WO2023280990A1 - Verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips und strahlungsemittierender halbleiterchip - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips und strahlungsemittierender halbleiterchip Download PDF

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WO2023280990A1
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emitting semiconductor
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Laura KREINER
Jelena Ristic
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • a method for producing a radiation-emitting semiconductor chip is specified. Furthermore, a radiation-emitting semiconductor chip is specified.
  • One problem to be solved is to specify a method for producing a radiation-emitting semiconductor chip that is particularly easy to control.
  • a further problem to be solved consists in specifying such a radiation-emitting semiconductor chip.
  • the radiation-emitting semiconductor chip is, for example, a light-emitting diode, LED for short, in particular a micro-LED.
  • a micro-LED has, for example, a maximum extent, in particular in lateral directions, of at least 1 gm, in particular at least 50 gm and at most 1000 gm, in particular approximately 200 gm.
  • a substrate comprising, for example, a crystalline solid having a main surface.
  • the main surface has a crystalline surface, for example.
  • the crystalline surface is formed with, for example, a (111) plane of the crystalline solid.
  • the substrate includes or consists of sapphire, gallium nitride, silicon carbide or silicon, for example.
  • the substrate has a main extension plane, for example. Lateral directions are aligned parallel to the main plane of extension and a vertical direction is aligned perpendicular to the main plane of extension. For example, the main surface of the substrate extends in lateral directions.
  • an intermediate layer is applied to the substrate.
  • the intermediate layer comprises or consists of a two-dimensional material system, for example. Possible materials for a two-dimensional material are, for example, hexagonal boron nitride, graphene, molybdenum sulfite,
  • the intermediate layer includes multiple sub-layers.
  • each partial layer is formed from a single monolayer of the two-dimensional material system.
  • the intermediate layer has, for example, a thickness of at least 0.5 nm to at most 100 nm, for example approximately 3 nm, in the vertical direction.
  • the intermediate layer is applied to the substrate, for example, by means of chemical vapor deposition (CVD for short).
  • chemical vapor deposition is metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE for short).
  • MOVPE metal-organic vapor phase epitaxy
  • the intermediate layer can be applied using an MBE method (molecular beam epitaxy).
  • a semiconducting layer sequence is applied to the intermediate layer.
  • the semiconducting layer sequence comprises a III-V compound semiconductor material, for example.
  • the III-V compound semiconductor material is, for example, a nitride compound semiconductor material.
  • the compound semiconductor material comprises gallium nitride.
  • the semiconducting layer sequence is applied epitaxially to the intermediate layer, for example.
  • the semiconducting layer sequence is applied to the intermediate layer by means of a CVD process, in particular a MOVPE process, or an MBE process.
  • an etching stop layer is applied to the semiconducting layer sequence.
  • the etch stop layer is formed with an etch resistant layer, for example.
  • the etch stop layer is a predetermined layer with a predetermined material composition. If, for example, the predetermined material composition of the etch stop layer is detected during an etching process, the etching process is stopped.
  • the etch stop layer includes or consists of indium nitride, aluminum nitride and/or gallium nitride, for example.
  • the etch stop layer has a thickness of at least 10 nm and at most 100 nm, for example approximately 50 nm, in the vertical direction.
  • the etch stop layer comprises or consists of the material of Intermediate layer or another two-dimensional material system.
  • a semiconductor body having a sloping side face is applied epitaxially to the etch stop layer.
  • the sloping side surface can be grown by an epitaxial process similar to ELOG (epitaxial lateral overgrowth), but without coalescence of neighboring structures.
  • An angle of the sloping side face to the main plane of extent can be specified via an interaction of structure dimensions, which are defined for example by a mask, and of growth parameters, such as pressure, temperature, chemical composition, etc.
  • the semiconductor body is applied epitaxially to the etch stop layer, for example.
  • the semiconductor body is applied to the intermediate layer by means of the CVD process, in particular the MOVPE process.
  • the semiconductor body is designed, for example, to emit electromagnetic radiation.
  • the electromagnetic radiation is, for example, near-ultraviolet radiation, visible radiation and/or near-infrared radiation.
  • the visible radiation is, for example, light of a blue, green, yellow or red color.
  • the semiconductor body has, for example, the III-V compound semiconductor material of the semiconducting layer sequence.
  • the semiconductor body includes the Semiconductor body a nitride compound semiconductor material, in particular gallium nitride.
  • the side surface of the semiconductor body includes, for example, an angle of at least 30° and at most 80° with the main plane of extension.
  • the angle between the side surface of the semiconductor body and the main plane of extent is approximately 50°.
  • the semiconductor body is grown, for example, on a stack comprising the substrate, the intermediate layer, the semiconducting layer sequence and the etching stop layer.
  • the stack is designed, for example, to generate particularly few strains in the semiconductor body during the growth of the semiconductor body.
  • a semiconductor body grown in this way therefore advantageously has particularly few defects.
  • the substrate, the intermediate layer and the semiconducting layer sequence are removed down to the etch stop layer.
  • the elements to be removed are removed by means of an etching process.
  • the etching process is, for example, a wet-chemical etching process and/or a dry-chemical etching process.
  • the etch stop layer which is still arranged on the semiconducting layer sequence, for example, is then removed.
  • the removal of the etching stop layer exposes the semiconductor body, in particular the first semiconductor layer.
  • the etch stop layer is removed, for example, by means of a further dry or wet chemical etching process and/or by means of mechanical grinding and/or by means of polishing removed.
  • the polishing is, for example, a chemical-mechanical polishing process.
  • the uncovered first semiconductor layer of the semiconductor body which was covered by the etch stop layer, is roughened, for example.
  • the method for producing a radiation-emitting semiconductor chip comprises providing a substrate, applying an intermediate layer to the substrate, applying a semiconducting layer sequence to the intermediate layer, applying an etch stop layer to the semiconducting layer sequence, epitaxially applying a semiconductor body with a inclined side surface on the etch stop layer and the removal of the substrate, the intermediate layer and the semiconducting layer sequence up to the etch stop layer.
  • One idea of the method described here for producing a radiation-emitting semiconductor chip is, inter alia, that the semiconductor body is produced on an intermediate layer, which is in particular a two-dimensional material system.
  • Two-dimensional material systems when they are stacked one on top of the other in the vertical direction, have, for example, a binding force in the vertical direction that is many times smaller than a binding force in lateral directions.
  • the substrate can thus advantageously be detached from the semiconductor body in a particularly simple manner.
  • a detached substrate is advantageously reusable.
  • Such a method is therefore advantageously particularly cost-effective.
  • an etch stop layer is arranged between the semiconductor body and the semiconducting layer sequence.
  • the semiconductor body is advantageously produced in a particularly simple manner by removing the elements down to the etching stop layer.
  • the semiconductor body has a first semiconductor layer of a first doping type, a second semiconductor layer of a second doping type that differs from the first doping type, and an active region.
  • the active region has, for example, a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure or a multiple quantum well structure.
  • the first semiconductor layer faces the substrate.
  • the first semiconductor layer includes, for example, first dopants of an n-type.
  • the first doping type is thus an n-doped type, for example.
  • the second semiconductor layer faces away from the substrate, for example.
  • the second semiconductor layer comprises second dopants of a p-type, for example.
  • the first doping type is thus a p-doped type, for example.
  • the active region is arranged between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
  • the active area is designed, for example, to generate electromagnetic radiation.
  • Semiconductor body and the vertical direction can be predetermined as a function of at least one growth parameter.
  • the growth parameter is, for example, a growth pressure, a growth temperature and/or a dopant concentration.
  • the dopants are, for example, magnesium and/or silicon.
  • the first semiconductor layer includes, for example, silicon as a dopant and the second semiconductor layer includes, for example, magnesium as a dopant.
  • a dopant concentration of the dopants is, for example, at least 5-IO 17 cm -3 and at most 5-IO 18 cm -3 .
  • Such an epitaxially produced sloping side surface of the semiconductor body does not have to be further structured subsequently, for example.
  • the slope is advantageously not produced by an etching process.
  • an etching process for example, defects are induced in the area of the inclined side surface, which act as non-radiating recombination centers. The etching process thus increases, for example, non-radiative recombination on the sloping side surface.
  • the sloping side surface of the semiconductor body is produced epitaxially, so that the semiconductor body has a lower defect density in the region of the sloping side surface than in the region of a sloping side surface that is produced by means of an etching process.
  • a radiation-emitting generated in this way The semiconductor chip is advantageously particularly effective and emits electromagnetic radiation particularly homogeneously over its entire radiation exit area.
  • a mask with at least one opening is applied to the substrate.
  • the substrate is freely accessible in the opening, for example.
  • the mask includes or consists of silicon nitride or silicon dioxide, for example.
  • the intermediate layer is applied to the freely accessible substrate and the mask.
  • the intermediate layer can be applied directly to the entire surface of the substrate and the mask can then be applied to the intermediate layer and then structured.
  • a material of the mask is applied to the substrate over the entire area, for example.
  • the material of the mask is applied to the substrate, for example, by means of plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD for short).
  • PECVD plasma-enhanced chemical vapor deposition
  • the opening is produced, for example, by means of a photolithographic process.
  • the mask has, for example, a thickness in the vertical direction of at least 100 nm and at most 1000 nm, in particular approximately 400 nm.
  • a shape of the semiconductor body in lateral directions is specified, for example, by a shape of the opening in lateral directions.
  • the opening is, for example, round, oval, triangular, square or hexagonal in plan view.
  • a shape of the semiconductor body is thus advantageously also embodied as round, oval, triangular, quadrangular or hexagonal, for example in a plan view.
  • Different semiconductor bodies can, for example, be structured in different sizes, in particular also in the combination of different sizes and shapes on one substrate.
  • the semiconducting layer sequence comprises a seed layer and a further semiconductor layer of the first doping type.
  • the seed layer comprises AlGaN, for example.
  • the aluminum has, for example, a mole fraction in the seed layer of at least 10% and at most 20%, in particular approximately 14%.
  • the seed layer has, for example, a thickness in the vertical direction of at least 50 nm and at most 500 nm, in particular approximately 200 nm.
  • the further semiconductor layer comprises (Al;In;Ga)N, for example.
  • the further semiconductor layer is formed from the same material as the first semiconductor layer, for example. That is to say that the further semiconductor layer comprises the first dopant, for example.
  • the seed layer is applied to the intermediate layer, which is arranged in the opening on the substrate.
  • the intermediate layer which is arranged on the substrate, has a crystalline crystal structure, for example.
  • the seed layer for example, is grown on such a crystalline crystal structure.
  • the intermediate layer, which is arranged on the mask has, for example, an amorphous crystal structure on which the seed layer does not grow and/or does not grow in a crystalline manner.
  • the material of the seed layer which is applied, for example, to the mask, in particular to a top surface and to a side surface of the mask, does not have a crystalline form, for example. That is, on top of the mask, particularly between the mask and the seed layer, is a residue layer formed with amorphous residues of the seed layer material.
  • the further semiconductor layer is applied to the seed layer.
  • the seed layer is designed, for example, to act as a buffer layer between the epitaxially grown further semiconductor layer and the intermediate layer. Such a nucleus layer thus advantageously promotes nucleation of the further semiconductor layer.
  • a further semiconductor layer applied in this way also preferably has a particularly low defect density.
  • the semiconductor body is thus also advantageously designed to be particularly defect-free.
  • the further semiconductor layer grows over the mask in lateral directions. This means that the further semiconductor layer protrudes beyond the opening in lateral directions.
  • the grown first semiconductor layer grows over the mask in lateral directions on the further semiconductor layer. This means that the first semiconductor layer protrudes beyond the opening in lateral directions.
  • the further semiconductor layer widens in a direction facing away from the substrate. This direction runs parallel to the vertical direction, for example.
  • the semiconductor body tapers in a direction facing away from the substrate.
  • the intermediate layer comprises hexagonal boron nitride, graphene, molybdenum sulfite, tungsten selenite or fluorographene.
  • the intermediate layer disposed in the opening on the substrate is covered with multiple sub-layers of hexagonal boron nitride, graphene, molybdenum sulfite,
  • a thickness of a partial layer of hexagonal boron nitride along the vertical direction is about 0.33 nm, for example.
  • the intermediate layer which is arranged on the mask, for example, comprises, for example, boron and nitride atoms arranged in an irregular manner.
  • the semiconductor chip is designed to generate electromagnetic radiation during operation.
  • a peak wavelength of the electromagnetic radiation can be specified as a function of an indium and/or aluminum content of the semiconductor body.
  • the peak wavelength of the electromagnetic radiation can be predetermined as a function of the indium and/or aluminum content of the active region.
  • various radiation-emitting semiconductor chips can advantageously be produced, with the indium and/or aluminum content being able to be specified particularly easily during the growth of the active region.
  • the method specified here can thus advantageously be used to produce radiation-emitting semiconductor chips which have peak wavelengths that differ from one another, without significantly changing the method.
  • a first electrode layer is applied to a first main surface of the semiconductor body that is remote from the substrate.
  • the first electrode layer comprises or consists of a metal, for example.
  • the first electrode layer is designed, for example, to be contacted from the outside.
  • the semiconductor body is prior to the removal of the substrate, the intermediate layer, the seed layer and the other Semiconductor layer arranged on a temporary carrier.
  • the temporary carrier forms a mechanically stabilizing component of the radiation-emitting semiconductor chip.
  • the substrate is removed along the intermediate layer.
  • the intermediate layer has binding forces in the vertical direction that are many times lower than binding forces in the lateral directions.
  • the substrate can thus be separated particularly easily.
  • such a substrate can be reusable.
  • the seed layer is removed after the removal of the substrate. Furthermore, when removing the germ layer, for example, the residue layer is also removed. The removal is carried out, for example, using a wet-chemical etching process and/or a dry-chemical etching process.
  • the first semiconductor layer is removed up to the etch stop layer.
  • a second electrode layer is applied to a second main area of the semiconductor body that is opposite the first main area.
  • the second electrode layer has, for example, electrically conductive metals or transparent, electrically conductive oxides (“transparent conductive oxide”, TCO) or is formed from them.
  • transparent conductive oxide TCO
  • it is zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or Indium tin oxide (ITO for short) around TCO.
  • the TCOs are provided with a dopant.
  • the dopant is designed, for example, to give the TCOs electrically conductive properties.
  • a mirror layer is applied to the sloping side surface.
  • the mirror layer completely covers the sloping side surface.
  • the mirror layer completely covers all side surfaces of the semiconductor body.
  • the mirror layer comprises, for example, a number of sub-layers.
  • the partial layers each have a dielectric material and/or a metal, for example.
  • the mirror layer preferably comprises alternately arranged partial layers of a high-index and a low-index material and, as the outermost layer, a metal.
  • the mirror layer is a dielectric mirror such as a Bragg mirror in combination with a metal mirror.
  • the mirror layer has, for example, a reflectivity of at least 90%, preferably at least 99%, for the generated electromagnetic radiation.
  • a radiation-emitting semiconductor chip is also specified.
  • the radiation-emitting semiconductor chip can be produced in particular using the method for producing a radiation-emitting semiconductor chip described here. This means that a radiation-emitting semiconductor chip described here can be produced using the method described or is used with the method described. All features disclosed in connection with the method are therefore also disclosed in connection with the radiation-emitting semiconductor chip and vice versa.
  • the radiation-emitting semiconductor chip comprises a semiconductor body which is designed to emit electromagnetic radiation.
  • the semiconductor body has an inclined side face.
  • the sloping side face is produced epitaxially.
  • Such a semiconductor body with such an epitaxially produced oblique side face advantageously has fewer non-radiative recombination centers in the region of the oblique side face than a semiconductor body in which the oblique side face is produced by an etching process.
  • Undesired recombination is advantageously suppressed by such an epitaxially produced oblique side face.
  • the inclined side face it is possible for the inclined side face to extend over the entire side of the semiconductor body. It is also possible for the semiconductor body to be laterally delimited exclusively by oblique side surfaces is which connect a top surface to a bottom surface of the semiconductor body.
  • the semiconductor body has a first main area and an opposite second main area.
  • a first electrode layer is arranged on the first main area.
  • a second electrode layer is arranged on the second main area.
  • the second electrode layer is transparent to the generated electromagnetic radiation.
  • the second electrode layer is designed, for example, to absorb at most 4%, in particular at most 2%, of the electromagnetic radiation generated. This means that the second electrode layer transmits at least 96%, in particular at least 98%, of the electromagnetic radiation generated.
  • the radiation-emitting semiconductor component comprises a radiation-emitting semiconductor chip described here. All features disclosed in connection with the radiation-emitting semiconductor chip are therefore also in connection with the Radiation-emitting semiconductor component disclosed and vice versa.
  • the radiation-emitting semiconductor component comprises an encapsulation body which surrounds the oblique side surface of the semiconductor body in lateral directions.
  • the enclosing body completely covers the sloping side surface.
  • the encapsulating body includes or consists of silicon dioxide, for example.
  • connection element which is in electrically conductive contact with the second electrode layer is arranged on the encapsulating body.
  • the connecting element includes or consists of a metal.
  • the connecting element is designed, for example, to be able to be contacted from the outside.
  • a connection element which is in electrically conductive contact with the second electrode layer, extends completely through the enclosing body.
  • the enclosing body includes a recess that completely breaks through the enclosing body in the vertical direction.
  • the connection element is arranged in the recess.
  • connection element is arranged on a side face of the enclosing body and extends in the vertical direction over the entire enclosing body, in particular over the entire lateral surface, in the vertical direction.
  • a radiation-emitting semiconductor component which comprises at least two radiation-emitting semiconductor chips described here. All features disclosed in connection with the radiation-emitting semiconductor chip are therefore also disclosed in connection with the radiation-emitting semiconductor component and vice versa.
  • the radiation-emitting semiconductor component comprises a carrier on which the radiation-emitting semiconductor chips are arranged.
  • the carrier is, for example, a mechanically stabilizing component of the radiation-emitting semiconductor chip.
  • the carrier can be, for example, a printed circuit board (PCB for short) or a lead frame.
  • At least some of the radiation-emitting semiconductor chips are designed to emit electromagnetic radiation with peak wavelengths that differ from one another.
  • all of the radiation-emitting semiconductor chips are produced using a method described here.
  • each radiation-emitting semiconductor chip has a separate second electrode layer.
  • each of the Radiation-emitting semiconductor chip arranged its own separate second electrode layer.
  • all of the radiation-emitting semiconductor chips have a common second electrode layer.
  • FIGS. 1, 2, 3, 4, 5 and 6 show schematic sectional illustrations of method stages in the production of a radiation-emitting semiconductor chip according to an exemplary embodiment
  • FIGS. 7 and 8 show schematic sectional illustrations of method stages in the production of a radiation-emitting semiconductor chip according to one exemplary embodiment in each case
  • FIG. 9 shows a schematic sectional illustration of a radiation-emitting semiconductor chip according to an exemplary embodiment
  • FIG. 10 shows a schematic sectional illustration of a radiation-emitting semiconductor component in accordance with an exemplary embodiment
  • FIGS. 11 and 12 each show a schematic sectional illustration of a radiation-emitting semiconductor component in accordance with an exemplary embodiment.
  • a substrate 2 is provided, onto which an intermediate layer 3, a semiconducting layer sequence 4, an etching stop layer 7 and a semiconductor body 8 are applied by means of a mask 13.
  • a mask 13 is applied to the substrate 2 .
  • the mask 13 includes an opening 14 in which the substrate 2 is freely accessible.
  • the mask 13 has a thickness of approximately 400 nm in the vertical direction, for example.
  • An intermediate layer 3 is then applied.
  • a material of the intermediate layer 3 is applied to the substrate 2 , which is freely accessible in the opening 14 , and to the mask 13 .
  • the substrate 2 is heated to a temperature of approximately 1300° C. when the material of the intermediate layer 3 is applied.
  • the material of the intermediate layer 3 includes, for example, boron and nitride.
  • partial layers of hexagonal boron nitride are produced on the substrate 2 .
  • the intermediate layer 3 produced has a thickness of 3 nm in the vertical direction. Such a thickness corresponds in particular to ten partial layers of hexagonal boron nitride.
  • the partial layers have a binding force in the vertical direction that is many times smaller than a binding force of the atoms within the partial layers in lateral directions.
  • the material of the intermediate layer 3 applied to the mask 13 does not change into a crystalline state.
  • it is an amorphous boron nitride layer.
  • the semiconducting layer sequence 4 is then applied to the intermediate layer 3 in the opening 14 .
  • the semiconducting layer sequence 4 includes a seed layer 5 and a further semiconductor layer.
  • the seed layer 5 is applied directly to the intermediate layer 3 in the opening 14 .
  • the substrate 2 and the intermediate layer 3 are heated to a temperature of approximately 1100° C. when the material of the seed layer 5 is applied.
  • the material of the seed layer 5 comprises AlGaN, for example, and has a thickness of approximately 200 nm in the vertical direction.
  • the intermediate layer 3, in particular the material of the intermediate layer 3, is in an amorphous state on the mask 13, the material of the seed layer 5 does not grow in these regions either in a crystalline manner but in an amorphous manner. Accordingly, the mask 13 is completely surrounded by a residue layer 15 which comprises the material of the seed layer 5 . the Residual material layer 15 is thus arranged between mask 13 and seed layer 5 .
  • the further semiconductor layer 6 is then grown on the seed layer 5 .
  • the further semiconductor layer 6 comprises GaN, for example, which has first dopants.
  • the first dopants are in particular Si.
  • the further semiconductor layer 6 also has a thickness in the vertical direction of approximately 150 nm.
  • the further semiconductor layer 6 grows over the mask 13 in lateral directions.
  • a side surface of the further semiconductor layer 6 is formed obliquely.
  • the side face is formed obliquely in such a way that the further semiconductor layer 6 widens in a direction facing away from the substrate 2 .
  • the further semiconductor layer 6 thus protrudes beyond the opening 14 in lateral directions.
  • An etch stop layer 7 is subsequently applied to the further semiconductor layer 6 .
  • the etch stop layer 7 completely covers a main area of the further semiconductor layer 6 that faces away from the substrate 2 .
  • the etching stopper layer 7 comprises InN, AlN or GaN and has a thickness of approximately 50 nm in the vertical direction.
  • the semiconductor body 8 is then applied to the etch stop layer 7, in particular the first semiconductor layer 10 is then applied to the etch stop layer 7.
  • the first semiconductor layer 10 comprises GaN, for example, which has first dopants.
  • the first dopants are, in particular, Si.
  • the first semiconductor layer 10 further has a thickness in the vertical direction of approximately 150 nm.
  • the active region 11 is applied to the first semiconductor layer 10 .
  • the active region 11 has a multiple quantum well structure, for example.
  • Barrier layers of the multiple quantum well structure include GaN, for example, and quantum well layers include InGaN, for example.
  • the In content of the active region 11 can be predetermined.
  • a peak wavelength of an electromagnetic radiation to be generated in the active region 11 can be specified in particular as a function of the indium content of the active region 11 .
  • the second semiconductor layer 12 is subsequently applied to the active region 11 .
  • the second semiconductor layer 12 comprises GaN, for example, which has second dopants.
  • the second dopants are, in particular, Mg.
  • the second semiconductor layer 12 also has a thickness of approximately 175 nm in the vertical direction.
  • the semiconductor body 8 has an inclined side face 9 .
  • the inclined side surface 9 is formed in such a way that the semiconductor body 8 tapers in a direction facing away from the substrate 2 .
  • An angle between the inclined side surface 9 of the semiconductor body 8 and the vertical direction can be specified as a function of at least one growth parameter.
  • the angle between the inclined side surface 9 and the vertical direction in about 60 °.
  • a first electrode layer 18 is applied to the semiconductor body 8 .
  • the first electrode layer 18 is applied to a first main area 16 of the semiconductor body 8 which faces away from the substrate 2 .
  • the first electrode layer 18 is applied to the second semiconductor layer 12 .
  • a mirror layer 21 is applied to the inclined side face 9 .
  • the mirror layer 21 is also arranged on the first main surface 16 of the semiconductor body 8 which is not covered by the first electrode layer 18 .
  • the mirror layer 21 is a Bragg mirror, for example.
  • the generated electromagnetic radiation can thus be coupled out particularly effectively via the radiation exit surface 24, as shown in FIG.
  • An encapsulation body 22 is then applied to the semiconductor body 8 .
  • the encapsulating body 22 completely surrounds the semiconductor body 8 . Furthermore, the enclosing body 22 completely covers the mirror layer 21 .
  • the encapsulating body 22 terminates flush with the first electrode layer 18 in the vertical direction.
  • a temporary carrier 23 is then arranged on the first electrode layer 18 according to FIG.
  • the temporary carrier 23 forms a mechanically stabilizing component for the arrangement for subsequent method steps.
  • the substrate 2 with the mask 13 is removed. Since the intermediate layer 3 does not have high bonding forces in the vertical direction, the substrate 2 and the mask 13 can be detached without being destroyed. The substrate 2 with the mask 13 can thus be reused.
  • the seed layer 5 and the residue layer 15 are removed.
  • the further semiconductor layer 6 is removed down to the etch stop layer 7.
  • FIG. 6 the further semiconductor layer 6 is removed up to the etch stop layer 7 by means of an etching process.
  • the etching process is, for example, a wet-chemical etching process and/or a dry-chemical etching process.
  • the etch stop layer 7 remaining on the semiconductor body 8 is subsequently removed, for example by means of a grinding process, so that a second main area 17 of the semiconductor body 8, in particular the first semiconductor layer 10, is uncovered.
  • the inclined side surface 9 it is possible for the inclined side surface 9 to extend over the entire side of the semiconductor body 8 . It is also possible for the semiconductor body 8 to be laterally delimited exclusively by sloping side surfaces which connect a top surface to a bottom surface of the semiconductor body 8 .
  • a second electrode layer 19 is on the exposed first semiconductor layer 10 on the second main surface 17 of the semiconductor body 8 is arranged.
  • the second electrode layer 19 completely covers the second main surface 17 and is formed from a material that is transparent to electromagnetic radiation.
  • connection element 20 is produced which is electrically conductive, in particular in direct contact, with the second electrode layer 19 .
  • connection element 20 is arranged on the encapsulating body 22 in FIG. 7 and extends only partially in the vertical direction into the encapsulating body 22. Contact can be made with a radiation-emitting semiconductor chip 1 produced in this way from two opposite sides.
  • the connecting element 20 is arranged on a side surface of the enclosing body 22.
  • the terminal member 20 fully extends over the side surface of the case body 22 in the vertical direction.
  • a radiation-emitting semiconductor chip 1 produced in this way can be contacted from a common side by means of the first electrode layer 18 and the connection element 20 .
  • the radiation-emitting semiconductor chip 1 according to the exemplary embodiment in FIG. 9 comprises a semiconductor body 8 which is designed to emit electromagnetic radiation.
  • the semiconductor body 8 has a sloping side surface 9, with the sloping side surface 9 being produced epitaxially.
  • the Semiconductor body is produced in particular by the method specified here.
  • Non-radiative recombination is advantageously suppressed by means of a sloping side face 9 produced in this way, so that such a radiation-emitting semiconductor chip 1 is formed particularly effectively.
  • the electromagnetic radiation is transmitted via a
  • Radiation exit surface 24 is coupled out, which is arranged opposite the first electrode layer 18 .
  • the radiation-emitting semiconductor component 25 in accordance with the exemplary embodiment in FIG. 10 comprises a radiation-emitting semiconductor chip 1 in accordance with FIG. 9 and is arranged in an encapsulating body 22 .
  • the encapsulation body 22 is not applied to the semiconductor body 8 during the method.
  • the radiation-emitting semiconductor chip 1 is inserted into an encapsulation body 22 which has a cavity and is produced separately.
  • the radiation-emitting semiconductor component 25 each includes a plurality of radiation-emitting semiconductor chips 1, here for example three different ones.
  • the radiation-emitting semiconductor chips 1 are arranged on a carrier 26, via which the radiation-emitting semiconductor chips 1 are contacted.
  • the radiation-emitting semiconductor chips 1 are designed to emit electromagnetic radiation with peak wavelengths that differ from one another.
  • the radiation-emitting semiconductor chip la the left area is arranged on the carrier 26 emits, for example, blue light
  • the radiation-emitting semiconductor chip lb which is arranged in the central area on the carrier 26, emits, for example, green light
  • the radiation-emitting semiconductor chip lc which is arranged in the right-hand area on the carrier 26, emits red light, for example.
  • the methods described here can thus be used to produce radiation-emitting semiconductor chips 1 which are used in particular in an RGB display.
  • each second electrode layer 19 is electrically conductively connected to an individual connection element 20 .
  • a common second electrode layer 19 is arranged on the semiconductor body 8 in the exemplary embodiment in FIG.
  • the common second electrode layer 19 covers each of the semiconductor bodies 8 .
  • the common second electrode layer 19 is electrically conductively connected to a single common connection element 20 .

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) angegeben, umfassend : Bereitstellen eines Substrats (2); Aufbringen einer Zwischenschicht (3) auf das Substrat (2); Aufbringen einer halbleitenden Schichtenfolge (4) auf die Zwischenschicht (3); Aufbringen einer Ätzstoppschicht (7) auf die halbleitende Schichtenfolge (4); epitaktisches Aufbringen eines Halbleiterkörpers (8) mit einer schrägen Seitenfläche (9) auf der Ätzstoppschicht (7); und Entfernen des Substrats (2), der Zwischenschicht (3) und der halbleitenden Schichtenfolge (4) bis zur Ätzstoppschicht (7). Des Weiteren wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben.

Description

Beschreibung
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN
HALBLEITERCHIPS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben. Ferner wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips anzugeben, das besonders einfach zu kontrollieren ist. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, einen solchen strahlungsemittierenden Halbleiterchip anzugeben.
Bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip handelt es sich beispielsweise um eine lichtemittierende Diode, kurz LED, insbesondere eine Mikro-LED. Eine derartige Mikro-LED weist beispielsweise eine maximale Ausdehnung, insbesondere in lateralen Richtungen, von mindestens 1 gm, insbesondere von mindestens 50 gm und höchstens 1000 gm, insbesondere in etwa 200 gm, auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Substrat bereitgestellt. Das Substrat umfasst beispielsweise einen kristallinen Festkörper, der eine Hauptfläche aufweist. Die Hauptfläche weist beispielsweise eine kristalline Oberfläche auf. Weiterhin ist die kristalline Oberfläche beispielsweise mit einer (111)-Ebene des kristallinen Festkörpers gebildet. Das Substrat umfasst oder besteht beispielsweise aus Saphir, Galliumnitrid, Siliziumkarbid oder Silizium. Das Substrat weist beispielsweise eine Haupterstreckungsebene auf. Laterale Richtungen sind parallel zur Haupterstreckungsebene ausgerichtet und eine vertikale Richtung ist senkrecht zu der Haupterstreckungsebene ausgerichtet. Beispielsweise erstreckt sich die Hauptfläche des Substrats in lateralen Richtungen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Zwischenschicht auf das Substrat aufgebracht. Die Zwischenschicht umfasst beispielsweise ein zweidimensionales Materialsystem oder besteht daraus. Mögliche Materialien für ein zweidimensionales Material sind beispielsweise hexagonales Bornitrid, Graphen, Molybdänsulfit,
Wolframselenit oder Fluorgraphen. Zum Beispiel umfasst die Zwischenschicht mehrere Teilschichten. Jede Teilschicht ist in diesem Fall aus einer einzelnen Monolage des zweidimensionalen Materialsystems gebildet.
Die Zwischenschicht weist beispielsweise in vertikaler Richtung eine Dicke von mindestens 0,5 nm bis höchstens 100 nm, beispielsweise in etwa 3 nm, auf.
Die Zwischenschicht wird beispielsweise mittels einer chemischen Gasphasenabscheidung (englisch „Chemical vapour deposition", kurz CVD) auf das Substrat aufgebracht. Beispielsweise handelt es sich bei der chemischen Gasphasenabscheidung um eine metallorganische Gasphasenepitaxie (englisch „metal organic Chemical vapour phase epitaxy", kurz MOVPE). Alternativ kann die Zwischenschicht mittels eines MBE-Verfahrens (Molecular beam epitaxy) aufgebracht werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine halbleitende Schichtenfolge auf die Zwischenschicht aufgebracht. Die halbleitende Schichtenfolge umfasst beispielsweise ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Bei dem III-V-Verbindungshalbleitermaterial handelt es sich beispielsweise um ein Nitridverbindungshalbleitermaterial. In diesem Fall umfasst das Verbindungshalbleitermaterial Galliumnitrid .
Die halbleitende Schichtenfolge wird beispielsweise epitaktisch auf die Zwischenschicht aufgebracht. Beispielsweise wird die halbleitende Schichtenfolge mittels eines CVD-Prozesses, insbesondere eines MOVPE-Prozesses, oder eines MBE-Prozesses auf die Zwischenschicht aufgebracht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Ätzstoppschicht auf die halbleitende Schichtenfolge aufgebracht. Die Ätzstoppschicht ist zum Beispiel mit einer ätzresistenten Schicht gebildet.
Alternativ ist die Ätzstoppschicht eine vorgegebene Schicht mit einer vorgegebenen Materialzusammensetzung. Wird bei einem Ätzvorgang beispielsweise die vorgegebene Materialzusammensetzung der Ätzstoppschicht detektiert, wird der Ätzvorgang gestoppt.
Die Ätzstoppschicht umfasst oder besteht beispielsweise aus Indiumnitrid, Aluminiumnitrid und/oder Galliumnitrid. Beispielsweise weist die Ätzstoppschicht in vertikaler Richtung eine Dicke von mindestens 10 nm und höchstens 100 nm, beispielsweise in etwa 50 nm, auf. Alternativ umfasst oder besteht die Ätzstoppschicht aus dem Material der Zwischenschicht oder einem anderen zweidimensionalen MaterialSystem.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Halbleiterkörper mit einer schrägen Seitenfläche auf der Ätzstoppschicht epitaktisch aufgebracht. Beispielsweise kann die schräge Seitenfläche durch einen epitaktischen Prozess ähnlich zu ELOG (epitaxial lateral overgrowth) aufgewachsen werden, jedoch ohne Koaleszenz benachbarter Strukturen. Ein Winkel der schrägen Seitenfläche zu der Haupterstreckungsebene kann über ein Zusammenspiel von Strukturabmessungen, die beispielsweise durch eine Maske definiert sind, und von Wachstumsparametern, wie beispielsweise Druck, Temperatur, chemische Zusammensetzung etc., vorgegeben werden.
Der Halbleiterkörper wird beispielsweise epitaktisch auf die Ätzstoppschicht aufgebracht. Beispielsweise wird der Halbleiterkörper mittels des CVD-Prozesses, insbesondere des MOVPE-Prozesses, auf die Zwischenschicht aufgebracht.
Der Halbleiterkörper ist beispielsweise dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung auszusenden. Bei der elektromagnetischen Strahlung handelt es sich zum Beispiel um nahultraviolette Strahlung, sichtbare Strahlung und/oder nahinfrarote Strahlung. Bei der sichtbaren Strahlung handelt es sich beispielsweise um Licht blauer, grüner, gelber oder roter Farbe.
Der Halbleiterkörper weist beispielsweise das III-V- Verbindungshalbleitermaterial der halbleitenden Schichtenfolge auf. Beispielsweise umfasst der Halbleiterkörper ein Nitridverbindungshalbleitermaterial, insbesondere Galliumnitrid.
Die Seitenfläche des Halbleiterkörpers schließt beispielsweise einen Winkel von mindestens 30° und höchstens 80° mit der Haupterstreckungsebene ein. Beispielsweise beträgt der Winkel zwischen der Seitenfläche des Halbleiterkörpers und der Haupterstreckungsebene in etwa 50°.
Der Halbeiterkörper wird beispielsweise auf einem Stapel, umfassend das Substrat, die Zwischenschicht, die halbleitende Schichtenfolge und die Ätzstoppschicht, aufgewachsen. Der Stapel ist beispielsweise dazu ausgebildet, besonders wenige Verspannungen beim Wachstum des Halbeiterkörpers in dem Halbeiterkörper zu erzeugen. Damit weist ein derartig gewachsener Halbleiterkörper mit Vorteil besonders wenige Defekte auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Substrat, die Zwischenschicht und die halbleitende Schichtenfolge bis zur Ätzstoppschicht entfernt. Beispielsweise werden die zu entfernenden Elemente mittels eines Ätzprozesses entfernt. Bei dem Ätzprozess handelt es sich beispielsweise um einen nasschemischen Ätzprozess und/oder einen trockenchemischen Ätzprozess.
Nachfolgend wird die Ätzstoppschicht, die beispielsweise noch auf der halbleitenden Schichtenfolge angeordnet ist, entfernt. Durch das Entfernen der Ätzstoppschicht wird der Halbeiterkörper, insbesondere die erste Halbleiterschicht, freigelegt. Die Ätzstoppschicht wird beispielsweise mittels eines weiteren trocken- oder nasschemischen Ätzprozesses und/oder mittels mechanischen Schleifens und/oder mittels Polierens entfernt. Bei dem Polieren handelt es sich beispielsweise um einen chemischen mechanischen Polierprozess .
Nach der Entfernung der Zwischenschicht wird die freigelegte erste Halbleiterschicht des Halbleiterkörpers, die von der Ätzstoppschicht bedeckt war, beispielsweise aufgeraut.
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips das Bereitstellen eines Substrats, das Aufbringen einer Zwischenschicht auf das Substrat, das Aufbringen einer halbleitenden Schichtenfolge auf die Zwischenschicht, das Aufbringen einer Ätzstoppschicht auf die halbleitende Schichtenfolge, das epitaktische Aufbringen eines Halbleiterkörpers mit einer schrägen Seitenfläche auf der Ätzstoppschicht und das Entfernen des Substrats, der Zwischenschicht und der halbleitenden Schichtenfolge bis zur Ätzstoppschicht .
Eine Idee des hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist unter anderem, dass der Halbleiterkörper auf einer Zwischenschicht, die insbesondere ein zweidimensionales Materialsystem ist, erzeugt wird. Zweidimensionale Materialsysteme weisen, wenn diese in vertikaler Richtung übereinander gestapelt sind, beispielsweise eine Bindungskraft in vertikaler Richtung auf, die um ein Vielfaches kleiner ist als eine Bindungskraft in lateralen Richtungen. Damit ist das Substrat mit Vorteil besonders einfach von dem Halbleiterkörper ablösbar.
Weiterhin ist ein derartiges abgelöstes Substrat vorteilhafterweise wiederverwendbar. Ein derartiges Verfahren ist damit mit Vorteil besonders kostengünstig. Weiterhin wird zwischen dem Halbleiterkörper und der halbleitenden Schichtenfolge eine Ätzstoppschicht angeordnet. Durch Äbtragen der Elemente bis zur Ätzstoppschicht wird der Halbleiterkörper mit Vorteil besonders einfach erzeugt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht eines ersten Dotiertyps, eine zweite Halbleiterschicht eines vom ersten Dotiertyp verschiedenen zweiten Dotiertyps und einen aktiven Bereich auf.
Der aktive Bereich weist zur Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung beispielsweise einen pn- Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine EinfachquantentopfStruktur oder eine MehrfachquantentopfStruktur auf.
Beispielsweise ist die erste Halbleiterschicht dem Substrat zugewandt. Die erste Halbleiterschicht umfasst beispielsweise erste Dotierstoffe eines n-Typs. Damit ist der erste Dotiertyp beispielsweise ein n-dotierter Typ.
Die zweite Halbleiterschicht ist dem Substrat beispielsweise abgewandt. Die zweite Halbleiterschicht umfasst beispielsweise zweite Dotierstoffe eines p-Typs. Damit ist der erste Dotiertyp beispielsweise ein p-dotierter Typ.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der aktive Bereich zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Der aktive Bereich ist beispielsweise dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist ein Winkel zwischen der schrägen Seitenfläche des
Halbleiterkörpers und der vertikalen Richtung in Abhängigkeit von zumindest einem Wachstumsparameter vorgebbar. Bei dem Wachstumsparameter handelt es sich beispielsweise um einen Wachstumsdruck, eine Wachstumstemperatur und/oder eine Dotierstoffkonzentration .
Bei den Dotierstoffen handelt es sich beispielsweise um Magnesium und/oder Silizium. Die erste Halbleiterschicht umfasst beispielsweise Silizium als Dotierstoff und die zweite Halbleiterschicht umfasst beispielsweise Magnesium als Dotierstoff. Eine Dotierstoffkonzentration der Dotierstoffe ist jeweils beispielsweise mindestens 5-IO17 cnr3 und höchstens 5-IO18 cm-3.
Eine derartige epitaktisch erzeugte schräge Seitenfläche des Halbleiterkörpers muss beispielsweise nachträglich nicht weiter strukturiert werden. Insbesondere wird die Schräge mit Vorteil nicht durch einen Ätzprozess erzeugt. Durch einen derartigen Ätzprozess werden beispielsweise Defekte im Bereich der schrägen Seitenfläche induziert, die als nicht strahlende Rekombinationszentren wirken. Durch den Ätzprozess werden damit beispielsweise nicht-strahlende Rekombinationen an der schrägen Seitenfläche erhöht.
Im vorliegenden Verfahren ist die schräge Seitenfläche des Halbleiterkörpers jedoch epitaktisch erzeugt, sodass der Halbleiterkörper im Bereich der schrägen Seitenfläche eine geringere Defektdichte aufweist, als im Bereich einer schrägen Seitenfläche, die mittels eines Ätzprozesses erzeugt ist. Ein derartig erzeugter strahlungsemittierender Halbleiterchip ist mit Vorteil besonders effektiv und sendet elektromagnetische Strahlung besonders homogen über seine gesamte Strahlungsaustrittsfläche aus.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Maske mit mindestens einer Öffnung auf dem Substrat aufgebracht. In der Öffnung ist das Substrat beispielsweise frei zugänglich.
Die Maske umfasst oder besteht beispielsweise aus Siliziumnitrid oder Siliziumdioxid. Beispielsweise wird die Zwischenschicht auf das frei zugängliche Substrat und die Maske aufgebracht. Alternativ kann die Zwischenschicht direkt ganzflächig auf das Substrat aufgebracht werden und anschließend die Maske auf der Zwischenschicht aufgebracht und anschließend strukturiert werden.
Ein Material der Maske wird beispielsweise vollflächig auf dem Substrat aufgebracht. Das Material der Maske wird zum Beispiel mittels einer plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung (englisch „plasma-enhanced Chemical vapour deposition", kurz PECVD) auf dem Substrat aufgebracht. Die Öffnung wird beispielsweise mittels eines photolithographischen Prozesses erzeugt.
Beispielsweise werden mehrere Öffnungen in dem Material der Maske erzeugt. Damit können vorteilhafterweise mehrere strahlungsemittierende Halbleiterchips hergestellt werden.
Die Maske weist beispielsweise eine Dicke in vertikaler Richtung von mindestens 100 nm und höchstens 1000 nm, insbesondere in etwa 400 nm, auf. Eine Form des Halbleiterkörpers in lateralen Richtungen wird beispielsweise durch eine Form der Öffnung in lateralen Richtungen vorgegeben. Die Öffnung ist beispielsweise in Draufsicht rund, oval, dreieckig, viereckig oder hexagonal ausgebildet. Damit ist vorteilhafterweise auch eine Form des Halbleiterkörpers beispielsweise in Draufsicht rund, oval, dreieckig, viereckig oder hexagonal ausgebildet. Verschiedene Halbleiterkörper können beispielsweise in verschiedenen Größen strukturiert werden, insbesondere auch in der Kombination verschiedener Größen und Formen auf einem Substrat.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die halbleitende Schichtenfolge eine Keimschicht und eine weitere Halbleiterschicht des ersten Dotiertyps.
Die Keimschicht umfasst beispielsweise AlGaN. Das Aluminium weist beispielsweise einen Stoffmengenanteil in der Keimschicht von wenigstens 10 % und höchstens 20 %, insbesondere in etwa 14 %, auf. Weiterhin weist die Keimschicht beispielsweise eine Dicke in vertikaler Richtung von mindestens 50 nm und höchstens 500 nm, insbesondere in etwa 200 nm, auf.
Die weitere Halbleiterschicht umfasst beispielsweise (Al;In;Ga) N. Die weitere Halbleiterschicht ist beispielsweise aus demselben Material wie die erste Halbleiterschicht gebildet. Das heißt, die weitere Halbleiterschicht umfasst beispielsweise den ersten Dotierstoff. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Keimschicht auf der Zwischenschicht, die in der Öffnung auf dem Substrat angeordnet ist, aufgebracht.
Die Zwischenschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist, weist beispielsweise eine kristalline Kristallstruktur auf. Auf einer derartigen kristallinen Kristallstruktur wird beispielsweise die Keimschicht aufgewachsen. Die Zwischenschicht, die auf der Maske angeordnet ist, weist beispielsweise eine amorphe Kristallstruktur auf, auf der die Keimschicht nicht und/oder nicht kristallin aufwächst. Das Material der Keimschicht, das beispielsweise auf der Maske, insbesondere auf einer Deckfläche und auf einer Seitenfläche der Maske, aufgebracht wird, weist beispielsweise keine kristalline Form auf. Das heißt, auf der Maske, insbesondere zwischen der Maske und der Keimschicht, ist eine ReststoffSchicht angeordnet, die mit amorphen Überresten des Materials der Keimschicht gebildet ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die weitere Halbleiterschicht auf der Keimschicht aufgebracht.
Die Keimschicht ist beispielsweise dazu ausgebildet, als Pufferschicht zwischen der epitaktisch gewachsenen weiteren Halbleiterschicht und der Zwischenschicht zu wirken. Damit fördert eine derartige Keimschicht mit Vorteil eine Keimbildung der weiteren Halbleiterschicht.
Eine derartig aufgebrachte weitere Halbleiterschicht weist weiterhin bevorzugt eine besonders niedrige Defektdichte auf. Damit ist auch der Halbleiterkörper vorteilhafterweise besonders defektfrei ausgebildet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens überwächst die weitere Halbleiterschicht die Maske in lateralen Richtungen. Das heißt, die weitere Halbleiterschicht überragt die Öffnung in lateralen Richtungen. Weiterhin überwächst auf der weiteren Halbleiterschicht die gewachsene erste Halbleiterschicht die Maske in lateralen Richtungen. Das heißt, die erste Halbleiterschicht überragt die Öffnung in lateralen Richtungen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weitet sich die weitere Halbleiterschicht in einer dem Substrat abgewandten Richtung auf. Diese Richtung verläuft beispielsweise parallel zur vertikalen Richtung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens verjüngt sich der Halbleiterkörper in einer dem Substrat abgewandten Richtung .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Zwischenschicht hexagonales Bornitrid, Graphen, Molybdänsulfit, Wolframselenit oder Fluorgraphen. Beispielsweise ist die Zwischenschicht, die in der Öffnung auf dem Substrat angeordnet ist, mit mehreren Teilschichten von hexagonalem Bornitrid, Graphen, Molybdänsulfit,
Wolframselenit oder Fluorgraphen gebildet. Eine Dicke einer Teilschicht von hexagonalem Bornitrid entlang der vertikalen Richtung ist beispielsweise in etwa 0,33 nm.
Die Zwischenschicht, die beispielsweise auf der Maske angeordnet ist, umfasst beispielsweise unregelmäßig angeordnete Bor- und Nitrid-Atome. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der Halbleiterchip dazu ausgebildet, im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu erzeugen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist eine Peakwellenlänge der elektromagnetischen Strahlung in Abhängigkeit eines Indium- und/oder Aluminium-Gehalts des Halbleiterkörpers vorgebbar. Insbesondere ist die Peakwellenlänge der elektromagnetischen Strahlung in Abhängigkeit des Indium- und/oder Aluminium-Gehalts des aktiven Bereichs vorgebbar.
Mit Vorteil können mit diesem Verfahren, insbesondere mit den angegebenen Verfahrensschritten, verschiedene strahlungsemittierende Halbleiterchips hergestellt werden, wobei der Indium- und/oder Aluminium-Gehalt besonders einfach während des Wachstums des aktiven Bereichs vorgebbar ist. Damit können mit dem hier angegebenen Verfahren mit Vorteil strahlungsemittierende Halbleiterchips hergestellt werden, die von einander verschiedene Peakwellenlängen aufweisen, ohne das Verfahren wesentlich zu verändern.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine erste Elektrodenschicht auf einer dem Substrat abgewandten ersten Hauptfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht. Die erste Elektrodenschicht umfasst beispielsweise ein Metall oder besteht daraus. Die erste Elektrodenschicht ist beispielsweise dazu ausgebildet, von außen kontaktiert zu werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Halbleiterkörper vor dem Entfernen des Substrats, der Zwischenschicht, der Keimschicht und der weiteren Halbleiterschicht auf einem temporären Träger angeordnet. Der temporäre Träger bildet für nachfolgende Verfahrensschritte eine mechanisch stabilisierende Komponente des strahlungsemittierenden Halbleiterchips.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Substrat entlang der Zwischenschicht entfernt. Beispielsweise weist die Zwischenschicht in vertikaler Richtung Bindungskräfte auf, die um ein Vielfaches niedriger sind als Bindungskräfte in lateralen Richtungen. Mit Vorteil kann das Substrat damit besonders einfach abgetrennt werden. Vorteilhafterweise kann ein derartiges Substrat wiederverwendbar sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Entfernen des Substrats die Keimschicht entfernt. Weiterhin wird beim Entfernen der Keimschicht beispielsweise auch die ReststoffSchicht entfernt. Das Entfernen wird beispielsweise mit einem nasschemischen Ätzprozess und/oder einem trockenchemischen Ätzprozess durchgeführt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Entfernen der Keimschicht die erste Halbleiterschicht bis zur Ätzstoppschicht entfernt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird auf einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche des Halbleiterkörpers eine zweite Elektrodenschicht aufgebracht. Die zweite Elektrodenschicht weist beispielsweise elektrisch leitende Metalle oder transparente, elektrisch leitende Oxide (englisch: „transparent conductive oxide", TCO) auf oder ist daraus gebildet. Beispielsweise handelt es sich bei Zinkoxid, Zinnoxid, Kadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (englisch: „indium tin oxide", kurz ITO) um TCO. Beispielsweise sind die TCOs mit einem Dotierstoff versehen. Der Dotierstoff ist zum Beispiel dazu ausgebildet, den TCOs elektrisch leitende Eigenschaften zu verleihen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Spiegelschicht auf der schrägen Seitenfläche aufgebracht. Beispielsweise bedeckt die Spiegelschicht die schräge Seitenfläche vollständig. Insbesondere bedeckt die Spiegelschicht alle Seitenflächen des Halbleiterkörpers vollständig .
Die Spiegelschicht umfasst beispielsweise mehrere Teilschichten. Die Teilschichten weisen beispielsweise jeweils ein dielektrisches Material und/oder ein Metall auf. Die Spiegelschicht umfasst bevorzugt abwechselnd angeordnete Teilschichten eines hochbrechenden und eines niedrigbrechenden Materials und als äußerste Schicht ein Metall. Beispielsweise handelt es sich bei der Spiegelschicht um einen dielektrischen Spiegel wie beispielsweise ein Bragg- Spiegel in Kombination mit einem Metallspiegel.
Die Spiegelschicht weist beispielsweise für die erzeugte elektromagnetische Strahlung eine Reflektivität von wenigstens 90 %, bevorzugt von wenigstens 99 %, auf.
Es wird darüber hinaus ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip kann insbesondere mit dem hier beschriebenen Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips hergestellt werden. Das heißt, ein hier beschriebener strahlungsemittierender Halbleiterchip ist mit dem beschriebenen Verfahren herstellbar oder wird mit dem beschriebenen Verfahren hergestellt. Sämtliche in Verbindung mit dem Verfahren offenbarten Merkmale sind daher auch in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip einen Halbleiterkörper, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung auszusenden .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips weist der Halbleiterkörper eine schräge Seitenfläche auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist die schräge Seitenfläche epitaktisch erzeugt.
Ein solcher Halbleiterkörper mit einer solchen epitaktisch erzeugten schrägen Seitenfläche weist mit Vorteil weniger nicht-strahlende Rekombinationszentren im Bereich der schrägen Seitenfläche auf als ein Halbleiterkörper, bei dem die schräge Seitenfläche durch einen Ätzprozess erzeugt ist.
Mit Vorteil werden durch eine derartige epitaktisch erzeugte schräge Seitenfläche nicht gewollte Rekombinationen unterdrückt .
Insbesondere ist es möglich, dass die schräge Seitenfläche sich über die gesamte Seite des Halbleiterkörpers erstreckt. Weiter ist es möglich, dass der Halbleiterkörper ausschließlich von schrägen Seitenflächen seitlich begrenzt ist, welche eine Deckfläche mit einer Bodenfläche des Halbleiterkörpers verbinden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips weist der Halbleiterkörper eine erste Hauptfläche und eine gegenüberliegende zweite Hauptfläche auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist auf der ersten Hauptfläche eine erste Elektrodenschicht angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist auf der zweiten Hauptfläche eine zweite Elektrodenschicht angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist die zweite Elektrodenschicht für die erzeugte elektromagnetische Strahlung durchlässig. Die zweite Elektrodenschicht ist beispielsweise dazu ausgebildet, höchstens 4 %, insbesondere höchstens 2 %, der erzeugten elektromagnetischen Strahlung zu absorbieren. Das heißt, die zweite Elektrodenschicht transmittiert wenigstens 96 %, insbesondere wenigstens 98 %, der erzeugten elektromagnetischen Strahlung.
Des Weiteren wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben. Das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement umfasst einen hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchip. Sämtliche in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip offenbarten Merkmale sind daher auch in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement offenbart und umgekehrt .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement einen Umhüllungskörper, der die schräge Seitenfläche des Halbleiterkörpers in lateralen Richtungen umgibt. Beispielsweise bedeckt der Umhüllungskörper die schräge Seitenfläche vollständig. Der Umhüllungskörper umfasst oder besteht beispielsweise aus Siliziumdioxid.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist auf dem Umhüllungskörper ein Anschlusselement angeordnet, das in elektrisch leitendem Kontakt mit der zweiten Elektrodenschicht steht. Beispielsweise umfasst das Anschlusselement ein Metall oder besteht daraus. Das Anschlusselement ist beispielsweise dazu ausgebildet, von außen kontaktierbar zu sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements erstreckt sich ein Anschlusselement, das in elektrisch leitendem Kontakt mit der zweiten Elektrodenschicht steht, vollständig durch den Umhüllungskörper. Beispielsweise umfasst der Umhüllungskörper eine Ausnehmung, die den Umhüllungskörper in vertikaler Richtung vollständig durchbricht. In diesem Fall ist das Anschlusselement in der Ausnehmung angeordnet.
Alternativ ist das Anschlusselement auf einer Seitenfläche des Umhüllungskörpers angeordnet und erstreckt sich in vertikaler Richtung über den gesamten Umhüllungskörper, insbesondere über die gesamte Seitenfläche, in vertikaler Richtung.
Darüber hinaus wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben, das zumindest zwei hier beschriebene strahlungsemittierende Halbleiterchips umfasst. Sämtliche in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip offenbarten Merkmale sind daher auch in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement einen Träger, auf dem die strahlungsemittierenden Halbleiterchips angeordnet sind. Bei dem Träger handelt es sich beispielsweise um eine mechanisch stabilisierende Komponente der strahlungsemittierenden Halbleiterchips. Bei dem Träger kann es sich beispielsweise um eine gedruckte Leiterplatte englisch: „printed Circuit board", kurz PCB) oder um einen Leiterrahmen (englisch: „leadframe") handeln.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements sind zumindest manche der strahlungsemittierenden Halbleiterchips dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung mit voneinander verschiedenen Peakwellenlänge auszusenden. Insbesondere sind alle der strahlungsemittierenden Halbleiterchips mit einem hier beschriebenen Verfahren hergestellt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements weist jeder strahlungsemittierende Halbleiterchip eine separate zweite Elektrodenschicht auf. Beispielsweise ist auf jedem der strahlungsemittierenden Halbleiterchips eine eigene separate zweite Elektrodenschicht angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements weisen alle strahlungsemittierenden Halbleiterchips eine gemeinsame zweite Elektrodenschicht auf.
Nachfolgend wird das Verfahren zur Herstellung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips, der strahlungsemittierende Halbleiterchip und das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement unter Bezugnahme auf die Figuren anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert .
Es zeigen:
Figuren 1, 2, 3, 4, 5 und 6 schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensstadien bei der Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel, und
Figuren 7 und 8 schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensstadien bei der Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel,
Figur 9 eine schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel, Figur 10 eine schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel, und
Figuren 11 und 12 jeweils eine schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Bei dem Verfahrensstadium gemäß der Figur 1 wird ein Substrat 2 bereitgestellt, auf das eine Zwischenschicht 3, eine halbleitende Schichtenfolge 4, eine Ätzstoppschicht 7 und ein Halbleiterkörper 8 mittels einer Maske 13 aufgebracht wird.
Nach dem Bereitstellen des Substrats 2 wird eine Maske 13 auf dem Substrat 2 aufgebracht. Die Maske 13 umfasst eine Öffnung 14, in der das Substrat 2 frei zugänglich ist. Die Maske 13 weist beispielsweise eine Dicke in vertikaler Richtung von in etwa 400 nm auf.
Nachfolgend wird eine Zwischenschicht 3 aufgebracht. Ein Material der Zwischenschicht 3 wird auf dem Substrat 2, das in der Öffnung 14 frei zugänglich ist, und auf der Maske 13 aufgebracht. Hierbei wird das Substrat 2 beim Aufbringen des Materials der Zwischenschicht 3 auf eine Temperatur von in etwa 1300 °C geheizt. Das Material der Zwischenschicht 3 umfasst beispielsweise Bor und Nitrid. Damit werden Teilschichten von hexagonalem Bornitrid auf dem Substrat 2 erzeugt . Beispielsweise umfasst die erzeugte Zwischenschicht 3 eine Dicke in vertikaler Richtung von 3 nm. Eine derartige Dicke entspricht insbesondere zehn Teilschichten von hexagonalem Bornitrid. Die Teilschichten weisen insbesondere eine Bindungskraft in vertikaler Richtung auf, die um ein Vielfaches kleiner ist als eine Bindungskraft der Atome innerhalb der Teilschichten in lateralen Richtungen.
Das auf der Maske 13 aufgebrachte Material der Zwischenschicht 3 geht in keinen kristallinen Zustand über. Insbesondere handelt es sich um eine amorphe Bornitridschicht .
Nachfolgend wird die halbleitende Schichtenfolge 4 auf die Zwischenschicht 3 in der Öffnung 14 aufgebracht. Die halbleitende Schichtenfolge 4 umfasst eine Keimschicht 5 und eine weitere Halbleiterschicht.
Die Keimschicht 5 wird direkt auf der Zwischenschicht 3 in der Öffnung 14 aufgebracht. Hierbei werden das Substrat 2 und die Zwischenschicht 3 beim Aufbringen des Materials der Keimschicht 5 auf eine Temperatur von in etwa 1100 °C geheizt. Das Material der Keimschicht 5 umfasst beispielsweise AlGaN und weist eine Dicke in vertikaler Richtung von in etwa 200 nm auf.
Da die Zwischenschicht 3, insbesondere das Material der Zwischenschicht 3, auf der Maske 13 in einem amorphen Zustand ist, wächst das Material der Keimschicht 5 in diesen Regionen ebenfalls nicht kristallin sondern amorph auf. Demzufolge ist die Maske 13 von einer ReststoffSchicht 15, die das Material der Keimschicht 5 umfasst, vollständig umgeben. Die ReststoffSchicht 15 ist damit zwischen der Maske 13 und der Keimschicht 5 angeordnet.
Auf der Keimschicht 5 wird nachfolgend die weitere Halbleiterschicht 6 gewachsen. Die weitere Halbleiterschicht 6 umfasst beispielsweise GaN, die erste Dotierstoffe aufweist. Bei den ersten Dotierstoffen handelt es sich insbesondre um Si. Die weitere Halbleiterschicht 6 weist weiterhin eine Dicke in vertikaler Richtung von in etwa 150 nm auf.
Die weitere Halbleiterschicht 6 überwächst die Maske 13 in lateralen Richtungen. Eine Seitenfläche der weiteren Halbleiterschicht 6 ist schräg ausgebildet. Die Seitenfläche ist derart schräg ausgebildet, dass sich die weitere Halbleiterschicht 6 in einer dem Substrat 2 abgewandten Richtung aufweitet. Damit überragt die weitere Halbleiterschicht 6 die Öffnung 14 in lateralen Richtungen.
Auf der weiteren Halbleiterschicht 6 wird nachfolgend eine Ätzstoppschicht 7 aufgebracht. Die Ätzstoppschicht 7 bedeckt eine dem Substrat 2 abgewandte Hauptfläche der weiteren Halbleiterschicht 6 vollständig. Die Ätzstoppschicht 7 umfasst InN, A1N oder GaN und weist eine Dicke in vertikaler Richtung von in etwa 50 nm auf.
Nachfolgend wird der Halbleiterkörper 8 auf der Ätzstoppschicht 7 aufgebracht, insbesondere wird nachfolgend die erste Halbleiterschicht 10 auf die Ätzstoppschicht 7 aufgebracht. Die erste Halbleiterschicht 10 umfasst beispielsweise GaN, die erste Dotierstoffe aufweist. Bei den ersten Dotierstoffen handelt es sich insbesondere um Si. Die erste Halbleiterschicht 10 weist weiterhin eine Dicke in vertikaler Richtung von in etwa 150 nm auf.
Auf die erste Halbleiterschicht 10 wird ein aktiver Bereich 11 aufgebracht. Der aktive Bereich 11 weist beispielsweise eine MehrfachquantentopfStruktur auf. Barriereschichten der MehrfachquantentopfStruktur umfassen beispielsweise GaN und Quantentopschichten umfassen beispielsweise InGaN. Hierbei ist der In-Gehalt des aktiven Bereichs 11 vorgebbar.
Eine Peakwellenlänge von einer im aktiven Bereich 11 zu erzeugenden elektromagnetischen Strahlung ist insbesondere in Abhängigkeit des Indium-Gehalts des aktiven Bereichs 11 vorgebbar .
Auf dem aktiven Bereich 11 wird nachfolgend die zweite Halbleiterschicht 12 aufgebracht. Die zweite Halbleiterschicht 12 umfasst beispielsweise GaN, die zweite Dotierstoffe aufweist. Bei den zweiten Dotierstoffen handelt es sich insbesondere um Mg. Die zweite Halbleiterschicht 12 weist weiterhin eine Dicke in vertikaler Richtung von in etwa 175 nm auf.
Weiterhin weist der Halbleiterkörper 8 eine schräge Seitenfläche 9 auf. Die schräge Seitenfläche 9 ist derart ausgebildet, dass sich der Halbleiterkörper 8 in einer dem Substrat 2 abgewandten Richtung verjüngt.
Ein Winkel zwischen der schrägen Seitenfläche 9 des Halbleiterkörpers 8 und der vertikalen Richtung ist in Abhängigkeit von zumindest einem Wachstumsparameter vorgebbar. Beispielsweise beträgt der Winkel zwischen der schrägen Seitenfläche 9 und der vertikalen Richtung in etwa 60°.
Bei dem Verfahrensstadium gemäß der Figur 2 wird auf dem Halbleiterkörper 8 eine erste Elektrodenschicht 18 aufgebracht. Insbesondere wird die erste Elektrodenschicht 18 auf eine erste Hauptfläche 16 des Halbleiterkörpers 8 aufgebracht, die dem Substrat 2 abgewandt ist. Insbesondere wird die erste Elektrodenschicht 18 auf die zweite Halbleiterschicht 12 aufgebracht.
Weiterhin wird auf der schrägen Seitenfläche 9 eine Spiegelschicht 21 aufgebracht. Die Spiegelschicht 21 ist weiterhin auf der ersten Hauptfläche 16 des Halbleiterkörpers 8 angeordnet, die nicht von der ersten Elektrodenschicht 18 bedeckt ist. Die Spiegelschicht 21 ist beispielsweise ein Bragg-Spiegel .
Damit kann die erzeugte elektromagnetische Strahlung besonders effektiv über die Strahlungsaustrittsfläche 24 ausgekoppelt werden, wie in Figur 9 gezeigt.
Nachfolgend wird ein Umhüllungskörper 22 auf dem Halbleiterkörper 8 aufgebracht. Der Umhüllungskörper 22 umgibt den Halbleiterkörper 8 vollständig. Weiterhin bedeckt der Umhüllungskörper 22 die Spiegelschicht 21 vollständig.
Der Umhüllungskörper 22 schließt in vertikaler Richtung bündig mit der ersten Elektrodenschicht 18 ab.
Nachfolgend wird gemäß Figur 3 ein temporärer Träger 23 auf der ersten Elektrodenschicht 18 angeordnet. Der temporäre Träger 23 bildet eine mechanisch stabilisierende Komponente für die Anordnung für nachfolgende Verfahrensschritte. Im Verfahrensstadium der Figur 4 wird das Substrat 2 mit der Maske 13 entfernt. Da die Zwischenschicht 3 in vertikaler Richtung keine hohen Bindungskräfte aufweist, kann das Substrat 2 und die Maske 13 zerstörungsfrei abgelöst werden. Damit kann das Substrat 2 mit der Maske 13 wiederverwendet werden.
Gemäß Figur 5 werden die Keimschicht 5 und die ReststoffSchicht 15 entfernt.
Nachfolgend wird im Verfahrensstadium gemäß der Figur 6 die weitere Halbleiterschicht 6 bis zur Ätzstoppschicht 7 entfernt. Beispielsweise wird die weitere Halbleiterschicht 6 mittels eines Ätzprozesses bis zur Ätzstoppschicht 7 entfernt. Bei dem Ätzprozess handelt es sich beispielsweise um einen nasschemischen Ätzprozess und/oder einen trockenchemischen Ätzprozess.
Die auf dem Halbleiterkörper 8 verbleibende Ätzstoppschicht 7 wird nachfolgend beispielsweise mittels eines Schleifprozesses entfernt, sodass eine zweite Hauptfläche 17 des Halbleiterkörpers 8, insbesondere die erste Halbleiterschicht 10, freigelegt wird. Insbesondere ist es möglich, dass die schräge Seitenfläche 9 sich über die gesamte Seite des Halbleiterkörpers 8 erstreckt. Weiter ist es möglich, dass der Halbleiterkörper 8 ausschließlich von schrägen Seitenflächen seitlich begrenzt ist, welche eine Deckfläche mit einer Bodenfläche des Halbleiterkörpers 8 verbinden .
Gemäß den Figuren 7 und 8 wird auf die freigelegte erste Halbleiterschicht 10 eine zweite Elektrodenschicht 19 auf der zweiten Hauptfläche 17 des Halbleiterkörpers 8 angeordnet.
Die zweite Elektrodenschicht 19 bedeckt die zweite Hauptfläche 17 vollständig und ist mit einem für elektromagnetische Strahlung transparenten Material gebildet.
Weiterhin wird ein Anschlusselement 20 erzeugt, das elektrisch leitfähig, insbesondere in direktem Kontakt, mit der zweiten Elektrodenschicht 19 steht.
Das Anschlusselement 20 ist in Figur 7 auf dem Umhüllungskörper 22 angeordnet und erstreckt sich nur teilweise in vertikaler Richtung in den Umhüllungskörper 22. Ein derartig erzeugter strahlungsemittierender Halbleiterchip 1 ist von zwei sich gegenüberliegenden Seiten kontaktierbar.
Gemäß der Figur 8 ist das Anschlusselement 20 auf einer Seitenfläche des Umhüllungskörpers 22 angeordnet. Das Anschlusselement 20 erstreckt sich vollständig über die Seitenfläche des Umhüllungskörpers 22 in vertikaler Richtung. Ein derartig erzeugter strahlungsemittierender Halbleiterchip 1 ist von einer gemeinsamen Seite mittels der ersten Elektrodenschicht 18 und dem Anschlusselement 20 kontaktierbar .
Nachfolgend wird der temporäre Träger 23 entfernt.
Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 9 umfasst einen Halbleiterkörper 8, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung auszusenden. Der Halbleiterkörper 8 weist eine schräge Seitenfläche 9 auf, wobei die schräge Seitenfläche 9 epitaktisch erzeugt ist. Der Halbeiterkörper ist insbesondere durch das hier angegebene Verfahren erzeugt.
Mittels einer derartig erzeugten schrägen Seitenfläche 9 werden nicht-strahlende Rekombinationen mit Vorteil unterdrückt, sodass ein derartiger strahlungsemittierender Halbleiterchip 1 besonders effektiv ausgebildet ist. Die elektromagnetische Strahlung wird über eine
Strahlungsaustrittsfläche 24 ausgekoppelt, die gegenüber der ersten Elektrodenschicht 18 angeordnet ist.
Das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement 25 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 10 umfasst einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 gemäß der Figur 9 und ist in einem Umhüllungskörper 22 angeordnet. Insbesondere ist der Umhüllungskörper 22 nicht während des Verfahrens auf den Halbleiterkörper 8 aufgebracht. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 in einen Umhüllungskörper 22 eingesetzt, der eine Kavität aufweist und separat hergestellt ist.
Das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement 25 gemäß den Ausführungsbeispielen der Figuren 11 und 12 umfasst jeweils mehrere strahlungsemittierende Halbleiterchips 1, hier beispielsweise drei verschiedene. Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 sind auf einem Träger 26 angeordnet, über den die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 kontaktiert sind.
Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 sind dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung mit voneinander verschiedenen Peakwellenlängen auszusenden. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip la, der im linken Bereich auf dem Träger 26 angeordnet ist, emittiert beispielsweise blaues Licht, der strahlungsemittierende Halbleiterchip lb, der im zentralen Bereich auf dem Träger 26 angeordnet ist, emittiert beispielsweise grünes Licht und der strahlungsemittierende Halbleiterchip lc, der im rechten Bereich auf dem Träger 26 angeordnet ist, emittiert beispielsweise rotes Licht. Damit können mit den hier beschriebenen Verfahren strahlungsemittierende Halbleiterchips 1 hergestellt werden, die insbesondere in einem RGB-Display verwendet werden.
Gemäß der Figur 11 ist auf jedem Halbleiterkörper 8 eine einzelne zweite Elektrodenschicht 19 angeordnet. Jede zweite Elektrodenschicht 19 ist hierbei mit einem einzelnen Anschlusselement 20 elektrisch leitend verbunden.
Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 11 ist im Ausführungsbeispiel der Figur 12 auf dem Halbleiterkörper 8 eine gemeinsame zweite Elektrodenschicht 19 angeordnet. Die gemeinsame zweite Elektrodenschicht 19 bedeckt jeden der Halbleiterkörper 8. Die gemeinsame zweite Elektrodenschicht 19 ist mit einem einzelnen gemeinsamen Anschlusselement 20 elektrisch leitend verbunden.
Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Merkmale und Ausführungsbeispiele können gemäß weiteren
Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden, auch wenn nicht alle Kombinationen explizit beschrieben sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen . Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102021207298.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugszeichenliste
1 strahlungsemittierender Halbleiterchip la strahlungsemittierender Halbleiterchip lb strahlungsemittierender Halbleiterchip lc strahlungsemittierender Halbleiterchip
2 Substrat
3 Zwischenschicht
4 halbleitende Schichtenfolge
5 Keimschicht
6 weitere Halbleiterschicht
7 Ätzstoppschicht
8 Halbleiterkörper
9 schräge Seitenfläche
10 erste Halbleiterschicht
11 aktiver Bereich
12 zweite Halbleiterschicht
13 Maske
14 Öffnung
15 ReststoffSchicht
16 erste Hauptfläche
17 zweite Hauptfläche
18 erste Elektrodenschicht
19 zweite Elektrodenschicht
20 Anschlusselement
21 Spiegelschicht
22 Umhüllungskörper
23 temporärer Träger
24 Strahlungsaustrittsfläche
25 strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
26 Träger

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1), umfassend:
- Bereitstellen eines Substrats (2),
- Aufbringen einer Zwischenschicht (3) auf das Substrat (2),
- Aufbringen einer halbleitenden Schichtenfolge (4) auf die Zwischenschicht (3),
- Aufbringen einer Ätzstoppschicht (7) auf die halbleitende Schichtenfolge (4),
- epitaktisches Aufbringen eines Halbleiterkörpers (8) mit einer schrägen Seitenfläche (9) auf der Ätzstoppschicht (7), und
- Entfernen des Substrats (2), der Zwischenschicht (3) und der halbleitenden Schichtenfolge (4) bis zur Ätzstoppschicht (7).
2. Verfahren gemäß dem Anspruch 1, wobei
- der Halbleiterkörper (8) eine erste Halbleiterschicht (10) eines ersten Dotiertyps, eine zweite Halbleiterschicht (12) eines vom ersten Dotiertyp verschiedenen zweiten Dotiertyps und einen aktiven Bereich (11) aufweist, und
- der aktive Bereich (11) zwischen der ersten
Halbleiterschicht (10) und der zweiten Halbleiterschicht (12) angeordnet ist.
3. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei
- ein Winkel zwischen der schrägen Seitenfläche (9) des Halbleiterkörpers (8) und einer vertikalen Richtung in Abhängigkeit von zumindest einem Wachstumsparameter vorgebbar ist.
4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei - eine Maske (13) mit mindestens einer Öffnung (14) auf dem Substrat (2) aufgebracht wird,
- die halbleitende Schichtenfolge (4) eine Keimschicht (5) und eine weitere Halbleiterschicht (6) des ersten Dotiertyps umfasst,
- die Keimschicht (5) auf der Zwischenschicht (3), die in der Öffnung (14) auf dem Substrat (2) angeordnet ist, aufgebracht wird, und
- die weitere Halbleiterschicht (6) auf der Keimschicht (5) aufgebracht wird.
5. Verfahren gemäß Anspruch 4, wobei
- die weitere Halbleiterschicht (6) die Maske (13) in lateralen Richtungen beim Aufbringen überwächst, und
- sich die weitere Halbleiterschicht (6) in einer dem Substrat (2) abgewandten Richtung aufweitet.
6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei sich der Halbleiterkörper (8) in einer dem Substrat (2) abgewandten Richtung verjüngt.
7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Zwischenschicht (3) hexagonales Bornitrid, Graphen, Molybdänsulfit, Wolframselenit oder Fluorgraphen umfasst.
8. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei
- der strahlungsemittierende Halbleiterchip (1) dazu ausgebildet ist, im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, und
- eine Peakwellenlänge der elektromagnetischen Strahlung in Abhängigkeit eines Indium- und/oder Aluminium-Gehalts des Halbleiterkörpers (8) vorgebbar ist.
9. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei eine erste Elektrodenschicht (18) auf einer dem Substrat (2) abgewandten ersten Hauptfläche des Halbleiterkörpers (8) aufgebracht wird.
10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei
- der Halbleiterkörper (8) vor dem Entfernen des Substrats (2), der Zwischenschicht (3), der Keimschicht (5) und der weiteren Halbleiterschicht (6) auf einem temporären Träger (23) angeordnet wird, und
- das Substrat (2) entlang der Zwischenschicht (3) entfernt wird.
11. Verfahren gemäß dem Anspruch 10, wobei
- nach dem Entfernen des Substrats (2) die Keimschicht (5) entfernt wird, und
- nach dem Entfernen der Keimschicht (5) die erste Halbleiterschicht (10) bis zur Ätzstoppschicht (7) entfernt wird.
12. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei auf einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche des Halbleiterkörpers (8) eine zweite Elektrodenschicht (19) aufgebracht wird.
13. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei eine Spiegelschicht (21) auf der schrägen Seitenfläche (9) aufgebracht wird.
14. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1), mit
- einem Halbleiterkörper (8), der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung auszusenden, wobei - der Halbleiterkörper (8) eine schräge Seitenfläche (9) aufweist,
- die schräge Seitenfläche (9) epitaktisch erzeugt ist, und
- der strahlungsemittierende Halbleiterchip (1) eine Mikro LED ist.
15. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) gemäß Anspruch 14, bei dem
- der Halbleiterkörper (8) eine erste Hauptfläche (16) und eine gegenüberliegende zweite Hauptfläche (17) aufweist, und
- auf der ersten Hauptfläche (16) eine erste Elektrodenschicht (18) angeordnet ist, und
- auf der zweiten Hauptfläche (17) eine zweite Elektrodenschicht (19) angeordnet ist.
16. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) gemäß einem der Ansprüche 14 oder 15, bei dem die zweite Elektrodenschicht (19) für die erzeugte elektromagnetische Strahlung durchlässig ist.
17. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (25), mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, und
- einem Umhüllungskörper (22), der die schräge Seitenfläche (9) des Halbleiterkörpers (8) in lateralen Richtungen umgibt.
18. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (25) gemäß Anspruch 17, bei dem auf dem Umhüllungskörper (22) ein Anschlusselement (20) angeordnet ist, das in elektrisch leitendem Kontakt mit der zweiten Elektrodenschicht (19) steht.
19. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (25) gemäß Anspruch 17, bei dem sich ein Anschlusselement (20), das in elektrisch leitendem Kontakt mit der zweiten Elektrodenschicht (19) steht, vollständig durch den Umhüllungskörper (22) erstreckt.
20. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (25), mit
- zumindest zwei strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, und - einem Träger (26), auf dem die strahlungsemittierenden
Halbleiterchips (1) angeordnet sind, wobei
- zumindest manche der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) dazu ausgebildet sind, elektromagnetische Strahlung mit voneinander verschiedenen Peakwellenlängen auszusenden, und
- jeder strahlungsemittierende Halbleiterchip (1) eine separate zweite Elektrodenschicht (19) aufweist, oder
- alle strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) eine gemeinsame zweite Elektrodenschicht (19) aufweisen.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2249406A2 (de) * 2009-05-04 2010-11-10 LG Innotek Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung, Verpackung und System
US20160197232A1 (en) * 2015-01-06 2016-07-07 Apple Inc. Led structures for reduced non-radiative sidewall recombination
WO2019055936A1 (en) * 2017-09-15 2019-03-21 The Regents Of The University Of California METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE USING A CLEAVAGE TECHNIQUE

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008048704A2 (en) 2006-03-10 2008-04-24 Stc.Unm Pulsed growth of gan nanowires and applications in group iii nitride semiconductor substrate materials and devices
DE102010012711A1 (de) 2010-03-25 2011-09-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements
KR101710159B1 (ko) 2010-09-14 2017-03-08 삼성전자주식회사 Ⅲ족 질화물 나노로드 발광소자 및 그 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2249406A2 (de) * 2009-05-04 2010-11-10 LG Innotek Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung, Verpackung und System
US20160197232A1 (en) * 2015-01-06 2016-07-07 Apple Inc. Led structures for reduced non-radiative sidewall recombination
WO2019055936A1 (en) * 2017-09-15 2019-03-21 The Regents Of The University Of California METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE USING A CLEAVAGE TECHNIQUE

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