WO2023100686A1 - ガラス板の製造方法 - Google Patents

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宏明 田中
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Nippon Electric Glass Co Ltd
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    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
    • H10P50/642—Chemical etching

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a glass plate having through holes.
  • glass plates with fine through holes for wiring are used as substrates for tiling displays (micro LEDs, etc.), bezelless displays, and glass interposers.
  • a method for manufacturing a glass plate having through holes of this type includes, for example, a reforming step of forming a reformed portion by reforming the intended formation position of the through hole in the glass plate by irradiating a laser beam; and an etching step of etching a portion to be formed to form a through hole (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
  • the modified portion formed in the modifying step has a higher etching rate than the unmodified portion, and is selectively removed in the etching step. Therefore, by forming the modified portion from the first main surface to the second main surface along the plate thickness direction of the glass plate, the through hole can be formed by etching.
  • the through-hole When the through-hole is formed in this way, the portion closer to the main surface of the glass plate is more likely to be etched because it is in contact with the etchant for a longer time. , and the inner wall surface of the through hole becomes tapered. If the hole diameter on the main surface of the glass plate becomes large in this way, problems may occur such as a high-definition pattern being unable to be formed on the main surface of the glass plate.
  • the angle of inclination of the inner wall surface of the through hole with respect to the direction perpendicular to the thickness direction is the etching condition. change depending on
  • An object of the present invention is to increase the inclination angle of the inner wall surface of the through hole.
  • the present invention invented to solve the above problems, has a first main surface, a second main surface, and a through hole penetrating between the first main surface and the second main surface.
  • a method for manufacturing a glass plate comprising: a modification step of modifying a portion where a through-hole is to be formed by irradiating a laser beam; an etching step of forming a through-hole in the planned portion, wherein the etching step is performed after the first etching step of etching the glass plate through which the planned formation portion does not penetrate; and a second etching step for etching the penetrating glass plate, wherein the average relative velocity of the etchant to the glass plate is made faster in the second etching step than in the first etching step.
  • the inventors of the present invention have found that the inclination angle of the inner wall surface of the through hole that is finally formed is: , (b) is determined by the change speed of the inclination angle of the inner wall surface of the planned formation portion after the formation planned portion penetrates. That is, in order to increase the angle of inclination of the finally formed through-hole, (a') increase the angle of inclination of the inner wall surface of the part to be formed when the part to be formed penetrates (close to 90°). (b') It is important to change the change speed of the inclination angle of the inner wall surface of the planned formation portion after the penetration of the formation planned portion in the positive direction.
  • the part to be formed that has been modified by laser irradiation is in a state of being easily etched.
  • the etchant cannot move inside the planned formation portion in the plate thickness direction. Therefore, even if the average relative velocity of the etchant with respect to the glass plate is increased in this state, the exchange efficiency of the etchant in the concave portion of the portion to be formed does not increase as compared to the exchange efficiency of the etchant in the main surface of the glass plate. .
  • the time required for the replacement of the etchant is not shorter in the concave portion of the intended formation portion than in the main surface of the glass plate.
  • etching is promoted only in the vicinity of the main surface of the glass plate, and the pore diameter of the main surface is preferentially enlarged.
  • the inclination angle of the inner wall surface of the portion to be formed at the time of penetration is reduced.
  • the etchant can flow in the plate thickness direction inside the formation planned portion.
  • the exchange efficiency of the etchant inside the portion to be formed increases as well as the exchange efficiency of the etchant on the main surface of the glass plate.
  • the rate of change of the inclination angle of the inner wall surface of the portion to be formed after penetration can be changed in the positive direction. Therefore, if the average relative velocity of the etchant with respect to the glass plate is made higher in the second etching step than in the first etching step as in the above configuration, the inner wall surface of the portion to be formed when the portion to be formed penetrates.
  • the progress rate of etching in the formation-planned portion can be increased from the time when the formation-planned portion penetrates. Therefore, it is possible to change the change speed of the inclination angle of the inner wall surface of the part to be formed after the part to be formed penetrates in a more positive direction. Thereby, the inclination angle of the inner wall surface of the through hole can be increased.
  • the etching solution in the etching step, may be stirred, and the average stirring speed of the etching solution may be faster in the second etching step than in the first etching step.
  • the average relative velocity of the etchant to the glass plate can be made faster in the second etching process than in the first etching process.
  • the average relative velocity of the etchant to the glass plate can be made faster in the second etching process than in the first etching process.
  • the present invention invented to solve the above problems, has a first principal surface, a second principal surface, and a through hole penetrating between the first principal surface and the second principal surface.
  • a method for manufacturing a glass plate comprising: a modifying step of modifying a portion where a through hole is to be formed by irradiating a laser beam; an etching step of forming a through-hole in the portion to be formed by spraying and etching, wherein the etching step includes a first etching step of etching the glass plate through which the portion to be formed does not penetrate, and a first etching step. and a second etching step of etching the glass plate through which the part to be formed penetrates, wherein the average injection pressure of the etchant against the glass plate is higher in the second etching step than in the first etching step.
  • the average injection pressure of the etchant sprayed onto the glass plate is increased in the second etching process than in the first etching process, it is possible to prevent the penetration of the part to be formed.
  • the change speed of the inclination angle of the inner wall surface of the part to be formed after the part to be formed penetrates can be changed in the positive direction. Thereby, the inclination angle of the inner wall surface of the through hole can be increased.
  • the inclination angle of the inner wall surface of the through hole can be increased more reliably.
  • the inclination angle of the inner wall surface of the through hole can be increased.
  • the method for manufacturing a glass plate according to the first embodiment includes, in this order, a modification step S1 and an etching step S2 including a first etching step S2a and a second etching step S2b.
  • the modification step S1 is a step of modifying the portion 3 of the glass plate 2 where the through hole is to be formed by the laser beam L emitted from the laser device 1.
  • the reformed formation scheduled portion 3 includes a reformed portion 4 extending in the plate thickness direction.
  • the modified portion 4 has a property of being easily etched, and has a higher etching rate than the non-modified portion.
  • the reformed portion 4 is preferably formed continuously in the plate thickness direction, but may be intermittently formed in the plate thickness direction.
  • the type and irradiation conditions of the laser beam L are not particularly limited as long as the modified portion 4 can be formed in the through-hole formation scheduled portion 3 of the glass plate 2 .
  • the laser light L is short pulse laser light (picosecond laser light, nanosecond laser light, femtosecond laser light).
  • the diameter W of the modified portion 4 can be adjusted by the spot diameter of the laser beam L or the like.
  • the glass plate 2 is etched to form the first main surface 2a and the second main surface of the glass plate 2 in the formation scheduled portion 3 including the modified portion 4. 2b in the plate thickness direction.
  • the glass plate 2 is immersed in the etchant 6 stored in the etching vessel 5, and etching is simultaneously progressed from both sides of the first main surface 2a and the second main surface 2b of the glass plate 2.
  • the etching step S2 is performed after the first etching step S2a (see FIG. 3) of etching the glass plate 2 through which the planned formation portion 3 does not penetrate (see FIG. 3) and the first etching step S2a. and a second etching step S2b (see FIG. 4) for etching the glass plate 2 through which 3 passes.
  • the same etching vessel 5 in which the etching liquid 6 is stored is used.
  • the etching container used in the first etching step S2a may be different from the etching container used in the second etching step S2b.
  • the average relative velocity of the etchant 6 with respect to the glass plate 2 in the second etching step S2b (hereinafter referred to as the second average relative velocity) V2 is the average relative velocity of the etchant 6 with respect to the glass plate 2 in the first etching step S2a (hereinafter referred to as faster than V1 (referred to as the first average relative velocity).
  • Examples of methods for making the second average relative speed V2 faster than the first average relative speed V1 include a method of stirring the etching liquid 6 and a method of moving the glass plate 2 in the etching liquid 6.
  • a method of stirring the etchant 6 and a method of moving the glass plate 2 in the etchant 6 may be used in combination. .
  • Methods for stirring the etching solution 6 include, for example, a method of swinging a louver and a method of vibrating the etching solution 6 with ultrasonic waves. A rotating method is used.
  • the stirring member 7 is arranged on the side of the glass plate 2, but the arrangement position of the stirring member 7 is not particularly limited. The stirring member 7 may be arranged below the glass plate 2 or may be arranged above the glass plate.
  • the average stirring speed of the etching solution 6 in the second etching step S2b (referred to as the second average stirring speed) is set to , the average stirring speed of the etchant 6 in the first etching step S2a (referred to as the first average stirring speed).
  • the average stirring speed means the average rotation speed of the stirring member 7 when the stirring member 7 is used.
  • the arrangement position of the stirring member 7 is not particularly limited.
  • Examples of the method of moving the glass plate 2 in the etching solution 6 include a method of swinging the glass plate 2 in the etching solution 6, a method of rotating the glass plate 2 in the etching solution 6, and the like.
  • the average moving speed of the glass plate 2 in the second etching step S2b (second average moving speed) is preferably faster than the average moving speed of the glass plate 2 in the first etching step S2a (referred to as the first average moving speed).
  • the second etching step S2b is started when the part to be formed 3 penetrates in the plate thickness direction. That is, when the formation scheduled portion 3 penetrates in the plate thickness direction, the average relative velocity of the etchant 6 with respect to the glass plate 2 is switched from the first average relative velocity V1 to the second average relative velocity V2.
  • the etching time for the planned formation portion 3 to penetrate is measured in advance under the same etching conditions, and when the measured time elapses, it is assumed that the formation planned portion 3 has penetrated, and the second etching step S2b is performed. Start. A camera or the like may be used to observe in real time when the planned formation portion 3 penetrates, and the second etching step S2b may be started at the time when the formation planned portion 3 is observed to penetrate.
  • the formation-scheduled portion 3 including the modified portion 4 is gradually removed by etching.
  • the portion to be formed 3 does not penetrate but forms a recess 8 with a bottom.
  • the etchant 6 cannot pass through the inside of the formation scheduled portion 3 in the plate thickness direction. Therefore, even if the first average relative velocity V1 is increased, the exchange efficiency of the etchant 6 in the concave portion 8 of the portion to be formed 3 does not increase.
  • the etchant 6 in the concave portion 8 of the portion to be formed 3 is gradually contaminated with a reaction product (sludge). Therefore, when the etching rate of the portion to be formed 3 is R1 and the etching rate of the main surfaces 2a and 2b is R2, the ratio of R1/R2 decreases. As a result, etching is promoted only in the vicinity of the main surfaces 2a and 2b of the glass plate 2, and the inclination angle (also referred to as taper angle) ⁇ 1 (see FIG. 6) of the inner wall surface 3a of the portion to be formed 3 at the time of penetration is reduced. end up
  • the part to be formed 3 is in a penetrating state.
  • the etchant 6 can freely move inside the formation-planned portion 3 in the plate thickness direction. Therefore, if the second average relative velocity V2 is increased, the exchange efficiency of the etchant 6 inside the formation-planned portion 3 is increased as well as the exchange efficiency of the etchant 6 on the main surfaces 2a and 2b of the glass plate 2 .
  • the etching of the portion to be formed 3 is promoted in the same manner as the etching of the vicinity of the main surfaces 2a and 2b of the glass plate 2 is promoted.
  • the change in the inclination angle ⁇ 1 of the inner wall surface 3a of the portion to be formed 3 after penetration can be reduced, and the etching time required to obtain a desired hole diameter can be shortened.
  • the second average relative velocity V2 in the second etching step S2b is made faster than the first average relative velocity V1 in the first etching step S2a.
  • (1) the inclination angle ⁇ 1 of the inner wall surface 3a of the formation planned portion 3 when the formation planned portion 3 penetrates is increased, and (2) the formation after the formation planned portion 3 penetrates.
  • the change speed of the inclination angle ⁇ 1 of the inner wall surface 3a of the planned portion 3 can be changed in the positive direction.
  • the inclination angle (also referred to as taper angle) ⁇ 2 of the inner wall surface 9a of the through hole 9 finally formed in the glass plate 2 can be increased.
  • the hole diameter at the central portion of the through hole 9 in the plate thickness direction is the minimum hole diameter D1
  • the hole diameter at the main surfaces 2a and 2b of the through hole 9 is the maximum hole diameter D2.
  • the method for manufacturing a glass plate according to the second embodiment differs from the method for manufacturing a glass plate according to the first embodiment in that, in the etching step S2, the glass immersed in the etchant 6 is This is the point of conveying the plate 2 .
  • the etchant 6 is stored in the etching container 10 elongated in the direction in which the glass plate 2 is conveyed.
  • the glass plate 2 is transported by a transporting device 11 such as a roller while being immersed in the etchant 6 .
  • the first etching step S2a is performed in the first area 12 on the upstream side in the transport direction of the position where the planned formation portion 3 penetrates, and the position and the transport direction where the planned formation portion 3 penetrates.
  • the second etching step S2b is performed in the second area 13 including the downstream side of the . That is, the average relative velocity of the etchant 6 with respect to the glass plate 2 is a relatively small first average relative velocity V1 in the first area 12, and a relatively large second average relative velocity V2 in the second area 13. be.
  • the average stirring speed of the stirring members 7b in the second area 13 may be higher than the average stirring speed of the stirring members 7a in the first area 12.
  • the average moving speed of the glass plate 2 by the conveying device 11 in the second area 13 may be faster than the average moving speed of the glass plate 2 by the conveying device 11 in the first area 12 .
  • a partition wall 14 is provided between the first area 12 and the second area 13 to suppress the movement of the etchant 6 between the two areas.
  • the areas 12 and 13 are partitioned by the partition wall 14, so that the average relative velocity of the etchant 6 with respect to the glass plate 2 can be easily adjusted in each of the areas 12 and 13 individually.
  • the partition wall 14 may be omitted.
  • the glass plate manufacturing method according to the third embodiment differs from the glass plate manufacturing methods according to the first and second embodiments in that, in the etching step S2, the glass plate 2 is immersed in the etchant 6, the etchant 6 is sprayed onto the first main surface 2a and the second main surface 2b of the glass plate 2.
  • FIG. 9 the glass plate manufacturing method according to the third embodiment differs from the glass plate manufacturing methods according to the first and second embodiments in that, in the etching step S2, the glass plate 2 is immersed in the etchant 6, the etchant 6 is sprayed onto the first main surface 2a and the second main surface 2b of the glass plate 2.
  • the etching step S2 is the first etching in which the etchant 6 is jetted from the nozzle 15 to the first main surface 2a and the second main surface 2b of the glass plate 2 through which the intended formation portion 3 does not penetrate.
  • the etchant 6 is sprayed from the nozzle 15 onto the first main surface 2a and the second main surface 2b of the glass plate 2 through which the part to be formed 3 penetrates. and a second etching step S2b (see FIG. 10) for performing etching.
  • the average injection pressure of the etching solution 6 onto the glass plate 2 in the second etching step S2b (hereinafter referred to as the second average injection pressure) Q2 is the average injection pressure of the etching solution 6 onto the glass plate 2 in the first etching step S2a (hereinafter referred to as higher than Q1 (referred to as the first average injection pressure).
  • the second etching step S2b is started when the part to be formed 3 penetrates in the plate thickness direction. That is, when the formation scheduled portion 3 penetrates in the plate thickness direction, the average injection pressure of the etchant 6 against the glass plate 2 is switched from the first average injection pressure Q1 to the second average injection pressure Q2.
  • the method for manufacturing a glass plate according to the fourth embodiment differs from the method for manufacturing a glass plate according to the third embodiment in that, in the etching step S2, the conveyed glass plate 2 is The point is that the etchant 6 is sprayed on the substrate.
  • the glass plate 2 is transported downstream in the transport direction by the transport device 16 .
  • the etchant 6 is sprayed from the nozzles 15a and 15b onto the first main surface 2a and the second main surface 2b of the glass plate 2, respectively.
  • the first etching step S2a is performed in the first area 17 on the upstream side of the position where the planned formation portion 3 penetrates, and the first etching step S2a including the position where the formation planned portion 3 penetrates and the downstream side thereof.
  • a second etching step S2b is performed in the second area 18 . That is, the average injection pressure of the etchant 6 against the glass plate 2 is a relatively low first average injection pressure Q1 in the first area 17, and a relatively high second average injection pressure Q2 in the second area 18. be.
  • the amount of the etchant 6 sprayed per unit time from the nozzle 15b of the second area 18 is made larger than the amount of the etchant 6 sprayed per unit time from the nozzle 15a of the first area 17. good too.
  • the number of nozzles 15 b in the second area 18 may be relatively increased compared to the number of nozzles 15 a in the first area 17 .
  • the second etching step S2b may be started before the formation scheduled portion 3 is penetrated (for example, several minutes before the penetration). Alternatively, the second etching step S2b may be started after the formation scheduled portion 3 is penetrated (for example, several minutes after the penetration).
  • the start timing of the second etching step S2b is not particularly limited as long as it includes a step of etching the glass plate 2 through which the portion to be formed 3 penetrates.
  • the second etching step S2b may be started when the formation scheduled portion 3 penetrates. preferable.
  • the glass plates 2 may be etched one by one, or a plurality of glass plates 2 may be etched simultaneously. Further, in the etching step S2, when the glass plate 2 is etched while being conveyed, the conveying path of the glass plate 2 is not limited to a straight line, and may be curved such as an annular shape.
  • the point indicated by symbol P in the figure is the taper angle of the planned formation portion when the planned formation portion penetrates.
  • the taper angle of the portion to be formed at the time of penetration changes according to the rate of change of the taper angle (-0.07°/min in the figure) and the etching time until the through hole is finally formed. ing. That is, the taper angle of the through-hole includes (1) the taper angle of the planned formation portion when the planned formation portion penetrates, (2) the change rate of the taper angle of the planned formation portion after the planned formation portion penetrates, and (3) Determined by etching time.
  • FIGS. 13 to 16 show how the average relative velocity of the etchant to the glass plate affects the taper angle of the through-holes formed in the glass plate. The results are shown in FIGS. 13 to 16.
  • FIG. Adjustment of the average relative velocity of the etchant to the glass plate was performed by stirring the etchant using a water bath stirrer.
  • a water bath stirrer is a device that uses magnetic force to rotate a stirrer to stir a liquid such as an etchant.
  • the etching rate of the main surface of the glass plate increases as the stirring speed of the etchant increases.
  • the etching rate of the formation planned portion does not substantially change even if the stirring speed of the etchant increases.
  • the taper angle of the formation planned portion when the formation planned portion penetrates becomes smaller as the stirring speed of the etchant increases.
  • the rate of change of the taper angle of the portion to be formed after the portion to be formed changes in the positive direction as the stirring speed of the etchant increases. From this result, it can be seen that by increasing the stirring speed of the etchant after the portion to be formed penetrates, the angle change from the taper angle of the portion to be formed when the portion to be formed penetrates can be changed in the positive direction. Therefore, it can be said that it is preferable to increase the average relative velocity of the etchant with respect to the glass plate after the portion to be formed penetrates.

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Abstract

貫通孔９の形成予定部３をレーザ光Ｌの照射により改質する改質工程Ｓ１と、改質工程Ｓ１の後に、ガラス板２をエッチング液６に浸漬して第一主面２ａおよび第二主面２ｂをエッチングすることにより、形成予定部３に貫通孔９を形成するエッチング工程Ｓ２とを備える。エッチング工程Ｓ２は、形成予定部３が貫通していないガラス板２をエッチングする第一エッチング工程Ｓ２ａと、第一エッチング工程Ｓ２ａの後に行われ、形成予定部３が貫通したガラス板２をエッチングする第二エッチング工程Ｓ２ｂとを備える。ガラス板２に対するエッチング液６の平均相対速度は、第一エッチング工程Ｓ２ａよりも第二エッチング工程Ｓ２ｂで速い。

Description

ガラス板の製造方法
　本発明は、貫通孔を有するガラス板の製造方法に関する。
　例えば、タイリングディスプレイ（マイクロＬＥＤ等）、ベゼルレスディスプレイ、ガラスインタポーザなどの基板として、配線（貫通電極等）用の微細な貫通孔を有するガラス板が利用されている。
　この種の貫通孔を有するガラス板の製造方法としては、例えば、ガラス板における貫通孔の形成予定位置をレーザ光の照射により改質して改質部を形成する改質工程と、改質部を含む形成予定部をエッチングして貫通孔を形成するエッチング工程とを備える（例えば、特許文献１，２を参照）。
特開２０１８―１９９６０５号公報 特開２０２０―６６５５１号公報
　上述の製造方法では、改質工程において形成された改質部は、改質されていない部分よりもエッチングレートが大きいため、エッチング工程において選択的に除去される。したがって、改質部をガラス板の板厚方向に沿って第一主面から第二主面まで形成することで、エッチングにより貫通孔を形成することができる。
　このように貫通孔を形成した場合、ガラス板の主面に近い部分ほど、長時間エッチング液と接するためにエッチングされやすく、貫通孔の孔径は、主面に近い部分が板厚方向の中央部よりも大きくなり、貫通孔の内壁面はテーパ状となる。このようにガラス板の主面の孔径が大きくなると、ガラス板の主面に高精細なパターンが形成できないなどの不具合が生じ得る。
　板厚方向と直交する方向に対する貫通孔の内壁面の傾斜角度（板厚方向と直交する方向と貫通孔の内壁面がなす角度、以下では単に「内壁面の傾斜角度」という）は、エッチング条件によって変化する。
　本発明は、貫通孔の内壁面の傾斜角度を大きくすることを課題とする。
（１）　上記の課題を解決するために創案された本発明は、第一主面と、第二主面と、第一主面と第二主面との間を貫通する貫通孔とを有するガラス板の製造方法であって、貫通孔の形成予定部をレーザ光の照射により改質する改質工程と、改質工程の後に、ガラス板をエッチング液に浸漬してエッチングすることにより、形成予定部に貫通孔を形成するエッチング工程とを備え、エッチング工程は、形成予定部が貫通していないガラス板をエッチングする第一エッチング工程と、第一エッチング工程の後に行われ、形成予定部が貫通したガラス板をエッチングする第二エッチング工程とを備え、ガラス板に対するエッチング液の平均相対速度を、第一エッチング工程よりも第二エッチング工程で速くすることを特徴とする。
　本発明者等は、鋭意研究の結果、最終的に形成される貫通孔の内壁面の傾斜角度は、（ａ）形成予定部が貫通した時の形成予定部の内壁面の傾斜角度の大きさ、（ｂ）形成予定部が貫通した後の形成予定部の内壁面の傾斜角度の変化速度により決定されることを知見するに至った。つまり、最終的に形成される貫通孔の傾斜角度を大きくするためには、（ａ´）形成予定部が貫通した時の形成予定部の内壁面の傾斜角度を大きくする（９０°に近づける）こと、（ｂ´）形成予定部が貫通した後の形成予定部の内壁面の傾斜角度の変化速度を正方向に変化させることが重要となる。
　レーザ照射により改質された形成予定部は、エッチングされやすい状態にある。しかしながら、形成予定部が貫通していない状態、つまり、形成予定部が底付きの凹部である状態では、形成予定部の内部をエッチング液が板厚方向に往来できない。そのため、この状態でガラス板に対するエッチング液の平均相対速度を速くしても、ガラス板の主面におけるエッチング液の交換効率に比べて、形成予定部の凹部内におけるエッチング液の交換効率は上がらない。換言すると、エッチング液の平均相対速度を速くしても、エッチング液の入れ替わりに要する時間は、ガラス板の主面に比べて、形成予定部の凹部内では短くならない。その結果、ガラス板の主面近傍のエッチングのみが促進され、主面の孔径が優先的に拡大してしまう。これにより、貫通時の形成予定部の内壁面の傾斜角度が小さくなる。一方、形成予定部が貫通した状態では、形成予定部の内部をエッチング液が板厚方向に往来できる。そのため、この状態でガラス板に対するエッチング液の平均相対速度を速くすると、ガラス板の主面におけるエッチング液の交換効率と同様に、形成予定部の内部におけるエッチング液の交換効率も上がる。その結果、貫通後の形成予定部の内壁面の傾斜角度の変化速度を正方向に変化させることができる。したがって、上記の構成のように、ガラス板に対するエッチング液の平均相対速度を、第一エッチング工程よりも第二エッチング工程で速くすれば、形成予定部が貫通した時の形成予定部の内壁面の傾斜角度を大きくすること、形成予定部が貫通した後の形成予定部の内壁面の傾斜角度の変化速度を正方向に変化させることができる。これにより、貫通孔の内壁面の傾斜角度を大きくすることができる。
（２）　上記の（１）の構成において、第二エッチング工程が、形成予定部が貫通した時に開始されることが好ましい。
　このようにすれば、形成予定部が貫通した時から、形成予定部内のエッチングの進行速度を上げることができる。したがって、形成予定部が貫通した後の形成予定部の内壁面の傾斜角度の変化速度をより正方向に変化させることができる。これにより、貫通孔の内壁面の傾斜角度を大きくすることができる。
（３）　上記の（１）又は（２）の構成において、エッチング工程では、エッチング液を攪拌し、エッチング液の平均攪拌速度を、第一エッチング工程よりも第二エッチング工程で速くしてもよい。
　このようにすれば、ガラス板に対するエッチング液の平均相対速度を、第一エッチング工程よりも第二エッチング工程で速くできる。
（４）　上記の（１）～（３）の構成において、エッチング工程では、エッチング液中でガラス板を移動させ、ガラス板の平均移動速度を、第一エッチング工程よりも第二エッチング工程で速くしてもよい。
　このようにすれば、ガラス板に対するエッチング液の平均相対速度を、第一エッチング工程よりも第二エッチング工程で速くできる。
（５）　上記の課題を解決するために創案された本発明は、第一主面と、第二主面と、第一主面と第二主面との間を貫通する貫通孔とを有するガラス板の製造方法であって、貫通孔の形成予定部をレーザ光の照射により改質する改質工程と、改質工程の後に、第一主面および第二主面のそれぞれにエッチング液を噴射してエッチングすることにより、形成予定部に貫通孔を形成するエッチング工程とを備え、エッチング工程は、形成予定部が貫通していないガラス板をエッチングする第一エッチング工程と、第一エッチング工程の後に行われ、形成予定部が貫通したガラス板をエッチングする第二エッチング工程とを備え、ガラス板に対するエッチング液の平均噴射圧力を、第一エッチング工程よりも第二エッチング工程で高くすることを特徴とする。
　このようにすれば、既に述べた同様の理由により、ガラス板に対するエッチング液の噴射による平均噴射圧力を、第一エッチング工程よりも第二エッチング工程で多くすれば、形成予定部が貫通した時の形成予定部の内壁面の傾斜角度を大きくすること、形成予定部が貫通した後の形成予定部の内壁面の傾斜角度の変化速度を正方向に変化させることができる。これにより、貫通孔の内壁面の傾斜角度を大きくすることができる。
（６）　上記（５）の構成において、第二エッチング工程が、形成予定部が貫通した時に開始されることが好ましい。
　このようにすれば、貫通孔の内壁面の傾斜角度をより確実に大きくすることができる。
　本発明によれば、貫通孔の内壁面の傾斜角度を大きくすることができる。
第一実施形態に係るガラス板の製造方法を示すフロー図である。 第一実施形態に係るガラス板の製造方法に含まれる改質工程を示す断面図である。 第一実施形態に係るガラス板の製造方法に含まれる第一エッチング工程を示す断面図である。 第一実施形態に係るガラス板の製造方法に含まれる第二エッチング工程を示す断面図である。 第一実施形態に係るガラス板の製造方法に含まれる第一エッチング工程におけるガラス板の断面図である。 第一実施形態に係るガラス板の製造方法に含まれる第二エッチング工程におけるガラス板の断面図であって、ガラス板の形成予定部の貫通時の状態を示す。 第一実施形態に係るガラス板の製造方法により製造された貫通孔を有するガラス板の断面図である。 第二実施形態に係るガラス板の製造方法に含まれる第一エッチング工程及び第二エッチング工程を示す断面図である。 第三実施形態に係るガラス板の製造方法に含まれる第一エッチング工程を示す側面図である。 第三実施形態に係るガラス板の製造方法に含まれる第二エッチング工程を示す側面図である。 第四実施形態に係るガラス板の製造方法に含まれる第一エッチング工程及び第二エッチング工程を示す側面図である。 形成予定部の貫通前における、形成予定部のテーパ角度とエッチング時間との関係を示すグラフである。 形成予定部の貫通前における、主面のエッチングレートと攪拌速度との関係を示すグラフである。 形成予定部の貫通前における、形成予定部のエッチングレートと攪拌速度との関係を示すグラフである。 形成予定部の貫通時における、形成予定部のテーパ角度と攪拌速度との関係を示すグラフである。 形成予定部の貫通後における、形成予定部のテーパ角度の変化速度と攪拌速度との関係を示すグラフである。
　以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明する。なお、各実施形態において対応する構成要素には同一符号を付すことにより、重複する説明を省略する場合がある。各実施形態において構成の一部分のみを説明している場合、当該構成の他の部分については、先行して説明した他の実施形態の構成を適用することができる。各実施形態の説明において明示している構成の組み合わせばかりではなく、特に組み合わせに支障が生じなければ、明示していなくても複数の実施形態の構成同士を部分的に組み合わせることができる。
（第一実施形態）
　図１に示すように、第一実施形態に係るガラス板の製造方法は、改質工程Ｓ１と、第一エッチング工程Ｓ２ａ及び第二エッチング工程Ｓ２ｂを含むエッチング工程Ｓ２とをこの順に備える。
　図２に示すように、改質工程Ｓ１は、レーザ装置１から照射されるレーザ光Ｌにより、ガラス板２における貫通孔の形成予定部３を改質する工程である。改質された形成予定部３は、板厚方向に延びる改質部４を含む。改質部４は、エッチングされやすい性質を有し、非改質部よりもエッチングレートが大きい。改質部４は、板厚方向で連続的に形成されていることが好ましいが、板厚方向で断続的に形成されていてもよい。ガラス板２に貫通孔を複数形成する場合、改質部４を含む形成予定部３も複数形成される。
　レーザ光Ｌは、ガラス板２の貫通孔の形成予定部３に改質部４を形成できる限り、その種類及び照射条件は特に限定されない。本実施形態では、レーザ光Ｌは、短パルスレーザ光（ピコ秒レーザ光、ナノ秒レーザ光、フェムト秒レーザ光）である。改質部４の径Ｗは、レーザ光Ｌのスポット径などによって調整できる。
　図３及び図４に示すように、エッチング工程Ｓ２は、ガラス板２をエッチングすることにより、改質部４を含む形成予定部３に、ガラス板２の第一主面２ａと第二主面２ｂとの間を板厚方向に貫通する貫通孔を形成する工程である。エッチング工程Ｓ２では、エッチング容器５に貯留されているエッチング液６にガラス板２を浸漬し、ガラス板２の第一主面２ａ及び第二主面２ｂの両側からエッチングを同時に進行させる。
　詳細には、エッチング工程Ｓ２は、形成予定部３が貫通していないガラス板２をエッチングする第一エッチング工程Ｓ２ａ（図３を参照）と、第一エッチング工程Ｓ２ａの後に行われ、形成予定部３が貫通したガラス板２をエッチングする第二エッチング工程Ｓ２ｂ（図４を参照）とを備える。第一エッチング工程Ｓ２ａ及び第二エッチング工程Ｓ２ｂでは、エッチング液６が貯留された同一のエッチング容器５が使用される。なお、第一エッチング工程Ｓ２ａで使用するエッチング容器は、第二エッチング工程Ｓ２ｂで使用するエッチング容器と異なっていてもよい。
　第二エッチング工程Ｓ２ｂにおけるガラス板２に対するエッチング液６の平均相対速度（以下、第二平均相対速度という）Ｖ２は、第一エッチング工程Ｓ２ａにおけるガラス板２に対するエッチング液６の平均相対速度（以下、第一平均相対速度という）Ｖ１よりも速い。
　第二平均相対速度Ｖ２を第一平均相対速度Ｖ１よりも速くする方法としては、例えば、エッチング液６を攪拌する方法、ガラス板２をエッチング液６中で移動させる方法などが挙げられる。なお、第二平均相対速度Ｖ２を第一平均相対速度Ｖ１よりも速くするために、エッチング液６を攪拌する方法と、ガラス板２をエッチング液６中で移動させる方法とを併用してもよい。
　エッチング液６を攪拌する方法としては、例えば、ルーバーを揺動させる方法、超音波によりエッチング液６を振動させる方法などが挙げられるが、本実施形態では、攪拌部材（スクリュー回転を含む）７を回転させる方法が採用される。図示例では、攪拌部材７は、ガラス板２の側方に配置されているが、攪拌部材７の配置位置は特に限定されない。攪拌部材７は、ガラス板２の下方に配置してもよいし、ガラス板の上方に配置してもよい。エッチング液６を攪拌する場合、第二平均相対速度Ｖ２を第一平均相対速度Ｖ１よりも速くするために、第二エッチング工程Ｓ２ｂにおけるエッチング液６の平均攪拌速度（第二平均攪拌速度という）を、第一エッチング工程Ｓ２ａにおけるエッチング液６の平均攪拌速度（第一平均攪拌速度という）よりも速くすることが好ましい。ここで、平均攪拌速度とは、攪拌部材７を用いる場合には、攪拌部材７の平均回転速度を意味する。なお、攪拌部材７の配置位置は特に限定されない。
　ガラス板２をエッチング液６中で移動させる方法としては、例えば、エッチング液６中でガラス板２を揺動させる方法、エッチング液６中でガラス板２を回転させる方法などが挙げられる。ガラス板２をエッチング液６中で移動させる場合、第二平均相対速度Ｖ２を第一平均相対速度Ｖ１よりも速くするために、第二エッチング工程Ｓ２ｂにおけるガラス板２の平均移動速度（第二平均移動速度という）を、第一エッチング工程Ｓ２ａにおけるガラス板２の平均移動速度（第一平均移動速度という）よりも速くすることが好ましい。
　第二エッチング工程Ｓ２ｂは、形成予定部３が板厚方向に貫通した時に開始される。つまり、形成予定部３が板厚方向に貫通した時点で、ガラス板２に対するエッチング液６の平均相対速度が、第一平均相対速度Ｖ１から第二平均相対速度Ｖ２に切り替えられる。
　本実施形態では、予め同じエッチング条件で形成予定部３が貫通するエッチング時間を測定しておき、この測定した時間が経過したときに形成予定部３が貫通したとみなし、第二エッチング工程Ｓ２ｂを開始する。なお、カメラ等を用いて形成予定部３が貫通した時をリアルタイムで観測し、形成予定部３の貫通が観測された時点で、第二エッチング工程Ｓ２ｂを開始するようにしてもよい。
　第二エッチング工程Ｓ２ｂの第二平均相対速度Ｖ２を、第一エッチング工程Ｓ２ａの第一平均相対速度Ｖ１よりも速くする理由は、次の通りである。なお、図５～図７において、符号２ａо，２ｂоはエッチング前の主面２ａ，２ｂの位置を示している。
　図５に示すように、第一エッチング工程Ｓ２ａでは、改質部４を含む形成予定部３はエッチングにより徐々に除去される。ただし、第一エッチング工程Ｓ２ａでは、形成予定部３は貫通しておらず、底付きの凹部８をなす。この状態では、形成予定部３の内部をエッチング液６が板厚方向に往来できない。そのため、第一平均相対速度Ｖ１を速くしても、形成予定部３の凹部８内におけるエッチング液６の交換効率は上がらない。このようにエッチング液６の交換効率が悪いと、形成予定部３の凹部８内のエッチング液６が反応生成物（スラッジ）により徐々に汚染される。そのため、形成予定部３のエッチングレートをＲ１、主面２ａ，２ｂのエッチングレートをＲ２とした場合に、Ｒ１／Ｒ２の比が低下する。その結果、ガラス板２の主面２ａ，２ｂ近傍のエッチングのみが促進され、貫通時の形成予定部３の内壁面３ａの傾斜角度（テーパ角度ともいう）θ１（図６を参照）が小さくなってしまう。
　一方、図６に示すように、第二エッチング工程Ｓ２ｂでは、形成予定部３は貫通した状態である。この状態では、形成予定部３の内部をエッチング液６が板厚方向に自由に往来できる。そのため、第二平均相対速度Ｖ２を速くすると、ガラス板２の主面２ａ，２ｂにおけるエッチング液６の交換効率と同様に、形成予定部３の内部におけるエッチング液６の交換効率も上がる。その結果、ガラス板２の主面２ａ，２ｂ近傍のエッチングと同様に、形成予定部３のエッチングも促進される。これにより、貫通後の形成予定部３の内壁面３ａの傾斜角度θ１の変化を小さくしつつ、所望の孔径にするまでのエッチング時間を短くできる。
　このような理由から、第二エッチング工程Ｓ２ｂにおける第二平均相対速度Ｖ２を第一エッチング工程Ｓ２ａにおける第一平均相対速度Ｖ１よりも速くしている。そして、このようにすれば、（１）形成予定部３が貫通した時の形成予定部３の内壁面３ａの傾斜角度θ１を大きくすること、（２）形成予定部３が貫通した後の形成予定部３の内壁面３ａの傾斜角度θ１の変化速度を正方向に変化させることができる。これにより、図７に示すように、ガラス板２に最終的に形成される貫通孔９の内壁面９ａの傾斜角度（テーパ角度ともいう）θ２を大きくできる。
　貫通孔９の板厚方向の中心部における孔径が最小孔径Ｄ１となり、貫通孔９の主面２ａ，２ｂにおける孔径が最大孔径Ｄ２となる。
（第二実施形態）
　図８に示すように、第二実施形態に係るガラス板の製造方法が、第一実施形態に係るガラス板の製造方法と相違するところは、エッチング工程Ｓ２において、エッチング液６に浸漬させたガラス板２を搬送する点である。
　本実施形態では、ガラス板２の搬送方向に長尺なエッチング容器１０にエッチング液６が貯留されている。ガラス板２は、エッチング液６に浸漬された状態で、ローラ等の搬送装置１１によって搬送される。ガラス板２の搬送経路では、形成予定部３が貫通する位置よりも搬送方向の上流側の第一エリア１２において第一エッチング工程Ｓ２ａが行われ、形成予定部３が貫通する位置及びその搬送方向の下流側を含む第二エリア１３において第二エッチング工程Ｓ２ｂが行われる。つまり、ガラス板２に対するエッチング液６の平均相対速度は、第一エリア１２では相対的に小さい第一平均相対速度Ｖ１とされ、第二エリア１３では相対的に大きい第二平均相対速度Ｖ２とされる。
　この場合、第二エリア１３における攪拌部材７ｂの平均攪拌速度を、第一エリア１２における攪拌部材７ａの平均攪拌速度よりも速くしてもよい。また、第二エリア１３における搬送装置１１によるガラス板２の平均移動速度を、第一エリア１２における搬送装置１１によるガラス板２の平均移動速度よりも速くしてもよい。なお、各エリア１２，１３におけるガラス板２に対するエッチング液６の平均相対速度の調整方法としては、第一実施形態で説明したその他の方法も同様に適用できる。
　本実施形態では、第一エリア１２と第二エリア１３との間には、両エリアの間でのエッチング液６の往来を抑制する仕切り壁１４を設けている。このようにすれば、各エリア１２，１３が仕切り壁１４によって区画されるため、ガラス板２に対するエッチング液６の平均相対速度を各エリア１２，１３で個別に調整しやすくなる。なお、仕切り壁１４は省略してもよい。
（第三実施形態）
　図９及び図１０に示すように、第三実施形態に係るガラス板の製造方法が、第一及び第二実施形態に係るガラス板の製造方法と相違するところは、エッチング工程Ｓ２において、ガラス板２をエッチング液６に浸漬する代わりに、ガラス板２の第一主面２ａ及び第二主面２ｂに対してエッチング液６を噴射する点である。
　本実施形態では、エッチング工程Ｓ２は、形成予定部３が貫通していないガラス板２の第一主面２ａ及び第二主面２ｂにエッチング液６をノズル１５から噴射してエッチングする第一エッチング工程Ｓ２ａ（図９参照）と、第一エッチング工程Ｓ２ａの後に行われ、形成予定部３が貫通したガラス板２の第一主面２ａ及び第二主面２ｂにエッチング液６をノズル１５から噴射してエッチングする第二エッチング工程Ｓ２ｂ（図１０参照）とを備える。
　第二エッチング工程Ｓ２ｂにおけるガラス板２に対するエッチング液６の平均噴射圧力（以下、第二平均噴射圧力という）Ｑ２は、第一エッチング工程Ｓ２ａにおけるガラス板２に対するエッチング液６の平均噴射圧力（以下、第一平均噴射圧力という）Ｑ１よりも高い。
　第二エッチング工程Ｓ２ｂは、形成予定部３が板厚方向に貫通した時に開始される。つまり、形成予定部３が板厚方向に貫通した時に、ガラス板２に対するエッチング液６の平均噴射圧力が、第一平均噴射圧力Ｑ１から第二平均噴射圧力Ｑ２に切り替えられる。
（第四実施形態）
　図１１に示すように、第四実施形態に係るガラス板の製造方法が、第三実施形態に係るガラス板の製造方法と相違するところは、エッチング工程Ｓ２において、搬送されるガラス板２に対してエッチング液６を噴射する点である。
　本実施形態では、ガラス板２は、搬送装置１６によって搬送方向の下流側に向かって搬送される。ガラス板２の搬送経路上では、ガラス板２の第一主面２ａ及び第二主面２ｂのそれぞれにノズル１５ａ，１５ｂからエッチング液６が噴射される。ガラス板２の搬送経路では、形成予定部３が貫通する位置よりも上流側の第一エリア１７において第一エッチング工程Ｓ２ａが行われ、形成予定部３が貫通する位置及びその下流側を含む第二エリア１８において第二エッチング工程Ｓ２ｂが行われる。つまり、ガラス板２に対するエッチング液６の平均噴射圧力は、第一エリア１７では相対的に低い第一平均噴射圧力Ｑ１とされ、第二エリア１８では相対的に高い第二平均噴射圧力Ｑ２とされる。
　この場合、第二エリア１８のノズル１５ｂから単位時間当たりに噴射されるエッチング液６の量を、第一エリア１７のノズル１５ａから単位時間当たりに噴射されるエッチング液６の量よりも多くしてもよい。また、第二エリア１８におけるノズル１５ｂの数量を、第一エリア１７におけるノズル１５ａの数量よりも相対的に増やしてもよい。
　なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
　第二エッチング工程Ｓ２ｂは、形成予定部３の貫通時よりも前（例えば貫通時の数分前）から開始してもよい。あるいは、第二エッチング工程Ｓ２ｂは、形成予定部３の貫通時よりも後（例えば貫通時の数分後）から開始してもよい。つまり、第二エッチング工程Ｓ２ｂは、形成予定部３が貫通したガラス板２をエッチングする工程を含んでいれば、その開始タイミングは特に限定されない。ただし、最終的に形成される貫通孔９の内壁面９ａの傾斜角度θ２を可及的に大きくする観点からは、第二エッチング工程Ｓ２ｂは、形成予定部３が貫通した時に開始されることが好ましい。
　エッチング工程Ｓ２では、ガラス板２を１枚ずつエッチングしてもよいし、複数枚のガラス板２を同時にエッチングしてもよい。また、エッチング工程Ｓ２において、ガラス板２を搬送しながらエッチングする場合、ガラス板２の搬送経路は直線状に限らず、円環状などの曲線状であってもよい。
　以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
　まず、ガラス板に最終的に形成される貫通孔の内壁面の傾斜角度（テーパ角度）が、エッチング時間によってどのように変化するかを測定した。その結果を図１２に示す。
　図中の符号Ｐで示す点は、形成予定部が貫通した時の形成予定部のテーパ角度である。この形成予定部の貫通時のテーパ角度は、最終的に貫通孔が形成されるまでに、テーパ角度の変化速度（図例では、－０．０７°／分）及びエッチング時間に応じて変化している。つまり、貫通孔のテーパ角度は、（１）形成予定部が貫通した時の形成予定部のテーパ角度、（２）形成予定部が貫通した後の形成予定部のテーパ角度の変化速度、及び、（３）エッチング時間により決定される。
　次に、ガラス板に対するエッチング液の平均相対速度が、ガラス板に形成される貫通孔のテーパ角度にどのように影響するかを評価した。その結果を図１３～図１６に示す。ガラス板に対するエッチング液の平均相対速度の調整は、ウォーターバススターラを用いてエッチング液を攪拌することによって行った。ウォーターバススターラは、磁力を利用して攪拌子を回転させ、エッチング液などの液体を攪拌する装置である。
　図１３に示すように、形成予定部が貫通する前の状態では、ガラス板の主面のエッチングレートは、エッチング液の攪拌速度が速くなるに連れて上昇する。これに対し、図１４に示すように、形成予定部が貫通する前の状態では、形成予定部のエッチングレートは、エッチング液の攪拌速度が速くなってもほぼ変化しない。また、図１５に示すように、形成予定部が貫通した時の形成予定部のテーパ角度は、エッチング液の攪拌速度を速くすると小さくなる。これらの結果から、形成予定部が貫通する前に、エッチング液の攪拌速度を大きくすると、ガラス板の主面近傍のエッチングのみが促進され、形成予定部が貫通した時の形成予定部のテーパ角度が小さくなることが分かる。したがって、形成予定部が貫通する前は、ガラス板に対するエッチング液の平均相対速度を遅くすることが好ましいと言える。
　図１６に示すように、形成予定部が貫通した後の形成予定部のテーパ角度の変化速度は、エッチング液の攪拌速度が速くなるに連れて正方向に変化する。この結果から、形成予定部が貫通した後にエッチング液の攪拌速度を大きくすると、形成予定部が貫通した時の形成予定部のテーパ角度からの角度変化を正方向に変化させることができることが分かる。したがって、形成予定部が貫通した後は、ガラス板に対するエッチング液の平均相対速度を速くすることが好ましいと言える。
　以上より、形成予定部が貫通する前はガラス板に対するエッチング液の平均相対速度を遅くし、形成予定部が貫通した後はガラス板に対するエッチング液の平均相対速度を速くすれば、最終的に形成される貫通孔のテーパ角度を大きくできることが分かる。
１　　　レーザ装置
２　　　ガラス板
２ａ　　第一主面
２ｂ　　第二主面
３　　　形成予定部
３ａ　　内壁面
４　　　改質部
５　　　エッチング容器
６　　　エッチング液
７　　　攪拌部材
８　　　凹部
９　　　貫通孔
１０　　エッチング容器
１１　　搬送装置
１２　　第一エリア
１３　　第二エリア
１４　　仕切り壁
１５　　ノズル
１６　　搬送装置
１７　　第一エリア
１８　　第二エリア
Ｌ　　　レーザ光
Ｓ１　　改質工程
Ｓ２　　エッチング工程
Ｓ２ａ　第一エッチング工程
Ｓ２ｂ　第二エッチング工程
θ１　　形成予定部の内壁面の傾斜角度（テーパ角度）
θ２　　貫通孔の内壁面の傾斜角度（テーパ角度）

Claims (6)

  1. 　第一主面と、第二主面と、前記第一主面と前記第二主面との間を貫通する貫通孔とを有するガラス板の製造方法であって、
    　前記貫通孔の形成予定部をレーザ光の照射により改質する改質工程と、
    　前記改質工程の後に、前記ガラス板をエッチング液に浸漬してエッチングすることにより、前記形成予定部に前記貫通孔を形成するエッチング工程とを備え、
    　前記エッチング工程は、前記形成予定部が貫通していない前記ガラス板をエッチングする第一エッチング工程と、前記第一エッチング工程の後に行われ、前記形成予定部が貫通した前記ガラス板をエッチングする第二エッチング工程とを含み、
    　前記ガラス板に対する前記エッチング液の平均相対速度を、前記第一エッチング工程よりも前記第二エッチング工程で速くすることを特徴とするガラス板の製造方法。
  2. 　前記第二エッチング工程が、前記形成予定部が貫通した時に開始される請求項１に記載のガラス板の製造方法。
  3. 　前記エッチング工程では、前記エッチング液を攪拌し、
    　前記エッチング液の平均攪拌速度を、前記第一エッチング工程よりも前記第二エッチング工程で速くする請求項１又は２に記載のガラス板の製造方法。
  4. 　前記エッチング工程では、前記エッチング液中で前記ガラス板を移動させ、
    　前記ガラス板の平均移動速度を、前記第一エッチング工程よりも前記第二エッチング工程で速くする請求項１～３のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  5. 　第一主面と、第二主面と、前記第一主面と前記第二主面との間を貫通する貫通孔とを有するガラス板の製造方法であって、
    　前記貫通孔の形成予定部をレーザ光の照射により改質する改質工程と、
    　前記改質工程の後に、前記第一主面および前記第二主面のそれぞれにエッチング液を噴射してエッチングすることにより、前記形成予定部に前記貫通孔を形成するエッチング工程とを備え、
    　前記エッチング工程は、前記形成予定部が貫通していない前記ガラス板をエッチングする第一エッチング工程と、前記第一エッチング工程の後に行われ、前記形成予定部が貫通した前記ガラス板をエッチングする第二エッチング工程とを備え、
    　前記ガラス板に対する前記エッチング液の平均噴射圧力を、前記第一エッチング工程よりも前記第二エッチング工程で高くすることを特徴とするガラス板の製造方法。
  6. 　前記第二エッチング工程が、前記形成予定部が貫通した時に開始される請求項５に記載のガラス板の製造方法。
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