WO2021261229A1 - 光検出装置、および電子機器 - Google Patents

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WO2021261229A1
WO2021261229A1 PCT/JP2021/021510 JP2021021510W WO2021261229A1 WO 2021261229 A1 WO2021261229 A1 WO 2021261229A1 JP 2021021510 W JP2021021510 W JP 2021021510W WO 2021261229 A1 WO2021261229 A1 WO 2021261229A1
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transistor
voltage
signal
gate
switch
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PCT/JP2021/021510
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English (en)
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健吾 安藤
佐智雄 曙
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ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • H03M1/56—Input signal compared with linear ramp

Definitions

  • the present disclosure relates to a photodetector capable of detecting light and an electronic device equipped with such a photodetector.
  • Patent Document 1 discloses a signal having a lamp waveform and an image pickup apparatus that performs AD conversion based on a pixel signal. Further, Patent Document 1 discloses a technique for reducing noise included in a pixel signal by a CDS (Correlated Double Sampling) method.
  • CDS Correlated Double Sampling
  • the optical detection device is a first, which corresponds to a pixel capable of generating a pixel signal, a reference signal generation unit capable of generating a reference signal, and a comparison operation based on the pixel signal and the reference signal.
  • a first-stage amplifier circuit capable of outputting an output signal and a first-stage amplifier circuit connected to the first-stage amplifier circuit via a connection node and corresponding to a first output signal output from the first-stage amplifier circuit via the connection node. It has a comparison circuit having a second-stage amplifier circuit capable of outputting 2 output signals, and one end and the other end, one end of which is connected to a connection node, and it is possible to change the impedance and voltage at the connection node. It includes a first switch.
  • FIG. 1 shows an example of a configuration of an image pickup apparatus 1 to which a photodetector according to an embodiment is applied.
  • the image pickup apparatus 1 includes a pixel array 11, a drive unit 12, a reference signal generation unit 13, a reading unit 20, a signal processing unit 14, and an image pickup control unit 15.
  • the pixel array 11 has a plurality of pixels P arranged in a matrix.
  • the pixel P is configured to generate a pixel voltage Vpix according to the amount of light received.
  • FIG. 2 shows an example of the configuration of the pixel P in the image pickup apparatus 1.
  • the pixel array 11 has a plurality of control lines TGL, a plurality of control lines RSTL, a plurality of control lines SELL, and a plurality of signal lines VSL.
  • the control line TGL extends in the horizontal direction (horizontal direction in FIG. 2), and one end thereof is connected to the drive unit 12.
  • a control signal STG is supplied to the control line TGL by the drive unit 12.
  • the control line RSTL extends in the horizontal direction, and one end thereof is connected to the drive unit 12.
  • a control signal SRST is supplied to the control line RSTL by the drive unit 12.
  • the control line SELL extends in the horizontal direction, and one end thereof is connected to the drive unit 12.
  • the pixel P has a photodiode PD, a transistor TG, a floating diffusion FD, and transistors RST, AMP, and SEL.
  • the transistors TG, RST, AMP, and SEL are N-type MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistors in this example.
  • the photodiode PD is a photoelectric conversion element that generates an amount of electric charge according to the amount of received light and stores the generated electric charge inside.
  • the anode of the photodiode PD is grounded and the cathode is connected to the source of the transistor TG.
  • the gate of the transistor TG is connected to the control line TGL, the source is connected to the cathode of the photodiode PD, and the drain is connected to the floating diffusion FD.
  • the floating diffusion FD is configured to store the electric charge transferred from the photodiode PD via the transistor TG.
  • the floating diffusion FD is configured by using, for example, a diffusion layer formed on the surface of a semiconductor substrate. In FIG. 2, the floating diffusion FD is shown using the symbol of the capacitive element.
  • the gate of the transistor AMP is connected to the floating diffusion FD, the power supply voltage VDD is supplied to the drain, and the source is connected to the drain of the transistor SEL.
  • the transistor SEL is turned on based on the control signal SSEL supplied to the control line SELL, so that the pixel P is electrically connected to the signal line VSL.
  • the transistor AMP is connected to the constant current source CS (see FIG. 3 described later) of the reading unit 20 and operates as a so-called source follower.
  • the pixel P outputs a signal SIG including a voltage corresponding to the voltage in the floating diffusion FD to the signal line VSL.
  • the pixel P outputs the reset voltage V reset in the P phase period TP of the two periods (P phase period TP and D phase period TD) in which the reading unit 20 performs AD conversion.
  • the pixel voltage Vpix corresponding to the amount of received light is output in the D phase period TD.
  • the pixel P outputs a signal SIG including these reset voltage Vreset and pixel voltage Vpix to the signal line VSL.
  • the reference signal generation unit 13 is configured to generate a reference signal RAMP based on an instruction from the image pickup control unit 15.
  • the reference signal RAMP has a so-called lamp waveform in which the voltage level gradually changes with the passage of time in two periods (P phase period TP and D phase period TD) in which the reading unit 20 performs AD conversion.
  • the reference signal generation unit 13 supplies the reference signal RAMP to the reading unit 20.
  • the reading unit 20 is configured to generate the image signal DATA0 by performing AD conversion based on the signal SIG supplied from the pixel array 11 via the signal line VSL based on the instruction from the image pickup control unit 15. Will be done.
  • a plurality of constant current sources CS are provided corresponding to a plurality of signal line VSLs.
  • the 0th constant current source CS [0] is provided corresponding to the 0th signal line VSL [0]
  • the 1st constant current source CS [1] is the 1st signal line.
  • the second constant current source CS [2] is provided corresponding to the VSL [1]
  • the second constant current source CS [2] is provided corresponding to the second signal line VSL [2]
  • the third constant current source CS [3] is provided. It is provided corresponding to the third signal line VSL [3].
  • One end of the constant current source CS is connected to the corresponding signal line VSL and the other end is grounded.
  • Each of the plurality of constant current sources CS is configured to carry a predetermined current through the corresponding signal line VSL.
  • a plurality of AD conversion units ADC are provided corresponding to a plurality of signal line VSLs.
  • the 0th AD conversion unit ADC [0] is provided corresponding to the 0th signal line VSL [0]
  • the 1st AD conversion unit ADC [1] is the 1st signal line.
  • the second AD conversion unit ADC [2] is provided corresponding to the VSL [1]
  • the second AD conversion unit ADC [2] is provided corresponding to the second signal line VSL [2]
  • the third AD conversion unit ADC [3] is provided. It is provided corresponding to the third signal line VSL [2]. The same applies to the fourth and subsequent ones.
  • Each of the plurality of AD conversion units ADC is configured to convert the voltage of the signal SIG into a digital code CODE by performing AD conversion based on the signal SIG supplied from the pixel array 11.
  • the AD conversion unit ADC has a comparison unit 21, a counter 24, and a latch 25.
  • the comparison unit 21 is configured to generate a signal OUT2 by performing a comparison operation based on a signal SIG supplied from the reference signal RAMP and the pixel P supplied from the reference signal generation unit 13 via the signal line VSL. To.
  • the comparison unit 21 sets an operating point based on the control signals AZSW and AZN supplied from the image pickup control unit 15, and then performs a comparison operation.
  • the comparison unit 21 has a power supply circuit 22 and a comparison circuit 23.
  • the image pickup control unit 15 supplies the power supply voltage VDD0 to the plurality of comparison units 21 via the power supply line VDDL.
  • the power supply circuit 22 generates a power supply voltage VDD1 based on the power supply voltage VDD0, and supplies the generated power supply voltage VDD1 to the comparison circuit 23.
  • the comparison circuit 23 is adapted to generate the signal OUT2 by performing a comparison operation based on the reference signal RAMP and the signal SIG.
  • the counter 24 performs a counting operation for counting the pulse of the clock signal CLK supplied from the image pickup control unit 15 based on the signal OUT 2 supplied from the comparison unit 21 and the control signal CTL supplied from the image pickup control unit 15. It is configured as follows.
  • the transfer scanning unit 29 controls the latch 25s of the plurality of AD conversion units ADCs to sequentially output the digital code CODE to the bus wiring BUS based on the control signal CTL2 supplied from the image pickup control unit 15. It is composed of. Using this bus wiring BUS, the reading unit 20 sequentially transfers a plurality of digital code CODEs supplied from the plurality of AD conversion units ADC to the signal processing unit 14 as an image signal DATA0.
  • the signal processing unit 14 (FIG. 1) generates an image signal DATA by performing predetermined signal processing on the image signal DATA0 based on an instruction from the image pickup control unit 15, and outputs the image signal DATA. It is configured as follows.
  • the image pickup control unit 15 supplies control signals to the drive unit 12, the reference signal generation unit 13, the read unit 20, and the signal processing unit 14, and controls the operation of these circuits to control the operation of the image pickup device 1. It is configured to do. Specifically, the image pickup control unit 15 supplies a control signal to the drive unit 12, so that the drive unit 12 sequentially drives a plurality of pixels P in the pixel array 11 in units of pixel lines L. Control. Further, the image pickup control unit 15 controls the reference signal generation unit 13 to generate the reference signal RAMP by supplying the control signal to the reference signal generation unit 13.
  • the image pickup control unit 15 supplies the power supply voltage VDD0 and the bias voltages VB1 and VB2 to the reading unit 20, and also supplies the control signals AZSW, AZN, CTL, CTL2 and the clock signal CLK to read the reading unit. 20 controls to generate the image signal DATA0 by performing AD conversion based on the signal SIG. Further, the image pickup control unit 15 controls the operation of the signal processing unit 14 by supplying a control signal to the signal processing unit 14.
  • the power supply circuit 22 of the comparison unit 21 has a transistor MN10, a capacitive element C4, and a switch SW3.
  • the first stage circuit 101 has capacitive elements C1, C2, C5, transistors MP11, MN11, and switches SW1 and SW4.
  • the post-stage circuit 102 has a capacitive element C3, transistors MP12 and MN12, and switches SW2 and SWa.
  • the transistors MP11 and MP12 are P-type MOS transistors, and the transistors MN10 to MN12 are N-type MOS transistors.
  • the power supply voltage VDD0 is supplied to the back gates of the transistors MP11 and MP12
  • the ground voltage VSS0 is supplied to the back gates of the transistors MN10 to MN12.
  • the signal SIG corresponds to a specific example of the "pixel signal” in the technique of the present disclosure.
  • the signal OUT1 corresponds to a specific example of the "first output signal” in the technique of the present disclosure.
  • the signal OUT2 corresponds to a specific example of the "second output signal” in the technique of the present disclosure.
  • the first-stage circuit 101 corresponds to a specific example of the "first-stage amplifier circuit” in the technique of the present disclosure.
  • the latter stage circuit 102 corresponds to a specific example of the "second stage amplifier circuit” in the technique of the present disclosure.
  • the switch SWa corresponds to a specific example of the "first switch” in the technique of the present disclosure.
  • the switch SW1 corresponds to a specific example of the "second switch” in the technique of the present disclosure.
  • connection node Nd1 corresponds to a specific example of the "connection node” in the technique of the present disclosure.
  • the transistor MP11 corresponds to a specific example of the "first transistor” in the technique of the present disclosure.
  • the transistor MP12 corresponds to a specific example of the “second transistor” in the technique of the present disclosure.
  • the capacitive element C1 corresponds to a specific example of the "first capacitive element” in the technique of the present disclosure.
  • the capacitive element C2 corresponds to a specific example of the "second capacitive element” in the technique of the present disclosure.
  • the transistor MN11 corresponds to a specific example of the "first load transistor” in the technique of the present disclosure.
  • the P-phase period TP corresponds to a specific example of the "first period” in the technique of the present disclosure.
  • the D-phase period TD corresponds to a specific example of the "second period” in the technique of the present disclosure.
  • one end of the capacitive element C4 is connected to the gate of the transistor MN10 and one end of the switch SW3, and a DC voltage VREF is supplied to the other end.
  • This voltage VREF is generated by the image pickup control unit 15.
  • the capacitive element C4 may be configured by using a MOS capacitor or the like, or may be configured by using, for example, the parasitic capacitance of the gate of the transistor MN10, the parasitic capacitance of the switch SW3, the parasitic capacitance of the wiring, or the like.
  • the switch SW3 is configured to be turned on and off based on the control signal SHSW, one end is connected to the gate of the transistor MN10 and one end of the capacitive element C4, and the bias voltage VB1 is supplied to the other end.
  • the control signal SHSW is generated by the image pickup control unit 15.
  • the capacitive element C4 and the switch SW3 form a sample hold circuit.
  • the switch SW3 is turned on, for example, during the period when the switches SW1 and SW2 of the comparison circuit 23 are turned on, and is turned off during the period when the switches SW1 and SW2 are turned off.
  • a bias voltage VB1 is supplied to the gate of the transistor MN10, the drain is connected to the power supply line VDDL, and the source is connected to the sources of the transistors MP11 and MP12.
  • the transistor MN10 operates as a so-called source follower to output a power supply voltage VDD1 from the source.
  • the gate of the transistor MN12 is connected to one end of the capacitive element C3 and the other end of the switch SW2, the drain is connected to the drain of the transistor MP12 and one end of the switch SW2, and the ground voltage VSS0 is supplied to the source. Further, the drain of the transistor MN12 is connected to the other end of the switch SWa.
  • the switch SW2 is configured to be turned on and off based on the control signal AZN, one end is connected to the drain of the transistors MP12 and MN12, and the other end is connected to the gate of the transistor MN12 and one end of the capacitive element C3. Further, one end of the switch SW2 is connected to the other end of the switch SWa.
  • the switch SWa is configured to be turned on and off based on the control signal AZSW2.
  • the control signal AZSW2 is generated by the image pickup control unit 15.
  • the switch SWa has one end and the other end, and one end is connected to the connection node Nd1 so that the impedance and the voltage at the connection node Nd1 can be changed as described later.
  • One end of the switch SWa is connected to the connection node Nd1 and the gate of the transistor MP12, and the other end is connected to the drain of the transistor MP12, so that the transistor MP12 can be connected to the diode by a diode.
  • the switch SW1 When the switch SW1 is turned on, the gate of the transistor MP11 and the drain of the transistor MP11 can be connected.
  • the switch SWa is temporarily turned on during a period including at least the timing when the switch SW1 is turned from the on state to the off state (timing t0 shown in FIGS. 15 and 19 described later), whereby the impedance at the connection node Nd1 is increased. Temporarily decrease.
  • FIG. 5 shows a first configuration example of the switch SWa.
  • FIG. 6 shows a second configuration example of the switch SWa.
  • a control signal AZSW2 for controlling the on / off state of the switch SWa is input to the gate of each MOS transistor. Further, the source of each MOS transistor is connected to the connection node Nd2 and the gate of the transistor MP12. Further, the drain of each MOS transistor is connected to the drain of the transistor MP12.
  • the switch SWa may be a CMOS switch having a transistor MN62 which is an N-type MOS transistor, a transistor MP62 which is a P-type MOS transistor, and an inverter INV1.
  • a control signal AZSW2 for controlling the on / off state of the switch SWa is input to the gate of the transistor MP62.
  • a signal corresponding to the control signal AZSW2 is input to the gate of the transistor MN62 via the inverter INV1.
  • the sources of the transistors MP62 and MN62 are connected to the connection node Nd2 and the gate of the transistor MP12.
  • the drains of the transistors MP62 and MN62 are connected to the drains of the transistors MP12.
  • FIG. 8 shows a mounting example of the image pickup apparatus 1 when formed on one semiconductor substrate 200.
  • a pixel array 11 is arranged on the semiconductor substrate 200, and a drive unit 12 is arranged on the left side of the pixel array 11.
  • a reading unit 20 is arranged below the pixel array 11.
  • a constant current source unit 201 including a plurality of constant current sources CS
  • a comparison circuit unit 202 including a plurality of comparison units 21, a counter unit 203 including a plurality of counters 24, and a plurality of latches 25 are provided.
  • the latch portion 204 including the latch portion 204 and the transfer scanning portion 29 are arranged in this order.
  • a reference signal generation unit 13 and an image pickup control unit 15 are arranged on the left side of the reading unit 20.
  • a signal processing unit 14 is arranged to the right of the pixel array 11 and the reading unit 20.
  • FIG. 9 shows a mounting example of the image pickup apparatus 1 when formed on two semiconductor substrates 211 and 212.
  • the pixel array 11 is arranged on the semiconductor substrate 211, and the reading unit 20, the driving unit 12, the reference signal generation unit 13, the signal processing unit 14, and the image pickup control unit 15 are arranged on the semiconductor substrate 212.
  • the semiconductor substrates 211 and 212 are superposed on each other.
  • a plurality of signal line VSLs arranged on the semiconductor substrate 211 are electrically connected to the reading unit 20 arranged on the semiconductor substrate 212 via, for example, a TSV (Through Silicon Via), and the semiconductor substrate 211 is connected.
  • TSV Thinough Silicon Via
  • a semiconductor manufacturing process specialized in pixel formation is used by mainly arranging the pixel array 11 on the semiconductor substrate 211.
  • the semiconductor substrate 211 can be manufactured. That is, since the semiconductor substrate 211 has no circuit other than the pixel array 11, for example, even if a special manufacturing process is used to form the pixels, the manufacturing process affects the circuits other than the pixel array 11. None.
  • the semiconductor manufacturing process specialized in the formation of pixels can be used in the image pickup apparatus 1, the image pickup characteristics in the image pickup apparatus 1 can be improved.
  • the drive unit 12 sequentially drives a plurality of pixels P in the pixel array 11 in units of pixel lines L based on an instruction from the image pickup control unit 15.
  • the pixel P outputs the reset voltage Vreset as a signal SIG in the P phase period TP, and outputs the pixel voltage Vpix corresponding to the received light amount as a signal SIG in the D phase period TD.
  • the plurality of pixels P accumulate electric charges according to the amount of light received, and output the pixel voltage Vpix according to the amount of light received as a signal SIG. Then, the reading unit 20 performs AD conversion based on this signal SIG.
  • the image pickup apparatus 1 drives the pixel array 11 to start exposure in order from the top in the vertical direction.
  • the drive unit 12 sequentially selects the pixel line L by generating control signals STG and SRST, and sequentially turns on the transistors TG and RST in the pixel P for a predetermined length of time. do.
  • the voltage of the floating diffusion FD and the voltage of the cathode of the photodiode PD are set to the power supply voltage VDD.
  • the photodiode PD begins to accumulate electric charges according to the amount of light received. In this way, the exposure period starts sequentially in the plurality of pixels P.
  • the image pickup apparatus 1 drives the pixel array 11 to read in order from the top in the vertical direction.
  • the drive unit 12 sequentially selects the pixel line L by generating the control signals STG and SRST.
  • the pixel P outputs the reset voltage Vreset as a signal SIG in the P phase period TP, and outputs the pixel voltage Vpix as a signal SIG in the D phase period TD.
  • the reading unit 20 generates a digital code CODE by performing AD conversion based on this signal SIG.
  • FIG. 10 is a timing waveform diagram showing an operation example of the comparison unit 21 in the image pickup apparatus 1 according to the embodiment.
  • FIG. 10A shows the waveform of the voltage DIFFDAC at the connection node Nd2 in the first stage circuit 101.
  • the voltage DIFFDAC corresponds to the gate voltage of the transistor MP11.
  • FIG. 10B shows the voltage waveform of the signal OUT1 output from the first stage circuit 101.
  • the voltage waveform of the signal OUT1 corresponds to the voltage waveform at the connection node Nd1.
  • FIG. 10C shows the voltage waveform of the control signal AZSW that controls the switch SW1 on and off.
  • the voltage waveform of the control signal AZSW may be the same as the voltage waveform of the control signal AZN.
  • FIG. 10D shows the voltage waveform of the control signal AZSW2 that controls the switch SWa on and off.
  • the pixel P performs a reset operation to output a reset voltage Vreset, and the AD conversion unit ADC performs AD conversion based on the reset voltage Vreset in the P phase period TP. I do. Then, after that, the pixel P performs a charge transfer operation to output a pixel voltage Vpix, and the AD conversion unit ADC performs AD conversion based on the pixel voltage Vpix in the D phase period TD. This operation will be described in detail below.
  • the drive unit 12 changes the voltage of the control signal SSEL from a low level to a high level.
  • the transistor SEL is turned on, and the pixel P is electrically connected to the signal line VSL.
  • the drive unit 12 changes the voltage of the control signal SRST from a low level to a high level.
  • the transistor RST is turned on, and the voltage of the floating diffusion FD is set to the power supply voltage VDD (reset operation).
  • the pixel P outputs a voltage (reset voltage Vreset) corresponding to the voltage of the floating diffusion FD at this time. In this way, the voltage of the signal SIG becomes the reset voltage V reset.
  • the comparison unit 21 performs an operating point setting operation.
  • This operating point setting operation is an initialization operation of the comparison unit 21, and is called an auto-zero operation.
  • the image pickup control unit 15 changes the voltage of the control signal AZSW2 from a low level to a high level at least during a period including the timing t0 when the switch SW1 is turned from the on state to the off state (FIG. 10 (D)).
  • the switch SWa temporarily lowers the impedance in the connection node Nd1 by temporarily turning on the switch SW1 at least during the period including the timing t0 from the on state to the off state.
  • the reference signal generation unit 13 lowers the voltage of the reference signal RAMP below a predetermined reference voltage.
  • the gate voltage (voltage DIFFDAC) of the transistor MP11 becomes lower than the AZ voltage (reference voltage) (FIG. 10A), so that the signal OUT1 output from the first stage circuit 101 The voltage of is higher than the AZ voltage (reference voltage) (FIG. 10B), and the voltage of the signal OUT2 output from the subsequent circuit 102 drops.
  • the comparison unit 21 compares the gate voltage (voltage DIFFDAC) of the transistor MP11 with the AZ voltage (reference voltage), and since the gate voltage (voltage DIFFDAC) is lower than the AZ voltage (reference voltage), the signal OUT2 Lower the voltage to a low level.
  • the AD conversion unit ADC performs AD conversion based on the reset voltage Vreset. Specifically, first, at the timing tp1, the reference signal generation unit 13 starts to increase the voltage of the reference signal RAMP from a voltage lower than a predetermined reference voltage to a predetermined degree of change. In response to this, in the comparison unit 21 of the AD conversion unit ADC, the gate voltage (voltage DIFFDAC) of the transistor MP11 begins to increase (FIG. 10 (A)). Further, at this timing tp1, the image pickup control unit 15 starts generating the clock signal CLK. The counter 24 of the AD conversion unit ADC counts the pulse of this clock signal CLK by performing a counting operation.
  • the gate voltage (voltage DIFFDAC) of the transistor MP11 exceeds the AZ voltage (reference voltage) (FIG. 10 (A)). That is, the polarity of the gate voltage of the transistor MP11 is inverted with respect to the AZ voltage. If there is no influence of the charge injection of the switch SW1, the timing tp11 becomes the timing tp10.
  • the comparison unit 21 of the AD conversion unit ADC changes the voltage of the signal OUT1 output from the first stage circuit 101 from a high level (LDOUT voltage) to a low level (FIG. 10B), and outputs the voltage from the latter stage circuit 102.
  • the reference signal generation unit 13 sets the voltage of the reference signal RAMP to a predetermined reference voltage with the end of the P-phase period TP. Further, the image pickup control unit 15 stops the generation of the clock signal CLK at this timing tp2.
  • the reference signal generation unit 13 lowers the voltage of the reference signal RAMP below a predetermined reference voltage.
  • the gate voltage (voltage DIFFDAC) of the transistor MP11 becomes lower than the AZ voltage (reference voltage) (FIG. 10A), so that the signal OUT1 output from the first stage circuit 101 The voltage of is higher than the AZ voltage (reference voltage) (FIG. 10B), and the voltage of the signal OUT2 output from the subsequent circuit 102 drops.
  • the comparison unit 21 compares the gate voltage (voltage DIFFDAC) of the transistor MP11 with the AZ voltage (reference voltage), and since the gate voltage (voltage DIFFDAC) is lower than the AZ voltage (reference voltage), the signal OUT2 Lower the voltage to a low level.
  • the gate voltage (voltage DIFFDAC) becomes a predetermined reference voltage (AZ voltage) in a predetermined period (timing tp2 to tb period) after the P-phase period TP ends, and the gate voltage (AZ voltage) becomes a predetermined period. After the end of, the voltage drops below the predetermined reference voltage.
  • the switch SWa is turned on at the timing tp2 at which the P-phase period TP ends, and turned off at the timing tb at which the predetermined period ends, thereby temporarily fixing the voltage at the connection node Nd1 to a predetermined fixed voltage. (FIG. 10 (B), FIG. 10 (D)).
  • the gate voltage (voltage DIFFDAC) of the transistor MP11 exceeds the AZ voltage (reference voltage) (FIG. 10 (A)). That is, the polarity of the gate voltage of the transistor MP11 is inverted with respect to the AZ voltage.
  • the timing td11 becomes the timing td10.
  • the comparison unit 21 of the AD conversion unit ADC changes the voltage of the signal OUT1 output from the first stage circuit 101 from a high level (LDOUT voltage) to a low level (FIG. 10B), and outputs the voltage from the latter stage circuit 102.
  • the reference signal generation unit 13 sets the voltage of the reference signal RAMP to a predetermined reference voltage with the end of the D phase period TD. Further, the image pickup control unit 15 stops the generation of the clock signal CLK at this timing td2. Then, the drive unit 12 changes the voltage of the control signal SSEL from a high level to a low level at this timing td2. As a result, in the pixel P, the transistor SEL is turned off, and the pixel P is electrically separated from the signal line VSL.
  • the latch 25 of the AD conversion unit ADC determines the difference (CNTD-CNTP) between the count value CNTP obtained by the counter 24 in the P phase period TP and the count value CNT obtained by the counter 24 in the D phase period TD. Generate the corresponding digital code CODE.
  • FIG. 11 is a timing waveform diagram showing an operation example of the comparison unit 21 in the image pickup apparatus 1 according to the embodiment.
  • FIG. 11 shows the waveform of the voltage DIFFDAC at the connection node Nd2. Note that, in FIG. 11, for the sake of simplicity, the waveform is simplified more than the timing waveform shown in FIG. 10 (A).
  • the voltage DIFFDAC corresponds to the gate voltage of the transistor MP11.
  • FIG. 12 schematically shows an output signal after noise reduction processing by the CDS method when there is no CDS error.
  • FIG. 13 schematically shows an output signal after noise reduction processing by the CDS method when a CDS error occurs.
  • the count value CNTP is acquired by performing the counting operation based on the reset voltage Vreset (black level) in the P phase period TP, and the pixel voltage Vpix (signal level) in the D phase period TD.
  • the count value CNTD is acquired by performing the count operation based on.
  • the image pickup apparatus 1 generates a digital code CODE corresponding to the difference between the count values CNTP and CNTD (CNTD-CNTP).
  • the count value in the P-phase period TP is a count value from the timing tp1 until the voltage DIFFDAC exceeds the AZ voltage (reference voltage).
  • the count value in the P-phase period TP is a count value from the timing tp1 to the inversion point where the polarity of the gate voltage of the transistor MP11 is inverted with respect to the AZ voltage (timing tp10).
  • the count value in the D phase period TD is a count value from the timing td1 until the voltage DIFFDAC exceeds the AZ voltage (reference voltage).
  • the count value in the D-phase period TD is a count value from the timing td1 to the inversion point where the polarity of the gate voltage of the transistor MP11 is inverted with respect to the AZ voltage (timing td10 or td11). Therefore, for example, if the inversion point in the D phase period TD is not the ideal timing td10 but the timing td11, there is a difference between the count period (inversion period) in the P phase period TP and the count period (inversion period) in the D phase period TD. Will occur and a CDS error will occur.
  • the switch SWa is provided and the switch SWa is turned on at an appropriate timing to reduce the influence of the charge injection and the parasitic capacitance Cp. There is. As a result, the difference between the inversion period in the P-phase period TP and the inversion period in the D-phase period TD is reduced, and the occurrence of CDS error is reduced (FIG. 10 (B)).
  • the charge injection of the switch SW1 is performed at the timing t0 when the switch SW1 changes from the on state to the off state. Is generated, so that the electric charge easily flows to the connection node Nd2 side.
  • the gate voltage (voltage DIFFDAC) of the transistor MP11 is affected, and the inversion timing of the voltage DIFFDAC in the P-phase period TP becomes the timing tp11 earlier than the original ideal timing tp10.
  • the inversion period in the P-phase period TP is deviated from the ideal inversion period, and a CDS error occurs.
  • the switch SW13 is configured to be turned on and off based on the control signal SHSW, one end is connected to the gate of the transistor MP20 and one end of the capacitive element C14, and the bias voltage VB1 is supplied to the other end.
  • the control signal SHSW is generated by the image pickup control unit 15.
  • the capacitive element C14 and the switch SW13 form a sample hold circuit.
  • the switch SW13 is turned on, for example, during the period when the switches SW11 and SW12 of the comparison circuit 23A are turned on, and is turned off during the period when the switches SW11 and SW12 are turned off.
  • a bias voltage VB1 is supplied to the gate of the transistor MP20, the drain is connected to the ground line VSSL, and the source is connected to the sources of the transistors MN21 and MN22.
  • the transistor MP20 outputs the ground voltage VSS1 from the source by operating as a so-called source follower.
  • Capacitive elements C11 and C12 have one end and the other end.
  • One end of the capacitive element C11 is connected to the reference signal generation unit 13, and the other end is connected to the other end of the capacitive element C12, the gate of the transistor MN21, and one end of the switch SW11.
  • the reference signal RAMP generated by the reference signal generation unit 13 is supplied to one end of the capacitive element C11.
  • One end of the capacitive element C12 is connected to the signal line VSL, and the other end is connected to the other end of the capacitive element C11, the gate of the transistor MN21, and one end of the switch SW11.
  • the signal SIG generated by the pixel P is supplied to one end of the capacitive element C12.
  • the gate of the transistor MN21 is connected to the other ends of the capacitive elements C11 and C12 and one end of the switch SW11 via the connection node Nd2.
  • a signal SIG is input to the gate of the transistor MN21 via the capacitive element C12.
  • a reference signal RAMP is input to the gate of the transistor MN21 via the capacitive element C11. It should be noted that one end of the capacitive element C11 may be connected to the buffer circuit 26.
  • the reference signal RAMP may be input to the gate of the transistor MN21 via the buffer circuit 26 and the capacitive element C11.
  • the drain of the transistor MN21 is connected to the drain of the transistor MP21, the gate of the transistor MN22, and the other end of the switch SW11, and the source is connected to the source of the transistors MP20 and MN22.
  • the bias voltage VB2 is supplied to the gate of the transistor MP21, the drain is connected to the drain of the transistor MN21, the gate of the transistor MN22, and the other end of the switch SW11, and the power supply voltage VDD0 is supplied to the source.
  • the transistor MP21 is a load transistor that serves as a load for the transistor MN21 and operates as a constant current source.
  • the switch SW11 is configured to be turned on and off based on the control signal AZSW, one end is connected to the other ends of the capacitive elements C11 and C12 and the gate of the transistor MN21, and the other end is the drain of the transistors MN21 and MP21 and the gate of the transistor MN22. Connected to.
  • the transistors MN21, MP21, and the switch SW11 form a part of the first stage circuit 101 of the comparison circuit 23A.
  • the gate of the transistor MN22 is connected to the drain of the transistors MN21 and MP21 and the other end of the switch SW11, the drain is connected to the drain of the transistor MP22 and one end of the switch SW12, and the source is connected to the source of the transistors MP20 and MN21.
  • the gate of the transistor MP22 is connected to one end of the capacitive element C13 and the other end of the switch SW12, the drain is connected to the drain of the transistor MN22 and one end of the switch SW12, and the power supply voltage VDD0 is supplied to the source.
  • the switch SW12 is configured to be turned on and off based on the control signal AZP, one end is connected to the drains of the transistors MN22 and MP22, and the other end is connected to the gate of the transistor MP22 and one end of the capacitive element C13.
  • One end of the capacitive element C13 is connected to the gate of the transistor MP22 and the other end of the switch SW12, and the power supply voltage VDD0 is supplied to the other end.
  • the transistors MN22, MP22, the switch SW12, and the capacitive element C13 form a part of the subsequent circuit 102 of the comparison circuit 23A.
  • the subsequent circuit 102 of the comparison circuit 23A has a switch SWa.
  • the switch SWa is configured to be turned on and off based on the control signal AZSW2.
  • the control signal AZSW2 is generated by the image pickup control unit 15.
  • the switch SWa has one end and the other end, and one end is connected to the connection node Nd1 so that the impedance and the voltage at the connection node Nd1 can be changed.
  • One end of the switch SWa is connected to the connection node Nd1 and the gate of the transistor MN22, and the other end is connected to the drain of the transistor MN22, so that the transistor MN22 can be connected to the diode by a diode.
  • the switch SWa corresponds to a specific example of the "first switch” in the technique of the present disclosure.
  • the switch SW11 corresponds to a specific example of the "second switch” in the technique of the present disclosure.
  • the transistor MN21 corresponds to a specific example of the "first transistor” in the technique of the present disclosure.
  • the transistor MN22 corresponds to a specific example of the "second transistor” in the technique of the present disclosure.
  • the capacitive element C11 corresponds to a specific example of the "first capacitive element” in the technique of the present disclosure.
  • the capacitive element C12 corresponds to a specific example of the "second capacitive element” in the technique of the present disclosure.
  • the transistor MP21 corresponds to a specific example of the "first load transistor” in the technique of the present disclosure.
  • the CDS error can be reduced by appropriately controlling the switch SWa on and off as in the comparison unit 21 shown in FIG.
  • FIG. 25 schematically shows a configuration example of the comparison unit 21B according to the modified example 2.
  • the comparison unit 21B according to the modification 2 has a power supply circuit 22 and a comparison circuit 23B.
  • the comparison circuit 23B further includes a voltage generation unit 70 with respect to the configuration of the comparison circuit 23 shown in FIG.
  • the comparison circuit 23B according to the second modification is
  • the other end of the switch SWa is connected to the drain of the transistor MP12 so that the transistor MP12 can be connected to the diode.
  • the other end is connected to the voltage generating unit 70.
  • FIG. 26 schematically shows a configuration example of the comparison unit 21C according to the modified example 3.
  • the comparison unit 21C has a power supply circuit 22, a comparison circuit 23, and a buffer circuit 26P.
  • the power supply voltage VDD2, the ground voltage VSS2, and the bias voltage VB4 are supplied to the buffer circuit 26P.
  • a power supply voltage VDD1, a ground voltage VSS0, and a bias voltage VB2 are supplied to the comparison circuit 23.
  • the power supply voltage VDD2 is higher than the power supply voltage VDD1.
  • the present invention is not limited to this, and for example, the power supply voltage VDD1 may be the same as the power supply voltage VDD2.
  • the buffer circuit 26P has transistors MP1 and MP2.
  • the transistors MP1 and MP2 are P-type MOS transistors.
  • the reference signal RAMP is supplied to the gate of the transistor MP1, the ground voltage VSS2 is supplied to the drain, and the source is connected to the drain of the transistor MP2 and the comparison circuit 23.
  • the bias voltage VB1 is supplied to the gate of the transistor MP2, the drain is connected to the source of the transistor MP1 and the comparison circuit 23, and the power supply voltage VDD2 is supplied to the source.
  • the transistor MP2 operates as a constant current source.
  • the power supply voltage VDD2 is supplied to the back gates of the transistors MP1 and MP2. With this configuration, the buffer circuit 26P operates as a so-called source follower to generate the reference signal RAMP1 based on the reference signal RAMP.
  • the bias voltage VB4 is supplied to the gate of the transistor MN2, the drain is connected to the source of the transistor MN1 and the comparison circuit 23, and the ground voltage VSS2 is supplied to the source.
  • the ground voltage VSS2 is supplied to the back gates of the transistors MN1 and MN2.
  • the comparison unit 21E has a power supply circuit 22A, a comparison circuit 23A, and a buffer circuit 26P.
  • FIG. 29 schematically shows a configuration example of the comparison unit 21F according to the modified example 6.
  • the comparison unit 21F has a power supply circuit 22A, a comparison circuit 23A, and a buffer circuit 26N.
  • the buffer circuit 26N is configured by using two N-type MOS transistors.
  • the configuration of the buffer circuit 26N is the same as that of the comparison unit 21D (FIG. 27) according to the modified example 4.
  • the buffer circuit 26N operates as a so-called source follower to generate the reference signal RAMP1 based on the reference signal RAMP.
  • the comparison circuit 23A generates a signal OUT2 by performing a comparison operation based on the reference signal RAMP1 supplied from the buffer circuit 26N and the signal SIG supplied from the pixel P via the signal line VSL.
  • the comparison circuit 23A sets an operating point based on the control signals AZSW and AZP supplied from the image pickup control unit 15, and then performs a comparison operation.
  • FIG. 30 schematically shows a configuration example of the comparison unit 21G according to the modified example 7.
  • the comparison circuit 23 is configured by a single-ended circuit, but instead, the comparison circuit 23 may be configured by a differential circuit.
  • the comparison unit 21G according to the modification 7 has a power supply circuit 22A and a comparison circuit 23C composed of a differential type circuit.
  • the comparison circuit 23C has capacitive elements C13, C41 to C43, transistors MP22, MP41 to MP43, switches SW12, SW41, SW42, and transistors MN41 to MN43.
  • the transistors MP22 and MP41 to MP43 are P-type MOS transistors, and the transistors MN41 to MN43 are N-type MOS transistors.
  • Capacitive elements C41 and C42 have one end and the other end.
  • a reference signal RAMP is supplied to one end of the capacitive element C41, and the other end is connected to the other end of the capacitive element C42, the gate of the transistor MP41, and one end of the switch SW41.
  • a signal SIG is supplied to one end of the capacitive element C42, and the other end is connected to the other end of the capacitive element C41, the gate of the transistor MP41, and one end of the switch SW41.
  • a DC voltage VREF is applied to one end of the capacitive element C43, and the other end is connected to the gate of the transistor MP42 and one end of the switch SW42.
  • the gate of the transistor MP42 is connected to the other end of the capacitive element C43 and one end of the switch SW42, and the drain is connected to the drain of the transistor MN42, the other end of the switch SW42, and the gate of the transistor MN43 as an input terminal of the subsequent circuit 102.
  • the source is connected to the source of the transistor MP41 and the drain of the transistor MP43.
  • the bias voltage VB2 is supplied to the gate of the transistor MP43, the drain is connected to the source of the transistors MP41 and MP42, and the power supply voltage VDD0 is supplied to the source.
  • the transistor MP43 operates as a current source, and the transistors MP41 and MP42 operate as a differential pair.
  • the gate of the transistor MN41 is connected to the gate of the transistor MN42, the drain of the transistors MN41 and MP41, and the other end of the switch SW41, and the drain is connected to the gate of the transistors MN41 and MN42, the drain of the transistor MP41, and the other end of the switch SW41.
  • the ground voltage VSS1 is supplied to the source.
  • the gate of the transistor MN42 is connected to the gate of the transistor MN41, the drain of the transistors MN41 and MP41, and the other end of the switch SW41, and the drain is connected to the gate of the transistor MN43 of the subsequent circuit 102, the drain of the transistor MP42, and the other end of the switch SW42.
  • the transistors MN41 and MN42 operate as loads of the transistors MP41 and MP42 which are differential pairs.
  • the gate of the transistor MN43 is connected to the drain of the transistor MN42, MP42 and the other end of the switch SW42 via the connection node Nd1, the drain is connected to the drain of the transistor MP22 and one end of the switch SW12, and the ground voltage VSS1 is supplied to the source. Will be done.
  • the power supply circuit 22A has a transistor MP20.
  • a bias voltage VB1 is supplied to the gate of the transistor MP20, the drain is connected to the ground line VSSL, and the source is connected to the source of the transistors MN41, MN42, MN43.
  • the transistor MP20 outputs the ground voltage VSS1 from the source by operating as a so-called source follower.
  • Other configurations and operations of the power supply circuit 22A may be substantially the same as those of the first modification shown in FIG. 24.
  • the subsequent circuit 102 of the comparison circuit 23C has a switch SWa.
  • the switch SWa is configured to be turned on and off based on the control signal AZSW2.
  • the control signal AZSW2 is generated by the image pickup control unit 15.
  • the switch SWa has one end and the other end, and one end is connected to the connection node Nd1 so that the impedance and the voltage at the connection node Nd1 can be changed.
  • One end of the switch SWa is connected to the connection node Nd1 and the gate of the transistor MN43, and the other end is connected to the drain of the transistor MN43, so that the transistor MN43 can be connected to the diode by a diode.
  • the switch SWa corresponds to a specific example of the "first switch” in the technique of the present disclosure.
  • the switch SW41 corresponds to a specific example of the "second switch” in the technique of the present disclosure.
  • the connection node Nd1 corresponds to a specific example of the "connection node” in the technique of the present disclosure.
  • the transistor MP41 corresponds to a specific example of the "first transistor” in the technique of the present disclosure.
  • the transistor MN43 corresponds to a specific example of the "second transistor” in the technique of the present disclosure.
  • the transistor MP42 corresponds to a specific example of the "third transistor” in the technique of the present disclosure.
  • the capacitive element C41 corresponds to a specific example of the "first capacitive element” in the technique of the present disclosure.
  • the capacitive element C42 corresponds to a specific example of the "second capacitive element” in the technique of the present disclosure.
  • the transistor MN41 corresponds to a specific example of the "first load transistor” in the technique of the present disclosure.
  • the transistor MN42 corresponds to a specific example of the "second load transistor” in the technique of the present disclosure.
  • the comparison unit 210G includes a comparison circuit 230C having a configuration in which the switch SWa is omitted from the configuration of the comparison unit 21G shown in FIG.
  • Other configurations are the same as those of the comparison unit 21G shown in FIG.
  • the impedance is low because the other end side of the switch SW41 is connected to the transistor MN41 which is a load transistor connected by a diode. Therefore, when the switch SW41 changes from the on state to the off state and charge injection occurs, the electric charge tends to flow to the other end side of the switch SW41 rather than one end side (connection node Nd2 side) of the switch SW41. Therefore, the charge injection of the switch SW41 has little influence on the gate voltage (voltage DIFFDAC) of the transistor MP41.
  • FIG. 32 schematically shows a configuration example of the comparison unit 21H according to the modified example 8.
  • the gate of the transistor MP51 is connected to the other end of the capacitive element C51 and one end of the switch SW51 via the connection node Nd2.
  • the signal SIG generated by the pixel P is input to the source of the transistor MP51.
  • a reference signal RAMP is input to the gate of the transistor MP51 via the capacitive element C51. It should be noted that one end of the capacitive element C51 may be connected to the buffer circuit 26.
  • a reference signal RAMP may be input to the gate of the transistor MP51 via the buffer circuit 26 and the capacitive element C51.
  • the constant current source 62 is connected to the drain of the transistor MP52.
  • a ground voltage VSS1 is supplied to the constant current source 62. Further, the constant current source 62 is connected to the other end of the switch SWa.
  • the switch SW41 changes from the on state to the off state and charge injection occurs, the electric charge easily flows to one end side (connection node Nd2 side) of the switch SW51.
  • the signal SIG generated by the pixel P is input to the source of the transistor MP51. Therefore, the charge injection of the switch SW51 has little influence on the signal SIG.
  • FIG. 34 shows a usage example of the image pickup apparatus 1 according to the above embodiment.
  • the image pickup device 1 described above can be used in various cases for sensing light such as visible light, infrared light, ultraviolet light, and X-ray, as described below.
  • Devices that take images for viewing such as digital cameras and portable devices with camera functions.
  • Devices and user gestures used for traffic such as in-vehicle sensors that capture images of the rear, surroundings, and interior of vehicles, surveillance cameras that monitor traveling vehicles and roads, and distance measuring sensors that measure distance between vehicles.
  • devices and endoscopes used in home appliances such as televisions, refrigerators, and air conditioners, and devices that perform angiography by receiving infrared light.
  • FIG. 35 is a block diagram showing a schematic configuration example of a vehicle control system, which is an example of a mobile control system to which the technique according to the present disclosure can be applied.
  • the in-vehicle information detection unit 12040 detects the in-vehicle information.
  • a driver state detection unit 12041 that detects the driver's state is connected to the in-vehicle information detection unit 12040.
  • the driver state detection unit 12041 includes, for example, a camera that images the driver, and the in-vehicle information detection unit 12040 determines the degree of fatigue or concentration of the driver based on the detection information input from the driver state detection unit 12041. It may be calculated, or it may be determined whether or not the driver has fallen asleep.
  • the microcomputer 12051 controls the driving force generating device, the steering mechanism, the braking device, and the like based on the information around the vehicle acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040. It is possible to perform coordinated control for the purpose of automatic driving that runs autonomously without depending on the operation.
  • the vehicle 12100 has an imaging unit 12101, 12102, 12103, 12104, 12105 as an imaging unit 12031.
  • the microcomputer 12051 converts three-dimensional object data related to a three-dimensional object into two-wheeled vehicles, ordinary vehicles, large vehicles, pedestrians, electric poles, and other three-dimensional objects based on the distance information obtained from the image pickup units 12101 to 12104. It can be classified and extracted and used for automatic avoidance of obstacles. For example, the microcomputer 12051 distinguishes obstacles around the vehicle 12100 into obstacles that are visible to the driver of the vehicle 12100 and obstacles that are difficult to see. Then, the microcomputer 12051 determines the collision risk indicating the risk of collision with each obstacle, and when the collision risk is equal to or higher than the set value and there is a possibility of collision, the microcomputer 12051 via the audio speaker 12061 or the display unit 12062. By outputting an alarm to the driver and performing forced deceleration and avoidance steering via the drive system control unit 12010, driving support for collision avoidance can be provided.
  • the audio image output unit 12052 determines the square contour line for emphasizing the recognized pedestrian.
  • the display unit 12062 is controlled so as to superimpose and display. Further, the audio image output unit 12052 may control the display unit 12062 so as to display an icon or the like indicating a pedestrian at a desired position.
  • the light emitting unit 901 is configured to emit an optical pulse L0 toward the measurement target OBJ.
  • the light emitting unit 901 emits an optical pulse L0 by performing a light emitting operation in which light emission and non-light emission are alternately repeated based on an instruction from the control unit 903.
  • the light emitting unit 901 has, for example, a light source that emits infrared light. This light source is configured by using, for example, a laser light source, an LED (Light Emitting Diode), or the like.
  • the optical system 902 includes a lens that forms an image on the light receiving surface S of the photodetector 910.
  • An optical pulse (reflected light pulse L1) emitted from the light emitting unit 901 and reflected by the measurement object OBJ is incident on the optical system 902.
  • the pixel array 911 has a plurality of pixels 920 arranged in a matrix.
  • the pixel 920 is configured to generate a pixel voltage Vpix according to the amount of light received.
  • FIG. 39 shows an example of the configuration of the pixel 920.
  • the pixel array 911 includes a plurality of control lines 931A, a plurality of control lines 931B, a plurality of control lines 932A, a plurality of control lines 932A, a plurality of control lines 933, a plurality of signal lines 939A, and a plurality of signals. It has a line 939B.
  • the gate of transistor 922A is connected to control line 931A, the source is connected to photodiode 921, and the drain is connected to floating diffusion 923A.
  • the floating diffusion 923A is configured to store the charge supplied from the photodiode 921 via the transistor 922A.
  • the gate of the transistor 924A is connected to the control line 932A, the power supply voltage VDD is supplied to the drain, and the source is connected to the floating diffusion 923A.
  • the gate of the transistor 925A is connected to the floating diffusion 923A, the power supply voltage VDD is supplied to the drain, and the source is connected to the drain of the transistor 926A.
  • the gate of transistor 926A is connected to control line 933, the drain is connected to the source of transistor 925A, and the source is connected to signal line 939A.
  • the floating diffusion 923A is reset when the transistor 924A is turned on, and the floating diffusion 923B is reset when the transistor 924B is turned on. Then, when any one of the transistors 922A and 922B is alternately turned on, the electric charge generated by the photodiode 921 is selectively stored in the floating diffusion 923A and the floating diffusion 923B.
  • the transistors 926A and 926B are turned on, the pixel 920 outputs a pixel signal corresponding to the amount of charge stored in the floating diffusion 923A to the signal line 939A, and the charge stored in the floating diffusion 923B. A pixel signal corresponding to the amount of the above is output to the signal line 939B.
  • the drive unit 912 (FIG. 38) is configured to sequentially drive a plurality of pixels 920 in the pixel array 911 in pixel line L units based on an instruction from the image pickup control unit 915.
  • the reference signal generation unit 913 is configured to generate a reference signal RAMP based on an instruction from the image pickup control unit 915.
  • the reading unit 919 generates the image signal DATA0 by performing AD conversion based on the pixel signals supplied from the pixel array 911 via the signal lines 939A and 939B based on the instruction from the image pickup control unit 915. It is composed of.
  • the signal processing unit 914 generates a distance image PIC by performing predetermined signal processing on the image signal DATA0 based on the instruction from the image pickup control unit 915, and outputs the image signal DATA including the distance image PIC. It is configured to do.
  • the image pickup control unit 915 supplies control signals to the drive unit 912, the reference signal generation unit 913, the read unit 919, and the signal processing unit 914, and controls the operation of these circuits to control the operation of the light detection unit 910. Configured to control.
  • FIG. 40 shows an operation example of the distance measuring device 900
  • FIG. 40 (A) shows the waveform of the light pulse L0 emitted from the light emitting unit 901
  • FIG. 40 (B) shows the light detection unit.
  • the waveform of the reflected light pulse L1 detected by 910 is shown.
  • the light emitting unit 901 emits an optical pulse L0 having a pulse waveform having a duty ratio of 50% based on an instruction from the control unit 903 (FIG. 40 (A)).
  • This optical pulse L0 travels toward the object to be measured OBJ.
  • this light pulse L0 is reflected by the measurement object OBJ, and the reflected reflected light pulse L1 travels toward the light detection unit 910.
  • the pixel 920 of the photodetector 910 detects the reflected light pulse L1 (FIG. 40 (B)).
  • the reflected light pulse L1 detected by the pixel 920 has a waveform obtained by delaying the waveform of the light pulse L0 shown in FIG. 40 (A) by the delay time DL.
  • This delay time DL is the time during which the light travels in the order of the light emitting unit 901, the measurement object OBJ, and the light detection unit 910, and corresponds to the flight time of the light.
  • the flight time of this light corresponds to the distance between the distance measuring device 900 and the object to be measured OBJ.
  • the floating diffusion 923A of the pixel 920 accumulates a signal charge Q1 according to the amount of light received by the photodiode 921 during the period 941 in which the light emitting unit 901 emits light, and the floating diffusion 923B of the pixel 920 has the light emitting unit 901.
  • the signal charge Q2 corresponding to the amount of light received by the photodiode 921 is accumulated.
  • the signal processing unit 914 obtains the charge ratio between the signal charge Q1 and the signal charge Q2.
  • the photodiode 921 detects light in the period 951,952, the charge amount of the signal charge Q1 is proportional to the length of the period 951, and the charge amount of the signal charge Q2 is proportional to the length of the period 952. do.
  • the delay time DL is short, the signal charge Q1 increases and the signal charge Q2 decreases, and when the delay time DL is long, the signal charge Q1 decreases and the signal charge Q2 increases. In this way, the charge ratio between the signal charge Q1 and the signal charge Q2 changes according to the delay time DL.
  • the delay time DL can be obtained with high accuracy, and as a result, the distance to the measurement target OBJ can be measured with high accuracy.
  • the present technology can be applied to the reading unit 919. This makes it possible to improve the image quality of the distance image.
  • the example of the distance measuring device 900 to which the technique according to the present disclosure can be applied has been described above.
  • the technique according to the present disclosure may be applied to such a ranging device 900.
  • the distance measuring device 900 can improve the image quality of the distance image.
  • the pixel P is configured as shown in FIG. 2, but the pixel P is not limited to this, and pixels having various configurations can be used.
  • this technology can also have the following configuration.
  • one end of the first switch is connected to the connection node between the first stage amplifier circuit and the second stage amplifier circuit, and it is possible to change the impedance and voltage at the connection node. Therefore, it is possible to perform noise reduction processing with high accuracy.
  • the first stage amplifier circuit is The photodetector according to (1) above, which has a gate, a drain, and a source, and has a first transistor into which the pixel signal and the reference signal are input.
  • the second stage amplifier circuit has a second transistor having a gate connected to the connection node and a drain capable of outputting the second output signal.
  • the first switch has one end connected to the connection node and the gate of the second transistor, the other end connected to the drain of the second transistor, and the second transistor diode.
  • the first stage amplifier circuit further includes a second switch capable of connecting the gate of the first transistor and the drain of the first transistor by being turned on. The first switch temporarily lowers the impedance at the connection node by temporarily turning it on during a period including at least the timing when the second switch turns from the on state to the off state (the above). 2) The photodetector according to any one of (5).
  • the pixel outputs a signal having a reset voltage in the first period, and then outputs a signal having a pixel voltage corresponding to the amount of received light in the second period.
  • the gate voltage of the first transistor becomes a predetermined reference voltage in a predetermined period after the end of the first period, and the voltage of the first transistor becomes higher than that of the predetermined reference voltage after the end of the predetermined period.
  • the first switch is turned on at the timing when the first period ends, and turned off at the timing when the predetermined period ends, so that the voltage at the connection node is temporarily set to a predetermined fixed voltage.
  • the first stage amplifier circuit is It further has a first capacitive element to which the reference signal is input and a second capacitive element to which the pixel signal is input. In the first transistor, the reference signal is input to the gate via the first capacitive element, and the pixel signal is input to the gate via the second capacitive element (the above). 2) The photodetector according to any one of (7). (9) The photodetector according to (8) above, wherein the drain of the first transistor is connected to the connection node. (10) The first stage amplifier circuit is The photodetector according to (8) or (9) above, further comprising a first load transistor connected to the drain of the first transistor and the connection node.
  • a buffer circuit which is connected to the first capacitive element and into which the reference signal is input, is further provided.
  • the first stage amplifier circuit is The photodetector according to any one of (2) to (7) above, further comprising a third transistor having a gate, a drain, a source, and operating as a differential pair with the first transistor. Device. (13) The photodetector according to (12) above, wherein the drain of the third transistor is connected to the connection node.
  • the first stage amplifier circuit is The first load transistor connected to the drain of the first transistor and The photodetector according to (12) or (13) above, further comprising the drain of the third transistor and a second load transistor connected to the connection node.
  • the first stage amplifier circuit is It further comprises a first capacitive element, to which the reference signal is input. In the first transistor, the reference signal is input to the gate via the first capacitive element, and the pixel signal is input to the source. Any one of (2) to (7) above.
  • the photodetector according to one.
  • the photodetector is Pixels that can generate pixel signals and A reference signal generator that can generate a reference signal, It is connected to the first-stage amplifier circuit via a connection node and a first-stage amplifier circuit capable of outputting a first output signal corresponding to a comparison operation based on the pixel signal and the reference signal, and is connected via the connection node.
  • a comparison circuit having a second-stage amplifier circuit capable of outputting a second output signal corresponding to the first output signal output from the first-stage amplifier circuit, and a comparison circuit.
  • An electronic device having one end and the other end, the end of which is connected to the connection node, and a first switch capable of varying the impedance and voltage at the connection node.

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Abstract

本開示の光検出装置は、画素信号を生成可能な画素と、参照信号を生成可能な参照信号生成部と、画素信号および参照信号に基づく比較動作に応じた第１の出力信号を出力可能な第１段アンプ回路と、接続ノードを介して第１段アンプ回路に接続され、接続ノードを介して第１段アンプ回路から出力された第１の出力信号に応じた第２の出力信号を出力可能な第２段アンプ回路とを有する比較回路と、一端と他端とを有し、一端が接続ノードに接続され、接続ノードにおけるインピーダンスおよび電圧を変化させることが可能な第１のスイッチとを備える。

Description

光検出装置、および電子機器
　本開示は、光を検出可能な光検出装置、およびそのような光検出装置を備えた電子機器に関する。
　画素が受光量に応じた画素信号を生成し、ＡＤ（Analog to Digital）変換回路がその画素信号をデジタルコードに変換する光検出装置がある。光検出装置は例えば撮像装置に適用される。特許文献１には、ランプ波形を有する信号、および画素信号に基づいてＡＤ変換を行う撮像装置が開示されている。また、特許文献１には、ＣＤＳ（Correlated Double Sampling：相関２重サンプリング）法によって画素信号に含まれるノイズを低減する技術が開示されている。
国際公開第２０１８／１５９３４３号
　ＣＤＳ法によるノイズ低減処理を精度良く行うことが可能な技術の開発が望まれている。
　精度良くノイズ低減処理を行うことが可能となる光検出装置、および電子機器を提供することが望ましい。
　本開示の一実施の形態に係る光検出装置は、画素信号を生成可能な画素と、参照信号を生成可能な参照信号生成部と、画素信号および参照信号に基づく比較動作に応じた第１の出力信号を出力可能な第１段アンプ回路と、接続ノードを介して第１段アンプ回路に接続され、接続ノードを介して第１段アンプ回路から出力された第１の出力信号に応じた第２の出力信号を出力可能な第２段アンプ回路とを有する比較回路と、一端と他端とを有し、一端が接続ノードに接続され、接続ノードにおけるインピーダンスおよび電圧を変化させることが可能な第１のスイッチとを備える。
　本開示の一実施の形態に係る電子機器は、光検出装置を含み、光検出装置を、上記本開示の一実施の形態に係る光検出装置によって構成したものである。
　本開示の一実施の形態に係る光検出装置、または電子機器では、第１のスイッチの一端を第１段アンプ回路と第２段アンプ回路との接続ノードに接続し、接続ノードにおけるインピーダンスおよび電圧を変化させることが可能となる。
本開示の一実施の形態に係る撮像装置の一構成例を表すブロック図である。 一実施の形態に係る撮像装置における画素の一構成例を表す回路図である。 一実施の形態に係る撮像装置における読出部の一構成例を表すブロック図である。 一実施の形態に係る撮像装置における比較部の一構成例を表すブロック図である。 スイッチの第１の構成例を示す回路図である。 スイッチの第２の構成例を示す回路図である。 スイッチの第３の構成例を示す回路図である。 一実施の形態に係る撮像装置の一実装例を表す説明図である。 一実施の形態に係る撮像装置の他の実装例を表す説明図である。 チャージインジェクションおよび寄生容量の影響を考慮した、一実施の形態に係る撮像装置における比較部の一動作例を表すタイミング波形図である。 一実施の形態に係る撮像装置における比較部の一動作例を表すタイミング波形図である。 ＣＤＳ誤差がない場合の、ＣＤＳ法によるノイズ低減処理後の出力信号を模式的に示す説明図である。 ＣＤＳ誤差が発生した場合の、ＣＤＳ法によるノイズ低減処理後の出力信号を模式的に示す説明図である。 比較例に係る比較部の一構成例を表すブロック図である。 チャージインジェクションおよび寄生容量の影響を考慮した、比較例に係る比較部の一動作例を表すタイミング波形図である。 チャージインジェクションの影響を考慮した、比較例に係る比較部の一構成例を表すブロック図である。 チャージインジェクションを考慮した、比較例に係る比較部の一動作例を表すタイミング波形図である。 チャージインジェクションの影響を考慮した、一実施の形態に係る撮像装置における比較部の一構成例を表すブロック図である。 チャージインジェクションの影響を考慮した、一実施の形態に係る撮像装置における比較部の一動作例を表すタイミング波形図である。 寄生容量の影響を考慮した、比較例に係る比較部の一構成例を表すブロック図である。 寄生容量の影響を考慮した、比較例に係る比較部の一動作例を表すタイミング波形図である。 寄生容量の影響を考慮した、一実施の形態に係る撮像装置における比較部の一構成例を表すブロック図である。 寄生容量の影響を考慮した、一実施の形態に係る撮像装置における比較部の一動作例を表すタイミング波形図である。 変形例１に係る比較部の一構成例を概略的に示す回路図である。 変形例２に係る比較部の一構成例を概略的に示す回路図である。 変形例３に係る比較部の一構成例を概略的に示す回路図である。 変形例４に係る比較部の一構成例を概略的に示す回路図である。 変形例５に係る比較部の一構成例を概略的に示す回路図である。 変形例６に係る比較部の一構成例を概略的に示す回路図である。 変形例７に係る比較部の一構成例を概略的に示す回路図である。 変形例７に対する比較例に係る比較部の一構成例を概略的に示す回路図である。 変形例８に係る比較部の一構成例を概略的に示す回路図である。 変形例８に対する比較例に係る比較部の一構成例を概略的に示す回路図である。 撮像装置の使用例を表す説明図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。 応用例に係る測距装置の一構成例を表すブロック図である。 図３７に示した光検出部の一構成例を表すブロック図である。 図３８に示した画素の一構成例を表す回路図である。 図３７に示した測距装置の一動作例を表す波形図である。
　以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
　１．一実施の形態（光検出装置を適用した撮像装置）
　　１．１　構成（図１～図９）
　　１．２　動作および作用（図１０～図２３）
　　１．３　効果
　　１．４　変形例（図２４～図３３）
　２．撮像装置の使用例（図３４）
　３．移動体への応用例（図３５～図３６）
　４．測距装置への応用例（図３７～図４０）
　５．その他の実施の形態
 
＜１．一実施の形態（光検出装置を適用した撮像装置）＞
　本開示の一実施の形態に係る電子機器は、本開示の一実施の形態に係る光検出装置を含むものであり、例えば、スマートフォン、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピュータなどが該当する。
　ここでは、本開示の一実施の形態に係る光検出装置を撮像装置に適用した場合を例に説明する。
［１．１　構成］
　図１は、一実施の形態に係る光検出装置を適用した撮像装置１の一構成例を表すものである。撮像装置１は、画素アレイ１１と、駆動部１２と、参照信号生成部１３と、読出部２０と、信号処理部１４と、撮像制御部１５とを備えている。
　画素アレイ１１は、マトリックス状に配置された複数の画素Ｐを有している。画素Ｐは、受光量に応じた画素電圧Ｖpixを生成するように構成される。
　図２は、撮像装置１における画素Ｐの一構成例を表すものである。画素アレイ１１は、複数の制御線ＴＧＬと、複数の制御線ＲＳＴＬと、複数の制御線ＳＥＬＬと、複数の信号線ＶＳＬとを有している。制御線ＴＧＬは、水平方向（図２における横方向）に延伸し、一端が駆動部１２に接続される。この制御線ＴＧＬには、駆動部１２により制御信号ＳＴＧが供給される。制御線ＲＳＴＬは、水平方向に延伸し、一端が駆動部１２に接続される。この制御線ＲＳＴＬには、駆動部１２により制御信号ＳＲＳＴが供給される。制御線ＳＥＬＬは、水平方向に延伸し、一端が駆動部１２に接続される。この制御線ＳＥＬＬには、駆動部１２により制御信号ＳＳＥＬが供給される。信号線ＶＳＬは、垂直方向（図２における縦方向）に延伸し、一端が読出部２０に接続される。この信号線ＶＳＬは、画素Ｐが生成した信号ＳＩＧを読出部２０に伝える。水平方向（図１，２において横方向）に並設された１行分の複数の画素Ｐは、画素ラインＬを構成する。
　画素Ｐは、フォトダイオードＰＤと、トランジスタＴＧと、フローティングディフュージョンＦＤと、トランジスタＲＳＴ，ＡＭＰ，ＳＥＬとを有している。トランジスタＴＧ，ＲＳＴ，ＡＭＰ，ＳＥＬは、この例ではＮ型のＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタである。
　フォトダイオードＰＤは、受光量に応じた量の電荷を生成し、生成した電荷を内部に蓄積する光電変換素子である。フォトダイオードＰＤのアノードは接地され、カソードはトランジスタＴＧのソースに接続される。
　トランジスタＴＧのゲートは制御線ＴＧＬに接続され、ソースはフォトダイオードＰＤのカソードに接続され、ドレインはフローティングディフュージョンＦＤに接続される。
　フローティングディフュージョンＦＤは、フォトダイオードＰＤからトランジスタＴＧを介して転送された電荷を蓄積するように構成される。フローティングディフュージョンＦＤは、例えば、半導体基板の表面に形成された拡散層を用いて構成される。図２では、フローティングディフュージョンＦＤを、容量素子のシンボルを用いて示している。
　トランジスタＲＳＴのゲートは制御線ＲＳＴＬに接続され、ドレインには電源電圧ＶＤＤが供給され、ソースはフローティングディフュージョンＦＤに接続される。
　トランジスタＡＭＰのゲートはフローティングディフュージョンＦＤに接続され、ドレインには電源電圧ＶＤＤが供給され、ソースはトランジスタＳＥＬのドレインに接続される。
　トランジスタＳＥＬのゲートは制御線ＳＥＬＬに接続され、ドレインはトランジスタＡＭＰのソースに接続され、ソースは信号線ＶＳＬに接続される。
　この構成により、画素Ｐでは、制御線ＳＥＬＬに供給された制御信号ＳＳＥＬに基づいてトランジスタＳＥＬがオン状態になることにより、画素Ｐが信号線ＶＳＬと電気的に接続される。これにより、トランジスタＡＭＰは、読出部２０の定電流源ＣＳ（後述の図３参照）に接続され、いわゆるソースフォロワとして動作する。そして、画素Ｐは、フローティングディフュージョンＦＤにおける電圧に応じた電圧を含む信号ＳＩＧを、信号線ＶＳＬに出力する。具体的には、画素Ｐは、後述するように、読出部２０がＡＤ変換を行う２つの期間（Ｐ相期間ＴＰおよびＤ相期間ＴＤ）のうちのＰ相期間ＴＰにおいてリセット電圧Ｖresetを出力し、Ｄ相期間ＴＤにおいて受光量に応じた画素電圧Ｖpixを出力する。画素Ｐは、これらのリセット電圧Ｖresetおよび画素電圧Ｖpixを含む信号ＳＩＧを、信号線ＶＳＬに出力するようになっている。
　駆動部１２（図１）は、撮像制御部１５からの指示に基づいて、画素ラインＬ単位で、画素アレイ１１における複数の画素Ｐを順次駆動するように構成される。具体的には、駆動部１２は、画素アレイ１１における複数の制御線ＴＧＬに複数の制御信号ＳＴＧをそれぞれ供給し、複数の制御線ＲＳＴＬに複数の制御信号ＳＲＳＴをそれぞれ供給し、複数の制御線ＳＥＬＬに複数の制御信号ＳＳＥＬをそれぞれ供給することにより、画素ラインＬ単位で画素アレイ１１における複数の画素Ｐを駆動するようになっている。
　参照信号生成部１３は、撮像制御部１５からの指示に基づいて、参照信号ＲＡＭＰを生成するように構成される。参照信号ＲＡＭＰは、読出部２０がＡＤ変換を行う２つの期間（Ｐ相期間ＴＰおよびＤ相期間ＴＤ）において、時間の経過に応じて電圧レベルが徐々に変化する、いわゆるランプ波形を有する。参照信号生成部１３は、この参照信号ＲＡＭＰを読出部２０に供給するようになっている。
　読出部２０は、撮像制御部１５からの指示に基づいて、画素アレイ１１から信号線ＶＳＬを介して供給された信号ＳＩＧに基づいてＡＤ変換を行うことにより、画像信号ＤＡＴＡ０を生成するように構成される。
　図３は、撮像装置１における読出部２０の一構成例を表すものである。なお、図３には、読出部２０に加え、参照信号生成部１３、信号処理部１４、および撮像制御部１５をも描いている。読出部２０は、複数の定電流源ＣＳ（定電流源ＣＳ［０］，ＣＳ［１］，ＣＳ［２］，ＣＳ［２］，…）と、複数のＡＤ変換部ＡＤＣ（ＡＤ変換部ＡＤＣ［０］，ＡＤＣ［１］，ＡＤＣ［２］，ＡＤＣ［３］…）と、転送走査部２９とを有している。
　複数の定電流源ＣＳは、複数の信号線ＶＳＬに対応して設けられる。具体的には、０番目の定電流源ＣＳ［０］は、０番目の信号線ＶＳＬ［０］に対応して設けられ、１番目の定電流源ＣＳ［１］は、１番目の信号線ＶＳＬ［１］に対応して設けられ、２番目の定電流源ＣＳ［２］は、２番目の信号線ＶＳＬ［２］に対応して設けられ、３番目の定電流源ＣＳ［３］は、３番目の信号線ＶＳＬ［３］に対応して設けられる。４番目以降についても同様である。定電流源ＣＳの一端は、対応する信号線ＶＳＬに接続され、他端は接地される。複数の定電流源ＣＳのそれぞれは、対応する信号線ＶＳＬに所定の電流を流すように構成される。
　複数のＡＤ変換部ＡＤＣは、複数の信号線ＶＳＬに対応して設けられている。具体的には、０番目のＡＤ変換部ＡＤＣ［０］は、０番目の信号線ＶＳＬ［０］に対応して設けられ、１番目のＡＤ変換部ＡＤＣ［１］は、１番目の信号線ＶＳＬ［１］に対応して設けられ、２番目のＡＤ変換部ＡＤＣ［２］は、２番目の信号線ＶＳＬ［２］に対応して設けられ、３番目のＡＤ変換部ＡＤＣ［３］は、３番目の信号線ＶＳＬ［２］に対応して設けられる。４番目以降についても同様である。複数のＡＤ変換部ＡＤＣのそれぞれは、画素アレイ１１から供給された信号ＳＩＧに基づいてＡＤ変換を行うことにより、信号ＳＩＧの電圧をデジタルコードＣＯＤＥに変換するように構成される。ＡＤ変換部ＡＤＣは、比較部２１と、カウンタ２４と、ラッチ２５とを有している。
　比較部２１は、参照信号生成部１３から供給された参照信号ＲＡＭＰおよび画素Ｐから信号線ＶＳＬを介して供給された信号ＳＩＧに基づいて比較動作を行うことにより信号ＯＵＴ２を生成するように構成される。比較部２１は、撮像制御部１５から供給された制御信号ＡＺＳＷ，ＡＺＮに基づいて動作点を設定し、その後に比較動作を行うようになっている。比較部２１は、電源回路２２と、比較回路２３とを有している。
　図３に示したように、撮像制御部１５は、電源線ＶＤＤＬを介して、電源電圧ＶＤＤ０を複数の比較部２１に供給する。複数の比較部２１のそれぞれにおいて、電源回路２２は、この電源電圧ＶＤＤ０に基づいて、電源電圧ＶＤＤ１を生成し、生成した電源電圧ＶＤＤ１を比較回路２３に供給する。そして、比較回路２３は、参照信号ＲＡＭＰおよび信号ＳＩＧに基づいて比較動作を行うことにより、信号ＯＵＴ２を生成するようになっている。
　カウンタ２４は、比較部２１から供給された信号ＯＵＴ２、および撮像制御部１５から供給された制御信号ＣＴＬに基づいて、撮像制御部１５から供給されたクロック信号ＣＬＫのパルスをカウントするカウント動作を行うように構成される。
　ラッチ２５は、カウンタ２４により得られたカウント値に基づいて、デジタルコードＣＯＤＥを生成し、このデジタルコードＣＯＤＥを保持するように構成される。具体的には、ラッチ２５は、Ｐ相期間ＴＰにおいてカウンタ２４により得られたカウント値ＣＮＴＰと、Ｄ相期間ＴＤにおいてカウンタ２４により得られたカウント値ＣＮＴＤとの差（ＣＮＴＤ－ＣＮＴＰ）に応じたデジタルコードＣＯＤＥを生成する。この際、ＣＤＳ法によるノイズ低減処理が行われる。そして、ラッチ２５は、転送走査部２９から供給された制御信号に基づいて、このデジタルコードＣＯＤＥをバス配線ＢＵＳに出力するようになっている。
　転送走査部２９は、撮像制御部１５から供給された制御信号ＣＴＬ２に基づいて、複数のＡＤ変換部ＡＤＣのラッチ２５に対して、デジタルコードＣＯＤＥをバス配線ＢＵＳに順次出力させるように制御するように構成される。読出部２０は、このバス配線ＢＵＳを用いて、複数のＡＤ変換部ＡＤＣから供給された複数のデジタルコードＣＯＤＥを、画像信号ＤＡＴＡ０として、信号処理部１４に順次転送するようになっている。
　信号処理部１４（図１）は、撮像制御部１５からの指示に基づいて、画像信号ＤＡＴＡ０に対して、所定の信号処理を行うことにより画像信号ＤＡＴＡを生成し、この画像信号ＤＡＴＡを出力するように構成される。
　撮像制御部１５は、駆動部１２、参照信号生成部１３、読出部２０、および信号処理部１４に制御信号を供給し、これらの回路の動作を制御することにより、撮像装置１の動作を制御するように構成される。具体的には、撮像制御部１５は、駆動部１２に対して制御信号を供給することにより、駆動部１２が、画素ラインＬ単位で、画素アレイ１１における複数の画素Ｐを順次駆動するように制御する。また、撮像制御部１５は、参照信号生成部１３に対して制御信号を供給することにより、参照信号生成部１３が参照信号ＲＡＭＰを生成するように制御する。また、撮像制御部１５は、読出部２０に対して、電源電圧ＶＤＤ０およびバイアス電圧ＶＢ１，ＶＢ２を供給するとともに、制御信号ＡＺＳＷ，ＡＺＮ、ＣＴＬ，ＣＴＬ２およびクロック信号ＣＬＫを供給することにより、読出部２０が、信号ＳＩＧに基づいてＡＤ変換を行うことにより画像信号ＤＡＴＡ０を生成するように制御する。また、撮像制御部１５は、信号処理部１４に対して制御信号を供給することにより、信号処理部１４の動作を制御するようになっている。
（比較部２１の構成例）
　図４は、比較部２１の一構成例を表すものである。比較部２１には、電源電圧ＶＤＤ０、接地電圧ＶＳＳ０、およびバイアス電圧ＶＢ１，ＶＢ２が供給される。電源電圧ＶＤＤ０は、撮像制御部１５から、電源線ＶＤＤＬを介して供給される。
　比較部２１の電源回路２２は、トランジスタＭＮ１０と、容量素子Ｃ４と、スイッチＳＷ３とを有している。
　比較部２１の比較回路２３は、初段回路１０１と、後段回路１０２とを有している。初段回路１０１は、信号ＳＩＧおよび参照信号ＲＡＭＰに基づく比較動作に応じた信号ＯＵＴ１を出力可能となっている。後段回路１０２は、接続ノードＮｄ１を介して初段回路１０１に接続され、接続ノードＮｄ１を介して初段回路１０１から出力された信号ＯＵＴ１に応じた信号ＯＵＴ２を出力可能となっている。
　初段回路１０１は、容量素子Ｃ１，Ｃ２，Ｃ５と、トランジスタＭＰ１１，ＭＮ１１と、スイッチＳＷ１，ＳＷ４とを有している。後段回路１０２は、容量素子Ｃ３と、トランジスタＭＰ１２，ＭＮ１２と、スイッチＳＷ２，ＳＷａとを有している。
　トランジスタＭＰ１１，ＭＰ１２は、Ｐ型のＭＯＳトランジスタであり、トランジスタＭＮ１０～ＭＮ１２は、Ｎ型のＭＯＳトランジスタである。図示していないが、この例では、トランジスタＭＰ１１，ＭＰ１２のバックゲートには電源電圧ＶＤＤ０が供給され、トランジスタＭＮ１０～ＭＮ１２のバックゲートには接地電圧ＶＳＳ０が供給される
　ここで、信号ＳＩＧは、本開示の技術における「画素信号」の一具体例に相当する。信号ＯＵＴ１は、本開示の技術における「第１の出力信号」の一具体例に相当する。信号ＯＵＴ２は、本開示の技術における「第２の出力信号」の一具体例に相当する。初段回路１０１は、本開示の技術における「第１段アンプ回路」の一具体例に相当する。後段回路１０２は、本開示の技術における「第２段アンプ回路」の一具体例に相当する。スイッチＳＷａは、本開示の技術における「第１のスイッチ」の一具体例に相当する。スイッチＳＷ１は、本開示の技術における「第２のスイッチ」の一具体例に相当する。接続ノードＮｄ１は、本開示の技術における「接続ノード」の一具体例に相当する。トランジスタＭＰ１１は、本開示の技術における「第１のトランジスタ」の一具体例に相当する。トランジスタＭＰ１２は、本開示の技術における「第２のトランジスタ」の一具体例に相当する。容量素子Ｃ１は、本開示の技術における「第１の容量素子」の一具体例に相当する。容量素子Ｃ２は、本開示の技術における「第２の容量素子」の一具体例に相当する。トランジスタＭＮ１１は、本開示の技術における「第１の負荷トランジスタ」の一具体例に相当する。Ｐ相期間ＴＰは、本開示の技術における「第１の期間」の一具体例に相当する。Ｄ相期間ＴＤは、本開示の技術における「第２の期間」の一具体例に相当する。
　電源回路２２において、容量素子Ｃ４の一端はトランジスタＭＮ１０のゲートおよびスイッチＳＷ３の一端に接続され、他端には直流の電圧ＶＲＥＦが供給される。この電圧ＶＲＥＦは、撮像制御部１５により生成される。なお、容量素子Ｃ４は、ＭＯＳキャパシタなどを用いて構成してもよいし、例えば、トランジスタＭＮ１０のゲートの寄生容量、スイッチＳＷ３の寄生容量、配線の寄生容量などを用いて構成してもよい。スイッチＳＷ３は、制御信号ＳＨＳＷに基づいてオンオフするように構成され、一端はトランジスタＭＮ１０のゲートおよび容量素子Ｃ４の一端に接続され、他端にはバイアス電圧ＶＢ１が供給される。制御信号ＳＨＳＷは、撮像制御部１５により生成される。容量素子Ｃ４およびスイッチＳＷ３は、サンプル・ホールド回路を構成する。スイッチＳＷ３は、例えば、比較回路２３のスイッチＳＷ１，ＳＷ２がオン状態になる期間においてオン状態になり、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオフ状態になる期間においてオフ状態になる。
　トランジスタＭＮ１０のゲートにはバイアス電圧ＶＢ１が供給され、ドレインは電源線ＶＤＤＬに接続され、ソースはトランジスタＭＰ１１，ＭＰ１２のソースに接続される。トランジスタＭＮ１０は、いわゆるソースフォロワとして動作することにより、ソースから電源電圧ＶＤＤ１を出力する。
　容量素子Ｃ１，Ｃ２は一端および他端を有する。容量素子Ｃ１の一端は参照信号生成部１３に接続され、他端は容量素子Ｃ２の他端、トランジスタＭＰ１１のゲート、およびスイッチＳＷ１の一端に接続される。この容量素子Ｃ１の一端には、参照信号生成部１３が生成した参照信号ＲＡＭＰが供給される。容量素子Ｃ２の一端は信号線ＶＳＬに接続され、他端は容量素子Ｃ１の他端、トランジスタＭＰ１１のゲート、およびスイッチＳＷ１の一端に接続される。この容量素子Ｃ２の一端には、画素Ｐが生成した信号ＳＩＧが供給される。
　トランジスタＭＰ１１のゲートは接続ノードＮｄ２を介して、容量素子Ｃ１，Ｃ２の他端およびスイッチＳＷ１の一端に接続される。トランジスタＭＰ１１のゲートには、容量素子Ｃ２を介して信号ＳＩＧが入力される。また、トランジスタＭＰ１１のゲートには、容量素子Ｃ１を介して参照信号ＲＡＭＰが入力される。なお、容量素子Ｃ１の一端がバッファ回路２６に接続された構成であってもよい。トランジスタＭＰ１１のゲートには、バッファ回路２６および容量素子Ｃ１を介して参照信号ＲＡＭＰが入力されてもよい。
　トランジスタＭＰ１１のドレインは、接続ノードＮｄ１を介してトランジスタＭＮ１１のドレイン、トランジスタＭＰ１２のゲート、およびスイッチＳＷ１の他端に接続され、ソースはトランジスタＭＮ１０，ＭＰ１２のソースに接続される。また、第１のトランジスタのドレインは、接続ノードＮｄ１を介してスイッチＳＷａの一端に接続される。
　スイッチＳＷ１は、制御信号ＡＺＳＷに基づいてオンオフするように構成され、一端は接続ノードＮｄ２を介して容量素子Ｃ１，Ｃ２の他端およびトランジスタＭＰ１１のゲートに接続され、他端は接続ノードＮｄ１を介してトランジスタＭＮ１１のドレインおよびトランジスタＭＰ１２のゲートに接続される。また、スイッチＳＷ１の他端は、トランジスタＭＰ１１のドレインに接続される。また、スイッチＳＷ１の他端は、接続ノードＮｄ１を介してスイッチＳＷａの一端に接続される。
　トランジスタＭＮ１１のゲートにはスイッチＳＷ４を介してバイアス電圧ＶＢ２が供給される。トランジスタＭＮ１１は、接続ノードＮｄ１を介してドレインがトランジスタＭＰ１１のドレイン、トランジスタＭＰ１２のゲート、およびスイッチＳＷ１の他端に接続される。また、トランジスタＭＮ１１のドレインは、接続ノードＮｄ１を介してスイッチＳＷａの一端に接続される。トランジスタＭＮ１１のソースには接地電圧ＶＳＳ０が供給される。トランジスタＭＮ１１は、トランジスタＭＰ１１の負荷となる負荷トランジスタであり、定電流源として動作する。
　容量素子Ｃ５の一端はトランジスタＭＮ１１のゲートおよびスイッチＳＷ４の一端に接続され、他端には直流の電圧ＶＲＥＦが供給される。この電圧ＶＲＥＦは、撮像制御部１５により生成される。なお、容量素子Ｃ５は、ＭＯＳキャパシタなどを用いて構成してもよいし、例えば、トランジスタＭＮ１１のゲートの寄生容量、スイッチＳＷ４の寄生容量、配線の寄生容量などを用いて構成してもよい。スイッチＳＷ４は、制御信号ＳＨＳＷ２に基づいてオンオフするように構成され、一端はトランジスタＭＮ１１のゲートおよび容量素子Ｃ５の一端に接続され、他端にはバイアス電圧ＶＢ２が供給される。制御信号ＳＨＳＷ２は、撮像制御部１５により生成される。容量素子Ｃ５およびスイッチＳＷ４は、サンプル・ホールド回路を構成する。
　スイッチＳＷ４は、例えば、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオン状態になる期間においてオン状態になり、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオフ状態になる期間においてオフ状態になる。これにより、トランジスタＭＮ１１のゲートの電圧がバイアス電圧ＶＢ２に設定される。スイッチＳＷ４は、Ｐ相期間ＴＰおよびＤ相期間ＴＤにおいてオフ状態になる。
　トランジスタＭＰ１２のゲートは、接続ノードＮｄ１を介してトランジスタＭＰ１１，ＭＮ１１のドレインおよびスイッチＳＷ１の他端に接続され、ドレインはトランジスタＭＮ１２のドレインおよびスイッチＳＷ２の一端に接続され、ソースはトランジスタＭＮ１０，ＭＰ１１のソースに接続される。また、トランジスタＭＰ１２のドレインは、スイッチＳＷａの他端に接続される。
　トランジスタＭＮ１２のゲートは容量素子Ｃ３の一端およびスイッチＳＷ２の他端に接続され、ドレインはトランジスタＭＰ１２のドレインおよびスイッチＳＷ２の一端に接続され、ソースには接地電圧ＶＳＳ０が供給される。また、トランジスタＭＮ１２のドレインは、スイッチＳＷａの他端に接続される。
　スイッチＳＷ２は制御信号ＡＺＮに基づいてオンオフするように構成され、一端はトランジスタＭＰ１２，ＭＮ１２のドレインに接続され、他端はトランジスタＭＮ１２のゲートおよび容量素子Ｃ３の一端に接続される。また、スイッチＳＷ２の一端は、スイッチＳＷａの他端に接続される。
　容量素子Ｃ３の一端はトランジスタＭＮ１２のゲートおよびスイッチＳＷ２の他端に接続され、他端には接地電圧ＶＳＳ０が供給される。なお、容量素子Ｃ３は、ＭＯＳキャパシタなどを用いて構成してもよいし、例えば、トランジスタＭＮ１２のゲートの寄生容量、スイッチＳＷ２の寄生容量、配線の寄生容量などを用いて構成してもよい。
　比較部２１では、電源回路２２が電源電圧ＶＤＤ１を生成し、比較回路２３は、この電源電圧ＶＤＤ１に基づいて動作することにより、信号ＳＩＧおよび参照信号ＲＡＭＰに基づいて比較動作を行う。具体的には、定電流源として動作するトランジスタＭＮ１１が生成した電流が、トランジスタＭＮ１０に流れ、トランジスタＭＮ１０は、いわゆるソースフォロワとして動作する。これにより、電源回路２２は、電源電圧ＶＤＤ１を生成する。比較回路２３では、後述するように、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオン状態になることにより、動作点を設定する。そして、比較回路２３は、Ｐ相期間ＴＰにおいて、参照信号ＲＡＭＰ、および信号ＳＩＧに含まれるリセット電圧Ｖresetに基づいて比較動作を行い、Ｄ相期間ＴＤにおいて、参照信号ＲＡＭＰ、および信号ＳＩＧに含まれる画素電圧Ｖpixに基づいて比較動作を行うようになっている。
　スイッチＳＷａは、制御信号ＡＺＳＷ２に基づいてオンオフするように構成されている。制御信号ＡＺＳＷ２は、撮像制御部１５により生成される。スイッチＳＷａは、一端と他端とを有し、一端が接続ノードＮｄ１に接続され、後述するように、接続ノードＮｄ１におけるインピーダンスおよび電圧を変化させることが可能となっている。スイッチＳＷａは、一端が接続ノードＮｄ１とトランジスタＭＰ１２のゲートとに接続され、他端がトランジスタＭＰ１２のドレインに接続され、トランジスタＭＰ１２をダイオード接続可能に構成されている。
　スイッチＳＷ１は、オン状態になることによりトランジスタＭＰ１１のゲートとトランジスタＭＰ１１のドレインとを接続可能となっている。スイッチＳＷａは、少なくともスイッチＳＷ１がオン状態からオフ状態となるタイミング（後述する図１５、図１９等に示すタイミングｔ０）を含む期間において、一時的にオン状態となることにより、接続ノードＮｄ１におけるインピーダンスを一時的に低下させる。
　画素Ｐは、画素信号として、Ｐ相期間ＴＰにおいてリセット電圧Ｖresetとなる信号ＳＩＧを出力した後、Ｄ相期間ＴＤにおいて受光量に応じた画素電圧Ｖpixとなる信号ＳＩＧを出力する。トランジスタＭＰ１１は、そのゲート電圧が、Ｐ相期間ＴＰが終了した後、所定の期間（後述する図１５、図２３等に示すタイミングｔｐ２～ｔｂの期間）において所定の基準電圧（ＡＺ電圧）となり、所定の期間が終了した後、所定の基準電圧よりも電圧が低下する。スイッチＳＷａは、Ｐ相期間ＴＰが終了するタイミング（後述するタイミングｔｐ２）でオン状態となり、所定の期間が終了するタイミング（後述するタイミングｔｂ）でオフ状態となることにより、接続ノードＮｄ１における電圧を一時的に所定の固定電圧に固定させる。
　図５は、スイッチＳＷａの第１の構成例を示している。図６は、スイッチＳＷａの第２の構成例を示している。
　スイッチＳＷａは、例えば、ゲートと、ドレインと、ソースとを有するＭＯＳトランジスタを有する構成であってもよい。スイッチＳＷａは、例えば図５に示したようにＮ型のＭＯＳトランジスタであるトランジスタＭＮ６１を有するＮＭＯＳスイッチであってもよい。また、スイッチＳＷａは、例えば図６に示したようにＰ型のＭＯＳトランジスタであるトランジスタＭＰ６１を有するＰＭＯＳスイッチであってもよい。
　図５，図６の各構成例において、各ＭＯＳトランジスタのゲートには、スイッチＳＷａのオンオフ状態を制御する制御信号ＡＺＳＷ２が入力される。また、各ＭＯＳトランジスタのソースは、接続ノードＮｄ２とトランジスタＭＰ１２のゲートとに接続される。また、各ＭＯＳトランジスタのドレインは、トランジスタＭＰ１２のドレインに接続される。
　図７は、スイッチＳＷａの第３の構成例を示している。
　スイッチＳＷａは、例えば図７に示したように、Ｎ型のＭＯＳトランジスタであるトランジスタＭＮ６２と、Ｐ型のＭＯＳトランジスタであるトランジスタＭＰ６２と、インバータＩＮＶ１とを有するＣＭＯＳスイッチであってもよい。
　図７の構成例において、トランジスタＭＰ６２のゲートには、スイッチＳＷａのオンオフ状態を制御する制御信号ＡＺＳＷ２が入力される。トランジスタＭＮ６２のゲートには、インバータＩＮＶ１を介して制御信号ＡＺＳＷ２に応じた信号が入力される。また、トランジスタＭＰ６２，ＭＮ６２のソースは、接続ノードＮｄ２とトランジスタＭＰ１２のゲートとに接続される。また、トランジスタＭＰ６２，ＭＮ６２のドレインは、トランジスタＭＰ１２のドレインに接続される。
（撮像装置１の実装例）
　次に、撮像装置１の実装について説明する。撮像装置１において、図１に示した各ブロックは、例えば、１枚の半導体基板に形成されてもよいし、複数の半導体基板に形成されてもよい。
　図８は、１枚の半導体基板２００に形成した場合における撮像装置１の実装例を表すものである。半導体基板２００には画素アレイ１１が配置され、その画素アレイ１１の左には、駆動部１２が配置される。また、画素アレイ１１の下には、読出部２０が配置される。読出部２０では、上から順に、複数の定電流源ＣＳを含む定電流源部２０１、複数の比較部２１を含む比較回路部２０２、複数のカウンタ２４を含むカウンタ部２０３、複数のラッチ２５を含むラッチ部２０４、および転送走査部２９がこの順に配置される。この読出部２０の左には、参照信号生成部１３および撮像制御部１５が配置される。また、画素アレイ１１および読出部２０の右には信号処理部１４が配置される。
　図９は、２枚の半導体基板２１１，２１２に形成した場合における撮像装置１の実装例を表すものである。例えば、半導体基板２１１には画素アレイ１１が配置され、半導体基板２１２には、読出部２０、駆動部１２、参照信号生成部１３、信号処理部１４、および撮像制御部１５が配置される。半導体基板２１１，２１２は互いに重ね合わされる。そして、例えば、半導体基板２１１に配置された複数の信号線ＶＳＬが、例えばＴＳＶ（Through Silicon Via）を介して半導体基板２１２に配置された読出部２０に電気的に接続されるとともに、半導体基板２１１に配置された複数の制御線ＴＧＬ，ＲＳＴＬ，ＳＥＬＬが、例えばＴＳＶを介して半導体基板２１２に配置された駆動部１２に電気的に接続される。半導体基板２１２には、読出部２０が配置され、読出部２０の左には、駆動部１２、参照信号生成部１３、および撮像制御部１５が配置され、読出部２０の右には信号処理部１４が配置される。読出部２０では、上から順に、複数の定電流源ＣＳを含む定電流源部２０１、複数の比較部２１を含む比較回路部２０２、複数のカウンタ２４を含むカウンタ部２０３、複数のラッチ２５を含むラッチ部２０４、および転送走査部２９がこの順に配置される。
　このように、２枚の半導体基板２１１，２１２に形成した場合（図９）には、半導体基板２１１に画素アレイ１１を主に配置することにより、画素の形成に特化した半導体製造工程を用いて半導体基板２１１を製造することができる。つまり、半導体基板２１１には、画素アレイ１１以外に回路がないので、例えば、画素を形成するために特別な製造工程を用いた場合でも、その製造工程が画素アレイ１１以外の回路に影響を与えることがない。このように、撮像装置１では、画素の形成に特化した半導体製造工程を用いることができるので、撮像装置１における撮像特性を高めることができる。
［１．２　動作および作用］
（全体動作概要）
　まず、図１を参照して、撮像装置１の全体動作概要を説明する。駆動部１２は、撮像制御部１５からの指示に基づいて、画素ラインＬ単位で、画素アレイ１１における複数の画素Ｐを順次駆動する。画素Ｐは、Ｐ相期間ＴＰにおいて、リセット電圧Ｖresetを信号ＳＩＧとして出力し、Ｄ相期間ＴＤにおいて、受光量に応じた画素電圧Ｖpixを信号ＳＩＧとして出力する。
　参照信号生成部１３は、撮像制御部１５からの指示に基づいて、参照信号ＲＡＭＰを生成する。読出部２０は、撮像制御部１５からの指示に基づいて、画素アレイ１１から信号線ＶＳＬを介して供給された信号ＳＩＧに基づいてＡＤ変換を行うことにより、画像信号ＤＡＴＡ０を生成する。信号処理部１４は、撮像制御部１５からの指示に基づいて、画像信号ＤＡＴＡ０に対して、所定の信号処理を行うことにより画像信号ＤＡＴＡを生成する。撮像制御部１５は、駆動部１２、参照信号生成部１３、読出部２０、および信号処理部１４に制御信号を供給し、これらの回路の動作を制御することにより、撮像装置１の動作を制御する
（詳細動作）
　撮像装置１において、複数の画素Ｐは、受光量に応じて電荷を蓄積し、受光量に応じた画素電圧Ｖpixを信号ＳＩＧとして出力する。そして、読出部２０は、この信号ＳＩＧに基づいてＡＤ変換を行う。
　撮像装置１は、画素アレイ１１に対して、垂直方向において上から順に露光開始駆動を行う。具体的には、駆動部１２は、例えば、制御信号ＳＴＧ，ＳＲＳＴを生成することにより、画素ラインＬを順次選択し、画素ＰにおけるトランジスタＴＧ，ＲＳＴを所定の長さの時間において順次オン状態にする。これにより、画素Ｐでは、フローティングディフュージョンＦＤの電圧およびフォトダイオードＰＤのカソードの電圧が電源電圧ＶＤＤに設定される。そして、トランジスタＴＧ，ＲＳＴがオフ状態になると、フォトダイオードＰＤは、受光量に応じて電荷を蓄積し始める。このようにして、複数の画素Ｐでは、露光期間が順次開始する。
　次に、撮像装置１は、画素アレイ１１に対して、垂直方向において上から順に読出駆動を行う。具体的には、駆動部１２は、制御信号ＳＴＧ，ＳＲＳＴを生成することにより、画素ラインＬを順次選択する。これにより、画素Ｐは、Ｐ相期間ＴＰにおいてリセット電圧Ｖresetを信号ＳＩＧとして出力し、Ｄ相期間ＴＤにおいて画素電圧Ｖpixを信号ＳＩＧとして出力する。読出部２０は、この信号ＳＩＧに基づいてＡＤ変換を行うことによりデジタルコードＣＯＤＥを生成する。
　撮像装置１は、このような露光開始駆動および読出駆動を繰り返す。これにより、撮像装置１では、一連の撮像画像が得られる。
　次に、読出駆動について、詳細に説明する。以下では、複数の画素Ｐのうちの任意の画素Ｐに着目し、任意の画素Ｐおよびその任意の画素Ｐに接続されたＡＤ変換部ＡＤＣの動作について詳細に説明する。
　図１０は、一実施の形態に係る撮像装置１における比較部２１の一動作例を表すタイミング波形図である。図１０（Ａ）には、初段回路１０１における接続ノードＮｄ２における電圧ＤＩＦＦＤＡＣの波形を示す。電圧ＤＩＦＦＤＡＣは、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧に相当する。図１０（Ｂ）には、初段回路１０１から出力される信号ＯＵＴ１の電圧波形を示す。信号ＯＵＴ１の電圧波形は、接続ノードＮｄ１における電圧波形に相当する。図１０（Ｃ）には、スイッチＳＷ１をオンオフ制御する制御信号ＡＺＳＷの電圧波形を示す。制御信号ＡＺＳＷの電圧波形は、制御信号ＡＺＮの電圧波形と同じであってもよい。図１０（Ｄ）には、スイッチＳＷａをオンオフ制御する制御信号ＡＺＳＷ２の電圧波形を示す。
　なお、比較部２１の比較回路２３では、後述するように、初段回路１０１のスイッチＳＷ１がオン状態からオフ状態へと切り替わる際のチャージインジェクションにより、信号ＯＵＴ１の電圧波形や電圧ＤＩＦＦＤＡＣの波形が影響を受ける。また、後述するように、トランジスタＭＰ１１のゲートとドレインとの間の寄生容量Ｃｐによっても、信号ＯＵＴ１の電圧波形や電圧ＤＩＦＦＤＡＣの波形が影響を受ける。図１０には、このチャージインジェクションおよび寄生容量Ｃｐの影響を考慮した波形を示す。
　撮像装置１では、ある水平期間（Ｈ）において、まず、画素Ｐがリセット動作を行うことによりリセット電圧Ｖresetを出力し、ＡＤ変換部ＡＤＣがＰ相期間ＴＰにおいてそのリセット電圧Ｖresetに基づいてＡＤ変換を行う。そして、その後に画素Ｐが電荷転送動作を行うことにより画素電圧Ｖpixを出力し、ＡＤ変換部ＡＤＣがＤ相期間ＴＤにおいてその画素電圧Ｖpixに基づいてＡＤ変換を行う。以下にこの動作について詳細に説明する。
　まず、水平期間Ｈが開始すると、駆動部１２は、制御信号ＳＳＥＬの電圧を低レベルから高レベルに変化させる。これにより、画素Ｐでは、トランジスタＳＥＬがオン状態になり、画素Ｐが信号線ＶＳＬと電気的に接続される。また、このタイミングにおいて、駆動部１２は、制御信号ＳＲＳＴの電圧を低レベルから高レベルに変化させる。これにより、画素Ｐでは、トランジスタＲＳＴがオン状態になり、フローティングディフュージョンＦＤの電圧が電源電圧ＶＤＤに設定される（リセット動作）。そして、画素Ｐは、このときのフローティングディフュージョンＦＤの電圧に対応する電圧（リセット電圧Ｖreset）を出力する。このようにして、信号ＳＩＧの電圧がリセット電圧Ｖresetになる。
　また、このタイミングにおいて、参照信号生成部１３は、参照信号ＲＡＭＰを所定の基準電圧にする。また、このタイミングにおいて、撮像制御部１５は、制御信号ＡＺＳＷ，ＡＺＮの電圧を高レベルから低レベルに変化させる。これにより、ＡＤ変換部ＡＤＣの比較部２１では、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がともにオン状態になる。スイッチＳＷ１がオン状態になることにより、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）が、トランジスタＭＰ１１のドレイン電圧と同じ電圧（ＡＺ電圧（基準電圧））になり、容量素子Ｃ１，Ｃ２の電圧が設定される。また、スイッチＳＷ２がオン状態になることにより、トランジスタＭＮ１２のゲート電圧が、トランジスタＭＮ１２のドレイン電圧と同じ電圧になり、容量素子Ｃ３の電圧が設定される。これにより、初段回路１０１から出力される信号ＯＵＴ１および後段回路１０２から出力される信号ＯＵＴ２の電圧は初期の基準電圧になる。このようにして、比較部２１では、動作点設定動作を行う。この動作点設定動作は、比較部２１の初期化動作であり、オートゼロ動作と呼ばれる。
　次に、駆動部１２は、制御信号ＳＲＳＴの電圧を高レベルから低レベルに変化させる。これにより、画素Ｐでは、トランジスタＲＳＴがオフ状態になる。
　次に、タイミングｔ０において、撮像制御部１５は、制御信号ＡＺＳＷ，ＡＺＮの電圧を低レベルから高レベルに変化させる（図１０（Ｃ））。これにより、ＡＤ変換部ＡＤＣの比較部２１では、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がともにオフ状態になり、動作点設定動作（オートゼロ動作）が終了する。比較部２１は、これ以降、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）と、ＡＺ電圧（基準電圧）とを比較するように動作する。
　また、撮像制御部１５は、少なくともスイッチＳＷ１がオン状態からオフ状態となるタイミングｔ０を含む期間において、制御信号ＡＺＳＷ２の電圧を低レベルから高レベルに変化させる（図１０（Ｄ））。これにより、スイッチＳＷａは、少なくともスイッチＳＷ１がオン状態からオフ状態となるタイミングｔ０を含む期間において、一時的にオン状態となることにより、接続ノードＮｄ１におけるインピーダンスを一時的に低下させる。
　次に、タイミングｔａにおいて、参照信号生成部１３は、参照信号ＲＡＭＰの電圧を所定の基準電圧よりも低下させる。これにより、ＡＤ変換部ＡＤＣの比較部２１では、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）がＡＺ電圧（基準電圧）より低くなる（図１０（Ａ））ので、初段回路１０１から出力される信号ＯＵＴ１の電圧がＡＺ電圧（基準電圧）よりも高いＬＤＯＵＴ電圧となり（図１０（Ｂ））、後段回路１０２から出力される信号ＯＵＴ２の電圧が低下する。言い換えれば、比較部２１は、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）とＡＺ電圧（基準電圧）とを比較し、ゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）がＡＺ電圧（基準電圧）よりも低いので、信号ＯＵＴ２の電圧を低レベルにする。
　次に、タイミングｔｐ１～ｔｐ２の期間（Ｐ相期間ＴＰ）において、ＡＤ変換部ＡＤＣは、リセット電圧Ｖresetに基づいてＡＤ変換を行う。具体的には、まず、タイミングｔｐ１において、参照信号生成部１３は、参照信号ＲＡＭＰの電圧を、所定の基準電圧よりも低い電圧から所定の変化度合いで上昇させ始める。これに応じて、ＡＤ変換部ＡＤＣの比較部２１では、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）が上昇し始める（図１０（Ａ））。また、このタイミングｔｐ１において、撮像制御部１５は、クロック信号ＣＬＫの生成を開始する。ＡＤ変換部ＡＤＣのカウンタ２４は、カウント動作を行うことにより、このクロック信号ＣＬＫのパルスをカウントする。
　そして、タイミングｔｐ１１（理想的にはタイミングｔｐ１０）において、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）がＡＺ電圧（基準電圧）を上回る（図１０（Ａ））。すなわち、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧がＡＺ電圧に対して極性が反転する。なお、スイッチＳＷ１のチャージインジェクションの影響がない場合には、タイミングｔｐ１１はタイミングｔｐ１０となる。これにより、ＡＤ変換部ＡＤＣの比較部２１は、初段回路１０１から出力される信号ＯＵＴ１の電圧を高レベル（ＬＤＯＵＴ電圧）から低レベルに変化させ（図１０（Ｂ））、後段回路１０２から出力される信号ＯＵＴ２の電圧を低レベルから高レベルに変化させる。すなわち、比較部２１は、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）とＡＺ電圧（基準電圧）とを比較し、ゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）がＡＺ電圧（基準電圧）を上回った、すなわちＡＺ電圧（基準電圧）に対して極性が反転したので、信号ＯＵＴ２の電圧を低レベルから高レベルに変化させる。ＡＤ変換部ＡＤＣのカウンタ２４は、この信号ＯＵＴ２の遷移に基づいて、カウント動作を停止する。このとき、カウンタ２４のカウント値はＣＮＴＰである。ＡＤ変換部ＡＤＣのラッチ２５は、このカウント値ＣＮＴＰを、Ｐ相期間ＴＰにおけるカウント値としてラッチする。そして、カウンタ２４はリセットされる。
　次に、タイミングｔｐ２において、参照信号生成部１３は、Ｐ相期間ＴＰの終了に伴い、参照信号ＲＡＭＰの電圧を所定の基準電圧に設定する。また、撮像制御部１５は、このタイミングｔｐ２において、クロック信号ＣＬＫの生成を停止する。
　次に、タイミングｔｂにおいて、参照信号生成部１３は、参照信号ＲＡＭＰの電圧を所定の基準電圧よりも低下させる。これにより、ＡＤ変換部ＡＤＣの比較部２１では、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）がＡＺ電圧（基準電圧）より低くなる（図１０（Ａ））ので、初段回路１０１から出力される信号ＯＵＴ１の電圧がＡＺ電圧（基準電圧）よりも高いＬＤＯＵＴ電圧となり（図１０（Ｂ））、後段回路１０２から出力される信号ＯＵＴ２の電圧が低下する。言い換えれば、比較部２１は、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）とＡＺ電圧（基準電圧）とを比較し、ゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）がＡＺ電圧（基準電圧）よりも低いので、信号ＯＵＴ２の電圧を低レベルにする。
　このように、トランジスタＭＰ１１は、ゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）が、Ｐ相期間ＴＰが終了した後、所定の期間（タイミングｔｐ２～ｔｂの期間）において所定の基準電圧（ＡＺ電圧）となり、所定の期間が終了した後、所定の基準電圧よりも電圧が低下する。スイッチＳＷａは、Ｐ相期間ＴＰが終了するタイミングｔｐ２でオン状態となり、所定の期間が終了するタイミングｔｂでオフ状態となることにより、接続ノードＮｄ１における電圧を一時的に所定の固定電圧に固定させる（図１０（Ｂ），図１０（Ｄ））。
　次に、タイミングｔｄ１～ｔｄ２の期間（Ｄ相期間ＴＤ）において、ＡＤ変換部ＡＤＣは、画素電圧Ｖpixに基づいてＡＤ変換を行う。具体的には、まず、タイミングｔｄ１において、参照信号生成部１３は、参照信号ＲＡＭＰの電圧を、所定の基準電圧よりも低い電圧から所定の変化度合いで上昇させ始める。これに応じて、ＡＤ変換部ＡＤＣの比較部２１では、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）が上昇し始める（図１０（Ａ））。また、このタイミングｔｄ１において、撮像制御部１５は、クロック信号ＣＬＫの生成を開始する。ＡＤ変換部ＡＤＣのカウンタ２４は、カウント動作を行うことにより、このクロック信号ＣＬＫのパルスをカウントする。
　次に、タイミングｔｄ１１（理想的にはタイミングｔｄ１０）において、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）がＡＺ電圧（基準電圧）を上回る（図１０（Ａ））。すなわち、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧がＡＺ電圧に対して極性が反転する。なお、寄生容量Ｃｐの影響がない場合には、タイミングｔｄ１１はタイミングｔｄ１０となる。これにより、ＡＤ変換部ＡＤＣの比較部２１は、初段回路１０１から出力される信号ＯＵＴ１の電圧を高レベル（ＬＤＯＵＴ電圧）から低レベルに変化させ（図１０（Ｂ））、後段回路１０２から出力される信号ＯＵＴ２の電圧を低レベルから高レベルに変化させる。すなわち、比較部２１は、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）とＡＺ電圧（基準電圧）とを比較し、ゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）がＡＺ電圧（基準電圧）を上回ったので、信号ＯＵＴ２の電圧を低レベルから高レベルに変化させる。ＡＤ変換部ＡＤＣのカウンタ２４は、この信号ＯＵＴ２の遷移に基づいて、カウント動作を停止する。このとき、カウンタ２４のカウント値はＣＮＴＤである。ＡＤ変換部ＡＤＣのラッチ２５は、このカウント値ＣＮＴＤを、Ｄ相期間ＴＤにおけるカウント値としてラッチする。そして、カウンタ２４はリセットされる。
　次に、タイミングｔｄ２において、参照信号生成部１３は、Ｄ相期間ＴＤの終了に伴い、参照信号ＲＡＭＰの電圧を所定の基準電圧に設定する。また、撮像制御部１５は、このタイミングｔｄ２において、クロック信号ＣＬＫの生成を停止する。そして、駆動部１２は、このタイミングｔｄ２において、制御信号ＳＳＥＬの電圧を高レベルから低レベルに変化させる。これにより、画素Ｐでは、トランジスタＳＥＬがオフ状態になり、画素Ｐが信号線ＶＳＬから電気的に切り離される。
　そして、ＡＤ変換部ＡＤＣのラッチ２５は、Ｐ相期間ＴＰにおいてカウンタ２４により得られたカウント値ＣＮＴＰと、Ｄ相期間ＴＤにおいてカウンタ２４により得られたカウント値ＣＮＴＤとの差（ＣＮＴＤ－ＣＮＴＰ）に応じたデジタルコードＣＯＤＥを生成する。
（ＣＤＳ誤差の説明）
　図１１は、一実施の形態に係る撮像装置１における比較部２１の一動作例を表すタイミング波形図である。図１１には、接続ノードＮｄ２における電圧ＤＩＦＦＤＡＣの波形を示す。なお、図１１では、説明を簡単にするため、図１０（Ａ）に示すタイミング波形よりも波形を簡略化している。電圧ＤＩＦＦＤＡＣは、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧に相当する。図１２は、ＣＤＳ誤差がない場合の、ＣＤＳ法によるノイズ低減処理後の出力信号を模式的に示している。図１３は、ＣＤＳ誤差が発生した場合の、ＣＤＳ法によるノイズ低減処理後の出力信号を模式的に示している。
　撮像装置１では、上述したように、Ｐ相期間ＴＰにおいてリセット電圧Ｖreset（黒レベル）に基づいてカウント動作を行うことによりカウント値ＣＮＴＰを取得し、Ｄ相期間ＴＤにおいて画素電圧Ｖpix（信号レベル）に基づいてカウント動作を行うことによりカウント値ＣＮＴＤを取得する。そして、撮像装置１では、カウント値ＣＮＴＰ，ＣＮＴＤの差（ＣＮＴＤ－ＣＮＴＰ）に応じたデジタルコードＣＯＤＥを生成する。撮像装置１では、このようなＣＤＳ法によるノイズ低減処理を行うことで、理想的には、画素電圧Ｖpixに含まれるノイズ成分を除去することができ、その結果、撮像画像の画質を高めることができる。
　図１２に示したように、Ｐ相期間ＴＰにおけるノイズ（Ｐ相ノイズ）と、Ｄ相期間ＴＤにおけるノイズ（Ｄ相ノイズ）とが同じ場合、ＣＤＳ法によるノイズ低減処理後の出力信号（ＣＤＳ出力）として、ノイズが除去された理想的な画素信号が得られる。一方、図１３に示したように、Ｐ相期間ＴＰにおけるノイズ（Ｐ相ノイズ）と、Ｄ相期間ＴＤにおけるノイズ（Ｄ相ノイズ）とが異なる場合、ＣＤＳ誤差が発生し、ＣＤＳ法によるノイズ低減処理後の出力信号（ＣＤＳ出力）として、ノイズが残存する画素信号が得られる。
　ここで、Ｐ相期間ＴＰにおけるカウント値は、図１１に示したように、タイミングｔｐ１から電圧ＤＩＦＦＤＡＣがＡＺ電圧（基準電圧）を上回るまでのカウント値である。換言すれば、Ｐ相期間ＴＰにおけるカウント値は、タイミングｔｐ１からトランジスタＭＰ１１のゲート電圧がＡＺ電圧に対して極性が反転する反転ポイントまで（タイミングｔｐ１０）までのカウント値である。また、Ｄ相期間ＴＤにおけるカウント値は、タイミングｔｄ１から電圧ＤＩＦＦＤＡＣがＡＺ電圧（基準電圧）を上回るまでのカウント値である。換言すれば、Ｄ相期間ＴＤにおけるカウント値は、タイミングｔｄ１からトランジスタＭＰ１１のゲート電圧がＡＺ電圧に対して極性が反転する反転ポイントまで（タイミングｔｄ１０またはｔｄ１１）までのカウント値である。従って、例えばＤ相期間ＴＤにおける反転ポイントが理想的なタイミングｔｄ１０ではなくタイミングｔｄ１１であると、Ｐ相期間ＴＰにおけるカウント期間（反転期間）とＤ相期間ＴＤにおけるカウント期間（反転期間）とに差が生じ、ＣＤＳ誤差が発生する。
（チャージインジェクションおよび寄生容量Ｃｐの影響について）
　次に、比較部２１の比較回路２３において、初段回路１０１のスイッチＳＷ１がオン状態からオフ状態へと切り替わる際のチャージインジェクションによる影響について説明する。また、トランジスタＭＰ１１のゲートとドレインとの間の寄生容量Ｃｐによる影響について説明する。
　以下で説明するように、一実施の形態に係る比較回路２３では、スイッチＳＷａを設け、適切なタイミングでスイッチＳＷａをオン状態にすることにより、これらチャージインジェクションおよび寄生容量Ｃｐによる影響を低減している。これにより、Ｐ相期間ＴＰにおける反転期間とＤ相期間ＴＤにおける反転期間との差を低減し、ＣＤＳ誤差の発生を低減している（図１０（Ｂ））。
　図１４は、比較例に係る比較部２１０の一構成例を表している。
　比較例に係る比較部２１０は、図４に示した比較部２１の構成に対してスイッチＳＷａが省かれた構成の比較回路２３０を備えている。その他の構成は、図４に示した比較部２１と同様である。
　図１５は、チャージインジェクションおよび寄生容量Ｃｐの影響を考慮した、比較例に係る比較部２１０の一動作例を表すタイミング波形図である。図１５（Ａ）には、比較部２１０における初段回路１０１における接続ノードＮｄ２における電圧ＤＩＦＦＤＡＣの波形を示す。電圧ＤＩＦＦＤＡＣは、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧に相当する。図１５（Ｂ）には、初段回路１０１から出力される信号ＯＵＴ１の電圧波形を示す。信号ＯＵＴ１の電圧波形は、接続ノードＮｄ１における電圧波形に相当する。図１５（Ｃ）には、スイッチＳＷ１をオンオフ制御する制御信号ＡＺＳＷの電圧波形を示す。
　比較例に係る比較回路２３０では、スイッチＳＷ１がオン状態からオフ状態となるタイミングｔ０において、チャージインジェクションが発生する。
　また、比較例に係る比較回路２３０では、Ｐ相期間ＴＰが終了した後、所定の期間（タイミングｔｐ２～ｔｂの期間）において、信号ＯＵＴ１の電圧が不定であり、低レベル（Ｌ）と高レベル（Ｈ）とのいずれかとなる。これにより、一実施の形態に係る比較回路２３に比べて、比較例に係る比較回路２３０では、Ｐ相期間ＴＰにおける反転期間とＤ相期間ＴＤにおける反転期間とが大きく異なることとなる。
　以下、説明をわかりやすくするため、チャージインジェクションの影響と寄生容量Ｃｐの影響とを分けて説明する。
（チャージインジェクションの影響）
　図１６は、チャージインジェクションの影響を考慮した、比較例に係る比較部２１０の一構成例を表している。図１７は、チャージインジェクションを考慮した、比較例に係る比較部２１０の一動作例を表すタイミング波形図である。図１８は、チャージインジェクションの影響を考慮した、一実施の形態に係る比較部２１の一構成例を表している。図１９は、チャージインジェクションの影響を考慮した、一実施の形態に係る比較部２１の一動作例を表すタイミング波形図である。
　図１７および図１９において、（Ａ）は初段回路１０１における接続ノードＮｄ２における電圧ＤＩＦＦＤＡＣの波形を示す。電圧ＤＩＦＦＤＡＣは、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧に相当する。（Ｂ）は初段回路１０１から出力される信号ＯＵＴ１の電圧波形を示す。信号ＯＵＴ１の電圧波形は、接続ノードＮｄ１における電圧波形に相当する。（Ｃ）はスイッチＳＷ１をオンオフ制御する制御信号ＡＺＳＷの電圧波形を示す。制御信号ＡＺＳＷの電圧波形は、制御信号ＡＺＮの電圧波形と同じであってもよい。図１９において、（Ｄ）はスイッチＳＷａをオンオフ制御する制御信号ＡＺＳＷ２の電圧波形を示す。
　比較例に係る比較回路２３０では、図１６および図１７に示したように、接続ノードＮｄ１におけるインピーダンスが高インピーダンスであるため、スイッチＳＷ１がオン状態からオフ状態となるタイミングｔ０においてスイッチＳＷ１のチャージインジェクションが発生することにより、電荷が接続ノードＮｄ２側に流れやすくなる。これにより、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）が影響を受け、Ｐ相期間ＴＰにおける電圧ＤＩＦＦＤＡＣの反転タイミングが本来の理想的なタイミングｔｐ１０よりも早いタイミングｔｐ１１となる。これにより、比較例に係る比較回路２３０では、Ｐ相期間ＴＰにおける反転期間は理想的な反転期間に対してずれが生じ、ＣＤＳ誤差が発生する。
　これに対し、一実施の形態に係る比較回路２３では、図１８および図１９に示したように、スイッチＳＷ１がオン状態からオフ状態となるタイミングｔ０を含む期間において、スイッチＳＷａが一時的にオン状態となり、接続ノードＮｄ１におけるインピーダンスが一時的に低下する。これにより、電荷が接続ノードＮｄ１側に流れやすくなり、比較例に係る比較回路２３０に比べて、接続ノードＮｄ２側に流れる電荷が減少する。結果として、Ｐ相期間ＴＰにおける電圧ＤＩＦＦＤＡＣの反転タイミングが本来の理想的なタイミングｔｐ１０に近づき、Ｐ相期間ＴＰにおける反転期間が理想的な反転期間に近づき、比較例に係る比較回路２３０に比べて、ＣＤＳ誤差が低減する。
（寄生容量Ｃｐの影響）
　図２０は、寄生容量Ｃｐの影響を考慮した、比較例に係る比較部２１０の一構成例を表している。図２１は、寄生容量Ｃｐの影響を考慮した、比較例に係る比較部２１０の一動作例を表すタイミング波形図である。図２２は、寄生容量Ｃｐの影響を考慮した、一実施の形態に係る比較部２１の一構成例を表している。図２３は、寄生容量Ｃｐの影響を考慮した、一実施の形態に係る比較部２１の一動作例を表すタイミング波形図である。
　図２１および図２３において、（Ａ）は初段回路１０１における接続ノードＮｄ２における電圧ＤＩＦＦＤＡＣの波形を示す。電圧ＤＩＦＦＤＡＣは、トランジスタＭＰ１１のゲート電圧に相当する。（Ｂ）は初段回路１０１から出力される信号ＯＵＴ１の電圧波形を示す。図２３において、（Ｃ）はスイッチＳＷａをオンオフ制御する制御信号ＡＺＳＷ２の電圧波形を示す。
　比較例に係る比較回路２３０では、図２０および図２１に示したように、寄生容量Ｃｐを介して、信号ＯＵＴ１の電圧変化が接続ノードＮｄ２における電圧ＤＩＦＦＤＡＣに干渉する。比較例に係る比較回路２３０では、Ｐ相期間ＴＰのスタンバイ時（タイミングｔａ）の信号ＯＵＴ１の電圧変化は小さい。一方、Ｄ相期間ＴＤのスタンバイ時（タイミングｔｂ）の信号ＯＵＴ１の電圧は不定であり、低レベル（Ｌ）の場合には電圧変化が大きく、高レベル（Ｈ）の場合には電圧変化はない。このため、Ｐ相期間ＴＰのスタンバイ時の信号ＯＵＴ１の電圧変化とＤ相期間ＴＤのスタンバイ時の信号ＯＵＴ１の電圧変化とに差が生じる。これにより、比較例に係る比較回路２３０では、Ｐ相期間ＴＰにおける反転期間とＤ相期間ＴＤにおける反転期間とに差が生じ、ＣＤＳ誤差が発生する。
　一実施の形態に係る比較回路２３においても、図２２および図２３に示したように、寄生容量Ｃｐを介して、信号ＯＵＴ１の電圧変化が接続ノードＮｄ２における電圧ＤＩＦＦＤＡＣに干渉する。ただし、一実施の形態に係る比較回路２３では、スイッチＳＷａを、Ｐ相期間ＴＰが終了するタイミングｔｐ２でオン状態とし、所定の期間（タイミングｔｐ２～ｔｂの期間）が終了するタイミングｔｂでオフ状態とすることにより、接続ノードＮｄ１における電圧を一時的に所定の固定電圧に固定させ、ＡＺ電圧に近づける。これにより、Ｄ相期間ＴＤのスタンバイ時（タイミングｔｂ）の信号ＯＵＴ１の電圧変化が小さくなる。これにより、一実施の形態に係る比較回路２３では、Ｐ相期間ＴＰにおける反転期間とＤ相期間ＴＤにおける反転期間との差が小さくなり、比較例に係る比較回路２３０に比べて、ＣＤＳ誤差が低減する。
［１．３　効果］
　以上説明したように、一実施の形態に係る撮像装置１によれば、スイッチＳＷａの一端を初段回路１０１と後段回路１０２との接続ノードＮｄ１に接続し、接続ノードＮｄ１におけるインピーダンスおよび電圧を変化させることを可能にしたので、精度良くノイズ低減処理を行うことが可能となる。
　なお、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。以降の変形例や他の実施の形態の効果についても同様である。
［１．４　変形例］
（変形例１）
　図２４は、変形例１に係る比較部２１Ａの一構成例を概略的に示している。
　比較部２１は、図４に示した構成に限定されるものではなく、図２４に示す変形例１に係る比較部２１Ａのように構成してもよい。変形例１に係る比較部２１Ａでは、接地電圧ＶＳＳ０は、撮像制御部１５から、接地線ＶＳＳＬを介して供給される。この比較部２１Ａは、電源回路２２Ａと、比較回路２３Ａとを有している。電源回路２２Ａは、トランジスタＭＰ２０と、容量素子Ｃ１４と、スイッチＳＷ１３とを有している。比較回路２３Ａは、容量素子Ｃ１１，Ｃ１２と、トランジスタＭＮ２１，ＭＰ２１，ＭＮ２２，ＭＰ２２と、スイッチＳＷ１１，ＳＷ１２，ＳＷａと、容量素子Ｃ１３とを有している。トランジスタＭＰ２０～ＭＰ２２は、Ｐ型のＭＯＳトランジスタであり、トランジスタＭＮ２１，ＭＮ２２は、Ｎ型のＭＯＳトランジスタである。
　電源回路２２Ａにおいて、容量素子Ｃ１４の一端はトランジスタＭＰ２０のゲートおよびスイッチＳＷ１３の一端に接続され、他端には直流の電圧ＶＲＥＦが供給される。この電圧ＶＲＥＦは、撮像制御部１５により生成される。なお、容量素子Ｃ１４は、ＭＯＳキャパシタなどを用いて構成してもよいし、例えば、トランジスタＭＰ２０のゲートの寄生容量、スイッチＳＷ１３の寄生容量、配線の寄生容量などを用いて構成してもよい。スイッチＳＷ１３は、制御信号ＳＨＳＷに基づいてオンオフするように構成され、一端はトランジスタＭＰ２０のゲートおよび容量素子Ｃ１４の一端に接続され、他端にはバイアス電圧ＶＢ１が供給される。制御信号ＳＨＳＷは、撮像制御部１５により生成される。容量素子Ｃ１４およびスイッチＳＷ１３は、サンプル・ホールド回路を構成する。スイッチＳＷ１３は、例えば、比較回路２３ＡのスイッチＳＷ１１，ＳＷ１２がオン状態になる期間においてオン状態になり、スイッチＳＷ１１，ＳＷ１２がオフ状態になる期間においてオフ状態になる。
　トランジスタＭＰ２０のゲートにはバイアス電圧ＶＢ１が供給され、ドレインは接地線ＶＳＳＬに接続され、ソースはトランジスタＭＮ２１，ＭＮ２２のソースに接続される。トランジスタＭＰ２０は、いわゆるソースフォロワとして動作することにより、ソースから接地電圧ＶＳＳ１を出力する。
　容量素子Ｃ１１，Ｃ１２は一端および他端を有する。容量素子Ｃ１１の一端は参照信号生成部１３に接続され、他端は容量素子Ｃ１２の他端、トランジスタＭＮ２１のゲート、およびスイッチＳＷ１１の一端に接続される。この容量素子Ｃ１１の一端には、参照信号生成部１３が生成した参照信号ＲＡＭＰが供給される。容量素子Ｃ１２の一端は信号線ＶＳＬに接続され、他端は容量素子Ｃ１１の他端、トランジスタＭＮ２１のゲート、およびスイッチＳＷ１１の一端に接続される。この容量素子Ｃ１２の一端には、画素Ｐが生成した信号ＳＩＧが供給される。
　トランジスタＭＮ２１のゲートは接続ノードＮｄ２を介して、容量素子Ｃ１１，Ｃ１２の他端およびスイッチＳＷ１１の一端に接続される。トランジスタＭＮ２１のゲートには、容量素子Ｃ１２を介して信号ＳＩＧが入力される。また、トランジスタＭＮ２１のゲートには、容量素子Ｃ１１を介して参照信号ＲＡＭＰが入力される。なお、容量素子Ｃ１１の一端がバッファ回路２６に接続された構成であってもよい。トランジスタＭＮ２１のゲートには、バッファ回路２６および容量素子Ｃ１１を介して参照信号ＲＡＭＰが入力されてもよい。
　トランジスタＭＮ２１のドレインはトランジスタＭＰ２１のドレイン、トランジスタＭＮ２２のゲート、およびスイッチＳＷ１１の他端に接続され、ソースはトランジスタＭＰ２０，ＭＮ２２のソースに接続される。
　トランジスタＭＰ２１のゲートにはバイアス電圧ＶＢ２が供給され、ドレインはトランジスタＭＮ２１のドレイン、トランジスタＭＮ２２のゲート、およびスイッチＳＷ１１の他端に接続され、ソースは電源電圧ＶＤＤ０が供給される。トランジスタＭＰ２１は、トランジスタＭＮ２１の負荷となる負荷トランジスタであり、定電流源として動作する。スイッチＳＷ１１は、制御信号ＡＺＳＷに基づいてオンオフするように構成され、一端は容量素子Ｃ１１，Ｃ１２の他端およびトランジスタＭＮ２１のゲートに接続され、他端はトランジスタＭＮ２１，ＭＰ２１のドレインおよびトランジスタＭＮ２２のゲートに接続される。トランジスタＭＮ２１，ＭＰ２１、およびスイッチＳＷ１１は、比較回路２３Ａの初段回路１０１の一部を構成する。
　トランジスタＭＮ２２のゲートはトランジスタＭＮ２１，ＭＰ２１のドレインおよびスイッチＳＷ１１の他端に接続され、ドレインはトランジスタＭＰ２２のドレインおよびスイッチＳＷ１２の一端に接続され、ソースはトランジスタＭＰ２０，ＭＮ２１のソースに接続される。トランジスタＭＰ２２のゲートは容量素子Ｃ１３の一端およびスイッチＳＷ１２の他端に接続され、ドレインはトランジスタＭＮ２２のドレインおよびスイッチＳＷ１２の一端に接続され、ソースには電源電圧ＶＤＤ０が供給される。スイッチＳＷ１２は制御信号ＡＺＰに基づいてオンオフするように構成され、一端はトランジスタＭＮ２２，ＭＰ２２のドレインに接続され、他端はトランジスタＭＰ２２のゲートおよび容量素子Ｃ１３の一端に接続される。容量素子Ｃ１３の一端はトランジスタＭＰ２２のゲートおよびスイッチＳＷ１２の他端に接続され、他端には電源電圧ＶＤＤ０が供給される。トランジスタＭＮ２２，ＭＰ２２、スイッチＳＷ１２、および容量素子Ｃ１３は、比較回路２３Ａの後段回路１０２の一部を構成する。
　また、比較回路２３Ａの後段回路１０２は、スイッチＳＷａを有している。スイッチＳＷａは、制御信号ＡＺＳＷ２に基づいてオンオフするように構成されている。制御信号ＡＺＳＷ２は、撮像制御部１５により生成される。スイッチＳＷａは、一端と他端とを有し、一端が接続ノードＮｄ１に接続され、接続ノードＮｄ１におけるインピーダンスおよび電圧を変化させることが可能となっている。スイッチＳＷａは、一端が接続ノードＮｄ１とトランジスタＭＮ２２のゲートとに接続され、他端がトランジスタＭＮ２２のドレインに接続され、トランジスタＭＮ２２をダイオード接続可能に構成されている。
　変形例１に係る比較部２１Ａにおいて、スイッチＳＷａは、本開示の技術における「第１のスイッチ」の一具体例に相当する。スイッチＳＷ１１は、本開示の技術における「第２のスイッチ」の一具体例に相当する。トランジスタＭＮ２１は、本開示の技術における「第１のトランジスタ」の一具体例に相当する。トランジスタＭＮ２２は、本開示の技術における「第２のトランジスタ」の一具体例に相当する。容量素子Ｃ１１は、本開示の技術における「第１の容量素子」の一具体例に相当する。容量素子Ｃ１２は、本開示の技術における「第２の容量素子」の一具体例に相当する。トランジスタＭＰ２１は、本開示の技術における「第１の負荷トランジスタ」の一具体例に相当する。
　変形例１に係る比較部２１Ａにおいても、図４に示した比較部２１と同様にスイッチＳＷａを適切にオンオフ制御することにより、ＣＤＳ誤差を低減することが可能となる。
（変形例２）
　図２５は、変形例２に係る比較部２１Ｂの一構成例を概略的に示している。
　変形例２に係る比較部２１Ｂは、電源回路２２と、比較回路２３Ｂとを有している。比較回路２３Ｂは、図４に示した比較回路２３の構成に対して、電圧発生部７０をさらに備えている。変形例２に係る比較回路２３Ｂは、
　図４に示した比較回路２３では、スイッチＳＷａの他端がトランジスタＭＰ１２のドレインに接続され、トランジスタＭＰ１２をダイオード接続可能に構成されていたが、変形例２に係る比較回路２３Ｂでは、スイッチＳＷａの他端は電圧発生部７０に接続されている。これにより、変形例２に係る比較回路２３Ｂでは、スイッチＳＷａをオン状態にすることにより、接続ノードＮｄ１における電圧を一時的に所定の固定電圧に固定させることが可能となっている。また、スイッチＳＷａをオン状態にすることにより、接続ノードＮｄ１におけるインピーダンスを低下させることが可能となっている。
　その他の構成および動作は、図４に示した比較部２１と略同様であってもよい。
（変形例３）
　図２６は、変形例３に係る比較部２１Ｃの一構成例を概略的に示している。
　変形例３に係る比較部２１Ｃは、電源回路２２と、比較回路２３と、バッファ回路２６Ｐとを有している。
　バッファ回路２６Ｐには、電源電圧ＶＤＤ２、接地電圧ＶＳＳ２、およびバイアス電圧ＶＢ４が供給される。比較回路２３には、電源電圧ＶＤＤ１、接地電圧ＶＳＳ０、およびバイアス電圧ＶＢ２が供給される。電源電圧ＶＤＤ２は、電源電圧ＶＤＤ１よりも高い電圧となっている。ただし、これに限定されるものではなく、例えば、電源電圧ＶＤＤ１は、電源電圧ＶＤＤ２と同じ電圧であってもよい。
　バッファ回路２６Ｐは、トランジスタＭＰ１，ＭＰ２を有している。トランジスタＭＰ１，ＭＰ２は、Ｐ型のＭＯＳトランジスタである。トランジスタＭＰ１のゲートには参照信号ＲＡＭＰが供給され、ドレインには接地電圧ＶＳＳ２が供給され、ソースはトランジスタＭＰ２のドレインおよび比較回路２３に接続される。トランジスタＭＰ２のゲートにはバイアス電圧ＶＢ１が供給され、ドレインはトランジスタＭＰ１のソースおよび比較回路２３に接続され、ソースには電源電圧ＶＤＤ２が供給される。トランジスタＭＰ２は、定電流源として動作する。図示していないが、この例では、トランジスタＭＰ１，ＭＰ２のバックゲートには電源電圧ＶＤＤ２が供給される。この構成により、バッファ回路２６Ｐは、いわゆるソースフォロワとして動作することにより、参照信号ＲＡＭＰに基づいて参照信号ＲＡＭＰ１を生成する。
　比較回路２３は、バッファ回路２６Ｐから供給された参照信号ＲＡＭＰ１および画素Ｐから信号線ＶＳＬを介して供給された信号ＳＩＧに基づいて比較動作を行うことにより信号ＯＵＴ２を生成する。比較回路２３は、撮像制御部１５から供給された制御信号ＡＺＳＷ，ＡＺＮに基づいて動作点を設定し、その後に比較動作を行う。
　その他の構成および動作は、図４に示した比較部２１と略同様であってもよい。
（変形例４）
　図２７は、変形例４に係る比較部２１Ｄの一構成例を概略的に示している。
　変形例４に係る比較部２１Ｄは、電源回路２２と、比較回路２３と、バッファ回路２６Ｎとを有している。
　変形例３に係る比較部２１Ｃ（図２６）では、バッファ回路２６を２つのＰ型のＭＯＳトランジスタを用いて構成したが、これに限定されるものではなく、図２７に示すバッファ回路２６Ｎのように、２つのＮ型のＭＯＳトランジスタを用いて構成してもよい。このバッファ回路２６Ｎは、トランジスタＭＮ１，ＭＮ２を有している。トランジスタＭＮ１，ＭＮ２は、Ｎ型のＭＯＳトランジスタである。トランジスタＭＮ１のゲートには参照信号ＲＡＭＰが供給され、ドレインには電源電圧ＶＤＤ２が供給され、ソースはトランジスタＭＮ２のドレインおよび比較回路２３に接続される。トランジスタＭＮ２のゲートにはバイアス電圧ＶＢ４が供給され、ドレインはトランジスタＭＮ１のソースおよび比較回路２３に接続され、ソースには接地電圧ＶＳＳ２が供給される。図示していないが、この例では、トランジスタＭＮ１，ＭＮ２のバックゲートには接地電圧ＶＳＳ２が供給される。この構成により、バッファ回路２６Ｎは、いわゆるソースフォロワとして動作することにより、参照信号ＲＡＭＰに基づいて参照信号ＲＡＭＰ１を生成する。
　比較回路２３は、バッファ回路２６Ｎから供給された参照信号ＲＡＭＰ１および画素Ｐから信号線ＶＳＬを介して供給された信号ＳＩＧに基づいて比較動作を行うことにより信号ＯＵＴ２を生成する。比較回路２３は、撮像制御部１５から供給された制御信号ＡＺＳＷ，ＡＺＮに基づいて動作点を設定し、その後に比較動作を行う。
　その他の構成および動作は、図４に示した比較部２１と略同様であってもよい。
（変形例５）
　図２８は、変形例５に係る比較部２１Ｅの一構成例を概略的に示している。
　変形例５に係る比較部２１Ｅは、電源回路２２Ａと、比較回路２３Ａと、バッファ回路２６Ｐとを有している。
　バッファ回路２６Ｐは、２つのＰ型のＭＯＳトランジスタを用いて構成されている。バッファ回路２６Ｐの構成は、変形例３に係る比較部２１Ｃ（図２６）と同様である。バッファ回路２６Ｐは、いわゆるソースフォロワとして動作することにより、参照信号ＲＡＭＰに基づいて参照信号ＲＡＭＰ１を生成する。
　比較回路２３Ａは、バッファ回路２６Ｐから供給された参照信号ＲＡＭＰ１および画素Ｐから信号線ＶＳＬを介して供給された信号ＳＩＧに基づいて比較動作を行うことにより信号ＯＵＴ２を生成する。比較回路２３Ａは、撮像制御部１５から供給された制御信号ＡＺＳＷ，ＡＺＰに基づいて動作点を設定し、その後に比較動作を行う。
　その他の構成および動作は、図２４に示した比較部２１Ａと略同様であってもよい。
（変形例６）
　図２９は、変形例６に係る比較部２１Ｆの一構成例を概略的に示している。
　変形例６に係る比較部２１Ｆは、電源回路２２Ａと、比較回路２３Ａと、バッファ回路２６Ｎとを有している。
　バッファ回路２６Ｎは、２つのＮ型のＭＯＳトランジスタを用いて構成されている。バッファ回路２６Ｎの構成は、変形例４に係る比較部２１Ｄ（図２７）と同様である。バッファ回路２６Ｎは、いわゆるソースフォロワとして動作することにより、参照信号ＲＡＭＰに基づいて参照信号ＲＡＭＰ１を生成する。
　比較回路２３Ａは、バッファ回路２６Ｎから供給された参照信号ＲＡＭＰ１および画素Ｐから信号線ＶＳＬを介して供給された信号ＳＩＧに基づいて比較動作を行うことにより信号ＯＵＴ２を生成する。比較回路２３Ａは、撮像制御部１５から供給された制御信号ＡＺＳＷ，ＡＺＰに基づいて動作点を設定し、その後に比較動作を行う。
　その他の構成および動作は、図２４に示した比較部２１Ａと略同様であってもよい。
（変形例７）
　図３０は、変形例７に係る比較部２１Ｇの一構成例を概略的に示している。
　図４に示した比較部２１において、比較回路２３はシングルエンド型の回路により構成されているが、これに代えて、比較回路２３を差動型の回路により構成してもよい。
　変形例７に係る比較部２１Ｇは、電源回路２２Ａと、差動型の回路で構成された比較回路２３Ｃとを有している。
　比較回路２３Ｃは、容量素子Ｃ１３，Ｃ４１～Ｃ４３と、トランジスタＭＰ２２，ＭＰ４１～ＭＰ４３と、スイッチＳＷ１２，ＳＷ４１，ＳＷ４２と、トランジスタＭＮ４１～ＭＮ４３とを有する。トランジスタＭＰ２２，ＭＰ４１～ＭＰ４３は、Ｐ型のＭＯＳトランジスタであり、トランジスタＭＮ４１～ＭＮ４３は、Ｎ型のＭＯＳトランジスタである。
　容量素子Ｃ４１，Ｃ４２は一端および他端を有する。容量素子Ｃ４１の一端には参照信号ＲＡＭＰが供給され、他端は容量素子Ｃ４２の他端、トランジスタＭＰ４１のゲート、およびスイッチＳＷ４１の一端に接続される。容量素子Ｃ４２の一端には信号ＳＩＧが供給され、他端は容量素子Ｃ４１の他端、トランジスタＭＰ４１のゲート、およびスイッチＳＷ４１の一端に接続される。容量素子Ｃ４３の一端には直流の電圧ＶＲＥＦが印加され、他端はトランジスタＭＰ４２のゲートおよびスイッチＳＷ４２の一端に接続される。
　トランジスタＭＰ４１のゲートは接続ノードＮｄ２を介して、容量素子Ｃ４１，Ｃ４２の他端およびスイッチＳＷ４１の一端に接続される。トランジスタＭＰ４１のゲートには、容量素子Ｃ４２を介して信号ＳＩＧが入力される。また、トランジスタＭＰ４１のゲートには、容量素子Ｃ４１を介して参照信号ＲＡＭＰが入力される。なお、容量素子Ｃ４１の一端がバッファ回路２６に接続された構成であってもよい。トランジスタＭＰ４１のゲートには、バッファ回路２６および容量素子Ｃ４１を介して参照信号ＲＡＭＰが入力されてもよい。
　トランジスタＭＰ４２のゲートは容量素子Ｃ４３の他端およびスイッチＳＷ４２の一端に接続され、ドレインはトランジスタＭＮ４２のドレイン、スイッチＳＷ４２の他端、および後段回路１０２の入力端子としてのトランジスタＭＮ４３のゲートに接続され、ソースはトランジスタＭＰ４１のソースおよびトランジスタＭＰ４３のドレインに接続される。トランジスタＭＰ４３のゲートにはバイアス電圧ＶＢ２が供給され、ドレインはトランジスタＭＰ４１，ＭＰ４２のソースに接続され、ソースには電源電圧ＶＤＤ０が供給される。このトランジスタＭＰ４３は電流源として動作し、トランジスタＭＰ４１，ＭＰ４２は差動対として動作する。
　スイッチＳＷ４１は、制御信号ＡＺＳＷに基づいてオンオフするように構成され、スイッチＳＷ４１の一端は容量素子Ｃ４１，Ｃ４２の他端およびトランジスタＭＰ４１のゲートに接続され、他端はトランジスタＭＰ４１，ＭＮ４１のドレイン、およびトランジスタＭＮ４１，ＭＮ４２のゲートに接続される。スイッチＳＷ４２は、制御信号ＡＺＳＷに基づいてオンオフするように構成され、スイッチＳＷ４２の一端は容量素子Ｃ４３の他端およびトランジスタＭＰ４２のゲートに接続され、他端はトランジスタＭＰ４２，ＭＮ４２のドレインおよび後段回路１０２の入力端子としてのトランジスタＭＮ４３のゲートに接続される。
　トランジスタＭＮ４１のゲートはトランジスタＭＮ４２のゲート、トランジスタＭＮ４１，ＭＰ４１のドレイン、およびスイッチＳＷ４１の他端に接続され、ドレインはトランジスタＭＮ４１，ＭＮ４２のゲート、トランジスタＭＰ４１のドレイン、およびスイッチＳＷ４１の他端に接続され、ソースには接地電圧ＶＳＳ１が供給される。トランジスタＭＮ４２のゲートはトランジスタＭＮ４１のゲート、トランジスタＭＮ４１，ＭＰ４１のドレイン、およびスイッチＳＷ４１の他端に接続され、ドレインは後段回路１０２のトランジスタＭＮ４３のゲート、トランジスタＭＰ４２のドレイン、およびスイッチＳＷ４２の他端に接続され、ソースには接地電圧ＶＳＳ１が供給される。また、トランジスタＭＮ４２，ＭＰ４２のドレインは、接続ノードＮｄ１に接続されている。トランジスタＭＮ４１，ＭＮ４２は、差動対であるトランジスタＭＰ４１，ＭＰ４２の負荷として動作する。
　トランジスタＭＮ４３のゲートは接続ノードＮｄ１を介してトランジスタＭＮ４２，ＭＰ４２のドレインおよびスイッチＳＷ４２の他端に接続され、ドレインはトランジスタＭＰ２２のドレインおよびスイッチＳＷ１２の一端に接続され、ソースには接地電圧ＶＳＳ１が供給される。
　トランジスタＭＰ２２のゲートは容量素子Ｃ１３の一端およびスイッチＳＷ１２の他端に接続され、ドレインはトランジスタＭＮ４３のドレインおよびスイッチＳＷ１２の一端に接続され、ソースには電源電圧ＶＤＤ０が供給される。スイッチＳＷ１２は制御信号ＡＺＰに基づいてオンオフするように構成され、一端はトランジスタＭＮ４３，ＭＰ２２のドレインに接続され、他端はトランジスタＭＰ２２のゲートおよび容量素子Ｃ１３の一端に接続される。容量素子Ｃ１３の一端はトランジスタＭＰ２２のゲートおよびスイッチＳＷ１２の他端に接続され、他端には電源電圧ＶＤＤ０が供給される。
　電源回路２２Ａは、トランジスタＭＰ２０を有している。トランジスタＭＰ２０のゲートにはバイアス電圧ＶＢ１が供給され、ドレインは接地線ＶＳＳＬに接続され、ソースはトランジスタＭＮ４１，ＭＮ４２，ＭＮ４３のソースに接続される。トランジスタＭＰ２０は、いわゆるソースフォロワとして動作することにより、ソースから接地電圧ＶＳＳ１を出力する。電源回路２２Ａのその他の構成および動作は、図２４に示した変形例１と略同様であってもよい。
　また、比較回路２３Ｃの後段回路１０２は、スイッチＳＷａを有している。スイッチＳＷａは、制御信号ＡＺＳＷ２に基づいてオンオフするように構成されている。制御信号ＡＺＳＷ２は、撮像制御部１５により生成される。スイッチＳＷａは、一端と他端とを有し、一端が接続ノードＮｄ１に接続され、接続ノードＮｄ１におけるインピーダンスおよび電圧を変化させることが可能となっている。スイッチＳＷａは、一端が接続ノードＮｄ１とトランジスタＭＮ４３のゲートとに接続され、他端がトランジスタＭＮ４３のドレインに接続され、トランジスタＭＮ４３をダイオード接続可能に構成されている。
　変形例７に係る比較部２１Ｇにおいて、スイッチＳＷａは、本開示の技術における「第１のスイッチ」の一具体例に相当する。スイッチＳＷ４１は、本開示の技術における「第２のスイッチ」の一具体例に相当する。接続ノードＮｄ１は、本開示の技術における「接続ノード」の一具体例に相当する。トランジスタＭＰ４１は、本開示の技術における「第１のトランジスタ」の一具体例に相当する。トランジスタＭＮ４３は、本開示の技術における「第２のトランジスタ」の一具体例に相当する。トランジスタＭＰ４２は、本開示の技術における「第３のトランジスタ」の一具体例に相当する。容量素子Ｃ４１は、本開示の技術における「第１の容量素子」の一具体例に相当する。容量素子Ｃ４２は、本開示の技術における「第２の容量素子」の一具体例に相当する。トランジスタＭＮ４１は、本開示の技術における「第１の負荷トランジスタ」の一具体例に相当する。トランジスタＭＮ４２は、本開示の技術における「第２の負荷トランジスタ」の一具体例に相当する。
　図３１は、変形例７に対する比較例に係る比較部２１０Ｇの一構成例を概略的に示している。
　比較例に係る比較部２１０Ｇは、図３０に示した比較部２１Ｇの構成に対してスイッチＳＷａが省かれた構成の比較回路２３０Ｃを備えている。その他の構成は、図３０に示した比較部２１Ｇと同様である。
　比較例に係る比較回路２３０Ｃでは、スイッチＳＷ４１の他端側は、ダイオード接続された負荷トランジスタであるトランジスタＭＮ４１に接続されているため、インピーダンスは低い。このため、スイッチＳＷ４１がオン状態からオフ状態となり、チャージインジェクションが発生した場合、電荷はスイッチＳＷ４１の一端側（接続ノードＮｄ２側）よりもスイッチＳＷ４１の他端側に流れやすくなる。このため、スイッチＳＷ４１のチャージインジェクションによるトランジスタＭＰ４１のゲート電圧（電圧ＤＩＦＦＤＡＣ）に対する影響は少ない。
　一方で、トランジスタＭＰ４１のゲートとドレインとの間の寄生容量Ｃｐの影響は存在する。比較例に係る比較回路２３０Ｃでは、寄生容量Ｃｐを介して、信号ＯＵＴ１の電圧変化が接続ノードＮｄ２における電圧ＤＩＦＦＤＡＣに干渉する。変形例７に係る比較部２１Ｇにおいても、図４に示した比較部２１と同様にスイッチＳＷａを適切にオンオフ制御することにより、寄生容量Ｃｐの影響を低減し、ＣＤＳ誤差を低減することが可能となる。
（変形例８）
　図３２は、変形例８に係る比較部２１Ｈの一構成例を概略的に示している。
　比較部２１Ｈは、初段回路１０１と、後段回路１０２とを有する比較回路２３Ｄを備えている。初段回路１０１は、信号ＳＩＧおよび参照信号ＲＡＭＰに基づく比較動作に応じた信号ＯＵＴ１を出力可能となっている。後段回路１０２は、接続ノードＮｄ１を介して初段回路１０１に接続され、接続ノードＮｄ１を介して初段回路１０１から出力された信号ＯＵＴ１に応じた信号ＯＵＴ２を出力可能となっている。
　初段回路１０１は、容量素子Ｃ５１と、トランジスタＭＰ５と、スイッチＳＷ５１と、定電流源６１とを有している。後段回路１０２は、トランジスタＭＰ５２と、スイッチＳＷａと、定電流源６２とを有している。トランジスタＭＰ５１，ＭＰ５２は、Ｐ型のＭＯＳトランジスタである。
　容量素子Ｃ５１は一端および他端を有する。容量素子Ｃ５１の一端は参照信号生成部１３に接続され、他端は接続ノードＮｄ２を介してトランジスタＭＰ５１のゲート、およびスイッチＳＷ５１の一端に接続される。この容量素子Ｃ５１の一端には、参照信号生成部１３が生成した参照信号ＲＡＭＰが供給される。
　トランジスタＭＰ５１のゲートは接続ノードＮｄ２を介して、容量素子Ｃ５１の他端およびスイッチＳＷ５１の一端に接続される。トランジスタＭＰ５１のソースには、画素Ｐが生成した信号ＳＩＧが入力される。また、トランジスタＭＰ５１のゲートには、容量素子Ｃ５１を介して参照信号ＲＡＭＰが入力される。なお、容量素子Ｃ５１の一端がバッファ回路２６に接続された構成であってもよい。トランジスタＭＰ５１のゲートには、バッファ回路２６および容量素子Ｃ５１を介して参照信号ＲＡＭＰが入力されてもよい。
　スイッチＳＷ５１は、制御信号ＡＺＳＷに基づいてオンオフするように構成され、一端は接続ノードＮｄ２を介して容量素子Ｃ５１の他端およびトランジスタＭＰ５１のゲートに接続され、他端は接続ノードＮｄ１を介してトランジスタＭＰ５２のゲートに接続される。また、スイッチＳＷ５１の他端は、トランジスタＭＰ５１のドレインに接続される。また、スイッチＳＷ５１の他端は、接続ノードＮｄ１を介してスイッチＳＷａの一端に接続される。
　定電流源６１は、接続ノードＮｄ１を介してトランジスタＭＰ５１のドレイン、トランジスタＭＰ５２のゲート、およびスイッチＳＷ５１の他端に接続される。また、定電流源６１は、接続ノードＮｄ１を介してスイッチＳＷａの一端に接続される。定電流源６１には接地電圧ＶＳＳ１が供給される。
　トランジスタＭＰ５２のゲートは、接続ノードＮｄ１を介してトランジスタＭＰ５１のドレインおよびスイッチＳＷ５１の他端に接続される。トランジスタＭＰ５２のドレインは定電流源６２に接続され、ソースはトランジスタＭＰ５１のソースに接続される。また、トランジスタＭＰ５２のドレインは、スイッチＳＷａの他端に接続される。
　定電流源６２はトランジスタＭＰ５２のドレインに接続される。定電流源６２には接地電圧ＶＳＳ１が供給される。また、定電流源６２は、スイッチＳＷａの他端に接続される。
　スイッチＳＷａは、制御信号ＡＺＳＷ２に基づいてオンオフするように構成されている。制御信号ＡＺＳＷ２は、撮像制御部１５により生成される。スイッチＳＷａは、一端と他端とを有し、一端が接続ノードＮｄ１に接続され、接続ノードＮｄ１におけるインピーダンスおよび電圧を変化させることが可能となっている。スイッチＳＷａは、一端が接続ノードＮｄ１とトランジスタＭＰ５２のゲートとに接続され、他端がトランジスタＭＰ５２のドレインに接続され、トランジスタＭＰ５２をダイオード接続可能に構成されている。
　変形例８に係る比較部２１Ｈにおいて、スイッチＳＷａは、本開示の技術における「第１のスイッチ」の一具体例に相当する。スイッチＳＷ５１は、本開示の技術における「第２のスイッチ」の一具体例に相当する。接続ノードＮｄ１は、本開示の技術における「接続ノード」の一具体例に相当する。トランジスタＭＰ５１は、本開示の技術における「第１のトランジスタ」の一具体例に相当する。トランジスタＭＰ５２は、本開示の技術における「第２のトランジスタ」の一具体例に相当する。容量素子Ｃ４１は、本開示の技術における「第１の容量素子」の一具体例に相当する。
　図３３は、変形例８に対する比較例に係る比較部２１０Ｈの一構成例を概略的に示している。
　比較例に係る比較部２１０Ｈは、図３２に示した比較部２１Ｈの構成に対してスイッチＳＷａが省かれた構成の比較回路２３０Ｄを備えている。その他の構成は、図３２に示した比較部２１Ｈと同様である。
　比較例に係る比較回路２３０Ｄでは、スイッチＳＷ４１がオン状態からオフ状態となり、チャージインジェクションが発生した場合、電荷はスイッチＳＷ５１の一端側（接続ノードＮｄ２側）に流れやすくなる。ただし、比較例に係る比較回路２３０Ｄでは、画素Ｐが生成した信号ＳＩＧはトランジスタＭＰ５１のソースに入力される。このため、スイッチＳＷ５１のチャージインジェクションによる信号ＳＩＧに対する影響は少ない。
　一方で、トランジスタＭＰ５１のゲートとドレインとの間の寄生容量Ｃｐの影響は存在する。比較例に係る比較回路２３０Ｄでは、寄生容量Ｃｐを介して、信号ＯＵＴ１の電圧変化が接続ノードＮｄ２における電圧ＤＩＦＦＤＡＣに干渉する。変形例８に係る比較部２１Ｈにおいても、図４に示した比較部２１と同様にスイッチＳＷａを適切にオンオフ制御することにより、寄生容量Ｃｐの影響を低減し、ＣＤＳ誤差を低減することが可能となる。
　その他の構成および動作は、図４に示した比較部２１と略同様であってもよい。
＜２．撮像装置の使用例＞
　図３４は、上記実施の形態に係る撮像装置１の使用例を表すものである。上述した撮像装置１は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビジョンや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
＜３．移動体への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図３５は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図３５に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。
　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｄｒｉｖｅｒ　Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図３５の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
　図３６は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
　図３６では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
　撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図３６には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１２０３１に適用され得る。これにより、車両制御システム１２０００では、撮像画像の画質を高めることができる。その結果、車両制御システム１２０００では、車両の衝突回避あるいは衝突緩和機能、車間距離に基づく追従走行機能、車速維持走行機能、車両の衝突警告機能、車両のレーン逸脱警告機能等の精度を高めることができる。
＜４．測距装置への応用例＞
　次に、本技術を測距装置に応用した場合の一例について、詳細に説明する。
　図３７は、本応用例に係る測距装置９００の一構成例を表すものである。測距装置９００は、インダイレクト方式により計測対象物ＯＢＪまでの距離を計測するように構成される。測距装置９００は、発光部９０１と、光学系９０２と、光検出部９１０と、制御部９０３とを備えている。
　発光部９０１は、計測対象物ＯＢＪに向かって光パルスＬ０を射出するように構成される。発光部９０１は、制御部９０３からの指示に基づいて、発光および非発光を交互に繰り返す発光動作を行うことにより光パルスＬ０を射出するようになっている。発光部９０１は、例えば赤外光を射出する光源を有する。この光源は、例えば、レーザ光源やＬＥＤ（Light Emitting Diode）などを用いて構成される。
　光学系９０２は、光検出部９１０の受光面Ｓにおいて像を結像させるレンズを含んで構成される。この光学系９０２には、発光部９０１から射出され、計測対象物ＯＢＪにより反射された光パルス（反射光パルスＬ１）が入射するようになっている。
　光検出部９１０は、制御部９０３からの指示に基づいて、光を検出することにより距離画像ＰＩＣを生成するように構成される。距離画像ＰＩＣに含まれる複数の画素値のそれぞれは、計測対象物ＯＢＪまでの距離Ｄについての値を示す。そして、光検出部９１０は、生成した距離画像ＰＩＣを画像信号ＤＡＴＡとして出力するようになっている。
　制御部９０３は、発光部９０１および光検出部９１０に制御信号を供給し、これらの動作を制御することにより、測距装置９００の動作を制御するように構成される。
　図３８は、光検出部９１０の一構成例を表すものである。光検出部９１０は、画素アレイ９１１と、駆動部９１２と、参照信号生成部９１３と、読出部９１９と、信号処理部９１４と、撮像制御部９１５とを有している。例えば、画素アレイ９１１、駆動部９１２、参照信号生成部９１３、読出部９１９、信号処理部９１４、および撮像制御部９１５は、１枚の半導体基板に形成されてもよい。また、画素アレイ９１１が１枚の半導体基板に形成されるとともに、駆動部９１２、参照信号生成部９１３、読出部９１９、信号処理部９１４、および撮像制御部９１５が他の半導体基板に形成され、これらの２枚の半導体基板が重ねあわされるようにしてもよい。
　画素アレイ９１１は、マトリックス状に配置された複数の画素９２０を有している。画素９２０は、受光量に応じた画素電圧Ｖpixを生成するように構成される。
　図３９は、画素９２０の一構成例を表すものである。画素アレイ９１１は、複数の制御線９３１Ａと、複数の制御線９３１Ｂと、複数の制御線９３２Ａと、複数の制御線９３２Ａと、複数の制御線９３３と、複数の信号線９３９Ａと、複数の信号線９３９Ｂとを有している。
　画素９２０は、フォトダイオード９２１と、フローティングディフュージョン９２３Ａ，９２３Ｂと、トランジスタ９２２Ａ，９２２Ｂ，９２４Ａ，９２４Ｂ，９２５Ａ，９２５Ｂ，９２６Ａ，９２６Ｂとを有している。フォトダイオード９２１、フローティングディフュージョン９２３Ａ、およびトランジスタ９２２Ａ，９２４Ａ，９２５Ａ，９２６Ａからなる回路をタップＡとも呼ぶ。また、フォトダイオード９２１、フローティングディフュージョン９２３Ｂ、およびトランジスタ９２２Ｂ，９２４Ｂ，９２５Ｂ，９２６Ｂからなる回路をタップＢとも呼ぶ。
　タップＡにおいて、トランジスタ９２２Ａのゲートは制御線９３１Ａに接続され、ソースはフォトダイオード９２１に接続され、ドレインはフローティングディフュージョン９２３Ａに接続される。フローティングディフュージョン９２３Ａは、フォトダイオード９２１からトランジスタ９２２Ａを介して供給された電荷を蓄積するように構成される。トランジスタ９２４Ａのゲートは制御線９３２Ａに接続され、ドレインには電源電圧ＶＤＤが供給され、ソースはフローティングディフュージョン９２３Ａに接続される。トランジスタ９２５Ａのゲートはフローティングディフュージョン９２３Ａに接続され、ドレインには電源電圧ＶＤＤが供給され、ソースはトランジスタ９２６Ａのドレインに接続される。トランジスタ９２６Ａのゲートは制御線９３３に接続され、ドレインはトランジスタ９２５Ａのソースに接続され、ソースは信号線９３９Ａに接続される。以上、タップＡを例に説明したが、タップＢについても同様である。
　この構成により、画素９２０では、トランジスタ９２４Ａがオン状態になることによりフローティングディフュージョン９２３Ａがリセットされ、トランジスタ９２４Ｂがオン状態になることによりフローティングディフュージョン９２３Ｂがリセットされる。そして、トランジスタ９２２Ａ，９２２Ｂのうちのいずれか１つが交互にオン状態になることにより、フォトダイオード９２１により生成された電荷がフローティングディフュージョン９２３Ａおよびフローティングディフュージョン９２３Ｂに選択的に蓄積される。そして、トランジスタ９２６Ａ，９２６Ｂがオン状態になることにより、画素９２０は、フローティングディフュージョン９２３Ａに蓄積された電荷の量に応じた画素信号を信号線９３９Ａに出力するとともに、フローティングディフュージョン９２３Ｂに蓄積された電荷の量に応じた画素信号を信号線９３９Ｂに出力するようになっている。
　駆動部９１２（図３８）は、撮像制御部９１５からの指示に基づいて、画素ラインＬ単位で、画素アレイ９１１における複数の画素９２０を順次駆動するように構成される。参照信号生成部９１３は、撮像制御部９１５からの指示に基づいて、参照信号ＲＡＭＰを生成するように構成される。読出部９１９は、撮像制御部９１５からの指示に基づいて、画素アレイ９１１から信号線９３９Ａ，９３９Ｂを介して供給された画素信号に基づいてＡＤ変換を行うことにより、画像信号ＤＡＴＡ０を生成するように構成される。信号処理部９１４は、撮像制御部９１５からの指示に基づいて、画像信号ＤＡＴＡ０に対して、所定の信号処理を行うことにより距離画像ＰＩＣを生成し、この距離画像ＰＩＣを含む画像信号ＤＡＴＡを出力するように構成される。撮像制御部９１５は、駆動部９１２、参照信号生成部９１３、読出部９１９、および信号処理部９１４に制御信号を供給し、これらの回路の動作を制御することにより、光検出部９１０の動作を制御するように構成される。
　図４０は、測距装置９００の一動作例を表すものであり、図４０（Ａ）は、発光部９０１から射出される光パルスＬ０の波形を示し、図４０（Ｂ）は、光検出部９１０が検出する反射光パルスＬ１の波形を示す。
　発光部９０１は、制御部９０３からの指示に基づいて、デューティ比が５０％であるパルス波形を有する光パルスＬ０を射出する（図４０（Ａ））。この光パルスＬ０は、計測対象物ＯＢＪに向かって進行する。そして、この光パルスＬ０が計測対象物ＯＢＪにより反射され、反射された反射光パルスＬ１は、光検出部９１０に向かって進行する。そして、この光検出部９１０の画素９２０が、この反射光パルスＬ１を検出する（図４０（Ｂ））。画素９２０により検出された反射光パルスＬ１は、図４０（Ａ）に示した光パルスＬ０の波形を遅延時間ＤＬだけ遅延した波形を有する。この遅延時間ＤＬは、光が、発光部９０１、計測対象物ＯＢＪ、光検出部９１０の順に進行する時間であり、光の飛行時間に対応する。この光の飛行時間は、測距装置９００と計測対象物ＯＢＪとの間の距離に対応している。
　インダイレクト方式では、画素９２０のフローティングディフュージョン９２３Ａは、発光部９０１が発光する期間９４１において、フォトダイオード９２１の受光量に応じた信号電荷Ｑ１を蓄積し、画素９２０のフローティングディフュージョン９２３Ｂは、発光部９０１が消光する期間９４２において、フォトダイオード９２１の受光量に応じた信号電荷Ｑ２を蓄積する。そして、信号処理部９１４は、信号電荷Ｑ１と信号電荷Ｑ２との電荷比を求める。フォトダイオード９２１は、期間９５１，９５２において光を検出しているので、信号電荷Ｑ１の電荷量は、期間９５１の長さに比例し、信号電荷Ｑ２の電荷量は、期間９５２の長さに比例する。遅延時間ＤＬが短い場合には、信号電荷Ｑ１が多くなるとともに信号電荷Ｑ２が少なくなり、遅延時間ＤＬが長い場合には、信号電荷Ｑ１が少なくなるとともに信号電荷Ｑ２が多くなる。このように、信号電荷Ｑ１と信号電荷Ｑ２の電荷比は、遅延時間ＤＬに応じて変化する。インダイレクト方式では、この電荷比を求めることにより、例えば高い精度で遅延時間ＤＬを求めることができ、その結果、高い精度で、計測対象物ＯＢＪまでの距離を計測することができる。この読出部９１９には、本技術を適用することができる。これにより、距離画像の画質を高めることができる。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る測距装置９００の一例について説明した。本開示に係る技術は、このような測距装置９００に適用され得る。これにより、測距装置９００では、距離画像の画質を高めることができる。
＜５．その他の実施の形態＞
　本開示による技術は、上記一実施の形態および変形例の説明に限定されず種々の変形実施が可能である。
　例えば、上記の実施の形態では、図２に示したように画素Ｐを構成したが、これに限定されるものではなく、様々な構成の画素を用いることができる。
　例えば、本技術は以下のような構成を取ることもできる。
　以下の構成の本技術によれば、第１のスイッチの一端を第１段アンプ回路と第２段アンプ回路との接続ノードに接続し、接続ノードにおけるインピーダンスおよび電圧を変化させることを可能にしたので、精度良くノイズ低減処理を行うことが可能となる。
（１）
　画素信号を生成可能な画素と、
　参照信号を生成可能な参照信号生成部と、
　前記画素信号および前記参照信号に基づく比較動作に応じた第１の出力信号を出力可能な第１段アンプ回路と、接続ノードを介して前記第１段アンプ回路に接続され、前記接続ノードを介して前記第１段アンプ回路から出力された前記第１の出力信号に応じた第２の出力信号を出力可能な第２段アンプ回路とを有する比較回路と、
　一端と他端とを有し、前記一端が前記接続ノードに接続され、前記接続ノードにおけるインピーダンスおよび電圧を変化させることが可能な第１のスイッチと
　を備える
　光検出装置。
（２）
　前記第１段アンプ回路は、
　ゲートと、ドレインと、ソースとを有し、前記画素信号および前記参照信号が入力される第１のトランジスタを有する
　上記（１）に記載の光検出装置。
（３）
　前記第２段アンプ回路は、前記接続ノードに接続されたゲートと、前記第２の出力信号を出力可能なドレインとを有する第２のトランジスタを有し、
　前記第１のスイッチは、前記一端が前記接続ノードと前記第２のトランジスタの前記ゲートとに接続され、前記他端が前記第２のトランジスタの前記ドレインに接続され、前記第２のトランジスタをダイオード接続可能に構成されている
　上記（１）または（２）に記載の光検出装置。
（４）
　前記第１のスイッチは、
　ゲートと、ドレインと、ソースとを有するＭＯＳトランジスタを有し、
　前記ＭＯＳトランジスタの前記ゲートに、前記第１のスイッチのオンオフ状態を制御する制御信号が入力され、前記ＭＯＳトランジスタの前記ソースが前記接続ノードと前記第２のトランジスタの前記ゲートとに接続され、前記ＭＯＳトランジスタの前記ドレインが前記第２のトランジスタの前記ドレインに接続されている
　上記（３）に記載の光検出装置。
（５）
　前記第１のスイッチの前記他端に接続された電圧発生部、をさらに備え
　前記第２段アンプ回路は、前記接続ノードに接続されたゲートと、前記第２の出力信号を出力可能なドレインとを有する第２のトランジスタを有し、
　前記第１のスイッチは、前記一端が前記接続ノードと前記第２のトランジスタの前記ゲートとに接続され、前記他端が前記電圧発生部に接続されている
　上記（１）または（２）に記載の光検出装置。
（６）
　前記第１段アンプ回路は、オン状態になることにより前記第１のトランジスタの前記ゲートと前記第１のトランジスタの前記ドレインとを接続可能な第２のスイッチ、をさらに有し、
　前記第１のスイッチは、少なくとも前記第２のスイッチがオン状態からオフ状態となるタイミングを含む期間において、一時的にオン状態となることにより、前記接続ノードにおけるインピーダンスを一時的に低下させる
　上記（２）ないし（５）のいずれか１つに記載の光検出装置。
（７）
　前記画素は、前記画素信号として、第１の期間においてリセット電圧となる信号を出力した後、第２の期間において受光量に応じた画素電圧となる信号を出力し、
　前記第１のトランジスタは、そのゲート電圧が、前記第１の期間が終了した後、所定の期間において所定の基準電圧となり、前記所定の期間が終了した後、前記所定の基準電圧よりも電圧が低下するように構成され、
　前記第１のスイッチは、前記第１の期間が終了するタイミングでオン状態となり、前記所定の期間が終了するタイミングでオフ状態となることにより、前記接続ノードにおける電圧を一時的に所定の固定電圧に固定させる
　上記（２）ないし（６）のいずれか１つに記載の光検出装置。
（８）
　前記第１段アンプ回路は、
　前記参照信号が入力される第１の容量素子と、前記画素信号が入力される第２の容量素子とを、さらに有し、
　前記第１のトランジスタには、前記第１の容量素子を介して前記ゲートに前記参照信号が入力されると共に、前記第２の容量素子を介して前記ゲートに前記画素信号が入力される
　上記（２）ないし（７）のいずれか１つに記載の光検出装置。
（９）
　前記第１のトランジスタの前記ドレインは、前記接続ノードに接続されている
　上記（８）に記載の光検出装置。
（１０）
　前記第１段アンプ回路は、
　前記第１のトランジスタの前記ドレインと前記接続ノードとに接続された第１の負荷トランジスタ、をさらに有する
　上記（８）または（９）に記載の光検出装置。
（１１）
　前記第１の容量素子に接続され、前記参照信号が入力されるバッファ回路、をさらに備え、
　前記第１のトランジスタの前記ゲートには、前記バッファ回路および前記第１の容量素子を介して前記参照信号が入力される
　上記（８）ないし（１０）のいずれか１つに記載の光検出装置。
（１２）
　前記第１段アンプ回路は、
　ゲートと、ドレインと、ソースとを有し、前記第１のトランジスタと共に差動対として動作する第３のトランジスタ、をさらに有する
　上記（２）ないし（７）のいずれか１つに記載の光検出装置。
（１３）
　前記第３のトランジスタの前記ドレインは、前記接続ノードに接続されている
　上記（１２）に記載の光検出装置。
（１４）
　前記第１段アンプ回路は、
　前記第１のトランジスタの前記ドレインに接続された第１の負荷トランジスタと、
　前記第３のトランジスタの前記ドレインと前記接続ノードとに接続された第２の負荷トランジスタと、をさらに有する
　上記（１２）または（１３）に記載の光検出装置。
（１５）
　前記第１段アンプ回路は、
　前記参照信号が入力される第１の容量素子、をさらに有し、
　前記第１のトランジスタは、前記第１の容量素子を介して前記ゲートに前記参照信号が入力されると共に、前記ソースに前記画素信号が入力される
　上記（２）ないし（７）のいずれか１つに記載の光検出装置。
（１６）
　光検出装置を含み、
　前記光検出装置は、
　画素信号を生成可能な画素と、
　参照信号を生成可能な参照信号生成部と、
　前記画素信号および前記参照信号に基づく比較動作に応じた第１の出力信号を出力可能な第１段アンプ回路と、接続ノードを介して前記第１段アンプ回路に接続され、前記接続ノードを介して前記第１段アンプ回路から出力された前記第１の出力信号に応じた第２の出力信号を出力可能な第２段アンプ回路とを有する比較回路と、
　一端と他端とを有し、前記一端が前記接続ノードに接続され、前記接続ノードにおけるインピーダンスおよび電圧を変化させることが可能な第１のスイッチと
　を備える
　電子機器。
　本出願は、日本国特許庁において２０２０年６月２３日に出願された日本特許出願番号第２０２０－１０８１０８号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (16)

  1. 　画素信号を生成可能な画素と、
    　参照信号を生成可能な参照信号生成部と、
    　前記画素信号および前記参照信号に基づく比較動作に応じた第１の出力信号を出力可能な第１段アンプ回路と、接続ノードを介して前記第１段アンプ回路に接続され、前記接続ノードを介して前記第１段アンプ回路から出力された前記第１の出力信号に応じた第２の出力信号を出力可能な第２段アンプ回路とを有する比較回路と、
    　一端と他端とを有し、前記一端が前記接続ノードに接続され、前記接続ノードにおけるインピーダンスおよび電圧を変化させることが可能な第１のスイッチと
    　を備える
    　光検出装置。
  2. 　前記第１段アンプ回路は、
    　ゲートと、ドレインと、ソースとを有し、前記画素信号および前記参照信号が入力される第１のトランジスタを有する
    　請求項１に記載の光検出装置。
  3. 　前記第２段アンプ回路は、前記接続ノードに接続されたゲートと、前記第２の出力信号を出力可能なドレインとを有する第２のトランジスタを有し、
    　前記第１のスイッチは、前記一端が前記接続ノードと前記第２のトランジスタの前記ゲートとに接続され、前記他端が前記第２のトランジスタの前記ドレインに接続され、前記第２のトランジスタをダイオード接続可能に構成されている
    　請求項１に記載の光検出装置。
  4. 　前記第１のスイッチは、
    　ゲートと、ドレインと、ソースとを有するＭＯＳトランジスタを有し、
    　前記ＭＯＳトランジスタの前記ゲートに、前記第１のスイッチのオンオフ状態を制御する制御信号が入力され、前記ＭＯＳトランジスタの前記ソースが前記接続ノードと前記第２のトランジスタの前記ゲートとに接続され、前記ＭＯＳトランジスタの前記ドレインが前記第２のトランジスタの前記ドレインに接続されている
    　請求項３に記載の光検出装置。
  5. 　前記第１のスイッチの前記他端に接続された電圧発生部、をさらに備え
    　前記第２段アンプ回路は、前記接続ノードに接続されたゲートと、前記第２の出力信号を出力可能なドレインとを有する第２のトランジスタを有し、
    　前記第１のスイッチは、前記一端が前記接続ノードと前記第２のトランジスタの前記ゲートとに接続され、前記他端が前記電圧発生部に接続されている
    　請求項１に記載の光検出装置。
  6. 　前記第１段アンプ回路は、オン状態になることにより前記第１のトランジスタの前記ゲートと前記第１のトランジスタの前記ドレインとを接続可能な第２のスイッチ、をさらに有し、
    　前記第１のスイッチは、少なくとも前記第２のスイッチがオン状態からオフ状態となるタイミングを含む期間において、一時的にオン状態となることにより、前記接続ノードにおけるインピーダンスを一時的に低下させる
    　請求項２に記載の光検出装置。
  7. 　前記画素は、前記画素信号として、第１の期間においてリセット電圧となる信号を出力した後、第２の期間において受光量に応じた画素電圧となる信号を出力し、
    　前記第１のトランジスタは、そのゲート電圧が、前記第１の期間が終了した後、所定の期間において所定の基準電圧となり、前記所定の期間が終了した後、前記所定の基準電圧よりも電圧が低下するように構成され、
    　前記第１のスイッチは、前記第１の期間が終了するタイミングでオン状態となり、前記所定の期間が終了するタイミングでオフ状態となることにより、前記接続ノードにおける電圧を一時的に所定の固定電圧に固定させる
    　請求項２に記載の光検出装置。
  8. 　前記第１段アンプ回路は、
    　前記参照信号が入力される第１の容量素子と、前記画素信号が入力される第２の容量素子とを、さらに有し、
    　前記第１のトランジスタには、前記第１の容量素子を介して前記ゲートに前記参照信号が入力されると共に、前記第２の容量素子を介して前記ゲートに前記画素信号が入力される
    　請求項２に記載の光検出装置。
  9. 　前記第１のトランジスタの前記ドレインは、前記接続ノードに接続されている
    　請求項８に記載の光検出装置。
  10. 　前記第１段アンプ回路は、
    　前記第１のトランジスタの前記ドレインと前記接続ノードとに接続された第１の負荷トランジスタ、をさらに有する
    　請求項９に記載の光検出装置。
  11. 　前記第１の容量素子に接続され、前記参照信号が入力されるバッファ回路、をさらに備え、
    　前記第１のトランジスタの前記ゲートには、前記バッファ回路および前記第１の容量素子を介して前記参照信号が入力される
    　請求項８に記載の光検出装置。
  12. 　前記第１段アンプ回路は、
    　ゲートと、ドレインと、ソースとを有し、前記第１のトランジスタと共に差動対として動作する第３のトランジスタ、をさらに有する
    　請求項２に記載の光検出装置。
  13. 　前記第３のトランジスタの前記ドレインは、前記接続ノードに接続されている
    　請求項１２に記載の光検出装置。
  14. 　前記第１段アンプ回路は、
    　前記第１のトランジスタの前記ドレインに接続された第１の負荷トランジスタと、
    　前記第３のトランジスタの前記ドレインと前記接続ノードとに接続された第２の負荷トランジスタと、をさらに有する
    　請求項１３に記載の光検出装置。
  15. 　前記第１段アンプ回路は、
    　前記参照信号が入力される第１の容量素子、をさらに有し、
    　前記第１のトランジスタは、前記第１の容量素子を介して前記ゲートに前記参照信号が入力されると共に、前記ソースに前記画素信号が入力される
    　請求項２に記載の光検出装置。
  16. 　光検出装置を含み、
    　前記光検出装置は、
    　画素信号を生成可能な画素と、
    　参照信号を生成可能な参照信号生成部と、
    　前記画素信号および前記参照信号に基づく比較動作に応じた第１の出力信号を出力可能な第１段アンプ回路と、接続ノードを介して前記第１段アンプ回路に接続され、前記接続ノードを介して前記第１段アンプ回路から出力された前記第１の出力信号に応じた第２の出力信号を出力可能な第２段アンプ回路とを有する比較回路と、
    　一端と他端とを有し、前記一端が前記接続ノードに接続され、前記接続ノードにおけるインピーダンスおよび電圧を変化させることが可能な第１のスイッチと
    　を備える
    　電子機器。
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