WO2022166626A1 - 一种电子束辐照增强装置及其使用方法 - Google Patents

一种电子束辐照增强装置及其使用方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022166626A1
WO2022166626A1 PCT/CN2022/073346 CN2022073346W WO2022166626A1 WO 2022166626 A1 WO2022166626 A1 WO 2022166626A1 CN 2022073346 W CN2022073346 W CN 2022073346W WO 2022166626 A1 WO2022166626 A1 WO 2022166626A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electron beam
sample
electrons
electron
beam source
Prior art date
Application number
PCT/CN2022/073346
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
唐志宏
谷胜栋
Original Assignee
湖州超群电子科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 湖州超群电子科技有限公司 filed Critical 湖州超群电子科技有限公司
Publication of WO2022166626A1 publication Critical patent/WO2022166626A1/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/06—Electron sources; Electron guns
    • H01J37/065—Construction of guns or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/10—Lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams

Definitions

  • the invention relates to the technical field of electron beam irradiation enhancement, in particular to an electron beam irradiation enhancement device and a method for using the same.
  • the electron beam is generally obtained by heating the filament, forming a cloud of electrons around the filament, and then using an electric field to accelerate the electrons to be pulled out to form an electron beam.
  • the interaction between electrons and matter is relatively strong, and the free path of electrons in the air is relatively short, so the whole process of the above-mentioned electron beam generation needs to be carried out in a high vacuum.
  • the electron beam needs to pass through a thin film window to the outside of the vacuum for application. In the process of electron beam passing through the vacuum, heat will be deposited, and excessive heat density can easily cause the failure of the window.
  • the electron beam travels through the window from the vacuum to the air, where it travels a certain distance and finally reaches the surface of the object to be applied.
  • the electron beam will react with air, etc., and physical processes such as scattering and ionization will occur.
  • the number of electrons will gradually decrease, and eventually more electrons will be wasted.
  • the traditional approach also includes expanding the irradiation area of the electron beam by adding an electron lens or changing the focusing structure, but increasing the emission area or changing the focusing structure or adding an electron lens will greatly increase the cost and cost of the entire system.
  • the complexity is not friendly to the application of electron beams, and it is obviously unable to meet the needs of people.
  • the present invention provides an electron beam irradiation enhancement device and a method for using the same.
  • An electron beam irradiation enhancement device proposed by the present invention includes an electron beam source and a sample, the sample is located below the electron beam source, the electron beam source includes a fixed shell, and the top outer wall of the fixed shell is provided with a first fixed shell
  • the inner wall of the first fixing hole is provided with a cathode
  • the outer wall of the bottom end of the fixing shell is provided with a second fixing hole
  • the inner wall of the second fixing hole is provided with an anode.
  • a second electrode is arranged below the electron beam source, and a second bias voltage is arranged on the second electrode, and the sample is located inside the second electrode.
  • a linear electron transmission channel is provided below the electron beam source, and the linear electron transmission channel is located between the sample and the electron beam source.
  • a linear shield is arranged below the electron transmission channel, and the sample is located inside the linear shield.
  • both ends of the linear electron transport channel are provided with an electric field, and the voltage value of the electric field is set at 500V to 3000V.
  • a first electrode is arranged below the electron beam source, and a first bias voltage is arranged on the first electrode, the sample is located inside the first electrode, and the sample is located below the linear electron transmission channel .
  • a wave-shaped electron transmission channel is arranged below the electron beam source, and a wave-shaped shielding cover is arranged below the wave-shaped electron transmission channel, and the sample is located inside the wave-shaped shielding cover.
  • a method of using an electron beam irradiation enhancement device comprising the following steps:
  • the electron beam source is basically composed of a cathode and an anode. After the cathode emits electrons, it is accelerated and penetrated through the window on the anode;
  • the wave-shaped electron transmission channel can optimize the incident angle of electrons when the electrons pass through, which increases the number of secondary electrons, and the wave-shaped shield increases The effective area of the electron radiation sample is enlarged, so that more electrons can be bombarded on the sample.
  • the present invention is provided with a linear electron transmission channel, a linear shield, an electric field, a first electrode, a second electrode, a wave electron transmission channel and a wave shield, and passes between the above components.
  • One or more combinations can be used to improve the bombardment effect on the sample by changing the transmission direction of electrons and increasing the yield of electrons.
  • the efficiency of electron utilization can be significantly improved, and the generated electrons can be used to the best of their ability. , the operation is simple, the cost is low, and the waste of electrons is reduced.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of an electron beam irradiation enhancement device and a method of using the same proposed in Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic structural diagram of an electron beam irradiation enhancement device and a method of using the same proposed in Embodiment 2 of the present invention
  • FIG. 3 is a schematic structural diagram of an electron beam irradiation enhancement device and a method of using the same proposed in Embodiment 3 of the present invention
  • FIG. 4 is a schematic structural diagram of an electron beam irradiation enhancement device and a method of using the same proposed in Embodiment 4 of the present invention
  • FIG. 5 is a schematic structural diagram of an electron beam irradiation enhancement device and a method of using the same proposed in Embodiment 5 of the present invention
  • FIG. 6 is a schematic structural diagram of an electron beam irradiation enhancement device and a method of using the same according to Embodiment 6 of the present invention.
  • an electron beam irradiation enhancement device includes an electron beam source 1 and a sample 8, the sample 8 is located below the electron beam source 1, the electron beam source 1 includes a fixed shell, and the top outer wall of the fixed shell is provided with a first A fixing hole, the inner wall of the first fixing hole is provided with a cathode 2, the outer wall of the bottom end of the fixing case is provided with a second fixing hole, and the inner wall of the second fixing hole is provided with an anode 4.
  • a second electrode 16 is arranged below the electron beam source 1 , and a second bias voltage is arranged on the second electrode 16 , and the sample 8 is located inside the second electrode 16 .
  • a method of using an electron beam irradiation enhancement device comprising the following steps:
  • the electron beam source 1 is basically composed of a cathode 2 and an anode 4. After the cathode 2 emits electrons, it is accelerated and penetrated through the window on the anode 4;
  • an electron beam irradiation enhancement device includes an electron beam source 1 and a sample 8, the sample 8 is located below the electron beam source 1, the electron beam source 1 includes a fixed shell, and the top outer wall of the fixed shell is provided with a first A fixing hole, the inner wall of the first fixing hole is provided with a cathode 2, the outer wall of the bottom end of the fixing case is provided with a second fixing hole, and the inner wall of the second fixing hole is provided with an anode 4.
  • a linear electron transmission channel 5 is arranged below the electron beam source 1, and the linear electron transmission channel 5 is located between the sample 8 and the electron beam source 1.
  • a method of using an electron beam irradiation enhancement device comprising the following steps:
  • the electron beam source 1 is basically composed of a cathode 2 and an anode 4. After the cathode 2 emits electrons, it is accelerated and penetrated through the window on the anode 4;
  • the present embodiment further includes a linear shielding cover 9 disposed below the electron transmission channel 5 , and the sample 8 is located inside the linear shielding cover 9 .
  • a method of using an electron beam irradiation enhancement device comprising the following steps:
  • the electron beam source 1 is basically composed of a cathode 2 and an anode 4. After the cathode 2 emits electrons, it is accelerated and penetrated through the window on the anode 4;
  • the present embodiment further includes an electric field 13 disposed at both ends of the linear electron transmission channel 5 , and the voltage value of the electric field 13 is set at 500V to 3000V.
  • a method of using an electron beam irradiation enhancement device comprising the following steps:
  • the electron beam source 1 is basically composed of a cathode 2 and an anode 4. After the cathode 2 emits electrons, it is accelerated and penetrated through the window on the anode 4;
  • the present embodiment further includes a first electrode 15 disposed under the electron beam source 1 , and a first bias voltage 14 is disposed on the first electrode 15 , and the sample 8 is located at the first electrode Inside 15 , the sample 8 is located below the linear electron transport channel 5 .
  • a method of using an electron beam irradiation enhancement device comprising the following steps:
  • the electron beam source 1 is basically composed of a cathode 2 and an anode 4. After the cathode 2 emits electrons, it is accelerated and penetrated through the window on the anode 4;
  • an electron beam irradiation enhancement device includes an electron beam source 1 and a sample 8, the sample 8 is located below the electron beam source 1, the electron beam source 1 includes a fixed shell, and the top outer wall of the fixed shell is provided with a first A fixing hole, the inner wall of the first fixing hole is provided with a cathode 2, the outer wall of the bottom end of the fixing case is provided with a second fixing hole, and the inner wall of the second fixing hole is provided with an anode 4.
  • a wave-shaped electron transmission channel 17 is provided below the electron beam source 1, and a wave-shaped shield 18 is provided below the wave-shaped electron transmission channel 17, and the sample 8 is located inside the wave-shaped shield 18.
  • a method of using an electron beam irradiation enhancement device comprising the following steps:
  • the electron beam source 1 is basically composed of a cathode 2 and an anode 4. After the cathode 2 emits electrons, it is accelerated and penetrated through the window on the anode 4;
  • the wave-shaped electron transmission channel 17 can optimize the incident angle of electrons when the electrons pass through, which increases the number of secondary electrons, and the wave
  • the type shield 18 increases the effective area of the electron irradiating sample, thereby enabling more electrons to bombard the sample 8 .

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

一种电子束辐照增强装置，包括电子束源（1）和样品（8），样品（8）位于电子束源（1）的下方，电子束源（1）包括固定壳，且固定壳的顶部外壁开设有第一固定孔，第一固定孔的内壁设置有阴极（2），固定壳的底端外壁开设有第二固定孔，且第二固定孔的内壁设置有阳极（4）。通过设置有直线型电子传输通道（5）、直线型屏蔽罩（9）、电场（13）、第一电极（15）、第二电极（16）、波浪型电子传输通道（17）和波浪型屏蔽罩（18），通过上述部件之间的一个或者多个组合使用能够以通过改变电子的传输方向和增加电子的产额来提高对样品（8）的轰击效果，相对于现有技术来说，显著提高电子利用效率，使产生的电子物尽其用，操作简单，成本较低，减少了电子的浪费。

Description

一种电子束辐照增强装置及其使用方法 技术领域
本发明涉及电子束辐照增强技术领域，尤其涉及一种电子束辐照增强装置及其使用方法。
背景技术
由于电子与物质相互作用的特性，电子束越来越广泛的应用在工业辐照、科研和消毒灭菌等领域。电子束的获得一般是通过加热灯丝，在灯丝周围形成电子云，然后使用电场加速的方式将电子拉出从而形成电子束。电子与物质相互作用比较强，电子在空气中的自由程比较短，因此上述电子束产生的整个过程需要在高真空中进行。对于一般的应用，电子束需要穿过一层薄膜窗到达真空外部才能进行应用。在电子束穿过真空的过程中，会有热量沉积，过高的热量密度容易造成窗口的失效。因此，提高电子束的利用效率对于整个电子束系统是非常有必要的。电子束穿过窗口从真空到达空气，在空气中传输一段距离最终到达需要应用的物体表面。在整个过程中电子束会与空气等反应，会发生散射、电离等物理过程，在这整个过程中电子数量会逐渐减少，最终会有较多的电子浪费。
传统的做法还包括通过添加电子透镜或改变聚焦结构等方式扩大电子束的照射面积，但是增大发射面积或者改变聚焦结构再或者增加电子透镜的方式都会在很大程度上增加整个系统的成本和复杂度，对电子束的应用并不友好，显然已经无法满足人们的使用需求。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种电子束辐照增强装置及其使用方法。
本发明提出的一种电子束辐照增强装置，包括电子束源和样品，所述样品位于电子束源的下方，所述电子束源包括固定壳，且固定壳的顶部外壁开设有第一固定孔，所述第一固定孔的内壁设置有阴极，所述固定壳的底端外壁开设有第二固定孔，且第二固定孔的内壁设置有阳极。
进一步地，所述电子束源的下方设置有第二电极，且第二电极上设置有第二偏置电压，所述样品位于第二电极的内部。
进一步地，所述电子束源的下方设置有直线型电子传输通道，且直线型电子传输通道位于样品和电子束源之间。
进一步地，所述电子传输通道的下方设置有直线型屏蔽罩，且样品位于直线型屏蔽罩的内部。
进一步地，所述直线型电子传输通道的两端设置有电场，且电场的电压值设定在500V至3000V。
进一步地，所述电子束源的下方设置有第一电极，且第一电极上设置有第一偏置电压，所述样品位于第一电极的内部，所述样品位于直线型电子传输通道的下方。
进一步地，所述电子束源的下方设置有波浪型电子传输通道，且波浪型电子传输通道的下方设置有波浪型屏蔽罩，所述样品位于波浪型屏蔽罩的内部。
一种电子束辐照增强装置的使用方法，包括以下步骤：
S1：电子束源基本由阴极和阳极组成，阴极发射电子后，通过加速，通过阳极上的窗口穿出；
S2：当电子束源的下方为第二电极时，在第二偏置电压的作用下，电子会发生偏转，使得更多的电子轰击到样品上；
S3：当电子束源的下方为直线型电子传输通道时，电子碰撞到通道内壁时候，会激发出二次电子，激发出来的二次电子能够轰击到样品上；
S4：当电子束源的下方为直线型电子传输通道和直线型屏蔽罩时，经过直线型电子传输通道的电子轰击到样品上方向发生改变，当方向发生改变的电子碰撞到直线型屏蔽罩内侧，会再次激发二次电子，二次电子的会有比较大的概率重新轰击到样品的表面；
S5：当电子束源的下方为直线型电子传输通道和电场时，电场能够使得经过直线型电子传输通道的电子数量大幅增加，从而能够使得更多的电子轰击到样品上；
S6：当电子束源的下方为直线型电子传输通道和第一电极时，在第一偏置电压的作用下，直线型电子传输通道内的电子会发生偏转，使得更多的电子轰击到样品上；
S7：当电子束源的下方为波浪型电子传输通道和波浪型屏蔽罩时，波浪型电子传输通道能够在电子经过时优化电子的入射角度，增加了二次电子的数量，波浪型屏蔽罩增大了电子辐射样品的有效面积，从而能够使得更多的电子轰击到样品上。
本发明的有益效果为：本发明通过设置有直线型电子传输通道、 直线型屏蔽罩、电场、第一电极、第二电极、波浪型电子传输通道和波浪型屏蔽罩，通过上述部件之间的一个或者多个组合使用能够以通过改变电子的传输方向和增加电子的产额来提高对样品的轰击效果，相对于现有技术来说，显著提高电子利用效率，使产生的电子物尽其用，操作简单，成本较低，减少了电子的浪费。
附图说明
图1为本发明实施例1提出的一种电子束辐照增强装置及其使用方法的结构示意图；
图2为本发明实施例2提出的一种电子束辐照增强装置及其使用方法的结构示意图；
图3为本发明实施例3提出的一种电子束辐照增强装置及其使用方法的结构示意图；
图4为本发明实施例4提出的一种电子束辐照增强装置及其使用方法的结构示意图；
图5为本发明实施例5提出的一种电子束辐照增强装置及其使用方法的结构示意图；
图6为本发明实施例6提出的一种电子束辐照增强装置及其使用方法的结构示意图。
图中：1、电子束源；2、阴极；4、阳极；5、直线型电子传输通道；8、样品；9、直线型屏蔽罩；13、电场；14、第一偏置电压；15、第一电极；16、第二电极；17、波浪型电子传输通道；18、波浪型屏蔽罩；
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例1
参照图1，一种电子束辐照增强装置，包括电子束源1和样品8，样品8位于电子束源1的下方，电子束源1包括固定壳，且固定壳的顶部外壁开设有第一固定孔，第一固定孔的内壁设置有阴极2，固定壳的底端外壁开设有第二固定孔，且第二固定孔的内壁设置有阳极4。
电子束源1的下方设置有第二电极16，且第二电极16上设置有第二偏置电压，样品8位于第二电极16的内部。
一种电子束辐照增强装置的使用方法，包括以下步骤：
S1：电子束源1基本由阴极2和阳极4组成，阴极2发射电子后，通过加速，通过阳极4上的窗口穿出；
S2：当电子束源1的下方为第二电极16时，在第二偏置电压的作用下，电子会发生偏转，使得更多的电子轰击到样品8上。
实施例2
参照图2，一种电子束辐照增强装置，包括电子束源1和样品8，样品8位于电子束源1的下方，电子束源1包括固定壳，且固定壳的顶部外壁开设有第一固定孔，第一固定孔的内壁设置有阴极2，固定壳的底端外壁开设有第二固定孔，且第二固定孔的内壁设置有阳极4。
电子束源1的下方设置有直线型电子传输通道5，且直线型电子 传输通道5位于样品8和电子束源1之间。
一种电子束辐照增强装置的使用方法，包括以下步骤：
S1：电子束源1基本由阴极2和阳极4组成，阴极2发射电子后，通过加速，通过阳极4上的窗口穿出；
S2:当电子束源1的下方为直线型电子传输通道5时，电子碰撞到通道内壁时候，会激发出二次电子，激发出来的二次电子能够轰击到样品8上。
实施例3
参照图3，本实施例相较于实施例2，还包括电子传输通道5的下方设置有直线型屏蔽罩9，且样品8位于直线型屏蔽罩9的内部。
一种电子束辐照增强装置的使用方法，包括以下步骤：
S1：电子束源1基本由阴极2和阳极4组成，阴极2发射电子后，通过加速，通过阳极4上的窗口穿出；
S2：当电子束源1的下方为直线型电子传输通道5和直线型屏蔽罩9时，经过直线型电子传输通道5的电子轰击到样品8上方向发生改变，当方向发生改变的电子碰撞到直线型屏蔽罩9内侧，会再次激发二次电子，二次电子的会有比较大的概率重新轰击到样品8的表面。
实施例4
参照图4，本实施例相较于实施例2，还包括直线型电子传输通道5的两端设置有电场13，且电场13的电压值设定在500V至3000V。
一种电子束辐照增强装置的使用方法，包括以下步骤：
S1：电子束源1基本由阴极2和阳极4组成，阴极2发射电子后，通过加速，通过阳极4上的窗口穿出；
S2：当电子束源1的下方为直线型电子传输通道5和电场13时，电场13能够使得经过直线型电子传输通道5的电子数量大幅增加，从而能够使得更多的电子轰击到样品8上。
实施例5
参照图5，本实施例相较于实施例2，还包括电子束源1的下方设置有第一电极15，且第一电极15上设置有第一偏置电压14，样品8位于第一电极15的内部，样品8位于直线型电子传输通道5的下方。
一种电子束辐照增强装置的使用方法，包括以下步骤：
S1：电子束源1基本由阴极2和阳极4组成，阴极2发射电子后，通过加速，通过阳极4上的窗口穿出；
S2：当电子束源1的下方为直线型电子传输通道5和第一电极15时，在第一偏置电压14的作用下，直线型电子传输通道5内的电子会发生偏转，使得更多的电子轰击到样品8上。
实施例6：
参照图6，一种电子束辐照增强装置，包括电子束源1和样品8，样品8位于电子束源1的下方，电子束源1包括固定壳，且固定壳的顶部外壁开设有第一固定孔，第一固定孔的内壁设置有阴极2，固定壳的底端外壁开设有第二固定孔，且第二固定孔的内壁设置有阳极4。
电子束源1的下方设置有波浪型电子传输通道17，且波浪型电 子传输通道17的下方设置有波浪型屏蔽罩18，样品8位于波浪型屏蔽罩18的内部。
一种电子束辐照增强装置的使用方法，包括以下步骤：
S1：电子束源1基本由阴极2和阳极4组成，阴极2发射电子后，通过加速，通过阳极4上的窗口穿出；
S2：当电子束源1的下方为波浪型电子传输通道17和波浪型屏蔽罩18时，波浪型电子传输通道17能够在电子经过时优化电子的入射角度，增加了二次电子的数量，波浪型屏蔽罩18增大了电子辐射样品的有效面积，从而能够使得更多的电子轰击到样品8上。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

  1. 一种电子束辐照增强装置，包括电子束源(1)和样品(8)，所述样品(8)位于电子束源(1)的下方，其特征在于，所述电子束源(1)包括固定壳，且固定壳的顶部外壁开设有第一固定孔，所述第一固定孔的内壁设置有阴极(2)，所述固定壳的底端外壁开设有第二固定孔，且第二固定孔的内壁设置有阳极(4)。
  2. 根据权利要求1所述的一种电子束辐照增强装置，其特征在于，所述电子束源(1)的下方设置有第二电极(16)，且第二电极(16)上设置有第二偏置电压，所述样品(8)位于第二电极(16)的内部。
  3. 根据权利要求1所述的一种电子束辐照增强装置，其特征在于，所述电子束源(1)的下方设置有直线型电子传输通道(5)，且直线型电子传输通道(5)位于样品(8)和电子束源(1)之间。
  4. 根据权利要求3所述的一种电子束辐照增强装置，其特征在于，所述电子传输通道(5)的下方设置有直线型屏蔽罩(9)，且样品(8)位于直线型屏蔽罩(9)的内部。
  5. 根据权利要求3所述的一种电子束辐照增强装置，其特征在于，所述直线型电子传输通道(5)的两端设置有电场(13)，且电场(13)的电压值设定在500V至3000V。
  6. 根据权利要求3所述的一种电子束辐照增强装置，其特征在于，所述电子束源(1)的下方设置有第一电极(15)，且第一电极(15)上设置有第一偏置电压(14)，所述样品(8)位于第一电极(15)的内部，所述样品(8)位于直线型电子传输通道(5)的下方。
  7. 根据权利要求1所述的一种电子束辐照增强装置，其特征在 于，所述电子束源(1)的下方设置有波浪型电子传输通道(17)，且波浪型电子传输通道(17)的下方设置有波浪型屏蔽罩(18)，所述样品(8)位于波浪型屏蔽罩(18)的内部。
  8. 一种电子束辐照增强装置的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：
    S1：电子束源(1)基本由阴极(2)和阳极(4)组成，阴极(2)发射电子后，通过加速，通过阳极(4)上的窗口穿出；
    S2：当电子束源(1)的下方为第二电极(16)时，在第二偏置电压的作用下，电子会发生偏转，使得更多的电子轰击到样品(8)上；
    S3：当电子束源(1)的下方为直线型电子传输通道(5)时，电子碰撞到通道内壁时候，会激发出二次电子，激发出来的二次电子能够轰击到样品(8)上；
    S4：当电子束源(1)的下方为直线型电子传输通道(5)和直线型屏蔽罩(9)时，经过直线型电子传输通道(5)的电子轰击到样品(8)上方向发生改变，当方向发生改变的电子碰撞到直线型屏蔽罩(9)内侧，会再次激发二次电子，二次电子的会有比较大的概率重新轰击到样品(8)的表面；
    S5：当电子束源(1)的下方为直线型电子传输通道(5)和电场(13)时，电场(13)能够使得经过直线型电子传输通道(5)的电子数量大幅增加，从而能够使得更多的电子轰击到样品(8)上；
    S6：当电子束源(1)的下方为直线型电子传输通道(5)和第一 电极(15)时，在第一偏置电压(14)的作用下，直线型电子传输通道(5)内的电子会发生偏转，使得更多的电子轰击到样品(8)上；
    S7：当电子束源(1)的下方为波浪型电子传输通道(17)和波浪型屏蔽罩(18)时，波浪型电子传输通道(17)能够在电子经过时优化电子的入射角度，增加了二次电子的数量，波浪型屏蔽罩(18)增大了电子辐射样品的有效面积，从而能够使得更多的电子轰击到样品(8)上。
PCT/CN2022/073346 2021-02-02 2022-01-24 一种电子束辐照增强装置及其使用方法 WO2022166626A1 (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110144628.9A CN114284124A (zh) 2021-02-02 2021-02-02 一种电子束辐照增强装置及其使用方法
CN202110144628.9 2021-02-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022166626A1 true WO2022166626A1 (zh) 2022-08-11

Family

ID=80867598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2022/073346 WO2022166626A1 (zh) 2021-02-02 2022-01-24 一种电子束辐照增强装置及其使用方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN114284124A (zh)
WO (1) WO2022166626A1 (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09219171A (ja) * 1997-01-20 1997-08-19 Hitachi Ltd 電子ビーム検査装置
TW200949890A (en) * 2008-05-30 2009-12-01 Hermes Microvision Inc An electron beam appartus
TW201021077A (en) * 2008-10-23 2010-06-01 Hermes Microvision Inc An electron beam apparatus
CN102592929A (zh) * 2011-01-18 2012-07-18 华东师范大学 一种用于产生高亮度飞秒电子脉冲的电子枪装置
US20150270088A1 (en) * 2014-02-14 2015-09-24 Jeol Ltd. Electron Gun, Method of Controlling Same, and Electron Beam Additive Manufacturing Machine
CN110838427A (zh) * 2019-11-20 2020-02-25 中国航空制造技术研究院 一种用于熔丝增材制造的电子枪装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3958870B2 (ja) * 1998-06-26 2007-08-15 大日本印刷株式会社 真空成膜装置
JP4236742B2 (ja) * 1998-10-29 2009-03-11 株式会社日立製作所 走査形電子顕微鏡
JP2000173900A (ja) * 1998-12-08 2000-06-23 Canon Inc 電子ビーム照明装置、および該照明装置を用いた電子ビーム露光装置
JP4613405B2 (ja) * 2000-09-06 2011-01-19 株式会社日立製作所 走査型電子顕微鏡
JP2005235777A (ja) * 2001-01-10 2005-09-02 Ebara Corp 電子線による検査装置、検査方法、及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
CN1282215C (zh) * 2003-06-10 2006-10-25 清华大学 一种电子束的束流引导装置
US7317606B2 (en) * 2004-12-10 2008-01-08 Applied Materials, Israel, Ltd. Particle trap for electrostatic chuck
WO2019100600A1 (en) * 2017-11-21 2019-05-31 Focus-Ebeam Technology (Beijing) Co., Ltd. Low voltage scanning electron microscope and method for specimen observation
CN207425790U (zh) * 2017-11-21 2018-05-29 聚束科技（北京）有限公司 一种低能扫描电子显微镜系统
JP6466020B1 (ja) * 2018-10-16 2019-02-06 株式会社Ｐｈｏｔｏ ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｏｕｌ 電子銃、電子線適用装置、電子銃による電子射出方法、および、電子ビームの焦点位置調整方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09219171A (ja) * 1997-01-20 1997-08-19 Hitachi Ltd 電子ビーム検査装置
TW200949890A (en) * 2008-05-30 2009-12-01 Hermes Microvision Inc An electron beam appartus
TW201021077A (en) * 2008-10-23 2010-06-01 Hermes Microvision Inc An electron beam apparatus
CN102592929A (zh) * 2011-01-18 2012-07-18 华东师范大学 一种用于产生高亮度飞秒电子脉冲的电子枪装置
US20150270088A1 (en) * 2014-02-14 2015-09-24 Jeol Ltd. Electron Gun, Method of Controlling Same, and Electron Beam Additive Manufacturing Machine
CN110838427A (zh) * 2019-11-20 2020-02-25 中国航空制造技术研究院 一种用于熔丝增材制造的电子枪装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN114284124A (zh) 2022-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9008276B2 (en) X-ray tube
JP2010186694A (ja) Ｘ線源、ｘ線発生方法およびｘ線源製造方法。
WO2013133169A1 (ja) Ｘ線管
WO2020155827A1 (zh) 一种增强ecr等离子体源性能的方法
JP2012104283A (ja) 電界放射装置
WO2022166626A1 (zh) 一种电子束辐照增强装置及其使用方法
DE69913985D1 (de) Röntgenröhre mit variabler abbildungs-fleckgrösse
JP2012256441A (ja) Ｘ線管
US20230122253A1 (en) Extreme-ultraviolet light source device using electron beams
US2316276A (en) Electron discharge apparatus
JP2787899B2 (ja) 冷陰極およびこれを用いた電子銃とマイクロ波管
WO2020136912A1 (ja) 電子銃、ｘ線発生装置およびｘ線撮像装置
US2853639A (en) Cathode ray tube
JP2002510848A (ja) 電子トーチ型電子銃
JP6262161B2 (ja) Ｘ線管
JP3101044B2 (ja) 発光素子
JPS6176665A (ja) 蒸着膜形成装置
JP2002243898A (ja) ビーム取り出し装置
US3532917A (en) Getter ion pump employing high frequency electric field between two electrodes one of which is secondary emissive
JP6185494B2 (ja) Ｘ線管
JP2016134251A (ja) Ｘ線管
JPH05290789A (ja) イオン注入装置
JPH01235138A (ja) 冷陰極電子銃
KR20230037962A (ko) 전자빔 및 액적 기반 극자외선 광원 장치
JP2001099999A (ja) 電子線照射装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22748905

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 22748905

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 22748905

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1