WO2023169135A1 - Dispositif de génération d'ions pour équipement d'implantation d'ions électromagnétiques carrés à tube droit - Google Patents

Dispositif de génération d'ions pour équipement d'implantation d'ions électromagnétiques carrés à tube droit Download PDF

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straight
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ion implantation
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王向红
孟秋静
戴正阳
李云庆
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上海电子信息职业技术学院
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48Ion implantation

Abstract

Dispositif de génération d'ions pour un équipement d'implantation d'ions électromagnétiques carrés à tube droit, qui appartient au domaine technique de l'implantation ionique. Ledit dispositif comprend un boîtier de pulvérisation cathodique d'ions (2) ayant une cavité de forme carrée de tube droit, une extrémité de la cavité de forme carrée de tube droit étant fermée, et l'autre extrémité de la cavité de forme carrée de tube droit étant une sortie d'ions (5) ; deux surfaces de montage (21) formant un certain angle inclus sont disposées à l'extrémité fermée du boîtier de pulvérisation cathodique d'ions (2) ; un ensemble d'ensembles de sources d'arc cathodique (1) est disposé sur chaque surface des deux surfaces de montage (21) ; un ensemble d'extraction d'ions (4), un dispositif d'analyse de masse (6) et un tuyau d'accélération (7) sont agencés séquentiellement sur un côté de la sortie d'ions (5) ; des particules non chargées se déplacent selon leurs propres vitesse et direction et sont déposées sur une paroi interne du boîtier de pulvérisation cathodique d'ions (2), et des ions métalliques chargés sont focalisés et accélérés sous l'action d'un champ magnétique, et passent à travers la sortie d'ions (5). Le taux d'ionisation est amélioré, et également le boîtier de pulvérisation cathodique d'ions (2) ayant la cavité en forme de carré de tube droit est de taille importante, le déplacement est court, et le taux de dépôt est considérablement amélioré.
PCT/CN2023/075305 2022-03-07 2023-02-10 Dispositif de génération d'ions pour équipement d'implantation d'ions électromagnétiques carrés à tube droit WO2023169135A1 (fr)

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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1087128A (zh) * 1992-11-16 1994-05-25 四川大学 微波等离子体源离子注入装置
CN202246841U (zh) * 2011-06-09 2012-05-30 中国科学院金属研究所 一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置
US9761424B1 (en) * 2011-09-07 2017-09-12 Nano-Product Engineering, LLC Filtered cathodic arc method, apparatus and applications thereof
CN112831759A (zh) * 2021-02-01 2021-05-25 江苏徐工工程机械研究院有限公司 一种磁场辅助阴极引弧装置及镀膜方法
CN114481025A (zh) * 2021-12-30 2022-05-13 温州职业技术学院 一种ta-C沉积镀膜方法
CN114752909A (zh) * 2022-03-07 2022-07-15 上海电子信息职业技术学院 一种提高离子离化率的离子注入方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1087128A (zh) * 1992-11-16 1994-05-25 四川大学 微波等离子体源离子注入装置
CN202246841U (zh) * 2011-06-09 2012-05-30 中国科学院金属研究所 一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置
US9761424B1 (en) * 2011-09-07 2017-09-12 Nano-Product Engineering, LLC Filtered cathodic arc method, apparatus and applications thereof
CN112831759A (zh) * 2021-02-01 2021-05-25 江苏徐工工程机械研究院有限公司 一种磁场辅助阴极引弧装置及镀膜方法
CN114481025A (zh) * 2021-12-30 2022-05-13 温州职业技术学院 一种ta-C沉积镀膜方法
CN114752909A (zh) * 2022-03-07 2022-07-15 上海电子信息职业技术学院 一种提高离子离化率的离子注入方法

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