TW202344333A - 利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開一種利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，通過利用結合有至少一個驅動部的鏡面結構物來進行掃描的方式向被加工件依次照射調製出的一個貝塞爾光束來快速精密地將其微加工成各種形態的大小或形狀來形成改變被加工件性狀的鐳射掃描加工圖案後再進行濕式蝕刻。因此，與以往相比，不僅可以顯著縮短鐳射加工時間，對被加工件快速地進行鐳射加工，還可以縮短蝕刻時間，提高生產效率。
Description
本發明是關於一種利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法。更具體地，涉及如下的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法。即，通過利用結合有至少一個驅動部的鏡面結構物來進行掃描的方式，向被加工件依次照射調製出的一個貝塞爾光束來快速精密地將其微加工成各種形態的大小或形狀來形成改變被加工件性狀的鐳射掃描加工圖案後再進行濕式蝕刻，因此，與以往相比，不僅可以顯著縮短鐳射加工時間，對被加工件快速地進行鐳射加工，還可以縮短蝕刻時間，提高生產效率。
鐳射廣泛用於切割被加工件（加工對象）或形成貫通孔等加工工作。這種鐳射加工利用透鏡等光學器件來形成符合加工作業的所需形態的鐳射光束，並將形成的鐳射光束照射在被加工件上。
尤其，鐳射光束可以有效地用於對透明玻璃基板等加工難度大的脆性材料進行切割或形成貫通孔等加工工作。但是在對玻璃基板進行加工時，被加工件可能會因鐳射而產生裂紋並裂開。
此外，當由於脆性材料的玻璃基板的外部的污漬、異物而內部發生性狀變化時，可能會發生貫通孔內壁不均勻的問題。
並且，當利用鐳射來在玻璃基板上形成細微的貫通孔時，還存在精密加工難度大、工作耗時長而導致生產效率降低的問題。
與此有關的現有文獻有韓國公開專利公報第10-2016-0063264號（2016年06月03日公開）。
本發明提供一種利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，通過利用結合有至少一個驅動部的鏡面結構物來進行掃描的方式，向被加工件依次照射調製出的一個貝塞爾光束來快速精密地將其微加工成各種形態的大小或形狀來形成改變被加工件的性狀的鐳射掃描加工圖案後再進行蝕刻。因此，與以往相比，不僅可以顯著縮短鐳射加工時間，對被加工件快速地進行鐳射加工，還可以縮短蝕刻時間，提高生產效率。
為了達到上述目的，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法包括：步驟（a），使紅外線鐳射裝置對準被加工件的上部；步驟（b），將從上述紅外線鐳射裝置射出的鐳射光束調製成貝塞爾光束；步驟（c），實施對被加工件的各個貫通孔形成區域以掃描方式依次分別照射調製出的上述貝塞爾光束的鐳射加工處理，形成局部改變上述被加工件的性狀的鐳射掃描加工圖案；以及步驟（d），對形成有上述鐳射掃描加工圖案的被加工件進行蝕刻來在各個上述貫通孔形成區域形成貫通孔。
上述鐳射光束採用具有900nm至1200nm的波長及50飛秒至50皮秒的脈衝寬度的極超短鐳射。
從平面上看，在上述鐳射掃描加工圖案中，通過上述鐳射加工處理形成的單個點具有以規則或不規則的間隔隔開的排列結構，以形成與上述貫通孔相對應的形狀。
從平面上看，在上述鐳射掃描加工圖案中，通過上述鐳射加工處理形成的單個點以20μm以下的規則或不規則的間隔隔開並具有與上述貫通孔相對應的選自包括三角形、四邊形、五邊形、六邊形、八邊形和星形的多邊形、圓形及橢圓形中的一種以上形狀的排列結構。
從平面上看，上述鐳射掃描加工圖案包括：第一鐳射掃描加工圖案，以規則或不規則的間隔隔開配置，以具有與上述貫通孔相對應的形狀；以及至少一個第二鐳射掃描加工圖案，配置在上述第一鐳射掃描加工圖案的內側。
上述第二鐳射掃描加工圖案具有與上述第一鐳射掃描加工圖案相同或不同形狀的排列結構。
從平面上看，上述鐳射掃描加工圖案具有多個點相互連接的直線或曲線的排列結構，以具有與上述貫通孔相對應的形狀。
優選地，上述被加工件為平板形態的玻璃基板。
在上述步驟（c）中，上述掃描方式的鐳射加工處理以利用結合有至少一個驅動部的鏡面結構物來進行掃描的方式實施，從而在10ms以下的穩定化時間內實施上述掃描方式的鐳射加工。
在上述步驟（d）中，位於各個上述貫通孔形成區域的貫通孔分別形成於同一平面上，或者至少一部分形成於不同的平面上。
在上述步驟（d）中，上述蝕刻採用包括選自氟化蝕刻劑及非氟化蝕刻劑中的至少一種蝕刻劑的濕式蝕刻。
上述步驟（d）包括：步驟（d-1），將蝕刻劑滲透到通過上述鐳射加工處理而局部性狀改變的被加工件的鐳射掃描加工圖案中，使上述被加工件的一部分暴露面沿著厚度方向被去除，從而形成多個蝕刻槽；以及步驟（d-2），隨著蝕刻劑沿著上述多個蝕刻槽向被加工件的厚度中心部方向滲透，位於上述鐳射掃描加工圖案之間的空間中的被加工件的性狀改變的堆體部分自然脫落或腐蝕，從而形成貫通孔。
上述貫通孔的內壁相對於上述被加工件的水平面呈銳角至鈍角的錐角。
對照先前技術之功效，本發明的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法通過利用結合有至少一個驅動部的鏡面結構物來進行掃描的方式向被加工件依次照射調製出的一個貝塞爾光束來快速精密地將其微加工成各種形態的大小或形狀。
如上所述，本發明的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法採用通過調節結合有至少一個驅動部的鏡面結構物的反射角度來進行鐳射加工的掃描方式，因此，與只移動工作臺的一般的貫通孔形成方法不同，不僅可以將鐳射加工時的穩定化時間縮短到約10ms以下，而且不會受到鐳射加工的被加工件尺寸的影響。
因此，與一般的貫通孔形成方法相比，本發明的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法能夠以100倍以上的速度快速實施鐳射加工，從而大幅提高生產效率。
此外，本發明的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法可以快速精密地控制被加工件的加工位置，能夠在局部改變被加工件的內部性狀以使其具有與貫通孔相同或相似的大小或形狀的狀態下實施濕式蝕刻，可以顯著縮短蝕刻時間，進而降低蝕刻劑消耗成本，能夠在提高生產效率的同時，提高形成於整個被加工件上的多個貫通孔的品質的均勻度。因此，由於本發明中位於多個蝕刻槽之間的被加工件的性狀改變的堆體部分會因自然脫落或腐蝕而被去除，因此，與一般的貫通孔形成方法相比，可以在很短的時間內形成所需大小的貫通孔。
此外，本發明的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法在對被加工件的各個貫通孔形成區域以掃描方式依次照射一個貝塞爾光束來形成鐳射掃描加工圖案的狀態下進行濕式蝕刻。因此，在本發明中，即使因被加工件外部的污漬、異物而導致位於各個貫通孔形成區域的各鐳射掃描加工圖案中的一部分鐳射掃描加工圖案不良，使得被加工件的部分性狀改變不均勻，在其周圍還配置有其他鐳射掃描加工圖案，因此，在濕式蝕刻時可以不受到太大影響，確保貫通孔的產品品質。
最終，本發明的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法可以在濕式蝕刻時確保貫通孔的表面部直徑與貫通孔的中心部直徑之間的大小保持均勻。
並且，本發明的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法通過利用具有以規則或不規則間隔隔開的排列結構的鐳射掃描加工圖案來實施濕式蝕刻，使得具有與鐳射掃描加工圖案實際相同或相似形狀的貫通孔也可以具有多種形狀，實現多樣化。
本發明的優點、特徵及實現它們的方法將參照結合附圖在下文中詳細說明的實施例而變得明確。然而，本發明不限於下文中公開的實施例，而是能夠以其他多種形式實現，本實施例僅僅是為了使本發明的公開更加完整，並向本發明所屬技術領域的普通技術人員告知發明的範疇而提供，本發明僅由申請專利範圍的範疇定義。在說明書全文中，相同的附圖標記表示相同的結構要素。
以下，將參照附圖詳細說明本發明優選實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法。
圖1至圖4為示出使用常規的極超短紅外線鐳射的貫通孔形成方法的工藝剖視圖。並且，圖5為用於說明常規的鐳射貝塞爾光束光學調製裝置的示意圖，圖6為使用圖5的鐳射貝塞爾光束光學調製裝置來形成的鐳射加工點的俯視圖。
如圖1、圖5及圖6所示，在使常規的鐳射貝塞爾光束光學調製裝置對準被加工件110的上部後，將鐳射貝塞爾光束光學調製裝置射出的貝塞爾光束BB照射在被加工件110上來形成鐳射加工點125。
其中，從常規的鐳射貝塞爾光束光學調製裝置射出的鐳射光束LB在通過基於物鏡的光學器件140時被調製成貝塞爾光束BB，調製出的貝塞爾光束BB被照射到被加工件110上並形成鐳射加工點125。光學器件140可以是用於將鐳射光束LB調製成貝塞爾光束BB的非衍射器件，但不限於此。因此，從光束行進方向上觀察時，鐳射光束LB在通過基於物鏡的光學器件140時可以被調製成呈環形的貝塞爾光束BB。
然後，如圖2至圖4所示，對形成有鐳射加工點125的被加工件110進行蝕刻來形成貫通孔TH。
在本步驟中，蝕刻可以採用利用氟化蝕刻劑、非氟化蝕刻劑等的濕式蝕刻，但這僅僅是示例性的，只要是能夠蝕刻玻璃基板的蝕刻劑，則都可以不受限制地使用。
在此情況下，圖2中示出了初期蝕刻過程，可以確認隨著蝕刻劑向因鐳射加工點125而性狀改變的部分滲透，逐漸進行蝕刻，從而形成具有第一寬度W1的蝕刻槽E。
圖3示出了中期蝕刻過程，可以確認隨著時間的推移，蝕刻劑進一步沿著蝕刻槽E滲透，蝕刻槽E的大小擴大到比第一寬度W1更寬的第二寬度W2。
此外，圖4示出了後期蝕刻過程，隨著時間的推移，由於與蝕刻劑產生反應，被加工件110會逐漸沿著蝕刻槽（圖3的E）被去除，蝕刻槽的直徑被擴大，最終上側與下側的蝕刻槽相連並形成貫通孔TH。
在上述一般的貫通孔形成方法中，為了在透明且為脆性材料的被加工件110上形成微米尺寸的細微貫通孔TH，通常使用紅外線鐳射來將調製出的貝塞爾光束BB照射在被加工件110上，以在各個貫通孔形成區域形成鐳射加工點125而改變性狀後，調整濕式蝕刻時間，形成為所需的最終尺寸。
然而，一般的貫通孔形成方法採用通過移動用於放置被加工件110的工作臺，並在各個貫通孔形成區域照射貝塞爾光束BB的步進重複（Step & Repeat）加工方式，當將工作臺移動至貫通孔形成區域時，包括加減速時間及穩定化時間的總時間通常為100ms至1000ms，需要相當長的時間。因此，用於鐳射加工的被加工件110的尺寸越大，工作臺的尺寸則需越大，加減速及穩定化時間則更長。最終，當被加工件110的尺寸增大，整體鐳射加工時間會大大增加，從而導致生產效率降低。並且，隨著貫通孔TH的數量增加，加減速及穩定化時間也隨之增加，從而大幅度增加了加工時間，導致生產效率降低。
並且，在一般的貫通孔形成方法中，由於貝塞爾光束BB對被加工件110的各個貫通孔形成區域進行照射，因此，沿著被加工件110的厚度方向照射的貝塞爾光束BB只對一個加工位置進行密集的鐳射加工，因此，如果加工位置的被加工件110上存在異物、污漬等表面不良時，很可能無法均勻地改變脆性材料的被加工件110的內部性狀。這最終會導致濕式蝕刻時的貫通孔TH不良，這不僅會影響位於各個貫通孔形成區域的多個貫通孔TH的大小或形狀的均勻度，還會使濕式蝕刻時的貫通孔TH的表面部直徑d1與貫通孔TH的中心部直徑d2之間的大小不均勻，從而成為使錐角減小θ的因素，並導致產品品質下降。
因此，在一般的貫通孔形成方法中，形成於被加工件110的各個貫通孔形成區域的多個最終貫通孔TH的品質必然受到蝕刻性能的極大影響，從而在確保均勻的貫通孔TH的品質上存在局限性，根據貫通孔TH的最終大小，需要數小時以上的蝕刻時間，量產性受到了限制。
並且，一般的貫通孔形成方法會受到被加工件110的表面異物、污漬去除與否等表面狀態的敏感影響，因此在確保配置在整個被加工件110上的多個貫通孔TH的品質均勻性方面存在局限性。
並且，在一般的貫通孔形成方法中，將貝塞爾光束BB分別照射在被加工件110的各個貫通孔形成區域來形成一個鐳射加工點125，以通過利用蝕刻劑的濕式蝕刻逐漸擴大一個鐳射加工點125的孔尺寸的方式形成貫通孔TH，因此在貫通孔TH的形狀多樣化方面具有局限性。
為了解決上述問題，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法通過利用結合有至少一個驅動部的鏡面結構物來進行掃描的方式向被加工件依次照射調製出的一個貝塞爾光束來快速精密地將其微加工成各種形態的大小或形狀。
如上所述，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法採用通過移動結合有至少一個驅動部的鏡面結構物來進行鐳射加工的掃描方式，因此，與只移動工作臺的一般的貫通孔形成方法不同，不僅可以將鐳射加工時的穩定化時間縮短到約10ms以下，更優選地，可以縮短到1ms以下，而且不會受到鐳射加工的被加工件尺寸的影響。
因此，與一般的貫通孔形成方法相比，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法能夠以100倍以上的速度快速實施鐳射加工，從而大幅提高生產效率。
此外，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法可以快速精密地控制被加工件的加工位置，能夠在局部改變被加工件的內部性狀以使其具有與貫通孔相同或相似的大小或形狀的狀態下實施濕式蝕刻，可以顯著縮短蝕刻時間，進而降低蝕刻劑消耗成本，因此，能夠在提高生產效率的同時，提高形成於整個被加工件上的多個貫通孔的品質的均勻度。
以下，將參照附圖詳細說明本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法。
圖7為示出本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法的工藝流程圖，圖8為示出本發明實施例的紅外線鐳射裝置的示意圖，圖9為示出使用圖8的紅外線鐳射裝置來形成的鐳射掃描加工圖案的俯視圖。並且，圖10至圖12為示出本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法的工藝剖視圖。
如圖7所示，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法包括紅外線鐳射裝置對準步驟S210、鐳射光束調製步驟S220、鐳射掃描加工圖案形成步驟S230及基於濕式蝕刻的貫通孔形成步驟S240。
對準紅外線鐳射裝置
如圖7及圖8所示，在紅外線鐳射裝置對準步驟S210中，使紅外線鐳射裝置200對準被加工件210的上部。
其中，被加工件210可以具有平板形態，但不限於此。此外，被加工件210可以為透明且加工難度大的脆性材料的玻璃基板。但是，被加工件210不限於透明的玻璃基板，可以包括不透明基板、金屬材料、半導體晶圓等多種材料。
調製鐳射光束
如圖7及圖8所示，在鐳射光束調製步驟S220中，將紅外線鐳射裝置200射出的鐳射光束LB調製成貝塞爾光束BB。
其中，紅外線鐳射裝置200可以包括鐳射單元220、第一光學單元240及第二光學單元260。
鐳射單元220發射用於對被加工件210進行加工的鐳射光束LB。這種鐳射單元220可以產生具有脈衝的鐳射並以光束形式射出。在此情況下，射出的鐳射光束LB可以具有適合對被加工件210進行加工的波長、能量及持續時間的脈衝，即，極超短脈衝或突發脈衝。更具體地，鐳射光束LB可以採用具有900nm至1200nm的波長及50飛秒至50皮秒的脈衝寬度的極超短鐳射。並且，從射出方向上觀察時，鐳射光束LB可以具有圓形形狀或高斯光束形狀。
第一光學單元240配置在鐳射光束LB的行進路徑上，將射入的鐳射光束LB調製成貝塞爾光束BB。為此，第一光學單元240可以包括用於將鐳射光束LB調製成塞爾光束BB的第一光學器件242及配置在第一光學器件242的後方的第二光學器件244。
第一光學器件242可以是用於將鐳射光束LB調製成貝塞爾光束BB的非衍射器件，但不限於此。這種第一光學器件242也可以是將鐳射光束LB調製成可通過非線性吸收來形成光絲的光束的衍射器件。
作為一例，第一光學器件242可以是用於將鐳射光束LB調製成塞爾光束BB的圓錐形棱鏡或軸錐透鏡（axicon lens）。因此，從光束行進方向上觀察時，鐳射光束LB在通過第一光學器件242時可以被調製成呈環形的貝塞爾光束BB。
這種第一光學器件242不限於圓錐形棱鏡或軸錐透鏡，而是可以採用能夠將鐳射光束LB調製成貝塞爾光束BB的多種光學器件。例如，作為第一光學器件242，也可以採用衍射光學器件（Diffractive Optical Element）等衍射器件、空間光調製器（Spatial Light Modulator）等多種光學器件。
此外，在第一光學器件242的後方還可以安裝第二光學器件244，以在鐳射光束LB通過第一光學器件242被調製成貝塞爾光束BB後，可用於限制貝塞爾光束照射區域擴大以適合對被加工件210進行加工。
即，第二光學器件244可以是用於使由第一光學器件242調製的貝塞爾光束BB的光軸平行射出的光學器件。作為一例，第二光學器件244可以為視准透鏡或准直透鏡（collimating lens）。通過第二光學器件244的貝塞爾光束BB的光軸可以在平行排列後射入第二光學單元260。
通過適當地選擇或調節第一光學器件242及第二光學器件244的光學性質、配置間隔等，使光束通過第二光學器件244射入第二光學單元260。
其中，第二光學單元260用於將由第一光學單元240調製出的貝塞爾光束BB反射到被加工件210上，其可以包括鏡面結構物262及聚焦透鏡264。
鏡面結構物262至少結合一個驅動部。由此，可以通過至少一個驅動部來即時調節鏡面結構物262的反射角度，從而能夠快速將貝塞爾光束BB反射到被加工件210的方向。這種鏡面結構物262可以是結合有一個驅動部的精細轉向鏡（FSM，Fine Steering Mirror）或結合有兩個以上驅動部的掃描器。
鏡面結構物262可以移動由第一光學單元240調製出的貝塞爾光束BB的路徑。即，鏡面結構物262可以在預定角度範圍內連續改變由第一光學單元240調製出的貝塞爾光束BB的光軸方向，由此，由第一光學單元240調製出的貝塞爾光束BB能夠以掃描方式依次照射在被加工件210上的各個貫通孔形成區域。
鏡面結構物262可以包括角度可調節的至少一個鏡面。由此，射入鏡面結構物262的貝塞爾光束BB被鏡面反射，被反射的貝塞爾光束BB的反射角度可以被調節。例如，鏡面結構物262可以包括可沿著至少兩個軸方向排列的旋轉軸旋轉的多個鏡面，並且可以由電流鏡（Galvano Mirror）組成。如上所述的鏡面結構物262不限於電流鏡。
通過鏡面結構物262被改變路徑的貝塞爾光束BB可以通過聚焦透鏡264聚焦在被加工件210上。
聚焦透鏡264可以配置在掃描器262的後方及被加工件210的上部。由此，鏡面結構物262射出的貝塞爾光束BB可以通過聚焦透鏡264以掃描方式照射在被加工件210的各個貫通孔形成區域。
形成鐳射掃描加工圖案
如圖7至圖10所示，在鐳射掃描加工圖案形成步驟S230中，實施對被加工件210的各個貫通孔形成區域以掃描方式依次分別照射調製出的貝塞爾光束BB的鐳射加工處理，形成局部改變被加工件210性狀的鐳射掃描加工圖案225。
這種鐳射掃描加工圖案225分別排列在各個貫通孔形成區域。
在此情況下，本發明中採用通過利用結合有至少一個驅動部的鏡面結構物262來進行掃描的方式來對被加工件210依次照射經調製出的一個貝塞爾光束來實施鐳射加工。
因此，由於本發明中通過調節結合有至少一個驅動部的鏡面結構物262的反射角度來進行掃描的方式照射調製出的一個貝塞爾光束BB，因此可以快速精密地形成鐳射掃描加工圖案225。
如上所述，本發明採用通過調節結合有至少一個驅動部的鏡面結構物262的反射角度來進行鐳射加工的掃描方式。這意味著向貫通孔TH形成區域位置移動時的加減速及穩定化時間為10ms以下，與只將工作臺移動到貫通孔形成區域位置的時間相比大幅度縮短。由此，也不會受到鐳射加工的被加工件210尺寸的影響。
因此，與一般的貫通孔形成方法相比，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法能夠以100倍以上的速度快速實施鐳射加工，從而大幅提高生產效率。
其中，優選地，從平面上看，在鐳射掃描加工圖案225中，通過鐳射加工處理形成的單個點以20μm以下的規則或不規則的間隔隔開，從而具有與貫通孔相對應的形狀，但不限於此。即，從平面上看，鐳射掃描加工圖案225中，通過鐳射加工處理形成的單個點也能夠以20μm以下的不規則的間隔隔開，從而具有與貫通孔相對應的形狀。
其中，如圖9所示，從平面上看，在鐳射掃描加工圖案225中，調製出的貝塞爾光束可以利用結合有至少一個驅動部的鏡面結構物來以掃描方式照射在各個被加工件210的貫通孔形成區域，使以規則的間隔隔開的多個鐳射加工點形成圓形形狀排列結構。
如上所述，當鐳射掃描加工圖案225以規則的間隔或不規則的間隔隔開形成具有圓形形狀的排列結構時，可以通過分別照射在被加工件210的各個貫通孔形成區域的貝塞爾光束BB來增加被加工件210性狀改變的面積。
因此，被加工件210中性狀改變的面積與鐳射掃描加工圖案225中的點的數量成比例地增加，進而增加在濕式蝕刻時通過鐳射加工在被加工件210上形成細微孔的鐳射掃描加工圖案225中的點的數量，使得易於蝕刻劑滲透的面積增加，從而顯著減少蝕刻時間。
另一方面，圖13為示出對本發明實施例的鐳射掃描加工圖案的各種適用例的俯視圖。
如圖13所示，通過將調製出的貝塞爾光束以掃描方式照射在被加工件上，以規則或不規則的間隔隔開排列來使鐳射掃描加工圖案225與濕式蝕刻後最終形成的貫通孔的形狀具有相同或相似的形狀。
因此，由於貫通孔的形狀由鐳射掃描加工圖案225的排列形狀決定，當對鐳射掃描加工圖案225的排列形狀進行多種改變時，能夠以與之相對應的形狀形成多種貫通孔。
即，如圖13的（a）部分所示，從平面上看，鐳射掃描加工圖案225中，多個鐳射加工點可以具有圓形形狀的排列結構。
並且，如圖13的（b）部分、（c）部分及（d）部分所示，從平面上看，鐳射掃描加工圖案225中，多個鐳射加工點可以分別具有星形、四邊形及三角形的排列結構。
但是，鐳射掃描加工圖案225不限於上述形狀的排列結構。即，鐳射掃描加工圖案225可以適用多個鐳射加工點呈五邊形、六邊形、八邊形等多邊形形狀的排列結構及橢圓形形狀的排列結構。
圖14為示出對本發明一變形例的鐳射掃描加工圖案的各種適用例的俯視圖。
如圖14的（a）部分至（d）部分所示，從平面上看，鐳射掃描加工圖案225可以包括：第一鐳射掃描加工圖案225a，以規則或不規則的間隔隔開配置，以具有與上述貫通孔相對應的形狀；以及至少一個第二鐳射掃描加工圖案225b，配置在第一鐳射掃描加工圖案225a的內側。
在此情況下，在圖14的（a）部分中作為一例示出了在第一鐳射掃描加工圖案225a及在第一鐳射掃描加工圖案225a的內側以年輪形狀排列有2個第二鐳射掃描加工圖案225b。
如上所述，第二鐳射掃描加工圖案225b可以具有與第一鐳射掃描加工圖案225a相同形狀的排列結構。
並且，在圖14的（b）部分中作為一例示出了在第一鐳射掃描加工圖案225a及在第一鐳射掃描加工圖案225a的內側排列有具有螺旋形結構的一個第二鐳射掃描加工圖案225b。
並且，在圖14的（c）部分中作為一例示出了在第一鐳射掃描加工圖案225a及在第一鐳射掃描加工圖案225a的內側排列有具有十字結構的一個第二鐳射掃描加工圖案225b。
並且，在圖14的（d）部分中作為一例示出了在第一鐳射掃描加工圖案225a及在第一鐳射掃描加工圖案225a的內側排列有以放射形交叉的一個第二鐳射掃描加工圖案225b。
如圖14的（b）部分至（d）部分所示，第二鐳射掃描加工圖案225b還可以具有與第一鐳射掃描加工圖案225a形狀不同的排列結構。
如參照圖14的（a）部分至（d）部分所述，當鐳射掃描加工圖案225被設計成具有第一鐳射掃描加工圖案225a及至少一個第二鐳射掃描加工圖案225b時，可以增加鐳射掃描加工圖案225的點的數量，進而進一步增加被加工件210的性狀改變區域的數量來增加更易於滲透蝕刻劑的通道，從而進一步縮短蝕刻時間。最終，不僅可以顯著縮短蝕刻時間，還能顯著降低蝕刻劑的消耗量，從而最大限度地提高生產效率。
並且，圖15為示出對本發明另一變形例的鐳射掃描加工圖案的各種適用例的俯視圖。
如圖15的（a）部分至（c）部分所示，從平面上看，鐳射掃描加工圖案225可以具有多個點相互連接的直線或曲線的排列結構，從而具有與貫通孔相對應的形狀。
在此情況下，如圖15的（a）部分所示，從平面上看，鐳射掃描加工圖案225可以具有多個點相互連接的直線形狀，從而具有與貫通孔相對應的形狀。其中，直線不限於沿著x軸方向或y軸方向排列，不僅是斜線，只要是沿著任意特定方向排列成直線，則都可以不受限制地適用。
並且，如圖15的（b）部分所示，從平面上看，鐳射掃描加工圖案225可以具有多個點相互連接的曲線形狀，從而具有與貫通孔相對應的形狀。其中，曲線是以至少彎曲一次的形狀排列，只要一部分是彎曲的，則都可以適用。
並且，如圖15的（c）部分所示，從平面上看，鐳射掃描加工圖案225可以具有多個點相互連接的直線形狀，並且具有至少兩條直線相互連接或交叉等的多種結構，從而具有與貫通孔相對應的形狀。
如參照圖15的（a）部分至（c）部分所述，當鐳射掃描加工圖案225形成為具有多個點相互連接的直線或曲線的排列結構，以具有與貫通孔相對應的形狀時，可以增加鐳射掃描加工圖案225的點的數量，進而進一步增加被加工件210的性狀改變區域的數量來增加更易於滲透蝕刻劑的通道，從而進一步縮短蝕刻時間。最終，不僅可以顯著縮短蝕刻時間，還能顯著降低蝕刻劑的消耗量，從而最大限度地提高生產效率。
通過濕式蝕刻形成貫通孔
如圖7、圖11及圖12所示，在基於濕式蝕刻的貫通孔形成步驟S240中，對形成有鐳射掃描加工圖案（圖10的225）的被加工件210進行蝕刻，在各個貫通孔形成區域形成貫通孔TH。
更具體地，基於濕式蝕刻的貫通孔形成步驟S240可以細分為形成多個蝕刻槽的過程及形成貫通孔的過程。
在形成多個蝕刻槽的過程中，將蝕刻劑滲透到通過鐳射加工處理而局部性狀改變的被加工件210的鐳射掃描加工圖案225中，使被加工件210的一部分暴露面沿著厚度方向被去除，從而形成多個蝕刻槽E。
在本步驟中，蝕刻可以採用利用氟化蝕刻劑、非氟化蝕刻劑等的濕式蝕刻，但這僅僅是示例性的，只要是能夠蝕刻被加工件210的蝕刻劑，則都可以不受限制地使用。
更優選地，蝕刻最好採用包括氫氟酸（HF）、氟化銨（NH4F）、氫氧化鉀（KOH）及氫氧化鈉（NaOH）中的一種以上蝕刻劑的濕式蝕刻。
然後，在形成貫通孔的過程中，隨著蝕刻劑沿著多個蝕刻槽E向被加工件210的厚度中心部方向滲透，位於鐳射掃描加工圖案225之間的被加工件210的性狀改變的堆體部分S自然脫落或腐蝕，從而形成貫通孔TH。例如，當通過鐳射加工性狀改變的大小較大時，堆體部分S可以在蝕刻過程中自然脫落而去除，當通過鐳射加工性狀改變的大小較小時，會被自然腐蝕。
如上所述，在本發明中，隨著時間的推移，由於多個蝕刻槽E會進一步被蝕刻劑蝕刻，位於多個蝕刻槽E之間的被加工件210的性狀改變的堆體部分S會因自然脫落或腐蝕而被去除，因此與一般的貫通孔形成方法相比，可以在足夠短的時間內形成所需大小的貫通孔TH。
位於各個貫通孔形成區域的貫通孔TH可以分別形成於同一平面上。並且，位於各個貫通孔形成區域的貫通孔TH可以分別形成於不同的平面上。此外，位於各個貫通孔形成區域的貫通孔TH可以部分形成於同一平面上，部分形成於不同的平面上。
本發明的貫通孔TH可以具有1μm至50cm的直徑，但不限於此。在本發明中，直徑不僅意味著圓形的貫通孔TH的最大長度，還可以廣義地解釋為多邊形、橢圓形等的貫通孔TH的最大長度。
其中，貫通孔TH的表面部可以具有第一直徑d1，內部中心部具有比第一直徑d1較小的第二直徑d2。最終，貫通孔TH的內壁可以相對於被加工件210的水平面具有銳角的錐角。
並且，貫通孔TH的表面部可以具有第一直徑d1，內部中心部具有比第一直徑d1較大的第二直徑d2。最終，貫通孔TH的內壁可以相對於被加工件210的水平面具有鈍角的錐角。因此，貫通孔TH的內壁可以相對於被加工件210的水平面具有銳角至鈍角的錐角。
即，在一般的貫通孔形成方法中，由於貝塞爾光束照射被加工件的各個貫通孔形成區域，沿著被加工件的厚度方向照射的貝塞爾光束只對一個加工位置進行密集的鐳射加工，因此，如果加工位置的被加工件上存在異物、污漬等表面不良時，很可能無法均勻地改變脆性材料的被加工件的內部性狀。這最終會導致濕式蝕刻時的貫通孔不良，這不僅會影響位於各個貫通孔形成區域的多個貫通孔的大小或形狀的均勻度，還會使濕式蝕刻時的貫通孔的表面部直徑與貫通孔的中心部直徑之間的大小不均勻，從而成為減小錐角的因素，並導致產品品質下降。
與此不同，本發明實施例的貫通孔形成方法在以與貫通孔TH的形狀相同或相似的形態對被加工件210的各個貫通孔形成區域以掃描方式依次照射貝塞爾光束BB來形成鐳射掃描加工圖案225的狀態下進行濕式蝕刻，因此，只需最少的蝕刻時間就能在被加工件210上形成多個蝕刻槽E。
在此情況下，隨著時間的推移,由於所形成的多個蝕刻槽E會進一步被蝕刻劑蝕刻，位於多個蝕刻槽E之間的被加工件210的性狀改變的堆體部分S會因自然脫落或腐蝕而被去除，因此與一般的貫通孔形成方法相比，可以在很短的時間內形成所需大小的貫通孔TH。
此外，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法在對被加工件210的各個貫通孔形成區域以掃描方式依次照射一個貝塞爾光束BB來形成鐳射掃描加工圖案225的狀態下進行濕式蝕刻，因此，即使因被加工件210外部的污漬、異物而導致位於各個貫通孔形成區域的各鐳射掃描加工圖案225中的一部分鐳射加工點不良，使得被加工件210的部分性狀改變不均勻，但在其周圍配置有其他鐳射加工點，因此，在濕式蝕刻時可以不受到太大影響，確保貫通孔TH的產品品質。
最終，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法可以在濕式蝕刻時確保貫通孔TH的表面部直徑d1與貫通孔TH的中心部直徑d2之間的大小保持均勻。
並且，在一般的貫通孔形成方法中，將一個貝塞爾光束分別照射在被加工件的各個貫通孔形成區域來形成一個鐳射加工點，以通過利用蝕刻劑的濕式蝕刻逐漸擴大一個鐳射加工點的孔尺寸的方式形成貫通孔TH，因此在貫通孔TH的形狀多樣化方面具有局限性。
相反，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法通過利用具有以規則或不規則間隔隔開的排列結構的鐳射掃描加工圖案225來實施濕式蝕刻，使得具有與鐳射掃描加工圖案225實際相同或相似形狀的貫通孔也可以具有多種形狀，實現多樣化。
據此，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法可以應用於半導體、顯示器、太陽能電池領域等，但並不限於此，顯而易見的是，只要是在脆性材料上形成貫通孔的技術所包括的領域，則都可以不受限制地適用。
通過上述過程（步驟S210至步驟S240），可以完成本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法。
如上所述，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法通過利用結合有至少一個驅動部的鏡面結構物來進行掃描的方式來向被加工件依次照射調製出的一個貝塞爾光束來快速精密地將其微加工成各種形態的大小或形狀。
如上所述，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法採用通過調節結合有至少一個驅動部的鏡面結構物的反射角度來進行鐳射加工的掃描方式，因此，與只移動工作臺的一般的貫通孔形成方法不同，不僅可以將鐳射加工時的穩定化時間縮短到約10ms以下，而且不會受到鐳射加工的被加工件尺寸的影響。
因此，與一般的貫通孔形成方法相比，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法能夠以100倍以上的速度實施鐳射加工，從而大幅提高生產效率。
此外，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法可以快速精密地控制被加工件的加工位置，能夠在局部改變被加工件的內部性狀以使其具有與貫通孔相同或相似的大小或形狀的狀態下實施濕式蝕刻，可以顯著縮短蝕刻時間，進而降低蝕刻劑消耗成本，因此，能夠在提高生產效率的同時，提高形成於整個被加工件上的多個貫通孔的品質的均勻度。因此，由於本發明中位於多個蝕刻槽之間的被加工件的性狀改變的堆體部分會因自然脫落或腐蝕而被去除，因此，與一般的貫通孔形成方法相比，可以在很短的時間內形成所需大小的貫通孔。
此外，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法在對被加工件的各個貫通孔形成區域以掃描方式依次照射一個貝塞爾光束來形成鐳射掃描加工圖案的狀態下進行濕式蝕刻。因此，在本發明中，即使因被加工件外部的污漬、異物而導致位於各個貫通孔形成區域的各鐳射掃描加工圖案中的一部分鐳射掃描加工圖案不良，使得被加工件的部分性狀改變不均勻，但在其周圍配置有其他鐳射掃描加工圖案，因此，在濕式蝕刻時可以不受到太大影響，確保貫通孔的產品品質。
最終，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法可以在濕式蝕刻時確保貫通孔的表面部直徑與貫通孔的中心部直徑之間的大小保持均勻。
並且，本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法通過利用具有以規則或不規則間隔隔開的排列結構的鐳射掃描加工圖案來實施濕式蝕刻，使得具有與鐳射掃描加工圖案實際相同或相似形狀的貫通孔也可以具有多種形狀，實現多樣化。
實施例
以下，將通過本發明的優選實施例進一步詳細說明本發明的構成及作用。但是，這些只是作為本發明的優選實施例提出，在任何意義上都不得解釋為限制本發明。
此處未記載的內容是本領域的普通技術人員足以在技術上能夠推斷出的內容，因此省略其說明。
1.製作貫通孔試片
實施例1
在使紅外線鐳射裝置對準0.55mm厚度的玻璃基板上部後，將從紅外線鐳射裝置射出的鐳射光束調製成貝塞爾光束。然後，對玻璃基板的各個貫通孔形成區域以掃描方式依次分別照射調製出的貝塞爾光束來形成改變被加工件的性狀的鐳射掃描加工圖案。在此情況下，控制鐳射掃描加工圖案，使多個鐳射加工點具有以規定間隔、規則隔開的圓形形狀。
然後，使用氫氟酸蝕刻劑對形成有鐳射掃描加工圖案的玻璃基板以2μm/min的速度濕式蝕刻13分鐘來形成貫通孔。
實施例2
除了以1.5μm/min的速度濕式蝕刻18分鐘之外，採用與實施例1相同的方法形成貫通孔。
實施例3
除了以2.5μm/min的速度濕式蝕刻9分鐘之外，採用與實施例1相同的方法形成貫通孔。
比較例1
在使鐳射貝塞爾光束光學調製裝置對準0.65mm厚度的玻璃基板上部後，將從鐳射貝塞爾光束光學調製裝置射出的鐳射光束調製成貝塞爾光束。然後，對玻璃基板的各個貫通孔形成區域分別照射調製出的貝塞爾光束來形成改變被加工件的性狀的鐳射加工點。
然後，使用氫氟酸蝕刻劑對形成有鐳射加工點的玻璃基板以2μm/min的速度濕式蝕刻80分鐘來形成貫通孔。
比較例2
除了以2.5μm/min的速度濕式蝕刻68分鐘之外，採用與比較例 1相同的方法形成貫通孔。
2.物性評價
表1示出了根據實施例1至實施例3及比較例1至比較例2製作的貫通孔試片的物性評價結果。
表1
| 備註 | 蝕刻時間（min） | 貫通孔 表面部直徑 （d1，μm） | 貫通孔 中心部直徑（d2，μm） |
| 比較例1 | 80 | 170 | 100 |
| 比較例2 | 68 | 168 | 102 |
| 實施例1 | 13 | 150 | 105 |
| 實施例2 | 18 | 153 | 104 |
| 實施例3 | 9 | 152 | 103 |
如表1所示，可以確認根據實施例1至實施例3製作的貫通孔試片以蝕刻前0.55mm厚度的玻璃基板為基準，只需20分鐘以內的蝕刻時間就可形成貫通孔。
相反，可以確認根據比較例1至比較例2製作的貫通孔試片以蝕刻前0.65mm厚度的玻璃基板為基準，形成貫通孔需要1個小時以上的蝕刻時間。
2.觀察微小組織
圖16為示出根據比較例1製作的貫通孔的形成過程的工藝圖片，圖17為示出根據實施例1製作的貫通孔的形成過程的工藝圖片。
如圖16的（a）部分所示，可以確認在比較例1中，將調製出的貝塞爾光束照射到玻璃基板110上，沿著玻璃基板110的厚度方向形成了改變玻璃基板110的性狀的鐳射加工點125。
之後，如圖16的（b）部分所示，可以確認隨著蝕刻劑逐漸滲透到鐳射加工點125所在的玻璃基板110的性狀改變的部分，形成了蝕刻槽E。在此情況下，圖16的（b）部分示出了濕式蝕刻10分鐘後的狀態。其中，可以確認在玻璃基板110內部的性狀改變的部分通過濕式蝕刻被蝕刻而形成蝕刻槽E的過程中，雖然性狀改變部分的蝕刻速度顯著緩慢，但玻璃基板110的部分表面被一起蝕刻而被去除。
之後，如圖16的（c）部分及（d）部分所示，可以確認隨著時間的推移，濕式蝕刻進一步進行，蝕刻槽逐漸擴大，形成了貫通玻璃基板110內部的貫通孔TH。
在此情况下，图16的（c）部分及（d）部分示出了湿式蚀刻80 分鐘後的狀態。其中，可以確認形成貫通孔TH所需的濕式蝕刻半徑較大，耗費了大量的蝕刻時間。
相反，如圖17的（a）部分所示，可以確認在實施例1中，將調製出的貝塞爾光束以掃描方式照射玻璃基板210，沿著玻璃基板210的厚度方向以規定間隔、規則隔開形成了改變玻璃基板210的性狀的鐳射掃描加工圖案225。
之後，如圖17的（b）部分所示，可以確認隨著蝕刻劑逐漸滲透到鐳射掃描加工圖案225所在的玻璃基板210的性狀改變的部分，形成了蝕刻槽E。在此情況下，圖17的（b）部分示出了濕式蝕刻時間10分鐘後的狀態。其中，可以確認在玻璃基板210內部的性狀改變的部分通過濕式蝕刻被蝕刻而形成蝕刻槽E的過程中，雖然性狀改變部分的蝕刻速度顯著緩慢，但玻璃基板210的部分表面被一起蝕刻而被去除。
之後，如圖17的（c）部分及（d）部分所示，可以確認隨著時間的推移，濕式蝕刻進一步進行，位於多個蝕刻槽E之間的玻璃基板210內部的性狀改變的廢料部分S因自然脫落而被去除，形成了貫通孔TH。
在此情況下，圖17的（c）部分及（d）部分示出了濕式蝕刻時間18分鐘後的狀態。其中，可以確認形成貫通孔TH所需的濕式蝕刻半徑大小明顯變小，因此顯著縮短了蝕刻時間。
雖然上文中以本發明的實施例為中心進行了說明，但本發明所屬領域的普通技術人員可以對其進行各種修改及變形。這種修改及變形只要不超過本發明所提供的技術思想的範圍，則都屬於本發明。因此，本發明的保護範圍應由所附申請專利範圍來判斷。
100、210:被加工件
125:鐳射加工點
140:光學器件
200:紅外線鐳射裝置
220:鐳射單元
225:鐳射掃描加工圖案
225a:第一鐳射掃描加工圖案
225b:第二鐳射掃描加工圖案
240:第一光學單元
242:第一光學器件
244:第二光學器件
260:第二光學單元
262:鏡面結構物
264:聚焦透鏡
S210:紅外線鐳射裝置對準步驟
S220:鐳射光束調製步驟
S230:鐳射掃描加工圖案形成步驟
S240:基於濕式蝕刻的貫通孔形成步驟
BB:貝塞爾光束
d1:表面部直徑
d2:中心部直徑
E:蝕刻槽
LB:鐳射光束
S:堆疊部分
TH:貫通孔
W1:第一寬度
W2:第二寬度
圖1至圖4為示出使用常規的紅外線鐳射的貫通孔形成方法的工藝剖視圖。
圖5為用於說明常規的鐳射貝塞爾光束光學調製裝置的示意圖。
圖6為示出使用圖5的鐳射貝塞爾光束光學調製裝置來形成的鐳射加工點的俯視圖。
圖7為示出本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法的工藝流程圖。
圖8為示出本發明實施例的紅外線鐳射裝置的示意圖。
圖9為示出使用圖8的紅外線鐳射裝置來形成的鐳射掃描加工圖案的俯視圖。
圖10至圖12為示出本發明實施例的利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法的工藝剖視圖。
圖13為示出對本發明實施例的鐳射掃描加工圖案的各種適用例的俯視圖。
圖14為示出對本發明一變形例的鐳射掃描加工圖案的各種適用例的俯視圖。
圖15為示出對本發明另一變形例的鐳射掃描加工圖案的各種適用例的俯視圖。
圖16為示出根據比較例1製作的貫通孔的形成過程的工藝圖片。
圖17為示出根據實施例1製作的貫通孔的形成過程的工藝圖片。
210:被加工件
225:鐳射掃描加工圖案
Claims (13)
- 一種利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，其中，包括： 步驟（a），使紅外線鐳射裝置對準被加工件的上部； 步驟（b），將從所述紅外線鐳射裝置射出的鐳射光束調製成貝塞爾光束； 步驟（c），實施對所述被加工件的各個貫通孔形成區域以掃描方式依次分別照射調製出的所述貝塞爾光束的鐳射加工處理，形成局部改變所述被加工件的性狀的鐳射掃描加工圖案；以及 步驟（d），對形成有所述鐳射掃描加工圖案的所述被加工件進行蝕刻來在各個所述貫通孔形成區域形成貫通孔。
- 如請求項1之利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，其中，所述鐳射光束採用具有900nm至1200nm的波長及50飛秒至50皮秒的脈衝寬度的極超短鐳射。
- 如請求項1之利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，其中，從平面上看，在所述鐳射掃描加工圖案中，通過所述鐳射加工處理形成的單個點具有以規則或不規則的間隔隔開的排列結構，以形成與所述貫通孔相對應的形狀。
- 如請求項3之利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，其中，從平面上看，在所述鐳射掃描加工圖案中，通過所述鐳射加工處理形成的所述單個點以20μm以下的規則或不規則的間隔隔開並具有與所述貫通孔相對應的選自包括三角形、四邊形、五邊形、六邊形、八邊形和星形的多邊形、圓形及橢圓形中的一種以上形狀的排列結構。
- 如請求項3之利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，其中，從平面上看，所述鐳射掃描加工圖案包括： 第一鐳射掃描加工圖案，以規則或不規則的間隔隔開配置，以具有與所述貫通孔相對應的形狀；以及 至少一個第二鐳射掃描加工圖案，配置在所述第一鐳射掃描加工圖案的內側。
- 如請求項5之利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，其中，所述至少一個第二鐳射掃描加工圖案具有與所述第一鐳射掃描加工圖案相同或不同形狀的排列結構。
- 如請求項1之利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，其中，從平面上看，所述鐳射掃描加工圖案具有多個點相互連接的直線或曲線的排列結構，以具有與所述貫通孔相對應的形狀。
- 如請求項1之利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，其中，所述被加工件為平板形態的玻璃基板。
- 如請求項1之利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，其中，在所述步驟（c）中，所述掃描方式的鐳射加工處理以利用結合有至少一個驅動部的鏡面結構物來進行掃描的方式實施，從而在10ms以下的穩定化時間內實施所述掃描方式的鐳射加工。
- 如請求項1之利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，其中，在所述步驟（d）中，位於各個所述貫通孔形成區域的貫通孔分別形成於同一平面上，或者至少一部分形成於不同的平面上。
- 如請求項1之利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，其中，在所述步驟（d）中，所述蝕刻採用包括選自氟化蝕刻劑及非氟化蝕刻劑中的至少一種蝕刻劑的濕式蝕刻。
- 如請求項1之利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，其中，所述步驟（d）包括： 步驟（d-1），將蝕刻劑滲透到通過所述鐳射加工處理而局部性狀改變的被加工件的鐳射掃描加工圖案中，使所述被加工件的一部分暴露面沿著厚度方向被去除，從而形成多個蝕刻槽；以及 步驟（d-2），隨著蝕刻劑沿著所述多個蝕刻槽向被加工件的厚度中心部方向滲透，位於所述鐳射掃描加工圖案之間的空間中的被加工件的性狀改變的堆體部分自然脫落或腐蝕，從而形成貫通孔。
- 如請求項12之利用紅外線鐳射的快速精密貫通孔形成方法，其中，所述貫通孔的內壁相對於所述被加工件的水平面呈銳角至鈍角的錐角。
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