WO2023238890A1 - 化合物及びそれを有効成分とする帯電防止剤 - Google Patents

化合物及びそれを有効成分とする帯電防止剤 Download PDF

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正 杉矢
恵里 古井
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日本化学工業株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
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    • C08L27/12—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/16—Anti-static materials

Definitions

  • the present invention relates to a compound that is a phosphonium salt having a fluoroalkyl group and an antistatic agent containing the compound as an active ingredient.
  • antistatic agents As the antistatic agent, surfactants, conductive fillers, conductive polymers, ionic liquids, etc. are used. Among these, the mechanism of antistatic performance of ionic liquids is different from that of other antistatic agents. For example, when an ionic liquid is used as an antistatic agent for a resin, the static electricity generated on the resin surface is neutralized by the uneven concentration of the ionic liquid in the resin, and the antistatic performance is developed. Not easily affected by external environment such as temperature and humidity. In addition, since molecular design is possible by combining positive and negative ions, it is easy to adjust the compatibility with the resin, and there are also advantages in that the appearance properties such as maintaining transparency can be made excellent.
  • Patent Document 1 discloses an antistatic agent containing an inclusion compound in which an ionic liquid is included in cyclodextrin as an antistatic agent with excellent water resistance and solvent resistance. Specific ammonium salts or phosphonium salts are described as ionic liquids that can be included.
  • Patent Document 2 discloses an antistatic agent that is easily miscible with hydrocarbons by containing an anion of docusate, so-called bis(2-ethylhexyl) ester of sulfonesuccinic acid, and is an antistatic agent that is easily miscible with hydrocarbons. It is stated that it can be used as an agent.
  • Patent Document 3 describes a compound containing a polymerizable anion having a predetermined structure having a perfluoroalkyl group and a polymerizable functional group in the molecule and a monovalent cation as an antistatic agent with excellent withstand voltage characteristics. It is described that it is used as a polymerizable ionic liquid.
  • the imparting of antistatic performance by ionic liquids is not easily affected by the external environment, so if the compatibility with resins can be improved, it can be expected to be used as a permanent antistatic agent.
  • resin since resin has extremely high insulating properties, it is extremely easy to be charged with electricity, and the resin surface is likely to be contaminated by adsorption of dust due to this charging. It is necessary to stably immobilize the ionic liquid.
  • an object of the present invention is to provide a compound suitable as an antistatic agent that has excellent compatibility with resin, is stably fixed on the resin surface, and can exhibit high antistatic performance even in a small amount.
  • the present inventors have discovered that in a phosphonium type ionic liquid, by introducing a functional group into the phosphonium cation and further combining it with an anion having a fluorine atom, the ionic liquid can be applied to the resin surface.
  • the present inventors have discovered that even a small amount can exhibit excellent permanent antistatic properties because it is stably immobilized, leading to the completion of the present invention.
  • the present invention provides a compound represented by the following general formula (1).
  • R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms
  • R 4 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. or a branched fluoroalkyl group
  • A represents an anion having a fluorine atom.
  • the present invention it is possible to provide a compound suitable as an antistatic agent that has excellent compatibility with resin, is stably fixed on the resin surface, and has high antistatic performance even in a small amount.
  • the compound of the present invention is a phosphonium salt having a fluoroalkyl group, represented by the following general formula (1).
  • R 1 , R 2 and R 3 represent a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms, and particularly preferably 3 to 15 carbon atoms.
  • R 1 , R 2 and R 3 may be the same or different, but are preferably the same from a synthetic standpoint.
  • R 4 in general formula (1) represents a linear or branched fluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms, particularly preferably 3 to 15 carbon atoms.
  • A represents an anion having a fluorine atom.
  • the linear alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 1 , R 2 and R 3 includes methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n- -pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n -hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-icosyl group and the like.
  • branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 1 , R 2 and R 3 include isopropyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group, and isopentyl group. group, s-pentyl group, t-pentyl group, isohexyl group, s-hexyl group, t-hexyl group, ethylhexyl group and the like.
  • the fluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 4 has at least one hydrogen atom in the linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms substituted with a fluorine atom. Examples include groups.
  • a group represented by the following general formula (2) is particularly preferred since it can achieve both compatibility with the resin and immobilization.
  • R 5 represents a linear or branched perfluoroalkyl group having 1 to 18 carbon atoms.
  • the linear or branched perfluoroalkyl group having 1 to 18 carbon atoms includes trifluoromethyl group, perfluoroethyl group, perfluoropropyl group, perfluorobutyl group, perfluoropentyl group, perfluorohexyl group. group, perfluoroheptyl group, perfluorooctyl group, perfluorodecyl group, and the like.
  • a in general formula (1) represents an anion having a fluorine atom, such as tetrafluoroborate (BF 4 ), hexafluorophosphate (PF 6 ), bis(trifluoromethanesulfonyl)imide (N(SO 2 CF 3 ) 2 ), bis(fluorosulfonyl)imide (N(SO 2 F) 2 ), trifluoromethanesulfonate (SO 3 CF 3 ), tris(pentafluoroethyl) trifluorophosphate ((C 2 F 5 ) 3 PF 3 ), and Examples include trifluoroacetic acid (CF 3 COO), among which bis(fluorosulfonyl)imide (N(SO 2 F) 2 ) and bis(trifluoromethanesulfonyl)imide (N(SO 2 CF 3 ) 2 ). is preferable in that it can achieve both compatibility with the resin and immobilization.
  • CF 3 COO trifluor
  • the compound represented by the general formula (1) of the present invention includes tributyl (1H, 1H, 2H, 2H-heptadecafluorodecyl)phosphonium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide, tributyl (1H, 1H,2H,2H-heptadecafluorodecyl)phosphonium bis(fluorosulfonyl)imide, tributyl(1H,1H,2H,2H-nonafluorohexyl)phosphonium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide, tributyl(1H,1H, 2H,2H-nonafluorohexyl)phosphonium bis(fluorosulfonyl)imide, tributyl(1H,1H, 2H,2H-nonafluorohexyl)phosphonium bis(fluorosulfonyl)imide,
  • the compound represented by the general formula (1) can be prepared, for example, by reacting a trialkylphosphine and a halogenated fluoroalkyl in an inert gas atmosphere to obtain a phosphonium salt in which the anion is a halogen, and then optionally neutralized. It is obtained by performing an oxidation treatment, then adding a desired anion component dropwise to the obtained phosphonium salt, mixing it, and performing anion exchange.
  • the compound represented by the general formula (1) obtained after the anion exchange can be used as an active ingredient of the antistatic agent described later by undergoing steps such as washing, concentration, drying, and pulverization, if desired. .
  • the antistatic agent of the present invention is characterized by containing a phosphonium salt, which is a compound represented by the above general formula (1), as an active ingredient.
  • a phosphonium salt which is a compound represented by the above general formula (1)
  • Ammonium salts and sulfonium salts are also known as similar cationic antistatic agents, but phosphonium salts have higher heat resistance than other onium salts and can be kneaded and molded with resin at relatively high temperatures. It is known that it does not undergo thermal decomposition. Therefore, even if other onium salts cannot be used because they cause thermal decomposition, phosphonium salts can be used without problems.
  • the compound represented by the general formula (1) Of the four substituents of the cation moiety in the compound represented by the general formula (1), three are relatively short alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms, and the remaining one is a long chain.
  • the compound By using a fluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, the compound has excellent antistatic properties and is stably fixed to the resin.
  • the anion moiety since the anion moiety has a fluorine atom, it is possible to achieve both compatibility with the resin and immobilization.
  • the antistatic agent of the present invention can be either water-soluble or oil-soluble depending on the physical properties of the compound represented by general formula (1). , ultraviolet inhibitors, weathering agents, antiblocking agents, pigments, reinforcing agents, lubricants, plasticizers, and other antistatic agents may be used in combination.
  • the antistatic agent of the present invention is solid or liquid at room temperature. If it is solid at room temperature, it is likely to become liquid when heated during kneading with the resin, and from the viewpoint of uniform dispersion, it is preferably powder-like, and the average particle size determined by laser diffraction scattering method is It is preferably 100 ⁇ m or less, more preferably 0.1 to 50 ⁇ m, particularly 0.5 to 20 ⁇ m.
  • the viscosity at 25° C. is 10 to 300 cP, from the viewpoint of being able to disperse evenly when kneaded with the resin and obtaining an excellent antistatic effect. , particularly preferably 15 to 250 cP.
  • the viscosity at 25° C. can be measured using a rotational viscometer, a vibrational viscometer, or the like.
  • the material to which the antistatic agent of the present invention is blended may be any material that can be electrostatically charged, but examples include polymeric materials such as synthetic resins and rubber, molded products thereof, fibers, films, nonwoven fabrics, beads, etc. Can be mentioned.
  • polymeric materials to which the antistatic agent of the present invention can be applied examples include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, and polystyrene, and copolymers thereof, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, and polyethylene.
  • Thermoplastic resins such as butylene terephthalate, polycaprolactam, amide resins, phenylene oxide resins, vinyl resins, acetal resins, ketone resins, sulfide resins, urethane resins, copolymers thereof, and polymers thereof
  • fluorine-based resins made of fluorinated materials. In particular, by applying it to a fluororesin, it is easy to obtain the advantages of compatibility with the resin and immobilization.
  • fluororesin examples include polytetrafluoroethylene, polyhexafluoropropylene, polyvinylidene fluoride, polyvinyl fluoride, perfluoroalkoxyalkane, polychlorotrifluoroethyne, and (tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene) copolymer.
  • Copolymer (tetrafluoroethylene/perfluoroalkyl vinyl ether) copolymer, (ethylene/tetrafluoroethylene) copolymer, (propylene/hexafluoropropylene) copolymer, (vinylidene fluoride/ethylene) copolymer, ( Examples include vinylidene fluoride/tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene) copolymers.
  • Examples of rubber include styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, butyl rubber, urethane rubber, silicone rubber, NBR, EPM, hydrogenated nitrile rubber, polysulfide rubber, acrylic rubber, ethylene acrylic rubber, and Examples include fluorine-based rubbers obtained by fluorinating these rubbers.
  • fluorine rubber examples include tetrafluoroethylene rubber, tetrafluoroethylene propylene rubber, vinylidene fluoride rubber, hexafluorobutadiene rubber, fluorosilicone rubber, tetrafluoroethylene-propylene rubber, and tetrafluoroethylene rubber. -Perfluoroalkyl vinyl ether rubber, etc.
  • the antistatic agent of the present invention may be applied to the polymeric material by any method, including a method of internally adding it to the desired polymeric material, and a method of applying it to the surface of a molded article made of the polymeric material. can be mentioned.
  • Examples of the method of internally adding the antistatic agent to the polymeric material include a method of adding and mixing the antistatic agent of the present invention during polymer processing or manufacturing.
  • the method of adding the antistatic agent of the present invention during polymer processing is to directly add the antistatic agent of the present invention to the desired polymer material, mix it with a tumbler, ribbon blender, high-speed mixer, etc., and melt and mix it so that it is uniformly distributed in the polymer material.
  • the antistatic agent of the present invention may be added in the form of a master chip containing a high concentration and melt-mixed.
  • it can also be added and mixed before or during the polymerization process of polyethylene terephthalate or the like.
  • the amount of the antistatic agent of the present invention when added internally to a polymeric material is usually 0.01 to 10% by mass, preferably 0.1 to 5% by mass. If the amount is less than 0.01% by mass, the amount of antistatic agent present near the surface of the molded product is insufficient and the antistatic effect is weak, and if the amount exceeds 10% by mass, the transparency of the molded product will decrease. This may impair the appearance, and the cost is high, which is economically disadvantageous.
  • the method of applying the antistatic agent of the present invention to the surface of a molded article made of a polymeric material can be carried out, for example, by uniformly applying the antistatic agent of the present invention alone or together with other substances to the surface thereof. It is particularly effective in imparting antistatic ability to polymeric materials that have problems such as dispersibility, surface migration, or compatibility of antistatic agents in resins.
  • the coating liquid used in this case may be a solution in which the antistatic agent of the present invention is dissolved in a solvent such as water, a lower alcohol, or a ketone, or a dispersion or emulsion in which the antistatic agent is dispersed in these solvents. It may be a liquid.
  • a solution, dispersion, emulsion, etc. containing the antistatic agent of the present invention to the surface of a molded article made of a polymeric material.
  • a dipping method, a spray method, a roller coating method, a gravure coating method, etc. may be used.
  • the surface to be treated may be subjected to physical treatment such as corona treatment or plasma treatment, or pretreatment such as application of an anchor coating agent before coating.
  • a liquid containing only an antistatic agent may be applied with the main purpose of antistatic property, or it may be added to a processing agent used for other processing purposes to impart antistatic property at the same time.
  • a coating agent when using a coating agent to impart adhesion, printability, gas barrier properties, water resistance, vapor permeability, hardness, etc. to the surface of a molded article made of a polymeric material, it may be used in combination with these coating agents. Good antistatic ability can be imparted even when Further, it may be used in combination with low-molecular organic substances such as inks, paints, and lubricating components.
  • Comparative production example 2 In Comparative Production Example 1, the melting point was 56.6 by performing the same operation as Comparative Production Example 1 except that potassium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide was replaced with anion exchange with potassium bis(fluorosulfonyl)imide. 16.4 g (75% crude yield) of a white solid was obtained at ⁇ 58.0°C. The NMR identification data of the obtained white solid are as follows. 1 H-NMR; 2.67-2.74 ppm (-CH 3 , 9H), 3.22-3.26 ppm (N-CH 2 -CH 2 -, 10H). As a result, it was confirmed that it was triethyl (1H,1H,2H,2H-heptadecafluorodecyl)phosphonium bis(fluorosulfonyl)imide.
  • the antistatic performance of this test piece was evaluated by measuring the volume resistance value and surface resistance value in accordance with JIS K6911-1995.
  • the measurement equipment was a super megohmmeter (Toa Denpa Kogyo Co., Ltd. SM-8220, flat sample electrode SME-8310), and measurements were taken 1 day and 5 days after the preparation of the test piece.
  • the measurement conditions were 30° C. and 25 RH%, the test piece was sandwiched between flat plate electrodes, a voltage of 100 V was applied for 10 seconds, and the average value of the three measurements after 60 seconds was taken as the measured value.
  • the front and back surfaces of the test piece after 5 days were wiped with methanol, air-dried, and then the volume resistivity and surface resistance were measured. Further, after 6 days had passed, the test piece was immersed in 100 mL of methanol, left to stand for 10 minutes, taken out, air-dried for 1 hour, and then the volume resistivity and surface resistance were measured. The measurement results are shown in Table 1.
  • the surface of the test piece after 5 days was wiped with a rag 50 times while being exposed to running water, and then air-dried for 1 hour. The surface resistance value was measured. The measurement results are shown in Table 1.
  • test pieces of Examples 1 to 11 to which the phosphonium salts of each production example were added had low volume resistivity and surface resistivity, and no major changes were observed.
  • test pieces of Comparative Examples 1 to 3 to which no phosphonium salt was added continued to have high volume resistance values and surface resistance values.
  • test pieces of Comparative Examples 4 and 5 to which ammonium salts were added had higher volume resistivity and surface resistance values than Examples to which the same amount of phosphonium salts were added, and the phosphonium salts of the present invention were added in small amounts. It can be seen that it also has high antistatic performance.

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Abstract

樹脂との相溶性に優れつつ樹脂表面で安定して固定され、少量でも高い帯電防止性能を発現できる帯電防止剤として好適な化合物を提供すること。本発明は、下記一般式（１）で表される化合物を提供するものである。 （式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表し、Ｒ４は、炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のフルオロアルキル基を示し、Ａはフッ素原子を有するアニオンを表す。）

Description

化合物及びそれを有効成分とする帯電防止剤
　本発明は、フルオロアルキル基を有するホスホニウム塩である化合物及びそれを有効成分とする帯電防止剤に関するものである。
　これまで、静電気障害を防止する方法はいろいろ提案されているが、多くの場合、帯電防止剤の使用によって解決が図られている。帯電防止剤としては、界面活性剤、導電性フィラー、導電性高分子、イオン液体等が使用されている。これらの中、イオン液体の帯電防止性能の発現は、他の帯電防止剤のメカニズムとは異なる。例えば、樹脂の帯電防止剤にイオン液体を使用した場合、樹脂表面に生ずる静電気は、樹脂中のイオン液体濃度の偏りにより静電気の電荷が中和されることで帯電防止性能が発現することから、温度、湿度などの外部環境に影響され難い。また、正負イオンの組合せにより分子設計が可能なため、樹脂への相溶性を調整し易く、透明性保持などの外観性状を優れたものにできるメリットもある。
　帯電防止剤としてイオン液体を用いた技術については、その目的により様々な提案がある。例えば、特許文献１では、耐水性、耐溶剤性に優れた帯電防止剤として、イオン液体がシクロデキストリンに包接されてなる包接化合物を含有する帯電防止剤を開示しており、シクロデキストリンに包接されうるイオン液体として、特定のアンモニウム塩又はホスホニウム塩の記載がある。また、特許文献２では、ドキュセート、いわゆるスルホンコハク酸のビス（２－エチルヘキシル）エステルのアニオンを含むことにより炭化水素と混和し易い帯電防止剤を開示しており、燃料やポリマーへの帯電防止添加剤として使用できることが記載されている。さらに、特許文献３には、耐電圧特性に優れた帯電防止剤として、分子内にパーフルオロアルキル基及び重合性官能基を備える所定構造の重合性アニオンと、１価のカチオンとを含む化合物を重合性イオン液体として用いることが記載されている。
特開２０１７－５２８５９号公報 特表２００６－５１０５８１号公報 国際公開ＷＯ２０２０／０３１８３６号パンフレット
　上記したようにイオン液体による帯電防止性能の付与は、外部環境に影響され難いため、樹脂との相溶性を改善できれば、永久帯電防止剤としての用途が期待できる。しかしながら、樹脂は非常に高い絶縁性を有するため、極めて帯電し易く、また、この帯電により樹脂表面が埃などの吸着により汚染され易いため、帯電防止性能を持続的に得るためには、樹脂表面にイオン液体を安定的に固定する必要がある。
　しかしながら、従来に提案されてきたイオン液体を利用した帯電防止剤は、優れた帯電防止性能を有するものの、樹脂表面に安定的に固定することが困難であった。この問題を解決するための一つの方法として、特許文献３のような重合性のイオン液体を使用することで樹脂との接触面積を高めて固定することもできるが、帯電防止性能を上げるために多量のイオン液体が必要となり、樹脂に求められる特性や外観を損なう問題が生じていた。
　従って、本発明の目的は、樹脂との相溶性に優れつつ樹脂表面で安定して固定され、少量でも高い帯電防止性能を発現できる帯電防止剤として好適な化合物を提供することにある。
　本発明者は、上記実情に鑑み鋭意研究を重ねた結果、ホスホニウム型イオン液体において、ホスホニウムカチオンに機能性の官能基を導入し、さらにフッ素原子を有するアニオンと組み合わせることにより、イオン液体が樹脂表面で安定的に固定化されるため、少量であっても優れた永久帯電防止特性を発現することを見出し、本発明を完成するに至った。
　すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表される化合物を提供するものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表し、Ｒ４は、炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のフルオロアルキル基を示し、Ａはフッ素原子を有するアニオンを表す。）
　本発明によれば、樹脂との相溶性に優れ、樹脂表面で安定して固定され、かつ、少量でも高い帯電防止性能を有する帯電防止剤として好適な化合物を提供することができる。
　本発明の化合物は、下記一般式（１）で表される、フルオロアルキル基を有するホスホニウム塩である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、炭素数１～２０、好ましくは２～１８、特に好ましくは３～１５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ同一でもよく、異なってもよいが、合成上の観点から同一であることが好ましい。
　一般式（１）中のＲ４は、炭素数１～２０、好ましくは２～１８、特に好ましくは３～１５の直鎖状又は分岐鎖状のフルオロアルキル基を表す。また、Ａはフッ素原子を有するアニオンを示す。
　前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３で表される炭素数１～２０の直鎖状のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－イコシル基等が挙げられる。
　前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３で表される炭素数１～２０の分岐鎖状のアルキル基としては、具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、イソペンチル基、ｓ－ペンチル基、ｔ－ペンチル基、イソヘキシル基、ｓ－ヘキシル基、ｔ－ヘキシル基、エチルヘキシル基等が挙げられる。
　前記Ｒ４で表される炭素数１～２０のフルオロアルキル基としては、前記炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基中の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子に置換された基が挙げられる。
　前記Ｒ４で表される炭素数１～２０のフルオロアルキル基としては、樹脂との相溶性と固定化を両立できる点で、下記一般式（２）で表される基が特に好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 （式中、Ｒ５は、炭素数１～１８の直鎖状又は分岐鎖状のパーフルオロアルキル基を表す。）
　前記炭素数１～１８の直鎖状又は分岐鎖状のパーフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基及びパーフルオロデシル基等が挙げられる。
　一般式（１）中のＡはフッ素原子を有するアニオンを示し、例えば、テトラフルオロボレート（ＢＦ４）、ヘキサフルオロホスフェート（ＰＦ６）、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（Ｎ（ＳＯ２ＣＦ３）２）、ビス（フルオロスルホニル）イミド（Ｎ（ＳＯ２Ｆ）２）、トリフルオロメタンスルホネート（ＳＯ３ＣＦ３）、トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート（（Ｃ２Ｆ５）３ＰＦ３）及びトリフルオロ酢酸（ＣＦ３ＣＯＯ）等が挙げられ、これらの中でビス（フルオロスルホニル）イミド（Ｎ（ＳＯ２Ｆ）２）及びビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（Ｎ（ＳＯ２ＣＦ３）２）が、樹脂との相溶性と固定化を両立できる点で好ましい。
　本発明の一般式（１）で表される化合物としては、具体的には、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）ホスホニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）ホスホニウム・ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）ホスホニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）ホスホニウム・ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチル）ホスホニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリエチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）ホスホニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリエチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）ホスホニウム・ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリエチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）ホスホニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリエチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）ホスホニウム・ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリエチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチル）ホスホニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリオクチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）ホスホニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリオクチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）ホスホニウム・ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリオクチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）ホスホニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリオクチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）ホスホニウム・ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリオクチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチル）ホスホニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド等が挙げられる。
　前記一般式（１）で表される化合物は、例えば、トリアルキルホスフィンとハロゲン化フルオロアルキルを不活性ガス雰囲気下で反応させ、アニオンがハロゲンであるホスホニウム塩を得た後、所望により中和・酸化処理を行い、次いで得られたホスホニウム塩に所望するアニオン成分を滴下して混合し、アニオン交換することで得られる。アニオン交換後に得られた前記一般式（１）で表される化合物は、所望により洗浄、濃縮、乾燥及び粉砕等の工程を経ることにより、後述する帯電防止剤の有効成分として使用することができる。
　本発明の帯電防止剤は、前記一般式（１）で表される化合物であるホスホニウム塩を有効成分とすることを特徴としている。同様なカチオン型帯電防止剤としてアンモニウム塩やスルホニウム塩も知られているが、ホスホニウム塩は他のオニウム塩と比べて耐熱性が高く、比較的高温で樹脂と混錬、成型することができ、熱分解を起こさないことが知られている。従って、他のオニウム塩では熱分解を起こすため使用できない場合であっても、ホスホニウム塩であれば問題なく使用することができる。
　前記一般式（１）で表される化合物におけるカチオン部分の４つの置換基のうち、３つを比較的短いアルキル基である炭素数１～８のアルキル基とし、残り１つを長鎖である炭素数１～２０のフルオロアルキル基とすることで、前記化合物は優れた帯電防止性能を有し、安定して樹脂に固定されるものとなる。また、アニオン部分がフッ素原子を有していることで、樹脂との相溶性と固定化を両立できる。
　本発明の帯電防止剤は、一般式（１）で表される化合物の物性の如何によって水溶性又は油溶性のいずれも取り得るもので、その使用にあっては、必要に応じて酸化防止剤、紫外線防止剤、耐候剤、ブロッキング防止剤、顔料、補強剤、滑剤、可塑剤や他の帯電防止剤等の樹脂添加剤を併用しても差し支えない。
　本発明の帯電防止剤は、室温において固体又は液体である。室温において固体である場合、樹脂と混錬する際の加熱により液状になり易く、均等に分散することができる観点から、粉状であることが好ましく、レーザー回折散乱法により求められる平均粒子径が１００μｍ以下、さらに０．１～５０μｍ以下、特に０．５～２０μｍであることが好ましい。
　また、本発明の帯電防止剤が室温において液体である場合、樹脂と混錬する際に均等に分散し、優れた帯電防止効果を得ることができる観点から、２５℃における粘度が、１０～３００ｃＰ、特に１５～２５０ｃＰであることが好ましい。なお、２５℃における粘度は、回転粘度計、振動粘度計などにより測定することができる。
　本発明の帯電防止剤を配合する材料は、静電気を帯電する材料であれば如何なるものでもよいが、例えば合成樹脂やゴム等の高分子材料及びその成形体、繊維、フィルム、不織布、ビーズ等が挙げられる。
　本発明の帯電防止剤を適用できる高分子材料の種類としては、特に限定はないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等のポリオレフィン及びこれらの共重合体、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカプロラクタム、アミド系樹脂、フェニレンオキシド系樹脂、ビニル系樹脂、アセタール系樹脂、ケトン系樹脂、スルフィド系樹脂、ウレタン系樹脂等の熱可塑性樹脂及びこれらの共重合体、並びにこれら高分子材料をフッ素化したフッ素系樹脂が挙げられる。特に、フッ素系樹脂に適用することで、樹脂との相溶性と固定化の利点が得られやすい。
　前記フッ素系樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリビニルフルオライド、パーフルオロアルコキシアルカン、ポリクロロトリフルオロエチン、（テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン）共重合体、（テトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル）共重合体、（エチレン／テトラフルオロエチレン）共重合体、（プロピレン／ヘキサフルオロプロピレン）共重合体、（ビニリデンフルオライド／エチレン）共重合体、（ビニリデンフルオライド／テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン）共重合体等が挙げられる。
　また、ゴムとしては、例えばスチレン・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ブチルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ＮＢＲ、ＥＰＭ、水素化ニトリルゴム、多硫化ゴム、アクリルゴム、エチレンアクリルゴム、及びこれらゴムをフッ素化したフッ素系ゴム等が挙げられる。
　前記フッ素系ゴムとしては、例えば、テトラフルオロエチレン系ゴム、テトラフルオロエチレンプロピレン系ゴム、ビニリデンフルオライド系ゴム、ヘキサフルオロブタジエン系ゴム、フルオロシリコーン系ゴム、テトラフルオロエチレン－プロピレン系ゴム、テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル系ゴム等が挙げられる。
　本発明の帯電防止剤を高分子材料に付与する方法は、いかなる方法によってもよいが、例えば、所望の高分子材料に内部添加する方法、及び高分子材料からなる成形体の表面に塗布する方法が挙げられる。
　高分子材料に内部添加する方法は、ポリマー加工時又は製造時に、本発明の帯電防止剤を添加混合する方法が挙げられる。ポリマー加工時に添加する方法は、所望の高分子材料に本発明の帯電防止剤を直接添加して、タンブラー、リボンブレンダー、高速ミキサー等で混合し、溶融混合して高分子材料に均一分布となるように添加するか、又は本発明の帯電防止剤を高濃度で含有するマスターチップの形で添加し、溶融混合してもよい。また、ポリエチレンテレフタレート等の重合工程の重合前や重合途中で添加混合することもできる。
　高分子材料に内部添加する場合の本発明の帯電防止剤の配合量は、通常０．０１～１０質量％、好ましくは０．１～５質量％である。０．０１質量％未満の配合量では成形体の表面近傍に存在する帯電防止剤の量が不十分で帯電防止効果が弱く、配合量が１０質量％を越えると成形体の透明性が低下して外観を損なう場合があり、また高コストとなるため経済的に不利になる。
　本発明の帯電防止剤を高分子材料からなる成形体の表面に塗布して使用する方法は、例えば本発明の帯電防止剤を単独又は他の物質と共にその表面に均一に塗布する方法で行うことができ、特に帯電防止剤の樹脂への分散性、表面移行性又は相溶性等の問題がある高分子材料ヘの帯電防止能の付与に有効である。この場合に使用する塗布液は、本発明の帯電防止剤を水、低級アルコール、ケトン類等の溶媒に溶解した溶液であってもよく、これらの溶媒に帯電防止剤を分散した分散液や乳化液であってもよい。
　高分子材料からなる成形体の表面に塗布する手段としては、本発明の帯電防止剤を含有する溶液、分散液、乳化液等を浸漬法、スプレー法、ローラーコー卜法、グラビアコート法等の各種の手段が挙げられる。また必要に応じて被処理面をコロナ処理、プラズマ処理等の物理処理、又はアンカーコー卜剤の塗布等の前処埋を行ってから塗布してもよい。また、帯電防止性を主目的として帯電防止剤のみを含む液で塗布することは勿論、他の処理目的で用いる処理剤に添加して帯電防止能を同時に付与しても差し支えない。
　例えば、高分子材料からなる成形体の表面に接着性、印刷適正、ガスバリア性、耐水性、蒸気透過性、硬度等を付与するためのコート剤を使用する際に、これらのコート剤と併用しても良好な帯電防止能を付与することができる。また、インク、塗料、潤滑成分のような低分子有機物との併用も差し支えない。
　以下に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
［製造例１］
　温度計、滴下ロート、マグネチックスターラーを備えた３００ｍｌ四口フラスコを十分に窒素置換し、トリブチルホスフィン２０．２ｇ（０．１モル）を仕込み、アセトニトリル１００ｍｌを加えた。温度を７５℃に加熱し、滴下ロートから１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシルアイオダイド５７．４ｇ（０．１モル）を、光を遮蔽した条件で１時間かけて滴下し、８０℃にて４時間熟成させた。サンプリングした反応液を二硫化炭素で発色試験した結果、トリブチルホスフィンの残留が認められなかったので、室温まで冷却した。エバポレーターで溶媒を濃縮することで、融点６６．２～６７．６℃の微黄色固体７４．５ｇ（粗収率９６％）を得た。得られた微黄色固体のＮＭＲ同定データは以下のとおりである。
（同定データ）
３１Ｐ－ＮＭＲ；３４．８８ｐｐｍ．
１Ｈ－ＮＭＲ；０．９８ｐｐｍ（ＣＨ３，９Ｈ），１．５６ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＨ２－，１２Ｈ），２．６３ｐｐｍ（Ｐ－ＣＨ２－，８Ｈ），２．６４ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＦ２－，２Ｈ）．
　この結果、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）ホスホニウム・アイオダイドであることが確認された。
　次いで、温度計、マグネチックスターラーを備えた２００ｍｌ二口フラスコに、上記で得られたトリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）ホスホニウム・アイオダイド２３．３ｇ（０．０３モル）を入れ、５０ｍｌのジクロロメタンで溶解した。カリウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド９．６ｇ（０．０３モル）を純水５０ｍｌに溶解させた水溶液を加え、室温で混合してアニオン交換した。３０分間攪拌し、分液ロートでジクロロメタン層を純水で３回洗浄した。エバポレーターで濃縮することで、融点４８．５～４９．２℃の微黄色固体２６．５ｇ（粗収率９５％）を得た。得られた微黄色固体のＮＭＲ同定データは以下のとおりである。
３１Ｐ－ＮＭＲ；３５．３０ｐｐｍ．
１Ｈ－ＮＭＲ；０．９４ｐｐｍ（ＣＨ３，９Ｈ），１．４８ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＨ２－，１２Ｈ），２．２５ｐｐｍ（Ｐ－ＣＨ２－，８Ｈ），２．４５ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＦ２－，２Ｈ）．
　この結果、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）ホスホニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドであることが確認された。
［製造例２］
　製造例１において、カリウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドに替えて、カリウム・ビス（フルオロスルホニル）イミドとアニオン交換したこと以外は製造例１と同じ操作をすることで、融点４０．７～４１．３℃の微黄色固体２３．６ｇ（粗収率９５％）を得た。得られた微黄色固体のＮＭＲ同定データは以下のとおりである。
３１Ｐ－ＮＭＲ；３５．３７ｐｐｍ．
１Ｈ－ＮＭＲ；０．９６ｐｐｍ（ＣＨ３，９Ｈ），１．５１ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＨ２－，１２Ｈ），２．２２ｐｐｍ（Ｐ－ＣＨ２－，８Ｈ），２．４５ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＦ２－，２Ｈ）．
　この結果、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）ホスホニウム・ビス（フルオロスルホニル）イミドであることが確認された。
［製造例３］
　製造例１において、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシルアイオダイドに替えて、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシルアイオダイド３７．４ｇ（０．１モル）をトリブチルホスフィン２０．２ｇ（０．１モル）と反応させて、微黄色粘性液体５４．１ｇ（粗収率９４％）を得た。得られた微黄色粘性液体のＮＭＲ同定データは以下のとおりである。
３１Ｐ－ＮＭＲ；３４．８７ｐｐｍ．
１Ｈ－ＮＭＲ；０．９４ｐｐｍ（ＣＨ３，９Ｈ），１．５６ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＨ２－，１２Ｈ），２．６０ｐｐｍ（Ｐ－ＣＨ２－，８Ｈ），２．７４ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＦ２－，２Ｈ）．
　この結果、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）ホスホニウム・アイオダイドであることが確認された。
　次いで、得られたトリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）ホスホニウム・アイオダイドを用いたこと以外は製造例１と同じ操作をして微黄色粘性液体２０．６ｇ（粗収率９４％）を得た。得られた微黄色固体のＮＭＲ同定データは以下のとおりである。
３１Ｐ－ＮＭＲ；３５．３１ｐｐｍ．
１Ｈ－ＮＭＲ；０．９４ｐｐｍ（ＣＨ３，９Ｈ），１．４９ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＨ２－，１２Ｈ），２．２３ｐｐｍ（Ｐ－ＣＨ２－，８Ｈ），２．４３ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＦ２－，２Ｈ）．
　この結果、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）ホスホニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドであることが確認できた。
［製造例４］
　トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）ホスホニウム・アイオダイドとカリウム・ビス（フルオロスルホニル）イミドをアニオン交換したこと以外は製造例３と同じ方法で行い、微黄色粘性液体１７．９ｇ（粗収率９５％）を得た。得られた微黄色固体のＮＭＲ同定データは以下のとおりである。
３１Ｐ－ＮＭＲ；３５．３７ｐｐｍ．
１Ｈ－ＮＭＲ；０．９５ｐｐｍ（ＣＨ３，９Ｈ），１．５０ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＨ２－，１２Ｈ），２．２５ｐｐｍ（Ｐ－ＣＨ２－，８Ｈ），２．４２ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＦ２－，２Ｈ）．
　この結果、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）ホスホニウム・ビス（フルオロスルホニル）イミドであることが確認できた。
［製造例５］
　トリブチルホスフィン２０．２ｇ（０．１モル）と１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチルアイオダイド４７．４ｇ（０．１モル）を無溶媒で反応させることで融点４１．７～４３．３℃の微黄色固体６２．２ｇ（粗収率９２％）を得た。得られた微黄色固体のＮＭＲ同定データは以下のとおりであった。
３１Ｐ－ＮＭＲ；３４．８８ｐｐｍ．
１Ｈ－ＮＭＲ；０．９４ｐｐｍ（ＣＨ３，９Ｈ），１．５４ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＨ２－，１２Ｈ），２．６０ｐｐｍ（Ｐ－ＣＨ２－，８Ｈ），２．７９ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＦ２－，２Ｈ）．
　この結果、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチル）ホスホニウム・アイオダイドであることが確認された。
　次いで、得られたトリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチル）ホスホニウム・アイオダイドとカリウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドを製造例１と同じ方法でアニオン交換して、融点４０．８～４１．３℃の微黄色固体２３．４ｇ（粗収率９４％）を得た。得られた微黄色固体のＮＭＲ同定データは以下のとおりである。
３１Ｐ－ＮＭＲ；３５．３３ｐｐｍ．
１Ｈ－ＮＭＲ；０．９４ｐｐｍ（ＣＨ３，９Ｈ），１．５１ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＨ２－，１２Ｈ），２．２４ｐｐｍ（Ｐ－ＣＨ２－，８Ｈ），２．４５ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＦ２－，２Ｈ）．
　この結果、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチル）ホスホニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドであることが確認された。
［製造例６］
　トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチル）ホスホニウム・アイオダイドとカリウム・ビス（フルオロスルホニル）イミドをアニオン交換したこと以外は製造例３と同じ方法で行い、微黄色粘性液体２０．６ｇ（粗収率９４％）を得た。得られた微黄色液体のＮＭＲ同定データは以下のとおりである。
３１Ｐ－ＮＭＲ；３５．３９ｐｐｍ．
１Ｈ－ＮＭＲ；０．９４ｐｐｍ（ＣＨ３，９Ｈ），１．５１ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＨ２－，１２Ｈ），２．２０ｐｐｍ（Ｐ－ＣＨ２－，８Ｈ），２．５０ｐｐｍ（－ＣＨ２－ＣＦ２－，２Ｈ）．
　この結果、トリブチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチル）ホスホニウム・ビス（フルオロスルホニル）イミドであることが確認できた。
［比較製造例１］
　温度計、滴下ロート、マグネチックスターラーを備えた３００ｍｌ四口フラスコを十分に窒素置換し、トリエチルアミン１５．２ｇ（０．１５モル）、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシルアイオダイド５７．４ｇ（０．１モル）を加え、光を遮蔽した条件で８０℃にて６時間反応させた。室温まで冷却後、エバポレーターで溶媒を濃縮し、得られた結晶をエタノールで洗浄した。融点５９．４～６１．８℃の白色固体５０．６ｇ（粗収率７５％）を得た。得られた白色固体のＮＭＲ同定データは以下のとおりである。
１Ｈ－ＮＭＲ；２．６７～２．７４ｐｐｍ（－ＣＨ３，９Ｈ），３．２２～３．２５ｐｐｍ（Ｎ－ＣＨ２－ＣＨ２－，１０Ｈ）．
　この結果、トリエチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）アンモニウム・アイオダイドであることが確認された。
　次いで、温度計、マグネチックスターラーを備えた２００ｍｌ二口フラスコに、上記で得られたトリエチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）アンモニウム・アイオダイド２０．２ｇ（０．０３モル）を入れ、５０ｍｌのジクロロメタンで溶解した。カリウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド９．６ｇ（０．０３モル）を純水５０ｍｌに溶解させた水溶液を加え、室温で混合してアニオン交換した。３０分間攪拌し、分液ロートでジクロロメタン層を純水で３回洗浄した。エバポレーターで濃縮することで、融点５７．６～５９．５℃の白色固体１４．７ｇ（粗収率５９％）を得た。得られた白色固体のＮＭＲ同定データは以下のとおりである。
１Ｈ－ＮＭＲ；２．６９～２．７４ｐｐｍ（－ＣＨ３，９Ｈ），３．２２～３．２５ｐｐｍ（Ｎ－ＣＨ２－ＣＨ２－，１０Ｈ）．
　この結果、トリエチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）アンモニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドであることが確認された。
［比較製造例２］
　比較製造例１において、カリウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドに替えて、カリウム・ビス（フルオロスルホニル）イミドとアニオン交換したこと以外は比較製造例１と同じ操作をすることで、融点５６．６～５８．０℃の白色固体１６．４ｇ（粗収率７５％）を得た。得られた白色固体のＮＭＲ同定データは以下のとおりである。
１Ｈ－ＮＭＲ；２．６７～２．７４ｐｐｍ（－ＣＨ３，９Ｈ），３．２２～３．２６ｐｐｍ（Ｎ－ＣＨ２－ＣＨ２－，１０Ｈ）．
　この結果、トリエチル（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）ホスホニウム・ビス（フルオロスルホニル）イミドであることが確認された。
［実施例１～１１］
　表１に示す熱可塑性樹脂に対して、各製造例で得られたホスホニウム塩を表１に示す配合量で添加して実施例１～１０においては２５０～２６０℃、実施例１１においては２８５～２９５℃で混錬し、得られた混錬樹脂を１０ｃｍ×１０ｃｍ、ｔ=２ｍｍのステンレス製型枠に嵌めてプレスすることにより試験片を作製した。
　この試験片に対して、ＪＩＳ　Ｋ６９１１－１９９５に準拠した方法で、体積抵抗値及び表面抵抗値を測定して帯電防止性能を評価した。測定機器は超絶縁計（東亜電波工業（株）ＳＭ－８２２０、平板試料用電極ＳＭＥ－８３１０）を用いて、試験片作製後、１日経過後、５日経過後を測定した。測定条件は、３０℃、２５ＲＨ％の条件下、試験片を平板用電極に挟み、電圧１００Ｖで１０秒間印加し、６０秒後に測定した値の３回平均値を測定値とした。
　次に、耐有機溶剤性を評価するために、前記５日経過後の試験片に対して、メタノールで試験片の表裏を拭き取り、風乾した後、体積抵抗値及び表面抵抗値を測定した。さらに、６日経過後の試験片をメタノール１００ｍＬに浸漬して１０分間静置して取り出し、１時間風乾した後、体積抵抗値及び表面抵抗値を測定した。測定結果を表１に示す。
　また、耐水性を評価するために、前記５日経過後の試験片に対して、試験片を流水中に曝しながら表面をウエスで５０回拭いた後、１時間風乾した試験片の体積抵抗値及び表面抵抗値を測定した。測定結果を表１に示す。
［比較例１～３］
　実施例で使用した熱可塑性樹脂に対して、ホスホニウム塩を添加せずに試験片を作製した。得られた試験片に対して実施例と同じ測定を行った。測定結果を表２に示す。
［比較例４～５］
　実施例で使用した熱可塑性樹脂に対して、各比較製造例で得られたアンモニウム塩を表２に示す配合量で添加して２５０～２６０℃で混錬し、１０ｃｍ×１０ｃｍ、ｔ=２ｍｍの試験片を作製した。得られた試験片に対して実施例と同じ測定を行った。測定結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　表１及び２に示した結果から、各製造例のホスホニウム塩を添加した実施例１～１１の試験片は、体積抵抗値及び表面抵抗値が低く、大きな変化は見られなかったことが判る。一方、ホスホニウム塩を添加しなかった比較例１～３の試験片は、体積抵抗値及び表面抵抗値の高い状態が続いていることが判る。また、アンモニウム塩を添加した比較例４及び５の試験片は、ホスホニウム塩を同量程度添加した実施例と比べて体積抵抗値及び表面抵抗値が高く、本発明のホスホニウム塩は少量であっても高い帯電防止性能を有していることが判る。

Claims (6)

  1. 　下記一般式（１）で表される化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    （式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を示し、Ｒ４は、炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のフルオロアルキル基を示し、Ａはフッ素原子を有するアニオンを表す。）
  2. 　Ｒ４が、下記一般式（２）で表される基である請求項１に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    （式中、Ｒ５は、炭素数１～１８の直鎖状又は分岐鎖状のパーフルオロアルキル基を表す。）
  3. 　Ａが、ビス（フルオロスルホニル）イミド又はビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドである請求項１に記載の化合物。
  4. 　請求項１～３のいずれか１項に記載の化合物を有効成分とする帯電防止剤。
  5. 　請求項４に記載の帯電防止剤及び樹脂を含有する樹脂組成物。
  6. 　樹脂がフッ素系樹脂である請求項５に記載の樹脂組成物。
     
     
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