WO2022118423A1 - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

表示装置(2)は、折り曲げられた第1端部(10z)を有する第1表示パネル(10)と、折り曲げられた第2端部(20z)を有する第2表示パネル(20)とを備え、第1表示パネルおよび第2表示パネルは、第1端部と第2端部とが隣り合うように平面的に並べられ、第1端部および第2端部それぞれにサブ画素(Sq1・Sq2)が設けられ、第1端部および第2端部の間に、光拡散機能を有する繋ぎ部(30)が形成されている。

Description

表示装置
 本発明は、表示装置に関する。
 特許文献1には、平面配置された2枚の発光パネルの継ぎ目(透明接着層)と重なるように光取り出し部材を設けることで面内発光の均一性を高める手法が開示されている。
国際公開公報「WO2013/027508」
 平面的に並べられた複数の表示パネルを繋いで構成される表示装置においては、繋ぎ部(継ぎ目)の形成によって表示品位が低下する問題がある。
 本発明の一態様にかかる表示装置は、折り曲げられた第1端部を有する第1表示パネルと、折り曲げられた第2端部を有する第2表示パネルとを備え、前記第1表示パネルおよび前記第2表示パネルは、前記第1端部と前記第2端部とが隣り合うように平面的に並べられ、前記第1端部および前記第2端部それぞれにサブ画素が設けられ、前記第1端部と前記第2端部との間に光拡散機能を有する繋ぎ部(継ぎ目)が形成されている。
 複数の表示パネルを繋いで構成される表示装置の表示品位を高めることができる。
図1(a)は、本表示装置の構成を示す平面図であり、図1(b)は、本表示装置の構成を示す断面図である。 図2(a)は、繋ぎ部近傍の構成を示す断面図であり、図2(b)はサブ画素の構成を示す断面図である。 図3は、本表示装置における映像表示方法を示す模式図である。 サブ画素の視野角と正面輝度比との関係を示すグラフである。 本表示装置の表示状態を示す平面図である。 図6(a)は光拡散粒子の形状の一例を示す斜視図であり、図6(b)はサブ画素の発光領域の形状と光拡散粒子の形状との関係を示す透視平面図である。 表示装置の別構成を示す断面図である。 従来の表示装置の表示状態を示す平面図である。
 図1(a)は、本表示装置の構成を示す平面図であり、図1(b)は、本表示装置の構成を示す断面図である。図2(a)は、繋ぎ部近傍の構成を示す断面図であり、図2(b)はサブ画素の構成を示す断面図である。
 図1および図2に示すように、表示装置2は、折り曲げられた第1端部10zを有する第1表示パネル10と、折り曲げられた第2端部20zを有する第2表示パネル20とを備え、第1表示パネル10および第2表示パネル20は、第1端部10zと第2端部20zとが隣り合うように平面的に並べられ、第1端部10zと第2端部20zとの間に光拡散機能を有する繋ぎ部30(第1表示パネル10および第2表示パネル20の継ぎ目)が形成されている。
 表示装置2には、接着機能を有する光拡散層KLが、第1表示パネル10および第2表示パネル20を覆うように設けられており、繋ぎ部30は、光拡散層KLの一部で構成される。図2(b)に示すように、光拡散層KLは、熱硬化樹脂HJ内に多数の光拡散粒子Kpが分散されてなる構成である。
 第1表示パネル10および第2表示パネル20それぞれは、可撓性の基板3と、TFT層(薄膜トランジスタ層)4と、発光素子層5と、封止層6とを備える。
 発光素子層5には、第1電極22と、第1電極22のエッジを覆うエッジカバー膜23と、発光層ELを含む活性層24と、第2電極25(共通電極)とが形成され、第1電極22および第2電極25並びに活性層24によって発光素子Esが構成される。
 第1表示パネル10については、非端部(平坦部)FAに複数のサブ画素Sp1が設けられ、折り曲げられた第1端部10zに複数のサブ画素Sq1が設けられる。第2表示パネル20については、非端部(平坦部)FAに複数のサブ画素Sp2が設けられ、折り曲げられた第2端部20zに複数のサブ画素Sq2が設けられる。サブ画素Sp1,Sq1,Sp2,Sq2は、発光素子層5に形成される発光素子Esと、TFT層4に形成される画素回路(図示せず)とを含む。
 基板3は、ガラス基板、あるいは、ポリイミド等の樹脂を主成分とする可撓性基材であり、例えば、2層のポリイミド膜およびこれらに挟まれた無機膜によって基板3を構成することもできる。図示しないが、基板3とTFT層4との間には、水、酸素等の異物の侵入を防ぐベースコート膜(例えば、窒化シリコン等の無機絶縁膜)が形成される。
 TFT層4には、発光素子Esに接続する画素回路(図示せず)が形成される。画素回路は、駆動トランジスタを含む複数のトランジスタと容量素子とを含み、走査信号線、データ信号線、発光制御信号線等の複数の信号線、並びに電源線に接続される。
 発光素子層5では、第1電極22および第2電極25の一方がアノード、他方がカソードとして機能する。第1電極22は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)とAg(銀)あるいはAgを含む合金との積層によって構成される、光反射電極である。第2電極25は、例えばマグネシウム銀合金等の金属薄膜で構成され、光透過性を有する。エッジカバー膜23は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料で形成される。なお、第1電極22の非エッジ部(エッジカバー膜23で覆われていない露出部)と発光層ELとの重畳領域が発光領域EAとなる。
 活性層24は、蒸着法、インクジェット法、塗布法、およびフォトリソグラフィ法等によって形成される。活性層24の発光層ELとしては、島状の有機発光層、島状の量子ドット発光層等を用いることができる。活性層24は、発光層ELのほかに、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、および電子注入層の少なくとも1つを含んでいてもよい。
 活性層24の発光層ELが有機発光層であり、発光素子Esが有機発光ダイオード(OLED)を構成する場合、第1電極22および第2電極25間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。
 また、活性層24の発光層ELが量子ドット発光層であり、発光素子Esが量子ドット発光ダイオード(QLED)を構成する場合、第1電極22および第2電極25間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位(conduction band)から価電子帯準位(valence band)に遷移する過程で光が放出される。
 発光素子層5を覆う封止層6は、水、酸素等の異物の発光素子層5への浸透を防ぐ層であり、例えば、2層の無機封止膜とこれら間に形成される有機膜とで構成することができる。
 図3は、本表示装置における映像表示方法を示す模式図である。表示装置2では、図3(a)に示すように、第1表示パネル10(第1端部10zを含む)のサブ画素Sp1・Sq1と第2表示パネル20の非端部のサブ画素Sp2とに映像を表示し、第2端部20zのサブ画素Sq2には映像を表示しない(サブ画素Sq2の発光素子Esを非発光とする)第1期間と、図3(b)に示すように、第2表示パネル20(第2端部20zを含む)のサブ画素Sp2・Sq2と第1表示パネル10の非端部のサブ画素Sp1とに映像を表示し、第1端部10zのサブ画素Sq1には映像を表示しない(サブ画素Sq1の発光素子Esを非発光とする)第2期間とを設ける。第1期間および第2期間は一定期間であればよく、第1期間と第2期間は交互に配することが望ましい。例えば、第1期間を奇数フレーム期間、第2期間を偶数フレーム期間とすることができる。
 図4は、サブ画素の視野角(サブ画素の垂線方向とサブ画素の視認方向とがなす角)と正面輝度比(視野角ゼロの場合の輝度に対する視野角θの場合の輝度の比)との関係を示すグラフである。図5は、本表示装置の表示状態を示す平面図である。図4に示すように、サブ画素上に光拡散層KLを設けることで、視野角が大きい場合(30°以上)の正面輝度比が大幅に向上することがわかる。
 このように、第1端部10zのサブ画素Sq1または第2端部20zのサブ画素Sq2に映像を表示し、第1端部10zおよび第2端部20z間の繋ぎ部30に光拡散機能をもたせることで、図5のように、斜め視認においては、繋ぎ部30に映像(Bの一部とC)が表示されているようにみえる。これにより、第1表示パネル10および第2表示パネル20を繋いで構成される表示装置2の表示品位を、図8に示す従来の(継ぎ目が目立つ)表示よりも高めることができる。
 図4に示すように、サブ画素の正面輝度比は視野角の増加に伴って低下する。表示装置2では、サブ画素Sq1の視野角はサブ画素Sp1の視野角よりも大きくなることから、第1期間においてサブ画素Sp1およびサブ画素Sq1に同一階調が入力される場合でも、サブ画素Sq1の輝度をサブ画素Sp1の輝度よりも大きくする。第2期間にはサブ画素Sq1に映像が表示されないため、サブ画素Sq1はサブ画素Sp1よりも総点灯時間が短くなる。このため、サブ画素Sq1の輝度をサブ画素Sp1の輝度よりも大きくした場合でも、サブ画素Sp1およびサブ画素Sq1間の劣化ばらつきは抑えられる。
 同様に、サブ画素Sq2の視野角はサブ画素Sp2の視野角よりも大きくなることから、第2期間においてサブ画素Sp2およびサブ画素Sq2に同一階調が入力される場合でも、サブ画素Sq2の輝度をサブ画素Sp2の輝度よりも大きくする。第1期間にはサブ画素Sq2に映像が表示されないため、サブ画素Sq2はサブ画素Sp2よりも総点灯時間が短くなる。このため、サブ画素Sq2の輝度をサブ画素Sp2の輝度よりも大きくした場合でも、サブ画素Sp2およびサブ画素Sq2間の劣化ばらつきは抑えられる。
 図6(a)は光拡散粒子の形状の一例を示す斜視図であり、図6(b)はサブ画素の発光領域の形状と光拡散粒子の形状との関係を示す透視平面図である。
 図6に示すように、光拡散粒子Kpの最大径Lkは、サブ画素Sp1,Sq1,Sp2,Sq2の発光領域EAの最小径Lsよりも小さい。図6(a)では光拡散粒子Kpを立方体形状としているが、これは一例であって、どのような形状(真球、楕円球、多面体を含む)でもよい。なお、光拡散粒子Kpの最大径Lkとは、光拡散粒子Kpの表面上の2点を結ぶ線分の最大長さであり、発光領域EAの最小径Lsとは、発光領域EAの外縁(エッジ)上の2点を結ぶ線分の最小長さである。光拡散粒子Kpごとに最大径Lkがばらつく場合は、複数の光拡散粒子Kpの平均最大径と発光領域EAの最小径Lsとを比較する。
 このように、光拡散粒子Kpの最大径Lkを発光領域EAの最小径Lsよりも小さくすることで、映像のにじみを抑えることができる。
 図7は、表示装置の別構成を示す断面図である。図4に示すように、サブ画素の正面輝度比は視野角の増加に伴って低下する。また、図7に示すように、画面の垂線VLの方向から第1端部10z(斜め方向に並ぶ複数のサブ画素Sq1を含む)を視認する際の視野角θ(画面の垂線VLと第1端部10zの垂線SLとがなす角)は、非端部FAに対する第1端部10zの折り曲げ角に等しい。同様に、非端部FAの垂線方向から第2端部20zのサブ画素Sq2(斜め方向に並ぶ複数のサブ画素Sq2を含む)を視認する際の視野角は、非端部FAに対する第2端部20zの折り曲げ角に等しい。
 そこで、第1表示パネル10において、非端部FAに対する第1端部10zの折り曲げ角を、正面輝度比が0.5以上になる視野角(図4においてはθが65°以下)と等しくし、第2表示パネル20において、非端部FAに対する第2端部20zの折り曲げ角を、正面輝度比が0.5以上になる視野角(図4においてはθが65°以下)と等しくすることもできる。
 上述の各実施形態は、例示および説明を目的とするものであり、限定を目的とするものではない。これら例示および説明に基づけば、多くの変形形態が可能になることが、当業者には明らかである。
 〔まとめ〕
 〔態様1〕
 折り曲げられた第1端部を有する第1表示パネルと、折り曲げられた第2端部を有する第2表示パネルとを備え、
 前記第1表示パネルおよび前記第2表示パネルは、前記第1端部と前記第2端部とが隣り合うように平面的に並べられ、
 前記第1端部および前記第2端部それぞれにサブ画素が設けられ、
 前記第1端部および前記第2端部の間に、光拡散機能を有する繋ぎ部が形成されている表示装置。
 〔態様2〕
 前記第1端部の前記サブ画素に映像を表示し、前記第2端部の前記サブ画素に映像を表示しない第1期間と、
 前記第1端部の前記サブ画素に映像を表示せず、前記第2端部の前記サブ画素に映像を表示する第2期間とが設けられている、例えば態様1に記載の表示装置。
 〔態様3〕
 前記第1表示パネルおよび前記第2表示パネルを覆う光拡散層を含む、例えば態様1または2に記載の表示装置。
 〔態様4〕
 前記光拡散層は接着機能を有し、
 前記繋ぎ部は、前記光拡散層の一部で構成される、例えば態様3に記載の表示装置。
 〔態様5〕
 前記第1表示パネルにおいて、非端部の前記サブ画素および前記第1端部の前記サブ画素に同一階調が入力される場合に、前記第1端部の前記サブ画素の輝度が非端部の前記サブ画素の輝度よりも大きく、
 前記第2表示パネルにおいて、非端部の前記サブ画素および前記第2端部の前記サブ画素に同一階調が入力される場合に、前記第2端部の前記サブ画素の輝度が非端部の前記サブ画素の輝度よりも大きい、例えば態様2に記載の表示装置。
 〔態様6〕
 前記第1期間が奇数フレーム期間であり、前記第2期間が偶数フレーム期間である、例えば態様2に記載の表示装置。
 〔態様7〕
 前記光拡散層は、光拡散粒子および樹脂を含む、例えば態様3に記載の表示装置。
 〔態様8〕
 前記第1表示パネルにおいて、非端部に対する前記第1端部の折り曲げ角が、正面輝度比が0.5以上になる視野角に等しく、
 前記第2表示パネルにおいて、非端部に対する前記第2端部の折り曲げ角が、正面輝度比が0.5以上になる視野角に等しい、例えば態様1~7のいずれか1つに記載の表示装置。
 〔態様9〕
 前記光拡散粒子の最大径は、前記サブ画素の発光領域の最小径よりも小さい、例えば態様7に記載の表示装置。
 〔態様10〕
 前記サブ画素は、第1電極、発光層および第2電極を含む発光素子を備える、例えば態様1~9のいずれか1つに記載の表示装置。
 〔態様11〕
 前記第1表示パネルおよび前記第2表示パネルは可撓性を有する、例えば態様1~10のいずれか1つに記載の表示装置。
 〔態様12〕
 前記発光素子は、有機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードである、例えば態様10に記載の表示装置。
 2 表示装置
 3 基板
 4 TFT層(薄膜トランジスタ層)
 5 発光素子層
 6 封止層
 10 第1表示パネル
 10z 第1端部
 20 第2表示パネル
 20z 第2端部
 22 第1電極
 23 エッジカバー膜
 24 活性層
 25 第2電極
 30 繋ぎ部
 FA 非端部
 Es 発光素子
 EL 発光層
 Sp1・Sq1・Sp2・Sq2 サブ画素
 KL 光拡散層
 HJ 熱硬化樹脂
 Kp 光拡散粒子

Claims (12)

  1.  折り曲げられた第1端部を有する第1表示パネルと、折り曲げられた第2端部を有する第2表示パネルとを備え、
     前記第1表示パネルおよび前記第2表示パネルは、前記第1端部と前記第2端部とが隣り合うように平面的に並べられ、
     前記第1端部および前記第2端部それぞれにサブ画素が設けられ、
     前記第1端部および前記第2端部の間に、光拡散機能を有する繋ぎ部が形成されている表示装置。
  2.  前記第1端部の前記サブ画素に映像を表示し、前記第2端部の前記サブ画素に映像を表示しない第1期間と、
     前記第1端部の前記サブ画素に映像を表示せず、前記第2端部の前記サブ画素に映像を表示する第2期間とが設けられている請求項1に記載の表示装置。
  3.  前記第1表示パネルおよび前記第2表示パネルを覆う光拡散層を含む請求項1または2に記載の表示装置。
  4.  前記光拡散層は接着機能を有し、
     前記繋ぎ部は、前記光拡散層の一部で構成される請求項3に記載の表示装置。
  5.  前記第1表示パネルにおいて、非端部の前記サブ画素および前記第1端部の前記サブ画素に同一階調が入力される場合に、前記第1端部の前記サブ画素の輝度が非端部の前記サブ画素の輝度よりも大きく、
     前記第2表示パネルにおいて、非端部の前記サブ画素および前記第2端部の前記サブ画素に同一階調が入力される場合に、前記第2端部の前記サブ画素の輝度が非端部の前記サブ画素の輝度よりも大きい請求項2に記載の表示装置。
  6.  前記第1期間が奇数フレーム期間であり、前記第2期間が偶数フレーム期間である請求項2に記載の表示装置。
  7.  前記光拡散層は、光拡散粒子および樹脂を含む請求項3に記載の表示装置。
  8.  前記第1表示パネルにおいて、非端部に対する前記第1端部の折り曲げ角が、正面輝度比が0.5以上になる視野角に等しく、
     前記第2表示パネルにおいて、非端部に対する前記第2端部の折り曲げ角が、正面輝度比が0.5以上になる視野角に等しい請求項1~7のいずれか1項に記載の表示装置。
  9.  前記光拡散粒子の最大径は、前記サブ画素の発光領域の最小径よりも小さい請求項7に記載の表示装置。
  10.  前記サブ画素は、第1電極、発光層および第2電極を含む発光素子を備える請求項1~9のいずれか1項に記載の表示装置。
  11.  前記第1表示パネルおよび前記第2表示パネルは可撓性を有する請求項1~10のいずれか1項に記載の表示装置。
  12.  前記発光素子は、有機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードである請求項10に記載の表示装置。
     
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