WO2023228232A1 - 内壁部材の再生方法 - Google Patents

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宏治 永井
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    • H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H10P72/0421—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Definitions

  • the present invention relates to a method for regenerating an inner wall member, and particularly to a method for regenerating an inner wall member provided on the inner wall of a processing chamber in which plasma processing is performed in a plasma processing apparatus.
  • Wafers made of semiconductors are processed to manufacture electronic devices.
  • etching using plasma is applied to form a circuit structure on the surface of the wafer.
  • higher processing accuracy and improved yield are required as electronic devices become more highly integrated.
  • a processing chamber is arranged inside a vacuum container.
  • the base material of the internal member provided in the processing chamber is usually made of metal such as aluminum or stainless steel from the viewpoint of strength and cost. Since the internal members are exposed to plasma, a coating with high plasma resistance is disposed on the surface of the base material. This prevents the surface of the substrate from being consumed by the plasma over a longer period of time. Alternatively, changes in the amount or nature of interaction between the plasma and the surface of the internal member are suppressed.
  • anodic oxide films and thermal sprayed films are generally used.
  • the thickness of the sprayed film will decrease due to deterioration.
  • the surface of the sprayed film deteriorates after long-term use, particles of the sprayed film are consumed by interaction with plasma, and the thickness of the sprayed film decreases. If the surface of the base material is exposed inside the processing chamber, particles of the metal material constituting the base material may adhere to the wafer being processed inside the processing chamber, causing contamination of the wafer. Therefore, the thermal spraying method is used to regenerate the thermal sprayed coating on the surface of the member having the thermal sprayed coating that has deteriorated, been damaged, or worn out due to use.
  • Patent Document 1 discloses a member for the inner wall of a processing chamber that is provided with such a plasma-resistant film.
  • Patent Document 1 discloses yttrium oxide as an example of the above film.
  • Patent Document 2 discloses a technique for re-spraying a thermal sprayed film made of the same material when the thermal sprayed film formed on the surface of a base material deteriorates after long-term use.
  • the anodic oxide film that was covered by the sprayed film is also removed when removing the deteriorated sprayed film, there is a risk that the edges of the anodic oxide film will recede as the number of times the sprayed film is regenerated increases. There is. On the other hand, if the sprayed film is removed so that the sprayed film that overlaps with the anodic oxide film remains, the remaining sprayed film will be stacked each time the spraying is performed again. The laminated residual sprayed film is likely to peel off and become a source of foreign matter.
  • the main purpose of the present application is to provide a method for regenerating internal members in a plasma processing apparatus that can suppress the generation of foreign matter.
  • a method for regenerating an inner wall member in one embodiment is a method for regenerating an inner wall member provided on the inner wall of a processing chamber in which plasma processing is performed in a plasma processing apparatus.
  • the inner wall member includes a base material having a first surface, a second surface located at a higher position than the first surface, and a first side surface connecting the first surface and the second surface; an anodic oxide film formed on the surface and the first side surface; the second surface so as to cover a part of the anodic oxide film on the first side surface and the anodic oxide film on the first surface; a first thermal sprayed film formed on the top, the first side surface, and a portion of the first surface.
  • the method for regenerating the inner wall member includes (a) covering the anodic oxide film exposed from the first sprayed film with a first mask material; (b) after the step (a), blasting the (c) after the step (b), removing the first sprayed film on the second surface and leaving the first sprayed film on the second side surface and a part of the first surface; a step of removing the first mask material; (d) a step of covering the anodic oxide film located at a position away from the first sprayed film remaining after the step (c) with a second mask material; (e) After the step (d), the first sprayed film is sprayed onto the second surface, the first side surface, and a portion of the first surface by a thermal spraying method so as to cover the remaining first sprayed film.
  • the method includes a step of forming a second thermal sprayed film made of the same material as the thermal sprayed film, and (f) a step of removing the second mask material after the step (e).
  • a method for regenerating an inner wall member in one embodiment is a method for regenerating an inner wall member provided on the inner wall of a processing chamber in which plasma processing is performed in a plasma processing apparatus.
  • the inner wall member includes a first surface, a second surface located at a position higher than the first surface, a first side surface connecting the first surface and the second surface, and a position located at a position higher than the first surface.
  • the method for regenerating an inner wall member includes (a) covering the anodic oxide film exposed from the first sprayed film with a first mask material; (b) after the step (a), from the second surface.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a plasma processing apparatus in Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 3 is a conceptual diagram showing an inner wall member in Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 3 is a plan view showing an inner wall member in Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a sectional view showing an inner wall member in Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a sectional view showing a base material of an inner wall member in Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing an inner wall member in Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 5B is a cross-sectional view showing the method for manufacturing the inner wall member following FIG. 5B.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method for regenerating the inner wall member in Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 5D is a cross-sectional view showing a method for regenerating the inner wall member following FIG. 5D.
  • FIG. 5E is a cross-sectional view showing a method for regenerating the inner wall member following FIG. 5E.
  • FIG. 5F is a cross-sectional view showing a method for regenerating the inner wall member following FIG. 5F.
  • the plasma processing apparatus 1 includes a cylindrical vacuum container 2, a processing chamber 4 provided inside the vacuum container 2, and a stage 5 provided inside the processing chamber 4.
  • the upper part of the processing chamber 4 constitutes a discharge chamber, which is a space in which plasma 3 is generated.
  • a window member 6 having a disk shape and a plate 7 having a disk shape are provided above the stage 5.
  • the window member 6 is made of a dielectric material such as quartz or ceramics, and hermetically seals the inside of the processing chamber 4 .
  • the plate 7 is provided below the window member 6 so as to be spaced apart from the window member 6, and is made of a dielectric material such as quartz. Further, the plate 7 is provided with a plurality of through holes 8.
  • a gap 9 is provided between the window member 6 and the plate 7, and a processing gas is supplied to the gap 9 when performing plasma processing.
  • the stage 5 is used to set up a wafer WF when plasma processing is performed on the wafer WF, which is a material to be processed.
  • the wafer WF is, for example, a substrate made of a semiconductor material such as silicon, or a stacked structure including a semiconductor element, an insulating film, and a conductive film formed on the substrate.
  • the stage 5 is a member whose vertical central axis is arranged at a position concentric with the discharge chamber of the processing chamber 4, or at a position close to the extent that it can be considered concentric, when viewed from above, and has a cylindrical shape. .
  • the space between the stage 5 and the bottom of the processing chamber 4 communicates with the space above the stage 5 via the gap between the side wall of the stage 5 and the side surface of the processing chamber 4. Therefore, the products, plasma 3 or gas particles generated during the processing of the wafer WF placed on the stage 5 pass through the space between the stage 5 and the bottom of the processing chamber 4 and enter the processing chamber 4. It is discharged to the outside.
  • the stage 5 has a cylindrical shape and a base material made of a metal material.
  • the upper surface of the base material is covered with a dielectric film.
  • a heater is provided inside the dielectric film, and a plurality of electrodes are provided above the heater.
  • a DC voltage is supplied to the plurality of electrodes. This DC voltage allows the wafer WF to be attracted to the upper surface of the dielectric film, and an electrostatic force for holding the wafer WF can be generated inside the dielectric film and the wafer WF.
  • the plurality of electrodes are arranged point-symmetrically around the central axis of the stage 5 in the vertical direction, and voltages of different polarities are applied to the plurality of electrodes, respectively.
  • the stage 5 is provided with multiple refrigerant channels arranged concentrically or spirally. Further, in a state where the wafer WF is placed on the upper surface of the dielectric film, a gas having heat transfer properties such as helium (He) is filled in the gap between the lower surface of the wafer WF and the upper surface of the dielectric film. is supplied. Therefore, piping through which the gas flows is arranged inside the base material and the dielectric film.
  • a gas having heat transfer properties such as helium (He) is filled in the gap between the lower surface of the wafer WF and the upper surface of the dielectric film.
  • the plasma processing apparatus 1 includes an impedance matching device 10 and a high frequency power source 11.
  • a high frequency power source 11 is connected to the base material of the stage 5 via an impedance matching device 10 .
  • high frequency power is supplied from the high frequency power supply 11 to the base material in order to form an electric field for attracting charged particles in the plasma on the upper surface of the wafer WF.
  • the plasma processing apparatus 1 also includes a waveguide 12, a magnetron oscillator 13, a solenoid coil 14, and a solenoid coil 15.
  • a waveguide 12 is provided above the window member 6, and a magnetron oscillator 13 is provided at one end of the waveguide 12.
  • the magnetron oscillator 13 can oscillate and output a microwave electric field.
  • the waveguide 12 is a conduit through which a microwave electric field propagates, and the microwave electric field is supplied into the processing chamber 4 via the waveguide 12 .
  • the solenoid coil 14 and the solenoid coil 15 are provided around the waveguide 12 and the processing chamber 4, and are used as magnetic field generating means.
  • the waveguide 12 includes a rectangular waveguide section and a circular waveguide section.
  • the rectangular waveguide section has a rectangular cross-section and extends in the horizontal direction.
  • a magnetron oscillator 13 is provided at one end of the rectangular waveguide section.
  • a circular waveguide section is connected to the other end of the rectangular waveguide section.
  • the circular waveguide section has a circular cross-sectional shape, and is configured such that its central axis extends in the vertical direction.
  • the plasma processing apparatus 1 includes piping 16 and a gas supply device 17.
  • Gas supply device 17 is connected to processing chamber 4 via piping 16 .
  • the processing gas is supplied to the gap 9 from the gas supply device 17 via the pipe 16 and diffused inside the gap 9.
  • the diffused processing gas is supplied above the stage 5 through the through hole 8 .
  • the plasma processing apparatus 1 also includes a pressure adjustment plate 18, a pressure detector 19, a turbo molecular pump 20 which is a high vacuum pump, a dry pump 21 which is a roughing pump, an exhaust pipe 22, and valves 23 to 25. Equipped with.
  • the space between the stage 5 and the bottom of the processing chamber 4 functions as a vacuum exhaust section.
  • the pressure adjustment plate 18 is a disk-shaped valve, and by moving up and down above the exhaust port, it increases or decreases the area of the flow path through which gas flows into the exhaust port. That is, the pressure adjustment plate 18 also serves as a valve that opens and closes the exhaust port.
  • the pressure detector 19 is a sensor for detecting the pressure inside the processing chamber 4.
  • the signal output from the pressure detector 19 is transmitted to a control section (not shown), the pressure value is detected in the control section, and a command signal is output from the control section in accordance with the detected value.
  • the pressure adjustment plate 18 is driven, the vertical position of the pressure adjustment plate 18 is changed, and the area of the exhaust flow path is increased or decreased.
  • the outlet of the turbomolecular pump 20 is connected to a dry pump 21 via piping, and a valve 23 is provided in the middle of the piping.
  • the space between the stage 5 and the bottom of the processing chamber 4 is connected to an exhaust pipe 22, and the exhaust pipe 22 is provided with a valve 24 and a valve 25.
  • the valve 24 is a slow evacuation valve for evacuation at a low speed using the dry pump 21 so that the processing chamber 4 changes from atmospheric pressure to a vacuum state, and the valve 23 is for evacuation at a high speed using the turbo molecular pump 20. This is the main exhaust valve.
  • the wafer WF is placed on the tip of an arm of a vacuum transfer device such as a robot arm from outside the plasma processing apparatus 1, transferred into the processing chamber 4, and placed on the stage 5.
  • a vacuum transfer device such as a robot arm from outside the plasma processing apparatus 1
  • the inside of the processing chamber 4 is sealed.
  • a DC voltage is applied to the electrostatic adsorption electrode inside the dielectric film of the stage 5, and the wafer WF is held on the dielectric film by the generated electrostatic force.
  • a gas having heat transfer properties such as helium (He) is supplied to the gap between the wafer WF and the dielectric film through a pipe provided inside the stage 5. Further, a refrigerant whose temperature has been adjusted to a predetermined temperature by a refrigerant temperature regulator (not shown) is supplied to the refrigerant flow path inside the stage 5 . As a result, heat transfer is promoted between the temperature-adjusted base material and the wafer WF, and the temperature of the wafer WF is adjusted to a value within a range appropriate for starting plasma processing.
  • He helium
  • the processing gas whose flow rate and speed are adjusted by the gas supply device 17 is supplied to the inside of the processing chamber 4 via the piping 16, and the inside of the processing chamber 4 is evacuated from the exhaust port by the operation of the turbo molecular pump 20. be done. By balancing the two, the pressure inside the processing chamber 4 is adjusted to a value within a range suitable for plasma processing.
  • the magnetron oscillator 13 oscillates a microwave electric field.
  • the microwave electric field propagates inside the waveguide 12 and passes through the window member 6 and the plate 7.
  • the magnetic field generated by the solenoid coil 14 and the solenoid coil 15 is supplied to the processing chamber 4 .
  • Electron cyclotron resonance (ECR) is generated by the interaction between the magnetic field and the electric field of the microwave.
  • plasma 3 is generated inside the processing chamber 4 by excitation, ionization, or dissociation of atoms or molecules of the processing gas.
  • the plasma 3 When the plasma 3 is generated, high frequency power is supplied from the high frequency power supply 11 to the base material of the stage 5, a bias potential is formed on the upper surface of the wafer WF, and charged particles such as ions in the plasma 3 are applied to the upper surface of the wafer WF. be attracted to. As a result, the etching process is performed on a predetermined film of the wafer WF along the pattern shape of the mask layer. Thereafter, when it is detected that the processing of the target film has reached its end point, the supply of high frequency power from the high frequency power supply 11 is stopped, and the plasma processing is stopped.
  • an inner wall member 40 is provided on the inner wall of the processing chamber 4 in which plasma processing is performed in the plasma processing apparatus 1.
  • the inner wall member 40 functions, for example, as a ground electrode for stabilizing the potential of the plasma 3, which is a dielectric material.
  • the inner wall member 40 includes a base material 41 and a film 42 that covers the surface of the base material 41.
  • the base material 41 is made of a conductive material, for example, a metal material such as aluminum, aluminum alloy, stainless steel, or stainless steel alloy.
  • the inner wall member 40 is exposed to the plasma 3 during plasma processing. If there is no film 42 on the surface of the base material 41, the base material 41 may become a source of corrosion or foreign matter due to exposure to the plasma 3, and the wafer WF may be contaminated.
  • the film 42 is provided to suppress contamination of the wafer WF, and is made of a material that has higher resistance to the plasma 3 than the base material 41. The film 42 allows the inner wall member 40 to maintain its function as a ground electrode and protects the base material 41 from the plasma 3.
  • the surface of the base material 30 is also subjected to a treatment to improve resistance to the plasma 3 or a treatment to reduce wear of the base material 30 in order to suppress corrosion or generation of foreign substances caused by exposure to the plasma 3. is applied.
  • a treatment is, for example, a passivation treatment, the formation of a sprayed film, or the formation of a film by PVD or CVD.
  • a cylindrical cover made of ceramic such as yttrium oxide or quartz is provided inside the inner wall of the cylindrical base material 30. It may be placed. By disposing such a cover between the base material 30 and the plasma 3, contact between the base material 30 and highly reactive particles in the plasma 3, or collision between the base material 30 and charged particles can be prevented. is blocked or reduced. Thereby, wear and tear of the base material 30 can be suppressed.
  • FIG. 3 is a plan view showing the inner wall member 40
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG.
  • the inner wall member 40 (base material 41) generally has a cylindrical shape with a predetermined thickness between the inner periphery and the outer periphery. Moreover, the inner wall member 40 consists of an upper part 40a, an intermediate part 40b, and a lower part 40c.
  • the upper portion 40a is a portion where the inner diameter and outer diameter of the cylinder are relatively small
  • the lower portion 40c is a portion where the inner diameter and outer diameter of the cylinder are relatively large.
  • the intermediate portion 40b is a portion for connecting the upper portion 40a and the lower portion 40c, and has, for example, a truncated conical shape in which the inner diameter and outer diameter of a cylinder change continuously.
  • the inner wall member 40 is provided along the inner wall of the processing chamber 4 so as to surround the outer periphery of the stage 5.
  • a thermal sprayed film is formed on the inner peripheral surface of the inner wall member 40 (the inner peripheral surface of the base material 41) as part of the coating 42 by a thermal spraying method.
  • the outer circumferential surface of the inner wall member 40 is anodized as part of the coating 42.
  • An anodic oxide film is formed.
  • the sprayed film is formed not only on the inner circumferential surface of the base material 41 but also on the outer circumferential surface of the base material 41 via the upper end portion of the upper portion 40a. This is because particles of the plasma 3 may wrap around from the inner circumferential side of the inner wall member 40 to the outer circumferential side of the inner wall member 40 in the upper part 40a and interact with the outer circumferential surface of the base material 41. be. Therefore, it is necessary to form a sprayed film on the outer circumferential surface of the base material 41 up to the area where the particles of the plasma 3 are expected to wrap around. Such a region is shown as region 50 in FIG.
  • the inner wall member 40 in the first embodiment includes a base material 41, an anodic oxide film 42a, and a sprayed film 42b, as described below.
  • the anodic oxide film 42a and the sprayed film 42b each constitute a part of the film 42.
  • FIG. 5A shows the base material 41 before the anodic oxide film 42a and the sprayed film 42b are formed.
  • the base material 41 in Embodiment 1 is arranged from the inner circumferential side of the inner wall member 40 (the inner circumferential side of the base material 41) to the outer circumferential side of the inner wall member 40 (the base material In the direction toward the outer circumferential side of 41, two steps are generated.
  • the base material 41 has a surface FS1, a surface FS2, a side surface SS1, a surface FS3, and a side surface SS2 on the outer peripheral side of the base material 41.
  • Surface FS2 is located at a higher position than surface FS1.
  • Side surface SS1 connects surface FS1 and surface FS2.
  • Surface FS3 is located higher than surface FS1 and lower than surface FS2.
  • Side surface SS2 connects surface FS1 and surface FS3.
  • the distance L1 between the surface FS1 and the surface FS2 corresponds to the height of one of the steps, and is, for example, 0.6 mm.
  • the distance L2 between the surface FS1 and the surface FS3 corresponds to the height of the other step, and is, for example, 0.1 mm.
  • an anodic oxide film 42a is formed by anodizing treatment.
  • the anodic oxide film 42a is formed on the surface FS3, on the side surface SS1, on the surface FS1, and on the side surface SS2.
  • the base material 41 is aluminum or an aluminum alloy, for example, the anodic oxide film 42a is an alumite film.
  • the anodic oxide film 42a on the surface FS3 is covered with a mask material 100.
  • the mask material 100 is a jig or the like.
  • a sprayed film 42b is formed by a thermal spraying method.
  • a plasma is formed under atmospheric pressure, particles of yttrium oxide, yttrium fluoride, or a material containing these are supplied into the plasma, and the particles are brought into a semi-molten state.
  • This semi-molten particle 200 is irradiated onto the surface FS1 and the surface FS2.
  • the particles 200 are irradiated from a direction from the surface FS3 toward the surface FS1 and from a direction inclined at a predetermined angle ⁇ 1 with respect to the surface FS1.
  • the sprayed film 42b is formed on the surface FS2, the side surface SS1, and a part of the surface FS1 by the above thermal spraying method. Further, the sprayed film 42b is formed to cover part of the anodic oxide film 42a on the side surface SS1 and the anodic oxide film 42a on the surface FS1.
  • the surface FS1 near the mask material 100 is not irradiated with the particles 200, and the sprayed film 42b is formed at a position away from the mask material 100. That is, the sprayed film 42b is formed at a position away from the front surface FS3 and the side surface SS2.
  • the mask material 100 is removed. At this time, the mask material 100 is not in contact with the sprayed film 42b. Therefore, it is possible to solve the problem of the prior art in which burrs are generated and the burrs become foreign matter, thereby contaminating the inside of the processing chamber 4.
  • the unevenness on the surface of the sprayed film 42b is configured such that, for example, the arithmetic mean roughness (surface roughness) Ra is 8 or less. Further, the average size (average particle diameter) of each particle of the sprayed film 42b is, for example, 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less in volume-based D50.
  • the surface FS1, the surface FS2, the surface FS3, the side surface SS1, and the side surface SS2 are covered with at least one of the anodic oxide film 42a and the sprayed film 42b, so that the base material 41 is protected during plasma treatment. Exposure to plasma 3 is prevented.
  • a method for regenerating the inner wall member 40 will be described below with reference to FIGS. 5D to 5G. Note that the method for recycling the inner wall member 40 can also be said to be a method for manufacturing the inner wall member 40 following FIG. 5C.
  • the inner wall member 40 of FIG. 5C is placed within the processing chamber 4 and exposed to the plasma 3 during a predetermined period. Since the thermal sprayed film 42b exposed to the plasma 3 has been modified or consumed, it is necessary to remove this thermal sprayed film 42b and regenerate a new thermal sprayed film 42b.
  • the anodic oxide film 42a exposed from the sprayed film 42b is covered with a mask material 101.
  • the mask material 101 is made of a material that cannot be removed by blasting, which will be described later, and is, for example, a jig or a resin tape.
  • a blasting process is performed on the sprayed film 42b.
  • the blasting process is performed by projecting blast particles 300 in a direction from the surface FS2 toward the surface FS1 and in a direction inclined at a predetermined angle ⁇ 2 with respect to the surface FS1.
  • the blast particles 300 collide with the particles of the sprayed film 42b, and the sprayed film 42b is removed by physical action.
  • the blasting process removes the sprayed film 42b on the surface FS2 and leaves the sprayed film 42b on the side surface SS1 and a part of the surface FS1.
  • the angle ⁇ 2 of the blast particles 300 to be projected a part of the sprayed film 42b can be left. After that, the mask material 101 is removed.
  • the anodic oxide film 42a on the surface FS3 is covered with a mask material 100. That is, the mask material 100 covers the anodic oxide film 42a located away from the remaining sprayed film 42b.
  • a new thermal sprayed film 42b is formed by irradiating the particles 200 in a semi-molten state using a thermal spraying method. The method and conditions for forming the new sprayed film 42b are the same as those described with reference to FIG. 5B.
  • particles of the same material as the remaining sprayed film 42b are irradiated from the direction from the surface FS3 toward the surface FS1 and from a direction inclined at a predetermined angle ⁇ 1 with respect to the surface FS1.
  • a new sprayed film 42b is formed on the surface FS2, on the side surface SS1, and on a part of the surface FS1 so as to cover the remaining sprayed film 42b.
  • the mask material 100 is removed.
  • the upper part of the sprayed film 42b will come into contact with the upper part of the mask material 100, and there is a risk that burrs will occur when the mask material 100 is removed. Therefore, it is preferable to stop irradiating the particles 200 before the sprayed film 42b and the mask material 100 come into contact with each other.
  • the inner wall member 40 is regenerated to the state shown in FIG. 5C. Furthermore, the initially formed thermal sprayed film 42b and the newly formed thermal sprayed film 42b are made of the same material. The sprayed film 42b remaining after the blasting process is not directly exposed to the plasma 3 during the plasma process, and is a portion where there is almost no modification. Therefore, the remaining thermal sprayed film 42b and the new thermal sprayed film 42b are integrated into the same high-quality thermal sprayed film 42b.
  • the sprayed film 42b is regenerated by repeating the steps shown in FIGS. 5D to 5G, and the inner wall member 40 is regenerated. can do.
  • Plasma processing device 2 Vacuum container 3 Plasma 4 Processing chamber 5 Stage 6 Window member 7 Plate 8 Through hole 9 Gap 10 Impedance matching device 11 High frequency power source 12 Waveguide 13 Magnetron oscillator 14 Solenoid coil 15 Solenoid coil 16 Piping 17 Gas supply device 18 Pressure adjustment plate 19 Pressure detector 20 Turbomolecular pump 21 Dry pump 22 Exhaust pipes 23 to 25 Valve 30 Base material 40 Inner wall member 40a Upper part 40b Middle part 40c Lower part 41 Base material 42 Film 42a Anodic oxide film 42b Sprayed film 50 Area 100 , 101 Mask material 200 Semi-molten particles 300 Blast particles FS1 to FS3 Surface SS1, SS2 Side surface WF Wafer (material to be processed)

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Abstract

プラズマ処理が行われる処理室の内壁に設けられる内壁部材４０は、基材４１と、陽極酸化膜４２ａと、溶射膜４２ｂとを備える。基材４１は、表面ＦＳ１、表面ＦＳ１よりも高い位置に位置する表面ＦＳ２、および、側面ＳＳ１を有する。内壁部材４０の再生方法は、（ａ）溶射膜４２ｂから露出している陽極酸化膜４２ａをマスク材１００によって覆う工程、（ｂ）ブラスト処理によって、表面ＦＳ２上の溶射膜４２ｂを除去すると共に、側面ＳＳ１上および表面ＦＳ１の一部上の溶射膜４２ｂを残す工程、（ｃ）マスク材１００を取り外す工程、（ｄ）残存している溶射膜４２ｂから離れた位置に位置する陽極酸化膜４２ａをマスク材１０１によって覆う工程、（ｅ）残存している溶射膜４２ｂを覆うように、表面ＦＳ２上、側面ＳＳ１上および表面ＦＳ１の一部上に、溶射法によって、新たな溶射膜４２ｂを形成する工程、（ｆ）マスク材１０１を取り外す工程、を有する。

Description

内壁部材の再生方法
　本発明は、内壁部材の再生方法に関し、特に、プラズマ処理装置においてプラズマ処理が行われる処理室の内壁に設けられる内壁部材の再生方法に関する。
　半導体からなるウェハを加工し、電子デバイスを製造することが行われている。この製造工程では、上記ウェハの表面に回路構造を形成するために、プラズマを用いたエッチングが適用されている。このようなプラズマエッチングによる加工では、電子デバイスの高集積化に伴って、更に高い加工精度および歩留まりの向上が要求されている。
　プラズマエッチングに用いられるプラズマ処理装置では、真空容器の内部に処理室が配置されている。処理室に設けられた内部部材の基材は、通常、強度およびコストの観点から、アルミニウムまたはステンレス等の金属によって構成されている。内部部材はプラズマに曝されるので、基材の表面には、耐プラズマ性の高い皮膜が配置される。これにより、より長い期間に亘って、基材の表面がプラズマにより消耗されなくなる。または、プラズマと内部部材の表面との間において、相互作用の量または性質の変化が抑制される。
　耐プラズマ性の高い皮膜としては、陽極酸化膜および溶射膜を用いることが一般的である。しかし、長時間の使用後には、劣化によって溶射膜の厚さが減少することは避けられない。溶射膜の表面は、長期間の使用の後に劣化し、溶射膜の粒子が、プラズマとの相互作用によって消耗され、溶射膜の膜厚が減少してしまうという問題がある。基材の表面が処理室の内部で露出すると、処理室の内部で処理されるウェハに、基材を構成する金属材料の粒子が付着し、ウェハに汚染が発生する恐れがある。それ故、使用によって劣化、損傷または消耗した溶射膜を有する部材の表面に、再度、溶射法によって溶射膜を再生することが行われている。
　特許文献１には、このようなプラズマ耐性を有した皮膜を備えた処理室の内壁の部材が開示されている。特許文献１では、上記皮膜の例として、酸化イットリウムが開示されている。
　また、特許文献２には、基材の表面に形成された溶射膜が長期間の使用の後に劣化した際、同じ材料からなる溶射膜を再溶射する技術が開示されている。
特開２００４－１０００３９号公報 特開２００７－３３２４６２号公報
　従来技術では、下記の点についての考慮が不十分であったので、各種の問題が生じていた。従来技術では、溶射時に、溶射したくない箇所にマスク材を設け、マスク材から露出されている箇所に成膜する。この際、溶射膜の一部は、マスク材上にも成膜される。溶射後にマスク材を取り外すと、マスク材上に成膜されている溶射膜が、本体の溶射膜から剥がされるので、マスク材と接触する箇所においてバリが生じ易くなる。バリは剥離しやすいので、バリが異物となることで、処理室の内部が汚染されるという問題が生じる。
　また、劣化した溶射膜を除去する際に、溶射膜に覆われていた陽極酸化膜も除去されると、溶射膜の再生の回数が増えるにつれて、陽極酸化膜の端部が後退してしまう虞がある。一方で、陽極酸化膜と重なる溶射膜が残されるように、溶射膜を除去した場合、再溶射の度に、残存させた溶射膜が積層する。積層された残存溶射膜は、剥離し易く、異物の原因になり易い。
　本願の主な目的は、プラズマ処理装置において、異物の発生を抑制できる内部部材の再生方法を提供することにある。その他の課題および新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになる。
　本願において開示される実施の形態のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
　一実施の形態における内壁部材の再生方法は、プラズマ処理装置においてプラズマ処理が行われる処理室の内壁に設けられる内壁部材の再生方法である。前記内壁部材は、第１表面、前記第１表面よりも高い位置に位置する第２表面、および、前記第１表面と前記第２表面とを繋ぐ第１側面を有する基材と、前記第１表面上および前記第１側面上に形成された陽極酸化膜と、前記第１側面上の前記陽極酸化膜および前記第１表面上の前記陽極酸化膜の一部を覆うように、前記第２表面上、前記第１側面上および前記第１表面の一部上に形成された第１溶射膜と、を備える。また、内壁部材の再生方法は、（ａ）前記第１溶射膜から露出している前記陽極酸化膜を第１マスク材によって覆う工程、（ｂ）前記（ａ）工程後、ブラスト処理によって、前記第２表面上の前記第１溶射膜を除去すると共に、前記第２側面上および前記第１表面の一部上の前記第１溶射膜を残す工程、（ｃ）前記（ｂ）工程後、前記第１マスク材を取り外す工程、（ｄ）前記（ｃ）工程後、残存している前記第１溶射膜から離れた位置に位置する前記陽極酸化膜を第２マスク材によって覆う工程、（ｅ）前記（ｄ）工程後、残存している前記第１溶射膜を覆うように、前記第２表面上、前記第１側面上および前記第１表面の一部上に、溶射法によって、前記第１溶射膜と同じ材料からなる第２溶射膜を形成する工程、（ｆ）前記（ｅ）工程後、前記第２マスク材を取り外す工程、を有する。
　一実施の形態における内壁部材の再生方法は、プラズマ処理装置においてプラズマ処理が行われる処理室の内壁に設けられる内壁部材の再生方法である。前記内壁部材は、第１表面、前記第１表面よりも高い位置に位置する第２表面、前記第１表面と前記第２表面とを繋ぐ第１側面、前記第１表面よりも高い位置に位置し、且つ、前記第２表面よりも低い位置に位置する第３表面、および、前記第１表面と前記第３表面とを繋ぐ第２側面を有する基材と、前記第３表面上、前記第２側面上、前記第１表面上および前記第１側面上に形成された陽極酸化膜と、前記第１側面上に形成された前記陽極酸化膜および前記第１表面上に形成された前記陽極酸化膜の一部を覆うように、前記第２表面上、前記第１側面上および前記第１表面の一部上に形成された第１溶射膜と、を備える。また、内壁部材の再生方法は、（ａ）前記第１溶射膜から露出している前記陽極酸化膜を第１マスク材によって覆う工程、（ｂ）前記（ａ）工程後、前記第２表面から前記第１表面へ向かう方向であって、且つ、前記第１表面に対して所定の角度で傾斜した方向から、ブラスト粒子を投射することで、前記第２表面上の前記第１溶射膜を除去すると共に、前記第１側面上および前記第１表面の一部上の前記第１溶射膜を残す工程、（ｃ）前記（ｂ）工程後、前記第１マスク材を取り外す工程、（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記第３表面上の前記陽極酸化膜を第２マスク材によって覆う工程、（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記第３表面から前記第１表面へ向かう方向であって、且つ、前記第１表面に対して所定の角度で傾斜した方向から、前記第１溶射膜と同じ材料の粒子を照射することで、残存している前記第１溶射膜を覆うように、前記第２表面上、前記第１側面上および前記第１表面の一部上に、第２溶射膜を形成する工程、（ｆ）前記（ｅ）工程後、前記第２マスク材を取り外す工程、を有する。
　一実施の形態によれば、プラズマ処理装置において、異物の発生を抑制できる内部部材の再生方法を提供できる。
実施の形態１におけるプラズマ処理装置を示す模式図である。 実施の形態１における内壁部材を示す概念図である。 実施の形態１における内壁部材を示す平面図である。 実施の形態１における内壁部材を示す断面図である。 実施の形態１における内壁部材の基材を示す断面図である。 実施の形態１における内壁部材の製造方法を示す断面図である。 図５Ｂに続く内壁部材の製造方法を示す断面図である。 実施の形態１における内壁部材の再生方法を示す断面図である。 図５Ｄに続く内壁部材の再生方法を示す断面図である。 図５Ｅに続く内壁部材の再生方法を示す断面図である。 図５Ｆに続く内壁部材の再生方法を示す断面図である。
　以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
　また、本願で説明されるＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向は、互いに交差し、互いに直交している。本願で用いられる「平面図」および「平面視」などの表現は、Ｘ方向およびＹ方向によって構成される面をＺ方向から見ることを意味する。
　（実施の形態１）
　＜プラズマ処理装置の構成＞
　以下に図１を用いて、実施の形態１におけるプラズマ処理装置１の概要について説明する。
　プラズマ処理装置１は、円筒形状の真空容器２と、真空容器２の内部に設けられた処理室４と、処理室４の内部に設けられたステージ５とを備える。処理室４の上部は、プラズマ３が発生する空間である放電室を構成している。
　ステージ５の上方には、円板形状を成す窓部材６と、円板形状を成すプレート７とが設けられている。窓部材６は、例えば石英またはセラミクスのような誘電体材料からなり、処理室４の内部を気密に封止する。プレート７は、窓部材６から離間するように窓部材６の下方に設けられ、例えば石英のような誘電体材料からなる。また、プレート７には、複数の貫通穴８が設けられている。窓部材６とプレート７との間には、間隙９が設けられ、プラズマ処理を行う際に、間隙９には、処理ガスが供給される。
　ステージ５は、被処理材であるウェハＷＦに対してプラズマ処理を行う際に、ウェハＷＦを設置するために用いられる。なお、ウェハＷＦは、例えばシリコンのような半導体材料の基板、または、基板上に形成された半導体素子、絶縁膜および導電性膜を含む積層構造体である。ステージ５は、上方から見て処理室４の放電室と同心、または、同心と見なせる程度に近似した位置に、その上下方向の中心軸が配置された部材であり、円筒形状を成している。
　ステージ５と処理室４の底面との間の空間は、ステージ５の側壁と処理室４の側面との間の隙間を介して、ステージ５の上方の空間と連通している。そのため、ステージ５上に設置されたウェハＷＦの処理中に生じた生成物、プラズマ３またはガスの粒子は、ステージ５と処理室４の底面との間の空間を経由して、処理室４の外部へ排出される。
　また、詳細な図示はしないが、ステージ５は、円筒形状を成し、且つ、金属材料からなる基材を有する。上記基材の上面は、誘電体膜によって覆われている。誘電体膜の内部には、ヒータが設けられ、ヒータの上方には、複数の電極が設けられている。上記複数の電極には、直流電圧が供給される。この直流電圧によって、ウェハＷＦを上記誘電体膜の上面に吸着させ、ウェハＷＦを保持するための静電気力を、上記誘電体膜およびウェハＷＦの内部に生成することができる。なお、上記複数の電極は、ステージ５の上下方向の中心軸の周りに点対称に配置され、上記複数の電極には、それぞれ異なる極性の電圧が印加される。
　また、ステージ５には、同心円状または螺旋状状に多重に配置された冷媒流路が設けられている。また、上記誘電体膜の上面上にウェハＷＦが設置された状態において、ウェハＷＦの下面と誘電体膜の上面との間の隙間には、ヘリウム（Ｈｅ）などの熱伝達性を有したガスが供給される。そのため、上記基材および誘電体膜の内部には、上記ガスが通流する配管が配置されている。
　また、プラズマ処理装置１は、インピーダンス整合器１０と、高周波電源１１とを備える。ステージ５の上記基材には、インピーダンス整合器１０を介して高周波電源１１が接続される。ウェハＷＦのプラズマ処理中において、ウェハＷＦの上面上にプラズマ中の荷電粒子を誘引するための電界を形成するために、高周波電源１１から上記基材へ高周波電力が供給される。
　また、プラズマ処理装置１は、導波管１２と、マグネトロン発振器１３と、ソレノイドコイル１４と、ソレノイドコイル１５とを備える。窓部材６の上方には、導波管１２が設けられ、導波管１２の一端部には、マグネトロン発振器１３が設けられている。マグネトロン発振器１３は、マイクロ波の電界を発振して出力できる。導波管１２は、マイクロ波の電界が伝播するための管路であり、マイクロ波の電界は、導波管１２を介して処理室４の内部に供給される。ソレノイドコイル１４およびソレノイドコイル１５は、導波管１２および処理室４の周囲に設けられ、磁場発生手段として使用される。
　なお、導波管１２は、方形導波管部と、円形導波管部とを備えている。方形導波管部は、矩形状の断面形状を成し、水平方向に延在している。方形導波管部の一端部には、マグネトロン発振器１３が設けられている。方形導波管部の他端部には、円形導波管部が連結されている。円形導波管部は、円形状の断面形状を成し、上下方向に中心軸が延在するように構成されている。
　また、プラズマ処理装置１は、配管１６と、ガス供給装置１７とを備える。ガス供給装置１７は、配管１６を介して処理室４に接続されている。処理ガスは、ガス供給装置１７から配管１６を介して間隙９に供給され、間隙９の内部で拡散する。拡散した処理ガスは、貫通穴８からステージ５の上方へ供給される。
　また、プラズマ処理装置１は、圧力調整板１８と、圧力検出器１９と、高真空ポンプであるターボ分子ポンプ２０と、粗引きポンプであるドライポンプ２１と、排気配管２２と、バルブ２３～２５とを備える。ステージ５と処理室４の底面の間の空間は、真空排気部として機能する。圧力調整板１８は、円板形状のバルブであり、排気口の上方で上下に移動することで、排気口へガスが流入するための流路の面積を増減する。すなわち、圧力調整板１８は、排気口を開閉するバルブの役目も兼用している。
　圧力検出器１９は、処理室４の内部の圧力を検知するためのセンサである。圧力検出器１９から出力された信号は、図示しない制御部に送信され、上記制御部において圧力の値が検出され、検出された値に応じて上記制御部から指令信号が出力される。上記指令信号に基いて、圧力調整板１８が駆動され、圧力調整板１８の上下方向の位置が変化し、排気の流路の面積が増減される。
　ターボ分子ポンプ２０の出口は、配管を介してドライポンプ２１に連結され、上記配管の途中にはバルブ２３が設けられている。ステージ５と処理室４の底面の間の空間は、排気配管２２に接続され、排気配管２２には、バルブ２４およびバルブ２５が設けられている。バルブ２４は、処理室４が大気圧から真空状態になるように、ドライポンプ２１で低速に排気するためのスロー排気用のバルブであり、バルブ２３は、ターボ分子ポンプ２０で高速に排気するためのメイン排気用のバルブである。
　＜プラズマ処理＞
　以下に、プラズマ処理の一例として、ウェハＷＦの上面上に予め形成された所定の膜に対して、プラズマ３を用いたエッチング処理を実行する場合について例示する。
　ウェハＷＦは、プラズマ処理装置１の外部からロボットアームのような真空搬送装置のアームの先端部に載せられ、処理室４の内部へ搬送され、ステージ５上に設置される。真空搬送装置のアームが処理室４から退室すると、処理室４の内部が密封される。そして、ステージ５の誘電体膜の内部の静電吸着用の電極に直流電圧が印加され、生成された静電気力によって、ウェハＷＦは、上記誘電体膜上で保持される。
　この状態で、ウェハＷＦと上記誘電体膜との間の隙間には、ヘリウム（Ｈｅ）などの熱伝達性を有するガスが、ステージ５の内部に設けられた配管を介して供給される。また、図示しない冷媒温度調整器によって所定の温度に調整された冷媒が、ステージ５の内部の冷媒流路に供給される。これにより、温度が調整された基材とウェハＷＦとの間で、熱の伝達が促進され、ウェハＷＦの温度が、プラズマ処理の開始に適切な範囲内の値に調整される。
　ガス供給装置１７によって流量および速度が調整された処理ガスが、配管１６を介して処理室４の内部に供給されると共に、ターボ分子ポンプ２０の動作によって、排気口から処理室４の内部が排気される。両者のバランスによって、処理室４の内部の圧力が、プラズマ処理に適した範囲内の値に調整される。
　この状態で、マグネトロン発振器１３からマイクロ波の電界が発振される。マイクロ波の電界は、導波管１２内部を伝播し、窓部材６およびプレート７を透過する。更に、ソレノイドコイル１４およびソレノイドコイル１５によって生成された磁界が、処理室４に供給される。上記磁界とマイクロ波の電界との相互作用によって、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonance）が生起される。そして、処理ガスの原子または分子が励起、電離または解離することによって、処理室４の内部にプラズマ３が生成される。
　プラズマ３が生成されると、高周波電源１１からステージ５の基材へ高周波電力が供給され、ウェハＷＦの上面上にバイアス電位が形成され、プラズマ３中のイオンなどの荷電粒子がウェハＷＦの上面に誘引される。これにより、マスク層のパターン形状に沿うように、ウェハＷＦの所定の膜に対して、エッチング処理が実行される。その後、処理対象の膜の処理が、その終点に到達したことが検出されると、高周波電源１１からの高周波電力の供給が停止され、プラズマ処理が停止される。
　更なるウェハＷＦのエッチング処理の必要が無い場合、高真空排気が行われる。そして、静電気が除かれてウェハＷＦの吸着が解除された後、真空搬送装置のアームが処理室４の内部へ進入し、処理済みのウェハＷＦがプラズマ処理装置１の外部へ搬送される。
　＜処理室の内壁部材＞
　図１に示されるように、プラズマ処理装置１においてプラズマ処理が行われる処理室４の内壁には、内壁部材４０が設けられている。内壁部材４０は、例えば、誘電体であるプラズマ３の電位を安定させるためのアース電極として機能する。
　図２に示されるように、内壁部材４０は、基材４１と、基材４１の表面を被覆する皮膜４２とを備えている。基材４１は、導電性材料からなり、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、ステンレスまたはステンレス合金のような金属材料からなる。
　内壁部材４０は、プラズマ処理中にプラズマ３に曝される。仮に、基材４１の表面に皮膜４２が無い場合、基材４１がプラズマ３に曝されることによって、基材４１が腐食または異物の発生源となり、ウェハＷＦが汚染される恐れがある。皮膜４２は、ウェハＷＦの汚染を抑制するために設けられ、基材４１よりもプラズマ３に対する耐性が高い材料からなる。皮膜４２によって、内壁部材４０にアース電極としての機能を維持させると共に、プラズマ３から基材４１を保護することができる。
　なお、アース電極としての機能を有さない基材３０においても、ステンレス合金またはアルミニウム合金などのような金属材料が用いられている。そのため、基材３０の表面にも、プラズマ３に曝されることによって生じる腐食または異物の発生を抑制するために、プラズマ３に対する耐性を向上させる処理、または、基材３０の消耗を低減させる処理が施されている。そのような処理は、例えば、不動態化処理、溶射膜の形成、または、ＰＶＤ法若しくはＣＶＤ法による膜の形成である。
　なお、図示はしないが、プラズマ３による基材３０の消耗を低減させるために、円筒形状を成す基材３０の内壁の内側に、酸化イットリウムまたは石英などのようなセラミック製の円筒形状のカバーが配置されても良い。このようなカバーが、基材３０とプラズマ３との間に配置されることによって、基材３０とプラズマ３内の反応性の高い粒子との接触、または、基材３０と荷電粒子との衝突が、遮断または低減される。これにより、基材３０の消耗を抑制することができる。
　図３および図４を用いて、内壁部材４０の構成について説明する。図３は、内壁部材４０を示す平面図であり、図４は、図３に示されるＡ－Ａ線に沿った断面図である。
　内壁部材４０（基材４１）は、概ね、内周と外周との間で所定の厚さを有する円筒形状を成している。また、内壁部材４０は、上部４０ａ、中間部４０ｂおよび下部４０ｃからなる。上部４０ａは、円筒の内径および外径が相対的に小さい箇所であり、下部４０ｃは、円筒の内径および外径が相対的に大きい箇所である。中間部４０ｂは、上部４０ａおよび下部４０ｃを接続するための箇所であり、例えば、円筒の内径および外径が連続的に変化する円錐台形状を成している。
　内壁部材４０は、ステージ５の外周を囲むように、処理室４の内壁に沿って設けられる。内壁部材４０の内周側の表面（基材４１の内周側の表面）には、皮膜４２の一部として、溶射法によって溶射膜が形成される。また、処理室４の内部に内壁部材４０が取り付けられた状態で、内壁部材４０の外周側の表面（基材４１の外周側の表面）には、皮膜４２の一部として、陽極酸化処理によって陽極酸化膜が形成される。
　また、溶射膜は、基材４１の内周側の表面だけでなく、上部４０ａの上端部を介して基材４１の外周側の表面にも形成される。その理由は、プラズマ３の粒子が、上部４０ａにおいて、内壁部材４０の内周側から内壁部材４０の外周側へ回り込み、基材４１の外周側の表面と相互作用を生起する恐れがあるからである。従って、プラズマ３の粒子が回り込むと想定される領域まで、基材４１の外周側の表面に、溶射膜を形成する必要がある。図４には、そのような領域が、領域５０として示されている。
　＜実施の形態１における内壁部材の構造およびその製造方法＞
　図５Ａ～図５Ｇは、領域５０を拡大して示した断面図である。以下に図５Ａ～図５Ｃを用いて、内壁部材４０の構造およびその製造方法について説明する。実施の形態１における内壁部材４０は、以下で説明するような、基材４１と、陽極酸化膜４２ａと、溶射膜４２ｂとを備えている。陽極酸化膜４２ａおよび溶射膜４２ｂは、それぞれ皮膜４２の一部を構成している。
　図５Ａは、陽極酸化膜４２ａおよび溶射膜４２ｂが形成される前の基材４１を示している。図５Ａに示されるように、実施の形態１における基材４１には、Ｘ方向のうち、内壁部材４０の内周側（基材４１の内周側）から内壁部材４０の外周側（基材４１の外周側）へ向かう方向において、２つの段差が発生している。
　すなわち、基材４１は、基材４１の外周側において、表面ＦＳ１、表面ＦＳ２、側面ＳＳ１、表面ＦＳ３および側面ＳＳ２を有する。表面ＦＳ２は、表面ＦＳ１よりも高い位置に位置する。側面ＳＳ１は、表面ＦＳ１と表面ＦＳ２とを繋いでいる。表面ＦＳ３は、表面ＦＳ１よりも高い位置に位置し、且つ、表面ＦＳ２よりも低い位置に位置する。側面ＳＳ２は、表面ＦＳ１と表面ＦＳ３とを繋いでいる。
　なお、表面ＦＳ１と表面ＦＳ２との間の距離Ｌ１は、一方の段差の高さに相当し、例えば０．６ｍｍである。表面ＦＳ１と表面ＦＳ３との間の距離Ｌ２は、他方の段差の高さに相当し、例えば０．１ｍｍである。
　図５Ｂに示されるように、溶射膜４２ｂが形成される前に、陽極酸化処理によって陽極酸化膜４２ａを形成する。陽極酸化膜４２ａは、表面ＦＳ３上、側面ＳＳ１上、表面ＦＳ１上および側面ＳＳ２上に形成される。なお、基材４１が、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合、陽極酸化膜４２ａは、アルマイト皮膜である。
　次に、表面ＦＳ３上の陽極酸化膜４２ａをマスク材１００によって覆う。マスク材１００は、治具などである。この状態で、溶射法によって溶射膜４２ｂを形成する。この溶射法では、大気圧下でプラズマを形成し、酸化イットリウム、フッ化イットリウまたはこれらを含む材料の粒子をプラズマ内に供給し、上記粒子を半溶融状態にする。この半溶融状態の粒子２００を表面ＦＳ１および表面ＦＳ２に照射する。ここで、表面ＦＳ３から表面ＦＳ１へ向かう方向であって、且つ、表面ＦＳ１に対して所定の角度θ１で傾斜した方向から、粒子２００を照射する。
　図５Ｃに示されるように、上記溶射法によって、表面ＦＳ２上、側面ＳＳ１上および表面ＦＳ１の一部上に、溶射膜４２ｂが形成される。また、溶射膜４２ｂは、側面ＳＳ１上の陽極酸化膜４２ａおよび表面ＦＳ１上の陽極酸化膜４２ａの一部を覆うように形成される。角度θ１で傾斜した方向から粒子２００を照射していることで、マスク材１００付近の表面ＦＳ１には粒子２００は照射されず、溶射膜４２ｂは、マスク材１００から離れた位置に形成される。すなわち、溶射膜４２ｂは、表面ＦＳ３および側面ＳＳ２から離れた位置に形成される。
　その後、マスク材１００を取り外す。この際、マスク材１００は溶射膜４２ｂに接していない。従って、バリが生じ、バリが異物となることで、処理室４の内部が汚染されるという従来技術の問題を解消できる。
　なお、溶射膜４２ｂの表面の凹凸は、例えば、算術平均粗さ（面粗さ）Ｒａが８以下となるように構成されている。また、溶射膜４２ｂの各粒子の大きさの平均（平均粒子径）は、体積基準のＤ５０において、例えば１０μｍ以上であり、且つ、５０μｍ以下である。
　領域５０において、表面ＦＳ１、表面ＦＳ２、表面ＦＳ３、側面ＳＳ１および側面ＳＳ２が、陽極酸化膜４２ａまたは溶射膜４２ｂのうち少なくとも一方によって覆われていることで、プラズマ処理の際に、基材４１がプラズマ３に暴露されることが防止される。
　＜実施の形態１における内壁部材の再生方法＞
　以下に図５Ｄ～図５Ｇを用いて、内壁部材４０の再生方法について説明する。なお、内壁部材４０の再生方法は、図５Ｃに続く内壁部材４０の製造方法であるとも言える。
　図５Ｃの内壁部材４０は、所定の期間中に処理室４内に配置され、プラズマ３に曝される。プラズマ３に曝された溶射膜４２ｂは、改質または消耗しているので、この溶射膜４２ｂを取り除き、新たに溶射膜４２ｂを再生する必要がある。
　まず、図５Ｄに示されるように、溶射膜４２ｂから露出している陽極酸化膜４２ａをマスク材１０１によって覆う。マスク材１０１は、後述のブラスト処理によって除去されない特性を有する材料からなり、例えば治具または樹脂テープである。
　次に、溶射膜４２ｂに対してブラスト処理を行う。ブラスト処理は、表面ＦＳ２から表面ＦＳ１へ向かう方向であって、且つ、表面ＦＳ１に対して所定の角度θ２で傾斜した方向から、ブラスト粒子３００を投射することで行われる。ブラスト粒子３００が溶射膜４２ｂの粒子に衝突し、物理的作用によって溶射膜４２ｂが取り除かれる。
　図５Ｅに示されるように、上記ブラスト処理によって、表面ＦＳ２上の溶射膜４２ｂを除去すると共に、側面ＳＳ１上および表面ＦＳ１の一部上の溶射膜４２ｂを残す。投射されるブラスト粒子３００の角度θ２が適切に選択されることで、溶射膜４２ｂの一部を残すことができる。その後、マスク材１０１を取り外す。
　次に、図５Ｆに示されるように、表面ＦＳ３上の陽極酸化膜４２ａをマスク材１００によって覆う。すなわち、残存している溶射膜４２ｂから離れた位置に位置する陽極酸化膜４２ａをマスク材１００によって覆う。次に、溶射法によって半溶融状態の粒子２００を照射することで、新たな溶射膜４２ｂを形成する。新たな溶射膜４２ｂを形成するための手法および条件は、図５Ｂで説明したものと同じである。
　すなわち、表面ＦＳ３から表面ＦＳ１へ向かう方向であって、且つ、表面ＦＳ１に対して所定の角度θ１で傾斜した方向から、残存している溶射膜４２ｂと同じ材料の粒子を照射する。これにより、図５Ｇに示されるように、残存している溶射膜４２ｂを覆うように、表面ＦＳ２上、側面ＳＳ１上および表面ＦＳ１の一部上に、新たな溶射膜４２ｂを形成する。その後、マスク材１００を取り外す。
　なお、図５Ｇでマスク材１００を取り外す際に、マスク材１００は溶射膜４２ｂに接していない。従って、バリが生じ、バリが異物となることで、処理室４の内部が汚染されるという従来技術の問題を解消できる。
　また、新たな溶射膜４２ｂを形成しすぎると、溶射膜４２ｂの上部がマスク材１００の上部に接し、マスク材１００を取り外す際にバリが生じる恐れがある。そのため、溶射膜４２ｂとマスク材１００とが接する前に、粒子２００の照射を停止することが好ましい。
　このようにして溶射膜４２ｂを再生できるので、内壁部材４０が、図５Ｃの状態へと再生する。また、最初に形成した溶射膜４２ｂおよび新しく形成した溶射膜４２ｂは、同じ材料からなる。ブラスト処理後に残されている溶射膜４２ｂは、プラズマ処理時においてプラズマ３に直接曝されておらず、改質などがほぼ無い箇所である。そのため、残されている溶射膜４２ｂと新たな溶射膜４２ｂとは、同一の良質な溶射膜４２ｂとして一体化する。
　その後、内壁部材４０が再びプラズマ３に曝され、溶射膜４２ｂに改質などが発生した場合、図５Ｄ～図５Ｇの各工程を繰り返すことで、溶射膜４２ｂを再生し、内壁部材４０を再生することができる。
　以上、上記実施の形態に基づいて本発明を具体的に説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
１　　プラズマ処理装置
２　　真空容器
３　　プラズマ
４　　処理室
５　　ステージ
６　　窓部材
７　　プレート
８　　貫通穴
９　　間隙
１０　　インピーダンス整合器
１１　　高周波電源
１２　　導波管
１３　　マグネトロン発振器
１４　　ソレノイドコイル
１５　　ソレノイドコイル
１６　　配管
１７　　ガス供給装置
１８　　圧力調整板
１９　　圧力検出器
２０　　ターボ分子ポンプ
２１　　ドライポンプ
２２　　排気配管
２３～２５　　バルブ
３０　　基材
４０　　内壁部材
４０ａ　　上部
４０ｂ　　中間部
４０ｃ　　下部
４１　　基材
４２　　皮膜
４２ａ　　陽極酸化膜
４２ｂ　　溶射膜
５０　　領域
１００、１０１　　マスク材
２００　　半溶融状態の粒子
３００　　ブラスト粒子
ＦＳ１～ＦＳ３　　表面
ＳＳ１、ＳＳ２　　側面
ＷＦ　　ウェハ（被処理材）

Claims (9)

  1. 　プラズマ処理装置においてプラズマ処理が行われる処理室の内壁に設けられる内壁部材の再生方法であって、
    　前記内壁部材は、
    　　第１表面、前記第１表面よりも高い位置に位置する第２表面、および、前記第１表面と前記第２表面とを繋ぐ第１側面を有する基材と、
    　　前記第１表面上および前記第１側面上に形成された陽極酸化膜と、
    　　前記第１側面上の前記陽極酸化膜および前記第１表面上の前記陽極酸化膜の一部を覆うように、前記第２表面上、前記第１側面上および前記第１表面の一部上に形成された第１溶射膜と、
    　を備え、
    （ａ）前記第１溶射膜から露出している前記陽極酸化膜を第１マスク材によって覆う工程、
    （ｂ）前記（ａ）工程後、ブラスト処理によって、前記第２表面上の前記第１溶射膜を除去すると共に、前記第１側面上および前記第１表面の一部上の前記第１溶射膜を残す工程、
    （ｃ）前記（ｂ）工程後、前記第１マスク材を取り外す工程、
    （ｄ）前記（ｃ）工程後、残存している前記第１溶射膜から離れた位置に位置する前記陽極酸化膜を第２マスク材によって覆う工程、
    （ｅ）前記（ｄ）工程後、残存している前記第１溶射膜を覆うように、前記第２表面上、前記第１側面上および前記第１表面の一部上に、溶射法によって、前記第１溶射膜と同じ材料からなる第２溶射膜を形成する工程、
    （ｆ）前記（ｅ）工程後、前記第２マスク材を取り外す工程、
    　を有する、内壁部材の再生方法。
  2. 　請求項１に記載の内壁部材の再生方法において、
    　前記基材は、前記第１表面よりも高い位置に位置し、且つ、前記第２表面よりも低い位置に位置する第３表面、および、前記第１表面と前記第３表面とを繋ぐ第２側面を有し、
    　前記陽極酸化膜は、前記第３表面上および前記第２側面上にも形成され、
    　前記（ｄ）工程では、前記第３表面上の前記陽極酸化膜が、前記第２マスク材によって覆われる、内壁部材の再生方法。
  3. 　請求項２に記載の内壁部材の再生方法において、
    　前記（ｅ）工程では、前記第３表面から前記第１表面へ向かう方向であって、且つ、前記第１表面に対して所定の角度で傾斜した方向から、前記第１溶射膜と同じ材料の粒子を照射することで、前記第２溶射膜が形成される、内壁部材の再生方法。
  4. 　請求項３に記載の内壁部材の再生方法において、
    　前記（ｅ）工程において、前記第２溶射膜と前記第２マスク材とが接する前に、前記粒子の照射が停止する、内壁部材の再生方法。
  5. 　請求項１に記載の内壁部材の再生方法において、
    　前記（ｂ）工程では、前記ブラスト処理は、前記第２表面から前記第１表面へ向かう方向であって、且つ、前記第１表面に対して所定の角度で傾斜した方向から、ブラスト粒子を投射することで行われる、内壁部材の再生方法。
  6. 　請求項１に記載の内壁部材の再生方法において、
    　前記基材は、内周と外周との間で所定の厚さを有する円筒形状を成し、
    　前記第１表面、前記第２表面および前記第１側面は、前記基材の外周側に設けられている、内壁部材の再生方法。
  7. 　プラズマ処理装置においてプラズマ処理が行われる処理室の内壁に設けられる内壁部材の再生方法であって、
    　前記内壁部材は、
    　　第１表面、前記第１表面よりも高い位置に位置する第２表面、前記第１表面と前記第２表面とを繋ぐ第１側面、前記第１表面よりも高い位置に位置し、且つ、前記第２表面よりも低い位置に位置する第３表面、および、前記第１表面と前記第３表面とを繋ぐ第２側面を有する基材と、
    　　前記第３表面上、前記第２側面上、前記第１表面上および前記第１側面上に形成された陽極酸化膜と、
    　　前記第１側面上に形成された前記陽極酸化膜および前記第１表面上に形成された前記陽極酸化膜の一部を覆うように、前記第２表面上、前記第１側面上および前記第１表面の一部上に形成された第１溶射膜と、
    　を備え、
    （ａ）前記第１溶射膜から露出している前記陽極酸化膜を第１マスク材によって覆う工程、
    （ｂ）前記（ａ）工程後、前記第２表面から前記第１表面へ向かう方向であって、且つ、前記第１表面に対して所定の角度で傾斜した方向から、ブラスト粒子を投射することで、前記第２表面上の前記第１溶射膜を除去すると共に、前記第１側面上および前記第１表面の一部上の前記第１溶射膜を残す工程、
    （ｃ）前記（ｂ）工程後、前記第１マスク材を取り外す工程、
    （ｄ）前記（ｃ）工程後、前記第３表面上の前記陽極酸化膜を第２マスク材によって覆う工程、
    （ｅ）前記（ｄ）工程後、前記第３表面から前記第１表面へ向かう方向であって、且つ、前記第１表面に対して所定の角度で傾斜した方向から、前記第１溶射膜と同じ材料の粒子を照射することで、残存している前記第１溶射膜を覆うように、前記第２表面上、前記第１側面上および前記第１表面の一部上に、第２溶射膜を形成する工程、
    （ｆ）前記（ｅ）工程後、前記第２マスク材を取り外す工程、
    　を有する、内壁部材の再生方法。
  8. 　請求項７に記載の内壁部材の再生方法において、
    　前記（ｅ）工程において、前記第２溶射膜と前記第２マスク材とが接する前に、前記粒子の照射が停止する、内壁部材の再生方法。
  9. 　請求項７に記載の内壁部材の再生方法において、
    　前記基材は、内周と外周との間で所定の厚さを有する円筒形状を成し、
    　前記第１表面、前記第２表面、前記第３表面、前記第１側面および前記第２側面は、前記基材の外周側に設けられている、内壁部材の再生方法。
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