリガンドとしてQD21の表面に結合した状態)を示す。
 アニオン22aあるいはアニオン31aとしては、例えば、F、Cl、Br、I等が挙げられる。カチオン22bあるいはカチオン31bとしては、例えば、Li、Na、K、Rb、Cs、Be2+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Zn2+、Al3+、Ga3+、In3+、Sn2+、Pb2+等の金属イオンが挙げられる。なお、具体的な金属ハロゲン化物22および金属ハロゲン化物31については、後で説明する。
 図4に示すように、本実施形態に係るEML13は、QD21および金属ハロゲン化物22および金属ハロゲン化物31に加えて、有機リガンド23を含んでいてもよく、QD21の表面には、有機リガンド23が配位していてもよい。
 有機リガンド23は、QD21に配位可能な配位性官能基を少なくとも1つ含む有機化合物である。上記配位性官能基としては、代表的には、例えば、アミノ基、ホスホン基、ホスフィン基、ホスフィンオキシド基、カルボキシル基、およびチオール基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基が挙げられる。
 EML13が、有機リガンド23をさらに含む場合、EML13は、有機リガンド23として、QD21に配位する前の状態または配位した状態の有機化合物を含んでいてもよい。なお、有機リガンド23が配位性官能基として例えばチオール(-SH)基を有する場合、該有機リガンド23は、チオール基の水素原子が外れてスルフィド(-S-)結合でQD21に配位する。このため、ここで、「配位する前の状態」の有機化合物とは、例えば配位によって外れる水素原子が結合している状態の有機化合物を示す。
 上記有機リガンド23としては、例えば、オレイルアミン、ドデシルアミン等のアミン系化合物;(12-ホスホノドデシル)ホスホン酸、11-メルカプトウンデシルホスホン酸等のホスホン系化合物;トリオクチルホスフィン、トリブチルホスフィン等のホスフィン系化合物;トリオクチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド系化合物;オレイン酸、オクタン酸等の脂肪族系化合物;ドデカンチオール、オクタンチオール等のチオール系化合物;等が挙げられる。
 但し、キャリア注入を容易にするためには、リガンドの総量における有機リガンド23の割合が少ないか、あるいは、EML13が、有機リガンド23を含まないか実質的に含まない有機リガンドレスであることが望ましい。ハロゲンリガンドの効果から見て、EML13におけるQD21に対する有機リガンド23の重量比率(QD21の重量に対する有機リガンド23の重量割合)は、QD21の種類およびサイズ、並びに、有機リガンド23の分子量にもよるが、30%以下であることが望ましく、20%以下であることがより望ましく、10%以下であることが特に望ましい。EML13におけるQD21に対する有機リガンド23の重量比率は、示差熱分析(TG-DTA)により評価できる。TG-DTAによって測定した、EML13におけるQD21に対する有機リガンド23の重量比率は、EML13がリガンドとして有機リガンド23のみを含む場合、30%程度である。有機リガンド23を金属ハロゲン化物22に置換することで、TG-DTAによって測定される上記有機リガンド23の重量比率を、例えば20%以下に減らすことができる。また、後述する有機リガンド除去工程を行うことで、TG-DTAによって測定される上記有機リガンド23の重量比率を、10%以下に減らすことができる。
 本開示では、フーリエ変換赤外分光(FT-IR)法で有機リガンド由来の吸収スペクトルを確認し、「該FT-IR法で有機リガンド由来の吸収スペクトルが検出できない、すなわち測定強度がノイズ以下である」ことが確認できれば、「有機リガンドレス」ということができる。
 上記金属原子数に対する有機リガンド23の分子数は、TG-DTAにより、加熱時の有機リガンド23の脱離成分の量を測定することで算出することができる。なお、有機リガンド23の除去工程を行わずに形成したEML13における、QD21のサイズから計算される上記金属原子数に対する有機リガンド23の分子数は、通常、38%程度であり、溶液状態では概算100%以上である。
 合成もしくは商業的に入手したQDには、多くの場合、リガンドとして、有機リガンドが配位している。市販のQDは、一般的に、有機リガンドを含む量子ドット分散液(QD分散液)の状態で提供される。有機リガンドは、QD分散液中でのQDの分散性を向上させる分散剤として用いられるとともに、QDの表面安定性の向上および保存安定性の向上にも使用される。また、QDの合成には例えば湿式法が用いられ、QDの表面に有機リガンドを配位させることでQDの粒径制御が行われる。このため、湿式法により合成されたQD分散液には、QDの合成に用いた有機リガンドが含まれている。
 本実施形態では、前述したように、発光層形成工程(ステップS3)において、まず、QD21と金属ハロゲン化物22とを含むEML13を形成する。
 したがって、発光層形成工程(ステップS3)においてQD21の表面に金属ハロゲン化物22が配位したEML13を形成するためには、合成もしくは商業的に入手したQD分散液に含まれる有機リガンドを、金属ハロゲン化物22に置換する必要がある。なお、QD21の表面には、有機リガンド23として、例えば、このように合成もしくは商業的に入手したQD分散液に含まれていた、未置換の有機リガンドが配位していてもよい。但し、例えば、QD21の分散性の向上等、様々な目的で、リガンドとして、合成もしくは商業的に入手したQD分散液に含まれる有機リガンドとは異なる有機リガンドが用いられてもよい。このため、有機リガンド23は、合成もしくは商業的に入手したQD分散液に含まれる有機リガンドとは異なる有機化合物であってもよい。
 何れにしても、QD21の表面に金属ハロゲン化物22が配位したEML13を形成するためには、QD21の表面に存在する有機リガンド23の少なくとも一部を、金属ハロゲン化物22に置換する必要がある。
 このため、上記発光層形成工程(ステップS4)は、QD21と有機リガンド23とを含むQD分散液を調液する工程と、上記QD分散液を塗布する前または上記QD分散液を塗布した後に、上記有機リガンド23を金属ハロゲン化物22で置換する工程と、を含んでいてもよい。このように有機リガンド23を金属ハロゲン化物22でリガンド置換することで、EML13として、QD21と金属ハロゲン化物22とを含むEMLを形成することができる。
 なお、EML13中に含まれるリガンドの種類は、例えば、MALDI(マトリックス支援レーザ脱離イオン化)法、TOF-MS(飛行時間型質量分析)法、LC-MS/MS(液体クロマトグラフ質量分析)法、TOF-SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析)法、ICP-AES(誘導結合プラズマ原子発光分析)法、NMR(核磁気共鳴)法等の複数の解析手法を組み合わせることで、特定することができる。
 以下に、図5および図6を参照して、上記発光層形成工程(ステップS4)について、より具体的に説明する。
 図5は、上記発光層形成工程の一例を示すフローチャートである。以下では、上記発光層形成工程が、QD21と有機リガンド23とを含むQD分散液を調液する工程と、上記QD分散液を塗布する前に、上記有機リガンド23を金属ハロゲン化物22で置換する工程と、を含む場合について説明する。
 この場合、上記発光層形成工程では、まず、図5に示すように、QD21と有機リガンド23と溶媒(第2溶媒)とを含むQD分散液(以下、「第1QD分散液」と記す)を調液する(ステップS11、第1QD分散液調液工程)。なお、上記第1QD分散液調液工程は、QD合成工程あるいはQD合成工程で得られたQDを溶媒に再分散させる工程であってもよい。以下では、一例として、合成もしくは商業的に入手した、QD21および有機リガンド23を含むQD分散液(以下、「初期QD分散液」と記す)に含まれるQD21および有機リガンド23を用いて上記第1QD分散液を調液する場合を例に挙げて説明する。
 上記第1QD分散液調液工程では、例えば、まず、初期QD分散液から、表面に有機リガンド23が配位したQD21を分離する。該QD21の分離工程では、例えば、まず、初期QD分散液を、遠沈管等の反応容器に採取する。初期QD分散液は、QD21と、有機リガンド23と、溶媒と、を含んでいる。上記溶媒には、非極性溶媒が用いられる。非極性溶媒としては、例えば、シクロヘキサン、トルエン、ヘキサン、オクタン、クロロベンゼン等が挙げられる。
 次いで、上記反応容器内の初期QD分散液に、過剰量の貧溶媒を滴下して、該初期QD分散液に含まれる、有機リガンド23が配位したQD21を沈殿させる。上記貧溶媒としては、エタノール等、QD21が分散しない溶媒が用いられる。
 次いで、遠心分離を行い、上澄み液を除去する。次いで、沈澱した上記QD21を洗浄し、沈澱した上記QD21(つまり、有機リガンド23が配位したQD21)を分離する。なお、上記QD21の洗浄は、沈澱した上記21に、再度、溶媒として非極性溶媒を添加して該QD21を再分散させた後、再度貧溶媒を添加して遠心分離を行い、上澄み液を除去する操作を複数回繰り返すことで行われる。これにより、初期QD分散液に含まれる、QD21に配位していない余剰の有機リガンド23の少なくとも一部を除去することができる。
 次いで、分離した、上記反応容器内のQD21に、溶媒(第2溶媒)として非極性溶媒を再度添加して、上記QD21を、上記非極性溶媒に再分散させる。これにより、QD21と、該QD21に配位した有機リガンド23と、上記第2溶媒として上記非極性溶媒と、を含む第1QD分散液を調液する。
 次いで、上記反応容器内の第1QD分散液に、金属ハロゲン化物22と、溶媒(リガンド溶液の溶媒)として微量の極性溶媒と、を含むリガンド溶液を添加して撹拌する。リガンド溶液には、溶媒として、上述したように、金属ハロゲン化物22が溶解し易い極性溶媒を使用した。QD21が分散した非極性溶媒(前述したように、例えば、シクロヘキサン、トルエン等)と、金属ハロゲン化物22が溶解した極性溶媒(例えば、エタノール)とは、適切な範囲内であれば混和する。その後、上記反応容器内の反応液を、所定時間静置する。これにより、上記第1QD分散液に含まれる有機リガンド23の少なくとも一部を、金属ハロゲン化物22にリガンド置換する(ステップS12、リガンド置換工程)。
 なお、リガンド溶液における金属ハロゲン化物22の濃度、および、リガンド溶液の添加量、並びに、上記撹拌および静置に要する時間等、リガンド置換に用いられる各条件は、特に限定されるものではない。これらの条件は、例えば、最終的に形成されるEML13における各リガンドの割合が所望の割合になるように、使用する材料等に応じて、適宜設定すればよい。
 次いで、上記反応容器内に、再度、過剰量の貧溶媒を滴下する。その後、遠心分離を行い、上澄み液を除去する。これにより、上記上澄み液中に含まれる、QD21に配位していない余剰の金属ハロゲン化物22の少なくとも一部および上記反応容器中の溶媒を除去して、QD21と、該QD21の表面に存在する金属ハロゲン化物22と、を含むQD組成物を分離する(ステップS13、QD組成物分離工程)。
 その後、上記反応容器内に、溶媒(後述する第2QD分散液用の溶媒)として非極性溶媒を添加して、該非極性溶媒に、上記QD組成物を分散させる。これにより、QD21と、金属ハロゲン化物22と、上記非極性溶媒と、を少なくとも含むQD分散液(以下、「第2QD分散液」と記す)を調液する(ステップS14、第2QD分散液調液工程)。
 なお、第1QD分散液の溶媒は、金属ハロゲン化物22が溶解した極性溶媒と混和する(微量の極性溶媒を滴下してもQD21が沈澱せずに分散する)必要があるが、第2QD分散液に用いられる溶媒は、その必要はない。
 次いで、HTL12上に上記第2QD分散液を塗布して該第2QD分散液の塗膜を形成する(ステップS15、第2QD分散液塗布工程)。第2QD分散液の塗布には、バーコート法、スピンコート法、インクジェット法等、任意の方法を適宜選択し得る。次いで、上記塗膜を、加熱乾燥する等して、塗布した第2QD分散液中に含まれていた溶媒を除去する(ステップS16、溶媒除去工程)。これにより、QD21と、該QD21の表面に存在する金属ハロゲン化物22と、を含む、図2に示すEML13を形成することができる。
 なお、前述したように、上記EML13は、さらに有機リガンド23を含んでいてもよい。但し、前述したように、キャリア注入を容易にするためには、リガンドの総量における有機リガンド23の割合が少ないか、あるいは、EML13が、有機リガンド23を含まないか実質的に含まない有機リガンドレスであることが望ましい。したがって、第2QD分散液が有機リガンド23を含む場合、ステップS15で溶媒を除去して、上記QD組成物を含む薄膜を形成した後、さらに追加のリガンド置換を行ってもよい。
 また、図6は、上記発光層形成工程(ステップS4)の他の一例を示すフローチャートである。以下では、上記発光層形成工程が、QD21と有機リガンド23とを含むQD分散液を調液する工程と、上記QD分散液を塗布した後に、上記有機リガンド23を金属ハロゲン化物22で置換する工程と、を含む場合について説明する。
 この場合、上記発光層形成工程では、まず、図6に示すように、図5に示すステップS11と同様のステップS11を行う。これにより、QD21と、該QD21に配位した有機リガンド23と、前記第2溶媒として前記非極性溶媒と、を含む第1QD分散液を調液する(ステップS11、第1QD分散液調液工程)。
 次いで、HTL12上に上記第1QD分散液を塗布することで、該第1QD分散液の塗膜を形成する(ステップS21、第1QD分散液塗布工程)。第1QD分散液の塗布には、バーコート法、スピンコート法、インクジェット法等、任意の方法を適宜選択し得る。次いで、上記塗膜を、加熱乾燥する等して、一旦、塗布した第1QD分散液中に含まれていた溶媒を除去する(ステップS22、溶媒除去工程)。これにより、QD21と、該QD21に配位した有機リガンド23と、を含むEML13を形成する。
 次いで、このQD21と有機リガンド23とを含むEML13上に、金属ハロゲン化物22と、溶媒(リガンド溶液の溶媒)として極性溶媒と、を含むリガンド溶液を供給して、該リガンド溶液と上記EML13とを接触させる。上記リガンド溶液の供給には、例えば、インクジェット法を用いてもよいし、ミスト噴霧装置を用いてもよい。また、上記リガンド溶液を上記EML13に均一に接触させるため、十分な量の上記リガンド溶液を上記EML13に滴下する等して供給し、所定の時間静置した後、該リガンド溶液を、例えばスピンコート等により上記EML13上に塗布してもよい。上記極性溶媒としては、例えば、エタノール等のアルコールが挙げられる。
 このように上記リガンド溶液と上記EML13とを接触させることにより、上記EML13に含まれる有機リガンド23の少なくとも一部を、金属ハロゲン化物22にリガンド置換する(ステップS23、リガンド置換工程)。
 なお、この場合にも、リガンド溶液における金属ハロゲン化物22の濃度、および、リガンド溶液の添加量、並びに、リガンド置換に要する時間等、リガンド置換に用いられる各条件は、特に限定されるものではない。この場合にも、これらの条件は、例えば、最終的に形成されるEML13における各リガンドの割合が所望の割合になるように、使用する材料等に応じて、適宜設定すればよい。
 また、スピンコート塗布等により上記リガンド溶液を供給する代わりに、QD21と有機リガンド23とを含むEML13が形成された基板を上記リガンド溶液に浸漬することで、上記EML13に上記リガンド溶液を供給してもよい。
 次いで、リガンド溶液供給後の上記EML13を加熱乾燥する等して、供給したリガンド溶液中に含まれていた溶媒を除去する(ステップS24、溶媒除去工程)。
 次いで、上記EML13に、十分な量の洗浄液を供給して、上記EML13を、上記洗浄液で洗浄する。これにより、QD21に配位していない、余剰の金属ハロゲン化物22の少なくとも一部を除去する(ステップS25、洗浄工程)。
 その後、上記EML13を加熱乾燥する等して、上記EML13中に含まれる溶媒、つまり、上記洗浄液を除去する(ステップS26、洗浄液除去工程)。上記洗浄液には、例えば、エタノール等の極性溶媒が用いられる。これにより、QD21と、該QD21の表面に存在する金属ハロゲン化物22と、を含む、図2に示すEML13を形成することができる。
 なお、この場合にも、前述したように、上記EML13は、さらに有機リガンド23を含んでいてもよい。但し、この場合にも、前述したように、キャリア注入を容易にするためには、リガンドの総量における有機リガンド23の割合が少ないか、あるいは、EML13が、有機リガンド23を含まないか実質的に含まない有機リガンドレスであることが望ましい。
 また、図5に示す発光層形成工程において、前述したようにステップS15の後でさらに追加のリガンド置換を行う場合、ステップS15の後で、ステップS23~ステップS26と同様の工程を行えばよい。このように追加のリガンド置換プロセスを行うことで、リガンド置換量を増加させ、有機リガンド23を除去することができる。但し、上記例示は一例であって、前記ステップS12(リガンド置換工程)において、リガンド置換条件を適宜調整することで、有機リガンド23を含まないか実質的に含まない有機リガンドレスのEML13を形成することもできる。
 上記リガンド溶液に用いられる金属ハロゲン化物22としては、前述したように、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の金属ハロゲン化物が用いられる。このように25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の金属ハロゲン化物22としては、例えば、CaF、ZnF、およびGaFからなる群より選ばれる少なくとも一種が挙げられる。
 これら例示の金属ハロゲン化物22のなかでも、イオン半径の小さいハロゲンであるFと、QD21の表面、例えばシェル21bの表面のZnと同種のカチオンとからなるZnFは、QD21の表面修飾に適している。
 しかしながら、ZnF等の一部の金属ハロゲン化物、具体的には、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の金属ハロゲン化物22は、ETL15等のCTLの形成に用いられる、アルコール等の極性溶媒への溶解度が非常に低い。リガンドとしてZnFを用いた場合のように、QD21が、表面に例えばZn-F結合を有する場合、該QD21を含むEML13表面の表面張力が、該EML13上に積層するCTLの形成に用いられる溶媒(第1溶媒)の表面張力よりも小さくなる。このため、上述したようにZnF等の金属ハロゲン化物22にリガンド置換されたQD21を含むEML13は、該EML13上に積層されるCTLの形成に用いられるキャリア輸送性材料分散液の濡れ性が悪い。
 このため、QD21の表面修飾のために、上述したように例えば金属ハロゲン化物22を含むリガンド溶液を塗布する等して、EML13の表面に、このような金属ハロゲン化物22が存在していると、該金属ハロゲン化物22によって、EML13上に積層されるCTLの形成に用いられるキャリア輸送性材料分散液が弾かれる。この結果、EML13上にキャリア輸送性材料41を均一に積層することが困難となり、EML13上に積層されるCTLの層厚が不均一となる。このようなCTLの層厚均一性の低下は、得られる発光素子1の発光ムラや発光特性の悪化に繋がる。この結果、得られる発光素子1の素子特性の低下や信頼性の低下を招来する。
 そこで、本実施形態では、上述したように、中間層形成工程(ステップS5)において、EML13上に、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)を含むIL14を形成する。そして、電子輸送層形成工程(ステップS6)で、上記IL14上に、CTLとして例えば上述したようにETL15を形成する。これにより、キャリア輸送性材料分散液の、下地に対する濡れ性を改善する。
 図7は、図1に示す中間層形成工程(ステップS5)および電子輸送層形成工程(ステップS6)における要部の概略構成を示す断面図である。
 IL14は、図2および図7に示すように、金属ハロゲン化物31を含み、EML13とCTLとの間(図2および図7に示す例ではEML13とETL15との間)に位置する層である。
 ETL15は、電子輸送性材料を含み、EML13への電子輸送効率を高める電子輸送機能を有するCTLである。上記電子輸送性材料としては、例えば、ZnO、SnO、TiO等の金属酸化物等が挙げられる。
 図7に示すように、ETL15の形成に用いられるキャリア輸送性材料分散液43は、キャリア輸送性材料41と溶媒42(第1溶媒)とを含んでいる。上記キャリア輸送性材料分散液43に用いられる溶媒42には、例えば、アルコール等のプロトン性の極性溶媒が用いられる。25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物31は、このようにキャリア輸送性材料分散液43に用いられるアルコール等のプロトン性の極性溶媒に溶解する。
 但し、金属ハロゲン化物の溶解度は、用いる溶媒によって変わる。とは言え、溶媒を変える度に金属ハロゲン化物の溶解度を調べるのは、容易ではなく、非常に手間がかかる。そこで、本実施形態では、極性溶媒として最も一般的であり、金属ハロゲン化物の溶解度がアルコールよりも大きく、溶解度傾向が、プロトン性の極性溶媒と類似した溶媒である水に対する溶解度で、金属ハロゲン化物の溶解度を規定する。
 中間層形成工程(ステップS5)では、上述したリガンド置換工程を経て置換された金属ハロゲン化物22を含むEML13上に、金属ハロゲン化物31と、溶媒32(中間層形成用の溶媒、第3溶媒)として極性溶媒と、を含む金属ハロゲン化物含有液33を塗布して、該金属ハロゲン化物31を含む塗膜を形成する。その後、該塗膜を加熱乾燥する等して、塗布した金属ハロゲン化物含有液33中に含まれていた溶媒32を除去する。これにより、EML13におけるQD21の表面のリガンド(EML13が金属ハロゲン化物22、および、有機リガンド23を含む場合、有機リガンド23)の一部を、金属ハロゲン化物31で置換するとともに、EML13上に、IL14として、金属ハロゲン化物31を含む金属ハロゲン化物層を形成する。
 金属ハロゲン化物含有液33の塗布は、EML13が形成された基板を上記金属ハロゲン化物含有液33に浸漬することにより行われてもよく、EML13上に、金属ハロゲン化物含有液33を、スピンコート法、インクジェット法等により塗布することで行われてもよい。また、この場合、金属ハロゲン化物含有液33を上記EML13に均一に接触させるため、十分な量の金属ハロゲン化物含有液33を上記EML13に滴下する等して供給し、所定の時間静置した後、該金属ハロゲン化物含有液33を、例えばスピンコート等により上記EML13上に塗布してもよい。この場合にも、上記極性溶媒としては、例えば、エタノール等のアルコールが挙げられる。
 上記金属ハロゲン化物31としては、例えば、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、BeF、MgF、SrF、BaF、AlF、InF、PbF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、BeCl、MgCl、CaCl、SrCl、BaCl、AlCl、GaCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、BeBr、MgBr、CaBr、SrBr、BaBr、AlBr、SnBr、LiI、NaI、KI、RbI、CsI、BeI、MgI、CaI、およびSrIからなる群より選ばれる少なくとも一種が挙げられる。
 本実施形態によれば、EML13上にIL14を形成すると、図7に示すように、キャリア輸送性材料分散液43の塗布によりIL14の一部を溶かしながら、該キャリア輸送性材料分散液43により、ETL15を形成することができる。
 例えば、QD21と、金属ハロゲン化物22としてのZnFとを含むEML13上に、金属ハロゲン化物31としてBaFあるいはZnClを含むIL14を形成すると、これら金属ハロゲン化物31(BaFあるいはZnCl)の一部を溶かしながらETL15が形成される。これにより、キャリア輸送性材料分散液43の、下地に対する濡れ性が改善される。
 下地上へのキャリア輸送性材料分散液43の塗布、乾燥、ナノ粒子の表面凝集等の現象には、固体―液体の界面張力や、溶解性、固体表面電位等の物性が関与している。このため、下地に対するキャリア輸送性材料分散液43の濡れ性の改善は、これらの物性に基づいて、QD21の表面に存在するリガンドと、キャリア輸送性材料分散液43との濡れ性を改善することにより行われる。
 例えば、上述したように、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物31は、キャリア輸送性材料分散液43の濡れ性が良い。このため、前記初期QD分散液における有機リガンドの一部を、そのような金属ハロゲン化物である例えばZnClに置換してEML13を形成した後、該EML13に対して、ZnClのアルコール溶液の塗布および洗浄を繰り返して追加のリガンド置換を行う。これにより、QD21の表面がZnClからなる場合、EML13に対するキャリア輸送性材料分散液43の濡れ性は悪化しない。
 このため、EML13とCTLとの間にIL14を形成することなく、QD21表面のハロゲンリガンドの一部を、例えばアルコール塗布に適したハロゲンリガンドに置換することも考えられる。例えば、有機リガンド23がフッ化物リガンドにリガンド置換されたQD薄膜に、溶解度が高い金属ハロゲン化物のエタノール溶液を塗布する。あるいは、そのような金属ハロゲン化物のエタノール溶液に、上記QD薄膜が形成された基板を浸漬し、洗浄を行う。これにより、QD21の表面のフッ化物リガンドの一部を、例えば塩化物リガンド等の、アルコール塗布に適したハロゲンリガンドにリガンド置換することができる。この場合にも、キャリア輸送性材料分散液43の濡れ性を改善することが可能となる。
 但し、QD21表面の例えばフッ化物リガンドを完全に塩化物リガンドに置換することは困難である。また、前述したように、ZnCl等の金属ハロゲン化物31は、キャリア輸送性材料分散液43に溶解する。
 そこで、本実施形態では、EML13上に、上記IL14を形成する。本実施形態によれば、このようにEML13上に、キャリア輸送性材料分散液43の濡れ性を改善できるIL14を形成することにより、キャリア輸送性材料分散液43の濡れ性をより改善することができるとともに、層厚の均一性が良く、発光特性および信頼性に優れた発光素子1を提供することができる。
 上述したように、IL14は、プロセス上、EML13上に、ETL15等のCTLを設ける場合に、特に有効である。
 なお、IL14の形成には、下地となるEML13におけるQD21表面の金属ハロゲン化物22に対応した金属ハロゲン化物31の選択が必要となる。金属ハロゲン化物22として例えばZnFを使用する場合、金属ハロゲン化物31としては、上述したように、例えばZnClを用いてもよい。しかしながら、QD21表面のリガンド置換並びにIL14の形成の観点から、金属ハロゲン化物22と金属ハロゲン化物31とには、同じハロゲンを有する金属ハロゲン化物を使用することが望ましい。
 金属ハロゲン化物31は、アニオン31aとカチオン31bとを含んでいる。金属ハロゲン化物22として例えばZnFを使用する場合、金属ハロゲン化物31としては、CsFあるいはBaF等、アニオン31aとしてフッ化物リガンドを含む金属ハロゲン化物が選択されることが望ましい。
 前述したように、QD21と、金属ハロゲン化物22としてのZnFとを含むEML13上に、金属ハロゲン化物31としてZnClを含むIL14を形成すると、ZnClの一部を溶かしながらETL15が形成される。
 金属ハロゲン化物は、EML13におけるQD21間の隙間を通過する大きさを有している。このため、図7に示すように、IL14上にキャリア輸送性材料分散液43を塗布すると、該キャリア輸送性材料分散液43に含まれる溶媒42によって、上述したようにIL14の一部が溶解し、IL14に含まれる金属ハロゲン化物31が、EML13内に侵入する。
 したがって、上述したように、金属ハロゲン化物22を含むEML13を形成する場合、EML13は、金属ハロゲン化物22に加えて、金属ハロゲン化物31をさらに含む。このため、この場合、QD21の表面には、リガンドとして、アニオン22aおよびアニオン31aの両方が存在する。したがって、金属ハロゲン化物22がZnFである場合に、金属ハロゲン化物31としてZnClを使用すると、キャリア輸送性料分散液塗布後のEML13には、FおよびClの2種類のハロゲンが存在することになる。
 これに対し、上述したように金属ハロゲン化物22と金属ハロゲン化物31とに、同じハロゲンを有する金属ハロゲン化物を使用することで、IL14の形成に用いられる金属ハロゲン化物含有液33に含まれる金属ハロゲン化物31がEML13内に侵入しても、EML13に含まれるハロゲン化物イオンの種類が増加しない。このため、EML13とIL14とにハロゲン種が同じ金属ハロゲン化物を使用することで、QD21に対する影響が少なく、発光特性の低下を抑制することができる。
 なお、金属ハロゲン化物31はイオン結晶で構成されていることから、金属ハロゲン化物31が溶解した溶液が乾燥して形成されるIL14は、結晶質の薄膜となる。このため、IL14において存在する隙間は、結晶粒界の領域のみとなり、1nm以下である。したがって、IL14に隙間は、ほぼない。したがって、キャリア輸送性材料41は、IL14を通過しない。
 キャリア輸送性材料分散液の濡れ性を改善するためには、IL14を2nm以上溶解することが好ましい。25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物31は、水を初めとする極性溶媒への溶解度が高く、キャリア輸送性材料分散液の塗布によって、2nm以上溶解する。このため、本実施形態では、キャリア輸送性材料分散液43に含まれる溶媒42によって溶解されるIL14の層厚をTnmとすると、中間層形成工程では、図7に示すように、2+Tnm以上の層厚Dを有するIL14を形成することが好ましい。
 本実施形態では、キャリア輸送性材料分散液塗布工程(ステップS6a)において、キャリア輸送性材料分散液43に含まれる溶媒42によってIL14の一部を溶解させながらETL15を形成する。該キャリア輸送性材料分散液塗布工程では、上述したように、上記溶媒42によって、IL14を2nm以上溶解する。
 一方で、最終的に形成される、発光素子1におけるIL14の層厚をFとすると、IL14の層厚Fは、トンネリングを抑制する観点から、2nm以上であることが好ましい。したがって、上記キャリア輸送性材料分散液塗布工程では、上記溶媒42によりIL14を2nm以上溶解するとともに、上記中間層形成工程では、2+Tnm(T≧2)以上の層厚を有するIL14を形成することで、上記キャリア輸送性材料分散液43の濡れ性を十分に改善することができるとともに、トンネリングによるキャリア注入を抑制することができる。
 なお、本実施形態では、電子輸送層形成工程(ステップS6)後のIL14の層厚が、発光素子1におけるIL14の層厚Fとなる。このため、D-T=Fであり、TおよびFは、それぞれ2nm以上(つまり、T≧2nm、かつ、F≧2nm)であることが好ましい。したがって、中間層形成工程では、4nm以上の層厚Dを有するIL14を形成することが好ましい。
 本実施形態において、金属ハロゲン化物22は、上述したように、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上であればよい。但し、金属ハロゲン化物31の溶解度が高すぎると、キャリア輸送性材料分散液43の塗布時に、IL14が完全に溶解してしまい、EML13における溶解度が低い金属ハロゲン化物22がキャリア輸送性材料分散液43に直接接触することで、キャリア輸送性材料分散液43の濡れ性の問題が発生するおそれがある。
 このため、上記問題を発生させないためには、上記中間層形成工程で、IL14を、キャリア輸送性材料分散液43によってIL14が完全に溶解しない厚み(好適には、上述したようにF≧2nmとなる厚み)に形成することが望ましい。このため、金属ハロゲン化物31の溶解度が高いほど、IL14を厚く形成することが望ましい。あるいは、金属ハロゲン化物31として、上記溶解度(つまり、25℃における水に対する溶解度)が10,000mg(=10g)/100g以下の金属ハロゲン化物を使用することが望ましい。上記溶解度は、上記IL14を25℃の水に完全溶解するまで放置した場合、該IL14を約5μm溶かしきる溶解度である。したがって、金属ハロゲン化物31は、25℃における水に対する溶解度が、2.5mg/100g以上、10,000mg(=10g)/100g以下の金属ハロゲン化物であってもよい。
 このように、本実施形態によれば、金属ハロゲン化物31の材料選択やIL14の厚みの調整を行うことで、電子過多を抑え、キャリアバランスを改善し、発光素子1の発光効率を改善することができる。
 但し、本実施形態は、これに限定されるものではない。上述したように金属ハロゲン化物31の材料選択やIL14の厚みの調整を行う代わりに、例えば、スピンコート法におけるスピン中のキャリア輸送性材料分散液43の滴下時間(供給時間)を短くする等してIL14とキャリア輸送性材料分散液43との接触時間を減らすことで、IL14の溶解を制御してもよい。
 上述したように、キャリア輸送性材料分散液43は、キャリア輸送性材料41と、溶媒42と、を含む。キャリア輸送性材料41は、前述したように金属酸化物であることが望ましく、上記キャリア輸送性材料分散液43の等電点は、pH7以上であることが好ましい。なお、上記金属酸化物は、金属酸化物ナノ粒子として用いられる。
 等電点は、粒子表面のゼータ電位(チャージ)が0となっている溶液のpHを示す。等電点の測定には、電気泳動時の光散乱(レーザードップラー法)が広く用いられ、溶液中に分散させた、QDまたはETL粒子等のナノ粒子に電場をかけ、粒子が持つ電荷に応じた電気泳動速度からゼータ電位の算出を行う。また、この際の溶液のpHを変化させることで、等電点の測定を行う。
 アルコールを主溶媒とするキャリア輸送性材料分散液43内の金属酸化物ナノ粒子は、その表面末端基により、表面電位が正に帯電している材料が多い。一般的に、金属酸化物ナノ粒子の表面は水酸基(-OH)で覆われている。等電点がpH7よりも大きい金属酸化物ナノ粒子において、該金属酸化物ナノ粒子の表面に存在する水酸基(表面水酸基)は、電気的中性の条件下(pH=7)では、MまたはM-OH となっており、粒子表面は+(プラス)に帯電する。このため、SiO除く大半の金属酸化物の等電点は、pH7よりも大きく、金属酸化物の表面は正電荷を帯び易い。
 また、QD21の表面は、例えばZn原子が露出し、S原子が不足している状態のため、極性としては+の極性を有している。このように、QD21および金属酸化物ナノ粒子は、表面がともに正に帯電していることから、大半の組合せで、互いに静電反発する。このため、QD21上に、金属酸化物ナノ粒子を整然と配列することは困難である。
 しかしながら、本実施形態によれば、上述したように、金属ハロゲン化物22および金属ハロゲン化物31を、QD21と金属酸化物ナノ粒子との間に挿入して、QD21と金属酸化物ナノ粒子とを空間的に離すことにより、表面電位の影響を低減することができる。この結果、QD21と金属酸化物ナノ粒子との静電反発を抑制することができ、金属酸化物ナノ粒子を整然と配列することが可能となる。このため、ETL15の層厚の均一性を向上させることができる。
 一般的に、QLEDでは、電子輸送性材料と正孔輸送性材料とでは、電子輸送性材料の方が、移動度が大きい。このため、QLEDでは、EMLにおいて電子過多となることが多い。したがって、上述したようにEML13とETL15との間にIL14を形成する場合、IL14は、ワイドバンドギャップであることが好ましい。
 具体的には、上述したようにQD21がコア21aとシェル21bとを有する場合、金属ハロゲン化物22のバンドギャップおよび金属ハロゲン化物31のバンドギャップは、それぞれ、シェル21bのバンドギャップよりも大きいことが好ましい。このように金属ハロゲン化物22および金属ハロゲン化物31のバンドギャップをシェル21bのバンドギャップよりも大きくすることで、CTLからEML13に注入されたキャリアを、QD21内に閉じ込めることができる。
 図8は、QD21のシェル21bとETL15との間に金属ハロゲン化物が存在しない場合における電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。図9は、QD21のシェル21bとETL15との間に金属ハロゲン化物が存在する場合における電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。
 キャリア注入型の発光素子において、QD21のシェル21bとETL15との間に金属ハロゲン化物が存在しない場合、ETL15からQD21に電子を注入するときの電子注入障壁の高さは、図8に示すように、ETL15の伝導帯の下端(CBM)とシェル21bの伝導帯の下端(CBM)とのエネルギー準位の差の絶対値ΔE1で示される。一方、QD21のシェル21bとETL15との間に、シェル21bのバンドギャップよりもバンドギャップが大きい金属ハロゲン化物が存在する場合、金属ハロゲン化物からQD21に電子を注入するときの電子注入障壁の高さは、図9に示すようにΔE2となり、ΔE1よりも大きくなる。
 したがって、このようにQD21のシェル21bとETL15との間の金属ハロゲン化物のバンドギャップをシェル21bのバンドギャップよりも大きくすることで、図8に示すように、ETL15からEML13への電子注入を、図7に示す場合よりも抑制することができる。
 なお、本実施形態では、QD21のシェル21bとETL15との間の金属ハロゲン化物は、金属ハロゲン化物22および金属ハロゲン化物31となる。このため、本実施形態によれば、金属ハロゲン化物22および金属ハロゲン化物31のバンドギャップを、シェル21bのバンドギャップよりも大きくすることで、ETL15からEML13への電子注入を抑制することができる。この結果、キャリアバランスを改善し、発光素子1の発光効率を改善することができる。
 金属ハロゲン化物22および金属ハロゲン化物31のバンドギャップは、上述したようにシェル21bのバンドギャップよりも大きければよく、その具体的な値は、特に限定されない。しかしながら、金属ハロゲン化物22および金属ハロゲン化物31のバンドギャップの好適な値として、例えば、シェル21bに用いられるZnSのバンドギャップの値である3.4eVよりもワイドギャップであることが、キャリア注入のために好ましい。
 図10に、主な金属ハロゲン化物のバンドギャップおよび25℃における水に対する溶解度をまとめて示す。
 また、図11は、一例として、QD21として、青色発光する青色QDを使用し、金属ハロゲン化物のバンドギャップが約4.4eV(厳密には4.4eV以上)の発光素子の各層のエネルギー準位を示す図である。図12は、QD21として、赤色発光する赤色QDを使用し、金属ハロゲン化物のバンドギャップが約5.2eV(厳密には5.2eV以上)の発光素子の各層のエネルギー準位を示す図である。
 なお、図11および図12では、エネルギー準位を比較するために、金属ハロゲン化物とQD21とのフェルミ準位Eの高さを合わせている。図11および図12に示すように、赤色QDと青色QDとでは、価電子帯の上端(VBM)は、ほぼ変わらず、正孔/電子の有効質量差が大きいことで赤色QDのCBMが青色QDよりも低下することによるバンドギャップ拡大の傾向が多く報告されている。
 キャリア注入を効率的に行うためには、QD層(EML13)からのキャリア漏れを防ぐため、金属ハロゲン化物のVBMよりもETLのVBMが深いことが好ましい。
 また、バンドギャップの観点から、キャリア注入のためには、上述したように、金属ハロゲン化物のバンドギャップは、シェル21bのバンドギャップ、例えば上述したようにZnSのバンドギャップよりも大きいことが好ましい。但し、金属ハロゲン化物のバンドギャップが大きすぎると、QD21以外の領域における正孔(h)と電子(e)との非発光再結合を起こし易くなり、発光効率が低下する。このため、ETL15およびQD21のエネルギー準位をもとに、非発光再結合を招かない金属ハロゲン化物のバンドギャップを算出すると、金属ハロゲン化物のバンドギャップは、例えば5.2eV未満であることが好ましい。
 本実施形態に係る発光素子の製造方法により製造された発光素子1は、以上のように、QD21と、金属ハロゲン化物22(第2金属ハロゲン化物)と、金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)と、を含むEML13を備えるとともに、上記金属ハロゲン化物31を含むIL14と、キャリア輸送性材料を含むCTLとして、キャリア輸送性材料41を含むETL15とが、上記EML13側からこの順に互いに隣接して設けられた構成を有している。
 本実施形態によれば、上記金属ハロゲン化物31を含むIL14と、キャリア輸送性材料41を含むETL15とが、上記EML13側からこの順に互いに隣接して設けられていることで、上記ETL15を形成する際の、上記EML13に対する上記キャリア輸送性材料41を含む塗布液(つまり、前記キャリア輸送性材料分散液43)の濡れ性を改善することができる。この結果、層厚の均一性が良く、発光特性および信頼性に優れた発光素子1を提供することができる。
 (変形例1)
 本実施形態では、図1に示すように、発光素子1が、陽極2を下層電極とするコンベンショナル構造を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、前述したように、発光素子1は、陰極3を下層電極とするインバーテッド構造を有していてもよい。また、IL14上に形成されるCTLは、ETLに限定されるものではなく、HTLであってもよい。
 図13は、本変形例に係る発光素子1の概略構成の一例を示す断面図である。
 図13に示す発光素子1は、陰極3を下層電極とし、陽極2を上層電極とするインバーテッド構造を有し、一例として、陰極3、ETL15、EML13、HTL12、および陽極2が、下層側(例えば、基板等の図示しない支持体側)からこの順に設けられた構成を有している。なお、図示および説明は省略するが、本変形例でも、発光素子1は、陽極2と陰極3との間に、図示しない機能層を備えていてもよい。
 図14は、本変形例に係る発光素子1の製造方法の一例を示すフローチャートである。
 図14に示すように、本変形例では、まず、図示しない基板上に、下層電極として陰極3を形成する(ステップS31、下層電極形成工程、陰極形成工程)。次いで、ETL15を形成する(ステップS32、電子輸送層形成工程)。次いで、QD21と、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の金属ハロゲン化物22(第2金属ハロゲン化物、無機リガンド)とを含むEML13を形成する(ステップS4、発光層形成工程)。次いで、EML13上に、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)を含むIL14を形成する(ステップS5、中間層形成工程)。次いで、IL14上に、HTL12を形成する(ステップS33、キャリア輸送層形成工程、正孔輸送層形成工程)。ステップS33では、図14に示すように、まず、IL14上に、キャリア輸送性材料41’と溶媒(第1溶媒)とを含むキャリア輸送性材料分散液を塗布することで、該キャリア輸送性材料分散液の塗膜を形成する(ステップS33a、キャリア輸送性材料分散液塗布工程)。次いで、上記塗膜を加熱する等して、該塗膜に含まれる溶媒、つまり、塗布したキャリア輸送性材料分散液中に含まれていた上記溶媒(第1溶媒)を除去する(ステップS33b、第1溶媒除去工程)。これにより、IL14上に、キャリア輸送性材料としてキャリア輸送性材料41’を含むHTL12が形成される。次いで、HTL12上に、上層電極として陽極2を形成する(ステップS34、上層電極形成工程、陽極形成工程)。
 この場合、陰極3は、例えば、図示しない基板上に、蒸着法またはスパッタリング法等で、前記導電性材料を成膜することで形成することができる。陽極2は、HTL12上に、蒸着法またはスパッタリング等で、前記導電性材料を成膜することで形成することができる。下地となる層が異なることを除けば、ステップS31はステップS6と同様に実施することができ、ステップS33はステップS1と同様に実施することができる。また、下地となる層が異なることを除けば、ステップS32はステップS7と同様に実施することができ、ステップS33はステップS3と同様に実施することができる。
 本変形例では、IL14上に、キャリア輸送性材料41を含むETL15に代えて、キャリア輸送性材料41’を含むHTL12を形成される。上記キャリア輸送性材料41’としては、例えば、NiO、WO、MoO等の正孔輸送性材料が用いられる。
 このように、本変形例でも、キャリア輸送性材料41’は、金属酸化物であり、該キャリア輸送性材料41’を含むキャリア輸送性材料分散液の等電点は、pH7以上であることが好ましい。なお、本変形例でも、上記金属酸化物は、金属酸化物ナノ粒子として用いられる。
 本実施形態では、キャリア輸送性材料分散液塗布工程(ステップS33a)において、キャリア輸送性材料分散液に含まれる溶媒によってIL14の一部を溶解させながらHTL12を形成する。該キャリア輸送性材料分散液塗布工程では、上記溶媒によって、IL14を2nm以上溶解する。上記溶媒には、溶媒42と同様の極性溶媒を用いることができる。このように、ステップS33では、ステップS6において、キャリア輸送性材料41を含むキャリア輸送性材料分散液43に代えて、キャリア輸送性材料41’を含むキャリア輸送性材料分散液を用いたことを除けば、ステップS6と同様にして、HTL12が形成される。このように、IL14上に形成されるCTLは、HTLであってもよく、上述したように具体的な材料を除き、ステップS6において、ETLは、HTLと読み替えることができる。なお、本変形例でも、EML13は、図5に示す方法で形成されてもよく、図6に示す方法で形成されてもよい。
 本変形例に係る発光素子の製造方法により製造された発光素子1は、以上のように、QD21と、金属ハロゲン化物22(第2金属ハロゲン化物)と、金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)と、を含むEML13を備えるとともに、上記金属ハロゲン化物31を含むIL14と、キャリア輸送性材料を含むCTLとして、キャリア輸送性材料41’を含むHTL12とが、上記EML13側からこの順に互いに隣接して設けられた構成を有している。
 本変形例によれば、以上のように、上記金属ハロゲン化物31を含むIL14と、キャリア輸送性材料41’を含むHTL12とが、上記EML13側からこの順に互いに隣接して設けられていることで、上記HTL12を形成する際の、上記EML13に対する上記キャリア輸送性材料41’を含む塗布液であるキャリア輸送性材料分散液の濡れ性を改善することができる。この結果、層厚の均一性が良く、発光特性および信頼性に優れた発光素子1を提供することができる。
 本変形例では、金属ハロゲン化物22および金属ハロゲン化物31のバンドギャップを、シェル21bのバンドギャップよりも大きくすることで、HTL12からEML13への正孔注入を抑制することができる。
 (変形例2)
 図15は、本変形例に係る発光素子1の製造方法の一例を示すフローチャートである。
 本変形例に係る発光素子1の製造方法は、図15に示すように、図1に示すステップS4に代えて、ステップS4’を行うことを除けば、図1に示す発光素子1の製造方法と同じである。ステップS4’では、EML13として、QD21と金属ハロゲン化物22とを含むEMLを形成する。したがって、本変形例では、図15および図2に示すように、まず、図1と同様にして、ステップS1~ステップS3を行う。次いで、QD21を含み、かつ、有機リガンドレスのEML13を形成する(ステップS4’、発光層形成工程)。次いで、図1に示すステップS5~ステップS7と同様のステップS5~ステップS7を行う。ステップS4’では、例えば、前述したように、図5に示す発光層形成工程における前記ステップS12(リガンド置換工程)でリガンド置換条件を適宜調整することで、有機リガンドレスのEML13を形成することができる。
 また、前記したように、図5に示すステップS15の後で図6に示すステップS23~ステップS26と同様の工程を行うことで、さらに追加のリガンド置換を行ってもよい。これにより、リガンド置換量を増加させて有機リガンド23を除去し、有機リガンドレスのEML13を形成することもできる。
 また、図16は、本変形例に係る発光層形成工程の他の一例を示すフローチャートである。
 図16に示す発光層形成工程では、まず、図6と同様にして、ステップS11~ステップS22を行う。つまり、上記発光層形成工程では、まず、図16に示すように、図5および図6に示すステップS11と同様のステップS11を行うことで、QD21と、該QD21に配位した有機リガンド23と、前記第2溶媒として前記非極性溶媒と、を含む第1QD分散液を調液する(ステップS11、第1QD分散液調液工程)。次いで、HTL12上に上記第1QD分散液を塗布することで、該第1QD分散液の塗膜を形成する(ステップS21、第1QD分散液塗布工程)。次いで、上記塗膜を、加熱乾燥する等して、一旦、塗布した第1QD分散液中に含まれていた溶媒を除去する(ステップS22、溶媒除去工程)。これにより、QD21と、該QD21に配位した有機リガンド23と、を含むEML13を形成する。その後、図16に示す発光層形成工程では、上記EML13を洗浄液で洗浄することで、上記EML13に含まれる有機リガンド23を除去する(ステップS41、有機リガンド除去工程、洗浄工程)。
 有機リガンド23の除去率は、例えば洗浄時間、洗浄液の供給量等によって調節することができる。本実施形態では、ステップS41において、前述したように、FT-IR法で有機リガンド由来の吸収スペクトルを確認し、「該FT-IR法で有機リガンド由来の吸収スペクトルが検出できない、すなわち測定強度がノイズ以下である」ことが確認できるまで、EML13の洗浄を行う。
 なお、上記洗浄液としては、上記EML13に含まれる有機リガンド23を除去することができる溶媒であればよい。より具体的には、上記洗浄液としては、QD21に配位した有機リガンド23およびQD21に配位していない余剰の有機リガンド23を溶解する溶媒であればよい。上記洗浄液としては、例えば、メタノール、エタノール等のアルコールが挙げられる。
 その後、上記EML13を加熱乾燥する等して、上記EML13中に含まれる溶媒、つまり、上記洗浄液を除去する(ステップS42、洗浄液除去工程)。これにより、有機リガンドレスのEML13を形成する。
 次いで、有機リガンド23が除去された上記EML13上に、金属ハロゲン化物22と、溶媒(リガンド溶液の溶媒)として極性溶媒と、を含むリガンド溶液を供給して、該リガンド溶液と上記EML13とを接触させる。なお、上記リガンド溶液の供給は、例えば、前記ステップS23と同様にして行うことができる。但し、本変形例では、上述したように有機リガンド23が予め除去されている。このため、ステップS42では、リガンド置換ではなく、リガンド付与が行われる。
 次いで、図6に示すステップS24~ステップS26と同様のステップS24~ステップS26を行う。これにより、QD21と、該QD21の表面に存在する金属ハロゲン化物22と、を含む、有機リガンドレスのEML13を形成することができる。
 以上のように、発光層形成工程は、QD21と有機リガンド23と溶媒(第2溶媒)とを含むQD分散液(第1QD分散液)を調液する第1QD分散液調液工程(ステップS11)と、上記第1QD分散液を塗布する前または上記第1QD分散液を塗布した後に、上記有機リガンド23を除去する工程と、を含んでいてもよい。このように、上記第1QD分散液を塗布する前または上記第1QD分散液を塗布した後に、上記有機リガンド23を除去することで、EML13として、QD21を含み、かつ、有機リガンドレスのEMLを形成することができる。
 なお、図16に示す発光層形成工程では、上述したように、ステップS42の後で、引き続き、ステップS43~ステップS26を行って、金属ハロゲン化物22を含む、有機リガンドレスのEML13を形成する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本変形例は、これに限定されるものではなく、ステップS42の後、図15に示すステップS6を行うことで、ステップS42で得られた有機リガンドレスのEML13上に、IL14を形成してもよい。この場合、最終的に、金属ハロゲン化物として金属ハロゲン化物31のみを含むEML13を有する発光素子1を製造することができる。
 何れにしても、本変形例によれば、QD21と金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)とを含む、有機リガンドレスのEML13を備えるとともに、上記金属ハロゲン化物31を含むIL14と、キャリア輸送性材料を含むCTLとして、キャリア輸送性材料41を含むETL15とが、上記EML13側からこの順に互いに隣接して設けられた発光素子1を提供することができる。
 以上のように、本変形例でも、上記金属ハロゲン化物31を含むIL14と、キャリア輸送性材料41を含むETL15とが、上記EML13側からこの順に互いに隣接して設けられていることで、上記ETL15を形成する際の前記キャリア輸送性材料分散液43の濡れ性を改善することができる。この結果、層厚の均一性が良く、発光特性および信頼性に優れた発光素子1を提供することができる。
 なお、上述したように、本変形例でも、上記EML13は、QD21および金属ハロゲン化物31に加えて、金属ハロゲン化物22(第2金属ハロゲン化物)をさらに含んでいてもよい。また、本変形例でも、変形例1と同様に、IL14上に、キャリア輸送性材料を含むCTLとして、キャリア輸送性材料41’を含むHTL12を形成してもよい。
 〔実施形態2〕
 本実施形態では、実施形態1との相異点について説明する。
 本実施形態に係る発光素子の製造方法は、EMLを形成する工程と、上記EML上にCTLを形成する工程と、を含み、上記CTLを形成する工程は、上記EML上に、キャリア輸送性材料と第1溶媒と第1金属ハロゲン化物とを含むキャリア輸送性材料分散液を塗布する工程と、上記第1溶媒を除去する工程と、を含んでいる。上記キャリア輸送性材料分散液を塗布する工程では、上記第1金属ハロゲン化物として、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物を使用し、上記EMLを形成する工程では、上記EMLとして、(1)QDと25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の第2金属ハロゲン化物とを含むEMLを形成するか、または、(2)上記QDを含み、かつ、有機リガンドレスのEMLを形成する。
 以下では、上記EMLを形成する工程で、上記EMLとして、QDと上記第2金属ハロゲン化物とを含むEMLを形成する場合を例に挙げて説明する。また、以下では、上記EML上に形成されるCTLがETLである場合を例に挙げて説明する。また、以下では、上記発光素子が、陽極を下層電極とし、陰極を上層電極とするコンベンショナル構造を有し、陽極と陰極との間に、機能層として、HIL、HTL、EML、およびETLを備えている場合を例に挙げて説明する。
 以下、図を参照して、具体的に説明する。図17は、本実施形態に係る発光素子1の製造方法の一例を示すフローチャートである。図18は、本実施形態に係る発光素子1の概略構成を示す断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、実施形態1で説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。また、特に説明がない場合でも、実施形態1と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
 図18に示すように、本実施形態に係る発光素子1は、一例として、陽極2、HIL11、HTL12、EML13、ETL15、および陰極3が、下層側(例えば、基板等の図示しない支持体側)からこの順に設けられた構成を有している。但し、本実施形態に係るETL15は、EML13上に、該EML13に隣接して積層されているとともに、キャリア輸送性材料41と、金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)と、を含んでいる。なお、本実施形態でも、図示および説明は省略するが、発光素子1は、陽極2と陰極3との間に、HIL11、HTL12、EML13、およびETL15以外の、図示しない機能層を備えていてもよい。
 本実施形態に係る発光素子1の製造方法では、図17および図18に示すように、例えば、まず、図1と同様にして、ステップS1~ステップS4を行う。なお、本実施形態でも、ステップS4において、EML13は、図5に示す方法で形成されてもよく、図6に示す方法で形成されてもよい。
 本実施形態では、上記ステップS4の後、次いで、上記EML13上に、ETL15を形成する(ステップS51、キャリア輸送層形成工程、電子輸送層形成工程)。ステップS51では、図17に示すように、まず、EML13上に、キャリア輸送性材料41と溶媒(第1溶媒)と、金属ハロゲン化物31と、を含むキャリア輸送性材料分散液を塗布することで、該キャリア輸送性材料分散液の塗膜を形成する(ステップS51a、キャリア輸送性材料分散液塗布工程)。次いで、上記塗膜を加熱する等して、該塗膜に含まれる溶媒、つまり、塗布したキャリア輸送性材料分散液中に含まれていた上記溶媒(第1溶媒)を除去する(ステップS51b、第1溶媒除去工程)。これにより、EML13上に、キャリア輸送性材料41と金属ハロゲン化物31とを含むETL15が形成される。次いで、図1に示すステップS7と同様のステップS7を行って、上記ETL15上に、上層電極として陰極3を形成する。これにより、図18に示す発光素子1が形成される。
 このように、本実施形態では、EML13上に、キャリア輸送性材料41と溶媒(第1溶媒)と、金属ハロゲン化物31と、を含むキャリア輸送性材料分散液を塗布することで、キャリア輸送性材料41と金属ハロゲン化物31とを含むETL15を形成する。前記したように、金属ハロゲン化物は、EML13におけるQD21間の隙間を通過する大きさを有している。
 このため、本実施形態では、上述したように、EML13上に上記キャリア輸送性材料分散液を塗布すると、該キャリア輸送性材料分散液に含まれる金属ハロゲン化物31が、EML13内に侵入する。これにより、EML13におけるQD21の表面のリガンド(金属ハロゲン化物22、および、有機リガンド23を含む場合、有機リガンド23)の一部が、金属ハロゲン化物31で置換される。それと同時に、本実施形態では、EML13上に、上記キャリア輸送性材料分散液の塗膜が形成される。
 したがって、本実施形態によれば、上述したようにEML13上に、キャリア輸送性材料41と溶媒(第1溶媒)と、金属ハロゲン化物31と、を含むキャリア輸送性材料分散液を塗布することで、EML13に対する上記キャリア輸送性材料分散液の濡れ性を改善することができる。この結果、層厚の均一性が良く、発光特性および信頼性に優れた発光素子1を製造することができる。
 また、本実施形態によれば、上述したようにEML13上に、キャリア輸送性材料41と溶媒(第1溶媒)と、金属ハロゲン化物31と、を含むキャリア輸送性材料分散液を塗布することで、EML13上に、直接ETL15を形成することができる。したがって、実施形態1よりも工程数を減らすことができ、製造工程を簡略化し、製造にかかる時間および費用を低減することができる。
 しかも、本実施形態では、キャリア輸送性材料41を、上記金属ハロゲン化物31で修飾した状態で上記キャリア輸送性材料分散液を塗布することができる。このため、上記キャリア輸送性材料41の分散性を向上させることができる。本実施形態は、プロセス上、上述したようにEML13上にETL15等のCTLを設ける場合に、特に有効である。
 なお、本実施形態では、ETL15が金属ハロゲン化物31を含むことで、ETL15の形成には、下地となるEML13におけるQD21表面の金属ハロゲン化物22に対応した金属ハロゲン化物31の選択が必要となる。本実施形態では、金属ハロゲン化物22と金属ハロゲン化物31とに、同じハロゲンを有する金属ハロゲン化物を使用することで、ETL15の形成に用いられる金属ハロゲン化物含有液に含まれる金属ハロゲン化物31がEML13内に侵入しても、EML13に含まれるハロゲン化物イオンの種類が増加しない。このため、EML13とETL15とにハロゲン種が同じ金属ハロゲン化物を使用することで、QD21に対する影響が少なく、発光特性の低下を抑制することができる。
 また、本実施形態に係る発光素子の製造方法により製造された発光素子1は、以上のように、QD21と、金属ハロゲン化物22(第2金属ハロゲン化物)と、金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)と、を含むEML13を備えるとともに、上記EML13上に、該EML13に隣接して、キャリア輸送性材料と金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)とを含むCTLとして、キャリア輸送性材料41と金属ハロゲン化物31とを含むETL15が設けられた構成を有している。
 本実施形態によれば、以上のように、上記EML13に隣接して、キャリア輸送性材料41と金属ハロゲン化物31とを含むETL15が設けられていることで、上記ETL15を形成する際の、上記EML13に対する上記キャリア輸送性材料41を含む塗布液(キャリア輸送性材料分散液)の濡れ性を改善することができる。この結果、層厚の均一性が良く、発光特性および信頼性に優れた発光素子1を提供することができる。
 なお、本実施形態でも、上述したように、金属ハロゲン化物22を含むEML13を形成する場合、EML13は、図18に示すように、金属ハロゲン化物22に加えて、金属ハロゲン化物31をさらに含む。このため、本実施形態でも、QD21の表面には、リガンドとして、アニオン22aおよびアニオン31aの両方が存在する。
 したがって、本実施形態では、上述したようにEML13とETL15とに、同じハロゲンを有する金属ハロゲン化物を使用することで、上記ETL15の形成に用いられるキャリア輸送性材料分散液に含まれる金属ハロゲン化物31がEML13内に侵入しても、EML13に含まれるハロゲン化物イオンの種類が増加しない。このため、EML13とETL15とにハロゲン種が同じ金属ハロゲン化物を使用することで、QD21に対する影響が少なく、発光特性の低下を抑制することができる。
 なお、本実施形態において、発光素子1の各層の層厚は、従来と同様に設定すればよい。但し、金属ハロゲン化物31としてワイドギャップの金属ハロゲン化物を用いる場合、ETL15からのキャリア注入が抑制される。このため、必要に応じて、ETL15の層厚を適宜調整することが望ましい。
 また、上述したように、キャリア輸送性材料分散液が、キャリア輸送性材料41と、溶媒(第1溶媒)と、金属ハロゲン化物31と、を含む場合であっても、実施形態1で説明した理由と同じ理由から、キャリア輸送性材料41は、金属酸化物であることが望ましく、上記キャリア輸送性材料分散液の等電点は、pH7以上であることが好ましい。
 (変形例1)
 図17および図18では、発光素子1が、陽極2を下層電極とするコンベンショナル構造を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態でも、発光素子1は、陰極3を下層電極とするインバーテッド構造を有していてもよい。また、EML13上に形成されるCTLは、ETLに限定されるものではなく、HTLであってもよい。
 したがって、図示はしないが、本実施形態に係る発光素子1は、陰極3を下層電極とし、陽極2を上層電極とするインバーテッド構造を有し、一例として、陰極3、ETL15、EML13、HTL12、および陽極2が、下層側(例えば、基板等の図示しない支持体側)からこの順に設けられた構成を有していてもよい。なお、図示および説明は省略するが、本変形例でも、発光素子1は、陽極2と陰極3との間に、図示しない機能層を備えていてもよい。
 図19は、本変形例に係る発光素子1の製造方法の一例を示すフローチャートである。
 図19に示すように、本変形例では、まず、図14と同様にして、ステップS31、ステップS32、ステップS4を、この順に行う。なお、本変形例でも、EML13は、図5に示す方法で形成されてもよく、図6に示す方法で形成されてもよい。次いで、ステップS4で形成したEML13上に、HTL12を形成する(ステップS51’、キャリア輸送層形成工程、正孔輸送層形成工程)。ステップS51’では、図19に示すように、まず、EML13上に、前記キャリア輸送性材料41’と溶媒(第1溶媒)と、金属ハロゲン化物31と、を含むキャリア輸送性材料分散液を塗布することで、該キャリア輸送性材料分散液の塗膜を形成する(ステップS51a’、キャリア輸送性材料分散液塗布工程)。次いで、上記塗膜を加熱する等して、該塗膜に含まれる溶媒、つまり、塗布したキャリア輸送性材料分散液中に含まれていた上記溶媒(第1溶媒)を除去する(ステップS51b’、第1溶媒除去工程)。これにより、EML13上に、前記キャリア輸送性材料41’と金属ハロゲン化物31とを含むHTL12が形成される。次いで、図14に示すステップS34と同様のステップS34を行って、上記HTL12上に、上層電極として陽極2を形成する。これにより、本変形例に係る発光素子1が形成される。
 このように、本変形例では、EML13上に、キャリア輸送性材料41’と溶媒(第1溶媒)と、金属ハロゲン化物31と、を含むキャリア輸送性材料分散液を塗布することで、キャリア輸送性材料41’と金属ハロゲン化物31とを含むHTL12を形成する。前記したように、金属ハロゲン化物は、EML13におけるQD21間の隙間を通過する大きさを有している。
 このため、本変形例でも、上述したように、EML13上に上記キャリア輸送性材料分散液を塗布すると、該キャリア輸送性材料分散液に含まれる金属ハロゲン化物31が、EML13内に侵入する。これにより、EML13におけるQD21の表面のリガンド(EML13が金属ハロゲン化物22、および、有機リガンド23を含む場合、有機リガンド23)の一部が、金属ハロゲン化物31で置換される。それと同時に、本変形例でも、EML13上に、上記キャリア輸送性材料分散液の塗膜が形成される。
 したがって、本変形例によれば、上述したようにEML13上に、キャリア輸送性材料41’と溶媒(第1溶媒)と、金属ハロゲン化物31と、を含むキャリア輸送性材料分散液を塗布することで、EML13に対する上記キャリア輸送性材料分散液の濡れ性を改善することができる。この結果、層厚の均一性が良く、発光特性および信頼性に優れた発光素子1を製造することができる。
 また、本変形例によれば、上述したようにEML13上に、キャリア輸送性材料41’と溶媒(第1溶媒)と、金属ハロゲン化物31と、を含むキャリア輸送性材料分散液を塗布することで、EML13上に、直接HTL12を形成することができる。したがって、実施形態1の変形例1よりも工程数を減らすことができ、製造工程を簡略化し、製造にかかる時間および費用を低減することができる。
 しかも、本変形例では、キャリア輸送性材料41’を、上記金属ハロゲン化物31で修飾した状態で上記キャリア輸送性材料分散液を塗布することができる。このため、上記キャリア輸送性材料41’の分散性を向上させることができる。
 なお、本変形例でも、実施形態1で説明した理由と同じ理由から、キャリア輸送性材料41’は、金属酸化物であり、該キャリア輸送性材料を含むキャリア輸送性材料分散液の等電点は、pH7以上であることが好ましい。本変形例でも、上記金属酸化物は、金属酸化物ナノ粒子として用いられる。
 本変形例では、ステップS51’において、キャリア輸送性材料としてキャリア輸送性材料41’を用いたことを除けば、ステップS51と同様にして、EML13上にHTL12が形成される。このように、EML13上に形成されるCTLは、HTLであってもよく、上述したように具体的な材料を除き、前記ステップS51において、ETLは、HTLと読み替えることができる。
 本変形例に係る発光素子の製造方法により製造された発光素子1は、以上のように、QD21と、金属ハロゲン化物22(第2金属ハロゲン化物)と、金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)と、を含むEML13を備えるとともに、上記EML13上に、該EML13に隣接して、キャリア輸送性材料と金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)とを含むCTLとして、キャリア輸送性材料41’と金属ハロゲン化物31とを含むHTL12が設けられた構成を有している。
 本変形例によれば、以上のように、上記EML13に隣接して、キャリア輸送性材料41’と金属ハロゲン化物31とを含むHTL12が設けられていることで、上記ETL15を形成する際の、上記EML13に対する上記キャリア輸送性材料41’を含む塗布液(キャリア輸送性材料分散液)の濡れ性を改善することができ、層厚の均一性が良く、発光特性および信頼性に優れた発光素子1を提供することができる。
 本変形例では、金属ハロゲン化物22および金属ハロゲン化物31のバンドギャップを、シェル21bのバンドギャップよりも大きくすることで、HTL12からEML13への正孔注入を抑制することができる。
 (変形例2)
 図20は、本変形例に係る発光素子1の製造方法の一例を示すフローチャートである。
 本変形例に係る発光素子1の製造方法は、図20に示すように、図17に示すステップS4に代えて、図15に示すステップS4’と同様のステップS4’を行うことを除けば、図17に示す発光素子1の製造方法と同じである。本変形例でも、ステップS4’では、例えば図5に示す発光層形成工程における前記ステップS12(リガンド置換工程)でリガンド置換条件を適宜調整することで、有機リガンドレスのEML13を形成してもよい。また、図5に示すステップS15の後で、図6に示すステップS23~ステップS26と同様の工程を行う等、追加のリガンド置換を行うことで、有機リガンドレスのEML13を形成してもよい。また、図16に示す方法を用いて有機リガンドレスのEML13を形成してもよい。
 以上のように、本変形例でも、発光層形成工程は、QD21と有機リガンド23と溶媒(第2溶媒)とを含むQD分散液(第1QD分散液)を調液する第1QD分散液調液工程(ステップS11)と、上記第1QD分散液を塗布する前または上記第1QD分散液を塗布した後に、上記有機リガンド23を除去する工程と、を含んでいてもよい。このように、上記第1QD分散液を塗布する前または上記第1QD分散液を塗布した後に、上記有機リガンド23を除去することで、EML13として、QD21を含み、かつ、有機リガンドレスのEMLを形成することができる。
 何れにしても、本変形例によれば、QD21と金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)とを含む、有機リガンドレスのEML13を備えるとともに、上記EML13上に、該EML13に隣接して、キャリア輸送性材料と金属ハロゲン化物31(第1金属ハロゲン化物)とを含むCTLとして、キャリア輸送性材料41と金属ハロゲン化物31とを含むETL15が設けられた発光素子1を提供することができる。
 以上のように、本変形例でも、上記EML13に隣接して、キャリア輸送性材料41と金属ハロゲン化物31とを含むETL15が設けられていることで、上記ETL15を形成する際の、上記EML13に対する上記キャリア輸送性材料41を含む塗布液(キャリア輸送性材料分散液)の濡れ性を改善することができる。この結果、層厚の均一性が良く、発光特性および信頼性に優れた発光素子1を提供することができる。
 なお、上述したように、本変形例でも、上記EML13は、QD21および金属ハロゲン化物31に加えて、金属ハロゲン化物22(第2金属ハロゲン化物)をさらに含んでいてもよい。また、本変形例でも、変形例1と同様に、EML13上に、CTLとして、キャリア輸送性材料41’と金属ハロゲン化物31とを含むHTL12を形成してもよい。
 本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
  1  発光素子
  2  陽極
  3  陰極
 12  HTL(キャリア輸送層)
 15  ETL(キャリア輸送層)
 13  EML(発光層)
 14  IL(中間層)
 21  QD
 21a コア
 21b シェル
 22  金属ハロゲン化物(第2金属ハロゲン化物)
 23  有機リガンド
 31  金属ハロゲン化物(第1金属ハロゲン化物)
 41、41’  キャリア輸送性材料
 42  溶媒(第1溶媒)
 43  キャリア輸送性材料分散液

Claims (21)

  1.  発光層を形成する工程と、
     上記発光層上に、第1金属ハロゲン化物を含む中間層を形成する工程と、
     上記中間層上にキャリア輸送層を形成する工程と、を含み、
     上記キャリア輸送層を形成する工程は、
      上記中間層上に、キャリア輸送性材料と第1溶媒とを含むキャリア輸送性材料分散液を塗布する工程と、
      上記第1溶媒を除去する工程と、を含み、
     上記中間層を形成する工程では、上記第1金属ハロゲン化物として25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物を含む中間層を形成し、
     上記発光層を形成する工程では、上記発光層として、(1)量子ドットと25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の第2金属ハロゲン化物とを含む発光層を形成するか、または、(2)上記量子ドットを含み、かつ、有機リガンドレスの発光層を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。
  2.  上記発光層を形成する工程では、上記発光層として、上記量子ドットと上記第2金属ハロゲン化物とを含む発光層を形成することを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。
  3.  上記発光層を形成する工程は、
      上記量子ドットと有機リガンドと第2溶媒とを含む量子ドット分散液を調液する工程と、
      上記量子ドット分散液を塗布する前または上記量子ドット分散液を塗布した後に、上記有機リガンドを上記第2金属ハロゲン化物で置換する工程と、を含むことを特徴とする請求項2に記載の発光素子の製造方法。
  4.  上記第1金属ハロゲン化物に、上記第2金属ハロゲン化物と同じハロゲンを有する金属ハロゲン化物を使用することを特徴とする請求項2または3に記載の発光素子の製造方法。
  5.  上記発光層を形成する工程では、上記発光層として、上記量子ドットを含み、かつ、有機リガンドレスの発光層を形成することを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。
  6.  上記発光層を形成する工程は、
      上記量子ドットと有機リガンドと第2溶媒とを含む量子ドット分散液を調液する工程と、
      上記量子ドット分散液を塗布する前または上記量子ドット分散液を塗布した後に、上記有機リガンドを除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項5に記載の発光素子の製造方法。
  7.  上記キャリア輸送性材料分散液を塗布する工程では、上記第1溶媒により上記中間層を2nm以上溶解するとともに、
     上記第1溶媒によって溶解される上記中間層の層厚をTnm(T≧2)とすると、上記中間層を形成する工程では、2+Tnm以上の層厚を有する上記中間層を形成することを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の発光素子の製造方法。
  8.  発光層を形成する工程と、
     上記発光層上にキャリア輸送層を形成する工程と、を含み、
     上記キャリア輸送層を形成する工程は、
      上記発光層上に、キャリア輸送性材料と第1溶媒と第1金属ハロゲン化物とを含むキャリア輸送性材料分散液を塗布する工程と、
      上記第1溶媒を除去する工程と、を含み、
     上記キャリア輸送性材料分散液を塗布する工程では、上記第1金属ハロゲン化物として、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上の金属ハロゲン化物を使用し、
     上記発光層を形成する工程では、上記発光層として、(1)量子ドットと25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の第2金属ハロゲン化物とを含む発光層を形成するか、または、(2)上記量子ドットを含み、かつ、有機リガンドレスの発光層を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。
  9.  上記発光層を形成する工程では、上記発光層として、上記量子ドットと上記第2金属ハロゲン化物とを含む発光層を形成することを特徴とする請求項8に記載の発光素子の製造方法。
  10.  上記発光層を形成する工程は、
      上記量子ドットと有機リガンドと第2溶媒とを含む量子ドット分散液を調液する工程と、
      上記量子ドット分散液を塗布する前または上記量子ドット分散液を塗布した後に、上記有機リガンドを上記第2金属ハロゲン化物で置換する工程と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の発光素子の製造方法。
  11.  上記第1金属ハロゲン化物に、上記第2金属ハロゲン化物と同じハロゲンを有する金属ハロゲン化物を使用することを特徴とする請求項9または10に記載の発光素子の製造方法。
  12.  上記発光層を形成する工程では、上記発光層として、上記量子ドットを含み、かつ、有機リガンドレスの発光層を形成することを特徴とする請求項8に記載の発光素子の製造方法。
  13.  上記発光層を形成する工程は、
      上記量子ドットと有機リガンドと第2溶媒とを含む量子ドット分散液を調液する工程と、
      上記量子ドット分散液を塗布する前または上記量子ドット分散液を塗布した後に、上記有機リガンドを除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項12に記載の発光素子の製造方法。
  14.  上記量子ドットは、コアとシェルとを有し、
     上記第1金属ハロゲン化物のバンドギャップおよび上記第2金属ハロゲン化物のバンドギャップは、それぞれ、上記シェルのバンドギャップよりも大きいことを特徴とする請求項1~13の何れか1項に記載の発光素子の製造方法。
  15.  上記第1金属ハロゲン化物が、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、BeF、MgF、SrF、BaF、AlF、InF、PbF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、BeCl、MgCl、CaCl、SrCl、BaCl、AlCl、GaCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、BeBr、MgBr、CaBr、SrBr、BaBr、AlBr、SnBr、LiI、NaI、KI、RbI、CsI、BeI、MgI、CaI、およびSrIからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1~14の何れか1項に記載の発光素子の製造方法。
  16.  上記キャリア輸送性材料は、金属酸化物であり、
     上記キャリア輸送性材料分散液の等電点がpH7以上であることを特徴とする請求項1~15の何れか1項に記載の発光素子の製造方法。
  17.  量子ドットと第1金属ハロゲン化物とを含む発光層を備えるとともに、
     (1)上記第1金属ハロゲン化物を含む中間層と、キャリア輸送性材料を含むキャリア輸送層とが、上記発光層側からこの順に互いに隣接して設けられているか、または、(2)上記発光層上に、該発光層に隣接して、キャリア輸送性材料と上記第1金属ハロゲン化物とを含むキャリア輸送層が設けられており、
     上記第1金属ハロゲン化物の25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g以上であることを特徴とする発光素子。
  18.  上記発光層は、25℃における水に対する溶解度が2.5mg/100g未満の第2金属ハロゲン化物をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の発光素子。
  19.  上記発光層と、上記中間層と、上記キャリア輸送性材料を含む上記キャリア輸送層とが、下層側からこの順に互いに隣接して設けられていることを特徴とする請求項17または18に記載の発光素子。
  20.  上記中間層が、2nm以上の層厚を有していることを特徴とする請求項19に記載の発光素子。
  21.  上記発光層上に、該発光層に隣接して、上記キャリア輸送性材料と上記第1金属ハロゲン化物とを含む上記キャリア輸送層が設けられていることを特徴とする請求項17または18に記載の発光素子。
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