WO2022049714A1

WO2022049714A1 - 半導体レーザ及び半導体レーザ装置

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Publication number: WO2022049714A1
Application number: PCT/JP2020/033527
Authority: WO
Inventors: 弘介篠原
Original assignee: 三菱電機株式会社
Priority date: 2020-09-04
Filing date: 2020-09-04
Publication date: 2022-03-10
Also published as: JP6964832B1; JPWO2022049714A1; US20230198222A1; CN115989620A

Abstract

半導体レーザ（１００）は、半導体基板（１）と、半導体基板（１）の表面に形成された、出射端面（１０１）から出射する光が生成される活性層（１０）を含む半導体構造部（２）と、半導体構造部（２）の半導体基板（１）と反対側の表面に形成された表面電極（２０）と、表面電極（２０）の半導体基板（１）と反対側の表面に形成された導電部材（９０）と、を備えている。導電部材（９０）は、活性層（１０）が延伸する延伸方向に平行なｘ方向の一方の側面である出射端面側の側面の一部又は全部が、半導体構造部（２）における出射端面（１０１）よりもｘ方向の出射端面（１０１）に対向する他の端面側に形成されている。当該半導体レーザ（１００）は、出射端面（１０１）からｘ方向の他の端面側に導電部材（９０）の少なくとも一部が後退した後退部（８０）が形成されている。

Description

半導体レーザ及び半導体レーザ装置

　本願は、半導体レーザに関するものである。

　半導体基板に形成されたｐｎ接合を含むエピタキシャル層を備えた半導体レーザのチップをサブマウントに実装する際に、半導体レーザのｐｎ接合がサブマウントに対向するように実装する、所謂ジャンクションダウン実装又はエピサイドダウン実装が実行される場合がある。特許文献１には、半導体レーザをジャンクションダウン実装する際に、光出射端面に露出したｐｎ接合面の端に半田材が接触してショート不良を防止するために、サブマウントと半導体レーザとの間に銅めっき層を介在させる実装方法が開示されている。

特開平５－１３８２０号公報（図１、図３）

　ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層との間に活性層が形成された半導体レーザをジャンクションダウン実装する際、光出射端面へ半田材等の接合部材が回り込み、活性層を覆うことで出射光が遮られ、十分な光出力が得られない場合がある。特許文献１に開示された実装方法は、サブマウントに形成された銅めっき層の厚さを光出射端面に露出したｐｎ接合面の端に半田材が回り込まない厚さにしていた。特許文献１に開示された実装方法では、実装する半導体レーザの寸法により、異なるサイズすなわち異なる面積及び厚さの銅めっき層が形成されたサブマウントを使用する必要がある。サブマウントを外部から調達する場合には、サブマウントの配線、銅めっき層等のパターンの変更が容易でないため、半導体レーザの設計及び製造に影響が及ぶ場合がある。

　本願明細書に開示される技術は、ジャンクションダウン実装する際に、接合部材が光出射端面へ回り込まない半導体レーザを提供することを目的とする。

　本願明細書に開示される一例の半導体レーザは、半導体基板と、半導体基板の表面に形成された、出射端面から出射する光が生成される活性層を含む半導体構造部と、半導体構造部の半導体基板と反対側の表面に形成された表面電極と、表面電極の半導体基板と反対側の表面に形成された導電部材と、を備えている。導電部材は、活性層が延伸する延伸方向に平行なｘ方向の一方の側面である出射端面側の側面の一部又は全部が、半導体構造部における出射端面よりもｘ方向の出射端面に対向する他の端面側に形成されている。当該半導体レーザは、出射端面からｘ方向の他の端面側に導電部材の少なくとも一部が後退した後退部が形成されている。

　本願明細書に開示される一例の半導体レーザは、導電部材の出射端面側の側面の少なくとも一部が出射端面からｘ方向の他の端面側に後退した後退部が形成されているので、ジャンクションダウン実装する際に光出射端面への接合部材の回り込みを防止することができる。

実施の形態１に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第一例を示す断面図である。実施の形態１に係る半導体レーザの第一例の斜視図である。実施の形態１に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の上面図である。図２の導電部材の表面図である。図２の導電部材の要部を示す断面図である。図１の導電部材と接合部材との他の接合部の要部を示す断面図である。実施の形態１に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第二例を示す断面図である。実施の形態１に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第三例を示す断面図である。図８の導電部材の要部を示す断面図である。実施の形態２に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置を示す断面図である。実施の形態２に係る半導体レーザの斜視図である。図１１の導電部材の表面図である。図１１の導電部材の第一例の要部を示す断面図である。図１１の導電部材の第二例の要部を示す断面図である。図１１の導電部材の第三例の要部を示す断面図である。実施の形態２に係る導電部材の第一例の形成方法を説明する図である。実施の形態２に係る導電部材の第一例の形成方法を説明する図である。実施の形態２に係る導電部材の第一例の他の形成方法を説明する図である。実施の形態２に係る導電部材の第一例の他の形成方法を説明する図である。実施の形態２に係る導電部材の第二例及び第三例の形成方法を説明する図である。実施の形態２に係る導電部材の第二例及び第三例の形成方法を説明する図である。実施の形態２に係る導電部材の第二例の形成方法を説明する図である。実施の形態２に係る導電部材の第三例の形成方法を説明する図である。実施の形態２に係る導電部材の第四例を示す表面図である。実施の形態２に係る導電部材の第五例を示す表面図である。実施の形態２に係る導電部材の第六例を示す表面図である。実施の形態３に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置を示す断面図である。実施の形態３に係る半導体レーザの斜視図である。図２８の半導体レーザの表面図である。図２８の導電部材の第一例の要部を示す断面図である。図２８の導電部材の第二例の要部を示す断面図である。実施の形態４に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置を示す断面図である。実施の形態４に係る半導体レーザの斜視図である。図３３の半導体レーザの表面図である。実施の形態５に係る半導体レーザの斜視図である。実施の形態５に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置における後退部を切断した断面図である。実施の形態５に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置における先端本体部を切断した断面図である。図３５の導電部材の第一例を示す表面図である。図３５の導電部材の第二例を示す表面図である。図３５の導電部材の第三例を示す表面図である。図３５の導電部材の第四例を示す表面図である。実施の形態６に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第一例を示す断面図である。実施の形態６に係る半導体レーザの第一例の斜視図である。実施の形態６に係る半導体レーザの第一例を示す表面図である。実施の形態６に係る導電部材の第一例の形成方法を説明する図である。実施の形態６に係る導電部材の第一例の形成方法を説明する図である。実施の形態６に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第二例を示す断面図である。実施の形態６に係る半導体レーザの第二例を示す表面図である。実施の形態６に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第三例を示す断面図である。実施の形態６に係る半導体レーザの第三例を示す表面図である。実施の形態６に係る半導体レーザの第四例を示す表面図である。実施の形態６に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第四例における後退部を切断した断面図である。実施の形態６に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第四例における先端本体部を切断した断面図である。実施の形態７に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置を示す断面図である。実施の形態７に係る半導体レーザの斜視図である。図５５の半導体レーザの表面図である。

実施の形態１．
　図１は実施の形態１に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第一例を示す断面図であり、図２は実施の形態１に係る半導体レーザの第一例の斜視図である。図３は、実施の形態１に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の上面図である。図４は図２の導電部材の表面図であり、図５は図２の導電部材の要部を示す断面図である。図６は、図１の導電部材と接合部材との他の接合部の要部を示す断面図である。図７は、実施の形態１に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第二例を示す断面図である。図８は実施の形態１に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第三例を示す断面図であり、図９は図８の導電部材の要部を示す断面図である。実施の形態１に係る半導体レーザ１００は、半導体基板１と、半導体基板１の表面に形成された、出射端面から出射する光が生成される活性層１０を含む半導体構造部２と、半導体構造部２の半導体基板１と反対側の表面に形成された表面電極である第一電極２０と、第一電極２０の半導体基板１と反対側の表面に形成された導電部材９０と、半導体基板１の裏面側に形成された裏面電極である第二電極２２と、を備えている。図１に示した半導体レーザ装置の断面図は図３に示した破断面１２で切断した断面図であり、図１に示した半導体レーザ１００の断面は図２に示した破断面１２で切断した断面である。

　実施の形態１に係る半導体レーザ装置２００は、半導体レーザ１００、半導体レーザ１００を搭載するサブマウント５０を備えており、半導体レーザ１００の導電部材９０がサブマウント５０に半田材等の接合部材４０により接合されている。半導体レーザ１００は、例えば前端面１０１から光を光軸１１に沿って出射する。また、半導体レーザ１００は、前端面１０１から光を光軸１１に沿って出射し、後端面１０２から光を光軸１１に沿って出射する場合もある。光軸１１において前端面１０１から光が出射される方向に矢印を付している。図において、半導体基板１に垂直な方向はｚ方向であり、活性層１０が延伸する延伸方向に平行な方向はｘ方向であり、ｘ方向及びｚ方向に垂直な方向はｙ方向である。

　導電部材９０は、活性層１０が延伸する延伸方向に平行なｘ方向の両方の側面における第一電極２０側の一部すなわち前端面１０１側の一部及び後端面１０２側の一部が、それぞれ反対側の端面側に後退するように形成されており、半導体構造部２における前端面１０１及び後端面１０２からｘ方向の他の端面側に導電部材９０の少なくとも一部が後退した後退部８０が形成されている。より具体的には、導電部材９０は、前端面１０１側の一部が、半導体構造部２における出射端面である前端面１０１よりも前端面１０１に対向する他の端面側である後端面１０２側に後退するように形成されており、後端面１０２側の一部が、半導体構造部２における後端面１０２よりも後端面１０２に対向する他の端面側である前端面１０１側に形成されている。このため導電部材９０は、半導体構造部２における前端面１０１及び後端面１０２からｘ方向の他の端面側に導電部材９０の少なくとも一部が後退した後退部８０が前端面１０１側及び後端面１０２側に形成されている。後退部８０は、導電部材９０のｘ方向正側の先端及びｘ方向負側の先端においてｚ方向の厚さが薄くなった部分でもある。導電部材９０のｚ方向の厚さが薄くなった部分は、本体部９１から延伸した延伸部９２ということもできる。破線１３ｂと破線１３ｃとの間が本体部９１であり、破線１３ａと破線１３ｂとの間及び破線１３ｃと破線１３ｄとの間が延伸部９２であり、かつ後退部８０である。破線１３ａ、１３ｄは延伸部９２の延伸部側面９８に沿った破線であり、破線１３ｂ、１３ｃは本体部９１の本体部側面９７に沿った破線である。

　図１、図２、図４、図５には導電部材９０の第一例を示した。導電部材９０の第一例は、例えば第一電極２０側の導電層３１と、導電層３１よりもｚ方向正側の導電層３２を備えている。後退部８０は、導電層３２の側面すなわち本体部９１の側面である本体部側面９７と延伸部９２のサブマウント５０に対向する延伸部表面９６とを含んだ部分である。導電部材９０の後退部８０は、半導体構造部２のｘ方向の両方の端面側すなわち前端面１０１側及び後端面１０２側に、延伸部９２における半導体基板１と反対側の表面である延伸部表面９６と延伸部表面９６に連結された本体部９１の本体部側面９７とを含むように形成されている。後退部８０のｘ方向の長さは、延伸部９２の長さである延伸長Ｌｘと同じである。前端面１０１側の後退部８０のｘ方向の長さは破線１３ａから破線１３ｂまでの長さであり、後端面１０２側の後退部８０のｘ方向の長さは破線１３ｃから破線１３ｄまでの長さである。後退部８０のｚ方向の高さは、導電層３１の表面である延伸部表面９６と導電層３２の表面との段差高さΔｄと同じであり、本体部９１のｚ方向の高さである本体部高さｄ１と延伸部９２のｚ方向の高さである延伸部高さｄ２との差と同じである。なお、後退部８０のｚ方向の高さは、後退部８０のｚ方向の深さということもできる。

　導電部材９０の第一例は、ｘ方向の互いに対向する２つの側面における表面電極側で、かつｘ方向及び半導体基板１に垂直なｚ方向に垂直なｙ方向の本体部側面９７が、ｘ方向で反対側の半導体構造部２の端面側（前端面１０１側、後端面１０２側）に後退している。また、導電部材９０の第一例は、本体部９１と、本体部９１のｘ方向の互いに対向する２つの側面における表面電極側にｘ方向に延伸した延伸部９２と、を備えている。導電部材９０の第一例は、出射端面である前端面１０１及び他の端面である後端面１０２からｘ方向の反対の端面側に後退した後退部８０が形成されており、後退部８０は、延伸部９２における半導体基板１と反対側の表面である延伸部表面９６と延伸部表面９６に連結された本体部９１の側面（本体部側面９７）とを含んでいる。導電部材９０の第一例に形成された後退部８０は、導電部材９０のｙ方向の互いに対向する２つの側面を貫通している。

　導電部材９０は例えばめっき層であり、導電層３１、３２はめっき層である。導電部材９０の第一例は、例えば２段めっき方法により形成することが可能である。半導体基板１に半導体構造部２が形成され、半導体構造部２の半導体基板１と反対側の表面に第一電極２０、半導体基板１の半導体構造部２と反対側の裏面に第二電極２２がメタルスパッタ工程により形成されている。第一電極２０の表面に１回目のめっき工程により導電層３１を形成する。その後、後退部８０が形成される部分がレジストで覆われるレジストパターンを形成する。レジストパターンの開口部から露出した導電層３１の表面に２回目のめっき工程により導電層３２を形成する。この複数回のめっき工程を行う方法は、後退部８０をエッチング処理により形成する場合に比べて容易に製造が可能で、量産性を向上することができる。なお、１回目のめっき工程を実行する際は前端面１０１、後端面１０２の劈開による形成が容易になるように、劈開する部分にめっきが形成されないようレジストで覆っておくことが望ましい。

　導電部材９０の後退部８０をエッチング処理により形成することもできる。第一電極２０の表面にめっき工程により厚さが本体部高さｄ１である導電層３１を形成する。後退部８０を形成する部分が開口したレジストパターンを形成し、本体部９１の表面から延伸部９２の延伸部表面９６までの高さがΔｄになるまで導電層３１をエッチング処理することで導電部材９０を形成することができる。エッチング処理にて形成された後退部８０は、導電層３１に形成された凹部或いはエッチング凹部ということもできる。

　実施の形態１の半導体レーザ１００の第一例は導電部材９０の前端面１０１側及び後端面１０２側の側面の少なくとも一部が前端面１０１及び後端面１０２からｘ方向の他の端面側に後退した後退部８０が形成されているので、ジャンクションダウン実装する際に本体部９１からはみ出した接合部材４０が後退部８０で吸収でき、前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止することができる。図１では、本体部９１からはみ出した接合部材４０である接合部材４０ａが本体部側面９７に接合している例を示した。また図６には、本体部９１からはみ出した接合部材４０である接合部材４０ａが本体部側面９７及び延伸部９２の延伸部表面９６に接合している例を示した。図６の場合でも、本体部９１からはみ出した接合部材４０が後退部８０で吸収できている。

　本体部９１からｘ方向にはみだす接合部材４０を後退部８０にて吸収する場合には、後退部８０の容積は導電部材９０の本体部９１からｘ方向にはみだす接合部材４０を吸収できる容積であることが望ましい。後退部８０の容積は、段差高さΔｄ、延伸部９２のｘ方向の延伸長Ｌｘ、ｙ方向の延伸長Ｌｙで決定されるので、導電部材９０の段差高さΔｄ、延伸長Ｌｘ、延伸長Ｌｙは、半導体レーザ装置２００に用いる接合部材４０の量に合わせて設計されている。例えば、本体部９１からｘ方向にはみだす接合部材４０である接合部材４０ａのｚ方向の高さよりも段差高さΔｄ又は本体部高さｄ１を高くすることで、図７に示す半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００のように一方の端面側にのみ後退部８０が形成された導電部材９０を用いることもできる。

　図７に示した半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第二例における導電部材９０の第二例は、活性層１０が延伸する延伸方向に平行なｘ方向の一方の側面の一部すなわち前端面１０１側の一部が、半導体構造部２における出射端面である前端面１０１よりも前端面１０１に対向する他の端面側である後端面１０２側に形成されており、出射端面である前端面１０１から後端面１０２側に導電部材９０の少なくとも一部が後退した後退部８０が形成されている。図７では、前端面１０１側において本体部９１からはみ出した接合部材４０である接合部材４０ａが本体部側面９７に接合しており、後端面１０２側において本体部９１からはみ出した接合部材４０である接合部材４０ａが本体部９１のサブマウント５０側の導電層３２の側面に接合している例を示した。半導体レーザ１００の第二例は、導電部材９０の前端面１０１側の側面の少なくとも一部が前端面１０１からｘ方向の他の端面側に後退した後退部８０が形成されており、後退部８０の深さすなわち段差高さΔｄが本体部９１からｘ方向にはみだす接合部材４０である接合部材４０ａのｚ方向の高さよりも高いので、ジャンクションダウン実装する際に本体部９１からはみ出した接合部材４０ａが後退部８０で吸収できる。更に、半導体レーザ１００の第二例は、はみ出した接合部材４０ａのｚ方向の高さを本体部高さｄ１よりも低くできるので、前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止することができる。なお、導電部材９０のｘ方向の互いに対向する２つの側面において、接合部材４０は半導体レーザ１００の表面電極である第一電極２０と導電部材９０との境界よりもサブマウント５０側にて接合していてもよい。この場合でも、本体部９１からｘ方向にはみだす接合部材４０である接合部材４０ａは、表面電極である第一電極２０と導電部材９０との境界よりもサブマウント５０側になっているので、前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止することができる。

　導電部材９０の第二例は、出射端面側（前端面１０１側）の側面における表面電極側で、かつｘ方向及び半導体基板１に垂直なｚ方向に垂直なｙ方向の本体部側面９７が、ｘ方向の他の端面側（後端面１０２側）に後退している。また、導電部材９０の第二例は、本体部９１と、本体部９１の出射端面側（前端面１０１側）の側面における表面電極側にｘ方向に延伸した延伸部９２と、を備えている。導電部材９０の第二例は、出射端面である前端面１０１からｘ方向の他の端面側（後端面１０２側）に後退した後退部８０が形成されており、後退部８０は、延伸部９２における半導体基板１と反対側の表面である延伸部表面９６と延伸部表面９６に連結された本体部９１の側面（本体部側面９７）とを含んでいる。導電部材９０の第二例に形成された後退部８０は、導電部材９０のｙ方向の互いに対向する２つの側面を貫通している。

　導電部材９０は、１段の段差を有する後退部８０を備える例に限らず、２段以上の段差を有する後退部８０を備えていてもよい。図８に、２段の段差を有する後退部８０が形成された導電部材９０を備えた半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第三例を示した。導電部材９０の第三例は、例えば導電層３１、３２、３３を備えている。導電層３１は第一電極２０側の層であり、導電層３２はｚ方向正側の最表面を構成する層であり、導電層３３は導電層３１と導電層３２との間に配置された層である。

　導電部材９０の第三例は、導電部材９０の第一例と同様に、破線１３ｂと破線１３ｃとの間が本体部９１であり、破線１３ａと破線１３ｂとの間及び破線１３ｃと破線１３ｄとの間が延伸部９２であり、かつ後退部８０である。後退部８０は、導電層３２の側面すなわち本体部９１の側面である本体部側面９７と、延伸部９２のサブマウント５０に対向する延伸部表面９６ａ、９６ｂと、中間の導電層３３の側面である延伸部側面９９とを含んだ部分である。導電部材９０の第三例の後退部８０は、半導体構造部２のｘ方向の両方の端面側すなわち前端面１０１側及び後端面１０２側に、本体部９１の本体部側面９７と、本体部側面９７から順次連結された延伸部表面９６ｂと、延伸部側面９９と、延伸部表面９６ａとを含むように形成されている。

　後退部８０のｘ方向の長さは、延伸部９２の長さである延伸長Ｌｘと同じである。前端面１０１側の後退部８０のｘ方向の長さは破線１３ａから破線１３ｂまでの長さであり、後端面１０２側の後退部８０のｘ方向の長さは破線１３ｃから破線１３ｄまでの長さである。ｘ方向正側の延伸長Ｌｘは、破線１４ａから破線１３ｂまでの長さである延伸長Ｌｘ１と、破線１３ａから破線１４ａまでの長さである延伸長Ｌｘ２との合計の長さである。ｘ方向負側の延伸長Ｌｘは、破線１４ｂから破線１３ｃまでの長さである延伸長Ｌｘ１と、破線１３ｄから破線１４ｂまでの長さである延伸長Ｌｘ２との合計の長さである。破線１３ａ、１３ｄは延伸部９２における導電層３１の延伸部側面９８に沿った破線であり、破線１４ａ、１４ｂは延伸部９２における導電層３３の延伸部側面９９に沿った破線であり、破線１３ｂ、１３ｃは本体部９１の本体部側面９７に沿った破線である。

　後退部８０のｚ方向の高さは、導電層３１の表面である延伸部表面９６ａと導電層３２の表面との段差高さΔｄであり、導電層３２の表面と導電層３３の表面との段差高さΔｄ１と、導電層３３の表面と導電層３１の表面との段差高さΔｄ２との合計の高さである。本体部９１のｚ方向の高さは本体部高さｄ１であり、延伸部９２のｚ方向の高さは延伸部高さｄ２である。延伸部高さｄ２は、導電層３１のｚ方向の高さである導電層高さｄ３ａと、導電層３３のｚ方向の高さである導電層高さｄ３ｂとの合計の高さである。後退部８０のｚ方向の高さは、本体部９１のｚ方向の高さである本体部高さｄ１と、延伸部９２における第一電極２０側の導電層３１のｚ方向の高さである延伸部高さｄ３ａとの差である。

　実施の形態１の半導体レーザ１００の第三例は、半導体レーザ１００の第一例と同様に、導電部材９０の前端面１０１側及び後端面１０２側の側面の少なくとも一部が前端面１０１及び後端面１０２からｘ方向の他の端面側に後退した後退部８０が形成されているので、ジャンクションダウン実装する際に本体部９１からはみ出した接合部材４０が後退部８０で吸収でき、前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止することができる。図８では、本体部９１からはみ出した接合部材４０である接合部材４０ａが本体部側面９７に接合している例を示した。

　以上のように実施の形態１の半導体レーザ１００は、半導体基板１と、半導体基板１の表面に形成された、出射端面（前端面１０１）から出射する光が生成される活性層１０を含む半導体構造部２と、半導体構造部２の半導体基板１と反対側の表面に形成された表面電極（第一電極２０）と、表面電極（第一電極２０）の半導体基板１と反対側の表面に形成された導電部材９０と、を備えている。導電部材９０は、活性層１０が延伸する延伸方向に平行なｘ方向の一方の側面である出射端面側（前端面１０１側）の側面の一部（本体部側面９７）が、半導体構造部２における出射端面（前端面１０１）よりもｘ方向の出射端面（前端面１０１）に対向する他の端面側（後端面１０２側）に形成されている。当該半導体レーザ１００は、出射端面（前端面１０１）からｘ方向の他の端面側（後端面１０２側）に導電部材９０の少なくとも一部（本体部側面９７）が後退した後退部８０が形成されている。実施の形態１の半導体レーザ１００は、この構成により、導電部材９０の出射端面側（前端面１０１側）の側面の少なくとも一部（本体部側面９７）が出射端面（前端面１０１）からｘ方向の他の端面側（後端面１０２側）に後退した後退部８０が形成されているので、ジャンクションダウン実装する際に光出射端面（前端面１０１）への接合部材４０の回り込みを防止することができる。

　実施の形態１の半導体レーザ装置２００は、半導体レーザ１００と、半導体レーザ１００を搭載するサブマウント５０と、を備えており、半導体レーザ１００の導電部材９０がサブマウント５０に接合部材４０により接合されている。半導体レーザ１００は、半導体基板１と、半導体基板１の表面に形成された、出射端面（前端面１０１）から出射する光が生成される活性層１０を含む半導体構造部２と、半導体構造部２の半導体基板１と反対側の表面に形成された表面電極（第一電極２０）と、表面電極（第一電極２０）の半導体基板１と反対側の表面に形成された導電部材９０と、を備えている。導電部材９０は、活性層１０が延伸する延伸方向に平行なｘ方向の一方の側面である出射端面側（前端面１０１側）の一部（本体部側面９７）が、半導体構造部２における出射端面（前端面１０１）よりもｘ方向の出射端面（前端面１０１）に対向する他の端面側（後端面１０２側）に形成されている。当該半導体レーザ１００は、出射端面（前端面１０１）からｘ方向の他の端面側（後端面１０２側）に導電部材９０の少なくとも一部（本体部側面９７）が後退した後退部８０が形成されている。導電部材９０のｘ方向の互いに対向する２つの側面において、接合部材４０は半導体レーザ１００の表面電極（第一電極２０）と導電部材９０との境界よりもサブマウント５０側にて接合している。実施の形態１の半導体レーザ装置２００は、この構成により、導電部材９０の出射端面側（前端面１０１側）の側面の少なくとも一部（本体部側面９７）が出射端面（前端面１０１）からｘ方向の他の端面側（後端面１０２側）に後退した後退部８０が形成されているので、ジャンクションダウン実装する際に光出射端面（前端面１０１）への接合部材４０の回り込みを防止することができる。

実施の形態２．
　図１０は実施の形態２に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置を示す断面図であり、図１１は実施の形態２に係る半導体レーザの斜視図である。図１２は図１１の導電部材の表面図であり、図１３は図１１の導電部材の第一例の要部を示す断面図である。図１４は図１１の導電部材の第二例の要部を示す断面図であり、図１５は図１１の導電部材の第三例の要部を示す断面図である。図１６、図１７は、それぞれ実施の形態２に係る導電部材の第一例の形成方法を説明する図である。図１８、図１９は、それぞれ実施の形態２に係る導電部材の第一例の他の形成方法を説明する図である。図２０、図２１は、それぞれ実施の形態２に係る導電部材の第二例及び第三例の形成方法を説明する図である。図２２は実施の形態２に係る導電部材の第二例の形成方法を説明する図であり、図２３は実施の形態２に係る導電部材の第三例の形成方法を説明する図である。図２４は実施の形態２に係る導電部材の第四例を示す表面図であり、図２５は実施の形態２に係る導電部材の第五例を示す表面図である。図２６は、実施の形態２に係る導電部材の第六例を示す表面図である。実施の形態２の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、導電部材９０が溝６０を備えている点で、実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と異なる。なお、図１１では、溝６０が明確に分かるように導電層３２のパターンを省略している。実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と異なる部分を主に説明する。

　導電部材９０は、本体部９１における半導体基板１と反対側の表面にｙ方向の互いに対向する２つの側面を貫通している溝６０又はｙ方向の側面に連結された溝６０を備えている。導電部材９０の第一例は、ｙ方向に延伸した溝６０が２つあり、溝６０のｚ方向の深さである溝深さΔｇが後退部８０の段差高さΔｄと同じである例である。導電部材９０の第二例は、ｙ方向に延伸した溝６０が２つあり、溝６０の溝深さΔｇが後退部８０の段差高さΔｄよりも大きい例である。導電部材９０の第三例は、ｙ方向に延伸した溝６０が２つあり、溝６０の溝深さΔｇが後退部８０の段差高さΔｄよりも小さい例である。導電部材９０の第二例及び第三例は、溝６０の溝深さΔｇが後退部８０の段差高さΔｄと異なっている例である。溝６０は、破線１５ａと破線１５ｂとの間、破線１５ｃと破線１５ｄとの間に形成されている。２つの溝６０のｘ方向の幅である溝幅Ｌｇは、例えば同じである。ｙ方向の側面に連結された溝６０を備えた導電部材９０は、第六例として図２６に示した。

　導電部材９０は、前端面１０１側及び後端面１０２側に後退部８０を備え、さらに本体部９１に溝６０を備えているので、ジャンクションダウン実装する際に、溝６０周辺の接合部材４０が溝６０に吸収でき、本体部９１からはみ出した接合部材４０が後退部８０で吸収できる。このため、実施の形態２の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と同様に、ジャンクションダウン実装する際に前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止することができる。図１０では、本体部９１からはみ出した接合部材４０である接合部材４０ａが本体部側面９７に接合しており、接合部材４０の一部である接合部材４０ｂが溝６０のｘ方向の側面に接合している例を示した。

　実施の形態２の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、溝６０が接合部材４０を吸収できるので、実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００よりも後退部８０側への接合部材４０のはみ出しが少なくでき、実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００よりも前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止する効果を高めることができる。実施の形態２の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、導電部材９０が溝６０を備えているので、導電部材９０のサブマウント５０側の表面積を実施の形態１の導電部材９０よりも大きくできるので、すなわち溝６０のｘ方向の側面の表面積分だけ実施の形態１の導電部材９０よりも大きくできるので、実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００よりもサブマウント５０への放熱性を向上させることができる。

　導電部材９０は例えばめっき層であり、導電層３１、３２はめっき層である。導電部材９０の第一例は、例えば２段めっき方法により形成することが可能である。半導体構造部２の半導体基板１と反対側の表面に第一電極２０、半導体基板１の半導体構造部２と反対側の裏面に第二電極２２がメタルスパッタ工程により形成されている。第一電極２０の表面に１回目のめっき工程により導電層３１を形成する。その後、図１６に示すように、後退部８０及び溝６０を形成する部分がレジストで覆われるレジストパターン４１を形成する。破線１３ａと破線１３ｂとの間、破線１３ｃと破線１３ｄとの間に示した部分は後退部８０が形成される部分であり、破線１５ａと破線１５ｂとの間、破線１５ｃと破線１５ｄとの間に示した部分は溝６０が形成される部分である。レジストパターン４１の開口部から露出した導電層３１の表面に２回目のめっき工程により導電層３２を形成する。レジストパターン４１を除去することで、図１７に示すように後退部８０及び溝６０を備えた導電部材９０が形成される。

　導電部材９０における溝６０の溝深さΔｇ及び後退部８０の段差高さΔｄは、使用する接合部材４０の量によって調整することができる。使用する接合部材４０の量が多い場合における、溝６０の溝深さΔｇ及び後退部８０の段差高さΔｄは、使用する接合部材４０の量が少ない場合よりも大きい方が、前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止する効果を高めることができる。溝６０の溝深さΔｇ及び後退部８０の段差高さΔｄは、レジストパターン４１のｚ方向の厚さに応じた高さにすることができる。例えば、レジストパターン４１のｚ方向の厚さを厚くすれば、溝６０の溝深さΔｇ及び後退部８０の段差高さΔｄは大きくなり、レジストパターン４１のｚ方向の厚さを薄くすれば、溝６０の溝深さΔｇ及び後退部８０の段差高さΔｄは小さくなる。この複数回のめっき工程を行う方法は、後退部８０及び溝６０をエッチング処理により形成する場合に比べて容易に製造が可能で、量産性を向上することができる。なお、１回目のめっき工程を実行する際は前端面１０１、後端面１０２を劈開での形成を容易にするため、劈開する部分にめっきが形成されないようレジストで覆っておくことが望ましい。

　導電部材９０の後退部８０をエッチング処理により形成することもできる。図１８、図１９にエッチング処理を用いて導電部材９０の第一例を形成する方法を示した。第一電極２０の表面にめっき工程により厚さが本体部高さｄ１である導電層３１を形成する。導電層３１のｚ方向の高さは、本体部９１の本体部高さｄ１と同じなので、図１６、図１７で示した２段めっき方法よりも厚く形成する。第一電極２０の表面にめっき工程により厚さが本体部高さｄ１の導電層３１を形成する。図１８に示すように、後退部８０及び溝６０を形成する部分が開口したレジストパターン４１を形成する。破線１３ａと破線１３ｂとの間、破線１３ｃと破線１３ｄとの間に示した開口部分は後退部８０が形成される部分であり、破線１５ａと破線１５ｂとの間、破線１５ｃと破線１５ｄとの間に示した開口部分は溝６０が形成される部分である。その後、本体部９１の表面から延伸部９２の延伸部表面９６までの高さがΔｄになり、本体部９１の表面から溝６０の底面６１までの深さがΔｄと同じであるΔｇになるまで導電層３１をエッチング処理する。エッチング処理後にレジストパターン４１を除去することで、図１９に示すように後退部８０及び溝６０を備えた導電部材９０が形成される。エッチング処理にて形成された後退部８０及び溝６０は、導電層３１に形成された凹部或いはエッチング凹部ということもできる。

　また、２段めっき方法とエッチング処理とを組み合わせることで、後退部８０の段差高さΔｄと異なる大きさの溝深さΔｇを有する導電部材９０を形成することができる。図２０に示すように、第一電極２０の表面に１回目のめっき工程により形成された導電層３１の表面に、後退部８０を形成する部分がレジストで覆われるレジストパターン４１を形成する。レジストパターンの開口部から露出した導電層３１の表面に２回目のめっき工程により導電層３２を形成し、レジストパターン４１を除去することで、後退部８０のみが形成された導電部材９０を形成する。これは実施の形態１の導電部材９０を２段めっき方法で形成する場合と同じである。その後、図２１に示すように、溝６０を形成する部分が開口したレジストパターン４２を形成する。破線１５ａと破線１５ｂとの間、破線１５ｃと破線１５ｄとの間に示した開口部分は溝６０が形成される部分である。その後、本体部９１の表面から溝６０の底面６１までの深さがΔｇになるまで導電層３２をエッチング処理し、又は導電層３２及び導電層３１をエッチング処理する。エッチング処理後にレジストパターン４１を除去することで、図２２又は図２３に示すように後退部８０及び溝６０を備えた導電部材９０が形成される。

　図２２に示した導電部材９０は、導電層３２及び導電層３１をエッチング処理した導電部材の第二例である。導電部材９０の第二例におけるエッチング処理にて形成された溝６０は、導電層３１及び導電層３２に形成された凹部或いはエッチング凹部ということもできる。図２３に示した導電部材９０は、導電層３２をエッチング処理した導電部材の第三例である。導電部材９０の第三例におけるエッチング処理にて形成された溝６０は、導電層３２に形成された凹部或いはエッチング凹部ということもできる。２段めっき方法とエッチング処理とを組み合わせることで、使用する接合部材４０の量によって後退部８０の段差高さΔｄと溝６０の溝深さΔｇとを独立して調整することができる。

　図１０～図２３では後退部８０が１段である例を示したが、実施の形態２の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、図８に示した２段以上になっている後退部８０を備えていてもよく、図７に示したように一方の端面側にのみ後退部８０が形成されていてもよい。すなわち、図８に示した実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第三例に溝６０を備えた導電部材９０を適用してもよく、図７に示した実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第二例に溝６０を備えた導電部材９０を適用してもよい。これらの半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、それぞれ溝６０による接合部材４０の吸収作用により、実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第三例又は実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第二例の前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止する効果を向上させることができ、溝６０による導電部材９０におけるサブマウント５０側の表面積の増大に伴って放熱性を向上させることができる。

　導電部材９０の溝６０の数は２つに限らない。導電部材９０の溝６０の数は３つ以上でもよい。溝６０の数が多いほど、前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止する効果及び放熱性の向上効果を高めることができる。図２４に、３つの溝６０を備えた導電部材９０の第四例を示した。また、溝６０はｘ方向に垂直なｙ方向に延伸した場合に限らず、図２５のようにｙ方向から傾いた方向に延伸していてもよい。図２５では、２つの溝６０が本体部９１のｙ方向の互いに対向する２つの側面を、ｙ方向から傾いて貫通している例を示した。導電部材９０の溝６０は、本体部９１におけるｙ方向の互いに対向する２つの側面を貫通している例に限らず、図２６に示すように貫通することなくｙ方向の側面に連結された溝でもよい。図２６には、本体部９１のｙ方向の側面に、ｙ方向正側に活性層１０周辺まで延伸した４つの溝６０と、ｙ方向負側に活性層１０周辺まで延伸した４つの溝６０を備えた導電部材９０の第六例を示した。また、導電部材９０の第六例は、後退部８０に隣接している溝６０と後退部８０とが接続溝６２にて接続されている例を示した。ｙ方向正側に活性層１０周辺まで延伸した４つの溝６０は、図２６の紙面下側の本体部９１の側面に形成されており、ｙ方向負側に活性層１０周辺まで延伸した４つの溝６０は、図２６の紙面上側の本体部９１の側面に形成されている。なお、ｙ方向の側面に連結された溝６０は、活性層１０を超えてｙ方向の一方の側面からｙ方向の他方の側面側に延伸していてもよい。導電部材９０の第六例のように互いに対向するｙ方向の本体部９１の側面に貫通していない溝６０であっても、この溝６０及び後退部８０を備えた実施の形態２の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止する効果を向上させることができ、溝６０による導電部材９０におけるサブマウント５０側の表面積の増大に伴って放熱性を向上させることができる。

実施の形態３．
　図２７は実施の形態３に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置を示す断面図であり、図２８は実施の形態３に係る半導体レーザの斜視図である。図２９は、図２８の半導体レーザの表面図である。図３０は図２８の導電部材の第一例の要部を示す断面図であり、図３１は図２８の導電部材の第二例の要部を示す断面図である。実施の形態３の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、導電部材９０の後退部８０に接合部材４０の付着を阻害する付着阻害部材７２が形成されている点で、実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と異なる。実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と異なる部分を主に説明する。付着阻害部材７２は、例えばレジスト７０、ＳｉＯｘ等のシリコン酸化膜、ＳｉＮｘ等のシリコン窒化膜等の絶縁膜７１等である。図３０に付着阻害部材７２がレジスト７０である例を示し、図３１に付着阻害部材７２が絶縁膜７１である例を示した。付着阻害部材７２は、破線１３ａから破線１３ｂの後退部８０の延伸部表面９６及び本体部側面９７を覆っており、破線１３ｃから破線１３ｄの後退部８０の延伸部表面９６及び本体部側面９７を覆っている。付着阻害部材７２における、破線１６ａから破線１３ｂまでの部分及び破線１６ｂから破線１３ｃまでの部分が、後退部８０における本体部側面９７を覆う部分である。

　実施の形態３の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、導電部材９０の後退部８０に接合部材４０の付着を阻害する付着阻害部材７２が形成されているので、ジャンクションダウン実装する際に本体部９１からはみ出した接合部材４０が後退部８０から延伸部９２の延伸部側面９８への這い上がりを防止することができる。このため、実施の形態３の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止することができる。実施の形態３の半導体レーザ装置２００は、付着阻害部材７２が形成された導電部材９０の後退部８０におけるｘ方向の側面すなわち本体部側面９７に接合部材が接続されていない。ジャンクションダウン実装する際に本体部９１からはみ出した半田材等の接合部材４０は、後退部８０に付着阻害部材７２が形成されていない場合に比べて、導電部材９０のｙ方向の側面に接合される量が多くなる。

　実施の形態３の半導体レーザ１００は、実施の形態１の半導体レーザ１００の導電部材９０が形成された後に、後退部８０に付着阻害部材７２を形成する。付着阻害部材７２がレジスト７０の場合は、付着阻害部材が形成されていない半導体レーザ１００にスピンコーターによりレジスト７０を塗布する。その後、露光及び現像処理によりレジスト７０をパターニングし、ＵＶキュア等の硬化処理を行うことで、後退部８０にレジスト７０の付着阻害部材７２を備えた実施の形態３の半導体レーザ１００を製造することができる。レジスト７０はポジ型でもネガ型でもよい。付着阻害部材７２が絶縁膜７１の場合は、付着阻害部材７２が形成されていない半導体レーザ１００に絶縁膜生成装置により絶縁膜７１を形成する。その後、絶縁膜７１を残す部分以外が開口されたレジストパターンを形成し、露出している絶縁膜７１をエッチング処理することで、後退部８０に絶縁膜７１の付着阻害部材７２を備えた実施の形態３の半導体レーザ１００を製造することができる。

実施の形態４．
　図３２は実施の形態４に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置を示す断面図であり、図３３は実施の形態４に係る半導体レーザの斜視図である。図３４は、図３３の半導体レーザの表面図である。実施の形態４の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、導電部材９０が溝６０を備えている点で、実施の形態３の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と異なる。実施の形態３の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と異なる部分を主に説明する。図３２では、溝６０が明確に分かるように導電層３２のパターンを省略しており、付着阻害部材７２が明確に分かるように付着阻害部材７２にパターンを付している。

　導電部材９０は、本体部９１における半導体基板１と反対側の表面にｙ方向の互いに対向する２つの側面を貫通している溝６０又はｙ方向の側面に連結された溝６０を備えている。実施の形態４の導電部材９０における溝６０は、実施の形態２で説明した導電部材９０の第一例～第六例における溝６０を用いることができる。図３２～図３４では、実施の形態２で説明した導電部材９０の第一例における溝６０を備えている例を示した。溝６０及び後退部８０を備えた導電部材９０の形成方法は実施の形態２で説明した通りである。溝６０及び後退部８０を備えた導電部材９０を形成した後に、実施の形態３で説明した付着阻害部材７２を後退部８０に形成する。図３４は、図２９に２つの溝６０が追加された図になっている。溝６０が形成されている部分は、破線１５ａと破線１５ｂとの間、破線１５ｃと破線１５ｄとの間に示した部分である。

　導電部材９０は、前端面１０１側及び後端面１０２側に付着阻害部材７２が形成された後退部８０を備え、さらに本体部９１に溝６０を備えているので、ジャンクションダウン実装する際に、溝６０周辺の接合部材４０が溝６０に吸収でき、付着阻害部材７２により本体部９１からはみ出した接合部材４０が後退部８０から延伸部９２の延伸部側面９８への這い上がりを防止することができる。このため、実施の形態４の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、実施の形態３の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と同様に、ジャンクションダウン実装する際に前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止することができる。図３２では、接合部材４０の一部である接合部材４０ｂが溝６０のｘ方向の側面に接合している例を示した。

　実施の形態４の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、溝６０が接合部材４０を吸収できるので、実施の形態３の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００よりも後退部８０側への接合部材４０のはみ出しが少なくでき、実施の形態３の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００よりも前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止する効果を高めることができる。実施の形態４の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、導電部材９０が溝６０を備えているので、導電部材９０のサブマウント５０側の表面積を実施の形態３の導電部材９０よりも大きくできるので、すなわち溝６０のｘ方向の側面の表面積分だけ実施の形態３の導電部材９０よりも大きくできるので、実施の形態３の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００よりもサブマウント５０への放熱性を向上させることができる。

　導電部材９０の後退部８０の構造は、実施の形態１で説明した半導体レーザ１００の第二例における後退部８０の構造（図７参照）、半導体レーザ１００の第三例における後退部８０の構造（図８参照）を用いてもよい。付着阻害部材７２は、実施の形態３で説明したように、例えばレジスト７０、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の絶縁膜７１等である。

実施の形態５．
　図３５は、実施の形態５に係る半導体レーザの斜視図である。図３６は実施の形態５に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置における後退部を切断した断面図であり、図３７は実施の形態５に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置における先端本体部を切断した断面図である。図３８は図３５の導電部材の第一例を示す表面図であり、図３９は図３５の導電部材の第二例を示す表面図である。図４０は図３５の導電部材の第三例を示す表面図であり、図４１は図３５の導電部材の第四例を示す表面図である。実施の形態５の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、導電部材９０における活性層１０を包含する部分を除く、前端面１０１側及び後端面１０２側の少なくとも一方に後退部８０が形成されている点で実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と異なる。実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と異なる部分を主に説明する。

　半導体レーザ装置２００の上面図は図３と同じである。ただし、図３に示した破断面１２は図３５の破断面１２ｂに相当する。破断面１２ａは、図３において破断面１２の下側に配置されることになる。図３６に示した半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の断面は、図３５に破断面１２ａで切断した断面である。図３７に示した半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の断面は、図３５に示した破断面１２ｂで切断した断面である。図３５では、図３８に示した導電部材９０の第一例を備えた半導体レーザ１００を示した。導電部材９０の第一例は、ｘ方向の両方の側面における第一電極２０側の一部すなわち前端面１０１側の一部及び後端面１０２側の一部が、それぞれ反対側の端面側に後退するように形成されており、半導体構造部２における前端面１０１及び後端面１０２からｘ方向の他の端面側に導電部材９０の少なくとも一部が後退した後退部８０が４つ形成されている。前端面１０１側に２つの後退部８０が形成されており、後端面１０２側に２つの後退部８０が形成されている。

　前端面１０１側のｙ方向における２つの後退部８０の間に先端本体部８５が形成されており、後端面１０２側のｙ方向における２つの後退部８０の間に先端本体部８５が形成されている。図３５には、先端本体部８５のｘ方向の側面である先端本体部側面８６と、先端本体部８５のｙ方向の側面である先端本体部側面８７も示した。実施の形態１で説明したように、後退部８０は、導電部材９０のｘ方向正側の先端及びｘ方向負側の先端においてｚ方向の厚さが薄くなった部分でもあり、導電部材９０のｚ方向の厚さが薄くなった部分は、本体部９１から延伸した延伸部９２でもある。破線１３ｂと破線１３ｃとの間の部分が、本体部９１である。破線１３ａと破線１３ｂとの間及び破線１３ｃと破線１３ｄとの間で先端本体部８５を除いた部分が、延伸部９２であり、かつ後退部８０である。破線１３ａ、１３ｄは延伸部９２の延伸部側面９８及び先端本体部８５の先端本体部側面８６に沿った破線であり、破線１３ｂ、１３ｃは本体部９１の本体部側面９７に沿った破線である。破線１７ａは前端面１０１側の先端本体部８５におけるｙ方向正側の先端本体部側面８７に沿った破線であり、破線１７ｂは前端面１０１側の先端本体部８５におけるｙ方向負側の先端本体部側面８７に沿った破線である。破線１７ｃは後端面１０２側の先端本体部８５におけるｙ方向正側の先端本体部側面８７に沿った破線であり、破線１７ｄは後端面１０２側の先端本体部８５におけるｙ方向負側の先端本体部側面８７に沿った破線である。なお、本体部９１と先端本体部８５を区別しているが、先端本体部８５もｚ方向の厚さが本体部９１と同じであり、先端本体部８５は本体部９１の一部ということもできる。実施の形態５の半導体レーザ１００は、導電部材９０の延伸部９２よりもｚ方向の厚さが厚い本体部（先端本体部８５を含む本体部９１）が活性層１０を包含するように、すなわち活性層１０の半導体基板１と反対の表面側を包含するように形成されている。

　前端面１０１側でｙ方向負側に形成された後退部８０及び後端面１０２側でｙ方向負側に形成された後退部８０のｙ方向の長さは、前端面１０１側でｙ方向負側に形成された延伸部９２及び後端面１０２側でｙ方向負側に形成された延伸部９２のｙ方向の長さである延伸長Ｌｙ１と同じである。前端面１０１側でｙ方向正側に形成された後退部８０及び後端面１０２側でｙ方向正側に形成された後退部８０のｙ方向の長さは、前端面１０１側でｙ方向正側に形成された延伸部９２及び後端面１０２側でｙ方向正側に形成された延伸部９２のｙ方向の長さである延伸長Ｌｙ２と同じである。前端面１０１側でｙ方向負側に形成された後退部８０のｙ方向の長さは、破線１７ｂから本体部９１のｙ方向負側の側面までの長さであり、後端面１０２側でｙ方向負側に形成された後退部８０のｙ方向の長さは、破線１７ｄから本体部９１のｙ方向負側の側面までの長さである。前端面１０１側でｙ方向正側に形成された後退部８０のｙ方向の長さは、破線１７ａから本体部９１のｙ方向正側の側面までの長さであり、後端面１０２側でｙ方向正側に形成された後退部８０のｙ方向の長さは、破線１７ｃから本体部９１のｙ方向正側の側面までの長さである。

　前端面１０１側に形成された２つの後退部８０のｘ方向の長さは、前端面１０１側に形成された先端本体部８５のｘ方向の長さである先端本体部長Ｌｄ１と同じである。先端本体部長Ｌｄ１は、前端面１０１側に形成された２つの延伸部９２の長さでもある。後端面１０２側に形成された２つの後退部８０のｘ方向の長さは、後端面１０２側に形成された先端本体部８５のｘ方向の長さである先端本体部長Ｌｄ２と同じである。先端本体部長Ｌｄ２は、後端面１０２側に形成された２つの延伸部９２の長さでもある。前端面１０１側に形成された２つの後退部８０及び先端本体部８５のｘ方向の長さは、破線１３ａから破線１３ｂまでの長さである。後端面１０２側に形成された２つの後退部８０及び先端本体部８５のｘ方向の長さは、破線１３ｃから破線１３ｄまでの長さである。後退部８０のｙ方向の長さＬｙ１、Ｌｙ２は、同じ長さでも異なっていてもよい。後退部８０及び先端本体部８５のｘ方向の長さＬｄ１、Ｌｄ２は、同じ長さでも異なっていてもよい。

　導電部材９０の第一例は、ｘ方向の互いに対向する２つの側面における表面電極側で、かつｘ方向及び半導体基板１に垂直なｚ方向に垂直なｙ方向の少なくとも一部である本体部側面９７が、ｘ方向で反対側の半導体構造部２の端面側（前端面１０１側、後端面１０２側）に後退している。また、導電部材９０の第一例は、本体部９１と、本体部９１のｘ方向の互いに対向する２つの側面における表面電極側でかつｙ方向の少なくとも一部にｘ方向に延伸した延伸部９２と、を備えている。導電部材９０の第一例は、出射端面である前端面１０１及び他の端面である後端面１０２からｘ方向の反対の端面側に後退した後退部８０が形成されており、後退部８０は、延伸部９２における半導体基板１と反対側の表面である延伸部表面９６と延伸部表面９６に連結された本体部９１の側面（本体部側面９７、先端本体部側面８７）とを含んでいる。導電部材９０の第一例に形成された後退部８０は、導電部材９０のｙ方向の互いに対向する２つの側面を貫通していない。

　導電部材９０の第一例を備えた実施の形態５の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、前端面１０１側及び後端面１０２側に導電部材９０における活性層１０を包含する先端本体部８５を備えている点で実施の形態１の半導体レーザ１００の第一例と異なっており、他の構造は実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第一例と同様である。このため、導電部材９０の第一例を備えた実施の形態５の半導体レーザ１００は、実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第一例と同様の効果を奏する。導電部材９０の第一例における前端面１０１側及び後端面１０２側の側面の少なくとも一部が前端面１０１及び後端面１０２からｘ方向の他の端面側に後退した後退部８０が形成されているので、ジャンクションダウン実装する際に本体部９１からはみ出した接合部材４０が後退部８０で吸収でき、前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止することができる。図３６、図３７では、本体部９１からはみ出した接合部材４０である接合部材４０ａが後退部８０の本体部側面９７に接合しており、先端本体部８５のｘ方向の側面である先端本体部側面８６に接合部材４０が接合していない例を示した。

　導電部材９０は例えばめっき層であり、導電層３１、３２はめっき層である。導電部材９０の第一例は、実施の形態１で説明したように例えば２段めっき方法により形成することが可能である。この複数回のめっき工程を行う方法は、後退部８０をエッチング処理により形成する場合に比べて容易に製造が可能で、量産性を向上することができる。また、導電部材９０の後退部８０をエッチング処理により形成することもできる。

　図３８に示した導電部材９０の第一例は、前端面１０１側及び後端面１０２側に合計４個の後退部８０が形成されている例を示したが、後退部８０の数は４個に限定されない。図３９に示した導電部材９０の第二例は、前端面１０１側に１個の後退部が形成された例である。図４０に示した導電部材９０の第三例は、前端面１０１側に２個の後退部８０が形成された例である。図４１に示した導電部材９０の第四例は、前端面１０１側に２個の後退部８０が形成され、後端面１０２側に１個の後退部８０が形成された例である。導電部材９０の第二例及び第三例は、図７に示した実施の形態１の導電部材９０の第二例と同様に、一方の端面側にのみ後退部８０が形成されている例である。

　図３９において先端本体部８５は、破線１３ａからは破線１３ｂまでのｘ方向の範囲で、破線１７ｂから本体部９１のｙ方向正側の側面までのｙ方向の範囲である。図４０において先端本体部８５は、図３８のｘ方向正側の先端本体部８５と同じである。図４１においてｘ方向正側の先端本体部８５は、図３８のｘ方向正側の先端本体部８５と同じである。図４１においてｘ方向負側の先端本体部８５は、破線１３ｃからは破線１３ｄまでのｘ方向の範囲で、破線１７ｄから本体部９１のｙ方向正側の側面までのｙ方向の範囲である。

　導電部材９０の第二例及び第三例を備えた実施の形態５の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、図７に示した実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第二例と同様の効果を奏する。導電部材９０の第四例を備えた実施の形態５の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第一例と同様の効果を奏する。

　図３５～図４１では後退部８０が１段である例を示したが、実施の形態５の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、図８に示した２段以上になっている後退部８０を備えていてもよい。また、実施の形態５の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、導電部材９０に実施の形態２で示した溝６０が形成されてもよく、後退部８０に実施の形態３で示した付着阻害部材７２が形成されていてもよい。

実施の形態６．
　図４２は実施の形態６に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第一例を示す断面図であり、図４３は実施の形態６に係る半導体レーザの第一例の斜視図である。図４４は、実施の形態６に係る半導体レーザの第一例を示す表面図である。図４５、図４６は、それぞれ実施の形態６に係る導電部材の第一例の形成方法を説明する図である。図４７は実施の形態６に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第二例を示す断面図であり、図４８は実施の形態６に係る半導体レーザの第二例を示す表面図である。図４９は実施の形態６に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第三例を示す断面図であり、図５０は実施の形態６に係る半導体レーザの第三例を示す表面図である。図５１は、実施の形態６に係る半導体レーザの第四例を示す表面図である。図５２は実施の形態６に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第四例における後退部を切断した断面図であり、図５３は実施の形態６に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置の第四例における先端本体部を切断した断面図である。実施の形態６の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、導電部材９０に後退部８０が形成されておらず、導電部材９０のｘ方向の一方の側面である前端面１０１側の側面の一部又は全部が半導体構造部２の前端面１０１からｘ方向の他の端面側である後端面１０２側に後退した後退部８０が形成されている点で、実施の形態１から５の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と異なる。実施の形態１～５の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と異なる部分を主に説明する。

　図４２～図４６を用いて、実施の形態６の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第一例を説明する。実施の形態６の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第一例は、導電部材９０のｘ方向の２つの側面における全部が半導体構造部２の前端面１０１及び後端面１０２からｘ方向の他の端面側に後退した後退部８０が形成されている例である。実施の形態６の第一例の導電部材９０は、延伸部９２を備えておらず、本体部９１のみで形成された構造である。図４４に示した半導体レーザ１００の表面図のように、第一電極２０のｘ方向の両端側が露出している。破線１８ａから破線１８ｂまでの範囲及び破線１８ｃから破線１８ｄまでの範囲は、第一電極２０が露出した第一電極露出部２１である。破線１８ｂは導電部材９０のｘ方向正側の側面が反対の側面側に後退した境界すなわち本体部側面９７に沿った破線であり、破線１８ｃは導電部材９０のｘ方向負側の側面が反対の側面側に後退した境界すなわち本体部側面９７に沿った破線である。したがって、破線１８ａから破線１８ｂまでの範囲及び破線１８ｃから破線１８ｄまでの範囲は、後退部８０である。図４４には、半導体レーザ１００のｘ方向の長さであるレーザ長Ｌｒ、導電部材９０のｘ方向の長さである導電部材長Ｌｃ、導電部材９０のｙ方向の長さと等しい後退部８０のｙ方向の長さである後退部長Ｌｓも示した。

　実施の形態６の導電部材９０の第一例は、導電部材長Ｌｃが半導体レーザ１００の共振器方向の長さすなわちレーザ長Ｌｒより短くなっており、実施の形態６の半導体レーザ１００の第一例は半導体構造部２の前端面１０１側及び後端面１０２側に後退部８０が形成されているので、実施の形態１の半導体レーザ１００と同様に、ジャンクションダウン実装する際に本体部９１からはみ出した接合部材４０が後退部８０で吸収でき、前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止することができる。

　導電部材９０は例えばめっき層であり、導電層３１はめっき層である。導電部材９０の第一例は、例えばめっき方法により形成することが可能である。半導体構造部２の半導体基板１と反対側の表面に第一電極２０、半導体基板１の半導体構造部２と反対側の裏面に第二電極２２がメタルスパッタ工程により形成されている。図４５に示すように、後退部８０を形成する部分がレジストで覆われるレジストパターン４１を第一電極２０の表面に形成する。破線１８ａと破線１８ｂとの間、破線１８ｃと破線１８ｄとの間に示した部分は後退部８０が形成される部分である。レジストパターン４１の開口部から露出した第一電極２０の表面にめっき工程により導電層３１を形成する。レジストパターン４１を除去することで、図４６に示すように後退部８０に隣接した導電部材９０が第一電極２０の表面に形成される。実施の形態６の導電部材９０の第一例は、実施の形態１の導電部材９０の第一例における２段めっき方法に比べて、めっき工程を減らすことができ、容易に製造が可能で、量産性を向上することができる。

　実施の形態６の導電部材９０の第一例は、ｘ方向の互いに対向する２つの側面における全部である本体部側面９７が、ｘ方向で反対側の半導体構造部２の端面側（前端面１０１側、後端面１０２側）に後退している例である。実施の形態６の導電部材９０は、実施の形態２で説明した溝６０を備えていてもよく、実施の形態５で説明した先端本体部８５を備えていてもよく、実施の形態３で説明した付着阻害部材７２が導電部材９０の本体部側面９７を含む後退部８０を覆っていてもよい。図４７、図４８に示した実施の形態６の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第二例は、導電部材９０が溝６０を備えている例である。図４９、図５０に示した実施の形態６の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第三例は、付着阻害部材７２が後退部８０を覆っている例である。図５１、図５２、図５３に示した実施の形態６の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第四例は、導電部材９０が先端本体部８５を備えている例である。

　図４７、図４８に示した実施の形態６の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第二例は、導電部材９０がｙ方向の互いに対向する２つの側面を貫通している溝６０を備えている。前述した実施の形態６の導電部材９０の第一例と同様に、後退部８０と溝６０を１回のめっき工程で形成する例である。図４７、図４８では、溝６０の底面が第一電極２０の第一電極露出部２１になっている。溝６０は、破線１５ａから破線１５ｂまでの範囲、破線１５ｃから破線１５ｄまでの範囲である。なお、実施の形態２で説明したように、エッチング処理と組み合わせて、溝６０の底面が導電層３１の凹部の底面にしてよい。この場合、溝６０において第一電極２０は露出されない。また、図２４、図２５に示したように、溝６０の数は３つ以上であってもよく、溝６０がｙ方向から傾いた方向に延伸していてもよい。また、図２６に示したように、溝６０は導電部材９０のｙ方向の互いに対向する２つの側面を貫通しておらず、ｙ方向の一方の側面からｙ方向の他方の側面側に延伸している溝でもよい。実施の形態６の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第二例は、導電部材９０が溝６０を備えているので、実施の形態２の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と同様の効果を奏する。

　図４９、図５０に示した実施の形態６の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第三例は、付着阻害部材７２が後退部８０を覆っている。付着阻害部材７２は、破線１８ａから破線１８ｂの後退部８０の第一電極露出部２１及び本体部側面９７を覆っており、破線１８ｃから破線１８ｄの後退部８０の第一電極露出部２１及び本体部側面９７を覆っている。付着阻害部材７２における、破線１６ａから破線１８ｂまでの部分及び破線１６ｂから破線１８ｃまでの部分が、後退部８０における本体部側面９７を覆う部分である。実施の形態４の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と同様に、実施の形態６の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、第三例と第二例とを組み合わせてもよい。実施の形態６の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第三例は、付着阻害部材７２が後退部８０を覆っているので、実施の形態３の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と同様の効果を奏する。

　図５１～図５３に示した実施の形態６の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第四例は、前端面１０１側のｙ方向における２つの後退部８０の間に先端本体部８５が形成されており、後端面１０２側のｙ方向における２つの後退部８０の間に先端本体部８５が形成されている。破線１８ｂと破線１８ｃとの間の部分が、本体部９１である。破線１８ａと破線１８ｂとの間及び破線１８ｃと破線１８ｄとの間で先端本体部８５を除いた部分が、後退部８０である。破線１８ａ、１８ｄは第一電極２０のｘ方向の側面及び先端本体部８５の側面に沿った破線であり、破線１８ｂ、１８ｃは本体部９１の本体部側面９７に沿った破線である。なお、本体部９１と先端本体部８５を区別しているが、先端本体部８５もｚ方向の厚さが本体部９１と同じであり、先端本体部８５は本体部９１の一部ということもできる。実施の形態６の半導体レーザ１００の第四例は、導電部材９０（先端本体部８５を含む本体部９１）が活性層１０を包含するように、すなわち活性層１０の半導体基板１と反対の表面側を包含するように形成されている。

　前端面１０１側でｙ方向負側に形成された後退部８０及び後端面１０２側でｙ方向負側に形成された後退部８０のｙ方向の長さは、後退部長Ｌｓ１である。前端面１０１側でｙ方向正側に形成された後退部８０及び後端面１０２側でｙ方向正側に形成された後退部８０のｙ方向の長さは、後退部長Ｌｓ２である。前端面１０１側でｙ方向負側に形成された後退部８０のｙ方向の長さは、破線１７ｂから本体部９１のｙ方向負側の側面までの長さであり、後端面１０２側でｙ方向負側に形成された後退部８０のｙ方向の長さは、破線１７ｄから本体部９１のｙ方向負側の側面までの長さである。前端面１０１側でｙ方向正側に形成された後退部８０のｙ方向の長さは、破線１７ａから本体部９１のｙ方向正側の側面までの長さであり、後端面１０２側でｙ方向正側に形成された後退部８０のｙ方向の長さは、破線１７ｃから本体部９１のｙ方向正側の側面までの長さである。

　前端面１０１側に形成された２つの後退部８０のｘ方向の長さは、前端面１０１側に形成された先端本体部８５のｘ方向の長さである先端本体部長Ｌｄ１と同じである。先端本体部長Ｌｄ１は、前端面１０１側に形成された２つの後退部８０の長さでもある。後端面１０２側に形成された２つの後退部８０のｘ方向の長さは、後端面１０２側に形成された先端本体部８５のｘ方向の長さである先端本体部長Ｌｄ２と同じである。先端本体部長Ｌｄ２は、後端面１０２側に形成された２つの後退部８０の長さでもある。前端面１０１側に形成された２つの後退部８０及び先端本体部８５のｘ方向の長さは、破線１８ａから破線１８ｂまでの長さである。後端面１０２側に形成された２つの後退部８０及び先端本体部８５のｘ方向の長さは、破線１８ｃから破線１８ｄまでの長さである。後退部８０のｙ方向の長さＬｓ１、Ｌｓ２は、同じ長さでも異なっていてもよい。後退部８０及び先端本体部８５のｘ方向の長さＬｄ１、Ｌｄ２は、同じ長さでも異なっていてもよい。

　実施の形態６の導電部材９０の第四例は、ｘ方向の互いに対向する２つの側面における、ｘ方向及び半導体基板１に垂直なｚ方向に垂直なｙ方向の少なくとも一部である本体部側面９７が、ｘ方向で反対側の半導体構造部２の端面側（前端面１０１側、後端面１０２側）に後退している。実施の形態６の導電部材９０の第四例を備えた半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、後退部８０が導電部材９０におけるｙ方向の互いに対向する２つの側面を貫通していない。

　図５１に示した実施の形態６の導電部材９０の第四例は、前端面１０１側及び後端面１０２側に合計４個の後退部８０が形成されている例を示したが、後退部８０の数は４個に限定されない。図３９～図４１のように、後退部８０が１個～３個でもよい。図３９、図４０に示したように前端面１０１側のみに後退部８０が形成されている例は、図７に示した実施の形態１の導電部材９０の第二例と同様に、一方の端面側にのみ後退部８０が形成されている例である。一方の端面側にのみ後退部８０が形成されている実施の形態６の導電部材９０の第四例は、出射端面側（前端面１０１側）の側面における、ｘ方向及び半導体基板１に垂直なｚ方向に垂直なｙ方向の少なくとも一部である本体部側面９７が、ｘ方向で反対側の半導体構造部２の端面側（後端面１０２側）に後退している。

　実施の形態６の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第四例は、導電部材９０（先端本体部８５を含む本体部９１）が活性層１０を包含するように、すなわち活性層１０の半導体基板１と反対の表面側を包含するように形成されているので、実施の形態５の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と同様の効果を奏する。

　以上のように実施の形態６の半導体レーザ１００は、半導体基板１と、半導体基板１の表面に形成された、出射端面（前端面１０１）から出射する光が生成される活性層１０を含む半導体構造部２と、半導体構造部２の半導体基板１と反対側の表面に形成された表面電極（第一電極２０）と、表面電極（第一電極２０）の半導体基板１と反対側の表面に形成された導電部材９０と、を備えている。導電部材９０は、活性層１０が延伸する延伸方向に平行なｘ方向の一方の側面である出射端面側（前端面１０１側）の側面の一部又は全部（本体部側面９７）が、半導体構造部２における出射端面（前端面１０１）よりもｘ方向の出射端面（前端面１０１）に対向する他の端面側（後端面１０２側）に形成されている。当該半導体レーザ１００は、出射端面（前端面１０１）からｘ方向の他の端面側（後端面１０２側）に導電部材９０の少なくとも一部（本体部側面９７）が後退した後退部８０が形成されている。実施の形態６の半導体レーザ１００は、この構成により、導電部材９０の出射端面側（前端面１０１側）の側面の少なくとも一部（本体部側面９７）が出射端面（前端面１０１）からｘ方向の他の端面側（後端面１０２側）に後退した後退部８０が形成されているので、ジャンクションダウン実装する際に光出射端面（前端面１０１）への接合部材４０の回り込みを防止することができる。

　実施の形態６の半導体レーザ装置２００は、半導体レーザ１００と、半導体レーザ１００を搭載するサブマウント５０と、を備えており、半導体レーザ１００の導電部材９０がサブマウント５０に接合部材４０により接合されている。半導体レーザ１００は、半導体基板１と、半導体基板１の表面に形成された、出射端面（前端面１０１）から出射する光が生成される活性層１０を含む半導体構造部２と、半導体構造部２の半導体基板１と反対側の表面に形成された表面電極（第一電極２０）と、表面電極（第一電極２０）の半導体基板１と反対側の表面に形成された導電部材９０と、を備えている。導電部材９０は、活性層１０が延伸する延伸方向に平行なｘ方向の一方の側面である出射端面側（前端面１０１側）の一部又は全部（本体部側面９７）が、半導体構造部２における出射端面（前端面１０１）よりもｘ方向の出射端面（前端面１０１）に対向する他の端面側（後端面１０２側）に形成されている。当該半導体レーザ１００は、出射端面（前端面１０１）からｘ方向の他の端面側（後端面１０２側）に導電部材９０の少なくとも一部（本体部側面９７）が後退した後退部８０が形成されている。導電部材９０のｘ方向の互いに対向する２つの側面において、接合部材４０は半導体レーザ１００の表面電極（第一電極２０）と導電部材９０との境界よりもサブマウント５０側にて接合している。実施の形態６の半導体レーザ装置２００は、この構成により、導電部材９０の出射端面側（前端面１０１側）の側面の少なくとも一部（本体部側面９７）が出射端面（前端面１０１）からｘ方向の他の端面側（後端面１０２側）に後退した後退部８０が形成されているので、ジャンクションダウン実装する際に光出射端面（前端面１０１）への接合部材４０の回り込みを防止することができる。

実施の形態７．
　実施の形態１～実施の形態４の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００では、導電部材９０の導電部材長Ｌｃが半導体レーザ１００の共振器方向の長さすなわちレーザ長Ｌｒと同じ長さである例で説明したが、導電部材長Ｌｃがレーザ長Ｌｒより短くなっていてもよい。図５４は実施の形態７に係る半導体レーザ及び半導体レーザ装置を示す断面図であり、図５５は実施の形態７に係る半導体レーザの斜視図である。図５６は、図５５の半導体レーザの表面図である。図５４～図５６では、実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第一例における導電部材９０の導電部材長Ｌｃがレーザ長Ｌｒより短くなっている例を示した。実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００と異なる部分を主に説明する。

　実施の形態７の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、導電部材９０のｘ方向の２つの側面における全部が半導体構造部２の前端面１０１及び後端面１０２からｘ方向の他の端面側に後退した後退部８０が形成されており、導電部材９０にも後退部８０が形成されている例である。図５６に示した半導体レーザ１００の表面図のように、ｘ方向の両端側に第一電極２０の一部である第一電極露出部２１が露出している。破線１８ａから破線１８ｂまでの範囲及び破線１８ｃから破線１８ｄまでの範囲は、第一電極２０が露出した第一電極露出部２１である。破線１８ｂから破線１３ｂまでの範囲及び破線１８ｃから破線１３ｃまでの範囲は、導電部材９０の延伸部９２である。破線１８ｂは導電部材９０のｘ方向正側の側面が反対の側面側に後退した境界すなわち延伸部側面９８に沿った破線であり、破線１８ｃは導電部材９０のｘ方向負側の側面が反対の側面側に後退した境界すなわち延伸部側面９８に沿った破線である。破線１３ｂは導電部材９０のｘ方向正側の本体部９１が反対の側面側に後退した境界すなわち本体部側面９７に沿った破線であり、破線１３ｃは導電部材９０のｘ方向負側の本体部９１が反対の側面側に後退した境界すなわち本体部側面９７に沿った破線である。したがって、破線１８ａから破線１３ｂまでの範囲及び破線１３ｃから破線１８ｄまでの範囲は、後退部８０である。破線１８ｂから破線１３ｂまでの範囲及び破線１３ｃから破線１８ｃまでの範囲は、導電部材９０に形成された後退部８０である。図５６には、半導体レーザ１００のｘ方向の長さであるレーザ長Ｌｒ、導電部材９０のｘ方向の長さである導電部材長Ｌｃ、導電部材９０のｙ方向の長さと等しい後退部８０のｙ方向の長さである後退部長Ｌｓも示した。

　実施の形態７の導電部材９０は、半導体構造部２の前端面１０１側及び後端面１０２側に後退部８０が形成されており、導電部材長Ｌｃが半導体レーザ１００の共振器方向の長さすなわちレーザ長Ｌｒより短くなっている。このため、実施の形態７の半導体レーザ１００は、半導体構造部２の前端面１０１側及び後端面１０２側に形成された後退部８０の範囲を実施の形態１の半導体レーザ１００の第一例よりも拡大することができる。したがって、実施の形態７の半導体レーザ１００は、ジャンクションダウン実装する際に本体部９１からはみ出した接合部材４０が後退部８０で実施の形態１の半導体レーザ１００の第一例よりも多く吸収でき、前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止する効果を実施の形態１の半導体レーザ１００の第一例よりも高めることができる。

　導電部材９０は例えばめっき層であり、導電層３１、３２はめっき層である。導電部材９０は、例えば２段めっき方法により形成することが可能である。半導体基板１に半導体構造部２が形成され、半導体構造部２の半導体基板１と反対側の表面に第一電極２０、半導体基板１の半導体構造部２と反対側の裏面に第二電極２２がメタルスパッタ工程により形成されている。導電層３１を形成する部分以外がレジストで覆われるレジストパターンを第一電極２０の表面に形成する。破線１８ａと破線１８ｂとの間、破線１８ｃと破線１８ｄとの間に示した部分は導電層３１が形成されない部分であり、第一電極２０が露出する第一電極露出部２１になる部分である。レジストパターンの開口部から露出した第一電極２０の表面に１回目のめっき工程により導電層３１を形成する。その後、後退部８０が形成される部分がレジストで覆われるレジストパターンを形成する。レジストパターンの開口部から露出した導電層３１の表面に２回目のめっき工程により導電層３２を形成する。この複数回のめっき工程を行う方法は、後退部８０をエッチング処理により形成する場合に比べて容易に製造が可能で、量産性を向上することができる。なお、１回目のめっき工程を実行する際は前端面１０１、後端面１０２の劈開による形成が容易になるように、劈開する部分にめっきが形成されないようレジストで覆っておくことが望ましい。

　導電部材９０における後退部８０をエッチング処理により形成することもできる。導電層３１を形成する部分以外がレジストで覆われるレジストパターンを第一電極２０の表面に形成する。レジストパターンの開口部から露出した第一電極２０の表面にめっき工程により厚さが本体部高さｄ１である導電層３１を形成する。導電部材９０における後退部８０を形成する部分が開口したレジストパターンを形成する。すなわち、破線１８ｂと破線１３ｂとの間、破線１８ｃと破線１３ｃとの間が開口したレジストパターンを形成する。その後、本体部９１の表面から延伸部９２の延伸部表面９６までの高さがΔｄになるまで導電層３１をエッチング処理することで導電部材９０を形成することができる。

　図５４～図５６では、実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第一例を変形した例を説明したが、導電部材長Ｌｃがレーザ長Ｌｒより短くなって導電部材９０は、実施の形態１の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００の第二例、第三例にも適用でき、実施の形態２～実施の形態４の半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００にも適用できる。導電部材長Ｌｃがレーザ長Ｌｒより短くなって導電部材９０を適用することで、適用前の例よりも半導体構造部２の前端面１０１側及び後端面１０２側に形成された後退部８０の範囲を拡大することができる。したがって、導電部材長Ｌｃがレーザ長Ｌｒより短くなって導電部材９０を適用した半導体レーザ１００及び半導体レーザ装置２００は、ジャンクションダウン実装する際に本体部９１からはみ出した接合部材４０が後退部８０で適用前の例よりも多く吸収でき、前端面１０１及び後端面１０２への接合部材４０の回り込みを防止する効果を適用前の例よりも高めることができる。

　なお、本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、１つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。

　１…半導体基板、２…半導体構造部、１０…活性層、２０…第一電極（表面電極）、３１…導電層、３２…導電層、３３…導電層、４０、４０ａ…接合部材、５０…サブマウント、６０…溝、７２…付着阻害部材、８０…後退部、９０…導電部材、９１…本体部、９２…延伸部、９６、９６ａ、９６ｂ…延伸部表面、９７…本体部側面、１００…半導体レーザ、１０１…前端面、１０２…後端面、２００…半導体レーザ装置、Δｄ…段差高さ、Δｇ…溝深さ

Claims

　半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された、出射端面から出射する光が生成される活性層を含む半導体構造部と、前記半導体構造部の前記半導体基板と反対側の表面に形成された表面電極と、前記表面電極の前記半導体基板と反対側の表面に形成された導電部材と、を備えた半導体レーザであって、
前記導電部材は、
前記活性層が延伸する延伸方向に平行なｘ方向の一方の側面である前記出射端面側の側面の一部又は全部が、前記半導体構造部における前記出射端面よりも前記ｘ方向の前記出射端面に対向する他の端面側に形成されており、
前記出射端面から前記ｘ方向の前記他の端面側に前記導電部材の少なくとも一部が後退した後退部が形成されている、半導体レーザ。
　前記導電部材は、前記ｘ方向の前記他の端面側の側面の一部又は全部が前記出射端面側に形成されており、
前記ｘ方向の前記他の端面から前記出射端面側に前記導電部材の少なくとも一部が後退した後退部が形成されている、請求項１記載の半導体レーザ。
　前記後退部は前記導電部材に形成されており、
本体部と、
前記本体部の前記出射端面側の側面における前記表面電極側で、かつ前記ｘ方向及び前記半導体基板に垂直なｚ方向に垂直なｙ方向の少なくとも一部に、前記ｘ方向に延伸した延伸部と、を備えており、
前記後退部は、
前記延伸部における前記半導体基板と反対側の表面である延伸部表面と前記延伸部表面に連結された前記本体部の側面とを含んでいる、請求項１記載の半導体レーザ。
　前記後退部は前記導電部材に形成されており、
本体部と、
前記本体部の前記ｘ方向の互いに対向する２つの側面における前記表面電極側で、かつ前記ｘ方向及び前記半導体基板に垂直なｚ方向に垂直なｙ方向の少なくとも一部に、前記ｘ方向に延伸した延伸部と、を備えており、
前記出射端面側及び前記ｘ方向の前記他の端面側の前記後退部は、
前記延伸部における前記半導体基板と反対側の表面である延伸部表面と前記延伸部表面に連結された前記本体部の側面とを含んでいる、請求項２記載の半導体レーザ。
　前記導電部材は、前記本体部が前記活性層を包含するように形成されている、請求項３または４に記載の半導体レーザ。
　前記導電部材は、前記ｘ方向の長さが、前記半導体構造部における前記ｘ方向の長さよりも短くなっている、請求項３または４に記載の半導体レーザ。
　前記後退部は、前記ｙ方向の互いに対向する２つの側面を貫通している、請求項３から５のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
　前記導電部材は、前記半導体基板と反対側の表面に前記ｙ方向の互いに対向する２つの側面を貫通している溝を備えている、請求項３から７のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
　前記導電部材は、前記半導体基板と反対側の表面に前記ｙ方向の一方の側面から前記ｙ方向の他方の側面側に延伸している溝を備えている、請求項３から７のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
　前記溝の前記ｚ方向の深さは、前記後退部の前記ｚ方向の深さと同じである、請求項８または９に記載の半導体レーザ。
　前記溝の前記ｚ方向の深さは、前記後退部の前記ｚ方向の深さと異なっている、請求項８または９に記載の半導体レーザ。
　前記導電部材は、
前記半導体基板側の裏面から、前記後退部の前記延伸部表面及び前記溝の前記半導体基板側の底面の位置までの層を構成する第一のめっき層と、
前記延伸部表面及び前記溝の前記底面の位置から前記本体部における前記半導体基板と反対側の表面までの層を構成する第二のめっき層と、を備えている請求項１０記載の半導体レーザ。
　前記導電部材はめっき層であり、
前記後退部及び前記溝は前記めっき層に形成された凹部である、請求項１０または１１に記載の半導体レーザ。
　前記導電部材は、
前記出射端面側の側面における全部が、前記ｘ方向の前記他の端面側に後退している、請求項１記載の半導体レーザ。
　前記導電部材は、
前記ｘ方向の互いに対向する２つの側面における全部が、前記ｘ方向で反対の前記半導体構造部の端面側に後退している、請求項２記載の半導体レーザ。
　前記導電部材は、
前記出射端面側の側面における、前記ｘ方向及び前記半導体基板に垂直なｚ方向に垂直なｙ方向の少なくとも一部が、前記ｘ方向の前記他の端面側に後退している、請求項１記載の半導体レーザ。
　前記導電部材は、
前記ｘ方向の互いに対向する２つの側面における、前記ｘ方向及び前記半導体基板に垂直なｚ方向に垂直なｙ方向の少なくとも一部が、前記ｘ方向で反対の前記半導体構造部の端面側に後退している、請求項２記載の半導体レーザ。
　前記導電部材は、前記活性層を包含するように形成されている、請求項１６または１７に記載の半導体レーザ。
　前記導電部材は、前記半導体基板と反対側の表面に前記ｙ方向の互いに対向する２つの側面を貫通している溝を備えている、請求項１６から１８のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
　前記導電部材は、前記半導体基板と反対側の表面に前記ｙ方向の一方の側面から前記ｙ方向の他方の側面側に延伸している溝を備えている、請求項１６から１８のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
　前記導電部材はめっき層である、請求項１から１１及び１４から２０のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
　当該半導体レーザとサブサマウントとを接合する際に用いる接合部材に付着しない付着阻害部材が前記後退部に形成されている、請求項１から２１のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
　請求項１から２１のいずれか１項の半導体レーザと、前記半導体レーザを搭載するサブマウントと、を備えており、
前記半導体レーザの前記導電部材が前記サブマウントに接合部材により接合されており、
前記導電部材の前記ｘ方向の互いに対向する２つの側面において、前記接合部材は前記半導体レーザの前記表面電極と前記導電部材との境界よりも前記サブマウント側にて接合している、半導体レーザ装置。
　請求項２２記載の半導体レーザと、前記半導体レーザを搭載するサブマウントと、を備えており、
前記半導体レーザの前記導電部材が前記サブマウントに接合部材により接合されており、
前記付着阻害部材が形成された前記導電部材の前記後退部における前記ｘ方向の側面に前記接合部材が接続されていない、半導体レーザ装置。