WO2023216144A1 - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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樊瑞
闫晓
辛昊毅
樊建雄
刘尚鹏
徐晶晶
张敏
任伟
乔琛嵘
李岩锋
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京东方科技集团股份有限公司
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Abstract

一种显示面板和显示装置，显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板，第一基板上包括第一电极和第二电极，第二基板包括遮光层，遮光层包括透光区和遮光区，第一电极包括沿第一方向延伸的狭缝（11），至少一个狭缝（11）的两端在第一基板上的正投影位于遮光区在第一基板上的正投影范围内，从而将第一电极和第二电极形成的电场的紊乱区向遮光层内部转移，透过率增大。

Description

显示面板和显示装置 技术领域
本公开涉及液晶产品制作技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
在LCD显示屏产品上，液晶盒内像素电极起着形成电场，从而控制液晶盒内液晶偏转的方向和角度的作用。而在像素电极边缘处由于电极设计会导致电场紊乱，造成此处液晶分子偏转方向混乱，从而在通电后导致此处异常显示，一般会导致发暗。
发明内容
为了解决上述技术问题，本公开提供一种显示面板和显示装置，解决像素电极边缘差电场紊乱的问题。
为了达到上述目的，本公开实施例采用的技术方案是：一种显示面板，包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板上包括第一电极和第二电极，所述第二基板包括遮光层，所述遮光层包括透光区和遮光区；
所述第一电极包括沿第一方向延伸的狭缝，至少一个所述狭缝的两端在所述第一基板上的正投影位于所述遮光区在所述第一基板上的正投影范围内。
可选的，所述第一基板上包括多条数据线和多条栅线，多条所述数据线和多条所述栅线交叉限定多个像素单元；
每个所述像素单元包括所述第一电极和所述第二电极，以及薄膜晶体管，所述第一电极包括与所述薄膜晶体管连接的第一端部，所述第一端部包括与所述薄膜晶体管连接的连接区，和在与所述第一方向相垂直的第二方向上位于所述连接区的一侧的非连接区；
所述狭缝包括对应于所述连接区的第一狭缝和对应于所述非连接区的第二狭缝，所述第一狭缝的长度小于所述第二狭缝的长度。
可选的，所述第一狭缝在第一基板上的正投影与所述遮光区在所述第一基板上的正投影的重叠面积为第一重叠面积，所述第二狭缝在所述第一基板上的 正投影与所述遮光区在所述第一基板上的正投影的重叠面积为第二重叠面积，所述第一重叠面积小于所述第二重叠面积。
可选的，所述第一基板上具有在所述第一方向上排布的、相邻的第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元包括具有所述狭缝的第一子电极，所述第二像素单元包括具有所述狭缝的第二子电极；
所述第一子电极靠近所述第二子电极的一端为所述第一端部，在所述第一方向上，所述连接区包括远离所述第一狭缝的第一边缘，所述非连接区包括远离所述第二狭缝的第二边缘，所述第一边缘向靠近所述第二子电极的方向凸出于所述第二边缘设置。
可选的，所述第二子电极靠近所述第一子电极的一端为第二端部，所述第二端部包括与所述连接区对应的第一部分和与所述非连接区对应的第二部分；
所述第一部分具有靠近所述连接区的第三边缘，所述第二部分具有靠近所述非连接区的第四边缘，所述第四边缘向靠近所述第一子电极的方向凸出于所述第三边缘设置。
可选的，所述第四边缘与所述第二边缘之间的距离大于或等于所述第三边缘与所述第一边缘之间的距离。
可选的，所述第四边缘与所述第二边缘之间的最小距离为2.8-3.4微米。
可选的，所述第三边缘与所述第一边缘之间的最小距离为2.8-3.4微米。
可选的，所述第二子电极靠近所述第一子电极的一端为第二端部，所述第二端部包括与所述连接区对应的第一部分和与所述非连接区对应的第二部分，所述第二端部为条形结构，所述第二像素单元的多个狭缝靠近所述第二端部的一端平齐。
可选的，所述连接区为由部分所述第一端部向靠近所述第二像素单元的方向延伸凸出形成的凸出部，所述凸出部包括靠近所述第二部分设置的第一边角，所述第二部分包括靠近所述连接区的第二边角，所述第一边角和所述第二边角之间的最小距离为2.8-3.4微米。
可选的，所述狭缝为直线形结构。
可选的，所述狭缝为折线形结构。
可选的，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极，所述像素 单元内的薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与所述漏极和所述源极之间设置有栅绝缘层，所述第一电极与所述漏极连接。
可选的，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极，所述像素单元内的薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与所述漏极和所述源极之间设置有栅绝缘层，所述第一电极与所述源极连接。
可选的，所述第二电极面状电极。
可选的，所述第二电极包括异层设置的第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括多个间隔且平行设置的第一条形电极，所述第二电极层包括多个间隔且平行设置的第二条形电极，所述第一条形电极和所述第二条形电极相平行设置，且所述第一条形电极和所述第二条形电极相交错设置。
可选的，所述第一基板为阵列基板，所述第二基板为彩膜基板。
本公开实施例还提供一种显示装置，其中，包括上述的显示面板。
本公开的有益效果是：至少一个所述狭缝的两端在所述第一基板上的正投影位于所述遮光层在所述第一基板上的正投影范围内，拉长了所述第一电极整体的长度，将狭缝的两端在所述第一基板上的正投影向所述遮光层在所述第一基板上的正投影范围内延伸，从而将所述第一电极和所述第二电极形成的电场的紊乱区向遮光层内部转移，透过率增大。
附图说明
图1表示相关技术中的像素单元的结构示意图一；
图2表示相关技术中的像素光效示意图；
图3表示相关技术中像素单元的结构示意图二；
图4表示本公开实施例中的像素单元的结构示意图一；
图5表示本公开实施例中像素光效示意图；
图6表示本公开实施例中的像素单元的结构示意图二；
图7表示本公开实施例中的电压与透过率关系曲线示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开 实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
在本公开的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
参考图3和图6，本实施例提供一种显示面板，包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板上包括第一电极和第二电极，所述第二基板包括遮光层，所述遮光层包括透光区和遮光区；
所述第一电极包括沿第一方向延伸的狭缝11，至少一个所述狭缝11的两端在所述第一基板上的正投影位于所述遮光区在所述第一基板上的正投影(第一投影2)范围内。示例性的，所述第一基板上包括多条数据线和多条栅线，多条所述数据线和多条所述栅线交叉限定多个像素单元，每个所述像素单元包括所述第一电极和所述第二电极；
所述第一方向与所述数据线的延伸方向平行或大致平行。
以下以所述第一基板为阵列基板，所述第二基板为彩膜基板进行详细说明。
相关技术中，参考图1和图3，阵列基板上设置有由多条数据线和多条栅线交叉限定的多个像素单元，即每个像素单元的有效显示区的外围(即非有效显示区)被彩膜基板上的遮光层的遮光区在所述阵列基板上的正投影覆盖，每个像素单元包括第一电极，第一电极包括狭缝11和沿着所述狭缝11的延伸方向位于所述狭缝11的相对的两端的端部，即所述像素电极的两端均是封闭形式，在所述狭缝11的延伸方向上，所述像素单元靠近所述遮光层的遮光区的在所述阵列基板上的正投影的边缘区域具有沿第一方向(即所述狭缝的延伸方向)延伸的狭缝电极，又有沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸的电极端部(第一端部12和第二端部13的延伸方向与所述狭缝11的延伸方向不同)， 电极端部被所述遮光层在所述阵列基板上的正投影覆盖，而狭缝位于所述遮光层在所述阵列基板上的正投影的覆盖范围之外，狭缝的位置能产生规则的电场，带动液晶偏转，从而让光透过，但是上述结构设置(电极端部的存在)，使得所述边缘区域的电场紊乱，造成此处液晶分子偏转方向混乱，从而在通电后导致此处异常显示，一般会导致发暗，参考图2中圈示的区域。因此，本实施例中提供一种显示面板，延伸所述狭缝的长度，进而使得至少一个所述狭缝的两端在所述第一基板上的正投影位于所述遮光区在所述第一基板上的正投影范围内，拉长了所述第一电极整体的长度，将狭缝的两端在所述第一基板上的正投影向所述遮光区在所述第一基板上的正投影范围内延伸，从而将所述第一电极和所述第二电极形成的电场的紊乱区向遮光层内部转移，透过率增大。
参考图4和图6，所述狭缝11延长，使得所述狭缝11的两端均被所述遮光层的遮光区在所述阵列基板上的正投影覆盖，从而可以确保显示区内有效电场区域增大，从而避免因电场紊乱造成的暗区，增大像素显示区亮度，提升显示屏的透过率。
示例性的，所述第一基板上包括多条数据线和多条栅线，多条所述数据线和多条所述栅线交叉限定多个像素单元；
每个所述像素单元包括所述第一电极和所述第二电极，以及薄膜晶体管，所述第一电极包括与所述薄膜晶体管连接的第一端部12，所述第一端部12包括与所述薄膜晶体管连接的连接区121，和在与所述第一方向相垂直的第二方向上位于所述连接区121的一侧的非连接区122，参考图4，图4中表示出了相邻的三个像素单元，从上到下为第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元，第一像素单元中包括第一子电极1001，第一子电极1001包括靠近第二子电极1002设置的第一端部12，所述第二像素单元包括第二子电极1002，所述第二子电极靠近所述第一子电极1001的一端包括第二端部13；
所述狭缝11包括对应于所述连接区121的第一狭缝和对应于所述非连接区122的第二狭缝，所述第一狭缝的长度小于所述第二狭缝的长度。
为了便于与所述薄膜晶体管连接，所述连接区121是凸出设置的，即所述连接区121与所述第二端部13之间的距离是小于所述非连接区122与所述第二端部13之间的距离的，因此，在进行延伸设置时，所述连接区121对应的 位置的延伸空间小于所述非连接区122对应的位置的延伸空间，为了有效的避免第一电极(即所述第一子电极或所述第二子电极)的边缘的电场紊乱，同时可以增大有效显示区的面积，所述非连接区122对应的所述狭缝11的延伸长度大于所述连接区121对应的所述狭缝11的延伸长度，即所述第一狭缝的长度小于所述第二狭缝的长度。
示例性的，所述第一狭缝在第一基板上的正投影与所述遮光区在所述第一基板上的正投影的重叠面积为第一重叠面积，所述第二狭缝在所述第一基板上的正投影与所述遮光区在所述第一基板上的正投影的重叠面积为第二重叠面积，所述第一重叠面积小于所述第二重叠面积。
参考图4，示例性的，所述第一基板上具有在所述第一方向上排布的、相邻的第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元包括具有所述狭缝11的第一子电极1001，所述第二像素单元包括具有所述狭缝11的第二子电极1002；
所述第一子电极1001靠近所述第二子电极1002的一端为所述第一端部12，在所述第一方向上，所述连接区121包括远离所述第一狭缝的第一边缘，所述非连接区122包括远离所述第二狭缝的第二边缘，所述第一边缘向靠近所述第二子电极1002的方向凸出于所述第二边缘设置(即所述第一边缘和所述第二边缘形成台阶结构)。
参考图4，示例性的，所述第二子电极1002靠近所述第一子电极1001的一端为第二端部13，所述第二端部13包括与所述连接区121对应的第一部分131和与所述非连接区122对应的第二部分132；
所述第一部分131具有靠近所述连接区121的第三边缘，所述第二部分132具有靠近所述非连接区122的第四边缘，所述第四边缘向靠近所述第一子电极的方向凸出于所述第三边缘设置(即所述第三边缘和所述第四边缘形成台阶结构)。
需要说明的是，所述第一边缘和所述第二边缘形成的台阶结构和所述第三边缘和所述第四边缘形成的台阶结构是相互配合的，是可以相互插接、容纳的结构关系。
所述连接区121是凸出设置的，因此在相关技术中，在所述狭缝11的延 伸方向上，所述连接区121与所述第二端部13之间的距离小于所述非连接区122与所述第二端部13之间的距离，即所述非连接区122和所述第二端部13的相应的区域之间的空间大于所述连接区121和所述第二端部13的相应的区域之间的空间，为了有效的避免像素单元的边缘的电场紊乱，可以充分利用所述非连接区122和所述第二端部13的相应的区域之间的距离，即更大的改变所述非连接区122和所述第二端部13的相应的区域之间的距离，这样所述第二端部13不再是条形结构，所述第一部分131与所述连接区121在所述数据线的延伸方向上的距离小于所述第二部分132与所述连接区121在所述数据线的延伸方向上之间的距离，参考图4。示例性的，所述第一狭缝11的延伸长度和所述第二狭缝11的延伸长度可以根据实际需要设定，例如，所述第一端部12和所述第二端部13之间的距离为允许的最小距离b，图1中第一端部12和第二端部13之间的距离为a，则所述第一端部12可移动的距离为1/2(a-b)，所述第二端部13可移动的距离为1/2(a-b)，即所述第一端部12和所述第二端部13分别相向移动相同的距离，但并不以此为限。
示例性的，所述第四边缘与所述第二边缘之间的距离大于或等于所述第三边缘与所述第一边缘之间的距离。
示例性的，所述第四边缘与所述第二边缘之间的最小距离为2.8-3.4微米。
示例性的，所述第三边缘与所述第一边缘之间的最小距离为2.8-3.4微米。
示例性的，所述第二子电极1002靠近所述第一子电极1001的一端为第二端部13，所述第二端部13包括与所述连接区121对应的第一部分131和与所述非连接区122对应的第二部分132，所述第二端部13为条形结构，所述第二像素单元的多个狭缝靠近所述第二端部13的一端平齐。在此实施方式中，所述第四边缘与所述第二边缘之间的距离大于所述第三边缘与所述第一边缘之间的距离。
采用上述方案，所述第二端部13是整体延伸设置的，或者只是所述第一端部12延伸设置，这样也可以达到减小所述第一端部12和所述第二端部13之间的距离的目的。
参考图4和图6，本实施例中，将所述像素单元的边缘区域的延伸设置，即所述第一子电极1001的狭缝11和所述第二子电极1002的狭缝11相向延伸， 减小在所述狭缝11的延伸方向上的两个像素单元的像素电极之间的距离，延长了狭缝11的长度，并且相当于将所述第一像素单元的所述第一端部12，沿着所述狭缝11的延伸方向向相应的所述遮光区(即所述第一投影2)的中心移动，和/或，将所述第二像素单元的所述第二端部13沿着所述狭缝11的延伸方向向相应的所述遮光区的中心移动，对比图1和图4，图4中被所述遮光区在所述第一基板上的正投影覆盖的相应的所述狭缝11的长度大于图1中被所述遮光区在所述第一基板上的正投影覆盖的相应的所述狭缝11的长度，所述第一端部12和所述第二端部13之间的距离由a减小到b，或由a′减小到b，(此处b值为所述第一端部12和所述第二端部13之间所允许的最小距离，但并不以此为限)增大所述第一端部12与所述第一像素单元的有效显示区之间的距离，和/或增大所述第二端部13与所述第二像素单元的有效显示区之间的距离，从而可以确保显示区内有效电场区域增大，从而避免因电场紊乱造成的暗区，增大像素显示区亮度，提升显示屏的透过率，图3和图6对比，图3中圈示的区域30和图6中圈示的区域40可获得，本实施例图6中被遮光区在所述第一基板上的正投影覆盖的狭缝的长度大于图3中被遮光区在所述第一基板上的正投影覆盖的狭缝的长度。
对比图2和图5，可以明显获得，图5中圈示的区域20内的暗区相比图2中圈示的区域10内的暗区明显减小。通过亮度模拟软件运行得到变更前后的VT曲线(电压与透过率关系曲线)，从图7上可明显看到本实施例中的阵列基板的VT曲线100明显高于相关技术中的VT曲线(图1中的显示面板)。通过计算可知，相比图1中的结构，本实施例的显示面板可实现亮度增大2％左右。
示例性的，所述连接区121为由部分所述第一端部12向靠近所述第二像素单元的方向延伸凸出形成的凸出部，所述凸出部包括靠近所述第二部分132设置的第一边角，所述第二部分132包括靠近所述连接区121的第二边角，所述第一边角和所述第二边角之间的最小距离为2.8-3.4微米。
由于所述连接区121是向靠近所述第二像素单元的方向延伸凸出设置的，而所述第二部分132相对于所述第一部分131是向靠近所述第一像素单元的方向凸出设置的，因此，所述连接区121的所述第一边角和所述第二部分132 的所述第二边角之间的距离较近，为了避免所述连接区121和所述第二部分132之间发生短接等风险，所述第一边角和所述第二边角之间的距离大于或等于所述预设值。
示例性的，所述第一边角和所述第二边角之间的距离可以为所允许的最小距离，该最小距离可根据实际需要设定。
示例性的，所述第一边角和所述第二边角之间的距离等于所述第一部分131与所述连接区121之间的距离。
示例性的，所述第一边角和所述第二边角之间的距离等于所述第一部分131与所述连接区121之间的距离，且所述第二部分132与所述非连接区122之间的距离等于所述第一部分131与所述连接区121之间的距离。
示例性的，所述狭缝11为直线形结构。
相关技术中为了解决第一电极的边缘电场紊乱的问题，把第一电极边缘设计成带拐角的形貌，但这种技术一方面比直电极设计会降低液晶光效，另一方面也会更受限于相邻两个电极间的串扰影响。本实施例中，将所述第一子电极1001的狭缝11和所述第二子电极1002的狭缝11相向延伸，使得狭缝11的两端均被遮光区在阵列基板上的正投影覆盖，且使得所述第一端部12和所述第二端部13之间的距离减小，且使得所述第一端部12与所述第一像素单元的有效显示区的距离增大，使得所述第二端部13与所述第二像素单元的有效显示区的距离增大，采用上述方案解决第一电极边缘电场紊乱的问题，所述狭缝11可以保持直线形形态，从而提高液晶光效，避免相邻电极之间的串扰。
示例性的，所述狭缝11为折线形结构，参考图6。
参考图6，所述数据线是折线形结构，所述狭缝11是形状与所述数据线的形状相符的折线形结构，示例性的，所述狭缝11中心对称的折线形结构，但并不以此为限。
示例性的，所述第二像素单元在栅线的延伸方向上，所述第二部分132向远离所述第一部分131方向延伸形成第一延伸部101。
参考图4，图4中从上到下依次表示出了第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元(第一像素单元和第三像素单元只表示出了一部分)，第一像素单元包括第一子电极1001，第二像素单元包括第二子电极1002，第三像素单 元包括第三子电极1003。
在数据线的延伸方向上，所述第二像素单元包括与所述第二端部13相对的第三端部14，在栅线的延伸方向上，所述第三端部14包括与薄膜晶体管连接的第一连接区141和与所述第一连接区141相邻的第一非连接区142；在数据线延伸的方向上，所述第三像素单元包括靠近所述第三像素单元设置的第四端部15，所述第四端部15包括与所述第一连接区141对应的第三部分151和与所述第一非连接区142对应的第四部分152，在栅线的延伸方向上，所述第三部分151向远离所述第四部分152的方向延伸形成第二延伸部102。
示例性的，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极，所述像素单元内的薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与所述漏极和所述源极之间设置有栅绝缘层，所述像素电极与所述漏极连接。
所述薄膜晶体管结构层依次包括有源层、绝缘层、栅极层、栅极绝缘层、源漏极层，所述源漏极层的源极和漏极分别通过过孔与所述有源层连接，所述源漏极层上还设置有平坦层、钝化层，所述像素电极设置于所述钝化层上，所述像素电极通过过孔与所述漏极连接。
示例性的，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极，所述像素单元内的薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与所述漏极和所述源极之间设置有栅绝缘层，所述公共电极与所述源极连接。
所述薄膜晶体管结构层依次包括有源层、绝缘层、栅极层、栅极绝缘层、源漏极层，所述源漏极层的源极和漏极分别通过过孔与所述有源层连接，所述源漏极层上还设置有平坦层，所述公共电极设置于所述平坦层上，所述公共电极通过过孔与所述源极连接。
示例性的，所述第一电极为条形电极，相邻条形电极之间形成狭缝，所述第二电极为面状电极，参考图1和图4。
示例性的，所述第一电极为面状电极，在所述面状电极上形成所述狭缝，参考图3和图6。
参考图6，示例性的，所述第一电极1为面状电极，且所述第一电极1为公共电极，所述第一电极1包括呈折线形结构的狭缝11，至少一个所述狭缝11的两端在所述第一基板上的正投影位于所述遮光区在所述第一基板上的正 投影范围内。参考图6中的第一电极1的狭缝11的两端在所述第一基板上的正投影位于所述遮光区在所述第一基板上的正投影范围内。
参考图6，示例性的，所述第一基板上包括多条数据线和多条栅线，多条所述数据线和多条所述栅线交叉限定多个像素单元；
每个所述像素单元包括所述第一电极1和所述第二电极，以及薄膜晶体管，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极，所述像素电极包括与所述薄膜晶体管连接的连接端，所述公共电极与所述像素电极相对设置，所述公共电极包括与所述连接端对应的第一端，即所述第一电极1包括与所述第二电极的连接端对应的第一端部，所述第一端部包括与所述薄膜晶体管连接的连接区161，和在与所述第一方向相垂直的第二方向上位于所述连接区161的一侧的非连接区162；
所述狭缝包括对应于所述连接区161的第一狭缝111和对应于所述非连接区162的第二狭缝112，所述第一狭缝111的长度小于所述第二狭缝112的长度。
示例性的，所述第一狭缝111在第一基板上的正投影与所述遮光区在所述第一基板上的正投影的重叠面积为第一重叠面积，所述第二狭缝112在所述第一基板上的正投影与所述遮光区在所述第一基板上的正投影的重叠面积为第二重叠面积，所述第一重叠面积小于所述第二重叠面积。
示例性的，所述第二电极包括异层设置的第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括多个间隔且平行设置的第一条形电极，所述第二电极层包括多个间隔且平行设置的第二条形电极，所述第一条形电极和所述第二条形电极相平行设置，且所述第一条形电极和所述第二条形电极相交错设置。
所述第二电极采用双层电极的设置形式，所述像素电极和所述公共电极的交叠区域较传统结构的单层结构更小，可实现更高光效。
示例性的，所述遮光层为黑矩阵。本公开实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
所述显示装置可以为：液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (18)

  1. 一种显示面板，包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板上包括第一电极和第二电极，所述第二基板包括遮光层，所述遮光层包括透光区和遮光区，其中，
    所述第一电极包括沿第一方向延伸的狭缝，至少一个所述狭缝的两端在所述第一基板上的正投影位于所述遮光区在所述第一基板上的正投影范围内。
  2. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一基板上包括多条数据线和多条栅线，多条所述数据线和多条所述栅线交叉限定多个像素单元；
    每个所述像素单元包括所述第一电极和所述第二电极，以及薄膜晶体管，所述第一电极包括与所述薄膜晶体管连接的第一端部，所述第一端部包括与所述薄膜晶体管连接的连接区，和在与所述第一方向相垂直的第二方向上位于所述连接区的一侧的非连接区；
    所述狭缝包括对应于所述连接区的第一狭缝和对应于所述非连接区的第二狭缝，所述第一狭缝的长度小于所述第二狭缝的长度。
  3. 根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一狭缝在第一基板上的正投影与所述遮光区在所述第一基板上的正投影的重叠面积为第一重叠面积，所述第二狭缝在所述第一基板上的正投影与所述遮光区在所述第一基板上的正投影的重叠面积为第二重叠面积，所述第一重叠面积小于所述第二重叠面积。
  4. 根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一基板上具有在所述第一方向上排布的、相邻的第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元包括具有所述狭缝的第一子电极，所述第二像素单元包括具有所述狭缝的第二子电极；
    所述第一子电极靠近所述第二子电极的一端为所述第一端部，在所述第一方向上，所述连接区包括远离所述第一狭缝的第一边缘，所述非连接区包括远离所述第二狭缝的第二边缘，所述第一边缘向靠近所述第二子电极的方向凸出于所述第二边缘设置。
  5. 根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述第二子电极靠近所述第 一子电极的一端为第二端部，所述第二端部包括与所述连接区对应的第一部分和与所述非连接区对应的第二部分；
    所述第一部分具有靠近所述连接区的第三边缘，所述第二部分具有靠近所述非连接区的第四边缘，所述第四边缘向靠近所述第一子电极的方向凸出于所述第三边缘设置。
  6. 根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第四边缘与所述第二边缘之间的距离大于或等于所述第三边缘与所述第一边缘之间的距离。
  7. 根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述第四边缘与所述第二边缘之间的最小距离为2.8-3.4微米。
  8. 根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述第三边缘与所述第一边缘之间的最小距离为2.8-3.4微米。
  9. 根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述第二子电极靠近所述第一子电极的一端为第二端部，所述第二端部包括与所述连接区对应的第一部分和与所述非连接区对应的第二部分，所述第二端部为条形结构，所述第二像素单元的多个狭缝靠近所述第二端部的一端平齐。
  10. 根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述连接区为由部分所述第一端部向靠近所述第二像素单元的方向延伸凸出形成的凸出部，所述凸出部包括靠近所述第二部分设置的第一边角，所述第二部分包括靠近所述连接区的第二边角，所述第一边角和所述第二边角之间的最小距离为2.8-3.4微米。
  11. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述狭缝为直线形结构。
  12. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述狭缝为折线形结构。
  13. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极，所述像素单元内的薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与所述漏极和所述源极之间设置有栅绝缘层，所述第一电极与所述漏极连接。
  14. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极，所述像素单元内的薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与所述漏极和所述源极之间设置有栅绝缘层，所述第一电极与所述源极连接。
  15. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二电极面状电极。
  16. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二电极包括异层设置的第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括多个间隔且平行设置的第一条形电极，所述第二电极层包括多个间隔且平行设置的第二条形电极，所述第一条形电极和所述第二条形电极相平行设置，且所述第一条形电极和所述第二条形电极相交错设置。
  17. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一基板为阵列基板，所述第二基板为彩膜基板。
  18. 一种显示装置，其中，包括权利要求1-17任一项所述的显示面板。
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