WO2023085110A1 - モジュール - Google Patents

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WO2023085110A1
WO2023085110A1 PCT/JP2022/040144 JP2022040144W WO2023085110A1 WO 2023085110 A1 WO2023085110 A1 WO 2023085110A1 JP 2022040144 W JP2022040144 W JP 2022040144W WO 2023085110 A1 WO2023085110 A1 WO 2023085110A1
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WO
WIPO (PCT)
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component
sealing resin
substrate
module
shield film
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/040144
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English (en)
French (fr)
Inventor
彰夫 勝部
秀樹 新開
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Publication of WO2023085110A1 publication Critical patent/WO2023085110A1/ja

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to modules.
  • Patent Document 1 JP-A-2010-192653
  • Patent Document 2 JP-A-2004-208326
  • the module described in Patent Document 1 includes a first circuit board, semiconductor components and electronic components, a molded body, and a cover.
  • the first circuit board is arranged such that the wiring electrodes are exposed on the side end faces.
  • Semiconductor components and electronic components are mounted on the first circuit board.
  • the mold body is made of resin and covers at least part of the semiconductor components and electronic components. A part of the semiconductor component is exposed and the rest is covered with a mold body. The covering portion covers the exposed portion of the semiconductor component and the surface of the mold body.
  • a module described in Patent Document 2 includes a wiring pattern, a surface acoustic wave element, and a thermosetting resin composition.
  • the surface acoustic wave device is mounted on the wiring pattern.
  • the thermosetting resin composition seals the surface acoustic wave element.
  • the surface of the surface acoustic wave element opposite to the functional portion and the upper surface of the thermosetting resin composition form the same surface.
  • JP 2010-192653 A Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-208326
  • a part of the components is exposed from the sealing resin, and a shielding film is provided so as to contact the exposed part. ing.
  • the portion of the shielding film in contact with the component may be deformed, such as being peeled off from the component or cracked. In this case, the heat dissipation of the module through the shield film is lowered.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a module capable of suppressing deterioration in heat dissipation due to deformation of the shield film.
  • a module based on the first aspect of the present invention includes a substrate, a first component, a sealing resin, and a shield film.
  • the substrate has a first side.
  • the first component is mounted on the first surface.
  • the sealing resin seals the first component at least from the sides.
  • the first component has an exposed surface.
  • the exposed surface is exposed from the sealing resin on the side opposite to the substrate.
  • the shield film is made of metal and covers the first component and the sealing resin.
  • the shield film has a first contact portion.
  • the first contact portion is in contact with the exposed surface.
  • the first contact portion includes a layer formed of a plurality of crystal grains. The plurality of crystal grains have different longitudinal directions when viewed from a direction perpendicular to the first surface.
  • a module according to the second aspect of the present invention includes a substrate, a first component, a sealing resin, and a shield film.
  • the substrate has a first side.
  • the first component is mounted on the first surface.
  • the sealing resin seals the first component at least from the sides.
  • the first component has an exposed surface.
  • the exposed surface is exposed from the sealing resin on the side opposite to the substrate.
  • the shield film is made of metal and covers the first component and the sealing resin.
  • the shield film has a first contact portion. The first contact portion is in contact with the exposed surface.
  • the exposed surface is surface-roughened.
  • FIG. 1 is a plan view showing a module according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of the module in FIG. 1 as seen from the direction of arrows on line II-II.
  • 3 is a partial cross-sectional view showing the configuration of region III in FIG. 2
  • FIG. FIG. 3 is a partial plan view of the module of FIG. 2 as viewed in the direction of arrow IV
  • FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing the configuration of a region V in FIG. 2
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which an aggregate substrate is prepared in the module manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which the first component and the like are mounted on the collective substrate in the module manufacturing method according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which a sealing resin is arranged on the first surface of the collective board in the module manufacturing method according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which the sealing resin and the first part are being ground in the module manufacturing method according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a plan view showing a configuration in which the sealing resin and the first component are ground in the module manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the configuration after the grinding process shown in FIG. 10, viewed in the direction of the arrows on line XI-XI; 12 is a partial cross-sectional view showing the configuration of region XII in FIG. 11;
  • FIG. 4 is an optical microscope image showing an example of the surface of the first component immediately after the grinding step in the module manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a roughening treatment step after a grinding step in the module manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention.
  • 4 is an optical microscope image showing an example of the surface of the first component immediately after the roughening treatment step in the module manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which the collective substrate is separated into individual pieces in the module manufacturing method according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a schematic perspective cross-sectional view partially showing a module according to a comparative example
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a module according to Embodiment 2 of the present invention
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a module according to a modification of Embodiment 2 of the present invention
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a module according to Embodiment 3 of the present invention
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a module according to Embodiment 4 of the present invention
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of an assembly used when manufacturing a module according to Embodiment 4 of the present invention
  • FIG. 1 is a plan view showing a module according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the module in FIG. 1 as viewed in the direction of arrows II-II.
  • the module 100 includes a substrate 110, a first component 120, a second component 130, a sealing resin 150, a shield film 160, and internal electrodes 170. .
  • the board 110 is specifically a circuit board.
  • the substrate 110 has a first surface 111 , a second surface 112 and side surfaces 113 .
  • the second surface 112 is located on the opposite side of the first surface 111 .
  • Side surface 113 connects first surface 111 and second surface 112 .
  • the substrate 110 further includes an external terminal 115 .
  • the external terminals 115 are located on the second surface 112 .
  • Substrate 110 further includes internal terminals 116 .
  • the internal terminals 116 are located on the first surface 111 .
  • the first component 120 is mounted on the first surface 111 with solder bumps 129 .
  • the first component 120 is specifically an electronic component. Examples of the first component 120 include a surface acoustic wave filter, a bulk acoustic wave filter, an IC (Integrated Circuit) chip, and the like.
  • the first component 120 has an exposed surface 121 , a circuit surface 122 and a peripheral side surface 123 .
  • the exposed surface 121 is located on the side opposite to the substrate 110 side.
  • the exposed surface 121 is a roughened surface of the surface of the first component 120 . Therefore, the arithmetic average roughness (Ra) of the exposed surface 121 is greater than the arithmetic average roughness (Ra) of the peripheral side surface 123 of the first part.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of exposed surface 121 is, for example, 0.15 [ ⁇ m] or more and 0.95 [ ⁇ m] or less.
  • the exposed surface 121 is roughened, the glossiness of the exposed surface 121 is relatively low and is close to the glossiness of the surface of the sealing resin 150 . For this reason, when a mark such as a two-dimensional code that can be read by a predetermined device and is identified by having a light-dark pattern is formed on the surface of the sealing resin 150, the exposed surface 121 and the sealing resin 150 are marked. Since the difference in brightness from the surface of the stopping resin 150 is reduced, unnecessary brightness differences that cause reading errors are less likely to occur in the vicinity of the marks, so that the frequency of reading errors can be reduced.
  • the circuit surface 122 is a surface of the first component 120 on which an electronic circuit for having an electrical function as an electronic component is provided, and is positioned so as to face the substrate 110 side. That is, the circuit side 122 is located on the opposite side of the exposed side 121 .
  • the peripheral side surface 123 connects the exposed surface 121 and the circuit surface 122 .
  • a portion of first component 120 forming exposed surface 121 contains at least one of lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), quartz (SiO 2 ), Si and GaAs.
  • the main material of the portion forming the exposed surface 121 is, for example, lithium tantalate, lithium niobate, or Si
  • the first component 120 is a bulk acoustic wave filter.
  • the main material of the portion forming the exposed surface 121 is Si, for example, and if the first component 120 is an IC, the main material of the portion forming the exposed surface 121 is, for example, Si or GaAs.
  • the main material forming the first part 120 may be polycrystalline or amorphous such as glass.
  • the second component 130 is mounted on the first surface 111 with solder 139 .
  • Second component 130 is specifically an electronic component, for example, a chip-shaped passive component such as a capacitor or an inductor.
  • the second component 130 may be a surface acoustic wave filter, a bulk acoustic wave filter, an IC, or the like with relatively low heat generation.
  • a sealing resin 150 is provided on the first surface 111 .
  • the sealing resin 150 seals the first component 120 at least from the side (that is, the peripheral side surface 123 side).
  • the sealing resin 150 is in contact with the entire surface of the peripheral side surface 123 , but may be in contact with only a part of the peripheral side surface 123 .
  • the exposed surface 121 of the first component 120 is exposed from the sealing resin 150 on the side opposite to the substrate 110 side.
  • the sealing resin 150 contains a resin component and a filler.
  • the resin component is specifically a thermosetting resin such as an epoxy resin, a phenol resin, or a mixed resin thereof.
  • the fillers may be spherical fillers, amorphous fillers or mixtures thereof.
  • the filler is in particular an inorganic oxide, for example SiO2 or Al2O3 .
  • the shield film 160 is made of metal and covers the first component 120 and the sealing resin 150.
  • the shield film 160 extends toward the side surface 113 of the substrate 110 while covering the first component 120 and the sealing resin 150 and is in contact with the side surface 113 of the substrate 110 .
  • the overall thickness of the shield film 160 is not particularly limited, it is preferably 4 [ ⁇ m] or more from the viewpoint of shielding properties and heat dissipation of the shield film 160, and 20 [ ⁇ m] or less from the viewpoint of reducing the height of the module 100. is preferred.
  • the shield film 160 has a first contact portion 161 and a second contact portion 162 .
  • the first contact portion 161 is in contact with the exposed surface 121 .
  • the second contact portion 162 is in contact with a portion of the sealing resin 150 on the side opposite to the substrate 110 side.
  • FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing the configuration of region III in FIG.
  • the first contact portion 161 includes a layer made up of a plurality of crystal grains.
  • the first contact portion 161 includes a first inner layer LI1, a first intermediate layer LM1, and a first outer layer LO1, and the first intermediate layer LM1 is formed of a plurality of crystal grains GM1.
  • the first outer layer LO1 is formed of a plurality of crystal grains GO1.
  • the first inner layer LI1 is not formed of a plurality of crystal grains in this embodiment, the first inner layer LI1 may also be formed of a plurality of crystal grains.
  • the first contact portion 161 includes two layers formed of a plurality of crystal grains, it may include only one layer or three or more layers of such layers.
  • the first inner layer LI1 is directly laminated on the first part 120.
  • the first intermediate layer LM1 is laminated on the first component 120 via the first inner layer LI1.
  • the first intermediate layer LM1 has the largest thickness in the stacking direction among the layers formed of a plurality of crystal grains.
  • the first intermediate layer LM1 is the thickest among all the layers in the stacking direction.
  • First outer layer LO1 is laminated on first component 120 via first inner layer LI1 and first intermediate layer LM1. The first outer layer LO1 is positioned farthest from the first component 120 at the first contact portion 161 and is exposed to the outside.
  • FIG. 4 is a partial plan view of the module in FIG. 2 as seen from the direction of arrow IV.
  • the plurality of crystal grains forming the layer included in the first contact portion 161 of the shield film 160 has a longitudinal direction of different from each other.
  • the plurality of crystal grains GO1 forming the first outer layer LO1 have different longitudinal directions L when viewed from the direction perpendicular to the first surface 111 .
  • the plurality of crystal grains GO1 forming the first outer layer LO1 correspond to the plurality of crystal grains forming the first intermediate layer LM1. It is located in a one-to-one correspondence with GM1. Therefore, the plurality of crystal grains GM1 forming the first intermediate layer LM1 also have different longitudinal directions when viewed from the direction perpendicular to the first surface 111, similar to the crystal grains GO1 shown in FIG. .
  • FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing the configuration of region V in FIG.
  • the second contact portion 162 includes a layer made up of multiple crystal grains.
  • the second contact portion 162 includes a second inner layer LI2, a second intermediate layer LM2, and a second outer layer LO2, and the second intermediate layer LM2 is formed of a plurality of crystal grains GM2.
  • the second outer layer LO2 is formed of a plurality of crystal grains GO2.
  • the second inner layer LI2 is not formed of a plurality of crystal grains in this embodiment, the second inner layer LI2 may also be formed of a plurality of crystal grains.
  • the second contact portion 162 includes two layers formed of a plurality of crystal grains, but may include only one layer, or three or more layers of such layers.
  • the second inner layer LI2 is directly laminated on the sealing resin 150.
  • the second intermediate layer LM2 is laminated on the sealing resin 150 via the second inner layer LI2.
  • the second intermediate layer LM2 has the largest thickness in the lamination direction among the layers formed of the plurality of crystal grains.
  • the second intermediate layer LM2 is the thickest among all the layers in the stacking direction.
  • the second outer layer LO2 is laminated on the sealing resin 150 via the second inner layer LI2 and the second intermediate layer LM2.
  • the second outer layer LO2 is located farthest from the sealing resin 150 at the second contact portion 162 and is exposed to the outside.
  • 5 schematically shows resin component 150R and filler 150F contained in sealing resin 150. As shown in FIG.
  • the second contact portion 162 is continuous with the first contact portion 161 in the in-plane direction of the first surface 111 . That is, the layer formed of a plurality of crystal grains in the second contact portion 162 is continuous with the layer formed of a plurality of crystal grains in the first contact portion 161 in the plane direction orthogonal to the stacking direction. .
  • the second intermediate layer LM2 is continuous with the first intermediate layer LM1
  • the second outer layer LO2 is continuous with the first outer layer LO1 in the plane direction perpendicular to the stacking direction.
  • the second inner layer LI2 is also continuous with the first inner layer LI1 in the planar direction.
  • the plurality of crystal grains forming the layer included in the second contact portion 162 of the shield film 160 have different longitudinal directions when viewed from the direction orthogonal to the first surface 111 .
  • the plurality of crystal grains GO2 forming the second outer layer LO2 also have their longitudinal directions aligned with each other when viewed from the direction orthogonal to the first surface 111. different.
  • the plurality of crystal grains GM2 forming the second intermediate layer LM2 also have different longitudinal directions when viewed from the direction orthogonal to the first surface 111. As shown in FIG.
  • the longitudinal direction when viewed from the direction perpendicular to the first surface 111 was photographed with a scanning electron microscope (SEM) at a magnification of, for example, 5000 times. It can be calculated by visually confirming the image data, or by reading it into a computer and analyzing it.
  • the length of the plurality of crystal grains in the longitudinal direction is, for example, 100 [nm] or more and 100 [ ⁇ m] or less. If the length in the longitudinal direction is 100 [ ⁇ m] or less, the crystal grain size is sufficiently small.
  • the magnitude of the force with which the shield film 160 tries to separate from the first component 120 or the sealing resin 150 is proportional to the size of the crystal grains, if the size of the crystal grains is sufficiently small, the shield film 160 will be separated from the first component 120 or the sealing resin 150 . The force that tends to separate from the component 120 or the sealing resin 150 is reduced. Therefore, deformation due to peeling of the shield film 160 is further suppressed.
  • each of the shield film 160 contains Ti, Cr, Co, and Ni. , Fe, Cu, Ag and Au, and may be an alloy containing these elements.
  • the shield film 160 contains Cu and stainless steel.
  • the first inner layer LI1, the first outer layer LO1, the second inner layer LI2 and the second outer layer LO2 are made of stainless steel.
  • the first intermediate layer LM1 and the second intermediate layer LM2 contain Cu as a main material.
  • the internal electrode 170 is located inside the substrate 110 and is exposed from the side surface 113 of the substrate 110 and is in contact with the shield film 160 .
  • the internal electrode 170 is a ground electrode.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which an aggregate substrate is prepared in the module manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the aggregate substrate 110a is an aggregate of the substrates 110 provided in each of the modules 100.
  • the collective substrate 110a is formed by connecting the plurality of substrates 110 to each other such that the first surfaces 111 of the plurality of substrates 110 are continuous with each other.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state in which the first component and the like are mounted on the collective board in the module manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention.
  • components such as the first component 120 and the second component 130 are mounted on the first surface 111 of the collective board 110a. These components are mounted on first surface 111 by, for example, printing solder paste on first surface 111 and then reflow soldering using this solder paste. After these components are mounted on the first surface 111, flux cleaning is performed.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state in which sealing resin is arranged on the first surface of the collective substrate in the module manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention.
  • a pre-cured sealing resin 150 is provided on the first surface 111 of the collective substrate 110a by molding.
  • the sealing resin 150 seals so as to completely cover the first component 120 and the second component 130 mounted on the first surface 111 .
  • the collective substrate 110a provided with the uncured sealing resin 150 is heated in an oven or the like to cure the sealing resin 150 .
  • a filler is added to the resin component and kneaded in advance.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state in which the sealing resin and the first part are being ground in the module manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 10 is a plan view showing a configuration in which the sealing resin and the first component are ground in the module manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the configuration after the grinding process shown in FIG. 10, viewed in the direction of arrows XI--XI.
  • the sealing resin 150 in the state of FIG. At this time, the portion of the first component 120 on the side opposite to the circuit surface 122 is also ground together with the sealing resin 150 .
  • the sealing resin 150 and the first part 120 are ground so that the second part 130 is not exposed from the sealing resin 150 . Therefore, in the direction perpendicular to the first surface 111, for example, when the maximum height of the second component 130 is 300 [ ⁇ m], the height of the first component 120 before grinding is 400 [ ⁇ m], and the height before grinding is 400 [ ⁇ m].
  • the height of the sealing resin 150 is set to 500 [ ⁇ m]
  • the height of the first component 120 and the sealing resin 150 is set to 350 [ ⁇ m] by grinding.
  • the grinder 1000 used in the above-described grinding process is not particularly limited, it is, for example, a rotary grinder. More specifically, the first component 120 and the sealing resin 150 are ground by creep-feed grinding or in-feed grinding using a circular wheel 1200 provided with a grinding wheel 1100 . As the grinding wheel, hard particles such as diamond particles are hardened with a binder such as resin.
  • the axial direction of the wheel 1200 is perpendicular to the surface direction of the first surface 111, and the diameter of the wheel 1200 is sufficiently longer than the size of the module 100. move approximately linearly along the Therefore, on the surface of the first component 120 (that is, the surface opposite to the circuit surface 122), a plurality of substantially parallel straight lines are formed along the rotation direction of the wheel 1200 provided with the grinding wheel 1100. Grinding scratches are formed.
  • Creep-feed grinding or in-feed grinding also affects the surface shape of the sealing resin 150 .
  • 12 is a partial cross-sectional view showing the configuration of region XII in FIG. 11.
  • FIG. 12 when the sealing resin 150 is ground, due to the grinding load, part of the filler 150F is chipped in the vicinity of the surface of the sealing resin 150, and a missing portion 151 is generated.
  • the missing portion 151 is likely to occur at the interface between the resin component 150R and the filler 150F.
  • the recess 152 is also formed by the shedding of the filler 150F exposed on the surface of the sealing resin 150 .
  • Recess 152 is, for example, hemispherical.
  • the resin scraped off by grinding is pushed into the missing portion 151 and the recessed portion 152 and stretched.
  • many wrinkles are generated on the surface of the sealing resin 150 opposite to the first surface 111 side, and as a result, fine irregularities are randomly formed.
  • FIG. 13 is an optical microscope image showing an example of the surface of the first component immediately after the grinding process in the module manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention. As shown in FIG. 13, a plurality of substantially parallel linear grinding scratches are formed on the surface of the first component 120 immediately after the grinding process.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing the roughening treatment step after the grinding step in the module manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention.
  • blast particles are injected by wet blasting to a portion of the first component 120 opposite to the circuit surface 122 after the grinding step using the injection nozzle 2000 .
  • the roughened exposed surface 121 of the first component 120 is formed.
  • linear grinding scratches on the surface of the first component 120 due to creep feed grinding or infeed grinding disappear, and instead, impact according to the shape of the blast particles that collide with the surface of the first component 120 A fine uneven shape is randomly formed by the marks.
  • the surface of the sealing resin 150 may be roughened by wet blasting together with the first component 120 .
  • Slurry to be sprayed during wet blasting includes, for example, alumina (Al 2 O 3 ) abrasive grains mixed with water.
  • Alumina abrasive grains for example, those with a grain size of #600 (with an average grain size of about 20 [ ⁇ m]) as fine powder for precision polishing defined by JIS standards (JIS6001-2 (2017)) can be used,
  • the concentration of alumina in the slurry is 10 [wt%] or more and 20 [wt%] or less.
  • the slurry is injected while being mixed with compressed air having a pressure of 0.1 [MPa] or more and 0.4 [MPa] or less.
  • the surface roughness (arithmetic mean roughness (Ra)) of the exposed surface 121 can be controlled.
  • the surface roughness (arithmetic mean roughness (Ra)) of the exposed surface 121 can be increased by increasing the pressure of the compressed air or lengthening the injection time.
  • the injection time is controlled by moving the injection nozzle 2000 parallel to the first surface 111 and adjusting the movement time at each injection point or by adjusting the number of injections at each injection point.
  • the roughening treatment step instead of wet blasting, dry blasting may be performed in which compressed air is used to inject alumina powder directly toward the first component 120 (and the sealing resin 150). Even when dry blasting is performed, the exposed surface 121 of the first component 120 is randomly formed with fine irregularities.
  • a washing step may be performed after the roughening treatment step. If the main material forming the first component 120 is polycrystalline or amorphous such as glass, the first component 120 may be processed by chemical etching instead of wet blasting. In particular, when the main material forming the first component 120 is polycrystalline, crystal grains with different shapes are randomly present in the first component 120, and the crystal grain boundaries are likely to be etched. For this reason, crystal grains which are randomly present due to etching remain on the surface, and random fine irregularities are formed on the exposed surface 121 of the first component 120 .
  • the first component 120 and the sealing resin 150 may be ground by a surface grinding method.
  • a surface grinding method a disk grindstone whose central axis extends in a direction parallel to the first surface 111 rotates, so that the rotating surface of the grindstone comes into contact with the first component 120 and the sealing resin 150 .
  • the first component 120 and the sealing resin 150 are ground.
  • each of the plurality of particles for example, diamond particles
  • each of the plurality of particles for example, diamond particles
  • the distance the particles grind per contact is very short.
  • a roughened exposed surface 121 having a fine random uneven shape can be formed without causing linear and continuous scratches on the first component 120 .
  • the surface of the first part 120 may be irradiated with randomly swept laser pulses. Thereby, the roughened exposed surface 121 can be formed.
  • the main material on the exposed surface 121 side of the first component 120 does not transmit laser light.
  • the laser pulse is preferably a pulse wave with a wavelength of 1 ⁇ m or less, such as a YAG laser harmonic.
  • FIG. 15 is an optical microscope image showing an example of the surface of the first part immediately after the roughening treatment step in the module manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the impact marks (recesses) of the blasting particles (alumina abrasive grains in the above example) are superimposed on each other. Hit marks are randomly distributed. Since the blasting particles differ in shape and size from each other, the shapes of the impact marks themselves also differ from each other.
  • the exposed surface 121 is formed with fine random irregularities.
  • the exposed surface 121 has almost no linear grinding scratches immediately after the grinding process.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a state in which the collective substrate is separated into individual pieces in the module manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
  • the aggregate substrate 110a is separated into a plurality of substrates 110 by cutting the aggregate substrate 110a with a dicer or the like, if necessary.
  • the sealing resin 150 is also cut at the same time, and the plurality of sealing resins 150 are separated into individual pieces corresponding to each of the plurality of substrates 110 .
  • the module 100 is manufactured by forming the first component 120, the sealing resin 150, and the shield film 160 on the side surface 113 of the substrate 110 by sputtering metal atoms. be done.
  • the plurality of crystal grains forming the layers included in the first contact portion 161 and the second contact portion 162 are arranged such that their longitudinal directions are different from each other when viewed from the direction perpendicular to the first surface 111 . It is formed. Also, the thickness of the shield film 160 is adjusted according to the sputtering conditions.
  • the first inner layer LI1 and the second inner layer LI2 are formed very thinly compared to the first intermediate layer LM1 and the second intermediate layer LM2, no grain boundaries are generated. .
  • the first inner layer LI1 and the second inner layer LI2 are very thin and formed along the uneven shape.
  • the first intermediate layer LM1 and the second intermediate layer LM2 are affected by the uneven shape, and when viewed from the direction perpendicular to the first surface 111, the longitudinal directions of the plurality of crystal grains GM1 are different from each other.
  • a plurality of crystal grains GM2 are formed so that their longitudinal directions are different from each other.
  • the first outer layer LO1 and the second outer layer LO2 metal grains grow so as to correspond to the crystal grains GM1 of the first intermediate layer LM1 and the crystal grains GM2 of the second intermediate layer LM2, respectively. Therefore, when viewed from the direction orthogonal to the first surface 111, the plurality of crystal grains GO1 are formed so that their longitudinal directions are different from each other, and the plurality of crystal grains GO2 are formed so that their longitudinal directions are different from each other. . As a result, the crystal grains are formed such that the size of each crystal grain when viewed from the direction orthogonal to the first surface 111 is reduced, and the force with which the shield film 160 is peeled off from the first component 120 is reduced.
  • Ra arithmetic mean roughness
  • FIG. 17 is a schematic perspective cross-sectional view partially showing a module according to a comparative example.
  • the plurality of crystal grains in the shielding film 960 on the first component 920 are arranged such that the longitudinal direction when viewed from the direction orthogonal to the first surface of the substrate is are identical to each other. This is because, in the comparative example, grain boundaries are formed along the grinding scratches on the first component 920 due to creep feed grinding or infeed grinding.
  • each of these crystal grains has a very long length in the longitudinal direction, the force of peeling off the shield film 960 from the first component 920 increases. If part of the shield film 960 is peeled off from the first component 920, the shield film 960 is divided in the in-plane direction. Therefore, the heat transfer property in the in-plane direction of the shield film 960 is low, and the heat dissipation property of the module 900 is relatively low. Further, when the module 900 is picked up and mounted on the mother board, part of the shield film 960 may be peeled off due to the force received from the pick-up nozzle. The peeled off shield film 960 may enter between the electrodes of the module 900 and the electrodes of the mother substrate, causing a short circuit.
  • the first contact portion 161 is in contact with the exposed surface 121 of the first component 120, and the plurality of crystal grains contains a layer formed of The plurality of crystal grains have different longitudinal directions when viewed from a direction orthogonal to the first surface 111 .
  • the size of the crystal grains becomes relatively small, and deformation such as peeling or cracking of the first contact portion 161 of the shield film 160 from the first part 120 is suppressed, and the crystal grains intersect in the thickness direction.
  • a decrease in heat conductivity in the direction is suppressed. That is, deterioration in heat dissipation due to deformation of the shield film 160 can be suppressed.
  • the first component 120 for example, even if a surface acoustic wave filter, a bulk acoustic wave filter, or a power amplifier type IC to which a large current that causes an increase in heat generation is input is used, the first component Since the heat dissipation property of 120 is improved, the amount of heat transferred from the first component 120 to other components mounted on the module 100 is relatively suppressed. Therefore, a plurality of components including the first component 120 can be mounted on the module 100 with high density. As a result, the module 100 can be miniaturized, and the module 100 can be suitably mounted in a small device such as a smart phone that requires miniaturization of internal wiring or integration of internal parts in the field of wireless communication.
  • the first contact portion 161 is in contact with the roughened exposed surface 121 . Accordingly, when the first contact portion 161 is formed on the exposed surface 121, the shield film 160 is formed so as to correspond to each of the plurality of minute concave portions formed on the exposed surface 121 by the roughening treatment. Each grain grows. Therefore, the crystal grain size of the shield film 160 can be easily reduced. As a result, deformation such as peeling or cracking of the first contact portion 161 from the first component 120 is suppressed, and a decrease in heat transfer in the direction intersecting the thickness direction is suppressed. That is, deterioration in heat dissipation due to deformation of the shield film 160 can be suppressed.
  • the arithmetic mean roughness (Ra) of the exposed surface 121 is 0.15 ⁇ m or more and 0.95 ⁇ m or less.
  • the arithmetic mean roughness (Ra) of the exposed surface 121 is 0.15 ⁇ m or more, the crystal grains of the first contact portion 161 become sufficiently small.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the exposed surface 121 is 0.95 ⁇ m or less, formation defects of the first contact portion 161 can be suppressed.
  • the first component 120 further has a circuit surface 122 located on the opposite side of the exposed surface 121 . This facilitates processing of the exposed surface 121 in the first component 120 . Further, when the heat generated on the circuit surface 122 side is transferred to the shield film 160 through the exposed surface 121, the first component 120 itself functions more effectively as a heat dissipation path.
  • the portion forming the exposed surface 121 of the first component 120 contains at least one of lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), quartz (SiO 2 ), Si and GaAs. contains.
  • the first component 120 itself functions more effectively as a heat dissipation path.
  • the shield film 160 contains at least one element selected from Ti, Cr, Co, Ni, Fe, Cu, Ag and Au.
  • the shield film 160 contains such an element, the shielding performance against the first component 120 mounted on the first surface 111 is ensured, and the heat radiated from the exposed surface 121 is dissipated from the shield film 160 to the outside. Heat is dissipated.
  • the shield film 160 has a second contact portion 162 that contacts a portion of the sealing resin 150 on the side opposite to the substrate 110 side.
  • the second contact portion 162 includes a layer formed of multiple crystal grains.
  • the plurality of crystal grains have different longitudinal directions when viewed from a direction perpendicular to the first surface 111 . Accordingly, as with the first contact portion 161 , deterioration in heat dissipation due to deformation of the shield film 160 can be suppressed.
  • the shield film 160 extends toward the side surface of the substrate 110 while covering the first component 120 and the sealing resin 150 and contacts the side surface 113 of the substrate 110 . Thereby, the surface area of the shield film 160 can be increased, and the heat dissipation of the shield film 160 can be improved.
  • the module 100 further includes an internal electrode 170 located inside the substrate 110 , exposed from the side surface of the substrate 110 and in contact with the shield film 160 .
  • an internal electrode 170 located inside the substrate 110 , exposed from the side surface of the substrate 110 and in contact with the shield film 160 .
  • Embodiment 2 A module according to Embodiment 2 of the present invention will be described below.
  • the module according to Embodiment 2 of the present invention mainly differs from the module 100 according to Embodiment 1 of the present invention in that components are also mounted on the second surface side of the substrate. Therefore, the description of the configuration similar to that of the module 200 according to the second embodiment of the present invention will not be repeated.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing a module according to Embodiment 2 of the present invention.
  • the third component 240 is mounted on the second surface 112 side.
  • Third component 240 is, for example, an IC.
  • a second sealing resin 290 is also provided on the second surface 112 side.
  • the second external terminals 216 provided on the second surface 112 side are exposed from the second sealing resin 290 .
  • the second external terminals 216 provided on the second surface 112 side are solder bumps, for example.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a module according to a modification of Embodiment 2 of the present invention.
  • the second external terminals 216a provided on the second surface 112 side have bar-shaped electrodes and solder bumps.
  • a rod-shaped electrode (I/O pin) is exposed from the second sealing resin 290 .
  • the solder bumps are connected on rod-like electrodes exposed from the second sealing resin 290 .
  • the first contact portion 161 is in contact with the exposed surface 121 of the first component 120 and is formed of a plurality of crystal grains. contains layers.
  • the plurality of crystal grains have different longitudinal directions when viewed from a direction orthogonal to the first surface 111 . As a result, deterioration in heat dissipation due to deformation of the shield film 160 can be suppressed.
  • the module according to Embodiment 3 of the present invention mainly differs from the module 100 according to Embodiment 1 of the present invention in that there is an area not sealed with the sealing resin on the first surface of the substrate. Therefore, the description of the configuration similar to that of the module 100 according to the first embodiment of the present invention will not be repeated.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing a module according to Embodiment 3 of the present invention.
  • the first surface 111 of the substrate 110 has a region R that is partially not covered with the sealing resin 150 .
  • An electrode 316 is formed in the region R, and the fourth component 341 is mounted via the electrode 316 .
  • the fourth part 341 is, for example, a connector.
  • a plurality of fourth components 341 may be mounted in the region R, and the fourth components 341 may be connectors, or components that cannot be sealed with the sealing resin 150, such as sensors.
  • An antenna 317 is provided on the substrate 110 .
  • the antenna 317 may be formed on the second surface 112 of the substrate 110 or may be provided near the second surface 112 inside the substrate 110 .
  • a ground electrode 318 is provided on the first surface 111 of the substrate 110 . The ground electrode 318 is in contact with the shield film 160 .
  • the molding method of the sealing resin 150 is, for example, transfer molding, the resin does not flow into a part of the first surface 111 of the substrate 110.
  • the region R may be formed by molding the sealing resin 150 with a mold having the configuration.
  • the protection method may be, for example, a method of covering the region R with a cover or the like before the roughening treatment step.
  • the first contact portion 161 is in contact with the exposed surface 121 of the first component 120 and includes a layer formed of a plurality of crystal grains.
  • the plurality of crystal grains have different longitudinal directions when viewed from a direction orthogonal to the first surface 111 . As a result, deterioration in heat dissipation due to deformation of the shield film 160 can be suppressed.
  • Embodiment 4 of the present invention A module according to Embodiment 4 of the present invention will be described below.
  • the module according to Embodiment 4 of the present invention mainly differs from the module according to Embodiment 3 of the present invention in that it further includes a shield connecting member. Therefore, the description of the configuration similar to that of the module 300 according to the third embodiment of the present invention will not be repeated.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a module according to Embodiment 4 of the present invention.
  • the module 400 according to Embodiment 4 of the present invention further includes shield connection members 442 .
  • the shield connecting member 442 is connected to the ground electrode 318 provided on the first surface 111 of the substrate 110 .
  • the shield connecting member 442 is in contact with the shield film 160 inside the shield film 160 . Thereby, the shield film 160 is electrically connected to the ground electrode 318 via the shield connection member 442 .
  • the bonding portion of the first component 120 (corresponding to the solder bump 129) and the bonding portion of the second component 130 (corresponding to the solder 139) are formed from the lower surface of the sealing resin 150. is exposed. Shield film 160 is not in contact with side surface 113 .
  • a module 400 according to Embodiment 4 of the present invention shown in FIG. 21 can be manufactured, for example, by mounting an assembly described below and a fourth component 341 on a substrate 110.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing an example of an assembly used when manufacturing a module according to Embodiment 4 of the present invention.
  • the module 400 according to Embodiment 4 of the present invention can be manufactured (see FIG. 21).
  • the parts corresponding to the module 400 in the assembly 400X are given the same reference numerals.
  • the assembly 400X does not include wiring that electrically connects the first part 120 and the second part 130. Wiring connecting first component 120 and second component 130 is provided on substrate 110 on which assembly 400X is mounted. By mounting the assembly 400X on the substrate 110, the components of the assembly 400X are electrically connected. Note that the assembly 400X can be manufactured by a manufacturing method similar to the manufacturing method of the module 100 according to the first embodiment of the present invention, except that the assembly 400X is provided on a temporary carrier instead of the substrate. That is, after the assembly 400X is provided on the temporary carrier, the assembly 400X is manufactured by removing the temporary carrier from the assembly 400X.

Abstract

モジュール（１００）は、基板（１１０）と、第１部品（１２０）と、封止樹脂（１５０）と、シールド膜（１６０）と、を備えている。基板（１１０）は、第１面（１１１）を有している。第１部品（１２０）は、第１面（１１１）に実装されている。封止樹脂（１５０）は、第１部品（１２０）を少なくとも側方から封止している。第１部品（１２０）は、露出面（１２１）を有している。露出面（１２１）は、基板（１１０）側とは反対側において封止樹脂（１５０）から露出している。シールド膜（１６０）は金属製であり、第１部品（１２０）および封止樹脂（１５０）を覆っている。シールド膜（１６０）は、第１当接部（１６１）を有している。第１当接部（１６１）は、露出面（１２１）と接している。第１当接部（１６１）は、複数の結晶粒で形成された層を含んでいる。当該複数の結晶粒は第１面（１１１）に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なっている。

Description

モジュール
　本発明は、モジュールに関する。
　モジュールの構成を開示した文献として、特開２０１０－１９２６５３号公報(特許文献１)および特開２００４－２０８３２６号公報(特許文献２)がある。
　特許文献１に記載されたモジュールは、第１の回路基板と、半導体部品ならびに電子部品と、モールド体と、被覆部とを備えている。第１の回路基板は、側端面に配線電極が露出するように配設されている。半導体部品並びに電子部品は、第１の回路基板に実装されている。モールド体は樹脂からなり、半導体部品並びに電子部品の少なくとも一部を覆う。半導体部品は、一部分を露出させて残部がモールド体により覆われている。被覆部は、半導体部品の露出した一部分とモールド体の表面とを被覆している。
　特許文献２に記載されたモジュールは、配線パターンと、弾性表面波素子と、熱硬化性樹脂組成物とを備えている。弾性表面波素子は、配線パターンに実装されている。熱硬化性樹脂組成物は、弾性表面波素子を封止している。弾性表面波素子の機能部とは反対側の面と熱硬化性樹脂組成物の上面とが同一面を形成している。
特開２０１０－１９２６５３号公報 特開２００４－２０８３２６号公報
　従来のモジュールにおいては、基板に実装した部品から発生する熱についての放熱性向上のため、当該部品の一部分を封止樹脂から露出させたり、その露出させた部分に接するようにシールド膜が設けられている。しかしながら、シールド膜のうち上記部品に接する部分は、上記部品から剥がれたり、割れたりするなど、変形する場合がある。この場合、シールド膜を介したモジュールの放熱性が低下する。
　本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、シールド膜の変形による放熱性の低下を抑制できるモジュールを提供することを目的とする。
　本発明の第１の局面に基づくモジュールは、基板と、第１部品と、封止樹脂と、シールド膜と、を備えている。基板は、第１面を有している。第１部品は、第１面に実装されている。封止樹脂は、第１部品を少なくとも側方から封止している。第１部品は、露出面を有している。露出面は、基板とは反対側において封止樹脂から露出している。シールド膜は金属製であり、第１部品および封止樹脂を覆っている。シールド膜は、第１当接部を有している。第１当接部は、露出面と接している。第１当接部は、複数の結晶粒で形成された層を含んでいる。複数の結晶粒は第１面に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なっている。
　本発明の第２の局面に基づくモジュールは、基板と、第１部品と、封止樹脂と、シールド膜と、を備えている。基板は、第１面を有している。第１部品は、第１面に実装されている。封止樹脂は、第１部品を少なくとも側方から封止している。第１部品は、露出面を有している。露出面は、基板とは反対側において封止樹脂から露出している。シールド膜は金属製であり、第１部品および封止樹脂を覆っている。シールド膜は、第１当接部を有している。第１当接部は、露出面と接している。露出面は、表面粗化されている。
　本発明によれば、シールド膜の変形による放熱性の低下を抑制できる。
本発明の実施形態１に係るモジュールを示す平面図である。 図１のモジュールをＩＩ－ＩＩ線矢印方向から見た断面図である。 図２の領域ＩＩＩの構成を示す部分断面図である。 図２のモジュールを矢印ＩＶ方向から見た部分平面図である。 図２の領域Ｖの構成を示す部分断面図である。 本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、集合基板を準備した状態を示す断面図である。 本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、集合基板に第１部品などを実装した状態を示す断面図である。 本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、集合基板の第１面上に、封止樹脂を配置した状態を示す断面図である。 本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、封止樹脂および第１部品を研削しているときの状態を示す断面図である。 本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、封止樹脂および第１部品が研削された状態の構成を示す平面図である。 図１０に示した研削工程後の状態の構成をＸＩ－ＸＩ線矢印方向から見た断面図である。 図１１の領域ＸＩＩの構成を示す部分断面図である。 本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、研削工程直後の第１部品の表面の一例を示す光学顕微鏡画像である。 本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、研削工程後の粗化処理工程を示す断面図である。 本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、粗化処理工程直後の第１部品の表面の一例を示す光学顕微鏡画像である。 本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、集合基板を個片化しているときの状態を示す断面図である。 比較例に係るモジュールを部分的に示した模式的な斜視断面図である。 本発明の実施形態２に係るモジュールを示す断面図である。 本発明の実施形態２の変形例に係るモジュールを示す断面図である。 本発明の実施形態３に係るモジュールを示す断面図である。 本発明の実施形態４に係るモジュールを示す断面図である。 本発明の実施形態４に係るモジュールを製造する際に用いられる組立体の一例を示す断面図である。
　以下、本発明の各実施形態に係るモジュールについて図を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。
　(実施形態１)
　図１は、本発明の実施形態１に係るモジュールを示す平面図である。図２は、図１のモジュールをＩＩ－ＩＩ線矢印方向から見た断面図である。図１および図２に示すように、モジュール１００は、基板１１０と、第１部品１２０と、第２部品１３０と、封止樹脂１５０と、シールド膜１６０と、内部電極１７０と、を備えている。
　基板１１０は、具体的には回路基板である。基板１１０は、第１面１１１と、第２面１１２と、側面１１３とを有している。第２面１１２は、第１面１１１の反対側に位置している。側面１１３は、第１面１１１と第２面１１２とを接続している。また、基板１１０は、外部端子１１５をさらに備えている。外部端子１１５は、第２面１１２上に位置している。基板１１０は、内部端子１１６をさらに備えている。内部端子１１６は、第１面１１１上に位置している。
　第１部品１２０は、はんだバンプ１２９により第１面１１１に実装されている。第１部品１２０は、具体的には、電子部品である。第１部品１２０としては、たとえば表面弾性波フィルター、バルク弾性波フィルターまたはＩＣ(Integrated　Circuit)チップなどが挙げられる。
　第１部品１２０は、露出面１２１と、回路面１２２と、周側面１２３とを有している。露出面１２１は、基板１１０側とは反対側に位置している。露出面１２１は、第１部品１２０の表面のうち粗化処理された面である。このため、露出面１２１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、第１部品の周側面１２３の算術平均粗さ（Ｒａ）より大きい。露出面１２１の算術平均粗さ(Ｒａ)は、たとえば０．１５[μｍ]以上０．９５[μｍ]以下である。
　なお、露出面１２１は粗化処理されているため、露出面１２１の光沢度が比較的低くなっており、封止樹脂１５０の表面の光沢度に近くなっている。このため、封止樹脂１５０の表面に、所定の機器で読み取り可能であって、明暗パターンを有することにより識別される２次元コードなどのマークが形成されている場合には、露出面１２１と封止樹脂１５０の表面との明度の差が小さくなることで、マーク近傍に読み取りエラーの発生要因となる不要な明度差が生じにくくなるため、読み取りエラーの発生頻度を低減できる。
　回路面１２２は、第１部品１２０において電子部品としての電気的な機能を有するための電子回路が設けられている側の面であり、基板１１０側に対向するように位置している。すわなち、回路面１２２は、露出面１２１の反対側に位置している。周側面１２３は、露出面１２１と回路面１２２とを接続している。
　第１部品１２０において露出面１２１を形成する部分は、タンタル酸リチウム(ＬｉＴａＯ3)、ニオブ酸リチウム(ＬｉＮｂＯ3)、石英(ＳｉＯ2)、ＳｉおよびＧａＡｓのうち少なくとも１つを含んでいる。第１部品１２０が表面弾性波フィルターである場合、露出面１２１を形成する部分の主材料は、たとえばタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、または、Ｓｉであり、第１部品１２０がバルク弾性波フィルターである場合、露出面１２１を形成する部分の主材料は、たとえばＳｉであり、第１部品１２０がＩＣである場合、露出面１２１を形成する部分の主材料は、たとえばＳｉまたはＧａＡｓである。第１部品１２０を構成する主材料は、多結晶体であってもよいし、ガラスなどの非晶質体であってもよい。
　第２部品１３０は、はんだ１３９により、第１面１１１に実装されている。第２部品１３０は、具体的には電子部品であり、たとえば、コンデンサまたはインダクタなどのチップ状の受動部品である。第２部品１３０は、発熱量が比較的低い表面弾性波フィルター、バルク弾性波フィルターまたはＩＣなどであってもよい。
　封止樹脂１５０は、第１面１１１上に設けられている。封止樹脂１５０は、第１部品１２０を少なくとも側方(すなわち、周側面１２３側)から封止している。封止樹脂１５０は、周側面１２３上の全面にわたって接しているが、周側面１２３の一部分にのみ接していてもよい。第１部品１２０の露出面１２１は、基板１１０側とは反対側において封止樹脂１５０から露出している。
　封止樹脂１５０は、樹脂成分とフィラーとを含んでいる。樹脂成分は、具体的には熱硬化性樹脂であり、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、またはこれらの混合樹脂である。フィラーは、球形フィラー、不定形フィラーまたはこれらの混合物でもよい。フィラーは、具体的には無機酸化物であり、たとえば、ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3である。
　シールド膜１６０は金属製であり、第１部品１２０および封止樹脂１５０を覆っている。シールド膜１６０は、第１部品１２０および封止樹脂１５０を覆いつつ基板１１０の側面１１３に向かって延び、基板１１０の側面１１３と接している。シールド膜１６０の全体厚さは特に限定されないが、シールド膜１６０のシールド性および放熱性の観点から４[μｍ]以上が好ましく、モジュール１００の低背化の観点から２０[μｍ]以下であることが好ましい。
　シールド膜１６０は、第１当接部１６１と第２当接部１６２とを有している。第１当接部１６１は、露出面１２１と接している。第２当接部１６２は、封止樹脂１５０のうち基板１１０側とは反対側の部分に接している。
　まず、第１当接部１６１について説明する。図３は、図２の領域ＩＩＩの構成を示す部分断面図である。図３に示すように、第１当接部１６１は、複数の結晶粒で形成された層を含んでいる。具体的には、第１当接部１６１は、第１内層ＬＩ１と、第１中間層ＬＭ１と、第１外層ＬＯ１とを含んでおり、第１中間層ＬＭ１が複数の結晶粒ＧＭ１で形成され、第１外層ＬＯ１が複数の結晶粒ＧＯ１で形成されている。本実施形態において、第１内層ＬＩ１は複数の結晶粒で形成されていないが、第１内層ＬＩ１も複数の結晶粒で形成されていてもよい。また、第１当接部１６１は、複数の結晶粒で形成された２つの層を含んでいるが、このような層を１層のみ、または、３層以上含んでいてもよい。
　第１内層ＬＩ１は、第１部品１２０に直接積層されている。第１中間層ＬＭ１は、第１内層ＬＩ１を介して第１部品１２０に積層されている。第１当接部１６１において、第１中間層ＬＭ１は、複数の結晶粒で形成された層のなかで積層方向厚さが最も厚い。また、第１当接部１６１において、第１中間層ＬＭ１は、全ての層のうち積層方向厚さが最も厚い。第１外層ＬＯ１は、第１内層ＬＩ１および第１中間層ＬＭ１を介して第１部品１２０に積層されている。第１外層ＬＯ１は、第１当接部１６１において第１部品１２０から最も離れて位置しており、外部に露出している。
　図４は、図２のモジュールを矢印ＩＶ方向から見た部分平面図である。図１および図４に示すように、シールド膜１６０の第１当接部１６１に含まれる層を形成する複数の結晶粒は、第１面１１１に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なっている。具体的には、第１外層ＬＯ１を形成する複数の結晶粒ＧＯ１は、第１面１１１に対して直交方向から見たときの長手方向Ｌが互いに異なっている。
　また、図３に示すように、第１面１１１に対して直交方向から見たときに、第１外層ＬＯ１を形成する複数の結晶粒ＧＯ１は、第１中間層ＬＭ１を形成する複数の結晶粒ＧＭ１と１対１で対応するように位置している。このため、第１中間層ＬＭ１を形成する複数の結晶粒ＧＭ１も、図４に示す結晶粒ＧＯ１と同様に、第１面１１１に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なっている。
　次に、第２当接部１６２について説明する。図５は、図２の領域Ｖの構成を示す部分断面図である。図５に示すように、第２当接部１６２は、複数の結晶粒で形成された層を含んでいる。具体的には、第２当接部１６２は、第２内層ＬＩ２と、第２中間層ＬＭ２と、第２外層ＬＯ２とを含んでおり、第２中間層ＬＭ２が複数の結晶粒ＧＭ２で形成され、第２外層ＬＯ２が複数の結晶粒ＧＯ２で形成されている。本実施形態において、第２内層ＬＩ２は複数の結晶粒で形成されていないが、第２内層ＬＩ２も複数の結晶粒で形成されていてもよい。また、第２当接部１６２は、複数の結晶粒で形成された２つの層を含んでいるが、このような層を１層のみ、または、３層以上含んでいてもよい。
　第２内層ＬＩ２は、封止樹脂１５０に直接積層されている。第２中間層ＬＭ２は、第２内層ＬＩ２を介して封止樹脂１５０に積層されている。第２当接部１６２において、第２中間層ＬＭ２は、複数の結晶粒で形成された層のなかで積層方向厚さが最も厚い。また、第２当接部１６２において、第２中間層ＬＭ２は、全ての層のうち積層方向厚さが最も厚い。第２外層ＬＯ２は、第２内層ＬＩ２および第２中間層ＬＭ２を介して封止樹脂１５０に積層されている。第２外層ＬＯ２は、第２当接部１６２において封止樹脂１５０から最も離れて位置しており、外部に露出している。なお、図５においては、封止樹脂１５０に含まれる樹脂成分１５０Ｒおよびフィラー１５０Ｆを模式的に示している。
　そして、図１、３および５に示すように、第２当接部１６２は、第１面１１１の面内方向において第１当接部１６１と連続している。すなわち、第２当接部１６２における複数の結晶粒で形成された層は、積層方向に直交する平面方向において、第１当接部１６１における複数の結晶粒で形成された層と連続している。具体的には、積層方向に直交する平面方向において、第２中間層ＬＭ２は第１中間層ＬＭ１と連続し、第２外層ＬＯ２は第１外層ＬＯ１と連続している。なお、上記平面方向において、第２内層ＬＩ２もまた、第１内層ＬＩ１と連続している。
　そして、シールド膜１６０の第２当接部１６２に含まれる層を形成する複数の結晶粒は、第１面１１１に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なる。具体的には、図４に示す複数の結晶粒ＧＯ１と同様に、第２外層ＬＯ２を形成する複数の結晶粒ＧＯ２も、第１面１１１に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なっている。また、第２中間層ＬＭ２を形成する複数の結晶粒ＧＭ２も、第１面１１１に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なっている。
　なお、上述したそれぞれの結晶粒について、第１面１１１に対して直交方向から見たときの長手方向は、走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ：Scanning　Electron　Microscope)の拡大倍率をたとえば５０００倍にして撮影した画像データを目視で確認することにより、または、コンピュータに読み込ませて解析することにより算出することが可能である。また、複数の結晶粒の上記長手方向の長さは、たとえば１００[ｎｍ]以上１００[μｍ]以下である。上記長手方向の長さが１００[μｍ]以下であれば、結晶粒の大きさが十分小さくなる。シールド膜１６０が第１部品１２０または封止樹脂１５０から剥がれようとする力の大きさは結晶粒の大きさに比例するため、結晶粒の大きさが十分小さくなれば、シールド膜１６０が第１部品１２０または封止樹脂１５０から剥がれようとする力が小さくなる。よって、シールド膜１６０の剥がれによる変形がより抑制される。
　また、シールド膜１６０、すなわち、第１内層ＬＩ１、第１中間層ＬＭ１、第１外層ＬＯ１、第２内層ＬＩ２、第２中間層ＬＭ２および第２外層ＬＯ２の各々は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕから選択される少なくとも１つの元素を含んでいればよく、これらの元素を含む合金であってもよい。具体的には、シールド膜１６０は、Ｃｕおよびステンレス鋼を含んでいる。第１内層ＬＩ１、第１外層ＬＯ１、第２内層ＬＩ２および第２外層ＬＯ２は、ステンレス鋼からなる。第１中間層ＬＭ１および第２中間層ＬＭ２は、主材料としてＣｕを含んでいる。
　また、図２に示すように、内部電極１７０は、基板１１０の内部に位置して基板１１０の側面１１３から露出し、シールド膜１６０と接している。内部電極１７０は、グランド電極である。
　以下、本発明の実施形態１に係るモジュール１００の製造方法について説明する。図６は、本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、集合基板を準備した状態を示す断面図である。図６に示すように、集合基板１１０ａは、複数のモジュール１００の各々が備えている基板１１０の集合体である。集合基板１１０ａは、複数の基板１１０の各々の第１面１１１が、互いに連続するように複数の基板１１０が互いに接続されている。
　図７は、本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、集合基板に第１部品などを実装した状態を示す断面図である。図７に示すように、集合基板１１０ａの第１面１１１上に、第１部品１２０、および、第２部品１３０などの部品を実装する。これらの部品は、たとえば、はんだペーストを第１面１１１上に印刷した後、このはんだぺーストを用いたリフローはんだ付けによって、第１面１１１上に搭載される。なお、第１面１１１上にこれらの部品が実装された後、フラックス洗浄が実施される。
　図８は、本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、集合基板の第１面上に、封止樹脂を配置した状態を示す断面図である。図８に示すように、集合基板１１０ａの第１面１１１上に、モールド成形により硬化前の封止樹脂１５０を設ける。この際、封止樹脂１５０は、第１面１１１上に実装された第１部品１２０および第２部品１３０を完全に覆うように封止する。その後、硬化前の封止樹脂１５０が設けられた集合基板１１０ａをオーブンなどにより加熱することにより、封止樹脂１５０を硬化させる。なお、硬化前の封止樹脂１５０をモールド成形するにあたり、予め樹脂成分にフィラーを添加して混練しておく。
　図９は、本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、封止樹脂および第１部品を研削しているときの状態を示す断面図である。図１０は、本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、封止樹脂および第１部品が研削された状態の構成を示す平面図である。図１１は、図１０に示した研削工程後の状態の構成をＸＩ－ＸＩ線矢印方向から見た断面図である。図９から図１１に示すように、図８の状態の封止樹脂１５０において、第１面１１１側とは反対側の部分を研削機１０００により研削する。このとき、第１部品１２０においても、回路面１２２とは反対側の部分を、封止樹脂１５０とともに研削する。
　なお、封止樹脂１５０および第１部品１２０は、第２部品１３０が封止樹脂１５０から露出しないように研削される。このため、第１面１１１の直交方向において、たとえば、第２部品１３０の最大高さが３００[μｍ]の場合は、研削前の第１部品１２０の高さを４００[μｍ]、研削前の封止樹脂１５０の高さを５００[μｍ]とし、研削により第１部品１２０および封止樹脂１５０の高さを３５０[μｍ]とすればよい。
　上述の研削工程において用いられる研削機１０００は特に限定されないが、たとえば回転研削機である。より具体的には、研削砥石１１００が設けられた円形のホイール１２００を用いた、クリープフィード研削またはインフィード研削によって、第１部品１２０および封止樹脂１５０が研削される。研削砥石としては、ダイヤモンド粒子などの硬い粒子を、レジンなどの結合剤で固めたものが使用される。
　上記ホイール１２００の軸方向は、第１面１１１の面方向に垂直な方向であり、かつ、ホイール１２００の直径はモジュール１００の大きさより十分長いため、研削砥石１１００は、第１面１１１の面方向に沿うように略直線的に移動する。よって、第１部品１２０の表面(すなわち、回路面１２２とは反対側の面)には、研削砥石１１００が設けられたホイール１２００の回転方向に沿うように、互いに略平行な複数の直線状の研削傷が形成される。
　また、クリープフィード研削またはインフィード研削は、封止樹脂１５０の表面形状にも、影響を与える。図１２は、図１１の領域ＸＩＩの構成を示す部分断面図である。図１２に示すように、封止樹脂１５０を研削した際にその研削荷重により、封止樹脂１５０の表面近傍において、フィラー１５０Ｆの一部が欠けて、欠損部１５１が生じる。この欠損部１５１は、樹脂成分１５０Ｒとフィラー１５０Ｆとの界面で発生しやすい。また、封止樹脂１５０の表面に露出したフィラー１５０Ｆが脱粒することにより、凹部１５２も形成される。凹部１５２はたとえば半球状である。さらに、この欠損部１５１および凹部１５２に、研削で削り取られた樹脂が押し込まれ、かつ引き延ばされる。これにより、封止樹脂１５０の第１面１１１側とは反対側の表面には多くの皺も発生し、結果として、細かい凹凸がランダムが形成される。
　図１３は、本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、研削工程直後の第１部品の表面の一例を示す光学顕微鏡画像である。図１３に示すように、研削工程直後の第１部品１２０の表面には、互いに略平行な複数の直線状の研削傷が形成されている。
　図１４は、本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、研削工程後の粗化処理工程を示す断面図である。図１４に示すように、粗化処理工程においては、噴射ノズル２０００を用いて、ウェットブラストにより、研削工程後の第１部品１２０の回路面１２２と反対側の部分にブラスト粒子を噴射する。これにより、粗化処理された、第１部品１２０の露出面１２１が形成される。露出面１２１においては、クリープフィード研削またはインフィード研削による第１部品１２０の表面における直線状の研削傷は消失し、代わりに、第１部品１２０の表面に衝突するブラスト粒子の形状に応じた打撃痕による細かい凹凸形状がランダムに形成される。なお、第１部品１２０とともに、封止樹脂１５０の表面をウェットブラストであらしてもよい。
　ウェットブラストの際に噴射するスラリーとしては、たとえばアルミナ(Ａｌ2Ｏ3)砥粒を水に混ぜたものが挙げられる。アルミナ砥粒は、たとえばＪＩＳ規格(ＪＩＳ６００１－２(２０１７))で定められた精密研磨用微粉として＃６００の粒度のもの(平均粒径が約２０[μｍ]のもの)を用いることができ、スラリー中のアルミナ濃度は１０[ｗｔ％]以上２０[ｗｔ％]以下である。上記スラリーは、圧力が０．１[ＭＰａ]以上０．４[ＭＰａ]以下の圧縮空気と混合された状態で噴射される。そして、圧縮空気の圧力、各噴射箇所における噴射時間を制御することにより、露出面１２１の表面粗さ(算術平均粗さ(Ｒａ))を制御できる。たとえば、圧縮空気の圧力を大きくする、または、噴射時間を長くすることで、露出面１２１の表面粗さ(算術平均粗さ(Ｒａ))を大きくできる。なお、上記の噴射時間は、噴射ノズル２０００を第１面１１１に平行に移動させつつ各噴射箇所における移動時間を調整、または、各噴射箇所における噴射回数を調整することにより、制御する。
　なお、粗化処理工程においては、ウェットブラストに代えて、圧縮空気でアルミナ粉を直接第１部品１２０(および封止樹脂１５０)に向かって噴射するドライブラストを実施してもよい。ドライブラストを実施した場合でも、第１部品１２０の露出面１２１にランダムで細かい凹凸形状が形成される。粗化処理工程の後に、洗浄工程を行ってもよい。第１部品１２０を構成する主材料が、多結晶体またはガラスなどの非晶質体である場合には、ウェットブラストに代えて、第１部品１２０をケミカルエッチングにより処理してもよい。特に、第１部品１２０を構成する主材料が多結晶体である場合には、第１部品１２０において、形状が異なる結晶粒がランダムに存在しており、結晶粒界がエッチングされやすい。このため、エッチングによりランダムに存在する結晶粒が表面に突出して残り、第１部品１２０の露出面１２１にランダムで細かい凹凸形状が形成される。
　また、クリープフィード研削またはインフィード研削による研削工程と、粗化処理工程とに代えて、第１部品１２０および封止樹脂１５０を平面研削方式により研削してもよい。平面研削方式では、中心軸が第１面１１１に平行方向に延びる円盤砥石が回転することで、砥石の回転面が第１部品１２０および封止樹脂１５０に接する。これにより第１部品１２０および封止樹脂１５０が研削される。この場合、砥石の表面に設けられた複数の粒子(たとえばダイヤモンド粒子)の各々が、第１部品１２０に個別的に一瞬のみ接触する。このため、上記粒子が１回の接触あたり研削する距離が非常に短い。これにより、第１部品１２０に直線的で連続的な傷が生じず、細かいランダムな凹凸形状を有する、粗化処理された露出面１２１を形成できる。
　また、クリープフィード研削またはインフィード研削による研削工程と、粗化処理工程とに代えて、第１部品１２０の表面にランダムに掃引したレーザーパルスを照射してもよい。これにより、粗化処理された露出面１２１を形成できる。この場合は第１部品１２０の露出面１２１側の主材料がレーザー光を透過しないことが望ましい。たとえば、第１部品１２０の露出面１２１側の主材料がＳｉの場合、上記のレーザパルスは、波長１μｍ以下のたとえばＹＡＧレーザの高調波などのパルス波であることが望ましい。
　図１５は、本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、粗化処理工程直後の第１部品の表面の一例を示す光学顕微鏡画像である。図１５に示すように、ウェットブラスト直後の第１部品１２０の表面（すなわち露出面１２１）には、ブラスト粒子（上記の例ではアルミナ砥粒）の打撃痕（凹部）が互いに重なり合いつつ、これらの打撃痕がランダムに分布している。ブラスト粒子は、その形状および大きさが互いに異なるため、それぞれの打撃痕自体の形状も互いに異なっている。このように第１部品１２０が粗化処理されることで、露出面１２１には細かいランダムな凹凸形状が形成される。露出面１２１には、研削工程直後の直線状の研削傷がほとんど残っていない。
　図１６は、本発明の実施形態１に係るモジュールの製造方法において、集合基板を個片化しているときの状態を示す断面図である。図１６に示すように、必要に応じて、ダイサーなどにより、集合基板１１０ａを切断することにより、集合基板１１０ａは複数の基板１１０に個片化される。これに伴い、封止樹脂１５０も同時に切断され、複数の封止樹脂１５０が、複数の基板１１０の各々に対応するように個片化される。
　そして、図１および図２に示すように、金属原子のスパッタリングにより、第１部品１２０、封止樹脂１５０、および、基板１１０の側面１１３上にシールド膜１６０を形成することで、モジュール１００が製造される。
　このとき、図３から図５に示すように、第１部品１２０の露出面１２１上および封止樹脂１５０の表面上におけるランダムな凹凸形状により、複数の金属結晶粒の各々の成長速度に差が生じる。このため、第１当接部１６１および第２当接部１６２に含まれる層を形成する複数の結晶粒は、第１面１１１に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なるように形成される。また、シールド膜１６０の厚さは、スパッタリングの条件により調整される。
　なお、本実施形態においては、第１内層ＬＩ１および第２内層ＬＩ２は、第１中間層ＬＭ１および第２中間層ＬＭ２と比較して非常に薄く成膜されるため、結晶粒界が生じていない。しかしながら、第１内層ＬＩ１および第２内層ＬＩ２は、非常に薄い上記の凹凸形状に沿って成膜される。これにより、第１中間層ＬＭ１および第２中間層ＬＭ２は凹凸形状の影響を受け、第１面１１１に対して直交方向から見たときに、複数の結晶粒ＧＭ１の長手方向が互いに異なるように形成され、複数の結晶粒ＧＭ２の長手方向が互いに異なるように形成される。また、第１外層ＬＯ１および第２外層ＬＯ２は、それぞれ、第１中間層ＬＭ１の結晶粒ＧＭ１および第２中間層ＬＭ２の結晶粒ＧＭ２に対応するように金属粒子が成長する。このため、第１面１１１に対して直交方向から見たときに、複数の結晶粒ＧＯ１の長手方向が互いに異なるように形成され、複数の結晶粒ＧＯ２の長手方向が互いに異なるように形成される。結果として、第１面１１１の直交方向から見た各結晶粒の大きさが小さくなるように結晶粒が形成され、シールド膜１６０が第１部品１２０から剥がれようとする力が小さくなる。
　なお、ウエットブラストの表面加工後において、露出面１２１の算術平均粗さ(Ｒａ)が大きいほど、シールド膜１６０の結晶粒の長手方向のランダム性も大きくなるため、結晶粒は比較的小さいサイズになる。よって、シールド膜１６０が第１部品１２０から剥がれようとする力もより小さくなる。
　ここで、クリープフィード研削またはインフィード研削による研削工程の後、粗化処理を実施することなく第１部品上に金属シールド膜を形成することで製造した比較例に係るモジュールについて説明する。
　図１７は、比較例に係るモジュールを部分的に示した模式的な斜視断面図である。図１７に示すように、比較例に係るモジュール９００においては、第１部品９２０上のシールド膜９６０における複数の結晶粒が、基板の第１面に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに同一となっている。比較例においては、クリープフィード研削またはインフィード研削による第１部品９２０上の研削傷に沿って結晶粒界が形成されるためである。
　このような複数の結晶粒は、各々の長手方向長さが非常に長くなるため、シールド膜９６０が第１部品９２０から剥がれようとする力が大きくなる。もし、シールド膜９６０の一部が第１部品９２０から剥がれると、シールド膜９６０が面内方向において分断される。このため、シールド膜９６０の面内方向における伝熱性が低くなり、モジュール９００は放熱性が比較的低くなる。また、モジュール９００をピックアップしてマザー基板に実装する際には、シールド膜９６０の一部が、ピックアップノズルから受ける力により剥がれ落ちる場合がある。剥がれ落ちたシールド膜９６０が、モジュール９００の電極とマザー基板の電極との間に入りこみ、ショート不良が発生する場合もある。
　一方、図１から図５に示すように、本発明の実施形態１に係るモジュール１００においては、第１当接部１６１が、第１部品１２０の露出面１２１と接しており、複数の結晶粒で形成された層を含んでいる。当該複数の結晶粒は第１面１１１に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なっている。これにより、上記結晶粒のサイズが比較的小さくなり、シールド膜１６０のうち第１当接部１６１が第１部品１２０から剥がれたり、割れたりするなどの変形が抑制され、厚さ方向に交差する方向における伝熱性低下が抑制される。すなわち、シールド膜１６０の変形による放熱性の低下を抑制できる。
　さらには、第１部品１２０として、たとえば、発熱量増加の原因となる大電流が入力される表面弾性波フィルター、バルク弾性波フィルター、または、パワーアンプ系のＩＣを用いた場合でも、第１部品１２０の放熱性が向上しているため、第１部品１２０から、モジュール１００に実装された他の部品への伝熱量が比較的抑制される。このため、モジュール１００に、第１部品１２０を含む複数の部品を高密度に実装できる。ひいては、モジュール１００の小型化が可能となり、モジュール１００は、無線通信の分野において内部配線の微小化または内部部品の集積化が求められる小型機器、たとえば、スマートフォンに好適に実装され得る。
　本発明の実施形態１に係るモジュール１００においては、第１当接部１６１が、粗化処理された露出面１２１と接している。これにより、第１当接部１６１を露出面１２１上に形成したときには、粗化処理されることにより露出面１２１に形成された複数の微小な凹部のそれぞれに対応するように、シールド膜１６０の各結晶粒が成長する。このため、シールド膜１６０の結晶粒のサイズを容易に小さくできる。ひいては、第１当接部１６１が第１部品１２０から剥がれたり、割れたりするなどの変形が抑制され、厚さ方向に交差する方向における伝熱性低下が抑制される。すなわち、シールド膜１６０の変形による放熱性の低下を抑制できる。
　本発明の実施形態１に係るモジュール１００においては、露出面１２１の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．１５μｍ以上０．９５μｍ以下である。露出面１２１の算術平均粗さ（Ｒａ）が、０．１５μｍ以上であることにより、第１当接部１６１の結晶粒が十分小さくなる。露出面１２１の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．９５μｍ以下であることにより、第１当接部１６１の形成不良を抑制できる。
　また、本実施形態において、第１部品１２０は、露出面１２１とは反対側に位置する回路面１２２をさらに有している。これにより、第１部品１２０において、露出面１２１の加工が容易となる。また、回路面１２２側における発熱を露出面１２１を介してシールド膜１６０に伝える際に、第１部品１２０自体が放熱経路としてより効果的に機能する。
　本実施形態において、第１部品１２０において露出面１２１を形成する部分は、タンタル酸リチウム(ＬｉＴａＯ3)、ニオブ酸リチウム(ＬｉＮｂＯ3)、石英(ＳｉＯ2)、ＳｉおよびＧａＡｓのうち少なくとも１つを含んでいる。これにより、第１部品１２０自体が放熱経路としてより効果的に機能する。
　本実施形態において、シールド膜１６０は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕから選択される少なくとも１つの元素を含んでいる。シールド膜１６０がこのような元素を含む場合、第１面１１１上に実装された第１部品１２０に対するシールド性を確保するとともに、露出面１２１から放熱された熱は、シールド膜１６０からさらに外部に放熱される。
　本実施形態において、シールド膜１６０は、封止樹脂１５０のうち基板１１０側とは反対側の部分に接する第２当接部１６２を有している。第２当接部１６２は、複数の結晶粒で形成された層を含んでいる。複数の結晶粒は、第１面１１１に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なる。これにより、第１当接部１６１と同様に、シールド膜１６０の変形による放熱性の低下を抑制できる。
　本実施形態において、シールド膜１６０は、第１部品１２０および封止樹脂１５０を覆いつつ基板１１０の側面に向かって延び、基板１１０の側面１１３と接している。これにより、シールド膜１６０の表面積を大きくでき、シールド膜１６０の放熱性を向上させることができる。
　本実施形態において、モジュール１００は、基板１１０の内部に位置して基板１１０の側面から露出し、シールド膜１６０と接する内部電極１７０をさらに備えている。これにより、基板１１０における熱を、内部電極１７０およびシールド膜１６０を介して外部により効果的に放熱できる。
　(実施形態２)
　以下、本発明の実施形態２に係るモジュールについて説明する。本発明の実施形態２に係るモジュールは、主に、基板の第２面側にも部品が実装される点が本発明の実施形態１に係るモジュール１００と異なる。よって、本発明の実施形態２に係るモジュール２００と同様の構成については説明を繰り返さない。
　図１８は、本発明の実施形態２に係るモジュールを示す断面図である。図１８に示すように、本実施形態に係るモジュール２００においては、第３部品２４０が第２面１１２側に実装されている。第３部品２４０はたとえばＩＣである。また、(第１)封止樹脂１５０とは別に、第２封止樹脂２９０が、第２面１１２側にも設けられている。第２面１１２側に設けられた第２外部端子２１６は、第２封止樹脂２９０から露出している。第２面１１２側に設けられた第２外部端子２１６は、たとえばはんだバンプである。
　また、第２外部端子２１６は、上述の構成に限定されない。図１９は、本発明の実施形態２の変形例に係るモジュールを示す断面図である。図１９に示すように、本変形例に係るモジュール２００ａにおいて、第２面１１２側に設けられた第２外部端子２１６ａは、棒状電極とはんだバンプとを有している。棒状電極(Ｉ／Ｏピン)は、第２封止樹脂２９０から露出している。はんだバンプは、第２封止樹脂２９０から露出した棒状電極上に接続されている。
　本発明の実施形態２に係るモジュール２００およびその変形例に係るモジュール２００ａにおいても、第１当接部１６１が、第１部品１２０の露出面１２１と接しており、複数の結晶粒で形成された層を含んでいる。当該複数の結晶粒は第１面１１１に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なっている。これにより、シールド膜１６０の変形による放熱性の低下を抑制できる。
　(実施形態３)
　以下、本発明の実施形態３に係るモジュールについて説明する。本発明の実施形態３に係るモジュールは、主に、基板の第１面において封止樹脂で封止されない領域がある点が本発明の実施形態１に係るモジュール１００と異なる。よって、本発明の実施形態１に係るモジュール１００と同様の構成については説明を繰り返さない。
　図２０は、本発明の実施形態３に係るモジュールを示す断面図である。図２０に示すように、本実施形態に係るモジュール３００において、基板１１０の第１面１１１には、部分的に封止樹脂１５０で覆われない領域Ｒがある。領域Ｒには、電極３１６が形成され、電極３１６を介して第４部品３４１が実装される。第４部品３４１はたとえばコネクタである。領域Ｒには複数の第４部品３４１が実装されていてもよく、第４部品３４１はコネクタの他、センサなど封止樹脂１５０で封止できない部品であってもよい。
　基板１１０には、アンテナ３１７が設けられている。アンテナ３１７は基板１１０の第２面１１２上に形成されていてもよいし、基板１１０内部において第２面１１２の近くに設けられていてもよい。基板１１０の第１面１１１には、グランド電極３１８が設けられている。グランド電極３１８は、シールド膜１６０と接している。
　本発明の実施形態３に係るモジュール３００の製造方法において、封止樹脂１５０の成型方法がたとえばトランスファーモールドである場合は、基板１１０の第１面１１１のうち一部の領域には樹脂が流入しない構成の金型で封止樹脂１５０の成形を行うことにより、領域Ｒを形成すればよい。また、粗化処理工程においては、封止樹脂１５０で覆われない領域Ｒが粗化処理加工されないようにあらかじめ保護される必要がある。保護方法は、たとえば、粗化処理工程前に領域Ｒをカバーなどで覆う方法であってもよい。
　本発明の実施形態３に係るモジュール３００においても、第１当接部１６１が、第１部品１２０の露出面１２１と接しており、複数の結晶粒で形成された層を含んでいる。当該複数の結晶粒は第１面１１１に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なっている。これにより、シールド膜１６０の変形による放熱性の低下を抑制できる。
　(実施形態４)
　以下、本発明の実施形態４に係るモジュールについて説明する。本発明の実施形態４に係るモジュールは、主に、シールド接続用部材をさらに備えている点が本発明の実施形態３に係るモジュールと異なる。よって、本発明の実施形態３に係るモジュール３００と同様の構成については説明を繰り返さない。
　図２１は、本発明の実施形態４に係るモジュールを示す断面図である。図２１に示すように、本発明の実施形態４に係るモジュール４００は、シールド接続用部材４４２をさらに備えている。シールド接続用部材４４２は、基板１１０の第１面１１１上に設けられたグランド電極３１８と接続されている。シールド接続用部材４４２は、シールド膜１６０の内側にてシールド膜１６０と接している。これにより、シールド膜１６０は、シールド接続用部材４４２を介して、グランド電極３１８と電気的に接続されている。
　また、本発明の実施形態４に係るモジュール４００においては、封止樹脂１５０の下面から第１部品１２０の接合部（はんだバンプ１２９に相当）および第２部品１３０の接合部（はんだ１３９に相当）が露出している。シールド膜１６０は、側面１１３と接していない。
　図２１に示される本発明の実施形態４に係るモジュール４００は、たとえば、以下に説明される組立体と、第４部品３４１とを、基板１１０に実装することで製造可能である。図２２は、本発明の実施形態４に係るモジュールを製造する際に用いられる組立体の一例を示す断面図である。図２２に示される組立体４００Ｘを、第４部品３４１と共に基板１１０の第１面１１１に実装することで、本発明の実施形態４に係るモジュール４００を製造することができる（図２１参照）。なお、図２２においては、組立体４００Ｘのうちモジュール４００の相当部分には同一符号を付している。
　組立体４００Ｘは、第１部品１２０と第２部品１３０とを電気的に接続する配線を備えていない。第１部品１２０と第２部品１３０とを接続する配線は、組立体４００Ｘが実装される基板１１０に設けられる。組立体４００Ｘを基板１１０に実装することにより、組立体４００Ｘの部品同士が電気的に接続される。なお、組立体４００Ｘは、基板の代わりに一時キャリア上に組立体４００Ｘを設けることを除いて、本発明の実施形態１に係るモジュール１００の製造方法と同様の製造方法によって製造することができる。すなわち、一時キャリア上に組立体４００Ｘが設けられた後、組立体４００Ｘから一時キャリアが除去されることで、組立体４００Ｘが製造される。
　上述した実施形態の説明において、組み合わせ可能な構成を相互に組み合わせてもよい。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１００，２００，２００ａ，３００，４００，９００　モジュール、１１０　基板、１１０ａ　集合基板、１１１　第１面、１１２　第２面、１１３　側面、１１５　外部端子、１１６　内部端子、１２０，９２０　第１部品、１２１　露出面、１２２　回路面、１２３　周側面、１２９　はんだバンプ、１３０　第２部品、１３９　はんだ、１５０　封止樹脂、１５０Ｆ　フィラー、１５０Ｒ　樹脂成分、１５１　欠損部、１５２　凹部、１６０，９６０　シールド膜、１６１　第１当接部、１６２　第２当接部、１７０　内部電極、２１６，２１６ａ　第２外部端子、２４０　第３部品、２９０　第２封止樹脂、３１６　電極、３１７　アンテナ、３１８　グランド電極、３４１　第４部品、４００Ｘ　組立体、４４２　シールド接続用部材、１０００　研削機、２０００　噴射ノズル、ＧＭ１，ＧＭ２，ＧＯ１，ＧＯ２　結晶粒、ＬＩ１　第１内層、ＬＩ２　第２内層、ＬＭ１　第１中間層、ＬＭ２　第２中間層、ＬＯ１　第１外層、ＬＯ２　第２外層。

Claims (10)

  1. 　第１面を有する基板と、
    　前記第１面に実装された第１部品と、
    　前記第１部品を少なくとも側方から封止する封止樹脂と、
    　前記第１部品および前記封止樹脂を覆う金属製のシールド膜と、を備え、
    　前記第１部品は、前記基板側とは反対側において前記封止樹脂から露出した露出面を有し、
    　前記シールド膜は、前記露出面と接する第１当接部を有し、
    　前記第１当接部は、複数の結晶粒で形成された層を含み、該複数の結晶粒は前記第１面に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なる、モジュール。
  2. 　前記露出面は粗化処理されている、請求項１に記載のモジュール。
  3. 　前記露出面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．１５μｍ以上０．９５μｍ以下である、請求項２に記載のモジュール。
  4. 　前記第１部品は、前記露出面とは反対側に位置する回路面をさらに有する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のモジュール。
  5. 　前記第１部品において前記露出面を形成する部分は、タンタル酸リチウム(ＬｉＴａＯ3)、ニオブ酸リチウム(ＬｉＮｂＯ3)、石英(ＳｉＯ2)、ＳｉおよびＧａＡｓのうち少なくとも１つを含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のモジュール。
  6. 　前記シールド膜は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕから選択される少なくとも１つの元素を含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のモジュール。
  7. 　前記シールド膜は、前記封止樹脂のうち前記基板側とは反対側の部分に接する第２当接部を有し、
    　前記第２当接部は、複数の結晶粒で形成された層を含み、該複数の結晶粒は、前記第１面に対して直交方向から見たときの長手方向が互いに異なる、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のモジュール。
  8. 　前記シールド膜は、前記第１部品および前記封止樹脂を覆いつつ前記基板の側面に向かって延び、前記基板の前記側面と接する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のモジュール。
  9. 　前記基板の内部に位置して前記基板の前記側面から露出し、前記シールド膜と接する内部電極をさらに備える、請求項８に記載のモジュール。
  10. 　第１面を有する基板と、
    　前記第１面に実装された第１部品と、
    　前記第１部品を少なくとも側方から封止する封止樹脂と、
    　前記第１部品および前記封止樹脂を覆う金属製のシールド膜と、を備え、
    　前記第１部品は、前記基板側とは反対側において前記封止樹脂から露出した露出面を有し、
    　前記シールド膜は、前記露出面と接する第１当接部を有し、
    　前記露出面は、粗化処理されている、モジュール。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04332131A (ja) * 1991-05-08 1992-11-19 Nec Corp 半導体装置
JP2014183181A (ja) * 2013-03-19 2014-09-29 Tdk Corp 電子部品モジュール及びその製造方法
JP2018056393A (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法および成膜装置
JP2018064089A (ja) * 2016-10-13 2018-04-19 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品、電子部品の製造装置及び電子部品の製造方法
US20190139902A1 (en) * 2017-11-08 2019-05-09 Inari Semiconductor Labs Sdn Bhd Ultra-thin thermally enhanced electro-magnetic interference shield package
WO2021124806A1 (ja) * 2019-12-20 2021-06-24 株式会社村田製作所 電子部品モジュール、および、電子部品モジュールの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04332131A (ja) * 1991-05-08 1992-11-19 Nec Corp 半導体装置
JP2014183181A (ja) * 2013-03-19 2014-09-29 Tdk Corp 電子部品モジュール及びその製造方法
JP2018056393A (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法および成膜装置
JP2018064089A (ja) * 2016-10-13 2018-04-19 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品、電子部品の製造装置及び電子部品の製造方法
US20190139902A1 (en) * 2017-11-08 2019-05-09 Inari Semiconductor Labs Sdn Bhd Ultra-thin thermally enhanced electro-magnetic interference shield package
WO2021124806A1 (ja) * 2019-12-20 2021-06-24 株式会社村田製作所 電子部品モジュール、および、電子部品モジュールの製造方法

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