WO2022244246A1

WO2022244246A1 - Ｉｃのノイズ耐量検出装置、ｉｃのノイズ耐量検出方法、およびｉｃの内部インピーダンス測定方法

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Publication number: WO2022244246A1
Application number: PCT/JP2021/019384
Authority: WO
Inventors: 佑介山梶; 将臣鷲野; 延是春名
Original assignee: 三菱電機株式会社
Priority date: 2021-05-21
Filing date: 2021-05-21
Publication date: 2022-11-24
Also published as: KR20230170949A; JP7053969B1; JPWO2022244246A1; CN117321429A; DE112021007695T5

Abstract

信号発生部（１０）は、異なる位相の第１の交流信号および第２の交流信号をノイズとして出力する。第１の同軸ケーブル（２１）は、第１の交流信号を伝送する。第２の同軸ケーブル（２２）は、第２の交流信号を伝送する。第１のプローブ（４０）は、第１の同軸ケーブル（２１）と接続され、プリント基板（５０）上のＩＣ（５１）に近接して配置され、第１の交流信号をＩＣ（５１）に印加する。第２のプローブ（４１）は、第２の同軸ケーブル（２２）と接続され、ＩＣ（５１）に近接して配置され、第２の交流信号をＩＣ（５１）に印加する。判定装置（７０）は、第１の交流信号および第２の交流信号の印加後のＩＣ（５１）の状態に基づいて、ＩＣ（５１）が誤動作しているか否かを判定する。

Description

ＩＣのノイズ耐量検出装置、ＩＣのノイズ耐量検出方法、およびＩＣの内部インピーダンス測定方法

　本開示は、ＩＣのノイズ耐量検出装置、ＩＣのノイズ耐量検出方法、およびＩＣの内部インピーダンス測定方法に関する。

　ＩＣ（Integrated　Circuit）の外部から伝搬してくる電磁ノイズによって、ＩＣが誤動作（瞬停や動作異常）または破壊されることが知られている。電磁ノイズを模擬した試験が行われて、ＩＣを含む機器の出荷前に誤動作または破壊の有無が調査されている。電磁ノイズを模擬した試験には、ＥＦＴ／Ｂ（Electrical　Fast　Transient／Burst）試験、ＥＳＤ（Electro　Static　Discharge）試験、伝導イミュニティ試験、放射イミュニティ試験、または雷サージ試験などがある。試験の結果規格を満足できない場合は、再設計が行われる。誤動作の原因であるＩＣの耐電磁ノイズ評価法には、ＩＥＣ（International　Electrotechnical　commission）621132の中のIEC62132-4によって定められているＤＰＩ（Direct　Power　Injection）法、またはIEC62132-9によって定められている表面走査法などがある。

　以下の４つの過程によって、ＩＣのノイズ耐量を検出するＩＣのノイズ耐量検出装置が知られている（例えば特許文献１を参照）。

　第１過程では、ＩＣのノイズ耐量検出装置は、ノイズ源が電子製品に備えられた伝送線路へ周波数を掃引しながらコモンモードノイズを注入する。

　第２過程では、ＩＣのノイズ耐量検出装置は、伝送線路を介して電子製品に備えられたデバイスの端子に注入されたコモンモードノイズの各周波数におけるノイズレベルを示す周波数特性を測定する。

　第３過程では、ＩＣのノイズ耐量検出装置は、デバイスに誤動作が発生する各ノイズ周波数におけるノイズレベルを示す耐久特性を取得する。

　第４過程では、ＩＣのノイズ耐量検出装置は、周波数特性と耐久特性とから電子製品に誤動作を発生させるコモンモードノイズの周波数帯を特定する。

　一方、測定系への影響が小さくなるように、非接触で測定対象となるＩＣにノイズを印加し、誤動作を確認する方法が知られている（例えば非特許文献１を参照）。

特開２０２０－３００７３号公報（６頁１５～２２行、図１）

Investigation　of　Semi－Rigid　Coaxial　Test　Probes　as　RF　Injection　Devices　for　Immunity　Tests　at　PCB　Level,　IEEE　open　Access,　VOLUME8,　2020

　ＩＣの誤動作条件を測定するためには、測定対象となるＩＣの端子に外部から信号を印加し、印加した信号の伝搬経路を定める必要がある。

　従来の非接触プローブを用いる手法では、電界または磁界を印加することができる。しかしながら、印加した電界または磁界によって生じる電流源または電圧源により、キルヒホッフの法則に従って電流のリターン経路が生じる。リターン経路は、空間の距離および構造などに依存する電界結合および磁界結合などの寄生成分によって生じる。よって、非接触プローブを配置するだけでは伝搬経路が定まらない。

　測定対象のＩＣに接触型プローブを接触させて、リターン経路を設けると伝搬経路を定めることができる。しかしながら、接触させることによって測定対象のＩＣの動作条件が変化するので、ＩＣの実際の動作状態における誤動作する条件（以下、誤動作条件）を正確に測定するのは困難である。

　それゆえに、本開示の目的は、ＩＣの誤動作条件を正確に測定することができるＩＣのノイズ耐量検出装置、ＩＣのノイズ耐量検出方法、およびＩＣの内部インピーダンス測定方法を提供することである。

　本開示のＩＣのノイズ耐量検出装置は、異なる位相の第１の交流信号および第２の交流信号をノイズとして出力する信号発生部と、第１の交流信号を伝送するための第１の同軸ケーブルと、第２の交流信号を伝送するための第２の同軸ケーブルと、第１の同軸ケーブルにおいて、信号発生部とは反対側の端部に接続され、プリント基板上のＩＣに近接して配置される第１のプローブと、第２の同軸ケーブルにおいて、信号発生部と反対側の端部に接続され、ＩＣに近接して配置される第２のプローブと、第１の交流信号および第２の交流信号を印加した後のＩＣまたは、ＩＣが実装された装置の動作状態に基づいて、ＩＣが誤動作しているか否かを判定する判定装置とを備える。

　本開示のＩＣのノイズ耐量検出装置は、異なる位相の第１の交流信号および第２の交流信号を出力する信号発生部と、各々が、第１の交流信号を伝送するための複数の第１の同軸ケーブルと、各々が、第２の交流信号を伝送するための複数の第２の同軸ケーブルと、各々が、対応する第１の同軸ケーブルと接続され、プリント基板上のＩＣに近接して配置され、第１の交流信号をＩＣに印加するための複数の第１のプローブと、各々が、対応する第２の同軸ケーブルと接続され、ＩＣに近接して配置され、第２の交流信号をＩＣに印加するための複数の第２のプローブと、各々が、ＩＣに近接して配置されて、ＩＣの出力信号を計測するための複数の第３のプローブと、各々が、対応する第３のプローブと接続され、ＩＣの出力信号を伝送するための複数の第３の同軸ケーブルと、第１の交流信号および第２の交流信号の印加後に、第３のプローブから入力されるＩＣの出力信号に基づいて、ＩＣが誤動作しているか否かを判定する判定装置と、複数の第１の同軸ケーブルと信号発生部との間に設けられて、信号発生部と接続する１つの第１の同軸ケーブルを切り替えるための第１のスイッチと、複数の第２の同軸ケーブルと信号発生部との間に設けられて、信号発生部と接続する１つの第２の同軸ケーブルを切り替える第２のスイッチと、複数の第３の同軸ケーブルと判定装置との間に設けられて、判定装置と接続する１つの第３の同軸ケーブルを切り替えるための第３のスイッチとを備える。

　本開示のＩＣのノイズ耐量検出方法は、異なる位相の第１の交流信号および第２の交流信号を出力するように構成された信号発生部と、第１の交流信号を伝送するための第１の同軸ケーブルと、第２の交流信号を伝送するための第２の同軸ケーブルと、第１の同軸ケーブルと接続される第１のプローブと、第２の同軸ケーブルと接続される第２のプローブと、判定装置、とを備えたＩＣのノイズ耐量検出装置におけるノイズ耐量検出方法である。本開示のＩＣのノイズ耐量検出方法は、第１のプローブおよび第２のプローブをＩＣに近接して配置するステップと、信号発生部が、第１の交流信号および第２の交流信号を出力するステップと、判定装置が、ＩＣ、またはＩＣが実装されたプリント基板、またはＩＣが実装されたプリント基板に接続される異なるプリント基板の状態に基づいて、ＩＣが誤動作しているか否かを判定するステップとを備える。

　本開示のＩＣの内部インピーダンス測定方法は、電界プローブを用いて、動作状態のＩＣにおける出力信号が変化しない出力端子が生成する電界を測定するステップと、磁界プローブを用いて、出力端子が生成する磁界を測定するステップと、測定された電界と測定された磁界とに基づいて、ＩＣの出力端子の内部インピーダンスを算出するステップとを含む。

　本開示のＩＣの内部インピーダンス測定方法は、動作状態のＩＣの測定対象の入力端子に印加されている電圧を測定するステップと、電圧の振幅よりも小さい振幅を有する既知の擬似乱数の信号、または変調信号を入力端子に注入するステップと、電界プローブを用いて、入力端子が生成する電界を測定するステップと、磁界プローブを用いて、入力端子が生成する磁界を測定するステップと、測定された電界と測定された磁界とに基づいて、入力端子の内部インピーダンスを算出するステップとを含む。

　本開示のＩＣの内部インピーダンス測定方法は、電界プローブを用いて、既知のインピーダンスの入力端子が生成する電界を測定するステップと、磁界プローブを用いて、既知のインピーダンスの入力端子が生成する磁界を測定するステップと、既知のインピーダンスと、既知のインピーダンスの入力端子が生成する電界および磁界とを用いて、複素補正係数の周波数特性を算出するステップと、電界プローブを用いて、測定対象の入力端子が生成する電界を測定するステップと、磁界プローブを用いて、測定対象の入力端子が生成する磁界を測定するステップと、複素補正係数の周波数特性と、測定対象の入力端子が生成する電界および磁界とを用いて、測定対象の入力端子の内部インピーダンスを算出するステップとを備える。

　本開示によれば、ＩＣの誤動作条件を正確に測定することができる。

実施の形態１のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。ＩＣ５１への第１の交流信号および第２の交流信号の注入を説明するための図である。判定装置７０の構成例を表わす図である。同軸プローブの例を表わす図である。実施の形態１のＩＣのノイズ耐量検出方法の手順を表わすフローチャートである。実施の形態１の第１の測定方法の概略図である。実施の形態１の第２の測定方法の概略図である。実施の形態１の第３の測定方法の概略図である。従来の測定装置の概略図である。従来の別の測定装置の概略図である。実施の形態２のＩＣのノイズ耐量検出方法の手順を表わすフローチャートである。実施の形態２の応答マップの例を表わす図である。２つの応答マップによる誤動作条件の判定方法の手順を表わすフローチャートである。第２のＩＣについての応答マップを表わす図である。２つの応答マップを用いた、誤動作条件の特定方法を説明するための図である。実施の形態２の変形例のＩＣのノイズ耐量検出方法の手順を表わすフローチャートである。実施の形態２の変形例の応答マップの例を表わす図である。実施の形態３におけるＩＣの出力端子の内部インピーダンスの測定方法の手順を表わすフローチャートである。内部インピーダンスの記載を含む応答マップの例を表わす図である。実施の形態４におけるＩＣの入力端子の内部インピーダンスの測定方法の手順を表わすフローチャートである。実施の形態５のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。実施の形態５の変形例のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。実施の形態６に係るＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。実施の形態６の変形例１のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。実施の形態６の変形例２のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。実施の形態６の変形例３のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。実施の形態７のＩＣのノイズ耐量検出装置の一部を示す図である。プリント基板５０にノイズを印加した場合の測定結果を示す図である。非接触の同軸プローブ（電界プローブ）を用いた場合の測定結果と、磁界プローブを用いた場合の測定結果とを示す図である。電源ＩＣ５１にノイズ印加した場合の、ＩＣ５１の正常出力（１.３５Ｖ）と異常出力の測定結果を示す図である。電源ＩＣのフィードバック端子に１０Ｖの信号を注入したときの結果を示す図である。実施の形態７の変形例１の第１のプローブ４０を表わす図である。実施の形態８のＩＣのノイズ耐量検出装置の一部の構成を表わす図である。差動配線にノイズを印加した場合における誤動作条件の測定結果を示す図である。実施の形態９のＩＣのノイズ耐量検出装置の一部の構成を表わす図である。実施の形態１０のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。実施の形態１１のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。実施の形態１２における電磁界プローブを表わす図である。実施の形態１２の変形例における電磁界プローブを表わす図である。実施の形態１４における内部インピーダンスＺ（ｆ）の推定結果を表わす図である。実施の形態１４による補正複素係数β（ｆ）による校正を実行する場合と、校正を実行しない場合の５０Ω終端に対する内部インピーダンスＺ（ｆ）の推定値の周波数特性を示す図である。実施の形態１４における内部インピーダンスの測定方法の手順を表わすフローチャートである。

　以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
　実施の形態１．
　図１は、実施の形態１のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。このＩＣのノイズ耐量検出装置は、プリント基板５０上のＩＣ５１のノイズ耐量を検出する。ノイズとは、一般に測定対象となる機器の内部または外部において生じて、配線または空間を伝搬する信号のことであるが、本実施の形態においては特に記載がない限りは外部から意図的に印加する信号をノイズと呼ぶ。ただし、評価基板などにおいて、基板設計時にプリント基板に信号源を組み込んだ場合には、この信号源をノイズの発生源としても構わない。

　ノイズ耐量検出装置は、信号発生部１０と、第１のプローブ４０と、第２のプローブ４１と、判定装置７０と、第１の同軸ケーブル２１と、第２の同軸ケーブル２２とを備える。

　信号発生部１０は、異なる位相の第１の交流信号および第２の交流信号をノイズとして出力する。たとえば、信号発生部１０は、１つの帯域幅あたり１０周期以上の第１の交流信号および第２の交流信号を出力するものとしてもよい。

　第１の同軸ケーブル２１は、第１の交流信号を伝送する。第２の同軸ケーブル２２は、第２の交流信号を伝送する。第１の交流信号および第２の交流信号の位相差は、１８０度とすることができる。すなわち、第１の交流信号および第２の交流信号は、差動信号とすることができる。あるいは、第１の交流信号および第２の交流信号の位相差は、１２０度としてもよい。

　第１のプローブ４０は、第１の同軸ケーブル２１と接続される。第１のプローブ４０は、プリント基板５０上のＩＣ５１に近接して配置され、第１の交流信号をＩＣ５１に注入する。第１のプローブ４０は、プリント基板５０上のＩＣ５１に非接触で配置されるものとしてもよい。

　第２のプローブ４１は、第２の同軸ケーブル２２と接続される。第２のプローブ４１は、プリント基板５０上のＩＣに近接して配置され、第２の交流信号をＩＣ５１に注入する。第２のプローブ４１は、プリント基板５０上のＩＣ５１に非接触で配置されるものとしてもよい。

　判定装置７０は、第１の交流信号および第２の交流信号の注入後のＩＣ５１の状態に基づいて、ＩＣ５１が誤動作しているか否かを判定する。たとえば、判定装置７０は、ＩＣ５０１の出力信号に基づいて、ＩＣ５１が誤動作しているか否かを判定するものとしてもよい。

　第１の交流信号および第２の交流信号を注入する端子は、ＩＣ５１の信号入力端子または信号入出力端子とし、ＩＣ５１からの出力信号を観測する端子は、ＩＣ５１の信号出力端子または信号入出力端子としてもよい。

　（信号発生部１０）
　信号発生部１０は、評価用の２つの信号を発生する。２つの信号は、位相の異なる第１の交流信号および第２の交流信号である。信号発生部１０が生成した第１の交流信号が第１の同軸ケーブル２１を介して、第１のプローブ４０に注入される。信号発生部１０が生成した第２の交流信号が第２の同軸ケーブル２２を介して、第２のプローブ４１に注入される。

　例えば、信号発生部１０は、２出力のシグナルジェネレータまたはファンクションジェネレータ、または２台のシグナルジェネレータまたはファンクションジェネレータによって構成されている。

　信号発生部１０が２台のジェネレータによって構成される場合には、外部から各々のジェネレータを制御することによって、両者を同期させて位相が異なる第１の交流信号および第２の交流信号を出力させてもよい。

　１台のジェネレータからカプラ、分配器、または移相器などを介して、２出力以上の信号が生成されるものとしてもよい。また、１８０度ハイブリッドカプラ（別名：バラン）などを用いて位相の異なる信号の一例である差動信号を生成することもできる。第１の同軸ケーブル２１の電気長と第２の同軸ケーブル２２の電気長とを異ならせることによって、位相の異なる第１の交流信号および第２の交流信号を生成することも可能である。ただし、電気長で調整する場合、信号発生部１０から出力される信号の周波数に応じて、第１の交流信号と第２の交流信号の位相差が変化する。したがって、第１の同軸ケーブル２１の電気長と、第２の同軸ケーブル２２の電気長を等しくし、信号発生部１０の２出力を異なるようにすることによって第１の交流信号と第２の交流信号の位相差を作るのが望ましい。

　上記のように評価用の２つの信号の位相が異なるのではなく、評価用の２つの信号の振幅が異なるものであっても良く、位相および振幅が異なるものであってもよい。

　同軸ケーブル２１、２２およびプローブ４０、４１については、一般に同じ材料の誘電体が用いられている場合には、同じ長さのものを用いれば良い。より正確には、ベクトルネットワークアナライザ（ＶＮＡ）の反射特性または透過特性を測定し、または時間領域反射率測定法（ＴＤＲ）を用いて伝搬遅延時間または反射率を測定することによって、電気長の正確な測定をすることが可能となる。特に１ＧＨｚ以上の周波数信号を含む信号を信号発生部１０から出力する場合には、同軸ケーブル２１、２２の個体差を考慮して電気長を測定してから本実施の形態による測定を実施するのが望ましい。電気長の測定の結果、位相または振幅が異なる場合には、位相器またはアッテネータなどによって、信号発生部１０の出力を調整すればよい。

　（プローブ）
　同軸ケーブル２１、２２の第１端には、信号発生部１０が出力した信号が入力される。同軸ケーブル２１、２２の第２端には、第１のプローブ４０、及び第２のプローブ４１がそれぞれ接続されている。第１のプローブ４０と第２のプローブ４１は、同じ種類のプローブであっても異なる種類のプローブであっても構わない。ただし、異なる種類のプローブを用いた場合には、電気長が異なり、および測定対象との結合量の周波数特性が異なる。よって、理由がない限りは同じ種類のプローブを用いるのが望ましい。

　プローブには、電界プローブと磁界プローブとがある。
　電界プローブは、同軸の芯線と、同軸の芯線の先端に付された導体とを有する。この導体は、アンテナとして機能する。電界プローブとして、例えばパッチ構造の電界プローブまたは同軸プローブが用いられる。電界プローブの同軸の芯線の先端を開放端とすることによって、同軸の芯線の先端部と測定対象となるＩＣの端子または配線との間に電位差を発生させるようにして、測定対象に電界を重畳する。これによって、測定対象に電力が注入される。

　磁界プローブは、同軸の芯線と、同軸の芯線の先端に接続された同軸の外導体とを有する。あるいは、磁界プローブは、同軸の芯線と、同軸の外導体と、同軸の芯線の先端と同軸の外導体との間の５０Ωの抵抗部材とを有する。同軸の芯線の先端を同軸の外導体と短絡、またはインピーダンス素子経由で短絡することによって、同軸の芯線の先端に電流が流れるようにして、測定対象に磁界を加える。これによって、測定対象に電力が注入される。磁界プローブは、同軸の芯線を備えずに、ループ状に巻かれた被覆線を備えるものであってもよい。被覆線の両端に電圧が印加される。磁界プローブの場合、同軸ケーブルの芯線にカップリングコンデンサ（芯線に直列に設けるコンデンサでＤＣカットコンデンサとも呼ばれる)を設けてもよい。例えば、後述するバイポーラ電源をアンプとして用いる場合においては、バイポーラ電源の短絡保護回路が働き、高周波成分が重畳できない場合がある。そのような場合においてカップリングコンデンサを磁界プローブとバイポーラ電源の間に設けることによって、短絡保護回路が働かず、必要な高周波信号を磁界プローブに重畳することができる。また、短パルス発生器のようなパルス状信号を発生させる装置においても、振幅成分の大きい低周波成分（一般的には６０Ｈｚの３０倍の高調波である１．８ｋＨｚ以下とされるが、本実施の形態では１００ｋＨｚ以下の帯域）において、磁界プローブまたは信号発生器に過電流が流れることがあり、カップリングコンデンサはこのような過電流を防ぐことができる。また、カップリングコンデンサ以外にもハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、またはバンドリジェクトフィルタなどのフィルタを用いて低域を除去しても構わない。

　電界プローブまたは磁界プローブには、意図的に指向性を増加させているものと、意図的に無指向性に近づけたものとがある。

　ＩＣの端子などのように配線の向きが分かっているものに関しては、指向性のプローブを用いて結合量を大きくすることによって、信号発生部１０の出力電力を下げることができる。指向性のプローブを用いると、信号発生部１０の出力電力を小さくできるだけでなく、プローブに印加する電圧を小さくできる。指向性の磁界プローブを用いた場合には、流せる電流を小さくすることができるため、配線を細くできるとともに、磁界プローブも小さくできる。その結果、印加位置の分解能を向上させることができる。よって、指向性のプローブを用いるのが望ましい。

　ＩＣ自体にノイズを印加する場合にはＩＣ内部の配線、およびボンディングワイヤの向きが分からないため、無指向性のプローブを用いるのが望ましい。ただし、指向性プローブをＩＣに対して回転させることによって、結合量が大きくなる向きを見出すことができる場合、あるいはＩＣ内部の配線、およびボンディングワイヤの向きが事前に分かっている場合には、指向性プローブを用いるのが望ましい。

　電界プローブまたは磁界プローブである第１のプローブ４０および第２のプローブ４１をプリント基板５０上のＩＣ５１に近接して配置させる。ＩＣ５１の端子間の距離に応じて決まる必要なプローブの位置分解能、及び印加電圧による絶縁破壊距離にも依存するが、通常は、測定対象のＩＣ５１の端子から１０ｍｍ以内に第１のプローブ４０および第２のプローブ４１を近接させるのが望ましい。

　さらには、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１のうちの一方のプローブの先端箇所が絶縁されている場合には、一方のプローブの先端をＩＣ５１の端子に接触させて配置するのが望ましい。このようにすることによって、一方のプローブから放射される電磁界成分が測定対象となるＩＣ５１に注入しやすくなり、注入効率を上げることができる。その結果、信号発生部１０から振幅の大きな電圧を出力する必要がないため、信号発生部１０を小型化することができるとともに、信号発生部１０と接続する配線および一方のプローブの耐圧および電流定格を下げることができる。

　ＩＣ５１がリードフレームタイプの場合には、ＩＣ５１の端子またはＩＣ５１の端子に接続される配線に近接して、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１のうちの一方のプローブを配置するのが望ましい。

　第１のプローブ４０および第２のプローブ４１のうちの一方のプローブをＩＣ５１の上部に配置し、ＩＣ５１内部のボンディングワイヤに外部から信号（ノイズ）を印加することができる。ＩＣ５１が、ワイヤーボンディングを使わないフリップチップタイプのＩＣ、およびＴＡＢ（Tape　Automated　Bonding）タイプのＩＣのように、下部に端子が出ている場合には、ＩＣ５１の端子に接続されている配線に近接して、あるいはＩＣ５１の上部に第１のプローブ４０および第２のプローブ４１のうちの一方のプローブを近接して配置する。このようにすることによって、ＩＣ５１の内部の半導体にノイズを印加することができるので、ＩＣ５１自体、すなわちＩＣ５１の内部のノイズ耐性を測定することができる。ＩＣ５１の内部のダイおよびパッケージの配線が把握できるのであれば、それらに対してノイズを印加することもできる。

　上記では、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１のうちの一方のプローブについて説明を行ったが他方のプローブの配置について説明する。他方のプローブも測定対象のＩＣ５１に近接して配置される。測定対象となる１つのＩＣ５１に対して、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１を配置するのが望ましい。幾つかの実例を用いて、説明する。

　第１の例として、スイッチング電源の電源入力端子にノイズを印加したい場合には、一方のプローブを測定対象のＩＣ５１の電源入力端子の近傍（例えば高さ１ｍｍの位置）、他方のプローブを測定対象ＩＣ５１の電流経路であるＧＮＤ端子の近傍に配置する。このように一方のプローブを測定対象となるＩＣ５１のＧＮＤ端子の近傍に配置することは、シングルエンドの高速信号線、またはセンサ信号に対しても適用することができる。

　第２の例として、半導体内部のブロック図がスペックシート等で分かる場合においては、コンパレータ、オペアンプ、またはダイオードが実装された配線間に、２つのプローブを配置することによって、ＩＣ５１のそれぞれの端子間での耐ノイズ性能を調べることができる。

　第３の例として、位相の異なる信号の一例として差動信号を用いた場合についても同様の方法で耐ノイズ性能を評価することができる。すなわち、差動信号の片側の線路に一方のプローブを近接して配置し、その対となる差動線路に他方のプローブを近接して配置する。このようにすることによって、差動線路に対して位相差が異なる信号、または振幅が等しく位相差が１８０度異なる差動信号を注入することができるため、差動線路に対して非接触で外部から差動信号を注入することができる。これにより、２つのプローブが近接した配線間に電圧を印加すること、または、上記の配線間に電流を流すことができるため、入力した信号の伝搬経路を一意に決めることができる。なぜなら、一方のプローブから印加された信号が、他方のプローブに抜けていく経路が生成されるためである。この時、ＩＣ５１の出力端子よりもＩＣ５１の入力端子、または入出力端子に２つのプローブを近接させるのが望ましい。なぜなら、ＩＣ５１の入力端子の方が信号を受信する必要があるため、高感度に設計されており、ノイズの影響を受けやすいためである。

　第４の例として、３相交流を扱う場合には、配線間の位相差が１２０度となる。このような場合においては、位相が１２０度異なる信号を第１のプローブ４０と第２のプローブ４１に印加することで、ノイズに対する誤動作耐性を測定することができる。なお、従来のように、１つのプローブしか用いない手法では、印加する端子の間に意図したノイズを印加することができなかったため、このように位相が異なる信号が伝送される配線に対して測定することは困難であった。

　図２は、ＩＣ５１への第１の交流信号および第２の交流信号の注入を説明するための図である。

　図２には、２つのプローブ４０、４１を用いて第１のノイズ印加部５４および第２のノイズ印加部５５に第１の交流信号および第２の交流信号を注入している様子が示されている。図２に示されるように、第１のノイズ印加部５４とおよび第２のノイズ印加部５５に接続されるＩＣ５１の内部のインピーダンス５６を介してノイズの伝搬経路が形成される。図２には記載されていないが、測定対象のＩＣ５１に別のＩＣが接続されている場合には、その別のＩＣの内部インピーダンスも電流経路となるため、各々のＩＣの内部インピーダンスを介した電流の経路が形成される。このような測定対象に対して、第１のプローブ４０と第１のノイズ印加部５４とは、寄生容量と相互インダクタンスとによって、空間を経由して接続される。第２のプローブ４１と第２のノイズ印加部５５とは、寄生容量と相互インダクタンスとによって、空間を経由して接続される。第１のプローブ４０および第２のプローブ４１として、電界プローブを用いた場合は寄生容量成分が支配的であり、磁界プローブを用いた場合は相互インダクタンス成分が支配的である。

　第１のプローブ４０と第２のプローブ４１との間に位相が異なる信号が注入されるため、一方のプローブから他方のプローブに向かって、ＩＣ５１の内部インピーダンス５６を経由して信号が流れる。先行技術（非特許文献１）で示されるように、１つのプローブを用いて測定する場合には電流の経路が決まらず、プローブから各端子に対する寄生容量、および測定系の電源経由で印加信号の伝搬経路が形成されるため、測定条件、系統電源に接続される機器、および周囲の電子機器などの測定環境によって動作が変化しやすい。その結果、測定の再現性を確保するのが難しい。

　本実施の形態によれば、電流の経路を固定することができるので、測定の再現性を向上させることができる。更に、信号の伝搬経路を形成することによって、電流のリターン経路が形成されるため信号が回路に注入しやすくなる。

　外部から信号を印加する測定では、ＩＣ５１が動作した状態で行うのが望ましい。なぜなら、ＩＣ５１は半導体であるため、動作時と非動作時において内部のインピーダンスが異なるためである。図２におけるＩＣ５１の内部インピーダンス５６がＩＣ５１のオンとオフとで変化する。

　ＩＣ５１の動作周波数に応じた測定時間を設けるのが望ましい。例えばスイッチング電源のように１００ｋＨｚで動作するＩＣの周期は１０μｓｅｃである。この場合、１周期以上、望ましくは１０周期すなわち１００μｓｅｃ程度の間、同じ周波数で第１の交流信号および第２の交流信号を印加するのが望ましい。ただし、周波数はアナログ値であるので、特定の周波数の帯域についてはこの方法でも良いが、一般的には以下に述べるような帯域幅を設定して網羅的に測定するのが望ましい。すなわち、信号発生部１０が帯域幅を設定することができるタイプの場合には、複数の帯域幅を設定することによって測定を行う。例えば、信号発生部１０は、１ＭＨｚまでは１ｋＨｚ間隔の帯域幅、１００ＭＨｚまでは１ＭＨｚ間隔の帯域幅、１ＧＨｚまでは１０ＭＨｚ間隔の帯域幅で第１の交流信号および第２の交流信号を出力する。帯域幅が数ｋＨｚ～数１００ｋＨｚと狭いため、信号発生部１０が、１つの周波数ずつしか第１の交流信号および第２の交流信号を発生することができない場合には、信号発生部１０が、第１の交流信号および第２の交流信号の周波数を掃引させながら、ＩＣのノイズ耐量が測定されるものとしてもよい。ただし、その場合においてもＩＣ５１が直ちに誤動作しない場合があるため、信号発生部１０は、１つの帯域幅について１０周期以上、またはＩＣ５１の動作周波数よりも第１の交流信号および第２の交流信号の掃引速度を１０倍以上遅くして、１つの周波数の第１の交流信号および第２の交流信号を出力するのが望ましい。

　（判定装置）
　判定装置７０は、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１によってノイズとして印加された第１の交流信号および第２の交流信号による誤動作を検出する。判定装置７０として最も単純なものは、電子機器が動作しなくなったことを知らせる、例えばパイロットランプ、またはスピーカなどを有する装置である。このような装置は、電子機器が動作しなくなると、音が鳴ったり、点灯していたパイロットランプが消えたり、点灯したり、点滅したりする。特に測定対象となるＩＣ５１と上記の動作しなくなったことを知らせる装置とが実装されている場合には、追加の装置は不要である。

　測定対象のＩＣ５１、または測定対象に直接または間接的に接続されて誤動作を検出する機能があるＩＣは、ＵＳＢ（Universal　Serial　Bus）コネクタなどのコネクタを介して、ケーブルを経由で外部のＰＣ（Personal　Computer）などに誤動作を知らせる信号を送信してもよい。そのようなＩＣは、ケーブル経由でなくても無線または超音波などの電波または音波を経由して誤動作を知らせる信号を送信してもよい。ただし、ＩＣ５１の内部の判定装置が正常動作していない限り、ＩＣ５１が誤動作していても誤った判定がされてしまうことがある。更に、ＩＣ５１の内部の判定装置が正常に動作する場合でも、ＩＣ５１が誤動作を判定するまでに時間がかかり、誤った結果となることがある。

　図３は、判定装置７０の構成例を表わす図である。
　判定装置７０は、計測部７１、演算部７２、および表示部７３を備える。このような判定装置７０の代表的なものは、オシロスコープ、またはリアルタイムスペクトラムアナライザである。計測用ケーブル６０は、ＩＣ５１に直接接続されている。計測用ケーブル６０は、ＩＣ５１が異常信号を検知して特定の出力信号を出力するコネクタを有する場合に適用できる。一方、ＩＣ５１がこのようなコネクタを有さない場合には、判定装置７０は、ＩＣ５１の出力端子、出力端子に接続される配線の出力、または外部信号による出力信号の変化を観測することによって、ＩＣ５１の誤動作を判定することができる。測定する端子は出力端子だけでなく、入力端子、または入出力端子であっても構わないが、出力端子と入出力端子に絞ることによって測定時間を短くすることができる。または、判定装置７０は、ＩＣ５１に接続されるＩＣとは異なるＩＣの動作状態の変化をもって、誤動作と判定しても構わない。例えば、判定装置７０は、ＩＣ５１が電源ＩＣであった場合には電源ＩＣからの電力供給をされて動作するＣＰＵまたはＦＰＧＡなどの他のＩＣの動作状態を監視することで、電源ＩＣの誤動作状態を判定しても構わない。また、ノイズを印加する対象と、誤動作状態を監視する対象とが必ずしも同一基板上に配置されている必要はない。例えばＰＨＹによってプリント基板が接続されている場合、判定装置７０は、一方のプリント基板のＰＨＹにノイズを印加し、他方のプリント基板のＰＨＹの動作状態を監視することで、ノイズを印加したＰＨＹの誤動作状態を判定しても構わない。更に装置Ａが、電波、超音波または光などの信号を空間に伝搬する場合において、判定装置７０は、それらの信号を受信した装置Ｂの動作状態によって、装置Ａの動作状態を監視しても構わない。

　測定に用いるプローブとして、シングルエンドのパッシブプローブ、ＦＥＴ（Field　Effect　Transistor）プローブ（アクティブプローブとも呼ばれる）、または差動プローブなどの接触型のハイインピーダンスプローブを用いることができる。あるいは、測定に用いるプローブとして、電流プローブまたはロゴスキーコイルなどの非接触プローブを用いることができる。更に信号を受信する際には、光電界プローブなどの光プローブ、またはＥ／Ｏ変換装置を備えた装置を使うことによって出力信号がプローブによって歪む影響も小さくすることができる。ただし、ＩＣ５１の出力信号は、電気信号だけでなく、映像、音、振動、熱、光などであってもよい。ＩＣ５１の出力信号は、ＩＣ５１が接続される周辺機器の動作異常などであってもよい。特に、直流を出力するＩＣの場合においては上記のような装置は必ずしも必要はなく、テスタによって直流電圧を測定してもよい。

　表示部７３は、オシロスコープまたはテスタのモニタである。判定装置７０が、表示部７３（モニタ）を有さない場合には、判定装置７０にＰＣなどを接続して、ＰＣによって観測することができる。

　（測定方法）
　以下にプローブを用いた測定方法の一例を説明する。

　プリント基板５０上の配線のリターン経路がプリント基板５０のグラウンドとなるシングルエンドの信号線であれば、ＩＣ５１の出力位置に接触または非接触のプローブを接続すればよい。上記の測定には測定器が必要であるが、時間変化を見ることができるためオシロスコープが最も望ましく、出力が足りない場合、および大きすぎる場合には適宜プリアンプ、アッテネータ、フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、またはバンドリジェクトフィルタ）、またはＤＣカットなどを用いても良い。また、オシロスコープの他にもリアルタイムスペクトラムアナライザを用いればＧＨｚ帯などの高い周波数帯域においても大きなダイナミックレンジ（例えば１６ビット）で時間変化をとらえることができる。更に、ノイズを印加したときのＩＣ５１の挙動、および誤動作発生時の周波数特性が事前に分かっている場合においては、スペクトラムアナライザのゼロスパンモードで時間変化を見ても構わない。また、誤動作を観測するＩＣ５１の端子は、ＩＣ５１の出力信号を出力する端子だけでも構わない。これは、誤動作する原因の多くが出力信号にノイズが混入することによる変化か、あるいはＩＣ５１自体が所望の信号を出力できなくなることによるものであるからである。判定装置７０は、ＩＣ５１の出力信号をフーリエ変換、またはショートタイムフーリエ変換してもよい。

　ＩＣ５１にノイズを印加して、ＩＣ５１に誤動作、または異常が発生した場合は、直ちに信号発生部１０の出力を停止する、あるいは出力信号の振幅を低下させるのが望ましい。ＩＣ５１の状態、およびＩＣ５１に書き込まれたファームウェアの状態に応じて対応が異なるものの、自動復旧できるＩＣ５１に関しては、ＩＣ５１が自動復旧してから、判定装置７０の出力を観測し、その結果をフィードバックして信号発生部１０の信号の出力を再開してもよい。

　ＩＣ５１が自動で復旧できない場合においては、測定対象のＩＣ５１の電源を停止させて再起動する必要がある。また、測定対象のＩＣ５１に接続される周辺回路、または別のプリント基板がある場合においても、ＩＣ５１を含む機器を再起動するのが望ましい。また、機器によっては再起動後に、すぐにＩＣ５１が動作し始めるものばかりでない。よって、電源および駆動用ソフトウェアが起動してから、ＩＣ５１が動作を開始するまで待ち、その後、判定装置７０によって、ＩＣ５１が誤動作する前の状態に戻っているか否かを確認してから機器を再起動するのが望ましい。また、再起動してもＩＣ５１が正常動作に戻らない場合には、機器が破壊された状態であるため新しい機器で測定を再開するか、アラートを上げて作業者に交換を促すのが望ましい。

　ＩＣ５１の誤動作が検出されたときには、信号発生部１０の出力を停止する、あるいは出力信号の振幅を低下させるのが望ましい。なぜなら、ＩＣ５１の破壊は、多くの電流が配線および回路部品に流れることによって発生する熱によって引き起こされるからである。上記のような破壊に至る信号が流れる原因には、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１からＩＣ５１に直接励起する電流がある。また、例えば電源ＩＣのフィードバック配線が誤動作した場合においては、単位時間当たりの電流を多く流し続けることが可能であり、放熱よりも発熱が大きくなることでＩＣ５１内部のボンディングワイヤなどを融解させ、破壊に至る。また、同様の理由でパワー半導体などは絶縁破壊電圧を発生させることで破壊に至る場合もある。そのため、測定時に必ずしも、機器が誤動作するまで出力電圧を上げなくても、判定装置７０の出力波形が変化した時点で測定を終えても構わない。

　なお、信号発生部１０から出力する第１の交流信号および第２の交流信号の振幅および周波数、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１の位置および向き、誤動作の判定の有無、および機器の再起動などを自動機によって制御し、連続的に測定を行ってもよい。特に、ロボットアームなどを具備した自動機によって、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１と測定対象との距離、および第１のプローブ４０および第２のプローブ４１の指向性を考慮した向きが一定となるように設定することとしてもよい。また、測定対象のＩＣ５１が破壊に至る前に誤動作を判定するには、信号発生部１０の出力電圧を徐々に変化させ、判定装置７０の出力の変化を観測するのが望ましい。それらの制御を自動機で連続的に行うことによって、測定対象のＩＣ５１の誤動作を早期に発見できるので、破壊が起こる前の条件（具体的には電圧および電力）で測定を止めることができる。また、プローブとして非接触プローブを用いる場合には、測定対象のＩＣ５１との空間結合量を一定にするため、測定対象のＩＣ５１と非接触プローブとの距離を一定に維持する必要がある。機械的な手段で非接触プローブの移動を制御することによって、測定の再現性を上げることができる。プローブとして接触プローブを使用する場合には、測定する端子に対して接触プローブの位置がずれることがない。よって、短絡などが発生しにくく、安全な測定が可能となる。

　以下では、本実施の形態における各部品について詳細に述べる。
　＜測定対象＞
　測定対象のＩＣ５１は動作状態であることが望ましい。そのため、電源を入れると動作するプリント基板５０に実装されたＩＣ５１が評価対象となる。ＩＣ５１の電源がオフの場合には、ＩＣ５１に含まれる半導体素子自体も常時オン状態、または常時オフ状態となっている。半導体素子がオンのときには、半導体素子は低インピーダンスとなる。半導体素子がオフの時には、半導体素子は高インピーダンスになる。ＩＣ５１の電源がオン時とオフ時とで、ＩＣ５１のインピーダンスが異なる。また、ワイドバンドギャップ半導体の１つであるＧａＮ（窒化ガリウム）を用いた半導体素子のようにノーマリーオンの半導体素子の場合には、上記のインピーダンスは逆になる。いずれの場合においても印加した信号の伝搬経路も変化することから、ＩＣ５１の印加した信号に対する周波数特性の変化を正しく把握することができない。

　そのため、例えば、ＩＣ５１の評価基板、試作基板、または製品搭載されたＩＣ５１を測定するのが望ましい。特にＦＰＧＡ（Field　Programmable　Gate　Array）などのようにソフトウェアで回路を書き換えられるものについては、ファームウェアが実際の製品に近いものである状態が望ましい。ＩＣ５１の評価基板のように外部から書き換えが可能なものについては、実際の製品に近い状態で評価するのが望ましい。

　ノーマルモードチョークコイル、コモンモードチョークコイル、線間コンデンサ、対地間コンデンサ、ダンピング抵抗などのノイズフィルタ、およびＩＣの端子に接続される配線長が、試作品と実際の製品とでは異なる場合がある。そのような条件下においては共振周波数などが変化してしまう。しかし、本実施の形態に従うと意図したＩＣ５１の端子間にのみ電圧を印加して、電流を流すことができるため、ＩＣ５１の外部の配線および部品の状況によって変化しにくい測定をすることができる。

　受動部品のインピーダンス特性を測定し、寄生容量または残留インダクタンスなどの寄生成分を含む等価回路に変換した後、一般的な直並列の回路方程式を解く後処理によってＩＣ５１の内部に印加されるノイズを算出しても構わない。また、これらの処理は回路シミュレータに上記の等価回路を入力し、内部に印加されるノイズを算出しても構わない。

　評価する対象となるＩＣ５１は、スイッチング電源などのフィードバック制御が必要なＩＣ、ＰＨＹ（PHYsical　layer）チップのような通信用ＩＣ、センサ、ＳＤメモリカードなどの人の手が触れる外部カードリーダ、ＤＤＲ　ＳＤＲＡＭ（Double　Data　Rate　Synchronous　Dynamic　Random　Access　Memory）またはＣＰＵなどの高速信号を扱うＩＣ、ＡＳＩＣ（Application　Specific　Integrated　Circuit）、またはＦＰＧＡなど特殊な機能を有するＩＣなどが含まれる。ただし、これに限定されるものではなく、リニアレギュレータなど上記に含まれないＩＣであっても構わない。

　＜信号発生部の出力信号＞
　次に、信号発生部１０から出力する試験信号の使い方の一例について説明する。

　第１ステップにおいて、試験信号である第１の交流信号および第２の交流信号を入力する第１のプローブ４０および第２のプローブ４１を操作して所望のＩＣ５１またはＩＣ５１の端子の近くに配置する。

　第２ステップにおいて、信号発生部１０が出力する第１の交流信号および第２の交流信号の振幅を最小にして、第１の交流信号および第２の交流信号の周波数を例えば１００ｋＨｚから１ＧＨｚまで１０秒かけてスイープさせる。これでＩＣ５１に誤動作が起きないことを確認する。

　第３ステップにおいて、信号発生部１０が出力する第１の交流信号および第２の交流信号の振幅を徐々に上げて、同様の周波数帯で測定を行い、ＩＣ５１に誤動作が起こる振幅まで変化させる。ＩＣ５１に誤動作が発生しない場合は、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１の位置を変更する。

　第４ステップにおいて、誤動作が起きた場合には、信号発生部１０が出力する第１の交流信号および第２の交流信号の振幅を固定して周波数帯を変化させる。周波数帯は例えば１０ＭＨｚ毎に１００回に分けて１００ｋＨｚから１ＧＨｚまでをスイープする。１帯域当たり１０秒程度でスイープすれば１０００秒、すなわち１５分程度で測定を終えることができる。周波数帯の刻み幅は、１０ＭＨｚであるが、その刻みで十分な場合にはここで検討を終了する。

　第５ステップにおいて、より小さな帯域におけるＩＣ５１の誤動作が発生する最低電圧を観測するために、上記のように誤動作が発生した帯域内で更に帯域と印加電圧（振幅）を変化させて誤動作の判定を行う。

　上記の測定をすることによって、周波数ごとのＩＣ５１の誤動作する電圧（振幅）を把握することができる。上記において１つの周波数あたり１０周期以上の信号を測定対象に印加することによって、通信回路のように誤動作するまでに時間がかかるＩＣを評価することが可能となる。なぜなら、通信回路は、再送要求をするなどによって、誤動作と判断されるまでに時間を要するため、ノイズを短時間印加しただけでは誤動作は発生しないことが多いからである。

　更に、自然界で発生する多数のランダム過程の効果を模倣する加算性白色ガウス雑音（ＡＷＧＮ：Additive　White　Gaussian　Noise）は帯域幅を有する信号として考えることができるため、このような信号を信号発生部１０から出力してもよい。信号発生部１０は、正弦波をパルス変調することによって、特定の帯域幅を有する信号を出力することができる。なお、上記の信号を発生させる信号発生部１０の一例として、Keysight社のベクトル信号発生器E8267Dなどを用いることができる。ただし、信号発生部１０の出力が小さい場合は、信号発生部１０の出力をアンプによって増幅してもよい。周波数が５０ＭＨｚ以下程度の場合には、バイポーラ電源を信号発生部１０として用いても構わない。信号発生部１０がバイポーラ電源の場合には、第１のプローブ４０、第２のプローブ４１のインピーダンスに関係なく、一定電圧または一定電流をＩＣ５１に注入することができる。

　本実施の形態においては、信号発生部１０を電圧源としているが、電流源を用いても良い。更に分布定数として考える必要がある周波数帯域（例えば１００ＭＨｚ以上）においては、信号発生部１０を電力源としてもよい。また、印加電圧であっても、印加電流であっても、印加電力であっても、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１のインピーダンスの周波数特性は一意に決まるため、相互に変換することができる。よって、信号発生部１０は、どのような信号源および単位系であっても構わない。

　＜第１のプローブおよび第２のプローブ＞
　第１のプローブ４０および第２のプローブ４１は、電界プローブ、磁界プローブ、または電界と磁界の両方を送受信できるプローブなど、どのようなものでも構わない。ただし、ＩＣ５１によっては端子の間隔が１００μｍ程度であることもあるので、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１の印加部の寸法が端子の間隔と同程度の寸法であることが望ましい。ただし、信号発生部１０からの印加電圧および印加電流が高い場合には、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１を構成する配線は、電流容量を有し、最大定格電流を流せるものでなければならない。導電率および使用環境によって変わるが、配線として一般的な銅線を用いた場合は、１ｍｍ²(１平方ミリメートル)あたり１Ａ程度の電流を流すことができる。第１のプローブ４０および第２のプローブ４１を構成する同軸の芯線と外導体との距離は、絶縁破壊距離以上にする必要がある。一般的な絶縁破壊距離は距離１ｍｍあたり１ｋＶ程度である。より詳しくはパッシェンの法則、または修正パッシェンの法則に従うが、絶縁破壊電圧は再現性が高くないこと、および構造に起因するため、参考値である。特に、同軸の芯線と外導体の間に鋭利な箇所が存在する場合には、絶縁破壊距離をこれ以上に大きくする必要があり、通常、安全率（例えば３以上）を考慮して絶縁破壊電圧を用いる。

　本実施の形態に従うと、電流の経路を第１のプローブ４０と第２のプローブ４１とによって作り出すことができるため、測定点間のインピーダンスが低くなり、第１の交流信号および第２の交流信号が測定対象に混入しやすくなる。その結果、信号発生部１０から出力する第１の交流信号および第２の交流信号の電圧、電流、および電力を小さくすることができるので、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１を小さくすることができる。さらに、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１が小さくなることによって、ＩＣ５１、またはＩＣ５１の端子に近接させる第１のプローブ４０の箇所および第２のプローブ４１の箇所を小さくすることができる。その結果、従来の方法に比べ、印加箇所の位置分解能を向上させることができる。また、同じ印加電圧を得るために第１のプローブ４０および第２のプローブ４１を測定対象から離しても良く、測定対象へのプローブの影響を小さくすることができる。

　近接する箇所を小さくできるプローブの例として、電界プローブとしては同軸プローブ、磁界プローブとしてはループプローブがある。

　図４は、同軸プローブの例を表わす図である。
　同軸プローブが電界プローブの場合には、細線同軸、またはセミリジッドケーブルの芯線４４が外導体４９から数１００μｍ～数ｍｍだけ突出する。この同軸プローブには、電流が流れず、芯線を細くできるため小型化できる。例えば特性インピーダンスが５０Ωの細線同軸の場合には、芯線４４の太さを直径４０μｍ、外導体４９の直径を２００μｍとすることができる。その結果、同軸プローブをＩＣ５１の微細な端子の近傍にも配置することができるので、ＩＣ５１の特定端子のみにノイズを印加することができる。セミリジッドケーブルの場合には、芯線４４の太さを直径０.１ｍｍ、外導体４９の直径を１ｍｍ以下にすることができる。細線同軸、セミリジッドケーブル、または同軸ケーブルの先端にプローブを取り付けてもよい。

　同軸プローブが磁界プローブの場合には、芯線４４と外導体４９との間にループ構造を形成できるため、上記の細線同軸、またはセミリジッドケーブルを利用すれば容易に作成可能である。ただし、上述のとおり電流容量を満たす配線である必要がある。

　第１のプローブ４０および第２のプローブ４１と測定対象となるＩＣ５１、またはＩＣ５１の端子との距離は近いことが望ましい。たとえば、距離は、１ｍｍ以下であるのが望ましい。第１のプローブ４０および第２のプローブ４１の先端に導体部が露出している場合には、プリント基板５０上の銅箔などと接触しても導通しないように、導体部が誘電体で覆われていることが望ましい。誘電体で覆われた第１のプローブ４０および第２のプローブ４１を用いる場合、または測定対象の表面が絶縁されている場合には、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１を測定対象のＩＣ５１の表面の絶縁材料に接触させて測定するのが望ましい。例えば、カプトンテープなどの絶縁材料の場合には、１０μｍ～１００μｍ程度の印加位置の分解能を向上できる。

　図５は、実施の形態１のＩＣのノイズ耐量検出方法の手順を表わすフローチャートである。

　ステップＳ１０１において、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１をＩＣ５１に近接して配置する。

　ステップＳ１０２において、信号発生部１０が、位相が相違する第１の交流信号および前記第２の交流信号をノイズとして出力する。

　ステップＳ１０３において、判定装置７０が、ＩＣ５１の状態に基づいて、ＩＣ５１が誤動作しているか否かを判定する。

　図６は、実施の形態１の第１の測定方法の概略図である。
　第１のプローブ４０をＩＣ５１の１つの端子の近傍に配置し、第２のプローブ４１をＩＣ５１の他の端子の近傍に配置する。信号発生部１０から第１の交流信号および第２の交流信号を出力することによって、ＩＣ５１の２つの端子間にノイズを印加することができる。

　図７は、実施の形態１の第２の測定方法の概略図である。
　第１のプローブ４０をＩＣ５１の端子の近傍に配置する。第２のプローブ４１をＩＣ５１の内部の半導体素子またはボンディングワイヤの近傍に配置する。この方法は、ＩＣ５１の端子が基板上に見えないＢＧＡ（Ball　Grid　Array）タイプに対しても有効な方法である。この方法であれば、ＢＧＡタイプのＩＣ５１の信号配線とＧＮＤ端子との間に電位差を加えることができる。

　図８は、実施の形態１の第３の測定方法の概略図である。
　ＩＣ５１の端子に接続されるプリント基板５０上の配線に、第１のプローブ４０と第２のプローブ４１とを配置する。ＩＣ５１の端子に接続されるプリント基板５０上の配線にノイズを印加することができる。この方法では、ＩＣ５１の端子が小さい場合、またはＢＧＡタイプのようにＩＣ５１の端子が直接プリント基板表面に見えない場合に、ＩＣ５１の端子に接続される配線にノイズを印加することができる。

　図６～図８によるプローブの位置の組合せは、ノイズ印加方法の一例を示したものであって、ここに示したものに限られず、どのような組合せであっても構わない。

　さらに、測定条件を減らして評価を簡易化したい場合においては、信号発生部１０から第１の交流信号および第２の交流信号を注入する箇所は測定対象となるＩＣ５１の入力端子または入出力端子とし、ＩＣ５１の出力信号を検出する箇所は測定対象となるＩＣ５１の出力端子または入出力端子とする。また、シングルエンドの信号については一方のプローブを測定対象となるＩＣ５１のＧＮＤ端子の近傍に配置し、他方のプローブを測定対象となるＩＣ５１の信号端子の近傍に配置することによって、組合せの数を減らし、ＩＣ５１の評価を効率的に行うことができる。

　入力端子または入出力端子のみに外部から信号を印加する箇所を絞っても良い。それらの端子は高感度であること、アナログ信号などのように閾値を有さない信号を検出するような構成を有するためである。一方、出力端子はそのような構成を有していない場合が多いこと、出力端子自身の出力信号によって誤動作しないように保護回路などによってノイズに対して頑強になっている場合が多いためである。

　測定対象に対して結合量が最大となるようにプローブの向きを変更するのが望ましい。磁界プローブの一種であるループプローブの場合には、ループ面とＩＣ５１の端子の向きか配線の向きの少なくともどちらか一方とを平行にすることによって結合量を最大とすることで印加対象へのノイズの印加量を最大にすることができる。同軸プローブまたはパッチプローブの場合には、測定対象に対して対向面積が最大となる直角の向き、かつ測定対象との距離が最小となるようにプローブを配置することで結合量を最大とすることで印加対象へのノイズの印加量を最大にすることができる。このように結合量を最大にすることによって、信号発生部１０の出力を小さくできるため、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１を小型化することができる。また、予め既知の測定対象について結合量を把握しておき、その結合量を補正することとしてもよい。

　＜判定装置＞
　判定装置７０は、望ましくは測定対象の電子機器全体の誤動作を検出する。その理由としては、特定のＩＣのみが誤動作したとしても、測定対象の電子機器が誤動作しなければ問題とはならないためである。ただし、全体の特性だけを観測する場合においては測定対象が誤動作する兆候を検知するのが難しく、測定対象が破壊に至る場合もある。よって、信号発生部１０は出力電圧を少しずつ上昇させ、判定装置７０は、全体の誤動作を測定しながら、信号を印加しているＩＣ５１の出力波形を観測するのが望ましい。

　ただし、誤動作だけでなく誤動作に至る兆候を測定するだけであっても良い。具体的には、判定装置７０は、外部から信号を印加したときの出力信号を観測し、印加した信号の電圧および電力、周波数を変化させたときの条件とともに測定する。印加する信号によって出力波形の変化を観測することができ、それらの変化が急峻な条件で誤動作が発生する場合が多い。

　ＩＣ５１の状態を測定するために、電磁界プローブ（電界プローブまたは磁界プローブ）、電流プローブ（電流プローブまたはロゴスキーコイル）、光電界プローブなどの非接触プローブを用いることができる。これにより、測定対象の電磁環境に影響を与えにくくすることができる。このような非接触プローブの測定が有効なのは、測定対象の内部のインピーダンスが高い場合であり、一般的に入力信号を受け取るＩＣの端子が該当する。一例としてスイッチング電源のフィードバック配線、水晶発振器の出力端子が接続されるＣＰＵ、またはメモリ（ＤＤＲ）の入力端子などがある。

　更に、測定用のプローブは、ノイズ印加用の第１のプローブ４０および第２のプローブ４１と同様に、指向性を有するものとすることができる。具体的には、測定対象に対して結合量が最大となるように測定用のプローブの向きを変更するのが望ましい。例えばループプローブの場合にはループ面と、ＩＣ５１の端子の向きまたは配線の向きとを平行にすることによって、結合量を最大とすることができる。

　＜従来の測定法＞
　参考のために、従来のＩＣのノイズ耐量の測定法の一例であるＤＰＩ（Direct　Power　Injection）法について説明する。

　図９は、従来の測定装置の概略図である。図９に示すように、信号発生部１０と接続される同軸ケーブル２１がＩＣ５１の近傍に配置される。同軸ケーブル２１の芯線と測定対象のＩＣの端子との間に１０００ｐＦのコンデンサＣ４２が配置される。

　図１０は、従来の別の測定装置の概略図である。図１０に示すように、同軸ケーブル２１の芯線とＩＣ５１の端子と間のコンデンサＣ４２に加えて、ＩＣ５１のＧＮＤ端子５３と同軸ケーブル２１の外導体４９との間にもコンデンサＣ４３が配置される。このようにすることで、コンデンサＣ４２から伝搬したノイズがコンデンサＣ４３に流れる構造を作ることができるため、本実施の形態で述べた方法に近い特性を得ることができる。なお、コンデンサＣ４２やコンデンサＣ４３は積層セラミックコンデンサなどの物理的なコンデンサであり、寄生容量によるコンデンサではない。

　しかしながら、同軸ケーブルの外導体４９とプリント基板５０の基準電位となるＧＮＤの電位が異なる場合においては、本実施の形態とは異なる結果となる。本実施の形態においては、同軸ケーブルの外導体とプリント基板５０のＧＮＤとが接続されることはないため、両者に電位差があっても測定できる。一方、従来手法においては、両者の電位が異なる場合において、一方の導体から他方の導体に信号が伝搬してしまう。その結果、ＩＣ５１が正常に動作している時とは異なる条件で測定が行われる。また、信号を注入していないプローブを取り付けるだけで誤動作する場合、またはＩＣ５１が起動しない場合がある。例えば、プリント基板５０がバッテリーなどの内部電池で動作しており、信号発生部１０が商用電源に接続される場合には、ＤＣバイアスを含めて両者のＧＮＤの電位は必ずしも一致しない。また、電子機器が商用電源に接続された場合、またはグランドに対してアースされた場合においても、直流としては同電位になるものの、交流としては寄生成分により、必ずしも電子機器内の基準電位はグランドと同電位とはならない。そのため、多くの場合において、プローブのＧＮＤと測定対象となる電子機器とを接続することによって、測定対象を正常に動作させることは難しい。本実施の形態は、そのような誤動作を発生させる要因を取り除くことができるため、従来の手法と比べると、どのようなＩＣおよびプリント基板に対しても、同じように測定することができる。

　実施の形態２.
　本実施の形態は、ＩＣの誤動作の判定法に関する。

　電子機器の最も明確な誤動作は、機器が動作しなくなることである。しかし、停止しているはずの電子機器が動作を始めること、電子機器が瞬間停止すること、または信号に遅延が生じることも誤動作に該当する。すなわち、電子機器の出力を人または他の電子機器が受け取ったときに、異常と判定できることが誤動作となる。この誤動作を試験環境で模擬する方法として、信号発生部１０が出力する第１の交流信号および第２の交流信号の電圧、電力、周波数、周波数帯域幅、連続波またはパルス波をパラメータとして、誤動作の有無を計測する方法がある。

　ただし、上記の方法を用いることができるのは、プリント基板などのハードウェアの実装、およびそれらを制御するソフトウェアの実装が完了し、電子機器として完成した状態のみである。また、この状態においてＩＣ５１の誤動作が分かったとしても、少なくとも試作が完了した状態であるので、ＩＣの変更などの大幅な修正をすることができない場合が多い。本実施の形態においては電子機器が完成する前の段階において、ＩＣの評価を実施する方法を提供する。

　具体的には、本実施の形態のノイズ耐量測定方法では、測定対象となるＩＣ５１が搭載された電子機器が動作状態において、外部から印加する第１の交流信号および第２の交流信号の周波数と振幅とを変化させて、ＩＣ５１の出力信号を測定することによって、各周波数と各振幅における出力信号の波形を表わす応答マップを作成する。

　図１１は、実施の形態２のＩＣのノイズ耐量検出方法の手順を表わすフローチャートである。

　ステップＳ２０１において、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１をＩＣ５１に近接して配置する。

　ステップＳ２０２において、信号発生部１０が、周波数ｆを初期値ｆ０、振幅Ｖを初期値Ｖ０に設定する。

　ステップＳ２０３において、信号発生部１０が、周波数がｆで、振幅がＶで、位相が相違する第１の交流信号および前記第２の交流信号をノイズとして出力する。第１のプローブ４０および第２のプローブ４１によって、ＩＣ５１に第１の交流信号および第２の交流信号を注入する。

　ステップＳ２０４において、判定装置７０が、ＩＣ５１の出力信号を検出する。
　ステップＳ２０５において、判定装置７０が、応答マップにおける周波数ｆ、振幅Ｖに対応するグリッドに出力信号の波形を書き込む。

　ステップＳ２０６において、周波数ｆが終了値ｆｎである場合には、処理がステップＳ２０８に進み、周波数ｆが終了値ｆｎでない場合には、処理がステップＳ２０７に進む。

　ステップＳ２０７において、信号発生部１０は、周波数ｆを刻み幅Δｆだけ増加させる。

　ステップＳ２０８において、振幅Ｖが終了値Ｖｎである場合には、処理が終了し、振幅Ｖが終了値Ｖｎでない場合には、処理がステップＳ２０９に進む。

　ステップＳ２０９において、信号発生部１０は、振幅Ｖを刻み幅ΔＶだけ増加させる。
　図１２は、実施の形態２の応答マップの例を表わす図である。図１２の横軸は、ＩＣ５１の入力端子に入力する第１の交流信号および第２の交流信号の周波数を表わす。図１２の縦軸は、ＩＣ５１の入力端子に入力する第１の交流信号および第２の交流信号の振幅を表わす。横軸と縦軸とを区切ることによって、グリッドが形成される。応答マップは、各グリッドにおける出力波形を含む。この出力波形は、周波数特性を示す。応答マップの横軸の周波数は等間隔で記しているが等間隔でなくてもよく、更には真値または対数であっても良い。応答マップの縦軸の振幅についても等間隔で記しているが等間隔でなくてもよく、真値または対数でも良い。縦軸の振幅は、信号発生部１０、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１の種類によって変わる。縦軸の振幅は、電圧、電流、電力、電界、または磁界などのＩＣに電気信号として注入できるものであればどのような信号の振幅であってもよい。入力方法および出力方法については、接触型のプローブを用いても、非接触型のプローブを用いても構わない。ただし、接触型プローブを用いる場合は、測定した出力波形をプローブの内部回路成分を補正した信号波形とするのが望ましく、非接触型プローブを用いる場合にはアンテナファクタで補正した信号波形とするのが望ましい。さらに、ＩＣ５１の端子にノイズフィルタ、またはコイルなどのような、ＩＣ５１以外の回路部品が実装されている場合は、それらの部品の周波数特性を事前に測定し、計測した出力波形をそれらの部品がない場合の信号波形に補正するのが望ましい。

　図１２において、グリッドの数は周波数軸、振幅軸ともに４×４であるが、この限りでなく、どのような分割数でもよい。必ずしも各軸に対して等間隔で分割する必要はなく、特に誤動作が発生しやすい周波数、及び電圧付近においてグリッドを細かく切ってもよい。そのような誤動作が発生しやすい帯域において、帯域幅により誤動作の仕方が異なる場合においては、グリッドがオーバーラップしていても構わない。更に、周波数軸に対して対数で表示し、振幅軸に対して真数で表示してもよい。この場合には、信号発生部１０は、周波数方向に対しては対数で、振幅方向に対して真数で出力信号を変化させることも望ましい。周波数方向に対数とすることで低い周波数帯域から高い周波数帯域まで大まかな特性を把握することができる。また、振幅方向はＩＣのしきい値電圧となるなど、真数に比例することが多いため、ＩＣの特性にもよるが、多くの場合は真数で構わない。

　単一のＩＣで誤動作が判定できる場合においては、単一の応答マップで誤動作する周波数と振幅とを把握する。ただし、例えばスイッチング電源ＩＣのように外部からの信号によって出力電圧が変わるものなど、誤動作とは言えないものが発生する。測定対象である第１のＩＣについて応答マップを作成し、第１のＩＣに接続される第２のＩＣについて応答マップを作成すればよい。第１のＩＣは、スイッチング電源ＩＣのような単体では誤動作を判定できないＩＣである。第２のＩＣは、誤動作の判定ができるＩＣである。

　図１３は、２つの応答マップによる誤動作条件の判定方法の手順を表わすフローチャートである。図１４は、第２のＩＣについての応答マップを表わす図である。図１５は、２つの応答マップを用いた、誤動作条件の特定方法を説明するための図である。

　ステップＳ６０１において、第１のＩＣについての応答マップを作成する。
　ステップＳ６０２において、第１のＩＣと接続される第２のＩＣについての応答マップを作成する。

　ステップＳ６０３において、第２のＩＣについての応答マップ内の誤動作条件となる周波数（ｆ１）および振幅（ａｍｐ１）の組み合わせを抽出する。

　ステップＳ６０４において、第１のＩＣについての応答マップ内の出力信号のうち、抽出した周波数（ｆ１）および振幅（ａｍｐ１）の組み合わせを含む出力信号の第１のＩＣについての応答マップ内の周波数および振幅の組み合わせを第１のＩＣの誤動作条件として特定する。図１５に示すように、第１のＩＣについての応答マップのグリッドＡの出力波形が振幅（ａｍｐ１）と周波数（ｆ１）とを含むので、グリッドＡの周波数ｆ２および振幅ａｍｐ２が第１のＩＣの誤動作条件として特定される。また、第１のＩＣについての応答マップのグリッドＢの出力波形が振幅（ａｍｐ１）と周波数（ｆ１）とを含むので、グリッドＢの周波数ｆ３および振幅ａｍｐ２が第１のＩＣの誤動作条件として特定される。

　第２のＩＣによって誤動作の判定ができない場合には、第２のＩＣに接続される第３のＩＣによって誤動作を判定する。前述のとおり、この手法は、第１のＩＣの誤動作の有無が判定できない場合にのみ適用されるものである。第１のＩＣ単体で誤動作を判定できるものであれば、このような手法を必ずしも用いる必要はない。ただし、上述のとおり第１のＩＣが誤動作しなくても第２のＩＣが誤動作することはありうるので、ＩＣ単体で評価できる場合においても本手法を用いることができる。

　応答マップにおいて、周波数帯域の分割は細かく、例えば１Ｈｚ毎などに設定するのが望ましいが、測定時間が膨大であり、現実的な時間で測定することは困難である。そこで、信号発生部１０から出力する第１の交流信号および第２の交流信号を少なくとも１ｋＨｚ以上の帯域幅を有する信号とすることによって測定時間を短縮することができる。CISPR11などの規格試験においては９ｋＨｚ以上の帯域幅が用いられることが多いが、それよりも狭い帯域幅にすることで誤動作する帯域をより正確にとらえることができるためである。

　１つまたは複数の正弦波を重ね合わせた連続波を信号発生部１０から出力することによって測定時間を短縮することができる。この場合においても、応答マップをグリッドに切って、対応する条件のグリッド内に出力信号の波形を書き込めばよい。

　信号発生部１０から少なくとも振幅、立ち上がり時間、立ち下がり時間、周期、オン時間、およびＤｕｔｙ比が決まった台形波信号を出力することによって、応答マップを作ることもできる。例えば、電力によって誤動作するＩＣには、広い帯域の信号を同時に注入する必要があるが、このように広い周波数帯域を有する台形波を用いることができる。

　伝導過渡試験（ＦＥＴ／Ｂ試験）などによって、インパルス信号に類似した信号に対する応答マップを生成することもできる。この場合には応答マップの各グリッド内に書き込む出力信号は周波数特性でなくても良く、オシロスコープを用いた時間信号、またはリアルタイムスペクトラムアナライザを用いたスペクトログラムであっても良い。判定装置７０は、上記の台形波をフーリエ変換して周波数特性を求めても良い。信号発生部１０は、台形波の代わりに、中心周波数から帯域幅を有するガウス分布を有する波形を用いることによって広帯域の信号を測定対象に印加してもよい。

　従来は、電子機器に複数のＩＣが含まれている場合に、これらの複数のＩＣの組合せに対して、誤動作条件を評価する必要があった。それゆえ、複数のＩＣの組合せおよび接続関係が変わると、誤動作条件を再評価しなければならなかった。本実施の形態においては、ＩＣ毎に応答マップを事前に作っておくことによって、複数のＩＣの組合せおよび接続関係が変わったとしても誤動作条件の再評価が不要となる。各々の応答マップを事前に用意しておくことによって、設計変更が容易な設計初期段階で誤動作の発生の有無を定量的に評価することができる。

　実施の形態２の変形例．
　図１６は、実施の形態２の変形例のＩＣのノイズ耐量検出方法の手順を表わすフローチャートである。

　ステップＳ９０１において、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１をＩＣ５１に近接して配置する。

　ステップＳ９０２において、信号発生部１０が、ＩＣ５１の端子番号Ｐを０、周波数ｆを初期値ｆ０、振幅Ｖを初期値Ｖ０に設定する。

　ステップＳ９０３において、信号発生部１０が、周波数がｆで、振幅がＶで、位相が相違する第１の交流信号および前記第２の交流信号をノイズとして出力する。第１のプローブ４０および第２のプローブ４１によって、ＩＣ５１の端子番号ＰＮの端子に第１の交流信号および第２の交流信号を注入する。

　ステップＳ９０４において、判定装置７０が、ＩＣ５１の出力信号を検出する。
　ステップＳ９０５において、判定装置７０が、応答マップにおける周波数ｆ、振幅Ｖ、端子番号Ｐに対応するグリッドに出力信号の波形を書き込む。

　ステップＳ９０６において、周波数ｆが終了値ｆｎである場合には、処理がステップＳ９０８に進み、周波数ｆが終了値ｆｎでない場合には、処理がステップＳ９０７に進む。

　ステップＳ９０７において、信号発生部１０は、周波数ｆを刻み幅Δｆだけ増加させる。

　ステップＳ９０８において、振幅Ｖが終了値Ｖｎである場合には、処理がステップＳ９１０に進み、振幅Ｖが終了値Ｖｎでない場合には、処理がステップＳ９０９に進む。

　ステップＳ９０９において、信号発生部１０は、振幅Ｖを刻み幅ΔＶだけ増加させる。
　ステップＳ９１０において、端子番号Ｐが終了値Ｐｎである場合には、処理が終了し、端子番号Ｐが終了値Ｐｎでない場合には、処理がステップＳ９１１に進む。

　ステップＳ９１１において、信号発生部１０は、端子番号Ｐを１だけ増加させる。
　図１７は、実施の形態２の変形例の応答マップの例を表わす図である。

　実施の形態２の変形例の応答マップは、ＩＣに注入される交流信号の周波数、ＩＣに注入される交流信号の振幅、およびＩＣの交流信号を注入する端子の組合せにおける、出力信号の波形が書き込まれる。

　実施の形態３.
　本実施の形態は、ＩＣ５１の出力端子の内部インピーダンスの測定に関する。

　ＩＣおよびＩＣの端子には、それぞれ、内部に回路が形成されている。内部インピーダンスがＩＣの端子間で異なる。たとえば、入力端子の内部インピーダンスが０Ω、すなわち短絡に近い場合には、ＩＣ内部の回路に励起電圧が発生しないため出力は小さく、電圧起因で誤動作している回路の場合においては誤動作しにくい。一方、入力端子の内部インピーダンスが例えば１ＭΩ、すなわち開放に近い場合には、励起電圧が大きくなるため、出力は大きくなる。通常、ＩＣの端子の内部インピーダンスは短絡と開放の中間にある。ＩＣの内部インピーダンスは、抵抗成分のみでなくインダクタンス成分、キャパシタンス成分、およびダイオードなどの非線形成分も有する。このような内部インピーダンスの特性によって外部から印加された信号が、ＩＣの内部に生成する電圧振幅が変化する。

　図１８は、実施の形態３におけるＩＣの出力端子の内部インピーダンスの測定方法の手順を表わすフローチャートである。

　ステップＳ３０１において、信号発生部１０の出力を停止した状態に設定する。
　ステップＳ３０２において、動作状態のＩＣにおける出力信号が変化しない、または周期性を持って変化する出力端子ＰＯの近傍に電界プローブを配置して、電界プローブによって、出力端子ＰＯが生成する電界Ｅを測定する。

　ステップＳ３０３において、電界プローブを配置した箇所と同一の箇所に磁界プローブを配置して、磁界プローブによって、出力端子ＰＯが生成する磁界Ｈを測定する。

　測定された電界と磁界は、電界プローブのアンテナファクタと、磁界プローブのアンテナファクタとを用いて、プローブ位置における電界と磁界とに変換してもよい。特に電界に関しては、近傍領域（具体的にはフレネル領域、または極近傍領域に属し、おおよそ１～３波長程度以下の領域）で用いるため、測定対象との距離が各プローブの校正値と異なる場合には、マイクロストリップ線路などの既知の測定対象に対してアンテナファクタを算出しておくのが望ましい。

　ステップＳ３０４において、判定装置７０は、電界Ｅと磁界ＨとからインピーダンスＺを以下の式によって算出する。インピーダンスＺをＩＣ５１の出力端子ＰＯの内部インピーダンスとみなすことができる。例えば、ＩＣの内部インピーダンスが高い場合には、電流が流れないので磁界Ｈは小さくなり、電圧が上昇するので電界Ｅは大きくなる。その結果インピーダンスＺは大きな値になる。

　Ｚ＝Ｅ／Ｈ・・・（１）
　簡単のためＩＣ１とＩＣ２だけが接続された配線を考えると、ＩＣ１の端子に流れる電流と、ＩＣ２の端子に流れる電流は等しくなる。しかし、ＩＣ１の内部インピーダンスとＩＣ２の内部インピーダンスとが異なる場合にはＩＣ１の端子に印加される電圧とＩＣ２の端子に印加される電圧が異なるため、ＩＣ１の端子の近傍の電界分布とＩＣ２の端子の近傍の電界分布とが異なる。すなわち、内部インピーダンスが高い方の励起電圧が高くなるため電界が大きくなり、内部インピーダンスが低い方の励起電圧が低くなるため電界が小さくなる。この情報と磁界プローブによって測定した磁界から、各ＩＣの端子の内部インピーダンスを予測することができる。

　更に、ＩＣ間の配線に接続されているダンピング抵抗などの部品のインピーダンスの周波数特性が既知、または測定できる場合においては、回路シミュレータなどを用いて、それらのインピーダンス特性、分圧および分流を考慮して、測定対象のインピーダンスを決めることもできる。また、既知のインピーダンスを配線に意図的に実装して変化率からＩＣの内部インピーダンスを算出しても構わない。

　ＩＣ端子の配線を介しての接続先はどのようなものでも構わないが、インピーダンスの周波数特性を測定できる受動回路が望ましい。具体的にはＩＣに繋がる先の回路定数が分かっている場合には等価回路によって、内部インピーダンスを未知数として、電流と電圧の連立方程式が成立する。この連立方程式を優決定方程式として最小二乗法を用いて解くこと、すなわち一般逆行列に従った解法によって内部インピーダンスの周波数特性を推定することができる。一方、ＩＣに繋がる先の回路定数が未知の場合には、上記の電界と磁界を求める方法を再度実施し、各ＩＣの内部インピーダンスを未知数とすると、各測定結果の電界と磁界から４つの連立方程式が成立する。この連立方程式を優決定方程式として最小二乗法を用いて解くことによってそれぞれの内部インピーダンスを推定することができる。また、測定値は周波数データであり、Ｒ、Ｌ、ＣでＩＣの内部が構成されているのであれば、等価回路モデルを用いて理論解を算出しても良い。なお、周波数特性は応答マップの周波数ごとのグリッドに合うように出力する。ただし、グリッドが大きい場合には、周波数特性として別の行列としてデータを保存しても構わない。

　なお、上記では電界プローブと磁界プローブとを用いて、ＩＣの内部インピーダンスを測定する方法を述べたが、これに限定されるものではない。プローブの特性を補正すれば電流または電圧に比例した値を取得できるプローブ、光電界プローブ、または電流プローブなどを代わりに用いても構わない。

　図１９は、内部インピーダンスの記載を含む応答マップの例を表わす図である。図１９に示すように、各周波数において内部インピーダンスを測定し、応答マップに記載することによって、どのようなＩＣを接続する場合においても精度良くＩＣの各端子に励起される信号振幅を算出することができる。この場合において、出力端子だけでなくＩＣの全ての端子において内部インピーダンスの周波数特性を含む応答マップを作成することが望ましい。

　たとえば、このような応答マップは、以下のような場合に用いることができる。
　第１のＩＣの端子の内部インピーダンスと、第１のＩＣの端子に接続する第２のＩＣの端子の内部インピーダンスとをそれぞれ応答マップから抽出する。第１のＩＣの端子の内部インピーダンスと第２のＩＣの内部インピーダンスとを用いて、第２のＩＣの誤動作電圧が励起された時の第１のＩＣの入力信号を逆推定することができる。これによって、第１のＩＣに対するノイズの耐量を推定することができる。内部インピーダンスおよび出力波形に周波数特性を含むため、第１のＩＣの入力信号の逆推定の計算には、回路シミュレータおよび一般的な最適化手法を用いることができる。

　実施の形態４．
　本実施の形態は、ＩＣ５１の入力端子の内部インピーダンスの測定に関する。

　図２０は、実施の形態４における内部インピーダンスの測定方法の手順を表わすフローチャートである。

　ステップＳ４０１において、信号発生部１０の出力を停止した状態に設定する。
　ステップＳ４０２において、動作状態のＩＣの入力端子ＰＩの近傍に電界プローブを配置して、電界プローブによって、入力端子ＰＩに印加されている電圧の振幅Ｖ０を非接触で測定する。

　ステップＳ４０３において、信号発生部１０は、測定された電圧の振幅Ｖ０よりも小さい振幅Ｖ１を有する既知の擬似乱数の信号、または変調信号を出力する。たとえば、第１のプローブ４０を用いて、既知の擬似乱数の信号または変調信号をＩＣ５１の入力端子ＰＩに注入する。入力端子ＰＩに入力される信号の振幅Ｖ０と同じ振幅のノイズを入力端子ＰＩに注入すれば、ＩＣ５１が誤動作することは明らかであるので、ノイズとして与える信号の振幅Ｖ１をＶ０よりも小さくする。これによって、ＩＣ５１がノイズによって誤動作することを避けることができる。

　ステップＳ４０４において、ＩＣ５１の入力端子ＰＩの近傍に電界プローブを配置して、電界プローブによって、入力端子ＰＩが生成する電界Ｅを非接触で測定する。

　電界プローブの信号を測定する測定器はオシロスコープ、またはスペクトラムアナライザなどが望ましい。必要に応じてプリアンプなどで信号を増幅すること、またはアッテネータで信号を減衰させてもよい。測定対象と電界プローブとの距離を調整して測定器の測定条件を満たす測定を行うものとする。

　ステップＳ４０５において、電界プローブを配置した箇所と同一の箇所に磁界プローブを配置して、磁界プローブによって、入力端子ＰＩが生成する磁界Ｈを非接触で測定する。

　測定された電界と磁界は、電界プローブのアンテナファクタと、磁界プローブのアンテナファクタとを用いて、プローブ位置における電界と磁界とに補正してもよい。特に電界に関しては、近傍領域（具体的にはフレネル領域、または極近傍領域に属し、おおよそ１～３波長程度以下の領域）で用いるため、測定対象との距離が各プローブの校正値と異なる場合には、マイクロストリップ線路などの既知の測定対象に対してアンテナファクタを算出しておくのが望ましい。判定装置７０は、測定された電界Ｅから電圧Ｖを求め、測定された磁界Ｈから電流Ｉを求めてもよい。

　ステップＳ４０６において、判定装置７０は、電界Ｅと磁界ＨとからインピーダンスＺ（＝Ｅ／Ｈ）を算出する。インピーダンスＺをＩＣの入力端子ＰＩの内部インピーダンスとみなすことができる。判定装置７０は、電界Ｅに基づく電圧Ｖと、磁界Ｈに基づく電流ＩとからインピーダンスＺ（＝Ｖ／Ｉ）を算出してもよい。

　更に、上記のＩＣ５１の端子に配線を通して接続される別のＩＣに対しても上記の方法でインピーダンスＺを求め、回路計算から所望のＩＣのインピーダンスを求めても良い。ＩＣ５１の端子に接続される抵抗、コンデンサ、コイル、ダイオードなどの受動回路部品に対しても受動回路部品の入出力端において、上記の方法でインピーダンスＺを求め、回路計算によって所望のＩＣのインピーダンスを推定しても構わない。

　回路計算では、上記のＩＣまたは受動回路のインピーダンスを未知数として、上記の測定結果から電圧または電流の式として解き、測定条件が上記の未知数以上となれば優決定方程式として、上記の未知数を算出することができる。

　上記の方法は、信号を受信しているか、または出力しているＩＣの端子に対しては有効な方法であるが、信号を受信していない端子および出力していない端子を測定することができない。そのような場合においては、外部から信号を印加してＩＣ５１の内部のインピーダンスを推定する方法を用いる。ただし、インピーダンスを測定するためにＩＣ５１の端子の電圧よりも大きな電圧を外部から入力するとＩＣ５１自体が誤動作するため、ＩＣ５１の内部のインピーダンスを測定することができない。一方でＩＣ５１の出力信号が大きいと外部から印加した信号が埋もれてしまうため、インピーダンスを正確に測定することができない。本実施の形態では、無線通信で用いられるように変調信号を用いること、あるいは既知の擬似乱数（Ｍ系列信号などの受信機側が信号発生器側で生成した信号が分かっている信号）を生成することによって送信信号（すなわち、信号発生部１０の出力信号）と受信信号（すなわち、判定装置７０によって検出された電界Ｅまたは磁界Ｈ）との相関から内部のインピーダンスを推定することもできる。

　なお、実施の形態２で述べた応答マップのグリッドに合わせるように帯域幅を有する帯域ごとに各周波数のインピーダンスを求めて、その結果を応答マップに書き込むこととしてもよい。

　実施の形態５.
　本実施の形態は、ＩＣ５１の温度変化に注目して、誤動作を確認する方法に関する。

　ＩＣ５１に外部からノイズを印加して誤動作が発生する際には、ＩＣ５１の内部では半導体素子の電圧が閾値を超えて誤動作が発生する。例えば、スイッチング電源の電圧をモニタするためのフィードバック配線にノイズが混入して、出力電圧が設計した値から変化する、あるいは出力電圧にノイズが重畳することがある。その結果、機器が停止したり、停止していた機器が駆動したりする。機器が停止した場合には、温度が低下し、機器が駆動した場合は、発熱するなど、必ずＩＣ５１に温度変化が生じる。電源のフィードバック配線に関しては、印加したノイズの信号によって、出力電圧の低下が検出された場合に、Ｄｕｔｙ比を増加させることによって、出力電圧を増加させる処理が行われる。出力電圧の増加が検出された場合に、Ｄｕｔｙ比を減少させることによって、出力電圧が低下する。出力電圧が変化する場合において、出力エネルギーも変化するため消費電力が変化する。そのため、測定対象の温度を観測することによって、測定対象に測定機器を近接させず、測定系に全く影響を与えることなく誤動作を観測することができる。

　図２１は、実施の形態５のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。
　実施の形態５のＩＣのノイズ耐量検出装置は、温度検出器９１を備える。

　温度検出器９１は、ＩＣ５１、またはＩＣ５１に接続されるＩＣ５１とは異なるＩＣの温度変化を検出する。温度検出器９１として、赤外線カメラまたは非接触温度計を用いることができる。これにより、リアルタイムで温度を遠方から測定することができる。特に温度変化を見る必要があるため、風のない、温度が一定の環境で、測定対象が熱的に安定になるまで待ってから測定を開始するのが望ましい。そのような測定対象および測定環境において、信号発生部１０によって外部から印加する第１の交流信号および第２の交流信号の振幅および周波数を変化させて、上記の赤外線カメラまたは非接触温度計によって温度を観測する。

　判定装置７０は、ＩＣ５１、またはＩＣ５１に接続されるＩＣ５１とは異なるＩＣの温度変化に基づいて、ＩＣ５１が誤動作しているか否かを判定する。ＩＣ５１によって温度変化は異なるが、判定装置７０は、たとえば５度以上のＩＣの温度変化が検出された場合には、ＩＣ５１が誤動作していると判断すれば良い。ＩＣ５１が破壊する直前はＩＣ５１が急激に高温になる傾向があるため、ＩＣ５１の温度変化を検出したときには、信号発生部１０が出力を停止することによって、ＩＣ５１の破壊を未然に防ぐこともできる。

　実施の形態５の変形例１．
　図２２は、実施の形態５の変形例のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。

　実施の形態５の変形例のＩＣのノイズ耐量検出装置は、温度検出器９１の代わりに、アンテナ９２を備える。

　アンテナ９２は、ＩＣ５１から放射される電磁波を検出する。アンテナ９２は、ＩＣ５１の遠方に配置される。

　判定装置７０は、第１の交流信号および第２の交流信号の周波数帯以外の周波数帯におけるアンテナ９２における受信電圧の変化に基づいて、ＩＣ５１が誤動作しているか否かを判定する。

　遠方とは、例えば１ｍ程度の距離である。あるいは、遠方は、周波数に対して１波長以上遠い距離としてもよい。例えば１００ＭＨｚの信号を測定するには、ＩＣ５１から３ｍ程度離れた位置にアンテナ９２を設置するのがよい。ただし、そのように距離を離すことによって、Ｓ／Ｎ比が減少し、ＩＣ５１の変化による電波環境の変化を観測しにくくなる。そのような場合には、アンテナ９２として、パラボラアンテナまたはフェイズドアレーアンテナなど高い指向性を有するアンテナを用いても良い。また、ＩＣ５１の状態の変化を捕えるだけであれば、相対変化だけで良いため、周波数に対して１波長以下の距離にアンテナ９２を配置してもよい。また、ラジオまたはテレビ、携帯電話などの外乱ノイズが入らないシールドルームまたはシールドテント、電波暗室内で行うことも望ましい。

　実施の形態６.
　図２３は、実施の形態６に係るＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。

　実施の形態６のＩＣのノイズ耐量検出装置の信号発生部１０は、信号生成器１１、同軸ケーブル２０、およびバラン３０を含む。

　信号生成器１１とバラン３０とは、同軸ケーブル２０によって接続される。
　信号生成器１１は、電磁ノイズである試験信号を生成する。信号生成器１１は、例えばシグナルジェネレータまたはファンクションジェネレータなどである。

　バラン３０は、信号生成器１１によって生成された試験信号から、振幅が等しく、かつ位相が１８０度相違する第１の交流信号および第２の交流信号を生成する。

　バラン３０は、信号生成器１１によって生成された試験信号を差動信号（ディファレンシャルモード、またはノーマルモードとも呼ばれる）、または同相信号（コモンモードとも呼ばれる）に分離する。本実施の形態で使用するバラン３０は、１８０度ハイブリッドカプラとも呼ばれるカプラである。バラン３０によって、信号生成器１１によって生成された１つの試験信号から、振幅が等しく位相が１８０度相違する２つの交流信号を作り出すことができる。バラン３０に入力された電力が半分ずつ２つのポートから出力される。よって、挿入損失を考慮すると電力は、それぞれ１／２以下になる。バラン３０は、アナログ回路で構成されているため、周波数およびバラン３０の内部の回路にも依存するが、差動信号に対して－３０ｄＢ程度の同相信号が生成される。

　バラン３０は、ダイポールアンテナを作る際に使われる一般的なものである。ダイポールアンテナは、送信アンテナとしても使われるため、本実施の形態において信号印加に求められる大きな電流、大きな電圧、または大きな電力を入力できるものは多く存在する。さらに、信号生成器１１がバンドパスフィルタなどを有し、特定の帯域だけを出力できるようにしてもよい。

　バラン３０は、１つの入力ポートと、２つの出力ポートＰ１、Ｐ２とを有する。バラン３０の出力ポートＰ１は第１の同軸ケーブル２１を介して第１のプローブ４０に接続される。バラン３０の出力ポートＰ２は第２の同軸ケーブル２２を介して第２のプローブ４１に接続される。これによって、信号生成器１１から出力された信号を第１のプローブ４０と第２のプローブ４１との間に生じる差動信号として出力することができる。

　信号発生部１０、第１のプローブ４０、および第２のプローブ４１によって、プリント基板５０上のＩＣ５１に対して差動信号を注入する差動信号注入手段が構成される。差動信号を作るためには、バラン３０から第１のプローブ４０までの電気長と、バラン３０から第２のプローブ４１までの電気長とを等しくする必要がある。第１のプローブ４０と第２のプローブ４１との間に電位差が発生することによって、ノイズ電流をＩＣ５１およびプリント基板５０に流すことができる。

　バラン３０は、差動信号を生成するために用いられるが、さらに、信号生成器１１を保護すること、測定対象に影響を与えにくくする効果もある。信号生成器１１を保護することに関しては、測定対象によっては測定対象のノイズが大きく、プローブ４０、４１を介して信号生成器１１にノイズが重畳してしまう恐れがある。バラン３０を用いることによって、２つのプローブ４０、４１の差動（ノーマル）モード成分のみが同軸ケーブル２１、２２を介して信号生成器１１に混入する。バラン３０に設けられた終端抵抗（一般的に用いられるのは５０Ω抵抗）、バラン３０の内部の損失、またはプローブ４０、４１への反射によって、同相成分（コモンモード成分）は消費されて、信号生成器１１には混入しない。このような理由で、信号生成器１１を保護することができる。一方、測定系に影響を与えないのも同様の理由であり、信号生成器１１にプリント基板５０の信号が伝搬してしまうと、正常な動作時とは異なる信号の伝搬経路が形成される。バラン３０があることによって、そのような伝搬経路を作りにくくすることができるので、測定系への影響を小さくすることができる。

　＜差動信号＞
　本実施の形態における差動信号は、第１のプローブ４０と第２のプローブ４１に入力する２つの交流信号の位相が１８０度相違する。例えば、ある時刻の、ある周波数の電圧を見たときに第１のプローブ４０に印加される電圧が＋１Ｖで、第２のプローブ４１に印加される電圧が－１Ｖとなる。更に望ましくは、第１のプローブ４０から出力される電磁界と第２のプローブ４１から出力される電磁界とが同振幅で、かつ逆位相となるようにしてもよい。このような場合には、第１のプローブ４０から第２のプローブ４１に向かって電気力線ができるため電位差が発生する。その結果、第１のプローブ４０と第２のプローブ４１との間に電流が流れる。また、第１のプローブ４０と第２のプローブ４１との間に配線、またはＩＣなどの導体がある場合においては、導体経由で電気力線が発生することによって、第１のプローブ４０と第２のプローブ４１との間の電位差を導体に伝えることができる。

　本実施の形態では、差動信号によって、第１のプローブ４０と第２のプローブ４１との間に最大の電位差を作ることができるため、特に望ましい。

　第１の同軸ケーブル２１の長さと第２の同軸ケーブル２２の長さとが異なるなどが原因で、信号発生部１０から第１のプローブ４０までの電気長と、信号発生部１０から第２のプローブ４１までの電気長とが等しくない場合には、第１の交流信号の位相と第２の交流信号の位相との差が１８０度ではない。このような場合には、コモンモード信号が発生する。

　異なる種類の第１の同軸ケーブル２１と第２の同軸ケーブル２２とを用いて、１ＧＨｚ以上の周波数を測定する場合には、第１の同軸ケーブル２１の電気長と第２の同軸ケーブル２２の電気長とを等しくする必要がある。電気長の測定にはネットワークアナライザを用いてＳ１１（反射特性）を測定すること、またはＴＤＲ（Time　Domain　Reflectometry）機能を有するオシロスコープなどによって時間領域反射率を測定し、電気長を把握し、発生するコモンモードを予測してから測定するのが望ましい。

　＜同相信号＞
　同相信号は、従来において、１つのプローブを用いてＩＣに注入するときに用いられる信号である。例えば、図４のような同軸プローブを用いた場合には、同軸の芯線４４から出力された信号はＩＣに印加される。印加された信号は、同軸の外導体４９に寄生容量（浮遊容量とも呼ばれる）を介して戻ってくる。さらに、測定対象または信号発生部１０が同じ電源系統を用いている場合において、電源線経由で信号が伝送する。さらに、その他の寄生容量で構成される信号の伝搬経路が存在する。ただし、寄生容量は、プローブおよび測定器の配置などの影響を受けやすく、測定再現性が低いという問題がある。電源線経由の場合、測定環境が系統電源の引き回しで変わるため、測定環境および電源線に接続された他の機器の影響を受けやすく、測定再現性が得にくい。

　本実施の形態では特に理由がなければ差動信号のみを発生させるのが望ましく、同相信号を発生させないことによって、測定環境および測定系の配置に依存しない測定をすることができる。

　なお、一方の配線にアッテネータ、アンプ、または位相器を用いて、振幅または位相を変化させても構わない。更に、３相交流のような場合には、位相が１２０度相違する第１の交流信号および第２の交流信号をそれぞれ第１のプローブ４０と第２のプローブ４１とに印加することで、ノイズに対する誤動作耐性を測定することができる。

　＜制御装置＞
　ＩＣのノイズ耐量検出装置は、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１の走査を制御するための可動部および制御部を備えてもよい。

　これにより、測定対象と第１のプローブ４０および第２のプローブ４１との距離を常に一定に保つことができる。距離が一定に保たれることによって、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１から測定対象のＩＣ５１に混入させることができるノイズを変化しないようにすることができる。

　可動部は、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１をプリント基板５０のＸ（横）、Ｙ（縦）、Ｚ（高さ）、およびθ（指向性）方向に移動させる。制御部は、可動部のＸＹＺθ方向の走査を制御する。可動部および制御部によって、プリント基板５０上のＩＣ５１の測定する端子の位置を移動させる走査手段が構成される。走査手段は、サーボモータなどで制御可能なロボットであってもよい。この制御部は、さらに、信号生成器１１が出力する交流信号の周波数を制御したり、誤動作の確認処理を行なってもよい。制御部は、誤動作が発生して自動復帰しない機器に関しては、機器を再起動させてもよい。

　実施の形態６の変形例１．
　図２４は、実施の形態６の変形例１のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。このＩＣのノイズ耐量検出装置の信号発生部１０は、信号生成器１１とバラン３０との間に配置されるアンプ３１を備える。アンプ３１とバラン３０とは、同軸ケーブル２３によって接続される。

　アンプ３１は、信号生成器１１によって生成された試験信号を増幅する。
　ＩＣ５１に注入される電磁ノイズとしての試験信号のレベルが弱く、信号生成器１１の出力電圧および周波数を変化させても、ＩＣ５１が誤動作しない場合に、アンプ３１を用いるのが望ましい。

　アンプ３１のゲインが固定されている場合には、信号生成器１１とアンプ３１の間にアッテネータを配置してもよい。アンプ３１の出力電力には上限があり、上限近くにおいては出力が歪んでしまう可能性がある。よって、アンプ３１の出力波形を別途、オシロスコープ、スペクトラムアナライザ、またはＶＮＡ（Vector　Network　Analyzer）などの測定器によって測定するのが望ましい。アンプ３１の出力電圧が大きい場合、またはアンプ３１の出力電流が大きい場合においては、アンプ３１とバラン３０との間の同軸ケーブル２３として、大電圧用の同軸ケーブルなどを用いてもよい。

　実施の形態６の変形例２．
　図２５は、実施の形態６の変形例２のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。このＩＣのノイズ耐量検出装置の信号発生部１０は、第１のアンプ３１と、第２のアンプ３２と、同軸ケーブル２４と、同軸ケーブル２５とを備える。

　第１のアンプ３１は、バラン３０と、第１の同軸ケーブル２１の一端との間に配置される。第１のアンプ３１は、バラン３０から出力された第１の交流信号を増幅する。第２のアンプ３２は、バラン３０と、第２の同軸ケーブル２２の一端との間に配置される。第２のアンプ３２は、バラン３０から出力された第２の交流信号を増幅する。

　バラン３０と、第１のアンプ３１とは、同軸ケーブル２４によって接続される。バラン３０と、第２のアンプ３２とは、同軸ケーブル２５によって接続される。

　第１のアンプ３１および第２のアンプ３２は、バラン３０によって、電力が半分となった信号を増幅するため、第１のアンプ３１および第２のアンプ３２の出力電力の許容値、バラン３０の耐圧および電流許容量が厳しくならない。しかしながら、第１のアンプ３１の出力信号の位相と第２のアンプ３２の出力信号の位相との差を調整する必要があるため、第１のアンプ３１および第２のアンプ３２のキャリブレーションが必要となる。

　実施の形態６の変形例３．
　図２６は、実施の形態６の変形例３のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。このＩＣのノイズ耐量検出装置の信号発生部１０は、アンプ３１とバラン３０との間に配置される方向性結合器３４を備える。方向性結合器３４とバラン３０とは、同軸ケーブル２６によって接続される。

　方向性結合器３４を用いることによって、アンプ３１および信号生成器１１にノイズが流れ込むのを抑制することができる。方向性結合器３４を設けることによって、測定対象であるプリント基板５０、およびプリント基板５０上のＩＣ５１にとって測定器側は高いインピーダンスに見える。その結果、測定系に影響を与えずにＩＣのノイズ耐量の測定が可能となる。方向性結合器３４を設けることによって、アンプ３１に強い信号が注入された場合にも、アンプ３１の出力の歪み、およびアンプ３１の破損を防止することができる。アンプ３１とバラン３０との間に方向性結合３４を配置する以外にも、バラン３０と第１のプローブ４０、及びバラン３０と第２のプローブ４１との各々の間に方向性結合器３４を配置しても同様の効果を得ることができる。

　伝送線路上を伝搬する信号の反射波が大きい場合、すなわち負荷のＶＳＷＲが高い場合、あるいはリターン・ロスが小さい場合には、進行波と反射波との合成波を測定することになる。このような場合に、方向性結合器３４を用いることで、進行波電力のみに対応する信号を取り出し、あるいは進行波電力と反射波電力のそれぞれに対応する信号を別々に取り出すことができる。よって、反射波がある状態でも電力の測定を確実に行なうことができる。

　実施の形態７．
　図２７は、実施の形態７のＩＣのノイズ耐量検出装置の一部を示す図である。

　実施の形態７のＩＣのノイズ耐量検出装置が、上述の実施形態のＩＣのノイズ耐量検出装置と相違する点は、第１のプローブ４０が接触型のプローブである点である。

　第２のプローブ４１は、実施の形態１と同様に、ＩＣ５１に非接触で配置される。
　第１のプローブ４０は、同軸プローブである。第１のプローブ４０の同軸の芯線４４がＩＣ５１のグランド端子５３に接触して配置される。

　従来では、プローブの外導体または基準電位をＩＣ５１のグランド端子に接続していたため、インピーダンスが低いグランド経由で信号が伝搬するという問題がある。

　本実施の形態においては、第１のプローブ４０の同軸の芯線４４がグランド端子５３に接触するため、グランド端子５３は、インピーダンスが低い外導体と絶縁される。その結果、インピーダンスが低いグランド経由で信号が伝搬するのを防止できる。また、バラン３０および信号生成器１１の内部抵抗のため、信号が芯線４４経由で流れにくい。そのため、第１のプローブの同軸の芯線４４をＩＣ５１のグランド端子に接触させても測定対象の動作への影響を小さくすることができる。

　第１のプローブ４０をグランド端子５３に接触させることによって、第１のプローブ４０をＩＣ５１に対して非接触に配置するときと比べて、ＩＣ５１にノイズを効率よく注入することができる。また、差動信号を伝送する２つの配線の一方をＩＣ５１のグランド端子に接続し、差動信号を伝送する２つの配線の他方をＩＣ５１に接続しないようにすることによって構成されるフィードバック配線などにノイズを注入することができる。

　図２８は、プリント基板５０にノイズを印加した場合の測定結果を示す図である。プリント基板５０は、ＦＲ－４（Flame　Retardant　Type　4）基板である。プリント基板５０の特性インピーダンスは５０Ωであり、誘電体は０.８ｍｍである。

　従来の結果は、マイクロストリップ線路に対して非接触で６０μｍの距離に同軸プローブの芯線を配置した場合における同軸プローブとマイクロストリップ線路の結合量を示す。実施の形態７の結果は、接触型プローブをマイクロストリップ線路のＧＮＤ面に接続するとともに、マイクロストリップ線路に対して非接触で６０μｍの距離に同軸プローブの芯線を配置した場合における差動信号入力に対するマイクロストリップ線路の結合量を示す。図２７に示すように、１００ｋＨｚ～３ＭＨｚにおいて、実施の形態７では、１０ｄＢ～４０ｄＢ程度、ノイズ注入量が増加している。３ＭＨｚ～２００ＭＨｚにおいては、実施の形態７では、約５ｄＢ～１０ｄＢ程度ノイズ注入量が増加している。

　図２９は、非接触の同軸プローブ（電界プローブ）を用いた場合の測定結果と、磁界プローブを用いた場合の測定結果とを示す図である。磁界プローブの直径は１０ｍｍである。磁界プローブの磁束がマイクロストリップ線路に最も励起する向きに磁界プローブの向きを定めた。図２８に示すように、１０ＭＨｚまでにおいて、磁界プローブを用いた場合に、差動信号とマイクロストリップ線路との結合量は、約－６０ｄＢである。磁界プローブを用いた場合には、同軸プローブを用いた場合に比べて１０ｄＢ程度結合量を大きくすることができる。

　図３０は、電源ＩＣ５１にノイズ印加した場合の、ＩＣ５１の正常出力（１.３５Ｖ）と異常出力の測定結果を示す図である。電源ＩＣ５１の駆動周波数が６５０ｋＨｚである。実施の形態７による方法によって、電源ＩＣ５１のイネーブル信号に６５０ｋＨｚで１０Ｖの信号を注入した。図３０に示す波形のように、異常時は、ＩＣ５１の出力が２.２５Ｖまたは０.６Ｖに変化する。

　図３１は、電源ＩＣのフィードバック端子に１０Ｖの信号を注入したときの結果を示す図である。電源ＩＣの駆動周波数が６５０ｋＨｚである。本実施の形態による方法によって、電源ＩＣのフィードバック端子に６５０Ｈｚで１０Ｖの信号を注入した。

　図３１に示すように、注入した信号とは異なる周波数の信号も発生している。特に１０ｋＨｚ～１００ｋＨｚにおいて２０ｄＢ程度のノイズが増加していえる。このように、誤動作に至る直前の状態においては、意図しないノイズが発生していることがある。このようなノイズによって、電源を供給するＩＣが誤動作する恐れがある。本実施の形態を用いることで、このような問題を低減することができる。

　実施の形態７の変形例.
　図３２は、実施の形態７の変形例１の第１のプローブ４０を表わす図である。

　ＩＣ５１のグランド端子と接触する同軸プローブである第１のプローブ４０は、同軸の芯線４４の先端に取り付けられたコンデンサなどの整合回路Ｍａを備える。コンデンサは、積層セラミックコンデンサが望ましい。

　整合回路Ｍａによって、第１のプローブ４０と信号生成器１１とのインピーダンス整合を取ることができる。５０Ω系でしか使えないファンクションジェネレータなどの信号生成器１１を用いた場合でも、反射波が発生しないようにすることができる。

　さらに、出力信号の振幅が大きい測定対象の場合には、測定対象の直流成分および低周波成分が第１のプローブ４０に混入しにくくなるため、信号生成器１１が過電圧によって誤動作または破壊するのを防止することができる。

　第１のプローブ４０の同軸の芯線４４の先端と測定対象との間に整合回路Ｍａを直列に配置する方法だけでなく、第１のプローブ４０の同軸の芯線４４の先端と外導体４９との間に整合回路Ｍａを並列に配置する方法を用いてもよい。

　また、信号生成器１１は、第１のプローブ４０側のインピーダンスによらずに、１ＭＨｚ以上の信号を出力可能なバイポーラ電源を用いるのが望ましい．ただし、バイポーラ電源の出力の周波数は、数５０ＭＨｚ程度が上限であるため、それより高い周波数においては、上記のファンクションジェネレータまたはパワーアンプなどを用いることができる。

　実施の形態８．
　図３３は、実施の形態８のＩＣのノイズ耐量検出装置の一部の構成を表わす図である。

　実施の形態８のＩＣのノイズ耐量検出装置が、上述の実施形態のＩＣのノイズ耐量検出装置と相違する点は、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１が接触型のプローブである点である。

　第１のプローブ４０および第２のプローブ４１は、それぞれ同軸プローブである。第１のプローブ４０の同軸の芯線４４がＩＣ５１の第１端子に接触して配置される。第２のプローブ４１の同軸の芯線４５がＩＣ５１の第２端子に接触して配置される。

　実施の形態８において、信号発生部１０の基準電位と、測定対象となるプリント基板５０またはＩＣ５１の基準電位とは、直接接続されないため、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１を接触させることによって、測定対象の誤動作を低減することができる。

　実施の形態８のノイズ耐量検出装置は、差動信号を測定する場合において、特に効果を発揮する。すなわち、差動信号を伝送する配線に、第１のプローブ４０の同軸の芯線４４と第２のプローブ４１の同軸の芯線４５とを接触させることによって、差動信号をＩＣ５１に注入して、ＩＣ５１の誤動作を判定することができる。差動信号は接触型のプローブの影響を受けにくいという特徴を有する。２つの接触型プローブ（第１のプローブ４０および第２のプローブ４１）の形状が等しいのが望ましく、信号発生部１０から各接触プローブまでの電気長が等しいことが望ましい。

　図３４は、差動配線にノイズを印加した場合における誤動作条件の測定結果を示す図である。使用した差動配線は、イーサネット（登録商標）ケーブルに繋がるＰＨＹチップの差動配線である。図３４に示すように、特定の周波数帯（２０ＭＨｚ～６０ＭＨｚ）において、印加レベルが小さくても誤動作することがわかる。

　なお、第１のプローブ４０の同軸の芯線４４がＩＣ５１の第１端子に接触して配置される代わりに、ＩＣ５１が実装されたプリント基板５０上の配線に接触して配置されるものとしてもよい。第２のプローブ４１の同軸の芯線４５がＩＣ５１の第２端子に接触して配置される代わりに、ＩＣ５１が実装されたプリント基板５０上の配線に接触して配置されるものとしてもよい。

　実施の形態８の変形例.
　実施の形態７の変形例と同様に、第１のプローブ４０は、同軸の芯線４４の先端に取り付けられたコンデンサなどの整合回路Ｍａを備える。第２のプローブ４１は、同軸の芯線４４の先端に取り付けられたコンデンサなどの整合回路Ｍａを備えるものとしてもよい。

　実施の形態９．
　図３５は、実施の形態９のＩＣのノイズ耐量検出装置の一部の構成を表わす図である。

　実施の形態９のＩＣのノイズ耐量検出装置が、上述の実施形態のＩＣのノイズ耐量検出装置と相違する点は、以下である。

　実施の形態９において、第１のプローブ４０および第２のプローブ４１は、それぞれ同軸プローブである。実施の形態９のＩＣのノイズ耐量検出装置は、第１のプローブ４０の同軸の外導体と、第２のプローブ４１の同軸の外導体とを接続する接続ケーブル８０を備える。

　第１の同軸ケーブル２１および第２の同軸ケーブル２２が、第１の交流信号および第２の交流信号の波長に対して長い場合には、第１の同軸ケーブル２１および第２の同軸ケーブル２２の先端のインピーダンスが変化することよって、外導体に定在波が発生する。その結果、周波数によっては正しく測定できない場合がある。ここで、第１の同軸ケーブル２１および第２の同軸ケーブル２２が、第１の交流信号および第２の交流信号の波長に対して長いとは、約１／１０波長以上長いこととを意味する。第１の交流信号および第２の交流信号の周波数が３００ＭＨｚの場合には、波長が１ｍである。プリント基板５０の誘電体による波長短縮により波長が０.５ｍ程度となるので、１／１０波長は、約５ｃｍとなる。

　同軸ケーブル２１、２２が波長に対して短い場合には、信号生成器１１およびバラン３０を通じて、外導体は同電位となるので、外導体に定在波が発生しない。同軸ケーブル２１、２２が波長よりも１／１０波長以上長いと、定在波の影響が大きくなる。そのような場合においては、外導体を第１のプローブ４０および第２のプローブ４１の直近で接続するための接続ケーブル８０を設けることによって、同軸ケーブル２１、２２の影響を低減することができる。また、周波数によっては接続ケーブル８０自体の残留インダクタンスが影響するため、接続ケーブル８０は太く、短いことが望ましい。さらには、接続ケーブル８０のように点接続でなく、外導体間をはんだ付けすることによって、より高い周波数まで、定在波を発生させることなく測定が可能となるようにしてもよい。

　実施の形態１０．
　図３６は、実施の形態１０のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。

　ＩＣのノイズ耐量検出装置は、信号発生部１０と、第１のプローブ４０と、第２のプローブ４１ａ、４１ｂと、判定装置７０と、第１の同軸ケーブル２１と、第２の同軸ケーブル２２ａ、２２ｂとを備える。

　信号発生部１０は、異なる位相の第１の交流信号および第２の交流信号をノイズとして出力する。第１の交流信号および第２の交流信号は、差動信号とすることができる。

　第１の同軸ケーブル２１は、第１の交流信号を伝送する。
　第２の同軸ケーブル２２ａ、２２ｂは、第２の交流信号を伝送する。

　第２のプローブ４１ａは、第２の同軸ケーブル２２ａと接続される。第２のプローブ４１ａは、プリント基板５０上のＩＣに近接して配置され、第２の交流信号をＩＣ５１に注入する。第２のプローブ４１ｂは、第２の同軸ケーブル２２ｂと接続される。第２のプローブ４１ｂは、プリント基板５０上のＩＣに近接して配置され、第２の交流信号をＩＣ５１に注入する。第２のプローブ４１ａ、４１ｂは、プリント基板５０上のＩＣ５１に非接触で配置されるものとしてもよい。

　判定装置７０は、第１の交流信号および第２の交流信号の注入後のＩＣ５１の状態に基づいて、ＩＣ５１が誤動作しているか否かを判定する。たとえば、判定装置７０は、ＩＣ５１の出力信号に基づいて、ＩＣ５１が誤動作しているか否かを判定するものとしてもよい。

　信号発生部１０は、信号生成器１１と、バラン３０と、アンプ３１と、パワースプリッタ３３とを含む。なお、プローブの特性インピーダンスは必ずしも５０Ωでないため、パワースプリッタ３３はパワーディバイダやバランなどの高周波の信号または電力を分配する分配器であればどのようなものを用いても構わない。信号生成器１１は、電磁ノイズである試験信号を生成する。

　バラン３０は、信号生成器１１によって生成された試験信号から、振幅が等しく、かつ位相が１８０度相違する第１の交流信号および第２の交流信号を生成する。バラン３０の第１の交流信号を出力するポートは、第１の同軸ケーブル２１と接続される。

　アンプ３１は、第２の交流信号を増幅する。
　パワースプリッタ３３は、アンプ３１の出力と接続される。パワースプリッタ３３は、アンプ３１の出力を分岐する。

　パワースプリッタ３３の２つの出力は、第２の同軸ケーブル２２ａおよび２２ｂと接続される。

　本実施の形態によれば、ＩＣの複数点に同時にノイズを注入することができる。例えばオペアンプの信号と電源とに同時にノイズを注入することができる。

　信号線がノイズに強く、電源線がノイズに弱い場合においては、信号線近傍に配置する第１のプローブ４０または第２のプローブ４１ａ、４１ｂの直前にアンプを配置してもよい。さらに、第１のプローブ４０、第２のプローブ４１ａ、４１ｂは、接触型プローブであってもよい。例えばＩＣ５１の内部の回路がコンパレータを含むことが分かっている場合に、ＧＮＤと差動信号を伝送する配線に接触型プローブを取り付け、電源には非接触プローブを取り付けるなどの方法を取っても構わない。

　第１のプローブ４０および第２のプローブ４１ａ、４１ｂは、電流プローブ、またはロゴスキーコイルなどでもよい。すべてのプローブをＩＣ５１またはプリント基板５０に近接させる必要はない。プリント基板５０に接続されるコネクタにノイズを注入してもよい。例えば、電流容量を確保するためにＩＣ５１が同電位の複数の電源端子が備える場合がある。そのような場合には、第２のプローブ４１ａをＩＣ５１の１つの電源端子に近接して配置し、第２のプローブ４１ｂをＩＣ５１の別の電源端子に近接して配置し、第１のプローブ４０をＩＣ５１のグランド端子に近接して配置することとしてもよい。これによって、複数の電源端子に信号を同時に注入することができ、ＩＣ５１にノイズを効率的に注入することができる。

　実施の形態１１．
　周波数、振幅、ＩＣの端子の組み合わせ等、測定パラメータが多いため、測定時間の短縮が必要である。測定時間の大部分は、プローブを走査する時間である。上記の実施形態では、ノイズ印加用の２つのプローブと、１つの信号検出用のプローブを用いることになるため、プローブ同士が絡み合い、自動測定できなくなることがある。

　本実施の形態では、ノイズを印加するプローブと、出力信号を検出するプローブとを測定対象であるＩＣの近傍に予め配置しておき、印加するプローブおよび検出するプローブを機械的または電気的に切り替えることによって、上記の問題を解決する。

　図３７は、実施の形態１１のＩＣのノイズ耐量検出装置の構成を表わす図である。
　ＩＣのノイズ耐量検出装置は、信号発生部１０と、複数の第１の同軸ケーブル２１と、複数の第２の同軸ケーブル２２と、複数の第３の同軸ケーブル９６と、複数の第１のプローブ４０と、複数の第２のプローブ４１と、複数の第３のプローブ６１と、第１のスイッチ９３と、第２のスイッチ９４と、第３のスイッチ９５とを備える。

　信号発生部１０は、異なる位相の第１の交流信号および第２の交流信号をノイズとして出力する。

　第１の同軸ケーブル２１は、第１の交流信号を伝送する。
　第２の同軸ケーブル２２は、第２の交流信号を伝送する。

　第１のプローブ４０は、対応する第１の同軸ケーブル２１と接続される。第１のプローブ４０は、プリント基板５０上のＩＣ５１に近接して配置され、第１の交流信号をＩＣ５１に注入する。

　第２のプローブ４１は、対応する第２の同軸ケーブル２２と接続される。第２のプローブ４１は、プリント基板５０上のＩＣ５１に近接して配置され、第２の交流信号をＩＣ５１に注入する。

　第３のプローブ６１は、プリント基板５０上のＩＣ５１に近接して配置されて、ＩＣ５１の出力信号を計測する。

　第３の同軸ケーブル９６は、対応する第３のプローブ６１と接続され、ＩＣ５１の出力信号を伝送する。

　判定装置７０は、第１の交流信号および第２の交流信号の注入後に、第３のプローブ６１から入力されるＩＣ５１の出力信号に基づいて、ＩＣ５１が誤動作しているか否かを判定する。

　第１のスイッチ９３は、複数の第１の同軸ケーブル２１と信号発生部１０との間に設けられる。第１のスイッチ９３は、信号発生部１０と接続する１つの第１の同軸ケーブル２１を切り替える。

　第２のスイッチ９４は、複数の第２の同軸ケーブル２２と信号発生部１０との間に設けられる。第２のスイッチ９４は、信号発生部１０と接続する１つの第２の同軸ケーブル２２を切り替える。

　第３のスイッチ９５は、複数の第３の同軸ケーブル９６と判定装置７０との間に設けられる。第３のスイッチ９５は、判定装置７０と接続する１つの第３の同軸ケーブル９６を切り替える。

　第１のプローブ４０、第２のプローブ４１、および第３のプローブ６１は、非接触型プローブであっても、接触型プローブであってもよい。第１のプローブ４０、第２のプローブ４１、および第３のプローブ６１は、同一の種類であっても、異なる種類であってもよい。

　本実施の形態では、スイッチを電気信号によって切り替えることによって、使用するプローブを切り替えることができるため、ＩＣ５１のノイズ耐量の検出を短時間で実施することができる。プローブの走査によってプローブと同軸ケーブルとが絡みあってロボットアームが停止または故障する可能性、およびプローブと測定対象とが短絡する可能性を低減することができる。特に同軸プローブの場合には先端部に電界が集中するため、複数の同軸プローブ間の干渉が小さく、ＩＣの端子に合わせて複数の同軸プローブを密に配置しても精度の高い測定をすることができる。一方、ループプローブの場合にはプローブのループ面に直交する向きに磁界が出るため、近くに別のループプローブがあると複数のプローブ間の間で干渉が発生し、誤動作特性把握がしにくくなる。そのような場合においては、複数のプローブの間の距離を離すこと、または、それぞれのループプローブのループ面が直交するように複数のプローブを配置することで干渉を低減することができる。そのため、微細なＩＣを測定するときには、上記の理由から同軸プローブが望ましい。ただし、誤動作しやすい端子を探すなど、測定対象の特性が未知の場合には大まかな位置を把握可能な磁界プローブを用いのが望ましい。

　プローブ間の干渉を減らすためにプローブの先端間の距離よりも、各プローブの先端と測定対象間の距離を短くするのが望ましい。このようにすることによって、寄生容量および相互インダクタンスがプローブと測定対象間で発生しやすい。その結果、他のプローブを介して信号が信号発生部１０または判定装置７０に戻る量よりも、測定対象に注入される量を増やすことができる。

　インピーダンス測定に関しても同様の信号切り替え機を用いた装置で測定することができる。また、電界プローブと磁界プローブとの切り替えに関しても半導体素子からなる外部スイッチによって、プローブの先端を開放または短絡するようにすることによって、プローブを入れ替えることなく測定することができる。ただし、外部スイッチを用いる場合においては、その信号が機器に影響を与えないように配置する必要がある。

　プローブの指向性を考慮した配置に関しては、上述の実施の形態と同様に、プローブと測定対象の結合量が最大となる向きに配置するのが望ましい。

　実施の形態１２．
　実施の形態４において、ＩＣ５１の内部インピーダンス測定法を行うためには、電界プローブと磁界プローブとを測定対象の同一の位置に配置する必要がある。しかしながら、電界プローブおよび磁界プローブを物理的に移動させると、移動に要する時間が必要となる。また、電界プローブの先端部の大きさと磁界プローブの先端部の大きさとが必ずしも同であるとは限らないため、これらのプローブを同一の位置に配置できるとは限らない。

　図３８は、実施の形態１２における電磁界プローブを表わす図である。
　この電磁界プローブは、ＩＣ５１の端子の電界および磁界を測定するために用いられる。この電磁界プローブは、外導体４９と芯線４４とを有する同軸プローブである。

　芯線４５の先端部と外導体４９とがダイオードＤ４６を介して接続される。
　同軸プローブの芯線４４の先端部と外導体４９との間に電池などの直流電源からの直流電圧を印加するか否かを切り替えるスイッチまたはデュプレクサなどの切替器ＳＷが設けられる。切替器ＳＷがオンのときには、ダイオードＤ４６の抵抗値が小さくなるため、図３８の電磁界プローブは、磁界プローブとして機能する。切替器ＳＷがオフのときには、ダイオードＤ４６の抵抗値は大きくなるため、図３８の電磁界プローブは、電界プローブとして機能する。

　電磁界プローブを電界プローブとして動作させるか、磁界プローブとして動作させるかを外部の信号のみによって電気的に切り替えることができるため、上記のように移動時間、およびプローブの寸法の問題を解決することができる。インピーダンス測定の際は、同一の位置で同一の時刻に電界と磁界とを測定するのが最も望ましい。しかし、これは、物理的に不可能である。ただし、例えば信号の速度が１ＭＨｚである場合に、上記のスイッチまたはダイオードを用いてオン／オフの切替えを１００ＭＨｚで行うと、測定対象の電気的な特性が変化する前に電界と磁界とを測定することができる。ただし、１度の試行では、測定タイミングが、測定対象のオン／オフが切り替わるタイミングと重なることもあるため、複数回測定し、統計的または同一の特性が現れた場合のみの平均を求めることで、電界と磁界とを等価的に同一の位置で同一時刻に測定することができる。

　この電磁界プローブはノイズを検出するだけでなく、実施の形態１のようにノイズを印加するプローブとしても用いることができる。この際、直流信号に高周波信号を重畳するものとしてバイアス・ティーなどのデュプレクサを用いるのが望ましい。また、測定器に入力するために直流成分を除くには、ＤＣカットなどの受動回路を用いればよい。

　実施の形態１２の変形例．
　図３９は、実施の形態１２の変形例における電磁界プローブを表わす図である。

　この変形例の電磁界プローブは、ダイオードＤ４６の代わりにリードスイッチ４８と、リードスイッチ４８を制御する磁石ＭＧとを備える。

　たとえば、磁石ＭＧを永久磁石とする。リードスイッチ４８に対して永久磁石を近づけ、あるいは遠ざけることによって、リードスイッチ４８の開閉を切り替えることができる。

　あるいは、磁石ＭＧを電磁石とする。リードスイッチ４８の近傍に電磁石を配置し、電磁石に電流を流すことによって、リードスイッチ４８の開閉を切り替えることができる。上記において、電磁界プローブは、電界及び磁界検出のための検出用プローブとして説明したが、実施の形態１に示すように測定対象へのノイズ印加用のプローブとして用いても構わない。

　実施の形態１３.
　本実施の形態は、実際の電子機器への活用法に関する。上記の実施の形態は、一般的なＩＣの評価法に関するものであるが、具体的なノイズ源が想定できる場合には、本実施の形態の手法を効果的に活用することができる。以下に具体例を述べる。

　実際の使用環境を模擬した試験として、ＥＭＣ（Electromagnetic　Compatibility）分野で用いられる静電気試験（ＥＳＤ試験）、ファーストトランジェントバースト（ＥＦＴ／Ｂ）試験、または雷サージ試験などがある。これらのノイズ源となる試験器の出力波形はオシロスコープなどで測定することができるため、ノイズ源の周波数特性を把握することができる。ノイズ源から所望のＩＣへの伝搬は、伝導、または空間、またはその両方の伝搬経路を経由する。

　ノイズ源が既知である場合に、実施の形態１～１２で述べた手法によりＩＣのノイズ耐量の周波数特性は既知であるため、ノイズ源からＩＣまでの伝搬経路を予測することができれば、ＩＣに印加されるノイズの周波数特性を把握することができる。

　Ａｎｓｙｓ社のＨＦＳＳ、ＣＳＴ社のＣＳＴＳｔｕｄｏなどの電磁界シミュレータを使えば、ノイズ源から所望のＩＣの端子までの伝搬特性、具体的にはＳパラメータを算出することができる。

　更に、実施の形態３で述べたようにＩＣの各端子の内部インピーダンスを把握することによって、より正確な伝搬特性を把握することができる。そして、入力信号となるノイズ源の周波数特性と伝搬経路の周波数特性とを組み合わせることで、ＩＣに印加される電圧および電力を推定することができる。

　具体的には電磁界シミュレータまたは実測を通じて算出したＳパラメータを、Ｓパラメータのフローグラフ（またはシグナルフローグラフ）で結合することで、ノイズを発生させる信号発生装置から誤動作が起こるＩＣの端子への伝搬特性を推定することができる。この手法は無線機などの設計においてはレベルダイヤグラムとして個々の部品の増幅および減衰特性を組み合わせる方法として知られている。本手法は、無線設計におけるレベルダイヤグラムを拡張したものとなる。特に各部品（例えば、ノイズ印加装置からプローブまでをひとまとめとした部品、またはノイズが印加されるプリント基板など）の特性が周波数の振幅特性、および位相特性を有するとともに、増幅はなく減衰特性のみで構成されることから、本実施の形態においては、この手法をノイズのレベルダイヤグラムと呼ぶ。ノイズのレベルダイヤグラムでは、無線機設計とは異なり、周波数ごとの伝搬遅延時間と、部品の結合部での反射と透過特性を含めて考慮する必要があるため位相特性を含めて結合することが重要である。このノイズのレベルダイヤグラムと、信号発生器の信号レベルの周波数特性とを結合することで、誤動作が発生するＩＣの端子に印加されるノイズレベルの周波数特性を推定することができる。さらに、このＩＣの端子に印加されるノイズレベルの周波数特性と、上記の実施の形態で示したノイズの誤動作周波数特性とを比較することで、誤動作の有無を判定することができる。

　上記のＩＣに印加される電圧および電力と、実施の形態１～１２に記載したＩＣのノイズ耐量評価装置とを用いて評価した結果を比較することによって、ＩＣの誤動作を試作することなくフロントローディング設計でＥＭＳすなわちノイズ耐量を正確に予測できる。

　具体的にＥＭＳ設計が必要な例として、タッチパネルやボタンを有するエレベータの操作パネルやＦＡ機器の操作装置やスマートフォンのようなタッチパネルを有する電子機器など、人が触れる電子機器において本実施の形態で述べた手法を用いることで、誤動作や破壊を防ぐことができる設計が可能となる。

　発電所または工場など、電磁ノイズ環境を乱す機器が周囲および近接するケーブルに流れている場所においては、磁気結合によって、電磁ノイズが、本実施の形態で述べた通信用ケーブルに混入すること、系統電源を介して電源ケーブルに混入することなどが起こる。そのような場合において、本実施の形態で述べた方法に従うと、設計段階においてＩＣに与えるノイズの影響を最小限に抑える設計ができる。必要に応じて電磁シールドや、バリスタ、アレスタ、または対地間コンデンサなどを配置することによって、ノイズを逃がす経路を設けることも可能となる。発電所または工場などにおいては、瞬停および誤動作が致命的になりうるため、本手法に従った設計法は高い効果を有する。

　また、自立して動作する宇宙産業、防衛産業、自動車産業（特に自動アシスト、または自動運転）においては、ジャミング等により機器が誤動作または破壊をする。人の判断が瞬時に効かないために致命的な結果をもたらす可能性がある。本手法を適用することで、ジャミング等に強い電子機器を作ることができるため、上記のような問題を起こしにくくすることができる。

　他にも例えば空調機のような民生機器においても、誘導雷による機器の破壊は低減すべき課題である。誘導雷による機器の破壊の多くは、例えば近隣の送電線に雷が誘導されたことに起因する。そのため、電源線経由で誘導雷起因のノイズが混入する経路が生じる。理想的には、機器にノイズを混入させる前に、対地間コンデンサなどでアースに電流を流すことである。しかし、雷も交流信号であるため残留インダクタンスの影響を受けるので、全てをアースに流すことはできない。そのため、一部が機器の内部に混入することになる。本手法では、そのような経路を試作前に予測することができる。

　本手法でノイズ耐量を評価して、半導体素子自体の外乱ノイズへの耐量を向上するのは良い方法である。特に、応答マップなどをスペックシート等に記載し、プリント基板設計者と共有することによって、トラブルの少ない開発が可能となる。

　また、プリント基板設計者においては、本手法で評価した結果を受けて、ノイズに影響を受けやすいＩＣを選定しないことが可能となる。更に、回路図のＩＣの各端子に対して、外乱ノイズへの影響度を追記するのは望ましい設計方法である。特に、ノイズ耐性が低くノイズに気を付けなければならない帯域を記載し、ノイズフィルタ部品の追加および配線の引き回しに注意するよう記載することで、設計後に起こりうるＥＭＳトラブルを最小に留めることができる。

　実施の形態１４．
　実施の形態３に示した非接触での電界と磁界の測定結果を用いて、インピーダンスを推定する具体的な計算方法と、その方法を用いて実測結果を計算した結果を示す。評価結果を示すためにインピーダンスが既知である条件で測定を行った。具体化には、誘電体厚０．８ｍｍのＦＲ－４基板を用いた特性インピーダンス５０Ωのマイクロストリップ線路の一端に信号発生器（具体的には、ベクトルネットワークアナライザ）を接続した。終端が開放の場合と短絡の場合とにおいて、電界および磁界を測定した。具体的には、ベクトルネットワークアナライザの別ポートで電界および磁界を測定した。

　インピーダンスの推定について、単に電界と磁界の比を取る方法が考えられる。ただし、この方法では推定精度が低くなることが分かった。そこで、本実施の形態においては、既知のインピーダンスＺ０を用いて算出される補正係数によって、電界と磁界の比を校正する。具体的には、電界プローブの受信電圧の周波数特性をＶ１（ｆ）、磁界プローブの受信電圧の周波数特性をＶ２（ｆ）とし、以下の式が成り立つ。

　Ｖ１（ｆ）＝α１（ｆ）×Ｅ（ｆ）・・・（２）
　Ｖ２（ｆ）＝α２（ｆ）×Ｅ（ｆ）・・・（３）
　推定したいインピーダンスＺ（ｆ）は以下の式で表される。α１（ｆ）、α２（ｆ）、β（ｆ）は、周波数に依存する複素係数である。α１（ｆ）およびα２（ｆ）は、既知の複素係数である。β（ｆ）は、未知の複素補正係数である。

　未知の複素補正係数β（ｆ）を既知のインピーダンス素子Ｚ０[Ω]によって算出することができる。具体的には以下の式によってβ（ｆ）を算出する。複素補正係数β（ｆ）を求めるために、電界Ｅ（ｆ）と磁界Ｈ（ｆ）とを測定する際には、電界プローブと測定対象との位置関係、および磁界プローブと測定対象との位置関係を一定するのが望ましい。

　図４０は、実施の形態１４における内部インピーダンスＺ（ｆ）の推定結果を表わす図である。

　図４０には、既知のインピーダンスＺ０＝５０Ωの入力端子を用いて算出した複素補正係数β（ｆ）を用いて、内部インピーダンスＺ（ｆ）を算出した結果が表されている。１００ｋＨｚ～１００ＭＨｚにおいて、短絡条件での内部インピーダンスＺ（ｆ）は、１Ω程度であり、開放条件での内部インピーダンスＺ（ｆ）は１ｋΩ程度である。

　図４１は、実施の形態１４による補正複素係数β（ｆ）による校正を実行する場合と、校正を実行しない場合の５０Ω終端に対する内部インピーダンスＺ（ｆ）の推定値の周波数特性を示す図である。

　校正を実行した場合には、内部インピーダンスＺ（ｆ）は、一定値（５０Ω）である。校正を実行しない場合、すなわち単に電界と磁界の比によって内部インピーダンスＺ（ｆ）を算出する場合においては、内部インピーダンスＺ（ｆ）は、一定値（５０Ω）とはならない。今回は、既知のインピーダンスＺ０として５０Ωを用いたが、測定対象の入力端子のインピーダンスＺ（ｆ）と近いと考えられる既知のインピーダンスＺ０を用いることで、測定対象の入力端子の内部インピーダンスＺ（ｆ）の推定精度を向上させることができる。

　本実施の形態による校正によって、位相成分を用いることができるメリットがある。周波数帯域での位相成分は、時間領域では時間差を示すものであるため、位相成分を含めることによって校正を用いない従来技術はできなかった、インピーダンスの時間変化を測定することが可能となる。これによって、ＩＣの一種であるパワー半導体のオン時とオフ時、その遷移状態での内部インピーダンスを非接触で推定できる。その結果、設計初期段階である回路シミュレーションにおいて、精度の高い設計をすることが可能となる。

　図４２は、実施の形態１４における内部インピーダンスの測定方法の手順を表わすフローチャートである。

　ステップＳ５０１において、動作状態のＩＣ５１の既知のインピーダンスＺ０の入力端子ＰＩ（０）の近傍に電界プローブを配置して、電界プローブによって、既知のインピーダンスＺ０の入力端子ＰＩが生成する電界Ｅ（ｆ）を非接触で測定する。

　ステップＳ５０２において、電界プローブを配置した箇所と同一の箇所に磁界プローブを配置して、磁界プローブによって、既知のインピーダンスＺ０の入力端子ＰＩ（０）が生成する磁界Ｈ（ｆ）を非接触で測定する。

　ステップＳ５０３において、判定装置７０は、ステップＳ５０１において測定された電界Ｅ（ｆ）から式（２）に従って、電圧Ｖ１（ｆ）を算出する。判定装置７０は、ステップＳ５０２において測定された磁界Ｈ（ｆ）から式（３）に従って、電圧Ｖ２（ｆ）を算出する。判定装置７０は、算出したＶ１（ｆ）およびＶ２（ｆ）と、既知のインピーダンスＺ０とを用いて、式（５）に従って、複素補正係数β（ｆ）を算出する。

　ステップＳ５０４において、動作状態のＩＣ５１の測定対象の入力端子ＰＩの近傍に電界プローブを配置して、電界プローブによって、測定対象の入力端子ＰＩが生成する電界Ｅ（ｆ）を非接触で測定する。

　ステップＳ５０５において、電界プローブを配置した箇所と同一の箇所に磁界プローブを配置して、磁界プローブによって、測定対象の入力端子ＰＩが生成する磁界Ｈ（ｆ）を非接触で測定する。

　ステップＳ５０３において、判定装置７０は、ステップＳ５０４において測定された電界Ｅ（ｆ）から式（２）に従って、電圧Ｖ１（ｆ）を算出する。判定装置７０は、ステップＳ５０５において測定された磁界Ｈ（ｆ）から式（３）に従って、電圧Ｖ２（ｆ）を算出する。判定装置７０は、算出したＶ１（ｆ）およびＶ２（ｆ）と、ステップＳ５０３において測定された複素補正係数β（ｆ）と用いて、式（４）に従って、測定対象の入力端子ＰＩの内部インピーダンスを算出する。

　今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

　１０　信号発生部、１１　信号生成器、２０，２１，２２，２２ａ，２２ｂ，２３，２４，２５，２６，９６　同軸ケーブル、３０　バラン、３１，３２　アンプ、３３　パワースプリッタ、３４　方向性結合器、４０，４１，４１ａ，４１ｂ，６１　プローブ、４４，４５　芯線、４８　リードスイッチ、４９　外導体、５０　プリント基板、５１　ＩＣ、５３　グランド端子、５４　第１のノイズ印加部、５５　第２のノイズ印加部、６０　計測用ケーブル、７０　判定装置、７１　計測部、７２　演算部、７３　表示部、８０　接続ケーブル、９１　温度検出器、９２　アンテナ、９３　第１のスイッチ、９４　第２のスイッチ、９５　第３のスイッチ、Ｃ４２，Ｃ４３　コンデンサ、Ｄ４６　ダイオード、Ｍａ　整合回路、Ｐ１，Ｐ２　出力ポート、ＳＷ　切替器。

Claims

　異なる位相の第１の交流信号および第２の交流信号をノイズとして出力する信号発生部と、
　前記第１の交流信号を伝送するための第１の同軸ケーブルと、
　前記第２の交流信号を伝送するための第２の同軸ケーブルと、
　前記第１の同軸ケーブルにおいて、前記信号発生部とは反対側の端部に接続され、プリント基板上のＩＣに近接して配置される第１のプローブと、
　前記第２の同軸ケーブルにおいて、前記信号発生部と反対側の端部に接続され、前記ＩＣに近接して配置される第２のプローブと、
　前記第１の交流信号および前記第２の交流信号を印加した後の前記ＩＣまたは、前記ＩＣが実装された装置の動作状態に基づいて、前記ＩＣが誤動作しているか否かを判定する判定装置、とを備えたＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記第１の交流信号および前記第２の交流信号の位相差は、１８０度である、請求項１記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記第１の交流信号および前記第２の交流信号の位相差は、１２０度である、請求項１記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記判定装置は、前記ＩＣまたは、前記ＩＣに接続される前記ＩＣとは異なるＩＣの出力信号に基づいて、前記ＩＣが誤動作しているか否かを判定する、請求項１記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記ＩＣの温度を検出する温度検出器をさらに備え、
　前記判定装置は、前記ＩＣまたは、前記ＩＣに接続される前記ＩＣとは異なるＩＣの温度変化に基づいて、前記ＩＣが誤動作しているか否かを判定する、請求項１記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記ＩＣから放射される電磁波を検出するアンテナをさらに備え、
　前記判定装置は、前記第１の交流信号および前記第２の交流信号の周波数帯以外の周波数帯における前記アンテナにおける受信電圧の変化に基づいて、前記ＩＣが誤動作しているか否かを判定する、請求項１記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記信号発生部は、
　試験信号を生成する信号生成器と、
　前記試験信号から、振幅が等しく、かつ位相が１８０度相違する前記第１の交流信号および前記第２の交流信号を生成する信号分配器と、を含む請求項１記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記信号発生部は、さらに、
　前記信号生成器と前記信号分配器との間に配置され、前記信号生成器によって生成された前記試験信号を増幅するアンプを、含む請求項７記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記信号発生部は、さらに、前記アンプと、前記信号分配器との間、または前記信号分配器と、前記第１のプローブと前記第２のプローブとの各々の間に配置された方向性結合器を、含む請求項８記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記信号発生部は、さらに、
　前記信号分配器と前記第１の同軸ケーブルの一端との間に配置され、前記信号分配器から出力された前記第１の交流信号を増幅する第１のアンプと、
　前記信号分配器と前記第２の同軸ケーブルの一端との間に配置され、前記信号分配器から出力された前記第２の交流信号を増幅する第２のアンプと、を含む請求項７記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記第１の交流信号および前記第２の交流信号を印加する端子は、前記ＩＣの信号入力端子または信号入出力端子であり、
　前記ＩＣからの出力信号を観測する端子は前記ＩＣの信号出力端子または信号入出力端子である、請求項１記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記第１のプローブおよび前記第２のプローブは、前記ＩＣに非接触で配置される、請求項１記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記第１のプローブは、同軸プローブであり、
　前記同軸プローブの同軸の芯線が前記ＩＣのグランド端子に接触して配置され、
　前記第２のプローブは、前記ＩＣに非接触で配置される、請求項１記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記第１のプローブおよび前記第２のプローブは、それぞれ同軸プローブであり、
　前記第１のプローブの同軸の芯線が前記ＩＣの第１端子に接触して配置され、
　前記第２のプローブの同軸の芯線が前記ＩＣの第２端子に接触して配置される、請求項２記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記同軸プローブの先端に取り付けられた整合回路を、さらに備える、請求項１３または１４記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記第１のプローブおよび前記第２のプローブは、それぞれ同軸プローブであり、
　前記第１のプローブの同軸の外導体と、前記第２のプローブの同軸の外導体とを接続するケーブルをさらに備える、請求項１～３のいずれか１項に記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記信号発生部は、
　試験信号を生成する信号生成器と、
　前記試験信号から、振幅が等しく、かつ位相が１８０度相違する前記第１の交流信号および前記第２の交流信号を出力する第１の信号分配器と、
　前記第２の交流信号を増幅するアンプと、
　前記アンプの出力と接続される第２の信号分配器と、を含み、
　前記第２の信号分配器の出力と接続される２つの前記第２の同軸ケーブルと、
　各々が、対応する前記第２の同軸ケーブルと接続される２つの前記第２のプローブと、を備える、請求項１記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記ＩＣの端子の電界および磁界を測定するための電磁界プローブをさらに備え、
　前記電磁界プローブは、外導体と芯線とを有する同軸プローブであり、
　前記芯線の先端部と前記外導体とはダイオードを介して接続され、
　前記芯線の先端部と前記外導体の間に直流電圧印加のオン／オフを制御する切替器をさらに備える、請求項１記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　前記ＩＣの端子の電界および磁界を測定するための電磁界プローブをさらに備え、
　前記電磁界プローブは、外導体と芯線とを有する同軸プローブであり、
　前記芯線の先端部と前記外導体とはリードスイッチを介して接続され、
　前記リードスイッチを制御するための磁石と、をさらに備える請求項１記載のＩＣのノイズ耐量検出装置。
　異なる位相の第１の交流信号および第２の交流信号を出力する信号発生部と、
　各々が、前記第１の交流信号を伝送するための複数の第１の同軸ケーブルと、
　各々が、前記第２の交流信号を伝送するための複数の第２の同軸ケーブルと、
　各々が、対応する前記第１の同軸ケーブルと接続され、プリント基板上のＩＣに近接して配置され、前記第１の交流信号を前記ＩＣに印加するための複数の第１のプローブと、
　各々が、対応する前記第２の同軸ケーブルと接続され、前記ＩＣに近接して配置され、前記第２の交流信号を前記ＩＣに印加するための複数の第２のプローブと、
　各々が、前記ＩＣに近接して配置されて、前記ＩＣの出力信号を計測するための複数の第３のプローブと、
　各々が、対応する前記第３のプローブと接続され、前記ＩＣの出力信号を伝送するための複数の第３の同軸ケーブルと、
　前記第１の交流信号および前記第２の交流信号の印加後に、前記第３のプローブから入力される前記ＩＣの出力信号に基づいて、前記ＩＣが誤動作しているか否かを判定する判定装置と、
　複数の前記第１の同軸ケーブルと前記信号発生部との間に設けられて、前記信号発生部と接続する１つの前記第１の同軸ケーブルを切り替えるための第１のスイッチと、
　複数の前記第２の同軸ケーブルと前記信号発生部との間に設けられて、前記信号発生部と接続する１つの前記第２の同軸ケーブルを切り替える第２のスイッチと、
　複数の前記第３の同軸ケーブルと前記判定装置との間に設けられて、前記判定装置と接続する１つの前記第３の同軸ケーブルを切り替えるための第３のスイッチと、を備えたＩＣのノイズ耐量検出装置。
　異なる位相の第１の交流信号および第２の交流信号を出力するように構成された信号発生部と、前記第１の交流信号を伝送するための第１の同軸ケーブルと、前記第２の交流信号を伝送するための第２の同軸ケーブルと、前記第１の同軸ケーブルと接続される第１のプローブと、前記第２の同軸ケーブルと接続される第２のプローブと、判定装置、とを備えたＩＣのノイズ耐量検出装置におけるノイズ耐量検出方法であって、
　前記第１のプローブおよび前記第２のプローブを前記ＩＣに近接して配置するステップと、
　前記信号発生部が、前記第１の交流信号および前記第２の交流信号を出力するステップと、
　前記判定装置が、前記ＩＣ、または前記ＩＣが実装されたプリント基板、または前記ＩＣが実装されたプリント基板に接続される異なるプリント基板の状態に基づいて、前記ＩＣが誤動作しているか否かを判定するステップと、を備えた、ＩＣのノイズ耐量検出方法。
　前記信号発生部は、特定の周波数を選択して出力可能な装置であり、
　前記出力するステップは、前記信号発生部が、１つの帯域幅あたり１０周期以上の前記第１の交流信号および前記第２の交流信号を出力するステップを含む、請求項２１記載のＩＣのノイズ耐量検出方法。
　前記信号発生部から出力される前記第１の交流信号および前記第２の交流信号の周波数および振幅を変化させるステップと、
　前記第１の交流信号および前記第２の交流信号の周波数、および前記第１の交流信号および前記第２の交流信号の振幅の組み合わせにおける前記ＩＣの出力信号を示す応答マップを作成するステップと、を備えた、請求項２１記載のＩＣのノイズ耐量検出方法。
　前記第１の交流信号および前記第２の交流信号を印加する前記ＩＣの端子を変化させるステップを、さらに備え、
　前記応答マップを作成するステップは、前記ＩＣの端子または端子間、前記第１の交流信号および前記第２の交流信号の周波数、および前記第１の交流信号および前記第２の交流信号の振幅の組み合わせにおける前記ＩＣの出力信号を示す応答マップを作成するステップを含む、請求項２３記載のＩＣのノイズ耐量検出方法。
　前記信号発生部が出力する前記第１の交流信号および前記第２の交流信号は、少なくとも１ｋＨｚ以上の帯域幅を有する、請求項２３または２４に記載のＩＣのノイズ耐量検出方法。
　第１のＩＣについての応答マップを作成するステップと、
　前記第１のＩＣと接続される第２のＩＣについての応答マップを作成するステップと、
　前記第２のＩＣについての応答マップ内の誤動作条件となる周波数および振幅の組み合わせを抽出するステップと、
　前記第１のＩＣについての応答マップ内の出力信号のうち、前記抽出した周波数および振幅の組み合わせを含む出力信号の前記第１のＩＣについての応答マップ内の周波数および振幅の組み合わせを前記第１のＩＣの誤動作条件として特定するステップと、を含む請求項２３に記載のＩＣのノイズ耐量検出方法。
　電界プローブを用いて、動作状態のＩＣにおける周期性を有する出力信号が生成する電界を測定するステップと、
　磁界プローブを用いて、前記出力信号が生成する磁界を測定するステップと、
　前記測定された電界と前記測定された磁界とに基づいて、前記ＩＣの出力端子の内部インピーダンスを算出するステップと、を含む、ＩＣの内部インピーダンス測定方法。
　動作状態のＩＣの測定対象の入力端子に印加されている電圧を測定するステップと、
　前記電圧の振幅よりも小さい振幅を有する既知の擬似乱数の信号、または変調信号を前記入力端子に注入するステップと、
　電界プローブを用いて、前記入力端子が生成する電界を測定するステップと、
　磁界プローブを用いて、前記入力端子が生成する磁界を測定するステップと、
　前記測定された電界と前記測定された磁界とに基づいて、前記入力端子の内部インピーダンスを算出するステップと、を含む、ＩＣの内部インピーダンス測定方法。
　電界プローブを用いて、既知のインピーダンスの入力端子が生成する電界を測定するステップと、
　磁界プローブを用いて、前記既知のインピーダンスの入力端子が生成する磁界を測定するステップと、
　前記既知のインピーダンスと、前記既知のインピーダンスの入力端子が生成する前記電界および前記磁界とを用いて、複素補正係数の周波数特性を算出するステップと、
　電界プローブを用いて、測定対象の入力端子が生成する電界を測定するステップと、
　磁界プローブを用いて、前記測定対象の入力端子が生成する磁界を測定するステップと、
　前記複素補正係数の周波数特性と、前記測定対象の入力端子が生成する前記電界および前記磁界とを用いて、前記測定対象の入力端子の内部インピーダンスを算出するステップと、を備えたＩＣの内部インピーダンス測定方法。