WO2022201329A1 - 半導体光集積素子 - Google Patents

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隆彦 進藤
慈 金澤
明晨 陳
泰彰 橋詰
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Definitions

  • the present invention relates to a distributed feedback semiconductor optical integrated device, and more particularly to a semiconductor optical integrated device for monitoring light intensity.
  • DFB lasers have excellent single-wavelength properties.
  • EA-DFB laser semiconductor optical integrated device
  • EA electro-absorption
  • EA-DFB lasers are widely used in high-speed optical communication systems due to the high extinction characteristics and broadband characteristics of EA modulators.
  • a semiconductor optical amplifier (SOA: Semiconductor Optical Amplifier) is monolithically integrated on the same substrate to achieve long-distance transmission.
  • An optical integrated device (AXEL: soa assisted eXtended reach Ea-dfb Laser) is known (see Patent Document 2, for example).
  • an optical transmitter equipped with AXEL when monitoring the light intensity at the position of the light receiving device, which is the premise of the conventional configuration, that is, at the stage after the DFB laser, only the light intensity of the DFB laser can be monitored. Therefore, when the gain of the SOA decreases due to deterioration of the SOA, the phenomenon cannot be detected by the monitor, so the optical intensity of the output light from the optical transmitter cannot be made constant by feedback control.
  • the present invention provides an embodiment of a semiconductor optical integrated device comprising: a DFB laser that outputs continuous light; an EA modulator that modulates the continuous light and outputs modulated light; a first multimode interference coupler that inputs the modulated light from a first input port, splits the modulated light and outputs the modulated light from two or more output ports; and the first multimode interference coupler. and an input port connected to each output of the semiconductor optical amplifiers for amplifying the divided modulated light beams. It is characterized by comprising a second multimode interference coupler that outputs from an output port, and a monitor waveguide connected to the second input port of the first multimode interference coupler.
  • FIG. 1 is a top view showing a configuration example of a semiconductor optical integrated device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of an optical transmitter mounted with an optical semiconductor integrated device
  • FIG. 3 is a top view showing a modification of the semiconductor optical integrated device of the first embodiment
  • FIG. 4 is a top view showing a configuration example of a semiconductor optical integrated device according to a second embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a top view showing a modification of the semiconductor optical integrated device of the second embodiment
  • FIG. 6 is a top view showing a configuration example of a semiconductor optical integrated device according to a third embodiment of the present invention
  • FIG. 7 is a diagram showing another configuration example of an optical transmitter mounted with an optical semiconductor integrated device
  • FIG. 8 is a top view showing a first modification of the semiconductor optical integrated device of the third embodiment
  • FIG. 9 is a top view showing a second modification of the semiconductor optical integrated device of the third embodiment.
  • FIG. 1 shows a configuration example of a semiconductor optical integrated device 100 according to the first embodiment of the present invention.
  • the semiconductor optical integrated device 100 includes a DFB laser 101, an EA modulator 102 connected to the DFB laser, and an input 2-port output N-port 2xN multimode interference coupler (MMI ) 104, N SOAs 103-1 to 103-N connected to each output port of the 2 ⁇ N-MMI 104, waveguides 112-1 to 112-N connected to the output ports of each SOA 103, and waveguide 112 and a monitor waveguide 106 connected to the input port of a 2xN-MMI 104, integrated on a single substrate.
  • MMI multimode interference coupler
  • the continuous light 107 output by the DFB laser 101 is input to the EA modulator 102, modulated by the EA modulator 102, and output as modulated light 108.
  • Modulated light 108 is input to one input port of 2 ⁇ N-MMI 104 , N-divided, and input to SOA 103 connected to each output port of 2 ⁇ N-MMI 104 .
  • the N-divided modulated light 108 is amplified and input to each input port of the Nx1-MMI 105 via the waveguide 112 .
  • each amplified modulated light 109 is combined and output from the output port of the Nx1-MMI to become the output light 110.
  • ASE light Amplified Spontaneous Emission
  • ASE light is output not only in the direction of Nx1-MMI 105 on the output side of SOA 103 but also in the direction of 2xN-MMI 104 on the input side.
  • the ASE light is output to the monitor waveguide 106 connected to the other input port of the 2xN-MMI 104 and output as rear output light 111 . It is known that the change in the optical intensity of the output ASE light is proportional to the gain change of the SOA 103 .
  • FIG. 2 shows a configuration example of an optical transmitter 1100 in which the optical semiconductor integrated device 100 is mounted.
  • (a) is a top view
  • (b) is a side view.
  • FIG. 2(a) shows a configuration example of the optical transmitter 1100 when the optical semiconductor integrated device 100 mounted on the carrier 1101 is viewed from the same viewpoint as in FIG.
  • a carrier 1101 , a high frequency wiring board 1102 and a monitor PD carrier 1104 are mounted on a stem 1103 .
  • the optical semiconductor integrated device 100 is mounted on the carrier 1101 and the monitor PD 1105 is mounted on the monitor PD carrier 1104 .
  • the stem 1103 is provided with DC pins 1106-1 to 1106-3 and a coaxial pin 1107 in a shape penetrating the stem 1103. As shown in FIG.
  • a current or voltage to the DFB laser 101, SOA 103, and monitor PD 1105 of the optical semiconductor integrated device 100 is supplied via a DC pin 1106.
  • a high frequency signal to the EA modulator 102 of the optical semiconductor integrated device 100 is supplied via the coaxial pin 1107 and the high frequency wiring board 1102 .
  • a cap 1111 with a lens 1112 is welded to the stem 1103 on which the optical semiconductor integrated device 100 and the like are mounted, thereby hermetically sealing the optical semiconductor integrated device 100 and the like.
  • Output light 110 from optical semiconductor integrated device 100 is optically coupled via lens 1112 to an optical fiber connected to receptacle 1113 .
  • the output light 110 of the optical transmitter 1100 is emitted from the end surface of the optical semiconductor integrated device 100 in the Z-axis direction.
  • a rear output light 111 from the optical semiconductor integrated device 100 is input to the monitor PD 1105 .
  • a current corresponding to the light intensity of the rear output light 111 input to the monitor PD 1105 is output to the DC pin 1106-1.
  • the light intensity of the ASE light which is the rearward output light 111, changes according to changes in the gain of the SOA 103. Therefore, the current value detected by the monitor PD 1105 is used for feedback control according to the light intensity. conduct. That is, by changing the current applied to the SOA 103, it is possible to keep the light intensity of the output light 110 of the optical transmitter 1100 constant.
  • N is the number of output ports of 2xN-MMI 104 and the number of input ports of Nx1-MMI 105, that is, the number of divisions of modulated light 108
  • N may be a number of 2 or more. If the number of SOAs 103 is large, the gain of each SOA can be small in order to obtain the optical intensity required as the output light 110 of the optical transmitter 1100, which contributes to improving the reliability of the SOAs.
  • FIG. 3 shows a modification of the semiconductor optical integrated device of the first embodiment.
  • an AR (Anti-Reflective) coat 502 is mounted on the output end surface of the monitor waveguide 106 of the optical semiconductor integrated device 500 in order to output the backward output light 111 efficiently.
  • a DBR (Distributed Bragg Reflector) 501 may be formed on the opposite side (minus Z direction) of the continuous light output side of the DFB laser.
  • FIG. 4 shows a configuration example of a semiconductor optical integrated device 200 according to the second embodiment of the present invention.
  • the semiconductor optical integrated device 200 includes a DFB laser 101, an EA modulator 102 connected to the DFB laser, and an input 2-port output N-port 2xN multimode interference coupler (MMI ) 104, N SOAs 103-1 to 103-N connected to each output port of the 2xN-MMI 104, and waveguides 112-1 to 112- including phase adjusters 213 connected to the output ports of each SOA 103.
  • N an input N-port output 1-port Nx1-MMI 105 connected to the waveguide 112, and a monitor waveguide 106 connected to the input port of the 2xN-MMI 104, integrated on a single substrate.
  • the continuous light 107 output by the DFB laser 101 is input to the EA modulator 102, modulated by the EA modulator 102, and output as modulated light 108.
  • Modulated light 108 is input to one input port of 2 ⁇ N-MMI 104 , N-divided, and input to SOA 103 connected to each output port of 2 ⁇ N-MMI 104 .
  • the N-divided modulated light 108 is amplified and input to each input port of the Nx1-MMI 105 via the waveguide 112 including the phase adjuster 213 .
  • the modulated light 108 is given a propagation delay according to the waveguide length of the phase adjustment section 213.
  • each amplified modulated light 109 is combined and output from the output port of the Nx1-MMI, and the component that becomes the output light 110 and the +Z direction boundary of the Nx1-MMI 105 are reflected and guided. and the reflected light 214 returning to the wave path 112 .
  • Part of the reflected light 214 is output to the monitor waveguide 106 via the SOA 103 and 2xN-MMI 104 .
  • ASE light associated with optical amplification is emitted, and is output not only in the direction of the Nx1-MMI 105 on the output side of the SOA 103, but also in the direction of the 2xN-MMI 104 on the input side.
  • ASE light is input to waveguide 106 connected to the other input port of 2xN-MMI 104 .
  • the ASE light and some components of the reflected light 214 are transmitted through the monitoring waveguide 106 and output as the backward output light 111 .
  • a rear output light 111 from the optical semiconductor integrated device 200 is input to the monitor PD 1105 .
  • a current corresponding to the light intensity of the rear output light 111 input to the monitor PD 1105 is output to the DC pin 1106-1.
  • the light intensity of the ASE light which is a component of the backward output light 111, changes according to changes in the gain of the SOA 103, and the light intensity of the reflected light changes according to changes in the output of the DFB laser 101.
  • the current value detected by the monitor PD 1105 is subjected to feedback control according to its light intensity. That is, by changing the current applied to the SOA 103 or the current applied to the DFB laser 101, the light intensity of the output light 110 of the optical transmitter 1100 can be kept constant.
  • N is the number of output ports of 2xN-MMI 104 and the number of input ports of Nx1-MMI 105, that is, the number of divisions of modulated light 108, N may be a number of 2 or more.
  • FIG. 5 shows a modification of the semiconductor optical integrated device of the second embodiment.
  • the difference from the semiconductor optical integrated device 200 is that an AR coat 502 is mounted on the output end surface of the monitor waveguide 106 of the optical semiconductor integrated device 600 in order to efficiently output the backward output light 111.
  • the DBR 501 may be formed on the opposite side (minus Z direction) of the continuous light output side of the DFB laser.
  • FIG. 6 shows a configuration example of a semiconductor optical integrated device 300 according to the third embodiment of the present invention.
  • the semiconductor optical integrated device 300 includes a DFB laser 101, an EA modulator 102 connected to the DFB laser, and an input 2-port output N-port 2xN multimode interference coupler (MMI ) 104, N SOAs 103-1 to 103-N connected to each output port of the 2xN-MMI 104, and waveguides 112-1 to 112- including phase adjusters 213 connected to the output ports of each SOA 103.
  • the continuous light 107 output by the DFB laser 101 is input to the EA modulator 102, modulated by the EA modulator 102, and output as modulated light 108.
  • Modulated light 108 is input to one input port of 2 ⁇ N-MMI 104 , N-divided, and input to SOA 103 connected to each output port of 2 ⁇ N-MMI 104 .
  • the N-divided modulated light 108 is amplified and input to each input port of the N ⁇ 2-MMI 305 via the waveguide 112 including the phase adjuster 213 .
  • the modulated light 108 is given a delay according to the waveguide length of the phase adjustment section 213.
  • each amplified modulated light 109 is combined, output from one output port of the Nx2-MMI 305 to become output light 110, and output from the other output port, output light 301 is divided into the components
  • ASE light accompanying optical amplification is radiated and output not only in the direction of the Nx2-MMI 305 on the output side of the SOA 103, but also in the direction of the 2xN-MMI 104 on the input side.
  • the ASE light is input to the monitoring waveguide 106 connected to the other input port of the 2xN-MMI 104 and output as backward output light 111 .
  • FIG. 7 shows another configuration example of the optical transmitter 1200 in which the optical semiconductor integrated device 300 is mounted.
  • (a) is a top view
  • (b) is a side view.
  • FIG. 7A shows a configuration example of the optical transmitter 1200 when the optical semiconductor integrated device 300 mounted on the wiring board 1201 is viewed from the same viewpoint as in FIG.
  • a monitor PD carrier 1204 mounted with a monitor PD 1205 for receiving the rear output light 111 is fixed on the wiring board 1201 .
  • a current or voltage to the DFB laser 101 , SOA 103 and monitor PD 1205 of the optical semiconductor integrated device 300 is supplied via the wiring substrate 1201 .
  • a high-frequency signal to the EA modulator 102 of the optical semiconductor integrated device 300 is also supplied via the wiring board 1201 .
  • a wiring board 1201 on which the optical semiconductor integrated device 300 and the like are mounted is housed in a package 1211 .
  • Output light 110 from optical semiconductor integrated device 300 is optically coupled via lens 1212 to an optical fiber connected to receptacle 1213 .
  • a monitor PD carrier 12066 on which a monitor PD 1207 for receiving the output light 301 is mounted is fixed to the package 1211 .
  • the light intensity of the ASE light which is the backward output light 111
  • the current value detected by the monitor PD 1205 is used for feedback control according to the light intensity. conduct. That is, by changing the current applied to the SOA 103, it is possible to keep the light intensity of the output light 110 of the optical transmitter 1200 constant.
  • the output light 301 can be used for monitoring.
  • feedback control is performed by dividing the output light 110 and the output light 301 at a division ratio of 9:1 and monitoring the output light 301 with the monitor PD 1207 . That is, by changing the applied current to the DFB laser 101, it is possible to keep the light intensity of the output light 110 of the optical transmitter 1200 constant.
  • the DFB laser 101 and the SOA 103 can be individually feedback-controlled.
  • a circuit for tapping the output light 110 is not required for feedback control of the DFB laser 101, a low-cost optical module can be realized.
  • N is the number of output ports of 2xN-MMI 104 and the number of input ports of Nx2-MMI 305, that is, the number of divisions of modulated light 108, N may be a number of 2 or more.
  • FIG. 8 shows a first modification of the semiconductor optical integrated device of the third embodiment.
  • the difference from the semiconductor optical integrated device 300 is that an AR coat 502 is mounted on the output end face of the monitor waveguide 106 of the optical semiconductor integrated device 700 in order to efficiently output the backward output light 111.
  • the DBR 501 may be formed on the opposite side (minus Z direction) of the continuous light output side of the DFB laser.
  • FIG. 9 shows a second modification of the semiconductor optical integrated device of the third embodiment.
  • a difference from the semiconductor optical integrated device 300 is that a 1 ⁇ N-MMI 404 is used instead of the 2 ⁇ N-MMI 104 .
  • the optical semiconductor integrated device 800 omits monitoring by the backward output light 111 and does not have the monitoring waveguide 106 in order to perform monitoring using the output light 110 or the output light 301 .
  • the number of output ports of 1xN-MMI 404 and the number of input ports of Nx2-MMI 305, that is, the number of divisions of modulated light 108 is N, but N may be any number of 2 or more.

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Abstract

ＤＦＢレーザとＥＡ変調器とＳＯＡとをモノシリックに集積した構成において、ＳＯＡの劣化を検出し、出力光の光強度を一定に保つフィードバック制御を行う。半導体光集積素子（１００）は、連続光を出力するＤＦＢレーザ（１０１）と、前記連続光を変調し、変調光を出力するＥＡ変調器（１０２）と、前記変調光を第１の入力ポートから入力し、前記変調光を分割して２つ以上の出力ポートから出力する第１のマルチモード干渉型カプラ（１０４）と、第１のマルチモード干渉型カプラ（１０４）の各々の出力ポートに接続され、分割された変調光をそれぞれ増幅する半導体光増幅器（１０３）と、半導体光増幅器（１０３）の各々の出力と接続された入力ポートと、増幅された変調光を合波して第１の出力ポートから出力する第２のマルチモード干渉型カプラ（１０５）と、第１のマルチモード干渉型カプラ（１０４）の第２の入力ポートに接続されたモニタ用導波路（１０６）とを備えた。

Description

半導体光集積素子
　本発明は、分布帰還型の半導体光集積素子に関し、特に、光強度をモニタする半導体光集積素子に関する。
　分布帰還型（ＤＦＢ：Distributed FeedBack）レーザは、単一波長性に優れている。その適用形態として、単一の基板上に電界吸収型（ＥＡ：Electro-Absorption）変調器とモノリシックに一体化された半導体光集積素子（ＥＡ－ＤＦＢレーザ）が知られている。ＥＡ－ＤＦＢレーザは、ＥＡ変調器が有する高い消光特性と広帯域性から、高速な光通信システムにおいて幅広く用いられている。
　ＥＡ－ＤＦＢレーザにおいては、システムの安定的な運用のために、出力される光信号の光強度を一定に保つことが望ましい。そこで、光強度をモニタし、モニタされる光強度が一定になるようにＤＦＢレーザに注入する電流をフィードバック制御（ＡＰＣ：Auto Power Control）することが行われてきた（例えば、特許文献１参照）。従来、ＤＦＢレーザとＥＡ変調器とを備える光送信器において、ＤＦＢレーザの光強度をモニタする構成として、ＤＦＢレーザの後方に受光機器を備える構成が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
　さらに、ＥＡ－ＤＦＢレーザの適用形態として、ＤＦＢレーザとＥＡ変調器とに加えて、半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）を同一基板上にモノリシック集積することによって、長距離伝送を実現する半導体光集積素子（ＡＸＥＬ：soa Assisted eXtended reach Ea-dfb Laser）が知られている（例えば、特許文献２参照）。
　ＡＸＥＬを実装した光送信器において、従来の構成が前提としている受光機器の位置、すなわち、ＤＦＢレーザの後段において光強度をモニタする場合、ＤＦＢレーザの光強度のみしかモニタすることができない。従って、ＳＯＡの劣化に伴うＳＯＡの利得が減少した場合、その現象をモニタが検出することができないことから、フィードバック制御によって光送信器の出力光の光強度を一定にすることができない。
　そこで、ＳＯＡの前段において光強度をモニタすることにより、ＳＯＡの劣化に伴うＳＯＡの増幅率の減少を検出することができる。しかしながら、ＳＯＡの前段でモニタする場合、ＳＯＡからの出力光をタップする必要があるため、タップに伴う部材点数の増加に伴うコストアップが生じ、さらには光送信器の出力光の光強度が低下する等のデメリットが発生する。
特許第５６３１７７３号公報 特許第５８２３９２０号公報
　本発明の目的は、ＤＦＢレーザとＥＡ変調器とＳＯＡとをモノリシックに集積した構成において、ＳＯＡの劣化を検出し、出力光の光強度を一定に保つフィードバック制御が可能な半導体光集積素子を提供することにある。
　本発明は、このような目的を達成するために、半導体光集積素子の一実施態様は、連続光を出力するＤＦＢレーザと、前記連続光を変調し、変調光を出力するＥＡ変調器と、前記変調光を第１の入力ポートから入力し、前記変調光を分割して２つ以上の出力ポートから出力する第１のマルチモード干渉型カプラと、前記第１のマルチモード干渉型カプラの各々の出力ポートに接続され、分割された変調光をそれぞれ増幅する半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器の各々の出力と接続された入力ポートと、増幅された変調光を合波して第１の出力ポートから出力する第２のマルチモード干渉型カプラと、前記第１のマルチモード干渉型カプラの第２の入力ポートに接続されたモニタ用導波路とを備えたことを特徴とする。
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる半導体光集積素子の構成例を示す上面図、 図２は、光半導体集積素子を実装した光送信器の構成例を示す図、 図３は、第１の実施形態の半導体光集積素子の変形例を示す上面図、 図４は、本発明の第２の実施形態にかかる半導体光集積素子の構成例を示す上面図、 図５は、第２の実施形態の半導体光集積素子の変形例を示す上面図、 図６は、本発明の第３の実施形態にかかる半導体光集積素子の構成例を示す上面図、 図７は、光半導体集積素子を実装した光送信器の他の構成例を示す図、 図８は、第３の実施形態の半導体光集積素子の第１の変形例を示す上面図、 図９は、第３の実施形態の半導体光集積素子の第２の変形例を示す上面図である。
　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。
　　［第１の実施の形態］
　図１に、本発明の第１の実施形態にかかる半導体光集積素子１００の構成例を示す。半導体光集積素子１００は、ＤＦＢレーザ１０１と、ＤＦＢレーザに接続されたＥＡ変調器１０２と、ＥＡ変調器１０２の出力端に接続された入力２ポート出力Ｎポートの２ｘＮマルチモード干渉型カプラ（ＭＭＩ）１０４と、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の各出力ポートに接続されたＮ個のＳＯＡ１０３－１～１０３－Ｎと、各ＳＯＡ１０３の出力ポートに接続された導波路１１２－１～１１２－Ｎと、導波路１１２に接続された入力Ｎポート出力１ポートのＮｘ１－ＭＭＩ１０５と、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の入力ポートに接続されたモニタ用導波路１０６とを備え、単一の基板上に集積されている。
　ＤＦＢレーザ１０１にて出力された連続光１０７はＥＡ変調器１０２に入力され、ＥＡ変調器１０２にて変調され、変調光１０８として出力される。変調光１０８は２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の一方の入力ポートに入力され、Ｎ分割されて、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の各出力ポートに接続されているＳＯＡ１０３に入力される。ＳＯＡ１０３において、Ｎ分割された変調光１０８は増幅され、導波路１１２を介してＮｘ１－ＭＭＩ１０５の各入力ポートに入力される。Ｎｘ１－ＭＭＩ１０５において、増幅された各変調光１０９は、合波されて、Ｎｘ１－ＭＭＩの出力ポートから出力され、出力光１１０となる。
　ＳＯＡ１０３において、光増幅に伴う自然放射増幅光（ＡＳＥ光：Amplified Spontaneous Emission）と呼ばれる光が放射される。ＡＳＥ光は、ＳＯＡ１０３の出力側にあるＮｘ１－ＭＭＩ１０５のある方向だけでなく、入力側にある２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の方向にも出力される。ＡＳＥ光は、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の他方の入力ポートに接続されているモニタ用導波路１０６に出力され、後方出力光１１１として出力される。出力されるＡＳＥ光の光強度の変化は、ＳＯＡ１０３の利得変化と比例関係にあることが知られている。
　図２に、光半導体集積素子１００を実装した光送信器１１００の構成例を示す。（ａ）は上面図であり、（ｂ）は側面図である。図２（ａ）は、キャリア１１０１上に実装された光半導体集積素子１００を、図１と同一の視点から見た時の光送信器１１００の構成例を示す。ステム１１０３上に、キャリア１１０１、高周波配線基板１１０２、およびモニタＰＤキャリア１１０４が実装されている。キャリア１１０１上には、光半導体集積素子１００が、モニタＰＤキャリア１１０４上にはモニタＰＤ１１０５が実装されている。ステム１１０３には、ＤＣピン１１０６－１～１１０６－３および同軸ピン１１０７が、ステム１１０３を貫通する形状で設けられている。
　光半導体集積素子１００のＤＦＢレーザ１０１、ＳＯＡ１０３、およびモニタＰＤ１１０５への電流もしくは電圧は、ＤＣピン１１０６を経由して供給される。光半導体集積素子１００のＥＡ変調器１０２への高周波信号は、同軸ピン１１０７と高周波配線基板１１０２とを経由して供給される。光半導体集積素子１００等が実装されたステム１１０３に、レンズ１１１２付きのキャップ１１１１が溶接され、光半導体集積素子１００等が密封される。光半導体集積素子１００からの出力光１１０は、レンズ１１１２を介して、レセプタクル１１１３に接続される光ファイバと光学的に結合される。
　光送信器１１００の出力光１１０は、光半導体集積素子１００の端面からＺ軸方向に出射される。光半導体集積素子１００からの後方出力光１１１は、モニタＰＤ１１０５に入力される。モニタＰＤ１１０５に入力された後方出力光１１１の光強度に応じた電流がＤＣピン１１０６－１に出力される。上述したように、後方出力光１１１であるＡＳＥ光の光強度は、ＳＯＡ１０３の利得の変化に応じて変化するので、モニタＰＤ１１０５により検出された電流の値を、その光強度に応じたフィードバック制御を行う。すなわち、ＳＯＡ１０３への印加電流を変化させることにより、光送信器１１００の出力光１１０の光強度を一定に保つことが可能となる。
　なお、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の出力ポート数、およびＮｘ１－ＭＭＩ１０５の入力ポート数、すなわち変調光１０８の分割数をＮとしたが、Ｎは２以上の数であればよい。ＳＯＡ１０３の数が多ければ、光送信器１１００の出力光１１０として必要な光強度を得るために、１つ当たりのＳＯＡの利得は小さくて済み、ＳＯＡの信頼性向上に資することができる。
　図３に、第１の実施形態の半導体光集積素子の変形例を示す。半導体光集積素子１００との相違点は、後方出力光１１１を効率的に出力するために、光半導体集積素子５００のモニタ用導波路１０６の出力端面にＡＲ（Anti-Reflective）コート５０２を実装している点である。さらにＤＦＢレーザ１０１の出力を高出力化するために、ＤＦＢレーザの連続光を出力する側とは反対側（マイナスＺ方向）にＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）５０１を形成してもよい。
　　［第２の実施の形態］
　図４に、本発明の第２の実施形態にかかる半導体光集積素子２００の構成例を示す。半導体光集積素子２００は、ＤＦＢレーザ１０１と、ＤＦＢレーザに接続されたＥＡ変調器１０２と、ＥＡ変調器１０２の出力端に接続された入力２ポート出力Ｎポートの２ｘＮマルチモード干渉型カプラ（ＭＭＩ）１０４と、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の各出力ポートに接続されたＮ個のＳＯＡ１０３－１～１０３－Ｎと、各ＳＯＡ１０３の出力ポートに接続された位相調整部２１３を含む導波路１１２－１～１１２－Ｎと、導波路１１２に接続された入力Ｎポート出力１ポートのＮｘ１－ＭＭＩ１０５と、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の入力ポートに接続されたモニタ用導波路１０６とを備え、単一の基板上に集積されている。
　ＤＦＢレーザ１０１にて出力された連続光１０７はＥＡ変調器１０２に入力され、ＥＡ変調器１０２にて変調され、変調光１０８として出力される。変調光１０８は２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の一方の入力ポートに入力され、Ｎ分割されて、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の各出力ポートに接続されているＳＯＡ１０３に入力される。ＳＯＡ１０３において、Ｎ分割された変調光１０８は増幅され、位相調整部２１３を含む導波路１１２を介してＮｘ１－ＭＭＩ１０５の各入力ポートに入力される。
　位相調整部２１３においては、変調光１０８に位相調整部２１３の導波路長に則した伝搬遅延が付与される。Ｎｘ１－ＭＭＩ１０５において、増幅された各変調光１０９は、合波されて、Ｎｘ１－ＭＭＩの出力ポートから出力され、出力光１１０となる成分と、Ｎｘ１－ＭＭＩ１０５の＋Ｚ方向の境界にて反射し導波路１１２に戻る反射光２１４とに分割される。反射光２１４の一部は、ＳＯＡ１０３、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４を介してモニタ用導波路１０６に出力される。
　ＳＯＡ１０３において、光増幅に伴うＡＳＥ光が放射され、ＳＯＡ１０３の出力側にあるＮｘ１－ＭＭＩ１０５のある方向だけでなく、入力側にある２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の方向にも出力される。ＡＳＥ光は、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の他方の入力ポートに接続されている導波路１０６に入力される。ＡＳＥ光と反射光２１４の一部の成分とは、モニタ用導波路１０６を伝送し、後方出力光１１１として出力される。
　図２に示した光送信器１１００において、光半導体素子１００の代わりに光半導体素子２００を実装することにより、同様の作用効果を奏することができる。光半導体集積素子２００からの後方出力光１１１は、モニタＰＤ１１０５に入力される。モニタＰＤ１１０５に入力された後方出力光１１１の光強度に応じた電流がＤＣピン１１０６－１に出力される。上述したように、後方出力光１１１の成分であるＡＳＥ光の光強度は、ＳＯＡ１０３の利得の変化に応じて変化し、反射光の光強度はＤＦＢレーザ１０１の出力の変化に応じて変化する。モニタＰＤ１１０５により検出された電流の値を、その光強度に応じたフィードバック制御を行う。すなわち、ＳＯＡ１０３への印加電流またはＤＦＢレーザ１０１への印加電流を変化させることにより、光送信器１１００の出力光１１０の光強度を一定に保つことが可能となる。
　なお、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の出力ポート数、およびＮｘ１－ＭＭＩ１０５の入力ポート数、すなわち変調光１０８の分割数をＮとしたが、Ｎは２以上の数であればよい。
　図５に、第２の実施形態の半導体光集積素子の変形例を示す。半導体光集積素子２００との相違点は、後方出力光１１１を効率的に出力するために、光半導体集積素子６００のモニタ用導波路１０６の出力端面にＡＲコート５０２を実装している点である。さらにＤＦＢレーザ１０１の出力を高出力化するために、ＤＦＢレーザの連続光を出力する側とは反対側（マイナスＺ方向）にＤＢＲ５０１を形成してもよい。
［第３の実施の形態］
　図６に、本発明の第３の実施形態にかかる半導体光集積素子３００の構成例を示す。半導体光集積素子３００は、ＤＦＢレーザ１０１と、ＤＦＢレーザに接続されたＥＡ変調器１０２と、ＥＡ変調器１０２の出力端に接続された入力２ポート出力Ｎポートの２ｘＮマルチモード干渉型カプラ（ＭＭＩ）１０４と、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の各出力ポートに接続されたＮ個のＳＯＡ１０３－１～１０３－Ｎと、各ＳＯＡ１０３の出力ポートに接続された位相調整部２１３を含む導波路１１２－１～１１２－Ｎと、導波路１１２に接続された入力Ｎポート出力２ポートのＮｘ２－ＭＭＩ３０５と、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の入力ポートに接続されたモニタ用導波路１０６とを備え、単一の基板上に集積されている。
　ＤＦＢレーザ１０１にて出力された連続光１０７はＥＡ変調器１０２に入力され、ＥＡ変調器１０２にて変調され、変調光１０８として出力される。変調光１０８は２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の一方の入力ポートに入力され、Ｎ分割されて、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の各出力ポートに接続されているＳＯＡ１０３に入力される。ＳＯＡ１０３において、Ｎ分割された変調光１０８は増幅され、位相調整部２１３を含む導波路１１２を介してＮｘ２－ＭＭＩ３０５の各入力ポートに入力される。
　位相調整部２１３においては、変調光１０８に位相調整部２１３の導波路長に則した遅延が付与される。Ｎｘ２－ＭＭＩ３０５において、増幅された各変調光１０９は、合波されて、Ｎｘ２－ＭＭＩ３０５の一方の出力ポートから出力され、出力光１１０となる成分と、他方の出力ポートから出力され、出力光３０１となる成分に分割される。
　ＳＯＡ１０３において、光増幅に伴うＡＳＥ光が放射され、ＳＯＡ１０３の出力側にあるＮｘ２－ＭＭＩ３０５のある方向だけでなく、入力側にある２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の方向にも出力される。ＡＳＥ光は、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の他方の入力ポートに接続されているモニタ用導波路１０６に入力され、後方出力光１１１として出力される。
　図７に、光半導体集積素子３００を実装した光送信器１２００の他の構成例を示す。（ａ）は上面図であり、（ｂ）は側面図である。図７（ａ）は、配線基板１２０１上に実装された光半導体集積素子３００を、図６と同一の視点から見た時の光送信器１２００の構成例を示す。配線基板１２０１上には、後方出力光１１１を受光するモニタＰＤ１２０５が実装されたモニタＰＤキャリア１２０４が固定されている。光半導体集積素子３００のＤＦＢレーザ１０１、ＳＯＡ１０３、およびモニタＰＤ１２０５への電流もしくは電圧は、配線基板１２０１を経由して供給される。光半導体集積素子３００のＥＡ変調器１０２への高周波信号も、配線基板１２０１を経由して供給される。
　光半導体集積素子３００等が実装された配線基板１２０１は、パッケージ１２１１に収容される。光半導体集積素子３００からの出力光１１０は、レンズ１２１２を介して、レセプタクル１２１３に接続される光ファイバと光学的に結合される。また、パッケージ１２１１には、出力光３０１を受光するモニタＰＤ１２０７が実装されたモニタＰＤキャリア１２０６６が固定されている。
　上述したように、後方出力光１１１であるＡＳＥ光の光強度は、ＳＯＡ１０３の利得の変化に応じて変化するので、モニタＰＤ１２０５により検出された電流の値を、その光強度に応じたフィードバック制御を行う。すなわち、ＳＯＡ１０３への印加電流を変化させることにより、光送信器１２００の出力光１１０の光強度を一定に保つことが可能となる。
　また、フィードバック制御において、出力光３０１を使用してモニタを行うこともできる。例えば、出力光１１０と出力光３０１とを９：１の分割比で分割し、出力光３０１をニタＰＤ１２０７によりモニタすることにより、フィードバック制御を行う。すなわち、ＤＦＢレーザ１０１への印加電流を変化させることにより、光送信器１２００の出力光１１０の光強度を一定に保つことが可能となる。第２の実施形態と異なり、ＤＦＢレーザ１０１とＳＯＡ１０３とを個別にフィードバック制御を行うことができる。また、第３の実施形態によれば、ＤＦＢレーザ１０１のフィードバック制御のために、出力光１１０をタップする回路が不要となることから低コストな光モジュールを実現することができる。
　なお、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の出力ポート数、およびＮｘ２－ＭＭＩ３０５の入力ポート数、すなわち変調光１０８の分割数をＮとしたが、Ｎは２以上の数であればよい。
　図８に、第３の実施形態の半導体光集積素子の第１の変形例を示す。半導体光集積素子３００との相違点は、後方出力光１１１を効率的に出力するために、光半導体集積素子７００のモニタ用導波路１０６の出力端面にＡＲコート５０２を実装している点である。さらにＤＦＢレーザ１０１の出力を高出力化するために、ＤＦＢレーザの連続光を出力する側とは反対側（マイナスＺ方向）にＤＢＲ５０１を形成してもよい。
　図９は、第３の実施形態の半導体光集積素子の第２の変形例を示す。半導体光集積素子３００との相違点は、２ｘＮ－ＭＭＩ１０４の代わりに１ｘＮ－ＭＭＩ４０４を用いる点である。光半導体集積素子８００は、後方出力光１１１によるモニタを省略し、出力光１１０または出力光３０１を使用してモニタを行うために、モニタ用導波路１０６を設けていない。なお、１ｘＮ－ＭＭＩ４０４の出力ポート数、およびＮｘ２－ＭＭＩ３０５の入力ポート数、すなわち変調光１０８の分割数をＮとしたが、Ｎは２以上の数であればよい。

Claims (6)

  1. 　連続光を出力するＤＦＢレーザと、
    　前記連続光を変調し、変調光を出力するＥＡ変調器と、
    　前記変調光を第１の入力ポートから入力し、前記変調光を分割して２つ以上の出力ポートから出力する第１のマルチモード干渉型カプラと、
    　前記第１のマルチモード干渉型カプラの各々の出力ポートに接続され、分割された変調光をそれぞれ増幅する半導体光増幅器と、
    　前記半導体光増幅器の各々の出力と接続された入力ポートと、増幅された変調光を合波して第１の出力ポートから出力する第２のマルチモード干渉型カプラと、
    　前記第１のマルチモード干渉型カプラの第２の入力ポートに接続されたモニタ用導波路と
    　を備えたことを特徴とする半導体光集積素子。
  2. 　前記半導体光増幅器の各々の出力と前記第２のマルチモード干渉型カプラの入力ポートとの間を接続する導波路に、伝搬遅延を付与する位相調整部を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体光集積素子。
  3. 　前記第２のマルチモード干渉型カプラは、さらに第２の出力ポートを有し、前記増幅された変調光を合波し、前記第１および前記第２の出力ポートに分割して出力することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体光集積素子。
  4. 　前記モニタ用導波路の出力端面にＡＲコートが実装されていることを特徴とする請求項１、２または３に記載の半導体光集積素子。
  5. 　連続光を出力するＤＦＢレーザと、
    　前記連続光を変調し、変調光を出力するＥＡ変調器と、
    　前記変調光を入力ポートから入力し、前記変調光を分割して２つ以上の出力ポートから出力する第１のマルチモード干渉型カプラと、
    　前記第１のマルチモード干渉型カプラの各々の出力ポートに接続され、分割された変調光をそれぞれ増幅する半導体光増幅器と、
    　前記半導体光増幅器の各々の出力と接続された入力ポートと、増幅された変調光を合波して、２つの出力ポートに分割して出力する第２のマルチモード干渉型カプラと
    　を備えたことを特徴とする半導体光集積素子。
  6. 　前記ＤＦＢレーザの前記連続光を出力する側とは反対側に、ＤＢＲが接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体光集積素子。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08278523A (ja) * 1995-04-05 1996-10-22 Hitachi Ltd 光増幅装置
JP2000012952A (ja) * 1998-04-23 2000-01-14 Nec Corp 半導体光導波路アレイの製造方法及びアレイ構造半導体光素子
JP2002116419A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光変調装置及びその製造方法
US20050025419A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Fish Gregory A. Tunable laser source with monolithically integrated interferometric optical modulator
JP2011109001A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Kyushu Univ 導波路型光フィルター及び半導体レーザー
JP2017156559A (ja) * 2016-03-02 2017-09-07 日本オクラロ株式会社 光送信モジュール
JP2017219668A (ja) * 2016-06-07 2017-12-14 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 波長可変光源
JP2018093443A (ja) * 2016-12-07 2018-06-14 日本電信電話株式会社 光半導体送信器
JP2019004093A (ja) * 2017-06-19 2019-01-10 日本電信電話株式会社 半導体光集積装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08278523A (ja) * 1995-04-05 1996-10-22 Hitachi Ltd 光増幅装置
JP2000012952A (ja) * 1998-04-23 2000-01-14 Nec Corp 半導体光導波路アレイの製造方法及びアレイ構造半導体光素子
JP2002116419A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光変調装置及びその製造方法
US20050025419A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Fish Gregory A. Tunable laser source with monolithically integrated interferometric optical modulator
JP2011109001A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Kyushu Univ 導波路型光フィルター及び半導体レーザー
JP2017156559A (ja) * 2016-03-02 2017-09-07 日本オクラロ株式会社 光送信モジュール
JP2017219668A (ja) * 2016-06-07 2017-12-14 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 波長可変光源
JP2018093443A (ja) * 2016-12-07 2018-06-14 日本電信電話株式会社 光半導体送信器
JP2019004093A (ja) * 2017-06-19 2019-01-10 日本電信電話株式会社 半導体光集積装置

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