WO2023243497A1 - 固体撮像素子、および、撮像装置 - Google Patents

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WO2023243497A1
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signal
potential
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node
solid
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PCT/JP2023/021064
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俊明 小野
Original Assignee
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/12Analogue/digital converters
    • H03M1/60Analogue/digital converters with intermediate conversion to frequency of pulses
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/772Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters

Definitions

  • the present disclosure relates to a solid-state imaging device and an imaging device.
  • a method for expanding the dynamic range without depending on the storage capacitance that stores charges in the photoelectric conversion section.
  • the dynamic range is expanded by counting the number of times the amount of photoelectrically converted charge exceeds a threshold value.
  • the threshold value may vary from pixel circuit to pixel circuit.
  • the present disclosure provides a solid-state imaging device and an imaging device that can expand the dynamic range and convert even a small amount of photoelectrically converted charge into an image signal.
  • a photoelectric conversion unit that generates a charge according to the amount of received light; a first charge holding section connected to the photoelectric conversion section via a first node; a comparator that outputs a first signal when the potential of the first node matches a predetermined potential; a reset unit that sets the first node to a reset potential in response to the first signal; a counting section that counts and outputs the first signal,
  • a solid-state imaging device is provided in which the reset potential applied to the first node changes in time series.
  • the reset potential having a fixed value may be applied.
  • the reset section includes a reset transistor connected between the first node and a power supply section,
  • the comparator maintains the output of the first signal when the potential of the first node exceeds the predetermined potential to a lower potential side,
  • the reset unit makes the reset transistor conductive while the first signal is being output, In the first mode, the potential of the power supply unit may be increased from the lower potential side than the predetermined potential to exceed the predetermined potential.
  • the device may further include a readout circuit that reads out the potential of the first node.
  • an analog-to-digital converter that generates a digital signal based on the analog signal supplied from the readout circuit; a signal processing unit that generates an image signal according to the amount of charge generated by the photoelectric conversion unit based on the count, the digital signal, and a predetermined coefficient; It may further include.
  • the signal processing section may change the value of the predetermined coefficient based on the digital signal obtained in the first mode.
  • the signal processing section may change the value of the predetermined coefficient based on the plurality of digital signals.
  • the signal processing section may change the value of the predetermined coefficient according to the count.
  • the first node may further include a second charge holding section connected in parallel to the first charge holding section.
  • the first charge holding section is connected to the first node via a second transistor, In a first period of the second mode, the second transistor is in a first conduction state; When the charges accumulated in the second charge holding section exceed a predetermined capacity, the charges may be accumulated in the first charge holding section.
  • the second transistor In the first mode, the second transistor is in a more conductive state than the first state while outputting the first signal, and becomes non-conductive when outputting the first signal stops;
  • the signal processing section may change the value of the predetermined coefficient based on the digital signal obtained in the non-conducting state of the first mode.
  • the current supplied to the comparator may be controlled according to the potential of the second charge holding section.
  • a solid-state image sensor, optical system and A solid-state imaging device is provided.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of an imaging device according to a first embodiment of the present technology.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of a solid-state image sensor according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing connections between a pixel circuit and a processing circuit. The figure which shows the example of a structure of a 1st board
  • FIG. 2 is a block diagram showing a configuration example of a pixel circuit.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of a circuit configuration of a pixel circuit.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of a readout circuit according to a first embodiment of the present technology.
  • FIG. 5 is a time chart of an example of normal mode operation according to the present embodiment.
  • 6 is a time chart of an operation example of the calibration mode according to the present embodiment.
  • 5 is a time chart of an operation example of a calibration mode according to a second embodiment.
  • FIG. 3 is a block diagram showing a configuration example of a pixel circuit according to a second embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of a circuit configuration of a pixel circuit according to a third embodiment.
  • 5 is a time chart of an operation example according to the third embodiment.
  • FIG. 7 is a time chart of an operation example of a calibration mode according to a third embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration example of a pixel circuit according to a fourth embodiment.
  • FIG. 7 is a time chart of an operation example according to the fourth embodiment.
  • FIG. FIG. 18 is a diagram schematically showing a part of the image sensor.
  • FIG. 1 is a block diagram showing an example of a schematic configuration of a vehicle control system.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of installation positions of an outside-vehicle information detection section and an imaging section.
  • solid-state imaging device and an imaging device will be described with reference to the drawings.
  • the main components of the solid-state imaging device and the imaging device will be mainly described below, the solid-state imaging device and the imaging device may include components and functions that are not shown or explained. The following description does not exclude components or features not shown or described.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of an imaging device 1 according to a first embodiment of the present technology.
  • the imaging device 1 is a device for capturing image data, and includes an optical section 110, a solid-state imaging device 200, and a DSP (Digital Signal Processing) circuit 120.
  • the imaging device 1 further includes a display section 130, an operation section 140, a bus 150, a frame memory 160, a storage section 170, and a power supply section 180.
  • a camera mounted on a smartphone, a vehicle-mounted camera, etc. are assumed.
  • the optical section 110 collects light from a subject and guides it to the solid-state image sensor 200.
  • the solid-state image sensor 200 generates image data through photoelectric conversion. This solid-state image sensor 200 supplies generated image data to the DSP circuit 120 via a signal line 209.
  • the optical section 110 is composed of, for example, a plurality of lenses, and constitutes an optical system.
  • the DSP circuit 120 performs predetermined signal processing on image data. This DSP circuit 120 outputs the processed image data to a frame memory 160 or the like via a bus 150.
  • the display unit 130 displays image data.
  • a liquid crystal panel or an organic EL (Electro Luminescence) panel is assumed.
  • the operation unit 140 generates an operation signal according to a user's operation.
  • the bus 150 is a common path through which the optical section 110, solid-state image sensor 200, DSP circuit 120, display section 130, operation section 140, frame memory 160, storage section 170, and power supply section 180 exchange data with each other.
  • the frame memory 160 holds image data.
  • the storage unit 170 stores various data such as image data.
  • the power supply section 180 supplies power to the solid-state image sensor 200, the DSP circuit 120, the display section 130, and the like.
  • FIG. 2 is a block diagram showing an example of the configuration of the solid-state image sensor 200 in this embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing the connection between a pixel circuit and a processing circuit.
  • this solid-state image sensor 200 includes a vertical scanning circuit 210, a timing control section 220, a DAC (Digital to Analog Converter) 230, a pixel array section 240, a readout circuit 260, and a horizontal scanning circuit 270. , and a signal processing section 280.
  • a pixel array section 240 a plurality of pixel circuits 250 are arranged in a two-dimensional grid.
  • the vertical scanning circuit 210 sequentially selects and drives rows within the pixel array section 240.
  • the timing control unit 220 controls the operation timing of the vertical scanning circuit 210, DAC 230, readout circuit 260, and horizontal scanning circuit 270 in synchronization with the vertical synchronization signal VSYNC.
  • the DAC 230 generates a sawtooth ramp signal and supplies it to the readout circuit 260 as a reference signal.
  • the pixel circuit 250 is a circuit that performs photoelectric conversion under the control of the vertical scanning circuit 210.
  • the pixel circuit 250 counts the number of times the photoelectrically converted charge amount exceeds a threshold value, and outputs a digital signal including the count number to the signal processing unit 120 via the horizontal signal line Lsh. Further, the pixel 100 outputs an analog pixel signal regarding the remaining charge to the readout circuit 260 via the vertical signal line Lsv.
  • an ADC (see FIG. 3) is arranged for each column of the pixel circuits 250.
  • Each ADC converts the pixel signal of the corresponding column into a digital signal and outputs it to the signal processing section 280 under the control of the horizontal scanning circuit 270.
  • the horizontal scanning circuit 270 controls the readout circuit 260 to sequentially output digital signals.
  • the readout circuit 260 may be referred to as a readout circuit 260.
  • the signal processing unit 280 generates an image signal value of each pixel 100 using the counter value of each pixel 100 in the pixel array unit 240 and the residual charge signal value of each pixel 100 supplied from the readout circuit 260. .
  • the signal processing unit 280 outputs the image signal value of each pixel 100 to the DSP circuit 120.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of the configuration of the first substrate and the second substrate.
  • the first substrate 200a and the second substrate 200b have a laminated structure.
  • the first substrate 200a and the second substrate 200b are connected by, for example, Cu--Cu wiring. Connections may be made by connections such as vias and bumps.
  • FIG. 5 is a block diagram showing a configuration example of the pixel circuit 250.
  • the pixel circuit 250 includes a photoelectric conversion section 101 , a first storage section 102 , a determination section 103 , a reset section 104 , a counting section 105 , and an amplification section 106 .
  • the signal processing section 280 includes a memory 282 and a calculation section 284.
  • the photoelectric conversion section 101, the first storage section 102, the reset section 104, and the amplification section 106 are configured on the first substrate 200a (see FIG. 4).
  • the determining section 103, the counting section 105, the amplifying section 106, the readout circuit 260, and the signal processing section 280 are configured on the second substrate 200b. This allows the image sensor 200 to be further miniaturized.
  • the photoelectric conversion unit 101 generates charges according to the received light.
  • the photoelectric conversion unit 101 has a predetermined capacitance.
  • the first storage unit 102 stores charges exceeding a predetermined capacitance of the photoelectric conversion unit 101.
  • the determining unit 103 determines whether the potential of the first storage unit 102 has reached a predetermined value, and outputs a first signal to the reset unit 104 and the counting unit 105 when the potential of the first storage unit 102 has reached the predetermined value. do.
  • the reset unit 104 resets the first storage unit 102 in response to the first signal, and discharges the accumulated charge in the first storage unit 102.
  • the counting unit 105 counts the number of times the first signal is input, and outputs it to the memory 282 of the signal processing unit 280.
  • the number of counters is stored in a storage area corresponding to the coordinates of each pixel circuit 250. Note that the initial value of the count unit 105 after being reset is 0.
  • the amplifier section 106 outputs to the readout circuit 260 an analog residual charge signal corresponding to the residual charge of the first storage section 102 that remains without being reset.
  • the charges generated in the photoelectric conversion unit 101 are accumulated in the first accumulation unit 102, and when the determination unit 103 determines that the potential is a predetermined potential, a reset operation of the first accumulation unit 102 is performed.
  • the counting unit 105 counts this as one count.
  • the first accumulation unit 102 starts accumulation again. Such processing is repeated during the accumulation period.
  • the amplifier section 106 After the accumulation period ends, the amplifier section 106 outputs an analog residual charge signal corresponding to the residual charge accumulated in the first accumulation section 102 to the readout circuit 260.
  • the readout circuit 260 outputs a digital signal Sa corresponding to the analog residual charge to the memory 282 of the signal processing section 280.
  • the digital signal Sa is stored in a storage area corresponding to the coordinates of each pixel circuit 250.
  • the reset potential accumulated in the first accumulation section 102 and the amount of accumulated charge are associated in advance.
  • the amount of charge generated during the accumulation period becomes [the amount of accumulated charge in the first accumulation section] ⁇ [the number of resets].
  • an analog residual charge signal corresponding to the charge remaining in the first storage section during the readout period is output to the readout circuit 260.
  • the final amount of generated charge is [amount of charge accumulated in the first storage section] ⁇ [number of times of reset]+[amount of residual charge].
  • the calculation unit 280b of the signal processing unit 280 calculates the first image signal corresponding to [the amount of accumulated charge in the first storage unit] x [the number of resets] as K1 x [the number of resets], and calculates the first image signal corresponding to the [amount of residual charge].
  • the second image signal to be calculated is calculated as K2 ⁇ [value of digital signal Sa]. That is, the calculation unit 280b of the signal processing unit 280 calculates K1 ⁇ [number of resets]+K2 ⁇ [value of digital signal Sa] as the image signal G(x,y) of the pixel circuit 250, and outputs it to the memory 282.
  • K1 and K2 are arbitrary coefficients for matching dimensions. Coordinates (x, y) are position coordinates of the pixel circuit 250, and correspond to the readout row and readout column of the pixel array section 240.
  • the image signal G(x,y) is stored in a storage area corresponding to the coordinates (x,y) of each pixel circuit 250. Then, the memory 282 outputs the image signal G (x, y) corresponding to the coordinates of each pixel circuit 250 to the DSP circuit 120 as image data.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of the circuit configuration of the pixel circuit 250.
  • the photoelectric conversion unit 101 includes a photoelectric conversion element 101a
  • the first storage unit 102 includes a first storage unit 102.
  • the first electricity storage unit 102 is, for example, a floating diffusion (FD).
  • FIG. 6 further illustrates a circuit configuration configured on the first substrate (see FIG. 4) and a circuit configuration configured on the second substrate (see FIG. 4). Note that the first accumulation section 102 according to this embodiment corresponds to a first charge holding section.
  • the determination section 103 includes a comparator 103a
  • the reset section 104 includes a reset transistor 104a
  • the count section 105 includes a counter 105a
  • the amplification section 106 includes an amplification transistor 106a and a selection transistor 106b. That is, as shown in FIG. 6, the pixel circuit 250 includes a photoelectric conversion element 101a, a first storage unit 102, a comparator 103a, a reset transistor 104a, a counter 105a, an amplification transistor 106a, a selection transistor 106b, a transfer transistor 107, and an amplifier. It has 108.
  • the reset transistor 104a, the amplification transistor 106a, the selection transistor 106b, and the transfer transistor 107 are composed of, for example, N-channel MOS transistors.
  • Drive signals TG, RST, and SEL are supplied to these gate electrodes. These drive signals are pulse signals whose high level state is an active state (on state) and whose low level state is an inactive state (off state).
  • the photoelectric conversion element 101a is composed of, for example, a PN junction photodiode, receives light from a subject, generates and accumulates electric charge according to the amount of received light through photoelectric conversion.
  • the transfer transistor 107 is connected between the photoelectric conversion element 101a and the first power storage section 102 via the node n10. In response to a drive signal TG applied to the gate electrode of the transfer transistor 107, the residual charge accumulated in the photoelectric conversion element 101a is transferred to the first electricity storage section 102. Note that in this embodiment, the drive signal TG is driven at a low level during charge accumulation, but the accumulated charge is accumulated in the first power storage unit 102 as a leakage charge via the transfer transistor 107. .
  • the comparator 103a has an input terminal connected to the node n10, and an output terminal connected to the gate electrode of the reset transistor 104a via the node n12.
  • the comparator 103a outputs a first signal when the potential of the node n10 exceeds a predetermined threshold potential Vth.
  • This first signal is a high level signal, but when the first electricity storage section 102 is reset, it becomes a low level signal, so it becomes a pulsed signal.
  • the reset transistor 104a is an element that initializes (resets) the first power storage section 102 as appropriate, and has a drain connected to the transformed power supply VRS and a source connected to the first power storage section 102 via a node n10. Ru.
  • a first signal is applied as a drive signal RST to the gate electrode of the reset transistor 104a.
  • drive signal RST is applied, reset transistor 104a becomes conductive, and the potential of node n10 is reset to the potential level of transformed power supply VRS.
  • the potential of the transformer power supply VRS becomes the power supply potential VDD as a constant potential during "normal mode operation" to be described later.
  • the potential of the transformer power supply VRS changes in time series.
  • the potential of the transformer power supply VRS according to this embodiment corresponds to the reset potential.
  • the input terminal of the counter 105a is connected to the output terminal of the comparator 103a via the node n12, and the output terminal is connected to the signal processing section 120.
  • the counter 105a adds 1 to the counter every time the first signal is input, and outputs the result to the signal processing section 280.
  • the amplification transistor 106a has a gate electrode connected to the first power storage section 102 via the node n10, a drain connected to the power supply potential VDD, and a gate electrode connected to the first power storage section 102 and the photoelectric conversion section 101. This becomes the input part of the source follower circuit that reads out the residual charge. That is, the source of the amplification transistor 106a is connected to the vertical signal line Lsv via the selection transistor 106b, thereby forming a source follower circuit together with the constant current source 106c connected to one end of the vertical signal line Lsv.
  • the selection transistor 106b is connected between the source of the amplification transistor 106a and the vertical signal line, and the drive signal SEL is supplied as a selection signal to the gate electrode of the selection transistor 106b.
  • the drive signal SEL is activated, the selection transistor 106a becomes conductive, and the pixel provided with the selection transistor 106a is placed in a selected state.
  • the signal output from the amplification transistor 106a is read out to the readout circuit 260 via the vertical signal line Lsv.
  • the amplifier circuit 108 supplies the initialization signal SHT to the node n12.
  • the counter 105 receives the initialization signal SHT, the counter value is initialized to zero.
  • a plurality of drive lines are wired, for example, for each pixel row.
  • Drive signals TRG, RST, SEL, and SHT are supplied from the vertical scanning circuit 210 into the pixel through a plurality of drive lines as pixel drive lines.
  • FIG. 7 is a block diagram showing a configuration example of the readout circuit 260 in the first embodiment of the present technology.
  • a comparator 300 In this readout circuit 260, a comparator 300, a counter 261, and a latch 262 are arranged for each column.
  • N is an integer
  • N comparators 300, counters 261, and latches 262 are arranged. Note that the set of comparator 300, counter 261, and latch 262 according to this embodiment corresponds to the ADC.
  • the comparator 300 compares the reference signal from the DAC 230 and the pixel signal from the corresponding column.
  • the potential of the reference signal will hereinafter be referred to as reference potential VRMP, and the potential of the vertical signal line 259 that transmits the pixel signal will hereinafter be referred to as input potential VVSL.
  • This comparator 300 supplies an output signal VCO indicating the comparison result to the counter 261 of the corresponding column.
  • the level of the pixel signal (that is, the input potential VVSL) when the pixel circuit 250 is initialized is referred to as, for example, "Vr level”, and the residual charge accumulated in the photoelectric conversion element 101a is transferred to the node n10.
  • the level of the pixel signal at this time is called, for example, "Vs level.” That is, in this embodiment, the level serving as a comparison standard is sometimes referred to as a "Vr level”, and the level to be compared is sometimes referred to as a "Vs level”.
  • CDS Correlated Double Sampling
  • DDS Double Data Sampling
  • the counter 261 counts the count value over a period until the output signal VCO is inverted.
  • This counter 261 for example, counts down over a period until the output signal VCO corresponding to the reset level is inverted, and counts up over a period until the output signal VCO corresponding to the signal level is inverted. Thereby, for example, processing for determining the difference between the Vr level and the Vs level is realized.
  • the counter 261 causes the latch 262 to hold a digital signal indicating the count value.
  • the comparator 300 and the counter 261 implement AD conversion processing for converting analog pixel signals into digital signals. That is, comparator 300 and counter 261 function as an ADC. ADCs that use comparators and counters in this way are generally called single-slope ADCs.
  • the latch 262 holds the digital signal. This latch 262 outputs the held digital signal under the control of the horizontal scanning circuit 270.
  • the solid-state image sensor 200 has a normal shooting mode and a calibration mode.
  • the normal photography mode has an exposure period and a readout period, and is a mode in which normal photography is performed.
  • the calibration mode is a mode for acquiring information for calibrating characteristic variations of each pixel circuit before normal photographing.
  • the calibration mode is used to know the threshold value.
  • Each mode is set according to an instruction input via the operation unit (140). In each mode, the drive signal supplied to each pixel circuit 250 via the vertical scanning circuit 210 is changed for each mode.
  • FIG. 8 is a time chart of an example of normal mode operation according to this embodiment.
  • Figure A is an example of a state in which the counter 105a counts one or more times under high irradiation
  • Figure B is an example of a state in which the counter 105a does not count under low irradiation.
  • the horizontal axis indicates time
  • the vertical axis indicates the drive signals EXP, RST, and TG, the accumulated charge L10 of the photoelectric conversion element 101a, and the potential L16 of the first accumulation section 102.
  • a line L10 indicates the charge within the capacitance of the photoelectric conversion element 101a.
  • a line L12 indicates the amount of charge generated by the photoelectric conversion element 101a.
  • a high level of the drive signal EXP indicates a charge accumulation period, and a low level indicates a readout period.
  • the drive signals RST and TG become high level at time t0, and the photoelectric conversion element 101a and the first storage section 102 are initialized. That is, the potential of the node n10 becomes the power supply potential VDD.
  • the drive signals RST and TG become low level, and the drive signal EXP becomes high level.
  • the charge generated by the photoelectric conversion element 101a exceeds the capacity and is accumulated in the first accumulation section 102.
  • the potential of the node n10 of the first storage section 102 starts to decrease.
  • the threshold potential Vth of the comparator 103a is reached for the first time.
  • the comparator 103a outputs the first signal, and the counter 105a increments the count value by one.
  • the reset transistor 104a since the first signal that is the drive signal RST is at a high level, the reset transistor 104a becomes conductive, and the potential of the node n10 of the first storage section 102 is reset to the power supply potential VDD.
  • an analog signal potential corresponding to the residual charge is output to the readout circuit 260 as a Vs level.
  • an analog signal potential corresponding to the dark current is output to the readout circuit 260 as the Vr level.
  • the readout circuit 260 converts the difference between the potential corresponding to the Vs level and the potential corresponding to the Vr level into a digital signal Sa, and outputs the digital signal Sa to the signal processing section 280.
  • the calculation unit 280b of the signal processing unit 280 calculates K1 ⁇ [number of resets: 2 times]+K2 ⁇ [value of digital signal Sa] as the image signal G (x, y) of the pixel circuit 250, and calculates the value of the digital signal Sa. Output to.
  • the image signal G(x,y) is stored in a storage area corresponding to the coordinates (x,y) of each pixel circuit 250. Then, the memory 282 outputs the image signal G (x, y) corresponding to the coordinates of each pixel circuit 250 (x, y) to the DSP circuit 120 as image data.
  • the drive signal EXP becomes low level and the read period starts.
  • the drive signal TG becomes high level
  • the accumulated charge of the photoelectric conversion element 101a is transferred to the first accumulation section 102, and the potential of the node n10 corresponds to the potential of the remaining amount of charge.
  • the drive signal RST becomes high level, and the potential of the node n10 of the one storage section 102 is reset to the power supply potential VDD.
  • an analog signal potential corresponding to the residual charge is output to the readout circuit 260 as a Vs level.
  • an analog signal potential corresponding to the dark current is output to the readout circuit 260 as the Vr level.
  • the readout circuit 260 converts the difference between the potential corresponding to the Vs level and the potential corresponding to the Vr level into a digital signal Sa, and outputs the digital signal Sa to the signal processing section 280.
  • the calculation unit 280b of the signal processing unit 280 calculates K1 ⁇ [number of resets: 0 times]+K2 ⁇ [value of digital signal Sa] as the image signal G (x, y) of the pixel circuit 250, and calculates the value of the digital signal Sa. Output to.
  • the image signal G(x,y) is stored in a storage area corresponding to the coordinates (x,y) of each pixel circuit 250. Then, the memory 282 outputs the image signal G (x, y) corresponding to the coordinates (x, y) of each pixel circuit 250 to the DSP circuit 120 as image data.
  • FIG. 9 is a time chart of an operation example when the amount of light changes rapidly during exposure.
  • FIG. 9 is a diagram equivalent to FIG. 8 except for the case where the amount of light changes rapidly.
  • Figure A is an example in which the counter 105a counts three times under high irradiation. In this way, when the amount of light increases during exposure, the number of resets increases, and this method is used to count the number of resets. Therefore, regardless of whether the amount of light remains constant during exposure or changes, the reset/count operation follows it, so there is no risk of an erroneous signal due to misprediction.
  • the calculation unit 280b of the signal processing unit 280 calculates K1 ⁇ [number of resets: 3 times]+K2 ⁇ [value of digital signal Sa] as the image signal G (x, y) of the pixel circuit 250, and stores it in the memory 282. Output to.
  • FIG. 10 is a time chart of an operation example of the calibration mode according to the present embodiment.
  • the horizontal axis indicates time, and the vertical axis indicates the drive signals EXP, RST, the potential L18 of the transformed power supply VRS, and the potential L20 of the first storage section 102.
  • the comparator 103a outputs the first signal at a low level until the potential of the node n10 (see FIG. 6) exceeds the threshold potential Vth below, and when it exceeds the threshold potential Vth below, the comparator 103a outputs the first signal at a high level. A first signal is output. Further, the reset transistor 104a outputs a high level signal when the first signal is at a high level. Note that the potential of the node n10 (see FIG. 6) corresponds to the first electricity storage unit 102.
  • the potential L18 of the transformer power supply VRS starts increasing at time t0. Since the potential of the node n10 at the start is below the threshold potential Vth, the first signal is at a high level, and the drive signal RST is at a high level. Since the drive signal RST is at a high level, the reset transistor 104a maintains a conductive state.
  • the potential L18 of the transformed power supply VRS continues to increase further, the potential of the node n10 will exceed the threshold potential Vth at time t1. Therefore, the first signal changes to a low level, and the drive signal RST becomes a low level. As a result, the reset transistor 104a becomes non-conductive. Thereafter, the potential L18 of the transformer power supply VRS continues to increase, but since the reset transistor 104a becomes non-conductive, the potential of the node n10 is maintained at the threshold potential Vth.
  • a read period begins at time t2.
  • the potential L18 of the transformed power supply VRS is maintained at the power supply potential VDD.
  • the drive signal RST becomes a high level signal by the output signal SHT of the amplifier circuit 108 (see FIG. 6), and the potential of the node n10 (see FIG. 6) is initialized to the power supply potential VDD.
  • the potential of the node n10 corresponding to the threshold potential Vth is read out to the readout circuit 260 as the Vs level.
  • the potential of the node n10 corresponding to the power supply potential VDD is read out to the readout circuit 260 as the Vr level.
  • the difference between the Vs level potential and the Vr level potential is generated as the threshold potential Vth of this pixel 250.
  • the memory 280 stores the threshold potential Vth for each coordinate (x, y) of the pixel circuit 250.
  • the coefficient K1 is calibrated and stored as K1 (x, y) for each coordinate (x, y) of the pixel circuit 250. That is, it is possible to more accurately calculate the image signal G(x, y) of the pixel circuit 250 as K1(x, y) ⁇ [number of resets]+K2 ⁇ [value of digital signal Sa].
  • the residual charges in the electric conversion element 101a and the first storage section 102 are read out by the amplifier section 106 as an analog potential to the readout circuit 260, and converted into a digital value. In this way, even with high irradiation, the dynamic range does not become saturated, and image signals containing residual charges can be generated.
  • the residual charges in the electric conversion element 101a and the first storage section 102 are converted to the analog potential by the amplification section 106.
  • the data is read out by the readout circuit 260 and converted into a digital value.
  • the potential L18 of the transformer power supply VRS is increased from below the threshold potential Vth.
  • the potential L18 of the transformer power supply VRS continues to increase, the potential of the node n10 exceeds the threshold potential Vth, the reset transistor 104a becomes non-conductive, and the potential of the node n10 reaches the threshold potential Vth. will be maintained. Therefore, it is possible to obtain information on the threshold potential Vth for each pixel circuit 250, calibrate the coefficient K1, and store it as K1 (x, y) for each coordinate (x, y) of the pixel circuit 250. . This makes it possible to more accurately calculate the image signal G(x, y) of the pixel circuit 250 as K1(x, y) ⁇ [number of resets]+K2 ⁇ [value of digital signal Sa].
  • the solid-state image sensor 200 according to the second embodiment differs from the solid-state image sensor 200 according to the first embodiment in that the slope of the potential change of the transformer power supply VRS is changed multiple times to execute the calibration mode. Below, differences from the solid-state imaging device 200 according to the first embodiment will be explained.
  • FIG. 11 is a time chart of an operation example of the calibration mode according to the present embodiment.
  • the horizontal axis shows time, and the vertical axis shows drive signals EXP and RST, potentials L22 and 24 of the transformed power supply VRS, and potentials L26 and L28 of the first storage section 102.
  • the potential L22 and the potential L26 indicate a state in which the slope of the potential change is larger than that of the potential L24 and the potential L28.
  • the determination threshold value may change if the slope of the potential change of the first storage section 102 changes.
  • calibration data is acquired multiple times by changing the sweep slope of the transformer power supply VRS.
  • the signal processing unit 280 may generate the calibration data by interpolation or extrapolation depending on the count value.
  • the solid-state image sensor 200 according to the third embodiment is different from the solid-state image sensor 200 according to the first embodiment in that it further includes a second electricity storage section. Below, differences from the solid-state imaging device 200 according to the first embodiment will be explained.
  • FIG. 12 is a block diagram showing a configuration example of a pixel circuit 250 according to the second embodiment.
  • the pixel circuit 250 differs from the pixel circuit 250 according to the first embodiment in that it further includes a second power storage section 109.
  • the capacitor capacity of the second power storage section 109 is configured to be smaller than that of the first power storage section 102 .
  • the second electricity storage unit 109 according to the present embodiment corresponds to a second charge storage unit.
  • the photoelectric conversion section 101, the amplification section 106, and the second electricity storage section 109 are configured on the first substrate (see FIG. 4).
  • the first storage section 102, the determination section 103, the reset section 104, the counting section 105, the readout circuit 260, and the signal processing section 280 are configured on the second substrate (see FIG. 4). . This allows the image sensor 200 to be further miniaturized.
  • the second electricity storage unit 109 is connected in parallel with the first electricity storage unit 102 when accumulating charges. This makes it possible to increase the capacitance of a capacitor for accumulated charges when accumulating charges.
  • the first power storage section 102 and the second power storage section 109 are electrically disconnected, and the charge of the photoelectric conversion section 101 is transferred only to the second power storage section 109. is transferred.
  • FIG. 13 is a diagram showing an example of the circuit configuration of the pixel circuit 250 according to the third embodiment.
  • a second power storage unit 109 is connected to the node n10.
  • the second electricity storage unit 109 is, for example, a floating diffusion.
  • Capacitive connection transistor 115 is connected between node n10 and node n16 to which first power storage section 102 is connected.
  • the capacitive connection transistor 115 is composed of, for example, an N-channel MOS transistor.
  • a drive signal FCG is supplied to the gate electrode. This drive signal is a pulse signal whose high level state is an active state (on state) and whose low level state is an inactive state (off state).
  • An OR gate 114 is connected to the gate electrode of the capacitively connected transistor 115, and a NOT gate 113 is connected to the OR gate 114.
  • the signal xEXP is a signal that becomes 0 during the accumulation period and becomes 1 during the readout period.
  • the drive signal FCG becomes low level during the accumulation period when the drive signal RST is high level. Further, when the drive signal RST is at a high level, it becomes a medium level signal. On the other hand, the drive signal FCG is always at a high level during the read period.
  • the capacitor-connected transistor 115 is supplied with the medium-level drive signal FDG during charge storage, and the charge overflowing the first power storage section 102 is supplied to the second power storage section 109. Become.
  • the first power storage section 102 when the first power storage section 102 is reset, a low-level drive signal FDG is supplied, and it enters an inactive state (off state). Thereby, the first power storage section 102 and the second power storage section 109 are electrically disconnected.
  • FIG. 14 is a time chart of an operation example according to the third embodiment.
  • Figure A is an example of a state where the counter 105a counts up one or more times with high irradiation
  • Figure B is an example of a state where the counter 105a does not count up with low irradiation.
  • the horizontal axis shows time, and the vertical axis shows drive signals EXP, RST, TG, FCG, accumulated charges L10 and L18 of photoelectric conversion element 101a, potentials L16 and L20 of first accumulation section 102, and second accumulation section 109. shows potentials L22 and L24.
  • the drive signals RST, TG, and FCG become high levels, and the photoelectric conversion element 101a, the first storage section 102, and the second storage section 109 are initialized. be done. That is, the potential of the node n10 becomes the power supply potential VDD.
  • the drive signal FCG is at a high level, the first storage section 102 and the second storage section 109 are connected in parallel and have the potential of the node n10.
  • the drive signals RST and TG become low level, the drive signal FCG becomes medium level, and the drive signal EXP becomes high level.
  • the charges generated by the photoelectric conversion element 101a are accumulated in the second accumulation section 109, and the potential L22 of the node n10 of the second accumulation section 109 starts to decrease.
  • a predetermined amount of charge is accumulated in the capacitance of the second accumulation section 109, and accumulation of charge in the first accumulation section 102 is started.
  • the potential L16 of the node n16 of the first storage section 102 starts to decrease.
  • the threshold potential Vth of the comparator 103a is reached for the first time.
  • the comparator 103a outputs the first signal, and the counter 105a increments the count value by one.
  • the first signal which is the drive signal RST
  • the reset transistor 104a becomes conductive, and the potential of the node n16 of the first storage section 102 is reset to the power supply potential VDD.
  • the drive signal FCG becomes low level, the first accumulation section 102 and the second accumulation section 109 become non-conductive, and the charge generated by the photoelectric conversion element 101a is accumulated in the second accumulation section 109. Ru.
  • the charges generated by the photoelectric conversion element 101a during the reset period of the first storage section 102 are accumulated and maintained in the second storage section 109.
  • the drive signal RST becomes low level again, and the drive signal FCG becomes medium level.
  • the charges generated by the photoelectric conversion element 101a are accumulated in the first accumulation section 102, and the potential L16 of the node n16 of the first accumulation section 102 starts to decrease again.
  • the drive signal TG becomes high level
  • the accumulated charge of the photoelectric conversion element 101a is transferred to the first accumulation section 102 and the second accumulation section 109, and the potential of the node n10 becomes the potential of the remaining charge.
  • the drive signal TG becomes low level, and the photoelectric conversion element 101a and the first storage section 102 and the second storage section 109 are electrically disconnected.
  • the drive signal RST becomes high level, and the first storage section 102 and the second storage section 109 are reset to the power supply potential VDD. Then, at time t13, the drive signal RST becomes low level, and at time t14, the drive signal FCG becomes low level.
  • the analog residual charge signals of the first accumulation section 102 and the second accumulation section 109 are outputted to the column signal processing section 260 as the Vr level.
  • the analog residual charge signals of the first accumulation section 102 and the second accumulation section 109 to which the accumulated charge of the photoelectric conversion element 101a is added as the Vs level are sent to the column signal processing section 260. Output twice in chronological order.
  • the column signal processing section 260 converts the difference between the potential corresponding to the Vs level and the potential corresponding to the Vr level into a digital residual charge signal Sa1, and outputs it to the signal processing section 280.
  • the digital residual charge signal Sa1 is a signal corresponding to the residual charge of the photoelectric conversion element 101a. Since the capacitance of the photoelectric conversion element 101a and the capacitances of the first storage section 102 and the second storage section 109 are known, the value corresponding to the total residual charge at the end of the storage period is determined from the digital residual charge signal Sa1. It is possible to calculate. As described above, the charges generated by the photoelectric conversion element 101a during the reset period of the first accumulation section 102 are accumulated and maintained in the second accumulation section 109. Therefore, the digital residual charge signal Sa1 also includes the charges generated by the photoelectric conversion element 101a during the reset period of the first storage section 102.
  • the calculation unit 280b of the signal processing unit 280 calculates K1 ⁇ [number of resets: 2 times]+K4 ⁇ [signal value of digital residual charge signal Sa1] as the image signal G (x, y) of the pixel circuit 250. , is output to the memory 282.
  • image signals are stored in storage areas corresponding to the coordinates of each pixel circuit 250.
  • the memory 282 outputs the image signal G (x, y) corresponding to the coordinates of each pixel circuit 250 to the DSP circuit 120 as image data.
  • K4 is a coefficient.
  • an analog residual charge signal corresponding to the accumulated charge after reset of the first accumulation section 102 and the second accumulation section 109 is outputted to the column signal processing section 260 as the Vr level.
  • the column signal processing section 260 converts the difference between the potential corresponding to the Vs level and the potential corresponding to the Vr level into a digital residual charge signal Sa2, and outputs it to the signal processing section 280. That is, the digital residual charge signal Sa2 becomes a signal corresponding to the total residual charge.
  • the calculation unit 280b of the signal processing unit 280 can calculate K1 ⁇ [number of resets: 2 times]+K5 ⁇ [signal value of digital residual charge signal Sa2] as the image signal G(x, y) of the pixel circuit 250. .
  • K5 is a coefficient.
  • the image signal G(x, y) calculated using the level signals of the first Vs level and Vr level has a better S/N ratio.
  • the drive signals RST and TG become low level, the drive signal FCG becomes medium level, and the drive signal EXP becomes high level.
  • the potentials L20 and L24 of the first storage section 102 and the second storage section 109 are each maintained at the initial potential VDD.
  • the image signal G (x, y) of the pixel circuit 250 is obtained as K1 ⁇ [number of resets: 0 times]+K5 ⁇ [signal value of digital residual charge signal Sa2] Calculate.
  • FIG. 15 is a time chart of an operation example of the calibration mode according to the third embodiment.
  • the horizontal axis indicates time, and the vertical axis indicates the drive signals EXP, RST, and FCG, the potential L26 of the transformed power supply VRS, the potential L28 of the first storage section 102, and the potential L30 of the second storage section 109.
  • the comparator 103a outputs the first signal at a low level until the potential of the node n10 (see FIG. 6) exceeds the threshold potential Vth below, and when it exceeds the threshold potential Vth below, the comparator 103a outputs the first signal at a high level.
  • a first signal is output.
  • the reset transistor 104a outputs a high level signal when the first signal is at a high level.
  • the potential of the node n10 corresponds to the first electricity storage unit 102.
  • the drive signal FCG outputs a high level signal when the first signal is at a high level during the power storage period.
  • the potential L26 of the transformer power supply VRS starts increasing at time t0. Since the potential of the node n16 at the start is below the threshold potential Vth, the first signal is at a high level, and the drive signal RST is at a high level.
  • the reset transistor 104a whose drive signal RST is at a high level maintains a conductive state.
  • the drive signal FCG is a high level signal because the first signal is at a high level.
  • the capacitor-connected transistor 105 whose drive signal FCG is at a high level maintains a conductive state.
  • the potential L26 of the transformed power supply VRS continues to increase further, the potential of the node n16 exceeds the threshold potential Vth at time t1. Therefore, the first signal changes to a low level, and the drive signal RST becomes a low level. As a result, the reset transistor 104a becomes non-conductive.
  • the drive signal FCG becomes a low level signal because the first signal becomes low level.
  • the capacitively connected transistor 105 whose drive signal FCG is a low level signal maintains a non-conductive state.
  • the potential L26 of the transformer power supply VRS continues to increase, but since the reset transistor 104a becomes non-conductive, the potential of the node n16 is maintained at the threshold potential Vth. Similarly, since the capacitive connection transistor 105 becomes non-conductive, the potential of the node n10 is maintained at the threshold potential Vth.
  • a read period begins at time t2. Since the drive signal EXP is maintained at a low level, the drive signal FCG is also maintained at a low level during the read period. As a result, the potential of the node n16 is maintained at the threshold potential Vth, and the potential of the node n10 is maintained at the threshold potential Vth.
  • the drive signal RST is set to high level by the signal SHT of the amplifier 108, and the drive signal FCG is also set to high level in synchronization.
  • the first power storage section 102 and the second power storage section 109 are reset to the power supply potential VDD, which is the initial potential, and the potentials of the nodes n16 and n10 are maintained at the power supply potential VDD.
  • the potential of the node n10 corresponding to the threshold potential Vth is read out to the readout circuit 260 as the Vs level.
  • the potential of the node n10 corresponding to the power supply potential VDD is read out to the readout circuit 260 as the Vr level.
  • the difference between the Vs level potential and the Vr level potential is generated as the threshold potential Vth of this pixel 250.
  • the memory 280 stores the threshold potential Vth for each coordinate (x, y) of the pixel circuit 250.
  • the coefficient K1 is calibrated and stored as K1 (x, y) for each coordinate (x, y) of the pixel circuit 250. That is, it is possible to more accurately calculate the image signal G(x, y) of the pixel circuit 250 as K1(x, y) x [number of resets] + K2 x K4 x [signal value of digital residual charge signal Sa1]. becomes.
  • the charges generated by the electric conversion element 101a are accumulated in the first accumulation section 102 and the second accumulation section 109, and the comparator 103a is set to a predetermined threshold value.
  • the first signal is output to reset the first storage section 102, and the counter 105a increments the count value by one.
  • the residual charge of the electric conversion element 101a can be read out as a higher SN signal by CDS driving.
  • CDS driving when reading the Vr level and the Vs level for the second time, it becomes possible to read out the residual charges of the electric conversion element 101a and the residual charges of the first accumulation section 102 and the second accumulation section 109 by DDS driving.
  • the charge generated in the photoelectric conversion element 101a during the reset period of the first storage section 102 continues to be accumulated in the second storage section 109, the charge generated in the photoelectric conversion element 101a during the reset period of the first storage section 102 is continued to be accumulated, so that when reading the Vr level and Vs level for the second time, there is no residual charge.
  • the charges also include charges generated by the photoelectric conversion element 101a during the reset period of the first storage section 102. This makes it possible to generate an image signal G(x,y) that also includes the charges generated by the photoelectric conversion element 101a during the reset period of the first storage unit 102.
  • the residual charge in the electric conversion element 101a is increased by CDS driving. It becomes possible to read out SN signals.
  • DDS driving when reading the Vr level and the Vs level for the second time, it becomes possible to read out the residual charges of the electric conversion element 101a and the residual charges of the first accumulation section 102 and the second accumulation section 109 by DDS driving.
  • the potential L26 of the transformer power supply VRS is increased from below the threshold potential Vth.
  • the potential L26 of the transformer power supply VRS continues to increase, the potential of the node n16 exceeds the threshold potential Vth, the reset transistor 104a becomes non-conductive, and the potential of the node n16 reaches the threshold potential Vth. will be maintained.
  • the capacitive connection transistor 115 also becomes non-conductive, and the potential of the node n10 is maintained at the threshold potential Vth. Therefore, it is possible to obtain information on the threshold potential Vth for each pixel circuit 250, calibrate the coefficient K1, and store it as K1 (x, y) for each coordinate (x, y) of the pixel circuit 250.
  • the image signal G (x, y) is generated as K1 (x, y) x [number of resets] + K4 x [signal value of digital residual charge signal Sa1]. Can be calculated more accurately.
  • the image signal G (x, y) of the pixel circuit 250 is obtained as K1 (x, y) x [number of resets] + K5 x [digital residual charge signal Sa2]. Signal value] can be calculated more accurately.
  • the solid-state imaging device 200 according to the fourth embodiment has the following feature: when the potential of the second storage unit is higher than a predetermined value, the current supplied from the current source of the comparator 103a can be suppressed.
  • the solid-state image sensing device 200 according to the third embodiment is different from the solid-state imaging device 200 according to the third embodiment. Below, differences from the solid-state imaging device 200 according to the third embodiment will be explained.
  • FIG. 16 is a diagram showing a configuration example of a pixel circuit 250 according to the fourth embodiment.
  • the determination unit 103 includes a differential amplifier 103d, and a PMOS transistor 103c is provided in series between a constant current bias transistor 103b that determines an operating current and a differential pair.
  • the gate electrode of the MOS transistor 103c is connected to the second storage section 109 at the node n10. Further, an NMOS transistor 103e is provided in parallel at the output node, and its gate electrode is also connected to the second storage section 109 at the node n10.
  • FIG. 17 is a time chart of an operation example according to the fourth embodiment. The person explaining the basic operation is the same as in Figure 14. Between times t0 and t1a, the potential of the second storage section 109 is higher than the predetermined value, so the PMOS transistor 103c is turned off and no current flows to the determination section 103.
  • the potential of the second storage section 109 is lower than the predetermined value, so the PMOS transistor 103c is turned on, and current flows into the determination section 103. In this way, the supply current during the period when the determination unit 103 is not used can be suppressed, so that the power consumption of the image sensor 250 can be suppressed.
  • the potential of the second storage unit 109 does not become lower than a predetermined value, so the PMOS transistor 103c is turned off during the entire imaging period, and no current flows to the determination unit 103. The state is maintained.
  • the PMOS transistor 103c is provided in series between the constant current bias transistor 103b that determines the operating current of the determination unit 103 and the differential pair, and the gate electrode of the PMOS transistor 103c is connected to the node n10. It was decided to connect to the second storage section 109 of. This makes it possible to suppress the supplied power when the potential of the second storage section 109 is higher than the predetermined potential.
  • the solid-state image sensor 200 according to the fifth embodiment differs from the solid-state image sensor 200 according to the first embodiment in that a comparator 300, a counter 261, and a latch in the column signal processing section 160 are configured for each pixel circuit 250. Then there is a difference. Below, differences from the solid-state imaging device 200 according to the first embodiment will be explained.
  • FIG. 18 is a diagram schematically showing a part of the image sensor 200.
  • a comparator 300, a counter 261, and a latch in the column signal processing section 160 are configured for each pixel circuit 250. Further, the comparator 300 may be shared as the comparator 103a (see FIG. 6). By doing so, it is possible to reduce the circuit scale and realize a small area.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to any type of transportation such as a car, an electric vehicle, a hybrid electric vehicle, a motorcycle, a bicycle, a personal mobility vehicle, an airplane, a drone, a ship, a robot, a construction machine, an agricultural machine (tractor), etc. It may also be realized as a device mounted on the body.
  • FIG. 19 is a block diagram showing a schematic configuration example of a vehicle control system 7000, which is an example of a mobile object control system to which the technology according to the present disclosure can be applied.
  • Vehicle control system 7000 includes multiple electronic control units connected via communication network 7010.
  • the vehicle control system 7000 includes a drive system control unit 7100, a body system control unit 7200, a battery control unit 7300, an outside vehicle information detection unit 7400, an inside vehicle information detection unit 7500, and an integrated control unit 7600. .
  • the communication network 7010 connecting these multiple control units is, for example, CAN (Controller Area Network), LIN (Local Interconnect Network), LAN (Local Area Network), or FlexRay ( Compliant with arbitrary standards such as registered trademark) It may be an in-vehicle communication network.
  • CAN Controller Area Network
  • LIN Local Interconnect Network
  • LAN Local Area Network
  • FlexRay Compliant with arbitrary standards such as registered trademark
  • Each control unit includes a microcomputer that performs calculation processing according to various programs, a storage unit that stores programs executed by the microcomputer or parameters used in various calculations, and a drive circuit that drives various devices to be controlled. Equipped with Each control unit is equipped with a network I/F for communicating with other control units via the communication network 7010, and also communicates with devices or sensors inside and outside the vehicle through wired or wireless communication. A communication I/F is provided for communication. In FIG.
  • the functional configuration of the integrated control unit 7600 includes a microcomputer 7610, a general-purpose communication I/F 7620, a dedicated communication I/F 7630, a positioning section 7640, a beacon receiving section 7650, an in-vehicle device I/F 7660, an audio image output section 7670, An in-vehicle network I/F 7680 and a storage unit 7690 are illustrated.
  • the other control units similarly include a microcomputer, a communication I/F, a storage section, and the like.
  • the drive system control unit 7100 controls the operation of devices related to the drive system of the vehicle according to various programs.
  • the drive system control unit 7100 includes a drive force generation device such as an internal combustion engine or a drive motor that generates drive force for the vehicle, a drive force transmission mechanism that transmits the drive force to wheels, and a drive force transmission mechanism that controls the steering angle of the vehicle. It functions as a control device for a steering mechanism to adjust and a braking device to generate braking force for the vehicle.
  • the drive system control unit 7100 may have a function as a control device such as ABS (Antilock Brake System) or ESC (Electronic Stability Control).
  • a vehicle state detection section 7110 is connected to the drive system control unit 7100.
  • the vehicle state detection unit 7110 includes, for example, a gyro sensor that detects the angular velocity of the axial rotation movement of the vehicle body, an acceleration sensor that detects the acceleration of the vehicle, or an operation amount of an accelerator pedal, an operation amount of a brake pedal, or a steering wheel. At least one sensor for detecting angle, engine rotational speed, wheel rotational speed, etc. is included.
  • the drive system control unit 7100 performs arithmetic processing using signals input from the vehicle state detection section 7110, and controls the internal combustion engine, the drive motor, the electric power steering device, the brake device, and the like.
  • the body system control unit 7200 controls the operations of various devices installed in the vehicle body according to various programs.
  • the body system control unit 7200 functions as a keyless entry system, a smart key system, a power window device, or a control device for various lamps such as a headlamp, a back lamp, a brake lamp, a turn signal, or a fog lamp.
  • radio waves transmitted from a portable device that replaces a key or signals from various switches may be input to the body control unit 7200.
  • the body system control unit 7200 receives input of these radio waves or signals, and controls the door lock device, power window device, lamp, etc. of the vehicle.
  • the battery control unit 7300 controls the secondary battery 7310, which is a power supply source for the drive motor, according to various programs. For example, information such as battery temperature, battery output voltage, or remaining battery capacity is input to the battery control unit 7300 from a battery device including a secondary battery 7310. The battery control unit 7300 performs arithmetic processing using these signals, and controls the temperature adjustment of the secondary battery 7310 or the cooling device provided in the battery device.
  • the external information detection unit 7400 detects information external to the vehicle in which the vehicle control system 7000 is mounted.
  • an imaging section 7410 and an external information detection section 7420 is connected to the vehicle exterior information detection unit 7400.
  • the imaging unit 7410 includes at least one of a ToF (Time of Flight) camera, a stereo camera, a monocular camera, an infrared camera, and other cameras.
  • the vehicle external information detection unit 7420 includes, for example, an environmental sensor for detecting the current weather or weather, or a sensor for detecting other vehicles, obstacles, pedestrians, etc. around the vehicle equipped with the vehicle control system 7000. At least one of the surrounding information detection sensors is included.
  • the environmental sensor may be, for example, at least one of a raindrop sensor that detects rainy weather, a fog sensor that detects fog, a sunlight sensor that detects the degree of sunlight, and a snow sensor that detects snowfall.
  • the surrounding information detection sensor may be at least one of an ultrasonic sensor, a radar device, and a LIDAR (Light Detection and Ranging, Laser Imaging Detection and Ranging) device.
  • the imaging section 7410 and the vehicle external information detection section 7420 may be provided as independent sensors or devices, or may be provided as a device in which a plurality of sensors or devices are integrated.
  • FIG. 20 shows an example of the installation positions of the imaging section 7410 and the vehicle external information detection section 7420.
  • the imaging units 7910, 7912, 7914, 7916, and 7918 are provided, for example, at at least one of the front nose, side mirrors, rear bumper, back door, and upper part of the windshield inside the vehicle 7900.
  • An imaging unit 7910 provided in the front nose and an imaging unit 7918 provided above the windshield inside the vehicle mainly acquire images in front of the vehicle 7900.
  • Imaging units 7912 and 7914 provided in the side mirrors mainly capture images of the sides of the vehicle 7900.
  • An imaging unit 7916 provided in the rear bumper or back door mainly acquires images of the rear of the vehicle 7900.
  • the imaging unit 7918 provided above the windshield inside the vehicle is mainly used to detect preceding vehicles, pedestrians, obstacles, traffic lights, traffic signs, lanes, and the like.
  • FIG. 20 shows an example of the imaging range of each of the imaging units 7910, 7912, 7914, and 7916.
  • Imaging range a indicates the imaging range of imaging unit 7910 provided on the front nose
  • imaging ranges b and c indicate imaging ranges of imaging units 7912 and 7914 provided on the side mirrors, respectively
  • imaging range d is The imaging range of an imaging unit 7916 provided in the rear bumper or back door is shown. For example, by superimposing image data captured by imaging units 7910, 7912, 7914, and 7916, an overhead image of vehicle 7900 viewed from above can be obtained.
  • the external information detection units 7920, 7922, 7924, 7926, 7928, and 7930 provided at the front, rear, sides, corners, and the upper part of the windshield inside the vehicle 7900 may be, for example, ultrasonic sensors or radar devices.
  • the vehicle exterior information detection units 7920, 7926, and 7930 provided at the front nose, rear bumper, back door, and upper part of the windshield inside the vehicle interior of the vehicle 7900 may be, for example, LIDAR devices.
  • These external information detection units 7920 to 7930 are mainly used to detect preceding vehicles, pedestrians, obstacles, and the like.
  • the vehicle exterior information detection unit 7400 causes the imaging unit 7410 to capture an image of the exterior of the vehicle, and receives the captured image data. Further, the vehicle exterior information detection unit 7400 receives detection information from the vehicle exterior information detection section 7420 to which it is connected.
  • the external information detection unit 7420 is an ultrasonic sensor, a radar device, or a LIDAR device
  • the external information detection unit 7400 transmits ultrasonic waves, electromagnetic waves, etc., and receives information on the received reflected waves.
  • the external information detection unit 7400 may perform object detection processing such as a person, car, obstacle, sign, or text on the road surface or distance detection processing based on the received information.
  • the external information detection unit 7400 may perform environment recognition processing to recognize rain, fog, road surface conditions, etc. based on the received information.
  • the vehicle exterior information detection unit 7400 may calculate the distance to the object outside the vehicle based on the received information.
  • the outside-vehicle information detection unit 7400 may perform image recognition processing or distance detection processing for recognizing people, cars, obstacles, signs, characters on the road, etc., based on the received image data.
  • the outside-vehicle information detection unit 7400 performs processing such as distortion correction or alignment on the received image data, and also synthesizes image data captured by different imaging units 7410 to generate an overhead image or a panoramic image. Good too.
  • the outside-vehicle information detection unit 7400 may perform viewpoint conversion processing using image data captured by different imaging units 7410.
  • the in-vehicle information detection unit 7500 detects in-vehicle information.
  • a driver condition detection section 7510 that detects the condition of the driver is connected to the in-vehicle information detection unit 7500.
  • the driver state detection unit 7510 may include a camera that images the driver, a biosensor that detects biometric information of the driver, a microphone that collects audio inside the vehicle, or the like.
  • the biosensor is provided, for example, on a seat surface or a steering wheel, and detects biometric information of a passenger sitting on a seat or a driver holding a steering wheel.
  • the in-vehicle information detection unit 7500 may calculate the degree of fatigue or concentration of the driver based on the detection information input from the driver state detection unit 7510, or determine whether the driver is dozing off. You may.
  • the in-vehicle information detection unit 7500 may perform processing such as noise canceling processing on the collected audio signal.
  • the integrated control unit 7600 controls overall operations within the vehicle control system 7000 according to various programs.
  • An input section 7800 is connected to the integrated control unit 7600.
  • the input unit 7800 is realized by, for example, a device such as a touch panel, a button, a microphone, a switch, or a lever that can be inputted by the passenger.
  • the integrated control unit 7600 may be input with data obtained by voice recognition of voice input through a microphone.
  • the input unit 7800 may be, for example, a remote control device using infrared rays or other radio waves, or an externally connected device such as a mobile phone or a PDA (Personal Digital Assistant) that is compatible with the operation of the vehicle control system 7000. It's okay.
  • the input unit 7800 may be, for example, a camera, in which case the passenger can input information using gestures. Alternatively, data obtained by detecting the movement of a wearable device worn by a passenger may be input. Further, the input section 7800 may include, for example, an input control circuit that generates an input signal based on information input by a passenger or the like using the input section 7800 described above and outputs it to the integrated control unit 7600. By operating this input unit 7800, a passenger or the like inputs various data to the vehicle control system 7000 and instructs processing operations.
  • the storage unit 7690 may include a ROM (Read Only Memory) that stores various programs executed by the microcomputer, and a RAM (Random Access Memory) that stores various parameters, calculation results, sensor values, etc. Furthermore, the storage unit 7690 may be realized by a magnetic storage device such as a HDD (Hard Disc Drive), a semiconductor storage device, an optical storage device, a magneto-optical storage device, or the like.
  • ROM Read Only Memory
  • RAM Random Access Memory
  • the storage unit 7690 may be realized by a magnetic storage device such as a HDD (Hard Disc Drive), a semiconductor storage device, an optical storage device, a magneto-optical storage device, or the like.
  • the general-purpose communication I/F 7620 is a general-purpose communication I/F that mediates communication with various devices existing in the external environment 7750.
  • the general-purpose communication I/F7620 supports GSM (registered trademark) (Global System of Mobile communications), WiMAX (registered trademark), LTE (registered trademark) (Long Term Evolution), or LTE-A (LTE-A).
  • GSM Global System of Mobile communications
  • WiMAX registered trademark
  • LTE registered trademark
  • LTE-A Long Term Evolution
  • LTE-A Long Term Evolution-A
  • cellular communication protocols such as , or other wireless communication protocols such as wireless LAN (also referred to as Wi-Fi (registered trademark)) or Bluetooth (registered trademark).
  • the general-purpose communication I/F 7620 connects to a device (for example, an application server or a control server) existing on an external network (for example, the Internet, a cloud network, or an operator-specific network) via a base station or an access point, for example. You may. Furthermore, the general-purpose communication I/F 7620 uses, for example, P2P (Peer To Peer) technology to communicate with a terminal located near the vehicle (for example, a terminal of a driver, a pedestrian, a store, or an MTC (Machine Type Communication) terminal). You can also connect it with a terminal located near the vehicle (for example, a terminal of a driver, a pedestrian, a store, or an MTC (Machine Type Communication) terminal). You can also connect it with P2P (Peer To Peer) technology to communicate with a terminal located near the vehicle (for example, a terminal of a driver, a pedestrian, a store, or an MTC (Machine Type Communication) terminal). You can also connect it with
  • the dedicated communication I/F 7630 is a communication I/F that supports communication protocols developed for use in vehicles.
  • the dedicated communication I/F 7630 supports WAVE (Wireless Access in Vehicle Environment), which is a combination of lower layer IEEE802.11p and upper layer IEEE1609, and DSRC (Dedicated Short). Standard protocols such as ⁇ Range Communications'' or cellular communication protocols. May be implemented.
  • the dedicated communication I/F 7630 is typically used for vehicle-to-vehicle communication, vehicle-to-infrastructure communication, vehicle-to-home communication, and vehicle-to-vehicle communication. to Pedestrian ) communication, which is a concept that includes one or more of the following:
  • the positioning unit 7640 performs positioning by receiving, for example, a GNSS signal from a GNSS (Global Navigation Satellite System) satellite (for example, a GPS signal from a GPS (Global Positioning System) satellite), and determines the latitude of the vehicle. , longitude and altitude Generate location information including. Note that the positioning unit 7640 may specify the current location by exchanging signals with a wireless access point, or may acquire location information from a terminal such as a mobile phone, PHS, or smartphone that has a positioning function.
  • GNSS Global Navigation Satellite System
  • GPS Global Positioning System
  • the beacon receiving unit 7650 receives, for example, radio waves or electromagnetic waves transmitted from a wireless station installed on the road, and obtains information such as the current location, traffic jams, road closures, or required travel time. Note that the function of the beacon receiving unit 7650 may be included in the dedicated communication I/F 7630 described above.
  • the in-vehicle device I/F 7660 is a communication interface that mediates connections between the microcomputer 7610 and various in-vehicle devices 7760 present in the vehicle.
  • the in-vehicle device I/F 7660 may establish a wireless connection using a wireless communication protocol such as wireless LAN, Bluetooth (registered trademark), NFC (Near Field Communication), or WUSB (Wireless USB).
  • a wireless communication protocol such as wireless LAN, Bluetooth (registered trademark), NFC (Near Field Communication), or WUSB (Wireless USB).
  • USB Universal Serial Bus
  • HDMI registered trademark
  • MHL Mobile
  • the in-vehicle device 7760 may include, for example, at least one of a mobile device or wearable device owned by a passenger, or an information device carried into or attached to the vehicle.
  • the in-vehicle device 7760 may include a navigation device that searches for a route to an arbitrary destination. or exchange data signals.
  • the in-vehicle network I/F 7680 is an interface that mediates communication between the microcomputer 7610 and the communication network 7010.
  • the in-vehicle network I/F 7680 transmits and receives signals and the like in accordance with a predetermined protocol supported by the communication network 7010.
  • the microcomputer 7610 of the integrated control unit 7600 communicates via at least one of a general-purpose communication I/F 7620, a dedicated communication I/F 7630, a positioning section 7640, a beacon reception section 7650, an in-vehicle device I/F 7660, and an in-vehicle network I/F 7680.
  • the vehicle control system 7000 is controlled according to various programs based on the information obtained. For example, the microcomputer 7610 calculates a control target value for a driving force generating device, a steering mechanism, or a braking device based on acquired information inside and outside the vehicle, and outputs a control command to the drive system control unit 7100. Good too.
  • the microcomputer 7610 realizes ADAS (Advanced Driver Assistance System) functions, including vehicle collision avoidance or impact mitigation, following distance based on vehicle distance, vehicle speed maintenance, vehicle collision warning, vehicle lane departure warning, etc. Coordination control may be performed for the purpose of
  • the microcomputer 7610 controls the driving force generating device, steering mechanism, braking device, etc. based on the acquired information about the surroundings of the vehicle, so that the microcomputer 7610 can drive the vehicle autonomously without depending on the driver's operation. Cooperative control for the purpose of driving etc. may also be performed.
  • ADAS Advanced Driver Assistance System
  • the microcomputer 7610 acquires information through at least one of a general-purpose communication I/F 7620, a dedicated communication I/F 7630, a positioning section 7640, a beacon reception section 7650, an in-vehicle device I/F 7660, and an in-vehicle network I/F 7680. Based on this, three-dimensional distance information between the vehicle and surrounding objects such as structures and people may be generated, and local map information including surrounding information of the current position of the vehicle may be generated. Furthermore, the microcomputer 7610 may predict dangers such as a vehicle collision, a pedestrian approaching, or entering a closed road, based on the acquired information, and generate a warning signal.
  • the warning signal may be, for example, a signal for generating a warning sound or lighting a warning lamp.
  • the audio and image output unit 7670 transmits an output signal of at least one of audio and images to an output device that can visually or audibly notify information to the occupants of the vehicle or to the outside of the vehicle.
  • an audio speaker 7710, a display section 7720, and an instrument panel 7730 are illustrated as output devices.
  • Display unit 7720 may include, for example, at least one of an on-board display and a head-up display.
  • the display section 7720 may have an AR (Augmented Reality) display function.
  • the output device may be other devices other than these devices, such as headphones, a wearable device such as a glasses-type display worn by the passenger, a projector, or a lamp.
  • the output device When the output device is a display device, the display device displays results obtained from various processes performed by the microcomputer 7610 or information received from other control units in various formats such as text, images, tables, graphs, etc. Show it visually. Further, when the output device is an audio output device, the audio output device converts an audio signal consisting of reproduced audio data or acoustic data into an analog signal and audibly outputs the analog signal.
  • control unit 7010 may be integrated as one control unit.
  • each control unit may be composed of a plurality of control units.
  • vehicle control system 7000 may include another control unit not shown.
  • some or all of the functions performed by one of the control units may be provided to another control unit.
  • predetermined arithmetic processing may be performed by any one of the control units.
  • sensors or devices connected to any control unit may be connected to other control units, and multiple control units may send and receive detection information to and from each other via communication network 7010. .
  • a computer program for realizing each function of the solid-state imaging device 1 according to the present embodiment described using FIG. 1 can be implemented in any control unit or the like. It is also possible to provide a computer-readable recording medium in which such a computer program is stored.
  • the recording medium is, for example, a magnetic disk, an optical disk, a magneto-optical disk, a flash memory, or the like.
  • the above computer program may be distributed, for example, via a network, without using a recording medium.
  • the solid-state imaging device 1 according to the present embodiment described using FIG. 1 can be applied to the imaging section 7410 of the application example shown in FIG. 19.
  • the dynamic range of the imaging unit 7410 can be expanded.
  • a photoelectric conversion unit that generates a charge according to the amount of received light
  • a first electricity storage unit connected to the photoelectric conversion unit via a first node
  • a comparator that outputs a first signal when the potential of the first node matches a predetermined potential
  • a reset unit that sets the first node to a reset potential in response to the first signal
  • a counting section that counts and outputs the first signal
  • the reset section includes a reset transistor connected between the first node and a power supply section,
  • the comparator maintains the output of the first signal when the potential of the first node exceeds the predetermined potential to a lower potential side,
  • the reset unit makes the reset transistor conductive while the first signal is being output,
  • the solid-state imaging device further comprising:
  • a plurality of potentials are applied to the first node with different speeds at which the potential changes in time series, and a plurality of the predetermined coefficients are generated based on the plurality of digital signals.
  • the first power storage unit is connected to the first node via a second transistor, In a first period of the second mode, the second transistor is in a first conduction state;
  • the second transistor In the first mode, the second transistor is in a more conductive state than the first state while outputting the first signal, and becomes non-conductive when outputting the first signal stops;
  • Imaging device 101: Photoelectric conversion unit, 102: First storage unit, Comparator 103a, 104: Reset unit, 104a: Reset transistor, 105: Count unit, 107: Transfer transistor, 109: Second storage unit Electrical section, 115: Capacitive connection transistor, 200: Solid-state image sensor, 260: Readout circuit, 280: Signal processing section.

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Abstract

[課題]ダイナミックレンジを拡大すると共に、光電変換された少量電荷をも画像信号に変換可能な固体撮像素子、および、撮像装置を提供する。 [解決手段]本開示によれば、受光量に応じた電荷を生成する光電変換部と、第1ノードを介して前記光電変換部に接続される第1電荷保持部と、前記第1ノードと、所定電位とが一致したときに第1信号を出力する比較器と前記第1信号に応じて前記第1ノードをリセット電位にするリセット部と、前記第1信号をカウントして出力するカウント部と、を備え、第1モードでは、前記第1ノードに印加される前記リセット電位が時系列に変化する、固体撮像素子。

Description

固体撮像素子、および、撮像装置
 本開示は、固体撮像素子、および、撮像装置に関する。
 固体撮像素子において、光電変換部の電荷を蓄積する蓄積容量によらずダイナミックレンジを拡大する方法が一般に知られている。このダイナミックレンジを拡大する方法では、光電変換された電荷量が閾値をこえる回数をカウントすることによりダイナミックレンジを拡大する。
 ところが、閾値をこえない電荷は、信号電荷として検出されないため、低照度になるに従い、信号が劣化してしまう。また、閾値は、画素回路毎にばらつきが生じる恐れがある。
特開2021-114742公報
 そこで、本開示では、ダイナミックレンジを拡大すると共に、光電変換された少量電荷をも画像信号に変換可能な固体撮像素子、および、撮像装置を提供する。
 上記の課題を解決するために、本開示によれば、
 受光量に応じた電荷を生成する光電変換部と、
 第1ノードを介して前記光電変換部に接続される第1電荷保持部と、
 前記第1ノードの電位と、所定電位とが一致したときに第1信号を出力する比較器と
 前記第1信号に応じて前記第1ノードをリセット電位にするリセット部と、
 前記第1信号をカウントして出力するカウント部と、を備え、
 第1モードでは、前記第1ノードに印加される前記リセット電位が時系列に変化する、固体撮像素子が提供される。
 第2モードでは、固定値の前記リセット電位を印加してもよい。
 前記リセット部は、前記第1ノードと電源部との間に接続されるリセットトランジスタで構成され、
 前記比較器は、前記第1ノードの電位が前記所定電位を低電位側に越えた場合に前記第1信号の出力を維持し、
 前記リセット部は前記第1信号の出力中は前記リセットトランジスタを導通状態にし、
 前記第1モードでは、前記電源部の電位を前記所定電位よりも前記低電位側から前記所定電位を越えるように上昇させてもよい。
 前記第1ノードの電位を読み出す読出回路を更に備えてもよい。
 前記読出回路から供給されるアナログ信号に基づきデジタル信号を生成するアナログデジタル変換部と、
 前記カウントと、前記デジタル信号と、所定の係数とに基づき、前記光電変換部が生成した電荷量に応じた画像信号を生成する信号処理部と、
 を更に備えてもよい。
 前記信号処理部は、前記第1モードで得られた前記デジタル信号に基づき、前記所定の係数の値を変更してもよい。
 前記第1モードでは、前記第1ノードに印加される電位が時系列に変化する速度が異なる複数の電位が印可され、複数の前記デジタル信号に基づき、複数の前記所定の係数が生成される、
 前記第2モードでは、前記信号処理部は、複数の前記デジタル信号に基づき、前記所定の係数の値を変更してもよい。
 前記第2モードでは、前記信号処理部は、前記カウントに応じて前記所定の係数の値を変更してもよい。
 前記第1ノードに、前記第1電荷保持部と並列に接続される第2電荷保持部を更に備えてもよい。
 前記第1電荷保持部は第2トランジスタ介して、前記第1ノードに接続され、
 前記第2モードの第1期間では前記第2トランジスタの導通状態を第1状態とし、
 前記第2電荷保持部に蓄積される前記電荷が所定の容量を超える場合に、前記第1電荷保持部に前記電荷が蓄積されてもよい。
 前記第1モードでは、前記第2トランジスタは、前記第1信号の出力中は前記第1状態よりもより導電性の高い状態となり、前記第1信号の出力が停止すると、非導通状態となり、
 前記第2モードにおいて前記信号処理部は、前記第1モードの前記非導通状態で得られた前記デジタル信号に基づき、前記所定の係数の値を変更してもよい。
 前記第2電荷保持部の電位に応じて、前記比較器に供給される電流を制御してもよい。
 上記の課題を解決するために、本開示によれば、
 固体撮像素子と、
 光学系と、
 を備える固体撮像装置が提供される。
本技術の第1の実施の形態における撮像装置の一構成例を示すブロック図。 本実施形態における固体撮像素子の一構成例を示すブロック図。 画素回路と処理回路の接続を模式的に示す図。 第1基板と第2基板との構成例を示す図。 画素回路の構成例を示すブロック図。 画素回路の回路構成例を示す図。 本技術の第1の実施の形態における読み出し回路の一構成例を示すブロック図。 本実施形態に係る通常モードの動作例のタイムチャート。 露光中に光量が急激に変化した場合の動作例のタイムチャート。 本実施形態に係る校正モードの動作例のタイムチャート。 第2実施形態に係る校正モードの動作例のタイムチャート。 第2実施形態に係る画素回路の構成例を示すブロック図。 第3実施形態に係る画素回路の回路構成例を示す図。 第3実施形態に係る動作例のタイムチャート。 第3実施形態に係る校正モードの動作例のタイムチャート。 第4実施形態に係る画素回路の構成例を示す図。 第4実施形態に係る動作例のタイムチャート。 図18は、撮像素子の一部を模式的に示す図。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
 以下、図面を参照して、固体撮像素子、および、撮像装置の実施形態について説明する。以下では、固体撮像素子、および、撮像装置の主要な構成部分を中心に説明するが固体撮像素子、および、撮像装置には、図示又は説明されていない構成部分や機能が存在しうる。以下の説明は、図示又は説明されていない構成部分や機能を除外するものではない。
(第1実施形態)
 図1は、本技術の第1の実施の形態における撮像装置1の一構成例を示すブロック図である。この撮像装置1は、画像データを撮像するための装置であり、光学部110、固体撮像素子200およびDSP(Digital Signal Processing)回路120を備える。さらに撮像装置1は、表示部130、操作部140、バス150、フレームメモリ160、記憶部170および電源部180を備える。撮像装置1としては、スマートフォンに搭載されるカメラや、車載カメラなどが想定される。
 光学部110は、被写体からの光を集光して固体撮像素子200に導くものである。固体撮像素子200は、光電変換により画像データを生成するものである。この固体撮像素子200は、生成した画像データをDSP回路120に信号線209を介して供給する。光学部110は、例えば複数のレンズで構成され、光学系を構成する。
 DSP回路120は、画像データに対して所定の信号処理を実行するものである。このDSP回路120は、処理後の画像データを、バス150を介してフレームメモリ160などに出力する。
 表示部130は、画像データを表示するものである。表示部130としては、例えば、液晶パネルや有機EL(Electro Luminescence)パネルが想定される。操作部140は、ユーザの操作に従って操作信号を生成するものである。
 バス150は、光学部110、固体撮像素子200、DSP回路120、表示部130、操作部140、フレームメモリ160、記憶部170および電源部180が互いにデータをやりとりするための共通の経路である。
 フレームメモリ160は、画像データを保持するものである。記憶部170は、画像データなどの様々なデータを記憶するものである。電源部180は、固体撮像素子200、DSP回路120や表示部130などに電源を供給するものである。
[固体撮像素子の構成例]
 図2は、本実施形態における固体撮像素子200の一構成例を示すブロック図である。図3は、画素回路と処理回路の接続を模式的に示す図である。
 図2、及び図3に示すように、この固体撮像素子200は、垂直走査回路210、タイミング制御部220、DAC(Digital to Analog Converter)230、画素アレイ部240、読み出し回路260、水平走査回路270、および信号処理部280、を備える。画素アレイ部240には、複数の画素回路250が二次元格子状に配列される。
 垂直走査回路210は、画素アレイ部240内の行を順に選択して駆動するものである。タイミング制御部220は、垂直同期信号VSYNCに同期して、垂直走査回路210、DAC230、読み出し回路260および水平走査回路270の動作タイミングを制御する。
 DAC230は、のこぎり波状のランプ信号を生成し、参照信号として読み出し回路260に供給するものである。
 画素回路250は、垂直走査回路210の制御に従って、光電変換を行う回路である。画素回路250は、光電変換された電荷量が閾値をこえる回数をカウントし、水平信号線Lshを介して、信号処理部120にカウント数を含むデジタル信号を出力する。また、画素100は、残存電荷に関するアナログ残存電荷信号を、垂直信号線Lsvを介して読み出し回路260にアナログ画素信号を出力する。
 読み出し回路260には、画素回路250の列ごとにADC(図3参照)が配置される。ADCのそれぞれは、対応する列の画素信号をデジタル信号に変換し、水平走査回路270の制御に従って信号処理部280に出力する。水平走査回路270は、読み出し回路260を制御して、デジタル信号を順に出力させる。なお、本実施形態では読出回路260を読み出し回路260と記する場合がある。
 信号処理部280は、画素アレイ部240内の各画素100のカウンタ値と、読み出し回路260から供給される各画素100の残存電荷信号値と、を用いて各画素100の画像信号値を生成する。信号処理部280は、DSP回路120に各画素100の画像信号値を出力する。
 図4は、第1基板と第2基板との構成例を示す図である。図4に示すように第1基板200aと第2基板200bとは積層構造である。また、第1基板200aと第2基板200bとは例えばCu-Cu配線で接続される。接続は、ビアやバンプなどの接続部により行われてもよい。
[画素回路の構成例]
 図5及び図6を用いて、本実施形態における画素回路250の構成例を説明する。図5は、画素回路250の構成例を示すブロック図である。画素回路250は、光電変換部101と、第1の蓄積部102と、判定部103と、リセット部104と、カウント部105と、増幅部106とを有する。また、信号処理部280は、メモリ282と、演算部284とを有する。
 図5に示すように、光電変換部101と、第1の蓄積部102と、リセット部104と、増幅部106とは、第1基板200a(図4参照)に構成される。一方で、判定部103と、カウント部105と、増幅部106と、読み出し回路260と、信号処理部280とは、第2基板200bに構成される。これにより、撮像素子200をより小型化にすることが可能となる。
 光電変換部101は、受光した光に応じた電荷を生成する。光電変換部101は、所定の静電容量を有する。第1の蓄積部102は、光電変換部101所定の静電容量を越えた電荷を蓄積する。
 判定部103は、第1の蓄積部102の電位が所定の値になったか否かを判定し、所定の値になった場合に、第1信号をリセット部104と、カウント部105とに出力する。リセット部104は、第1信号に応じて、第1の蓄積部102をリセットし、第1の蓄積部102の蓄積電荷を排出する。
 カウント部105は、第1信号が入力する回数をカウントし、信号処理部280のメモリ282に出力する。メモリ282では、各画素回路250の座標に応じた記憶領域にカウンタ数を記憶する。なお、カウント部105のリセット後の初期値は0である。
 増幅部106は、リセットされずに残った第1の蓄積部102の残留電荷に応じたアナログ残留電荷信号を読み出し回路260に出力する。
 このように、光電変換部101に生成された電荷が第1の蓄積部102に蓄積され、所定の電位であると判定部103が判定すると、第1の蓄積部102のリセット動作が行われる。これをカウント部105は1カウントとする。第1の蓄積部102は、再度の蓄積を開始する。このような処理を蓄積期間に繰り返す。
 そして、増幅部106は、蓄積期間の終了後に、第1の蓄積部102に蓄積された残留電荷に応じたアナログ残留電荷信号を読み出し回路260に出力する。読み出し回路260は、アナログ残留電荷に応じたデジタル信号Saを、信号処理部280のメモリ282に出力する。メモリ282では、各画素回路250の座標に応じた記憶領域にデジタル信号Saを記憶する。
 第1の蓄積部102に蓄積されたリセット時の電位と蓄積電荷量は予め対応づけられている。これにより、蓄積期間中に発生した電荷量は[第一蓄積部の蓄積電荷量]×[リセット回数]となる。さらに読み出し期間に第一の蓄積部で残留した電荷に応じたアナログ残留電荷信号は、読み出し回路260に出力される。これにより、最終的な生成電荷量は[第一蓄積部の蓄積電荷量]×[リセット回数]+[残留電荷量]となる。
 信号処理部280の演算部280bは、[第一蓄積部の蓄積電荷量]×[リセット回数]に対応する第1画像信号をK1×[リセット回数]として演算し、[残留電荷量]に対応する第2画像信号をK2×[デジタル信号Saの値]として演算する。すなわち、信号処理部280の演算部280bは、画素回路250の画像信号G(x、y)として、K1×[リセット回数]+K2×[デジタル信号Saの値]を演算し、メモリ282に出力する。K1、K2はディメンジョンを合わせる任意の係数である。座標(x、y)は、画素回路250の位置座標であり、画素アレイ部240の読み出し行、及び読み出し列に対応している。
 メモリ282では、各画素回路250の座標(x、y)に応じた記憶領域に画像信号G(x、y)を記憶する。そして、メモリ282では、各画素回路250の座標に応じた画像信号G(x、y)を画像データとしてDSP回路120に出力する。
 図6は、画素回路250の回路構成例を示す図である。光電変換部101は、光電変換素子101aを含んで構成され、第1の蓄積部102は、第1の畜電部102を含んで構成される。第1の畜電部102は、例えばフローティングディフュージョン(FD)である。図6では、更に第1基板(図4参照)に構成される回路構成と、第2基板(図4参照)に構成される回路構成と、を図示している。なお、本実施形態に係る第1の蓄積部102が第1電荷保持部に対応する。
 また、判定部103は、コンパレータ103aを含んで構成され、リセット部104は、リセットトランジスタ104a含んで構成され、カウント部105は、カウンタ105aを含んで構成される。更にまた、増幅部106は、増幅トランジスタ106aと、選択トランジスタ106bとを有する。すなわち、図6に示すように、画素回路250は、光電変換素子101a、第1の畜電部102、コンパレータ103a、リセットトランジスタ104a、カウンタ105a、増幅トランジスタ106a、選択トランジスタ106b、転送トランジスタ107及び増幅器108を有する。
 リセットトランジスタ104a、増幅トランジスタ106a、選択トランジスタ106b、及び転送トランジスタ107は、例えばNチャンネルのMOSトランジスタから構成される。そして、これらのゲート電極には、駆動信号TG、RST、SELが供給される。これらの駆動信号は、高レベルの状態がアクティブ状態(オンの状態)となり、低レベルの状態が非アクティブ状態(オフの状態)となるパルス信号である。
 図6に示すように、光電変換素子101aは、例えばPN接合のフォトダイオードからなり、被写体からの光を受光して、その受光量に応じた電荷を光電変換により生成し、蓄積する。
 転送トランジスタ107は、光電変換素子101aとノードn10を介して第1の畜電部102との間に接続される。転送トランジスタ107のゲート電極に印加される駆動信号TGに応じて、光電変換素子101aに蓄積されている残留電荷を第1の畜電部102に転送する。なお、本実施形態では、電荷の蓄積中には、駆動信号TGを低レベルの状態として駆動するが、蓄積電荷は転送トランジスタ107を介して漏れ電荷として第1の畜電部102に蓄積される。
 コンパレータ103aは、ノードn10に入力端子が接続され、出力端子がノードn12を介してリセットトランジスタ104aのゲート電極に接続される。コンパレータ103aは、ノードn10の電位が所定の閾値電位Vthを下側に越えると第1信号を出力する。この第1信号は高レベル信号であるが、第1の畜電部102がリセットされると低レベル信号となるので、パルス状の信号となる。
 リセットトランジスタ104aは、第1の畜電部102を適宜初期化(リセット)する素子であり、ドレインが変圧電源VRSに接続され、ソースがノードn10を介して第1の畜電部102に接続される。リセットトランジスタ104aのゲート電極には、第1信号が駆動信号RSTとして印加される。駆動信号RSTが印可されると、リセットトランジスタ104aは導通状態となり、ノードn10の電位は変圧電源VRSの電位レベルにリセットされる。なお、変圧電源VRSの電位は、後述する「通常モードの動作」時には定電位として電源電位VDDとなる。一方で、後述する「校正モードの動作」時には、変圧電源VRSの電位は時系列に変化する。また、本実施形態に係る変圧電源VRSの電位がリセット電位に対応する。
 カウンタ105aの入力端子は、ノードn12を介してコンパレータ103aの出力端子に接続され、出力端子は信号処理部120に接続される。カウンタ105aは、第1信号が入力する度にカウンタに1を加算し、信号処理部280に出力する。
 増幅トランジスタ106aは、ゲート電極がノードn10を介して第1の畜電部102に接続され、ドレインが電源電位VDDの電源に接続されており、第1の畜電部102及び光電変換部101の残留電荷を読み出すソースフォロワ回路の入力部となる。すなわち、増幅トランジスタ106aは、ソースが選択トランジスタ106bを介して垂直信号線Lsvに接続されることにより、垂直信号線Lsvの一端に接続される定電流源106cとソースフォロワ回路を構成する。
 選択トランジスタ106bは、増幅トランジスタ106aのソースと垂直信号線との間に接続されており、選択トランジスタ106bのゲート電極には、選択信号として駆動信号SELが供給される。駆動信号SELがアクティブ状態とされると、選択トランジスタ106aは導通状態となって選択トランジスタ106aが設けられている画素が選択状態とされる。画素が選択状態とされると、増幅トランジスタ106aから出力される信号が垂直信号線Lsvを介して読み出し回路260に読み出される。
 増幅回路108は、初期化信号SHTをノードn12に供給する。初期化信号SHTをカウンタ105が受信するとカウンタ値が0に初期化される。また、各画素250では、複数の駆動線が例えば画素行ごとに配線される。そして、垂直走査回路210から画素駆動線としての複数の駆動線を通して画素内に駆動信号TRG、RST、SEL、SHTが供給される。
[カラム信号処理部の構成例]
 図7は、本技術の第1の実施の形態における読み出し回路260の一構成例を示すブロック図である。この読み出し回路260には、比較器300、カウンタ261およびラッチ262が列ごとに配置される。列数がN(Nは、整数)である場合には、比較器300、カウンタ261およびラッチ262は、N個ずつ配置される。なお、本実施形態に係る一組の比較器300、カウンタ261およびラッチ262がADCに対応する。
 比較器300は、DAC230からの参照信号と、対応する列からの画素信号とを比較するものである。参照信号の電位を以下、参照電位VRMPとし、画素信号を伝送する垂直信号線259の電位を以下、入力電位VVSLとする。この比較器300は、比較結果を示す出力信号VCOを、対応する列のカウンタ261に供給する。
 また、画素回路250が初期化されたときの画素信号のレベル(すなわち、入力電位VVSL)を、例えば「Vrレベル」と称し、光電変換素子101aに蓄積されている残留電荷がノードn10に転送されたときの画素信号のレベルを、例えば「Vsレベル」と称する。すなわち、本実施形態では、比較基準となるレベルを「Vrレベル」と称し、比較対象となるレベルを「Vsレベル」と称する場合がある。
 また、比較基準となるレベル及び比較対象となるレベルの双方に残留電荷(アナログの画像信号に対応する)に関する情報が含まれる場合をCDS(Correlated Double Sampling)駆動と称する場合がある。一方で、比較基準となるレベル及び比較対象となるレベルの少なくとも一方に残留電荷(アナログの画像信号に対応する)に関する情報が含まれない場合の駆動例をDDS(Double Data Sampling)駆動と称する場合がある。一般に、CDS駆動の方が、DDS駆動よりもデジタル変換後のデジタル信号のSN比がより良くなる傾向を示す。
 カウンタ261は、出力信号VCOが反転するまでの期間に亘って計数値を計数するものである。このカウンタ261は、例えば、リセットレベルに対応する出力信号VCOが反転するまでの期間に亘ってダウンカウントし、信号レベルに対応する出力信号VCOが反転するまでの期間に亘ってアップカウントする。これにより、例えばVrレベルとVsレベルとの差分を求める処理が実現される。
 そして、カウンタ261は、計数値を示すデジタル信号をラッチ262に保持させる。比較器300およびカウンタ261により、アナログの画素信号をデジタル信号に変換するAD変換処理が実現される。すなわち、比較器300およびカウンタ261は、ADCとして機能する。このように比較器およびカウンタを用いるADCは、一般に、シングルスロープ型のADCと呼ばれる。ラッチ262は、デジタル信号を保持するものである。このラッチ262は、水平走査回路270の制御に従って、保持したデジタル信号を出力する。
 本実施形態に係る固体撮像素子200は、通常撮影モードと、校正モードとを有する。通常撮影モードは、露光期間と読み出し期間を有し、通常の撮影を行うモードである。一方で校正モードは、通常の撮影の前に、各画素回路の特性ばらつきを校正するための情報を取得するモードである。本実施形態では、校正判定部103内のトランジスタの製造ばらつきなどによって、画素毎に反転閾値がばらつくため、その閾値を知るために校正モードを使用する。各モードは、操作部(140)を介した指示入力にしたがい設定される。各モードでは、垂直走査回路210を介して各画素回路250に供給される駆動信号がモード毎に変更される。
[通常モードの動作例]
 図8は、本実施形態に係る通常モードの動作例のタイムチャートである。A図は、高照射でカウンタ105aが1回以上カウントする状態例であり、B図は、低照射でカウンタ105aがカウントされない状態例である。横軸は時間を示し、縦軸は、駆動信号EXP、RST、TG、光電変換素子101aの蓄積電荷L10、第1の蓄積部102の電位L16を示す。ラインL10は、光電変換素子101aの容量内の電荷を示す。ラインL12は、光電変換素子101aの生成電荷量を示す。駆動信号EXPは、高レベルが電荷の蓄積期間を示し、低レベルが読み出し期間を示す。
 A図に示すように、高照射状態では、時間t0で、駆動信号RST、TGが高レベルとなり、光電変換素子101a、及び第1の蓄積部102が初期化される。すなわち、ノードn10の電位が電源電位VDDとなる。
 続けて、時間t1で駆動信号RST、TGが低レベルとなり、駆動信号EXPが高レベルとなる。これにより、光電変換素子101aで生成された電荷が容量を超え、第1の蓄積部102へ蓄積される。そして、時間t1で第1の蓄積部102のノードn10の電位が低下を開始する。そして、時間t2でコンパレータ103aの閾値電位Vthに1回目に到達する。これによりコンパレータ103aが第1信号を出力し、カウンタ105aがカウント値を1プラスする。同時に、駆動信号RSTである第1信号が高レベルであるので、リセットトランジスタ104aが導通状態となり、第1の蓄積部102のノードn10の電位が電源電位VDDにリセットされる。
 このような処理をくり返し、時間t6で駆動信号EXPが低レベルとなり読み出し期間が開始される。続けて時間t7で、駆動信号TGが高レベルとなり、光電変換素子101aの蓄積電荷が第1の蓄積部102に転送され、ノードn10の電位は残量電荷の電位に対応する。そして、時間t8で、駆動信号RSTが高レベルとなり、1の蓄積部102のノードn10の電位が電源電位VDDにリセットされる。
 また、時間t7からt8の間に、Vsレベルとして残留電荷に対応するアナログ信号電位が読み出し回路260に出力される。一方で、時間t8からt9の間に、Vrレベルとして暗電流に対応するアナログ信号電位が読み出し回路260に出力される。これにより、読み出し回路260は、Vsレベルに対応する電位と、Vrレベルに対応する電位の差分をデジタル信号Saに変換し、信号処理部280に出力する。
 そして、信号処理部280の演算部280bは、画素回路250の画像信号G(x、y)として、K1×[リセット回数:2回]+K2×[デジタル信号Saの値]を演算し、メモリ282に出力する。メモリ282では、各画素回路250の座標(x、y)に応じた記憶領域に画像信号G(x、y)を記憶する。そして、メモリ282では、各画素回路250(x、y)の座標に応じた画像信号G(x、y)を画像データとしてDSP回路120に出力する。
 一方でB図に示すように、低照射状態では、時間t0で、駆動信号RST、TGが高レベルとなり、光電変換素子101a、及び第1の蓄積部102が初期化される。すなわち、ノードn10の電位が電源電位VDDとなる。
 続けて、時間t1で駆動信号RST、TGが低レベルとなり、駆動信号EXPが高レベルとなる。これにより、光電変換素子101aで電荷が生成され、電荷量L18は増加を継続するが、光電変換素子101a内の容量内に生成された電荷量が維持される。
 時間t6で駆動信号EXPが低レベルとなり読み出し期間が開始される。続けて時間t7で、駆動信号TGが高レベルとなり、光電変換素子101aの蓄積電荷が第1の蓄積部102に転送され、ノードn10の電位は残量電荷の電位に対応する。そして、時間t8で、駆動信号RSTが高レベルとなり、1の蓄積部102のノードn10の電位が電源電位VDDにリセットされる。
 また、時間t7からt8の間に、Vsレベルとして残留電荷に対応するアナログ信号電位が読み出し回路260に出力される。一方で、時間t8からt9の間に、Vrレベルとして暗電流に対応するアナログ信号電位が読み出し回路260に出力される。これにより、読み出し回路260は、Vsレベルに対応する電位と、Vrレベルに対応する電位の差分をデジタル信号Saに変換し、信号処理部280に出力する。
 そして、信号処理部280の演算部280bは、画素回路250の画像信号G(x、y)として、K1×[リセット回数:0回]+K2×[デジタル信号Saの値]を演算し、メモリ282に出力する。メモリ282では、各画素回路250の座標(x、y)に応じた記憶領域に画像信号G(x、y)を記憶する。そして、メモリ282では、各画素回路250の座標(x、y)に応じた画像信号G(x、y)を画像データとしてDSP回路120に出力する。
 図9は、露光中に光量が急激に変化した場合の動作例のタイムチャートである。図9は、光量が急激に変化した場合を除き図8と同等の図である。A図は、高照射でカウンタ105aが3回カウントした例である。このように、露光中に光量が増えた場合はリセットの回数が増え、それをそのままカウントする方式である。このため、露光中に光量が一定であった場合も、変化した場合も、それに追従してリセット・カウントの動作を行うため、予測外れによる誤信号となる恐れはないものである。すなわち、信号処理部280の演算部280bは、画素回路250の画像信号G(x、y)として、K1×[リセット回数:3回]+K2×[デジタル信号Saの値]と演算し、メモリ282に出力する。
[校正モードの動作例]
 図10は、本実施形態に係る校正モードの動作例のタイムチャートである。横軸は時間を示し、縦軸は、駆動信号EXP、RST、変圧電源VRSの電位L18、第1の蓄積部102の電位L20を示す。
 上述のように、コンパレータ103aは、ノードn10(図6参照)の電位が閾値電位Vthを下側に越えるまで低レベルの第1信号を出力し、閾値電位Vthを下側に越えると高レベルの第1信号を出力する。また、リセットトランジスタ104aは、第1信号が高レベルの場合に、高レベル信号を出力する。なお、ノードn10(図6参照)の電位は、第1畜電部102に対応する。
 図10に示すように、時間t0で変圧電源VRSの電位L18の増加を開始する。開始時のノードn10の電位は閾値電位Vthを下側に越えた状態であるので、第1信号は高レベルであり、駆動信号RSTは高レベルとなる。駆動信号RSTが高レベルであるので、リセットトランジスタ104aは、導通状態を維持する。
 更に変圧電源VRSの電位L18の増加を継続すると、時間t1でノードn10の電位は閾値電位Vthを上側に越える状態となる。このため、第1信号は低レベルに変わり、駆動信号RSTは低レベルとなる。これにより、リセットトランジスタ104aは、非導通状態となる。その後、変圧電源VRSの電位L18の増加は継続されるが、リセットトランジスタ104aが非導通状態となるので、ノードn10の電位は閾値電位Vthの状態で維持される。
 そして、時間t2で読み出し期間となる。読み出し期間では、変圧電源VRSの電位L18は、電源電位VDDに維持される。そして、時間t3で、増幅回路108(図6参照)の出力信号SHTにより駆動信号RSTが高レベル信号となり、ノードn10(図6参照)の電位が電源電位VDDに初期化される。
 このとき、時間t2とt3の間で、閾値電位Vthに対応するノードn10の電位がVsレベルとして読み出し回路260に読み出される。一方で、時間t4とt5の間で、電源電位VDDに対応するノードn10の電位がVrレベルとして読み出し回路260に読み出される。これにより、Vsレベルの電位とVrレベルの電位の差分が、この画素250の閾値電位Vthとして生成される。メモリ280は、画素回路250の座標(x、y)毎に閾値電位Vthを記憶する。第1畜電部102の容量は、既知であるので閾値電位Vthと第1畜電部102の容量の情報から、カウンタ105の1カウントに対応する残留電荷量を正確に算出することが可能となる。これにより、係数K1を校正し、画素回路250の座標(x、y)毎にK1(x、y)として記憶する。すなわち、画素回路250の画像信号G(x、y)を、K1(x、y)×[リセット回数]+K2×[デジタル信号Saの値]としてより正確に演算することが可能となる。
 以上説明したように、本実施形態によれば、通常モードでは、光電変換素子101aで生成された電荷が第1の蓄積部102に蓄積され、コンパレータ103aが所定の閾値電位Vthになる度に第1信号を出力し、第1の蓄積部102をリセットすると共に、カウンタ105aがカウント値を1プラスする。これにより、電変換素子101aで生成された電荷が第1の蓄積部102のコンデンサを超える場合にも、第1の蓄積部102への電荷の蓄積を継続することが可能となると共に、カウント値により光電変換素子101aで生成された電荷量も算出することが可能となる。更に、電変換素子101aと第1の蓄積部102の残留電荷は、増幅部106によりアナログ電位として読み出し回路260に読み出され、デジタル値に変換される。このように、高照射でもダイナミックレンジが飽和することがなく、残留電荷を含めた画像信号を生成できる。
 また、通常モードでは、低照射で第1の蓄積部102の容量を一度も越えることがない場合にも、電変換素子101aと第1の蓄積部102の残留電荷は、増幅部106によりアナログ電位として読み出し回路260に読み出され、デジタル値に変換される。これにより、低照射で第1の蓄積部102の容量を一度も越えることがない場合にも、残留電荷を含めた画像信号を生成できる。
 更に校正モードでは、変圧電源VRSの電位L18を閾値電位Vthの下側から増加させることとした。これにより、変圧電源VRSの電位L18の増加を継続すると、ノードn10の電位は閾値電位Vthを上側に越える状態となり、リセットトランジスタ104aは、非導通状態となり、ノードn10の電位は閾値電位Vthの状態で維持される。このため、画素回路250毎の閾値電位Vthの情報を得ることが可能となり、係数K1を校正し、画素回路250の座標(x、y)毎にK1(x、y)として記憶することができる。これにより、画素回路250の画像信号G(x、y)を、K1(x、y)×[リセット回数]+K2×[デジタル信号Saの値]としてより正確に演算することが可能となる。
(第2実施形態)
 第2実施形態に係る固体撮像素子200では、変圧電源VRSの電位変化の傾きを複数回変更して、校正モードを実行する点で第1実施形態に係る固体撮像素子200と相違すると相違する。以下では、第1実施形態に係る固体撮像素子200と相違する点を説明する。
[校正モードの動作例]
 図11は、本実施形態に係る校正モードの動作例のタイムチャートである。横軸は時間を示し、縦軸は、駆動信号EXP、RST、変圧電源VRSの電位L22、24、第1の蓄積部102の電位L26、L28を示す。電位L22及び電位L26は、電位L24及び電位L28よりも電位変化の傾きが大きい状態を示す。
 コンパレータ103aの動作遅延などの特性により、第1の蓄積部102の電位変化の傾きが変わると判定閾値が変わる場合がある。それに備えて、校正データ取得モードにおいて、変圧電源VRSのスイープ傾きを変えて複数回校正データを取得する。
 カウンタ105aのカウント値が小さい場合には低光量であり第1の蓄積部の電位変化の傾きが小さくなるので、校正データも傾きが小さい方の値を使用することが可能である。一方で、カウント値が大きい場合には高光量であるので傾きが大きい方の校正データをことが可能である。これにより、信号処理部280は、第1の蓄積部102の電位の傾き変化による判定閾値の変動にも追従することが可能となる。なお、信号処理部280は、カウント値に応じて、内挿又は外挿により、校正データを生成してもよい。
(第3実施形態)
 第3実施形態に係る固体撮像素子200では、第2の畜電部を更に備える点第1実施形態に係る固体撮像素子200と相違すると相違する。以下では、第1実施形態に係る固体撮像素子200と相違する点を説明する。
[画素回路の構成例]
 図12及び図13を用いて、本実施形態における画素回路250の構成例を説明する。図12は、第2実施形態に係る画素回路250の構成例を示すブロック図である。画素回路250は、第2の畜電部109を更に備えることで、第1実施形態に係る画素回路250と相違する。第2の畜電部109のコンデンサ容量は第1の畜電部102のコンデンサ容量よりも小さく構成される。なお、本実施形態に係る第2の畜電部109が第2電荷保持部に対応する。
 図12に示すように、光電変換部101と、増幅部106と、第2の畜電部109とは、第1基板(図4参照)に構成される。一方で、第1の蓄積部102と、判定部103と、リセット部104と、カウント部105と、読み出し回路260と、信号処理部280とは、第2基板(図4参照)に構成される。これにより、撮像素子200をより小型化にすることが可能となる。
 第2の畜電部109は、電荷の蓄積時には、第1の畜電部102と並列に接続される。これにより、電荷の蓄積時には、蓄積電荷用のコンデンサ容量を増加させることが可能となる。
 一方で、残留電荷の読み出し時には、第1の畜電部102と第2の畜電部109とは、電気的に非接続にされ、第2の畜電部109にのみ光電変換部101の電荷が転送される。
 図13は、第3実施形態に係る画素回路250の回路構成例を示す図である。ノードn10に第2の畜電部109が接続される。第2の畜電部109は、例えばフローティングディフュージョンである。容量接続トランジスタ115は、ノードn10と、第1の畜電部102が接続されるノードn16との間に接続される。
 容量接続トランジスタ115は、例えばNチャンネルのMOSトランジスタから構成される。ゲート電極には、駆動信号FCGが供給される。この駆動信号は、高レベルの状態がアクティブ状態(オンの状態)となり、低レベルの状態が非アクティブ状態(オフの状態)となるパルス信号である。
 容量接続トランジスタ115のゲート電極にはオアゲート114が接続され、オアゲート114にはノットゲート113が接続される。信号xEXPは、蓄積期間に0となり読出期間に1となる信号である。これにより駆動信号FCGは、蓄積期間では、駆動信号RSTがハイレベルの時にロウレベルとなる。また、駆動信号RSTがハイレベルの時に中レベル信号となる。一方で、駆動信号FCGは、読出期間では常にハイレベルとなる。
 これにより、容量接続トランジスタ115は、電荷の蓄積時には、中レベルの駆動信号FDGが供給され、第1の畜電部102をあふれた電荷は、第2の畜電部109に供給される状態となる。
 一方で、第1の畜電部102のリセット時には、低レベルの駆動信号FDGが供給され、非アクティブ状態(オフの状態)となる。これにより、第1の畜電部102と、第2の畜電部109は、電気的に非接続となる。
[通常モードの動作例]
 図14は、第3実施形態に係る動作例のタイムチャートである。A図は、高照射でカウンタ105aが1回以上カウントアップする状態例であり、B図は、低照射でカウンタ105aがカウントアップされない状態例である。
 横軸は時間を示し、縦軸は、駆動信号EXP、RST、TG、FCG、光電変換素子101aの蓄積電荷L10、L18、第1の蓄積部102の電位L16、L20、第2の蓄積部109の電位L22、L24を示す。
 A図に示すように、高照射状態では、時間t0で、駆動信号RST、TG、FCGが高レベルとなり、光電変換素子101a、第1の蓄積部102、及び第2の蓄積部109が初期化される。すなわち、ノードn10の電位が電源電位VDDとなる。このとき、駆動信号FCGが高レベルであるので、第1の蓄積部102、及び第2の蓄積部109は並列接続され、ノードn10の電位となる。
 続けて、時間t1で駆動信号RST、TGが低レベルとなり、駆動信号FCGが中レベルとなり、駆動信号EXPが高レベルとなる。これにより、光電変換素子101aで生成された電荷が第2の蓄積部109へ蓄積され、第2の蓄積部109のノードn10の電位L22が低下を開始する。そして、時間t2で第2の蓄積部109の容量に所定量の電荷が蓄積され、第1の蓄積部102の電荷の蓄積が開始される。これにより、第1の蓄積部102のノードn16の電位L16が低下を開始する。
 そして、時間t3でコンパレータ103aの閾値電位Vthに1回目に到達する。これによりコンパレータ103aが第1信号を出力し、カウンタ105aがカウント値を1プラスする。同時に、駆動信号RSTである第1信号が高レベルであるので、リセットトランジスタ104aが導通状態となり、第1の蓄積部102のノードn16の電位が電源電位VDDにリセットされる。また、同時に駆動信号FCGが低レベルとなり、第1の蓄積部102と第2の蓄積部109とは非導通状態となり、第2の蓄積部109に光電変換素子101aで生成された電荷が蓄積される。これから分かるように、第1の蓄積部102のリセット期間に光電変換素子101aで生成された電荷は、第2の蓄積部109に蓄積され維持される。
 続けて、時間t4で再び駆動信号RSTが低レベルとなり、駆動信号FCGが中レベルとなる。これにより、光電変換素子101aで生成された電荷が第1の蓄積部102へ蓄積され、第1の蓄積部102のノードn16の電位L16が低下を再び開始する。
 このような処理をくり返し、時間t7で駆動信号EXPが低レベルとなり読み出し期間が開始され、駆動信号FCGが高レベルとなる。駆動信号FCG高レベルであるので、容量接続トランジスタ115が導通状態となり、第1の蓄積部102と第2の蓄積部109とは導通状態となる、ノードn10及びノードn16は同電位となる。
 続けて時間t9で、駆動信号TGが高レベルとなり、光電変換素子101aの蓄積電荷が第1の蓄積部102と第2の蓄積部109とに転送され、ノードn10の電位は残量電荷の電位に対応する。そして、時間t10で、駆動信号駆動信号TGが低レベルとなり、光電変換素子101aと第1の蓄積部102及び第2の蓄積部109との間が電気的に非接続の状態になる。
 続けて時間t12で、駆動信号RSTが高レベルとなり、第1の蓄積部102及び第2の蓄積部109がリセットされ、電源電位VDDとなる。そして、時間t13で、駆動信号RSTが低レベルとなり、時間t14で、駆動信号FCGが低レベルとなる。
 また、時間t7からt8の間に、Vrレベルとして第1の蓄積部102及び第2の蓄積部109のアナログ残留電荷信号がカラム信号処理部260に出力される。一方で、時間t10からt11の間に、Vsレベルとして光電変換素子101aの蓄積電荷が加えられた第1の蓄積部102及び第2の蓄積部109のアナログ残留電荷信号がカラム信号処理部260に2回時系列に出力される。これにより、カラム信号処理部260は、Vsレベルに対応する電位と、Vrレベルに対応する電位の差分をデジタル残留電荷信号Sa1に変換し、信号処理部280に出力する。すなわち、デジタル残留電荷信号Sa1は、光電変換素子101aの残留電荷に応じた信号となる。光電変換素子101aの容量と、第1の蓄積部102及び第2の蓄積部109の容量は既知であるので、蓄積期間終了時の全体の残留電荷に対応する値は、デジタル残留電荷信号Sa1より演算可能である。上述のように、第1の蓄積部102のリセット期間に光電変換素子101aで生成された電荷は、第2の蓄積部109に蓄積され維持される。このため、デジタル残留電荷信号Sa1には、第1の蓄積部102のリセット期間に光電変換素子101aで生成された電荷も含まれる。
 そして、信号処理部280の演算部280bは、画素回路250の画像信号G(x、y)として、K1×[リセット回数:2回]+K4×[デジタル残留電荷信号Sa1の信号値]を演算し、メモリ282に出力する。メモリ282では、各画素回路250の座標に応じた記憶領域に画像信号を記憶する。そして、メモリ282では、各画素回路250の座標に応じた画像信号G(x、y)を画像データとしてDSP回路120に出力する。K4は、係数である。
 更に、時間t12からt13の間に、Vrレベルとして第1の蓄積部102及び第2の蓄積部109のリセット後の蓄積電荷に対応するアナログ残留電荷信号がカラム信号処理部260に出力される。これにより、カラム信号処理部260は、Vsレベルに対応する電位と、Vrレベルに対応する電位の差分をデジタル残留電荷信号Sa2に変換し、信号処理部280に出力する。すなわち、デジタル残留電荷信号Sa2は、全残留電荷に応じた信号となる。信号処理部280の演算部280bは、画素回路250の画像信号G(x、y)として、K1×[リセット回数:2回]+K5×[デジタル残留電荷信号Sa2の信号値]を演算可能である。K5は、係数である。ただし、上述のように、一回目のVsレベル、Vrレベルのレベル信号により演算した画像信号G(x、y)の方が、SN比が良くなる。
 一方でB図に示すように、低照射状態では、時間t0で、駆動信号RST、TG、FCGが高レベルとなり、光電変換素子101a、第1の蓄積部102、及び第2の蓄積部109が初期化される。すなわち、ノードn10の電位が電源電位VDDとなる。このとき、駆動信号FCGが高レベルであるので、第1の蓄積部102、及び第2の蓄積部109は並列接続され、ノードn10の電位となる。
 続けて、時間t1で駆動信号RST、TGが低レベルとなり、駆動信号FCGが中レベルとなり、駆動信号EXPが高レベルとなる。これにより、光電変換素子101aで電荷が生成され、電荷量L18は増加を継続するが、光電変換素子101a内の容量に生成された電荷量が維持される。このため、第1の蓄積部102、及び第2の蓄積部109の電位L20、L24は、それぞれ初期電位のVDDに維持される。
 読み出し期間の駆動は、高照射時と同等である。これにより、1回目のVrレベルと、Vsレベルの読み出しにより、画素回路250の画像信号G(x、y)として、K1×[リセット回数:0回]+K4×[デジタル残留電荷信号Sa1の信号値]を演算し、メモリ282に出力する。メモリ282では、各画素回路250の座標に応じた記憶領域に画像信号を記憶する。
 また、2回目のVrレベルと、Vsレベルの読み出しにより、画素回路250の画像信号G(x、y)として、K1×[リセット回数:0回]+K5×[デジタル残留電荷信号Sa2の信号値]を演算する。
[校正モードの動作例]
 図15は、第3実施形態に係る校正モードの動作例のタイムチャートである。横軸は時間を示し、縦軸は、駆動信号EXP、RST、FCG、変圧電源VRSの電位L26、第1の蓄積部102の電位L28、第2の蓄積部109の電位L30を示す。
 上述のように、コンパレータ103aは、ノードn10(図6参照)の電位が閾値電位Vthを下側に越えるまで低レベルの第1信号を出力し、閾値電位Vthを下側に越えると高レベルの第1信号を出力する。また、リセットトランジスタ104aは、 第1信号が高レベルの場合に、高レベル信号を出力する。なお、ノードn10(図6参照)の電位は、第1畜電部102に対応する。また、駆動信号FCGは、畜電期間では、第1信号が高レベルの場合に、高レベル信号を出力する。
 図15に示すように、時間t0で変圧電源VRSの電位L26の増加を開始する。開始時のノードn16の電位は閾値電位Vthを下側に越えた状態であるので、第1信号は高レベルであり、駆動信号RSTは高レベルとなる。駆動信号RSTが高レベルであるのリセットトランジスタ104aは、導通状態を維持する。
 駆動信号FCGは、第1信号が高レベルであるので高レベル信号となる。駆動信号FCGが高レベルであるの容量接続トランジスタ105は、導通状態を維持する。
 更に変圧電源VRSの電位L26の増加を継続すると、時間t1でノードn16の電位は閾値電位Vthを上側に越える状態となる。このため、第1信号は低レベルに変わり、駆動信号RSTは低レベルとなる。これにより、リセットトランジスタ104aは、非導通状態となる。
 時間t1で駆動信号FCGは、第1信号が低レベルとなるので低レベル信号となる。駆動信号FCGが低レベル信号であるの容量接続トランジスタ105は、非導通状態を維持する。
 その後、変圧電源VRSの電位L26の増加は継続されるが、リセットトランジスタ104aが非導通状態となるので、ノードn16の電位は閾値電位Vthの状態で維持される。同様に、容量接続トランジスタ105が非導通状態となるので、ノードn10の電位は閾値電位Vthの状態で維持される。
 そして、時間t2で読み出し期間となる。駆動信号EXPは低レベルで維持されるので、読み出し期間も駆動信号FCGは低レベルで維持される。これにより、ノードn16の電位は閾値電位Vthの状態で維持され、ノードn10の電位は閾値電位Vthの状態で維持される。
 時間t3で駆動信号RSTが増幅器108の信号SHTにより高レベルとされ、駆動信号FCGも同期して高レベルとなる。これにより、第1畜電部102、及び第2畜電部109は初期電位である電源電位VDDにリセットされ、ノードn16、及びノードn10の電位は電源電位VDDで維持される。
 このとき、時間t2とt3の間で、閾値電位Vthに対応するノードn10の電位がVsレベルとして読み出し回路260に読み出される。一方で、時間t4とt5の間で、電源電位VDDに対応するノードn10の電位がVrレベルとして読み出し回路260に読み出される。これにより、Vsレベルの電位とVrレベルの電位の差分が、この画素250の閾値電位Vthとして生成される。メモリ280は、画素回路250の座標(x、y)毎に閾値電位Vthを記憶する。第1畜電部102の容量は、既知であるので閾値電位Vthと第1畜電部102の容量の情報から、カウンタ105の1カウントに対応する残留電荷量を正確に算出することが可能となる。これにより、係数K1を校正し、画素回路250の座標(x、y)毎にK1(x、y)として記憶する。すなわち、画素回路250の画像信号G(x、y)を、K1(x、y)×[リセット回数]+K2×K4×[デジタル残留電荷信号Sa1の信号値]としてより正確に演算することが可能となる。
 以上説明したように、本実施形態によれば、通常モードでは、電変換素子101aで生成された電荷が第1の蓄積部102及び第2の蓄積部109に蓄積され、コンパレータ103aが所定の閾値電位Vthになる度に第1信号を出力し、第1の蓄積部102をリセットすると共に、カウンタ105aがカウント値を1プラスする。これにより、電変換素子101aで生成された電荷が第1の蓄積部102の容量を超える場合にも、第1の蓄積部102への電荷の蓄積を継続することが可能となると共に、カウント値により電変換素子101aで生成された電荷量も算出することが可能となる。
 また、1回目のVrレベル、Vsレベルの読み出しでは、CDS駆動により電変換素子101aの残留電荷をより高SNな信号と読み出すことが可能となる。一方で2回目のVrレベル、Vsレベルの読み出しでは、DDS駆動により電変換素子101aの残留電荷と、1の蓄積部102及び第2の蓄積部109の残留電荷と読み出すことが可能となる。また、第1の蓄積部102のリセット期間に光電変換素子101aで生成された電荷は、第2の蓄積部109により蓄積が継続されるので、2回目のVrレベル、Vsレベルの読み出しでは、残留電荷に第1の蓄積部102のリセット期間に光電変換素子101aで生成された電荷も含まれることとなる。これにより、第1の蓄積部102のリセット期間に光電変換素子101aで生成された電荷も含めた画像信号G(x、y)の生成が可能となる。
 同様に、低照射で第1の蓄積部102の容量を一度も越えることがない場合にも、1回目のVrレベル、Vsレベルの読み出しでは、CDS駆動により電変換素子101aの残留電荷をより高SNな信号と読み出すことが可能となる。一方で2回目のVrレベル、Vsレベルの読み出しでは、DDS駆動により電変換素子101aの残留電荷と、1の蓄積部102及び第2の蓄積部109の残留電荷と読み出すことが可能となる。
 更に校正モードでは、変圧電源VRSの電位L26を閾値電位Vthの下側から増加させることとした。これにより、変圧電源VRSの電位L26の増加を継続すると、ノードn16の電位は閾値電位Vthを上側に越える状態となり、リセットトランジスタ104aは、非導通状態となり、ノードn16の電位は閾値電位Vthの状態で維持される。このとき、容量接続トランジスタ115も非導通状態となり、ノードn10の電位は閾値電位Vthの状態で維持される。このため、画素回路250毎の閾値電位Vthの情報を得ることが可能となり、係数K1を校正し、画素回路250の座標(x、y)毎にK1(x、y)として記憶することができる。これにより、1回目のVrレベルと、Vsレベルの読み出しにより、画像信号G(x、y)として、K1(x、y)×[リセット回数]+K4×[デジタル残留電荷信号Sa1の信号値]としてより正確に演算できる。同様に、2回目のVrレベルと、Vsレベルの読み出しにより、画素回路250の画像信号G(x、y)として、K1(x、y)×[リセット回数]+K5×[デジタル残留電荷信号Sa2の信号値]としてより正確に演算できる。
(第4実施形態)
 第4実施形態に係る固体撮像素子200では、第2の畜電部の電位が所定値よりも高電位である場合に、コンパレータ103aの電流源からの供給電流を抑制可能である点で、第3実施形態に係る固体撮像素子200と相違すると相違する。以下では、第3実施形態に係る固体撮像素子200と相違する点を説明する。
[画素回路の構成例]
 図16は、第4実施形態に係る画素回路250の構成例を示す図である。図16に示すよう、判定部103は、差動アンプ103dにより構成され、動作電流を決める定電流バイアストランジスタ103bと差動対の間に直列にPMOSトランジスタ103cが設けられる。
 MOSトランジスタ103cのゲート電極はノードn10の第2の蓄積部109に接続されている。また出力ノードには並列にNMOSトランジスタ103eが設けられ、そのゲート電極もノードn10の第2の蓄積部109に接続されている。このような回路を用いることで、第2の蓄積部109の電位が高いときにはPMOSトランジスタ103cがオフして、判定部103に電流が流れなくなる。またNMOSトランジスタ103eがオンして、出力電位がLo電位に固定される。
[通常モードの動作例]
 図17は、第4実施形態に係る動作例のタイムチャートである。基本動作の説明者はm図14と同様ある。時間t0とt1aの間では、第2の蓄積部109の電位が所定値よりも高いので、PMOSトランジスタ103cがオフして、判定部103に電流が流れなくなる。
 一方で、時間t1aとt7の間では、第2の蓄積部109の電位が所定値よりも低いので、PMOSトランジスタ103cがオンして、判定部103に電流が流れる状態となる。このように、判定部103を使用しない期間の供給電流を抑制できるので撮像素子250の消費電力を抑制できる。
 同様に低照度の場合には、第2の蓄積部109の電位が所定値よりも低くなることがないので、全撮像期間において、PMOSトランジスタ103cがオフして、判定部103に電流が流れない状態が維持される。
 以上説明したように、本実施形態によれば、判定部103の動作電流を決める定電流バイアストランジスタ103bと差動対の間に直列にPMOSトランジスタ103cを設け、PMOSトランジスタ103cのゲート電極はノードn10の第2の蓄積部109に接続することとした。これにより、第2の蓄積部109が所定電位よりも高い場合に、供給電力を抑制することが可能となる。
(第5実施形態)
 第5実施形態に係る固体撮像素子200では、カラム信号処理部160内の比較器300、カウンタ261、及びラッチを画素回路250毎に構成する点で第1実施形態に係る固体撮像素子200と相違すると相違する。以下では第1実施形態に係る固体撮像素子200と相違する点を説明する。
 図18は、撮像素子200の一部を模式的に示す図である。図18に示ように、カラム信号処理部160内の比較器300、カウンタ261、及びラッチを画素回路250毎に構成する。また、比較器300をコンパレータ103a(図6参照)として共用してもよい。このようにすることで、回路規模を縮小し小面積化を実現できる。
 <<1.応用例>>
 本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械(トラクター)などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
 図19は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム7000の概略的な構成例を示すブロック図である。車両制御システム7000は、通信ネットワーク7010を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図19に示した例では、車両制御システム7000は、駆動系制御ユニット7100、ボディ系制御ユニット7200、バッテリ制御ユニット7300、車外情報検出ユニット7400、車内情報検出ユニット7500、及び統合制御ユニット7600を備える。これらの複数の制御ユニットを接続する通信ネットワーク7010は、例えば、CAN(Controller Area Network)、LIN(Local Interconnect Network)、LAN(Local Area Network)又はFlexRay(登録商標)等の任意の規格に準拠した車載通信ネットワークであってよい。
 各制御ユニットは、各種プログラムにしたがって演算処理を行うマイクロコンピュータと、マイクロコンピュータにより実行されるプログラム又は各種演算に用いられるパラメータ等を記憶する記憶部と、各種制御対象の装置を駆動する駆動回路とを備える。各制御ユニットは、通信ネットワーク7010を介して他の制御ユニットとの間で通信を行うためのネットワークI/Fを備えるとともに、車内外の装置又はセンサ等との間で、有線通信又は無線通信により通信を行うための通信I/Fを備える。図19では、統合制御ユニット7600の機能構成として、マイクロコンピュータ7610、汎用通信I/F7620、専用通信I/F7630、測位部7640、ビーコン受信部7650、車内機器I/F7660、音声画像出力部7670、車載ネットワークI/F7680及び記憶部7690が図示されている。他の制御ユニットも同様に、マイクロコンピュータ、通信I/F及び記憶部等を備える。
 駆動系制御ユニット7100は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット7100は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。駆動系制御ユニット7100は、ABS(Antilock Brake System)又はESC(Electronic Stability Control)等の制御装置としての機能を有してもよい。
 駆動系制御ユニット7100には、車両状態検出部7110が接続される。車両状態検出部7110には、例えば、車体の軸回転運動の角速度を検出するジャイロセンサ、車両の加速度を検出する加速度センサ、あるいは、アクセルペダルの操作量、ブレーキペダルの操作量、ステアリングホイールの操舵角、エンジン回転数又は車輪の回転速度等を検出するためのセンサのうちの少なくとも一つが含まれる。駆動系制御ユニット7100は、車両状態検出部7110から入力される信号を用いて演算処理を行い、内燃機関、駆動用モータ、電動パワーステアリング装置又はブレーキ装置等を制御する。
 ボディ系制御ユニット7200は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット7200は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット7200には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット7200は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
 バッテリ制御ユニット7300は、各種プログラムにしたがって駆動用モータの電力供給源である二次電池7310を制御する。例えば、バッテリ制御ユニット7300には、二次電池7310を備えたバッテリ装置から、バッテリ温度、バッテリ出力電圧又はバッテリの残存容量等の情報が入力される。バッテリ制御ユニット7300は、これらの信号を用いて演算処理を行い、二次電池7310の温度調節制御又はバッテリ装置に備えられた冷却装置等の制御を行う。
 車外情報検出ユニット7400は、車両制御システム7000を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット7400には、撮像部7410及び車外情報検出部7420のうちの少なくとも一方が接続される。撮像部7410には、ToF(Time Of Flight)カメラ、ステレオカメラ、単眼カメラ、赤外線カメラ及びその他のカメラのうちの少なくとも一つが含まれる。車外情報検出部7420には、例えば、現在の天候又は気象を検出するための環境センサ、あるいは、車両制御システム7000を搭載した車両の周囲の他の車両、障害物又は歩行者等を検出するための周囲情報検出センサのうちの少なくとも一つが含まれる。
 環境センサは、例えば、雨天を検出する雨滴センサ、霧を検出する霧センサ、日照度合いを検出する日照センサ、及び降雪を検出する雪センサのうちの少なくとも一つであってよい。周囲情報検出センサは、超音波センサ、レーダ装置及びLIDAR(Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging)装置のうちの少なくとも一つであってよい。これらの撮像部7410及び車外情報検出部7420は、それぞれ独立したセンサないし装置として備えられてもよいし、複数のセンサないし装置が統合された装置として備えられてもよい。
 ここで、図20は、撮像部7410及び車外情報検出部7420の設置位置の例を示す。撮像部7910、7912、7914、7916、7918は、例えば、車両7900のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部のうちの少なくとも一つの位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部7910及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部7918は、主として車両7900の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部7912、7914は、主として車両7900の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部7916は、主として車両7900の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部7918は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
 なお、図20には、それぞれの撮像部7910、7912、7914、7916の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲aは、フロントノーズに設けられた撮像部7910の撮像範囲を示し、撮像範囲b、cは、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部7912、7914の撮像範囲を示し、撮像範囲dは、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部7916の撮像範囲を示す。例えば、撮像部7910、7912、7914、7916で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両7900を上方から見た俯瞰画像が得られる。
 車両7900のフロント、リア、サイド、コーナ及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部7920、7922、7924、7926、7928、7930は、例えば超音波センサ又はレーダ装置であってよい。車両7900のフロントノーズ、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部7920、7926、7930は、例えばLIDAR装置であってよい。これらの車外情報検出部7920~7930は、主として先行車両、歩行者又は障害物等の検出に用いられる。
 図19に戻って説明を続ける。車外情報検出ユニット7400は、撮像部7410に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像データを受信する。また、車外情報検出ユニット7400は、接続されている車外情報検出部7420から検出情報を受信する。車外情報検出部7420が超音波センサ、レーダ装置又はLIDAR装置である場合には、車外情報検出ユニット7400は、超音波又は電磁波等を発信させるとともに、受信された反射波の情報を受信する。車外情報検出ユニット7400は、受信した情報に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット7400は、受信した情報に基づいて、降雨、霧又は路面状況等を認識する環境認識処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット7400は、受信した情報に基づいて、車外の物体までの距離を算出してもよい。
 また、車外情報検出ユニット7400は、受信した画像データに基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等を認識する画像認識処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット7400は、受信した画像データに対して歪補正又は位置合わせ等の処理を行うとともに、異なる撮像部7410により撮像された画像データを合成して、俯瞰画像又はパノラマ画像を生成してもよい。車外情報検出ユニット7400は、異なる撮像部7410により撮像された画像データを用いて、視点変換処理を行ってもよい。
 車内情報検出ユニット7500は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット7500には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部7510が接続される。運転者状態検出部7510は、運転者を撮像するカメラ、運転者の生体情報を検出する生体センサ又は車室内の音声を集音するマイク等を含んでもよい。生体センサは、例えば、座面又はステアリングホイール等に設けられ、座席に座った搭乗者又はステアリングホイールを握る運転者の生体情報を検出する。車内情報検出ユニット7500は、運転者状態検出部7510から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。車内情報検出ユニット7500は、集音された音声信号に対してノイズキャンセリング処理等の処理を行ってもよい。
 統合制御ユニット7600は、各種プログラムにしたがって車両制御システム7000内の動作全般を制御する。統合制御ユニット7600には、入力部7800が接続されている。入力部7800は、例えば、タッチパネル、ボタン、マイクロフォン、スイッチ又はレバー等、搭乗者によって入力操作され得る装置によって実現される。統合制御ユニット7600には、マイクロフォンにより入力される音声を音声認識することにより得たデータが入力されてもよい。入力部7800は、例えば、赤外線又はその他の電波を利用したリモートコントロール装置であってもよいし、車両制御システム7000の操作に対応した携帯電話又はPDA(Personal Digital Assistant)等の外部接続機器であってもよい。入力部7800は、例えばカメラであってもよく、その場合搭乗者はジェスチャにより情報を入力することができる。あるいは、搭乗者が装着したウェアラブル装置の動きを検出することで得られたデータが入力されてもよい。さらに、入力部7800は、例えば、上記の入力部7800を用いて搭乗者等により入力された情報に基づいて入力信号を生成し、統合制御ユニット7600に出力する入力制御回路などを含んでもよい。搭乗者等は、この入力部7800を操作することにより、車両制御システム7000に対して各種のデータを入力したり処理動作を指示したりする。
 記憶部7690は、マイクロコンピュータにより実行される各種プログラムを記憶するROM(Read Only Memory)、及び各種パラメータ、演算結果又はセンサ値等を記憶するRAM(Random Access Memory)を含んでいてもよい。また、記憶部7690は、HDD(Hard Disc Drive)等の磁気記憶デバイス、半導体記憶デバイス、光記憶デバイス又は光磁気記憶デバイス等によって実現してもよい。
 汎用通信I/F7620は、外部環境7750に存在する様々な機器との間の通信を仲介する汎用的な通信I/Fである。汎用通信I/F7620は、GSM(登録商標)(Global System of Mobile communications)、WiMAX(登録商標)、LTE(登録商標)(Long Term Evolution)若しくはLTE-A(LTE-Advanced)などのセルラー通信プロトコル、又は無線LAN(Wi-Fi(登録商標)ともいう)、Bluetooth(登録商標)などのその他の無線通信プロトコルを実装してよい。汎用通信I/F7620は、例えば、基地局又はアクセスポイントを介して、外部ネットワーク(例えば、インターネット、クラウドネットワーク又は事業者固有のネットワーク)上に存在する機器(例えば、アプリケーションサーバ又は制御サーバ)へ接続してもよい。また、汎用通信I/F7620は、例えばP2P(Peer To Peer)技術を用いて、車両の近傍に存在する端末(例えば、運転者、歩行者若しくは店舗の端末、又はMTC(Machine Type Communication)端末)と接続してもよい。
 専用通信I/F7630は、車両における使用を目的として策定された通信プロトコルをサポートする通信I/Fである。専用通信I/F7630は、例えば、下位レイヤのIEEE802.11pと上位レイヤのIEEE1609との組合せであるWAVE(Wireless Access in Vehicle Environment)、DSRC(Dedicated Short Range Communications)、又はセルラー通信プロトコルといった標準プロトコルを実装してよい。専用通信I/F7630は、典型的には、車車間(Vehicle to Vehicle)通信、路車間(Vehicle to Infrastructure)通信、車両と家との間(Vehicle to Home)の通信及び歩車間(Vehicle to Pedestrian)通信のうちの1つ以上を含む概念であるV2X通信を遂行する。
 測位部7640は、例えば、GNSS(Global Navigation Satellite System)衛星からのGNSS信号(例えば、GPS(Global Positioning System)衛星からのGPS信号)を受信して測位を実行し、車両の緯度、経度及び高度を含む位置情報を生成する。なお、測位部7640は、無線アクセスポイントとの信号の交換により現在位置を特定してもよく、又は測位機能を有する携帯電話、PHS若しくはスマートフォンといった端末から位置情報を取得してもよい。
 ビーコン受信部7650は、例えば、道路上に設置された無線局等から発信される電波あるいは電磁波を受信し、現在位置、渋滞、通行止め又は所要時間等の情報を取得する。なお、ビーコン受信部7650の機能は、上述した専用通信I/F7630に含まれてもよい。
 車内機器I/F7660は、マイクロコンピュータ7610と車内に存在する様々な車内機器7760との間の接続を仲介する通信インタフェースである。車内機器I/F7660は、無線LAN、Bluetooth(登録商標)、NFC(Near Field Communication)又はWUSB(Wireless USB)といった無線通信プロトコルを用いて無線接続を確立してもよい。また、車内機器I/F7660は、図示しない接続端子(及び、必要であればケーブル)を介して、USB(Universal Serial Bus)、HDMI(登録商標)(High-Definition Multimedia Interface、又はMHL(Mobile High-definition Link)等の有線接続を確立してもよい。車内機器7760は、例えば、搭乗者が有するモバイル機器若しくはウェアラブル機器、又は車両に搬入され若しくは取り付けられる情報機器のうちの少なくとも1つを含んでいてもよい。また、車内機器7760は、任意の目的地までの経路探索を行うナビゲーション装置を含んでいてもよい。車内機器I/F7660は、これらの車内機器7760との間で、制御信号又はデータ信号を交換する。
 車載ネットワークI/F7680は、マイクロコンピュータ7610と通信ネットワーク7010との間の通信を仲介するインタフェースである。車載ネットワークI/F7680は、通信ネットワーク7010によりサポートされる所定のプロトコルに則して、信号等を送受信する。
 統合制御ユニット7600のマイクロコンピュータ7610は、汎用通信I/F7620、専用通信I/F7630、測位部7640、ビーコン受信部7650、車内機器I/F7660及び車載ネットワークI/F7680のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、各種プログラムにしたがって、車両制御システム7000を制御する。例えば、マイクロコンピュータ7610は、取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット7100に対して制御指令を出力してもよい。例えば、マイクロコンピュータ7610は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むADAS(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行ってもよい。また、マイクロコンピュータ7610は、取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行ってもよい。
 マイクロコンピュータ7610は、汎用通信I/F7620、専用通信I/F7630、測位部7640、ビーコン受信部7650、車内機器I/F7660及び車載ネットワークI/F7680のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、車両と周辺の構造物や人物等の物体との間の3次元距離情報を生成し、車両の現在位置の周辺情報を含むローカル地図情報を作成してもよい。また、マイクロコンピュータ7610は、取得される情報に基づき、車両の衝突、歩行者等の近接又は通行止めの道路への進入等の危険を予測し、警告用信号を生成してもよい。警告用信号は、例えば、警告音を発生させたり、警告ランプを点灯させたりするための信号であってよい。
 音声画像出力部7670は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図19の例では、出力装置として、オーディオスピーカ7710、表示部7720及びインストルメントパネル7730が例示されている。表示部7720は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。表示部7720は、AR(Augmented Reality)表示機能を有していてもよい。出力装置は、これらの装置以外の、ヘッドホン、搭乗者が装着する眼鏡型ディスプレイ等のウェアラブルデバイス、プロジェクタ又はランプ等の他の装置であってもよい。出力装置が表示装置の場合、表示装置は、マイクロコンピュータ7610が行った各種処理により得られた結果又は他の制御ユニットから受信された情報を、テキスト、イメージ、表、グラフ等、様々な形式で視覚的に表示する。また、出力装置が音声出力装置の場合、音声出力装置は、再生された音声データ又は音響データ等からなるオーディオ信号をアナログ信号に変換して聴覚的に出力する。
 なお、図19に示した例において、通信ネットワーク7010を介して接続された少なくとも二つの制御ユニットが一つの制御ユニットとして一体化されてもよい。あるいは、個々の制御ユニットが、複数の制御ユニットにより構成されてもよい。さらに、車両制御システム7000が、図示されていない別の制御ユニットを備えてもよい。また、上記の説明において、いずれかの制御ユニットが担う機能の一部又は全部を、他の制御ユニットに持たせてもよい。つまり、通信ネットワーク7010を介して情報の送受信がされるようになっていれば、所定の演算処理が、いずれかの制御ユニットで行われるようになってもよい。同様に、いずれかの制御ユニットに接続されているセンサ又は装置が、他の制御ユニットに接続されるとともに、複数の制御ユニットが、通信ネットワーク7010を介して相互に検出情報を送受信してもよい。
 なお、図1を用いて説明した本実施形態に係る固体撮像装置1の各機能を実現するためのコンピュータプログラムを、いずれかの制御ユニット等に実装することができる。また、このようなコンピュータプログラムが格納された、コンピュータで読み取り可能な記録媒体を提供することもできる。記録媒体は、例えば、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、フラッシュメモリ等である。また、上記のコンピュータプログラムは、記録媒体を用いずに、例えばネットワークを介して配信されてもよい。
 以上説明した車両制御システム7000において、図1を用いて説明した本実施形態に係る固体撮像装置1は、図19に示した応用例の撮像部7410に適用することができる。例えば、撮像部7410のダイナミックレンジを拡大することができる。
 なお、本技術は以下のような構成を取ることができる。
(1)
 受光量に応じた電荷を生成する光電変換部と、
 第1ノードを介して前記光電変換部に接続される第1畜電部と、
 前記第1ノードの電位と、所定電位とが一致したときに第1信号を出力する比較器と
 前記第1信号に応じて前記第1ノードをリセット電位にするリセット部と、
 前記第1信号をカウントして出力するカウント部と、を備え、
 第1モードでは、前記第1ノードに印加される前記リセット電位が時系列に変化する、固体撮像素子。
(2)
 第2モードでは、固定値の前記リセット電位を印加する、(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
 前記リセット部は、前記第1ノードと電源部との間に接続されるリセットトランジスタで構成され、
 前記比較器は、前記第1ノードの電位が前記所定電位を低電位側に越えた場合に前記第1信号の出力を維持し、
 前記リセット部は前記第1信号の出力中は前記リセットトランジスタを導通状態にし、
 前記第1モードでは、前記電源部の電位を前記所定電位よりも前記低電位側から前記所定電位を越えるように上昇させる、(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
 前記第1ノードの電位を読み出す読出回路を更に備える、(3)に記載の固体撮像素子。
(5)
 前記読出回路から供給されるアナログ信号に基づきデジタル信号を生成するアナログデジタル変換部と、
 前記カウントと、前記デジタル信号と、所定の係数とに基づき、前記光電変換部が生成した電荷量に応じた画像信号を生成する信号処理部と、
 を更に備える、(4)に記載の固体撮像素子。
(6)
 前記信号処理部は、前記第1モードで得られた前記デジタル信号に基づき、前記所定の係数の値を変更する、(5)に記載の固体撮像素子。
(7)
 前記第1モードでは、前記第1ノードに印加される電位が時系列に変化する速度が異なる複数の電位が印可され、複数の前記デジタル信号に基づき、複数の前記所定の係数が生成される、
 前記第2モードでは、前記信号処理部は、複数の前記デジタル信号に基づき、前記所定の係数の値を変更する、(5)に記載の固体撮像素子。
(8)
 前記第2モードでは、前記信号処理部は、前記カウントに応じて前記所定の係数の値を変更する、(7)に記載の固体撮像素子。
(9)
 前記第1ノードに、前記第1畜電部と並列に接続される第2畜電部を更に備える、(8)に記載の固体撮像素子。
(10)
 前記第1畜電部は第2トランジスタ介して、前記第1ノードに接続され、
 前記第2モードの第1期間では前記第2トランジスタの導通状態を第1状態とし、
 前記第2畜電部に蓄積される前記電荷が所定の容量を超える場合に、前記第1畜電部に前記電荷が蓄積される、(9)に記載の固体撮像素子。
(11)
 前記第1モードでは、前記第2トランジスタは、前記第1信号の出力中は前記第1状態よりもより導電性の高い状態となり、前記第1信号の出力が停止すると、非導通状態となり、
 前記第2モードにおいて前記信号処理部は、前記第1モードの前記非導通状態で得られた前記デジタル信号に基づき、前記所定の係数の値を変更する、(10)に記載の固体撮像素子。
(12) 
 前記第2畜電部の電位に応じて、前記比較器に供給される電流を制御する、(11)に記載の固体撮像素子。
(13) 
 (1)に記載の固体撮像素子と、
 光学系と、
 を備える固体撮像装置。
 本開示の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形も含むものであり、本開示の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本開示の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。
 1:撮像装置、101:光電変換部、102:第1の畜電部、比較器103a、104:リセット部、104a:リセットトランジスタ、105:カウント部、107:転送トランジスタ、109:第2の畜電部、115:容量接続トランジスタ、200:固体撮像素子、260:読出回路、280:信号処理部。

Claims (13)

  1.  受光量に応じた電荷を生成する光電変換部と、
     第1ノードを介して前記光電変換部に接続される第1電荷保持部と、
     前記第1ノードの電位と、所定電位とが一致したときに第1信号を出力する比較器と
     前記第1信号に応じて前記第1ノードをリセット電位にするリセット部と、
     前記第1信号をカウントして出力するカウント部と、を備え、
     第1モードでは、前記第1ノードに印加される前記リセット電位が時系列に変化する、固体撮像素子。
  2.  第2モードでは、固定値の前記リセット電位を印加する、請求項1に記載の固体撮像素子。
  3.  前記リセット部は、前記第1ノードと電源部との間に接続されるリセットトランジスタで構成され、
     前記比較器は、前記第1ノードの電位が前記所定電位を低電位側に越えた場合に前記第1信号の出力を維持し、
     前記リセット部は前記第1信号の出力中は前記リセットトランジスタを導通状態にし、
     前記第1モードでは、前記電源部の電位を前記所定電位よりも前記低電位側から前記所定電位を越えるように上昇させる、請求項1に記載の固体撮像素子。
  4.  前記第1ノードの電位を読み出す読出回路を更に備える、請求項3に記載の固体撮像素子。
  5.  前記読出回路から供給されるアナログ信号に基づきデジタル信号を生成するアナログデジタル変換部と、
     前記カウントと、前記デジタル信号と、所定の係数とに基づき、前記光電変換部が生成した電荷量に応じた画像信号を生成する信号処理部と、
     を更に備える、請求項4に記載の固体撮像素子。
  6.  前記信号処理部は、前記第1モードで得られた前記デジタル信号に基づき、前記所定の係数の値を変更する、請求項5に記載の固体撮像素子。
  7.  前記第1モードでは、前記第1ノードに印加される電位が時系列に変化する速度が異なる複数の電位が印可され、複数の前記デジタル信号に基づき、複数の前記所定の係数が生成され、
     前記第2モードでは、前記信号処理部は、複数の前記デジタル信号に基づき、前記所定の係数の値を変更する、請求項5に記載の固体撮像素子。
  8.  前記第2モードでは、前記信号処理部は、前記カウントに応じて前記所定の係数の値を変更する、請求項7に記載の固体撮像素子。
  9.  前記第1ノードに、前記第1電荷保持部と並列に接続される第2電荷保持部を更に備える、請求項8に記載の固体撮像素子。
  10.  前記第1電荷保持部は第2トランジスタ介して、前記第1ノードに接続され、
     前記第2モードの第1期間では前記第2トランジスタの導通状態を第1状態とし、
     前記第2電荷保持部に蓄積される前記電荷が所定の容量を超える場合に、前記第1電荷保持部に前記電荷が蓄積される、請求項9に記載の固体撮像素子。
  11.  前記第1モードでは、前記第2トランジスタは、前記第1信号の出力中は前記第1状態よりもより導電性の高い状態となり、前記第1信号の出力が停止すると、非導通状態となり、
     前記第2モードにおいて前記信号処理部は、前記第1モードの前記非導通状態で得られた前記デジタル信号に基づき、前記所定の係数の値を変更する、請求項10に記載の固体撮像素子。
  12.  前記第2電荷保持部の電位に応じて、前記比較器に供給される電流を制御する、請求項11に記載の固体撮像素子。
  13.  請求項1に記載の固体撮像素子と、
     光学系と、
     を備える固体撮像装置。
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