JP2024003762A - 基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置 - Google Patents

Abstract

【課題】乾燥処理後の基板の清浄度を向上させることが可能な基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置を提供する。【解決手段】基板洗浄装置１は、第１の基板保持部１０Ａ，１０Ｂおよび乾燥装置１００を備える。乾燥装置１００は、第１の気体噴射部１１０および第２の気体噴射部１２０を含む。第１の気体噴射部１１０は、第１の基板保持部１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗに下方から気体を噴射しつつ、基板Ｗに平行な乾燥進行方向に進行する。第２の気体噴射部１２０は、第１の気体噴射部１１０による基板Ｗへの気体の噴射時に、平面視で基板Ｗの外縁の一部に向けて基板Ｗの上方から気体を噴射する。基板Ｗの下面のうち第１の気体噴射部１１０から気体を受ける気体衝突領域は、乾燥進行方向に直交する方向に連続して延びる帯状に形成されている。気体衝突領域の中間部分は、第１の気体噴射部１１０の進行方向後端に位置する。【選択図】図１

Description

本発明は、基板の下面を乾燥させる基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置に関する。

液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。基板を洗浄するために、基板洗浄装置が用いられる。

特許文献１に記載された基板洗浄装置は、上側保持装置、下側保持装置、下面洗浄装置および気体噴出部を備える。下側保持装置は、いわゆるスピンチャックであり、基板の下面中央領域を吸着保持しつつ、基板を水平姿勢で回転させる。下面洗浄装置は、下側保持装置により保持される基板の下面のうち下面中央領域を取り囲む領域（以下、下面外側領域と呼ぶ。）を洗浄する。このとき、基板の下面外側領域には、洗浄液が供給される。下面外側領域の洗浄後には、基板への洗浄液の供給が停止される。一方、基板の回転は継続される。それにより、基板の下面外側領域に付着する洗浄液が振り切られ、基板の下面外側領域が乾燥する。

上側保持装置は、一対の下チャックおよび一対の上チャックを含む。一対の下チャックの間でかつ一対の上チャックの間に配置された基板が、一対の下チャックおよび一対の上チャックにより挟み込まれる。それにより、基板の外周端部に一対の下チャックおよび一対の上チャックが接する状態で、洗浄対象となる基板が保持される。下面洗浄装置は、上側保持装置により保持される基板の下面中央領域をさらに洗浄する。このとき、基板の下面中央領域には、洗浄液が供給される。下面中央領域の洗浄後には、基板への洗浄液の供給が停止され、基板の下面に気体噴出部から気体が噴射される。気体噴射部と基板の下面との間でカーテン状の気体の流れが形成される。この状態で、気体噴出部が基板の外周端部に向かって移動する。基板に付着する洗浄液は、気体噴出部の移動とともに、基板の外方に向かって基板の下面上を移動し、除去される。それにより、基板の下面中央領域が乾燥する。

特開２０２２－５１０２９号公報

上記のように、特許文献１に記載された基板洗浄装置においては、基板の下面外側領域の洗浄後に、基板を回転することにより振り切り乾燥（スピン乾燥）が行われる。それにより、基板の下面外側領域に付着する洗浄液の液滴が適切に除去される。

一方、基板の下面中央領域の洗浄後に、水平姿勢で回転することなく保持される基板に気体が噴射される。それにより、基板の下面中央領域に付着する洗浄液の液滴が除去される。このように、基板に付着する液滴を気体の噴射によってのみ除去する場合には、例えば基板の下面から除去された液滴が基板の外周端部周辺で飛散し、浮遊する可能性がある。基板の外周端部周辺で飛散し、浮遊する液滴が基板に再付着すると、基板の清浄度が低下する。また、基板に付着する液滴を気体の噴射によってのみ除去する場合には、例えば基板に付着する液滴が基板の下面上で意図しない方向に移動することにより、基板の下面に残留する可能性がある。乾燥処理後の基板に液滴が付着していると、基板の清浄度が低下する。

本発明の目的は、乾燥処理後の基板の清浄度を向上させることが可能な基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置を提供することである。

本発明の一局面に従う基板下面乾燥装置は、基板を保持する第１の基板保持部と、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に下方から気体を噴射する第１の気体噴射部と、前記第１の気体噴射部による前記基板への気体の噴射時に、平面視で前記第１の基板保持部により保持された前記基板の外縁の少なくとも一部に向けて前記第１の基板保持部により保持される前記基板の上方から気体を噴射する第２の気体噴射部とを備える。

本発明の他の局面に従う基板洗浄装置は、上記の基板下面乾燥装置と、第１の洗浄部と、前記基板の下面中央領域の少なくとも一部を吸着保持しつつ前記基板を回転させる第２の基板保持部と、前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板の下面外側領域を洗浄する第２の洗浄部と、制御部とを備え、前記基板下面乾燥装置が備える前記第１の基板保持部は、前記基板の外縁に当接することにより前記基板を保持可能に構成され、前記第１の洗浄部は、前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面中央領域を洗浄し、前記制御部は、前記第２の洗浄部により前記基板の下面外側領域を洗浄する第１の洗浄処理、前記第１の洗浄処理により前記基板の下面外側領域に付着した液滴を除去する第１の乾燥処理、前記第１の洗浄部により前記基板の下面中央領域を洗浄する第２の洗浄処理、および前記第２の洗浄処理により前記基板の下面中央領域に付着した液滴を前記基板下面乾燥装置により除去する第２の乾燥処理がこの順で行われるように、前記基板下面乾燥装置、前記第１の洗浄部、前記第２の基板保持部および前記第２の洗浄部を制御する。

本発明のさらに他の局面に従う基板下面乾燥装置は、基板を保持する第１の基板保持部と、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に下方から気体を噴射する第１の気体噴射部と、前記第１の気体噴射部による気体の噴射時に、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に対して前記第１の気体噴射部が相対的に前記基板に平行な第１の方向に向かって進行するように移動させる相対的移動部とを備え、前記基板の下面のうち前記第１の気体噴射部から噴射された気体を受ける気体衝突領域は、前記基板に平行でかつ前記第１の方向に直交する第２の方向において互いに離間する第１の端部および第２の端部と、前記第１の端部と前記第２の端部との間で連続的に延びる連続帯状部とを有し、前記連続帯状部の一部分は、前記第１の方向において前記第１の端部および前記第２の端部よりも後方に位置するとともに、前記連続帯状部の他の部分に比べて前記第１の方向において最も後方に位置する。

本発明のさらに他の局面に従う基板洗浄装置は、上記の基板下面乾燥装置と、第１の洗浄部と、前記基板の前記下面中央領域の少なくとも一部を吸着保持しつつ前記基板を回転させる第２の基板保持部と、前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板の下面外側領域を洗浄する第２の洗浄部と、制御部とを備え、前記基板下面乾燥装置が備える前記第１の基板保持部は、前記基板の外縁に当接することにより前記基板を保持可能に構成され、前記第１の洗浄部は、前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面中央領域を洗浄し、前記制御部は、前記第２の洗浄部により前記基板の下面外側領域を洗浄する第１の洗浄処理、前記第１の洗浄処理により前記基板の下面外側領域に付着した液滴を除去する第１の乾燥処理、前記第１の洗浄部により前記基板の下面中央領域を洗浄する第２の洗浄処理、および前記第２の洗浄処理により前記基板の下面中央領域に付着した液滴を前記基板下面乾燥装置により除去する第２の乾燥処理がこの順で行われるように、前記基板下面乾燥装置、前記第１の洗浄部、前記第２の基板保持部および前記第２の洗浄部を制御する。

本発明によれば、乾燥処理後の基板の清浄度を向上させることが可能となる。

第１の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。 図１の基板洗浄装置の内部構成を示す斜視図である。 図１の制御部による基板洗浄乾燥処理を示すフローチャートである。 基板洗浄乾燥処理のうち一部の処理が行われる際の基板洗浄装置の動作状態を示す図である。 基板洗浄乾燥処理のうち一部の処理が行われる際の基板洗浄装置の動作状態を示す図である。 上側保持装置により保持された基板の下面乾燥の開始時における乾燥装置の状態を示す模式的平面図である。 上側保持装置により保持された基板の下面乾燥時における乾燥装置の動作状態を示す図である。 上側保持装置により保持された基板の下面乾燥時における乾燥装置の動作状態を示す図である。 上側保持装置により保持された基板の下面乾燥時における乾燥装置の動作状態を示す図である。 第１の実施の形態に係る第１の気体噴射部の変形例を説明するための模式的平面図である。 第２の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。 第３の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。 他の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。

以下、本発明の実施の形態に係る基板下面乾燥装置およびそれを備える基板洗浄装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板（ウエハ）、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、以下の説明では、基板の上面が回路形成面（表面）であり、基板の下面が回路形成面と反対側の面（裏面）である。また、基板は、ノッチを除いて円形状を有する。

さらに、以下の説明において、水平とは実質的に水平であることを意味し、厳密には、所定の水平面に対して平行であること、および所定の水平面に対してある程度の角度範囲（例えば１０°の角度範囲）内で傾斜していることも含む。また、鉛直とは実質的に鉛直であることを意味し、厳密には、所定の鉛直面に平行であること、および所定の鉛直面に対してある程度の角度範囲（例えば１０°の角度範囲）内で傾斜していることも含む。

１．第１の実施の形態
＜１＞基板洗浄装置の構成
図１は、第１の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図２は、図１の基板洗浄装置１の内部構成を示す斜視図である。本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。図１および図２以降の所定の図では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が適宜矢印で示される。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。

図１および図２に示すように、基板洗浄装置１は、略長方形状を有するユニット筐体２内に、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ、下側保持装置２０、台座装置３０、受渡装置４０、下面洗浄装置５０、カップ装置６０、上面洗浄装置７０、端部洗浄装置８０、開閉装置９０および乾燥装置１００が収容された構成を有する。図２では、ユニット筐体２が点線で示される。

ユニット筐体２は、直方体形状を有し、矩形の底面部および底面部の４辺から上方に延びる４つの側壁部を含む。４つの側壁部のうち２つの側壁部はＹ方向において互いに対向する。４つの側壁部のうち他の２つの側壁部はＸ方向において互いに対向する。４つの側壁部のうち１つの側壁部中央には、基板Ｗの搬入搬出口２ｘが形成されている。搬入搬出口２ｘの近傍には、開閉装置９０が設けられている。開閉装置９０は、シャッタ９１を含み、シャッタ９１により搬入搬出口２ｘを開閉可能に構成されている。

ユニット筐体２の底面部に、台座装置３０が設けられている。台座装置３０は、リニアガイド３１および可動台座３２を含む。リニアガイド３１は、Ｘ方向に並ぶ２本のレールを含み、Ｘ方向における底面部の中央部分を横切るようにＹ方向に延びている。台座装置３０は、リニアガイド３１の２本のレール上で、可動台座３２をＹ方向における複数の位置に移動させることが可能に構成されている。

可動台座３２上に、下側保持装置２０および下面洗浄装置５０がＹ方向に並ぶように設けられている。下側保持装置２０は、可動台座３２の上面に固定され、吸着保持部２１を含む。吸着保持部２１は、いわゆるスピンチャックであり、基板Ｗの下面を吸着保持可能な円形の吸着面を有する。また、吸着保持部２１は、鉛直方向に延びる軸（Ｚ方向の軸）の周りで回転可能に構成される。下側保持装置２０は、吸着保持部２１により、基板Ｗの下面を吸着保持するとともに、吸着保持された基板Ｗを鉛直方向に延びる軸の周りで回転させる。以下の説明では、吸着保持部２１により基板Ｗが吸着保持される際に、基板Ｗの下面のうち吸着保持部２１の吸着面が吸着すべき領域を下面中央領域と呼ぶ。一方、基板Ｗの下面のうち下面中央領域を取り囲む領域を下面外側領域と呼ぶ。

可動台座３２上には、下側保持装置２０の近傍に受渡装置４０が設けられている。受渡装置４０は、平面視で吸着保持部２１を取り囲みかつ鉛直方向に延びるように設けられた複数（本例では３本）の支持ピン４１を有する。複数の支持ピン４１は、予め定められた複数の高さ位置の間で昇降可能に設けられている。

後述するように、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、下側保持装置２０よりも上方の位置で基板Ｗを保持可能に構成されている。受渡装置４０は、複数の支持ピン４１を昇降させることにより、下側保持装置２０に保持された基板Ｗを受け取って上側保持装置１０Ａ，１０Ｂに渡すことが可能である。また、受渡装置４０は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂに保持された基板Ｗを受け取って下側保持装置２０に渡すことが可能である。

下面洗浄装置５０は、下面ブラシ５１、２つの液ノズル５２、昇降支持部５４、移動支持部５５を含む。移動支持部５５は、可動台座３２上の一定領域内で下側保持装置２０に対してＹ方向に移動可能に設けられている。図２に示すように、移動支持部５５上に、昇降支持部５４が昇降可能に設けられている。

図１に示すように、下面ブラシ５１は、基板Ｗの下面に接触可能な円形の洗浄面を有する。また、下面ブラシ５１は、洗浄面が上方を向くようにかつ洗浄面が当該洗浄面の中心を通って鉛直方向に延びる軸の周りで回転可能となるように、昇降支持部５４に取り付けられている。下面ブラシ５１の洗浄面の面積は、吸着保持部２１の吸着面の面積よりも大きい。２つの液ノズル５２の各々は、下面ブラシ５１の近傍に位置しかつ液体噴射口が下面ブラシ５１の洗浄面を向くように、昇降支持部５４に取り付けられている。液ノズル５２には、図示しない洗浄液供給系が接続されている。

下面洗浄装置５０は、例えば基板Ｗが下側保持装置２０または後述する上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された状態で、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に接するように昇降支持部５４を昇降させる。この状態で、下面洗浄装置５０は、２つの液ノズル５２から下面ブラシ５１に洗浄液を噴射させ、下面ブラシ５１を鉛直方向に延びる軸の周りで回転させる。これにより、基板Ｗの下面を洗浄することができる。

なお、下面ブラシ５１がスポンジ状の部材で形成される場合には、基板Ｗに接触する前の下面ブラシ５１に液ノズル５２から洗浄液を噴射し、その下面ブラシ５１に予め洗浄液を浸み込ませてもよい。この場合、基板Ｗの下面に下面ブラシ５１を接触させた状態で、液ノズル５２から下面ブラシ５１へ洗浄液を噴射することなく基板Ｗの下面を洗浄することができる。

カップ装置６０は、ユニット筐体２内の略中央部に設けられ、カップ６１を含む。カップ６１は、平面視で下側保持装置２０および台座装置３０の一部を取り囲むようにかつ昇降可能に設けられている。図２においては、カップ６１が点線で示される。カップ６１は、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面におけるどの部分を洗浄するのかに応じて、予め定められた下カップ位置と上カップ位置との間で移動する。下カップ位置はカップ６１の上端部が吸着保持部２１により吸着保持される基板Ｗよりも下方にある高さ位置である。また、上カップ位置はカップ６１の上端部が吸着保持部２１よりも上方にある高さ位置である。

上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、カップ６１よりも上方の高さ位置に設けられている。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、平面視で台座装置３０を挟んで対向する。上側保持装置１０Ａは、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａを含む。上側保持装置１０Ｂは、下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂを含む。

下チャック１１Ａ，１１Ｂは、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。下チャック１１Ａ，１１Ｂの各々は、基板Ｗの下面外側領域を基板Ｗの下方から支持可能な２本の支持片を有する。上チャック１２Ａ，１２Ｂは、下チャック１１Ａ，１１Ｂと同様に、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。上チャック１２Ａ，１２Ｂの各々は、基板Ｗの外周端部の２つの部分に当接して基板Ｗの外周端部を保持可能に構成された２本の保持片を有する。

上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａと、下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂとの間の距離を調整する。それにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａと下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂとの間で基板Ｗを挟み込むことにより、下側保持装置２０の上方の位置で基板Ｗを保持することが可能である。また、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａと下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂとを互いに遠ざけることにより、保持された基板Ｗを解放することが可能である。

図１に示すようにカップ６１の一側方に上面洗浄装置７０が設けられている。図２に示すように、上面洗浄装置７０は、回転支持軸７１、アーム７２およびスプレーノズル７３を含む。回転支持軸７１は、鉛直方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能に設けられている。アーム７２は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂよりも上方の位置で、回転支持軸７１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム７２の先端部には、スプレーノズル７３が取り付けられている。スプレーノズル７３には、図示しない流体供給系が接続されている。図示しない流体供給系からスプレーノズル７３に洗浄液および気体が供給される。それにより、スプレーノズル７３において洗浄液と気体とが混合され、混合流体が生成される。生成された混合流体は、スプレーノズル７３から下方に向かって噴射される。

上面洗浄装置７０は、例えば基板Ｗが下側保持装置２０により保持されて回転する状態で、スプレーノズル７３が基板Ｗの上方を移動するように、回転支持軸７１の高さ位置を調整し、回転支持軸７１を回転させる。この状態で、上面洗浄装置７０は、スプレーノズル７３から基板Ｗに混合流体を噴射させる。それにより、基板Ｗの上面全体を洗浄することができる。

図１に示すように、カップ６１の他側方に端部洗浄装置８０が設けられている。図２に示すように、端部洗浄装置８０は、回転支持軸８１、アーム８２およびベベルブラシ８３を含む。回転支持軸８１は、鉛直方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能に設けられている。アーム８２は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂよりも上方の位置で、回転支持軸８１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム８２の先端部には、下方に向かって突出するようにかつ鉛直方向の軸の周りで回転可能となるようにベベルブラシ８３が設けられている。

端部洗浄装置８０は、例えば基板Ｗが下側保持装置２０により保持されて回転する状態で、基板Ｗの外周端部にベベルブラシ８３が接触するように、回転支持軸８１を回転させ、回転支持軸８１の高さ位置を調整する。端部洗浄装置８０は、さらに、アーム８２の先端部に設けられるベベルブラシ８３を鉛直方向の軸の周りで回転させる。それにより、基板Ｗの外周端部全体を洗浄することができる。

図１に示すように、乾燥装置１００は、第１の気体噴射部１１０および第２の気体噴射部１２０を含む。第１の気体噴射部１１０は、気体噴射口１１１を有する気体噴射ノズルである。気体噴射口１１１は、平面視で２本の直線と１つの屈曲点とを含む折れ線に沿って連続して延びるスリットである。第１の気体噴射部１１０は、平面視で下面洗浄装置５０の下面ブラシ５１と下側保持装置２０との間に位置しかつ気体噴射口１１１が上方を向くように、下面洗浄装置５０の昇降支持部５４に取り付けられている。

第１の気体噴射部１１０には、図示しない噴出気体供給系が接続されている。本実施の形態では、噴出気体供給系から第１の気体噴射部１１０に供給される気体として窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。第１の気体噴射部１１０は、例えば基板Ｗの下面の乾燥時に、図示しない噴出気体供給系から供給される気体を上方に向けて噴射する。それにより、平面視で下面洗浄装置５０の下面ブラシ５１上の空間と下側保持装置２０の吸着保持部２１上の空間とを区画するような気体の流れが形成される。

第２の気体噴射部１２０は、気体噴射口１２１を有する気体噴射ノズルである。気体噴射口１２１は、平面視で基板Ｗの外周端部の一部に対応する円弧に沿って連続して延びるように形成されている。第２の気体噴射部１２０は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂよりも上方の位置で、図示しないブラケットを介してユニット筐体２に取り付けられている。この状態で、第２の気体噴射部１２０の気体噴射口１２１は、下方を向くとともに、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの外周端部の一部に対向している。また、第２の気体噴射部１２０は、平面視で気体噴射口１２１がＸ方向において第１の気体噴射部１１０の気体噴射口１１１をカバーする、すなわちＸ方向において気体噴射口１２１が気体噴射口１１１に重なるように位置決めされている。

第２の気体噴射部１２０には、図示しない噴出気体供給系が接続されている。本実施の形態では、噴出気体供給系から第２の気体噴射部１２０に供給される気体として窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。第２の気体噴射部１２０は、例えば基板Ｗの下面の乾燥時に、図示しない噴出気体供給系から供給される気体を基板Ｗの外周端部の一部に向けて噴射する。この場合、平面視で基板Ｗが存在する空間と基板Ｗの外方の空間とを区画するような気体の流れが形成される。

本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面を乾燥させるために、第１の気体噴射部１１０および第２の気体噴射部１２０から基板Ｗに向けて気体が噴射される。それにより、乾燥処理後の基板Ｗの清浄度が向上する。この詳細については後述する。

図１に示すように、基板洗浄装置１は、制御部９をさらに含む。制御部９は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリまたはマイクロコンピュータを含む。メモリには、基板洗浄乾燥プログラムが記憶されている。制御部９のＣＰＵは、メモリに記憶された基板洗浄乾燥プログラムを実行することにより、上記の各構成要素（１０Ａ，１０Ｂ，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０，１００）の動作を制御する。

＜２＞基板洗浄乾燥処理
以下、上記の基板洗浄装置１において図１の制御部９により実行される基板洗浄乾燥処理について説明する。図３は、図１の制御部９による基板洗浄乾燥処理を示すフローチャートである。図４および図５は、基板洗浄乾燥処理のうち一部の処理が行われる際の基板洗浄装置１の動作状態を示す図である。図４および図５の各々においては、上段に基板洗浄装置１の平面図が示され、中段にＹ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示され、下段にＸ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示される。中段の側面図は図１のＡ－Ａ線側面図に対応し、下段の側面図は図１のＢ－Ｂ線側面図に対応する。なお、基板洗浄装置１における各構成要素の形状および動作状態の理解を容易にするために、上段の平面図と中段および下段の側面図との間では、一部の構成要素の拡縮率が異なる。また、図４および図５では、カップ６１が二点鎖線で示される。また、図４および図５の上段の平面図では、基板Ｗの外形が太い一点鎖線で示される。さらに、図４および図５では、図１の第２の気体噴射部１２０の図示が省略されている。

図３の基板洗浄乾燥処理は、制御部９のＣＰＵが記憶装置に記憶された基板洗浄乾燥プログラムを実行することにより行われる。初期状態で、台座装置３０は、下側保持装置２０の吸着保持部２１が平面視でカップ６１の中央に位置するように可動台座３２が位置決めされているものとする。

まず、制御部９が、開閉装置９０を制御することにより、搬入搬出口２ｘを開放し、基板洗浄装置１の外部から搬入される基板Ｗをユニット筐体２内に受け入れる（ステップＳ１）。

次に、制御部９は、受渡装置４０を制御することにより、基板Ｗを複数の支持ピン４１により受け取り、下側保持装置２０に渡す（ステップＳ２）。なお、基板洗浄装置１の外部から搬入される基板Ｗが、吸着保持部２１上に載置可能である場合、ステップＳ２の処理は省略されてもよい。ステップＳ１で開放された搬入搬出口２ｘは、基板Ｗが受渡装置４０により受け取られた後、シャッタ９１により閉塞される。

次に、制御部９は、下側保持装置２０を制御することにより、基板Ｗの下面中央領域を吸着保持部２１で吸着保持する（ステップＳ３）。さらに、制御部９は、下側保持装置２０、台座装置３０、下面洗浄装置５０、上面洗浄装置７０、端部洗浄装置８０および乾燥装置１００を制御することにより、基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域の洗浄を行う（ステップＳ４）。

上記のステップＳ４の処理時には、図４に示すように、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗが鉛直方向の軸の周りで回転する。この状態で、上面洗浄装置７０が動作することにより、図４に太い実線の矢印ａ１で示すように、スプレーノズル７３が回転する基板Ｗの上方の位置で移動する。基板Ｗの上面全体に混合流体が噴射されることにより、基板Ｗの上面全体が洗浄される。基板Ｗの上面全体の洗浄が終了すると、スプレーノズル７３は、予め定められた待機位置（平面視でカップ６１の一側方の位置）に移動する。

また、端部洗浄装置８０が動作することにより、図４に太い実線の矢印ａ２で示すように、ベベルブラシ８３が基板Ｗの外周端部の上方の位置まで移動し、下降する。それにより、ベベルブラシ８３が基板Ｗの外周端部に接触する。この状態で、ベベルブラシ８３が鉛直方向の軸の周りで回転（自転）することにより、基板Ｗの外周端部が洗浄される。基板Ｗの外周端部の洗浄が終了すると、ベベルブラシ８３は、予め定められた待機位置（平面視でカップ６１の他側方の位置）に移動する。

さらに、下面洗浄装置５０が動作することにより、下面ブラシ５１の洗浄面（上面）が基板Ｗの下面外側領域に押し当てられ、下面ブラシ５１が鉛直方向の軸の周りで回転する。また、液ノズル５２から下面ブラシ５１に洗浄液が噴射される。また、図４に太い実線の矢印ａ３で示すように、移動支持部５５が可動台座３２上でＹ方向に進退動作する。それにより、基板Ｗの下面外側領域が下面ブラシ５１により洗浄される。基板Ｗの下面外側領域の洗浄が終了すると、下面ブラシ５１は、回転を停止し、基板Ｗから離間した待機位置まで下降する。また、液ノズル５２から下面ブラシ５１への洗浄液の噴射が停止される。

なお、基板Ｗの下面外側領域の洗浄時には、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗの下面に向かって気体が噴射される。それにより、下面ブラシ５１から飛散する洗浄液の液滴が基板Ｗの下面中央領域および下側保持装置２０に付着することが抑制される。

基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域の洗浄終了後、制御部９は、下側保持装置２０を制御することにより、基板Ｗを高速で回転させ、基板Ｗの全体を乾燥させる（ステップＳ５）。基板Ｗを高速で回転させて基板Ｗの全体を乾燥させる乾燥方法は、スピン乾燥と呼ばれる。

次に、制御部９は、受渡装置４０を制御することにより、基板Ｗを複数の支持ピン４１により下側保持装置２０から受け取り、受け取られた基板Ｗを上側保持装置１０Ａ，１０Ｂに渡す（ステップＳ６）。このとき、制御部９は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂを制御することにより、下側保持装置２０の上方の位置で基板Ｗの外周端部を保持する（ステップＳ７）。その後、制御部９は、下側保持装置２０、台座装置３０および乾燥装置１００を制御することにより、基板Ｗの下面中央領域の洗浄を行う（ステップＳ８）。

上記のステップＳ８の処理時には、図５に示すように、基板Ｗは、回転されることなく、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより水平姿勢で保持される。この状態で、台座装置３０が動作することにより、下面ブラシ５１の洗浄面が基板Ｗの下面中央領域に対向するように位置決めされる。また、下面洗浄装置５０が動作することにより、下面ブラシ５１の洗浄面（上面）が基板Ｗの下面中央領域に押し当てられ、下面ブラシ５１が鉛直方向の軸の周りで回転する。また、液ノズル５２から下面ブラシ５１に洗浄液が噴射される。それにより、基板Ｗの下面中央領域が下面ブラシ５１により洗浄される。基板Ｗの下面中央領域の洗浄が終了すると、下面ブラシ５１は、回転を停止し、基板Ｗから離間した待機位置まで下降する。

基板Ｗの下面中央領域の洗浄時には、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗの下面に向かって気体が噴射される。それにより、下面ブラシ５１から飛散する洗浄液の液滴が、平面視で第１の気体噴射部１１０を基準としてＹ方向における下面ブラシ５１とは反対側の領域に向かって飛散することが防止される。なお、下面ブラシ５１の回転速度が低いことにより、下面ブラシ５１からほとんど液滴が飛散しない場合には、基板Ｗの下面中央領域の洗浄中に、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗの下面に向かって気体が噴射されなくてもよい。

基板Ｗの下面中央領域の洗浄終了後、制御部９は、台座装置３０および乾燥装置１００を制御することにより、基板Ｗを回転させることなく基板Ｗの下面全体を乾燥させる（ステップＳ９）。以下の説明では、ステップＳ９における基板Ｗの下面の乾燥を下面乾燥と呼ぶ。乾燥装置１００による基板Ｗの下面乾燥の詳細については、乾燥装置１００による乾燥のメカニズムとともに後述する。

最後に、制御部９が、開閉装置９０を制御することにより、搬入搬出口２ｘを開放する。それにより、基板Ｗが基板洗浄装置１の外部に搬送され（ステップＳ１０）、洗浄乾燥処理が終了する。ステップＳ１０で開放された搬入搬出口２ｘは、基板Ｗが搬出された後、シャッタ９１により閉塞される。

なお、制御部９は、上記の一連の処理のうちステップＳ４，Ｓ５の処理中、カップ装置６０を制御することにより、カップ６１を上カップ位置に保持する。それにより、基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域の洗浄時、および基板Ｗのスピン乾燥時に基板Ｗから飛散する液滴は、カップ６１により受け止められ、基板洗浄装置１の外部に排出される。また、制御部９は、上記の一連の処理のうちステップＳ４，Ｓ５を除く処理（ステップＳ１～Ｓ３，Ｓ６～Ｓ１０）の間、カップ装置６０を制御することにより、カップ６１を下カップ位置に保持する。

＜３＞乾燥装置１００による基板Ｗの下面の乾燥
図６は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面乾燥の開始時における乾燥装置１００の状態を示す模式的平面図である。図６では、基板Ｗの外形が太い一点鎖線で示される。また、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが太い実線の枠により模式的に示される。さらに、基板Ｗの下面における下面中央領域Ｒ１と下面外側領域Ｒ２との境界が二点鎖線で示される。

上記のように、乾燥装置１００は、第１の気体噴射部１１０および第２の気体噴射部１２０を含む。第１の気体噴射部１１０は、主として、下面中央領域Ｒ１に付着する液滴を基板Ｗの外周端部に向けて移動させ、落下させるために用いられる。そのため、第１の気体噴射部１１０は、基板Ｗの下面乾燥の開始時において、平面視で下面中央領域Ｒ１と基板Ｗの外周端部との間に配置される。

本例では、第１の気体噴射部１１０は、基板Ｗの下面乾燥の開始時に、平面視でＹ方向における基板Ｗの外周端部と下面中央領域Ｒ１との間に位置する。また、本例の第１の気体噴射部１１０は、基板Ｗの下面乾燥の開始後、図１の台座装置３０の動作により、気体を噴射しつつ下面中央領域Ｒ１に向く方向（以下、乾燥進行方向と呼ぶ。）ＦＤに水平移動する。図６では、乾燥進行方向ＦＤが白抜きの矢印で示される。

第２の気体噴射部１２０は、主として第１の気体噴射部１１０により基板Ｗの外周端部に移動された基板Ｗの下面上の液滴を、基板Ｗの外周端部から下方に向けて強制的に落下させるために用いられる。そのため、第２の気体噴射部１２０は、平面視で第１の気体噴射部１１０の進行経路上に位置する。第２の気体噴射部１２０は、気体噴射口１２１から基板Ｗの外周端部の一部に向けて気体を噴射する。それにより、平面視で基板Ｗの外周端部の一部に隣り合う空間を通過する気体により、基板Ｗの外周端部の一部から下方に向かう気体の流れが形成される。

ここで、基板Ｗの下面のうち第１の気体噴射部１１０から噴射された気体を受ける領域を気体衝突領域ＡＲと呼ぶ。図６では、気体衝突領域ＡＲがハッチングが施された一点鎖線の枠により示される。

図６に示すように、本例の気体衝突領域ＡＲは、折れ線状に連続的に延びており、第１の端部ｐ１１および第２の端部ｐ１２を有する。第１の端部ｐ１１および第２の端部ｐ１２は、乾燥進行方向ＦＤに直交するＸ方向において互いに離間している。

また、気体衝突領域ＡＲは、第１の端部ｐ１１と第２の端部ｐ１２との間に、第１の帯状部ｂ１および第２の帯状部ｂ２を有する。第１の帯状部ｂ１は、第１の端部ｐ１１から第２の端部ｐ１２に向かって乾燥進行方向ＦＤを基準とする斜め後方に直線状に延びている。第２の帯状部ｂ２は、第２の端部ｐ１２から第１の端部ｐ１１に向かって乾燥進行方向ＦＤを基準とする斜め後方に直線状に延びている。乾燥進行方向ＦＤを基準とする第１の帯状部ｂ１の後端部および乾燥進行方向ＦＤを基準とする第２の帯状部ｂ２の後端部は、互いに接続されている。第１の帯状部ｂ１と第２の帯状部ｂ２との接続部を、屈曲部ｐ１３とする。本例の気体衝突領域ＡＲにおいては、屈曲部ｐ１３は、乾燥進行方向ＦＤの最も後方でかつＸ方向における基板Ｗの中心部に位置する。第１の帯状部ｂ１と第２の帯状部ｂ２との間の角度は、例えば４５°以上１８０°未満の範囲内に設定される。

第１の気体噴射部１１０は、気体衝突領域ＡＲのＸ方向の長さｄ１が、下面中央領域Ｒ１のＸ方向の最大長さｄ２以上となるように構成されている。また、第１の気体噴射部１１０および第２の気体噴射部１２０は、気体衝突領域ＡＲのＸ方向の長さｄ１が、気体噴射口１２１から気体を受ける基板Ｗの一部分のＸ方向の長さｄ３よりも小さくなるように構成されている。

図７～図９は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面乾燥時における乾燥装置１００の動作状態を示す図である。図７～図９の各々では、上段に乾燥装置１００の動作状態を示す模式的平面図が示され、下段に上段のＱ－Ｑ線における模式的端面図が示される。模式的平面図では、図６の模式的平面図と同様の方法で、各種構成要素および気体衝突領域ＡＲ等が示される。模式的端面図では、第１の気体噴射部１１０から噴射される気体がＹ方向に幅および広がりを持つことが理解しやすいように、第１の気体噴射部１１０から噴射される気体の流れが２本の太い矢印ａａ１で示される。また、第２の気体噴射部１２０から噴射される気体がＹ方向に幅を持つことが理解しやすいように、第２の気体噴射部１２０から噴射される気体の流れが２本の太い矢印ａａ２で示される。

図７に示すように、基板Ｗの下面乾燥の開始時点で、下面中央領域Ｒ１には図３のステップＳ８による洗浄時に用いられた洗浄液の液滴ｄｒが多数付着している。一方、下面外側領域Ｒ２には、洗浄液の液滴ｄｒは存在しない。この状態で、図７の下段の端面図に太い矢印ａａ１で示すように、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗの下面に気体が噴射される。このとき、基板Ｗの下面上では、図７の下段の吹き出しＢＡ１に拡大して示すように、気体衝突領域ＡＲに衝突した気体の一部は、気体衝突領域ＡＲの側方に流れる（複数の矢印ｂｂ１参照）。

また、図７の下段の端面図に太い矢印ａａ２で示すように、第２の気体噴射部１２０から基板Ｗの外周端部の一部に気体が噴射される。このとき、基板Ｗの外周端部近傍では、図７の下段の吹き出しＢＡ２に拡大して示すように、基板Ｗの外周端部に隣り合う空間を通過する気体の大部分が、基板Ｗの外周端部から下方に向かって流れる（複数の矢印ｂｂ２参照）。また、基板Ｗの外周端部またはその近傍部分に衝突した気体の一部が、基板Ｗの外周端部から側方斜め下方に向かって流れる（複数の矢印ｂｂ３参照）。さらに、第１の気体噴射部１１０が乾燥進行方向ＦＤに進行する。

図８に示すように、第１の気体噴射部１１０が乾燥進行方向ＦＤにある程度進行すると、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒは、気体衝突領域ＡＲの移動とともに基板Ｗの外周端部に向かって乾燥進行方向ＦＤに移動する。具体的には、図８の上段において複数の矢印ｂｂ１で示すように、第１の帯状部ｂ１の進行経路上に位置する液滴ｄｒに、平面視で第１の帯状部ｂ１に対して直交する方向に向かう気体の流れが作用する。換言すれば、第１の帯状部ｂ１の進行経路上に位置する液滴ｄｒに、当該液滴ｄｒが平面視で乾燥進行方向ＦＤの前方かつＸ方向における基板Ｗの中心部に向かって流れるように第１の帯状部ｂ１からの気体の流れが作用する。それにより、第１の帯状部ｂ１の進行経路上に位置する液滴ｄｒは、気体衝突領域ＡＲが乾燥進行方向ＦＤに移動するとともに、第１の帯状部ｂ１に沿って気体衝突領域ＡＲの屈曲部ｐ１３に導かれる。

また、図８の上段において複数の矢印ｂｂ１で示すように、第２の帯状部ｂ２の進行経路上に位置する液滴ｄｒに、平面視で第２の帯状部ｂ２に対して直交する方向に向かう気体の流れが作用する。換言すれば、第１の帯状部ｂ１の進行経路上に位置する液滴ｄｒに、当該液滴ｄｒが平面視で乾燥進行方向ＦＤの前方かつＸ方向における基板Ｗの中心部に向かって流れるように第２の帯状部ｂ２からの気体の流れが作用する。それにより、第２の帯状部ｂ２の進行経路上に位置する液滴ｄｒは、気体衝突領域ＡＲが乾燥進行方向ＦＤに移動するとともに、第２の帯状部ｂ２に沿って気体衝突領域ＡＲの屈曲部ｐ１３に導かれる。

このようなメカニズムにより、基板Ｗの下面上で、気体衝突領域ＡＲの進行経路上に位置する液滴ｄｒが、Ｘ方向において気体衝突領域ＡＲから外れるように移動することが防止される。したがって、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に付着する液滴ｄｒが、基板Ｗの下面上で気体衝突領域ＡＲの進行経路から外れる方向に移動し、基板Ｗの下面上に残留することが防止される。

その後、図９に示すように、第１の気体噴射部１１０が基板Ｗの外周端部に到達すると、気体衝突領域ＡＲとともに基板Ｗの下面上を移動した液滴ｄｒは、基板Ｗの外周端部の一部から下方に向かう気体の流れにより強制的に落下する（図７の下段吹き出しＢＡ２内の複数の矢印ｂｂ２参照）。それにより、基板Ｗの下面から除去された液滴が、基板Ｗの外周端部の近傍で飛散し、浮遊することが低減される。したがって、基板Ｗの下面から除去された液滴ｄｒが基板Ｗの上方に移動し、基板Ｗの上面に再付着することが低減される。これらの結果、下面乾燥処理後の基板Ｗの清浄度が向上する。なお、基板Ｗの外方に向かう水平方向への気体の流れについては、その流れが発生しないか、またはその流れが発生しても無視できる程度となるように、第２の気体噴射部１２０の気体の噴射方向および噴射流量が調整されている。

なお、上記の実施例では、台座装置３０の動きに伴って、第１の気体噴射部１１０が、基板Ｗに対して乾燥進行方向ＦＤに移動する。それにより、下面乾燥が行われる。しかしながら、本発明は、当該構成に限定されない。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、基板Ｗを保持した状態で乾燥進行方向ＦＤと逆の方向に移動可能に構成されてもよい。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが乾燥進行方向ＦＤと逆の方向に移動することにより、第１の気体噴射部１１０が、基板Ｗに対して相対的に乾燥進行方向ＦＤに移動する。それにより、下面乾燥が行われる。この下面乾燥時には、第１の気体噴射部１１０が乾燥進行方向ＦＤに移動してもよい。

これらの場合、第２の気体噴射部１２０は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂとともに乾燥進行方向ＦＤと逆の方向に移動可能に構成される。これにより、第２の気体噴射部１２０は、下面乾燥時に基板Ｗの外周端部の一部に対して常に気体を噴射するように、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂに連動して動作する。

＜４＞第１の気体噴射部１１０の変形例
本実施の形態に係る第１の気体噴射部１１０は、以下の構成を有してもよい。図１０は、第１の実施の形態に係る第１の気体噴射部１１０の変形例を説明するための模式的平面図である。図１０では、図６の模式的平面図と同様の方法で、各種構成要素および気体衝突領域ＡＲ等が示される。

図１０に示すように、本変形例に係る第１の気体噴射部１１０は、気体衝突領域ＡＲが湾曲した曲線状に連続的に延びるように構成される。より具体的には、本変形例の第１の気体噴射部１１０に対応する気体衝突領域ＡＲは、第１の端部ｐ２１および第２の端部ｐ２２を有する。第１の端部ｐ２１および第２の端部ｐ２２は、乾燥進行方向ＦＤに直交するＸ方向において互いに離間し、乾燥進行方向ＦＤにおいて同じ位置にある。

また、気体衝突領域ＡＲは、第１の端部ｐ２１と第２の端部ｐ２２との間に、帯状部ｂ３を有する。帯状部ｂ３は、乾燥進行方向ＦＤを基準として後方に膨らむように湾曲した曲線状に延びている。この気体衝突領域ＡＲにおいては、帯状部ｂ３の略中央部が乾燥進行方向ＦＤの最も後方に位置する。

本変形例に係る第１の気体噴射部１１０を用いて基板Ｗの下面乾燥を行う場合においても、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒは、気体衝突領域ＡＲの移動とともに基板Ｗの外周端部に向かって乾燥進行方向ＦＤに移動する。このとき、液滴ｄｒは、乾燥進行方向ＦＤを基準とする帯状部ｂ３の前縁に沿って気体衝突領域ＡＲの略中央に導かれる。それにより、基板Ｗの下面上で、Ｘ方向において気体衝突領域ＡＲから外れるように洗浄液の液滴ｄｒが移動することが防止される。したがって、図１の第１の気体噴射部１１０を用いる場合と同様に、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒが、基板Ｗの下面上で気体衝突領域ＡＲの進行経路から外れる方向に移動し、基板Ｗの下面上に残留することが防止される。

＜５＞第１の実施の形態の効果
本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、第１の気体噴射部１１０は、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の乾燥時に、基板Ｗの下面に気体を噴射しつつ、下面中央領域Ｒ１を通るように乾燥進行方向ＦＤに移動する。それにより、下面中央領域Ｒ１に付着する液滴ｄｒが基板Ｗの外周端部に移動する。

第１の気体噴射部１１０は、基板Ｗの下面上で連続的に延びる気体衝突領域ＡＲが折れ線状または湾曲した曲線状となるように構成されている。気体衝突領域ＡＲの中央部は、気体衝突領域ＡＲの両端部に比べて乾燥進行方向ＦＤの後方に位置する。そのため、気体衝突領域ＡＲは、その一端部から後端部までの間に、平面視で乾燥進行方向ＦＤに対して傾斜する直線部または曲線部を有する。また、気体衝突領域ＡＲは、その他端部から後端部までの間に、平面視で乾燥進行方向ＦＤに対して傾斜する直線部または曲線部を有する。これにより、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒは、第１の気体噴射部１１０の乾燥進行方向ＦＤへの進行時に、気体衝突領域ＡＲの中央部に導かれる。それにより、基板Ｗの下面上で、Ｘ方向において気体衝突領域ＡＲから外れるように洗浄液の液滴ｄｒが移動することが防止される。したがって、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に付着する液滴ｄｒが、基板Ｗの下面上で気体衝突領域ＡＲの進行経路から外れる方向に移動し、基板Ｗの下面上に残留することが防止される。

また、第２の気体噴射部１２０は、基板Ｗの外周端部の一部に向けて上方から気体を噴射する。基板Ｗの外周端部の一部から下方に向かう気体の流れが形成される。それにより、第１の気体噴射部１１０により基板Ｗの外周端部に移動した液滴ｄｒが、基板Ｗの外周端部の一部から強制的に落下する。したがって、基板Ｗの下面から除去された液滴ｄｒが基板Ｗの上方に移動し、基板Ｗの上面に再付着することが低減される。これらの結果、下面乾燥処理後の基板Ｗの清浄度が向上する。

上記の基板洗浄装置１においては、下側保持装置２０により基板Ｗの下面中央領域Ｒ１が吸着保持された状態で、基板Ｗが回転される。また、基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域Ｒ２の洗浄が行われる。さらに、基板Ｗがスピン乾燥される。

その後、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより基板Ｗが保持された状態で、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１が洗浄され、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の乾燥処理が行われる。それにより、スピン乾燥時に、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に下側保持装置２０の吸着保持部２１による吸着痕が形成される場合でも、その吸着痕が、下面中央領域Ｒ１の洗浄により除去される。また、下面中央領域Ｒ１の乾燥時には、上記の乾燥装置１００が用いられる。それにより、上記の一連の処理後の基板の全体の清浄度が向上する。

２．第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板洗浄装置について、第１の実施の形態に係る基板洗浄装置１と異なる点を説明する。図１１は、第２の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図１１に示すように、本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、第１の気体噴射部１１０は、Ｘ方向に直線状に延びる気体噴射口１１１を有する。そのため、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に付着した液滴を除去するための乾燥時に、気体衝突領域ＡＲがＸ方向に延びる１本の直線状に形成される。このような場合でも、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の乾燥時には、気体衝突領域ＡＲの移動により基板Ｗの外周端部に到達した液滴ｄｒが、第２の気体噴射部１２０により形成される気体の流れにより、基板Ｗの下方に強制的に落下する。それにより、基板Ｗの下面から除去された液滴が、基板Ｗの外周端部の近傍で飛散し、浮遊することが低減される。したがって、下面乾燥処理後の基板Ｗの清浄度が向上する。

３．第３の実施の形態
第３の実施の形態に係る基板洗浄装置について、第１の実施の形態に係る基板洗浄装置１と異なる点を説明する。図１２は、第３の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図１２に示すように、本実施の形態に係る基板洗浄装置１には、図１の第２の気体噴射部１２０が設けられていない。このような場合でも、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の乾燥時には、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗの下面に噴射される気体により、基板Ｗの下面上で、Ｘ方向において気体衝突領域ＡＲから外れるように洗浄液の液滴ｄｒが移動することが防止される。それにより、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒが、基板Ｗの下面上で気体衝突領域ＡＲの進行経路から外れる方向に移動し、基板Ｗの下面上に残留することが防止される。したがって、下面乾燥処理後の基板Ｗの清浄度が向上する。

４．他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１において、図１の気体噴射口１１１は折れ線状または曲線状に連続して延びるスリットであるが、本発明はこれに限定されない。気体噴射口１１１は、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の乾燥時に、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗの下面に気体が噴射されることにより、気体衝突領域ＡＲが基板Ｗの下面上で連続して延びるように形成されていればよい。そのため、気体噴射口１１１は、例えば、断続的に延びるように複数のスリットが間隔をおいて配置された構成を有してもよいし、複数の孔が所定間隔で並ぶように形成された構成を有してもよい。

（ｂ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１において、第１の気体噴射部１１０は、基板Ｗの下面に向けて鉛直方向（上向き）に気体を噴射するが、本発明はこれに限定されない。第１の気体噴射部１１０は、気体噴射口１１１から基板Ｗの下面に向けて、鉛直方向に対して傾斜した方向に気体を噴射するように構成されてもよい。より具体的には、第１の気体噴射部１１０は、例えば乾燥進行方向ＦＤ（進行方向前方）に向かって斜め上方に気体を噴射するように構成されてもよい。

この場合、平面視で気体衝突領域ＡＲが気体噴射口１１１よりも乾燥進行方向ＦＤにおいて前方に位置することになる。そのため、平面視で第１の気体噴射部１１０が基板Ｗの外周端部に到達しない状態においても、基板Ｗの下面上の液滴ｄｒを基板Ｗの外周端部まで移動させることができる。それにより、第１の気体噴射部１１０の移動範囲を低減することができる。なお、第１の気体噴射部１１０の進行経路が平面視で基板Ｗの外周端部に到達しないように設定される場合、第２の気体噴射部１２０は、平面視で第１の気体噴射部１１０の進行経路の延長線上に重なるように配置される。

上記の例の他、第１の気体噴射部１１０は、例えば乾燥進行方向ＦＤ（進行方向前方）に向かって斜め上方に向きかつ平面視で乾燥進行方向ＦＤに対して傾斜する方向に向いて気体を噴射するように構成されてもよい。さらに、第１の気体噴射部１１０は、複数の部分で、気体を噴射する方向が互いに異なるように構成されてもよい。

（ｃ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、第２の気体噴射部１２０は、図示しないブラケットを介してユニット筐体２に固定されているが、本発明はこれに限定されない。第２の気体噴射部１２０は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの外周端部の上方の位置と、例えば平面視でカップ６１の側方に設定される待機位置との間で移動可能に構成されてもよい。

（ｄ）第１および第２の実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、第１の気体噴射部１１０および台座装置３０が、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒを基板Ｗの外周端部に移動させるための構成として機能する。基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒを基板Ｗの外周端部に移動させるための構成は、上記の例に限定されない。

例えば、下側保持装置２０が、上記の吸着保持部２１に代えて、回転軸を有するとともに当該回転軸上で基板Ｗの外周端部を保持しつつ当該基板Ｗを回転させることが可能な構成を有する場合を想定する。この場合、基板Ｗの下面に付着する液滴ｄｒを基板Ｗの外周端部に移動させるための構成は、基板Ｗの下方から回転軸の軸心を通して基板Ｗの下面中心に気体を噴射する構成であってもよい。

この構成が採用される場合には、さらに、基板Ｗの外周端部全体に渡って上方から気体を噴射するように、第２の気体噴射部１２０を構成する。それにより、基板Ｗの下面上で基板Ｗの外周端部全体に導かれる液滴ｄｒを、第２の気体噴射部１２０から噴射される気体により基板Ｗの外周端部から強制的に落下させることができる。

（ｅ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に付着する液滴ｄｒを除去し、基板Ｗの下面を乾燥させるために乾燥装置１００が用いられるが、本発明はこれに限定されない。

乾燥装置１００は、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に付着する液滴ｄｒに加えて、基板Ｗの下面外側領域Ｒ２に付着する液滴ｄｒを除去するために用いられてもよい。例えば、受渡装置４０の複数の支持ピン４１が、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの中心を通る鉛直方向の軸（以下、ピン回転軸と呼ぶ。）の周りで回転可能に構成される場合を想定する。

この場合、例えば上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗについて乾燥装置１００による上記の下面乾燥処理が行われた後、その基板Ｗを受渡装置４０に受け取らせる。また、受渡装置４０において複数の支持ピン４１をピン回転軸の周りで回転させることにより、基板Ｗを水平面内で所定角度回転させる。その後、所定角度回転された基板Ｗを上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより再度保持させる。また、基板Ｗに対する第１の気体噴射部１１０の位置を下面乾燥処理の初期状態の位置に戻す。この状態で、乾燥装置１００による下面乾燥処理を行う。これらの一連の動作を繰り返すことができれば、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に限らず、下面外側領域Ｒ２についても、乾燥処理を行うことが可能になる。

（ｆ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、基板洗浄乾燥処理時に、基板Ｗが下側保持装置２０により保持された状態で基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域Ｒ２の洗浄が行われ、基板Ｗのスピン乾燥が行われる。その後、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された状態で、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の洗浄および乾燥が行われる。しかしながら、本発明は、上記実施の形態の例に限定されない。基板洗浄装置１においては、最初に、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された状態で、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の洗浄および乾燥が行われてもよい。その後、基板Ｗが下側保持装置２０により保持された状態で、基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域Ｒ２の洗浄が行われ、スピン乾燥が行われてもよい。

（ｇ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１には、基板Ｗの下面乾燥時に基板Ｗの下面の乾燥を促進するための構成がさらに設けられてもよい。図１３は、他の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図１３に示すように、本例の基板洗浄装置１は、図１の第１の実施の形態に係る基板洗浄装置１の構成に加えて、１または複数（本例では２つ）の高温気体供給部２００を備える。高温気体供給部２００は、乾燥装置１００による基板Ｗの下面乾燥時に、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗに、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗに噴射される気体よりも高い温度を有する高温気体を供給する。

この場合、基板Ｗの下面乾燥時に、基板Ｗが高温気体により加熱され、基板Ｗの乾燥効率が向上する。なお、高温気体供給部２００は、基板Ｗの上面に高温気体を供給してもよいし、基板Ｗの下面に高温気体を供給してもよい。なお、高温気体としては、第１の気体噴射部１１０から基板Ｗに噴射される気体と同じ気体（上記の例では不活性ガス）が供給されることが好ましい。

（ｈ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、処理対象となる基板Ｗは、ノッチを除いて円形状を有するが、基板Ｗは矩形状を有してもよい。

（ｉ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１および下面外側領域Ｒ２がともに下面洗浄装置５０により洗浄されるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗの下面中央領域Ｒ１を洗浄するための構成と、基板Ｗの下面外側領域Ｒ２を洗浄するための構成とが個別に設けられてもよい。

５．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

上記実施の形態においては、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが第１の基板保持部の例であり、第１の気体噴射部１１０が第１の気体噴射部の例であり、第２の気体噴射部１２０が第２の気体噴射部の例であり、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ、台座装置３０および乾燥装置１００を含む構成要素群が基板下面乾燥装置の例である。

また、乾燥進行方向ＦＤが第１の方向の例であり、台座装置３０が相対的移動部の例であり、気体衝突領域ＡＲが気体衝突領域の例であり、Ｘ方向が第２の方向の例であり、第１の端部ｐ１１，ｐ２１が第１の端部の例であり、第２の端部ｐ１２，ｐ２２が第２の端部の例であり、第１の帯状部ｂ１、第２の帯状部ｂ２および帯状部ｂ３が連続帯状部の例であり、下面中央領域Ｒ１が乾燥対象領域の例である。

また、屈曲部ｐ１３が連続帯状部の一部分および屈曲部の例であり、高温気体供給部２００が高温気体供給部の例であり、下面洗浄装置５０が第１の洗浄部および第２の洗浄部の例であり、下側保持装置２０が第２の基板保持部の例であり、制御部９が制御部の例である。

また、図３の基板洗浄乾燥処理におけるステップＳ４の洗浄処理が第１の洗浄処理の例であり、図３の基板洗浄乾燥処理におけるステップＳ５のスピン乾燥処理が第１の乾燥処理の例であり、図３の基板洗浄乾燥処理におけるステップＳ８の洗浄処理が第２の洗浄処理の例であり、図３の基板洗浄乾燥処理におけるステップＳ９の下面乾燥処理が第２の乾燥処理の例である。

６．実施の形態の総括
（第１項）第１項に係る基板下面乾燥装置は、
基板を保持する第１の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された前記基板に下方から気体を噴射する第１の気体噴射部と、
前記第１の気体噴射部による前記基板への気体の噴射時に、平面視で前記第１の基板保持部により保持された前記基板の外縁の少なくとも一部に向けて前記第１の基板保持部により保持される前記基板の上方から気体を噴射する第２の気体噴射部とを備える。

その基板下面乾燥装置においては、第１の基板保持部により保持された基板に下方から気体が噴射される。それにより、基板の下面に付着した液滴が、第１の気体噴射部から噴射される気体により基板の外方の領域に向かって移動する。

このとき、平面視で基板の外縁の少なくとも一部に向けて上方から気体が噴射され、基板の外縁の少なくとも一部から下方に向かう気体の流れが形成される。この場合、基板の下面上で第１の気体噴射部から噴射される気体により基板の外縁の少なくとも一部に向かって移動した液滴は、基板の外縁の少なくとも一部に噴射された気体により強制的に落下する。したがって、基板の下面から除去された液滴が、基板の外縁の近傍で飛散し、浮遊することが低減される。

その結果、基板の下面から除去された液滴が基板の上方に移動し、基板の上面に再付着することが低減され、乾燥処理後の基板の清浄度が向上する。

（第２項）第１項に記載の基板下面乾燥装置において、
前記基板下面乾燥装置は、
前記第１の気体噴射部による気体の噴射時に、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に対して前記第１の気体噴射部が相対的に第１の方向に向かって進行するように移動させる相対的移動部をさらに備え、
前記第１の基板保持部により保持された前記基板の外縁の前記少なくとも一部は、平面視で前記第１の気体噴射部の進行経路上または前記進行経路の延長線上に位置してもよい。

この場合、基板の下面に付着した液滴は、第１の気体噴射部から噴射される気体により、第１の気体噴射部の進行とともに第１の方向に移動する。それにより、基板の下面上で移動する液滴は、基板の外縁の少なくとも一部に到達し、第２の気体噴射部から噴射される気体により強制的に落下する。その結果、乾燥処理後の基板の清浄度がより向上する。

（第３項）第２項に記載の基板下面乾燥装置において、
前記基板の下面のうち前記第１の気体噴射部から噴射された気体を受ける気体衝突領域は、
前記第１の方向に直交する第２の方向において互いに離間する第１の端部および第２の端部と、
前記第１の端部と前記第２の端部との間で連続的に延びる連続帯状部とを有してもよい。

この場合、気体衝突領域が基板の下面上で連続的に第２の方向に延びるように形成されているので、基板の下面において気体衝突領域が移動する領域上に液滴が残留することが防止される。

（第４項）第３項に記載の基板下面乾燥装置において、
前記第２の方向における前記気体衝突領域の前記第１の端部および前記第２の端部間の長さは、前記基板の下面のうち予め定められた乾燥対象領域の前記第２の方向の最大長さ以上であってもよい。

この場合、乾燥対象領域の全体を通過するように気体衝突領域を移動させることにより、基板の下面における乾燥対象領域上に液滴が残留することが防止される。

（第５項）第１項～第４項のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置において、
前記基板下面乾燥装置は、
前記第１の基板保持部により保持された前記基板に、前記第１の気体噴射部から前記基板に噴射される気体よりも高い温度を有する高温気体を供給する高温気体供給部をさらに備えてもよい。

この場合、第１の気体噴射部および第２の気体噴射部により基板に付着する液滴が除去される際に、基板に高温気体を供給することができる。それにより、基板が高温気体により加熱され、基板の乾燥効率が向上する。

（第６項）第３項または第４項のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置において、
前記気体衝突領域の前記連続帯状部の一部分は、前記第１の方向において前記第１の端部および前記第２の端部よりも後方に位置するとともに、前記連続帯状部の他の部分に比べて前記第１の方向において最も後方に位置してもよい。

この場合、気体衝突領域が基板の下面上で第１の方向に向かって進行する際に、基板の下面に付着する液滴が第２の方向において連続帯状部の一部分に集まるように移動しつつ第１の方向に移動する。それにより、基板の下面上で、第２の方向において気体衝突領域から外れるように液滴が移動することが防止される。したがって、基板の下面に付着する液滴が、基板の下面上で気体衝突領域の進行経路から外れる方向に移動し、基板の下面上に残留することが防止される。その結果、乾燥処理後の基板の清浄度がさらに向上する。

（第７項）第７項に係る基板洗浄装置は、
第１項～第６項いずれか一項に記載の基板下面乾燥装置と、
第１の洗浄部と、
前記基板の下面中央領域の少なくとも一部を吸着保持しつつ前記基板を回転させる第２の基板保持部と、
前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板の下面外側領域を洗浄する第２の洗浄部と、
制御部とを備え、
前記基板下面乾燥装置が備える前記第１の基板保持部は、前記基板の外縁に当接することにより前記基板を保持可能に構成され、
前記第１の洗浄部は、前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面中央領域を洗浄し、
前記制御部は、前記第２の洗浄部により前記基板の下面外側領域を洗浄する第１の洗浄処理、前記第１の洗浄処理により前記基板の下面外側領域に付着した液滴を除去する第１の乾燥処理、前記第１の洗浄部により前記基板の下面中央領域を洗浄する第２の洗浄処理、および前記第２の洗浄処理により前記基板の下面中央領域に付着した液滴を前記基板下面乾燥装置により除去する第２の乾燥処理がこの順で行われるように、前記基板下面乾燥装置、前記第１の洗浄部、前記第２の基板保持部および前記第２の洗浄部を制御する。

その基板洗浄装置においては、第２の基板保持部により基板の下面中央領域の少なくとも一部が吸着保持された状態で、第１の洗浄処理および第１の乾燥処理が行われる。その後、第１の基板保持部により基板が保持された状態で、第２の洗浄処理および第２の乾燥処理が行われる。それにより、第１の乾燥処理後に、基板の下面中央領域に第２の基板保持部による吸着痕が形成される場合でも、その吸着痕が第２の洗浄処理により除去される。また、第２の乾燥処理時には、上記の基板下面乾燥装置により基板の下面中央領域が乾燥される。その結果、上記の一連の処理後の基板の下面全体の清浄度が向上する。

（第８項）第８項に係る基板下面乾燥装置は、
基板を保持する第１の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された前記基板に下方から気体を噴射する第１の気体噴射部と、
前記第１の気体噴射部による気体の噴射時に、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に対して前記第１の気体噴射部が相対的に前記基板に平行な第１の方向に向かって進行するように移動させる相対的移動部とを備え、
前記基板の下面のうち前記第１の気体噴射部から噴射された気体を受ける気体衝突領域は、前記基板に平行でかつ前記第１の方向に直交する第２の方向において互いに離間する第１の端部および第２の端部と、前記第１の端部と前記第２の端部との間で連続的に延びる連続帯状部とを有し、
前記連続帯状部の一部分は、前記第１の方向において前記第１の端部および前記第２の端部よりも後方に位置するとともに、前記連続帯状部の他の部分に比べて前記第１の方向において最も後方に位置する。

その基板下面乾燥装置においては、第１の基板保持部により保持された基板に第１の気体噴射部から気体が噴射され、その基板に対して第１の気体噴射部が第１の方向に向かって進行する。気体衝突領域は、基板の下面上で連続的に第２の方向に延びるように形成されている。それにより、基板の下面において気体衝突領域が移動する領域上に存在する液滴は、第１の気体噴射部から噴射される気体により、第１の気体噴射部の進行とともに第１の方向に移動する。

ここで、気体衝突領域の連続帯状部の一部分は、第１の方向において気体衝突領域の第１の端部および第２の端部よりも後方に位置する。また、気体衝突領域の連続帯状部の一部分は、連続帯状部の他の部分に比べて第１の方向において最も後方に位置する。この場合、気体衝突領域が基板の下面上で第１の方向に向かって進行する際に、基板の下面に付着する液滴が第２の方向において連続帯状部の一部分に集まるように移動しつつ第１の方向に移動する。それにより、基板の下面上で、第２の方向において気体衝突領域から外れるように液滴が移動することが防止される。したがって、基板の下面に付着する液滴が、基板の下面上で気体衝突領域の進行経路から外れる方向に移動し、基板の下面上に残留することが防止される。その結果、乾燥処理後の基板の清浄度が向上する。

（第９項）第８項記載の基板下面乾燥装置において、
前記連続帯状部は、
平面視で前記第１の端部から前記第２の端部に向かって前記第１の方向を基準とする斜め後方に直線状に一定長さ延びる第１の帯状部と、
平面視で前記第２の端部から前記第１の端部に向かって前記第１の方向を基準とする斜め後方に直線状に一定長さ延びる第２の帯状部と、
前記第１の帯状部の後端部と前記第２の帯状部の後端部とが接する屈曲部とを有し、
前記屈曲部は、前記連続帯状部の前記一部分であってもよい。

この場合、気体衝突領域が基板の下面上で第１の方向に向かって進行する際に、基板の下面に付着する液滴の一部は第１の帯状部の前縁に沿って屈曲部に円滑に導かれる。また、基板の下面に付着する液滴の他の一部は第２の帯状部の前縁に沿って屈曲部に円滑に導かれる。したがって、基板の下面のうち気体衝突領域の進行経路上に位置する部分に付着した液滴が、基板の下面のうち気体衝突領域の進行経路から外れた部分に移動し、残留することが防止される。

（第１０項）第８項または第９項に記載の基板下面乾燥装置において、
前記第２の方向における前記気体衝突領域の前記第１の端部および前記第２の端部間の長さは、前記基板の下面のうち予め定められた乾燥対象領域の前記第２の方向の最大長さ以上であってもよい。

この場合、乾燥対象領域の全体を通過するように気体衝突領域を移動させることにより、基板の下面における乾燥対象領域上に液滴が残留することが防止される。

（第１１項）第８項～第１０項のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置において、
前記基板下面乾燥装置は、
前記第１の基板保持部により保持された前記基板に、前記第１の気体噴射部から前記基板に噴射される気体よりも高い温度を有する高温気体を供給する高温気体供給部をさらに備えてもよい。

この場合、第１の気体噴射部により基板に付着する液滴が除去される際に、基板に高温気体を供給することができる。それにより、基板が高温気体により加熱され、基板の乾燥効率が向上する。

（第１２項）第１２項に係る基板洗浄装置は、
第８項～第１１項のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置と、
第１の洗浄部と、
前記基板の前記下面中央領域の少なくとも一部を吸着保持しつつ前記基板を回転させる第２の基板保持部と、
前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板の下面外側領域を洗浄する第２の洗浄部と、
制御部とを備え、
前記基板下面乾燥装置が備える前記第１の基板保持部は、前記基板の外縁に当接することにより前記基板を保持可能に構成され、
前記第１の洗浄部は、前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面中央領域を洗浄し、
前記制御部は、前記第２の洗浄部により前記基板の下面外側領域を洗浄する第１の洗浄処理、前記第１の洗浄処理により前記基板の下面外側領域に付着した液滴を除去する第１の乾燥処理、前記第１の洗浄部により前記基板の下面中央領域を洗浄する第２の洗浄処理、および前記第２の洗浄処理により前記基板の下面中央領域に付着した液滴を前記基板下面乾燥装置により除去する第２の乾燥処理がこの順で行われるように、前記基板下面乾燥装置、前記第１の洗浄部、前記第２の基板保持部および前記第２の洗浄部を制御する。

その基板洗浄装置においては、第２の基板保持部により基板の下面中央領域の少なくとも一部が吸着保持された状態で、第１の洗浄処理および第１の乾燥処理が行われる。その後、第１の基板保持部により基板が保持された状態で、第２の洗浄処理および第２の乾燥処理が行われる。それにより、第１の乾燥処理後に、基板の下面中央領域に第２の基板保持部による吸着痕が形成される場合でも、その吸着痕が第２の洗浄処理により除去される。また、第２の乾燥処理時には、上記の基板下面乾燥装置により基板の下面中央領域が乾燥される。その結果、上記の一連の処理後の基板の下面全体の清浄度が向上する。

上記一連の実施形態に係る基板下面乾燥装置によれば、基板の下面乾燥時における基板の清浄度が向上するので、基板処理により得られる製品の歩留まりが向上する。したがって、無駄な基板処理が低減されるので、基板処理の省エネルギー化が実現できる。また、無駄な薬液等の利用を低減することができるので、地球環境の汚染の低減に寄与することができる。

１…基板洗浄装置，２…ユニット筐体，２ｘ…搬入搬出口，９…制御部，１０Ａ，１０Ｂ…上側保持装置，１１Ａ…下チャック，１１Ｂ…下チャック，１２Ａ，１２Ｂ…上チャック，２０…下側保持装置，２１…吸着保持部，３０…台座装置，３１…リニアガイド，３２…可動台座，４０…受渡装置，４１…支持ピン，５０…下面洗浄装置，５１…下面ブラシ，５２…液ノズル，５４…昇降支持部，５５…移動支持部，６０…カップ装置，６１…カップ，７０…上面洗浄装置，７１…回転支持軸，７２…アーム，７３…スプレーノズル，８０…端部洗浄装置，８１…回転支持軸，８２…アーム，８３…ベベルブラシ，９０…開閉装置，９１…シャッタ，１００…乾燥装置，１１０…第１の気体噴射部，１１１…気体噴射口，１２０…第２の気体噴射部，１２１…気体噴射口，２００…高温気体供給部，ＡＲ…気体衝突領域，ＦＤ…乾燥進行方向，Ｒ１…下面中央領域，Ｒ２…下面外側領域，Ｗ…基板，ｂ１…第１の帯状部，ｂ２…第２の帯状部，ｂ３…帯状部，ｄｒ…液滴，ｐ１１，ｐ２１…第１の端部，ｐ１２，ｐ２２…第２の端部，ｐ１３…屈曲部

Claims (12)

1. 基板を保持する第１の基板保持部と、
   前記第１の基板保持部により保持された前記基板に下方から気体を噴射する第１の気体噴射部と、
   前記第１の気体噴射部による前記基板への気体の噴射時に、平面視で前記第１の基板保持部により保持された前記基板の外縁の少なくとも一部に向けて前記第１の基板保持部により保持される前記基板の上方から気体を噴射する第２の気体噴射部とを備える、基板下面乾燥装置。
2. 前記第１の気体噴射部による気体の噴射時に、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に対して前記第１の気体噴射部が相対的に第１の方向に向かって進行するように移動させる相対的移動部をさらに備え、
   前記第１の基板保持部により保持された前記基板の外縁の前記少なくとも一部は、平面視で前記第１の気体噴射部の進行経路上または前記進行経路の延長線上に位置する、請求項１記載の基板下面乾燥装置。
3. 前記基板の下面のうち前記第１の気体噴射部から噴射された気体を受ける気体衝突領域は、
   前記第１の方向に直交する第２の方向において互いに離間する第１の端部および第２の端部と、
   前記第１の端部と前記第２の端部との間で連続的に延びる連続帯状部とを有する、請求項２記載の基板下面乾燥装置。
4. 前記第２の方向における前記気体衝突領域の前記第１の端部および前記第２の端部間の長さは、前記基板の下面のうち予め定められた乾燥対象領域の前記第２の方向の最大長さ以上である、請求項３記載の基板下面乾燥装置。
5. 前記第１の基板保持部により保持された前記基板に、前記第１の気体噴射部から前記基板に噴射される気体よりも高い温度を有する高温気体を供給する高温気体供給部をさらに備える、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置。
6. 前記気体衝突領域の前記連続帯状部の一部分は、前記第１の方向において前記第１の端部および前記第２の端部よりも後方に位置するとともに、前記連続帯状部の他の部分に比べて前記第１の方向において最も後方に位置する、請求項３または４記載の基板下面乾燥装置。
7. 請求項１～４のいずれか一項に記載の基板下面乾燥装置と、
   第１の洗浄部と、
   前記基板の下面中央領域の少なくとも一部を吸着保持しつつ前記基板を回転させる第２の基板保持部と、
   前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板の下面外側領域を洗浄する第２の洗浄部と、
   制御部とを備え、
   前記基板下面乾燥装置が備える前記第１の基板保持部は、前記基板の外縁に当接することにより前記基板を保持可能に構成され、
   前記第１の洗浄部は、前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面中央領域を洗浄し、
   前記制御部は、前記第２の洗浄部により前記基板の下面外側領域を洗浄する第１の洗浄処理、前記第１の洗浄処理により前記基板の下面外側領域に付着した液滴を除去する第１の乾燥処理、前記第１の洗浄部により前記基板の下面中央領域を洗浄する第２の洗浄処理、および前記第２の洗浄処理により前記基板の下面中央領域に付着した液滴を前記基板下面乾燥装置により除去する第２の乾燥処理がこの順で行われるように、前記基板下面乾燥装置、前記第１の洗浄部、前記第２の基板保持部および前記第２の洗浄部を制御する、基板洗浄装置。
8. 基板を保持する第１の基板保持部と、
   前記第１の基板保持部により保持された前記基板に下方から気体を噴射する第１の気体噴射部と、
   前記第１の気体噴射部による気体の噴射時に、前記第１の基板保持部により保持された前記基板に対して前記第１の気体噴射部が相対的に第１の方向に向かって進行するように移動させる相対的移動部とを備え、
   前記基板の下面のうち前記第１の気体噴射部から噴射された気体を受ける気体衝突領域は、前記第１の方向に直交する第２の方向において互いに離間する第１の端部および第２の端部と、前記第１の端部と前記第２の端部との間で連続的に延びる連続帯状部とを有し、
   前記連続帯状部の一部分は、前記第１の方向において前記第１の端部および前記第２の端部よりも後方に位置するとともに、前記連続帯状部の他の部分に比べて前記第１の方向において最も後方に位置する、基板下面乾燥装置。
9. 前記連続帯状部は、
   平面視で前記第１の端部から前記第２の端部に向かって前記第１の方向を基準とする斜め後方に直線状に一定長さ延びる第１の帯状部と、
   平面視で前記第２の端部から前記第１の端部に向かって前記第１の方向を基準とする斜め後方に直線状に一定長さ延びる第２の帯状部と、
   前記第１の帯状部の後端部と前記第２の帯状部の後端部とが接する屈曲部とを有し、
   前記屈曲部は、前記連続帯状部の前記一部分である、請求項８記載の基板下面乾燥装置。
10. 前記第２の方向における前記気体衝突領域の前記第１の端部および前記第２の端部間の長さは、前記基板の下面のうち予め定められた乾燥対象領域の前記第２の方向の最大長さ以上である、請求項８または９記載の基板下面乾燥装置。
11. 前記第１の基板保持部により保持された前記基板に、前記第１の気体噴射部から前記基板に噴射される気体よりも高い温度を有する高温気体を供給する高温気体供給部をさらに備える、請求項８または９記載の基板下面乾燥装置。
12. 請求項８または９記載の基板下面乾燥装置と、
    第１の洗浄部と、
    前記基板の前記下面中央領域の少なくとも一部を吸着保持しつつ前記基板を回転させる第２の基板保持部と、
    前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板の下面外側領域を洗浄する第２の洗浄部と、
    制御部とを備え、
    前記基板下面乾燥装置が備える前記第１の基板保持部は、前記基板の外縁に当接することにより前記基板を保持可能に構成され、
    前記第１の洗浄部は、前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面中央領域を洗浄し、
    前記制御部は、前記第２の洗浄部により前記基板の下面外側領域を洗浄する第１の洗浄処理、前記第１の洗浄処理により前記基板の下面外側領域に付着した液滴を除去する第１の乾燥処理、前記第１の洗浄部により前記基板の下面中央領域を洗浄する第２の洗浄処理、および前記第２の洗浄処理により前記基板の下面中央領域に付着した液滴を前記基板下面乾燥装置により除去する第２の乾燥処理がこの順で行われるように、前記基板下面乾燥装置、前記第１の洗浄部、前記第２の基板保持部および前記第２の洗浄部を制御する、基板洗浄装置。

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