WO2024004938A1 - 基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置 - Google Patents

基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2024004938A1
WO2024004938A1 PCT/JP2023/023571 JP2023023571W WO2024004938A1 WO 2024004938 A1 WO2024004938 A1 WO 2024004938A1 JP 2023023571 W JP2023023571 W JP 2023023571W WO 2024004938 A1 WO2024004938 A1 WO 2024004938A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
gas
cleaning
section
drying
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/023571
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
拓馬 ▲高▼橋
一樹 中村
崇之 西田
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2023083966A external-priority patent/JP2024003762A/ja
Application filed by 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス filed Critical 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Publication of WO2024004938A1 publication Critical patent/WO2024004938A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a substrate lower surface drying device for drying the lower surface of a substrate, and a substrate cleaning device equipped with the same.
  • FPD Fluorescence Display
  • semiconductor substrates semiconductor substrates
  • optical disk substrates magnetic disk substrates
  • magneto-optical disk substrates magneto-optical disk substrates
  • photomask substrates ceramic substrates used in liquid crystal display devices or organic EL (Electro Luminescence) display devices, etc.
  • substrate processing apparatuses are used to perform various treatments on various substrates such as solar cell substrates.
  • a substrate cleaning device is used to clean the substrate.
  • the substrate cleaning device described in Patent Document 1 includes an upper holding device, a lower holding device, a lower surface cleaning device, and a gas jetting section.
  • the lower holding device is a so-called spin chuck, and rotates the substrate in a horizontal position while sucking and holding the central region of the lower surface of the substrate.
  • the lower surface cleaning device cleans a region (hereinafter referred to as a lower surface outer region) surrounding a lower surface central region of the lower surface of the substrate held by the lower side holding device.
  • the cleaning liquid is supplied to the outer region of the lower surface of the substrate.
  • supply of the cleaning liquid to the substrate is stopped. Meanwhile, the rotation of the substrate continues. As a result, the cleaning liquid adhering to the outer region of the lower surface of the substrate is shaken off, and the outer region of the lower surface of the substrate is dried.
  • the upper holding device includes a pair of lower chucks and a pair of upper chucks.
  • a substrate placed between the pair of lower chucks and between the pair of upper chucks is sandwiched between the pair of lower chucks and the pair of upper chucks.
  • the lower surface cleaning device further cleans the central region of the lower surface of the substrate held by the upper holding device.
  • the cleaning liquid is supplied to the central region of the lower surface of the substrate. After cleaning the central region of the lower surface, the supply of cleaning liquid to the substrate is stopped, and gas is injected from the gas jetting section to the lower surface of the substrate.
  • a curtain-like gas flow is formed between the gas injection section and the lower surface of the substrate.
  • the gas jet section moves toward the outer peripheral edge of the substrate.
  • the cleaning liquid adhering to the substrate moves on the lower surface of the substrate toward the outside of the substrate as the gas jet section moves, and is removed. This dries the central region of the lower surface of the substrate.
  • droplets adhering to the substrate are removed only by jetting gas, there is a possibility that the droplets adhering to the substrate may move in an unintended direction on the underside of the substrate and remain on the underside of the substrate, for example. There is. If droplets adhere to the substrate after drying, the cleanliness of the substrate will decrease.
  • An object of the present invention is to provide a substrate lower surface drying device that can improve the cleanliness of a substrate after drying processing, and a substrate cleaning device equipped with the same.
  • a substrate lower surface drying device includes a first substrate holding section that holds a substrate, and a first gas injection section that injects gas from below to the substrate held by the first substrate holding section. and, when the first gas injection unit injects gas to the substrate, the first substrate holding unit holds the substrate toward at least a part of the outer edge of the substrate held by the first substrate holding unit in plan view. and a second gas injection section that injects gas from above the substrate held by the substrate.
  • a substrate cleaning device includes the above-described substrate bottom surface drying device, a first cleaning section, and a second substrate cleaning device that rotates the substrate while suctioning and holding at least a part of the bottom center region of the substrate.
  • the first substrate lower surface drying device includes a substrate holding section, a second cleaning section that cleans an outer region of the lower surface of the substrate that is rotated while being held by the second substrate holding section, and a control section.
  • the substrate holding section is configured to be able to hold the substrate by coming into contact with an outer edge of the substrate, and the first cleaning section cleans a central region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding section.
  • a first cleaning process in which the second cleaning unit cleans the bottom outside area of the substrate; and a first cleaning process that removes droplets attached to the bottom outside area of the substrate by the first cleaning process.
  • a substrate lower surface drying apparatus includes: a first substrate holding part that holds a substrate; and a first gas injecting gas from below onto the substrate held by the first substrate holding part. and when the first gas ejecting section injects gas, the first gas ejecting section is placed in a first position parallel to the substrate relative to the substrate held by the first substrate holding section.
  • a relative moving part that moves the substrate so as to advance in one direction, and a gas collision area of the lower surface of the substrate that receives the gas injected from the first gas injection part is parallel to the substrate. and a first end and a second end separated from each other in a second direction perpendicular to the first direction, and continuous between the first end and the second end.
  • a part of the continuous band-shaped part is located rearward of the first end and the second end in the first direction, and a part of the continuous band-shaped part is located behind the first end and the second end in the first direction; It is located at the rearmost position in the first direction compared to the part shown in FIG.
  • a substrate cleaning apparatus includes the above-described substrate lower surface drying apparatus, a first cleaning section, and a first cleaning section that rotates the substrate while suctioning and holding at least a part of the lower surface central region of the substrate.
  • the substrate lower surface drying apparatus includes: a second substrate holding section, a second cleaning section that cleans an outer lower surface area of the substrate that is rotated while being held by the second substrate holding section, and a control section;
  • the first substrate holding section is configured to be able to hold the substrate by coming into contact with an outer edge of the substrate, and the first cleaning section is arranged at the center of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding section.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the internal configuration of the substrate cleaning apparatus shown in FIG.
  • FIG. 3 is a flowchart showing the substrate cleaning and drying process performed by the control section of FIG.
  • FIG. 4 is a diagram showing the operating state of the substrate cleaning apparatus when a part of the substrate cleaning and drying process is performed.
  • FIG. 5 is a diagram showing the operating state of the substrate cleaning apparatus when a part of the substrate cleaning and drying process is performed.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing the state of the drying device at the time of starting drying of the lower surface of the substrate held by the upper holding device.
  • FIG. 7 is a diagram showing the operating state of the drying device when drying the lower surface of the substrate held by the upper holding device.
  • FIG. 8 is a diagram showing the operating state of the drying device when drying the lower surface of the substrate held by the upper holding device.
  • FIG. 9 is a diagram showing the operating state of the drying device when drying the lower surface of the substrate held by the upper holding device.
  • FIG. 10 is a schematic plan view for explaining a modification of the first gas injection section according to the first embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic plan view of a substrate cleaning apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is a schematic plan view of a substrate cleaning apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic plan view of a substrate cleaning apparatus according to another embodiment.
  • substrates include semiconductor substrates (wafers), FPD (Flat Panel Display) substrates such as liquid crystal display devices or organic EL (Electro Luminescence) display devices, optical disk substrates, magnetic disk substrates, and magneto-optical disks. substrate, photomask substrate, ceramic substrate, solar cell substrate, etc.
  • the upper surface of the substrate is the circuit forming surface (front surface)
  • the lower surface of the substrate is the surface opposite to the circuit forming surface (back surface).
  • the substrate has a circular shape except for the notch.
  • horizontal means substantially horizontal, and strictly speaking, parallel to a predetermined horizontal plane, and a certain angle range (for example, 10 (angle range).
  • vertical means substantially vertical, and strictly speaking, it means being parallel to a predetermined vertical plane and within a certain angular range (for example, an angular range of 10 degrees) with respect to the predetermined vertical plane. This includes being slanted within.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the internal configuration of the substrate cleaning apparatus 1 of FIG. 1.
  • an X direction, a Y direction, and a Z direction that are orthogonal to each other are defined.
  • the X direction, Y direction, and Z direction are indicated by arrows as appropriate.
  • the X direction and the Y direction are orthogonal to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction.
  • the substrate cleaning apparatus 1 includes upper holding devices 10A, 10B, a lower holding device 20, a pedestal device 30, a transfer device 40, and a bottom surface of a unit housing 2 having a substantially rectangular shape. It has a configuration in which a cleaning device 50, a cup device 60, a top surface cleaning device 70, an end cleaning device 80, an opening/closing device 90, and a drying device 100 are housed.
  • the unit housing 2 is indicated by a dotted line.
  • the unit housing 2 has a rectangular parallelepiped shape and includes a rectangular bottom and four sidewalls extending upward from the four sides of the bottom. Two of the four side walls face each other in the Y direction. The other two sidewalls among the four sidewalls face each other in the X direction.
  • a loading/unloading port 2x for the substrate W is formed at the center of one of the four sidewalls.
  • An opening/closing device 90 is provided near the loading/unloading exit 2x.
  • the opening/closing device 90 includes a shutter 91, and is configured to be able to open and close the loading/unloading port 2x using the shutter 91.
  • a pedestal device 30 is provided at the bottom of the unit housing 2.
  • the pedestal device 30 includes a linear guide 31 and a movable pedestal 32.
  • the linear guide 31 includes two rails lined up in the X direction, and extends in the Y direction so as to cross the center portion of the bottom surface in the X direction.
  • the pedestal device 30 is configured to be able to move the movable pedestal 32 to a plurality of positions in the Y direction on the two rails of the linear guide 31.
  • a lower holding device 20 and a lower surface cleaning device 50 are provided on the movable base 32 so as to be lined up in the Y direction.
  • the lower holding device 20 is fixed to the upper surface of the movable base 32 and includes a suction holding section 21 .
  • the suction holding unit 21 is a so-called spin chuck, and has a circular suction surface that can suction and hold the lower surface of the substrate W. Further, the suction holding section 21 is configured to be rotatable around an axis extending in the vertical direction (axis in the Z direction).
  • the lower holding device 20 suction-holds the lower surface of the substrate W using the suction-holding section 21, and rotates the suction-held substrate W around an axis extending in the vertical direction.
  • a region of the lower surface of the substrate W to be sucked by the suction surface of the suction-holding section 21 will be referred to as a lower surface central region.
  • a region surrounding the lower surface central region of the lower surface of the substrate W is referred to as a lower surface outer region.
  • a delivery device 40 is provided on the movable base 32 near the lower holding device 20.
  • the delivery device 40 has a plurality of (three in this example) support pins 41 that surround the suction holding part 21 in a plan view and extend in the vertical direction.
  • the plurality of support pins 41 are provided so as to be movable up and down between a plurality of predetermined height positions.
  • the upper holding devices 10A and 10B are configured to be able to hold the substrate W at a position above the lower holding device 20.
  • the delivery device 40 can receive the substrate W held by the lower holding device 20 and transfer it to the upper holding devices 10A and 10B by raising and lowering the plurality of support pins 41. Furthermore, the delivery device 40 can receive the substrates W held by the upper holding devices 10A and 10B and transfer them to the lower holding device 20.
  • the lower surface cleaning device 50 includes a lower surface brush 51, two liquid nozzles 52, a lifting support section 54, and a moving support section 55.
  • the movable support portion 55 is provided so as to be movable in the Y direction relative to the lower holding device 20 within a certain area on the movable base 32 .
  • an elevating support portion 54 is provided on the movable support portion 55 so as to be movable up and down.
  • the lower surface brush 51 has a circular cleaning surface that can come into contact with the lower surface of the substrate W. Further, the lower brush 51 is attached to the lifting support section 54 so that the cleaning surface faces upward and the cleaning surface is rotatable around an axis extending vertically through the center of the cleaning surface. There is. The area of the cleaning surface of the lower brush 51 is larger than the area of the suction surface of the suction holding section 21 .
  • Each of the two liquid nozzles 52 is attached to the elevating support part 54 so as to be located near the lower brush 51 and with the liquid jet port facing the cleaning surface of the lower brush 51.
  • a cleaning liquid supply system (not shown) is connected to the liquid nozzle 52.
  • the lower surface cleaning device 50 raises and lowers the lifting support part 54 so that the lower surface brush 51 contacts the lower surface of the substrate W, for example, with the substrate W held by the lower side holding device 20 or upper side holding devices 10A and 10B described later. .
  • the lower surface cleaning device 50 injects cleaning liquid from the two liquid nozzles 52 onto the lower surface brush 51, and rotates the lower surface brush 51 around an axis extending in the vertical direction. Thereby, the lower surface of the substrate W can be cleaned.
  • the cup device 60 is provided approximately at the center inside the unit housing 2 and includes a cup 61.
  • the cup 61 is provided so as to surround a portion of the lower holding device 20 and the pedestal device 30 in a plan view and to be movable up and down. In FIG. 2, the cup 61 is shown in dotted lines.
  • the cup 61 moves between a predetermined lower cup position and an upper cup position depending on which part of the lower surface of the substrate W is to be cleaned by the lower brush 51.
  • the lower cup position is a height position where the upper end of the cup 61 is below the substrate W that is suction-held by the suction-holding section 21 .
  • the upper cup position is a height position where the upper end of the cup 61 is above the suction holding part 21.
  • the upper holding devices 10A and 10B are provided at a height above the cup 61.
  • the upper holding devices 10A and 10B face each other across the pedestal device 30 in plan view.
  • the upper holding device 10A includes a lower chuck 11A and an upper chuck 12A.
  • Upper holding device 10B includes a lower chuck 11B and an upper chuck 12B.
  • the lower chucks 11A and 11B are arranged symmetrically with respect to a vertical plane extending in the Y direction through the center of the suction holding part 21 in plan view, and are provided movably in the X direction within a common horizontal plane.
  • Each of the lower chucks 11A and 11B has two support pieces that can support the outer region of the lower surface of the substrate W from below the substrate W.
  • the upper chucks 12A and 12B are arranged symmetrically with respect to a vertical plane extending in the Y direction through the center of the suction holding part 21 in plan view, and are movable in the X direction within a common horizontal plane. It is set in.
  • Each of the upper chucks 12A and 12B has two holding pieces configured to be able to abut two parts of the outer peripheral end of the substrate W and hold the outer peripheral end of the substrate W.
  • the upper holding devices 10A and 10B adjust the distance between the lower chuck 11A and the upper chuck 12A and the lower chuck 11B and the upper chuck 12B. Thereby, the upper holding devices 10A and 10B hold the substrate W at a position above the lower holding device 20 by sandwiching the substrate W between the lower chuck 11A, the upper chuck 12A, the lower chuck 11B, and the upper chuck 12B. It is possible to hold. Further, the upper holding devices 10A and 10B can release the held substrate W by moving the lower chuck 11A, the upper chuck 12A, and the lower chuck 11B and the upper chuck 12B away from each other.
  • an upper surface cleaning device 70 is provided on one side of the cup 61.
  • the upper surface cleaning device 70 includes a rotation support shaft 71, an arm 72, and a spray nozzle 73.
  • the rotation support shaft 71 is provided so as to extend in the vertical direction and to be movable up and down and rotatable.
  • the arm 72 is provided so as to extend horizontally from the upper end of the rotation support shaft 71 at a position above the upper holding devices 10A and 10B.
  • a spray nozzle 73 is attached to the tip of the arm 72.
  • a fluid supply system (not shown) is connected to the spray nozzle 73.
  • Cleaning liquid and gas are supplied to the spray nozzle 73 from a fluid supply system (not shown). Thereby, the cleaning liquid and gas are mixed in the spray nozzle 73, and a mixed fluid is generated. The generated mixed fluid is sprayed downward from the spray nozzle 73.
  • the upper surface cleaning device 70 adjusts the height position of the rotation support shaft 71 so that the spray nozzle 73 moves above the substrate W, for example, when the substrate W is rotated while being held by the lower holding device 20.
  • the rotation support shaft 71 is rotated.
  • the upper surface cleaning device 70 injects the mixed fluid onto the substrate W from the spray nozzle 73. Thereby, the entire upper surface of the substrate W can be cleaned.
  • an end cleaning device 80 is provided on the other side of the cup 61.
  • the end cleaning device 80 includes a rotation support shaft 81, an arm 82, and a bevel brush 83.
  • the rotation support shaft 81 is provided so as to extend in the vertical direction and to be movable up and down and rotatable.
  • the arm 82 is provided so as to extend horizontally from the upper end of the rotation support shaft 81 at a position above the upper holding devices 10A and 10B.
  • a bevel brush 83 is provided at the tip of the arm 82 so as to protrude downward and to be rotatable around a vertical axis.
  • the edge cleaning device 80 rotates the rotation support shaft 81 so that the bevel brush 83 contacts the outer peripheral edge of the substrate W while the substrate W is being rotated while being held by the lower holding device 20, for example. Adjust the height position of the shaft 81.
  • the end cleaning device 80 further rotates a bevel brush 83 provided at the tip of the arm 82 around a vertical axis. Thereby, the entire outer peripheral edge of the substrate W can be cleaned.
  • the drying device 100 includes a first gas injection section 110 and a second gas injection section 120.
  • the first gas injection section 110 is a gas injection nozzle having a gas injection port 111.
  • the gas injection port 111 is a slit that continuously extends along a polygonal line that includes two straight lines and one bending point in plan view.
  • the first gas injection unit 110 is located between the lower brush 51 of the lower surface cleaning device 50 and the lower holding device 20 in plan view, and is configured to move the lower surface cleaning device 50 up and down so that the gas injection port 111 faces upward. It is attached to the support part 54.
  • a jetted gas supply system (not shown) is connected to the first gas jetting section 110.
  • an inert gas such as nitrogen gas is used as the gas supplied to the first gas injection unit 110 from the ejection gas supply system.
  • the first gas injection unit 110 injects gas upwardly, which is supplied from an ejection gas supply system (not shown), for example, when drying the lower surface of the substrate W. Thereby, a gas flow is formed that partitions the space above the lower brush 51 of the lower surface cleaning device 50 and the space above the suction holding section 21 of the lower holding device 20 in plan view.
  • the second gas injection section 120 is a gas injection nozzle having a gas injection port 121.
  • the gas injection port 121 is formed so as to continuously extend along an arc corresponding to a part of the outer peripheral edge of the substrate W in plan view.
  • the second gas injection section 120 is attached to the unit housing 2 via a bracket (not shown) at a position above the upper holding devices 10A and 10B. In this state, the gas injection port 121 of the second gas injection unit 120 faces downward and faces a part of the outer peripheral edge of the substrate W held by the upper holding devices 10A and 10B.
  • the gas injection port 121 covers the gas injection port 111 of the first gas injection section 110 in the X direction in a plan view, that is, the gas injection port 121 covers the gas injection port 111 of the first gas injection section 110 in the X direction. It is positioned so as to overlap with 111.
  • a blowout gas supply system (not shown) is connected to the second gas injection section 120.
  • an inert gas such as nitrogen gas is used as the gas supplied to the second gas injection section 120 from the ejection gas supply system.
  • the second gas injection unit 120 injects gas supplied from an ejection gas supply system (not shown) toward a part of the outer peripheral end of the substrate W, for example, when drying the lower surface of the substrate W. In this case, a gas flow is formed that separates the space in which the substrate W exists and the space outside the substrate W in plan view.
  • the substrate cleaning apparatus 1 in order to dry the lower surface of the substrate W held by the upper holding devices 10A and 10B, the substrate is Gas is injected towards W. This improves the cleanliness of the substrate W after the drying process. The details will be described later.
  • the substrate cleaning apparatus 1 further includes a control section 9.
  • the control unit 9 includes, for example, a CPU (central processing unit) and a memory or a microcomputer.
  • a substrate cleaning and drying program is stored in the memory.
  • the CPU of the control unit 9 executes the substrate cleaning and drying program stored in the memory, thereby controlling each of the above components (10A, 10B, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100). control the behavior of
  • FIG. 3 is a flowchart showing the substrate cleaning and drying process performed by the control unit 9 in FIG. 4 and 5 are diagrams showing the operating state of the substrate cleaning apparatus 1 when a part of the substrate cleaning and drying process is performed.
  • a top view of the substrate cleaning apparatus 1 is shown in the upper part
  • a side view of the lower holding apparatus 20 and its surroundings as seen along the Y direction is shown in the middle part
  • a lower part shows a side view of the lower holding apparatus 20 and its surrounding parts.
  • FIGS. 4 and 5 A side view of the lower holding device 20 and its surroundings as seen along the X direction is shown.
  • the middle side view corresponds to the AA line side view in FIG. 1
  • the lower side view corresponds to the BB line side view in FIG.
  • the cup 61 is shown by a two-dot chain line.
  • the outer shape of the substrate W is indicated by a thick dashed line.
  • illustration of the second gas injection section 120 in FIG. 1 is omitted.
  • the substrate cleaning and drying process in FIG. 3 is performed by the CPU of the control unit 9 executing the substrate cleaning and drying program stored in the storage device.
  • the movable pedestal 32 of the pedestal device 30 is positioned such that the suction holding portion 21 of the lower holding device 20 is located at the center of the cup 61 in plan view.
  • control unit 9 controls the opening/closing device 90 to open the loading/unloading port 2x, and receives the substrate W carried in from the outside of the substrate cleaning apparatus 1 into the unit housing 2 (step S1).
  • control unit 9 controls the transfer device 40 to receive the substrate W using the plurality of support pins 41 and transfer it to the lower holding device 20 (Step S2).
  • the process of step S2 may be omitted.
  • the loading/unloading port 2x opened in step S1 is closed by the shutter 91 after the substrate W is received by the delivery device 40.
  • control unit 9 controls the lower holding device 20 to suction and hold the central region of the lower surface of the substrate W with the suction holding unit 21 (step S3). Further, the control unit 9 controls the lower holding device 20, the pedestal device 30, the lower surface cleaning device 50, the upper surface cleaning device 70, the edge cleaning device 80, and the drying device 100 to and the outer region of the lower surface are cleaned (step S4).
  • step S4 the substrate W held by suction and holding section 21 rotates around a vertical axis.
  • the spray nozzle 73 moves to a position above the rotating substrate W, as shown by a thick solid arrow a1 in FIG.
  • the spray nozzle 73 moves to a predetermined standby position (a position on one side of the cup 61 in plan view).
  • the bevel brush 83 moves to a position above the outer peripheral edge of the substrate W and descends, as shown by the thick solid arrow a2 in FIG. Thereby, the bevel brush 83 comes into contact with the outer peripheral edge of the substrate W. In this state, the bevel brush 83 rotates (rotates) around the vertical axis, thereby cleaning the outer peripheral end of the substrate W. When cleaning of the outer peripheral end of the substrate W is completed, the bevel brush 83 moves to a predetermined standby position (a position on the other side of the cup 61 in plan view).
  • the cleaning surface (upper surface) of the lower surface brush 51 is pressed against the outer region of the lower surface of the substrate W, and the lower surface brush 51 rotates around the vertical axis. Additionally, cleaning liquid is sprayed from the liquid nozzle 52 onto the lower brush 51 . Further, as shown by a thick solid arrow a3 in FIG. 4, the movable support portion 55 moves forward and backward in the Y direction on the movable base 32. As a result, the outer region of the lower surface of the substrate W is cleaned by the lower surface brush 51. When cleaning of the outer region of the lower surface of the substrate W is completed, the lower surface brush 51 stops rotating and descends to a standby position separated from the substrate W. Further, the injection of the cleaning liquid from the liquid nozzle 52 to the lower brush 51 is stopped.
  • the controller 9 controls the lower holding device 20 to rotate the substrate W at high speed and dry the entire substrate W (Ste S5).
  • a drying method in which the entire substrate W is dried by rotating the substrate W at high speed is called spin drying.
  • control unit 9 controls the transfer device 40 to receive the substrate W from the lower holding device 20 using the plurality of support pins 41, and transfers the received substrate W to the upper holding device 10A, 10B (step S6). At this time, the control unit 9 holds the outer peripheral end of the substrate W at a position above the lower holding device 20 by controlling the upper holding devices 10A and 10B (step S7). After that, the control unit 9 controls the lower holding device 20, the pedestal device 30, and the drying device 100 to clean the central region of the lower surface of the substrate W (step S8).
  • the substrate W is held in a horizontal position by the upper holding devices 10A and 10B without being rotated.
  • the cleaning surface of the lower brush 51 is positioned to face the central region of the lower surface of the substrate W.
  • the cleaning surface (upper surface) of the lower surface brush 51 is pressed against the lower surface central region of the substrate W, and the lower surface brush 51 rotates around the vertical axis. Additionally, cleaning liquid is sprayed from the liquid nozzle 52 onto the lower brush 51 . Thereby, the central region of the lower surface of the substrate W is cleaned by the lower surface brush 51.
  • the lower surface brush 51 stops rotating and descends to a standby position separated from the substrate W.
  • the control unit 9 After cleaning the central region of the lower surface of the substrate W, the control unit 9 dries the entire lower surface of the substrate W without rotating the substrate W by controlling the pedestal device 30 and the drying device 100 (step S9).
  • the drying of the lower surface of the substrate W in step S9 will be referred to as lower surface drying.
  • the details of drying the lower surface of the substrate W by the drying device 100 will be described later together with the mechanism of drying by the drying device 100.
  • control unit 9 controls the opening/closing device 90 to open the loading/unloading port 2x.
  • the substrate W is transported to the outside of the substrate cleaning apparatus 1 (step S10), and the cleaning and drying process is completed.
  • the loading/unloading port 2x opened in step S10 is closed by the shutter 91 after the substrate W is unloaded.
  • control unit 9 maintains the cup 61 at the upper cup position by controlling the cup device 60 during steps S4 and S5 of the series of processes described above.
  • droplets scattered from the substrate W during cleaning of the entire upper surface, outer peripheral edge, and outer region of the lower surface of the substrate W, and during spin drying of the substrate W are received by the cup 61 and discharged to the outside of the substrate cleaning apparatus 1. be done.
  • control unit 9 controls the cup device 60 to move the cup 61 to the lower cup position during the processes (steps S1 to S3, S6 to S10) excluding steps S4 and S5 among the series of processes described above. Hold.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing the state of the drying device 100 at the time of starting drying of the lower surface of the substrate W held by the upper holding devices 10A and 10B.
  • the outline of the substrate W is indicated by a thick dashed line.
  • the upper holding devices 10A and 10B are schematically shown by thick solid line frames.
  • the boundary between the lower surface central region R1 and the lower surface outer region R2 on the lower surface of the substrate W is indicated by a two-dot chain line.
  • the drying device 100 includes the first gas injection section 110 and the second gas injection section 120.
  • the first gas injection section 110 is mainly used to move droplets adhering to the lower surface central region R1 toward the outer peripheral edge of the substrate W and cause them to fall. Therefore, the first gas injection unit 110 is disposed between the lower surface central region R1 and the outer peripheral end of the substrate W in plan view at the start of drying the lower surface of the substrate W.
  • the first gas injection unit 110 is located between the outer peripheral end of the substrate W and the lower surface center region R1 in the Y direction when viewed from above at the start of drying the lower surface of the substrate W. Further, after the start of drying the bottom surface of the substrate W, the first gas injection section 110 of this example injects gas in a direction toward the bottom central region R1 (hereinafter referred to as drying progress) by the operation of the pedestal device 30 in FIG. ) Move horizontally to FD. In FIG. 6, the drying progress direction FD is indicated by a white arrow.
  • the second gas injection unit 120 mainly forces droplets on the lower surface of the substrate W that have been moved to the outer peripheral edge of the substrate W by the first gas injection unit 110 downward from the outer peripheral edge of the substrate W. It is used to make a target fall. Therefore, the second gas injection section 120 is located on the traveling path of the first gas injection section 110 in plan view.
  • the second gas injection unit 120 injects gas toward a part of the outer peripheral end of the substrate W from the gas injection port 121. As a result, the gas passing through the space adjacent to a part of the outer peripheral end of the substrate W in a plan view forms a flow of gas downward from the part of the outer peripheral end of the substrate W.
  • the area of the lower surface of the substrate W that receives the gas injected from the first gas injection unit 110 is referred to as the gas collision area AR.
  • the gas collision region AR is indicated by a hatched dot-dash line frame.
  • the gas collision region AR of this example extends continuously in a polygonal line shape and has a first end p11 and a second end p12.
  • the first end p11 and the second end p12 are spaced apart from each other in the X direction orthogonal to the drying progress direction FD.
  • the gas collision region AR has a first strip portion b1 and a second strip portion b2 between the first end p11 and the second end p12.
  • the first band-shaped portion b1 extends linearly diagonally rearward from the first end p11 toward the second end p12 with respect to the drying progress direction FD.
  • the second band-shaped portion b2 extends linearly diagonally backward from the second end p12 toward the first end p11 with respect to the drying progress direction FD.
  • the rear end portion of the first strip portion b1 based on the drying progress direction FD and the rear end portion of the second strip portion b2 based on the drying progress direction FD are connected to each other.
  • the connecting portion between the first strip portion b1 and the second strip portion b2 is defined as a bent portion p13.
  • the bent portion p13 is located at the rearmost position in the drying progress direction FD and at the center of the substrate W in the X direction.
  • the angle between the first strip b1 and the second strip b2 is set, for example, within a range of 45° or more and less than 180°.
  • the first gas injection unit 110 is configured such that the length d1 of the gas collision region AR in the X direction is greater than or equal to the maximum length d2 of the lower surface central region R1 in the X direction. Further, in the first gas injection section 110 and the second gas injection section 120, the length d1 in the X direction of the gas collision area AR is the length in the X direction of the part of the substrate W that receives gas from the gas injection port 121. It is configured to be smaller than d3.
  • FIGS. 7 to 9 are diagrams showing the operating state of the drying device 100 when drying the lower surface of the substrate W held by the upper holding devices 10A and 10B.
  • a schematic plan view showing the operating state of the drying apparatus 100 is shown in the upper part, and a schematic end view taken along the line QQ of the upper part is shown in the lower part.
  • various components, the gas collision region AR, etc. are shown in the same manner as the schematic plan view in FIG. 6 .
  • the flow of the gas injected from the first gas injection part 110 is shown so that it is easy to understand that the gas injected from the first gas injection part 110 has a width and spread in the Y direction. It is indicated by two thick arrows aa1.
  • the flow of the gas injected from the second gas injection part 120 is indicated by two thick arrows aa2 It is indicated by.
  • gas is injected from the second gas injection unit 120 onto a part of the outer peripheral edge of the substrate W.
  • most of the gas passing through the space adjacent to the outer peripheral edge of the substrate W is It flows downward from the end (see multiple arrows bb2).
  • a part of the gas that has collided with the outer peripheral end of the substrate W or the vicinity thereof flows laterally and diagonally downward from the outer peripheral end of the substrate W (see the plurality of arrows bb3).
  • the first gas injection section 110 advances in the drying progress direction FD.
  • the droplet dr adhering to the lower surface of the substrate W is moved to the outer peripheral edge of the substrate W as the gas collision area AR moves. It moves toward the drying progress direction FD.
  • the gas flow acts in the direction of
  • the droplets dr located on the traveling path of the first strip b1 are arranged so that the droplets dr flow forward in the drying traveling direction FD and toward the center of the substrate W in the X direction in plan view.
  • the gas flow from the first band-shaped portion b1 acts on this.
  • the droplet dr located on the traveling path of the first strip b1 moves the gas collision region AR in the drying progress direction FD, and bends the gas collision region AR along the first strip b1. Guided to section p13.
  • the direction of the gas flow acts.
  • the droplets dr located on the traveling path of the first strip b1 are arranged so that the droplets dr flow forward in the drying traveling direction FD and toward the center of the substrate W in the X direction in plan view.
  • the gas flow from the second band-shaped portion b2 acts on this.
  • the droplet dr located on the traveling path of the second strip b2 moves the gas collision region AR in the drying progress direction FD and bends the gas collision region AR along the second strip b2. Guided to section p13.
  • Such a mechanism prevents the droplet dr located on the lower surface of the substrate W on the traveling path of the gas collision region AR from moving away from the gas collision region AR in the X direction. Therefore, the droplet dr adhering to the central region R1 of the lower surface of the substrate W is prevented from moving in a direction away from the traveling path of the gas collision region AR on the lower surface of the substrate W and remaining on the lower surface of the substrate W. .
  • the droplet dr that has moved on the lower surface of the substrate W together with the gas collision area AR is moved to the outer peripheral edge of the substrate W. It is forcibly dropped by the flow of gas downward from a part of the part (see the plurality of arrows bb2 in the lower blowout BA2 in FIG. 7). Thereby, droplets removed from the lower surface of the substrate W are prevented from scattering and floating near the outer peripheral edge of the substrate W. Therefore, the droplets dr removed from the lower surface of the substrate W move above the substrate W and are prevented from re-adhering to the upper surface of the substrate W.
  • the cleanliness of the substrate W after the bottom surface drying process is improved.
  • the second gas injection unit 120 is controlled so that the horizontal flow of gas toward the outside of the substrate W does not occur, or even if the flow occurs, it is negligible. The gas injection direction and injection flow rate are adjusted.
  • the first gas injection section 110 moves in the drying progress direction FD with respect to the substrate W as the pedestal device 30 moves. Thereby, lower surface drying is performed.
  • the upper holding devices 10A and 10B may be configured to be movable in a direction opposite to the drying progress direction FD while holding the substrate W. By moving the upper holding devices 10A and 10B in the direction opposite to the drying direction FD, the first gas injection section 110 moves in the drying direction FD relative to the substrate W. Thereby, lower surface drying is performed. During this lower surface drying, the first gas injection section 110 may move in the drying progress direction FD.
  • the second gas injection unit 120 is configured to be movable in the direction opposite to the drying progress direction FD together with the upper holding devices 10A and 10B. Thereby, the second gas injection unit 120 operates in conjunction with the upper holding devices 10A and 10B so as to always inject gas to a part of the outer peripheral edge of the substrate W during the bottom surface drying.
  • FIG. 10 is a schematic plan view for explaining a modification of the first gas injection section 110 according to the first embodiment.
  • various components, gas collision region AR, etc. are shown in the same manner as the schematic plan view of FIG.
  • the first gas injection section 110 is configured such that the gas collision region AR continuously extends in a curved line. More specifically, the gas collision region AR corresponding to the first gas injection section 110 of this modification has a first end p21 and a second end p22. The first end p21 and the second end p22 are spaced apart from each other in the X direction orthogonal to the drying direction FD, and are located at the same position in the drying direction FD.
  • the gas collision region AR has a band-shaped portion b3 between the first end p21 and the second end p22.
  • the band-shaped portion b3 extends in a curved shape that bulges rearward with respect to the drying progress direction FD.
  • a substantially central portion of the band-shaped portion b3 is located at the rearmost position in the drying progress direction FD.
  • the droplets dr adhering to the lower surface of the substrate W are removed from the outer peripheral edge of the substrate W as the gas collision region AR moves. It moves in the drying progress direction FD towards the end of the drying process. At this time, the droplet dr is guided to approximately the center of the gas collision region AR along the leading edge of the strip b3 with respect to the drying progress direction FD. This prevents the cleaning liquid droplets dr from moving on the lower surface of the substrate W in the X direction away from the gas collision area AR. Therefore, as in the case of using the first gas injection unit 110 in FIG. , remaining on the bottom surface of the substrate W is prevented.
  • the first gas injection unit 110 injects gas onto the bottom surface of the substrate W when drying the bottom central region R1 of the substrate W. While injecting the drying liquid, it moves in the drying progress direction FD so as to pass through the lower surface central region R1. Thereby, the droplet dr adhering to the lower surface central region R1 moves to the outer peripheral edge of the substrate W.
  • the first gas injection unit 110 is configured so that the gas collision region AR that continuously extends on the lower surface of the substrate W has a polygonal line shape or a curved curve shape.
  • the center of the gas collision area AR is located at the rear in the drying progress direction FD compared to both ends of the gas collision area AR. Therefore, the gas collision region AR has a straight portion or a curved portion that is inclined with respect to the drying progress direction FD in plan view from one end to the rear end. Further, the gas collision region AR has a straight portion or a curved portion that is inclined with respect to the drying progress direction FD in a plan view between the other end and the rear end.
  • the droplets dr adhering to the lower surface of the substrate W are guided to the center of the gas collision region AR when the first gas injection section 110 moves in the drying progress direction FD.
  • the second gas injection unit 120 injects gas toward a part of the outer peripheral edge of the substrate W from above.
  • a downward gas flow is formed from a part of the outer peripheral edge of the substrate W.
  • the droplet dr moved to the outer peripheral edge of the substrate W by the first gas injection unit 110 is forcibly dropped from a part of the outer peripheral edge of the substrate W. Therefore, the droplets dr removed from the lower surface of the substrate W move above the substrate W and are prevented from re-adhering to the upper surface of the substrate W. As a result, the cleanliness of the substrate W after the bottom surface drying process is improved.
  • the substrate W is rotated while the lower center region R1 of the lower surface of the substrate W is held by suction by the lower holding device 20. Further, the entire upper surface of the substrate W, the outer peripheral end portion, and the lower surface outer region R2 are cleaned. Further, the substrate W is spin-dried.
  • the lower central region R1 of the substrate W is cleaned, and the lower central region R1 of the substrate W is subjected to a drying process. Therefore, even if suction marks are formed by the suction holding section 21 of the lower holding device 20 in the lower central region R1 of the substrate W during spin drying, the suction marks are removed by cleaning the lower central region R1. .
  • the above-mentioned drying device 100 is used when drying the lower surface central region R1. This improves the overall cleanliness of the substrate after the above series of treatments.
  • FIG. 11 is a schematic plan view of a substrate cleaning apparatus according to the second embodiment.
  • the first gas injection section 110 has a gas injection port 111 that extends linearly in the X direction. Therefore, during drying to remove droplets attached to the lower surface central region R1 of the substrate W, a gas collision region AR is formed in the shape of a single straight line extending in the X direction.
  • FIG. 12 is a schematic plan view of a substrate cleaning apparatus according to the third embodiment.
  • the substrate cleaning apparatus 1 according to this embodiment is not provided with the second gas injection section 120 of FIG. 1.
  • the gas injected from the first gas injection unit 110 to the lower surface of the substrate W creates a gas collision area AR in the X direction on the lower surface of the substrate W. This prevents the cleaning liquid droplet dr from moving away from the cleaning liquid.
  • the gas injection port 111 in FIG. 1 is a slit that continuously extends in a polygonal or curved shape, but the present invention is not limited to this. .
  • the gas injection port 111 is configured such that gas is injected from the first gas injection section 110 to the bottom surface of the substrate W when the central region R1 of the bottom surface of the substrate W is dried, so that the gas collision area AR is continuous on the bottom surface of the substrate W. It suffices if it is formed so as to extend. Therefore, the gas injection port 111 may have a configuration in which a plurality of slits are arranged at intervals so as to extend intermittently, or a configuration in which a plurality of holes are arranged at predetermined intervals. It may have.
  • the first gas injection unit 110 injects gas in the vertical direction (upward) toward the lower surface of the substrate W, but the present invention is not limited to this.
  • the first gas injection unit 110 may be configured to inject gas from the gas injection port 111 toward the lower surface of the substrate W in a direction inclined with respect to the vertical direction. More specifically, the first gas injection unit 110 may be configured to inject the gas obliquely upward, for example, toward the drying direction FD (forward in the direction of movement).
  • the gas collision region AR will be located in front of the gas injection port 111 in the drying progress direction FD in plan view. Therefore, even when the first gas injection unit 110 does not reach the outer peripheral edge of the substrate W in plan view, the droplet dr on the lower surface of the substrate W can be moved to the outer peripheral edge of the substrate W. Thereby, the movement range of the first gas injection section 110 can be reduced. Note that when the traveling path of the first gas injection section 110 is set so as not to reach the outer peripheral end of the substrate W in a plan view, the second gas injection section 120 is set so as not to reach the outer peripheral end of the substrate W in a plan view. 110 so as to overlap on an extension of the travel path of the vehicle.
  • the first gas injection unit 110 may emit gas in a direction diagonally upward toward the drying direction FD (forward in the direction of travel) and in a direction inclined with respect to the drying direction FD in plan view. It may be configured to inject. Furthermore, the first gas injection unit 110 may be configured such that the directions in which gas is injected are different from each other in a plurality of parts.
  • the second gas injection section 120 is fixed to the unit housing 2 via a bracket (not shown), but the present invention is not limited thereto.
  • the second gas injection unit 120 is located between a position above the outer peripheral edge of the substrate W held by the upper holding devices 10A and 10B and a standby position set, for example, on the side of the cup 61 in plan view. It may be configured to be movable.
  • the first gas injection unit 110 and the pedestal device 30 remove droplets dr adhering to the lower surface of the substrate W from the outer peripheral edge of the substrate W. It functions as a structure for moving to the section.
  • the configuration for moving the droplets dr adhering to the lower surface of the substrate W to the outer peripheral edge of the substrate W is not limited to the above example.
  • the lower holding device 20 has a rotating shaft instead of the suction holding section 21 described above, and is configured to be able to rotate the substrate W while holding the outer peripheral end of the substrate W on the rotating shaft.
  • the configuration for moving the droplet dr adhering to the lower surface of the substrate W to the outer peripheral edge of the substrate W is a configuration in which gas is injected from below the substrate W to the center of the lower surface of the substrate W through the axis of the rotation shaft. It may be.
  • the second gas injection unit 120 is further configured to inject gas from above over the entire outer peripheral edge of the substrate W. Thereby, the droplet dr guided to the entire outer peripheral edge of the substrate W on the lower surface of the substrate W is forcibly dropped from the outer peripheral edge of the substrate W by the gas injected from the second gas injection unit 120. Can be done.
  • the drying apparatus 100 is used to remove droplets dr adhering to the lower surface central region R1 of the substrate W and dry the lower surface of the substrate W.
  • the present invention is not limited to this.
  • the drying device 100 may be used to remove the droplets dr attached to the lower outer region R2 of the substrate W in addition to the droplets dr attached to the lower central region R1 of the substrate W.
  • the plurality of support pins 41 of the transfer device 40 are configured to be rotatable around a vertical axis (hereinafter referred to as a pin rotation axis) passing through the center of the substrate W held by the upper holding devices 10A and 10B.
  • the substrates W held by the upper holding devices 10A and 10B are subjected to the above-mentioned lower surface drying process by the drying device 100
  • the substrates W are received by the delivery device 40.
  • the substrate W is rotated by a predetermined angle within a horizontal plane.
  • the substrate W rotated by a predetermined angle is held again by the upper holding devices 10A and 10B.
  • the position of the first gas injection unit 110 with respect to the substrate W is returned to the initial position of the lower surface drying process.
  • the lower surface drying process is performed by the drying device 100. If these series of operations can be repeated, it becomes possible to perform the drying process not only on the lower surface central region R1 of the substrate W but also on the lower surface outer region R2.
  • the substrate cleaning apparatus 1 In the substrate cleaning apparatus 1 according to the above embodiment, during the substrate cleaning and drying process, the entire upper surface, outer peripheral end, and lower surface outer region R2 of the substrate W is held by the lower holding device 20. Cleaning is performed, and the substrate W is spin-dried. Thereafter, while the substrate W is held by the upper holding devices 10A and 10B, the lower central region R1 of the substrate W is cleaned and dried.
  • the present invention is not limited to the above embodiments.
  • the lower central region R1 of the substrate W may be cleaned and dried while the substrate W is held by the upper holding devices 10A and 10B. Thereafter, while the substrate W is held by the lower holding device 20, the entire upper surface, outer peripheral edge, and lower outer region R2 of the substrate W may be cleaned and spin-dried.
  • FIG. 13 is a schematic plan view of a substrate cleaning apparatus according to another embodiment. As shown in FIG. 13, in addition to the structure of the substrate cleaning apparatus 1 according to the first embodiment shown in FIG. A supply section 200 is provided. When drying the lower surface of the substrate W by the drying device 100, the high-temperature gas supply section 200 supplies the substrate W held by the upper holding devices 10A and 10B with a gas having a higher temperature than the gas injected from the first gas injection section 110 to the substrate W. Supply a hot gas with a temperature.
  • the high-temperature gas supply section 200 may supply high-temperature gas to the upper surface of the substrate W, or may supply high-temperature gas to the lower surface of the substrate W. Note that it is preferable that the same gas (inert gas in the above example) as the gas injected onto the substrate W from the first gas injection unit 110 is supplied as the high-temperature gas.
  • the substrate W to be processed has a circular shape except for the notch, but the substrate W may have a rectangular shape.
  • both the lower surface central region R1 and the lower surface outer region R2 of the substrate W are cleaned by the lower surface cleaning apparatus 50, but the present invention is not limited thereto.
  • a configuration for cleaning the lower surface central region R1 of the substrate W and a configuration for cleaning the lower surface outer region R2 of the substrate W may be provided separately.
  • the upper holding devices 10A and 10B are examples of the first substrate holding section
  • the first gas injection section 110 is an example of the first gas injection section
  • the second gas injection section is an example of the first substrate holding section.
  • Reference numeral 120 is an example of the second gas injection unit
  • a group of components including the upper holding devices 10A and 10B, the pedestal device 30, and the drying device 100 is an example of the substrate lower surface drying device.
  • the drying progress direction FD is an example of the first direction
  • the pedestal device 30 is an example of the relative moving part
  • the gas collision area AR is an example of the gas collision area
  • the X direction is the second direction.
  • the first ends p11 and p21 are examples of the first ends
  • the second ends p12 and p22 are examples of the second ends
  • the first ends b1 and p21 are examples of the second ends.
  • the strip portion b2 and the strip portion b3 of No. 2 are examples of continuous strip portions
  • the lower surface central region R1 is an example of the region to be dried.
  • bent portion p13 is an example of a part of the continuous band-shaped portion and the bent portion
  • the high temperature gas supply section 200 is an example of the high temperature gas supply section
  • the lower surface cleaning device 50 is an example of the first cleaning section and the second cleaning section.
  • the lower holding device 20 is an example of the second substrate holding section
  • the control section 9 is an example of the control section.
  • the cleaning process in step S4 in the substrate cleaning and drying process in FIG. 3 is an example of the first cleaning process
  • the spin drying process in step S5 in the substrate cleaning and drying process in FIG. 3 is an example of the first drying process.
  • the cleaning process in step S8 in the substrate cleaning and drying process in FIG. 3 is an example of the second cleaning process
  • the lower surface drying process in step S9 in the substrate cleaning and drying process in FIG. 3 is an example of the second drying process.
  • the substrate lower surface drying device is as follows: a first substrate holding section that holds the substrate; a first gas injection unit that injects gas from below to the substrate held by the first substrate holding unit; When the first gas injection unit injects gas to the substrate, the first substrate holder directs at least a part of the outer edge of the substrate held by the first substrate holder in plan view. and a second gas injection unit that injects gas from above the held substrate.
  • gas is injected from below onto the substrate held by the first substrate holding section.
  • the droplets attached to the lower surface of the substrate are moved toward the outer region of the substrate by the gas jetted from the first gas jetting section.
  • gas is injected from above toward at least a portion of the outer edge of the substrate in plan view, and a gas flow is formed downward from at least a portion of the outer edge of the substrate.
  • the droplet moved toward at least a part of the outer edge of the substrate by the gas injected from the first gas injection part on the lower surface of the substrate is forced by the gas injected to at least a part of the outer edge of the substrate. fall on target. Therefore, droplets removed from the lower surface of the substrate are less likely to scatter and float near the outer edge of the substrate.
  • the droplets removed from the lower surface of the substrate move above the substrate, reducing re-adhesion to the upper surface of the substrate, and improving the cleanliness of the substrate after the drying process.
  • the substrate lower surface drying device includes: When the first gas injection unit injects the gas, the first gas injection unit moves in a first direction relative to the substrate held by the first substrate holding unit. further comprising a relative moving section that moves the At least a portion of the outer edge of the substrate held by the first substrate holder may be located on a traveling path of the first gas injection section or on an extension of the traveling path in plan view.
  • the droplets adhering to the lower surface of the substrate are moved in the first direction by the gas injected from the first gas injection part as the first gas injection part advances.
  • the droplet moving on the lower surface of the substrate reaches at least a portion of the outer edge of the substrate, and is forced to fall by the gas ejected from the second gas ejecting section.
  • the cleanliness of the substrate after the drying process is further improved.
  • a gas collision region of the lower surface of the substrate that receives the gas injected from the first gas injection part is a first end and a second end separated from each other in a second direction perpendicular to the first direction; It may have a continuous band-shaped part that extends continuously between the first end and the second end.
  • the gas collision area is formed to extend continuously in the second direction on the bottom surface of the substrate, droplets are prevented from remaining on the area where the gas collision area moves on the bottom surface of the substrate. be done.
  • the length between the first end and the second end of the gas collision region in the second direction is the length of the predetermined drying target region of the lower surface of the substrate in the second direction. It may be longer than the maximum length.
  • the substrate lower surface drying device includes: The method may further include a high-temperature gas supply unit that supplies high-temperature gas having a higher temperature to the substrate held by the first substrate holding unit than the gas injected from the first gas injection unit to the substrate. good.
  • high-temperature gas can be supplied to the substrate when droplets adhering to the substrate are removed by the first gas injection section and the second gas injection section. Thereby, the substrate is heated by the high temperature gas, and the drying efficiency of the substrate is improved.
  • a portion of the continuous strip of the gas collision region is located rearward of the first end and the second end in the first direction, and is located further back than the other portion of the continuous strip. and may be located at the rearmost position in the first direction.
  • the droplets adhering to the lower surface of the substrate move in the second direction so as to collect in a portion of the continuous band. move in a first direction; This prevents the droplet from moving away from the gas impingement region in the second direction on the lower surface of the substrate. Therefore, the droplet adhering to the lower surface of the substrate is prevented from moving on the lower surface of the substrate in a direction away from the traveling path of the gas collision region and remaining on the lower surface of the substrate. As a result, the cleanliness of the substrate after the drying process is further improved.
  • the substrate cleaning apparatus according to Section 7: The substrate lower surface drying device according to any one of paragraphs 1 to 6, a first cleaning section; a second substrate holder that rotates the substrate while suctioning and holding at least a part of the lower center region of the substrate; a second cleaning unit that cleans an outer region of the lower surface of the substrate that is rotated while being held by the second substrate holder; It is equipped with a control section,
  • the first substrate holder included in the substrate lower surface drying device is configured to be able to hold the substrate by coming into contact with an outer edge of the substrate, the first cleaning section cleans a central region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding section;
  • the control unit performs a first cleaning process in which the second cleaning unit cleans an outer region of the bottom surface of the substrate, and a first cleaning process in which droplets attached to the outer region of the bottom surface of the substrate are removed by the first cleaning process.
  • the substrate lower surface drying device, the first cleaning section, the second substrate holding section, and the second cleaning section are controlled so that the second drying process for removing the substrate is performed in this order.
  • the first cleaning process and the first drying process are performed with at least a part of the central region of the lower surface of the substrate being suction-held by the second substrate holding part. Thereafter, a second cleaning process and a second drying process are performed while the substrate is held by the first substrate holder. Thereby, even if suction marks are formed by the second substrate holder in the central region of the lower surface of the substrate after the first drying process, the suction marks are removed by the second cleaning process. Further, during the second drying process, the central region of the lower surface of the substrate is dried by the above-described substrate lower surface drying device. As a result, the cleanliness of the entire lower surface of the substrate after the above series of treatments is improved.
  • the substrate lower surface drying device according to Section 8: a first substrate holding section that holds the substrate; a first gas injection unit that injects gas from below to the substrate held by the first substrate holding unit; When the first gas injection unit injects the gas, the first gas injection unit moves in a first direction parallel to the substrate relative to the substrate held by the first substrate holding unit. and a relative moving part that moves the object so as to move toward the object, A gas collision area on the lower surface of the substrate that receives the gas injected from the first gas injection part includes first gas collision areas that are parallel to the substrate and spaced apart from each other in a second direction perpendicular to the first direction.
  • a portion of the continuous band-shaped portion is located rearward of the first end and the second end in the first direction, and is located further back than the other portion of the continuous band-shaped portion. Located at the rearmost position in the direction.
  • gas is injected from the first gas injection part onto the substrate held by the first substrate holding part, and the first gas injection part is directed toward the substrate in a first direction. proceed.
  • the gas impingement region is formed so as to extend continuously in the second direction on the lower surface of the substrate.
  • a portion of the continuous strip of the gas collision region is located behind the first end and the second end of the gas collision region in the first direction. Also, a portion of the continuous strip of the gas impingement region is located furthest back in the first direction compared to other portions of the continuous strip.
  • the droplets adhering to the bottom surface of the substrate move in the second direction so that they converge on a portion of the continuous band. move in a first direction; This prevents the droplet from moving away from the gas impingement region in the second direction on the lower surface of the substrate.
  • the continuous strip portion is a first band-shaped portion extending in a straight line for a certain length from the first end toward the second end in a plan view diagonally backward with respect to the first direction; a second band-shaped portion extending in a straight line for a certain length from the second end toward the first end in a plan view diagonally rearward with respect to the first direction; a bent portion where the rear end of the first belt-like part and the rear end of the second belt-like part touch; The bent portion may be the portion of the continuous band-shaped portion.
  • the length between the first end and the second end of the gas collision region in the second direction is the length of the predetermined drying target region of the lower surface of the substrate in the second direction. It may be longer than the maximum length.
  • the substrate lower surface drying device includes: The method may further include a high-temperature gas supply unit that supplies high-temperature gas having a higher temperature to the substrate held by the first substrate holding unit than the gas injected from the first gas injection unit to the substrate. good.
  • the high temperature gas can be supplied to the substrate.
  • the substrate is heated by the high temperature gas, and the drying efficiency of the substrate is improved.
  • the substrate cleaning apparatus according to Section 12, The substrate lower surface drying device according to any one of Items 8 to 11; a first cleaning section; a second substrate holder that rotates the substrate while suctioning and holding at least a portion of the central region of the lower surface of the substrate; a second cleaning unit that cleans an outer region of the lower surface of the substrate that is rotated while being held by the second substrate holder; It is equipped with a control section,
  • the first substrate holder included in the substrate lower surface drying device is configured to be able to hold the substrate by coming into contact with an outer edge of the substrate, the first cleaning section cleans a central region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding section;
  • the control unit performs a first cleaning process in which the second cleaning unit cleans an outer region of the bottom surface of the substrate, and a first cleaning process in which droplets attached to the outer region of the bottom surface of the substrate are removed by the first cleaning process.
  • the substrate lower surface drying device, the first cleaning section, the second substrate holding section, and the second cleaning section are controlled so that the second drying process for removing the substrate is performed in this order.
  • the first cleaning process and the first drying process are performed with at least a part of the central region of the lower surface of the substrate being suction-held by the second substrate holding part. Thereafter, a second cleaning process and a second drying process are performed while the substrate is held by the first substrate holder. Thereby, even if suction marks are formed by the second substrate holder in the central region of the lower surface of the substrate after the first drying process, the suction marks are removed by the second cleaning process. Further, during the second drying process, the central region of the lower surface of the substrate is dried by the above-described substrate lower surface drying device. As a result, the cleanliness of the entire lower surface of the substrate after the above series of treatments is improved.
  • the cleanliness of the substrate is improved during drying of the lower surface of the substrate, so that the yield of products obtained by substrate processing is improved. Therefore, since unnecessary substrate processing is reduced, energy saving in substrate processing can be realized. Furthermore, since the use of wasteful chemicals and the like can be reduced, it is possible to contribute to reducing pollution of the global environment.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

基板洗浄装置は、第１の基板保持部および乾燥装置を備える。乾燥装置は、第１の気体噴射部および第２の気体噴射部を含む。第１の気体噴射部は、第１の基板保持部により保持された基板に下方から気体を噴射しつつ、基板に平行な乾燥進行方向に進行する。第２の気体噴射部は、第１の気体噴射部による基板への気体の噴射時に、平面視で基板の外縁の一部に向けて基板の上方から気体を噴射する。基板の下面のうち第１の気体噴射部から気体を受ける気体衝突領域は、乾燥進行方向に直交する方向に連続して延びる帯状に形成されている。気体衝突領域の中間部分は、第１の気体噴射部の進行方向後端に位置する。

Description

基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置
　本発明は、基板の下面を乾燥させる基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置に関する。
　液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。基板を洗浄するために、基板洗浄装置が用いられる。
　特許文献１に記載された基板洗浄装置は、上側保持装置、下側保持装置、下面洗浄装置および気体噴出部を備える。下側保持装置は、いわゆるスピンチャックであり、基板の下面中央領域を吸着保持しつつ、基板を水平姿勢で回転させる。下面洗浄装置は、下側保持装置により保持される基板の下面のうち下面中央領域を取り囲む領域（以下、下面外側領域と呼ぶ。）を洗浄する。このとき、基板の下面外側領域には、洗浄液が供給される。下面外側領域の洗浄後には、基板への洗浄液の供給が停止される。一方、基板の回転は継続される。それにより、基板の下面外側領域に付着する洗浄液が振り切られ、基板の下面外側領域が乾燥する。
　上側保持装置は、一対の下チャックおよび一対の上チャックを含む。一対の下チャックの間でかつ一対の上チャックの間に配置された基板が、一対の下チャックおよび一対の上チャックにより挟み込まれる。それにより、基板の外周端部に一対の下チャックおよび一対の上チャックが接する状態で、洗浄対象となる基板が保持される。下面洗浄装置は、上側保持装置により保持される基板の下面中央領域をさらに洗浄する。このとき、基板の下面中央領域には、洗浄液が供給される。下面中央領域の洗浄後には、基板への洗浄液の供給が停止され、基板の下面に気体噴出部から気体が噴射される。気体噴射部と基板の下面との間でカーテン状の気体の流れが形成される。この状態で、気体噴出部が基板の外周端部に向かって移動する。基板に付着する洗浄液は、気体噴出部の移動とともに、基板の外方に向かって基板の下面上を移動し、除去される。それにより、基板の下面中央領域が乾燥する。
特開２０２２－５１０２９号公報
　上記のように、特許文献１に記載された基板洗浄装置においては、基板の下面外側領域の洗浄後に、基板を回転することにより振り切り乾燥（スピン乾燥）が行われる。それにより、基板の下面外側領域に付着する洗浄液の液滴が適切に除去される。
　一方、基板の下面中央領域の洗浄後に、水平姿勢で回転することなく保持される基板に気体が噴射される。それにより、基板の下面中央領域に付着する洗浄液の液滴が除去される。このように、基板に付着する液滴を気体の噴射によってのみ除去する場合には、例えば基板の下面から除去された液滴が基板の外周端部周辺で飛散し、浮遊する可能性がある。基板の外周端部周辺で飛散し、浮遊する液滴が基板に再付着すると、基板の清浄度が低下する。また、基板に付着する液滴を気体の噴射によってのみ除去する場合には、例えば基板に付着する液滴が基板の下面上で意図しない方向に移動することにより、基板の下面に残留する可能性がある。乾燥処理後の基板に液滴が付着していると、基板の清浄度が低下する。
　本発明の目的は、乾燥処理後の基板の清浄度を向上させることが可能な基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置を提供することである。
　本発明の一局面に従う基板下面乾燥装置は、基板を保持する第１の基板保持部と、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に下方から気体を噴射する第１の気体噴射部と、前記第１の気体噴射部による前記基板への気体の噴射時に、平面視で前記第１の基板保持部により保持された前記基板の外縁の少なくとも一部に向けて前記第１の基板保持部により保持される前記基板の上方から気体を噴射する第２の気体噴射部とを備える。
　本発明の他の局面に従う基板洗浄装置は、上記の基板下面乾燥装置と、第１の洗浄部と、前記基板の下面中央領域の少なくとも一部を吸着保持しつつ前記基板を回転させる第２の基板保持部と、前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板の下面外側領域を洗浄する第２の洗浄部と、制御部とを備え、前記基板下面乾燥装置が備える前記第１の基板保持部は、前記基板の外縁に当接することにより前記基板を保持可能に構成され、前記第１の洗浄部は、前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面中央領域を洗浄し、前記制御部は、前記第２の洗浄部により前記基板の下面外側領域を洗浄する第１の洗浄処理、前記第１の洗浄処理により前記基板の下面外側領域に付着した液滴を除去する第１の乾燥処理、前記第１の洗浄部により前記基板の下面中央領域を洗浄する第２の洗浄処理、および前記第２の洗浄処理により前記基板の下面中央領域に付着した液滴を前記基板下面乾燥装置により除去する第２の乾燥処理がこの順で行われるように、前記基板下面乾燥装置、前記第１の洗浄部、前記第２の基板保持部および前記第２の洗浄部を制御する。
　本発明のさらに他の局面に従う基板下面乾燥装置は、基板を保持する第１の基板保持部と、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に下方から気体を噴射する第１の気体噴射部と、前記第１の気体噴射部による気体の噴射時に、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に対して前記第１の気体噴射部が相対的に前記基板に平行な第１の方向に向かって進行するように移動させる相対的移動部とを備え、前記基板の下面のうち前記第１の気体噴射部から噴射された気体を受ける気体衝突領域は、前記基板に平行でかつ前記第１の方向に直交する第２の方向において互いに離間する第１の端部および第２の端部と、前記第１の端部と前記第２の端部との間で連続的に延びる連続帯状部とを有し、前記連続帯状部の一部分は、前記第１の方向において前記第１の端部および前記第２の端部よりも後方に位置するとともに、前記連続帯状部の他の部分に比べて前記第１の方向において最も後方に位置する。
　本発明のさらに他の局面に従う基板洗浄装置は、上記の基板下面乾燥装置と、第１の洗浄部と、前記基板の前記下面中央領域の少なくとも一部を吸着保持しつつ前記基板を回転させる第２の基板保持部と、前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板の下面外側領域を洗浄する第２の洗浄部と、制御部とを備え、前記基板下面乾燥装置が備える前記第１の基板保持部は、前記基板の外縁に当接することにより前記基板を保持可能に構成され、前記第１の洗浄部は、前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面中央領域を洗浄し、前記制御部は、前記第２の洗浄部により前記基板の下面外側領域を洗浄する第１の洗浄処理、前記第１の洗浄処理により前記基板の下面外側領域に付着した液滴を除去する第１の乾燥処理、前記第１の洗浄部により前記基板の下面中央領域を洗浄する第２の洗浄処理、および前記第２の洗浄処理により前記基板の下面中央領域に付着した液滴を前記基板下面乾燥装置により除去する第２の乾燥処理がこの順で行われるように、前記基板下面乾燥装置、前記第１の洗浄部、前記第２の基板保持部および前記第２の洗浄部を制御する。
　本発明によれば、乾燥処理後の基板の清浄度を向上させることが可能となる。
図１は第１の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。 図２は図１の基板洗浄装置の内部構成を示す斜視図である。 図３は図１の制御部による基板洗浄乾燥処理を示すフローチャートである。 図４は基板洗浄乾燥処理のうち一部の処理が行われる際の基板洗浄装置の動作状態を示す図である。 図５は基板洗浄乾燥処理のうち一部の処理が行われる際の基板洗浄装置の動作状態を示す図である。 図６は上側保持装置により保持された基板の下面乾燥の開始時における乾燥装置の状態を示す模式的平面図である。 図７は上側保持装置により保持された基板の下面乾燥時における乾燥装置の動作状態を示す図である。 図８は上側保持装置により保持された基板の下面乾燥時における乾燥装置の動作状態を示す図である。 図９は上側保持装置により保持された基板の下面乾燥時における乾燥装置の動作状態を示す図である。 図１０は第１の実施の形態に係る第１の気体噴射部の変形例を説明するための模式的平面図である。 図１１は第２の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。 図１２は第３の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。 図１３は他の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。
　以下、本発明の実施の形態に係る基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板（ウエハ）、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、以下の説明では、基板の上面が回路形成面（表面）であり、基板の下面が回路形成面と反対側の面（裏面）である。また、基板は、ノッチを除いて円形状を有する。
　さらに、以下の説明において、水平とは実質的に水平であることを意味し、厳密には、所定の水平面に対して平行であること、および所定の水平面に対してある程度の角度範囲（例えば１０°の角度範囲）内で傾斜していることも含む。また、鉛直とは実質的に鉛直であることを意味し、厳密には、所定の鉛直面に平行であること、および所定の鉛直面に対してある程度の角度範囲（例えば１０°の角度範囲）内で傾斜していることも含む。
　１．第１の実施の形態
　＜１＞基板洗浄装置の構成
　図１は、第１の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図２は、図１の基板洗浄装置１の内部構成を示す斜視図である。本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。図１および図２以降の所定の図では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が適宜矢印で示される。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
　図１および図２に示すように、基板洗浄装置１は、略長方形状を有するユニット筐体２内に、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ、下側保持装置２０、台座装置３０、受渡装置４０、下面洗浄装置５０、カップ装置６０、上面洗浄装置７０、端部洗浄装置８０、開閉装置９０および乾燥装置１００が収容された構成を有する。図２では、ユニット筐体２が点線で示される。
　ユニット筐体２は、直方体形状を有し、矩形の底面部および底面部の４辺から上方に延びる４つの側壁部を含む。４つの側壁部のうち２つの側壁部はＹ方向において互いに対向する。４つの側壁部のうち他の２つの側壁部はＸ方向において互いに対向する。４つの側壁部のうち１つの側壁部中央には、基板Ｗの搬入搬出口２ｘが形成されている。搬入搬出口２ｘの近傍には、開閉装置９０が設けられている。開閉装置９０は、シャッタ９１を含み、シャッタ９１により搬入搬出口２ｘを開閉可能に構成されている。
　ユニット筐体２の底面部に、台座装置３０が設けられている。台座装置３０は、リニアガイド３１および可動台座３２を含む。リニアガイド３１は、Ｘ方向に並ぶ２本のレールを含み、Ｘ方向における底面部の中央部分を横切るようにＹ方向に延びている。台座装置３０は、リニアガイド３１の２本のレール上で、可動台座３２をＹ方向における複数の位置に移動させることが可能に構成されている。
　可動台座３２上に、下側保持装置２０および下面洗浄装置５０がＹ方向に並ぶように設けられている。下側保持装置２０は、可動台座３２の上面に固定され、吸着保持部２１を含む。吸着保持部２１は、いわゆるスピンチャックであり、基板Ｗの下面を吸着保持可能な円形の吸着面を有する。また、吸着保持部２１は、鉛直方向に延びる軸（Ｚ方向の軸）の周りで回転可能に構成される。下側保持装置２０は、吸着保持部２１により、基板Ｗの下面を吸着保持するとともに、吸着保持された基板Ｗを鉛直方向に延びる軸の周りで回転させる。以下の説明では、吸着保持部２１により基板Ｗが吸着保持される際に、基板Ｗの下面のうち吸着保持部２１の吸着面が吸着すべき領域を下面中央領域と呼ぶ。一方、基板Ｗの下面のうち下面中央領域を取り囲む領域を下面外側領域と呼ぶ。
　可動台座３２上には、下側保持装置２０の近傍に受渡装置４０が設けられている。受渡装置４０は、平面視で吸着保持部２１を取り囲みかつ鉛直方向に延びるように設けられた複数（本例では３本）の支持ピン４１を有する。複数の支持ピン４１は、予め定められた複数の高さ位置の間で昇降可能に設けられている。
　後述するように、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、下側保持装置２０よりも上方の位置で基板Ｗを保持可能に構成されている。受渡装置４０は、複数の支持ピン４１を昇降させることにより、下側保持装置２０に保持された基板Ｗを受け取って上側保持装置１０Ａ，１０Ｂに渡すことが可能である。また、受渡装置４０は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂに保持された基板Ｗを受け取って下側保持装置２０に渡すことが可能である。
　下面洗浄装置５０は、下面ブラシ５１、２つの液ノズル５２、昇降支持部５４、移動支持部５５を含む。移動支持部５５は、可動台座３２上の一定領域内で下側保持装置２０に対してＹ方向に移動可能に設けられている。図２に示すように、移動支持部５５上に、昇降支持部５４が昇降可能に設けられている。
　図１に示すように、下面ブラシ５１は、基板Ｗの下面に接触可能な円形の洗浄面を有する。また、下面ブラシ５１は、洗浄面が上方を向くようにかつ洗浄面が当該洗浄面の中心を通って鉛直方向に延びる軸の周りで回転可能となるように、昇降支持部５４に取り付けられている。下面ブラシ５１の洗浄面の面積は、吸着保持部２１の吸着面の面積よりも大きい。２つの液ノズル５２の各々は、下面ブラシ５１の近傍に位置しかつ液体噴射口が下面ブラシ５１の洗浄面を向くように、昇降支持部５４に取り付けられている。液ノズル５２には、図示しない洗浄液供給系が接続されている。
　下面洗浄装置５０は、例えば基板Ｗが下側保持装置２０または後述する上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された状態で、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に接するように昇降支持部５４を昇降させる。この状態で、下面洗浄装置５０は、２つの液ノズル５２から下面ブラシ５１に洗浄液を噴射させ、下面ブラシ５１を鉛直方向に延びる軸の周りで回転させる。これにより、基板Ｗの下面を洗浄することができる。
　なお、下面ブラシ５１がスポンジ状の部材で形成される場合には、基板Ｗに接触する前の下面ブラシ５１に液ノズル５２から洗浄液を噴射し、その下面ブラシ５１に予め洗浄液を浸み込ませてもよい。この場合、基板Ｗの下面に下面ブラシ５１を接触させた状態で、液ノズル５２から下面ブラシ５１へ洗浄液を噴射することなく基板Ｗの下面を洗浄することができる。
　カップ装置６０は、ユニット筐体２内の略中央部に設けられ、カップ６１を含む。カップ６１は、平面視で下側保持装置２０および台座装置３０の一部を取り囲むようにかつ昇降可能に設けられている。図２においては、カップ６１が点線で示される。カップ６１は、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面におけるどの部分を洗浄するのかに応じて、予め定められた下カップ位置と上カップ位置との間で移動する。下カップ位置はカップ６１の上端部が吸着保持部２１により吸着保持される基板Ｗよりも下方にある高さ位置である。また、上カップ位置はカップ６１の上端部が吸着保持部２１よりも上方にある高さ位置である。
　上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、カップ６１よりも上方の高さ位置に設けられている。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、平面視で台座装置３０を挟んで対向する。上側保持装置１０Ａは、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａを含む。上側保持装置１０Ｂは、下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂを含む。
　下チャック１１Ａ，１１Ｂは、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。下チャック１１Ａ，１１Ｂの各々は、基板Ｗの下面外側領域を基板Ｗの下方から支持可能な２本の支持片を有する。上チャック１２Ａ，１２Ｂは、下チャック１１Ａ，１１Ｂと同様に、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。上チャック１２Ａ，１２Ｂの各々は、基板Ｗの外周端部の２つの部分に当接して基板Ｗの外周端部を保持可能に構成された２本の保持片を有する。
　上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａと、下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂとの間の距離を調整する。それにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａと下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂとの間で基板Ｗを挟み込むことにより、下側保持装置２０の上方の位置で基板Ｗを保持することが可能である。また、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａと下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂとを互いに遠ざけることにより、保持された基板Ｗを解放することが可能である。
　図１に示すようにカップ６１の一側方に上面洗浄装置７０が設けられている。図２に示すように、上面洗浄装置７０は、回転支持軸７１、アーム７２およびスプレーノズル７３を含む。回転支持軸７１は、鉛直方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能に設けられている。アーム７２は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂよりも上方の位置で、回転支持軸７１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム７２の先端部には、スプレーノズル７３が取り付けられている。スプレーノズル７３には、図示しない流体供給系が接続されている。図示しない流体供給系からスプレーノズル７３に洗浄液および気体が供給される。それにより、スプレーノズル７３において洗浄液と気体とが混合され、混合流体が生成される。生成された混合流体は、スプレーノズル７３から下方に向かって噴射される。
　上面洗浄装置７０は、例えば基板Ｗが下側保持装置２０により保持されて回転する状態で、スプレーノズル７３が基板Ｗの上方を移動するように、回転支持軸７１の高さ位置を調整し、回転支持軸７１を回転させる。この状態で、上面洗浄装置７０は、スプレーノズル７３から基板Ｗに混合流体を噴射させる。それにより、基板Ｗの上面全体を洗浄することができる。
　図１に示すように、カップ６１の他側方に端部洗浄装置８０が設けられている。図２に示すように、端部洗浄装置８０は、回転支持軸８１、アーム８２およびベベルブラシ８３を含む。回転支持軸８１は、鉛直方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能に設けられている。アーム８２は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂよりも上方の位置で、回転支持軸８１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム８２の先端部には、下方に向かって突出するようにかつ鉛直方向の軸の周りで回転可能となるようにベベルブラシ８３が設けられている。
　端部洗浄装置８０は、例えば基板Ｗが下側保持装置２０により保持されて回転する状態で、基板Ｗの外周端部にベベルブラシ８３が接触するように、回転支持軸８１を回転させ、回転支持軸８１の高さ位置を調整する。端部洗浄装置８０は、さらに、アーム８２の先端部に設けられるベベルブラシ８３を鉛直方向の軸の周りで回転させる。それにより、基板Ｗの外周端部全体を洗浄することができる。
　図１に示すように、乾燥装置１００は、第１の気体噴射部１１０および第２の気体噴射部１２０を含む。第１の気体噴射部１１０は、気体噴射口１１１を有する気体噴射ノズルである。気体噴射口１１１は、平面視で２本の直線と１つの屈曲点とを含む折れ線に沿って連続して延びるスリットである。第１の気体噴射部１１０は、平面視で下面洗浄装置５０の下面ブラシ５１と下側保持装置２０との間に位置しかつ気体噴射口１１１が上方を向くように、下面洗浄装置５０の昇降支持部５４に取り付けられている。
　第１の気体噴射部１１０には、図示しない噴出気体供給系が接続されている。本実施の形態では、噴出気体供給系から第１の気体噴射部１１０に供給される気体として窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。第１の気体噴射部１１０は、例えば基板Ｗの下面の乾燥時に、図示しない噴出気体供給系から供給される気体を上方に向けて噴射する。それにより、平面視で下面洗浄装置５０の下面ブラシ５１上の空間と下側保持装置２０の吸着保持部２１上の空間とを区画するような気体の流れが形成される。
　第２の気体噴射部１２０は、気体噴射口１２１を有する気体噴射ノズルである。気体噴射口１２１は、平面視で基板Ｗの外周端部の一部に対応する円弧に沿って連続して延びるように形成されている。第２の気体噴射部１２０は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂよりも上方の位置で、図示しないブラケットを介してユニット筐体２に取り付けられている。この状態で、第２の気体噴射部１２０の気体噴射口１２１は、下方を向くとともに、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの外周端部の一部に対向している。また、第２の気体噴射部１２０は、平面視で気体噴射口１２１がＸ方向において第１の気体噴射部１１０の気体噴射口１１１をカバーする、すなわちＸ方向において気体噴射口１２１が気体噴射口１１１に重なるように位置決めされている。
　第２の気体噴射部１２０には、図示しない噴出気体供給系が接続されている。本実施の形態では、噴出気体供給系から第２の気体噴射部１２０に供給される気体として窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。第２の気体噴射部１２０は、例えば基板Ｗの下面の乾燥時に、図示しない噴出気体供給系から供給される気体を基板Ｗの外周端部の一部に向けて噴射する。この場合、平面視で基板Ｗが存在する空間と基板Ｗの外方の空間とを区画するような気体の流れが形成される。
　本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面を乾燥させるために、第１の気体噴射部１１０および第２の気体噴射部１２０から基板Ｗに向けて気体が噴射される。それにより、乾燥処理後の基板Ｗの清浄度が向上する。この詳細については後述する。
　図１に示すように、基板洗浄装置１は、制御部９をさらに含む。制御部９は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリまたはマイクロコンピュータを含む。メモリには、基板洗浄乾燥プログラムが記憶されている。制御部９のＣＰＵは、メモリに記憶された基板洗浄乾燥プログラムを実行することにより、上記の各構成要素（１０Ａ，１０Ｂ，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０，１００）の動作を制御する。
　＜２＞基板洗浄乾燥処理
　以下、上記の基板洗浄装置１において図１の制御部９により実行される基板洗浄乾燥処理について説明する。図３は、図１の制御部９による基板洗浄乾燥処理を示すフローチャートである。図４および図５は、基板洗浄乾燥処理のうち一部の処理が行われる際の基板洗浄装置１の動作状態を示す図である。図４および図５の各々においては、上段に基板洗浄装置１の平面図が示され、中段にＹ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示され、下段にＸ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示される。中段の側面図は図１のＡ－Ａ線側面図に対応し、下段の側面図は図１のＢ－Ｂ線側面図に対応する。なお、基板洗浄装置１における各構成要素の形状および動作状態の理解を容易にするために、上段の平面図と中段および下段の側面図との間では、一部の構成要素の拡縮率が異なる。また、図４および図５では、カップ６１が二点鎖線で示される。また、図４および図５の上段の平面図では、基板Ｗの外形が太い一点鎖線で示される。さらに、図４および図５では、図１の第２の気体噴射部１２０の図示が省略されている。
　図３の基板洗浄乾燥処理は、制御部９のＣＰＵが記憶装置に記憶された基板洗浄乾燥プログラムを実行することにより行われる。初期状態で、台座装置３０は、下側保持装置２０の吸着保持部２１が平面視でカップ６１の中央に位置するように可動台座３２が位置決めされているものとする。
　まず、制御部９が、開閉装置９０を制御することにより、搬入搬出口２ｘを開放し、基板洗浄装置１の外部から搬入される基板Ｗをユニット筐体２内に受け入れる（ステップＳ１）。
　次に、制御部９は、受渡装置４０を制御することにより、基板Ｗを複数の支持ピン４１により受け取り、下側保持装置２０に渡す（ステップＳ２）。なお、基板洗浄装置１の外部から搬入される基板Ｗが、吸着保持部２１上に載置可能である場合、ステップＳ２の処理は省略されてもよい。ステップＳ１で開放された搬入搬出口２ｘは、基板Ｗが受渡装置４０により受け取られた後、シャッタ９１により閉塞される。
　次に、制御部９は、下側保持装置２０を制御することにより、基板Ｗの下面中央領域を吸着保持部２１で吸着保持する（ステップＳ３）。さらに、制御部９は、下側保持装置２０、台座装置３０、下面洗浄装置５０、上面洗浄装置７０、端部洗浄装置８０および乾燥装置１００を制御することにより、基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域の洗浄を行う（ステップＳ４）。
　上記のステップＳ４の処理時には、図４に示すように、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗが鉛直方向の軸の周りで回転する。この状態で、上面洗浄装置７０が動作することにより、図４に太い実線の矢印ａ１で示すように、スプレーノズル７３が回転する基板Ｗの上方の位置で移動する。基板Ｗの上面全体に混合流体が噴射されることにより、基板Ｗの上面全体が洗浄される。基板Ｗの上面全体の洗浄が終了すると、スプレーノズル７３は、予め定められた待機位置（平面視でカップ６１の一側方の位置）に移動する。
　また、端部洗浄装置８０が動作することにより、図４に太い実線の矢印ａ２で示すように、ベベルブラシ８３が基板Ｗの外周端部の上方の位置まで移動し、下降する。それにより、ベベルブラシ８３が基板Ｗの外周端部に接触する。この状態で、ベベルブラシ８３が鉛直方向の軸の周りで回転（自転）することにより、基板Ｗの外周端部が洗浄される。基板Ｗの外周端部の洗浄が終了すると、ベベルブラシ８３は、予め定められた待機位置（平面視でカップ６１の他側方の位置）に移動する。
　さらに、下面洗浄装置５０が動作することにより、下面ブラシ５１の洗浄面（上面）が基板Ｗの下面外側領域に押し当てられ、下面ブラシ５１が鉛直方向の軸の周りで回転する。また、液ノズル５２から下面ブラシ５１に洗浄液が噴射される。また、図４に太い実線の矢印ａ３で示すように、移動支持部５５が可動台座３２上でＹ方向に進退動作する。それにより、基板Ｗの下面外側領域が下面ブラシ５１により洗浄される。基板Ｗの下面外側領域の洗浄が終了すると、下面ブラシ５１は、回転を停止し、基板Ｗから離間した待機位置まで下降する。また、液ノズル５２から下面ブラシ５１への洗浄液の噴射が停止される。
　なお、基板Ｗの下面外側領域の洗浄時には、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗの下面に向かって気体が噴射される。それにより、下面ブラシ５１から飛散する洗浄液の液滴が基板Ｗの下面中央領域および下側保持装置２０に付着することが抑制される。
　基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域の洗浄終了後、制御部９は、下側保持装置２０を制御することにより、基板Ｗを高速で回転させ、基板Ｗの全体を乾燥させる（ステップＳ５）。基板Ｗを高速で回転させて基板Ｗの全体を乾燥させる乾燥方法は、スピン乾燥と呼ばれる。
　次に、制御部９は、受渡装置４０を制御することにより、基板Ｗを複数の支持ピン４１により下側保持装置２０から受け取り、受け取られた基板Ｗを上側保持装置１０Ａ，１０Ｂに渡す（ステップＳ６）。このとき、制御部９は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂを制御することにより、下側保持装置２０の上方の位置で基板Ｗの外周端部を保持する（ステップＳ７）。その後、制御部９は、下側保持装置２０、台座装置３０および乾燥装置１００を制御することにより、基板Ｗの下面中央領域の洗浄を行う（ステップＳ８）。
　上記のステップＳ８の処理時には、図５に示すように、基板Ｗは、回転されることなく、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより水平姿勢で保持される。この状態で、台座装置３０が動作することにより、下面ブラシ５１の洗浄面が基板Ｗの下面中央領域に対向するように位置決めされる。また、下面洗浄装置５０が動作することにより、下面ブラシ５１の洗浄面（上面）が基板Ｗの下面中央領域に押し当てられ、下面ブラシ５１が鉛直方向の軸の周りで回転する。また、液ノズル５２から下面ブラシ５１に洗浄液が噴射される。それにより、基板Ｗの下面中央領域が下面ブラシ５１により洗浄される。基板Ｗの下面中央領域の洗浄が終了すると、下面ブラシ５１は、回転を停止し、基板Ｗから離間した待機位置まで下降する。
　基板Ｗの下面中央領域の洗浄時には、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗの下面に向かって気体が噴射される。それにより、下面ブラシ５１から飛散する洗浄液の液滴が、平面視で第１の気体噴射部１１０を基準としてＹ方向における下面ブラシ５１とは反対側の領域に向かって飛散することが防止される。なお、下面ブラシ５１の回転速度が低いことにより、下面ブラシ５１からほとんど液滴が飛散しない場合には、基板Ｗの下面中央領域の洗浄中に、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗの下面に向かって気体が噴射されなくてもよい。
　基板Ｗの下面中央領域の洗浄終了後、制御部９は、台座装置３０および乾燥装置１００を制御することにより、基板Ｗを回転させることなく基板Ｗの下面全体を乾燥させる（ステップＳ９）。以下の説明では、ステップＳ９における基板Ｗの下面の乾燥を下面乾燥と呼ぶ。乾燥装置１００による基板Ｗの下面乾燥の詳細については、乾燥装置１００による乾燥のメカニズムとともに後述する。
　最後に、制御部９が、開閉装置９０を制御することにより、搬入搬出口２ｘを開放する。それにより、基板Ｗが基板洗浄装置１の外部に搬送され（ステップＳ１０）、洗浄乾燥処理が終了する。ステップＳ１０で開放された搬入搬出口２ｘは、基板Ｗが搬出された後、シャッタ９１により閉塞される。
　なお、制御部９は、上記の一連の処理のうちステップＳ４，Ｓ５の処理中、カップ装置６０を制御することにより、カップ６１を上カップ位置に保持する。それにより、基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域の洗浄時、および基板Ｗのスピン乾燥時に基板Ｗから飛散する液滴は、カップ６１により受け止められ、基板洗浄装置１の外部に排出される。また、制御部９は、上記の一連の処理のうちステップＳ４，Ｓ５を除く処理（ステップＳ１～Ｓ３，Ｓ６～Ｓ１０）の間、カップ装置６０を制御することにより、カップ６１を下カップ位置に保持する。
　＜３＞乾燥装置１００による基板Ｗの下面の乾燥
　図６は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面乾燥の開始時における乾燥装置１００の状態を示す模式的平面図である。図６では、基板Ｗの外形が太い一点鎖線で示される。また、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが太い実線の枠により模式的に示される。さらに、基板Ｗの下面における下面中央領域Ｒ１と下面外側領域Ｒ２との境界が二点鎖線で示される。
　上記のように、乾燥装置１００は、第１の気体噴射部１１０および第２の気体噴射部１２０を含む。第１の気体噴射部１１０は、主として、下面中央領域Ｒ１に付着する液滴を基板Ｗの外周端部に向けて移動させ、落下させるために用いられる。そのため、第１の気体噴射部１１０は、基板Ｗの下面乾燥の開始時において、平面視で下面中央領域Ｒ１と基板Ｗの外周端部との間に配置される。
　本例では、第１の気体噴射部１１０は、基板Ｗの下面乾燥の開始時に、平面視でＹ方向における基板Ｗの外周端部と下面中央領域Ｒ１との間に位置する。また、本例の第１の気体噴射部１１０は、基板Ｗの下面乾燥の開始後、図１の台座装置３０の動作により、気体を噴射しつつ下面中央領域Ｒ１に向く方向（以下、乾燥進行方向と呼ぶ。）ＦＤに水平移動する。図６では、乾燥進行方向ＦＤが白抜きの矢印で示される。
　第２の気体噴射部１２０は、主として第１の気体噴射部１１０により基板Ｗの外周端部に移動された基板Ｗの下面上の液滴を、基板Ｗの外周端部から下方に向けて強制的に落下させるために用いられる。そのため、第２の気体噴射部１２０は、平面視で第１の気体噴射部１１０の進行経路上に位置する。第２の気体噴射部１２０は、気体噴射口１２１から基板Ｗの外周端部の一部に向けて気体を噴射する。それにより、平面視で基板Ｗの外周端部の一部に隣り合う空間を通過する気体により、基板Ｗの外周端部の一部から下方に向かう気体の流れが形成される。
　ここで、基板Ｗの下面のうち第１の気体噴射部１１０から噴射された気体を受ける領域を気体衝突領域ＡＲと呼ぶ。図６では、気体衝突領域ＡＲがハッチングが施された一点鎖線の枠により示される。
　図６に示すように、本例の気体衝突領域ＡＲは、折れ線状に連続的に延びており、第１の端部ｐ１１および第２の端部ｐ１２を有する。第１の端部ｐ１１および第２の端部ｐ１２は、乾燥進行方向ＦＤに直交するＸ方向において互いに離間している。
　また、気体衝突領域ＡＲは、第１の端部ｐ１１と第２の端部ｐ１２との間に、第１の帯状部ｂ１および第２の帯状部ｂ２を有する。第１の帯状部ｂ１は、第１の端部ｐ１１から第２の端部ｐ１２に向かって乾燥進行方向ＦＤを基準とする斜め後方に直線状に延びている。第２の帯状部ｂ２は、第２の端部ｐ１２から第１の端部ｐ１１に向かって乾燥進行方向ＦＤを基準とする斜め後方に直線状に延びている。乾燥進行方向ＦＤを基準とする第１の帯状部ｂ１の後端部および乾燥進行方向ＦＤを基準とする第２の帯状部ｂ２の後端部は、互いに接続されている。第１の帯状部ｂ１と第２の帯状部ｂ２との接続部を、屈曲部ｐ１３とする。本例の気体衝突領域ＡＲにおいては、屈曲部ｐ１３は、乾燥進行方向ＦＤの最も後方でかつＸ方向における基板Ｗの中心部に位置する。第１の帯状部ｂ１と第２の帯状部ｂ２との間の角度は、例えば４５°以上１８０°未満の範囲内に設定される。
　第１の気体噴射部１１０は、気体衝突領域ＡＲのＸ方向の長さｄ１が、下面中央領域Ｒ１のＸ方向の最大長さｄ２以上となるように構成されている。また、第１の気体噴射部１１０および第２の気体噴射部１２０は、気体衝突領域ＡＲのＸ方向の長さｄ１が、気体噴射口１２１から気体を受ける基板Ｗの一部分のＸ方向の長さｄ３よりも小さくなるように構成されている。
　図７～図９は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面乾燥時における乾燥装置１００の動作状態を示す図である。図７～図９の各々では、上段に乾燥装置１００の動作状態を示す模式的平面図が示され、下段に上段のＱ－Ｑ線における模式的端面図が示される。模式的平面図では、図６の模式的平面図と同様の方法で、各種構成要素および気体衝突領域ＡＲ等が示される。模式的端面図では、第１の気体噴射部１１０から噴射される気体がＹ方向に幅および広がりを持つことが理解しやすいように、第１の気体噴射部１１０から噴射される気体の流れが２本の太い矢印ａａ１で示される。また、第２の気体噴射部１２０から噴射される気体がＹ方向に幅を持つことが理解しやすいように、第２の気体噴射部１２０から噴射される気体の流れが２本の太い矢印ａａ２で示される。
　図７に示すように、基板Ｗの下面乾燥の開始時点で、下面中央領域Ｒ１には図３のステップＳ８による洗浄時に用いられた洗浄液の液滴ｄｒが多数付着している。一方、下面外側領域Ｒ２には、洗浄液の液滴ｄｒは存在しない。この状態で、図７の下段の端面図に太い矢印ａａ１で示すように、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗの下面に気体が噴射される。このとき、基板Ｗの下面上では、図７の下段の吹き出しＢＡ１に拡大して示すように、気体衝突領域ＡＲに衝突した気体の一部は、気体衝突領域ＡＲの側方に流れる（複数の矢印ｂｂ１参照）。
　また、図７の下段の端面図に太い矢印ａａ２で示すように、第２の気体噴射部１２０から基板Ｗの外周端部の一部に気体が噴射される。このとき、基板Ｗの外周端部近傍では、図７の下段の吹き出しＢＡ２に拡大して示すように、基板Ｗの外周端部に隣り合う空間を通過する気体の大部分が、基板Ｗの外周端部から下方に向かって流れる（複数の矢印ｂｂ２参照）。また、基板Ｗの外周端部またはその近傍部分に衝突した気体の一部が、基板Ｗの外周端部から側方斜め下方に向かって流れる（複数の矢印ｂｂ３参照）。さらに、第１の気体噴射部１１０が乾燥進行方向ＦＤに進行する。
　図８に示すように、第１の気体噴射部１１０が乾燥進行方向ＦＤにある程度進行すると、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒは、気体衝突領域ＡＲの移動とともに基板Ｗの外周端部に向かって乾燥進行方向ＦＤに移動する。具体的には、図８の上段において複数の矢印ｂｂ１で示すように、第１の帯状部ｂ１の進行経路上に位置する液滴ｄｒに、平面視で第１の帯状部ｂ１に対して直交する方向に向かう気体の流れが作用する。換言すれば、第１の帯状部ｂ１の進行経路上に位置する液滴ｄｒに、当該液滴ｄｒが平面視で乾燥進行方向ＦＤの前方かつＸ方向における基板Ｗの中心部に向かって流れるように第１の帯状部ｂ１からの気体の流れが作用する。それにより、第１の帯状部ｂ１の進行経路上に位置する液滴ｄｒは、気体衝突領域ＡＲが乾燥進行方向ＦＤに移動するとともに、第１の帯状部ｂ１に沿って気体衝突領域ＡＲの屈曲部ｐ１３に導かれる。
　また、図８の上段において複数の矢印ｂｂ１で示すように、第２の帯状部ｂ２の進行経路上に位置する液滴ｄｒに、平面視で第２の帯状部ｂ２に対して直交する方向に向かう気体の流れが作用する。換言すれば、第１の帯状部ｂ１の進行経路上に位置する液滴ｄｒに、当該液滴ｄｒが平面視で乾燥進行方向ＦＤの前方かつＸ方向における基板Ｗの中心部に向かって流れるように第２の帯状部ｂ２からの気体の流れが作用する。それにより、第２の帯状部ｂ２の進行経路上に位置する液滴ｄｒは、気体衝突領域ＡＲが乾燥進行方向ＦＤに移動するとともに、第２の帯状部ｂ２に沿って気体衝突領域ＡＲの屈曲部ｐ１３に導かれる。
　このようなメカニズムにより、基板Ｗの下面上で、気体衝突領域ＡＲの進行経路上に位置する液滴ｄｒが、Ｘ方向において気体衝突領域ＡＲから外れるように移動することが防止される。したがって、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に付着する液滴ｄｒが、基板Ｗの下面上で気体衝突領域ＡＲの進行経路から外れる方向に移動し、基板Ｗの下面上に残留することが防止される。
　その後、図９に示すように、第１の気体噴射部１１０が基板Ｗの外周端部に到達すると、気体衝突領域ＡＲとともに基板Ｗの下面上を移動した液滴ｄｒは、基板Ｗの外周端部の一部から下方に向かう気体の流れにより強制的に落下する（図７の下段吹き出しＢＡ２内の複数の矢印ｂｂ２参照）。それにより、基板Ｗの下面から除去された液滴が、基板Ｗの外周端部の近傍で飛散し、浮遊することが低減される。したがって、基板Ｗの下面から除去された液滴ｄｒが基板Ｗの上方に移動し、基板Ｗの上面に再付着することが低減される。これらの結果、下面乾燥処理後の基板Ｗの清浄度が向上する。なお、基板Ｗの外方に向かう水平方向への気体の流れについては、その流れが発生しないか、またはその流れが発生しても無視できる程度となるように、第２の気体噴射部１２０の気体の噴射方向および噴射流量が調整されている。
　なお、上記の実施例では、台座装置３０の動きに伴って、第１の気体噴射部１１０が、基板Ｗに対して乾燥進行方向ＦＤに移動する。それにより、下面乾燥が行われる。しかしながら、本発明は、当該構成に限定されない。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、基板Ｗを保持した状態で乾燥進行方向ＦＤと逆の方向に移動可能に構成されてもよい。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが乾燥進行方向ＦＤと逆の方向に移動することにより、第１の気体噴射部１１０が、基板Ｗに対して相対的に乾燥進行方向ＦＤに移動する。それにより、下面乾燥が行われる。この下面乾燥時には、第１の気体噴射部１１０が乾燥進行方向ＦＤに移動してもよい。
　これらの場合、第２の気体噴射部１２０は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂとともに乾燥進行方向ＦＤと逆の方向に移動可能に構成される。これにより、第２の気体噴射部１２０は、下面乾燥時に基板Ｗの外周端部の一部に対して常に気体を噴射するように、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂに連動して動作する。
　＜４＞第１の気体噴射部１１０の変形例
　本実施の形態に係る第１の気体噴射部１１０は、以下の構成を有してもよい。図１０は、第１の実施の形態に係る第１の気体噴射部１１０の変形例を説明するための模式的平面図である。図１０では、図６の模式的平面図と同様の方法で、各種構成要素および気体衝突領域ＡＲ等が示される。
　図１０に示すように、本変形例に係る第１の気体噴射部１１０は、気体衝突領域ＡＲが湾曲した曲線状に連続的に延びるように構成される。より具体的には、本変形例の第１の気体噴射部１１０に対応する気体衝突領域ＡＲは、第１の端部ｐ２１および第２の端部ｐ２２を有する。第１の端部ｐ２１および第２の端部ｐ２２は、乾燥進行方向ＦＤに直交するＸ方向において互いに離間し、乾燥進行方向ＦＤにおいて同じ位置にある。
　また、気体衝突領域ＡＲは、第１の端部ｐ２１と第２の端部ｐ２２との間に、帯状部ｂ３を有する。帯状部ｂ３は、乾燥進行方向ＦＤを基準として後方に膨らむように湾曲した曲線状に延びている。この気体衝突領域ＡＲにおいては、帯状部ｂ３の略中央部が乾燥進行方向ＦＤの最も後方に位置する。
　本変形例に係る第１の気体噴射部１１０を用いて基板Ｗの下面乾燥を行う場合においても、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒは、気体衝突領域ＡＲの移動とともに基板Ｗの外周端部に向かって乾燥進行方向ＦＤに移動する。このとき、液滴ｄｒは、乾燥進行方向ＦＤを基準とする帯状部ｂ３の前縁に沿って気体衝突領域ＡＲの略中央に導かれる。それにより、基板Ｗの下面上で、Ｘ方向において気体衝突領域ＡＲから外れるように洗浄液の液滴ｄｒが移動することが防止される。したがって、図１の第１の気体噴射部１１０を用いる場合と同様に、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒが、基板Ｗの下面上で気体衝突領域ＡＲの進行経路から外れる方向に移動し、基板Ｗの下面上に残留することが防止される。
　＜５＞第１の実施の形態の効果
　本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、第１の気体噴射部１１０は、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の乾燥時に、基板Ｗの下面に気体を噴射しつつ、下面中央領域Ｒ１を通るように乾燥進行方向ＦＤに移動する。それにより、下面中央領域Ｒ１に付着する液滴ｄｒが基板Ｗの外周端部に移動する。
　第１の気体噴射部１１０は、基板Ｗの下面上で連続的に延びる気体衝突領域ＡＲが折れ線状または湾曲した曲線状となるように構成されている。気体衝突領域ＡＲの中央部は、気体衝突領域ＡＲの両端部に比べて乾燥進行方向ＦＤの後方に位置する。そのため、気体衝突領域ＡＲは、その一端部から後端部までの間に、平面視で乾燥進行方向ＦＤに対して傾斜する直線部または曲線部を有する。また、気体衝突領域ＡＲは、その他端部から後端部までの間に、平面視で乾燥進行方向ＦＤに対して傾斜する直線部または曲線部を有する。これにより、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒは、第１の気体噴射部１１０の乾燥進行方向ＦＤへの進行時に、気体衝突領域ＡＲの中央部に導かれる。それにより、基板Ｗの下面上で、Ｘ方向において気体衝突領域ＡＲから外れるように洗浄液の液滴ｄｒが移動することが防止される。したがって、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に付着する液滴ｄｒが、基板Ｗの下面上で気体衝突領域ＡＲの進行経路から外れる方向に移動し、基板Ｗの下面上に残留することが防止される。
　また、第２の気体噴射部１２０は、基板Ｗの外周端部の一部に向けて上方から気体を噴射する。基板Ｗの外周端部の一部から下方に向かう気体の流れが形成される。それにより、第１の気体噴射部１１０により基板Ｗの外周端部に移動した液滴ｄｒが、基板Ｗの外周端部の一部から強制的に落下する。したがって、基板Ｗの下面から除去された液滴ｄｒが基板Ｗの上方に移動し、基板Ｗの上面に再付着することが低減される。これらの結果、下面乾燥処理後の基板Ｗの清浄度が向上する。
　上記の基板洗浄装置１においては、下側保持装置２０により基板Ｗの下面中央領域Ｒ１が吸着保持された状態で、基板Ｗが回転される。また、基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域Ｒ２の洗浄が行われる。さらに、基板Ｗがスピン乾燥される。
　その後、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより基板Ｗが保持された状態で、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１が洗浄され、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の乾燥処理が行われる。それにより、スピン乾燥時に、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に下側保持装置２０の吸着保持部２１による吸着痕が形成される場合でも、その吸着痕が、下面中央領域Ｒ１の洗浄により除去される。また、下面中央領域Ｒ１の乾燥時には、上記の乾燥装置１００が用いられる。それにより、上記の一連の処理後の基板の全体の清浄度が向上する。
　２．第２の実施の形態
　第２の実施の形態に係る基板洗浄装置について、第１の実施の形態に係る基板洗浄装置１と異なる点を説明する。図１１は、第２の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図１１に示すように、本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、第１の気体噴射部１１０は、Ｘ方向に直線状に延びる気体噴射口１１１を有する。そのため、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に付着した液滴を除去するための乾燥時に、気体衝突領域ＡＲがＸ方向に延びる１本の直線状に形成される。このような場合でも、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の乾燥時には、気体衝突領域ＡＲの移動により基板Ｗの外周端部に到達した液滴ｄｒが、第２の気体噴射部１２０により形成される気体の流れにより、基板Ｗの下方に強制的に落下する。それにより、基板Ｗの下面から除去された液滴が、基板Ｗの外周端部の近傍で飛散し、浮遊することが低減される。したがって、下面乾燥処理後の基板Ｗの清浄度が向上する。
　３．第３の実施の形態
　第３の実施の形態に係る基板洗浄装置について、第１の実施の形態に係る基板洗浄装置１と異なる点を説明する。図１２は、第３の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図１２に示すように、本実施の形態に係る基板洗浄装置１には、図１の第２の気体噴射部１２０が設けられていない。このような場合でも、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の乾燥時には、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗの下面に噴射される気体により、基板Ｗの下面上で、Ｘ方向において気体衝突領域ＡＲから外れるように洗浄液の液滴ｄｒが移動することが防止される。それにより、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒが、基板Ｗの下面上で気体衝突領域ＡＲの進行経路から外れる方向に移動し、基板Ｗの下面上に残留することが防止される。したがって、下面乾燥処理後の基板Ｗの清浄度が向上する。
　４．他の実施の形態
　（ａ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１において、図１の気体噴射口１１１は折れ線状または曲線状に連続して延びるスリットであるが、本発明はこれに限定されない。気体噴射口１１１は、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の乾燥時に、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗの下面に気体が噴射されることにより、気体衝突領域ＡＲが基板Ｗの下面上で連続して延びるように形成されていればよい。そのため、気体噴射口１１１は、例えば、断続的に延びるように複数のスリットが間隔をおいて配置された構成を有してもよいし、複数の孔が所定間隔で並ぶように形成された構成を有してもよい。
　（ｂ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１において、第１の気体噴射部１１０は、基板Ｗの下面に向けて鉛直方向（上向き）に気体を噴射するが、本発明はこれに限定されない。第１の気体噴射部１１０は、気体噴射口１１１から基板Ｗの下面に向けて、鉛直方向に対して傾斜した方向に気体を噴射するように構成されてもよい。より具体的には、第１の気体噴射部１１０は、例えば乾燥進行方向ＦＤ（進行方向前方）に向かって斜め上方に気体を噴射するように構成されてもよい。
　この場合、平面視で気体衝突領域ＡＲが気体噴射口１１１よりも乾燥進行方向ＦＤにおいて前方に位置することになる。そのため、平面視で第１の気体噴射部１１０が基板Ｗの外周端部に到達しない状態においても、基板Ｗの下面上の液滴ｄｒを基板Ｗの外周端部まで移動させることができる。それにより、第１の気体噴射部１１０の移動範囲を低減することができる。なお、第１の気体噴射部１１０の進行経路が平面視で基板Ｗの外周端部に到達しないように設定される場合、第２の気体噴射部１２０は、平面視で第１の気体噴射部１１０の進行経路の延長線上に重なるように配置される。
　上記の例の他、第１の気体噴射部１１０は、例えば乾燥進行方向ＦＤ（進行方向前方）に向かって斜め上方に向きかつ平面視で乾燥進行方向ＦＤに対して傾斜する方向に向いて気体を噴射するように構成されてもよい。さらに、第１の気体噴射部１１０は、複数の部分で、気体を噴射する方向が互いに異なるように構成されてもよい。
　（ｃ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、第２の気体噴射部１２０は、図示しないブラケットを介してユニット筐体２に固定されているが、本発明はこれに限定されない。第２の気体噴射部１２０は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの外周端部の上方の位置と、例えば平面視でカップ６１の側方に設定される待機位置との間で移動可能に構成されてもよい。
　（ｄ）第１および第２の実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、第１の気体噴射部１１０および台座装置３０が、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒを基板Ｗの外周端部に移動させるための構成として機能する。基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒを基板Ｗの外周端部に移動させるための構成は、上記の例に限定されない。
　例えば、下側保持装置２０が、上記の吸着保持部２１に代えて、回転軸を有するとともに当該回転軸上で基板Ｗの外周端部を保持しつつ当該基板Ｗを回転させることが可能な構成を有する場合を想定する。この場合、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒを基板Ｗの外周端部に移動させるための構成は、基板Ｗの下方から回転軸の軸心を通して基板Ｗの下面中心に気体を噴射する構成であってもよい。
　この構成が採用される場合には、さらに、基板Ｗの外周端部全体に渡って上方から気体を噴射するように、第２の気体噴射部１２０を構成する。それにより、基板Ｗの下面上で基板Ｗの外周端部全体に導かれる液滴ｄｒを、第２の気体噴射部１２０から噴射される気体により基板Ｗの外周端部から強制的に落下させることができる。
　（ｅ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に付着する液滴ｄｒを除去し、基板Ｗの下面を乾燥させるために乾燥装置１００が用いられるが、本発明はこれに限定されない。
　乾燥装置１００は、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に付着する液滴ｄｒに加えて、基板Ｗの下面外側領域Ｒ２に付着する液滴ｄｒを除去するために用いられてもよい。例えば、受渡装置４０の複数の支持ピン４１が、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの中心を通る鉛直方向の軸（以下、ピン回転軸と呼ぶ。）の周りで回転可能に構成される場合を想定する。
　この場合、例えば上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗについて乾燥装置１００による上記の下面乾燥処理が行われた後、その基板Ｗを受渡装置４０に受け取らせる。また、受渡装置４０において複数の支持ピン４１をピン回転軸の周りで回転させることにより、基板Ｗを水平面内で所定角度回転させる。その後、所定角度回転された基板Ｗを上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより再度保持させる。また、基板Ｗに対する第１の気体噴射部１１０の位置を下面乾燥処理の初期状態の位置に戻す。この状態で、乾燥装置１００による下面乾燥処理を行う。これらの一連の動作を繰り返すことができれば、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に限らず、下面外側領域Ｒ２についても、乾燥処理を行うことが可能になる。
　（ｆ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、基板洗浄乾燥処理時に、基板Ｗが下側保持装置２０により保持された状態で基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域Ｒ２の洗浄が行われ、基板Ｗのスピン乾燥が行われる。その後、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された状態で、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の洗浄および乾燥が行われる。しかしながら、本発明は、上記実施の形態の例に限定されない。基板洗浄装置１においては、最初に、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された状態で、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の洗浄および乾燥が行われてもよい。その後、基板Ｗが下側保持装置２０により保持された状態で、基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域Ｒ２の洗浄が行われ、スピン乾燥が行われてもよい。
　（ｇ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１には、基板Ｗの下面乾燥時に基板Ｗの下面の乾燥を促進するための構成がさらに設けられてもよい。図１３は、他の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図１３に示すように、本例の基板洗浄装置１は、図１の第１の実施の形態に係る基板洗浄装置１の構成に加えて、１または複数（本例では２つ）の高温気体供給部２００を備える。高温気体供給部２００は、乾燥装置１００による基板Ｗの下面乾燥時に、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗに、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗに噴射される気体よりも高い温度を有する高温気体を供給する。
　この場合、基板Ｗの下面乾燥時に、基板Ｗが高温気体により加熱され、基板Ｗの乾燥効率が向上する。なお、高温気体供給部２００は、基板Ｗの上面に高温気体を供給してもよいし、基板Ｗの下面に高温気体を供給してもよい。なお、高温気体としては、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗに噴射される気体と同じ気体（上記の例では不活性ガス）が供給されることが好ましい。
　（ｈ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、処理対象となる基板Ｗは、ノッチを除いて円形状を有するが、基板Ｗは矩形状を有してもよい。
　（ｉ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１および下面外側領域Ｒ２がともに下面洗浄装置５０により洗浄されるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗの下面中央領域Ｒ１を洗浄するための構成と、基板Ｗの下面外側領域Ｒ２を洗浄するための構成とが個別に設けられてもよい。
　５．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
　以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
　上記実施の形態においては、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが第１の基板保持部の例であり、第１の気体噴射部１１０が第１の気体噴射部の例であり、第２の気体噴射部１２０が第２の気体噴射部の例であり、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ、台座装置３０および乾燥装置１００を含む構成要素群が基板下面乾燥装置の例である。
　また、乾燥進行方向ＦＤが第１の方向の例であり、台座装置３０が相対的移動部の例であり、気体衝突領域ＡＲが気体衝突領域の例であり、Ｘ方向が第２の方向の例であり、第１の端部ｐ１１，ｐ２１が第１の端部の例であり、第２の端部ｐ１２，ｐ２２が第２の端部の例であり、第１の帯状部ｂ１、第２の帯状部ｂ２および帯状部ｂ３が連続帯状部の例であり、下面中央領域Ｒ１が乾燥対象領域の例である。
　また、屈曲部ｐ１３が連続帯状部の一部分および屈曲部の例であり、高温気体供給部２００が高温気体供給部の例であり、下面洗浄装置５０が第１の洗浄部および第２の洗浄部の例であり、下側保持装置２０が第２の基板保持部の例であり、制御部９が制御部の例である。
　また、図３の基板洗浄乾燥処理におけるステップＳ４の洗浄処理が第１の洗浄処理の例であり、図３の基板洗浄乾燥処理におけるステップＳ５のスピン乾燥処理が第１の乾燥処理の例であり、図３の基板洗浄乾燥処理におけるステップＳ８の洗浄処理が第２の洗浄処理の例であり、図３の基板洗浄乾燥処理におけるステップＳ９の下面乾燥処理が第２の乾燥処理の例である。
　６．実施の形態の総括
　（第１項）第１項に係る基板下面乾燥装置は、
　基板を保持する第１の基板保持部と、
　前記第１の基板保持部により保持された前記基板に下方から気体を噴射する第１の気体噴射部と、
　前記第１の気体噴射部による前記基板への気体の噴射時に、平面視で前記第１の基板保持部により保持された前記基板の外縁の少なくとも一部に向けて前記第１の基板保持部により保持される前記基板の上方から気体を噴射する第２の気体噴射部とを備える。
　その基板下面乾燥装置においては、第１の基板保持部により保持された基板に下方から気体が噴射される。それにより、基板の下面に付着した液滴が、第１の気体噴射部から噴射される気体により基板の外方の領域に向かって移動する。
　このとき、平面視で基板の外縁の少なくとも一部に向けて上方から気体が噴射され、基板の外縁の少なくとも一部から下方に向かう気体の流れが形成される。この場合、基板の下面上で第１の気体噴射部から噴射される気体により基板の外縁の少なくとも一部に向かって移動した液滴は、基板の外縁の少なくとも一部に噴射された気体により強制的に落下する。したがって、基板の下面から除去された液滴が、基板の外縁の近傍で飛散し、浮遊することが低減される。
　その結果、基板の下面から除去された液滴が基板の上方に移動し、基板の上面に再付着することが低減され、乾燥処理後の基板の清浄度が向上する。
　（第２項）第１項に記載の基板下面乾燥装置において、
　前記基板下面乾燥装置は、
　前記第１の気体噴射部による気体の噴射時に、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に対して前記第１の気体噴射部が相対的に第１の方向に向かって進行するように移動させる相対的移動部をさらに備え、
　前記第１の基板保持部により保持された前記基板の外縁の前記少なくとも一部は、平面視で前記第１の気体噴射部の進行経路上または前記進行経路の延長線上に位置してもよい。
　この場合、基板の下面に付着した液滴は、第１の気体噴射部から噴射される気体により、第１の気体噴射部の進行とともに第１の方向に移動する。それにより、基板の下面上で移動する液滴は、基板の外縁の少なくとも一部に到達し、第２の気体噴射部から噴射される気体により強制的に落下する。その結果、乾燥処理後の基板の清浄度がより向上する。
　（第３項）第２項に記載の基板下面乾燥装置において、
　前記基板の下面のうち前記第１の気体噴射部から噴射された気体を受ける気体衝突領域は、
　前記第１の方向に直交する第２の方向において互いに離間する第１の端部および第２の端部と、
　前記第１の端部と前記第２の端部との間で連続的に延びる連続帯状部とを有してもよい。
　この場合、気体衝突領域が基板の下面上で連続的に第２の方向に延びるように形成されているので、基板の下面において気体衝突領域が移動する領域上に液滴が残留することが防止される。
　（第４項）第３項に記載の基板下面乾燥装置において、
　前記第２の方向における前記気体衝突領域の前記第１の端部および前記第２の端部間の長さは、前記基板の下面のうち予め定められた乾燥対象領域の前記第２の方向の最大長さ以上であってもよい。
　この場合、乾燥対象領域の全体を通過するように気体衝突領域を移動させることにより、基板の下面における乾燥対象領域上に液滴が残留することが防止される。
　（第５項）第１項～第４項のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置において、
　前記基板下面乾燥装置は、
　前記第１の基板保持部により保持された前記基板に、前記第１の気体噴射部から前記基板に噴射される気体よりも高い温度を有する高温気体を供給する高温気体供給部をさらに備えてもよい。
　この場合、第１の気体噴射部および第２の気体噴射部により基板に付着する液滴が除去される際に、基板に高温気体を供給することができる。それにより、基板が高温気体により加熱され、基板の乾燥効率が向上する。
　（第６項）第３項または第４項のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置において、
　前記気体衝突領域の前記連続帯状部の一部分は、前記第１の方向において前記第１の端部および前記第２の端部よりも後方に位置するとともに、前記連続帯状部の他の部分に比べて前記第１の方向において最も後方に位置してもよい。
　この場合、気体衝突領域が基板の下面上で第１の方向に向かって進行する際に、基板の下面に付着する液滴が第２の方向において連続帯状部の一部分に集まるように移動しつつ第１の方向に移動する。それにより、基板の下面上で、第２の方向において気体衝突領域から外れるように液滴が移動することが防止される。したがって、基板の下面に付着する液滴が、基板の下面上で気体衝突領域の進行経路から外れる方向に移動し、基板の下面上に残留することが防止される。その結果、乾燥処理後の基板の清浄度がさらに向上する。
　（第７項）第７項に係る基板洗浄装置は、
　第１項～第６項いずれか一項に記載の基板下面乾燥装置と、
　第１の洗浄部と、
　前記基板の下面中央領域の少なくとも一部を吸着保持しつつ前記基板を回転させる第２の基板保持部と、
　前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板の下面外側領域を洗浄する第２の洗浄部と、
　制御部とを備え、
　前記基板下面乾燥装置が備える前記第１の基板保持部は、前記基板の外縁に当接することにより前記基板を保持可能に構成され、
　前記第１の洗浄部は、前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面中央領域を洗浄し、
　前記制御部は、前記第２の洗浄部により前記基板の下面外側領域を洗浄する第１の洗浄処理、前記第１の洗浄処理により前記基板の下面外側領域に付着した液滴を除去する第１の乾燥処理、前記第１の洗浄部により前記基板の下面中央領域を洗浄する第２の洗浄処理、および前記第２の洗浄処理により前記基板の下面中央領域に付着した液滴を前記基板下面乾燥装置により除去する第２の乾燥処理がこの順で行われるように、前記基板下面乾燥装置、前記第１の洗浄部、前記第２の基板保持部および前記第２の洗浄部を制御する。
　その基板洗浄装置においては、第２の基板保持部により基板の下面中央領域の少なくとも一部が吸着保持された状態で、第１の洗浄処理および第１の乾燥処理が行われる。その後、第１の基板保持部により基板が保持された状態で、第２の洗浄処理および第２の乾燥処理が行われる。それにより、第１の乾燥処理後に、基板の下面中央領域に第２の基板保持部による吸着痕が形成される場合でも、その吸着痕が第２の洗浄処理により除去される。また、第２の乾燥処理時には、上記の基板下面乾燥装置により基板の下面中央領域が乾燥される。その結果、上記の一連の処理後の基板の下面全体の清浄度が向上する。
　（第８項）第８項に係る基板下面乾燥装置は、
　基板を保持する第１の基板保持部と、
　前記第１の基板保持部により保持された前記基板に下方から気体を噴射する第１の気体噴射部と、
　前記第１の気体噴射部による気体の噴射時に、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に対して前記第１の気体噴射部が相対的に前記基板に平行な第１の方向に向かって進行するように移動させる相対的移動部とを備え、
　前記基板の下面のうち前記第１の気体噴射部から噴射された気体を受ける気体衝突領域は、前記基板に平行でかつ前記第１の方向に直交する第２の方向において互いに離間する第１の端部および第２の端部と、前記第１の端部と前記第２の端部との間で連続的に延びる連続帯状部とを有し、
　前記連続帯状部の一部分は、前記第１の方向において前記第１の端部および前記第２の端部よりも後方に位置するとともに、前記連続帯状部の他の部分に比べて前記第１の方向において最も後方に位置する。
　その基板下面乾燥装置においては、第１の基板保持部により保持された基板に第１の気体噴射部から気体が噴射され、その基板に対して第１の気体噴射部が第１の方向に向かって進行する。気体衝突領域は、基板の下面上で連続的に第２の方向に延びるように形成されている。それにより、基板の下面において気体衝突領域が移動する領域上に存在する液滴は、第１の気体噴射部から噴射される気体により、第１の気体噴射部の進行とともに第１の方向に移動する。
　ここで、気体衝突領域の連続帯状部の一部分は、第１の方向において気体衝突領域の第１の端部および第２の端部よりも後方に位置する。また、気体衝突領域の連続帯状部の一部分は、連続帯状部の他の部分に比べて第１の方向において最も後方に位置する。この場合、気体衝突領域が基板の下面上で第１の方向に向かって進行する際に、基板の下面に付着する液滴が第２の方向において連続帯状部の一部分に集まるように移動しつつ第１の方向に移動する。それにより、基板の下面上で、第２の方向において気体衝突領域から外れるように液滴が移動することが防止される。したがって、基板の下面に付着する液滴が、基板の下面上で気体衝突領域の進行経路から外れる方向に移動し、基板の下面上に残留することが防止される。その結果、乾燥処理後の基板の清浄度が向上する。
　（第９項）第８項記載の基板下面乾燥装置において、
　前記連続帯状部は、
　平面視で前記第１の端部から前記第２の端部に向かって前記第１の方向を基準とする斜め後方に直線状に一定長さ延びる第１の帯状部と、
　平面視で前記第２の端部から前記第１の端部に向かって前記第１の方向を基準とする斜め後方に直線状に一定長さ延びる第２の帯状部と、
　前記第１の帯状部の後端部と前記第２の帯状部の後端部とが接する屈曲部とを有し、
　前記屈曲部は、前記連続帯状部の前記一部分であってもよい。
　この場合、気体衝突領域が基板の下面上で第１の方向に向かって進行する際に、基板の下面に付着する液滴の一部は第１の帯状部の前縁に沿って屈曲部に円滑に導かれる。また、基板の下面に付着する液滴の他の一部は第２の帯状部の前縁に沿って屈曲部に円滑に導かれる。したがって、基板の下面のうち気体衝突領域の進行経路上に位置する部分に付着した液滴が、基板の下面のうち気体衝突領域の進行経路から外れた部分に移動し、残留することが防止される。
　（第１０項）第８項または第９項に記載の基板下面乾燥装置において、
　前記第２の方向における前記気体衝突領域の前記第１の端部および前記第２の端部間の長さは、前記基板の下面のうち予め定められた乾燥対象領域の前記第２の方向の最大長さ以上であってもよい。
　この場合、乾燥対象領域の全体を通過するように気体衝突領域を移動させることにより、基板の下面における乾燥対象領域上に液滴が残留することが防止される。
　（第１１項）第８項～第１０項のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置において、
　前記基板下面乾燥装置は、
　前記第１の基板保持部により保持された前記基板に、前記第１の気体噴射部から前記基板に噴射される気体よりも高い温度を有する高温気体を供給する高温気体供給部をさらに備えてもよい。
　この場合、第１の気体噴射部により基板に付着する液滴が除去される際に、基板に高温気体を供給することができる。それにより、基板が高温気体により加熱され、基板の乾燥効率が向上する。
　（第１２項）第１２項に係る基板洗浄装置は、
　第８項～第１１項のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置と、
　第１の洗浄部と、
　前記基板の前記下面中央領域の少なくとも一部を吸着保持しつつ前記基板を回転させる第２の基板保持部と、
　前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板の下面外側領域を洗浄する第２の洗浄部と、
　制御部とを備え、
　前記基板下面乾燥装置が備える前記第１の基板保持部は、前記基板の外縁に当接することにより前記基板を保持可能に構成され、
　前記第１の洗浄部は、前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面中央領域を洗浄し、
　前記制御部は、前記第２の洗浄部により前記基板の下面外側領域を洗浄する第１の洗浄処理、前記第１の洗浄処理により前記基板の下面外側領域に付着した液滴を除去する第１の乾燥処理、前記第１の洗浄部により前記基板の下面中央領域を洗浄する第２の洗浄処理、および前記第２の洗浄処理により前記基板の下面中央領域に付着した液滴を前記基板下面乾燥装置により除去する第２の乾燥処理がこの順で行われるように、前記基板下面乾燥装置、前記第１の洗浄部、前記第２の基板保持部および前記第２の洗浄部を制御する。
　その基板洗浄装置においては、第２の基板保持部により基板の下面中央領域の少なくとも一部が吸着保持された状態で、第１の洗浄処理および第１の乾燥処理が行われる。その後、第１の基板保持部により基板が保持された状態で、第２の洗浄処理および第２の乾燥処理が行われる。それにより、第１の乾燥処理後に、基板の下面中央領域に第２の基板保持部による吸着痕が形成される場合でも、その吸着痕が第２の洗浄処理により除去される。また、第２の乾燥処理時には、上記の基板下面乾燥装置により基板の下面中央領域が乾燥される。その結果、上記の一連の処理後の基板の下面全体の清浄度が向上する。
　上記一連の実施形態に係る基板下面乾燥装置によれば、基板の下面乾燥時における基板の清浄度が向上するので、基板処理により得られる製品の歩留まりが向上する。したがって、無駄な基板処理が低減されるので、基板処理の省エネルギー化が実現できる。また、無駄な薬液等の利用を低減することができるので、地球環境の汚染の低減に寄与することができる。

Claims (12)

  1. 　基板を保持する第１の基板保持部と、
    　前記第１の基板保持部により保持された前記基板に下方から気体を噴射する第１の気体噴射部と、
    　前記第１の気体噴射部による前記基板への気体の噴射時に、平面視で前記第１の基板保持部により保持された前記基板の外縁の少なくとも一部に向けて前記第１の基板保持部により保持される前記基板の上方から気体を噴射する第２の気体噴射部とを備える、基板下面乾燥装置。
  2. 　前記第１の気体噴射部による気体の噴射時に、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に対して前記第１の気体噴射部が相対的に第１の方向に向かって進行するように移動させる相対的移動部をさらに備え、
    　前記第１の基板保持部により保持された前記基板の外縁の前記少なくとも一部は、平面視で前記第１の気体噴射部の進行経路上または前記進行経路の延長線上に位置する、請求項１記載の基板下面乾燥装置。
  3. 　前記基板の下面のうち前記第１の気体噴射部から噴射された気体を受ける気体衝突領域は、
    　前記第１の方向に直交する第２の方向において互いに離間する第１の端部および第２の端部と、
    　前記第１の端部と前記第２の端部との間で連続的に延びる連続帯状部とを有する、請求項２記載の基板下面乾燥装置。
  4. 　前記第２の方向における前記気体衝突領域の前記第１の端部および前記第２の端部間の長さは、前記基板の下面のうち予め定められた乾燥対象領域の前記第２の方向の最大長さ以上である、請求項３記載の基板下面乾燥装置。
  5. 　前記第１の基板保持部により保持された前記基板に、前記第１の気体噴射部から前記基板に噴射される気体よりも高い温度を有する高温気体を供給する高温気体供給部をさらに備える、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置。
  6. 　前記気体衝突領域の前記連続帯状部の一部分は、前記第１の方向において前記第１の端部および前記第２の端部よりも後方に位置するとともに、前記連続帯状部の他の部分に比べて前記第１の方向において最も後方に位置する、請求項３または４記載の基板下面乾燥装置。
  7. 　請求項１～６のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置と、
    　第１の洗浄部と、
    　前記基板の下面中央領域の少なくとも一部を吸着保持しつつ前記基板を回転させる第２の基板保持部と、
    　前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板の下面外側領域を洗浄する第２の洗浄部と、
    　制御部とを備え、
    　前記基板下面乾燥装置が備える前記第１の基板保持部は、前記基板の外縁に当接することにより前記基板を保持可能に構成され、
    　前記第１の洗浄部は、前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面中央領域を洗浄し、
    　前記制御部は、前記第２の洗浄部により前記基板の下面外側領域を洗浄する第１の洗浄処理、前記第１の洗浄処理により前記基板の下面外側領域に付着した液滴を除去する第１の乾燥処理、前記第１の洗浄部により前記基板の下面中央領域を洗浄する第２の洗浄処理、および前記第２の洗浄処理により前記基板の下面中央領域に付着した液滴を前記基板下面乾燥装置により除去する第２の乾燥処理がこの順で行われるように、前記基板下面乾燥装置、前記第１の洗浄部、前記第２の基板保持部および前記第２の洗浄部を制御する、基板洗浄装置。
  8. 　基板を保持する第１の基板保持部と、
    　前記第１の基板保持部により保持された前記基板に下方から気体を噴射する第１の気体噴射部と、
    　前記第１の気体噴射部による気体の噴射時に、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に対して前記第１の気体噴射部が相対的に第１の方向に向かって進行するように移動させる相対的移動部とを備え、
    　前記基板の下面のうち前記第１の気体噴射部から噴射された気体を受ける気体衝突領域は、前記第１の方向に直交する第２の方向において互いに離間する第１の端部および第２の端部と、前記第１の端部と前記第２の端部との間で連続的に延びる連続帯状部とを有し、
    　前記連続帯状部の一部分は、前記第１の方向において前記第１の端部および前記第２の端部よりも後方に位置するとともに、前記連続帯状部の他の部分に比べて前記第１の方向において最も後方に位置する、基板下面乾燥装置。
  9. 　前記連続帯状部は、
    　平面視で前記第１の端部から前記第２の端部に向かって前記第１の方向を基準とする斜め後方に直線状に一定長さ延びる第１の帯状部と、
    　平面視で前記第２の端部から前記第１の端部に向かって前記第１の方向を基準とする斜め後方に直線状に一定長さ延びる第２の帯状部と、
    　前記第１の帯状部の後端部と前記第２の帯状部の後端部とが接する屈曲部とを有し、
    　前記屈曲部は、前記連続帯状部の前記一部分である、請求項８記載の基板下面乾燥装置。
  10. 　前記第２の方向における前記気体衝突領域の前記第１の端部および前記第２の端部間の長さは、前記基板の下面のうち予め定められた乾燥対象領域の前記第２の方向の最大長さ以上である、請求項８または９記載の基板下面乾燥装置。
  11. 　前記第１の基板保持部により保持された前記基板に、前記第１の気体噴射部から前記基板に噴射される気体よりも高い温度を有する高温気体を供給する高温気体供給部をさらに備える、請求項８～１０のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置。
  12. 　請求項８～１１のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置と、
    　第１の洗浄部と、
    　前記基板の前記下面中央領域の少なくとも一部を吸着保持しつつ前記基板を回転させる第２の基板保持部と、
    　前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板の下面外側領域を洗浄する第２の洗浄部と、
    　制御部とを備え、
    　前記基板下面乾燥装置が備える前記第１の基板保持部は、前記基板の外縁に当接することにより前記基板を保持可能に構成され、
    　前記第１の洗浄部は、前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面中央領域を洗浄し、
    　前記制御部は、前記第２の洗浄部により前記基板の下面外側領域を洗浄する第１の洗浄処理、前記第１の洗浄処理により前記基板の下面外側領域に付着した液滴を除去する第１の乾燥処理、前記第１の洗浄部により前記基板の下面中央領域を洗浄する第２の洗浄処理、および前記第２の洗浄処理により前記基板の下面中央領域に付着した液滴を前記基板下面乾燥装置により除去する第２の乾燥処理がこの順で行われるように、前記基板下面乾燥装置、前記第１の洗浄部、前記第２の基板保持部および前記第２の洗浄部を制御する、基板洗浄装置。
PCT/JP2023/023571 2022-06-27 2023-06-26 基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置 WO2024004938A1 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-102983 2022-06-27
JP2022102983 2022-06-27
JP2023083966A JP2024003762A (ja) 2022-06-27 2023-05-22 基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置
JP2023-083966 2023-05-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024004938A1 true WO2024004938A1 (ja) 2024-01-04

Family

ID=89383045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/023571 WO2024004938A1 (ja) 2022-06-27 2023-06-26 基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW202418380A (ja)
WO (1) WO2024004938A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006237063A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2020065012A (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2022051029A (ja) * 2020-09-18 2022-03-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2022051026A (ja) * 2020-09-18 2022-03-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006237063A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2020065012A (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2022051029A (ja) * 2020-09-18 2022-03-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2022051026A (ja) * 2020-09-18 2022-03-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202418380A (zh) 2024-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101891128B1 (ko) 기판 처리 장치 및 토출 기구 세정 방법
KR101562139B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR102412247B1 (ko) 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치, 및 기억 매체
JP2003209087A (ja) 基板処理装置
CN111446150A (zh) 基板处理方法和基板处理装置
JP2013138051A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102678565B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
WO2023286635A1 (ja) 基板洗浄装置
WO2024004938A1 (ja) 基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置
JP3573445B2 (ja) 現像装置及び洗浄装置
JP2024003762A (ja) 基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置
US20220395867A1 (en) Substrate cleaning device
KR102667272B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
TWI848298B (zh) 基板洗淨裝置及基板洗淨方法
JP6016330B2 (ja) 基板処理装置
CN209747469U (zh) 基板清洗装置
TWI856322B (zh) 基板洗淨裝置及基板洗淨方法
TWI852014B (zh) 基板洗淨裝置
TWI850692B (zh) 基板洗淨裝置
WO2023008024A1 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
TWI808813B (zh) 基板洗淨裝置、基板洗淨系統、基板處理系統、基板洗淨方法及基板處理方法
WO2022163450A1 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
TW202431491A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TW202431399A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
CN118248588A (zh) 衬底处理装置及衬底处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23831378

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1