WO2022255599A1 - 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치 - Google Patents

초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치 Download PDF

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은탁
김호학
김범진
이동준
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Definitions

  • the present invention relates to a device for inspecting the lighting of a subminiature light emitting diode, and more particularly, by contacting the entire surface of an assembly in which a plurality of subminiature light emitting diodes are arranged in a forward direction through a surface contact probe, and then applying power to turn on the subminiature light emitting diode from both sides. It relates to a device for inspecting the lighting of a subminiature light emitting diode that collectively inspects the lighting state of the diodes.
  • a light emitting diode is a semiconductor light emitting device that converts current into light using a compound semiconductor material.
  • Light emitting diodes can implement light sources in various wavelength bands from ultraviolet to infrared depending on the type of compound semiconductor material, and have characteristics such as fast response speed, miniaturized structure and long lifespan compared to conventional light sources, so they can be used in lighting, electronic display boards, It is used in various fields such as TV, mobile phone and automobile.
  • a micro light emitting diode is a light emitting device in which a plurality of light emitting structures manufactured to a level of about 5 ⁇ m to 100 ⁇ m are arranged, and the light emitting structure itself can be used as a pixel, so it is easy to implement bending, and it is easy to implement conventional light emitting It is possible to overcome the problem of frequent breakage of diodes due to external shocks.
  • subminiature light emitting diodes can be widely used in light application fields requiring low power consumption, miniaturization, and light weight, such as flexible displays, implantable medical devices, and development of smart fibers combined with light emitting diodes.
  • the present invention has been made to improve the above problems, and an object of the present invention according to one aspect is to light the both sides after contacting the front surface of an assembly in which a plurality of subminiature light emitting diodes are arranged in a forward direction through a surface contact probe. It is to provide a lighting inspection device for a subminiature light emitting diode that collectively inspects the lighting state of the subminiature light emitting diode by applying power.
  • an apparatus for checking the lighting of a subminiature light emitting diode is provided by contacting the front surface of a plurality of subminiature light emitting diodes arrayed in a forward direction through a resistive member to detect both ends of the plurality of subminiature light emitting diodes.
  • a surface contact probe for bringing the electrodes into contact with each other; Probe electrodes that are in line contact with one side and the other side of the surface contact probe to supply power; a photographing unit for photographing the light emitting diode assembly on the opposite surface to which the surface contact probe is in contact; And power is supplied to the probe electrode in the forward direction according to the arranged direction of the plurality of subminiature light emitting diodes, and the lighting state of the plurality of subminiature light emitting diodes is determined based on the image of the light emitting diode assembly photographed through the photographing unit before and after supplying power. It is characterized in that it includes; a control unit to inspect.
  • the surface contact probe is characterized in that it is any one of a resistivity film, a resistivity polydimethylsiloxane (PDMS), a resistivity liquid, and a resistivity gel.
  • PDMS resistivity polydimethylsiloxane
  • the surface contact probe when the surface contact probe is a non-resistive film, it is characterized in that it further comprises a pressing means for pressurizing the surface contact probe.
  • the pressing means is characterized in that it is a cushion member that presses the non-resistive film with an elastic force.
  • the pressurizing means is a pressurizing chamber that pressurizes the probe electrode so that a non-resistive film is disposed in the empty space formed therein, and pressurizes the non-resistive film by injecting pressurized fluid into the empty space through an injection hole. characterized in that it consists of
  • the pressurized fluid is characterized in that it contains non-conductive gas or liquid.
  • the surface contact probe when the surface contact probe is a non-resistive liquid or non-resistive gel, it is characterized in that it further includes a guide partition wall to limit the area of the non-resistive liquid or non-resistive gel corresponding to the light emitting diode assembly.
  • the present invention is characterized by further comprising a transparent substrate for fixing the light emitting diode assembly.
  • the present invention is characterized by further comprising an output unit for outputting an inspection result of inspecting the lighting state of the subminiature light emitting diode.
  • the device for testing the lighting of a subminiature light emitting diode contacts the entire surface of an assembly in which a plurality of subminiature light emitting diodes are arranged in a forward direction through a surface contact probe, and then applies power to both sides to turn on the lighting of the subminiature light emitting diode.
  • the time and cost required for light emission inspection be reduced because the state can be inspected collectively, but also physical damage to the device during the inspection process can be reduced because the pins do not directly contact the micro light emitting diode.
  • FIG. 1 is a block configuration diagram showing a lighting inspection device for a subminiature light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an exemplary view of an apparatus for checking the lighting of a subminiature light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing a lighting inspection device for a subminiature light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a surface contact probe of the lighting inspection device for a subminiature light emitting diode according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 2 .
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a pressurizing means of the lighting inspection device for a subminiature light emitting diode according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 2 .
  • FIG. 1 is a block configuration diagram showing a lighting inspection device for a subminiature light emitting diode according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is an exemplary view of a lighting inspection device for a subminiature light emitting diode according to an embodiment of the present invention
  • FIG. is an equivalent circuit diagram showing a lighting inspection device for a subminiature light emitting diode according to an embodiment of the present invention
  • the lighting inspection device for a subminiature light emitting diode includes a surface contact probe 20, a probe electrode 10, a photographing unit 30, and a control unit 40, as well as an output It may include a unit 50 and a power supply unit 60.
  • the surface contact probe 20 makes surface contact with the front surface of the light emitting diode assembly 70 in which the plurality of subminiature light emitting diodes 75 are arranged in a forward direction through a resistive member, and both ends of the plurality of subminiature light emitting diodes 75 The electrodes can be brought into contact with each other.
  • the surface contact probe 20 is in surface contact with the front surface of the light emitting diode assembly 70, and a current path is formed through the plurality of subminiature light emitting diodes 75 by resistance determined by the length, area, and volume of the non-resistive member. allow it to light up.
  • a resistance grid in which the subminiature light emitting diodes 75 of the light emitting diode assembly 70 are disposed at each intersection resister grid
  • the surface contact probe 20 may be formed of any one of a resistivity film, a nonresistivity polydimethylsiloxane (PDMS), a nonresistance liquid, and a nonresistance gel.
  • PDMS nonresistivity polydimethylsiloxane
  • the non-resistive film may include a thin film having resistivity or a stretchable soft film.
  • the front surface of the light emitting diode assembly 70 in which a plurality of subminiature light emitting diodes 75 are arranged is brought into surface contact through the surface contact probe 20 having a specific resistance, and through the probe electrodes 10 formed on both sides.
  • the plurality of subminiature light emitting diodes 75 constituting the light emitting diode assembly 70 can be turned on.
  • an equivalent circuit can be represented as shown in FIG. 3 .
  • the surface contact probe 20 can be expressed as a resistor grid, and the subminiature light emitting diodes 75 of the light emitting diode assembly 70 can be expressed as being disposed at each intersection. Therefore, when power is supplied to turn on the power of the power supply unit 60 with the probe electrodes 10 formed on both sides, the subminiature light emitting diodes 75 constituting the light emitting diode assembly 70 can be simultaneously turned on.
  • the surface contact probe 20 may be composed of the non-resistive film 22, and may further include a pressing means for pressing the non-resistive film 22.
  • Surface contact with the subminiature light emitting diode 75 can be made by covering the light emitting diode assembly 70 through the surface contact probe 20 of .
  • the transparent substrate 72 may include a wafer substrate for a manufacturing process of the subminiature light emitting diode 75 .
  • the non-resistive film 22 of the surface contact probe 20 may be pressurized through the cushion member 82 as a pressing means so that it may come into close contact with the subminiature light emitting diode 75 .
  • the non-resistive film 22, which is the surface contact probe 20 is pressed with an elastic force through the cushion member 24 so that the non-resistive film 22 and all the subminiature light emitting diodes of the light emitting diode assembly 70 (75) can be made to be in surface contact.
  • the probe electrode 10 is pressurized and sealed so that an empty space is formed therein so that the non-resistive film 22, which is the surface contact probe 20, is disposed in the empty space by the pressing means,
  • a pressurizing chamber 84 for pressurizing the non-resistive film 22 may be formed by injecting pressurized fluid 88 into an empty space through the injection hole 84 .
  • the pressurized fluid 88 may include non-conductive gas or liquid.
  • the nonresistive PDMS may be used as the surface contact probe 20 in a state in which the subminiature light emitting diode 75 is transferred to the nonresistive PDMS.
  • the surface contact probe 20 is a non-resistive liquid or non-resistive gel, as shown in FIG. It is preferable to maintain a standardized shape by further including a limiting guide barrier rib 26 so that a current path is formed between the subminiature light emitting diodes 75 through the subminiature light emitting diodes 75 so that resistance that can be turned on is maintained. .
  • the probe electrode 10 may be in line contact with one side and the other side of the surface contact probe 20 to supply power to the surface contact probe 20 .
  • the photographing unit 30 may photograph the light emitting diode assembly 70 on the opposite surface to which the surface contact probe 20 is in contact and provide the photographed image to the controller 40 .
  • the control unit 40 supplies lighting power to the probe electrode 10 in the forward direction according to the direction in which the subminiature light emitting diodes 75 are arranged, and the light emitting diode assembly photographed through the photographing unit 30 before and after supplying power ( The lighting state of the subminiature light emitting diode 75 can be inspected by comparing the images of 70) with each other.
  • the output unit 50 may output an inspection result of inspecting the lighting state of the subminiature light emitting diode 75 .
  • the device for testing the lighting of a subminiature light emitting diode As described above, according to the device for testing the lighting of a subminiature light emitting diode according to an embodiment of the present invention, after contacting the entire surface of an assembly in which a plurality of subminiature light emitting diodes are arranged in a forward direction through a surface contact probe, power is supplied to both sides to turn on. Not only can the time and cost required for light emission inspection be reduced, but also it can reduce physical damage to the device during the inspection process by not directly contacting pins to the micro light emitting diode. can
  • Implementations described herein may be embodied in, for example, a method or process, an apparatus, a software program, a data stream, or a signal. Even if discussed only in the context of a single form of implementation (eg, discussed only as a method), the implementation of features discussed may also be implemented in other forms (eg, an apparatus or program).
  • the device may be implemented in suitable hardware, software and firmware.
  • the method may be implemented in an apparatus such as a processor, which is generally referred to as a processing device including, for example, a computer, microprocessor, integrated circuit or programmable logic device or the like. Processors also include communication devices such as computers, cell phones, personal digital assistants ("PDAs”) and other devices that facilitate communication of information between end-users.
  • PDAs personal digital assistants
  • probe electrode 20 surface contact probe

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Abstract

본 발명은 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치가 개시된다. 본 발명의 초소형 발광다이오드의 발광 검사 장치는, 다수의 초소형 발광다이오드가 순방향으로 배열된 발광다이오드 집합체의 전면을 비저항 소재를 통해 면접촉하여 다수의 초소형 발광다이오드의 양단 전극을 서로 접촉시키는 면접촉 프로브; 면접촉 프로브의 일측과 타측에서 선접촉되어 전원을 공급하는 프로브 전극; 면접촉 프로브가 접촉된 반대 면에서 발광다이오드 집합체를 촬영하는 촬영부; 및 다수의 초소형 발광다이오드의 배열된 방향에 따라 프로브 전극에 순방향을 전원을 공급하고, 전원을 공급하기 전후에 촬영부를 통해 촬영한 발광다이오드 집합체의 이미지를 기반으로 다수의 초소형 발광다이오드의 점등 상태를 검사하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치
본 발명은 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다수의 초소형 발광다이오드가 순방향으로 배열된 집합체 전면을 면접촉 프로브를 통해 접촉시킨 후 양측에서 점등시키기 위한 전원을 인가하여 초소형 발광다이오드의 점등 상태를 일괄적으로 검사하는 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 발광다이오드는(Light Emitting Diode, LED)는 화합물 반도체 재료를 이용하여 전류를 빛으로 변화시키는 반도체 발광소자이다. 발광다이오드는 화합물 반도체 재료의 종류에 따라 자외선에서 적외선에 이르는 다양한 파장 대역의 광원을 구현할 수 있으며, 종래의 광원에 비해 빠른 반응속도, 극소형 구조 및 긴 수명 등의 특성을 가지고 있어 조명, 전광판, TV, 휴대폰 및 자동차 등의 다양한 분야에서 활용되고 있다.
관련 산업분야에서는 더 많은 시장경쟁력의 확보를 위하여 디스플레이 이외에도 통신, 의료, 바이오 또는 섬유 분야와 융복합할 수 있는 응용제품의 다변화에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다.
이를 위해서는, 발광다이오드의 유연한(flexible) 특성 및 크기 제어에 대한 기술 향상이 요구되며, 최근에는 유연성 향상 및 크기 제어가 가능한 초소형 발광다이오드가 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.
초소형 발광다이오드(Micro Light Emitting Diode)는 약 5 ㎛ 내지 100 ㎛의 수준으로 제조된 발광 구조체들이 복수개 배치된 발광소자로, 발광 구조체 자체를 화소로 활용할 수 있어 휘어짐을 구현하기 용이하며, 종래의 발광다이오드가 외부충격으로 인해 파손이 잦았던 깨짐 문제를 극복할 수 있다.
이러한 초소형 발광다이오드는 플렉서블 디스플레이를 비롯하여 인체 삽입형 의료기기나, 발광다이오드가 결합된 스마트(smart) 섬유 개발 등 저전력화, 소형화 및 경량화가 필요한 광 응용분야에 널리 사용될 수 있다.
본 발명의 배경기술은 한국공개특허 제10-2019-0106655호(2019.09.18. 공개 LED 검사 장치 및 이송장치)에 개시되어 있다.
이와 같이 초소형 발광다이오드를 디스플레이에 적용하기 위해서는 완성된 초소형 발광다이오드를 웨이퍼에서부터 목적 기판으로 이송을 하기 전에, 전기적으로 양품인지를 선별 및 검사하는 과정이 반드시 필요함에도 불구하고, 초소형 발광다이오드의 크기가 매우 작아 적절한 이송 및 검사 방법이 없고, 종래의 방법으로는 깨지거나 망가지는 문제 또는 수작업에 따른 단가 상승 문제가 발생되고 있다.
또한, 웨이퍼에서 직접 복수의 초소형 발광다이오드의 전기적 양품 상태를 검사하지 않고 목적 기판으로 이송하면, 목적 기판에서 나중에 초소형 발광다이오드의 불량이 발생된 경우 목적 기판 자체가 불량이 될 수 있는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점들을 개선하기 위하여 안출된 것으로, 일 측면에 따른 본 발명의 목적은 다수의 초소형 발광다이오드가 순방향으로 배열된 집합체 전면을 면접촉 프로브를 통해 접촉시킨 후 양측에 점등시키기 위한 전원을 인가하여 초소형 발광다이오드의 점등 상태를 일괄적으로 검사하는 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치는, 다수의 초소형 발광다이오드가 순방향으로 배열된 발광다이오드 집합체의 전면을 비저항(resistivity)성 부재를 통해 면접촉하여 다수의 초소형 발광다이오드의 양단 전극을 서로 접촉시키는 면접촉 프로브; 면접촉 프로브의 일측과 타측에서 선접촉되어 전원을 공급하는 프로브 전극; 면접촉 프로브가 접촉된 반대 면에서 발광다이오드 집합체를 촬영하는 촬영부; 및 다수의 초소형 발광다이오드의 배열된 방향에 따라 프로브 전극에 순방향을 전원을 공급하고, 전원을 공급하기 전후에 촬영부를 통해 촬영한 발광다이오드 집합체의 이미지를 기반으로 다수의 초소형 발광다이오드의 점등 상태를 검사하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 면접촉 프로브는, 비저항(resistivity)성 필름, 비저항성 PDMS(Polydimethylsiloxane), 비저항성 액체 및 비저항성 겔(gel) 중 어느 하나 인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 면접촉 프로브가 비저항성 필름인 경우, 면접촉 프로브를 가압하기 위한 가압수단을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 가압수단은, 비저항성 필름을 탄성력으로 가압하는 쿠션부재인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 가압수단은, 내부에 빈 공간이 형성되어 빈 공간에 비저항성 필름이 배치되도록 프로브 전극을 가압하고, 주입구를 통해 내부 빈 공간으로 가압유체를 주입하여 비저항성 필름을 가압하는 가압챔버로 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 가압유체는, 부도성의 기체 또는 액체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 면접촉 프로브가 비저항성 액체나 비저항성 겔인 경우, 발광다이오드 집합체에 대응하여 비저항성 액체나 비저항성 겔을 영역을 제한하는 가이드 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 발광다이오드 집합체를 고정시키기 위한 투명기판;을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 초소형 발광다이오드의 점등 상태를 검사한 검사결과를 출력하는 출력부;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치는 다수의 초소형 발광다이오드가 순방향으로 배열된 집합체 전면을 면접촉 프로브를 통해 접촉시킨 후 양측에 점등시키기 위한 전원을 인가하여 초소형 발광다이오드의 점등 상태를 일괄적으로 검사할 수 있어 발광 검사에 소요되는 시간과 비용을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 초소형 발광다이오드에 직접적으로 핀을 접촉시키지 않아 검사과정 중 소자의 물리적 손상을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치를 나타낸 블록 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치의 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치를 나타낸 등가 회로도이다.
도 4는 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치의 면접촉 프로브 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따는 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치의 가압수단을 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치를 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치를 나타낸 블록 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치의 예시도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치를 나타낸 등가 회로도이고, 도 4는 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치의 면접촉 프로브 단면도이며, 도 5는 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따는 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치의 가압수단을 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치는, 면접촉 프로브(20), 프로브 전극(10), 촬영부(30) 및 제어부(40)를 비롯하여 출력부(50)와 전원부(60)를 포함할 수 있다.
면접촉 프로브(20)는 다수의 초소형 발광다이오드(75)가 순방향으로 배열된 발광다이오드 집합체(70)의 전면을 비저항(resistivity)성 부재를 통해 면접촉하여 다수의 초소형 발광다이오드(75)의 양단 전극을 서로 접촉시킬 수 있다.
여기서 면접촉 프로브(20)는 발광다이오드 집합체(70)의 전면에 면접촉되어 비저항성 부재의 길이, 면적 및 부피에 의해 결정된 저항에 의해 다수의 초소형 발광다이오드(75)를 통해 전류패스가 형성되어 점등될 수 있도록 한다.
즉, 도 3에 도시된 바와 같이 비저항성 부재의 비저항(resistivity)과 길이, 면적 및 부피를 결정하여 발광다이오드 집합체(70)의 초소형 발광다이오드(75)가 각 교차점에 배치된 형태의 저항 격자(resister grid)를 구성할 경우, 저항 격자를 통해 발광다이오드 집합체(70)의 각각의 초소형 발광다이오드(75)와 직병렬로 연결될 뿐만 아니라 초소형 발광다이오드(75)를 통해 전류패스가 형성되어 점등시킬 수 있게 된다.
이때, 면접촉 프로브(20)는, 비저항(resistivity)성 필름, 비저항성 PDMS(Polydimethylsiloxane), 비저항성 액체 및 비저항성 겔(gel) 중 어느 하나로 구성할 수 있다.
여기서, 비저항성 필름은 비저항(resistivity)을 갖는 얇은(Thin) 필름이나 신축성 소프트 필름을 포함할 수 있다.
따라서 도 2와 같이 비저항을 갖는 면접촉 프로브(20)를 통해 다수의 초소형 발광다이오드(75)가 배열된 발광다이오드 집합체(70)의 전면을 면접촉하고, 양측에 형성된 프로브 전극(10)을 통해 전원을 공급할 경우 발광다이오드 집합체(70)를 구성하는 다수의 초소형 발광다이오드(75)를 점등시킬 수 있다.
이를 보다 구체적으로 설명하면, 도 2와 같이 발광다이오드 집합체(70)의 전면을 비저항 소재의 면접촉 프로브(20)를 통해 면접촉할 경우 도 3과 같이 등가회로로 나타낼 수 있다.
즉, 면접촉 프로브(20)는 저항 격자(resister grid)로 나타낼 수 있고, 발광다이오드 집합체(70)의 초소형 발광다이오드(75)는 각 교차점에 배치된 형태로 나타낼 수 있다. 따라서 양측에 형성된 프로브 전극(10)으로 전원부(60)의 전원을 순방향으로 점등시키기 위한 전원을 공급하면 발광다이오드 집합체(70)를 이루는 각 초소형 발광다이오드(75)를 동시에 점등시킬 수 있다.
여기서 면접촉 프로브(20)를 비저항성 필름(22)으로 구성할 수 있으며, 또한 비저항성 필름(22)을 가압하기 위한 가압수단을 더 포함할 수 있다.
즉, 도 4에 도시된 도 2의 A-A선 단면도에서와 같이 발광다이오드 집합체(70)를 고정시키기 위한 투명기판(72) 위에 초소형 발광다이오드(75)를 순방향으로 배열한 후 비저항성 필름(22)의 면접촉 프로브(20)를 통해 발광다이오드 집합체(70)를 덮어 초소형 발광다이오드(75)와 면접촉을 시킬 수 있다.
여기서 투명기판(72)은 초소형 발광다이오드(75)의 제조 공정을 위한 웨이퍼 기판을 포함할 수 있다.
이때 면접촉 프로브(20)인 비저항성 필름(22)이 초소형 발광다이오드(75)와 밀접 접촉될 수 있도록 가압수단인 쿠션부재(82)를 통해 가압할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이 쿠션부재(24)를 통해 면접촉 프로브(20)인 비저항성 필름(22)을 탄성력으로 가압하여 비저항성 필름(22)과 발광다이오드 집합체(70)의 모든 초소형 발광다이오드(75)가 면접촉될 수 있도록 할 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이 가압수단으로, 내부에 빈 공간이 형성되어 빈 공간에 면접촉 프로브(20)인 비저항성 필름(22)이 배치되도록 프로브 전극(10)을 가압하여 밀폐시키고, 주입구(84)를 통해 내부 빈 공간으로 가압유체(88)를 주입하여 비저항성 필름(22)을 가압하는 가압챔버(84)를 구성할 수 있다.
여기서, 가압유체(88)는 부도성의 기체 또는 액체를 포함할 수 있다.
또한, 초소형 발광다이오드(75)를 전사시켜 패널을 제조하는 공정에서 초소형 발광다이오드(75)를 비저항성 PDMS에 전사한 상태에서 비저항성 PDMS를 면접촉 프로브(20)로 사용할 수도 있다.
한편, 면접촉 프로브(20)가 비저항성 액체나 비저항성 겔(gel)인 경우에는 도 2에 도시된 바와 같이 발광다이오드 집합체(70)의 크기에 대응하여 비저항성 액체나 비저항성 겔을 영역을 제한하는 가이드 격벽(26)을 더 포함하여 정형화된 형태를 유지하여 초소형 발광다이오드(75) 사이에서 초소형 발광다이오드(75)를 통해 전류패스가 형성되어 점등될 수 있는 저항이 유지되도록 하는 것이 바람직하다.
프로브 전극(10)은 면접촉 프로브(20)의 일측과 타측에서 선접촉되어 면접촉 프로브(20)에 전원을 공급할 수 있다.
촬영부(30)는 면접촉 프로브(20)가 접촉된 반대 면에서 발광다이오드 집합체(70)를 촬영하여 촬영 이미지를 제어부(40)에 제공할 수 있다.
제어부(40)는 초소형 발광다이오드(75)의 배열된 방향에 따라 프로브 전극(10)에 순방향으로 점등 전원을 공급하고, 전원을 공급하기 전후에 촬영부(30)를 통해 촬영한 발광다이오드 집합체(70)의 이미지를 서로 비교하여 초소형 발광다이오드(75)의 점등 상태를 검사할 수 있다.
출력부(50)는 초소형 발광다이오드(75)의 점등 상태를 검사한 검사결과를 출력할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치에 따르면, 다수의 초소형 발광다이오드가 순방향으로 배열된 집합체 전면을 면접촉 프로브를 통해 접촉시킨 후 양측에 점등시키기 위한 전원을 인가하여 초소형 발광다이오드의 점등 상태를 일괄적으로 검사할 수 있어 발광 검사에 소요되는 시간과 비용을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 초소형 발광다이오드에 직접적으로 핀을 접촉시키지 않아 검사과정 중 소자의 물리적 손상을 줄일 수 있다.
본 명세서에서 설명된 구현은, 예컨대, 방법 또는 프로세스, 장치, 소프트웨어 프로그램, 데이터 스트림 또는 신호로 구현될 수 있다. 단일 형태의 구현의 맥락에서만 논의(예컨대, 방법으로서만 논의)되었더라도, 논의된 특징의 구현은 또한 다른 형태(예컨대, 장치 또는 프로그램)로도 구현될 수 있다. 장치는 적절한 하드웨어, 소프트웨어 및 펌웨어 등으로 구현될 수 있다. 방법은, 예컨대, 컴퓨터, 마이크로프로세서, 집적 회로 또는 프로그래밍 가능한 로직 디바이스 등을 포함하는 프로세싱 디바이스를 일반적으로 지칭하는 프로세서 등과 같은 장치에서 구현될 수 있다. 프로세서는 또한 최종-사용자 사이에 정보의 통신을 용이하게 하는 컴퓨터, 셀 폰, 휴대용/개인용 정보 단말기(personal digital assistant: "PDA") 및 다른 디바이스 등과 같은 통신 디바이스를 포함한다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
(부호의 설명)
10: 프로브 전극 20: 면접촉 프로브
22: 비저항성 필름 26: 가이드 격벽
30: 촬영부 40: 제어부
50: 출력부 60: 전원부
70: 발광다이오드 집합체 75: 초소형 발광다이오드
82: 쿠션부재 84: 주입구
86: 가압유체 88: 가압챔버
CROSS-REFERENCE TO RELATED APPLICATION
본 특허출원은, 본 명세서에 그 전체가 참고로서 포함되는, 2021년 6월 2일에 한국에 출원한 특허출원번호 제10-2021-0071184호 및 2021년 12월 13일에 한국에 출원한 특허출원번호 제10-2021-0177181호에 대해 우선권을 주장한다.

Claims (9)

  1. 다수의 초소형 발광다이오드가 순방향으로 배열된 발광다이오드 집합체의 전면을 비저항 소재를 통해 면접촉하여 다수의 초소형 발광다이오드의 양단 전극을 서로 접촉시키는 면접촉 프로브;
    상기 면접촉 프로브의 일측과 타측에서 선접촉되어 전원을 공급하는 프로브 전극;
    상기 면접촉 프로브가 접촉된 반대 면에서 상기 발광다이오드 집합체를 촬영하는 촬영부; 및
    상기 다수의 초소형 발광다이오드의 배열된 방향에 따라 상기 프로브 전극에 순방향을 전원을 공급하고, 전원을 공급하기 전후에 상기 촬영부를 통해 촬영한 상기 발광다이오드 집합체의 이미지를 기반으로 상기 다수의 초소형 발광다이오드의 점등 상태를 검사하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 면접촉 프로브는, 비저항(resistivity)성 필름, 비저항성 PDMS(Polydimethylsiloxane), 비저항성 액체 및 비저항성 겔(gel) 중 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 면접촉 프로브가 상기 비저항성 필름인 경우, 상기 면접촉 프로브를 가압하기 위한 가압수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 가압수단은, 상기 비저항성 필름을 탄성력으로 가압하는 쿠션부재인 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 가압수단은, 내부에 빈 공간이 형성되어 빈 공간에 상기 비저항성 필름이 배치되도록 상기 프로브 전극을 가압하고, 주입구를 통해 상기 내부 빈 공간으로 가압유체를 주입하여 상기 비저항성 필름을 가압하는 가압챔버로 구성된 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 가압유체는, 부도성의 기체 또는 액체를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치.
  7. 제 2항에 있어서, 상기 면접촉 프로브가 상기 비저항성 액체나 상기 비저항성 겔인 경우, 상기 발광다이오드 집합체에 대응하여 상기 비저항성 액체나 상기 비저항성 겔을 영역을 제한하는 가이드 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 발광다이오드 집합체를 고정시키기 위한 투명기판;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 초소형 발광다이오드의 점등 상태를 검사한 검사결과를 출력하는 출력부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 발광다이오드의 점등 검사 장치.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120052812A (ko) * 2010-11-16 2012-05-24 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지의 제조 장치 및 제조 방법
KR101496050B1 (ko) * 2013-10-29 2015-02-25 세메스 주식회사 발광 소자 검사 장치
KR101970782B1 (ko) * 2018-07-13 2019-04-19 주식회사 케이피에스 유기 발광 다이오드 패널 검사용 프로브 장치
KR20200010590A (ko) * 2017-06-20 2020-01-30 테소로 사이언티픽, 인코포레이티드 발광 다이오드(led) 테스트 장치 및 제조 방법
US20200185283A1 (en) * 2016-12-16 2020-06-11 Tesoro Scientific, Inc. Light emitting diode (led) test apparatus and method of manufacture

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101839292B1 (ko) * 2009-07-28 2018-03-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치의 검사 방법 및 제조 방법
KR102446211B1 (ko) * 2017-12-11 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자의 검사 방법 및 발광 소자의 검사 장치
KR102386932B1 (ko) 2018-03-09 2022-04-14 주식회사 나노엑스 Led 검사 장치 및 이송 장치
TWI717670B (zh) * 2018-12-21 2021-02-01 財團法人工業技術研究院 發光二極體的檢測方法及檢測裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120052812A (ko) * 2010-11-16 2012-05-24 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지의 제조 장치 및 제조 방법
KR101496050B1 (ko) * 2013-10-29 2015-02-25 세메스 주식회사 발광 소자 검사 장치
US20200185283A1 (en) * 2016-12-16 2020-06-11 Tesoro Scientific, Inc. Light emitting diode (led) test apparatus and method of manufacture
KR20200010590A (ko) * 2017-06-20 2020-01-30 테소로 사이언티픽, 인코포레이티드 발광 다이오드(led) 테스트 장치 및 제조 방법
KR101970782B1 (ko) * 2018-07-13 2019-04-19 주식회사 케이피에스 유기 발광 다이오드 패널 검사용 프로브 장치

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