KR102470390B1 - Ipm 소손 감지 장치 - Google Patents
Ipm 소손 감지 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102470390B1 KR102470390B1 KR1020200186722A KR20200186722A KR102470390B1 KR 102470390 B1 KR102470390 B1 KR 102470390B1 KR 1020200186722 A KR1020200186722 A KR 1020200186722A KR 20200186722 A KR20200186722 A KR 20200186722A KR 102470390 B1 KR102470390 B1 KR 102470390B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage
- low
- measured
- side region
- ipm
- Prior art date
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/34—Testing dynamo-electric machines
- G01R31/343—Testing dynamo-electric machines in operation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/0038—Circuits for comparing several input signals and for indicating the result of this comparison, e.g. equal, different, greater, smaller (comparing pulses or pulse trains according to amplitude)
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/0084—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring voltage only
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
- G01R19/16566—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
- G01R31/56—Testing of electric apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P8/00—Arrangements for controlling dynamo-electric motors rotating step by step
- H02P8/34—Monitoring operation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 모터의 각 상에 전원을 공급하는 IPM의 하이 사이드 영역과 로우 사이드 영역 및 그라운드부로 이루어지고,
상기 하이 사이드 영역에는, 하이 사이드 스위칭부; 상기 하이 사이드 스위칭부에 주전원을 공급하는 하이 사이드 드레인단; 입력된 주전원을 로우 사이드 영역으로 제공하는 하이 사이드 소스단; 제어 신호를 입력받는 하이 사이드 게이트단; 을 포함하며,
상기 로우 사이드 영역에는, 상기 하이 사이드 소스단으로부터 전원을 공급받는 로우 사이드 드레인단; 상기 로우 사이드 드레인단을 통해 입력된 전원이 나오게 하는 로우 사이드 소스단; 제어 신호를 입력받는 로우 사이드 게이트단; 을 포함하고, 상기 하이 사이드 영역 또는 로우 사이드 영역에 전압을 측정하는 전압 측정부; 를 포함하고, 상기 전압 측정부에 의해 측정된 전압을 통해 상기 IPM의 소손 여부를 감지하는 IPM 소손 감지 장치가 제공될 수 있다.
상기 하이 사이드 영역에는, 하이 사이드 스위칭부; 상기 하이 사이드 스위칭부에 주전원을 공급하는 하이 사이드 드레인단; 입력된 주전원을 로우 사이드 영역으로 제공하는 하이 사이드 소스단; 제어 신호를 입력받는 하이 사이드 게이트단; 을 포함하며,
상기 로우 사이드 영역에는, 상기 하이 사이드 소스단으로부터 전원을 공급받는 로우 사이드 드레인단; 상기 로우 사이드 드레인단을 통해 입력된 전원이 나오게 하는 로우 사이드 소스단; 제어 신호를 입력받는 로우 사이드 게이트단; 을 포함하고, 상기 하이 사이드 영역 또는 로우 사이드 영역에 전압을 측정하는 전압 측정부; 를 포함하고, 상기 전압 측정부에 의해 측정된 전압을 통해 상기 IPM의 소손 여부를 감지하는 IPM 소손 감지 장치가 제공될 수 있다.
Description
본 발명은 모터를 구동시키는 서보 드라이브의 최종단에 마련되는 IPM의 소손을 감지하는 감지 장치에 관한 것이다.
IPM(Intelligent Power Module)은 스위칭 파워 소자인 IGBT, MOSFET, FRD 등의 전력 반도체 소자와, 이러한 전력 반도체 소자를 구동시켜주는 드라이브 IC를 단일 패키지에 내장한 것으로서, 용도 및 시스템의 요구에 따라서 입출력 전압 전류, 제어 방식, 형상 및 크기 등이 다양하다. 현재 전력 전자 분야의 응용 장치인 범용 인버터, 수치 제어(NC) 공작기계, 산업용 로봇 등은 그 진보와 함께 고효율, 소형화 등을 요구하고 있다.
장치의 고기능화, 소형화 요구에 대해서 IGBT는 저손실화는 물론 구동회로 및 각종 보호회로 등의 주변회로를 모듈 패키지 내에 실장하는 인텔리전트화를 통해 주변 회로 및 부품의 수를 줄이고, 시스템의 설계기간을 단축시키는 장점을 가지고 있다.
이러한 IPM의 소손 상태를 파악하지 못한 상태에서 서보 드라이브를 구동시키면, 과전압 또는 과전류에 의한 2차 소손의 위험에 노출될 수 밖에 없고, 2차 소손에 의해 인버팅 회로의 쇼트 전류로 인해 위험성이 커질 수 있다.
이에 본 발명은 IPM의 소손 여부를 감지하여 소손에 따른 위험성을 방지할 수 있는 IPM 소손 감지 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 해결 수단은 모터의 각 상에 전원을 공급하는 IPM의 하이 사이드 영역과 로우 사이드 영역 및 그라운드부로 이루어지고,
상기 하이 사이드 영역에는, 하이 사이드 스위칭부; 상기 하이 사이드 스위칭부에 주전원을 공급하는 하이 사이드 드레인단; 입력된 주전원을 로우 사이드 영역으로 제공하는 하이 사이드 소스단; 제어 신호를 입력받는 하이 사이드 게이트단; 을 포함하며,
상기 로우 사이드 영역에는, 상기 하이 사이드 소스단으로부터 전원을 공급받는 로우 사이드 드레인단; 상기 로우 사이드 드레인단을 통해 입력된 전원이 나오게 하는 로우 사이드 소스단; 제어 신호를 입력받는 로우 사이드 게이트단; 을 포함하고, 상기 하이 사이드 영역 또는 로우 사이드 영역에 전압을 측정하는 전압 측정부; 를 포함하고, 상기 전압 측정부에 의해 측정된 전압을 통해 상기 IPM의 소손 여부를 감지하는 IPM 소손 감지 장치가 제공될 수 있다.
이와 같이 본 발명은 모터를 구동시키는 서보 드라이브의 최종단에 구비되는 IPM의 소손 여부를 간편하게 감지하여 소손에 따른 피해를 줄일 수 있다.
본 발명은 IPM에 과전압 또는 과전류가 흘러서 소손되었는지 여부를 확인하기 위해서, IPM의 하이 사이드와 로우 사이드의 제1 위치와 제2 위치에서 하이 사이드와 그라운드간의 전압과 로우 사이드와 그라운드간의 전압을 구비된 전압 측정부를 통해 측정하고, 비교부를 통해 비교하여 소손 여부를 판정할 수 있다.
본 발명은 전압 측정부에 의한 전압 측정 결과, 하이 사이드 영역의 전압이 14v이면 정상으로 판정하고, 14v보다 큰 14.4v인 경우 소손된 것으로 판정하며, 로우 사이드 영역의 전압이 14.4 v이면 정상으로 판정하고, 0(zero) v이면 소손된 것으로 판정할 수 있다.
또한, 본 발명은 로우 사이드 영역의 전압이 정상 상태인 경우, 하이 사이드영역의 측정 전압과 로우 사이드의 측정 전압을 비교하여 판정할 수 있고, 하이 사이드 영역의 측정 전압이 로우 사이드 영역의 측정 전압 보다 작으면, 정상 상태로 판정하고, 하이 사이드 영역의 측정 전압과 로우 사이드의 측정 전압이 동일하면 소손 상태로 판정할 수 있다.
또한, 본 발명은 로우 사이드 영역의 측정 전압이 설정된 전압값과 비교하여 판정할 수 있고, 로우 사이드 영역의 측정 전압이 설정된 전압값 보다 크면 정상 상태로 판정하고, 설정된 전압값보다 작으면 소손된 상태로 판정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 IPM 소손 감지 장치를 구현하기 위한 회로 구성도이다.
도 2는 본 발명의 IPM 소손 감지 장치의 구성을 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 발명의 IPM 소손 감지 장치의 전원 및 제어 신호의 흐름을 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 IPM 소손 감지 장치의 구성을 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 발명의 IPM 소손 감지 장치의 전원 및 제어 신호의 흐름을 나타낸 개략도이다.
도 1은 본 발명의 소손 감지 장치를 구현하기 위한 회로 구성도, 도 2는 본 발명의 IPM 소손 감지 장치의 구성을 나타낸 개략도, 도 3은 본 발명의 IPM 소손 감지 장치의 전원 및 제어 신호의 흐름을 나타낸 개략도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 IPM 소손 감지 장치는 IPM(10)을 구성하는 하이 사이드 스위칭부(100)와 로우 사이드 스위칭부(200)를 포함할 수 있다.
또한, 로우 사이드 스위칭부(200)는 그라운드부(300)와 연결될 수 있다.
IPM(10)은 모터(700)의 u상에 전원을 공급하는 u상 IPM(11), 모터(700)의 v상에 전원을 공급하는 v상 IPM(12), 모터(700)의 w상에 전원을 공급하는 w상 IPM(13)으로 이루어질 수 있다.
하이 사이드 스위칭부(100)와 로우 사이드 스위칭부(200)는 전력용 스위칭 소자로서 모스펫(MOSFET; Metal Oxide Semiconductor Field Effect)) 또는 IGBT 등으로 구성될 수 있다.
모스펫은 게이트(gate), 드레인(drain) 및 소스(source) 단자를 구비한 FET(Field Effect Transistor)소자로서, 게이트 단자와 소스 단자 사이에 인가된 전압에 따른 채널 형성 여부에 의해 온 되거나 오프 될 수 있다. 일 예로, 상기 FET소자는 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)일 수 있다.
IGBT(Insulated gate bipolar transistor)는 절연 게이트 양극성 트랜지스터로서, 구동 전력이 작고 고속 스위칭, 고내압화, 고전류 밀도화가 가능한 소자이다.
하이 사이드 영역에서, 하이 사이드 스위칭부(100)는 주전원이 공급되는 하이 사이드 드레인단(110), 입력된 전원을 로우 사이드 스위칭부(200)로 제공하는 하이 사이드 소스단(120), 제어부(400)로부터 PWM 제어 신호를 제공받아 공급하는 하이 사이드 게이트단(130)으로 이루어질 수 있다.
로우 사이드 영역에서, 로우 사이드 스위칭부(200)는 하이 사이드 소스단(120)으로부터 전원을 제공받는 로우 사이드 드레인단(210), 그라운드부(300)와 연결되어 전원을 흘려보내는 로우 사이드 소스단(220), 제어부(400)로부터 PWM 제어 신호를 제공받아 공급하는 로우 사이드 게이트단(230)으로 이루어질 수 있다.
여기서, 본 발명은 IPM의 소손 상태를 확인할 필요가 있다. 즉, 하이 사이드영역과 로우 사이드 영역에서의 전압을 측정하여 비교함으로써, 정상 상태와 불량 상태를 체크하여 확인할 수 있다.
본 발명은 하이 사이드 영역과 로우 사이드 영역에서의 전압을 측정하기 위한 전압 측정부(500)와, 전압 측정부(500)에 의해 측정된 측정 전압을 비교하여 소손 여부를 판정하는 비교부(600)를 마련할 수 있다.
전압을 측정하기 위한 제1 위치(P1)와 제2 위치(P2)를 설정하고, 전압 측정부(500)에서 전압을 측정할 수 있다.
제 1위치(P1)는 하이 사이드 영역에 위치하고, 구체적으로는 하이 사이드 스위칭부(100)의 하이 사이드 드레인부(110)를 통해 주전원이 공급되는 위치일 수 있다.
제2 위치(P2)는 로우 사이드에 위치하고, 하이 사이드 스위칭부(100)의 하이 사이드 소스단(120)으로부터 로우 사이드 드레인단(210)으로 전원을 제공 받는 위치일 수 있다.
다시 말해서, 전압 측정부(500)는 하이 사이드 영역과 그라운드부(300)간의 전압을 측정하고, 로우 사이드와 그라운드부(300)간의 전압을 측정하여 비교부(600)를 통해 비교할 수 있다.
전압 측정부(500)에 의해 측정된 전압을 비교부(600)를 통해 비교하여 소손 연부를 판정하는 기준은 다음과 같이 할 수 있다.
먼저, 하이 사이드 드레인단(110)으로 공급되는 주전원은 오프(off)시키고, 제어 전원을 온(ON)시킨 상태에서 측정할 수 있다. 주전원을 오프시키면, 하이 사이드 드레인단(110)에 입력된 주전원은 충전된 상태를 유지할 수 있다.
[하이 사이드 영역인 경우]
제1 위치(P1)에서의 측정 결과, 로우 사이드 영역은 정상인 상태에서, 하이 사이드 영역의 전압이 설정된 전압값과 동일하면 정상이고, 설정된 전압값이 아니면 소손된 상태로 판정할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 있어서, 설정된 전압값은 14v이고, 설정된 전압값이 아닌 경우에는 14.4v가 될 수 있다.
이때, 비교부(600)는 하이 사이드 영역의 측정 전압은 로우 사이드 영역의 측정 전압과 비교하여 판별할 수 있다. 즉, 하이 사이드 영역의 측정 전압을 제1 측정 전압이라고 하고, 이러한 제1 측정 전압이 정상 상태의 로우 사이드 영역의 측정 전압인 제2 측정 전압보다 작으면, 정상 상태로 판별하며, 하이 사이드 영역의 제1 측정 전압이 정상 상태의 로우 사이드 영역의 전압인 제2 측정 전압과 동일하면 소손된 상태로 판정할 수 있다.
하이 사이드 영역은 모터의 u상, v상, w상에 따른 IPM(10)에 모두 적용될 수 있다.
[로우 사이드 영역인 경우]
[u상 IPM인 경우]
제2 위치(P2)에서의 측정 결과, 로우 사이드 영역의 측정 전압이 14.4V이면 정상이고, 0V이면 소손된 상태로 판정할 수 있다.
[v상 IPM인 경우]
제2 위치(P2)에서의 측정 결과, 로우 사이드 영역의 측정 전압이 14.4V이면 정상이고, 0V이면 소손된 상태로 판정할 수 있다.
[w상 IPM인 경우]
제2 위치(P2)에서의 측정 결과, 로우 사이드 영역의 측정 전압이 14.4V이면 정상이고, 0V이면 소손된 상태로 판정할 수 있다.
또한, 비교부(600)는 로우 사이드 영역인 경우, 설정값의 전압과 비교하여 소손 상태를 판정할 수 있다. 즉, 예를 들어 설정할 전압값을 5v로 설정하는 경우, 로우 사이드 영역의 측정 전압은 설정된 전압값인 5v보다 크면 정상으로 판정하고, 5v보다 작으면 소손된 것으로 판정할 수 있다.
10... IPM 11... u상 IPM
12... v상 IPM 13... w상 IPM
100... 하이 사이드 스위칭부 110... 하이 사이드 드레인단
120... 하이 사이드 소스단 130... 하이 사이드 게이트단
200... 로우 사이드 스위칭부 210... 로우 사이드 드레인단
220... 로우 사이드 소스단 230... 로우 사이드 게이트단
300... 그라운드부 400... 제어부
500... 전압 측정부 600... 비교부
700.. 모터
P1... 제1 위치 P2... 제2 위치
12... v상 IPM 13... w상 IPM
100... 하이 사이드 스위칭부 110... 하이 사이드 드레인단
120... 하이 사이드 소스단 130... 하이 사이드 게이트단
200... 로우 사이드 스위칭부 210... 로우 사이드 드레인단
220... 로우 사이드 소스단 230... 로우 사이드 게이트단
300... 그라운드부 400... 제어부
500... 전압 측정부 600... 비교부
700.. 모터
P1... 제1 위치 P2... 제2 위치
Claims (8)
- 모터의 각 상에 전원을 공급하는 IPM의 하이 사이드 영역과 로우 사이드 영역 및 그라운드부로 이루어지고,
상기 하이 사이드 영역에는,
하이 사이드 스위칭부;
상기 하이 사이드 스위칭부에 주전원을 공급하는 하이 사이드 드레인단;
입력된 주전원을 로우 사이드 영역으로 제공하는 하이 사이드 소스단;
제어 신호를 입력받는 하이 사이드 게이트단; 을 포함하며,
상기 로우 사이드 영역에는,
상기 하이 사이드 소스단으로부터 전원을 공급받는 로우 사이드 드레인단;
상기 로우 사이드 드레인단을 통해 입력된 전원이 나오게 하는 로우 사이드 소스단;
제어 신호를 입력받는 로우 사이드 게이트단; 을 포함하고,
상기 하이 사이드 영역 또는 로우 사이드 영역에서의 전압을 측정하는 전압 측정부;
상기 하이 사이드 영역 또는 로우 사이드 영역에서 상기 전압 측정부에 의해 측정된 측정 전압에 따라 소손 여부를 판정하는 비교부; 를 포함하며,
상기 하이 사이드 영역에서 측정한 측정 전압을 제1 측정 전압이라고 하고, 로우 사이드 영역에서 측정한 측정 전압을 제2 측정 전압이라고 정의할 때,
상기 비교부는 제1 측정 전압과 제2 측정 전압을 비교하여 IPM의 소손 상태를 감지하며,
상기 비교부는,
상기 제2 측정 전압이 정상 상태의 전압인 경우,
상기 제1 측정 전압이 제2 측정 전압보다 작으면 정상 상태로 판정하고,
상기 제1 측정 전압이 제2 측정 전압과 동일하면 소손 상태로 판정하는 IPM 소손 감지 장치.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 비교부는 상기 하이 사이드 영역에서 상기 전압 측정부에 의해 측정된 측정 전압인 상기 제1 측정 전압을 비교하며,
상기 비교부는 상기 제1 측정 전압이 설정된 전압값과 동일하면 정상 상태로 판정하고, 상기 제2 측정 전압이 설정된 전압값보다 크면 소손 상태로 판정하는 IPM 소손 감지 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 비교부는 상기 로우 사이드 영역에서 상기 전압 측정부에 의해 측정된 측정 전압인 상기 제2 측정 전압을 비교하며,
상기 비교부는 상기 제2 측정 전압이 설정된 전압값보다 크면 정상 상태로 판정하고, 상기 제2 측정 전압이 설정된 전압값 보다 작으면 소손 상태로 판정하는 IPM 소손 감지 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 로우 사이드 영역에서,
상기 제2 측정 전압은 설정된 전압값과 비교하여 소손 여부를 판정하는 IPM 소손 감지 장치.
- 모터의 각 상에 전원을 공급하는 IPM의 하이 사이드 영역과 로우 사이드 영역 및 그라운드부로 이루어지고,
상기 하이 사이드 영역에는,
하이 사이드 스위칭부;
상기 하이 사이드 스위칭부에 주전원을 공급하는 하이 사이드 드레인단;
입력된 주전원을 로우 사이드 영역으로 제공하는 하이 사이드 소스단;
제어 신호를 입력받는 하이 사이드 게이트단; 을 포함하며,
상기 로우 사이드 영역에는,
상기 하이 사이드 소스단으로부터 전원을 공급받는 로우 사이드 드레인단;
상기 로우 사이드 드레인단을 통해 입력된 전원이 나오게 하는 로우 사이드 소스단;
제어 신호를 입력받는 로우 사이드 게이트단; 을 포함하고,
상기 하이 사이드 영역 또는 로우 사이드 영역에서의 전압을 측정하는 전압 측정부; 를 포함하며,
상기 전압 측정부에 의해 측정된 측정 전압을 통해 상기 IPM의 소손 여부를 감지하고,
상기 로우 사이드 영역에서,
상기 전압 측정부에 의해 측정된 측정 전압을 제2 측정 전압이라고 정의할 때, 상기 제2 측정 전압은 설정된 전압값과 비교하여 소손 여부를 판정하며,
상기 제2 측정 전압은 설정된 전압값보다 크면 정상 상태로 판정하고,
상기 제2 측정 전압은 설정된 전압값보다 작으면 소손 상태로 판정하는 IPM 소손 감지 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200186722A KR102470390B1 (ko) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | Ipm 소손 감지 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200186722A KR102470390B1 (ko) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | Ipm 소손 감지 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220094961A KR20220094961A (ko) | 2022-07-06 |
KR102470390B1 true KR102470390B1 (ko) | 2022-11-25 |
Family
ID=82400480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200186722A KR102470390B1 (ko) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | Ipm 소손 감지 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102470390B1 (ko) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012034459A (ja) | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Denso Corp | 車両用発電機 |
KR101665891B1 (ko) * | 2015-12-04 | 2016-10-13 | 현대오트론 주식회사 | 모터 구동 트랜지스터 이상 감지 장치 |
JP6579042B2 (ja) | 2016-06-02 | 2019-09-25 | 株式会社デンソー | 車両用異常判定装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3154665B2 (ja) * | 1996-08-29 | 2001-04-09 | 三菱電機株式会社 | ハイサイド方式のモータ電流検出回路 |
KR100869592B1 (ko) * | 2004-06-02 | 2008-11-21 | 인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션 | 하프 또는 풀 브리지 회로 내의 vs 전압을모니터링함으로써 양방향 전류 감지 |
US7960997B2 (en) * | 2007-08-08 | 2011-06-14 | Advanced Analogic Technologies, Inc. | Cascode current sensor for discrete power semiconductor devices |
KR102532505B1 (ko) * | 2015-10-16 | 2023-05-17 | 한온시스템 주식회사 | 전동 압축기 및 그것의 igbt 게이트 소손 검출 방법 |
KR101949509B1 (ko) * | 2016-12-12 | 2019-02-19 | 현대오트론 주식회사 | 모터 구동 ic 고장진단 장치 및 방법 |
KR102021896B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2019-11-04 | (주)모토닉 | 보호회로 및 그가 적용된 모터 구동장치 |
-
2020
- 2020-12-29 KR KR1020200186722A patent/KR102470390B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012034459A (ja) | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Denso Corp | 車両用発電機 |
KR101665891B1 (ko) * | 2015-12-04 | 2016-10-13 | 현대오트론 주식회사 | 모터 구동 트랜지스터 이상 감지 장치 |
JP6579042B2 (ja) | 2016-06-02 | 2019-09-25 | 株式会社デンソー | 車両用異常判定装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220094961A (ko) | 2022-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9059709B2 (en) | Gate drive circuit for transistor | |
US7940503B2 (en) | Power semiconductor arrangement including conditional active clamping | |
US11183835B2 (en) | Short circuit detection and protection for a gate driver circuit and methods of detecting the same using logic analysis | |
US8027183B2 (en) | 3-phase inverter module, motor driving apparatus using the same, and inverter integrated circuit package | |
US7414867B2 (en) | Power conversion device | |
CN108173418B (zh) | 半导体装置和电力转换设备 | |
US10742204B2 (en) | Semiconductor device and power module | |
JP2014117112A (ja) | 半導体制御装置及び電力変換装置 | |
US20240097556A1 (en) | Semiconductor module | |
US11349303B2 (en) | Power module with integrated surge voltage limiting element | |
KR102470390B1 (ko) | Ipm 소손 감지 장치 | |
US20220045596A1 (en) | Drive circuit for power semiconductor element and power semiconductor module employing the same | |
US11736036B2 (en) | Electric power converter | |
US11929666B2 (en) | Gate drive circuit and power conversion device | |
Jeong et al. | Effective resistor selection method for over current protection when using sense IGBT solution | |
CN115714593A (zh) | 半导体装置 | |
JP2022039105A (ja) | 半導体モジュール | |
US11601083B1 (en) | Power module with protection circuit | |
US20230231549A1 (en) | Overcurrent detection circuit, drive control device, and power conversion device | |
US11469750B2 (en) | Switching apparatus and determination apparatus | |
US12126330B2 (en) | Semiconductor device | |
US12021441B2 (en) | Switching control circuit, drive control device, and switching control method | |
KR102229656B1 (ko) | 전력 반도체 소자의 동작 속도 제어 장치 및 전력 반도체 시스템 | |
US20220149839A1 (en) | Semiconductor device | |
US20230378951A1 (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |