WO2023067860A1 - 保護キャップ、電子装置及び保護キャップの製造方法 - Google Patents

保護キャップ、電子装置及び保護キャップの製造方法 Download PDF

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WO2023067860A1
WO2023067860A1 PCT/JP2022/028063 JP2022028063W WO2023067860A1 WO 2023067860 A1 WO2023067860 A1 WO 2023067860A1 JP 2022028063 W JP2022028063 W JP 2022028063W WO 2023067860 A1 WO2023067860 A1 WO 2023067860A1
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亮太 間嶌
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日本電気硝子株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a protective cap, an electronic device, and a method for manufacturing a protective cap.
  • Electronic devices equipped with electronic components such as LEDs have come to be used in various fields such as lighting and communication for reasons such as long life and energy saving.
  • a protective cap in order to protect the electronic components, the substrate on which the electronic components are mounted may be covered with a protective cap so that the electronic components are housed inside.
  • a protective cap includes a frame (second member) surrounding an electronic component and a lid (cover member) covering one end opening of the frame. .
  • the protective cap is integrally constructed by joining the frame and lid.
  • a method of joining the frame and the lid for example, a method of welding a part of the frame and a part of the lid by irradiating the contact portion between the frame and the lid with a laser beam.
  • a technique for joining two members with a laser for example, in Patent Document 2, a first substrate and a second substrate are superimposed and a welded portion (fused portion) is formed in the interface region by laser irradiation. A method for doing so is disclosed.
  • the electronic component is a light-emitting element such as an LED
  • an antireflection film is formed on the front and back surfaces of the lid portion, when the frame portion and the lid portion are overlapped for bonding, part of the antireflection film comes into contact with the frame portion.
  • the antireflection film may be interposed between the frame and lid, resulting in insufficient welding between the frame and lid.
  • the present invention is intended to solve the above problems, and is a protective cap for protecting electronic components, comprising a frame, a lid covering one end of the frame, and the frame and the lid.
  • the lid has a first surface in contact with the one end of the frame through the joint, the first surface being a first antireflection
  • the first antireflection film has a contact portion that contacts the frame portion, and the contact portion has a surface roughness Sa of 0.1 to 1.0 nm.
  • the adhesion of the contact portion between the contact portion and the frame portion can be improved. . Therefore, by irradiating this contact portion with a laser, it is possible to form a joint having sufficient joint strength. Moreover, even when the protective cap is required to be airtight, sufficient airtightness of the joint can be ensured.
  • the lid portion may have a second surface located on the opposite side of the first surface, and the second surface may have a second antireflection coating.
  • An electronic device comprises an electronic component, a base material on which the electronic component is mounted, and the protective cap bonded to the base material so as to accommodate the electronic component inside. characterized by In this way, it is possible to enjoy the same effect as the corresponding configuration of the protective cap already described.
  • the present invention provides a method for manufacturing the above protective cap, comprising: a film forming step of forming the first antireflection film on the first surface of the lid portion by a film forming apparatus that performs physical vapor deposition; a joining step of joining the first surface of the portion and the one end portion of the frame portion, wherein the film forming apparatus includes a holder that holds the lid portion and is movable in a predetermined direction; A target that scatters particles that are a material of the first antireflection film, and a shield member that regulates a scattering direction of the particles that have been scattered from the target. While partially shielded by the shield member, particles that scatter without contacting the shield member are caused to adhere to the first surface of the lid portion that moves while being held by the holder. do.
  • the particles can be uniformly adhered to the first surface of the lid portion by partially shielding the particles scattered from the target by the shield member. This makes it possible to minimize the surface roughness of the first antireflection film.
  • the targets may include a first target and a second target arranged side by side, and the shield member may be arranged between the first target and the second target.
  • the scattering directions of the particles scattered from the first target and the particles scattered from the second target are regulated by the shield member, thereby minimizing the surface roughness of the first antireflection film. becomes possible.
  • the shield member may be provided on the holder.
  • the first surface of the lid portion and the one end portion of the frame portion are brought into contact with each other, and the contact portion is irradiated with a laser so that the first surface of the lid portion and the The one end portion of the frame portion may be directly joined.
  • a protective cap with excellent airtightness and high bonding strength can be manufactured.
  • the frame and lid can be suitably joined.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a protective cap;
  • FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 1; It is the schematic of a film-forming apparatus.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a step in the method of manufacturing the protective cap;
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a step in the method of manufacturing the protective cap;
  • FIG. 4 is a plan view showing a step in the method of manufacturing the protective cap;
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing one step in the method of manufacturing an electronic device; It is a schematic diagram showing another example of a film forming apparatus.
  • FIG. 1 to 8 show an embodiment of a protective cap, an electronic device, and a method of manufacturing a protective cap according to the present invention.
  • an electronic device 1 includes an electronic component 2, a base material 3 on which the electronic component 2 is mounted, and a protective cover disposed on the base material 3 so as to accommodate the electronic component 2 therein.
  • a cap 4 and a sealing part 5 for sealing the base material 3 and the protective cap 4 are provided.
  • the electronic component 2 is fixed to the base material 3 and housed in the space inside the protective cap 4 .
  • the electronic component 2 include optical devices such as laser modules, LED light sources, optical sensors, imaging elements, and optical switches.
  • optical devices such as laser modules, LED light sources, optical sensors, imaging elements, and optical switches.
  • the electronic component 2 is an LED for ultraviolet irradiation.
  • the base material 3 has a first surface 3a that supports the electronic component 2 and the protective cap 4, and a second surface 3b located on the opposite side of the first surface 3a.
  • the base material 3 is a plate-like body in which both the first surface 3a and the second surface 3b are flat surfaces.
  • the substrate 3 may be provided with a concave portion in a portion of the first surface 3a where the electronic component 2 is mounted.
  • the base material 3 is made of, for example, metal, metal oxide ceramics, LTCC or metal nitride ceramics.
  • metals include copper and metallic silicon.
  • metal oxide ceramics include aluminum oxide.
  • LTCC include sintered composite powder containing crystallizable glass and refractory filler.
  • metal nitride ceramics examples include aluminum nitride.
  • the base material 3 is made of aluminum nitride.
  • the thermal expansion coefficient of aluminum nitride in the temperature range of 30 to 380°C is, for example, 46 ⁇ 10 -7 /°C.
  • the protective cap 4 includes a frame portion 6, a lid portion 7 that covers one end of the frame portion 6, and a joint portion 8 that joins the frame portion 6 and the lid portion 7 together.
  • the frame portion 6 is a tubular body having a through portion (hole) H at its center.
  • the frame portion 6 surrounds the electronic component 2 accommodated in the space corresponding to the through portion (hole) H.
  • the frame portion 6 is configured as a rectangular cylinder, it may have another shape such as a cylinder.
  • the frame portion 6 has a first end surface 6 a fixed to the lid portion 7 and a second end surface 6 b fixed to the base material 3 .
  • the surface roughness Sa (arithmetic mean surface height) of the first end face 6a is preferably 0.1 to 1.0 nm.
  • the surface roughness Sa of the second end surface 6b is preferably 0.1 to 1.0 nm.
  • the surface roughness Sa is measured according to ISO25178 (same below).
  • the frame portion 6 is made of a material having optical transparency, for example, a glass material having a thermal expansion coefficient of 30 ⁇ 10 -7 to 100 ⁇ 10 -7 /°C in a temperature range of 30 to 380°C.
  • the glass material of the frame portion 6 is preferably ultraviolet transmitting glass.
  • the thickness of the frame portion 6 is preferably larger than the electronic component 2, preferably 0.01 to 1 mm larger than the electronic component 2, more preferably 0.05 to 0.5 mm larger, and 0.1 to 0.1 mm larger than the electronic component 2. 0.2 mm larger is most preferred.
  • the lid portion 7 is made of a substrate having light transmittance. Specifically, the lid portion 7 is made of a glass substrate containing quartz glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, or other types of glass, a sapphire substrate, a resin substrate, or the like.
  • Quartz glass includes fused quartz and synthetic quartz.
  • the coefficient of thermal expansion of fused silica glass in the temperature range of 30 to 380° C. is, for example, 6.3 ⁇ 10 ⁇ 7 /° C.
  • the coefficient of thermal expansion of synthetic silica glass in the temperature range of 30 to 380° C. is, for example, 4.0 ⁇ . 10 -7 /°C.
  • the thickness of the lid portion 7 is preferably 0.1 to 1.0 mm, more preferably 0.2 to 0.8 mm, most preferably 0.3 to 0.6 mm.
  • the lid portion 7 has a first surface 7a fixed to the frame portion 6 and a second surface 7b located on the opposite side of the first surface 7a.
  • the first surface 7a has an antireflection film (hereinafter referred to as "first antireflection film”) 9 as a functional film.
  • the first antireflection film 9 has a multi-layer structure in which, for example, a silicon oxide film (SiO 2 ) as a low refractive index layer and a hafnium oxide film (HfO 2 ) as a high refractive index layer are alternately laminated.
  • the material of the antireflection film is not limited to this embodiment.
  • the first surface 7a is in contact with one end portion (first end surface 6a) of the frame portion 6 via the joint portion 8 and the first antireflection film 9.
  • the first antireflection film 9 has a contact portion 9 a that contacts the frame portion 6 .
  • the surface roughness of the contact portion 9a is 0.1 to 1.0 nm, preferably 0.1 to 0.8 nm, further preferably 0.2 to 0.5 nm.
  • the surface roughness Sa of the contact portion 9a is also preferably 0.1 to 1.0 nm.
  • the second surface 7 b is a surface forming part of the outer surface of the protective cap 4 .
  • the second surface 7b has an antireflection film (hereinafter referred to as “second antireflection film”) 10 as a functional film.
  • the second antireflection film 10 has a multi-layer structure in which, for example, a silicon oxide film (SiO 2 ) as a low refractive index layer and a hafnium oxide film (HfO 2 ) as a high refractive index layer are alternately laminated.
  • the material of the second antireflection film 10 is not limited to this embodiment.
  • a joint portion 8 that joins the frame portion 6 and the lid portion 7 is formed of a welded portion 11 in which the frame portion 6 and the lid portion 7 are directly welded.
  • the welded portion 11 is formed by laser welding. Specifically, the welded portion 11 is formed by melting at least one of the frame portion 6 and the lid portion 7 in the laser irradiation area and then solidifying the melted portion. In other words, it is preferable that the welded portion 11 is made of, for example, the material of at least one of the frame portion 6 and the lid portion 7 and does not substantially contain materials other than the frame portion 6 and the lid portion 7 .
  • a plurality of welded portions 11 are formed concentrically along the penetrating portion (hole) H, but may be one. Although the plurality of welded parts 11 are separated from each other, they may overlap each other.
  • Each welded portion 11 is configured in a quadrangular annular shape in a plan view, but is not limited to this, and may be configured in an annular shape or other ring shape.
  • the welded portion 11 is formed continuously across the frame portion 6 and the lid portion 7 in the thickness direction. In this embodiment, there is no interface between the frame portion 6 and the lid portion 7 inside the welded portion 11 . Of course, an interface may remain between the frame portion 6 and the lid portion 7 inside the welded portion 11 .
  • the width S1 of the welded portion 11 is preferably 10-200 ⁇ m, more preferably 10-100 ⁇ m, most preferably 10-50 ⁇ m.
  • the thickness S2 of the welded portion 11 is preferably 10-200 ⁇ m, more preferably 10-150 ⁇ m, and most preferably 10-100 ⁇ m.
  • the sealing portion 5 that seals the base material 3 and the frame portion 6 of the protective cap 4 is not particularly limited, but in this embodiment, the metallized layer 12 is formed in order from the second end face 6b side of the frame portion 6 and a solder layer 13 .
  • the metallized layer 12 is a metal film formed on the second end face 6b of the frame portion 6 of the protective cap 4 by, for example, physical vapor deposition.
  • the metallized layer 12 has a role of improving adhesion with the solder layer 13 .
  • solder layer (brazing material) 11 for example, layers of Au, Sn, Ag, Pb, and alloys containing these metals, such as Au—Sn solder, Sn—Ag solder, and Pb solder, can be used.
  • the thermal expansion coefficient of Au—Sn solder in the temperature range of 30 to 380° C. is, for example, 175 ⁇ 10 ⁇ 7 /° C.
  • a method for manufacturing the electronic device 1 having the above configuration will be described below. Note that the method for manufacturing the electronic device 1 includes a method for manufacturing the protective cap 4 .
  • the manufacturing method of the electronic device 1 includes a preparation step of preparing the protective cap 4 and a sealing step of fixing the protective cap 4 to the base material 3 .
  • the preparation process is a process (method) for manufacturing the protective cap 4.
  • the preparation process includes a film forming process of forming the antireflection films 9 and 10 on the lid portion 7 and a bonding process of bonding the frame portion 6 and the lid portion 7 after the film forming process.
  • the antireflection films 9 and 10 are formed on the first surface 7a and the second surface 7b of the lid portion 7 by a film forming apparatus that performs physical vapor deposition.
  • a film forming apparatus that performs physical vapor deposition.
  • a sputtering device such as a magnetron sputtering device is exemplified as the film forming device 14, but the present invention is not limited to this configuration, and a film forming device that performs other physical vapor deposition methods such as a vacuum deposition method may be used. may be used.
  • the film forming apparatus 14 includes a vacuum chamber 15 , a holder 16 that holds the lid portion 7 , a rotating body 17 (rotating drum) that supports the holder 16 , and particles that are the material of the first antireflection film 9 . targets 18a and 18b, and a shield member 19 for controlling the scattering direction of particles scattered from the targets 18a and 18b.
  • the vacuum chamber 15 accommodates the holder 16, the rotor 17 and the targets 18a and 18b inside.
  • the internal space of the vacuum chamber 15 is set to a predetermined degree of vacuum by a vacuum pump.
  • An inert gas such as argon gas may be supplied into the vacuum chamber 15 .
  • the holder 16 detachably holds the lid portion 7 with the first surface 7a of the lid portion 7 exposed.
  • the holder 16 is made of metal, but the material of the holder 16 is not limited to this embodiment.
  • the rotating body 17 is configured in a circular shape, and detachably holds a plurality of holders 16 on its outer peripheral surface.
  • the rotating body 17 rotates around its central rotating shaft 17a, thereby moving the holder 16 in its circumferential direction.
  • the targets 18 a and 18 b include a first target 18 a and a second target 18 b arranged side by side within the vacuum chamber 15 .
  • the first target 18a and the second target 18b are made of a material for forming the first antireflection film 9. As shown in FIG.
  • the shield member 19 is made of a plate-like member made of metal, but is not limited to this material and shape.
  • a shield member 19 is arranged between the rotating body 17 and each of the targets 18a and 18b. Also, the shield member 19 is arranged between the first target 18a and the second target 18b that are arranged side by side.
  • the particles scattered from the targets 18a and 18b are partly shielded by the shield member 19, and the particles scattered without coming into contact with the shield member 19 are transferred to the holder 16. It is attached to the first surface 7a of the lid portion 7 that moves while being held.
  • some of the particles scattered from the targets 18a and 18b fly toward the rotor 17 without contacting the shield member 19, as indicated by arrows D1. . Further, some of the particles scattered from the targets 18a and 18b are scattered so as to come into contact with the shield member 19 as indicated by arrows D2.
  • the incident angle of the particles with respect to the first surface 7a of the lid portion 7 held by the holder 16 is regulated.
  • the particles can be uniformly attached to the first surface 7 a of the lid portion 7 .
  • a film having a predetermined thickness is formed by depositing particles scattered from each of the targets 18a and 18b on the first surface 7a by rotating the rotating body 17 multiple times.
  • the first antireflection film 9 has a multilayer film structure, a target corresponding to the material constituting each layer is prepared, and the above-described film forming process is repeated multiple times. Thus, the first antireflection film 9 is formed on the first surface 7a of the lid portion 7. Next, as shown in FIG.
  • the second antireflection film 10 can be formed on the second surface 7 b of the lid portion 7 by the film formation device 14 in the same manner as the film formation of the first antireflection film 9 .
  • the order of forming the first antireflection film 9 and the second antireflection film 10 is not particularly limited, and the second antireflection film 10 may be formed before the first antireflection film 9 is formed.
  • the first surface 7a of the lid portion 7 and the first end face 6a which is one end portion of the frame portion 6, are joined. That is, in the joining step, the first surface 7a of the lid portion 7 and the first end surface 6a of the frame portion 6 are brought into contact with each other, and the contact portion is irradiated with a laser beam, whereby the first surface 7a of the lid portion 7 and the frame portion are bonded together. 6 is directly welded to the first end face 6a.
  • the lid portion 7 and the frame portion 6 on which the metallized layer 12 and the solder layer 13 are formed are prepared.
  • the first surface 7a of the lid portion 7 and the first end surface 6a of the frame portion 6 are brought into contact with each other.
  • the contact portion 9 a of the first antireflection film 9 formed on the first surface 7 a of the lid portion 7 contacts the first end surface 6 a of the frame portion 6 .
  • the contact portion between the frame portion 6 and the lid portion 7 is irradiated with the laser beam L by the laser irradiation device 20 .
  • the laser L is irradiated from at least one side of the frame portion 6 and the lid portion 7 .
  • the laser L is irradiated from the lid portion 7 side.
  • an ultrashort pulse laser having a pulse width on the order of picoseconds or femtoseconds is preferably used.
  • the wavelength of the laser L is not particularly limited as long as it can pass through the glass member, but for example, it is preferably 400 to 1600 nm, more preferably 500 to 1300 nm.
  • the pulse width of the laser L is preferably 10 ps or less, more preferably 5 ps or less, and most preferably 200 fs to 3 ps.
  • the focused diameter of the laser L is preferably 50 ⁇ m or less, more preferably 30 ⁇ m or less, and preferably 20 ⁇ m or less.
  • the repetition frequency of the laser L is required to cause continuous heat accumulation. Specifically, it is preferably 100 kHz or more, more preferably 200 kHz or more, and 500 kHz or more. is more preferred.
  • burst mode burst mode
  • one pulse is divided into multiple parts and the pulse intervals are further shortened.
  • heat accumulation is likely to occur, and the joint 8 can be stably formed.
  • the laser L is scanned outside the through portion (hole) H so as to draw a circular trajectory T along the through portion (hole) H.
  • the laser L is scanned so that the irradiation area R overlaps the circular orbit T and makes one round of the circular orbit T.
  • the laser L is scanned so as to circle the circular orbit T multiple times.
  • the protective cap 4 is manufactured in which the frame portion 6 and the lid portion 7 are joined by the joint portion 8.
  • the protective cap 4 obtained in the preparation process and the base material 3 on which the electronic component 2 is mounted are prepared.
  • the second end face 6b of the frame portion 6 and the first surface 3a of the substrate 3 are brought into contact with each other via the metallized layer 12 and the solder layer 13.
  • the solder layer 13 is softened and flowed (reflowed), and the solder layer 13 joins the frame portion 6 and the base material 3 .
  • the solder layer 13 may be heated using a heating furnace, or may be heated using a laser. Thereby, a sealing portion 5 for sealing the base material 3 and the protective cap 4 is formed.
  • FIG. 8 shows another example of the film forming apparatus 14.
  • the shield members 19 a and 19 b of the film forming device 14 are provided on the holder 16 .
  • the shield members 19a and 19b include a first shield member 19a and a second shield member 19b arranged so as to sandwich the lid portion 7 held by the holder 16.
  • Each of the shield members 19a and 19b is a plate-like member made of metal, and is detachably attached to the holder 16.
  • Each shield member 19a, 19b is arranged so as to face the advancing direction of the holder 16 (the rotating direction of the rotor 17).
  • the shield members 19a and 19b provided on the holder 16 can partially shield particles scattered from the targets 18a and 18b.
  • the shield members 19, 19a, and 19b scatter from the targets 18a and 18b in the film forming process.
  • the particles can be uniformly deposited on the first surface 7 a of the lid portion 7 .
  • the surface roughness Sa of the contact portion 9a of the first antireflection film 9 can be set to 0.1 to 1.0 nm. Therefore, when the contact portion 9a of the first antireflection film 9 and the first end surface 6a of the frame portion 6 are brought into contact with each other, the adhesion between them can be improved. In this state, by irradiating the contact portion with the laser L, a joint portion 8 having sufficient joint strength can be formed. This junction 8 also makes it possible to ensure sufficient airtightness of the protective cap 4 .
  • the metallized layer 12 and the solder layer 13 are formed in advance on the frame portion 6 of the protective cap 4, and the substrate 3 and the protective cap 4 are sealed together.
  • a metallized layer and a solder layer may be formed in advance on the first surface 3a of the substrate 3, and the second end surface 6b of the frame portion 6 of the protective cap 4 may be sealed to the first surface 3a of the substrate 3. .
  • the second end surface 6b of the frame portion 6 and the first surface 3a of the base material 3 are brought into direct contact with each other without using the metallized layer and the solder layer, and the contact portion is directly welded by laser irradiation. good too.
  • Examples 1 to 3 two layers of a silicon oxide film (SiO 2 ) and a hafnium oxide film (HfO 2 ) are alternately laminated on the surface of the lid portion by the sputtering method according to the above manufacturing method (film formation step). An antireflection film was formed. At this time, the surface roughness Sa of the contact portion was adjusted by adjusting the length of the shield member that regulates the scattering direction of the particles scattered from the target that scatters the particles that are the material of the first antireflection film. .
  • Comparative Example 1 a silicon oxide film (SiO 2 ) and a hafnium oxide film (HfO) were formed on the surface of the lid portion without using the sputtering method according to the manufacturing method described above, that is, by a film forming apparatus that does not include the shield member. 2 ) formed an antireflection film in which two layers were alternately laminated. As a result, lid samples of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 having different surface roughnesses of the antireflection film at the contact portion were obtained. An antireflection film having the same surface roughness was also formed on the portions other than the contact portion of each sample.
  • the lid is placed on the frame so that the contact portion of the lid overlaps with one end of the frame, and the overlapped portion is irradiated with an ultrashort pulse laser to join the frame and the lid for protection.
  • a sample of the cap was made.
  • the bondability between the lid portion and the frame portion of the obtained protective cap sample was evaluated by an accelerated deterioration test using a PCT (Pressure Cooker Test). Specifically, the protective cap sample prepared as described above was held for 12 hours in an environment of 121°C, 2 atmospheres, and a relative humidity of 80%, and then the bonding between the lid portion and the frame portion was maintained. Those that were not maintained were judged as non-defective products ( ⁇ ), and those that could not be maintained were judged as defective products ( ⁇ ). Table 1 shows the results.

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Abstract

本発明に係る保護キャップは、枠部と、枠部の一端部を覆う蓋部と、枠部と蓋部とを接合する接合部と、を備える。蓋部は、接合部を介して枠部の一端部に接触する第一表面を有する。第一表面は、第一反射防止膜を有する。第一反射防止膜は、枠部に接触する接触部を有する。接触部の表面粗さＳａは、０．１～１．０ｎｍである。

Description

保護キャップ、電子装置及び保護キャップの製造方法
　本発明は、保護キャップ、電子装置及び保護キャップの製造方法に関する。
　ＬＥＤなどの電子部品を備えた電子装置は、長寿命や省エネルギーなどの理由から、照明や通信などの種々の分野で利用されるに至っている。
　この種の電子装置では、電子部品を保護するために、電子部品が搭載された基材に、電子部品が内部に収容されるように保護キャップを被せる場合がある。例えば特許文献１に開示されているように、保護キャップは、電子部品の周囲を取り囲む枠部（第２の部材）と、枠部の一端開口を覆う蓋部（カバー部材）とを備えている。
　保護キャップは、枠部と蓋部とを接合することにより一体に構成される。枠部と蓋部とを接合する方法として、例えば枠部と蓋部との接触部分にレーザを照射することにより、枠部の一部と蓋部の一部とを溶着させる方法が挙げられる。二つの部材をレーザによって接合する技術として、例えば特許文献２には、第１の基板と第２の基板とを重ね合わせ、これらの界面領域にレーザの照射による溶着部（融着部）を形成する方法が開示されている。
国際公開第２０１５／１９０２４２号公報 特開２０２１－８８４６８号公報
　ところで、電子部品がＬＥＤ等の発光素子である場合、光の取り出し効率を向上させるために、蓋部に反射防止膜を形成することが考えられる。例えば蓋部の表裏全面に反射防止膜を形成した場合には、枠部と蓋部とを接合のために重ね合わせると、反射防止膜の一部が枠部に接触することになる。
　この状態で、レーザによる接合を行うと、枠部と蓋部との間に反射防止膜が介在することで、枠部と蓋部との溶着が不十分となるおそれがあった。
　本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、枠部と蓋部との間に反射防止膜が介在する場合であっても、枠部と蓋部を好適に接合することを技術的課題とする。
　本発明は上記の課題を解決するためのものであり、電子部品を保護するための保護キャップであって、枠部と、前記枠部の一端部を覆う蓋部と、前記枠部と前記蓋部とを接合する接合部と、を備え、前記蓋部は、前記接合部を介して前記枠部の前記一端部に接触する第一表面を有し、前記第一表面は、第一反射防止膜を有し、前記第一反射防止膜は、前記枠部に接触する接触部を有し、前記接触部の表面粗さＳａは、０．１～１．０ｎｍであることを特徴とする。
　かかる構成によれば、第一反射防止膜の接触部の表面粗さＳａを０．１～１．０ｎｍとすることで、接触部と枠部との接触部分の密着性を向上させることができる。したがって、レーザをこの接触部分に照射することで、十分な接合強度を有する接合部を形成することが可能となる。また、保護キャップに気密性が要求される場合であっても、接合部の十分な気密性を確保することができる。
　前記蓋部は、前記第一表面の反対側に位置する第二表面を有し、前記第二表面は、第二反射防止膜を有してもよい。これにより、保護キャップを用いて光を出射する電子装置を作製した場合に、光の取り出し効率をさらに向上させることができる。
　本発明に係る電子装置は、電子部品と、前記電子部品が搭載された基材と、前記電子部品を内部に収容するように、前記基材に接合された上記の保護キャップと、を備えることを特徴とする。このようにすれば、既に説明した保護キャップの対応する構成と同様の作用効果を享受できる。
　本発明は、上記の保護キャップを製造する方法であって、物理蒸着法を行う成膜装置によって前記蓋部の前記第一表面に前記第一反射防止膜を形成する成膜工程と、前記蓋部の前記第一表面と前記枠部の前記一端部とを接合する接合工程と、を備え、前記成膜装置は、前記蓋部を保持するとともに所定の方向に移動可能な保持具と、前記第一反射防止膜の材料となる粒子を飛散させるターゲットと、前記ターゲットから飛散した前記粒子の飛散方向を規制するシールド部材と、を備え、前記成膜工程では、前記ターゲットから飛散した前記粒子の一部を前記シールド部材によって遮蔽しつつ、前記シールド部材に接触することなく飛散する粒子を、前記保持具に保持された状態で移動する前記蓋部の前記第一表面に付着させることを特徴とする。
　かかる構成によれば、シールド部材によってターゲットから飛散する粒子の一部を遮蔽することで、蓋部の第一表面に対して、粒子を均一に付着させることができる。これにより、第一反射防止膜の表面粗さを可及的に小さくすることが可能となる。
　本方法において、前記ターゲットは、並設される第一ターゲット及び第二ターゲットを含み、前記シールド部材は、前記第一ターゲットと前記第二ターゲットとの間に配置されてもよい。
　かかる構成によれば、第一ターゲットから飛散する粒子と、第二ターゲットから飛散する粒子の飛散方向をシールド部材によって規制することで、第一反射防止膜の表面粗さを可及的に小さくすることが可能となる。
　本方法において、前記シールド部材は、前記保持具に設けられてもよい。保持具に設けられたシールド部材によって、ターゲットから飛散する粒子の一部を遮蔽することで、第一反射防止膜の表面粗さを可及的に小さくすることが可能となる。
　本方法における前記接合工程では、前記蓋部の前記第一表面と前記枠部の前記一端部とを接触させ、その接触部分にレーザを照射することにより、前記蓋部の前記第一表面と前記枠部の前記一端部とを直接接合してもよい。これにより、気密性に優れ、接合強度の高い保護キャップを製造することができる。
　本発明によれば、枠部と蓋部との間に反射防止膜が介在する場合であっても、枠部と蓋部を好適に接合することができる。
保護キャップの断面図である。 図１におけるＩＩ－ＩＩ矢視線に係る断面図である。 成膜装置の概略図である。 保護キャップの製造方法における一工程を示す断面図である。 保護キャップの製造方法における一工程を示す断面図である。 保護キャップの製造方法における一工程を示す平面図である。 電子装置の製造方法における一工程を示す断面図である。 成膜装置の他の例を示す概略図である。
　以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。図１乃至図８は、本発明に係る保護キャップ、電子装置及び保護キャップの製造方法の一実施形態を示す。
　図１及び図２に示すように、電子装置１は、電子部品２と、電子部品２が搭載された基材３と、電子部品２を内部に収容するように基材３に配置された保護キャップ４と、基材３及び保護キャップ４を封着する封着部５と、を備える。
　図１に示すように、電子部品２は、基材３に固定されるとともに、保護キャップ４の内側の空間に収容されている。電子部品２の例としては、レーザモジュール、ＬＥＤ光源、光センサ、撮像素子、光スイッチ等の光学デバイスが挙げられる。本実施形態では、電子部品２が紫外線照射用ＬＥＤである場合を一例として説明する。
　基材３は、電子部品２及び保護キャップ４を支持する第一表面３ａと、第一表面３ａの反対側に位置する第二表面３ｂとを有する。本実施形態では、基材３は、第一表面３ａ及び第二表面３ｂがともに平面から構成される板状体である。この形状に限らず、基材３は、第一表面３ａのうち、電子部品２が搭載される部分に凹部を備えてもよい。
　基材３は、例えば、金属、金属酸化物セラミックス、ＬＴＣＣ又は金属窒化物セラミックスから構成される。金属としては、例えば銅、金属シリコンなどが挙げられる。金属酸化物セラミックスとしては、例えば酸化アルミニウムなどが挙げられる。ＬＴＣＣとしては、例えば結晶性ガラスと耐火性フィラーを含む複合粉末を焼結させたものなどが挙げられる。
　金属窒化物セラミックスとしては、例えば窒化アルミニウムなどが挙げられる。本実施形態において、基材３は、窒化アルミニウムから構成されている。窒化アルミニウムの３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数は、例えば４６×１０-7／℃である。
　図１に示すように、保護キャップ４は、枠部６と、枠部６の一端部を覆う蓋部７と、枠部６と蓋部７とを接合する接合部８と、を備える。
　枠部６は、その中心に貫通部（孔）Ｈを有する筒状体である。枠部６は、貫通部（孔）Ｈに対応する空間に収容された電子部品２の周囲を取り囲む。枠部６は、四角筒で構成されているが、円筒などの他の形状であってもよい。
　枠部６は、蓋部７に固定される第一端面６ａと、基材３に固定される第二端面６ｂとを有する。第一端面６ａの表面粗さＳａ（算術平均表面高さ）は、０．１～１．０ｎｍとされることが好ましい。第二端面６ｂの表面粗さＳａは、０．１～１．０ｎｍとされることが好ましい。なお、表面粗さＳａは、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される（以下同じ）。
　枠部６は、光透過性を有する材料、例えば３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数が３０×１０-7～１００×１０-7／℃であるガラス材から構成されている。枠部６のガラス材は、紫外線透過ガラスであることが好ましい。
　枠部６の厚みは、電子部品２よりも大きいことが好ましく、電子部品２よりも０．０１～１ｍｍ大きいことが好ましく、０．０５～０．５ｍｍ大きいことがより好ましく、０．１～０．２ｍｍ大きいことが最も好ましい。
　蓋部７は、光透過性を有する基板により構成される。具体的には、蓋部７は、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、その他の各種ガラスを含むガラス基板、サファイア基板、樹脂基板等により構成される。
　本実施形態では、高い紫外線透過性を有する石英ガラス基板が蓋部７に用いられる場合について説明する。石英ガラスには、溶融石英と合成石英とが含まれる。溶融石英ガラスの３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数は例えば６．３×１０-7／℃であり、合成石英ガラスの３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数は例えば４．０×１０-7／℃である。
　蓋部７の厚みは、０．１～１．０ｍｍであることが好ましく、０．２～０．８ｍｍであることがより好ましく、０．３～０．６ｍｍであることが最も好ましい。
　蓋部７は、枠部６に固定される第一表面７ａと、第一表面７ａの反対側に位置する第二表面７ｂとを有する。
　第一表面７ａは、機能性膜として反射防止膜（以下「第一反射防止膜」という）９を有する。第一反射防止膜９は、例えば低屈折率層としての酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）と、高屈折率層としての酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ2）とが交互に積層されてなる多層膜構造を有するが、反射防止膜の材質は、本実施形態に限定されない。
　第一表面７ａは、接合部８及び第一反射防止膜９を介して枠部６の一端部（第一端面６ａ）と接触している。第一反射防止膜９は、枠部６に接触する接触部９ａを有する。接触部９ａの表面粗さは、０．１～１．０ｎｍ、より好ましくは０．１～０．８ｎｍ、さらに好ましくは０．２～０．５ｎｍである。接触部９ａの表面粗さＳａを１．０ｎｍ以下にすることにより、蓋部７と枠部６との溶着性が向上し、接合部８の十分な気密性を確保することができる。また、接触部９ａの表面粗さＳａを０．１ｎｍ以上にすることにより、反射防止膜の効果を担保することができる。なお、接触部９ａを除く第一反射防止膜９の表面粗さＳａも、同じく０．１～１．０ｎｍであることが好ましい。
　第二表面７ｂは、保護キャップ４の外面の一部を構成する面である。第二表面７ｂは、機能性膜として反射防止膜（以下「第二反射防止膜」という）１０を有する。第二反射防止膜１０は、例えば低屈折率層としての酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）と、高屈折率層としての酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ2）とが交互に積層されてなる多層膜構造を有するが、第二反射防止膜１０の材質は、本実施形態に限定されない。
　枠部６及び蓋部７を接合する接合部８は、枠部６と蓋部７とが直接溶着された溶着部１１から形成されている。溶着部１１は、レーザ接合により形成される。詳細には、溶着部１１は、レーザの照射領域において、枠部６及び蓋部７の少なくとも一方を溶融した後に、その溶融部を固化させることにより形成される。つまり、溶着部１１は、例えば、枠部６及び蓋部７の少なくとも一方の材料から構成され、枠部６及び蓋部７以外の材料を実質的に含まないことが好ましい。
　図２に示すように、溶着部１１は、貫通部（孔）Ｈに沿って同心環状に複数（図例では二つ）形成されるが、一つであってもよい。複数の溶着部１１は、互いに離間しているが、重なっていてもよい。各溶着部１１は、平面視で四角環状に構成されるが、これに限らず、円環状その他の環形状に構成され得る。
　溶着部１１は、厚み方向において、枠部６と蓋部７とに連続して跨って形成されている。なお、本実施形態では、溶着部１１の内部において、枠部６と蓋部７との間には界面がない。もちろん、溶着部１１の内部において、枠部６と蓋部７との間に界面が残っていてもよい。
　溶着部１１の幅Ｓ１は、１０～２００μｍであることが好ましく、１０～１００μｍであることがより好ましく、１０～５０μｍであることが最も好ましい。溶着部１１の厚みＳ２は、１０～２００μｍであることが好ましく、１０～１５０μｍであることがより好ましく、１０～１００μｍであることが最も好ましい。
　基材３及び保護キャップ４の枠部６を封着する封着部５は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、枠部６の第二端面６ｂ側から順に、メタライズ層１２と、はんだ層１３とを備えている。
　メタライズ層１２は、例えば物理蒸着法などにより、保護キャップ４の枠部６の第二端面６ｂに形成された金属膜である。メタライズ層１２は、はんだ層１３との密着性を向上させる役割を有する。メタライズ層１２としては、例えばＣｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｏ及びこれらを含む合金層、或いはこれら金属、合金の多層膜等が使用できる。
　はんだ層（ろう材）１１としては、例えばＡｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｂ、及びこれら金属を含む合金、すなわち、Ａｕ－Ｓｎ系はんだ、Ｓｎ－Ａｇ系はんだ、Ｐｂ系はんだ等の層が使用できる。Ａｕ－Ｓｎ系はんだの３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数は、例えば１７５×１０-7／℃である。
　以下、上記構成の電子装置１を製造する方法について説明する。なお、この電子装置１の製造方法は、保護キャップ４の製造方法を含む。
　電子装置１の製造方法は、保護キャップ４を用意する準備工程と、保護キャップ４を基材３に固定する封着工程とを備える。
　準備工程は、保護キャップ４を製造する工程（方法）である。準備工程は、蓋部７に各反射防止膜９，１０を形成する成膜工程と、成膜工程後に枠部６と蓋部７とを接合する接合工程と、を備える。
　成膜工程では、物理蒸着法を行う成膜装置によって蓋部７の第一表面７ａ及び第二表面７ｂに各反射防止膜９，１０を形成する。以下、図３を参照しながら、成膜装置１４により第一表面７ａに第一反射防止膜９を形成する場合について説明する。
　本実施形態では、成膜装置１４として、例えばマグネトロンスパッタ装置等のスパッタ装置を例示するが、本発明はこの構成に限定されず、真空蒸着法等の他の物理蒸着法を行う成膜装置を使用してもよい。
　成膜装置１４は、真空チャンバ１５と、蓋部７を保持する保持具１６と、保持具１６を支持する回転体１７（回転ドラム）と、第一反射防止膜９の材料となる粒子を飛散させるターゲット１８ａ，１８ｂと、ターゲット１８ａ，１８ｂから飛散した粒子の飛散方向を規制するシールド部材１９と、を備える。
　真空チャンバ１５は、保持具１６、回転体１７及びターゲット１８ａ，１８ｂをその内部に収容する。真空チャンバ１５の内部空間は、真空ポンプにより所定の真空度に設定される。真空チャンバ１５内には、アルゴンガス等の不活性ガスが供給され得る。
　保持具１６は、蓋部７の第一表面７ａを露出させた状態で、この蓋部７を着脱自在に保持する。保持具１６は、金属製であるが、保持具１６の材質は本実施形態に限定されない。
　回転体１７は、円形状に構成されており、その外周面において複数の保持具１６を着脱自在に保持する。回転体１７は、その中心の回転軸１７ａまわりに回転することで、保持具１６をその円周方向に移動させる。
　ターゲット１８ａ，１８ｂは、真空チャンバ１５内で並設される第一ターゲット１８ａ及び第二ターゲット１８ｂを含む。第一ターゲット１８ａ及び第二ターゲット１８ｂは、第一反射防止膜９を形成するための材料により構成される。
　シールド部材１９は、金属製の板状部材により構成されるが、この材質及び形状に限定されない。シールド部材１９は、回転体１７と、各ターゲット１８ａ，１８ｂとの間に配置される。また、シールド部材１９は、並設されている第一ターゲット１８ａと第二ターゲット１８ｂとの間に配置される。
　成膜工程では、回転体１７を回転させながら、ターゲット１８ａ，１８ｂから飛散した粒子の一部をシールド部材１９によって遮蔽しつつ、シールド部材１９に接触することなく飛散する粒子を、保持具１６に保持された状態で移動する蓋部７の第一表面７ａに付着させる。
　具体的には、図３に示すように、各ターゲット１８ａ，１８ｂから飛散する粒子の一部は、矢印Ｄ１で示すように、シールド部材１９に接触することなく、回転体１７に向かって飛散する。また、各ターゲット１８ａ，１８ｂから飛散する粒子の他の一部は、矢印Ｄ２で示すように、シールド部材１９に接触するように飛散する。
　このように、シールド部材１９によって各ターゲット１８ａ，１８ｂから飛散する粒子の一部を遮蔽することで、保持具１６に保持されている蓋部７の第一表面７ａに対する粒子の入射角を規制する。これにより、蓋部７の第一表面７ａに対して粒子を均一に付着させることができる。
　回転体１７の複数回に及ぶ回転により、各ターゲット１８ａ，１８ｂから飛散した粒子を第一表面７ａに堆積させることで、所定の厚さを有する膜が形成される。第一反射防止膜９が多層膜構造を有する場合には、各層を構成する材料に対応するターゲットを用意し、上記の成膜工程を複数回繰り返し実行する。これにより、蓋部７の第一表面７ａに第一反射防止膜９が形成される。
　成膜工程では、成膜装置１４によって、第一反射防止膜９の成膜と同様に、蓋部７の第二表面７ｂに第二反射防止膜１０を形成することができる。第一反射防止膜９と第二反射防止膜１０の成膜順序は、特定に限定されず、第一反射防止膜９よりも先に第二反射防止膜１０が形成されてもよい。
　枠部６と蓋部７とを接合する接合工程では、蓋部７の第一表面７ａと枠部６の一端部である第一端面６ａとを接合する。すなわち、接合工程では、蓋部７の第一表面７ａと枠部６の第一端面６ａとを接触させ、その接触部分にレーザを照射することにより、蓋部７の第一表面７ａと枠部６の第一端面６ａとを直接溶着する。
　具体的には、まず、図４に示すように、蓋部７と、メタライズ層１２及びはんだ層１３が形成された枠部６とを準備する。次に、蓋部７の第一表面７ａと枠部６の第一端面６ａとを接触させる。この場合において、蓋部７の第一表面７ａに形成された第一反射防止膜９の接触部９ａが枠部６の第一端面６ａに接触する。
　この状態で、図５に示すように、レーザ照射装置２０により、枠部６と蓋部７との接触部分に対してレーザＬを集光して照射する。レーザＬは、枠部６及び蓋部７の少なくとも一方側から照射される。本実施形態では、レーザＬは、蓋部７側から照射される。これにより、枠部６と蓋部７との接触部分を溶着して溶着部１１を形成するとともに、この溶着部１１により枠部６と蓋部７とを接合する。
　レーザＬとしては、ピコ秒オーダーやフェムト秒オーダーのパルス幅を有する超短パルスレーザが好適に使用される。
　レーザＬの波長は、ガラス部材を透過する波長であれば特に限定されるものではないが、例えば、４００～１６００ｎｍであることが好ましく、５００～１３００ｎｍであることがより好ましい。レーザＬのパルス幅は、１０ｐｓ以下であることが好ましく、５ｐｓ以下であることがより好ましく、２００ｆｓ～３ｐｓであることが最も好ましい。レーザＬの集光径は、５０μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることが好ましい。
　レーザＬの繰り返し周波数は、連続的な熱蓄積を生じさせる程度であることが必要であり、具体的には１００ｋＨｚ以上であることが好ましく、２００ｋＨｚ以上であることがより好ましく、５００ｋＨｚ以上であることが更に好ましい。
　また、１パルスを複数に分配させ、パルス間隔を更に短くして照射する手法（バーストモード）を利用することが好ましい。これにより、熱蓄積が生じやすくなり、接合部８を安定して形成することができる。
　図６に示すように、レーザＬは、貫通部（孔）Ｈの外側で、貫通部（孔）Ｈに沿った環状軌道Ｔを描くように走査される。この場合において、レーザＬは、その照射領域Ｒが環状軌道Ｔ上で重なりながら環状軌道Ｔを一周するように走査される。あるいは、レーザＬは、その環状軌道Ｔを複数回にわたって周回するように走査される。なお、溶着部１１を同心環状に複数形成する場合には、レーザＬを走査する環状軌道Ｔも同心環状に複数設定される。
　所定数の溶着部１１が形成されることで、枠部６と蓋部７とが接合部８によって接合されてなる保護キャップ４が製造される。
　保護キャップ４を基材３に固定する封着工程では、まず、図７に示すように、準備工程で得られた保護キャップ４と、電子部品２が搭載された基材３とを準備する。次に、枠部６の第二端面６ｂと基材３の第一表面３ａとを、メタライズ層１２及びはんだ層１３を介して接触させる。この状態で加熱することにより、はんだ層１３を軟化流動（リフロー）させ、はんだ層１３により枠部６と基材３とを接合する。なお、はんだ層１３は、加熱炉を用いて加熱してもよいし、レーザを用いて加熱してもよい。これにより、基材３と保護キャップ４とを封着する封着部５が形成される。
　図８は、成膜装置１４の他の例を示す。この例において、成膜装置１４のシールド部材１９ａ，１９ｂは、保持具１６に設けられている。シールド部材１９ａ，１９ｂは、保持具１６に保持される蓋部７を挟むように配置される第一シールド部材１９ａ及び第二シールド部材１９ｂを含む。各シールド部材１９ａ，１９ｂは、金属製の板状部材であり、保持具１６に対して着脱自在に取り付けられている。各シールド部材１９ａ，１９ｂは、保持具１６の進行方向（回転体１７の回転方向）に面するように配されている。
　この例では、成膜工程において、保持具１６に設けられた各シールド部材１９ａ，１９ｂによって、各ターゲット１８ａ，１８ｂから飛散する粒子の一部を遮蔽することができる。
　以上説明した本実施形態に係る保護キャップ４及び電子装置１の製造方法（保護キャップ４の製造方法）によれば、成膜工程において、シールド部材１９，１９ａ，１９ｂによって各ターゲット１８ａ，１８ｂから飛散する粒子の飛散方向を規制することで、蓋部７の第一表面７ａに対して粒子を均一に堆積させることができる。
　これにより、第一反射防止膜９の接触部９ａの表面粗さＳａを０．１～１．０ｎｍとすることができる。したがって、第一反射防止膜９の接触部９ａと、枠部６の第一端面６ａとを接触させたときに、これらの密着性を向上させることができる。この状態において、レーザＬをこの接触部分に照射することで、十分な接合強度を有する接合部８を形成することができる。この接合部８により、保護キャップ４の十分な気密性を確保することも可能になる。
　なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
　上記の実施形態では、保護キャップ４の枠部６に予めメタライズ層１２及びはんだ層１３を形成し、基材３と保護キャップ４とを封着させる例を示したが、本発明はこの構成に限定されない。例えば基材３の第一表面３ａに予めメタライズ層及びはんだ層を形成しておき、保護キャップ４の枠部６の第二端面６ｂを基材３の第一表面３ａに封着してもよい。
　また、上記のメタライズ層及びはんだ層を使用することなく、枠部６の第二端面６ｂと、基材３の第一表面３ａを直接接触させ、レーザの照射によってこの接触部分を直接溶着してもよい。
　以下に、本発明による実施例と比較例を説明する。実施例と比較例ともに、蓋部として基板状の合成石英を用い、枠部として四角筒形状の合成石英を用いた。
　実施例１～３では、上記製造方法（成膜工程）に係るスパッタ法により、蓋部の表面に、酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）と酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ2）が交互に２層積層される反射防止膜を形成した。なお、この際、第一反射防止膜の材料となる粒子を飛散させるターゲットから飛散する粒子の飛散方向を規制するシールド部材の長さを調整することで、接触部の表面粗さＳａを調整した。一方、比較例１では、上記製造方法によるスパッタ法を用いることなく、即ち、前記シールド部材を備えない成膜装置により、蓋部の表面に、酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）と酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ2）が交互に２層積層される反射防止膜を形成した。これにより、接触部における反射防止膜の表面粗さが異なる実施例１～３と比較例１の蓋部のサンプルを得た。なお、各サンプルの接触部以外の部分にも、同様の表面粗さの反射防止膜が形成された。
　その後、蓋部の接触部が枠部の一端部に重なり合うように、蓋部を枠部に載せ、さらにこの重なり合う箇所に、超短パルスレーザを照射して枠部と蓋部を接合し、保護キャップのサンプルを作製した。
　その後、得られた保護キャップのサンプルの蓋部と枠部の接合性を、ＰＣＴ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ｃｏｏｋｅｒ　Ｔｅｓｔ）による加速劣化試験で評価した。具体的には、上記のように作製した保護キャップのサンプルを、１２１℃、２気圧、相対湿度８０％の環境下で１２時間保持し、その後、蓋部と枠部との接合が維持できていたものを良品「〇」、維持できなかったものを不良品「×」と判定した。その結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１から、接触部の表面粗さＳａが１．１以上になると、蓋部と枠部の接合性が悪化することがわかる。
　１　　　　　　電子装置
　２　　　　　　電子部品
　３　　　　　　基材
　４　　　　　　保護キャップ
　６　　　　　　枠部
　６ａ　　　　　枠部の第一端面
　７　　　　　　蓋部
　７ａ　　　　　第一表面
　７ｂ　　　　　第二表面
　９　　　　　　第一反射防止膜
　９ａ　　　　　接触部
１０　　　　　　第二反射防止膜
１４　　　　　　成膜装置
１６　　　　　　保持具
１８ａ　　　　　第一ターゲット
１８ｂ　　　　　第二ターゲット
１９　　　　　　シールド部材
１９ａ　　　　　第一シールド部材
１９ｂ　　　　　第二シールド部材
　Ｌ　　　　　　レーザ

Claims (7)

  1. 　電子部品を保護するための保護キャップであって、
    　枠部と、前記枠部の一端部を覆う蓋部と、前記枠部と前記蓋部とを接合する接合部と、を備え、
    　前記蓋部は、前記接合部を介して前記枠部の前記一端部に接触する第一表面を有し、
    　前記第一表面は、第一反射防止膜を有し、
    　前記第一反射防止膜は、前記枠部に接触する接触部を有し、
    　前記接触部の表面粗さＳａは、０．１～１．０ｎｍであることを特徴とする保護キャップ。
  2. 　前記蓋部は、前記第一表面の反対側に位置する第二表面を有し、
    　前記第二表面は、第二反射防止膜を有する請求項１に記載の保護キャップ。
  3. 　電子部品と、前記電子部品が搭載された基材と、前記電子部品を内部に収容するように、前記基材に接合された請求項１又は２に記載の保護キャップと、を備えることを特徴とする電子装置。
  4. 　請求項１又は２に記載の保護キャップを製造する方法であって、
    　物理蒸着法を行う成膜装置によって前記蓋部の前記第一表面に前記第一反射防止膜を形成する成膜工程と、前記蓋部の前記第一表面と前記枠部の前記一端部とを接合する接合工程と、を備え、
    　前記成膜装置は、前記蓋部を保持するとともに所定の方向に移動可能な保持具と、前記第一反射防止膜の材料となる粒子を飛散させるターゲットと、前記ターゲットから飛散した前記粒子の飛散方向を規制するシールド部材と、を備え、
    　前記成膜工程では、前記ターゲットから飛散した前記粒子の一部を前記シールド部材によって遮蔽しつつ、前記シールド部材に接触することなく飛散する粒子を、前記保持具に保持された状態で移動する前記蓋部の前記第一表面に付着させることを特徴とする保護キャップの製造方法。
  5. 　前記ターゲットは、並設される第一ターゲット及び第二ターゲットを含み、
    　前記シールド部材は、前記第一ターゲットと前記第二ターゲットとの間に配置される請求項４に記載の保護キャップの製造方法。
  6. 　前記シールド部材は、前記保持具に設けられる請求項４に記載の保護キャップの製造方法。
  7. 　前記接合工程では、前記蓋部の前記第一表面と前記枠部の前記一端部とを接触させ、その接触部分にレーザを照射することにより、前記蓋部の前記第一表面と前記枠部の前記一端部とを直接接合する請求項４から６のいずれか一項に記載の保護キャップの製造方法。
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