WO2022033196A1 - 对准图形 - Google Patents

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WO2022033196A1
WO2022033196A1 PCT/CN2021/102339 CN2021102339W WO2022033196A1 WO 2022033196 A1 WO2022033196 A1 WO 2022033196A1 CN 2021102339 W CN2021102339 W CN 2021102339W WO 2022033196 A1 WO2022033196 A1 WO 2022033196A1
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light
sub
transmitting
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汪美里
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Changxin Memory Technologies Inc
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Changxin Memory Technologies Inc
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Definitions

  • the present application relates to an alignment pattern.
  • a first aspect of the present application provides an alignment pattern, comprising:
  • first opaque area a first opaque area
  • the first opaque area and the transparent area are located on the same plane, and the area of the first opaque area is larger than the area of the transparent area
  • the orthographic projection of the first opaque region on the plane does not overlap with the orthographic projection of the light-transmitting region on the plane, and forms a first rectangular region.
  • FIG. 1 is a schematic top view of an alignment pattern provided in an embodiment of the present application.
  • FIG. 2 is a schematic top view of an alignment pattern provided in another embodiment of the present application.
  • FIG. 3 is a schematic top view of an alignment pattern provided in another embodiment of the present application.
  • FIG. 4 is a schematic top view of an alignment pattern provided in yet another embodiment of the present application.
  • FIG. 5 is a schematic top view of an alignment pattern in the prior art.
  • the alignment patterns are always difficult to meet the expected requirements in the process of practical application.
  • the alignment patterns need to be staggered and distributed on the surface of the wafer.
  • the alignment patterns will suffer The higher intensity of exposure affects the image quality of the alignment pattern, thereby affecting the alignment effect of the alignment pattern.
  • transmittance in this application means that the transmittance of light is greater than or equal to the preset minimum threshold; “opaque” in this application means that the transmittance of light is less than or equal to The preset maximum threshold.
  • an alignment pattern which includes a light-transmitting area and a first non-light-transmitting area, the first non-transmitting area and the light-transmitting area are located on the same plane, and the The area of the first opaque area is larger than the area of the transparent area; wherein, the orthographic projection of the first opaque area on the plane does not overlap with the orthographic projection of the transparent area on the plane And form a first rectangular area.
  • the first opaque area and the translucent area in the alignment pattern are arranged on the same plane, and the first opaque area is on the same plane as the plane.
  • the orthographic projection has no overlap with the orthographic projection of the light-transmitting area on the plane and forms a first rectangular area, and the area of the first opaque area is set larger than that of the light-transmitting area.
  • the present application increases the area of the opaque region in the alignment pattern by setting the area of the first opaque area to be larger than the area of the light transmissive area, reduces the light intensity of the light received by the chip, and avoids When adjacent exposure fields are exposed at the same time, the exposure light intensity to which the alignment pattern is subjected is relatively high, which affects the image quality of the alignment pattern.
  • an alignment pattern including a light-transmitting area (not shown in FIG. 1 ) and a first opaque area (not shown in FIG. 1 ) out), the first opaque area and the translucent area are located on the same plane, and the area of the first opaque area is larger than the area of the translucent area; wherein, the first opaque area is The orthographic projection of the region on the plane does not overlap with the orthographic projection of the light-transmitting region on the plane, and forms a first rectangular region 100 .
  • the first opaque area includes a first sub-rectangular area 10, a plurality of second sub-rectangular areas 20 arranged at intervals, and a plurality of third sub-rectangular areas 30 arranged at intervals, and the first sub-rectangular area 10 is located in the first sub-rectangular area.
  • the side of any first sub-rectangular area 10 is perpendicular to the two opposite sides of the first rectangular area 10, and is parallel to the other two opposite sides of the first rectangular area 10;
  • a plurality of second sub-rectangular regions 20 are arranged at intervals and are distributed on opposite sides of the first sub-rectangular region 10 along a first direction such as the x direction shown in FIG.
  • a plurality of third sub-rectangular regions 30 are arranged at intervals and along the The second direction, such as the y direction shown in FIG. 1 , is distributed on opposite sides of the first sub-rectangular region 10 , and the first direction is perpendicular to the second direction; wherein, the extension of the plurality of second sub-rectangular regions 20 The direction is parallel to the extending direction of the plurality of third sub-rectangular regions 30 .
  • the first opaque area to include a first sub-rectangular area 10 located in the middle of the first rectangular area 100 , and setting the sides of any first sub-rectangular area 10 and the first sub-rectangular area 10
  • Two opposite sides of a rectangular area 100 are both perpendicular and parallel to the other two opposite sides of the first rectangular area 100, so as to achieve alignment through the first sub-rectangular area 10; by setting a plurality of second sub-rectangular areas 100
  • the rectangular areas 20 are arranged at intervals and distributed on opposite sides of the first sub-rectangular area 10 along the first direction, and a plurality of third sub-rectangular areas 30 are arranged at intervals and distributed along the second direction in the first sub-rectangular area On the opposite sides of the In the case of the area of the opaque area in a rectangular area 100 , it is convenient to achieve precise alignment through the first sub-rectangular area 10 , the second sub-rectangular area 20 and the third sub-rectangular area 30
  • each of the second sub-rectangular regions 20 is symmetrically distributed on both sides of the symmetry axis extending along the second direction of the first sub-rectangular region 10 .
  • each of the third sub-rectangular regions 30 is symmetrically distributed on both sides of the symmetry axis extending along the first direction of the first sub-rectangular region 10 .
  • each second sub-rectangular area 20 symmetrically distributed on both sides of the symmetry axis extending along the second direction of the first sub-rectangular area 10
  • each third sub-rectangular area 30 is symmetrically distributed on both sides of the symmetry axis extending along the first direction of the first sub-rectangular area 10, which reduces the complexity of the alignment graphic design and facilitates the The alignment accuracy of the alignment pattern is improved.
  • the width of each second sub-rectangular area 20 located on the same side of the first sub-rectangular area 10 is 0.05 ⁇ m-0.25 ⁇ m, for example, the width of each second sub-rectangular area 20 located on the same side of the first sub-rectangular area 10
  • the width of each second sub-rectangular region 20 on the same side of the rectangular region 10 may be 0.1 ⁇ m or 0.2 ⁇ m; and the minimum distance between adjacent second sub-rectangular regions 20 on the same side of the first sub-rectangular region 10 is 0.15 ⁇ m-0.45 ⁇ m, for example, the minimum distance value between adjacent second sub-rectangular regions 20 located on the same side of the first sub-rectangular region 10 may be 0.2 ⁇ m or 0.4 ⁇ m.
  • the width of each third sub-rectangular area 30 located on the same side of the first sub-rectangular area 10 is 0.05 ⁇ m-0.25 ⁇ m, for example, the width of each third sub-rectangular area 30 located on the same side of the first sub-rectangular area 10
  • the width of each third sub-rectangular region 30 on the same side of the rectangular region 10 may be 0.1 ⁇ m or 0.2 ⁇ m; and the minimum distance between adjacent third sub-rectangular regions 30 on the same side of the first sub-rectangular region 10 is 0.15 ⁇ m-0.45 ⁇ m, for example, the minimum distance value between adjacent third sub-rectangular regions 30 located on the same side of the first sub-rectangular region 10 may be 0.2 ⁇ m or 0.4 ⁇ m.
  • an alignment pattern is provided, which further includes a second opaque area 40 , and the second opaque area 40 is arranged around the first rectangular area 100 ,
  • the orthographic projection of the second opaque area 40 on the plane does not overlap with the orthographic projection of the first rectangular area 100 on the plane, and forms a second rectangular area 200 ;
  • the two opposite sides of the first rectangular area 100 are both perpendicular and parallel to the other two opposite sides of the first rectangular area 100 .
  • a second opaque area 40 is arranged around the outer side of the first rectangular area 100 ;
  • the orthographic projection which does not overlap with the orthographic projection of the first rectangular area 100 on the plane, forms a second rectangular area 200, and sets the side of any second rectangular area 200 and the two opposite sides of the first rectangular area 100 to be equal to each other.
  • Vertical and parallel to the other two opposite sides of the first rectangular area 100 in the case of relatively increasing the area of the opaque area in the second rectangular area 200 , it is convenient to achieve precise alignment through the alignment pattern .
  • the distance between the side of any second rectangular area 200 and the side of the adjacent first rectangular area 100 is 0.15 ⁇ m-0.25 ⁇ m, for example , the distance between the side of any second rectangular area 200 and the side of the adjacent first rectangular area 100 may be 0.2 ⁇ m.
  • the light-transmitting area includes a first rectangular light-transmitting area 301 , a second rectangular light-transmitting area 302 , and a third rectangular light-transmitting area 302 .
  • the light-transmitting area 303 and the fourth rectangular light-transmitting area 304, the extension direction of the first rectangular light-transmitting area 301 is parallel to the extending direction of the first rectangular area 100;
  • the second rectangular light-transmitting area 302 extends in the same direction as the first rectangular light-transmitting area 301 ;
  • the third rectangular light-transmitting area 303 is located in the first rectangular light-transmitting area 303 Between the region 301 and the second rectangular light-transmitting region 302, the extending direction of the third rectangular light-transmitting region 303 is perpendicular to the extending direction of the first rectangular light-transmitting region 301, and the length of the third rectangular light-transmitting region 303 is smaller than that of the first rectangle
  • the fourth rectangular light-transmitting area 304 is located between the first rectangular light-transmitting area 301 and the second rectangular light-transmitting area
  • the light-transmitting regions include a first rectangular light-transmitting region 301 , a second rectangular light-transmitting region 302 , a third rectangular light-transmitting region 303 and a fourth rectangular light-transmitting region 304 .
  • the extending direction of a rectangular transparent area 301 is parallel to the extending direction of the first rectangular area 100 ; the second rectangular transparent area 302 is located on one side of the first rectangular transparent area 301 and has a distance from the first rectangular transparent area 301 , The extending direction of the second rectangular light-transmitting area 302 is the same as the extending direction of the first rectangular light-transmitting area 301; The extending direction of the three rectangular light-transmitting regions 303 is perpendicular to the extending direction of the first rectangular light-transmitting region 301 , and the length of the third rectangular light-transmitting region 303 is smaller than that between the first rectangular light-transmitting region 301 and the second rectangular light-transmitting region 302 The fourth rectangular transparent area 304 is located between the first rectangular transparent area 301 and the second rectangular transparent area 302, and the extension direction of the fourth rectangular transparent area 304 is the same as the extension of the first rectangular transparent area 301.
  • the direction is vertical, and the minimum distance between the fourth rectangular transparent area 304 and the third rectangular transparent area 303 is greater than the length of the first rectangular transparent area 301 and the length of the second rectangular transparent area 302 .
  • the light-transmitting area to include an alignment pattern, it is convenient to achieve precise alignment through the alignment pattern, and the area outside the light-transmitting area in the first rectangular area 100 is set as a non-light-transmitting area, so as to relatively increase the alignment pattern.
  • the length value of the first rectangular light-transmitting area 301 is 5.5 ⁇ m-8.5 ⁇ m, for example, the length value of the first rectangular light-transmitting area 301 may be 6 ⁇ m or 8 ⁇ m, the width of the first rectangular transparent area 301 is 0.75 ⁇ m-1.05 ⁇ m, for example, the width of the first rectangular transparent area 301 can be 0.8 ⁇ m or 1 ⁇ m; the length of the second rectangular transparent area 302 is 5.5 ⁇ m-8.5 ⁇ m, for example, the length value of the second rectangular light-transmitting area 302 can be 6 ⁇ m or 8 ⁇ m, and the width value of the second rectangular light-transmitting area is 0.75 ⁇ m-1.05 ⁇ m, for example, the second rectangular light-transmitting area
  • the width value of 302 can be 0.8 ⁇ m or 1 ⁇ m; the length value of the third rectangular light-transmitting area 303 is
  • the light-transmitting area includes a first square light-transmitting area 401 , and the first square light-transmitting area 401 is located in a first rectangular In the middle of the area 100 , the side of any first square light-transmitting area 401 is perpendicular to the two opposite sides of the first rectangular area 100 and parallel to the other two opposite sides of the first rectangular area 100 .
  • the light-transmitting area to include a first square light-transmitting area 401 located in the middle of the first rectangular area 100 , and setting any side of the first square light-transmitting area 401 to the first rectangle
  • the two opposite sides of the area 100 are both perpendicular and parallel to the other two opposite sides of the first rectangular area 100 .
  • by setting an alignment pattern including a square in the light-transmitting area while reducing the design complexity of the alignment pattern, it is convenient to achieve precise alignment through the alignment pattern, and setting the alignment pattern outside the light-transmitting area in the first rectangular area
  • the area of is an opaque area to relatively increase the area of the opaque area in the alignment pattern.
  • the side length of the first square light-transmitting area 401 is 9.5 ⁇ m-16.5 ⁇ m, for example, the side length of the first square light-transmitting area 401 may be 10 ⁇ m , 12 ⁇ m, 14 ⁇ m or 16 ⁇ m.
  • FIG. 5 is a rectangular alignment pattern 500 in the prior art.
  • the rectangular alignment pattern 500 includes a second square light-transmitting area 50 located in the middle of the rectangular alignment pattern 500, and the first sub-rectangle is opaque.
  • the light area 502, the third sub-rectangular opaque area 503 and the fourth sub-rectangular opaque area 504 are distributed around the second square light-transmitting area 50 at intervals, and have a distance from the second square light-transmitting area 50;
  • the extension direction of the first sub-rectangular opaque area 501 is parallel to the extending direction of the second sub-rectangular opaque area 502, and the first sub-rectangular opaque area 501 and the second sub-rectangular opaque area 502 are distributed in the first sub-rectangular opaque area 502.
  • the third sub-rectangular light-transmitting region 503 and the fourth sub-rectangular light-transmitting region 504 are distributed on the other opposite sides of the second square light-transmitting region 50 .
  • the extending direction of the rectangular opaque area 503 is parallel to the extending direction of the fourth sub-rectangular opaque area 504 , and the extending direction of the third sub-rectangular opaque area 503 is parallel to the extending direction of the first sub-rectangular opaque area 501 Vertical; the third sub-rectangle opaque area 503 and the fourth sub-rectangle opaque area 504 are both located between the first sub-rectangle opaque area 501 and the second sub-rectangle opaque area 502, and the third sub-rectangle is not
  • the length of the light-transmitting area 503 is smaller than the minimum distance between the first sub-rectangular non-transparent area 501 and the second sub-rectangular non-transparent area 502, and the length of the fourth sub-rectangular non-transparent area 504 is smaller than the length of the first sub-rectangular non-transparent area 504.
  • the other two opposite sides of the second square light-transmitting area 50 are parallel.
  • FIG. 1 , FIG. 2 , FIG. 3 and FIG. 4 By comparing the areas of the opaque regions in FIG. 1 , FIG. 2 , FIG. 3 and FIG. 4 with the areas of the opaque regions in FIG. 5 , it can be found that FIG. 1 , FIG. 2 , FIG. 3 and FIG. 4
  • the area of the opaque area in the alignment pattern is relatively increased, thereby reducing the light intensity of the light received by the chip and avoiding the exposure of the alignment pattern when the adjacent exposure fields are exposed at the same time. Intensity is high, resulting in a situation that affects the image quality of the alignment pattern.
  • the exposure energy required by the DNW layer is relatively high, which will cause the exposure intensities between adjacent exposure fields to influence each other, resulting in the exposure of the alignment pattern to a higher degree of exposure.
  • the light intensity is higher.
  • by relatively increasing the area of the opaque area in the alignment pattern the light intensity of the light received by the chip is reduced, and the alignment caused by the simultaneous exposure of adjacent exposure fields is effectively avoided. Graphics are exposed to higher light levels, creating conditions that affect the image quality of the aligned graphics.

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Abstract

一种对准图形，包括：透光区域；以及第一不透光区域，第一不透光区域与透光区域位于同一平面上，第一不透光区域的面积大于透光区域的面积；其中，第一不透光区域在平面的正投影，与透光区域在平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域(100)。

Description

对准图形
相关申请交叉引用
本申请要求2020年08月14日递交的、标题为“对准图形”、申请号为2020108180243的中国申请，其公开内容通过引用全部结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及一种对准图形。
背景技术
由于半导体器件已进入纳米技术工艺节点，以追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本，这对多层图案化工艺提出了更高的要求。例如，在不同层上分别设置图案化的小器件要求各层之间的对准(overlay)精准，要求相邻层之间的对准误差(overlay error)达到预设的范围，且对准误差直接影响制成的晶圆的产品质量，甚至影响制成半导体器件的良品率。
发明内容
根据多个实施例，本申请第一方面提供一种对准图形，包括：
透光区域；以及
第一不透光区域，所述第一不透光区域与所述透光区域位于同一平面上，所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积；
其中，所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域。
本申请的一个或多个实施例的细节在下面的附图和描述中提出。本申请的其它特征和优点将从说明书、附图以及权利要求书变得明显。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例中提供的一种对准图形的俯视图示意图。
图2为本申请另一实施例中提供的一种对准图形的俯视图示意图。
图3为本申请又一实施例中提供的一种对准图形的俯视图示意图。
图4为本申请再一实施例中提供的一种对准图形的俯视图示意图。
图5为现有技术中的一种对准图形的俯视图示意图。
附图标记说明：
100、第一矩形区域；10、第一子矩形区域；20、第二子矩形区域；30、第三子矩形区域；40、第二不透光区域；200、第二矩形区域；301、第一矩形透光区域；302、第二矩形透光区域；303、第三矩形透光区域；304、第四矩形透光区域；401、第一正方形透光区域；50、第二正方形透光区域；500、矩形状的对准图形；501、第一子矩形不透光区域；502、第二子矩形不透光区域；503、第三子矩形不透光区域；504、第四子矩形不透光区域。
具体实施方式
传统的各种对准图形在实际应用的过程中总是难以达到预期的要求。一 方面，为了减小晶圆表面的切割道(Scribe line)的宽度，对准图形需要交错地分布于晶圆的表面，在相邻的曝光场同时曝光的情况下会使得对准图形承受的曝光的强度较高，影响对准图形的图像质量，从而影响对准图形的对准效果。
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。另外，贯穿说明书和跟随的权利要求中所使用的某些术语指代特定元件。本领域的技术人员会理解为，制造商可以用不同的名字指代元件。本文件不想要区分名字不同但是功能相同的元件。在以下的描述和实施例中，术语“包含”和“包括”都是开放式使用的，因此应该解读为“包含，但不限于……”。同样，术语“连接”想要表达间接或直接的电气连接。相应地，如果一个设备被连接到另一个设备上，连接可以通过直接的电气连接完成，或者通过其他设备和连接件的间接电气连接完成。
应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件和另一个元件区分开。例如，在不脱离本申请的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
需要说明书的是，本申请中的“透光”指得是光线的透过率大于或等于 预设的最低阈值；本申请中的“不透光”指得是光线的透过率小于或等于预设的最高阈值。
在本申请的一个实施例中，提供的一种对准图形，包括透光区域及第一不透光区域，所述第一不透光区域与所述透光区域位于同一平面上，所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积；其中，所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域。
具体地，于上述实施例中的对准图形中，通过设置对准图形中的第一不透光区域与透光区域位于同一平面上，且所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域，并设置所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积。相对于传统的对准图形，本申请通过设置第一不透光区域的面积大于透光区域的面积，以增加对准图形中不透光区域的面积，减少芯片接收光的光强，避免在相邻的曝光场同时曝光的情况下，导致对准图形承受的曝光的光强较高，产生影响对准图形的图像质量的情况。
进一步地，请参考图1，在本申请的一个实施例中，提供的一种对准图形，包括透光区域(图1中未示出)及第一不透光区域(图1中未示出)，所述第一不透光区域与所述透光区域位于同一平面上，所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积；其中，所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域100。所述第一不透光区域包括第一子矩形区域10、间隔排布的多个第二子矩形区域20及间隔排布的多个第三子矩形区域30，第一子矩形区域10位于第一矩形区域100的中部，任一第一子矩形区域10的边与第一矩形区域10 的两条相对的边均垂直，且与第一矩形区域10的另外两条相对的边均平行；多个第二子矩形区域20间隔排布且沿第一方向例如图1所示的x方向分布于第一子矩形区域10的相对的两侧；多个第三子矩形区域30间隔排布且沿第二方向例如图1所示的y方向分布于第一子矩形区域10的相对的两侧，所述第一方向与所述第二方向垂直；其中，多个第二子矩形区域20的延伸方向与多个第三子矩形区域30的延伸方向平行。
具体地，请继续参考图1，通过设置所述第一不透光区域包括位于第一矩形区域100的中部的第一子矩形区域10，并设置任一第一子矩形区域10的边与第一矩形区域100的两条相对的边均垂直，且与第一矩形区域100的另外两条相对的边均平行，以便于通过第一子矩形区域10实现对准；通过设置多个第二子矩形区域20间隔排布且沿第一方向分布于第一子矩形区域10的相对的两侧，并设置多个第三子矩形区域30间隔排布且沿第二方向分布于第一子矩形区域10的相对的两侧，所述第一方向与所述第二方向垂直，且多个第二子矩形区域20的延伸方向与多个第三子矩形区域30的延伸方向平行，在相对增加第一矩形区域100中的不透光区域的面积的情况下，便于通过第一子矩形区域10、第二子矩形区域20及第三子矩形区域30实现精准对准。
作为示例，请继续参考图1，各个第二子矩形区域20对称地分布于第一子矩形区域10的沿所述第二方向延伸的对称轴的两侧。
作为示例，请继续参考图1，各个第三子矩形区域30对称地分布于第一子矩形区域10的沿所述第一方向延伸的对称轴的两侧。
于上述实施例中的对准图形中，请继续参考图1，通过设置各个第二子矩形区域20对称地分布于第一子矩形区域10的沿所述第二方向延伸的对称轴的两侧，及/或各个第三子矩形区域30对称地分布于第一子矩形区域10的 沿所述第一方向延伸的对称轴的两侧，在降低了对准图形设计的复杂度的同时，便于提高所述对准图形的对准精度。
作为示例，请继续参考图1，在本申请的一个实施例中，位于第一子矩形区域10同侧的各个第二子矩形区域20的宽度为0.05μm-0.25μm，例如，位于第一子矩形区域10同侧的各个第二子矩形区域20的宽度可以为0.1μm或0.2μm；且位于第一子矩形区域10同侧的相邻的第二子矩形区域20之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm，例如，位于第一子矩形区域10同侧的相邻的第二子矩形区域20之间的最小距离值可以为0.2μm或0.4μm。
作为示例，请继续参考图1，在本申请的一个实施例中，位于第一子矩形区域10同侧的各个第三子矩形区域30的宽度为0.05μm-0.25μm，例如，位于第一子矩形区域10同侧的各个第三子矩形区域30的宽度可以为0.1μm或0.2μm；且位于第一子矩形区域10同侧的相邻的第三子矩形区域30之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm，例如，位于第一子矩形区域10同侧的相邻的第三子矩形区域30之间的最小距离值可以为0.2μm或0.4μm。
进一步地，请参考图2，在本申请的一个实施例中，提供的一种对准图形，还包括第二不透光区域40，第二不透光区域40环绕第一矩形区域100设置，第二不透光区域40在所述平面的正投影，与第一矩形区域100在所述平面的正投影无重叠且组成第二矩形区域200；其中，任一第二矩形区域200的边与第一矩形区域100的两条相对的边均垂直，且与第一矩形区域100的另外两条相对的边均平行。
具体地，于上述实施例中的对准图形中，请参考图2，在第一矩形区域100的外侧环绕设置第二不透光区域40；设置第二不透光区域40在所述平面的正投影，与第一矩形区域100在所述平面的正投影无重叠且组成第二矩形 区域200，并设置任一第二矩形区域200的边与第一矩形区域100的两条相对的边均垂直，且与第一矩形区域100的另外两条相对的边均平行，在相对增加第二矩形区域200中不透光区域的面积的情况下，便于通过所述对准图形实现精准地对准。
作为示例，请继续参考图2，在本申请的一个实施例中，任一第二矩形区域200的边与相邻的第一矩形区域100的边之间的距离为0.15μm-0.25μm，例如，任一第二矩形区域200的边与相邻的第一矩形区域100的边之间的距离可以为0.2μm。
进一步地，请参考图3，在本申请的一个实施例中，提供的一种对准图形，所述透光区域包括第一矩形透光区域301、第二矩形透光区域302、第三矩形透光区域303及第四矩形透光区域304，第一矩形透光区域301的延伸方向与第一矩形区域100的延伸方向平行；第二矩形透光区域302位于第一矩形透光区域301一侧，且与第一矩形透光区域301具有间距，第二矩形透光区域302的延伸方向与第一矩形透光区域301的延伸方向相同；第三矩形透光区域303位于第一矩形透光区域301与第二矩形透光区域302之间，第三矩形透光区域303的延伸方向与第一矩形透光区域301的延伸方向垂直，且第三矩形透光区域303的长度小于第一矩形透光区域301与第二矩形透光区域302之间的最小间距；第四矩形透光区域304位于第一矩形透光区域301与第二矩形透光区域302之间，第四矩形透光区域304的延伸方向与第一矩形透光区域301的延伸方向垂直，且第四矩形透光区域304与第三矩形透光区域303之间的最小间距大于第一矩形透光区域301的长度及第二矩形透光区域302的长度。
具体地，请继续参考图3，通过设置透光区域包括第一矩形透光区域301、 第二矩形透光区域302、第三矩形透光区域303及第四矩形透光区域304，其中，第一矩形透光区域301的延伸方向与第一矩形区域100的延伸方向平行；第二矩形透光区域302位于第一矩形透光区域301一侧，且与第一矩形透光区域301具有间距，第二矩形透光区域302的延伸方向与第一矩形透光区域301的延伸方向相同；第三矩形透光区域303位于第一矩形透光区域301与第二矩形透光区域302之间，第三矩形透光区域303的延伸方向与第一矩形透光区域301的延伸方向垂直，且第三矩形透光区域303的长度小于第一矩形透光区域301与第二矩形透光区域302之间的最小间距；第四矩形透光区域304位于第一矩形透光区域301与第二矩形透光区域302之间，第四矩形透光区域304的延伸方向与第一矩形透光区域301的延伸方向垂直，且第四矩形透光区域304与第三矩形透光区域303之间的最小间距大于第一矩形透光区域301的长度及第二矩形透光区域302的长度。本实施例中通过设置透光区域中包括对准图案，便于通过该对准图案实现精准对准，并设置第一矩形区域100中透光区域外的区域为不透光区域，以相对增加对准图形中不透光区域的面积。
作为示例，请继续参考图3，在本申请的一个实施例中，第一矩形透光区域301的长度值为5.5μm-8.5μm，例如，第一矩形透光区域301的长度值可以为6μm或8μm，第一矩形透光区域301的宽度值为0.75μm-1.05μm，例如，第一矩形透光区域301的宽度值可以为0.8μm或1μm；第二矩形透光区域302的长度值为5.5μm-8.5μm，例如，第二矩形透光区域302的长度值可以为6μm或8μm，所述第二矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm，例如，第二矩形透光区域302的宽度值可以为0.8μm或1μm；第三矩形透光区域303的长度值为5.5μm-8.5μm，例如，第三矩形透光区 域303的长度值可以为6μm或8μm，第三矩形透光区域303的宽度值为0.75μm-1.05μm，例如，第三矩形透光区域303的宽度值可以为0.8μm或1μm；第四矩形透光区域304的长度值为5.5μm-8.5μm，例如，第四矩形透光区域304的长度值可以为6μm或8μm，第四矩形透光区域304的宽度值为0.75μm-1.05μm，例如，第四矩形透光区域304的宽度值可以为0.8μm或1μm。第一矩形透光区域、第二矩形透光区域、第三透光区域和第四矩形透光区域的长度和宽度可以相同，也可以不同，可以自由组合。
进一步地，请参考图4，在本申请的一个实施例中，提供的一种对准图形，所述透光区域包括第一正方形透光区域401，第一正方形透光区域401位于第一矩形区域100的中部，任一第一正方形透光区域401的边与第一矩形区域100的两条相对的边均垂直，且与第一矩形区域100的另外两条相对的边均平行。
具体地，请继续参考图4，通过设置所述透光区域包括位于第一矩形区域100中部的第一正方形透光区域401，并设置任一第一正方形透光区域401的边与第一矩形区域100的两条相对的边均垂直，且与第一矩形区域100的另外两条相对的边均平行。本实施例中通过设置透光区域中包括正方形的对准图案，在降低对准图案设计复杂度的同时，便于通过该对准图案实现精准对准，并设置第一矩形区域中透光区域外的区域为不透光区域，以相对增加对准图形中不透光区域的面积。
作为示例，请继续参考图4，在本申请的一个实施例中，第一正方形透光区域401的边长为9.5μm-16.5μm，例如，第一正方形透光区域401的边长可以为10μm、12μm、14μm或16μm。
图5为现有技术中的一种矩形状的对准图形500，矩形状的对准图形500 包括位于矩形状的对准图形500中部的第二正方形透光区域50、第一子矩形不透光区域501、第二子矩形不透光区域502、第三子矩形不透光区域503及第四子矩形不透光区域504，第一子矩形不透光区域501、第二子矩形不透光区域502、第三子矩形不透光区域503及第四子矩形不透光区域504环绕间隔分布于第二正方形透光区域50的四周，且与第二正方形透光区域50均具有间距；第一子矩形不透光区域501的延伸方向与第二子矩形不透光区域502的延伸方向平行，且第一子矩形不透光区域501与第二子矩形不透光区域502分布于第二正方形透光区域50的相对的两侧，第三子矩形不透光区域503及第四子矩形不透光区域504分布于第二正方形透光区域50的另外相对的两侧，第三子矩形不透光区域503的延伸方向与第四子矩形不透光区域504的延伸方向平行，且第三子矩形不透光区域503的延伸方向与第一子矩形不透光区域501的延伸方向垂直；第三子矩形不透光区域503与第四子矩形不透光区域504均位于第一子矩形不透光区域501与第二子矩形不透光区域502之间，第三子矩形不透光区域503的长度小于第一子矩形不透光区域501与第二子矩形不透光区域502之间的最小间距，且第四子矩形不透光区域504的长度小于第一子矩形不透光区域501与第二子矩形不透光区域502之间的最小间距；第一子矩形不透光区域501与第二子矩形不透光区域502均位于第三子矩形不透光区域503与第四子矩形不透光区域504之间，第三子矩形不透光区域503与第四子矩形不透光区域504之间的最小间距大于第一子矩形不透光区域501的长度及第二子矩形不透光区域502的长度；第二正方形透光区域50的任一边与矩形状的对准图形500的两条相对的边均平行，且与矩形状的对准图形500的另外两条相对的边均垂直；第一子矩形不透光区域501的延伸方向与第二正方形透光区域50的两条相对的边均平行，第三子矩 形不透光区域503的延伸方向与第二正方形透光区域50的另外两条相对的边均平行。通过将图1、图2、图3及图4中的不透光区域的面积分别与图5中的不透光区域的面积进行对比，可以发现，图1、图2、图3及图4中均相对地增加了对准图形中的不透光区域的面积，从而减少了芯片接收光的光强，避免在相邻的曝光场同时曝光的情况下，导致对准图形承受的曝光的光强较高，产生影响对准图形的图像质量的情况。
具体地，例如，当DNW层的光阻厚度较高时，DNW层所需的曝光能量相对较高，会使得相邻的曝光场之间的曝光强度相互影响，导致对准图形承受的曝光的光强较高。而本申请中通过相对地增加了对准图形中的不透光区域的面积，从而减少了芯片接收光的光强，有效地避免了在相邻的曝光场同时曝光的情况下，导致对准图形承受的曝光的光强较高，产生影响对准图形的图像质量的情况。
请注意，上述实施例仅出于说明性目的而不意味对本发明的限制。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要 求为准。

Claims (17)

  1. 一种对准图形，包括：
    透光区域；以及
    第一不透光区域，所述第一不透光区域与所述透光区域位于同一平面上，所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积；
    其中，所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域。
  2. 根据权利要求1所述的对准图形，其中所述第一不透光区域包括：
    第一子矩形区域，位于所述第一矩形区域的中部，任一所述第一子矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行；
    多个第二子矩形区域，所述多个第二子矩形区域间隔排布且沿第一方向分布于所述第一子矩形区域的相对的两侧；以及
    多个第三子矩形区域，所述多个第三子矩形区域间隔排布且沿第二方向分布于所述第一子矩形区域的相对的两侧，所述第一方向与所述第二方向垂直；
    其中，所述多个第二子矩形区域的延伸方向与所述多个第三子矩形区域的延伸方向平行。
  3. 根据权利要求2所述的对准图形，其中各所述多个第二子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第二方向延伸的对称轴的两侧。
  4. 根据权利要求2所述的对准图形，其中各个第三子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第一方向延伸的对称轴的两侧。
  5. 根据权利要求2或3所述的对准图形，其中：
    位于所述第一子矩形区域同侧的各个第二子矩形区域的宽度为0.05μm-0.25μm，且位于所述第一子矩形区域同侧的相邻的所述第二子矩形区域之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm。
  6. 根据权利要求2或3所述的对准图形，其中：
    位于所述第一子矩形区域同侧的各个第三子矩形区域的宽度为0.05μm-0.25μm；且位于所述第一子矩形区域同侧的相邻的所述第三子矩形区域之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm。
  7. 根据权利要求5所述的对准图形，其中位于所述第一子矩形区域同侧的各个第二子矩形区域的宽度为0.1μm或0.2μm。
  8. 根据权利要求5所述的对准图形，其中位于所述第一子矩形区域同侧的相邻的所述第二子矩形区域之间的最小距离值为0.2μm或0.4μm。
  9. 根据权利要求6所述的对准图形，其中位于所述第一子矩形区域同侧的各个第三子矩形区域的宽度为0.1μm或0.2μm。
  10. 根据权利要求8所述的对准图形，其中位于所述第一子矩形区域同侧的相邻的所述第三子矩形区域之间的最小距离值为0.2μm或0.4μm。
  11. 根据权利要求1所述的对准图形，还包括：
    第二不透光区域，环绕所述第一矩形区域设置，所述第二不透光区域在所述平面的正投影，与所述第一矩形区域在所述平面的正投影无重叠且组成第二矩形区域；
    其中，任一所述第二矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行。
  12. 根据权利要求11所述的对准图形，其中任一所述第二矩形区域的边与相邻的所述第一矩形区域的边之间的距离为0.15μm-0.25μm。
  13. 根据权利要求12所述的对准图形，其中任一所述第二矩形区域的边与相邻的所述第一矩形区域的边之间的距离为0.2μm。
  14. 根据权利要求1所述的对准图形，其中所述透光区域包括：
    第一矩形透光区域，所述第一矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形区域的延伸方向平行；
    第二矩形透光区域，位于所述第一矩形透光区域一侧，且与所述第一矩形透光区域具有间距，所述第二矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向相同；
    第三矩形透光区域，位于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间，所述第三矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向垂直，且所述第三矩形透光区域的长度小于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间的最小间距；以及
    第四矩形透光区域，位于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间，所述第四矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向垂直，且所述第四矩形透光区域与所述第三矩形透光区域之间的最小间距大于所述第一矩形透光区域的长度及所述第二矩形透光区域的长度。
  15. 根据权利要求14所述的对准图形，其中
    所述第一矩形透光区域的长度值为5.5μm-8.5μm，所述第一矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm；
    所述第二矩形透光区域的长度值为5.5μm-8.5μm，所述第二矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm；
    所述第三矩形透光区域的长度值为5.5μm-8.5μm，所述第三矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm；以及
    所述第四矩形透光区域的长度值为5.5μm-8.5μm，所述第四矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm。
  16. 根据权利要求1所述的对准图形，其中所述透光区域包括：
    第一正方形透光区域，位于所述第一矩形区域的中部，任一所述第一正方形透光区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行。
  17. 根据权利要求16所述的对准图形，其中所述第一正方形透光区域的边长为9.5μm-16.5μm。
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