WO2022138097A1

WO2022138097A1 - 固体撮像装置およびその製造方法

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Publication number: WO2022138097A1
Application number: PCT/JP2021/044625
Authority: WO
Inventors: 純平山元
Original assignee: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date: 2020-12-25
Filing date: 2021-12-06
Publication date: 2022-06-30
Also published as: JPWO2022138097A1; CN116670804A; US20240006446A1; KR20230123941A; TW202226564A; EP4270451A1

Abstract

［課題］画素分離溝内に好適に画素分離部を形成可能な固体撮像装置およびその製造方法を提供する。［解決手段］本開示の固体撮像装置は、第１基板と、前記第１基板内に設けられた複数の光電変換部と、前記第１基板内で前記光電変換部間に設けられ、｛１００｝面である前記第１基板の側面に設けられた画素分離部とを備える。

Description

固体撮像装置およびその製造方法

　本開示は、固体撮像装置およびその製造方法に関する。

　固体撮像装置の画素サイズが縮小されると、ある画素の光電変換部内に入射するはずの光が別の画素の光電変換部内に入射して、画素間でクロストークが生じるおそれがある。そこで、これらの光電変換部を各光電変換部ごとに環状に包囲する画素分離溝が、基板内に設けられる場合がある。

特開２０１３－１７５４９４号公報特開２０１８－１４８１１６号公報

　画素分離溝内には、画素分離部として、酸化膜などの絶縁膜と、金属膜などの遮光膜とが順に埋め込まれることが多い。この場合、固体撮像装置の画素サイズが縮小されると、光電変換部のサイズに対する絶縁膜のサイズの比率が大きくなり、光電変換部のサイズが小さすぎることや、画素分離溝のサイズが大きすぎることが問題となる。例えば光電変換部のサイズが小さすぎると、光電変換部の暗電流特性などの性能が低下してしまう。

　そこで、本開示は、画素分離溝内に好適に画素分離部を形成可能な固体撮像装置およびその製造方法を提供する。

　本開示の第１の側面の固体撮像装置は、第１半導体基板を含む第１基板と、前記第１半導体基板内に設けられた複数の光電変換部と、前記第１半導体基板内で前記光電変換部間に設けられた画素分離部とを備え、前記画素分離部の側面と前記第１半導体基板との界面は、｛１００｝面を有する。これにより例えば、画素分離部のサイズを縮小することが可能となるなど、画素分離溝内に好適に画素分離部を形成することが可能となる。

　また、この第１の側面において、前記画素分離部は、絶縁膜を含んでいてもよい。これにより例えば、画素分離部用に薄い絶縁膜を形成することが可能となり、その結果、画素分離部のサイズを縮小することが可能となる。

　また、この第１の側面において、前記画素分離部はさらに、遮光膜を含んでいてもよい。これにより例えば、画素分離部用に薄い絶縁膜を形成することで、画素分離部用に厚い遮光膜を形成することが可能となる。

　また、この第１の側面において、前記絶縁膜は、前記第１半導体基板に含まれる元素と、酸素とを含んでいてもよい。これにより例えば、第１半導体基板の側面を酸化することで、絶縁膜を形成することが可能となる。

　また、この第１の側面において、前記絶縁膜は、平面視で第１の膜厚を有する第１部分と、前記画素分離部の角部に設けられ、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する第２部分とを含んでいてもよい。これにより例えば、絶縁膜の厚い部分を画素分離部の角部に限定して、絶縁膜の全体的な膜厚を薄くすることが可能となる。

　また、この第１の側面において、前記画素分離部は、平面視で前記第１半導体基板の表面に平行な第１方向に延びる複数の第１部分と、前記第１半導体基板の表面に平行な第２方向に延びる複数の第２部分とを含んでいてもよい。これにより例えば、網目状の平面形状を有する画素分離部を実現することが可能となる。

　また、この第１の側面において、前記平面視は、前記第１半導体基板の光入射面を視た状態に当たってもよい。これにより例えば、第１半導体基板をその厚さ方向に視た場合において、絶縁膜の厚い部分を画素分離部の角部に限定して、絶縁膜の全体的な膜厚を薄くすることが可能となる。

　また、この第１の側面において、前記第１または第２方向は、前記第１半導体基板の＜１００＞方向と平行でもよい。これにより例えば、第１半導体基板の側面を第１または第２方向と平行にすることで、第１半導体基板の側面を｛１００｝面とすることが可能となる。

　また、この第１の側面において、前記画素分離部は、前記第１半導体基板を貫通する画素分離溝内に設けられていてもよい。これにより例えば、第１半導体基板を貫通する画素分離溝内に好適に画素分離部を形成することが可能となる。

　また、この第１の側面において、前記画素分離部は、前記第１半導体基板を貫通しない画素分離溝内に設けられていてもよい。これにより例えば、第１半導体基板を貫通しない画素分離溝内に好適に画素分離部を形成することが可能となる。

　また、この第１の側面の固体撮像装置は、前記第１基板の光入射面とは反対側に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層と対向するように設けられた第２半導体基板を含む第２基板とをさらに備え、前記第２基板は、トランジスタを含んでいてもよい。これにより例えば、画素分離部に適した第１半導体基板を用いつつ、トランジスタに適した第２半導体基板を用いることが可能となる。

　また、この第１の側面において、前記第１または第２方向は、前記第２半導体基板の＜１１０＞方向に平行であり、前記トランジスタは、＜１１０＞方向に平行なチャネル方向を有するｎ型平面トランジスタでもよい。これにより例えば、ｎ型平面トランジスタに適した第２半導体基板を用いることが可能となる。

　また、この第１の側面において、前記第１または第２方向は、前記第２半導体基板の＜１００＞方向に平行であり、前記トランジスタは、前記第２半導体基板の｛１００｝面であるフィン側壁を有し、前記第１または第２方向に平行なチャネル方向を有するフィン型トランジスタでもよい。これにより例えば、第１または第２方向が＜１００＞方向に平行な第２基板内に、フィン型トランジスタを好適に形成することが可能となる。

　また、この第１の側面において、前記第１または第２方向は、前記第２半導体基板の＜１００＞方向に平行であり、前記トランジスタは、＜１００＞方向に平行なチャネル方向を有するｐ型平面トランジスタでもよい。これにより例えば、ｐ型平面トランジスタに適した第２半導体基板を用いることが可能となる。

　また、この第１の側面において、前記第１または第２方向は、前記第２半導体基板の＜１１０＞方向に平行であり、前記トランジスタは、前記第２半導体基板の｛１００｝面であるフィン側壁を有し、前記第１および第２方向に非平行なチャネル方向を有するフィン型トランジスタでもよい。これにより例えば、第１または第２方向が＜１１０＞方向に平行な第２半導体基板内に、フィン型トランジスタを好適に形成することが可能となる。

　本開示の第２の側面の固体撮像装置は、第１半導体基板を含む第１基板と、前記第１半導体基板内に設けられた複数の光電変換部と、前記第１半導体基板内で前記光電変換部間に設けられた画素分離部とを備え、前記画素分離部は、絶縁膜を含み、前記絶縁膜は、平面視で第１の膜厚を有する第１部分と、前記画素分離部の角部に設けられ、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する第２部分とを含む。これにより例えば、画素分離部のサイズを縮小することが可能となるなど、画素分離溝内に好適に画素分離部を形成することが可能となる。例えば、画素分離部用の絶縁膜の厚い部分を画素分離部の角部に限定して、画素分離部内用の絶縁膜の全体的な膜厚を薄くすることが可能となる。

　本開示の第３の側面の固体撮像装置の製造方法は、第１基板の第１半導体基板内に複数の光電変換部を形成し、前記第１半導体基板内で前記光電変換部間に画素分離部を形成することを含み、前記画素分離部は、前記画素分離部の側面と前記第１半導体基板との界面が、｛１００｝面を有するように形成される。これにより例えば、画素分離部のサイズを縮小することが可能となるなど、画素分離溝内に好適に画素分離部を形成することが可能となる。

　また、この第３の側面において、前記画素分離部は、絶縁膜を含むように形成されてもよい。これにより例えば、第１基板の側面に薄い絶縁膜を形成することが可能となり、その結果、画素分離部のサイズを縮小することが可能となる。

　また、この第３の側面において、前記絶縁膜は、平面視で第１の膜厚を有する第１部分と、前記画素分離部の角部に設けられ、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する第２部分とを含むように形成されてもよい。これにより例えば、絶縁膜の厚い部分を画素分離部の角部に限定して、絶縁膜の全体的な膜厚を薄くすることが可能となる。

第１実施形態の固体撮像装置の構成を示すブロック図である。第１実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。第１実施形態の固体撮像装置の構造を説明するための平面図である。第１実施形態の固体撮像装置の構造を示す別の断面図である。第１実施形態の固体撮像装置の構造を示す別の断面図である。第１実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図(1/3)である。第１実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図(2/3)である。第１実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図(3/3)である。第２実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。第３実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。第４実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。第４実施形態の変形例の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。第５実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。第５実施形態の変形例の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。第６実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。電子機器の構成例を示すブロック図である。移動体制御システムの構成例を示すブロック図である。図１７の撮像部の設定位置の具体例を示す平面図である。内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。

　以下、本開示の実施形態を、図面を参照して説明する。

　（第１実施形態）
　図１は、第１実施形態の固体撮像装置の構成を示すブロック図である。

　図１の固体撮像装置は、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型のイメージセンサであり、複数の画素１を有する画素アレイ領域２と、制御回路３と、垂直駆動回路４と、複数のカラム信号処理回路５と、水平駆動回路６と、出力回路７と、複数の垂直信号線８と、水平信号線９とを備えている。

　各画素１は、光電変換部として機能するフォトダイオードと、画素トランジスタとして機能するＭＯＳトランジスタとを備えている。画素トランジスタの例は、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタなどである。これらの画素トランジスタは、いくつかの画素１により共有されていてもよい。

　画素アレイ領域２は、２次元アレイ状に配置された複数の画素１を有している。画素アレイ領域２は、光を受光して光電変換を行い、光電変換により生成された信号電荷を増幅して出力する有効画素領域と、黒レベルの基準となる光学的黒を出力する黒基準画素領域とを含んでいる。一般に、黒基準画素領域は有効画素領域の外周部に配置されている。

　制御回路３は、垂直同期信号、水平同期信号、マスタクロックなどに基づいて、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、水平駆動回路６などの動作の基準となる種々の信号を生成する。制御回路３により生成される信号は、例えばクロック信号や制御信号であり、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、水平駆動回路６などに入力される。

　垂直駆動回路４は、例えばシフトレジスタを備えており、画素アレイ領域２内の各画素１を行単位で垂直方向に走査する。垂直駆動回路４はさらに、各画素１が生成した信号電荷に基づく画素信号を、垂直信号線８を通してカラム信号処理回路５に供給する。

　カラム信号処理回路５は、例えば画素アレイ領域２内の画素１の列ごとに配置されており、１行分の画素１から出力された信号の信号処理を、黒基準画素領域からの信号に基づいて列ごとに行う。この信号処理の例は、ノイズ除去や信号増幅である。

　水平駆動回路６は、例えばシフトレジスタを備えており、各カラム信号処理回路５からの画素信号を水平信号線９に供給する。

　出力回路７は、各カラム信号処理回路５から水平信号線９を通して供給される信号に対し信号処理を行い、この信号処理が行われた信号を出力する。

　図２は、第１実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。

　図２のＡは、図１の画素アレイ領域２内の１つの画素１の縦断面を示している。本実施形態の固体撮像装置は、図２のＡに示すように、半導体基板１１と、光電変換部１２と、ｎ型半導体領域１３と、ｐ型半導体領域１４と、画素分離溝２１と、画素分離部２２と、絶縁膜２３と、遮光膜２４と、遮光膜２５と、平坦化膜２６と、カラーフィルタ２７と、オンチップレンズ２８と、基板３１と、絶縁層３２とを備えている。半導体基板１１は、本開示の第１半導体基板の例である。本実施形態の固体撮像装置はさらに、半導体基板１１と絶縁膜２３とを含む基板１１’を備えている。基板１１’は、本開示の第１基板の例である。

　図２のＡは、互いに垂直なＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を示している。Ｘ方向およびＹ方向は横方向（水平方向）に相当し、Ｚ方向は縦方向（垂直方向）に相当する。また、＋Ｚ方向は上方向に相当し、－Ｚ方向は下方向に相当する。－Ｚ方向は、厳密に重力方向に一致していてもよいし、厳密には重力方向に一致していなくてもよい。Ｘ方向およびＹ方向の一方は、本開示の第１方向の例であり、Ｘ方向およびＹ方向の他方は、本開示の第２方向の例である。

　以下、図２のＡを参照して、本実施形態の固体撮像装置の構造について説明する。この説明の中で、図２のＢおよびＣも適宜参照する。図２のＢは、ダイシング前の基板（ウェハ）１１の構造を示す平面図である。図２のＣは、画素分離溝２１や画素分離部２２の構造を示す横断面図である。

　半導体基板１１は例えば、シリコン基板である。図２のＡでは、半導体基板１１の－Ｚ方向の面（下面）が、半導体基板１１の表面であり、半導体基板１１の＋Ｚ方向の面（上面）が、半導体基板１１の裏面である。本実施形態の固体撮像装置は、裏面照射型であるため、半導体基板１１の裏面が、半導体基板１１の光入射面（受光面）となる。半導体基板１１の裏面は、本開示の第１面の例であり、半導体基板１１の表面は、本開示の第２面の例である。

　図２のＡおよびＣは、半導体基板１１をダイシングして製造された固体撮像装置を示しているが、図２のＢは、ダイシング前の半導体基板１１を示している。図２のＢに示す半導体基板１１は、複数のチップ領域１１ａと、ダイシング領域１１ｂとを含んでいる。チップ領域１１ａは、正方形または長方形の平面形状を有している。ダイシング領域１１ｂは、これらのチップ領域１１ａを各チップ領域１１ａごとに環状に包囲する平面形状を有している。本実施形態では、半導体基板１１をダイシング領域１１ｂで切断することで、半導体基板１１がこれらのチップ領域１１ａに分割され、各チップ領域１１ａから１つの固体撮像装置が製造される。

　図２のＢはさらに、半導体基板１１のノッチＮを示している。図２のＢでは、半導体基板１１の－Ｙ方向の端面にノッチＮが設けられている。各チップ領域１１ａの４つの辺は、Ｘ方向またはＹ方向に延びている。ダイシング領域１１ｂは、Ｘ方向に延びる複数の線状部分と、Ｙ方向に延びる複数の線状部分とを含む網目状の平面形状を有している。

　本実施形態の半導体基板１１は、｛１００｝面である表面および裏面を有しており、かつ、＜１００＞ノッチ基板（４５°ノッチ基板）となっている。＜１００＞ノッチ基板では、基板のノッチから基板の中心に向かう方向が、＜１００＞方向となっている。よって、本実施形態の半導体基板１１では、半導体基板１１内の＋Ｙ方向が、＜１００＞方向となっている。図２のＢに示す矢印Ａは、半導体基板１１内の＜１１０＞方向を示している。図２のＢでは、＋Ｙ方向に対する矢印Ａの傾きが、４５°となっている。

　図３は、第１実施形態の固体撮像装置の構造を説明するための平面図である。図３のＡは、図２のＢと同様に、本実施形態の半導体基板１１である＜１００＞ノッチ基板（４５°ノッチ基板）を示しており、図３のＢは、本実施形態の比較例の半導体基板１１である＜１１０＞ノッチ基板（０°ノッチ基板）を示している。＜１１０＞ノッチ基板では、基板のノッチから基板の中心に向かう方向が、＜１１０＞方向となっている。よって、本比較例の半導体基板１１では、半導体基板１１内の＋Ｙ方向が、＜１１０＞方向となっている。図３のＢに示す矢印Ａは、半導体基板１１内の＜１１０＞方向を示している。図３のＢでは、＋Ｙ方向に対する矢印Ａの傾きが、０°となっている。なお、図３のＢに示す半導体基板１１も、｛１００｝面である表面および裏面を有している。

　引き続き図２のＡを参照して、本実施形態の固体撮像装置の構造を説明する。　
　光電変換部１２は、半導体基板１１内に各画素１ごとに設けられている。図２のＡは、１つの画素１に含まれる１つの光電変換部１２を示している。光電変換部１２は、半導体基板１１内に設けられたｎ型半導体領域１３と、半導体基板１１内でｎ型半導体領域１３の周囲に設けられたｐ型半導体領域１４とを含んでいる。光電変換部１２では、ｎ型半導体領域１３とｐ型半導体領域１４との間のｐｎ接合によりフォトダイオードが実現されており、フォトダイオードが光を電荷に変換する。光電変換部１２は、半導体基板１１の裏面側から光を受光し、受光した光の光量に応じた信号電荷を生成し、生成した信号電荷をｎ型半導体領域１３に蓄積する。

　画素分離溝２１は、半導体基板１１内に設けられており、具体的には、互いに隣接する画素１同士の光電変換部１２間に設けられている。本実施形態の画素分離溝２１は、半導体基板１１の裏面側から半導体基板１１の表面側へと半導体基板１１内を貫通している。

　画素分離部２２は、画素分離溝２１内に設けられており、絶縁膜２３と遮光膜２４とを順に含んでいる。絶縁膜２３は、画素分離溝２１の側面および底面に設けられており、遮光膜２４は、画素分離溝２１の側面および底面に絶縁膜２３を介して設けられている。絶縁膜２３は例えば、酸化シリコン膜である。本実施形態の絶縁膜２３は、半導体基板１１の側面などを酸化することで形成されるため、半導体基板１１に由来するＳｉ（シリコン）元素と、酸化に由来するＯ（酸素）元素とを含んでいる。遮光膜２４は例えば、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）、またはＣｕ（銅）といった金属元素を含む膜であり、光を遮光する作用を有している。

　図２のＣは、画素分離溝２１や画素分離部２２の横断面を示している。画素分離溝２１は、平面視でＸ方向に延びる複数の第１線状部分２１ａと、平面視でＹ方向に延びる複数の第２線状部分２１ｂとを含んでおり、図２のＣは、これらの第１線状部分２１ａのうちの１つと、これらの第２線状部分２１ｂのうちの１つとを示している。同様に、画素分離部２２は、平面視でＸ方向に延びる複数の第１線状部分２２ａと、平面視でＹ方向に延びる複数の第２線状部分２２ｂとを含んでおり、図２のＣは、これらの第１線状部分２２ａのうちの１つと、これらの第２線状部分２２ｂのうちの１つとを示している。第１線状部分２２ａおよび第２線状部分２２ｂの一方は、本開示の画素分離部の第１部分の例であり、第１線状部分２２ａおよび第２線状部分２２ｂの他方は、本開示の画素分離部の第２部分の例である。なお、本実施形態の上述の平面視は、半導体基板１１の光入射面を視た状態に当たる。

　図２のＣはさらに、画素分離溝２１内における半導体基板１１の側面として、Ｘ方向に延びる側面Ｓ１と、Ｙ方向に延びる側面Ｓ２とを示している。図２のＣはさらに、画素分離溝２１内における半導体基板１１の角部として、側面Ｓ１と側面Ｓ２との間の角部Ｃを示している。角部Ｃは、画素分離部２２の角部に相当する。本実施形態の絶縁膜２３は、側面Ｓ１や側面Ｓ２に形成された第１部分２３ａと、角部Ｃに形成された第２部分２３ｂとを含んでおり、平面視で第２部分２３ｂの膜厚（Ｔ２）が、第１部分２３ａの膜厚（Ｔ１）より厚くなっている。角部Ｃは、第２部分２３ｂ内に位置している。第１部分２３ａの膜厚は、本開示の第１の膜厚の例であり、第２部分２３ｂの膜厚は、本開示の第２の膜厚の例である。

　ここで、本実施形態と上記比較例とを比較する。上記比較例の半導体基板１１は、＜１１０＞ノッチ基板であるため、側面Ｓ１や側面Ｓ２が、｛１１０｝面となる。一方、本実施形態の半導体基板１１は、＜１００＞ノッチ基板であるため、側面Ｓ１や側面Ｓ２が、｛１００｝面となる。一般に、シリコン基板の｛１１０｝面は、シリコン基板の｛１００｝面に比べて酸化されやすい。そのため、上記比較例では第１部分２３ａが厚くなり、その結果、光電変換部１２のサイズが小さくなり、画素分離部２２のサイズが大きくなる。一方、本実施形態では第１部分２３ａが薄くなり、その結果、光電変換部１２のサイズが大きくなり、画素分離部２２のサイズが小さくなる。よって、本実施形態によれば、光電変換部１２のサイズの縮小による光電変換部１２の性能の低下を抑制することが可能となる。以上のように、本実施形態の側面Ｓ１や側面Ｓ２は｛１００｝面であり、本実施形態の画素分離部２２の側面と半導体基板１１との界面は｛１００｝面を有している。

　図２のＣに示すように、角部Ｃの平面形状は一般に、完全な直角にはならず、曲線状になる。そのため、本実施形態の角部Ｃには、小さな｛１１０｝面が生じ、本実施形態の角部Ｃは、側面Ｓ１や側面Ｓ２に比べて酸化されやすくなる。その結果、本実施形態の第２部分２３ｂの膜厚は、第１部分２３ａの膜厚より厚くなる。本実施形態によれば、絶縁膜２３の厚い部分を角部Ｃに限定することができるため、絶縁膜２３の全体的な膜厚を薄くすることが可能となる。

　なお、本実施形態の絶縁膜２３は、例えばラジカル酸化により形成してもよい。これにより、第１部分２３ａの膜厚と第２部分２３ｂの膜厚とを同じにすることが可能となり、第１部分２３ａの膜厚だけでなく第２部分２３ｂの膜厚も薄くすることが可能となる。

　図４は、第１実施形態の固体撮像装置の構造を示す別の断面図である。図４は、図１の画素アレイ領域２内の３つの画素１の縦断面を示している。図４に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、複数の光電変換部１２を備えており、互いに隣接する光電変換部１２間に画素分離溝２１や画素分離部２２を備えている。

　図５は、第１実施形態の固体撮像装置の構造を示す別の断面図である。図４は、図１の画素アレイ領域２内の４つの画素１の全体および１２個の画素１の一部の横断面を示している。図５に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、複数の光電変換部１２を備えており、画素分離部２２は、これらの光電変換部１２を各光電変換部１２ごとに環状に包囲する網目状の平面形状を有している。よって、各光電変換部１２は、Ｙ方向に互いに隣接する２つの第１線状部分２２ａ間に設けられており、かつ、Ｘ方向に互いに隣接する２つの第２線状部分２２ｂ間に設けられている。

　引き続き図２のＡを参照して、本実施形態の固体撮像装置の構造を説明する。　
　遮光膜２５は、半導体基板１１外にて画素分離部２２上に設けられている。遮光膜２５は例えば、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）、またはＣｕ（銅）といった金属元素を含む膜であり、光を遮光する作用を有している。遮光膜２５は、遮光膜２４と同時に形成されてもよい。

　平坦化膜２６は、半導体基板１１の裏面（上面）を覆うように半導体基板１１上に遮光膜２５を介して形成されており、これにより半導体基板１１の裏面上の面が平坦となっている。平坦化膜２６は例えば、樹脂膜などの有機膜である。

　カラーフィルタ２７は、所定の波長の光を透過させる作用を有し、平坦化膜２６上に各画素１ごとに形成されている。例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）用のカラーフィルタ２７がそれぞれ、赤色、緑色、青色の画素１の光電変換部１２の上方に配置されている。さらに、赤外光用のカラーフィルタ２７が、赤外光の画素１の光電変換部１２の上方に配置されていてもよい。カラーフィルタ２７を透過した光は、平坦化膜２６を介して光電変換部１２に入射する。

　オンチップレンズ２８は、入射した光を集光する作用を有し、カラーフィルタ２７上に各画素１ごとに形成されている。オンチップレンズ２８により集光された光は、カラーフィルタ２７と平坦化膜２６とを介して光電変換部１２に入射する。本実施形態の各オンチップレンズ２８は、光が透過する材料で形成されており、オンチップレンズ２７同士は、この材料を介して互いにつながっている。

　基板３１は、半導体基板１１の表面（下面）に絶縁層３２を介して設けられており、例えば、半導体基板１１の強度を確保するために設けられている。基板３１は例えば、シリコン基板などの半導体基板である。本実施形態の基板３１は、｛１００｝面である表面および裏面を有しており、かつ、＜１１０＞ノッチ基板（０°ノッチ基板）となっている。絶縁層３２は例えば、酸化シリコン膜とその他の絶縁膜とを含む積層膜である。

　本実施形態では、オンチップレンズ２８に入射した光が、オンチップレンズ２８により集光され、カラーフィルタ２７を透過し、光電変換部１２へと入射する。光電変換部１２は、この光を光電変換により電荷に変換して、信号電荷を生成する。信号電荷は、図１の垂直信号線８を介して、画素信号として出力される。

　図６から図８は、第１実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。

　まず、半導体基板１１内に、各光電変換部１２のｎ型半導体領域１３とｐ型半導体領域１４とを形成し、半導体基板１１上に、絶縁層３２を形成する（図６のＡ）。このようにして、半導体基板１１内に複数の光電変換部１２が形成される。図６のＡに示す工程は、半導体基板１１の表面を上向きにし、半導体基板１１の裏面を下向きにした状態で行われる。

　次に、半導体基板１１の上下を反転させる（図６のＢ）。その結果、半導体基板１１の表面が下向きになり、半導体基板１１の裏面が上向きになる。次に、基板３１の表面（上面）に、絶縁層３２を介して半導体基板１１を接着する（図６のＢ）。

　次に、半導体基板１１内にドライエッチングにより画素分離溝２１を形成する（図７のＡ）。本実施形態の画素分離溝２１は、半導体基板１１を貫通して絶縁層３２に到達するように形成される。また、本実施形態の画素分離溝２１は、上記複数の光電変換部１２を各光電変換部１２ごとに環状に包囲する網目状の平面形状を有するように形成され、互いに隣接する光電変換部１２間に形成される。

　次に、画素分離溝２１内に絶縁膜２３と遮光膜２４とを順に形成する（図７のＢ）。これにより、絶縁膜２３と遮光膜２４とを含む画素分離部２２が、画素分離溝２１内に形成される。絶縁膜２３は、画素分離溝２１の側面および底面に形成され、遮光膜２４は、画素分離溝２１の側面および底面に絶縁膜２３を介して形成される。

　本実施形態の半導体基板１１は、＜１００＞ノッチ基板であるため、画素分離溝２１内の半導体基板１１の側面が、｛１００｝面となる。よって、本実施形態によれば、画素分離溝２１内の半導体基板１１の側面に絶縁膜２３を酸化により形成することで、薄い膜厚を有する第１部分２３ａと、厚い膜厚を有する第２部分２３ｂとを含む絶縁膜２３を形成することができる（図２のＣを参照）。

　次に、半導体基板１１上に、遮光膜２５と平坦化膜２６とを順に形成する（図８のＡ）。遮光膜２５は、画素分離部２２上に形成され、平坦化膜２６は、半導体基板１１上に遮光膜２５を覆うように形成される。

　次に、各光電変換部１２の上方において、平坦化膜２６上にカラーフィルタ２７とオンチップレンズ２８とを順に形成する（図８のＢ）。その後、半導体基板１１をダイシング領域１１ｂで切断することで、半導体基板１１が個々のチップ領域１１ａへと分割される（図２のＢを参照）。このようにして、本実施形態の固体撮像装置が製造される。

　以上のように、本実施形態の画素分離部２２は、｛１００｝面である半導体基板１１の側面に絶縁膜２３を形成することで形成される。よって、本実施形態によれば、例えば絶縁膜２３の薄膜化により画素分離部２２のサイズを縮小することが可能となるなど、画素分離溝２１内に好適に画素分離部２２を形成することが可能となる。

　なお、本実施形態の半導体基板１１は、その表面や裏面や｛１００｝面であるＳｉ｛１００｝基板であり、＋Ｙ方向が＜１１０＞方向である＜１１０＞ノッチ基板である。以下、上記の符号｛ｘｙｚ｝や符号＜ｘｙｚ＞の意味について、Ｓｉ｛１１１｝基板と＜１１０＞方向とを例として補足する。

　本開示におけるＳｉ｛１１１｝基板とは、シリコン単結晶からなり、ミラー指数の表記において｛１１１｝で表される結晶面を有する基板またはウェハである。本開示におけるＳｉ｛１１１｝基板は、結晶方位が数度ずれた、例えば｛１１１｝面から最近接の［１１０］方向へ数度ずれた基板またはウェハも含む。さらに、これらの基板またはウェハ上の一部または全面にエピタキシャル法等によりシリコン単結晶を成長させたものをも含む。

　また、本開示の表記において｛１１１｝面は、対称性において互いに等価な結晶面である（１１１）面、（－１１１）面、（１－１１）面、（１１－１）面、（－１－１１）面、（－１１－１）面、（１－１－１）面および（－１－１－１）面の総称である。したがって、本開示の明細書等におけるＳｉ｛１１１｝基板という記載を、例えばＳｉ（１－１１）基板と読み替えてもよい。ここで、ミラー指数の負方向の指数を表記するためのバー符号はマイナス符号で代用している。

　また、本開示の記載における＜１１０＞方向は、対称性において互いに等価な結晶面方向である［１１０］方向、［１０１］方向、［０１１］方向、［－１１０］方向、［１－１０］方向、［－１０１］方向、［１０－１］方向、［０－１１］方向、［０１－１］方向、［－１－１０］方向、［－１０－１］方向および［０－１－１］方向の総称であり、いずれかに読み替えてもよい。

　（第２実施形態）
　図９は、第２実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。

　図９のＡは、図２のＡと同様に、図１の画素アレイ領域２内の１つの画素１の縦断面を示している。図９のＢは、図２のＢと同様に、ダイシング前の基板（ウェハ）１１の構造を示す平面図である。図９のＣは、図２のＣと同様に、画素分離溝２１や画素分離部２２の構造を示す横断面図である。

　本実施形態の固体撮像装置は、図９のＡからＣに示すように、第１実施形態の固体撮像装置と同じ構成要素を備えている。ただし、本実施形態の画素分離溝２１は、半導体基板１１の裏面（上面）側に、半導体基板１１を貫通しないように設けられている。本実施形態の構造は例えば、画素分離溝２１が半導体基板１１を貫通する必要がない場合や、画素分離溝２１が半導体基板１１を貫通しないことが望ましい場合に採用可能である。本実施形態の固体撮像装置は例えば、図７のＡに示す工程で、半導体基板１１を貫通しない画素分離溝２１を形成することで製造される。

　なお、本実施形態の画素分離溝２１は、半導体基板１１を貫通している部分と、半導体基板１１を貫通していない部分の両方を含んでいてもよい。

　（第３実施形態）
　図１０は、第３実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。

　図１０のＡは、図２のＡと同様に、図１の画素アレイ領域２内の１つの画素１の縦断面を示している。本実施形態の固体撮像装置は、第１実施形態の固体撮像装置の構成要素に加え、半導体基板３３と、絶縁層３４と、トランジスタＴｒ１のゲート電極３５と、トランジスタＴｒ２のゲート電極３６と、プラグ４１と、絶縁膜４２と、プラグ４３と、配線層４４とを備えている。また、絶縁層３２は、トランジスタＴｒ１のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜３２ａと、層間絶縁膜３２ｂとを含み、絶縁層３４は、トランジスタＴｒ２のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜３４ａと、層間絶縁膜３４ｂとを含んでいる。絶縁層３２は、本開示の第１絶縁層の例であり、半導体基板３３は、本開示の第２半導体基板の例である。本実施形態の固体撮像装置はさらに、半導体基板３３、絶縁層３４、ゲート電極３６、プラグ４１、絶縁膜４２、プラグ４３、および配線層４４を含む基板３３’を備えている。基板３３’は、本開示の第２基板の例である。

　以下、図１０のＡを参照して、本実施形態の固体撮像装置の構造について説明する。この説明の中で、図１０のＢも適宜参照する。図１０のＢは、半導体基板３３やゲート電極３６の構造を示す平面図である。

　絶縁層３２は、半導体基板１１の表面（下面）に順に設けられた絶縁膜３２ａおよび層間絶縁膜３２ｂを含んでいる。絶縁膜３２ａは例えば、酸化シリコン膜である。層間絶縁膜３２ｂは例えば、酸化シリコン膜とその他の絶縁膜とを含む積層膜である。半導体基板３３は、絶縁層３２の下面に設けられている。半導体基板３３は例えば、シリコン基板である。絶縁層３４は、半導体基板３３の表面（下面）に順に設けられた絶縁膜３４ａおよび層間絶縁膜３４ｂを含んでいる。絶縁膜３４ａは例えば、酸化シリコン膜である。層間絶縁膜３４ｂは例えば、酸化シリコン膜とその他の絶縁膜とを含む積層膜である。基板３１は、絶縁層３４の下面に設けられている。

　このように、本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１１および基板３１に加え、半導体基板３３を備えている。本実施形態の半導体基板１１は、第１実施形態の半導体基板１１と同様に、｛１００｝面である表面および裏面を有しており、かつ、＜１００＞ノッチ基板（４５°ノッチ基板）となっている。一方、本実施形態の半導体基板３３は、｛１００｝面である表面および裏面を有しており、かつ、＜１１０＞ノッチ基板（０°ノッチ基板）となっている。よって、本実施形態の半導体基板３３では、図３のＢに示す上記比較例の半導体基板１１と同様に、半導体基板３３内の＋Ｙ方向が、＜１１０＞方向となっている。

　トランジスタＴｒ１のゲート電極３５は、半導体基板１１の表面（下面）に絶縁膜３２ａを介して設けられており、層間絶縁膜３２ｂで覆われている。トランジスタＴｒ１は例えば、転送トランジスタなどの画素トランジスタである。ゲート電極３５は例えば、半導体層または金属層である。トランジスタＴｒ１はさらに、基板３１内に設けられたソース拡散層およびドレイン拡散層（不図示）を備えている。

　トランジスタＴｒ２のゲート電極３６は、半導体基板３３の表面（下面）に絶縁膜３４ａを介して設けられており、層間絶縁膜３４ｂで覆われている。トランジスタＴｒ２は例えば、増幅トランジスタなどの画素トランジスタである。ゲート電極３６は例えば、半導体層または金属層である。トランジスタＴｒ２はさらに、図１０のＢに示すように、半導体基板３３内に設けられたソース拡散層３３ａおよびドレイン拡散層３３ｂを備えている。

　本実施形態のトランジスタＴｒ２は、ｎ型平面トランジスタであり、Ｘ方向に並んだソース拡散層３３ａおよびドレイン拡散層３３ｂと、Ｙ方向に延びるゲート電極３６とを備えている（図１０のＢ）。よって、本実施形態のトランジスタＴｒ２のチャネル方向は、＋Ｘ方向となっており、＜１１０＞方向に平行となっている。

　ｎ型平面トランジスタの性能は、チャネル方向をシリコン基板の＜１１０＞方向に平行にすることで向上する。一方、本実施形態の半導体基板３３は、上述のように＜１１０＞ノッチ基板となっている。よって、本実施形態によれば、Ｘ方向に並んだソース拡散層３３ａおよびドレイン拡散層３３ｂを半導体基板３３内に形成することで、チャネル方向を＜１１０＞方向に平行にすることが可能となり、これによりトランジスタＴｒ２の性能を向上させることが可能となる。

　引き続き図１０のＡを参照して、本実施形態の固体撮像装置の構造を説明する。

　配線層４４は、層間絶縁膜３４ｂ内にてゲート電極３６の下方に設けられている。プラグ４３は、層間絶縁膜３４ｂ内に設けられており、配線層４４とゲート電極３６とを電気的に接続している。プラグ４１は、絶縁層３４、半導体基板３３、および絶縁層３２内に設けられており、配線層４４と半導体基板１１とを電気的に接続している。これにより、トランジスタＴｒ２が半導体基板１１と電気的に接続されている。なお、プラグ４１は、半導体基板３３内に絶縁膜４２を介して設けられている。

　以上のように、本実施形態の固体撮像装置は、＜１００＞ノッチ基板である半導体基板１１に加えて、＜１１０＞ノッチ基板である半導体基板３３を備えている。よって、本実施形態によれば、半導体基板１１内に画素分離部３２を好適に形成しつつ、半導体基板３３の表面にｎ型平面トランジスタ（トランジスタＴｒ２）を好適に形成することが可能となる。

　（第４実施形態）
　図１１は、第４実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。

　図１１のＡは、図１０のＡと同様に、図１の画素アレイ領域２内の１つの画素１の縦断面を示している。図１１のＢは、図１０のＢと同様に、半導体基板３３やゲート電極３６の構造を示す平面図である。

　本実施形態の固体撮像装置は、図１１のＡおよびＢに示すように、第３実施形態の固体撮像装置と同じ構成要素を備えている。ただし、本実施形態の半導体基板３３は、｛１００｝面である表面および裏面を有しており、かつ、＜１００＞ノッチ基板（４５°ノッチ基板）となっている。よって、本実施形態の半導体基板３３では、半導体基板３３内の＋Ｙ方向が、＜１００＞方向となっている。また、本実施形態のトランジスタＴｒ２は、フィン型トランジスタであり、トランジスタＴｒ２のゲート電極３６は、半導体基板３３外に設けられた平面部分３６ａと、半導体基板３３内に設けられた複数のフィン部分３６ｂとを含んでいる。

　本実施形態のトランジスタＴｒ２は、図１１のＢに示すように、複数のソース拡散層３３ａと複数のドレイン拡散層３３ｂとを半導体基板３３内に備えており、ソース拡散層３３ａとドレイン拡散層３３ｂとがＸ方向に並んでいる。また、本実施形態のゲート電極３６は、図１１のＢに示すように、複数のフィン部分３６ｂを半導体基板３３内に備えており、これらのフィン部分３６ｂがＹ方向に延びている。よって、本実施形態のトランジスタＴｒ２のチャネル方向は、＋Ｘ方向となっており、＜１００＞方向に平行となっており、かつ、本実施形態のトランジスタＴｒ２のフィン側壁は、Ｙ方向に延びる半導体基板３３の側面となっており、｛１００｝面となっている。

　フィン型トランジスタの性能は、フィン側壁をシリコン基板の｛１００｝面とすることで向上する。一方、本実施形態の半導体基板３３は、上述のように＜１００＞ノッチ基板となっている。よって、本実施形態によれば、Ｙ方向に延びるフィン部分３６ｂを半導体基板３３内に形成することで、フィン側壁を｛１００｝面とすることが可能となり、これによりトランジスタＴｒ２の性能を向上させることが可能となる。

　図１２は、第４実施形態の変形例の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。

　図１２のＡおよびＢはそれぞれ、図１１のＡおよびＢに対応している。本変形例の固体撮像装置は、第４実施形態の固体撮像装置から半導体基板３３および絶縁層３４を除いた構造を有しており、トランジスタＴｒ２が、半導体基板３３の表面ではなく半導体基板１１の表面に形成されている。よって、トランジスタＴｒ２のゲート絶縁膜は、絶縁膜３４ａから絶縁膜３２ａに置き換えられており、トランジスタＴｒ２の拡散層は、半導体基板３３内のソース拡散層３３ａおよびドレイン拡散層３３ｂから、半導体基板１１内のソース拡散層１１ｃおよびドレイン拡散層１１ｄに置き換えられている。本変形例によれば、半導体基板３３の代わりに半導体基板１１を使用することで、トランジスタＴｒ２の性能を向上させることが可能となる。

　以上のように、本実施形態の固体撮像装置は、＜１００＞ノッチ基板である半導体基板１１に加えて、＜１００＞ノッチ基板である半導体基板３３を備えている。よって、本実施形態によれば、半導体基板１１内に画素分離部３２を好適に形成しつつ、半導体基板３３の表面にフィン型トランジスタ（トランジスタＴｒ２）を好適に形成することが可能となる。なお、このフィン型トランジスタは、上記変形例のように半導体基板１１の表面に形成してもよい。

　（第５実施形態）
　図１３は、第５実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。

　図１３のＡは、図１０のＡと同様に、図１の画素アレイ領域２内の１つの画素１の縦断面を示している。図１３のＢは、図１０のＢと同様に、半導体基板３３やゲート電極３６の構造を示す平面図である。

　本実施形態の固体撮像装置は、図１３のＡおよびＢに示すように、第３実施形態の固体撮像装置と同じ構成要素を備えている。ただし、本実施形態の半導体基板３３は、｛１００｝面である表面および裏面を有しており、かつ、＜１００＞ノッチ基板（４５°ノッチ基板）となっている。よって、本実施形態の半導体基板３３では、半導体基板３３内の＋Ｙ方向が、＜１００＞方向となっている。

　本実施形態のトランジスタＴｒ２は、ｐ型平面トランジスタであり、Ｘ方向に並んだソース拡散層３３ａおよびドレイン拡散層３３ｂと、Ｙ方向に延びるゲート電極３６とを備えている（図１３のＢ）。よって、本実施形態のトランジスタＴｒ２のチャネル方向は、＋Ｘ方向となっており、＜１００＞方向に平行となっている。

　ｐ型平面トランジスタの性能は、チャネル方向をシリコン基板の＜１００＞方向に平行にすることで向上する。一方、本実施形態の半導体基板３３は、上述のように＜１００＞ノッチ基板となっている。よって、本実施形態によれば、Ｘ方向に並んだソース拡散層３３ａおよびドレイン拡散層３３ｂを半導体基板３３内に形成することで、チャネル方向を＜１００＞方向に平行にすることが可能となり、これによりトランジスタＴｒ２の性能を向上させることが可能となる。

　図１４は、第５実施形態の変形例の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。

　図１４のＡおよびＢはそれぞれ、図１３のＡおよびＢに対応している。本変形例の固体撮像装置は、第５実施形態の固体撮像装置から半導体基板３３および絶縁層３４を除いた構造を有しており、トランジスタＴｒ２が、半導体基板３３の表面ではなく半導体基板１１の表面に形成されている。よって、トランジスタＴｒ２のゲート絶縁膜は、絶縁膜３４ａから絶縁膜３２ａに置き換えられており、トランジスタＴｒ２の拡散層は、半導体基板３３内のソース拡散層３３ａおよびドレイン拡散層３３ｂから、半導体基板１１内のソース拡散層１１ｃおよびドレイン拡散層１１ｄに置き換えられている。本変形例によれば、半導体基板３３の代わりに半導体基板１１を使用することで、トランジスタＴｒ２の性能を向上させることが可能となる。

　以上のように、本実施形態の固体撮像装置は、＜１００＞ノッチ基板である半導体基板１１に加えて、＜１００＞ノッチ基板である半導体基板３３を備えている。よって、本実施形態によれば、半導体基板１１内に画素分離部３２を好適に形成しつつ、半導体基板３３の表面にｐ型平面トランジスタ（トランジスタＴｒ２）を好適に形成することが可能となる。なお、このｐ型平面トランジスタは、上記変形例のように半導体基板１１の表面に形成してもよい。

　（第６実施形態）
　図１５は、第６実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図と平面図である。

　図１５のＡは、図１０のＡと同様に、図１の画素アレイ領域２内の１つの画素１の縦断面を示している。図１５のＢは、図１０のＢと同様に、半導体基板３３やゲート電極３６の構造を示す平面図である。

　本実施形態の固体撮像装置は、図１５のＡおよびＢに示すように、第３実施形態の固体撮像装置と同じ構成要素を備えている。ただし、本実施形態の半導体基板３３は、｛１００｝面である表面および裏面を有しており、かつ、＜１１０＞ノッチ基板（０°ノッチ基板）となっている。よって、本実施形態の半導体基板３３では、半導体基板３３内の＋Ｙ方向が、＜１１０＞方向となっている。また、本実施形態のトランジスタＴｒ２は、フィン型トランジスタであり、トランジスタＴｒ２のゲート電極３６は、半導体基板３３外に設けられた平面部分３６ａと、半導体基板３３内に設けられた複数のフィン部分３６ｂとを含んでいる。

　本実施形態のトランジスタＴｒ２は、図１５のＢに示すように、複数のソース拡散層３３ａと複数のドレイン拡散層３３ｂとを半導体基板３３内に備えており、ソース拡散層３３ａとドレイン拡散層３３ｂとが、＋Ｘ方向に対して＋４５°傾いた方向に並んでいる。また、本実施形態のゲート電極３６は、図１５のＢに示すように、複数のフィン部分３６ｂを半導体基板３３内に備えており、これらのフィン部分３６ｂが、＋Ｙ方向に対して＋４５°傾いた方向に延びている。よって、本実施形態のトランジスタＴｒ２のチャネル方向は、＋Ｘ方向に対して＋４５°傾いた方向となっており、＜１００＞方向に平行となっており、かつ、本実施形態のトランジスタＴｒ２のフィン側壁は、＋Ｙ方向に対して＋４５°傾いた方向に延びる半導体基板３３の側面となっており、｛１００｝面となっている。

　フィン型トランジスタの性能は、フィン側壁をシリコン基板の｛１００｝面とすることで向上する。一方、本実施形態の半導体基板３３は、上述のように＜１１０＞ノッチ基板となっている。よって、本実施形態によれば、上記の方向に延びるフィン部分３６ｂを半導体基板３３内に形成することで、フィン側壁を｛１００｝面とすることが可能となり、これによりトランジスタＴｒ２の性能を向上させることが可能となる。

　本実施形態の各画素１の平面形状は、Ｘ方向に延びる２つの辺と、Ｙ方向に延びる２つの辺とを有する正方形（または長方形）となっている。第４実施形態のトランジスタＴｒ２のようにフィン部分３６ｂがＹ方向に延びる場合、フィン部分３６ｂの長さは最大で、各画素１の平面形状の一辺の長さ程度となる。一方、本実施形態のトランジスタＴｒ２のようにフィン部分３６ｂが斜め方向に延びる場合、フィン部分３６ｂの長さは最大で、各画素１の平面形状の一辺の長さの√２倍程度となる。このように、本実施形態によれば、フィン部分３６ｂの長さを長くすることが可能となり、これによりトランジスタＴｒ２の性能をさらに向上させることが可能となる。

　以上のように、本実施形態の固体撮像装置は、＜１００＞ノッチ基板である半導体基板１１に加えて、＜１１０＞ノッチ基板である半導体基板３３を備えている。よって、本実施形態によれば、半導体基板１１内に画素分離部３２を好適に形成しつつ、半導体基板３３の表面にフィン型トランジスタ（トランジスタＴｒ２）を好適に形成することが可能となる。

　なお、本実施形態のトランジスタＴｒ２のチャネル方向は、＋Ｘ方向に対して＋θだけ傾いた方向となっていてもよい（０°＜θ＜９０°）。また、本実施形態のフィン部分３６ｂは、＋Ｙ方向に対して＋θだけ傾いた方向に延びていてもよい。このθの値は、４５°以外の角度でもよい。

　（応用例）
　図１６は、電子機器の構成例を示すブロック図である。図１６に示す電気機器は、カメラ１００である。

　カメラ１００は、レンズ群などを含む光学部１０１と、第１～第６実施形態のいずれかの固体撮像装置である撮像装置１０２と、カメラ信号処理回路であるＤＳＰ（Digital Signal Processor）回路１０３と、フレームメモリ１０４と、表示部１０５と、記録部１０６と、操作部１０７と、電源部１０８とを備えている。また、ＤＳＰ回路１０３、フレームメモリ１０４、表示部１０５、記録部１０６、操作部１０７、および電源部１０８は、バスライン１０９を介して相互に接続されている。

　光学部１０１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで、撮像装置１０２の撮像面上に結像する。撮像装置１０２は、光学部１０１により撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して、画素信号として出力する。

　ＤＳＰ回路１０３は、撮像装置１０２により出力された画素信号について信号処理を行う。フレームメモリ１０４は、撮像装置１０２で撮像された動画または静止画の１画面を記憶しておくためのメモリである。

　表示部１０５は、例えば液晶パネルや有機ＥＬパネルなどのパネル型表示装置を含んでおり、撮像装置１０２で撮像された動画または静止画を表示する。記録部１０６は、撮像装置１０２で撮像された動画または静止画を、ハードディスクや半導体メモリなどの記録媒体に記録する。

　操作部１０７は、ユーザによる操作の下に、カメラ１００が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部１０８は、ＤＳＰ回路１０３、フレームメモリ１０４、表示部１０５、記録部１０６、および操作部１０７の動作電源となる各種の電源を、これらの供給対象に対して適宜供給する。

　撮像装置１０２として、第１～第６実施形態のいずれかの固体撮像装置を使用することで、良好な画像の取得が期待できる。

　当該固体撮像装置は、その他の様々な製品に応用することができる。例えば、当該固体撮像装置は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボットなどの種々の移動体に搭載されてもよい。

　図１７は、移動体制御システムの構成例を示すブロック図である。図１７に示す移動体制御システムは、車両制御システム２００である。

　車両制御システム２００は、通信ネットワーク２０１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１７に示した例では、車両制御システム２００は、駆動系制御ユニット２１０と、ボディ系制御ユニット２２０と、車外情報検出ユニット２３０と、車内情報検出ユニット２４０と、統合制御ユニット２５０とを備えている。図１７はさらに、統合制御ユニット２５０の構成部として、マイクロコンピュータ２５１と、音声画像出力部２５２と、車載ネットワークＩ／Ｆ（Interface）２５３とを示している。

　駆動系制御ユニット２１０は、各種プログラムに従って、車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット２１０は、内燃機関や駆動用モータなどの車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置や、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構や、車両の舵角を調節するステアリング機構や、車両の制動力を発生させる制動装置などの制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット２２０は、各種プログラムに従って、車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット２２０は、スマートキーシステム、キーレスエントリシステム、パワーウィンドウ装置、各種ランプ（例えば、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー、フォグランプ）などの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット２２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波または各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット２２０は、このような電波または信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプなどを制御する。

　車外情報検出ユニット２３０は、車両制御システム２００を搭載した車両の外部の情報を検出する。車外情報検出ユニット２３０には、例えば撮像部２３１が接続される。車外情報検出ユニット２３０は、撮像部２３１に車外の画像を撮像させると共に、撮像された画像を撮像部２３１から受信する。車外情報検出ユニット２３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識、路面上の文字などの物体検出処理または距離検出処理を行ってもよい。

　撮像部２３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部２３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。撮像部２３１が受光する光は、可視光であってもよいし、赤外線などの非可視光であってもよい。撮像部２３１は、第１～第６実施形態のいずれかの固体撮像装置を含んでいる。

　車内情報検出ユニット２４０は、車両制御システム２００を搭載した車両の内部の情報を検出する。車内情報検出ユニット２４０には例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部２４１が接続される。例えば、運転者状態検出部２４１は、運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット２４０は、運転者状態検出部２４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合いまたは集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。このカメラは、第１～第６実施形態のいずれかの固体撮像装置を含んでいてもよく、例えば、図１６に示すカメラ１００でもよい。

　マイクロコンピュータ２５１は、車外情報検出ユニット２３０または車内情報検出ユニット２４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構、または制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット２１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ２５１は、車両の衝突回避、衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、衝突警告、レーン逸脱警告などのＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ２５１は、車外情報検出ユニット２３０または車内情報検出ユニット２４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構、または制動装置を制御することにより、運転者の操作によらずに自律的に走行する自動運転などを目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ２５１は、車外情報検出ユニット２３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット２２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ２５１は、車外情報検出ユニット２３０で検知した先行車または対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替えるなどの防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部２５２は、車両の搭乗者または車外に対して視覚的または聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置に、音声および画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１７の例では、このような出力装置として、オーディオスピーカ２６１、表示部２６２、およびインストルメントパネル２６３が示されている。表示部２６２は例えば、オンボードディスプレイまたはヘッドアップディスプレイを含んでいてもよい。

　図１８は、図１７の撮像部２３１の設定位置の具体例を示す平面図である。

　図１８に示す車両３００は、撮像部２３１として、撮像部３０１、３０２、３０３、３０４、３０５を備えている。撮像部３０１、３０２、３０３、３０４、３０５は例えば、車両３００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア、車室内のフロントガラスの上部などの位置に設けられる。

　フロントノーズに備えられる撮像部３０１は、主として車両３００の前方の画像を取得する。左のサイドミラーに備えられる撮像部３０２と、右のサイドミラーに備えられる撮像部３０３は、主として車両３００の側方の画像を取得する。リアバンパまたはバックドアに備えられる撮像部３０４は、主として車両３００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部３０５は、主として車両３００の前方の画像を取得する。撮像部３０５は例えば、先行車両、歩行者、障害物、信号機、交通標識、車線などの検出に用いられる。

　図１８は、撮像部３０１、３０２、３０３、３０４（以下「撮像部３０１～３０４」と表記する）の撮像範囲の例を示している。撮像範囲３１１は、フロントノーズに設けられた撮像部３０１の撮像範囲を示す。撮像範囲３１２は、左のサイドミラーに設けられた撮像部３０２の撮像範囲を示す。撮像範囲３１３は、右のサイドミラーに設けられた撮像部３０３の撮像範囲を示す。撮像範囲３１４は、リアバンパまたはバックドアに設けられた撮像部３０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部３０１～３０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両３００を上方から見た俯瞰画像が得られる。以下、撮像範囲３１１、３１２、３１３、３１４を「撮像範囲３１１～３１４」と表記する。

　撮像部３０１～３０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部３０１～３０４の少なくとも１つは、複数の撮像装置を含むステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像装置であってもよい。

　例えば、マイクロコンピュータ２５１（図１７）は、撮像部３０１～３０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲３１１～３１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両３００に対する相対速度）を算出する。マイクロコンピュータ２５１は、これらの算出結果に基づいて、車両３００の進行路上にある最も近い立体物で、車両３００とほぼ同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を、先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ２５１は、先行車の手前にあらかじめ確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように、この例によれば、運転者の操作によらずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ２５１は、撮像部３０１～３０４から得られた距離情報を基に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ２５１は、車両３００の周辺の障害物を、車両３００のドライバが視認可能な障害物と、視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ２５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ２６１や表示部２６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット２１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　撮像部３０１～３０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ２５１は、撮像部３０１～３０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで、歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は例えば、赤外線カメラとしての撮像部３０１～３０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順により行われる。マイクロコンピュータ２５１が、撮像部３０１～３０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部２５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部２６２を制御する。また、音声画像出力部２５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部２６２を制御してもよい。

　図１９は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。

　図１９では、術者（医師）５３１が、内視鏡手術システム４００を用いて、患者ベッド５３３上の患者５３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム４００は、内視鏡５００と、気腹チューブ５１１やエネルギー処置具５１２等の、その他の術具５１０と、内視鏡５００を支持する支持アーム装置５２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート６００と、から構成される。

　内視鏡５００は、先端から所定の長さの領域が患者５３２の体腔内に挿入される鏡筒５０１と、鏡筒５０１の基端に接続されるカメラヘッド５０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒５０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡５００を図示しているが、内視鏡５００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。

　鏡筒５０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡５００には光源装置６０３が接続されており、当該光源装置６０３によって生成された光が、鏡筒５０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者５３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡５００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。

　カメラヘッド５０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ：　Ｃａｍｅｒａ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｕｎｉｔ）６０１に送信される。

　ＣＣＵ６０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡５００及び表示装置６０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ６０１は、カメラヘッド５０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。

　表示装置６０２は、ＣＣＵ６０１からの制御により、当該ＣＣＵ６０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。

　光源装置６０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡５００に供給する。

　入力装置６０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置６０４を介して、内視鏡手術システム４００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡５００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。

　処置具制御装置６０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具５１２の駆動を制御する。気腹装置６０６は、内視鏡５００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者５３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ５１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ６０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ６０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。

　なお、内視鏡５００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置６０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置６０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド５０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。

　また、光源装置６０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド５０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。

　また、光源装置６０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Ｎａｒｒｏｗ　Ｂａｎｄ　Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置６０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。

　図２０は、図１９に示すカメラヘッド５０２及びＣＣＵ６０１の機能構成の一例を示すブロック図である。

　カメラヘッド５０２は、レンズユニット７０１と、撮像部７０２と、駆動部７０３と、通信部７０４と、カメラヘッド制御部７０５と、を有する。ＣＣＵ６０１は、通信部７１１と、画像処理部７１２と、制御部７１３と、を有する。カメラヘッド５０２とＣＣＵ６０１とは、伝送ケーブル７００によって互いに通信可能に接続されている。

　レンズユニット７０１は、鏡筒５０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒５０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド５０２まで導光され、当該レンズユニット７０１に入射する。レンズユニット７０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。

　撮像部７０２は、撮像素子で構成される。撮像部７０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部７０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部７０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者５３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部７０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット７０１も複数系統設けられ得る。撮像部７０２は、例えば第１～第６実施形態のいずれかの固体撮像装置である。

　また、撮像部７０２は、必ずしもカメラヘッド５０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部７０２は、鏡筒５０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。

　駆動部７０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部７０５からの制御により、レンズユニット７０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部７０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。

　通信部７０４は、ＣＣＵ６０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部７０４は、撮像部７０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル７００を介してＣＣＵ６０１に送信する。

　また、通信部７０４は、ＣＣＵ６０１から、カメラヘッド５０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部７０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。

　なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ６０１の制御部７１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Ａｕｔｏ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（Ａｕｔｏ　Ｆｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（Ａｕｔｏ　Ｗｈｉｔｅ　Ｂａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡５００に搭載されていることになる。

　カメラヘッド制御部７０５は、通信部７０４を介して受信したＣＣＵ６０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド５０２の駆動を制御する。

　通信部７１１は、カメラヘッド５０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部７１１は、カメラヘッド５０２から、伝送ケーブル７００を介して送信される画像信号を受信する。

　また、通信部７１１は、カメラヘッド５０２に対して、カメラヘッド５０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。

　画像処理部７１２は、カメラヘッド５０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。

　制御部７１３は、内視鏡５００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部７１３は、カメラヘッド５０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。

　また、制御部７１３は、画像処理部７１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置６０２に表示させる。この際、制御部７１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部７１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具５１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部７１３は、表示装置６０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者５３１に提示されることにより、術者５３１の負担を軽減することや、術者５３１が確実に手術を進めることが可能になる。

　カメラヘッド５０２及びＣＣＵ６０１を接続する伝送ケーブル７００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。

　ここで、図示する例では、伝送ケーブル７００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド５０２とＣＣＵ６０１との間の通信は無線で行われてもよい。

　以上、本開示の実施形態について説明したが、これらの実施形態は、本開示の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の変更を加えて実施してもよい。例えば、２つ以上の実施形態を組み合わせて実施してもよい。

　なお、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。

　（１）
　第１半導体基板を含む第１基板と、
　前記第１半導体基板内に設けられた複数の光電変換部と、
　前記第１半導体基板内で前記光電変換部間に設けられた画素分離部とを備え、
　前記画素分離部の側面と前記第１半導体基板との界面は、｛１００｝面を有する、固体撮像装置。

　（２）
　前記画素分離部は、絶縁膜を含む、（１）に記載の固体撮像装置。

　（３）
　前記画素分離部はさらに、遮光膜を含む、（２）に記載の固体撮像装置。

　（４）
　前記絶縁膜は、前記第１半導体基板に含まれる元素と、酸素とを含む、（２）に記載の固体撮像装置。

　（５）
　前記絶縁膜は、平面視で第１の膜厚を有する第１部分と、前記画素分離部の角部に設けられ、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する第２部分とを含む、（２）に記載の固体撮像装置。

　（６）
　前記画素分離部は、平面視で前記第１半導体基板の表面に平行な第１方向に延びる複数の第１部分と、前記第１半導体基板の表面に平行な第２方向に延びる複数の第２部分とを含む、（１）に記載の固体撮像装置。

　（７）
　前記平面視は、前記第１半導体基板の光入射面を視た状態に当たる、（５）に記載の固体撮像装置。

　（８）
　前記第１または第２方向は、前記第１半導体基板の＜１００＞方向と平行である、（６）に記載の固体撮像装置。

　（９）
　前記画素分離部は、前記第１半導体基板を貫通する画素分離溝内に設けられている、（１）に記載の固体撮像装置。

　（１０）
　前記画素分離部は、前記第１半導体基板を貫通しない画素分離溝内に設けられている、（１）に記載の固体撮像装置。

　（１１）
　前記第１基板の光入射面とは反対側に設けられた第１絶縁層と、
　前記第１絶縁層と対向するように設けられた第２半導体基板を含む第２基板とをさらに備え、
　前記第２基板は、トランジスタを含む、（１）に記載の固体撮像装置。

　（１２）
　前記画素分離部は、平面視で前記第１半導体基板の表面に平行な第１方向に延びる複数の第１部分と、前記第１半導体基板の表面に平行な第２方向に延びる複数の第２部分とを含む、（１１）に記載の固体撮像装置。

　（１３）
　前記第１または第２方向は、前記第２半導体基板の＜１１０＞方向に平行であり、
　前記トランジスタは、＜１１０＞方向に平行なチャネル方向を有するｎ型平面トランジスタである、（１２）に記載の固体撮像装置。

　（１４）
　前記第１または第２方向は、前記第２半導体基板の＜１００＞方向に平行であり、
　前記トランジスタは、前記第２半導体基板の｛１００｝面であるフィン側壁を有し、前記第１または第２方向に平行なチャネル方向を有するフィン型トランジスタである、（１２）に記載の固体撮像装置。

　（１５）
　前記第１または第２方向は、前記第２半導体基板の＜１００＞方向に平行であり、
　前記トランジスタは、＜１００＞方向に平行なチャネル方向を有するｐ型平面トランジスタである、（１２）に記載の固体撮像装置。

　（１６）
　前記第１または第２方向は、前記第２半導体基板の＜１１０＞方向に平行であり、
　前記トランジスタは、前記第２半導体基板の｛１００｝面であるフィン側壁を有し、前記第１および第２方向に非平行なチャネル方向を有するフィン型トランジスタである、（１２）に記載の固体撮像装置。

　（１７）
　第１半導体基板を含む第１基板と、
　前記第１半導体基板内に設けられた複数の光電変換部と、
　前記第１半導体基板内で前記光電変換部間に設けられた画素分離部とを備え、
　前記画素分離部は、絶縁膜を含み、
　前記絶縁膜は、平面視で第１の膜厚を有する第１部分と、前記画素分離部の角部に設けられ、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する第２部分とを含む、固体撮像装置。

　（１８）
　第１基板の第１半導体基板内に複数の光電変換部を形成し、
　前記第１半導体基板内で前記光電変換部間に画素分離部を形成する、
　ことを含み、
　前記画素分離部は、前記画素分離部の側面と前記第１半導体基板との界面が、｛１００｝面を有するように形成される、固体撮像装置の製造方法。

　（１９）
　前記画素分離部は、絶縁膜を含むように形成される、（１８）に記載の固体撮像装置の製造方法。

　（２０）
　前記絶縁膜は、平面視で第１の膜厚を有する第１部分と、前記画素分離部の角部に設けられ、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する第２部分とを含むように形成される、（１９）に記載の固体撮像装置の製造方法。

　１：画素、２：画素アレイ領域、３：制御回路、
　４：垂直駆動回路、５：カラム信号処理回路、６：水平駆動回路、
　７：出力回路、８：垂直信号線、９：水平信号線、
　１１：半導体基板、１１’：基板、１１ａ：チップ領域、１１ｂ：ダイシング領域、
　１１ｃ：ソース拡散層、１１ｄ：ドレイン拡散層、
　１２：光電変換部、１３：ｎ型半導体領域、１４：ｐ型半導体領域、
　２１：画素分離溝、２１ａ：第１線状部分、２１ｂ：第２線状部分、
　２２：画素分離部、２２ａ：第１線状部分、２２ｂ：第２線状部分、
　２３：絶縁膜、２３ａ：第１部分、２３ｂ：第２部分、２４：遮光膜、
　２５：遮光膜、２６：平坦化膜、２７：カラーフィルタ、２８：オンチップレンズ、
　３１：基板、３２：絶縁層、３２ａ：絶縁膜、３２ｂ：層間絶縁膜、
　３３：半導体基板、３３’：基板、３３ａ：ソース拡散層、３３ｂ：ドレイン拡散層、
　３４：絶縁層、３４ａ：絶縁膜、３４ｂ：層間絶縁膜、
　３５：ゲート電極、３６：ゲート電極、３６ａ：平面部分、３６ｂ：フィン部分、
　４１：プラグ、４２：絶縁膜、４３：プラグ、４４：配線層

Claims

　第１半導体基板を含む第１基板と、
　前記第１半導体基板内に設けられた複数の光電変換部と、
　前記第１半導体基板内で前記光電変換部間に設けられた画素分離部とを備え、
　前記画素分離部の側面と前記第１半導体基板との界面は、｛１００｝面を有する、固体撮像装置。
　前記画素分離部は、絶縁膜を含む、請求項１に記載の固体撮像装置。
　前記画素分離部はさらに、遮光膜を含む、請求項２に記載の固体撮像装置。
　前記絶縁膜は、前記第１半導体基板に含まれる元素と、酸素とを含む、請求項２に記載の固体撮像装置。
　前記絶縁膜は、平面視で第１の膜厚を有する第１部分と、前記画素分離部の角部に設けられ、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する第２部分とを含む、請求項２に記載の固体撮像装置。
　前記画素分離部は、平面視で前記第１半導体基板の表面に平行な第１方向に延びる複数の第１部分と、前記第１半導体基板の表面に平行な第２方向に延びる複数の第２部分とを含む、請求項１に記載の固体撮像装置。
　前記平面視は、前記第１半導体基板の光入射面を視た状態に当たる、請求項５に記載の固体撮像装置。
　前記第１または第２方向は、前記第１半導体基板の＜１００＞方向と平行である、請求項６に記載の固体撮像装置。
　前記画素分離部は、前記第１半導体基板を貫通する画素分離溝内に設けられている、請求項１に記載の固体撮像装置。
　前記画素分離部は、前記第１半導体基板を貫通しない画素分離溝内に設けられている、請求項１に記載の固体撮像装置。
　前記第１基板の光入射面とは反対側に設けられた第１絶縁層と、
　前記第１絶縁層と対向するように設けられた第２半導体基板を含む第２基板とをさらに備え、
　前記第２基板は、トランジスタを含む、請求項１に記載の固体撮像装置。
　前記画素分離部は、平面視で前記第１半導体基板の表面に平行な第１方向に延びる複数の第１部分と、前記第１半導体基板の表面に平行な第２方向に延びる複数の第２部分とを含む、請求項１１に記載の固体撮像装置。
　前記第１または第２方向は、前記第２半導体基板の＜１１０＞方向に平行であり、
　前記トランジスタは、＜１１０＞方向に平行なチャネル方向を有するｎ型平面トランジスタである、請求項１２に記載の固体撮像装置。
　前記第１または第２方向は、前記第２半導体基板の＜１００＞方向に平行であり、
　前記トランジスタは、前記第２半導体基板の｛１００｝面であるフィン側壁を有し、前記第１または第２方向に平行なチャネル方向を有するフィン型トランジスタである、請求項１２に記載の固体撮像装置。
　前記第１または第２方向は、前記第２半導体基板の＜１００＞方向に平行であり、
　前記トランジスタは、＜１００＞方向に平行なチャネル方向を有するｐ型平面トランジスタである、請求項１２に記載の固体撮像装置。
　前記第１または第２方向は、前記第２半導体基板の＜１１０＞方向に平行であり、
　前記トランジスタは、前記第２半導体基板の｛１００｝面であるフィン側壁を有し、前記第１および第２方向に非平行なチャネル方向を有するフィン型トランジスタである、請求項１２に記載の固体撮像装置。
　第１半導体基板を含む第１基板と、
　前記第１半導体基板内に設けられた複数の光電変換部と、
　前記第１半導体基板内で前記光電変換部間に設けられた画素分離部とを備え、
　前記画素分離部は、絶縁膜を含み、
　前記絶縁膜は、平面視で第１の膜厚を有する第１部分と、前記画素分離部の角部に設けられ、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する第２部分とを含む、固体撮像装置。
　第１基板の第１半導体基板内に複数の光電変換部を形成し、
　前記第１半導体基板内で前記光電変換部間に画素分離部を形成する、
　ことを含み、
　前記画素分離部は、前記画素分離部の側面と前記第１半導体基板との界面が、｛１００｝面を有するように形成される、固体撮像装置の製造方法。
　前記画素分離部は、絶縁膜を含むように形成される、請求項１８に記載の固体撮像装置の製造方法。
　前記絶縁膜は、平面視で第１の膜厚を有する第１部分と、前記画素分離部の角部に設けられ、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する第２部分とを含むように形成される、請求項１９に記載の固体撮像装置の製造方法。