WO2022118558A1 - 蛍光発光モジュール及び発光装置 - Google Patents

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Abstract

蛍光発光モジュール（１ｃ）は、蛍光体材料を有する焼結蛍光体によって構成されている基板である蛍光体基板（１０ｃ）と、蛍光体基板（１０ｃ）の厚み方向に延びる軸（Ａ１）を中心として蛍光体基板（１０ｃ）を回転させる回転部（１００）と、を備える。

Description

蛍光発光モジュール及び発光装置
　本発明は、蛍光発光モジュール及びそれを用いた発光装置に関する。
　従来、励起光を受光し蛍光を放つ蛍光発光モジュールが知られている。このような蛍光発光モジュールは、例えば、プロジェクタなどの発光装置に応用されている。
　蛍光発光モジュールの一例として、特許文献１には、励起光を出射する光出射部と、励起光により励起され蛍光を発生する蛍光発生部と、蛍光発生部などを支持する板状のガラス部材によって構成される蛍光体用基板とを備える光源装置が開示されている。この蛍光発光モジュールにおいては、励起光は、大気から蛍光体用基板へ入射する。さらに、蛍光体用基板へ入射した励起光は、蛍光体用基板を透過して蛍光発生部へ入射し、蛍光発生部で蛍光が発生する。
特開２０１２－９２４２号公報
　上記蛍光発光モジュールでは、大気の屈折率と蛍光体用基板の屈折率との差により、大気から蛍光体用基板に入射する励起光の一部が大気側に向けて反射されてしまう。この結果、励起光の一部が反射されない場合と比べて、蛍光発生部に入射する励起光が減少するため、蛍光発生部で発生する蛍光も減少してしまう。よって、上記蛍光発光モジュールでは、光の利用効率が低いという課題がある。
　また、上記蛍光発光モジュールでは、蛍光体用基板上の蛍光発生部は、蛍光体材料と透明樹脂とによって構成されている。蛍光発生部において、蛍光体材料には、励起光の照射により最も高い熱が発生する。蛍光体材料で発生した熱は、透明樹脂を経由して熱伝導され、放熱される。しかし、この透明樹脂の熱伝導率が低いため（つまり熱抵抗が高いため）、蛍光体材料で発生した熱を、効率よく放熱することが難しい。この熱により、発生する蛍光が減少する現象（所謂、温度消光現象）が起こるため、上記蛍光発光モジュールから出力される光の色度変化が大きくなってしまう。さらに、透明樹脂の線膨張係数は、蛍光発生部及び蛍光体用基板の線膨張係数とは、大きく異なる為、上記熱により蛍光体用基板からの蛍光発生部の剥離が起こりやすい。この色度変化及び剥離などにより、上記蛍光発光モジュールの信頼性は低いという課題がある。
　そこで、本発明の目的は、光の利用効率が高く、かつ、信頼性が高い蛍光発光モジュール及び発光装置を提供する事である。
　本発明の一態様に係る蛍光発光モジュールは、蛍光体材料を有する焼結蛍光体によって構成されている基板である蛍光体基板と、前記蛍光体基板の厚み方向に延びる軸を中心として前記蛍光体基板を回転させる回転部と、を備える。
　また、本発明の一態様に係る蛍光発光モジュールは、蛍光体材料と熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上３００Ｗ／ｍ・Ｋ以下である高熱伝導材料とを有する焼結蛍光体によって構成されている基板である蛍光体基板を備える。
　また、本発明の一態様に係る発光装置は、上記の蛍光発光モジュールを備える。
　本発明によれば、光の利用効率が高く、かつ、信頼性が高い蛍光発光モジュール及び発光装置を提供することができる。
図１は、実施の形態２に係る蛍光発光モジュールの斜視図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線における蛍光発光モジュールの一部の切断面を示す断面図である。 図３は、実施の形態１に係るプロジェクタの外観を示す斜視図である。 図４Ａは、実施の形態１に係るプロジェクタにおける蛍光発光モジュールを示す図である。 図４Ｂは、実施の形態１に係る透過光のエネルギーの効率を示す図である。 図５Ａは、実施の形態１に係る蛍光体基板を製造するための金型の斜視図である。 図５Ｂは、実施の形態１に係るＹＡＧ：ＣｅのＣｅ濃度と蛍光体基板の厚みとの関係を示す図である。 図５Ｃは、実施の形態１に係るＹＡＧ：ＣｅのＣｅ濃度と蛍光体基板の温度との関係を示す。 図５Ｄは、実施の形態１に係る蛍光体基板のスポットサイズ拡大率との関係を示す。 図６は、実施の形態２の他の例１に係る蛍光体基板の断面図である。 図７は、実施の形態２の他の例２に係る蛍光体基板の断面図である。 図８は、実施の形態１に係る蛍光発光モジュールの斜視図である。 図９は、図８のＩＸ－ＩＸ線における蛍光発光モジュールの一部の切断面を示す断面図である。 図１０は、実施の形態１に係るプロジェクタの構成を示す模式図である。 図１１は、実施の形態３に係る蛍光発光モジュールの斜視図である。 図１２は、図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線における蛍光発光モジュールの一部の切断面を示す断面図である。 図１３は、実施の形態４に係る蛍光発光モジュールの斜視図である。 図１４は、実施の形態４に係る蛍光体基板を製造するための金型の斜視図である。 図１５は、実施の形態５に係る蛍光発光モジュールの斜視図である。 図１６は、図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ線における蛍光発光モジュールの一部の切断面を示す断面図である。 図１７は、実施の形態６に係る蛍光発光モジュールの斜視図である。
　以下では、本発明の実施の形態に係る蛍光発光モジュールなどについて、図面を用いて詳細に説明する。
　なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、製造工程、製造工程の順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。
　また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、例えば、各図において縮尺などは必ずしも一致しない。また、各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
　本明細書において、平行又は直交などの要素間の関係性を示す用語、及び、円形状などの要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。
　また、本明細書及び図面において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、三次元直交座標系の三軸を示している。各実施の形態では、軸の方向と平行な方向をｚ軸とし、ｚ軸に直交する二軸をｘ軸及びｙ軸としている。
　（実施の形態１）
　[蛍光発光モジュールの構成］
　はじめに、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｃの構成について図面を用いて説明する。図８は、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｃの斜視図である。図９は、図８のＩＸ－ＩＸ線における蛍光発光モジュール１ｃの一部の切断面を示す断面図である。
　図８及び図９が示すように、蛍光発光モジュール１ｃは、焼結蛍光体によって構成されている蛍光体基板１０ｃと、反射防止層３０と、青透過ダイクロイック多層膜４０と、回転部１００と、第４光学素子３０４と、２つの光出射部２００とを備えるモジュールである。なお、簡単のため、図８においては、１つの光出射部２００が記載されている。以下の図においても同様に記載される場合がある。また、蛍光発光モジュール１ｃは、１つの光出射部２００を備えてもよい。蛍光発光モジュール１ｃは、プロジェクタ及び照明装置などに代表される発光装置に用いられる。本実施の形態においては、蛍光発光モジュール１ｃが用いられるプロジェクタを例に説明を行う。蛍光体基板１０ｃは、励起光Ｌ１を受光して蛍光を含む透過光Ｌ２を放つ光透過型の蛍光体ホイールとして利用される。また、透過光Ｌ２は、当該プロジェクタが出力する投射光として利用される光である。
　以下、蛍光発光モジュール１ｃが備える構成要素について説明する。
　＜光出射部の説明＞
　光出射部２００は、励起光Ｌ１を出射する光源である。励起光Ｌ１は、焼結蛍光体である蛍光体基板１０ｃを励起する光である。換言すると、励起光Ｌ１は、蛍光体基板１０ｃを構成する焼結蛍光体が有する蛍光体材料を励起する光である。なお、図９においては、光出射部２００の側面図が示されている。光出射部２００は、例えば半導体レーザ光源又はＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）光源であり、駆動電流によって駆動されて所定の色（波長）の励起光Ｌ１を出射する。
　本実施の形態においては、光出射部２００は、半導体レーザ光源である。なお、光出射部２００が備える半導体レーザ素子は、例えば窒化物半導体材料によって構成されたＧａＮ系半導体レーザ素子（レーザチップ）である。本実施の形態において、半導体レーザ光源である光出射部２００は、コリメートレンズ一体型ＴＯ－ＣＡＮタイプの発光装置である。なお、２つの光出射部２００は、特許文献である特開２０１６－２１９７７９に示されているような、マルチチップタイプレーザーでもよく、コリメートレンズとＴＯ－ＣＡＮとが別体になっていてもよい。
　一例として、光出射部２００は、波長３８０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下にピーク波長を有する近紫外から青色の範囲内のレーザ光を励起光Ｌ１として出射する。このとき、励起光Ｌ１のピーク波長は、例えば４５５ｎｍであり、励起光Ｌ１は青色光である。
　＜回転部の説明＞
　回転部１００は、蛍光体基板１０ｃの厚み方向（ｚ軸方向）に延びる軸Ａ１を中心として蛍光体基板１０ｃを回転させる部材であり、一例として、モータである。より具体的には、本実施の形態においては、回転部１００は、蛍光体基板１０ｃ、反射防止層３０及び青透過ダイクロイック多層膜４０を軸Ａ１を中心として図８が示す矢印の方向に回転させる。平面視で円形状である蛍光体基板１０ｃの中心を中心点Ｃ１としたとき、軸Ａ１は、中心点Ｃ１を通り、つまりは蛍光体基板１０ｃを貫いている。ここで、ｚ軸正方向から蛍光発光モジュール１ｃを見た場合を平面視とする。なお、図９においては、回転部１００の内部部品は省略して図示されている。
　また、図９が示すように、平面視で、蛍光体基板１０ｃは、このような回転部１００と重なる位置に設けられている。
　＜第４光学素子＞
　第４光学素子３０４は、２つの光出射部２００から出力された励起光Ｌ１の光路を制御するための光学部材である。一例として、第４光学素子３０４は、透過光Ｌ２を集光するためのレンズである。なお、図９においては、第４光学素子３０４の側面図が示されている。
　＜蛍光体基板の説明＞
　蛍光体基板１０ｃは、蛍光体材料を有する焼結蛍光体によって構成されている基板であり、上述の通り円形状を有する基板である。つまり、蛍光体基板１０ｃは、平面を有する円板形状である。具体的には、ここでは、蛍光体基板１０ｃは焼結蛍光体のみによって構成されている基板であり、焼結蛍光体は主成分である蛍光体材料のみを有する。
　なお、ここで本実施の形態における焼結蛍光体について説明する。
　焼結蛍光体とは、上記の主成分である蛍光体材料（一例として、蛍光体材料の原料粉が造粒された造粒体）の原料粉が、蛍光体材料の融点よりも低い温度で焼成された焼成体である。また、焼結蛍光体は、焼成の過程で原料粉同士が結合される。そのため、焼結蛍光体は、造粒体同士を結合させるための結合剤をほとんど必要としない。より具体的には、焼結蛍光体は、結合剤を一切必要としない。結合剤とは、一例として、上記の特許文献１では、透明樹脂である。また、結合剤とは、Ａｌ２Ｏ３材料、及び、ガラス材料（つまりはＳｉＯｄ（０＜ｄ≦２））などが公知の材料として用いられている。なお、同様に、結合剤に限られず、焼結蛍光体は、焼結蛍光体が有する蛍光体材料以外の材料（以下その他材料）をほとんど必要とせず、より具体的には、その他材料を一切必要としない。
　例えば、焼結蛍光体の全体の体積を１００ｖｏｌ％としたとき、焼結蛍光体の全体の体積における蛍光体材料の体積が７０ｖｏｌ％以上であるとよい。また、焼結蛍光体の全体の体積における蛍光体材料の体積が、８０ｖｏｌ％以上であるとよりよく、９０ｖｏｌ％以上であるとさらによく、９５ｖｏｌ％以上であるとさらによりよくなる。
　なお、換言すると、焼結蛍光体の全体の体積を１００ｖｏｌ％としたとき、焼結蛍光体の全体の体積におけるその他材料（例えば結合剤）の体積が３０ｖｏｌ％未満であるとよい。また、焼結蛍光体の全体の体積におけるその他材料（例えば結合剤）の体積が、２０ｖｏｌ％未満であるとよりよく、１０ｖｏｌ％未満であるとさらによく、５ｖｏｌ％未満であるとさらによりよくなる。
　焼結蛍光体の全体の体積におけるその他材料のｖｏｌ％が高い（つまり、その他材料の体積の割合が多い）と、蛍光体材料とその他材料との界面に存在する欠陥によりフォノン散乱が発生する。この結果、焼結蛍光体の熱伝導率が低下する。特に、その他材料の体積が３０ｖｏｌ％以上で熱伝導率の低下が著しい。また、上記界面での非発光再結合も多くなり、発光効率が低下する。換言すると、焼結蛍光体の全体の体積におけるその他材料のｖｏｌ％が低い（つまり、その他材料の体積の割合が少ない）ほど、熱伝導率、及び、発光効率が向上する。本発明の焼結蛍光体は、上記理由により、焼結蛍光体の全体の体積におけるその他材料の体積を３０ｖｏｌ％未満としている。
　ここで、蛍光体材料について説明する。蛍光体材料は、例えば、ガーネット構造を有する結晶相によって構成されている材料である。ガーネット構造とは、Ａ３Ｂ２Ｃ３Ｏ１２の一般式で表される結晶構造である。元素Ａには、Ｃａ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ及びＬｕなどの希土類元素が適用され、元素Ｂには、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ及びＳｃなどの元素が適用され、元素Ｃには、Ａｌ、Ｓｉ及びＧａなどの元素が適用される。このようなガーネット構造としては、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット（Ｙｔｔｒｉｕｍ　Ａｌｕｍｉｎｕｍ　Ｇａｒｎｅｔ））、ＬｕＡＧ（ルテチウム・アルミニウム・ガーネット（Ｌｕｔｅｔｉｕｍ　Ａｌｕｍｉｎｕｍ　Ｇａｒｎｅｔ））、Ｌｕ２ＣａＭｇ２Ｓｉ３Ｏ１２（ルテチウム・カルシウム・マグネシウム・シリコン・ガーネット（Ｌｕｔｅｔｉｕｍ　Ｃａｌｃｉｕｍ　Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｇａｒｎｅｔ））及びＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット（Ｔｅｒｂｉｕｍ　Ａｌｕｍｉｎｕｍ　Ｇａｒｎｅｔ））などが挙げられる。本実施の形態においては、蛍光体材料は、（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３Ａｌ２Ａｌ３Ｏ１２（つまりは、（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３Ａｌ５Ｏ１２）（０．０００１≦ｘ＜０．１）で表される結晶相、つまりはＹＡＧ：Ｃｅによって構成されている。
　また、蛍光体材料がＹＡＧ：Ｃｅによって構成されている場合、原料としてＡｌ２Ｏ３が用いられる場合がある。この場合、焼結蛍光体において、未反応の原料としてＡｌ２Ｏ３が残るときがある。しかし、未反応の原料であるＡｌ２Ｏ３は、上記結合剤とは異なる。また、焼結蛍光体の全体の体積を１００ｖｏｌ％としたとき、焼結蛍光体の全体の体積における未反応の原料であるＡｌ２Ｏ３の体積は、５ｖｏｌ％以下である。
　なお、蛍光体材料を構成する結晶相は、化学組成の異なる複数のガーネット結晶相の固溶体であっても良い。このような固溶体としては、（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３Ａｌ２Ａｌ３Ｏ１２（０．００１≦ｘ＜０．１）で表されるガーネット結晶相と（Ｌｕ１－ｙＣｅｙ）３Ａｌ２Ａｌ３Ｏ１２（０．００１≦ｙ＜０．１）で表されるガーネット結晶相との固溶体（（１－ａ）（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３Ａｌ５Ｏ１２・ａ（Ｌｕ１－ｙＣｅｙ）３Ａｌ２Ａｌ３Ｏ１２（０＜ａ＜１））が挙げられる。また、このような固溶体としては、（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３Ａｌ２Ａｌ３Ｏ１２（０．００１≦ｘ＜０．１）で表されるガーネット結晶相と（Ｌｕ１－ｚＣｅｚ）２ＣａＭｇ２Ｓｉ３Ｏ１２（０．００１５≦ｚ＜０．１５）で表されるガーネット結晶相との固溶体（（１－ｂ）（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３Ａｌ２Ａｌ３Ｏ１２・ｂ（Ｌｕ１－ｚＣｅｚ）２ＣａＭｇ２Ｓｉ３Ｏ１２（０＜ｂ＜１））などが挙げられる。蛍光体材料が化学組成の異なる複数のガーネット結晶相の固溶体から構成されることで、蛍光体材料が放つ蛍光の蛍光スペクトルがより広帯域化し、緑色の光成分と赤色の光成分が増える。そのため、色域の広い投射光を放つプロジェクタを提供できる。
　また、蛍光体材料を構成する結晶相は、上記の一般式Ａ３Ｂ２Ｃ３Ｏ１２で表される結晶相に対して、化学組成がずれた結晶相が含まれていても良い。このような結晶相としては、（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３Ａｌ２Ａｌ３Ｏ１２（０．００１≦ｘ＜０．１）で表される結晶相に対してＡｌがリッチな（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３Ａｌ２＋δＡｌ３Ｏ１２（δは正の数）が挙げられる。また、このような結晶相としては、（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３Ａｌ２Ａｌ３Ｏ１２（０．００１≦ｘ＜０．１）で表される結晶相に対してＹがリッチな（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３＋ζＡｌ２Ａｌ３Ｏ１２（ζは正の数）などが挙げられる。これらの結晶相は、一般式Ａ３Ｂ２Ｃ３Ｏ１２で表される結晶相に対して、化学組成がずれているが、ガーネット構造は維持している。
　さらに、蛍光体材料を構成する結晶相には、ガーネット構造以外の構造を有する異相が含まれていても良い。
　本実施の形態においては、ＹＡＧ：Ｃｅで構成される蛍光体材料は、蛍光体基板１０ｃのｚ軸負方向から入射する光を励起光Ｌ１として受光して、蛍光を放つ。より具体的には、光出射部２００から出射された光が励起光Ｌ１として蛍光体材料に照射されることで、蛍光体材料から波長変換光として蛍光が放たれる。つまり、蛍光体材料から放たれる波長変換光は、励起光Ｌ１の波長よりも長い波長の光である。
　本実施の形態において、蛍光体材料から放たれる波長変換光には、黄色光である蛍光が含まれる。蛍光体材料は、例えば、波長が３８０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の光を吸収し、波長が４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の領域に蛍光ピーク波長を有する黄色光である蛍光を放つ。蛍光体材料がＹＡＧ：Ｃｅで構成されることで、容易に波長が４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の領域に蛍光ピーク波長を有する蛍光を放つことができる。
　蛍光体材料に入射した励起光Ｌ１の一部は、上記の通り、蛍光体材料によって波長変換されて、蛍光体基板１０ｃを透過する。また、励起光Ｌ１の他部は、蛍光体材料によって波長変換されずに、蛍光体基板１０ｃを透過する。蛍光体基板１０ｃを透過した透過光Ｌ２は、波長変換された黄色光である蛍光と波長変換されていない青色光である励起光Ｌ１とを含む。つまり、透過光Ｌ２は、これらの光が複合された光であり、白色光である。例えば、透過光Ｌ２において、蛍光と励起光Ｌ１とのバランスが崩れると、透過光Ｌ２の色度が変化してしまう。より具体的には、蛍光の減少が起こると、励起光Ｌ１の割合が増えるため、透過光Ｌ２における青色光の割合が増えてしまう。
　また、図８が示すように、本実施の形態においては、励起光Ｌ１は、蛍光体基板１０ｃの中心点Ｃ１から半径Ｒの位置に照射される。
　＜コート層の説明＞
　＜青透過ダイクロイック多層膜＞
　このような蛍光体基板１０ｃのｚ軸負方向には青透過ダイクロイック多層膜４０が位置している。青透過ダイクロイック多層膜４０は、励起光Ｌ１を透過し、蛍光を反射する透過反射特性を有する層である。本実施の形態においては、青透過ダイクロイック多層膜４０は、青色光を透過し、黄色光を反射する透過反射特性を有する層である。
　具体的には、青透過ダイクロイック多層膜４０は、誘電体の多層膜などからなるダイクロイック層により構成されている。青透過ダイクロイック多層膜４０は、ダイクロイック層を構成している誘電体の材料及び／又は多層膜の構成を制御することで、所定の波長に対して所定の反射率を有し、青色の波長においては、高い透過特性をすることができる。
　例えば、このような青透過ダイクロイック多層膜４０が設けられない場合、蛍光体材料において生じた蛍光のうち一部の光は、ｚ軸負方向に向けて蛍光体基板１０ｃから出射され、上述のプロジェクタの投射光として利用することができない。青透過ダイクロイック多層膜４０が設けられることで、上記一部の光が青透過ダイクロイック多層膜４０によってｚ軸正方向に反射される。つまり、蛍光体基板１０ｃにおける蛍光体材料で生じた蛍光の全体がｚ軸正方向に向かいやすくなる。よって、蛍光発光モジュール１ｃの光の利用効率を高めることができる。また、青透過ダイクロイック多層膜４０は、励起光Ｌ１（青色光）に対する反射防止膜としての効果もあり、青透過ダイクロイック多層膜４０が無い場合に対し、蛍光体基板１０ｃに入射する励起光Ｌ１の光量を増加させることが可能となる。
　＜反射防止層＞
　さらに、蛍光体基板１０ｃのｚ軸正方向には反射防止層３０が位置している。
　反射防止層３０は、透過光Ｌ２の反射を防止、より具体的には抑制する層である。つまり、反射防止層３０は、ｚ軸正方向に進む透過光Ｌ２が反射されてｚ軸負方向に進むことを抑制する層である。
　反射防止層３０は、蛍光発光モジュール１ｃから出射する透過光Ｌ２の反射率を低下させ、換言すると、透過光Ｌ２の透過率を向上させ、蛍光発光モジュール１ｃから出射する透過光Ｌ２を増加させる。この結果、一例としてプロジェクタの投射光として利用可能な透過光Ｌ２が増加する。よって、蛍光発光モジュール１ｃの光の利用効率を高めることができる。
　反射防止層３０は、例えば、誘電体膜、又は、可視光領域の光の波長より小さい周期の微細な凹凸構造（いわゆる、モスアイ構造）などで構成されてもよい。反射防止層３０が誘電体膜で構成されている場合、反射防止層３０が無機化合物を含むことで、反射防止層３０を容易に製造することができる。また、この場合、反射防止層３０は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５及びＭｇＦなどから選ばれる１以上の無機化合物を含む。
　また、図８及び図９においては、反射防止層３０及び青透過ダイクロイック多層膜４０が設けられている構成が示されているが、蛍光発光モジュール１ｃは反射防止層３０及び青透過ダイクロイック多層膜４０を備えていなくてもよい。この場合、回転部１００と蛍光体基板１０ｃとは、接着部材を介して接している。
　また、反射防止層３０及び青透過ダイクロイック多層膜４０の平面視形状は、一例として、蛍光体基板１０ｃと同じ形状であり、円形状である。また図示されないが、反射防止層３０、青透過ダイクロイック多層膜４０は、平面視で励起光Ｌ１が照射される位置と重なるように配置され、円環形状であってもよい。このとき、当該円環形状の中心は蛍光体基板１０ｃの中心点Ｃ１と重なる。
　反射防止層３０及び青透過ダイクロイック多層膜４０は、蛍光体基板１０ｃに比べ、充分薄い。例えば、反射防止層３０及び青透過ダイクロイック多層膜４０のそれぞれの厚みは、一例として、０．１μｍ以上５０μｍ以下であるがこれに限られない。そのため、反射防止層３０及び青透過ダイクロイック多層膜４０は、蛍光体基板１０ｃを支持するための構成要素ではない。
　＜回転部による効果＞
　励起光Ｌ１の照射により蛍光体基板１０ｃの温度が高くなると、発生する蛍光が減少する現象（所謂、温度消光現象）が起こることが知られている。例えば、特許文献１に開示される蛍光発光モジュールで温度消光現象が起こると、蛍光発生部から出射される蛍光が減少するため、蛍光発光モジュールの光の利用効率が低下するなどの課題が発生する。
　さらに、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｃは、回転部１００を備えている。これにより、蛍光体基板１０ｃなどが軸Ａ１を中心として回転するため、気流が発生する。この発生した気流によって、蛍光体基板１０ｃが冷却される。換言すると、蛍光体基板１０ｃの放熱性が高まる。これにより、蛍光体基板１０ｃの温度の上昇を抑制できるため、蛍光の減少が抑制される。つまりは、蛍光発光モジュール１ｃの光の利用効率を高めることができる。さらに、蛍光の減少が抑制されるので、透過光Ｌ２の色度変化を抑制することができる。よって、信頼性が高い蛍光発光モジュール１ｃが実現される。
　＜蛍光体基板の直径＞
　円板形状である蛍光体基板１０ｃの直径は、一例として３０ｍｍ以上９０ｍｍ以下であるとよく、３５ｍｍ以上７０ｍｍ以下であるとよりよく、４０ｍｍ以上５０ｍｍ以下であるとさらによいが、これに限られない。
　＜基板レスによる効果＞
　これまで示してきたように、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｃは、蛍光体基板１０ｃを支持するための構成要素（例えば特許文献１で示す透明の蛍光体用基板）などを備えていない。つまりは、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｃは、基板レス構造である。そのため、特許文献１とは異なり、蛍光体用基板と大気との界面で発生する励起光Ｌ１の反射（つまりは励起光Ｌ１の光ロス）は、発生しない。上記界面での励起光Ｌ１の光ロスがないため、蛍光体基板１０ｃに入射する励起光Ｌ１が増加する。この結果、蛍光体基板１０ｃにおける蛍光体材料で発生する蛍光が増加する。つまりは、蛍光発光モジュール１ｃの光の利用効率を高めることができる。またさらに、蛍光発光モジュール１ｃは、蛍光体基板１０ｃを支持するための構成要素などを備えていないため、特許文献１に開示される蛍光発生部の剥離が起きない。よって、信頼性が高い蛍光発光モジュール１ｃが実現される。
　＜青透過ダイクロイック多層膜による効果＞
　また、青色光である励起光Ｌ１は、青透過ダイクロイック多層膜４０を設けることにより、青透過ダイクロイック多層膜４０が無い場合に発生する大気と蛍光体基板１０ｃとの界面でのフレネル反射を抑制する事が可能となる。つまり、青透過ダイクロイック多層膜４０は、励起光Ｌ１の反射による光ロスを抑制することができる。このような青透過ダイクロイック多層膜４０が設けられることで、蛍光体基板１０ｃに入射する励起光Ｌ１が増加する。この結果、蛍光体基板１０ｃにおける蛍光体材料で発生する蛍光が増加する。
　＜焼結蛍光体による効果＞
　さらに、ここで、蛍光体基板１０ｃが焼結蛍光体によって構成されている効果について説明する。
　例えば特許文献１では、透明樹脂が結合剤に相当する。この透明樹脂を含む公知の結合剤の屈折率は、ＹＡＧ：Ｃｅなどの蛍光体材料の屈折率とは、異なる場合が多い。このため、ＹＡＧ：Ｃｅなどの蛍光体材料と結合剤とが複合された場合には、光の散乱などが発生する。この場合、光の散乱による光ロスなどが発生してしまう。
　しかし、本実施の形態に係る焼結蛍光体は、上記の通り、結合剤をほとんど必要としない。そのため、焼結蛍光体においては、光散乱などによる光ロスは起こりにくい。つまり、蛍光発光モジュール１ｃが焼結蛍光体によって構成されている蛍光体基板１０ｃを備えることで、蛍光発光モジュール１ｃの光の利用効率を高めることができる。
　＜接着＞
　なお、回転部１００と蛍光体基板１０ｃとは接着部材を介して、接している。回転部１００の材質は、モータである回転部１００自身への負荷と熱伝導性とを考慮し、軽量、かつ、高熱伝導であるＡｌが用いられている。回転部１００の外径は、半径Ｒの倍の長さ以下である。接着部材としては、回転部１００と蛍光体基板１０ｃとの熱膨張係数差を緩和するために、シリコーン樹脂が使用されている。ただし、回転部１００の材質は、Ｃｕ又はＦｅなど、他の材質でもよく、接着部材も、他のエポキシ樹脂、又は、ナノＡｇ若しくはナノＣｕを含んだ高熱伝導性接着剤でもよい。
　＜蛍光体基板の径＞
　ここで、発明者らによって、透過光Ｌ２のエネルギーの効率と、蛍光体基板１０ｃの直径との検討が行われた。この検討結果が図４Ｂに示される。
　図４Ｂは、本実施の形態に係る透過光Ｌ２のエネルギーの効率を示す図である。ここでは、直径（図４Ｂではφと表示）が５ｍｍ以上９０ｍｍ以下の蛍光体基板１０ｃについて検討された結果が示されている。
　下方の横軸は、励起光Ｌ１のエネルギーを示している。また、ここでは、励起光Ｌ１が蛍光体基板１０ｃに入射する入射面積は２ｍｍ２であるため、上方の横軸は、励起光Ｌ１による入射面積での励起エネルギーの密度（励起密度）を示している。
　縦軸は、透過光Ｌ２のエネルギーの効率を示している。また、縦軸は、蛍光体基板１０ｃの直径を示すデータごとに、励起光Ｌ１のエネルギーが０．５Ｗのときの透過光Ｌ２のエネルギーを１００％として、透過光Ｌ２のエネルギーが規格化された値を示している。つまり例えば、直径５ｍｍの蛍光体基板１０ｃを示すデータでは、励起光Ｌ１のエネルギーが０．５Ｗのときの直径５ｍｍの蛍光体基板１０ｃから出射した透過光Ｌ２のエネルギーを１００％として、規格化された値が縦軸に示されている。同様に、直径３０ｍｍの蛍光体基板１０ｃを示すデータでは、励起光Ｌ１のエネルギーが０．５Ｗのときの直径３０ｍｍの蛍光体基板１０ｃから出射した透過光Ｌ２のエネルギーを１００％として、規格化された値が縦軸に示されている。
　励起光Ｌ１のエネルギーが大きいほど、蛍光体基板１０ｃの温度が高くなりやすく、温度消光現象が起こりやすい。温度消光現象が起こると、透過光Ｌ２のエネルギーが急激に低下する。図４Ｂが示すように、直径が５ｍｍ以上６５ｍｍ以下の蛍光体基板１０ｃでは、透過光Ｌ２のエネルギーが急激に低下する領域がある。例えば、直径が３０ｍｍの蛍光体基板１０ｃでは、励起光Ｌ１のエネルギーが７０Ｗから１００Ｗに増加したときに、この領域が表れている。
　また、図４Ｂでは、蛍光体基板１０ｃの直径が大きいほど、この領域が励起光Ｌ１のエネルギーが高い方にシフトしていることが示されている。つまり、図４Ｂでは、蛍光体基板１０ｃの直径が大きいほど、温度消光現象が起こりにくいことを示している。これは以下のように説明できる。
　励起光Ｌ１の照射により発生した熱は、例えば、励起光Ｌ１が照射される領域（例えば、上記の中心点Ｃ１から半径Ｒの位置）から、励起光Ｌ１が照射されない領域に移動する。蛍光体基板１０ｃの直径が大きいほど、励起光Ｌ１が照射されない領域も大きくなる。この励起光Ｌ１が照射されない領域とは、励起光Ｌ１が照射される領域から、熱が移動する領域に相当する。よって、蛍光体基板１０ｃの直径が大きいほど、励起光Ｌ１の照射により発生した熱が移動しやすくなるため、蛍光体基板１０ｃの温度が高くなりにくくなる。この結果、温度消光現象が起こりにくくなる。つまりは、蛍光体基板１０ｃの直径が大きいほど、励起光Ｌ１のエネルギーが高い領域で、効率が高い透過光Ｌ２を得ることができる。
　さらに、発明者らの検討によって、例えば、光源モジュール６００の出力光を１５０００ｌｍとするためには、励起光Ｌ１のエネルギーが１００Ｗ程度必要であることが明らかとなっている。なお、光源モジュール６００は、図４Ａにて詳細説明するが、蛍光発光モジュール１ｃと、光学素子などとを備える光学モジュールである。
　上述の通り、蛍光体基板１０ｃの直径は、一例として３０ｍｍ以上９０ｍｍ以下であるとよく、３５ｍｍ以上７０ｍｍ以下であるとよりよく、４０ｍｍ以上５０ｍｍ以下であるとさらによい。
　蛍光体基板１０ｃの直径が上記範囲であることで、励起光Ｌ１のエネルギーが１００Ｗであった場合に、効率が高い透過光Ｌ２（例えば、図４Ｂの縦軸では９０％以上）を得ることができる。
　つまり、蛍光体基板１０ｃの直径は、光源モジュール６００の出力光に応じて、適宜設定される。なお、蛍光体基板１０ｃの直径が大きいと、光源モジュール６００のサイズが大きくなる。この結果、プロジェクタ５００及び照明装置などの発光装置のサイズが大きくなってしまい、発光装置の商品価値が下がる。
　そのため、例えば、光源モジュール６００の出力光が上述の１５０００ｌｍである場合には、蛍光体基板１０ｃの直径は４０ｍｍ以上５０ｍｍ以下であるとよい。
　＜蛍光体基板の厚み＞
　蛍光体基板１０ｃの厚み（つまりは、ｚ軸方向の長さ）は、５０μｍ以上７００μｍ以下であるとよい。蛍光体基板１０ｃの厚みは、８０μｍ以上５００μｍ以下であるとよりよく、１００μｍ以上３００μｍ以下であるとさらによい。
　蛍光体基板１０ｃの厚みが厚いほど、蛍光体基板１０ｃの熱伝導性が高くなり、つまりは、蛍光体基板１０ｃの放熱性が高まる。
　一方で、蛍光体基板１０ｃの厚みが厚いほど、蛍光体基板１０ｃにおいて励起光Ｌ１が散乱されやすくなる。この結果、平面視したときの蛍光体基板１０ｃにおける透過光Ｌ２の発光スポット面積が大きくなってしまう。この結果、例えばプロジェクタにおいて、透過光Ｌ２の光路上に配置されるレンズなどの光学素子が巨大化し、これに従って、当該プロジェクタが巨大化するなどの問題が発生する。
　さらに、蛍光体基板１０ｃの厚みが厚いほど、蛍光体基板１０ｃの体積が大きくなる。この結果、１つの蛍光体基板１０ｃを製造するために、より多くの蛍光体材料と高熱伝導材料とが必要となるため、コスト面からも不利である。
　以上のことから、蛍光体基板１０ｃの厚みは上記範囲であるとよい。
　[Ｃｅ濃度の検討］
　また、上述の通り、本実施の形態に係る蛍光体材料は、ＹＡＧ：Ｃｅ（（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３Ａｌ５Ｏ１２）（０．０００１≦ｘ＜０．１））である。ここで、ＹＡＧ：ＣｅにおけるＣｅ濃度について説明する。また、Ｃｅ濃度とは、ＹとＣｅとの合計に対するＣｅの元素比率（つまりはＣｅ／（Ｙ＋Ｃｅ）（％））であり、ｘ×１００（％）の数値となる。
　＜Ｃｅ濃度と厚み＞
　まずは、Ｃｅ濃度と蛍光体基板１０ｃの厚みとの関係について説明する。
　発明者らは、図４Ａが示す光源モジュール６００の出力光（つまりは、透過光Ｌ２）が、一例として、白色光となるための検討を行った。より具体的には、ＣＩＥ表色系において、この出力光の色度座標（ｘ，ｙ）が（０．３０８以上０．３１８以下，０．３２４以上０．３３４以下）となるような、ＹＡＧ：ＣｅのＣｅ濃度と蛍光体基板１０ｃの厚みとの関係について検討が行われた。この検討結果が図５Ｂに示されている。なお、ＣＩＥ表色系は、ＣＩＥ（国際照明委員会）によって定められた表色系である。
　図５Ｂは、本実施の形態に係るＹＡＧ：ＣｅのＣｅ濃度と蛍光体基板１０ｃの厚みとの関係を示す図である。
　図５Ｂにおいて、縦軸は蛍光体基板１０ｃの厚みを示し、横軸はＣｅ濃度を示す。ここでは、０．０１％、０．０５％、０．１％、０．２％及び０．３％のＣｅ濃度のそれぞれにおいて、検討が行われている。
　図５Ｂでは、それぞれのＣｅ濃度において、３つの蛍光体基板１０ｃの厚みが示されている。それぞれのＣｅ濃度において、蛍光体基板１０ｃの厚みが上記３つの範囲内（より具体的には最も薄い厚みから最も厚い厚みまでの範囲内）となることで、光源モジュール６００の出力光が白色光（つまりは、上記範囲内の色度座標の光）となる。換言すると、図５Ｂが示す、ＹＡＧ：ＣｅのＣｅ濃度と蛍光体基板１０ｃの厚みとの関係が満たされることで、光源モジュール６００の出力光の色度座標が上記範囲内となる。
　図５Ｂでは、Ｃｅ濃度が低いほど、蛍光体基板１０ｃの厚みが厚くなることが示されている。本実施の形態に係るＹＡＧ：Ｃｅにおいては、Ｃｅが発光中心として機能するため、Ｃｅ濃度が低いほど、波長変換光が少なく発生する。このため、出力光の色度座標が上記範囲内となるためには、Ｃｅ濃度が低いほど蛍光体基板１０ｃが厚くなる。
　蛍光体基板１０ｃが厚いほど、例えば蛍光体基板１０ｃが割れにくくなるなど、蛍光体基板１０ｃが破損する可能性が低くなる。よって、蛍光体基板１０ｃが厚いほど、蛍光体基板１０ｃ、つまりは、蛍光発光モジュール１ｃの信頼性が高まる。例えば、蛍光体基板１０ｃの厚みが１００μｍ以上であれば、蛍光発光モジュール１ｃの信頼性を十分に高めることができる。このため、Ｃｅ濃度は０．１％以下であるとよい。
　さらに、Ｃｅ濃度と蛍光体基板１０ｃの温度との関係に関して行われた検討について、図５Ｃを用いて説明する。なお、この検討においても、上記と同じく、光源モジュール６００の出力光の色度座標が上記範囲となるように、図５Ｂが示すＣｅ濃度と蛍光体基板１０ｃの厚みとの関係が満たされている。
　＜Ｃｅ濃度と温度＞
　図５Ｃは、本実施の形態に係るＹＡＧ：ＣｅのＣｅ濃度と蛍光体基板１０ｃの温度との関係を示す。より具体的には、図５Ｃには、図５Ｃが示すＣｅ濃度のそれぞれにおいて、励起光Ｌ１が照射されたときの蛍光体基板１０ｃの温度が示されている。このとき、光源モジュール６００において、蛍光体基板１０ｃなどは、７２００ｒｐｍで回転されている。なお、上述の通り、図５Ｃにおいても、図５Ｂが示すＣｅ濃度と蛍光体基板１０ｃとの関係が満たされている。つまり、Ｃｅ濃度が低いほど、蛍光体基板１０ｃの厚みが厚い。
　図５Ｃが示すように、Ｃｅ濃度が低いほど、蛍光体基板１０ｃの温度が低い。また、図５Ｂが示すように、Ｃｅ濃度が低いほど、蛍光体基板１０ｃの厚みが厚いため、励起光Ｌ１の照射による熱が移動しやすい。このため、Ｃｅ濃度が低いほど、蛍光体基板１０ｃの温度が高くなることが抑制される。つまりは、Ｃｅ濃度が低いほど、温度消光現象を抑制することができる。
　また、発明者らは、温度消光現象を十分に抑制するためには蛍光体基板１０ｃの温度を１５０℃以下に保つ必要があることを明らかにしている。よって、温度消光現象を抑制する観点からは、Ｃｅ濃度は０．１％以下であるとよい。
　さらに、Ｃｅ濃度とスポットサイズ拡大率との関係に関して行われた検討について説明する。なお、この検討においても、上記と同じく、光源モジュール６００の出力光の色度座標が上記範囲となるように、図５Ｂが示すＣｅ濃度と蛍光体基板１０ｃの厚みとの関係が満たされている。
　図５Ｄは、本実施の形態に係る蛍光体基板１０ｃのスポットサイズ拡大率との関係を示す。スポットサイズ拡大率とは、蛍光体基板１０ｃにおける、励起光Ｌ１が入射する入射面積と透過光Ｌ２が出射する出射面積との比率を示す。より具体的には、スポットサイズ拡大率とは、出射面積／入射面積（％）で示される値である。また、出射面積とは、上記の発光スポット面積と同じ意味である。
　＜Ｃｅ濃度とスポットサイズ＞
　図５Ｄが示すように、Ｃｅ濃度が高いほど、スポットサイズ拡大率が低い。また、図５Ｂが示すように、Ｃｅ濃度が高いほど、蛍光体基板１０ｃの厚みが薄いため、蛍光体基板１０ｃにおける励起光Ｌ１と波長変換光との光路が短い。このため、励起光Ｌ１と波長変換光との蛍光体基板１０ｃにおける光散乱が抑制される。よって、Ｃｅ濃度が高いほど、スポットサイズ拡大率が大きくなることを抑制することができる。
　［プロジェクタの構成］で説明するように、透過光Ｌ２の発光スポット面積が大きいと、透過光Ｌ２を集光する第１光学素子３０１及び第２光学素子３０２が巨大化し、これに従いプロジェクタ５００も巨大化してしまう。これとは逆に、スポットサイズ拡大率を低くし、透過光Ｌ２の発光スポット面積を小さくすることで、プロジェクタ５００をコンパクト化することができる。
　また、発明者らは、例えば、蛍光発光モジュール１ｃをプロジェクタ５００に適用するためには、スポットサイズ拡大率を２５０％以下とする必要があることを明らかにしている。つまりは、Ｃｅ濃度が０．０５％以上であるとよい。
　＜まとめ＞
　以上より、発明者らの検討によって、蛍光体材料は、Ｃｅ濃度が０．０５％以上０．１％以下であるＹＡＧ：Ｃｅ（（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３Ａｌ５Ｏ１２）（０．０００５≦ｘ＜０．００１））であるとよい。
　これにより、蛍光体基板１０ｃが破損する可能性が低くなるため、蛍光発光モジュール１ｃの信頼性が高まる。また、蛍光体基板１０ｃにおける温度消光現象を抑制することができ、光の利用効率が高い蛍光発光モジュール１ｃが実現される。さらに、発光装置の一例であるプロジェクタ５００のコンパクト化が可能となる。
　なお、Ｃｅ濃度は、０．０６％以上０．０９％以下であるとよりよく、０．０７％以上０．０８％以下であるとさらによい。
　[製造方法］
　ここで、蛍光体基板１０ｃの製造方法について簡単に説明する。
　蛍光体材料は、（Ｙ０．９９９Ｃｅ０．００１）３Ａｌ５Ｏ１２で表される結晶相によって構成される。また、蛍光体材料は、いずれも、Ｃｅ３＋賦活蛍光体で構成される。
　蛍光体基板１０ｃを製造するために、化合物粉末として以下の３種類が原料として使用された。具体的には、原料は、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及びＣｅＯ２である。それぞれの純度及び製造メーカは、Ｙ２Ｏ３が純度３Ｎ及び日本イットリウム株式会社、Ａｌ２Ｏ３が純度３Ｎ及び住友化学株式会社、ＣｅＯ２が純度３Ｎ及び日本イットリウム株式会社である。
　化学量論的組成の化合物（Ｙ０．９９９Ｃｅ０．００１）３Ａｌ５Ｏ１２となるように、上記原料としてＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及びＣｅＯ２が秤量された。次に、秤量された原料とアルミナ製ボール（直径１０ｍｍ）とが、プラスチック製ポットに投入された。アルミナ製ボールの量は、プラスチック製ポットの容積の１／３程度を充填する程度の量であった。その後、純水がプラスチック製ポットに投入され、ポット回転装置（日陶化学株式会社製、ＢＡＬＬ　ＭＩＬＬ　ＡＮＺ－５１Ｓ）を利用して、原料と純水とが混合された。この混合は、１２時間実施された。このようにして、スラリー状の混合原料を得た。
　スプレードライヤ装置を利用して混合原料が造粒された。なお、造粒時には、粘着剤（バインダ）として、ポリビニルアルコールが使用された。
　造粒された混合原料は、電動油圧プレス機（理研精機株式会社製、ＥＭＰ－５）と有底円筒形状の金型とを利用して、円柱形状に仮成型された。成型時の圧力は、５ＭＰａとした。
　次に、冷間等方圧加圧装置を利用して、仮成型後の成型体が本成型された。本成型時の圧力は、３００ＭＰａとした。なお、本成型後の成型体は、造粒時に使用された粘着剤（バインダ）を除去する目的で、加熱処理（脱バインダ処理）が行われた。加熱処理の温度は、５００℃とした。また、加熱処理の時間は、１０時間とした。
　加熱処理後の成型体は、管状雰囲気炉を用いて、焼成された。焼成温度は、１６７５℃とした。また、焼成時間は、４時間とした。焼成雰囲気は、窒素と水素との混合ガス雰囲気とした。
　焼成後の円柱形状の焼成物は、マルチワイヤーソーを用いて、スライスされた。さらに、スライスされた焼成物が研磨され、焼成物の厚みの調整が行われた。この調整が行われることで、焼成物が、蛍光体基板１０ｃとなる。
　[プロジェクタの構成］
　続いて、プロジェクタ５００について説明する。以上のように構成されている蛍光発光モジュール１ｃは、図３が示すプロジェクタ５００及び照明装置（不図示）に用いられる。図３は、本実施の形態に係るプロジェクタ５００の外観を示す斜視図である。図１０は、本実施の形態に係るプロジェクタ５００の構成を示す模式図である。図４Ａは、本実施の形態に係るプロジェクタ５００における蛍光発光モジュール１ｃを示す模式図である。なお、図４Ａにおいては、図９と同じく蛍光発光モジュール１ｃの一部が断面図で、２つの光出射部２００が側面図で示され、回転部１００の内部部品は省略して図示されている。
　図１０が示すように、本実施の形態に係るプロジェクタ５００は、光源モジュール６００を備える。また、プロジェクタ５００は、公知のプロジェクタと同様、均一化光学系６０１、表示素子部６０２、投光部６０３、及び、表示素子部６０２を制御する制御回路６０４を備える。均一化光学系６０１は、２枚のマルチレンズアレイ（ＭＬＡ）によって構成されている。表示素子部６０２は、蛍光発光モジュール１ｃから出力され、均一化光学系６０１を経た透過光Ｌ２を制御して映像として出力する略平面状の素子である。換言すると、表示素子部６０２は、映像用の光を生成する。表示素子部６０２は、具体的には、透過型液晶パネルである。表示素子部６０２は、透過光Ｌ２を赤色光、緑色光及び青色光に分離する。その後、分離された赤色光、緑色光及び青色光は、それぞれに対応した表示素子部６０２によって、それぞれ光学変調される。この結果、映像が生成され、赤色光、緑色光及び青色光は、ＲＧＢ合成部であるクロスプリズム（不図示）にて波長合成される。投光部６０３は、テッサー型である。蛍光発光モジュール１ｃから出力された透過光Ｌ２は、均一化光学系６０１、表示素子部６０２及び投光部６０３によって、この順に制御され、例えばスクリーンなどに拡大投射される投射光となる。制御回路６０４は、表示素子部６０２を制御する回路であり、例えば、マイクロコンピュータによって実現されるが、プロセッサによって実現されてもよい。ただし、本構成に限定されるものではなく、均一化光学系６０１はライトパイプなどのカレイドスコープ系の構造物でもよい。また、投影像の均一性が不要なプロジェクタ及び発光装置では、均一化光学系６０１は設けられていなくてもよい。表示素子部６０２は、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ　Ｄｅｖｉｃｅ）及びＬＣＯＳ（Ｌｉｑｕｉｄ　ｃｒｙｓｔａｌ　ｏｎ　ｓｉｌｉｃｏｎ）でもよい。また、例えば、表示素子部６０２は、反射型液晶パネルであってもよく、ＤＭＤを有するＤＬＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｌｉｇｈｔ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）であってもよい。時分割方式及び白黒方式のプロジェクタ及び発光装置では、透過光Ｌ２が赤色光、緑色光及び青色光に分離されなくてもよい。投光部６０３はガウス型など、他の形式でもよい。
　さらに、光源モジュール６００は、蛍光発光モジュール１ｃと、第１光学素子３０１と、第２光学素子３０２と、第３光学素子３０３とを備える光学モジュールである。つまり、発光装置の一例であるプロジェクタ５００は、蛍光発光モジュール１ｃを備える。
　第１光学素子３０１、第２光学素子３０２及び第３光学素子３０３は、蛍光発光モジュール１ｃから出力された透過光Ｌ２の光路を制御するための光学部品である。一例として、第１光学素子３０１、第２光学素子３０２及び第３光学素子３０３のそれぞれは、透過光Ｌ２を集光するためのレンズである。上述のように、蛍光体基板１０ｃの厚みが厚いほど、散乱により透過光Ｌ２の発光スポット面積が大きくなってしまう。この場合、第１光学素子３０１、第２光学素子３０２及び第３光学素子３０３が巨大化し、これに従いプロジェクタ５００も巨大化してしまう。そのため、透過光Ｌ２の発光スポット面積の制御、つまりは、蛍光体基板１０ｃの厚みの制御が求められる。
　上記記載のように、第４光学素子３０４は、２つの光出射部２００から出力された励起光Ｌ１の光路を集光して制御する。
　続いて、図４Ａにおける光の挙動について説明する。
　光出射部２００によって出射された励起光Ｌ１は、第４光学素子３０４を介して、青透過ダイクロイック多層膜４０に入射する。さらに励起光Ｌ１は、蛍光体基板１０ｃに入射する。入射した励起光Ｌ１の一部は、蛍光体材料によって波長変換されて蛍光として、蛍光体基板１０ｃを透過する。また、入射した励起光Ｌ１の他部は、蛍光体材料によって波長変換されずに、蛍光体基板１０ｃを透過する。蛍光体基板１０ｃを透過した透過光Ｌ２は、黄色光である蛍光と波長変換されていない青色光である励起光Ｌ１とを含む複合された光であり、白色光である。透過光Ｌ２は、反射防止層３０に入射する。さらに、透過光Ｌ２は、蛍光発光モジュール１ｃ（より具体的には蛍光体基板１０ｃ）から略ランバーシアン配光で出射される。
　蛍光発光モジュール１ｃから出射された透過光Ｌ２は、第１光学素子３０１、第２光学素子３０２及び第３光学素子３０３によって集光されて出射される。なお、第１光学素子３０１、第２光学素子３０２及び第３光学素子３０３は、蛍光発光モジュール１ｃから出射された透過光Ｌ２を集光しなくてもよい。例えば、第１光学素子３０１、第２光学素子３０２及び第３光学素子３０３は、出射された透過光Ｌ２を略コリメート又は弱拡大放射してもよい。第１光学素子３０１、第２光学素子３０２及び第３光学素子３０３から出射された透過光Ｌ２の放射角が、蛍光発光モジュール１ｃが用いられるプロジェクタ５００及び照明装置において、効率よく光伝達できる放射角であればよい。
　第１光学素子３０１、第２光学素子３０２及び第３光学素子３０３から出射された透過光Ｌ２（つまりは光源モジュール６００の出力光）は、均一化光学系６０１へと向かう。上記のように、光源モジュール６００から出力された透過光Ｌ２は、均一化光学系６０１、表示素子部６０２及び投光部６０３の順に制御され、スクリーンに拡大投射される投射光となる。つまり、透過光Ｌ２は、プロジェクタ５００が出力する投射光として利用される光である。
　また、本実施の形態においては、励起光Ｌ１の一部は、蛍光体材料によって波長変換されて、蛍光体基板１０ｃを透過する。励起光Ｌ１の他部は、蛍光体材料によって波長変換されずに、蛍光体基板１０ｃを透過する。このように、蛍光体基板１０ｃを透過した透過光Ｌ２を例えば投射光として利用することができる。つまりは、光透過型の蛍光体ホイールとして利用可能な蛍光発光モジュール１ｃが実現される。
　また、本実施の形態においては、発光装置の一例であるプロジェクタ５００は、光の利用効率の高い蛍光発光モジュール１ｃを備えている。よって、光の利用効率の高いプロジェクタ５００が実現される。
　＜配置＞
　上記の通り、蛍光体基板１０ｃから、透過光Ｌ２は、略ランバーシアン配光で射出される。蛍光体基板１０ｃから略ランバーシアン配光で出射された透過光Ｌ２が効率よく制御されるために、第１光学素子３０１を蛍光体基板１０ｃに近づけて配置する必要がある。一方、第４光学素子３０４は、励起光Ｌ１を蛍光体基板１０ｃ上で集光できればよいため、蛍光体基板１０ｃから第４光学素子３０４の出射面までの距離は、蛍光体基板１０ｃから第１光学素子３０１の入射側面までの距離よりも大きくすることができる。（例えばこのとき、蛍光体基板１０ｃ上での、励起光Ｌ１のスポットサイズは、透過光Ｌ２のスポットサイズよりも小さい。）よって、回転部１００と光学素子（第１光学素子３０１、第２光学素子３０２、第３光学素子３０３及び第４光学素子３０４）とが干渉しない様に、回転部１００は、蛍光体基板１０ｃのｚ軸負方向に設置するとよい。
　（実施の形態２）
　[蛍光発光モジュールの構成］
　次に、実施の形態２に係る蛍光発光モジュール１について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１の斜視図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線における蛍光発光モジュール１の一部の切断面を示す断面図である。
　蛍光発光モジュール１は、焼結蛍光体によって構成されている蛍光体基板１０と、反射防止層３０と、青透過ダイクロイック多層膜４０と、回転部１００と、２つの光出射部２００とを備えるモジュールである。なお、簡単のため、図１及び図２においては、１つの光出射部２００が記載されている。
　つまり、本実施の形態においては、蛍光体基板１０が、蛍光体材料と、高熱伝導材料とを有する焼結蛍光体によって構成されている点が、実施の形態１に係る蛍光体基板１０ｃとは異なる。
　＜蛍光体基板の説明＞
　蛍光体基板１０は、蛍光体材料と高熱伝導材料とを有する焼結蛍光体によって構成されている基板であり、上述の通り円形状を有する基板である。つまり、蛍光体基板１０は、平面を有する円板形状である。具体的には、ここでは、蛍光体基板１０は焼結蛍光体のみによって構成されている基板であり、焼結蛍光体は主成分である蛍光体材料及び高熱伝導材料のみを有する。
　より具体的には、図２が示すように、蛍光体基板１０は、蛍光構造体１１と、複数の熱伝導構造体１２とによって構成されている。蛍光構造体１１は、焼結蛍光体が有する蛍光体材料によって構成されている構造体である。複数の熱伝導構造体１２は、焼結蛍光体が有する高熱伝導材料によって構成されている複数の構造体である。
　なお、ここで本実施の形態における焼結蛍光体について説明する。
　焼結蛍光体とは、上記の主成分である蛍光体材料及び高熱伝導材料（一例として、これら材料の原料粉が造粒された造粒体）の原料粉が、これら材料の融点よりも低い温度で焼成された焼成体である。また、焼結蛍光体は、焼成の過程での原料粉同士が結合される。そのため、焼結蛍光体は、造粒体同士を結合させるための結合剤をほとんど必要としない。より具体的には、焼結蛍光体は、結合剤を一切必要としない。結合剤とは、一例として、上記の特許文献１では、透明樹脂である。また、結合剤とは、Ａｌ２Ｏ３材料、及び、ガラス材料（つまりはＳｉＯｄ（０＜ｄ≦２））などが公知の材料として用いられている。なお、同様に、結合剤に限られず、焼結蛍光体は、焼結蛍光体が有する蛍光体材料及び高熱伝導材料以外の材料（以下その他材料）をほとんど必要とせず、より具体的には、その他材料を一切必要としない。
　例えば、焼結蛍光体の全体の体積を１００ｖｏｌ％としたとき、焼結蛍光体の全体の体積における蛍光体材料及び高熱伝導材料の合計の体積が７０ｖｏｌ％以上であるとよい。また、焼結蛍光体の全体の体積における蛍光体材料及び高熱伝導材料の合計の体積が、８０ｖｏｌ％以上であるとよりよく、９０ｖｏｌ％以上であるとさらによく、９５ｖｏｌ％以上であるとさらによりよくなる。
　なお、換言すると、焼結蛍光体の全体の体積を１００ｖｏｌ％としたとき、焼結蛍光体の全体の体積におけるその他材料（例えば結合剤）の体積が３０ｖｏｌ％未満であるとよい。また、焼結蛍光体の全体の体積におけるその他材料（例えば結合剤）の体積が、２０ｖｏｌ％以下であるとよりよく、１０ｖｏｌ％以下であるとさらによく、５ｖｏｌ％以下であるとさらによりよくなる。
　＜高熱伝導材料＞
　つぎに、高熱伝導材料によって構成される複数の熱伝導構造体１２について説明する。高熱伝導材料の形状、より具体的には、複数の熱伝導構造体１２のそれぞれの形状は、例えば、粒子形状である。高熱伝導材料によって構成されている複数の熱伝導構造体１２は、蛍光体基板１０において、蛍光構造体１１に周囲を覆われるように配置されている。また、図示されないが、複数の熱伝導構造体１２は、蛍光構造体１１から複数の熱伝導構造体１２の一部が突出するように配置されていてもよい。蛍光構造体１１は、複数の熱伝導構造体１２にとって、母材の役割を担う。つまり、複数の熱伝導構造体１２は、蛍光構造体１１に埋設されている。複数の熱伝導構造体１２のうち一部は、複数の熱伝導構造体１２同士が接している状態、所謂数珠繋がりの状態である。粒子形状である複数の熱伝導構造体１２のそれぞれの粒子径は、一例として１μｍ以上１００μｍ以下である。
　励起光Ｌ１の照射により蛍光体基板１０の温度が高くなると、発生する蛍光が減少する現象（所謂、温度消光現象）が起こることが知られている。例えば、特許文献１に開示される蛍光発光モジュールで温度消光現象が起こると、蛍光発生部から出射される蛍光が減少するため、蛍光発光モジュールの光の利用効率が低下するなどの課題が発生する。
　しかし、本実施の形態においては、焼結蛍光体が高熱伝導材料を有するため、蛍光の減少が抑制される。具体的には、以下の通りである。
　高熱伝導材料は、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上３００Ｗ／ｍ・Ｋ以下である材料であり、ＹＡＧ：Ｃｅなどの蛍光体材料に比べ、熱伝導率が高い。また、高熱伝導材料の熱伝導率は、１３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下であるとよりよく、１４５Ｗ／ｍ・Ｋ以上１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であるとさらによい。蛍光体基板１０を構成する焼結蛍光体が高熱伝導材料を有することで、蛍光体基板１０において発生した熱が移動しやすくなる。換言すると、蛍光体基板１０の放熱性が高まる。これにより、励起光Ｌ１の照射による蛍光体基板１０の温度の上昇を抑制できるため、蛍光の減少が抑制される。つまりは、光の利用効率が高い蛍光発光モジュール１が実現される。さらに、蛍光の減少が抑制されるので、透過光Ｌ２の色度変化を抑制することができる。よって、信頼性が高い蛍光発光モジュール１が実現される。
　さらに、複数の熱伝導構造体１２のそれぞれの形状が粒子形状であり、さらに、複数の熱伝導構造体１２同士が接している場合には、当該熱が複数の熱伝導構造体１２をより伝わりやすくなるため、蛍光体基板１０の放熱性をより高めることができる。
　＜高熱伝導材料の種類＞
　本実施の形態に係る高熱伝導材料はＷにより構成されているが、他の例として、熱伝導率、融点及び線膨張係数の観点から、以下の金属元素などから構成されているとよい。
　高熱伝導材料は、例えば、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｗ、ＳｉＣ及びＡｌＮのうち少なくとも１つを含む材料である。また、高熱伝導材料は、上記材料から選ばれる１つ以上の金属元素、合金又は化合物により構成されているとよい。それぞれの元素の熱伝導率は、Ｒｈが１５０Ｗ／ｍ・Ｋ、Ｍｏが１３５Ｗ／ｍ・Ｋ、Ｗが１６３Ｗ／ｍ・Ｋ、ＳｉＣが２００Ｗ／ｍ・Ｋ、ＡｌＮが１５０Ｗ／ｍ・Ｋである。
　これら高熱伝導材料の熱伝導率は、蛍光体材料を構成するＹＡＧ：Ｃｅの熱伝導率である１１．２Ｗ／ｍ・Ｋよりも高い。そのため、焼結蛍光体がこれら高熱伝導材料を有することで、蛍光体基板１０の放熱性を高めることができる。
　さらに、常圧における高熱伝導材料の融点は、１７００℃以上３５００℃以下であるとよい。例えば、上記金属元素及び化合物のそれぞれの常圧における融点は、Ｒｈが１９６３℃、Ｍｏが２６２３℃、Ｗが３４２２℃、ＳｉＣが２７３０℃、ＡｌＮが２２００℃である。蛍光体基板１０が製造される際に、高温（例えば１６５０℃）で加熱処理（焼成）される場合がある。このような場合においても、常圧における高熱伝導材料の融点が１７００℃以上であることで、当該加熱処理中に高熱伝導材料が溶解することが抑制される。そのため、蛍光体材料と高熱伝導材料とを有する焼結蛍光体によって構成される蛍光体基板１０を容易に製造することができる。
　＜熱膨張係数＞
　また、高熱伝導材料の線膨張係数は、１×１０－７／Ｋ以下であるとよい。また、高熱伝導材料の線膨張係数は、１×１０－６／Ｋ以上であるとよい。つまり、高熱伝導材料の線膨張係数は、蛍光体材料の線膨張係数（ＹＡＧ：Ｃｅの線膨張係数は８×１０－６／Ｋ）と近い値となる。例えば、上記金属元素及び化合物の線膨張係数は、Ｒｈが８．２×１０－６／Ｋ、Ｍｏが４．８×１０－６／Ｋ、Ｗが４．５×１０－６／Ｋ、ＳｉＣが３．７×１０－６／Ｋ、ＡｌＮが４．０×１０－６／Ｋである。
　高熱伝導材料の線膨張係数は、上記値であることで、蛍光体材料の線膨張係数と近い値となる。そのため、励起光Ｌ１の照射により蛍光体基板１０の温度が高くなっても、蛍光体材料と高熱伝導材料との剥離が抑制される。つまりは、信頼性が高い蛍光発光モジュール１が実現される。
　＜まとめ＞
　以上まとめると、高熱伝導材料がＲｈ、Ｍｏ、Ｗ、ＳｉＣ及びＡｌＮのいずれかであることで、高熱伝導材料の熱伝導率、線膨張係数及び融点が上記値を満たす。よって、蛍光体基板１０の放熱性が高まり、かつ、蛍光体材料と高熱伝導材料との剥離が抑制される。つまりは、光の利用効率が高く、かつ、信頼性が高い蛍光発光モジュール１が実現される。また、蛍光体基板１０の製造工程で、高熱伝導材料が溶解することが抑制されるため、蛍光体基板１０を容易に製造することができる。
　＜高熱伝導材料の比率＞
　また、蛍光体基板１０における、蛍光体材料及び高熱伝導材料の比率は、一例として以下の通りである。蛍光体材料の体積を１００とした場合に、高熱伝導材料の体積が１以上数十以下であるとよい。高熱伝導材料の体積が大きいほど、蛍光体基板１０の放熱性を高めることができる。高熱伝導材料の体積が上記範囲内であることで、充分な蛍光体基板１０の放熱性を達成することができる。
　＜高熱伝導セグメント化＞
　また、本実施の形態に係る蛍光体基板１０は、第１領域２１と第２領域２２とを有している。つまり、本実施の形態に係る蛍光体基板１０は、第１領域２１と第２領域２２とにセグメント化されている。より具体的には、平面視で蛍光体基板１０は、第１領域２１と複数の第２領域２２とを有している。なお、図１においては、第１領域２１にはドットが付されており、図２においては、第１領域２１は一点鎖線で、複数の第２領域２２は二点鎖線で囲まれた矩形の領域である。
　第１領域２１と複数の第２領域２２とにおいては、高熱伝導材料の含有量が異なる。複数の第２領域２２は、第１領域２１よりも高熱伝導材料の含有量が多い領域である。つまり、第１領域２１は、複数の第２領域２２よりも高熱伝導材料の含有量が少なければよく、本実施の形態に係る第１領域２１は高熱伝導材料を含有していない。しかし、第１領域２１は、高熱伝導材料を含有してもよい。また、光出射部２００によって出射された励起光Ｌ１は、第１領域２１に入射する。
　励起光Ｌ１が高熱伝導材料（より具体的には、高熱伝導材料により構成された複数の熱伝導構造体１２）に入射すると、励起光Ｌ１が複数の熱伝導構造体１２により光散乱されたり吸収されたりするため、発生する蛍光が減少する。よって、蛍光体基板１０が第１領域２１と複数の第２領域２２とを有する場合に、励起光Ｌ１が高熱伝導材料の含有量がより少ない第１領域２１に入射するときには、第１領域２１で発生する蛍光が増加する。つまりは、蛍光発光モジュール１の光の利用効率をより高めることができる。なお、第１領域２１は、高熱伝導材料を含有していないとよい。これにより、蛍光体材料による波長変換の効率を高めることができる。
　また、図１が示すように、蛍光体基板１０を平面視したときに、第１領域２１の形状は円環形状であり、当該円環形状の中心は蛍光体基板１０の中心点Ｃ１と重なる。第１領域２１は、蛍光体基板１０の中心点Ｃ１からの距離が等しい円周上に円形のリング形状に設けられている。つまり、第１領域２１は、平面視において周方向に沿う帯状に設けられている。
　第１領域２１の形状が上記形状であるため、回転部１００が蛍光体基板１０を軸Ａ１を中心としてより容易に回転させることができる。つまり、蛍光体基板１０を蛍光体ホイールとして利用することがより容易になる。
　さらに、蛍光体基板１０を平面視したときに、複数の第２領域２２は、第１領域２１の形状である円環形状の内側と外側とに設けられる。なお、複数の第２領域２２のうち内側に設けられた第２領域２２を「内側の第２領域２２」、複数の第２領域２２のうち外側に設けられた第２領域２２を「外側の第２領域２２」と記載する。
　内側の第２領域２２の形状は円板形状であり、当該円板形状の中心は蛍光体基板１０の中心点Ｃ１と重なる。内側の第２領域２２は、第１領域２１の内側面と接している。また、外側の第２領域２２の形状は第１領域２１と同じく円環形状であり、当該円環形状の中心は蛍光体基板１０の中心点Ｃ１と重なる。外側の第２領域２２は、第１領域２１の外側面と接している。つまり、第１領域２１は、内側の第２領域２２と外側の第２領域２２とによって挟まれている。
　このとき、励起光Ｌ１の照射により第１領域２１で発生した熱は、第１領域２１を挟む２つの第２領域２２の両方に移動することができる。この場合、例えば蛍光発光モジュール１が第１領域２１の内側又は外側の一方のみに第２領域２２を有する場合と比べて、蛍光体基板１０の放熱性を高めることができる。これにより、蛍光体基板１０の温度の上昇を抑制できるため、蛍光の減少がより抑制される。
　さらに図１及び図２が示すように、蛍光体基板１０は、他の構成要素によって支持されることを必要としない。つまり、蛍光体基板１０は、リジッドな性質を有する。蛍光構造体１１が焼結蛍光体であり、かつ、蛍光体基板１０の厚みが上記範囲にあることで、蛍光体基板１０はリジッドな性質を有する。また、特許文献１に開示されている蛍光体と透明樹脂とを含む塗料によって形成される蛍光発生部などと比較し、本実施の形態に係る蛍光体基板１０は、はるかにリジッドな性質を有する。
　また、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１が、実施の形態１に係る蛍光発光モジュール１ｃの替わりに、プロジェクタ５００に適用されてもよい。この場合においても、励起光Ｌ１は、蛍光体基板１０が有する第１領域２１に入射する。このように、励起光Ｌ１が高熱伝導材料の含有量がより少ない第１領域２１に入射することで、蛍光を増やし、蛍光発光モジュール１の光の利用効率をより高めることができる。
　また、この場合、入射した励起光Ｌ１の一部は、第１領域２１が含む蛍光体材料によって波長変換されて蛍光として、蛍光体基板１０を透過する。また、入射した励起光Ｌ１の他部は、第１領域２１が含む蛍光体材料によって波長変換されずに、蛍光体基板１０を透過する。このように、蛍光体基板１０を透過した透過光Ｌ２を例えば投射光として利用することができる。つまりは、光透過型の蛍光体ホイールとして利用可能な蛍光発光モジュール１が実現される。
　＜高熱伝導材料による効果＞
　さらに、本実施の形態においては、蛍光体基板１０を構成する焼結蛍光体が高熱伝導材料を有することで、蛍光体基板１０の放熱性が高まる。これにより、励起光Ｌ１の照射による蛍光体基板１０の温度の上昇を抑制できるため、蛍光の減少が抑制され、光の利用効率がより高い蛍光発光モジュール１を実現できる。
　また、蛍光体基板１０を構成する焼結蛍光体が高熱伝導材料を有することで、蛍光体基板１０の放熱性が高まり、蛍光体基板１０の温度上昇を抑制する事ができる為、小さなサイズの蛍光体ホイールでの、入力できる励起光Ｌ１のエネルギーを上げることが可能となる。つまり、より小型で大光束な光を出すことが可能となる。具体的な一例として、従来、６０００ｌｍの光を出力するプロジェクタに使用する蛍光体ホイールのサイズは、φ６５ｍｍであったが、高熱伝導材料として６０ｖｏｌ％のＷを含むことで、φ５０ｍｍにすることが可能となった。
　以上まとめると、光の利用効率が高く、かつ、信頼性が高い蛍光発光モジュール１が実現される。
　[製造方法］
　ここで、蛍光体基板１０の製造方法について簡単に説明する。
　蛍光体材料は、（Ｙ０．９９９Ｃｅ０．００１）３Ａｌ５Ｏ１２で表される結晶相によって構成される。また、蛍光体材料は、いずれも、Ｃｅ３＋賦活蛍光体で構成される。
　蛍光体基板１０を製造するために、化合物粉末として以下の４種類が原料として使用された。具体的には、原料は、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２及びＷである。それぞれの純度及び製造メーカは、Ｙ２Ｏ３が純度３Ｎ及び日本イットリウム株式会社、Ａｌ２Ｏ３が純度３Ｎ及び住友化学株式会社、ＣｅＯ２が純度３Ｎ及び日本イットリウム株式会社、Ｗが純度４Ｎ及び株式会社高純度化学研究所である。
　ここでは、２種類の混合原料が用いられる。２種類の混合原料とは、Ｗを含有しない第１混合原料と、Ｗを含有する第２混合原料である。
　まず、第１混合原料について記載する。化学量論的組成の化合物（Ｙ０．９９９Ｃｅ０．００１）３Ａｌ５Ｏ１２となるように、上記原料としてＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及びＣｅＯ２が秤量された。次に、秤量された原料とアルミナ製ボール（直径１０ｍｍ）とが、プラスチック製ポットに投入された。アルミナ製ボールの量は、プラスチック製ポットの容積の１／３程度を充填する程度の量であった。その後、純水がプラスチック製ポットに投入され、ポット回転装置（日陶化学株式会社製、ＢＡＬＬ　ＭＩＬＬ　ＡＮＺ－５１Ｓ）を利用して、原料と純水とが混合された。この混合は、１２時間実施された。このようにして、スラリー状の第１混合原料を得た。
　スプレードライヤ装置を利用して第１混合原料が造粒された。なお、造粒時には、粘着剤（バインダ）として、アクリル系バインダが使用された。
　続いて、第２混合原料について記載する。化学量論的組成の化合物Ｙ３（Ａｌ０．９９９Ｃｒ０．００１）５Ｏ１２となるように、上記原料としてＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及びＣｅＯ２が秤量された。さらに、作製される蛍光体材料の体積を１００としたときに、Ｗの体積が１０となるようにＷが秤量された。次に秤量されたＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２及びＷとアルミナ製ボール（直径１０ｍｍ）とが、プラスチック製ポットに投入された。以下の手順は、第１混合原料と同様にして、第２混合原料が造粒された。
　次に、図５Ａを用いて、第１混合原料及び第２混合原料の成型について説明する。
　図５Ａは、本実施の形態に係る蛍光体基板１０を製造するための金型４００の斜視図である。
　造粒された第１混合原料及び第２混合原料は、電動油圧プレス機（理研精機株式会社製、ＥＭＰ－５）と有底円筒形状の金型４００とを利用して、円柱形状に仮成型された。成型時の圧力は、５ＭＰａとした。このとき、Ｗを含有しない第１混合原料は金型４００における第６領域Ａ４に、Ｗを含有する第２混合原料は金型４００における第５領域Ａ３及び第７領域Ａ５に、配置される。
　図５Ａが示すように、金型４００の内側には、第１仕切り４０１及び第２仕切り４０２が設けられている。第１仕切り４０１及び第２仕切り４０２のそれぞれの形状は、無底円筒形状である。第１仕切り４０１の直径は第２仕切り４０２の直径よりも小さく、第１仕切り４０１は第２仕切り４０２の内側に配置されている。第１仕切り４０１及び第２仕切り４０２は、加熱処理などにより除去される材料（例えば樹脂材料）により構成されている。
　金型４００は、第１仕切り４０１及び第２仕切り４０２によって、３つの領域に区分されている。３つの領域とは、金型４００の中心に位置する円柱形状の第５領域Ａ３、第５領域Ａ３の周囲を囲う無底円筒形状の第６領域Ａ４及び第６領域Ａ４の周囲を囲う無底円筒形状の第７領域Ａ５である。また、第５領域Ａ３は、第１仕切り４０１と金型４００の底面とに囲まれた領域である。第６領域Ａ４は、第１仕切り４０１と第２仕切り４０２と金型４００の底面とに囲まれた領域である。第７領域Ａ５は、第２仕切り４０２と金型４００の底面及び側面とに囲まれた領域である。
　次に、冷間等方圧加圧装置を利用して、仮成型後の成型体が本成型された。本成型時の圧力は、３００ＭＰａとした。
　加熱処理後の成型体は、管状雰囲気炉を用いて、焼成された。焼成温度は、１６７５℃とした。また、焼成時間は、４時間とした。焼成雰囲気は、窒素と水素との混合ガス雰囲気とした。なお、造粒時に使用された粘着剤と、第１仕切り４０１及び第２仕切り４０２に使用された樹脂材料とは、昇温過程の例えば５００℃付近で、分解除去される。
　焼成後の円柱形状の焼成物は、マルチワイヤーソーを用いて、スライスされた。さらに、スライスされた焼成物が研磨され、焼成物の厚みの調整が行われた。この調整が行われることで、焼成物が、蛍光体基板１０となる。
　また、第６領域Ａ４における第１混合原料は、蛍光体基板１０が有する第１領域２１に相当する。第５領域Ａ３における第２混合原料は蛍光体基板１０が有する内側の第２領域２２に相当し、第７領域Ａ５における第２混合原料は蛍光体基板１０が有する外側の第２領域２２に相当する。
　なお、上記の第１仕切り４０１及び第２仕切り４０２は、金属製の材料により構成されていてもよい。この場合は、第１混合原料が第６領域Ａ４に、第２混合原料が第５領域Ａ３及び第７領域Ａ５に配置された後に、第１仕切り４０１及び第２仕切り４０２が、例えば上方に引き抜かれ、除かれる。これにより、第１混合原料が第６領域Ａ４に、第２混合原料が第５領域Ａ３及び第７領域Ａ５に保持されることができる。
　（実施の形態３）
　[蛍光発光モジュールの構成］
　次に、実施の形態３に係る蛍光発光モジュール１ｄについて、図１１及び図１２を用いて説明する。図１１は、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｄの斜視図である。図１２は、図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線における蛍光発光モジュール１ｄの一部の切断面を示す断面図である。
　蛍光発光モジュール１ｄは、焼結蛍光体によって構成されている蛍光体基板１０ｄと、反射防止層３０と、青透過ダイクロイック多層膜４０と、回転部（不図示）と、２つの光出射部２００とを備えるモジュールである。なお、簡単のため、図１１及び図１２においては、１つの光出射部２００が記載されている。また、本実施の形態に係る回転部は、上記の回転部１００と同じ構成である。さらに、図１１においては、青透過ダイクロイック多層膜４０よりｚ軸負側の軸Ａ１の図示が省略されている。また、光出射部２００は、上記と同じく励起光Ｌ１を出射する。
　本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｄにおいては、蛍光体基板１０ｄが蛍光体材料と発光中心元素を含まない酸化物材料とを有する焼結蛍光体によって構成されている点が、実施の形態１及び２に係る蛍光発光モジュール１ｃ及び１とは主に異なる。
　蛍光体基板１０ｄは、蛍光体材料と発光中心元素を含まない酸化物材料とを有する焼結蛍光体によって構成されている基板であり、円形状を有する基板である。つまり、蛍光体基板１０ｄは、平面を有する円板形状である。蛍光体基板１０ｄは焼結蛍光体のみによって構成されている基板であり、焼結蛍光体は主成分である蛍光体材料及び発光中心元素を含まない酸化物材料のみを有する。
　より具体的には、図１２が示すように、蛍光体基板１０ｄは、蛍光構造体１１ｄと、酸化物構造体１３ｄとによって構成されている。なお、図１１が示すように、蛍光構造体１１ｄと２つの酸化物構造体１３ｄとが設けられている。つまり、蛍光体基板１０ｄは蛍光構造体１１ｄと２つの酸化物構造体１３ｄとによって構成されており、２つの酸化物構造体１３ｄは互いに同じ構成を有する。２つの酸化物構造体１３ｄのそれぞれは、図１１では、点線で囲まれた領域である。
　蛍光構造体１１ｄは、焼結蛍光体が有する蛍光体材料によって構成されている構造体である。より具体的には、蛍光構造体１１ｄは、焼結蛍光体が有する蛍光体材料のみによって構成されている構造体である。
　酸化物構造体１３ｄは、焼結蛍光体が有する発光中心元素を含まない酸化物材料によって構成されている構造体である。より具体的には、酸化物構造体１３ｄは、焼結蛍光体が有する発光中心元素を含まない酸化物材料のみによって構成されている構造体である。また、酸化物構造体１３ｄは、蛍光体基板１０ｄが有する第１光透過領域の一例である。第１光透過領域とは、蛍光体材料及び発光中心元素を含まない酸化物材料のうち、発光中心元素を含まない酸化物材料のみによって構成され、蛍光体材料を励起させる光（励起光Ｌ１）を透過する領域である。
　蛍光体基板１０ｄは、上記の通り、円形状を有する基板である。より具体的には、蛍光体基板１０ｄは、蛍光構造体１１ｄと２つの酸化物構造体１３ｄとが組み合わされることで、円形状となる基板である。
　ここで、酸化物構造体１３ｄは、蛍光体基板１０ｄの平面視で、環状扇形（ａｎｎｕｌａｒ　ｓｅｃｔｏｒ）である。つまり、酸化物構造体１３ｄは、２つの円弧と２つの直線とで囲まれた形状である。なお、環状扇形は、円環扇形、扇形台又は扇形環などを意味する言葉である。また、蛍光構造体１１ｄは、蛍光体基板１０ｄの平面視で、円形状から一部が欠けた欠円形状である。つまり、蛍光構造体１１ｄの当該一部に酸化物構造体１３ｄが組み合わされることで、蛍光体基板１０ｄが円板形状となる。
　ここでは、図１１が示すように、蛍光体基板１０ｄの平面視で、円形状である蛍光体基板１０ｄの円周と、酸化物構造体１３ｄを示す２つの円弧のうち外側の円弧（つまり軸Ａ１から遠い側の円弧）とが重なるように酸化物構造体１３ｄが配置される。
　なお、ここで本実施の形態における焼結蛍光体について説明する。
　焼結蛍光体とは、上記の主成分である蛍光体材料及び発光中心元素を含まない酸化物材料（一例として、これら材料の原料粉が造粒された造粒体）の原料粉が、これら材料の融点よりも低い温度で焼成された焼成体である。また、焼結蛍光体は、焼成の過程での原料粉同士が結合される。そのため、焼結蛍光体は、造粒体同士を結合させるための結合剤をほとんど必要としない。より具体的には、焼結蛍光体は、結合剤を一切必要としない。結合剤とは、一例として、上記の特許文献１では、透明樹脂である。また、結合剤とは、Ａｌ２Ｏ３材料、及び、ガラス材料（つまりはＳｉＯｄ（０＜ｄ≦２））などが公知の材料として用いられている。なお、同様に、結合剤に限られず、焼結蛍光体は、焼結蛍光体が有する蛍光体材料及び発光中心元素を含まない酸化物材料以外の材料（以下その他材料）をほとんど必要とせず、より具体的には、その他材料を一切必要としない。
　例えば、焼結蛍光体の全体の体積を１００ｖｏｌ％としたとき、焼結蛍光体の全体の体積における蛍光体材料及び発光中心元素を含まない酸化物材料の合計の体積が７０ｖｏｌ％以上であるとよい。また、焼結蛍光体の全体の体積における蛍光体材料及び発光中心元素を含まない酸化物材料の合計の体積が、８０ｖｏｌ％以上であるとよりよく、９０ｖｏｌ％以上であるとさらによく、９５ｖｏｌ％以上であるとさらによりよくなる。
　なお、換言すると、焼結蛍光体の全体の体積を１００ｖｏｌ％としたとき、焼結蛍光体の全体の体積におけるその他材料（例えば結合剤）の体積が３０ｖｏｌ％未満であるとよい。また、焼結蛍光体の全体の体積におけるその他材料（例えば結合剤）の体積が、２０ｖｏｌ％以下であるとよりよく、１０ｖｏｌ％以下であるとさらによく、５ｖｏｌ％以下であるとさらによりよくなる。
　蛍光体材料で構成される蛍光構造体１１ｄは、蛍光体基板１０ｄのｚ軸負方向から入射する光を励起光Ｌ１として受光して、蛍光を放つ。より具体的には、光出射部２００から出射された光が励起光Ｌ１として蛍光構造体１１ｄを構成する蛍光体材料に照射されることで、蛍光構造体１１ｄから波長変換光として蛍光が放たれる。つまり、蛍光構造体１１ｄから放たれる波長変換光は、励起光Ｌ１の波長よりも長い波長の光である。
　本実施の形態に係る蛍光体材料は、実施の形態１及び２と同じくＹＡＧ：Ｃｅで構成されているが、上記記載の他の蛍光体材料であってもよい。つまり、本実施の形態に係る蛍光構造体１１ｄは、ＹＡＧ：Ｃｅによって構成されている。
　本実施の形態において、蛍光構造体１１ｄを構成する蛍光体材料（ＹＡＧ：Ｃｅ）から放たれる波長変換光には、黄色光である蛍光が含まれる。蛍光体材料は、例えば、波長が３８０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の光を吸収し、波長が４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の領域に蛍光ピーク波長を有する黄色光である蛍光を放つ。蛍光体材料がＹＡＧ：Ｃｅで構成されることで、容易に波長が４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の領域に蛍光ピーク波長を有する蛍光を放つことができる。
　なお、上記の実施の形態１及び２では、透過光Ｌ２は、波長変換された黄色光である蛍光と波長変換されていない青色光である励起光Ｌ１とを含み、これらの光が複合された光であり、白色光であった。
　しかし、本実施の形態においては、蛍光構造体１１ｄに入射した励起光Ｌ１の全部が、蛍光体材料によって波長変換されて、蛍光構造体１１ｄを透過する。そのため、蛍光構造体１１ｄを透過した透過光Ｌ３は、波長変換光のみを含む。つまりは、透過光Ｌ３は、黄色光である。
　発光中心元素を含まない酸化物材料は、一例として、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）であるが、ここでは、上記の蛍光体材料から発光中心元素が除かれた非発光材料である。なお、発光中心元素を含まない酸化物材料として用いられるＡｌ２Ｏ３は、上記結合剤とは異なる。また、発光中心元素を含まない酸化物材料は、励起光Ｌ１の波長領域において、透過率が高い材料である。
　本実施の形態においては、蛍光体材料は、ＹＡＧ：Ｃｅによって構成されており、発光中心元素とは例えばＣｅである。このため、本実施の形態で用いられる蛍光体材料から発光中心元素が除かれた非発光材料は、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（つまりはＹＡＧ）によって構成されている。以上より、本実施の形態に係る酸化物構造体１３ｄは、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（つまりはＹＡＧ）によって構成されている。
　Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２で構成される酸化物構造体１３ｄは、蛍光体基板１０ｄのｚ軸負方向から入射する光である励起光Ｌ１を透過する。蛍光構造体１１ｄとは異なり、酸化物構造体１３ｄは、励起光Ｌ１の波長変換などを行わない。酸化物構造体１３ｄは、励起光Ｌ１の波長領域において、透過率は、５０％以上であればよく、７０％以上であればよりよく、８０％以上であればさらによく、９０％以上であればさらによりよい。つまり、励起光Ｌ１が示す波長領域は、酸化物構造体１３ｄを透過する前後で変化することなく、ここでは、励起光Ｌ１は、青色光である。
　また、本実施の形態に係る蛍光体基板１０ｄは、第３領域２３と第４領域２４とを有している。つまり、本実施の形態に係る蛍光体基板１０ｄは、第３領域２３と第４領域２４とにセグメント化されている。より具体的には、平面視で蛍光体基板１０ｄは、第３領域２３と複数の第４領域２４とを有している。なお、図１１においては、第３領域２３にはドットが付されており、図１２においては、第３領域２３は一点鎖線で、複数の第４領域２４は二点鎖線で囲まれた矩形の領域である。
　なお、第３領域２３は、実施の形態２に係る第１領域２１と同じ形状を有し、第４領域２４は、実施の形態２に係る第２領域２２と同じ形状を有する。ただし、上記の通り、蛍光体基板１０ｄは、高熱伝導材料を有していない。
　図１１が示すように、蛍光体基板１０ｄを平面視したときに、第３領域２３の形状は円環形状であり、当該円環形状の中心は蛍光体基板１０ｄの中心点Ｃ１と重なる。第３領域２３は、蛍光体基板１０ｄの中心点Ｃ１からの距離が等しい円周上に円形のリング形状に設けられている。つまり、第３領域２３は、平面視において周方向に沿う帯状に設けられている。光出射部２００が出射する励起光Ｌ１は、第３領域２３に入射する。より具体的には、図１１が示すように、本実施の形態においては、励起光Ｌ１は、蛍光体基板１０ｄの中心点Ｃ１から半径Ｒの位置に照射される。
　また、蛍光体基板１０ｄを平面視したときに、第３領域２３には、酸化物構造体１３ｄ（つまりは第１光透過領域）が設けられている。より具体的には、蛍光体基板１０ｄを平面視したときに、第３領域２３には、酸化物構造体１３ｄの一部と、蛍光構造体１１ｄの一部とが設けられている。なお、図１１では、第３領域２３を示すドットのうち、より薄いドットで示される第３領域２３に酸化物構造体１３ｄの一部が設けられ、より濃いドットで示される第３領域２３に蛍光構造体１１ｄの一部が設けられている。
　第３領域２３に入射した励起光Ｌ１のうち、酸化物構造体１３ｄに入射する励起光Ｌ１は、酸化物構造体１３ｄを透過する。また、第３領域２３に入射した励起光Ｌ１のうち、蛍光構造体１１ｄに入射する励起光Ｌ１は、蛍光構造体１１ｄによって波長変換され、波長変換光である透過光Ｌ３として放たれる。
　さらに、蛍光体基板１０ｄを平面視したときに、複数の第４領域２４は、第３領域２３の形状である円環形状の内側と外側とに設けられる。なお、複数の第４領域２４のうち内側に設けられた第４領域２４を「内側の第４領域２４」、複数の第４領域２４のうち外側に設けられた第４領域２４を「外側の第４領域２４」と記載する。
　内側の第４領域２４の形状は円板形状であり、当該円板形状の中心は蛍光体基板１０ｄの中心点Ｃ１と重なる。内側の第４領域２４は、第３領域２３の内側面と接している。また、外側の第４領域２４の形状は第３領域２３と同じく円環形状であり、当該円環形状の中心は蛍光体基板１０ｄの中心点Ｃ１と重なる。外側の第４領域２４は、第３領域２３の外側面と接している。つまり、第３領域２３は、内側の第４領域２４と外側の第４領域２４とによって挟まれている。
　本実施の形態においては、焼結蛍光体は、発光中心元素を含まない酸化物材料をさらに有する。蛍光体基板１０ｄは、蛍光体材料及び酸化物材料のうち酸化物材料のみによって構成され、蛍光体材料を励起させる光（励起光Ｌ１）を透過する第１光透過領域を有する。
　これにより、励起光Ｌ１が発光中心元素を含まない酸化物材料で構成される第１光透過領域（つまりは酸化物構造体１３ｄ）に入射するときには、励起光Ｌ１は酸化物構造体１３ｄを透過するため、蛍光体基板１０ｄからは励起光Ｌ１が放たれる。同様に、励起光Ｌ１が蛍光体材料で構成される蛍光構造体１１ｄに入射するときには、励起光Ｌ１は蛍光構造体１１ｄによって波長変換されるため、蛍光体基板１０ｄからは波長変換光である透過光Ｌ３が放たれる。
　よって、回転部が回転することで、蛍光体基板１０ｄは、励起光Ｌ１及び波長変換光を時分割で放つことができる。本実施の形態においては、蛍光体基板１０ｄは、励起光Ｌ１として黄色光及び波長変換光として青色光を時分割で放つことができる。
　さらに、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｄが、実施の形態１に係る蛍光発光モジュール１ｃの替わりに、プロジェクタ５００に適用されてもよい。この場合には、プロジェクタ５００は、表示素子部６０２としてＤＬＰを備え、つまりは、１－ＤＬＰ（ワンチップＤＬＰ）方式のプロジェクタとして利用することができる。
　また、本実施の形態においては、酸化物材料は、酸化アルミニウム、又は、蛍光体材料から発光中心元素が除かれた非発光材料である。
　これらの材料は、励起光Ｌ１（つまりは蛍光体材料を励起させる光）の光透過率が高い。このため、第１光透過領域（酸化物構造体１３ｄ）における励起光Ｌ１の透過率が高く、吸収による励起光Ｌ１のロスが抑制される。よって、光の利用効率が高い蛍光発光モジュール１ｄを実現することができる。
　また、本実施の形態においては、蛍光体基板１０ｄを平面視したときに、蛍光体基板１０ｄは円環形状の第３領域２３を有し、円環形状の中心は蛍光体基板１０ｄの中心（中心点Ｃ１）と重なり、第３領域２３には、第１光透過領域が設けられている。さらに、本実施の形態においては、第３領域２３には蛍光構造体１１ｄも設けられている。
　第３領域２３の形状が上記形状であるため、第３領域２３に励起光Ｌ１が入射する場合には、励起光Ｌ１及び波長変換光を時分割で放つことができる蛍光体基板１０ｄを蛍光体ホイールとして利用することがより容易になる。
　本実施の形態においては、蛍光発光モジュール１ｄは、蛍光体材料を励起する光であって、第３領域２３に入射する励起光Ｌ１を出射する光出射部２００を、さらに備える。
　このように、励起光Ｌ１が蛍光構造体１１ｄ及び酸化物構造体１３ｄが設けられた第３領域２３に入射することで、蛍光体基板１０ｄは、励起光Ｌ１及び波長変換光を、より容易に時分割で放つことができる。
　なお、本実施の形態においては、２つの酸化物構造体１３ｄが設けられていたがこれに限られない。例えば、１つの酸化物構造体１３ｄが設けられていてもよく、３以上の酸化物構造体１３ｄが設けられていてもよい。
　また、本実施の形態の他の例として、蛍光体材料が（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３Ａｌ５Ｏ１２（０．０００１≦ｘ＜０．１）以外の蛍光体材料によって構成されている場合には、当該蛍光体材料から発光中心元素が除かれた非発光材料が用いられるとよい。つまり例えば、蛍光体材料が（Ｌｕ１－ｙＣｅｙ）３Ａｌ２Ａｌ３Ｏ１２（０．００１≦ｙ＜０．１）によって構成されている場合には、蛍光体材料から発光中心元素が除かれた非発光材料は、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２によって構成されているとよい。
　[製造方法］
　ここで、蛍光体基板１０ｄの製造方法について簡単に説明する。
　蛍光体材料は、（Ｙ０．９９９Ｃｅ０．００１）３Ａｌ５Ｏ１２で表される結晶相によって構成される。また、蛍光体材料は、いずれも、Ｃｅ３＋賦活蛍光体で構成される。
　蛍光体基板１０ｄを製造するために、化合物粉末として以下の３種類が原料として使用された。具体的には、原料は、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及びＣｅＯ２である。それぞれの純度及び製造メーカは、Ｙ２Ｏ３が純度３Ｎ及び日本イットリウム株式会社、Ａｌ２Ｏ３が純度３Ｎ及び住友化学株式会社、ＣｅＯ２が純度３Ｎ及び日本イットリウム株式会社である。
　ここでは、２種類の混合原料が用いられる。２種類の混合原料とは、ＣｅＯ２を含有する第１混合原料と、ＣｅＯ２を含有しない第３混合原料である。なお、本実施の形態に係る第１混合原料は、実施の形態２に係る第１混合原料と同じであるため、第１混合原料の造粒までの工程は省略する。
　まずは、第３混合原料について記載する。化学量論的組成の化合物Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２となるように、上記原料としてＹ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３が秤量された。次に秤量されたＹ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３とアルミナ製ボール（直径１０ｍｍ）とが、プラスチック製ポットに投入された。以下の手順は、第１混合原料と同様にして、第３混合原料が造粒された。
　次に、第１混合原料及び第３混合原料の成型について説明する。
　本実施の形態に係る製造方法においても、実施の形態２と同じく、仕切りが内側に設けられた円柱形状の金型が用いられる。ここでは、金型は、２つの仕切りによって３つの領域に区分されている。３つの領域のうち１つの領域には第１混合原料が配置され、３つの領域のうち他の２つの領域には第３混合原料が配置される。なお、当該金型の円柱形状の底面を平面視すると、第３混合原料が配置された当該２つの領域の形状のそれぞれは、環状扇形であり、第１混合原料が配置された当該１つの領域の形状は、円形状から２つの環状扇形が除かれた形状である。つまり、当該１つの領域に配置された第１混合原料が蛍光構造体１１ｄに相当し、当該他の２つの領域に配置された第３混合原料が２つの酸化物構造体１３ｄに相当するように、２つの仕切りが設けられている。
　金型の形状を除いては、実施の形態１及び２と同様に処理が行われることで、蛍光体基板１０ｄが製造される。
　（実施の形態４）
　[蛍光発光モジュールの構成］
　次に、実施の形態４に係る蛍光発光モジュール１ｆについて、図１３を用いて説明する。図１３は、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｆの斜視図である。
　蛍光発光モジュール１ｆは、焼結蛍光体によって構成されている蛍光体基板１０ｆと、反射防止層３０と、青透過ダイクロイック多層膜４０と、回転部（不図示）と、２つの光出射部２００とを備えるモジュールである。なお、簡単のため、図１３においては、１つの光出射部２００が記載されている。また、本実施の形態に係る回転部は、上記の回転部１００と同じ構成である。また、光出射部２００は、上記と同じく励起光Ｌ１を出射する。
　本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｆにおいては、蛍光体基板１０ｆが第１光透過領域（酸化物構造体１３ｄ）のかわりに第２光透過領域１４ｆを有している点が、実施の形態３に係る蛍光発光モジュール１ｄとは主に異なる。つまりは、本実施の形態に係る蛍光焼結体は、蛍光体材料のみを有し、発光中心元素を含まない酸化物材料を有さない。
　本実施の形態に係る蛍光体基板１０ｆは、蛍光体材料を有する焼結蛍光体によって構成されている基板である。また、本実施の形態に係る蛍光体基板１０ｆは、２つの第２光透過領域１４ｆと第３領域２３と第４領域２４とを有している基板である。本実施の形態に係る焼結蛍光体は、実施の形態３で示した蛍光構造体１１ｄによって構成されている。
　第２光透過領域１４ｆは、蛍光体基板１０ｆが有する開口部である。つまり、第２光透過領域１４ｆは、蛍光体基板１０ｆの厚み方向（ｚ軸方向）に蛍光体基板１０ｆを貫通する貫通孔、及び、蛍光体基板１０ｆが切り欠かれた切り欠き部のうち少なくとも一方によって構成されている。ここでは、第２光透過領域１４ｆは、切り欠き部に相当する。第２光透過領域１４ｆは、実施の形態３で示した酸化物構造体１３ｄ（第１光透過領域）と同じ形状であるがこれに限られない。
　ここで本実施の形態における焼結蛍光体について説明する。
　焼結蛍光体とは、上記の主成分である蛍光体材料（一例として、蛍光体材料の原料粉が造粒された造粒体）の原料粉が、蛍光体材料の融点よりも低い温度で焼成された焼成体である。つまり、本実施の形態に係る焼結蛍光体は、実施の形態１に係る焼結蛍光体と同じである。
　蛍光構造体１１ｄは、実施の形態３で説明したように、励起光Ｌ１が入射されると、励起光Ｌ１の波長よりも長い波長の光である波長変換光（黄色光）を透過光Ｌ３として放つ。
　第２光透過領域１４ｆは、励起光Ｌ１が入射されると、青色光である励起光Ｌ１を透過させる。
　また、本実施の形態に係る蛍光体基板１０ｆは、セグメント化された第３領域２３と第４領域２４とを有している。より具体的には、平面視で蛍光体基板１０ｆは、第３領域２３と複数の第４領域２４とを有している。なお、図１３においては、第３領域２３にはドットが付されている。
　光出射部２００が出射する励起光Ｌ１は、第３領域２３に入射する。より具体的には、図１３が示すように、本実施の形態においては、励起光Ｌ１は、蛍光体基板１０ｆの中心点Ｃ１から半径Ｒの位置に照射される。
　また、蛍光体基板１０ｆを平面視したときに、第３領域２３には、第２光透過領域１４ｆが設けられている。より具体的には、蛍光体基板１０ｆを平面視したときに、第３領域２３には、第２光透過領域１４ｆの一部と、蛍光構造体１１ｄの一部とが設けられている。なお、図１３では、第３領域２３を示すドットのうち、より薄いドットで示される第３領域２３に第２光透過領域１４ｆの一部が設けられ、より濃いドットで示される第３領域２３に蛍光構造体１１ｄの一部が設けられている。
　本実施の形態においては、蛍光体基板１０ｆは、蛍光体材料を励起させる光（励起光Ｌ１）を透過する第２光透過領域１４ｆを有する。第２光透過領域１４ｆは、蛍光体基板１０ｆの厚み方向に蛍光体基板１０ｆを貫通する貫通孔、及び、蛍光体基板１０ｆが切り欠かれた切り欠き部のうち少なくとも一方によって構成されている。
　これにより、励起光Ｌ１は第２光透過領域１４ｆに入射するときには、蛍光体基板１０ｆからは励起光Ｌ１が放たれる。同様に、励起光Ｌ１が蛍光体材料で構成される蛍光構造体１１ｄに入射するときには、励起光Ｌ１は蛍光構造体１１ｄによって波長変換されるため、蛍光体基板１０ｆからは波長変換光である透過光Ｌ３が放たれる。
　よって、回転部が回転することで、蛍光体基板１０ｆは、励起光Ｌ１及び波長変換光を時分割で放つことができる。本実施の形態においては、蛍光体基板１０ｆは、励起光Ｌ１として黄色光及び波長変換光として青色光を時分割で放つことができる。
　さらに、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｆが、実施の形態１に係る蛍光発光モジュール１ｃの替わりに、プロジェクタ５００に適用されてもよい。この場合には、プロジェクタ５００は、表示素子部６０２としてＤＬＰを備え、つまりは、１－ＤＬＰ（ワンチップＤＬＰ）方式のプロジェクタとして利用することができる。
　本実施の形態においては、蛍光体基板１０ｆを平面視したときに、蛍光体基板１０ｆは円環形状の第３領域２３を有し、円環形状の中心は蛍光体基板１０ｆの中心（中心点Ｃ１）と重なり、第３領域２３には第２光透過領域１４ｆが設けられている。
　さらに、本実施の形態においては、第３領域２３には蛍光構造体１１ｄも設けられている。
　第３領域２３の形状が上記形状であるため、第３領域２３に励起光Ｌ１が入射する場合には、励起光Ｌ１及び波長変換光を時分割で放つことができる蛍光体基板１０ｆを蛍光体ホイールとして利用することがより容易になる。
　本実施の形態においては、蛍光発光モジュール１ｆは、蛍光体材料を励起する光であって、第３領域２３に入射する励起光Ｌ１を出射する光出射部２００を、さらに備える。
　このように、励起光Ｌ１が蛍光構造体１１ｄ及び第２光透過領域１４ｆが設けられた第３領域２３に入射することで、蛍光体基板１０ｆは、励起光Ｌ１及び波長変換光を、より容易に時分割で放つことができる。
　[製造方法］
　ここで、蛍光体基板１０ｆの製造方法について簡単に説明する。
　蛍光体材料は、（Ｙ０．９９９Ｃｅ０．００１）３Ａｌ５Ｏ１２で表される結晶相によって構成される。また、蛍光体材料は、いずれも、Ｃｅ３＋賦活蛍光体で構成される。
　蛍光体基板１０ｆを製造するために、上記と同様にして、第１混合原料が造粒された。
　次に、図１４を用いて、第１混合原料の成型について説明する。
　図１４は、本実施の形態に係る蛍光体基板１０ｆを製造するための金型４００ｆの斜視図である。
　金型４００ｆには、内側領域Ａ６と、２つの切り欠け領域Ａ７が設けられている。
　造粒された第１混合原料は、電動油圧プレス機（理研精機株式会社製、ＥＭＰ－５）と有底円筒形状の金型４００とを利用して、仮成型された。第１混合原料は金型４００ｆにおける内側領域Ａ６に配置される。
　次に、冷間等方圧加圧装置を利用して、仮成型後の成型体が本成型された。
　加熱処理後の成型体は、管状雰囲気炉を用いて、焼成された。
　焼成後の円柱形状の焼成物は、マルチワイヤーソーを用いて、スライスされた。さらに、スライスされた焼成物が研磨され、焼成物の厚みの調整が行われた。この調整が行われることで、焼成物が、蛍光体基板１０ｆとなる。
　なお、仮成型される工程、本成型される工程、焼成される工程、スライスされる工程及び研磨される工程は、実施の形態１と同じ条件で行われる。
　このような２つの切り欠け領域Ａ７が設けられた金型４００ｆが用いられることで、２つの第２光透過領域１４ｆを有する蛍光体基板１０ｆが製造される。
　（実施の形態５）
　次に、実施の形態５に係る蛍光発光モジュール１ｇについて、図１５及び図１６を用いて説明する。図１５は、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｇの斜視図である。図１６は、図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ線における蛍光発光モジュール１ｇの一部の切断面を示す断面図である。
　蛍光発光モジュール１ｇは、焼結蛍光体によって構成されている蛍光体基板１０ｇと、反射防止層３０と、青透過ダイクロイック多層膜４０と、回転部（不図示）と、２つの光出射部２００とを備えるモジュールである。なお、簡単のため、図１５及び図１６においては、１つの光出射部２００が記載されている。また、本実施の形態に係る回転部は、上記の回転部１００と同じ構成である。さらに、図１５においては、青透過ダイクロイック多層膜４０よりｚ軸負側の軸Ａ１の図示が省略されている。また、光出射部２００は、上記と同じく励起光Ｌ１を出射する。
　本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｇにおいては、以下の１点において、実施の形態１、２、３及び４に係る蛍光発光モジュール１ｃ、１、１ｄ及び１ｆとは主に異なる。具体的に１点とは、蛍光体基板１０ｇが蛍光体材料と、発光中心元素を含まない酸化物材料と、高熱伝導材料とを有する焼結蛍光体によって構成されている点である。
　蛍光体基板１０ｇは、蛍光体材料と発光中心元素を含まない酸化物材料と高熱伝導材料とを有する焼結蛍光体によって構成されている基板であり、円形状を有する基板である。つまり、蛍光体基板１０ｇは、平面を有する円板形状である。蛍光体基板１０ｇは焼結蛍光体のみによって構成されている基板であり、焼結蛍光体は主成分である蛍光体材料、発光中心元素を含まない酸化物材料及び高熱伝導材料のみを有する。
　より具体的には、図１６が示すように、蛍光体基板１０ｇは、蛍光構造体１１ｇと、酸化物構造体１３ｇと、複数の熱伝導構造体１２とによって構成されている。なお、図１５及び１６が示すように、蛍光構造体１１ｇと２つの酸化物構造体１３ｇと複数の熱伝導構造体１２とが設けられている。つまり、蛍光体基板１０ｇは蛍光構造体１１ｇと２つの酸化物構造体１３ｇと複数の熱伝導構造体１２によって構成されており、２つの酸化物構造体１３ｇは互いに同じ構成を有する。２つの酸化物構造体１３ｇは、図１５では、点線で囲まれた領域である。
　蛍光構造体１１ｇは、焼結蛍光体が有する蛍光体材料によって構成されている構造体である。より具体的には、蛍光構造体１１ｇは、焼結蛍光体が有する蛍光体材料のみによって構成されている構造体である。なお、本実施の形態に係る蛍光構造体１１ｇは、実施の形態３に係る蛍光構造体１１ｄと、形状を除いて同じ構成を有する。
　酸化物構造体１３ｇは、焼結蛍光体が有する発光中心元素を含まない酸化物材料によって構成されている構造体である。より具体的には、酸化物構造体１３ｇは、焼結蛍光体が有する発光中心元素を含まない酸化物材料のみによって構成されている構造体である。なお、本実施の形態に係る酸化物構造体１３ｇは、実施の形態３に係る酸化物構造体１３ｄと、形状を除いて同じ構成を有する。つまり、酸化物構造体１３ｇは、蛍光体基板１０ｇが有する第１光透過領域の一例である。
　蛍光体基板１０ｇは、上記の通り、円形状を有する基板である。より具体的には、蛍光体基板１０ｇは、蛍光構造体１１ｇと２つの酸化物構造体１３ｇと複数の熱伝導構造体１２とが組み合わされることで、円形状となる基板である。
　ここで、酸化物構造体１３ｇは、蛍光体基板１０ｇの平面視で、環状扇形（ａｎｎｕｌａｒ　ｓｅｃｔｏｒ）である。つまり、酸化物構造体１３ｇは、２つの円弧と２つの直線とで囲まれた形状である。
　ここでは、図１５が示すように、蛍光体基板１０ｇの平面視で、円形状である蛍光体基板１０ｇの円周よりも、酸化物構造体１３ｇを示す２つの円弧のうち外側の円弧（つまり軸Ａ１から遠い側の円弧）が軸Ａ１に近くなるに２つの酸化物構造体１３ｇが配置される。
　また、蛍光構造体１１ｇ及び複数の熱伝導構造体１２が組み合わされた形状は、蛍光体基板１０ｇの平面視で、円形状から２つの環状扇形の開口部が設けられた円形状である。つまり、蛍光構造体１１ｇ及び複数の熱伝導構造体１２が組み合わされた形状において、当該開口部に酸化物構造体１３ｇが組み合わされることで、蛍光体基板１０ｇが円板形状となる。
　また、複数の熱伝導構造体１２は、蛍光体基板１０ｇにおいて、蛍光構造体１１ｇに周囲を覆われるように配置されている。また、図示されないが、複数の熱伝導構造体１２は、蛍光構造体１１ｇから複数の熱伝導構造体１２の一部が突出するように配置されていてもよい。蛍光構造体１１ｇは、複数の熱伝導構造体１２にとって、母材の役割を担う。つまり、複数の熱伝導構造体１２は、蛍光構造体１１ｇに埋設されている。
　一方で、複数の熱伝導構造体１２は、蛍光体基板１０ｇにおいて、酸化物構造体１３ｇ中には配置されていない。図１６が示すように、複数の熱伝導構造体１２と酸化物構造体１３ｇとは、接していない。
　なお、ここで本実施の形態における焼結蛍光体について説明する。
　焼結蛍光体とは、上記の主成分である蛍光体材料、発光中心元素を含まない酸化物材料及び高熱伝導材料（一例として、これら材料の原料粉が造粒された造粒体）の原料粉が、これら材料の融点よりも低い温度で焼成された焼成体である。また、焼結蛍光体は、焼成の過程での原料粉同士が結合される。そのため、焼結蛍光体は、造粒体同士を結合させるための結合剤をほとんど必要としない。より具体的には、焼結蛍光体は、結合剤を一切必要としない。結合剤とは、一例として、上記の特許文献１では、透明樹脂である。また、結合剤とは、Ａｌ２Ｏ３材料、及び、ガラス材料（つまりはＳｉＯｄ（０＜ｄ≦２））などが公知の材料として用いられている。なお、同様に、結合剤に限られず、焼結蛍光体は、焼結蛍光体が有する蛍光体材料、発光中心元素を含まない酸化物材料及び高熱伝導材料以外の材料（以下その他材料）をほとんど必要とせず、より具体的には、その他材料を一切必要としない。
　例えば、焼結蛍光体の全体の体積を１００ｖｏｌ％としたとき、焼結蛍光体の全体の体積における蛍光体材料、発光中心元素を含まない酸化物材料及び高熱伝導材料の合計の体積が７０ｖｏｌ％以上であるとよい。また、焼結蛍光体の全体の体積における蛍光体材料、発光中心元素を含まない酸化物材料及び高熱伝導材料の合計の体積が、８０ｖｏｌ％以上であるとよりよく、９０ｖｏｌ％以上であるとさらによく、９５ｖｏｌ％以上であるとさらによりよくなる。
　なお、換言すると、焼結蛍光体の全体の体積を１００ｖｏｌ％としたとき、焼結蛍光体の全体の体積におけるその他材料（例えば結合剤）の体積が３０ｖｏｌ％未満であるとよい。また、焼結蛍光体の全体の体積におけるその他材料（例えば結合剤）の体積が、２０ｖｏｌ％以下であるとよりよく、１０ｖｏｌ％以下であるとさらによく、５ｖｏｌ％以下であるとさらによりよくなる。
　また、本実施の形態に係る蛍光体基板１０ｇは、第１領域２１と第２領域２２とを有している。つまり、本実施の形態に係る蛍光体基板１０ｇは、第１領域２１と第２領域２２とにセグメント化されている。より具体的には、平面視で蛍光体基板１０ｇは、第１領域２１と複数の第２領域２２とを有している。なお、図１においては、第１領域２１にはドットが付されており、図１６においては、第１領域２１は一点鎖線で、複数の第２領域２２は二点鎖線で囲まれた矩形の領域である。
　第１領域２１と複数の第２領域２２とにおいては、高熱伝導材料の含有量が異なる。複数の第２領域２２は、第１領域２１よりも高熱伝導材料の含有量が多い領域である。つまり、第１領域２１は、複数の第２領域２２よりも高熱伝導材料の含有量が少なければよく、本実施の形態に係る第１領域２１は高熱伝導材料を含有していない。しかし、第１領域２１は、高熱伝導材料を含有してもよい。また、光出射部２００によって出射された励起光Ｌ１は、第１領域２１に入射する。より具体的には、図１５が示すように、本実施の形態においては、励起光Ｌ１は、蛍光体基板１０ｇの中心点Ｃ１から半径Ｒの位置に照射される。
　また、蛍光体基板１０ｇを平面視したときに、第１領域２１には、酸化物構造体１３ｇ（つまりは第１光透過領域）が設けられている。より具体的には、蛍光体基板１０ｇを平面視したときに、第１領域２１には、酸化物構造体１３ｇの一部と、蛍光構造体１１ｇの一部とが設けられている。なお、図１５では、第１領域２１を示すドットのうち、より薄いドットで示される第１領域２１に酸化物構造体１３ｇの一部が設けられ、より濃いドットで示される第１領域２１に蛍光構造体１１ｇの一部が設けられている。
　第１領域２１に入射した励起光Ｌ１のうち、酸化物構造体１３ｇに入射する励起光Ｌ１は、酸化物構造体１３ｇを透過する。また、第１領域２１に入射した励起光Ｌ１のうち、蛍光構造体１１ｇに入射する励起光Ｌ１は、蛍光構造体１１ｇによって波長変換され、波長変換光である透過光Ｌ３として放たれる。
　本実施の形態においては、焼結蛍光体は、発光中心元素を含まない酸化物材料をさらに有する。蛍光体基板１０ｇは、蛍光体材料及び酸化物材料のうち酸化物材料のみによって構成され、蛍光体材料を励起させる光（励起光Ｌ１）を透過する第１光透過領域を有する。第１領域２１には、第１光透過領域が設けられている。
　これにより、励起光Ｌ１が発光中心元素を含まない酸化物材料で構成される第１光透過領域（つまりは酸化物構造体１３ｇ）に入射するときには、励起光Ｌ１は酸化物構造体１３ｇを透過するため、蛍光体基板１０ｇからは励起光Ｌ１が放たれる。同様に、励起光Ｌ１が蛍光体材料で構成される蛍光構造体１１ｇに入射するときには、励起光Ｌ１は蛍光構造体１１ｇによって波長変換されるため、蛍光体基板１０ｇからは波長変換光である透過光Ｌ３が放たれる。
　よって、回転部が回転することで、蛍光体基板１０ｇは、励起光Ｌ１及び波長変換光を時分割で放つことができる。本実施の形態においては、蛍光体基板１０ｇは、励起光Ｌ１として黄色光及び波長変換光として青色光を時分割で放つことができる。
　さらに、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｇが、実施の形態１に係る蛍光発光モジュール１ｃの替わりに、プロジェクタ５００に適用されてもよい。この場合には、プロジェクタ５００は、表示素子部６０２としてＤＬＰを備え、つまりは、１－ＤＬＰ（ワンチップＤＬＰ）方式のプロジェクタとして利用することができる。
　本実施の形態においては、酸化物材料は、酸化アルミニウム、又は、蛍光体材料から発光中心元素が除かれた非発光材料である。
　これらの材料は、励起光Ｌ１（つまりは蛍光体材料を励起させる光）の光透過率が高い。このため、第１光透過領域（酸化物構造体１３ｇ）における励起光Ｌ１の透過率が高く、吸収による励起光Ｌ１のロスが抑制される。よって、光の利用効率が高い蛍光発光モジュール１ｇを実現することができる。
　（実施の形態６）
　次に、実施の形態６に係る蛍光発光モジュール１ｈについて、図１７を用いて説明する。図１７は、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｈの斜視図である。
　蛍光発光モジュール１ｈは、焼結蛍光体によって構成されている蛍光体基板１０ｈと、反射防止層３０と、青透過ダイクロイック多層膜４０と、回転部（不図示）と、２つの光出射部２００とを備えるモジュールである。なお、簡単のため、図１７においては、１つの光出射部２００が記載されている。また、本実施の形態に係る回転部は、上記の回転部１００と同じ構成である。また、光出射部２００は、上記と同じく励起光Ｌ１を出射する。
　本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｈにおいては、蛍光体基板１０ｈが第１光透過領域（酸化物構造体１３ｇ）のかわりに第２光透過領域１４ｈを有している点が、実施の形態５に係る蛍光発光モジュール１ｇとは主に異なる。つまりは、本実施の形態に係る蛍光焼結体は、蛍光体材料及び高熱伝導材料のみを有し、発光中心元素を含まない酸化物材料を有さない。
　つまり、本実施の形態に係る蛍光体基板１０ｈは、蛍光体材料を有する焼結蛍光体によって構成されている基板である。また、本実施の形態に係る蛍光体基板１０ｈは、２つの第２光透過領域１４ｈと第１領域２１と第２領域２２とを有している基板である。本実施の形態に係る焼結蛍光体は、実施の形態５で示した蛍光構造体１１ｇによって構成されている。
　第２光透過領域１４ｈは、蛍光体基板１０ｈが有する開口部である。つまり、第２光透過領域１４ｈは、蛍光体基板１０ｈの厚み方向（ｚ軸方向）に蛍光体基板１０ｈを貫通する貫通孔、及び、蛍光体基板１０ｈが切り欠かれた切り欠き部のうち少なくとも一方によって構成されている。ここでは、第２光透過領域１４ｈは、切り欠き部に相当する。なお、本実施の形態に係る第２光透過領域１４ｈは、実施の形態４に係る第２光透過領域１４ｆと、形状を除いて同じ構成を有する。第２光透過領域１４ｈは、実施の形態５で示した酸化物構造体１３ｇ（第１光透過領域）と同じ形状であるがこれに限られない。
　ここで本実施の形態における焼結蛍光体について説明する。
　焼結蛍光体とは、上記の主成分である蛍光体材料及び高熱伝導材料（一例として、これら材料の原料粉が造粒された造粒体）の原料粉が、これら材料の融点よりも低い温度で焼成された焼成体である。つまり、本実施の形態に係る焼結蛍光体は、実施の形態２に係る焼結蛍光体と同じである。
　蛍光構造体１１ｇは、実施の形態５で説明したように、励起光Ｌ１が入射されると、励起光Ｌ１の波長よりも長い波長の光である波長変換光（黄色光）を透過光Ｌ３として放つ。
　第２光透過領域１４ｈは、励起光Ｌ１が入射されると、青色光である励起光Ｌ１を透過させる。
　また、本実施の形態に係る蛍光体基板１０ｈは、セグメント化された第１領域２１と第２領域２２とを有している。より具体的には、平面視で蛍光体基板１０ｈは、第１領域２１と複数の第２領域２２とを有している。なお、図１７においては、第１領域２１にはドットが付されている。
　光出射部２００が出射する励起光Ｌ１は、第１領域２１に入射する。より具体的には、図１７が示すように、本実施の形態においては、励起光Ｌ１は、蛍光体基板１０ｈの中心点Ｃ１から半径Ｒの位置に照射される。
　また、蛍光体基板１０ｈを平面視したときに、第１領域２１には、第２光透過領域１４ｈが設けられている。より具体的には、蛍光体基板１０ｈを平面視したときに、第１領域２１には、第２光透過領域１４ｈの一部と、蛍光構造体１１ｇの一部とが設けられている。なお、図１７では、第１領域２１を示すドットのうち、より薄いドットで示される第１領域２１に第２光透過領域１４ｈの一部が設けられ、より濃いドットで示される第１領域２１に蛍光構造体１１ｇの一部が設けられている。
　蛍光体基板１０ｈは、蛍光体材料を励起させる光（励起光Ｌ１）を透過する第２光透過領域１４ｈを有する。第２光透過領域１４ｈは、蛍光体基板１０ｈの厚み方向に蛍光体基板１０ｈを貫通する貫通孔、及び、蛍光体基板１０ｈが切り欠かれた切り欠き部のうち少なくとも一方によって構成される。第１領域２１には、第２光透過領域１４ｈが設けられている。
　これにより、励起光Ｌ１は第２光透過領域１４ｈに入射するときには、蛍光体基板１０ｈからは励起光Ｌ１が放たれる。同様に、励起光Ｌ１が蛍光体材料で構成される蛍光構造体１１ｇに入射するときには、励起光Ｌ１は蛍光構造体１１ｇによって波長変換されるため、蛍光体基板１０ｈからは波長変換光である透過光Ｌ３が放たれる。
　よって、回転部が回転することで、蛍光体基板１０ｈは、励起光Ｌ１及び波長変換光を時分割で放つことができる。本実施の形態においては、蛍光体基板１０ｈは、励起光Ｌ１として黄色光及び波長変換光として青色光を時分割で放つことができる。
　さらに、本実施の形態に係る蛍光発光モジュール１ｈが、実施の形態１に係る蛍光発光モジュール１ｃの替わりに、プロジェクタ５００に適用されてもよい。この場合には、プロジェクタ５００は、表示素子部６０２としてＤＬＰを備え、つまりは、１－ＤＬＰ（ワンチップＤＬＰ）方式のプロジェクタとして利用することができる。
　（その他の実施の形態）
　以上、本発明に係る蛍光発光モジュール等について、各実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の主旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を実施の形態に施したものや、各実施の形態における一部の構成要素を組み合わせて構築される別の形態も、本発明の範囲に含まれる。
　なお、蛍光発光モジュール１及び１ｃは、蛍光体基板１０及び１０ｃと、反射防止層３０と、青透過ダイクロイック多層膜４０と、回転部１００と、光出射部２００とを備えるが、これに限られない。
　蛍光発光モジュール１ｃは、蛍光体基板１０ｃと、回転部１００とを備えていればよい。この場合においても、特許文献１とは異なり、蛍光体用基板と大気との界面で発生する励起光Ｌ１の反射は、発生しない。よって、蛍光体基板１０ｃに入射する励起光Ｌ１が増加する。この結果、蛍光体基板１０ｃにおける蛍光体材料で発生する蛍光が増加する。また、蛍光発光モジュール１ｃは、蛍光体基板１０ｃを支持するための構成要素などを備えていないため、特許文献１に開示される蛍光発生部の剥離が起きない。また、回転部１００による回転のため、気流が発生する。この発生した気流によって、蛍光体基板１０ｃの温度の上昇を抑制できるため、蛍光の減少が抑制される。つまりは、蛍光発光モジュール１ｃの光の利用効率を高めることができる。また、蛍光の減少が抑制されるので透過光Ｌ２の色度変化を抑制することができ、かつ、上記の剥離が起こらない。よって、信頼性が高い蛍光発光モジュール１ｃが実現される。
　また同様に、蛍光発光モジュール１は、蛍光体材料と高熱伝導材料とを有する焼結蛍光体によって構成されている基板である蛍光体基板１０を備えていればよい。この場合においても、特許文献１とは異なり、蛍光体用基板と大気との界面で発生する励起光Ｌ１の反射は、発生しない。よって、蛍光体基板１０に入射する励起光Ｌ１が増加する。この結果、蛍光体基板１０における蛍光体材料で発生する蛍光が増加する。また、蛍光発光モジュール１は、蛍光体基板１０を支持するための構成要素などを備えていないため、特許文献１に開示される蛍光発生部の剥離が起きない。また、蛍光体基板１０を構成する焼結蛍光体が高熱伝導材料を有することで、蛍光体基板１０の放熱性が高まる。これにより、励起光Ｌ１の照射による蛍光体基板１０の温度の上昇を抑制できるため、蛍光の減少が抑制される。つまりは、光の利用効率が高い蛍光発光モジュール１を実現できる。また、蛍光の減少が抑制されるので透過光Ｌ２の色度変化を抑制することができ、かつ、上記の剥離が起こらない。よって、信頼性が高い蛍光発光モジュール１が実現される。
　＜熱伝導構造体の形状＞
　また、実施の形態２においては、複数の熱伝導構造体１２のそれぞれの形状は粒子形状であったが、他の例として、ワイヤ形状、シート形状又はメッシュ形状であってもよい。ここで、この他の例について説明する。
　＜メッシュ形状＞
　図６は、実施の形態２の他の例１に係る蛍光体基板１０ａの断面図である。図７は、実施の形態２の他の例２に係る蛍光体基板１０ｂの断面図である。なお、図６及び図７は図２の断面図に相当し、図６及び図７では反射防止層３０、青透過ダイクロイック多層膜４０、回転部１００及び光出射部２００などの構成要素は省略されている。
　図６が示すように、複数の熱伝導構造体１２ａのそれぞれの形状がワイヤ形状である場合、一例として、線径が１μｍ以上５０μｍであり、長さが１０μｍ以上５００μｍであるがこれに限られない。
　＜シート形状＞
　また、図７では複数の熱伝導構造体１２ｂのそれぞれの形状がシート形状である例が示されている。この場合、蛍光構造体１１と複数の熱伝導構造体１２ｂとが積層されている。また、内側の第２領域２２においては複数の熱伝導構造体１２ｂの形状は円形状であり、外側の第２領域２２においては複数の熱伝導構造体１２ｂの形状は円環形状である。
　また、図示されないが、複数の熱伝導構造体のそれぞれの形状がシート形状である場合に、当該シート形状を厚み方向に貫通する複数の貫通孔が設けられてもよい。このとき、複数の熱伝導構造体のそれぞれの形状は、メッシュ形状となる。つまりは、メッシュ形状における複数の網目が上記の複数の貫通孔に相当する。
　複数の熱伝導構造体１２のそれぞれの形状がこれらの形状であることで、蛍光体基板１０ａ及び１０ｂの放熱性をより高めることができる。
　また、複数の熱伝導構造体のそれぞれの形状がメッシュ形状となる場合に、第１領域２１に複数の熱伝導構造体が含まれているとよい。この場合、複数の熱伝導構造体は、第１領域２１及び複数の第２領域２２にわたって、設けられているとよい。これにより、蛍光体基板１０ｂの構造的強度を高めることが可能となり、蛍光体基板１０ｂの割れを抑制することができる。
　ただし、上述の通り、第１領域２１は、高熱伝導材料を含有していないとよい。これにより、蛍光体材料による波長変換の効率を高めることができる。よって、第１領域２１は、複数の第２領域２２よりも高熱伝導材料の含有量が少ないとよい。
　なお、図１１が示すように、蛍光体基板１０ｄの平面視で、円形状である蛍光体基板１０の円周と、酸化物構造体１３ｄを示す２つの円弧のうち外側の円弧（つまり軸Ａ１から遠い側の円弧）とが重なるように酸化物構造体１３ｄが配置されている。しかし、これに限られない。
　例えば、図１５が示す酸化物構造体１３ｇと同じ形状で同じ位置に、酸化物構造体１３ｄが設けられていてもよい。
　また、実施の形態３～６においては、透過光Ｌ３として黄色光が放たれたがこれに限られない。例えば、蛍光体材料として、上記の黄色蛍光体材料であるＹＡＧ：Ｃｅと緑色蛍光体材料とが、用いられるとよい。この場合、蛍光体基板は、励起光Ｌ１として黄色光及び緑色光と、波長変換光として青色光とを、時分割で放つことができる。さらに、例えば、緑色蛍光体材料のかわりに赤色蛍光体材料などが用いられてもよい。
　また、上記の実施の形態は、請求の範囲又はその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
１、１ｃ、１ｄ、１ｆ、１ｇ、１ｈ　蛍光発光モジュール
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｆ、１０ｇ、１０ｈ　蛍光体基板
１４ｆ、１４ｈ　第２光透過領域
２１　第１領域
２２　第２領域
２３　第３領域
２４　第４領域
１００　回転部
２００　光出射部
Ａ１　軸
Ｃ１　中心点
Ｌ１　励起光
Ｌ２、Ｌ３　透過光
Ｒ　半径

Claims (23)

  1. 　蛍光体材料を有する焼結蛍光体によって構成されている基板である蛍光体基板と、
    　前記蛍光体基板の厚み方向に延びる軸を中心として前記蛍光体基板を回転させる回転部と、を備える
    　蛍光発光モジュール。
  2. 　前記焼結蛍光体は、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上３００Ｗ／ｍ・Ｋ以下である高熱伝導材料をさらに有する
    　請求項１に記載の蛍光発光モジュール。
  3. 　蛍光体材料と、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上３００Ｗ／ｍ・Ｋ以下である高熱伝導材料とを有する焼結蛍光体によって構成されている基板である蛍光体基板を備える
    　蛍光発光モジュール。
  4. 　前記高熱伝導材料の線膨張係数は、１×１０－７／Ｋ以下である
    　請求項２又は３に記載の蛍光発光モジュール。
  5. 　前記高熱伝導材料は、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｈ、ＡｌＮ及びＳｉＣのうち少なくとも一つを含む
    　請求項２～４のいずれか１項に記載の蛍光発光モジュール。
  6. 　常圧における前記高熱伝導材料の融点は、１７００℃以上である
    　請求項２～５のいずれか１項に記載の蛍光発光モジュール。
  7. 　前記高熱伝導材料の形状は、粒子形状、ワイヤ形状、シート形状又はメッシュ形状である
    　請求項２～６のいずれか１項に記載の蛍光発光モジュール。
  8. 　前記蛍光体基板を平面視したときに、
    　前記蛍光体基板は、
    　　第１領域と、
    　　前記第１領域よりも前記高熱伝導材料の含有量が多い第２領域と、を有する
    　請求項２～７のいずれか１項に記載の蛍光発光モジュール。
  9. 　前記蛍光体基板を平面視したときに、
    　　前記第１領域の形状は、円環形状であり、
    　　前記円環形状の中心は、前記蛍光体基板の中心と重なる
    　請求項８に記載の蛍光発光モジュール。
  10. 　前記焼結蛍光体は、発光中心元素を含まない酸化物材料をさらに有し、
    　前記蛍光体基板は、前記蛍光体材料及び前記酸化物材料のうち前記酸化物材料のみによって構成され、前記蛍光体材料を励起させる光を透過する第１光透過領域を有し、
    　前記第１領域には、前記第１光透過領域が設けられている
    　請求項９に記載の蛍光発光モジュール。
  11. 　前記酸化物材料は、酸化アルミニウム、又は、前記蛍光体材料から前記発光中心元素が除かれた非発光材料である
    　請求項１０に記載の蛍光発光モジュール。
  12. 　前記蛍光体基板は、前記蛍光体材料を励起させる光を透過する第２光透過領域を有し、
    　前記第２光透過領域は、前記蛍光体基板の厚み方向に前記蛍光体基板を貫通する貫通孔、及び、前記蛍光体基板が切り欠かれた切り欠き部のうち少なくとも一方によって構成され、
    　前記第１領域には、前記第２光透過領域が設けられている
    　請求項９に記載の蛍光発光モジュール。
  13. 　前記蛍光体基板を平面視したときに、前記第２領域は、前記円環形状の内側と外側とに設けられる
    　請求項９～１２のいずれか１項に記載の蛍光発光モジュール。
  14. 　前記蛍光体材料を励起する光であって、前記第１領域に入射する励起光を出射する光出射部を、さらに備える
    　請求項８～１３のいずれか１項に記載の蛍光発光モジュール。
  15. 　入射した前記励起光の一部は、前記第１領域が含む前記蛍光体材料によって波長変換されて、前記蛍光体基板を透過し、
    　入射した前記励起光の他部は、前記第１領域が含む前記蛍光体材料によって波長変換されずに、前記蛍光体基板を透過する
    　請求項１４に記載の蛍光発光モジュール。
  16. 　前記焼結蛍光体は、発光中心元素を含まない酸化物材料をさらに有し、
    　前記蛍光体基板は、前記蛍光体材料及び前記酸化物材料のうち前記酸化物材料のみによって構成され、前記蛍光体材料を励起させる光を透過する第１光透過領域を有する
    　請求項１に記載の蛍光発光モジュール。
  17. 　前記酸化物材料は、酸化アルミニウム、又は、前記蛍光体材料から前記発光中心元素が除かれた非発光材料である
    　請求項１６に記載の蛍光発光モジュール。
  18. 　前記蛍光体基板を平面視したときに、
    　　前記蛍光体基板は、円環形状の第３領域を有し、
    　　前記円環形状の中心は、前記蛍光体基板の中心と重なり、
    　　前記第３領域には、前記第１光透過領域が設けられている
    　請求項１６又は１７に記載の蛍光発光モジュール。
  19. 　前記蛍光体基板は、前記蛍光体材料を励起させる光を透過する第２光透過領域を有し、
    　前記第２光透過領域は、前記蛍光体基板の厚み方向に前記蛍光体基板を貫通する貫通孔、及び、前記蛍光体基板が切り欠かれた切り欠き部のうち少なくとも一方によって構成されている
    　請求項１に記載の蛍光発光モジュール。
  20. 　前記蛍光体基板を平面視したときに、
    　　前記蛍光体基板は、円環形状の第３領域を有し、
    　　前記円環形状の中心は、前記蛍光体基板の中心と重なり、
    　　前記第３領域には、前記第２光透過領域が設けられている
    　請求項１９に記載の蛍光発光モジュール。
  21. 　前記蛍光体材料を励起する前記光であって、前記第３領域に入射する励起光を出射する光出射部を、さらに備える
    　請求項１８又は２０に記載の蛍光発光モジュール。
  22. 　前記蛍光体材料は、（Ｙ１－ｘＣｅｘ）３Ａｌ５Ｏ１２（０．０００５≦ｘ＜０．００１）である
    　請求項１～２１のいずれか１項に記載の蛍光発光モジュール。
  23. 　請求項１～２２のいずれか１項に記載の蛍光発光モジュールを備える
    　発光装置。
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