WO2024004598A1

WO2024004598A1 - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

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Publication number: WO2024004598A1
Application number: PCT/JP2023/021619
Authority: WO
Inventors: 務吉村; 雅史小島; 研由後藤; 朝日 ▲高▼木; 英幸石原
Original assignee: 富士フイルム株式会社
Priority date: 2022-06-29
Filing date: 2023-06-09
Publication date: 2024-01-04

Abstract

特定の一般式で表される繰り返し単位（ｉ）と、シアノ基及びラクトン構造を有する繰り返し単位（ｉｉ）と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（ｉｉｉ）と、を含む樹脂（Ａ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、樹脂（Ａ）中の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して３５モル％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性樹脂膜、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いるパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法により、極微細のパターン形成において、欠陥の発生を抑制することができ、かつラフネス性能に優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物等を提供する。

Description

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

　本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法に関する。

　ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ、集積回路）及びＬＳＩ（ＬａｒｇｅＳｃａｌｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ、大規模集積回路）等の半導体デバイスの製造プロセスにおいては、感光性組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。
　リソグラフィーの方法として、感光性組成物によりレジスト膜を形成した後、得られた膜を露光して、その後、現像する方法が挙げられる。特に、近年、露光の際に、ＡｒＦエキシマレーザーに加えて、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）を用いる検討がなされており、ＥＵＶ露光に適した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の開発がなされている。

　微細なパターン形成を目的としたＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ）、又は電子線を用いたレジストパターンの形成においては、従来のＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）光等を用いた場合よりも各種性能において求められる要求が厳しくなっている。

　例えば、特許文献１には、活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸アニオンを発生する繰り返し単位であり、少なくとも、上記酸アニオンの対カチオンを除く側鎖に芳香環を含有する繰り返し単位と、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する、少なくとも２種の繰り返し単位を含有する樹脂を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が記載されている。
　特許文献２には、酸の作用により分解して極性が増大する、特定の繰り返し単位を含む樹脂と、活性光線又は放射線の照射によって酸を発生する、特定の構造を有する化合物と、を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が記載されている。
　特許文献３には、特定の構造を有する構造単位を有する樹脂、及び感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物が記載されている。

日本国特開２０１１－１５４２１６号公報国際公開第２０２２／０２４９２９号日本国特開２０１５－５２７６９号公報

　近年、例えば、ＥＵＶ又は電子線を用いたパターン形成などにおいて、形成されるパターンの微細化に伴い、諸性能において、更なる向上が求められている。特に、欠陥の抑制、及びラフネス性能について、改善の余地がある。ラインアンドスペースパターンの場合は、ラフネス性能としては、例えば、ラインウィズスラフネス（Ｌｉｎｅ　Ｗｉｄｔｈ　Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ：ＬＷＲ）性能などがある。

　本発明は、極微細（例えば、線幅３５ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンや孔径３５ｎｍ以下のホールパターン等）のパターン形成において、欠陥の発生を抑制することができ、かつラフネス性能に優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性樹脂膜、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いるパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。

　本発明者らは、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。

［１］
　下記一般式（Ｎ－０）で表される繰り返し単位（ｉ）と、シアノ基及びラクトン構造を有する繰り返し単位（ｉｉ）と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（ｉｉｉ）と、を含む樹脂（Ａ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
　上記樹脂（Ａ）中の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が、上記樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して３５モル％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｎ－０）中、Ｘ^Ｎ１は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。ｋは０又は１を表す。Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３は各々独立に炭素数１～１２のアルキル基又は炭素数３～１２のシクロアルキル基を表す。Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３のうち２つが結合して環を形成してもよい。Ｒ^Ｎ４はハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４が複数存在する場合、複数のＲ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ^Ｎ５は水素原子又は有機基を表す。Ｒ^Ｎ４とＲ^Ｎ５は結合して環を形成してもよい。ｔ１は１以上（５＋２ｋ）以下の整数を表す。ｔ２は０以上（５＋２ｋ－ｔ１）以下の整数を表す。
［２］
　上記繰り返し単位（ｉ）が、下記一般式（Ｎ－１）で表される繰り返し単位である、［１］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｎ－１）中、Ｘ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ５、ｋ、ｔ１及びｔ２は、それぞれ一般式（Ｎ－０）中のＸ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ５、ｋ、ｔ１及びｔ２と同じ意味を表す。
［３］
　上記繰り返し単位（ｉ）が、下記一般式（Ｎ－２）で表される繰り返し単位である、［１］又は［２］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｎ－２）中、Ｘ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４は、それぞれ一般式（Ｎ－０）中のＸ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４と同じ意味を表す。ｔ３は１以上５以下の整数を表す。ｔ４は０以上４以下の整数を表す。
［４］
　上記繰り返し単位（ｉｉ）が、下記一般式（Ｑ－１）で表される繰り返し単位である、［１］～［３］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｑ－１）中、Ｘ^Ｑ１は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。Ｌ^Ｑ１は単結合又は２価の有機基を表す。Ｒ^Ｑ１及びＲ^Ｑ２は、各々独立に水素原子、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基、若しくは炭素数１～５のアルキルチオ基を表すか、又は、Ｒ^Ｑ１とＲ^Ｑ２とが結合して、酸素原子及び硫黄原子の少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１～６のアルキレン基、エーテル結合、若しくはチオエーテル結合を表す。Ｒ^Ｑ３はハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。ｍ１は１～６の整数を表す。ｍ２は０～５の整数を表す。
［５］
　上記繰り返し単位（ｉ）が、下記一般式（Ｎ－３）で表される繰り返し単位である、［１］～［４］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｎ－３）中、Ｘ^Ｎ２は水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表す。Ｒ^Ｎ６はメチル基又はエチル基を表す。ｔ５は１又は２を表す。
［６］
　上記樹脂（Ａ）が、下記一般式（Ｅ－１）で表される繰り返し単位を含む、［１］～［５］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｅ－１）中、Ｘ^Ｅ１は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３は各々独立に、炭素数１～１２の炭化水素基を表す。Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３のうち２つが結合して環を形成してもよい。Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３が表す上記炭化水素基がアルキレン基を含む場合、一部のアルキレン基はエーテル基、チオエーテル基又はカルボニル基に置き換わってもよい。
［７］
　上記樹脂（Ａ）中の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が、上記樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して４０モル％以上である、［１］～［６］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［８］
　上記樹脂（Ａ）中の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が、上記樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して４５モル％以上である、［１］～［７］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［９］
　上記樹脂（Ａ）が、下記一般式（Ｅ－２）で表される繰り返し単位を含む、［１］～［８］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｅ－２）中、Ｘ^Ｅ２は水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表す。Ｒ^Ｅ４は炭素数６以下の炭化水素基を表す。ｕ１は１又は２を表す。
［１０］
　上記樹脂（Ａ）の分子量分散度が１．７０以下である、［１］～［９］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［１１］
　上記樹脂（Ａ）とは別の化合物として、オニウム塩化合物を含有する、［１］～［１０］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［１２］
　光酸発生剤を含有する、［１］～［１１］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［１３］
　上記Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３の炭素数の合計が３～２５である、［１］～［３］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［１４］
　［１］～［１３］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
［１５］
　［１］～［１３］のいずれか１つに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上に感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程と、
　上記感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程と、
　現像液を用いて、上記露光された感活性光線性又は感放射線性膜を現像し、パターンを形成する工程と、を有するパターン形成方法。
［１６］
　［１５］に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。

　本発明によれば、極微細（例えば、線幅３５ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンや孔径３５ｎｍ以下のホールパターン等）のパターン形成において、欠陥の発生を抑制することができ、かつラフネス性能に優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性樹脂膜、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いるパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法を提供することができる。

　以下、本発明について詳細に説明する。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされる場合があるが、本発明はそのような実施態様に限定されない。
　本明細書中における基（原子団）の表記について、本発明の趣旨に反しない限り、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さない基と共に置換基を含む基をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。また、本明細書中において、「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。
　置換基としては、特に断らない限り、１価の置換基が好ましい。

　本明細書において、「置換基を有していてもよい」というときの置換基の種類、置換基の位置、及び、置換基の数は特に限定されない。置換基の数は例えば、１つ、２つ、３つ、又はそれ以上であってもよい。置換基の例としては水素原子を除く１価の非金属原子団を挙げることができ、例えば、以下の置換基Ｔから選択することができる。

（置換基Ｔ）
　置換基Ｔとしては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ－ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基及びｐ－トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アセトキシ基、プロピオニルオキシ基及びベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ基；アセチル基、ベンゾイル基、イソブチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基及びメトキサリル基等のアシル基；メチルスルファニル基及びｔｅｒｔ－ブチルスルファニル基等のアルキルスルファニル基；フェニルスルファニル基及びｐ－トリルスルファニル基等のアリールスルファニル基；アルキル基；シクロアルキル基；アリール基；ヘテロアリール基；水酸基；カルボキシ基；ホルミル基；スルホ基；シアノ基；アルキルアミノカルボニル基；アリールアミノカルボニル基；スルホンアミド基；シリル基；アミノ基；モノアルキルアミノ基；ジアルキルアミノ基；アリールアミノ基、ニトロ基；ホルミル基；並びにこれらの組み合わせが挙げられる。

　本明細書において、「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、Ｘ線、及び、電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）を意味する。
　本明細書において、「光」とは、活性光線又は放射線を意味する。
　本明細書において、「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、及び、Ｘ線等による露光のみならず、電子線、及び、イオンビーム等の粒子線による描画も含む。
　本明細書において、「～」とは、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。

　本明細書において、表記される２価の連結基の結合方向は、特に断らない限り制限されない。例えば、「Ｘ－Ｙ－Ｚ」なる式で表される化合物中の、Ｙが－ＣＯＯ－である場合、Ｙは、－ＣＯ－Ｏ－であってもよく、－Ｏ－ＣＯ－であってもよい。上記化合物は「Ｘ－ＣＯ－Ｏ－Ｚ」であってもよく、「Ｘ－Ｏ－ＣＯ－Ｚ」であってもよい。

　本明細書において、（メタ）アクリレートはアクリレート及びメタクリレートを表し、（メタ）アクリルはアクリル及びメタクリルを表す。
　本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び、分子量分散度（「分子量分布」ともいう。）（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）装置（東ソー社製ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ）によるＧＰＣ測定（溶媒：テトラヒドロフラン、流量（サンプル注入量）：１０μＬ、カラム：東ソー社製ＴＳＫ　ｇｅｌ　Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ　ＨＸＬ－Ｍ、カラム温度：４０℃、流速：１．０ｍＬ／分、検出器：示差屈折率検出器（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ　Ｉｎｄｅｘ　Ｄｅｔｅｃｔｏｒ））によるポリスチレン換算値として定義される。

　本明細書において、酸解離定数（ｐＫａ）とは、水溶液中でのｐＫａを表し、具体的には、下記ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求められる値である。
　ソフトウェアパッケージ１：　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　（ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）　Ｓｏｆｔｗａｒｅ　Ｖ８．１４　ｆｏｒ　Ｓｏｌａｒｉｓ　（１９９４－２００７　ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）。

　ｐＫａは、分子軌道計算法によっても求められる。具体的な方法としては、熱力学サイクルに基づいて、水溶液中におけるＨ^＋解離自由エネルギーを計算することで算出する手法が挙げられる。Ｈ^＋解離自由エネルギーの計算方法については、例えばＤＦＴ（密度汎関数法）により計算することができるが、他にも様々な手法が文献等で報告されており、これに制限されない。なお、ＤＦＴを実施できるソフトウェアは複数存在するが、例えば、Ｇａｕｓｓｉａｎ１６が挙げられる。

　本明細書中において、ｐＫａとは、上述した通り、ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を計算により求められる値を指すが、この手法によりｐＫａが算出できない場合には、ＤＦＴ（密度汎関数法）に基づいてＧａｕｓｓｉａｎ１６により得られる値を採用するものとする。
　本明細書中において、ｐＫａは、上述した通り「水溶液中でのｐＫａ」を指すが、水溶液中でのｐＫａが算出できない場合には、「ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）溶液中でのｐＫａ」を採用するものとする。
　「固形分」とは、感活性光線性又は感放射線性膜（典型的にはレジスト膜）を形成する成分を意味し、溶剤は含まれない。また、感活性光線性又は感放射線性膜を形成する成分であれば、その性状が液体状であっても、固形分とみなす。

［感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物］
　以下、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物について説明する。
　本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下、「本発明の組成物」ともいう）は、典型的にはレジスト組成物であり、ポジ型のレジスト組成物であっても、ネガ型のレジスト組成物であってもよい。また、アルカリ現像用のレジスト組成物であっても、有機溶剤現像用のレジスト組成物であってもよい。また、化学増幅型のレジスト組成物であっても、非化学増幅型のレジスト組成物であってもよい。本発明の組成物は、好ましくは、化学増幅型のレジスト組成物である。

　本発明の組成物は、下記一般式（Ｎ－０）で表される繰り返し単位（ｉ）と、シアノ基及びラクトン構造を有する繰り返し単位（ｉｉ）と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（ｉｉｉ）と、を含む樹脂（Ａ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
　樹脂（Ａ）中の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して３５モル％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物である。

　一般式（Ｎ－０）中、Ｘ^Ｎ１は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。ｋは０又は１を表す。Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３は各々独立に炭素数１～１２のアルキル基又は炭素数３～１２のシクロアルキル基を表す。Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３のうち２つが結合して環を形成してもよい。Ｒ^Ｎ４はハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４が複数存在する場合、複数のＲ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ^Ｎ５は水素原子又は有機基を表す。Ｒ^Ｎ４とＲ^Ｎ５は結合して環を形成してもよい。ｔ１は１以上（５＋２ｋ）以下の整数を表す。ｔ２は０以上（５＋２ｋ－ｔ１）以下の整数を表す。

　まず、本発明の組成物の各種成分について詳述する。

＜樹脂（Ａ）＞
　本発明の組成物は、一般式（Ｎ－０）で表される繰り返し単位（ｉ）と、シアノ基及びラクトン構造を有する繰り返し単位（ｉｉ）と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（ｉｉｉ）と、を含む樹脂（Ａ）を含有する。
　樹脂（Ａ）は、酸の作用により分解し極性が増大する樹脂（「酸分解性樹脂」ともいう。）である。
　樹脂（Ａ）は、酸の作用により分解し極性が増大する基（「酸分解性基」ともいう。）を有する繰り返し単位を含む。
　酸分解性基とは、酸の作用により分解して極性基を生じる基をいう。酸分解性基は、酸の作用により脱離する基（脱離基）で極性基が保護された構造を有することが好ましい。つまり、樹脂（Ａ）は、酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位を有する。この繰り返し単位を有する樹脂は、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤に対する溶解度が減少する。
　樹脂（Ａ）が酸分解性樹脂であるため、本発明の組成物を用いたパターン形成方法において、典型的には、現像液としてアルカリ現像液を採用した場合には、ポジ型パターンが好適に形成され、現像液として有機系現像液を採用した場合には、ネガ型パターンが好適に形成される。

　樹脂（Ａ）において、繰り返し単位（ｉ）と、繰り返し単位（ｉｉ）と、繰り返し単位（ｉｉｉ）とは、それぞれ異なる繰り返し単位であることが好ましい。

（繰り返し単位（ｉ））
　樹脂（Ａ）は、一般式（Ｎ－０）で表される繰り返し単位（ｉ）を含む。
　繰り返し単位（ｉ）は、酸分解性基を有する繰り返し単位であり、酸の作用により分解し、フェノール性水酸基を生じる基を有する繰り返し単位である。
　繰り返し単位（ｉ）は、例えば、従来から酸分解性基を有する繰り返し単位として用いられることが多い（メタ）アクリル酸エステルに由来する繰り返し単位に比べて、脱離反応性が高い。酸分解性基を有する繰り返し単位の脱離反応性が高いと、欠陥の発生を抑制しやすくなる。また、酸分解性基を有する繰り返し単位の脱離反応性が高いと、脱離（脱保護）の揺らぎが低減し、ラフネス性能が改良する。通常、脱離反応性を向上させるためには、脱離基のサイズを大きくすることが考えられるが、繰り返し単位（ｉ）は脱離基のサイズではなく、一般式（Ｎ－０）で表される骨格に起因して脱離反応性が高いので、脱離反応性を向上させるために脱離基のサイズを大きくする必要がない。脱離基の分子量が小さいほど脱離物の揮発性が高く、感活性光線性又は感放射線性膜中への脱離物の残存が抑えられ、感活性光線性又は感放射線性膜のＴｇ（ガラス転移温度）の低下を抑制することができる。感活性光線性又は感放射線性膜のＴｇが高いほど、酸の拡散を抑制することができるため、極微細のパターンを形成する際の欠陥を抑制でき、かつラフネス性能も向上すると考えられる。
　また、後述するように、本発明の組成物は光酸発生剤を含有することが好ましいが、繰り返し単位（ｉ）は、脱離反応で発生する極性基がフェノール性水酸基であり、光酸発生剤との相溶性が高いため、特に本発明の組成物が光酸発生剤を含有する場合は、極微細のパターンを形成する際の欠陥をより抑制でき、かつラフネス性能もより向上すると考えられる。

　一般式（Ｎ－０）中、Ｘ^Ｎ１は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。
　Ｘ^Ｎ１が表すハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などであり、フッ素原子が好ましい。
　Ｘ^Ｎ１が表す有機基は、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基などであり、アルキル基が好ましい。Ｘ^Ｎ１が表す有機基の炭素数は１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。Ｘ^Ｎ１が表す有機基はメチル基が特に好ましい。
　Ｘ^Ｎ１は水素原子、フッ素原子又はメチル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。

　一般式（Ｎ－０）中、ｋは０又は１を表し、０を表すことが好ましい。一般式（Ｎ－０）中に記載されている芳香環は、ｋが０の場合はベンゼン環を表し、ｋが１の場合はナフタレン環を表す。

　一般式（Ｎ－０）中、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３は各々独立に炭素数１～１２のアルキル基又は炭素数３～１２のシクロアルキル基を表す。
　Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３が表すアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数１～８のアルキル基が好ましく、炭素数１～５のアルキル基がより好ましく、炭素数１～３のアルキル基が更に好ましく、メチル基又はエチル基が特に好ましい。アルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基等が好ましい。

　Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３が表すシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、炭素数５～１２のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～１０のシクロアルキル基がより好ましく、炭素数５～８のシクロアルキル基が特に好ましい。シクロアルキル基としては、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が好ましい。

　Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３のうち２つが結合して環を形成してもよい。
　Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３のうち２つが結合して形成される環は、脂環が好ましく、単環又は多環のシクロアルカン環が好ましい。
　Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３のうち２つが結合して形成される環の炭素数は３～２０であることが好ましく、４～１５であることがより好ましく、５～１２であることが特に好ましい。上記環としては、具体的には、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、アダマンタン環等が好ましい。

　Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３の炭素数の合計が３～２５であることが好ましく、３～２０であることがより好ましく、３～１５であることが特に好ましい。

　Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３が表すアルキル基及びシクロアルキル基、並びにＲ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３のうち２つが結合して形成される環は、置換基を有していてもよい。置換基としては前述の置換基Ｔが挙げられる。
　Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３が置換基を有するアルキル基又は置換基を有するシクロアルキル基を表す場合、置換基を含めた炭素数が上記範囲であることが好ましい。Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３のうち２つが結合して形成される環が置換基を有する場合、置換基を含めた炭素数が上記範囲であることが好ましい。

　一般式（Ｎ－０）中、Ｒ^Ｎ４はハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。
　Ｒ^Ｎ４が表すハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などであり、フッ素原子が好ましい。
　Ｒ^Ｎ４が表す有機基は、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基などであり、アルキル基が好ましい。Ｒ^Ｎ４が表す有機基の炭素数は１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。

　一般式（Ｎ－０）中、Ｒ^Ｎ５は水素原子又は有機基を表す。
　Ｒ^Ｎ５が表す有機基は、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基などであり、アルキル基が好ましい。Ｒ^Ｎ５が表す有機基の炭素数は１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
　Ｒ^Ｎ５は水素原子を表すことが好ましい。
　Ｒ^Ｎ４とＲ^Ｎ５は結合して環を形成してもよい。

　一般式（Ｎ－０）中、ｔ１は１以上（５＋２ｋ）以下の整数を表し、１以上５以下の整数を表すことが好ましく、１以上３以下の整数を表すことがより好ましく、１又は２を表すことが特に好ましく、１を表すことが最も好ましい。
　ｔ２は０以上（５＋２ｋ－ｔ１）以下の整数を表し、０以上４以下の整数を表すことが好ましく、０以上２以下の整数を表すことがより好ましく、０又は１を表すことが特に好ましく、０を表すことが最も好ましい。

　繰り返し単位（ｉ）は、下記一般式（Ｎ－１）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

　一般式（Ｎ－１）中、Ｘ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ５、ｋ、ｔ１及びｔ２は、それぞれ一般式（Ｎ－０）中のＸ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ５、ｋ、ｔ１及びｔ２と同じ意味を表す。

　一般式（Ｎ－１）中、Ｘ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ５、ｋ、ｔ１及びｔ２は、それぞれ一般式（Ｎ－０）中のＸ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ５、ｋ、ｔ１及びｔ２と同じ意味を表し、好ましい範囲及び具体例も同じである。

　繰り返し単位（ｉ）は、下記一般式（Ｎ－２）で表される繰り返し単位であることがより好ましい。

　一般式（Ｎ－２）中、Ｘ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４は、それぞれ一般式（Ｎ－０）中のＸ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４と同じ意味を表す。ｔ３は１以上５以下の整数を表す。ｔ４は０以上４以下の整数を表す。

　一般式（Ｎ－２）中、Ｘ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４は、それぞれ一般式（Ｎ－０）中のＸ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４と同じ意味を表し、好ましい範囲及び具体例も同じである。
　ｔ３は１以上５以下の整数を表し、１以上３以下の整数を表すことが好ましく、１又は２を表すことがより好ましく、１を表すことが最も好ましい。
　ｔ４は０以上４以下の整数を表し、０以上２以下の整数を表すことが好ましく、０又は１を表すことがより好ましく、０を表すことが最も好ましい。

　繰り返し単位（ｉ）は、下記一般式（Ｎ－３）で表される繰り返し単位であることがより好ましい。

　一般式（Ｎ－３）中、Ｘ^Ｎ２は水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表す。Ｒ^Ｎ６はメチル基又はエチル基を表す。ｔ５は１又は２を表す。

　一般式（Ｎ－３）中のＸ^Ｎ２が表すハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などであり、フッ素原子が好ましい。
　一般式（Ｎ－３）中のｔ５は１又は２を表し、１を表すことが好ましい。

　繰り返し単位（ｉ）を与えるモノマー（繰り返し単位（ｉ）に対応するモノマー）の具体例を以下に示すが、これらに限定されない。

　樹脂（Ａ）に含まれる繰り返し単位（ｉ）の種類は１種でも２種以上でもよい。

　繰り返し単位（ｉ）の含有量は特に限定されない。
　繰り返し単位（ｉ）の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、５モル％以上が好ましく、１０モル％以上がより好ましく、１５モル％以上が更に好ましい。
　また、繰り返し単位（ｉ）の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、７０モル％以下が好ましく、６０モル％以下がより好ましく、５０モル％以下が更に好ましく、４０モル％以下が特に好ましい。

（繰り返し単位（ｉｉ））
　樹脂（Ａ）は、シアノ基及びラクトン構造を有する繰り返し単位（ｉｉ）を含む。
　繰り返し単位（ｉｉ）は、環構造を有するため、本発明の組成物から形成された感活性光線性又は感放射線性膜のＴｇを高くすることができる。感活性光線性又は感放射線性膜のＴｇが高いほど、酸の拡散を抑制することができるため、極微細のパターンを形成する際の欠陥を抑制でき、かつラフネス性能も向上すると考えられる。
　また、後述するように、本発明の組成物は光酸発生剤を含有することが好ましいが、繰り返し単位（ｉｉ）は、親水的な構造であるラクトン構造を有するため、光酸発生剤との相溶性が高い。したがって、特に本発明の組成物が光酸発生剤を含有する場合は、極微細のパターンを形成する際の欠陥をより抑制でき、かつラフネス性能もより向上すると考えられる。
　さらに、繰り返し単位（ｉｉ）は、シアノ基を有するため、上記感活性光線性又は感放射線性膜のＴｇを高くする効果と、上記光酸発生剤との相溶性を高める効果が向上し、極微細のパターンを形成する際の欠陥が更に抑制され、かつラフネス性能が更に向上すると考えられる。

　繰り返し単位（ｉｉ）は、下記一般式（Ｑ－１）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

　一般式（Ｑ－１）中、Ｘ^Ｑ１は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。Ｌ^Ｑ１は単結合又は２価の有機基を表す。Ｒ^Ｑ１及びＲ^Ｑ２は、各々独立に水素原子、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基、若しくは炭素数１～５のアルキルチオ基を表すか、又は、Ｒ^Ｑ１とＲ^Ｑ２とが結合して、酸素原子及び硫黄原子の少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１～６のアルキレン基、エーテル結合、若しくはチオエーテル結合を表す。Ｒ^Ｑ３はハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。ｍ１は１～６の整数を表す。ｍ２は０～５の整数を表す。

　一般式（Ｑ－１）中、Ｘ^Ｑ１は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。
　Ｘ^Ｑ１が表すハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などであり、フッ素原子が好ましい。
　Ｘ^Ｑ１が表す有機基は、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基などであり、アルキル基が好ましい。Ｘ^Ｑ１が表す有機基の炭素数は１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。Ｘ^Ｎ１が表す有機基はメチル基が特に好ましい。
　Ｘ^Ｑ１は水素原子、フッ素原子又はメチル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。

　一般式（Ｑ－１）中、Ｌ^Ｑ１は単結合又は２価の有機基を表す。
　Ｌ^Ｑ１が表す２価の有機基としては、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、－Ｒｔ^Ｑ１－ＣＯＯ－、－Ｒｔ^Ｑ１－Ｏ－等が挙げられる。Ｒｔ^Ｑ１は、アルキレン基、又はシクロアルキレン基を表す。Ｒｔ^Ｑ１は、炭素数１～５のアルキレン基が好ましく、－ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_２－、又は－（ＣＨ_２）_３－がより好ましい。
　Ｌ^Ｑ１は、単結合又は－Ｒｔ^Ｑ１－ＣＯＯ－基が好ましい。

　一般式（Ｑ－１）中、Ｒ^Ｑ１及びＲ^Ｑ２は、各々独立に水素原子、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基、若しくは炭素数１～５のアルキルチオ基を表すか、又は、Ｒ^Ｑ１とＲ^Ｑ２とが結合して、酸素原子及び硫黄原子の少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１～６のアルキレン基、エーテル結合、若しくはチオエーテル結合を表す。
　Ｒ^Ｑ１及びＲ^Ｑ２が表す炭素数１～５のアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数１～３のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。アルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基等が好ましい。
　Ｒ^Ｑ１及びＲ^Ｑ２が表す炭素数１～５のアルコキシ基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましく、炭素数１～３のアルコキシ基が好ましい。アルコキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
　Ｒ^Ｑ１及びＲ^Ｑ２が表す炭素数１～５のアルキルチオ基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましく、炭素数１～３のアルキルチオ基が好ましい。アルキルチオ基としては、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基等が挙げられる。

　Ｒ^Ｑ１とＲ^Ｑ２とが結合してアルキレン基を表す場合のアルキレン基の炭素数は１～６であり、１～５が好ましく１～３がより好ましい。アルキレン基としては、具体的にはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。
　Ｒ^Ｑ１とＲ^Ｑ２とが結合してアルキレン基を表す場合のアルキレン基は酸素原子及び硫黄原子の少なくとも１つを含んでいてもよい。例えば、アルキレン基の鎖中又は末端にエーテル結合又はチオエーテル結合を有していてもよい。
　Ｒ^Ｑ１とＲ^Ｑ２とが結合してエーテル結合又はチオエーテル結合を表してもよい。

　Ｒ^Ｑ１及びＲ^Ｑ２が表すアルキル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基、並びにＲ^Ｑ１とＲ^Ｑ２とが結合して形成されるアルキレン基は、置換基を有していてもよい。置換基としては前述の置換基Ｔが挙げられる。
　Ｒ^Ｑ１及びＲ^Ｑ２が置換基を有するアルキル基、置換基を有するアルコキシ基又は置換基を有するアルキルチオ基を表す場合、置換基を含めた炭素数が上記範囲であることが好ましい。Ｒ^Ｑ１とＲ^Ｑ２とが結合して形成されるアルキレン基が置換基を有する場合、置換基を含めた炭素数が上記範囲であることが好ましい。

　一般式（Ｑ－１）中、Ｒ^Ｑ３はハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。
　Ｒ^Ｑ３が表すハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などであり、フッ素原子が好ましい。
　Ｒ^Ｑ３が表す有機基は、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基などであり、アルキル基が好ましい。Ｒ^Ｑ３が表す有機基の炭素数は１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。Ｒ^Ｑ３が表す有機基はメチル基が特に好ましい。

　一般式（Ｑ－１）中、ｍ１は１～６の整数を表し、１～４の整数を表すことが好ましく、１又は２を表すことがより好ましい。
　一般式（Ｑ－１）中、ｍ２は０～５の整数を表し、０～３の整数を表すことが好ましく、０又は１を表すことがより好ましい。

　繰り返し単位（ｉｉ）を与えるモノマー（繰り返し単位（ｉｉ）に対応するモノマー）の具体例を以下に示すが、これらに限定されない。

　樹脂（Ａ）に含まれる繰り返し単位（ｉｉ）の種類は１種でも２種以上でもよい。

　繰り返し単位（ｉｉ）の含有量は特に限定されない。
　繰り返し単位（ｉｉ）の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、３モル％以上が好ましく、５モル％以上がより好ましく、１０モル％以上が更に好ましい。
　また、繰り返し単位（ｉｉ）の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、６０モル％以下が好ましく、５０モル％以下がより好ましく、４０モル％以下が更に好ましく、３０モル％以下が特に好ましい。

（繰り返し単位（ｉｉｉ））
　樹脂（Ａ）は、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（ｉｉｉ）を含む。
　繰り返し単位（ｉｉｉ）は、フェノール性水酸基を有するため、本発明の組成物から形成された感活性光線性又は感放射線性膜のＴｇを高くすることができる。感活性光線性又は感放射線性膜のＴｇが高いほど、酸の拡散を抑制することができるため、極微細のパターンを形成する際の欠陥を抑制でき、かつラフネス性能も向上すると考えられる。
　また、後述するように、本発明の組成物は光酸発生剤を含有することが好ましいが、繰り返し単位（ｉｉｉ）はフェノール性水酸基を有するため、光酸発生剤との相溶性が高い。したがって、特に本発明の組成物が光酸発生剤を含有する場合は、極微細のパターンを形成する際の欠陥をより抑制でき、かつラフネス性能もより向上すると考えられる。
　さらに、繰り返し単位（ｉｉｉ）のフェノール性水酸基は、プロトン源となることや、親水性を有することに起因して、酸分解性基の脱離反応性を高めることができると考えられる。酸分解性基の脱離反応性が高いと、欠陥の発生を抑制しやすくなる。また、酸分解性基の脱離反応性が高いと、脱離（脱保護）の揺らぎが低減し、ラフネス性能が改良する。

　繰り返し単位（ｉｉｉ）としては、下記一般式（Ｇ－１）で表される繰り返し単位が好ましい。

　一般式（Ｇ－１）中、Ｘ^Ｇ１は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。ｑは０又は１を表す。Ｒ^Ｇ１はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、又はアリールオキシカルボニル基を表す。Ｒ^Ｇ１が複数存在する場合、複数のＲ^Ｇ１は同じでも異なっていてもよい。Ｒ^Ｇ２は水素原子又は有機基を表す。Ｌ^Ｇ１は単結合又は２価の連結基を表す。ｊ１は１以上（５＋２ｑ）以下の整数を表す。ｊ２は０以上（５＋２ｑ－ｊ１）以下の整数を表す。

　一般式（Ｇ－１）中、Ｘ^Ｇ１は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。
　Ｘ^Ｇ１が表すハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などであり、フッ素原子が好ましい。
　Ｘ^Ｇ１が表すアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数１～８のアルキル基が好ましく、炭素数１～５のアルキル基がより好ましく、炭素数１～３のアルキル基が更に好ましく、メチル基が特に好ましい。
　Ｘ^Ｇ１が表すシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、炭素数５～１２のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～１０のシクロアルキル基がより好ましく、炭素数５～８のシクロアルキル基が特に好ましい。
　Ｘ^Ｇ１は水素原子、フッ素原子又はメチル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましい。

　一般式（Ｇ－１）中、ｑは０又は１を表し、０を表すことが好ましい。一般式（Ｇ－１）中に記載されている芳香環は、ｑが０の場合はベンゼン環を表し、ｑが１の場合はナフタレン環を表す。

　一般式（Ｇ－１）中、Ｒ^Ｇ１はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、又はアリールオキシカルボニル基を表す。
　Ｒ^Ｇ１が表すハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などであり、フッ素原子又はヨウ素原子が好ましい。
　Ｒ^Ｇ１が表すアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニルオキシ基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数は１～１０であることが好ましく、１～５であることがより好ましい。
　Ｒ^Ｇ１が表すアルケニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数は２～１０であることが好ましく、２～５であることがより好ましい。
　Ｒ^Ｇ１が表すシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、炭素数は３～２０であることが好ましく、５～１５であることがより好ましい。
　Ｒ^Ｇ１が表すアリール基、アラルキル基、アリールオキシカルボニル基は、単環でも多環でもよく、炭素数は６～２０であることが好ましく、６～１５であることがより好ましい。

　一般式（Ｇ－１）中、Ｒ^Ｇ２は水素原子又は有機基を表す。
　Ｒ^Ｇ２が表す有機基は、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基などであり、アルキル基が好ましい。Ｒ^Ｇ２が表す有機基の炭素数は１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
　Ｒ^Ｇ２は水素原子を表すことが好ましい。

　一般式（Ｇ－１）中、Ｌ^Ｇ１は単結合又は２価の連結基を表す。
　Ｌ^Ｇ１が表す２価の連結基としては、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、－Ｒｔ^Ｇ１－ＣＯＯ－、－Ｒｔ^Ｇ１－Ｏ－等が挙げられる。Ｒｔ^Ｇ１は、単結合、アルキレン基、又はシクロアルキレン基を表す。Ｒｔ^Ｇ１は、単結合又は炭素数１～５のアルキレン基が好ましい。
　Ｌ^Ｇ１は、単結合又は－Ｒｔ^Ｑ１－ＣＯＯ－基が好ましく、単結合がより好ましい。

　一般式（Ｇ－１）中、ｊ１は１以上（５＋２ｑ）以下の整数を表し、１以上５以下の整数を表すことが好ましく、１以上３以下の整数を表すことがより好ましく、１又は２を表すことが特に好ましく、１を表すことが最も好ましい。
　ｊ２は０以上（５＋２ｑ－ｊ１）以下の整数を表し、０以上４以下の整数を表すことが好ましく、０以上２以下の整数を表すことがより好ましく、０又は１を表すことが特に好ましく、０を表すことが最も好ましい。

　繰り返し単位（ｉｉｉ）は、下記一般式（Ｇ－２）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

　一般式（Ｇ－２）中、Ｘ^Ｇ１及びＲ^Ｇ１は、それぞれ一般式（Ｇ－１）中のＸ^Ｇ１及びＲ^Ｇ１と同じ意味を表す。ｊ３は１以上３以下の整数を表す。ｊ４は０以上（５－ｊ３）以下の整数を表す。

　一般式（Ｇ－２）中、Ｘ^Ｇ１及びＲ^Ｇ１は、それぞれ一般式（Ｇ－１）中のＸ^Ｇ１及びＲ^Ｇ１と同じ意味を表し、好ましい範囲及び具体例も同じである。
　ｊ３は１以上３以下の整数を表し、１又は２を表すことがより好ましく、１を表すことが最も好ましい。
　ｊ４は０以上（５－ｊ３）以下の整数を表し、０又は１を表すことがより好ましく、０を表すことが最も好ましい。

　繰り返し単位（ｉｉｉ）を与えるモノマー（繰り返し単位（ｉｉｉ）に対応するモノマー）の具体例を以下に示すが、これらに限定されない。

　樹脂（Ａ）に含まれる繰り返し単位（ｉｉｉ）の種類は１種でも２種以上でもよい。

　繰り返し単位（ｉｉｉ）の含有量は特に限定されない。
　繰り返し単位（ｉｉｉ）の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、５モル％以上が好ましく、１０モル％以上がより好ましく、２０モル％以上が更に好ましく、３０モル％以上が特に好ましい。
　また、繰り返し単位（ｉｉｉ）の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、７０モル％以下が好ましく、６５モル％以下がより好ましく、６０モル％以下が更に好ましい。

　樹脂（Ａ）は、前述した繰り返し単位（ｉ）、繰り返し単位（ｉｉ）及び繰り返し単位（ｉｉｉ）に加えて、更に別の繰り返し単位を含んでいてもよい。

　繰り返し単位（ｉ）の芳香環、繰り返し単位（ｉ）の脱離反応で発生したフェノール性水酸基、繰り返し単位（ｉｉ）のシアノ基及びラクトン構造、並びに繰り返し単位（ｉｉｉ）のフェノール性水酸基が相互作用し、酸が拡散しにくい樹脂膜を形成するため、極微細のパターンを形成する際の欠陥を抑制でき、かつラフネス性能も向上すると考えられる。また、上記のように、樹脂（Ａ）中の酸分解性基を有する繰り返し単位も相互作用に寄与するため、酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が３５モル％以上であると効果に優れる。

　また、後述するように、本発明の組成物は光酸発生剤を含有することが好ましいが、繰り返し単位（ｉ）の芳香環、繰り返し単位（ｉｉ）のシアノ基及びラクトン構造、並びに繰り返し単位（ｉｉｉ）のフェノール性水酸基が相互に作用しながら、光酸発生剤と相溶すると考えられる。したがって、特に本発明の組成物が光酸発生剤を含有する場合は、極微細のパターンを形成する際の欠陥をより抑制でき、かつラフネス性能もより向上すると考えられる。

（繰り返し単位（ｉｖ））
　樹脂（Ａ）は、前述した繰り返し単位（ｉ）とは異なる酸分解性基を有する繰り返し単位（「繰り返し単位（ｉｖ）」ともいう）を含んでいてもよい。
　酸分解性基とは、酸の作用により分解して極性基を生じる基をいう。酸分解性基は、酸の作用により脱離する基（脱離基）で極性基が保護された構造を有することが好ましい。
　極性基としては、アルカリ可溶性基が好ましく、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、リン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及び、トリス（アルキルスルホニル）メチレン基等の酸性基、並びに、アルコール性水酸基が挙げられる。
　なかでも、極性基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、又は、スルホン酸基が好ましい。

　酸の作用により脱離する基としては、例えば、式（Ｙ１）～（Ｙ４）で表される基が挙げられる。
　式（Ｙ１）：－Ｃ（Ｒｘ_１）（Ｒｘ_２）（Ｒｘ_３）
　式（Ｙ２）：－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（Ｒｘ_１）（Ｒｘ_２）（Ｒｘ_３）
　式（Ｙ３）：－Ｃ（Ｒ_３６）（Ｒ_３７）（ＯＲ_３８）
　式（Ｙ４）：－Ｃ（Ｒｎ）（Ｈ）（Ａｒ）

　式（Ｙ１）及び式（Ｙ２）中、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、アルキル基（直鎖状又は分岐鎖状）、シクロアルキル基（単環又は多環）、アルケニル基（直鎖状又は分岐鎖状）、又は、アリール基（単環又は多環）を表す。なお、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の全てがアルキル基（直鎖状又は分岐鎖状）である場合、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のうち少なくとも２つはメチル基であることが好ましい。
　なかでも、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表すことが好ましく、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、直鎖状のアルキル基を表すことがより好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して、単環又は多環を形成してもよい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及び、ｔ－ブチル基等の炭素数１～５のアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びに、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアリール基としては、炭素数６～１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及び、アントリル基が挙げられる。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成される環としては、シクロアルキル基が好ましい。Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくは、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくは、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基は、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を含む基、又は、ビニリデン基で置き換わっていてもよい。これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。
　式（Ｙ１）又は式（Ｙ２）で表される基は、例えば、Ｒｘ_１がメチル基又はエチル基であり、Ｒｘ_２とＲｘ_３とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。
　本発明の組成物が、例えば、ＥＵＶ露光用レジスト組成物である場合、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３で表されるアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、及び、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成される環は、更に、置換基として、フッ素原子又はヨウ素原子を有していることも好ましい。

　式（Ｙ３）中、Ｒ_３６～Ｒ_３８は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。Ｒ_３７とＲ_３８とは、互いに結合して環を形成してもよい。１価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び、アルケニル基が挙げられる。Ｒ_３６は水素原子であることも好ましい。
　なお、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及び、アラルキル基には、酸素原子等のヘテロ原子及び／又はカルボニル基等のヘテロ原子を含む基が含まれていてもよい。例えば、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及び、アラルキル基において、メチレン基の１つ以上が、酸素原子等のヘテロ原子及び／又はカルボニル基等のヘテロ原子を含む基で置き換わっていてもよい。
　Ｒ_３８は、繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基と互いに結合して、環を形成してもよい。Ｒ_３８と繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基とが互いに結合して形成する基は、メチレン基等のアルキレン基が好ましい。
　本発明の組成物が、例えば、ＥＵＶ露光用レジスト組成物である場合、Ｒ_３６～Ｒ_３８で表される１価の有機基、及び、Ｒ_３７とＲ_３８とが互いに結合して形成される環は、更に、置換基として、フッ素原子又はヨウ素原子を有していることも好ましい。

　式（Ｙ３）としては、下記式（Ｙ３－１）で表される基が好ましい。

　ここで、Ｌ_１及びＬ_２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は、これらを組み合わせた基（例えば、アルキル基とアリール基とを組み合わせた基）を表す。
　Ｍは、単結合又は２価の連結基を表す。
　Ｑは、ヘテロ原子を含んでいてもよいアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいアリール基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基、アルデヒド基、又は、これらを組み合わせた基（例えば、アルキル基とシクロアルキル基とを組み合わせた基）を表す。
　アルキル基及びシクロアルキル基は、例えば、メチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、又は、カルボニル基等のヘテロ原子を含む基で置き換わっていてもよい。
　なお、Ｌ_１及びＬ_２のうち一方は水素原子であり、他方はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は、アルキレン基とアリール基とを組み合わせた基であることが好ましい。
　Ｑ、Ｍ、及びＬ_１の少なくとも２つが結合して環（好ましくは、５員若しくは６員環）を形成してもよい。
　パターンの微細化の点では、Ｌ_２が２級又は３級アルキル基であることが好ましく、３級アルキル基であることがより好ましい。２級アルキル基としては、イソプロピル基、シクロヘキシル基、及び、ノルボルニル基が挙げられ、３級アルキル基としては、ｔｅｒｔ－ブチル基、及び、アダマンタン基が挙げられる。これらの態様では、Ｔｇ（ガラス転移温度）及び活性化エネルギーが高くなるため、膜強度の担保に加え、かぶりの抑制ができる。

　本発明の組成物が、例えば、ＥＵＶ露光用レジスト組成物である場合、Ｌ_１及びＬ_２で表される、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及び、これらを組み合わせた基は、更に、置換基として、フッ素原子又はヨウ素原子を有していることも好ましい。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及び、アラルキル基には、フッ素原子及びヨウ素原子以外に、酸素原子等のヘテロ原子が含まれていることも好ましい。具体的には、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及び、アラルキル基は、例えば、メチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、又は、カルボニル基等のヘテロ原子を含む基で置き換わっていてもよい。
　本発明の組成物が、例えば、ＥＵＶ露光用レジスト組成物である場合、Ｑで表されるヘテロ原子を含んでいてもよいアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいアリール基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基、アルデヒド基、及び、これらを組み合わせた基において、ヘテロ原子としては、フッ素原子、ヨウ素原子及び酸素原子からなる群から選択されるヘテロ原子であることも好ましい。

　式（Ｙ４）中、Ａｒは、芳香環基を表す。Ｒｎは、アルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表す。ＲｎとＡｒとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。Ａｒとしては、アリール基が好ましい。
　本発明の組成物が、例えば、ＥＵＶ露光用レジスト組成物である場合、Ａｒで表される芳香環基、並びに、Ｒｎで表されるアルキル基、シクロアルキル基、及び、アリール基は、置換基としてフッ素原子又はヨウ素原子を有していることも好ましい。

　繰り返し単位の酸分解性が優れる点から、極性基を保護する脱離基において、極性基（又はその残基）に非芳香族環が直接結合している場合、上記非芳香族環中の、上記極性基（又はその残基）と直接結合している環員原子に隣接する環員原子は、置換基としてフッ素原子等のハロゲン原子を有さないことも好ましい。

　酸の作用により脱離する基は、他にも、３－メチル－２－シクロペンテニル基のような置換基（アルキル基等）を有する２－シクロペンテニル基、及び、１，１，４，４－テトラメチルシクロヘキシル基のような置換基（アルキル基等）を有するシクロヘキシル基でもよい。

　繰り返し単位（ｉｖ）としては、式（ＡＩ）で表される繰り返し単位も好ましい。

　式（ＡＩ）において、Ｘａ_１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｔは、単結合、又は、２価の連結基を表す。Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、アルキル基（直鎖状又は分岐鎖状）、シクロアルキル基（単環又は多環）、アルケニル基（直鎖状又は分岐鎖状）、又は、アリール（単環又は多環）基を表す。ただし、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の全てがアルキル基（直鎖状、又は分岐鎖状）である場合、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のうち少なくとも２つはメチル基であることが好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して、単環又は多環（単環又は多環のシクロアルキル基等）を形成してもよい。

　Ｘａ_１により表される、置換基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、メチル基又は－ＣＨ_２－Ｒ_１１で表される基が挙げられる。Ｒ_１１は、ハロゲン原子（フッ素原子等）、水酸基、又は、１価の有機基を表す。Ｒ_１１で表される１価の有機基としては、例えば、ハロゲン原子が置換していてもよい炭素数５以下のアルキル基、ハロゲン原子が置換していてもよい炭素数５以下のアシル基、及び、ハロゲン原子が置換していてもよい炭素数５以下のアルコキシ基が挙げられ、炭素数３以下のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。Ｘａ_１としては、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、又は、ヒドロキシメチル基が好ましい。

　Ｔの２価の連結基としては、アルキレン基、芳香環基、－ＣＯＯ－Ｒｔ－基、及び、－Ｏ－Ｒｔ－基が挙げられる。式中、Ｒｔは、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。
　Ｔは、単結合又は－ＣＯＯ－Ｒｔ－基が好ましい。Ｔが－ＣＯＯ－Ｒｔ－基を表す場合、Ｒｔとしては、炭素数１～５のアルキレン基が好ましく、－ＣＨ_２－基、－（ＣＨ_２）_２－基、又は、－（ＣＨ_２）_３－基がより好ましい。

　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及び、ｔ－ブチル基等の炭素数１～４のアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアリール基としては、炭素数６～１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及び、アントリル基が挙げられる。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基が好ましい。また、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基も好ましい。なかでも、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を含む基、又は、ビニリデン基で置き換わっていてもよい。また、これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。
　式（ＡＩ）で表される繰り返し単位は、例えば、Ｒｘ_１がメチル基又はエチル基であり、Ｒｘ_２とＲｘ_３とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。

　上記各基が置換基を有する場合、置換基としては、例えば、アルキル基（炭素数１～４）、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基（炭素数１～４）、カルボキシル基、及び、アルコキシカルボニル基（炭素数２～６）が挙げられる。置換基中の炭素数は、８以下が好ましい。

　式（ＡＩ）で表される繰り返し単位としては、酸分解性（メタ）アクリル酸３級アルキルエステル系繰り返し単位（Ｘａ_１が水素原子又はメチル基を表し、かつ、Ｔが単結合を表す繰り返し単位）が好ましい。

　繰り返し単位（ｉｖ）としては、下記一般式（Ｅ－１）で表される繰り返し単位が好ましい。
　樹脂（Ａ）の好ましい一態様は、下記一般式（Ｅ－１）で表される繰り返し単位を含む態様である。

　一般式（Ｅ－１）中、Ｘ^Ｅ１は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３は各々独立に、炭素数１～１２の炭化水素基を表す。Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３のうち２つが結合して環を形成してもよい。Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３が表す上記炭化水素基がアルキレン基を含む場合、一部のアルキレン基はエーテル基、チオエーテル基又はカルボニル基に置き換わってもよい。

　一般式（Ｅ－１）中、Ｘ^Ｅ１は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。
　Ｘ^Ｅ１が表すハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などであり、フッ素原子が好ましい。
　Ｘ^Ｅ１が表す有機基は、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基などであり、アルキル基が好ましい。Ｘ^Ｎ１が表す有機基の炭素数は１～１０が好ましく、１～６がより好ましい。Ｘ^Ｅ１が表す有機基はメチル基が特に好ましい。
　Ｘ^Ｅ１は水素原子、フッ素原子又はメチル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましい。

　一般式（Ｅ－１）中、Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３は各々独立に、炭素数１～１２の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は、アルキル基（直鎖状又は分岐鎖状）、シクロアルキル基（単環又は多環）、アルケニル基（直鎖状又は分岐鎖状）、又は、アリール（単環又は多環）基であることが好ましい。
　Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及び、ｔ－ブチル基等の炭素数１～４のアルキル基が好ましい。
　Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３のアリール基としては、炭素数６～１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及び、アントリル基が挙げられる。
　Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３のアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。

　Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３のうち２つが結合して環を形成してもよい。
　Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３のうち２つが結合して形成される環は、脂環が好ましく、単環又は多環のシクロアルカン環が好ましい。
　Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３のうち２つが結合して形成される環の炭素数は３～２０であることが好ましく、４～１５であることがより好ましく、５～１２であることが特に好ましい。上記環としては、具体的には、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、アダマンタン環等が好ましい。

　Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３が表す炭化水素基、及びＲ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３のうち２つが結合して形成される環は、置換基を有していてもよい。置換基としては前述の置換基Ｔが挙げられる。置換基としては、例えば、アルキル基（炭素数１～４）、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基（炭素数１～４）、カルボキシル基、及び、アルコキシカルボニル基（炭素数２～６）が挙げられる。置換基中の炭素数は、８以下が好ましい。
　Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３が置換基を有する炭化水素基を表す場合、置換基を含めた炭素数が上記範囲であることが好ましい。Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３のうち２つが結合して形成される環が置換基を有する場合、置換基を含めた炭素数が上記範囲であることが好ましい。

　繰り返し単位（ｉｖ）としては、下記一般式（Ｅ－２）で表される繰り返し単位も好ましい。
　樹脂（Ａ）の好ましい一態様は、下記一般式（Ｅ－２）で表される繰り返し単位を含む態様である。

　一般式（Ｅ－２）中、Ｘ^Ｅ２は水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表す。Ｒ^Ｅ４は炭素数６以下の炭化水素基を表す。ｕ１は１又は２を表す。

　一般式（Ｅ－２）中、Ｘ^Ｅ２は水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表す。　Ｘ^Ｅ２が表すハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などであり、フッ素原子が好ましい。
　Ｘ^Ｅ２は水素原子、フッ素原子又はメチル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましい。

　一般式（Ｅ－２）中、Ｒ^Ｅ４は炭素数６以下の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は、アルキル基（直鎖状又は分岐鎖状）、シクロアルキル基、アルケニル基（直鎖状又は分岐鎖状）、又は、フェニル基であることが好ましい。
　Ｒ^Ｅ４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及び、ｔ－ブチル基等の炭素数１～４のアルキル基が好ましい。
　Ｒ^Ｅ４のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基が好ましい。
　Ｒ^Ｅ４のアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。

　Ｒ^Ｅ４が表す炭化水素基は、置換基を有していてもよい。置換基としては前述の置換基Ｔが挙げられる。置換基としては、例えば、アルキル基（炭素数１～４）、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基（炭素数１～４）、カルボキシル基、及び、アルコキシカルボニル基（炭素数２～５）が挙げられる。
　Ｒ^Ｅ４が置換基を有する炭化水素基を表す場合、置換基を含めた炭素数が上記範囲であることが好ましい。Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３のうち２つが結合して形成される環が置換基を有する場合、置換基を含めた炭素数が上記範囲であることが好ましい。

　繰り返し単位（ｉｖ）を与えるモノマー（繰り返し単位（ｉｖ）に対応するモノマー）の具体例を以下に示すが、これらに限定されない。

　樹脂（Ａ）が繰り返し単位（ｉｖ）を含む場合、樹脂（Ａ）に含まれる繰り返し単位（ｉｖ）の種類は１種でも２種以上でもよい。

　樹脂（Ａ）が繰り返し単位（ｉｖ）を含む場合、繰り返し単位（ｉｖ）の含有量は特に限定されない。
　樹脂（Ａ）が繰り返し単位（ｉｖ）を含む場合、繰り返し単位（ｉｖ）の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、３モル％以上が好ましく、５モル％以上がより好ましく、１０モル％以上が更に好ましい。
　また、樹脂（Ａ）が繰り返し単位（ｉｖ）を含む場合、繰り返し単位（ｉｖ）の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、６０モル％以下が好ましく、５５モル％以下がより好ましく、５０モル％以下が更に好ましい。
　樹脂（Ａ）は、繰り返し単位（ｉｖ）を含まなくてもよい。すなわち、繰り返し単位（ｉｖ）の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、０モル％であってもよい。

　樹脂（Ａ）中の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量（繰り返し単位（ｉ）と繰り返し単位（ｉｖ）の合計の含有量）は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して３５モル％以上であり、４０モル％以上が好ましく、４５モル％以上が特に好ましい。
　酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が大きくなると溶解コントラストが高くなる。繰り返し単位（ｉ）は脱離反応時の溶解コトントラストが比較的低い傾向にあるため、含有量を３５モル％以上にする。特に、極微細のパターンを形成する際には高い溶解コントラストが要求されるため、繰り返し単位（ｉ）の含有量を３５モル％以上にする。また、樹脂（Ａ）は、繰り返し単位（ｉ）の含有量を３５モル％以上とし、かつ、シアノ基及びラクトン構造を有する繰り返し単位（ｉｉ）と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（ｉｉｉ）とを含むことで、脱離反応前の溶解性が最適に調整され、脱離基が脱離した際に溶解性が大きく変化するため、溶解コントラストが高いと考えられる。
　樹脂（Ａ）中の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して９０％以下であることが好ましく、８０％以下であることがより好ましい。

（酸基を有する繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、前述の繰り返し単位（ｉｉｉ）とは異なる酸基を有する繰り返し単位（「繰り返し単位（ｖ）」ともいう）を更に有していてもよい。
　酸基としては、ｐＫａが１３以下の酸基が好ましい。上記酸基の酸解離定数は、１３以下が好ましく、３～１３がより好ましく、５～１０が更に好ましい。
　樹脂（Ａ）が、ｐＫａが１３以下の酸基を有する場合、樹脂（Ａ）中における酸基の含有量は特に制限されないが、０．２～６．０ｍｍｏｌ／ｇの場合が多い。なかでも、０．８～６．０ｍｍｏｌ／ｇが好ましく、１．２～５．０ｍｍｏｌ／ｇがより好ましく、１．６～４．０ｍｍｏｌ／ｇが更に好ましい。酸基の含有量が上記範囲内であれば、現像が良好に進行し、形成されるパターン形状に優れ、解像性にも優れる。
　酸基としては、例えば、カルボキシル基、フッ化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、スルホン酸基、スルホンアミド基、又はイソプロパノール基が好ましい。
　上記ヘキサフルオロイソプロパノール基は、フッ素原子の１つ以上（好ましくは１～２つ）が、フッ素原子以外の基（アルコキシカルボニル基等）で置換されてもよい。酸基としては、このように形成された－Ｃ（ＣＦ_３）（ＯＨ）－ＣＦ_２－も好ましい。また、フッ素原子の１つ以上がフッ素原子以外の基に置換されて、－Ｃ（ＣＦ_３）（ＯＨ）－ＣＦ_２－を含む環を形成してもよい。
　酸基を有する繰り返し単位は、前述の酸の作用により脱離する基で極性基が保護された構造を有する繰り返し単位、及び後述するラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位とは異なる繰り返し単位であることが好ましい。
　酸基を有する繰り返し単位は、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい。

　酸基を有する繰り返し単位としては、以下の繰り返し単位が挙げられる。

　樹脂（Ａ）が繰り返し単位（ｖ）を含む場合、樹脂（Ａ）に含まれる繰り返し単位（ｖ）の種類は１種でも２種以上でもよい。

　樹脂（Ａ）が繰り返し単位（ｖ）を含む場合、繰り返し単位（ｖ）の含有量は特に限定されない。
　樹脂（Ａ）が繰り返し単位（ｖ）を含む場合、繰り返し単位（ｖ）の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、１モル％以上が好ましく、３モル％以上がより好ましく、５モル％以上が更に好ましい。
　また、樹脂（Ａ）が繰り返し単位（ｖ）を含む場合、繰り返し単位（ｖ）の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、５０モル％以下が好ましく、４０モル％以下がより好ましく、３０モル％以下が更に好ましい。
　樹脂（Ａ）は、繰り返し単位（ｖ）を含まなくてもよい。すなわち、繰り返し単位（ｖ）の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、０モル％であってもよい。

（酸分解性基及び酸基のいずれも有さず、フッ素原子、臭素原子又はヨウ素原子を有する繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、前述の繰り返し単位（ｉ）～（ｖ）とは異なる繰り返し単位であり、酸分解性基及び酸基のいずれも有さず、フッ素原子、臭素原子又はヨウ素原子を有する繰り返し単位（以下、「単位Ｘ」ともいう）を有していてもよい。ここで言う＜酸分解性基及び酸基のいずれも有さず、フッ素原子、臭素原子又はヨウ素原子を有する繰り返し単位＞は、後述の＜ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位＞、及び＜光酸発生基を有する繰り返し単位＞等の他の種類の繰り返し単位とは異なることが好ましい。

　単位Ｘとしては、式（Ｃ）で表される繰り返し単位が好ましい。

　Ｌ_５は、単結合、又はエステル基を表す。Ｒ_９は、水素原子、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ_１０は、水素原子、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキル基、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいシクロアルキル基、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアリール基、又はこれらを組み合わせた基を表す。

　フッ素原子又はヨウ素原子を有する繰り返し単位を以下に例示する。

　単位Ｘの含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、０モル％以上が好ましく、５モル％以上がより好ましく、１０モル％以上が更に好ましい。また、その上限値としては、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、５０モル％以下が好ましく、４５モル％以下がより好ましく、４０モル％以下が更に好ましい。

　樹脂（Ａ）の繰り返し単位のうち、フッ素原子、臭素原子及びヨウ素原子の少なくとも１つを含む繰り返し単位の合計含有量は、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して、１０モル％以上が好ましく、２０モル％以上がより好ましく、３０モル％以上が更に好ましく、４０モル％以上が特に好ましい。上限値は特に制限されないが、例えば、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して、１００モル％以下である。
　なお、フッ素原子、臭素原子及びヨウ素原子の少なくとも１つを含む繰り返し単位としては、例えば、フッ素原子、臭素原子又はヨウ素原子を有し、かつ、酸分解性基を有する繰り返し単位、フッ素原子、臭素原子又はヨウ素原子を有し、かつ、酸基を有する繰り返し単位、及びフッ素原子、臭素原子又はヨウ素原子を有する繰り返し単位が挙げられる。

（ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、前述の繰り返し単位（ｉｉ）とは異なる繰り返し単位であり、ラクトン基、スルトン基、及びカーボネート基からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位（以下、「単位Ｙ」ともいう）を有していてもよい。
　単位Ｙは、ヒドロキシ基、及びヘキサフルオロプロパノール基等の酸基を有さないことも好ましい。

　ラクトン基又はスルトン基としては、ラクトン構造又はスルトン構造を有していればよい。ラクトン構造又はスルトン構造は、５～７員環ラクトン構造又は５～７員環スルトン構造が好ましい。なかでも、ビシクロ構造若しくはスピロ構造を形成する形で５～７員環ラクトン構造に他の環構造が縮環しているもの、又はビシクロ構造若しくはスピロ構造を形成する形で５～７員環スルトン構造に他の環構造が縮環しているものがより好ましい。
　樹脂（Ａ）は、下記式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造、又は下記式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造の環員原子から、水素原子を１つ以上引き抜いてなるラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位を有することが好ましく、ラクトン基又はスルトン基が主鎖に直接結合していてもよい。例えば、ラクトン基又はスルトン基の環員原子が、樹脂（Ａ）の主鎖を構成してもよい。

　上記ラクトン構造又はスルトン構造は、置換基（Ｒｂ_２）を有していてもよい。好ましい置換基（Ｒｂ_２）としては、炭素数１～８のアルキル基、炭素数４～７のシクロアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数１～８のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、及び酸分解性基が挙げられる。ｎ２は、０～４の整数を表す。ｎ２が２以上の時、複数存在するＲｂ_２は、異なっていてもよく、複数存在するＲｂ_２同士が結合して環を形成してもよい。

　式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造、又は式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造を含む基を有する繰り返し単位としては、例えば、下記式（ＡＩ）で表される繰り返し単位が挙げられる。

　式（ＡＩ）中、Ｒｂ_０は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１～４のアルキル基を表す。Ｒｂ_０のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、及びハロゲン原子が挙げられる。
　Ｒｂ_０のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。Ｒｂ_０は、水素原子又はメチル基が好ましい。
　Ａｂは、単結合、アルキレン基、単環又は多環の脂環式炭化水素構造を有する２価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた２価の連結基を表す。なかでも、Ａｂとしては、単結合、又は－Ａｂ_１－ＣＯ_２－で表される連結基が好ましい。Ａｂ_１は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又は単環若しくは多環のシクロアルキレン基であり、メチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、又はノルボルニレン基が好ましい。
　Ｖは、式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造の環員原子から水素原子を１つ引き抜いてなる基、又は式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造の環員原子から水素原子を１つ引き抜いてなる基を表す。

　ラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位に、光学異性体が存在する場合、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、１種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。１種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度（ｅｅ）は９０以上が好ましく、９５以上がより好ましい。

　カーボネート基としては、環状炭酸エステル基が好ましい。
　環状炭酸エステル基を有する繰り返し単位としては、下記式（Ａ－１）で表される繰り返し単位が好ましい。

　式（Ａ－１）中、Ｒ_Ａ ^１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基（好ましくはメチル基）を表す。ｎは０以上の整数を表す。Ｒ_Ａ ^２は、置換基を表す。ｎが２以上の場合、複数存在するＲ_Ａ ^２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ａは、単結合又は２価の連結基を表す。上記２価の連結基としては、アルキレン基、単環又は多環の脂環式炭化水素構造を有する２価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた２価の連結基が好ましい。Ｚは、式中の－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－で表される基と共に単環又は多環を形成する原子団を表す。

　樹脂（Ａ）が単位Ｙを含む場合、単位Ｙの含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、１モル％以上が好ましく、１０モル％以上がより好ましい。また、その上限値としては、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、８５モル％以下が好ましく、８０モル％以下がより好ましく、７０モル％以下が更に好ましく、６０モル％以下が特に好ましい。
　樹脂（Ａ）は、単位Ｙを含まなくてもよい。すなわち、単位Ｙの含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、０モル％であってもよい。

（光酸発生基を有する繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、上記以外の繰り返し単位として、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基（「光酸発生基」ともいう）を有する繰り返し単位を有していてもよい。
　光酸発生基を有する繰り返し単位としては、式（４）で表される繰り返し単位が挙げられる。

　Ｒ^４１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｌ^４１は、単結合、又は２価の連結基を表す。Ｌ^４２は、２価の連結基を表す。Ｒ^４０は、活性光線又は放射線の照射により分解して側鎖に酸を発生させる構造部位を表す。
　光酸発生基を有する繰り返し単位を以下に例示する。

　そのほか、式（４）で表される繰り返し単位としては、例えば、特開２０１４－０４１３２７号公報の段落［００９４］～［０１０５］に記載された繰り返し単位、及び国際公開第２０１８／１９３９５４号公報の段落［００９４］に記載された繰り返し単位が挙げられる。

　樹脂（Ａ）が光酸発生基を有する繰り返し単位を含む場合、光酸発生基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、１モル％以上が好ましく、５モル％以上がより好ましい。また、その上限値としては、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、４０モル％以下が好ましく、３５モル％以下がより好ましく、３０モル％以下が更に好ましい。
　樹脂（Ａ）は、光酸発生基を有する繰り返し単位を含まなくてもよい。すなわち、光酸発生基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、０モル％であってもよい。

（式（Ｖ－１）又は下記式（Ｖ－２）で表される繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、下記式（Ｖ－１）、又は下記式（Ｖ－２）で表される繰り返し単位を有していてもよい。
　下記式（Ｖ－１）、及び下記式（Ｖ－２）で表される繰り返し単位は上述の繰り返し単位とは異なる繰り返し単位であることが好ましい。

　式中、
　Ｒ_６及びＲ_７は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基（－ＯＣＯＲ又は－ＣＯＯＲ：Ｒは炭素数１～６のアルキル基又はフッ素化アルキル基）、又はカルボキシル基を表す。アルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基が好ましい。
　ｎ_３は、０～６の整数を表す。
　ｎ_４は、０～４の整数を表す。
　Ｘ_４は、メチレン基、酸素原子、又は硫黄原子である。
　式（Ｖ－１）又は（Ｖ－２）で表される繰り返し単位を以下に例示する。
　式（Ｖ－１）又は（Ｖ－２）で表される繰り返し単位としては、例えば、国際公開第２０１８／１９３９５４号の段落［０１００］に記載された繰り返し単位が挙げられる。

　樹脂（Ａ）は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
　アルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、及びα位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール基（例えば、ヘキサフルオロイソプロパノール基）が挙げられ、カルボキシル基が好ましい。樹脂（Ａ）がアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含むことにより、コンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、特開２０１４－０９８９２１号公報の段落［００８５］及び［００８６］に記載のものが挙げられる。

（脂環式炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、脂環式炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有してもよい。これにより液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できる。脂環式炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位として、例えば、１－アダマンチル（メタ）アクリレート、ジアマンチル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、又はシクロヘキシル（メタ）アクリレート由来の繰り返し単位が挙げられる。

（水酸基及びシアノ基のいずれも有さない、式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない、式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位を有していてもよい。

　式（ＩＩＩ）中、Ｒ_５は少なくとも１つの環状構造を有し、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。
　Ｒａは水素原子、アルキル基又は－ＣＨ_２－Ｏ－Ｒａ_２基を表す。式中、Ｒａ_２は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。
　水酸基及びシアノ基のいずれも有さない、式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位としては、特開２０１４－０９８９２１号公報の段落［００８７］～［００９４］に記載のものが挙げられる。

（その他の繰り返し単位）
　更に、樹脂（Ａ）は、上述した繰り返し単位以外のその他の繰り返し単位を有してもよい。
　例えば樹脂（Ａ）は、オキサチアン環基を有する繰り返し単位、オキサゾロン環基を有する繰り返し単位、ジオキサン環基を有する繰り返し単位、及びヒダントイン環基を有する繰り返し単位からなる群から選択される繰り返し単位を有していてもよい。

　樹脂（Ａ）は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性、標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、解像性、耐熱性、及び感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有していてもよい。

　樹脂（Ａ）は、常法に従って（例えばラジカル重合）合成できる。
　ＧＰＣ法によりポリスチレン換算値として、樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、３００００以下が好ましく、１０００～３００００がより好ましく、３０００～３００００が更に好ましく、５０００～１５０００が特に好ましい。

　樹脂（Ａ）の分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、３．０以下が好ましく、２．０以下がより好ましく、１．７０以下が更に好ましく、１．６０以下が特に好ましい。樹脂（Ａ）の分子量分散度が１．７０以下であると、樹脂（Ａ）の溶解性のばらつきが抑えられ、特に極微細のパターンを形成する際の欠陥を抑制でき、かつラフネス性能も向上する。
　また、樹脂（Ａ）の分子量分散度は通常１．０以上であり、１．２以上であってもよい。

　本発明の組成物に含まれる樹脂（Ａ）は、１種でもよいし、２種以上であってもよい。
　本発明の組成物中の樹脂（Ａ）の含有量は、本発明の組成物の全固形分に対して、２０．０～９９．９質量％が好ましく、３０．０～９０．０質量％がより好ましい。

＜オニウム塩化合物＞
　本発明の組成物は、オニウム塩化合物を含有することが好ましい。
　本発明の組成物の好ましい一態様は、上記樹脂（Ａ）とは別の化合物として、オニウム塩化合物を含有する態様である。
　オニウム塩化合物としては、例えば、後述する光酸発生剤や酸拡散制御剤などが挙げられる。

＜光酸発生剤＞
　本発明の組成物は、光酸発生剤（「光酸発生剤（Ｂ）」又は「化合物（Ｂ）」ともいう）を含有することが好ましい。
　光酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。
　光酸発生剤（Ｂ）より発生した酸のｐＫａは特に限定されないが、－１２～１が好ましく、－１２～－２がより好ましい。
　光酸発生剤（Ｂ）より発生した酸は、通常、樹脂（Ａ）の酸分解性基と反応する。
　光酸発生剤（Ｂ）は、低分子化合物の形態であってもよく、重合体の一部に組み込まれた形態であってもよい。また、低分子化合物の形態と重合体の一部に組み込まれた形態とを併用してもよい。
　光酸発生剤（Ｂ）が、低分子化合物の形態である場合、光酸発生剤（Ｂ）の分子量は３０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましく、１０００以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、例えば、１００以上であってもよい。
　光酸発生剤（Ｂ）が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、樹脂（Ａ）の一部に組み込まれてもよく、樹脂（Ａ）とは異なる樹脂に組み込まれてもよい。
　光酸発生剤（Ｂ）は、樹脂（Ａ）とは異なる化合物であることが好ましい。
　光酸発生剤（Ｂ）は、低分子化合物の形態であることが好ましい。

　光酸発生剤（Ｂ）はオニウム塩化合物であることが好ましく、例えば、「Ｍ^＋　Ｘ^－」で表される化合物（オニウム塩化合物）が挙げられ、露光により有機酸を発生する化合物であることが好ましい。
　上記有機酸として、例えば、スルホン酸（脂肪族スルホン酸、芳香族スルホン酸、及びカンファースルホン酸等）、カルボン酸（脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸、及びアラルキルカルボン酸等）、カルボニルスルホニルイミド酸、ビス（アルキルスルホニル）イミド酸、及びトリス（アルキルスルホニル）メチド酸が挙げられる。

　「Ｍ^＋　Ｘ^－」で表される化合物において、Ｍ^＋は、有機カチオンを表す。
　有機カチオンとしては特に制限されない。有機カチオンの価数は、１又は２価以上であってもよい。
　なかでも、上記有機カチオンとしては、式（ＺａＩ）で表されるカチオン（以下「カチオン（ＺａＩ）」ともいう。）、又は、式（ＺａＩＩ）で表されるカチオン（以下「カチオン（ＺａＩＩ）」ともいう。）が好ましい。

　上記式（ＺａＩ）において、Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、及びＲ^２０３は、それぞれ独立に、有機基を表す。
　Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、及びＲ^２０３としての有機基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ^２０１～Ｒ^２０３の内の２つが結合して形成する基としては、例えば、アルキレン基（例えば、ブチレン基及びペンチレン基）、及び－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が挙げられる。

　式（ＺａＩ）における有機カチオンの好適な態様としては、後述する、カチオン（ＺａＩ－１）が挙げられる。

　カチオン（ＺａＩ－１）について説明する。
　カチオン（ＺａＩ－１）は、上記式（ＺａＩ）のＲ^２０１～Ｒ^２０３の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニウムカチオンである。
　アリールスルホニウムカチオンは、Ｒ_２０１～Ｒ_２０３の全てがアリール基でもよいし、Ｒ_２０１～Ｒ_２０３の一部がアリール基であり、残りがアルキル基又はシクロアルキル基であってもよい。
　Ｒ_２０１～Ｒ_２０３のうちの１つがアリール基であり、Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のうちの残りの２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のうちの２つが結合して形成する基としては、例えば、１つ以上のメチレン基が酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、及び／又はカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基、及び－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－）が挙げられる。
　アリールスルホニウムカチオンとしては、トリアリールスルホニウムカチオン、ジアリールアルキルスルホニウムカチオン、アリールジアルキルスルホニウムカチオン、ジアリールシクロアルキルスルホニウムカチオン、及びアリールジシクロアルキルスルホニウムカチオンが挙げられる。

　アリールスルホニウムカチオンに含まれるアリール基としては、フェニル基又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有するヘテロ環構造を有するアリール基であってもよい。ヘテロ環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、及びベンゾチオフェン残基が挙げられる。アリールスルホニウムカチオンが２つ以上のアリール基を有する場合に、２つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
　アリールスルホニウムカチオンが必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数１～１５の直鎖状アルキル基、炭素数３～１５の分岐鎖状アルキル基、又は炭素数３～１５のシクロアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、又はシクロヘキシル基がより好ましい。

　Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、アルキル基（例えば、炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば、炭素数３～１５）、アリール基（例えば、炭素数６～１４）、アルコキシ基（例えば、炭素数１～１５）、シクロアルキルアルコキシ基（例えば、炭素数１～１５）、ハロゲン原子（例えば、フッ素及びヨウ素）、水酸基、カルボキシル基、エステル基、スルフィニル基、スルホニル基、アルキルチオ基、又はフェニルチオ基が好ましい。
　上記置換基は可能な場合更に置換基を有していてもよく、上記アルキル基が置換基としてハロゲン原子を有して、トリフルオロメチル基等のハロゲン化アルキル基となっていることも好ましい。
　上記置換基は任意の組み合わせにより、酸分解性基を形成することも好ましい。
　なお、酸分解性基とは、酸の作用により分解して極性基を生じる基を意図し、酸の作用により脱離する基で極性基が保護された構造であることが好ましい。上記の極性基及び脱離基としては、上述の通りである。

　次に、式（ＺａＩＩ）について説明する。
　式（ＺａＩＩ）中、Ｒ^２０４及びＲ^２０５は、それぞれ独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
　Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基としては、フェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有するヘテロ環を有するアリール基であってもよい。ヘテロ環を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及びベンゾチオフェンが挙げられる。
　Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、又はペンチル基）、又は炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はノルボルニル基）が好ましい。

　Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい。Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば、炭素数３～１５）、アリール基（例えば、炭素数６～１５）、アルコキシ基（例えば、炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基が挙げられる。また、Ｒ^２０４及びＲ^２０５の置換基は、それぞれ独立に、置換基の任意の組み合わせにより、酸分解性基を形成することも好ましい。

　「Ｍ^＋　Ｘ^－」で表される化合物において、Ｘ^－は、有機アニオンを表す。
　有機アニオンとしては、特に制限されず、１又は２価以上の有機アニオンが挙げられる。
　有機アニオンとしては、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンが好ましく、非求核性アニオンがより好ましい。

　非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン（脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、及びカンファースルホン酸アニオン等）、カルボン酸アニオン（脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、及びアラルキルカルボン酸アニオン等）、スルホニルイミドアニオン、ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、及びトリス（アルキルスルホニル）メチドアニオンが挙げられる。

　脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であっても、シクロアルキル基であってもよく、炭素数１～３０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、又は、炭素数３～３０のシクロアルキル基が好ましい。
　上記アルキル基は、例えば、フルオロアルキル基（フッ素原子以外の置換基を有していてもよい。パーフルオロアルキル基であってもよい）であってもよい。

　芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおけるアリール基としては、炭素数６～１４のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、及び、ナフチル基が挙げられる。

　上記で挙げたアルキル基、シクロアルキル基、及び、アリール基は、置換基を有していてもよい。置換基としては特に制限されないが、例えば、ニトロ基、フッ素原子及び塩素原子等のハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（炭素数１～１５が好ましい）、アルキル基（炭素数１～１０が好ましい）、シクロアルキル基（炭素数３～１５が好ましい）、アリール基（炭素数６～１４が好ましい）、アルコキシカルボニル基（炭素数２～７が好ましい）、アシル基（炭素数２～１２が好ましい）、アルコキシカルボニルオキシ基（炭素数２～７が好ましい）、アルキルチオ基（炭素数１～１５が好ましい）、アルキルスルホニル基（炭素数１～１５が好ましい）、アルキルイミノスルホニル基（炭素数１～１５が好ましい）、及び、アリールオキシスルホニル基（炭素数６～２０が好ましい）が挙げられる。

　アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、炭素数７～１４のアラルキル基が好ましい。
　炭素数７～１４のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、及び、ナフチルブチル基が挙げられる。

　スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンが挙げられる。

　ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、及び、トリス（アルキルスルホニル）メチドアニオンにおけるアルキル基としては、炭素数１～５のアルキル基が好ましい。これらのアルキル基の置換基としては、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、及び、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基が挙げられ、フッ素原子又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。
　また、ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオンにおけるアルキル基は、互いに結合して環構造を形成してもよい。これにより、酸強度が増加する。

　光酸発生剤は、化合物（Ｉ）～（ＩＩ）からなる群から選択される少なくとも１つであることも好ましい。

（化合物（Ｉ））
　化合物（Ｉ）は、１つ以上の下記構造部位Ｘ及び１つ以上の下記構造部位Ｙを有する化合物であって、活性光線又は放射線の照射によって、下記構造部位Ｘに由来する下記第１の酸性部位と下記構造部位Ｙに由来する下記第２の酸性部位とを含む酸を発生する化合物である。
　　構造部位Ｘ：アニオン部位Ａ_１ ^－とカチオン部位Ｍ_１ ^＋とからなり、且つ活性光線又は放射線の照射によって、ＨＡ_１で表される第１の酸性部位を形成する構造部位
　　構造部位Ｙ：アニオン部位Ａ_２ ^－とカチオン部位Ｍ_２ ^＋とからなり、且つ活性光線又は放射線の照射によって、ＨＡ_２で表される第２の酸性部位を形成する構造部位
　上記化合物（Ｉ）は、下記条件Ｉを満たす。

　条件Ｉ：上記化合物（Ｉ）において上記構造部位Ｘ中の上記カチオン部位Ｍ_１ ^＋及び上記構造部位Ｙ中の上記カチオン部位Ｍ_２ ^＋をＨ^＋に置き換えてなる化合物ＰＩが、上記構造部位Ｘ中の上記カチオン部位Ｍ_１ ^＋をＨ^＋に置き換えてなるＨＡ_１で表される酸性部位に由来する酸解離定数ａ１と、上記構造部位Ｙ中の上記カチオン部位Ｍ_２ ^＋をＨ^＋に置き換えてなるＨＡ_２で表される酸性部位に由来する酸解離定数ａ２とを有し、且つ、上記酸解離定数ａ１よりも上記酸解離定数ａ２の方が大きい。

　以下において、条件Ｉをより具体的に説明する。
　化合物（Ｉ）が、例えば、上記構造部位Ｘに由来する上記第１の酸性部位を１つと、上記構造部位Ｙに由来する上記第２の酸性部位を１つ有する酸を発生する化合物である場合、化合物ＰＩは「ＨＡ_１とＨＡ_２とを有する化合物」に該当する。
　化合物ＰＩの酸解離定数ａ１及び酸解離定数ａ２とは、より具体的に説明すると、化合物ＰＩの酸解離定数を求めた場合において、化合物ＰＩが「Ａ_１ ^－とＨＡ_２とを有する化合物」となる際のｐＫａが酸解離定数ａ１であり、上記「Ａ_１ ^－とＨＡ_２とを有する化合物」が「Ａ_１ ^－とＡ_２ ^－とを有する化合物」となる際のｐＫａが酸解離定数ａ２である。

　化合物（Ｉ）が、例えば、上記構造部位Ｘに由来する上記第１の酸性部位を２つと、上記構造部位Ｙに由来する上記第２の酸性部位を１つと有する酸を発生する化合物である場合、化合物ＰＩは「２つのＨＡ_１と１つのＨＡ_２とを有する化合物」に該当する。
　化合物ＰＩの酸解離定数を求めた場合、化合物ＰＩが「１つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_１と１つのＨＡ_２とを有する化合物」となる際の酸解離定数、及び「１つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_１と１つのＨＡ_２とを有する化合物」が「２つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_２とを有する化合物」となる際の酸解離定数が、上述の酸解離定数ａ１に該当する。「２つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_２とを有する化合物」が「２つのＡ_１ ^－とＡ_２ ^－を有する化合物」となる際の酸解離定数が酸解離定数ａ２に該当する。つまり、化合物ＰＩの場合、上記構造部位Ｘ中の上記カチオン部位Ｍ_１ ^＋をＨ^＋に置き換えてなるＨＡ_１で表される酸性部位に由来する酸解離定数を複数有する場合、複数の酸解離定数ａ１のうち最も大きい値よりも、酸解離定数ａ２の値の方が大きい。なお、化合物ＰＩが「１つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_１と１つのＨＡ_２とを有する化合物」となる際の酸解離定数をａａとし、「１つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_１と１つのＨＡ_２とを有する化合物」が「２つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_２とを有する化合物」となる際の酸解離定数をａｂとしたとき、ａａ及びａｂの関係は、ａａ＜ａｂを満たす。

　酸解離定数ａ１及び酸解離定数ａ２は、上述した酸解離定数の測定方法により求められる。
　上記化合物ＰＩとは、化合物（Ｉ）に活性光線又は放射線を照射した場合に、発生する酸に該当する。
　化合物（Ｉ）が２つ以上の構造部位Ｘを有する場合、構造部位Ｘは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。また、２つ以上の上記Ａ_１ ^－、及び２つ以上の上記Ｍ_１ ^＋は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
　化合物（Ｉ）中、上記Ａ_１ ^－及び上記Ａ_２ ^－、並びに、上記Ｍ_１ ^＋及び上記Ｍ_２ ^＋は、それぞれ同一であっても異なっていてもよいが、上記Ａ_１ ^－及び上記Ａ_２ ^－は、それぞれ異なっていることが好ましい。

　上記化合物ＰＩにおいて、酸解離定数ａ１（酸解離定数ａ１が複数存在する場合はその最大値）と酸解離定数ａ２との差（絶対値）は、０．１以上が好ましく、０．５以上がより好ましく、１．０以上が更に好ましい。なお、酸解離定数ａ１（酸解離定数ａ１が複数存在する場合はその最大値）と酸解離定数ａ２との差（絶対値）の上限値は特に制限されないが、例えば、１６以下である。

　上記化合物ＰＩにおいて、酸解離定数ａ２は、２０以下が好ましく、１５以下がより好ましい。なお、酸解離定数ａ２の下限値としては、－４．０以上が好ましい。

　上記化合物ＰＩにおいて、酸解離定数ａ１は、２．０以下が好ましく、０以下がより好ましい。なお、酸解離定数ａ１の下限値としては、－２０．０以上が好ましい。

　アニオン部位Ａ_１ ^－及びアニオン部位Ａ_２ ^－は、負電荷を帯びた原子又は原子団を含む構造部位であり、例えば、以下に示す式（ＡＡ－１）～（ＡＡ－３）及び式（ＢＢ－１）～（ＢＢ－６）からなる群から選ばれる構造部位が挙げられる。
　アニオン部位Ａ_１ ^－としては、酸解離定数の小さい酸性部位を形成し得るものが好ましく、なかでも、式（ＡＡ－１）～（ＡＡ－３）のいずれかであることがより好ましく、式（ＡＡ－１）及び（ＡＡ－３）のいずれかであることが更に好ましい。
　また、アニオン部位Ａ_２ ^－としては、アニオン部位Ａ_１ ^－よりも酸解離定数の大きい酸性部位を形成し得るものが好ましく、式（ＢＢ－１）～（ＢＢ－６）のいずれかであることがより好ましく、式（ＢＢ－１）及び（ＢＢ－４）のいずれかであることが更に好ましい。
　なお、以下の式（ＡＡ－１）～（ＡＡ－３）及び式（ＢＢ－１）～（ＢＢ－６）中、＊は、結合位置を表す。
　式（ＡＡ－２）中、Ｒ^Ａは、１価の有機基を表す。Ｒ^Ａで表される１価の有機基は特に制限されないが、例えば、シアノ基、トリフルオロメチル基、及びメタンスルホニル基が挙げられる。

　カチオン部位Ｍ_１ ^＋及びカチオン部位Ｍ_２ ^＋は、正電荷を帯びた原子又は原子団を含む構造部位であり、例えば、電荷が１価の有機カチオンが挙げられる。なお、有機カチオンとしては、例えば、上述したＭ^＋で表される有機カチオンが挙げられる。

（化合物（ＩＩ））
　化合物（ＩＩ）は、２つ以上の上記構造部位Ｘ及び１つ以上の下記構造部位Ｚを有する化合物であって、活性光線又は放射線の照射によって、上記構造部位Ｘに由来する上記第１の酸性部位を２つ以上と上記構造部位Ｚとを含む酸を発生する化合物である。
　構造部位Ｚ：酸を中和可能な非イオン性の部位

　化合物（ＩＩ）中、構造部位Ｘの定義、並びに、Ａ_１ ^－及びＭ_１ ^＋の定義は、上述した化合物（Ｉ）中の構造部位Ｘの定義、並びに、Ａ_１ ^－及びＭ_１ ^＋の定義と同義であり、好適態様も同じである。

　上記化合物（ＩＩ）において上記構造部位Ｘ中の上記カチオン部位Ｍ_１ ^＋をＨ^＋に置き換えてなる化合物ＰＩＩにおいて、上記構造部位Ｘ中の上記カチオン部位Ｍ_１ ^＋をＨ^＋に置き換えてなるＨＡ_１で表される酸性部位に由来する酸解離定数ａ１の好適範囲については、上記化合物ＰＩにおける酸解離定数ａ１と同じである。
　なお、化合物（ＩＩ）が、例えば、上記構造部位Ｘに由来する上記第１の酸性部位を２つと上記構造部位Ｚとを有する酸を発生する化合物である場合、化合物ＰＩＩは「２つのＨＡ_１を有する化合物」に該当する。この化合物ＰＩＩの酸解離定数を求めた場合、化合物ＰＩＩが「１つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_１とを有する化合物」となる際の酸解離定数、及び「１つのＡ_１ ^－と１つのＨＡ_１とを有する化合物」が「２つのＡ_１ ^－を有する化合物」となる際の酸解離定数が、酸解離定数ａ１に該当する。

　酸解離定数ａ１は、上述した酸解離定数の測定方法により求められる。
　上記化合物ＰＩＩとは、化合物（ＩＩ）に活性光線又は放射線を照射した場合に、発生する酸に該当する。
　なお、上記２つ以上の構造部位Ｘは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。２つ以上の上記Ａ_１ ^－、及び２つ以上の上記Ｍ_１ ^＋は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

　構造部位Ｚ中の酸を中和可能な非イオン性の部位としては特に制限されず、例えば、プロトンと静電的に相互作用し得る基、又は、電子を有する官能基を含む部位であることが好ましい。
　プロトンと静電的に相互作用し得る基、又は、電子を有する官能基としては、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基、又は、π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基が挙げられる。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記式に示す部分構造を有する窒素原子である。

　プロトンと静電的に相互作用し得る基又は電子を有する官能基の部分構造としては、例えば、クラウンエーテル構造、アザクラウンエーテル構造、１～３級アミン構造、ピリジン構造、イミダゾール構造、及びピラジン構造が挙げられ、なかでも、１～３級アミン構造が好ましい。

　以下に光酸発生剤（Ｂ）の具体例を示すが、これらに限定されない。

　本発明の組成物が光酸発生剤（Ｂ）を含む場合、本発明の組成物に含まれる光酸発生剤（Ｂ）の種類は１種でもよいし、２種以上でもよい。
　本発明の組成物が光酸発生剤（Ｂ）を含む場合、光酸発生剤（Ｂ）の含有量は、形成されるパターンの断面形状がより矩形化するという理由から、本発明の組成物の全固形分に対して、０．５質量％以上が好ましく、１．０質量％以上がより好ましい。光酸発生剤の含有量は、本発明の組成物の全固形分に対して、５０．０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましい。

＜酸拡散制御剤＞
　本発明の組成物は、酸拡散制御剤（「酸拡散制御剤（Ｃ）」又は「化合物（Ｃ）」ともいう）を含有してもよい。
　酸拡散制御剤はオニウム塩化合物であってもよい。
　酸拡散制御剤は、樹脂（Ａ）とは異なる化合物であることが好ましい。
　また、酸拡散制御剤（Ｃ）は、前述の光酸発生剤（Ｂ）と同一の化合物でもよいし、異なる化合物であってもよい。
　酸拡散制御剤（Ｃ）は、露光時に光酸発生剤等から発生する酸をトラップし、余分な発生酸による、未露光部における酸分解性樹脂の反応を抑制するクエンチャーとして作用することができる。
　酸拡散制御剤（Ｃ）の種類は特に制限されず、例えば、塩基性化合物（ＣＡ）、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＣＢ）、及び、活性光線又は放射線の照射により酸拡散制御能が低下又は消失する化合物（ＣＣ）が挙げられる。
　化合物（ＣＣ）としては、光酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩化合物（ＣＤ）、及び、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＣＥ）が挙げられる。
　塩基性化合物（ＣＡ）の具体例としては、例えば、国際公開第２０２０／０６６８２４号の段落［０１３２］～［０１３６］に記載のものが挙げられ、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＣＥ）の具体例としては、国際公開第２０２０／０６６８２４号の段落［０１３７］～［０１５５］に記載のもの、及び国際公開第２０２０／０６６８２４号公報の段落［０１６４］に記載のものが挙げられ、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＣＢ）の具体例としては、国際公開第２０２０／０６６８２４号の段落［０１５６］～［０１６３］に記載のものが挙げられる。
　光酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩化合物（ＣＤ）の具体例としては、例えば、国際公開第２０２０／１５８３３７号の段落［０３０５］～［０３１４］に記載のものが挙げられる。

　上記以外にも、例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号の段落［０６２７］～［０６６４］、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号の段落［００９５］～［０１８７］、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号の段落［０４０３］～［０４２３］、及び米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号の段落［０２５９］～［０３２８］に開示された公知の化合物を酸拡散制御剤として好適に使用できる。

　酸拡散制御剤のうち、上記化合物（ＣＣ）を光崩壊性クエンチャーともいう。また、上記化合物（ＣＣ）以外の酸拡散制御剤を非光崩壊性クエンチャーともいう。
　酸拡散制御剤（Ｃ）は、光崩壊性クエンチャーであってもよいし、非光崩壊性クエンチャーであってもよい。また、酸拡散制御剤（Ｃ）として、光崩壊性クエンチャーと非光崩壊性クエンチャーを併用してもよい。

　本発明の組成物が酸拡散制御剤（Ｃ）を含む場合、本発明の組成物に含まれる酸拡散制御剤（Ｃ）の種類は１種でもよいし、２種以上でもよい。
　本発明の組成物が酸拡散制御剤（Ｃ）を含む場合、酸拡散制御剤（Ｃ）の含有量は、本発明の組成物の全固形分に対して、０．１～１５．０質量％であることが好ましく、１．０～１５．０質量％であることがより好ましい。

＜疎水性樹脂＞
　本発明の組成物は、更に、樹脂（Ａ）とは異なる疎水性樹脂を含んでいてもよい。
　疎水性樹脂は本発明の組成物から形成される感活性光線性又は感放射線性膜（好ましくはレジスト膜）の表面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性物質及び非極性物質の均一な混合に寄与しなくてもよい。
　疎水性樹脂の添加による効果として、水に対するレジスト膜表面の静的及び動的な接触角の制御、並びに、アウトガスの抑制が挙げられる。

　疎水性樹脂は、膜表層への偏在化の点から、フッ素原子、珪素原子、及び、樹脂の側鎖部分に含まれたＣＨ_３部分構造のいずれか１種以上を有するのが好ましく、２種以上を有することがより好ましい。上記疎水性樹脂は、炭素数５以上の炭化水素基を有することが好ましい。これらの基は樹脂の主鎖中に有していても、側鎖に置換していてもよい。
　疎水性樹脂としては、国際公開第２０２０／００４３０６号の段落［０２７５］～［０２７９］に記載される化合物が挙げられる。

　疎水性樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を使用してもよい。
　本発明の組成物が疎水性樹脂を含む場合、疎水性樹脂の含有量は、本発明の組成物の全固形分に対して、０．０１～２０．０質量％が好ましく、０．１～１５．０質量％がより好ましい。

＜界面活性剤＞
　本発明の組成物は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤を含むと、密着性により優れ、現像欠陥のより少ないパターンを形成することができる。
　界面活性剤は、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
　フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤としては、国際公開第２０１８／１９３９５４号の段落［０２１８］及び［０２１９］に開示された界面活性剤が挙げられる。
　界面活性剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を使用してもよい。
　本発明の組成物が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、本発明の組成物の全固形分に対して、０．０００１～２．０質量％が好ましく、０．０００５～１．０質量％がより好ましく、０．１～１．０質量％が更に好ましい。

＜溶剤＞
　本発明の組成物は、溶剤を含むことが好ましい。
　溶剤は、（Ｍ１）プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、並びに、（Ｍ２）プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、及びアルキレンカーボネートからなる群より選択される少なくとも１つの少なくとも一方を含んでいることが好ましい。なお、上記溶剤は、成分（Ｍ１）及び（Ｍ２）以外の成分を更に含んでいてもよい。

　成分（Ｍ１）及び成分（Ｍ２）の詳細は、国際公開第２０２０／００４３０６号の段落［０２１８］～［０２２６］に記載され、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

　溶剤が成分（Ｍ１）及び（Ｍ２）以外の成分を更に含む場合、成分（Ｍ１）及び（Ｍ２）以外の成分の含有量は、溶剤の全量に対して、５～３０質量％が好ましい。

　本発明の組成物中の溶剤の含有量は、固形分濃度が０．５～３０質量％となるように定めるのが好ましく、１～２０質量％となるように定めることがより好ましい。こうすると、本発明の組成物の塗布性を更に向上させられる。
　なお、固形分とは、溶剤以外の全ての成分を意味するものであり、上述の通り、感活性光線性又は感放射線性膜を形成する成分を意味する。
　固形分濃度とは、本発明の組成物の総質量に対する、溶剤を除く他の成分の質量の質量百分率である。
　「全固形分」とは、本発明の組成物の全組成から溶剤を除いた成分の総質量をいう。また、「固形分」とは、上述のように、溶剤を除いた成分であり、例えば、２５℃において固体であっても、液体であってもよい。

＜その他の添加剤＞
　本発明の組成物は、溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び／又は、現像液に対する溶解性を促進させる化合物（例えば、分子量１０００以下のフェノール化合物、又は、カルボキシル基を含んだ脂環族若しくは脂肪族化合物）を更に含んでいてもよい。

　上記「溶解阻止化合物」とは、酸の作用により分解して有機系現像液中での溶解度が減少する、分子量３０００以下の化合物である。

　本発明の組成物は、ＥＵＶ露光用感光性組成物として好適に用いられる。
　ＥＵＶは波長１３．５ｎｍであり、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）光等に比べて、より短波長であるため、同じ感度で露光された際の入射フォトン数が少ない。そのため、確率的にフォトンの数がばらつく“フォトンショットノイズ”の影響が大きく、ＬＥＲの悪化及びブリッジ欠陥を招く。フォトンショットノイズを減らすには、露光量を大きくして入射フォトン数を増やす方法があるが、高感度化の要求とトレードオフとなる。

［感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法］
　本発明の組成物を用いたパターン形成方法の手順は特に制限されないが、以下の工程を有することが好ましい。
　工程１：感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により、基板上に感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程
　工程２：上記感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程
　工程３：露光された感活性光線性又は感放射線性膜を現像液を用いて現像する工程
　以下、上記それぞれの工程の手順について詳述する。

（工程１：感活性光線性又は感放射線性膜形成工程）
　工程１は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により、基板上に感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程である。

　感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により基板上に感活性光線性又は感放射線性膜（好ましくは、レジスト膜）を形成する方法としては、例えば、本発明の組成物を基板上に塗布する方法が挙げられる。
　なお、塗布前に本発明の組成物を必要に応じてフィルター濾過することが好ましい。フィルターのポアサイズは、０．１μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以下がより好ましく、０．０３μｍ以下が更に好ましい。フィルターは、ポリテトラフルオロエチレン製、ポリエチレン製、又は、ナイロン製が好ましい。

　本発明の組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン、二酸化シリコン被覆）上に、スピナー又はコーター等の適当な塗布方法により塗布できる。塗布方法は、スピナーを用いたスピン塗布が好ましい。スピナーを用いたスピン塗布をする際の回転数は、１０００～３０００ｒｐｍ（ｒｏｔａｔｉｏｎｓ　ｐｅｒ　ｍｉｎｕｔｅ）が好ましい。
　本発明の組成物の塗布後、基板を乾燥し、感活性光線性又は感放射線性膜を形成してもよい。なお、必要により、感活性光線性又は感放射線性膜の下層に、各種下地膜（無機膜、有機膜、反射防止膜）を形成してもよい。

　乾燥方法としては、例えば、加熱して乾燥する方法が挙げられる。加熱は通常の露光機、及び／又は、現像機に備わっている手段で実施でき、ホットプレート等を用いて実施してもよい。加熱温度は８０～１５０℃が好ましく、８０～１４０℃がより好ましく、８０～１３０℃が更に好ましい。加熱時間は３０～１０００秒が好ましく、６０～８００秒がより好ましく、６０～６００秒が更に好ましい。

　感活性光線性又は感放射線性膜の膜厚は特に制限されないが、より高精度な微細パターンを形成できる点から、１０～１２０ｎｍが好ましい。なかでも、ＥＵＶ露光とする場合、感活性光線性又は感放射線性膜の膜厚としては、１０～６５ｎｍがより好ましく、１５～５０ｎｍが更に好ましい。ＡｒＦ液浸露光とする場合、感活性光線性又は感放射線性膜の膜厚としては、１０～１２０ｎｍがより好ましく、１５～９０ｎｍが更に好ましい。

　なお、感活性光線性又は感放射線性膜の上層にトップコート組成物を用いてトップコートを形成してもよい。
　トップコート組成物は、感活性光線性又は感放射線性膜と混合せず、更に感活性光線性又は感放射線性膜上層に均一に塗布できることが好ましい。トップコートは、特に限定されず、従来公知のトップコートを、従来公知の方法によって形成でき、例えば、特開２０１４－０５９５４３号公報の段落［００７２］～［００８２］の記載に基づいてトップコートを形成できる。
　例えば、特開２０１３－６１６４８号公報に記載されたような塩基性化合物を含むトップコートを、感活性光線性又は感放射線性膜上に形成することが好ましい。トップコートが含み得る塩基性化合物の具体的な例は、前述の本発明の組成物が含んでいてもよい塩基性化合物が挙げられる。
　トップコートは、エーテル結合、チオエーテル結合、水酸基、チオール基、カルボニル結合、及びエステル結合からなる群より選択される基又は結合を少なくとも１つ含む化合物を含むことも好ましい。

（工程２：露光工程）
　工程２は、感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程である。
　露光の方法としては、形成した感活性光線性又は感放射線性膜に所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射する方法が挙げられる。
　活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、Ｘ線、及び電子線が挙げられ、２５０ｎｍ以下が好ましく、２２０ｎｍ以下がより好ましく、１～２００ｎｍの波長の遠紫外光、具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、ＥＵＶ（１３．５ｎｍ）、Ｘ線、及び電子ビームが特に好ましい。

　露光後、現像を行う前にベーク（加熱）を行うことが好ましい。ベークにより露光部の反応が促進され、感度及びパターン形状がより良好となる。
　加熱温度は８０～１５０℃が好ましく、８０～１４０℃がより好ましく、８０～１３０℃が更に好ましい。
　加熱時間は１０～１０００秒が好ましく、１０～１８０秒がより好ましく、３０～１２０秒が更に好ましい。
　加熱は通常の露光機及び／又は現像機に備わっている手段で実施でき、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
　この工程は露光後ベークともいう。

（工程３：現像工程）
　工程３は、現像液を用いて、露光された感活性光線性又は感放射線性膜を現像し、パターンを形成する工程である。
　現像液は、アルカリ現像液であっても、有機溶剤を含有する現像液（以下、有機系現像液ともいう）であってもよい。

　現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静置して現像する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、及び一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）が挙げられる。
　また、現像を行う工程の後に、他の溶剤に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
　現像時間は未露光部の樹脂が十分に溶解する時間であれば特に制限はなく、１０～３００秒が好ましく、２０～１２０秒がより好ましい。
　現像液の温度は０～５０℃が好ましく、１５～３５℃がより好ましい。

　アルカリ現像液は、アルカリを含むアルカリ水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の種類は特に制限されないが、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される４級アンモニウム塩、無機アルカリ、１級アミン、２級アミン、３級アミン、アルコールアミン、又は、環状アミン等を含むアルカリ水溶液が挙げられる。中でも、アルカリ現像液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）に代表される４級アンモニウム塩の水溶液であることが好ましい。アルカリ現像液には、アルコール類、界面活性剤等を適当量添加してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常、０．１～２０質量％であることが好ましい。アルカリ現像液のｐＨは、通常、１０．０～１５．０であることが好ましい。

　有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含有する現像液であることが好ましい。

　上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤又は水と混合してもよい。現像液全体としての含水率は、５０質量％未満が好ましく、２０質量％未満がより好ましく、１０質量％未満が更に好ましく、実質的に水分を含有しないのが特に好ましい。
　有機系現像液に対する有機溶剤の含有量は、現像液の全量に対して、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、８０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、９０質量％以上１００質量％以下が更に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下が特に好ましい。

（他の工程）
　上記パターン形成方法は、工程３の後に、リンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。

　アルカリ現像液を用いて現像する工程の後のリンス工程に用いるリンス液としては、例えば、純水が挙げられる。なお、純水には、界面活性剤を適当量添加してもよい。
　リンス液には、界面活性剤を適当量添加してもよい。

　有機系現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液は、パターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用できる。リンス液は、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。

　リンス工程の方法は特に限定されず、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、及び基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）が挙げられる。
　また、パターン形成方法は、リンス工程の後に加熱工程（Ｐｏｓｔ　Ｂａｋｅ）を含んでいてもよい。本工程により、ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。また、本工程により、レジストパターンがなまされ、パターンの表面荒れが改善される効果もある。リンス工程の後の加熱工程は、通常４０～２５０℃（好ましくは９０～２００℃）で、通常１０秒間～３分間（好ましくは３０秒間～１２０秒間）行う。

　また、形成されたパターンをマスクとして、基板のエッチング処理を実施してもよい。つまり、工程３にて形成されたパターンをマスクとして、基板（又は、下層膜及び基板）を加工して、基板にパターンを形成してもよい。
　基板（又は、下層膜及び基板）の加工方法は特に限定されないが、工程３で形成されたパターンをマスクとして、基板（又は、下層膜及び基板）に対してドライエッチングを行うことにより、基板にパターンを形成する方法が好ましい。ドライエッチングは、酸素プラズマエッチングが好ましい。

　本明細書の組成物、及び本明細書のパターン形成方法において使用される各種材料（例えば、溶剤、現像液、リンス液、反射防止膜形成用組成物、トップコート形成用組成物等）は、金属等の不純物を含まないことが好ましい。これら材料に含まれる不純物の含有量は、１質量ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｍｉｌｌｉｏｎ）以下が好ましく、１０質量ｐｐｂ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｂｉｌｌｉｏｎ）以下がより好ましく、１００質量ｐｐｔ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｔｒｉｌｌｉｏｎ）以下が更に好ましく、１０質量ｐｐｔ以下が特に好ましく、１質量ｐｐｔ以下が最も好ましい。下限は特に制限させず、０質量ｐｐｔ以上が好ましい。ここで、金属不純物としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、及びＺｎが挙げられる。

　各種材料から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルターを用いた濾過が挙げられる。フィルターを用いた濾過の詳細は、国際公開第２０２０／００４３０６号の段落［０３２１］に記載される。

　各種材料に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、例えば、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する方法、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う方法、及び装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う方法が挙げられる。

　フィルター濾過の他、吸着材による不純物の除去を行ってもよく、フィルター濾過と吸着材とを組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を使用でき、例えば、シリカゲル及びゼオライト等の無機系吸着材、並びに、活性炭等の有機系吸着材を使用できる。上記各種材料に含まれる金属等の不純物を低減するためには、製造工程における金属不純物の混入を防止する必要がある。製造装置から金属不純物が十分に除去されたかどうかは、製造装置の洗浄に使用された洗浄液中に含まれる金属成分の含有量を測定して確認できる。使用後の洗浄液に含まれる金属成分の含有量は、１００質量ｐｐｔ以下が好ましく、１０質量ｐｐｔ以下がより好ましく、１質量ｐｐｔ以下が更に好ましい。下限は特に制限させず、０質量ｐｐｔ以上が好ましい。

　リンス液等の有機系処理液には、静電気の帯電、引き続き生じる静電気放電に伴う、薬液配管及び各種パーツ（フィルター、Ｏ－リング、及び、チューブ等）の故障を防止するため、導電性の化合物を添加してもよい。導電性の化合物は特に制限されないが、例えば、メタノールが挙げられる。添加量は特に制限されないが、好ましい現像特性又はリンス特性を維持する点で、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。下限は特に制限させず、０．０１質量％以上が好ましい。
　薬液配管としては、例えば、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、又は、帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、若しくは、フッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、又は、パーフルオロアルコキシ樹脂等）で被膜された各種配管を使用できる。フィルター及びＯ－リングに関しても同様に、帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、又は、フッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、又は、パーフルオロアルコキシ樹脂等）を使用できる。

[電子デバイスの製造方法]
　本明細書は、上記したパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及びこの製造方法により製造された電子デバイスにも関する。
　本明細書の電子デバイスの好適態様としては、電気電子機器（家電、ＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ　Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）、メディア関連機器、光学用機器及び通信機器等）に搭載される態様が挙げられる。

　以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

＜レジスト組成物の各成分＞
　実施例及び比較例に用いたレジスト組成物に含まれる各成分を以下に示す。

［樹脂（Ａ）］
　レジスト組成物の調製に使用した樹脂Ａ－１～Ａ－７１（酸分解性樹脂）を下記表１～３に示す。
　樹脂Ａ－１は後述する合成方法（合成例１）により合成したものを用いた。
　樹脂Ａ－２～Ａ－４は後述する合成方法（合成例２～４）により合成したものを用いた。
　その他の樹脂（Ａ）は、合成例１に準じて合成したものを用いた。ただし、一部のフェノール性水酸基を有する繰り返し単位（Ｍ－ｂ－２～Ｍ－ｂ－７、Ｍ－ｂ－１２～Ｍ－ｂ－１５、Ｍ－ｂ－１７）を含む樹脂（Ａ）については、フェノール性水酸基を保護した前駆体を用いて、樹脂Ａ－２～Ａ－４の合成方法（合成例２～４）に準じて合成したものを用いた。Ｍ－ｂ－３～Ｍ－ｂ－７、Ｍ－ｂ－１２～Ｍ－ｂ－１５、Ｍ－ｂ－１７の前駆体としては、Ｍ－ｂ－３－ｉ～Ｍ－ｂ－７－ｉ、Ｍ－ｂ－１２－ｉ～Ｍ－ｂ－１５－ｉ、Ｍ－ｂ－１７－ｉを用いた。Ｍ－ｂ－２の前駆体としては、Ｍ－ｂ－２－ｉ又はＭ－ｂ－２－ｉｉのいずれかを用いた。
　また、比較例のレジスト組成物の調製に使用した樹脂Ａ－１Ｒ～Ａ－８Ｒ（酸分解性樹脂）についても下記表３に示す。樹脂Ａ－１Ｒ～Ａ－８Ｒは樹脂（Ａ）ではないが、下記表７では便宜的に樹脂（Ａ）の欄に記載した。
　表１～３中、各繰り返し単位のモル比率は、全繰り返し単位に対する、各繰り返し単位の含有量（モル％）を示す。各繰り返し単位は、各繰り返し単位に対応するモノマーの構造により示した。
　表１～３中、「Ｍｗ」欄は、重量平均分子量を示す。
　表１～３中、「Ｍｗ／Ｍｎ」欄は、分子量分散度を示す。
　樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）はＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））により測定した（ポリスチレン換算量である）。また、樹脂の組成比（モル比率）は、^１３Ｃ－ＮＭＲ（Ｎｕｃｌｅａｒ　Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）により測定した。
　表１～３中、「酸分解性基合計モル比率（モル％）」欄は、各樹脂中の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量（繰り返し単位（ｉ）と繰り返し単位（ｉｖ）の合計の含有量）を示す。

　Ｍ－１～Ｍ－１３は、繰り返し単位（ｉ）を与えるモノマーの具体例として前掲したものである。
　Ｍ－ａ－１～Ｍ－ａ－３は、繰り返し単位（ｉｉ）を与えるモノマーの具体例として前掲したものである。
　Ｍ－ｂ－１～Ｍ－ｂ－１７は、繰り返し単位（ｉｉｉ）を与えるモノマーの具体例として前掲したものである。
　Ｍ－ｃ－１～Ｍ－ｃ－３６は、繰り返し単位（ｉｖ）を与えるモノマーの具体例として前掲したものである。
　Ｍ－ｄ－１～Ｍ－ｄ－２８、Ｍ－ｅ－１～Ｍ－ｅ－４の構造を以下に示す。

　Ｍ－ｂ－２－ｉ、Ｍ－ｂ－２－ｉｉ、Ｍ－ｂ－３－ｉ～Ｍ－ｂ－７－ｉ、Ｍ－ｂ－１２－ｉ～Ｍ－ｂ－１５－ｉ、Ｍ－ｂ－１７－ｉの構造を以下に示す。

＜合成例１：樹脂Ａ－１の合成＞
　シクロヘキサノン（３９ｇ）を窒素気流下にて８５℃に加熱した。この液に、シクロヘキサノン（７．５ｇ）、及び２，２’－アゾビスイソ酪酸ジメチル〔Ｖ－６０１、富士フイルム和光純薬（株）製〕（０．８４ｇ）の混合溶液を添加し、５分間攪拌した。この液を攪拌しながら、下記式Ｍ－１で表されるモノマー（２７．５ｇ）、下記式Ｍ－ａ－１で表されるモノマー（３２．２ｇ）、下記式Ｍ－ｂ－１で表されるモノマー（１４ｇ）、下記式Ｍ－ｃ－１で表されるモノマー（２６．３ｇ）、シクロヘキサノン（１８７ｇ）、及び２，２’－アゾビスイソ酪酸ジメチル〔Ｖ－６０１、富士フイルム和光純薬（株）製〕（８．４ｇ）の混合溶液を６時間かけて滴下し、反応液を得た。滴下終了後、反応液を８５℃にて更に２時間攪拌した。得られた反応液を放冷後、酢酸エチル１６７ｇで希釈し、多量のｎ－ヘプタンで再沈殿した後、ろ過し、得られた固体を真空乾燥することで、樹脂Ａ－１を７５ｇ得た。

　得られた樹脂Ａ－１のＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））から求めた重量平均分子量（Ｍｗ：ポリスチレン換算）は６５００であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．６０であった。^１３Ｃ－ＮＭＲにより測定した組成比はモル比（繰り返し単位の含有比。左から順に対応）で３０／２５／１５／３０であった。

＜合成例２：樹脂Ａ－２の合成＞
　シクロヘキサノン（４４ｇ）を窒素気流下にて８５℃に加熱した。この液に、シクロヘキサノン（３．１ｇ）、及び２，２’－アゾビスイソ酪酸ジメチル〔Ｖ－６０１、富士フイルム和光純薬（株）製〕（０．８ｇ）の混合溶液を添加し、５分間攪拌した。この液を攪拌しながら、下記式Ｍ－１で表されるモノマー（１７ｇ）、下記式Ｍ－ａ－１で表されるモノマー（１７ｇ）、下記式Ｍ－ｂ－２－ｉｉで表されるモノマー（４１ｇ）、下記式Ｍ－ｃ－１で表されるモノマー（２５ｇ）、シクロヘキサノン（１８７ｇ）、及び２，２’－アゾビスイソ酪酸ジメチル〔Ｖ－６０１、富士フイルム和光純薬（株）製〕（７．９ｇ）の混合溶液を６時間かけて滴下し、反応液を得た。滴下終了後、反応液を８５℃にて更に２時間攪拌することで樹脂Ａ－２’溶液を得た。

　樹脂Ａ－２’溶液に０．３ｍｏｌ／Ｌの塩酸水溶液（ＨＣｌａｑ）（３．６ｇ）を加え、４０℃にて１時間攪拌した。得られた反応液に酢酸エチル（１５６０ｇ）を加え、蒸留水１Ｌで分液精製を５回実施した。有機層を多量のｎ－ヘプタン／酢酸エチル混合溶液（質量比９／１）で再沈殿した後、濾過し、得られた固体を真空乾燥させることで、樹脂Ａ－２を７８ｇ得た。

　得られた樹脂Ａ－２のＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））から求めた重量平均分子量（Ｍｗ：ポリスチレン換算）は７２００であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．５９であった。^１３Ｃ－ＮＭＲにより測定した組成比はモル比（繰り返し単位の含有比。左から順に対応）で１８／１３／４０／２９であった。

＜合成例３：樹脂Ａ－３の合成＞
　シクロヘキサノン（４３ｇ）を窒素気流下にて８５℃に加熱した。この液に、シクロヘキサノン（４．０ｇ）、及び２，２’－アゾビスイソ酪酸ジメチル〔Ｖ－６０１、富士フイルム和光純薬（株）製〕（０．４ｇ）の混合溶液を添加し、５分間攪拌した。この液を攪拌しながら、下記式Ｍ－１で表されるモノマー（１７ｇ）、下記式Ｍ－ａ－１で表されるモノマー（１２．５ｇ）、下記式Ｍ－ｂ－２－ｉで表されるモノマー（４０ｇ）、下記式Ｍ－ｃ－３で表されるモノマー（３０．５ｇ）、シクロヘキサノン（１８７ｇ）、及び２，２’－アゾビスイソ酪酸ジメチル〔Ｖ－６０１、富士フイルム和光純薬（株）製〕（８．８ｇ）の混合溶液を６時間かけて滴下し、反応液を得た。滴下終了後、反応液を８５℃にて更に２時間攪拌することで樹脂Ａ－３’溶液を得た。

　樹脂Ａ－３’溶液にトリエチルアミン（Ｎ（Ｅｔ）_３）（６７ｇ）、メタノール（ＭｅＯＨ）（１５８ｇ）を加え、窒素気流下にて８０℃で１５時間攪拌した。得られた反応液を放冷後、０．２ｍｏｌ／Ｌ塩酸水溶液（４Ｌ）を加え攪拌し、更に酢酸エチル（１５７０ｇ）を加え攪拌した。有機層を抽出した後、０．２ｍｏｌ／Ｌ塩酸水溶液（０．５Ｌ）で１回、蒸留水（１Ｌ）で５回、分液精製を実施した。得られた有機層を多量のｎ－ヘプタン／酢酸エチル混合溶液（質量比９／１）で再沈殿した後、濾過し、得られた固体を真空乾燥させることで、樹脂Ａ－３を８２ｇ得た。

　得られた樹脂Ａ－３のＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））から求めた重量平均分子量（Ｍｗ：ポリスチレン換算）は７０００であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．５８であった。^１３Ｃ－ＮＭＲにより測定した組成比はモル比（繰り返し単位の含有比。左から順に対応）で１８／９／４５／２８であった。

＜合成例４：樹脂Ａ－４の合成＞
　シクロヘキサノン（４４ｇ）を窒素気流下にて８５℃に加熱した。この液に、シクロヘキサノン（２．４ｇ）、及び２，２’－アゾビスイソ酪酸ジメチル〔Ｖ－６０１、富士フイルム和光純薬（株）製〕（０．５８ｇ）の混合溶液を添加し、５分間攪拌した。この液を攪拌しながら、下記式Ｍ－１で表されるモノマー（１４．９ｇ）、下記式Ｍ－ａ－１で表されるモノマー（３６．５ｇ）、下記式Ｍ－ｂ－６－ｉで表されるモノマー（２５．８ｇ）、下記式Ｍ－ｃ－２で表されるモノマー（２２．９ｇ）、シクロヘキサノン（１８７ｇ）、及び２，２’－アゾビスイソ酪酸ジメチル〔Ｖ－６０１、富士フイルム和光純薬（株）製〕（５．８ｇ）の混合溶液を６時間かけて滴下し、反応液を得た。滴下終了後、反応液を８５℃にて更に２時間攪拌することで樹脂Ａ－４’溶液を得た。

　樹脂Ａ－４’溶液にトリエチルアミン（６０ｇ）、メタノール（９４．５ｇ）を加え、窒素気流下にて８０℃で３時間攪拌した。得られた反応液を放冷後、０．２ｍｏｌ／Ｌ塩酸水溶液（３．６Ｌ）を加え攪拌し、更に酢酸エチル（１５７０ｇ）を加え攪拌した。有機層を抽出した後、０．２ｍｏｌ／Ｌ塩酸水溶液（０．５Ｌ）で１回、蒸留水（１Ｌ）で５回、分液精製を実施した。得られた有機層を多量のｎ－ヘプタン／酢酸エチル混合溶液（質量比９／１）で再沈殿した後、濾過し、得られた固体を真空乾燥させることで、樹脂Ａ－４を７５ｇ得た。

　得られた樹脂Ａ－４のＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））から求めた重量平均分子量（Ｍｗ：ポリスチレン換算）は７５００であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．５５であった。^１３Ｃ－ＮＭＲにより測定した組成比はモル比（繰り返し単位の含有比。左から順に対応）で２０／３５／１５／３０であった。

［光酸発生剤（Ｂ）］
　光酸発生剤（Ｂ）として、前掲の化合物Ｂ－１～Ｂ－７５を用いた。

［光崩壊性クエンチャー］
　光崩壊性クエンチャーとして、下記化合物Ｃ－１～Ｃ－２６を用いた。

［非光崩壊性クエンチャー］
　非光崩壊性クエンチャーとして、下記化合物Ｇ－１～Ｇ－５を用いた。

［疎水性樹脂］
　疎水性樹脂として使用した樹脂Ｉ－１～Ｉ－８の構造を以下に示す。

　樹脂Ｉ－１～Ｉ－８は、前述した樹脂Ａ－１の合成方法（合成例１）に準じて合成したものを用いた。
　表４に、各繰り返し単位の組成比（質量比率；左から順に対応）、重量平均分子量（Ｍｗ）、及び分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を示す。
　なお、樹脂Ｉ－１～Ｉ－８の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）はＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））により測定した（ポリスチレン換算量である）。また、樹脂の組成比（質量比率）は、^１３Ｃ－ＮＭＲにより測定した。

［界面活性剤］
　使用した界面活性剤（Ｈ－１～Ｈ－３）を以下に示す。
　Ｈ－１：メガファックＦ１７６（ＤＩＣ（株）製、フッ素系界面活性剤）
　Ｈ－２：メガファックＲ０８（ＤＩＣ（株）製、フッ素及びシリコン系界面活性剤）
　Ｈ－３：ＰＦ６５６（ＯＭＮＯＶＡ社製、フッ素系界面活性剤）

［溶剤］
　使用した溶剤（Ｆ－１～Ｆ－９）を以下に示す。
　Ｆ－１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
　Ｆ－２：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
　Ｆ－３：プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）
　Ｆ－４：シクロヘキサノン
　Ｆ－５：シクロペンタノン
　Ｆ－６：２－ヘプタノン
　Ｆ－７：乳酸エチル
　Ｆ－８：γ－ブチロラクトン
　Ｆ－９：プロピレンカーボネート

＜レジスト組成物の調製＞
　下記表５～８に示す各成分を固形分濃度が２．０質量％になるように混合した。次いで、得られた混合液を、最初に孔径５０ｎｍのポリエチレン製フィルター、次に孔径１０ｎｍのナイロン製フィルター、最後に孔径５ｎｍのポリエチレン製フィルターの順番で通液させて濾過して、レジスト組成物（Ｒｅ－１～Ｒｅ－９６、Ｒｅ－１Ｒ～Ｒｅ－８Ｒ）を調製した。
　固形分とは、溶剤以外の全ての成分を意味する。
　得られたレジスト組成物を、実施例及び比較例で使用した。
　表中、「量」欄は、各成分の、レジスト組成物中の全固形分に対する含有量（質量％）を示す。

＜実施例１－１～１－９６、比較例１－１～１－８＞
［パターン形成方法（１）：ＥＵＶ露光及び有機溶剤現像］
　直径１２インチのシリコンウエハ上に下層膜形成用組成物ＡＬ４１２（Ｂｒｅｗｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークして、膜厚２０ｎｍの下層膜を形成した。下層膜の上に、下記表９～１０に示すレジスト組成物を塗布し、１００℃で６０秒間ベークして、膜厚３０ｎｍのレジスト膜を形成した。
　ＥＵＶ露光装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社製、Ｍｉｃｒｏ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｔｏｏｌ、ＮＡ０．３、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用いて、得られたレジスト膜を有するシリコンウエハに対して、得られるパターンの平均ライン幅が１４ｎｍになるようにパターン照射を行った。なお、レチクルとしては、ラインサイズ＝１４ｎｍであり、且つ、ライン：スペース＝１：１であるマスクを用いた。
　露光後のレジスト膜を９０℃で６０秒間ベークした後、酢酸ｎ－ブチルで３０秒間現像し、これをスピン乾燥してネガ型のパターンを得た。

〔評価項目１：欠陥評価（欠陥抑制性）〕
　前述の方法で得られたパターンを、ＵＶｉｓｉｏｎ５（ＡＭＡＴ社製）及びＳＥＭＶｉｓｉｏｎＧ４（ＡＭＡＴ社製）を使用して、シリコンウエハ１枚当たりの欠陥数を数えて、以下の評価基準に従って、評価した。欠陥数が少ないほど欠陥抑制性が良好であり、「Ｆ」評価以上で合格とみなせる。
　Ａ：欠陥数が５０個以下
　Ｂ：欠陥数が５０個超１００個以下
　Ｃ：欠陥数が１００個超２００個以下
　Ｄ：欠陥数が２００個超３００個以下
　Ｅ：欠陥数が３００個超４００個以下
　Ｆ：欠陥数が４００個超５００個以下
　Ｇ：欠陥数が５００個超

〔評価項目２：ラインウィズスラフネス性能（ＬＷＲ性能、ｎｍ）〕
　前述の方法で得られたパターンを測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（（株）日立製作所Ｓ－９３８０ＩＩ））を使用してパターン上部から観察した。パターンの線幅を２５０箇所で観測し、その標準偏差（σ）を求めた。線幅の測定ばらつきを３σで評価し、３σの値をＬＷＲ（ｎｍ）とした。ＬＷＲの値が小さいほどＬＷＲ性能が良好である。
　ＬＷＲ性能（ｎｍ）は、４．５ｎｍ以下であることが好ましく、４．２ｎｍ以下であることがより好ましく、３．９ｎｍ以下であることがより一層好ましく、３．６ｎｍ以下であることが更に好ましく、３．３ｎｍであることが特に好ましく、３．０ｎｍ以下であることが最も好ましい。

　結果を下記表９～１０に示す。

　上記表９～１０に示すように本発明のレジスト組成物は、有機溶剤現像で極微細のパターンを形成した場合に、欠陥性能（欠陥抑制性）、及びＬＷＲ性能に優れることが確認された。一方で、比較例のレジスト組成物では、これら性能が不十分であった。

＜実施例２－１～２－９６、比較例２－１～２－８＞
［パターン形成方法（２）：ＥＵＶ露光及びアルカリ水溶液現像］
　直径１２インチのシリコンウエハ上に下層膜形成用組成物ＡＬ４１２（Ｂｒｅｗｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークして、膜厚２０ｎｍの下層膜を形成した。下層膜の上に、下記表１１～１２に示すレジスト組成物を塗布し、１００℃で６０秒間ベークして、膜厚３０ｎｍのレジスト膜を形成した。
　ＥＵＶ露光装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社製、Ｍｉｃｒｏ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｔｏｏｌ、ＮＡ０．３、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用いて、得られたレジスト膜を有するシリコンウエハに対して、得られるパターンの平均ライン幅が１４ｎｍになるようにパターン照射を行った。なお、レチクルとしては、ラインサイズ＝１４ｎｍであり、且つ、ライン：スペース＝１：１であるマスクを用いた。
　露光後のレジスト膜を９０℃で６０秒間ベークした後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（２．３８質量％）で３０秒間現像し、次いで純水で３０秒間リンスした。その後、これをスピン乾燥してポジ型のパターンを得た。
　得られたポジ型のパターンについて、欠陥抑制性及びＬＷＲ性能を、前述の実施例１－１～１－９６、比較例１－１～１－８と同様に評価した。

　評価結果を下記表１１～１２に示す。

　上記表１１～１２に示すように本発明のレジスト組成物は、アルカリ水溶液現像で極微細のパターンを形成する場合にも、欠陥性能（欠陥抑制性）、及びＬＷＲ性能に優れることが確認された。一方で、比較例のレジスト組成物では、これら性能が不十分であった。

　なお、露光光源として電子線を用いた場合にも、本発明のレジスト組成物は、実施例１－１～１－９６、実施例２－１～２－９６と同様に、極微細のパターンを形成する場合に、欠陥性能（欠陥抑制性）、及びＬＷＲ性能に優れる。

　本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
　本出願は、２０２２年６月２９日出願の日本特許出願（特願２０２２－１０５１７２）及び２０２３年３月１０日出願の日本特許出願（特願２０２３－０３７９９８）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

Claims

　下記一般式（Ｎ－０）で表される繰り返し単位（ｉ）と、シアノ基及びラクトン構造を有する繰り返し単位（ｉｉ）と、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（ｉｉｉ）と、を含む樹脂（Ａ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
　前記樹脂（Ａ）中の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が、前記樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して３５モル％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｎ－０）中、Ｘ^Ｎ１は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。ｋは０又は１を表す。Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３は各々独立に炭素数１～１２のアルキル基又は炭素数３～１２のシクロアルキル基を表す。Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３のうち２つが結合して環を形成してもよい。Ｒ^Ｎ４はハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４が複数存在する場合、複数のＲ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ^Ｎ５は水素原子又は有機基を表す。Ｒ^Ｎ４とＲ^Ｎ５は結合して環を形成してもよい。ｔ１は１以上（５＋２ｋ）以下の整数を表す。ｔ２は０以上（５＋２ｋ－ｔ１）以下の整数を表す。
　前記繰り返し単位（ｉ）が、下記一般式（Ｎ－１）で表される繰り返し単位である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｎ－１）中、Ｘ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ５、ｋ、ｔ１及びｔ２は、それぞれ一般式（Ｎ－０）中のＸ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ５、ｋ、ｔ１及びｔ２と同じ意味を表す。
　前記繰り返し単位（ｉ）が、下記一般式（Ｎ－２）で表される繰り返し単位である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｎ－２）中、Ｘ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４は、それぞれ一般式（Ｎ－０）中のＸ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ４と同じ意味を表す。ｔ３は１以上５以下の整数を表す。ｔ４は０以上４以下の整数を表す。
　前記繰り返し単位（ｉｉ）が、下記一般式（Ｑ－１）で表される繰り返し単位である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｑ－１）中、Ｘ^Ｑ１は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。Ｌ^Ｑ１は単結合又は２価の有機基を表す。Ｒ^Ｑ１及びＲ^Ｑ２は、各々独立に水素原子、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基、若しくは炭素数１～５のアルキルチオ基を表すか、又は、Ｒ^Ｑ１とＲ^Ｑ２とが結合して、酸素原子及び硫黄原子の少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１～６のアルキレン基、エーテル結合、若しくはチオエーテル結合を表す。Ｒ^Ｑ３はハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。ｍ１は１～６の整数を表す。ｍ２は０～５の整数を表す。
　前記繰り返し単位（ｉ）が、下記一般式（Ｎ－３）で表される繰り返し単位である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｎ－３）中、Ｘ^Ｎ２は水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表す。Ｒ^Ｎ６はメチル基又はエチル基を表す。ｔ５は１又は２を表す。
　前記樹脂（Ａ）が、下記一般式（Ｅ－１）で表される繰り返し単位を含む、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｅ－１）中、Ｘ^Ｅ１は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は有機基を表す。Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３は各々独立に、炭素数１～１２の炭化水素基を表す。Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３のうち２つが結合して環を形成してもよい。Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３が表す前記炭化水素基がアルキレン基を含む場合、一部のアルキレン基はエーテル基、チオエーテル基又はカルボニル基に置き換わってもよい。
　前記樹脂（Ａ）中の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が、前記樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して４０モル％以上である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　前記樹脂（Ａ）中の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が、前記樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して４５モル％以上である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　前記樹脂（Ａ）が、下記一般式（Ｅ－２）で表される繰り返し単位を含む、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

　一般式（Ｅ－２）中、Ｘ^Ｅ２は水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表す。Ｒ^Ｅ４は炭素数６以下の炭化水素基を表す。ｕ１は１又は２を表す。
　前記樹脂（Ａ）の分子量分散度が１．７０以下である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　前記樹脂（Ａ）とは別の化合物として、オニウム塩化合物を含有する、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　光酸発生剤を含有する、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　前記Ｒ^Ｎ１～Ｒ^Ｎ３の炭素数の合計が３～２５である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
　請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上に感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程と、
　前記感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程と、
　現像液を用いて、前記露光された感活性光線性又は感放射線性膜を現像し、パターンを形成する工程と、を有するパターン形成方法。
　請求項１５に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。