WO2022208933A1 - 半導体装置、変速機の制御装置、電子制御装置の制御方法 - Google Patents

Abstract

スイッチング電源回路とドライバ回路を混載する半導体装置において、半導体装置全体での電力損失を低減しつつ、バッテリ端子断線時にもドライバ回路による適切な制御が可能な省電力かつ高信頼な半導体装置を提供することにある。バッテリ電源に接続される第１の端子と、前記第１の端子から入力されるバッテリ電圧を降圧するスイッチング電源回路と、前記バッテリ電源とは異なるスイッチング電源に接続される第２の端子と、前記第２の端子から入力される電圧を降圧するレギュレータ回路と、前記レギュレータ回路に接続されるプリドライバ回路と、を備えることを特徴とする。

Description

半導体装置、変速機の制御装置、電子制御装置の制御方法

　本発明は、半導体装置の構成とその制御に係り、特に、省電力化及び小型軽量化が要求される車載電子制御装置に搭載される半導体装置に適用して有効な技術に関する。

　自動車の環境規制の強化に伴い、パワートレインシステムは一層の効率化が求められている。一方、より高度な電子制御を実現するため、パワートレインシステムに搭載される電子制御装置（Electronic Control Unit：ECU）やセンサ、アクチュエータは増加し続け、システムの複雑化が進んでおり、小型軽量化も重要な課題となっている。

　自動車に搭載される電子制御装置には、例えば、バッテリ電圧を用いてソレノイドバルブなどのアクチュエータ（負荷）を半導体素子により駆動する負荷駆動装置が搭載されている。

　本技術分野の背景技術として、例えば、特許文献１のような技術がある。特許文献１には、「第一の降圧レギュレータ１１は、バッテリ電圧からDC１２Vの安定化電圧を生成するリニアレギュレータで、スピーカーやオーディオアンプ等が高圧側負荷３０として接続されている車載電源装置」が開示されている。（特許文献１の図３及び段落［００１９］等）

特開２００９－１５３８０号公報

　上記特許文献１に記載の装置は、オーディオアンプ等の高圧側負荷が未使用時においては電力消費が抑えられるが、動作時においては負荷を駆動するための電圧（例えばバッテリ電圧と同じく１２Vとする）にてアンプやその他のドライバ等を動作させる構成となっている。

　このような構成において、例えばアンプ回路は通常半導体チップ上に構成された集積回路（Integrated Circuit：IC）が用いられるが、この集積回路は全て１２Vで供給された電力を消費して動作する。

　ところで、アンプ等を構成する電子回路としては、１２Vのような高い電圧が必要となる箇所は、実際は負荷を駆動するための出力部分だけで良い場合がある。その他のアンプ回路として動作させるために必須となる基準電流源や電圧源、あるいは入力信号を受けるためのインタフェース部等においては、例えば５Vなどといった低電圧で十分な場合があり、低電圧で動作可能な回路部においては、無駄に電力を損失していた。

　すなわち、同じ消費電流であれば、１２Vで動作させる場合は、５Vで動作させる場合に比べて２．４倍の電力消費を必要とした。

　この様な無駄な電力消費については、特に負荷を駆動するためのアンプやその他のドライバ等が高機能になる程顕著になる。例えば、アンプやドライバ回路が負荷へ出力するアナログ電流量を検出する機能を備える場合には、上記に加えて電流検出用のアナログ回路等が追加されるためである。そして、この損失は熱として消費されるため、放熱構造が余計に大型化するといった問題がある。

　また、例えば変速機の制御装置においては、高圧側負荷としてソレノイドバルブ及びソレノイドドライバがある。一般に、変速機の機械部品は油圧回路によって、ギアのかみ合わせや、無段階変速におけるプーリ幅の調整などが行われており、ソレノイドバルブは、その油圧の制御に用いられる。そして、ソレノイドドライバは、電流出力によりソレノイドバルブを制御している。

　このため、ソレノイドドライバの出力制御は、変速比の制御と直接関係している。また、低圧側負荷として、ソレノイドドライバの出力電流量を、車速やエンジン回転数などから最適な変速比を計算して求めるために、マイクロコンピュータ（マイコン）が専用の半導体チップとして用いられる。

　このような変速機の制御装置において、例えば、バッテリ端子の断線等で、電源電圧がマイコンの動作保証範囲を下回った場合には、ソレノイドドライバ出力が不定とならないように、マイコンは強制リセット状態にせざるを得ない。このとき、マイコンのリセットに伴いソレノイドドライバ出力は即時遮断されるが、車両が走行不能に陥らないように、油圧回路の機械的なフェールセーフ機能によって、ある特定の変速比に固定されるといった安全処置がとられる。しかしながら、急峻な変速比の変更は、変速ショックが発生する恐れがある。

　そこで、本発明の目的は、スイッチング電源回路とドライバ回路を混載する半導体装置において、半導体装置全体での電力損失を低減しつつ、バッテリ端子断線時にもドライバ回路による適切な制御が可能な省電力かつ高信頼な半導体装置及びそれを用いた変速機の制御装置、電子制御装置の制御方法を提供することにある。

　上記課題を解決するために、本発明は、バッテリ電源に接続される第１の端子と、前記第１の端子から入力されるバッテリ電圧を降圧するスイッチング電源回路と、前記バッテリ電源とは異なるスイッチング電源に接続される第２の端子と、前記第２の端子から入力される電圧を降圧するレギュレータ回路と、前記レギュレータ回路に接続されるプリドライバ回路と、を備えることを特徴とする。

　また、本発明は、上記の半導体装置を用いた変速機の制御装置であって、前記プリドライバ回路により前記変速機の電磁コイルを駆動制御することを特徴とする。

　また、本発明は、スイッチング電源回路とドライバ回路を混載する半導体装置を搭載した電子制御装置の制御方法であって、前記ドライバ回路は、前記スイッチング電源回路の出力電力により制御されることを特徴とする。

　本発明によれば、スイッチング電源回路とドライバ回路を混載する半導体装置において、半導体装置全体での電力損失を低減しつつ、バッテリ端子断線時にもドライバ回路による適切な制御が可能な省電力かつ高信頼な半導体装置及びそれを用いた変速機の制御装置、電子制御装置の制御方法を実現することができる。

　これにより、車載電子制御装置の省電力化及び小型軽量化、高信頼化に寄与できる。

　上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。

本発明の実施例１に係る半導体装置の概略構成を示す図である。 図１の選択回路の概略構成を示す図である。 本発明の実施例１に係る変速機の制御装置の概略構成を示す図である。 本発明の実施例１に係る第１の端子断線時の選択切り替え動作を示すタイミングチャートである。 本発明の実施例２に係る選択回路の概略構成を示す図である。 本発明の実施例２に係る第１の端子断線時の選択切り替え動作を示すタイミングチャートである。 本発明の実施例３に係る選択回路の概略構成を示す図である。 本発明の実施例３に係る停止処理の書き換え動作を示すタイミングチャートである。

　以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。なお、各図面において同一の構成については同一の符号を付し、重複する部分についてはその詳細な説明は省略する。

　図１から図４を参照して、本発明の実施例１の半導体装置及びそれを用いた変速機の制御装置、電子制御装置の制御方法について説明する。図１は、本実施例の半導体装置の概略構成を示す図である。図２は、図１の選択回路の概略構成を示す図である。図３は、本実施例の変速機の制御装置の概略構成を示す図である。図４は、本実施例における第１の端子断線時の選択切り替え動作を示すタイミングチャートである。

　本実施例の半導体装置１０は、図１に示す様に、周辺との入出力ブロックとして第１のスイッチング電源２０１と、ドライバ出力（出力段１，出力段２）８０１と、通信回路１４０１と、レギュレータ制御回路１３０１を備えており、さらに、これらを動作させるために、内部電源１（１２０１）と、ロジック（logic）１５０１と、第２のレギュレータ４０１と、プリドライバ（プリドライバ１，プリドライバ２）７０１と、選択回路５０１と、停止処理記憶部６０１を備える。

　第１のスイッチング電源２０１は、スイッチング方式のレギュレータ回路の電力スイッチであって、第１の端子１０１とスイッチング出力端子９０１間の導通と非導通を制御する。

　通信回路１４０１は、半導体装置１０の外部との通信を行う回路であり、通信端子１００１を持つ。

　レギュレータ制御回路１３０１は、FET外付けのリニアレギュレータであり、外付けFETのレギュレータ制御端子１１０１を持つ。

　ロジック（logic）１５０１は、通常動作時における各種ブロックの設定値の保持、及び通信回路１４０１を介した外部からの入力信号を各ブロックに分配する事ができる。

　内部電源１（１２０１）は、第１の端子１０１の電圧を降圧して、例えば５Vといった低圧の内部電源を生成するレギュレータ回路であって、内部の電源配線１２１０を通じて第１のスイッチング電源２０１と通信回路１４０１とレギュレータ制御回路１３０１とロジック（logic）１５０１に電力を供給する。

　ドライバ出力（出力段１，出力段２）８０１は、ソレノイドバルブに電流を供給するためのソレノイドドライバの出力段であり、ドライバ出力Hi端子１６０１とドライバ出力端子１６０２の間、及びドライバ出力Lo端子１６０３とドライバ出力端子１６０２の間を、排他的に導通制御させることと、双方を遮断させることができる。

　プリドライバ（プリドライバ１，プリドライバ２）７０１は、ドライバ出力（出力段１，出力段２）８０１の導通を制御し、また、出力を検出するための回路部であり、ドライバ出力（出力段１，出力段２）８０１よりも低い電圧で動作可能な回路部である。

　停止処理記憶部６０１は、異常発生時の停止処理を記憶するブロックである。停止処理は、例えば、現在の出力電流量から段階的に低下させることや、複数のドライバ出力を持つ場合には、遮断する順番を決める。

　第２のレギュレータ４０１は、第２の端子３０１の電圧を降圧して、例えば５Vといった低圧の内部電源を生成するレギュレータ回路であって、内部の電源配線４１０を通じてプリドライバ（プリドライバ１，プリドライバ２）７０１と選択回路５０１と停止処理記憶部６０１に電力を供給する。

　ここで、選択回路５０１について、図２を用いて説明する。

　選択回路５０１は、選択信号２００１により、ロジック（logic）１５０１と停止処理記憶部６０１のいずれか一方をプリドライバ７０１と接続するための選択回路である。

　例えば、選択信号２００１がLoレベルであれば、ロジック（logic）１５０１を介して通信回路１４０１からのドライバへの入力信号がプリドライバ７０１へと伝達され、ドライバ出力（出力段）８０１が制御される。逆に、選択信号２００１がHiレベルであれば、停止処理記憶部６０１に記憶された処理が順次プリドライバ７０１に入力され、ドライバ出力（出力段）８０１が制御される。

　ここで、選択信号２００１は、例えば第１の端子１０１の電圧である。

　次に、図３を用いて、本実施例の半導体装置１０を用いた制御装置の例として、変速機の制御装置２０について説明する。

　変速機の制御装置２０は、上述した半導体装置１０と、マイコン３０を備える。また、スイッチング電源を構成する素子として、インダクタンス素子L（４０）と、ダイオードD（６０）、及びキャパシタC（５０）とを備える。また、リニアレギュレータを構成する素子としてFET（７０）を備える。また、半導体装置１０のプリドライバ７０１により変速機の電磁コイル（ソレノイドバルブ３９）を駆動制御する。

　第１の端子１０１は、バッテリに接続されており、バッテリから１２Vの電圧が供給される。第２の端子３０１は、降圧型スイッチング電源の出力電圧と接続されている。

　ここで、スイッチング電源の出力電圧は、例えば６Vといった値に設定する。

　マイコン３０の電源は、例えば５Vであって、レギュレータ制御端子１１０１により制御されたFET（７０）を介して供給される。

　ドライバ出力Hi端子１６０１はバッテリからの電圧が供給され、ドライバ出力Lo端子１６０３はグランド電位が接続され、ドライバ出力端子１６０２はソレノイドバルブ３９と接続される。

　半導体装置１０は、通信端子１００１を介してマイコン３０からの制御信号を受け付けており、通常時において、マイコン３０は、I/O（３４）を介して受け取る車速やエンジン回転数などの情報を基に、ドライバ出力端子１６０２から駆動電力を出力し、ソレノイドバルブ３９を制御する。

　次に、図４を用いて、上記の構成において、第１の端子１０１が断線故障した場合の動作を説明する。

　図４において、時刻ｔ１で第１の端子１０１が断線した場合を想定する。

　時刻ｔ１までは、第１の端子１０１にはバッテリ電圧が供給されており、したがって、選択信号２００１はHiレベルであり、ドライバ出力電流はマイコン３０からの通信信号によって制御されている。

　時刻ｔ１にて断線が発生すると、スイッチング電源動作により第１の端子１０１の電圧は引き抜かれ低下する。

　時刻ｔ２にて、第１の端子１０１の電圧が選択回路５０１の判定閾値を下回った時点で、選択回路５０１は停止処理記憶部６０１に切り替わり、停止処理を開始する。また、スイッチング電源のダイオードD（６０）とLCフィルタ（インダクタンス素子L（４０）及びキャパシタC（５０））により、第１の端子１０１の電圧低下より遅れてスイッチング電源の出力電圧、すなわち第２の端子３０１の電圧が低下し始める。

　時刻ｔ３にて、スイッチング電源出力の低下に伴い、マイコン３０がリセット状態に置かれる。このとき、既にドライバ出力は停止処理が開始しており、停止処理が継続する。また、マイコン３０のリセット状態は、マイコン３０の消費電流が低下するため、第２の端子３０１の電圧の低下は緩やかになる。

　時刻ｔ４にて、第２の端子３０１の電圧が、第２のレギュレータ４０１の動作下限を下回ると、ドライバは遮断する。

　ドライバ回路などの回路は、半導体チップ上に形成されたMetal Oxide Semiconductor（MOS）構造やBipolar Junction Transistor（BJT）などのトランジスタで構成されるが、これらは耐電圧を高める程素子面積が増加する。例えば、MOSであればLaterally double Diffused MOS（LDMOS）と呼ばれる構造が用いられることがあるが、LDMOSはドレイン端子側のドリフト領域を広げ、ゲートから離すことで耐圧をもたせており、さらに個別に絶縁膜で分離が必要になるため、同じゲート長のMOSに対して面積が大きくなる。

　第１の端子１０１に接続される内部電源１（１２０１）の場合、バッテリ電圧に耐える必要があるため、LDMOSを使う必要があるが、第２の端子３０１に接続される第２のレギュレータ４０１においては、第１のスイッチング電源２０１にて降圧された後の電圧が入力となるため、内部電源１（１２０１）で用いるLDMOSよりもドリフト領域を短くすることや、あるいは通常のMOS構造を用いることができる。

　上記の様に、半導体装置１０に６V程度とバッテリ電圧よりも低い電圧が供給される第２の端子３０１によりドライバ回路を動作させることによって、バッテリ電圧が供給される第１の端子１０１を用いるよりもプリドライバ回路の損失を低減することができ、このとき第２のレギュレータ４０１は比較的面積の小さい素子で構成可能であることから、面積の縮小が可能となる。

　さらに、第１の端子１０１が断線した場合でも、ある程度の停止処理を実施することができる。

　以上説明したように、本実施例の半導体装置１０は、バッテリ電源に接続される第１の端子１０１と、第１の端子１０１から入力されるバッテリ電圧を降圧するスイッチング電源回路（第１のスイッチング電源２０１）と、バッテリ電源とは異なるスイッチング電源（インダクタンス素子L（４０），キャパシタC（５０），ダイオードD（６０））に接続される第２の端子３０１と、第２の端子３０１から入力される電圧を降圧するレギュレータ回路（第２のレギュレータ４０１）と、レギュレータ回路（第２のレギュレータ４０１）に接続されるプリドライバ回路（プリドライバ７０１）と、を備えて構成されている。

　また、通常動作時における各ブロックの設定値の保持および通信回路を介した外部からの入力信号の各ブロックへの分配を行うロジック回路（ロジック１５０１）と、異常発生時の停止処理フローを記憶する停止処理記憶部６０１と、外部からの選択信号２００１によりロジック回路（ロジック１５０１）と停止処理記憶部６０１のいずれか一方をプリドライバ回路（プリドライバ７０１）と接続する選択回路５０１と、を有し、選択回路５０１は、第１の端子１０１の電圧が所定の電圧を下回った場合に、停止処理記憶部６０１に予め記憶させた停止処理フローに基づきプリドライバ回路（プリドライバ７０１）を停止させる。

　また、第１の端子１０１の電圧が所定の電圧を下回った場合に、半導体装置１０を制御するマイコン３０への電源供給を停止する停止信号を出力する。

　これにより、スイッチング電源回路とドライバ回路を混載する半導体装置において、半導体装置全体での電力損失を低減しつつ、バッテリ端子断線時にもドライバ回路による適切な制御が可能となる。

　なお、図示しないが、半導体装置１０にパワートランジスタ等の出力トランジスタをさらに混載し、プリドライバ回路（プリドライバ７０１）が出力トランジスタを制御して、１つの電圧設定で絶対値の等しい正負両電圧を出力するトラッキングレギュレータとして機能するように構成してもよい。

　また、パワートランジスタ等の出力トランジスタを半導体装置１０とは別に配置し、プリドライバ回路が外付けの出力トランジスタを駆動制御するように構成してもよい。

　いずれの場合も、電力損失を低減することができる。

　図５及び図６を参照して、本発明の実施例２の半導体装置、及び電子制御装置の制御方法について説明する。図５は、本実施例の選択回路の概略構成を示す図である。図６は、本実施例における第１の端子断線時の選択切り替え動作を示すタイミングチャートである。

　本実施例の選択回路は、図５に示す様に、実施例１（図２）の選択回路の構成に加えて、レギュレータ制御回路１３０１の起動・停止を切り替える選択回路５０２と、レギュレータ制御回路１３０１を停止させるための停止処理記憶部６０２をさらに備える。

　選択回路５０２は、選択信号２００１がHiの時にはロジック（logic）１５０１により起動・停止処理が行われ、Loの時には停止処理記憶部６０２に従い停止する。

　図６を用いて、上記の構成において、第１の端子１０１が断線故障した場合の動作を説明する。

　図６において、時刻ｔ１で第１の端子１０１が断線した場合を想定する。

　時刻ｔ１までは、第１の端子１０１にはバッテリ電圧が供給されており、したがって、選択信号２００１はHiレベルであり、ドライバ出力電流はマイコン３０からの通信信号によって制御されている。また、レギュレータ制御端子１１０１はFET（７０）を制御してマイコン３０に電源を供給しており、このときのマイコン消費電流は例えば１００ｍAといった値である。また、プリドライバ７０１への電力供給のため、第２の端子３０１の電流消費は例えば２ｍAといった値である。

　時刻ｔ１にて断線が発生すると、スイッチング電源動作により第１の端子１０１の電圧は引き抜かれ低下する。

　時刻ｔ２にて、第１の端子１０１の電圧が選択回路５０１の判定閾値を下回った時点で、選択回路５０１，５０２はそれぞれ停止処理記憶部６０１，６０２に切り替わり、停止処理を開始する。このとき、レギュレータ制御端子１１０１を停止させてFET（７０）を遮断することで、マイコン３０の消費電流を完全に遮断することができる。

　また、第２の端子３０１の消費電流は、ドライバの停止処理に不必要な機能ブロックを停止させることで抑制することができる。このことにより、第２の端子３０１の電圧の低下はより緩やかになる。

　時刻ｔ５にて、第２の端子３０１の電圧が、第２のレギュレータ４０１の動作下限を下回ると、ドライバは遮断する。

　ここで、時刻ｔ２からｔ５の第２の端子３０１の電圧低下速度は、キャパシタC（５０）と第２の端子３０１の消費電流により決定され、第２の端子３０１の消費電流をIとし、キャパシタC（５０）の容量値をCと置けば、ｄV／ｄｔ＝－I／Cである。

　例えば、I=０．１ｍAであり、C＝１００ｕＦのとき、―１Ｖ／ｓとなる。したがって、この例において、第２の端子３０１の電圧の正常値が６Ｖであり、第２のレギュレータ４０１の動作下限が２Ｖのとき、完全な遮断までに４秒程度の猶予が得られる。

　上記の様に、停止処理中には消費する電流を必要最低限に抑制することができるため、停止処理の猶予時間が拡大できる。

　以上説明したように、本実施例の半導体装置１０は、第２のレギュレータ４０１とは異なる別のレギュレータ回路（レギュレータ制御回路１３０１）と、選択回路５０１とは異なる別の選択回路５０２と、停止処理記憶部６０１とは異なる停止処理記憶部６０２と、を有し、選択回路５０２は、第１の端子１０１の電圧が所定の電圧を下回った場合に、停止処理記憶部６０２に予め記憶させた停止処理フローに基づきレギュレータ制御回路１３０１を停止させる。

　図７及び図８を参照して、本発明の実施例３の半導体装置、及び電子制御装置の制御方法について説明する。図７は、本実施例の選択回路の概略構成を示す図である。図８は、本実施例における停止処理の書き換え動作を示すタイミングチャートである。

　本実施例の選択回路は、図７に示す様に、ドライバの各チャンネル毎に選択回路５０１及び停止処理記憶部６０３を備えており、通信回路１４０１とロジック（logic）１５０１により、停止処理を外部から読み書き可能に構成されている。

　図８を用いて、本実施例による、停止処理記憶部６０３の設定タイミングを説明する。

　図８において、ドライバ出力１と２の２チャンネルのドライバを制御する制御回路を想定する。本実施例において、ドライバ出力１は細かい電流指示により出力電流を制御するリニアソレノイドバルブの駆動に用いられ、ドライバ出力２はＯＮかＯＦＦの２択で電流の駆動制御をおこなうＯＮ／ＯＦＦソレノイドバルブの駆動に用いられる。この例において、ドライバ出力２は、電流を流す（ON）か遮断する（OFF）かに意味があり、細かい電流量を制御する必要が無い。

　半導体装置１０の起動後、時刻ｔ１０までは、各ドライバの停止処理は、初期設定として即時「遮断」することとする。

　時刻ｔ１０において、通信回路１４０１を介して、ドライバ出力１の停止処理の内容を「徐々に遮断」することに切り替える。また、時刻ｔ１１において、同様にドライバ出力２の停止処理の内容はそのまま「遮断」とする。この後、通常動作を行う。

　時刻ｔ２において、選択信号２００１が切り替わると、各ドライバ出力は、各ドライバの停止処理に従い停止処理を実行する。

　上記の様に、通信回路１４０１を介して各ドライバ出力の停止処理を個別に書き換え可能とすることにより、個別の駆動対象について最適な停止処理を設定できる。

　なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。

　１０…半導体装置、２０…変速機の制御装置、３０…マイコン、３１…マイコン電源、３４…I/O、３９…ソレノイドバルブ、４０…インダクタンス素子L、５０…キャパシタC、６０…ダイオードD、７０…FET、１０１…第１の端子、２０１…第１のスイッチング電源、３０１…第２の端子、４０１…第２のレギュレータ、４１０…（第２のレギュレータ出力の）電源配線、５０１，５０２…選択回路、６０１～６０３…停止処理記憶部、７０１…プリドライバ（プリドライバ１，プリドライバ２）、８０１…ドライバ出力（出力段１，出力段２）、９０１…スイッチング出力端子、１００１…通信端子、１１０１…レギュレータ制御端子、１２０１…内部電源１、１２１０…電源配線、１３０１…レギュレータ制御回路、１４０１…通信回路、１５０１…ロジック（logic）、１６０１…ドライバ出力Hi端子、１６０２…ドライバ出力端子、１６０３…ドライバ出力Lo端子、２００１…選択信号。

Claims (12)

1. 　バッテリ電源に接続される第１の端子と、
   　前記第１の端子から入力されるバッテリ電圧を降圧するスイッチング電源回路と、
   　前記バッテリ電源とは異なるスイッチング電源に接続される第２の端子と、
   　前記第２の端子から入力される電圧を降圧するレギュレータ回路と、
   　前記レギュレータ回路に接続されるプリドライバ回路と、
   　を備える半導体装置。
2. 　請求項１に記載の半導体装置であって、
   　通常動作時における各ブロックの設定値の保持および通信回路を介した外部からの入力信号の前記各ブロックへの分配を行うロジック回路と、
   　異常発生時の停止処理フローを記憶する停止処理記憶部と、
   　外部からの選択信号により前記ロジック回路と前記停止処理記憶部のいずれか一方を前記プリドライバ回路と接続する選択回路と、を有し、
   　前記選択回路は、前記第１の端子の電圧が所定の電圧を下回った場合に、前記停止処理記憶部に予め記憶させた停止処理フローに基づき前記プリドライバ回路を停止させる半導体装置。
3. 　請求項１に記載の半導体装置であって、
   　前記スイッチング電源は、インダクタンス素子とダイオードとキャパシタとを有する半導体装置。
4. 　請求項１に記載の半導体装置であって、
   　前記第１の端子の電圧が所定の電圧を下回った場合に、当該半導体装置を制御するマイコンへの電源供給を停止する停止信号を出力する半導体装置。
5. 　請求項２に記載の半導体装置であって、
   　前記停止処理記憶部に記憶された停止処理フローは、前記通信回路を介した外部からの入力信号により書き換え可能である半導体装置。
6. 　請求項２に記載の半導体装置であって、
   　前記レギュレータ回路とは異なる別のレギュレータ回路と、
   　前記選択回路とは異なる別の選択回路と、
   　前記停止処理記憶部とは異なる停止処理記憶部と、を有し、
   　前記別の選択回路は、前記第１の端子の電圧が所定の電圧を下回った場合に、前記別の停止処理記憶部に予め記憶させた停止処理フローに基づき前記別のレギュレータ回路を停止させる半導体装置。
7. 　請求項１に記載の半導体装置であって、
   　出力トランジスタをさらに備え、
   　前記プリドライバ回路は、前記出力トランジスタを制御して、１つの電圧設定で絶対値の等しい正負両電圧を出力するトラッキングレギュレータである半導体装置。
8. 　請求項１に記載の半導体装置であって、
   　前記プリドライバ回路は、外付けの出力トランジスタを駆動制御する駆動回路である半導体装置。
9. 　請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体装置を用いた変速機の制御装置であって、
   　前記プリドライバ回路により前記変速機の電磁コイルを駆動制御する変速機の制御装置。
10. 　スイッチング電源回路とドライバ回路を混載する半導体装置を搭載した電子制御装置の制御方法であって、
    　前記ドライバ回路は、前記スイッチング電源回路の出力電力により制御される電子制御装置の制御方法。
11. 　請求項１０に記載の電子制御装置の制御方法であって、
    　前記スイッチング電源回路の入力電圧が所定の電圧を下回った場合に、停止処理記憶部に予め記憶させた停止処理フローに基づき前記ドライバ回路を停止させる電子制御装置の制御方法。
12. 　請求項１１に記載の電子制御装置の制御方法であって、
    　前記ドライバ回路は、変速機の電磁コイルを駆動制御する電子制御装置の制御方法。

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