JP2018093443A - 光半導体送信器 - Google Patents
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Abstract
【課題】チャネルごとに光パワーの調整が可能な、低消費電力の光半導体送信器を提供する。【解決手段】光半導体送信器は、4チャネルのEA−DFBレーザ3−1〜3−4と、EA−DFBレーザ3−1〜3−4から出力された光のパワーを調整する第1の光パワー調整機構となるSOA4−1〜4−4と、SOA4−1〜4−4から出力された光を合波する光合波器5と、光合波器5から出力された光のパワーを調整する第2の光パワー調整機構となるSOA6とから構成される。【選択図】 図1
Description
本発明は、大容量光通信網の構成要素である複数チャネルの光半導体送信器に関するものである。
図6は従来の4チャネル光半導体送信器の構成を示す図である。4チャネル光半導体送信器は、一定強度の光を発するDFBレーザ(Distributed FeedBack Laser)100−1〜100−4と電界吸収型光変調器(Electro-Absorption Modulator、以下、EA変調器)101−1〜101−4とを1つのチップに集積した4つのEA変調器集積DFBレーザ(以下、EA−DFBレーザ)102−1〜102−4を有する。そして、このEA−DFBレーザ102−1〜102−4からの光を光合波器103によって合波する(非特許文献1参照)。
図6に示した構成では、DFBレーザ100−1〜100−4から出力された光がEA変調器101−1〜101−4によって変調された後、光合波器103を介して一つの光導波路に合波されて出力される。光合波器103による損失があるため、光合波器103から出力される変調光のパワーが低下する。DFBレーザ100−1〜100−4から出力される光のパワーを大きくすることで、変調光のパワーを上げることも可能であるが、その場合はEA変調器101−1〜101−4の吸収電流量が増加するため、EA変調器101−1〜101−4の動作速度が低下し、帯域が劣化するという問題があった。
このような問題に対して、半導体光増幅器(Semiconductor Optical Amplifier:SOA)を用いて光を増幅することで変調光のパワーを上げる方法がある。図7に示す例では、各チャネルのEA変調器101−1〜101−4の後にSOA104−1〜104−4を挿入することでチャネルごとに独立して光を増幅することができる。ただし、この例では、光合波器103による損失を加味して光を増幅する必要があるため、SOA104−1〜104−4に流す電流が増加し、SOA104−1〜104−4の消費電力が大きくなるという問題があった。
一方、図8に示す例では、光合波器103の後にSOA104を挿入しており、光合波器103で減衰した光をSOA104で増幅するため、SOAの消費電力を低減可能である。しかし、この例では、各チャネルの光パワーを独立に制御することができないという問題があった。
S.Kanazawa,T.Fujisawa,A.Ohki,H.Ishii,N.Nunoya,Y.Kawaguchi,N.Fujiwara,K.Takahata,R.Iga,F.Kano,and H.Oohashi,"A compact EADFB laser array module for a future 100-Gbit/s Ethernet transceiver",IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS,vol.17,no.5,pp.1191-1197,Sep.2011
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、チャネルごとに光パワーの調整が可能な、低消費電力の光半導体送信器を提供することを目的とする。
本発明の光半導体送信器は、複数の光送信光源部と、この複数の光送信光源部から出力された光のパワーをそれぞれ調整する複数の第1の光パワー調整機構と、この複数の第1の光パワー調整機構から出力された光を合波する光合波器と、この光合波器から出力された光のパワーを調整する第2の光パワー調整機構とを備えることを特徴とするものである。
また、本発明の光半導体送信器の1構成例において、前記第2の光パワー調整機構は、前記光合波器から出力された光のパワーを、前記光合波器による光の損失を少なくとも補償可能な利得で調整し、前記第1の光パワー調整機構は、前記光送信光源部から出力された光のパワーを、前記第2の光パワー調整機構の利得よりも絶対値が小さい利得の範囲で調整することを特徴とするものである。
また、本発明の光半導体送信器の1構成例において、前記第2の光パワー調整機構は、前記光合波器から出力された光のパワーを、前記光合波器による光の損失を少なくとも補償可能な利得で調整し、前記第1の光パワー調整機構は、前記光送信光源部から出力された光のパワーを、前記第2の光パワー調整機構の利得よりも絶対値が小さい利得の範囲で調整することを特徴とするものである。
また、本発明の光半導体送信器の1構成例において、前記複数の光送信光源部は、一定強度の光を発する複数のDFBレーザと、この複数のDFBレーザから出力された光を、外部から印加される電圧に応じてそれぞれ変調する複数の電界吸収型光変調器とから構成されることを特徴とするものである。
また、本発明の光半導体送信器の1構成例において、前記複数の光送信光源部は、外部から注入される電流に応じて光を変調して出力する複数の直接変調DFBレーザである。
また、本発明の光半導体送信器の1構成例において、前記第1の光パワー調整機構および前記第2の光パワー調整機構は、光半導体増幅器である。
また、本発明の光半導体送信器の1構成例において、前記第1の光パワー調整機構は、電界吸収型光変調器を光減衰器として用いたものであり、前記第2の光パワー調整機構は、光半導体増幅器である。
また、本発明の光半導体送信器の1構成例において、前記複数の光送信光源部は、外部から注入される電流に応じて光を変調して出力する複数の直接変調DFBレーザである。
また、本発明の光半導体送信器の1構成例において、前記第1の光パワー調整機構および前記第2の光パワー調整機構は、光半導体増幅器である。
また、本発明の光半導体送信器の1構成例において、前記第1の光パワー調整機構は、電界吸収型光変調器を光減衰器として用いたものであり、前記第2の光パワー調整機構は、光半導体増幅器である。
本発明によれば、複数の光送信光源部から出力された光のパワーを調整する複数の第1の光パワー調整機構と、光合波器から出力された光のパワーを調整する第2の光パワー調整機構とを設けることにより、チャネルごとに光パワーの調整が可能な、低消費電力の光半導体送信器を実現することができる。
以下に本発明の具体的な実施の形態を例にして説明する。以下の実施の形態は、本発明の効果を示す例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行い得ることは言うまでもない。
[第1の実施の形態]
図1は本発明の第1の実施の形態に係る4チャネル光半導体送信器の構成を示す図である。本実施の形態の4チャネル光半導体送信器は、4チャネルのEA−DFBレーザ3−1〜3−4と、EA−DFBレーザ3−1〜3−4から出力された光を増幅するSOA4−1〜4−4と、SOA4−1〜4−4から出力された光を合波する光合波器5と、光合波器5から出力された光を増幅するSOA6とから構成される。この図1に示した構成は、同一の半導体基板上にモノリシック集積される。
図1は本発明の第1の実施の形態に係る4チャネル光半導体送信器の構成を示す図である。本実施の形態の4チャネル光半導体送信器は、4チャネルのEA−DFBレーザ3−1〜3−4と、EA−DFBレーザ3−1〜3−4から出力された光を増幅するSOA4−1〜4−4と、SOA4−1〜4−4から出力された光を合波する光合波器5と、光合波器5から出力された光を増幅するSOA6とから構成される。この図1に示した構成は、同一の半導体基板上にモノリシック集積される。
光送信光源部となるEA−DFBレーザ3(3−1〜3−4)は、上記のとおり、一定強度の光を発するDFBレーザ1(1−1〜1−4)とEA変調器2(2−1〜2−4)とを1つのチップに集積したものである。4チャネルのDFBレーザ1−1〜1−4の波長は互いに異なる。送信データに応じた電圧を各チャネルのEA変調器2−1〜2−4に印加することで、EA−DFBレーザ3−1〜3−4から出力される光をチャネルごとに強度変調することが可能である。光合波器5の例としては、例えばMMI(Multi-Mode Interference)カプラがある。
本実施の形態では、上記の課題を解決するために、各チャネルのEA変調器2−1〜2−4の後に第1の光パワー調整機構であるSOA4−1〜4−4をチャネルごとに設けるのと同時に、光合波器5の後に第2の光パワー調整機構であるSOA6を設けた構造とする。
SOA4−1〜4−4は、SOA6よりも利得が小さい。すなわち、SOA4−1〜4−4は、光の進行方向の長さがSOA6の長さよりも短い微小な構造を有する。このようなSOA4−1〜4−4に微小な電流を注入する。各SOA4−1〜4−4に注入する電流の量を調整することで、各チャネルの光パワーを個別に微調整することが可能である。すなわち、各チャネルのEA−DFBレーザ3−1〜3−4には、光パワーのばらつきが存在するので、SOA4−1〜4−4を設けることにより、各チャネルの光パワーを例えば同一の値にすることができる。したがって、SOA4−1〜4−4の利得の調整範囲は、EA−DFBレーザ3−1〜3−4のばらつきを調整可能な程度の微量の範囲でよい。
一方、SOA6は、光の進行方向の長さがSOA4−1〜4−4よりも長い。このようなSOA6に、SOA4−1〜4−4の注入電流よりも大きい電流を注入する。このSOA6に注入する電流の量を調整することで、光合波器5から出力された変調光を所望の光出力レベルまで増幅することが可能である。すなわち、SOA6は、光合波器5から出力された光のパワーを、光合波器5による光の損失を少なくとも補償可能な利得で調整する。一方、SOA4−1〜4−4は、EA−DFBレーザ3−1〜3−4から出力された光のパワーを、SOA6の利得よりも小さい利得の範囲で調整する。
本実施の形態では、光合波器5による光損失を補うためのSOA6を1つだけ使用し、SOA4−1〜4−4の利得を低く抑える。本実施の形態では、大きな消費電力のSOA6が1つだけになることにより、図7に示した従来の4チャネル光半導体送信器と比較して、トータルの消費電力を低減することができる。また、本実施の形態では、SOA4−1〜4−4により、各チャネルの光パワーを個別に調整することが可能である。
また、SOA4−1〜4−4,6をDFBレーザ1−1〜1−4と同じ活性層構造とすることで、半導体結晶成長工程を増やすことなく作製できるので、従来型の光半導体送信器と同等の製作難易度で本実施の形態の光半導体送信器を作製可能である。
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図2は本発明の第2の実施の形態に係る4チャネル光半導体送信器の構成を示す図であり、図1と同様の構成には同一の符号を付してある。本実施の形態の4チャネル光半導体送信器は、4チャネルのEA−DFBレーザ3−1〜3−4と、光合波器5と、SOA6と、EA−DFBレーザ3−1〜3−4と光合波器5との間に挿入され、EA−DFBレーザ3−1〜3−4から出力された光を減衰させるEA変調器7−1〜7−4とから構成される。この図2に示した構成は、同一の半導体基板上にモノリシック集積される。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図2は本発明の第2の実施の形態に係る4チャネル光半導体送信器の構成を示す図であり、図1と同様の構成には同一の符号を付してある。本実施の形態の4チャネル光半導体送信器は、4チャネルのEA−DFBレーザ3−1〜3−4と、光合波器5と、SOA6と、EA−DFBレーザ3−1〜3−4と光合波器5との間に挿入され、EA−DFBレーザ3−1〜3−4から出力された光を減衰させるEA変調器7−1〜7−4とから構成される。この図2に示した構成は、同一の半導体基板上にモノリシック集積される。
本実施の形態では、第1の光パワー調整機構としてEA変調器7−1〜7−4を用いている。EA変調器7−1〜7−4は、印加されるバイアス電圧が低い場合には、オープン(オン)状態となり、EA−DFBレーザ3−1〜3−4から入射した光をそのまま出射させる。一方、バイアス電圧が上昇すると、EA変調器7−1〜7−4は、光を吸収する状態となり、EA−DFBレーザ3−1〜3−4から入射した光を減衰させる。したがって、各EA変調器7−1〜7−4に印加するバイアス電圧を調整することで、各チャネルの光パワーを個別に微調整することが可能である。
第1の実施の形態のSOA4−1〜4−4の場合と同様に、EA変調器7−1〜7−4の減衰量の調整範囲は、EA−DFBレーザ3−1〜3−4のばらつきを調整可能な程度の微量の範囲でよい。すなわち、EA変調器7−1〜7−4は、EA−DFBレーザ3−1〜3−4から出力された光のパワーを、SOA6の利得よりも絶対値が小さい利得の範囲で調整する。その他の構成は第1の実施の形態と同様である。
本実施の形態では、EA−DFBレーザ3−1およびEA変調器7−1を用いる経路をチャネル1、EA−DFBレーザ3−2およびEA変調器7−2を用いる経路をチャネル2、EA−DFBレーザ3−3およびEA変調器7−3を用いる経路をチャネル3、EA−DFBレーザ3−4およびEA変調器7−4を用いる経路をチャネル4とする。
本実施の形態において、全てのDFBレーザ1−1〜1−4に注入するバイアス電流を60mA、EA変調器7−1に印加するバイアス電圧を−1.0V、EA変調器7−2に印加するバイアス電圧を−1.3V、EA変調器7−3に印加するバイアス電圧を−1.6V、EA変調器7−4に印加するバイアス電圧を−1.9V、SOA6に注入する電流を150mAとすると、EA変調器7−1〜7−4がオープン状態となり、SOA6から出力される変調光のうち、チャネル1の光のパワーは−0.5dBm、チャネル2の光のパワーは0.1dBm、チャネル3の光のパワーは0.5dBm、チャネル4の光のパワーは0.6dBmであった。
これに対して、DFBレーザ1−1〜1−4に注入する電流とSOA6に注入する電流を上記と同じ条件にした状態で、EA変調器7−1に印加するバイアス電圧を−1.5V、EA変調器7−2に印加するバイアス電圧を−1.4V、EA変調器7−3に印加するバイアス電圧を−1.3V、EA変調器7−4に印加するバイアス電圧を−1.2Vとすることにより、SOA6から出力される変調光の各チャネルで光のパワーを−1.0dBmにすることができる。
図7に示した従来の構成で全てのDFBレーザ100−1〜100−4に注入するバイアス電流を60mA、EA変調器101−1に印加するバイアス電圧を−1.0V、EA変調器101−2に印加するバイアス電圧を−1.3V、EA変調器101−3に印加するバイアス電圧を−1.6V、EA変調器101−4に印加するバイアス電圧を−1.9Vとしたとき、光合波器103から出力される変調光の各チャネルで光のパワーが−1.0dBmとなるようにSOA104−1〜104−4の注入電流を調整した場合、SOA104−1の注入電流は50mA、SOA104−2の注入電流は40mA、SOA104−3の注入電流は38mA、SOA104−4の注入電流は35mAであった。全てのSOA104−1〜104−4の注入電流を足すと163mAとなる。この値は本実施の形態のSOA6の注入電流(150mA)と比較して大きい値である。以上により、本実施の形態の構成で低消費電力な多チャネル光半導体送信器が実現可能であることが示せた。
[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。図3は本発明の第3の実施の形態に係る4チャネル光半導体送信器の構成を示す図であり、図1、図2と同様の構成には同一の符号を付してある。本実施の形態の4チャネル光半導体送信器は、4チャネルの直接変調DFBレーザ8−1〜8−4と、直接変調DFBレーザ8−1〜8−4から出力された光を増幅するSOA4−1〜4−4と、SOA4−1〜4−4から出力された光を合波する光合波器5と、光合波器5から出力された光を増幅するSOA6とから構成される。この図3に示した構成は、同一の半導体基板上にモノリシック集積される。
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。図3は本発明の第3の実施の形態に係る4チャネル光半導体送信器の構成を示す図であり、図1、図2と同様の構成には同一の符号を付してある。本実施の形態の4チャネル光半導体送信器は、4チャネルの直接変調DFBレーザ8−1〜8−4と、直接変調DFBレーザ8−1〜8−4から出力された光を増幅するSOA4−1〜4−4と、SOA4−1〜4−4から出力された光を合波する光合波器5と、光合波器5から出力された光を増幅するSOA6とから構成される。この図3に示した構成は、同一の半導体基板上にモノリシック集積される。
本実施の形態では、光送信光源部として直接変調DFBレーザ8−1〜8−4を用いる。送信データに応じた電流を各チャネルの直接変調DFBレーザ8−1〜8−4に注入することで、チャネルごとに強度変調された光を直接変調DFBレーザ8−1〜8−4から出射させることができる。4チャネルの直接変調DFBレーザ8−1〜8−4の波長は互いに異なる。
また、本実施の形態では、各チャネルの直接変調DFBレーザ8−1〜8−4の後に第1の光パワー調整機構であるSOA4−1〜4−4をチャネルごとに設けるのと同時に、光合波器5の後に第2の光パワー調整機構であるSOA6を設ける。第1の実施の形態と同様に、SOA4−1〜4−4の利得の調整範囲は、直接変調DFBレーザ8−1〜8−4のばらつきを調整可能な程度の微量の範囲でよい。
本実施の形態では、直接変調DFBレーザ8−1およびSOA4−1を用いる経路をチャネル1、直接変調DFBレーザ8−2およびSOA4−2を用いる経路をチャネル2、直接変調DFBレーザ8−3およびSOA4−3を用いる経路をチャネル3、直接変調DFBレーザ8−4およびSOA4−4を用いる経路をチャネル4とする。
本実施の形態において、全ての直接変調DFBレーザ8−1〜8−4に注入するバイアス電流を60mA、SOA4−1に注入する電流を30mA、SOA4−2に注入する電流を35mA、SOA4−3に注入する電流を33mA、SOA4−4に注入する電流を30mA、SOA6に注入する電流を100mAとすると、SOA6から出力される変調光の各チャネルで光のパワーが+5.0dBmとなった。このときのSOA4−1〜4−4,6の注入電流の総量は228mAである。
図4は直接変調DFBレーザ8−1〜8−4を用いる場合の従来の4チャネル光半導体送信器の構成を示す図である。この図4に示した構成において、全ての直接変調DFBレーザ8−1〜8−4に注入するバイアス電流を60mAとして、光合波器103から出力される変調光の各チャネルで光のパワーが+5.0dBmとなるようにSOA104−1〜104−4の注入電流を調整した場合、SOA104−1の注入電流は60mA、SOA104−2の注入電流は70mA、SOA104−3の注入電流は61mA、SOA104−4の注入電流は59mAであった。全てのSOA104−1〜104−4の注入電流を足すと250mAとなる。この値は本実施の形態のSOA4−1〜4−4,6の注入電流の総量(228mA)と比較して大きい値である。
こうして、本実施の形態では、光送信光源部として直接変調DFBレーザを用いる場合においても第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
[第4の実施の形態]
次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。図5は本発明の第4の実施の形態に係る4チャネル光半導体送信器の構成を示す図であり、図1〜図3と同様の構成には同一の符号を付してある。本実施の形態の4チャネル光半導体送信器は、4チャネルの直接変調DFBレーザ8−1〜8−4と、光合波器5と、SOA6と、直接変調DFBレーザ8−1〜8−4と光合波器5との間に挿入され、直接変調DFBレーザ8−1〜8−4から出力された光を減衰させるEA変調器7−1〜7−4とから構成される。この図5に示した構成は、同一の半導体基板上にモノリシック集積される。
次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。図5は本発明の第4の実施の形態に係る4チャネル光半導体送信器の構成を示す図であり、図1〜図3と同様の構成には同一の符号を付してある。本実施の形態の4チャネル光半導体送信器は、4チャネルの直接変調DFBレーザ8−1〜8−4と、光合波器5と、SOA6と、直接変調DFBレーザ8−1〜8−4と光合波器5との間に挿入され、直接変調DFBレーザ8−1〜8−4から出力された光を減衰させるEA変調器7−1〜7−4とから構成される。この図5に示した構成は、同一の半導体基板上にモノリシック集積される。
本実施の形態の4チャネル光半導体送信器は、第3の実施の形態において、SOA4−1〜4−4の代わりにEA変調器7−1〜7−4を用いたものである。各構成要素の動作は第1〜第3の実施の形態で説明したとおりであるので、詳細な説明は省略する。
なお、第1〜第4の実施の形態では、光送信光源部を4つ用いる4チャネルの光半導体送信器を例に挙げて説明しているが、これに限るものではなく、本実施の形態はチャネル数(光送信光源部の数)が2以上の光半導体送信器に適用することができる。
本発明は、光半導体送信器に適用することができる。
1−1〜1−4…DFBレーザ、2−1〜2−4…EA変調器、3−1〜3−4…EA変調器集積DFBレーザ、4−1〜4−4,6…半導体光増幅器、5…光合波器、7−1〜7−4…EA変調器、8−1〜8−4…直接変調DFBレーザ。
Claims (6)
- 複数の光送信光源部と、
この複数の光送信光源部から出力された光のパワーをそれぞれ調整する複数の第1の光パワー調整機構と、
この複数の第1の光パワー調整機構から出力された光を合波する光合波器と、
この光合波器から出力された光のパワーを調整する第2の光パワー調整機構とを備えることを特徴とする光半導体送信器。 - 請求項1記載の光半導体送信器において、
前記第2の光パワー調整機構は、前記光合波器から出力された光のパワーを、前記光合波器による光の損失を少なくとも補償可能な利得で調整し、
前記第1の光パワー調整機構は、前記光送信光源部から出力された光のパワーを、前記第2の光パワー調整機構の利得よりも絶対値が小さい利得の範囲で調整することを特徴とする光半導体送信器。 - 請求項1または2記載の光半導体送信器において、
前記複数の光送信光源部は、
一定強度の光を発する複数のDFBレーザと、
この複数のDFBレーザから出力された光を、外部から印加される電圧に応じてそれぞれ変調する複数の電界吸収型光変調器とから構成されることを特徴とする光半導体送信器。 - 請求項1または2記載の光半導体送信器において、
前記複数の光送信光源部は、外部から注入される電流に応じて光を変調して出力する複数の直接変調DFBレーザであることを特徴とする光半導体送信器。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光半導体送信器において、
前記第1の光パワー調整機構および前記第2の光パワー調整機構は、光半導体増幅器であることを特徴とする光半導体送信器。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光半導体送信器において、
前記第1の光パワー調整機構は、電界吸収型光変調器を光減衰器として用いたものであり、
前記第2の光パワー調整機構は、光半導体増幅器であることを特徴とする光半導体送信器。
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