WO2022209591A1

WO2022209591A1 - 太陽電池パネルの製造方法、太陽電池パネルの製造装置、太陽電池パネル、及び光電変換基板の製造方法

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Publication number: WO2022209591A1
Application number: PCT/JP2022/009479
Authority: WO
Inventors: 雅宏藤原
Original assignee: Kaneka Corp
Current assignee: Kaneka Corp
Priority date: 2021-03-30
Filing date: 2022-03-04
Publication date: 2022-10-06
Anticipated expiration: 2023-09-30
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Abstract

本発明は、強アルカリや強酸等のエッチング液を使用せずとも透明電極層のパターニングができる太陽電池パネルの製造方法を提供する。　光電変換基板上に所定の形状にパターニングされた電極用レジスト層を形成する電極用レジスト層形成工程と、光電変換基板と電極用レジスト層に跨がって透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、電極用レジスト層を剥がして光電変換基板から電極用レジスト層上の透明電極層を剥離する電極剥離工程と、を含み、電極用レジスト層は、光電変換基板に対する剥離強度が１Ｎ以下である方法とする。

Description

太陽電池パネルの製造方法、太陽電池パネルの製造装置、太陽電池パネル、及び光電変換基板の製造方法

　本発明は、太陽電池パネルの製造方法、太陽電池パネルの製造装置、太陽電池パネル、及び光電変換基板の製造方法に関する。

　従来から、光電変換基板の裏面側に、第１電極層と、第１電極層に対して対極となる第２電極層とが形成されたバックコンタクト型の太陽電池が知られている（例えば、特許文献１）。
　特許文献１の太陽電池は、半導体基板の裏面側の第１領域に真性半導体層及びｐ型半導体層が順に積層され、半導体基板の裏面側の第２領域に真性半導体層及びｎ型半導体層が順に積層された光電変換基板を有している。
　特許文献１の太陽電池は、光電変換基板の受光面側に真性半導体層と光学調整層が順に積層され、光電変換基板のｐ型半導体層上に透明電極層と金属電極層で構成される第１電極層が積層され、ｎ型半導体層上に透明電極層と金属電極層で構成される第２電極層が積層されている。
　特許文献１の太陽電池は、裏面側にのみ電極層が形成されているため、両面に電極層が形成される両面電極型の太陽電池に比べて受光率を大きくできる。

特開２０２０－１５５７１０号公報

　ところで、特許文献１の太陽電池は、スパッタリング法により、半導体基板の裏面側の全面に透明電極層材料膜を製膜し、透明電極層材料膜上にエッチングペーストを塗布してレジスト層を形成する。そして、塩酸等のエッチング液によって透明電極層材料膜のレジスト層からの露出部分を除去し、レジスト層を剥離することで透明電極層をパターニングする。その後、パターン印刷法又は塗布法によって透明電極層上に銀によって構成される金属電極層を形成し、第１電極層及び第２電極層を形成している。
　すなわち、特許文献１の太陽電池は、透明電極層のパターニングの際に塩酸に浸すので、金属電極層として銀を使用する場合、金属電極層を形成した後に透明電極層のパターニングを行うと、金属電極層の銀成分が塩化銀となり、導電性が低下する。そのため、透明電極層のパターニング後に金属電極層を形成する必要があり、製造工程が複雑になる問題がある。また、特許文献１の太陽電池は、透明電極層のパターニングの際に塩酸等のエッチング液に浸すと、エッチング液により他の半導体基板や半導体層に影響を与えるおそれもある。そのため、エッチング液に浸さずとも透明電極層のパターニングできる方法の開発が望まれていた。

　また、特許文献１の太陽電池は、第２領域における真性半導体層及びｐ型半導体層のパターニングの際に、所定の形状にパターニングした保護層をｐ型半導体層上に形成し、オゾンをフッ酸に溶解させた混合溶液等のエッチング液によって真性半導体層及びｐ型半導体層をパターニングし、保護層をアルカリ溶液で除去している。すなわち、特許文献１の太陽電池は、真性半導体層及びｐ型半導体層のパターニングに際して、強酸で半導体層を除去し、強アルカリによって保護層を除去する。そのため、パターニングの際のエッチング液として環境や人体に影響が高い材料を使用する必要があり、エッチング液に使用せずとも半導体層のパターニングできる方法の開発が望まれていた。

　そこで、本発明は、強アルカリや強酸等のエッチング液を使用せずとも透明電極層のパターニングができる太陽電池パネルの製造方法、透明電極層のパターニングを効率的に行うことができる太陽電池パネルの製造装置、電極層同士が接触することによる短絡を防止できる太陽電池パネル、及び強アルカリや強酸等のエッチング液を使用せずとも半導体層のパターニングができる光電変換基板の製造方法を提供することを課題とする。

　上記した課題を解決するための本発明の一つの様相は、光電変換基板上に透明電極層が積層された太陽電池パネルの製造方法であって、前記光電変換基板上に所定の形状にパターニングされた電極用レジスト層を形成する電極用レジスト層形成工程と、前記光電変換基板と前記電極用レジスト層に跨がって前記透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、前記電極用レジスト層を剥がして前記光電変換基板から前記電極用レジスト層上の前記透明電極層を剥離する電極剥離工程と、を含み、前記電極用レジスト層は、前記光電変換基板に対する剥離強度が１Ｎ以下である、太陽電池パネルの製造方法である。

　本様相によれば、電極用レジスト層を剥がして透明電極層の一部を剥離するので、エッチング液を使用せずとも透明電極層のパターニングができる。

　好ましい様相は、前記太陽電池パネルは、前記光電変換基板の裏側主面側に第１電極層と第２電極層が形成されたものであり、前記第１電極層と前記第２電極層は、前記透明電極層を含み、前記電極剥離工程において前記第１電極層の透明電極層と前記第２電極層の透明電極層とに分割することである。

　本様相によれば、バックコンタクト型太陽電池パネルのように電極層が同一の主面側に形成された太陽電池パネルにおいて、簡単に透明電極層を分離でき、透明電極層同士が接触することによる短絡を防止できる。

　好ましい様相は、前記光電変換基板は、半導体基板の第１主面側に第１導電型半導体層と第２導電型半導体層が隣接して形成されており、前記電極用レジスト層形成工程において、前記第１導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層に跨って前記電極用レジスト層を形成することである。

　本様相によれば、より透明電極層の接触による短絡を防止できる。

　ところで、透明電極層を構成する材料としてタングステンドープ酸化インジウム（以下、ＩＷＯともいう）が知られている。タングステンドープ酸化インジウムは、従来の酸化インジウム錫（以下、ＩＴＯともいう）に比べて高いホール移動度を有するため、ＩＴＯに代わる電極材料として期待されている。
　しかしながら、ＩＷＯは、塩酸等のエッチング液では溶解せず、ウェットエッチングではエッチングできない問題がある。すなわち、ＩＴＯとは異なりウェットエッチングではパターニングできない問題がある。

　好ましい様相は、前記透明電極層は、タングステンドープ酸化インジウムを含むことである。

　本様相によれば、電極用レジスト層の機械剥離によって透明電極層をパターニングするため、透明電極層としてタングステンドープ酸化インジウムを使用してもパターニングが可能である。

　好ましい様相は、前記光電変換基板は、半導体基板の第１主面上に第１真性半導体層及び第１導電型半導体層が形成された断面構造と、前記半導体基板の前記第１主面上に第２真性半導体層及び第２導電型半導体層が形成された断面構造を有するものであり、前記半導体基板上に第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、前記第１真性半導体層上に第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、前記第１導電型半導体層上に第１半導体用レジスト層を形成する第１半導体用レジスト層形成工程と、前記半導体基板上から前記第１半導体用レジスト層上に跨って第２真性半導体層を形成する第２真性半導体層形成工程と、前記第２真性半導体層上に第２導電型半導体層を形成する第２導電型半導体層形成工程と、前記第１半導体用レジスト層を剥がして前記第１導電型半導体層から前記第１半導体用レジスト層上の前記第２真性半導体層及び前記第２導電型半導体層を剥離する第１剥離工程を含み、前記第１半導体用レジスト層は、前記第１導電型半導体層に対する剥離強度が１Ｎ以下であることである。

　本様相によれば、第２真性半導体層及び第２導電型半導体層の第１導電型半導体層上からの除去を第１半導体用レジスト層の剥離によって行えるので、エッチング液を使用せずとも第２真性半導体層及び第２導電型半導体層のパターニングができる。

　より好ましい様相は、前記半導体基板上に第２半導体用レジスト層を形成する第２半導体用レジスト層形成工程と、前記半導体基板上から前記第２半導体用レジスト層上に跨って第１真性半導体層を形成する前記第１真性半導体層形成工程と、前記第２半導体用レジスト層を剥がして前記半導体基板から前記第２半導体用レジスト層上の前記第１真性半導体層及び前記第１導電型半導体層を剥離する第２剥離工程を含み、前記第２半導体用レジスト層は、前記半導体基板に対する剥離強度が１Ｎ以下であることである。

　本様相によれば、第１真性半導体層及び第１導電型半導体層の半導体基板上からの除去を第２半導体用レジスト層の剥離によって行えるので、エッチング液を使用せずとも第１真性半導体層及び第１導電型半導体層のパターニングができる。

　本発明の一つの様相は、光電変換基板の裏側主面上に第１電極層と第２電極層が積層された太陽電池パネルであって、前記光電変換基板は、半導体基板の第１主面側に第１導電型半導体層と第２導電型半導体層が隣接して形成されており、前記第１電極層は、前記第１導電型半導体層上に積層されており、前記第２電極層は、前記第２導電型半導体層上に積層されており、前記第１電極層と前記第２電極層とを切り離す短絡防止溝を有し、前記短絡防止溝は、前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層を底部とする溝であって、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の境界部分に沿って延びており、前記短絡防止溝は、内壁の一部に溝側絶縁層を備えており、前記溝側絶縁層は、前記短絡防止溝の底部を構成する前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層に対する剥離強度が１Ｎ以下である、太陽電池パネルである。

　本様相によれば、第１導電型半導体層を底部とし、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層の境界部分に沿って延びた短絡防止溝を有するため、第１電極層と第２電極層との短絡を防止できる。
　本様相によれば、短絡防止溝の底部を構成する導電型半導体層に対する溝側絶縁層の剥離強度が１Ｎ以下であるため、機械剥離によって短絡防止溝を形成しやすい。

　好ましい様相は、前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層の境界部分に境界側絶縁層を有し、前記境界側絶縁層は、前記第１導電型半導体層の端面を覆っており、前記溝側絶縁層は、前記第２導電型半導体層の端面を覆っていることである。

　本様相によれば、境界側絶縁層によって第１導電型半導体層の端面が第２導電型半導体層と接触することを防止でき、溝側絶縁層によって第２導電型半導体層の端面が第１導電型半導体層と接触することを防止できるので、より確実に短絡を防止できる。

　本発明の一つの様相は、光電変換基板の裏側主面上に第１電極層と第２電極層が積層された太陽電池パネルであって、前記光電変換基板は、半導体基板の第１主面側に第１導電型半導体層と第２導電型半導体層が隣接して形成されており、前記第１電極層は、前記第１導電型半導体層上に積層されており、前記第２電極層は、前記第２導電型半導体層上に積層されており、前記第１電極層と前記第２電極層とを切り離す短絡防止溝を有し、前記短絡防止溝は、前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層を底部とする溝であって、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の境界部分に沿って延びており、前記短絡防止溝は、内壁の一部に溝側絶縁層を備えており、前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層の境界部分に境界側絶縁層を有し、前記境界側絶縁層は、前記第１導電型半導体層の端面を覆っており、前記溝側絶縁層は、前記第２導電型半導体層の端面を覆っている、太陽電池パネルである。

　本様相によれば、第１電極層と第２電極層とを切り離す短絡防止溝を有するため、第１電極層と第２電極層との短絡を防止できる。
　本様相によれば、境界側絶縁層によって第１導電型半導体層の端面が第２導電型半導体層と接触することを防止でき、溝側絶縁層によって第２導電型半導体層の端面が第１導電型半導体層と接触することを防止できるので、より確実に短絡を防止できる。

　本発明の一つの様相は、光電変換基板の第１主面上に第１電極層が積層され、第２主面上に第２電極層が積層された太陽電池パネルであって、前記光電変換基板は、半導体基板と真性半導体層を含み、前記第１電極層は、前記光電変換基板の前記第１主面側から端面側の一部に跨がって積層されており、前記第２電極層は、前記光電変換基板の前記第２主面側から前記端面側の一部に跨がって積層され、前記端面側で前記第１電極層の一部を覆っており、前記半導体基板の端面と前記第１電極層の間に絶縁層が介在しており、前記絶縁層は、前記半導体基板に対する剥離強度が１Ｎ以下であり、前記第１電極層から前記半導体基板に向かって深さをもち、前記半導体基板又は前記真性半導体層を底部とする短絡防止溝を有し、前記短絡防止溝は、前記端面に沿って延び、内壁の一部が前記絶縁層で構成されている、太陽電池パネルである。

　本様相によれば、半導体基板の端面と第１電極層との間に絶縁層が介在しており、半導体基板又は真性半導体層を底部とする短絡防止溝が半導体基板の端面に沿って延びているため、第１電極層と第２電極層との短絡を防止できる。
　本様相によれば、半導体基板に対する絶縁層の剥離強度が１Ｎ以下であるため、機械剥離によって短絡防止溝を形成しやすい。

　好ましい様相は、前記第１電極層は、タングステンドープ酸化インジウムを含む透明電極層を備えることである。

　本様相によれば、より発電効率を向上できる。

　本発明の一つの様相は、光電変換基板に対する剥離強度が１Ｎ以下である電極用レジスト層を使用して、前記光電変換基板上に透明電極層を形成する太陽電池パネルの製造装置であって、前記光電変換基板上に所定のパターンの電極用レジスト層を形成するレジスト層形成部と、前記光電変換基板上から前記電極用レジスト層に跨って透明電極層を製膜する透明電極層形成部と、前記光電変換基板から前記電極用レジスト層を機械剥離する機械剥離部を備える、太陽電池パネルの製造装置である。

　本様相によれば、効率的に電極用レジスト層を機械剥離できる。

　本発明の一つの様相は、半導体基板の第１主面上に第１真性半導体層及び第１導電型半導体層が形成された断面構造と、前記半導体基板の前記第１主面上に第２真性半導体層及び第２導電型半導体層が形成された断面構造を有する光電変換基板の製造方法であって、前記半導体基板上に第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、前記第１真性半導体層上に第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、前記第１導電型半導体層上に第１半導体用レジスト層を形成する第１半導体用レジスト層形成工程と、前記半導体基板上から前記第１半導体用レジスト層上に跨って第２真性半導体層を形成する第２真性半導体層形成工程と、前記第２真性半導体層上に第２導電型半導体層を形成する第２導電型半導体層形成工程と、前記第１半導体用レジスト層を剥がして前記第１導電型半導体層から前記第１半導体用レジスト層上の前記第２真性半導体層及び前記第２導電型半導体層を剥離する第１剥離工程を含み、前記第１半導体用レジスト層は、前記第１導電型半導体層に対する剥離強度が１Ｎ以下である、光電変換基板の製造方法である。

　本発明の一つの様相は、半導体基板の第１主面上に第１真性半導体層及び第１導電型半導体層が形成された断面構造と、前記半導体基板の前記第１主面上に第２真性半導体層及び第２導電型半導体層が形成された断面構造を有する光電変換基板の製造方法であって、前記半導体基板上に第２半導体用レジスト層を形成する第２半導体用レジスト層形成工程と、前記半導体基板上から前記第２半導体用レジスト層上に跨って第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、前記第１真性半導体層上に前記第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、前記第２半導体用レジスト層を剥がして前記半導体基板から前記第２半導体用レジスト層上の前記第１真性半導体層及び前記第１導電型半導体層を剥離する第２剥離工程を含み、前記第２半導体用レジスト層は、前記半導体基板に対する剥離強度が１Ｎ以下である、光電変換基板の製造方法である。

　本発明の太陽電池パネルの製造方法によれば、強アルカリや強酸等のエッチング液を使用せずとも透明電極層のパターニングができる。
　本発明の太陽電池パネルの製造装置によれば、透明電極層のパターニングを効率的に行うことができる。
　本発明の太陽電池パネルによれば、短絡防止溝によって第１電極層と第２電極層の接触による短絡を防止できる。
　本発明の光電変換基板の製造方法によれば、強アルカリや強酸等のエッチング液を使用せずとも半導体層のパターニングができる。

本発明の第１実施形態の太陽電池パネルの説明図であり、（ａ）は光電変換基板と電極層の関係を表す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の光電変換基板を詳細に表した断面図である。なお、理解を容易にするために（ａ），（ｂ）のいずれにおいても第１電極層と第２電極層のみをハッチングで示し、レジスト層に由来する絶縁層を黒塗りで示し、残りはハッチングを省略している。本発明の第１実施形態で使用される半導体製造装置を概念的に示したブロック図である。図１の太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は第１製膜部で製膜した後の基板の断面図であり、（ｂ）は第１レジスト層形成部で第１レジスト層を形成した後の基板の断面図であり、（ｃ）は第２製膜部で製膜した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために各工程で形成された層のみハッチングで示し、レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。図３（ｃ）に続く太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は第１機械剥離部で第１レジスト層を剥離した後の基板の断面図であり、（ｂ）は第１レジスト層形成部で第２レジスト層を形成した後の基板の断面図であり、（ｃ）は第３製膜部で製膜した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために各工程で形成された層のみハッチングで示し、レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。図４（ｃ）に続く太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は第１機械剥離部で第２レジスト層を剥離した後の基板の断面図であり、（ｂ）は第２レジスト層形成部で電極用レジスト層を形成した後の基板の断面図であり、（ｃ）は透明電極層形成部で製膜した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために各工程で形成された層のみハッチングで示し、レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。図５（ｃ）に続く太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は透明電極層形成部で製膜した後の基板の断面図であり、（ｂ）は機械剥離部で電極用レジスト層を剥離した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために各工程で形成された層のみハッチングで示し、レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。本発明の第２実施形態の太陽電池パネルの説明図であり、（ａ）は光電変換基板と電極層の関係を表す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の光電変換基板を詳細に表した断面図である。なお、理解を容易にするために（ａ），（ｂ）のいずれにおいてもレジスト層に由来する絶縁層を黒塗りで示し、残りはハッチングを省略している。本発明の第２実施形態で使用される半導体製造装置を概念的に示したブロック図である。図７の太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）はレジスト層形成部でレジスト層を形成した後の基板の断面図であり、（ｂ）は第２製膜部で製膜した後の基板の断面図であり、（ｃ）は第３製膜部で製膜した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために各工程で形成された層のみハッチングで示し、レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。図９（ｃ）に続く太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は透明電極層形成部で製膜した後の基板の断面図であり、（ｂ）は金属電極層形成部で製膜した後の基板の断面図であり、（ｃ）は機械剥離部でレジスト層を剥離した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために各工程で形成された層のみハッチングで示し、第２レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。本発明の第３実施形態の太陽電池パネルの説明図であり、（ａ）は光電変換基板と電極層の関係を表す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の光電変換基板を詳細に表した断面図である。なお、理解を容易にするために（ａ），（ｂ）のいずれにおいても第１電極層及び第２電極層のみをハッチングで示し、レジスト層に由来する絶縁層を黒塗りで示し、残りはハッチングを省略している。本発明の第３実施形態で使用される半導体製造装置を概念的に示したブロック図である。図１１の太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は第１製膜部で第１レジスト層を形成した後の基板の断面図であり、（ｂ）は第２製膜部で第１真性半導体層、第１導電型半導体層、及び受光側半導体層を形成した後の基板の断面図であり、（ｃ）は第３製膜部で透明導電層を形成した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために直前に形成された層のみハッチングで示し、レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。図１３（ｃ）に続く太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は第１レジスト層を剥がした後の基板の断面図であり、（ｂ）は第１製膜部で第２レジスト層を形成した後の基板の断面図であり、（ｃ）は第２製膜部で第２真性半導体層及び第２導電型半導体層を形成した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために直前に形成された層のみハッチングで示し、レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。図１４（ｃ）に続く太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は機械剥離部で第２レジスト層を剥がした後の基板の断面図であり、（ｂ）は第１製膜部で電極用レジスト層を形成した後の基板の断面図であり、（ｃ）は第３製膜部で透明電極層、下地電極層、及び金属電極層の一部を形成した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために直前に形成された層のみハッチングで示し、レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。図１５（ｃ）に続く太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は第４製膜部でさらに金属電極層を形成した後の基板の断面図であり、（ｂ）は機械剥離部で電極用レジスト層を剥がした後の基板の断面図であり、（ｃ）は第１製膜部で光入射層を形成した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために直前に形成された層のみハッチングで示し、レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。本発明の他の実施形態の太陽電池パネルの断面図である。

　以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。

　本発明の第１実施形態の太陽電池パネル１は、図１（ａ）のように、光電変換基板２の裏側主面５７側に第１電極層３と第２電極層５が形成されたバックコンタクト型の太陽電池パネルである。
　太陽電池パネル１は、第１電極層３と第２電極層５が隣接して設けられており、第１電極層３と第２電極層５との境界部分に短絡防止溝７，８を備えている。

（光電変換基板２）
　光電変換基板２は、ＰＮ接合を有し、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換部である。
　光電変換基板２は、図１（ｂ）のように、半導体基板１０の第１主面３０側に半導体層１６，２０，１７，２１を備え、半導体基板１０の第２主面３１側に受光側半導体層１１と反射防止層１２を備えた多層基板である。

　光電変換基板２は、半導体基板１０の第１主面３０上に第１真性半導体層１６、第１導電型半導体層１７がこの順に積層された断面構造を有する第１領域３５と、半導体基板１０の第１主面３０上に第２真性半導体層２０、第２導電型半導体層２１がこの順に積層された断面構造を有する第２領域３６と、を備えている。
　光電変換基板２は、第１領域３５と第２領域３６の境界部分に境界側絶縁層３８ａ，３８ｂを備えている。
　光電変換基板２は、第２主面３１上に受光側半導体層１１と反射防止層１２をこの順に備えており、反射防止層１２が太陽電池パネル１の受光側主面５６を構成している。

　半導体基板１０は、ｎ型又はｐ型の半導体基板であり、具体的には、ｎ型又はｐ型の結晶シリコン基板である。半導体基板１０としては、単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板を使用できる。
　半導体基板１０は、第１主面３０及び／又は第２主面３１に表面にピラミッド形状のテクスチャ構造が形成されていることが好ましい。

　第１真性半導体層１６は、ドーパントを実質的に含まないシリコン薄膜であり、ドーパント濃度が第１導電型半導体層１７のドーパント濃度の１／１００以下であることが好ましい。

　第１導電型半導体層１７は、ドーパントを含んだｎ型又はｐ型のシリコン系薄膜層であり、本実施形態ではｐ型のシリコン層である。

　第２真性半導体層２０は、ドーパントを実質的に含まないシリコン薄膜であり、ドーパント濃度が第２導電型半導体層２１のドーパント濃度の１／１００以下であることが好ましい。

　第２導電型半導体層２１は、ドーパントを含み、第１導電型半導体層１７の導電型とは逆の導電型を有するシリコン層である。
　すなわち、第１導電型半導体層１７の導電型がｎ型の場合は、第２導電型半導体層２１の導電型はｐ型であり、第１導電型半導体層１７の導電型がｐ型の場合は、第２導電型半導体層２１の導電型はｎ型である。
　上記したように本実施形態では、第１導電型半導体層１７は、ｐ型のシリコン層であるから、第２導電型半導体層２１は、ｎ型の半導体層で形成されている。

　境界側絶縁層３８ａ，３８ｂは、後述するレジスト層１５，１８に由来する絶縁性を有した層である。
　境界側絶縁層３８ａ，３８ｂは、真性半導体層１６，２０間の界面及び導電型半導体層１７，２１間の界面の間に設けられている。
　境界側絶縁層３８ｂは、半導体基板１０から外側（電極層３，５側）に向かって延びている。
　境界側絶縁層３８ａは、半導体基板１０に対する剥離強度が１Ｎ以下であり、半導体基板１０から機械剥離可能となっている。
　境界側絶縁層３８ｂは、第１導電型半導体層１７に対する剥離強度が１Ｎ以下であり、第１導電型半導体層１７から機械剥離可能となっている。

　受光側半導体層１１は、ドーパントを実質的に含まない真性シリコン薄膜である。

　反射防止層１２は、透光性をもち、且つ光の反射を抑制する低反射層である。
　反射防止層１２は、例えば、酸化シリコン、酸化亜鉛、酸化チタンなどの金属酸化物や窒化シリコン等の金属窒化物などで形成できる。
　反射防止層１２は、入射光の光閉じ込め効果の観点から窒化シリコンで形成されていることが好ましい。

（電極層３，５）
　第１電極層３は、第２電極層５と対をなし、第２電極層５とともに光電変換基板２で光電変換された電気エネルギーを取り出す電極である。
　第１電極層３は、図１（ｂ）のように、第１領域３５において第１導電型半導体層１７上に形成されており、第２電極層５は、第２領域３６において第２導電型半導体層２１上に形成されている。

　電極層３，５は、図１（ａ）のように、それぞれ透明電極層２３と、金属電極層２５で構成されている。
　透明電極層２３は、透明性と導電性を有する透明導電層であり、具体的には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）やタングステンドープ酸化インジウム（ＩＷＯ）などの透明導電性酸化物で構成された透明導電性酸化物層である。
　本実施形態の透明電極層２３は、ＩＷＯを使用している。
　金属電極層２５は、透明電極層２３よりも導電性を有する導電層であり、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、ニッケル、パラジウム等の金属又はこれらの金属を含む合金で形成できる。

（短絡防止溝７，８）
　短絡防止溝７，８は、図１（ａ）のように、第１電極層３と第２電極層５が接触することによる短絡を防止する溝である。
　短絡防止溝７，８は、図１（ｂ）のように、第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１に跨って設けられ、第１導電型半導体層１７を底部とする溝である。
　短絡防止溝７，８は、第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１の境界部分に沿って延びている。
　短絡防止溝７，８は、内壁の一部が溝側絶縁層４０で形成されている。
　具体的には、溝側絶縁層４０は、第１導電型半導体層１７から短絡防止溝７，８の深さ方向の基端側（開口側）に向かって延びており、先端部が透明電極層２３よりも内側に位置している。
　溝側絶縁層４０は、後述する電極用レジスト層２２に由来する絶縁性を有した層である。
　溝側絶縁層４０は、第１導電型半導体層１７に対する剥離強度が１Ｎ以下であり、導電型半導体層１７から機械剥離可能となっている。

　続いて、太陽電池パネル１の製造に好適に使用できる製造装置２０１について説明する。

　製造装置２０１は、図２のように、クラスター構造を持つ半導体製造装置であり、第１クラスター部２０２と、第２クラスター部２０３を備えている。

（第１クラスター部２０２）
　第１クラスター部２０２は、第１移送部２１０を中心として、搬入部２１１と、第１製膜部２１２と、第２製膜部２１３と、第３製膜部２１４と、第１連結部２１８と、第１仮置部２１７と、第１機械剥離部２１６と、第１レジスト層形成部２１５とが周方向に並んでいる。
　第１移送部２１０は、搬入部２１１と、製膜部２１２～２１４と、第１連結部２１８と、第１仮置部２１７と、第１機械剥離部２１６と、第１レジスト層形成部２１５間を相互に基材を移送する移送手段である。
　搬入部２１１は、外部から半導体基板１０を第１クラスター部２０２内に搬入する部位である。
　第１製膜部２１２は、プラズマＣＶＤ装置を備え、受光側半導体層１１及び反射防止層１２を製膜する部位である。
　第２製膜部２１３は、プラズマＣＶＤ装置を備え、第１真性半導体層１６及び第１導電型半導体層１７を製膜する部位である。
　第３製膜部２１４は、プラズマＣＶＤ装置を備え、第２真性半導体層２０及び第２導電型半導体層２１を製膜する部位である。
　第１レジスト層形成部２１５は、機械剥離が可能な半導体用レジスト材料を塗布可能な塗布装置を備えており、所定のパターンのレジスト層１５，１８を形成する部位である。
　第１レジスト層形成部２１５は、レジスト材料を所定のパターンに塗布可能な印刷装置と、塗布されたレジスト材料に対して紫外線を照射可能な紫外線照射装置と、塗布されたレジスト材料を加熱する加熱装置を備えている。
　第１機械剥離部２１６は、機械剥離装置を備え、レジスト層１５，１８を基板から機械剥離する機械剥離部である。
　第１仮置部２１７は、第１移送部２１０で移送する基材を一時的に仮置きする部位であり、下流側の工程が滞っている場合に基板を受け取ることが可能となっている。
　第１連結部２１８は、第２クラスター部２０３と連結され、第１クラスター部２０２から第２クラスター部２０３に製膜済みの基板を搬出する部位である。

（第２クラスター部２０３）
　第２クラスター部２０３は、図２のように、第２移送部２２０を中心として、第２連結部２２１と、第２レジスト層形成部２２２と、透明電極層形成部２２３と、金属電極層形成部２２４と、搬出部２２７と、第２仮置部２２６と、第２機械剥離部２２５とが周方向に並んでいる。
　第２連結部２２１は、第１クラスター部２０２の第１連結部２１８と連結され、第１クラスター部２０２から搬出された基板を第２クラスター部２０３内に搬入する部位である。
　第２レジスト層形成部２２２は、機械剥離が可能な電極用レジスト材料を塗布可能な塗布装置を備えており、所定のパターンの電極用レジスト層２２を形成する部位である。
　第２レジスト層形成部２２２は、レジスト材料を所定のパターンに塗布可能な印刷装置と、塗布されたレジスト材料に対して紫外線を照射可能な紫外線照射装置と、塗布されたレジスト材料を加熱する加熱装置を備えている。
　透明電極層形成部２２３は、スパッタ装置を備え、透明電極層２３を製膜する製膜部である。
　金属電極層形成部２２４は、真空蒸着装置を備え、金属電極層２５を製膜する金属電極層形成部である。
　第２機械剥離部２２５は、機械剥離装置を備え、電極用レジスト層２２を基板から機械剥離する機械剥離部である。
　第２仮置部２２６は、第２移送部２２０で移送する基板を一時的に仮置きする部位であり、下流側の工程が滞っている場合に基板を受け取ることが可能となっている。
　搬出部２２７は、製膜済みの太陽電池パネル１を第２クラスター部２０３から外部に搬出する部位である。

　続いて、本実施形態の製造装置２０１を用いた太陽電池パネル１の製造方法について説明する。

　まず、半導体基板１０を第１クラスター部２０２の搬入部２１１から搬入し、第１移送部２１０によって第１製膜部２１２に半導体基板１０を移送する。そして、図３（ａ）のように第１製膜部２１２において半導体基板１０の第２主面３１上に受光側半導体層１１を製膜し（受光側半導体層形成工程）、さらに受光側半導体層１１上に反射防止層１２を製膜する（反射防止層形成工程）。

　続いて、第１移送部２１０によって第１製膜部２１２から第１レジスト層形成部２１５に受光側半導体層１１及び反射防止層１２が積層された基板を移送し、図３（ｂ）のように第１レジスト層形成部２１５において半導体基板１０の第１主面３０上に所定のパターンの第１レジスト層１５（第２半導体用レジスト層）を製膜する（第１レジスト層形成工程，第２半導体用レジスト層形成工程）。

　このとき形成される第１レジスト層１５は、耐熱性を有し、半導体層１６，１７の製膜時において形状を維持できるものである。
　第１レジスト層１５は、機械剥離が可能なレジスト層であり、外力が加わると半導体基板１０から剥がすことが可能となっている。
　第１レジスト層１５は、半導体基板１０に対する剥離強度が１Ｎ以下のレジスト層であることが好ましい。
　また、第１レジスト層１５は、必要に応じて半導体基板１０の面方向において他の部分に対して張り出した張出部を形成してもよい。
　本実施形態の第１レジスト層１５を構成するレジスト材料には紫外線硬化樹脂及び／又は熱硬化樹脂が使用されており、本実施形態では、レジスト材料に紫外線の照射及び／又は加熱することで第１レジスト層１５を形成する。

　続いて、第１移送部２１０によって第１レジスト層形成部２１５から第２製膜部２１３に第１レジスト層１５が形成された基板を移送し、図３（ｃ）のように、第２製膜部２１３において半導体基板１０上から第１レジスト層１５上に跨って第１真性半導体層１６を製膜し（第１真性半導体層形成工程）、さらに第１真性半導体層１６上に第１導電型半導体層１７を製膜する（第１導電型半導体層形成工程）。

　このとき、第１レジスト層１５において張出部を形成した場合には、第１レジスト層１５の張出部を半導体層１６，１７から露出させることが好ましい。

　続いて、第１移送部２１０によって第２製膜部２１３から第１機械剥離部２１６に半導体層１６，１７が形成された基板を移送し、図４（ａ）のように、第１機械剥離部２１６において第１レジスト層１５を半導体基板１０から機械剥離し、半導体基板１０を基準として第１レジスト層１５の外側に位置し、第１レジスト層１５が下地となる第１真性半導体層１６の一部及び第１導電型半導体層１７の一部を剥離して除去する（第１除去工程，第２剥離工程）。
　具体的には、第１機械剥離部２１６によって第１レジスト層１５を半導体基板１０上から捲って第１レジスト層１５上の第１真性半導体層１６の一部及び第１導電型半導体層１７の一部を剥がす。

　このとき、第１レジスト層１５は、図４（ａ）のように、全て剥がされず、残渣として一部が第１真性半導体層１６と半導体基板１０との間に留まって境界側絶縁層３８ａが形成される。すなわち、第１真性半導体層１６は、端面の一部が第１レジスト層１５で覆われている。
　また、第１レジスト層１５において張出部を形成した場合には、半導体層１６，１７から露出した張出部から第１レジスト層１５を捲ることによって機械剥離することが好ましい。こうすることで、半導体層１６，１７が機械剥離の際に傷つきにくくなる。

　続いて、第１移送部２１０によって第１機械剥離部２１６から第１レジスト層形成部２１５に第１レジスト層１５が除去された基板を移送し、図４（ｂ）のように第１レジスト層形成部２１５において、第１レジスト層１５による除去により残った第１導電型半導体層１７上に第２レジスト層１８（第１半導体用レジスト層）を形成する（第２レジスト層形成工程，第１半導体用レジスト層形成工程）。

　このとき形成される第２レジスト層１８は、第１レジスト層１５と同様、耐熱性を有し、半導体層２０，２１の製膜時において形状を維持できるものである。
　第２レジスト層１８は、機械剥離が可能なレジスト層であり、外力が加わると第１導電型半導体層１７から剥がすことが可能となっている。
　第２レジスト層１８は、第１導電型半導体層１７に対する剥離強度が１Ｎ以下のレジスト層であることが好ましい。
　第２レジスト層１８は、第１導電型半導体層１７上からはみ出るように形成されており、半導体基板１０上に跨っている。すなわち、第２レジスト層１８は、第１導電型半導体層１７上から側面（端面）にかけて覆っており、さらに第１レジスト層１５、第１真性半導体層１６、及び第１導電型半導体層１７の側面（端面）を覆っている。このように第１真性半導体層１６及び第１導電型半導体層１７は、第２レジスト層１８によって保護されている。
　また、第２レジスト層１８は、必要に応じて半導体基板１０の面方向において他の部分に対して張り出した張出部を形成してもよい。
　本実施形態の第２レジスト層１８を構成するレジスト材料には紫外線硬化樹脂及び／又は熱硬化樹脂が使用されており、本実施形態では、レジスト材料に紫外線の照射及び／又は加熱することで第２レジスト層１８を形成する。

　続いて、第１移送部２１０によって第１レジスト層形成部２１５から第３製膜部２１４に第２レジスト層１８が形成された基板を移送し、図４（ｃ）のように第３製膜部２１４において半導体基板１０上から第２レジスト層１８上に跨って第２真性半導体層２０を形成し（第２真性半導体層形成工程）、さらに第２真性半導体層２０上に第２導電型半導体層２１を形成する（第２導電型半導体層形成工程）。

　このとき、第１真性半導体層１６及び第１導電型半導体層１７は、第２レジスト層１８によって覆われているため、第２真性半導体層２０及び第２導電型半導体層２１と接触しない。
　また、第２レジスト層１８において張出部を形成した場合には、第２レジスト層１８の張出部を半導体層２０，２１から露出させることが好ましい。

　続いて、第１移送部２１０によって第３製膜部２１４から第１機械剥離部２１６に半導体層２０，２１が形成された基板を移送し、図５（ａ）のように第１機械剥離部２１６において第２レジスト層１８を第１導電型半導体層１７から機械剥離し、半導体基板１０を基準として第２レジスト層１８の外側に位置し、第２レジスト層１８が下地となる第２真性半導体層２０の一部及び第２導電型半導体層２１の一部を剥離して除去し、光電変換基板２を形成する（第２除去工程，第１剥離工程）。
　具体的には、第１機械剥離部２１６によって第２レジスト層１８を第１導電型半導体層１７上から捲って第２レジスト層１８上の第２真性半導体層２０の一部及び第２導電型半導体層２１の一部を剥がす。

　このとき、第２レジスト層１８は、図５（ａ）のように、全て剥がされず、残渣として一部が第１真性半導体層１６と第２真性半導体層２０の界面、及び第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１との界面に留まって境界側絶縁層３８ｂが形成される。すなわち、第１真性半導体層１６と第２真性半導体層２０の界面、及び第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１との界面には、レジスト層１５，１８で構成される境界側絶縁層３８ａ，３８ｂが位置しており、第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１は、境界側絶縁層３８ａ，３８ｂによって電気的に絶縁されている。
　また、第２レジスト層１８において張出部を形成した場合には、半導体層２０，２１から露出した張出部から第２レジスト層１８を捲ることによって機械剥離することが好ましい。こうすることで、半導体層２０，２１が機械剥離の際に傷つきにくくなる。

　続いて、第１移送部２１０によって第１機械剥離部２１６から第１連結部２１８に光電変換基板２を移送し、第１クラスター部２０２の第１連結部２１８から第２クラスター部２０３の第２連結部２２１に光電変換基板２を移送する。

　第２連結部２２１に光電変換基板２が移送されると、第２移送部２２０によって第２連結部２２１から第２レジスト層形成部２２２に光電変換基板２を移送する。そして、図５（ｂ）のように第２レジスト層形成部２２２において、光電変換基板２の第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１の境界部分において第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１に跨って電極用レジスト層２２を形成する（電極用レジスト層形成工程）。

　このとき形成される電極用レジスト層２２は、耐熱性を有し、機械剥離が可能なレジスト層であり、外力が加わると剥がれるものである。
　電極用レジスト層２２は、光電変換基板２に対する剥離強度が１Ｎ以下のレジスト層であり、具体的には、第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１のそれぞれに対する剥離強度が１Ｎ以下であることが好ましい。
　電極用レジスト層２２は、第２真性半導体層２０及び第２導電型半導体層２１の端面を覆っている。
　また、電極用レジスト層２２は、必要に応じて半導体基板１０の面方向において他の部分に対して張り出した張出部を形成してもよい。
　本実施形態の電極用レジスト層２２を構成するレジスト材料には紫外線硬化樹脂及び／又は熱硬化樹脂が使用されており、本実施形態では、レジスト材料に紫外線の照射及び／又は加熱することで電極用レジスト層２２を形成する。

　続いて、第２移送部２２０によって第２レジスト層形成部２２２から透明電極層形成部２２３に電極用レジスト層２２が形成された基板を移送し、図５（ｃ）のように透明電極層形成部２２３において、第１導電型半導体層１７、電極用レジスト層２２、第２導電型半導体層２１に跨って透明電極層２３を形成する（透明電極層形成工程）。

　このとき、電極用レジスト層２２において張出部を形成した場合には、電極用レジスト層２２の張出部を透明電極層２３から露出させることが好ましい。

　続いて、第２移送部２２０によって透明電極層形成部２２３から金属電極層形成部２２４に透明電極層２３が形成された基板を移送し、図６（ａ）のように、透明電極層２３上に金属電極層２５を形成する（金属電極層形成工程）。

　このとき、電極用レジスト層２２において張出部を形成した場合には、電極用レジスト層２２の張出部を金属電極層２５から露出させることが好ましい。

　続いて、第２移送部２２０によって金属電極層形成部２２４から第２機械剥離部２２５に金属電極層２５が形成された基板を移送し、図６（ｂ）のように、第２機械剥離部２２５において電極用レジスト層２２を基板から機械剥離し、半導体基板１０を基準として電極用レジスト層２２の外側に位置し、電極用レジスト層２２が下地となる透明電極層２３の一部及び金属電極層２５の一部を剥離し除去する（電極剥離工程）。
　具体的には、第２機械剥離部２２５によって電極用レジスト層２２を基板上から捲って電極用レジスト層２２上の透明電極層２３の一部及び金属電極層２５の一部を剥がす。

　このとき、電極用レジスト層２２が剥離されることによって短絡防止溝７，８が形成される。また、短絡防止溝７，８によって透明電極層２３及び金属電極層２５が複数に分割されて第１領域３５と第２領域３６に区画され、第１電極層３と第２電極層５が形成される。電極用レジスト層２２は全てが剥がれず、残渣として一部が透明電極層２３の内側に留まって溝側絶縁層４０が形成され、溝側絶縁層４０が短絡防止溝７，８の内壁の一部を構成する。具体的には、溝側絶縁層４０は、第１導電型半導体層１７で構成される底部から電極層３，５までの内壁を構成している。
　また、電極用レジスト層２２において張出部を形成した場合には、電極層２３，２５から露出した張出部から電極用レジスト層２２を捲ることによって機械剥離することが好ましい。こうすることで、電極層２３，２５が機械剥離の際に傷つきにくくなる。

　続いて、第２移送部２２０によって第２機械剥離部２２５から搬出部２２７に電極用レジスト層２２が除去された基板を移送し、搬出部２２７から第２クラスター部２０３の外部に排出する。

　そして、必要に応じてインターコネクタ等の配線部材を電極層３，５に取り付けて太陽電池パネル１が完成する。

　本実施形態の太陽電池パネル１の製造方法によれば、電極用レジスト層２２を剥がして透明電極層２３及び金属電極層２５の一部を剥離し、透明電極層２３及び金属電極層２５のパターニングを行うので、エッチング液を使用せずとも透明電極層２３及び金属電極層２５のパターニングができる。
　また、本実施形態の太陽電池パネル１の製造方法によれば、透明電極層２３を溶解して透明電極層２３のパターニングを行わないので、エッチング液によって溶解しにくいタングステンドープ酸化インジウムを含む透明電極層２３であってもパターニング可能である。

　本実施形態の太陽電池パネル１の製造方法によれば、レジスト層１５，１８を剥がして半導体層１６，１７，２０，２１の一部を剥離し、半導体層１６，１７，２０，２１のパターニングを行うので、エッチング液を使用せずとも半導体層１６，１７，２０，２１のパターニングができる。

　本実施形態の太陽電池パネル１によれば、第１電極層３と第２電極層５との境界部分に短絡防止溝７，８が形成されているため、電極層３，５間で接触することによる短絡を防止できる。

　本実施形態の太陽電池パネル１によれば、境界側絶縁層３８ａ，３８ｂが第１導電型半導体層１７の端面を覆っており、溝側絶縁層４０が第２導電型半導体層２１の端面を覆っている。そのため、第１導電型半導体層１７の端面が第２導電型半導体層２１と接触すること、及び第２導電型半導体層２１の端面が第１導電型半導体層１７と接触することを防止できる。

　本実施形態の製造装置２０１によれば、第２機械剥離部２２５を備えているため、電極用レジスト層２２を剥離しやすい。

　続いて、本発明の第２実施形態の太陽電池パネル３０１について説明する。なお、第１実施形態の太陽電池パネル１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。以下、同様とする。

　本実施形態の太陽電池パネル３０１は、図７のように、光電変換基板３０２の受光側主面３０６上に第１電極層３０３が形成され、裏側主面３０７上に第２電極層３０５が形成された両面電極型の太陽電池パネルである。

　光電変換基板３０２は、図７（ｂ）のように、半導体基板１０の第１主面３０側に第１真性半導体層１６、第１導電型半導体層１７がこの順に積層されており、第２主面３１側に第２真性半導体層２０、第２導電型半導体層２１がこの順に積層されている。
　第１電極層３０３は、光電変換基板３０２を基準として受光側主面３０６側に設けられる電極層であり、透明電極層２３ａと、金属電極層２５ａで構成されている。
　第２電極層３０５は、光電変換基板３０２を基準として裏側主面３０７側に設けられる電極層であり、透明電極層２３ｂと、金属電極層２５ｂで構成されている。

　太陽電池パネル３０１は、図７（ａ）のように、透明電極層２３ａ，２３ｂが光電変換基板３０２の主面３０６，３０７全体を覆っており、さらに透明電極層２３ａ，２３ｂが光電変換基板３０２の端面３０８，３０９を覆っている。
　具体的には、光電変換基板３０２の端面３０８，３０９は、第１透明電極層２３ａに覆われており、第１透明電極層２３ａの外側から第２透明電極層２３ｂによって覆われている。
　太陽電池パネル３０１は、光電変換基板３０２の端面３０８，３０９と内側の透明電極層２３ａとの間に絶縁層３１０が介在している。

　絶縁層３１０は、電極用レジスト層２２に由来する絶縁性を有した層であり、光電変換基板３０２に対する剥離強度が１Ｎ以下であり、光電変換基板３０２から機械剥離可能となっている。

　太陽電池パネル３０１は、図７（ｂ）のように、端面３０８，３０９に沿って延びた短絡防止溝３３７，３３８を備えている。
　短絡防止溝３３７，３３８は、第１電極層３０３と第２電極層３０５との短絡を防止する溝である。
　短絡防止溝３３７，３３８は、少なくとも第１透明電極層２３ａから第１真性半導体層１６まで深さを持った溝であり、本実施形態では、半導体基板１０を底部とする溝である。

　続いて、太陽電池パネル３０１の製造に好適に使用できる製造装置４０１について説明する。

　製造装置４０１は、図８のように、クラスター構造を持つ半導体装置であり、クラスター部４０２を備えている。
　クラスター部４０２は、第１移送部２１０を中心として、搬入部２１１と、第２製膜部２１３と、第３製膜部２１４と、透明電極層形成部２２３と、搬出部２２７と、金属電極層形成部４２４と、第２機械剥離部２２５と、第２レジスト層形成部２２２とが周方向に並んでいる。
　金属電極層形成部４２４は、印刷装置を備え、導電性ペーストによって金属電極層２５を製膜する製膜部である。

　続いて、本実施形態の製造装置４０１を用いた太陽電池パネル３０１の製造方法について説明する。

　まず、半導体基板１０を搬入部２１１からクラスター部４０２内に搬入し、第１移送部２１０によってレジスト層形成部２２２に半導体基板１０を移送し、図９（ａ）のようにレジスト層形成部２２２において半導体基板１０の第１主面３０上に所定のパターンのレジスト層２２を製膜する（レジスト層形成工程）。

　このとき、レジスト層２２は、半導体基板１０の端部に設けられ、端面３０８，３０９に沿って延びている。また、レジスト層２２は、半導体基板１０の第１主面３０上から端面３０８，３０９側の一部に跨って設けられている。

　続いて、第１移送部２１０によってレジスト層形成部２２２から第２製膜部２１３にレジスト層２２が形成された基板を移送し、図９（ｂ）のように第２製膜部２１３において半導体基板１０上のレジスト層２２からの露出部分からレジスト層２２上に跨って第１真性半導体層１６を製膜し（第１真性半導体層形成工程）、さらに第１真性半導体層１６上に第１導電型半導体層１７を製膜する（第１導電型半導体層形成工程）。

　このとき、第１真性半導体層１６は、第１主面３０側の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９でもレジスト層２２上に形成されている。
　第１導電型半導体層１７は、第１真性半導体層１６上の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９側でも第１真性半導体層１６上に形成されている。

　続いて、第１移送部２１０によって第２製膜部２１３から第３製膜部２１４に半導体層１６，１７が形成された基板を移送し、図９（ｃ）のように第３製膜部２１４において半導体基板１０の第２主面３１上に第２真性半導体層２０を形成し（第２真性半導体層形成工程）、さらに第２真性半導体層２０上に第２導電型半導体層２１を形成する（第２導電型半導体層形成工程）。

　このとき、第２真性半導体層２０は、第２主面３１側の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９側でも第１導電型半導体層１７上に形成されている。
　第２導電型半導体層２１は、第２真性半導体層２０上の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９側でも第２真性半導体層２０上に形成されている。すなわち、第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１との間には、第２真性半導体層２０が介在している。

　続いて、第１移送部２１０によって第３製膜部２１４から透明電極層形成部２２３に半導体層２０，２１が形成された基板を移送し、図１０（ａ）のように透明電極層形成部２２３において基板の両面に透明電極層２３ａ，２３ｂを形成する（透明電極層形成工程）。すなわち、第１導電型半導体層１７上に透明電極層２３ａを製膜し、第２導電型半導体層２１上に透明電極層２３ｂを製膜する。

　このとき、第１透明電極層２３ａは、第１導電型半導体層１７上の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９側で第２導電型半導体層２１上に形成されている。第２透明電極層２３ｂは、第２導電型半導体層２１上の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９側で第１透明電極層２３ａ上に形成されている。すなわち、透明電極層２３ａ，２３ｂは、端面３０８，３０９側で導通している。

　続いて、第１移送部２１０によって透明電極層形成部２２３から金属電極層形成部４２４に透明電極層２３ａ，２３ｂが形成された基板を移送し、図１０（ｂ）のように金属電極層形成部４２４において透明電極層２３ａ，２３ｂ上に金属電極層２５ａ，２５ｂを形成する（金属電極層形成工程）。

　このとき、第１金属電極層２５ａは、櫛状のパターンで形成されており、所定の方向に延びたバスバー電極部と、バスバー電極部に対する直交方向に延びるフィンガー電極部を構成している。
　第２金属電極層２５ｂは、櫛状のパターンで形成されており、所定の方向に延びたバスバー電極部と、バスバー電極部に対する直交方向に延びるフィンガー電極部を構成している。

　続いて、第１移送部２１０によって金属電極層形成部４２４から第２機械剥離部２２５に金属電極層２５ａ，２５ｂが形成された基板を移送し、図１０（ｃ）のように第２機械剥離部２２５において電極用レジスト層２２を基板から機械剥離する（電極剥離工程）。

　このとき、電極用レジスト層２２が機械剥離されることで、半導体基板１０を基準として電極用レジスト層２２の外側に位置し、かつ電極用レジスト層２２が下地となる半導体層１６，１７の一部及び第１透明電極層２３ａの一部が剥がされて除去され、短絡防止溝３３７，３３８が形成される。
　このとき、端面３０８，３０９では、電極用レジスト層２２が剥がれずに残渣として一部が透明電極層２３ａの内側に留まって絶縁層３１０が形成され、絶縁層３１０が短絡防止溝３３７，３３８の内壁の一部を構成する。

　続いて、第１移送部２１０によって第２機械剥離部２２５から搬出部２２７に電極用レジスト層２２が除去された基板を移送し、搬出部２２７からクラスター部４０２の外部に排出する。

　そして、必要に応じてインターコネクタ等の配線部材を電極層３０３，３０５に取り付けて太陽電池パネル３０１が完成する。

　本実施形態の太陽電池パネル３０１によれば、半導体基板１０の端面３０８，３０９と第１電極層３０３の透明電極層２３ａとの間に絶縁層３１０が介在しており、半導体基板１０を底部とする短絡防止溝３３７，３３８が半導体基板１０の端面３０８，３０９に沿って延びている。そのため、第１電極層３０３と第２電極層３０５との短絡を防止できる。

　続いて、本発明の第３実施形態の太陽電池パネル５０１について説明する。

　本発明の第３実施形態の太陽電池パネル５０１は、図１１（ａ）のように、光電変換基板５０２の裏側主面５７側に第１電極層５０３と第２電極層５０５が形成されたものである。

（光電変換基板５０２）
　光電変換基板５０２は、図１１（ｂ）のように、半導体基板１０の第１主面３０側に半導体層１６，２０，１７，２１を備え、半導体基板１０の第２主面３１側に受光側半導体層１１と、透明導電層５１０と、光入射層５１１を備えている。
　透明導電層５１０は、透明性と導電性を有する層であり、具体的には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）やタングステンドープ酸化インジウム（ＩＷＯ）などの透明導電性酸化物で構成された透明導電性酸化物層である。
　透明導電層５１０のシート抵抗は、１００Ω／ｓｑ以上３００Ω／ｓｑ以下であることが好ましい。
　光入射層５１１は、絶縁性を有し、紫外線の照射及び／又は加熱することでよって硬化する紫外線硬化樹脂及び／又は熱硬化樹脂の樹脂材料で形成されるものである。
　光入射層５１１は、屈折率や外観調整、絶縁性の観点から、樹脂材料として、アクリル樹脂（屈折率が１．４～１．５）などの高透過材料や屈折率が１．７～１．９の高屈折材料を使用することが好ましい。

（電極層５０３，５０５）
　電極層５０３，５０５は、図１１（ａ）のように、それぞれ透明電極層２３と、下地電極層５２０と、金属電極層５２１で構成されている。
　下地電極層５２０は、金属電極層５２１の下地となる層であり、金属電極層５２１の製膜時におけるシード層を構成する層である。
　下地電極層５２０は、導電性を有する導電層であり、具体的には、窒化チタン（ＴｉＮ）などが使用できる。
　金属電極層５２１は、めっき法によって製膜されるめっき層であり、透明電極層２３よりも導電性を有する層である。
　金属電極層５２１は、めっき法で形成できるものであれば、第１実施形態の金属電極層２５と同様のものを使用できる。
　金属電極層５２１は、電解めっき法で形成されていてもよいし、無電解めっき法で形成されていてもよい。

　続いて、太陽電池パネル５０１の製造に好適に使用できる製造装置６０１について説明する。

　製造装置６０１は、図１２のように、クラスター構造を持つ半導体装置であり、クラスター部６０２を備えている。
　クラスター部６０２は、移送部２１０を中心として、搬入部２１１と、第１製膜部６０３と、第２製膜部６０５と、第３製膜部６０６と、機械剥離部２１６と、第４製膜部６０７と、仮置部２１７と、搬出部２２７とが周方向に並んでいる。
　第１製膜部６０３は、各レジスト層１５，１８，２２や光入射層５１１を製膜する部位である。
　第１製膜部６０３は、各レジスト層１５，１８，２２を構成するレジスト材料や光入射層５１１を構成する樹脂材料を所定のパターンに塗布可能な印刷装置と、塗布されたレジスト材料や樹脂材料に対して紫外線を照射可能な紫外線照射装置と、塗布されたレジスト材料や樹脂材料を加熱する加熱装置を備えている。
　第２製膜部６０５は、プラズマＣＶＤ装置を備え、各半導体層１１，１６，２０，１７，２１を製膜する部位である。
　第３製膜部６０６は、スパッタ装置を備え、透明電極層２３、透明導電層５１０、下地電極層５２０、及び金属電極層５２１の一部を製膜する製膜部である。
　第４製膜部６０７は、固相電析法によりめっきを行うスタンプ式のめっき装置を備え、金属電極層５２１の大部分（残部）を製膜する金属電極層形成部である。

　続いて、本実施形態の製造装置６０１を用いた太陽電池パネル５０１の製造方法について説明する。

　まず、半導体基板１０をクラスター部６０２の搬入部２１１から搬入し、移送部２１０によって第１製膜部６０３に半導体基板１０を移送する。そして、図１３（ａ）のように、第１製膜部６０３において半導体基板１０の第１主面３０上に所定のパターンの第１レジスト層１５を製膜する（第１レジスト層形成工程）。

　続いて、移送部２１０によって第１製膜部６０３から第２製膜部６０５に基板を移送する。そして、図１３（ｂ）のように、第２製膜部６０５においてＣＶＤ法にて半導体基板１０上から第１レジスト層１５上に跨って第１真性半導体層１６を製膜し（第１真性半導体層形成工程）、さらに第１真性半導体層１６上に第１導電型半導体層１７を製膜する（第１導電型半導体層形成工程）。またＣＶＤ法にて半導体基板１０の第２主面３１上に受光側半導体層１１を製膜する（受光側半導体層形成工程）。

　続いて、移送部２１０によって第２製膜部６０５から第３製膜部６０６に基板を移送し、図１３（ｃ）のように、第３製膜部６０６において、スパッタ法にて受光側半導体層１１上に透明導電層５１０を製膜する（透明導電層形成工程）。

　続いて、移送部２１０によって第３製膜部６０６から機械剥離部２１６に半導体層１６，１７が形成された基板を移送し、図１４（ａ）のように、機械剥離部２１６において第１レジスト層１５を半導体基板１０から機械剥離し、半導体基板１０を基準として第１レジスト層１５の外側に位置し、第１レジスト層１５が下地となる第１真性半導体層１６の一部及び第１導電型半導体層１７の一部を剥離して除去する（第１除去工程）。

　続いて、移送部２１０によって機械剥離部２１６から第１製膜部６０３に基板を移送し、図１４（ｂ）のように第１製膜部６０３において、残った第１導電型半導体層１７上に第２レジスト層１８を形成する（第２レジスト層形成工程）。

　続いて、移送部２１０によって第１製膜部６０３から第２製膜部６０５に基板を移送し、図１４（ｃ）のように第２製膜部６０５において半導体基板１０上から第２レジスト層１８上に跨って第２真性半導体層２０を形成し（第２真性半導体層形成工程）、さらに第２真性半導体層２０上に第２導電型半導体層２１を形成する（第２導電型半導体層形成工程）。

　続いて、移送部２１０によって第２製膜部６０５から機械剥離部２１６に基板を移送し、図１５（ａ）のように機械剥離部２１６において第２レジスト層１８を第１導電型半導体層１７から機械剥離し、半導体基板１０を基準として第２レジスト層１８の外側に位置し、第２レジスト層１８が下地となる第２真性半導体層２０の一部及び第２導電型半導体層２１の一部を剥離して除去する（第２除去工程）。

　続いて、移送部２１０によって機械剥離部２１６から第１製膜部６０３に基板を移送し、図１５（ｂ）のように第１製膜部６０３において、第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１の境界部分において第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１に跨って電極用レジスト層２２を形成する（電極用レジスト層形成工程）。

　続いて、移送部２１０によって第１製膜部６０３から第３製膜部６０６に基板を移送し、図１５（ｃ）のように第３製膜部６０６において、スパッタ法によって第１導電型半導体層１７、電極用レジスト層２２、及び第２導電型半導体層２１に跨って透明電極層２３を形成する（透明電極層形成工程）。また、第３製膜部６０６においてスパッタ法によって透明電極層２３上にシード層として電極層５２０，５２１を形成する（下地電極層形成工程）。

　続いて、移送部２１０によって第３製膜部６０６から第４製膜部６０７に基板を移送し、図１６（ａ）のように第４製膜部６０７においてめっき法によって金属電極層５２１上にさらに金属電極層５２１を形成する（めっき工程）。

　続いて、移送部２１０によって第４製膜部６０７から機械剥離部２１６に基板を移送し、図１６（ｂ）のように機械剥離部２１６において電極用レジスト層２２を第２導電型半導体層２１から機械剥離し、半導体基板１０を基準として電極用レジスト層２２の外側に位置し、電極用レジスト層２２が下地となる電極層２３，５２０，５２１の一部を剥離し除去する（電極剥離工程）。

　続いて、移送部２１０によって機械剥離部２１６から第１製膜部６０３に基板を移送し、図１６（ｃ）のように第１製膜部６０３において、透明導電層５１０上に光入射層５１１を形成する。

　このとき、光入射層５１１を構成する樹脂材料には紫外線硬化樹脂及び／又は熱硬化樹脂が使用されており、樹脂材料に紫外線の照射及び／又は加熱することで光入射層５１１を形成する。

　続いて、移送部２１０によって第１製膜部６０３から搬出部２２７に基板を移送し、搬出部２２７からクラスター部６０２の外部に排出する。

　そして、必要に応じてインターコネクタ等の配線部材を電極層５０３，５０５に取り付けて太陽電池パネル５０１が完成する。

　上記した第１実施形態では、電極層３，５及び半導体層１６，１７，２０，２１のパターニングをレジスト層１５，１８，２２の機械剥離によって行っていたが、本発明はこれに限定されるものではない。電極層３，５のパターニングのみを電極用レジスト層２２の剥離によって行い、他の半導体層１６，１７，２０，２１のパターニングを他の手法によってパターニングしてもよい。

　上記した第１実施形態では、金属電極層２５を製膜してから電極用レジスト層２２の剥離を行い、透明電極層２３のパターニングを行ったが、本発明はこれに限定されるものではない。電極用レジスト層２２の剥離を行って透明電極層２３のパターニングを行ってから金属電極層２５を製膜してもよい。この場合、金属電極層２５は塗布法や印刷法によって形成されることが好ましい。

　上記した第１実施形態では、短絡防止溝７，８は、第１導電型半導体層１７を底部とするものであったが、本発明はこれに限定されるものではない。短絡防止溝７，８は、図１７のように第２導電型半導体層２１を底部としてもよい。
　この場合、溝側絶縁層４０及び電極用レジスト層２２は、第２導電型半導体層２１に対する剥離強度が１Ｎ以下であり、第２導電型半導体層２１から機械剥離可能となることが好ましい。

　上記した第２実施形態では、第２金属電極層２５ｂは、所定の形状にパターニングされていたが、本発明はこれに限定されるものではない。第２金属電極層２５ｂは、裏側主面３０７全体、すなわち、第２透明電極層２３ｂ全体に形成されていてもよい。

　上記した第２実施形態では、短絡防止溝３３７，３３８は、半導体基板１０の第１主面３０を底部とする溝であったが、本発明はこれに限定されるものではない。短絡防止溝３３７，３３８は、第１真性半導体層１６を底部とする溝であってもよい。

　上記した第２実施形態では、短絡防止溝３３７，３３８は、第１主面３０側に形成していたが、本発明はこれに限定されるものではない。短絡防止溝３３７，３３８は、第２主面３１側に形成してもよい。この場合、短絡防止溝３３７，３３８は、半導体基板１０の第２主面３１を底部とする溝、又は第２真性半導体層２０を底部とする溝であることが好ましい。

　上記した実施形態では、製造装置２０１，４０１，６０１は、クラスター構造を持つ半導体製造装置であったが、本発明はこれに限定されるものではない。製造装置２０１，４０１，６０１は、インライン構造を持つ半導体製造装置であってもよい。

　上記した実施形態は、本発明の技術的範囲に含まれる限り、各実施形態間で各構成部材を自由に置換や付加できる。

　　１，３０１　太陽電池パネル
　　２，３０２　光電変換基板
　　３，３０３　第１電極層
　　５，３０５　第２電極層
　　７，８，３３７，３３８　短絡防止溝
　１０　半導体基板
　１５　第１レジスト層（第２半導体用レジスト層）
　１６　第１真性半導体層
　１７　第１導電型半導体層
　１８　第２レジスト層（第１半導体用レジスト層）
　２０　第２真性半導体層
　２１　第２導電型半導体層
　２２　電極用レジスト層
　２３　透明電極層
２３ａ　第１透明電極層
２３ｂ　第２透明電極層
　３０　第１主面
　３８　境界側絶縁層
　４０　溝側絶縁層
　５７，３０７　裏側主面
２０１，４０１，６０１　製造装置
２１５　第１レジスト層形成部
２１６　第１機械剥離部
２２２　第２レジスト層形成部
２２３　透明電極層形成部
２２４，４２４　金属電極層形成部
２２５　第２機械剥離部
３０８，３０９　端面
３１０　絶縁層

Claims

　光電変換基板上に透明電極層が積層された太陽電池パネルの製造方法であって、
　前記光電変換基板上に所定の形状にパターニングされた電極用レジスト層を形成する電極用レジスト層形成工程と、
　前記光電変換基板と前記電極用レジスト層に跨がって前記透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、
　前記電極用レジスト層を剥がして前記光電変換基板から前記電極用レジスト層上の前記透明電極層を剥離する電極剥離工程と、を含み、
　前記電極用レジスト層は、前記光電変換基板に対する剥離強度が１Ｎ以下である、太陽電池パネルの製造方法。
　前記太陽電池パネルは、前記光電変換基板の裏側主面側に第１電極層と第２電極層が形成されたものであり、
　前記第１電極層と前記第２電極層は、前記透明電極層を含み、
　前記電極剥離工程において前記第１電極層の透明電極層と前記第２電極層の透明電極層とに分割する、請求項１に記載の太陽電池パネルの製造方法。
　前記光電変換基板は、半導体基板の第１主面側に第１導電型半導体層と第２導電型半導体層が隣接して形成されており、
　前記電極用レジスト層形成工程において、前記第１導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層に跨って前記電極用レジスト層を形成する、請求項１又は２に記載の太陽電池パネルの製造方法。
　前記透明電極層は、タングステンドープ酸化インジウムを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の太陽電池パネルの製造方法。
　前記光電変換基板は、半導体基板の第１主面上に第１真性半導体層及び第１導電型半導体層が形成された断面構造と、前記半導体基板の前記第１主面上に第２真性半導体層及び第２導電型半導体層が形成された断面構造を有するものであり、
　前記半導体基板上に第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、
　前記第１真性半導体層上に第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、
　前記第１導電型半導体層上に第１半導体用レジスト層を形成する第１半導体用レジスト層形成工程と、
　前記半導体基板上から前記第１半導体用レジスト層上に跨って第２真性半導体層を形成する第２真性半導体層形成工程と、
　前記第２真性半導体層上に第２導電型半導体層を形成する第２導電型半導体層形成工程と、
　前記第１半導体用レジスト層を剥がして前記第１導電型半導体層から前記第１半導体用レジスト層上の前記第２真性半導体層及び前記第２導電型半導体層を剥離する第１剥離工程を含み、
　前記第１半導体用レジスト層は、前記第１導電型半導体層に対する剥離強度が１Ｎ以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の太陽電池パネルの製造方法。
　前記半導体基板上に第２半導体用レジスト層を形成する第２半導体用レジスト層形成工程と、
　前記半導体基板上から前記第２半導体用レジスト層上に跨って第１真性半導体層を形成する前記第１真性半導体層形成工程と、
　前記第２半導体用レジスト層を剥がして前記半導体基板から前記第２半導体用レジスト層上の前記第１真性半導体層及び前記第１導電型半導体層を剥離する第２剥離工程を含み、
　前記第２半導体用レジスト層は、前記半導体基板に対する剥離強度が１Ｎ以下である、請求項５に記載の太陽電池パネルの製造方法。
　光電変換基板の裏側主面上に第１電極層と第２電極層が積層された太陽電池パネルであって、
　前記光電変換基板は、半導体基板の第１主面側に第１導電型半導体層と第２導電型半導体層が隣接して形成されており、
　前記第１電極層は、前記第１導電型半導体層上に積層されており、
　前記第２電極層は、前記第２導電型半導体層上に積層されており、
　前記第１電極層と前記第２電極層とを切り離す短絡防止溝を有し、
　前記短絡防止溝は、前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層を底部とする溝であって、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の境界部分に沿って延びており、
　前記短絡防止溝は、内壁の一部に溝側絶縁層を備えており、
　前記溝側絶縁層は、前記短絡防止溝の底部を構成する前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層に対する剥離強度が１Ｎ以下である、太陽電池パネル。
　前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層の境界部分に境界側絶縁層を有し、
　前記境界側絶縁層は、前記第１導電型半導体層の端面を覆っており、
　前記溝側絶縁層は、前記第２導電型半導体層の端面を覆っている、請求項７に記載の太陽電池パネル。
　光電変換基板の裏側主面上に第１電極層と第２電極層が積層された太陽電池パネルであって、
　前記光電変換基板は、半導体基板の第１主面側に第１導電型半導体層と第２導電型半導体層が隣接して形成されており、
　前記第１電極層は、前記第１導電型半導体層上に積層されており、
　前記第２電極層は、前記第２導電型半導体層上に積層されており、
　前記第１電極層と前記第２電極層とを切り離す短絡防止溝を有し、
　前記短絡防止溝は、前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層を底部とする溝であって、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の境界部分に沿って延びており、
　前記短絡防止溝は、内壁の一部に溝側絶縁層を備えており、
　前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層の境界部分に境界側絶縁層を有し、
　前記境界側絶縁層は、前記第１導電型半導体層の端面を覆っており、
　前記溝側絶縁層は、前記第２導電型半導体層の端面を覆っている、太陽電池パネル。
　光電変換基板の第１主面上に第１電極層が積層され、第２主面上に第２電極層が積層された太陽電池パネルであって、
　前記光電変換基板は、半導体基板と真性半導体層を含み、
　前記第１電極層は、前記光電変換基板の前記第１主面側から端面側の一部に跨がって積層されており、
　前記第２電極層は、前記光電変換基板の前記第２主面側から前記端面側の一部に跨がって積層され、前記端面側で前記第１電極層の一部を覆っており、
　前記半導体基板の端面と前記第１電極層の間に絶縁層が介在しており、
　前記絶縁層は、前記半導体基板に対する剥離強度が１Ｎ以下であり、
　前記第１電極層から前記半導体基板に向かって深さをもち、前記半導体基板又は前記真性半導体層を底部とする短絡防止溝を有し、
　前記短絡防止溝は、前記端面に沿って延び、内壁の一部が前記絶縁層で構成されている、太陽電池パネル。
　前記第１電極層は、タングステンドープ酸化インジウムを含む透明電極層を備える、請求項７～１０のいずれか１項に記載の太陽電池パネル。
　光電変換基板に対する剥離強度が１Ｎ以下である電極用レジスト層を使用して、前記光電変換基板上に透明電極層を形成する太陽電池パネルの製造装置であって、
　前記光電変換基板上に所定のパターンの電極用レジスト層を形成するレジスト層形成部と、
　前記光電変換基板上から前記電極用レジスト層に跨って透明電極層を製膜する透明電極層形成部と、
　前記光電変換基板から前記電極用レジスト層を機械剥離する機械剥離部を備える、太陽電池パネルの製造装置。
　半導体基板の第１主面上に第１真性半導体層及び第１導電型半導体層が形成された断面構造と、前記半導体基板の前記第１主面上に第２真性半導体層及び第２導電型半導体層が形成された断面構造を有する光電変換基板の製造方法であって、
　前記半導体基板上に第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、
　前記第１真性半導体層上に第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、
　前記第１導電型半導体層上に第１半導体用レジスト層を形成する第１半導体用レジスト層形成工程と、
　前記半導体基板上から前記第１半導体用レジスト層上に跨って第２真性半導体層を形成する第２真性半導体層形成工程と、
　前記第２真性半導体層上に第２導電型半導体層を形成する第２導電型半導体層形成工程と、
　前記第１半導体用レジスト層を剥がして前記第１導電型半導体層から前記第１半導体用レジスト層上の前記第２真性半導体層及び前記第２導電型半導体層を剥離する第１剥離工程を含み、
　前記第１半導体用レジスト層は、前記第１導電型半導体層に対する剥離強度が１Ｎ以下である、光電変換基板の製造方法。
　半導体基板の第１主面上に第１真性半導体層及び第１導電型半導体層が形成された断面構造と、前記半導体基板の前記第１主面上に第２真性半導体層及び第２導電型半導体層が形成された断面構造を有する光電変換基板の製造方法であって、
　前記半導体基板上に第２半導体用レジスト層を形成する第２半導体用レジスト層形成工程と、
　前記半導体基板上から前記第２半導体用レジスト層上に跨って第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、
　前記第１真性半導体層上に前記第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、
　前記第２半導体用レジスト層を剥がして前記半導体基板から前記第２半導体用レジスト層上の前記第１真性半導体層及び前記第１導電型半導体層を剥離する第２剥離工程を含み、
　前記第２半導体用レジスト層は、前記半導体基板に対する剥離強度が１Ｎ以下である、光電変換基板の製造方法。