WO2022209663A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2022209663A1
WO2022209663A1 PCT/JP2022/010283 JP2022010283W WO2022209663A1 WO 2022209663 A1 WO2022209663 A1 WO 2022209663A1 JP 2022010283 W JP2022010283 W JP 2022010283W WO 2022209663 A1 WO2022209663 A1 WO 2022209663A1
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WO
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semiconductor device
main
lead
semiconductor element
sealing resin
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English (en)
French (fr)
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聡紀 谷口
賢太郎 那須
賢明 越智
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips

Definitions

  • the present disclosure relates to semiconductor devices.
  • Patent Document 1 discloses an example of a conventional semiconductor device.
  • the semiconductor device disclosed in the document includes a plurality of leads, semiconductor elements and sealing resin.
  • a semiconductor element (6) is mounted on the leads (3).
  • Other leads (1, 2) different from the lead (3) on which the semiconductor element is mounted are arranged in a direction (x) perpendicular to the thickness direction (z) of the lead (3) with respect to the lead (3). are spaced apart.
  • the sealing resin (8) partially covers the plurality of leads and the semiconductor element, and has a rectangular shape when viewed in the thickness direction (z).
  • the semiconductor device described in Patent Document 1 is surface-mounted, for example, on circuit boards of various devices.
  • a circuit board on which the semiconductor device is mounted may warp due to the influence of heat or the like.
  • stress acts on the sealing resin and the leads. If a large stress acts between the leads separated from each other in the direction x in the sealing resin, there is concern that the sealing resin may peel off from the leads or crack in the sealing resin.
  • the present disclosure has been conceived under the circumstances described above, and has an object to provide a semiconductor device suitable for suppressing peeling of the sealing resin.
  • a semiconductor device provided by the present disclosure includes a first lead having a first main surface facing one side in the thickness direction and a first back surface facing the other side, and a second main surface facing the one side in the thickness direction. and a second back surface facing the other side, the second lead being spaced apart from the first lead on one side in a first direction orthogonal to the thickness direction, the first main surface and a second semiconductor element arranged on the second main surface, a part of the first lead, a part of the second lead, the first semiconductor element and the second semiconductor element. and a sealing resin that covers the semiconductor element.
  • the first semiconductor element and the second semiconductor element each have a first element side surface facing one side in the first direction and a second element side surface facing the other side.
  • the first lead extends from the first direction center section of the sealing resin equidistant from the first element side surface of the first semiconductor element and the second element side surface of the second semiconductor element in the first direction. a first main portion positioned on the other side in the first direction; and a first extension portion extending from the first main portion to the one side in the first direction.
  • the second lead includes a second main portion positioned on one side in the first direction with respect to the first direction central section.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 2 is a perspective view (through sealing resin) showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 1.
  • FIG. 6 is a right side view of the semiconductor device shown in FIG. 1.
  • FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view along line VII-VII of FIG.
  • FIG. 10 is a diagram showing the circuit configuration of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • 11 is a cross-sectional view, similar to FIG. 7, showing a state in which the semiconductor device shown in FIG. 1 is mounted on a circuit board.
  • 12 is a plan view, similar to FIG. 3, showing a semiconductor device according to a first modification of the first embodiment
  • FIG. 13 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 12.
  • FIG. FIG. 14 is a plan view, similar to FIG. 3, showing a semiconductor device according to a second modification of the first embodiment.
  • 15 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 14.
  • FIG. 16 is a plan view, similar to FIG. 3, showing a semiconductor device according to a third modification of the first embodiment;
  • FIG. 17 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 16.
  • FIG. 18 is a plan view, similar to FIG. 3, showing a semiconductor device according to a fourth modification of the first embodiment;
  • FIG. 19 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 18.
  • FIG. 20 is a plan view, similar to FIG. 3, showing a semiconductor device according to a fifth modification of the first embodiment.
  • 21 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 20.
  • a certain entity A is formed on a certain entity B” and “a certain entity A is formed on a certain entity B” mean “a certain entity A is formed on a certain entity B”. It includes "being directly formed in entity B” and “being formed in entity B while another entity is interposed between entity A and entity B”.
  • ⁇ an entity A is placed on an entity B'' and ⁇ an entity A is located on an entity B'' mean ⁇ an entity A is located on an entity B.'' It includes "directly placed on B” and "some entity A is placed on an entity B while another entity is interposed between an entity A and an entity B.”
  • ⁇ an object A is located on an object B'' means ⁇ an object A is adjacent to an object B and an object A is positioned on an object B. and "the thing A is positioned on the thing B while another thing is interposed between the thing A and the thing B".
  • ⁇ an object A overlaps an object B when viewed in a certain direction'' means ⁇ an object A overlaps all of an object B'' and ⁇ an object A overlaps an object B.'' It includes "overlapping a part of a certain thing B".
  • a semiconductor device A10 of this embodiment includes a first lead 1, a second lead 2, a first semiconductor element 3A, a second semiconductor element 3B, a conductive member 4, and a sealing resin 5.
  • the package format of the semiconductor device A10 is QFN (Quad For Non-Lead Package).
  • FIG. 1 is a perspective view showing the semiconductor device A10.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the semiconductor device A10.
  • FIG. 3 is a plan view showing the semiconductor device A10.
  • FIG. 4 is a bottom view showing the semiconductor device A10.
  • FIG. 5 is a front view showing the semiconductor device A10.
  • FIG. 6 is a right side view showing the semiconductor device A10.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view along line VII-VII of FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view along line VIII-VIII of FIG.
  • FIG. 9 is a circuit configuration diagram of the semiconductor device A10. 2 and 3 are transparent through the sealing resin 5 for convenience of understanding.
  • the permeated sealing resin 5 is indicated by an imaginary line (chain double-dashed line).
  • the conducting member 4 is omitted.
  • the semiconductor device A10 shown in these figures is surface-mounted on circuit boards of various devices.
  • the shape of the semiconductor device A10 when viewed in the thickness direction is rectangular.
  • the thickness direction of the semiconductor device A10 is called "thickness direction z”.
  • a direction perpendicular to the thickness direction z and along one side of the semiconductor device A10 (horizontal direction in FIG. 3) is called a “first direction x”.
  • a direction perpendicular to both the thickness direction z and the first direction x (vertical direction in FIG. 3) is called a “second direction y”.
  • the size of the semiconductor device A10 is not particularly limited.
  • the vertical direction z dimension is about 0.15 to 1.0 mm.
  • first lead 1 and the second lead 2 are formed, for example, by punching or etching a metal plate.
  • First lead 1 and second lead 2 are made of, for example, either Cu (copper) or Ni (nickel), or an alloy thereof.
  • Each of the first lead 1 and the second lead 2 is partially covered with the sealing resin 5 .
  • the first lead 1 is arranged on the left side of the semiconductor device A10 in the drawing (the other side in the first direction x).
  • the second lead 2 is arranged on the right side of the semiconductor device A10 in the drawing (one side in the first direction x).
  • the first lead 1 and the second lead 2 are arranged apart from each other in the first direction x.
  • the first lead 1 has a first major surface 101, a first rear surface 102 and a first concave surface 103.
  • the first major surface 101 faces one side in the thickness direction z.
  • the first main surface 101 is covered with the sealing resin 5 .
  • the first rear surface 102 and the first concave surface 103 face the side opposite to the first major surface 101 (the other side in the thickness direction z).
  • the first rear surface 102 is exposed from the sealing resin 5 .
  • the first concave surface 103 is located closer to one side in the thickness direction z than the first back surface 102 and closer to the first main surface 101 than the first back surface 102 is.
  • the first concave surface 103 overlaps a part of the first major surface 101 when viewed in the thickness direction z.
  • the first concave surface 103 is positioned on one side in the first direction x relative to the first rear surface 102 when viewed in the thickness direction z.
  • the first concave surface 103 is covered with the sealing resin 5 .
  • the first concave surface 103 is formed, for example, by half-etching.
  • the first lead 1 includes a first main portion 11 , a first extending portion 12 , a first terminal portion 13 , a first connecting portion 14 and a second connecting portion 15 .
  • the first main portion 11 has a rectangular shape when viewed in the thickness direction z.
  • the first main portion 11 is located on the left side (the other side in the first direction x) of the center of the semiconductor device A10 in the first direction x.
  • the first main portion 11 includes a portion of the first main surface 101, a portion of the first rear surface 102, a portion of the first concave surface 103 and a first inner surface 111.
  • a first main surface 101 of the first main portion 11 is a portion on which the first semiconductor element 3A is mounted.
  • the first rear surface 102 of the first main portion 11 is a portion that becomes a rear surface terminal.
  • the first inner surface 111 is positioned at one side end of the first main portion 11 in the first direction x and faces one side in the first direction x.
  • the first inner surface 111 connects to both the first major surface 101 and the first concave surface 103 .
  • the first extending portion 12 is connected to the first main portion 11 and extends from the first inner surface 111 of the first main portion 11 to one side in the first direction x. In the present embodiment, the first extending portion 12 extends to one side in the first direction x from a portion of the first main portion 11 that is closer to one side in the second direction y. In FIG. 3, the first extending portion 12 is hatched.
  • the first extending portion 12 includes a portion of the first main surface 101, a portion of the first concave surface 103, a first tip surface 121, a first curved surface 122 and a It has a first intermediate surface 123 .
  • the first tip surface 121 is positioned at one side end of the first extending portion 12 in the first direction x and faces one side in the first direction x.
  • the first tip surface 121 connects to both the first major surface 101 and the first concave surface 103 .
  • the first tip surface 121 is located in the center of the semiconductor device A10 in the first direction x.
  • the first curved surface 122 is an arc-shaped concave surface when viewed in the thickness direction z.
  • the first curved surface 122 connects both the first main surface 101 and the first concave surface 103 and the first distal surface 121 .
  • the first intermediate surface 123 faces one side in the first direction x.
  • the first intermediate surface 123 is located between the first tip surface 121 and the first inner surface 111 of the first main portion 11 in the first direction x.
  • the first intermediate surface 123 is located on the other side in the second direction y with respect to the first tip end surface 121 .
  • the first intermediate surface 123 connects both the first major surface 101 and the first concave surface 103 and the first curved surface 122 .
  • the first terminal portion 13 is connected to the first main portion 11 and has a rectangular shape when viewed in the thickness direction z.
  • the first terminal portion 13 is connected to the other end of the first main portion 11 in the first direction x.
  • the dimension of the first terminal portion 13 in the second direction y is smaller than the dimension of the first main portion 11 in the second direction y.
  • the first terminal portion 13 is positioned at the center of the first main portion 11 in the second direction y when viewed in the first direction x.
  • the first terminal portion 13 has a portion of the first main surface 101 , a portion of the first rear surface 102 and a first end surface 131 .
  • the first end face 131 is located at the other side end of the first terminal portion 13 in the first direction x and faces the other side in the first direction x.
  • the first end surface 131 is exposed from the sealing resin 5 .
  • the first connecting portion 14 is connected to the first main portion 11 and has a rectangular shape when viewed in the thickness direction z.
  • the first connecting portion 14 is connected to one end of the first main portion 11 in the second direction y.
  • the dimension of the first connecting portion 14 in the first direction x is smaller than the dimension of the first main portion 11 in the first direction x.
  • the first connecting portion 14 is positioned in the center of the first main portion 11 in the first direction x when viewed in the second direction y.
  • the first connecting portion 14 has a first connecting portion end surface 141 .
  • the first connecting portion end face 141 is located at one side end of the first connecting portion 14 in the second direction y and faces one side in the second direction y.
  • the first connecting portion end surface 141 is exposed from the sealing resin 5 .
  • the second connecting portion 15 is connected to the first main portion 11 and has a rectangular shape when viewed in the thickness direction z.
  • the second connecting portion 15 connects to the other end of the first main portion 11 in the second direction y.
  • the dimension of the second connecting portion 15 in the first direction x is smaller than the dimension of the first main portion 11 in the first direction x.
  • the second connecting portion 15 is positioned at the center of the first main portion 11 in the first direction x when viewed in the second direction y.
  • the second connecting portion 15 has a second connecting portion end surface 151 .
  • the second connecting portion end surface 151 is located at the other side end of the second connecting portion 15 in the second direction y and faces the other side in the second direction y.
  • the second connecting portion end surface 151 is exposed from the sealing resin 5 .
  • the second lead 2 has a second main surface 201, a second rear surface 202 and a second concave surface 203.
  • the second main surface 201 faces one side in the thickness direction z.
  • the second main surface 201 is at the same position as the first main surface 101 of the first lead 1 in the thickness direction z.
  • the second principal surface 201 is covered with the sealing resin 5 .
  • the second rear surface 202 and the second concave surface 203 face the side opposite to the second major surface 201 (the other side in the thickness direction z).
  • the second rear surface 202 is exposed from the sealing resin 5 .
  • the second concave surface 203 is positioned closer to one side in the thickness direction z than the second back surface 202 and closer to the second major surface 201 than the second back surface 202 is.
  • the second concave surface 203 overlaps a part of the second major surface 201 when viewed in the thickness direction z.
  • the second concave surface 203 is positioned on the other side in the first direction x of the second back surface 202 when viewed in the thickness direction z.
  • the second concave surface 203 is covered with the sealing resin 5 .
  • the second concave surface 203 is formed, for example, by half-etching.
  • the second lead 2 includes a second main portion 21 , a second extension portion 22 , a second terminal portion 23 , a third connecting portion 24 and a fourth connecting portion 25 .
  • the second main portion 21 has a rectangular shape when viewed in the thickness direction z.
  • the second main portion 21 is located on the right side (one side in the first direction x) of the center of the semiconductor device A10 in the first direction x.
  • the first main portion 11 and the second main portion 21 of the first lead 1 described above are separated in the first direction x, and are symmetrical with respect to the center of the semiconductor device A10 in the first direction x (see FIG. 3). symmetrical).
  • the second main portion 21 includes a portion of the second main surface 201, a portion of the second rear surface 202, a portion of the second concave surface 203, and a second inner surface 211.
  • a second main surface 201 of the second main portion 21 is a portion on which the second semiconductor element 3B is mounted.
  • a second rear surface 202 of the second main portion 21 is a portion that becomes a rear surface terminal.
  • the second inner surface 211 is located at the other side end of the second main portion 21 in the first direction x and faces the other side in the first direction x.
  • the second inner surface 211 connects to both the second major surface 201 and the second concave surface 203 .
  • the second extending portion 22 is connected to the second main portion 21 and extends from the second inner surface 211 of the second main portion 21 to the other side in the first direction x.
  • the second extending portion 22 extends to the other side in the first direction x from a portion of the second main portion 21 closer to the other side in the second direction y.
  • the second extending portion 22 is hatched.
  • the second extending portion 22 includes a portion of the second main surface 201, a portion of the second concave surface 203, a second tip surface 221, a second curved surface 222 and a It has a second intermediate surface 223 .
  • the second tip surface 221 is positioned at the other side end in the first direction x of the second extending portion 22 and faces the other side in the first direction x.
  • the second tip surface 221 connects to both the second major surface 201 and the second concave surface 203 .
  • the second tip surface 221 is positioned in the center of the semiconductor device A10 in the first direction x.
  • the second curved surface 222 is an arc-shaped concave curved surface when viewed in the thickness direction z.
  • the second curved surface 222 connects to both the second major surface 201 and the second concave surface 203 and the second tip surface 221 .
  • the second intermediate surface 223 faces the other side in the first direction x.
  • the second intermediate surface 223 is positioned between the second tip surface 221 and the second inner surface 211 of the second main portion 21 in the first direction x.
  • the second intermediate surface 223 is located on one side in the second direction y relative to the second tip surface 221 .
  • a second intermediate surface 223 connects both the second major surface 201 and the second concave surface 203 and the second curved surface 222 .
  • the second terminal portion 23 is connected to the second main portion 21 and has a rectangular shape when viewed in the thickness direction z.
  • the second terminal portion 23 is connected to one side end of the second main portion 21 in the first direction x when viewed in the first direction x.
  • the dimension of the second terminal portion 23 in the second direction y is smaller than the dimension of the second main portion 21 in the second direction y.
  • the second terminal portion 23 is positioned at the center of the second main portion 21 in the second direction y when viewed in the first direction x.
  • the second terminal portion 23 has a portion of the second main surface 201 , a portion of the second rear surface 202 and a second end surface 231 .
  • the second end face 231 is located at one side end of the second terminal portion 23 in the first direction x and faces one side in the first direction x.
  • the second end surface 231 is exposed from the sealing resin 5 .
  • the third connecting portion 24 is connected to the second main portion 21 and has a rectangular shape when viewed in the thickness direction z.
  • the third connecting portion 24 connects to one side end of the second main portion 21 in the second direction y.
  • the dimension of the third connecting portion 24 in the first direction x is smaller than the dimension of the second main portion 21 in the first direction x.
  • the third connecting portion 24 is positioned at the center of the second main portion 21 in the first direction x when viewed in the second direction y.
  • the third connecting portion 24 has a third connecting portion end surface 241 .
  • the third connecting portion end face 241 is located at one side end of the third connecting portion 24 in the second direction y and faces one side in the second direction y.
  • the third connecting portion end surface 241 is exposed from the sealing resin 5 .
  • the fourth connecting portion 25 is connected to the second main portion 21 and has a rectangular shape when viewed in the thickness direction z.
  • the fourth connecting portion 25 connects to the other end of the second main portion 21 in the second direction y.
  • the dimension of the fourth connecting portion 25 in the first direction x is smaller than the dimension of the first main portion 11 in the first direction x.
  • the second connecting portion 15 is positioned at the center of the second main portion 21 in the first direction x when viewed in the second direction y.
  • the fourth connecting portion 25 has a fourth connecting portion end surface 251 .
  • the fourth connecting portion end face 251 is positioned at the other side end in the second direction y of the fourth connecting portion end face 251 and faces the other side in the second direction y.
  • the fourth connecting portion end surface 251 is exposed from the sealing resin 5 .
  • the first semiconductor element 3A and the second semiconductor element 3B are elements that exhibit electrical functions of the semiconductor device A10.
  • the types of first semiconductor element 3A and second semiconductor element 3B are not particularly limited.
  • the two first semiconductor elements 3A and the second semiconductor elements 3B are elements of the same type, and both are Zener diodes.
  • each of the first semiconductor element 3A and the second semiconductor element 3B has a rectangular shape when viewed in the thickness direction z.
  • the first semiconductor element 3A is arranged on the first main surface 101 of the first main portion 11 (first lead 1).
  • the first semiconductor element 3 ⁇ /b>A has a first element side surface 301 , a second element side surface 302 , a third element side surface 303 , a fourth element side surface 304 , a first electrode 31 and a second electrode 32 .
  • Each of the first element side surface 301, the second element side surface 302, the third element side surface 303, and the fourth element side surface 304 is formed on a surface facing one side and a surface facing the other side in the thickness direction z of the first semiconductor element 3A. It is sandwiched and connected to both the surface facing one side in the thickness direction z and the surface facing the other side.
  • the first element side surface 301 faces one side in the first direction x.
  • the second element side surface 302 faces the other side in the first direction x.
  • the third element side surface 303 faces one side in the second direction y.
  • the fourth element side surface 304 faces the other side in the second direction y.
  • the first electrode 31 is provided on the surface facing one side in the thickness direction z of the first semiconductor element 3A.
  • the second electrode 32 is provided on the surface of the first semiconductor element 3A facing the other side in the thickness direction z.
  • the first electrode 31 is an anode (cathode) and the second electrode 32 is a cathode (cathode).
  • the first semiconductor element 3A is electrically joined to the first main surface 101 (first main portion 11, first lead 1) via a conductive joint material 39. As shown in FIG.
  • the conductive bonding material 39 electrically connects the first main surface 101 and the second electrode 32 .
  • a constituent material of the conductive bonding material 39 is not particularly limited, and examples thereof include solder, metal paste material, or sintered metal.
  • the second semiconductor element 3B is arranged on the second main surface 201 of the second main portion 21 (second lead 2).
  • the second semiconductor element 3 ⁇ /b>B has a first element side surface 301 , a second element side surface 302 , a third element side surface 303 , a fourth element side surface 304 , a first electrode 31 and a second electrode 32 .
  • Each of the first element side surface 301, the second element side surface 302, the third element side surface 303, and the fourth element side surface 304 is formed on a surface facing one side and a surface facing the other side in the thickness direction z of the second semiconductor element 3B. It is sandwiched and connected to both the surface facing one side in the thickness direction z and the surface facing the other side.
  • the first element side surface 301 faces one side in the first direction x.
  • the second element side surface 302 faces the other side in the first direction x.
  • the third element side surface 303 faces one side in the second direction y.
  • the fourth element side surface 304 faces the other side in the second direction y.
  • the first electrode 31 is provided on the surface of the second semiconductor element 3B facing one side in the thickness direction z.
  • the second electrode 32 is provided on the surface of the second semiconductor element 3B facing the other side in the thickness direction z.
  • the first electrode 31 is an anode (cathode) and the second electrode 32 is a cathode (cathode).
  • the second semiconductor element 3B is electrically joined to the second main surface 201 (the second main portion 21, the second leads 2) via the conductive joint material 39. As shown in FIG.
  • the conductive bonding material 39 electrically connects the second main surface 201 and the second electrode 32 .
  • a constituent material of the conductive bonding material 39 is not particularly limited, and examples thereof include solder, metal paste material, or sintered metal.
  • the conduction member 4 provides conduction between the first electrode 31 of the first semiconductor element 3A and the first electrode 31 of the second semiconductor element 3B.
  • a specific configuration of the conducting member 4 is not limited at all, and examples thereof include wires and ribbons made of metal.
  • Examples of the metal forming the conducting member 4 include metals such as Au (gold) and Al (aluminum), and alloys thereof. In the present embodiment, the case in which one conductive member 4 is provided is exemplified, but the configuration may be such that two or more conductive members 4 are provided.
  • FIG. 10 is a diagram showing the circuit configuration of the semiconductor device A10 of this embodiment.
  • the first semiconductor element 3A and the second semiconductor element 3B are connected in series in opposite directions. In the configuration shown in the figure, even if a voltage higher than the breakdown voltage is applied between the first lead 1 and the second lead 2 in any direction, a constant voltage is applied to the first semiconductor element 3A and the second semiconductor element 3B. current flows.
  • the sealing resin 5 partially covers the first lead 1 and the second lead 2, the first semiconductor element 3A and the second semiconductor element 3B, and the conduction member 4.
  • Sealing resin 5 is made of, for example, black epoxy resin.
  • the sealing resin 5 has a resin main surface 51, a resin back surface 52, a first resin side surface 531, a second resin side surface 532, a third resin side surface 533, and a fourth resin side surface. 534.
  • the resin main surface 51 and the resin back surface 52 face opposite sides in the thickness direction z and are separated from each other.
  • the resin main surface 51 faces one side in the thickness direction z.
  • the resin back surface 52 faces the other side in the thickness direction z.
  • the first back surface 102 of the first lead 1 and the second back surface 202 of the second lead 2 are exposed from the resin back surface 52 so as to be flush with the resin back surface 52 .
  • first resin side surface 531 , second resin side surface 532 , third resin side surface 533 , and fourth resin side surface 534 is sandwiched between resin main surface 51 and resin back surface 52 . lead to both.
  • the first resin side surface 531 and the second resin side surface 532 face opposite sides in the first direction x and are separated from each other.
  • the first resin side surface 531 faces one side in the first direction x.
  • the second resin side surface 532 faces the other side in the first direction x.
  • the second end surface 231 of the second lead 2 is exposed from the first resin side surface 531 so as to be flush with the first resin side surface 531 .
  • the first end surface 131 of the first lead 1 is exposed from the second resin side surface 532 so as to be flush with the second resin side surface 532 .
  • the third resin side surface 533 and the fourth resin side surface 534 face opposite sides in the second direction y and are separated from each other.
  • the third resin side surface 533 faces one side in the second direction y.
  • the fourth resin side surface 534 faces the other side in the second direction y.
  • the first connecting portion end surface 141 of the first lead 1 and the third connecting portion end surface 241 of the second lead 2 are exposed from the third resin side surface 533 so as to be flush with the third resin side surface 533 .
  • the second connecting portion end surface 151 of the first lead 1 and the fourth connecting portion end surface 251 of the second lead 2 are exposed from the fourth resin side surface 534 so as to be flush with the fourth resin side surface 534 .
  • the cross section of the sealing resin 5 equidistant from the first element side surface 301 of the first semiconductor element 3A and the second element side surface 302 of the second semiconductor element 3B in the first direction x is indicated by a dashed line.
  • the first main portion 11 of the first lead 1 is positioned on the other side (left side in FIG. 7) in the first direction x with respect to the first direction central section CS.
  • the second main portion 21 of the second lead 2 is positioned on one side (right side in FIG. 7) in the first direction x with respect to the first direction central section CS.
  • the first main portion 11 and the second main portion 21 are separated from each other in the first direction x with the first direction central section CS interposed therebetween. As shown in FIG. 3, the first main portion 11 and the second main portion 21 are arranged symmetrically (left-right symmetrical in FIG. 3) across the first direction center section CS when viewed in the thickness direction z. . In the present embodiment, the first distal end surface 121 of the first extending portion 12 overlaps the first direction central section CS. Also, the second end surface 221 of the second extending portion 22 overlaps with the first direction central section CS.
  • the first tip end face 121 (the second tip face 221) overlaps with the first direction central section CS" means that the tip face 121 (221) strictly overlaps with the first direction central section CS.
  • the concept includes errors that may occur due to the manufacturing accuracy of the leads 1 and 2 and the sealing resin 5 . This also applies to modified examples described later with reference to FIG. 12 onward.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state in which the semiconductor device A10 is mounted on the circuit board 6.
  • Semiconductor device A10 is bonded to circuit wiring (not shown) formed on circuit board 6 via solder 7, for example.
  • the first rear surface 102 and the second rear surface 202 are exposed from the sealing resin 5 as rear terminals, and are joined to the circuit wiring by the solder 7.
  • the first end face 131 and the second end face 231 are exposed from the sealing resin 5 as terminals, and a solder fillet 71 is formed between the first end face 131 and the second end face 231 and the circuit board.
  • the circuit board 6 on which the semiconductor device A10 is mounted may warp due to the influence of heat or the like.
  • the sealing resin 5 has the first A relatively large stress acts on the portion between the first main portion 11 of the first lead 1 and the second main portion 21 of the second lead 2 in the direction x.
  • the first lead 1 includes a first extending portion 12.
  • the first extending portion 12 extends from the first main portion 11 located on the other side in the first direction x with respect to the first direction central cross section CS of the sealing resin 5 and extends on one side (second main portion) in the first direction x. portion 21).
  • the first end surface 121 of the first extending portion 12 overlaps with the first direction central section CS of the sealing resin 5. As shown in FIG. According to such a configuration, the first extending portion 12 reaches the center of the sealing resin 5 in the first direction x. preferable.
  • the second lead 2 includes a second extending portion 22.
  • the second extending portion 22 extends from the second main portion 21 located on one side in the first direction x with respect to the first direction central cross section CS of the sealing resin 5, to the other side in the first direction x (first main portion). portion 11).
  • stress can be further reduced. Therefore, peeling of the sealing resin 5 from the leads 1 and 2 can be effectively suppressed.
  • the second end surface 221 of the second extending portion 22 overlaps the first direction central cross section CS of the sealing resin 5. As shown in FIG. According to such a configuration, the second extending portion 22 reaches the center of the sealing resin 5 in the first direction x, so that peeling of the sealing resin 5 from the leads 1 and 2 is prevented. more preferred.
  • the first extending portion 12 of the first lead 1 and the second extending portion 22 of the second lead 2 are positioned on one side and the other side of the second direction y when viewed in the first direction x. According to such arrangement of the first extension portion 12 and the second extension portion 22, the first lead 1 (the first main portion 11 and the first extension 12) and the second lead 2 (the second main portion 21 and the second extension 22) can be prevented from coming too close in the first direction x. Therefore, the semiconductor device A10 has a preferable package structure for increasing strength while suppressing an increase in package size and a decrease in withstand voltage.
  • the first lead 1 has a first concave surface 103 facing away from the thickness direction z.
  • First main portion 11 and first extension portion 12 each include a portion of first concave surface 103 .
  • the first concave surface 103 is covered with the sealing resin 5 .
  • the second lead 2 has a second concave surface 203 facing away from the thickness direction z.
  • Second main portion 21 and second extension portion 22 each include a portion of second concave surface 203 .
  • the second concave surface 203 is covered with the sealing resin 5 .
  • the first semiconductor element 3A arranged on the first main surface 101 (first main portion 11) and the second semiconductor element 3B arranged on the second main surface 201 (second main portion 21) are elements of the same type. (Zener diode).
  • the first main portion 11 and the second main portion 21 supporting the first semiconductor element 3A and the second semiconductor element 3B sandwich the first direction central section CS of the sealing resin 5 when viewed in the thickness direction z. symmetrical (left-right symmetrical in FIG. 3).
  • the first electrodes 31 of the semiconductor elements 3A and 3B are electrically connected by the conductive member 4. As shown in FIG.
  • first extending portion 12 and the second extending portion 22 located between the first main portion 11 and the second main portion 21 are not connected to a conductive member (wire or the like) and are electrically connected. It has no role of conducting pathway.
  • the semiconductor device A10 has a package structure with increased strength. form.
  • FIG. 12 and 13 show a semiconductor device according to a first modified example of the first embodiment.
  • FIG. 12 is a plan view similar to FIG. 3 shown in the above embodiment.
  • 13 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 12.
  • FIG. 12 elements identical or similar to those of the semiconductor device A10 of the above-described embodiment are assigned the same reference numerals as those of the above-described embodiment, and description thereof will be omitted as appropriate.
  • the shapes of the first extension portion 12 and the second extension portion 22 are different from those of the semiconductor device A10 of the above embodiment.
  • both the first extending portion 12 and the second extending portion 22 are rectangular when viewed in the thickness direction z.
  • the first extending portion 12 has a portion of the first major surface 101 , a portion of the first concave surface 103 and a first tip surface 121 .
  • the first tip surface 121 is located on the other side in the first direction x (left side in FIG. 12) of the first direction central cross section CS of the sealing resin 5 .
  • the second extending portion 22 has a portion of the second major surface 201 , a portion of the second concave surface 203 and a second tip surface 221 .
  • the second tip surface 221 is located on one side (right side in FIG. 12) in the first direction x of the first direction center section CS of the sealing resin 5 .
  • the first lead 1 includes the first extending portion 12 also in the semiconductor device A11 of this modified example.
  • the first extending portion 12 extends from the first main portion 11 located on the other side in the first direction x with respect to the first direction central cross section CS of the sealing resin 5 and extends on one side (second main portion) in the first direction x. portion 21).
  • the portion of the sealing resin 5 between the first main portion 11 and the first extending portion 12 is subjected to a large stress. can be reduced. Therefore, peeling of the sealing resin 5 from the leads 1 and 2 can be suppressed.
  • the same effects as those of the above embodiment can be obtained.
  • FIG. 14 and 15 show a semiconductor device according to a second modification of the first embodiment.
  • FIG. 14 is a plan view similar to FIG. 3 shown in the above embodiment.
  • 15 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 14.
  • FIG. 14 is a plan view similar to FIG. 3 shown in the above embodiment.
  • the shapes of the first extension portion 12 and the second extension portion 22 are different from those of the semiconductor device A10 of the above embodiment.
  • the first extending portion 12 and the second extending portion 22 do not have the first intermediate surface 123 and the second intermediate surface 223, and both are rectangular portions when viewed in the thickness direction z. It is a shape that combines a concave curve part.
  • the first extending portion 12 has a portion of the first major surface 101 , a portion of the first concave surface 103 , a first tip surface 121 and a first curved surface 122 .
  • the first tip surface 121 overlaps the first direction center section CS of the sealing resin 5 .
  • the second extending portion 22 has a portion of the second major surface 201 , a portion of the second concave surface 203 , a second tip surface 221 and a second curved surface 222 .
  • the second tip surface 221 overlaps the first direction center section CS of the sealing resin 5 .
  • the first lead 1 includes the first extending portion 12 also in the semiconductor device A12 of this modified example.
  • the first extending portion 12 extends from the first main portion 11 located on the other side in the first direction x with respect to the first direction central cross section CS of the sealing resin 5 and extends on one side (second main portion) in the first direction x. portion 21).
  • the portion of the sealing resin 5 between the first main portion 11 and the first extending portion 12 is subjected to a large stress. can be reduced. Therefore, peeling of the sealing resin 5 from the leads 1 and 2 can be suppressed.
  • the same effects as those of the above embodiment can be obtained.
  • FIG. 16 and 17 show a semiconductor device according to a third modified example of the first embodiment.
  • FIG. 16 is a plan view similar to FIG. 3 shown in the above embodiment.
  • 17 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 16.
  • FIG. 16 is a plan view similar to FIG. 3 shown in the above embodiment.
  • the shape of the first extension portion 12 is different from that of the semiconductor device A10 of the above embodiment.
  • the semiconductor device A13 does not have the second extension 22 of the semiconductor device A10 of the above embodiment.
  • the first extending portion 12 has a rectangular shape when viewed in the thickness direction z.
  • the first extending portion 12 has a portion of the first major surface 101 , a portion of the first concave surface 103 and a first tip surface 121 .
  • the first tip surface 121 overlaps the first direction center section CS of the sealing resin 5 .
  • the semiconductor device A13 of this modified example also has the same effects as those of the above-described embodiment within the range of the configuration similar to that of the semiconductor device A10 of the above-described embodiment.
  • FIG. 18 and 19 show a semiconductor device according to a third modification of the first embodiment.
  • FIG. 18 is a plan view similar to FIG. 3 shown in the above embodiment.
  • 19 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 18.
  • FIG. 18 is a plan view similar to FIG. 3 shown in the above embodiment.
  • the shapes of the first extension portion 12 and the second extension portion 22 are different from those of the semiconductor device A10 of the above embodiment.
  • both the first extending portion 12 and the second extending portion 22 are rectangular when viewed in the thickness direction z.
  • the first extending portion 12 has a portion of the first major surface 101 , a portion of the first concave surface 103 and a first tip surface 121 .
  • the first tip surface 121 is positioned on one side (right side in FIG. 18) in the first direction x of the first direction center section CS of the sealing resin 5 .
  • the second extending portion 22 has a portion of the second major surface 201 , a portion of the second concave surface 203 and a second tip surface 221 .
  • the second tip surface 221 is positioned on the other side in the first direction x (left side in FIG. 18) of the first direction center section CS of the sealing resin 5 .
  • the semiconductor device A14 of this modified example also has the same effects as those of the above-described embodiment within the range of the configuration similar to that of the semiconductor device A10 of the above-described embodiment.
  • the first extending portion 12 extends from the first main portion 11 located on the other side in the first direction x with respect to the first direction central section CS, and extends through the first direction central section CS. It extends to one side in the first direction x from the first direction central section CS.
  • the second extending portion 22 extends from the second main portion 21 located on one side in the first direction x with respect to the first direction central section CS, and penetrates the first direction central section CS to extend toward the first direction central section CS. It extends to the other side in the first direction x from the cross section CS.
  • the semiconductor device A14 having such a configuration has a more preferable package structure in terms of increasing strength.
  • FIG. 20 and 21 show a semiconductor device according to the fifth modification of the first embodiment.
  • FIG. 20 is a plan view similar to FIG. 3 shown in the above embodiment.
  • 21 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 20.
  • FIG. 20 is a plan view similar to FIG. 3 shown in the above embodiment.
  • the shape and arrangement of the first extending portion 12 and the second extending portion 22 are different from those of the semiconductor device A10 of the above embodiment.
  • the first lead 1 includes a plurality of (two in the illustrated example) first extensions 12 .
  • the second lead 2 includes a plurality of (two in the illustrated example) second extensions 22 .
  • Each of the plurality of first extensions 12 and the plurality of second extensions 22 has a rectangular shape when viewed in the thickness direction z. When viewed in the first direction x, the first extensions 12 and the second extensions 22 are alternately arranged along the second direction y.
  • the multiple first extensions 12 each have a portion of the first main surface 101 , a portion of the first concave surface 103 and a first tip surface 121 .
  • the first tip surface 121 overlaps the first direction center section CS of the sealing resin 5 .
  • Each of the plurality of second extensions 22 has a portion of the second main surface 201 , a portion of the second concave surface 203 and a second tip surface 221 .
  • the second tip surface 221 overlaps the first direction center section CS of the sealing resin 5 .
  • the semiconductor device A15 of this modified example also has the same effect as the above-described embodiment within the range of the configuration similar to that of the semiconductor device A10 of the above-described embodiment.
  • the semiconductor device according to the present disclosure is not limited to the above-described embodiments.
  • the specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present disclosure can be changed in various ways.
  • the package format of the semiconductor device A10 and the like is QFN, but the package format of the semiconductor device is not limited to this.
  • the semiconductor device of the present disclosure may be applied to a QFP (Quad Flat Package) in which leads protrude from the side surface of the sealing resin.
  • first rear surface 102 of the first main portion 11 and the second rear surface 202 of the second main portion 21 are exposed from the sealing resin 5 and function as rear terminals has been described, but the present invention is not limited to this. .
  • a configuration in which the first back surface 102 and the second back surface 202 do not function as back surface terminals may be employed.
  • Appendix 1 a first lead having a first main surface facing one side in the thickness direction and a first back surface facing the other side; It has a second principal surface facing one side in the thickness direction and a second back surface facing the other side, and is spaced from the first lead to one side in a first direction orthogonal to the thickness direction.
  • a positioned second lead a first semiconductor element arranged on the first main surface and a second semiconductor element arranged on the second main surface; a sealing resin that covers part of the first lead, part of the second lead, the first semiconductor element, and the second semiconductor element; each of the first semiconductor element and the second semiconductor element has a first element side surface facing one side in the first direction and a second element side surface facing the other side;
  • the first lead extends from the first direction center section of the sealing resin equidistant from the first element side surface of the first semiconductor element and the second element side surface of the second semiconductor element in the first direction.
  • the semiconductor device wherein the second lead includes a second main portion located on one side in the first direction with respect to the central section in the first direction.
  • the first extending portion has a first distal end face facing one side in the first direction
  • the semiconductor device according to appendix 1 wherein the first tip end surface overlaps with the first direction center section or is located on one side of the first direction center section with respect to the first direction center section.
  • the first main portion has a first inner surface facing one side in the first direction, 3.
  • Appendix 4. The semiconductor device according to any one of appendices 1 to 3, wherein the second lead includes the second extension portion extending from the second main portion to the other side in the first direction.
  • the second extending portion has a second distal end face facing the other side in the first direction, 5.
  • the semiconductor device according to appendix 4 wherein the second tip end surface overlaps with the first direction central section or is located on the other side in the first direction with respect to the first direction central section.
  • Appendix 6. The second main portion has a second inner surface facing the other side in the first direction, 6.
  • the first extending portion and the second extending portion are positioned on one side and the other side of a second direction orthogonal to both the thickness direction and the first direction when viewed in the first direction, 6.
  • Appendix 8. the first extending portion has a first intermediate surface facing one side in the first direction and positioned between the first tip surface and the first inner surface in the first direction; Supplementary note 7, wherein the second extending portion has a second intermediate surface facing the other side of the first direction and positioned between the second tip surface and the second inner surface in the first direction.
  • the first intermediate surface is located on the other side in the second direction relative to the first tip surface
  • the semiconductor device according to appendix 8, wherein the second intermediate surface is located on one side of the second end surface in the second direction.
  • Appendix 10. The semiconductor device according to any one of Appendixes 7 to 9, wherein the first main surface and the second main surface are at the same position in the thickness direction.
  • Appendix 11. The semiconductor device according to any one of appendices 1 to 10, wherein the first rear surface and the second rear surface are exposed from the sealing resin.
  • Appendix 12. 12 The semiconductor device according to appendix 11, wherein the first main portion and the second main portion are arranged symmetrically with respect to the first direction central section when viewed in the thickness direction. Appendix 13.
  • the first lead has a first concave surface facing the other side in the thickness direction and covered with the sealing resin;
  • the first main portion includes a portion of the first main surface, a portion of the first concave surface, and at least a portion of the first back surface, 13.
  • Appendix 14. the second lead has a second concave surface facing the other side in the thickness direction and covered with the sealing resin; the second main portion includes a portion of the second main surface, a portion of the second concave surface, and at least a portion of the first rear surface; 14.
  • A10, A11, A12, A13, A14, A15 semiconductor device 1: first lead 101: first main surface 102: first rear surface 103: first concave surface 11: first main portion 111: first inner surface 12: second 1 Extension Part 121: First Tip Surface 122: First Curved Surface 123: First Intermediate Surface 13: First Terminal Part 131: First End Surface 14: First Connection Part 141: First Connection Part End Surface 15: Second Connecting part 151 : Second connecting part end surface 2 : Second lead 201 : Second main surface 202 : Second back surface 203 : Second concave surface 21 : Second main part 211 : Second inner surface 22 : Second extension part 221 : Second tip surface 222: Second curved surface 223: Second intermediate surface 24: Third connecting portion 241: Third connecting portion end surface 25: Fourth connecting portion 251: Fourth connecting portion end surface 3A: First semiconductor element 3B : second semiconductor element 301: first element side surface 302: second element side surface 303: third element side surface 304: fourth element side surface 31

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

半導体装置は、第１リードと、第１方向において前記第１リードから離間配置された第２リードと、前記第１リードに配置された第１半導体素子と、前記第２リードに配置された第２半導体素子と、前記第１リード、前記第２リード、前記第１半導体素子および前記第２半導体素子を覆う封止樹脂と、を備える。前記第１半導体素子および前記第２半導体素子は、前記第１方向において互いに対向する第１素子側面および第２素子側面をそれぞれ有する。前記封止樹脂は、前記第１方向において前記第１素子側面および前記第２素子側面から等距離の第１方向中央断面を有する。前記第１リードは第１主部を含み、前記第２リードは、第２主部を含む。前記第１主部および前記第２主部は、前記第１方向中央断面を基準として互いに離間している。

Description

半導体装置
　本開示は、半導体装置に関する。
　半導体素子を備えた半導体装置は、様々な構成が提案されている。特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、複数のリード、半導体素子および封止樹脂を備えている。半導体素子（６）は、リード（３）に搭載されている。当該半導体素子が搭載されたリード（３）とは異なる他のリード（１，２）は、リード（３）に対して当該リード（３）の厚さ方向（ｚ）に直交する方向（ｘ）に離間して配置されている。封止樹脂（８）は、複数のリードの一部ずつと半導体素子とを覆っており、厚さ方向（ｚ）に見て矩形状である。
　特許文献１に記載された半導体装置は、たとえば様々な機器の回路基板に表面実装される。半導体装置の使用の際には、たとえば当該半導体装置が実装された回路基板において、熱の影響等により反りが生じる場合がある。このような回路基板の変形が起こると、封止樹脂やリードには応力が作用する。封止樹脂のうち、方向ｘにおいて互いに離間したリードの間に大きな応力が作用すると、封止樹脂がリードから剥離したり、封止樹脂に亀裂が生じることが懸念される。
特開２０２０－８８０３５号公報
　本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、封止樹脂の剥離等を抑制するのに適した半導体装置を提供することを一の課題とする。
　本開示によって提供される半導体装置は、厚さ方向の一方側を向く第１主面および他方側を向く第１裏面を有する第１リードと、前記厚さ方向の一方側を向く第２主面および他方側を向く第２裏面を有し、かつ、前記第１リードに対して、前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側に離間配置された第２リードと、前記第１主面に配置された第１半導体素子、および前記第２主面に配置された第２半導体素子と、前記第１リードの一部、前記第２リードの一部、前記第１半導体素子および前記第２半導体素子を覆う封止樹脂と、を備える。前記第１半導体素子および前記第２半導体素子は、各々、前記第１方向の一方側を向く第１素子側面および他方側を向く第２素子側面を有する。前記第１リードは、前記第１方向において前記第１半導体素子の前記第１素子側面および前記第２半導体素子の前記第２素子側面から等距離の前記封止樹脂における第１方向中央断面に対して前記第１方向の他方側に位置する第１主部と、前記第１主部から前記第１方向の一方側に延出する第１延出部と、を含む。前記第２リードは、前記第１方向中央断面に対して前記第１方向の一方側に位置する第２主部を含む。
　本開示の半導体装置によれば、封止樹脂の剥離等を抑制することができる。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図（封止樹脂を透過）である。 図３は、図１に示す半導体装置の平面図（封止樹脂を透過）である。 図４は、図１に示す半導体装置の底面図である。 図５は、図１に示す半導体装置の正面図である。 図６は、図１に示す半導体装置の右側面図である。 図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図９は、図３のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の回路構成を示す図である。 図１１は、図１に示す半導体装置を回路基板に実装した状態を示す、図７と同様の断面図である。 図１２は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示す、図３と同様の平面図である。 図１３は、図１２に示す半導体装置の正面図である。 図１４は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示す、図３と同様の平面図である。 図１５は、図１４に示す半導体装置の正面図である。 図１６は、第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置を示す、図３と同様の平面図である。 図１７は、図１６に示す半導体装置の正面図である。 図１８は、第１実施形態の第４変形例に係る半導体装置を示す、図３と同様の平面図である。 図１９は、図１８に示す半導体装置の正面図である。 図２０は、第１実施形態の第５変形例に係る半導体装置を示す、図３と同様の平面図である。 図２１は、図２０に示す半導体装置の正面図である。
　以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。
　図１～図１４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１０は、第１リード１、第２リード２、第１半導体素子３Ａ、第２半導体素子３Ｂ、導通部材４および封止樹脂５を備えている。図１に示すように、半導体装置Ａ１０のパッケージ形式は、ＱＦＮ（Quad For Non-Lead Package）である。
　図１は、半導体装置Ａ１０を示す斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１０を示す斜視図である。図３は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図４は、半導体装置Ａ１０を示す底面図である。図５は、半導体装置Ａ１０を示す正面図である。図６は、半導体装置Ａ１０を示す右側面図である。図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、半導体装置Ａ１０の回路構成図である。なお、図２および図３は、理解の便宜上、封止樹脂５を透過している。これらの図において、透過した封止樹脂５を想像線（二点鎖線）で示している。図３においては、導通部材４を省略している。
　これらの図に示す半導体装置Ａ１０は、様々な機器の回路基板に表面実装されるものである。半導体装置Ａ１０の厚さ方向視の形状は矩形状である。半導体装置Ａ１０の説明においては、半導体装置Ａ１０の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交し、半導体装置Ａ１０の一辺に沿う方向（図３における左右方向）を「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に直交する方向（図３における上下方向）を「第２方向ｙ」と呼ぶ。半導体装置Ａ１０の大きさは特に限定されず、本実施形態においては、たとえば第１方向ｘ寸法が０．４～８．０ｍｍ程度、第２方向ｙ寸法が０．２～８．０ｍｍ程度、厚さ方向ｚ寸法が０．１５～１．０ｍｍ程度である。
　第１リード１および第２リード２は、たとえば、金属板に打ち抜き加工やエッチング処理等を施すことにより形成されている。第１リード１および第２リード２構成材料は、たとえばＣｕ（銅）およびＮｉ（ニッケル）のいずれか、またはこれらの合金などからなる。第１リード１および第２リード２は、各々、その一部が封止樹脂５に覆われている。
　図３に示すように、第１リード１は、半導体装置Ａ１０の図中左寄り（第１方向ｘの他方側）に配置されている。第２リード２は、半導体装置Ａ１０の図中右寄り（第１方向ｘの一方側）に配置されている。第１リード１および第２リード２は、第１方向ｘにおいて互いに離間して配置されている。
　図３～図５、図７、図８に示すように、第１リード１は、第１主面１０１、第１裏面１０２および第１凹面１０３を有する。第１主面１０１は、厚さ方向ｚの一方側を向く。第１主面１０１は、封止樹脂５に覆われている。第１裏面１０２および第１凹面１０３は、第１主面１０１とは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向く。第１裏面１０２は、封止樹脂５から露出している。第１凹面１０３は、第１裏面１０２よりも厚さ方向ｚの一方側寄りに位置し、第１裏面１０２よりも第１主面１０１に近い位置にある。第１凹面１０３は、厚さ方向ｚに見て、第１主面１０１の一部と重なる。第１凹面１０３は、厚さ方向ｚに見て、第１裏面１０２よりも第１方向ｘの一方側に位置する。第１凹面１０３は、封止樹脂５に覆われている。第１凹面１０３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。
　第１リード１は、第１主部１１、第１延出部１２、第１端子部１３、第１連結部１４および第２連結部１５を含む。図３に示すように、第１主部１１は、厚さ方向ｚに見て矩形状である。図３において、第１主部１１は、半導体装置Ａ１０の第１方向ｘにおける中央よりも左側（第１方向ｘの他方側）に位置する。
　図３～図５、図７に示すように、第１主部１１は、第１主面１０１の一部、第１裏面１０２の一部、第１凹面１０３の一部および第１内側面１１１を有する。第１主部１１における第１主面１０１は、第１半導体素子３Ａが搭載される部位である。第１主部１１における第１裏面１０２は、裏面端子になる部位である。第１内側面１１１は、第１主部１１の第１方向ｘにおける一方側端に位置し、第１方向ｘの一方側を向く。第１内側面１１１は、第１主面１０１および第１凹面１０３の双方につながる。
　第１延出部１２は、第１主部１１につながっており、第１主部１１の第１内側面１１１より第１方向ｘの一方側に延出している。本実施形態において、第１延出部１２は、第１主部１１のうち第２方向ｙの一方側寄りの部分から、第１方向ｘの一方側に延びる。図３において、第１延出部１２にはハッチングを付している。
　図３～図５、図７に示すように、第１延出部１２は、第１主面１０１の一部、第１凹面１０３の一部、第１先端面１２１、第１湾曲面１２２および第１中間面１２３を有する。第１先端面１２１は、第１延出部１２の第１方向ｘにおける一方側端に位置し、第１方向ｘの一方側を向く。第１先端面１２１は、第１主面１０１および第１凹面１０３の双方につながる。本実施形態において、第１先端面１２１は、半導体装置Ａ１０の第１方向ｘにおける中央に位置する。第１湾曲面１２２は、厚さ方向ｚに見て円弧状をなす凹曲面である。第１湾曲面１２２は、第１主面１０１および第１凹面１０３の双方と、第１先端面１２１とにつながる。第１中間面１２３は、第１方向ｘの一方側を向く。第１中間面１２３は、第１方向ｘにおいて第１先端面１２１と第１主部１１の第１内側面１１１との間に位置する。第１中間面１２３は、第１先端面１２１よりも第２方向ｙの他方側に位置する。第１中間面１２３は、第１主面１０１および第１凹面１０３の双方と、第１湾曲面１２２とにつながる。
　図３、図４、図７に示すように、第１端子部１３は、第１主部１１につながっており、厚さ方向ｚに見て矩形状である。第１端子部１３は、第１主部１１の第１方向ｘにおける他方側端につながる。第１端子部１３の第２方向ｙにおける寸法は、第１主部１１の第２方向ｙにおける寸法よりも小である。第１端子部１３は、第１方向ｘに見て、第１主部１１の第２方向ｙにおける中央に位置する。第１端子部１３は、第１主面１０１の一部、第１裏面１０２の一部および第１端面１３１を有する。第１端面１３１は、第１端子部１３の第１方向ｘにおける他方側端に位置し、第１方向ｘの他方側を向く。第１端面１３１は、封止樹脂５から露出している。
　図３、図８に示すように、第１連結部１４は、第１主部１１につながっており、厚さ方向ｚに見て矩形状である。第１連結部１４は、第１主部１１の第２方向ｙにおける一方側端につながる。第１連結部１４の第１方向ｘにおける寸法は、第１主部１１の第１方向ｘにおける寸法よりも小である。第１連結部１４は、第２方向ｙに見て、第１主部１１の第１方向ｘにおける中央に位置する。第１連結部１４は、第１連結部端面１４１を有する。第１連結部端面１４１は、第１連結部１４の第２方向ｙにおける一方側端に位置し、第２方向ｙの一方側を向く。第１連結部端面１４１は、封止樹脂５から露出している。
　第２連結部１５は、第１主部１１につながっており、厚さ方向ｚに見て矩形状である。第２連結部１５は、第１主部１１の第２方向ｙにおける他方側端につながる。第２連結部１５の第１方向ｘにおける寸法は、第１主部１１の第１方向ｘにおける寸法よりも小である。第２連結部１５は、第２方向ｙに見て、第１主部１１の第１方向ｘにおける中央に位置する。第２連結部１５は、第２連結部端面１５１を有する。第２連結部端面１５１は、第２連結部１５の第２方向ｙにおける他方側端に位置し、第２方向ｙの他方側を向く。第２連結部端面１５１は、封止樹脂５から露出している。
　図３～図５、図７に示すように、第２リード２は、第２主面２０１、第２裏面２０２および第２凹面２０３を有する。第２主面２０１は、厚さ方向ｚの一方側を向く。第２主面２０１は、厚さ方向ｚにおいて第１リード１の第１主面１０１と同じ位置にある。第２主面２０１は、封止樹脂５に覆われている。第２裏面２０２および第２凹面２０３は、第２主面２０１とは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向く。第２裏面２０２は、封止樹脂５から露出している。第２凹面２０３は、第２裏面２０２よりも厚さ方向ｚの一方側寄りに位置し、第２裏面２０２よりも第２主面２０１に近い位置にある。第２凹面２０３は、厚さ方向ｚに見て、第２主面２０１の一部と重なる。第２凹面２０３は、厚さ方向ｚに見て、第２裏面２０２よりも第１方向ｘの他方側に位置する。第２凹面２０３は、封止樹脂５に覆われている。第２凹面２０３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。
　第２リード２は、第２主部２１、第２延出部２２、第２端子部２３、第３連結部２４および第４連結部２５を含む。図３に示すように、第２主部２１は、厚さ方向ｚに見て矩形状である。図３において、第２主部２１は、半導体装置Ａ１０の第１方向ｘにおける中央よりも右側（第１方向ｘの一方側）に位置する。上述の第１リード１における第１主部１１と、第２主部２１とは、第１方向ｘにおいて離間しており、半導体装置Ａ１０の第１方向ｘにおける中央を挟んで対称（図３において左右対称）に配置されている。
　図３～図５、図７に示すように、第２主部２１は、第２主面２０１の一部、第２裏面２０２の一部、第２凹面２０３の一部および第２内側面２１１を有する。第２主部２１における第２主面２０１は、第２半導体素子３Ｂが搭載される部位である。第２主部２１における第２裏面２０２は、裏面端子になる部位である。第２内側面２１１は、第２主部２１の第１方向ｘにおける他方側端に位置し、第１方向ｘの他方側を向く。第２内側面２１１は、第２主面２０１および第２凹面２０３の双方につながる。
　第２延出部２２は、第２主部２１につながっており、第２主部２１の第２内側面２１１より第１方向ｘの他方側に延出している。本実施形態において、第２延出部２２は、第２主部２１のうち第２方向ｙの他方側寄りの部分から、第１方向ｘの他方側に延びる。図３において、第２延出部２２にはハッチングを付している。
　図３～図５、図７に示すように、第２延出部２２は、第２主面２０１の一部、第２凹面２０３の一部、第２先端面２２１、第２湾曲面２２２および第２中間面２２３を有する。第２先端面２２１は、第２延出部２２の第１方向ｘにおける他方側端に位置し、第１方向ｘの他方側を向く。第２先端面２２１は、第２主面２０１および第２凹面２０３の双方につながる。本実施形態において、第２先端面２２１は、半導体装置Ａ１０の第１方向ｘにおける中央に位置する。第２湾曲面２２２は、厚さ方向ｚに見て円弧状をなす凹曲面である。第２湾曲面２２２は、第２主面２０１および第２凹面２０３の双方と、第２先端面２２１とにつながる。第２中間面２２３は、第１方向ｘの他方側を向く。第２中間面２２３は、第１方向ｘにおいて第２先端面２２１と第２主部２１の第２内側面２１１との間に位置する。第２中間面２２３は、第２先端面２２１よりも第２方向ｙの一方側に位置する。第２中間面２２３は、第２主面２０１および第２凹面２０３の双方と、第２湾曲面２２２とにつながる。
　図３、図４、図７に示すように、第２端子部２３は、第２主部２１につながっており、厚さ方向ｚに見て矩形状である。第２端子部２３は、第１方向ｘに見て、第２主部２１の第１方向ｘにおける一方側端につながる。第２端子部２３の第２方向ｙにおける寸法は、第２主部２１の第２方向ｙにおける寸法よりも小である。第２端子部２３は、第１方向ｘに見て、第２主部２１の第２方向ｙにおける中央に位置する。第２端子部２３は、第２主面２０１の一部、第２裏面２０２の一部および第２端面２３１を有する。第２端面２３１は、第２端子部２３の第１方向ｘにおける一方側端に位置し、第１方向ｘの一方側を向く。第２端面２３１は、封止樹脂５から露出している。
　図３、図９に示すように、第３連結部２４は、第２主部２１につながっており、厚さ方向ｚに見て矩形状である。第３連結部２４は、第２主部２１の第２方向ｙにおける一方側端につながる。第３連結部２４の第１方向ｘにおける寸法は、第２主部２１の第１方向ｘにおける寸法よりも小である。第３連結部２４は、第２方向ｙに見て、第２主部２１の第１方向ｘにおける中央に位置する。第３連結部２４は、第３連結部端面２４１を有する。第３連結部端面２４１は、第３連結部２４の第２方向ｙにおける一方側端に位置し、第２方向ｙの一方側を向く。第３連結部端面２４１は、封止樹脂５から露出している。
　第４連結部２５は、第２主部２１につながっており、厚さ方向ｚに見て矩形状である。第４連結部２５は、第２主部２１の第２方向ｙにおける他方側端につながる。第４連結部２５の第１方向ｘにおける寸法は、第１主部１１の第１方向ｘにおける寸法よりも小である。第２連結部１５は、第２方向ｙに見て、第２主部２１の第１方向ｘにおける中央に位置する。第４連結部２５は、第４連結部端面２５１を有する。第４連結部端面２５１は、第４連結部端面２５１の第２方向ｙにおける他方側端に位置し、第２方向ｙの他方側を向く。第４連結部端面２５１は、封止樹脂５から露出している。
　第１半導体素子３Ａおよび第２半導体素子３Ｂは、半導体装置Ａ１０の電気的機能を発揮する要素である。第１半導体素子３Ａおよび第２半導体素子３Ｂの種類は特に限定されない。本実施形態では、２つの第１半導体素子３Ａおよび第２半導体素子３Ｂは同一種の素子であり、いずれもツェナーダイオードである。本実施形態において、第１半導体素子３Ａおよび第２半導体素子３Ｂの各々は、厚さ方向ｚに見て矩形状をなしている。
　図３、図７に示すように、第１半導体素子３Ａは、第１主部１１（第１リード１）における第１主面１０１に配置されている。第１半導体素子３Ａは、第１素子側面３０１、第２素子側面３０２、第３素子側面３０３、第４素子側面３０４、第１電極３１および第２電極３２を有する。第１素子側面３０１、第２素子側面３０２、第３素子側面３０３および第４素子側面３０４の各々は、第１半導体素子３Ａの厚さ方向ｚの一方側を向く面および他方側を向く面に挟まれており、当該厚さ方向ｚの一方側を向く面および他方側を向く面の双方につながる。第１素子側面３０１は、第１方向ｘの一方側を向く。第２素子側面３０２は、第１方向ｘの他方側を向く。第３素子側面３０３は、第２方向ｙの一方側を向く。第４素子側面３０４は、第２方向ｙの他方側を向く。第１電極３１は、第１半導体素子３Ａの厚さ方向ｚの一方側を向く面に設けられている。第２電極３２は、第１半導体素子３Ａの厚さ方向ｚの他方側を向く面に設けられている。本実施形態において、第１電極３１はアノード（陰極）であり、第２電極３２はカソード（陰極）である。第１半導体素子３Ａは、導電性接合材３９を介して第１主面１０１（第１主部１１、第１リード１）に電気的に接合されている。導電性接合材３９は、第１主面１０１と第２電極３２とを導通接合する。導電性接合材３９の構成材料は特に限定されず、たとえば、はんだ、金属ペースト材、あるいは焼結金属などである。
　第２半導体素子３Ｂは、第２主部２１（第２リード２）における第２主面２０１に配置されている。第２半導体素子３Ｂは、第１素子側面３０１、第２素子側面３０２、第３素子側面３０３、第４素子側面３０４、第１電極３１および第２電極３２を有する。第１素子側面３０１、第２素子側面３０２、第３素子側面３０３および第４素子側面３０４の各々は、第２半導体素子３Ｂの厚さ方向ｚの一方側を向く面および他方側を向く面に挟まれており、当該厚さ方向ｚの一方側を向く面および他方側を向く面の双方につながる。第１素子側面３０１は、第１方向ｘの一方側を向く。第２素子側面３０２は、第１方向ｘの他方側を向く。第３素子側面３０３は、第２方向ｙの一方側を向く。第４素子側面３０４は、第２方向ｙの他方側を向く。第１電極３１は、第２半導体素子３Ｂの厚さ方向ｚの一方側を向く面に設けられている。第２電極３２は、第２半導体素子３Ｂの厚さ方向ｚの他方側を向く面に設けられている。本実施形態において、第１電極３１はアノード（陰極）であり、第２電極３２はカソード（陰極）である。第２半導体素子３Ｂは、導電性接合材３９を介して第２主面２０１（第２主部２１、第２リード２）に電気的に接合されている。導電性接合材３９は、第２主面２０１と第２電極３２とを導通接合する。導電性接合材３９の構成材料は特に限定されず、たとえば、はんだ、金属ペースト材、あるいは焼結金属などである。
　導通部材４は、第１半導体素子３Ａの第１電極３１と第２半導体素子３Ｂの第１電極３１とを導通させるものである。導通部材４の具体的構成は何ら限定されず、たとえば金属からなるワイヤやリボンが挙げられる。導通部材４を構成する金属としては、たとえばＡｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属やこれらの合金が挙げられる。本実施形態では、１つの導通部材４を具備する場合を例示したが、２つ以上の導通部材４を具備する構成としてもよい。
　図１０は、本実施形態の半導体装置Ａ１０の回路構成を示す図である。第１半導体素子３Ａおよび第２半導体素子３Ｂは、逆向きに直列接続されている。同図に示す構成において、第１リード１および第２リード２の間でいずれの方向に降伏電圧よりも高い電圧をかけても、第１半導体素子３Ａおよび第２半導体素子３Ｂには一定電圧で電流が流れる。
　封止樹脂５は、第１リード１および第２リード２の一部ずつと、第１半導体素子３Ａおよび第２半導体素子３Ｂと、導通部材４とを覆っている。封止樹脂５は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。
　図１、図７～図９に示すように、封止樹脂５は、樹脂主面５１、樹脂裏面５２、第１樹脂側面５３１、第２樹脂側面５３２、第３樹脂側面５３３および第４樹脂側面５３４を有する。樹脂主面５１および樹脂裏面５２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側向き、かつ離間している。樹脂主面５１は、厚さ方向ｚの一方側を向く。樹脂裏面５２は、厚さ方向ｚの他方側を向く。図７に示すように、樹脂裏面５２から、第１リード１の第１裏面１０２と第２リード２の第２裏面２０２とが、樹脂裏面５２と面一になるように露出している。
　第１樹脂側面５３１、第２樹脂側面５３２、第３樹脂側面５３３および第４樹脂側面５３４の各々は、樹脂主面５１および樹脂裏面５２に挟まれており、樹脂主面５１および樹脂裏面５２の双方につながる。図７に示すように、第１樹脂側面５３１および第２樹脂側面５３２は、第１方向ｘにおいて互いに反対側を向き、かつ離間している。第１樹脂側面５３１は、第１方向ｘの一方側を向く。第２樹脂側面５３２は、第１方向ｘの他方側を向く。第１樹脂側面５３１から、第２リード２の第２端面２３１が、第１樹脂側面５３１と面一になるように露出している。第２樹脂側面５３２から、第１リード１の第１端面１３１が、第２樹脂側面５３２と面一になるように露出している。
　図８、図９に示すように、第３樹脂側面５３３および第４樹脂側面５３４は、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向き、かつ離間している。第３樹脂側面５３３は、第２方向ｙの一方側を向く。第４樹脂側面５３４は、第２方向ｙの他方側を向く。第３樹脂側面５３３から、第１リード１の第１連結部端面１４１と第２リード２の第３連結部端面２４１とが、第３樹脂側面５３３と面一になるように露出している。第４樹脂側面５３４から、第１リード１の第２連結部端面１５１と第２リード２の第４連結部端面２５１とが、第４樹脂側面５３４と面一になるように露出している。
　図７等においては、第１方向ｘにおいて第１半導体素子３Ａの第１素子側面３０１および第２半導体素子３Ｂの第２素子側面３０２から等距離の封止樹脂５における断面（第１方向中央断面ＣＳ）を、一点鎖線で示している。第１リード１の第１主部１１は、第１方向中央断面ＣＳに対して第１方向ｘの他方側（図７における左側）に位置する。第２リード２の第２主部２１は、第１方向中央断面ＣＳに対して第１方向ｘの一方側（図７における右側）に位置する。第１主部１１および第２主部２１は、第１方向ｘにおいて第１方向中央断面ＣＳを挟んで互いに離間している。図３に示すように、第１主部１１および第２主部２１は、厚さ方向ｚに見て、第１方向中央断面ＣＳを挟んで対称（図３において左右対称）に配置されている。本実施形態において、第１延出部１２の第１先端面１２１は、第１方向中央断面ＣＳと重なっている。また、第２延出部２２の第２先端面２２１は、第１方向中央断面ＣＳと重なっている。ここで、「第１先端面１２１（第２先端面２２１）は、第１方向中央断面ＣＳと重なっている」とは、先端面１２１（２２１）が第１方向中央断面ＣＳと厳密に重なることに限定されず、リード１，２および封止樹脂５の製造精度に起因して生じうる誤差を含む概念である。このことは、図１２以降を参照して説明する後述の変形例についても同様である。
　次に、本実施形態の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ１０は、回路基板に表面実装された状態で使用される。図１１は、半導体装置Ａ１０を回路基板６に実装した状態を示す断面図である。半導体装置Ａ１０は、回路基板６に形成された回路配線（図示せず）に、たとえば、はんだ７を介して接合される。半導体装置Ａ１０では、第１裏面１０２および第２裏面２０２が裏面端子として封止樹脂５から露出しており、はんだ７によって回路配線に接合される。また、第１端面１３１および第２端面２３１が端子として封止樹脂５から露出しており、第１端面１３１および第２端面２３１と回路基板との間に、はんだフィレット７１が形成される。
　半導体装置Ａ１０が実装された回路基板６において、熱の影響等により反りが生じる場合がある。回路基板６において、半導体装置Ａ１０を挟んだ第１方向ｘの両側が厚さ方向ｚの他方側（図１０において下方）に変位するように反りが生ずると、封止樹脂５には、第１方向ｘにおける第１リード１の第１主部１１と第２リード２の第２主部２１との間の部分に、相対的に大きな応力が作用する。
　半導体装置Ａ１０において、第１リード１は、第１延出部１２を含む。第１延出部１２は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳに対して第１方向ｘの他方側に位置する第１主部１１から、第１方向ｘの一方側（第２主部２１の配置側）に延出する。このような構成によれば、封止樹脂５における第１主部１１と第１延出部１２との間の部分において、応力を低減することができ、リード１，２からの封止樹脂５の剥離等を抑制することができる。
　半導体装置Ａ１０において、第１延出部１２の第１先端面１２１は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳと重なっている。このような構成によれば、第１延出部１２が第１方向ｘにおいて封止樹脂５の中央に到達しており、リード１，２からの封止樹脂５の剥離等を抑制するうえで好ましい。
　半導体装置Ａ１０において、第２リード２は、第２延出部２２を含む。第２延出部２２は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳに対して第１方向ｘの一方側に位置する第２主部２１から、第１方向ｘの他方側（第１主部１１の配置側）に延出する。上述の第１延出部１２に加えて第２延出部２２を備えた構成によれば、封止樹脂５における第１主部１１と第１延出部１２との間の部分において、応力をより低減することができる。したがって、リード１，２からの封止樹脂５の剥離等を効果的に抑制することができる。
　半導体装置Ａ１０において、第２延出部２２の第２先端面２２１は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳと重なっている。このような構成によれば、第２延出部２２が第１方向ｘにおいて封止樹脂５の中央に到達しており、リード１，２からの封止樹脂５の剥離等を抑制するうえでより好ましい。
　第１リード１の第１延出部１２および第２リード２の第２延出部２２は、第１方向ｘに見て、第２方向ｙの一方側および他方側に位置する。このような第１延出部１２および第２延出部２２の配置によれば、第１主部１１および第２主部２１の距離を離さずに、第１リード１（第１主部１１と第１延出部１２）および第２リード２（第２主部２１と第２延出部２２）が第１方向ｘにおいて過度に近接するのを回避することができる。したがって、半導体装置Ａ１０は、パッケージサイズが大きくなることおよび耐電圧の低下を抑制しつつ、強度を高める上で好ましいパッケージ構造をなす。
　第１リード１は、厚さ方向ｚの反対側を向く第１凹面１０３を有する。第１主部１１および第１延出部１２は、それぞれが第１凹面１０３の一部を含む。当該第１凹面１０３は封止樹脂５に覆われている。第２リード２は、厚さ方向ｚの反対側を向く第２凹面２０３を有する。第２主部２１および第２延出部２２は、それぞれが第２凹面２０３の一部を含む。当該第２凹面２０３は封止樹脂５に覆われている。このような構成によれば、第１リード１（第１主部１１と第１延出部１２）および第２リード２（第２主部２１および２２）が樹脂裏面５２（封止樹脂５）から抜け出すことを防止できる。したがって、第１主面１０１および第２主面２０１の各々に接合された第２電極３２の接合状態が適切に維持される。
　第１主面１０１（第１主部１１）に配置された第１半導体素子３Ａ、および第２主面２０１（第２主部２１）に配置された第２半導体素子３Ｂは、同一種の素子（ツェナーダイオード）である。これにより、第１半導体素子３Ａおよび第２半導体素子３Ｂを支持する第１主部１１および第２主部２１は、厚さ方向ｚに見て封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳを挟んで対称（図３における左右対称）に配置するのが適切である。半導体装置Ａ１０において、半導体素子３Ａ，３Ｂそれぞれの第１電極３１が導通部材４によって電気的に接続されている。一方、第１主部１１と第２主部２１との間に位置する第１延出部１２および第２延出部２２は、導通部材（ワイヤ等）が接続されておらず、電気的な導通経路の役割を有さない。このような第１延出部１２および第２延出部２２を第１主部１１と第２主部２１の間に意図的に設けることで、半導体装置Ａ１０は、強度が高められたパッケージ構造をなす。
　図１２および図１３は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示している。図１２は、上記実施形態において示した図３と同様の平面図である。図１３は、図１２に示す半導体装置の正面図である。なお、図１２以降の図面において、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。
　本変形例の半導体装置Ａ１１においては、第１延出部１２および第２延出部２２の形状が上記実施形態の半導体装置Ａ１０と異なる。本変形例において、第１延出部１２および第２延出部２２は、いずれも厚さ方向ｚに見て矩形状である。第１延出部１２は、第１主面１０１の一部、第１凹面１０３の一部および第１先端面１２１を有する。第１先端面１２１は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳよりも第１方向ｘの他方側（図１２における左側）に位置する。第２延出部２２は、第２主面２０１の一部、第２凹面２０３の一部および第２先端面２２１を有する。第２先端面２２１は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳよりも第１方向ｘの一方側（図１２における右側）に位置する。
　本変形例の半導体装置Ａ１１においても、第１リード１は第１延出部１２を含む。第１延出部１２は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳに対して第１方向ｘの他方側に位置する第１主部１１から、第１方向ｘの一方側（第２主部２１の配置側）に延出する。これにより、半導体装置Ａ１１が実装された回路基板において反りが生じても、封止樹脂５における第１主部１１と第１延出部１２との間の部分において、大きな応力が作用する範囲を低減することができる。したがって、リード１，２からの封止樹脂５の剥離等を抑制することができる。その他にも、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。
　図１４および図１５は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示している。図１４は、上記実施形態において示した図３と同様の平面図である。図１５は、図１４に示す半導体装置の正面図である。
　本変形例の半導体装置Ａ１２においては、第１延出部１２および第２延出部２２の形状が上記実施形態の半導体装置Ａ１０と異なる。本変形例において、第１延出部１２および第２延出部２２は、第１中間面１２３および第２中間面２２３を有しておらず、いずれも厚さ方向ｚに見て矩形状部分と凹曲線部分が組み合わされた形状である。第１延出部１２は、第１主面１０１の一部、第１凹面１０３の一部、第１先端面１２１および第１湾曲面１２２を有する。第１先端面１２１は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳと重なっている。第２延出部２２は、第２主面２０１の一部、第２凹面２０３の一部、第２先端面２２１および第２湾曲面２２２を有する。第２先端面２２１は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳと重なっている。
　本変形例の半導体装置Ａ１２においても、第１リード１は第１延出部１２を含む。第１延出部１２は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳに対して第１方向ｘの他方側に位置する第１主部１１から、第１方向ｘの一方側（第２主部２１の配置側）に延出する。これにより、半導体装置Ａ１２が実装された回路基板において反りが生じても、封止樹脂５における第１主部１１と第１延出部１２との間の部分において、大きな応力が作用する範囲を低減することができる。したがって、リード１，２からの封止樹脂５の剥離等を抑制することができる。その他にも、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。
　図１６および図１７は、第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置を示している。図１６は、上記実施形態において示した図３と同様の平面図である。図１７は、図１６に示す半導体装置の正面図である。
　本変形例の半導体装置Ａ１３においては、第１延出部１２の形状が上記実施形態の半導体装置Ａ１０と異なる。半導体装置Ａ１３は、上記実施形態の半導体装置Ａ１０における第２延出部２２を具備していない。本変形例において、第１延出部１２は、厚さ方向ｚに見て矩形状である。第１延出部１２は、第１主面１０１の一部、第１凹面１０３の一部および第１先端面１２１を有する。第１先端面１２１は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳと重なっている。
　本変形例の半導体装置Ａ１３においても、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。
　図１８および図１９は、第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置を示している。図１８は、上記実施形態において示した図３と同様の平面図である。図１９は、図１８に示す半導体装置の正面図である。
　本変形例の半導体装置Ａ１４においては、第１延出部１２および第２延出部２２の形状が上記実施形態の半導体装置Ａ１０と異なる。本変形例において、第１延出部１２および第２延出部２２は、いずれも厚さ方向ｚに見て矩形状である。第１延出部１２は、第１主面１０１の一部、第１凹面１０３の一部および第１先端面１２１を有する。第１先端面１２１は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳよりも第１方向ｘの一方側（図１８における右側）に位置する。第２延出部２２は、第２主面２０１の一部、第２凹面２０３の一部および第２先端面２２１を有する。第２先端面２２１は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳよりも第１方向ｘの他方側（図１８における左側）に位置する。
　本変形例の半導体装置Ａ１４においても、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。
　半導体装置Ａ１４において、第１延出部１２は、第１方向中央断面ＣＳに対して第１方向ｘの他方側に位置する第１主部１１から延出し、第１方向中央断面ＣＳを貫いて当該第１方向中央断面ＣＳよりも第１方向ｘの一方側まで延びる。第２延出部２２は、第１方向中央断面ＣＳに対して第１方向ｘの一方側に位置する第２主部２１から延出し、第１方向中央断面ＣＳを貫いて当該第１方向中央断面ＣＳよりも第１方向ｘの他方側まで延びる。かかる構成の半導体装置Ａ１４は、強度を高める上で、より好ましいパッケージ構造をなす。
　図２０および図２１は、第１実施形態の第５変形例に係る半導体装置を示している。図２０は、上記実施形態において示した図３と同様の平面図である。図２１は、図２０に示す半導体装置の正面図である。
　本変形例の半導体装置Ａ１５においては、第１延出部１２および第２延出部２２の形状および配置が上記実施形態の半導体装置Ａ１０と異なる。本変形例において、第１リード１は、複数（図示した例では２つ）の第１延出部１２を含む。第２リード２は、複数（図示した例では２つ）の第２延出部２２を含む。複数の第１延出部１２および複数の第２延出部２２は、いずれも厚さ方向ｚに見て矩形状である。第１方向ｘに見て、第１延出部１２および第２延出部２２が第２方向ｙに沿って交互に並んでいる。複数の第１延出部１２は、各々、第１主面１０１の一部、第１凹面１０３の一部および第１先端面１２１を有する。第１先端面１２１は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳと重なっている。複数の第２延出部２２は、各々、第２主面２０１の一部、第２凹面２０３の一部および第２先端面２２１を有する。第２先端面２２１は、封止樹脂５の第１方向中央断面ＣＳと重なっている。
　本変形例の半導体装置Ａ１５においても、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。
　本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
　上記実施形態において、半導体装置Ａ１０等のパッケージ形式がＱＦＮである場合について説明したが、半導体装置のパッケージ形式はこれに限定されない。本開示の半導体装置は、封止樹脂の側面からリードが突出するＱＦＰ（Quad Flat Package）に適用してもよい。
　上記実施形態では、第１主部１１の第１裏面１０２および第２主部２１の第２裏面２０２が封止樹脂５から露出し、裏面端子として機能する場合について説明したが、これに限定されない。第１裏面１０２および第２裏面２０２が裏面端子として機能しない構成としてもよい。
　本開示は、以下の付記に記載された実施形態を含む。
　付記１．
　厚さ方向の一方側を向く第１主面および他方側を向く第１裏面を有する第１リードと、
　前記厚さ方向の一方側を向く第２主面および他方側を向く第２裏面を有し、かつ、前記第１リードに対して、前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側に離間配置された第２リードと、
　前記第１主面に配置された第１半導体素子、および前記第２主面に配置された第２半導体素子と、
　前記第１リードの一部、前記第２リードの一部、前記第１半導体素子および前記第２半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
　前記第１半導体素子および前記第２半導体素子は、各々、前記第１方向の一方側を向く第１素子側面および他方側を向く第２素子側面を有し、
　前記第１リードは、前記第１方向において前記第１半導体素子の前記第１素子側面および前記第２半導体素子の前記第２素子側面から等距離の前記封止樹脂における第１方向中央断面に対して前記第１方向の他方側に位置する第１主部と、前記第１主部から前記第１方向の一方側に延出する第１延出部と、を含み、
　前記第２リードは、前記第１方向中央断面に対して前記第１方向の一方側に位置する第２主部を含む、半導体装置。
　付記２．
　前記第１延出部は、前記第１方向の一方側を向く第１先端面を有し、
　前記第１先端面は、前記第１方向中央断面と重なる、または前記第１方向中央断面よりも前記第１方向の一方側に位置する、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記第１主部は、前記第１方向の一方側を向く第１内側面を有し、
　前記第１延出部は、前記第１内側面より前記第１方向の一方側に延びる、付記１または２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記第２リードは、前記第２主部から前記第１方向の他方側に延出する前記第２延出部を含む、付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
　付記５．
　前記第２延出部は、前記第１方向の他方側を向く第２先端面を有し、
　前記第２先端面は、前記第１方向中央断面と重なる、または前記第１方向中央断面よりも前記第１方向の他方側に位置する、付記４に記載の半導体装置。
　付記６．
　前記第２主部は、前記第１方向の他方側を向く第２内側面を有し、
　前記第２延出部は、前記第２内側面より前記第１方向の他方側に延びる、付記４または５に記載の半導体装置。
　付記７．
　前記第１延出部および前記第２延出部は、前記第１方向に見て、前記厚さ方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向の一方側および他方側に位置する、付記６に記載の半導体装置。
　付記８．
　前記第１延出部は、前記第１方向の一方側を向き、かつ前記第１方向において前記第１先端面と前記第１内側面との間に位置する第１中間面を有し、
　前記第２延出部は、前記第１方向の他方側を向き、かつ前記第１方向において前記第２先端面と前記第２内側面との間に位置する第２中間面を有する、付記７に記載の半導体装置。
　付記９．
　前記第１中間面は、前記第１先端面よりも前記第２方向の他方側に位置し、
　前記第２中間面は、前記第２先端面よりも前記第２方向の一方側に位置する、付記８に記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記第１主面および前記第２主面は、前記厚さ方向において同じ位置にある、付記７ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記第１裏面および前記第２裏面は、前記封止樹脂から露出している、付記１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記第１主部および前記第２主部は、前記厚さ方向に見て前記第１方向中央断面を挟んで対称に配置されている、付記１１に記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記第１リードは、前記厚さ方向の他方側を向き、かつ前記封止樹脂に覆われた第１凹面を有し、
　前記第１主部は、前記第１主面の一部、前記第１凹面の一部および前記第１裏面の少なくとも一部を含み、
　前記第１延出部は、前記第１主面の一部および前記第１凹面の一部を含む、付記１２に記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記第２リードは、前記厚さ方向の他方側を向き、かつ前記封止樹脂に覆われた第２凹面を有し、
　前記第２主部は、前記第２主面の一部、前記第２凹面の一部および前記第１裏面の少なくとも一部を含み、
　前記第２延出部は、前記第２主面の一部および前記第２凹面の一部を含む、付記１３に記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記第１半導体素子および前記第２半導体素子は、同一種の素子により構成される、付記１２ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記第１半導体素子および前記第２半導体素子は、各々、ツェナーダイオードである、付記１５に記載の半導体装置。
Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ１４，Ａ１５：半導体装置
１：第１リード　　　１０１：第１主面
１０２：第１裏面　　　１０３：第１凹面
１１：第１主部　　　１１１：第１内側面
１２：第１延出部　　　１２１：第１先端面
１２２：第１湾曲面　　　１２３：第１中間面
１３：第１端子部　　　１３１：第１端面
１４：第１連結部　　　１４１：第１連結部端面
１５：第２連結部　　　１５１：第２連結部端面
２：第２リード　　　２０１：第２主面
２０２：第２裏面　　　２０３：第２凹面
２１：第２主部　　　２１１：第２内側面
２２：第２延出部　　　２２１：第２先端面
２２２：第２湾曲面　　　２２３：第２中間面
２４：第３連結部　　　２４１：第３連結部端面
２５：第４連結部　　　２５１：第４連結部端面
３Ａ：第１半導体素子　　　３Ｂ：第２半導体素子
３０１：第１素子側面　　　３０２：第２素子側面
３０３：第３素子側面　　　３０４：第４素子側面
３１：第１電極　　　３２：第２電極
３９：導電性接合材　　　４：導通部材
５：封止樹脂　　　５１：樹脂主面
５２：樹脂裏面　　　５３１：第１樹脂側面
５３２：第２樹脂側面　　　５３３：第３樹脂側面
５３４：第４樹脂側面　　　６：回路基板
７：はんだ　　　７１：はんだフィレット
ＣＳ：第１方向中央断面　　　ｘ：第１方向
ｙ：第２方向　　　ｚ：厚さ方向

Claims (16)

  1. 　厚さ方向の一方側を向く第１主面および他方側を向く第１裏面を有する第１リードと、
    　前記厚さ方向の一方側を向く第２主面および他方側を向く第２裏面を有し、かつ、前記第１リードに対して、前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側に離間配置された第２リードと、
    　前記第１主面に配置された第１半導体素子、および前記第２主面に配置された第２半導体素子と、
    　前記第１リードの一部、前記第２リードの一部、前記第１半導体素子および前記第２半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
    　前記第１半導体素子および前記第２半導体素子は、各々、前記第１方向の一方側を向く第１素子側面および他方側を向く第２素子側面を有し、
    　前記第１リードは、前記第１方向において前記第１半導体素子の前記第１素子側面および前記第２半導体素子の前記第２素子側面から等距離の前記封止樹脂における第１方向中央断面に対して前記第１方向の他方側に位置する第１主部と、前記第１主部から前記第１方向の一方側に延出する第１延出部と、を含み、
    　前記第２リードは、前記第１方向中央断面に対して前記第１方向の一方側に位置する第２主部を含む、半導体装置。
  2. 　前記第１延出部は、前記第１方向の一方側を向く第１先端面を有し、
    　前記第１先端面は、前記第１方向中央断面と重なる、または前記第１方向中央断面よりも前記第１方向の一方側に位置する、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記第１主部は、前記第１方向の一方側を向く第１内側面を有し、
    　前記第１延出部は、前記第１内側面より前記第１方向の一方側に延びる、請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 　前記第２リードは、前記第２主部から前記第１方向の他方側に延出する前記第２延出部を含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
  5. 　前記第２延出部は、前記第１方向の他方側を向く第２先端面を有し、
    　前記第２先端面は、前記第１方向中央断面と重なる、または前記第１方向中央断面よりも前記第１方向の他方側に位置する、請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記第２主部は、前記第１方向の他方側を向く第２内側面を有し、
    　前記第２延出部は、前記第２内側面より前記第１方向の他方側に延びる、請求項４または５に記載の半導体装置。
  7. 　前記第１延出部および前記第２延出部は、前記第１方向に見て、前記厚さ方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向の一方側および他方側に位置する、請求項６に記載の半導体装置。
  8. 　前記第１延出部は、前記第１方向の一方側を向き、かつ前記第１方向において前記第１先端面と前記第１内側面との間に位置する第１中間面を有し、
    　前記第２延出部は、前記第１方向の他方側を向き、かつ前記第１方向において前記第２先端面と前記第２内側面との間に位置する第２中間面を有する、請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記第１中間面は、前記第１先端面よりも前記第２方向の他方側に位置し、
    　前記第２中間面は、前記第２先端面よりも前記第２方向の一方側に位置する、請求項８に記載の半導体装置。
  10. 　前記第１主面および前記第２主面は、前記厚さ方向において同じ位置にある、請求項７ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
  11. 　前記第１裏面および前記第２裏面は、前記封止樹脂から露出している、請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
  12. 　前記第１主部および前記第２主部は、前記厚さ方向に見て前記第１方向中央断面を挟んで対称に配置されている、請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 　前記第１リードは、前記厚さ方向の他方側を向き、かつ前記封止樹脂に覆われた第１凹面を有し、
    　前記第１主部は、前記第１主面の一部、前記第１凹面の一部および前記第１裏面の少なくとも一部を含み、
    　前記第１延出部は、前記第１主面の一部および前記第１凹面の一部を含む、請求項１２に記載の半導体装置。
  14. 　前記第２リードは、前記厚さ方向の他方側を向き、かつ前記封止樹脂に覆われた第２凹面を有し、
    　前記第２主部は、前記第２主面の一部、前記第２凹面の一部および前記第１裏面の少なくとも一部を含み、
    　前記第２延出部は、前記第２主面の一部および前記第２凹面の一部を含む、請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 　前記第１半導体素子および前記第２半導体素子は、同一種の素子により構成される、請求項１２ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
  16. 　前記第１半導体素子および前記第２半導体素子は、各々、ツェナーダイオードである、請求項１５に記載の半導体装置。
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