WO2022149346A1 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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WO2022149346A1
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polishing
pad
pad holder
substrate
substrate processing
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浩平 大田
暢行 ▲高▼田
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Ebara Corp
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P52/40Chemomechanical polishing [CMP]
    • H10P52/402Chemomechanical polishing [CMP] of semiconductor materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0428Apparatus for mechanical treatment or grinding or cutting

Definitions

  • CMP (Chemical Mechanical Polishing) equipment exists as a type of substrate processing equipment used in the semiconductor processing process.
  • the CMP device can be divided into "face-up type (method in which the polished surface of the substrate faces upward)” and “face-down type (method in which the polished surface of the substrate faces downward)” depending on the direction in which the surface to be polished of the substrate faces. Can be separated.
  • Patent Document 1 discloses that in a face-up type polishing apparatus, a polishing pad having a diameter smaller than that of the substrate is rotated and brought into contact with the substrate to polish the substrate.
  • a circulation path is formed radially from the center of the polishing tool for holding the polishing pad, and the polishing liquid supplied to the center of the polishing tool is supplied to the substrate from the outer periphery of the polishing tool.
  • this polishing device is configured so that the polishing liquid supplied to the substrate from the outer periphery of the polishing tool is collected in the center of the polishing tool by the spiral groove formed in the polishing pad.
  • Patent Document 1 does not consider suppressing the surface to be polished of the substrate from being damaged and improving the polishing rate.
  • a rotary joint (or a part having a function equivalent to that of the rotary joint: hereinafter simply referred to as a rotary joint) is provided.
  • a rotary joint or a part having a function equivalent to that of the rotary joint: hereinafter simply referred to as a rotary joint.
  • the polishing liquid when the polishing liquid is not supplied via the polishing tool, it becomes difficult to sufficiently supply the polishing liquid between the polishing surface of the polishing pad and the surface to be polished of the substrate.
  • the polishing liquid can be circulated by using the polishing pad having the spiral groove formed and forming a circulation path in the polishing tool.
  • the polishing liquid since the polishing liquid is circulated through the polishing tool, fresh polishing liquid cannot always be supplied between the polishing tool and the substrate. Therefore, in the method of Patent Document 1, a sufficient amount of fresh polishing liquid cannot be supplied to the center of the surface to be polished of the substrate, and the polishing rate may decrease. Further, when the polishing liquid is circulated and used, the residue generated during the polishing of the substrate may damage the surface to be polished of the substrate.
  • one of the purposes of the present application is to prevent the surface to be polished of the substrate from being damaged and to improve the polishing rate.
  • a table for supporting the substrate, a pad holder for holding a polishing pad for polishing the substrate supported by the table, and a polishing liquid are supplied around the pad holder.
  • the pad holder includes a discharge hole formed in the center of a holding surface for holding the polishing pad, and a discharge hole from the discharge hole, which includes a nozzle for rotating the pad holder and a pad rotation mechanism for rotating the pad holder.
  • a substrate processing apparatus having a discharge path communicating with the outside of a pad holder is disclosed.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view schematically showing the overall configuration of the substrate processing apparatus according to the embodiment.
  • the substrate processing apparatus 1000 shown in FIGS. 1 and 2 includes a table 100, a multi-axis arm 200, support members 300A and 300B, a dresser 500, and a film thickness measuring instrument (end point detector) 600.
  • the multi-axis arm 200 is omitted for the sake of clarity in the illustration.
  • the table 100 is a member for supporting the substrate WF so that the surface to be polished of the substrate WF to be processed faces upward in the vertical direction.
  • the table 100 has a support surface 100a for supporting the back surface of the substrate WF on the opposite side of the surface to be polished, and is rotatably configured by a drive mechanism such as a motor (not shown).
  • a plurality of holes 102 are formed in the support surface 100a, and the table 100 is configured so that the substrate WF can be vacuum-sucked through the holes 102.
  • the substrate processing apparatus 1000 of the present embodiment is a face-up type substrate processing apparatus that polishes the substrate WF with the surface to be polished of the substrate WF facing upward.
  • FIG. 3 is a perspective view schematically showing a multi-axis arm according to an embodiment.
  • the multi-axis arm 200 is a member that holds a plurality of processing tools for performing various processing on the substrate WF supported by the table 100, and is adjacent to the table 100. Be placed.
  • the multi-axis arm 200 of the present embodiment has a large-diameter polishing pad 222 for polishing the substrate WF, a cleaning tool 232 for cleaning the substrate WF, and a small-diameter polishing pad 242 for finishing polishing the substrate WF.
  • a photographing member (camera) 252 for measuring the diameter of the substrate WF, and are configured to hold.
  • the multi-axis arm 200 is supported by a swing shaft 210 extending in a direction orthogonal to the substrate WF (height direction), a rotation drive mechanism 212 such as a motor for rotationally driving the swing shaft 210, and a swing shaft 210.
  • a rotation drive mechanism 212 such as a motor for rotationally driving the swing shaft 210
  • a swing shaft 210 includes a first arm 220, a second arm 230, a third arm 240, and a fourth arm 250, which are arranged radially around the swing shaft 210.
  • a rotary shaft 224 extending in the height direction is attached to the first arm 220, and a pad holder 226 is attached to the tip of the rotary shaft 224.
  • a large-diameter polishing pad 222 is held in the pad holder 226.
  • the multi-axis arm 200 includes an elevating mechanism 227 for elevating and lowering the pad holder 226 with respect to the substrate WF.
  • the elevating mechanism 227 can be realized by a known mechanism such as an air cylinder.
  • the multi-axis arm 200 includes a pad rotation mechanism 229 for rotating the pad holder 226.
  • the pad rotation mechanism 229 can be realized by a known mechanism such as a motor, and the pad holder 226 can be rotated by rotating the rotary shaft 224.
  • the multi-axis arm 200 includes a nozzle 228 arranged around the pad holder 226.
  • the nozzle 228 is configured to supply the polishing liquid (slurry) to the substrate WF.
  • the nozzle 228 is arranged in the swing path of the first nozzle 228-1 arranged in the swing path of the pad holder 226 and the pad holder 226 opposite to the first nozzle 228-1 with the pad holder 226 interposed therebetween.
  • the second nozzle 228-2 is provided.
  • the first nozzle 228-1 and the second nozzle 228-2 are configured to supply the polishing liquid to the surface to be polished of the substrate WF, respectively.
  • a rotary shaft 234 extending in the height direction is attached to the second arm 230, and a cleaning tool holder 236 is attached to the tip of the rotary shaft 234.
  • the cleaning tool 232 is held in the cleaning tool holder 236.
  • the multi-axis arm 200 includes an elevating mechanism 237 for elevating and lowering the cleaning tool holder 236 with respect to the substrate WF.
  • the elevating mechanism 237 can be realized by a known mechanism such as an air cylinder.
  • the multi-axis arm 200 includes a cleaning tool rotating mechanism 239 for rotating the cleaning tool holder 236.
  • the cleaning tool rotation mechanism 239 can be realized by a known mechanism such as a motor, and the cleaning tool holder 236 can be rotated by rotating the rotary shaft 234.
  • the multi-axis arm 200 includes an atomizer 238 for supplying a cleaning liquid around the cleaning tool holder 236.
  • the atomizer 238 is provided on both sides of the cleaning tool holder 236 in the swing direction with the cleaning tool holder 236 interposed therebetween, and is configured to discharge the cleaning liquid to the substrate WF.
  • a rotating shaft 244 extending in the height direction is attached to the third arm 240, and a pad holder 246 is attached to the tip of the rotating shaft 244.
  • the pad holder 246 holds a polishing pad 242 having a small diameter.
  • the multi-axis arm 200 includes an elevating mechanism 247 for elevating and lowering the pad holder 246 with respect to the substrate WF.
  • the elevating mechanism 247 can be realized by a known mechanism such as an air cylinder.
  • the multi-axis arm 200 includes a pad rotation mechanism 249 for rotating the pad holder 246.
  • the pad rotation mechanism 249 can be realized by a known mechanism such as a motor, and the pad holder 246 can be rotated by rotating the rotary shaft 244.
  • the photographing member 252 is held by the fourth arm 250.
  • the multi-axis arm 200 includes a nozzle 248 for supplying the polishing liquid around the pad holder 246.
  • the nozzle 248 is arranged in the swing path of the first nozzle 248-1 arranged in the swing path of the pad holder 246 and the pad holder 246 on the opposite side of the pad holder 246 from the first nozzle 248-1.
  • the second nozzle 248-2 is provided.
  • the first nozzle 248-1 and the second nozzle 248-2 are configured to supply the polishing liquid to the surface to be polished of the substrate WF.
  • the first arm 220, the second arm 230, the third arm 240, and the fourth arm 250 swing counterclockwise by 90 degrees in a plan view. It extends radially around the dynamic shaft 210.
  • the rotary drive mechanism 212 can move any of the large-diameter polishing pad 222, the cleaning tool 232, the small-diameter polishing pad 242, and the photographing member 252 onto the substrate WF by rotationally driving the swing shaft 210. can. Further, the rotation drive mechanism 212 can move the polishing pad 222 or the polishing pad 242 onto the dresser 500 by rotationally driving the swing shaft 210.
  • the rotary drive mechanism 212 rotates and drives the swing shaft 210 alternately clockwise and counterclockwise, whereby the first arm 220, the second arm 230, the third arm 240, and the fourth arm 240 are driven. It has the function of a swing mechanism that swings the arm 250.
  • the rotation drive mechanism 212 rotates the swing shaft 210 alternately clockwise and counterclockwise with the polishing pad 222, the cleaning tool 232, or the polishing pad 242 located on the substrate WF.
  • the polishing pad 222 (pad holder 226), the cleaning tool 232 (cleaning tool holder 236), or the polishing pad 242 (pad holder 246) can be swung with respect to the substrate WF.
  • the polishing pad 222, the cleaning tool 232, or the polishing pad 242 is swiveled and swung in the radial direction of the substrate WF by the rotation drive mechanism 212, that is, reciprocated along an arc, but the present invention is limited to this. Not done.
  • the swing mechanism may have a configuration in which the polishing pad 222, the cleaning tool 232, or the polishing pad 242 is linearly swung in the radial direction of the substrate, that is, reciprocated along the straight line.
  • the substrate processing device 1000 rotates the table 100 and rotates the polishing pad 222, and the rotation drive mechanism while pressing the polishing pad 222 against the substrate WF by the elevating mechanism 227.
  • the substrate WF is configured to be polished by swinging the polishing pad 222 by 212.
  • the substrate processing apparatus 1000 has a first support member 300A arranged in the swing path of the polishing pad 222 on the outside of the table 100 and a first support member sandwiching the table 100.
  • a second support member 300B arranged in the swing path of the polishing pad 222 on the opposite side of the 300A is included.
  • the first support member 300A and the second support member 300B are line-symmetrical with the substrate WF interposed therebetween. Therefore, in the following, the first support member 300A and the second support member 300B will be collectively referred to as the support member 300 as appropriate.
  • the function of the support member 300 when the large-diameter polishing pad 222 is swung with respect to the substrate WF will be described, but the same applies to the cleaning tool 232 or the small-diameter polishing pad 242. ..
  • the support member 300 is a member for supporting the polishing pad 222 that is swung outward from the table 100 by the rotation of the swing shaft 210. That is, the substrate processing apparatus 1000 swings (overhangs) the polishing pad 222 until it protrudes to the outside of the substrate WF when polishing the substrate WF, so that the surface to be polished of the substrate WF is uniformly polished. It is composed.
  • the polishing pad 222 is overhanged, the pressure of the polishing pad 222 is concentrated on the peripheral edge of the substrate WF due to various factors such as the pad holder 226 being tilted, and the surface to be polished of the substrate WF becomes uniform. It may not be polished. Therefore, in the substrate processing apparatus 1000 of the present embodiment, support members 300 for supporting the polishing pad 222 overhanging on the outside of the substrate WF are provided on both sides of the table 100.
  • the first support member 300A and the second support member 300B each have support surfaces 301a and 301b capable of supporting the entire polishing surface 222c in contact with the substrate WF of the polishing pad 222. That is, since the support surfaces 301a and 301b each have an area larger than the area of the polishing surface 222c of the polishing pad 222, even if the polishing pad 222 completely overhangs to the outside of the substrate WF, the polishing surface 222c The whole is supported by the support surfaces 301a and 301b.
  • the entire polishing surface of the polishing pad 222 is in contact with the substrate WF and is supported, and is oscillated to the outside of the table 100. Since the entire polished surface is supported by the support member 300 even during this operation, the surface to be polished and the support surfaces 301a and 301b of the substrate WF do not protrude during the swing.
  • the substrate processing apparatus 1000 includes a film thickness measuring instrument 600 for measuring the film thickness profile of the surface to be polished of the substrate WF while polishing the substrate WF.
  • the film thickness measuring instrument 600 can be composed of various sensors such as an eddy current type sensor or an optical type sensor.
  • a rotary shaft 610 extending in the height direction is arranged adjacent to the table 100.
  • the rotary shaft 610 is rotatable around the axis of the rotary shaft 610 by a rotary drive mechanism such as a motor (not shown).
  • a swing arm 620 is attached to the rotary shaft 610, and the film thickness measuring instrument 600 is attached to the tip of the swing arm 620.
  • the film thickness measuring instrument 600 is configured to swing around the axis of the rotating shaft 610 by the rotation of the rotating shaft 610. Specifically, the film thickness measuring instrument 600 can swing along the radial direction of the substrate WF by the rotation of the rotary shaft 610 during the polishing of the substrate WF. The film thickness measuring instrument 600 swings to a position retracted from the substrate WF when the polishing pad 222 swings on the substrate WF, and the substrate WF when the polishing pad 222 does not swing on the substrate WF. It is configured to swing on.
  • the film thickness measuring instrument 600 can swing on the substrate WF at a timing that does not interfere with the polishing pad 222 swinging on the substrate WF, and the substrate WF polished by the polishing pad 222 can be swung.
  • the film thickness profile can be measured over time.
  • the film thickness measuring instrument 600 can detect the end point of polishing of the substrate WF when the measured film thickness profile of the substrate WF becomes a desired film thickness profile.
  • the dresser 500 is arranged in the turning path of the polishing pads 222 and 242 by the rotation of the swing shaft 210.
  • the dresser 500 is a member for sharpening (dressing) the polishing pads 222 and 242 by strongly electrodepositing diamond particles or the like on the surface thereof.
  • the dresser 500 is configured to be rotated by a rotation drive mechanism such as a motor (not shown). Pure water can be supplied to the surface of the dresser 500 from a nozzle (not shown).
  • the substrate processing apparatus 1000 rotates the dresser 500 while supplying pure water from the nozzle to the dresser 500, and rotates the polishing pads 222 and 242 to swing the dresser 500 while pressing the dresser 500.
  • the polishing pads 222 and 242 are scraped off by the dresser 500, and the polished surface of the polishing pads 222 and 242 is dressed.
  • FIG. 4 is a perspective view schematically showing a pad holder according to an embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a pad holder according to an embodiment.
  • the configuration of the pad holder 226 will be described, but the pad holder 246 also has the same configuration.
  • the pad holder 226 has a plate-shaped first holder main body 221-1 attached to the lower end of the rotary shaft 224 and a plate-shaped plate-shaped one provided below the first holder main body 221-1.
  • the second holder body 221-2 of the above is provided.
  • the pad holder 226 includes an airbag 223 sandwiched between the first holder body 221-1 and the second holder body 221-2.
  • the rotary shaft 224 and the first holder body 221-1 are formed with a flow path 224a communicating with the airbag 223.
  • the multi-axis arm 200 can adjust the pressing force of the polishing pad 222 with respect to the substrate WF by supplying gas to the airbag 223 from a fluid source (not shown) via the flow path 224a.
  • the pad holder 226 (second holder body 221-2) has a discharge hole 221-2a formed in the center of the holding surface 221-2c that holds the polishing pad 222, and the pad holder 226 from the discharge hole 221-2a. It has a discharge path 221-2b that communicates with the outside.
  • the discharge path 221-2b is formed in the second holder body 221-2 so as to communicate the discharge hole 221-2a with the side surface of the second holder body 221-2.
  • FIG. 6 is a plan view schematically showing the second holder main body 221-2 according to the embodiment.
  • the discharge passage 221-2b extends radially from the discharge hole 221-2a and opens at a plurality of locations (four locations in the present embodiment) on the side surface of the second holder main body 221-2. ..
  • the discharge hole 221-2a is a round hole
  • the discharge path 221-2b is a discharge hole 221 from the discharge hole 221-2a when the second holder main body 221-2 is viewed in a plan view. It extends in the tangential direction of -2a and opens at a plurality of places on the side surface of the second holder main body 221-2.
  • an example in which four discharge paths 221-2b are formed is shown, but the number of discharge paths 221-2b is arbitrary.
  • FIG. 7 is a plan view schematically showing a polishing pad according to an embodiment.
  • the polishing pad 222 has a through hole 222b formed in the center of the polishing surface 222c in contact with the substrate WF.
  • the through hole 222b has the same size and shape as the discharge hole 221-2a.
  • the through hole 222b and the discharge hole 221-2a communicate with each other.
  • a groove 222a that communicates the through hole 222b and the side surface of the polishing pad 222 is formed on the polishing surface 222c of the polishing pad 222.
  • the groove 222a includes a spiral groove that communicates the through hole 222b and the side surface of the polishing pad 222.
  • the substrate processing apparatus 1000 of the present embodiment does not supply the polishing liquid to the substrate WF via the pad holder 226, but supplies the polishing liquid by the nozzles 248 arranged around the pad holder 226. .. This eliminates the need to provide a rotary joint, so that particles caused by wear of parts inside the rotary joint are mixed with the polishing liquid between the polishing pad 222 and the substrate WF to damage the surface to be polished of the substrate WF. Can be suppressed.
  • the substrate processing apparatus 1000 of the present embodiment can easily transfer the polishing liquid from the outside to the center of the polishing pad 222 by using the polishing pad 222 in which the spiral groove 222a is formed.
  • the polishing pad 222 on which the spiral groove 222a is formed is simply used, air is concentrated in the center of the polishing pad 222 and the pressure is increased, and as a result, the polishing liquid is transferred to the center of the polishing pad 222. May be inadequate.
  • the through hole 222b is formed in the center of the polishing pad 222
  • the second holder main body 221-2 has a discharge hole 221-2a communicating with the through hole 222b and a discharge hole 221-2.
  • a discharge path 221-2b that communicates the hole 221-2a with the outside of the pad holder 226 is formed.
  • the discharge path 221-2b extends radially from the discharge hole 221-2a, and centrifugal force acts on the discharge path 221-2b, so that the polishing liquid transferred to the center of the polishing pad 222 is transferred to the center of the polishing pad 222. It can be discharged to the outside of the pad holder 226 through the through hole 222b, the discharge hole 221-2a, and the discharge path 221-2b.
  • the polishing liquid transferred to the center of the polishing pad 222 by the spiral groove 222a spirally rises in the discharge hole 221-2a. In this regard, as shown in FIG.
  • the polishing liquid spirally raised from the discharge hole 221-2a is discharged from the discharge path 221-. It is easy to flow to 2b.
  • the polishing liquid is discharged to the outside of the pad holder 226 by centrifugal force, so that the polishing liquid supplied around the pad holder 226 can be more smoothly transferred to the center of the polishing pad 222.
  • a sufficient amount of polishing liquid can be supplied between the substrate WF and the polishing pad 222, so that the polishing rate of the substrate WF can be improved.
  • the substrate processing apparatus 1000 of the present embodiment is configured to polish the substrate WF while swinging the pad holder 226 so that the polishing pad 222 is supported by the support member 300.
  • the multi-axis arm 200 is configured to supply the polishing liquid from the nozzle 228 not only when the polishing pad 222 is in contact with the substrate WF but also when the polishing pad 222 is in contact with the support member 300. To. When the polishing pad 222 is in contact with the support member 300, the polishing liquid supplied from the nozzle 228 is transferred to the center of the polishing pad 222 as described above, so that the polishing pad 222 is used for polishing the substrate WF. It will be filled with the unpolished polishing liquid.
  • the pad holder 226 is swung to bring the polishing pad 222 into contact with the substrate WF, the substrate WF is polished, so that the surface to be polished of the substrate WF can be uniformly polished and the polishing rate is increased. Can be improved.
  • the polishing pad 222 has a groove formed in the polishing surface 222c that connects the through hole 222b in the center of the polishing surface 222c and the side surface of the polishing pad 222, and is configured to transfer the polishing liquid to the center of the polishing pad 222. It doesn't matter if it is.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a pad holder according to an embodiment.
  • FIG. 10 is a plan view of the pad holder shown in FIG. 9 as viewed from above.
  • the configuration of the pad holder 226 according to the embodiment will be described together with FIGS. 9 and 10, but the pad holder 246 may have the same configuration.
  • the pad holder 226 shown in FIG. 9 has the same structure as the pad holder 226 shown in FIG.
  • the substrate processing apparatus 1000 includes a polishing liquid recovery member 270.
  • the polishing liquid recovery member 270 includes an annular portion 272 arranged so as to surround the second holder main body 221-2 of the pad holder 226, and an extension portion 274 extending radially outward from the annular portion 272.
  • An annular polishing liquid recovery passage 276 that receives the polishing liquid discharged from the discharge path 221-2b is defined in the annular portion 272.
  • the polishing liquid recovery passage 278 is defined in the extension portion 274.
  • the polishing liquid recovery passage 276 of the annular portion 272 communicates with the polishing liquid recovery passage 278, and the polishing liquid discharged from the discharge path 221-2b is recovered through the polishing liquid recovery passage 276 and the polishing liquid recovery passage 278.
  • the recovered polishing liquid is discharged to the outside of the table 100, and is discarded together with the polishing liquid flowing down from the table 100.
  • the recovered polishing liquid may be reused by subjecting it to an appropriate treatment such as removal of residue.
  • the polishing liquid recovery member 270 is fixed to the first arm 220 so as not to come into contact with the pad holder 226. Therefore, the polishing liquid recovery member 270 does not rotate together with the pad holder 226, but swings together with the pad holder 226. However, it is preferable that the annular portion 272 of the polishing liquid recovery member 270 is arranged close to the pad holder 226 in order to efficiently recover the polishing liquid. When the polishing liquid recovery member 270 is provided around the pad holder 246, the polishing liquid recovery member 270 is fixed to the third arm 220.
  • FIG. 8 is a flowchart of the substrate processing method according to the embodiment.
  • the polishing pad 222 is attached to the pad holder 226 (attachment step S100).
  • a through hole 222b is formed in the center of the polishing surface 222c, and a spiral groove 222a communicating the through hole 222b and the side surface of the polishing pad 222 is formed.
  • a polishing pad 222 formed on the polishing surface 222c is used.
  • a discharge hole 221-2a is formed in the central portion of the holding surface 221-2c, and the discharge hole 221-2a is formed outside the pad holder 226.
  • a pad holder 226 in which a communicating discharge path 221-2b is formed is used.
  • the substrate WF is installed on the table 100 (installation step S110).
  • the polishing liquid is supplied from the nozzle 228 arranged around the pad holder 226 toward the surface to be polished of the substrate WF (supply step S120).
  • the supply step S120 continuously supplies the polishing liquid from the nozzle 228 while performing the following polishing process.
  • the pad holder 226 is rotated by using the pad rotation mechanism 229 (rotation step S130).
  • the table 100 is rotated and the polishing pad 222 is pressed against the substrate WF by using the elevating mechanism 227 and the airbag 223 (pressing step S140).
  • the pad holder 226 is oscillated in the radial direction of the substrate by using the rotation drive mechanism 212 (oscillation step S150).
  • the swing step S150 swings the pad holder 226 between the substrate WF and the support member 300.
  • the supply step S120 is configured to supply the polishing liquid to the swing path of the pad holder 226.
  • the polishing liquid is supplied to the surface to be polished of the substrate WF, and the polishing is shaken to the outside of the table 100 by the shaking step S150.
  • the pad 222 is supported by the support member 300, it is configured to supply the polishing liquid to the support member 300. As described above, the substrate WF is polished.
  • the substrate processing method determines whether or not the film thickness profile measured by the film thickness measurement step S160 has a desired film thickness profile (determination step S170). When it is determined that the desired film thickness profile is not obtained (determination step S170, No), the substrate processing method returns to the film thickness measurement step S160 and repeats the processing. On the other hand, in the substrate processing method, when it is determined that the desired film thickness profile is obtained (determination step S170, Yes), the polishing process is terminated.
  • the polishing liquid is supplied from the nozzles 248 arranged around the pad holder 226, so that it is not necessary to provide a rotary joint.
  • the polishing liquid is supplied from the nozzles 248 arranged around the pad holder 226, so that it is not necessary to provide a rotary joint.
  • the polishing pad 222 in which the spiral groove 222a is formed is used, and the pad holder 226 in which the discharge hole 221-2a and the discharge path 221-2b are formed is used. Therefore, the gas collected in the center of the polishing pad 222 can be discharged to the outside of the pad holder 226. Further, since the polishing liquid transferred to the center of the polishing pad 222 by the spiral groove 222a can be discharged from the discharge path 221-2b by the centrifugal force accompanying the rotation of the pad holder 226, the polishing is performed at the center of the polishing pad 222. The liquids can be transferred sequentially.
  • polishing liquid discharged from the discharge path 221-2b can be recovered by the polishing liquid recovery member 270. Therefore, it is possible to prevent the polishing liquid used for polishing from being supplied between the polishing pad 222 and the substrate WF again, and to polish the substrate WF with a fresh polishing liquid.
  • the present application supplies a table for supporting a substrate, a pad holder for holding a polishing pad for polishing the substrate supported by the table, and a polishing liquid around the pad holder.
  • the pad holder includes a nozzle for rotating the pad holder and a pad rotation mechanism for rotating the pad holder, and the pad holder is formed from a discharge hole formed in the center of a holding surface for holding the polishing pad and from the discharge hole.
  • a substrate processing apparatus having a discharge path communicating with the outside of the pad holder.
  • the present application discloses, as an embodiment, a substrate processing apparatus in which the discharge path is formed in the pad holder so as to communicate the discharge hole and the side surface of the pad holder.
  • the present application discloses, as an embodiment, a substrate processing apparatus in which the discharge path is formed in the pad holder so as to extend radially from the discharge hole and open at a plurality of locations on the side surface of the pad holder. ..
  • the discharge hole is a round hole
  • the discharge path extends from the discharge hole in the tangential direction of the discharge hole when the pad holder is viewed in a plan view.
  • a substrate processing apparatus formed in the pad holder so as to open at a plurality of locations on the side surface of the pad holder.
  • the pad holder is a polishing pad in which a through hole communicating with the discharge hole is formed on a polishing surface in contact with a substrate supported by the table, and the pad holder is the same as the through hole.
  • a substrate processing apparatus in which a groove communicating with a side surface of the polishing pad is configured to hold the polishing pad formed on the polishing surface.
  • the present application discloses, as an embodiment, a substrate processing apparatus in which the groove includes a spiral groove communicating the through hole and the side surface of the polishing pad.
  • a swing mechanism for swinging the pad holder in the radial direction of the substrate is used.
  • a support member for supporting a polishing pad swung outward by the swing mechanism and a substrate processing device are disclosed.
  • the nozzle is a first nozzle arranged in the swing path of the pad holder and the pad holder on the opposite side of the pad holder from the first nozzle.
  • a substrate processing apparatus including a second nozzle arranged in a swing path.
  • the support member includes a first support member arranged in a swing path of the pad holder outside the table, and the first support member sandwiching the table.
  • a substrate processing apparatus including a second support member arranged in a swing path of the pad holder on the opposite side.
  • the present application includes, as an embodiment, a polishing liquid recovery member for recovering the polishing liquid discharged from the discharge path, and the polishing liquid recovery member is an annular portion arranged so as to surround the pad holder.
  • a substrate processing apparatus including.
  • the present application is, as an embodiment, an installation step for installing a substrate on a table and a pad holder for holding a polishing pad, which is formed at the center of a holding surface for holding the polishing pad.
  • a substrate processing method including a rotation step of rotating and a pressing step of pressing a polishing pad held by the pad holder against the substrate.
  • the present application is, as an embodiment, a polishing pad in which a through hole communicating with the discharge hole is formed on a polishing surface in contact with a substrate installed on the table, and the through hole and the side surface of the polishing pad are formed.
  • a substrate processing method further comprising an attachment step of attaching a polishing pad having a groove forming on the polishing surface to the pad holder.
  • the present application discloses, as an embodiment, a substrate processing method in which the groove includes a spiral groove communicating the through hole and the side surface of the polishing pad.
  • the present application further includes, as an embodiment, a swing step of swinging the polishing pad in the radial direction of the substrate, and the supply step includes a step of supplying the polishing liquid to the swing path of the pad holder.
  • the substrate processing method including.
  • the polishing pad swung outward by the swing step is supported by the support member arranged around the table.
  • a substrate processing method configured to supply a polishing solution.
  • the present application is, as an embodiment, a polishing liquid recovery member, wherein the polishing liquid recovery member includes an annular portion arranged so as to surround the pad holder, and is provided with a polishing liquid recovery member from the discharge path.
  • a substrate processing method including a recovery step of recovering the discharged polishing liquid.

Landscapes

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Abstract

基板の被研磨面が傷つくのを抑制し、かつ、研磨レートを向上させる。 基板処理装置は、基板WFを支持するためのテーブル100と、テーブル100に支持された基板WFを研磨するための研磨パッド222を保持するためのパッドホルダ226と、パッドホルダ226の周囲に研磨液を供給するためのノズル228と、パッドホルダ226を回転させるためのパッド回転機構と、を含み、パッドホルダ226は、研磨パッド222を保持する保持面221-2cの中央部に形成された排出穴221-2aと、排出穴221-2aからパッドホルダ226の外部に連通する排出路221-2bと、を有する。

Description

基板処理装置および基板処理方法
 本願は、基板処理装置および基板処理方法に関する。本願は、2021年1月8日出願の日本特許出願番号第2021-2158号に基づく優先権を主張する。日本特許出願番号第2021-2158号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書を含む全ての開示内容は、参照により全体として本願に援用される。
 半導体加工工程において用いられる基板処理装置の一種にCMP(Chemical Mechanical Polishing、化学的機械的研磨)装置が存在する。CMP装置は、基板の被研磨面が向いている方向によって「フェースアップ式(基板の被研磨面が上向きの方式)」と「フェースダウン式(基板の被研磨面が下向きの方式)」に大別され得る。
 特許文献1には、フェースアップ式の研磨装置において、基板よりも小径の研磨パッドを回転させながら基板に接触させることによって基板を研磨することが開示されている。この研磨装置は、研磨パッドを保持するための研磨工具の中央から放射状に循環経路が形成されており、研磨工具の中心に供給された研磨液を研磨工具の外周から基板に供給するように構成されている。また、この研磨装置は、研磨パッドに形成された渦巻き溝によって、研磨工具の外周から基板に供給した研磨液が研磨工具の中心に回収されるように構成されている。
特許第5919592号公報
 しかしながら、特許文献1に記載された技術は、基板の被研磨面が傷つくのを抑制し、かつ、研磨レートを向上させることは考慮されていない。
 すなわち、研磨工具は回転する部品であるので、研磨工具を介して研磨液を供給するためには、ロータリジョイント(またはロータリジョイントと同等の機能を有する部品:以下では単にロータリジョイントという。)を設ける必要がある。研磨液がロータリジョイント内を通過すると、研磨液に含まれる砥粒によってロータリジョイントの内部の部品が摩耗し、摩耗に起因する粒子が研磨液とともに研磨パッドと基板との間に混入し、基板の被研磨面を傷つけるおそれがある。
 一方、研磨工具を介して研磨液を供給しない場合には、研磨パッドの研磨面と基板の被研磨面との間に研磨液を十分に供給するのが難しくなる。この点、特許文献1に記載されているように、渦巻き溝が形成された研磨パッドを用いるとともに研磨工具に循環経路を形成することによって研磨液を循環させることができる。しかし、特許文献1に開示の方法であると、研磨工具を介して研磨液を循環させているため、必ずしも新鮮な研磨液を研磨工具と基板との間に供給することができない。そのため、特許文献1の方法では、基板の被研磨面の中央に新鮮な研磨液を十分に供給できず、研磨レートが低下するおそれがある。また、研磨液を循環させて使用すると、基板の研磨の際に生成された残留物が基板の被研磨面を傷つけるおそれがある。
 そこで、本願は、基板の被研磨面が傷つくのを抑制し、かつ、研磨レートを向上させることを1つの目的としている。
 一実施形態によれば、基板を支持するためのテーブルと、前記テーブルに支持された基板を研磨するための研磨パッドを保持するためのパッドホルダと、前記パッドホルダの周囲に研磨液を供給するためのノズルと、前記パッドホルダを回転させるためのパッド回転機構と、を含み、前記パッドホルダは、前記研磨パッドを保持する保持面の中央部に形成された排出穴と、前記排出穴から前記パッドホルダの外部に連通する排出路と、を有する、基板処理装置が開示される。
一実施形態による基板処理装置の全体構成を概略的に示す斜視図である。 一実施形態による基板処理装置の全体構成を概略的に示す平面図である。 一実施形態による多軸アームを概略的に示す斜視図である。 一実施形態によるパッドホルダを概略的に示す斜視図である。 一実施形態によるパッドホルダを概略的に示す断面図である。 一実施形態による第2のホルダ本体を概略的に示す平面図である。 一実施形態による研磨パッドを概略的に示す平面図である。 一実施形態による基板処理方法のフローチャートである。 一実施形態によるパッドホルダを概略的に示す断面図である。 図9に示されるパッドホルダを上方から見た平面図である。
 以下に、本発明に係る基板処理装置および基板処理方法の実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。
 図1は、一実施形態による基板処理装置の全体構成を概略的に示す斜視図である。図2は、一実施形態による基板処理装置の全体構成を概略的に示す平面図である。図1および図2に示される基板処理装置1000は、テーブル100と、多軸アーム200と、支持部材300A,300Bと、ドレッサ500と、膜厚計測器(終点検出器)600と、を有する。なお、図1においては、図示の明瞭化のために、多軸アーム200を省略している。
 <テーブル>
 テーブル100は、処理対象となる基板WFの被研磨面が鉛直方向の上を向くように基板WFを支持するための部材である。一実施形態において、テーブル100は、基板WFの被研磨面の反対側の裏面を支持するための支持面100aを有し、図示していないモータなどの駆動機構によって回転可能に構成される。支持面100aには複数の穴102が形成されており、テーブル100は、穴102を介して基板WFを真空吸着することができるように構成される。本実施形態の基板処理装置1000は、基板WFの被研磨面を上に向けて基板WFを研磨するフェースアップ式の基板処理装置である。
 <多軸アーム>
 図3は、一実施形態による多軸アームを概略的に示す斜視図である。図2および図3に示すように、多軸アーム200は、テーブル100に支持された基板WFに対して各種処理を行うための複数の処理具を保持する部材であり、テーブル100に隣接して配置される。本実施形態の多軸アーム200は、基板WFを研磨するための大径の研磨パッド222と、基板WFを洗浄するための洗浄具232と、基板WFを仕上げ研磨するための小径の研磨パッド242と、基板WFの直径を計測するための撮影部材(カメラ)252と、を保持するように構成される。
 多軸アーム200は、基板WFに対して直交する方向(高さ方向)に伸びる揺動シャフト210と、揺動シャフト210を回転駆動するモータなどの回転駆動機構212と、揺動シャフト210に支持されており揺動シャフト210の周りに放射状に配置される第1のアーム220、第2のアーム230、第3のアーム240、および第4のアーム250と、を含む。
 第1のアーム220には高さ方向に伸びる回転シャフト224が取り付けられており、回転シャフト224の先端にはパッドホルダ226が取り付けられている。パッドホルダ226には大径の研磨パッド222が保持される。多軸アーム200は、パッドホルダ226を基板WFに対して昇降させるための昇降機構227を備える。昇降機構227は、例えばエアシリンダなどの公知の機構によって実現することができる。また、多軸アーム200は、パッドホルダ226を回転させるためのパッド回転機構229を備える。パッド回転機構229は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができ、回転シャフト224を回転させることによってパッドホルダ226を回転させることができる。
 多軸アーム200は、パッドホルダ226の周囲に配置されたノズル228を備える。ノズル228は、研磨液(スラリー)を基板WFに対して供給するように構成される。ノズル228は、パッドホルダ226の揺動経路に配置された第1のノズル228-1と、パッドホルダ226を挟んで第1のノズル228-1と反対側のパッドホルダ226の揺動経路に配置された第2のノズル228-2と、を備える。第1のノズル228-1および第2のノズル228-2はそれぞれ、基板WFの被研磨面に対して研磨液を供給するように構成される。
 第2のアーム230には高さ方向に伸びる回転シャフト234が取り付けられており、回転シャフト234の先端には洗浄具ホルダ236が取り付けられている。洗浄具ホルダ236には洗浄具232が保持される。多軸アーム200は、洗浄具ホルダ236を基板WFに対して昇降させるための昇降機構237を備える。昇降機構237は、例えばエアシリンダなどの公知の機構によって実現することができる。また、多軸アーム200は、洗浄具ホルダ236を回転させるための洗浄具回転機構239を備える。洗浄具回転機構239は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができ、回転シャフト234を回転させることによって洗浄具ホルダ236を回転させることができる。
 多軸アーム200は、洗浄具ホルダ236の周囲に洗浄液を供給するためのアトマイザ238を備える。アトマイザ238は、洗浄具ホルダ236を挟んで洗浄具ホルダ236の揺動方向の両側に設けられ、洗浄液を基板WFに放出するように構成される。
 第3のアーム240には高さ方向に伸びる回転シャフト244が取り付けられており、回転シャフト244の先端にはパッドホルダ246が取り付けられている。パッドホルダ246には小径の研磨パッド242が保持される。多軸アーム200は、パッドホルダ246を基板WFに対して昇降させるための昇降機構247を備える。昇降機構247は、例えばエアシリンダなどの公知の機構によって実現することができる。また、多軸アーム200は、パッドホルダ246を回転させるためのパッド回転機構249を備える。パッド回転機構249は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができ、回転シャフト244を回転させることによってパッドホルダ246を回転させることができる。第4のアーム250には撮影部材252が保持される。
 多軸アーム200は、パッドホルダ246の周囲に研磨液を供給するためのノズル248を備える。ノズル248は、パッドホルダ246の揺動経路に配置された第1のノズル248-1と、パッドホルダ246を挟んで第1のノズル248-1と反対側のパッドホルダ246の揺動経路に配置された第2のノズル248-2と、を備える。第1のノズル248-1および第2のノズル248-2は、基板WFの被研磨面に対して研磨液を供給するように構成される。
 図2に示すように、本実施形態では、第1のアーム220、第2のアーム230、第3のアーム240、および第4のアーム250は、平面視で反時計回りに90度ずれて揺動シャフト210の周りに放射状に伸びる。回転駆動機構212は、揺動シャフト210を回転駆動することによって、大径の研磨パッド222、洗浄具232、小径の研磨パッド242、および撮影部材252のいずれかを基板WF上に移動させることができる。また、回転駆動機構212は、揺動シャフト210を回転駆動することによって、研磨パッド222または研磨パッド242をドレッサ500上に移動させることができる。また、回転駆動機構212は、揺動シャフト210を時計回りおよび反時計回りに交互に回転駆動することによって、第1のアーム220、第2のアーム230、第3のアーム240、および第4のアーム250を揺動させる揺動機構の機能を有する。具体的には、回転駆動機構212は、研磨パッド222、洗浄具232、または研磨パッド242が基板WF上に位置している状態で、揺動シャフト210を時計回りおよび反時計回りに交互に回転駆動することによって、研磨パッド222(パッドホルダ226)、洗浄具232(洗浄具ホルダ236)、または研磨パッド242(パッドホルダ246)を基板WFに対して揺動させることができる。本実施形態では、研磨パッド222、洗浄具232、または研磨パッド242を回転駆動機構212によって基板WFの径方向に旋回揺動させる、すなわち円弧に沿って往復運動させる例を示すが、これに限定されない。例えば、揺動機構は、研磨パッド222、洗浄具232、または研磨パッド242を基板の径方向に直線揺動させる、すなわち直線に沿って往復運動させるような構成を有し得る。
 基板処理装置1000は、例えば研磨パッド222が基板WF上にある場合には、テーブル100を回転させるとともに研磨パッド222を回転させ、昇降機構227によって研磨パッド222を基板WFに押圧しながら回転駆動機構212によって研磨パッド222を揺動させることによって、基板WFの研磨を行うように構成される。
 <支持部材>
 図1および図2に示すように、基板処理装置1000は、テーブル100の外側の研磨パッド222の揺動経路に配置された第1の支持部材300Aと、テーブル100を挟んで第1の支持部材300Aと反対側の研磨パッド222の揺動経路に配置された第2の支持部材300Bと、を含む。第1の支持部材300Aおよび第2の支持部材300Bは、基板WFを挟んで線対称になっている。このため、以下では、適宜、第1の支持部材300Aおよび第2の支持部材300Bをまとめて支持部材300として説明する。また、以下では、一例として、大径の研磨パッド222を基板WFに対して揺動させる場合の支持部材300の機能について説明を行うが、洗浄具232または小径の研磨パッド242についても同様である。
 支持部材300は、揺動シャフト210の回転によってテーブル100の外側へ揺動された研磨パッド222を支持するための部材である。すなわち、基板処理装置1000は、基板WFを研磨する際に研磨パッド222を基板WFの外側に飛び出すまで揺動させる(オーバーハングさせる)ことによって、基板WFの被研磨面を均一に研磨するように構成される。ここで、研磨パッド222をオーバーハングさせた場合には、パッドホルダ226が傾くなど様々な要因によって基板WFの周縁部に研磨パッド222の圧力が集中して、基板WFの被研磨面が均一に研磨されないおそれがある。そこで、本実施形態の基板処理装置1000は、基板WFの外側にオーバーハングした研磨パッド222を支持するための支持部材300をテーブル100の両側に設けている。
 第1の支持部材300Aおよび第2の支持部材300Bはそれぞれ、研磨パッド222の基板WFと接触する研磨面222cの全体を支持可能な支持面301a,301bを有する。すなわち、支持面301a,301bはそれぞれ、研磨パッド222の研磨面222cの面積よりも大きな面積を有しているので、研磨パッド222が完全に基板WFの外側までオーバーハングしたとしても研磨面222cの全体が支持面301a,301bに支持される。これにより、本実施形態では、研磨パッド222は、基板WF上を揺動しているときには研磨パッド222の研磨面の全体が基板WFに接触して支持されており、テーブル100の外側まで揺動しているときも研磨面の全体が支持部材300に支持されているので、揺動中に基板WFの被研磨面および支持面301a,301bの領域からはみ出さないようになっている。
 <膜厚計測器>
 図1および図2に示すように、基板処理装置1000は、基板WFを研磨しながら基板WFの被研磨面の膜厚プロファイルを計測するための膜厚計測器600を含む。膜厚計測器600は、渦電流式センサまたは光学式センサなどの様々なセンサで構成することができる。図1に示すように、高さ方向に伸びる回転シャフト610がテーブル100に隣接して配置されている。回転シャフト610は、図示していないモータなどの回転駆動機構によって回転シャフト610の軸周りに回転可能になっている。回転シャフト610には揺動アーム620が取り付けられおり、膜厚計測器600は、揺動アーム620の先端に取り付けられている。膜厚計測器600は、回転シャフト610の回転によって回転シャフト610の軸周りに旋回揺動するように構成される。具体的には、膜厚計測器600は、基板WFの研磨中に、回転シャフト610の回転によって基板WFの径方向に沿って揺動することができるようになっている。膜厚計測器600は、研磨パッド222が基板WF上を揺動しているときには基板WF上から退避した位置に揺動し、研磨パッド222が基板WF上を揺動していないときに基板WF上を揺動するように構成される。すなわち、膜厚計測器600は、基板WF上を揺動する研磨パッド222と干渉しないタイミングで基板WF上を揺動することができるようになっており、研磨パッド222によって研磨される基板WFの膜厚プロファイルを経時的に計測することができる。膜厚計測器600は、計測した基板WFの膜厚プロファイルが所望の膜厚プロファイルになったら、基板WFの研磨の終点を検出することができる。
 <ドレッサ>
 図1および図2に示すように、ドレッサ500は、揺動シャフト210の回転による研磨パッド222、242の旋回経路に配置される。ドレッサ500は、表面にダイヤモンド粒子などが強固に電着しており、研磨パッド222、242を目立て(ドレッシング)するための部材である。ドレッサ500は、図示していないモータなどの回転駆動機構によって回転するように構成される。ドレッサ500の表面には図示していないノズルから純水を供給可能になっている。基板処理装置1000は、ノズルから純水をドレッサ500に供給しながらドレッサ500を回転させるとともに、研磨パッド222、242を回転させ、ドレッサ500に押圧しながらドレッサ500に対して揺動させる。これによって、ドレッサ500により研磨パッド222、242が削り取られ、研磨パッド222、242の研磨面がドレッシングされる。
 <パッドホルダ>
 図4は、一実施形態によるパッドホルダを概略的に示す斜視図である。図5は、一実施形態によるパッドホルダを概略的に示す断面図である。以下、パッドホルダ226の構成を説明するが、パッドホルダ246も同様の構成を有する。
 図5に示すように、パッドホルダ226は、回転シャフト224の下端に取り付けられた板状の第1のホルダ本体221-1と、第1のホルダ本体221-1の下方に設けられた板状の第2のホルダ本体221-2と、を備える。パッドホルダ226は、第1のホルダ本体221-1と第2のホルダ本体221-2との間に挟まれたエアバッグ223を備える。回転シャフト224および第1のホルダ本体221-1には、エアバッグ223に連通する流路224aが形成されている。多軸アーム200は、図示していない流体源から流路224aを介してエアバッグ223に気体を供給することによって、基板WFに対する研磨パッド222の押圧力を調整できるようになっている。
 パッドホルダ226(第2のホルダ本体221-2)は、研磨パッド222を保持する保持面221-2cの中央部に形成された排出穴221-2aと、排出穴221-2aからパッドホルダ226の外部に連通する排出路221-2bと、を有する。排出路221-2bは、排出穴221-2aと第2のホルダ本体221-2の側面とを連通するように第2のホルダ本体221-2に形成されている。
 図6は、一実施形態による第2のホルダ本体221-2を概略的に示す平面図である。図6に示すように、排出路221-2bは、排出穴221-2aから放射状に伸びて第2のホルダ本体221-2の側面の複数個所(本実施形態では4個所)に開口している。また、図6に示すように、排出穴221-2aは丸穴であり、排出路221-2bは、第2のホルダ本体221-2を平面視したときに排出穴221-2aから排出穴221-2aの接線方向に延びて第2のホルダ本体221-2の側面の複数個所に開口している。なお、本実施形態では4本の排出路221-2bが形成される例を示したが、排出路221-2bの数は任意である。
 図7は、一実施形態による研磨パッドを概略的に示す平面図である。図5および図7に示すように、研磨パッド222は、基板WFに接触する研磨面222cの中央に貫通穴222bが形成されている。貫通穴222bは、排出穴221-2aと同様の大きさおよび形状である。貫通穴222bと排出穴221-2aは連通している。研磨パッド222の研磨面222cには、貫通穴222bと研磨パッド222の側面とを連通する溝222aが形成されている。図7に示すように、溝222aは、貫通穴222bと研磨パッド222の側面とを連通する螺旋状の溝を含んで構成される。
 本実施形態の基板処理装置1000は、パッドホルダ226を介して基板WFに研磨液を供給するのではなく、パッドホルダ226の周囲に配置されたノズル248によって研磨液を供給するようになっている。これにより、ロータリジョイントを設ける必要がなくなるので、ロータリジョイントの内部の部品の摩耗に起因する粒子が研磨液とともに研磨パッド222と基板WFとの間に混入して基板WFの被研磨面を傷つけることを抑制することができる。
 一方で、パッドホルダ226の周囲に研磨液を供給する場合には、研磨パッド222の研磨面と基板WFの被研磨面との間に研磨液を十分に供給することが課題となる。この点、本実施形態の基板処理装置1000は、螺旋状の溝222aが形成された研磨パッド222を用いることによって研磨液を研磨パッド222の外側から中心に向けて移送させ易くすることができる。ここで、単に、螺旋状の溝222aが形成された研磨パッド222を用いるだけだと、研磨パッド222の中心に空気が集中して圧力が高まる結果、研磨液の研磨パッド222の中心への移送が不十分になるおそれがある。
 これに対して本実施形態では、研磨パッド222の中心に貫通穴222bが形成されており、かつ、第2のホルダ本体221-2に、貫通穴222bと連通する排出穴221-2a、および排出穴221-2aとパッドホルダ226の外部とを連通する排出路221-2bが形成されている。これにより、研磨パッド222の中心に集められた空気を、貫通穴222b、排出穴221-2a、および排出路221-2bを介してパッドホルダ226の外部に排出することができる。したがって、研磨パッド222の中心の圧力が高まることを抑制することができるので、研磨液を研磨パッド222の中心に向けてスムーズに移送することができる。
 これに加えて、排出路221-2bは排出穴221-2aから放射状に延びており、排出路221-2bには遠心力が作用するので、研磨パッド222の中心に移送された研磨液を、貫通穴222b、排出穴221-2a、および排出路221-2bを介してパッドホルダ226の外部に排出することができる。ここで、本実施形態では、螺旋状の溝222aによって研磨パッド222の中心に移送された研磨液は排出穴221-2aを螺旋状に上昇する。この点、図6に示すように、排出路221-2bは排出穴221-2aの接線方向に放射状に延びているので、排出穴221-2aを螺旋状に上昇した研磨液を排出路221-2bへ流し易くなっている。以上のように研磨液が遠心力によってパッドホルダ226の外部に排出されることにより、パッドホルダ226の周囲に供給された研磨液を研磨パッド222の中心までよりスムーズに移送することができる。その結果、基板WFと研磨パッド222の間に十分な量の研磨液を供給することができるので、基板WFの研磨レートを向上させることができる。
 また、上述のように、本実施形態の基板処理装置1000は、研磨パッド222が支持部材300に支持されるようにパッドホルダ226を揺動させながら基板WFを研磨するように構成される。多軸アーム200は、研磨パッド222が基板WFと接触しているときだけではなく、研磨パッド222が支持部材300と接触しているときにも、ノズル228から研磨液を供給するように構成される。研磨パッド222が支持部材300と接触しているときにノズル228から供給された研磨液は上述のように研磨パッド222の中心に移送されるので、研磨パッド222には基板WFの研磨に用いられていない研磨液が満たされた状態になる。したがって、パッドホルダ226を揺動させて研磨パッド222と基板WFとを接触させるとすぐに基板WFの研磨処理が行われるので、基板WFの被研磨面を均一に研磨することができるとともに研磨レートを向上させることができる。
 なお、本実施形態では、螺旋状の溝222aが形成された研磨パッド222をパッドホルダ226に取り付ける例を示したが、これに限定されない。研磨パッド222は、研磨面222cの中央の貫通穴222bと研磨パッド222の側面とを連通する溝が研磨面222cに形成されており、研磨液を研磨パッド222の中心に移送させるように構成されているものであればよい。
 図9は、一実施形態によるパッドホルダを概略的に示す断面図である。図10は、図9に示されるパッドホルダを上方から見た平面図である。以下において図9、10とともに一実施形態によるパッドホルダ226の構成を説明するが、パッドホルダ246を同様の構成としてもよい。
 図9に示されるパッドホルダ226は、図5に示されるパッドホルダ226と同様の構造を備えている。図9に示される実施形態において、基板処理装置1000は、研磨液回収部材270を備えている。研磨液回収部材270は、パッドホルダ226の第2のホルダ本体221-2を囲うように配置された環状部分272と、環状部分272から半径方向の外側に延びる延長部分274とを備える。環状部分272には、排出路221-2bから排出された研磨液を受ける環状の研磨液回収通路276が画定されている。延長部分274にも同様に研磨液回収通路278が画定されている。環状部分272の研磨液回収通路276は研磨液回収通路278に連通しており、排出路221-2bから排出された研磨液は、研磨液回収通路276および研磨液回収通路278を通じて回収される。回収された研磨液は、テーブル100外に排出され、テーブル100から流れ落ちた研磨液とともに廃棄される。回収された研磨液は、残留物の除去などの適切な処理を施して再利用してもよい。
 研磨液回収部材270は、パッドホルダ226に非接触となるように第1のアーム220に固定されている。そのため、研磨液回収部材270は、パッドホルダ226と一緒に回転することはないが、パッドホルダ226とともに揺動する。ただし、研磨液回収部材270の環状部分272は、研磨液を効率的に回収するためにパッドホルダ226に近づけて配置することが好ましい。なお、研磨液回収部材270をパッドホルダ246の周囲に設ける場合、研磨液回収部材270は第3のアーム220に固定される。
 <フローチャート>
 次に、本実施形態による基板処理方法の手順を説明する。図8は、一実施形態による基板処理方法のフローチャートである。図8に示すように、基板処理方法は、まず、研磨パッド222をパッドホルダ226に取り付ける(取り付けステップS100)。本実施形態の基板処理方法では、図7に示すように、研磨面222cの中央に貫通穴222bが形成され、かつ、貫通穴222bと研磨パッド222の側面とを連通する螺旋状の溝222aが研磨面222cに形成された研磨パッド222が用いられる。また、本実施形態の基板処理方法では、図5に示すように、保持面221-2cの中央部に排出穴221-2aが形成され、かつ、排出穴221-2aからパッドホルダ226の外部に連通する排出路221-2bが形成されたパッドホルダ226が用いられる。
 続いて、基板処理方法は、テーブル100に基板WFを設置する(設置ステップS110)。続いて、基板処理方法は、パッドホルダ226の周囲に配置されたノズル228から基板WFの被研磨面に向けて研磨液を供給する(供給ステップS120)。供給ステップS120は、以下の研磨処理を行っている間は継続してノズル228から研磨液を供給する。続いて、基板処理方法は、パッド回転機構229を用いてパッドホルダ226を回転させる(回転ステップS130)。続いて、基板処理方法は、テーブル100を回転させるとともに、昇降機構227およびエアバッグ223を用いて研磨パッド222を基板WFに押圧する(押圧ステップS140)。
 続いて、基板処理方法は、回転駆動機構212を用いてパッドホルダ226を基板の径方向に揺動させる(揺動ステップS150)。揺動ステップS150は、パッドホルダ226を基板WFと支持部材300との間で揺動させる。ここで、上記の供給ステップS120は、パッドホルダ226の揺動経路に研磨液を供給するように構成される。また、供給ステップS120は、研磨パッド222と基板WFが接触しているときには基板WFの被研磨面に対して研磨液を供給するとともに、揺動ステップS150によってテーブル100の外側へ揺動された研磨パッド222が支持部材300に支持されているときには支持部材300に対して研磨液を供給するように構成される。以上により基板WFの研磨処理が行われる。
 続いて、基板処理方法は、基板WFを研磨しながら膜厚計測器600によって基板WFの被研磨面の膜厚プロファイルを計測する(膜厚計測ステップS160)。続いて、基板処理方法は、膜厚計測ステップS160によって計測された膜厚プロファイルが所望の膜厚プロファイルになっているか否かを判定する(判定ステップS170)。基板処理方法は、所望の膜厚プロファイルが得られていないと判定した場合には(判定ステップS170,No)、膜厚計測ステップS160へ戻って処理を繰り返す。一方、基板処理方法は、所望の膜厚プロファイルが得られたと判定した場合には(判定ステップS170,Yes)、研磨処理を終了する。
 本実施形態の基板処理方法によれば、パッドホルダ226の周囲に配置されたノズル248から研磨液を供給するので、ロータリジョイントを設ける必要がなくなる。その結果、ロータリジョイントの内部の部品の摩耗に起因する粒子が研磨液とともに研磨パッド222と基板WFとの間に混入するのを抑制することできるので、基板WFの被研磨面が傷つくのを防止することができる。
 また、本実施形態の基板処理方法によれば、螺旋状の溝222aが形成された研磨パッド222を用い、かつ、排出穴221-2aおよび排出路221-2bが形成されたパッドホルダ226を用いているので、研磨パッド222の中心に集まる気体をパッドホルダ226の外部に抜くことができる。さらに、螺旋状の溝222aによって研磨パッド222の中心に移送された研磨液をパッドホルダ226の回転に伴う遠心力によって排出路221-2bから排出することができるので、研磨パッド222の中心に研磨液を順次移送させることができる。その結果、基板WFと研磨パッド222の間に十分な量の研磨液を供給することができるので、基板WFの研磨レートを向上させることができる。図9、10に示される基板処理装置1000を使用する場合、排出路221-2bから排出された研磨液を研磨液回収部材270により回収することができる。そのため、研磨に使用された研磨液が再び研磨パッド222と基板WFとの間に供給されることを防止し、新鮮な研磨液により基板WFを研磨することができる。
 以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
 本願は、一実施形態として、基板を支持するためのテーブルと、前記テーブルに支持された基板を研磨するための研磨パッドを保持するためのパッドホルダと、前記パッドホルダの周囲に研磨液を供給するためのノズルと、前記パッドホルダを回転させるためのパッド回転機構と、を含み、前記パッドホルダは、前記研磨パッドを保持する保持面の中央部に形成された排出穴と、前記排出穴から前記パッドホルダの外部に連通する排出路と、を有する、基板処理装置を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、前記排出路は、前記排出穴と前記パッドホルダの側面とを連通するように前記パッドホルダに形成される、基板処理装置を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、前記排出路は、前記排出穴から放射状に伸びて前記パッドホルダの側面の複数個所に開口するように前記パッドホルダに形成される、基板処理装置を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、前記排出穴は、丸穴であり、前記排出路は、前記パッドホルダを平面視したときに前記排出穴から前記排出穴の接線方向に延びて前記パッドホルダの側面の複数個所に開口するように前記パッドホルダに形成される、基板処理装置を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、前記パッドホルダは、前記テーブルに支持された基板に接触する研磨面に前記排出穴と連通する貫通穴が形成された研磨パッドであって、前記貫通穴と前記研磨パッドの側面とを連通する溝が前記研磨面に形成された研磨パッドを保持するように構成される、基板処理装置を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、前記溝は、前記貫通穴と前記研磨パッドの側面とを連通する螺旋状の溝を含む、基板処理装置を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、前記パッドホルダを前記基板の径方向に揺動させるための揺動機構と、
 前記揺動機構によって前記テーブルの外側へ揺動された研磨パッドを支持するための支持部材と、基板処理装置を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、前記ノズルは、前記パッドホルダの揺動経路に配置された第1のノズルと、前記パッドホルダを挟んで前記第1のノズルと反対側の前記パッドホルダの揺動経路に配置された第2のノズルと、を含む、基板処理装置を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、前記支持部材は、前記テーブルの外側の前記パッドホルダの揺動経路に配置された第1の支持部材と、前記テーブルを挟んで前記第1の支持部材と反対側の前記パッドホルダの揺動経路に配置された第2の支持部材と、を含む、基板処理装置を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、前記排出路から排出された研磨液を回収するための研磨液回収部材を含み、 前記研磨液回収部材は、前記パッドホルダを囲うように配置された環状部分を含む、基板処理装置を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、テーブルに基板を設置する設置ステップと、研磨パッドを保持するためのパッドホルダであって、前記研磨パッドを保持するための保持面の中央部に形成された排出穴と、前記排出穴から前記パッドホルダの外部に連通する排出路と、を有する、パッドホルダの周囲に配置されたノズルから基板に対して研磨液を供給する供給ステップと、前記パッドホルダを回転させる回転ステップと、前記パッドホルダに保持された研磨パッドを前記基板に押圧する押圧ステップと、を含む、基板処理方法を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、前記テーブルに設置された基板に接触する研磨面に前記排出穴と連通する貫通穴が形成された研磨パッドであって、前記貫通穴と前記研磨パッドの側面とを連通する溝が前記研磨面に形成された研磨パッドを前記パッドホルダに取り付ける取り付けステップをさらに含む、基板処理方法を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、前記溝は、前記貫通穴と前記研磨パッドの側面とを連通する螺旋状の溝を含む、基板処理方法を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、前記研磨パッドを前記基板の径方向に揺動させる揺動ステップをさらに含み、前記供給ステップは、前記パッドホルダの揺動経路に研磨液を供給するステップを含む、基板処理方法を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、前記供給ステップは、前記揺動ステップによって前記テーブルの外側へ揺動された研磨パッドが、前記テーブルの周囲に配置された支持部材に支持されているときに、研磨液を供給するように構成される、基板処理方法を開示する。
 さらに、本願は、一実施形態として、研磨液回収部材であって、前記研磨液回収部材は、前記パッドホルダを囲うように配置された環状部分を含む、研磨液回収部材により、前記排出路から排出された研磨液を回収する回収ステップを含む、基板処理方法を開示する。
100 テーブル
200 多軸アーム
221-1 第1のホルダ本体
221-2 第2のホルダ本体
221-2a 排出穴
221-2b 排出路
221-2c 保持面
222 研磨パッド
222a 螺旋状の溝
222b 貫通穴
222c 研磨面
226 パッドホルダ
227 昇降機構
228 ノズル
228-1 第1のノズル
228-2 第2のノズル
229 パッド回転機構
270 研磨液回収部材
300 支持部材
300A 第1の支持部材
300B 第2の支持部材
301a,301b 支持面
1000 基板処理装置
WF 基板

Claims (16)

  1.  基板を支持するためのテーブルと、
     前記テーブルに支持された基板を研磨するための研磨パッドを保持するためのパッドホルダと、
     前記パッドホルダの周囲に研磨液を供給するためのノズルと、
     前記パッドホルダを回転させるためのパッド回転機構と、
     を含み、
     前記パッドホルダは、前記研磨パッドを保持する保持面の中央部に形成された排出穴と、前記排出穴から前記パッドホルダの外部に連通する排出路と、を有する、
     基板処理装置。
  2.  前記排出路は、前記排出穴と前記パッドホルダの側面とを連通するように前記パッドホルダに形成される、
     請求項1に記載の基板処理装置。
  3.  前記排出路は、前記排出穴から放射状に伸びて前記パッドホルダの側面の複数個所に開口するように前記パッドホルダに形成される、
     請求項2に記載の基板処理装置。
  4.  前記排出穴は、丸穴であり、
     前記排出路は、前記パッドホルダを平面視したときに前記排出穴から前記排出穴の接線方向に延びて前記パッドホルダの側面の複数個所に開口するように前記パッドホルダに形成される、
     請求項2または3に記載の基板処理装置。
  5.  前記パッドホルダは、前記テーブルに支持された基板に接触する研磨面に前記排出穴と連通する貫通穴が形成された研磨パッドであって、前記貫通穴と前記研磨パッドの側面とを連通する溝が前記研磨面に形成された研磨パッドを保持するように構成される、
     請求項1から4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6.  前記溝は、前記貫通穴と前記研磨パッドの側面とを連通する螺旋状の溝を含む、
     請求項5に記載の基板処理装置。
  7.  前記パッドホルダを前記基板の径方向に揺動させるための揺動機構と、
     前記揺動機構によって前記テーブルの外側へ揺動された研磨パッドを支持するための支持部材と、
     をさらに含む、
     請求項1から6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8.  前記ノズルは、前記パッドホルダの揺動経路に配置された第1のノズルと、前記パッドホルダを挟んで前記第1のノズルと反対側の前記パッドホルダの揺動経路に配置された第2のノズルと、を含む、
     請求項7に記載の基板処理装置。
  9.  前記支持部材は、前記テーブルの外側の前記パッドホルダの揺動経路に配置された第1の支持部材と、前記テーブルを挟んで前記第1の支持部材と反対側の前記パッドホルダの揺動経路に配置された第2の支持部材と、を含む、
     請求項7または8に記載の基板処理装置。
  10.  前記排出路から排出された研磨液を回収するための研磨液回収部材を含み、
     前記研磨液回収部材は、前記パッドホルダを囲うように配置された環状部分を含む、
     請求項1から9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  11.  テーブルに基板を設置する設置ステップと、
     研磨パッドを保持するためのパッドホルダであって、前記研磨パッドを保持するための保持面の中央部に形成された排出穴と、前記排出穴から前記パッドホルダの外部に連通する排出路と、を有する、パッドホルダの周囲に配置されたノズルから研磨液を供給する供給ステップと、
     前記パッドホルダを回転させる回転ステップと、
     前記パッドホルダに保持された研磨パッドを前記基板に押圧する押圧ステップと、
     を含む、基板処理方法。
  12.  前記テーブルに設置された基板に接触する研磨面に前記排出穴と連通する貫通穴が形成された研磨パッドであって、前記貫通穴と前記研磨パッドの側面とを連通する溝が前記研磨面に形成された研磨パッドを前記パッドホルダに取り付ける取り付けステップをさらに含む、
     請求項11に記載の基板処理方法。
  13.  前記溝は、前記貫通穴と前記研磨パッドの側面とを連通する螺旋状の溝を含む、
     請求項12に記載の基板処理方法。
  14.  前記研磨パッドを前記基板の径方向に揺動させる揺動ステップをさらに含み、
     前記供給ステップは、前記パッドホルダの揺動経路に研磨液を供給するステップを含む、
     請求項11から13のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  15.  前記供給ステップは、前記揺動ステップによって前記テーブルの外側へ揺動された研磨パッドが、前記テーブルの周囲に配置された支持部材に支持されているときに研磨液を供給するように構成される、
     請求項14に記載の基板処理方法。
  16.  研磨液回収部材であって、前記研磨液回収部材は、前記パッドホルダを囲うように配置された環状部分を含む、研磨液回収部材により、前記排出路から排出された研磨液を回収する回収ステップを含む、
     請求項11から15のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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