WO2020148912A1 - 発光素子および電界発光装置並びに発光素子の製造方法 - Google Patents

発光素子および電界発光装置並びに発光素子の製造方法 Download PDF

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WO2020148912A1
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light emitting
ion
functional group
group
quantum dots
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加奈子 中田
達也 両輪
真 和泉
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シャープ株式会社
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    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting element and an electroluminescent device using quantum dots, and a method for manufacturing the light emitting element.
  • quantum dots a light emitting device using semiconductor nanoparticles called quantum dots has been developed as a light emitting material.
  • a coating process is used to form the light emitting layer using the quantum dots.
  • quantum dots easily aggregate in a solvent and have low dispersibility. For this reason, when the light emitting layer is formed by the coating process, stable film formation cannot be performed, and the formed light emitting layer becomes uneven and has poor flatness. Therefore, agglomeration of quantum dots causes a decrease in quantum efficiency.
  • 2-(Diethylamino)ethanethiol hydrochloride is known as an easily available surface modifier.
  • an ionic surface modifier containing a halide ion such as 2-(diethylamino)ethanethiol hydrochloride, eliminates a halide ion such as a chloride ion and releases a gas such as chlorine or hydrogen chloride (a halogenated gas). ) May occur.
  • a gas such as chlorine or hydrogen chloride (a halogenated gas).
  • One aspect of the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to prevent a halide ion from being desorbed from a surface modifier that modifies the surface of a quantum dot and to generate a gas, which has high reliability. It is to provide a light-emitting element, an electroluminescent device, and a method for manufacturing a light-emitting element, which have high cost.
  • a light emitting element includes an anode, a cathode, and a light emitting layer provided between the anode and the cathode, and the light emitting layer is It includes a quantum dot and a first surface modifier that modifies the surface of the quantum dot, and the first surface modifier has a first functional group coordinated to the quantum dot and a positive or negative charge.
  • an electroluminescent device includes the light emitting element according to an aspect of the present invention.
  • a method for manufacturing a light emitting device includes an anode, a cathode, and a light emitting layer provided between the anode and the cathode, and the above light emission.
  • the layer includes a quantum dot and a first surface modifier that modifies the surface of the quantum dot, and the first surface modifier is a positive or negative functional group that coordinates to the quantum dot.
  • the first functional group having an electric charge and the electric charge having a sign opposite to the sign of the electric charge of the second functional group, being ionically bonded to the second functional group, and containing a third or more atom.
  • the method includes a step of adding a salt and stirring, and then removing a precipitate to obtain a quantum dot whose surface is modified with the first surface modifier, wherein the second surface modifier has the first functional group.
  • a second functional group, and a halide ion having a sign opposite to the sign of the electric charge of the second functional group and ionically bonded to the second functional group.
  • a manufacturing method can be provided.
  • FIG. 1 is a figure which shows typically an example of the laminated structure of the light-emitting device which concerns on Embodiment 1
  • (b) is a figure which shows the structure of the light-emitting layer of the light-emitting device shown to (a) typically.
  • 6 is a diagram showing a flow of manufacturing steps of a light emitting layer in the light emitting element according to Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 3 is a diagram showing a reaction scheme in steps S2 to S3 of Example 1.
  • 6 is a graph showing the result of a reliability test of a light emitting device using the sample of Example 1 together with the result of a reliability test of a light emitting device using the sample of Comparative Example 1.
  • FIG. 1A is a diagram schematically showing an example of a laminated structure of the light emitting device 1 according to the present embodiment.
  • 1B is a diagram schematically showing the structure of the light emitting layer 13 of the light emitting device 1 shown in FIG.
  • the light emitting device 1 is a display device (electroluminescent display device) including a quantum dot light emitting diode (hereinafter, referred to as “QLED”) as the light emitting element 10 which is an electroluminescent element will be described.
  • QLED quantum dot light emitting diode
  • the light emitting device 1 has a configuration in which a light emitting element layer including a light emitting element 10 is provided on a substrate 17.
  • the light emitting element 10 includes an anode 16, a cathode 11, and a hole injection layer 15, a hole transport layer 14, and a light emitting layer 13 which are provided between the anode 16 and the cathode 11 in this order from the anode 16 side. And an electron transport layer 12.
  • the light emitting device 1 includes a power supply 18.
  • the anode 16 and the cathode 11 are connected to a power source 18, and a voltage is applied between them.
  • the substrate 17 is an array substrate, and the substrate 17 is provided with a driving circuit including a driving element such as a TFT (thin film transistor) for driving the light emitting element 10 as a sub-pixel circuit, for example, a TFT layer is formed. ..
  • the anode 16 is electrically connected to the TFT on the substrate 17.
  • Each of the anode 16, the hole injection layer 15, the hole transport layer 14, the light emitting layer 13, and the electron transport layer 12 is separated for each sub-pixel by an insulating layer (not shown).
  • a plurality of QLEDs are provided in the light emitting element layer as the light emitting element 10 corresponding to the sub-pixels.
  • the cathode 11 is not separated by the insulating layer and is formed commonly to the sub-pixels.
  • the insulating layer functions as a sub pixel separation wall and also as an edge cover that covers the edge of the anode 16.
  • An insulating material such as acrylic resin or polyimide resin is used for the insulating layer.
  • the above configuration is an example, and is not necessarily limited to the above configuration.
  • the electron transport layer 12 may be formed commonly to each sub pixel.
  • the light emitting device 1 includes, as sub-pixels, for example, a red sub-pixel that emits red light, a green sub-pixel that emits green light, and a blue sub-pixel that emits blue light.
  • the red sub-pixel is provided with a red QLED as a light emitting element 10 that emits red light.
  • a blue QLED is provided as the light emitting element 10 that emits blue light.
  • the green sub-pixel is provided with a green QLED as a light emitting element 10 that emits green light.
  • red light refers to light having an emission center wavelength in the wavelength band of 600 nm or more and 780 nm or less.
  • Green light refers to light having an emission center wavelength in a wavelength band of more than 500 nm and 600 nm or less.
  • Blue light refers to light having an emission center wavelength in a wavelength band of 400 nm or more and 500 nm or less.
  • the anode 16 and the cathode 11 include a conductive material and are electrically connected to the hole injection layer 15 and the electron transport layer 12, respectively.
  • One of the anode 16 and the cathode 11 is a transparent electrode having a light-transmitting property, and the other is a reflective electrode having a light-reflecting property.
  • the cathode 11 is a transparent electrode, and is, for example, ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), or AZO. (Aluminum zinc oxide) or GZO (gallium zinc oxide) or the like, and is formed of a transparent conductive material.
  • the anode 16 has, for example, a layer made of such a translucent conductive material and a high visible light reflectance such as Al (aluminum), Cu (copper), Au (gold), or Ag (silver).
  • a laminate of a layer made of metal or its alloy is used.
  • the light emitting device 1 may be a bottom emission type display device in which light is extracted from the anode 16 side. In this case, a transparent electrode is used for the anode 16 and a reflective electrode is used for the cathode 11.
  • the hole injection layer 15 is a layer having a function of increasing the efficiency of hole injection into the hole transport layer 14.
  • the hole transport layer 14 is a layer having a function of enhancing efficiency of transporting holes to the light emitting layer 13.
  • the hole transport layer 14 transports holes from the anode 16 to the light emitting layer 13 via the hole injection layer 15.
  • the hole injection layer 15 and the hole transport layer 14 may include an inorganic material such as nickel oxide (NiO) and molybdenum oxide (MoO 3 ), and may be PEDOT (polyethylene dioxythiophene) or PEDOT-PSS.
  • NiO nickel oxide
  • MoO 3 molybdenum oxide
  • PEDOT polyethylene dioxythiophene
  • PEDOT-PSS PEDOT-PSS
  • the hole injection layer 15 and the hole transport layer 14 are formed of a
  • the electron transport layer 12 is a layer having a function of enhancing electron transport efficiency to the light emitting layer 13, and transports electrons from the cathode 11 to the light emitting layer 13.
  • the electron transport layer 12 is made of, for example, a metal oxide such as ZnO (zinc oxide), TiO 2 (titanium oxide), MgZnO (magnesium zinc oxide), Ta 2 O 3 (tantalum oxide), SrTiO 3 (strontium titanium oxide). Contains particles.
  • the electron transport layer 12 may include metal oxide particles common to each subpixel, or may include metal oxide particles of different types depending on the subpixel.
  • the light emitting layer 13 is surface-modified by covering the surface of the quantum dots QD (semiconductor nanoparticles) with the surface modifier 2 (first surface modifier). It includes quantum dots (surface-modified semiconductor nanoparticles) and a room temperature molten salt 3 resinized (solidified) as a matrix resin.
  • the room temperature molten salt 3 is resinified in a state in which the surface modified quantum dots (in other words, the quantum dots QD surface modified with the surface modifier 2) are dispersed in the room temperature molten salt 3, whereby the surface modification is performed. It covers the quantum dots and functions as a support that supports the surface-modified quantum dots.
  • the light emitting layer 13 includes the quantum dots QD, the surface modifier 2 that modifies the surface of the quantum dots QD, and the room temperature molten salt that covers the quantum dots QD modified by the surface modifier 2.
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer 13 by a driving current between the anode 16 and the cathode 11, and excitons generated by this recombination are generated from the conduction band level of the quantum dots QD. Light is emitted during the transition to the band level.
  • the light emitting device 1 includes quantum dots QD of each color in each sub pixel as a light emitting material.
  • the quantum dots QD the light emitting layer 13 includes red quantum dots in red sub-pixels, green quantum dots in green sub-pixels, and blue quantum dots in blue sub-pixels. Red quantum dots, green quantum dots, and blue quantum dots have different wavelength bands of emitted light.
  • These quantum dots QD are, for example, quantum dot phosphors, and emit the aforementioned red light, green light, and blue light, for example, as fluorescence, respectively.
  • the light emitting layer 13 includes a plurality of types of quantum dots QD, and the same sub-pixel includes the same type of quantum dots QD.
  • Red quantum dots, green quantum dots, and blue quantum dots are, for example, Cd (cadmium), S (sulfur), Te (tellurium), Se (selenium), Zn (zinc), In (indium), N (nitrogen), Selected from the group consisting of P (phosphorus), As (arsenic), Sb (antimony), Al (aluminum), Ga (gallium), Pb (lead), Si (silicon), Ge (germanium), Mg (magnesium)
  • the semiconductor material may be composed of at least one element.
  • the plurality of types of quantum dots QD is a combination of red quantum dots, green quantum dots, and blue quantum dots is taken as an example, but the combination is not necessarily required.
  • the light emitting layer 13 may include, for example, yellow quantum dots that emit yellow light as fluorescence, in addition to these red quantum dots, green quantum dots, and blue quantum dots.
  • the quantum dots QD When the light emitting device 1 is a light source such as general lighting or a liquid crystal backlight, the quantum dots QD preferably emit visible light having a wavelength of 380 to 780 nm, for example. This is because the quantum dot QD that emits ultraviolet light with a wavelength of less than 380 nm cannot be used for general illumination or a liquid crystal backlight, and the quantum dot QD emits light with a wavelength of more than 780 nm. This is because when used, it is near infrared and infrared and cannot be used as a light source for general illumination or liquid crystal backlight.
  • the material of the quantum dot QD include InN, InP, InAs, InSb, InBi, InGaN, InGaP, GaP, AlInN, AlInP, AlGaInN, AlGaInP, CdS, CdSe, CdTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe. , CdZnSSe, CdZnSeTe, In2S3, In2Se3, Ga2Se3, In2Te3, Ga2Te3, CuInS2, CuInSe2, CuInTe2 and the like.
  • the semiconductor material having such a composition has a band gap energy that emits visible light having a wavelength of 380 to 780 nm. Therefore, by controlling the particle size and the mixed crystal ratio thereof, the quantum dots QD capable of emitting arbitrary visible light can be formed.
  • the shape of the quantum dot QD is not particularly limited, and for example, semiconductor nanoparticles having a conventionally known appropriate shape such as spherical shape, rod shape, and wire shape can be used. In particular, it is preferable to use spherical semiconductor nanoparticles from the viewpoint of easy control of light emission characteristics by shape control.
  • Quantum dots QD may be particles having a weight average particle diameter of nanometer size (that is, less than 1 ⁇ m).
  • the particle size of the quantum dots QD can be appropriately selected according to the raw material and the desired emission wavelength, and is not particularly limited, but it is preferably in the range of 1 to 20 nm, and preferably in the range of 2 to 5 nm. Is more preferable.
  • the particle size of the quantum dots QD is less than 1 nm, the surface defect becomes dominant due to an increase in the ratio of the surface area to the volume, and the effect tends to decrease.
  • the particle size of the quantum dots QD exceeds 20 nm, the dispersion state tends to deteriorate, and aggregation/sedimentation tends to occur easily.
  • the particle size indicates, for example, the average particle size measured by a particle size distribution measuring device or the size of particles observed by an electron microscope.
  • the particle size indicates the size of the short axis and the long axis measured by, for example, an electron microscope.
  • the quantum dots QD have a wire shape, the particle size indicates, for example, the sizes of the short axis and the long axis measured by an electron microscope.
  • the surface modifier 2 is an ionic organic surface modifier having polarity, and has a first functional group coordinated to the quantum dots QD, a second functional group having a positive or negative charge, and a second functional group. And a first polyatomic molecular ion containing three or more atoms, which has an electric charge having an opposite sign to that of the electric charge and has an ionic bond with the second functional group.
  • R 1 represents a first functional group
  • R 2 represents a second functional group
  • X ⁇ and X + represent a first polyatomic molecular ion
  • n represents an integer of 1 to 20, preferably an integer of 1 to 5.
  • the second functional group is a polar functional group having a positive or negative charge, and the second functional group has, for example, a positive charge, an ammonium group, a sulfonium group, a phosphonium group, or a negative charge. , Carboxylate groups and the like. Among these functional groups, the second functional group is preferably at least one functional group selected from the group consisting of ammonium group, sulfonium group and phosphonium group.
  • the first functional group is a functional group that coordinates with the quantum dots QD.
  • Examples of the first functional group include at least one functional group selected from the group consisting of a thiol group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, and a cyano group.
  • Examples of the surface modifier 2 include compounds represented by the following structural formula (3).
  • R 3 , R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • R 3 is a hydrogen atom
  • R 4 and R 5 each independently have 1 to 4 carbon atoms.
  • the compound which shows an alkyl group is mentioned.
  • examples of the surface modifier 2 represented by the structural formula (3) include compounds in which the first functional group is a thiol and the second functional group is an ammonium group having a positive charge. Can be mentioned.
  • the first polyatomic molecular ion is an ion of a molecule composed of an atomic group containing three or more atoms, has a charge having a sign opposite to the sign of the charge of the second functional group, and has a second functional group. It forms an ionic bond with.
  • the first polyatomic molecular ion contains a plurality of types of atoms.
  • the first polyatomic molecular ion an inorganic polyatomic molecular ion having a large ionic radius and a slow migration speed by electrophoresis is preferable.
  • the first polyatomic molecular ion includes, for example, at least one atom selected from the group consisting of nitrogen (N), phosphorus (P), and boron (B), and It is preferable that any one atom is ionically bonded to the second functional group. Further, it is preferable that any one of N, P, and B in the first polyatomic molecular ion has a negative charge.
  • Examples of the first polyatomic molecule ion include bis(trifluoromethanesulfonyl)imide ion (hereinafter, referred to as “TFSI”) represented by the following structural formula (4) and bis(fluoro) represented by the following structural formula (5).
  • TFSI bis(trifluoromethanesulfonyl)imide ion
  • Examples include anions.
  • Examples of the first polyatomic molecular ion include 1,3-dialkylimidazolium cation, N-alkylpyridinium cation, tetraalkylammonium cation, N,N-dialkylpyrrolidinium cation and tetraalkylphosphonium cation. Examples include cations.
  • the first polyatomic molecular ions include bis(trifluoromethanesulfonyl)imide ion, bis(fluorosulfonyl)imide ion, bis(nonafluorobutanesulfonyl)imide ion, borofluoride ion, hexafluorophosphorus ion.
  • At least one polyatomic molecular ion selected from the group consisting of acid ions is preferable because any of N, P and B has a negative charge.
  • the first polyatomic molecular ions of these examples have a line-symmetrical structure centered on an atom having a negative charge, as shown in, for example, structural formulas (4) to (7).
  • the first polyatomic molecular ions of these examples have a plane-symmetrical shape such as a triangular pyramid or a quadrangular pyramid centering on an atom having a negative charge even when viewed three-dimensionally. Therefore, the first polyatomic molecular ions of these examples are not easily decomposed as polyatomic molecular ions, and the surface modifier 2 is not easily decomposed.
  • the room-temperature molten salt 3 is a resin obtained by resinizing (solidifying) the ionic liquid, and has a polymerizable functional group derived from the ionic liquid or a polymerized bond derived from the cross-linking agent.
  • An ionic liquid normal temperature molten salt
  • the ionic liquid (normal temperature molten salt) is in a liquid state in a wide temperature range as described above, has an extremely low vapor pressure, is non-volatile, and has a low viscosity. Specifically, the state (held on the hole transport layer 14) can be stably maintained. Further, the ionic liquid (normal temperature molten salt) has excellent thermal stability and electrochemical stability, and has high ionic conductivity.
  • the liquid ionic liquid before being resinified is simply referred to as “ionic liquid”, and the resinized ionic liquid is referred to as “normal temperature molten salt”.
  • the room temperature molten salt is a resin of an ionic liquid. Therefore, the ionic liquid will be described below, but in the following description, “ionic liquid” can be read as “normal temperature molten salt” or “normal temperature molten salt 3”.
  • the ionic liquid used in the present embodiment has a charge having the same sign as that of the first polyatomic molecule, and has a second polyatomic molecular ion containing three or more atoms and a second polyatomic molecular ion. It has a charge of the opposite sign to the charge and includes a third polyatomic molecular ion containing three or more atoms.
  • the second polyatomic molecular ion and the third polyatomic molecular ion contain multiple types of atoms.
  • the ionic liquid preferably has a polymerizable functional group, and the third polyatomic molecule ion preferably has a polymerizable functional group.
  • the ionic liquid is used as a second polyatomic molecular ion and a third polyatomic molecular ion as a polyatomic molecular ion Z ⁇ (anion portion) having a negative charge and a polyatomic molecular ion D + (cation) having a positive charge. Parts) and.
  • the ionic liquid preferably consists only of polyatomic molecule ion D + and polyatomic molecule ion Z ⁇ , for example, the following general formula (9) D + ⁇ Z - .. (9 ) Those represented by are preferred.
  • polyatomic molecule ion D + for example, at least one cation selected from the group consisting of imidazolium ion, pyridinium ion, phosphonium ion, aliphatic quaternary ammonium ion, pyrrolidinium ion, and sulfonium ion is preferably used.
  • an aliphatic quaternary ammonium ion is particularly preferable because it has excellent thermal stability and stability in the atmosphere.
  • Examples of the polymerizable functional group include a (meth)acrylic acid ester group and the like.
  • Examples of the polyatomic molecular ion D + having a (meth)acrylic acid ester group include 2-(methacryloyloxy)-ethyltrimethylammonium ion represented by the following structural formula (10) and the following structural formula (11).
  • 2-(methacryloyloxy)-ethyltrimethylammonium ion represented by the following structural formula (10) and the following structural formula (11).
  • 1-(3-acryloyloxy-propyl)-3-methylimidazolium ion, N-methacryloyloxyethyl-N,N,N-trimethylammonium hereinafter referred to as “MOESTA”
  • the cation represented by the structural formula (10) or the structural formula (11) has, for example, a carbon-carbon double bond contained in a methacrylic acid ester group and undergoes radical polymerization.
  • the room temperature molten salt 3 (resin) containing a constitutional unit derived from an ionic liquid having a polymerizable functional group is formed, for example, by curing the ionic liquid with heat or light using a crosslinking agent if necessary. be able to.
  • the polyatomic molecule ion Z ⁇ includes TFSI represented by the structural formula (4), bis(fluorosulfonyl)imide ion represented by the structural formula (5), and bis(nona) represented by the structural formula (6). At least one anion selected from the group consisting of fluorobutanesulfonyl)imide ion, borofluoride ion represented by the following structural formula (7), and hexafluorophosphate ion represented by the chemical formula (8) is preferably used.
  • TFSI is particularly preferable because it is excellent in thermal stability and stability in the atmosphere.
  • the polyatomic molecule ion D + and the polyatomic molecule ion Z ⁇ can be arbitrarily combined.
  • the following are represented by the following structural formula (12): (Methacryloyloxy)-ethyltrimethylammonium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide (hereinafter referred to as "MOE-200T”), 1-(3-acryloyloxy-propyl)-3-methyl represented by the following structural formula (13)
  • Examples thereof include compounds such as imidazolium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide and N-methacryloyloxyethyl-N,N,N-trimethylammonium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide referred to as “MOETMA-TFSI”.
  • the third polyatomic molecular ion at least one selected from the group consisting of the polyatomic molecular ions D + exemplified above is preferably used.
  • the second polyatomic molecular ion at least one selected from the group consisting of the polyatomic molecular ions Z ⁇ exemplified above is preferably used.
  • the ionic liquid contains the second polyatomic molecule ion having a charge having the same sign as the charge of the first polyatomic molecule in the surface modifier 2, whereby the interface between the surface modifier 2 and the ionic liquid is increased.
  • the presence of the same kind of ions (same ion) as the first polyatomic molecule ion of the surface modifier 2 in the ionic liquid makes the interface between the surface modifier 2 and the ionic liquid more electrostatically stable. Further, aggregation of the surface-modified quantum dots in the ionic liquid is further suppressed.
  • the light emitting layer 13 includes the quantum dots QD (surface modified quantum dots) surface-modified with the surface modifier 2 and the room temperature molten salt 3 that covers the surface modified quantum dots.
  • the surface of the quantum dot QD can be electrostatically stabilized, the quantum dot QD can be stably dispersed without aggregating, and high luminous efficiency can be maintained.
  • the ionic liquid having a polymerizable functional group as the ionic liquid used in the room temperature molten salt 3
  • the quantum dots QD can be stably dispersed in the ionic liquid while being maintained.
  • the ionic liquid can be made into a resin. Therefore, it is possible to realize the light emitting device 1 capable of uniform light emission and having high light emission efficiency.
  • the light emitting layer 13 may further include a cross-linking agent that polymerizes the ionic liquid.
  • a cross-linking agent that polymerizes the ionic liquid.
  • examples of the cross-linking agent include diethylene glycol dimethacrylate.
  • a resin layer that constitutes the substrate 17 is formed on a translucent support substrate (for example, mother glass) not shown.
  • a barrier layer and a TFT layer that form the substrate 17 are formed in this order on the resin layer, and then a light emitting element layer including the light emitting element 10 and a sealing layer are formed in this order on the TFT layer.
  • a top film is attached on the sealing layer.
  • the support substrate is peeled off from the resin layer by irradiation with laser light or the like, and a lower surface film is attached to the lower surface of the resin layer.
  • a laminated body in which the light emitting element layer, the sealing layer, and the upper surface film are laminated in this order from the substrate 17 side on the substrate 17 in which the lower surface film, the barrier layer, and the TFT layer are laminated in this order. Then, the laminate is cut into a plurality of pieces. Then, a functional film (not shown) is attached to the obtained pieces. Further, an electronic circuit board (for example, an IC chip and an FPC) is mounted on a part (terminal portion) of the outside (non-display area, frame) of the display area in which the plurality of sub-pixels are formed. As a result, a flexible display device is manufactured as the light emitting device 1.
  • an electronic circuit board for example, an IC chip and an FPC
  • an anode 16 for example, an anode 16, an insulating layer (edge cover), a hole injection layer 15, a hole transport layer 14, a light emitting layer 13, an electron transport layer 12, and a cathode 11 are provided on the TFT layer. , Are formed in this order.
  • the anode 16 and the cathode 11 can be formed by, for example, a sputtering method, a vacuum deposition method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a plasma CVD method, a printing method, or the like.
  • the insulating layer can be formed into a desired shape by patterning a layer made of an insulating material deposited by a CVD method, a sputtering method, a spin coating method, or the like by a photolithography method or the like.
  • the hole injection layer 15 and the hole transport layer 14 can be formed by, for example, a sputtering method or the like.
  • the electron transport layer 12 can be formed by dispersing at least one kind of the metal oxide particles in a solvent such as toluene or chlorobenzene and applying the particles by a spin coating method or an inkjet method.
  • a quantum dot QD and a precursor containing the halide ion instead of the first polyatomic molecule ion which is a precursor of the surface modifier 2 that modifies the surface of the quantum dot QD.
  • An aqueous solution (aqueous solution of quantum dots) containing 2 surface modifiers has a charge having a sign opposite to the sign of the charge of the second functional group, forms an ionic bond with the second functional group, and has three or more.
  • FIG. 2 is a diagram showing a flow of manufacturing steps of the light emitting layer 13 in the light emitting element 10 according to the present embodiment.
  • an aqueous quantum dot solution containing the quantum dots QD and the second surface modifier is prepared (step S1).
  • a salt containing the first polyatomic molecule ion is added (mixed) to the aqueous solution of the quantum dots as a displacing agent for displacing the halide ion (step S2).
  • the mixed liquid containing the quantum dot aqueous solution and the displacing agent obtained in step S2 is stirred to replace the halide ion with the first polyatomic molecule ion, thereby the halide.
  • a centrifuge to precipitate the quantum dots QD (surface modified quantum dots) whose surface has been modified with the surface modifier 2
  • a precipitate containing the surface modified quantum dots and the halide ion are included.
  • the above-mentioned supernatant is discarded to remove the salt containing halide ions.
  • water is added to the remaining precipitate to disperse the precipitate to obtain an aqueous quantum dot solution containing quantum dots QD (surface modified quantum dots) whose surface is modified with the surface modifier 2.
  • the surface modified quantum dots are dispersed in the ionic liquid by adding and mixing the ionic liquid to the quantum dot aqueous solution obtained in step S3.
  • a crosslinking agent may be added together with the ionic liquid, if necessary.
  • the ionic liquid in which the surface modified quantum dots are dispersed is applied onto the hole transport layer 14 by a spin coating method or an inkjet method, and then dried in a vacuum to use water (that is, used as a solvent). Water) is removed (step S4). At this stage, the ionic liquid maintains the liquid state.
  • the ionic liquid in which the surface-modified quantum dots are dispersed is polymerized to be cured to be resinified (solidified), thereby containing a constitutional unit derived from the ionic liquid and melted at room temperature.
  • Salt 3 (resin) is formed (step S5).
  • the light emitting layer 13 including the surface modified quantum dots and the room temperature molten salt 3 covering the surface modified quantum dots is formed.
  • the second surface modifier used in the above step 1 has a charge having a sign opposite to the sign of the charge of the first functional group and the second functional group, and the second functional group, and A surface modifier containing a halide ion ionically bonded to a functional group.
  • the second surface modifier is not particularly limited as long as it has the above-mentioned structure, but since it is easily available, for example, 2-dimethylaminoethane represented by the following structural formula (14) is used. Thiol hydrochloride is mentioned.
  • the displacing agent used in the above step 2 is not particularly limited as long as it is a salt containing the first polyatomic molecular ion, and for example, it is substituted with a halide ion of the second surface modifying agent. Therefore, a material having an ionic bond with lithium (Li) is preferable because it is easy to handle and is easily available.
  • dimethylaminoethanethiol hydrochloride represented by the structural formula (14) By contacting dimethylaminoethanethiol hydrochloride represented by the structural formula (14) with a salt containing the first polyatomic molecular ion, for example, Li-TFSI, the chloride ion of dimethylaminoethanethiol hydrochloride ( cl ⁇ ) is substituted with, for example, TFSI represented by X ⁇ in the general formula (1).
  • TFSI represented by X ⁇ in the general formula (1).
  • the surface modifier 2 has the first polyatomic molecular ion instead of the halide ion such as chloride ion, so that the ion (for example, anion) is generated from the surface modifier 2.
  • the ion for example, anion
  • a light emitting element and an electroluminescent device that are difficult to desorb and that do not generate a gas (halogenated gas) such as chlorine or hydrogen chloride even if ions are desorbed from the surface modifier 2 and have high reliability. Can be provided.
  • the concentration of the quantum dots QD in the quantum dot aqueous solution in step S1 is preferably in the range of 5 to 30 mg/ml, more preferably 20 to 25 mg/ml.
  • concentration of the quantum dots QD in the quantum dot aqueous solution is less than 5 mg/ml, the emission intensity of the formed light emitting layer 13 may not be sufficient.
  • concentration of the quantum dots QD in the quantum dot aqueous solution exceeds 30 mg/ml, the dispersibility of the quantum dots QD in the quantum dot aqueous solution may decrease.
  • the concentration of the second surface modifier in the aqueous solution of quantum dots in step S1 is preferably within the range of 50 mg/ml to 500 mg/ml, more preferably within the range of 100 to 300 mg/ml.
  • concentration of the second surface modifier in the quantum dot aqueous solution is less than 50 mg/ml, the protection of the quantum dots QD may be insufficient.
  • concentration of the second surface modifier in the aqueous solution of quantum dots exceeds 500 mg/ml, the carrier injection efficiency into the light emitting layer 13 may decrease when the QLED is manufactured.
  • the amount of the displacing agent added to the aqueous solution of quantum dots in step S1 is preferably in the range of 50 mg/ml to 500 mg/ml, more preferably in the range of 100 mg/ml to 300 mg/ml. If the amount of the above-mentioned displacing agent added is less than 50 mg/ml, the substitution with halide ions may be insufficient. On the other hand, when the amount of the displacing agent added exceeds 500 mg/ml, unnecessary salts containing the halide ion (specifically, for example, lithium chloride (as described later) LiCl)) may not be removed sufficiently.
  • the halide ion specifically, for example, lithium chloride (as described later) LiCl
  • the mixing condition of the aqueous solution of quantum dots and the displacing agent in step S3 is that the halogen compound ion of the second surface modifying agent is the first polyatomic molecular ion depending on the type of the second surface modifying agent and the displacing agent used. It may be appropriately set so as to be completely replaced, and it is not particularly limited, but 24 hours since a sufficient stirring time is required to completely replace the halide ion with the polyatomic ion. It is desirable to stir to some extent.
  • the time required for centrifugation in step S3 is not particularly limited, and may be set to a time that allows sufficient solid-liquid separation by visual observation.
  • solid-liquid separation can be sufficiently performed by centrifuging with a centrifuge at a rotation speed of 4000 rpm for 10 minutes.
  • the first polyatomic molecular ion and the second polyatomic molecular ion are ions of the same kind and satisfy 1 ⁇ 2 ⁇ M1/M3 ⁇ 7 (or 1 ⁇ 2 ⁇ M2/M3 ⁇ 7). Is particularly preferable.
  • the number of moles M3 of the third polyatomic molecule ion is small and S/M3 exceeds 7, the dispersibility of the quantum dots in the ionic liquid decreases, and aggregation may occur.
  • the number of moles means the amount of substance (mole).
  • the addition amount of the cross-linking agent may be appropriately set according to the type of ionic liquid and the type of compound teaching material, and is not particularly limited. It is preferably within the range of 10 to 80%, and more preferably within the range of 20 to 50% with respect to the ionic liquid. If the addition amount of the crosslinking agent is less than 10% with respect to the ionic liquid, the gas barrier property of the formed light emitting layer 13 may be impaired. Further, if the addition amount of the cross-linking agent exceeds 80% with respect to the ionic liquid, the dispersed amount of the quantum dots QD in the ionic liquid may decrease.
  • drying time and the drying temperature in the vacuum drying in step S4 may be appropriately set so that the water used as the solvent can be removed, and are not particularly limited, but are, for example, room temperature (for example, 25 It is desirable to dry at 10°C) for 10 to 30 minutes.
  • the reaction conditions such as the polymerization temperature, the polymerization time, and the pressure of the ionic liquid in step S5 may be appropriately set according to the type of the ionic liquid and the type of the cross-linking agent so that the polymerization reaction of the ionic liquid is completed. Although not particularly limited, for example, it is desirable to perform heating under atmospheric pressure in the range of 80 to 90° C. for 1 to 6 hours.
  • the manufacturing process of the light emitting layer 13 will be specifically described below with reference to examples.
  • step S1 water as a solvent was added with CdSe, which was a red quantum dot, and 2-dimethylaminoethanethiol hydrochloride, which was a second surface modifier, at a concentration of 24 mg/ml and a molar concentration of CdSe.
  • 2-dimethylaminoethanethiol hydrochloride having a volume of 0.13 mol/l was added so that the concentration was 300 mg/ml and the molar volume was 2.1 mol/l, and the mixture was stirred with a stirrer at room temperature for 24 hours to give CdSe.
  • a quantum dot aqueous solution containing 2-dimethylaminoethanethiol hydrochloride (in other words, a quantum dot aqueous solution containing CdSe surface-modified with 2-dimethylaminoethanethiol hydrochloride) was prepared.
  • step S2 0.1 g of Li-TSFI as a displacing agent was added to 1 ml of the above quantum dot aqueous solution.
  • step S3 a mixed solution containing the aqueous solution of the quantum dots and the displacing agent is stirred with a stirrer at room temperature for 24 hours to obtain a salt containing a halide ion contained in the second surface modifier, Lithium chloride (LiCl) was produced. Then, centrifugation was performed for 10 minutes with a centrifuge, and the supernatant was discarded to remove LiCl. Further, a quantum dot containing a quantum dot QD (surface modified quantum dot) whose surface is modified with the surface modifier 2 represented by the structural formula (15) by adding water to the remaining precipitate and redispersing it. An aqueous solution was obtained.
  • FIG. 3 shows a reaction scheme in steps S2 to S3.
  • step S4 1.2 g of MOE-TSFI as an ionic liquid and 0.6 g of diethylene glycol dimethacrylate as a cross-linking agent were added to the quantum dot aqueous solution obtained in step S3, and a micropipette was added.
  • the surface-modified quantum dots were dispersed in the ionic liquid containing the cross-linking agent by mixing with each other.
  • the hole transport layer 14 in the substrate 17 on which the anode 16, the hole injection layer 15, and the hole transport layer 14 are formed is prepared by using the ionic liquid in which the surface modified quantum dots are dispersed.
  • the solution was applied onto the above by the spin coating method, and then vacuum dried at 100° C. for 0.5 hours.
  • the molecular weight of 2-dimethylaminoethanethiol hydrochloride is 141.66, the molecular weight of TSFI is 168, and the MOE molecular weight is 280.
  • the molecular weight of TSFI and MOE (third polyatomic molecular ion) contained in the room temperature molten salt 3 is The molar ratio is 1. Therefore, the number M1 of moles of TSFI (first polyatomic molecule ion) contained in the anion-substituted surface modifier 2 in Example 1 was 0.5929 mol, and TSFI contained in the room temperature molten salt 3 (second polyatomic ion).
  • the number of moles M2 of atomic/molecular ions is 0.1876 mol
  • the substrate 17 on which the light emitting layer 13 was formed was heated with a heater at 90° C. for 2 hours to resinify the ionic liquid. Thereby, the light emitting layer 13 including the surface modified quantum dots and the room temperature molten salt 3 covering the surface modified quantum dots was formed.
  • an ionic liquid containing a cross-linking agent, obtained in Example 1 above, in which quantum dots QD (surface-modified quantum dots) whose surface is modified with the surface modifier 2 represented by the structural formula (15) are dispersed. was vacuum dried to remove unnecessary water solvent contained in the ionic liquid. Then, the obtained ionic liquid in which the quantum dots QD were dispersed was put into water in which polyvinyl alcohol (PVA) was dissolved, and at 90° C. while being irradiated with a 365 nm ultraviolet LED on a hot stirrer.
  • PVA polyvinyl alcohol
  • quantum dot beads containing the quantum dots QD and the room temperature molten salt 3 obtained by resinifying the ionic liquid were produced.
  • the QD beads produced by this method were applied to a resin "SCR-1016" (trade name) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. as an LED (light emitting diode) encapsulating resin, and the ratio of the surface-modified quantum dots to the resin was 30 wt%.
  • the mixture was added as described above and mixed by stirring for 5 minutes at room temperature using a rotation/revolution mixer. The sample thus obtained was used as the sample of Example 1.
  • Example 1 the quantum dot aqueous solution containing CdSe surface-modified with 2-dimethylaminoethanethiol hydrochloride as a surface-modified quantum dot obtained in Step S1 without performing Steps S2 and S3,
  • the resin "SCR-1016" (trade name) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., was added such that the ratio of the surface-modified quantum dots to the resin was 30% by weight, and the rotation/revolution mixer was used for 5 minutes at room temperature. Mixed by stirring.
  • the sample thus obtained was used as the sample of Comparative Example 1.
  • Example 1 and the sample of Comparative Example 1 thus obtained were respectively placed on a 0.6 t chip (LED chip), and a hot plate was used, respectively, at 80° C. for 0. Heated for 5 hours. After that, the sample of Example 1 and the sample of Comparative Example 1 were each further heated in a glove box at 90° C. for 1.5 hours.
  • FIG. 4 is a graph showing the results of the reliability test of the light emitting device using the sample of Example 1 and the results of the reliability test of the light emitting device using the sample of Comparative Example 1 described above. is there.
  • the light emitting device using the sample of Example 1 does not generate gas due to desorption of halide ions from the surface modifier 2, and as shown in FIG.
  • the yield Q ⁇ is 45% or more, deterioration with time is less than in the past. Therefore, according to this embodiment, it is possible to provide a light emitting element having higher reliability than the conventional one. Therefore, according to the present embodiment, by using the light emitting element according to the present embodiment as the light emitting element, it is possible to provide the electroluminescent device having higher reliability than the conventional one.

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Abstract

発光素子（１０）は、陽極（１６）と陰極（１１）と発光層（１３）とを備え、上記発光層は、量子ドット（ＱＤ）と、該量子ドットの表面を修飾する表面修飾剤（２）と、を含み、上記表面修飾剤は、上記量子ドットに配位する第１官能基と、正または負の電荷を有する第２官能基と、第２官能基が有する電荷の符号とは逆の符号の電荷を有し、第２官能基とイオン結合し、３つ以上の原子を含む第１多原子分子イオンと、を有する。

Description

発光素子および電界発光装置並びに発光素子の製造方法
　本発明は、量子ドットを用いた発光素子および電界発光装置並びに発光素子の製造方法に関する。
　近年、発光材料として、量子ドットと称される半導体ナノ粒子を用いた発光素子の開発が行われている。量子ドットを用いた発光層の形成には、例えば、塗布プロセスが用いられる。
日本国公開特許公報「特開２０１７－３４０７６号」 日本国公開特許公報「特開２０１７－１１２１７４号」
　しかしながら、量子ドットは、溶媒中で凝集し易く、分散性が低い。このため、塗布プロセスで発光層を形成すると、安定した成膜を行うことができず、形成された発光層が、不均一で平坦性が悪いものとなる。このため、量子ドットの凝集は、量子効率の低下を招く。
　そこで、量子ドットの表面を表面修飾剤により修飾してマトリクス中に分散させることで量子ドットの凝集を抑制する研究が進められている（例えば、特許文献１、２等参照）。
　入手が容易な表面修飾剤としては、例えば、２－（ジエチルアミノ）エタンチオール塩酸塩が知られている。
　しかしながら、２－（ジエチルアミノ）エタンチオール塩酸塩のようにハロゲン化物イオンを含むイオン性の表面修飾剤は、塩化物イオン等のハロゲン化物イオンが脱離し、塩素や塩化水素等の気体（ハロゲン化ガス）が発生するおそれがある。このような気体の発生は、量子ドットを用いた発光素子の信頼性（経時劣化）を低下させる要因となる。
　本発明の一態様は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、量子ドットの表面を修飾する表面修飾剤からハロゲン化物イオンが脱離して気体が発生することがなく、信頼性が高い、発光素子および電界発光装置並びに発光素子の製造方法を提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光素子は、陽極と、陰極と、上記陽極と上記陰極との間に設けられた発光層と、を備え、上記発光層は、量子ドットと、上記量子ドットの表面を修飾する第１表面修飾剤と、を含み、上記第１表面修飾剤は、上記量子ドットに配位する第１官能基と、正または負の電荷を有する第２官能基と、上記第２官能基が有する電荷の符号とは逆の符号の電荷を有し、上記第２官能基とイオン結合し、３つ以上の原子を含む第１多原子分子イオンと、を有する。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る電界発光装置は、本発明の一態様に係る上記発光素子を備えている。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、陽極と、陰極と、上記陽極と上記陰極との間に設けられた発光層と、を備え、上記発光層は、量子ドットと、上記量子ドットの表面を修飾する第１表面修飾剤と、を含み、上記第１表面修飾剤は、上記量子ドットに配位する第１官能基と、正または負の電荷を有する第２官能基と、上記第２官能基が有する電荷の符号とは逆の符号の電荷を有し、上記第２官能基とイオン結合し、３つ以上の原子を含む第１多原子分子イオンと、を有する発光素子の製造方法であって、上記量子ドットと、上記量子ドットの表面を修飾する第２表面修飾剤と、を含む水溶液に、上記第１多原子分子イオンを含む塩を添加して撹拌した後、沈殿物を除去して、上記第１表面修飾剤で上記表面が修飾された量子ドットを得る工程を含み、上記第２表面修飾剤が、上記第１官能基と、上記第２官能基と、上記第２官能基が有する電荷の符号とは逆の符号の電荷を有し、上記第２官能基とイオン結合したハロゲン化物イオンと、を含む。
　本発明の一態様によれば、量子ドットの表面を修飾する表面修飾剤からハロゲン化物イオンが脱離して気体が発生することがなく、信頼性が高い、発光素子および電界発光装置並びに発光素子の製造方法を提供することができる。
（ａ）は、実施形態１に係る発光装置の積層構造の一例を模式的に示す図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す発光装置の発光層の構造を模式的に示す図である。 実施形態１に係る発光素子における発光層の製造工程の流れを示す図である。 実施例１のステップＳ２～Ｓ３における反応スキームを示す図である。 実施例１の試料を用いた発光素子の信頼性試験を行った結果を、比較例１の試料を用いた発光素子の信頼性試験を行った結果と併せて示すグラフである。
　本発明の一実施形態について図１の（ａ）・（ｂ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
　＜発光装置＞
　図１の（ａ）は、本実施形態に係る発光装置１の積層構造の一例を模式的に示す図である。図１の（ｂ）は、図１の（ａ）に示す発光装置１の発光層１３の構造を模式的に示す図である。
　以下では、本実施形態に係る発光装置１が、電界発光素子である発光素子１０として量子ドット発光ダイオード（以下、「ＱＬＥＤ」と記す）を備えた表示装置（電界発光表示装置）である場合を例に挙げて説明する。
　図１の（ａ）に示すように、本実施形態に係る発光装置１は、基板１７上に、発光素子１０を含む発光素子層が設けられた構成を有している。
　発光素子１０は、陽極１６と、陰極１１と、陽極１６と陰極１１との間に、陽極１６側からこの順に設けられた、正孔注入層１５と、正孔輸送層１４と、発光層１３と、電子輸送層１２と、を備えている。
　また、発光装置１は電源１８を備えている。陽極１６および陰極１１は電源１８と接続されており、それらの間に電圧が印加されるようになっている。
　基板１７はアレイ基板であり、基板１７には、サブ画素回路として、発光素子１０を駆動する、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等の駆動素子を含む駆動回路が設けられた、例えばＴＦＴ層が形成されている。陽極１６は、基板１７のＴＦＴと電気的に接続されている。
　陽極１６、正孔注入層１５、正孔輸送層１４、発光層１３、および電子輸送層１２のそれぞれは、図示しない絶縁層によって、サブ画素毎に分離されている。これにより、発光素子層には、発光素子１０として、サブ画素に対応して、複数のＱＬＥＤが設けられている。なお、陰極１１は、絶縁層によって分離されず、各サブ画素に共通して形成されている。上記絶縁層は、サブ画素分離壁として機能するとともに、陽極１６のエッジを覆うエッジカバーとして機能する。上記絶縁層には、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁材料が用いられる。但し、上記構成は一例であって、必ずしも上記構成に限定されない。例えば、電子輸送層１２は、各サブ画素に共通して形成されていてもよい。
　発光装置１は、サブ画素として、例えば、赤色光を放出する赤色サブ画素と、緑色光を放出する緑色サブ画素と、青色光を放出する青色サブ画素と、を備えている。
　赤色サブ画素には、赤色光を発光する発光素子１０として赤色ＱＬＥＤが設けられている。青色サブ画素には、青色光を発光する発光素子１０として青色ＱＬＥＤが設けられている。緑色サブ画素には、緑色光を発光する発光素子１０として緑色ＱＬＥＤが設けられている。
　ここで、赤色光とは、６００ｎｍを越え、７８０ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を示す。緑色光とは、５００ｎｍを越え、６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を示す。青色光とは、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を示す。
　陽極１６および陰極１１は導電性材料を含み、それぞれ、正孔注入層１５および電子輸送層１２と電気的に接続されている。陽極１６および陰極１１のうち一方は透光性を有する透明電極であり、他方は光反射性を有する反射電極である。発光装置１が、陰極１１側から光を取り出すトップエミッション型の表示装置である場合、陰極１１が、透明電極であり、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム亜鉛酸化物）またはＧＺＯ（ガリウム亜鉛酸化物）等の透光性の導電材で形成される。一方、陽極１６には、例えば、これら透光性の導電材からなる層と、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、またはＡｇ（銀）等の可視光の反射率の高い金属またはその合金からなる層と、の積層体が用いられる。なお、発光装置１は、陽極１６側から光を取り出すボトムエミッション型の表示装置であってもよい。この場合、陽極１６に透明電極が用いられ、陰極１１に反射電極が用いられる。
　正孔注入層１５は、正孔輸送層１４への正孔注入効率を高める機能を有する層である。正孔輸送層１４は、発光層１３への正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔輸送層１４は、正孔注入層１５を介して陽極１６から発光層１３に正孔を輸送する。
　正孔注入層１５および正孔輸送層１４は、例えば、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）等の無機材料を含んでいてもよく、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフエン）、ＰＥＤＯＴ‐ＰＳＳ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリ（スチレンスルホン酸））、ＴＰＤ（４，４’－ビス［Ｎ－フェニル－Ｎ－（３’’－メチルフェニル）アミノ］ビフェニル）、ＰＶＫ（ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）、ＴＦＢ（ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４'－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］）、ＣＢＰ（４，４’－ビス（９－カルバゾイル）－ビフェニル）、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ジ－［（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル］－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン）等の有機材料を含んでいてもよい。なお、正孔注入層１５および正孔輸送層１４は、各サブ画素に共通の材料で形成されていてもよく、サブ画素によって異なる材料で形成されていてもよい。
　電子輸送層１２は、発光層１３への電子輸送効率を高める機能を有する層であり、陰極１１から電子を発光層１３に輸送する。電子輸送層１２は、例えば、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＴｉＯ２（酸化チタン）、ＭｇＺｎＯ（酸化マグネシウム亜鉛）、Ｔａ２Ｏ３（酸化タンタル）、ＳｒＴｉＯ３（酸化ストロンチウムチタン）等の金属酸化物の粒子を含んでいる。なお、電子輸送層１２は、各サブ画素に共通の金属酸化物の粒子を含んでいてもよく、サブ画素によって種類が異なる金属酸化物の粒子を含んでいてもよい。
　図１の（ｂ）に示すように、発光層１３は、量子ドットＱＤ（半導体ナノ粒子）の表面が表面修飾剤２（第１表面修飾剤）で表面修飾されることにより覆われた表面修飾量子ドット（表面修飾半導体ナノ粒子）と、マトリクス樹脂として樹脂化（固体化）された常温溶融塩３と、を含んでいる。
　常温溶融塩３は、該常温溶融塩３に上記表面修飾量子ドット（言い換えれば、表面修飾剤２で表面修飾された量子ドットＱＤ）を分散させた状態で樹脂化されることで、上記表面修飾量子ドットを覆っており、上記表面修飾量子ドットを支持する支持体として機能する。
　このため、発光層１３は、量子ドットＱＤと、量子ドットＱＤの表面を修飾する表面修飾剤２と、表面修飾剤２で修飾された量子ドットＱＤを覆う常温溶融塩と、を含んでいる。
　発光層１３は、陽極１６と陰極１１との間の駆動電流によって正孔と電子とが発光層１３内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットＱＤの伝導帯準位から価電子帯準位に遷移する過程で光を放出する。
　本実施形態に係る発光装置１は、発光材料として、各色の量子ドットＱＤを、各サブ画素に備えている。具体的には、発光層１３は、量子ドットＱＤとして、赤色サブ画素に赤色量子ドットを備え、緑色サブ画素に緑色量子ドットを備え、青色サブ画素に青色量子ドットを備えている。赤色量子ドット、緑色量子ドット、青色量子ドットは、放出する光の波長帯がそれぞれ異なる。これら量子ドットＱＤは、例えば、量子ドット蛍光体であり、それぞれ、前述した、赤色光、緑色光、青色光を、例えば蛍光として放出する。このように、発光層１３は、複数種の量子ドットＱＤを備え、同一のサブ画素においては、同種の量子ドットＱＤを備えている。
　赤色量子ドット、緑色量子ドット、青色量子ドットは、例えば、Ｃｄ（カドミウム）、Ｓ（硫黄）、Ｔｅ（テルル）、Ｓｅ（セレン）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｉｎ（インジウム）、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｐｂ（鉛）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｍｇ（マグネシウム）からなる群より選択される少なくとも一種の元素で構成されている半導体材料を含んでもよい。
　なお、本実施形態では、上記複数種の量子ドットＱＤが、赤色量子ドットと緑色量子ドットと青色量子ドットとの組み合わせである場合を例に挙げたが、必ずしもこの組み合わせでなくてもよい。発光層１３は、これら赤色量子ドット、緑色量子ドット、および青色量子ドット以外にも、例えば、黄色を蛍光として放出する黄色量子ドットを備えていてもよい。
　また、発光装置１が、一般照明あるいは液晶バックライト等の光源である場合、量子ドットＱＤは、例えば、波長３８０～７８０ｎｍの可視光を発光するものであることが好ましい。これは、波長３８０ｎｍ未満の紫外光を発光する量子ドットＱＤは、一般照明や液晶バックライトには使用できないためであり、また、量子ドットＱＤに、波長７８０ｎｍを超える光を発光する量子ドット蛍光体を用いた場合には、近赤外および赤外線であり、一般照明や液晶バックライトの光源には使用できないためである。
　量子ドットＱＤの材料としては、具体的には、例えば、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＩｎＢｉ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＰ、ＧａＰ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｇａ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｔｅ３、Ｇａ２Ｔｅ３、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＣｕＩｎＴｅ２等の半導体材料が挙げられる。このような組成の半導体材料は、波長３８０～７８０ｎｍの可視光を発光するバンドギャップ・エネルギーを有している。したがって、粒子径およびその混晶比を制御することにより、任意の可視光の発光が可能な量子ドットＱＤを形成することができる。
　量子ドットＱＤの形状は特に制限されるものではなく、例えば、球状、ロッド状、ワイヤ状等、従来公知の適宜の形状の半導体ナノ粒子を使用することができる。特に、形状制御による発光特性の制御の容易さという観点からは、球状の半導体ナノ粒子を使用することが好ましい。
　量子ドットＱＤは、重量平均粒子径がナノメートルサイズ（つまり、１μｍ未満）の粒子であればよい。量子ドットＱＤの粒子径は、原料および所望の発光波長に応じて適宜選択することができ、特に制限されないが、１～２０ｎｍの範囲内であることが好ましく、２～５ｎｍの範囲内であることがより好ましい。量子ドットＱＤの粒径が１ｎｍ未満である場合には、体積に対する表面積の割合が増えることにより、表面欠陥が支配的となり、効果が低下する傾向にある。一方、量子ドットＱＤの粒径の粒径が２０ｎｍを超える場合には、分散状態が低下し、凝集・沈降が生じ易くなる傾向にある。なお、ここで、量子ドットＱＤの形状が球状である場合には、粒径は、例えば粒度分布測定装置により測定された平均粒径もしくは電子顕微鏡により観察された粒子の大きさを示す。また、量子ドットＱＤの形状がロッド状である場合には、粒径は、例えば電子顕微鏡により測定された短軸および長軸の大きさを示す。さらに、量子ドットＱＤの形状がワイヤ状である場合には、粒径は、例えば、電子顕微鏡により測定された短軸および長軸の大きさを示す。
　表面修飾剤２は、極性を有するイオン性の有機表面修飾剤であり、量子ドットＱＤに配位する第１官能基と、正または負の電荷を有する第２官能基と、第２官能基が有する電荷の符号とは逆の符号の電荷を有し、第２官能基とイオン結合し、３つ以上の原子を含む第１多原子分子イオンと、を有する。
　表面修飾剤２としては、例えば、下記一般式（１）
　［Ｒ１－（ＣＨ２）ｎ－Ｒ２］＋・Ｘ－　　‥（１）
あるいは下記一般式（２）
　［Ｒ１－（ＣＨ２）ｎ－Ｒ２］－・Ｘ＋　　‥（２）
で示される化合物が挙げられる。
　上記一般式（１）および一般式（２）中、Ｒ１は第１官能基を示し、Ｒ２は第２官能基を示し、Ｘ－およびＸ＋は第１多原子分子イオンを示し、ｎは１～２０の整数を示し、好ましくは１～５の整数を示す。
　第２官能基は、正または負の電荷を有する極性官能基であり、第２官能基としては、例えば、正の電荷を有する、アンモニウム基、スルホニウム基、ホスホニウム基、あるいは、負の電荷を有する、カルボキシレート基等が挙げられる。これら官能基のなかでも、第２官能基としては、アンモニウム基、スルホニウム基、ホスホニウム基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基が好ましい。
　上記第１官能基は、上記量子ドットＱＤに配位する官能基である。第１官能基としては、チオール基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基が挙げられる。
　表面修飾剤２としては、例えば、下記構造式（３）で示される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 　なお、上記構造式（３）中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、それぞれ独立して水素原子または炭素数１～４のアルキル基を示す。
　具体的には、上記構造式（３）で示される表面修飾剤２としては、例えば、上記Ｒ３が水素原子であり、上記Ｒ４およびＲ５が、それぞれ独立して炭素数１～４のアルキル基を示す化合物が挙げられる。より具体的には、上記構造式（３）で示される表面修飾剤２としては、例えば、第１官能基がチオールであり、第２官能基が、正の電荷を有するアンモニウム基である化合物が挙げられる。
　上記第１多原子分子イオンは、３つ以上の原子を含む原子団からなる分子のイオンであり、第２官能基が有する電荷の符号とは逆の符号の電荷を有し、第２官能基とイオン結合を形成する。なお、第１多原子分子イオンは、複数種類の原子を含んでいる。
　上記第１多原子分子イオンとしては、イオン半径が大きく、電気泳動による移動速度が遅い無機類の多原子分子イオンが好ましい。具体的には、上記第１多原子分子イオンは、例えば、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）からなる群より選ばれる少なくとも一種の原子を少なくとも１つ含み、上記原子のうち何れか１つの原子が、上記第２官能基とイオン結合していることが好ましい。また、上記第１多原子分子イオンは、例えば、Ｎ、Ｐ、Ｂの何れかが負の電荷を有することが好ましい。
　上記第１多原子分子イオンとしては、例えば、下記構造式（４）で示されるビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン（以下、「ＴＦＳＩ」と称する）、下記構造式（５）で示されるビス（フルオロスルホニル）イミドイオン、下記構造式（６）で示されるビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミドイオン、下記構造式（７）で示されるホウフッ化物イオン、下記化学式（８）で示されるヘキサフルオロリン酸イオン等のアニオンが挙げられる。また、上記第１多原子分子イオンとしては、例えば、１，３－ジアルキルイミダゾリウムカチオン、Ｎ－アルキルピリジニウムカチオン、テトラアルキルアンモニウムカチオン、Ｎ，Ｎ－ジアルキルピロリジニウムカチオン、テトラアルキルホスホニウムカチオン等のカチオンが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 　これら多原子分子イオンのなかでも、上記第１多原子分子イオンとしては、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドイオン、ビス(フルオロスルホニル)イミドイオン、ビス(ノナフルオロブタンスルホニル)イミドイオン、ホウフッ化物イオン、ヘキサフルオロリン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の多原子分子イオンが、Ｎ、Ｐ、Ｂの何れかが負の電荷を有することから好ましい。
　これらの多原子分子イオンは、イオン半径が大きく、電気泳動による移動速度が遅い。また、表面修飾剤２から離脱して、Ｈ＋と結合して強酸性になることがない。また、これら例示の第１多原子分子イオンは、例えば構造式（４）～（７）に示すように、負の電荷を有する原子を中心とする線対称の構造を有している。なお、これら例示の第１多原子分子イオンは、立体的に見ても、負の電荷を有する原子を中心とした、例えば三角錐あるいは四角錐等の面対称の形状を有している。このため、これら例示の第１多原子分子イオンは、多原子分子イオンとして分解され難く、表面修飾剤２が分解され難い。
　常温溶融塩３は、イオン液体を樹脂化（固体化）してなる樹脂であり、イオン液体由来の重合性官能基または架橋剤由来の重合結合を有する。イオン液体（常温溶融塩）は、常温（例えば２５℃）でも溶融状態の塩であり、カチオンとアニオンとを組み合わせてなる。
　イオン液体（常温溶融塩）は、上述したように広い温度領域において液体状態であるとともに、蒸気圧が極めて低く、不揮発性であり、また、粘度が低いことから、基材に保持された状態（具体的には、正孔輸送層１４上に保持された状態）を安定して保つことが可能である。また、イオン液体（常温溶融塩）は、優れた熱安定性および電気化学安定性を有し、かつ、イオン導電性が高い。
　以下、本実施形態では、説明の便宜上、樹脂化される前の液体状のイオン液体を単に「イオン液体」と称し、イオン液体を樹脂化したものを「常温溶融塩」と称する。但し、上述したように常温溶融塩はイオン液体を樹脂化したものである。したがって、以下、イオン液体について説明するが、以下の説明において、「イオン液体」は、「常温溶融塩」あるいは「常温溶融塩３」と読み替えることができる。
　本実施形態で用いられるイオン液体は、第１多原子分子が有する電荷と同符号の電荷を有し、３つ以上の原子を含む第２多原子分子イオンと、第２多原子分子イオンが有する電荷とは逆の符号の電荷を有し、３つ以上の原子を含む第３多原子分子イオンとを含む。なお、第２多原子分子イオンおよび第３多原子分子イオンは、複数種類の原子を含んでいる。上記イオン液体は、重合性官能基を有することが好ましく、第３多原子分子イオンが重合性官能基を有することが好ましい。
　上記イオン液体は、第２多原子分子イオンおよび第３多原子分子イオンとして、負の電荷を有する多原子分子イオンＺ－（アニオン部位）と、正の電荷を有する多原子分子イオンＤ＋（カチオン部位）とを含む。上記イオン液体は、多原子分子イオンＤ＋および多原子分子イオンＺ－のみからなることが好ましく、例えば、下記一般式（９）
Ｄ＋・Ｚ－　　‥（９）
で示されるものが好ましい。
　多原子分子イオンＤ＋としては、例えば、イミダゾリウムイオン、ピリジニウムイオン、ホスホニウムイオン、脂肪族四級アンモニウムイオン、ピロリジニウムイオン、スルホニウムイオンからなる群より選ばれる少なくとも一種のカチオンが好適に用いられる。これら多原子分子イオンＤ＋のなかでも、熱的安定性および大気中での安定性に優れることから、脂肪族四級アンモニウムイオンが特に好ましい。
　前記重合性官能基としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル基等が挙げられる。
　（メタ）アクリル酸エステル基を有する多原子分子イオンＤ＋としては、例えば、下記構造式（１０）で示される２－（メタクリロイロキシ）－エチルトリメチルアンモニウムイオン、下記構造式（１１）で示される１－（３－アクリロイロキシ－プロピル）－３－メチルイミダゾリウムイオン、Ｎ－メタアクリロイルオキシエチル－Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチルアンモニウム（以下、「ＭＯＥＳＴＡ」と称する）等のカチオンが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 　上記構造式（１０）または構造式（１１）で示されるカチオンは、例えばメタクリル酸エステル基が有する炭素－炭素二重結合を有し、ラジカル重合する。重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含む常温溶融塩３（樹脂）は、例えば、イオン液体を必要に応じて架橋剤を用いて、熱あるいは光等により硬化させることで形成することができる。
　また、多原子分子イオンＺ－としては、前記構造式（４）で示されるＴＦＳＩ、前記構造式（５）で示されるビス（フルオロスルホニル）イミドイオン、前記構造式（６）で示されるビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミドイオン、下記構造式（７）で示されるホウフッ化物イオン、前記化学式（８）で示されるヘキサフルオロリン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種のアニオンが好適に用いられる。これら多原子分子イオンＺ－のなかでも、熱的安定性および大気中での安定性に優れることから、ＴＦＳＩが特に好ましい。
　上記イオン液体としては、上記多原子分子イオンＤ＋と多原子分子イオンＺ－とを任意に組み合わせることが可能であるが、具体的には、例えば、下記構造式（１２）で示される２－（メタクリロイロキシ）－エチルトリメチルアンモニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（以下、「ＭＯＥ－２００Ｔ」と称する）、下記構造式（１３）で示される１－（３－アクリロイロキシ－プロピル）－３－メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、「ＭＯＥＴＭＡ－ＴＦＳＩ」と称されるＮ－メタアクリロイルオキシエチル－Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチルアンモニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド等の化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 　第３多原子分子イオンとしては、上記例示の多原子分子イオンＤ＋からなる群より選ばれる少なくとも一種が好適に用いられる。また、第２多原子分子イオンとしては、上記例示の多原子分子イオンＺ－からなる群より選ばれる少なくとも一種が好適に用いられる。
　上述したように、イオン液体が、表面修飾剤２における第１多原子分子が有する電荷と同符号の電荷を有する第２多原子分子イオンを含むことで、表面修飾剤２とイオン液体との界面が静電的に安定し、イオン液体内での表面修飾量子ドットの凝集を抑制する効果がある。特に、イオン液体内に、表面修飾剤２の第１多原子分子イオンと同種のイオン（同じイオン）が存在することで、表面修飾剤２とイオン液体との界面が、静電的により安定し、イオン液体内での表面修飾量子ドットの凝集がさらに抑制される。
　本実施形態によれば、上述したように、発光層１３が、表面修飾剤２で表面修飾された量子ドットＱＤ（表面修飾量子ドット）と、該表面修飾量子ドットを覆う常温溶融塩３とを含むことで、量子ドットＱＤの表面を静電的に安定化させ、量子ドットＱＤを凝集させずに安定分散させることができ、高い発光効率を保つことができる。特に、常温溶融塩３に用いられるイオン液体として、上述したように重合性官能基を有するイオン液体を使用することで、量子ドットＱＤがイオン液体に安定して分散されている状態を維持したままイオン液体を樹脂化することができる。このため、均一発光が可能であり、また、発光効率が高い発光装置１を実現することができる。
　なお、発光層１３は、イオン液体を重合させる架橋剤をさらに含んでいてもよい。上記架橋剤としては、例えば、ジエチレングリコールジメタクリレート等が挙げられる。
　＜発光装置１の製造方法＞
　次に、上記発光装置１の製造方法について説明する。なお、以下では、発光装置１として、フレキシブルな表示装置（電界発光表示装置）を製造する場合を例に挙げて説明する。
　発光装置１としてフレキシブルな表示装置を製造する場合、まず、図示しない透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に、基板１７を構成する樹脂層を形成する。次いで、上記樹脂層上に、基板１７を構成する、バリア層およびＴＦＴ層をこの順に形成した後、上記ＴＦＴ層上に、発光素子１０を含む発光素子層、封止層をこの順に形成する。その後、封止層上に上面フィルムを貼り付ける。次いで、レーザ光の照射等によって支持基板を上記樹脂層から剥離し、該樹脂層の下面に下面フィルムを貼り付ける。これにより、下面フィルム、バリア層、およびＴＦＴ層がこの順に積層された基板１７上に、発光素子層、封止層、上面フィルムが、基板１７側からこの順に積層された積層体が得られる。次いで、上記積層体を分断し、複数の個片を得る。その後、得られた個片に図示しない機能フィルムを貼り付ける。さらに、複数のサブ画素が形成された表示領域よりも外側（非表示領域、額縁）の一部（端子部）に電子回路基板（例えば、ＩＣチップおよびＦＰＣ）をマウントする。これにより、発光装置１として、フレキシブルな表示装置が製造される。
　発光素子層の形成工程では、上記ＴＦＴ層上に、例えば、陽極１６、絶縁層（エッジカバー）、正孔注入層１５、正孔輸送層１４、発光層１３、電子輸送層１２、陰極１１を、この順に形成する。
　なお、陽極１６および陰極１１は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等により形成することができる。また、上記絶縁層は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スピンコート法等で堆積させた絶縁材料からなる層を、フォトリソグラフィ法等によりパターニングすることで、所望の形状に形成することができる。正孔注入層１５および正孔輸送層１４は、例えば、スパッタ法等により成膜することができる。電子輸送層１２は、少なくとも一種の前記金属酸化物の粒子を、例えばトルエン、クロロベンゼン等の溶媒に分散してスピンコート法あるいはインクジェット法等により塗布することで形成することができる。
　発光層１３の製造工程は、量子ドットＱＤと、該量子ドットＱＤの表面を修飾する、前記表面修飾剤２の前駆体とも言える、前記第１多原子分子イオンの代わりにハロゲン化物イオンを含む第２表面修飾剤と、を含む水溶液（量子ドット水溶液）に、前記第２官能基が有する電荷の符号とは逆の符号の電荷を有し、前記第２官能基とイオン結合し、３つ以上の原子を含む前記第１多原子分子イオンを含む塩を添加して撹拌した後、沈殿物を除去して、前記表面修飾剤２（第１表面修飾剤）で上記表面が修飾された量子ドットＱＤ（表面修飾量子ドット）を得る工程を含む。
　図２は、本実施形態に係る発光素子１０における発光層１３の製造工程の流れを示す図である。
　図２に示すように、本実施形態に係る発光層１３の製造工程では、まず、量子ドットＱＤと、上記第２表面修飾剤と、を含む量子ドット水溶液を準備する（ステップＳ１）。
　次いで、上記量子ドット水溶液に、上記ハロゲン化物イオンを置換する置換剤として、上記第１多原子分子イオンを含む塩を添加（混合）する（ステップＳ２）。
　続いて、上記ステップＳ２で得られた、上記量子ドット水溶液と上記置換剤とを含む混合液を撹拌して、上記ハロゲン化物イオンを上記第１多原子分子イオンで置換することにより、上記ハロゲン化物イオンを含む塩を生成させる。その後、遠心分離機で、前記表面修飾剤２で表面が修飾された量子ドットＱＤ（表面修飾量子ドット）を沈殿させることにより、当該表面修飾量子ドットを含む沈殿物と、上記ハロゲン化物イオンを含む塩を含む上澄み液とに固液分離した後、例えば上記上澄み液を捨てることにより、上記ハロゲン化物イオンを含む塩を除去する。その後、残った沈殿物に水を添加し、上記沈殿物を分散させることにより、前記表面修飾剤２で表面が修飾された量子ドットＱＤ（表面修飾量子ドット）を含む量子ドット水溶液が得られる（ステップＳ３）。
　その後、ステップＳ３で得られた量子ドット水溶液に、イオン液体を添加して混合することにより、イオン液体に上記表面修飾量子ドットを分散させる。このとき、必要に応じて、イオン液体とともに架橋剤を添加してもよい。その後、上記表面修飾量子ドットを分散させた上記イオン液体を、スピンコート法あるいはインクジェット法により、上記正孔輸送層１４上に塗布した後、真空乾燥することにより、水分（つまり、溶媒として用いた水）を除去する（ステップＳ４）。なお、この段階では、イオン液体は、液体状態を維持している。
　続いて、上記表面修飾量子ドットを分散させた上記イオン液体を重合させることにより硬化させて樹脂化（固体化）させることにより、上記イオン液体に由来する構成単位を含む、樹脂化された常温溶融塩３（樹脂）を形成する（ステップＳ５）。これにより、上記表面修飾量子ドットと、上記表面修飾量子ドットを覆う常温溶融塩３とを含む発光層１３が形成される。
　上記ステップ１で用いられる第２表面修飾剤は、前記第１官能基および前記第２官能基と、前記第２官能基が有する電荷の符号とは逆の符号の電荷を有し、前記第２官能基とイオン結合したハロゲン化物イオンと、を含む表面修飾剤である。上記第２表面修飾剤としては、上記構造を有するものであれば特に限定されるものではないが、入手が容易であることから、例えば、下記構造式（１４）で示される２－ジメチルアミノエタンチオール塩酸塩が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 　また、上記ステップ２で用いられる置換剤としては、前記第１多原子分子イオンを含む塩であれば、特に限定されるものではないが、例えば、上記第２表面修飾剤のハロゲン化物イオンと置換するために、リチウム（Ｌｉ）とイオン結合をしている材料が、扱い易く、また、入手も容易であることから、望ましい。
　前記構造式（１４）で示されるジメチルアミノエタンチオール塩酸塩を、第１多原子分子イオンを含む塩として、例えば、Ｌｉ－ＴＦＳＩと接触させることで、ジメチルアミノエタンチオール塩酸塩の塩化物イオン（ｃｌ－）が、例えば前記一般式（１）においてＸ－で示されるＴＦＳＩに置換される。これにより、表面修飾剤２として、例えば、下記構造式（１５）で示される表面修飾剤が得られる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 　このように、本実施形態によれば、表面修飾剤２が、塩化物イオン等のハロゲン化物イオンではなく、第１多原子分子イオンを有することで、表面修飾剤２からイオン（例えばアニオン）が脱離し難く、また、例え表面修飾剤２からイオンが脱離したとしても塩素や塩化水素等の気体（ハロゲン化ガス）が発生することがなく、信頼性が高い、発光素子および電界発光装置を提供することができる。
　なお、ステップＳ１における量子ドット水溶液における量子ドットＱＤの濃度は、５～３０ｍｇ／ｍｌの範囲内であることが好ましく、２０～２５ｍｇ／ｍｌの範囲内であることがより好ましい。量子ドット水溶液における量子ドットＱＤの濃度が５ｍｇ／ｍｌ未満の場合、形成された発光層１３の発光強度が十分ではないおそれがある。一方、量子ドット水溶液における量子ドットＱＤの濃度が３０ｍｇ／ｍｌを超えると、量子ドット水溶液における量子ドットＱＤの分散性が低下するおそれがある。
　また、ステップＳ１における量子ドット水溶液における第２表面修飾剤の濃度は、５０ｍｇ／ｍｌ～５００ｍｇ／ｍｌの範囲内であることが好ましく、１００～３００ｍｇ／ｍｌの範囲内であることがより好ましい。量子ドット水溶液における第２表面修飾剤の濃度が５０ｍｇ／ｍｌ未満の場合、量子ドットＱＤの保護が不十分になるおそれがある。一方、量子ドット水溶液における第２表面修飾剤の濃度が５００ｍｇ／ｍｌを超えると、ＱＬＥＤを作製したときに、発光層１３へのキャリア注入効率が低下するおそれがある。
　また、ステップＳ１における量子ドット水溶液に対する置換剤の添加量は、５０ｍｇ／ｍｌ～５００ｍｇ／ｍｌの範囲内であることが好ましく、１００ｍｇ／ｍｌ～３００ｍｇ／ｍｌの範囲内であることがより好ましい。上記置換剤の添加量が５０ｍｇ／ｍｌ未満の場合、ハロゲン化物イオンとの置換が不十分となるおそれがある。一方、上記置換剤の添加量が５００ｍｇ／ｍｌを越えると、上記ステップＳ３において、遠心分離により、不要な、上記ハロゲン化物イオンを含む塩（具体的には、例えば、後述するように塩化リチウム（ＬｉＣｌ））を十分に除去できない可能性がある。
　また、ステップＳ３における量子ドット水溶液と置換剤との混合条件は、用いる第２表面修飾剤および置換剤の種類等に応じて、第２表面修飾剤のハロゲン化合物イオンが第１多原子分子イオンで完全に置換されるように適宜設定すればよく、特に限定されるものではないが、ハロゲン化物イオンを多原子イオンに完全に置換するためには十分な撹拌時間が必要であることから、２４時間程度撹拌することが望ましい。
　なお、ステップＳ３における遠心分離に要する時間は、特に限定されるものではなく、目視で十分に固液分離される時間に設定すればよい。例えば、回転数４０００ｒｐｍで１０分間、遠心分離機で遠心することで、十分に固液分離ができる。
　また、ステップＳ４における、イオン液体と表面修飾量子ドットとの混合割合は、第１多原子分子イオンのモル数をＭ１とし、第２多原子分子イオンのモル数をＭ２とし、第１多原子分子イオンのモル数Ｍ１と第２多原子分子イオンのモル数Ｍ２との和であるＭ１＋Ｍ２をＳとし、第３多原子分子イオンのモル数をＭ３とすると、Ｍ１：Ｍ２＝１：１であり、１＜Ｓ／Ｍ３となるように設定されることが好ましく、１＜Ｓ／Ｍ３＜７となるように設定されることがより好ましい。このとき、第１多原子分子イオンと第２多原子分子イオンとは、同種のイオンであり、１＜２×Ｍ１／Ｍ３＜７、（または１＜２×Ｍ２／Ｍ３＜７）を満足することが特に好ましい。第３多原子分子イオンのモル数Ｍ３が少なく、Ｓ／Ｍ３が７を超えると、イオン液体への量子ドットの分散性が低下し、凝集が起こる可能性がある。なお、本実施形態において、モル数とは、物質量（モル）を示す。
　また、ステップＳ４においてイオン液体に架橋剤を添加する場合、該架橋剤の添加量は、イオン液体の種類および化合物教材の種類に応じて適宜設定すればよく、特に限定されるものではないが、イオン液体に対し、１０～８０％の範囲内であることが好ましく、２０～５０％の範囲内であることがより好ましい。架橋剤の添加量がイオン液体に対して１０％未満であれば、形成された発光層１３のガスバリア性が損なわれるおそれがある。また、架橋剤の添加量がイオン液体に対して８０％を超えると、イオン液体中の量子ドットＱＤの分散量が少なくなるおそれがある。
　また、ステップS４における真空乾燥における乾燥時間並びに乾燥温度は、溶媒に用いた水を除去することができるように適宜設定すればよく、特に限定されるものではないが、例えば、常温（例えば、２５℃）で、１０～３０分間乾燥を行うことが望ましい。
　また、ステップＳ５におけるイオン液体の重合温度、重合時間、圧力等の反応条件は、イオン液体の重合反応が完了するように、イオン液体の種類並びに架橋剤の種類等に応じて適宜設定すればよく、特に限定されるものではないが、例えば、大気圧下、８０～９０℃の範囲内で、１～６時間加熱を行うことが望ましい。
　以下に、実施例を挙げて、上記発光層１３の製造工程を具体的に説明する。
　〔実施例１〕
　本実施例では、ステップＳ１として、溶媒としての水に、赤色量子ドットであるＣｄＳｅと、第２表面修飾剤である２－ジメチルアミノエタンチオール塩酸塩とを、ＣｄＳｅが、濃度２４ｍｇ／ｍｌ、モル体積０．１３ｍｏｌ／ｌ、２－ジメチルアミノエタンチオール塩酸塩が、濃度３００ｍｇ／ｍｌ、モル体積２．１ｍｏｌ／ｌとなるように添加し、スターラで、常温で２４時間撹拌することにより、ＣｄＳｅと２－ジメチルアミノエタンチオール塩酸塩とを含む量子ドット水溶液（言い換えれば、２－ジメチルアミノエタンチオール塩酸塩で表面修飾されたＣｄＳｅを含む量子ドット水溶液）を準備した。
　次いで、ステップＳ２として、上記量子ドット水溶液１ｍｌに、置換剤として、Ｌｉ－ＴＳＦＩを０．１ｇ添加した。
　続いて、ステップＳ３として、上記量子ドット水溶液と上記置換剤とを含む混合液を、スターラで、常温で２４時間撹拌することにより、第２表面修飾剤に含まれるハロゲン化物イオンを含む塩として、塩化リチウム（ＬｉＣｌ）を生成させた。その後、遠心分離機で１０分間遠心分離を行い、上澄み液を捨てることにより、ＬｉＣｌを除去した。また、残った沈殿物に水を添加し、再分散させることにより、前記構造式（１５）で示される表面修飾剤２で表面が修飾された量子ドットＱＤ（表面修飾量子ドット）を含む量子ドット水溶液を得た。図３に、上記ステップＳ２～Ｓ３における反応スキームを示す。
　その後、ステップＳ４として、上記ステップＳ３で得られた量子ドット水溶液に、イオン液体としてのＭＯＥ－ＴＳＦＩを１．２ｇと、架橋剤としてのジエチレングリコールジメタクリレート０．６ｇとを添加して、マイクロピペットを用いて混ぜ合わせることにより、上記架橋剤を含む上記イオン液体に上記表面修飾量子ドットを分散させた。その後、発光層１３として、上記表面修飾量子ドットを分散させた上記イオン液体を、陽極１６、正孔注入層１５、および正孔輸送層１４が形成された基板１７における、上記正孔輸送層１４上に、スピンコーティング法により塗布した後、１００℃で０．５時間、真空乾燥した。
　なお、２－ジメチルアミノエタンチオール塩酸塩の分子量は１４１．６６、ＴＳＦＩの分子量は１６８、ＭＯＥ分子量は２８０であり、常温溶融塩３に含まれるＴＳＦＩとＭＯＥ（第３多原子分子イオン）とのモル比は１である。したがって、上記実施例１における、アニオン置換した表面修飾剤２に含まれるＴＳＦＩ（第１多原子分子イオン）のモル数Ｍ１は０．５９２９ｍｏｌであり、常温溶融塩３に含まれるＴＳＦＩ（第２多原子分子イオン）のモル数Ｍ２は０．１８７６ｍｏｌであり、常温溶融塩３に含まれるＭＯＥ（第３多原子分子イオン）のモル数Ｍ３は０．１１２５ｍｏｌである。したがって、Ｓ＝Ｍ１＋Ｍ２とすると、実施例１におけるＳ／Ｍ３は、６．９３７８となり、１＜２×Ｍ１／Ｍ３＜７を満足する。
　続いて、上記発光層１３が形成された基板１７を、加熱器を用いて、９０℃で２時間加熱することにより、上記イオン液体を樹脂化させた。これにより、表面修飾量子ドットと、該表面修飾量子ドットを覆う常温溶融塩３とを含む発光層１３を形成した。
　次に、以下の方法により、上記実施例１で得られた表面修飾量子ドットを用いた発光素子の信頼性試験を行った。
　まず、上記実施例１で得られた、架橋剤を含み、前記構造式（１５）で示される表面修飾剤２で表面が修飾された量子ドットＱＤ（表面修飾量子ドット）を分散させたイオン液体を真空乾燥させ、イオン液体に含まれる不要な水溶媒を除去した。その後、得られた、上記量子ドットＱＤを分散させた上記イオン液体を、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を溶解させた水の中に投入し、ホットスターラ上で３６５ｎｍの紫外線ＬＥＤ照射しながら、９０℃で６時間、１０００ｒｐｍで加熱撹拌することにより、上記量子ドットＱＤと、上記イオン液体を樹脂化してなる常温溶融塩３と、を含む量子ドットビーズ(ＱＤビーズ）を作製した。この方法で作製したＱＤビーズを、ＬＥＤ（発光ダイオード）封止樹脂としての信越化学社製の樹脂「ＳＣＲ－１０１６」（商品名）に、上記樹脂に対する上記表面修飾量子ドットの割合が３０ｗｔ％となるように添加し、自転・公転ミキサを用いて、常温で５分間撹拌することにより混合した。これにより得られた試料を、実施例１の試料とした。
　一方、実施例１において、ステップＳ２およびステップＳ３を行うことなく、ステップＳ１で得られた、２－ジメチルアミノエタンチオール塩酸塩で表面修飾されたＣｄＳｅを表面修飾量子ドットとして含む量子ドット水溶液を、信越化学社製の樹脂「ＳＣＲ－１０１６」（商品名）に、上記樹脂に対する上記表面修飾量子ドットの割合が３０ｗｔ％となるように添加し、上記自転・公転ミキサを用いて、常温で５分間撹拌することにより混合した。これにより得られた試料を、比較例１の試料とした。
　次いで、このようにして得られた実施例１の試料および比較例１の試料を、それぞれ、０．６ｔチップ（ＬＥＤチップ）上に載せ、ホットプレートを用いて、それぞれ、８０℃で、０．５時間加熱した。その後、上記実施例１の試料および比較例１の試料を、それぞれ、グローブボックス内で、９０℃で、１．５時間、さらに加熱した。
　次いで、電源に、ＬＥＤ（発光ダイオード）を接続し、２０ｍＡ、５Ｖの条件で点灯し、上記実施例１の試料および比較例１の試料にそれぞれ照射することにより、それぞれの試料の量子収率Ｑγを、絶対量子収率測定装置で測定した。
　図４は、上記実施例１の試料を用いた発光素子の信頼性試験を行った結果を、上記比較例１の試料を用いた発光素子の信頼性試験を行った結果と併せて示すグラフである。
　実施例１の試料を用いた発光素子は、表面修飾剤２からハロゲン化物イオンが脱離して気体が発生することがなく、図４に示すように、ＬＥＤの点灯後、１２５４ｈ経過しても量子収率Ｑγが４５％以上と、従来よりも経時劣化が少ない。このため、本実施形態によれば、従来よりも信頼性が高い発光素子を提供することができる。したがって、本実施形態によれば、発光素子として本実施形態に係る発光素子を使用することで、従来よりも信頼性が高い電界発光装置を提供することができる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　　１　　　発光装置
　　２　　　表面修飾剤（第１表面修飾剤）
　　３　　　常温溶融塩
　１０　　　発光素子
　１１　　　陰極
　１３　　　発光層
　１６　　　陽極
　ＱＤ　　　量子ドット

Claims (14)

  1. 　陽極と、陰極と、上記陽極と上記陰極との間に設けられた発光層と、を備え、
    　上記発光層は、量子ドットと、上記量子ドットの表面を修飾する第１表面修飾剤と、を含み、
    　上記第１表面修飾剤は、
    　上記量子ドットに配位する第１官能基と、
    　正または負の電荷を有する第２官能基と、
    　上記第２官能基が有する電荷の符号とは逆の符号の電荷を有し、上記第２官能基とイオン結合し、３つ以上の原子を含む第１多原子分子イオンと、を有することを特徴とする発光素子。
  2. 　上記第２官能基が正の電荷を有する極性官能基であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  3. 　上記第２官能基が、アンモニウム基、スルホニウム基、ホスホニウム基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
  4. 　上記第２官能基がアンモニウム基であることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の発光素子。
  5. 　上記第１官能基が、チオール基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基であることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の発光素子。
  6. 　上記第１多原子分子イオンは、窒素、リン、ホウ素からなる群より選ばれる少なくとも一種の原子を少なくとも１つ含み、上記原子のうち何れか１つの原子が、上記第２官能基とイオン結合していることを特徴とする請求項１～５の何れか１項に記載の発光素子。
  7. 　上記第１多原子分子イオンは、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドイオン、ビス(フルオロスルホニル)イミドイオン、ビス(ノナフルオロブタンスルホニル)イミドイオン、ホウフッ化物イオン、ヘキサフルオロリン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載の発光素子。
  8. 　上記発光層は、上記第１表面修飾剤で修飾された上記量子ドットを覆う常温溶融塩をさらに含み、
    　上記常温溶融塩は、上記第１多原子分子イオンが有する電荷と同符号の電荷を有する第２多原子分子イオンを含むことを特徴とする請求項１～７の何れか１項に記載の発光素子。
  9. 　上記第２多原子分子イオンは、ビス(フルオロスルホニル)イミドイオン、ビス(ノナフルオロブタンスルホニル)イミドイオン、ホウフッ化物イオン、ヘキサフルオロリン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種のイオンであることを特徴とする請求項８に記載の発光素子。
  10. 　上記第１多原子分子イオンと上記第２多原子分子イオンとが同種のイオンであることを特徴とする請求項８または９に記載の発光素子。
  11. 　上記常温溶融塩は、上記第２多原子分子イオンが有する電荷とは逆の符号の電荷を有し、３つ以上の原子を含む第３多原子分子イオンを含み、
    　上記第３多原子分子イオンは、重合性官能基を有することを特徴とする請求項８～１０の何れか１項に記載の発光素子。
  12. 　上記第１多原子分子イオンと上記第２多原子分子イオンとのモル数の和をＳとし、上記第３多原子分子イオンのモル数をＭ３とすると、１＜Ｓ／Ｍ３＜７であることを特徴とする請求項１１に記載の発光素子。
  13. 　請求項１～１２の何れか１項に記載の発光素子を備えていることを特徴とする電界発光装置。
  14. 　陽極と、陰極と、上記陽極と上記陰極との間に設けられた発光層と、を備え、上記発光層は、量子ドットと、上記量子ドットの表面を修飾する第１表面修飾剤と、を含み、上記第１表面修飾剤は、上記量子ドットに配位する第１官能基と、正または負の電荷を有する第２官能基と、上記第２官能基が有する電荷の符号とは逆の符号の電荷を有し、上記第２官能基とイオン結合し、３つ以上の原子を含む第１多原子分子イオンと、を有する発光素子の製造方法であって、
    　上記量子ドットと、上記量子ドットの表面を修飾する第２表面修飾剤と、を含む水溶液に、上記第１多原子分子イオンを含む塩を添加して撹拌した後、上澄み液を除去して、上記第１表面修飾剤で上記表面が修飾された量子ドットを得る工程を含み、
    　上記第２表面修飾剤が、上記第１官能基と、上記第２官能基と、上記第２官能基が有する電荷の符号とは逆の符号の電荷を有し、上記第２官能基とイオン結合したハロゲン化物イオンと、を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023032148A1 (ja) * 2021-09-03 2023-03-09 シャープ株式会社 表示装置の製造方法、および表示装置
WO2023067691A1 (ja) * 2021-10-19 2023-04-27 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 量子ドット層の形成方法、量子ドット層、光学素子、発光デバイス
WO2023127163A1 (ja) * 2021-12-29 2023-07-06 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子およびその製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005272795A (ja) * 2003-11-10 2005-10-06 Fuji Photo Film Co Ltd ドープ型金属硫化物蛍光体ナノ粒子、その分散液及びそれらの製造方法
JP2010513639A (ja) * 2006-12-20 2010-04-30 ツェントラム・フューア・アンゲヴァンテ・ナノテヒノロギー（ツェーアーエン）ゲーエムベーハー ナノ粒子の表面処理方法
JP2010209141A (ja) * 2009-03-06 2010-09-24 Dainippon Printing Co Ltd 量子ドット発光材料、及び発光デバイス
JP2014505657A (ja) * 2010-10-29 2014-03-06 ポステック アカデミー−インダストリー ファンデーション 両性イオンを有するナノ粒子表面改質用分子篩の合成とその応用
JP2014507230A (ja) * 2011-02-14 2014-03-27 メルク パテント ゲーエムベーハー 細胞および細胞組織の処置のためのデバイスおよび方法
CN105315993A (zh) * 2014-07-22 2016-02-10 中国科学院兰州化学物理研究所 一类离子液体修饰碳量子点的制备方法
KR20170012542A (ko) * 2017-01-25 2017-02-02 삼성전자주식회사 반도체 나노결정-고분자 복합입자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 복합체 필름 및 광전자 소자
JP2017034076A (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 シャープ株式会社 発光装置
JP2018507264A (ja) * 2014-12-19 2018-03-15 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 改質量子ドット及びその製造方法、着色剤、感光性樹脂組成物、カラーフィルタと表示装置
US20180372637A1 (en) * 2017-06-23 2018-12-27 Northwestern University Control of the electrostatic potential of nanoparticles

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005272795A (ja) * 2003-11-10 2005-10-06 Fuji Photo Film Co Ltd ドープ型金属硫化物蛍光体ナノ粒子、その分散液及びそれらの製造方法
JP2010513639A (ja) * 2006-12-20 2010-04-30 ツェントラム・フューア・アンゲヴァンテ・ナノテヒノロギー（ツェーアーエン）ゲーエムベーハー ナノ粒子の表面処理方法
JP2010209141A (ja) * 2009-03-06 2010-09-24 Dainippon Printing Co Ltd 量子ドット発光材料、及び発光デバイス
JP2014505657A (ja) * 2010-10-29 2014-03-06 ポステック アカデミー−インダストリー ファンデーション 両性イオンを有するナノ粒子表面改質用分子篩の合成とその応用
JP2014507230A (ja) * 2011-02-14 2014-03-27 メルク パテント ゲーエムベーハー 細胞および細胞組織の処置のためのデバイスおよび方法
CN105315993A (zh) * 2014-07-22 2016-02-10 中国科学院兰州化学物理研究所 一类离子液体修饰碳量子点的制备方法
JP2018507264A (ja) * 2014-12-19 2018-03-15 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 改質量子ドット及びその製造方法、着色剤、感光性樹脂組成物、カラーフィルタと表示装置
JP2017034076A (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 シャープ株式会社 発光装置
KR20170012542A (ko) * 2017-01-25 2017-02-02 삼성전자주식회사 반도체 나노결정-고분자 복합입자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 복합체 필름 및 광전자 소자
US20180372637A1 (en) * 2017-06-23 2018-12-27 Northwestern University Control of the electrostatic potential of nanoparticles

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023032148A1 (ja) * 2021-09-03 2023-03-09 シャープ株式会社 表示装置の製造方法、および表示装置
WO2023067691A1 (ja) * 2021-10-19 2023-04-27 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 量子ドット層の形成方法、量子ドット層、光学素子、発光デバイス
WO2023127163A1 (ja) * 2021-12-29 2023-07-06 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子およびその製造方法

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