WO2022224581A1 - 過電流検出回路、駆動制御装置および電力変換装置 - Google Patents

過電流検出回路、駆動制御装置および電力変換装置 Download PDF

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健史 寺島
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Definitions

  • the present invention relates to overcurrent detection circuits, drive control devices, and power conversion devices.
  • Patent Document 1 JP-A-2000-14161
  • Patent Document 2 JP-A-2018-186691
  • the level of overcurrent to be detected may differ depending on the phase of the main switching element.
  • the overcurrent detection circuit may include a detection unit that detects whether or not the current flowing between the main terminals of the main switching element used in the power converter is an overcurrent.
  • the overcurrent detection circuit may include a switching unit that switches the threshold used for overcurrent determination in the detection unit according to which phase of the power conversion device the main switching element is used for.
  • the detection unit may have a plurality of comparison units that compare a parameter corresponding to the current flowing between the main terminals with different threshold values.
  • the switching unit may switch the comparing unit to be used for overcurrent detection among the plurality of comparing units.
  • Each comparator may compare the voltage detected according to the current flowing between the main terminals with a different reference voltage.
  • the detection unit may have a comparison unit that compares the voltage detected according to the current flowing between the main terminals with a reference voltage.
  • the switching section may switch the reference voltage supplied to the comparing section.
  • the switching unit may switch the threshold value based on the signal supplied according to the phase in which the main switching element is used.
  • a drive control device is provided in a second aspect of the present invention.
  • the drive control device may comprise a gate drive circuit for driving the gate of the main switching element.
  • the drive control device may include the overcurrent detection circuit of the first aspect that detects whether or not the current flowing between the main terminals of the main switching element is overcurrent.
  • the gate drive circuit may turn off the main switching element in response to detection of overcurrent by the overcurrent detection circuit.
  • a power converter is provided in a third aspect of the present invention.
  • the power conversion device may comprise multiple pairs of main switching elements connected in series between a positive power supply line and a negative power supply line.
  • the power conversion device may include the drive control device of the second aspect provided for each phase of the main switching element on the side of the negative power supply line among the plurality of pairs of main switching elements.
  • the overcurrent detection circuit in each drive controller may be set with different thresholds depending on which phase the corresponding main switching element is used.
  • FIG. 1 shows a power conversion device 1 according to an embodiment.
  • the drive control device 2 is shown together with the main switching element Q.
  • FIG. 4A shows an overcurrent detection circuit 4A according to a modification.
  • FIG. 1 shows a power converter 1 according to this embodiment.
  • the power conversion device 1 is a device used for driving a motor or supplying power. It may be an inverter device that converts to AC power and outputs it.
  • the power conversion device 1 includes multiple main switching elements Q and multiple drive control devices 2 .
  • the power conversion device 1 supplies power to a positive terminal 103 and a negative terminal 104 connected to a positive power supply line 101 and a negative power supply line 102, an output terminal 105 that outputs AC power, and a drive control device 2.
  • a ground terminal 107 for setting the ground potential of the drive control device 2;
  • a Vin terminal 108 for inputting the drive signal Vin of the main switching element Q; and an alarm terminal 109 for outputting a signal.
  • a DC voltage of 600 to 800 V may be applied between the positive terminal 103 and the negative terminal 104, and the negative terminal 104 may be connected to the ground potential.
  • the plurality of main switching elements Q may be semiconductor switching elements each having a sense terminal, and in this embodiment are IGBTs as an example.
  • a plurality of main switching elements Q are paired with other main switching elements Q and connected in series between the positive power supply line 101 and the negative power supply line 102 .
  • the power conversion device 1 may be provided with a plurality of pairs of main switching elements Q, Q.
  • the power conversion device 1 is provided with three pairs of main switching elements Q, that is, a total of six main switching elements Q. As shown in FIG. Of these, the upper arm main switching element Q U (where the suffix U indicates the U phase) and the lower arm main switching element Q x (where the suffix X indicates the X phase) form a pair. U-phase AC power may be output from the output terminal 105 connected to the series connection point.
  • main switching element Q V of the upper arm (where the suffix V indicates the V phase) and the main switching element Q Y of the lower arm (where the suffix Y indicates the Y phase) form a pair. They are connected in series, and V-phase AC power may be output from the output terminal 105 connected to the series connection point.
  • the upper arm main switching element Q W (where the subscript W indicates the W phase) and the lower arm main switching element Q Z (where the subscript Z indicates the Z phase) form a pair. They are connected in series, and W-phase AC power may be output from the output terminal 105 connected to the series connection point.
  • a freewheeling diode D may be connected in anti-parallel to each of the plurality of main switching elements Q.
  • Each drive control device 2 controls a main switching element Q.
  • FIG. Each drive control device 2 may be an IC (Integrated Circuit) and may be integrated into one chip.
  • Each drive control device 2 is connected to a power supply terminal 106, a ground terminal 107, a Vin terminal 108, and an alarm terminal 109, and drives the gate of the main switching element Q according to the drive signal Vin input from the Vin terminal 108. . Further, the drive control device 2 is capable of detecting whether or not the current flowing between the main terminals of the main switching element Q is overcurrent. is turned off, and an alarm signal is output from the alarm terminal 109 .
  • each drive control device 2 is a so-called 1ch output drive control device, provided for each main switching element Q, and controls a corresponding single main switching element Q.
  • the drive control devices 2 U , 2 V , and 2 W corresponding to the main switching element Q of the upper arm are connected to individual power supply terminals 106 , alarm terminals 109 and ground terminals 107 .
  • the ground terminal 107 is connected to the emitter terminal of the main switching element Q, and uses the potential of the emitter terminal as the ground potential.
  • the drive control devices 2X , 2Y , 2Z corresponding to the main switching element Q of the lower arm are connected to a common power supply terminal 106, an alarm terminal 109 and a ground terminal 107, and the ground terminal 107 is connected to the negative side power supply line. 102. Therefore, if the drive control devices 2 X , 2 Y and 2 Z of the respective phases are asymmetrically connected to the negative power supply line 102, the current flowing through the main switching elements Q X , Q Y and Q Z of the lower arm is wraps around toward the drive control devices 2 X , 2 Y , and 2 Z of other phases, the ground potentials of the drive control devices 2 X , 2 Y , and 2 Z may differ.
  • each drive control device 2 of the lower arm has separate overcurrent detection circuits 4, which will be described later, depending on which phase the corresponding main switching element Q is used. threshold is set.
  • the main switching element Q is turned off in response to detection that the current flowing through the main switching element Q is overcurrent, thereby preventing element breakdown due to overcurrent. be able to.
  • the overcurrent detection circuit 4 in each drive control device 2 is set with a different threshold depending on which phase the corresponding main switching element Q is used, the overcurrent detection circuit 4 detects according to the phase used. Even if the magnitude of the overcurrent to be applied is different, the overcurrent can be appropriately detected in each phase.
  • the drive control device 2 with 1ch output is provided for each main switching element Q of the lower arm and controls a single main switching device Q
  • the drive control device 2 with 3ch output is provided and the three Unlike the case where the main switching elements Q X , Q Y , and Q Z are respectively controlled, elements for turning on and off the three main switching elements Q (as an example, switching elements 301 to 304 and 310 shown in FIG. 2 described later) , 322, etc.) in one IC, the arrangement of the elements and the manufacture of the drive control device 2 can be facilitated, and the drive control device 2 can be miniaturized.
  • the drive circuit for each main switching element Q generates heat, and the drive control device 2 as a whole becomes overheated. can be prevented.
  • FIG. 2 shows the drive control device 2 together with the main switching element Q. As shown in FIG.
  • the drive control device 2 has an overcurrent detection circuit 4 and a gate drive circuit 3 .
  • the drive control device 2 that controls the main switching element Q of the lower arm is shown in this figure, the drive control device 2 that controls the main switching element Q of the upper arm may have the same configuration.
  • the overcurrent detection circuit 4 detects whether the current flowing between the main terminals of the main switching element Q (between the collector terminal and the emitter terminal as an example in this embodiment) is an overcurrent.
  • the overcurrent detection circuit 4 detects whether the current flowing between the main terminals of the main switching element Q corresponding to the drive control device 2 among the plurality of main switching elements Q included in the power converter 1 is an overcurrent. may be detected.
  • the overcurrent may be a current exceeding the rated current of the power conversion device 1, and may be a current at which a surge voltage generated with the turn-off of the main switching element Q becomes an overvoltage.
  • the overcurrent detection circuit 4 has a detection section 40 and a switching section 41 .
  • the detection unit 40 detects whether or not the current flowing between the main terminals of the main switching element Q corresponding to the drive control device 2 is overcurrent.
  • the detection unit 40 may have a parameter detection unit 400 and a plurality of comparison units 401 (three comparison units 401a to 401c as an example in this embodiment).
  • the parameter detection unit 400 detects a parameter corresponding to the current flowing between the main terminals of the main switching element Q.
  • the parameter detection unit 400 has a sense current detection resistor R1 connected to the sense emitter terminal of the main switching element Q, and the sense emitter current flows through the sense current detection resistor R1.
  • the voltage detected by the voltage may be detected as a parameter.
  • the parameter detection unit 400 may detect other values as parameters, such as emitter current and sense emitter current measured by a current sensor (not shown).
  • the parameter detection section 400 may supply each comparison section 401 with a voltage indicating the magnitude of the detected parameter.
  • Each comparison unit 401 compares the parameters supplied from the parameter detection unit 400 with different threshold values.
  • Each comparison unit 401 may be a comparator, and may compare a voltage detected according to the current flowing between the main terminals of the main switching element Q with different reference voltages.
  • each comparator 401 may compare the voltage input to the non-inverting input terminal from the parameter detection unit 400 with the reference voltage input to the inverting input terminal. A signal that becomes high when the voltage of is higher than the reference voltage may be supplied to the switching unit 41 .
  • the reference voltage of each comparison unit 401 may be set at the manufacturing stage of the power converter 1.
  • the main switching element Q is operated as X-phase, Y-phase and Z-phase, and It may be set based on the voltage detected by the sense current detection resistor R1 when the minimum overcurrent is applied.
  • the reference voltage of the comparison unit 401a is the voltage detected by the sense current detection resistor R1 when the main switching element Q is operated as the X phase and the minimum overcurrent flows through the main switching element Q.
  • the reference voltage of the comparator 401b may be the voltage detected by the sense current detection resistor R1 when the main switching element Q is operated as the Y-phase and the minimum overcurrent flows through the main switching element Q.
  • the reference voltage of the comparator 401c may be the voltage detected by the sense current detection resistor R1 when the main switching element Q is operated as the Z-phase and the minimum overcurrent flows through the main switching element Q.
  • the switching unit 41 switches the threshold used for overcurrent determination in the detection unit 40 according to which phase of the power conversion device 1 the main switching element Q corresponding to the drive control device 2 is used.
  • the switching unit 41 may switch the threshold used for overcurrent determination by switching the comparing unit 401 used for overcurrent detection among the plurality of comparing units 401 that use different thresholds.
  • the switching unit 41 may perform switching based on an input switching signal.
  • the switching unit 41 includes a plurality of Not circuits 410 (two Not circuits 410a and 410b as an example in this embodiment) and a plurality of AND circuits 411 (three AND circuits as an example in this embodiment). 411a-411c).
  • the Not circuit 410 inverts the switching signal to generate an inverted signal.
  • the Not circuit 410a supplies the inverted signal of the switching signal S0 to the AND circuit 411b, and the Not circuit 410b supplies the inverted signal of the switching signal S1 to the AND circuit. 411a.
  • the AND circuit 411 takes the logical product of the input signals, and the AND circuit 411a takes the logical product of the switching signal S0, the inverted signal of the switching signal S1, and the comparison result signal from the comparator 401a. Similarly, the AND circuit 411b takes a logical AND of the inverted signal of the switching signal S0, the switching signal S1, and the comparison result signal from the comparing section 401b. A logical AND with the signal of the comparison result by the unit 401c is taken. According to the switching section 41 described above, any one of the three AND circuits 411a to 411c is selected according to the two switching signals S0 and S1, and the comparison result of the comparing section 401 corresponding to the selected AND circuit 411 is is output.
  • the switching signals S0 and S1 may be supplied to the overcurrent detection circuit 4 according to the phase in which the main switching element Q is used.
  • the signal values of the switching signals S ⁇ b>0 and S ⁇ b>1 may be set when the drive control device 2 is manufactured, or may be set by electronic components built into the drive control device 2 .
  • the signal values of the switching signals S0 and S1 may be supplied from outside the drive control device 2 after the drive control device 2 is manufactured.
  • the switching signal S0 when the main switching element Q corresponding to the drive control device 2 is used for the X phase, the switching signal S0 may be high and the switching signal S1 may be low. As a result, the AND circuit 411 a is selected and the comparison result of the comparison section 401 a is output from the switching section 41 . Further, when the main switching element Q corresponding to the drive control device 2 is used for the Y phase, the switching signal S0 may be low and the switching signal S1 may be high. As a result, the AND circuit 411 b is selected and the comparison result of the comparison section 401 b is output from the switching section 41 .
  • the switching signal S0 may be high and the switching signal S1 may be high.
  • the AND circuit 411 c is selected and the comparison result of the comparison section 401 c is output from the switching section 41 .
  • the output signal of the switching unit 41 may be an overcurrent detection signal that indicates whether or not the current flowing through the main switching element Q is overcurrent. It's okay to be
  • the switching unit 41 may supply the overcurrent detection signal to the gate drive circuit 3 . Also, the switching unit 41 may output the overcurrent detection signal to the alarm terminal 109 .
  • a gate drive circuit 3 drives the gate of the main switching element Q. As shown in FIG. The gate drive circuit 3 may drive the gate of the main switching element Q corresponding to the drive control device 2 among the plurality of main switching elements Q included in the power converter 1 .
  • the gate drive circuit 3 includes a turn-on circuit 30 that turns on the main switching element Q in response to the drive signal Vin in normal times, a turn-off circuit 31 that turns off the main switching element Q in response to the drive signal Vin in normal times, and an overcurrent. and a cutoff circuit 32 for turning off the main switching element Q at times.
  • the turn-on circuit 30 has switching elements 301 to 304, a resistor R2, a power supply 306, and an operational amplifier 307.
  • the switching elements 301 to 304 are MOSFETs, but they may be other types of switching elements.
  • the main terminal of the switching element 301 is connected between the gate of the switching element 302 and the ground.
  • the switching element 301 is of P-channel type, and the gate of the switching element 301 is connected to the Vin terminal 108 .
  • the switching element 302 is of an N-channel type and is connected to the ground through a resistor R2. When in the ON state, a current flows through the resistor R2, thereby grounding the potential of the connection point N1 between the switching element 302 and the resistor R2. higher than the electric potential.
  • the operational amplifier 307 has a non-inverting input terminal connected to the power supply 306 and an inverting input terminal connected to the connection point N1. do.
  • a gate of the switching element 302 is connected to an output terminal of the operational amplifier 307 .
  • the switching element 302, the operational amplifier 307, the power supply 306 and the resistor R2 may form a constant current circuit. may be maintained.
  • the switching elements 303 and 304 form a current mirror circuit. Each drain terminal is connected to the input voltage VCC, and the gates are connected to each other. and the source terminal of the switching element 302 are connected.
  • the switching elements 303 and 304 are of N-channel type, and when the current flows through the switching element 302 and the resistor R2 and the potential of the connection point N1 becomes higher than the ground potential (that is, when the drive signal Vin is low), the switching element A current equal to the current flowing through 302 is assumed to be the gate current of the main switching element Q. FIG. As a result, the gate of the main switching element Q is charged and the main switching element Q is turned on.
  • the turn-off circuit 31 has a switching element 310 whose main terminal is connected between the gate of the main switching element Q and the ground.
  • the switching element 310 is of P-channel type, and the Vin terminal 108 and the gate are connected. As a result, when the drive signal Vin is low, the switching element 310 is turned on, the gate charge of the main switching element Q is extracted, and the main switching element Q is turned off.
  • the switching element 310 is a MOSFET, but it may be another type of switching element.
  • the blocking circuit 32 has a delay circuit 321 and a switching element 322 .
  • the delay circuit 321 delays the turn-off operation of the main switching element Q by the cutoff circuit 32 more than the overcurrent detection operation by the overcurrent detection circuit 4, thereby avoiding conflict between these operations and stabilizing the operation.
  • the delay circuit 321 may function as a low-pass filter circuit.
  • the delay circuit 321 may be an RC series circuit.
  • the delay circuit 321 may supply a drive stop signal to the switching element 322 to cut off the main switching element Q.
  • the drive stop signal may be low during normal operation, and a high overcurrent detection signal indicating that the current flowing through the main switching element Q is overcurrent is supplied to the delay circuit 321 and used as a reference signal. May go high as time elapses.
  • the main terminal of the switching element 322 is connected between the gate of the main switching element Q and the ground.
  • the switching element 322 is of N-channel type, and the delay circuit 321 and the gate are connected. As a result, when the drive stop signal is high, the switching element 322 is turned on, the gate charge of the main switching element Q is extracted, and the main switching element Q is turned off.
  • the switching element 322 may softly cut off the main switching element Q, and may turn off the main switching element Q more slowly than the switching element 310 of the turn-off circuit 31 .
  • the switching element 322 is a MOSFET, but it may be another type of switching element.
  • the threshold for overcurrent determination is switched according to which phase the main switching element Q is used. Even if they are different, the overcurrent can be detected appropriately.
  • the comparison unit 401 used for overcurrent detection can be switched, so that the threshold value can be reliably switched.
  • each comparison unit 401 the voltage detected according to the current flowing between the main terminals of the main switching element Q is compared with different reference voltages, so comparison can be performed using analog quantities. .
  • the threshold is switched based on the signal supplied according to the phase in which the main switching element Q is used, the threshold can be switched by supplying the signal. Therefore, even after the overcurrent detection circuit is incorporated in the drive control device 2, the threshold can be switched.
  • FIG. 3 shows an overcurrent detection circuit 4A according to a modification.
  • the same reference numerals are assigned to substantially the same components as those of the drive control device 2 shown in FIG. 2, and the description thereof will be omitted.
  • the overcurrent detection circuit 4A has a detection section 42 and a switching section 43 .
  • the detection unit 42 has a comparison unit 421 that compares the voltage detected according to the current flowing between the main terminals of the main switching element Q with a reference voltage. Only one comparison unit 421 may be provided in the detection unit 42 .
  • the comparison unit 421 may compare the voltage input to the non-inverting input terminal from the parameter detection unit 400 with the reference voltage input to the inversion input terminal from the switching unit 43, and the voltage from the parameter detection unit 400 is used as the reference.
  • An overcurrent detection signal which is high when greater than the voltage, may be provided to the delay circuit 321 .
  • the switching unit 43 switches the threshold used for overcurrent determination in the detecting unit 42 according to which phase of the power conversion device 1 the main switching element Q corresponding to the drive control device 2 is used.
  • the switching section 43 may switch the reference voltage supplied to the comparing section 421 .
  • the switching unit 43 includes a plurality of Not circuits 430 (two Not circuits 430a and 430b as an example in this embodiment) and a plurality of AND circuits 431 (three AND circuits as an example in this embodiment). 431a to 431c), a plurality of resistors 432 (in this embodiment, as an example four resistors 432a to 432d), and a plurality of switching elements 433 (in this embodiment, as an example, three switching elements 433a to 433c).
  • the Not circuit 430 inverts the switching signal to generate an inverted signal.
  • the Not circuit 430a supplies the inverted signal of the switching signal S0 to the AND circuit 431b, and the Not circuit 430b supplies the inverted signal of the switching signal S1 to the AND circuit. 431a.
  • the AND circuit 431 takes the AND of the input signals, and the AND circuit 431a takes the AND of the switching signal S0 and the inverted signal of the switching signal S1 and supplies the operation result to the gate of the switching element 433a. . Similarly, the AND circuit 431b takes the AND of the inverted signal of the switching signal S0 and the switching signal S1, and supplies the operation result to the gate of the switching element 433b. The AND circuit 431c takes a logical product of the switching signal S0 and the switching signal S1, and supplies the operation result to the gate of the switching element 433c. Accordingly, one of the three AND circuits 431a to 431c is selected according to the two switching signals S1 and S0 to output a high output signal, and one of the three switching elements 433a to 433c It turns on.
  • the four resistors 432a-432d divide the input voltage VDD to generate separate voltages and are connected in series with the ground.
  • the magnitudes of resistors 432a-432d may be the same or different.
  • the voltage generated at each connection point between the resistors 432a-432d can be alternatively selected by the switching elements 433a-433c and supplied to the inverting input terminal of the comparator 421 as a reference voltage.
  • the voltage generated at each connection point corresponds to the voltage detected by the sense current detection resistor R1 when the main switching element Q is operated as the X-phase, Y-phase, and Z-phase and the minimum overcurrent flows through the main switching element Q. can be set based on
  • the switching element 433a is connected between the connection point between the resistors 432a and 432b and the inverting input terminal of the comparing section 421, and the switching element 433b is connected between the connecting point between the resistors 432b and 432c and the inverting input terminal of the comparing section 421. Furthermore, the switching element 433c is connected between the connection point between the resistors 432c and 432d and the inverting input terminal of the comparator 421.
  • FIG. As a result, the switching elements 433a to 433c that are turned on are switched by the two switching signals S1 and S0, thereby switching the reference voltage supplied to the comparator 421.
  • the reference voltage supplied to the comparison unit 401 can be switched, so that the threshold for overcurrent determination can be reliably switched.
  • one of the voltages obtained by dividing the input voltage by the resistor 432 is supplied to the comparator 421 as the reference voltage. Either one may be supplied to the comparison unit 421 .
  • the drive control device 2 is provided for each of the main switching elements Q of the upper and lower arms.
  • a drive control device having another configuration may be provided for the main switching element Q of the upper arm.
  • the drive control device for the upper arm may be provided for each main switching element Q of the upper arm to control the main switching elements QU , QV , QW separately, or the three main switching elements QU, QV, and QW of the upper arm may be provided.
  • the main switching elements QU, QV, and QW may be provided in common to the switching elements Q to control each of the main switching elements QU , QV , and QW .

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Abstract

主スイッチング素子の相に応じて検出するべき過電流のレベルが異なる場合であっても、適切に過電流を検出することができる過電流検出回路を提供する。　過電流検出回路（４）は、電力変換装置に用いられる主スイッチング素子（Ｑ）の主端子間に流れる電流が過電流であるか否かを検出する検出部（４０）と、主スイッチング素子（Ｑ）が電力変換装置のいずれの相に用いられるかに応じて、検出部（４０）における過電流の判定に用いる閾値を切り替える切替部（４１）とを備える。

Description

過電流検出回路、駆動制御装置および電力変換装置
　本発明は、過電流検出回路、駆動制御装置および電力変換装置に関する。
　従来、電力変換装置では、主スイッチング素子に流れる過電流を検出して素子を保護する（例えば、特許文献１，２参照）。
　特許文献１　特開２０００－１４１６１号公報
　特許文献２　特開２０１８－１８６６９１号公報
解決しようとする課題
　しかしながら、主スイッチング素子の相に応じて、検出するべき過電流のレベルが異なる場合がある。
一般的開示
　上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、過電流検出回路が提供される。過電流検出回路は、電力変換装置に用いられる主スイッチング素子の主端子間に流れる電流が過電流であるか否かを検出する検出部を備えてよい。過電流検出回路は、主スイッチング素子が電力変換装置のいずれの相に用いられるかに応じて、検出部における過電流の判定に用いる閾値を切り替える切替部を備えてよい。
　検出部は、主端子間に流れる電流に応じたパラメータと、互いに異なる閾値とを比較する複数の比較部を有してよい。切替部は、複数の比較部のうち過電流の検出に使用する比較部を切り替えてよい。
　各比較部は、主端子間に流れる電流に応じて検出される電圧と、互いに異なる基準電圧とを比較してよい。
　検出部は、主端子間に流れる電流に応じて検出される電圧と、基準電圧とを比較する比較部を有してよい。切替部は、比較部に供給される基準電圧を切り替えてよい。
　切替部は、主スイッチング素子が用いられる相に応じて供給される信号に基づいて閾値を切り替えてよい。
　本発明の第２の態様においては、駆動制御装置が提供される。駆動制御装置は、主スイッチング素子のゲートを駆動するゲート駆動回路を備えてよい。駆動制御装置は、主スイッチング素子の主端子間に流れる電流が過電流であるか否かを検出する、第１の態様の過電流検出回路を備えてよい。ゲート駆動回路は、過電流検出回路により過電流が検出されることに応じて、主スイッチング素子をオフ状態としてよい。
　本発明の第３の態様においては、電力変換装置が提供される。電力変換装置は、正側電源線および負側電源線の間に直列に接続された複数対の主スイッチング素子を備えてよい。電力変換装置は、複数対の主スイッチング素子のうち、負側電源線の側の主スイッチング素子の相ごとに設けられた、第２の態様の駆動制御装置を備えてよい。各駆動制御装置における過電流検出回路は、対応する主スイッチング素子が何れの相に用いられるかに応じて、別々の閾値を設定されてよい。
　なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
実施形態に係る電力変換装置１を示す。 駆動制御装置２を主スイッチング素子Ｑと共に示す。 変形例に係る過電流検出回路４Ａを示す。
　以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
　［１．電力変換装置１］
　図１は、本実施形態に係る電力変換装置１を示す。電力変換装置１は、モータ駆動用または電力供給用に用いられる装置であり、本実施形態においては一例として、正側電源線１０１および負側電源線１０２から供給される直流電力をＵＶＷの３相交流電力に変換して出力するインバータ装置であってよい。
　電力変換装置１は、複数の主スイッチング素子Ｑと、複数の駆動制御装置２とを備える。電力変換装置１は、正側電源線１０１および負側電源線１０２に接続された正側端子１０３および負側端子１０４と、交流電力を出力する出力端子１０５と、駆動制御装置２に電力を供給するための電源端子１０６と、駆動制御装置２のグランド電位を設定するためのグランド端子１０７と、主スイッチング素子Ｑの駆動信号Ｖｉｎを入力するためのＶｉｎ端子１０８と、駆動制御装置２からのアラーム信号を出力するためのアラーム端子１０９とをさらに備えてよい。なお、正側端子１０３および負側端子１０４の間には一例として６００～８００Ｖの直流電圧が印加されてよく、負側端子１０４はグランド電位に接続されてよい。
　［１．１．主スイッチング素子Ｑ］
　複数の主スイッチング素子Ｑは、それぞれセンス端子を有する半導体スイッチング素子であってよく、本実施形態では一例としてＩＧＢＴである。複数の主スイッチング素子Ｑは、それぞれ他の主スイッチング素子Ｑと対をなして正側電源線１０１および負側電源線１０２の間に直列に接続されている。これにより、電力変換装置１には複数対の主スイッチング素子Ｑ，Ｑが設けられてよい。
　本実施形態では一例として、電力変換装置１には３対、計６つの主スイッチング素子Ｑが設けられている。このうち、上アームの主スイッチング素子ＱＵ（但し添え字のＵはＵ相を示す）と、下アームの主スイッチング素子Ｑｘ（但し添え字のＸはＸ相を示す）とは対をなして直列に接続されており、直列接続点に接続された出力端子１０５からＵ相の交流電力を出力してよい。
　また、上アームの主スイッチング素子ＱＶ（但し添え字のＶはＶ相を示す）と、下アームの主スイッチング素子ＱＹ（但し添え字のＹはＹ相を示す）とは対をなして直列に接続されており、直列接続点に接続された出力端子１０５からＶ相の交流電力を出力してよい。
　また、上アームの主スイッチング素子ＱＷ（但し添え字のＷはＷ相を示す）と、下アームの主スイッチング素子ＱＺ（但し添え字のＺはＺ相を示す）とは対をなして直列に接続されており、直列接続点に接続された出力端子１０５からＷ相の交流電力を出力してよい。
　なお、複数の主スイッチング素子Ｑのそれぞれには、還流ダイオードＤが逆並列に接続されてよい。
　［１．２．駆動制御装置２］
　各駆動制御装置２は、主スイッチング素子Ｑを制御する。各駆動制御装置２は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）であってよく、１チップ化されていてよい。
　各駆動制御装置２は、電源端子１０６、グランド端子１０７、Ｖｉｎ端子１０８およびアラーム端子１０９と接続されており、Ｖｉｎ端子１０８から入力される駆動信号Ｖｉｎに応じて主スイッチング素子Ｑのゲートを駆動する。また、駆動制御装置２は、主スイッチング素子Ｑの主端子間に流れる電流が過電流であるか否かを検出可能となっており、過電流が検出されることに応じて当該主スイッチング素子Ｑをオフ状態とし、アラーム端子１０９からアラーム信号を出力する。
　ここで、本実施形態では一例として、各駆動制御装置２は、いわゆる１ｃｈ出力の駆動制御装置であり、主スイッチング素子Ｑごとに設けられ、対応する単一の主スイッチング素子Ｑを制御する。
　このうち、上アームの主スイッチング素子Ｑに対応する駆動制御装置２Ｕ，２Ｖ，２Ｗでは、個別の電源端子１０６、アラーム端子１０９およびグランド端子１０７と接続されている。グランド端子１０７は、主スイッチング素子Ｑのエミッタ端子と接続されており、エミッタ端子の電位をグランド電位としている。
　下アームの主スイッチング素子Ｑに対応する駆動制御装置２Ｘ，２Ｙ，２Ｚでは、共通の電源端子１０６、アラーム端子１０９およびグランド端子１０７と接続されており、グランド端子１０７は負側電源線１０２と接続されている。従って、負側電源線１０２に対して各相の駆動制御装置２Ｘ，２Ｙ，２Ｚが非対称に接続されていると、下アームの主スイッチング素子ＱＸ，ＱＹ，ＱＺを流れる電流が他の相の駆動制御装置２Ｘ，２Ｙ，２Ｚに向かって周り込むことにより、駆動制御装置２Ｘ，２Ｙ，２Ｚの間でグランド電位が相違する場合がある。この場合、主スイッチング素子Ｑに流れる電流が過電流であるか否かについての駆動制御装置２Ｘ，２Ｙ，２Ｚによる検出精度が低下してしまう。そのため、本実施形態に係る電力変換装置１では、下アームの各駆動制御装置２は、対応する主スイッチング素子Ｑが何れの相に用いられるかに応じて、後述の過電流検出回路４が別々の閾値を設定されている。
　以上の電力変換装置１によれば、主スイッチング素子Ｑに流れる電流が過電流であると検出されることに応じて主スイッチング素子Ｑがオフ状態とされるので、過電流による素子破壊を防止することができる。
　また、対応する主スイッチング素子Ｑが何れの相に用いられるかに応じて、各駆動制御装置２における過電流検出回路４が別々の閾値を設定されるので、使用される相に応じて検出するべき過電流の大きさが異なる場合であっても、適切に各相で過電流を検出することができる。
　また、１ｃｈ出力の駆動制御装置２が下アームの主スイッチング素子Ｑごとに設けられて単一の主スイッチング素子Ｑを制御するので、３ｃｈ出力の駆動制御装置２が設けられて下アームの３つの主スイッチング素子ＱＸ，ＱＹ，ＱＺをそれぞれ制御する場合と異なり、３つの主スイッチング素子Ｑそれぞれをターンオン，ターンオフするための素子（一例として後述の図２に示すスイッチング素子３０１～３０４，３１０，３２２など）を１つのＩＣ内に配置する必要がない分、素子の配置や駆動制御装置２の製造を容易化するとともに、駆動制御装置２を小型化することができる。また、下アームの３つの主スイッチング素子ＱＸ，ＱＹ，ＱＺをそれぞれ制御する場合と異なり、主スイッチング素子Ｑごとの駆動回路がそれぞれ発熱して駆動制御装置２が全体として高熱化してしまうのを防止することができる。
　［２．駆動制御装置２］
　図２は、駆動制御装置２を主スイッチング素子Ｑと共に示す。駆動制御装置２は、過電流検出回路４と、ゲート駆動回路３とを有する。なお、本図では下アームの主スイッチング素子Ｑを制御する駆動制御装置２を図示しているが、上アームの主スイッチング素子Ｑを制御する駆動制御装置２も同様の構成であってよい。
　［２．１．過電流検出回路４］
　過電流検出回路４は、主スイッチング素子Ｑの主端子間（本実施形態では一例としてコレクタ端子とエミッタ端子との間）に流れる電流が過電流であるか否かを検出する。過電流検出回路４は、電力変換装置１に含まれる複数の主スイッチング素子Ｑのうち、駆動制御装置２に対応する主スイッチング素子Ｑの主端子間に流れる電流が過電流であるか否かを検出してよい。ここで、過電流とは、電力変換装置１の定格電流を超えた電流であってよく、主スイッチング素子Ｑのターンオフに伴って発生するサージ電圧が過電圧となる電流であってよい。過電流検出回路４は、検出部４０と、切替部４１とを有する。
　［２．１．１．検出部４０］
　検出部４０は、駆動制御装置２に対応する主スイッチング素子Ｑの主端子間に流れる電流が過電流であるか否かを検出する。検出部４０は、パラメータ検出部４００と、複数の比較部４０１（本実施形態では一例として３つの比較部４０１ａ～４０１ｃ）とを有してよい。
　パラメータ検出部４００は、主スイッチング素子Ｑの主端子間に流れる電流に応じたパラメータを検出する。本実施形態では一例として、パラメータ検出部４００は、主スイッチング素子Ｑのセンスエミッタ端子に接続されたセンス電流検出抵抗Ｒ１を有しており、センスエミッタ電流がセンス電流検出抵抗Ｒ１を流れることに応じて検出される電圧をパラメータとして検出してよい。なお、パラメータ検出部４００は、図示しない電流センサで測定されるエミッタ電流やセンスエミッタ電流など、他の値をパラメータとして検出してもよい。パラメータ検出部４００は、検出したパラメータの大きさを示す電圧を各比較部４０１に供給してよい。
　各比較部４０１は、パラメータ検出部４００から供給されるパラメータと、互いに異なる閾値とを比較する。各比較部４０１は、コンパレータであってよく、主スイッチング素子Ｑの主端子間に流れる電流に応じて検出される電圧と、互いに異なる基準電圧とを比較してよい。本実施形態では一例として、各比較部４０１は、パラメータ検出部４００から非反転入力端子に入力される電圧と、反転入力端子に入力される基準電圧とを比較してよく、パラメータ検出部４００からの電圧が基準電圧よりも大きい場合にハイとなる信号を切替部４１に供給してよい。
　ここで、各比較部４０１の基準電圧は、電力変換装置１の製造段階で設定されてよく、例えば、主スイッチング素子ＱをＸ相、Ｙ相およびＺ相としてそれぞれ動作させて主スイッチング素子Ｑに最小の過電流を流した場合にセンス電流検出抵抗Ｒ１で検出される電圧に基づいて設定されてよい。
　本実施形態では一例として、比較部４０１ａの基準電圧は、主スイッチング素子ＱをＸ相として動作させて主スイッチング素子Ｑに最小の過電流を流した場合にセンス電流検出抵抗Ｒ１で検出される電圧であってよい。比較部４０１ｂの基準電圧は、主スイッチング素子ＱをＹ相として動作させて主スイッチング素子Ｑに最小の過電流を流した場合にセンス電流検出抵抗Ｒ１で検出される電圧であってよい。比較部４０１ｃの基準電圧は、主スイッチング素子ＱをＺ相として動作させて主スイッチング素子Ｑに最小の過電流を流した場合にセンス電流検出抵抗Ｒ１で検出される電圧であってよい。
　［２．１．２．切替部４１］
　切替部４１は、駆動制御装置２に対応する主スイッチング素子Ｑが電力変換装置１のいずれの相に用いられるかに応じて、検出部４０における過電流の判定に用いる閾値を切り替える。切替部４１は、互いに異なる閾値を用いる複数の比較部４０１のうち過電流の検出に使用する比較部４０１を切り替えることで、過電流の判定に用いる閾値を切り替えてよい。また、切替部４１は、入力される切替信号に基づいて切り替えを行ってよい。
　本実施形態では一例として、切替部４１は、複数のＮｏｔ回路４１０（本実施形態では一例として２つのＮｏｔ回路４１０ａ，４１０ｂ）と、複数のＡＮＤ回路４１１（本実施形態では一例として３つのＡＮＤ回路４１１ａ～４１１ｃ）とを有している。Ｎｏｔ回路４１０は切替信号を反転して反転信号を生成するものであり、Ｎｏｔ回路４１０ａは切替信号Ｓ０の反転信号をＡＮＤ回路４１１ｂに供給し、Ｎｏｔ回路４１０ｂは切替信号Ｓ１の反転信号をＡＮＤ回路４１１ａに供給する。ＡＮＤ回路４１１は入力される信号の論理積をとるものであり、ＡＮＤ回路４１１ａは切替信号Ｓ０と、切替信号Ｓ１の反転信号と、比較部４０１ａによる比較結果の信号との論理積をとる。同様に、ＡＮＤ回路４１１ｂは切替信号Ｓ０の反転信号と、切替信号Ｓ１と、比較部４０１ｂによる比較結果の信号との論理積をとり、ＡＮＤ回路４１１ｃは切替信号Ｓ０と、切替信号Ｓ１と、比較部４０１ｃによる比較結果の信号との論理積をとる。以上の切替部４１によれば、２つの切替信号Ｓ０，Ｓ１に応じて３つのＡＮＤ回路４１１ａ～４１１ｃのうち何れか１つが選択され、選択されたＡＮＤ回路４１１に対応する比較部４０１の比較結果が出力される。
　ここで、切替信号Ｓ０，Ｓ１は、主スイッチング素子Ｑが用いられる相に応じて過電流検出回路４に供給されてよい。例えば、切替信号Ｓ０，Ｓ１の信号値は駆動制御装置２の製造時に設定されてよく、駆動制御装置２に内蔵される電子部品によって設定されてよい。これに代えて、切替信号Ｓ０，Ｓ１の信号値は、駆動制御装置２の製造後に駆動制御装置２の外部から供給されてもよい。
　本実施形態では一例として、駆動制御装置２に対応する主スイッチング素子ＱがＸ相に用いられる場合には、切替信号Ｓ０はハイ、切替信号Ｓ１はローであってよい。これにより、ＡＮＤ回路４１１ａが選択されて比較部４０１ａの比較結果が切替部４１から出力される。また、駆動制御装置２に対応する主スイッチング素子ＱがＹ相に用いられる場合には、切替信号Ｓ０はロー、切替信号Ｓ１はハイであってよい。これにより、ＡＮＤ回路４１１ｂが選択されて比較部４０１ｂの比較結果が切替部４１から出力される。また、駆動制御装置２に対応する主スイッチング素子ＱがＺ相に用いられる場合には、切替信号Ｓ０はハイ、切替信号Ｓ１はハイであってよい。これにより、ＡＮＤ回路４１１ｃが選択されて比較部４０１ｃの比較結果が切替部４１から出力される。
　切替部４１の出力信号は、主スイッチング素子Ｑに流れる電流が過電流であるか否かを示す過電流検出信号であってよく、過電流の場合にハイとなり、過電流ではない場合にローとなってよい。切替部４１は、過電流検出信号をゲート駆動回路３に供給してよい。また、切替部４１は、過電流検出信号をアラーム端子１０９に出力してもよい。
　［２．２．ゲート駆動回路３］
　ゲート駆動回路３は、主スイッチング素子Ｑのゲートを駆動する。ゲート駆動回路３は、電力変換装置１に含まれる複数の主スイッチング素子Ｑのうち、駆動制御装置２に対応する主スイッチング素子Ｑのゲートを駆動してよい。
　ゲート駆動回路３は、正常時に駆動信号Ｖｉｎに応じて主スイッチング素子Ｑをターンオンするターンオン回路３０と、正常時に駆動信号Ｖｉｎに応じて主スイッチング素子Ｑをターンオフするターンオフ回路３１と、過電流の発生時に主スイッチング素子Ｑをターンオフする遮断回路３２とを有する。
　［２．２．１．ターンオン回路３０］
　ターンオン回路３０は、スイッチング素子３０１～３０４と、抵抗Ｒ２と、電源３０６と、オペアンプ３０７とを有する。なお、本実施形態では一例として、スイッチング素子３０１～３０４はＭＯＳＦＥＴであるが、他の種類のスイッチング素子であってもよい。
　スイッチング素子３０１は、スイッチング素子３０２のゲートとグランドとの間に主端子が接続されている。スイッチング素子３０１はＰチャネル型であり、スイッチング素子３０１のゲートはＶｉｎ端子１０８と接続されている。これにより、駆動信号Ｖｉｎがローの場合にはスイッチング素子３０１がオンとなってスイッチング素子３０２のゲート電荷が引き抜かれ、駆動信号Ｖｉｎがハイの場合にはスイッチング素子３０１がオフとなって、スイッチング素子３０２のゲート電荷の引き抜きが行われない。
　スイッチング素子３０２は、Ｎチャネル型であり、抵抗Ｒ２を介してグランドと接続され、オン状態の場合には抵抗Ｒ２に電流を流すことによりスイッチング素子３０２と抵抗Ｒ２との接続点Ｎ１の電位をグランド電位よりも高くする。オペアンプ３０７は、非反転入力端子に電源３０６が接続され、反転入力端子に接続点Ｎ１が接続されており、反転入力端子の入力電圧が非反転入力端子の入力電圧に近づくほど、出力電圧を小さくする。オペアンプ３０７の出力端子にはスイッチング素子３０２のゲートが接続される。スイッチング素子３０２、オペアンプ３０７、電源３０６および抵抗Ｒ２は定電流回路を形成してよく、スイッチング素子３０１がオフの場合（つまり駆動信号Ｖｉｎがハイの場合）に、接続点Ｎ１に流れる電流の大きさを維持してよい。
　スイッチング素子３０３，３０４は、カレントミラー回路を形成しており、それぞれドレイン端子が入力電圧ＶＣＣに接続され、ゲート同士が接続されるとともに、ゲート同士の接続点と、一方のスイッチング素子３０３のドレイン端子と、スイッチング素子３０２のソース端子とが接続される。スイッチング素子３０３，３０４はＮチャネル型であり、スイッチング素子３０２および抵抗Ｒ２に電流が流れて接続点Ｎ１の電位がグランド電位よりも高くなる場合（つまり駆動信号Ｖｉｎがローの場合）に、スイッチング素子３０２に流れる電流と等しい電流を主スイッチング素子Ｑのゲート電流とする。これにより、主スイッチング素子Ｑのゲートへ電荷が充電されて主スイッチング素子Ｑがターンオンされる。
　［２．２．２．ターンオフ回路３１］
　ターンオフ回路３１は、主スイッチング素子Ｑのゲートとグランドとの間に主端子が接続されたスイッチング素子３１０を有する。スイッチング素子３１０は、Ｐチャネル型であり、Ｖｉｎ端子１０８とゲートとが接続されている。これにより、駆動信号Ｖｉｎがローの場合にスイッチング素子３１０がオンとなり、主スイッチング素子Ｑのゲート電荷が引き抜かれ、主スイッチング素子Ｑがターンオフされる。なお、本実施形態では一例として、スイッチング素子３１０はＭＯＳＦＥＴであるが、他の種類のスイッチング素子であってもよい。
　［２．２．３．遮断回路３２］
　遮断回路３２は、遅延回路３２１と、スイッチング素子３２２とを有する。
　遅延回路３２１は、過電流検出回路４による過電流の検出動作よりも遮断回路３２による主スイッチング素子Ｑのターンオフ動作を遅くすることで、これらの動作のコンフリクトを回避し動作を安定化する。遅延回路３２１は、ローパスフィルタ回路として機能してもよい。本実施形態では一例として、遅延回路３２１は、ＲＣ直列回路であってよい。遅延回路３２１は、主スイッチング素子Ｑを遮断するための駆動停止信号をスイッチング素子３２２に供給してよい。本実施形態では一例として、駆動停止信号は、正常時にはローであってよく、主スイッチング素子Ｑに流れる電流が過電流であることを示すハイの過電流検出信号が遅延回路３２１に供給されて基準時間が経過することに応じてハイとなってよい。
　スイッチング素子３２２は、主スイッチング素子Ｑのゲートとグランドとの間に主端子が接続されている。スイッチング素子３２２は、Ｎチャネル型であり、遅延回路３２１とゲートとが接続されている。これにより、駆動停止信号がハイの場合にスイッチング素子３２２がオンとなり、主スイッチング素子Ｑのゲート電荷が引き抜かれ、主スイッチング素子Ｑがターンオフされる。なお、スイッチング素子３２２は主スイッチング素子Ｑのソフト遮断を行ってよく、ターンオフ回路３１のスイッチング素子３１０と比較して緩やかに主スイッチング素子Ｑをターンオフしてよい。なお、本実施形態では一例として、スイッチング素子３２２はＭＯＳＦＥＴであるが、他の種類のスイッチング素子であってもよい。
　以上の駆動制御装置２によれば、主スイッチング素子Ｑがいずれの相に用いられるかに応じて過電流判定の閾値が切り替えられるので、使用される相に応じて検出するべき過電流のレベルが異なる場合であっても、適切に過電流を検出することができる。
　また、互いに異なる閾値を用いる複数の比較部４０１のうちで、過電流の検出に使用する比較部４０１が切り替えられるので、閾値を確実に切り替えることができる。
　また、各比較部４０１では、主スイッチング素子Ｑの主端子間に流れる電流に応じて検出される電圧と、互いに異なる基準電圧とが比較されるので、アナログ量を用いて比較を行うことができる。
　また、主スイッチング素子Ｑが用いられる相に応じて供給される信号に基づいて閾値が切り替えられるので、信号の供給によって閾値を切り替えることができる。従って、過電流検出回路を駆動制御装置２に組み込んだ後であっても、閾値を切り替えることができる。
　［３．変形例］
　図３は、変形例に係る過電流検出回路４Ａを示す。なお、本変形例において、図２に示された駆動制御装置２と略同一のものには同一の符号を付け、説明を省略する。
　過電流検出回路４Ａは、検出部４２と、切替部４３とを有する。
　検出部４２は、主スイッチング素子Ｑの主端子間に流れる電流に応じて検出される電圧と、基準電圧とを比較する比較部４２１を有する。比較部４２１は１つのみ検出部４２に具備されてよい。比較部４２１は、パラメータ検出部４００から非反転入力端子に入力される電圧と、切替部４３から反転入力端子に入力される基準電圧とを比較してよく、パラメータ検出部４００からの電圧が基準電圧よりも大きい場合にハイとなる過電流検出信号を遅延回路３２１に供給してよい。
　切替部４３は、駆動制御装置２に対応する主スイッチング素子Ｑが電力変換装置１のいずれの相に用いられるかに応じて、検出部４２における過電流の判定に用いる閾値を切り替える。切替部４３は、比較部４２１に供給される基準電圧を切り替えてよい。
　本実施形態では一例として、切替部４３は、複数のＮｏｔ回路４３０（本実施形態では一例として２つのＮｏｔ回路４３０ａ，４３０ｂ）と、複数のＡＮＤ回路４３１（本実施形態では一例として３つのＡＮＤ回路４３１ａ～４３１ｃ）と、複数の抵抗４３２（本実施形態では一例として４つの抵抗４３２ａ～４３２ｄ）と、複数のスイッチング素子４３３（本実施形態では一例として３つのスイッチング素子４３３ａ～４３３ｃ）とを有する。
　Ｎｏｔ回路４３０は切替信号を反転して反転信号を生成するものであり、Ｎｏｔ回路４３０ａは切替信号Ｓ０の反転信号をＡＮＤ回路４３１ｂに供給し、Ｎｏｔ回路４３０ｂは切替信号Ｓ１の反転信号をＡＮＤ回路４３１ａに供給する。
　ＡＮＤ回路４３１は入力される信号の論理積をとるものであり、ＡＮＤ回路４３１ａは切替信号Ｓ０と、切替信号Ｓ１の反転信号との論理積をとって演算結果をスイッチング素子４３３ａのゲートに供給する。同様に、ＡＮＤ回路４３１ｂは切替信号Ｓ０の反転信号と、切替信号Ｓ１との論理積をとって演算結果をスイッチング素子４３３ｂのゲートに供給する。ＡＮＤ回路４３１ｃは切替信号Ｓ０と、切替信号Ｓ１との論理積をとって演算結果をスイッチング素子４３３ｃのゲートに供給する。これにより、２つの切替信号Ｓ１，Ｓ０に応じて３つのＡＮＤ回路４３１ａ～４３１ｃのうち何れか１つが選択されてハイの出力信号を出力し、３つのスイッチング素子４３３ａ～４３３ｃのうち何れか１つがオン状態となる。
　４つの抵抗４３２ａ～４３２ｄは入力電圧ＶＤＤを分圧して別々の電圧を生じさせるものであり、グランドとの間に直列に接続される。抵抗４３２ａ～４３２ｄの大きさは同じであってもよいし、異なってもよい。ここで、抵抗４３２ａ～４３２ｄの間の各接続点で生じる電圧は、スイッチング素子４３３ａ～４３３ｃにより択一的に選択されて比較部４２１の反転入力端子に基準電圧として供給されうる。各接続点で生じる電圧は、主スイッチング素子ＱをＸ相，Ｙ相，Ｚ相として動作させて主スイッチング素子Ｑに最小の過電流を流した場合にセンス電流検出抵抗Ｒ１で検出される電圧に基づいて設定されてよい。
　スイッチング素子４３３ａは抵抗４３２ａ，４３２ｂの間の接続点と比較部４２１の反転入力端子との間に、スイッチング素子４３３ｂは抵抗４３２ｂ，４３２ｃの間の接続点と比較部４２１の反転入力端子との間に、スイッチング素子４３３ｃは抵抗４３２ｃ，４３２ｄの間の接続点と比較部４２１の反転入力端子との間に接続されている。これにより、２つの切替信号Ｓ１，Ｓ０によってオン状態となるスイッチング素子４３３ａ～４３３ｃが切り替えられることにより、比較部４２１に供給される基準電圧が切り替えられる。
　以上の過電流検出回路４Ａによれば、比較部４０１に供給される基準電圧が切り替えられるので、過電流判定の閾値を確実に切り替えることができる。
　なお、上記の変形例においては、入力電圧を抵抗４３２で分圧した電圧の何れかを基準電圧として比較部４２１に供給することとして説明したが、複数の電圧源から出力される別々の電圧の何れかを比較部４２１に供給することとしてもよい。
　［４．その他の変形例］
　なお、上記の実施形態および変形例においては、駆動制御装置２が上下アームの主スイッチング素子Ｑのそれぞれに対して設けられることとして説明したが、駆動制御装置２が下アームの主スイッチング素子Ｑごとに設けられる限りにおいて、上アームの主スイッチング素子Ｑに対しては他の構成の駆動制御装置が設けられることとしてもよい。この場合、上アームの駆動制御装置は、上アームの主スイッチング素子Ｑごとに設けられて主スイッチング素子ＱＵ，ＱＶ，ＱＷを別々に制御してもよいし、上アームの３つの主スイッチング素子Ｑに対して共通に設けられて主スイッチング素子ＱＵ，ＱＶ，ＱＷのそれぞれを制御してもよい。
　以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、請求の範囲の記載から明らかである。
　請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
　１電力変換装置
　２　駆動制御装置
　３　ゲート駆動回路
　４　過電流検出回路
　３０　ターンオン回路
　３１　ターンオフ回路
　３２　遮断回路
　４０　検出部
　４１　切替部
　４２　検出部
　４３　切替部
　１０１　正側電源線
　１０２　負側電源線
　１０３　正側端子
　１０４　負側端子
　１０５　出力端子
　１０６　電源端子
　１０７　グランド端子
　１０８　Ｖｉｎ端子
　１０９　アラーム端子
　３０１　スイッチング素子
　３０２　スイッチング素子
　３０３　スイッチング素子
　３０４　スイッチング素子
　３０６　電源
　３０７　オペアンプ
　３１０　スイッチング素子
　３２１　遅延回路
　３２２　スイッチング素子
　４００　パラメータ検出部
　４０１　比較部
　４１０　Ｎｏｔ回路
　４１１　ＡＮＤ回路
　４２１　比較部
　４３０　Ｎｏｔ回路
　４３１　ＡＮＤ回路
　４３２　抵抗
　４３３　スイッチング素子
　Ｄ　還流ダイオード
　Ｑ　主スイッチング素子
　Ｒ１　抵抗
　Ｒ２　抵抗

Claims (7)

  1. 　電力変換装置に用いられる主スイッチング素子の主端子間に流れる電流が過電流であるか否かを検出する検出部と、
    　前記主スイッチング素子が前記電力変換装置のいずれの相に用いられるかに応じて、前記検出部における前記過電流の判定に用いる閾値を切り替える切替部と、
    　を備える過電流検出回路。
  2. 　前記検出部は、前記主端子間に流れる電流に応じたパラメータと、互いに異なる閾値とを比較する複数の比較部を有し、
    　前記切替部は、前記複数の比較部のうち前記過電流の検出に使用する比較部を切り替える、請求項１に記載の過電流検出回路。
  3. 　各比較部は、前記主端子間に流れる電流に応じて検出される電圧と、互いに異なる基準電圧とを比較する、請求項２に記載の過電流検出回路。
  4. 　前記検出部は、前記主端子間に流れる電流に応じて検出される電圧と、基準電圧とを比較する比較部を有し、
    　前記切替部は、前記比較部に供給される基準電圧を切り替える、請求項１に記載の過電流検出回路。
  5. 　前記切替部は、前記主スイッチング素子が用いられる相に応じて供給される信号に基づいて前記閾値を切り替える、請求項１から４の何れか一項に記載の過電流検出回路。
  6. 　主スイッチング素子のゲートを駆動するゲート駆動回路と、
    　前記主スイッチング素子の主端子間に流れる電流が過電流であるか否かを検出する、請求項１から５の何れか一項に記載の過電流検出回路と、
    　を備え、
    　前記ゲート駆動回路は、前記過電流検出回路により過電流が検出されることに応じて、前記主スイッチング素子をオフ状態とする、駆動制御装置。
  7. 　正側電源線および負側電源線の間に直列に接続された複数対の主スイッチング素子と、
    　前記複数対の主スイッチング素子のうち、前記負側電源線の側の主スイッチング素子の相ごとに設けられた、請求項６に記載の駆動制御装置と、
    　を備え、
    　各駆動制御装置における前記過電流検出回路は、対応する前記主スイッチング素子が何れの相に用いられるかに応じて、別々の前記閾値を設定される、電力変換装置。
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