WO2022042186A1 - 用于制作光转换层、发光器件的方法和电子装置 - Google Patents

用于制作光转换层、发光器件的方法和电子装置 Download PDF

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WO2022042186A1
WO2022042186A1 PCT/CN2021/108963 CN2021108963W WO2022042186A1 WO 2022042186 A1 WO2022042186 A1 WO 2022042186A1 CN 2021108963 W CN2021108963 W CN 2021108963W WO 2022042186 A1 WO2022042186 A1 WO 2022042186A1
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hard mask
light
layer
mask pattern
grid structure
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PCT/CN2021/108963
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刁鸿浩
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北京芯海视界三维科技有限公司
视觉技术创投私人有限公司
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    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
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    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning

Definitions

  • the present application relates to the field of optical technology, for example, to a method for fabricating a light conversion layer, a method for fabricating a light-emitting device, and an electronic device.
  • a light conversion layer is usually used to support the display.
  • Embodiments of the present disclosure provide a method for fabricating a light conversion layer, a method for fabricating a light emitting device, and an electronic device, so as to solve the problem that a process capable of providing effective isolation/support for each pixel in the light conversion layer has not yet appeared. It is conducive to the normal functioning of the light conversion layer and affects the technical problems of the light conversion effect.
  • a hard mask pattern is arranged in the light-transmitting area of the light-emitting unit layer
  • a metal grid structure is provided in the area of the light emitting unit layer not covered by the hard mask pattern.
  • setting the hard mask pattern may include:
  • a hard mask layer is provided on the light emitting unit layer, and the hard mask layer is processed to form a hard mask pattern.
  • arranging a hard mask pattern in the light-transmitting area of the light-emitting unit layer may include:
  • a hard mask pattern is provided on part or all of the light-transmitting area of the light-emitting unit layer.
  • the hard mask pattern may also cover part of the opaque area of the light emitting unit layer.
  • processing the hard mask layer to form the hard mask pattern may include:
  • the hard mask layer is etched to form hard mask patterns.
  • etching the hard mask layer to form the hard mask pattern may include:
  • the portion of the hard mask layer that is not used for forming the hard mask pattern is removed by an etching process.
  • setting the hard mask pattern may include:
  • a hard mask pattern is arranged on the light-emitting surface of the light-emitting unit layer.
  • providing a metal grid structure may include:
  • the metal grid structure is provided by physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), electroplating, ink jet printing, coating, implantation, or printing.
  • PVD physical vapor deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • electroplating ink jet printing, coating, implantation, or printing.
  • providing a metal grid structure may include:
  • the metal grid structure is provided by means of electroplating.
  • an electroplating seed layer may also be provided on the light emitting unit layer before the hard mask pattern is provided.
  • an electroplating seed layer may also be arranged on the area of the light emitting unit layer that is not covered by the hard mask pattern.
  • the portion of the electroplating seed layer that is not plated with the metal grid structure may also be removed.
  • a capping layer for covering the metal grid structure may also be provided.
  • providing an overlay may include:
  • a capping layer is placed on the surface contained in the gaps of the hard mask pattern.
  • disposing the metal grid structure by means of deposition may include: disposing the metal grid structure by means of electroplating.
  • an electroplating seed layer may also be provided on the cover layer.
  • providing an overlay may include:
  • At least one of a hydrophobic layer, a hydrophilic layer, and an isolation layer is provided.
  • providing a metal grid structure may include:
  • Metal grid structures are placed in the gaps of the hard mask pattern.
  • the hard mask pattern may include light transmissive material as well as light converting material.
  • the hard mask pattern may also be removed and the light conversion material disposed on the metal grid structure.
  • providing the light conversion material may include:
  • the light converting material is disposed in the gaps of the metal grid structure.
  • the method for fabricating a light-emitting device includes the above-mentioned method for fabricating a light conversion layer.
  • the electronic device includes a processor and a memory storing program instructions, where the processor is configured to execute the above-mentioned method for fabricating a light conversion layer or a method for fabricating a light-emitting device when executing the program instructions .
  • the method for fabricating a light conversion layer, the method for fabricating a light-emitting device, and the electronic device provided by the embodiments of the present disclosure can achieve the following technical effects:
  • FIG. 1A is a schematic flowchart of a method for fabricating a light conversion layer provided by an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 1B , FIG. 1C , and FIG. 1D are schematic diagrams of principles for fabricating a light conversion layer provided by an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 2 is a schematic diagram of the principle of setting a hard mask pattern provided by an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 3 is a schematic diagram of another principle for setting a hard mask pattern provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of another principle for setting a hard mask pattern provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of another principle for setting a hard mask pattern provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of another principle for setting a hard mask pattern provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 7A, FIG. 7B, and FIG. 7C are schematic diagrams of the principle of setting an electroplating seed layer provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a schematic diagram of another principle for setting an electroplating seed layer provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 9 is a schematic diagram of the principle of setting a cover layer provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIGS. 10A and 10B are schematic diagrams of another principle for setting a cover layer provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a schematic diagram of another principle for setting an electroplating seed layer provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 12A, FIG. 12B, FIG. 12C, and FIG. 12D are another schematic diagram of the principle of setting a cover layer provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a schematic diagram of the principle of setting a metal grid structure provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 14 is another schematic schematic diagram for fabricating a light conversion layer provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 15 is another schematic schematic diagram for fabricating a light conversion layer provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 16 is a schematic diagram of the principle of setting a light conversion material provided by an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 17 is a schematic structural diagram of an electronic device provided by an embodiment of the present disclosure.
  • 110 light-emitting unit layer; 111: light-emitting unit; 112: light-emitting unit light isolation structure; 113: light-transmitting area; 114: non-transmitting area; 120: hard mask pattern; 130: metal grid structure; Quality mask layer; X: light exit surface; 150: electroplating seed layer; 160: cover layer; 161: light absorption layer; 163: light reflection layer; 170: gap; 171: surface; 180: gap; 190: light conversion material ; 191: light-transmitting material; 200: electronic device; 210: processor; 220: memory; 230: communication interface; 240: bus.
  • an embodiment of the present disclosure provides a method for fabricating a light conversion layer, including:
  • S120 Disposing a metal grid structure in the area of the light emitting unit layer that is not covered by the hard mask pattern.
  • the metal grid structure can provide effective isolation/support for each pixel in the light conversion layer (the position where the hard mask pattern is arranged can be used to arrange the pixels to realize light conversion), which is beneficial to the normal function of the light conversion layer. , try to avoid the light conversion effect from being affected.
  • a hard mask pattern 120 may be provided in the light-transmitting area 113 of the light-emitting unit layer 110 ;
  • the metal grid structure 130 is provided in the area not covered by the hard mask pattern 120 .
  • the portion located on the upper side of the dashed arrow exemplarily shows the overall shape of the metal grid structure 130 from a top view, eg, a grid shape.
  • the shape of the metal grid structure 130 from the perspective of the front view (for example: the cross-sectional shape of the metal grid structure 130 in the dotted line in the figure, hereinafter referred to as: the shape of the metal grid structure 130 ) ) can be trapezoidal, for example: a regular trapezoid.
  • the shape of the metal grid structure 130 may be determined according to actual conditions such as process requirements.
  • the shape of part or all of the metal grid structure 130 may be a rectangle, a regular trapezoid, an inverted trapezoid, a triangle, a polygon, and the like.
  • the metal grid structure 130 may include metal, for example, part or all of the metal grid structure 130 is made of metal material.
  • setting the hard mask pattern 120 may include:
  • a hard mask layer 140 is provided on the light emitting unit layer 110 , and the hard mask layer 140 is processed to form a hard mask pattern 120 .
  • disposing a hard mask pattern 120 in the light-transmitting area 113 of the light-emitting unit layer 110 may include:
  • a hard mask pattern 120 is provided on part or all of the light-transmitting region 113 of the light-emitting unit layer 110 .
  • a hard mask pattern 120 may be provided on all light-transmitting regions 113 of the light-emitting unit layer 110 .
  • a hard mask pattern 120 may be provided in a partial area of the light-transmitting area 113 of the light-emitting unit layer 110 .
  • a hard mask pattern 120 may be provided in all regions of a part of the light-transmitting regions 113 , and a hard mask pattern 120 may be provided in some regions of another part of the light-transmitting regions 113 .
  • Film pattern 120 .
  • the hard mask pattern 120 may also cover part of the light-opaque region 114 of the light-emitting unit layer 110 .
  • a hard mask pattern 120 may be provided in a part of the opaque areas 114 (for example: a partial area of the opaque area 114), and in another part The opaque area 114 is not provided with the hard mask pattern 120 .
  • processing the hard mask layer 140 to form the hard mask pattern 120 may include:
  • the hard mask layer 140 is etched to form the hard mask pattern 120 .
  • etching the hard mask layer 140 to form the hard mask pattern 120 may include:
  • the portion of the hard mask layer 140 that is not used for forming the hard mask pattern 120 is removed by an etching process.
  • the etching process may include dry etching, wet etching.
  • it may be determined whether the appropriate etching process is dry etching or wet etching according to actual conditions such as process requirements.
  • setting the hard mask pattern 120 may include:
  • a hard mask pattern 120 is provided on the light-emitting surface X of the light-emitting unit layer 110 .
  • disposing the metal grid structure 130 may include:
  • the metal grid structure 130 is provided by PVD, CVD, electroplating, ink jet printing, coating, implantation, or printing.
  • the above-mentioned injection manner may be vacuum injection.
  • the above-mentioned printing method may be screen printing.
  • the manner of disposing the metal grid structure 130 may be determined according to actual conditions such as process requirements.
  • disposing the metal grid structure 130 may include:
  • the metal grid structure 130 is provided by means of electroplating.
  • a plating seed layer 150 may be provided on the light emitting cell layer 110 before the hard mask pattern 120 is provided.
  • a plating seed layer 150 may be provided in the area of the light emitting cell layer 110 not covered by the hard mask pattern 120 .
  • a light emitting unit optical isolation structure 112 may be disposed between two adjacent light emitting units 111 .
  • the light-emitting unit light isolation structure 112 may include metal, for example, part or all of the light-emitting unit light isolation structure 112 is made of metal material.
  • the unplated metal grid of the plating seed layer 150 may also be removed after the plating of the metal grid structure 130 part of the lattice structure 130 .
  • a capping layer 160 for covering the metal grid structure 130 may also be provided.
  • the capping layer 160 may partially or fully surround the metal grid structure 130 .
  • the manner of disposing the capping layer 160 may be as shown in FIG. 10A , the capping layer 160 is disposed on the surface 171 included in the gap 170 of the hard mask pattern 120 .
  • cover layer 160 may be provided on part or all of surface 171 .
  • the manner of disposing the capping layer 160 may be as shown in FIG. 10B , disposing the capping layer 160 on the surface of the metal grid structure 130 .
  • disposing the metal grid structure 130 may include: disposing the metal grid structure 130 by means of electroplating.
  • an electroplating seed layer 150 may also be provided on the cover layer 160 .
  • the electroplating seed layer 150 may be disposed on part or all of the capping layer 160 .
  • disposing the cover layer 160 may include disposing at least one of a hydrophobic layer, a hydrophilic layer, and an isolation layer.
  • setting the isolation layer may include: setting an optical isolation layer.
  • disposing the light isolation layer may include: disposing the light absorbing layer 161 , for example, disposing the light absorbing layer 161 on the surface 171 included in the gap 170 of the hard mask pattern 120 .
  • the light absorbing layer 161 may be provided on part or all of the surface 171 .
  • disposing the light isolation layer may include: disposing the light reflecting layer 163 , for example, disposing the light reflecting layer 163 on the surface 171 included in the gap 170 of the hard mask pattern 120 .
  • the light reflective layer 163 may be provided on part or all of the surface 171 .
  • the light reflectivity of the light reflection layer 163 and the light reflectivity of the metal grid structure 130 may be the same or different.
  • the light reflectivity of the light reflection layer 163 may be higher than that of the metal grid structure 130 .
  • disposing the light isolation layer may include: disposing the light absorption layer 161 on the surface of the metal grid structure 130 .
  • disposing the light isolation layer may include: disposing the light reflection layer 163 on the surface of the metal grid structure 130 .
  • the light reflectivity of the light reflection layer 163 and the light reflectivity of the metal grid structure 130 may be the same or different.
  • the light reflectivity of the light reflection layer 163 may be higher than that of the metal grid structure 130 .
  • disposing the metal grid structure 130 may include:
  • the metal grid structure 130 is disposed in the gap 170 of the hard mask pattern 120 .
  • the hard mask pattern 120 may include a light-transmitting material 191 and a light-converting material 190 .
  • the hard mask pattern 120 may be obtained after curing; or, the hard mask pattern 120 may exist in the form of a hard material when set.
  • the hard mask pattern 120 including the light-transmitting material 191 and the light-converting material 190 can be used as pixels to realize light conversion. In this way, the metal grid structure 130 and the hard mask pattern 120 including the light conversion material 190 may form a light conversion layer.
  • the hard mask pattern 120 may also be removed, and the light conversion material 190 may be disposed on the metal grid structure 130 .
  • the light conversion material 190 disposed on the metal grid structure 130 can be used as a pixel to realize light conversion. In this way, the metal grid structure 130 and the light conversion material 190 disposed on the metal grid structure 130 can form a light conversion layer.
  • the hard mask pattern 120 may include hard materials such as silicon hard materials that are generally not easily deformed, for example, silicon-based materials such as silicon oxide.
  • silicon oxide may be silicon dioxide.
  • disposing the light conversion material 190 may include:
  • the light conversion material 190 is disposed in the gaps 180 of the metal grid structure 130 .
  • Disposing the hard mask pattern 120 on the light emitting unit layer 110 for example: disposing the hard mask pattern 120 on the light emitting surface X of the light emitting unit layer 110;
  • a capping layer 160 for covering the metal grid structure 130 is provided on the hard mask pattern 120;
  • the electroplating seed layer 150 is provided on the cover layer 160;
  • the hard mask pattern 120 is removed, and the light conversion material 190 is disposed on the metal grid structure 130;
  • the electroplating seed layer 150 may also be provided on the light emitting unit layer 110 , for example, the electroplating seed layer 150 may be provided on the light emitting surface X of the light emitting unit layer 110 to form the hard mask pattern 120 on the electroplating seed layer 150 . In this case, after the hard mask pattern 120 is provided, the portion of the plating seed layer 150 that is not plated with the metal grid structure 130 may be removed.
  • the method for fabricating a light-emitting device includes the above-mentioned method for fabricating a light conversion layer.
  • the light emitting device may be a light emitting module, a display screen, a display, and the like.
  • the display may include a display screen.
  • the display screen may include a light emitting module.
  • the light emitting module may include a light conversion layer.
  • the light emitting device may further include other components for supporting normal operation, such as at least one of components such as a communication interface, a frame, and a control circuit.
  • both 2D display and 3D display can be performed.
  • An embodiment of the present disclosure provides an electronic device, including a processor and a memory storing program instructions, the processor is configured to execute the above-mentioned method for fabricating a light conversion layer or fabricating a light-emitting device when executing the program instructions Methods.
  • the electronic device 200 may include:
  • a processor (processor) 210 and a memory (memory) 220 may also include a communication interface (Communication Interface) 230 and a bus 240 .
  • the processor 210 , the communication interface 230 , and the memory 220 can communicate with each other through the bus 240 .
  • Communication interface 230 may be used for information transfer.
  • the processor 210 may invoke logic instructions in the memory 220 to execute the method for fabricating a light conversion layer or the method for fabricating a light emitting device of the above-described embodiments.
  • logic instructions in the memory 220 can be implemented in the form of software functional units and can be stored in a computer-readable storage medium when sold or used as an independent product.
  • the memory 220 may be used to store software programs and computer-executable programs, such as program instructions/modules corresponding to the methods in the embodiments of the present disclosure.
  • the processor 210 executes functional applications and data processing by executing the program instructions/modules stored in the memory 220 , that is, implementing the method for fabricating a light conversion layer or a method for fabricating a light emitting device in the above method embodiments.
  • the memory 220 may include a storage program area and a storage data area, wherein the storage program area may store an operating system, an application program required for at least one function; the storage data area may store data created according to the use of the terminal device, and the like.
  • the memory 220 may include high-speed random access memory, and may also include non-volatile memory.
  • the plurality of light emitting units 111 included in the light emitting unit layer 110 may include at least one of a light emitting diode (LED), a mini (Mini) LED, and a micro (Micro) LED.
  • the plurality of light emitting units 111 may include other light emitting devices other than LEDs, Mini LEDs, and Micro LEDs.
  • the device type of the light-emitting unit 111 may be determined according to actual conditions such as process requirements, for example: LED, Mini LED, Micro LED or other light-emitting devices.
  • the method for fabricating a light conversion layer, the method for fabricating a light-emitting device, and the electronic device provided by the embodiments of the present disclosure can provide effective isolation/support for each pixel in the light conversion layer, which is beneficial to the normal functioning of the light conversion layer, Try to avoid the light conversion effect being affected.
  • Embodiments of the present disclosure provide a computer-readable storage medium storing computer-executable instructions, where the computer-executable instructions are configured to execute the above-mentioned method for fabricating a light conversion layer or a method for fabricating a light-emitting device.
  • An embodiment of the present disclosure provides a computer program product, including a computer program stored on a computer-readable storage medium, where the computer program includes program instructions, and when the program instructions are executed by a computer, the above-mentioned computer is caused to execute the above-mentioned method for making A method for a light conversion layer or a method for making a light emitting device.
  • the above-mentioned computer-readable storage medium may be a transient computer-readable storage medium, and may also be a non-transitory computer-readable storage medium.
  • the computer-readable storage medium and computer program product provided by the embodiments of the present disclosure can provide effective isolation/support for each pixel in the light conversion layer, which is conducive to the normal function of the light conversion layer, and avoids the light conversion effect being affected as much as possible.
  • the technical solutions of the embodiments of the present disclosure may be embodied in the form of a software product.
  • the computer software product is stored in a storage medium and includes at least one instruction to enable a computer device (which may be a personal computer, a server, or a network device, etc. ) to execute all or part of the steps of the methods of the embodiments of the present disclosure.
  • the aforementioned storage medium can be a non-transitory storage medium, including: U disk, removable hard disk, read-only memory (ROM, Read-Only Memory), random access memory (RAM, Random Access Memory), magnetic disk or optical disk, etc.
  • a first element could be termed a second element, and similarly, a second element could be termed a first element, so long as all occurrences of "the first element” were consistently renamed and all occurrences of "the first element” were named consistently
  • the “second element” can be renamed consistently.
  • the first element and the second element are both elements, but may not be the same element.
  • the terms used in this application are used to describe the embodiments only and not to limit the claims. As used in the description of the embodiments and the claims, the singular forms "a” (a), “an” (an) and “the” (the) are intended to include the plural forms as well, unless the context clearly dictates otherwise. .
  • the term “and/or” as used in this application is meant to include any and all possible combinations of one or more of the associated listings.
  • the term “comprise” and its variations “comprises” and/or including and/or the like refer to stated features, integers, steps, operations, elements, and/or The presence of a component does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components and/or groupings of these.
  • an element qualified by the phrase “comprising a" does not preclude the presence of additional identical elements in the process, method, or device that includes the element.
  • each embodiment may focus on the differences from other embodiments, and the same and similar parts between the various embodiments may refer to each other.
  • the methods, products, etc. disclosed in the embodiments if they correspond to the method sections disclosed in the embodiments, reference may be made to the descriptions of the method sections for relevant parts.
  • the disclosed methods and products may be implemented in other ways.
  • the apparatus embodiments described above are only illustrative.
  • the division of units may only be a logical function division.
  • multiple units or components may be combined or may be Integration into another system, or some features can be ignored, or not implemented.
  • the shown or discussed mutual coupling or direct coupling or communication connection may be through some interfaces, indirect coupling or communication connection of devices or units, and may be in electrical, mechanical or other forms.
  • Units described as separate components may or may not be physically separated, and components shown as units may or may not be physical units, that is, may be located in one place, or may be distributed to multiple network units. This embodiment may be implemented by selecting some or all of the units according to actual needs.
  • each functional unit in the embodiment of the present disclosure may be integrated into one processing unit, or each unit may exist physically alone, or two or more units may be integrated into one unit.
  • each block in the flowchart or block diagrams may represent a module, segment, or portion of code that contains at least one executable instruction for implementing the specified logical function .
  • the functions noted in the blocks may occur out of the order noted in the figures. For example, two or more blocks may, in fact, be executed substantially concurrently, or the blocks may sometimes be executed in the reverse order, depending upon the functionality involved.

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Abstract

本申请涉及光学技术领域，公开了一种用于制作光转换层的方法，包括：在发光单元层的透光区域设置硬质掩膜图形；在发光单元层的未被硬质掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构。本申请提供的用于制作光转换层的方法，能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑，有利于光转换层正常发挥功能，尽量避免光转换效果受到影响。本申请还公开了一种用于制作发光器件的方法和一种电子装置。

Description

用于制作光转换层、发光器件的方法和电子装置
本申请要求在2020年08月24日提交中国知识产权局、申请号为202010856298.1、发明名称为“用于制作光转换层、发光器件的方法和电子装置”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及光学技术领域，例如涉及一种用于制作光转换层的方法、用于制作发光器件的方法和电子装置。
背景技术
在显示领域，目前通常使用到光转换层，以对显示进行支持。
在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
尚未出现能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑的工艺，不利于光转换层正常发挥功能，影响光转换效果。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
本公开实施例提供了一种用于制作光转换层的方法、用于制作发光器件的方法和电子装置，以解决尚未出现能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑的工艺，不利于光转换层正常发挥功能，影响光转换效果的技术问题。
本公开实施例提供的用于制作光转换层的方法，包括：
在发光单元层的透光区域设置硬质掩膜图形；
在发光单元层的未被硬质掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构。
在一些实施例中，设置硬质掩膜图形，可以包括：
在发光单元层设置硬质掩膜层，对硬质掩膜层进行处理以形成硬质掩膜图形。
在一些实施例中，在发光单元层的透光区域设置硬质掩膜图形，可以包括：
在发光单元层的部分或全部透光区域设置硬质掩膜图形。
在一些实施例中，硬质掩膜图形还可以覆盖发光单元层的部分不透光区域。
在一些实施例中，对硬质掩膜层进行处理以形成硬质掩膜图形，可以包括：
对硬质掩膜层进行刻蚀以形成硬质掩膜图形。
在一些实施例中，对硬质掩膜层进行刻蚀以形成硬质掩膜图形，可以包括：
以刻蚀工艺去除硬质掩膜层中不用于形成硬质掩膜图形的部分。
在一些实施例中，设置硬质掩膜图形，可以包括：
在发光单元层的出光面设置硬质掩膜图形。
在一些实施例中，设置金属栅格结构，可以包括：
通过物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、电镀、喷墨打印、涂布、注入、或印刷的方式设置金属栅格结构。
在一些实施例中，设置金属栅格结构，可以包括：
通过电镀的方式设置金属栅格结构。
在一些实施例中，在设置硬质掩膜图形之前，还可以在发光单元层设置电镀种子层。可选地，在设置硬质掩膜图形之后，还可以在发光单元层的未被硬质掩膜图形覆盖的区域设置电镀种子层。
在一些实施例中，在设置硬质掩膜图形之前设置电镀种子层的情况下，在电镀金属栅格结构之后，还可以去除电镀种子层的未电镀有金属栅格结构的部分。
在一些实施例中，还可以设置用于覆盖金属栅格结构的覆盖层。
在一些实施例中，设置覆盖层，可以包括：
将覆盖层设置于硬质掩膜图形的间隙所包含的表面。
在一些实施例中，通过沉积的方式设置金属栅格结构，可以包括：通过电镀的方式设置金属栅格结构。可选地，还可以在覆盖层设置电镀种子层。
在一些实施例中，设置覆盖层，可以包括：
设置疏水层、亲水层、隔离层中至少之一。
在一些实施例中，设置金属栅格结构，可以包括：
将金属栅格结构设置于硬质掩膜图形的间隙中。
在一些实施例中，硬质掩膜图形可以包含透光材料以及光转换材料。
在一些实施例中，还可以去除硬质掩膜图形，在金属栅格结构设置光转换材料。
在一些实施例中，设置光转换材料，可以包括：
将光转换材料设置于金属栅格结构的间隙中。
本公开实施例提供的用于制作发光器件的方法，包括上述的用于制作光转换层的方法。
本公开实施例提供的电子装置，包括处理器和存储有程序指令的存储器，处理器被配 置为在执行程序指令时，执行上述的用于制作光转换层的方法或用于制作发光器件的方法。
本公开实施例提供的用于制作光转换层的方法、用于制作发光器件的方法和电子装置，可以实现以下技术效果：
能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑，有利于光转换层正常发挥功能，尽量避免光转换效果受到影响。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
至少一个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
图1A是本公开实施例提供的用于制作光转换层的方法的流程示意图；
图1B、图1C、图1D是本公开实施例提供的用于制作光转换层的原理示意图；
图2是本公开实施例提供的设置硬质掩膜图形的原理示意图；
图3是本公开实施例提供的设置硬质掩膜图形的另一原理示意图；
图4是本公开实施例提供的设置硬质掩膜图形的另一原理示意图；
图5是本公开实施例提供的设置硬质掩膜图形的另一原理示意图；
图6是本公开实施例提供的设置硬质掩膜图形的另一原理示意图；
图7A、图7B、图7C是本公开实施例提供的设置电镀种子层的原理示意图；
图8是本公开实施例提供的设置电镀种子层的另一原理示意图；
图9是本公开实施例提供的设置覆盖层的原理示意图；
图10A、图10B是本公开实施例提供的设置覆盖层的另一原理示意图；
图11是本公开实施例提供的设置电镀种子层的另一原理示意图；
图12A、图12B、图12C、图12D是本公开实施例提供的设置覆盖层的另一原理示意图；
图13是本公开实施例提供的设置金属栅格结构的原理示意图；
图14是本公开实施例提供的用于制作光转换层的另一原理示意图；
图15是本公开实施例提供的用于制作光转换层的另一原理示意图；
图16是本公开实施例提供的设置光转换材料的原理示意图；
图17是本公开实施例提供的电子装置的结构示意图。
附图标记：
110：发光单元层；111：发光单元；112：发光单元光隔离结构；113：透光区域；114：不透光区域；120：硬质掩膜图形；130：金属栅格结构；140：硬质掩膜层；X：出光面；150：电镀种子层；160：覆盖层；161：光吸收层；163：光反射层；170：间隙；171：表面；180：间隙；190：光转换材料；191：透光材料；200：电子装置；210：处理器；220：存储器；230：通信接口；240：总线。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，至少一个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
参见图1A，本公开实施例提供了一种用于制作光转换层的方法，包括：
S110：在发光单元层的透光区域设置硬质掩膜图形；
S120：在发光单元层的未被硬质掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构。
这样，金属栅格结构能够为光转换层中的各像素(设置有硬质掩膜图形的位置可以用于设置像素，以实现光转换)提供有效隔离/支撑，有利于光转换层正常发挥功能，尽量避免光转换效果受到影响。
参见图1B，在一些实施例中，基于本公开实施例提供的用于制作光转换层的方法，可以在发光单元层110的透光区域113设置硬质掩膜图形120；在发光单元层110的未被硬质掩膜图形120覆盖的区域设置金属栅格结构130。
参见图1C，在一些实施例中，位于虚线箭头上侧的部分从俯视图的角度示例性地示出了金属栅格结构130的整体形状，例如：呈网格状。
参见图1D，在一些实施例中，金属栅格结构130从主视图的角度的形状(例如：图中虚线内的金属栅格结构130的截面形状，以下简称为：金属栅格结构130的形状)可以呈梯形，例如：正梯形。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定金属栅格结构130的形状，例如：部分或全部金属栅格结构130的形状可以为矩形、正梯形、倒梯形、三角形，多边形，等。
在一些实施例中，金属栅格结构130可以包含金属，例如：金属栅格结构130中的部分或全部为金属材质。
参见图2，在一些实施例中，设置硬质掩膜图形120，可以包括：
在发光单元层110设置硬质掩膜层140，对硬质掩膜层140进行处理以形成硬质掩膜图形120。
参见图3，在一些实施例中，在发光单元层110的透光区域113设置硬质掩膜图形120，可以包括：
在发光单元层110的部分或全部透光区域113设置硬质掩膜图形120。
在一些实施例中，可以如图1B、图1C、图2中所示，在发光单元层110的全部透光区域113设置硬质掩膜图形120。可选地，可以如图3中所示，在发光单元层110的透光区域113中的部分区域设置硬质掩膜图形120。可选地，在发光单元层110的多个透光区域113中，可以在一部分透光区域113的全部区域设置硬质掩膜图形120，在另一部分透光区域113的部分区域设置硬质掩膜图形120。
参见图4，在一些实施例中，硬质掩膜图形120还可以覆盖发光单元层110的部分不透光区域114。可选地，在发光单元层110的多个不透光区域114中，可以在一部分不透光区域114(例如：不透光区域114的部分区域)设置硬质掩膜图形120，在另一部分不透光区域114不设置硬质掩膜图形120。
参见图5，在一些实施例中，对硬质掩膜层140进行处理以形成硬质掩膜图形120，可以包括：
对硬质掩膜层140进行刻蚀以形成硬质掩膜图形120。
在一些实施例中，对硬质掩膜层140进行刻蚀以形成硬质掩膜图形120，可以包括：
以刻蚀工艺去除硬质掩膜层140中不用于形成硬质掩膜图形120的部分。
在一些实施例中，刻蚀工艺可以包括干法刻蚀、湿法刻蚀。可选地，可以根据工艺需求等实际情况确定所应有的刻蚀工艺是干法刻蚀还是湿法刻蚀。
参见图6，在一些实施例中，设置硬质掩膜图形120，可以包括：
在发光单元层110的出光面X设置硬质掩膜图形120。
在一些实施例中，设置金属栅格结构130，可以包括：
通过PVD、CVD、电镀、喷墨打印、涂布、注入、或印刷等方式设置金属栅格结构130。可选地，上述的注入方式可以为真空注入。可选地，上述的印刷方式可以为丝网印刷。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定设置金属栅格结构130的方式。
在一些实施例中，设置金属栅格结构130，可以包括：
通过电镀的方式设置金属栅格结构130。
参见图7A，在一些实施例中，可以在设置硬质掩膜图形120之前，在发光单元层110设置电镀种子层150。
参见图7B，在一些实施例中，可以在设置硬质掩膜图形120之后，在发光单元层110的未被硬质掩膜图形120覆盖的区域设置电镀种子层150。
参见图7C，在一些实施例中，在发光单元层110所包括的多个发光单元111的部分或全部中，相邻的两个发光单元111之间可以设置有发光单元光隔离结构112。可选地，发光单元光隔离结构112可以包含金属，例如：发光单元光隔离结构112中的部分或全部为金属材质。
参见图8，在一些实施例中，在设置硬质掩膜图形120之前设置电镀种子层150的情况下，还可以在电镀金属栅格结构130之后，去除电镀种子层150的未电镀有金属栅格结构130的部分。
参见图9，在一些实施例中，还可以设置用于覆盖金属栅格结构130的覆盖层160。可选地，覆盖层160可以部分或全部包围金属栅格结构130。
在一些实施例中，设置覆盖层160的方式可以如图10A中所示，将覆盖层160设置于硬质掩膜图形120的间隙170所包含的表面171。可选地，可以将覆盖层160设置于表面171的部分或全部。
在一些实施例中，设置覆盖层160的方式可以如图10B中所示，在金属栅格结构130的表面设置覆盖层160。
在一些实施例中，设置金属栅格结构130，可以包括：通过电镀的方式设置金属栅格结构130。可选地，如图11中所示，还可以在覆盖层160设置电镀种子层150。可选地，可以将电镀种子层150设置于覆盖层160的部分或全部。
在一些实施例中，设置覆盖层160，可以包括：设置疏水层、亲水层、隔离层中至少之一。可选地，设置隔离层，可以包括：设置光隔离层。
参见图12A，在一些实施例中，设置光隔离层，可以包括：设置光吸收层161，例如：将光吸收层161设置于硬质掩膜图形120的间隙170所包含的表面171。可选地，可以将光吸收层161设置于表面171的部分或全部。
参见图12B，在一些实施例中，设置光隔离层，可以包括：设置光反射层163，例如：将光反射层163设置于硬质掩膜图形120的间隙170所包含的表面171。可选地，可以将光反射层163设置于表面171的部分或全部。可选地，光反射层163的光反射率与金属栅格结构130的光反射率可以相同或不同，例如：光反射层163的光反射率可以高于金属栅格结构130的光反射率。
参见图12C，在一些实施例中，设置光隔离层，可以包括：在金属栅格结构130的表面设置光吸收层161。
参见图12D，在一些实施例中，设置光隔离层，可以包括：在金属栅格结构130的表面设置光反射层163。可选地，光反射层163的光反射率与金属栅格结构130的光反射率可以相同或不同，例如：光反射层163的光反射率可以高于金属栅格结构130的光反射率。
参见图13，在一些实施例中，设置金属栅格结构130，可以包括：
将金属栅格结构130设置于硬质掩膜图形120的间隙170中。
参见图14，在一些实施例中，硬质掩膜图形120可以包含透光材料191以及光转换材料190。可选地，硬质掩膜图形120可以是经过固化处理后得到的；或，硬质掩膜图形120可以是在设置时即以硬质材料的方式存在。可选地，包含透光材料191以及光转换材料190的硬质掩膜图形120可以作为像素，以实现光转换。这样，金属栅格结构130以及包含光转换材料190的硬质掩膜图形120可以形成光转换层。
参见图15，在一些实施例中，还可以去除硬质掩膜图形120，在金属栅格结构130设置光转换材料190。可选地，设置于金属栅格结构130的光转换材料190可以作为像素，以实现光转换。这样，金属栅格结构130以及设置于金属栅格结构130的光转换材料190可以形成光转换层。
在一些实施例中，硬质掩膜图形120可以包括通常不易发生形变的硅硬质材料等硬质材料，例如：硅氧化物等硅基材料。可选地，硅氧化物可以是二氧化硅。
参见图16，在一些实施例中，设置光转换材料190，可以包括：
将光转换材料190设置于金属栅格结构130的间隙180中。
在一些实施例中，可以执行如下工艺步骤：
在发光单元层110设置硬质掩膜图形120，例如：在发光单元层110的出光面X设置硬质掩膜图形120；
在硬质掩膜图形120设置用于覆盖金属栅格结构130的覆盖层160；
在覆盖层160设置电镀种子层150；
在未被硬质掩膜图形120覆盖的区域设置金属栅格结构130；
去除硬质掩膜图形120，在金属栅格结构130设置光转换材料190；或，可以保留包含透光材料191以及光转换材料190的硬质掩膜图形120。
上述工艺步骤中，也可以在发光单元层110设置电镀种子层150，例如：在发光单元层110的出光面X设置电镀种子层150，以在电镀种子层150设置硬质掩膜图形120。在这种情况下，在设置硬质掩膜图形120之后，可以去除电镀种子层150的未电镀有金属栅格结构130的部分。
上述各工艺步骤的实现方式举例以及不同工艺步骤之间的执行关系(如先后顺序等) 举例，可以参见前述的相关描述和附图，在此不再赘述。
本公开实施例提供的用于制作发光器件的方法，包括上述的用于制作光转换层的方法。
在一些实施例中，发光器件可以是发光模组、显示屏、显示器等。可选地，显示器可以包括显示屏。可选地，显示屏可以包括发光模组。可选地，发光模组可以包括光转换层。
在一些实施例中，发光器件还可以包括用于支持正常运转的其他构件，例如：通信接口、框架、控制电路等构件中的至少之一。
在一些实施例中，无论发光器件是发光模组、显示屏还是显示器，均可以进行2D显示，也可以进行3D显示。
本公开实施例提供了一种电子装置，包括处理器和存储有程序指令的存储器，处理器被配置为在执行程序指令时，执行上述的用于制作光转换层的方法或用于制作发光器件的方法。
参见图17，在一些实施例中，电子装置200可以包括：
处理器(processor)210和存储器(memory)220，还可以包括通信接口(Communication Interface)230和总线240。其中，处理器210、通信接口230、存储器220可以通过总线240完成相互间的通信。通信接口230可以用于信息传输。处理器210可以调用存储器220中的逻辑指令，以执行上述实施例的用于制作光转换层的方法或用于制作发光器件的方法。
此外，上述的存储器220中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
存储器220作为一种计算机可读存储介质，可用于存储软件程序、计算机可执行程序，如本公开实施例中的方法对应的程序指令/模块。处理器210通过运行存储在存储器220中的程序指令/模块，从而执行功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中的用于制作光转换层的方法或用于制作发光器件的方法。
存储器220可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序；存储数据区可存储根据终端设备的使用所创建的数据等。此外，存储器220可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器。
在一些实施例中，发光单元层110所包括的多个发光单元111可以包括：发光二极管(LED)、迷你(Mini)LED、微(Micro)LED中至少之一。可选地，多个发光单元111可以包括除了LED、Mini LED、Micro LED以外的其他发光器件。可选地，可以根据工艺需求等实际情况确定发光单元111的器件类型，例如：LED、Mini LED、Micro LED或其他发光器件。
本公开实施例提供的用于制作光转换层的方法、用于制作发光器件的方法和电子装置， 能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑，有利于光转换层正常发挥功能，尽量避免光转换效果受到影响。
本公开实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令设置为执行上述的用于制作光转换层的方法或用于制作发光器件的方法。
本公开实施例提供了一种计算机程序产品，包括存储在计算机可读存储介质上的计算机程序，该计算机程序包括程序指令，当该程序指令被计算机执行时，使上述计算机执行上述的用于制作光转换层的方法或用于制作发光器件的方法。
上述的计算机可读存储介质可以是暂态计算机可读存储介质，也可以是非暂态计算机可读存储介质。
本公开实施例提供的计算机可读存储介质和计算机程序产品，能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑，有利于光转换层正常发挥功能，尽量避免光转换效果受到影响。
本公开实施例的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括至少一个指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本公开实施例的方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质可以是非暂态存储介质，包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等多种可以存储程序代码的介质，也可以是暂态存储介质。
以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例，以使本领域技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。本公开实施例的范围包括权利要求书的整个范围，以及权利要求书的所有可获得的等同物。当用于本申请中时，虽然术语“第一”、“第二”等可能会在本申请中使用以描述各元件，但这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区别开。比如，在不改变描述的含义的情况下，第一元件可以叫做第二元件，并且同样地，第二元件可以叫做第一元件，只要所有出现的“第一元件”一致重命名并且所有出现的“第二元件”一致重命名即可。第一元件和第二元件都是元件，但可以不是相同的元件。而且，本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数形式的“一个”(a)、“一个”(an)和“所述”(the)旨在同样包括复数形式。类似地，如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外，当用于本申请中时，术语“包括”(comprise)及 其变型“包括”(comprises)和/或包括(comprising)等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素，和/或组件的存在，但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个…”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中，每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言，如果其与实施例公开的方法部分相对应，那么相关之处可以参见方法部分的描述。
本领域技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，可以取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。本领域技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法以实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本公开实施例的范围。本领域技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本文所披露的实施例中，所揭露的方法、产品(包括但不限于装置、设备等)，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，可以仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例。另外，在本公开实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
在附图中，考虑到清楚性和描述性，可以夸大元件或层等结构的宽度、长度、厚度等。当元件或层等结构被称为“设置在”(或“安装在”、“铺设在”、“贴合在”、“涂布在”等类似描述)另一元件或层“上方”或“上”时，该元件或层等结构可以直接“设置在”上述的另一元件或层“上方”或“上”，或者可以存在与上述的另一元件或层之间的中间元件或层等结构，甚至有一部分嵌入上述的另一元件或层。
附图中的流程图和框图显示了根据本公开实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模 块、程序段或代码的一部分，上述模块、程序段或代码的一部分包含至少一个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个或更多的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这可以依所涉及的功能而定。在附图中的流程图和框图所对应的描述中，不同的方框所对应的操作或步骤也可以以不同于描述中所披露的顺序发生，有时不同的操作或步骤之间不存在特定的顺序。例如，两个或更多的操作或步骤实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这可以依所涉及的功能而定。框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。以上所述方式可以应用于附图及其对应的描述，也可以应用于不与附图对应的描述。

Claims (21)

  1. 一种用于制作光转换层的方法，包括：
    在发光单元层的透光区域设置硬质掩膜图形；
    在所述发光单元层的未被所述硬质掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构。
  2. 根据权利要求1所述的方法，其中，设置所述硬质掩膜图形，包括：
    在所述发光单元层设置硬质掩膜层，对所述硬质掩膜层进行处理以形成所述硬质掩膜图形。
  3. 根据权利要求2所述的方法，其中，在发光单元层的透光区域设置硬质掩膜图形，包括：
    在所述发光单元层的部分或全部透光区域设置所述硬质掩膜图形。
  4. 根据权利要求3所述的方法，其中，所述硬质掩膜图形还覆盖所述发光单元层的部分不透光区域。
  5. 根据权利要求2所述的方法，其中，对所述硬质掩膜层进行处理以形成所述硬质掩膜图形，包括：
    对所述硬质掩膜层进行刻蚀以形成所述硬质掩膜图形。
  6. 根据权利要求5所述的方法，其中，对所述硬质掩膜层进行刻蚀以形成所述硬质掩膜图形，包括：
    以刻蚀工艺去除所述硬质掩膜层中不用于形成所述硬质掩膜图形的部分。
  7. 根据权利要求1所述的方法，其中，设置所述硬质掩膜图形，包括：
    在所述发光单元层的出光面设置所述硬质掩膜图形。
  8. 根据权利要求1至7任一项所述的方法，其中，设置所述金属栅格结构，包括：
    通过物理气相沉积PVD、化学气相沉积CVD、电镀、喷墨打印、涂布、注入、或印刷的方式设置所述金属栅格结构。
  9. 根据权利要求8所述的方法，其中，设置所述金属栅格结构，包括：
    通过电镀的方式设置所述金属栅格结构。
  10. 根据权利要求9所述的方法，还包括：
    在设置所述硬质掩膜图形之前，在所述发光单元层设置电镀种子层；或
    在设置所述硬质掩膜图形之后，在所述发光单元层的未被所述硬质掩膜图形覆盖的区域设置电镀种子层。
  11. 根据权利要求10所述的方法，其中，在设置所述硬质掩膜图形之前设置所述电镀种子层的情况下，还包括：
    在电镀所述金属栅格结构之后，去除所述电镀种子层的未电镀有所述金属栅格结构的部分。
  12. 根据权利要求8所述的方法，还包括：设置用于覆盖所述金属栅格结构的覆盖层。
  13. 根据权利要求12所述的方法，其中，设置所述覆盖层，包括：
    将所述覆盖层设置于所述硬质掩膜图形的间隙所包含的表面。
  14. 根据权利要求12所述的方法，其中，
    设置所述金属栅格结构，包括：通过电镀的方式设置所述金属栅格结构；
    所述方法，还包括：在所述覆盖层设置电镀种子层。
  15. 根据权利要求12所述的方法，其中，设置所述覆盖层，包括：
    设置疏水层、亲水层、隔离层中至少之一。
  16. 根据权利要求8至15任一项所述的方法，其中，设置所述金属栅格结构，包括：
    将所述金属栅格结构设置于所述硬质掩膜图形的间隙中。
  17. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述硬质掩膜图形包含透光材料以及光转换材料。
  18. 根据权利要求1所述的方法，还包括：
    去除所述硬质掩膜图形；
    在所述金属栅格结构设置光转换材料。
  19. 根据权利要求18所述的方法，其中，设置所述光转换材料，包括：
    将所述光转换材料设置于所述金属栅格结构的间隙中。
  20. 一种用于制作发光器件的方法，包括如权利要求1至19任一项所述的方法。
  21. 一种电子装置，包括处理器和存储有程序指令的存储器，所述处理器被配置为在执行所述程序指令时，执行如权利要求1至20任一项所述的方法。
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