WO2023195086A1 - 高周波増幅器及び整合回路 - Google Patents

高周波増幅器及び整合回路 Download PDF

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WO2023195086A1
WO2023195086A1 PCT/JP2022/017136 JP2022017136W WO2023195086A1 WO 2023195086 A1 WO2023195086 A1 WO 2023195086A1 JP 2022017136 W JP2022017136 W JP 2022017136W WO 2023195086 A1 WO2023195086 A1 WO 2023195086A1
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WO
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lines
line
interval
high frequency
matching circuit
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PCT/JP2022/017136
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English (en)
French (fr)
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英悟 桑田
貴嗣 山崎
拓海 杉谷
Original Assignee
三菱電機株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks

Definitions

  • the present disclosure relates to a high frequency amplifier and a matching circuit.
  • the high frequency amplifier described in Patent Document 1 includes an amplification element, an input matching circuit provided on the input side of this amplification element, and an output matching circuit provided on the output side of this amplification element.
  • a slit is provided in the input matching circuit in order to reduce the amplitude difference and phase difference of the high frequency signals fed to each cell of the amplification element. Furthermore, in this high-frequency amplifier, by arranging a resistor within the slit, isolation between cells of the amplifying element is improved and oscillation is suppressed.
  • the high-frequency current flows through the above-mentioned coupling rather than through the resistor placed in the slit, so it is not attenuated even if the resistor is placed in the slit.
  • the high frequency current is amplified by the amplification element, and as a result, there is a possibility that the high frequency amplifier will oscillate. Therefore, one possible method for suppressing such oscillation is to widen the width of the slit.
  • An object of the present disclosure is to provide a high-frequency amplifier that can suppress oscillation and reduce the impedance of a matching circuit.
  • a high-frequency amplifier is a high-frequency amplifier configured to include an input matching circuit, an output matching circuit, and m amplification elements (m is an integer of 3 or more), and includes an input matching circuit and an output matching circuit.
  • At least one of the circuits includes m lines to which m amplifying elements are connected one-to-one at one end, and a junction where the other ends of the m lines are joined; and a resistor provided between adjacent lines of the m lines, the plurality of intervals formed between the adjacent lines of the m lines having a first and a second interval wider than the first interval.
  • FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating the effect of the high frequency amplifier according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the effect of the high frequency amplifier according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing a flow of high-frequency current in a conventional high-frequency amplifier, and shows a comparative example with respect to FIG. 2;
  • FIG. 4 is a diagram showing a flow of high-frequency current in a conventional high-frequency amplifier, and shows a comparative example with respect to FIG. 3;
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example in which wires are omitted in the high frequency amplifier according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing another configuration example of the high frequency amplifier in the first embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating the effect of the high frequency amplifier shown in FIG. 8.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a flow of high frequency current in a conventional high frequency amplifier, and shows a comparative example with respect to FIG. 8.
  • FIG. 9 is a diagram showing a configuration example in which wires are omitted in the high frequency amplifier shown in FIG. 8;
  • 9 is a diagram showing another configuration example of the high frequency amplifier shown in FIG. 8.
  • FIG. 9 is a diagram showing an example of the flow of high frequency current in the high frequency amplifier shown in FIG. 8.
  • FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a high frequency amplifier according to a second embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a high frequency amplifier according to the first embodiment.
  • the high frequency amplifier according to the first embodiment includes an amplifying element 1, a wire 2, and a transmission line 3, as shown in FIG.
  • FIG. 1 shows, as an example, the configuration on the output terminal (reference numeral 6 in FIG. 1) side of the high-frequency amplifier, the input terminal (not shown) side of the high-frequency amplifier may also have the same configuration as in FIG. 1. Can be done.
  • the amplifying element 1 is an element that amplifies the high frequency current input from the input terminal of the high frequency amplifier, and is composed of, for example, a transistor or a field effect transistor.
  • the wire 2 is a thin metal wire that connects the output terminal of each of the four amplification elements 1 and one end of each of the lines 3a, 3b, 3c, and 3d that constitute the transmission line 3.
  • the transmission line 3 is a line formed on a dielectric substrate provided on the output terminal side of the amplification element 1, and constitutes an output matching circuit provided on the output terminal side of the amplification element 1.
  • the illustration of the dielectric substrate is omitted, and only the transmission line 3 formed on the dielectric substrate is illustrated.
  • the transmission line 3 includes a comb-shaped structure 30 having four lines 3a, 3b, 3c, and 3d arranged in parallel and a joint 3f; and a resistor 4 provided between adjacent lines.
  • each of the four lines 3a, 3b, 3c, and 3d has four amplifying elements connected to one end via a wire 2 on a one-to-one basis.
  • the joint portion 3f is configured by joining the other ends of the four lines 3a, 3b, 3c, and 3d.
  • the transmission line 3 has a plurality of intervals formed between adjacent lines of the four lines 3a, 3b, 3c, and 3d, including a first interval L1 and a second interval wider than the first interval L1. 2 intervals L2.
  • two lines from each end constitute a line pair along the vertical direction of FIG. 1, that is, the direction in which the lines are adjacent to each other.
  • a line 3a and a line 3b constitute a line pair 3ab
  • a line 3c and a line 3d constitute a line pair 3cd.
  • the distance between the line pairs in the vertical direction of FIG. , the second interval L2 is wider than the first interval L1.
  • the interval between the line pair 3ab and the line pair 3cd is the first interval L1
  • the interval between the line 3a and the line 3b, and the interval between the line 3c and the line 3d are the second interval.
  • the distance is L2.
  • FIG. 1 shows an example in which the second intervals L2 formed at two locations are approximately the same width
  • the respective second intervals L2 do not necessarily have to be the same width.
  • the second intervals L2 formed at two locations may have different widths.
  • the amplifying element 1 connected to the endmost line 3a operates in opposite phase
  • the amplifying elements 1 connected to the other lines 3b, 3c, and 3d operate in the same phase.
  • a high frequency current of opposite phase is applied from the amplifying element 1 only to the line 3a.
  • a state in which one of the amplifying elements 1 operates in the opposite phase is, for example, when a signal containing a noise component whose phase changes randomly is input to the input terminal (not shown) of the input matching circuit. This may occur when
  • the direction of the high frequency current of the opposite phase (reverse direction) applied from the amplifying element 1 to the line 3a is from right to left
  • the direction of the high frequency current of the opposite phase (reverse direction) applied from the amplifying element 1 to the lines 3b, 3c, and 3d is The direction of high-frequency current is from left to right.
  • in-phase high-frequency currents applied from the amplifying element 1 to the lines 3b, 3c, and 3d are indicated by thin arrows.
  • the amplification element 1 and wire 2 are omitted for simplicity of explanation.
  • a second interval L2 is formed between the line 3a and the line 3b, which is wide enough to at least suppress electrical coupling between the lines. No bonding occurs. Therefore, the high frequency current applied to the line 3b flows into the line 3a via the resistor 4 provided between the lines 3a and 3b, as shown by the thick arrow in FIG. It is attenuated by flowing through the vessel 4. Therefore, in the high frequency amplifier, the high frequency current is attenuated and oscillation is suppressed.
  • the high frequency current applied to the line 3b does not flow into the line 3a via the above-mentioned coupling point, but flows into the line 3a via the resistor 4 provided between the lines. Therefore, in the high frequency amplifier, the high frequency current is attenuated even in this case, and oscillation is suppressed.
  • part or all of the high frequency current applied to the line 3b flows into the line 3a through the above-mentioned coupling point, rather than through the resistor 4 provided between the lines 3a and 3b, and flows into the line 3a through the amplifying element 1.
  • a circulation flow path (loop) is formed in which the signal is applied to the line 3b of the output matching circuit (transmission line 3) again via the input matching circuit.
  • the amplified high-frequency current applied to the line 3b flows into the line 3c via the resistor 4 provided between the line 3b and the line 3c, as shown by the thick arrow in FIG. . Further, the high frequency current flowing into the line 3c flows from the line 3c into the line 3d via the resistor 4 provided between the line 3c and the line 3d.
  • the high-frequency amplifier according to the first embodiment can suppress an increase in high-frequency current and suppress oscillation even when a circulation flow path (loop) as described above is formed.
  • the amplifying element 1 connected to the line 3b operates in opposite phase
  • the other amplifying elements 1 connected to the lines 3a, 3c, and 3d operate in the same phase.
  • a high frequency current of opposite phase is applied from the amplifying element 1 only to the line 3b.
  • the direction of the reverse phase (reverse direction) high frequency current applied from the amplification element 1 to the line 3b is from right to left, and from the amplification element 1 to the lines 3a, 3c, and 3d.
  • the direction of the applied in-phase high frequency current is from left to right.
  • the amplification element 1 and wire 2 are omitted for simplicity of explanation.
  • a second interval L2 is formed between the line 3a and the line 3b, which is wide enough to at least suppress electrical coupling between the lines. No bonding occurs. Therefore, the high frequency current applied to the line 3a flows into the line 3b via the resistor 4 provided between the line 3a and the line 3b, as shown by the thick arrow in FIG. It is attenuated by flowing through the vessel 4. Therefore, in the high frequency amplifier, the high frequency current is attenuated and oscillation is suppressed.
  • the high frequency current applied to the line 3a does not flow into the line 3b via the above-mentioned coupling point, but flows into the line 3b via the resistor 4 provided between the lines. Therefore, in the high frequency amplifier, the high frequency current is attenuated even in this case, and oscillation is suppressed.
  • the first interval L1 formed between the line 3b and the line 3c is narrower than the second interval L2, which is the interval between the lines forming the line pair. . Therefore, there is a possibility that electrical coupling will occur between the line 3b and the line 3c.
  • the high frequency current applied to the line 3c will not pass through the resistor 4 provided between the line 3b and the line 3c, but will flow through the coupling point. It flows into the line 3b through the line 3b.
  • the high-frequency current applied to the line 3c flows into the line 3b via the coupling point, passes through the amplifying element 1 and the input matching circuit, and returns to the line 3c of the output matching circuit (transmission line 3).
  • a circulating flow path (loop) may be formed in which the voltage is applied.
  • the amplified high-frequency current applied to the line 3c also flows into the line 3d via the resistor 4 provided between the line 3c and the line 3d, as shown by the thick arrow in FIG. Therefore, it is attenuated by this resistor 4. Therefore, even in this case, the high frequency amplifier can suppress an increase in high frequency current and suppress oscillation.
  • the high frequency amplifier according to the first embodiment as shown in FIGS. 2 and 3, not only the second interval L2 but also the first interval L1, which is narrower than the second interval, is between the line 3b and the line 3b. 3c. Therefore, in the high frequency amplifier according to the first embodiment, lower impedance of the transmission line 3 is also realized compared to the case where all the intervals are set to the second interval L2. That is, in the high frequency amplifier according to the first embodiment, it is possible to simultaneously suppress oscillation and reduce the impedance of the matching circuit (input matching circuit and output matching circuit).
  • FIG. 4 shows the flow of high frequency current in a conventional high frequency amplifier, and shows a comparative example with respect to FIG.
  • FIG. 5 shows the flow of high frequency current in a conventional high frequency amplifier, and shows a comparative example with respect to FIG. 3.
  • reference numeral 20 indicates a transmission line included in a conventional high-frequency amplifier. Similar to the transmission line 3 in Embodiment 1, this transmission line 20 includes a comb-shaped structure 200 having four lines 20a, 20b, 20c, and 20d arranged in parallel and a joint 20f; A resistor 21 is provided between adjacent lines among the four lines.
  • the four lines 20a, 20b, 20c, and 20d are connected one-to-one to four amplifying elements (not shown) at one end via a wire 2 (not shown). Further, the joint portion 20f is configured by joining the other ends of the four lines 20a, 20b, 20c, and 20d. Further, reference numeral 26 indicates an output terminal of a conventional high frequency amplifier.
  • the transmission line 20 has substantially the same spacing between each line. Further, in the transmission line 20, the intervals between each line are each narrower than the second interval L2.
  • an opposite-phase high-frequency current is applied from the amplifying element 1 only to the line 20a.
  • the interval between the line 20a and the line 20b is narrower than the second interval L2
  • coupling occurs between the line 20a and the line 20b.
  • the high frequency current applied to the line 20b does not flow into the resistor 21 provided between the line 20a and the line 20b, as shown by the thick arrow in FIG. and flows directly into the line 20a.
  • a circulating flow path (loop) may be formed which is applied to the line 20b of the line 20).
  • the conventional high-frequency amplifier shown in FIG. 4 the gain of the high-frequency current cannot be attenuated in the circulation flow path (loop), which may cause oscillation.
  • the conventional high frequency amplifier shown in FIG. 4 is more likely to cause oscillation than the high frequency amplifier according to the first embodiment shown in FIG.
  • the high-frequency amplifier according to the first embodiment shown in FIG. 2 can attenuate the high-frequency current with more resistors than the conventional high-frequency amplifier shown in FIG. 4, and therefore has a higher oscillation suppression effect.
  • a high frequency current of opposite phase is applied from the amplifying element 1 only to the line 20b.
  • the interval between the line 20a and the line 20b and the interval between the line 20b and the line 20c are narrower than the second interval L2
  • the distance between the line 20a and the line 20b is smaller than the second interval L2. Coupling occurs between the lines 20b and 20c.
  • the high frequency current applied to the line 20a does not flow into the resistor 21 provided between the line 20a and the line 20b, as shown by the thick arrow in FIG. and flows directly into the line 20b.
  • the high frequency current applied to the line 20c flows directly into the line 20b via the above-mentioned coupling location without flowing into the resistor 21 provided between the lines 20b and 20c.
  • a circulating flow path may be formed in which the voltage is applied to the lines 20a and 20c of the output matching circuit (transmission line 20) via the input matching circuit and the output matching circuit (transmission line 20).
  • the conventional high-frequency amplifier shown in FIG. 5 the gain of the high-frequency current cannot be attenuated in the circulation flow path (loop), which may cause oscillation.
  • the conventional high frequency amplifier shown in FIG. 5 is more likely to cause parasitic oscillation than the high frequency amplifier according to the first embodiment shown in FIG.
  • the high frequency amplifier according to the first embodiment shown in FIG. 3 can attenuate the high frequency current with more resistors than the conventional high frequency amplifier shown in FIG. Become.
  • the output terminals of the four amplifying elements 1 and one end of each of the lines 3a, 3b, 3c, and 3d constituting the transmission line 3 are connected via the wire 2.
  • this wire 2 is not essential and may be omitted.
  • the output terminal of each of the four amplifying elements 1 is directly connected to one end of each line 3a, 3b, 3c, and 3d forming the transmission line 3, as shown in FIG. 6, for example.
  • the amplifying element 1 is shown in a rectangular frame for the sake of simplicity.
  • the high frequency amplifier is configured to include four amplifying elements 1 and a transmission line 3, but when the four amplifying elements 1 and the transmission line 3 are made into one unit, There may be a plurality of these units in the high frequency amplifier.
  • each line constituting the transmission line 3 is a straight line, but each line does not necessarily have to be straight.
  • the effect of electrical coupling between the lines is smaller at a location connected to the resistor 4 than at other locations.
  • the line 3a and the line 3b forming the second interval L2, and the line 3c and the line 3d forming the second interval L2 are connected to the resistor 4.
  • the effect of coupling between the lines at the point where it is connected to the resistor 4 is greater than when each line is straight, and the high frequency current flows to the resistor 4. Easier inflow. This improves the effect of suppressing oscillation in the high frequency amplifier.
  • the output matching circuit provided on the output terminal 6 side of the high frequency amplifier is configured with the transmission line 3.
  • the input matching circuit provided on the input terminal side of the high frequency amplifier may be constituted by the transmission line 3. That is, in the high-frequency amplifier circuit, at least one of the input matching circuit and the output matching circuit may be configured with the transmission line 3.
  • the number of amplifying elements 1 is an integer of 3 or more.
  • the comb-shaped structure 30 included in the transmission line 3 has three lines 3a, 3b, and 3c arranged in parallel.
  • a plurality of (here, two) intervals formed between the three lines 3a, 3b, and 3c adjacent to each other are the first interval L1 and the first interval L1. and a second interval L2 wider than the first interval L1.
  • the interval between the line 3b and the line 3c is a first interval L1
  • the interval between the line 3a and the line 3b is a second interval L2, which is wider than the first interval L1.
  • the amplifying element 1 connected to the endmost line 3a operates in opposite phase
  • the amplifying elements 1 connected to the other lines 3b and 3c operate in the same phase. It shows the case.
  • a high frequency current of opposite phase is applied from the amplifying element 1 only to the line 3a.
  • a second interval L2 is formed between the line 3a and the line 3b, which is wide enough to at least suppress electrical coupling between the lines. No bonding occurs. Therefore, the high frequency current applied to the line 3b flows into the line 3a via the resistor 4 provided between the lines 3a and 3b, as shown by the thick arrow in FIG. It is attenuated by flowing through the vessel 4. Therefore, in the high frequency amplifier, the high frequency current is attenuated and oscillation is suppressed.
  • the high frequency current applied to the line 3b does not flow into the line 3a via the above-mentioned coupling point, but flows into the line 3a via the resistor 4 provided between the lines. Therefore, in the high frequency amplifier, the high frequency current is attenuated even in this case, and oscillation is suppressed.
  • part or all of the high frequency current applied to the line 3b flows into the line 3a through the above-mentioned coupling point, rather than through the resistor 4 provided between the lines 3a and 3b, and flows into the line 3a through the amplifying element 1.
  • a circulation flow path (loop) is formed in which the signal is applied to the line 3b of the output matching circuit (transmission line 3) again via the input matching circuit.
  • the amplified high-frequency current applied to the line 3b flows into the line 3c via the resistor 4 provided between the line 3b and the line 3c, as shown by the thick arrow in FIG. .
  • the high frequency current applied to the line 3b flows into the adjacent line (line 3c) via the resistor 4 and is attenuated. Therefore, the high-frequency amplifier according to the first embodiment can suppress an increase in high-frequency current and suppress oscillation even when a circulation flow path (loop) as described above is formed.
  • FIG. 10 shows the flow of high frequency current in a conventional high frequency amplifier, and shows a comparative example with respect to FIG.
  • reference numeral 20 indicates a transmission line included in a conventional high-frequency amplifier. This transmission line 20, like the transmission line 3 shown in FIG. A resistor 21 is provided between adjacent lines among the lines.
  • the three lines 20a, 20b, and 20c are connected one-to-one to three amplification elements (not shown) at one end via a wire 2 (not shown). Further, the joint portion 20f is configured by joining the other ends of the three lines 20a, 20b, and 20c. Further, reference numeral 26 indicates an output terminal of a conventional high frequency amplifier.
  • the transmission line 20 has substantially the same spacing between each line. Further, the intervals between the respective lines are each narrower than the second interval L2.
  • a high frequency current of opposite phase is applied from the amplifying element 1 only to the line 20a.
  • the interval between the line 20a and the line 20b is narrower than the second interval L2
  • coupling occurs between the line 20a and the line 20b.
  • the high frequency current applied to the line 20b does not flow into the resistor 21 provided between the line 20a and the line 20b, as shown by the thick arrow in FIG. and flows directly into the line 20a.
  • a circulating flow path (loop) may be formed which is applied to the line 20b of the line 20).
  • the conventional high frequency amplifier shown in FIG. 10 the gain of the high frequency current cannot be attenuated in the circulation flow path (loop), which may cause oscillation.
  • the conventional high frequency amplifier shown in FIG. 10 is more likely to cause oscillation than the high frequency amplifier shown in FIG. 8.
  • the high frequency amplifier shown in FIG. 8 can attenuate the high frequency current with more resistors than the conventional high frequency amplifier shown in FIG. 10, and therefore has a higher oscillation suppressing effect.
  • the number of amplifying elements 1 is an integer of 3 or more, the first interval L1 and the plurality of intervals formed between adjacent lines of each line are , and a second interval L2 wider than the first interval L1, it is possible to simultaneously suppress oscillation and lower the impedance of the matching circuit.
  • the high frequency amplifier is configured to include three amplifying elements 1 and a transmission line 3, but when the three amplifying elements 1 and the transmission line 3 are made into one unit, There may be a plurality of these units in the high frequency amplifier.
  • each line constituting the transmission line 3 is a straight line, but each line does not necessarily have to be straight.
  • the effect of electrical coupling between the lines is smaller at a location connected to the resistor 4 than at other locations.
  • the line 3a and line 3b forming the second interval L2 are shaped to protrude toward the resistor 4 side so as to approach each other at the connection part with the resistor 4. You can leave it there.
  • the transmission line 3 the effect of coupling between the lines at the point where it is connected to the resistor 4 is greater than when each line is straight, and the high frequency current flows to the resistor 4. Easier inflow. Therefore, in the high frequency amplifier, the effect of suppressing oscillation is improved.
  • the output matching circuit provided on the output terminal 6 side of the high frequency amplifier is configured with the transmission line 3 shown in FIG. 8.
  • the input matching circuit provided on the input terminal side of the high frequency amplifier may be configured with the transmission line 3 shown in FIG. That is, in the high-frequency amplifier circuit, at least one of the input matching circuit and the output matching circuit may be configured with the transmission line 3 shown in FIG. 8.
  • the number of amplifying elements 1 may be an integer of 3 or more. For example, it may be five.
  • the high frequency amplifier includes an input matching circuit, an output matching circuit, and five amplification elements 1. Furthermore, at least one of the input matching circuit and the output matching circuit includes five lines 3a, 3b, and 3c each having five amplifying elements 1 connected one-to-one at one end, as shown in FIG. , 3d, and 3e, and a joint 3f to which the other ends of the five lines are joined, and a resistor provided between adjacent lines of the five lines.
  • a container 4 is provided.
  • a plurality of (four in this case) intervals formed between adjacent lines of the five lines are equal to the first interval L1 and the first interval L1. and a second interval L2 wider than the first interval L1.
  • the high-frequency amplifier includes an input matching circuit, an output matching circuit, and m amplification elements 1 (m is an integer of 3 or more).
  • at least one of the input matching circuit and the output matching circuit includes m lines each having m amplifying elements 1 connected one-to-one to one end thereof, and one of the m lines.
  • a comb-shaped structure 30 having a joint portion 3f whose other end is joined, and a resistor 4 provided between adjacent lines among the m lines, and a resistor 4 provided between adjacent lines among the m lines.
  • the plurality of intervals formed between the lines include a first interval L1 and a second interval L2 wider than the first interval L1.
  • m is an even number of 4 or more
  • the comb-shaped structure 30 has a line pair formed by two lines from each end along the direction in which the m lines are adjacent to each other.
  • the distance between the pair of lines is a first distance L1
  • the distance between the lines forming the pair of lines is a second distance L2.
  • the second interval L2 is wide enough to at least suppress electrical coupling between the lines forming the second interval L2.
  • the high frequency amplifier according to the first embodiment improves the oscillation suppressing effect.
  • the matching circuit includes m lines to which m amplifying elements 1 (m is an integer of 3 or more) are connected one-to-one to one end thereof, and A comb-shaped structure 30 having a joint portion 3f to which the other ends of two lines are joined, and a resistor 4 provided between adjacent lines among the m lines, A plurality of intervals formed between adjacent lines of the lines include a first interval L1 and a second interval L2 wider than the first interval L1.
  • the matching circuit according to the first embodiment can suppress oscillation of the high frequency amplifier including the amplification element 1 while achieving low impedance.
  • m is an even number of 4 or more
  • the comb-shaped structure 30 has line pairs formed by two lines from each end along the direction in which the m lines are adjacent to each other.
  • the distance between the line pairs is a first distance L1
  • the distance between the lines forming the line pair is a second distance L2.
  • Embodiment 2 In the first embodiment, a high-frequency amplifier that can suppress oscillation and reduce the impedance of a matching circuit has been described. In Embodiment 2, a high frequency amplifier that can more reliably achieve both suppression of oscillation and reduction in impedance of a matching circuit will be described.
  • the amplifying element 1 connected to the line 3b operates in opposite phase, and the amplifying element 1 connected to the other lines 3a and 3c operates.
  • the amplifying element 1 may operate in the same phase.
  • An example of the flow of high frequency current in that case is shown in FIG.
  • a second interval L2 is formed between the line 3a and the line 3b, which is wide enough to at least suppress electrical coupling between the lines. Therefore, no coupling occurs between the lines. Therefore, the high frequency current applied to the line 3b flows into the line 3a via the resistor 4 provided between the lines 3a and 3b, as shown by the thick arrow in FIG. It is attenuated by flowing through the vessel 4. Therefore, in the high frequency amplifier, the high frequency current is attenuated and oscillation is suppressed.
  • the high frequency current applied to the line 3b does not flow into the line 3a via the above-mentioned coupling point, but flows into the line 3a via the resistor 4 provided between the lines. Therefore, in the high frequency amplifier, the high frequency current is attenuated even in this case, and oscillation is suppressed.
  • the first interval L1 formed between the line 3b and the line 3c is larger than the second interval L2 formed between the line 3a and the line 3b. narrow. Therefore, there is a possibility that electrical coupling will occur between the line 3b and the line 3c.
  • the high frequency current applied to the line 3c will be transmitted between the line 3b and the line 3c, as shown by the thick arrow in FIG. It flows into the line 3b through the above connection point without passing through the resistor 4.
  • the high-frequency current applied to the line 3c flows into the line 3b via the coupling point, passes through the amplifying element 1 and the input matching circuit, and returns to the line 3c of the output matching circuit (transmission line 3).
  • a circulating flow path may be formed in which the voltage is applied. In that case, in the high-frequency amplifier, the high-frequency current increases in the loop formed between the input matching circuit and the output matching circuit, which may cause oscillation.
  • the high frequency amplifier according to the second embodiment is configured as shown in FIG. 15, for example, in order to enhance the oscillation suppressing effect.
  • the output matching circuit is configured by the transmission line 3
  • the input matching circuit is configured by the transmission line 3'.
  • the transmission line 3' constituting the input matching circuit includes three lines 3a', 3b', and 3c', each of which has one end connected to the input terminals of the three amplifying elements 1 on a one-to-one basis.
  • a comb-shaped structure 30' having a joint portion 3f' to which the other end of the line is joined, and a resistor 4 provided between adjacent lines of the three lines.
  • symbol 7 has shown the input terminal of the high frequency amplifier based on Embodiment 2.
  • the transmission line 3 constituting the output matching circuit includes three lines 3a, 3b, and 3c to which the input terminals of the three amplifying elements 1 are connected one-to-one at one end, and three lines A comb-shaped structure 30 having a joint portion 3f to which the other end of the line is joined, and a resistor 4 provided between adjacent lines of the three lines.
  • the transmission line 3' on the input side and the transmission line 3 on the output side are formed with a plurality of intervals (in this case, two places) between adjacent lines of the three lines.
  • the plurality of intervals formed include a first interval L1 and a second interval L2 wider than the first interval L1.
  • the transmission line 3' on the input side and the transmission line 3 on the output side are arranged so that the first interval L1 and the second interval L2 face each other with the three amplifying elements 1 as boundaries.
  • the high frequency current of the opposite phase applied to the line 3c is transmitted through the resistor 4 provided between the line 3b and the line 3c.
  • this high-frequency current is amplified by the amplifying element 1 connected to the line 3b via the wire 2. , is applied to the line 3b' of the input side transmission line 3'.
  • a second interval L2 is formed between the line 3a' and the line 3b', which is wide enough to at least suppress electrical coupling between the lines. does not cause a bond. Therefore, the high frequency current applied to the line 3b' flows into the line 3a' via the resistor 4 provided between the line 3a' and the line 3b', and is attenuated by flowing through the resistor 4. do.
  • the transmission line 3' on the input side and the transmission line 3 on the output side are arranged at the first interval L1 and the second interval with the three amplifying elements 1 as boundaries. L2 are arranged to face each other. Therefore, in the high frequency amplifier according to the second embodiment, high frequency current can be reliably passed through the resistor 4 on either the input side or the output side. Thereby, in the high-frequency amplifier according to the second embodiment, it is possible to suppress an increase in high-frequency current in the circulation flow path (loop) formed between the input matching circuit and the output matching circuit, and suppress oscillation.
  • the high-frequency amplifier is a high-frequency amplifier that includes an input matching circuit, an output matching circuit, and m amplification elements (m is an integer of 3 or more).
  • the input matching circuit has m lines each having one end connected to the input terminals of m amplifying elements 1 on a one-to-one basis, and the other end of the m lines connected.
  • the output matching circuit includes a comb-shaped structure 30' having a junction portion 3f' with a resistor 4 provided between adjacent lines of the m lines.
  • a comb-shaped structure 30 having m lines in which the output terminals of the m amplifying elements 1 are connected one-to-one, and a joint 3f to which the other ends of the m lines are joined; and a resistor 4 provided between adjacent lines of the m lines, and the input matching circuit and the output matching circuit each include a plurality of intervals formed between adjacent lines of the m lines. 1 interval L1 and a second interval L2 wider than the first interval L1, and the first interval L1 and the second interval L2 are opposed to each other with the amplifying element 1 as a boundary. It is located in As a result, the high frequency amplifier according to the second embodiment can more reliably achieve both suppression of oscillation and lower impedance of the matching circuit than the first embodiment.
  • the present disclosure can achieve both suppression of oscillation and reduction in impedance of a matching circuit, and is suitable for use in a high-frequency amplifier.
  • 1 Amplification element 2 Wire, 3 Transmission line, 3' Transmission line, 3a line, 3a' line, 3ab line pair, 3b line, 3b' line, 3c line, 3c' line, 3cd line pair, 3d line, 3f junction part, 3f' junction, 4 resistor, 6 high frequency amplifier output terminal, 7 high frequency amplifier input terminal, 20 transmission line, 20a line, 20b line, 20c line, 20d line, 21 resistor, 30 comb-shaped structure, 30' comb-shaped structure, L1 first interval, L2 second interval.

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Abstract

高周波増幅器は、入力整合回路と、出力整合回路と、ｍ個（ｍは３以上の整数）の増幅素子（１）とを含んで構成される高周波増幅器であって、入力整合回路及び出力整合回路のうちの少なくとも一方は、一方の端部にｍ個の増幅素子が１対１で接続されたｍ本の線路と、当該ｍ本の線路の他方の端部が接合された接合部（３ｆ）と、を有する櫛型構造（３０）と、ｍ本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗（４）と、を備え、ｍ本の線路の隣接する線路間に形成される複数の間隔が、第１の間隔（Ｌ１）と、当該第１の間隔よりも広い第２の間隔（Ｌ２）とを含んでいる。

Description

高周波増幅器及び整合回路
　本開示は、高周波増幅器及び整合回路に関する。
　特許文献１に記載の高周波増幅器は、増幅素子と、この増幅素子の入力側に設けられた入力整合回路と、この増幅素子の出力側に設けられた出力整合回路とで構成される。この高周波増幅器では、増幅素子の各セルに給電される高周波信号の振幅差及び位相差を低減すべく、入力整合回路にスリットが設けられる。また、この高周波増幅器では、スリット内に抵抗を配置することで、増幅素子のセル間のアイソレーションを向上させ、発振を抑制している。
特開２０１０－２１９６５４号公報
　特許文献１に記載の高周波増幅器は、上記スリットの幅が狭い場合、スリットを挟んだ入力整合回路の両端に逆方向の高周波電流が生じた際に、スリットを跨ぐ結合を生じ、この結合を介して高周波電流が流れてしまう。その場合、この高周波増幅器では、入力整合回路と増幅素子と出力整合回路との間で高周波電流が循環する流路（ループ）が形成される。
　この流路において、高周波電流は、スリット内に配置された抵抗ではなく上記結合を介して流れるため、スリット内に抵抗を配置したとしても減衰されることがない。その結果、高周波電流は増幅素子で増幅され、結果的に高周波増幅器が発振してしまうおそれがある。そこで、このような発振を抑制する方法として、スリットの幅を広くする方法が考えられる。
　一方、高周波増幅器を高出力化するためには、増幅素子及び整合回路（入力整合回路及び出力整合回路）を低インピーダンス化する必要がある。ところが、上記高周波増幅器では、入力整合回路に設けられたスリットの幅を広げると、入力整合回路のインピーダンスは高くなる。すなわち、上記従来の高周波増幅器では、発振を抑制しつつ整合回路の低インピーダンス化を図るには限界がある。
　本開示の目的は、発振の抑制と整合回路の低インピーダンス化との両立を実現可能な高周波増幅器を提供することにある。
　本開示に係る高周波増幅器は、入力整合回路と、出力整合回路と、ｍ個（ｍは３以上の整数）の増幅素子とを含んで構成される高周波増幅器であって、入力整合回路及び出力整合回路のうちの少なくとも一方は、一方の端部にｍ個の増幅素子が１対１で接続されたｍ本の線路と、当該ｍ本の線路の他方の端部が接合された接合部と、を有する櫛型構造と、ｍ本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗器と、を備え、ｍ本の線路の隣接する線路間に形成される複数の間隔が、第１の間隔と、当該第１の間隔よりも広い第２の間隔とを含んでいる。
　本開示によれば、上記のように構成したので、発振の抑制と整合回路の低インピーダンス化との両立を実現可能となる。
実施の形態１に係る高周波増幅器の構成例（ｍ＝４）を示す図である。 実施の形態１に係る高周波増幅器の効果を説明する図である。 実施の形態１に係る高周波増幅器の効果を説明する図である。 従来の高周波増幅器における高周波電流の流れであって、図２に対する比較例を示す図である。 従来の高周波増幅器における高周波電流の流れであって、図３に対する比較例を示す図である。 実施の形態１に係る高周波増幅器においてワイヤを省略した場合の構成例を示す図である。 実施の形態１における高周波増幅器の他の構成例を示す図である。 実施の形態１における高周波増幅器の他の構成例（ｍ＝３）を示す図である。 図８に示す高周波増幅器の効果を説明する図である。 従来の高周波増幅器における高周波電流の流れであって、図８に対する比較例を示す図である。 図８に示す高周波増幅器においてワイヤを省略した場合の構成例を示す図である。 図８に示す高周波増幅器の他の構成例を示す図である。 実施の形態１における高周波増幅器の他の構成例（ｍ＝５）を示す図である。 図８に示す高周波増幅器における高周波電流の流れの一例を示す図である。 実施の形態２に係る高周波増幅器の構成例を説明する図である。
　以下、実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
実施の形態１．
　図１は、実施の形態１に係る高周波増幅器の構成例を示す図である。実施の形態１に係る高周波増幅器は、図１に示すように、増幅素子１、ワイヤ２、及び伝送線路３を備えている。なお、図１では、一例として、高周波増幅器の出力端子（図１の符号６）側の構成を示しているが、高周波増幅器の入力端子（不図示）側も図１と同様の構成とすることができる。
　増幅素子１は、高周波増幅器の入力端子から入力された高周波電流を増幅する素子であり、例えばトランジスタあるいは電界効果トランジスタなどで構成される。実施の形態１に係る高周波増幅器では、増幅素子１は、ｍ個（ｍは３以上の整数）設けられる。なお、図１では、増幅素子１が４つ設けられた例（ｍ＝４）を示している。
　ワイヤ２は、４つの増幅素子１のそれぞれの出力端子と、伝送線路３を構成する各線路３ａ、３ｂ、３ｃ、及び３ｄの一方の端部とを接続する金属細線である。
　伝送線路３は、増幅素子１の出力端子側に設けられる誘導体基板の上に形成される線路であり、増幅素子１の出力端子側に設けられる出力整合回路を構成する。なお、図１では、説明を簡単にするため、誘導体基板の表示を省略し、この誘導体基板の上に形成された伝送線路３のみを表示している。
　伝送線路３は、図１に示すように、並列に配置された４本の線路３ａ、３ｂ、３ｃ、及び３ｄと、接合部３ｆとを有する櫛型構造３０と、当該４本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗器４と、を備えている。
　４本の線路３ａ、３ｂ、３ｃ、及び３ｄは、図１に示すように、一方の端部にワイヤ２を介して４つの増幅素子が１対１で接続されている。また、接合部３ｆは、当該４本の線路３ａ、３ｂ、３ｃ、及び３ｄの他方の端部が接合されて構成されている。
　また、伝送線路３は、４本の線路３ａ、３ｂ、３ｃ、及び３ｄの隣接する線路間に形成される複数の間隔が、第１の間隔Ｌ１と、当該第１の間隔Ｌ１よりも広い第２の間隔Ｌ２とを含んでいる。
　例えば、伝送線路３は、上記４本の各線路のうち、図１の上下方向、すなわち、当該各線路が隣接する方向に沿って、端から２本ずつの線路が線路対を構成する。例えば、図１において、伝送線路３は、線路３ａと線路３ｂとが線路対３ａｂを構成し、線路３ｃと線路３ｄとが線路対３ｃｄを構成する。
　また、伝送線路３は、図１の上下方向、すなわち、上記各線路が隣接する方向における、線路対同士の間隔が第１の間隔Ｌ１となっており、線路対を構成する線路同士の間隔が、第１の間隔Ｌ１よりも広い第２の間隔Ｌ２となっている。例えば、図１では、線路対３ａｂと線路対３ｃｄとの間隔が第１の間隔Ｌ１となっており、線路３ａと線路３ｂとの間隔、及び、線路３ｃと線路３ｄとの間隔が、第２の間隔Ｌ２となっている。
　なお、図１では、２か所に形成された第２の間隔Ｌ２がほぼ同じ広さである例を示しているが、それぞれの第２の間隔Ｌ２は必ずしも同じ広さでなくてもよい。例えば、２か所に形成された第２の間隔Ｌ２が、いずれも第１の間隔Ｌ１よりも広ければ、２か所に形成された第２の間隔Ｌ２は異なる広さであってもよい。ただし、第２の間隔Ｌ２は、少なくとも当該第２の間隔Ｌ２を形成する線路間における電気的な結合を抑制可能な程度に広く形成されるのが望ましい。
　次に、実施の形態１に係る高周波増幅器の効果について、図２及び図３を参照しながら説明する。
　図２は、４つの増幅素子１のうち、最も端の線路３ａに接続された増幅素子１が逆相で動作し、それ以外の線路３ｂ、３ｃ、及び３ｄに接続された増幅素子１が同相で動作した場合を示している。この場合、伝送線路３では、線路３ａにのみ、増幅素子１から逆相（逆方向）の高周波電流が印加される。
　なお、上記のように、いずれかの増幅素子１が逆相で動作する状態は、例えば、入力整合回路の入力端子（不図示）に対し、位相がランダムに変化するノイズ成分を含む信号が入力された場合等に生じ得る。
　なお、図２では、増幅素子１から線路３ａに印加される逆相（逆方向）の高周波電流の向きを右から左とし、増幅素子１から線路３ｂ、３ｃ、及び３ｄに印加される同相の高周波電流の向きを左から右とする。図２では、増幅素子１から線路３ｂ、３ｃ、及び３ｄに印加される同相の高周波電流を、細線の矢印で示している。また、図２では、説明を簡単にするため、増幅素子１及びワイヤ２の表示を省略している。
　この場合、伝送線路３では、線路３ａと線路３ｂとの間に、少なくとも当該線路間における電気的な結合を抑制可能な程度に広い第２の間隔Ｌ２が形成されているため、当該線路間では結合を生じない。よって、線路３ｂへ印加された高周波電流は、図２において太線の矢印で示すように、線路３ａと線路３ｂとの間に設けられた抵抗器４を介して線路３ａへと流入し、この抵抗器４を流れることにより減衰する。したがって、高周波増幅器では、高周波電流が減衰し、発振が抑制される。
　また、線路３ａと線路３ｂとの間にわずかな結合が生じた場合でも、この結合箇所における当該線路間のインピーダンスよりも、当該線路間に設けられた抵抗器４のインピーダンスの方が低ければ、線路３ｂへ印加された高周波電流は、上記結合箇所を介して線路３ａに流入するのではなく、当該線路間に設けられた抵抗器４を介して線路３ａに流入する。したがって、高周波増幅器では、この場合でも高周波電流が減衰し、発振が抑制される。
　さらに、線路３ｂへ印加された高周波電流の一部又は全部が、線路３ａと線路３ｂとの間に設けられた抵抗器４ではなく、上記結合箇所を介して線路３ａへ流入し、増幅素子１及び入力整合回路を経て再び出力整合回路（伝送線路３）の線路３ｂへ印加される循環流路（ループ）が形成された場合を考える。
　この場合、線路３ｂへ印加された増幅後の高周波電流は、図２において太線の矢印で示すように、線路３ｂと線路３ｃとの間に設けられた抵抗器４を介して線路３ｃへ流入する。また、線路３ｃへ流入した高周波電流は、線路３ｃから、線路３ｃと線路３ｄとの間に設けられた抵抗器４を介して線路３ｄへと流入する。
　このように、線路３ｂへ印加された高周波電流は、抵抗器４を介して隣の線路（線路３ｃ及び線路３ｄ）へ流入することにより減衰する。したがって、実施の形態１に係る高周波増幅器は、上記のような循環流路（ループ）が形成された場合でも高周波電流の増大を抑え、発振を抑制できる。
　次に、図３は、４つの増幅素子１のうち、線路３ｂに接続された増幅素子１が逆相で動作し、それ以外の線路３ａ、３ｃ、及び３ｄに接続された増幅素子１は同相で動作した場合を示している。この場合、伝送線路３では、線路３ｂにのみ、増幅素子１から逆相の高周波電流が印加される。
　なお、図３でも、図２と同様、増幅素子１から線路３ｂに印加される逆相（逆方向）の高周波電流の向きを右から左とし、増幅素子１から線路３ａ、３ｃ、及び３ｄに印加される同相の高周波電流の向きを左から右とする。また、図３では、説明を簡単にするため、増幅素子１及びワイヤ２の表示を省略している。
　この場合、伝送線路３では、線路３ａと線路３ｂとの間に、少なくとも当該線路間における電気的な結合を抑制可能な程度に広い第２の間隔Ｌ２が形成されているため、当該線路間では結合を生じない。よって、線路３ａへ印加された高周波電流は、図３において太線の矢印で示すように、線路３ａと線路３ｂとの間に設けられた抵抗器４を介して線路３ｂへと流入し、この抵抗器４を流れることにより減衰する。したがって、高周波増幅器では、高周波電流が減衰し、発振が抑制される。
　また、線路３ａと線路３ｂとの間にわずかな結合が生じた場合でも、この結合箇所における当該線路間のインピーダンスよりも、当該線路間に設けられた抵抗器４のインピーダンスの方が低ければ、線路３ａへ印加された高周波電流は、上記結合箇所を介して線路３ｂに流入するのではなく、当該線路間に設けられた抵抗器４を介して線路３ｂに流入する。したがって、高周波増幅器では、この場合でも高周波電流が減衰し、発振が抑制される。
　一方、線路３ｂ及び線路３ｃに着目すると、この線路３ｂと線路３ｃとの間に形成された第１の間隔Ｌ１は、線路対を構成する線路同士の間隔である第２の間隔Ｌ２よりも狭い。そのため、線路３ｂと線路３ｃとの間には、電気的な結合を生じる可能性がある。
　仮に、線路３ｂと線路３ｃとの間に結合を生じた場合、線路３ｃへ印加された高周波電流は、線路３ｂと線路３ｃとの間に設けられた抵抗器４を介さず、上記結合箇所を介して線路３ｂへと流入する。この場合、高周波増幅器では、線路３ｃへ印加された高周波電流が、上記結合箇所を介して線路３ｂへ流入し、増幅素子１及び入力整合回路を経て再び出力整合回路（伝送線路３）の線路３ｃに印加される循環流路（ループ）が形成され得る。
　しかしながら、線路３ｃに印加される増幅後の高周波電流は、図３において太線の矢印で示すように、線路３ｃと線路３ｄとの間に設けられた抵抗器４を経由して線路３ｄへも流入するため、この抵抗器４により減衰する。したがって、高周波増幅器では、この場合でも高周波電流の増大を抑え、発振を抑制できる。
　また、実施の形態１に係る高周波増幅器では、図２及び図３に示したように、第２の間隔Ｌ２のみならず、第２の間隔よりも狭い第１の間隔Ｌ１が、線路３ｂと線路３ｃとにより形成されている。したがって、実施の形態１に係る高周波増幅器では、すべての間隔を第２の間隔Ｌ２とした場合に比べて伝送線路３の低インピーダンス化も実現される。すなわち、実施の形態１に係る高周波増幅器では、発振の抑制と整合回路（入力整合回路及び出力整合回路）の低インピーダンス化との両立を実現可能となる。
　ここで、図４及び図５を参照しながら、実施の形態１に係る高周波増幅器の効果をさらに詳しく説明する。図４は、従来の高周波増幅器における高周波電流の流れであって、図２に対する比較例を示している。また、図５は、従来の高周波増幅器における高周波電流の流れであって、図３に対する比較例を示している。
　図４及び図５において、符号２０は従来の高周波増幅器が備える伝送線路を示している。この伝送線路２０は、実施の形態１における伝送線路３と同様に、並列に配置された４本の線路２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、及び２０ｄと、接合部２０ｆとを有する櫛型構造２００と、当該４本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗器２１と、を備えている。
　４本の線路２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、及び２０ｄは、一方の端部にワイヤ２（不図示）を介して４つの増幅素子（不図示）が１対１で接続されている。また、接合部２０ｆは、当該４本の線路２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、及び２０ｄの他方の端部が接合されて構成されている。また、符号２６は、従来の高周波増幅器の出力端子を示している。
　なお、伝送線路２０は、実施の形態１における伝送線路３と異なり、各線路間の間隔は略同じとなっている。また、伝送線路２０では、各線路同士の間隔は、いずれも上記第２の間隔Ｌ２よりも狭くなっている。
　例えば、図４に示す伝送線路２０では、線路２０ａにのみ増幅素子１から逆相の高周波電流が印加される。ここで、図４に示す伝送線路２０では、線路２０ａと線路２０ｂとの間隔が上記第２の間隔Ｌ２よりも狭いため、線路２０ａ及び線路２０ｂ間に結合を生じる。その結果、線路２０ｂに印加された高周波電流は、図４における太線の矢印で示すように、線路２０ａと線路２０ｂとの間に設けられた抵抗器２１に流入することなく、上記結合箇所を介して直接線路２０ａに流入する。
　この場合、図４に示す従来の高周波増幅器では、線路２０ｂへ印加された高周波電流が、上記結合箇所を介して線路２０ａへ流入し、増幅素子１及び入力整合回路を経て再び出力整合回路（伝送線路２０）の線路２０ｂへ印加される循環流路（ループ）が形成され得る。
　しかしながら、図４に示す従来の高周波増幅器では、当該循環流路（ループ）において、高周波電流の利得を減衰できず、発振を生じるおそれがある。特に、線路２０ａに着目すると、線路２０ｂとは異なり、高周波電流を減衰する経路が全くない。したがって、図４に示す従来の高周波増幅器では、図２に示す実施の形態１に係る高周波増幅器よりも発振を生じる可能性が高い。
　また、図２に示す実施の形態１に係る高周波増幅器による効果と、図４に示す従来の高周波増幅器による効果との単純な比較方法として、高周波電流が流れる流路に存在する抵抗器の数を比較する方法がある。例えば、図２に示す実施の形態１に係る高周波増幅器では、高周波電流が流れる流路には３つの抵抗器４が存在するのに対し、図４に示す従来の高周波増幅器では２つの抵抗器２１しか流路に存在しない。つまり、図２に示す実施の形態１に係る高周波増幅器の方が、図４に示す従来の高周波増幅器よりも、多くの抵抗器で高周波電流を減衰することができるため、発振の抑制効果も高くなる。
　また、図５に示す伝送線路２０では、線路２０ｂにのみ増幅素子１から逆相の高周波電流が印加される。ここで、図５に示す伝送線路２０では、線路２０ａと線路２０ｂとの間隔、及び、線路２０ｂと線路２０ｃとの間隔が上記第２の間隔Ｌ２よりも狭いため、線路２０ａと線路２０ｂとの間、及び、線路２０ｂと線路２０ｃとの間に結合を生じる。
　その結果、線路２０ａに印加された高周波電流は、図５における太線の矢印で示すように、線路２０ａと線路２０ｂとの間に設けられた抵抗器２１に流入することなく、上記結合箇所を介して直接線路２０ｂに流入する。また、線路２０ｃに印加された高周波電流は、線路２０ｂと線路２０ｃとの間に設けられた抵抗器２１に流入することなく、上記結合箇所を介して直接線路２０ｂに流入する。
　この場合、図５に示す従来の高周波増幅器では、線路２０ａへ印加された高周波電流、及び、線路２０ｃへ印加された高周波電流が、上記結合箇所を介してそれぞれ線路２０ｂへ流入し、増幅素子１及び入力整合回路を経て再び出力整合回路（伝送線路２０）の線路２０ａ及び２０ｃへ印加される循環流路（ループ）が形成され得る。
　しかしながら、図５に示す従来の高周波増幅器では、当該循環流路（ループ）において、高周波電流の利得を減衰できず、発振を生じるおそれがある。特に、線路２０ａ及び線路２０ｂに着目すると、線路２０ｃとは異なり、高周波電流を減衰する経路が全くない。したがって、図５に示す従来の高周波増幅器では、図３に示す実施の形態１に係る高周波増幅器よりも寄生発振を生じる可能性が高い。
　また、図３に示す実施の形態１に係る高周波増幅器による効果と、図５に示す従来の高周波増幅器による効果との単純な比較方法として、高周波電流が流れる流路に存在する抵抗器の数を比較する方法がある。例えば、図３に示す実施の形態１に係る高周波増幅器では、高周波電流が流れる流路には２つの抵抗器４が存在するのに対し、図５に示す従来の高周波増幅器では１つの抵抗器２１しか流路に存在しない。つまり、図３に示す実施の形態１に係る高周波増幅器の方が、図５に示す従来の高周波増幅器よりも、多くの抵抗器で高周波電流を減衰することができるため、発振の抑制効果も高くなる。
　なお、上記の説明では、４つの増幅素子１のそれぞれの出力端子と、伝送線路３を構成する各線路３ａ、３ｂ、３ｃ、及び３ｄの一方の端部とがワイヤ２を介して接続された例を説明した。しかしながら、このワイヤ２は必須のものではなく、省略されていてもよい。その場合、４つの増幅素子１のそれぞれの出力端子は、例えば図６に示すように、伝送線路３を構成する各線路３ａ、３ｂ、３ｃ、及び３ｄの一方の端部に直接接続される。なお、図６では、説明を簡単にするため、増幅素子１を矩形の枠で表示している。
　また、上記の説明では、高周波増幅器が４つの増幅素子１と伝送線路３とを含んで構成される例を説明したが、４つの増幅素子１と伝送線路３とを１つのユニットとしたとき、このユニットは高周波増幅器に複数あってもよい。
　また、上記の説明では、伝送線路３を構成する各線路が直線状の線路である例を説明したが、各線路は必ずしも直線状でなくともよい。例えば、伝送線路３では、各線路間における電気的な結合の効果は、抵抗器４と接続される箇所の方が、それ以外の箇所よりも小さい。
　そこで、例えば、図７に示すように、第２の間隔Ｌ２を形成する線路３ａ及び線路３ｂ、並びに、第２の間隔Ｌ２を形成する線路３ｃ及び線路３ｄが、抵抗器４との接続部分において、互いに接近するように、抵抗器４側へせり出す形状となっていてもよい。このように構成した場合、伝送線路３では、各線路が直線状である場合に比べて、抵抗器４と接続される箇所における線路間の結合の効果が大きくなり、高周波電流が抵抗器４へ流入しやすくなる。これにより、高周波増幅器では、発振の抑制効果が向上する。
　また、上記の説明では、高周波増幅器の出力端子６側に設けられる出力整合回路が、伝送線路３で構成された例を説明した。しかしながら、これに代えて、又はこれに加えて、高周波増幅器の入力端子側に設けられる入力整合回路が、伝送線路３で構成されてもよい。すなわち、高周波増幅回路は、入力整合回路及び出力整合回路のうちの少なくとも一方が伝送線路３で構成されていればよい。
　また、上記の説明では、増幅素子１が４つ設けられた例（ｍ＝４）を説明したが、特に、増幅素子１の個数を４以上の偶数個とすれば、上記のように、各線路の隣接方向に沿って端から２本ずつの線路で線路対を構成する場合に、すべての線路がいずれかの線路対を構成することになるため、発振の抑制効果が向上する。
　ただし、実施の形態１に係る高周波増幅器では、増幅素子１の個数が３以上の整数であれば一定の効果を奏する。
　例えば、高周波増幅器は、図８に示すように、増幅素子１が３つ設けられていてもよい（ｍ＝３）。この場合、伝送線路３が備える櫛型構造３０は、並列に配置された３本の線路３ａ、３ｂ、及び３ｃを有する。
　また、図８に示す高周波増幅器では、３本の線路３ａ、３ｂ、及び３ｃの隣接する線路間に形成される複数（ここでは２か所）の間隔が、第１の間隔Ｌ１と、当該第１の間隔Ｌ１よりも広い第２の間隔Ｌ２とを含んでいる。図８の例では、線路３ｂと線路３ｃとの間隔が第１の間隔Ｌ１となっており、線路３ａと線路３ｂとの間隔が、第１の間隔Ｌ１よりも広い第２の間隔Ｌ２となっている。
　この場合の高周波増幅器の効果について、図９を参照しながら説明する。
　図９は、３つの増幅素子１のうち、最も端の線路３ａに接続された増幅素子１が逆相で動作し、それ以外の線路３ｂ及び３ｃに接続された増幅素子１が同相で動作した場合を示している。この場合、伝送線路３では、線路３ａにのみ、増幅素子１から逆相（逆方向）の高周波電流が印加される。
　この場合、伝送線路３では、線路３ａと線路３ｂとの間に、少なくとも当該線路間における電気的な結合を抑制可能な程度に広い第２の間隔Ｌ２が形成されているため、当該線路間では結合を生じない。よって、線路３ｂへ印加された高周波電流は、図９において太線の矢印で示すように、線路３ａと線路３ｂとの間に設けられた抵抗器４を介して線路３ａへと流入し、この抵抗器４を流れることにより減衰する。したがって、高周波増幅器では、高周波電流が減衰し、発振が抑制される。
　また、線路３ａと線路３ｂとの間にわずかな結合が生じた場合でも、この結合箇所における当該線路間のインピーダンスよりも、当該線路間に設けられた抵抗器４のインピーダンスの方が低ければ、線路３ｂへ印加された高周波電流は、上記結合箇所を介して線路３ａに流入するのではなく、当該線路間に設けられた抵抗器４を介して線路３ａに流入する。したがって、高周波増幅器では、この場合でも高周波電流が減衰し、発振が抑制される。
　さらに、線路３ｂへ印加された高周波電流の一部又は全部が、線路３ａと線路３ｂとの間に設けられた抵抗器４ではなく、上記結合箇所を介して線路３ａへ流入し、増幅素子１及び入力整合回路を経て再び出力整合回路（伝送線路３）の線路３ｂへ印加される循環流路（ループ）が形成された場合を考える。
　この場合、線路３ｂへ印加された増幅後の高周波電流は、図９において太線の矢印で示すように、線路３ｂと線路３ｃとの間に設けられた抵抗器４を介して線路３ｃへ流入する。このように、線路３ｂへ印加された高周波電流は、抵抗器４を介して隣の線路（線路３ｃ）へ流入することにより減衰する。したがって、実施の形態１に係る高周波増幅器は、上記のような循環流路（ループ）が形成された場合でも高周波電流の増大を抑え、発振を抑制できる。
　ここで、図１０を参照しながら、図８に示す高周波増幅器の効果をさらに詳しく説明する。図１０は、従来の高周波増幅器における高周波電流の流れであって、図９に対する比較例を示している。
　図１０において、符号２０は従来の高周波増幅器が備える伝送線路を示している。この伝送線路２０は、図８に示した伝送線路３と同様に、並列に配置された３本の線路２０ａ、２０ｂ、及び２０ｃと、接合部２０ｆとを有する櫛型構造２００と、当該３本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗器２１と、を備えている。
　３本の線路２０ａ、２０ｂ、及び２０ｃは、一方の端部にワイヤ２（不図示）を介して３つの増幅素子（不図示）が１対１で接続されている。また、接合部２０ｆは、当該３本の線路２０ａ、２０ｂ、及び２０ｃの他方の端部が接合されて構成されている。また、符号２６は、従来の高周波増幅器の出力端子を示している。
　なお、伝送線路２０は、実施の形態１における伝送線路３と異なり、各線路間の間隔は略同じとなっている。また、各線路同士の間隔は、いずれも上記第２の間隔Ｌ２よりも狭くなっている。
　例えば、図１０に示す伝送線路２０では、線路２０ａにのみ増幅素子１から逆相の高周波電流が印加される。ここで、図１０に示す伝送線路２０では、線路２０ａと線路２０ｂとの間隔が上記第２の間隔Ｌ２よりも狭いため、線路２０ａ及び線路２０ｂ間に結合を生じる。その結果、線路２０ｂに印加された高周波電流は、図１０において太線の矢印で示すように、線路２０ａと線路２０ｂとの間に設けられた抵抗器２１に流入することなく、上記結合箇所を介して直接線路２０ａに流入する。
　この場合、図１０に示す従来の高周波増幅器では、線路２０ｂへ印加された高周波電流が、上記結合箇所を介して線路２０ａへ流入し、増幅素子１及び入力整合回路を経て再び出力整合回路（伝送線路２０）の線路２０ｂへ印加される循環流路（ループ）が形成され得る。
　しかしながら、図１０に示す従来の高周波増幅器では、当該循環流路（ループ）において、高周波電流の利得を減衰できず、発振を生じるおそれがある。特に、線路２０ａに着目すると、線路２０ｂとは異なり、高周波電流を減衰する経路が全くない。したがって、図１０に示す従来の高周波増幅器では、図８に示す高周波増幅器よりも発振を生じる可能性が高い。
　また、図８に示す高周波増幅器による効果と、図１０に示す従来の高周波増幅器による効果との単純な比較方法として、高周波電流が流れる流路に存在する抵抗器の数を比較する方法がある。例えば、図８に示す実施の形態１に係る高周波増幅器では、高周波電流が流れる流路には２つの抵抗器４が存在するのに対し、図１０に示す従来の高周波増幅器では１つの抵抗器２１しか流路に存在しない。つまり、図８に示す高周波増幅器の方が、図１０に示す従来の高周波増幅器よりも、多くの抵抗器で高周波電流を減衰することができるため、発振の抑制効果も高くなる。
　このように、実施の形態１に係る高周波増幅器では、増幅素子１の個数が３以上の整数であれば、各線路の隣接する線路間に形成される複数の間隔に、第１の間隔Ｌ１と、当該第１の間隔Ｌ１よりも広い第２の間隔Ｌ２とを含ませることで、発振の抑制と整合回路の低インピーダンス化との両立を実現可能となる。
　なお、上記の説明では、３つの増幅素子１のそれぞれの出力端子と、伝送線路３を構成する各線路３ａ、３ｂ、及び３ｃの一方の端部とがワイヤ２を介して接続された例を説明した。しかしながら、このワイヤ２は必須のものではなく、省略されていてもよい。その場合、３つの増幅素子１のそれぞれの出力端子は、例えば図１１に示すように、伝送線路３を構成する各線路３ａ、３ｂ、及び３ｃの一方の端部に直接接続される。なお、図１１では、説明を簡単にするため、増幅素子１を矩形の枠で表示している。
　また、上記の説明では、高周波増幅器が３つの増幅素子１と伝送線路３とを含んで構成される例を説明したが、３つの増幅素子１と伝送線路３とを１つのユニットとしたとき、このユニットは高周波増幅器に複数あってもよい。
　また、上記の説明では、伝送線路３を構成する各線路が直線状の線路である例を説明したが、各線路は必ずしも直線状でなくともよい。例えば、伝送線路３では、各線路間における電気的な結合の効果は、抵抗器４と接続される箇所の方が、それ以外の箇所よりも小さい。
　そこで、例えば、図１２に示すように、第２の間隔Ｌ２を形成する線路３ａ及び線路３ｂが、抵抗器４との接続部分において、互いに接近するように、抵抗器４側へせり出す形状となっていてもよい。このように構成した場合、伝送線路３では、各線路が直線状である場合に比べて、抵抗器４と接続される箇所における線路間の結合の効果が大きくなり、高周波電流が抵抗器４へ流入しやすくなる。よって、高周波増幅器では、発振の抑制効果が向上する。
　また、上記の説明では、高周波増幅器の出力端子６側に設けられる出力整合回路が、図８に示す伝送線路３で構成された例を説明した。しかしながら、これに代えて、又はこれに加えて、高周波増幅器の入力端子側に設けられる入力整合回路が、図８に示す伝送線路３で構成されてもよい。すなわち、高周波増幅回路は、入力整合回路及び出力整合回路のうちの少なくとも一方が図８に示す伝送線路３で構成されていればよい。
　また、上記の説明では、ｍ＝３又はｍ＝４の場合、すなわち、増幅素子１の数が３つ又は４つの場合を中心に説明したが、増幅素子１の数は３以上の整数であればよく、例えば５つであってもよい。
　この場合、高周波増幅器は、入力整合回路及び出力整合回路と、５つの増幅素子１とを備える。また、入力整合回路及び出力整合回路のうちの少なくとも一方は、図１３に示すように、一方の端部に５つの増幅素子１が１対１で接続された５本の線路３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、及び３ｅと、当該５本の線路の他方の端部が接合された接合部３ｆと、を有する櫛型構造３０と、５本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗器４と、を備える。
　また、入力整合回路及び出力整合回路のうちの少なくとも一方は、５本の線路の隣接する線路間に形成される複数（ここでは４か所）の間隔が、第１の間隔Ｌ１と、当該第１の間隔Ｌ１よりも広い第２の間隔Ｌ２とを含んでいる。このように、増幅素子１の数が５つとなるように構成された場合でも、高周波増幅器は、増幅素子１の数が３つ又は４つの場合と同様に、発振の抑制と整合回路の低インピーダンス化との両立を実現可能となる。
　以上のように、この実施の形態１によれば、高周波増幅器は、入力整合回路と、出力整合回路と、ｍ個（ｍは３以上の整数）の増幅素子１とを含んで構成される高周波増幅器であって、入力整合回路及び出力整合回路のうちの少なくとも一方は、一方の端部にｍ個の増幅素子１が１対１で接続されたｍ本の線路と、当該ｍ本の線路の他方の端部が接合された接合部３ｆと、を有する櫛型構造３０と、ｍ本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗器４と、を備え、ｍ本の線路の隣接する線路間に形成される複数の間隔が、第１の間隔Ｌ１と、当該第１の間隔Ｌ１よりも広い第２の間隔Ｌ２とを含んでいる。これにより、実施の形態１に係る高周波増幅器は、発振の抑制と整合回路の低インピーダンス化との両立を実現可能となる。
　また、ｍは、４以上の偶数であり、櫛型構造３０は、ｍ本の線路のうち、当該ｍ本の線路が隣接する方向に沿って端から２本ずつの線路により線路対が構成され、当該線路対同士の間隔が第１の間隔Ｌ１であり、当該線路対を構成する線路同士の間隔が第２の間隔Ｌ２である。これにより、実施の形態１に係る高周波増幅器は、櫛型構造３０を構成するｍ本の線路のすべてがいずれかの線路対を構成することになるため、発振の抑制効果が向上する。
　また、第２の間隔Ｌ２は、少なくとも当該第２の間隔Ｌ２を形成する線路間における電気的な結合を抑制可能な広さである。これにより、実施の形態１に係る高周波増幅器は、発振の抑制効果が向上する。
　また、この実施の形態１によれば、整合回路は、一方の端部にｍ個（ｍは３以上の整数）の増幅素子１が１対１で接続されるｍ本の線路と、当該ｍ本の線路の他方の端部が接合された接合部３ｆと、を有する櫛型構造３０と、ｍ本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗器４と、を備え、ｍ本の線路の隣接する線路間に形成される複数の間隔が、第１の間隔Ｌ１と、当該第１の間隔Ｌ１よりも広い第２の間隔Ｌ２とを含んでいる。これにより、実施の形態１に係る整合回路は、低インピーダンス化を図りつつ、増幅素子１を備える高周波増幅器の発振も抑制できる。
　また、整合回路は、ｍが４以上の偶数であり、櫛型構造３０は、ｍ本の線路のうち、当該ｍ本の線路が隣接する方向に沿って端から２本ずつの線路により線路対が構成され、当該線路対同士の間隔が第１の間隔Ｌ１であり、当該線路対を構成する線路同士の間隔が第２の間隔Ｌ２である。これにより、実施の形態１に係る整合回路は、櫛型構造３０を構成するｍ本の線路のすべてがいずれかの線路対を構成することになるため、増幅素子１を備える高周波増幅器の発振の抑制効果が向上する。
実施の形態２．
　実施の形態１では、発振の抑制と整合回路の低インピーダンス化との両立を実現可能な高周波増幅器について説明した。実施の形態２では、発振の抑制と整合回路の低インピーダンス化との両立をより確実に実現させることが可能な高周波増幅器について説明する。
　実施の形態１において、図８に示した高周波増幅器では、３つの増幅素子１のうち、線路３ｂに接続された増幅素子１が逆相で動作し、それ以外の線路３ａ及び３ｃに接続された増幅素子１が同相で動作する場合がある。その場合の高周波電流の流れの一例を図１４に示す。
　図１４に示すように、上記の場合、伝送線路３では、線路３ａと線路３ｂとの間に、少なくとも当該線路間における電気的な結合を抑制可能な程度に広い第２の間隔Ｌ２が形成されているため、当該線路間では結合を生じない。よって、線路３ｂへ印加された高周波電流は、図１４において太線の矢印で示すように、線路３ａと線路３ｂとの間に設けられた抵抗器４を介して線路３ａへと流入し、この抵抗器４を流れることにより減衰する。したがって、高周波増幅器では、高周波電流が減衰し、発振が抑制される。
　また、線路３ａと線路３ｂとの間にわずかな結合が生じた場合でも、この結合箇所における当該線路間のインピーダンスよりも、当該線路間に設けられた抵抗器４のインピーダンスの方が低ければ、線路３ｂへ印加された高周波電流は、上記結合箇所を介して線路３ａに流入するのではなく、当該線路間に設けられた抵抗器４を介して線路３ａに流入する。したがって、高周波増幅器では、この場合でも高周波電流が減衰し、発振が抑制される。
　一方、線路３ｂ及び線路３ｃに着目すると、この線路３ｂと線路３ｃとの間に形成された第１の間隔Ｌ１は、線路３ａと線路３ｂとの間に形成された第２の間隔Ｌ２よりも狭い。そのため、線路３ｂと線路３ｃとの間には、電気的な結合を生じる可能性がある。
　仮に、線路３ｂと線路３ｃとの間に結合を生じた場合、線路３ｃへ印加された高周波電流は、図１４において太線の矢印で示すように、線路３ｂと線路３ｃとの間に設けられた抵抗器４を介さず、上記結合箇所を介して線路３ｂへと流入する。この場合、高周波増幅器では、線路３ｃへ印加された高周波電流が、上記結合箇所を介して線路３ｂへ流入し、増幅素子１及び入力整合回路を経て再び出力整合回路（伝送線路３）の線路３ｃに印加される循環流路（ループ）が形成され得る。その場合、高周波増幅器では、入力整合回路と出力整合回路との間に形成されたループにおいて高周波電流が増大し、発振してしまうおそれがある。
　そこで、実施の形態２に係る高周波増幅器は、発振の抑制効果を高めるべく、例えば図１５に示すように構成される。
　図１５に示すように、実施の形態２に係る高周波増幅器は、出力整合回路を伝送線路３で構成するとともに、入力整合回路を伝送線路３’で構成する。
　入力整合回路を構成する伝送線路３’は、一方の端部に３つの増幅素子１の入力端子が１対１で接続された３本の線路３ａ’、３ｂ’、及び３ｃ’と、３本の線路の他方の端部が接合された接合部３ｆ’と、を有する櫛型構造３０’と、３本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗器４と、を備えている。なお、符号７は、実施の形態２に係る高周波増幅器の入力端子を示している。
　同様に、出力整合回路を構成する伝送線路３は、一方の端部に３つの増幅素子１の入力端子が１対１で接続された３本の線路３ａ、３ｂ、及び３ｃと、３本の線路の他方の端部が接合された接合部３ｆと、を有する櫛型構造３０と、３本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗器４と、を備えている。
　また、入力側の伝送線路３’及び出力側の伝送線路３は、図１５に示すように、３本の線路の隣接する線路間に複数（ここでは２か所）の間隔が形成され、当該形成される複数の間隔が、第１の間隔Ｌ１と、当該第１の間隔Ｌ１よりも広い第２の間隔Ｌ２とを含んでいる。そして、入力側の伝送線路３’及び出力側の伝送線路３は、３つの増幅素子１を境にして、第１の間隔Ｌ１と第２の間隔Ｌ２とが対向するように配置されている。
　この場合、例えば図１４で示したように、出力側の伝送線路３において、線路３ｃへ印加された逆相の高周波電流が、線路３ｂと線路３ｃとの間に設けられた抵抗器４を介さず、線路３ｂと線路３ｃとの間に生じた結合箇所を介して線路３ｂへと流入したとしても、この高周波電流は、ワイヤ２を介して線路３ｂに接続された増幅素子１により増幅されて、入力側の伝送線路３’が有する線路３ｂ’に印加される。
　一方、入力側では、線路３ａ’と線路３ｂ’との間には、少なくとも当該線路間における電気的な結合を抑制可能な程度に広い第２の間隔Ｌ２が形成されているため、当該線路間では結合を生じない。よって、線路３ｂ’へ印加された高周波電流は、線路３ａ’と線路３ｂ’との間に設けられた抵抗器４を介して線路３ａ’へと流入し、この抵抗器４を流れることにより減衰する。
　このように、実施の形態２に係る高周波増幅器では、入力側の伝送線路３’及び出力側の伝送線路３は、３つの増幅素子１を境にして、第１の間隔Ｌ１と第２の間隔Ｌ２とが対向するように配置されている。したがって、実施の形態２に係る高周波増幅器では、入力側及び出力側のいずれか一方において、高周波電流を抵抗器４に確実に流すことができる。これにより、実施の形態２に係る高周波増幅器では、入力整合回路と出力整合回路との間に形成された循環流路（ループ）における高周波電流の増大を抑え、発振を抑制できる。
　以上のように、この実施の形態２によれば、高周波増幅器は、入力整合回路と、出力整合回路と、ｍ個（ｍは３以上の整数）の増幅素子とを含んで構成される高周波増幅器であって、入力整合回路は、一方の端部にｍ個の増幅素子１の入力端子が１対１で接続されたｍ本の線路と、当該ｍ本の線路の他方の端部が接合された接合部３ｆ’と、を有する櫛型構造３０’と、ｍ本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗器４と、を備え、出力整合回路は、一方の端部にｍ個の増幅素子１の出力端子が１対１で接続されたｍ本の線路と、当該ｍ本の線路の他方の端部が接合された接合部３ｆと、を有する櫛型構造３０と、ｍ本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗器４と、を備え、入力整合回路及び出力整合回路は、ｍ本の線路の隣接する線路間に形成される複数の間隔が、第１の間隔Ｌ１と、当該第１の間隔Ｌ１よりも広い第２の間隔Ｌ２とを含んでおり、増幅素子１を境にして、第１の間隔Ｌ１と第２の間隔Ｌ２とが対向するように配置されている。これにより、実施の形態２に係る高周波増幅器は、発振の抑制と整合回路の低インピーダンス化との両立を実施の形態１よりも確実に実現可能となる。
　なお、本開示は、各実施の形態の自由な組合わせ、或いは各実施の形態の任意の構成要素の変形、若しくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。例えば、実施の形態１で説明したｍ＝４の場合の伝送線路３を実施の形態２に適用し、入力整合回路及び出力整合回路を、４本の線路を備える伝送線路で構成するとともに、当該入力整合回路及び出力整合回路が、増幅素子１を境にして、第１の間隔Ｌ１と第２の間隔Ｌ２とが対向するように配置されてもよい。
　本開示は、発振の抑制と整合回路の低インピーダンス化との両立を実現可能であり、高周波増幅器に用いるのに適している。
１　増幅素子、２　ワイヤ、３　伝送線路、３’　伝送線路、３ａ　線路、３ａ’　線路、３ａｂ　線路対、３ｂ　線路、３ｂ’　線路、３ｃ　線路、３ｃ’　線路、３ｃｄ　線路対、３ｄ　線路、３ｆ　接合部、３ｆ’　接合部、４　抵抗器、６　高周波増幅器の出力端子、７　高周波増幅器の入力端子、２０　伝送線路、２０ａ　線路、２０ｂ　線路、２０ｃ　線路、２０ｄ　線路、２１　抵抗器、３０　櫛型構造、３０’　櫛型構造、Ｌ１　第１の間隔、Ｌ２　第２の間隔。

Claims (6)

  1. 　入力整合回路と、出力整合回路と、ｍ個（ｍは３以上の整数）の増幅素子とを含んで構成される高周波増幅器であって、
    　前記入力整合回路及び前記出力整合回路のうちの少なくとも一方は、
    　一方の端部に前記ｍ個の増幅素子が１対１で接続されたｍ本の線路と、当該ｍ本の線路の他方の端部が接合された接合部と、を有する櫛型構造と、
    　前記ｍ本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗と、を備え、
    　前記ｍ本の線路の隣接する線路間に形成される複数の間隔が、第１の間隔と、当該第１の間隔よりも広い第２の間隔とを含んでいることを特徴とする高周波増幅器。
  2. 　前記ｍは、４以上の偶数であり、
    　前記櫛型構造は、前記ｍ本の線路のうち、当該ｍ本の線路が隣接する方向に沿って端から２本ずつの線路により線路対が構成され、
    　当該線路対同士の間隔が前記第１の間隔であり、当該線路対を構成する線路同士の間隔が前記第２の間隔であることを特徴とする請求項１記載の高周波増幅器。
  3. 　入力整合回路と、出力整合回路と、ｍ個（ｍは３以上の整数）の増幅素子とを含んで構成される高周波増幅器であって、
    　前記入力整合回路は、
    　一方の端部に前記ｍ個の増幅素子の入力端子が１対１で接続されたｍ本の線路と、当該ｍ本の線路の他方の端部が接合された接合部と、を有する櫛型構造と、
    　前記ｍ本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗と、を備え、
    　前記出力整合回路は、
    　一方の端部に前記ｍ個の増幅素子の出力端子が１対１で接続されたｍ本の線路と、当該ｍ本の線路の他方の端部が接合された接合部と、を有する櫛型構造と、
    　前記ｍ本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗と、を備え、
    　前記入力整合回路及び前記出力整合回路は、
    　前記ｍ本の線路の隣接する線路間に形成される複数の間隔が、第１の間隔と、当該第１の間隔よりも広い第２の間隔とを含んでおり、
    　前記増幅素子を境にして、前記第１の間隔と前記第２の間隔とが対向するように配置されていることを特徴とする高周波増幅器。
  4. 　前記第２の間隔は、
    　少なくとも当該第２の間隔を形成する線路間における電気的な結合を抑制可能な広さであることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の高周波増幅器。
  5. 　一方の端部にｍ個（ｍは３以上の整数）の増幅素子が１対１で接続されるｍ本の線路と、当該ｍ本の線路の他方の端部が接合された接合部と、を有する櫛型構造と、
    　前記ｍ本の線路のうちの隣接する線路間に設けられた抵抗と、を備え、
    　前記ｍ本の線路の隣接する線路間に形成される複数の間隔が、第１の間隔と、当該第１の間隔よりも広い第２の間隔とを含んでいることを特徴とする整合回路。
  6. 　前記ｍは、４以上の偶数であり、
    　前記櫛型構造は、前記ｍ本の線路のうち、当該ｍ本の線路が隣接する方向に沿って端から２本ずつの線路により線路対が構成され、
    　当該線路対同士の間隔が前記第１の間隔であり、当該線路対を構成する線路同士の間隔が前記第２の間隔であることを特徴とする請求項５記載の整合回路。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5930327B2 (ja) * 1977-06-20 1984-07-26 レイセオン・カンパニ− 電力分割装置
JPH01232801A (ja) * 1988-03-14 1989-09-18 Mitsubishi Electric Corp 電力分配器
JPH11330813A (ja) * 1998-05-20 1999-11-30 Mitsubishi Electric Corp 電力分配回路および電力増幅器
JP2005045659A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Sony Corp 伝送線路、増幅回路および通信装置

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