WO2023026796A1

WO2023026796A1 - 発光装置および発光装置形成基板

Info

Publication number: WO2023026796A1
Application number: PCT/JP2022/029676
Authority: WO
Inventors: 眞澄西村; 真一郎岡; 逸青木; 拓海金城
Original assignee: 株式会社ジャパンディスプレイ
Priority date: 2021-08-24
Filing date: 2022-08-02
Publication date: 2023-03-02
Also published as: JPWO2023026796A1; CN117882126A

Abstract

発光装置は、第１の方向および第１の方向と交差する第２の方向にマトリクス状に配置された複数の画素を含み、マトリクス状に配置された複数の画素の各々は、基板と、基板の上の導電性配向層と、導電性配向層の上の第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上の発光層を含む第２の窒化物半導体層と、第２の窒化物半導体層の上の電極層と、を含み、第１の窒化物半導体層および第２の窒化物半導体層は島状に設けられ、基板は、マトリクス状に配置された複数の画素に共通して設けられている。

Description

発光装置および発光装置形成基板

　本発明の一実施形態は、窒化物半導体を含む発光装置に関する。また、本発明の一実施形態は、窒化物半導体を含む発光装置が複数形成された発光装置形成基板に関する。

　窒化ガリウム（ＧａＮ）のような窒化物半導体は、バンドギャップの大きい直接遷移半導体という特徴を有する。窒化ガリウムの特徴を利用し、窒化ガリウム膜を用いた発光ダイオード（ＬＥＤ）が既に実用化されている。ＬＥＤの窒化ガリウム膜は、一般的に、サファイア基板上に、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ　Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いて８００℃～１０００℃という高温で成膜されている。

　ところで、近年、次世代表示装置として、回路基板の画素内に微小なＬＥＤチップを実装した、いわゆるマイクロＬＥＤ表示装置またはミニＬＥＤ表示装置の開発が進められている。マイクロＬＥＤ表示装置またはミニＬＥＤ表示装置は、高効率、高輝度、および高信頼性を有する。このようなマイクロＬＥＤ表示装置またはミニＬＥＤ表示装置は、酸化物半導体または低温ポリシリコンなどを用いたトランジスタが形成されたバックプレーンに、ＬＥＤチップが転写されることによって製造される（例えば、特許文献１参照）。

米国特許第８７９１４７４号明細書

　ＬＥＤチップの転写によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法は、製造コストが高く、安価にマイクロＬＥＤ表示装置を製造することが難しい。一方、非晶質ガラス基板のような大面積基板上に、ＬＥＤを形成することができれば、製造コストを下げることができる。しかしながら、上述したように、窒化ガリウム膜はサファイア基板上に高温で成膜されるため、非晶質ガラス基板上に直接窒化ガリウム膜を形成することは難しい。

　本発明の一実施形態は、上記問題に鑑み、非晶質ガラス基板などの大面積基板上に形成された窒化物半導体層を含む発光装置を提供することを目的の一つとする。また、本発明の一実施形態は、窒化物半導体層を含む発光装置が複数形成された発光装置形成基板を提供することを目的の一つとする。

　本発明の一実施形態に係る発光装置は、第１の方向および第１の方向と交差する第２の方向にマトリクス状に配置された複数の画素を含み、マトリクス状に配置された複数の画素の各々は、基板と、基板の上の導電性配向層と、導電性配向層の上の第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上の発光層を含む第２の窒化物半導体層と、第２の窒化物半導体層の上の電極層と、を含み、第１の窒化物半導体層および第２の窒化物半導体層は島状に設けられ、基板は、マトリクス状に配置された複数の画素に共通して設けられている。

　本発明の一実施形態に係る発光装置は、第１の方向および第１の方向と交差する第２の方向にマトリクス状に配置された複数の画素を含み、マトリクス状に配置された複数の画素の各々は、基板と、基板の上の絶縁性配向層と、絶縁性配向層の上の第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上の、発光層を含む第２の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上の第１の電極層と、第２の窒化物半導体層の上の第２の電極層と、を含み、第１の窒化物半導体層および第２の窒化物半導体層は島状に設けられ、基板は、マトリクス状に配置された複数の画素に共通して設けられている。

本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る発光装置の構成を示す概略図である。本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る発光装置の構成を示す模式的な平面図である。本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第１実施形態の変形例１）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第１実施形態の変形例１）に係る発光装置の構成を示す模式的な平面図である。本発明の一実施形態（第１実施形態の変形例２）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第１実施形態の変形例３）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第２実施形態）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第２実施形態）に係る発光装置の構成を示す模式的な平面図である。本発明の一実施形態（第２実施形態の変形例１）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第２実施形態の変形例２）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第２実施形態の変形例３）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第２実施形態の変形例４）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第２実施形態の変形例４）に係る発光装置の構成を示す模式的な平面図である。本発明の一実施形態（第２実施形態の変形例５）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第２実施形態の変形例５）に係る発光装置の構成を示す模式的な平面図である。本発明の一実施形態（第３実施形態）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第３実施形態）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第３実施形態の変形例１）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第３実施形態の変形例１）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第３実施形態の変形例２）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第３実施形態の変形例３）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第４実施形態）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第４実施形態の変形例１）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態）に係る発光装置の製造方法を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態の変形例１）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態の変形例１）に係る発光装置の構成を示す模式的な平面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態の変形例２）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態の変形例３）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態の変形例４）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第５実施形態の変形例４）に係る発光装置の構成を示す模式的な平面図である。本発明の一実施形態（第６実施形態）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第６実施形態）に係る発光装置の構成を示す模式的な平面図である。本発明の一実施形態（第６実施形態の変形例１）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第６実施形態の変形例２）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第６実施形態の変形例３）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第７実施形態）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第７実施形態の変形例１）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第７実施形態の変形例２）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第７実施形態の変形例３）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第８実施形態）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第８実施形態の変形例１）に係る発光装置の構成を示す模式的な断面図である。本発明の一実施形態（第９実施形態）に係る発光装置形成基板の構成を示す概略図である。

　以下、本発明に係る各実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、各実施形態はあくまで一例にすぎず、当業者が、発明の主旨を保ちつつ適宜変更することによって容易に想到し得るものについても、当然に本発明の範囲に含まれる。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、または形状などが模式的に表される場合がある。しかし、図示された形状などはあくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

　本明細書において「αはＡ、ＢまたはＣを含む」、「αはＡ、ＢおよびＣのいずれかを含む」、「αはＡ、ＢおよびＣからなる群から選択される一つを含む」、といった表現は、特に明示が無い限り、αがＡ～Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。

　本明細書において、説明の便宜上、「上」もしくは「上方」または「下」もしくは「下方」という語句を用いて説明するが、原則として、構造物が形成される基板を基準とし、基板から構造物に向かう方向を「上」または「上方」とする。逆に、構造物から基板に向かう方向を「下」または「下方」とする。したがって、基板上の構造物という表現において、基板と向き合う方向の構造物の面が構造物の下面となり、その反対側の面が構造物の上面となる。また、基板上の構造物という表現においては、基板と構造物との上下関係を説明しているに過ぎず、基板と構造物との間に他の部材が配置されていてもよい。さらに、「上」もしくは「上方」または「下」もしくは「下方」の語句は、複数の層が積層された構造における積層順を意味するものであり、平面視において重畳する位置関係になくてもよい。

　本明細書において、各構成に付記される「第１」、「第２」、または「第３」などの文字は、各構成を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限り、それ以上の意味を有さない。

　本明細書および図面において、同一または類似する複数の構成を総じて表記する際には同一の符号を用い、これらの複数の構成のそれぞれを区別して表記する際には、小文字または大文字のアルファベットを添えて表記する場合がある。また、１つの構成のうちの複数の部分を区別して表記する際には、ハイフンと自然数を用いる場合がある。

　以下の各実施形態は、技術的な矛盾を生じない限り、互いに組み合わせることができる。

＜第１実施形態＞
　図１～図４Ｆを参照して、本発明の一実施形態に係る発光装置１００について説明する。

［１．発光装置１００の構成］
　図１は、本発明の一実施形態に係る発光装置１００の構成を示す概略図である。発光装置１００は、基板１１０上に画素部１００Ｐおよび端子部１００Ｔが形成されている。画素部１００Ｐは基板１１０の中央部に形成され、端子部１００Ｔは基板１１０の端部に形成されている。画素部１００Ｐは、第１の方向および第１の方向と直交する（交差する）第２の方向に配置された複数の画素１００－ｐを含む。詳細は後述するが、複数の画素１００－ｐの各々には発光ダイオード（ＬＥＤ）が形成されている。端子部１００Ｔは、複数の端子１００－ｔを含む。複数の端子１００－ｔの各々には、電源供給線が接続され、画素１００－ｐ内のＬＥＤに電圧を印加する（電流を供給する）ことができる。なお、詳細は図示しないが、画素１００－ｐにトランジスタを設け、トランジスタによってＬＥＤのオンまたはオフを制御することもできる。

　図２は、本発明の一実施形態に係る発光装置１００の構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図２は、画素１００－ｐの断面図である。また、図３は、本発明の一実施形態に係る発光装置１００の構成を示す模式的な平面図である。

　図２に示すように、発光装置１００は、基板１１０、導電性配向層１２０、第１の窒化物半導体層１３０、第２の窒化物半導体層１４０、電極層１５０、第１のリブ１６０、および第２のリブ１７０を含む。なお、図３では、説明の便宜上、第２の窒化物半導体層１４０および第２のリブ１７０上の電極層１５０が省略されている。

　導電性配向層１２０は、基板１１０上に設けられている。また、導電性配向層１２０は、マトリクス状に設けられた複数の画素１００－ｐに共通して設けられている。

　第１の窒化物半導体層１３０および第２の窒化物半導体層１４０は、この順に、導電性配向層１２０上に設けられている。また、第１の窒化物半導体層１３０および第２の窒化物半導体層１４０の各々は、マトリクス状に配置された複数の画素１００－ｐの各々に島状に設けられている。

　電極層１５０は、第２の窒化物半導体層１４０を覆うように、第２の窒化物半導体層１４０および第２のリブ１７０上に設けられている。また、電極層１５０は、マトリクス状に配置された複数の画素１００－ｐに共通して設けられている。

　第１のリブ１６０は、導電性配向層１２０上に格子状に設けられている。また、第２のリブ１７０は、第１のリブ１６０上に格子状に設けられている。なお、複数の画素１００－ｐは、第１のリブ１６０および第２のリブ１７０によって区画されている。

　第１のリブ１６０および第２のリブ１７０の積層体は、導電性配向層１２０が露出された開口部を含む。また、第１のリブ１６０および第２のリブ１７０の積層体の開口部には、導電性配向層１２０を覆うように、第１の窒化物半導体層１３０および第２の窒化物半導体層１４０の積層体が設けられている。すなわち、複数の第１の窒化物半導体層１３０および第２の窒化物半導体層１４０の積層体は、第１のリブ１６０および第２のリブ１７０によって離間されている。

　以下では、発光装置１００の各構成の詳細について説明する。

　基板１１０は、ＬＥＤの支持基板である。詳細は後述するが、発光装置１００では、第１の窒化物半導体層１３０および第２の窒化物半導体層１４０の各々がスパッタリングによって形成されるため、基板１１０は、例えば、６００度程度の耐熱性を有すればよい。そのため、基板１１０として、例えば、非晶質ガラス基板を用いることができる。また、基板１１０として、ポリイミド基板、アクリル基板、シロキサン基板、またはフッ素樹脂基板などの樹脂基板も用いることができる。なお、非晶質ガラス基板または樹脂基板は、大面積化が可能な基板である。また、基板１１０として、多結晶基板を用いることもできる。多結晶基板は、窒化物半導体膜の一般的な成膜で用いられるサファイア基板よりも大面積化が可能であり、非晶質ガラス基板または樹脂基板と同様に、発光装置１００のＬＥＤの支持基板として用いることができる。

　図示しないが、基板１１０には、下地層が設けられていてもよい。下地層は、基板１１０からの不純物または外部からの不純物（例えば、水分またはナトリウム（Ｎａ）など）の拡散を防止することができる。下地層として、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜などを用いることができる。また、下地層として、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）膜と窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜との積層膜を用いることもできる。

　導電性配向層１２０は、導電性配向層１２０上に成膜される窒化ガリウム（ＧａＮ）などの窒化物半導体膜の結晶性を向上させることができる。具体的には、導電性配向層１２０は、導電性配向層１２０上に成膜される窒化物半導体膜のｃ軸が膜厚方向に成長するように制御することができる。換言すると、導電性配向層１２０は、第１の窒化物半導体層１３０がｃ軸配向を有するように制御することができる。六方最密構造を有する窒化物半導体は、表面エネルギーを最小化するようにｃ軸方向に成長するが、導電性配向層１２０上に窒化物半導体膜を成膜することにより、窒化物半導体膜のｃ軸方向への結晶成長が促進される。導電性配向層１２０として、六方最密構造、面心立方構造、またはそれらに準ずる構造を有する導電性材料を用いることができる。ここで、六方最密構造または面心立方構造に準ずる構造とは、ａ軸およびｂ軸に対してｃ軸が９０°とならない結晶構造を含むものである。六方最密構造またはそれに準ずる構造を有する導電性材料を用いた導電性配向層１２０は、基板１１０に対して（０００１）方向、すなわち、ｃ軸方向に配向している（以下、六方最密構造の（０００１）配向という。）。また、面心立方構造またはそれに準ずる構造を有する材料を用いた導電性配向層１２０は、基板１１０に対して（１１１）方向に配向している（以下、面心立方構造の（１１１）配向という。）。導電性配向層１２０が六方最密構造の（０００１）配向または面心立方構造の（１１１）配向を有することにより、導電性配向層１２０上に成膜される窒化物半導体膜のｃ軸方向への結晶成長が促進され、第１の窒化物半導体層１３０は結晶性の高いｃ軸配向を有する。

　導電性配向層１２０上の窒化物半導体膜の結晶性は、導電性配向層１２０の表面状態の影響を受ける。そのため、導電性配向層１２０は、凹凸が少なく、平滑な表面を有することが好ましい。例えば、導電性配向層１２０の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、２．３ｎｍよりも小さいことが好ましい。また、導電性配向層１２０の表面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）は、２．９ｎｍよりも小さいことが好ましい。導電性配向層１２０の表面粗さが上記条件である場合、第１の窒化物半導体層１３０は、より結晶性の高いｃ軸配向を有する。なお、導電性配向層１２０の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。

　導電性配向層１２０は、導電性を有し、ＬＥＤの電極としても機能することができる。導電性配向層１２０として、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ_ｘ）、酸化チタン（ＴｉＯ_ｘ）、グラフェン、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ_２）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、セリウム（Ｃｅ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、鉛（Ｐｂ）、アクチニウム（Ａｃ）、トリウム（Ｔｈ）、ＢｉＬａＴｉＯ、ＳｒＦｅＯ、ＢｉＦｅＯ、ＢａＦｅＯ、ＺｎＦｅＯ、またはＰＭｎＮ－ＰＺＴなどを用いることができる。特に、導電性配向層１２０として、チタン、グラフェン、または酸化亜鉛を用いることが好ましい。

　第１の窒化物半導体層１３０は、ＬＥＤの第１の半導体層を含む。導電性配向層１２０上の第１の窒化物半導体層１３０は、窒化物半導体を含み、結晶性の高いｃ軸配向を有する。

　第２の窒化物半導体層１４０は、ＬＥＤの発光層および第２の半導体層を含む。第２の窒化物半導体層１４０も窒化物半導体を含み、結晶性の高いｃ軸配向を有する第１の窒化物半導体層１３０上に設けられているため、第２の窒化物半導体層１４０も結晶性の高いｃ軸配向を有する。発光層は、第１の半導体層と第２の半導体層の間に位置する。すなわち、第１の窒化物半導体層１３０および第２の窒化物半導体層１４０の積層体は、第１の半導体層、発光層、および第２の半導体層を含む。第１の半導体層および第２の半導体層の一方は、ｎ型窒化物半導体層であり、第１の半導体層および第２の半導体層の他方は、ｐ型窒化物半導体層である。ｎ型窒化物半導体層として、例えば、シリコン（Ｓｉ）をドープしたＧａＮ膜などを用いることができる。発光層として、例えば、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜と窒化ガリウム膜とが交互に積層された積層膜などを用いることができる。ｐ型窒化物半導体層として、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）をドープしたＧａＮ膜を用いることができる。

　電極層１５０は、ＬＥＤの電極として機能する。電極層１５０として、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの透明酸化物を用いることができる。また、電極層１５０として、インジウム（Ｉｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金（Ａｕ）などの金属材料を用いることができる。第２の窒化物半導体層１４０の第２の半導体層がｐ型窒化物半導体層であるとき、電極層１５０はｐ型電極として、例えば、パラジウムまたは金を用いることができる。また、第２の窒化物半導体層１４０の第２の半導体層がｎ型窒化物半導体層であるとき、電極層１５０はｎ型電極として、インジウムを用いることができる。

　なお、発光装置１００では、導電性配向層１２０および電極層１５０の一方がｐ型電極であり、導電性配向層１２０および電極層１５０の他方がｎ型電極である。第２の窒化物半導体層１４０の発光層からの発光を外部へ取り出すためには、ｐ型電極およびｎ型電極の少なくとも一方が透光性または半透光性を有していればよい。例えば、半透光性のｐ型電極またはｎ型電極は、膜厚の薄い金属を用いて形成することができる。

　第１のリブ１６０および第２のリブ１７０は、複数の画素１００－ｐの各々を区画する隔壁として機能する。第１のリブ１６０および第２のリブ１７０の各々として、例えば、酸化シリコンもしくは窒化シリコンなどの無機材料、またはこれらの無機材料の積層体を用いることができる。また、第１のリブ１６０および第２のリブ１７０の各々として、アクリルまたはポリイミドなどの有機材料を用いることができる。

　なお、図示しないが、必要に応じて、ＬＥＤを覆うように、保護膜を設けることもできる。保護膜として、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜を用いることができる。また、保護膜として、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）膜と窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜との積層膜を用いることもできる。

　複数の画素１００－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２０、第１の窒化物半導体層１３０、第２の窒化物半導体層１４０、および電極層１５０を含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２０であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５０である。導電性配向層１２０および電極層１５０は、マトリクス状に設けられた複数の画素１００－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置１００では、複数の画素１００－ｐの各々を制御することはできない。なお、説明の便宜上、画素１００－ｐは、基板１１０を含む場合がある。

［２．発光装置１００の製造方法］
　図４Ａ～図４Ｆを参照して、本発明の一実施形態に係る発光装置１００の製造方法について説明する。図４Ａ～図４Ｆは、本発明の一実施形態に係る発光装置１００の製造方法を示す模式的な断面図である。

　始めに、図４Ａに示すように、基板１１０上に、導電性配向層１２０を形成する。導電性配向層１２０は、スパッタリングまたはＣＶＤなど任意の方法（装置）を用いて成膜することができる。

　次に、図４Ｂに示すように、導電性配向層１２０上に、導電性配向層１２０が露出された開口部を含む第１のリブ１６０を形成する。第１のリブ１６０は、無機材料または有機材料を成膜し、フォトリソグラフィーを用いて無機材料または有機材料をパターニングすることによって形成される。

　次に、図４Ｃに示すように、第１のリブ１６０の開口部を覆うように、導電性配向層１２０および第１のリブ１６０上に第１の窒化物半導体膜１３０－ａを成膜する。第１の窒化物半導体膜１３０－ａは、スパッタリングを用いて成膜することができる。第１の窒化物半導体膜１３０－ａにおいて、導電性配向層１２０と接する領域は、結晶性の高いｃ軸配向を有する。

　ここで、スパッタリングを用いた窒化物半導体膜の成膜の一例として、窒化ガリウム膜の成膜について説明する。

　真空チャンバ内に、窒化ガリウムターゲットと対向して、導電性配向層１２０が形成された基板１１０を配置する。窒化ガリウムターゲットにおける窒化ガリウムの組成比は、窒素に対するガリウムが０．７以上２以下であることが好ましい。また、真空チャンバには、スパッタリングガス（アルゴンまたはクリプトンなど）とは別に、窒素を供給することができる。その場合、窒化ガリウムターゲットの窒化ガリウムの組成比は、窒素よりもガリウムが多いことが好ましい。例えば、窒素は、窒素ラジカル供給源を用いて供給することができる。スパッタリング電源は、ＤＣ電源、ＲＦ電源、またはパルスＤＣ電源のいずれであってもよい。

　真空チャンバ内の基板１１０は、加熱されてもよい。例えば、基板１１０は、４００℃以上６００℃未満で加熱することができる。この基板温度であれば、耐熱性の低い非晶質ガラス基板に対しても適用することができる。また、この基板温度は、ＭＯＣＶＤまたはＨＶＰＥでの成膜温度よりも低い。

　真空チャンバ内を十分排気した後、スパッタリングガスを供給する。また、所定の圧力で基板１１０と窒化ガリウムターゲットとの間に電圧を印加してプラズマを生成し、窒化ガリウム膜を成膜する。

　以上、スパッタリングによる窒化ガリウム膜の成膜方法について説明したが、スパッタリングの構成または条件は適宜変更することができる。なお、窒化ガリウムターゲットではなく、シリコンをドープした窒化ガリウムターゲットおよびマグネシウムをドープした窒化ガリウムターゲットを用いれば、それぞれ、ｎ型窒化ガリウム膜（ｎ型窒化物半導体膜）およびｐ型窒化ガリウム膜（ｐ型窒化物半導体膜）を成膜することができる。

　次に、図４Ｄに示すように、第１の窒化物半導体膜１３０－ａ上に、第２の窒化物半導体膜１４０－ａを成膜する。第２の窒化物半導体膜１４０－ａは、スパッタリングを用いて成膜することができる。第２の窒化物半導体膜１４０－ａは、結晶性の高いｃ軸配向を有する第１の窒化物半導体膜１３０－ａ上に成膜されているため、第２の窒化物半導体膜１４０－ａも、第１の窒化物半導体膜１３０－ａと同様に、結晶性の高いｃ軸配向を有する。

　次に、図４Ｅに示すように、フォトリソグラフィーを用いて第１の窒化物半導体膜１３０－ａおよび第２の窒化物半導体膜１４０－ａをパターニングし、第１の窒化物半導体層１３０および第２の窒化物半導体層１４０を形成する。また、パターニングにより、第１のリブ１６０が露出された格子状の溝部１７０－ｇが形成される。

　次に、図４Ｆに示すように、第１のリブ１６０上に、溝部１７０－ｇを充填する第２のリブ１７０を形成する。第２のリブ１７０は、無機材料または有機材料を成膜し、フォトリソグラフィーを用いて無機材料または有機材料をパターニングすることによって形成される。パターニングにより、第２のリブ１７０は、少なくとも第２の窒化物半導体層１４０の側面を覆うように形成される。

　最後に、第２の窒化物半導体層１４０および第２のリブ１７０を覆う電極層１５０を形成することにより、図１～図３に示す発光装置１００が製造される。

　発光装置１００では、導電性配向層１２０上に第１の窒化物半導体層１３０が設けられているため、第１の窒化物半導体層１３０の結晶性が向上する。また、第２の窒化物半導体層１４０は、結晶性が向上した第１の窒化物半導体層１３０上に設けられることにより、発光層を含む第２の窒化物半導体層１４０の結晶性も向上する。そのため、発光装置１００の発光効率を向上させることができる。また、導電性配向層１２０をＬＥＤの電極として用いることができる。さらに、基板１１０上に導電性配向層１２０を設けることにより、基板１１０として大面積の非晶質基板を用いて複数の発光装置１００を製造することが可能である。

＜第１実施形態の変形例１＞
　図５および図６は、本発明の一実施形態に係る発光装置１００Ａの構成を示す模式的な断面図および平面図である。具体的には、図５は、画素１００Ａ－ｐの断面図である。発光装置１００Ａは、発光装置１００の変形例の１つである。そのため、発光装置１００Ａの構成が、発光装置１００の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図５に示すように、発光装置１００Ａは、基板１１０、導電性配向層１２０、第１の窒化物半導体層１３０、第２の窒化物半導体層１４０、電極層１５０Ａ、第１のリブ１６０、および第２のリブ１７０を含む。

　電極層１５０Ａは、図６に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素１００Ａ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素１００Ａ－ｐに共通して設けられている。また、複数の電極層１５０Ａは、第２のリブ１７０が露出された溝部１５０Ａ－ｇによって互いに離間されている。

　複数の画素１００Ａ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２０、第１の窒化物半導体層１３０、第２の窒化物半導体層１４０、および電極層１５０Ａを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２０であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５０Ａである。導電性配向層１２０は、マトリクス状に設けられた複数の画素１００－ｐに共通して設けられている。一方、電極層１５０Ａは、第１の方向に配列された複数の画素１００Ａ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置１００Ａでは、第１の方向に配列された複数の画素１００Ａ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

＜第１実施形態の変形例２＞
　図７は、本発明の一実施形態に係る発光装置１００Ｂの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図７は、画素１００Ｂ－ｐの断面図である。発光装置１００Ｂは、発光装置１００の変形例の１つである。そのため、発光装置１００Ｂの構成が、発光装置１００または発光装置１００Ａの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図７に示すように、発光装置１００Ｂは、基板１１０、導電性配向層１２０、第１の窒化物半導体層１３０、第２の窒化物半導体層１４０、電極層１５０Ｂ、第１のリブ１６０、および第２のリブ１７０を含む。

　図示しないが、電極層１５０Ｂも、電極層１５０Ａと同様に、マトリクス状に配置された複数の画素１００Ｂ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素１００Ｂ－ｐに共通して設けられている。また、複数の電極層１５０Ｂは、第２のリブ１７０が露出された溝部１５０Ｂ－ｇによって互いに離間されている。

　複数の画素１００Ｂ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２０、第１の窒化物半導体層１３０、第２の窒化物半導体層１４０、および電極層１５０Ｂを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２０であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５０Ｂである。導電性配向層１２０は、マトリクス状に設けられた複数の画素１００Ｂ－ｐに共通して設けられている。一方、電極層１５０Ｂは、第１の方向に配列された複数の画素１００Ｂ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置１００Ｂでは、第１の方向に配列された複数の画素１００Ｂ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

　また、発光装置１００Ｂでは、溝部１５０Ｂ－ｇにおいて、第２のリブ１７０だけでなく、第２の窒化物半導体層１４０の表面の一部も露出されている。そのため、電極層１５０Ｂが非透光性材料で形成された場合であっても、上面方向に第２の窒化物半導体層１４０の発光層からの発光を取り出すことができる。

＜第１実施形態の変形例３＞
　図８は、本発明の一実施形態に係る発光装置１００Ｃの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図８は、画素１００Ｃ－ｐの断面図である。発光装置１００Ｃは、発光装置１００の変形例の１つである。そのため、発光装置１００Ｃの構成が、発光装置１００～発光装置１００Ｂの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図８に示すように、発光装置１００Ｃは、基板１１０、導電性配向層１２０、第１の窒化物半導体層１３０、第２の窒化物半導体層１４０、電極層１５０Ｃ、第１のリブ１６０、および第２のリブ１７０を含む。

　図示しないが、電極層１５０Ｃも、電極層１５０Ａと同様に、マトリクス状に配置された複数の画素１００Ｃ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素１００Ｃ－ｐに共通して設けられている。また、複数の電極層１５０Ｃは、第２のリブ１７０が露出された溝部１５０Ｃ－ｇによって互いに離間されている。

　複数の画素１００Ｃ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２０、第１の窒化物半導体層１３０、第２の窒化物半導体層１４０、および電極層１５０Ｃを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２０であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５０Ｃである。導電性配向層１２０は、マトリクス状に設けられた複数の画素１００－ｐに共通して設けられている。一方、電極層１５０Ｃは、第１の方向に配列された複数の画素１００Ｃ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置１００Ｃでは、第１の方向に配列された複数の画素１００Ｃ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

　また、発光装置１００Ｃでは、溝部１５０Ｃ－ｇにおいて、第２のリブ１７０だけでなく、第２の窒化物半導体層１４０の表面の一部も露出されている。そのため、電極層１５０Ｃが非透光性材料で形成された場合であっても、上面方向に第２の窒化物半導体層１４０の発光層からの発光を取り出すことができる。さらに、発光装置１００Ｃでは、第１の方向と直交する第２の方向において、電極層１５０Ｃの幅は、第２のリブ１７０の開口幅よりも小さい。そのため、発光装置１００Ｃでは、発光装置１００Ｂより多くの発光を上面方向に取り出すことができる。

＜第２実施形態＞
　図９および図１０を参照して、本発明の一実施形態に係る発光装置１０１について説明する。なお、発光装置１０１の構成が、発光装置１００の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図９は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０１の構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図９は、画素１０１－ｐの断面図である。また、図１０は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０１の構成を示す模式的な平面図である。なお、図１０では、説明の便宜上、第２の窒化物半導体層１４１および第２のリブ１７１上の電極層１５１が省略されている。また、図１０では、説明の便宜上、導電性配向層１２１が破線で示されている。

　図９に示すように、発光装置１０１は、基板１１１、導電性配向層１２１、第１の窒化物半導体層１３１、第２の窒化物半導体層１４１、電極層１５１、第１のリブ１６１、および第２のリブ１７１を含む。

　導電性配向層１２１は、基板１１１上に設けられている。また、導電性配向層１２１は、第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素１０１－ｐに共通して設けられている。複数の導電性配向層１２１は、基板１１１が露出された溝部１２１－ｇによって互いに離間されている。なお、溝部１２１－ｇ内には、第１のリブ１６１が充填されている。

　第１の窒化物半導体層１３１および第２の窒化物半導体層１４１は、この順に、導電性配向層１２１上に設けられている。また、第１の窒化物半導体層１３１および第２の窒化物半導体層１４１の各々は、マトリクス状に配置された複数の画素１０１－ｐの各々に島状に設けられている。

　電極層１５１は、第２の窒化物半導体層１４１を覆うように、第２の窒化物半導体層１４１および第２のリブ１７１上に設けられている。また、電極層１５１は、マトリクス状に配置された複数の画素１０１－ｐに共通して設けられている。

　第１のリブ１６１は、基板１１１上に格子状に設けられている。また、第２のリブ１７１は、第１のリブ１６１上に格子状に設けられている。

　複数の画素１０１－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２１、第１の窒化物半導体層１３１、第２の窒化物半導体層１４１、および電極層１５１を含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２１であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５１である。導電性配向層１２１は、第１の方向に配列された複数の画素１０１－ｐに共通して設けられている。一方、電極層１５１は、マトリクス状に設けられた複数の画素１０１－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置１０１では、第１の方向に配列された複数の画素１０１－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。なお、説明の便宜上、画素１０１－ｐは、基板１１１を含む場合がある。

　発光装置１０１では、導電性配向層１２１上に第１の窒化物半導体層１３１が設けられているため、第１の窒化物半導体層１３１の結晶性が向上する。また、第２の窒化物半導体層１４１は、結晶性が向上した第１の窒化物半導体層１３１上に設けられることにより、発光層を含む第２の窒化物半導体層１４１の結晶性も向上する。そのため、発光装置１０１の発光効率を向上させることができる。また、導電性配向層１２１をＬＥＤの電極として用いることができる。さらに、基板１１１上に導電性配向層１２１を設けることにより、基板１１１として大面積の非晶質基板を用いて複数の発光装置１０１を製造することが可能である。

＜第２実施形態の変形例１＞
　図１１は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０１Ａの構成を示す模式図である。具体的には、図１１は、画素１０１Ａ－ｐの断面図である。発光装置１０１Ａは、発光装置１０１の変形例の１つである。そのため、発光装置１０１Ａの構成が、発光装置１０１の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図１１に示すように、発光装置１０１Ａは、基板１１１、導電性配向層１２１、第１の窒化物半導体層１３１、第２の窒化物半導体層１４１、電極層１５１Ａ、第１のリブ１６１、および第２のリブ１７１を含む。

　図示しないが、電極層１５１Ａは、マトリクス状に配置された複数の画素１０１Ａ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素１０１Ａ－ｐに共通して設けられている。また、複数の電極層１５１Ａは、第２のリブ１７１が露出された溝部１５１Ａ－ｇによって互いに離間されている。

　複数の画素１０１Ａ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２１、第１の窒化物半導体層１３１、第２の窒化物半導体層１４１、および電極層１５１Ａを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２１であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５１Ａである。導電性配向層１２１および電極層１５１Ａは、第１の方向に配列された複数の画素１０１Ａ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置１０１Ａでは、第１の方向に配列された複数の画素１０１Ａ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

＜第２実施形態の変形例２＞
　図１２は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０１Ｂの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図１２は、画素１０１Ｂ－ｐの断面図である。発光装置１０１Ｂは、発光装置１０１の変形例の１つである。そのため、発光装置１０１Ｂの構成が、発光装置１０１または発光装置１０１Ａの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図１２に示すように、発光装置１０１Ｂは、基板１１１、導電性配向層１２１、第１の窒化物半導体層１３１、第２の窒化物半導体層１４１、電極層１５１Ｂ、第１のリブ１６１、および第２のリブ１７１を含む。

　図示しないが、電極層１５１Ｂも、電極層１５１Ａと同様に、マトリクス状に配置された画素１０１Ｂ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素１０１Ｂ－ｐに共通して設けられている。また、複数の電極層１５１Ｂは、第２のリブ１７１が露出された溝部１５１Ｂ－ｇによって互いに離間されている。

　複数の画素１０１Ｂ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２１、第１の窒化物半導体層１３１、第２の窒化物半導体層１４１、および電極層１５１Ｂを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２１であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５１Ｂである。導電性配向層１２１および電極層１５１Ｂは、第１の方向に配列された複数の画素１０１Ｂ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置１０１Ｂでは、第１の方向に配列された複数の画素１０１Ｂ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

　また、発光装置１０１Ｂでは、溝部１５１Ｂ－ｇにおいて、第２のリブ１７１だけでなく、第２の窒化物半導体層１４１の表面の一部も露出されている。そのため、電極層１５１Ｂが非透光性材料で形成された場合であっても、上面方向に第２の窒化物半導体層１４１の発光層からの発光を取り出すことができる。

＜第２実施形態の変形例３＞
　図１３は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０１Ｃの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図１３は、画素１０１Ｃ－ｐの断面図である。発光装置１０１Ｃは、発光装置１０１の変形例の１つである。そのため、発光装置１０１Ｃの構成が、発光装置１０１～発光装置１０１Ｂの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図１３に示すように、発光装置１０１Ｃは、基板１１１、導電性配向層１２１、第１の窒化物半導体層１３１、第２の窒化物半導体層１４１、電極層１５１Ｃ、第１のリブ１６１、および第２のリブ１７１を含む。

　図示しないが、電極層１５１Ｃも、電極層１５１Ａと同様に、マトリクス状に配置された複数の画素１０１Ｃ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素１０１Ｃ－ｐに共通して設けられている。また、複数の電極層１５１Ｃは、第２のリブ１７１が露出された溝部１５１Ｃ－ｇによって互いに離間されている。

　複数の画素１０１Ｃ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２１、第１の窒化物半導体層１３１、第２の窒化物半導体層１４１、および電極層１５１Ｃを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２１であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５１Ｃである。導電性配向層１２１および電極層１５１Ｃは、第１の方向に配列された複数の画素１０１Ｃ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置１０１Ｃでは、第１の方向に配列された複数の画素１０１Ｃ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

　また、発光装置１０１Ｃでは、溝部１５１Ｃ－ｇにおいて、第２のリブ１７１だけでなく、第２の窒化物半導体層１４１の表面の一部も露出されている。そのため、電極層１５１Ｃが非透光性材料で形成された場合であっても、上面方向に第２の窒化物半導体層１４１の発光層からの発光を取り出すことができる。さらに、発光装置１０１Ｃでは、第１の方向と直交する第２の方向において、電極層１５１Ｃの幅は、第２のリブ１７１の開口幅よりも小さい。そのため、発光装置１０１Ｃでは、発光装置１０１Ｂより多くの発光を上面方向に取り出すことができる。

＜第２実施形態の変形例４＞
　図１４および図１５は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０１Ｄの構成を示す模式的な断面図および平面図である。具体的には、図１４は、画素１０１Ｄ－ｐの断面図である。また、図１５では、説明の便宜上、導電性配向層１２１が破線で示されている。発光装置１０１Ｄは、発光装置１０１の変形例の１つである。そのため、発光装置１０１Ｄの構成が、発光装置１０１～発光装置１０１Ｃの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図１４に示すように、発光装置１０１Ｄは、基板１１１、導電性配向層１２１、第１の窒化物半導体層１３１、第２の窒化物半導体層１４１、電極層１５１Ｄ、第１のリブ１６１、および第２のリブ１７０を含む。

　電極層１５１Ｄは、図１５に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素１０１Ｄ－ｐの第１の方向と直交する第２の方向に沿って延在し、第２の方向に配列された複数の画素１０１Ｄ－ｐに共通して設けられている。また、複数の電極層１５１Ｄは、第２のリブ１７１が露出された溝部１５０Ｄ－ｇによって互いに離間されている。

　複数の画素１０１Ｄ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２１、第１の窒化物半導体層１３１、第２の窒化物半導体層１４１、および電極層１５１Ｄを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２１であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５１Ｄである。導電性配向層１２１は、第１の方向に配列された複数の画素１０１Ｄ－ｐに共通して設けられている。一方、電極層１５１Ｄは、第２の方向に配列された複数の画素１０１Ｄ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置１０１Ｄでは、導電性配向層１２１と電極層１５１Ｄとが交差する位置の画素１０１Ｄ－ｐの発光を制御することができる。すなわち、発光装置１０１Ｄでは、パッシブ駆動により、画素１０１Ｄ－ｐの発光を制御することができる。

＜第２実施形態の変形例５＞
　図１６および図１７は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０１Ｅの構成を示す模式的な断面図および平面図である。具体的には、図１６は、画素１０１Ｅ－ｐの断面図である。また、図１７では、説明の便宜上、第２の窒化物半導体層１４１および第２のリブ１７１上の電極層１５１が省略されている。また、図１７では、説明の便宜上、後述する導電性配向層１２１Ｅが破線で示されている。発光装置１０１Ｅは、発光装置１０１の変形例の１つである。そのため、発光装置１０１Ｅの構成が、発光装置１０１～発光装置１０１Ｄの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図１６に示すように、発光装置１０１Ｅは、基板１１１、導電性配向層１２１Ｅ、第１の窒化物半導体層１３１、第２の窒化物半導体層１４１、電極層１５１、第１のリブ１６１、および第２のリブ１７１を含む。

　導電性配向層１２１Ｅは、図１７に示すように、マトリクス状に配置された画素１０１Ｅ－ｐの各々に島状に設けられている。また、複数の導電性配向層１２１Ｅは、格子状に設けられた溝部１２１Ｅ－ｇによって互いに離間されている。

　複数の画素１０１Ｅ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２１Ｅ、第１の窒化物半導体層１３１、第２の窒化物半導体層１４１、および電極層１５１を含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２１Ｅであり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５１である。導電性配向層１２１Ｅは、マトリクス状に配置された複数の画素１０１Ｅ－ｐの各々に島状に設けられている。一方、電極層１５１は、マトリクス状に配置された複数の画素１０１Ｅ－ｐに共通して設けられている。発光装置１０１Ｅでは、基板１１１にＬＥＤを制御する、例えば、トランジスタが設けられている。また、複数の導電性配向層１２１Ｅの各々は、トランジスタと電気的に接続される。したがって、発光装置１０１Ｅでは、マトリクス状に配置された複数の画素１０１Ｅ－ｐの各々の発光を制御することができる。すなわち、発光装置１０１Ｅでは、アクティブ駆動により、画素１０１Ｅ－ｐの発光を制御することができる。

＜第３実施形態＞
　図１８および図１９を参照して、本発明の一実施形態に係る発光装置１０２について説明する。なお、発光装置１０２の構成が発光装置１００または発光装置１０１の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図１８および図１９は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０２の構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図１８および図１９は、画素１０２－ｐの断面図である。

　図１８に示すように、発光装置１０２は、基板１１２、導電性配向層１２２、第１の窒化物半導体層１３２、第２の窒化物半導体層１４２、電極層１５２、およびリブ１７２を含む。

　導電性配向層１２２は、基板１１２上に設けられている。また、導電性配向層１２２は、第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素１０２－ｐに共通して設けられている。複数の導電性配向層１２２は、基板１１２が露出された溝部１７２－ｇによって互いに離間されている。なお、溝部１７２－ｇ内には、リブ１７２が充填されている。

　第１の窒化物半導体層１３２および第２の窒化物半導体層１４２は、この順に、導電性配向層１２２上に設けられている。また、第１の窒化物半導体層１３２および第２の窒化物半導体層１４２の各々は、マトリクス状に配置された複数の画素１０２－ｐの各々に島状に設けられている。

　電極層１５２は、第２の窒化物半導体層１４２を覆うように、第２の窒化物半導体層１４２およびリブ１７２上に設けられている。また、電極層１５２は、マトリクス状に配置された複数の画素１０２－ｐに共通して設けられている。

　リブ１７２は、基板１１１上に格子状に設けられている。すなわち、リブ１７２は、格子状に設けられた溝部１７２－ｇを充填するように設けられている。図１８および図１９に示すように、溝部１７２－ｇは、延在する方向によって深さが異なる。図１８に示すように、画素１０２－ｐの第２の方向では、溝部１７２－ｇは、基板１１２の表面が露出されるように設けられている。一方、図１９に示すように、第２の方向と直交する第１の方向では、溝部１７２－ｇは、第１の方向に延在する導電性配向層１２２の表面が露出されるように設けられている。

　複数の画素１０２－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２２、第１の窒化物半導体層１３２、第２の窒化物半導体層１４２、および電極層１５２を含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２２であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５２である。導電性配向層１２２は、第１の方向に配列された複数の画素１０２－ｐに共通して設けられている。一方、電極層１５２は、マトリクス状に設けられた複数の画素１０２－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置１０２では、第１の方向に配列された複数の画素１０２－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。なお、説明の便宜上、画素１０２－ｐは、基板１１２を含む場合がある。

　発光装置１０２では、導電性配向層１２２上に第１の窒化物半導体層１３２が設けられているため、第１の窒化物半導体層１３２の結晶性が向上する。また、第２の窒化物半導体層１４２は、結晶性が向上した第１の窒化物半導体層１３２上に設けられることにより、発光層を含む第２の窒化物半導体層１４２の結晶性も向上する。そのため、発光装置１０２の発光効率を向上させることができる。また、導電性配向層１２２をＬＥＤの電極として用いることができる。さらに、基板１１２上に導電性配向層１２２を設けることにより、基板１１２として大面積の非晶質基板を用いて複数の発光装置１０２を製造することが可能である。

＜第３実施形態の変形例１＞
　図２０および図２１は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０２Ａの構成を示す模式図である。具体的には、図２０および図２１は、画素１０２Ａ－ｐの断面図である。発光装置１０２Ａは、発光装置１０２の変形例の１つである。そのため、発光装置１０２Ａの構成が、発光装置１０２の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図２０に示すように、発光装置１０２Ａは、基板１１２、導電性配向層１２２、第１の窒化物半導体層１３２、第２の窒化物半導体層１４２、電極層１５２Ａ、およびリブ１７２を含む。

　図２０および図２１に示すように、電極層１５２Ａは、マトリクス状に配置された複数の画素１０２Ａ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素１０２Ａ－ｐに共通して設けられている。また、複数の電極層１５２Ａは、リブ１７２の表面が露出された溝部１５２Ａ－ｇによって互いに離間されている。

　複数の画素１０２Ａ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２２、第１の窒化物半導体層１３２、第２の窒化物半導体層１４２、および電極層１５２Ａを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２２であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５２Ａである。導電性配向層１２２および電極層１５２Ａは、第１の方向に配列された複数の画素１０２Ａ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置１０２Ａでは、第１の方向に配列された複数の画素１０２Ａ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

＜第３実施形態の変形例２＞
　図２２は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０２Ｂの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図２２は、画素１０２Ｂ－ｐの断面図である。発光装置１０２Ｂは、発光装置１０２の変形例の１つである。そのため、発光装置１０２Ｂの構成が、発光装置１０２または発光装置１０２Ａの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図２２に示すように、発光装置１０２Ｂは、基板１１２、導電性配向層１２２、第１の窒化物半導体層１３２、第２の窒化物半導体層１４２、電極層１５２Ｂ、およびリブ１７２を含む。

　図示しないが、電極層１５２Ｂも、電極層１５２Ａと同様に、マトリクス状に配置された画素１０２Ｂ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素１０２Ｂ－ｐに共通して設けられている。また、複数の電極層１５２Ｂは、リブ１７２が露出された溝部１５２Ｂ－ｇによって互いに離間されている。

　複数の画素１０２Ｂ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２２、第１の窒化物半導体層１３２、第２の窒化物半導体層１４２、および電極層１５２Ｂを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２２であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５２Ｂである。導電性配向層１２２および電極層１５２Ｂは、第１の方向に配列された複数の画素１０２Ｂ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置１０２Ｂでは、第１の方向に配列された複数の画素１０２Ｂ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

　また、発光装置１０２Ｂでは、溝部１５２Ｂ－ｇにおいて、リブ１７２だけでなく、第２の窒化物半導体層１４２の表面の一部も露出されている。そのため、電極層１５２Ｂが非透光性材料で形成された場合であっても、上面方向に第２の窒化物半導体層１４２からの発光を取り出すことができる。

＜第３実施形態の変形例３＞
　図２３は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０２Ｃの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図２３は、画素１０２Ｃ－ｐの断面図である。発光装置１０２Ｃは、発光装置１０２の変形例の１つである。そのため、発光装置１０２Ｃの構成が、発光装置１０２～発光装置１０２Ｂの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図２３に示すように、発光装置１０２Ｃは、基板１１２、導電性配向層１２２、第１の窒化物半導体層１３２、第２の窒化物半導体層１４２、電極層１５２Ｃ、およびリブ１７２を含む。

　図示しないが、電極層１５２Ｃも、電極層１５２Ａと同様に、マトリクス状に配置された複数の画素１０２Ｃ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素１０２Ｃ－ｐに共通して設けられている。また、複数の電極層１５２Ｃは、リブ１７２が露出された溝部１５２Ｃ－ｇによって互いに離間されている。

　複数の画素１０２Ｃ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２２、第１の窒化物半導体層１３２、第２の窒化物半導体層１４２、および電極層１５２Ｃを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２２であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５２Ｃである。導電性配向層１２２および電極層１５２Ｃは、第１の方向に配列された複数の画素１０２Ｃ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置１０２Ｃでは、第１の方向に配列された複数の画素１０２Ｃ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

　また、発光装置１０２Ｃでは、溝部１５２Ｃ－ｇにおいて、リブ１７２だけでなく、第２の窒化物半導体層１４２の表面の一部も露出されている。そのため、電極層１５２Ｃが非透光性材料で形成された場合であっても、上面方向に第２の窒化物半導体層１４２の発光層からの発光を取り出すことができる。さらに、発光装置１０１Ｃでは、第１の方向と直交する第２の方向において、電極層１５２Ｃの幅は、リブ１７２の開口幅よりも小さい。そのため、発光装置１０２Ｃでは、発光装置１０２Ｂより多くの発光を上面方向に取り出すことができる。

＜第４実施形態＞
　図２４を参照して、本発明の一実施形態に係る発光装置１０３について説明する。なお、発光装置１０３の構成が発光装置１００～発光装置１０２の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図２４は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０３の構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図２４は、画素１０３－ｐの断面図である。

　図２４に示すように、発光装置１０３は、基板１１３、導電性配向層１２３、第１の窒化物半導体層１３３、第２の窒化物半導体層１４３、および電極層１５３を含む。

　導電性配向層１２３は、基板１１３上に設けられている。また、導電性配向層１２３は、第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素１０３－ｐに共通して設けられている。複数の導電性配向層１２３は、基板１１３が露出された溝部１７３－ｇによって互いに離間されている。

　第１の窒化物半導体層１３３および第２の窒化物半導体層１４３は、この順に、導電性配向層１２３上に設けられている。また、第１の窒化物半導体層１３３および第２の窒化物半導体層１４３の各々は、マトリクス状に配置された複数の画素１０３－ｐの各々に島状に設けられている。

　電極層１５３は、第２の窒化物半導体層１４３上に設けられている。また、電極層１５３は、マトリクス状に配置された複数の画素１０３－ｐの各々に島状に設けられている。なお、第２の窒化物半導体層１４３上の電極層１５３の位置は特に限定されない。また、電極層１５３の大きさも特に限定されない。

　複数の画素１０３－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２３、第１の窒化物半導体層１３３、第２の窒化物半導体層１４３、および電極層１５３を含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２３であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５３である。導電性配向層１２３は、第１の方向に配列された複数の画素１０３－ｐに共通して設けられている。一方、電極層１５３は、マトリクス状に設けられた複数の画素１０３－ｐの各々に設けられている。発光装置１０３では、基板１１３と異なる、金属層が形成された基板と貼り合わせられ、複数の電極層１５３が金属層と電気的に接続される。したがって、発光装置１０３では、第１の方向に配列された複数の画素１０３－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。なお、説明の便宜上、画素１０３－ｐは、基板１１３を含む場合がある。

　発光装置１０３では、導電性配向層１２３上に第１の窒化物半導体層１３３が設けられているため、第１の窒化物半導体層１３３の結晶性が向上する。また、第２の窒化物半導体層１４３は、結晶性が向上した第１の窒化物半導体層１３３上に設けられることにより、発光層を含む第２の窒化物半導体層１４３の結晶性も向上する。そのため、発光装置１０３の発光効率を向上させることができる。また、導電性配向層１２３をＬＥＤの電極として用いることができる。さらに、基板１１３上に導電性配向層１２３を設けることにより、基板１１３として大面積の非晶質基板を用いて複数の発光装置１０３を製造することが可能である。

＜第４実施形態の変形例１＞
　図２５は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０３Ａの構成を示す模式図である。具体的には、図２５は、画素１０３Ａ－ｐの断面図である。発光装置１０３Ａは、発光装置１０３の変形例の１つである。そのため、発光装置１０３Ａの構成が、発光装置１０３の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図２５に示すように、発光装置１０３Ａは、基板１１３、導電性配向層１２３Ａ、第１の窒化物半導体層１３３Ａ、第２の窒化物半導体層１４３、および電極層１５３を含む。

　導電性配向層１２３Ａも、導電性配向層１２３と同様に、マトリクス状に配置された画素１０３Ａ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素１０３Ａ－ｐに共通して設けられている。

　第１の窒化物半導体層１３３Ａおよび第２の窒化物半導体層１４３は、この順に、導電性配向層１２３Ａ上に設けられている。また、第１の窒化物半導体層１３３および第２の窒化物半導体層１４３の各々は、マトリクス状に配置された複数の画素１０３Ａ－ｐの各々に島状に設けられている。複数の第１の窒化物半導体層１３３Ａおよび第２の窒化物半導体層１４３の積層体は、溝部１７３－ｇによって、互いに分離されている。なお、導電性配向層１２３Ａの側面は、第１の窒化物半導体層１３３Ａによって覆われている。

　複数の画素１０３Ａ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、導電性配向層１２３Ａ、第１の窒化物半導体層１３３Ａ、第２の窒化物半導体層１４３、および電極層１５３を含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、導電性配向層１２３Ａであり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層１５３である。導電性配向層１２３Ａは、第１の方向に配列された複数の画素１０３－ｐに共通して設けられている。一方、電極層１５３は、マトリクス状に配置された複数の画素１０３Ａ－ｐの各々に設けられている。発光装置１０３Ａでは、基板１１３と異なる、金属層が形成された基板と貼り合わされ、複数の電極層１５３が金属層と電気的に接続される。したがって、発光装置１０３Ａでは、第１の方向に配列された複数の画素１０３Ａ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

＜第５実施形態＞
　図２６～図２７Ｈを参照して、本発明の一実施形態に係る発光装置２００について説明する。なお、発光装置２００の構成が、発光装置１００の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

［１．発光装置２００の構成］
　図２６は、本発明の一実施形態に係る発光装置２００の構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図２６は、画素２００－ｐの断面図である。

　図２６に示すように、発光装置２００は、基板２１０、絶縁性配向層２２０、第１の窒化物半導体層２３０、第２の窒化物半導体層２４０、第１の電極層２５０、第２の電極層２６０、第１のリブ２７０、および第２のリブ２８０を含む。

　絶縁性配向層２２０は、基板２１０上に設けられている。また、絶縁性配向層２２０は、マトリクス状に設けられた複数の画素２００－ｐに共通して設けられている。

　第１の窒化物半導体層２３０および第２の窒化物半導体層２４０は、この順に、絶縁性配向層２２０上に設けられている。また、第１の窒化物半導体層２３０および第２の窒化物半導体層２４０の各々は、マトリクス状に配置された複数の画素２００－ｐの各々に島状に設けられている。第２の窒化物半導体層２４０は、第１の窒化物半導体層２３０と重畳し、平面視において、第１の窒化物半導体層２３０よりも小さい面積を有する。すなわち、第１の窒化物半導体層２３０および第２の窒化物半導体層２４０の積層体は、第１の窒化物半導体層２３０が露出された凹部２４０－ｒを含む。

　第１の電極層２５０は、凹部２４０－ｒに設けられ、第１の窒化物半導体層２３０と電気的に接続されている。また、第１の電極層２５０は、第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素２００－ｐに共通して設けられている。

　第１のリブ２７０は、絶縁性配向層２２０上に格子状に設けられている。また、第２のリブ２８０は、第１の窒化物半導体層２３０、第２の窒化物半導体層２４０、および第１の電極層２５０を覆うように、第１の窒化物半導体層２３０、第２の窒化物半導体層２４０、第１の電極層２５０、および第１のリブ２７０上に設けられている。また、第２のリブ２８０は、第２の窒化物半導体層２４０が露出された開口部２８０－ｏを含む。なお、複数の画素２００－ｐは、第１のリブ２７０および第２のリブ２８０によって区画されている。

　第２の電極層２６０は、開口部２８０－ｏを覆うように、第２の窒化物半導体層２４０および第２のリブ２８０上に設けられている。また、第２の電極層２６０は、マトリクス状に配置された画素２００－ｐに共通して設けられている。また、第２の電極層２６０は、第２の窒化物半導体層２４０と電気的に接続されている。

　以下では、発光装置２００の各構成の詳細について説明する。

　基板２１０は、基板１１０と同様であるため、ここでは説明を省略する。

　絶縁性配向層２２０は、導電性配向層１２０と同様に、絶縁性配向層２２０上に成膜される窒化物半導体膜の結晶性を向上させることができる。但し、絶縁性配向層２２０は、導電性配向層１２０と異なり、絶縁性を有する。絶縁性配向層２２０として、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ）、ＢｉＬａＴｉＯ、ＳｒＦｅＯ、ＳｒＦｅＯ、ＢｉＦｅＯ、ＢａＦｅＯ、ＺｎＦｅＯ、ＰＭｎＮ－ＰＺＴ、または生体アパタイト（ＢＡｐ）などを用いることができる。特に、絶縁性配向層２２０として、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いることが好ましい。

　第１の窒化物半導体層２３０は、ＬＥＤの第１の半導体層を含む。絶縁性配向層２２０上の第１の窒化物半導体層２３０は、窒化物半導体を含み、結晶性の高いｃ軸配向を有する。なお、第１の窒化物半導体層２３０は、第１の半導体層だけでなく、アンドープ窒化ガリウムを含むバッファー層を含んでいてもよい。第１の窒化物半導体層２３０がバッファー層および第１の半導体層の積層体である場合、第１の半導体層は、第２の窒化物半導体層２４０と接するようにバッファー層上に積層される。

　第２の窒化物半導体層２４０は、第２の窒化物半導体層１４０と同様であるため、ここでは説明を省略する。

　第１の電極層２５０および第２の電極層２６０の各々は、ＬＥＤの電極として機能する。第１の電極層２５０および第２の電極層２６０の各々として、例えば、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛、または酸化亜鉛などの透明酸化物を用いることができる。また、第１の電極層２５０として、インジウム、パラジウム、または金などの金属を用いることができる。

　発光装置２００では、第１の窒化物半導体層２３０の第１の半導体層がｎ型半導体層であり、第２の窒化物半導体層２４０の第２の半導体層がｐ型半導体層であるとき、第１の電極層２５０および第２の電極層２６０は、それぞれ、ｎ型電極およびｐ型電極である。一方、第１の窒化物半導体層２３０の第１の半導体層がｐ型半導体層であり、第２の窒化物半導体層２４０の第２の半導体層がｎ型半導体層であるとき、第１の電極層２５０および第２の電極層２６０は、それぞれ、ｐ型電極およびｎ型電極である。

　また、発光装置２００の下面から発光を外部へ取り出す場合、絶縁性配向層２２０が透光性または半透光性を有していることが好ましい。一方、発光装置２００の上面から発光を外部へ取り出す場合、第２の電極層２６０が透光性または半透光性を有していることが好ましい。

　第１のリブ２７０および第２のリブ２８０は、それぞれ、第１のリブ１６０および第２のリブ１７０と同様であるため、ここでは説明を省略する。

　複数の画素２００－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５０、第１の窒化物半導体層２３０、第２の窒化物半導体層２４０、および第２の電極層２６０を含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５０であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６０である。第１の電極層２５０は、第１の方向に配列された複数の画素２００－ｐに共通して設けられている。一方、第２の電極層２６０は、マトリクス状に配置された複数の画素２００－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置２００では、第１の方向に配列された複数の画素２００－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。なお、説明の便宜上、画素２００－ｐは、基板２１０を含む場合がある。

［２．発光装置２００の製造方法］
　図２７Ａ～図２７Ｈを参照して、本発明の一実施形態に係る発光装置２００の製造方法について説明する。図２７Ａ～図２７Ｈは、本発明の一実施形態に係る発光装置２００の製造方法を示す模式的な断面図である。

　始めに、図２７Ａに示すように、基板２１０上に、絶縁性配向層２２０を形成する。絶縁性配向層２２０は、スパッタリングまたはＣＶＤなど任意の方法（装置）を用いて成膜することができる。

　次に、図２７Ｂに示すように、絶縁性配向層２２０上に、絶縁性配向層２２０が露出された開口部を含む第１のリブ２７０を形成する。第１のリブ２７０は、無機材料または有機材料を成膜し、フォトリソグラフィーを用いて無機材料または有機材料をパターニングすることによって形成される。

　次に、図２７Ｃに示すように、第１のリブ２７０の開口部を覆うように、絶縁性配向層２２０および第１のリブ２７０上に第１の窒化物半導体膜２３０－ａを成膜する。第１の窒化物半導体膜２３０－ａは、スパッタリングを用いて成膜することができる。第１の窒化物半導体膜２３０－ａにおいて、絶縁性配向層２２０と接する領域は、結晶性の高いｃ軸配向を有する。

　次に、図２７Ｄに示すように、第１の窒化物半導体膜２３０－ａ上に、第２の窒化物半導体膜２４０－ａを成膜する。第２の窒化物半導体膜２４０－ａは、スパッタリングを用いて成膜することができる。第２の窒化物半導体膜２４０－ａは、結晶性の高いｃ軸配向を有する第１の窒化物半導体膜２３０－ａ上に成膜されているため、第２の窒化物半導体膜２４０－ａも、第１の窒化物半導体膜２３０－ａと同様に、結晶性の高いｃ軸配向を有する。

　次に、図２７Ｅに示すように、フォトリソグラフィーを用いて第１の窒化物半導体膜２３０－ａおよび第２の窒化物半導体膜２４０－ａをパターニングし、島状の第１の窒化物半導体層２３０および第３の窒化物半導体膜２４０－ｂを形成する。

　次に、図２７Ｆに示すように、フォトリソグラフィーを用いて第３の窒化物半導体膜２４０－ｂをパターニングし、第１の窒化物半導体層２３０が露出された凹部２４０－ｒを形成する。また、このパターニングによって、第２の窒化物半導体層２４０が形成される。

　次に、図２７Ｇに示すように、凹部２４０－ｒの第１の窒化物半導体層２３０上に、第１の電極層２５０を形成する。第１の電極層２５０は、金属材料を成膜し、フォトリソグラフィーを用いて金属材料をパターニングすることによって形成される。

　次に、図２７Ｈに示すように、第１の窒化物半導体層２３０、第２の窒化物半導体層２４０、および第１の電極層２５０を覆い、第２の窒化物半導体層２４０の上面に開口部２８０－ｏを含む第２のリブ２８０を形成する。開口部２８０－ｏは、フォトリソグラフィーを用いて形成される。

　最後に、開口部２８０－ｏおよび第２のリブ２８０を覆う第２の電極層２６０を形成することにより、図２６に示す発光装置２００が製造される。

　発光装置２００では、絶縁性配向層２２０上に第１の窒化物半導体層２３０が設けられているため、第１の窒化物半導体層２３０の結晶性が向上する。また、第２の窒化物半導体層２４０は、結晶性が向上した第１の窒化物半導体層２３０上に設けられることにより、発光層を含む第２の窒化物半導体層２４０の結晶性も向上する。そのため、発光装置２００の発光効率を向上させることができる。また、基板２１０上に絶縁性配向層２２０を設けることにより、基板２１０として大面積の非晶質基板を用いて複数の発光装置２００を製造することが可能である。

＜第５実施形態の変形例１＞
　図２８および図２９は、本発明の一実施形態に係る発光装置２００Ａの構成を示す模式的な断面図および平面図である。具体的には、図２８は、画素２００Ａ－ｐの断面図である。なお、図２９には、説明の便宜上、第２の窒化物半導体層２４０および第１の電極層２５０が破線で示されている。発光装置２００Ａは、発光装置２００の変形例の１つである。そのため、発光装置２００Ａの構成が、発光装置２００の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図２８に示すように、発光装置２００Ａは、基板２１０、絶縁性配向層２２０、第１の窒化物半導体層２３０、第２の窒化物半導体層２４０、第１の電極層２５０、第２の電極層２６０Ａ、第１のリブ２７０、および第２のリブ２８０を含む。

　第２の電極層２６０Ａは、図２９に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素２００Ａ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素２００Ａ－ｐに共通して設けられている。第２の電極層２６０Ａは、開口部２８０－ｏを介して第２の窒化物半導体層２４０と接している。また、平面視において、第２の電極層２６０Ａは、第１の電極層２５０とは重畳していない。

　複数の画素２００Ａ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５０、第１の窒化物半導体層２３０、第２の窒化物半導体層２４０、および第２の電極層２６０Ａを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５０であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６０Ａである。第１の電極層２５０および第２の電極層２６０Ａは、第１の方向に配列された複数の画素２００Ａ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置２００Ａでは、第１の方向に配列された複数の画素２００Ａ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

＜第５実施形態の変形例２＞
　図３０は、本発明の一実施形態に係る発光装置２００Ｂの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図３０は、画素２００Ｂ－ｐの断面図である。発光装置２００Ｂは、発光装置２００の変形例の１つである。そのため、発光装置２００Ｂの構成が、発光装置２００または発光装置２００Ａの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図３０に示すように、発光装置２００Ｂは、基板２１０、絶縁性配向層２２０、第１の窒化物半導体層２３０、第２の窒化物半導体層２４０、第１の電極層２５０、第２の電極層２６０Ｂ、第１のリブ２７０、および第２のリブ２８０を含む。

　第２の電極層２６０Ｂは、第１の電極層２５０と同様に、マトリクス状に配置された複数の画素２００Ｂ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素２００Ｂ－ｐに共通して設けられている。第２の電極層２６０Ｂは、開口部２８０－ｏを介して、第２の窒化物半導体層２４０と接するが、開口部２８０－ｏを完全には覆っていない。そのため、開口部２８０－ｏにおいて、第２の窒化物半導体層２４０の上面の一部が露出されている。また、平面視において、第２の電極層２６０Ｂは、第１の電極層２５０とは重畳していない。

　複数の画素２００Ｂ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５０、第１の窒化物半導体層２３０、第２の窒化物半導体層２４０、および第２の電極層２６０Ｂを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５０であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６０Ｂである。第１の電極層２５０および第２の電極層２６０Ｂは、第１の方向に配列された複数の画素２００Ｂ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置２００Ｂでは、第１の方向に配列された複数の画素２００Ｂ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

　また、発光装置２００Ｂでは、第２の窒化物半導体層２４０の一部が第２の電極層２６０Ｂによって覆われていない。そのため、発光装置２００Ｂが上面方向に光を出射する場合、第２の電極層２６０Ｂとして、透明導電材料だけでなく、非透光性金属材料を用いることができる。また、開口部２８０－ｏからも発光を取り出すことができるため、発光装置２００Ｂの発光効率が向上する。

＜第５実施形態の変形例３＞
　図３１は、本発明の一実施形態に係る発光装置２００Ｃの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図３１は、画素２００Ｃ－ｐの断面図である。発光装置２００Ｃは、発光装置２００の変形例の１つである。そのため、発光装置２００Ｃの構成が、発光装置２００～発光装置２００Ｂの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図３１に示すように、発光装置２００Ｃは、基板２１０、絶縁性配向層２２０、第１の窒化物半導体層２３０、第２の窒化物半導体層２４０、第１の電極層２５０、第２の電極層２６０Ｃ、第１のリブ２７０、および第２のリブ２８０を含む。

　第２の電極層２６０Ｃは、第１の電極層２５０と同様に、マトリクス状に配置された複数の画素２００Ｃ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素２００Ｃ－ｐに共通して設けられている。第２の電極層２６０Ｃは、開口部２８０－ｏを介して、第２の窒化物半導体層２４０と接するが、開口部２８０－ｏを完全には覆っていない。そのため、開口部２８０－ｏにおいて、第２の窒化物半導体層２４０の上面の一部が露出されている。また、第１の方向と直交する第２の方向において、第２の電極層２６０Ｃの幅は、開口部２８０－ｏの最大幅よりも小さい。また、平面視において、第２の電極層２６０Ｃは、第１の電極層２５０とは重畳していない。

　複数の画素２００Ｃ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５０、第１の窒化物半導体層２３０、第２の窒化物半導体層２４０、および第２の電極層２６０Ｃを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５０であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６０Ｃである。第１の電極層２５０および第２の電極層２６０Ｃは、第１の方向に配列された複数の画素２００Ｃ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置２００Ｃでは、第１の方向に配列された複数の画素２００Ｃ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

　また、発光装置２００Ｃでは、第２の窒化物半導体層２４０の一部が第２の電極層２６０Ｃによって覆われていない。そのため、発光装置２００Ｃが上面方向に光を出射する場合、第２の電極層２６０Ｃとして、透明導電材料だけでなく、非透光性金属材料を用いることができる。また、開口部２８０－ｏからも発光を取り出すことができるため、発光装置２００Ｃの発光効率が向上する。

＜第５実施形態の変形例４＞
　図３２および図３３は、本発明の一実施形態に係る発光装置２００Ｄの構成を示す模式的な断面図および平面図である。具体的には、図３２は、画素２００Ｄ－ｐの断面図である。なお、図３３には、説明の便宜上、第２の窒化物半導体層２４０および第１の電極層２５０が破線で示されている。発光装置２００Ｄは、発光装置２００の変形例の１つである。そのため、発光装置２００Ｄの構成が、発光装置２００～発光装置２００Ｃの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図３２に示すように、発光装置２００Ｄは、基板２１０、絶縁性配向層２２０、第１の窒化物半導体層２３０、第２の窒化物半導体層２４０、第１の電極層２５０、第２の電極層２６０Ｄ、第１のリブ２７０、および第２のリブ２８０を含む。

　第２の電極層２６０Ｄは、図３３に示すように、第１の方向と直交する第２の方向に沿って延在し、第２の方向に配列された複数の画素２００Ｄ－ｐに共通して設けられている。第２の電極層２６０Ｄは、開口部２８０－ｏを介して第２の窒化物半導体層２４０と接している。また、平面視において、第２の電極層２６０Ｄは、第１の電極層２５０とは交差しているが、第２のリブ２８０によって第１の電極層２５０と離間されている。

　複数の画素２００Ｄ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５０、第１の窒化物半導体層２３０、第２の窒化物半導体層２４０、および第２の電極層２６０Ｄを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５０であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６０Ｄである。第１の電極層２５０、第１の方向に配列された複数の画素２００Ｄ－ｐに共通して設けられている。一方、第２の電極層２６０Ｄは、第２の方向に配列された複数の画素２００Ｄ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置２００Ｄでは、第１の電極層２５０と第２の電極層２６０とが交差する位置の画素２００Ｄ－ｐの発光を制御することができる。すなわち、発光装置２００Ｄでは、パッシブ駆動により、画素２００Ｄ－ｐの発光を制御することができる。

＜第６実施形態＞
　図３４および図３５を参照して、本発明の一実施形態に係る発光装置２０１について説明する。なお、発光装置２０１の構成が発光装置２００の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図３４は、本発明の一実施形態に係る発光装置２０１の構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図３４は、画素２０１－ｐの断面図である。また、図３５は、本発明の一実施形態に係る発光装置２０１の構成を示す模式的な平面図である。なお、説明の便宜上、図３５には、絶縁性配向層２２１、第１の窒化物半導体層２３１、および第１のリブ２７１のみが示されている。

　図３４に示すように、発光装置２０１は、基板２１１、絶縁性配向層２２１、第１の窒化物半導体層２３１、第２の窒化物半導体層２４１、第１の電極層２５１、第２の電極層２６１、第１のリブ２７１、および第２のリブ２８１を含む。

　絶縁性配向層２２１は、基板２１１上に設けられている。また、絶縁性配向層２２１は、図３５に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素２０１－ｐの各々に島状に設けられている。

　第１の窒化物半導体層２３１および第２の窒化物半導体層２４１は、この順に、絶縁性配向層２２１上に設けられている。また、第１の窒化物半導体層２３１および第２の窒化物半導体層２４１の各々は、マトリクス状に配置された複数の画素２０１－ｐの各々に島状に設けられている。第２の窒化物半導体層２４１は、第１の窒化物半導体層２３１と重畳し、平面視において、第１の窒化物半導体層２３１よりも小さい面積を有する。すなわち、第１の窒化物半導体層２３１および第２の窒化物半導体層２４１の積層体は、第１の窒化物半導体層２３１が露出された凹部２４１－ｒを含む。

　第１の電極層２５１は、凹部２４１－ｒに設けられ、第１の窒化物半導体層２３１と電気的に接続されている。また、第１の電極層２５１は、第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素２０１－ｐに共通して設けられている。

　第１のリブ２７１は、絶縁性配向層２２１の間の溝部を充填するように、基板２１１上に格子状に設けられている。また、第２のリブ２８１は、第１の窒化物半導体層２３１、第２の窒化物半導体層２４１、および第１の電極層２５１を覆うように、第１の窒化物半導体層２３１、第２の窒化物半導体層２４１、第１の電極層２５１、および第１のリブ２７１上に設けられている。また、第２のリブ２８１は、第２の窒化物半導体層２４１が露出された開口部２８１－ｏを含む。なお、複数の画素２０１－ｐは、第１のリブ２７１および第２のリブ２８１によって区画されている。

　第２の電極層２６１は、開口部２８１－ｏを覆うように、第２の窒化物半導体層２４１および第２のリブ２８１上に設けられている。また、第２の電極層２６１は、マトリクス状に配置された画素２０１－ｐに共通して設けられている。また、第２の電極層２６１は、第２の窒化物半導体層２４１と電気的に接続されている。

　複数の画素２０１－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５１、第１の窒化物半導体層２３１、第２の窒化物半導体層２４１、および第２の電極層２６１を含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５１であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６１である。第１の電極層２５１は、第１の方向に配列された複数の画素２０１－ｐに共通して設けられている。一方、第２の電極層２６１は、マトリクス状に配置された複数の画素２０１－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置２０１では、第１の方向に配列された複数の画素２０１－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。なお、説明の便宜上、画素２０１－ｐは、基板２１１を含む場合がある。

　発光装置２０１では、絶縁性配向層２２１上に第１の窒化物半導体層２３１が設けられているため、第１の窒化物半導体層２３１の結晶性が向上する。また、第２の窒化物半導体層２４１は、結晶性が向上した第１の窒化物半導体層２３１上に設けられることにより、発光層を含む第２の窒化物半導体層２４１の結晶性も向上する。そのため、発光装置２０１の発光効率を向上させることができる。また、基板２１１上に絶縁性配向層２２１を設けることにより、基板２１１として大面積の非晶質基板を用いて複数の発光装置２０１を製造することが可能である。

＜第６実施形態の変形例１＞
　図３６は、本発明の一実施形態に係る発光装置２０１Ａの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図３６は、画素２０１Ａ－ｐの断面図である。発光装置２０１Ａは、発光装置２０１の変形例の１つである。そのため、発光装置２０１Ａの構成が、発光装置２０１の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図３６に示すように、発光装置２０１Ａは、基板２１１、絶縁性配向層２２１、第１の窒化物半導体層２３１、第２の窒化物半導体層２４１、第１の電極層２５１、第２の電極層２６１Ａ、第１のリブ２７１、および第２のリブ２８１を含む。

　第２の電極層２６１Ａは、第１の電極層２５１と同様に、マトリクス状に配置された画素２０１Ａ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素２０１Ａ－ｐに共通して設けられている。第２の電極層２６１Ａは、開口部２８１－ｏを介して第２の窒化物半導体層２４１と接している。また、平面視において、第２の電極層２６１Ａは、第１の電極層２５１とは重畳していない。

　複数の画素２０１Ａ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５１、第１の窒化物半導体層２３１、第２の窒化物半導体層２４１、および第２の電極層２６１Ａを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５１であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６１Ａである。第１の電極層２５１および第２の電極層２６１Ａは、第１の方向に配列された複数の画素２０１Ａ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置２０１Ａでは、第１の方向に配列された複数の画素２０１Ａ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

＜第６実施形態の変形例２＞
　図３７は、本発明の一実施形態に係る発光装置２０１Ｂの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図３７は、画素２０１Ｂ－ｐの断面図である。発光装置２０１Ｂは、発光装置２０１の変形例の１つである。そのため、発光装置２０１Ｂの構成が、発光装置２０１または発光装置２０１Ａの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図３７に示すように、発光装置２０１Ｂは、基板２１１、絶縁性配向層２２１、第１の窒化物半導体層２３１、第２の窒化物半導体層２４１、第１の電極層２５１、第２の電極層２６１Ｂ、第１のリブ２７１、および第２のリブ２８１を含む。

　第２の電極層２６１Ｂは、第１の電極層２５１と同様に、マトリクス状に配置された画素２０１Ｂ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素２０１Ｂ－ｐに共通して設けられている。第２の電極層２６１Ｂは、開口部２８１－ｏを介して第２の窒化物半導体層２４１と接するが、開口部２８１－ｏを完全には覆っていない。そのため、開口部２８１－ｏにおいて、第２の窒化物半導体層２４１の上面の一部が露出されている。また、平面視において、第２の電極層２６１Ｂは、第１の電極層２５１とは重畳していない。

　複数の画素２０１Ｂ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５１、第１の窒化物半導体層２３１、第２の窒化物半導体層２４１、および第２の電極層２６１Ｂを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５１であり、ＬＥＤの電極の他方は、電極層２６１Ｂである。第１の電極層２５１および第２の電極層２６１Ｂは、第１の方向に配列された複数の画素２０１Ｂ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置２０１Ｂでは、第１の方向に配列された複数の画素２０１Ｂ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

　また、発光装置２０１Ｂでは、第２の窒化物半導体層２４１の一部が第２の電極層２６１Ｂによって覆われていない。そのため、発光装置２０１Ｂが上面方向に光を出射する場合、第２の電極層２６１Ｂとして、透明導電材料だけでなく、非透光性金属材料を用いることができる。また、開口部２８１－ｏからも発光を取り出すことができるため、発光装置２０１Ｂの発光効率が向上する。

＜第６実施形態の変形例３＞
　図３８は、本発明の一実施形態に係る発光装置２０１Ｃの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図３８は、画素２０１Ｃ－ｐの断面図である。発光装置２０１Ｃは、発光装置２０１の変形例の１つである。そのため、発光装置２０１Ｃの構成が、発光装置２０１～発光装置２０１Ｂの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図３８に示すように、発光装置２０１Ｃは、基板２１１、絶縁性配向層２２１、第１の窒化物半導体層２３１、第２の窒化物半導体層２４１、第１の電極層２５１、第２の電極層２６１Ｃ、第１のリブ２７１、および第２のリブ２８１を含む。

　第２の電極層２６１Ｃは、第１の電極層２５１と同様に、マトリクス状に配置された複数の画素２０１Ｃ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素２０１Ｃ－ｐに共通して設けられている。第２の電極層２６１Ｃは、開口部２８１－ｏを介して、第２の窒化物半導体層２４１と接するが、開口部２８１－ｏを完全には覆っていない。そのため、開口部２８１－ｏにおいて、第２の窒化物半導体層２４１の上面の一部が露出されている。また、第１の方向と直交する第２の方向において、第２の電極層２６１Ｃの幅は、開口部２８１－ｏの最大幅よりも小さい。また、平面視において、第２の電極層２６１Ｃは、第１の電極層２５１とは重畳していない。

　複数の画素２０１Ｃ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５１、第１の窒化物半導体層２３１、第２の窒化物半導体層２４１、および第２の電極層２６１Ｃを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５１であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６１Ｃである。第１の電極層２５１および第２の電極層２６１Ｃは、第１の方向に配列された複数の画素２０１Ｃ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置２０１Ｃでは、第１の方向に配列された複数の画素２０１Ｃ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

　また、発光装置２０１Ｃでは、第２の窒化物半導体層２４１の一部が第２の電極層２６１Ｃによって覆われていない。そのため、発光装置２０１Ｃが上面方向に光を出射する場合、第２の電極層２６１Ｃとして、透明導電材料だけでなく、非透光性金属材料を用いることができる。また、開口部２８１－ｏからも発光を取り出すことができるため、発光装置２０１Ｃの発光効率が向上する。

＜第７実施形態＞
　図３９を参照して、本発明の一実施形態に係る発光装置２０２の構成について説明する。なお、発光装置２０２の構成が発光装置２００または発光装置２０１の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図３９は、本発明の一実施形態に係る発光装置２０２の構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図３９は、画素２０２－ｐの断面図である。

　図３９に示すように、発光装置２０２は、基板２１２、絶縁性配向層２２２、第１の窒化物半導体層２３２、第２の窒化物半導体層２４２、第１の電極層２５２、第２の電極層２６２、およびリブ２８２を含む。

　絶縁性配向層２２２は、基板２１２上に設けられている。また、絶縁性配向層２２２は、マトリクス状に配置された複数の画素２０２－ｐの各々に島状に設けられている。

　第１の窒化物半導体層２３２および第２の窒化物半導体層２４２は、この順に、絶縁性配向層２２２上に設けられている。また、第１の窒化物半導体層２３２および第２の窒化物半導体層２４２の各々は、マトリクス状に配置された複数の画素２０２－ｐの各々に島状に設けられている。第２の窒化物半導体層２４２は、第１の窒化物半導体層２３２と重畳し、平面視において、第１の窒化物半導体層２３２よりも小さい面積を有する。すなわち、第１の窒化物半導体層２３２および第２の窒化物半導体層２４２の積層体は、第１の窒化物半導体層２３２が露出された凹部２４２－ｒを含む。

　第１の電極層２５２は、凹部２４２－ｒに設けられ、第１の窒化物半導体層２３２と電気的に接続されている。また、第１の電極層２５２は、第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素２０２－ｐに共通して設けられている。そのため、第１の方向において、第１の電極層２５２は、第１の窒化物半導体層２３２の上面だけでなく、第１の窒化物半導体層２３２の側面とも接している。

　リブ２８２は、第１の窒化物半導体層２３２、第２の窒化物半導体層２４２、および第１の電極層２５２を覆い、絶縁性配向層２２２および第１の窒化物半導体層２３２の間の溝部を充填するように、基板２１２上に格子状に設けられている。また、リブ２８２は、第２の窒化物半導体層２４２が露出された開口部２８２－ｏを含む。なお、複数の画素２０２－ｐは、リブ２８２によって区画されている。

　第２の電極層２６２は、開口部２８２－ｏを覆うように、第２の窒化物半導体層２４２およびリブ２８２上に設けられている。た、第２の電極層２６２は、マトリクス状に配置された画素２０２－ｐに共通して設けられている。また、第２の電極層２６２は、第２の窒化物半導体層２４２と電気的に接続されている。

　複数の画素２０２－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５２、第１の窒化物半導体層２３２、第２の窒化物半導体層２４２、および第２の電極層２６２を含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５２であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６２である。第１の電極層２５２は、第１の方向に配列された複数の画素２０２－ｐに共通して設けられている。一方、第２の電極層２６２は、マトリクス状に配置された複数の画素２０２－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置２０２では、第１の方向に配列された複数の画素２０２－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。なお、説明の便宜上、画素２０２－ｐは、基板２１２を含む場合がある。

　発光装置２０２では、絶縁性配向層２２２上に第１の窒化物半導体層２３２が設けられているため、第１の窒化物半導体層２３２の結晶性が向上する。また、第２の窒化物半導体層２４２は、結晶性が向上した第１の窒化物半導体層２３２上に設けられることにより、発光層を含む第２の窒化物半導体層２４２の結晶性も向上する。そのため、発光装置２０２の発光効率を向上させることができる。また、基板２１２上に絶縁性配向層２２２を設けることにより、基板２１２として大面積の非晶質基板を用いて複数の発光装置２０２を製造することが可能である。

＜第７実施形態の変形例１＞
　図４０は、本発明の一実施形態に係る発光装置２０２Ａの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図４０は、画素２０２Ａ－ｐの断面図である。発光装置２０２Ａは、発光装置２０２の変形例の１つである。そのため、発光装置２０２Ａの構成が、発光装置２０２の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図４０に示すように、発光装置２０２Ａは、基板２１２、絶縁性配向層２２２、第１の窒化物半導体層２３２、第２の窒化物半導体層２４２、第１の電極層２５２、第２の電極層２６２Ａ、およびリブ２８２を含む。

　第２の電極層２６２Ａは、第１の電極層２５２と同様に、マトリクス状に配置された画素２０２Ａ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素２０２Ａ－ｐに共通して設けられている。第２の電極層２６２Ａは、開口部２８１－ｏを介して第２の窒化物半導体層２４２と接している。また、平面視において、第２の電極層２６２Ａは、第１の電極層２５２とは重畳していない。

　複数の画素２０２Ａ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５２、第１の窒化物半導体層２３２、第２の窒化物半導体層２４２、および第２の電極層２６２Ａを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５２であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６２Ａである。第１の電極層２５２および第２の電極層２６２Ａは、第１の方向に配列された複数の画素２０２Ａ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置２０２Ａでは、第１の方向に配列された複数の画素２０２Ａ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

＜第７実施形態の変形例２＞
　図４１は、本発明の一実施形態に係る発光装置２０２Ｂの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図４１は、画素２０２Ｂ－ｐの断面図である。発光装置２０２Ｂは、発光装置２０２の変形例の１つである。そのため、発光装置２０２Ｂの構成が、発光装置２０２または発光装置２０２Ａの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図４１に示すように、発光装置２０２Ｂは、基板２１２、絶縁性配向層２２２、第１の窒化物半導体層２３２、第２の窒化物半導体層２４２、第１の電極層２５２、第２の電極層２６２Ｂ、およびリブ２８２を含む。

　第２の電極層２６２Ｂは、第１の電極層２５２と同様に、マトリクス状に配置された画素２０２Ｂ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素２０１Ｂ－ｐに共通して設けられている。第２の電極層２６２Ｂは、開口部２８２－ｏを介して第２の窒化物半導体層２４２と接するが、開口部２８２－ｏを完全には覆っていない。そのため、開口部２８２－ｏにおいて、第２の窒化物半導体層２４２の上面の一部が露出されている。また、平面視において、第２の電極層２６２Ｂは、第１の電極層２５２とは重畳していない。

　複数の画素２０２Ｂ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５２、第１の窒化物半導体層２３２、第２の窒化物半導体層２４２、および第２の電極層２６２Ｂを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５２であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６２Ｂである。第１の電極層２５２および第２の電極層２６２Ｂは、第１の方向に配列された複数の画素２０２Ｂ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置２０２Ｂでは、第１の方向に配列された複数の画素２０２Ｂ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

　また、発光装置２０２Ｂでは、第２の窒化物半導体層２４２の一部が第２の電極層２６２Ｂによって覆われていない。そのため、発光装置２０２Ｂが上面方向に光を出射する場合、第２の電極層２６２Ｂとして、透明導電材料だけでなく、非透光性金属材料を用いることができる。また、開口部２８２－ｏからも発光を取り出すことができるため、発光装置２０２Ｂの発光効率が向上する。

＜第７実施形態の変形例３＞
　図４２は、本発明の一実施形態に係る発光装置２０２Ｃの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図４２は、画素２０２Ｃ－ｐの断面図である。発光装置２０２Ｃは、発光装置２０２の変形例の１つである。そのため、発光装置２０２Ｃの構成が、発光装置２０２～発光装置２０２Ｂの構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図４２に示すように、発光装置２０２Ｃは、基板２１２、絶縁性配向層２２２、第１の窒化物半導体層２３２、第２の窒化物半導体層２４２、第１の電極層２５２、第２の電極層２６２Ｃ、およびリブ２８２を含む。

　第２の電極層２６２Ｃは、第１の電極層２５２と同様に、マトリクス状に配置された複数の画素２０２Ｃ－ｐの第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素２０２Ｃ－ｐに共通して設けられている。第２の電極層２６２Ｃは、開口部２８２－ｏを介して、第２の窒化物半導体層２４２と接するが、開口部２８２－ｏを完全には覆っていない。そのため、開口部２８２－ｏにおいて、第２の窒化物半導体層２４２の上面の一部が露出されている。また、第１の方向と直交する第２の方向において、第２の電極層２６２Ｃの幅は、開口部２８２－ｏの最大幅よりも小さい。また、平面視において、第２の電極層２６２Ｃは、第１の電極層２５２とは重畳していない。

　複数の画素２０２Ｃ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５２、第１の窒化物半導体層２３２、第２の窒化物半導体層２４２、および第２の電極層２６２Ｃを含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５２であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６２Ｃである。第１の電極層２５２および第２の電極層２６２Ｃは、第１の方向に配列された複数の画素２０２Ｃ－ｐに共通して設けられている。したがって、発光装置２０２Ｃでは、第１の方向に配列された複数の画素２０２Ｃ－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

　また、発光装置２０２Ｃでは、第２の窒化物半導体層２４２の一部が第２の電極層２６２Ｃによって覆われていない。そのため、発光装置２０２Ｃが上面方向に光を出射する場合、第２の電極層２６２Ｃとして、透明導電材料だけでなく、非透光性金属材料を用いることができる。また、開口部２８２－ｏからも発光を取り出すことができるため、発光装置２０２Ｃの発光効率が向上する。

＜第８実施形態＞
　図４３を参照して、本発明の一実施形態に係る発光装置２０３について説明する。なお、発光装置２０３の構成が発光装置２００～発光装置２０２の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図４３は、本発明の一実施形態に係る発光装置２０３の構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図４３は、画素２０３－ｐの断面図である。

　図４３に示すように、発光装置２０３は、基板２１３、絶縁性配向層２２３、第１の窒化物半導体層２３３、第２の窒化物半導体層２４３、第１の電極層２５３、および第２の電極層２６３を含む。

　絶縁性配向層２２３は、基板２１３上に設けられている。また、絶縁性配向層２２３は、マトリクス状に配置された複数の画素２０３－ｐの各々に島状に設けられている。複数の絶縁性配向層２２３は、基板２１３が露出された溝部２８３－ｇによって互いに離間されている。

　第１の窒化物半導体層２３３および第２の窒化物半導体層２４３は、この順に、絶縁性配向層２２３上に設けられている。また、第１の窒化物半導体層２３３および第２の窒化物半導体層２４３の各々は、マトリクス状に配置された複数の画素２０３－ｐの各々に島状に設けられている。第２の窒化物半導体層２４３は、第１の窒化物半導体層２３３と重畳し、平面視において、第１の窒化物半導体層２３３よりも小さい面積を有する。すなわち、第１の窒化物半導体層２３３および第２の窒化物半導体層２４３の積層体は、第１の窒化物半導体層２３３が露出された凹部２４３－ｒを含む。また、複数の第１の窒化物半導体層２３３および第２の窒化物半導体層２４３の積層体は、溝部２８３－ｇによって、互いに離間されている。

　第１の電極層２５３は、凹部２４３－ｒに設けられ、第１の窒化物半導体層２３３と電気的に接続されている。また、第１の電極層２５３は、第１の方向に沿って延在し、第１の方向に配列された複数の画素２０３－ｐに共通して設けられている。そのため、第１の方向において、第１の電極層２５３は、第１の窒化物半導体層２３３の上面だけでなく、第１の窒化物半導体層２３３の側面とも接している。

　第２の電極層２６３は、第２の窒化物半導体層２４３上に設けられている。また、第２の電極層２６３は、マトリクス状に配置された複数の画素２０３－ｐの各々に島状に設けられている。なお、第２の窒化物半導体層２４３上の第２の電極層２６３の位置は特に限定されない。また、第２の電極層２６３の大きさも特に限定されない。

　複数の画素２０３－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５３、第１の窒化物半導体層２３３、第２の窒化物半導体層２４３、および第２の電極層２６３を含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５３であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６３である。第１の電極層２５３は、第１の方向に配列された複数の画素２０２－ｐに共通して設けられている。一方、第２の電極層２６３は、マトリクス状に配置された複数の画素２０３－ｐの各々に設けられている。発光装置２０３では、基板２１３と異なる、金属層が形成された基板と貼り合わされ、複数の第２の電極層２６３が金属層と電気的に接続される。したがって、発光装置２０３では、第１の方向に配列された複数の画素２０３－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。なお、説明の便宜上、画素２０３－ｐは、基板２１３を含む場合がある。

　発光装置２０３では、絶縁性配向層２２３上に第１の窒化物半導体層２３３が設けられているため、第１の窒化物半導体層２３３の結晶性が向上する。また、第２の窒化物半導体層２４３は、結晶性が向上した第１の窒化物半導体層２３３上に設けられることにより、発光層を含む第２の窒化物半導体層２４３の結晶性も向上する。そのため、発光装置２０３の発光効率を向上させることができる。また、基板２１３上に絶縁性配向層２２３を設けることにより、基板２１３として大面積の非晶質基板を用いて複数の発光装置２０３を製造することが可能である。

　また、第１の電極層２５３および第２の電極層２６３の各々は、マトリクス状に配置された複数の画素２０３－ｐの各々に設けられたものであってもよい。すなわち、１つの画素２０３－ｐ内に、第１の電極層２５３および第２の電極層２６３の各々が島状に設けられてもよい。この場合、隣接する２つの画素２０３－ｐの第１の電極層２５３同士は電気的に接続されていない。同様に、隣接する２つの画素２０３－ｐの第２の電極層２６３同士も電気的に接続されていない。この場合、発光装置２０３は、例えば、ＬＥＤチップが形成されたＬＥＤウェハとして用いることができる。基板２１３は、ガラス基板などの非晶質基板であるため、容易に切り出すことが可能であり、切り出された画素２０３－ｐをＬＥＤチップとして利用することができる。

＜第８実施形態の変形例１＞
　図４４は、本発明の一実施形態に係る発光装置２０３Ａの構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図４４は、画素２０３Ａ－ｐの断面図である。発光装置２０３Ａは、発光装置２０３の変形例の１つである。そのため、発光装置２０３Ａの構成が、発光装置２０３の構成と同様であるとき、その説明を省略する場合がある。

　図４４に示すように、発光装置２０３Ａは、基板２１３、絶縁性配向層２２３Ａ、第１の窒化物半導体層２３３Ａ、第２の窒化物半導体層２４３、第１の電極層２５３、および第２の電極層２６３を含む。

　絶縁性配向層２２３Ａも、絶縁性配向層２２３と同様に、マトリクス状に配置された画素２０３Ａ－ｐの各々に島状に設けられている。

　第１の窒化物半導体層２３３Ａおよび第２の窒化物半導体層２４３は、この順に、絶縁性配向層２２３Ａ上に設けられている。また、第１の窒化物半導体層２３３Ａおよび第２の窒化物半導体層２４３の各々は、マトリクス状に配置された複数の画素２０３Ａ－ｐの各々に島状に設けられている。第２の窒化物半導体層２４３は、第１の窒化物半導体層２３３Ａと重畳し、平面視において、第１の窒化物半導体層２３３Ａよりも小さい面積を有する。すなわち、第１の窒化物半導体層２３３Ａおよび第２の窒化物半導体層２４３の積層体は、第１の窒化物半導体層２３３Ａが露出された凹部２４３－ｒを含む。また、複数の第１の窒化物半導体層２３３Ａおよび第２の窒化物半導体層２４３の積層体は、溝部２８３－ｇによって、互いに離間されている。なお、絶縁性配向層２２３Ａの側面は、第１の窒化物半導体層２３３Ａによって覆われている。

　複数の画素２０３Ａ－ｐの各々は、ＬＥＤとして、第１の電極層２５３、第１の窒化物半導体層２３３Ａ、第２の窒化物半導体層２４３、および第２の電極層２６３を含む。ここで、ＬＥＤの電極の一方は、第１の電極層２５３であり、ＬＥＤの電極の他方は、第２の電極層２６３である。第１の電極層２５３は、第１の方向に配列された複数の画素２０２Ａ－ｐに共通して設けられている。一方、第２の電極層２６３は、マトリクス状に配置された複数の画素２０３Ａ－ｐの各々に設けられている。発光装置２０３では、基板２１３と異なる、金属層が形成された基板と貼り合わされ、複数の第２の電極層２６３が金属層と電気的に接続される。したがって、発光装置２０３Ａでは、第１の方向に配列された複数の画素２０３－ｐを１つの単位として発光を制御することができる。

　また、第１の電極層２５３および第２の電極層２６３の各々は、マトリクス状に配置された複数の画素２０３Ａ－ｐの各々に設けられたものであってもよい。すなわち、１つの画素２０３Ａ－ｐ内に、第１の電極層２５３および第２の電極層２６３の各々が島状に設けられてもよい。この場合、隣接する２つの画素２０３Ａ－ｐの第１の電極層２５３同士は電気的に接続されていない。同様に、隣接する２つの画素２０３Ａ－ｐの第２の電極層２６３同士も電気的に接続されていない。この場合、発光装置２０３Ａは、例えば、ＬＥＤチップが形成されたＬＥＤウェハとして用いることができる。基板２１３は、ガラス基板などの非晶質基板であるため、容易に切り出すことが可能であり、切り出された画素２０３Ａ－ｐをＬＥＤチップとして利用することができる。

＜第９実施形態＞
　図４５を参照して、本発明の一実施形態に係る発光装置形成基板１０について説明する。

　図４５は、本発明の一実施形態に係る発光装置形成基板１０の構成を示す概略図である。発光装置形成基板１０は、複数の発光装置１００を含む。すなわち、発光装置形成基板１０では、１つの基板１１０を用いて複数の発光装置１００が製造される。基板１１０は、いわゆる大面積基板である。発光装置形成基板１０では、大面積基板を用いて複数の発光装置１００を一度に製造することができるため、発光装置１００の製造コストを抑制することができる。

　なお、上記では、第１実施形態において説明した発光装置１００を一例として説明したが、他の実施形態（変形例を含む。）で説明した発光装置（１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１０１、１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃ、１０１Ｄ、１０１Ｅ、１０２、１０２Ａ、１０２Ｂ、１０２Ｃ、１０３、１０３Ａ、２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ、２０１、２０１Ａ、２０１Ｂ、２０１Ｃ、２０２、２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０３、２０３Ａ）を適用することも可能である。

　本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略、もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

　上述した各実施形態によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１０１、１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃ、１０１Ｄ、１０１Ｅ、１０２、１０２Ａ、１０２Ｂ、１０２Ｃ、１０３、１０３Ａ：発光装置、　１００Ｐ：画素部、　１００－ｐ、１００Ａ－ｐ、１００Ｂ－ｐ、１００Ｃ－ｐ、１０１－ｐ、１０１Ａ－ｐ、１０１Ｂ－ｐ、１０１Ｃ－ｐ、１０１Ｄ－ｐ、１０１Ｅ－ｐ、１０２－ｐ、１０２Ａ－ｐ、１０２Ｂ－ｐ、１０２Ｃ－ｐ、１０３－ｐ、１０３Ａ－ｐ：画素、　１００Ｔ：端子部、　１００－ｔ：端子、　１１０、１１１、１１２、１１３：基板、　１２０、１２１、１２１Ｅ、１２２、１２３、１２３Ａ：導電性配向層、　１２１－ｇ、１２１Ｅ－ｇ：溝部、　１３０、１３１、１３２、１３３、１３３Ａ：第１の窒化物半導体層、　１３０－ａ：第１の窒化物半導体膜、　１４０、１４１、１４２、１４３：第２の窒化物半導体層、　１４０－ａ：第２の窒化物半導体膜、　１５０、１５０Ａ、１５０Ｂ、１５０Ｃ、１５１、１５１Ａ、１５１Ｂ、１５１Ｃ、１５１Ｄ、１５２、１５２Ａ、１５２Ｂ、１５２Ｃ、１５２Ｄ、１５３：電極層、　１５０Ａ－ｇ、１５０Ｂ－ｇ、１５０Ｃ－ｇ、１５１Ａ－ｇ、１５１Ｂ－ｇ、１５１Ｃ－ｇ、１５１Ｄ－ｇ、１５２Ａ－ｇ、１５２Ｂ－ｇ、１５２Ｃ－ｇ：溝部、　１６０、１６１：第１のリブ、　１７０、１７１：第２のリブ、　１７０－ｇ：溝部、　１７２：リブ、　１７２－ｇ：溝部、　１７３－ｇ：溝部、
２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ、２０１、２０１Ａ、２０１Ｂ、２０１Ｃ、２０２、２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０３、２０３Ａ：発光装置、　２００－ｐ、２０１－ｐ、２０１Ａ－ｐ、２０１Ｂ－ｐ、２０２－ｐ、２０２Ａ－ｐ、２０２Ｂ－ｐ、２０２Ｃ－ｐ、２０３－ｐ：画素、　２１０、２１１、２１２、２１３：基板、　２２０、２２１、２２２、２２３、２２３Ａ：絶縁性配向層、　２３０、２３１、２３２、２３３、２３３Ａ：第１の窒化物半導体層、　２３０－ａ：第１の窒化物半導体膜、　２４０、２４１、２４２、２４３：第２の窒化物半導体層、　２４０－ａ、２４０－ｂ：窒化物半導体膜、　２４０－ｒ、２４１－ｒ、２４２－ｒ、２４３－ｒ：凹部、　２５０、２５１、２５２、２５３：第１の電極層、　２６０、２６０Ａ、２６０Ｂ、２６０Ｃ、２６１、２６１Ａ：２６１Ｂ、２６１Ｃ、２６２、２６２Ａ、２６２Ｂ、２６２Ｃ、２６３：第２の電極層、　２７０、２７１、２７２：第１のリブ、　２８０、２８１：第２のリブ、　２８０－ｏ、２８１－ｏ、２８２－ｏ：開口部、　２８２：リブ、　２８３－ｇ：溝部

Claims

　第１の方向および前記第１の方向と交差する第２の方向にマトリクス状に配置された複数の画素を含み、
　前記マトリクス状に配置された複数の画素の各々は、
　　基板と、
　　前記基板の上の導電性配向層と、
　　前記導電性配向層の上の第１の窒化物半導体層と、
　　前記第１の窒化物半導体層の上の、発光層を含む第２の窒化物半導体層と、
　　前記第２の窒化物半導体層の上の電極層と、を含み、
　前記第１の窒化物半導体層および前記第２の窒化物半導体層は島状に設けられ、
　前記基板は、前記マトリクス状に配置された複数の画素に共通して設けられている、発光装置。
　前記導電性配向層は、前記マトリクス状に配置された複数の画素に共通して設けられている、請求項１に記載の発光装置。
　前記導電性配向層は、前記第１の方向に沿って延在し、前記第１の方向に配列された複数の画素に共通して設けられている、請求項１に記載の発光装置。
　前記電極層は、前記マトリクス状に配置された複数の画素に共通して設けられている、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
　前記電極層は、前記第１の方向に沿って延在し、前記第１の方向に配列された複数の画素に共通して設けられている、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
　前記電極層は、前記第２の方向に沿って延在し、前記第２の方向に配列された複数の画素に共通して設けられている、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
　前記導電性配向層は、チタンおよび窒化チタンから選ばれた少なくとも１つを含む、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光装置。
　前記基板は、非晶質である、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光装置。
　隣接する２つの前記第１の窒化物半導体層の間には、第１のリブが設けられ、
　隣接する２つの前記第２の窒化物半導体層の間には、第２のリブが設けられている、請求項８に記載の発光装置。
　請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の発光装置を複数含み、
　前記基板は、前記複数の発光装置で共通する基板である、発光装置形成基板。
　第１の方向および前記第１の方向と交差する第２の方向にマトリクス状に配置された複数の画素を含み、
　前記マトリクス状に配置された複数の画素の各々は、
　　基板と、
　　前記基板の上の絶縁性配向層と、
　　前記絶縁性配向層の上の第１の窒化物半導体層と、
　　前記第１の窒化物半導体層の上の、発光層を含む第２の窒化物半導体層と、
　　前記第１の窒化物半導体層の上の第１の電極層と、
　　前記第２の窒化物半導体層の上の第２の電極層と、を含み、
　前記第１の窒化物半導体層および前記第２の窒化物半導体層は島状に設けられ、
　前記基板は、前記マトリクス状に配置された複数の画素に共通して設けられている、発光装置。
　前記絶縁性配向層は、前記マトリクス状に配置された複数の画素に共通して設けられている、請求項１１に記載の発光装置。
　前記絶縁性配向層は、島状に設けられている、請求項１１に記載の発光装置。
　前記第２の電極層は、前記マトリクス状に配置された複数の画素に共通して設けられている、請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の発光装置。
　前記第１の電極層は、前記第１の方向に沿って延在し、前記第１の方向に配列された複数の画素に共通して設けられ、
　前記第２の電極層は、前記第１の方向に沿って延在し、前記第１の方向に配列された複数の画素に共通して設けられている、請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の発光装置。
　前記第１の電極層は、前記第１の方向に沿って延在し、前記第１の方向に配列された複数の画素に共通して設けられ、
　前記第２の電極層は、前記第２の方向に沿って延在し、前記第２の方向に配列された複数の画素に共通して設けられている、請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の発光装置。
　前記絶縁性配向層は、窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウムから選ばれた少なくとも１つを含む、請求項１１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の発光装置。
　前記基板は、非晶質である、請求項１１乃至請求項１７のいずれか一項に記載の発光装置。
　隣接する２つの前記第１の窒化物半導体層の間には、第１のリブが設けられ、
　隣接する２つの前記第２の窒化物半導体層の間には、第２のリブが設けられている、請求項１８に記載の発光装置。
　請求項１１乃至請求項１９のいずれか一項に記載の発光装置を複数含み、
　前記基板は、前記複数の発光装置で共通する基板である、発光装置形成基板。