WO2022004491A1 - 金属配線構造体、金属配線構造体の製造方法及びスパッタリングターゲット - Google Patents

金属配線構造体、金属配線構造体の製造方法及びスパッタリングターゲット Download PDF

Info

Publication number
WO2022004491A1
WO2022004491A1 PCT/JP2021/023626 JP2021023626W WO2022004491A1 WO 2022004491 A1 WO2022004491 A1 WO 2022004491A1 JP 2021023626 W JP2021023626 W JP 2021023626W WO 2022004491 A1 WO2022004491 A1 WO 2022004491A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
metal wiring
alloy
wiring structure
cap layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/023626
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
雅文 若井
拓 半那
保夫 中台
亮太 中村
Original Assignee
株式会社アルバック
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社アルバック filed Critical 株式会社アルバック
Priority to JP2021559565A priority Critical patent/JP7133727B2/ja
Priority to KR1020227036641A priority patent/KR20220156913A/ko
Priority to CN202180032239.5A priority patent/CN115485818A/zh
Publication of WO2022004491A1 publication Critical patent/WO2022004491A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film

Definitions

  • the present invention relates to a metal wiring structure, a method for manufacturing the metal wiring structure, and a sputtering target.
  • TFTs thin film transistors
  • a low resistance metal such as Al may be used as a wiring material.
  • the gate electrode since the gate electrode is formed in the middle of the manufacturing process, it receives a thermal history due to the annealing process after the gate electrode is formed. Therefore, as the material of the gate electrode, a refractory metal (for example, Mo) having a heat resistance capable of withstanding the heat history is often used (see, for example, Patent Document 1).
  • a refractory metal for example, Mo
  • a refractory metal such as Mo
  • the refractory metal does not have sufficient bending resistance. Therefore, the electrode may break due to bending.
  • refractory metals such as Mo have a higher resistivity than low resistance metals such as Al. This can lead to display delays on the display as the size of the display increases.
  • an object of the present invention is to provide a metal wiring structure having low resistance and excellent heat resistance and flexibility, a method for manufacturing the metal wiring structure, and a sputtering target.
  • the metal wiring structure according to one embodiment of the present invention has a main component composed of aluminum and an additive element composed of 0.005 at% or more and 0.88% or less of iron added to the main component. It is provided with a metal wiring film having the above and a first cap layer laminated on the metal wiring film.
  • the metal wiring structure may further contain vanadium of 0.01 at% or more and 0.05 at% or less as the additive element.
  • the metal wiring structure may be composed of the main component, the additive element, and the unavoidable component.
  • the metal wiring film is provided with a second cap layer on the opposite side of the first cap layer, and the metal wiring film is the first cap layer and the second cap. It may be provided between layers.
  • a main component made of aluminum and an iron added to the main component of 0.005 at% or more and 0.88% or less are used.
  • a metal wiring film having an additive element is formed on a substrate, a first cap layer is laminated on the metal wiring film, and the metal wiring film is heat-treated at 500 ° C. or lower.
  • a second cap layer is formed on the metal wiring film on the opposite side of the first cap layer, and the metal wiring film forms the first cap layer and the second cap. It may be arranged between layers.
  • a sputtering target for forming the above metal wiring structure is provided.
  • a metal wiring structure having low resistance and excellent heat resistance and flexibility, a method for manufacturing the metal wiring structure, and a sputtering target.
  • FIGS. (A) and (b) are schematic cross-sectional views of a thin film transistor having a metal wiring structure according to the present embodiment.
  • FIGS. (C) and (d) are schematic cross-sectional views of the metal wiring structure according to the present embodiment.
  • FIG. (A) is a graph showing changes in surface roughness immediately after film formation and after heat treatment of a plurality of Al alloy films when no nitride film is provided.
  • FIG. (B) is a graph showing a change in surface roughness after heat treatment of a plurality of Al alloy films when a nitride film is provided.
  • FIG. (A) is a graph showing changes in resistivity ⁇ ( ⁇ ⁇ cm) immediately after film formation of an Al pure metal film and a plurality of Al alloy films and after heat treatment.
  • FIG. (B) is a graph showing the resistivity ⁇ ( ⁇ ⁇ cm) of the Al alloy film on which the nitride film as the cap layer is formed before the heat treatment.
  • FIG. (C) is a graph showing the resistivity ⁇ ( ⁇ ⁇ cm) of the Al alloy film on which the nitride film as the cap layer is formed after the heat treatment. It is a surface SEM image of the Al pure metal film and a plurality of Al alloy films after the heat treatment when the nitride film is not provided.
  • FIG. 1 (a) and 1 (b) are schematic cross-sectional views of a thin film transistor having a metal wiring structure according to the present embodiment.
  • FIG. 1C is a schematic cross-sectional view of the metal wiring structure according to the present embodiment.
  • FIG. 1A shows a top gate type thin film transistor 1.
  • an active layer (semiconductor layer) 11, a gate insulating film 12, a gate electrode 13, and a protective layer 15 are laminated on a glass substrate 10.
  • the active layer 11 is composed of, for example, LTPS (low temperature poly-silicon).
  • the active layer 11 is electrically connected to the source electrode 16S and the drain electrode 16D.
  • the substrate is not limited to a glass substrate, and may be a SiOx substrate, a SiNx substrate, a glass substrate with a SiOx film, a glass with a SiNx film, or the like.
  • the glass substrate 10 will be described as an example.
  • the thin film transistor 2 shown in FIG. 1 (b) is a bottom gate type thin film transistor.
  • the gate electrode 13, the gate insulating film 22, the active layer 21, the source electrode 26S, and the drain electrode 26D are laminated on the glass substrate 10.
  • the active layer 21 is made of, for example, an IGZO (In—Ga—Zn—O) -based oxide semiconductor material.
  • the active layer 21 is electrically connected to the source electrode 26S and the drain electrode 26D.
  • the thickness of the gate electrode 13 is not particularly limited, and is, for example, 100 nm or more and 600 nm or less, preferably 200 nm or more and 400 nm or less. If the thickness is less than 100 nm, it becomes difficult to reduce the resistance of the gate electrode 13. If the thickness exceeds 600 nm, the bending resistance of the thin film transistor 2 tends to decrease.
  • the gate electrode 13 is composed of the metal wiring structure according to the present embodiment.
  • the specific resistance of the gate electrode 13 is set to, for example, 15 ⁇ ⁇ cm or less, preferably 10 ⁇ ⁇ cm or less, more preferably 6.0 ⁇ ⁇ cm or less, still more preferably 3.7 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the gate electrode 13 is formed by forming a solid Al alloy film by a sputtering method, laminating a cap layer such as a nitride film and a metal film, and then patterning the gate electrode 13 into a predetermined shape.
  • a sputtering method for example, a DC sputtering method, a pulse DC sputtering method, an RF sputtering method, or the like is applied.
  • Either wet etching or dry etching is applied to the patterning of the solid Al alloy film. Further, either dry etching or wet etching is applied to the patterning of the cap layer.
  • the film formation and patterning of the gate electrode 13 are generally performed in the middle of the manufacturing process of the thin film transistors 1 and 2.
  • heat treatment is performed during the manufacturing process as needed.
  • heat treatment at 500 ° C. or lower may be performed to activate the active layer 11 or to supplement the active layer 11 with hydrogen.
  • the heating time is appropriately changed, and is, for example, 90 minutes or less at 450 ° C. and 60 minutes or less at 500 ° C.
  • the same heat treatment is performed on the thin film transistor 2.
  • heat treatment at 500 ° C. or lower may be performed in order to repair the defect. In this case as well, the heating time is appropriately changed, for example, 90 minutes or less at 450 ° C. and 60 minutes or less at 500 ° C.
  • thin film transistors 1 and 2 are not only flat type display devices, but also curved type display devices with curved peripheral edges, bendable type display devices bent in an arc shape, and 180 degrees. It may be applied to foldable display devices and the like.
  • a gate electrode containing a refractory metal (for example, Mo) as a main component When a gate electrode containing a refractory metal (for example, Mo) as a main component is applied to the curved surface of such a display device, the refractory metal does not have sufficient bending resistance. A part may be cracked and the electrode may be broken.
  • the gate electrode has a role of forming a channel in the active layer facing each other via the gate insulating film. Therefore, when the gate electrode is applied to the curved surface portion of the display device, it is desirable that the gate electrode has no cracks or breaks and has excellent bending resistance.
  • the resistivity of the refractory metal is relatively high among the metals, and as the size of the display in which the thin film transistor 1 or 2 is incorporated increases, display delay in the display may occur.
  • the gate electrode may have high resistance or the gate electrode may be disconnected. Further, when another film is formed on the hillock, this film receives the shape of the underlying hillock, resulting in high resistance or disconnection of the film.
  • the gate electrode 13 is required to be processed without residue by wet etching and dry etching.
  • the low resistance of the gate electrode 13 has excellent bending resistance (flexibility) and excellent heat resistance at which hillock is less likely to occur. It is required to have it and to be able to perform etching processing without residue.
  • the metal wiring structure shown in FIG. 1 (c) is applied as the material of the gate electrode 13.
  • the metal wiring structure is formed, for example, by sputtering film formation in a vacuum chamber.
  • a metal wiring film having a main component made of aluminum and an additive element made of iron added to the main component is formed on a substrate such as a glass substrate by a sputtering method. After that, the cap layer is laminated on the metal wiring film. Further, the metal wiring structure is heat-treated at 500 ° C. or lower together with the heat treatment applied to the active layers 11 and 21, for example. Vanadium may be added to the metal wiring film.
  • the metal wiring structure is laminated on the Al alloy film 131, which is a metal wiring film, and TiN, MoN, WN, which are hard to be diffused in the Al alloy film 131. It has a cap layer 132 (first cap layer) composed of TaN, Ti, Mo, W, Ta and the like.
  • the Al alloy film according to the present embodiment is a metal wiring film having a main component made of aluminum and an additive element added to the main component and made of iron of 0.005 at% or more and 0.88% or less (at%). : Atom%).
  • the metal wiring film may contain vanadium of 0.01 at% or more and 0.05 at% or less as an additive element.
  • the Al alloy film may also contain an unavoidable component.
  • the Al alloy film is composed of a main component, a group of elements of iron and vanadium, and an unavoidable component.
  • examples of the unavoidable component include Si, Cu, Mn, and Zn.
  • the iron content is less than 0.005 at%, hillock is likely to occur in the Al alloy film when the Al alloy film is heat-treated, which is not preferable.
  • the iron content is larger than 0.88 at%, it becomes difficult to control the target composition and the uniformity of the film quality cannot be obtained, which is not preferable.
  • the vanadium content is less than 0.01 at%, hillock is likely to occur in the Al alloy film when the Al alloy film is heat-treated, which is not preferable.
  • the vanadium content is larger than 0.05 at%, the resistivity of the Al alloy film becomes high, which is not preferable.
  • a low resistance gate electrode 13 having a resistivity of 3.7 ⁇ ⁇ cm or less, preferably 3.3 ⁇ ⁇ cm or less is formed. Further, the Al alloy film has excellent bending resistance and exhibits an excellent effect by adding an element of Fe or V.
  • the Al alloy film is heat-treated (500 ° C. max, heating time is 90 minutes or less at 450 ° C., 60 minutes or less at 500 ° C.) as an action due to the addition of an element of Fe or V. Hillock is less likely to occur in the Al alloy film.
  • the Al alloy film is heat-treated (500 ° C max, heating time is 90 minutes or less at 450 ° C, 60 minutes or less at 500 ° C)
  • the iron concentration between Al particles in the Al alloy film Is relatively high, the bond between adjacent Al particles is suppressed, and the Al particles remain in the state of fine particles (fine particle size: 1 ⁇ m or less).
  • the average particle size of the particles in this embodiment is determined by a laser diffraction method, image analysis using an electron microscope image, or the like.
  • vanadium when vanadium is contained in the Al alloy film, vanadium is a solid solution strengthening element for aluminum, so that solid solution of Al and V is promoted in Al particles.
  • the intermetallic compound of Al—V is dispersed and formed, and the movement of Al in the Al particles (Al migration) is suppressed.
  • the Al alloy film 131 is physically covered with the cap layer 132. Therefore, in synergy with the above-mentioned effect of the added element, the generation of hilok in the Al alloy film is further suppressed. As a result, even if the Al alloy film is heat-treated, the Al particles become enormous, that is, the formation of hillock is suppressed, and an Al alloy film having high heat resistance is formed.
  • both the cap layer 132 and the Al alloy film 131 can be etched by dry etching.
  • the cap layer 132 may be provided not only between the Al alloy film 131 and the gate insulating film 22, but also between the Al alloy film 131 and the glass substrate 10.
  • the metal wiring film (Al alloy film 131) is provided with a cap layer 133 (second cap layer) different from the cap layer 132 on the side opposite to the cap layer 132.
  • the cap layer 133 is composed of TiN, MoN, WN, TaN, Ti, Mo, W, Ta and the like.
  • the action of the cap layer acts on the Al alloy film 131 not only from above the Al alloy film 131 but also from below, and Al The generation of hillock in the alloy film 131 is further suppressed.
  • the cap layer 133 is formed on the Al alloy film 131 on the opposite side of the cap layer 132.
  • the Al alloy film 131 is arranged between the cap layer 132 and the cap layer 133.
  • Voids pores
  • the element that does not melt with Al precipitates at the crystal grain boundary of the Al alloy after the heat treatment, and the element other than the place where this element is precipitated is deposited.
  • Voids pores
  • the present embodiment by adding two kinds of elements such as Fe or V to the Al film or by using a cap layer, it is possible to surely suppress the generation of hillock without generating voids. can.
  • Al alloy target An aluminum alloy target (Al alloy target) is used as the sputtering target used for forming the Al alloy film.
  • the Al alloy target a target having the same composition as the Al alloy film is prepared.
  • the Al alloy target includes a pure metal piece of Al having a purity of 5N (99.999%) or higher, which is the main component, and an element group added to the main component of aluminum.
  • the element group includes iron (Fe) of 0.005 at% or more and 0.88% or less, iron (Fe) of 0.005 at% or more and 0.88% or less, and vanadium of 0.01 at% or more and 0.05 at% or less. It consists of (V) (at%: atomic%).
  • the Al alloy target may also contain an unavoidable component of 20 ppm or less in total.
  • the Al alloy target consists of a principal component, a group of elements, and an unavoidable component.
  • examples of the unavoidable component include Si, Cu, Mn, and Zn.
  • Si is 4 ppm or less
  • Cu is 3 ppm or less
  • Mn is 1 ppm or less
  • Zn is 0.3 ppm or less.
  • the Al alloy target is formed as an Al alloy ingot by mixing element groups with Al pure metal pieces and melting these mixed materials in a crucible by a melting method such as induction heating.
  • the Al alloy ingot is subjected to plastic working such as forging, rolling, and pressing, and the Al alloy ingot is processed into a plate shape or a disk shape to produce an Al alloy target.
  • each metal material (metal piece, metal powder) of Al, Fe, or V is installed in the crucible.
  • each metal material is heated to a melting temperature (for example, 955 ° C.) that is 300 ° C. or higher higher than the melting point of the Al alloy (for example, 655 ° C.), and each metal material is melted in the crucible.
  • a melting temperature for example, 955 ° C.
  • the molten metal is cooled to room temperature to form an aluminum alloy ingot.
  • the aluminum alloy ingot is forged as needed, and the aluminum alloy ingot is cut out into a plate shape or a disk shape. This forms an Al alloy target.
  • the metal material is melted at a melting temperature slightly higher than the melting point of the metal material, and the metal material is cooled from the slightly higher melting temperature to form an alloy ingot.
  • the melting temperature is set to a temperature slightly higher than the melting point, so that the metal material may not be sufficiently mixed.
  • the metal materials are heated and melted at a melting temperature 300 ° C. or higher higher than the melting point of the Al alloy, so that the metal materials are sufficiently mixed with each other.
  • the higher the melting temperature the longer the cooling time from the melting temperature to room temperature, and the easier it is for the intermetallic compound to precipitate.
  • the metal-to-metal compound is added so as to be difficult to precipitate in the Al alloy ingot. The concentration of the element is adjusted.
  • the addition amount of the element group to be added in the above range By setting the addition amount of the element group to be added in the above range, the temperature difference between the solid phase line and the liquid phase line in the phase diagram of the metal compound becomes small, and the primary crystals due to the intermetallic compound or the like are formed in the pit. An Al alloy ingot that does not easily settle is formed. Additive elements are uniformly dispersed in the Al alloy ingot.
  • the Al alloy film formed by sputtering using such an Al alloy target exhibits the above-mentioned excellent effects.
  • the Al ingot may receive heat during plastic working such as forging, rolling, and pressing, and Al crystal grains may grow in the Al ingot.
  • Al crystal grains are also present in the Al target produced from such an Al ingot, and the Al crystal grains receive heat from the plasma during film formation to form protrusions on the surface of the Al target. These protrusions may cause abnormal discharge, or the protrusions may pop out from the Al target during film formation.
  • the Al alloy target of the present embodiment Fe or V is added to the Al pure metal in the above-mentioned addition amount.
  • Fe or V is added to the Al pure metal in the above-mentioned addition amount.
  • the Fe content at the grain boundary between the particles is higher than the Fe content in the particles.
  • the Al alloy ingot (or Al alloy target) contains vanadium, which is a solid solution strengthening element, the solid solution of Al and V is promoted in the Al particles, and the Al—V intermetallic compound is dispersed. It is formed. As a result, the movement of Al in the Al particles is suppressed.
  • the average particle size of the particles in the Al alloy ingot (or Al alloy target) is adjusted to be 100 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the grain boundary becomes a barrier, and the phenomenon that adjacent fine particles are bonded and the fine particles are coarsened is suppressed.
  • the heat resistance of the Al alloy target is further improved.
  • the film formation conditions of the metal wiring structure and the characteristics of each of the plurality of metal wiring structures are shown below.
  • the metal wiring structure shown below is an example of the above composition, and the metal wiring structure in the present embodiment is not limited to the following example.
  • the heat treatment is, for example, a nitrogen atmosphere, 450 ° C., 0.5 hours.
  • Discharge power DC discharge, 5 W / cm 2 Film formation temperature: Room temperature Film formation pressure: 0.3Pa Film thickness: 300 nm
  • Discharge power DC discharge, 5 W / cm 2 Film formation temperature: Room temperature Film formation pressure: 0.3Pa Film thickness: 70 nm, 50 nm, and 30 nm
  • Al pure metal film Al-0.05at% Fe film, Al-0.1at% Fe film, Al-0.05at% Fe-0.05at% V film, Al-0. .1at% Fe-0.02at% V film, Al-0.2at% Fe-0.02at% V film, Al-0.2at% Fe-0.05at% V film, Al-0.8at% Fe- A 0.02 at% V film was formed.
  • a nitride film as an example of the cap layer was further laminated on these Al pure metal film and Al alloy film.
  • the purpose is that the metal wiring structure after the heat treatment has no hillock and has low resistance.
  • FIG. 2A is a graph showing changes in surface roughness immediately after film formation of a plurality of Al alloy films and after heat treatment when no nitride film is provided.
  • FIG. 2B is a graph showing a change in surface roughness after heat treatment of a plurality of Al alloy films when a nitride film is provided.
  • the vertical axis of FIGS. 2A and 2B is the maximum valley depth (PV) of the roughness curve measured by AFM.
  • PV maximum valley depth
  • FIGS. 2 (a) and 2 (b) the results of the Al pure metal film (PureAl) are shown on the leftmost side, and the results of each of the plurality of Al alloy films are shown other than this.
  • the ⁇ PV of the Al pure metal film was larger than that of the Al alloy film.
  • the value was smaller than that in the Al pure metal film.
  • the higher the Fe content the smaller the ⁇ PV tends to be.
  • the addition of V further reduced ⁇ PV. That is, it was found that the generation of hillock was suppressed by adding an additive of Fe or V to Al pure metal.
  • FIG. 2B shows the result after the heat treatment when the nitride film is provided.
  • three types of thickness of the nitride film (TiN) of 30 nm, 50 nm, and 70 nm are prepared.
  • ⁇ PV was lower than that in the case where the nitride film was not provided, but the ⁇ PV did not gradually approach 0.
  • the V film, Al-0.2at% Fe-0.02at% V film, Al-0.2at% Fe-0.05at% V film, and Al-0.8at% Fe-0.02at% V film are nitrided. It was found that when the film was provided, ⁇ PV became smaller than that of the Al pure metal film.
  • FIG. 3A is a graph showing changes in resistivity ⁇ ( ⁇ ⁇ cm) after heat treatment of an Al pure metal film and a plurality of Al alloy films.
  • the broken line in the figure is the target value of the resistivity of the single-layer Al alloy film after the heat treatment, and the maximum resistivity of the single-layer Al alloy film is 3.7 ⁇ ⁇ cm or less.
  • V is 0.05 at% or less, there is no weight segregation in the Al alloy, and the target can be prepared. Further, the diffusion coefficient in Al is small, dislocations are less likely to move, and good heat resistance is maintained. Therefore, even if the nitride film is formed thin, low ⁇ PV is maintained.
  • FIG. 3B is a graph showing the resistivity ⁇ ( ⁇ ⁇ cm) of the Al alloy film on which the nitride film as the cap layer is formed before the heat treatment.
  • FIG. 3C is a graph showing the resistivity ⁇ ( ⁇ ⁇ cm) of the Al alloy film on which the nitride film as the cap layer is formed after the heat treatment.
  • the heating temperature is 450 ° C.
  • 3 (b) and 3 (c) show a TiN film of an Al pure metal film, an Al-0.1at% Fe-0.02at% V film, and an Al-0.2at% Fe-0.05at% V film.
  • the resistivity ⁇ (vertical axis) with is shown.
  • the thickness of the cap layer is set to 30 nm, 50 nm, or 70 nm in each film as shown by the horizontal axes of FIGS. 3 (b) and 3 (c).
  • the resistivity of the Al alloy film on which the cap layer is formed is preferably lower than that when a single-layer Mo film is used as the gate electrode 13, and is set to, for example, half or less of the resistivity of the Mo film. Is desirable. For example, it is desirable that the resistivity of the Al alloy film on which the cap layer is formed is set to 6 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the resistance of the Al alloy film was higher than that of the Al pure metal film.
  • the resistivity of the Al-0.2at% Fe-0.05at% V film having a higher Fe concentration is higher than the resistivity of the Al-0.1at% Fe-0.02at% V film. It was also found that the resistivity increases as the thickness of the TiN film increases.
  • the specific resistance is larger than 6 ⁇ ⁇ cm, but in other cases, the ratio is high.
  • the resistance is 6 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the resistivity of the Al alloy film with a TiN film may be relatively lowered to 6 ( ⁇ ⁇ cm) or less at any film thickness of the TiN film. Do you get it.
  • the resistivity of the TiN / Al-0.2at% Fe-0.05at% V film was 4.1 ( ⁇ ⁇ cm).
  • the resistivity of the TiN / Al-0.1at% Fe-0.02at% V film is 3.7.
  • the resistivity of the ( ⁇ ⁇ cm) and TiN / Al-0.2at% Fe-0.05at% V films was 3.5 ( ⁇ ⁇ cm), both of which were 3.7 ⁇ ⁇ cm or less.
  • 4 (a) to 4 (h) are surface SEM images of the Al pure metal film and the plurality of Al alloy films after the heat treatment when the nitride film is not provided.
  • 5 (a) to 5 (h) are surface SEM images of the Al pure metal film and the plurality of Al alloy films after the heat treatment when the nitride film is provided. In the surface SEM image, when the hillock is deposited on the surface of the Al alloy film, the hillock is projected as white particles.
  • FIGS. 4 (a) to 5 (h) are the results of the heat treatment in a nitrogen atmosphere at 450 ° C. for 0.5 hours, but the Al combination provided with the nitride film (70 nm). It was found that in the metal film, hillock does not occur even if the heat treatment is longer than 0.5 hours or the heating temperature is raised to 500 ° C.
  • FIGS. 6 (a) to 6 (f) show the surfaces of an Al pure metal film, an Al alloy film, and a laminated film with a cap layer when the heating temperature is 450 ° C. and the heating time is 1.5 hours. It is an SEM image.
  • FIG. 6A shows a surface SEM image of the Al pure metal film
  • FIG. 6B shows a surface SEM image of the Al pure metal film with a nitride film.
  • FIG. 6C shows a surface SEM image of an Al-0.1at% Fe-0.02at% V film
  • FIG. 6D shows an Al-0.1at% Fe-0 with a nitride film.
  • a surface SEM image of the .02 at% V film is shown.
  • FIG. 6E shows a surface SEM image of an Al-0.2at% Fe-0.05at% V film
  • FIG. 6F shows an Al-0.2at% Fe-0 with a nitride film.
  • a surface SEM image of the 0.05 at% V film is shown.
  • FIG. 6A it was confirmed that hillock was generated in the Al pure metal film. Further, as shown in FIG. 6 (b), it was confirmed that hillock was generated even if a nitride film was provided on the Al pure metal film.
  • FIG. 6 (c) although hillock is generated in the Al-0.1 at% Fe-0.02 at% V film, as shown in FIG. 6 (d), Al with a nitrided film is generated. It was confirmed that hillock did not occur in the -0.1 at% Fe-0.02 at% V film. Further, as shown in FIG. 6 (e), although hillock is generated in the Al-0.2at% Fe-0.05at% V film, as shown in FIG. 6 (f), Al-0 with a nitrided film is generated. It was confirmed that hillock did not occur in the .2 at% Fe-0.05 at% V film.
  • FIG. 7 (a) to 7 (f) are surface SEM images of an Al pure metal film, an Al alloy film, and a laminated film with a cap layer when the heating temperature is 500 ° C. and the heating time is 1.0 hour.
  • FIG. 7A shows a surface SEM image of the Al pure metal film
  • FIG. 7B shows a surface SEM image of the Al pure metal film with a nitride film
  • FIG. 7C shows a surface SEM image of an Al-0.1at% Fe-0.02at% V film
  • FIG. 7D shows an Al-0.1at% Fe-0 with a nitride film.
  • a surface SEM image of the .02 at% V film is shown.
  • FIG. 7 (e) shows a surface SEM image of an Al-0.2at% Fe-0.05at% V film
  • FIG. 7 (f) shows an Al-0.2at% Fe-0 with a nitride film.
  • a surface SEM image of the 0.05 at% V film is shown.
  • FIG. 7 (a) it was confirmed that hillock was generated in the Al pure metal film. Further, as shown in FIG. 7 (b), it was confirmed that hillock was generated even if a nitride film was provided on the Al pure metal film.
  • FIG. 7 (c) although hillock is generated in the Al-0.1 at% Fe-0.02 at% V film, as shown in FIG. 7 (d), Al with a nitrided film is generated. It was confirmed that hillock did not occur in the -0.1 at% Fe-0.02 at% V film. Further, as shown in FIG. 7 (e), although hillock is generated in the Al-0.2at% Fe-0.05at% V film, as shown in FIG. 7 (f), Al-0 with a nitrided film is generated. It was confirmed that hillock did not occur in the .2 at% Fe-0.05 at% V film.
  • the specific resistance of the Al alloy film is 450 ° C. and 0 heating time. It was about the same as the case of 5.5 hours.
  • FIG. 8A shows an example of etching an Al-0.1at% Fe film
  • FIG. 8B shows an example of etching an Al-0.05at% Fe-0.05at% V film.
  • An example of etching is shown
  • FIG. 8C shows an example of etching an Al-0.1at% Fe-0.02at% V film
  • FIG. 8D shows an example of etching Al-0.2at.
  • An example of etching a% Fe-0.05 at% V film is shown.
  • the etching gas is a mixed gas of Cl 2 (50 sccm) / Ar (20 sccm).
  • the etching pressure is 1.0 Pa.
  • the discharge power is 600 W when the substrate bias power is 400 W.
  • a fluorine-based gas CF 4 , SF 6 , CHF 3, etc.
  • a chlorine-based gas BCl 3, etc.
  • Wet etching solutions include ammonium fluoride / nitric acid / water mixed solution (eg Kanto Kagaku KSMF-260), KSMF series (Kanto Kagaku), and phosphoric acid / nitric acid / acetic acid / water mixed solution (Kanto Kagaku mixed acid).
  • Al etching solution a hydrogen peroxide solution, a mixed solution containing a hydrogen peroxide solution, or the like is used.
  • the liquid temperature is 40 ° C.
  • the etching gas and the etching solution may be used properly, and dry etching and wet etching may be combined.
  • FIG. 9 (a) and 9 (b) show an example of an SEM image of the surface of the glass substrate after etching a film in which a nitride film (TiN, 70 nm) is further attached to an Al alloy film formed on the glass substrate.
  • a nitride film TiN, 70 nm
  • FIG. 9A shows an example in which the TiN film / Al-0.1at% Fe-0.02at% V film is etched
  • FIG. 9B shows an example of etching the TiN film / Al-0.
  • An example of etching a .2 at% Fe-0.05 at% V film is shown.
  • TMAH Tetramethylammonium hydroxide
  • Table 1 shows the results of the bending test of the Al alloy film.
  • a polyimide layer (25 ⁇ m) substrate was prepared as a substrate for bending test.
  • Three types of Al alloys on the polyimide layer Al-0.1at% Fe film, Al-0.1at% Fe-0.02at% V film, and Al-0.2at% Fe-0.05at% V film.
  • a film was formed.
  • the thickness of the Al alloy film is 300 nm.
  • a TiN film was formed on each Al alloy film.
  • Three types of TiN film thicknesses of 30 nm, 50 nm, and 70 nm were prepared. That is, nine kinds of evaluation samples (samples 1 to 9) were formed.
  • Each of the evaluation samples was annealed at 450 ° C for 30 minutes before the bending test.
  • the bending radius in the bending test is 1 mm.
  • the test speed is 30 rpm.
  • the number of bends is 1, 1000, 10000, and 100,000.
  • the resistance (seat resistance ( ⁇ / square)) before and after the bending test was measured.
  • the resistance before the bending test is R0
  • the resistance after the test is R
  • R / RO is shown in Table 1. The closer R / R0 is to "1", the more there is no change in resistance before and after the bending test.
  • the thickness of the TiN film is preferably set to 50 nm or less in order to obtain more reliable bending resistance.
  • Table 2 shows another result of the bending test of the Al alloy film.
  • Table 2 shows the case where the bending radius in the bending test is 1.5 mm.
  • Three kinds of samples were prepared (samples 10 to 12).
  • each of three types of Al alloy films Al-0.1at% Fe film, Al-0.1at% Fe-0.02at% V film, and Al-0.2at% Fe-0.05at% V film.
  • a 70 nm TiN film was formed on the surface.
  • the material of the cap layer not only the TiN film but also any film composed of MoN, WN, TaN, Ti, Mo, W, Ta and the like may be used.
  • the resistivity of the W / Al-0.2at% Fe-0.05at% V film is 4.4 ( ⁇ ⁇ cm)
  • the Ta film is 70 nm
  • Ta / Al- the resistivity of the Mo / Al-0.2 at% Fe-0.05 at% V film is The resistivity was 4.4 ( ⁇ ⁇ cm), and the resistivity was about the same as that of the Al alloy film with TiN.
  • FIGS. 10 (a) to 10 (d) are surface SEM images of a laminated film with a cap layer when the heating temperature is 500 ° C. and the heating time is 1.0 hour.
  • the cap layer Mo having a film thickness of 30 nm (FIG. 10 (a)), Mo having a film thickness of 70 nm (FIG. 10 (b)), W having a film thickness of 30 nm (FIG. 10 (c)), or a film thickness. W of 70 nm (FIG. 10 (d)) is used.
  • the Al alloy film is an Al-0.2at% Fe-0.05at% V film (film thickness: 300 nm).
  • Table 3 shows the case where the bending radius in the bending test is 1.0 mm.
  • a cap layer of Mo and W is formed on an Al-0.2at% Fe-0.05at% V film having a film thickness of 300 nm, and for example, Mo (70 nm) /Al-0.2at%Fe-0. 05at% V film (sample 13), Mo (30nm) /Al-0.2at%Fe-0.05at% V film (sample 14), W (70nm) /Al-0.2at%Fe-0.05at%
  • V film sample 15
  • W (30 nm) /Al-0.2at%Fe-0.05at% V film
  • the cap layer is not limited to TiN, and any material having mechanical properties similar to TiN can exhibit the same heat resistance effect as TiN as the cap layer. Further, by optimizing the type and film thickness of the cap layer, it is possible to achieve both heat resistance and flexibility.
  • the material exemplified in this embodiment is an example, and the film thickness of each film can be adjusted and the structure of two layers and three layers can be adjusted according to the specifications of heat resistance, resistivity, and bending resistance. can.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】低抵抗であり、耐熱性、屈曲性に優れた金属配線構造体及び金属配線構造体の製造方法を提供することにある。 【解決手段】上記目的を達成するため、金属配線構造体は、アルミニウムからなる主成分と、前記主成分に添加され、０．００５ａｔ％以上０．８８％以下の鉄からなる添加元素とを有する金属配線膜と、前記金属配線膜に積層された第１キャップ層とを具備する。このような金属配線構造体であれば、低抵抗であり、耐熱性、屈曲性に優れた金属配線構造体が提供されることになる。

Description

金属配線構造体、金属配線構造体の製造方法及びスパッタリングターゲット
　本発明は、金属配線構造体、金属配線構造体の製造方法及びスパッタリングターゲットに関する。
　液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子等の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）では、例えば、Ａｌのような低抵抗金属が配線材として使用されることがある。
　しかし、ゲート電極については、製造工程の途中で形成されるため、ゲート電極形成後にアニール処理による熱履歴を受けることになる。このため、ゲート電極の材料としては、熱履歴に耐え得る熱耐性を備えた高融点金属（例えば、Ｍｏ）が使用されることが多い（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１５－１５６４８２号公報
　しかしながら、曲面形状の画面を持ったディスプレイ、または折り曲げ可能なフォルダブルディスプレイの曲面部に、Ｍｏのような高融点金属を電極材として適用した場合、高融点金属が充分な屈曲耐性を持っていないことから、電極が屈曲によって破断する可能性がある。
　さらに、Ｍｏのような高融点金属は、Ａｌのような低抵抗金属に比べて抵抗率が高い。このため、ディスプレイのサイズが上昇するにつれ、ディスプレイにおける表示遅延を招来する可能性がある。
　以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、低抵抗であり、耐熱性、屈曲性に優れた金属配線構造体、金属配線構造体の製造方法及びスパッタリングターゲットを提供することにある。
　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る金属配線構造体は、アルミニウムからなる主成分と、上記主成分に添加され、０．００５ａｔ％以上０．８８％以下の鉄からなる添加元素とを有する金属配線膜と、上記金属配線膜に積層された第１キャップ層とを具備する。
　このような金属配線構造体であれば、低抵抗であり、耐熱性、屈曲性に優れた金属配線構造体が提供されることになる。
　上記の金属配線構造体においては、上記添加元素として、０．０１ａｔ％以上０．０５ａｔ％以下のバナジウムをさらに有してもよい。
　このような金属配線構造体であれば、低抵抗であり、耐熱性、屈曲性に優れた金属配線構造体が提供されることになる。
　上記の金属配線構造体においては、上記主成分と、上記添加元素と、不可避成分とからなってもよい。
　このような金属配線構造体であれば、低抵抗であり、耐熱性、屈曲性に優れた金属配線構造体が提供されることになる。
　上記の金属配線構造体においては、上記金属配線膜には、上記第１キャップ層とは反対側において、第２キャップ層が設けられ、上記金属配線膜が上記第１キャップ層と上記第２キャップ層との間に設けられてもよい。
　このような金属配線構造体であれば、低抵抗であり、耐熱性、屈曲性に優れた金属配線構造体が提供されることになる。
　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る金属配線構造体の製造方法では、アルミニウムからなる主成分と、上記主成分に添加され、０．００５ａｔ％以上０．８８％以下の鉄からなる添加元素とを有する金属配線膜が基板に形成され、上記金属配線膜に第１キャップ層が積層され、上記金属配線膜が５００℃以下で加熱処理される。
　このような金属配線構造体の製造方法であれば、低抵抗であり、耐熱性、屈曲性に優れた金属配線構造体が提供されることになる。
　上記の金属配線構造体の製造方法においては、上記第１キャップ層とは反対側の上記金属配線膜に第２キャップ層が形成され、上記金属配線膜が上記第１キャップ層と上記第２キャップ層との間に配置されてもよい。
　このような金属配線構造体の製造方法であれば、低抵抗であり、耐熱性、屈曲性に優れた金属配線構造体が提供されることになる。
　上記目的を達成するため、上記の金属配線構造体を形成するスパッタリングターゲットが提供される。
　以上述べたように、本発明によれば、低抵抗であり、耐熱性、屈曲性に優れた金属配線構造体、金属配線構造体の製造方法及びスパッタリングターゲットが提供される。
図（ａ）及び図（ｂ）は、本実施形態に係る金属配線構造体を有する薄膜トランジスタの概略断面図である。図（ｃ）、（ｄ）は、本実施形態に係る金属配線構造体の概略断面図である。 図（ａ）は、窒化膜を設けない場合の複数のＡｌ合金膜の成膜直後及び加熱処理後での表面粗さの変化を示すグラフ図である。図（ｂ）は、窒化膜を設けた場合の複数のＡｌ合金膜の加熱処理後での表面粗さの変化を示すグラフ図である。 図（ａ）は、Ａｌ純金属膜、複数のＡｌ合金膜の成膜直後及び加熱処理後での抵抗率ρ（μΩ・ｃｍ）の変化を示すグラフ図である。図（ｂ）は、キャップ層としての窒化膜を形成したＡｌ合金膜の加熱処理前の抵抗率ρ（μΩ・ｃｍ）を示すグラフ図である。図（ｃ）は、キャップ層としての窒化膜を形成したＡｌ合金膜の加熱処理後の抵抗率ρ（μΩ・ｃｍ）を示すグラフ図である。 窒化膜を設けなかった場合の加熱処理後のＡｌ純金属膜及び複数のＡｌ合金膜の表面ＳＥＭ像である。 窒化膜を設けた場合の加熱処理後のＡｌ純金属膜及び複数のＡｌ合金膜の表面ＳＥＭ像である。 加熱温度が４５０℃で加熱時間を１．５時間にした場合のＡｌ純金属膜、Ａｌ合金膜、及びキャップ層付きの積層膜の表面ＳＥＭ像である。 加熱温度が５００℃で加熱時間を１．０時間にした場合のＡｌ純金属膜、Ａｌ合金膜、及びキャップ層付きの積層膜の表面ＳＥＭ像である。 ガラス基板上に形成したＡｌ合金膜をエッチングした後におけるガラス基板表面のＳＥＭ像の一例である。 ガラス基板上に形成したＡｌ合金膜にさらに窒化膜を付けた膜をエッチングした後におけるガラス基板表面のＳＥＭ像の一例である。 加熱温度が５００℃で加熱時間を１．０時間にした場合のキャップ層付きの積層膜の表面ＳＥＭ像である。
　以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標が導入される場合がある。また、同一の部材または同一の機能を有する部材には同一の符号を付す場合があり、その部材を説明した後には適宜説明を省略する場合がある。
　本実施形態に係る金属配線構造体が使用されるデバイスの構造、作用の一例を説明する。
　（薄膜トランジスタ）
　図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本実施形態に係る金属配線構造体を有する薄膜トランジスタの概略断面図である。図１（ｃ）は、本実施形態に係る金属配線構造体の概略断面図である。
　図１（ａ）には、トップゲート型の薄膜トランジスタ１が示されている。薄膜トランジスタ１では、ガラス基板１０上に、活性層（半導体層）１１、ゲート絶縁膜１２、ゲート電極１３、及び保護層１５が積層されている。活性層１１は、例えば、ＬＴＰＳ（low temperature poly-silicon）で構成される。活性層１１は、ソース電極１６Ｓ及びドレイン電極１６Ｄに電気的に接続されている。なお、基板については、ガラス基板に限らず、ＳｉＯｘ基板、ＳｉＮｘ基板、ＳｉＯｘ膜付きガラス基板、ＳｉＮｘ膜付きガラス等であってもよい。以下、ガラス基板１０を例に説明する。
　図１（ｂ）に示す薄膜トランジスタ２は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。薄膜トランジスタ２では、ガラス基板１０上に、ゲート電極１３、ゲート絶縁膜２２、活性層２１、ソース電極２６Ｓ、及びドレイン電極２６Ｄが積層されている。活性層２１は、例えば、ＩＧＺＯ（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）系酸化物半導体材料で構成される。活性層２１は、ソース電極２６Ｓ及びドレイン電極２６Ｄに電気的に接続されている。
　ゲート電極１３の厚みは、特に限定されず、例えば、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下、好ましくは、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。１００ｎｍ未満の厚みではゲート電極１３の低抵抗化が困難になる。６００ｎｍを超える厚みでは、薄膜トランジスタ２の屈曲耐性が低下する傾向にある。ゲート電極１３は、本実施形態に係る金属配線構造体で構成される。ゲート電極１３の比抵抗は、例えば、１５μΩ・ｃｍ以下、好ましくは、１０μΩ・ｃｍ以下、より好ましくは、６．０μΩ・ｃｍ以下、さらに好ましくは、３．７μΩ・ｃｍ以下に設定されている。
　ゲート電極１３は、ベタ状のＡｌ合金膜がスパッタリング法で成膜された後、窒化膜、金属膜等のキャップ層が積層され、その後、所定形状にパターニングされることで形成される。スパッタリング法は、例えば、ＤＣスパッタリング法、パルスＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法等が適用される。ベタ状のＡｌ合金膜のパターニングには、ウェットエッチング、ドライエッチングのいずれかが適用される。また、キャップ層のパターニングには、ドライエッチング及びウェットエッチングのいずれかが適用される。ゲート電極１３の成膜及びパターニングは、一般的に薄膜トランジスタ１、２の製造工程の途中で行われる。
　また、薄膜トランジスタ１、２では、必要に応じて製造工程中に加熱処理（アニール）が施される。例えば、薄膜トランジスタ１では、ゲート電極１３を形成した後に、活性層１１の活性化、または活性層１１の水素補填のために、５００℃以下での加熱処理が行われる場合がある。加熱時間については、適宜変更され、例えば、４５０℃ならば９０分以下、５００℃ならば６０分以下である。薄膜トランジスタ２でも同様の熱処理が行われる。例えば、活性層２１またはゲート絶縁膜２２においては、その欠陥補修のために、５００℃以下での加熱処理が行われる場合がある。この場合も加熱時間については、適宜変更され、例えば、４５０℃ならば９０分以下、５００℃ならば６０分以下である
　従前においては、ゲート電極１３の材料として、このような熱履歴に耐え得る高融点金属（例えば、Ｍｏ（モリブデン））を選択することが一般的になっていた。
　しかし、最近では、薄膜トランジスタ１、２がフラット型の表示デバイスだけでなく、周縁部が湾曲したカーブ（Curved）型の表示デバイス、円弧状に折り曲げられたベンダブル（Bendable）型の表示デバイス、１８０度折り畳み可能なフォルダブル（Foldable）型の表示デバイス等に適用される場合がある。
　このような表示デバイスの曲面部に、高融点金属（例えば、Ｍｏ）が主成分となったゲート電極が適用されると、高融点金属が充分な屈曲耐性を持っていないことから、ゲート電極の一部が亀裂して、該電極が破断する可能性がある。ゲート電極は、ゲート絶縁膜を介して対向する活性層にチャネルを形成する役割を有する。このため、表示デバイスの曲面部にゲート電極が適用された場合、ゲート電極は、亀裂、破断がなく、優れた屈曲耐性を備えていることが望ましい。
　さらに、高融点金属の抵抗率は、金属の中でも比較的高く、薄膜トランジスタ１または２が組み込まれたディスプレイのサイズが上昇するにつれ、ディスプレイにおける表示遅延が起き得る。
　これに対処するために、柔軟性に優れ、低抵抗のＡｌ純金属をゲート電極の材料に適用する方法がある。しかし、Ａｌ純金属でゲート電極を構成すると、熱履歴によってＡｌの結晶粒径が大径化し、ゲート電極内に応力（圧縮応力、引張応力）が発生して、電極表面にヒロックが発生する場合がある。
　このようなヒロックがゲート電極から剥離すると、ゲート電極が高抵抗になったり、ゲート電極が断線したりする可能性がある。さらに、ヒロック上に別の膜が形成された場合には、この膜が下地のヒロックの形状を受けて、高抵抗になったり、膜が断線したりする。
　また、ゲート電極１３のパターニングでは、ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれかが適用されるため、ゲート電極１３においては、ウェットエッチング及びドライエッチングで残渣なく加工されることが要求される。
　このように、ゲート電極１３を構成する電極材としては、ゲート電極１３が低抵抗であることは基より、優れた屈曲耐性（柔軟性）を有し、ヒロックが発生しにくい優れた耐熱性を有していること、残渣なくエッチング加工ができることが要求される。
　（金属配線構造体）
　本実施形態では、上記の課題に対処するために、ゲート電極１３の材料として、図１（ｃ）に示す金属配線構造体が適用される。金属配線構造体は、例えば、真空槽内でスパッタリング成膜によって形成される。
　金属配線構造体は、アルミニウムからなる主成分と、主成分に添加され、鉄からなる添加元素とを有する金属配線膜がスパッタリング法によりガラス基板等の基板に形成される。その後、金属配線膜にキャップ層が積層される。さらに、金属配線構造体は、例えば、活性層１１、２１に施される熱処理とともに、５００℃以下で加熱処理される。金属配線膜には、バナジウムを添加してもよい。
　図１（ｃ）に示すように、金属配線構造体は、金属配線膜であるＡｌ合金膜１３１と、Ａｌ合金膜１３１に積層され、Ａｌ合金膜１３１中に拡散されにくいＴｉＮ、ＭｏＮ、ＷＮ、ＴａＮ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ等で構成されたキャップ層１３２（第１キャップ層）とを有する。
　本実施形態に係るＡｌ合金膜は、アルミニウムからなる主成分と、主成分に添加され、０．００５ａｔ％以上０．８８％以下の鉄からなる添加元素とを有する金属配線膜である（ａｔ％：atom％）。金属配線膜には、添加元素として、０．０１ａｔ％以上０．０５ａｔ％以下のバナジウムが含まれてもよい。
　Ａｌ合金膜は、このほか、不可避成分を含んでもよい。この場合、Ａｌ合金膜は、主成分と、鉄及びバナジウムの元素群と、不可避成分とからなる。ここで、不可避成分とは、例えば、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、またはＺｎがあげられる。
　ここで、鉄の含有量が０．００５ａｔ％より小さいと、Ａｌ合金膜に加熱処理が施された場合、Ａｌ合金膜にヒロックが発生しやすくなり、好ましくない。一方、鉄の含有量が０．８８ａｔ％より大きいと、ターゲット組成制御が困難となり、膜質の均一性が得られなくなるので好ましくない。または、アルミ合金膜のドライエッチング性能が低下するため好ましくない。
　また、バナジウムの含有量が０．０１ａｔ％より小さいと、Ａｌ合金膜に加熱処理が施された場合、Ａｌ合金膜にヒロックが発生しやすくなり、好ましくない。一方、バナジウムの含有量が０．０５ａｔ％より大きいと、Ａｌ合金膜の抵抗率が高くなり、好ましくない。
　このようなＡｌ合金膜を用いれば、例えば、抵抗率が３．７μΩ・ｃｍ以下であり、好ましくは、３．３μΩ・ｃｍ以下である低抵抗のゲート電極１３が形成される。さらに、Ａｌ合金膜は、優れた屈曲耐性を有するとともに、ＦｅまたはＶの元素の添加による優れた効果が発揮する。
　例えば、ＦｅまたはＶの元素の添加による作用として、Ａｌ合金膜に加熱処理（５００℃ｍａｘ、加熱時間は、４５０℃ならば９０分以下、５００℃ならば６０分以下）がなされたとしても、Ａｌ合金膜にヒロックが発生しにくくなる。例えば、Ａｌ合金膜に加熱処理（５００℃ｍａｘ、加熱時間は、４５０℃ならば９０分以下、５００℃ならば６０分以下）がなされたとしても、Ａｌ合金膜におけるＡｌ粒子間での鉄濃度が相対的に高くなり、隣り合うＡｌ粒子同士の結合が抑制され、Ａｌ粒子が微小粒子の状態で留まる（微小粒径：１μｍ以下）。本実施形態における粒子の平均粒径は、レーザ回折法、電子顕微鏡像を用いた画像解析等によって求められる。
　さらに、Ａｌ合金膜にバナジウムが含まれた場合、バナジウムは、アルミニウムに対する固溶強化元素であるため、Ａｌ粒子内ではＡｌとＶとの固溶が促進する。これにより、Ａｌ－Ｖの金属間化合物が分散形成され、Ａｌ粒子内でのＡｌの移動（Ａｌマイグレート）が抑制される。
　また、金属配線構造体においては、Ａｌ合金膜１３１がキャップ層１３２で物理的に被覆される。このため、添加元素の上記効果と相乗して、Ａｌ合金膜中のヒロック発生がさらに抑制される。この結果、Ａｌ合金膜に加熱処理がなされたとしても、Ａｌ粒子の巨大化、すなわち、ヒロック生成が抑えられ、耐熱性の高いＡｌ合金膜が形成される。
　また、上記のキャップ層１３２付きのＡｌ合金膜１３１であれば、ドライエッチングでキャップ層１３２及びＡｌ合金膜１３１の双方のエッチングが可能になる。
　キャップ層１３２は、図１（ｄ）に示すように、Ａｌ合金膜１３１とゲート絶縁膜２２との間だけでなく、Ａｌ合金膜１３１とガラス基板１０との間に設けてもよい。例えば、金属配線膜（Ａｌ合金膜１３１）には、キャップ層１３２とは反対側において、キャップ層１３２とは別のキャップ層１３３（第２キャップ層）が設けられる。キャップ層１３３は、ＴｉＮ、ＭｏＮ、ＷＮ、ＴａＮ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ等で構成される。
　Ａｌ合金膜１３１は、キャップ層１３２と、キャップ層１３３との間に設けられることで、キャップ層の作用がＡｌ合金膜１３１の上方からだけでなく、下方からもＡｌ合金膜１３１に働き、Ａｌ合金膜１３１における、ヒロックの発生がより抑制される。
　例えば、Ａｌ合金膜１３１をガラス基板１０に形成する前に、キャップ層１３２とは反対側のＡｌ合金膜１３１にキャップ層１３３が形成される。これにより、Ａｌ合金膜１３１は、キャップ層１３２とキャップ層１３３との間に配置される。
　なお、Ａｌ合金膜のヒロック抑制には、Ｆｅ及びＶに代えて、Ｆｅ及びＶ以外の遷移元素、半導体元素、アルカリ土類元素、及びランタノイド系から選択された多種の元素を添加する手法もある。しかし、遷移元素、半導体元素、アルカリ土類元素、及びランタノイド系から選択された多種の元素の中には、Ａｌと溶融し合わない元素が含まれる場合がある。
　仮に、Ａｌと溶融し合わない元素がＡｌ膜に添加されてしまうと、加熱処理後、Ａｌ合金の結晶粒界にＡｌと溶融し合わない元素が析出し、この元素が析出された箇所以外の部分の膜において、ボイド（孔）が形成される可能性がある。本実施形態では、ＦｅまたはＶといった２種の元素をＡｌ膜に添加したり、あるいは、キャップ層を利用したりすることで、ボイドが発生することなく、ヒロックの発生をも確実に抑えることができる。
　（アルミニウム合金ターゲット）
　Ａｌ合金膜の形成で用いられるスパッタリングターゲットとしては、アルミニウム合金ターゲット（Ａｌ合金ターゲット）が用いられる。
　Ａｌ合金ターゲットとしては、Ａｌ合金膜と同じ組成のターゲットが準備される。例えば、Ａｌ合金ターゲットは、主成分である純度５Ｎ（９９．９９９％）以上のＡｌ純金属片に、アルミニウムの主成分に添加された元素群とを具備する。元素群は、０．００５ａｔ％以上０．８８％以下の鉄（Ｆｅ）、または、０．００５ａｔ％以上０．８８％以下の鉄（Ｆｅ）及び０．０１ａｔ％以上０．０５ａｔ％以下のバナジウム（Ｖ）からなる（ａｔ％：原子％）。
　Ａｌ合金ターゲットは、このほか、合計で２０ｐｐｍ以下の不可避成分を含んでもよい。この場合、Ａｌ合金ターゲットは、主成分と、元素群と、不可避成分とからなる。ここで、不可避成分とは、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎがあげられる。一例として、Ｓｉは、４ｐｐｍ以下、Ｃｕは、３ｐｐｍ以下、Ｍｎは、１ｐｐｍ以下、Ｚｎは、０．３ｐｐｍ以下である。
　Ａｌ合金ターゲットは、Ａｌ純金属片に、元素群が混合されて、これらの混合材料が誘導加熱等の溶解法により坩堝内で溶解されて、まずはＡｌ合金インゴットとして形成される。Ａｌ合金インゴットには、鍛造・圧延・プレス等の塑性加工が施され、Ａｌ合金インゴットが板状、円板状に加工されることで、Ａｌ合金ターゲットが作製される。
　例えば、坩堝に、Ａｌ、Ｆｅ、またはＶのそれぞれの金属材料（金属片、金属粉）が設置される。次に、誘導加熱により、Ａｌ合金の融点（例えば、６５５℃）よりも、３００℃以上高い溶融温度（例えば、９５５℃）に各金属材料が加熱されて、各金属材料が坩堝内で溶融される。次に、この溶融温度から、溶融した金属が室温まで冷却されてアルミニウム合金インゴットが形成される。この後、アルミニウム合金インゴットは、必要に応じて鍛造され、アルミニウム合金インゴットが板状または円板状に切り出される。これにより、Ａｌ合金ターゲットが形成される。
　ここで、スパッタリングターゲット用の合金インゴットを形成する方法として、金属材料の融点よりも若干高い溶融温度で金属材料を溶融し、その若干高い溶融温度から金属材料が冷却されて、合金インゴットを形成する方法がある。これは、溶融状態から冷却されるまでの冷却時間を短くすることにより、冷却過程で生じる金属間化合物の析出を避けるためである。しかし、この方法では、溶融温度が融点よりも若干高い温度に設定されることから、金属材料が充分に混合しなくなる可能性がある。
　これに対して、本実施例では、Ａｌ合金の融点よりも、３００℃以上高い溶融温度で金属材料が加熱溶融されるため、それぞれの金属材料が充分に混合しあうことになる。ここで、溶融温度が高くなるほど、溶融温度から室温までの冷却時間が長くなり、金属間化合物が析出しやすくなるとも考えられる。しかし、本実施形態では、このようなＡｌ合金の融点よりも３００℃以上高い溶融温度からＡｌ合金インゴットが冷却されても、Ａｌ合金インゴット中に、金属間化合物が析出しにくくなるように、添加元素の濃度が調整されている。
　添加される元素群の添加量が上記の範囲に設定されることにより、金属化合物の相図における固相線と液相線との温度差が小さくなり、金属間化合物等による初晶が坩堝内で沈降しにくいＡｌ合金インゴットが形成される。Ａｌ合金インゴット中には、添加元素が均一に分散されている。
　このようなＡｌ合金ターゲットを用いてスパッタリング成膜されたＡｌ合金膜は、上記の優れた効果を奏する。
　また、スパッタリングターゲットをＡｌ純金属のみで作製すると、Ａｌインゴットが鍛造・圧延・プレス等の塑性加工中に熱を受け、Ａｌインゴット中にＡｌ結晶粒が成長する場合がある。このようなＡｌインゴットから作製されたＡｌターゲットにもＡｌ結晶粒が存在することになり、成膜中にＡｌ結晶粒がプラズマからの熱を受けてＡｌターゲット表面で突起物が形成される。この突起物は、異常放電の原因になったり、成膜中に突起物がＡｌターゲットから飛び出したりする可能性がある。
　これに対して、本実施形態のＡｌ合金ターゲットは、Ａｌ純金属にＦｅまたはＶが上記の添加量で添加されている。これにより、Ａｌ合金インゴットが鍛造・圧延・プレス等の塑性加工中に熱を受けたとしても、Ａｌ合金インゴット中にＡｌ合金結晶粒が成長しにくくなる。従って、Ａｌ合金ターゲットがプラズマから熱を受けても、Ａｌ合金ターゲット表面には突起物が発生しにくく、異常放電、突起物のスプラッシュが起きにくくなる。また、異常放電、突起物のスプラッシュが抑制されることから、Ａｌ合金ターゲットを高パワーのスパッタリング成膜にも適用することができる。
　特に、Ｆｅが添加されたＡｌ合金インゴット（または、Ａｌ合金ターゲット）では、粒子間の粒界におけるＦｅの含有量が粒子内におけるＦｅの含有量よりも高くなる。さらに、Ａｌ合金インゴット（または、Ａｌ合金ターゲット）に、固溶強化元素であるバナジウムが含まれる場合、Ａｌ粒子内ではＡｌとＶとの固溶が促進し、Ａｌ－Ｖの金属間化合物が分散形成される。これにより、Ａｌ粒子内でのＡｌの移動が抑制される。ここで、Ａｌ合金インゴット（または、Ａｌ合金ターゲット）にける粒子の平均粒径は、１００μｍ以上２００μｍ以下に調製される。
　これにより、Ａｌ合金インゴット（または、Ａｌ合金ターゲット）においては、粒界が障壁となり、隣接する微粒子が結合して微粒子が粗大化する現象が抑制される。この結果、Ａｌ合金ターゲットの耐熱性は、さらに向上する。
　金属配線構造体の成膜条件、及び複数の金属配線構造体のそれぞれの特性を以下に示す。以下に示される金属配線構造体は、上記の組成の一例であり、本実施形態での金属配線構造体は、以下の例に限られない。加熱処理は、一例として、窒素雰囲気、４５０℃、０．５時間である。
　（Ａｌ合金膜の製造条件の一例）
　放電電力：ＤＣ放電、５Ｗ／ｃｍ２
　成膜温度：室温
　成膜圧力：０．３Ｐａ
　膜厚：３００ｎｍ
　（窒化膜の製造条件の一例）
　放電電力：ＤＣ放電、５Ｗ／ｃｍ２
　成膜温度：室温
　成膜圧力：０．３Ｐａ
　膜厚：７０ｎｍ、５０ｎｍ、及び３０ｎｍ
　上記の成膜条件によって、例えば、Ａｌ純金属膜、Ａｌ－０．０５ａｔ％Ｆｅ膜、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ膜、Ａｌ－０．０５ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜、Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜、Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜、Ａｌ－０．８ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜が形成された。[0]これらのＡｌ純金属膜、Ａｌ合金膜には、さらにキャップ層の一例としての窒化膜が積層された。
　図１に示すデバイスにおいては、加熱処理が施されることから、加熱処理後の金属配線構造体においてヒロックがなく、低抵抗であることが目的となる。
　図２（ａ）は、窒化膜を設けない場合の複数のＡｌ合金膜の成膜直後及び加熱処理後での表面粗さの変化を示すグラフ図である。図２（ｂ）は、窒化膜を設けた場合の複数のＡｌ合金膜の加熱処理後での表面粗さの変化を示すグラフ図である。
　図２（ａ）、（ｂ）の縦軸は、ＡＦＭで計測された粗さ曲線の最大谷深さ（Ｐ－Ｖ）である。図２（ａ）において、「○（as depo）」は、成膜直後のＰ－Ｖを示し、「●（after anneal）」は、加熱処理後のＰ－Ｖを示している。
　図２（ａ）、（ｂ）には、最も左側にＡｌ純金属膜（Ｐｕｒｅ Ａｌ）の結果が示され、これ以外は、複数のＡｌ合金膜のそれぞれの結果が示されている。成膜直後のＰ－Ｖと、加熱処理後のＰ－Ｖとの差ΔＰＶが大きくなるほど、加熱処理後における表面凹凸が大きくなることを意味し、加熱処理後にヒロックが形成している可能性が高いことを示唆する。
　図２（ａ）の窒化膜を設けない場合、Ａｌ純金属膜では、Ａｌ合金膜に比べて、ΔＰＶが大きくなることが認められた。また、Ａｌ合金膜では、ΔＰＶの上昇が見られたものの、その値は、Ａｌ純金属膜のΔＰＶより小さい結果となった。例えば、Ｆｅの含有量が多くなるほど、ΔＰＶは小さくなる傾向にあることが分かった。さらに、Ｆｅの含有量が同じであっても、Ｖを添加することにより、ΔＰＶがさらに減少した。すなわち、Ａｌ純金属に、ＦｅまたはＶの添加物を加えることでヒロック発生が抑制されることが分かった。
　一方、図２（ｂ）には、窒化膜を設けた場合の加熱処理後の結果が示されている。ここで、窒化膜（ＴｉＮ）の厚みとして、３０ｎｍ、５０ｎｍ、及び７０ｎｍの３種が準備されている。Ａｌ純金属膜では、窒化膜を設けなかった場合に比べてΔＰＶは下がったものの、そのΔＰＶは０には漸近しなかった。
　これに対して、Ａｌ－０．０５ａｔ％Ｆｅ膜、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ膜、Ａｌ－０．０５ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜、Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜、Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜、Ａｌ－０．８ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜では、窒化膜を設けると、ΔＰＶがＡｌ純金属膜に比べてより小さくなることが分かった。
　例えば、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ膜では、窒化膜が７０ｎｍにおいて、ΔＰＶがより０に漸近することが分かった。特に、Ｖを混在させた場合には、窒化膜が３０ｎｍと薄い場合でも、ΔＰＶが０により漸近することが分かった。
　図３（ａ）は、Ａｌ純金属膜、複数のＡｌ合金膜の加熱処理後での抵抗率ρ（μΩ・ｃｍ）の変化を示すグラフ図である。図中の破線は、単層のＡｌ合金膜の加熱処理後における抵抗率の目標値であり、単層のＡｌ合金膜の抵抗率として最大値３．７μΩ・ｃｍ以下を目的とする。
　単層のＡｌ合金膜の抵抗率変化に注目すると、これらの抵抗率は、いずれも目標値（３．７μΩ・ｃｍ以下）となることが分かった。特に、Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜、Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜では３．５μΩ・ｃｍ以下、Ａｌ－０．０５ａｔ％Ｆｅ膜、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ膜、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜では、３．３μΩ・ｃｍ以下となることが分かった。すなわち、ＡｌにＦｅまたはＶの添加物を加えることで、Ａｌ合金膜は、Ａｌと同等の抵抗率を示し、Ａｌよりも耐熱性が高くなることが分かった。また、Ｖは０．０５ａｔ％以下であれば、Ａｌ合金において重量偏析がなく、ターゲット作製が可能である。さらに、Ａｌ中の拡散係数が小さく、転位の移動が起きにくく、良好な耐熱性が保持される。このため、窒化膜を薄く形成しても、低いΔＰＶを維持する。
　図３（ｂ）は、キャップ層としての窒化膜を形成したＡｌ合金膜の加熱処理前の抵抗率ρ（μΩ・ｃｍ）を示すグラフ図である。図３（ｃ）は、キャップ層としての窒化膜を形成したＡｌ合金膜の加熱処理後の抵抗率ρ（μΩ・ｃｍ）を示すグラフ図である。加熱温度は、４５０℃である。図３（ｂ）、（ｃ）には、Ａｌ純金属膜、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜、及びＡｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜のＴｉＮ膜付きの抵抗率ρ（縦軸）が示されている。また、キャップ層の厚みは、図３（ｂ）、（ｃ）のそれぞれの横軸に示されるように、それぞれの膜において、３０ｎｍ、５０ｎｍ、または７０ｎｍに設定される。
　キャップ層が形成されたＡｌ合金膜の抵抗率については、ゲート電極１３として単層のＭｏ膜が用いられた場合よりも低くなることが望ましく、例えば、Ｍｏ膜の抵抗率の半分以下に設定されることが望ましい。例えば、キャップ層が形成されたＡｌ合金膜の抵抗率は、６μΩ・ｃｍ以下に設定されることが望ましい。
　図３（ｂ）に示すように、加熱処理前においては、ＴｉＮ膜をＡｌ合金膜のキャップ層とした場合、Ａｌ純金属膜に比べて、Ａｌ合金膜の抵抗率は高くなった。特に、Ｆｅの濃度がより高いＡｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜の抵抗率は、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜の抵抗率よりも高い。また、ＴｉＮ膜の厚みが増すにつれ、その抵抗率が上昇することが分かった。
　例えば、ＴｉＮ膜の厚みが５０ｎｍ以上で、Ｆｅの濃度が比較的高いＡｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜では、比抵抗が６μΩ・ｃｍより大きくなるものの、これ以外では、比抵抗が６μΩ・ｃｍ以下となっている。
　さらに、図３（ｃ）に示すように、加熱処理後においては、ＴｉＮ膜付きＡｌ合金膜の抵抗率がＴｉＮ膜のいずれの膜厚において相対的に６（μΩ・ｃｍ）以下に下がることが分かった。特に、ＴｉＮ膜が７０ｎｍのときには、ＴｉＮ／Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜の抵抗率は、４．１（μΩ・ｃｍ）となった。さらに、ＴｉＮ膜が３０ｎｍのときには、抵抗率が単層のＡｌ合金膜と同程度になり、例えば、ＴｉＮ／Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜の抵抗率は、３．７（μΩ・ｃｍ）、ＴｉＮ／Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜の抵抗率は、３．５（μΩ・ｃｍ）となり、ともに３．７μΩ・ｃｍ以下となった。
　図４（ａ）～図４（ｈ）は、窒化膜を設けなかった場合の加熱処理後のＡｌ純金属膜及び複数のＡｌ合金膜の表面ＳＥＭ像である。図５（ａ）～図５（ｈ）は、窒化膜を設けた場合の加熱処理後のＡｌ純金属膜及び複数のＡｌ合金膜の表面ＳＥＭ像である。表面ＳＥＭ像では、ヒロックがＡｌ合金膜表面に析出した場合、ヒロックが白い粒子として写し出される。
　一般に、Ｖ等の添加元素を添加せず、Ｆｅの濃度を下げると、Ａｌ合金がＡｌ純金属に近づくことからヒロックが析出し易い傾向にある。例えば、図４（ａ）のＡｌ純金属膜、図４（ｂ）のＡｌ－０．０５ａｔ％Ｆｅ膜、図４（ｃ）のＡｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ膜では、ヒロックと思われる粒子が比較的大きく観測されている。また、これら以外の他のＡｌ合金膜については、図４（ａ）～図４（ｃ）の粒子径よりも粒径が抑えられているものの、ヒロックが細かい粒子として観測されている。但し、Ｖを添加させることで、ヒロックの巨大化が抑えられているように見える。
　これに対し、窒化膜を設けた場合では、Ａｌ純金属膜の像（図５（ａ））からは、ヒロックと思われる粒子が微粒子となって観測されたものの、その他のＡｌ合金属膜の像（図５（ｂ）～図５（ｈ））からは、ヒロックと思われる粒子が観測されなかった。
　また、図４（ａ）～図５（ｈ）に示された例は、加熱処理が窒素雰囲気、４５０℃、０．５時間での結果であるが、窒化膜（７０ｎｍ）を設けたＡｌ合金属膜では、加熱処理を０．５時間よりも長く、あるいは、加熱温度を５００℃に上昇させてもヒロックが発生しないことが見出された。
　例えば、図６（ａ）～図６（ｆ）は、加熱温度が４５０℃で加熱時間を１．５時間にした場合のＡｌ純金属膜、Ａｌ合金膜、及びキャップ層付きの積層膜の表面ＳＥＭ像である。ここで、図６（ａ）には、Ａｌ純金属膜の表面ＳＥＭ像が示され、図６（ｂ）には、窒化膜付きＡｌ純金属膜の表面ＳＥＭ像が示されている。図６（ｃ）には、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜の表面ＳＥＭ像が示され、図６（ｄ）には、窒化膜付きＡｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜の表面ＳＥＭ像が示されている。図６（ｅ）には、Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜の表面ＳＥＭ像が示され、図６（ｆ）には、窒化膜付きＡｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜の表面ＳＥＭ像が示されている。
　図６（ａ）に示すように、Ａｌ純金属膜ではヒロックが発生することが確認された。また、図６（ｂ）に示すように、Ａｌ純金属膜に窒化膜を設けてもヒロックが発生することが確認された。これに対し、図６（ｃ）に示すように、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜ではヒロックが発生するものの、図６（ｄ）に示すように、窒化膜付きのＡｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜ではヒロックが発生しないことが確認された。さらに、図６（ｅ）に示すように、Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜ではヒロックが発生するものの、図６（ｆ）に示すように、窒化膜付きのＡｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜ではヒロックが発生しないことが確認された。
　図７（ａ）～図７（ｆ）は、加熱温度が５００℃で加熱時間を１．０時間にした場合のＡｌ純金属膜、Ａｌ合金膜、及びキャップ層付きの積層膜の表面ＳＥＭ像である。ここで、図７（ａ）には、Ａｌ純金属膜の表面ＳＥＭ像が示され、図７（ｂ）には、窒化膜付きＡｌ純金属膜の表面ＳＥＭ像が示されている。図７（ｃ）には、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜の表面ＳＥＭ像が示され、図７（ｄ）には、窒化膜付きＡｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜の表面ＳＥＭ像が示されている。図７（ｅ）には、Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜の表面ＳＥＭ像が示され、図７（ｆ）には、窒化膜付きＡｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜の表面ＳＥＭ像が示されている。
　図７（ａ）に示すように、Ａｌ純金属膜ではヒロックが発生することが確認された。また、図７（ｂ）に示すように、Ａｌ純金属膜に窒化膜を設けてもヒロックが発生することが確認された。これに対し、図７（ｃ）に示すように、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜ではヒロックが発生するものの、図７（ｄ）に示すように、窒化膜付きのＡｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜ではヒロックが発生しないことが確認された。さらに、図７（ｅ）に示すように、Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜ではヒロックが発生するものの、図７（ｆ）に示すように、窒化膜付きのＡｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜ではヒロックが発生しないことが確認された。
　なお、加熱温度が４５０℃、加熱時間１．５時間、及び加熱温度が５００℃、加熱時間１．０時間のいずれの場合も、Ａｌ合金膜の比抵抗は、加熱時間４５０℃、加熱時間０．５時間の場合と同程度であった。
　図８（ａ）～図８（ｄ）は、ガラス基板上に形成したＡｌ合金膜をエッチングした後におけるガラス基板表面のＳＥＭ像の一例が示されている。ここで、図８（ａ）には、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ膜をエッチングした例が示され、図８（ｂ）には、Ａｌ－０．０５ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜をエッチングした例が示され、図８（ｃ）には、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜をエッチングした例が示され、図８（ｄ）には、Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜をエッチングした例が示されている。
　ドライエッチングにおいて、エッチングガスは、Ｃｌ２（５０ｓｃｃｍ）／Ａｒ（２０ｓｃｃｍ）の混合ガスである。エッチング圧は、１．０Ｐａである。放電電力は、基板バイアス電力が４００Ｗの状態で、６００Ｗである。また、フッ素系ガス（ＣＦ４、ＳＦ６、 ＣＨＦ３など）、塩素系ガス（ＢＣｌ３など）のガスを使用したり、これらを組み合わせて使用したりしてもよい。ウェットエッチング液としては、フッ化アンモニウム／硝酸／水を含む混合溶液（例：関東化学KSMF-260）、ＫＳＭＦシリーズ（関東化学）、リン酸／硝酸／酢酸／水を含む混合液（関東化学 混酸Ａｌエッチング液）、過酸化水素水、過酸化水素水を含む混合液等が用いられる。液温は、４０℃である。膜種、構造によって、エッチングガスやエッチング液は使い分けられ、また、ドライエッチングとウェットエッチングを組み合わせてもよい。
　図８（ａ）～図８（ｄ）に示すＡｌ合金膜では、いずれもガラス基板上に残渣なくドライエッチング及びウェットエッチングが可能になることが分かった。
　図９（ａ）及び図９（ｂ）は、ガラス基板上に形成したＡｌ合金膜にさらに窒化膜（ＴｉＮ、７０ｎｍ）を付けた膜をエッチングした後におけるガラス基板表面のＳＥＭ像の一例が示されている。ここで、図９（ａ）には、ＴｉＮ膜／Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜をエッチングした例が示され、図９（ｂ）には、ＴｉＮ膜／Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜をエッチングした例が示されている。
　図９（ａ）、（ｂ）に示す窒化膜付きのＡｌ合金膜では、いずれもガラス基板上に残渣なく、例えば、ドライエッチング等のエッチングが可能になることが分かった。窒化膜は、エッチング時に、Ａｌ合金膜と一括で取り除かれる。従って、キャップ層である窒化膜をＡｌ合金膜に付設させても、Ａｌ合金膜のエッチング工程で、窒化膜付きＡｌ合金膜を一括でエッチングすることができる。
　また、図９（ａ）に示すＴｉＮ膜／Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜、及び、図９（ｂ）に示すＴｉＮ膜／Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜に対して、レジスト現像液であるＴＭＡＨ（Tetramethyl ammonium hydroxide）溶液、または、酸化膜除去を行うＨＦ溶液を用いた薬液処理を行ったところ、ＴｉＮ膜の表面に荒れは発生しなかった。
　表１には、Ａｌ合金膜の屈曲試験の結果が示されている。
　屈曲試験用の基板として、ポリイミド層（２５μｍ）の基板を準備した。ポリイミド層上に、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ膜、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜、及びＡｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜の３種のＡｌ合金膜を成膜した。Ａｌ合金膜の厚みは、３００ｎｍである。さらに、それぞれのＡｌ合金膜にＴｉＮ膜を形成した。ＴｉＮ膜の厚みとしては、３０ｎｍ、５０ｎｍ、及び７０ｎｍの３種が準備された。すなわち、９種の評価用サンプル（サンプル１～９）が形成された。
　評価用サンプルのそれぞれには、屈曲試験前に、４５０℃、３０分のアニール処理が施された。屈曲試験での屈曲半径は、１ｍｍである。試験速度は、３０ｒｐｍである。屈曲回数は、１回、１０００回、１００００回、及び１０００００回である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　屈曲試験前後での抵抗（シート抵抗（Ω／square））を計測した。屈曲試験前の抵抗をＲ０とし、試験後の抵抗をＲとし、Ｒ／ＲＯを表１に示している。Ｒ／Ｒ０が「１」に漸近するほど、屈曲試験前後での抵抗変化がないことを意味する。
　表１に示すように、１００００回の屈曲回数まで、サンプル１～９について初期値（Ｒ０）からの抵抗変化がないことが認められた。１０００００回の屈曲回数になると、サンプル１、４、７について抵抗上昇が見られたものの、その他のサンプル２、３、５、６、８、９では、初期値（Ｒ０）からの抵抗変化がないことが認められた。屈曲半径が１．０ｍｍの場合、より確実な屈曲耐性を得るためには、ＴｉＮ膜の厚みが５０ｎｍ以下に設定されることが好ましい。
　なお、表２には、Ａｌ合金膜の屈曲試験の別の結果が示されている。
　表２には、屈曲試験での屈曲半径が１．５ｍｍの場合が示されている。サンプルとして、３種が用意された（サンプル１０～１２）。例えば、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ膜、Ａｌ－０．１ａｔ％Ｆｅ－０．０２ａｔ％Ｖ膜、及びＡｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜の３種のＡｌ合金膜のそれぞれに７０ｎｍのＴｉＮ膜が形成された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示すように、ＴｉＮ膜の厚みを７０ｎｍとすると、サンプル１０～１２において屈曲回数が１０００００回でも、初期値（Ｒ０）からの抵抗変化がないことが認められた。すなわち、屈曲半径を１．５ｍｍとすれば、ＴｉＮ膜の厚みを７０ｎｍとしても、優れた屈曲耐性が得られることがわかった。
　なお、厚みが３００ｎｍでの単層のＭｏ膜についても、サンプル１～９と同様に屈曲試験を試みた。単層のＭｏ膜においては、屈曲回数が１０３回で、Ｍｏ膜にクラックが発生し、Ｒ／Ｒ０が約５０となった。単層のＭｏ膜では、屈曲回数が１０４回になると、クラックがさらに増え、Ｒ／Ｒ０が約６５にまで上昇することを確認した。
　上述したように、キャップ層の材料の例としては、ＴｉＮ膜に限らず、ＭｏＮ、ＷＮ、ＴａＮ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ等からなるいずれかの膜が用いられてもよい。例えば、Ｗ膜が７０ｎｍのときには、Ｗ／Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜の抵抗率が４．４（μΩ・ｃｍ）となり、Ｔａ膜が７０ｎｍのときには、Ｔａ／Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜の抵抗率が４．３（μΩ・ｃｍ）となり、Ｍｏ膜が７０ｎｍのときには、Ｍｏ／Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜の抵抗率が４．４（μΩ・ｃｍ）となり、ＴｉＮ付きＡｌ合金膜と抵抗率が同程度になった。
　特に、Ｍｏ、Ｗの抵抗率は、ＴｉＮ膜の抵抗率に近いことに加え、Ｍｏ、Ｗは、Ａｌ、Ｆｅ、及びＶに対し、優れたバリア機能を有することから、これらの材料をＴｉＮに置き換えることができる。
　例えば、図１０（ａ）～図１０（ｄ）は、加熱温度が５００℃で加熱時間を１．０時間にした場合のキャップ層付きの積層膜の表面ＳＥＭ像である。ここで、キャップ層としては、膜厚３０ｎｍのＭｏ（図１０（ａ））、膜厚７０ｎｍのＭｏ（図１０（ｂ））、膜厚３０ｎｍのＷ（図１０（ｃ））、または膜厚７０ｎｍのＷ（図１０（ｄ））が用いられている。Ａｌ合金膜は、Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜（膜厚：３００ｎｍ）である。
　図１０（ａ）～図１０（ｄ）に示すように、いずれの積層膜においてヒロックが発生していないことが分かる。
　表３には、屈曲試験での屈曲半径が１．０ｍｍの場合が示されている。サンプルとして、膜厚３００ｎｍのＡｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜に、Ｍｏ、Ｗのキャップ層が形成され、例えば、Ｍｏ（７０ｎｍ）／Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜（サンプル１３）、Ｍｏ（３０ｎｍ）／Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜（サンプル１４）、Ｗ（７０ｎｍ）／Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜（サンプル１５）、及びＷ（３０ｎｍ）／Ａｌ－０．２ａｔ％Ｆｅ－０．０５ａｔ％Ｖ膜（サンプル１６）の４種が用意された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表３に示すように、１０００回の屈曲回数までは、サンプル１３～１６について初期値（Ｒ０）からの抵抗変化がないことが認められた。但し、屈曲回数が１００００回となると、膜厚が７０ｎｍのＭｏ膜またはＷ膜の場合において、Ｒ／ＲＯ値が上昇し始めた。しかし、膜厚が３０ｎｍのＭｏ膜またはＷ膜の場合では、いずれの積層膜において屈曲回数が１０００００回であっても、初期値（Ｒ０）からの抵抗変化がないことが認められた。
　このように、キャップ層は、ＴｉＮに限らず、ＴｉＮと似た機械特性を持つ材料であれば、キャップ層としてＴｉＮと同様の耐熱性効果が発揮できる。また、キャップ層の種類と膜厚を最適化することで、耐熱性と屈曲性を両立することが可能である。なお、本実施形態において、例示した材料は、一例であり、耐熱性、比抵抗、屈曲耐性の仕様に合わせて各膜の膜厚の調整や、２積層、３積層の構造を調整することができる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。各実施形態は、独立の形態とは限らず、技術的に可能な限り複合することができる。
　１、２…薄膜トランジスタ
　１０…ガラス基板
　１１、２１…活性層
　１２、２２…ゲート絶縁膜
　１３…ゲート電極
　１５…保護層
　１６Ｄ、２６Ｄ…ドレイン電極
　１６Ｓ、２６Ｓ…ソース電極
　１３１…Ａｌ合金膜
　１３２、１３３…キャップ層

Claims (8)

  1. 　アルミニウムからなる主成分と、前記主成分に添加され、０．００５ａｔ％以上０．８８％以下の鉄からなる添加元素とを有する金属配線膜と、
    　前記金属配線膜に積層された第１キャップ層と
    　を具備する金属配線構造体。
  2. 　請求項１に記載された金属配線構造体であって、
    　前記添加元素として、０．０１ａｔ％以上０．０５ａｔ％以下のバナジウムをさらに有する金属配線構造体。
  3. 　請求項２に記載された金属配線構造体であって、
    　前記主成分と、前記添加元素と、不可避成分とからなる
    　金属配線構造体。
  4. 　請求項１～３のいずれか１つに記載された金属配線構造体であって、
    　前記金属配線膜には、前記第１キャップ層とは反対側において、第２キャップ層が設けられ、前記金属配線膜が前記第１キャップ層と前記第２キャップ層との間に設けられている
    　金属配線構造体。
  5. 　アルミニウムからなる主成分と、前記主成分に添加され、０．００５ａｔ％以上０．８８％以下の鉄からなる添加元素とを有する金属配線膜を基板に形成し、
    　前記金属配線膜に第１キャップ層を積層し、
    　前記金属配線膜が５００℃以下で加熱処理される
    　金属配線構造体の製造方法。
  6. 　請求項５に記載された金属配線構造体の製造方法であって、
    　前記第１キャップ層とは反対側の前記金属配線膜に第２キャップ層を形成し、前記金属配線膜を前記第１キャップ層と前記第２キャップ層との間に配置する
    　金属配線構造体の製造方法。
  7. 　アルミニウムからなる主成分と、
    　前記主成分に添加され、０．００５ａｔ％以上０．８８％以下の鉄からなる添加元素と
    　を具備するスパッタリングターゲット。
  8. 　請求項７に記載されたスパッタリングターゲットであって、
    　前記添加元素として、０．０１ａｔ％以上０．０５ａｔ％以下のバナジウムをさらに有するスパッタリングターゲット。
PCT/JP2021/023626 2020-06-30 2021-06-22 金属配線構造体、金属配線構造体の製造方法及びスパッタリングターゲット WO2022004491A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021559565A JP7133727B2 (ja) 2020-06-30 2021-06-22 金属配線構造体及び金属配線構造体の製造方法
KR1020227036641A KR20220156913A (ko) 2020-06-30 2021-06-22 금속 배선 구조체, 금속 배선 구조체의 제조방법 및 스퍼터링 타깃
CN202180032239.5A CN115485818A (zh) 2020-06-30 2021-06-22 金属布线结构体、金属布线结构体的制造方法及溅射靶

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020112983 2020-06-30
JP2020-112983 2020-06-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022004491A1 true WO2022004491A1 (ja) 2022-01-06

Family

ID=79316267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/023626 WO2022004491A1 (ja) 2020-06-30 2021-06-22 金属配線構造体、金属配線構造体の製造方法及びスパッタリングターゲット

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7133727B2 (ja)
KR (1) KR20220156913A (ja)
CN (1) CN115485818A (ja)
TW (1) TWI826799B (ja)
WO (1) WO2022004491A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004260194A (ja) * 1995-10-12 2004-09-16 Toshiba Corp 配線膜、配線膜形成用のスパッタターゲットおよびそれを用いた電子部品
JP2008098611A (ja) * 2006-09-15 2008-04-24 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP2017092330A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 株式会社神戸製鋼所 デバイス用配線膜
JP2017092331A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 株式会社神戸製鋼所 デバイス用配線膜、およびＡｌ合金スパッタリングターゲット材料
JP2019077917A (ja) * 2017-10-24 2019-05-23 株式会社アルバック Ａｌ合金導電膜、薄膜トランジスタ及びＡｌ合金導電膜の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003089864A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材
US20050112019A1 (en) * 2003-10-30 2005-05-26 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho(Kobe Steel, Ltd.) Aluminum-alloy reflection film for optical information-recording, optical information-recording medium, and aluminum-alloy sputtering target for formation of the aluminum-alloy reflection film for optical information-recording
WO2015108110A1 (ja) 2014-01-15 2015-07-23 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004260194A (ja) * 1995-10-12 2004-09-16 Toshiba Corp 配線膜、配線膜形成用のスパッタターゲットおよびそれを用いた電子部品
JP2008098611A (ja) * 2006-09-15 2008-04-24 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP2017092330A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 株式会社神戸製鋼所 デバイス用配線膜
JP2017092331A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 株式会社神戸製鋼所 デバイス用配線膜、およびＡｌ合金スパッタリングターゲット材料
JP2019077917A (ja) * 2017-10-24 2019-05-23 株式会社アルバック Ａｌ合金導電膜、薄膜トランジスタ及びＡｌ合金導電膜の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220156913A (ko) 2022-11-28
TWI826799B (zh) 2023-12-21
JP7133727B2 (ja) 2022-09-08
CN115485818A (zh) 2022-12-16
JPWO2022004491A1 (ja) 2022-01-06
TW202206625A (zh) 2022-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060091792A1 (en) Copper alloy thin films, copper alloy sputtering targets and flat panel displays
JP6630414B2 (ja) フラットパネルディスプレイ用配線膜、およびＡｌ合金スパッタリングターゲット
JP4729661B2 (ja) ヒロックが無いアルミニウム層及びその形成方法
JP6842562B2 (ja) アルミニウム合金膜、その製造方法、及び薄膜トランジスタ
JP5491947B2 (ja) 表示装置用Ａｌ合金膜
WO2021117302A1 (ja) アルミニウム合金ターゲット、アルミニウム合金配線膜、及びアルミニウム合金配線膜の製造方法
JP2010238800A (ja) 表示装置用Ａｌ合金膜、薄膜トランジスタ基板および表示装置
WO2022004491A1 (ja) 金属配線構造体、金属配線構造体の製造方法及びスパッタリングターゲット
JP6735930B2 (ja) アルミニウム合金ターゲット及びその製造方法
JP6947604B2 (ja) Ａｌ合金導電膜、薄膜トランジスタ及びＡｌ合金導電膜の製造方法
JP5200430B2 (ja) 金属薄膜の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021559565

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21832389

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20227036641

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21832389

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1