WO2022244297A1 - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents

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WO2022244297A1
WO2022244297A1 PCT/JP2022/000801 JP2022000801W WO2022244297A1 WO 2022244297 A1 WO2022244297 A1 WO 2022244297A1 JP 2022000801 W JP2022000801 W JP 2022000801W WO 2022244297 A1 WO2022244297 A1 WO 2022244297A1
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WO
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pixel
terminal
shield
substrate
signal terminal
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PCT/JP2022/000801
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浩 堀越
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ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
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    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith

Definitions

  • the present disclosure relates to solid-state imaging devices and electronic devices.
  • Patent Document 1 discloses an imaging device in which three substrates, a first substrate, a second substrate, and a third substrate, are laminated and electrically connected to each other by through wiring.
  • a through wire eg, first through wire
  • another through wire eg, third through wire
  • a first solid-state imaging device is arranged on a first surface side that is a light incident side of a first substrate, and includes first pixels having first photoelectric conversion elements, and second photoelectric conversion elements.
  • second pixels arranged in a first direction on the first surface adjacent to the first pixels, and the first pixels on the side of the second surface opposite to the first surface side of the first substrate a first signal terminal connected to the first pixel and arranged in a region corresponding to the central portion of the first substrate;
  • a second signal terminal connected to the second pixel and a second signal terminal provided in a region corresponding to the second pixel side of the peripheral portion of the first pixel on the second surface side of the first substrate and supplied with a fixed potential.
  • An electronic device includes the first solid-state imaging device according to an embodiment of the present disclosure.
  • a second solid-state imaging device is arranged on a first surface side, which is a light incident side, of a first substrate, and includes first pixels having first photoelectric conversion elements, and second photoelectric conversion elements.
  • second pixels arranged in a first direction on the first surface adjacent to the first pixels, and the first pixels on the side of the second surface opposite to the first surface side of the first substrate a first signal terminal connected to the first pixel and arranged in a region corresponding to the central portion of the first substrate; a second signal terminal connected to the second pixel; a first shield terminal formed so as to completely overlap the second signal terminal in a second direction on a second surface intersecting the first direction when the signal terminals are viewed in the first direction, and supplied with a fixed potential; there is
  • An electronic device includes the second solid-state imaging device according to an embodiment of the present disclosure.
  • the second shield terminal provided in the region corresponding to the first pixel side of the peripheral portion of the second pixel is connected to the peripheral portion of the first pixel. is arranged in an area shifted in the second direction with respect to the first shield terminal arranged in the area corresponding to the second pixel side of the .
  • the first shield terminal and the second shield terminal serve as shield regions, effectively suppressing or preventing noise between the adjacent first and second pixels.
  • the shield area is enlarged, and the planar areas of the first shield terminal and the second shield terminal themselves are reduced. This reduces the difference in planar area between the first signal terminal, the second signal terminal, the first shield terminal, and the second shield terminal, and effectively suppresses or prevents the occurrence of recesses in the terminal joint surfaces due to pattern dependency. .
  • the first shield terminal is arranged in the region corresponding to the second pixel side of the peripheral portion of the first pixel.
  • the first shield terminal is formed so as to completely overlap the second signal terminal in the second direction when the second signal terminal is viewed from the first signal terminal in the first direction.
  • the first shield terminal functions as a shield region, effectively suppressing or preventing noise between the adjacent first and second pixels.
  • the first shield terminal plane area can be reduced. As a result, the difference in planar area between the first signal terminal, the second signal terminal and the first shield terminal can be reduced, and the occurrence of recesses in the terminal joint surfaces due to pattern dependency can be effectively suppressed or prevented.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part showing a pixel and a pixel circuit of a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 2 is a plan view of a main part for explaining an arrangement layout of terminals on the pixel side shown in FIG. 1
  • 2 is a circuit diagram of the pixel and pixel circuit shown in FIG. 1
  • FIG. FIG. 3 is a plan view of a main part corresponding to FIG. 2, for explaining the arrangement layout of the terminals on the pixel side and the arrangement layout of the terminals on the pixel circuit side shown in FIG. 1
  • 5 is a cross-sectional view of main parts of a pixel-side terminal and a pixel-circuit-side terminal shown in FIG. 4;
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of main parts of a pixel-side terminal and a pixel-circuit-side terminal according to a comparative example, corresponding to FIG. 5 ;
  • FIG. 11 is a plan view of a main part corresponding to FIG. 2 and explaining an arrangement layout of terminals on the pixel side of a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 11 is a plan view of a main part corresponding to FIG. 2 and explaining an arrangement layout of terminals on the pixel side of a solid-state imaging device according to a third embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 11 is a plan view of a main part corresponding to FIG.
  • FIG. 11 is a main-part cross-sectional view corresponding to FIG. 1 , showing pixels and pixel circuits of a solid-state imaging device according to a fifth embodiment of the present disclosure
  • FIG. 11 is a plan view of a main part corresponding to FIG. 2 and explaining an arrangement layout of terminals on the pixel side shown in FIG. 10
  • 1 is a block diagram showing an example of a schematic configuration of a vehicle control system, which is a first application example according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of installation positions of an outside information detection unit and an imaging unit;
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of a schematic configuration of an endoscopic surgery system, which is a second application example according to the embodiment of the present disclosure
  • 3 is a block diagram showing an example of functional configurations of a camera head and a CCU
  • FIG. It is a block diagram showing a configuration example of an electronic device to which the present technology is applied.
  • First Embodiment A first embodiment describes an example in which the present technology is applied to a solid-state imaging device. 2.
  • Second Embodiment A second embodiment will explain a first example in which the arrangement layout of terminals is changed in the solid-state imaging device according to the first embodiment.
  • Third Embodiment A third embodiment will explain a second example in which the arrangement layout of the terminals is changed in the solid-state imaging device according to the first embodiment.
  • Fourth Embodiment A fourth embodiment describes a third example in which the arrangement layout of terminals is changed in the solid-state imaging device according to the third embodiment. 5.
  • a fifth embodiment describes an example in which the present technology is applied to a solid-state imaging device that employs a SPAD structure. 6.
  • Example of Application to Moving Body An example in which the present technology is applied to a vehicle control system, which is an example of a moving body control system, will be described.
  • Application Example to Endoscopic Surgery System An example in which the present technology is applied to an endoscopic surgery system will be described.
  • Application Example to Electronic Equipment An example in which the present technology is applied to an electronic equipment will be described. 9. Other embodiments
  • FIG. 1 A solid-state imaging device 1 according to a first embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 1 to 6.
  • FIG. 1 A solid-state imaging device 1 according to a first embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 1 to 6.
  • FIG. 1 A solid-state imaging device 1 according to a first embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 1 to 6.
  • FIG. 1 A solid-state imaging device 1 according to a first embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 1 to 6.
  • the arrow X direction shown as appropriate indicates one plane direction of the solid-state imaging device 1 placed on a plane for the sake of convenience.
  • the arrow Y direction indicates another planar direction perpendicular to the arrow X direction.
  • the arrow Z direction indicates an upward direction orthogonal to the arrow X direction and the arrow Y direction. That is, the arrow X direction, the arrow Y direction, and the arrow Z direction exactly match the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction of the three-dimensional coordinate system, respectively. It should be noted that each of these directions is shown to aid understanding of the description and is not intended to limit the direction of the present technology.
  • FIG. showing.
  • One pixel 100 is composed of a series circuit of a photoelectric conversion element (photodiode) 101 and a transfer transistor 102 .
  • the photoelectric conversion element 101 converts light incident from outside the solid-state imaging device 1 into an electric signal.
  • the other terminal of the transfer transistor 102 is connected to the pixel circuit 130 .
  • the transfer transistor 102 and the pixel circuit 130 are connected via a signal wiring 121 .
  • the signal wiring 121 is the first signal wiring or the second signal wiring according to the present technology.
  • a control terminal of the transfer transistor 102 is connected to the horizontal signal line 103 .
  • the pixel circuit 130 includes a floating diffusion (FD) conversion gain switching transistor 131 , a reset transistor 132 , an amplification transistor 133 and a selection transistor 134 .
  • the other terminal of the transfer transistor 102 is connected to one terminal of the FD conversion gain switching transistor 131 and the control terminal of the amplification transistor 133 .
  • the other terminal of the FD conversion gain switching transistor 131 is connected to one terminal of the reset transistor 132 .
  • the other terminal of reset transistor 132 is connected to power supply potential VDD.
  • One terminal of the amplification transistor 133 is connected to one terminal of the selection transistor 134 .
  • the other terminal of the amplification transistor 133 is connected to the power supply potential VDD.
  • the other terminal of the selection transistor 134 is connected to the vertical signal line 135 .
  • the pixel circuit 130 is connected to the image processing circuit 200 .
  • the image processing circuit 200 includes an analog-to-digital converter (ADC) and a digital signal processor (DSP).
  • ADC analog-to-digital converter
  • DSP digital signal processor
  • the analog-to-digital converter converts an analog signal as an electric signal generated from light by the pixel 100 into a digital signal.
  • Digital signal processors perform functional processing of digital signals. That is, the image processing circuit 200 performs signal processing for image creation.
  • the pixel circuit 130 and the image processing circuit 200 are connected to each other with the signal wiring 121 and the signal wiring 221 interposed therebetween.
  • the signal wiring 221 is the third signal wiring and the fourth signal wiring according to the present technology.
  • one pixel circuit 130 is provided for four pixels 100, for example. Of course, one pixel circuit 130 may be arranged for one pixel 100 .
  • FIG. 1 shows an example of a longitudinal section configuration of part of the pixel 100, the pixel circuit 130, and the image processing circuit 200 of the solid-state imaging device 1.
  • FIG. The solid-state imaging device 1 is configured as a back-illuminated image sensor here. When viewed in the direction of the arrow Y (hereinafter simply referred to as "side view"), the solid-state imaging device 1 is constructed by sequentially stacking a first substrate 10 and a second substrate 20. As shown in FIG. The first base 10 is laminated on the second base 20 , and the first base 20 is joined to the second base 20 .
  • the first substrate 10 includes a first semiconductor layer 11 and a first wiring layer 12 arranged on the second substrate 20 side of the first semiconductor layer 11 .
  • the first semiconductor layer 11 is made of single crystal silicon (Si).
  • a pixel 100 and a pixel circuit 130 are formed in the first semiconductor layer 11 .
  • the photoelectric conversion element 101 of the pixel 100 includes an n-type semiconductor region and a p-type semiconductor region, and is composed of a pn junction between the two.
  • a light-receiving lens 13 is disposed on the light incident side of the photoelectric conversion element 101 with a charge fixing film and an insulating film (not shown) interposed therebetween.
  • one light-receiving lens 13 is provided for a total of four pixels 100 adjacent in the arrow X direction and the arrow Y direction.
  • one light receiving lens 13 may be provided for one pixel 100 .
  • the light-receiving lens 13 can condense light incident on the photoelectric conversion element 101 .
  • the light incident side is the side opposite to the second substrate 20 side of the first semiconductor layer 11 .
  • the transfer transistor 102 of the pixel 100 is formed on the surface portion of the first semiconductor layer 11 on the second substrate 20 side.
  • Transfer transistor 102 is formed by an n-channel insulated gate field effect transistor (IGFET).
  • the transfer transistor 102 includes a pair of main electrodes (terminals) serving as a source region and a drain region, a channel forming region, a gate insulating film, and a gate electrode (control terminal).
  • the IGFET includes at least a metal/oxide film/semiconductor field effect transistor (MOSFET) and a metal/insulator/semiconductor field effect transistor (MISFET).
  • a pixel isolation region 14 is provided between pixels 100 adjacent to each other in the arrow X direction and the arrow Y direction. The pixel isolation region 14 optically and electrically isolates adjacent pixels 100 from each other.
  • the surface portion of the first semiconductor layer 11 on the second substrate 20 side includes an FD conversion gain switching transistor 131, a reset transistor 132, and an amplification transistor, which constitute the pixel circuit 130. 133 and a selection transistor 134 are provided.
  • the first wiring layer 12 includes signal wiring 121 , signal terminals 123 , shield wiring 122 , shield terminals 124 and insulators 125 .
  • the signal wiring 121 is configured as a through wiring that penetrates the first substrate 10 including the first semiconductor layer 11 and the first wiring layer 12 in the arrow Z direction, which is the thickness direction. Although the detailed description of the configuration and reference numerals are omitted, the signal wiring 121 is configured to include multiple layers of wiring and plug wirings that connect the wirings. Copper (Cu), for example, is used as a wiring material for the wiring and the plug wiring. Also, an aluminum (Al) alloy, for example, may be used as the wiring material for the wiring, and dungsten (W), for example, may be used as the wiring material for the plug wiring.
  • Cu Copper
  • Al aluminum
  • W dungsten
  • One end of the signal terminal 123 is connected to the signal wiring 121 and the other end of the signal terminal 123 is exposed from the surface of the first wiring layer 12 on the second substrate 20 side, that is, the surface of the insulator 125 .
  • the exposed surface of the signal terminal 123 is used as a joint surface with the second substrate 20 .
  • a metal such as copper is used as the wiring material of the signal terminal 123 .
  • the signal wiring 121 and the signal terminal 123 are arranged in a region corresponding to the central portion of the pixel 100 .
  • the insulator 125 is formed by embedding the signal wiring 121 and the signal terminal 123 respectively.
  • the insulator 125 is actually formed by laminating a plurality of insulating films.
  • the insulator 125 may be formed of a silicon oxide film (SiO), a silicon nitride film (SiN), or a combination of both.
  • the shield wiring 122 is connected to the p-type semiconductor region of the photoelectric conversion element 101 , and the other end of the shield wiring 122 is connected to the shield terminal 124 .
  • the shield wiring 122 is configured as a through wiring that penetrates the first substrate 10 in the thickness direction.
  • the shield wiring 122 is configured by including a plurality of layers of wiring and plug wirings connecting the wirings.
  • the wiring material for the wiring of the shield wiring 122 and the plug wiring is the same as the wiring material for the wiring of the signal wiring 121 and the plug wiring.
  • One end of the shield terminal 124 is connected to the shield wiring 122 , and the other end of the shield terminal 124 is exposed from the surface of the first wiring layer 12 like the signal terminal 123 .
  • the wiring material of the shield terminal 124 is the same as that of the signal terminal 123 .
  • the shield wiring 122 is arranged in a region corresponding to the peripheral portion of the pixel 100 and arranged along the periphery of the signal wiring 121 .
  • the shield terminal 124 is arranged in a region corresponding to the peripheral portion of the pixel 100 and arranged along the periphery of the signal terminal 123 .
  • a power supply potential GND is applied to the shield wiring 122 and the shield terminal 124 .
  • the shield wiring 122 and the shield terminal 124 excluding the exposed surface are embedded in the insulator 125 .
  • the second substrate 20 includes a second semiconductor layer 21 and a second wiring layer 22 arranged on the first substrate 10 side of the second semiconductor layer 21 .
  • the second semiconductor layer 21 is made of single crystal silicon, like the first semiconductor layer 11 .
  • An image processing circuit 200 is configured in the second semiconductor layer 21 .
  • the image processing circuit 200 has a plurality of transistors 201 .
  • the transistor 201 is arranged on the main surface of the second semiconductor layer 21 on the side of the first substrate 10 .
  • the term "principal surface portion" is used to mean a main surface portion on which elements such as transistors and resistors are formed.
  • the transistor 201 is arranged on the main surface of the second semiconductor layer 21 in a region surrounded by an isolation region (not shown).
  • the transistor 201 includes a pair of main electrodes 23 , a channel forming region, a gate insulating film 24 and a gate electrode 25 .
  • a pair of main electrodes 23 are a source region and a drain region, and are formed of an n-type semiconductor region.
  • a channel forming region is formed by the second semiconductor layer 21 between the pair of main electrodes 23 .
  • the gate insulating film 24 is arranged along the channel forming region and is formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof.
  • the gate electrode 25 is arranged along the gate insulating film 24 and made of polycrystalline silicon, for example.
  • the transistor 201 like the transfer transistor 102, is composed of an n-channel IGFET.
  • the image processing circuit 200 may include complementary IGFETs including an n-channel IGFET and a p-channel IGFET.
  • the second wiring layer 22 includes signal wiring 221 , shield wiring 222 , signal terminals 223 , shield terminals 224 and insulators 224 .
  • the signal wiring 221 is configured as a through wiring that penetrates the second substrate 20 including the second semiconductor layer 21 and the second wiring layer 22 in the thickness direction. Similar to the signal wiring 121, the signal wiring 221 is composed of a plurality of layers of wiring and plug wirings connecting the wirings, although the detailed description of the configuration and reference numerals are omitted.
  • the wiring material of the wiring is the same as the wiring material of the wiring of the signal wiring 121 .
  • the wiring material of the plug wiring is the same as that of the plug wiring of the signal wiring 121 .
  • One end of the signal terminal 223 is connected to the signal wiring 221 and the other end of the signal terminal 223 is exposed from the surface of the second wiring layer 22 on the first substrate 10 side, ie, the surface of the insulator 225 .
  • the exposed surface of the signal terminal 223 is used as a bonding surface with the first substrate 10 and bonded to the signal terminal 123 of the first substrate 10 .
  • the wiring material of the signal terminal 223 is the same as the wiring material of each of the signal terminal 123 and the shield terminal 124 .
  • the insulator 225 is formed by embedding the signal wiring 221 and the signal terminal 223 respectively.
  • the insulator 225 is made of the same material as the insulator 125 .
  • the shield wiring 222 is connected to the second semiconductor layer 21 .
  • the shield wiring 222 is connected to the p-type semiconductor region (p-type well region) 26 .
  • the other end of the shield wiring 222 is connected to the shield terminal 224 .
  • the shield wiring 222 is configured as a through wiring that penetrates the second substrate 20 in the thickness direction.
  • the shield wiring 222 is composed of a plurality of layers of wiring and plug wirings that connect the wirings.
  • the wiring material of the wiring of the shield wiring 222 and the wiring of the plug wiring is the same as that of the wiring of the signal wiring 221 and the wiring of the plug wiring.
  • One end of the shield terminal 224 is connected to the shield wiring 222 , and the other end of the shield terminal 224 is exposed from the surface of the second wiring layer 22 like the signal terminal 223 .
  • the exposed surface of the shield terminal 224 is used as a joint surface with the first base 10 and is joined to the shield terminal 124 of the first base 10 .
  • the wiring material of the shield terminal 224 is the same as the wiring material of the signal terminal 223 .
  • the shield wiring 222 is arranged in a region corresponding to the peripheral portion of the pixel 100 and arranged along the periphery of the signal wiring 221 .
  • the shield terminal 224 is arranged in a region corresponding to the peripheral portion of the pixel 100 and arranged along the periphery of the signal terminal 223 .
  • the shield wiring 222 and the shield terminal 224 excluding the exposed surface are embedded in the insulator 225 .
  • the third base includes, for example, a memory such as a dynamic random access memory (DRAM) and a nonvolatile memory, a logic circuit for realizing an artificial intelligence (AI) function, and the like.
  • DRAM dynamic random access memory
  • AI artificial intelligence
  • FIG. shows the arrangement layout of the signal terminals 123 and the shield terminals 124 in FIG.
  • the pixel 100 arranged at the upper right is indicated by adding the code (2).
  • the pixel 100 arranged in the lower left is indicated by adding the reference numeral (3)
  • the pixel 100 arranged in the lower right is indicated by adding the reference numeral (4).
  • the four pixels 100(1) to 100(4) are formed in a rectangular shape, more specifically a square shape in plan view.
  • a pixel isolation region 14 is provided between the pixel 100(1) and the pixel 100(2) adjacent in the arrow X direction.
  • a pixel isolation region 14 is provided between the pixel 100(3) and the pixel 100(4) adjacent in the arrow X direction.
  • Pixel separation regions 14 are also provided between the pixels 100(1) and 100(2) and the pixels 100(3) and 100(4) that are adjacent in the arrow Y direction.
  • One signal terminal 123 is arranged on the surface portion of the first wiring layer 12 on the second substrate 20 side in the region corresponding to the central portion of the pixel 100(1).
  • This signal terminal 123 corresponds to the first signal terminal according to the present technology.
  • signal wiring 123 is shown with reference numeral (1) added.
  • the signal terminal 123(1) is formed in a rectangular shape in a plan view, more specifically in a square shape similar to the pixel 100(1). If the joining accuracy allowed for joining the signal terminal 123(1) and the signal terminal 223 (see FIG. 1) provided on the second substrate 20 is, for example, 0.5 ⁇ m, the rectangular shape of the signal terminal 123(1) is set to, for example, 1.0 ⁇ m or less.
  • the bonding accuracy is 1.0 ⁇ m
  • the dimension of one side of the signal terminal 123(1) is set to 2.0 ⁇ m or less, for example.
  • the signal terminal 123(1) is made of copper
  • the dimension of one side of the signal terminal 123(1) is set to "a”
  • the check area is set to "2a”
  • the copper coverage is 15%. It is set to 35% or less.
  • Six shield terminals 124 are arranged on the surface portion of the first wiring layer 12 on the second substrate 20 side in the region corresponding to the peripheral portion of the pixel 100(1). For convenience, each of the six shield terminals 124 is shown with reference numerals (11) through (16) added. Each of the shield terminals 124(11) to 124(16) is formed in the same rectangular shape as the signal terminal 123(1) in plan view. Further, each of the shield terminals 124(11) to 124(16) is formed here with the same plane area as the plane area of the signal terminal 123(1).
  • each of the shield terminals 124(11) to 124(16) has the same volume as the signal terminal 123(1).
  • the shield terminal 124(11) is arranged in a region corresponding to the pixel 100(2) side of the peripheral portion of the pixel 100(1).
  • This shield terminal 124 (11) corresponds to the first shield terminal according to the present technology.
  • the shield terminal 124(11) is arranged so that its pixel 100(2) side is aligned with the pixel 100(2) side of the pixel 100(1) in plan view.
  • the side of the shield terminal 124(11) on the pixel 100(2) side is arranged so as to match the contour of the pixel isolation region 14 on the pixel 100(1) side.
  • the shield terminal 124(11) is arranged along a region corresponding to the side of the pixel 100(1) adjacent to the pixel 100(2).
  • the shield terminal 124(11) connects the center of the signal terminal 123(1) and the center of the signal terminal 123(2) arranged in the region corresponding to the central portion of the pixel 100(2).
  • the center position is aligned with the virtual line AA shown in the figure.
  • one shield terminal 124(11) is provided in a region corresponding to the side of the pixel 100(1) on the side of the pixel 100(2).
  • a shield terminal 124 (14) is arranged in the same manner as the shield terminal 124 (11) in a region corresponding to the side opposite to the pixel 100 (2) side of the peripheral portion of the pixel 100 (1).
  • the center position of the shield wiring 124 (14) is aligned with the imaginary line AA.
  • the shield terminal 124(12) and the shield terminal 124(13) are arranged in a region corresponding to the pixel 100(3) side of the peripheral portion of the pixel 100(1). Similar to the shield terminal 124(11), the shield terminal 124(12) and the shield terminal 124(13) have the pixel 100(3) side of the pixel 100(1) in plan view. are aligned with the side edges.
  • the shield terminal 124 (12) and the shield terminal 124 (13) are spaced apart in the direction of the arrow X with an interval corresponding to just one shield terminal 124 .
  • a virtual line BB connecting the center of the signal terminal 123(1) and the center of the signal terminal 123(3) provided in the region corresponding to the central portion of the pixel 100(3) is shown for convenience.
  • the shield terminal 124 (12) is arranged in a region shifted in the arrow X direction with respect to the virtual line BB.
  • the shield terminal 124 (13) is arranged in a region shifted in the direction opposite to the arrow X direction with respect to the virtual line BB.
  • the amount of deviation of each of shield terminal 124 (12) and shield terminal 124 (13) is 1/2 of the dimension of the side of shield terminal 124 from imaginary line BB.
  • the shield terminal 124(12) and the shield terminal 124(13) correspond to the third shield terminal according to the present technology.
  • shield terminals 124 Similar to the shield terminals 124 (12) and 124 (13), shield terminals 124 (15), A shield terminal 124 (16) is provided.
  • the shield terminal 124 (15) is arranged in a region shifted in the direction opposite to the arrow X direction with respect to the virtual line BB.
  • the shield terminal 124 (16) is arranged in a region shifted in the arrow X direction with respect to the virtual line BB.
  • Shield terminals 124(11) to 124(16) are arranged clockwise around signal terminal 123(1).
  • one signal terminal 123 and six shield terminals 124 are arranged in the region corresponding to the pixel 100(2).
  • the signal terminal 123 is shown with the reference numeral (2) added for convenience.
  • the shield terminals 124 are indicated by adding reference numerals (21) to (26).
  • the signal terminal 123(2) is arranged in a region corresponding to the central portion of the pixel 100(2), as described above.
  • the signal terminal 123(2) corresponds to the second signal terminal according to the present technology.
  • the shield terminals 124(21) to 124(26) are arranged in a region corresponding to the peripheral portion of the pixel 100(2), similarly to the shield terminals 124(11) to 124(16). .
  • the shield terminals 124(21) to 124(26) are centered on the signal terminal 123(2). It is arranged at a position rotated clockwise by 90 degrees.
  • the signal terminal 123(1) and the shield terminals 124(11) to 124(16) provided in the region corresponding to the pixel 100(1) are connected to the pixel 100(2).
  • the signal terminal 123(1) and the shield terminals 124(11) to 124(16) arranged in the corresponding areas have the same configuration and are rotated by 90 degrees.
  • the shield terminal 124(22) and the shield terminal 124(23) are arranged in a region corresponding to the pixel 100(1) side of the peripheral portion of the pixel 100(2).
  • the shield terminal 124 (22) and the shield terminal 124 (23) correspond to the second shield terminal according to the present technology.
  • the shield terminal 124 (22) and the shield terminal 124 (23) are arranged so that the pixel 100(1) side of the shield terminal 124(22) and the pixel 100(1) side of the pixel 100(2) match in plan view. ing.
  • the shield terminal 124 (22) and the shield terminal 124 (23) are arranged with the pixel isolation region 14 interposed with respect to the shield terminal 124 (11) in the arrow X direction.
  • the shield terminal 124 (22) is arranged in a region shifted in the arrow Y direction with respect to the virtual line AA.
  • the shield terminal 124 (23) is arranged in a region shifted in the direction opposite to the arrow Y direction with respect to the virtual line AA. That is, the shield terminal 124 (22) and the shield terminal 124 provided in the region corresponding to the pixel 100 (2) are connected to the shield terminal 124 (11) provided in the region corresponding to the pixel 100 (1). (23) is arranged in a region shifted in the direction of arrow Y intersecting the direction of arrow X.
  • FIG. Note that the shield terminal 124 (21) corresponds to the fourth shield terminal according to the present technology.
  • one signal terminal 123 and six shield terminals 124 are arranged in the region corresponding to the pixel 100(3).
  • the signal terminal 123 is shown with the reference numeral (3) added for convenience.
  • the shield terminals 124 are indicated by adding reference numerals (31) to (36).
  • one signal terminal 123 and six shield terminals 124 are arranged in the area corresponding to the pixel 100(4).
  • the signal terminal 123 is shown with the reference numeral (4) added for convenience.
  • the shield terminals 124 are indicated by adding reference numerals (41) to (46).
  • the shield terminal 124 (44) provided in the region corresponding to the pixel 100(4) and the shield terminal 124 (35) and the shield terminal 124 (36) provided in the region corresponding to the pixel 100(3).
  • FIG. 4 shows the arrangement layout of the signal terminals 223 and the shield terminals 224 in the second wiring layer 22 of the second substrate 20 superimposed on the arrangement layout shown in FIG.
  • both array layouts are shown in a state shifted within the range of joint accuracy.
  • the signal terminals 223 and the shield terminals 224 arranged on the second wiring layer 22 of the second substrate 20 are arranged in the same arrangement as the signal terminals 123 and the shield terminals 124 arranged on the first wiring layer 12 of the first substrate 10. Arranged by layout. In the area corresponding to the pixel 100(1), one signal terminal 223 is arranged in the central portion and six shield terminals 224 are arranged in the peripheral portion. Similar to the above description, reference numerals are added for the sake of convenience. That is, the signal terminal 223(1) and the shield terminals 224(11) to 224(16) are arranged in the region corresponding to the pixel 100(1).
  • the signal terminal 223(1) corresponds to the third signal terminal according to the present technology.
  • the shield terminal 224 (11) corresponds to the fifth shield terminal according to the present technology.
  • one signal terminal 223(2) is provided in the central portion, and six shield terminals 224(21) to 224(26) are provided in the peripheral portion. are arranged.
  • the signal terminal 223(2) corresponds to the fourth signal terminal according to the present technology.
  • the shield terminal 224 (22) and the shield terminal 224 (23) correspond to the sixth shield terminal according to the present technology.
  • one signal terminal 223(3) is arranged in the central portion, and six shield terminals 224(31) to 224(36) are arranged in the peripheral portion. It is In the area corresponding to the pixel 100(4), one signal terminal 223(4) is provided in the central portion, and six shield terminals 224(41) to 224(46) are provided in the peripheral portion. are arranged.
  • FIG. 5 shows the bonding state between the first base 10 and the second base 20 .
  • a groove 125A and a groove 125B are formed in the surface portion of the insulator 125 of the first substrate 10 .
  • the grooves 125A and 125B are formed by etching using a mask formed by photolithography. Copper, for example, is then formed on the surface of the insulator 125 . Copper is buried inside each of the grooves 125A and 125B. Excess copper on the surface of insulator 125 is then removed. Thereby, the signal terminal 123 is formed inside the groove 125A, and the shield terminal 124 is formed inside the groove 125B.
  • a chemical-mechanical polishing (CMP) process is used to remove excess copper.
  • a groove 225A and a groove 225B are formed in the insulator 225 of the second base 20 by a similar manufacturing method.
  • a signal terminal 223 is formed inside the groove 225A, and a shield terminal 224 is formed inside the groove 225B.
  • the solid-state imaging device 1 includes a pixel 100(1) and a pixel 100(2), a signal terminal 123(1), a signal terminal 123(2), It has a shield terminal 124(11), a shield terminal 124(22) and a shield terminal 124(23).
  • the shield terminal 124(11) is arranged on the surface side of the first substrate 10 in a region corresponding to the pixel 100(2) side of the peripheral portion of the pixel 100(1).
  • a fixed potential GND is supplied to the shield terminal 124 (11).
  • the shield terminal 124 (22) and the shield terminal 124 (23) are regions on the surface side of the first substrate 10 corresponding to the pixel 100 (1) side of the peripheral portion of the pixel 100 (2).
  • a fixed potential GND is supplied to the shield terminal 124 (22) and the shield terminal 124 (23).
  • the "fixed potential GND” is supplied to the shield terminal 124 and the like as the "fixed potential”. That is, the "fixed potential GND” is, for example, ground.
  • the shield terminal 124(11), the shield terminal 124(22) and the shield terminal 124( 23) is placed.
  • the shield terminal 124 is not particularly arranged on the virtual line CC (see FIG. 2).
  • the shield terminal 124 is not particularly provided above either. This is the separation distance between the signal terminals 123(1) and 123(2) arranged on the virtual line AA, and the distance between the signal terminals 123(1) arranged on the virtual line BB. This is because the separation distance is longer than the separation distance from the signal terminal 123(3), and the influence of noise is small.
  • the signal wiring 121 and the shield wiring 122 of the first substrate 10 employ the same arrangement layout as the signal terminals 123 and the shield terminals 124 shown in FIG. Therefore, it is possible to improve the noise resistance performance between the signal wirings 121 of the adjacent pixels 100 as well.
  • the shield terminal 124(11) arranged in the region corresponding to pixel 100(1) is connected to the shield terminal 124(11) arranged in the region corresponding to pixel 100(2).
  • the terminal 124 (22) and the shield terminal 124 (23) are arranged in regions shifted in the arrow Y direction. That is, the shield area can be expanded in the arrow Y direction by a total of three shield terminals 124(11), 124(22), and 124(23). Therefore, the planar area of the shield terminal 124 (11), the shield terminal 124 (22), and the shield terminal 124 (23) can be reduced in plan view.
  • the planar area and volume of the shield terminal 124 can be formed to be the same as the planar area and volume of the signal terminal 123 .
  • FIG. 6 shows a solid-state imaging device according to a comparative example, showing a bonding state between a first base 10C and a second base 20C.
  • a signal terminal 123C and a shield terminal 124C having a larger surface area and volume than the signal terminal 123C are arranged on the first substrate 10C.
  • the second substrate 20C is provided with a signal terminal 223C and a shield terminal 224C having a larger surface area and volume than the signal terminal 223C.
  • pattern dependence occurs in the chemical mechanical polishing treatment of the manufacturing process, so that the shield terminals 124C having large surface areas and the surfaces of the shield terminals 224C are recessed (Cu recess). easily occur.
  • the generation of the Cu recess can be effectively suppressed or prevented, so that the signal terminal 123 and the signal terminal 223 can be reliably bonded, and the shield terminal 124 and the shield terminal 224 can be reliably bonded. be able to.
  • the volumes of the shield terminals 124C and 224C are larger than the volumes of the signal terminals 123C and 223C. Since copper has a larger coefficient of linear expansion than single-crystal silicon, stress is generated by the shield terminal 124C having a large volume. Thick arrows shown in FIG. 6 represent the magnitude of the stress. Therefore, the first base body 10C is likely to warp. Similarly, the shield terminal 224C having a large volume tends to warp the second base 20C.
  • the shield terminal 124 is formed to have the same volume as the signal terminal 123, so the stress is small and the stress distribution is uniform. be done. Therefore, warping of the first base 10 can be effectively suppressed or prevented.
  • the shield terminal 224 is formed to have the same volume as the signal terminal 223, warping of the second base 20 can be effectively suppressed or prevented.
  • n shield terminals 124 which is a natural number of 1 or more, are arranged in the direction of the arrow Y in the region corresponding to the pixel 100(1). (11) is provided.
  • “n” is “1”.
  • n+1 shield terminals 124(22) and 124(23) are arranged at regular intervals in the arrow Y direction.
  • “n+1” is "2”. Therefore, a shield region is formed between the signal terminal 123(1) and the signal terminal 123(2) by a small number of shield terminals 124(11), 124(22) and 124(23). be able to.
  • the signal terminal 123(1), the signal terminal 123(2), the shield terminal 124(11), the shield terminal 124(22), and the shield terminal Each plane of 124 (23) is formed in a rectangular shape. Therefore, since the signal terminals 123 and the shield terminals 124 are formed to have the same planar shape, the terminal arrangement layout can be easily performed.
  • the plane areas of the shield terminal 124(11), the shield terminal 124(22), and the shield terminal 124(23) are the same.
  • a signal terminal 123(1), a signal terminal 123(2), a shield terminal 124(11), a shield terminal 124(22), and a shield terminal 124(23 ) have the same planar area. Therefore, as shown in FIG. 5, the pattern dependence can be eliminated, so that the Cu recess can be effectively suppressed or prevented. Therefore, the first substrate 10 and the second substrate 20 can be securely bonded without forming a gap at the bonding portion, so that electrical reliability can be improved.
  • noise from one of the signal terminal 123(1) and the signal terminal 123(2) to the other is shielded by the shield terminal 124(11). It is Therefore, noise resistance performance can be improved.
  • the shield terminal 124 (12) and the shield terminal 124 (13) are arranged in a region corresponding to the arrow Y direction side of the peripheral portion of the pixel 100 (1). be done.
  • a shield terminal 124 (21) is provided in a region corresponding to the arrow Y direction side of the peripheral portion of the pixel 100 (2).
  • the shield terminal 124(21), the shield terminal 124(22), and the shield terminal 124(23) provided in the region corresponding to the pixel 100(2) are provided in the region corresponding to the pixel 100(1).
  • the shield terminal 124(11), the shield terminal 124(12) and the shield terminal 124(13) are arranged in a region rotated 90 degrees around the signal terminal 123(1). Therefore, the signal terminal 123(1) and the shield terminals 124(11) to 124(16) provided in the region corresponding to the pixel 100(1) are repeatedly used as the basic array layout. Array layout can be done easily.
  • a signal wiring 121 and a shield wiring 122 are arranged in a region corresponding to the pixel 100(1).
  • the signal wiring 121 and the shield wiring 122 have the same arrangement layout as the signal terminal 123(1) and the shield terminals 124(11) to 124(16).
  • a signal wiring 121 and a shield wiring 122 are arranged in a region corresponding to the pixel 100(2).
  • the signal wiring 121 and the shield wiring 122 have the same arrangement layout as the signal terminal 123(2) and the shield terminals 124(21) to 124(26). Therefore, the noise resistance performance is improved also between the signal wiring 121 arranged in the region corresponding to the pixel 100(1) and the signal wiring 121 arranged in the region corresponding to the pixel 100(2). be able to.
  • the solid-state imaging device 1 includes a second substrate 20, and the second substrate 20 is provided with a signal terminal 223 and a shield terminal 224.
  • the signal terminal 123(1) of the first substrate 10 and the signal terminal 223(1) of the second substrate 20 are joined.
  • shield terminal 124(11) to shield terminal 124(16) and shield terminal 224(11) to shield terminal 224(16) are joined.
  • the signal terminal 123(2) of the first substrate 10 and the signal terminal 223(2) of the second substrate 20 are joined.
  • shield terminal 124(21) to shield terminal 124(26) and shield terminal 224(21) to shield terminal 224(26) are joined. Therefore, also in the second substrate 20, the noise resistance performance can be improved, and the connection between the signal terminals 123 and 223 and the connection between the shield terminals 124 and 224 can be reliably performed. .
  • the position and planar shape of the signal terminals 223 provided on the second substrate 20 are the same as those of the signal terminals 123 provided on the first substrate 20. is the same as the position and shape of the plane.
  • the position and planar shape of the shield terminal 224 provided on the second base 20 are the same as the position and planar shape of the shield terminal 124 provided on the first base 20 . Therefore, as shown in FIG. 5, pattern dependence can be eliminated in the second substrate 20 as well, so that Cu recess, for example, can be effectively suppressed or prevented. Therefore, the first substrate 10 and the second substrate 20 can be securely bonded at the bonding portion, so that electrical reliability can be improved.
  • the signal terminal 123(1) to the signal terminal 123(2) are viewed in the direction of the arrow X, and the shield terminal 124(11) is the signal terminal in the direction of the arrow Y. 123(2). Therefore, it is possible to effectively suppress or prevent the propagation of noise from one of the signal terminals 123(1) and 123(2) to the other, thereby improving the noise resistance performance of the solid-state imaging device 1. can be done.
  • Second Embodiment> A solid-state imaging device 1 according to a second embodiment of the present disclosure will be described.
  • the same reference numerals are used for the same or substantially the same components as those of the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment. and overlapping descriptions are omitted.
  • FIG. 7 shows the arrangement layout of the signal terminals 123 and the shield terminals 124 of the first substrate 10.
  • the shield terminal 124 is located around the signal terminal 123 and extends from the pixel isolation region 14 to the signal terminal. It is arranged close to the 123 side. That is, for example, the shield terminal 124(11) provided in the region corresponding to the pixel 100(1) and the shield terminal provided in the region corresponding to the pixel 100(2) adjacent to the pixel 100(1). 124 (22) and the shield terminal 124 (23) are secured. Configurations other than the above are the same as those of the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment described above.
  • the shield terminals 124 and 224 in the regions corresponding to the adjacent pixels 100 are less likely to be short-circuited. .
  • the same fixed potential GND is supplied to each of the shield terminals 124 and 224, there is no problem in operation.
  • FIG. 8 shows the arrangement layout of the signal terminals 123 and the shield terminals 124 of the first substrate 10.
  • the solid-state imaging device 1 according to the third embodiment has one signal terminal 123 and four shield terminals 124 on the first substrate 10 in the region corresponding to the pixel 100. and More specifically, similarly to the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment, the signal terminal 123(1) is arranged in the region corresponding to the central portion of the pixel 100(1), and the peripheral portion of the pixel 100(1) is provided.
  • Four shield terminals 124(11) to 124(14) are arranged in regions corresponding to the portions.
  • the shield terminals 124(11) to 124(14) are arranged on each side of the region corresponding to the pixel 100(1).
  • the shield terminal 124(11) on the side of the region corresponding to the pixel 100(2) is arranged on the arrow Y direction side of the virtual line AA.
  • the virtual line AA is aligned with the side of the shield terminal 124 (11) opposite to the arrow Y direction.
  • the shield terminal 124 (12) on the side of the area corresponding to the pixel 100 (3) is arranged on the side opposite to the arrow X direction with respect to the virtual line BB.
  • the virtual line BB is aligned with the side of the shield terminal 124 (12) opposite to the arrow X direction.
  • the virtual line AA is aligned with the side of the shield terminal 124 (13) in the arrow Y direction.
  • the shield terminal 124 (14) arranged on the opposite side of the shield terminal 124 (12) with the signal terminal 123 (1) as the center is arranged on the arrow X direction side of the imaginary line BB.
  • the virtual line BB is aligned with the side opposite to the arrow X direction of the shield terminal 124 (14).
  • the signal terminal 123(1) and the shield terminal 124(11) to shield terminal 124(14) in the area corresponding to the pixel 100(1) correspond to the pixels 100(2) to 100(4) as a basic array layout.
  • An area signal terminal 123 and a shield terminal 14 are provided. That is, the signal terminal 123(2) is provided in the region corresponding to the central portion of the pixel 100(2), and the shield terminals 124(21) to 124() are provided in the region corresponding to the peripheral portion of the pixel 100(2). 24) are provided.
  • a signal terminal 123(3) is provided in an area corresponding to the central portion of the pixel 100(3), and shield terminals 124(31) to 124(34) are provided in an area corresponding to the peripheral portion of the pixel 100(3). are arranged.
  • a signal terminal 123(4) is provided in a region corresponding to the central portion of the pixel 100(4), and shield terminals 124(41) to 124() are provided in regions corresponding to the peripheral portion of the pixel 100(4). 44) are
  • the shield terminal 124 (11) in the region corresponding to the pixel 100 (1) is arranged shifted in the direction of the arrow Y from the imaginary line AA. .
  • the shield terminal 124 (23) in the area corresponding to the pixel 100 (2) is shifted to the side opposite to the arrow Y direction with respect to the virtual line AA. That is, when the signal terminal 123(2) is viewed from the signal terminal 123(1) side, the signal terminal 123(2) is shielded by the shield terminals 124(11) and 124(23).
  • the shield terminal 124(12) in the area corresponding to the pixel 100(1) is arranged to be shifted in the direction opposite to the arrow X direction with respect to the imaginary line BB.
  • the shield terminal 124 (34) in the region corresponding to the pixel 100(3) is arranged to be shifted in the direction of the arrow X from the imaginary line BB. That is, when the signal terminal 123(3) is viewed from the signal terminal 123(1) side, the signal terminal 123(3) is shielded by the shield terminals 124(12) and 124(34).
  • the shield terminal 124 (11) in the region corresponding to the pixel 100 (1) and the pixel Shield terminal 124 (23) in the area corresponding to 100 (2) is arranged in an area shifted.
  • the shield terminal 124(11) and the shield terminal 124(23) are arranged as a shield area.
  • the shield terminal 124(12) in the region corresponding to the pixel 100(1) and the shield terminal 124(24) in the region corresponding to the pixel 100(3) are provided as shield regions. Therefore, noise resistance performance can be improved.
  • bonding between the signal terminal 123 and the signal terminal 223 of the second substrate 20 see FIGS.
  • FIG. 9 shows the arrangement layout of the signal terminals 123 and the shield terminals 124 of the first substrate 10.
  • the solid-state imaging device 1 according to the fourth embodiment is different from the solid-state imaging device 1 according to the third embodiment in that the planar shape of the shield terminal 124 is formed into a rectangular rectangular shape.
  • the planar area of the shield terminal 124 is twice the planar area of the shield terminal 124 of the solid-state imaging device 1 according to the third embodiment.
  • the length of shield terminal 124 is doubled, and the length of shield terminal 124 is longer than the length of signal terminal 123 .
  • Components other than the above are the same as those of the solid-state imaging device 1 according to the third embodiment.
  • the shield terminal 124 has a rectangular rectangular shape, so that the shield area can be expanded.
  • a solid-state imaging device 1 according to a fifth embodiment of the present disclosure will be briefly described.
  • a fifth embodiment describes an example in which the present technology is applied to a solid-state imaging device 1 that employs a SPAD (Single Photon Avalanche Diode) structure.
  • SPAD Single Photon Avalanche Diode
  • FIG. 10 shows an example of a vertical cross-sectional configuration of part of the pixel 100 and the pixel circuit 130 of the solid-state imaging device 1 that employs the SPAD structure.
  • the SPAD structure is a pixel structure using "avalanche amplification" that amplifies electrons from incident photons like an avalanche.
  • the first substrate 10 and the second substrate 30 are bonded and laminated.
  • the structure and description of the third substrate 30 on which peripheral circuits are mounted are omitted.
  • the first substrate 10 includes pixels 100 having photoelectric conversion elements 101 .
  • the photoelectric conversion element 101 includes a cathode region (n-type semiconductor region) and an anode region (p-type semiconductor region).
  • the cathode region is connected to a signal terminal 123 via a signal wiring (cathode wiring) 121 .
  • the anode region is connected to a shield terminal 124 via a shield wiring (anode wiring) 122 .
  • the second substrate 20 has a pixel circuit (readout circuit) 130 .
  • the pixel circuit 130 includes a complementary IGFET mounted on the second semiconductor layer 21 .
  • the complementary IGFET includes an n-channel IGFET 206 formed in a p-type semiconductor region (p-type well region) 26P and a p-channel IGFET formed in an n-type semiconductor region (n-type well region) 26N.
  • the complementary IGFET is connected to signal terminal 223 via signal wiring 221 .
  • the p-type semiconductor region 26P is connected to a shield terminal 224 via a shield wiring 222. As shown in FIG. A fixed potential GND is supplied to the p-type semiconductor region 26P from the first substrate 10 or the third substrate 30 (not shown).
  • FIG. 11 shows the arrangement layout of the signal terminals 123 and the shield terminals 124 of the first substrate 10.
  • the arrangement layout of regions corresponding to two pixels 100(1) and 100(2) is shown.
  • a signal terminal 123(1) and shield terminals 124(11) to 124(16) are provided in a region corresponding to the pixel 100(1).
  • a signal terminal 123(2) and shield terminals 124(21) to 124(26) are arranged in a region corresponding to the pixel 100(2).
  • the shield terminal 124(11) in the area corresponding to the pixel 100(1) is located in an area shifted from the shield terminals 124(22) and 124(23) in the area corresponding to the pixel 100(2). are arranged.
  • the technology (the present technology) according to the present disclosure can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure can be realized as a device mounted on any type of moving body such as automobiles, electric vehicles, hybrid electric vehicles, motorcycles, bicycles, personal mobility, airplanes, drones, ships, and robots. may
  • FIG. 12 is a block diagram showing a schematic configuration example of a vehicle control system, which is an example of a mobile control system to which the technology according to the present disclosure can be applied.
  • a vehicle control system 12000 includes a plurality of electronic control units connected via a communication network 12001.
  • the vehicle control system 12000 includes a drive system control unit 12010, a body system control unit 12020, an exterior information detection unit 12030, an interior information detection unit 12040, and an integrated control unit 12050.
  • a microcomputer 12051, an audio/image output unit 12052, and an in-vehicle network I/F (Interface) 12053 are illustrated.
  • the drive system control unit 12010 controls the operation of devices related to the drive system of the vehicle according to various programs.
  • the driving system control unit 12010 includes a driving force generator for generating driving force of the vehicle such as an internal combustion engine or a driving motor, a driving force transmission mechanism for transmitting the driving force to the wheels, and a steering angle of the vehicle. It functions as a control device such as a steering mechanism to adjust and a brake device to generate braking force of the vehicle.
  • the body system control unit 12020 controls the operation of various devices equipped on the vehicle body according to various programs.
  • the body system control unit 12020 functions as a keyless entry system, a smart key system, a power window device, or a control device for various lamps such as headlamps, back lamps, brake lamps, winkers or fog lamps.
  • the body system control unit 12020 can receive radio waves transmitted from a portable device that substitutes for a key or signals from various switches.
  • the body system control unit 12020 receives the input of these radio waves or signals and controls the door lock device, power window device, lamps, etc. of the vehicle.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 detects information outside the vehicle in which the vehicle control system 12000 is installed.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 is connected with an imaging section 12031 .
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 causes the imaging unit 12031 to capture an image of the exterior of the vehicle, and receives the captured image.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 may perform object detection processing or distance detection processing such as people, vehicles, obstacles, signs, or characters on the road surface based on the received image.
  • the imaging unit 12031 is an optical sensor that receives light and outputs an electrical signal according to the amount of received light.
  • the imaging unit 12031 can output the electric signal as an image, and can also output it as distance measurement information.
  • the light received by the imaging unit 12031 may be visible light or non-visible light such as infrared rays.
  • the in-vehicle information detection unit 12040 detects in-vehicle information.
  • the in-vehicle information detection unit 12040 is connected to, for example, a driver state detection section 12041 that detects the state of the driver.
  • the driver state detection unit 12041 includes, for example, a camera that captures an image of the driver, and the in-vehicle information detection unit 12040 detects the degree of fatigue or concentration of the driver based on the detection information input from the driver state detection unit 12041. It may be calculated, or it may be determined whether the driver is dozing off.
  • the microcomputer 12051 calculates control target values for the driving force generator, the steering mechanism, or the braking device based on the information inside and outside the vehicle acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040, and controls the drive system control unit.
  • a control command can be output to 12010 .
  • the microcomputer 12051 realizes the functions of ADAS (Advanced Driver Assistance System) including collision avoidance or shock mitigation of vehicles, follow-up driving based on inter-vehicle distance, vehicle speed maintenance driving, vehicle collision warning, vehicle lane deviation warning, etc. Cooperative control can be performed for the purpose of ADAS (Advanced Driver Assistance System) including collision avoidance or shock mitigation of vehicles, follow-up driving based on inter-vehicle distance, vehicle speed maintenance driving, vehicle collision warning, vehicle lane deviation warning, etc. Cooperative control can be performed for the purpose of ADAS (Advanced Driver Assistance System) including collision avoidance or shock mitigation of vehicles, follow-up driving based on inter-vehicle distance, vehicle speed maintenance driving
  • the microcomputer 12051 controls the driving force generator, the steering mechanism, the braking device, etc. based on the information about the vehicle surroundings acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040, so that the driver's Cooperative control can be performed for the purpose of autonomous driving, etc., in which vehicles autonomously travel without depending on operation.
  • the microcomputer 12051 can output a control command to the body system control unit 12030 based on the information outside the vehicle acquired by the information detection unit 12030 outside the vehicle.
  • the microcomputer 12051 controls the headlamps according to the position of the preceding vehicle or the oncoming vehicle detected by the vehicle exterior information detection unit 12030, and performs cooperative control aimed at anti-glare such as switching from high beam to low beam. It can be carried out.
  • the audio/image output unit 12052 transmits at least one of audio and/or image output signals to an output device capable of visually or audibly notifying the passengers of the vehicle or the outside of the vehicle.
  • an audio speaker 12061, a display unit 12062, and an instrument panel 12063 are illustrated as output devices.
  • the display unit 12062 may include at least one of an on-board display and a head-up display, for example.
  • FIG. 13 is a diagram showing an example of the installation position of the imaging unit 12031.
  • the imaging unit 12031 includes imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105.
  • the imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105 are provided at positions such as the front nose, side mirrors, rear bumper, back door, and windshield of the vehicle 12100, for example.
  • An image pickup unit 12101 provided in the front nose and an image pickup unit 12105 provided above the windshield in the passenger compartment mainly acquire images in front of the vehicle 12100 .
  • Imaging units 12102 and 12103 provided in the side mirrors mainly acquire side images of the vehicle 12100 .
  • An imaging unit 12104 provided in the rear bumper or back door mainly acquires an image behind the vehicle 12100 .
  • the imaging unit 12105 provided above the windshield in the passenger compartment is mainly used for detecting preceding vehicles, pedestrians, obstacles, traffic lights, traffic signs, lanes, and the like.
  • FIG. 13 shows an example of the imaging range of the imaging units 12101 to 12104.
  • the imaging range 12111 indicates the imaging range of the imaging unit 12101 provided in the front nose
  • the imaging ranges 12112 and 12113 indicate the imaging ranges of the imaging units 12102 and 12103 provided in the side mirrors, respectively
  • the imaging range 12114 The imaging range of an imaging unit 12104 provided on the rear bumper or back door is shown. For example, by superimposing the image data captured by the imaging units 12101 to 12104, a bird's-eye view image of the vehicle 12100 viewed from above can be obtained.
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may have a function of acquiring distance information.
  • at least one of the imaging units 12101 to 12104 may be a stereo camera composed of a plurality of imaging elements, or may be an imaging element having pixels for phase difference detection.
  • the microcomputer 12051 determines the distance to each three-dimensional object within the imaging ranges 12111 to 12114 and changes in this distance over time (relative velocity with respect to the vehicle 12100). , it is possible to extract, as the preceding vehicle, the closest three-dimensional object on the traveling path of the vehicle 12100, which runs at a predetermined speed (for example, 0 km/h or more) in substantially the same direction as the vehicle 12100. can. Furthermore, the microcomputer 12051 can set the inter-vehicle distance to be secured in advance in front of the preceding vehicle, and perform automatic brake control (including following stop control) and automatic acceleration control (including following start control). In this way, cooperative control can be performed for the purpose of automatic driving in which the vehicle runs autonomously without relying on the operation of the driver.
  • automatic brake control including following stop control
  • automatic acceleration control including following start control
  • the microcomputer 12051 converts three-dimensional object data related to three-dimensional objects to other three-dimensional objects such as motorcycles, ordinary vehicles, large vehicles, pedestrians, and utility poles. It can be classified and extracted and used for automatic avoidance of obstacles. For example, the microcomputer 12051 distinguishes obstacles around the vehicle 12100 into those that are visible to the driver of the vehicle 12100 and those that are difficult to see. Then, the microcomputer 12051 judges the collision risk indicating the degree of danger of collision with each obstacle, and when the collision risk is equal to or higher than the set value and there is a possibility of collision, an audio speaker 12061 and a display unit 12062 are displayed. By outputting an alarm to the driver via the drive system control unit 12010 and performing forced deceleration and avoidance steering via the drive system control unit 12010, driving support for collision avoidance can be performed.
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may be an infrared camera that detects infrared rays.
  • the microcomputer 12051 can recognize a pedestrian by determining whether or not the pedestrian exists in the captured images of the imaging units 12101 to 12104 .
  • recognition of a pedestrian is performed by, for example, a procedure for extracting feature points in images captured by the imaging units 12101 to 12104 as infrared cameras, and performing pattern matching processing on a series of feature points indicating the outline of an object to determine whether or not the pedestrian is a pedestrian.
  • the audio image output unit 12052 outputs a rectangular outline for emphasis to the recognized pedestrian. is superimposed on the display unit 12062 . Also, the audio/image output unit 12052 may control the display unit 12062 to display an icon or the like indicating a pedestrian at a desired position.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to the imaging unit 12031 among the configurations described above.
  • the imaging unit 12031 By applying the technology according to the present disclosure to the imaging unit 12031, the imaging unit 12031 with a simpler configuration can be realized.
  • Example of application to an endoscopic surgery system The technology (the present technology) according to the present disclosure can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure may be applied to an endoscopic surgery system.
  • FIG. 14 is a diagram showing an example of a schematic configuration of an endoscopic surgery system to which the technology according to the present disclosure (this technology) can be applied.
  • FIG. 14 shows how an operator (physician) 11131 is performing surgery on a patient 11132 on a patient bed 11133 using an endoscopic surgery system 11000 .
  • an endoscopic surgery system 11000 includes an endoscope 11100, other surgical instruments 11110 such as a pneumoperitoneum tube 11111 and an energy treatment instrument 11112, and a support arm device 11120 for supporting the endoscope 11100. , and a cart 11200 loaded with various devices for endoscopic surgery.
  • An endoscope 11100 is composed of a lens barrel 11101 whose distal end is inserted into the body cavity of a patient 11132 and a camera head 11102 connected to the proximal end of the lens barrel 11101 .
  • an endoscope 11100 configured as a so-called rigid scope having a rigid lens barrel 11101 is illustrated, but the endoscope 11100 may be configured as a so-called flexible scope having a flexible lens barrel. good.
  • the tip of the lens barrel 11101 is provided with an opening into which the objective lens is fitted.
  • a light source device 11203 is connected to the endoscope 11100, and light generated by the light source device 11203 is guided to the tip of the lens barrel 11101 by a light guide extending inside the lens barrel 11101, where it reaches the objective. Through the lens, the light is irradiated toward the observation object inside the body cavity of the patient 11132 .
  • the endoscope 11100 may be a straight scope, a perspective scope, or a side scope.
  • An optical system and an imaging element are provided inside the camera head 11102, and the reflected light (observation light) from the observation target is focused on the imaging element by the optical system.
  • the imaging element photoelectrically converts the observation light to generate an electric signal corresponding to the observation light, that is, an image signal corresponding to the observation image.
  • the image signal is transmitted to a camera control unit (CCU: Camera Control Unit) 11201 as RAW data.
  • CCU Camera Control Unit
  • the CCU 11201 is composed of a CPU (Central Processing Unit), a GPU (Graphics Processing Unit), etc., and controls the operations of the endoscope 11100 and the display device 11202 in an integrated manner. Further, the CCU 11201 receives an image signal from the camera head 11102 and performs various image processing such as development processing (demosaicing) for displaying an image based on the image signal.
  • CPU Central Processing Unit
  • GPU Graphics Processing Unit
  • the display device 11202 displays an image based on an image signal subjected to image processing by the CCU 11201 under the control of the CCU 11201 .
  • the light source device 11203 is composed of a light source such as an LED (light emitting diode), for example, and supplies the endoscope 11100 with irradiation light for imaging a surgical site or the like.
  • a light source such as an LED (light emitting diode)
  • LED light emitting diode
  • the input device 11204 is an input interface for the endoscopic surgery system 11000.
  • the user can input various information and instructions to the endoscopic surgery system 11000 via the input device 11204 .
  • the user inputs an instruction or the like to change the imaging conditions (type of irradiation light, magnification, focal length, etc.) by the endoscope 11100 .
  • the treatment instrument control device 11205 controls driving of the energy treatment instrument 11112 for tissue cauterization, incision, blood vessel sealing, or the like.
  • the pneumoperitoneum device 11206 inflates the body cavity of the patient 11132 for the purpose of securing the visual field of the endoscope 11100 and securing the operator's working space, and injects gas into the body cavity through the pneumoperitoneum tube 11111. send in.
  • the recorder 11207 is a device capable of recording various types of information regarding surgery.
  • the printer 11208 is a device capable of printing various types of information regarding surgery in various formats such as text, images, and graphs.
  • the light source device 11203 that supplies the endoscope 11100 with irradiation light for photographing the surgical site can be composed of, for example, a white light source composed of an LED, a laser light source, or a combination thereof.
  • a white light source is configured by a combination of RGB laser light sources
  • the output intensity and output timing of each color (each wavelength) can be controlled with high accuracy. It can be carried out.
  • the observation target is irradiated with laser light from each of the RGB laser light sources in a time-division manner, and by controlling the drive of the imaging element of the camera head 11102 in synchronization with the irradiation timing, each of RGB can be handled. It is also possible to pick up images by time division. According to this method, a color image can be obtained without providing a color filter in the imaging element.
  • the driving of the light source device 11203 may be controlled so as to change the intensity of the output light every predetermined time.
  • the drive of the imaging device of the camera head 11102 in synchronism with the timing of the change in the intensity of the light to obtain an image in a time-division manner and synthesizing the images, a high dynamic A range of images can be generated.
  • the light source device 11203 may be configured to be able to supply light in a predetermined wavelength band corresponding to special light observation.
  • special light observation for example, the wavelength dependence of light absorption in body tissues is used to irradiate a narrower band of light than the irradiation light (i.e., white light) used during normal observation, thereby observing the mucosal surface layer.
  • irradiation light i.e., white light
  • Narrow Band Imaging in which a predetermined tissue such as a blood vessel is imaged with high contrast, is performed.
  • fluorescence observation may be performed in which an image is obtained from fluorescence generated by irradiation with excitation light.
  • the body tissue is irradiated with excitation light and the fluorescence from the body tissue is observed (autofluorescence observation), or a reagent such as indocyanine green (ICG) is locally injected into the body tissue and the body tissue is examined.
  • a fluorescence image can be obtained by irradiating excitation light corresponding to the fluorescence wavelength of the reagent.
  • the light source device 11203 can be configured to be able to supply narrowband light and/or excitation light corresponding to such special light observation.
  • FIG. 15 is a block diagram showing an example of functional configurations of the camera head 11102 and CCU 11201 shown in FIG.
  • the camera head 11102 has a lens unit 11401, an imaging section 11402, a drive section 11403, a communication section 11404, and a camera head control section 11405.
  • the CCU 11201 has a communication section 11411 , an image processing section 11412 and a control section 11413 .
  • the camera head 11102 and the CCU 11201 are communicably connected to each other via a transmission cable 11400 .
  • a lens unit 11401 is an optical system provided at a connection with the lens barrel 11101 . Observation light captured from the tip of the lens barrel 11101 is guided to the camera head 11102 and enters the lens unit 11401 .
  • a lens unit 11401 is configured by combining a plurality of lenses including a zoom lens and a focus lens.
  • the number of imaging elements constituting the imaging unit 11402 may be one (so-called single-plate type) or plural (so-called multi-plate type).
  • image signals corresponding to RGB may be generated by each image pickup element, and a color image may be obtained by synthesizing the image signals.
  • the imaging unit 11402 may be configured to have a pair of imaging elements for respectively acquiring right-eye and left-eye image signals corresponding to 3D (dimensional) display.
  • the 3D display enables the operator 11131 to more accurately grasp the depth of the living tissue in the surgical site.
  • a plurality of systems of lens units 11401 may be provided corresponding to each imaging element.
  • the imaging unit 11402 does not necessarily have to be provided in the camera head 11102 .
  • the imaging unit 11402 may be provided inside the lens barrel 11101 immediately after the objective lens.
  • the drive unit 11403 is configured by an actuator, and moves the zoom lens and focus lens of the lens unit 11401 by a predetermined distance along the optical axis under control from the camera head control unit 11405 . Thereby, the magnification and focus of the image captured by the imaging unit 11402 can be appropriately adjusted.
  • the communication unit 11404 is composed of a communication device for transmitting and receiving various information to and from the CCU 11201.
  • the communication unit 11404 transmits the image signal obtained from the imaging unit 11402 as RAW data to the CCU 11201 via the transmission cable 11400 .
  • the communication unit 11404 receives a control signal for controlling driving of the camera head 11102 from the CCU 11201 and supplies it to the camera head control unit 11405 .
  • the control signal includes, for example, information to specify the frame rate of the captured image, information to specify the exposure value at the time of imaging, and/or information to specify the magnification and focus of the captured image. Contains information about conditions.
  • the imaging conditions such as the frame rate, exposure value, magnification, and focus may be appropriately designated by the user, or may be automatically set by the control unit 11413 of the CCU 11201 based on the acquired image signal. good.
  • the endoscope 11100 is equipped with so-called AE (Auto Exposure) function, AF (Auto Focus) function, and AWB (Auto White Balance) function.
  • the camera head control unit 11405 controls driving of the camera head 11102 based on the control signal from the CCU 11201 received via the communication unit 11404.
  • the communication unit 11411 is composed of a communication device for transmitting and receiving various information to and from the camera head 11102 .
  • the communication unit 11411 receives image signals transmitted from the camera head 11102 via the transmission cable 11400 .
  • the communication unit 11411 transmits a control signal for controlling driving of the camera head 11102 to the camera head 11102 .
  • Image signals and control signals can be transmitted by electric communication, optical communication, or the like.
  • the image processing unit 11412 performs various types of image processing on the image signal, which is RAW data transmitted from the camera head 11102 .
  • the control unit 11413 performs various controls related to imaging of the surgical site and the like by the endoscope 11100 and display of the captured image obtained by imaging the surgical site and the like. For example, the control unit 11413 generates control signals for controlling driving of the camera head 11102 .
  • control unit 11413 causes the display device 11202 to display a captured image showing the surgical site and the like based on the image signal that has undergone image processing by the image processing unit 11412 .
  • the control unit 11413 may recognize various objects in the captured image using various image recognition techniques. For example, the control unit 11413 detects the shape, color, and the like of the edges of objects included in the captured image, thereby detecting surgical instruments such as forceps, specific body parts, bleeding, mist during use of the energy treatment instrument 11112, and the like. can recognize.
  • the control unit 11413 may use the recognition result to display various types of surgical assistance information superimposed on the image of the surgical site. By superimposing and presenting the surgery support information to the operator 11131, the burden on the operator 11131 can be reduced and the operator 11131 can proceed with the surgery reliably.
  • a transmission cable 11400 connecting the camera head 11102 and the CCU 11201 is an electrical signal cable compatible with electrical signal communication, an optical fiber compatible with optical communication, or a composite cable of these.
  • wired communication is performed using the transmission cable 11400, but communication between the camera head 11102 and the CCU 11201 may be performed wirelessly.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to, for example, the imaging unit 11402 of the camera head 11102 among the configurations described above.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to the imaging unit 11402, it is possible to obtain a good image of the surgical site while realizing simplification of the structure.
  • the technology according to the present disclosure may also be applied to, for example, a microsurgery system.
  • the solid-state imaging device 1 is applicable to various electronic devices 50 such as imaging devices such as digital still cameras and digital video cameras, mobile phones with imaging functions, and other devices with imaging functions. applicable to
  • FIG. 16 shows a block diagram showing a configuration example of an electronic device 50 to which the present technology is applied.
  • the electronic device 50 includes an optical system 51 , a shutter device 52 , a solid-state imaging device 1 , a control circuit 54 , a signal processing circuit 56 , a monitor 57 and a memory 58 .
  • the electronic device 50 is capable of capturing still images and moving images.
  • the optical system 51 has one or more lenses, guides the light (incident light) from the subject to the solid-state imaging device 1, and forms an image on the light-receiving surface of the solid-state imaging device 1.
  • the shutter device 52 is arranged between the optical system 51 and the solid-state imaging device 1 .
  • the shutter device 52 controls a light irradiation period and a light shielding period for the solid-state imaging device 1 under the control of the control circuit 54 .
  • the solid-state imaging device 1 is the solid-state imaging device 1 according to the above-described embodiment, and is packaged.
  • the solid-state imaging device 1 accumulates signal charges for a certain period of time according to the light imaged on the light receiving surface via the optical system 51 and the shutter device 52 .
  • the signal charges accumulated in the solid-state imaging device 1 are transferred to the signal processing circuit 56 according to the drive signal (timing signal) supplied from the control circuit 54 .
  • the control circuit 54 outputs drive signals for controlling the transfer operation of the solid-state imaging device 1 and the shutter operation of the shutter device 52 .
  • the solid-state imaging device 1 and the shutter device 52 are driven according to this drive signal.
  • the signal processing circuit 56 performs various signal processing on the signal charges output from the solid-state imaging device 1 .
  • An image (image data) obtained by the signal processing performed by the signal processing circuit 56 is supplied to the monitor 57 and displayed. Also, the image is supplied to the memory 58 and stored (recorded).
  • the present technology is not limited to the above embodiments, and can be modified in various ways without departing from the scope of the present technology.
  • the solid-state imaging devices according to two or more embodiments may be combined.
  • the present technology is applied to a solid-state imaging device including two layers of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, it is also applicable to the case of including four or more semiconductor layers.
  • a shield terminal is provided on the side of the region corresponding to the other pixel of the region corresponding to one pixel, and the shield terminal is provided on one side of the region corresponding to the other pixel. It is not necessary to arrange the shield terminal on the side of the area corresponding to the pixel.
  • two or more shield terminals are provided on the side of the region corresponding to the other pixel of the region corresponding to one pixel, and the shield terminals corresponding to the other pixel are provided.
  • Three or more shield terminals may be arranged on the region side corresponding to one pixel of the region.
  • the plane shape of each of the signal terminal and the shield terminal may be formed in a triangular shape, a polygonal shape with pentagons or more, a circular shape, or an elliptical shape.
  • this technology is not limited to imaging applications, and can be widely applied to light receiving devices, photoelectric conversion devices, light detection devices, etc. used for sensing applications.
  • the solid-state imaging device is not limited to incident light of visible light, and incident light such as infrared light, ultraviolet light, and electromagnetic waves may be used.
  • the present technology may be configured such that desired incident light is received by arbitrarily providing a desired color filter, bandpass filter, or the like above the light incident side of the photoelectric conversion element.
  • a solid-state imaging device and an electronic device include a shield terminal on the side of the region corresponding to the other pixel in the region corresponding to one pixel, and a shield terminal on the side of the region corresponding to the other pixel.
  • a shield terminal on the side of a region corresponding to one pixel is arranged in a shifted region.
  • a fixed potential is supplied to the shield terminal. Accordingly, since the shield terminal is formed as a shield region, noise between adjacent pixels can be effectively suppressed or prevented, and electrical reliability can be improved.
  • the shield terminal since the shield terminal is arranged in the shifted area, the shield area can be enlarged and the planar area of the shield terminal itself can be reduced. As a result, the difference in planar area between the signal terminal and the shield terminal can be reduced, and pattern dependency in the manufacturing process can be eliminated, so that the terminals between the stacked substrates can be reliably joined to improve electrical reliability. can be improved.
  • the present technology has the following configuration. According to the present technology having the following configuration, while effectively suppressing or preventing noise between adjacent pixels, it is possible to reliably connect terminals between stacked substrates to improve electrical reliability. can.
  • the center position of the first shield terminal is arranged on the second direction side with respect to a line connecting the center position of the first signal terminal and the center position of the second signal terminal, and the second shield terminal
  • n first shield terminals, which is a natural number of 1 or more, are arranged in the second direction;
  • Each plane of the first signal terminal, the second signal terminal, the first shield terminal, and the second shield terminal is formed in a rectangular shape when viewed from the thickness direction of the first substrate.
  • the solid-state imaging device according to any one of (1) to (3) above.
  • the solid-state imaging device according to any one of (1) to (4), wherein the planar areas of the first shield terminal and the second shield terminal are the same.
  • Imaging device (7) Lengths of the first shield terminal and the second shield terminal in the second direction are longer than lengths of the first signal terminal and the second signal terminal in the second direction according to (4).
  • Solid-state imaging device (8) Noise from one of the first signal terminal and the second signal terminal to the other is shielded by at least one of the first shield terminal and the second shield terminal.
  • the solid-state imaging device according to any one of 1) to (7). (9) on the second surface side of the first substrate, a third shield terminal is provided in a region corresponding to the second direction side of the peripheral portion of the first pixel; a fourth shield terminal is disposed on the second surface side of the first substrate in a region corresponding to the second direction side of the peripheral portion of the second pixel; The second shield terminal and the fourth shield terminal provided in the region corresponding to the second pixel are the first shield terminal and the third shield terminal provided in the region corresponding to the first pixel. is disposed in a region rotated 90 degrees about the first signal terminal.
  • the solid-state imaging device according to (1).
  • (11) a second substrate laminated on the first substrate with the third surface facing the second surface; A pixel arranged on the third surface side of the second substrate, joined to the first signal terminal, and arranged on the fourth surface side opposite to the third surface side of the second substrate. a third signal terminal connected to the circuit; a fourth signal terminal disposed on the third surface side of the second substrate, joined to the second signal terminal, and connected to the pixel circuit; a fifth shield terminal arranged on the third surface side of the second substrate and joined to the first shield terminal; and a fifth shield terminal arranged on the third surface side of the second substrate and connected to the second shield terminal.
  • the solid-state imaging device according to (1) further comprising a sixth shield terminal to be joined.
  • the position and planar shape of the third signal terminal are the same as the position and planar shape of the first signal terminal.
  • the position and planar shape of the fourth signal terminal are the same as the position and planar shape of the second signal terminal
  • the position and planar shape of the fifth shield terminal are the same as the position and planar shape of the first shield terminal.
  • the first signal terminal, the second signal terminal, the third signal terminal and the fourth signal terminal, the first shield terminal, the second shield terminal, the fifth shield terminal and the sixth shield terminal The solid-state imaging device according to (12) above, which is made of copper whose surface is polished using a chemical mechanical polishing process.
  • a first pixel having a first photoelectric conversion element and a second photoelectric conversion element disposed on the first surface side which is the light incident side of the first substrate, and adjacent to the first pixel second pixels arranged in a first direction on the first surface; a first signal terminal disposed in a region corresponding to a central portion of the first pixel on a second surface side of the first substrate opposite to the first surface side and connected to the first pixel; a second signal terminal disposed in a region corresponding to a central portion of the second pixel on the second surface side of the first substrate and connected to the second pixel; arranged in a region corresponding to the second pixel side of the peripheral portion of the first pixel on the second surface side of the first substrate, and extending from the first signal terminal to the second signal terminal in the first direction;
  • a solid-state imaging device comprising: a first shield terminal formed so as to overlap the second signal terminal in a second direction on the second surface intersecting with the first direction, and supplied with a fixed potential.
  • the solid-state imaging device is A first pixel having a first photoelectric conversion element and a second photoelectric conversion element arranged on the first surface side which is the light incident side of the first substrate, and the first photoelectric conversion element adjacent to the first pixel second pixels arranged in a first direction on the surface; a first signal terminal disposed in a region corresponding to a central portion of the first pixel on a second surface side of the first substrate opposite to the first surface side and connected to the first pixel; a second signal terminal disposed in a region corresponding to a central portion of the second pixel on the second surface side of the first substrate and connected to the second pixel; a first shield terminal provided in a region corresponding to the second pixel side of the peripheral portion of the first pixel on the second surface side of the first substrate and supplied with a fixed potential; disposed in a region corresponding to the first pixel side of the peripheral portion of the second pixel on the second surface side of the first substrate and intersecting the first shield terminal in the first direction
  • the solid-state imaging device is A first pixel having a first photoelectric conversion element and a second photoelectric conversion element arranged on the first surface side which is the light incident side of the first substrate, and the first photoelectric conversion element adjacent to the first pixel second pixels arranged in a first direction on the surface; a first signal terminal disposed in a region corresponding to a central portion of the first pixel on a second surface side of the first substrate opposite to the first surface side and connected to the first pixel; a second signal terminal disposed in a region corresponding to a central portion of the second pixel on the second surface side of the first substrate and connected to the second pixel; arranged in a region corresponding to the second pixel side of the peripheral portion of the first pixel on the second surface side of the first substrate, and extending from the first signal terminal to the second signal terminal in the first direction; and a first shield terminal formed to overlap the second signal terminal in a second direction on the second surface intersecting the first direction, and supplied with a fixed potential.

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Abstract

固体撮像装置及び電子機器は、第１基体の光入射側となる第１面側に配設された第１画素及び第１画素に隣接して第１面上の第１方向に配列された第２画素と、第１基体の第２面側において第１画素の中央部分に対応する領域に配設され、第１画素に接続された第１信号端子、及び第２画素の中央部分に対応する領域に配設され、第２画素に接続された第２信号端子と、第２面側において第１画素の周辺部分の第２画素側に対応する領域に配設された第１シールド端子と、第２面側において、第２画素の周辺部分の第１画素側に対応する領域に配設され、かつ、第１シールド端子に対して第２方向へずれた領域に配設された第２シールド端子とを備えている。

Description

固体撮像装置及び電子機器
　本開示は、固体撮像装置及び電子機器に関する。
　例えば、特許文献１には、第１基板、第２基板及び第３基板の３つの基板が積層され、互いに貫通配線によって電気的に接続された撮像装置が開示されている。この撮像装置では、貫通配線（例えば、第１貫通配線）の周囲が、基準電位に接続された別の貫通配線（例えば、第３貫通配線）によりシールドされている。このため、隣接するセンサ画素間において、一方の画素信号に発生したノイズが他方の画素信号へ伝達されることを防止することができるので、撮像装置の耐ノイズ性能を向上させることができる。
特開２０２０－８８３８０号公報
　ところで、撮像装置では、例えば第１基板の貫通配線と第２基板の貫通配線との接合に対して電気的信頼性が望まれている。このため、隣接する画素間に発生するノイズの抑制又は防止とともに、積層される基板間の貫通配線の接合を確実に行い、撮像装置の電気的信頼性を向上させるには、改善の余地があった。
　従って、電気的信頼性を向上させることができる固体撮像装置及び電子機器を提供することが望ましい。
　本開示の一実施形態に係る第１の固体撮像装置は、第１基体の光入射側となる第１面側に配設され、第１光電変換素子を有する第１画素、及び第２光電変換素子を有し、第１画素に隣接して第１面上の第１方向に配列された第２画素と、第１基体の第１面側とは反対の第２面側において、第１画素の中央部分に対応する領域に配設され、第１画素に接続された第１信号端子と、第１基体の第２面側において、第２画素の中央部分に対応する領域に配設され、第２画素に接続された第２信号端子と、第１基体の第２面側において、第１画素の周辺部分の第２画素側に対応する領域に配設され、固定電位が供給される第１シールド端子と、第１基体の第２面側において、第２画素の周辺部分の第１画素側に対応する領域に配設され、かつ、第１シールド端子に対して第１方向と交差する第２面上の第２方向へずれた領域に配設され、固定電位が供給される第２シールド端子とを備えている。
　本開示の一実施形態に係る電子機器は、上記本開示の一実施形態に係る第１の固体撮像装置を備えたものである。
　本開示の一実施形態に係る第２の固体撮像装置は、第１基体の光入射側となる第１面側に配設され、第１光電変換素子を有する第１画素、及び第２光電変換素子を有し、第１画素に隣接して第１面上の第１方向に配列された第２画素と、第１基体の第１面側とは反対の第２面側において、第１画素の中央部分に対応する領域に配設され、第１画素に接続された第１信号端子と、第１基体の第２面側において、第２画素の中央部分に対応する領域に配設され、第２画素に接続された第２信号端子と、第１基体の第２面側において、第１画素の周辺部分の第２画素側に対応する領域に配設され、第１信号端子から第２信号端子を第１方向に見て、第１方向と交差する第２面上の第２方向において第２信号端子とすべて重なって形成され、固定電位が供給される第１シールド端子とを備えている。
　本開示の一実施形態に係る電子機器は、上記本開示の一実施形態に係る第２の固体撮像装置を備えたものである。
　本開示の一実施形態の第１の固体撮像装置及び電子機器では、第２画素の周辺部分の第１画素側に対応する領域に配設された第２シールド端子を、第１画素の周辺部分の第２画素側に対応する領域に配設された第１シールド端子に対して、第２方向へずれた領域に配設する。これにより、第１シールド端子及び第２シールド端子がシールド領域となり、隣接する第１画素と第２画素との間のノイズを効果的に抑制又は防止する。
　加えて、第１シールド端子に対して第２シールド端子をずれた領域に配設したので、シールド領域が拡大し、第１シールド端子及び第２シールド端子そのものの平面面積が小さくなる。これにより、第１信号端子、第２信号端子、第１シールド端子及び第２シールド端子の平面面積の差を小さくし、パターン依存性による端子接合面のリセスの発生を効果的に抑制又は防止する。
　本開示の一実施形態の第２の固体撮像装置及び電子機器では、第１画素の周辺部分の第２画素側に対応する領域に第１シールド端子を配設する。第１シールド端子は、第１信号端子から第２信号端子を第１方向に見て、第２方向において第２信号端子とすべて重なって形成する。これにより、第１シールド端子がシールド領域としてなり、隣接する第１画素と第２画素との間のノイズを効果的に抑制又は防止する。
　加えて、第１シールド端子は、第１信号端子から第２信号端子を第１方向に見て、第２方向において第２信号端子とすべて重なる形状によりシールド領域を形成するため、第１シールド端子の平面面積を小さくすることができる。これにより、第１信号端子、第２信号端子及び第１シールド端子の平面面積の差を小さくし、パターン依存性による端子接合面のリセスの発生を効果的に抑制又は防止することができる。
本開示の第１実施の形態に係る固体撮像装置の画素及び画素回路を示す要部断面図である。 図１に示される画素側の端子の配列レイアウトを説明する要部平面図である。 図１に示される画素及び画素回路の回路図である。 図１に示される画素側の端子の配列レイアウト及び画素回路側の端子の配列レイアウトを説明する、図２に対応する要部平面図である。 図４に示される画素側の端子及び画素回路側の端子の要部断面図である。 図５に対応する、比較例に係る画素側の端子及び画素回路側の端子の要部断面図である。 本開示の第２実施の形態に係る固体撮像装置の画素側の端子の配列レイアウトを説明する、図２に対応する要部平面図である。 本開示の第３実施の形態に係る固体撮像装置の画素側の端子の配列レイアウトを説明する、図２に対応する要部平面図である。 本開示の第４実施の形態に係る固体撮像装置の画素側の端子の配列レイアウトを説明する、図２に対応する要部平面図である。 本開示の第５実施の形態に係る固体撮像装置の画素及び画素回路を示す、図１に対応する要部断面図である。 図１０に示される画素側の端子の配列レイアウトを説明する、図２に対応する要部平面図である。 本開示の実施の形態に係る第１応用例であって、車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。 本開示の実施の形態に係る第２応用例であって、内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。 本技術を適用した電子機器の構成例を示すブロック図である。
　以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１実施の形態
　第１実施の形態は、固体撮像装置に、本技術を適用した例を説明する。
２．第２実施の形態
　第２実施の形態は、第１実施の形態に係る固体撮像装置において、端子の配列レイアウトを変えた第１例を説明する。
３．第３実施の形態
　第３実施の形態は、第１実施の形態に係る固体撮像装置において、端子の配列レイアウトを変えた第２例を説明する。
４．第４実施の形態
　第４実施の形態は、第３実施の形態に係る固体撮像装置において、端子の配列レイアウトを変えた第３例を説明する。
５．第５実施の形態
　第５実施の形態は、ＳＰＡＤ構造を採用する固体撮像装置に、本技術を適用した例を説明する。
６．移動体への応用例
　移動体制御システムの一例である車両制御システムに本技術を適用した例を説明する。
７．内視鏡手術システムへの応用例
　内視鏡手術システムに本技術を適用した例を説明する。
８．電子機器への応用例
　電子機器に本技術を適用した例を説明する。
９．その他の実施の形態
＜１．第１実施の形態＞
　図１～図６を用いて、本開示の第１実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
　ここで、図中、適宜、示される矢印Ｘ方向は、便宜的に平面上に載置された固体撮像装置１の１つの平面方向を示している。矢印Ｙ方向は、矢印Ｘ方向に対して直交する他の１つの平面方向を示している。また、矢印Ｚ方向は、矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向に対して直交する上方向を示している。つまり、矢印Ｘ方向、矢印Ｙ方向、矢印Ｚ方向は、丁度、三次元座標系のＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向に各々一致している。
　なお、これらの各方向は、説明の理解を助けるために示されており、本技術の方向を限定するものではない。
［固体撮像装置１の構成］
（１）固体撮像装置１の画素１００、画素回路１３０及び画像処理回路２００の回路構成
　図３は、固体撮像装置１を構築する画素１００、画素回路１３０及び画像処理回路２００の回路構成の一例を示している。
　１つの画素１００は、光電変換素子（フォトダイオード）１０１と、転送トランジスタ１０２との直列回路により構成されている。
　光電変換素子１０１は固体撮像装置１の外部から入射された光を電気信号に変換する。
　転送トランジスタ１０２の他方の端子は画素回路１３０に接続されている。転送トランジスタ１０２と画素回路１３０とは信号配線１２１を介在させて接続されている。ここで、信号配線１２１は、本技術に係る第１信号配線又は第２信号配線である。転送トランジスタ１０２の制御端子は水平信号線１０３に接続されている。
　画素回路１３０は、フローティングディフュージョン（ＦＤ）変換ゲイン切替えトランジスタ１３１と、リセットトランジスタ１３２と、増幅トランジスタ１３３と、選択トランジスタ１３４とを備えている。
　転送トランジスタ１０２の他方の端子は、ＦＤ変換ゲイン切替えトランジスタ１３１の一方の端子及び増幅トランジスタ１３３の制御端子に接続されている。ＦＤ変換ゲイン切替えトランジスタ１３１の他方の端子はリセットトランジスタ１３２の一方の端子に接続されている。リセットトランジスタ１３２の他方の端子は電源電位ＶＤＤに接続されている。増幅トランジスタ１３３の一方の端子は選択トランジスタ１３４の一方の端子に接続されている。増幅トランジスタ１３３の他方の端子は電源電位ＶＤＤに接続されている。選択トランジスタ１３４の他方の端子は垂直信号線１３５に接続されている。
　さらに、画素回路１３０は画像処理回路２００に接続されている。詳細な回路構成を省略するが、画像処理回路２００は、アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）とデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）とを備えている。アナログデジタルコンバータは、画素１００により光から生成された電気信号としてのアナログ信号をデジタル信号に変換する。デジタルシグナルプロセッサは、デジタル信号の機能処理を行う。つまり、画像処理回路２００では、画像作成の信号処理が行われる。
　画素回路１３０、画像処理回路２００のそれぞれは、信号配線１２１及び信号配線２２１を介在させて接続されている。ここで、信号配線２２１は、本技術に係る第３信号配線及び第４信号配線である。
　第１実施の形態に係る固体撮像装置１では、例えば４つの画素１００に対して１つの画素回路１３０が配設されている。勿論、１つの画素１００に対して１つの画素回路１３０が配設されてもよい。
（２）固体撮像装置１の縦断面構成
　図１は、固体撮像装置１の画素１００、画素回路１３０及び画像処理回路２００の一部の縦断面構成の一例を示している。
　固体撮像装置１は、ここでは裏面照射型イメージセンサとして構成されている。矢印Ｙ方向に見て（以下、単に「側面視において」という。）、固体撮像装置１は、第１基体１０と、第２基体２０とを順次積層して構成されている。第２基体２０上に第１基体１０が積層され、第１基体２０は第２基体２０に接合されている。
　第１基体１０は、第１半導体層１１と、第１半導体層１１の第２基体２０側に配設された第１配線層１２とを備えている。第１半導体層１１は単結晶珪素（Ｓｉ）により形成されている。
　第１半導体層１１には画素１００及び画素回路１３０が構成されている。画素１００の光電変換素子１０１は、詳細な構造を省略しているが、ｎ型半導体領域とｐ型半導体領域とを備え、双方のｐｎ接合により構成されている。
　光電変換素子１０１の光入射側には、図示省略の電荷固定膜及び絶縁膜を介在させて、受光レンズ１３が配設されている。ここでは、矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向に隣接する合計４個の画素１００に対して、１個の受光レンズ１３が配設されている。なお、１個の画素１００に対して、１個の受光レンズ１３が配設されていてもよい。受光レンズ１３では、光電変換素子１０１へ入射する光を集光させることができる。
　ここで、光入射側とは、第１半導体層１１の第２基体２０側とは反対側である。
　画素１００の転送トランジスタ１０２は、同様に詳細な構造を省略しているが、第１半導体層１１の第２基体２０側の表面部に構成されている。転送トランジスタ１０２はｎチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＩＧＦＥＴ）により形成されている。転送トランジスタ１０２は、ソース領域及びドレイン領域である一対の主電極（端子）と、チャネル形成領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極（制御端子）とを備えている。
　ここで、ＩＧＦＥＴには、金属体／酸化膜／半導体型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）及び金属体／絶縁体／半導体型電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）が少なくとも含まれている。
　また、矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向に隣接する画素１００と画素１００との間には画素分離領域１４が配設されている。画素分離領域１４は、隣接す画素１００同士を光学的、かつ、電気的に分離する。
　また、詳細な構造を省略しているが、第１半導体層１１の第２基板２０側の表面部には、画素回路１３０を構成するＦＤ変換ゲイン切替えトランジスタ１３１と、リセットトランジスタ１３２と、増幅トランジスタ１３３と、選択トランジスタ１３４とが配設されている。
　第１配線層１２は、信号配線１２１と、信号端子１２３と、シールド配線１２２と、シールド端子１２４と、絶縁体１２５とを備えている。
　信号配線１２１の一端は転送トランジスタ１０２に接続され、信号配線１２１の他端は信号端子１２３に接続されている。信号配線１２１は、第１半導体層１１及び第１配線層１２を含む第１基体１０を厚さ方向である矢印Ｚ方向に貫通する貫通配線として構成されている。詳細な構成の説明並びに符号は省略するが、信号配線１２１は、複数層の配線と、配線間を繋ぐプラグ配線とを備えて構成されている。配線及びプラグ配線の配線材料としては、例えば銅（Ｃｕ）が使用されている。また、配線の配線材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）合金が使用され、プラグ配線の配線材料としては、例えばダングステン（Ｗ）が使用されてもよい。
　信号端子１２３の一端は信号配線１２１に接続され、信号端子１２３の他端は第１配線層１２の第２基体２０側の表面、つまり絶縁体１２５の表面から露出されている。信号端子１２３の露出面は第２基体２０との接合面として使用されている。信号端子１２３の配線材料としては、例えば銅等の金属が使用されている。
　詳細な配置レイアウトは後に詳述するが、信号配線１２１及び信号端子１２３は、画素１００の中央部分に対応する領域に配設されている。
　絶縁体１２５は、信号配線１２１、信号端子１２３のそれぞれを埋設して形成されている。絶縁体１２５は、実際には複数層の絶縁膜を積層して形成されている。絶縁体１２５には、例えば低誘電率を有する絶縁膜（low-k膜）が使用されている。また、絶縁体１２５は、酸化珪素膜（ＳｉＯ）、窒化珪素膜（ＳｉＮ）又は双方を組み合わせて形成してもよい。
　シールド配線１２２の一端は光電変換素子１０１のｐ型半導体領域に接続され、シールド配線１２２の他端はシールド端子１２４に接続されている。シールド配線１２２は、信号配線１２１と同様に、第１基体１０を厚さ方向に貫通する貫通配線として構成されている。また、シールド配線１２２は、複数層の配線と、配線間を繋ぐプラグ配線とを備えて構成されている。シールド配線１２２の配線及びプラグ配線の配線材料は、信号配線１２１の配線及びプラグ配線の配線材料と同一である。
　シールド端子１２４の一端はシールド配線１２２に接続され、シールド端子１２４の他端は、信号端子１２３と同様に、第１配線層１２の表面から露出されている。シールド端子１２４の配線材料は信号端子１２３の配線材料と同一である。
　詳細な配置レイアウトは後に詳述するが、シールド配線１２２は、画素１００の周辺部分に対応する領域に配設され、信号配線１２１の周囲に沿って配設されている。同様に、シールド端子１２４は、画素１００の周辺部分に対応する領域に配設され、信号端子１２３の周囲に沿って配設されている。シールド配線１２２及びシールド端子１２４には電源電位ＧＮＤが印加される。
　また、シールド配線１２２及び露出された表面を除くシールド端子１２４は絶縁体１２５に埋設されている。
　第２基体２０は、第２半導体層２１と、第２半導体層２１の第１基体１０側に配設された第２配線層２２とを備えている。第２半導体層２１は、第１半導体層１１と同様に、単結晶珪素により形成されている。
　第２半導体層２１には画像処理回路２００が構成されている。画像処理回路２００は、複数のトランジスタ２０１を備えている。トランジスタ２０１は第２半導体層２１の第１基体１０側の主面部に配設されている。ここで、主面部とは、トランジスタ、抵抗等の素子を形成する主要な表面部位という意味において使用されている。
　トランジスタ２０１は、図示省略の素子分離領域により周囲を囲まれた領域内において、第２半導体層２１の主面部に配設されている。トランジスタ２０１は、一対の主電極２３と、チャネル形成領域と、ゲート絶縁膜２４と、ゲート電極２５とを備えている。一対の主電極２３は、ソース領域及びドレイン領域であり、ｎ型半導体領域により形成されている。チャネル形成領域は、一対の主電極２３間の第２半導体層２１により形成されている。ゲート絶縁膜２４は、チャネル形成領域に沿って配設され、例えば酸化珪素膜、窒化珪素膜又はそれらの積層膜により形成されている。ゲート電極２５は、ゲート絶縁膜２４に沿って配設され、例えば多結晶珪素により形成されている。トランジスタ２０１は、転送トランジスタ１０２と同様に、ｎチャネルＩＧＦＥＴにより構成されている。
　なお、画像処理回路２００は、ｎチャネルＩＧＦＥＴとｐチャネルＩＧＦＥＴとを含む相補型ＩＧＦＥＴを備えていてもよい。
　第２配線層２２は、信号配線２２１と、シールド配線２２２と、信号端子２２３と、シールド端子２２４と、絶縁体２２４とを備えている。
　信号配線２２１の一端はトランジスタ２０１に接続され、信号配線２２１の他端は信号端子２２３に接続されている。信号配線２２１は、第２半導体層２１及び第２配線層２２を含む第２基体２０を厚さ方向に貫通する貫通配線として構成されている。信号配線１２１と同様に、詳細な構成の説明並びに符号は省略するが、信号配線２２１は、複数層の配線と、配線間を繋ぐプラグ配線とを備えて構成されている。配線の配線材料は信号配線１２１の配線の配線材料と同一である。また、プラグ配線の配線材料は、信号配線１２１のプラグ配線の配線材料と同一である。
　信号端子２２３の一端は信号配線２２１に接続され、信号端子２２３の他端は第２配線層２２の第１基体１０側の表面、つまり絶縁体２２５の表面から露出されている。信号端子２２３の露出面は、第１基体１０との接合面として使用され、第１基体１０の信号端子１２３に接合されている。信号端子２２３の配線材料は、信号端子１２３、シールド端子１２４のそれぞれの配線材料と同一である。
　信号配線１２１及び信号端子１２３と同様に詳細な配置レイアウトは後に詳述するが、信号配線２２１及び信号端子２２３は、画素１００の中央部分に対応する領域に配設されている。
　絶縁体２２５は、信号配線２２１、信号端子２２３のそれぞれを埋設して形成されている。絶縁体２２５は、絶縁体１２５と同様の材料により形成されている。
　シールド配線２２２の一端は第２半導体層２１に接続されている。具体的にはシールド配線２２２はｐ型半導体領域（ｐ型ウエル領域）２６に接続されている。シールド配線２２２の他端はシールド端子２２４に接続されている。シールド配線２２２は、信号配線２２１と同様に、第２基体２０を厚さ方向に貫通する貫通配線として構成されている。また、シールド配線２２２は、複数層の配線と、配線間を繋ぐプラグ配線とを備えて構成されている。シールド配線２２２の配線及びプラグ配線の配線材料は、信号配線２２１の配線及びプラグ配線の配線材料と同一である。
　シールド端子２２４の一端はシールド配線２２２に接続され、シールド端子２２４の他端は、信号端子２２３と同様に、第２配線層２２の表面から露出されている。シールド端子２２４の露出面は、第１基体１０との接合面として使用され、第１基体１０のシールド端子１２４に接合されている。シールド端子２２４の配線材料は信号端子２２３の配線材料と同一である。
　詳細な配置レイアウトは後に詳述するが、シールド配線２２２は、画素１００の周辺部分に対応する領域に配設され、信号配線２２１の周囲に沿って配設されている。同様に、シールド端子２２４は、画素１００の周辺部分に対応する領域に配設され、信号端子２２３の周囲に沿って配設されている。
　また、シールド配線２２２及び露出された表面を除くシールド端子２２４は絶縁体２２５に埋設されている。
　ここで、第１実施の形態に係る固体撮像装置１では、第１基体１０及び第２基体２０を備えた２層の積層構造が採用されているが、更に第３基体を備えた３層の積層構造を採用することができる。この場合、第３基体には、例えば、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ等のメモリや、アーティフィシャルインテリジェンス（ＡＩ）機能を実現するロジック回路等が配設されている。
（３）第１基体１０の信号端子１２３及びシールド端子１２４の配列レイアウト
　図２は、矢印Ｚ方向に見た（以下、単に「平面視において」という。）第１基体１０の第１配線層１２における信号端子１２３及びシールド端子１２４の配列レイアウトを表している。
　説明を簡単にするために、矢印Ｘ方向に隣接する２個の画素１００と、矢印Ｙ方向に隣接する２個の画素１００との合計４個の画素１００に対応する領域が、破線を用いて示されている。ここで、矢印の起点となる図２の左上に配置された画素１００は便宜的に符号（１）を加えて示し、右上に配置された画素１００は符号（２）を加えて示している。また、左下に配置された画素１００は符号（３）を加えて示し、右下に配置された画素１００は符号（４）を加えて示している。
　４個の画素１００（１）～画素１００（４）は、平面視において、矩形状、更に詳細には正方形状に形成されている。矢印Ｘ方向に隣接する画素１００（１）と画素１００（２）との間には画素分離領域１４が配設されている。同様に、矢印Ｘ方向に隣接する画素１００（３）と画素１００（４）との間には画素分離領域１４が配設されている。また、矢印Ｙ方向に隣接する画素１００（１）及び画素１００（２）と画素１００（３）及び画素１００（４）との間にも画素分離領域１４が配設されている。
　画素１００（１）の中央部分に対応する領域において、第１配線層１２の第２基体２０側の表面部には、１個の信号端子１２３が配設されている。この信号端子１２３は、本技術に係る第１信号端子に相当する。便宜的に、信号配線１２３は符号（１）を加えて示されている。信号端子１２３（１）は、平面視において、矩形状、更に詳細には画素１００（１）の相似形状となる正方形状に形成されている。
　信号端子１２３（１）と第２基体２０に配設された信号端子２２３（図１参照）との接合に許容される接合精度が例えば０．５μｍの場合、信号端子１２３（１）の矩形状の一辺の寸法は例えば１．０μｍ以下に設定される。また、接合精度が例えば１．０μｍの場合、信号端子１２３（１）の一辺の寸法は例えば２．０μｍ以下に設定される。さらに、信号端子１２３（１）が例えば銅により形成され、信号端子１２３（１）の一辺の寸法が「ａ」に設定され、チェックエリアが「２ａ」とされる場合、銅被覆率は１５％以上３５％以下に設定される。
　画素１００（１）の周辺部分に対応する領域において、第１配線層１２の第２基体２０側の表面部には、６個のシールド端子１２４が配設されている。便宜的に６個のシールド端子１２４のそれぞれは符号（１１）～符号（１６）を加えて示されている。
　シールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１６）のそれぞれは、平面視において、信号端子１２３（１）と同一の矩形状に形成されている。さらに、シールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１６）のそれぞれは、ここでは、信号端子１２３（１）の平面面積と同一の平面面積により形成されている。加えて、信号端子１２３（１）及びシールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１６）のそれぞれは、固体撮像装置１の製造プロセスにおいて、同一の製造工程により形成されている。このため、シールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１６）のそれぞれは、信号端子１２３（１）の体積と同一の体積により形成されている。
　シールド端子１２４（１１）は、画素１００（１）の周辺部分の画素１００（２）側に対応する領域に配設されている。このシールド端子１２４（１１）は、本技術に係る第１シールド端子に相当する。シールド端子１２４（１１）は、平面視において、その画素１００（２）側の辺を画素１００（１）の画素１００（２）側の辺に一致させて配設されている。表現を代えれば、シールド端子１２４（１１）の画素１００（２）側の辺は画素分離領域１４の画素１００（１）側の輪郭に一致させて配設されている。また、表現を代えれば、シールド端子１２４（１１）は、画素１００（１）の画素１００（２）に隣接する辺に対応する領域に沿って配設されている。
　さらに、シールド端子１２４（１１）は、信号端子１２３（１）の中心と、画素１００（２）の中央部分に対応する領域に配設された信号端子１２３（２）の中心とを結ぶ、便宜的に示されている仮想線Ａ－Ａ上に中心位置を一致させている。また、画素１００（１）の画素１００（２）側の辺に対応する領域に、１個のシールド端子１２４（１１）が配設されている。
　画素１００（１）の周辺部分の画素１００（２）側とは反対側に対応する領域には、シールド端子１２４（１１）と同様に、シールド端子１２４（１４）が配設されている。シールド配線１２４（１４）の中心位置は仮想線Ａ－Ａ上に一致させている。
　シールド端子１２４（１２）及びシールド端子１２４（１３）は、画素１００（１）の周辺部分の画素１００（３）側に対応する領域に配設されている。シールド端子１２４（１１）と同様に、シールド端子１２４（１２）及びシールド端子１２４（１３）は、平面視において、その画素１００（３）側の辺を画素１００（１）の画素１００（３）側の辺に一致させて配設されている。
　シールド端子１２４（１２）及びシールド端子１２４（１３）は、丁度、１個分のシールド端子１２４に相当する間隔を開けて矢印Ｘ方向に離間されている。信号端子１２３（１）の中心と、画素１００（３）の中央部分に対応する領域に配設された信号端子１２３（３）の中心とを結ぶ仮想線Ｂ－Ｂが便宜的に示されている。仮想線Ｂ－Ｂに対して、シールド端子１２４（１２）は矢印Ｘ方向にずれた領域に配設されている。仮想線Ｂ－Ｂに対して、シールド端子１２４（１３）は矢印Ｘ方向とは反対側にずれた領域に配設されている。シールド端子１２４（１２）、シールド端子１２４（１３）のそれぞれのずれ量は、仮想線Ｂ－Ｂから、シールド端子１２４の辺の寸法の１／２である。シールド端子１２４（１２）及びシールド端子１２４（１３）は本技術に係る第３シールド端子に相当する。
　画素１００（１）の周辺部分の画素１００（３）側とは反対側に対応する領域には、シールド端子１２４（１２）及びシールド端子１２４（１３）と同様に、シールド端子１２４（１５）及びシールド端子１２４（１６）が配設されている。シールド端子１２４（１５）は、仮想線Ｂ－Ｂに対して、矢印Ｘ方向とは反対側にずれた領域に配設されている。シールド端子１２４（１６）は、仮想線Ｂ－Ｂに対して、矢印Ｘ方向にずれた領域に配設されている。
　シールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１６）は、丁度、信号端子１２３（１）を中心として、時計回りに配設されている。
　画素１００（１）と同様に、画素１００（２）に対応する領域には、１個の信号端子１２３と６個のシールド端子１２４とが配設されている。画素１００（２）に対応する領域において、便宜的に、信号端子１２３は符号（２）を加えて示されている。また、シールド端子１２４は符号（２１）～符号（２６）を加えて示されている。
　信号端子１２３（２）は、上記の通り、画素１００（２）の中央部分に対応する領域に配設されている。信号端子１２３（２）は本技術に係る第２信号端子に相当する。
　シールド端子１２４（２１）～シールド端子１２４（２６）は、シールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１６）と同様に、画素１００（２）の周辺部分に対応する領域に配設されている。
　さらに、シールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１６）の配設された位置に対して、シールド端子１２４（２１）～シールド端子１２４（２６）は、信号端子１２３（２）を中心として、時計回りに９０度回転させた位置に配設されている。表現を代えれば、画素１００（１）に対応する領域に配設されている信号端子１２３（１）及びシールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１６）に対して、画素１００（２）に対応する領域に配設されている信号端子１２３（１）及びシールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１６）は、同一の構成とされ、かつ、９０度回転させた構成とされている。
　ここで、シールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）は、画素１００（２）の周辺部分の画素１００（１）側に対応する領域に配設されている。このシールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）は、本技術に係る第２シールド端子に相当する。シールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）は、平面視において、その画素１００（１）側の辺を画素１００（２）の画素１００（１）側の辺に一致させて配設されている。表現を代えれば、シールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）は、矢印Ｘ方向において、シールド端子１２４（１１）に対して画素分離領域１４を介在させて配設されている。
　シールド端子１２４（２２）は、仮想線Ａ－Ａに対して、矢印Ｙ方向にずれた領域に配設されている。シールド端子１２４（２３）は、仮想線Ａ－Ａに対して、矢印Ｙ方向とは反対側にずれた領域に配設されている。つまり、画素１００（１）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（１１）に対して、画素１００（２）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）は、矢印Ｘ方向に交差する矢印Ｙ方向にずれた領域に配設されている。
　なお、シールド端子１２４（２１）は、本技術に係る第４シールド端子に相当する。
　画素１００（２）と同様に、画素１００（３）に対応する領域には、１個の信号端子１２３と６個のシールド端子１２４とが配設されている。画素１００（３）に対応する領域において、便宜的に、信号端子１２３は符号（３）を加えて示されている。また、シールド端子１２４は符号（３１）～符号（３６）を加えて示されている。
　ここで、画素１００（３）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（３４）と画素１００（１）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（１２）及びシールド端子１２４（１３）との位置関係は、画素１００（１）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（１１）と画素１００（２）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）との位置関係と同一である。
　画素１００（１）に対応する領域と同様に、画素１００（４）に対応する領域には、１個の信号端子１２３と６個のシールド端子１２４とが配設されている。画素１００（４）に対応する領域において、便宜的に、信号端子１２３は符号（４）を加えて示されている。また、シールド端子１２４は符号（４１）～符号（４６）を加えて示されている。
　ここで、画素１００（４）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（４４）と画素１００（３）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（３５）及びシールド端子１２４（３６）との位置関係は、画素１００（１）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（１１）と画素１００（２）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）との位置関係と同一である。
　また、画素１００（２）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（２１）と画素１００（４）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（４５）及びシールド端子１２４（４６）との位置関係は、画素１００（１）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（１１）と画素１００（２）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）との位置関係と同一である。
　図４は、図２に示される配列レイアウトに重ねて、第２基体２０の第２配線層２２における信号端子２２３及びシールド端子２２４の配列レイアウトを表している。説明の理解を助けるため、双方の配列レイアウトは、接合精度の範囲内にずれた状態において表されている。
　第２基体２０の第２配線層２２に配設された信号端子２２３及びシールド端子２２４は、第１基体１０の第１配線層１２に配設された信号端子１２３及びシールド端子１２４と同様の配列レイアウトにより配設されている。
　画素１００（１）に対応する領域では、中央部分に１個の信号端子２２３が配設され、周辺部分に６個のシールド端子２２４が配設されている。前述と同様に、便宜的に符号を加えて説明する。つまり、画素１００（１）に対応する領域には、信号端子２２３（１）と、シールド端子２２４（１１）～シールド端子２２４（１６）とが配設されている。ここで、信号端子２２３（１）は本技術に係る第３信号端子に相当する。また、シールド端子２２４（１１）は本技術に係る第５シールド端子に相当する。
　同様に、画素１００（２）に対応する領域では、中央部分に１個の信号端子２２３（２）が配設され、周辺部分に６個のシールド端子２２４（２１）～シールド端子２２４（２６）が配設されている。ここで、信号端子２２３（２）は本技術に係る第４信号端子に相当する。また、シールド端子２２４（２２）及びシールド端子２２４（２３）は本技術に係る第６シールド端子に相当する。
　画素１００（３）に対応する領域では、中央部分に１個の信号端子２２３（３）が配設され、周辺部分に６個のシールド端子２２４（３１）～シールド端子２２４（３６）が配設されている。
　そして、画素１００（４）に対応する領域では、中央部分に１個の信号端子２２３（４）が配設され、周辺部分に６個のシールド端子２２４（４１）～シールド端子２２４（４６）が配設されている。
（４）信号端子１２３、２２３及びシールド端子１２４、２２４の製造方法
　次に、固体撮像装置１において、信号配線１２３及びシールド端子１２４の製造方法について、図５を参照しながら簡単に説明する。図５は、第１基体１０と第２基体２０との接合状態を表している。
　第１基体１０の絶縁体１２５の表面部に溝１２５Ａ及び溝１２５Ｂが形成される。溝１２５Ａ及び溝１２５Ｂは、フォトフォトリソグラフィ技術により形成されたマスクを用いて、エッチング技術により形成される。
　次に、絶縁体１２５の表面上に例えば銅が形成される。銅は溝１２５Ａ、溝１２５Ｂのそれぞれの内部に埋設される。そして、絶縁体１２５の表面上の余分な銅が取り除かれる。これにより、溝１２５Ａの内部には信号端子１２３が形成され、溝１２５Ｂの内部にはシールド端子１２４が形成される。余分な銅の取り除きには、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理が使用される。
　同様の製造方法により、第２基体２０の絶縁体２２５に溝２２５Ａ及び溝２２５Ｂが形成される。そして、溝２２５Ａの内部には信号端子２２３が形成され、溝２２５Ｂの内部にはシールド端子２２４が形成される。
［作用効果］
　第１実施の形態に係る固体撮像装置１は、図２に示されるように、画素１００（１）及び画素１００（２）と、信号端子１２３（１）と、信号端子１２３（２）と、シールド端子１２４（１１）と、シールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）とを備える。シールド端子１２４（１１）は、第１基体１０の表面側において、画素１００（１）の周辺部分の画素１００（２）側に対応する領域に配設される。シールド端子１２４（１１）には固定電位ＧＮＤが供給される。シールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）は、第１基体１０の表面側において、画素１００（２）の周辺部分の画素１００（１）側に対応する領域であって、シールド端子１２４（１１）に対して矢印Ｙ方向へずれた領域に配設される。シールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）には固定電位ＧＮＤが供給される。ここで、第１実施の形態では、シールド端子１２４等に「固定電位」として「固定電位ＧＮＤ」が供給されている。つまり、「固定電位ＧＮＤ」は例えば接地である。本技術では、シールド効果が得られる「固定電位」であれば、接地に限らず、一定の電圧に固定された「固定電位」であってもよい。以降の実施の形態においても、同様である。
　すなわち、画素１００（１）の信号端子１２３（１）と画素１００（２）の信号端子１２３（２）との間に、シールド端子１２４（１１）、シールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）によるシールド領域が配置される。このため、信号端子１２３（１）及び信号端子１２３（２）の一方から他方へのノイズの伝搬を効果的に抑制又は防止することができるので、固体撮像装置１の耐ノイズ性能を向上させることができる。画素１００（１）と画素１００（３）との間並びに画素１００（２）と画素１００（４）との間においても、同様に、耐ノイズ性能を向上させることができる。
　なお、画素１００（１）に対応する領域の信号端子１２３（１）の中心位置と、斜め方向に配設された画素１００（４）に対応する信号端子１２３（４）の中心位置とを結ぶ仮想線Ｃ－Ｃ（図２参照）上には、シールド端子１２４は特に配設していない。画素１００（２）に対応する領域の信号端子１２３（２）の中心位置と、斜め方向に配設された画素１００（３）に対応する信号端子１２３（３）の中心位置とを結ぶ仮想線（図示省略）上にも、シールド端子１２４は特に配設されていない。これは、仮想線Ａ－Ａ上に配設される信号端子１２３（１）と信号端子１２３（２）との離間距離、仮想線Ｂ－Ｂ上に配設される信号端子１２３（１）と信号端子１２３（３）との離間距離のそれぞれに比べて、離間距離が長く、ノイズの影響が小さいためである。
　また、図１に示されるように、第１基体１０の信号配線１２１及びシールド配線１２２は、図２に示される信号端子１２３及びシールド端子１２４と同様の配列レイアウトを採用する。このため、隣接する画素１００の信号配線１２１間においても、耐ノイズ性能を向上させることができる。
　加えて、図２に示されるように、画素１００（１）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（１１）に対して、画素１００（２）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）は矢印Ｙ方向にずれた領域に配設される。つまり、合計３個のシールド端子１２４（１１）、シールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）により、矢印Ｙ方向にシールド領域を拡張することができる。このため、シールド端子１２４（１１）、シールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）では、平面視において、平面面積を小さくすることができる。さらに、平面面積が小さくなると、図５に示されるように、シールド端子１２４（１１）、シールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）では、体積自体を小さくすることができる。この結果、図２及び図５に示されるように、シールド端子１２４の平面面積並びに体積を信号端子１２３の平面面積及び体積と同一に形成することができる。
　図６は、比較例に係る固体撮像装置であり、第１基体１０Ｃと第２基体２０Ｃとの接合状態を表している。第１基体１０Ｃには、信号端子１２３Ｃと、信号端子１２３Ｃに比べて表面面積並びに体積が大きいシールド端子１２４Ｃとが配設されている。同様に、第２基体２０Ｃには、信号端子２２３Ｃと、信号端子２２３Ｃに比べて表面面積並びに体積が大きいシールド端子２２４Ｃとが配設されている。
　このように構成される比較例に係る固体撮像装置では、製造プロセスの化学機械研磨処理において、パターン依存性が生じるので、表面面積が大きいシールド端子１２４Ｃ、シールド端子２２４Ｃの表面にへこみ（Ｃｕリセス）が生じ易い。比較例に対して、第１実施の形態に係る固体撮像装置１では、図５に示されるように、信号端子１２３、信号端子２２３、シールド端子１２４及びシールド端子２２４は、同一の表面面積により形成されている。このため、Ｃｕリセスの発生を効果的に抑制又は防止することができるので、信号端子１２３と信号端子２２３とを確実に接合することができ、シールド端子１２４とシールド端子２２４とを確実に接合することができる。
　加えて、比較例に係る固体撮像装置では、図６に示されるように、信号端子１２３Ｃ及び信号端子２２３Ｃの体積に比べて、シールド端子１２４Ｃ及びシールド端子２２４Ｃの体積が大きい。単結晶珪素に対して、銅は線膨張係数が大きいので、体積が大きいシールド端子１２４Ｃにより応力が発生する。図６に示される太い矢印は応力の大きさを表している。このため、第１基体１０Ｃは反りを生じ易い。同様に、体積が大きいシールド端子２２４Ｃにより第２基体２０Ｃは反りを生じ易い。
　これに対して、第１実施の形態に係る固体撮像装置１では、信号端子１２３に対して、シールド端子１２４は同一の体積に形成しているので、応力が小さく、しかも応力の分布が均一化される。このため、第１基体１０の反りを効果的に抑制又は防止することができる。同様に、信号端子２２３に対して、シールド端子２２４は同一の体積に形成されているので、第２基体２０の反りを効果的に抑制又は防止することができる。
　また、第１実施の形態に係る固体撮像装置１では、図２に示されるように、画素１００（１）に対応する領域には矢印Ｙ方向に１以上の自然数であるｎ個のシールド端子１２４（１１）が配設される。ここでは、「ｎ」は「１」である。そして、画素１００（２）に対応する領域には矢印Ｙ方向に一定の間隔においてｎ＋１個のシールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）が配設される。ここでは、「ｎ＋１」は「２」である。
　このため、少ない個数のシールド端子１２４（１１）、シールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）により、信号端子１２３（１）と信号端子１２３（２）との間にシールド領域を形成することができる。
　さらに、固体撮像装置１では、図２に示されるように、平面視において、信号端子１２３（１）、信号端子１２３（２）、シールド端子１２４（１１）、シールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）のそれぞれの平面が矩形状に形成される。このため、信号端子１２３、シールド端子１２４のそれぞれの平面形状が同一の形状に形成されているので、端子配列レイアウトを容易に行うことができる。
　また、固体撮像装置１では、図２に示されるように、シールド端子１２４（１１）と、シールド端子１２４（２２）、シールド端子１２４（２３）のそれぞれの平面面積は同一である。加えて、固体撮像装置１では、図２に示されるように、信号端子１２３（１）、信号端子１２３（２）、シールド端子１２４（１１）、シールド端子１２４（２２）、シールド端子１２４（２３）のそれぞれの平面面積は同一である。
　このため、図５に示されるように、パターン依存性を無くすことができるので、Ｃｕリセスを効果的に抑制又は防止することができる。従って、第１基体１０と第２基体２０との接合箇所において、隙間が生じることなく、確実に接合することができるので、電気的信頼性を向上させることができる。
　さらに、固体撮像装置１では、図２に示されるように、信号端子１２３（１）及び信号端子１２３（２）のいずれか一方からいずれか他方へのノイズが、シールド端子１２４（１１）によりシールドされている。このため、耐ノイズ性能を向上させることができる。
　また、固体撮像装置１では、図２に示されるように、画素１００（１）の周辺部分の矢印Ｙ方向側に対応する領域にシールド端子１２４（１２）及びシールド端子１２４（１３）が配設される。画素１００（２）の周辺部分の矢印Ｙ方向側に対応する領域にはシールド端子１２４（２１）が配設される。そして、画素１００（２）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（２１）、シールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）は、画素１００（１）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（１１）、シールド端子１２４（１２）及びシールド端子１２４（１３）を、信号端子１２３（１）を中心として９０度回転させた領域に配設される。
　このため、画素１００（１）に対応する領域に配設される信号端子１２３（１）及びシールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１６）が、基本配列レイアウトとして繰り返し使用されるので、端子配列レイアウトを容易に行うことができる。
　さらに、固体撮像装置１では、図１及び図２に示されるように、画素１００（１）に対応する領域には信号配線１２１及びシールド配線１２２が配設される。信号配線１２１及びシールド配線１２２は、信号端子１２３（１）及びシールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１６）と同一の配列レイアウトとされている。同様に、画素１００（２）に対応する領域には信号配線１２１及びシールド配線１２２が配設される。信号配線１２１及びシールド配線１２２は、信号端子１２３（２）及びシールド端子１２４（２１）～シールド端子１２４（２６）と同一の配列レイアウトとされている。
　このため、画素１００（１）に対応する領域に配設される信号配線１２１と画素１００（２）に対応する領域に配設される信号配線１２１との間においても、耐ノイズ性能を向上させることができる。
　また、固体撮像装置１では、図１及び図４に示されるように、第２基体２０を備え、第２基体２０に信号端子２２３及びシールド端子２２４を備える。例えば、画素１００（１）に対応する領域では、第１基体１０の信号端子１２３（１）と第２基体２０の信号端子２２３（１）とが接合される。加えて、シールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１６）とシールド端子２２４（１１）～シールド端子２２４（１６）とが接合される。画素１００（２）に対応する領域では、第１基体１０の信号端子１２３（２）と第２基体２０の信号端子２２３（２）とが接合される。加えて、シールド端子１２４（２１）～シールド端子１２４（２６）とシールド端子２２４（２１）～シールド端子２２４（２６）とが接合される。
　このため、第２基体２０においても、耐ノイズ性能を向上させることができ、かつ、信号端子１２３と信号端子２２３との接合及びシールド端子１２４とシールド端子２２４との接合を確実に行うことができる。
　なお、接合精度の範囲内において、たとえ第１基体１０と第２基体２０との接合にずれが生じ、隣接する画素１００に対応する領域のシールド端子１２４とシールド端子２２４とが短絡したとしても、双方は同一の固定電位ＧＮＤが供給されるので、動作上の問題はない。
　さらに、固体撮像装置１では、図１及び図４に示されるように、第２基体２０に配設された信号端子２２３の位置及び平面の形状は第１基体２０に配設される信号端子１２３の位置及び平面の形状と同一である。加えて、第２基体２０に配設されたシールド端子２２４の位置及び平面の形状は第１基体２０に配設されるシールド端子１２４の位置及び平面の形状と同一である。
　このため、図５に示されるように、第２基体２０においてもパターン依存性を無くすことができるので、例えばＣｕリセスを効果的に抑制又は防止することができる。従って、第１基体１０と第２基体２０との接合箇所において、確実に接合することができるので、電気的信頼性を向上させることができる。
　また、固体撮像装置１では、図２に示されるように、信号端子１２３（１）から信号端子１２３（２）を矢印Ｘ方向に見て、矢印Ｙ方向においてシールド端子１２４（１１）は信号端子１２３（２）とすべて重なって形成されている。このため、信号端子１２３（１）及び信号端子１２３（２）の一方から他方へのノイズの伝搬を効果的に抑制又は防止することができるので、固体撮像装置１の耐ノイズ性能を向上させることができる。
　なお、上記作用効果については、画素１００（１）と画素１００（２）との間に限らず、画素１００（１）と画素１００（３）との間並びに画素１００（２）と画素１００（４）との間においても、同様に得ることができる。
＜２．第２実施の形態＞
　本開示の第２実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。なお、第２実施の形態並びにそれ以降の実施の形態において、第１実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一の構成要素、又は実質的に同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
［固体撮像装置１の構成］
　図７は、第１基体１０の信号端子１２３及びシールド端子１２４の配列レイアウトを表している。
　第２実施の形態に係る固体撮像装置１では、図７に示されるように、画素１００に対応する領域において、シールド端子１２４は、信号端子１２３の周囲であって、画素分離領域１４から信号端子１２３側に近づけて配設されている。つまり、例えば、画素１００（１）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（１１）と、画素１００（１）に隣接する画素１００（２）に対応する領域に配設されたシールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）との離間距離が確保されている。
　上記以外の構成は、前述の第１実施の形態に係る固体撮像装置１の構成と同様である。
［作用効果］
　第２実施の形態に係る固体撮像装置１によれば、第１実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
　また、第２実施の形態に係る固体撮像装置１では、図７に示されるように、隣接する画素１００に対応する領域において、シールド端子１２４間の離間距離を確保することがでるので、端子配列レイアウトを容易にすることができる。
　さらに、接合精度の範囲内において、第１基体１０と第２基体２０との接合にずれが生じたとき、隣接する画素１００に対応する領域のシールド端子１２４とシールド端子２２４とが短絡し難くなる。なお、前述の通り、シールド端子１２４、シールド端子２２４のそれぞれには同一の固定電位ＧＮＤが供給されるので、動作上の問題はない。
＜３．第３実施の形態＞
　本開示の第３実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
　図８は、第１基体１０の信号端子１２３及びシールド端子１２４の配列レイアウトを表している。
　第３実施の形態に係る固体撮像装置１は、図８に示されるように、画素１００に対応する領域において、第１基体１０には、１個の信号端子１２３と、４個のシールド端子１２４とを備えている。
　詳しく説明すると、第１実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、画素１００（１）の中央部分に対応する領域に信号端子１２３（１）が配設され、画素１００（１）の周辺部分に対応する領域に４個のシールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１４）が配設されている。シールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１４）は画素１００（１）に対応する領域の各辺にそれぞれ配設されている。
　画素１００（１）に対応する領域において、画素１００（２）に対応する領域側のシールド端子１２４（１１）は仮想線Ａ－Ａよりも矢印Ｙ方向側に配設されている。ここでは、シールド端子１２４（１１）の矢印Ｙ方向とは反対側の辺に仮想線Ａ－Ａを一致させている。
　画素１００（３）に対応する領域側のシールド端子１２４（１２）は仮想線Ｂ－Ｂよりも矢印Ｘ方向とは反対側に配設されている。ここでは、シールド端子１２４（１２）の矢印Ｘ方向とは反対側の辺に仮想線Ｂ－Ｂを一致させている。
　信号端子１２３（１）を中心として、シールド端子１２４（１１）と反対側に配設されたシールド端子１２４（１３）は仮想線Ａ－Ａよりも矢印Ｙ方向とは反対側に配設されている。ここでは、シールド端子１２４（１３）の矢印Ｙ方向側の辺に仮想線Ａ－Ａを一致させている。
　信号端子１２３（１）を中心として、シールド端子１２４（１２）と反対側に配設されたシールド端子１２４（１４）は仮想線Ｂ－Ｂよりも矢印Ｘ方向側に配設されている。ここでは、シールド端子１２４（１４）の矢印Ｘ方向と反対側の辺に仮想線Ｂ－Ｂを一致させている。
　画素１００（１）に対応する領域の信号端子１２３（１）及びシールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１４）が基本配列レイアウトとして、画素１００（２）～画素１００（４）に対応する領域の信号端子１２３及びシールド端子１４が配設されている。
　すなわち、画素１００（２）の中央部分に対応する領域に信号端子１２３（２）が配設され、画素１００（２）の周辺部分に対応する領域にシールド端子１２４（２１）～シールド端子１２４（２４）が配設されている。画素１００（３）の中央部分に対応する領域に信号端子１２３（３）が配設され、画素１００（３）の周辺部分に対応する領域にシールド端子１２４（３１）～シールド端子１２４（３４）が配設されている。そして、画素１００（４）の中央部分に対応する領域に信号端子１２３（４）が配設され、画素１００（４）の周辺部分に対応する領域にシールド端子１２４（４１）～シールド端子１２４（４４）が配設されている。
　このように構成される固体撮像装置１では、例えば、画素１００（１）に対応する領域のシールド端子１２４（１１）は仮想線Ａ－Ａよりも矢印Ｙ方向側にずれて配設されている。そして、画素１００（２）に対応する領域のシールド端子１２４（２３）は仮想線Ａ－Ａよりも矢印Ｙ方向とは反対側にずれて配設されている。つまり、信号端子１２３（１）側から信号端子１２３（２）を見て、シールド端子１２４（１１）及びシールド端子１２４（２３）により信号端子１２３（２）がシールドされる構成とされている。
　同様に、画素１００（１）に対応する領域のシールド端子１２４（１２）は仮想線Ｂ－Ｂよりも矢印Ｘ方向とは反対側にずれて配設されている。そして、画素１００（３）に対応する領域のシールド端子１２４（３４）は仮想線Ｂ－Ｂよりも矢印Ｘ方向側にずれて配設されている。つまり、信号端子１２３（１）側から信号端子１２３（３）を見て、シールド端子１２４（１２）及びシールド端子１２４（３４）により信号端子１２３（３）がシールドされる構成とされている。
［作用効果］
　第３実施の形態に係る固体撮像装置１によれば、第１実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
　また、第３実施の形態に係る固体撮像装置１では、図８に示されるように、仮想線Ａ－Ａに対して、画素１００（１）に対応する領域のシールド端子１２４（１１）と画素１００（２）に対応する領域のシールド端子１２４（２３）とがずれた領域に配設される。シールド端子１２４（１１）及びシールド端子１２４（２３）はシールド領域として配設される。同様に、画素１００（１）に対応する領域のシールド端子１２４（１２）及び画素１００（３）に対応する領域のシールド端子１２４（２４）はシールド領域として配設される。
　このため、耐ノイズ性能を向上させることができる。加えて、信号端子１２３と第２基体２０の信号端子２２３（図１及び図４参照）との接合、及びシールド端子１２４と第２基体２０のシールド端子２２４（図１及び図４参照）との接合を確実に行うことができる。そして、第１基体１０、第２基体２０のそれぞれの反りも効果的に抑制又は防止することができる。
＜４．第４実施の形態＞
　本開示の第４実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。第４実施の形態は、第３実施の形態に係る固体撮像装置１のシールド端子１２４の構成を変えた例を説明する。
　図９は、第１基体１０の信号端子１２３及びシールド端子１２４の配列レイアウトを表している。
　第４実施の形態に係る固体撮像装置１は、図９に示されるように、第３実施の形態に係る固体撮像装置１において、シールド端子１２４の平面の形状を長方形の矩形状に形成している。ここでは、第３実施の形態に係る固体撮像装置１のシールド端子１２４の平面面積に対して、シールド端子１２４の平面面積が２倍に形成されている。表現を代えれば、シールド端子１２４の長さが２倍の長さに形成され、シールド端子１２４の長さは信号端子１２３の長さよりも長く形成されている。
　上記以外の構成要素は、第３実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一である。
［作用効果］
　このように構成される第４実施の形態に係る固体撮像装置１によれば、第３実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
　また、第４実施の形態に係る固体撮像装置１では、シールド端子１２４は長方形の矩形状とされているので、シールド領域を拡大することができる。
＜５．第５実施の形態＞
　本開示の第５実施の形態に係る固体撮像装置１を簡単に説明する。第５実施の形態は、ＳＰＡＤ（Single Photon Avalanche Diode）構造を採用する固体撮像装置１に本技術を適用した例を説明する。
　図１０は、ＳＰＡＤ構造を採用する固体撮像装置１の画素１００及び画素回路１３０の一部の縦断面構成の一例を表している。ここで、ＳＰＡＤ構造とは、入射された光子から雪崩のように電子を増幅させる「アバランシェ増幅」を利用する画素構造である。
　固体撮像装置１では、図１０に示されるように、第１基体１０と第２基体３０とが接合され、かつ、積層されている。周辺回路を搭載する第３基体３０の構造及び説明は省略する。第１基体１０は光電変換素子１０１を有する画素１００を備えている。
　詳細な構造の説明は省略するが、光電変換素子１０１はカソード領域（ｎ型半導体領域）とアノード領域（ｐ型半導体領域）とを含んで構成されている。カソード領域は信号配線（カソード配線）１２１を介して信号端子１２３に接続されている。アノード領域はシールド配線（アノード配線）１２２を介してシールド端子１２４に接続されている。
　第２基体２０は画素回路（読出回路）１３０を備えている。画素回路１３０は、第２半導体層２１に搭載された相補型ＩＧＦＥＴを含んで構成されている。相補型ＩＧＦＥＴは、ｐ型半導体領域（ｐ型ウエル領域）２６Ｐに形成されたｎチャネルＩＧＦＥＴ２０６と、ｎ型半導体領域（ｎ型ウエル領域）２６Ｎに形成されたｐチャネルＩＧＦＥＴとを備えている。
　相補型ＩＧＦＥＴは信号配線２２１を介して信号端子２２３に接続されている。ｐ型半導体領域２６Ｐはシールド配線２２２を介してシールド端子２２４に接続されている。ｐ型半導体領域２６Ｐへの固定電位ＧＮＤの供給は、第１基体１０又は図示省略の第３基体３０から行われる。
　図１１は、第１基体１０の信号端子１２３及びシールド端子１２４の配列レイアウトを表している。ここでは、説明を簡単にするために、２個の画素１００（１）及び画素１００（２）に対応する領域の配列レイアウトが示されている。
　第１実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、第１基体１０では、画素１００（１）に対応する領域に信号端子１２３（１）及びシールド端子１２４（１１）～シールド端子１２４（１６）が配設されている。一方、画素１００（２）に対応する領域には信号端子１２３（２）及びシールド端子１２４（２１）～シールド端子１２４（２６）が配設されている。
　そして、画素１００（１）に対応する領域のシールド端子１２４（１１）は、画素１００（２）に対応する領域のシールド端子１２４（２２）及びシールド端子１２４（２３）に対してずれた領域に配設されている。
［作用効果］
　このように構成される第５実施の形態に係る固体撮像装置１によれば、第１実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
＜６．移動体への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図１２は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１２に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Interface）１２０５３が図示されている。
　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０３０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１２の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
　図１３は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
　図１３では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。
　撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図１３には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０km/h以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１２０３１に適用され得る。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、より簡易な構成の撮像部１２０３１を実現できる。
＜７．内視鏡手術システムへの応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
　図１４は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
　図１４では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
　内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
　鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
　カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ: Camera Control Unit）１１２０１に送信される。
　ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
　表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
　光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（light emitting diode）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
　入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
　処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
　なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
　また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
　また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Narrow Band Imaging）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ICG）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
　図１５は、図１４に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。
　カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
　レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
　撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（dimensional）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
　また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
　駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
　通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
　また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
　なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Auto Exposure）機能、ＡＦ（Auto Focus）機能及びＡＷＢ（Auto White Balance）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
　カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
　通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
　また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
　画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
　制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
　また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
　カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
　ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、カメラヘッド１１１０２の撮像部１１４０２に適用され得る。撮像部１１４０２に本開示に係る技術を適用することにより、構造の簡素化を実現しつつ、良好な術部画像を得ることができる。
　なお、ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
＜８．電子機器への応用例＞
　前述の実施の形態に係る固体撮像装置１は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ等の撮像装置、撮像機能を備えた携帯電話機、又は撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器５０に適用可能である。
　図１６は、本技術を適用した電子機器５０の構成例を示すブロック図を表している。電子機器５０は、光学系５１、シャッタ装置５２、固体撮像装置１、制御回路５４、信号処理回路５６、モニタ５７及びメモリ５８を備えている。電子機器５０では、静止画像及び動画像の撮像が可能である。
　光学系５１は、１枚又は複数枚のレンズを有し、被写体からの光（入射光）を固体撮像装置１に導き、固体撮像装置１の受光面に結像させる。
　シャッタ装置５２は光学系５１と固体撮像装置１の間に配置されている。シャッタ装置５２は、制御回路５４の制御に従って、固体撮像装置１への光照射期間及び遮光期間を制御する。
　固体撮像装置１は、前述の実施の形態に係る固体撮像装置１であり、パッケージされている。固体撮像装置１は、光学系５１及びシャッタ装置５２を介して受光面に結像される光に応じて、一定期間、信号電荷を蓄積する。固体撮像装置１に蓄積された信号電荷は、制御回路５４から供給される駆動信号（タイミング信号）に従って、信号処理回路５６へ転送される。
　制御回路５４は、固体撮像装置１の転送動作及びシャッタ装置５２のシャッタ動作を制御する駆動信号を出力する。この駆動信号に従って、固体撮像装置１及びシャッタ装置５２が駆動される。
　信号処理回路５６は、固体撮像装置１から出力された信号電荷に対して各種の信号処理を施す。信号処理回路５６が信号処理を施すことにより得られた画像（画像データ）は、モニタ５７に供給されて表示される。また、画像は、メモリ５８に供給されて記憶（記録）される。
　このように構成される電子機器５０では、前述の実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同様に、ノイズを効果的に抑制又は防止することができる。
＜９．その他の実施の形態＞
　本技術は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々変更可能である。
　例えば、上記第１実施の形態から第５実施の形態に係る固体撮像装置のうち、２以上の実施の形態に係る固体撮像装置を組み合わせてもよい。
　また、本技術は、２層の第１半導体層及び第２半導体層を備えた固体撮像装置に適用されているが、４層以上の半導体層を備える場合にも適用可能である。
　また、本技術は、隣接する画素に対応する領域おいて、一方の画素に対応する領域の他方の画素に対応する領域側にシールド端子を配設し、他方の画素に対応する領域の一方の画素に対応する領域側にはシールド端子を配設しなくてもよい。
　また、本技術は、隣接する画素に対応する領域おいて、一方の画素に対応する領域の他方の画素に対応する領域側に２個以上のシールド端子を配設し、他方の画素に対応する領域の一方の画素に対応する領域側に３個以上のシールド端子を配設してもよい。
　さらに、本技術は、信号端子、シールド端子のそれぞれの平面の形状を、三角形状、五角形以上の多角形状、円形状若しくは楕円形状に形成してもよい。
　また、本技術は、イメージング用途に限らず、センシング用途等に使用される受光装置、光電変換装置、光検出装置等に広く適用可能である。さらに、固体撮像装置は、可視光の入射光に限らず、赤外光、紫外光、電磁波等の入射光であってもよい。また、本技術は、光電変換素子の光入射側の上方に、任意に所望のカラーフィルタ、バンドパスフィルタ等を設け、所望の入射光を受光する構成であってもよい。
　本開示では、固体撮像装置及び電子機器は、隣接する画素に対応する領域において、一方の画素に対応する領域の他方の画素に対応する領域側のシールド端子と、他方の画素に対応する領域の一方の画素に対応する領域側のシールド端子とをずれた領域に配設する。シールド端子には固定電位が供給される。
　これにより、シールド端子がシールド領域として形成されるので、隣接する画素間のノイズを効果的に抑制又は防止することができ、電気的信頼性を向上させることができる。加えて、シールド端子がずれた領域に配設されるので、シールド領域を拡大し、シールド端子そのものの平面面積を小さくすることができる。これにより、信号端子及びシールド端子の平面面積の差を小さくし、製造プロセスにおけるパターン依存性を無くすことができるので、積層される基体間の端子同士を確実に接合させて、電気的信頼性を向上させることができる。
＜本技術の構成＞
　本技術は、以下の構成を備えている。以下の構成の本技術によれば、隣接する画素間のノイズを効果的に抑制又は防止しつつ、積層される基体間の端子同士を確実に接合させて、電気的信頼性を向上させることができる。
（１）第１基体の光入射側となる第１面側に配設され、第１光電変換素子を有する第１画素、及び第２光電変換素子を有し、前記第１画素に隣接して前記第１面上の第１方向に配列された第２画素と、
　前記第１基体の前記第１面側とは反対の第２面側において、前記第１画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第１画素に接続された第１信号端子と、
　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第２画素に接続された第２信号端子と、
　前記第１基体の前記第２面側において、前記第１画素の周辺部分の前記第２画素側に対応する領域に配設され、固定電位が供給される第１シールド端子と、
　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の周辺部分の前記第１画素側に対応する領域に配設され、かつ、前記第１シールド端子に対して第１方向と交差する前記第２面上の第２方向へずれた領域に配設され、固定電位が供給される第２シールド端子と
　を備えている固体撮像装置。
（２）前記第１信号端子の中心位置と第２信号端子の中心位置とを結ぶ線に対して、前記第１シールド端子の中心位置は第２方向側に配設され、前記第２シールド端子の中心位置は第２方向側とは反対側に配設されている
　前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）前記第１シールド端子は、第２方向に１以上の自然数であるｎ個を配設し、
　前記第２シールド端子は、第２方向に一定の間隔においてｎ＋１個を配設している
　前記（１）又は（２）に記載の固体撮像装置。
（４）前記第１基体の厚さ方向から見て、前記第１信号端子、前記第２信号端子、前記第１シールド端子、前記第２シールド端子のそれぞれの平面は矩形状に形成されている
　前記（１）から（３）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（５）前記第１シールド端子及び前記第２シールド端子の平面の面積は同一である
　前記（１）から（４）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（６）前記第１信号端子、前記第２信号端子、前記第１シールド端子及び第２シールド端子の平面の面積は同一である
　前記（１）から（４）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（７）前記第１シールド端子及び前記第２シールド端子の第２方向の長さは、前記第１信号端子及び前記第２信号端子の第２方向の長さよりも長い
　前記（４）に記載の固体撮像装置。
（８）前記第１信号端子及び前記第２信号端子のいずれか一方からいずれか他方へのノイズが、前記第１シールド端子及び前記第２シールド端子の少なくともいずれか一方によりシールドされている
　前記（１）から（７）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（９）前記第１基体の前記第２面側において、前記第１画素の周辺部分の第２方向側に対応する領域に第３シールド端子が配設され、
　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の周辺部分の第２方向側に対応する領域に第４シールド端子が配設され、
　前記第２画素に対応する領域に配設された前記第２シールド端子及び前記第４シールド端子は、前記第１画素に対応する領域に配設された前記第１シールド端子及び前記第３シールド端子を、前記第１信号端子を中心として９０度回転させた領域に配設されている
　前記（１）に記載の固体撮像装置。
（１０）前記第１画素に対応する領域において、前記第１基体を厚さ方向に延在し、前記第１光電変換素子と前記第１信号端子とを接続する第１信号配線と、前記第１信号配線の周囲であって前記第１基体を厚さ方向に延在し、前記第１シールド端子に接続される第１シールド配線と、を備え、
　前記第２画素に対応する領域において、前記第１基体を厚さ方向に延在し、前記第２光電変換素子と前記第２信号端子とを接続する第２信号配線と、前記第２信号配線の周囲であって前記第１基体を厚さ方向に延在し、前記第２シールド端子に接続される第２シールド配線と、を更に備えている
　前記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（１１）前記第２面に第３面を向かい合わせ、前記第１基体に積層される第２基体と、
　前記第２基体の前記第３面側に配設され、前記第１信号端子に接合され、かつ、前記第２基体の前記第３面側とは反対の第４面側に配設された画素回路に接続される第３信号端子と、
　前記第２基体の前記第３面側に配設され、前記第２信号端子に接合され、かつ、前記画素回路に接続される第４信号端子と、
　前記第２基体の前記第３面側に配設され、前記第１シールド端子に接合される第５シールド端子と
　前記第２基体の前記第３面側に配設され、前記第２シールド端子に接合される第６シールド端子と、を更に備えている
　前記（１）に記載の固体撮像装置。
（１２）前記第２基体の厚さ方向から見て、前記第３信号端子の配設された位置及び平面の形状は前記第１信号端子の配設された位置及び平面の形状と同一であり、
　前記第４信号端子の配設された位置及び平面の形状は前記第２信号端子の配設された位置及び平面の形状と同一であり、
　前記第５シールド端子の配設された位置及び平面の形状は前記第１シールド端子の配設された位置及び平面の形状と同一であり、
　前記第６シールド端子の配設された位置及び平面の形状は前記第２シールド端子の配設された位置及び平面の形状と同一である
　前記（１１）に記載の固体撮像装置。
（１３）前記第１信号端子、前記第２信号端子、前記第３信号端子及び前記第４信号端子と、前記第１シールド端子、前記第２シールド端子、前記第５シールド端子及び第６シールド端子とは、化学機械研磨処理を用いて面が研磨されている銅により形成されている
　前記（１２）に記載の固体撮像装置。
（１４）第１基体の光入射側となる第１面側に配設され、第１光電変換素子を有する第１画素、及び第２光電変換素子を有し、前記第１画素に隣接して前記第１面上の第１方向に配列された第２画素と、
　前記第１基体の前記第１面側とは反対の第２面側において、前記第１画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第１画素に接続された第１信号端子と、
　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第２画素に接続された第２信号端子と、
　前記第１基体の前記第２面側において、前記第１画素の周辺部分の前記第２画素側に対応する領域に配設され、前記第１信号端子から前記第２信号端子を第１方向に見て、第１方向と交差する前記第２面上の第２方向において前記第２信号端子とすべて重なって形成され、固定電位が供給される第１シールド端子と
　を備えている固体撮像装置。
（１５）固体撮像装置を備え、
　前記固体撮像装置は、
　第１基体の光入射側となる第１面側に配設され、第１光電変換素子を有する第１画素、及び第２光電変換素子を有し、前記第１画素に隣接して前記第１面上の第１方向に配列された第２画素と、
　前記第１基体の前記第１面側とは反対の第２面側において、前記第１画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第１画素に接続された第１信号端子と、
　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第２画素に接続された第２信号端子と、
　前記第１基体の前記第２面側において、前記第１画素の周辺部分の前記第２画素側に対応する領域に配設され、固定電位が供給される第１シールド端子と、
　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の周辺部分の前記第１画素側に対応する領域に配設され、かつ、前記第１シールド端子に対して第１方向と交差する前記第２面上の第２方向へずれた領域に配設され、固定電位が供給される第２シールド端子と
　を有する電子機器。
（１６）固体撮像装置を備え、
　前記固体撮像装置は、
　第１基体の光入射側となる第１面側に配設され、第１光電変換素子を有する第１画素、及び第２光電変換素子を有し、前記第１画素に隣接して前記第１面上の第１方向に配列された第２画素と、
　前記第１基体の前記第１面側とは反対の第２面側において、前記第１画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第１画素に接続された第１信号端子と、
　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第２画素に接続された第２信号端子と、
　前記第１基体の前記第２面側において、前記第１画素の周辺部分の前記第２画素側に対応する領域に配設され、前記第１信号端子から前記第２信号端子を第１方向に見て、第１方向と交差する前記第２面上の第２方向において前記第２信号端子とすべて重なって形成され、固定電位が供給される第１シールド端子と
　を有する電子機器。
　本出願は、日本国特許庁において２０２１年５月１７日に出願された日本特許出願番号２０２１－８３４８５号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (16)

  1. 　第１基体の光入射側となる第１面側に配設され、第１光電変換素子を有する第１画素、及び第２光電変換素子を有し、前記第１画素に隣接して前記第１面上の第１方向に配列された第２画素と、
    　前記第１基体の前記第１面側とは反対の第２面側において、前記第１画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第１画素に接続された第１信号端子と、
    　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第２画素に接続された第２信号端子と、
    　前記第１基体の前記第２面側において、前記第１画素の周辺部分の前記第２画素側に対応する領域に配設され、固定電位が供給される第１シールド端子と、
    　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の周辺部分の前記第１画素側に対応する領域に配設され、かつ、前記第１シールド端子に対して第１方向と交差する前記第２面上の第２方向へずれた領域に配設され、固定電位が供給される第２シールド端子と
    　を備えている固体撮像装置。
  2. 　前記第１信号端子の中心位置と第２信号端子の中心位置とを結ぶ線に対して、前記第１シールド端子の中心位置は第２方向側に配設され、前記第２シールド端子の中心位置は第２方向側とは反対側に配設されている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 　前記第１シールド端子は、第２方向に１以上の自然数であるｎ個を配設し、
    　前記第２シールド端子は、第２方向に一定の間隔においてｎ＋１個を配設している
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  4. 　前記第１基体の厚さ方向から見て、前記第１信号端子、前記第２信号端子、前記第１シールド端子、前記第２シールド端子のそれぞれの平面は矩形状に形成されている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  5. 　前記第１シールド端子及び前記第２シールド端子の平面の面積は同一である
    　請求項４に記載の固体撮像装置。
  6. 　前記第１信号端子、前記第２信号端子、前記第１シールド端子及び第２シールド端子の平面の面積は同一である
    　請求項４に記載の固体撮像装置。
  7. 　前記第１シールド端子及び前記第２シールド端子の第２方向の長さは、前記第１信号端子及び前記第２信号端子の第２方向の長さよりも長い
    　請求項４に記載の固体撮像装置。
  8. 　前記第１信号端子及び前記第２信号端子のいずれか一方からいずれか他方へのノイズが、前記第１シールド端子及び前記第２シールド端子の少なくともいずれか一方によりシールドされている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  9. 　前記第１基体の前記第２面側において、前記第１画素の周辺部分の第２方向側に対応する領域に第３シールド端子が配設され、
    　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の周辺部分の第２方向側に対応する領域に第４シールド端子が配設され、
    　前記第２画素に対応する領域に配設された前記第２シールド端子及び前記第４シールド端子は、前記第１画素に対応する領域に配設された前記第１シールド端子及び前記第３シールド端子を、前記第１信号端子を中心として９０度回転させた領域に配設されている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  10. 　前記第１画素に対応する領域において、前記第１基体を厚さ方向に延在し、前記第１光電変換素子と前記第１信号端子とを接続する第１信号配線と、前記第１信号配線の周囲であって前記第１基体を厚さ方向に延在し、前記第１シールド端子に接続される第１シールド配線と、を備え、
    　前記第２画素に対応する領域において、前記第１基体を厚さ方向に延在し、前記第２光電変換素子と前記第２信号端子とを接続する第２信号配線と、前記第２信号配線の周囲であって前記第１基体を厚さ方向に延在し、前記第２シールド端子に接続される第２シールド配線とを更に備えている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  11. 　前記第２面に第３面を向かい合わせ、前記第１基体に積層される第２基体と、
    　前記第２基体の前記第３面側に配設され、前記第１信号端子に接合され、かつ、前記第２基体の前記第３面側とは反対の第４面側に配設された画素回路に接続される第３信号端子と、
    　前記第２基体の前記第３面側に配設され、前記第２信号端子に接合され、かつ、前記画素回路に接続される第４信号端子と、
    　前記第２基体の前記第３面側に配設され、前記第１シールド端子に接合される第５シールド端子と、
    　前記第２基体の前記第３面側に配設され、前記第２シールド端子に接合される第６シールド端子とを更に備えている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  12. 　前記第２基体の厚さ方向から見て、前記第３信号端子の配設された位置及び平面の形状は前記第１信号端子の配設された位置及び平面の形状と同一であり、
    　前記第４信号端子の配設された位置及び平面の形状は前記第２信号端子の配設された位置及び平面の形状と同一であり、
    　前記第５シールド端子の配設された位置及び平面の形状は前記第１シールド端子の配設された位置及び平面の形状と同一であり、
    　前記第６シールド端子の配設された位置及び平面の形状は前記第２シールド端子の配設された位置及び平面の形状と同一である
    　請求項１１に記載の固体撮像装置。
  13. 　前記第１信号端子、前記第２信号端子、前記第３信号端子及び前記第４信号端子と、前記第１シールド端子、前記第２シールド端子、前記第５シールド端子及び第６シールド端子とは、化学機械研磨処理を用いて面が研磨されている銅により形成されている
    　請求項１２に記載の固体撮像装置。
  14. 　第１基体の光入射側となる第１面側に配設され、第１光電変換素子を有する第１画素、及び第２光電変換素子を有し、前記第１画素に隣接して前記第１面上の第１方向に配列された第２画素と、
    　前記第１基体の前記第１面側とは反対の第２面側において、前記第１画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第１画素に接続された第１信号端子と、
    　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第２画素に接続された第２信号端子と、
    　前記第１基体の前記第２面側において、前記第１画素の周辺部分の前記第２画素側に対応する領域に配設され、前記第１信号端子から前記第２信号端子を第１方向に見て、第１方向と交差する前記第２面上の第２方向において前記第２信号端子とすべて重なって形成され、固定電位が供給される第１シールド端子と
    　を備えている固体撮像装置。
  15. 　固体撮像装置を備え、
    　前記固体撮像装置は、
    　第１基体の光入射側となる第１面側に配設され、第１光電変換素子を有する第１画素、及び第２光電変換素子を有し、前記第１画素に隣接して前記第１面上の第１方向に配列された第２画素と、
    　前記第１基体の前記第１面側とは反対の第２面側において、前記第１画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第１画素に接続された第１信号端子と、
    　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第２画素に接続された第２信号端子と、
    　前記第１基体の前記第２面側において、前記第１画素の周辺部分の前記第２画素側に対応する領域に配設され、固定電位が供給される第１シールド端子と、
    　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の周辺部分の前記第１画素側に対応する領域に配設され、かつ、前記第１シールド端子に対して第１方向と交差する前記第２面上の第２方向へずれた領域に配設され、固定電位が供給される第２シールド端子と
    　を有する電子機器。
  16. 　固体撮像装置を備え、
    　前記固体撮像装置は、
    　第１基体の光入射側となる第１面側に配設され、第１光電変換素子を有する第１画素、及び第２光電変換素子を有し、前記第１画素に隣接して前記第１面上の第１方向に配列された第２画素と、
    　前記第１基体の前記第１面側とは反対の第２面側において、前記第１画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第１画素に接続された第１信号端子と、
    　前記第１基体の前記第２面側において、前記第２画素の中央部分に対応する領域に配設され、前記第２画素に接続された第２信号端子と、
    　前記第１基体の前記第２面側において、前記第１画素の周辺部分の前記第２画素側に対応する領域に配設され、前記第１信号端子から前記第２信号端子を第１方向に見て、第１方向と交差する前記第２面上の第２方向において前記第２信号端子とすべて重なって形成され、固定電位が供給される第１シールド端子と
    　を有する電子機器。
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